JPS60235150A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 １、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば正帯電用の電子写真感光体に関
するものである。

２、従来技術 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ、又はＳｅ（２） にＡｓ　、Ｔｅ　、、Ｓｂ等をドープした感光体、Ｚｎ
ＯやＣｄＳを樹脂バインダーに分散させた感光体等が知
られている。しかしながらこれらの感光体は、環境汚染
性、熱的安定性、機械的強度の点で問題がある。

一方、アモルファスシリコン（ａ　−Ｓ　ｉ）ラミ体と
して用いた電子写真感光体が近年になって提案されてい
る。ａ−３ｉは、Ｓ　ｉ　Ｓ　ｉの結合手が切れたいわ
ゆるダングリングボンドを有しており、この欠陥に起因
してエネルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する
。このために、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗
抵抗が小さく、また光励起担体が局在準位にトラップさ
れて光導電性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水
素原子（Ｈ）で補償してＳｔにＨを結合させることによ
って、ダングリングボンドを埋めることが行われる。

このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−３
ｔ　：　Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は１０Ｂ〜１
０９　Ω−ｃｍであって、アモルファスＳｅと比較すれ
ば約１万分の１も低い。従って、ａ−３ｉ：Ｈの単層か
らなる感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯
電電位が低いという問題点を有している。しかし他方で
は、可視及び赤外領域の光を照射すると抵抗率が大きく
減少するため、感光体の感光層として極めて優れた特性
を有している。

第１図には、上記のａ−３ｉ：Ｈを母材としたａＳｉ系
感光体を組込んだ電子写真複写機が示されている。この
複写機によれば、キャビネット１の上部には、原稿２を
載せるガラス製原稿載置台３と、原稿２を覆うプラテン
カバー４とが配されている。原稿台３の下方では、光源
５及び第１反射用ミラー６を具備した第１ミラーユニツ
ト７からなる光学走査台が図面左右方向へ直線移動可能
に設けられており、原稿走査点と感光体との光路長を一
定にするための第２ミラーユニツト２ｏが第１ミラーユ
ニツトの速度に応して移動し、原稿台３側からの反射光
がレンズ２１、反射用ミラー８を介して像担持体として
の感光体ドラム９上ヘスリツト状に入射するようになっ
ている。ドラム９の（３） 周囲には、コロナ帯電器１０、現像器１１、転写部１２
、分離部１３、クリーニング部１４が夫々配置されてお
り、給紙箱Ｉ５から各給紙ローラー１Ｇ、１７を経て送
られる複写紙１８はドラム９のトナー像の転写後に更に
定着部１９で定着され、トレイ３５へ排紙される。

定着部１９では、ヒーター２２を内蔵した加熱ローラー
２３と圧着ローラー２４との間に現像済みの複写紙を通
して定着操作を行なう。

しかしながら、ａ　−３ｔ：Ｈを表面とする感光体は、
長期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コ
ロナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学
的安定性に関して、これ迄十分な検討がなされていない
。例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け、
受容電位が著しく低下することが分っている。一方、ア
モルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−３ｉＣ：Ｈ
と称する。）について、その製法や存在がＰｈ１１．Ｍ
ａｇ。

Ｖｏｌ、３５”（１９７Ｂ）等に記載されており、その
特性として、耐熱性や表面硬度が高いこと、ａ−３ｔ：
Ｈと比較して高い暗所抵抗率（１０”〜１０１３Ω−ｃ
ｍ）ｃへ） （４） を有すること、炭素量により光学的エネルギーギャップ
が１．６〜２．８ｅＶの範囲に亘って変化すること等が
知られている。但、炭素の含有によりハンドギャップが
拡がるために長波長感度が不良となるという欠点がある
。

こうしたａ−３ｉＣ：　Ｈとａ−３ｉ：Ｈとを組合せた
電子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７０１１１３
号公報において提案されている。これによれば、ａ−３
ｉ：Ｈ層を電荷発生（光導電）層とし、この電荷発生層
下にａ−３ｉＣ：Ｈ層を電荷輸送層として設けた機能分
離型の２層構造を作成し、上層のａ−３ｔ：Ｈにより広
い波長域での光感度を得、かつａ−３ｉ：Ｈとへテロ接
合を形成する下層のａ−３ｉＣ：Ｈにより帯電電位の向
上を図っている。

しかしながら、ａ−３ｉ：Ｈ層の暗減衰を充分に防止で
きず、帯電電位はなお不充分であって実用性のあるもの
とはならない上に、表面にａ−３ｔ：Ｈ層が存在してい
ることにより化学的安定性や機械的強度、耐熱性等が不
良となる。

一方、特開昭５７−１７９５２号公報には、ａ−３ｔ：
（６） Ｈからなる電荷発生層上に第１のａ−３ｉＣ：８層を表
面改質層として形成し、裏面上（支持体電極側）に第２
のａ−５ｉＣ：８層を電荷輸送層として形成している。

この公知の感光体に関しては、表面改質層によって暗減
衰の防止、表面の化学的安定性等の効果は期待できるも
のの、次の如き問題点があることが判明した。

即ち、上記の如き表面改質層の構成物質であるａ−３ｉ
Ｃ：Ｈの比抵抗（暗所抵抗率）ρ０は１０１３Ω〜ｃｍ
が限界であり、これより大きくはならないために帯電電
位の保持性が十分ではない。また、５ｉ０２を表面改質
層に使用した場合、ρ０は高くなるが、帯電極近傍で発
生した活性種（放電雰囲気中等のイオンや、分子、原子
）が表面に吸着され易く、このために沿面放電が生じて
画像流れが生じ易くなる。これに対し、ａ−３ｉＣ：Ｈ
はＳｉＯ□の如き活性種の吸着は生じ難いが、上記の如
くρ、が不充分であって帯電電位の保持能（特に高温高
湿下における保持能）が悪い。こうした欠陥は、表面改
質層をアモルファス窒化シリコン（ａ−３ｉＮ）で構成
した場合にも同様に生じる。

３、発明の目的 本発明の目的は、表面の化学的安定性、機械的強度、耐
熱性等に優れ、光感度も良好であり、かつ帯電電位の保
持能が良（、沿面放電も生じ難い感光体を提供するもの
である。

４、発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明による感光体は、アモルファス水素化及び
／又はフッ素化シリコンからなる電荷発生層上に、アモ
ルファス水素化及び／又はフッ素化窒化シリコンからな
る表面改質層が設けられ、かつ前記電荷発生層下に、ア
モルファス水素化及び／又はフッ素化炭化（及び／又は
窒化）シリコンからなる電荷輸送層が設けられ、更にこ
の電荷輸送下に、アモルファス水素化及び／又はフッ素
化炭化（及び／又は窒化）シリコンからなるＰ型の電荷
ブロッキング層が設けられている感光体において、前記
表面改質層が１〜２０ａｔｏｍｉｃ％の酸素（７） （但、シリコン原子と窒素原子と酸素原子との合計原子
数を１００ａ　ｔｏｍ　ｉ　ｃ％とする。）を含有して
いることを特徴とするものである。

本発明によれば、ａ−３ｉＮ系の表面改質層（例えばア
モルファス水素化窒化シリコン（ａ−３ｉＮ：Ｈ）から
なる表面改質層）を具備せしめているので、ａ−３ｉ系
感光体の表面特性についての欠点を解消することができ
る。即ち、この表面改質層はａ−３ｉ系感光体の表面電
位特性の改善、長期に亘る電位特性の保持、耐環境性の
維持（湿度や雰囲気、コロナ放電で生成される化学種の
影響防止）、表面硬度が高いことによる耐剛性の向上、
感光体使用時の耐熱性の向上、熱転写性（特に粘着転写
性）の向上等の機能を有するものである。

しかも、この表面改質層には、酸素が１〜２０ａｔｏｍ
ｉｃ％（以下「ａｔｏｍｉｃ％」を単に％と記す。）含
有せしめられているために、表面改質層の比抵抗が大き
く向上（％−１０′３Ω−印）シ、特に高温又は高湿下
での帯電電位の保持能が著しく向上する。

逆に、酸素原子が１％未満ではそうした効果がな（９） （８） ＜、２０％を越えると活性種の吸着に依る画像流れが生
してしまう。従って、表面改質層中の酸素含有量を１〜
２０％に設定することが必須不可欠であり、２〜１０％
とするのが好適である。

５、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。

第２図は本実施例による正帯電用のａ−３ｉ系の電子写
真感光体３９を示すものである。この感光体３９は、６
／２等のドラム状導電性支持基板４１上に、周期表第ｍ
ａ族元素（例えばホウ素）がヘビードープされたａ−５
ｉＣ：ＨからなるＰ型電荷ブロッキング層４４と、周期
表第ｍａ族元素（例えばホウ素）がライトドープされた
ａ−３ｉＣ：Ｈからなる電荷輸送層４２と、ａ−３ｉ：
Ｈからなる電荷発生層（光導電層）４３と、酸素含有ア
モルファス水素化窒化シリコン（０含有ａ−３ｉＮ　：
　Ｈ）からなる表面改質層４５とが積層された構造から
なっている。電荷発生層４３は暗所抵抗率ρ。と光照射
時の抵抗率ρ、との比が電子写真感光体として充分大き
く光感度（特に可視及び赤外領域の光に対（１０） するもの）が良好である。

この感光体３９においては、本発明に基いて、電荷発生
層４３上の表面改質層４５に、Ｓｉ　とＮとＯとの合計
原子数に対し１〜２０％の酸素を含有せしめているので
、比抵抗の上昇、帯電電位保持能の向上という顕著な作
用効果が得られる。即ち、第３図に曲線ａで示すように
、表面改質層に単なるａ−３ｉＮ：Ｈを用いた場合、そ
の比抵抗は炭素含有量に従って高められるが１０′３Ω
−ｃｍ以上になることが分っている。これに対し、本発
明に基いて、ａ−３ｉＮ：Ｉ−Ｔ中に酸素を含有せしめ
た○含有ａ−３ｉＮ：Ｈの場合（酸素含有量は例えば５
％）には、曲線すで示すように、比抵抗が大きく上昇し
て炭素含有量を決めることによって１０＋３Ω−ｃｍを
はるかに上回る値を示すことが確認された。

この０含有ａ−３ｉＮ：）１層４５は感光体の表面を改
質してａ−３ｉ系悪感光を実用的に優れたものとするた
めに必須不可欠なものである。即ち、表面での電荷保持
と、光照射による表面電位の減衰という電子写真感光体
としての基本的な動作を可能とするものである。従って
、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり、長期
間（例えば１ケ月以上）放置しておいても良好な電位特
性を再現できる。これに反し、ａ−３ｉｌｌ（を表面と
した感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気等の
影響を受け易く、電位特性の経時変化が著しくなる。ま
た、ａ−３ｉＣ：Ｈは表面硬度が高いために、現像、転
写、クリーニング等の工程における耐摩耗性があり、更
に耐熱性も良いことがら粘着転写等の如く熱を付与する
プロセスを適用することができる。

上記のような優れた効果を総合的に奏するためには、ａ
−３ｉＮ：Ｈ層４５の炭素組成を選択することが重要で
ある。即ち、窒素原子含有量がＳｉ＋Ｎ十〇−１００％
としたとき１０〜７０％であることが望ましい。Ｎ含有
量が１０％以上であると、上記した比抵抗が所望の値と
なり、かつ光学的エネルギーギャップがほぼ２．ＯｅＶ
以上となり、可視及び赤外光に対しいわゆる光学的に透
明な窓効果により照射光はａ−３ｉ：Ｈ層（電荷発生層
）４３に到（１１） 達し易くなる。しかし、Ｎ含有量が１０％未満では、比
抵抗が所望の値以下となり易く、かつ一部分の光は表面
層４５に吸収され、感光体の光感度が低下し易くなる。

また、Ｎ含有量が７０％を越えると層の炭素量が多くな
り、半導体特性が失なわれ易い上にａ−８＋Ｃ：Ｈ膜を
グロー放電法で形成するときの堆積速度が低下し易いの
で、Ｎ含有量は７０％以下とするのがよい。

また、ａ−３ｉＮ：Ｈ層４５の膜厚を４００人≦ｔ≦５
０００人の範囲内（特に４００人≦ｔ＜２０００人）に
選択することも重要である。即ち、その膜厚が５０００
人を越える場合には、残留電位■８が高くなりすぎかつ
光感度の低下も生じ、ａ−８ｉ系悪感光としての良好な
特性を失ない易い。また、膜厚を４００人未満とした場
合には、トンネル効果によって電荷が表面上に帯電され
なくなるため、暗減衰の増大や光感度の低下が生じてし
まう。

また、上記電荷ブロッキング層４４は、基板４１がらの
電子の注入を充分に防くには、周期表第ｍａ族元素（例
えばボロン）を流量比Ｂ　ｚ　Ｈｂ　／　Ｓ　＋　Ｈ４
ｔ１１：Ｉ） （１２） −１，ＯＯ〜５０００ｐｐｍでドープして、Ｐ型（更に
はＰ＋型）化するとよい。また、電荷輸送層４２への不
純物ドープ量は流量比でＢ２Ｈ６／５ｉＨ４＝１〜２０
ｐｐｍとするとよい。上記した感光体の各層の厚みにつ
いても適切な範囲があり、電荷発生層４３は１〜５μｍ
とするのがよい。電荷発生４３が１μｍ未満であると光
感度が充分でなく、また５μｍを越えると残留電位が上
昇し、実用上不充分である。

電荷輸送層４２は１０〜３０μｍとするのがよい。ブロ
ッキング層４４は４００　人未満であるとブロッキング
効果が弱く、また、２μｍを越えると電荷輸送能が悪く
なり易い。

なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。

特に、電荷発生層４３中の水素含有量は、ダングリング
ボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させる
ために必須不可欠であって、１０〜３０ａｔｏｍｒｃ％
であるのが望ましい。この含有量範囲は表面改質層４５
、ブロッキング層４４及び電荷輸送層４２も同様である
。また、ブロッキング層４４は導電型を制御するための
不純物として、Ｐ型化（１４） のためにボロン以外にもＡｎ、Ｇａ、、Ｉｎ、、Ｔｊ！
等の周期表第ｍａ族元素を使用できる。

なお、上記電荷輸送層４２は、及び電荷ブロッキング層
４４の炭素含有量は１０〜３０％とするのがよい。

これら両層４２．４４はまたアモルファス水素化窒化シ
リコン（ａ−３ｉＮ　：　Ｈ）で構成することもできる
。この場合の窒素含有量は夫々１０〜３０％とするのが
よい。また、炭素及び窒素の双方を電荷輸送層に含有せ
しめることもできる。

次に、」二記した感光体（例えばドラム状）の製造方法
及びその装Ｗ（グロー放電装置）を第４図について説明
する。

この装置５１の真空槽５２内では、ドラム状の基板４１
が垂直に回転可能にセントされ、ヒーター５５で基板４
１を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。

基板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付きの
円筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周
波電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、
図中の６２はＳ　ｉ　Ｈ４又はガス状シリコン化合物の
供給源、６３は０□又はガス状酸素化合吻の供給源、６
４はｃ　Ｈ４等の炭化水素ガス又はＮＨ３、Ｎ２等の窒
素化合物ガスの供給源、６５はＡｒ等のキャリアガス供
給源、６６は不純物ガス（例えばＢ２Ｈ６）供給源、６
７は各流量計である。このグロー放電装置において、ま
ず支持体である例えばＡ７！基板基板０表面を清浄化し
た後に真空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が
１０”６Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基
板４１を所定温度、特に１．００〜３５０℃（望ましく
は１５０〜３００’ｃ）に加熱保持する。次いで、高純
度の不活性ガスをキャリアガスとして、Ｓ　ｒ　Ｈａ又
はガス状シリコン化合物、ＣＨａ（又はＮＨ３、Ｎ２）
、０２を適宜真空槽５２内に導入し、例えば０．０１〜
ＬＯＴｏｒｒの反応圧下で高周波電源５６により高周波
電圧（例えば１３．５６　Ｍｌｌｚ）を印加する。これ
によって、上記各反応ガスを電極５７と基板４１との間
でグロー放電分解し、Ｐ型ａ−３ｉＣ：Ｈ又はａ−３ｉ
Ｎ：ＨＸａ−３ｉＣ：　Ｈ，ａ−３ｔ：Ｈ１Ｏ含有ａ−
３ｉＮ：Ｈを」二記の層４４．４２．４３．４５として
基板上に連続的に（即ち、第２図の例に対応して）堆積
させ（１５） る。

上記製造方法においては、支持体上にａ−３ｉ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。

なお、上記ａ−３ｉ系感光体の各層の形成時に於て、ダ
ングリングボンドを補償するためには、上記したＨの代
りに、或いはＨと併用してフッ素をＳｉＦ４等の形で導
入し、ａ−３ｉ：Ｆｓ　ａ−３ｉ：Ｈ：Ｆ、、ａ−３ｉ
Ｎ：Ｆ、ａ−３ｉＮ：Ｈ：Ｆ、−ａ−３ｉＣ：Ｆ、、ａ
−３ｉＣ：Ｈ：Ｆとすることもできる。この場合のフッ
素量は０．５〜１０ａｔｏｍｉｃ％が望ましい。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳｉを蒸発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号（特開昭５４−１５２
４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が可
能である。

（１６） 第５図は、本発明による感光体を上記特開昭５６−７８
４１３号の蒸着法により作成するのに用いる蒸着装置を
示すものである。

ペルジャ−７１は、バタフライバルブ７２を有する排気
管７３を介して真空ポンプ（図示せず）を接続し、これ
により当該へルジャー７１内を例えば１０−３〜１．０
−′ＴＴｏｒｒの高真空状態とする。当該ペルジャー７
１内には基板４１を配置してこれをヒーター７５により
温度１００〜３５０℃、好ましくは１５０〜３００°Ｃ
に加熱すると共に、直流電源７６により基板１にＯ〜−
１０ＫＶ、好ましくは−１〜−６ＫＶの直流負電圧を印
加する。ａ−３ｉ：Ｈ層４３を形成するには、出口が基
板４１と対向するようペルジャー７１に接続して設けた
水素ガス放電管７７より活性水素及び水素イオンをペル
ジャー７１内に導入しながら、基板４１と対向するよう
設けたシリコン蒸発源７８及び必要あればアルミニウム
蒸発′ａ７９を加熱すると共に上方のシャッターＳを開
く。不純物ドープドａ−３ｉＣ：　Ｈ層４４．４２を形
成するには、ＣＨ４の供給下で、シリコン及びアルミニ
ウムをその蒸発速（１８） 変化が例えば１：１０−’となる暴発速度で同時に蒸発
させる。ａ−３ｉＣ：Ｈ層４２を形成するには、更にＣ
Ｈ４を供給すればよく、また０含有ａ−３ｉＮ：Ｈ層４
５はＣＨ４に代えてＮＨ，又はＮ２と共に酸素ガスを更
に供給すれば形成できる（但、Ａｆｆの蒸発は中断）。

ＣＨ，、ＮＨ３、Ｏ□は放電管７０を介して活性化して
適宜導入するとよい。

上記の放電管７７．７０の構造を例えば放電管７７につ
いて示すと、第６図の如く、ガス人口８１を有する筒状
の一方の電極部材８２と、この一方の電極部材８２を一
端に設けた、放電空間８３を囲む例えば筒状ガラス製の
放電空間部材８４と、この放電空間部材８４の他端に設
けた、出口８５を有するリング状の他方の電極部材８６
とより成り、前記一方の電極部材８２と他方の電極部材
８６との間に直流又は交流の電圧が印加されることによ
り、ガス人口８１を介して供給された例えば水素ガスが
放電空間８３においてグロー放電を生じ、これにより電
子エネルギー的に賦活された水素原子若しくは分子より
成る活性水素及びイオン化された水素イオンが出口８５
より排出される。この図示の例の放電空間部材８２は二
重管構造であって冷却水を流過せしめ得る構成を有し、
８７．８８が冷却水入口及び出口を示す。８９は一方の
電極部材８２の冷却用フィンである。上記の水素ガス放
電管７７における電極間距離は１０〜１５ｃｍであり、
印加電圧は６００ｖ、放電空間８３の圧力は１０−”Ｔ
ｏｒｒ程度とされる。

以下、本発明を具体的な実施例について説明する。

グロー放電分解法により、ドラム状／ｌ支持体上に第２
図の構造の電子写真感光体を作製した。

即ち、まず、支持体である例えば平滑な表面をもつドラ
ム状Ａｌ基板４１の表面を清浄化した後に、第４図の真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０”　
’　Ｔ　ｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板
４１を所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１
５０〜３００°Ｃ）に加熱保持する。次いで、高純度の
Ａｒガスをキャリアガスとして導入し、０．５Ｔ　ｏｒ
ｒの背圧のもとて周波数１３．５６　Ｍｌｌｚの高周波
（１９） 電力を印加し、１０分間の予備放電を行った。次いで、
５１ｇ４とＢ２Ｈ６とからなる反応ガスを導入し、流量
比１　：　１　：　１　（１，５ｘｌＯ−３）の（Ａｒ
十５ｉＨｎ＋ＣＨ４＋Ｂ２Ｈ６）混合ガスをグロー放電
分解することにより、電荷ブロッキング機能を担うＰ型
のａ−３ｉＣ：Ｈ層４４と電荷輸送層４２とを６μｍ／
ｈｒの堆積速度で順次所定厚さに製膜した。引き続き、
Ｂ、Ｈ６及びＣＨ６を供給停止し、Ｓ　ｉ　Ｈ４を放電
分解し、所定厚さのａ−３ｔ：Ｈ層４３を形成した。引
き続いて、流量比４：ｌ：６：１の（Ａｒ　＋　Ｓ　ｉ
　Ｈ４＋　Ｎ　Ｈ３＋０２）混合ガスと共にグロー放電
分解し、所定厚さのＯ含有ａ−５ｉＮ：Ｈ表面保護層４
５を更に設け、電子写真感光体を完成させた。この感光
体を用いて、複写機（Ｕ−Ｂｉｘ　３０００改造Ｊａ：
小西六写真工業■製）により画像出しを行なった結果、
解像度、階調性がよく、画像濃度が高く、カブリのない
鮮明な画像が得られた。また、２０万回の繰り返し複写
を行なっても、安定した良質な画像が続けて得られた。

また、各層の組成を種々変化させたところ、下（２０） 改質層の０含有量を１〜２０％、特に２〜１０％とすれ
ば、感光体の画像再生特性等が大きく向上することが分
る。なお、画質については、◎は画像鮮明、○は画像良
好、△は画質が実用上採用可能、×は画質が実用上採用
不可を夫々示す。

（以下、余白次頁へつづく） （２２） （２５） 上記表中、ａ−８ｉＮ：Ｏ：Ｈは０含有ａ−５ｉＮ：Ｈ
をａ−３ｉＮ　：　Ｏ：　Ｈ／ＦはＯ含有ａ−３ｉＮ：
Ｈ：Ｆを表わず。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。 第２図〜第６図は本発明の実施例を示すものであって、 第２図はａ−８ｊ系悪感光の断面図、 第３図はａ−３ｉＨの比抵抗を比較して示すグラフ、 第４図はグロー放電装置の概略断面図、第５図は真空蒸
着装置の概略断面図、 第６図はガス放電管の断面図 である。 なお、図面に示された符号において、 ３９−−−−−　ａ−３ｉ系感光体 ４１−−−−−−−−−支持体（基板）４２’−−−−
−−−−一電荷輸送層 ４３−−−−−−−−電荷発生層 （２６） ４５−−−−−−−−表面改質層 ５５−−−−−　ヒーター ５Ｇ−−−−−高周波電源 ５７−−−−　電極 ６２〜６ローーーーー　各ガス供給源 ７０．７フーーーーーーーーーガス放電管７ＦＬ−−−
−−蒸発源 である。 代理人　弁理士　逢　坂　宏 Ｃ２７）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンか
   らなる電荷発生層上に、アモルファス水素化及び／又は
   フッ素化窒化シリコンからなる表面改質層が設けられ、
   かつ前記電荷発生層下に、アモルファス水素化及び／又
   はフッ素化炭化（及び／又は窒化）シリコンからなる電
   荷輸送層が設けられ、更にこの電荷輸送下に、アモルフ
   ァス水素化及び／又はフッ素化炭化（及び／又は窒化）
   シリコンからなるＰ型の電荷ブロッキング層が設番ノら
   れている感光体において、前記表面改質層が１〜２０ａ
   ｔｏｍｉｃ％の酸素（但、シリコン原子と窒素原子と酸
   素原子との合計原子数を１００１００ａｔｏ％とする。 ）を含有していることを特徴とする感光体。 ２、表面改質層の窒素含有量が１０〜７０ａｔｏｍｉｃ
   ％（但、シリコン原子と炭素原子と酸素原子との合計原
   子数を１００　ａｔｏｍｉｃ％とする。）である、特許
   績（１） 求の範囲の第１項に記載した感光体。 ３、電荷輸送層に周期表第ｍａ族元素がライトドーピン
   グされている、特許請求の範囲の第１項又は第２項に記
   載した感光体。 ４、電荷輸送層が、炭素を含む場合にはその炭素含有量
   が１０〜３０ａｔｏｍｉｃ％であり、窒素を含む場合に
   はその窒素原子含有量が１０〜３０ａｔｏｍｉｃ％であ
   る、特許請求の範囲の第１項〜第３項のいずれか１項に
   記載した感光体。 ５、電荷ブロッキング層が、炭素を含む場合にはその炭
   素含有量が１０〜３０ａｔｏｍｉｃ％であり、窒素を含
   む場合にはその窒素原子含有量が１０〜３０ａｔｏｍｉ
   ｃ％である、特許請求の範囲の第１項〜第４項のいずれ
   か１項に記載した感光体。