DE3516789A1 - Lichtempfindliches aufzeichnungsmaterial - Google Patents

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Henkel, Feiler, HänzelÄ Partner" «* *-·"·* ·- Patentanwälte

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92,062/84 comb.

LICHTEMPFINDLICHES AUFZEICHNUNGSMATERIAL

Konishiroku Photo Industry Co., Ltd., Tokio, Japan

Die Erfindung betrifft ein lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial, insbesondere ein lichtempfindliches elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial.

Bekannte elektrophotographische Aufzeichnungsmaterialien werden aus Se oder mit As, Te und Sb dotiertem Se oder unter Verwendung einer ZnO- oder CdS-Dispersion in einem Harzbindemittel hergestellt. Nachteilig an den bekannten elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterialien ist, daß die zu ihrer Herstellung verwendeten Ausgangsmaterialien eine Umweltverschmutzung hervorrufen und daß sie sowohl hinsichtlich ihrer thermischen Stabiliät als auch mechanischen Festigkeit zu wünschen übrig lassen.

9Π

Es gibt auch bereits ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit amorphem Silizium (a-Si) als "Wirtkristall". Amorphes Silizium besitzt sozusagen eine "baumelnde" Si-Si-Bindung. Wegen dieses Defekts gibt es eine Reihe lokalisierter Ebenen innerhalb eines Energie-

*^Ό Sprunges. Aus diesem Grunde führt eine in dem thermisch angeregten Träger erzeugte "Hüpf-" oder "Sprungleitung" dazu, daß der Dunkelwiderstand klein bleibt. Weiterhin wird der durch Licht angeregte Träger an der lokalen Ebene eingefangen und vermindert die Photoleitfähigkeit.

Folglich dienen Wasserstoffatome (H) zur Kompensation dieses Defekts durch Anbinden von H an Si und zur Deckung der "baumelnden" Bindung.

Der spezifische Widerstand von wasserstoffhaltigem, amorphem ³^ Silizium (im folgenden als a-Si:H bezeichnet) im Dunkeln beträgt 10 bis 10 SLcm. Dieser Wert ist - grob gesagt -

1/10000 niedriger als der entsprechende Wert von amorphem Se. Der Nachteil eines lichtempfindlichen Aufzeichnungsmaterials mit einer einzigen Schicht aus a-Si:H besteht folglich darin, daß die Dunkeldämpfungsgeschwindigkeit des Oberflächenpotentials bei niedrigem Anfangspotential hoch ist. Die lichtempfindliche Schicht eines solchen Aufzeichnungsmaterials besitzt hervorragende Eigenschaften, da ihr spezifischer Widerstand stärker vermindert wird, wenn sie mit sichtbaren Licht und Infrarotlicht belichtet

¹⁰ wird.

Fig. 1 zeigt ein elektrophotographisches Kopiergerät mit einem ein a-Si:H verwendenden Aufzeichnungsmaterial vom a-Si-Typ. In diesem Kopiergerät sind auf der Oberseite des Gehäuses (1) eine Manuskriptbank (3) aus Glas zur Aufnahme der Vorlage (2) und eine Deckplatte (4) zum Abdecken der Vorlage (2) vorgesehen. Unter der Manuskriptbank 3 befindet sich eine mit einer Lichtquelle (5) ausgestattete optische Abtasteinrichtung mit einer ersten

20

Spiegeleinheit (7). Ferner ist ein nach links und rechts beweglicher erster Spiegel (6) zur Reflexion vorgesehen. Eine zweite Spiegeleinheit (20) zur Konstanthaltung des optischen Pfades zwischen dem Manuskriptabtastpunkt und dem Aufzeichungsmaterial bewegt sich entsprechend der Geschwindigkeit der ersten Spiegeleinheit. Hierbei läßt sie das von der Manuskriptseite reflektierte Licht durch eine Linse (21) und einen Spiegel (8) zur Reflexion spaltförmig auf ein trommelförmiges Aufzeichnungsmaterial (9) auftreffen. Um das trommeiförmige Aufzeichnungsmaterial

^ö (9) herum sind eine Corona-Entladungsstation (10), eine Entwicklungseinheit (11), eine Übertragungseinheit (12), eine Trenneinheit (13) und eine Säuberungseinheit (14) vorgesehen. Aus einem Papierkasten (15) stammendes Kopierpapier (18) wird über Papierzufuhrwalzen (16) und (17) dem trommeiförmigen Aufzeichnungsmaterial (9) zugeführt und übernimmt von diesem durch Übertragung das Tonerbild.

Dieses wird dann auf dem Kopierpapier an einer Fixiereinheit (19) fixiert, bevor das das Tonerbild tragende Kopierpapier in die Ablage (35) ausgeworfen wird. An der Fixiereinheit (19) erfolgt das Fixieren, indem das entwickelte Kopierpapier zwischen den mit einer innen liegenden Heizeinrichtung (22) versehenen Heizwalzen (23) und den Druckwalzen (24) hindurchgeführt wird.

Aufzeichnungsmaterialien mit einer a-Si:H-Oberflache

10 wurden hinsichtlich der chemischen Stabilität ihrer

Oberfläche noch nicht vollständig untersucht. Insbesondere ist noch unklar, welchen Einflüssen sie unterliegen, wenn sie über längere Zeit Luft oder Feuchtigkeit oder den durch Corona-Entladung entstehenden chemischen Verbindungen ausgesetzt sind. So ist es beispielsweise bekannt, daß ein einen Monat oder länger gelagertes Aufzeichnungsmaterial unter Feuchtigkeitseinflüssen leidet, wodurch das Aufladungspotential deutlich sinkt. Andererseits wird im "Phil. Mag. ", Band 35, (1978) von amorphem, wasserstoff-

20 haltigem Siliziumcarbid, seine Herstellung und sein

Vorkommen berichtet. In der angegebenen Literaturstelle heißt es weiter, daß dieses wasserstoffhaltige Siliziumcarbid wärmebeständig ist, eine hohe Oberflächenhärte aufweist und im Vergleich zu a-Si:H einen höheren Dunkel-

widerstand (10¹² bis 10¹³i7.cm) besitzt. Darüber hinaus soll es, je nach dem Kohlenstoffgehalt, über einen Bereich von 1,6 bis 2,8 eV ein breites, variables Energieband aufweisen. Nachteilig ist jedoch, daß seine Empfindlichkeit im langwelligen Bereich schlecht ist, da der Bandabstand in Abhängigkeit von dem darin enthaltenen Kohlenstoff größer wird.

Aus der JP-OS 127,083/1980 ist ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit einer Kombination von a-SiC:H und a-Si:H bekannt. Gemäß den Lehren dieser Literaturstelle handelt es sich bei dem Aufzeichnungsmaterial um ein

zweischichtiges Gebilde mit getrennten Funktionen, wobei die a-Si:H-Schicht als Ladungen erzeugende, d. h. photoleitfähige Schicht und die a-SiC:H-Schicht als (unter

der Ladungen erzeugenden Schicht liegende) Ladungen 5

transportierende Schicht dienen. Die obere a-Si:H-Schicht soll hierbei durch die darunterliegende a-SiC:H-Schicht, die mit der a-Si:H-Schicht eine HeteroVerbindung bildet, Lichtempfindlichkeit in einem breiteren Wellenlängenbereich und ein verbessertes Ladungspotential erhalten. Es zeigte sich jedoch, daß ein Dunkelabfall nicht in ausreichendem Maße verhindert werden kann und daß das Ladungs potential immer noch so unzureichend ist, daß ein solches Aufzeichnungsmaterial für einen praktischen Gebrauch nicht geeignet ist. Darüber hinaus verschlechtern sich infolge Vorhandenseins der a-Si:H-Schicht auf der Oberseite die chemische Stabilität, die mechanische Festigkeit und die Wärmebeständigkeit des Aufzeichnungsmaterials.

Aus der JP-OS 17,59 2/1982 ist ein dreischichtiges Aufzeichnungsmaterial mit getrennten Funktionen bekannt. Bei diesem ist eine erste a-SiC:H-Schicht als oberflächenmodifizierende Schicht, darunter eine Ladungen erzeugende Schicht aus a-Si:H und auf der Unterseite eine zweite

a-SiC:H-Schicht als Ladungen transportierende Schicht 25

vorgesehen. Letztere Schicht befindet sich auf der

Schichtträgerelektrodenseite. Obwohl bei dem bekannten Aufzeichnungsmaterial zu erwarten ist, daß sich ein Dunkel abfall verhindern läßt und die Oberfläche chemisch stabil

ist (was auf die oberflächenmodifizierende Schicht zurück-30

zuführen ist), ist das bekannte Aufzeichnungsmaterial

trotzdem noch mit einer Reihe von Problemen behaftet.

Der spezifische Widerstand (Dunkelwiderstand) £_. des die

oberflächenmodifizierende Schicht bildenden a-SiC:H ist 13

beschränkt und kann 10 Hem nicht übersteigen. Folglich

ist die Ladungshaltigkeit unzureichend. Wenn darüber

hinaus SiO„ zur Herstellung der oberflächenmodifizierenden Schicht verwendet wird, werden trotz steigenden spezifischen Widerstands $_Ό die in der Nähe der Ladungselektroden erzeugten aktiven Komponenten, d. h. Ionen, Moleküle und Atome in der Entladungsatmosphäre, rasch von der Oberfläche angezogen. Dies führt bei Auftreten einer Kriechentladung ohne weiteres zu einem Zerfließen des Bildes. Es ist zwar bekannt, daß aktive Komponenten, wie SiO-» kaum an a-SiC:H angezogen werden, die Fähigkeit zur Ladungshaltung (insbesondere bei hoher Temperatur und Feuchtigkeit) läßt jedoch immer noch zu wünschen übrig, da % - wie geschildert - unzureichend ist.

Der Erfindung lag die Aufgabe zugrunde, ein lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial mit chemisch stabiler, mechanisch fester und hoch wärmebeständiger Oberfläche zu schaffen, das sich durch eine hervorragende Lichtempfindlichkeit und Ladungshaltigkeit auszeichnet und praktisch

keine Kriechentladung zuläßt. 20

Gegenstand der Erfindung ist somit ein lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial mit einer Ladungen transportierenden Schicht aus a-SiC:H, a-SiC:F, a-SiC:H:F, a-SiN:H, a-SiN:F und/oder a-SiN:H:F, einer Ladungen erzeugenden Schicht aus a-Si:H, a-Si:F und/oder a-Si:H:F und einer oberflächenmodifizierenden Schicht aus a-SiC:H, a-SiC:F , a-SiC:H:F, a-SiN:H, a-SiN:F und/oder a-SiN:H:F, wobei die Ladungen transportierende Schicht und die oberflächenmodifizierende Schicht auf einen Schichtträger auflaminiert sind und die ^ow oberflächenmodifizierende Schicht 1 bis 50 Atom-% Sauerstoff (100 Atom-% insgesamt Si, C- oder N- und O-Atome) enthält.

Da die oberflächenmodifizierende Schicht aus einem Werkstoff der a-SiC- oder a-SiN-Reihe (beispielsweise aus amorphem, wasserstoffhaltigem Siliziumcarbid a-SiC:H) besteht, lassen sich die nachteiligen Oberflächeneigen-

-J6- ^

schäften eines Aufzeichnungsmaterials des a-Si-Typs vollständig vermeiden. Mit anderen Worten gesagt, dient die oberflächenmodifizierende Schicht dazu, die Ober-

flächenpotentialeigenschaften des lichtempfindlichen Auf-5

Zeichnungsmaterials des a-Si-Typs zu verbessern, eine

lang dauernde Potentialhaltigkeit zu gewährleisten, den Widerstand gegenüber Umwelteinflüssen (z. B. gegenüber durch Feuchtigkeit, Luft oder Corona-Entladung erzeugten Chemikalien) zu erhalten und die Abnutzungsbeständigkeit infolge größerer Oberflächenhärte, die Wärmebeständigkeit des Aufzeichnungsmaterials während seines Gebrauchs und den Wärmeübertragungsgrad zu verbessern.

Da die oberflächenmodifizierende Schicht 1 bis 50 Atom-% 15

Sauerstoff enthält, ist ihr spezifischer Widerstand weit

über 10¹³ücm (> >10¹³iIcm) erhöht. Darüberhinaus besitzt die oberflächenmodifizierende Schicht auch eine gute Ladungshaltigkeit bei hoher Temperatur oder Feuchtigkeit.

Wenn der Sauerstoffgehalt der oberflächenmodifizierenden 20

Schicht unter 1 Atom-% liegt, stellt sich die gewünschte Wirkung nicht ein. Wenn der Sauerstoffgehalt der oberflächenmodifizierenden Schicht dagegen 50 Atom-% übersteigt, kommt es zu einem Verschwimmen des Bildes infolge

Adsorption aktiver Komponenten. Demzufolge beträgt also 25

der Sauerstoffgehalt der oberflächenmodifizierenden Schicht zweckmäßigerweise 1 bis 50, vorzugsweise 5 bis 30 Atom-%.

In einer gegebenenfalls vorgesehenen, Ladungen blockierenden Schicht sollten erfindungsgemäß zweckmäßigerweise 30

50 Atom-ppm bis 5 Atom-%, vorzugsweise 50 bis 500 Atom-ppm, bezogen auf die Gesamtzahl an Si-+O-+C- (oder N-) Atomen enthalten sein, damit die Blockierfähigkeit dieser Schicht für Ladung möglichst gut zur Geltung kommt und die Abhängigkeit (d<?_/dT) von i?_n von der Temperatur durch wirksame °^{u JO}

Erhöhung von £_ auf ein Mindestmaß gesenkt wird. Dadurch

läßt sich die Ladungs(potential)haltigkeit verbessern, sodaß die Temperatur- und auch Feuchtigkeitsobergrenze,

bei der das lichtempfindliche Aufzeichnungsmaterial verwendbar ist, angehoben werden kann. Wenn die in dieser Schicht enthaltene Sauerstoffmenge unter 50 Atom-ppm liegt, kommt die Wirkung des Sauerstoffs nicht zur Geltung. Wenn die Sauerstoffmenge dagegen 5 Atom-% übersteigt, wird die Beweglichkeit der Träger (d. h. μΈ) in hohem Maße beeinträchtigt. Somit sollte also der Sauerstoffgehalt in der Ladungen blockierenden Schicht zweckmäßigerweise 50 Atomppm bis 5 Atom-%, vorzugsweise 50 bis 500 Atom-ppm betragen.

Erfindungsgemäß sind in der Ladungen transportierenden Schicht 50 Atom-ppm bis 5 Atom-% Sauerstoff, bezogen auf eine Gesamtzahl von Si-+C- (oder N-) Atomen von 100%, enthalten, um die Abhängigkeit (d<? /dT) von z- von der Temperatur durch wirksame Erhöhung von ^_D ohne Senkung der Fähigkeit zum Transport von Ladungen (pt) zu senken. Auf diese Weise läßt sich die Ladungs(potential)-haltigkeit verbessern, wobei die Temperatur- und auch Feuchtigkeitsobergrenze, bei der das lichtempfindliche Aufzeichnungsmaterial verwendbar ist, angehoben werden kann. Beträgt die Sauerstoffmenge weniger als 50 Atom-ppm, kommt die Wirkung des Sauerstoffs nicht zur Geltung. Wenn dagegen die Sauerstoffmenge 5 Atom-% übersteigt, vermindert der überschüssige Sauerstoff in hohem Maße die Beweglichkeit der Träger, d. h. (μΤ) e. Also sollte die Sauerstoffmenge zweckmäßigerweise 50 Atom-ppm bis 5 Atom-%, vorzugsweise 50 bis 500 Atom-ppm betragen.

Wenn das Aufzeichnungsmaterial positiv aufgeladen werden soll und zu diesem Zweck eine Ladungen transportierende Schicht, die eine relativ geringe Menge eines Elements der Gruppe IIIA des Periodensystems enthält oder schwach mit einem solchen Element dotiert ist, ist eine glatte Injektion der Träger aus der Ladungen erzeugenden Schicht in die Ladungen transportierende Schicht gewährleistet.

-*- ΛΛ

Wenn eine Ladungen blockierende Schicht, die eine große Menge eines Elements der Gruppe IIIA des Periodensystems enthält oder mit einem solchen Element stark dotiert ist, vorgesehen ist, steuert diese in höchst wirksamer Weise die Injektion von Elektronen von der Schichtträgerseite der Abfangeinheit, wenn das lichtempfindliche Aufzeichnungsmaterial positiv aufgeladen wird. Auf diese Weise ist eine hervorragende Ladungs(potential)haltigkeit gewährleistet, wenn das positiv aufgeladene lichtempfindliche Aufzeichnungsamterial benutzt wird.

Die Erfindung wird an Hand der Zeichnungen näher erläutert. Im einzelnen zeigen:

° Fig. 1 eine schematische Darstellung eines bekannten elektrophotographischen Kopiergerätes;

Fig. 2 einen schematischen Querschnitt durch ein

lichtempfindliches elektrophotographisches Auf- ^O Zeichnungsmaterial des a-Si-Typs;

Fig. 3 einen schematischen Querschnitt durch ein anderes lichtempfindliches elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial des a-Si-Typs;

Fig. 4 eine graphische Darstellung zum Vergleich der spezifischen Widerstände von a-SiC und

Fig. 5 einen schematischen Querschnitt durch eine Glimmentladungsvorrichtung.

In Fig. 2 ist eine negativ aufladbare Ausführungsform eines erfindungsgemäßen lichtempfindlichen elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials (39) der a-Si-Reihe dargestellt. Das lichtempfindliche Aufzeichnungsmaterial (39) enthält als Ladungen transportierende Schicht eine sauerstoffhaltige a-SiC:H-Schicht (42), eine als Ladungen

erzeugende, d. h. lichtempfindliche Schicht dienende

a-Si:H-Schicht (43) und eine als oberflächenmodifizierende Schicht dienende, sauerstoffhaltige a-SiC:H-Schicht

(45). Diese sind in der angegebenen Reihenfolge auf einen 5

trommelartigen, leitenden Schichtträger (41) auflaminiert.

Die sauerstoffhaltige a-SiC:H-Schicht (42) dient hauptsächlich zur Zurückhaltung des Potentials, Transport einer Ladung und Verbesserung der Haftung (des schichtartigen Gebildes) an dem Substrat (41). Es ist von wesentlicher Bedeutung, daß die Schicht 10 bis 30 Atom-% Kohlenstoffatome (prozentualer Gehalt an C, bezogen auf die Gesamtzahl von Si- und C-Atomen) enthält und 10 bis 30 μΐη dick ist.

Abgesehen davon, daß die oberflächenmodifizierende Schicht

(45) und/oder die Ladungen transportierende Schicht (42) aus a-SiC:H besteht (bestehen), kann (können) sie auch - mit vergleichbaren Ergebnissen - aus a-SiC:F, a-SiC:H:F,

a-SiN:H, a-SiN:F oder a-SiN:H:F bestehen. 20

Da bei einem lichtempfindlichen Aufzeichnungsmaterial (39) die auf der Ladungen erzeugenden Schicht (43) aufliegende oberflächenmodifizierende Schicht (45) 1 bis 50 Atom-%

Sauerstoff, bezogen auf die Gesamtzahl von Si-, C- und 25

O-Atomen, enthält, erhöht sich der spezifische Widerstand

unter deutlicher Verbesserung der Ladungs<potential)haltigkeit. In anderen Worten gesagt, erhöht sich - wie aus Kurve a von Fig. 4 ersichtlich ist - der spezifische Widerstand nicht auf über 10 Λ. cm bei Verwendung von lediglich 30

a-SiC:H für die oberflächenmodifizierende Schicht, wenn die darin enthaltene Kohlenstoffmenge erhöht wird. Im Falle von sauerstoffhaltigem a-SiC:H (erfindungsgemäß), d. h. wenn beispielsweise die vorhandene Sauerstoffmenge 5 Atom-%

beträgt, steigt der spezifische Widerstand - wie aus 35

Kurve b von Fig. 4 ersichtlich ist - stark an. Die

graphische Darstellung zeigt, daß der betreffende Wert

entsprechend dem jeweiligen Kohlenstoffgehalt weit über

13
10 Jlcm steigt.

Die sauerstoffhaltige, oberflächenmodifizierende Schicht

(45) ist für ein lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial der a-Si-Reihe unabdingbar, um es einem praktischen Gebrauch zuführen zu können. Diese Modifizierung beein_n trächtigt die grundsätzliche Wirkungsweise eines lichtempfindlichen elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials, nämlich einen Abfall des Oberflächenpotentials bei Belichtung, nicht und stabilisiert das Aufzeichnungsmaterial gegenüber wiederholten Aufladungs- und Entladungsvorgän-

._c gen. Auf diese Weise sind auch bei längerem Liegenlassen 15

des Aufzeichnungsmaterials, z. B. bei mehr als einmonatigem Liegenlassen des Aufzeichnungsmaterials, dessen Potentialeigenschaften in hervorragender Weise regenerierbar. Bei einem lichtempfindlichen Aufzeichnungsmaterial mit einer a-SitH-Oberflächenschicht kommt es zu einer raschen Beeinträchtigung durch Feuchtigkeit, Luft, Ozon und dergleichen unter gleichzeitiger deutlich ausgeprägter Verschlechterung der Potentialeigenschaften im Laufe der Zeit. Wegen der hohen Oberflächenhärte von a-SiC:H und a-SiN:H zeigt ein solches Aufzeichnungsmaterial eine hohe Abnutzungsbeständigkeit bei der Entwicklung, übertragung und Säuberung. Schließlich kann man ein solches Aufzeichnungsmaterial wegen seiner hervorragenden Wärmebeständigkeit auch im Rahmen von Verfahren, bei denen _ eine Bildübertragung unter Erwärmen stattfindet, einsetzen.

Um den erfindungsgemäß angestrebten Erfolg sicherstellen zu können, ist es von wesentlicher Bedeutung, in der oberflächenmodifizierenden Schicht (45) eine geeignete

__ Atomzusammensetzung sicherzustellen. Bei Verwendung von

a-SiC:H sollte die Menge der darin enthaltenen Kohlenstoff atome (Stickstoffatome im Falle von a-SiN:H)

vorzugsweise 10 bis 70% betragen, wenn Si+C+O=100%. Wenn die Menge an darin enthaltenem C (oder N) über 10% liegt, stellt sich der spezifische Widerstand auf einen gewünschten Wert ein. Gleichzeitig beträgt das optische Energieband grob über 2OeV. Folglich können Lichtstrahlen infolge des sogenannten optischen Durchtrittsfenster-Effekts bei sichtbarem Licht und Infrarotlicht ohne weiteres zu der a-Si:H-Schicht (Ladungen

jQ erzeugenden Schicht) (43) vordringen. Wenn jedoch die Menge an darin enthaltenem C (oder N) unter 10% liegt, ist der spezifische Widerstand geringer als der gewünschte Wert, da das Licht teilweise von der Oberflächenschicht (45) absorbiert wird. Hierbei kommt es dann auch 5 zu einem Empfindlichkeitsabfall des lichtempfindlichen Aufzeichnungsmaterials. Wenn die Menge an darin enthaltenem C (oder N) 70% übersteigt, werden infolge des steigenden Kohlenstoff- (oder Stickstoff-) Anteils in der Schicht die Halbleitereigenschaften beeinträchtigt. Da

2Q die Auftragmenge sinken kann, wenn der a-SiC:H- oder

a-SiN:H-Film durch Glimmentladung gebildet wird, sollte die in der betreffenden Schicht enthaltene Menge an C (oder N) weniger als 70% betragen.

25 Weiterhin muß die Stärke der Oberflächenschicht (45)

innerhalb eines Bereiches von 40 ;=t£ 500 nm, insbesondere 40^t^200 nm, eingestellt werden. Wenn die Filmstärke 500 nm übersteigt, wird das Restpotential unangemessen hoch. Gleichzeitig verschlechtert sich auch die Licht-

₃Q empfindlichkeit,so daß die lichtempfindlichen Aufzeichnungsmaterialien des a-Si-Typs eigenen hervorragenden Eigenschaften beeinträchtigt werden. Wenn andererseits die Filmstärke unter 40 nm liegt, steigt der Dunkelabfall. Darüber hinaus verschlechtert sich die Lichtempfindlichkeit,

35 da infolge eines Tunneleffekts keine Oberflächenaufladung erfolgt.

Die Ladungen erzeugende Schicht (43) sollte 1 bis 10 μΐη dick sein. Wenn die Ladungen erzeugende Schicht (43) weniger als 1 μπι dick ist, besitzt sie eine unzureichende Lichtempfindlichkeit. Wenn andererseits die Stärke 10 μπι übersteigt, steigt das Restpotential auf einen für die Praxis unbrauchbaren Wert.

Sämtliche Schichten sollten Wasserstoff enthalten. Insbesondere ist es unabdingbar, daß in der Ladungen erzeugenden Schicht (43) Wasserstoff enthalten ist. Dieser wird zur Kompensation der "baumelnden Bindung" sowie zur Verbesserung der Lichtempfindlichkeit und Ladungshaltigkeit benötigt. Die Menge an vorhandenem Wasserstoff sollte 1 bis 40, vorzugsweise 10 bis 30 Atom-% betragen. Der angegebene Bereich für den Wasserstoffgehalt gilt auch für die oberflächenmodifizierende Schicht (45) und die Ladungen transportierende Schicht (42).

Die Ladungen transportierende Schicht (42) kann aus amorphem Wasserstoffhaltigem Siliziumnitrid (a-SiN:H) bestehen. In diesem Falle sollte die Menge an darin enthaltenem Stickstoff 10 bis 30% betragen. Ferner können in der Ladungen transportierenden Schicht sowohl Kohlenstoff

25 als auch Stickstoff enthalten sein.

In Fig. 3 ist eine positiv aufladbare Ausführungsform eines erfindungsgemäßen elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials (49) des a-Si-Tpys dargestellt. Das

30 lichtempfindliche Aufzeichnungsmaterial (49) enthält

eine sauerstoffhaltige, Ladungen vom p-Typ blockierende Schicht (54) aus a-SiC:H, die stark mit einem Element der Gruppe IIIA des Periodensystems, z. B. Bor, dotiert ist, eine Ladungen transportierende Schicht (52) aus a-SiC:H, die schwach mit einem Element der Gruppe IIIA des Periodensystems, z. B. mit Bor, dotiert ist, eine Ladungen erzeugende, d. h. lichtempfindliche Schicht (53)

Ab

aus a-Si:H und eine oberflächenmodifizierende Schicht

(55) aus sauerstoffhaltigem, amorphem, wasserstoffhaltigem Siliziumcarbid (O-haltigem a-SiC:H). Die vier

c Schichten sind aufeinander laminiert und auf einem ο

trommelartigen, leitenden Schichtträger (51) aus Aluminium und dergleichen befestigt.

Die Ladungen blockierende Schicht (54) sollte bei ihrer Herstellung mit einem Element der Gruppe IIIA des Periodensystems, z. B. mit Bor, dotiert werden. Hierbei sollte das Strömungsverhältnis B₂H,/SiH₄ 100 bis 5000 Vol.-ppm betragen. Ferner sollte eine Reduktion auf Ladungen vom p-Typ, vorzugsweise vom ρ -Typ, stattfinden, damit eine Injektion von Elektronen aus dem Substrat (51) voll-

ständig verhindert wird. Weiterhin sollte die Ladungen
transportierende Schicht (52) mit Fremdatomen (Strömungsverhältnis B-Hg/SiH^: 1- bis 20 Vol.-ppm) dotiert sein. Beide genannten Schichten sollten eine Stärke innerhalb eines geeigneten Stärkebereiches aufweisen. Die Ladungen transportierende Schicht (52) sollte 1 bis 10 μηι dick sein. Wenn die Ladungen erzeugende Schicht (53) unter 1 μΐη dick ist, ist deren Lichtempfindlichkeit unzureichend. Wenn
sie dagegen dicker als 10 μΐη ist, steigt das Restpotential auf einen für die Praxis unangemessen hohen Wert. Die

Ladungen transportierende Schicht (52) sollte 10 bis
30 μπι dick sein. Wenn die Ladungen blockierende Schicht (54) dünner als 40 nm ist, ist die Blockierwirkung
schwach. Wenn sie andererseits stärker als 2 μπι ist,
wird die Fähigkeit zum Transport von Ladungen beeinträch-

tigt.

Jede der Schichten sollte Wasserstoff enthalten. Insbesondere muß die lichtempfindliche Schicht (53) zur __ Kompensation der "baumelnden Bindung" sowie zur Ver-

besserung der Lichtempfindlichkeit und Ladungshaltigkeit Wasserstoff enthalten. Dessen Menge sollte zweckmäßiger-

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Al- -Vf-

weise 1 bis 40/ vorzugsweise 10 bis 30 Atom-% betragen.

Dieser Bereich für die Wasserstoffmenge gilt auch für die oberflächenmodifizierende Schicht (55), die Ladungen blockierende Schicht (54) und die Ladungen transportierende Schicht (52) . Als Fremdatome zur Steuerung des Leitfähigkeitstyps der Ladungen blockierenden Schicht (54) eignen sich Elemente der Gruppe IIIA des Periodensystems, z. B. Al, Ga, In, Tl und dergleichen. Andere ,Q Elemente als Bor können zur p-Typ-Modifizierung zum Einsatz gelangen.

Die Menge an in der Ladungen transportierenden Schicht (52) und in der Ladungen blockierenden Schicht (54) enthaltenem Kohlenstoff sollten 10 bis 30 Atom-% betragen. Beide Schichten (52) und (54) können auch aus amorphem, wasserstoffhaltigem Siliziumnitrid (a-SiN:H) bestehen. In diesem Falle sollte die Menge an darin enthaltenem Stickstoff ebenfalls 10 bis 30 Atom-% betragen. Die Ladungen transportierende Schicht kann sowohl Kohlenstoff: als auch Stickstoff enthalten. Darüber hinaus kann die oberflächenmodifizierende Schicht aus einer solchen der a-SiN-Typs bestehen.

Im folgenden wird die Herstellung eines erfindungsgemäümi AufZeichnungsmaterials, beispielsweise eines trommeiförmigen Aufzeichnungsmaterials, an Hand einer in Fig. !5 dargestellten Glimmentladungsvorrichtung näher erläutert,.

__n In einem Vakuumbehälter (62) einer Vorrichtung (61) ist ein trommeiförmiger Schichträger (71) vertikal und drehbar montiert. Der Schichtträger (71) kann von seiner Innenseite her durch eine Heizeinrichtung (65) auf eine gegebene Temperatur erwärmt werden. Rund um den trommelfcrmigen Schichtträger (71) ist eine auf diesen ausgerichtete, zylindrische Hochfrequenzelektrode (57), din mit Gasauslässen (73) versehen ist, angeordnet. Durch eine

AZ

zwischen dem Schichtträger (71) und der Elektrode (57) angeordnete Hochfrequenzenergiequelle (56) wird eine Glimmentladung angeregt. In Fig. 5 sind mit den Bezugszahlen (82) ein Reservoir für SiH. oder eine gasförmige Siliziumverbindung , mit (83) ein Reservoir für 0_ oder eine gasförmige Sauerstoffverbindung, mit (86) ein Reservoir für ein Wasserstoff enthaltendes Gas, z. B. CH., oder eine gasförmige Stickstoffverbindung, wie NH₃, N₂ und dergleichen, mit (85) ein Reservoir für ein Trägergas, z. B. Ar und dergleichen, mit (84) ein Reservoir für ein Fremdatomgas, beispielsweise B₃H₆ und mit (67) Strömungsmesser für die verschiedenen Gase bezeichnet, In der dargestellten Glimmentladungsvorrichtung wird

zunächst die Oberfläche des Schichtträgers (71) aus 15

beispielsweise Aluminium gesäubert und der Schichtträger danach in den Vakuumbehälter (62) eingebaut .. Danach wird der Vakuumbehälter (62) auf einen Druck von 133~ Pa (10 Torr) evakuiert und auf diesem Druck gehalten. Nun wird der Schichtträger (71) erwärmt und auf einer gegebenen Temperatur (in der Praxis auf 100⁰C bis 350⁰C, vorzugsweise 150⁰C bis 300⁰C) gehalten. Danach wird üblicherweise unter Verwendung eines hochreinen Inertgases als Trägergas SiH₄ oder eine gasförmige Siliziumverbindung, , CH. (oder NH,, N₀) und O₀ in den Vakuumbehälter (62), ^* ο δ £

in dem mittels der Hochfrequenzenergiequelle (56) und einem Reaktionsdruck von beispielsweise 1,33 bis 1330 Pa (0,01 bis 10 Torr) eine hochfrequente Spannung von beispielsweise 13,56 MHz appliziert wird, eingeleitet. Durch

diese Maßnahmen werden die verschiedenen reaktionsfähigen 30

Gase zwischen der Elektrode (57) und dem Schichtträger (71)

einer Glimmentladungszersetzung unterworfen. Hierbei kommt es zu einer kontinuierlichen Ablagerung (entsprechend den in Fig. 2 und 3 dargestellten Aus führungs formen) erfindungsgemäßer Aufzeichnungsmaterialien (von sauerstoff-35

haltigem a-SiC:H oder a-SiN:H, a-Si:H und sauerstoffhaltigem a-SiC:H) als Schichten (42, 43 und 45) bzw.

»' - ■■- 351G789 -vs-

(54, 52, 53 und 55).

Da bei dem geschilderten Herstellungsverfahren die Temperatur während der Filmbildung der Schicht des a-Si-Typs auf 10O⁰C bis 35O⁰C gehalten wird, lassen sich die Filmqualität und insbesondere die elektrischen Eigenschaften verbessern.

Zur Kompensation der "baumelnden Bindungen" zum Zeitpunkt der Bildung jeder Schicht des lichtempfindlichen Aufzeichnungsmaterials des a-Si-Typs wird anstelle von oder zusammen mit H Fluor in Form von SiF₄ zugeführt, und hierbei bilden sich dann a-Si:F, a-Si:H:F, a-SiN:F,

a-SiN:H:F, a-SiC:F und a-SiC:H:F. In diesem Falle sollte

die Menge an Fluor vorzugsweise 0,5 bis 10% betragen.

Das geschilderte Herstellungsverfahren besteht in einer Glimmentladungszersetzung. Es ist aber auch möglich, ein erfindungsgemäßes Aufzeichnungsmaterial durch Zerstäuben

oder Ionenplatierung oder durch Verdampfen von Si unter Einleiten von in einem Wasserstoffentladungsrohr aktiviertem oder ionisiertem Wasserstoff herzustellen (vgl. JP-OS 78413/1981) .

Im folgenden wird die Erfindung an Hand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert.

Durch Glimmentladungszersetzung wird ein in Fig. 2 dargestelltes lichtempfindliches elektrophotographisches

Aufzeichnungsmaterial (gemäß der Erfindung) mit trommeiförmigem Aluminium-Schichtträger hergestellt. Hierbei wird zunächst die glatte Oberfläche des Schichtträgers d..-h. des trommeiförmigen Aluminium-Schichtträgers (41), gereinigt, worauf der Schichtträger in den in Fig. 5 dargestellten Vakuumbehälter (62) eingesetzt wird. Danach wird der Vakuumbehälter (62) durch Steuern des Gasdrucks im Behälter auf 0,00133 Pa (10~ Torr) evakuiert. Nach

OMGlNAL ί*^;

Erwärmen des Schichtträgers (41) auf eine Temperatur von

10O⁰C bis 35O⁰C, vorzugsweise von 150⁰C bis 300⁰C, wird hochreines, gasförmiges Argon als Trägergas in den Behälter eingeleitet und hochfrequente Energie von 13,56 MHz 5

unter einem Rückdruck von 67 Pa (0,5Torr) zur Vorentladung 10 min lang appliziert. Nun werden die reaktionsfähigen Gase, nämlich SiH. und CH-, in den Behälter eingeführt und das Gasgemisch aus Ar+SiH.+CH. einem Strömungsverhältnis von 1:1:1 einer Glimmentladungszersetzung unterworfen. Auf diese Weise erhält man bei einer Ablagerungsgeschwindigkeit von 6 μΐη/h eine filmförmige a-SiC:H-Schicht (42) als Ladungen transportierende Schicht der gewünschten Stärke. Nach Einstellung der Zufuhr von CH.

wird SiH, durch Entladung zersetzt, wobei sich eine 15 4

a-Si:H-Schicht (43) der gewünschten Stärke bildet. Nun

wird eine Glimmentladungszersetzung eines Gasgemisches von Ar+SiH.+CH.+CL· bei einem Strömungsgeschwindigkeitsverhältnis von 4:1:6:1 durchgeführt, wobei eine sauer-

stoffhaltige a-SiC:H-Oberflächenschutzschicht (45) er-20

halten wird. Mit Hilfe des in der geschilderten Weise

hergestellten elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials werden in einem handelsüblichen Kopiergerät Bildkopien hergestellt. Dabei erhält man scharfgestochene Kopien

guter Auflösung und Gradation, hoher Bilddichte und 25

ohne Schleier. Auch nach bei 200000-maliger Wiederholung des Kopiervorgangs erhält man immer noch qualitativ hochwertige Bildkopien.

Wird die Zusammensetzung jeder Schicht variiert, erhält 30

man die in der folgenden Tabelle I angegebenen Ergebnisse.

Die Tabelle II zeigt die Ergebnisse bei der Herstellung von Bildkopien mittels eines lichtempfindlichen elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials des in Fig. 2 dar-

gestellten Schichtaufbaus mit einer oberflächenmodifizierenden Schicht (45) aus a-SiN:H.

3 ο 1 ο 7 ο

Die Tabelle III zeigt die Ergebnisse bei der Herstellung von Bildkopien mittels eines lichtempfindlichen elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials des in Fig. 3 dargestellten Schichtaufbaus mit einer oberflächenmodifizierenden Schicht (55) aus a-SiC:H.

Die Tabelle IV zeigt die Ergebnisse bei der Herstellung von Bildkopien mittels eines lichtempfindlichen elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials des in Fig. 3 dargestellten Schichtaufbaus mit einer oberflächen modifizierenden Schicht (55) aus a-SiN:H.

Aus den Ergebnissen läßt sich entnehmen, daß sich die

elektrophotographischen Eigenschaften des Aufzeichnungs-15

materials stark verbessern lassen, wenn man in der

oberflächenmodifizierenden Schicht für einen Sauerstoffgehalt von 1 bis 50, insbesondere 2 bis 10% sorgt. Die Angaben bezüglich der Bildqualität bedeuten:

(g) scharf gestochenes Bild O akzeptables Bild

₂₅ A Bildqualität für die Praxis akzeptabel ^x nicht akzeptables Bild

Tabelle 1

Prüf ling Nr.	Ladungen transportierende Schicht	C oder N (%)	H(%) y/ //F(%)	FiIm- stärke (Mm)	Ladungen erzeugende Schicht	H(%) y/ /F(%)	Film stärke (pm)
1	Zusammen setzung	15	20^^-^' -^-""0	15,5	Zusammen setzung		4,5
2	a-SiC:H	Il	Il ^	Il	a-Si:H		Il
3	Il	U		Il	Il		If
4	It	Il	Il ^^*"*~	M	Il	■I ^^^-^**' ^/0^**-**'^ ti	Il
5	»	Il		Il	Il		Il
6	Il	Il		Il	Il		Il
7	Il	Il	^^^^"^ Il	Il	Il	^ Il	Il
8	Il	Il		Il	Il		Il
9	Il	28	16^^-""'	Il	Il		Il
10	a-SiN:H:F	Il		Il	a-Si:H:F	■1 ^^^--*^ ^-""-"""ll	Il
11	Il	11	18^^-^"	Il	Ii		Il
12	a-SiC:H:F	Il	Il ^^--"~* ^^^^^ Il	Il	Il	Il ^^^^	H
Il	Il

In der Tabelle bedeutet a-SiC:O:H ein sauerstoffhaltiges a-SiC:H, a-SiC:O:H;F ein sauerstoffhaltiges a-SiC:H:F.

αϊ :> α> :· oo

CD

Tabelle 1 (Fortsetzung)

Prüf ling Nr.	Oberflächenmodifizierende Schicht	1	C,,	yL	Film stärke	feuchtigkeit bei der äas Aufzeichnungs- naterial benutzt wird 50%	feuchtigkeit bei der Jas Aufzeichnungs- naterial benutzt wird 80%	Ladungs potential V0(V)
1	Zusammen setzung	5	40		0,15-	Bildqualität nach der Herstellung von 200 000 Kopien [unbedruckt bzw. verwaschenes Bild)	3ildqualität nach der ierstellung von 200 000 Kopien (unbedruckt bzw. verwaschenes Bild)	e 590
2	a-SiC:O:H	10	Il		Il	O	O	6 620
3	If	30	Il		Il	©	(§)	θ 660
4	ti	50	25		ti	©	Θ	θ 67°
5	Il	€0	Il		Il	©	©	6 700
6	ti	0,8	Il		··	O	O	6 710
7	Il	60	40		Il	Δ	Δ	θ 530
8	Il	Ui	20	^^^0^ it	Il	Δ	Δ	θ 720
9	ti	10	30		Il	Δ	χ	θ 650
10	a-SiC:O:H:F	Ul	50		Il	©	©	θ 660
11	Il	10	30		Il	©	©	Θ 630
12	Il	50		Il		©	β 650
Il	©	©

Tabelle 2

Prüf ling Nr.	Ladungen blockierende Schicht	C oder N (%)	Dotierung mit B (Menge in ppm)	H(%) / /F(%)	Film stärke (Pm)	Ladungen transportierende Schicht	C oder N (%)	Dotierung mit B (Menge in ppm)	H(%) /S	Film stärke (pm)
erfindungs gemäß 1	Zusammen setzung	15	B2H6/SiH4 1500	20^^-"" ^^ 0	1,0	Zusammen setzung	15	B2H6ZSiH4	^^-^"^ o	14,5
11 2	a-SiC:H	Il	Il	^^^"^ Ii	Il	a-SiC:H	Il	Il	^**-*^^ it	M
11 3	Il	Il	Il	^^*^^ Il	Il	·'	Il	Il		Il
11 4	Il	Il	Il	^*^*^ Il	Il	Il	Il	Il	^•^^^ Il	Il
11 5	Il	Il	It	^-^^"^ Il	Il	Il	Il	Il	Il ^^0****	Il
Vergl,- prfl. 1	Il	Il	It		It	Il	Il	Il	Il ^^,^**^	Il
11 2	Il	Il	Il	JX^	ti	It	Il	It	JX	■1
erfindungs gemäß 6	Il	28	500	^^ 5	M	Il	28	10	16^^-"' ^^^ 5	■■
11 7	a-SiN:H:F	Il	Il	Il ^**^	It	a-SiN:H:F	Il	Il		Il
11 8	Il	11	2500	18 ^^ ^^ 6	Il	Il	11	2	^-^"^ 6	ti
11 9	a-SiC:H:F	Il	Il	JX^	Il	a-SiC:H:F	Il	Il	X^"	Il
Il	Il

In der Tabelle bedeutei a-SiC:O:H ein sauerstoffhaltiges a-SiC:H, a-SiC:O:H:F ein sauerstoffhaltiges a-SiC:H:F

ι·

oo CD

Tabelle 2 (Fortsetzung)

Prüf ling Nr.	Ladungen erzeugende Schicht	H(%) / /F(%)	PiIm- stärke (ym)	Oberflächenmodifizierende Schicht	0(%)	C(%)	h(%) y	Pilm- stärke (pm)
erfindungs gemäß 1	Zusammen setzung	^^^ 0	4,5	Zusammen setzung	1	40		0,15
" 2	a-Si:H		Il	a-SiC:O:H	5	Il	JXT	Il
.. 3	Il	Il ^^*' ^^^ Il	Il	Il	10	Il	^-^^"^ Il	Il
11 4	M	Il ^*-"*''	Il	Il	30	25		Il
11 5	Il	Il .*«-''*'	Il	Il	50	Il	JX"	Il
Vergl.- prfl. 1	11	Il ^***" ^^0^^ ti	Il	H	0,8	Il	Il ^^^-"^ ^ Il	Il
11 2	ti		Il	Il	60	20	JXT	Il
erfindungs jemäß 6	M		Il	Il	5	30	18^^-^ ^^^^ 6	Il
11 7	a-Si:H:F	^**^"^ Il	η	a-SiC:O:H:F	10	50	Il --^	H
" 8	Il	Il ^**^'	Il	Il	5	30		Il
" 9	H	JX"	Il	Il	10	50		Il
M	Il

Tabelle 2 (Portsetzung)

ärfindungs jemäß l

Prüfling

Nr.

Feuchtigkeit bei der das Aufzeichnungsmaterial benutzt 50%

Bildqualität nach der Herstellung von 200 000 Kopien

(unbedruckt bzw. verwaschenes Bild)

Vergl.-prfl. l

¹¹ 2

erfindungs ;gemäß 6

¹¹ 8

'euchtigkeit bei der das Aufzeichnungs-

benutzt wird 80%

wird material

Bildqualität nach der Herstellung von 200 000 Kopien

(unbedruckt bzw. verwaschenes Bild)

Ladungspotential V₀(V)

590

620

0 650

Q) 670

Q) 680

0 550

Qj 680

650

670

Q) 660 (+) 680

Tabelle 3

Prüf ling Nr.	Ladungen transportierende Schicht	C oder N (%)	S H(%) X /F(%)	Film stärke (pm)	Ladungen erzeugende Schicht	H(%) / yS:F(%)	Film stärke (pm)
1	Zusammen setzung	15		15,5	Zusammen setzung		4,5
2	a-SiC:H	Il		Il	a-Si:H		Il
3	Il	Il		Il	ti		Il
4	Il	It	^***"*1*^ it	Il	Il		Il
5	Il	It	^~~***^ Il	Il	It		Il
6	Il	Il	It ^^*^ ^**'^*^'^ H	Il	Il		Il
7	Il	Il	^*^****^ ι»	Il	Il	Il ^^l^-^"	Il
8	Il	Il	^•****^**^ ti	Il	It	J>T	Il
9	It	28	16 ^^	Il	■■		Il
10	a-SiN:H:F	Il		Il	a-Si:H:F		Il
11	Il	11	18 ^^	Il	Il		It
12	a-SiC:H:F	M	Il ^^^-^*" ^^^'-^^^ Il	ti	Il		Il
Il	It

GO, CJi -4" σ»

OO CX)

Tabelle 3 (Fortsetzung)

?rüf-L ing

Nr.

Oberflächenmodifizierende Schicht

10

11

12

Feuchtigkeit bei der das Aufzeichnungsmaterial benutzt wird 50%

Zusammensetzung

a-SiN:O:H

a-SiN:O:H:F

10

30

50

60

0,8

60

10

10

40

25

20

20

30

50

30

50

20

17

Filmstärke

Bildqualität nach dar Herstellung von 200 000 Kopien

(unbedruckt bzw. verwaschenes Bild)

'euchtigkeit bei der
las Aufzeichnungsiaterial benutzt wird
80%

ildqualität nach der
!erstellung von
:00 000 Kopien

unbedruckt bzw.
verwaschenes Bild)

Ladungs-

potential

V₀(V)

P) 580

R 600

0 630

P) 650

0 670

P) 670

Pi 550

G 680

0 630

0 650

0 630 0 660

Claims (3)

1. Patentansprüche

   ,Q 1. Lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial mit einer Ladungen transportierenden Schicht aus a-SiC:H, a-SiC:F, a-SiC:H:F, a-SiN:H, a-SiN:F und/oder a-SiN:H:F, einer Ladungen erzeugenden Schicht aus a-Si:H, a-Si:F.und/oder Si:H:F und einer oberflächenmodifizierenden Schicht aus a-SiC:H, a-Si:F, a-SiC:H:F, a-SiN:H, a-SiN:F und/oder a-SiN:H:F, wobei die Ladungen transportierende Schicht, die Ladungen erzeugende Schicht und die oberflächenmodifizierende Schicht auf einen Schichtträger auf laminiert sind und die oberflächenmodifizierende Schicht 1 bis 50 Atom-% Sauerstoff (100 Atom-% insgesamt Si-, C- oder N- und O-Atome) enthält.
2. 2. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Ladungen transportierenden Schicht und dem Schichtträger eine Ladungen blockierende Schicht aus a-SiC:H, a-SiC:F, a-SiC:H:F, a-SiN:H, a-SiN:F und/oder a-SiN:H:F vorgesehen ist.

   _on
3. 3. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die in der oberflächenmodifizierenden Schicht enthaltene Menge an C oder N 10 bis 70 Atom-% beträgt, wobei die Gesamtzahl an Si-, C- oder N- und O-Atomen in der oberflächenmodifizieren-

   ₃₅ den Schicht 100 Atom-% beträgt.

   4. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 2, dadurch ge-

   kennzeichnet, daß die Menge an C oder N in der oberflächenmodifizierenden Schicht 10 bis 70 Atom-% beträgt.

   5. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die oberflächenmodifizierende Schicht 5 bis 30 Atom-% Sauerstoff enthält.

   6. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 2, dadurch ge-10

   kennzeichnet, daß die Ladungen blockierende Schicht

   50 bis 500 Atom-ppm Sauerstoff enthält.

   7. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladungen blockierende Schicht

   50 Atom-ppm bis 5 Atom-% Sauerstoff enthält, wobei die Gesamtzahl an Si-, C- oder N- und O-Atomen in der Ladungen blockierenden Schicht 100 Atom-% beträgt.