JPS5967550A - 記録体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は記録体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。

従来、電子写真感光体として、８ｅ、又はＳｅにＡｓ、
’ｒｅ、　Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄＳ
を樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られている
。しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安
定性、機械的強度の点で問題がある。

一方、アモルファスシリコン（ａ　−Ｓｉ　）　ｋ母材
トして用いた電子写真感光体が近年になって提案されて
いる。ａ　−８ｉは、５ｉ−８ｉの結合手が切れたいわ
ゆるダングリングボンドを有しておシ、この欠陥に起因
してエネルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する
。このために、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗
抵抗が小さく、また光励起担体が局在準位にトラップさ
れて光導電性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水
素原子（６）で補償してＳｌにＨを結合させることによ
って、ダングリングボンドを埋めることが行なわれる。

このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−ｓ
ｉ：）（と称する。）の暗所での抵抗率は１０８〜１０
９Ω−鑵であって、アモルファスＳｅと比較すれば約１
万分の１も低い。従って、ａ−８ｉ：Ｈの単層からなる
感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電電位
が低いという問題点を有している。しかし他方では、可
視及び赤外領域の光を照射すると抵抗率が大きく減少す
るため、感光体の感光層として極めて優れた特性を有し
ている。

そこで、このようなａ−８ｉ：Ｈに電位保持能を付与す
るため、ホウ素をドープすることによシ抵抗率を約１Ｏ
Ｌ２Ω−儂にまで高めることができるが、ホウ素量をそ
のように正確に制御することは容易ではない上に、１０
１２Ω−儂程度の抵抗率でもカールソン方式による感光
プロセスに使用するには光感度が不十分であり、電荷保
持特性もなお不十分である。また、ホウ素と共に微量の
酸素を導入することにより１０１３Ω−鑞程度の高抵抗
化が可能であるが、これを感光体に用いた場合には光導
電性が低下し、裾切れの悪化や残留電位の発生という問
題が生じる。

また、ａ−８ｉ：Ｈを表面とする感光体は、長期に亘っ
て大気や湿気に曝されることによる影響、コロナ放電で
生成される化学種の影響等の如き表面の化学的安定性に
関して、これ迄十分な検討がなされていない。例えば１
力月以上放置したものは湿気の影響を受け、受容電位が
著しく低下することが分っている。更に、ａ−８ｉ：Ｈ
はＭやステンレス等の支持体に対して膜付き（接着性）
が悪く、電子写真感光体として実用化する上で問題とな
る。この対策として、特開昭５５−８７１５４号におけ
る如きシランカップリング剤、特開昭５６−７４２５７
号における如きポリイミド樹脂又はトリアジン樹脂等の
有機高分子化合物からなる接着層をａ−８ｉ：Ｈ層と支
持体との間に設けることが知られている。しかしながら
、これらの場合、接着層の形成とａ−８ｉ：Ｈ層の製膜
とを別の方法で行なう必要があり、そのために新たな製
膜装置を用いなければならず、作業性が不良となる。

しかも、ａ−ｓｉ：）！層を光導電性の良好なものとす
るには、その製膜時の基板（支持体）温度を通常約２０
０℃又はそれ以上に保持することを要するが、このよう
な温度に対し下地の接着層は熱的に耐えることかできな
い。

一方、ａ−８ｉ：Ｈに窒素原子を含有せしめた窒素原子
含有ａ−８ｉ：Ｈ（以下、ａ−８ｉＮ：Ｈと称すること
がある。）によって光導電層を形成することが、特開昭
５４−１４５５３９号、特開昭５７−３７３５２号の各
明細書に記載されている。この公知のａ−８ｉＮ：Ｈ層
は、ボロンのドーピングによって暗所比抵抗ρＤが約Ｉ
　Ｘ　１０１４Ω−ぼに高められ得ると共に、光導電性
（感度）にも優れている。

しかしながら、本発明者の検討によれば、上記の公知の
感光体においては、ａ−８ｉＮ：Ｈ層への導電性支持体
からの不要な電荷の注入が生じ易い上に、ａ−８ｉＮ：
Ｈ層と支持体との接着性も不充分であることが分った。

また、ａ−８ｉＮ：Ｈへのボロンドーピング量を制御す
ることは容易ではなく、このために帯電電位の保持能（
換言すれば光導電層の高抵抗化）を再現性良く充分に発
揮させることが困難である。加えて、光導電層から注入
されるキャリア（光キャリア）が支持体基板側へはスム
ーズに移動し得ない構造となっており、これも帯電電位
特性にとって不都合である。更に、ａ　−８ｉＮ：Ｈ層
上に表面被覆層を設けた例もあるが、表面被覆層は合成
樹脂から形成されているにすぎないので、耐刷性をはじ
め、耐熱性、繰返し使用時の電子写真特性の安定性、表
面の化学的安定性、機械的強度等が充分ではないことも
分った。しかも上記の表面被覆層は、ａ−８ｉＮ：Ｈ層
へ入射すべき光を吸収若しくは反射し易いために、光感
度も低下させてしまうという欠点がある。

本発明は、上記の如き欠陥を是正すべくなされたもので
あって、基体（例えば、υ等の導電性支持体）と、この
基体上に形成された窒素原子含有アモルファス水素化及
び／又はフッ素化シリコン（例えばａ−８ｉＮ：Ｈ）か
らなる厚さ１００Ｘ〜１μｍの電荷ブロッキング層と、
この電荷ブロッキング層上に形成されたアモルファス水
素化及び／又はフッ素化炭化シリコン（例えばａ−８ｉ
Ｃ：Ｈ）からなる厚さ２〜８０μｍの電荷輸送層と、こ
の電荷輸送層上に形成された窒素原子含有アモルファス
水素化及び／又はフッ素化シリコン（例えばａ−８ｉＮ
：Ｈ）からなる厚さ０．３〜５μｍの光導電層と、この
光導電層上に形成されたアモルファス水素化及び／又は
フッ素化炭化シリコン（例えばａ−８ｉＣ：Ｈ）からな
る厚さ１００〜５０００Ａの表面改質層とからなること
を特徴とする記録体に係るものである。

本発明によれば、光導電層は窒素含有ａ−８ｉで形成し
ているので、窒素量のコントロールによって可視及び赤
外領域の光に対し優れた感度を示し、かつ固有抵抗の制
御を窒素量及び不純物ドーピング量で任意に行なえるも
のとなっている。特に、ホウ素等のドーピングで１０１
０Ω−ｃｎＬ以上のρＤを示すので、光感度と共に電位
保持能にも優れた光導電層となる。

しかも、電荷輸送層下には、ａ−８ｉＮからなるブロッ
キング層を設けているので、これがない場合に比べて、
基体からの不要なキャリアの注入を防止して感光体の帯
電電位の保持能を著しく向上させることができ、かつ基
体との接着性も充分となる。しかも、光導電層下には、
ａ−８ｉＣからなる電荷輸送層を設けているので、これ
がない場合に比べて、高抵抗ａ−８ｉＣにより感光体の
帯電電位の保持能を著しく向上させることができ、かつ
光導電層からのキャリアは大きな移動度と寿命で以って
効率良く支持体側へ移動することができる。

更に、光導電層上には表面改質層としてａ−８ｉＣ層を
設けているが、このａ−８ｉＣは耐熱性や表面硬度が高
く、炭素量によって可視及び赤外領域の光を効果的に透
過させ得る窓材として機能する。

このため、耐刷性、耐熱性、光感度、繰返し使用時の電
子写真特性の安定性、感光体表面の化学的安定性、機械
的強度、保存中の経時変化の防止作用等を著しく向上さ
せることができる。

以下、本発明を実施例について図面参照下に詳細に説明
する。

第１図〜第３図には、感光体の構造が例示されている。

第１図の感光体は、Ｍ等の導電性支持体基板１上に、真
性のａ−８ｉＮ：Ｈからなる高抵抗電荷ブロッキング層
２と、ａ−８ｉＣ：Ｈからなる電荷輸送層３と、ａ−８
ｉＮ：Ｈからなる光導電層５と、ａ−８ｉＣ：Ｈからな
る表面改質層４とが順次積層された構造からなっている
。

光導電層５は、特に窒素原子含有量を１〜３０ａｔｏｍ
ｉｃ％　（望ましくは１５〜２５　ａｔｏｍｉｃ％）と
することによって、第４図に示す如く、暗所抵抗率ρＤ
と光照射時の抵抗率ρＬとの比が充分であシ、光感度（
特に可視及び赤外領域の光に対するもの）が良好となる
。また、周期表第ｍＡ族元素、例えばホウ素を後述の流
量比（Ｂ２　Ｈ６／　８１Ｈ４）　＝　１〜５００　ｐ
ｐｍでドーピングすることによって、第５図の如く、固
有抵抗を１０′。Ω−α以上（更には１０１２Ω−１ｍ
以上）とし、高抵抗化できることが分る。この高抵抗化
によって電荷保持能を向上させることができる。これに
よって、光感度、電位保持能共に良好な光導電層とする
ことができる。比較のために、第５図中に破線でａ−８
ｉ：Ｈへの不純物ドーピングによる抵抗変化を示したが
、ａ−８ｉ：Ｈでは高抵抗化の程度が不充分であり、し
かも１０９Ω−ｃｒｎ程度でしか安定した高抵抗値を得
ることができない。また、第４図から理解されるように
、ａ−８ｉＮ：Ｈでは窒素量によってもρを制御できる
し、不純物ドーピングとの組合せで抵抗制御の範囲を広
くとることができる。また、第６図に示す如く、光導電
層５は、窒素含有量の増加に伴なって光学的エネルギー
ギャップ（ａ−８ｉ：Ｈの場合には約１．６５　ｅＶ　
）を大きくし、入射光に対する吸収特性をコントロール
できることが分る。

上記ブロッキング層２は、窒素原子含有量を５〜５０　
ａｔｏｍｉｃ％（望ましくは１０〜４０　ａｔｏｍｉｃ
％　）としかつブロッキング効果を高めるために、第５
図の如く、周期表第ＶＡ族元素（例えばリン）のドーピ
ング（ＰＨ３／　８ｉＨ４＝　１０〜１０，０００　ｐ
ｐｍ　）によってａ−８ｉＮ：Ｈ層２を第２図のように
Ｎ型化すれば特に負帯電時での基板からのホールの注入
が充分に阻止される。このだめのリンドープ量は流量比
で表ワセばＰＨ３／５ｉＨ４＝１０〜１ｏ、ｏｏｏｐｐ
ｍ（ρＤで１０６Ω−σ以下）とするのがよい。また、
正帯電時の基板からの電子の注入を充分に防ぐには、第
５図のように周期表第１ＩＩＡ族元素（例えばポロン）
を流量比Ｂ２Ｈ６／　ＳｉＨ４＝　１０００〜１００，
０００　ｐｐｍでドープして、第３図の如くＰ型化（更
にはＰ＋型化）するとよい。

上記電荷輸送層３は、炭素原子含有量を５〜９０ａｔｏ
ｍｉｃ％　（望ましくは１０〜５０　ａｔｏｍｉｃ　％
　）とすることによって、ρ＝＝　１０１２〜１０１３
Ω−砂と高抵抗化され、感光体の帯電電位保持能を向上
させることができる。感光層５から注入される光キャリ
アは、電荷輸送層３中を大きな移動度と寿命で以って移
動し、効率良く支持体１へ到達できるから、電荷輸送性
が大幅に向上する。また、第７図に示す如く、不純物と
して周期表第ｎｌＡ族元素、例えばボ０７を流量比Ｂ２
　Ｈ６／　Ｓ　ｉＨ４＝　１〜５００　ｐｐｍでドープ
すると、ρＤを１０１３Ω−の以上とすることができ、
これによって帯電電位及び電荷輸送能を一層向上させる
ことができる。

また、上記表面改質層４については、炭素原子含有量を
４０〜９０　ａｔｏｍｉｃ　％　（望ましくは４０〜７
０　ａ　ｔｏｍｉｃチ）とすれば、第８図の如く、光学
的エネルギーギャップが２．４　ｅＶ以上と広がり、比
較的長波長光を透過させ易く、可視及び赤外光に対する
窓材となる。

上記した感光体の各層の厚みについても適切な範囲があ
り、光導電層Ｓは０．３〜５μｍ（望ましくｔｒｉ　Ｏ
，５〜３　ｐｍ　）、フロラキンク層２ハ１ｏｏＸ〜１
μｍ（望ましくは４００〜５０００Ｘ）、電荷輸送層３
は２〜８０μ７７Ｉ（望ましくは５〜３０μｍ）、表面
改質層４ハ１００〜５０００Ｘ（望マシくハ４ｏｏ〜２
ｏｏ。

Ｘ）とすべきである。光導電層Ｓの厚みが０．３μｍ未
満であると光を充分に吸収できず、光感度が低下し、ま
た５μｍを越えることは実用上不適当である。電荷輸送
層２も２μｍ未満であると効果がなく、また（資）μｍ
を越えると実用上不適当であシ、製膜に時間がかかる。

また、表面改質層４も１００キング層２も１００　Ｘ未
満ではブロッキング効果がなく、１μｍを越えると電荷
輸送能が不良となる。

なお、上記の各層は水素を含有することが必要であるが
、水素を含有しない場合には感光体の電荷保持特性が実
用的なものとはならないからである。このため、水素含
有量は１〜４０　ａｔｏｍｉｃ　％　（更には１０〜３
０　ａｔｏｍｉｃ％）とするのが望ましい。特に、光導
電層５中の水素含有量は、ダングリングボンドを補償し
て光導電性及び電荷保持性を向上させるために必須不可
欠であって、通常は１〜４０　ａｔｏｍｉｃチであシ、
３．５〜２０　ａｔｏｍｉｃ％であるのがより望ましい
。また、ブロッキング層２の導電型を制御するための不
純物として、Ｐ型化のためにボロン以外にもんζＧａ、
Ｉｎ、Ｔ７等を使用でき、Ｎ型化にはＮ、　Ｐ、　Ａｓ
、　ｓｂ、　Ｂｉ等の周期表第ＶＡ族元素をドープでき
る。

なお、ダングリングボンドを補償するためには、上記し
たＨの代りに、或いはＨと併用してフ・ン素を導入し、
ａ−８ｉＮ　：　Ｆ、　ａ−８ｉＮ　：　Ｈ：　Ｆ。

ａ−８ｉＣ：　Ｆ、　ａ−８ｉＣ：　Ｈ：　Ｆとするこ
ともできる。この場合のフッ素量は０．０１〜２０　ａ
ｔｏｍｉｃ％がよく、０．５〜１０　ａｔｏｍｉｃ係が
より望ましい。

次に、上記した感光体の製造方法及び装置（グロー放電
装置）を第９図について説明する。

この装置１１の真空槽１２内では、上記した基板１が基
板保持部１４上に固定され、ヒーター１５で基板１″ｆ
！：所定温度に加熱し得るようになっている。基板１に
対向して高周波電極１７が配され、基板１との間にグロ
ー放電が生せしめられる。なお、図中リコン化合物の供
給源、おはＮＨ３又はＮ２等の窒素の供給源、討はＣＨ
４等の炭化水素ガスの供給源、あはＡｒ又はＨ２等のキ
ャリアガス供給源、３６は不純物ガス（例えばＢ　２　
Ｈａ又はＰＨ３）供給源である。

このグロー放電装置において、まず支持体である例えば
Ｍ基板１の表面を清浄化した後に真空槽１２内に配置し
、真空槽１２内のガス圧が１０＝　Ｔｏｒｒとなるよう
にパルプ３７を調節して排気し、かつ基板１を所定温度
、例えば３０〜４００℃に加熱保持する。次いで、高純
度の不活性ガスをキャリアガスとして、ＳｉＨ４又はガ
ス状シリコン化合物、及びＮＨ３又はＮ２を適当量希釈
した混合ガス、及びＣＨ４、Ｂ２Ｈ６等を適宜真空槽１
２内に導入し、例えば０．０１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧
下で高周波電源１６により高周波電圧（例えば１３．５
６　ＭＨｚ　）を印加する。

これによって、上記各反応ガスをグロー放電分解し、λ
型、Ｎ型又はＰ型ａ　−８ｉＮ　：　Ｈ，ａ　−ＳｉＣ
：Ｈ１水素を含むａ−８ｉＮ：Ｈ％ａ−８ｉＣ：Ｈ′ｆ
ｃ上記の層２．３．５．４として基板上に順次堆積させ
る。この際、シリコン化合物と窒素化合物又は炭素化合
物の流量比及び基板温度を適宜調整することによって、
所望の組成比及び光学的エネルギーギャップを有するａ
　−Ｓｉｔ　−ｘＮｘ　：　Ｈ，ａ　−８ｉ１−ｙＣｙ
　：　Ｈを析出させることができ、また析出する膜の電
気的特性にさほど影響を与えることなく、１００ＯＸ／
ｍｉｎ以上の速度で堆積させることが可能である。

このようにして、本発明によるａ−８ｉＮ：Ｈ／ａ−８
ｉＣ：　Ｈ／　ａ−８ｉＮ　：　Ｈ／　ａ−８ｉＣ：　
Ｈ＠基本構造とする感光体は、使用する反応ガスの種類
及び流量を変えるだけで同一装置によシ順次各層を製膜
することによって作成できる。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でａ−８ｉＣｉ蒸発させる方法（特に、本
出願人による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−
１５２４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製
造が可能である。

使用する反応ガスは、５ｉ）Ｉ４以外にもＳｉ２Ｈ６，
８ｉＦ４．８ｉＨＦａ、又はその誘導体ガス、ＣＨ４以
外のＣ２Ｈ６、ＣａＨｓ等の低級炭化水素ガスが使用可
能である。

第１０図は、本発明による感光体を上記特開昭５６−７
８４１３号の蒸着法によシ作成するのに用いる蒸着装Ｒ
を示すものである。

ペルジャー４１は、バタフライバルブ４２ヲ有する排気
管４３を介して真空ポンプ（図示せず）を接続し、これ
により当該ペルジャー４１内を例えば１ｏ−３〜ＩＦ７
Ｔｏｒｒの高真空状態とし、当該ペルジャー４１内には
基板１を配置してこれをヒーター４５により温度１５０
〜５００°Ｃ１好ましくは２５０〜４５０℃に加熱する
と共に、直流電源４６によシ基板１にθ〜−１０ＫＶ、
好ましくは−１〜−６１αの直流負電圧を印加し、その
出口が基板１と対向するようペルジャー４１に出口を接
続して設けた水素ガス放電管４７よすの活性水素及び水
素イオンをペルジャー４１内に導入しながら、基板１と
対向するよう設けたシリコン蒸発源４８及び必要あれば
アルミニウム蒸発源４９を加熱すると共に各上方のシャ
ッターＳをに蒸発させ、かつペルジャー４１内へ、放電
管５ｏにより活性化されたＮＨ３ガス又はＣＨ４ガスを
導入し、これによりａ−８ｉＮ：Ｈ層２．５、ａ−８ｉ
Ｃ：Ｈ層３．４（第１図〜第３図参照）を形成する。

上記の放電管４７、関の構造を例えば放電管４７につい
て示すと、第１１図の如く、ガス人口６１ヲ有する筒状
の一方の電極部材６２と、この一方の電極部材６２を一
端に設けた、放電空間６３を囲む例えば筒状ガラス製の
放電空間部材図と、この放電空間部材６４の他端に設け
た、出口６５ヲ有するリング状の他方の電極部材６６と
より成り、前記一方の電極部材６２と他方の電極部材６
６との間に直流又は交流の電圧が印加されることにより
、ガス人口６１を介して供給された例えば水素ガスが放
電空間偶においてグロー放電を生じ、これにより電子エ
ネルギー的に賦活された水素原子若しくは分子より成る
活性水素及びイオン化された水素イオンが出口６５よシ
排出される。この図示の例の放電空間部材６４は二重管
構造であって冷却水を流過せしめ得る構成を有し、６７
、絽が冷却水入口及び出口を示す。６９は一方の電極部
材６２の冷却用フィンである。上記の水素ガス放電管４
７における電極間距離は１０〜１５儒であり、印加電圧
は６００Ｖ、放電空間Ｂの圧力は１０”Ｔｏｒｒ程度と
される。

次に、本発明の実施例を具体的に説明する。

トリクロルエチレンで洗浄し、０．１％ＮａＯＨ水溶液
、０．１％ＨＮＯ３水溶液でエツチングしたＭ基板を第
８図のグロー放電装置内にセットし、反応槽内’ｅ　１
０−’　Ｔｏｒｒ台の高真空度に排気し、支持体温度を
２００℃に加熱した後高純度Ａｒガスを導入し、０．５
Ｔｏｒｒの背圧のもとて周波数１３．５６　ＭＨｚ　、
　　電力密度０．０４　Ｗ／ｃｒｌの高周波電力を印加
し、１５分間の予備放電を行った。次いで、ＳｉＨ４と
ＮＨ３又はＣＨ４からなる反応ガスを導入し、（Ａｒ　
＋８　ｉＨ４＋ＮＨ３又はＣＨ４）混合ガス及びＰＨ３
又はＢ２Ｈ６ガスをグロー放電分解することにより、キ
ャリア注入の防止、及び電荷輸送用のａ−８ｉＮ：Ｈ層
、ａ　−８ｉＣ：　Ｈ層を形成した。表面改質層を形成
するには、ＰＨ３又はＢ２Ｈ６ガスは供給せず（Ａｒ　
＋　Ｓ　ｉＨ４＋ＣＨ４）混合ガスを供給し、ａ−８ｉ
Ｃ：Ｈ層を製膜した。光導電層の形成に尚っては、Ｓｉ
Ｈ４、Ｎ２、及び必要あればＢ２Ｈ６を放電分解し、ａ
−８ｉＮ：Ｈ感光層を形成した。

このようにして作成した電子写真感光体をエレクトロメ
ーター５Ｐ−４２８型（川口電機■製）に装着し、帯電
器放電極に対する印加電圧を６ＫＶとし、５秒間帯電操
作を行ない、この帯電操作直後における感光体表面の帯
電電位をＶｏ　（Ｖ）とし、この帯電電位を１／２に減
衰せしめるために必要な照射光量を半減露光量Ｂ　１／
２　（ｌｕｘ　−ｓｅｅ　）とした。表面電位の光減衰
曲線はある有限の電位でフラットとなり、完全にゼロと
ならない場合があるが、この電位を残留電位ｖＲ（ｖ）
と称する。また、画像濃度については、感光体をドラム
状に作成し、２０℃、６０　％　Ｒ）Ｉ　ｆ　Ｎ子ｎ真
複写ｍ　Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　Ｖ　（小西六写真工業＠製）
に装着し、絵出しを行ない、初期画質（１０００コピ一
時の画質）及び多数回使用時の画質（２０万枚コピ一時
の画質）を次の如くに評価した。

画質の評価基準： ◎画像濃度　１．０以上　　（画質が非常に良好）○　
　ｌ　　　　０．６〜１，０（画質が良好）△　　１０
．６未満　　（画像にボケが発生）×濃度が著しく低く
判別不能 本発明による各感光体を比較例と共に第１２図に示した
が、光導電層（感光層）に不純物をドープしないａ−８
ｉＮ：Ｈを用いてもａ−８ｉ：Ｈ層の感光層と匹敵する
特性を示し、不純物をドープした場合には著しく特性が
向上する。またａ−８ｉＮ：Ｈ層の窒素量によっても特
性をコントロールできる。この感光層をはじめ、ブロッ
キング層、電荷輸送層、表面改質層の組成や厚みを適切
に選べば結果が良好となることも分る。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の実施例を示すものであって、第１図、第
２図、第３図は感光体の二側の各断面図、 第４図は窒素量によるａ−８ｉＮ：Ｈの抵抗変化を示す
グラフ、 第５図は不純物ドーピングによるａ−８ｉ（Ｎ）：Ｈの
抵抗変化を示すグラフ、 第６図は窒素量によるａ　−ＳｉＮ　：　Ｈの光学的エ
ネルギーギャップの変化を示すグラフ、第７図はボロン
ドープによるａ−８ｉＣの抵抗変化を示すグラフ、 第８図は炭素量によるａ−８ｉＣ：Ｈの光学的エネルギ
ーギャップの変化を示すグラフ、第９図はグロー放電装
置の概略断面図、第１０図は真空蒸着装置の概略断面図
、第１１図はガス放電管の断面図、 第１２図は感光体の各特性を示す図 である。 なお、図面に示された符号において、 １・・・・・・・・・支持体基板 ２・・・・・・−・・ａ−８ｉＮ：Ｈ層（ブロッキング
層）３・・・・・・・・・ａ−８ｉＣ：Ｈ層（電荷輸送
層）４・・・・・−・・・ａ−８ｉＣ：Ｈ層（表面改質
層）５・・・・・・・・・ａ−８ｉＮ：Ｈ層（光導電層
又は感光層） である。 代理人　弁理士　逢　坂　　　宏 第１］コ 第２）口 第３１ヨ 第４１０ ａ−Ｓｉ＋−ＸＮ　Ｘ：Ｈ ＠５）フ 皐６１η ａ−３ｉ１−ｘＮＸ：Ｈ 第７）コ Ｂ２Ｂ２Ｈ６ｌ５ｉＨ４（ｐｐ 第８１０ ａ−３ｉ１−ｘＣｘ：Ｈ” 圭９）コ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基体と、この基体上に形成された窒素原子含有アモ
   ルファス水素化及び／又はフ・ノ素化シリコンからなる
   厚さ１００　Ｘ〜１μｍの電荷ブロッキング層と、この
   電荷ブロッキング層上に形成されたアモルファス水素化
   及び／又はフッ素化炭化シリコンからなる厚さ２〜８０
   μｍの電荷輸送層と、この電荷輸送層上に形成された窒
   素原子含有アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリ
   コンからなる厚さ０．３〜５μｍの光導電層と、この光
   導電層上に形成されたアモルファス水素化及び／又はフ
   ッ素化炭化シリコンからなる厚さ１００〜５０００　Ｘ
   の表面改質層とからなることを特徴とする記録体。 ２、光導電層の窒素原子含有量が１〜３０　ａｔｏｍｉ
   ｃ％、電荷プロツ十ング層の窒素原子含有量が５〜５０
   ａｔｏｍｉｃ％、電荷輸送層の炭素原子含有量が５〜９
   ゜ａｔｏｍｉｃ％、表面改質層の炭素原子含有量が４０
   〜９０ａｔｏｍｉｃ　％である、特許請求の範囲の第１
   項に記載した記録体。 ３、光導電層の窒素原子含有量が１５〜２５　ａｔｏｍ
   ｉｃ　％、電荷ブロッキング層の窒素原子含有量が１０
   〜４０ａｔｏｍｉｃ％、電荷輸送層の炭素原子含有量が
   １０〜５０ａｔｏｍｉｃ％、表面改質層の炭素原子含有
   量が４０〜７０ａｔｏｍｉｃ％である、特許請求の範囲
   の第２項に記載した記録体。 ４、光導電層の固有抵抗が周期表第■Ａ族元素のドーピ
   ングによって１０１０Ω−鑵以上となっており、電荷ブ
   ロッキング層が周期表第■Ａ族又は第ＶＡ族元素のドー
   ピングによってＰ型又はＮ型の導電型を示している、特
   許請求の範囲の第１項〜第３項のいずれか１項に記載し
   た記録体。 ５、光導電層の固有抵抗が周期表第ｍＡ族元素のドーピ
   ングによって１０１２Ω−ツリ上となっている、特許請
   求の範囲の第４項に記載した記録体。 ６、電荷輸送層の固有抵抗が、周期表第ｍＡ族元素のド
   ーピングによって１０１３Ω−ｍ以上となっている、特
   許請求の範囲の第１項〜第５項のいずれか１項に記載し
   た記録体。 ７、光導電層の厚みが０．５〜３μｍ、電荷ブロッキン
   グ層の厚みが４００〜５０００Ａ、電荷輸送層の厚みが
   ５〜３０μｍ、表面改質層の厚みが４００〜２０００裏
   である、特許請求の範囲の第１項〜第６項のいずれか１
   項に記載した記録体。