JPS6198355A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー光
などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関す
る。

〔従来技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電Ｈｅ像を形成し、
次いて該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処
理を行ない１画像を記録する方法がよく知られている。

中でも電子写　。

立法を使用した画像形成法では、レーザーとしては小型
で安価なＨｅ−Ｍｅレーザーあるいは半導体レーザー（
通常は６５０〜８２０ｎ朧の発光波長を有する）で像記
録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く。

社会的には無公害である点で例えば特開昭５４−８Ｅ１
３４１号公報や特開昭５８−８３７４８号公報に開示さ
れているシリコン原子を含む非晶質材料（以後ｒａ　−
９ｉ」　と略記する）から成る光受容部材が注目されて
いる。

尚乍ら、光受容層を単層構成のａ−５ｉ層とすると、そ
の高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される
１Ｇ＋２ΩＣ響以上の暗抵抗を確保するには、水素原子
やハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子とを特
定の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させる
必要性がある為に１Ｍ形成のコントロールを厳密に行う
必要がある等。

光受容部材の設計に於ける許容度に可成りの制限がある
。

この設計上の許容度を拡大出来る。詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては１例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層を８層層した二層以上の層構成として、光受
容層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５
２１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８
１５１１号、同５８１８０号、同５８１８１号の各公報
に記載されである様に支持体と光受容層の間、又は／及
び光受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造とした
りして、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案さ
れている。

この様な提案によって、ａ−５ｉ系先光受容材はその商
品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理の容
品性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向け
ての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用（。、ア
、−７−記ッ、う＃Ａ、、８い。や９−７゜１）□ ある為に、レーザー光が可干渉性の単色光であるので、
光受容層のレーザー光照射側自由表面、光受容層を構成
する各層及び支持体と光受容層との層界面（以後、この
自由表面及び層界面の両者を併せた意味で「界面」と称
す）より反射して来る反射光の各々が干渉を起す可能性
がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ１画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には１画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するｊ＋る層に
入射した光！０と上部界面１０２で反射しｌ−反射光Ｒ
２、下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している
。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　１層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長を入とし
て、ある層の層厚がなだらかに六以上の層厚差で不均一
であると、反射光Ｒ□、Ｒ２が２ｎｄ＝ｍ入（ｍは整数
、反射光は強め合う）と２ｎｄ＝（ｍ　＋　Ｊｚ　）入
（ｍは整数１反射光は弱め合う）の条件のどちらに合う
かによって、ある層の吸収光量および透過光量に変化を
生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗約５影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００　Ａ〜±　１００００Ａの
凹凸を設けて光散乱面を形成する方法、（例えば特開昭
５８−１８２１１７５号公報）アルミニウム支持体表面
を黒色アルマイト処理したり、或いは、樹脂中にカーボ
ン、着色顔料、染料を分散し、たりして光吸収層を設け
る方法（例えば特開昭５７−１８５８４５号公報）、ア
ルミニウム支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり
、サンドブラストにより砂目状の微細凹凸を設けたりし
て、支持体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例え
ば特開昭５７−１６５５４号公報）等が提案されている
。

丙午ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ
、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、Ｉ！１色顔料分散樹脂層を設ける場合はａ−５層層を
形成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される
光受容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がａ−
５ｉ層形成の際のプラズマによってダメージを受けて１
本来の吸収機能を低減させると共に５表面状態の悪化に
よるその後のａ−５＋Ｊ＃の形成に悪影響を与えること
等の不都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光重。は、光受容層３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ１となり、残りは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光■ｌ　となる、
透過光！寡は、支持体３０２の表面に於いて、その一部
は、光散乱されて拡散光に、　、に２．に３・・・とな
り、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部が
出射光Ｒ３となって外部に出て行く、従って、反射光Ｒ
，と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、依然
として干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射也 ；１　　　　　　　　　を防止す６為１支持体°°“０
表面０拡散性を増加させると、光受容層内で光が拡散し
てハレーションを生ずる為解像度が低下するという欠点
もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則に荒し、でも、第１
層４０２での表面での反射光Ｒ２，第２層での反射光Ｒ
１，支持体４０１面での正反射ＸＲ３の夫々が干渉して
、光受容部材の各層厚にしたがって干渉Ｗ＠模様が生じ
る。従って、多層構成の光受容部材においては、支持体
４０１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防
止することは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較的大
きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大
きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因とな
っていた。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　１又、単に支持体表面５０１を規則
的に荒した場合、第５図に示すように、通常、支持体５
０１表面の凹凸形状に沿°って、光受容層５０２が堆積
するため　支持体５０１の凹凸の傾斜面と光受容層５０
２の凹凸の傾斜面とが平行になる。

したがって、毛の部分では入射光は２ｎｄｌ−ｍ入また
は２ｎｄ＋　＝　（ｍ４−３４）入が成立ち、夫々明部
または暗部となる。また、光受容層全体では光受容層の
層厚Ｌ＋　＋ｄ２　、ｄ３　、ｄａの夫々の差の入 中の最大が７１以上である様な層厚の不均一性があるた
め明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又１表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に懇、受性の
ある新規な光受容部材を提供することで劇。

る。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は１画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの別の目的は、電気的耐圧性及び光感
度が高く、電子写真特性に優れた光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、濃度゛が高く。

ハーフトーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得ることが出来る電子６真用に適した光受容部材を
提供することでもある。

本発明の他の目的は、光受容部材の表面における機械的
耐久性、特に耐庁耗性及び光受容特性に優れた光受容部
材を提供することでもある。

〔発明の概要〕

本発明の光受容部材は、シリコン原子とゲルマニウム原
子とを含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコ
ンを原子を含む非晶質材料で構成され、光導電性を示す
第２の層と、シリコン原子と炭素原子とを含む非晶質材
料からなる表面層とが支持体側より順に設けられた多層
構成の光受容層を有しており、前記第１の層中に於ける
ゲルマニウム原子の分布状態が層厚方向に不均一である
と共に、前記光受容層は酸素原子、炭素原子、窒素原子
の中から選択される少なくとも一種を含有し、且つショ
ートレンジ内に１対以上の非平行な界面を有し、該非平
行な界面が層厚方向と垂直な面内の少なくとも一方向に
多数配列している事を特徴とする。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

１　　　　　　　　　　第６図は、本発明の基本原理を
説明するための・； １　　　　　　　　　説明図である。

本発明は装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状を有す
る支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿って多
層構成の光受容層を有し、該光受容層は第６図の一部に
拡大して示されるように、第２層８０２の層厚がｄＳか
らｄ６と連続的に変化している為に、界面６０３と界面
６０４とは互いに傾向きを有している。従って、この微
小部分（ショートレンジ）ｌに入射した可干渉性光は該
微小部分ｌに於て干渉を起し、微小な干渉縞模様を生ず
る。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光■。に対する
反射光Ｒ，と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る
為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ　
（Ｂ）　Ｊ　）に比べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界１″Ｆ９
″Ｉ″１ｇ″４６４Ｍ（ｒ（Ｂ）ｔ）、Ｊ−ＩＪ４　　
　　　　　。

非平行な場合（ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても干渉縞
模様の明暗の差が無視し得る程度に小さくなる。

その結果、微小部分の入射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に第２Ｗ　８０２の層厚が
マクロ的にも不均−Ｃｄｔ　Ｓ　ｄｏ　）であっても同
様に云える為、全層領域に於て入射光量が均一になる（
第６図のｒ　（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於いて照射側か
ら第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明
の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光１．に対
して、反射光ＲＩ　＋Ｒ２＋Ｒ３Ｒ４＋Ｒ５が存在する
。その為各々の層で第７図を似って前記に説明したこと
が生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為１本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現われることはない、又、仮に画
像に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的
には何等支障を生じない。

本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実
に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ！（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、ｌ≦Ｌであ
る。

又本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部分
ｌに於ける層厚の差（ｄｓ　−ｄｈ　）は、照射光の波
長をλとすると。

入 ｄＳ−ｄも≧　Ｙｌ （ｎ：第２層６０２の屈折率） であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分！のＷ
ｊ厚内（以後「微小カラム」と称す）に１１て、少なく
ともいずれか２つの層界面が非平行ｔ：関係にある様に
各層の層厚が微小カラム内に於て訪御されるが、この条
件を満足するならば該微４カラム内にいずれか２つの層
界面が平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於ける層厚の差が λ ７□　　　（ｎ：層の屈折率） 以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する第１の層、第２の層巻層の形成には
本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に、層
厚を光学的レベルで正確に制御できることからプラズマ
気相法（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採用
される。

支持体表面に設けられる凹凸は、７字形状の切刃を有す
るバイトをフライス盤、施ｉ等の切削加工機械の所定位
置に固定し１例えば円筒状支持体を予め所望に従って設
計されたプログラムに従って回転させながら規則的に所
定方向に移動させることにより、支持体表面を正確に切
削加工するこ４　　　　　２″”（７）！！１６＊ｔｌ
Ｃ，ｅ　−／　ｆ、　ｒ１３ＭＮｍ６１’Ｌ、ｌ　　　
　　　　　　　る、この様な切削加工法によって形成さ
れる凹凸が作り出す逆Ｖ字形線状突起部は１円筒状支持
体の中心軸を中心にした螺旋構造を有する。逆Ｖ字形突
起部の螺旋構造は、二重、三重、多重螺旋構造、又は交
叉螺旋構造とされても差支えない。

或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

支持体表面に設けられる凹凸の凸部の縦断面形状は形成
される各層の微小カラム内に於ける層厚の管理された不
均一化と、支持体と該支持体上に直接設けられる層との
間の良好な密着性や所望の電気的接触性を確保する為に
逆Ｖ字形とされるが、好ましくは第９図に示される様に
実質的に二等辺三角形、直角三角形成いは不等辺三角形
とされるのが望ましい、これ等の形状の中殊に二等辺三
角形、直角三角形が望ましい。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した上
で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１は光受容層を構成するａ−９ｉ層は、　　　
　　　　　　１層形成される表面の状態に構造敏感であ
って、表面状愈に応じて層品質は大きく変化する。

従って、ａ−５＋Ｆ９の層品質の低下を招来しない様に
支持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを設定す
る必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると１画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、プレートのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、ＴＬ子写真法のプロセス上
の問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果
、支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５００μｓ
〜０．３牌、より好ましくは２００μ〜ｌμｓ、最適に
は５ｏ−〜５−であるのが望ましし＼。

又、凹部の最大の深さは、好ましくは０．１−〜５鱗、
より好ましくは０．３−〜３鱗、最適には０．６ｕ〜２
ｕとされるのが望ましい、支持０体表面の凹部のピッチ
と最大深さが上記の範囲にある場合、凹ｆｌ＆（又は線
上突起部）の傾斜面の傾きは。

好ましくは１度〜２０度、より好ましくは３度〜１５度
、最適には４度〜ＩＯ度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
性に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０
．１−〜２ｕ、より好ましくは０．１ｕ〜１．５３Ｊ、
最適には０．２ｐ〜１１ｍとされるのが望ましい。

さらに本発明の光受容部材における光受容層はシリコン
原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
た第１の層とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され
、光導電性を示す第２の層と、シリコン原子と炭素原子
とを含む非晶質材料からなる表面層とが支持体側より順
に設けられた多層構成となっており、前記第１の層中に
於けるゲルマニウム原子の分布状態が層厚方向に不均一
となっているため、極めて優れた電気的、光学的、光導
電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
１画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、＃に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマツ本発明の光受容部材に
おいて、第２の層上に設けられるシリコン原子と炭素原
子とを含む非晶質材料からなる表面層には、４１械的耐
久性に対する保護層としての働き、および、光学的には
、反射防止層としてのｍきを主に荷わせることが出来る
。

上記表面層は、次の条件を満たす時、反射防止層として
の機能を果すのに適している。

（即ち１表面層の屈折率ｎ１層厚をｄ、入射光の・ｊ ）□　　　　　　　　　波長をλとすると。

ｄ＝晶 の時、又は、その奇数倍のとき１表面層は、反射防止層
として適している。

又、第２の層の屈折率をｆｌｌとした場合、表面層の屈
折率ｎが、 ｎ雪ｒｉ を満し且つ、表面層の層厚ｄが、ｄ＝４’ｎを満たす時
１表面層は１反射防止層として最適である。

ａ−Ｓｉ：Ｈを第２の暦として用いる場合、　ａ−５ｉ
：Ｈの屈折率は、約３．３であるので、表面層としては
、屈折率１．８２の材料が適している。

ａ−５ｉＣ：）Ｉは、Ｃの量を調整することにより、こ
のような値の屈折率とすることが出来、かつ、機械的耐
久性、層間の密着性、及び電気的°特性も十分に満足さ
せることが出来るので、表面層の材料としては最適なも
のである。

また表面層を、反射防止層としての役割に重点装置４合
、ｔよ１表面層。層厚お、ア１よ、。、。５〜　　　　
　　　　　ｉ２−とされるのがより望ましい。

以下１図面に従って１本発明の光受容部材〈就いて詳細
に説明する。

第１Ｏ図は１本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した模式的構成図である。

第１０図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体！００１の上に、光受容層１０００を有し
、該光受容層１０００は自由表面１００５を一方の端面
に有している。

光受容７！？　１００Ｇは支持体１００１側よりゲルマ
ニウム原子と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）とを含有するａ−３ｉ（以後ｒａ−９ｉＧ
ｓ　（Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成された第１の層
（Ｇ）　１００２と、必要に応じて水素原子又は／及び
ハロゲン原子（ｘ）とを含有するａ−５ｉ（以後ｒａ−
３ｉ（Ｈ，Ｘ）Ｊと略記する）で構成され、光導電性を
有する第２の！　（Ｓ）　１００３と、シリコン原子と
炭素原子とを含む非晶質材料からなる表面Ｎ１ＧＧＢと
が順に積層された層構造を有する。

第１０図に示される光受容部材１００４においては。

第２の層１００３上に形成される表面Ｎｔｏｏｅは、自
由表面を有し、主に耐湿性、連続繰返し使用特性、電気
的耐圧性、４１械的耐久性、光受容特性にお一′て、本
発明の目的を達成する為ら設けられる。

本発明に於ける表面層ｔｏｏｅは、シリコン原子（Ｓｉ
）と炭素原子（Ｃ）と、必要に応じて水素原子（Ｈ）及
び／又はハロゲン原子（Ｘ）とを含む非晶質材料（以後
、　　ｒａ−（ＳＬ＋ｃ＋−ｍ）ｙ（Ｈ，Ｘ）ｔ−ｙ　
Ｊと記す、但し、０＜ｘ、ｙ＜１）で構成される。

ａ−（Ｓｉｘ　Ｃ，−１１）ｙ　（）１．　Ｘ）　ｔ−
ｙ　テ構成される表面層１００Ｂの形成はグロー放電法
のようなプラズマ気相法（ｐａｗｎ法）、アルｌ、’ｌ
ｔ光ｃｖｎ法、熱ＣＶＤ法。

スパッタリング法、エレクトロンビーム法等によって成
される。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の
負荷程度、製造規模、作製される光導電部材に所望され
る特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、
所望する特性を有する光導電部材を製造するための作製
条件の制御が比較的容易である、シリコン原子と共に炭
素原子及びハロゲン原子を、作製する表面層１００６中
に導入するのが容易に行える等の利点から、−グロー放
電法或いはスパッタリング法が好適に採用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッタリン
グ法とを同一装置系内で併用して表面層１００６形成し
てもよい。

グロー放電法によって表面層１００６を形成するには、
ａ−（Ｓｉｘ　ｃ、　４　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）＋−ｙ形成
用の原料カスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合
比で混合して、支持体の設置しである堆積室に導入し。

導入されたガスをグロー放電を生起させることによりガ
スプラズプ化して、前記支持体に既に形成されである第
１から第２の層上にａ−（ＳＬ＋　Ｃｉ　−ｗ　）ｙ　
（Ｈ，Ｘ）　ｒ−ｙを堆積させれば良い。

本発明に於いて、ａ−（Ｓｉｘ（＋−ｘ）ｙ（）ｌ、Ｘ
）＋−ｙ形成用の原料ガスとしては、シリコン原子（Ｓ
ｉ）、炭素１　　　　　　　　　原子（Ｃ）、水素原子
（＋（）及び／・ロゲン原子（Ｘ）の１　　　　　　　
＋ｃ＞＋ヶ＜　ｚｔ−”ｐｔ＋ｏ−ヮ□２．ア。。オる
ガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化したものの
中の大概のものが使用され得る。

Ｓｉ、　Ｃ、Ｈ、Ｘの中の一つとしてＳｉを構成原子と
する原料ガスを使用する場合には１例えば、Ｓｉを構成
原子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと
、必要に応じてＨを構成原子とする原料ガス及び／又は
Ｘを構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合し
て使用するか、又はＳｌを構成原子とする原料ガスと、
Ｃ及びＨを構成原子とする原料ガス及び／又はＣ及びＸ
を構成原子とする原料ガスとを、これも又、所望の混合
比で混合するか、或いは、Ｓｉを構成原子とする原料ガ
スと、Ｓｉ、　ＣおよびＨの３つを構ｒ＆原子とする原
料ガス又はＳｉ、　ＣおよびＸの３つを構成原子とする
原料ガスとを混合して使用することができる。

又、別には、ＳｉとＨとを構成原子とする原料ガスに、
Ｃを構成層、子とする原料ガスを混合して使用しても良
いし、ＳｉとＸとを構成原子とする原料ガスにＣを構成
原子とする原料ガスを混合して使　　　　　　　　ｌ用
してもよい。

本発明に於いて１表面層１００６中に含有されるハロゲ
ン原子（Ｘ）として好適なものは、Ｆ、α、Ｂｒ、　Ｉ
であり、殊にＦ、αが望ましいものである。

本発明に於いて１表面層１００８を形成するのに有効に
使用される原料ガスと成り得るものとしては、常温常圧
に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る物質を
挙げることができる。

本発明に於いて１表面層１００６形成用の原料ガスとし
て有効に使用されるのは、Ｓｉと■とを構成原子とする
５ｒＨａ、’　Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｌ１）１６　、５ＬＪ。

等のシラノ（Ｓｉｌａｎｅ）類等の水素化硅素ガス、Ｃ
とＨとを構成原子とする、例えば炭素原子数１−４の飽
和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素　炭素
数２〜３のアセチレン系炭化水素、ハロゲン単体、ハロ
ゲン化水素、ハロゲン間化合物。

ハロゲン化硅素、ハロゲン置換水素化硅素、水製化硅素
等を挙げることができる。具体的には。

飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨａ）、エタン（Ｃ
２Ｈ６）、　　プロパ７　ＣＣ３Ｈａ　）　、　ｎ−ブ
タン（ＩＩＪＩ：４）１　Ｉｏ　）　、ペンタン（Ｃ５
Ｈ１２）、エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ
２Ｈ４）、プロピレン（Ｃ３Ｈｓ）、ブテン−１（Ｃａ
Ｈａ　）　、　ブテン−２（ＣＪａ　）　、　インブチ
レンＣＣａＨｓ　）　、ペンテンＣＣ５ＨＩｏ　）　、
アセチレン系炭化水素としては、アセチレン（Ｃ２Ｈ２
）　、メチルアセチレンＣ０３Ｈ４）、ブチン（１１：
ａＨｓ　）　、ハロゲン単体としては、フッ素、塩素、
臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ハロゲン化水稟としては
、Ｆｌ（、Ｈｌ、　　ＨＣｌ、ＨＢｒ　、／ＸＯゲン間
化合物としては、　ＢｒＦ　、ＣＩＦ　、ＣＦ３、ＣＦ
３、ＢｒＦ５、ＢｒＦ３．ｌＦ７　、　　ＩＦｔ、、　
　ｆｃｔ、ＩＢｒ　、　ハロゲン化硅素としてはＳｉＦ
４．　Ｓ＋２Ｆ６　、　ＳｉＣｌ３Ｂｒ　、　５ｉＣ１
２Ｂｒ２．５ｉＣＩＢｒ３　、Ｓｉα３１．５ｉＢｒ、
　、　ハロゲン、？１換水素化硅素としては、５ｉ８２
Ｆ７、ＳｉＨ２α２．　ＳｉＨα３゜５ｉＨ３Ｃｆ、５
ｉＨ３Ｂｒ、　５ｉＨ２Ｂｒ２　、５ｉＨＢｒ３水素化
硅素としては、ＳｉＨ４，５ｊ２Ｈ６、Ｓ：ｓＨＢ　、
　ＳｊＪ＋。等のシラン（Ｓｉｌａｎｅ）　Ｍ、等々を
挙げることができる。

これ等の他に、ＣＦ４．Ｃα４　、ＣＢＴａ、ＣＨＦ３
、Ｃｌ２Ｆ２　、　（Ｊ３Ｆ、ＣＨ３ＣＡ　、　（Ｈ３
Ｂｒ　、　ＣＨ３１，１４Ｈ５ＣＥ等のハロゲン置換パ
ラフィン系炭化水素、　ＳＦ４゜ＳＦ６等のフッ未化Ｖ
ｔ黄化合物；　５ｉ（ＣＨ３）ｎ、Ｓｉ　（Ｃ２Ｈｓ　
）ａ等のケイ化アルキルや５ｉＣＩ（１１：Ｈ３）３．
５ｉＣ１２（ＣＨ３）２　、５ｉＣ１３ＣＨ３等のハロ
ゲン含有ケイ化アルキル等のシラン誘導体も有効なもの
として挙げることができる。

これ等の表面層ｘｏｏｅ形成物質は、形成される表面層
１００６中に、所定の組成比でシリコン原子、炭素原子
及びハロゲン原子と必要に応じて水素原子番 が含有される様に１表面層１００６の形成の際に所望に
従って選択されて使用される。

例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子との含有が
容易に成し得て、且つ所望の特性の層が形成され得る５
ｉ（ＣＨ：ｓ）ａと、ハロゲン原子を含有させるものと
してのＳｉＨα３　、　ＳｉＨ２α２．Ｓｉα４゜或い
は、ＳｉＨ３α等を所定の混合比にしてガス状態で表面
Ｆ！’１００８形成用の装置内に導入してグロー放電を
生起させることによってａ−（ＳｉｘＣ＋−ｘ）ｙ　（
α＋Ｈ）ト、から成る表面層１００６を形成することが
でき（る・ ｉｌ　　　　　　　　　　　スパッタリング法によって
表面層１００Ｂを形成するには、単結晶又は多結晶の５
１ウェー／＼−又はＣウェーハーあるいはＳｌとＣが混
合されて含有されているウェーハーをターゲットとして
、これらを必要に応じてハロゲン原子又は／及び水素原
子を構Ｉ＆要素として含む種々のガス雰囲気中でスパッ
タリングすることによって行えばよい。

例えば、Ｓ１ウエーハーをターゲットとして使用すれば
、Ｃと、Ｈ及び／又はＸを導入するための原料ガスを、
必要に応じて稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入
し、これらのガスのガスプラズマを形成して前記３１ウ
エーハーをスパッタリングすれば良い。

また、別法としては、ＳｌとＣとは別々のターゲットと
して、又はＳｉとＣの混合した一枚のターゲットを使用
することによって、必要に応じて水素原子又は／及びハ
ロゲン原子を含有するガス雰囲気中でスパッタリングす
ることによって成される。Ｃ，）Ｉ及びＸの導入用の原
料ガスとなる物質としては、先述したグロー放電の例で
示した表面÷ 層１００Ｂ形成用の物質がスパッタリング法の場合にも
有効な物質として使用され（与る。

本発明に於いて、表面層１００６をグロー放電法又はス
パッタリング法で形成する際に使用される稀釈ガスとし
ては、所謂・希ガス、例えばＨｅ、　Ｎｅ、Ａｒ等が好
適なものとして挙げることかでさる。

本発明に於ける表面層１００６は、その要求される特性
が所望通りに与えられる様に注意深く形成される。

即ち、　Ｓｉ、　Ｃ、必要に応じてＨ又は／及びＸを構
成原子とする物質は、その作成条件によって構造的には
結晶からアモルファスまでの形態を取り、電気物性的に
は、導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又
光導電的性質から非光導電的性質を各々示すので本発明
においては、目的に応じた所望の特性を有するａ−（Ｓ
ｉｘ　Ｃ１−Ｘ　）ｙ　（Ｍ、　Ｘ）ト、が形成される
様に、所望に従ってその作成条件の選択が厳密に成され
る０例えば、表面層１００８を電気的耐圧性の向上を主
な目的として設ける場合には、ａ−（Ｓｉｘ　ＣＩ−Ｘ
　）ｙ　ＣＨ，Ｘ）　ｌ−ｙは使用環境に於いて電気絶
縁性的挙動の顕著な非晶質材料として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として表面層１００６が設けられる場合には上記の
電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される光に
対しである程度の感度を有する非晶質材料としテａ−（
ＳｉｘＣ＋−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）＋−ｙが作成される。第
２の層＋００３の表面上にａ−（Ｓｉ、Ｃ：１−う”）
ｖ　（Ｈ，Ｘ）　ｒ−ｙから成る表面層１００Ｂを形成
する際１Ｍ形成中の支持体温度は、形成される層の構造
及び特性を左右する重要な因子の一つであって１本発明
においては、目的とする特性を有するａ−（Ｓｉｘ　Ｃ
１−ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｌ−ｙが所望通りに作成さ
れ得る様に層作成時の支持体温度が厳密に制御されるの
が望ましい。

本発明に於ける。所望の目的が効果的に達成されるため
の表面層１００Ｂの形成法に併せて適宜最適範囲が選択
されて１表面層１００６の形成が実行されるが、好まし
くは２０〜４００℃より好適には５０〜３５０℃、最適
には１００〜３００℃とされるのが望ましいものである
６表面層１００ｆｌの形成には、層を構成する原子の組
成比の微妙な制御が他の方法に比べて比較的容易である
事等のために、グロー放電法やスパッタリング法の採用
が有利であるが、これ等の層形成性で表面Ｆ　１００ｆ
ｆを形成する場合には、前記の支持体温度と同様に居形
成の際の放電パワーが作成されるａ−（Ｓｔ、　Ｃ，−
１１）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｒ−ｙの特性を左右する＝１Ｈ
な因子の一つである。

本発明に於ける目的が効果的に達成されるための特性を
有するａ−（Ｓｔ、　ｃ、　−ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　
Ｉ−ｙが生産性良く効果的に作成されるための放電パワ
ー条件としては、好ましくはｌＯ〜＋ｏｏｏｗ　、より
好適には２０〜７５０Ｗ、　ｆｉ適には５０〜ｆｉ５０
Ｗとされるのが望ましいものである。

堆積室内のガス圧としては、好ましくは０．０１〜ｌ　
Ｔｏｒｒ、好適には、０．１〜−０．５Ｔｏｒｒ程度と
されるのが望ましい。

本発明に於いて１１表面Ｎ１００θを作成するための支
持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲とし４　　　
　　　　　　て前記した範囲の値が挙げられるが、これ
等の層；１　　　　　　　　　作成ファクターは、独立
的に別々に決められるもノテなく、所望特性のａ−（Ｓ
ｉｘ　Ｃｒ　−Ｘ　）ｙ　（）１．　Ｘ）　Ｉ−ｙから
成る表面層１００θが形成されるように相互的有機的関
連性に基づいて各層作成ファクターの最適値が決められ
るのが望ましい。

本発明の光導電部材に於ける表面層１００８に含有され
る炭素原子の量は、表面層＋ｏｏｅの作成条件と同様、
本発明の目的を達成する所望の特性が得られる表面層１
００８が形成される重要な因子の一つである。

本発明に於ける表面層１００６に含有される炭素原子の
量は１表面層１００６を構成する非晶質材料の種類及び
その特性に応じて適宜所望に応じて決められるものであ
る。

即ち、前記一般式ａ−（Ｓｉ、、　ｃ、　−Ｘ　）ｙ　
（Ｈ，Ｘ）　ｌ−ｙで示される非晶質材料は、大別する
と、シリコン原子と炭素原子とで構成される非晶質材料
（以後。

ｒａ−５ｉａＣ＋−ａ　Ｊと記す、但し、Ｑ＜ａ＜１）
、Ｓリコン原子と炭素原子と水素原子とで構成される非
晶質材料（以後、’　ａ−（Ｓｉ、　ｃ、　−ｂ　）ｅ
　Ｈ＋　−ａ　Ｊと記覧 す、但し、Ｑ　＜　ｂ、　ｃ　＜　１）　、シリコン原
子と炭素原子とハロゲン原子と必要に応じて水素原子と
で構成される非晶質材料（以後、　　ｒａ−（ＳｉｉＣ
＋−１）ａ（Ｈ，ＸＬ−＊　Ｊと記す、但し、Ｑ＜ｄ、
ｅ＜１）に分類される。

本発明に於いて、表面層１００８がａ−５ｉｌＣＩ−＠
で構成される場合、表面層１００Ｂに含有される炭素原
子ノｆｆｉは、好ましくは、Ｉ　Ｘ　１０−”　〜９０
ａｔｏｍｉｃ％、　・より好適には１〜８０ａｔｏｓｉ
ｃ％、最適には１０〜７５ａｔｏｍｉｃ％とされるのが
望ましいものである。即ち、先のａ−ＳｉａＣ＋−ａの
６の表示で行えば、ａが好ましくは０．１〜０．９９９
１１９、より好適には０．２〜０．３９．　ｆ＆適には
０．２５〜０．３である。

一方１本発明に於いて、表面５１００Ｂがａ−（Ｓｉ、
Ｃ１→）ｃ　Ｈ＋−６で構成される場合１表面層１００
８に含有される炭素原子の量は、好ましくはｌＸｌ０−
３〜９０ａｔｏｍｉｃ％とされ、より好ましくは１〜８
０ａｔｏｍｉＣ％、ｆ＆適にはｌＯ〜８０ａｔｏｍｉｃ
％とされるのが望ましいものである。水素原子の含有量
としては、好ましくは１〜４０ａｔｏａｉｃ％、より好
ましくは２〜３５ａｔｏｍｉｃ％、最適には５〜３０ａ
ｔｏｓｉｃ％とされるのが望ましく、これ等の範囲に水
素含有量がある場合に形成される光受容部材は、実際面
に於いて優れたものとして充分適用させ得る。

即ち、先のａ−Ｃ３ｉｂ　Ｃｒ　−ｂ　）ｅ　Ｈ＋−ｅ
の表示で行えば、ｂが好ましくは０．１〜０．９！１１
１９９．より好適には０、ＩＮＯ，９９、最適には０．
１５〜０．９、Ｃが好ましくは０．６〜（１，９９，よ
り好適には０．８５〜０．１１８．最適には０．７〜０
．８５であるのが望ましい。

表面層１００Ｂが、　ａ−（ＳｆａＣ＋−４）ｓ（Ｈ，
Ｘ）＋−＊で構成される場合には、表面ＰＪｉｏｏｓ中
に含有される炭素原子の含有量としては、好ましくは、
　　ｔｘｔｏ’〜９０ａｔｏ層ｉｃ％、より好適にはｌ
−８１−８０ａｔｏ％、最適には１０〜８０ａｔｏｍｉ
ｃ％とされるのが望ましいものである。ハロゲン原子の
含有量としては、好ましくは、　１〜２０ａｔｏｍｉｃ
％とされるのが望ましく、これ等の範囲にハロゲン原子
含有量がある場合に作成される光受容部材を実際面に充
分適用させ得るものである。必要に応じて含有される水
素原子の含有量としては、好ましくはｌｌｌａｔａｍｉ
ｃ％以下、より好適には１３ａｔｏｍｉｃ％以下とされ
るのが望ましいものである。

即ち、先のａ−（ＳｉａＣ＋−１）ａ（Ｈ，Ｘ）＋−ｅ
　（７）　ｄ、　ｅ　（’）表示で行えば、ｄが好まし
くは、ｏ、ｔ　−ｏ、ａｓｓｓａより好適には０．１〜
０，９８、最適には０．１５〜０．９、ｅが好ましくは
０．８〜０．１１１１、より好適には０．８２〜０．９
８、最適には０．８５〜０．８８であるのが望ましい。

未発明に於ける表面Ｍ＋ｏｏｓの層厚の数値範囲は、本
発明の目的を効果的に達成するための重要な因子の一つ
である。

本発明の目的を効果的に達成する様に、所期の目的に応
じて適宜所望に従って決められる。

又１表面層ｔｏｏｅの層厚は、該層中に含有される炭素
原子の量や第１から第２の層の層厚との関係に於いても
、各々の層に要求される特性に応じた有機的な関連性の
下に所望に従って適宜決定される必要がある。

更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経済性の点
においても考慮されるのが望ましい。

（本発明に於ける表面層１００Ｂの層厚としては、好（
，１ ５ましくは０．００３〜３０−１より好適には０．００
４〜２０ＩＩＩｍ、最適にはｏ、ｏｏｓ〜１０−とされ
るのが望ましいものでｈる。

本発明の光受容部材１００４に於いては、少なくとも第
１の層（Ｇ）　１００２又は／及び第２の層（Ｓ）１０
０３に伝導特性を支配する物質ＣＣ’）が含有されてお
り、該物質（Ｃ）が含有される層に所望の伝導特性が与
えられている。

本発明に於いては、第１の層ＣＧ）　＋００２又は／及
び第２の層（Ｓ）１００３に含有される伝導特性を支配
する物質（Ｃ）は、物Ｕ　（Ｃ）が含有される居の全層
領域に万遍なく均一に含有されても良く、物質（Ｃ）が
含有される層の一部の層領域に偏在する様に含有されて
も良い。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第１の
層ＣＧ）の一部の層領域に°偏在する様に第１の層（Ｇ
）中に含有させる場合には、前記物Ｗ　（Ｃ）の含有さ
れる層領域（ＰＮ）は、第１の層（Ｇ）の端部層領域と
して設けられるのが望ましい、殊に、第１の層（Ｇ）の
支持体側の端部層□、□２□１．。ヵＳＲ＋ｆ６ｎ６ｊ
ｉｔ＆　　　　　　’には、該層領域（ＰＮ）中に含有
される前記物質（Ｃ）の種類及びその含有量を所望に応
じて適宜選択することによって支持体から第２の層（Ｓ
）中への特定の極性の電荷の注入を効果的に阻止するこ
とが出来る。

本発明の光受容部材に於いては、伝導特性を制御するこ
との出来る物質ＣＣ）を、光受容層の一部を構成する第
１の！　（Ｇ）中に、前記したように該Ｍ　（Ｇ）の全
域に万遍なく、或いは層厚方向に偏在する様に含有させ
るのが好ましいものであるが、更には、第１の層（Ｇ）
に加えて第１の層（Ｇ）上に設けられる第２の層（Ｓ）
中にも前記物質（Ｃ）を含有させても良い。

又、別の好適な実施態様例に於いては前記物質（Ｃ）は
、第１の層ＣＧ）には含有させずに、第２の層（Ｓ）の
み含有される。

この場合、前記物質（Ｃ）は、：ｊＩＪ２の層（Ｓ）の
全層領域に万遍なく含有させても良いし、或いは、第２
の層（Ｓ）の一部の層領域のみに含有させて偏在させて
も良い、偏在させる場合には、第２の層（Ｓ）の第１の
層（Ｇ）側の端部層領域に含有させるのが好ましく、こ
の場合には、前記物質（Ｃ）の種類及びその含有量を適
宜選択することで支持体側から第２の層（Ｓ）への特定
の極性の電荷の注入を結果的に阻止することが出来る。

第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）を含有さ七る場合に
は、第１の！　（Ｇ）中に含有される前記物質（Ｃ）の
種類やその含有量及びその含有の仕方は、その都度所望
に応じて適宜法められる。

本発明に於いては、第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）
を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の層Ｃ
Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質（Ｃ）を含
有させるのが望ましい。

第１の層ＣＧ）と第２の層（Ｓ）の両方に伝導特性を支
配する物５ｆｔ（Ｃ）を含有させる場合、第１の層ＣＧ
）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層領域と、
第２の層（Ｓ）に於ける前記物ｆｉ　（Ｃ）が含有され
ている層領域とが、互いに接触する様に設けるのが望ま
しい。

又、第１の層ＣＧ）と第２の層（Ｓ）とに含有される前
記物ｆｉ　（Ｃ）は、第１の層ＣＧ）と第２の層（Ｓ）
とに於いて同種類でも異種類であっても良く、又、その
含有量は各層に於いて、同じでも異っていても良い。

丙午ら２本発明に於いては、各層に含有される前記物質
（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、第１の層
ＣＧ）中の含有量を充分多くするか、又は、電気的特性
の異なる種類の物質（Ｃ）を所望の各層に、夫々含有さ
せるのが好ましい。

本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成する第１
のＪｅ　（Ｇ）又は／及び第２の層（Ｓ）の中に、伝導
特性を支配する物質（Ｃ）を含有させることにより、該
物質（Ｃ）の含有される層領域〔第１の層（Ｇ）又は第
２の層（Ｓ）の一部又は全部の層領域のいずれでも良い
〕の伝導特性を所望に従って任意に制御することが出来
るものであるが、この様な物質（Ｃ）としては、所謂、
半導体分野で云われる不純物を挙げることが出来１本セ
　　　　　　　　　発明に於いては、形成される光受容
層を構成する！’　　　　　　　ａ−９、（Ｈ，Ｘ）ッ
１よ、□８−５、。ｅ（Ｈ，Ｘ）に対して、ｐ型伝導特
性を午えるｐ型不純物及びｎ型伝導特性を与えるｎ型不
純物を挙げることが出来る。

具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第１１族に属
する原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（４素）、Ａｊ（
アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム
）、Ｔ７（タリウム））があり、殊に好適に用いられる
のは、Ｂ、Ｇａである。

ｎ型不純物としては１周期律表第Ｖ族に属する原子（第
Ｖ族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、ｓｂ（
アンチモン）、Ｂ幕（ビス１ス）等であり、殊に、好適
に用いられるのは。

Ｐ、Ａｓである。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領域
（ＰＮ）に要求される伝導性、或いは、該層領域（ＰＮ
）が支持体に直に接″″′″゛°“６ｔｔ６ｊＪ％６ｋ
ｍｌ”、＋ｃｒｔ：１８４“°゛１′″　　　　１界面
に於ける特性との関係等、有機的関連性に於いて、適宜
選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）に直に接触して設けられる他の
層領域や、該他の層領域との接触界面の於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）の含
有量が適宜選択される。

本発明に於いて１層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性をＭＷする物質（Ｃ）の含有量としては、好ましくは
０．０１〜５　Ｘ　１０’　　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ＋ｓ
　、　　より好適には０，５〜Ｉ　Ｘ　１０’　　ａｔ
ｏｍｉｃ　ｐｐ層、最適には、１〜５　Ｘ　１０１０３
ａ脂ｉｃ　ＰＰ厘とされるのが望ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｃ）の含有量を
、好ましくは３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好
適には５０　ａｔｏ組ｃ　ｐｐｍ以上、最適には　１０
０　ａｔｏ■ｉＣＰＰ１１以上とすることによって１例
・えば該含有させる物質（Ｃ）が前記のＰ型不純物の場
合には、光受容層の自由表面がＯ極性に帯電処理を受け
た際に支持体側からの光受容層中への電子の注入を効果
的に阻止することが出来、又。

前記含有させる物質（Ｃ）が前記のｎ型不純物の場合に
は、光受容層の自由表面が０極性に帯電処理を受けた際
に支持体側から光受容層中への正孔の注入を効果的に阻
止することが出来る。

上記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（ＰＮ
）を除いた部分の層領域（Ｚ）には：層領域（ＰＮ）に
含有される伝導特性を支配する物質の伝導型の極性とは
別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物！　（Ｃ）を
含有させても良いし、或いは、同極性の伝導型を有する
伝導特性を支配する物質を層領域（ＰＮ）に含有させる
実際の量よりも一段と少ない量にして含有させても良い
ものである。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質の含有量としては１層領域（ＰＮ
）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量に応じて
所望に従って適宜決定されるもにであるが、好ましくは
、　０．００１〜１００１０００ａｔｏ　ＰＰ１１　、
より好適には０．０５〜５００　ａｔｏ＋＊１ｃｐｐ１
１．最適には０．１〜２０Ｏａｔｏ層ｉＣＰＰ”とされ
るのが望ましい。

本発明に於いて１層領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合には
１層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは３
０　ａｔｏ層ｉｃ　ｐｐ■以下とするのが望ましい。

本発明に於いては、光受容層に、一方の極性の伝導型を
有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域と、他
方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含有
させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触領域
に所謂空乏層を設けることも出来る。

詰り１例えば、光受容層中に、前記のｐ型不純物を含有
する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直
に接触する様に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏
層を設けることが出来る。

第１のＷｊ　（Ｇ）　１００２中に含有されるゲルマニ
ウム原子は、該第１の層（Ｇ）　＋００２の層厚方向に
は５　　　　　　　　連続的であって且つ前記支持体１
ｏｏｔの設けられて１１　　　　　　　　　ある側とは
反対の側（光受容層１００１の表面１００５側）の方に
対して前記支持体＋００１側の方に多く分布した状態と
なる様に前記第１の層（Ｇ）　＋００２中に含有される
。

本発明の光受容部材においては、第１の層（Ｇ）中に含
有されるゲルマニウム原子の分布状態は１層厚方向にお
いては、前記の様な分布状態を取り、支持体の表面と平
行な面内方向には均一な分布状態とされるのが望ましい
。

本発明に於いては、第１の層ＣＧ）上に設けられる第２
の層（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されておら
ず、この様な層構造に光受容層を形成することによって
、可視光領域を含む、比較的短波長から比較的短波長迄
の全領域の波長の光に対して光感度が優れている光受容
部材とし得るものである。

又、第１の層（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布
状態は全層領域にゲルマニウム原子が道統的に分布し、
ゲルマニウム原子の層厚方向の夕。

＃ｊＬｆｆｌ：Ｃ″＜ｖｎｍｍｘｇ“２（７）Ｊｅｔ　
（Ｓ）　ｌ−１：ｒＪ°１１減少する変化が与えられて
いるので、第１の層（Ｇ）と第２のｆｉ　（Ｓ）との間
に於ける親和性に　′侵れ、且つ後述する様に、支持体
側端部に於いてゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを極端に
大きくすることにより、半導体レーザ等を使用した場合
の、第２の層（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の
光を第１の層（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収する
ことが出来、支持体面からの反射による干渉を防止する
ことが出来る。

又、本発明の光受容部材に於いては、第１の層（Ｇ）と
第２の層（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシリコ
ン原子という共通の構成要素を有しているので積層界面
に於いて化学的な安定性の確保が充分成されている。

第１１図乃至第１３図には、本発明における光受容部材
の第１のＰ５　（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態の典型的例が示される。尚、各図
に於いて、層厚及び濃度の表示はそのままの値で示すと
各々の図の違いが明確でなくなる為、極端な形で図示し
ており、これらの図は模式的なものと理解されたい、実
際の分布とじては、本発明の目的が達成される可く、所
望される分布Ｃ度線が得られるように、ｔｉ（＋≦１≦
８）又はＣ１（１≦ｉ≦１７）の値を選ぶか、或いは分
布カーブ全体に適当な係数を掛けたものをとるへきであ
る。

第１１図乃至第１３図において、横軸はゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃを、縦軸は、第１の層（Ｇ）の層厚を示
し、１．は支持体側の第１の層（Ｇ）の端面の位置を、
１．は支持体側とは反対側の層ＣＧ）の端面の位置を示
す、即ち、ゲルマニウム原子の含有される第１の層ＣＧ
）は１Ｂ側より１Ｔ側に向って層形成がなされる。

第１１図には、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマニ
ウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示され
る。

第１１図に示される例では、ゲルマニウム原子０含有さ
れる第１の層ＣＧ）が形成される表面とｉ＆第１の１ｙ
ｊ（Ｇ）の表面とが接する界面位置ｔＢより１、の位置
までは、ゲルマニウム原子の分布濃度にが０皿なる一定
の値を取り乍らゲルマニウム原子が形成される第１の層
（Ｇ）に含有され、位７ｉ　ｔ４よりは濃度Ｃ２より界
面位２ｉｔｒに至るまで徐々に連続的に減少されている
。界面位ＺＬｔｔにおいてはゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは実質的に零とされる（ここで実質的に零とは検出
限界艮未溝の場合である）。

第１２図に示される例においては、含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃは位ｍ　Ｌａより位置ｔＴに至る
まで濃度Ｃ３から徐々に連続的に減少して位ｍｂにおい
て濃度Ｃ４となる様な分布状態を形成している。

第１３図の場合には、位置ｔｏより位ごｔ２までは、ゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度ちと一定値とされ１
位置ｔ２と位２１ｔｒとの間において、徐々に連続的に
減少され１位ａｈにおいて１分布濃度Ｃは実質的に零と
されている 第＋４［１ｉｉ１の場合には、ゲルマニウム原子の分布
濃度Ｃは位Ｉ　ＬＢより位ＩＬｔに至るまで、濃度Ｃ６
より１　　　　　　　カカ２うカ＋：＊＃ｃｇ’ｉ’ｇ
ｉ、　＊工１３よ、１よ、工；１ に連続的に減少されて、位置ｔＴにおいて実質的に零と
されている。

第１５図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは１位置を日と位置ｔ４間においては、濃度Ｃ７と
一定値であり、位５１ｔｙに於ては分布濃度Ｃは零とさ
れる０位２１ｔａと位２１丁との間では、分布濃度Ｃは
一次関数的に位１　ｔａより位１ｔＬｖに至るまで減少
されている。

第１６図に示される例においては、分布濃度Ｃは位ａ　
ｔＳより位置１．までは濃度Ｃ８の一定値を取り、位ｉ
ｔｓより位置を丁までは一度Ｃ９より濃度ｃｉｏまで一
次関数的に減少する分布状態とされている。

第１７図に示す例においては、位ａｌｔｏより位ｉ１１
．．。

に至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ
１１より実質的に零に至る様に一次関数的１こ連続して
減少し零に至っている。

第１８図においては、位Ｉｔｓより位置ｔ６に至るまで
はゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度ＣＩ２より濃
度ＣＩ３まで一次関数的に減少され、位！　’ｂ　　　
　　　　　　ｉと位ｆｉｆｔｙとの間においては、濃度
ＣＩ３の一定値とされた例が示されている。

第１９図に示される例においては、ゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃは１位置１．において濃度ｅｔａであり、位
１ｔ７に至るまではこの濃度ＣＩ４より初めはゆっくり
と減少され、ｔ７の位置付近において′　　　は、急激
に減少されて位１ｔｔでは濃゛度ＣＩ５とされる。

位ｆｉｈと位ｇ！Ｌｔａとの間においては、初め急激に
減少されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位ｇ
！ＩＬＩＩで濃度ｃｒｂとなり１位ａｔｅと位Ｚｔ９と
の間では、徐々に減少されて位ｉｔ９において、濃度Ｃ
Ｉ７に至る６位置ｔ９と位２ｔｔｔとの間においては、
Ｃ度Ｃ１）より実質的に零になる様に図に示す如き形状
の曲線に従って減少されている。

以上、第１１図乃至第１８図により、第１の層（Ｇ）中
に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の
典型例の幾つかを説明した様に。

本発明においては、支持体側において、ゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃの高い部分を有し、界面ｔア側において
は、前記分子Ｃ６度Ｃは支持体側に比べて可成り低くさ
れた部分を右するゲルマニウム原子の分布状態がｙＳｌ
の層（Ｇ）に設けられているのが望ましい。

本発明における光受容部材を構成する第１の層ＣＧ）は
好ましくは上記した様に支持体側の方にゲルマニウム原
子が比較的高濃度で含有されている局在領域（Ａ）を有
するのが望ましい。

本発明においては局在領域（Ａ）は第１１図乃至第１３
図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置１Ｂより５
ル以内ド設けられるのが望ましい。

本発明に於ては、上記局在領域（Ａ）は、界面位置１．
より５弘厚までの全層領域（Ｌ）とされる場合もあるし
、又、層領域（Ｌ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ａ）を層領域（Ｌ）の一部とするか又は全部
とするかは、形成される光受容層に要求される特性に従
って適宜状められる。

局在領域（Ａ）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布濃
度の最大値Ｃｍａｘがシリコン原子に対して、好ましく
は＋０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好適には
５０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には１ｘ１
０’　　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とされる様な分布状
追となり得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、ゲルマニウＪ−原子の含有さ
れるｇＳｌの層（Ｇ）は、支持体側からの層厚で５成以
内（ｔａから５終厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃ鵬
ａ！が存在する様に形成されるのが好ましいものである
。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
層（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲ
ン原子（Ｘ）の量または水素原子とハロゲン原子の量の
和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％
、より好適には５〜３０ａｔｏｍｉｃ％、最適には５−
２５　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明において、第１の層ＣＧ）中に含有され、　　　
　　　６　’）　／Ｌ−”°′”Ｍ　−ｆ　（７）＊　
＊　Ｎ　ｋ　Ｌ　ＩＩ”ｌ”０）１　　　　　　　　目
的が効果的に達成される様に所望に従って適宜法められ
るが、好ましくは１〜９．５Ｘ　１０５１０５ａｔｏ　
ｐｐｍ　、　より好ましくは１００〜８Ｘ１Ｇ’ａｔｏ
ｍｉｃ　ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて第１の層ＣＧ）と第２の層（Ｓ）との′
層厚は１本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な
因子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特
性が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分
なる注意が払すれる必要がある。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）の層厚丁８は。

好ましくは３０Ａ〜５０＃Ｌ、より好ましくは、４０Ａ
〜４０ル、最適には、５０Ａ〜３０ルとされるのが望ま
しい。

又、第２の層（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜３
０ル、より好ましくは１〜８０ル最適には２〜５０終と
されるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）の層厚Ｔ、と第２の層（Ｓ）の層厚Ｔの
和（Ｔ、＋Ｔ）としては１両層領域に要求される特性と
光受容層全体に要求される特性との相瓦間の有機的関連
性に基いて、光受容部材の層設　　　　　　　　　１計
の際に所望に従って、適宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、上記の（Ｔ８十Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくはｌ−１００ル、より好適
には１〜８０川、最適には２〜５０ＩＬとされるのが望
ましい。

本発明のより好ましい実施悪様例に於いては、上記の層
厚■８及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴ、／Ｔ≦１な
る関係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数値が
選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚Ｔ８及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、より好ましくは、τｍ／Ｔ≦０．３．最適には
Ｔ、／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚Ｔ、及
び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいものである。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量がＩ　Ｘ　１０’　　ａｔｏ厘ｉｃ
ｐｐｍ以上の場合には、第１の層ＣＧ）の層厚Ｔ、とじ
ては、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３０
共以下、より好ましくは２５蒔以下、最適には２０終以
下とされるのが望ましい。

本発明において、光受容層を構成するｇＳｌの層ＣＧ）
及び第２の層（Ｓ）中に必要に応じて含鳴されるハロゲ
ン原子（Ｘ）としては、具体約１゜は、フッ素、塩素、
臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なも
のとして挙げること力出来る。

本発明において、ａ　−９ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）で構成さ
れる第１のＮ　（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電
法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される０
例えば、グロー放電法によって、ａ−５ｉＧｓ（Ｈ，Ｘ
）で構成される第１の暦（Ｇ）を形成するには、基本的
には、シリコン原子（Ｓｉ−）を供給し得るＳｉ供給用
の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得るＧ
ｅ供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ）導入
様の原料ガス又は／及びハロゲン原子（ｘ）４人用の原
料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧
状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、
予め所定位置に設置されである所定の支持体表面上に含
有されるゲルマニウム原子の分布濃度を所望の変化二杯
曲線に従って制御し乍らａ　−５ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）か
ら成る層を形成させれば良い、又、スパッタリング法で
形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又
はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳ
ｉで構成されたターゲットとＧｅで構成されたターゲッ
トの二枚を使用して、又はＳｉとＧｅの混合されたター
ゲットを使用してスパッタリングする際、必要に応じて
水ＭＷ子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の
ガスをスパッタリング用の堆積室に導入してやれば良い
。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、５ｉＨａ、　Ｓｉ２Ｈ６＋５ｊ３Ｈ
８、５ｉ４Ｈ１゜等のガス状態の又ガス化し得る水素化
硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げら
れ、殊に１層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供給効率の
良さ等の点で５ｉ）１４．　Ｓｉ２Ｈ６。

雀　　　　　　　　　が好まい゛も０と１て挙げらＦ′
６・ｉｆ　　　　　　　　　　　Ｇｅ供給用の原料ガス
と成り得る物質として卆 は、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３ＨＢ　、　ＧｅＪ　
ｒｏ　＋　Ｇｅｒ、ＨＨ１ＧｅｂＨ＋、Ｉ＋　Ｇｅ７Ｈ
１６、ＧｅａＨＩＢ　、　ＧｅｇＨ２ｏ　’９のガス状
ｈ　ノ又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使
用されるものとして挙げられ、殊に１層作成作業時の取
扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の点で、ＧｅＨ４、Ｇ
ｅ２Ｈ６、Ｇｅ３Ｈｓが好ましいものとして挙げられる
。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのＩ＼ロゲン化合物が挙げら
れ、例えばハロゲンガス、／＼ロゲン化物、ハロゲン間
化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状
態の又はガス化し得る／Ｘロゲン化合物が好ましく挙げ
られる。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構ｒ＆要
素とするガス状態の又はガス化し得る。ｌ＼ロゲン原子
を含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明にお
いては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素。

ヨウ素（７）　ハロゲンガス、ＢｒＦ、αＦ、ＣＩ　Ｆ
３　、　ＢｒＦｌ、　　　　　　　　ｌＢｒＦ３　、Ｉ
Ｆ３　、　ＩＦ７　、Ｉα、　ＩＢｒ等のハロゲン間化
合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば５
ｉＦａ、　Ｓｉ２Ｆ６　、　Ｓｉα４　、５ｉ８ｒａ等
のハロゲン化硅素を好ましいものとして挙げる事が出来
る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｉを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−９ｉＧｅか
ら成る第１の層（Ｇ）を形成するＪＧが出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層（
Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｉ供給用の
原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガス
となる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ２，Ｈｅ等のガス
等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１のｅ　
（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放′屯を生起
してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによ
って。

所望の支持体上に第１の層（Ｇ）を形成り１１）るもの
であるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる
様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子
を含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成しても
良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応性スパッタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ってａ　−５ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）から成る：ｔＳｌ
の層（Ｇ）を形成するには、例えばスパッタリング法の
場合にはＳｉから成るターゲットとＧｅから成るターゲ
ットの二枚を、或いはＳｉとＧｅから成るターゲットを
使用して、これを所望のガスプラズマ雰囲気中でスパッ
タリングし、イオンブレーティング法の場合には２例え
ば、多に晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマ
ニウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸
着ポートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエ
レクトロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ
飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる
１１Ｓで行う事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子
を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスの
プラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｆ２．或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ、Ｈα、　Ｈｅｒ。

ｇ　　　　　　　　ＨＩ等ノハロゲン化水素、ＳｉＨ２
Ｆ２　、５ｒＨｚ　Ｉ２　。

’　　　　　　　　　５ｉ）１２ａ２．５ｉＨＣ１１、
５ｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３等（７）　ハｅｌゲン置
換水素化硅素、及びＧｅＨＦ３　、　ＧｅＦ２Ｆ２　、
ＧｅＨ３Ｆ。

ＧｅＨα　３　　、　　ＧｅＦ２　Ｃ１２、ＧｅＨ３α
　、ＧｅＨＢｒ３　　。

ＧｅＦ２Ｂｒ２　、　ＧｅＨＢｒ３　ＧｅＨＩ３　、　
Ｇｅ）１２１２　、　Ｇｅ）１３１等の水素化ハロゲン
化ゲルマニウム等の水素原子を構成要素の１つとするハ
ロゲン化物、ＧｅＦａ＋ＧｅＣ１，、ＧｅＢｒ４　、　
ＧｅＩ４．　ＧｅＦ２．　Ｇｅα２　、　ＧｅＢｒ２　
。

Ｇｅ１２　！ｊ？のハロゲン化ゲルマニウム、等々のガ
ス状態の或いはガス化し得る物質も有効な第１の層（Ｇ
）形成用の出発物質として挙げる】バが出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１のＭ　（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と
同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水
素原子も導入されるので、本発明においては好適なハロ
ゲン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層ＣＧ）中に構造的に導入するには、
上記の他にＦ２．或いは５ｉ）Ｉ４．５ｉｚＨ６＋５ｉ
３Ｈ・・引・１・・等の水素化硅素を０°を供給す６　
　　　　　　　　（為のゲルマニウム又はゲルマニウム
化合物と、或いは、　ＧｅＨ４，Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３Ｈ
１１、Ｇｅ４Ｈ１ｏ　、　Ｇｅ５Ｈ（２。

Ｇｅ３Ｈ１１＋　Ｇｅ７’　ｌＧ　ｒ　Ｇｅ６ＨＩＩＩ
　＋　Ｇ”ＬＨ２０等の水素化ゲルマニウムとＳｉを供
給する為のシリコン又はシリコン化合物とを堆積室中に
共存させて放電を生起させる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）の
量又はハロゲン原子（Ｘ）の星又は水素原子とハロゲン
原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０．０１〜４０
　ａｔｏｍｉｃ％、より好適には０．０５−３０　ａｔ
ｏｍｉｃ％、最適には０．１〜２５ａｔｏｍｉｃ％とさ
れるのが望ましい。

第１のｆｆｉ　（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又
は／及びハロゲン原子（ｘ）の凌を制御するには１例え
ば支持体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲ
ン原子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆
積装置系内へ導入する量、放電々力等を３制御してやれ
ば良い。

本発明に於いて、　　ａ　−５ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる第２の層（Ｓ）を形成するには、前記した：ｊＳｌ
の層（Ｇ）形成用の出発物質ＣＩ）の中より、Ｇｅ供給
用の原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第２の
層（Ｓ）形成用の出発物質（ＩＩ））を使用して、第１
の層ＣＧ）を形成する場合と、同様の方法と条件に従っ
て行うことが出来る。

即ち１本発明において、　ａ−Ｓｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成
される第２の層（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電
法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される０
例えば、グロー放電法によってａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）で構
成される第２の層（Ｓ）を形成するには、基本的には前
記したシリコン原子（Ｓ　ｉ）を供給し得るＳｉ供給用
の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用
の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、
内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内に
グロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されである
所定の支持体表面上にａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層を
形成させれば良い、又。

スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈ
ｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合
ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットをスパッ
タリングする際、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原
子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導
入しておけば良い。

光受容層を構成する層中に、　伝導特性を制御する物質
（Ｃ）、例えば、第■族原子或いは第Ｖ族原子を構造的
に導入して前記物質（Ｃ）の含有された層領域（ＰＮ）
を形成するには、層形成の際に、第■族原子導入用の出
発物質或いは第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態で
堆積室中に光受容層を形成する為の他の出発物質と共に
導入してやれば良い、この様な第■族原子導入用の出発
物質と成り得るものとしては、常温常圧でガス状の又は
、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが
採用されるのが望ましい、その様な也　　　　　　　　
　第ｍ族原子導入用の出発物質として具体的には硼）１
　　　　　□＋、Ｘ□２．アＬｉｆｔ、□６．８４□１
゜、８．□９”ＳＨ１１＋　８６）＋　１６　、ａ、Ｂ
１２　Ｊ６Ｈ１４等ノ水素化ｍ素、　ＢＦ３ＢＯＡ　３
　、　ＢＢｒ３等のハロゲン化硼素等が挙げられる。こ
の他、　Ａ１Ｃｌ３　、　　ＧａＣ１ｇ　、　Ｇａ　（
ＣＨ３）３　＋１ｎＣ１３，ＴＣｌ、等も挙げることが
出来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として１本発明においた有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、　Ｐ）１
３　＋　　Ｐ２Ｈ４等の水素化燐、　Ｐ！！、１　、　
ＰＦ３゜ＰＦ５．　、　ＰＣＡ　３　、　ＰＣＡ５　、
　ＰＢｒ３．　ＰＢＴＳ、　ＰＩ３等のハロゲン化燐が
挙げられる。この他、ＡｓＨ３、ＡｓＦ３　。

ＡｓＣ１３、ＡｓＢｒ３．　ＡｓＦ５．　！１ｉｂＨ３
，ＳｂＦ３．　ＳｂＦ５゜５ｂＣｊ３　、　５ｂＣｊ５
　、　ＳｉＨ３，ＳｉＣ！３＋　　Ｂ１Ｂｒ３等も第Ｖ
族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げること
が出来る。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間のＰ′着性の改良
を図る目的の為に、光受容層中には、酸素原子、炭素原
子、窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子
が層厚方向には均一′Ｍ　”　”　”　”　”　”　”
　”　”　＊　”　ｇ　ｈ　６−　Ｘ　９　Ｂ　　　　
　　＋層中に含有されるこの様な原子（ＯＧＮ）は、光
受容層の全層領域に含有されても良いし、或いは、光受
容層の一部の層領域のみに含有させるこＩとで偏在させ
ても良い。

原子（ＯＣＮ）の分布状態は分布濃度Ｃ（０（：Ｎ）が
、光受容層の支持体の表面と平行な面内に於いては均一
であることが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる原子（ＯＣＮ）
の含有されている層領域（０（：１１）は、光感度と暗
抵抗の向上を主たる目的とする場合には、光受容層の全
層領域を占める様に設けられ、支持体と光受容層との間
の′ｌＥ着性の強化を図るのを主たる目的とする場合に
は、光受容層の支持体側端部層領域を占める様に設けら
れる。

前者の場合１層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の含有量は、高光感度を維持する為に比較的少な
くされ、後者の場合には、支持体との密着性の強化を確
実に図る為に比較的多くされるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（０ＯＮ
）に含有される原子（０１１１：Ｎ）の含有量は１層領
域（Ｏｉｌ：Ｍ）臼体に要求される特性、或いは該層領
域（ＯＣＸ）が支持体との接触して設けられる場合には
、該支持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機
的関連性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＯＣＮ）に直に接触して他の層領域が
設けられる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層
領域との接触界面に於ける特性とび１関係も考慮されて
、原子（ＯＣＮ）の含有量が適宜選択される。

層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＱＣＮ）の呈に
は、形成される光受容部材に要求される特性に応じて所
望に従って適宜状められるが、好ましくは０．００１〜
５０ａｔｏｓｉｃ％、より好ましくは、　０．００２〜
４０ａｔｏｓｉｃ％、最適には０．００３〜３０ａｔｏ
ｓｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の全域を
占めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、層
領域（ＯＣＮ）の層厚Ｔｏの光受容層の層厚Ｔに占める
割合が充分多い場合には５層領域（ＯＣＮ）に含有され
る原子（Ｏｆ：Ｎ）の含有量の上限は、前記の値より充
分少なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（（Ｈｌ：Ｎ）の層厚Ｔｏが
光受容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上と
なる様な場合には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原
子（ＯＣＮ）の上限としては、好ましくは３０ａｔａｍ
ｉｃ％以下、より好ましくは２０ａｔｏｍｉｃ％以下、
最適にはｌｏａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが望ましい
。

本発明の好適な実施態様例によれば、原子（ＯＣＮ）は
、支持体上に直接設けられる前記の第１の層には、少な
くとも含有されるのが望ましい、詰り、光受容層の支持
体側端部層領域に原子（ｏｃｇを含有されることで、支
持体と光受容層との間の密着性の強化を図ることが出来
る。

更に、窒素原子の場合には１例えば、硼素原子との共存
下に於いて、暗抵抗の向上と高光感度の確保が一層出来
るので、光受容層に所望量含有さ姐 −れることが望ましい。

Ｉ″ 又、これ等の原子（ＯＣＮ）は、光受容層中に複数種含
有させても良い、即ち１例えば、第１の層中には、酸素
原子を含有させたり、或いは、同一層領域中に例えば酸
素原子と窒素原子とを共存させる形で含有させても良い
。

第２０図乃至第２８図には、本発明における光受容部材
の層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＯＣＮ）の層
厚方向の分布状態が不均一な場合の典型的例が示される
。

第２０図乃至ｍ２８図において、横軸は原子（ＯＣＮ）
の分布濃度Ｃを、縦軸は層領域（ＯＣＮ）の層厚を示し
、１Ｂは支持体側の層領域（ＯＣＮ）の端面の位置を、
を丁は支持体側とは反対側の層領域（０（：Ｎ）の端面
の位置を示す、即ち、原子（ＯＣＮ）の含有される層領
域（ＯＣＮ）はＬａ側よりＬＴ側に向って層形成がなさ
れる。

第２０図には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態が不均一な場合の第１の
典型例が示される。

第２０図に示される例では、原子（ＯＣＮ）の含有さ　
　　　　　　　　ｉれる層領域（ＯＣＳ）が形成される
表面と該層領域（ＯＣＮ）の表面とが接する界面位２１
ｔｏより１．の位こまでは、原子（ＯＧＮ）の分布濃度
ＣがＣ１なる一定の値を取り乍ら原子（ＯＣＮ）が形成
される層領域（０（：Ｎ）に含有され、位置ＬＩよりは
濃度４より界面位ｉ？ｔｔｙに至るまで徐々に連続的に
減少されている。界面位置１．においては原子（ＯＣＮ
）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ３と９れる。

第２１図に示される例においては、含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の分布濃度Ｃは位置ｔ８よりＬＴに至るまで濃度
Ｃ，から徐々に連続的に減少して位置１丁において濃度
ちとなる様な分布状態を形成している。

第２２図の場合には１位置　Ｌｍより位ｇ！ｌｔ２まで
は原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃもと一定値とさ
れ、位ＺＺｔｚと位ｆａｔｒとの間において、徐々に連
続的に減少され、位２１許において１分布源度Ｃは実質
的に零とされている（ここで実質的に零とは検出限界量
未満の場合である）。

第２３図の場合には、原子（ｏｃＮ）の分布濃度Ｃは位
２１　ＬＢより位２１ＬＴに至るまで、濃度ｃｏより連
続的に徐々に減少され、位２２Ｌ丁において、実質的に
零とされている。

第２４図に示す例においては、原子（ＯＧＮ）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢと位ＨＬ３間においては濃度Ｃ９と一定
値であり２位置り丁においては濃度ＣＯＯとされる０位
置ｔ３と位置ｔτとの間では１分布源度Ｃは一次ｒＡ数
的に位置ｔ３より位ｆｆ１ｔｔに至るまで減少している
。

第２５図に示される例においては１分２１１ｙ濃度Ｃは
位置Ｌａより位２ｊｔ４までは濃度Ｃ１１の一定値を取
り１位置ｍｔａより位ｍａｒまでは濃度ＣＩ２より濃度
Ｃ１３までは一次関数的に減少する分布状態とされてい
る。

第２６図に示す例においては１位置！！１ｔａより位Ｚ
Ｚｔｙに至るまで、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度
ＣＩ４より実質的に零に至る様に一次５！！数的に減少
している。

第２７図においては、位２Ｚｔａより位２Ｌｔｓに至る
までは原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは、濃度ＣＩＳより
Ｃ１６までの一次関数的に減少され１位置ｔｓと位置１
Ｔとの間においては、濃度ＣＩ＆の一定値とされた例が
示されている。

第２８図に示される例においては、原子（ＯＣＮ）の分
布濃度Ｃは、位ｉｔｓにおいては濃度（’＋７であり、
位ａｔＳに至るまではこの濃度Ｃａｔより初めは緩やか
に減少され、＋６の位置付近においては、急激に減少さ
れて位置ｔ６では濃度Ｃ１６とされる。

位２ｔ、と位’；ａｈとの間においては、初め急激に減
少されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位Ｚｔ
ｔｙで濃度（’＋９となり、位ｆｆ１ｔｔと位２ｆｔｅ
との間では、極め・てゆっくりと徐々に減少されて＋８
において、濃度Ｃ２Ｏに至る０位ｉｔａと位！ｔｔの間
においては濃度０２０より実質的に零になる様に図に示
す如き形状の曲線に従って減少されている。

以上、第２０図乃至第２８図により１層領域（ＯＣＮ）
中に含有される原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態が
不均一な場合の典型例の幾つかを説明した様に、本発明
においては、支持体側において、原子、　　　　　　（
ＯＣＮ）　＋７）″″″′″１°°１°゛″″′口°゛
′″″１ｉｉ　　　　　　　　　　　”　８°蚤は、ａ
Ｅ’ＡｔｒｒｔＨａｃはゞ持４３ゝ１゛１５（成り低く
された部分を有する原子（ＯＣＮ）の分（Ｊ状態が層領
域（０ＯＮ）に設けられている。

原子（ＱＣ：Ｎ）の含有される層領域（ＯＣＮ）は、上
記した様に支持体側の方に原子（ＯＣＮ）が比較的高濃
度で含有されている局在領域（Ｂ）を有するものとして
設けられるのが望ましく、この場合には、支持体と光受
容層との間の密着性をより一層向上させることが出来る
。

上記局在領域（Ｂ）は、第２０図乃至第２８図に示す記
号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより５μ以内に設
けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置を
日より５ル厚までの全領域（ＬＴ）とされる場合もある
し、又、層領域（Ｌ、）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜状められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される原子（Ｏｌｌ：Ｎ
）の層厚方向の分布状態として原子（ＯＣＮ）分布濃度
　　　　　　　　１Ｃの最大値Ｃｍａｘが、好ましくは
５００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好適には８００
ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には１０００ａｔａｌ
＋ｉｃ　ｐｐｍ以上とされる様な分布状態となり得る様
に層形成されるのが望ましい。

即ち１本発明においては１Ｍ子（ＱＣ；Ｎ）の含有され
る層領域（ＯＣＮ）は、支持体側からの層厚で５μ以内
（ｔｅｌから５ル厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大値Ｃ
■ａ！が存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明において１層領域（ＯＣＮ）が光受容層の一部の
層領域を占める様に設けられる場合には層領域（ＯＣＮ
）と他の層領域との界面において、屈折率が緩やかに変
化する様に、原子（０（：Ｎ）の層厚方向の分布状態を
形成するのが望ましい。

この様にすることで、光受容層に入射される光が層接触
界面で反射されるのを阻止し、干渉縞模様の発現をより
効果的に防止することが出来る。

又１層領域（０（：Ｎ）中での原子（ＯＣＮ）の分布濃
度Ｃの変化線は滑らかな屈折率変化を与える点で、連続
して緩やかに変化しているのが望ましい。

この点から、例えば第２０図乃至第２３図、第２６図及
び第２８図に示される分布状態となる様に、原子（ＯＣ
Ｎ）を層領域（ＯＣＮ）中に含有されるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に原子（ＯＣｌｌ）の含有さ
れた層領域（Ｏｌｌ：Ｎ）を設けるには、光受容層の形
成の際に原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質を前記した光
受容層形成用の出発物質と共に使用して、形成される層
中にその量を制御し乍ら含有してやればよい。

層領域（ＯＣＮ）を形成するのにグロー放電法を用いる
場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から
所望に従って選択されたものに原子（ＱＣ：Ｎ）導入用
の出発物質としては、少なくとも原子（ＯＣＮ）を構成
原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化
したものの中の大概のものが使用される。

具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン（０３）−酸
化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）　、−二酸化窒
素　（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０３　）　、四二
酸化−窒素（Ｎ２０Ａ）、五二酩化窒累（Ｎ２０Ｓ　）
　、三醜化窒素（Ｎ　０３’）　、　シリコン原子（Ｓ
ｉ）と酸素原子（０）　と水素原子（Ｈ）とを構成原子
とする、例えばジシロキサン（Ｈ３５ｉＯ５ｉＨ３）、
トリシクロキサン（Ｈ３ＳｉＯ５ｉＨ□０９ｉＨ３）等
の低級シクロキサン、メタ’（（：Ｈａ）　、メタ７　
（Ｃ２Ｈ６）　、プロパ７　（ＣｔＨｉ）　。

ｎ−ブタン（ｎ−ＣａＨ＋ｏ）　、ペンタン（Ｃ５ＨＩ
２）等の炭素数１〜５の飽和炭化水素、エチレン（Ｃ２
）１４）。

プロピレン（Ｃ３Ｈａ）、ブテン−１（Ｃａ　Ｈａ　）
、ブテン−２（ＣａＨｓ）、インブチレン（ＣａＨｓ）
、ペンテン（ＣｓＨ＋。）等の炭素数２〜５のエチレン
系炭化水素、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）　、メチルアセチ
レン（Ｃ３Ｈ４）、　ブチン（Ｃａ　Ｈ６）等の炭素数
２〜４の７セチレン系炭化水素、窒素（Ｎ２）、アンモ
ニア（ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）　、アジ
化水素（ＨＮ３）　、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎり
　、三弗化窒素ＣＦ３Ｎ）、四弗化窒素ＣＦ４Ｎ）等々
を挙げること、が出来る。

儀 Ｈｌ　　　　　　　”　”　−／　Ｆ　！Ｊ　７　ｆ　
ｍ　１７）’ＪＡ　６　Ｋ　ｌｔ・”３°°゛１”用の
出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前記の
ガス化可能な出発物質の他に、固体化出発物質として、
５ｉ０２．　Ｓｉ３　Ｎａ、カーボンブラック等を挙げ
ることが出来る。これ等は、Ｓｌ等のターゲットと共に
スパッタリング用のターゲットとしての形で使用される
。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、原子（Ｏｌｌ
：Ｎ）の含有される層領域（ＯＣＮ）を設ける場合。

該層領域（ＯＣＭ）に含有される原子（ＯＣＮ）の分布
濃度Ｃを層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状
ＦｉＦｉ（ｄｅｐｔｈｐｒｏｆｉｌｅ）を有する層領域
（０（Ｎ）を形成するには、グロー放電の場合には、分
布一度Ｃを変化させるべき原子（ＯＣＮ）導入用の出発
物質のガスを、そのガス流量を所望の変化率曲線に従っ
て適宜変化させ乍ら、堆積室内に導入することによって
成される。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流量系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を暫時変化させる操作を
行えば良い、このとき、流　　　　　　　　　ｉ■の変
化率は線型である必要はなく、例えばブイコン等を用い
て、あらかじめ設計された変化率曲線に従って流量を制
御し、所望の含有率曲線を得ることもできる。

層領域（０（：Ｎ）をスパッタリング法によって形成す
る場合、原子（ＯＣｌｌ）の層厚方向の分布濃度Ｃを層
厚方向で変化させて、原子（Ｏｌｌ：Ｎ）の層厚方向の
所望の分布状態（ｄｅｐｔｈｐｒｏｆｉｌｅ）を形成す
るには。

第一には、グロー放電法による場合と同様に、原子導入
用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中へ
導入する際のガス流量を所望に従って適宜変化させるこ
とによって成される。第二にはスパッタリング用のター
ゲットを１例えばＳｉと５ｉ０２との混合されたターゲ
ットを使用するのであれば、Ｓｌと５ｉ０２との混合比
をターゲットの層厚方向に於いて、予め変化させておく
ことによって成される。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い、導電性支持体としては、例
えば、１Ｃｒ、ステンレス、Ｍ。

Ｃｒ、　Ｎｏ、　Ａｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ
、　Ｐｔ、　Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられ
る。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。こ
れ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面にＮｉＣｒ、Ａｔ、
　Ｏｒ、Ｍａ、Ａｕ、　Ｔｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、
Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ。

Ｉｎ７０３．５ｎ０２．　ＩＴＯ（Ｉｎ２０３　＋５ｎ
０２）　５から成るル膜を設けることによって導電性が
付与され、或し１はポリエステルフィルム等の合成樹脂
フィルムであれば、ＮｉＣｒ、Ａｌ、Ａｇ、　Ｐｂ、　
Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｕ、　Ｃｒ。

Ｍｏ、　Ｉｒ、　Ｗｂ、　Ｔａ、　Ｖ、Ｔｉ、　Ｐｔ’
ｉの金属の薄膜を真空薄箔、電子ビーム蒸着、スパッタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその表面を
ラミネート処理して、その表面に導電性が付与される、
支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任意
の形状とし得、所望によって、その形状は決定されるが
１例えば、第１０図の光受容部材１００４を電子写真用
光受容部材として使用するのであれば連続高速複写の場
合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい、
支持体の厚さは、所望通りの光受容部材が形成される様
に適宜決定されるが、光受容部材として、可撓性が要求
される場合には、支持体としての機能が充分発揮される
範囲内であれば可能な限り薄くされる。丙午ら、この様
な場合支持体の製造上及び取扱い上。

機能的強度の点から、好ましくは１Ｇ終以上とされる。

次に本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第３８図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中２００２〜２００６のガスポンベには１本発明の光
受容部材を形成する為の原料ガスが密封されてお’　　
　　　　　　　　！Ｊ　、　％（７）　　＠、！、Ｌ−
ｃＭｘｌｆ２００２ＩｆＳｉ＆ｆｆ　Ｘ　（Ｍｊｆｊ ト ９９．９９９％、以下、５ｉＨａと略す）ボンベ、　２
００３はＧｅＨ４ガス（純度９９．９９９％、以下Ｇｅ
Ｈａと略す）ボンベ、　２００４はＮＯガス（純度９９
．９９１３％、以下ＭＯと略す）ボンベ、　２００５は
Ｈ２で稀釈された８２Ｈ，ガス（純度１１１１．９９９
％、以下Ｂ２　Ｈ６／　Ｈ２と略す）ボンベ、２００８
はＨ２ガス（純度ｓｓ、ｓａｓ％）ボンベである。

これらのガスを反応室２００１に流入させるにはガスボ
ンベ２００２〜２００Ｂのバルブ２０２２〜２０２６．
　　リークバルブ２０３５が閉じられていることを確認
し、又、流入バルブ２０１２〜２０１８．流出バルブ２
０１７〜２０２１、補助バルブ２０３２．２０３３が開
かれていることを確認して、先ずメインバルブ２０３４
を開いて反応室２００１、及び各ガス配管内を排気する
０次に真空計２０３Ｂの読みが約５　Ｘ　１Ｇ’　ｔｏ
ｒｒになった時点で補助バルブ２０３２．２Ｇ３３．流
出バルブ２０１７〜２０２１を閉じる。

次にシリンダー状基体２０３７上に光受容層を形成する
場合の１例をあげると、ガスポンベ２００２より５ｉ）
１４ガス、ガスポンベ２００３よりＧｅＨ４ガス、ガス
ポンベ２００４よりＮＯガス、ガスポンベ２００５より
Ｂ２Ｈ６１□ ／　Ｈ２ガス、２００ＢよりＨ２ガスをバルブ２０２２
．２０２３．２０２４．２０２５．２０２６を開いて出
口圧ゲージ２０２７．２０２Ｂ、　２０２９．２０３０
．２０３１の圧をｌ　Ｋｇ／ｃｒｎ’に調整し、流入バ
ルブ２０１２．２０１３．２０１４．２０１５．２０１
Ｅｌヲ徐々に開けて、マスフロコントローラ２００７．
２００８．２０Ｇ９．２０１０．２（１１１内に夫々流
入させる。引き続いて流出バルブ２０１７．”２０１８
．２Ｇ１９．２０２０゜２０２１、補助バルブ２０３２
．２０３３を徐々に開いて夫々のガスを反応室２００１
に流入させる。このとさのＳｉＨ４ガス流量Ｇｅ）１４
ガス流量、　ＮＯガス流量の比が所望の値になるように
流出バルブ２０１７．２０１８．２０１１３．２０２０
、２０２１を調整し、また１反応室２００１内の圧力が
所望の値になるように真空計２０３６の読みを見ながら
メインバルブ２０３４の開口を調整する。そして、基体
２０３７の温度が加熱ヒーター２０３８により５０〜４
００℃の範囲の温度に設定されていることを確認した後
、電源２０４０を所望の電力に設定して反応室２００１
内にグロー放電を生起させ、同時にあらかじめ設計され
た変化率曲線に従って、　Ｇｅ）１４ガスの１＆量を手
動あるいは外部駆動モータ等の方法によってバルブ２０
１８．２０２０の開口を暫時変化させる操作を行って形
成される層中に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度
を制御する。

上記の様にして所望時間グロー放電を維持して、所望層
厚に、基体２０３７上に第１の層（ｄ）を形成する。所
望層厚にＳｌの層ＣＧ）が形成された段階に於て、流出
バルブ２０１８を完全に閉じること及び必要に応じて放
電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従って所望
時間グロー放電を維持することで第１の層（Ｇ）上にゲ
ルマニウム原子の実質的に含有されない第２の層（Ｓ）
を形成することが出来る。

なお、第１の層（Ｇ）及び第２の層（Ｓ）の各層には、
流出バルブ２０１９あるいは２０２０を適宜開閉するこ
とで１Ｍ素原子あるいは硼素原子を含有させたり、含有
させなかったり、あるいは各層の一部の層領域にだけ酸
素原子あるいは硼素原子を含有させることも出来る。ま
た、酸素原子に代えて層中に窒素原子あるいは炭素原子
を含有させる場合には、ガスポンベ２００４のＮＯガス
を例えばＮＨ，ガスあるいはＣＨ４ガス等に代えて１層
形成を行なえばよい、また、使用するガスの種類を増や
す場合には所望のガスボンベを増設して、同様に層形成
を行なえばよい　！形成を行っている間は層形成の均一
化を計るため基体２０３７はモーター２０３３により一
定速度で回転させてやるのが望ましい。

最後に、上記第２の！　（Ｓ）を形成後１例えば２００
６の水素（Ｈ２）ガスボンベをメタン（ＣＨ４）ガスホ
７　ヘニ取’ｌ　換え、マスフローコントローラー２０
０７と２０１１を所定の流量に設定する以外は、同様な
条件と手順に従って所望時間グロー放電を維持すること
で、第２の層Ｃ５）上にシリコン原子と炭素原子から主
に形成される表面層を形成することができる。

上記シリコン原子と炭素原子から主に形成され。

−る表面層をスパッタリングで形成する場合には。

例えば２００６の水素（）Ｉ２）ガスボンベをアルゴン
（Ａｒ）ガスボンベに取り換え、堆積装置を清掃し。

カソード電極上に例えばＳｉからなるスパッタリン１　
　　　　　　　グ用ターゲットとグラファイトからなる
スパッタ１　　　　　　　　リング用ターゲットを、所
望の面積比になるように一面に張る。その後、装置内に
第２の層（Ｓ−まで形成したものを設置し、減圧した後
アルゴンガスを導入し、グロー放電を生起させ表面層材
料をスパッタリングして、所望層厚に表面層を形成する
。

〔実施例〕

以下実施例について説明する。

実施例Ｉ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８０ｍｍ）を、旋盤で第１ａ表に示す条件で第２９図
に示す様な表面性に加工した。　　（Ｎｏ２０１〜２Ｇ
４）次に、第１表に示す条件で、ｒ１４３Ｓ図の膜堆積
装置を使用し、所定の操作手順に従ってａ−Ｓｉ系電子
写真用光受容部材を作製した。　　（Ｎｏ２０１〜なお
、第１　Ｆ！ｔノａ−ＳｉＧ＠：　Ｈ：　Ｂ　：　Ｏ暦
は、ＧｅＨ，およびＳｉＨ４の流量を第３０図のように
なるようマスフロコントローラー２００？、　２００８
及び２０１０をコアヒユーＦ　−（ＨＰＩＩＢ４５Ｂ）
　ニヨ’）Ｍ＠Ｉ、ｆ＝、　　　　　　　　　　　　　
　（□ また、シリコン原子と炭素原子から主に形成！れる表面
層の堆積は、次の様にして行なわれた。

すなわち、第２ＮＩの塩８１後、Ｃ１，ガス流量がＳｉ
−ガス流量に対して流量比が第１表に示すようにＳｉＨ
４／ＣＨ４＝　１／３Ｇとなる様に各ガスに対応するマ
スフロコントローラーを設定し、高周波電力を３００Ｗ
としてグロー放電を生じさせることにより１表面層を形
成した； このようにして作製した光受容部材の第り暦と第２層の
層厚を測定したところ第２表の結果を得た。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装ｆｆ１（レーザー光の波長？［１Ｏｎｓ。

スポット径８０鱗）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。得られた画像には、干渉縞模様は
観測されず、実用に十分なものであった。

実施例２　　　　　　　　　　　　　　龜Ｍ支持体（長
さく　Ｌ　）　　３５？＋ｍｓ、径（ｒ　）　ＥＩＯｖ
＊）を、旋盤でｗ’ｓｌｂ表に示す条件で第２９図に示
す様な表面性に加工し、第１表に示す条件で、第１層の
ａ−５ｉＧｅ：　Ｈ：　Ｂ　：　ＯＷを形成する際、　
ＧｅＨ４およびＳｉ＆の流量を第３１図のようになるよ
うに、　ＧｅＨ４およびＳｉ）Ｌｍのマスフロコントロ
ーラー２００８及び２００７をコンピューター（ＩＰ９
８４５Ｂ）により制御した以外は実施例１と同様にｗＳ
３９図の膜堆積装置で種々の操作手順に従ってａ　−３
ｉ系電子写真用光受容゛　部材を作製した。（試料Ｎｏ
３０１〜３０４）このようにして作製した光受容部材の
第１．１！）とｍ２層の層厚を測定したところ第３表の
結果を得た。

以との電子写真用光受容部材について、第３４図に示、
す画像露光装２ｔ（レーザー光の波長７８０Ｉ、スポッ
ト径８０鱗）で画像露光を行ない、それを現像、転写し
て画像を得た。

画像には干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例３ 実施例１に於て使用したＮＯガスをＮＯ，ガスに変えた
以外は実施例１と同様の条件と手順に従ってａ−３ｉ系
電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ４０１−４０４　） 以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光？ｔｉ！（レーザー光の波長７８０１１１１、
スポット径８０−）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例４ 実施例１に於て使用したＮｏガスをＣＨ４ガスに変えた
以外は実施例１と同様の条件と手順に従ってａ−Ｓｉ系
電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ５０１〜５０４　） 以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装Ｗ（レーザー光の波長７８０１゜スポット径
８０−）で画像露光を行ない、それを現像、転写して画
像を得た・ 画像には干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

（実施例５ ；１“ Ｍ支持体（長さく　Ｌ）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）　
８（１＋＋ｍ）を、旋盤で第１ａ表に示す条件で第２ｉ
Ｊ図に示す枳な表面性に加工し、第４表に示す条件で５
行う以外は、実施例１と同様にして、第３８図の膜堆！
ａ装置で種々の操作手順に従ってのａ−５ｉ系電子写真
用光受容部材を作製した。（試料Ｎｏｆ１０１〜６０４
）なお、第１Ｍ：のａ−５ｒＧｅ：　Ｈ：　Ｂ　：　Ｎ
暦を形成する際、ＧｅＨ４８よび５ｉＨａの流量を第３
２図のようになるように、Ｇｅ）１４および５ｉＨａの
マスフロコントローラー２００８および２００７をコン
ピュータ（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御した。

このようにして作製した光受容部材の第１層と第２層の
層厚を測定したところ第５表の結果を得た。

、以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示
す劇像露光装社（レーザー光の波長？８０ｎｍ。

スポット径８０−）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例６ Ｍ支持体（長さく、Ｌ）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）　
８０ｍｍ）を、旋盤でｆｉＳｌｂ表に示す条件で第２９
図に示す様な表面性に加工し、第４表に示す条件で１行
う以外ｉｔ、　実施Ｍｌ　ト同ｓニ＋、ｃ、ｔｆｉ３ｓ
ｒｉ４ノ８＄１１１装置で種々の操作手順に誉ってのａ
　−５ｉ系電子写真用光受容部材を作製した。（試料Ｎ
ｏ７０１〜７０４）なお、第ｔＦｔのａ　−５ｉＧｅ：
　Ｈ：　Ｂ　：　ＮＮは。

Ｇｅ）１．および５ｉ）Ｉｓの流量を第３３図のように
なるように、　ＧｅＨ，およびＳｉＨ４のマスフロコン
トローラー２００８および２００７をコンピュータ（Ｈ
Ｐ９８４５Ｂ）より制御した。

このようにして作製した光受容部材の第１Ｒと第２Ｍの
層厚を測定したところ第６表の結果を得た。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装置ｔ（レーザー光の波長７８０ｍｍ。

スボ、）径８０−）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例７ 実施例５に於て使用したＮＨ３ガスをＮｏガスに変えた
以外は実施例５と同様の条件と手順に従ってａ−５ｉ系
電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ８０１〜８０４．　） 以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装置ｔ（レーザー光の波長７８０ｎｓ、スポッ
ト径８０μ）で画像露光を行ない、それを現像、転写し
て画像を得た。

画像には干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例８ 実施例５に於て使用したＮＨ３ガスをＣＨ４ガスに変え
た以外は実施例５と同様の条件と手順に従ってａ−５ｉ
系電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ１ｌＯ１〜９０４　） 以上め電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長？８０ｎｍ。

スポット径８０μｓ）で画像露光を行ない、それをη１
゜像、転写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は１５１測されず、実用に十分なも
のであった。

実施例９ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８０ｍｍ）を、Ｒａでｆｆｌｌａ表に示す条件で第２
９図に示す様な表面性に加工し、第７表に示す条件で１
行う以外は、実施例１と同様にして、第３９図の膜堆積
装置で種々の操作手順に従って電子写真用光受容部材を
作製した。　　（試料Ｎｏ１００１〜＋００４　）なお
、第１層のａ−ＳｉＧｅ：　Ｈ：　Ｂ　：　Ｃ暦は、Ｇ
ｅＨ４およびＳｉＨ４の流量を第３０図のようになるよ
うに、　ＧｅＨ４およびＳｉＨ４のマスフロコントロー
ラー２００８および２００７をコンピュータ（ＨＰ９８
４５Ｂ）により制御した。

また、　　ＯＲ，ガスのＧｅ）１４ガスと５ｉ）ｔ４ガ
スとの和に対する流量比を第３５図に示す変化率曲線に
従って変化させた。

、　　　　　　　　＝ｔｙ＞Ｅ″″″Ｉ、ｚｆ’ｒ−９
１に′３Ｉ”０３１１；；　　　　　　　　第２９の層
厚を測定したところ第８表の結果を得た。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７８０＋ｍ。

スボッ）１８０ｕ）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例１Ｏ 実施例９に於て使用したＣ）！４ガスをＮｏガスに変え
た以外は実施例９と同様の条件と手順に従ってａ−Ｓｉ
系電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ１ｌＯＩＡ−１１０４） 以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装！（レーザー光の波長７８Ｇ＋Ｉｍ。

スポット径８０鱗）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観測されず、実用に十−・なもの
であった・ 実施例１１ 襄 実施例９に於・て使用したＣ）１４ガスをＭＨ，ガスに
　　　　　　　　　１変えた以外は実施例９と同様の条
件と手順に従つてａ−Ｓｉ系電子写真用光受容部材を２
作製した。

（試料Ｎｏ１２０１〜１２０４　） 以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装２１（レーザー光の波長７８０ｆ１ｍ、スポ
ット径８Ｇ−）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。

画像には干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例１２ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｙ　）
　Ｓｏｍｓ）を、凌盤で第１ａ表に示す条件で第２９図
に示す様な表面性に加工し、第９表に示す条件で、行う
以外は実施例１と同様にして第３９図の堆積装置で種々
の操作手順に従って電子写真用光受容部材を作製した。

（試料Ｎｏ１３（１１〜１３０４　’）なお、第１層の
ａ　−５ｉＧｅ：　Ｈ：　Ｂ　：　０９は。

０ｓ）Ｌ４および５ｉＨｎの流量を第３２因のようにな
るように、Ｇｅｋ４ａｔ３よ（／ＳｉＨ４のマスフロコ
ントローラー２００８および２００７をコンピュータ（
ＨＰ９８４５Ｂ）により制御した。

また、ＮｏガスのＧｅＨ４ガスと５ｉ）Ｌ＋ガスとの和
に対する流量比を第３６図に示す変化率曲線に従って変
化させた。

このようにして作製した光受容部材の第１Ｎと第２Ｆ！
−の層厚を測定したところ第１０表の結果を得た。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装ｆａ（レーザー光の波長？８０ｍｍ、スポッ
ト径８０鱗）で画像露光を行ない、それを視像、転写し
て画像を得た。

画像には干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例１３ Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｇ＋ｎ、径（ｒ　
）　８０ｍ５’＋を、徒盤で第１ａ表に示す条件で第２
９図に示す札な表面性に加工し、第１１表に示す条件で
１行うＪス外は実施例１と同様にして第３９図の堆積装
置で和々の操作手順に従って電子写真用光受容部材を作
製した。試料Ｎｏ１４０１”　１４０４　）なお、第１
層のａ−ＳｉＧｅ：　Ｈ’：　Ｂ　：　ＮＮは、ＧｅＨ
４およびＳｉ−の流量を第３３図のようになるように、
　ＧｅＨ４およびＳｉ）＋４のマスフロコントローラー
２００８および２００７をコンピュータ（ＩＰ９８４５
Ｂ）により制御した。

また、　　ＮＨ３ガスのＧｅＨ，ガスと５ｉＩ（４ガス
との和に対する流量比を第３７図に示す変化率曲線に従
って変化させた。

このようにして作製した光受容部材の第１＆！ｌと第２
層の層厚を測定したところ第１２表の結果を得た。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光！１ｔｌｌ（レーザー光の波長７８０ｎｍ、ス
ポット径８０ｕ）で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。

画像には干渉縞模様はＩＩ測されず、実用に十分なもの
であった。

１　　　　　　　　　実施例１４ ＋１ １　　　　　　　　　　　Ｎ支持体（長さく　Ｌ　）　
　３５７＋ｍｓ、径（ｒ　）　８０ｍｍ）を、旋盤で第
１ａ表に示す条件で第２３図に示す様な表面性に加工し
、第１３表に示す条件で１行う以外は実施例１と同様に
して第３９図の塩８Ｉ装置で種々の操作手順に従って電
子写真用光受容部材を作製した。（試料Ｎｏ１５０１−
１５０４　）なお、第１層ノａ−９ｉＧｅ：　Ｈ：　Ｂ
　：　ＣＭは、Ｇｅ山およびＳｉＨ，の流量を第３１図
のようになるように、ＧｅＨａおよ（／５ｉｔ（＊のマ
スフロコントローラー２００８および２００７をコンピ
ュータ（ＨＰ９８４５Ｂ）によりＮ＋御した。

また、　　（：Ｈ，ガスのＧｅ）１４ガスとＳｉ＆ガス
との和に対する流量比を第３８図に示す変化率曲線に従
って変化させた。

このようにして作製した光受容部材の第１Ｆ！１と第２
慶の層厚を測定したところ第１４表の結果を書た。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４ＥＵに示
す画像露光装置ｔ（レーザー光の波長７８０！ＩＩＩ、
スポット径８０ｕ）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。　　　　　　　　　　　　　　　
　　　（画像には干渉縞模様は観測されず、実用に十分
なものであった。

実施例１５一 実施例１から実施例１４までについて、Ｈ２で３０００
マｏｌ　ｐｐ■に稀釈したＢ２Ｈ６ガスの代りにＨ２で
３０００マｏｌ　ＰＰ−に稀釈したＰＨ３ガスを使用し
て、電子写真用光受容部材を作製した。　（Ｎｏ１８０
１”１６５８　）なお、他の作製条件は実施例１から実
施例１４までと同様にした。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装２１（レーザー光の波長７８０＋ｍ。

スポ−／　ト径８０μｓ）で画像露光を行ない、それを
現像、転写して画像を得た。

いずれの画像にも干渉縞模様は観察されず、実用に十分
なものであった。

実施例１Ｂ 実施例１の支持体を用い１表面層形成時の５ｉ）１４ガ
スとＣＨａガスの流量比を第１５表に変化させて。

表面層におけるシリコン原子と炭素原子の含有比を変え
る以外は、実施例１と同様の条件と手−順に従ってａ−
９ｉ系主電子写真用光受容材を作成した（試料（２７０
１〜２７０８）　。

これらの電子写真用光受容部材について、第３４図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ。

スポット径８０ｕ）で画像露光し１作像、現像、クリー
ニングの工程を５万回繰り返した後１画像評価を行った
ところ第１５表の如き結果を得た。

実施例１７ 実施例１の支持体を用い１表面層形成時の原料ガスを５
ｉＨｎガス、　Ｃ）１４ガス及びＳ＋Ｆ＊とし、これら
ガスの流量比を第１８表に示すように変化させる以外は
、実施例１８と同様の条件と手順に従ってａ−３ｔ系主
電子写真用光受容材を作成した（試料正２８０１〜２８
０８）　。

これらの電子写真用光受容部材について、第３４図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０！１１１１ス
ポツト径８０−）で画像露光し１作像、現像、クリーニ
ングの工程を５万回繰り返した後、画像評価を行ったと
ころ第１Ｂ表の如き結果を得た。

実施例１８ 実施例１の支持体を用い１表面層をスパッタリフグ法で
形成する以外は、実施例１と同様の条件と手順に従って
ａ−３ｉ系電子写真用光受容部材を作成した（試料ａ６
２９０１〜２９Ｇ？）　。

なお１表面層の形成は以下のようにして行なった。すな
わち、ｙＳ２の層形成後、該層まで形成した支持体を第
３９図の堆Ｍ装置内から取り出し、該ｍｌの水素（Ｈ２
）ガスポンベをアルゴン（Ａ「）ガスボンベに取り換え
、装置内を清掃し、カーソード電極上にＳｉからなる厚
さ５■ｌのスパッタリング用ターゲットとグラファイト
からなる厚さ５■謹のスパッタリング用ターゲットを、
その面積比がそれぞれ第１７表の面積比になるように一
面に張る。その後、装置内に第２の暦まで形成した支持
体を設置し、減圧した後アルゴンガスを導入して装置内
を約５　Ｘ　１Ｇ−３ｔｏｏｒとし、高周波電力を３０
０Ｗとしてグロー放電を生起させ方ソード電極上の表面
層材料をスパッタリングすることによって表面層を形成
した。

招 ；１　　　　　　　　　　′−れらの電子写真用光受容
部材９″゛て・第３９図に示すｍ像露光′！装置（レー
ザー光の波長７８０ｆｉ■。

スポット径８０−）で画像露光し１作像、現像、クリー
ニングの工程を５万回繰り返した後、　ＦＩＳ評価を行
ったところ第１７表の如き結果を得た。

〒 〔発明の効果〕 以上、詳細に説明した様に、本発明によれば。

可干渉性単色光を用いる画像形成に適し、製造管理が容
易であり、且つ画像形成時に現出する干渉縞模様と反転
現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解消すること
ができ、しかも機械的耐久性、特に耐摩耗性及び光受容
特性に優れた光受容部材を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。 第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。 第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。 第６図（Ａ）、ＣＢ）、（Ｃ）、ＣＤ）は光受容部材の
各層の界面が非平行な場合に干渉縞が現われないことの
艮 説明図である。　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　１第７図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、光受容
部材の各層の界面が平行である場合と非平行である場合
の反射光強度の比較の説明図である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。 第９図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ代表的な支持
体の表面状態の説明図である。 第１θ図は、光受容部材の層領域の説明図である。 第１１図から第１９図は、第１の層におけるゲルマニウ
ム原子の分布状態を説明する為の説明図である。 第２０図から第２８図は１層領域（００Ｍ）中の原子（
０，Ｃ，Ｎ）の分布状ＩＳを説明するための説明図であ
る。 第２８図は、実施例で用いたＭ支持体の表面状態の説明
図である。 第３０図から第３３図までは、実施例におけるガスｔｌ
ｉ、量の変化を示す説明図である。 第３４図は、実施例で使用した画像露光装置の説明図で
ある。 第３５図からＷｊ３８図までは、夫々本発明の実施例に
おけるガス流量比の変化率曲線を示す説明図である。 第３９図は実施例で用いた光受容層の堆積？ｔＷ１の説
明図である。 １００Ｇ・・・・・・・・・・・・・・・・・・光受容
層１００１・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ｍ支
持体１００２・・・・・・・・・・・・・・・・・・第
１の層１００３・・・・・・・・・・・・・・・・・・
第２の層１００４・・・・・・・・・・・−・・・・・
・光受容部材＋００５・・・・・・−・・・・・・−・
・・・光受容部材の自由表面２６０１・・・・・・・・
・・・・・・・・・・電子写真用光受容部材２６０２・
・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザー２
６０３・・・・・・・・・・・・・・・・・・ｆθレン
ズ２Ｂ０４・・・・・・・・・・・・・・・・・・ポリ
ゴンミラー２６０５・・・・・・・・−・・・・・・・
・・露光装置の平面図２６０６・・・・・・・・・・・
・・・・・・・露光装置の側面図詐 第１図 〒 第２図 ｊＰ″３図 第４図 第５図 （Ａ）　　　　　　　　　　　　　　（９）（Ａ） （Ｂ） （Ｃ） 第９図 第１０図 第１１図 第１２図 第１３図 第１４図 第１５図 第１８図 第１７図 第１８図 第Ｌ９図 □Ｃ 第２０図 第２１図 第２２図 第２δ図 第２４図 第２５図 第２８図 第２７図 □Ｃ 第２８図 第２９図 第３０図 第３【図 第３２図 第３３図 第３４図 乃°入う先量工乙 第３５図 力′ス５丸■尾 第３７図 カ゛入５ｔｔ比 第３８図

Claims (23)

【特許請求の範囲】
1. （１）シリコン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質
   材料で構成された第１の層と、シリコン原子を含む非晶
   質材料で構成され、光導電性を示す第２の層と、シリコ
   ン原子と炭素原子を含む非晶質材料からなる表面層とが
   支持体側より順に設けられた多層構成の光受容層を有し
   ており、前記第１の層及び前記第２の層の少なくとも一
   方に伝導性を支配する物質が含有され、かつ前記第１の
   層中に於けるゲルマニウム原子の分布状態が層厚方向に
   不均一でありと共に、前記光受容層は、酸素原子、炭素
   原子、窒素原子の中から選択される少なくとも一種を含
   有し、かつショートレンジ内に１対以上の非平行な界面
   を有し、該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少な
   くとも一方向に多数配列している事を特徴とする光受容
   部材。
2. （２）前記光受容層が、酸素原子、炭素原子、窒素原子
   の中から選択される少なくとも一種を、層厚方向には均
   一な状態で含有する特許請求の範囲第１項に記載の光受
   容部材。
3. （３）前記光受容層が、酸素原子、炭素原子、窒素原子
   の中から選択される少なくとも一種を、層厚方向には不
   均一な状態で含有する特許請求の範囲第１項に記載の光
   受容部材。
4. （４）前記配列が規則的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。
5. （５）前記配列が周期的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。
6. （６）前記ショートレンジが０．３〜５００μである特
   許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
7. （７）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
   た規則的に配列している凹凸に基づいて形成されている
   特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
8. （８）前記凹凸が逆Ｖ字形線状突起によって形成されて
   いる特許請求の範囲第７項に記載の光受容部材。
9. （９）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に二
   等辺三角形である特許請求の範囲第８項に記載の光受容
   部材。
10. （１０）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に
    直角三角形である特許請求の範囲第８項に記載の光受容
    部材。
11. （１１）前記逆Ｖ字形線状突起の縦断面形状が実質的に
    不等辺三角形である特許請求の範囲第８項に記載の光受
    容部材。
12. （１２）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第１
    項に記載の光受容部材。
13. （１３）逆Ｖ字形線状突起が前記支持体の面内に於いて
    螺旋構造を有する特許請求の範囲第１２項に記載の光受
    容部材。
14. （１４）前記螺旋構造が多重螺旋構造である特許請請求
    の範囲第１３項に記載の光受容部材。
15. （１５）前記逆Ｖ字形線状突起がその稜線方向に於いて
    区分されている特許請求の範囲第８項に記載の光受容部
    材。
16. （１６）前記逆Ｖ字形線状突起の稜線方向が円筒状支持
    体の中心軸に沿っている特許請求の範囲第１２項に記載
    の光受容部材。
17. （１７）前記凹凸は傾斜面を有する特許請求の範囲第７
    項に記載の光受容部材。
18. （１８）前記傾斜面が鏡面仕上げされている特許請求の
    範囲第１７項に記載の光受容部材。
19. （１９）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
    れた凹凸と同一のピッチで配列された凹凸が形成されて
    いる特許請求の範囲第７項に記載の光受容部材
20. （２０）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一
    方に水素原子が含有されている特許請求の範囲第１項に
    記載の光受容部材。
21. （２１）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一
    方にハロゲン原子が含有されている特許請求の範囲第１
    項及び同第１７項に記載の光受容部材。
22. （２２）伝導性を支配する物質が周期律表第III族に属
    する原子である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部
    材。
23. （２３）伝導性を支配する物質が周期律表第Ｖ族に属す
    る原子である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材
    。