JPS5967547A - 記録体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は記録体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。

従来、電子写真感光体として、颯　又は聾に厄、Ｔｅ、
　Ｓｂ％ヲ）”−プＬ７’ｃ感光体、Ｚｏｏ　ヤＣｄＳ
　全樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られてい
る。

しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安定
性、機械的強度の点で問題がある。一方、アモルファス
シリコン（ａ−８ｉ）を母材として用いた電子写真感光
体が近年になって提案されている。ａ−８ｉは、５ｉ−
８ｉの結合手が切れたいわゆるダングリングボンドを有
しており、この欠陥に起因してエネルギーギヤノブ内に
多くの局在準位が存在する。このために、熱励起担体の
ホッピング伝導が生じて暗抵抗が小さく、また光励起担
体が局在準位にトラップされて光導電性が悪くなってい
る。そこで、上記欠陥を水素原子−で補償して８ｉにＨ
を結合させることによって、ダングリングボンドを埋め
ることが行なわれる。

このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａｓｉ
：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は１０８−１０９Ω
−儂であって、アモルファスＳｅと比較すれば約１万分
の１も低い。従って、ａ−８ｉ：Ｈの単層からなる感光
体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電電位が低
いという問題点を有している。しかし他方では、可視及
び赤外領域の光を照射すると抵抗率が大きく減少するた
め、感光体の感光層として極めて優れた特性を有してい
る。

そこで、このようなａ−ｓｉ：）（べ位保持能を付与す
るだめ、ホう素をドープすることにより抵抗率を約１０
１２Ω−儂にまで高めることができるが、ホウ素量をそ
のように正確に制御することは容易ではない上に、１０
１２Ω−α程度の抵抗率でもカールソン方式による感光
プロセスに使用するには光感度が不十分であり、電荷保
持特性もなお不十分である。また、ホウ素と共に微量の
酸素を導入することによｐ　１０１３Ω−の程度の高抵
抗化が可能であるが、これを感光体に用いた場合には光
導電性が低下し、裾切れの悪化や残留電位の発生という
問題が生じる。

また、ａ−８ｉ：Ｈを表面とする感光体は、長期に亘っ
て大気や湿気に曝されることによる影響、コロナ放電で
生成される化学種の影響等の如き表面の化学的安定性に
関して、これ迄十分な検討がなされていない。例えば１
力月以上放置したものは湿気の影響を受け、受容電位が
著しく低下することが分っている。更に、ａ　−８ｉ　
：　Ｈ１ｒ！Ａｌｌやステンレス等の支持体に対して膜
付き（接着性）が悪く、電子写真感光体として実用化す
る上で問題となる。この対策として、特開昭５５−８７
１５４号における如きシランカップリング剤、特開昭５
６−７４２５７号における如きポリイミド樹脂又はトリ
アジン樹脂等の有機高分子化合物からなる接着層をａ−
ｓｉ：）（層と支持体との間に設けることが知られてい
る。しかしながら、これらの場合、接着層の形成とａ−
８ｉ：Ｈ層の製膜とを別の方法で行う必要があり、その
ために新たな製膜装置を用いなければならず、作業性が
不良となる。

しかも、ａ−８ｉ：Ｈ層を光導電性の良好なものとする
には、その製膜時の基板（支持体）温度を通常約２００
°Ｃ又はそれ以上に保持することを要するが、このよう
な温度に対し下地の接着層は熱的に耐えることができな
い。

一方、ａ−８ｉ：Ｈに窒素原子を含有せしめた窒素原子
含有ａ−８ｉ：Ｈ（以下、ａ　−８ｉＮ　：　Ｈと称す
ることがある。）によって光導電層を形成することが、
特開昭５４−１４５５３９号、特開昭５７−３７３５２
号の各明細書に記載されている。この公知のａ−８ｉＮ
：Ｈ層は、ボロンのドーピングによって暗所抵抗ρＤが
約１×１０１４Ω−儂に高められ得ると共に二元導電性
（感度）にも優れている。しかしながら、本発明者の検
討によれば、上記の公知の感光体においては、ａ−８ｉ
Ｎ：Ｈ層への導電性支持体からの不要な電荷の注入が生
じ易い上に、ａ−８ｉＮ：Ｈ層と支持体との接着性も不
充分であることが分った。また、ａ−８ｉＮ：Ｈへのボ
ロンドーピング量を制御することは容易ではなく、この
ために帯電電位の保持能（換言すれば光導電層の高抵抗
化）を再現性良く充分に発揮させることが困難である。

本発明は、上記の如き欠陥を是正すべくなされたもので
おって、基体（例えばＭ等の導電性支持体）と、この基
体上に形成されたＮｕ又はＰ型アモルファス水素化及び
／又はフッ素化炭化シリコン（例えばａ−８ｉＣ：　Ｈ
）からなる厚さ１００Ａ〜１μｍの電荷ブロッキング層
と、この電荷プロッキング層上に形成さＦ６モルファス
水素化及び／又はフッ素化炭化シリコン（例えばａ−８
ｉＣ：　Ｈ）からなる厚さ２〜８０μｍの電荷輸送層と
、この電荷輸送層上に形成された窒素原子含有アモルフ
ァス水素化及び／又はフッ素化シリコン（例えばａ−８
ｉＮ　：　Ｈ）からなる厚さ０．３〜５μｍの光導電層
とからなることを特徴とする記録体に係るものである。

本発明によれば、光導電層は窒素含有ａ−８ｉで形成し
ているので、窒素量のコントロールによって可視及び赤
外領域の光に対し優れた感度を示し１、かつ固有抵抗の
制御を不純物ドーピング量で任意に行なえるものとなっ
ている。特に、ホウ素等のドーピングで１０１２Ω−α
以上のρＤを示すので、光感度と共に電位保持能にも優
れた光導電層となる。

しかも、電荷輸送層下には、Ｎ型又はＰ型ａ−８ｉＣか
らなるブロッキング層を設けているので、こ扛がない場
合に比べて、基体からの不要なキャリアの注入を防止し
て感光体の帯電電位の保持能を著しく向上させることが
でき、かつ基体との接着性も充分となる。

しかも、光導電層下には、ａ−８ｉＣからなる電荷輸送
層を設けているので、これがない場合に比べて、高抵抗
ａ−８ｉＣにより感光体の帯電電位の保持能を著しく向
上させることができ、かつ基体との接着性も充分となり
、かつ光導電層からのキャリアは大きな移動度と寿命で
以って効率良く支持体側へ移動することができる。

以下、本発明を実施例について図面参照下に詳細に説明
する。

第１図〜第２図には、感光体の構造が例示されている。

第１図の感光体は、Ｍ等の導電性支持体基板１上に、Ｎ
型（更にはＮ”ｆｊｌ　）　ａ　−ＳｉＣ：　Ｈからな
る電荷ブロッキング層２と、ａ−ｓｉｃ：ｌ（からなる
電荷輸送層３と、ａ−８ｉＮ：Ｈからなる光導電層５と
が順次積層された構造からなっている。

光導電層５は、特に窒素原子含有量を１〜３０ａ−ｔ　
ｏｍｉ　ｃ％（望ましくは１５〜２５　ａｔｏｍｉｃ　
％　）とすることによって、第３図に示す如く、暗所抵
抗率ρＤと光照射時の抵抗率ρＬとの比が充分であり、
光感度（特に可視及び赤外領域の光に対するもの）が良
好となる。壕だ、周期表第ＴＩＩＡ族元素、例えばホウ
素を後述の流量比（Ｂ２Ｈ６／　５ｉＨ４）　＝　１〜
５００ｐｐｍでドーピングすることによって、第４図の
如く、固有抵抗を１０１２０−　ｃｍ以上とし、高抵抗
化できることが分る。この高抵抗化によって電荷保持能
を向上させることができる。これによって、光感度、電
位保持能共に良好な光導電層とすることができる。比較
のために、第４図中に破線でａ　−８ｉ：Ｈへの不純物
ドーピングによる抵抗変化を示したが、ａ−８ｉ：Ｈで
は高抵抗化の程度が不十分であり、しかも１０１０Ω−
α程度でしか安定した高抵抗値を得ることができない。

また、第３図から理解されるように、ａ　−ＳｉＮ　：
　Ｈでは窒素量によってもρを制御できるし、不純物ド
ーピングとの組合せで抵抗制御の範囲を広くとることが
できる。

また、第５図に示す如く、光導電層５は、窒素含有量の
増加に伴なって光学的エネルギーギャップ（ａ−８ｉ：
［（の場合には約１．６５２Ｖ）を太きくし、入射光に
対する吸収特性をコントロールできることが分る。

上記ブロッキング層２は、炭素原子含有量を５〜９０　
ａｔｏｍｉｃ％（望ましくは１０〜５０　ａｔｏｍｉｃ
　％　）とすることによって、ρＤ＝＝　１０１２〜１
０１３Ω−儂と高抵抗化され、感光体の帯電電位保持能
を向上させることができる。ブロッキング効果を高める
ために、第６図の如く、周期表第ＶＡ族元素（例えばリ
ン）のドーピングによって、ａ　−ＳｉＣ：　Ｈ層２を
Ｎ型化すれば特に負帯電時での基板からのホールの注入
が充分に阻止される。このだめのリンドープ量は流量比
で表わせばＲ（３／　５ｉＨ４＝　１００〜１０，００
０ｐｐｍ　（ρＤで１０６．０−ｃｒａ以下）とするの
がよい。また、正帯電時の基板からの電子の注入を充分
に防ぐには、第７図のように周期表第［［Ａ族元素（例
エバホロン）ヲ流量比Ｂ２Ｈ６／　５ｉＨ４＝　５００
〜１００゜０００　ｐｐｍでドープして、第２図の如く
Ｐ型化（更にはＰ１型化）するとよい。

上記電荷輸送層３は、炭素原子含有量を５〜９０ａｔｏ
ｍｉｃ　％　（望ましくは１０〜５０　ａｔｏｍｉｃ　
％　）とすることによって、ρＤ＝１０１２〜１０１３
Ω−のと高抵抗化され、感光体の帯電電位保持能を向上
させることができる。感光層５から注入される光キャリ
アは、電荷輸送層３中を大きな移動度と寿命で以って移
動し、効率良く支持体１へ到達できるから、電荷輸送性
が大幅に向上する。また、第７図に示す如く、不純物と
して周期表第１１’［Ａ族元素、例えばボｏｙｉ流量比
Ｂ２Ｈ６／　５ｉＨ４＝　１〜５００　ｐｐｍでドープ
すると、ρＤを１０１３Ｑ−ｃｘ以上とすることができ
、これによって帯電電位及び電荷輸送能を一層向上させ
ることができる。

上記した感光体の各層の厚みについても適切な範囲があ
り、光導電層３は０．３〜５μｍ（望ましくは０．５〜
３μｍ）、フロラキンク層２ハ１ｏｏＸ〜１μｍ（望ま
しくは４００〜５０００Ｘ）、電荷輸送層３は２〜８０
μｍ（望ましくは５〜３０μｍ）とすべきである。光導
電層３が０．３μｍ未満だと光を充分に吸収できず、光
感度が低下し、また５μｍを越えると実用的でない。ブ
ロッキング層も１００Ｘ未満ではブロッキング効果がな
く、また１μｍを越えると電荷輸送能が不良となる。ま
た、電荷輸送層も２μｍ未満だと効果がなく、８０μｍ
を越えると実用的でなく、製膜に長時間装する。

なお、上記の各層は水素を含有すること７５秘要である
が、水素を含有しない場合には感光体の電荷保持特性が
実用的なものとはならないからである。このため、水素
含有量は１〜４０　ａｔｏｍｉｃ　％（更には１０〜３
０　ａｔｏｍｉｃ％）とするのが望ましい。

特に、光導電層５中の水素含有量は、ダングリングボン
ドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させるため
に必須不可欠であって、通常は１〜４０　ａｔｏｍｉｃ
％であり、３．５〜２０ａｔｏｍｉｃ　％であるのがよ
り望ましい。また、ドーピング不純物として、ボロン以
外にも１’Ｊ　、　Ｇａ　、　　Ｉｎ　、　ＴＡ”ｔｆ
の周期表第１ｕＡ族元素を使用でき、リン以外にもＡｓ
、Ｓｂ、Ｂｉ等の周期表第７Ａ族元素をドープできる。

なお、ダングリングボンドを補償するためには、上記し
たＨの代りに、或いはＨと併用してフッ素を導入し、ａ
　−８ｉＮ　：　ＦＳａ−８ｉＮ　：　Ｈ：　Ｆ、　　
ａ−８ｉＣ：　Ｆ、　　ａ−８ｉＣ：　Ｈ：　Ｆとする
こともできる。この場合のフッ素量は０．０１〜２０　
ａｔｏｍｉｃ　％がよく、０．５〜１０　ａｔｏｍｉｃ
チがより望ましい。

次に、上記した感光体の製造方法及び装置（グロー放電
装置）を第８図について説明する。

この装置１１の真空槽１２内では、上記した基板１が基
れ保持部１４上に固定され、ヒーター１５で基板１を所
定温度で加熱し得るようになっている。基板１に対向し
て高周波電極１７が配され、基板１との間にグロー放電
が生ぜしめられる。なお、図中ノ２０．２１．２２．２
３、冴、５．２７．２８、四、３０．３１．３７、あ、
４０は各パルプ、３２ばＳｉＨ４又はガス状シリコン化
合物の供給源、おはＮＨ３又はＮ２等の窒素の供給源、
あはＣＨ４等の炭化ガスの供給源、３５はＭ又は出等の
キャリアガス供給源、３６は不純物ガス（例えばＢ２Ｈ
６又はＰＨ３）供給源である。このグロー放電装置にお
いて、まず支持体である例えばＭ基板１の表面を清浄化
した後に真空槽１２内に配置し、真空槽１２内のガス圧
が１Ｏ−６Ｔｏｒｒとなるようにパルプ３７を調節して
排気し、かつ基板１を所定温度、例えば３０〜４００℃
に加熱保持する。次いで、高純度の不活性ガスをキャリ
アガスとして、ＳｉＨ＜又はガス状シリコン化合物、及
びＮ１（３又はＮ２を適当量希釈した混合ガス、及びＣ
Ｈ４、ＰＨ３，８２Ｈ６等を適宜真空槽１２内に導入し
、例えば０．０１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波電
源１６により高周波電圧（例えば１３．５６　ＭＨｚ　
）を印加する。これによって、上記各反応ガスをグロー
放電分解し、Ｎ型又はＰ型ａ　−８ｉＣ：Ｈ，ａ−Ｓｉ
Ｃ：　Ｈ１水素ヲ含むａ−８ｉＮ　：　Ｈを上記の層２
．３．５として基板上に順次堆積させる。この際、シリ
コン化合物と窒素化合物又は炭素化合物の流量比及び基
板温度を適宜調整することによって、所望の組成比及び
光学的エネルギーギャップを有するａ−８ｉ１−ＸＬＮ
Ｘ：　Ｈ，ａ　−８ｉｔ　−ｙＣｙ　：　Ｈを析出させ
ることができ、また析出する膜の電気的特性にさほど影
響を与えることなく、１０００　Ａ　７＝以上の速度で
堆積させることが可能である。

このようにして、本発明によるＮ型又はＰ型ａ−８ｉＣ
：　Ｈ／　ａ　−８ｉＣ：　Ｈ／　ａ　−８ｉＮ　：　
Ｈを基本構造とする感光体は、使用する反応ガスの種類
及び流量を変えるだけで同一装置により順次各層を製膜
することによって作製できる。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳｉを蒸発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２
４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が可
能である。使用する反応ガスは、ＳｉＨ４以外にも５ｉ
２Ｈｓ、ＳｉＦ４、ＳｉＨＦ３、又はその誘導体ガス、
ＣＨ４以外のＣ２Ｈ６、Ｃ３Ｈ８等の低級炭化水素ガス
が使用可能である。

第９図は、本発明による感光体を上記特開昭５６−７８
４１３号の蒸着法により作製するのに用いる蒸着装置を
示すものである。

ペルジャー４１はバタフライバルブ４２を有する排気管
４３を介して真空ポンプ（図示せず）を接続し、これに
より当該ペルジャー４１内を例えば１０−３〜１（ｌｌ
ｒ７’Ｉ’ｏ　ｒ　ｒＯ高真空状態とし、当該ペルジャ
ー４１内には基板１を配置してこれをヒーター４５によ
り温度１５０〜５００°Ｃ１好ましくは２５０〜４５０
℃に加熱すると共に、直流電源４６により基板１にＯ〜
−１０ＫＶ。

好ましくは−１〜−６ＫＶの直流負電圧を印加し、その
出口が基板１と対向するようペルジャー４１に出口を接
続して設けた水素ガス放電管４７よりの活性水素及び水
素イオンをペルジャー４１内に導入しながら、基板１と
対向するように設けたシリコン蒸発源４８及び必要あれ
ばアルミニウム蒸発源４９を加熱すると共に各上方のシ
ャッターＳを開き、シリコン及びアルミニウムをその蒸
発速度比が例えば１：１０’となる蒸発速度で同時に蒸
発させ、かつペルジャー４１内へ、放電管間により活性
化されたＮＨ３ガス又はＣＨ４ガスを導入し、これによ
りａ−８ｉＮ：Ｈ層５、ａ−８ｉＣ：Ｈ層２．３（第１
図〜第２図参照）を形成する。

上記の放電管４７、閣の構造を例えば放電管４７につい
て示すと、第１０図の如く、ガス人口６１を有する筒状
の一方の電極部材６２と、この一方の電極部材６２を一
端に設けた、放電空間６３を囲む例えば筒状ガラス製の
放電空間部材餅と、この放電空間部材Ｑの他端に設けた
、出口６５を有するリング状の他方の電極部材６６とよ
りなり、前記一方の電極部材６２と他方の電極部材６６
との間に直流又は交流の電圧が印加されることにより、
ガス人口６１を介して供給された例えば水素ガスが放電
空間６３においてグロー放電を生じ、これにより電子エ
ネルギー的に賦活された水素原子若しくは分子より成る
活性水素及びイオン化された水素イオンが出口６５より
排出される。この図示の例の放電空間部材図は二重管構
造であって冷却水を流過せしめ得る構成を有し、６７．
６８が冷却水入口及び出口を示す。６９は一方の電極部
材６２の冷却用フィンである。上記の水素ガス放電管４
７における電極間距離は１０〜１５ｃｒＩＬであり、印
加電圧は６００　Ｖ、放電空間６３の圧力は１０２Ｔｏ
ｒｒ程度とサレル。

次に、本発明の実施例を具体的に説明する。

トリクロルエチレンで洗浄し、　０．１　％　ＮａＯＨ
水溶液、０．１４　ＨＮＤ３水溶液でエツチングしたＡ
Ｉ基板を第８図のグロー放電装置内にセットし、反応槽
内を１０　　Ｔｏｒｒ台の高真空度に排気し、支持体温
度を２００℃に加熱した後高純度Ｍガスを導入し、０．
５　Ｔｏｒｒの背圧のもとで周波数１３．５６　ＭＨｚ
　、電力布Ｋ　Ｏ，０４Ｗ　／ａｉｌの高周波電力を印
加し、１５分間の予備放電を行った。次いで、ＳｉＨ４
とＣＨ４からなる反応ガスを導入し、（Ａｒ　＋　Ｓ　
ｉＨ４＋　ＣＨ４）混合ガス及びＰＨ３又はＢ２Ｈ６ガ
スをグロー放電分解することにより、キャリア注入の防
止、及び電荷輸送用の各ａ−８ｉＣ：Ｈ層を形成した。

光導電層の形成に当っては、５ＩＨ４、Ｎ汲び必要あれ
ばＢ２Ｈ６を放電分解し、ａ　−ＳｉＮ　：　Ｈ感光層
を形成した。

このようにして作製した電子写真感光体をエレクトロメ
ーターＳＰ　−４２８型（川口電機（へ）製）に装着し
、帯電器放電極に対する印加電圧を６ＫＶとし、５秒間
帯電縁作を行ない、この帯電操作直後における感光体表
面の帯電電位をＶｏ　（Ｖ）　とし、この帯電電位を１
／２に減衰せしめるために必要な照射光量を半減露光量
Ｅ１／２（ｌｕＸ−５ｅｃ）とした。表面電位の光減衰
曲線はある有限の電位でフラットとなり、完全にゼロと
ならない場合があるが、この電位を残留電位ＶＲ（Ｖ）
と称する。また、画質については、感光体をドラム状に
作成し、２０’Ｃ１６０１止で電子写真複写機Ｕ　−Ｂ
ｉｘ　Ｖ（小西六写真工業■製）に装着し、絵出しを行
い、初期画質（１０００コピ一時の画質）及び多数回使
用時の画質（１０万枚コピ一時の画質）を次の如くに評
価した。

０．６〜１．０　０　（画質が良好） 本発明による各感光体を比較例と共に第１１図に示した
が、光導電層（感光層）に不純物をドープし、窒素量を
コントロールした場合には著しく特性が向上する。この
感光層をはじめ、ブロッキング層、電荷輸送層の組成や
厚みを適切に選べば結果が良好となることも分る。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の実施例を示すものであって、第１図、第
２図は感光体の二側の各断面図、第３図は窒素量による
ａ−８ｉＮ：Ｈの抵抗変化を示すグラフ、 第４図は不純物ドーピングによるａ　−８ｉ（Ｎ）：Ｈ
の抵抗変化を示すグラフ、 第５図は窒素量によるａ−８ｉＮ：Ｈの光学的エネルギ
ーギャップの変化を示すグラフ、第６図はリンドープに
よるａ−８ｉＣの抵抗変化を示すグラフ、 第７図はボロンドープによるａ−８ｉＣの抵抗変化を示
すグラフ、 第８図はグロー放電装置の概略断面図、第９図は真空蒸
着装置の概略断面図、 第１０図はガス放電管の断面図、 第１１図は感光体の各特性を示す図 である。 なお、図面に示された符号において、 １・・・支持体基板 ２・・・ａ　−ＳｉＣ：　Ｈ層（ブロッキング層）３・
・・ａ−８ｉＣ：Ｈ層（電荷輸送層）５・・・ａ−８ｉ
Ｎ：Ｈ層（光導電層又は感光層） である。 代理人　弁理士逢　坂　　　宏 第１図 第３図 第４図 ＰＨ３／ＳｉＨ４＋Ｎ２　　　　ＢｚＨ６／ＳｉＨ４＋
Ｎ２第５図 ａ−５ｉ＋−ｘＮｘ：Ｈ 第７ 第６図 Ｐ）Ｉ３／ＳｉＨ４ｆｐｐｍ） １３２）１６／ＳｉＨ４ｆｐｐｍ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基体と、この基体上に形成されたＮ型又はＰ型アモ
   ルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコンからな
   る厚さ１００　Ａ〜、１ｐｍの電荷ブロッキング層と、
   この電荷ブロッキング層上にに 形成さｎヶモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シ
   リコンからなる厚さ２〜８０μｍの１Ｅ荷輸送層と、こ
   の電荷輸送層上に形成された窒素原子含有アモルファス
   水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる厚さ０．３
   〜５μｍの光導電層とからなることを特徴とする記録体
   。 原子 ２、光導電層の窒１看雨量が１〜３０　ａｔｃｎ〕ｉｃ
   　％、電荷ブロッキング層及び電荷輸送層の炭素原子含
   有量が夫々５〜９０　ａｔｏｍｉｃ　＋％である、特許
   請求の範囲の第１項に記載した記録体。 ３、光導電層の窒素原子含有量が１５〜２５ａｔｏｍｉ
   ｃ％電荷ブロッキング層及び電荷輸送層の炭素原子囲の
   第２項に記載した記録体。 ４、光導電層の固有抵抗が、周期表第１ＩＩＡ族元素の
   ドーピングによって１ｏ１２Ω−ｍ以上となっている、
   特許請求の範囲の第１項〜第３項のいずれか１項に記載
   した記録体。 ５、電荷輸送層の固有抵抗が、周期表第１ｆｆＡ族元素
   のドーピングによって１ｏ１３Ω−α以上となっている
   、特許請求の範囲の第１項〜第４項のいずれか１項に記
   載された記録体。 ６、電荷ブロッキング層の厚さが４００〜５０００　Ｘ
   。 電荷輸送層の厚さが５〜３０１Ｘｎ、光導電層の厚さが
   ０，５〜３μｍである、特許請求の範囲の第１項〜第５
   項のいずれか１項に記載した記録体。