JPS60203960A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 １、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば正帯電用の電子写真感光体に関
するものである。

２、従来技術 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ、又はＳｅにＡｓ、
　Ｔｅ、　Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄＳ
を樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られている
。　しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的
安定性、機械的強度の点で問題がある。

一方、アモルファスシリコン（ａ−８ｉ　）　全母体と
して用いた電子写真感光体が近年になって提案されてい
る。　ａ　−Ｓ　ｉは、５ｉ−８ｉの結合手が切れたい
わゆるダングリングボンドを有しており、この欠陥に起
因してエネルギーギャップ内に多くの局在準位が存在す
る。　このために、熱励起担体のホッピング伝導が生じ
て暗抵抗が小さく、また光励起担体が局在準位にトラッ
プされて光導電性が悪くなっている。　そこで、上記欠
陥を水素原子（ハ）で補償してＳｉにＨな結合させるこ
とによりて、ダングリングボンドを埋めることが行われ
る。

このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−ｓ
ｉ：）（と称する。）の暗所での抵抗率は１０’〜１０
９Ω−ｃｍであって、アモルファスＳｅと比較すれば約
１万分の１も低い。　従って、ａ−８ｉ：Ｈの単層から
なる感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電
電位が低いという問題点を有している。　しかし他方で
は、可視及び赤外領域の光を照射すると抵抗率が大きく
減少するため、感光体の感光層として極めて優れた特性
を有している。

第１図には、上記のａ−８ｆ：Ｈを母材としたａ−８ｔ
系悪感光を組込んだ電子写真複写機が示されている。　
この複写機によれば、キャビ゛ネット１の上部には、原
稿２を載せるガラス製原稿載置台３と、原稿２を覆うプ
ラテンカバー４とが配されている。　原稿台３の下方で
は、光源５及び第１反射用ミラー６を具備した第１ミラ
ーユニツト７からなる光学走査台が図面左右方向へ直線
移動可能に設けられており、原稿走査点と感光体との光
路長を一定にするための第２ミラーユニツト２０が第１
ミラーユニツトの速度に応じて移動し、原稿台３側から
の反射光がレンズ２１、反射用ミラー８を介して像担持
体としての感光体ドラム９上へスリット状に入射するよ
うになっている。　ドラム９の周囲には、コロナ帯電器
１０．現像器１１、転写部１２、分離部１３、クリーニ
ング部１４が夫々配置されており、給紙箱１５から各給
紙ローラー１６．１７を経て送られる複写紙１８はドラ
ム９のトナー像の転写後に更に定着部１９で定着され、
トレイ３５へ排紙される。　定着部１９では、ヒーター
２２を内蔵した加熱ローラー２３と圧着ローラー２４と
の間に現像済みの複写紙を通して定着操作を行なう。　
しかしながら、ａ−ｓｔ：）Ｉを表面とする感光体は、
長期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コ
ロナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学
的安定性に関して、これ迄十分な検討がなされていない
。　例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け
、受容電位が著しく低下することが分っている。

一方、アモルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−８
ｉＣ：Ｈと称する。）について、その製法や存在が’　
Ｐｈ１ｌ　、Ｍａｇ、Ｖｏｌ　、３５”（１９７８）等
に記載されており、その特性として、耐熱性や表面硬度
が高いこと、ａ−Ｓｔ：）（と比較して高い暗所抵抗率
（１０”〜１ｏ　１８Ω−ｃｍ）を有すること、炭素量
により光学的エネルギーギャップが１．６〜２．８ｅＶ
の範囲に亘って変化すること等が知られている。　但、
炭素の含有によりバンドギャップが拡がるために長波長
感度が不良となるという欠点がある。

こうしたａ−８ｉＣ：Ｈとａ−ｓｉ：）（とを組合せた
電子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７０８３号公
報において提案されている。　これによれば、ａ−ｓｔ
：ｌ１層を電荷発生（光導電）層とし、この電荷発生層
下にａ−８ｉＣ：Ｈ層を電荷輸送層として設けた機能分
離型の２層構造を作成し、上層のａ−８ｉ：Ｈにより広
い波長域での光感度を得、かつａ−８ｔＳＨ層とへテロ
接合を形成する下層のａ−８ｉＣ：Ｈにより帯電電位の
向上を図っている。

しかしながら、ａ−８ｉＳＨ層の暗減衰を充分に防止で
きず、帯電電位はなお不充分であって実用性のあるもの
とはならない上に、表面にａ−８ｉ：Ｈ層が存在してい
ることにより化学的安定性や機械的強度、耐熱性等が不
良となる。

一方、特開昭５７−１７９５２号公報には、ａ−８ｉ：
Ｈかうなる電荷発生層上に第１０ａ−８ｉＣ：Ｈ層を表
面改質層として形成し、裏面上（支持体電極側）に第２
０ａ−８ｉＣ：Ｈ層を電荷輸送層として形成して、機能
分離型の３層構造の感光体としている。

ところが、公知の感光体においては、特にａ−ＳｉＣ：
Ｈ電荷輸送層について次の如き問題点があることが判明
した。

即ち、公知のａ−ｓｉｃ：）Ｉは電荷輸送能（キャリア
レンジ（μτ）ｅ＝モ、ビリティ×ライフタイム）及び
電荷保持能（暗抵抗ρＤ）は一応充分ではあるが、ρ０
の温度依存性が大きく、このために高温では帯電電位の
保持特性が劣化し、実用に供し得なくなる。　こうした
欠陥は、電荷輸送層をアモルファス窒化シリコン（ａ−
８ｉＮ）で構成した場合にも同様に生じる。

３、発明の目的 本発明の目的は、高い帯電電位を安定に（特に高温又は
高湿下で）保持でき、かつ光疲労特性に優れ、正帯電用
として好適な感光体を提供することにある。

４、発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明による感光体は、アモルファス水素化及び
／又はフッ素化シリコンからなる電荷発生層下に、アモ
ルファス水素化及び／又はフッ素化窒化シリコンからな
る電荷輸送層が設けられている感光体において、前記電
荷輸送層が５０〜５００酵の酸素（但、シリコン原子と
窒素原子との合計原子数を１００　ａｔｏｍｉｃ％とす
る。）を含有すると共に周期表第ｍａ族元素を比較的少
量含有し、かつ前記電荷輸送層下に、アモルファス水素
化及び／又はフッ素化窒化シリコンからなりかつ周期表
第Ｈａ族元索を比較的多量含有する電荷ブロッキング層
が設げられていることを特徴とするものである。

本発明によれば、機能分離型の感光体であって、その電
荷輸送層に５０〜５００碧の酸素を含有せしめているの
で、電荷輸送能（μτ）ｅを低下させることなしにρ。

を効果的に上昇させてρ９の温度依存性（ｄρＤ／ｄＴ
）を小さく抑えることができる。

このため、帯電電位の保持特性が向上し、感光体の使用
可能な上限温度（上限湿度も同様）を高めることができ
るのである。　仮に、上記酸素含有量が５０１１１１１
１未満であると酸素含有による効果が発揮されず、また
５００酵を越えると酸素が多すぎてキャリアのモビリテ
ィ、即ち（μτ＞ｃ、が著しく低下してしまう。　従っ
て、酸素含有量を５０〜５ｏｏｐｐに設定することが必
須不可欠であり、特に７０〜３００Ｆとするのが望まし
い。　しかも、この電荷輸送層は周期表第ｍａ族元索が
比較的少量含有されている（ライトドーグされている）
ので、電荷発生層から電荷輸送層へのキャリアの注入を
良好にするのに寄与している。

また、電荷輸送層下には１周期表第１［［ａ族元素が比
較的多量含有された（ヘビードープされた）電荷ブロッ
キング層が設けられているので、感光体の正帯電時に支
持体基゛板側からの電子の注入が効果的に阻止され、感
光体の正帯電使用における帯電電位保持特性に優れたも
のとなる。

５、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。

第２図は本実施例による正帯電用のａ　−Ｓ　ｉ系電子
写真感光体３９を示すものである。この感光体３９はＡ
／等のドラム状導電性支持基板４１上に、周期表第］［
ａ族元素、例えばホウ素がヘビードープされたａ−８ｉ
Ｎ：ＨからなるＰ型電荷プロッキング層４４と、周期表
第ｍａ族元索、例えばホウ素がライトドープされかつ酸
素を５０〜５００廃含有するａ−８ｉＮ：Ｈからなる電
荷輸送層４２と、ａ−８ｉ：Ｈからなる電荷発生層４３
と、必要に応じて設けられかつアモルファス水素化炭化
又は窒化シリコｙ　（ａ−８ｉＣ：Ｈ又はａ−８ｉＮ：
Ｈ）或いはＳｉｎ、等の無機物質からなる表面改質層４
５とが積層された構造からなっている。　電荷発生層４
３は暗所抵抗率ρゎと光照射時の抵抗率へとの比が電子
写真感光体として充分大きく光感度（特に可視及び赤外
領域の光に対するもの）が良好である。

この感光体３９においては、本発明に基いて、ａ　−Ｓ
　ｉ　Ｎ　：　Ｈからなる電荷輸送層４２に酸素原子を
Ｓｉ＋Ｎの総原子数Ｚｏｏ　ａｔｏｍｉｃ％に対し５０
〜５００ｐ−含有せしめている。　この含有量範囲の酸
素によって、電荷輸送層４２のρ。が高温（又は高湿）
下でも高（なり、感光体としての帯電電位保持能が安定
に保持される。

電荷輸送層の窒素原子含有量、及び電荷ブロッキング層
の窒素原子含有量は夫々１０〜３０　ａｔｏｍｉｃ％（
Ｓｉ＋Ｎの総原子数を１００　ａｔｏｍｉｃ％とする。

）であるのが望ましく、また電荷輸送層の膜厚は１０〜
３０μｍとするのが適切である。

また、この電荷輸送層４２には、周期表第ｍａ族元素、
例えばホウ素を流量比ＢＩＨ６／　５ｉＨ４＝　１〜２
０ｐＩｎでグロー放電分解でライトドーピングされてい
る。

上記電荷ブロッキング層４４は、基板４１からの電子の
注入を充分に防ぐには、周期表第ｍａ族元素（例えばボ
ロン）を流量比Ｂ、Ｈ６／ＳｉＨ，＝１００〜５０００
　ｐｙＡでドープして、Ｐ型（更にはＰ＋型）化すると
よい。

上記した各層の厚みについては、電荷発生層４３は１〜
５μｍ、ブロッキング層４４は４ｏｏＸ〜２μｍ（望ま
しくは４００〜５０００Ａ）とするのがよい。

電荷発生層４３が１μｍ未満であると光感度が充分でな
く、また５μｍを越えると残留電位が上昇し、実用上不
充分である。　ブロッキング層４４も４００Ａ未満であ
るとブロッキング効果が弱く、また、２μｍを越えると
電荷輸送能が不良となり易い。

上記表面改質層４５は感光体の表面を改質してａ　−Ｓ
　ｉ未感光体を実用的に優れたものとするために設ける
とよい。　即ち、表面での電荷保持と、光照射による表
面電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動
作を可能とするものである。

従って、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり
、長期間（例えば１力月以上）放置しておいても良好な
電位特性を再現できる。　ａ−８ｉ：Ｈな表面とした感
光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気等の影響を
受け易く、電位特性の経時変化が生じ易くなる。　また
、ａ−８ｉＣ：Ｈ又はａ−８ｉＮ：Ｈからなる表面改質
層４５は表面硬度が高いために、現像、転写、クリーニ
ング等の工程における耐摩耗性があり、更に耐熱性も良
いことから粘着転写等の如く熱を付与するプロセスを適
用することができる。

このような優れた効果を総合的に奏するためには、ａ−
ｓｔｃ：）Ｉ又はａ−８ｉＮ：Ｈの炭素又は窒素組成を
選択することが重要である。　即ち、炭素又は窒素原子
含有量がＳｉ＋Ｃ（又はＮ）＝１００％としたとき１０
〜７０　ａｔｏｍｉｃ％であることが望ましい。　Ｃ又
はＮ含有量が１０％以上であると、上記した比抵抗が所
望の値となり、かつ光学的エネルギーギャップがほぼ２
．ＯｅＶ以上となり、可視及び赤外光に対しいわゆる光
学的に透明な窓効果により照射光はａ−８ｉ：Ｈ層（電
荷発生層）４３に到達し易くなる。　しかし、Ｃ又はＮ
含有量が１０％未満では、比抵抗が所望の値以下となり
易く、かつ一部分の光は表面層４５に吸収され、感光体
の光感度が低下し易くなる。　また、Ｃ又はＮ含有量が
７０％を越えると層の炭素又は窒素量が多くなり、半導
体特性が失なわれ易い上にａ　−８ｉＣ：ｉ−ｉ膜又は
ａ−８ｉＮ：Ｈ層をグロー放電法で形成するときの堆積
速度が低下し易いのでＣ又はＮ含有量は７０％以下とす
るのがよい。

また、ａ−８ｉＣ：Ｈ又はａ　−Ｓ　ｉ　Ｎ　：　Ｈ層
４５の膜厚を４０ＯＡ≦ｔ≦５０００Ａ１７）範囲内（
特に４００Ａ≦ｔ＜ｚｏｏｏＡ）に選択することも重要
である。

即ち、その膜厚が５００ＯＡを越える場合には、残留電
位ｖＲが高くなりすぎかつ光感度の低下も生じ、ａ　−
Ｓ　ｉ不感光体としての良好な特性を失な〜・易い。　
また、膜厚を４００Ａ未満とした場合には、トンネル効
果によって電荷が表面上に帯電されなくなるため、暗減
衰の増大や光感度の低下が生じてしまう。

なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。

　特に、電荷発生層４３中の水素含有量は、ダングリン
グボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させ
るために必須不可欠でありて、１０〜３Ｑ　ａｔｏｍｉ
ｃ％であるのが望ま゛しい。

この含有量範囲は表面改質層４５、ブロッキング層４４
及び電荷輸送層４２も同様である。　また、ブロッキン
グ層４４の導電型を制御するための不純物としてそのＰ
型化のために、或いは電荷輸送層４２へのドーピング不
純物として、ポロン以外にも）Ｊ、Ｇａ、Ｉｎ％ＴＪ等
の周期表第Ｈａ族元索を使用できる。

次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第３図について説明す
る。

この装置５１の真空槽５２内では、ドラム状の基板４１
が垂直に回転可能にセットされ、ヒーター５５で基板４
１を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。

　基板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付き
の円筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高
周波電源５６によりグツ−放電が生ぜしめられる。　な
お、図中の６２はＳｉＨ，又はガス状シリコン化合物の
供給源、６３は０．又はガス状酸素化合物の供給源、６
４はＣＨ，等の炭化水素ガス又はＮＨ３、Ｎ、等の窒素
化合物ガスの供給源、６５はＡｒ等のキャリアガス供給
源、６６は不純物ガス（例えばＢ、Ｈ，）供給源、６７
は各流量計である。　このグロー放電装置において、ま
ず支持体である例えばＡｎ基板４１０表面を清浄化した
後に真空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１
０−’　Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基
板４１を所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは
１５０〜３００６Ｃ）Ｋ加熱保持する。　次いで、高純
度の不活性ガスをキャリアガスとして、ＳｉＨ，又はガ
ス状シリコン化合物、Ｂ、Ｈ，、ＣＨ，（又はＮＨ，、
Ｎ、　）、Ｏ３を適宜真空槽５２内に導入し、例えば０
．０１〜１０Ｔｏ　ｒｒの反応圧下で高周波電源５６に
より高周波電圧（例えば１３．５６ＭＨ２）を印加する
。　これによって、上記各反応ガスを電極５７と基板４
１との間でグロー放電分解し、ボロンヘビードープドＰ
ｆＪ、　ａ−８ｉＮ：Ｈ，ボロンライトドープド０含有
ａ−８ｉＮ：Ｈ，ａ−８ｉ：Ｈ，ａ−８ｉＣ：Ｈ又はａ
−８ｉＮ：Ｈを上記の層４４．４２．４３．４５　とし
て基板上に連続的に（即ち、第２図の例に対応して）堆
積させる。

上記製造方法においては、支持体上にａ−８ｔ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。

なお、上記ａ　−Ｓ　ｉ不感光体の各層の形成時に於て
、ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨ
の代りに、或いはＨと併用してフッ素をＳｉＦ、等の形
で導入し、ａ−８ｉ　：Ｆ’、　ａ−８ｔ　：Ｈ：Ｆ。

ａ−８ｉＮ：Ｆ、ａ−８ｉＮ：Ｈ：Ｆ、ａ−ｓｔｃ：Ｆ
’、ａ−８ｉＣ：Ｈ：Ｆとすることもできる。　この場
合のフッ素量は０．５〜ｌｆｆ　ａｔｏｍｉｃ％が望ま
しい。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳｉを蒸発させる方法Ｃ特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２
４５５号）の方法）等によりても上記感光体の製造が可
能である。

第４図は、本発明による感光体を上記特開昭５６−７８
４１３号の蒸着法により作成するの洗用いる蒸着装置を
示すものである。

ペルジャー７１は、バタフライバルブ７２を有する排気
管７３を介して真空ポンプ（図示せず）を接続し、これ
により当該ペルジャー７１内を例えば１０−８〜１０”
Ｔｏｒｒの高真空状態とする。

当該ペルジャー７１内には基板４１を配置してこれをヒ
ーター７５により温度１００〜３５０℃、好ましくは１
５０〜３００℃に加熱すると共に、直流電源７６により
基板１にＯ〜−１０ｋＶ、好ましくは−１〜−６ｋＶの
直流負電圧を印加する。　ａ　−８１：８層４３を形成
するには、出口が基板４１と対向するようペルジャー７
１に接続して設けた水素ガス放電管７７より活性水素イ
オンをペルジャー７１内に導入しながら、基板４１と対
向するよう設けたシリコン蒸発源７８を加熱すると共に
上方のシャッターＳを開く。　ａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ：　Ｈ
層４５を形成するには、ＣＨ，の供給下で、シリコンを
蒸発させる。　電荷ブロッキング層４４を形成するには
、シリコン７８及びアルミニウム７９を蒸発させればよ
い。　０含有ａ　−Ｓ　ｉ　Ｎ　：　Ｈ層４２は、ＣＨ
。

に代えてＮＨ５又はＮ、と共に酸素ガスを更に供給すれ
ば形成できる。　ＣＨ，、ＮＨ，、Ｎ、、Ｑ、は放電管
７０を介して活性化して適宜導入するとよい。

上記の放電管７７．７０の構造を例えば放電管７７につ
いて示すと、第５図の如く、ガス入口８１を有する筒状
の一方の電極部材８２と、この一方の電極部材８２を一
端に設げた、放電空間８３を囲む例えば筒状ガラス製の
放電空間部材８４と、この放電空間部材８４の他端に設
けた、出口８５を有するリング状の他方の電極部材８６
とより成り、前記一方の電極部材８２と他方の電極部材
８６との間に直流又は交流の電圧が印加されることによ
り、ガス人口８１を介して供給された例えば水素ガスが
放電空間８３においてグロー放電を生じ、これにより電
子エネルギー的に賦活された水素原子若しくは分子より
成る活性水素及びイオン化された水素イオンが出口８５
より排出される。　この図示の例の放電空間部材８２は
二重管構造であって冷却水を流過せしめ得る構成を有し
、８７．８８が冷却水入口及び出口を示す。　８９は一
方の電極部材８２の冷却用フィンである。　上記の水素
ガス放電管７７における電極間距離は１０〜１５ｃｍで
あり、印加電圧は６００Ｖ、放電空間８３の圧力は１０
”Ｔｏｒｒ程度とされる。

以下、本発明を具体的な実施例について説明する。

グロー放電分解法により、ドラム状Ａ７支持体上に第２
図の構造の電子写真感光体を作製した。

即ち、まず、支持体である例えば平滑な表面をもつドラ
ム状ＡＩ基板４１０表面を清浄化した後に、第３図の真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０’Ｔ
ｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１を所
定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１５０〜３
００°Ｃ）に加熱保持する。

次いで、高純度のＡｒガスをキャリアガスとして導入し
、０．５　Ｔｏｒｒの背圧のもとで周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚの高周波電力を印加し、１０分間の予備放電を行っ
た。　次いで、ＳｉＨ４とＮＨ，とＢ、Ｈ，とからなる
反応ガスを導入し、流量比１：１：１：（１，５ＸＩＯ
”）の（Ａｒ　＋　Ｓｉ　Ｈ，＋ＮＨ＊＋Ｂ、Ｈ，）混
合ガスをグロー放電分解することにより、電荷ブロッキ
ング機能を担うＰ型のａ　−Ｓ　ｉ　Ｎ　：　ｌ（層４
４を形成し、更にＣＨ，に代えてＮＨ，、及び酸素を供
給して電荷輸送層４２乞６μｍ　／　ｈｒの堆積速度で
所定厚さに製膜した。　引き続舎、ＮＨ８，Ｂ、Ｈ，、
０゜を供給停止し、ＳｉＨ４を放電分解し、所定厚さの
ａ−８ｉ：８層４３を形成した。　引続いて、流量比４
　：　１　：　６　’）　（Ａｒ　＋　８１　Ｈ４＋　
ＣＨ４）混合ガスと共にグロー放電分解し、所定厚さの
ａ−８ｉＣ：Ｈ表面保護層４５を更に設け、電子写真感
光体を完成させた。　この感光体を用いて、複写機（Ｕ
−Ｂ、１ｘ３０００改造機：小西六写真工業■製）によ
り画像出しを行なった結果、解像度、階調性がよく。

画像濃度が高く、カブリのない鮮明な画像が得られた。

　また、２０万回の繰り返し複写を行なっても、安定し
た良質な画像が続けて得られた。

即ち、試験に際しては、上記のようにして作成した電子
写真感光体をエレクトロメーター５Ｐ＝４２８型（川口
電機■製）に装着し、帯電器の放電電極に対する印加電
圧を＋６ｋＶとし、１０秒１間帯電操作を行ない、この
帯電操作直後における感光体表面の帯電電位をＶｏ（Ｖ
）とし、２秒間の暗減衰後、帯電電位を号に減衰せしめ
るために必要な照射光量を半減露光量Ｅ％（ｌｕｘ、ｐ
ｅｃ　）とした。

表面電位の光減衰曲線はある有限の電位でフラットとな
り、完全にゼロとならない場合があるが、この電位を残
留電位ＶＲ（Ｖ）と称する。

各層の組成を種々変化させたところ、下記表に示す結果
が得られた。　これによれば、電荷輸送層の０含有量を
５０〜５ｏｏｐＰとすれば、感光体の電子写真特性が大
きく向上し、温度依存性が減少することが分る。　なお
、画質については、◎は画像鮮明、Ｏは画像良好、　−
゛ 朔号葡千×は画質が実用上採用不可を夫々示す。

（以下余白、次頁に続く）

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。 第２図〜第５図は本発明の実施例を示すものであって、 第２図はａ　−Ｓ　ｉ不感光体の断面図、第３図はグロ
ー放電装置の概略断面図、第４図は真空蒸着装置の概略
断面図、 第５図はガス放電管の断面図 である。 なお、図面に示された符号において、 ３９・・・・・・・・・・ａ　−Ｓ　ｉ系感光体４１・
・・・・・・・・・支持体（基板）４２・・・・・・・
・・・電荷輸送層 ４３・・・・・・・・・・電荷発生層 ４４・・・・・・・・・・電荷ブロッキンゲル４５・・
・・・・・・・・表面改質層 ５５・・・・・・・・・・ヒーター ５６・・・・・・・・・・高周波電源 ５７・・・・・・・・・・電　極 ６２〜６６・・・・・・・各ガス供給源７０．７７・・
・・・・・ガス放電管 ７８．７９・・・・・・・蒸発源 である。 代理人　弁理士　逢　坂　宏　（他１名）第１図 第２図 第３図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンか
   らなる電荷発生層下に、アモルファス水素化及び／又は
   フッ素化窒化シリコンからなる電荷輸送層が設けられて
   いる感光体において、前記電荷輸送層が５０〜ｓ　ｏ　
   ｏ　ｐｐｍの酸素（但、シリコン原子と窒素原子との合
   計原子数を１００　ａｔｏｍｉｃ％とする。）を含有す
   ると共に周期表第ｍａ族元素を比較的少量含有し、かつ
   前記電荷輸送層下に、アモルファス水素化及び／又はフ
   ッ素化窒化シリコンからなりかつ周期表第■ａ族元素を
   比較的多量含有する電荷ブロッキング層が設けられてい
   ることを特徴とする感光体。 ２、電荷輸送層が１０〜３０　ａｔｏｍｉｃ％の窒素（
   但、シリコン原子と窒素原子との合計原子数を１００１
   ００ａｔｏ％とする。）を含有し、かつジボランとモノ
   シランとをジボラン／モノシラン＝１〜２０μの流量比
   で供給する条件下でのグロー放電分解によって形成され
   たものである、特許請求の範囲の第１項に記載した感光
   体。 ３、電荷ブロッキング層が１０〜３０　ａｔｏｍｉｃ％
   の　−窒素（但、シリコン原子と窒素原子との合計原子
   数を１００　ａｔｏｍｉｃ％とする。）を含有し、かつ
   ジボランとモノシランとをジボラン／モノシラン＝１０
   ０〜５０００ｐＩｎの流量比で供給する条件下でのグロ
   ー放電分解によりて形成されたものである、特許請求の
   範囲の第１項又は第２項に記載した感光体。 ４、電荷発生層上に、アモルファス水素化及び／又はフ
   ッ素化炭化シリコンからなりかつ炭素含有量が１０〜７
   ９　ａｔｏｍｉｃ％（但、シリコン原子と炭素原子との
   合計原子数を１００　ａｔｏｍｉｃ％とする。）である
   表面改質層が設けられている、特許請求の範囲の第１項
   〜第３項のいずれか１項に記載した感光体。 ５、電荷発生層上に、アモルファス水素化及び／又はフ
   ッ素化窒化シリコンからなりかつ窒素含有量が１０〜７
   　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ％（但、シリコン原子と窒素原子と
   の合計原子数をＩ　Ｑ　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ％とする。）
   である表面改質層が設けられている、特許請求の範囲の
   第１項〜第３項のいずれか１項に記載した感光体。