JPS60235147A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 １、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば正帯電用の電子写真感光体に関
するものである。

２、従来技術 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ又はＳｅにＡｓ、１
１ｅ１Ｓ１）等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄＳを
樹脂バインダーに分散させた感光体等が知らしている。

しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安定
性、機械的強度の点で問題がある。

一方、アモルファスシリコン（ａ−８ｉ　）　’ｅ母体
として用いた電子写真感光体が近年になって提案されて
いる。ａ−８Ｉは、Ｓ　！　Ｓ　Ｉの結合手が切れたい
わゆるダングリングボンドを有しており、この欠陥に起
因してエネルギーギャップ内に多くの局在準位が存在す
る。このために、熱励起担体のホッピング伝導が生じて
暗抵抗が小さく、また光励起担体が局在準位にトラップ
されて光導電性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を
水素原子（Ｈ）で補償し７て８４にＨ−ｉ結合させるこ
とによって、ダングリングボンドを埋めることが行われ
る。

このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ　Ｓ
＋：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は１０８〜１０″
Ω−鑞であって、アモルファスＳｅと比較すれは約１万
分の１も低い。従って、ａ−８ｉ：Ｈの単層からなる感
光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電電位が
低いという問題点を有している。

しかし、他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると
抵抗率が犬きく減少するため、感光体の感光層として極
めて優れた特性を有している。

第１図には、上記のａ　８ｔ：Ｈを母材としたａ　−８
ｉ系高感光を組込んだ電子写真複写機が示されている。

この複写機によれば、キャビネット１の上部には、原稿
２を載せるガラス製原稿載誼台３と、原稿２を覆うプラ
テンカバー４とが配されている。原稿台３の下方では、
光源５及び第１反射用ミラー６を具備した第１ミラーユ
ニツト７からなる光学走査台が図面左右方向へ直線移動
可能に設けられており、原稿走査点と感光体との光路長
を一定にするための第２ミラーユニソ）２０が第１ミラ
ーユニツトの速度に応じて移動し、原稿台３側からの反
射光がレンズ２１、反射用ミラー８を介して像担持体と
しての感光体ドラム９上ヘスリツト状に入射するように
なっている。ドラム９０周囲には、コロナ帯電器］０、
現像器１１、転写部１２、分離部１３、クリーニング部
１４が夫々配置されており、給紙箱１５から各給紙ロー
ラー１６．１７を経て送られる複写紙１８はドラム９の
トナー像の転写後に更に定着部】９で定着され、トレイ
あへ排紙される。

定着部１９では、ヒーター２２を内蔵した加熱ローラー
ｎと圧着ローラー別との間に現像済みの複写紙を通して
定着操作を行なう。

Ｉ〜かしながら、ａ−８ｉ：Ｈを表面とする感光体は、
長期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コ
ロナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学
的安定性に関して、これまで十分な検討がなされていな
い。例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け
、受容電位が著しく低下することが分っている。一方、
アモルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−８ｉＣ：
ｆ（と称する。）について、その製法や存在が”　Ｐｈ
　ｉ　Ｉ　０Ｍ’ａｇ、Ｖｏｌ　、　３５”（１９７８
）等に記載されており、その特性として、耐熱性や表面
硬度が高いこと、ａｓ＋：Ｈと比較して高い暗所抵抗率
（１０１２〜１０′３Ｏ−ｃＩｒＬ）を有すること、炭
素量により光学的エネルギーギヤツブが１．６〜２．８
　ｅＶの範囲に亘って変化すること等が知られている。

但、炭素の含有によりバンドギャップが拡がるために長
波長感度が不良となるという欠点がある。

こうしたａ　Ｓ＋Ｃ：Ｉ（とａ−８ｉ：Ｈとを組合せた
電子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７０８３号公
報において提案されている。これによれば、ａ−８ｉ：
Ｈ層を電荷発生（光導電）層とし、この電荷発生層下に
ａ　８１Ｃ”、Ｈ層を電荷輸送層として設けた機能分離
型の２層構造を作成し、上層のａ−８ｉ：Ｈにより広い
波長域での光感度を得、かつａ−８ｉ：Ｈ層とへテロ接
合を形成する下層のａ−８ｉＣ：Ｈにより帯電電位の向
上を図っている。しかしながら、ａ−８ｉ：Ｈ層の暗減
衰を充分に防止できず、帯電電位はなお不充分であって
実用性のあるものとはならない上に、表面にａ−８ｉ：
Ｈ層が存在していることにより化学的安定性や機械的強
度、耐熱性等が不良となる。

一方、特開昭５７−１７９５２号公報には、ａ−８ｉ：
Ｈからなる電荷発生層上に第１のａ−８ｉＣ：Ｈ層を表
面改質層として形成し、裏面上（支持体電極側）に第２
のａ−８ｉＣ：Ｈ層を電荷輸送層として形成している。

この公知の感光体に関しては、表面改質層によって減衰
の防止、表面の化学的安定性等の効果は期待できるもの
の、次の如き問題点があることが判明した。

即ち、上記の如き表面改質層の構成物質であるａ−８ｉ
Ｃ：Ｈの比抵抗（暗所抵抗率）ρ。は１０１３Ω−αが
限界であり、これより太きくはならないために帯電電位
の保持性が十分ではない。また、８　ｉｏ。

を表面改質層に使用した場合、ρ。は高くなるが、帯電
極近傍で発生した活生種（放電雰囲気中等のイオンや、
分子、原子）が表面に吸着され易く、このために沿面放
電が生じて画像流れが生じ易くなる。これに対し、ａ　
ＳｔＣ：Ｉ−（は５ｉ０２　の如き活生種の吸着は生じ
難いが、−に記の如くρ０が不充分であって帯電電位の
保持能（特に高温高湿下における保持能）が悪い。

３、発明の目的 本発明の目的は、表面の化学的安定性、機械的強度、耐
熱性等に優れ、光感度も良好であり、かつ帯電電位の保
持能が良く、沿面放電も生じ難い感光体を提供するもの
である。

４、発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明による感光体は、アモルファス水素化及び
／又はフッ素化シリコンからなる電荷発生層上に、アモ
ルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコンからな
る表面改質層が設けられ、かつ前記電荷発生層下に、ア
モルファス水素化及び／又はフッ素化炭化（及び／又は
窒化）シリコンからなる電荷輸送層が設けられ、更にこ
の電荷輸送層下に、アモルファス水素化及び／又はフッ
素化炭化（及び／又は窒化）シリコンからなるＰ型の電
荷ブロッキング層が設けられている感光体において、前
記表面改質層が１〜２０ａｔｏｍｉｃ％の酸素（但、シ
リコン原子と炭素原子と酸素原子との合計原子数を１０
０　ａｔｏｍｉｃ係とする。）を含有していることを特
徴とするものである。

本発明によれば、ａ−８ｉＣ系の表面改質層（例えばア
モルファス水素化炭化シリコン（ａ−８ｉＣ：Ｈ）から
なる表面改質層）を具備せしめているので、ａ−８ｉ系
悪感光の表面特性についての欠点を解消することができ
る。即ち、この表面改質層はａ−８ｉ系悪感光の表面電
位特性の改善、長期に亘る電位特性の保持、耐環境性の
維持（湿度や雰囲気、コロナ放電で生成される化学種の
影響防止）、表面硬度が高いことによる耐刷性の向上、
感光体使用時の耐熱性の向上、熱転写性（特に粘着転写
性）の向上等の機能を有するものである。

しかも、この表面改質層には、酸素が１〜２０ａｔｏｍ
ｉｃ　％　（以下、［ａｔｏｍｉｃ　％　Ｊ　ｋｌに係
と記す。）含有せしめられているために、表面改質層の
比抵抗が大きく向上（）１０′”　、Ｏ−ｃｍ　）　Ｌ
、、特に高温又は高湿下での帯電電位の保持能が著しく
向上する。

逆に酸素原子が１ｑ６未満ではそうした効果がなく、２
０係を越えると活性種の吸着による画像流れが生じてし
壕う。従って、表面改質層中の酸素含有量を１〜２ｏ係
に設定することが必須不可欠であり、２〜１０％とする
のが好適である。

５、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。

第２図は本実施例による正帯電用のａＳ＋系電子電子写
真感光体３９すものである。この感光体３９はへ２等の
ドラム状導電性支持基板４１上に、周期表第１ＩＩ　ａ
族元素（例えばホウ素）がヘビードープされたａ−８ｉ
Ｃ：ＨからなるＰ型電荷ブロッキング層４４と、周期表
第１１Ｔ　ａ族元素（例えばホウ素）がライトドープさ
れたａ　ＳｔＣ：Ｈからなる電荷輸送層４２と、ａ−８
ｉ：Ｈからなる電荷発生層（光導電層）４３と、酸素含
有アモルファス水素化炭化シリコン（０含有ａ−８ｉＣ
：Ｈ）からなる表面改質層４５とが積層された構造から
なっている。光導電層４３は暗所抵抗率ρ。と光照射時
の抵抗率ρ１との比が電子写真感光体として充分大きく
光感度（特に可視及び赤外領域の光に対するもの）が良
好である。

この感光体３９においては、本発明に基いて、電荷発生
層４３上の表面改質層４５に、ＳｉとＣと０との合計原
子数に対して１〜２０係の酸素を含有せしめているので
、比抵抗の上昇、帯電電位保持能の向上という顕著な作
用効果が得られる。即ち、第３図に曲線ａで示すように
、表面改質層に学なるａ−８ｉＣ：Ｔ−１を用いた場合
、その比抵抗は炭素含有量に従って高められるが１０１
３Ω−側以上になることが分っている。これに対し、本
発明に基いて、ａ−８ｉＣ：１４中に酸素を含有せしめ
たＯ含有量　Ｓ＋Ｃ：Ｈの場合（酸素含有量は例えば５
チ）には、曲線すで示すように、比抵抗が大きく上昇し
て炭素含有量を決めることによって１０１３０−ｃｍを
はるかに上回る値を示すことが確認された。

このＯ含有量　Ｓ＋Ｃ：Ｈ層４５は感光体の表面を改質
してａ−８ｉ系感光体を実用的に優れたものとするため
に必須不可欠なものである。即ち、表面での電荷保持と
、光照射による表面電位の減衰という電子写真感光体と
しての基本的な動作を可能とするものである。従って、
帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり、長期間
（例えば１力月以上）放置しておいても良好な電位特性
を再現できる。これに反し、ａ−８ｉ：Ｈ（ｉ７表面と
した感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気等の
影響を受け易く、電位特性の経時変化が著しくなる。

また、ａ−８ｉＣ：Ｈは表面硬度が高いために、現像、
転写、クリーニング等の工程における耐摩耗性があり、
更に耐熱性も良いことから粘着転写等の如く熱を付与す
るプロセスを適用することができる。

上記のような優れた効果を総合的に奏するためには、ａ
　Ｓ＋Ｃ：Ｈ層４５の炭素組成を選択することが重要で
ある。即ち、炭素原子含有量がＳｉ＋Ｃ−１−０＝　１
００　％としたとき１０〜７０係であることが望ましい
。Ｃ含有量が１０俤以上であると、上記した比抵抗が所
望の値となり、かつ光学的エネルギーギャップがほぼ２
．ＯｅＶ以上となり、可視及び赤外光に対しいわゆる光
学的に透明な窓効果により照射光はａｓｉ：Ｈ層（電荷
発生層）４３に到達し易くなる。しかし、Ｃ含有量が１
０俤未満では、比抵抗が所望の値以下となり易く、かつ
一部分の光は表面層４５に吸収され、感光体の光感度が
低下し易くなる。また、Ｃ含有量が７０俤を越えると層
の炭素量が多くなり、半導体特性が失なわれ易い上にａ
−８ｉ：Ｈ膜をグロー放電法で形成するときの堆積速度
が低下し易いので、Ｃ含有量は７０チ以下とするのがよ
い。

また、ａ−８ｉＣ：Ｈ層４５の膜厚を４００ｋｔ≦５０
０ＯＡの範囲内（特に４００Ｘ≦ｔ　＜　２００ＯＡ　
）に選択することも重要である。即ち、その膜厚が５０
００　Ｘを越える場合には、残留電位ｖ１が高くなりす
ぎかつ光感度の低下も生じ、ａ−８ｉ系感光体としての
良好な特性を失ない易い。また、膜厚を４００大未満と
した場合には、トンネル効果によって電荷が表面上に帯
電されなくなるため、暗減衰の増大や光感度の低下が生
じてしまう。

また、上記電荷ブロッキング層４４は、基板４１からの
電子の注入を充分に防ぐには、周期表第１１’Ｊａ族元
素（例えばボロン）を流量比Ｂ２　Ｈａ　／　Ｓ　１ｌ
（４−１００〜５０００ｐｐｍでドープして、Ｐ型（更
にはＰ＋型）化するとよい。また、電荷輸送層４２への
不純物ドープ量は流量比でＢ２Ｈ６／５ｉＩ（４−１〜
２０Ｉ）Ｉ）ｍとするとよい。上記した感光体の各層の
厚みについても適切な範囲があり、電荷発生層４２は１
〜５μｍとするのがよい。電荷発生層４３が１μｍ未満
であると光感度が充分でなく、また５μｍを越えると残
留電位が上昇し、実用上不充分である。電荷輸送層４２
は１０〜３０μｍとするのがよい。ブロッキング層４４
は４００　Ｘ未満であるとブロッキング効果が弱く、ま
た、２μｍを越えると電荷輸送能が悪くなり易い。

なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。

特に、光導電層４３中の水素含有量は、ダングリングボ
ンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させるた
めに必須不可欠であって、１０〜３０％であるのが望ま
しい。この含有量範囲は表面改質層４５、ブロッキング
層４４及び電荷輸送層４２も同様である。また、ブロッ
キング層４４の導電型を制御するための不純物として、
Ｐ型化のためにボｏｙ以外にもＡｎ、　Ｇａ、　Ｉｎ、
　Ｔ、Ａ等の周期表ＩＴＩａ族元素を使用できる。

なお、上記電荷輸送層４２及び電荷ブロッキング層４４
の炭素含有量は１０〜３０％とするのがよい。これら両
層４２．４４はまたアモルファス水素化窒化シリコン（
ａ−８ｉＮ：Ｈ）で構成することもできる。

この場合の窒素含有量は夫々１０〜３０％とするのがよ
い。また、炭素及び窒素の双方を電荷輸送層に含有せし
めることもできる。

次に、上記した感光体（例えはドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第４図について説明す
る。

この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基板４１が
垂直に回転可能にセットされ、ヒーター５５で基板４１
ヲ内側から所定温度に加熱し得るようになっている。基
板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付きの円
筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周波
電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、図
中の６２は５ｉｔ−１，又はガス状シリコン化合物の供
給源、６３は０２又はガス状酸素化合物の供給源、６４
はＣＨ４等の炭化水素ガス又はＮＨ３、Ｎ２等の窒素化
合物ガスの供給源、６５はＡｒ等のキャリアガス供給源
、６６は不純物ガス（例えばＢ２Ｈ６）供給源、６７は
各流量計である。このグロー放電装置において、まず支
持体である例えばＡ℃基板４１０表面を清浄化した後に
真空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１Ｏ−
６Ｔｏ　ｒ　ｒ　となるように調節して排気し、かつ基
板４１を所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは
１５０〜３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度の
不活性ガスをキャリアガスとして、ＳｉＨ４又はガス状
シリコン化合物、ＣＨ。

（又はＮＨ３、Ｎ２）、０□を適宜真空槽５２内に導入
し、例えば０．０１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波
電源５６により高周波電圧（例えば１３．５６　ＭＨｚ
　）を印加する。これによって、上記各反応ガスを電極
５７と基板４１との間でグロー放電分解し、Ｐ型ａ−８
ｉＣ：Ｈ又はａ−８ｉＮ：Ｈ，ａ−８ｉＣ：Ｈ，ａ−８
ｉ：Ｈ，０含有ａ　Ｓ＋Ｃ：Ｈを上記の層４４．４２．
４３．４５として基板上に連続的に（即ち、第２図の例
に対応して）堆積させる。

上記製造方法においては、支持体上にａ−８ｉ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。

なお、上記ａ−８ｉ系感光体の各層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
かわりに、或いはＨと併用してフッ素１ｓｉＦ、等の形
で導入し、ａ−８ｉ　：ｌＦ　、　ａ−８ｉ：Ｈ：Ｆ。

ａ−８ｉＮ：Ｆ　、　ａ−８ｉＮ：Ｉ（：Ｆ　、　ａ−
８ｉＣ：Ｆ　、　ａ−８ｉＣ：Ｈ：Ｆとすることもでき
る。この場合のフッ素量は０．５〜１０チが望ましい。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳｉミラ発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２
４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が可
能である。

第５図は、本発明による感光体を上記特開昭５６−７８
４１３号の蒸着法により作成するのに用いる蒸着装置を
示すものである。

ペルジャー７１は、バタフライバルブ７２ヲ有する排気
管７３を介して真空ポンプ（図示せず）を接続し、これ
により当該ペルジャー７１内を例えば１０−３〜１Ｏ−
７Ｔｏｒｒの高真空状態とする。当該ペルジャー７１内
には基板４１を配置してこれをヒーター７５により温度
１００〜３５０℃、好ましくは１５０〜３００°Ｃに加
熱するとともに、直流電源７６により基板１に０〜−１
０ＫＶ、好壕しくは−１〜−６ＫＶの直流負電圧を印加
する。ａ−ｓｉ：ｆ（層４３を形成するには、出口が基
板４１と対向するようペルジャー７１に接続して設けた
水素ガス放電管７７より活性水素及び水素イオンをペル
ジャー７１内に導入しながら、基板４１と対向するよう
設けたシリコン蒸発源７８及び必要あればアルミニウム
蒸発源７９ヲ加熱すると共に上方のシャッターｓ−１開
く。不純物ドープドａ−８ｉＣ：Ｈ層４４．４２ヲ形成
するには、ＣＨ，の供給下で、シリコン及びアルミニウ
ムをその蒸発速度比が例えば１：１０’となる蒸発速度
で同時に蒸発させる。

０含有ａ−８ｉＣ：Ｈ層４５は酸素ガスを更に供給すれ
ば形成できる（但、Ａｆｉの蒸発は中断）。

ＣＨ４、ＮＨ，、Ｏ，は放電管７０ヲ介して活性化して
適宜導入するとよい。

上記の放電管７７．７０の構造を例えば放電管７７につ
いて示すと、第６図の如く、ガス人口８１ヲ有する筒状
の一方の電極部材８２と、この一方の電極部材８２を一
端に設けた、放電空間８３を囲む例えば筒状ガラス製の
放電空間部材８４と、この放電空間部材８４の他端に設
けた、出口８５″ｆｆ：有するリング状の他方の電極部
材８６とより成り、前記一方の電極部材８２と他方の電
極部材８６との間に直流又は交流の電圧が印加されるこ
とにより、ガス人口８１を介して供給された例えば水素
ガスが放電空間８３においてグロー族′ｉｔを生じ、こ
れにより電子エネルギー的に賦活された水素原子若しく
は分子より成る活性水素及びイオン化された水素イオン
が出口８５より排出される。この図示の例の放電空間部
材８２は二重管構造であって冷却水を流過せしめ得る構
成を有し、８７．８８が冷却水人口及び出口を示す。８
９は一方の電極部材８２の冷却用フィンである。上記の
水素ガス放電管７７における電極間距離は１０〜１５α
であり、印加電圧は６００Ｖ、放電空間８３の圧力は１
Ｏ−２Ｔｏｒｒ程度とされる。

以下、本発明全具体的な実施例について説明する。

グロー放電分解法により、ドラム状Ａｆｉ支持体上に第
２図の構造の電子写真感光体を作製した。

即ち、まず、支持体である例えば平滑な表面を持つドラ
ム状Ｍ基板４１０表面を清浄化した後に、第４図の真空
槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０−’Ｔ
ｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１ヲ所
定温度、特に１００〜３５０°Ｃ（望捷しくけ１５０〜
３００°Ｃ）に加熱保持する。次いで、高純度のＡｒガ
スをキャリアガスとして導入し、０．５Ｔｏｒｒの背圧
のもとで周波数１３．５６■１ｚの高周波電力を印加し
、１０分間の予備放電を行った。次いで、ＳｉＨ４とＢ
、Ｈ６とからなる反応ガスを導入し、流量比１　：　１
　：　１　：　（１，５Ｘ１０−”）の（Ａｒ　＋　Ｓ
ｉＨ，＋ＣＨ４＋　Ｂ２Ｈ６）混合ガスをグロー放電分
解することにより、電荷ブロッキング機能を担うＰ型の
ａ−８ｉＣ：Ｉ（層４４と電荷輸送層４２とｆ　６　μ
ｍ　／　ＩＩ　ｒの堆積速度で順次所定厚さに製膜した
。引き続き、Ｂ、ｉ−１゜及びＣＨ，を供給停止し、５
ＩＨ４を放電分解し、所定厚さのａ−８ｉ：ｌ−１層４
３を形成した。引続いて、流量比４：１　：６：１の（
Ａｒ　＋　Ｓ　ｉＨ＋　＋　ＣＨ−４＋　０２　）混合
ガスと共にグロー放電分解し、所定厚さのＯ含有量−８
ｉＣ：ｆ（表面保護層４５を更に設け、電子写真感光体
を完成させた。この感光体を用いて、複写機（Ｕ　−Ｂ
ｉｘ　３０００改造機：小西六写真工業■製）により画
像出しを行なった結果、解像度、階調性がよく、画像濃
度が高く、カプリのない鮮明な画像が得られた。捷た加
万回の繰り返し複写を行なっても、安定した良質な画像
が続けて得られた。

改質層のＯ含有量を１〜２０％、特に２〜１０％とすれ
ば、感光体の画像再生特性等が犬きく向上することが分
る。なお、画質については、◎は画像鮮明、○は画像良
好、△は画質が実用上採用可能、×は画質が実用上採用
不可を夫々示す。

（以下余白、次頁に続く）

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。 第２図〜第６図は本発明の実施例を示すものであって、 第２図はａ−８ｉ系悪感光の断面図、 第３図はａ−８ｉＣＯ比抵抗を比較して示すグラフ、 第４図はグロー放電装置の概略断面図、第５図は真空蒸
着装置の概略断面図、 第６図はガス放電管の断面図 である。 なお、図面に示された符号において、 ３９・・・・ａ−８ｉ系悪感光 ４１・・・・支持体（基板） ４２・・・・電荷輸送層 ４３・・・・電荷発生層 ４４・・・・電荷ブロッキング層 ４５・・・・表面改質層 ５５・・・・ヒーター ５６・・・・高周波電源 ５７・・・・電極 ６２〜６６・・各ガス供給源 ７０．７７・・ガス放電管 ７８．７９・・蒸発源 である。 代理人　弁理士通板　宏

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンか
   らなる電荷発生層上に、アモルファス水素化及び／又は
   フッ素化炭化シリコンからなる表面改質層が設けられ、
   かつ前記電荷発生層下に、アモルファス水素化及び／又
   はフッ素化炭化（及び／又は窒化）シリコンからなる電
   荷輸送層が設けられ、更にこの電荷輸送層下に、アモル
   ファス水素化及び／又はフッ素化炭化（及び／又は窒化
   ）シリコンからなるＰ型の電荷ブロッキング層が設けら
   れている感光体において、前記表面改質層が１〜２０　
   ａｔｏｍｉｃ　％の酸素（但、シリコン原子と炭素原子
   と酸素原子との合計原子数ｆ　１００　ａｔｏｍｉｃ％
   とする。）を含有していることを特徴とする感光体。 ２、表面改質層の炭素含有量が１０〜７０　ａｔｏｍｉ
   ｃ　％（但、シリコン原子と炭素原子と酸素原子との合
   計原子数ｋ　１００　ａｔｏｍｉｃ　％とする。）であ
   る、特許請求の範囲の第１項に記載した感光体。 ３、電荷輸送層に周期表第１１　ａ族元素がライトドー
   ピングされている、特許請求の範囲の第１項又は第２項
   に記載した感光体。 ４、電荷輸送層が、炭素を含む場合にはその炭素含有量
   が１０〜３０　ａ　ｔｏｍ　ｉｃ％であり、窒素を含む
   場合にはその窒素原子含有量が１０〜３０　ａｔｏｍｉ
   ｃ　％である、特許請求の範囲の第１項〜第３項のいず
   れか１項に記載した感光体。 ５、電荷ブロッキング層が、炭素を含む場合にはその炭
   素含有量が１０〜３０　ａｔｏｍｉｃ　％であり、窒素
   を含む場合にはその窒素原子含有量が１０〜３０ａｔｏ
   ｍｉｃ％である、特許請求の範囲の第１項〜第４項のい
   ず牡か１項に記載した感光体。