JPS5967549A - 記録体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は記録体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。

従来、電子写真感光体として、Ｓｅ、又はＳｅにＡｓ、
　Ｔｅ、　Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄＳ
を樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られている
。しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安
定性、機械的強度の点で問題がある。

一方、アモルファスシリコン（ａ−８ｉ）を母材トして
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。

ａ−８ｉは、５ｉ−８ｉの結合手が切れたいわゆるダン
グリングボンドを有しており、この欠陥に起因してエネ
ルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。このた
めに、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗が小
さく、また光励起担体が局在準位にトラップされて光導
電性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水素原子（
坊で補償してＳｉにＨを結合させることによって、ダン
グリングボンドを埋めることが行なわれる。

このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−８
ｉ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は１０８〜１０９
Ω−鑞であって、アモルファスＳｅと比較すれば約１万
分の１も低い。従って、ａ−８ｉ：Ｈの単層からなる感
光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電電位が
低いという問題点を有している。しかし他方では、可視
及び赤外領域の光を照射すると抵抗率が大きく減少する
ため、感光体の感光層として極めて優れた特性を有して
いる。

そこで、このようなａ−８ｉ：Ｈに電位保持能を付与す
るため、ホウ素をドープすることにより抵抗率を約１０
１２Ω−儂にまで高めることができるが、ホウ素量をそ
のように正確に制御することは容易ではない上に、１０
１２Ω−ぼ程度の抵抗率でもカーある。また、ホウ素と
共に微量の酸素を導入することによｈ　１０１３Ω−α
程度の高抵抗化が可能であるが、これを感光体に用いた
場合には光導電性が低下し、裾切れの悪化や残留電位の
発生という問題が生じる。

また、ａ−８ｉ：Ｈを表面とする感光体は、長期に亘っ
て大気や湿気に曝されることによる影響、コロナ放電で
生成される化学種の影響等の如き表面の化学的安定性に
関して、これ迄十分な検討がなされていない。例えば１
力月以上放置したものは湿気の影響を受け、受容電位が
著しく低下することが分っている。更に、ａ−８ｉ：Ｈ
はＡｌやステンレス等の支持体に対して膜付き（接着性
）が悪く、電子写真感光体として実用化する上で問題と
なる。この対策として、特開昭５５−８７１５４号にお
ける如きシランカップリング剤、特開昭５６−７４２５
７号における如きポリイミド樹脂又はトリアジン樹脂等
の有機高分子化合物からな−る接着層をａ−８ｉｒＨ層
と支持体との間に設けることが知られている。しかしな
がら、これらの場合、接着層の形成とａ−８ｉ：Ｈ層の
製膜とを別の方法で行なう必要があり、そのために新た
な製膜装置を用いなければならず、作業性が不良となる
。

しかも、ａ−８ｉ：Ｈ層を光導電性の良好なものとする
には、その製膜時の基板（支持体）温度を通常的２００
℃又はそれ以上に保持することを要するが、このような
温度に対し下地の接着層は熱的に耐えることができない
。

一方、ａ−８ｉ：Ｈに窒素原子を含有せしめた窒素原子
含有ａ−８ｉ：Ｈ（以下、ａ−８ｉＮ：Ｈと称すること
がある。）によって光導電層を形成することが、特開昭
５４−１４５５３９号、特開昭５７−３７３５２号の各
明細書に記載されている。この公知のａ−８ｉＮ：Ｈ層
は、ボロンのドーピングによって暗所比抵抗ρＤが約Ｉ
　Ｘ　１０”Ω−儂に高められ得ると共に、光導電性（
感度）にも優れている。

しかしながら、本発明者の検討によれば、上記の公知の
感光体においては、ａ　−ＳｉＮ　：　Ｈ層へノ導電性
支持体からの不要な電荷の注入が生じ易い上に、ａ−８
ｉＮ：Ｈ層と支持体との接着性も不充分であることが分
った。また、ａ−８ｉＮ：Ｈへのボロンドーピング量を
制御することは容易ではなく、このために帯電電位の保
持能（換言すれば光導電層の高抵抗化）を再現性良く充
分に発揮させることが困難である。加えて、光導電層か
ら注入されるキャリア（光キャリア）が支持体基板側へ
はスムーズに移動し得ない構造となっており、これも帯
電電位特性にとって不都合である。更に、ａ　−８ｉＮ
：Ｈ層上に表面被覆層を設けた例もあるが、表面被覆層
は合成樹脂から形成されているにすぎないので、耐刷性
をはじめ、耐熱性、繰返し使用時の電子写真特性の安定
性、表面の化学的安定性、機械的強度等が充分ではない
ことも分った。しかも上記の表面被覆層は、ａ−８ｉＮ
：Ｈ層へ入射すべき光を吸収若しくは反射し易いために
、光感度も低下させてしまうという欠点がある。

本発明は、上記の如き欠陥を是正すべくなされたもので
あって、基体（例えばＭ等の導電性支持体）と、この基
体上に形成されたＮ型又はＰ型アモルファス水素化及び
／又はフッ素化炭化シリコン（例えばａ−８ｉＣ：Ｈ）
からなる厚さ１００久〜１μｍの電荷ブロッキング層と
、この電荷ブロッキング層上に形成されたアモルファス
水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン（例えばａ−８
ｉＣ：Ｈ）からなる厚さ２〜８０μｍの電荷輸送層と、
この電荷輸送層上に形成された窒素原子含有アモルファ
ス水素化及び／又はフッ素化シリコン（例えばａ−８ｉ
Ｎ：Ｈ）からなる厚さ０．３〜５　ｔＬｍの光導電層と
、この光導電層上に形成されたアモルファス水素化及び
／又はフッ素化炭化シリコン（例えばａ　−ＳｉＣ：　
Ｈ）からなる厚さ１００〜５０００大の表面改質層とか
らなることを特徴とする記録体に係るものである。

本発明によれば、光導電層は窒素含有ａ　−Ｓ　ｉで形
成しているので、窒素量のコントロールによって可視及
び赤外領域の光に対し優れた感度を示し、かつ固有抵抗
の制御を窒素量及び不純物ドーピング量で任意に行なえ
るものとなっている。特に、ホウ素等のドーピングで１
０１０Ω−函以上のρＤを示すので、光感度と共に電位
保持能にも優れた光導電層となる。

しかも、電荷輸送層下には、Ｎ型又はＰ型ａ　−８ｉＣ
からなるブロッキング層を設けているので、これがない
場合に比べて、基体からの不要なキャリアの注入を防止
して感光体の帯電電位の保持能を著しく向上させること
ができ、かつ基体との接着性も充分となる。しかも、光
導電層下には、ａ−８ｉＣからなる電荷輸送層を設けて
いるので、これがない場合に比べて、高抵抗ａ−８ｉＣ
により感光体の帯電電位の保持能を著しく向上させるこ
とができ、かつ基体との接着性も充分となり、かつ光導
電層からのキャリアは大きな移動度と寿命で以って効率
良く支持体側へ移動することができる。更に、光導電層
上には表面改質層としてａ　−８ｉＣ層を設けているが
、このａ−８ｉＣは耐熱性や表面硬度が高く、炭素量に
よって可視及び赤外領域の光を効果的に透過させ得る窓
材として機能する。このため、耐刷性、耐熱性、光感度
、繰返し使用時の電子写真特性の安定性、感光体表面の
化学的安定性、機械的強度、保存中の経時変化の防止作
用等を著しく向上させることができる。

以下、本発明を実施例について図面参照下に詳細に説明
する。

第１図〜第２図には、感光体の構造が例示されている。

第１図の感光体は、ＡＡ等の導電性支持体基板１上に、
Ｎ型（更には！型）、ａ−８ｉＣ：Ｈからなる電荷ブロ
ッキング層２と、ａ−８ｉＣ：Ｈからなる電荷輸送層３
と、ａ−８ｉＮ：Ｈからなる光導電層５と、ａ−８ｉＣ
：Ｈからなる表面改質層４とが順次積層された構造から
なっている。

光導電層５は、特に窒素原子含有量を１〜３０ａｔｏｍ
ｉｃ％　（望ましくは１５〜２５　ａｔｏｍｉｃ　％　
）とすることによって、第３図に示す如く、暗所抵抗率
ρＤと光照射時の抵抗率ρＬとの比が充分であり、光感
度（特に可視及び赤外領域の光に対するもの）が良好と
なる。また、周期表第ｍＡ族元素、例えばホウ素を後述
の流量比（Ｂ２　Ｈ６／　Ｓ　ｉＨ４）　＝　１〜５０
０ｐｐｍでドーピングすることによって、第４図の如く
、固有抵抗を１０１０Ω−ａ以上（更には１０１２Ω−
儒以上）とし、高抵抗化できることが分る。この高抵抗
化によって電荷保持能を向上させることができる。これ
によって、光感度、電位保持能共に良好な光導電層とす
ることができる。比較のために、第４図中に破線でａ−
８ｉ：Ｈへの不純物ドーピングによる抵抗変化を示した
が、ａ−８ｉ：Ｈでは高抵抗化の程度が不充分であり、
しかも１０９Ω−儂程度でしか安定した高抵抗値を得る
ことができない。また、第３図から理解されるように、
ａ−８ｉＮ：Ｈでは窒素量によってもρを制御できるし
、不純物ドーピングとの組合せで抵抗制御の範囲を広く
とることができる。また、第５図に示す如く、光導電層
５は、窒素含有量の増加に伴なって光学的エネルギーギ
ャップ（ａ−８ｉ：Ｈの場合には約１．６５　ｅＶ　）
を大きくし、入射光に対する吸収特性をコントロールで
きることが分る。

上記ブロッキング層２は、炭素原子含有量を５〜９０　
ａｔｏｍｉｃ％（望１しくは１０〜５０　ａｔｏｍｉｃ
％）とすることによって、ρ＝＝　１０１２〜１０１３
Ω−鑞と高抵抗化され、感光体の帯電電位保持能を向上
させることができる。ブロッキング効果を高めるために
、第６図の如く、周期表第ＶＡ族元素（例えばリン）の
ドーピングによってａ　−ＳｉＣ：　Ｈ層２をＮ型化す
れば特に負帯電時での基板からのホールの注入が充分に
阻止される。このだめのリンドープ量は流量比で表わせ
ばＰＨ３／　Ｓ　＋Ｈ４＝＝　１０〜１０．０００１）
ｐｍ（ρＤで１０６Ω−工以下）とするのがよい。また
、正帯電時の基板からの電子の注入を充分に防ぐには、
第７図のように周期表第ｎｌＡ族元素（例えばボロン）
を流量比Ｂ２Ｈａ／　５ｉＨ４＝　１０００〜１００，
０００ｐｐｍでドープして、第２図の如くＰ型化（更に
はＰ＋型化）するとよい。

上記電荷輸送層３は、炭素原子含有量を５〜９０ａｔｏ
ｍｉｃ％　（望ましくは１１０−５０ａｔｏ辷％）とす
ることによって、ρ＝＝　１０１２〜１０１３Ω−ｃｗ
ｔと高抵抗化され、感光体の帯電電位保持能を向上させ
ることができる。感光層５から注入される光キャリアは
、電荷輸送層３中を大きな移動度と寿命で以って移動し
、効率良く支持体１へ到達できるから、電荷輸送性が大
幅に向上する。また、第７図に示す如く、不純物として
周期表第ＨＡ族元素、例えばボロ７ｆ流量比Ｂ２　Ｈａ
　／　５ｉＨ４＝　１〜５００　ｐＰｍでドープすると
、ρＤを１０１３Ω−儒以上とすることができ、これに
よって帯電電位及び電荷輸送能を一層向上させることが
できる。

また、上記表面改質層４については、炭素原子含有量を
４０−９０　ａｔｏｍｉｃ　％　（望ましくは４０〜７
０　ａｔｏｍｉｃチ）とすれば、第８図の如く、光学的
エネルギーギャップが２．４　ｅＶ以上と広がり、比較
的長波長光を透過させ易く、可視及び赤外光に対する窓
材となる。

上記した感光体の各層の厚みについても適切な範囲があ
り、光導電層Ｓは０．３〜５μｍ（望ましくは０．５〜
３μｍ）、ブロッキング層２は１００Ｘ〜１μｍ（望ま
しくは４００〜５０００Ｘ）、電荷輸送層３は２〜８０
μｍ（望ましくは５〜３０μ？７Ｌ）、表面改質層４は
１００〜５０００　Ｘ　（望ましくは４００〜２０００
＾）とすべきである。光導電層５の厚みが０．３μｍ未
満であると光を充分に吸収できず、光感度が低下し、ま
た５μｍを越えることは実用上不適当である。電荷輸送
層２も２μｍ未満であると効果がなく、また就μｍを越
えると実用上不適当であり、製膜に時間がかかる。また
、表面改質層４も１００キング層２も１００Ｘ未満では
ブロッキング効果がなく、１μｍを越えると電荷輸送能
が不良となる。

なお、上記の各層は水素を含有することが必要であるが
、水素を含有しない場合には感光体の電荷保持特性が実
用的なものとはならないからである。このため、水素含
有量は１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％（更には１０〜３０　
ａｔｏｍｉｃ　％　）とするのが望ましい。特に、光導
電層５中の水素含有量は、ダングリングボンドを補償し
て光導電性及び電荷保持性を向上させるために必須不可
欠であって、通常は１〜４０　ａｔｏｍｉｃチであり、
３．５〜２０　ａｔｏｍｉｃ　％であるのがより望まし
い。また、ブロッキング層２の導電型を制御するための
不純物として、Ｐ型化のためにボロン以外にもＡＩ！、
　Ｇａ、　Ｉｎ、　ＴＡ等を使用でき、Ｎ型化にはＮ、
Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ等の周期表第ＶＡ族元素をドープ
できる。

なお、ダングリングボンドを補償するためには、上記し
た）Ｉの代シに、或いはＨと併用してフッ素を導入し、
ａ　−ＳｉＮ　：　Ｆ、　　ａ　−ＳｉＮ　：　Ｈ：　
Ｆ、ａ−８ｉＣ：Ｆ、　ａ−８ｉＣ：Ｈ：　Ｆとするこ
ともできる。この場合のフッ素量は０．０１〜２０　ａ
ｔｏｍｉｃ％がよく、０．５〜１０　ａｔｏｍｉｃ％が
より望ましい。

次に、上記した感光体の製造方法及び装置（グロー放電
装置）を第９図について説明する。

この装置１１の真空槽１２内では、上記した基板１が基
板保持部１４上に固定され、ヒーター１５で基板１を所
定温度に加熱し得るようになっている。基板１に対向し
て高周波電極１７が配され、基板１との間にグロー放電
が生ぜしめられる。なお、図中リコン化合物の供給源、
おはＮＨ３又はＮ２等の窒素の供給源、あはＣＨ，等の
炭化水素ガスの供給源、あはＡｒ又はＨ２等のキャリア
ガス供給源、詔は不純物ガス（例えばＢ２Ｈ６又はＰＨ
３）供給源である。

このグロー放電装置において、まず支持体である例えば
Ｍ基板１の表面を清浄化した後に真空槽１２内に配置し
、真空槽１２内のガス圧が１０　’　Ｔｏｒｒとなるよ
うにバルブ３７を調節して排気し、かつ基板１を所定温
度、例えば３０〜４００’Ｃに加熱保持する。次いで、
高純度の不活性ガスをキャリアガスとして、ＳｉＨ４又
はガス状シリコン化合物、及びＮＨ３又はＮ２を適当量
希釈した混合ガス、及びＣＨ４、Ｂ　２　Ｈｓ等を適宜
真空槽１２内に導入し、例えば０．０１〜１０Ｔｏｒｒ
の反応圧下で高周波電源１６により高周波電圧（例えば
１３．５６　ＭＨｚ　）を印加する。

これによって、上記各反応ガスをグロー放電分解し、Ｎ
型又はＰ型ａ−８ｉＣ：Ｈ，ａ−８ｉＣ：Ｈ。

水素を含むａ−８ｉＮ：Ｈ，ａ−８ｉＣ：Ｈを上記の層
２．３．５．４として基板上に順次堆積させる。

この際、シリコン化合物と窒素化合物又は炭素化合物の
流量比及び基板温度を適宜調整することによって、所望
の組成比及び光学的エネルギーギャップを有するａ　−
５ｉ１−　ｘＮｘ　：　Ｈ，ａ　−５ｉｔ−ｙＣｙ：Ｈ
を析出させることができ、また析出する膜の電気的特性
にさほど影響を与えることなく、１０００Ｘ／ｍｉｎ以
上の速度で堆積させることが可能である。

このようにして、本発明によるＮ型又はＰ型ａ−８ｉＣ
：Ｈ／ａ−８ｉＣ：Ｈ／　ａ−８ｉＮ：Ｉ（／ａ−８ｉ
Ｃ：Ｈを基本構造とする感光体は、使用する反応ガスの
種類及び流量を変えるだけで同一装置によシ順次各層を
製膜することによって作成できる。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スフζツタリング法、イオンブ
レーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化さ
れた水素導入下でａ−８ｉＣを蒸発させる方法（特に、
本出願人による特開昭５６−７８４１３号（％願昭５４
−１５２４５５号）の方法）等によっても上記感光体の
製造が可能である。使用する反応ガスは、８ｉＨ４以外
にも５ｔ２Ｈｓ、ＳｉＦ４．８ｉＨＦａ、又はその誘導
体ガス、ＣＨ４以外のＣ２Ｈ６、ＣａＨｓ等の低級炭化
水素ガスが使用可能である。

第１０図は、本発明による感光体を上記特開昭５６−７
８４１３号の蒸着法により作成するのに用いる蒸着装置
を示すものである。

ペルジャー４１は、バタフライノくルプ４２を有する排
気管４３を介して真空ポンフ責図示せず）を接続し、こ
れによシ当該ペルジャー４１内を例えば１０−３〜１Ｏ
−７Ｔｏｒｒの高真空状態とし、当該ベルジャ＝４１内
には基板１を配置してこれをヒーター４５により温度１
５０〜５００℃、好ましくは２５０〜４５０℃に加熱す
ると共に、直流電源４６により基板１にＯ〜−１０ＫＶ
、好ましくは−１〜−６ＫＶの直流負電圧を印加し、そ
の出口が基板１と対向するようペルジャー４１に出口を
接続して設けた水素ガス放電管４７よりの活性水素及び
水素イオンをペルジャー４１内に導入しながら、基板１
と対向するよう設けたシリコン蒸発源４８及び必要あれ
ばアルミニウム蒸発源４９を加熱すると共に各上方のシ
ャッターＳをに蒸発させ、かつペルジャー４１内へ、放
電管５０によシ活性化されたＮＨ３ガス又はＣＨ４ガス
を導入し、これによりａ−８ｉＮ：Ｈ層５、ａ−ｓｉｃ
：ｌ（層２．３．４（第１図〜第２図参照）を形成する
。

上記の放電管４７、艶の構造を例えば放電管４７につい
て示すと、第１１図の如く、ガス人口６１を有する筒状
の一方の電極部材６２と、この一方の電極部材６２を一
端に設けた、放電空間６３を囲む例えば筒状ガラス製の
放電空間部材６４と、この放電空間部材６４の他端に設
けた、出口師を有するリング状の他方の電極部材６６と
より成シ、前記一方の電極部材６２と他方の電極部材間
との間に直流又は交流の電圧が印加されることにより、
ガス人口６１を介して供給された例えば水素ガスが放電
空間６３においてグロー放電を生じ、これにより電子エ
ネルギー的に賦活された水素原子若しくは分子より成る
活性水素及びイオン化された水素イオンが出口６５より
排出される。この図示の例の放電空間部材礪は二重管構
造であって冷却水を流過せしめ得る構成を有し、６７、
錫が冷却水入口及び出口を示す。６９は一方の電極部材
６２の冷却用フィンである。上記の水素ガス放電管４７
における電極間距離は１０〜１５儂であシ、印加電圧は
６００■、放電空間６３の圧力は１０　”　Ｔｏｒｒ程
度とされる。

次に、本発明の実施例を具体的に説明する。

トリクロルエチレンで洗浄し、０．１％Ｎａ　ＯＨ水溶
液、０．１　％　ＨＮＯ３水溶液でエツチングしたＡｌ
基板を第８図のグロー放電装置内にセントし、反応槽内
を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ台の高真空度に排気し、支持体温度
を２００℃に加熱した後高純度Ａｒガスを導入し、０．
５Ｔｏｒｒの背圧のもとて周波数１３．５６　Ｌ（Ｈｚ
。

電力密度０．０４　Ｗ／ｄの高周波電力を印加し、１５
分間の予備放電を行った。次いで、ＳｉＨ４とＣＨ，か
らなる反応ガスを導入し、（Ａｒ　＋８　ｉＨ４＋　Ｃ
Ｈ４）混合ガス及びＰＨ３又はＢ２Ｈ６ガスをグロー放
電分解することによυ、キャリア注入の防止、及び電荷
輸送用の各ａ−８ｉＣ：Ｈ層を形成した。表面改質層を
形成するには、ＰＨ３又はＢ２Ｈ６ガスは供給せず（Ａ
ｒ　＋　Ｓ　ｉＨ４＋　ＣＨ４）混合ガスを供給し、ａ
−８ｉＣ：Ｈ層を製膜した。光導電層の形成に当っては
、ＳｉＨ４、Ｎ２、及び必要あればＢ２Ｈ６を放電分解
し、ａ−８ｉＮ：Ｈ感光層を形成した。

このようにして作成した電子写真感光体をエレクトロメ
ーター５Ｐ−４２８型（川口電機■製）に装着し、帯電
器放電極に対する印加電圧を６ＫＶとし、５秒間帯電操
作を行ない、この帯電操作直後における感光体表面の帯
電電位を■ｏ（Ｖ）とし、この帯電電位を１／２に減衰
せしめるために必要な照射光量を半減露光量Ｅ　１／２
　（ｌｕｘ　−ｓｅｃ　）とした。表面電位の光減衰曲
線はある有限の電位でフラットとなり、完全にゼロとな
らない場合があるが、この電位を残留電位ＶＲ（Ｖ）と
称する。また、画像濃度については、感光体をドラム状
に作成し、加℃、６０チＲＨで電子写真複写機Ｕ−Ｂｉ
ｘＶ（小西六写真工業■Ｎ）に装着し、絵出しを行ない
、初期画質（１０００コピ一時の画質）及び多数回使用
時の画質（２０万枚コピ一時の画質）を次の如くに評価
した。

画質の評価基準： ◎画像濃度　１．０以上　　（画質が非常に良好）○　
　ｌ　　　Ｏ，６〜１．０（画質が良好）△　　Ｉ　　
　　Ｏ，６未満　　（画像にボケが発生）×濃度が著し
く低く判別不能 本発明による各感光体を比較例と共に第１２図に示した
が、光導電層（感光層）に不純物をドープしないａ−８
ｉＮ：Ｈを用いてもａ−８ｉｒＨ層の感光層と匹敵する
特性を示し、不純物をドープした場合には著しく特性が
向上する。またａ−８ｉＮ：Ｈ層の窒素量によっても特
性をコントロールできる。この感光層をはじめ、ブロッ
キング層、を荷輸送層、表面改質層の組成や厚みを適切
に選べば結果が良好となることも分る。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の実施例を示すものであって、第１図、第
２図は感光体の二側の各断面図、第３図は窒素量による
ａ−８ｉＮ：Ｈの抵抗変化を示すグラフ、 第４図は不純物ドーピングにょるａ−８ｉ（Ｎ）：Ｈの
抵抗変化を示すグラフ、 第５図は窒素量によるａ−８ｉＮ：Ｈの光学的エネルギ
ーギャップの変化を示すグラフ、第６図はリンドープに
よるａ−８ｉＣの抵抗変化を示すグラフ、 第７図はボロンドープによるａ−８ｉＣの抵抗変化を示
すグラフ、 第８図は炭素量によるａ−８ｉＣ：Ｈの光学的エネルギ
ーギャップの変化を示すグラフ、第９図はグロー放電装
置の概略断面図、第１０図は真空蒸着装置の概略断面図
、第１１図はガス放電管の断面図、 第１２図は感光体の各特性を示す図 である。 なお、図面に示された符号において、 １・・・・・・・・・支持体基板 ２・・・・・・・・・ａ−８ｉＣ：Ｈ層（ブロッキング
層）３・・・・・・・・・ａ−８ｉＣ：Ｈ層（電荷輸送
層）４・・・・・・・・・ａ−８ｉＣ：Ｈ層（表面改質
層）５・・・・・・・・・ａ−８ｉＮ：Ｈ層（光導電層
又は感光層） である。 代理人　弁理士　逢　坂　　　宏 第１１ｆｆｉ 弔２図 第３図 第４１ヨ ツー４４Ｎ２　８”４４＋、２ 第５１り 弔８１刻 ａ−５ｉ１−ｘＣｘ：Ｈ 第６１剤 ＰＨ３／ＳｉＨ４（ｐｐｍ） ８２Ｈ６／ＳｉＨ＋　（ｐｐｍ） 第９１９

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基体と、この基体上に形成されたＮ型又はＰ型アモ
   ルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコンからな
   る厚さ１００　Ｘ〜１μｍの電荷プロ・ノキング層と、
   この電荷ブロッキング層上に形成されたアモルファス水
   素化及び／又はフッ素化炭化シリコンからなる厚さ２〜
   ８０μｍの電荷輸送層と、この電荷輸送層上に形成され
   た窒素原子含有アモルファス水素化及び／又はフッ素化
   シリコンからなる厚さ０．３〜５μｍの光導電層と、こ
   の光導電層上に形成されたアモルファス水素化及び／又
   はフッ素化炭化シリコンからなる厚さ１００〜５０００
   久の表面改質層とからなることを特徴とする記録体。 ２、光導電層の窒素原子含有量が１〜３０　ａｔｏｍｉ
   ｃ　％、電荷ブロッキング層及び電荷輸送層の炭素原子
   含有量が夫々５〜９０　ａｔｏｍｉｃ　％、表面改質層
   の炭素原子含有量が４０〜９０　ａｔｏｍｉｃ　％であ
   る、特許請求の範囲の第１項に記載した記録体。 ３、光導電層の窒素原子含有量が１５〜２５　ａｔｏｍ
   ｉｃ％、電荷プロツキ７７層及び電荷輸送層の炭素原子
   含有量が１０〜５０　ａｔｏｍｉｃ％、表面改質層の炭
   素原子含有量が４０〜７０　ａｔｏｍｉｃ　％である、
   特許請求の範囲の第２項に記載した記録体。 ４、光導電層の固有抵抗が、周期表第１ＩＩＡ族元素の
   ドーピングによって１０１０Ω−ＣＵｔ以上となってい
   る、特許請求の範囲の第１項〜第３項のいずれか１項に
   記載した記録体。 ５、光導電層の固有抵抗が、周期表第ｍＡ族元素のドー
   ピングによって１０１２Ω−α以上となっている、特許
   請求の範囲の第４項に記載した記録体。 ６、電荷輸送層の固有抵抗が、周期表第ｍＡ族元素のド
   ーピングによって１０１３Ω−ｍ以上となっている、特
   許請求の範囲の第１項〜第５項のいずれか１項に記載し
   た記録体。 ７、光導電層の厚みが０．５〜３μｍ、電荷プロッキン
   グ層の厚みが４００〜５０００　Ｘ、電荷輸送層の厚み
   が５〜３０μｍ、表面改質層の厚みが４００〜２０００
   久である、特許請求の範囲の第１項〜第６項のいずれか
   １項に記載した記録体。