JPS61160752A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は電子写真感光体に関する。

〔従来技術とその問題点〕

従来電子写真感光体として、例えはアモルファスセレン
またはアモルファスセレンにひ素、テルル、アンテモな
どの不純物をドープした光導電材料を用いた感光体、あ
るいは酸化亜鉛や硫化カドミウムなどの光導電材料を樹
脂バインダに分散させて用いた感光体などが使用されて
いる。しかしながらこれらの感光体は温度、湿度などの
雰囲気安定性１機械的強度、環境汚染性の点で問題があ
るＯ 近年、光導電材料としてアモルファスシリコン（ａ−８
ｉ）を用いることによってこれら従来の電子写真感光体
の欠点を解消する技術が種々提案されている０蒸着ある
いはスパッタリングによって作製されたａ　−Ｓ　ｉは
暗比抵抗が１０’Ｑｃｓｚと低く、また光導重度が極め
て小さいので電子写真感光体用の光導電材料としては望
ましくない。これは、このような製法で作製したａ−８
ｔではｓｉ　−ｓｔ結合が切れたいわゆるダングリング
ボンドが生成しており、この欠陥に起因してエネルギー
・ギャップ内に多くの局在準位が存在する。このため暗
所においても熱励起キャリアのホッピング伝導が生じて
暗比抵抗が小さく、また露光時には光励起キャリアが局
在準位に捕獲されるために光導電性が悪いのである。

これに対してシランガス（ＳｉＨ４）のグロー放電分解
によって作製したアモルファス水素化シリコン（＆−８
ｉ：Ｈ）では上記欠陥を水素原子頓で補償しＳｔにＨを
結合させることによってダングリングボンドの数を大幅
に低減できるので、光導電性が非常に良好にな＃）Ｐ型
およびＮ型の価電子制御も可能となったが、暗比抵抗値
は高々１０８〜１０９０備であって電子写真感光体とし
て必要な１０１２Ω個以上の比抵抗値に対してはまだ低
い◇従ってこのようなａ−８１：Ｈからなる感光体は表
面電位の暗減衰速度が大きく初期帯電位が低い。

そこでこのよりなａ−８１：Ｈに電荷保持能を付与する
ため前述の価電子制御が可能なことに着目し、はう素を
適当量ドープすることによ＃）Ｗ＃比抵抗を１０１２Ω
口以上まで高めて、カールソン方式による複写プロセス
に適用することを可能にしている＠このようなａ　Ｓｉ
＊Ｈを表面とする感光体は初期的には良好な複写画像が
得られるものの、長期間大気中あるいは高湿中に保存し
ておいた後複写した場合しばしば画像不良を発生するこ
とがある。

また多数回複写を繰返すとしだいに画像ぼけを生じてく
ることもわかっている。このような劣化した感光体は特
に高温雰囲気中で複写した場合湿度が高いほど画像ぼけ
を発生しやすく、また複写回数が増すと画像ぼけを生じ
始める臨界湿度はしだいに下がる傾向があることが確か
められている。

上述のごと（、ａ−８ｉ：Ｈを表面とする感光体は長期
にわたって大気や湿気にさらされることによシ、あるい
は複写プロセスにおけるコロナ放電すどで生じる化学種
（オゾン、Ｓ！１素酸化物１発生期酸素など）によシ感
光体最表面が影響を受けやすく、何らかの化学的変質に
よって画像不良を発生するものと考えられているが、そ
の劣化のメカニズムについてはこれまでにまだ十分な検
討はなされていない。このような画像不良の発生を防止
し耐刷性を向上するために、感光体の表面に保護層を設
けて化学的安定化を図る方法が試みられている。例え′
ば表面保護層としてアモルファス炭化水素化シリ’　７
　（ａ　　Ｓｆ　−、ｌ　Ｇ１−ｚ　：　Ｈ，０（ｘ（
１）あるいはアモルファス窒化水素化シリコン（ａ　　
５ｉｚＮ１−エ：　Ｈ，０＜ｘ＜１）　′ｔ−設けるこ
とによって感光体表面層の複写プロセスあるいは環境雰
囲気による劣化を防ぐ方法が知られている〜（特開昭５
７−１１５５５９号公報など入しかし表面保護層中の炭
素濃度あるいは窒素濃度を適当な値に選ぺば感光体の耐
刷性をかな夛改良することはできるが、高湿度雰囲気中
での耐湿性までは維持することができず、数万枚複写を
繰返した後では相対湿度６０％台の雰囲気での複写で画
像ぼけが発生する。さらに保護機能を高めようとして例
えば炭素量を多くすると残留電位が増大するなど他の特
性上の問題が生じる。

従って感光体特性を良好に維持しながら、これらの表面
保護層を設けて感光体の耐刷性、耐湿性を大幅に向上す
ることはできない状況にある。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、上述の問題点を解消して長期保存およ
び繰返し使用に際して特性劣化現象を起こさず、高湿雰
囲気中においても複写画像不良などの特性の低下がほと
んどみられない、感光体として特性が常時安定していて
使用環境にほとんど制約を受けない、耐久性、耐刷性、
耐湿性に優れた電子写真感光体を提供することにある◇
〔発明の要点〕 本発明は、上記諸問題を解決すべく成されたもので、ア
モルファスシリコン材料について電子写真感光体に使用
される光導電体としての適用性とその災用性という観点
から総括的に研究検討を続けた結果、アモルファス水素
化シリコンから構成される光導電層上に特定の表面保護
層を設けた層構成に設計され作製された感光体は、実用
上十分使用し得るばかシでな〈従来の感光体と較べてみ
てもほとんどの点において凌駕しており、著しく優れた
特性、耐刷性、耐壌境性を有していることを見出した点
に基づいている〇 すなわち、本発明の目的は導電性支持体上にシリコンを
主体とし水素を含むアモルファス材料からなる光導電層
と該光導電層上に積層されたシリコン、炭素および酸素
を主体とし水素を含むアモルファス材料からなる表面保
護層とを少なくとも有する電子写真感光体において、前
記表面保護層の赤外線吸収スペクトルの１０８０３１の
ピーク強度工ｌと８６０　ｃｍ−”のピーク強度Ｉ２と
の比１１／Ｉ２の値が０．５ないし１．４であるように
することによって達成される。

〔発明の実施例〕

以下図を参照しながら本発明の実施例について説明する
。

第１図は本発明の感光体の一つの実施例を示す断面図で
あって、導電性支持体１の上にブロッキング層２．光導
電層３１表面保護層４が順次積層されてなる。

次にこれら各層の構成および機能について説明ススチー
ルなどの金属あるいはガラスまたは樹脂シートに導電処
理がなされたものからなるシート状または円筒状のもの
で感光体の電極であると同時に層２，３．４の支持体と
なっている０支持体１上にアモルファス水素化シリコン
（ａ−８１：Ｈ）からなるブロッキング層２が設けられ
る。この層２は暗所において、電極である支持体から光
導電層側への電荷担体（キャリア）の注入を阻止し感光
体の表面帯電電位の向上、暗減衰の低減に役立つ。

層２にはキャリアの注入阻止能をもたすために適当な不
純物がドーピングされている。例えば感光体を正帯電し
て使用する場合にはほう素を１１００ｐｐ以上ドーピン
グすることによりＰ型化して負電荷の注入を阻止できる
ようにする。また高抵抗にして注入阻止能を高めるため
に炭素または窒素を添加してもよい。その厚みは０．０
０５Ｊｍ〜０，５μｍの範囲が望ましい。

光導電層３はＪＬ　　Ｓｌ：Ｈからなり、感光体の中枢
的な機能を果す層であって、暗所では高比抵抗で表面帯
電電位を保持し、光照射時には光を受容してキャリアを
発生し、発生したキャリアを輸送する機能を有する０従
って層３は暗比抵抗が大きく、かつ光受容時のキャリア
発生能、キャリア輸送能の良好なことが必要であυａ−
８ｔのダングリングボンドをＨで補償することが不可欠
であって、そのときのＨの含有率は５〜３０原子優に制
御されることが望ましい。またａ−８１：　Ｈは前述の
とおり不純物のドーピングによシその導電型の制御が可
能であるが、光導電層３として使用する場合にはその要
望される電気的、光学的特性をみたすためにａｓｉ：Ｈ
に周期律表第１６族の元素例えば＃１う素を０．ｌｐｐ
ｍ〜５ｐｐｍドープすることが望ましい。

層の浮みは５μｍ〜６０μｍであることが好ましい。

また層３の高比抵抗化、帯電能向上のために必要に応じ
てａ−８ｔ：Ｈに適量の炭素あるいは窒素またＦｉ酸素
を導入してもよい。

水素と酸素を含むアモルファスふっ素化炭化シリ：＋７
　（ａ　８１１−ｚＣｘ　：　Ｏ：　Ｆ　：　Ｈ，ｘは
Ｏから１′ｖ１での値を取シ得る）からなる表面保護層
４は光導電層３に積層されて、感光体の耐刷性の向上、
耐環境性の維持（熱、湿気、コロナ放電で生成される化
学種、その他の雰囲気の影響防止）１表面歪電電位の改
善、長期にわたる電位特性の保持などの機能を必要とす
る。

感光体に照射される光は光導電層に到達することが必要
であシ、したがって光導電層の光入射側に積層される表
面保護層は光を透過させねばならない。そのためには表
面保護層の組成においてＣ／Ｓ　ｉ比を０．５から１．
５とすることが望ましい。

すなわちＣ／Ｓ　ｌ≧０．５とすれば層の光学的エネル
ギーギャップがほぼ２．２ｅＶ以上とな夛、可視光およ
び赤外光に対して光学的に透明になシはとんどの照射光
は光導電層に到達することになる。逆にＣ／Ｓ　ｉ　＜
　０．５であると一部分の光は表面保護層に吸収され、
感光体の光感度が低下する。またＣ／Ｓｔ比が１，５を
超えると絶縁物にちかくな９感光体の残留電位が増大す
るので好ましくない０さらにＣ／　Ｓ　ｉ比が０．５か
ら１．５の間であると化学的に安定であって保護層とし
ての機能を十分備えることになる。

表面保護層４中のふっ素は耐刷性および耐湿性を向上さ
せるために導入されるものであって、その含有量は５〜
２０原子チの範囲に制御されることが必要である０５原
子チより少なか場合には耐刷性、耐湿性向上がみられず
高湿下において画像不良が発生する。２０原子チより多
くなると感光体特性が悪化するのでよくない０ふっ素を
適量導入すると感光体最表面の表面エネルギーが下がシ
挽水性が高くなるため湿気を吸着しにくくな夛、湿度に
よる悪影醤を防止することができる。また表面保護層４
は水素を含有することが必要である。

水素を含有しない場合には感光体の電荷保持性能が実用
的なものとならないからである。このため水素含有量は
２０〜５０原子チが望ましい。

本発明者等は前述のような組成の表面保護層を有する感
光体について、その表面保護層の赤外線吸収スペクトル
の１０８０　ｔｒｔｒ−’のピーク強度と８６０ｍ−’
のピーク強度との比と感光体の耐湿性、耐刷性との間に
密接な関係のあることを見いだし九〇第２図は本発明に
よる代表的な表面保護層の赤外線吸収スペクトルである
ｏ　１０８０ｃ！ＰＲのヒーク強度工、と８６０（：Ｉ
Ｉ−”のピーク強度Ｉ２は簡易法として図のように、実
線で示された零レベルと各波数における透過率の差で表
わされる０実際の零レベルは干渉から、破線で示された
ような曲線になるはずであるが、ここでは簡易法として
直線で近似した０膜厚を適正に選ぶことによって干渉は
かな）低減するので１１と１２の比の値で論じる場合、
実際にはそれほど大きな差は生じない。

１０８０ｍ’のピークはシリコン（Ｓ１）と酸素（０）
の結合によるものであるが、実際の膜中にＳｔ、Ｏ以外
の元素（例えば、炭素Ｃ）、フッ素い、水素０等）が含
まれていると、その組成によっては約１０５１０５Ｏ’
から約１１００ｃｍ−１まで変化して現われる。第２図
では約１０７０　ｃｔｓ−”に現われている。また、８
６０ｔｙｍ−’のピークはＳｌとＣとの結合によるピー
クとＳｔとＦとの結合によるピークとの重ね合わせと考
えられるが同様の理由で約８２０３−１から約９００ｃ
ｒ１１−’までの範囲に現われる。

表面保護層は、ＩＩ／Ｉ２の値が０．５ないし１．４で
あることが望ましい。このような表面保護層を有する感
光体は１０万枚コピーの後も良質の画像が得られ、しか
も８０チ以上の高湿雰囲気中でも画像・特性ともほとん
ど変化しないことが確かめられた。

一方、ピーク強度比Ｉ　、／Ｉ　２が０．５以下の場合
、すなわちＳｉと００結合が適性範囲よシも少ない時の
表面保護層は不安定となシ繰シ返し使用した場合帯電が
変動した）、画像ぼけの生じる臨界湿反の低下によシ耐
刷性・耐湿度性が悪くなる。また、ピーク強度比Ｉｌ／
Ｉ２が１．４以上でＳｉとＯの結合が過剰に存在する表
面保護層を有する感光体の場合は最初から画像はけが生
じる。

次に前記の感光体のグロー放電分解法による製造装置お
よび製造方法を第３図により説明する。

この装置１１の真空槽１２内の支持体保持部１４に導電
性支持体１３が固定されヒーター１５で支持体１３を所
定の温度に加熱できるようになっている。支持体１３の
外側に高周波電極１７が配置され支持体１３との間にグ
ロー放電が生じうるようになっている。高周波電極１７
も支持体１３と同様にヒーター１８で加熱できる構造と
なっている。２１〜３７は各パルプ、４１は５ｔａ４な
どガス状シリコン化合物の供給源、４２はＣＦ４　＋Ｃ
２Ｆ６　＋Ｃ３Ｆ８．ＣＨＦ３などの７０ンガスの供給
源、４３はＳｉＦ４の供給源、４４はＣＨ４＊　Ｃ２Ｈ
４などの炭化水素の供給源、４５はＢ２Ｈ６などドーピ
ングガスの供給源、４６は０２の供給源、４７はＨ２の
供給源である。

このグロー放電装置において、まず支持体である例えば
アルミニウム円筒基体を表面を例えばトリクロールエチ
レンで洗浄し清浄化した後真空槽１２内の支持体保持部
１４に固着し、槽内が１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の真空にな
るように真空排気系に接続されたパルプ３７を開いて排
気しかつアルきニウム円筒基体を例えば１２０℃〜３５
０℃内のある所定の温度に加熱保持する。次いでパルプ
２１，２８．３５を操作して５ＩＨ４またはガス状シリ
コン化合物を、パルプ２５．３２を操作して不純物とし
て周期律表ＩＡ族元素のガス状化合物１例えばＢ２Ｈ，
（Ｉ（２またはＨｅなどで稀釈し九もの）を真空槽１２
内へ導入し、パルプ２１．２８，２５，３２．３５およ
び３７をそれぞれ調節して例えば０．１〜５Ｔｏｒｒの
圧力になるようにし、その反応圧下で高周波電源１６に
よシ高周波電圧（周波数は例えば１３．５６ＭＩＩｚ）
を印加する。

このようにして上記反応ガスをグロー放電分解しブロッ
キング層２．光導電層３を連続して支持体上に堆積させ
る◎その際添加する不純物ガス例えはＢ２で稀釈したＢ
　２Ｈ６の濃度あるいは流量を適宜調整することによっ
て所望のドーピング量を得ることができる。ブロッキン
グ層として成膜する場合には例えば５ｉ）Ｉ４に対して
Ｂ２Ｈ６が１１００ｐｐ以上の濃度となるように添加さ
れる。また光導電層として成膜する場合には例えばＳｉ
Ｈ４に対してＢ２Ｈ６が０．１〜５　ｐｐｍＫなるよう
ＩＣＢ２Ｈ，をＢ２で低濃度に稀釈した９流量を調節し
たシして成膜される。

不純物の添加量を最適化することにより光導電性の向上
とともにその高抵抗化も図ることができる。

さらに表面保論層４を堆積させるには、５ｉＨ４ｊＳＩ
Ｆ４，５１２Ｈ６などのガス状シリコン化合物に加えて
、パルプ２２．２９を操作してＣＦ４　＊　ＣＨＦ３　
、　Ｃ２Ｂ６などのフロンガスを、またパルプ２４．３
１を操作してＣＨ４＃　Ｃ２Ｈ４＊　Ｃ２Ｈ２などの炭
化水素を、さらにパルプ２６，３３により０２を真空槽
内に導入グロー放電分解すればよい。その際シリコン化
合物、炭化水素、ふっ素化合物および酸素の流蓋比、支
持体温度、放′ｗｌｔ電力、反応ガス圧などを調整する
ことにより、また成膜時間を適切に選ぶことによって、
所望のピーク強度比Ｉ□／Ｉ　２を有する表面保護層を
成膜することができる。ま九場合によシ例えばＢ２Ｈ６
などの不純物を添加することＫよルミ気的特性の改善を
図ることも可能である。さらに上記表面保護層中の構成
元素の組成比あるいは不純物のドーピング量は供給され
る原料ガスの流量あるいは放電重力の・制御によって任
意に変えることができることにより表面保護層の膜厚方
向の組成比に分布をつけ、保護層としての特性をよりい
っそう改善でき、光導電層との電気的性質のマツチング
を図ることが可能となり、感光体特性を向上することが
できる。

次に具体的な実施例について述べる。

実施例１ トリクロルエチレンで脱脂洗浄したアルミニウム円筒基
体を、第２図のグロー放電装置内にセットシ、次の条件
で厚さ０．２μｍのブロッキング層を形成し丸。

５ｉＨ４（１００％）流量　　　　　　　　　　２５０
　ａｃ／分Ｂ２Ｈ６（５０００ｐｐｍ　、　Ｂ２ベース
）流ｉｔ　　２０ｅｃ７分真空檜ガス圧　　　　　　　
　　０．５Ｔｏｒｒ高周波電力及び周波数　　　　５０
Ｗ、　１３．５６Ｍｈ支持体温度　　　　　　　　２０
０℃ 成膜時間　　　　　　　　　ｌＯ分 次に放電を停止して、Ｂ２　Ｈ６（５０００ｐｐｍ、　
Ｂ２ペース）の供給を止め下記の条件（他は上記と同様
）でグロー放電を行い、厚さ２５μｍの光導電層を形成
した。

５ｉＨ４（１００１）流量　　　　　　２００ｃｃ／分
Ｂ　２　Ｈａ　（２０ｐ　ｐｍ　＃　Ｈ２ベース）流ｉ
ｔ　　１０ｃｃ／分真空槽ガス圧　　　　　　　１．２
Ｔｏｒｒ高周波電力　　　　　　　　２００Ｗ 成膜時間　　　　　　　　　３時間 さらに再び放電を停止後、ガス流量を下記のように調整
してグロー放電を行い厚さ０．６μｍの表面保護層を形
成した０ ８ｉＨ，（１００％）流１１’　　　　　　　　４０ａ
ｃ／分ＣＦ、　（１００％）流量　　　　　　４０ｃｃ
／’分０２（１０％、Ｈｅベース）５ｃｃ／分真空槽ガ
ス圧　　　　　　　０．７Ｔｏｒｒ高周波電力及び成膜
時間　　　５０Ｗ、　　２分１５０Ｗ、１５分 上記グロー放電を行う際には所定のガス流量及びガス圧
に保持した後、高周波電力を５０Ｗにして２分間維持し
てから、放電を継続しつつ１５０Ｗに調整しさらに１５
分間放電を続は表面保護層全体を成膜した。

このとき、表面保護層のみをシリコンウェハ上に堆積さ
せたものを同時に作製し、赤外線吸収スペクトル測定の
ための試料とした。この感光体の電子写真特性の測定結
果を表−１に示す。ここに感光体を暗所で＋６．０　ｋ
Ｖのコロナ放電で帯電したときの初期の値を初期帯電位
とし、続いてコロナ放電を中止して１秒間暗所保持した
ときの帯電位を初期帯電位で除した比率を保持率とし、
さらに続いて０．５１ｕｘのハロゲン光を照射し帯電を
初期帯電位の１／２に減衰させる光量を半減衰露光量と
し、２　ｌｕｘ・ｓｅａの光量を受けたときの帯電位を
残留電位とする。

表−１ この感光体に＋６ｋＶのコロナ放電によシ正帯電し、１
　ｌｕｘ　ｓｅｅの光量で像露光を行つ九。そして現像
剤（トナーとキャリアを含む）を用いて磁気ブラシ現像
法で現像し紙に転写・定着したところ、画像濃度が高く
かぶりのない鮮明な画像が得られた。

この感光体につき上記画像テストを繰９返して行いコピ
一枚数ｌＯ万枚までの耐刷試験を実施した後、温度３０
℃に於ける高湿度雰囲気において湿度を段階的に上昇さ
せ、画像テストを行ったところ、相対湿度（ＲＨ）　８
３　％の状態に於ても画像赤子けは発生せず鮮明な画像
が得られ、耐刷テストによる劣化はみられなかった。こ
の試験結果を表−２に示した０ 表−２ ここで◎は極めて良好な画像が得られたことを示す◇さ
らにこの感光体について耐刷試験１０万枚後の電子写真
特性を測定した。その結果を表−３に示す。耐刷試験前
の表−１の数値と比較してほとんど差はみられない。

表−３ この感光体の表面保護層のみをシリコンウェハー上に堆
積させた試料の赤外吸収スペクトルを調べた結果、ピー
ク強度比１１／Ｉ２は１．１であった。

実施例２ 実施例１と同様の方法で成膜するに際し、特に表面保護
層の成膜条件のうちＯＦ、ガスの流量を変化させ、ピー
ク強度比Ｉ　１／Ｉ　２の異なった表面保護層を有する
感光体を製造し、実施例１で述べた如く画像テストを行
って、耐刷性、耐湿性を調べたところ表−４に示すよう
な結果（コピー経歴１０万枚、湿度８０％）が得られた
。

表−４ ここで◎は極めて良好な画像、Ｏは実用上問題ない画像
、Δは実用上やや問題のある画像が得られたことを示す
。

実施例３ 実施例１と同じ条件でブロッキング層、光導電層を成膜
し表面保護層の条件のみを次のようにして成膜した。

５ｉＨ４（１００チ）流ｆｔ　　　　　　　４０ｃｃ／
分Ｃ２Ｈ４（１００チ）流量　　　　　６０ｃｃ／分０
□（１０％、Ｈｅベース）流量　　　　５ｃｃ／分真空
槽ガス圧　　　　　　　０１７Ｔｏｒｒ高周波電力及び
成膜時間　　　５０Ｗ、２分１５０Ｗ、１５分 この時同時に作製した試料による赤外線吸収スペクトル
のピーク強度比は０．９であった。さらに実施例２と同
様に上記条件のうちＣ２Ｈ４流量のみを変化させてピー
ク強度比の異なる表面保護層を有する感光体を製造し、
実施例１で述べた如く画像テストを行って耐刷性、耐湿
性を駒べたところ表−５に示すような結果（：ｆｆビー
経歴１０万枚、湿度８０％）が得られた。

表−５ ここで×は実用上不適癌な画像が得られたことを示す。

実施例１から実施例３までの結果からピーク強度比ＩＩ
／Ｉ２が０．５から１．４の範囲にあるような赤外線吸
収スペクトルを持つ表面保護層を有する感光体は耐刷性
、耐湿性にすぐれてお）１０万枚コピー後でも実用上問
題のない画像を与えるのである。

すなわち、膜中のＳｉと結合しているＯとＳｔと結合し
ているＣおよびＦとの割合が適当な範囲にあれば表面保
護層が安定化し光導電層を保護し、電子写真特性の劣化
を防ぐことができる。このとき、表面保護層にＳｔ、Ｃ
，０，Ｈが含まれていれば実用上問題ない画像が得られ
るのであるが表４と表５との比較かられかるようＫさら
にＦが含まれればより良好な感光体が得られる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、感光体の表面保護層として、その赤外
線吸収スペクトルにおける１０８１０８０ｃ１１のピー
ク強度工□と８６０ｃｒｆ１”のピーク強度■２との比
が適正な値を持つ膜を用いることにより複写プロセスに
おけるコロナ放電によって発生するオゾンや窒素酸化物
などの酸化性雰囲気にさらされたり、現像・クリーニン
グ・転写などの各工程での表面接触を受けても感光体特
性が変化せず、繰シ返し使用時の光導電層の劣化、保存
中の経時変化が少なく、耐刷性および耐湿性の優れた感
光体が得られることにな９、その効果は極めて大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は本発明の
一実施例の表面保護膜の赤外線吸収スペクトルのピーク
強度を示す線図、第３図は本発明の感光体を製造可能な
装置の一例の系統図である。 １・・・・・・導電性支持体、２・・・・・・ブロッキ
ング層、３・・・・・・光導電層、４・・・・・・表面
保護層。 わ 才　ｔ　　図 ブ贋敏　（ｃｗｔ−’う 才　２　図 第３図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）導電性支持体上にシリコンを主体とし水素を含むア
   モルファス材料からなる光導電層と該光導電層上に積層
   されたシリコン、炭素を主体とし水素を含むアモルファ
   ス材料からなる表面保護層とを少なくとも有する電子写
   真感光体において、前記表面保護層の赤外線吸収スペク
   トルの１０８０ｃｍ＾−＾１のピーク強度Ｉ＿１と８６
   ０ｃｍ＾−＾１のピーク強度Ｉ＿２との比Ｉ＿１／Ｉ＿
   ２が０．５ないし１．４であることを特徴とする電子写
   真感光体。 ２）特許請求の範囲第１項記載の感光体において、表面
   保護層がふつ素を含むことを特徴とする電子写真感光体
   。 ３）特許請求の範囲第１項記載の感光体において、光導
   電層が酸素を含むことを特徴とする電子写真感光体。 ４）特許請求の範囲第１項記載の感光体において、光導
   電層がほう素を含むことを特徴とする電子写真感光体。 ５）特許請求の範囲第１項記載の感光体において、導電
   性支持体と光導電層との間にブロッキング層が設けられ
   ていることを特徴とする電子写真感光体。 ６）特許請求の範囲第５項記載の感光体において、ブロ
   ッキング層がシリコンを主体とし水素とほう素を含むア
   モルファス材料からなることを特徴とする電子写真感光
   体。