JPS58192044A - 感光体 - Google Patents
感光体Info
- Publication number
- JPS58192044A JPS58192044A JP57075655A JP7565582A JPS58192044A JP S58192044 A JPS58192044 A JP S58192044A JP 57075655 A JP57075655 A JP 57075655A JP 7565582 A JP7565582 A JP 7565582A JP S58192044 A JPS58192044 A JP S58192044A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoreceptor
- thickness
- amorphous hydrogenated
- silicon carbide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。
ある。
従来、電子写真感光体として、３ｅ、又はＳｅにＡｓ、
Ｔｅ、 Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯ＋ＣｄＳを
樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られている。
Ｔｅ、 Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯ＋ＣｄＳを
樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られている。
しかしながらこｒらの感光体は、環境汚染性、熱的安定
性、機械的強度の点で問題がある。
性、機械的強度の点で問題がある。
一方、アモルファスシリコン（ａ−８ｔ）を母材として
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。
ａ−８ｉｕ、５ｓ−ｓｉの結合手が切れたいわゆるダン
グリングボンドを有しており、この欠陥に起因してエネ
ルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。このた
めに、熱励起担体のポツピング伝導が生じて暗抵抗が小
さく、また光励起担体が局在単位にトラップされて光導
電性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水素原子（
Ｈ）で補償してＳｉにＨを結合させることによって、ダ
ングリングボンドを埋めることが行なわれる。
グリングボンドを有しており、この欠陥に起因してエネ
ルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。このた
めに、熱励起担体のポツピング伝導が生じて暗抵抗が小
さく、また光励起担体が局在単位にトラップされて光導
電性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水素原子（
Ｈ）で補償してＳｉにＨを結合させることによって、ダ
ングリングボンドを埋めることが行なわれる。
このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−８
ｉ：Ｈと称する。）は、光感度が良好である上に無公害
性、良耐刷性等の面で注目されている。
ｉ：Ｈと称する。）は、光感度が良好である上に無公害
性、良耐刷性等の面で注目されている。
しかし、ａ−８ｉ：Ｈは７５０〜８００ ｎｍの波長の
光に対しては可視域の光に対するより１ケタ程感度が悪
いことが知られている。従って、情報信号を電気的に処
理してハードコピーとして出力するための情報端末処理
機において半導体レーザーを記録光源として用いる場合
には、実用的な情報記録用の半導体レーザーはＧａＡｔ
Ａｓを構成材料としたものであってその発振波長は７６
０〜８２０ ｎｍであるから、この檜の情報記録にとっ
てａ−８ｔ：Ｈは感度不十分とな９、不適当である。Ｓ
ｅ系の感光体の場合には、有機光導電材料からなる感光
体に比べて感度が大きいものの、処理速度の高速化に対
応するためには長波長領域での感度がやはり不十分であ
る。
光に対しては可視域の光に対するより１ケタ程感度が悪
いことが知られている。従って、情報信号を電気的に処
理してハードコピーとして出力するための情報端末処理
機において半導体レーザーを記録光源として用いる場合
には、実用的な情報記録用の半導体レーザーはＧａＡｔ
Ａｓを構成材料としたものであってその発振波長は７６
０〜８２０ ｎｍであるから、この檜の情報記録にとっ
てａ−８ｔ：Ｈは感度不十分とな９、不適当である。Ｓ
ｅ系の感光体の場合には、有機光導電材料からなる感光
体に比べて感度が大きいものの、処理速度の高速化に対
応するためには長波長領域での感度がやはり不十分であ
る。
そこで、ａ−３ｉ：）（の優れた光導電性又は光感度を
生かしつつ長波長領域の感度を向上させるたメニ、アモ
ルファス水素化シリコンゲルマニウム（ａ−８ｉＧｅ：
Ｈ）を光導電層に用いることが考えられる。つまり、ａ
５ｉＧｅ：Ｈは６００〜８５０ ｎｍの波長域で光
感度が良好である。しかしながら、ａ−８ｉＧｅ：Ｈ層
のみでは、暗抵抗は１０８〜１０９Ω−ａ’ｍにすぎず
、電荷保持能に乏しい。しかも、ａ−８ｉＧｅ：Ｈは支
持体（基板）Ｋ対する膜付き又は接着性が悪く、また機
械的、熱的性質がａ−８ｉ：Ｈよりも劣るために、電子
写真感光体として実用化する上で難がある。
生かしつつ長波長領域の感度を向上させるたメニ、アモ
ルファス水素化シリコンゲルマニウム（ａ−８ｉＧｅ：
Ｈ）を光導電層に用いることが考えられる。つまり、ａ
５ｉＧｅ：Ｈは６００〜８５０ ｎｍの波長域で光
感度が良好である。しかしながら、ａ−８ｉＧｅ：Ｈ層
のみでは、暗抵抗は１０８〜１０９Ω−ａ’ｍにすぎず
、電荷保持能に乏しい。しかも、ａ−８ｉＧｅ：Ｈは支
持体（基板）Ｋ対する膜付き又は接着性が悪く、また機
械的、熱的性質がａ−８ｉ：Ｈよりも劣るために、電子
写真感光体として実用化する上で難がある。
本発明者は種々検討を加えた結果、比較的長波長域での
感度に優れ、かつ電荷保持特性や耐刷性が良く、安定し
次電荷保持特性を示す実用に酎え得る感光体を見出し、
本発明に到達した。
感度に優れ、かつ電荷保持特性や耐刷性が良く、安定し
次電荷保持特性を示す実用に酎え得る感光体を見出し、
本発明に到達した。
即ち、本発明による感光体は、アモルファス水素化及び
／又はフッ素化シリコンゲルマニウム（例えばａ−８ｉ
Ｑｅ：Ｈ）とアモルファス水素化及ヒ／又はフッ素化炭
化シリコンゲルマニウム（例えばａ−８ｉＧｅＣ：Ｈ）
との少なくとも一方からなる光導電層と、この光導電層
上に形成された第１のアモルファス水素化及び／又はフ
ッ素化炭化シリコン（例えばａ−８ｉＣ：Ｈ）層と、前
記光導電層下に形成された第２のアモルファス水素化及
び／又はフッ素化炭化シリコン（例えばａ−８ｉＣ：Ｈ
）層とを有することを特徴とするものである。
／又はフッ素化シリコンゲルマニウム（例えばａ−８ｉ
Ｑｅ：Ｈ）とアモルファス水素化及ヒ／又はフッ素化炭
化シリコンゲルマニウム（例えばａ−８ｉＧｅＣ：Ｈ）
との少なくとも一方からなる光導電層と、この光導電層
上に形成された第１のアモルファス水素化及び／又はフ
ッ素化炭化シリコン（例えばａ−８ｉＣ：Ｈ）層と、前
記光導電層下に形成された第２のアモルファス水素化及
び／又はフッ素化炭化シリコン（例えばａ−８ｉＣ：Ｈ
）層とを有することを特徴とするものである。
本発明によれば、例えば、ａ−８ｉＧｅ：Ｈ又はａ−８
ｉＧｅＣ：Ｈの有する比較的長波長域（例えば６００〜
８５０ ｎｍ ）での高感度特性を生がしながら、安定
した電荷保持性及び耐刷性婢の機械的強度を特に第１０
ａ−８ｉＣ：Ｈ層でかせぎ、かつ高い電荷保持性や膜付
き等を特に第２のａ−８ｉＣ：Ｈ層で実現【２ており、
これまで知られているものに比べてすべての特性ケ充分
に満足した有用な感光体を提供することができる。この
ような顕著な効果を奏するには、特に上記の第１Ｏａ−
８ｉＣ：Ｈ層の厚みは５０〜５ｏｏｏ ｉの範囲に選択
することが非常に重要であることが判明している。
ｉＧｅＣ：Ｈの有する比較的長波長域（例えば６００〜
８５０ ｎｍ ）での高感度特性を生がしながら、安定
した電荷保持性及び耐刷性婢の機械的強度を特に第１０
ａ−８ｉＣ：Ｈ層でかせぎ、かつ高い電荷保持性や膜付
き等を特に第２のａ−８ｉＣ：Ｈ層で実現【２ており、
これまで知られているものに比べてすべての特性ケ充分
に満足した有用な感光体を提供することができる。この
ような顕著な効果を奏するには、特に上記の第１Ｏａ−
８ｉＣ：Ｈ層の厚みは５０〜５ｏｏｏ ｉの範囲に選択
することが非常に重要であることが判明している。
以下、本発明による感光体を詳細に説明する。
本発明による感光体は、例えば第１図又は第２図に示す
如く、導電性支持基板１上に上記第２のａ−８ｉＣ：Ｈ
層２、上記ａ−８ｉＧｅ：Ｈ（光導電）層３、上記第１
のａ−８ｉＣ：Ｈ層４が順次積層せしめられたものから
なっている。第２のａ−８ｉＣ：Ｈ層２は電位保持、電
荷輸送及び基板１からの電荷注入防止、基板１に対する
接着性向上の各機能を有し、第１図の例では５０Ｘ〜５
ｏｏｏ Ｘ、第２図の例では５０００Ｘ〜８０μｍ（よ
り望ましくＦｉ５μｍ〜２０μｍ）の厚みに形成される
のがよい。光導電層３は光照射に応じて電荷担体（キャ
リア）を発生させるものであって、特に６００〜８５０
ｎｍの長波長域で高感度を示し、その厚みは第１図の
例では５０００ Ｘ 〜８０ Ａｍ 、第２図の例でＦ
ｉ１０００Ａ〜５μｍ（特に１μｍ〜２μｍ）であるの
が望ましい。更に、第１のａ−ｓｔｃ：ｕ層４はこの感
光体の表面電位特性の改善、長期に亘る電位特性の保持
、耐環境性の維持（湿度や雰囲気、コロナ放電で生成さ
れる化学種の影響防止）、炭素含有による結合エネルギ
ーの向上で表面硬度が高くなることによる機械的強度及
び耐刷性の向−ヒ、感光体使用時の耐熱性の向上、熱転
写性（特に粘着転写性）の向上等の機能を有し、いわば
表面改質層として働くものである。そして、この第１の
ａ−８ｉＣ：Ｈ層４の厚みｔを上記の如く５０Ｘ≦ｔ≦
５ｏｏｏ Ａに選択することが非常に重要である。
如く、導電性支持基板１上に上記第２のａ−８ｉＣ：Ｈ
層２、上記ａ−８ｉＧｅ：Ｈ（光導電）層３、上記第１
のａ−８ｉＣ：Ｈ層４が順次積層せしめられたものから
なっている。第２のａ−８ｉＣ：Ｈ層２は電位保持、電
荷輸送及び基板１からの電荷注入防止、基板１に対する
接着性向上の各機能を有し、第１図の例では５０Ｘ〜５
ｏｏｏ Ｘ、第２図の例では５０００Ｘ〜８０μｍ（よ
り望ましくＦｉ５μｍ〜２０μｍ）の厚みに形成される
のがよい。光導電層３は光照射に応じて電荷担体（キャ
リア）を発生させるものであって、特に６００〜８５０
ｎｍの長波長域で高感度を示し、その厚みは第１図の
例では５０００ Ｘ 〜８０ Ａｍ 、第２図の例でＦ
ｉ１０００Ａ〜５μｍ（特に１μｍ〜２μｍ）であるの
が望ましい。更に、第１のａ−ｓｔｃ：ｕ層４はこの感
光体の表面電位特性の改善、長期に亘る電位特性の保持
、耐環境性の維持（湿度や雰囲気、コロナ放電で生成さ
れる化学種の影響防止）、炭素含有による結合エネルギ
ーの向上で表面硬度が高くなることによる機械的強度及
び耐刷性の向−ヒ、感光体使用時の耐熱性の向上、熱転
写性（特に粘着転写性）の向上等の機能を有し、いわば
表面改質層として働くものである。そして、この第１の
ａ−８ｉＣ：Ｈ層４の厚みｔを上記の如く５０Ｘ≦ｔ≦
５ｏｏｏ Ａに選択することが非常に重要である。
このように感光体を構成することによって、比較的長波
長域（特に６００〜８５０ ｎｍ ）で分光感度のピー
クを有し、半導体レーザー等による記録にとって有効な
感光体を提供できると共に、上下のａ−８ｉＣ：Ｈ層の
存在によって電荷保持特性、機械的、熱的、化学的特性
及び耐刷性を向上させ（主■１ に＠１のａ−８ｉＣ：Ｈによる）、かつ支持体との膜付
きを向上させる（主に第２のａ−８ｉＣ：Ｈによる）こ
とができる。特に、第１図の構造では、ａ−８ｉＧｅ：
Ｈ層３を各ａ−８ｉＣ：Ｈ層より厚くしているので、帯
電時の表面電位をかせぐことができる。また、第２図の
構造では、第２のａ−８ｉＣ：Ｈ層２をａ−８ｉＧｅ：
Ｈ層３より厚＜ シ、ａ ５ｔＧｅ：Ｈ層３は光キャ
リアを発生させる機能を主として有するようになしてい
るので、第２のａ−８ｉＣ：Ｈ層２が帯電時の表面電位
をかせぐ役割と暗減衰を小さく抑える役割との双方を有
した構造となっている。
長域（特に６００〜８５０ ｎｍ ）で分光感度のピー
クを有し、半導体レーザー等による記録にとって有効な
感光体を提供できると共に、上下のａ−８ｉＣ：Ｈ層の
存在によって電荷保持特性、機械的、熱的、化学的特性
及び耐刷性を向上させ（主■１ に＠１のａ−８ｉＣ：Ｈによる）、かつ支持体との膜付
きを向上させる（主に第２のａ−８ｉＣ：Ｈによる）こ
とができる。特に、第１図の構造では、ａ−８ｉＧｅ：
Ｈ層３を各ａ−８ｉＣ：Ｈ層より厚くしているので、帯
電時の表面電位をかせぐことができる。また、第２図の
構造では、第２のａ−８ｉＣ：Ｈ層２をａ−８ｉＧｅ：
Ｈ層３より厚＜ シ、ａ ５ｔＧｅ：Ｈ層３は光キャ
リアを発生させる機能を主として有するようになしてい
るので、第２のａ−８ｉＣ：Ｈ層２が帯電時の表面電位
をかせぐ役割と暗減衰を小さく抑える役割との双方を有
した構造となっている。
次に、本発明による感光体の各層を更に詳しく説明する
。
。
第１のａ−８ｉＣ：Ｈ層
このａ−８ｉＣ：Ｈ層４は感光体の表面を改質してａ−
８ｉ系感光体を実用的に優れたものとするために必須不
可欠なものである。即ち、表面でのｔｖｉ保持と、光照
射による表面電位の減衰という電子写真感光体としての
基本的な動作を可能とするものである。従って、帯電、
光減衰の繰返し特性が非常に安定となり、長期間（例え
ば１力月以上）放置しておいても良好な電位特性を再現
できる。
８ｉ系感光体を実用的に優れたものとするために必須不
可欠なものである。即ち、表面でのｔｖｉ保持と、光照
射による表面電位の減衰という電子写真感光体としての
基本的な動作を可能とするものである。従って、帯電、
光減衰の繰返し特性が非常に安定となり、長期間（例え
ば１力月以上）放置しておいても良好な電位特性を再現
できる。
これに反し、ａ−８ｉ：Ｈを表面とした感光体の場合に
は、湿気、大気、オゾン雰囲気等の影響を受は易く、電
位特性の経時変化が著しくなる。また、ａ−８ｉＣ：Ｈ
は表面硬度が高いためＫ、現偉、転写、りＩＪ −ニン
グ婢の工程における耐摩耗性に優れ、数十ガロの耐刷性
があり、更に耐熱性も良いことから粘着転写等の如く熱
を付与するプロセスを適用することができる。
は、湿気、大気、オゾン雰囲気等の影響を受は易く、電
位特性の経時変化が著しくなる。また、ａ−８ｉＣ：Ｈ
は表面硬度が高いためＫ、現偉、転写、りＩＪ −ニン
グ婢の工程における耐摩耗性に優れ、数十ガロの耐刷性
があり、更に耐熱性も良いことから粘着転写等の如く熱
を付与するプロセスを適用することができる。
このような優れた効果を総合的に奏するためには、ａ−
８ｉＣ：Ｈ層４の膜厚を上記した５０Ａ≦ｔ≦５０００
Ｘの範囲内に選択することが重要である。
８ｉＣ：Ｈ層４の膜厚を上記した５０Ａ≦ｔ≦５０００
Ｘの範囲内に選択することが重要である。
即ち、その膜厚な５ｏｏｏ Ｘを越えた場合には、残留
電位が高くなりすぎかつ感度の低下も生じ、ａ−８ｉ系
感光体としての良好な特性を失なうことがある。
電位が高くなりすぎかつ感度の低下も生じ、ａ−８ｉ系
感光体としての良好な特性を失なうことがある。
また、膜厚を５０′に未満とした場合には、トンネル効
果によって電荷が表面上に帯電されなくなるため、ａ−
８ｉＣ：Ｈ層４と＆−８ｉＧｅ：Ｈ層３との間の膜厚バ
ランスによシ暗減衰の増大や光感度の著しい低下が生じ
てしまう。従って、ａ−８ｉＣ：Ｈ層４の膜厚は５ｏｏ
ｏ Ｘ以下、５０Ｘ以上とすることが非常に重要となる
。
果によって電荷が表面上に帯電されなくなるため、ａ−
８ｉＣ：Ｈ層４と＆−８ｉＧｅ：Ｈ層３との間の膜厚バ
ランスによシ暗減衰の増大や光感度の著しい低下が生じ
てしまう。従って、ａ−８ｉＣ：Ｈ層４の膜厚は５ｏｏ
ｏ Ｘ以下、５０Ｘ以上とすることが非常に重要となる
。
また、この第１のａ−ｓｉｃ：Ｈ層４については、上記
した効果を発揮する上でその炭素組成を選択することも
重要であることが分った。組成比をａ−８ｉ１−ｘＣｘ
：Ｈと表わせば、Ｘを０．４以上、特に０．４≦Ｘ≦０
．９とすること（炭素原子含有量が４０ ａｔｏｍｉｃ
％ 〜９０ ａｔｏｍｉｃ−であること）が望ましい
。即ち、０．４≦Ｘとすれば、光学的エネルギーギャッ
プがほぼ２．３ｅＶ以上となり、第３図に示したように
、可視及び赤外光に対し実質的に光導電性（但、ρＤは
暗所での抵抗率、ρＬは光照射時の抵抗率であって、ρ
Ｄ／ρＬが小さい稈元導電性が低い）を示さず、いわゆ
る光学的に透明な窓効果により殆んど照射光はａ−８ｉ
Ｇｅ：Ｈ層（電荷発生層）３に到達することになる。逆
に、ｘ（０，４であると、一部分の光は表面層４に吸収
され、感光体の光感度が低下し易くなる。また、Ｘが０
．９電法で形成するときの堆積速度が低下するから、Ｘ
≦０．９とするのがよい。
した効果を発揮する上でその炭素組成を選択することも
重要であることが分った。組成比をａ−８ｉ１−ｘＣｘ
：Ｈと表わせば、Ｘを０．４以上、特に０．４≦Ｘ≦０
．９とすること（炭素原子含有量が４０ ａｔｏｍｉｃ
％ 〜９０ ａｔｏｍｉｃ−であること）が望ましい
。即ち、０．４≦Ｘとすれば、光学的エネルギーギャッ
プがほぼ２．３ｅＶ以上となり、第３図に示したように
、可視及び赤外光に対し実質的に光導電性（但、ρＤは
暗所での抵抗率、ρＬは光照射時の抵抗率であって、ρ
Ｄ／ρＬが小さい稈元導電性が低い）を示さず、いわゆ
る光学的に透明な窓効果により殆んど照射光はａ−８ｉ
Ｇｅ：Ｈ層（電荷発生層）３に到達することになる。逆
に、ｘ（０，４であると、一部分の光は表面層４に吸収
され、感光体の光感度が低下し易くなる。また、Ｘが０
．９電法で形成するときの堆積速度が低下するから、Ｘ
≦０．９とするのがよい。
なお、第１のａ−８ｉＣ：Ｈ層は、第２０ａ−８ｉＣ：
Ｈ層と同様に水素を含有することが必須であり、その水
素含有１１は通常１〜４０ ａｔｏｍｉｃ ％、更には
１０〜３Ｑ Ｂｔｏｍｉｃ ％とするのがよい。
Ｈ層と同様に水素を含有することが必須であり、その水
素含有１１は通常１〜４０ ａｔｏｍｉｃ ％、更には
１０〜３Ｑ Ｂｔｏｍｉｃ ％とするのがよい。
このａ−ｓｉｃ：ｎ層２は電位保持及び電荷輸送の両機
能な担い、暗所抵抗率が１０１２Ω−α以上あって、耐
＾電界性を有し、単位膜厚当りに保持される電位が大き
く、シかも感光層３から注入される電子又はホールが大
きな移動度と寿命を示すので、電荷担体を効率良く支持
体１側へ輸送する。また、炭素の組成によってエネルギ
ーギャップの大きさを調整できるため、感光層３におい
て光照射に応じて発生１〜た電荷担体に対し障壁を作る
ことなく、効率良く注入させることができる。また、こ
の第２のａ−８ｉＣ：Ｈ層２は支持体１、例えばＡｔ電
極との接着性や膜付きが良いという性質も有している。
能な担い、暗所抵抗率が１０１２Ω−α以上あって、耐
＾電界性を有し、単位膜厚当りに保持される電位が大き
く、シかも感光層３から注入される電子又はホールが大
きな移動度と寿命を示すので、電荷担体を効率良く支持
体１側へ輸送する。また、炭素の組成によってエネルギ
ーギャップの大きさを調整できるため、感光層３におい
て光照射に応じて発生１〜た電荷担体に対し障壁を作る
ことなく、効率良く注入させることができる。また、こ
の第２のａ−８ｉＣ：Ｈ層２は支持体１、例えばＡｔ電
極との接着性や膜付きが良いという性質も有している。
従って、このａ−ｓｉｃ：ｕ層２は実用レベルの尚い表
面電位を保持し、ａ−８ｉＧｅ：Ｈ層３で発生した電荷
担体を効率良く速やかに輸送し、高感度で残貿電位のな
い感光体とする働きがある。
面電位を保持し、ａ−８ｉＧｅ：Ｈ層３で発生した電荷
担体を効率良く速やかに輸送し、高感度で残貿電位のな
い感光体とする働きがある。
こうした機能を果すために、ａ−８ｉＣ：Ｈ層２の膜厚
は、第２図の例では、例えばカールソン方式による乾式
現像法を適用するためＫは５０００ Ａ〜８０μｍであ
ることが望ましい。この膜厚が５０００λ未満であると
薄すぎるために現像に必要な表面電位が得られず、また
８０μｍを越えると表面電位が高くなって付着したトナ
ーの剥離性が悪くなり、二成分系現像剤のキャリアも付
着してしまう。但、このａ−８ｉＣ：Ｈ層の膜厚は、Ｓ
ｅ感光体と比較して薄くしても（例えば十数μｍ）実用
レベルの表面電位が得られる。
は、第２図の例では、例えばカールソン方式による乾式
現像法を適用するためＫは５０００ Ａ〜８０μｍであ
ることが望ましい。この膜厚が５０００λ未満であると
薄すぎるために現像に必要な表面電位が得られず、また
８０μｍを越えると表面電位が高くなって付着したトナ
ーの剥離性が悪くなり、二成分系現像剤のキャリアも付
着してしまう。但、このａ−８ｉＣ：Ｈ層の膜厚は、Ｓ
ｅ感光体と比較して薄くしても（例えば十数μｍ）実用
レベルの表面電位が得られる。
第１図のａ−ｓｉｃ：ｕ層２はブロッキング及び下びき
層として用いられ、その膜厚は５０λ〜５０００久とす
ることが望ましい。即ち、５０Ｘ未満では、ａ−８ｉＧ
ｅ：Ｈ層のみの場合に問題となる不十分な電荷保持能を
補うことができないから、電荷保持能を補うに足る５０
Ｘは最低必要であり、ま九膜付き及び基板との接着性を
良くするにも５０Ｘ以上にするのがよい。他方、膜厚が
５０００ Ｋを越えると、電荷保持能の面は良いが、逆
に感光体全体とじての光感度が悪くなり、またａ−８ｉ
Ｃ：Ｈの製膜時間が長くなり、コスト的にみて不利であ
る。
層として用いられ、その膜厚は５０λ〜５０００久とす
ることが望ましい。即ち、５０Ｘ未満では、ａ−８ｉＧ
ｅ：Ｈ層のみの場合に問題となる不十分な電荷保持能を
補うことができないから、電荷保持能を補うに足る５０
Ｘは最低必要であり、ま九膜付き及び基板との接着性を
良くするにも５０Ｘ以上にするのがよい。他方、膜厚が
５０００ Ｋを越えると、電荷保持能の面は良いが、逆
に感光体全体とじての光感度が悪くなり、またａ−８ｉ
Ｃ：Ｈの製膜時間が長くなり、コスト的にみて不利であ
る。
また、このａ−８ｉＣ：Ｈ層２をａ−８ｉ＞−ｘｃｘ：
Ｈと表わしたとき、０．１≦Ｘ≦０．９（炭素原子含有
量が１０ ａｔｏｍｉｃ ％ 〜９０ ａｔｏｍｉｃ
％ 、より好ましく ｔｉ ３０〜９０ ａｔｏｍｉｃ
％ ）とするのが望ましい。０．１≦Ｘとすればａ−
８ｉＣ：Ｈ層２の電気的、光学的特性をａ−８ｉＧｅ：
Ｈ層３とは全く異なったものにできる。
Ｈと表わしたとき、０．１≦Ｘ≦０．９（炭素原子含有
量が１０ ａｔｏｍｉｃ ％ 〜９０ ａｔｏｍｉｃ
％ 、より好ましく ｔｉ ３０〜９０ ａｔｏｍｉｃ
％ ）とするのが望ましい。０．１≦Ｘとすればａ−
８ｉＣ：Ｈ層２の電気的、光学的特性をａ−８ｉＧｅ：
Ｈ層３とは全く異なったものにできる。
！＞０．９のときは層の殆んどが炭素になって半導体特
性が失なわれるようになり、またｔｌ’１ｌｉ４時の堆
積速度が低下するので、これらを防ぐためにもＸ≦０．
９とするのがよいからである。
性が失なわれるようになり、またｔｌ’１ｌｉ４時の堆
積速度が低下するので、これらを防ぐためにもＸ≦０．
９とするのがよいからである。
このａ−８ｉＧｅ：Ｈ層３は、比較的長波長の光に対し
て高い光導電性を示すことが分っており、ａ−８ｉ：Ｈ
に比べると、特に７５０〜８００！１ｍの光に対して充
分な光感度（半減露光ｔ （ｅｒｇ／ａｊ ）の逆数）
を有している。
て高い光導電性を示すことが分っており、ａ−８ｉ：Ｈ
に比べると、特に７５０〜８００！１ｍの光に対して充
分な光感度（半減露光ｔ （ｅｒｇ／ａｊ ）の逆数）
を有している。
Ａ−８ｉＧｅ：Ｈ３の厚みは、特に第１図の例では５０
００ Ｘ〜８０μｍとするのがよく、第２図の例では１
０００ Ｘ〜５μｍとするのがよい。即ち、第１図にお
いては、膜厚が５０００ Ｘ未満であると、現偉に必要
な表面電位、表面電荷が得られ難く、また照射された光
は全く吸収されず、一部分は下地のａ−８ｉＣ：Ｈ層２
に到達するため光感度が低下する一方、８０μｍを越え
ると、製膜に時間がかかり、生産性が良くない。第２図
の例では、膜厚が１０００＾未満であるとやはり光感度
が低下し、またａ−８ｉＧｅ：Ｈ自体は電位保持性を有
していなくてよいから感光層として必要以上の厚さにす
る必要はなく、上限は５μｍあれば充分である。
００ Ｘ〜８０μｍとするのがよく、第２図の例では１
０００ Ｘ〜５μｍとするのがよい。即ち、第１図にお
いては、膜厚が５０００ Ｘ未満であると、現偉に必要
な表面電位、表面電荷が得られ難く、また照射された光
は全く吸収されず、一部分は下地のａ−８ｉＣ：Ｈ層２
に到達するため光感度が低下する一方、８０μｍを越え
ると、製膜に時間がかかり、生産性が良くない。第２図
の例では、膜厚が１０００＾未満であるとやはり光感度
が低下し、またａ−８ｉＧｅ：Ｈ自体は電位保持性を有
していなくてよいから感光層として必要以上の厚さにす
る必要はなく、上限は５μｍあれば充分である。
また、第１図の例では特に、ａ−８ｉＧｅ：Ｈ層３の電
荷保持性を高めるために、その製膜時に例えば周期表第
ｍＡ族元素（Ｂ、 Ａｔ、 Ｇａ、Ｉｎ等）をドープし
てａ−３ｉＧｅ：Ｈの抵抗を高めておくのが有効である
。ａ−８ｉＧｅ：Ｈ層の膜特性は、後述する製造方法に
おける基板温度、高周波放電パワー等の製膜条件によっ
て大きく異なる。組成的にみれば、Ｇｅ含有量は０．１
〜５０ ａｔｏｍｉｃチに設定するのがよい。即ち、０
．１ ａｔｏｍｉｃ ４未満では長波長感度がそれ程向
上せず、５０ ａｔｏｍｉｃチを越えると感度低下が生
じ、膜の機械的特性、熱的特性が劣化する。また、ａ
５ｉＧｅ：）（のＳｉとＨの結合について／Ｈ は、５ｉ−ＨがＳｉ に比べて多いことが望まし＼
Ｈ い。具体的には、波数約２０９０ ｃｗｔ の赤外線
吸収強度Ｉν８１Ｈ，と、波数約２０００３ の赤外
線吸収強度ＩｖｓｔＨがＯ≦ＩνｓｔＨ，／ ＩＩ／８
１Ｈ≦０．３であるのがよい。Ｓｉと結合するＨの量は
Ｓｉに対して３．５〜２０ ａｔｏｍｉｃ ’４である
のがよい。これらの条件が満たされたとき、ρＤ／ρＬ
の大きい感光体となるので望ましい。
荷保持性を高めるために、その製膜時に例えば周期表第
ｍＡ族元素（Ｂ、 Ａｔ、 Ｇａ、Ｉｎ等）をドープし
てａ−３ｉＧｅ：Ｈの抵抗を高めておくのが有効である
。ａ−８ｉＧｅ：Ｈ層の膜特性は、後述する製造方法に
おける基板温度、高周波放電パワー等の製膜条件によっ
て大きく異なる。組成的にみれば、Ｇｅ含有量は０．１
〜５０ ａｔｏｍｉｃチに設定するのがよい。即ち、０
．１ ａｔｏｍｉｃ ４未満では長波長感度がそれ程向
上せず、５０ ａｔｏｍｉｃチを越えると感度低下が生
じ、膜の機械的特性、熱的特性が劣化する。また、ａ
５ｉＧｅ：）（のＳｉとＨの結合について／Ｈ は、５ｉ−ＨがＳｉ に比べて多いことが望まし＼
Ｈ い。具体的には、波数約２０９０ ｃｗｔ の赤外線
吸収強度Ｉν８１Ｈ，と、波数約２０００３ の赤外
線吸収強度ＩｖｓｔＨがＯ≦ＩνｓｔＨ，／ ＩＩ／８
１Ｈ≦０．３であるのがよい。Ｓｉと結合するＨの量は
Ｓｉに対して３．５〜２０ ａｔｏｍｉｃ ’４である
のがよい。これらの条件が満たされたとき、ρＤ／ρＬ
の大きい感光体となるので望ましい。
ａ−８ｉＧｅ：Ｈ層の膜特性を改善するために、炭素を
含有させてａ−８ｉＣＧｅ：Ｈ層とすることが効果的で
ある。即ち、炭素を０．００１ ｐｐｍ〜ａｏａｔｏｍ
ｔｃｔｓ（特に０．０１ｐｐｍ〜１００００ ｐｐｍ
）含有させることが望ましく、その範囲より少ないと強
度低下が生じ、逆に多いと光感度低下、特に長波長域で
の感度低下が生じる。これは、炭素によって光学的エネ
ルギーギャップが拡大されるからである（第３図のａ−
８ｉＣ：Ｈの例参照）。
含有させてａ−８ｉＣＧｅ：Ｈ層とすることが効果的で
ある。即ち、炭素を０．００１ ｐｐｍ〜ａｏａｔｏｍ
ｔｃｔｓ（特に０．０１ｐｐｍ〜１００００ ｐｐｍ
）含有させることが望ましく、その範囲より少ないと強
度低下が生じ、逆に多いと光感度低下、特に長波長域で
の感度低下が生じる。これは、炭素によって光学的エネ
ルギーギャップが拡大されるからである（第３図のａ−
８ｉＣ：Ｈの例参照）。
なお、上記において、ダングリングボンドを補償するた
めには、ａ−８ｉに対しては上記したＨのａ−８ｉＣＧ
ｅ：Ｈ’ＦＸａ−８ｉＣ：Ｆｓ ａ−８ｉＣ：Ｈ：Ｆ
等とすることもできる。この場合のフッ素量は０、 Ｏ
１〜２０ ａｔｏｍｉｃ％がよく、０．５〜１０ ａｔ
ｏｍｉｃが更によい。
めには、ａ−８ｉに対しては上記したＨのａ−８ｉＣＧ
ｅ：Ｈ’ＦＸａ−８ｉＣ：Ｆｓ ａ−８ｉＣ：Ｈ：Ｆ
等とすることもできる。この場合のフッ素量は０、 Ｏ
１〜２０ ａｔｏｍｉｃ％がよく、０．５〜１０ ａｔ
ｏｍｉｃが更によい。
次に、本発明による感光体を製造するのに使用可能な装
置、例えばグロー放電分解装置を第４図について説明す
る。
置、例えばグロー放電分解装置を第４図について説明す
る。
この装置１１の真空槽１２内では、上記した基板１が基
板保持部１４上に固定され、ヒーター１５で基板１を所
定温度に加熱し得るよう罠なっている。
板保持部１４上に固定され、ヒーター１５で基板１を所
定温度に加熱し得るよう罠なっている。
基板１に対向して高周波電極１７が配され、基板１との
間にグロー放電が生ぜしめられる。なお、図中の１９．
２０．２１．２２．２３．２７．２８．２９．３４．３
６．３８は各パルプ、３０はＧｅＨａ又はガス状ゲルマ
ニウム化合物の供給源、３１は５ｉＨｎ又はガス状シリ
コン化合物の供給源、３２はＣＨａ又はガス状炭素化合
物の供給源、３３はＡｒＸｔｉＨｚ等のキャリアガス供
給源である。このグロー放電装置において、まず支持体
である例えばＡｔ基板１０表面を清浄化した後に真空槽
１２内に配置し、真空槽１２内のガス圧が１０ ”ｐｏ
ｒｒとなるようにパルプ３６を調節して排気し、かつ基
板１を所定温度、例えば２００℃に加熱保持する。次い
で、高純度の不活性ガスをキャリアガスとして、ＳｉＨ
４又はガス状シリコン化合物、ＧｅＨ４又はガス状ゲル
マニウム化合物、及・びＣＨ４又はガス状炭素化合物を
適当量希釈した混合ガスを夫々の膜組成に応じて適宜真
空槽１２内に導入し、パルプ３４で調節された０、０１
〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波電源１６により高周
波電圧を印加する。これによって、Ｆ１各反応ガスをグ
ロー放電分解し、水素を含むａ−８ｉＣ：Ｈな上記の層
２（更には４）として基板１上に堆積させる。この際、
シリコン化合物と炭素化合物の流量比及び基板温度を適
宜調整することによって、所望の組成比及び光学的エネ
ルギーギ＋ｙフを有するＪＬ−８ｉｔ−ｘｃｘ：Ｈ（例
えばＸが０．９程度のものまで）を析出させることがで
き、また析出するａ−８ｉＣ：Ｈの電気的特性にさほど
の影響を与えることなく、１００ＯＸ／ｍｉｎ以上の速
度でａ−８ｉＣ：Ｈを堆積させることが可能である。
間にグロー放電が生ぜしめられる。なお、図中の１９．
２０．２１．２２．２３．２７．２８．２９．３４．３
６．３８は各パルプ、３０はＧｅＨａ又はガス状ゲルマ
ニウム化合物の供給源、３１は５ｉＨｎ又はガス状シリ
コン化合物の供給源、３２はＣＨａ又はガス状炭素化合
物の供給源、３３はＡｒＸｔｉＨｚ等のキャリアガス供
給源である。このグロー放電装置において、まず支持体
である例えばＡｔ基板１０表面を清浄化した後に真空槽
１２内に配置し、真空槽１２内のガス圧が１０ ”ｐｏ
ｒｒとなるようにパルプ３６を調節して排気し、かつ基
板１を所定温度、例えば２００℃に加熱保持する。次い
で、高純度の不活性ガスをキャリアガスとして、ＳｉＨ
４又はガス状シリコン化合物、ＧｅＨ４又はガス状ゲル
マニウム化合物、及・びＣＨ４又はガス状炭素化合物を
適当量希釈した混合ガスを夫々の膜組成に応じて適宜真
空槽１２内に導入し、パルプ３４で調節された０、０１
〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波電源１６により高周
波電圧を印加する。これによって、Ｆ１各反応ガスをグ
ロー放電分解し、水素を含むａ−８ｉＣ：Ｈな上記の層
２（更には４）として基板１上に堆積させる。この際、
シリコン化合物と炭素化合物の流量比及び基板温度を適
宜調整することによって、所望の組成比及び光学的エネ
ルギーギ＋ｙフを有するＪＬ−８ｉｔ−ｘｃｘ：Ｈ（例
えばＸが０．９程度のものまで）を析出させることがで
き、また析出するａ−８ｉＣ：Ｈの電気的特性にさほど
の影響を与えることなく、１００ＯＸ／ｍｉｎ以上の速
度でａ−８ｉＣ：Ｈを堆積させることが可能である。
更に、ａ−８ｉＧｅ：Ｈ（上記の感光層３）を堆積させ
るには、炭素化合物を供給しないでシリコン化合物及び
ゲルマニウム化合物をグロー放電分解すればよい。＆
５ｉＣＧｅ：）（を形成するには、炭素化合物も同時
に供給すればよい。特に、ＩＬ ５ｉＧｅ：Ｈ感光層
に周期表ｍＡ族元素のガス状化合物、例えば８２Ｈｓを
シリコン化合物又はゲルマニウム化合物に適当量添加し
たものをグロー放電分解すれば、ａ−８ｉＱｅ：）（の
光導電性の向上と共にその高抵抗化も図れる。
るには、炭素化合物を供給しないでシリコン化合物及び
ゲルマニウム化合物をグロー放電分解すればよい。＆
５ｉＣＧｅ：）（を形成するには、炭素化合物も同時
に供給すればよい。特に、ＩＬ ５ｉＧｅ：Ｈ感光層
に周期表ｍＡ族元素のガス状化合物、例えば８２Ｈｓを
シリコン化合物又はゲルマニウム化合物に適当量添加し
たものをグロー放電分解すれば、ａ−８ｉＱｅ：）（の
光導電性の向上と共にその高抵抗化も図れる。
なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でａ−８ｉＣ又はａ−８ｉＱｅを蒸着させ
る方法（特に、本出願人による特開昭５６−７８４１３
号（特願昭５４−１５２４５５号）の方法）等によって
も上記感光体の製造が可能である。使用する反応ガスは
、ＳｉＨ４、ＧｅＨ４以外にも５ｌｚＨｓ 、ＧｅｚＨ
ｓ 、Ｓｔ Ｆ４．５ｆＨＦｓ又はその誘導体ガス、Ｃ
Ｈａ以外のＣ２Ｈ６、Ｃ５Ｈａ等の低級炭化水素ガスが
使用可能である。
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でａ−８ｉＣ又はａ−８ｉＱｅを蒸着させ
る方法（特に、本出願人による特開昭５６−７８４１３
号（特願昭５４−１５２４５５号）の方法）等によって
も上記感光体の製造が可能である。使用する反応ガスは
、ＳｉＨ４、ＧｅＨ４以外にも５ｌｚＨｓ 、ＧｅｚＨ
ｓ 、Ｓｔ Ｆ４．５ｆＨＦｓ又はその誘導体ガス、Ｃ
Ｈａ以外のＣ２Ｈ６、Ｃ５Ｈａ等の低級炭化水素ガスが
使用可能である。
次に、本発明を電子写真感光体に適用した実施例を具体
的に説明する。
的に説明する。
実施例１
トリクロルエチレンで洗浄し、０．１９４ ＮａＯＨ水
溶液、０．１ ％ ＨＮＯｘ水溶液でエツチングしたＡ
ｔ基板を第４図のグロー放電装置内にセットし、下記の
条件下でＡｔ基板−トに厚さ１０μｍの第２のａ−８ｉ
Ｃ：Ｈ層、厚さ２μｍのａ−８ｉＧｅ：Ｈ層、厚さ１０
００Ｘの第１０ａ−８ｉＣ：Ｈ層を順次連続して形成し
た。
溶液、０．１ ％ ＨＮＯｘ水溶液でエツチングしたＡ
ｔ基板を第４図のグロー放電装置内にセットし、下記の
条件下でＡｔ基板−トに厚さ１０μｍの第２のａ−８ｉ
Ｃ：Ｈ層、厚さ２μｍのａ−８ｉＧｅ：Ｈ層、厚さ１０
００Ｘの第１０ａ−８ｉＣ：Ｈ層を順次連続して形成し
た。
第２のａ−８ｉＣ：Ｈ層の形成：
ＣＨａ流量 ８ｃｃ／ｍ１ｎ
ＳｊＨ４流量 １２ｃｃ／ｍ１ｎ
Ａｒガス流量１００ｃｃ／ｍｉｎ
放電中の真空槽内圧 ０．２ Ｔｏｒｒ基板温度
２００℃ 放電パワー ２０Ｗ 製膜時間 約１０時間 ａ−８ｉＧｅ：Ｈ層の形成： Ｇ ｅ Ｈａ流量 ４ ｃｃ／ｍ１ｎＳｉＨｎ
流！ １６ ｅｃ／ｍ１ｎＡｒガス流量
１００ｃｃ／ｍｉｎ放電中の真空槽内圧、放電パワー及
び基板温度 上記と同じ 製膜時間 約２時間 第１０ａ−８ｉＣ：Ｈ層の形成： 製膜時間 約６分 その他の条件 第２のａ−８ｉＣ：Ｈ層形成の場合と
同じ こうして作成された感光体について、オージェ分光によ
って各層の組成を調べたところ、第１及び第２の＆−８
ｉＣ：Ｈ層ともにほぼａ Ｓ ｉ ａｓ ＣｏＡ：
Ｈからなっており、またａ−８ｉＧｅ：ＨＭＩはほぼａ
−８ｉｏｊＧｅｏｚ：Ｈからなりかつその光学的ノ（ン
ドギャップｕ １．５ ｅＶであった。この感光体に対
し、−６ＫＶで１０秒間コロナ帯電させ、５秒間暗減衰
させた後、１μＷ／−の強度で波長７５０ ｎｍの光を
２０秒間照射して、その電荷減衰特性を測定した、結果
は後記の表に示した。
２００℃ 放電パワー ２０Ｗ 製膜時間 約１０時間 ａ−８ｉＧｅ：Ｈ層の形成： Ｇ ｅ Ｈａ流量 ４ ｃｃ／ｍ１ｎＳｉＨｎ
流！ １６ ｅｃ／ｍ１ｎＡｒガス流量
１００ｃｃ／ｍｉｎ放電中の真空槽内圧、放電パワー及
び基板温度 上記と同じ 製膜時間 約２時間 第１０ａ−８ｉＣ：Ｈ層の形成： 製膜時間 約６分 その他の条件 第２のａ−８ｉＣ：Ｈ層形成の場合と
同じ こうして作成された感光体について、オージェ分光によ
って各層の組成を調べたところ、第１及び第２の＆−８
ｉＣ：Ｈ層ともにほぼａ Ｓ ｉ ａｓ ＣｏＡ：
Ｈからなっており、またａ−８ｉＧｅ：ＨＭＩはほぼａ
−８ｉｏｊＧｅｏｚ：Ｈからなりかつその光学的ノ（ン
ドギャップｕ １．５ ｅＶであった。この感光体に対
し、−６ＫＶで１０秒間コロナ帯電させ、５秒間暗減衰
させた後、１μＷ／−の強度で波長７５０ ｎｍの光を
２０秒間照射して、その電荷減衰特性を測定した、結果
は後記の表に示した。
次に、この感光体に１０μＷ／ｃｄ１波長７５０ ｎｍ
の像露光を行ない、静電潜像を形成した後、正極性のト
ナーで現像し、転写紙に転写、定着したところ、１偉濃
度が高く、カプリのない鮮明な画像を得ることができた
。この感光体の分光感度特性を第５図に示したが、本実
施例の如（ａ−ＳｊＧｅ：Ｈな感光層として用いればａ
−８ｉ：Ｈの場合と比べてより長波長側での光感度（半
減露光量（ｅｒＳ／−）の逆数とした。）が良好であり
、上記の波長７５０ ｎｍの光に対し十分な感度を示し
た。
の像露光を行ない、静電潜像を形成した後、正極性のト
ナーで現像し、転写紙に転写、定着したところ、１偉濃
度が高く、カプリのない鮮明な画像を得ることができた
。この感光体の分光感度特性を第５図に示したが、本実
施例の如（ａ−ＳｊＧｅ：Ｈな感光層として用いればａ
−８ｉ：Ｈの場合と比べてより長波長側での光感度（半
減露光量（ｅｒＳ／−）の逆数とした。）が良好であり
、上記の波長７５０ ｎｍの光に対し十分な感度を示し
た。
実施例２
実施例１と同様のグロー放電法によって、Ａｔ基板上に
、厚さ１５００＾の第２０ａ−８ｉＣ：Ｈ層、厚さ１０
μｍのボロンドープドａ−８ｉＧｅ：Ｈ層、厚さ１ｏｏ
ｏＸの第１のａ−ｓｉｃ：ａ層を順次積層した。
、厚さ１５００＾の第２０ａ−８ｉＣ：Ｈ層、厚さ１０
μｍのボロンドープドａ−８ｉＧｅ：Ｈ層、厚さ１ｏｏ
ｏＸの第１のａ−ｓｉｃ：ａ層を順次積層した。
但、ａ−８ｉＧｅ：）（層の製膜時にり、ＢｚＨｓ／５
ｉＨ４＝０．０１（％）の流量比で１ ＊ Ａｒ希釈Ｂ
ｚＨｓを混合し、グロー放電させた。
ｉＨ４＝０．０１（％）の流量比で１ ＊ Ａｒ希釈Ｂ
ｚＨｓを混合し、グロー放電させた。
得られた感光体の膜組成は実質的に実施例１と同じ（但
、ＩＬ−８ｉＧｅ：Ｈ層はボロン含有）であった。そし
て、−６ＫＶのコロナ帯電（１０秒）、暗減衰（５秒）
、１μＷ／ｃｊ、波長７５０ ｎｍの光照射（２０秒）
の各処理を経た後、電荷減衰特性を測定した。結果は後
記衣に示した。
、ＩＬ−８ｉＧｅ：Ｈ層はボロン含有）であった。そし
て、−６ＫＶのコロナ帯電（１０秒）、暗減衰（５秒）
、１μＷ／ｃｊ、波長７５０ ｎｍの光照射（２０秒）
の各処理を経た後、電荷減衰特性を測定した。結果は後
記衣に示した。
この感光体に１０μＷ／ａＩｉ、波長７５０ ｎｍの偉
露光を行なって静電潜像形成後、正極性のトナーで液体
現像、転写紙への転写、定着を行なったところ、画像濃
度が高く、カブリのない鮮明な画像を得ることができた
。
露光を行なって静電潜像形成後、正極性のトナーで液体
現像、転写紙への転写、定着を行なったところ、画像濃
度が高く、カブリのない鮮明な画像を得ることができた
。
実施例３
特開昭５６−７８４１３号に記載の蒸着法（製膜前の真
空槽内圧は８．５ Ｘ １０ ’ Ｔｏｒｒ ）に従っ
て、単結晶５ｉＣ（蒸発源）を電子ビーム加熱で蒸発さ
せる一方、真空槽に接続した水素放電管に５０ｃｃ／
ｍ ｉ ｎの水素を導入して活性化又はイオン化させた
水素を真空槽内に入れ、基板温度４００℃、基板電圧−
４ＫＶのＡｔ基板上に各ａ−８ｉＣ：１（層を製膜速度
２０＾／ｓｅｅで形成した。各ａ−８ｉＣ：Ｈともオー
ジェ分光の結果、＆ Ｓｉｏ、５Ｃｏａ：Ｈの組成か
らなっていたが、第２のａ−８ｉＣ：Ｈの厚みは２００
０Ａ。
空槽内圧は８．５ Ｘ １０ ’ Ｔｏｒｒ ）に従っ
て、単結晶５ｉＣ（蒸発源）を電子ビーム加熱で蒸発さ
せる一方、真空槽に接続した水素放電管に５０ｃｃ／
ｍ ｉ ｎの水素を導入して活性化又はイオン化させた
水素を真空槽内に入れ、基板温度４００℃、基板電圧−
４ＫＶのＡｔ基板上に各ａ−８ｉＣ：１（層を製膜速度
２０＾／ｓｅｅで形成した。各ａ−８ｉＣ：Ｈともオー
ジェ分光の結果、＆ Ｓｉｏ、５Ｃｏａ：Ｈの組成か
らなっていたが、第２のａ−８ｉＣ：Ｈの厚みは２００
０Ａ。
第１のａ−ｓｉｃ：ｎ＠厚みは１０００″Ｘとした。ま
た、感光層としてＦｉＡｔドープド１ｌ−８ｉＧｅ：Ｈ
を厚さ１０μｍに形成した。即ち、上記方法にお（・て
蒸発源として結晶Ｓｉ、Ｇｅ及びＡｔを用い、これらの
蒸装置す電子ビームの電流制御によってコントロールし
て膜中への各含有ｆｔナコントロールした。この場合の
水素流量は５０ｃｃ／ｍｉｎ、基板温度４００℃、基板
電圧−４ＫＶ、製膜速度１０Ｘ／ｓｅｃとした。
た、感光層としてＦｉＡｔドープド１ｌ−８ｉＧｅ：Ｈ
を厚さ１０μｍに形成した。即ち、上記方法にお（・て
蒸発源として結晶Ｓｉ、Ｇｅ及びＡｔを用い、これらの
蒸装置す電子ビームの電流制御によってコントロールし
て膜中への各含有ｆｔナコントロールした。この場合の
水素流量は５０ｃｃ／ｍｉｎ、基板温度４００℃、基板
電圧−４ＫＶ、製膜速度１０Ｘ／ｓｅｃとした。
得られたｋｔドープド感光層の組成はオージェ分光の結
果、ａ Ｓｉｏ、ｙｓＧｅｏ２５：Ｈからなり、Ａｔ
含有量は１１００ｐｐであることが分った。
果、ａ Ｓｉｏ、ｙｓＧｅｏ２５：Ｈからなり、Ａｔ
含有量は１１００ｐｐであることが分った。
次に、この感光体に対し、＋６Ｋｖのコロナ帯
′１電、暗減衰（５秒）、１μＷ／ａｉ、波長７５０
ｎｍの光照射（２０秒）を夫々行ない、電荷減衰特性を
調べたところ、後記衣に示す結果となった。
′１電、暗減衰（５秒）、１μＷ／ａｉ、波長７５０
ｎｍの光照射（２０秒）を夫々行ない、電荷減衰特性を
調べたところ、後記衣に示す結果となった。
また、この感光体に１０μＷ／ｊ、波長７５０ ｎｍの
偉露光を行なって静電潜像を形成後、負極性のトナーで
液体現像、転写紙への転写、定着を行なったが、得られ
た画像濃度は高く、カブリのない鮮明な画像を得ること
ができた。
偉露光を行なって静電潜像を形成後、負極性のトナーで
液体現像、転写紙への転写、定着を行なったが、得られ
た画像濃度は高く、カブリのない鮮明な画像を得ること
ができた。
実施例４
実施例１のグロー放電法により、ステンレス（ＳＵＳ）
基板上に、厚さ１０／Ａｍの第２０ａ−８ｉＣ二Ｈ層、
厚さ２ｆｉｍのａ−８ｉＧｅ：Ｈ層、厚さ１５００久の
第１０ａ−８ｉＣ：Ｈ層を順次積層した。第２のａ−８
ｉＣ：Ｈの製膜に際しては、ＣＨ４流ｔ１２ｃｃ／ｍｉ
ｎ、 ５ｉＨａ流量８ ｅｅ／ ｍｉｎ ＸＡｒガス流
量１００ｃｃ／ｍｌｎ％基板温度５０℃、放電パワ−２
０Ｗ１製膜時間約４時間とした。ａ−８ｉＧｅ：Ｈ感光
層の製膜条件は実施例１で述べたと同様であった。着た
、第１のａ−８ｉＣ：Ｈの製膜は約３分で行ない、他の
条件は第２のａ−８ｉＣ：Ｈの製膜時のものと同じであ
った。得られた第１及び第２のａ−８ｉＣ：Ｈ層の組成
はともに、オージェ分光の結果、はぼａ−８ｉｏ４Ｃｏ
ｊ：Ｈであった。
基板上に、厚さ１０／Ａｍの第２０ａ−８ｉＣ二Ｈ層、
厚さ２ｆｉｍのａ−８ｉＧｅ：Ｈ層、厚さ１５００久の
第１０ａ−８ｉＣ：Ｈ層を順次積層した。第２のａ−８
ｉＣ：Ｈの製膜に際しては、ＣＨ４流ｔ１２ｃｃ／ｍｉ
ｎ、 ５ｉＨａ流量８ ｅｅ／ ｍｉｎ ＸＡｒガス流
量１００ｃｃ／ｍｌｎ％基板温度５０℃、放電パワ−２
０Ｗ１製膜時間約４時間とした。ａ−８ｉＧｅ：Ｈ感光
層の製膜条件は実施例１で述べたと同様であった。着た
、第１のａ−８ｉＣ：Ｈの製膜は約３分で行ない、他の
条件は第２のａ−８ｉＣ：Ｈの製膜時のものと同じであ
った。得られた第１及び第２のａ−８ｉＣ：Ｈ層の組成
はともに、オージェ分光の結果、はぼａ−８ｉｏ４Ｃｏ
ｊ：Ｈであった。
この感光体に一６ＫＶコロナ帯電（１０秒）、暗減衰（
５秒）、１μＷ／ｃｓｉ、波長７５０ ｎｍの光照射（
２０秒）の各処理を施し、電荷減衰特性を測定（またと
ころ、後記衣の如くになった。
５秒）、１μＷ／ｃｓｉ、波長７５０ ｎｍの光照射（
２０秒）の各処理を施し、電荷減衰特性を測定（またと
ころ、後記衣の如くになった。
また、この感光体に１０μＷ／ｄ、波長７５０ｎｍの像
域光を行ない、静電潜像を形成した後、正極性のトナー
で現像、転写紙への転写、定着によって、画像濃度が高
くてカブリのない鮮明な画像が得られた。この操作を繰
返して１０万回コピーを行なっても、画質の低下はみら
れなかった。
域光を行ない、静電潜像を形成した後、正極性のトナー
で現像、転写紙への転写、定着によって、画像濃度が高
くてカブリのない鮮明な画像が得られた。この操作を繰
返して１０万回コピーを行なっても、画質の低下はみら
れなかった。
以上の実施例１〜４による各感光体の電荷減衰特性を次
表にまとめて示したが、いずれも電子写真用として満足
すべき特性を有し、実用可能なものであることが分った
。
表にまとめて示したが、いずれも電子写真用として満足
すべき特性を有し、実用可能なものであることが分った
。
実施例５
上述した方法を用いて、Ａｔ基板上に、厚さ１μｍの第
２のａ−８ｉＣ：Ｈ層、厚さ２ｔｓｍのａ−Ｓ ｉ ｏ
ｍＧｅＣＬｔｉ：Ｈ層を順次積層し、更にこの上に形成
される第１ｃｏ ａ−ｓｉｃｘＨ層（ＤＨ厚’ｚｔ ５
ｏｏＸ、 ２０００ Ｘ、 ５ｏｏ。
２のａ−８ｉＣ：Ｈ層、厚さ２ｔｓｍのａ−Ｓ ｉ ｏ
ｍＧｅＣＬｔｉ：Ｈ層を順次積層し、更にこの上に形成
される第１ｃｏ ａ−ｓｉｃｘＨ層（ＤＨ厚’ｚｔ ５
ｏｏＸ、 ２０００ Ｘ、 ５ｏｏ。
Ａ、 ７５００＾、１μｍと５通りに変化させ、５種類
のサンプルを作成した。
のサンプルを作成した。
これらの各感光体について、＋６ＫＶコロナ帯電（１０
秒）、暗減衰（５秒）、１ｎＷ／ｄ、波長７００ ｎｍ
の光照射（２０秒）の各処理を行ない、夫々の電荷減衰
特性を測定したところ、第６図の如き結果が得られた。
秒）、暗減衰（５秒）、１ｎＷ／ｄ、波長７００ ｎｍ
の光照射（２０秒）の各処理を行ない、夫々の電荷減衰
特性を測定したところ、第６図の如き結果が得られた。
このデータから、残留電位は第１のａ−８ｉＣ：Ｈ層の
膜厚と共に増大する傾向にあり、その膜厚を５０００Ｘ
以下とするのがＴ１（〜いことが分る。一般に、ａ−８
ｉＣ：Ｈは６００ｎｍ以上の波長域では吸収係数が小さ
いので、膜厚が大きくてもａ−８ｉＧｅ：Ｈ層での光キ
ヤリア発生を損うことはない。この点に限って言えば、
ａ ＳＩＣ：Ｈ層の膜厚は大きくしてもよいが、上記
の残留電位の面も考慮すれば５０００Ｘ以下とするのが
よい。
膜厚と共に増大する傾向にあり、その膜厚を５０００Ｘ
以下とするのがＴ１（〜いことが分る。一般に、ａ−８
ｉＣ：Ｈは６００ｎｍ以上の波長域では吸収係数が小さ
いので、膜厚が大きくてもａ−８ｉＧｅ：Ｈ層での光キ
ヤリア発生を損うことはない。この点に限って言えば、
ａ ＳＩＣ：Ｈ層の膜厚は大きくしてもよいが、上記
の残留電位の面も考慮すれば５０００Ｘ以下とするのが
よい。
図面は本発明を例示するものであって、第１図及び第２
図は電子写真感光体の二側の一部分の各断面図、 ｔｓ３図はａ−８ｉ：Ｈ及び各組成（Ｄ ａ−８ｉＣ：
Ｈ（７）光導電性を示すグラフ、 第４図は上記感光体の製造装置の概略断面図、第５図は
光の波長による各感光体の光感度を示すグラフ、 第６図は表面側の第１のａ−８ｉＣ：Ｈ表面層の厚みに
よる残留電位の変化を示すグラフ である。
図は電子写真感光体の二側の一部分の各断面図、 ｔｓ３図はａ−８ｉ：Ｈ及び各組成（Ｄ ａ−８ｉＣ：
Ｈ（７）光導電性を示すグラフ、 第４図は上記感光体の製造装置の概略断面図、第５図は
光の波長による各感光体の光感度を示すグラフ、 第６図は表面側の第１のａ−８ｉＣ：Ｈ表面層の厚みに
よる残留電位の変化を示すグラフ である。
なお、図面に示されている符号において、１・・・・・
・支持体（基板） ２− ＠ ２ （Ｄ ａ−８ｉＣ：Ｈ層３・・・・・・
ａ−８ｉＧｅ：Ｈ感光層（光導電層）４・・・・・・第
１のａ−８ｔｃ：）（層１１・・・・・・グロー放電装
置 １７・・・・・・高周波電極 ３０・・・・・・ガス状ゲルマニウム化合物供給源３１
・・・・・・ガス状シリコン化合物供給源３２・・・・
・・ガス状炭素化合物供給源３３・・・・・・キャリア
ガス供給源 ρＤ／ｌ）Ｌ・・・・・・暗所抵抗率／光照射時の抵抗
率である。
・支持体（基板） ２− ＠ ２ （Ｄ ａ−８ｉＣ：Ｈ層３・・・・・・
ａ−８ｉＧｅ：Ｈ感光層（光導電層）４・・・・・・第
１のａ−８ｔｃ：）（層１１・・・・・・グロー放電装
置 １７・・・・・・高周波電極 ３０・・・・・・ガス状ゲルマニウム化合物供給源３１
・・・・・・ガス状シリコン化合物供給源３２・・・・
・・ガス状炭素化合物供給源３３・・・・・・キャリア
ガス供給源 ρＤ／ｌ）Ｌ・・・・・・暗所抵抗率／光照射時の抵抗
率である。
代理人 弁理士 逢 坂 宏
厚 み（μ几）
（自引手続補正書
昭和５８年５月１０日
特許庁長官 若杉和夫 殿
１、事件の表示
昭和５７年 特許 願第７５６５５号２、発明の名称
感光体
３、？！正をする老
事件との関係 特許出願人
住 所 東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号名 称
（１２７）小西六写真工業株式会社４、代理人 ６、禎正により増加する発明の数 ７、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ８、補正の内容 （１）、明細書第１０真下から６〜５行目の「ａ−３ｉ
Ｃ：Ｈ層・・・・・・・・・により」を削除します。
（１２７）小西六写真工業株式会社４、代理人 ６、禎正により増加する発明の数 ７、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ８、補正の内容 （１）、明細書第１０真下から６〜５行目の「ａ−３ｉ
Ｃ：Ｈ層・・・・・・・・・により」を削除します。
（２）、同第１１頁下から４行目の「ようになり」を削
除します。
除します。
（３）、同第１４頁５〜６行目の「、より好ましくは３
０〜９０ ａｔｏｍｉｃ％」を削除します。
０〜９０ ａｔｏｍｉｃ％」を削除します。
（４）、同第１７頁下から４行目の「２３」を「２３．
２６」と訂正します。
２６」と訂正します。
（５）、同第２４頁５行目の「いたが、」を「いた。」
と訂正します。
と訂正します。
（６）、同第２５頁１３行目の「５０℃」を「２５０℃
」と訂正します。
」と訂正します。
（７）、同第２５頁１４行目の「４時間」を１８時間ｊ
と訂正します。
と訂正します。
（８）、同第２５頁１６行目の「３分」を「６分」と訂
正します。
正します。
（９）、同第２７頁１０行目のｒ７００ｎｍ Ｊをｒ７
５０ｎｍ Ｊと訂正します。
５０ｎｍ Ｊと訂正します。
一以 −Ｌ−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンゲ
ルマニウムとアモルファス水素化及ヒ／又はフッ素化炭
化シリコンゲルマニウムとの少なくとも一方からなる光
導電層と、この光導電層上に形成された第１のアモルフ
ァス水素化及び又はフッ素化炭化シリコン層と、前記光
導電層下に形成された第２のアモルファス水素化及び／
又はフッ素化炭化シリコン層とを有することを特徴とす
る感光体。 ２、第１のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化
シリコン層の厚みが５０Ｘ〜５ｏｏｏ Ｘの範囲に選択
されている、特許請求の範囲の第１項に記載した感光体
。 ３、光導電層の厚みが５ｏｏｏ Ｘ〜８０μｍであり、
第２のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリ
コン層の厚みが５０Ｘ〜５０００Ｘである、特許請求の
範囲の第１項又は第２項に記載した感光体。 ４、光導電層の厚みが１ｏｏｏＸ〜５μｍであり、第２
のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン
層の厚みが５０００ Ｘ〜８０μｍである、特許請求の
範囲の第１項又は第２項に記載した感光体。 ５、第１のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化
シリコン層中の炭素原子含有量が４０ ａｔｏｍｉ ｃ
％〜９０ａｔｏｍｉｃ％である、特許請求の範囲の第１
項〜第４項のいずれか１項に記載した感光体。 ６、第２のアモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化
シリコン層中の炭素原子含有量が１０ ａｔｏｍｉｃ嗟
〜９０ａｔｏｍｉｃ％である、特許請求の範囲の第１項
〜第４項項のいずれか１項に記載した感光体。 ７、光導電層中のゲルマニウム含有量が０．１ ａｔｏ
ｒｎｉｃチ〜５０ ａｔｏｍｉｃ Ｔｏである、特許請
求の範囲のｔａ１項〜第６墳のいずれか１項に記載した
感光体。 ８ 光導電層中の炭素原子含有量が０．００１ ｐｐｍ
〜３０ ａｔｏｍｉｃ％である、特許請求の範囲の第１
項〜第７項のいずれか１項に記載した感光体。 ９、光導電層に周期表第Ｈ層族の元素がドーグされてい
る、特許請求の範囲の第１項４第８項のいずれか１項に
記載した感光体。 １０、周期表第１［ＩＡ族の元素がＢ、 ＡｔＸＧａ又
はＩｎである、特許請求の範囲の第９項に記載した感光
体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57075655A JPS58192044A (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | 感光体 |
| US06/489,317 US4495262A (en) | 1982-05-06 | 1983-04-28 | Photosensitive member for electrophotography comprises inorganic layers |
| DE19833316649 DE3316649A1 (de) | 1982-05-06 | 1983-05-06 | Lichtempfindliches element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57075655A JPS58192044A (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | 感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58192044A true JPS58192044A (ja) | 1983-11-09 |
Family
ID=13582465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57075655A Pending JPS58192044A (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | 感光体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4495262A (ja) |
| JP (1) | JPS58192044A (ja) |
| DE (1) | DE3316649A1 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6278567A (ja) * | 1985-10-01 | 1987-04-10 | Kyocera Corp | 電子写真感光体 |
| JPS62115169A (ja) * | 1985-11-14 | 1987-05-26 | Canon Inc | 光受容部材 |
| JPS62115454A (ja) * | 1985-11-15 | 1987-05-27 | Canon Inc | 光受容部材 |
| JPS6332558A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-12 | Kyocera Corp | 電子写真感光体 |
| JPS6355557A (ja) * | 1986-04-18 | 1988-03-10 | Hitachi Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS63165857A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 | Kyocera Corp | 電子写真感光体 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4569894A (en) * | 1983-01-14 | 1986-02-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member comprising germanium atoms |
| US4587190A (en) * | 1983-09-05 | 1986-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member comprising amorphous silicon-germanium and nitrogen |
| US4659639A (en) * | 1983-09-22 | 1987-04-21 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member with an amorphous silicon-containing insulating layer |
| US4642277A (en) * | 1983-10-25 | 1987-02-10 | Keishi Saitoh | Photoconductive member having light receiving layer of A-Ge/A-Si and C |
| US4595645A (en) * | 1983-10-31 | 1986-06-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member having a-Ge and a-Si layers with nonuniformly distributed oxygen |
| US4592982A (en) * | 1983-11-04 | 1986-06-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member of layer of A-Ge, A-Si increasing (O) and layer of A-Si(C) or (N) |
| DE3447671A1 (de) * | 1983-12-29 | 1985-07-11 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Fotoleitfaehiges aufzeichnungsmaterial |
| US4598032A (en) * | 1983-12-29 | 1986-07-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member with a-Si; a-(Si/Ge) and a-(Si/C) layers |
| US4601964A (en) * | 1983-12-29 | 1986-07-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member comprising layer of A-Si/A-Si(Ge)/A-Si(O) |
| US4697202A (en) * | 1984-02-02 | 1987-09-29 | Sri International | Integrated circuit having dislocation free substrate |
| US4677044A (en) * | 1984-05-09 | 1987-06-30 | Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. | Multi-layered electrophotographic photosensitive member having amorphous silicon |
| JPS60249327A (ja) * | 1984-05-25 | 1985-12-10 | Hitachi Ltd | レジストパタ−ン検出方法 |
| JPS6126054A (ja) * | 1984-07-16 | 1986-02-05 | Minolta Camera Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS6126053A (ja) * | 1984-07-16 | 1986-02-05 | Minolta Camera Co Ltd | 電子写真感光体 |
| FR2579825B1 (fr) * | 1985-03-28 | 1991-05-24 | Sumitomo Electric Industries | Element semi-conducteur, procede pour le realiser et articles dans lesquels cet element est utilise |
| GB2175016B (en) * | 1985-05-11 | 1990-01-24 | Barr & Stroud Ltd | Optical coating |
| US4749636A (en) * | 1985-09-13 | 1988-06-07 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member with hydrogen-containing carbon layer |
| US4738912A (en) * | 1985-09-13 | 1988-04-19 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having an amorphous carbon transport layer |
| US4741982A (en) * | 1985-09-13 | 1988-05-03 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having undercoat layer of amorphous carbon |
| US5166018A (en) * | 1985-09-13 | 1992-11-24 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member with hydrogen-containing carbon layer |
| US4743522A (en) * | 1985-09-13 | 1988-05-10 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member with hydrogen-containing carbon layer |
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| JPS62220961A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-29 | Minolta Camera Co Ltd | 感光体 |
| JPS62220959A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-29 | Minolta Camera Co Ltd | 感光体 |
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1982
- 1982-05-06 JP JP57075655A patent/JPS58192044A/ja active Pending
-
1983
- 1983-04-28 US US06/489,317 patent/US4495262A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-05-06 DE DE19833316649 patent/DE3316649A1/de active Granted
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|---|---|
| US4495262A (en) | 1985-01-22 |
| DE3316649A1 (de) | 1983-11-10 |
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