JPS5967544A - 記録体 - Google Patents
記録体Info
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- JPS5967544A JPS5967544A JP17800582A JP17800582A JPS5967544A JP S5967544 A JPS5967544 A JP S5967544A JP 17800582 A JP17800582 A JP 17800582A JP 17800582 A JP17800582 A JP 17800582A JP S5967544 A JPS5967544 A JP S5967544A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- charge transport
- nitrogen
- substrate
- photoconductive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は記録体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。
ある。
従来、電子写真感光体として、Ｓｅ１又はＳｅにＡ８、
Ｔｅ、Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯ＋ｃｄｓを樹
脂バインダーに分散させた感光体等が知られている。し
かしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安定性
、機械的強度の点で問題がある。
Ｔｅ、Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯ＋ｃｄｓを樹
脂バインダーに分散させた感光体等が知られている。し
かしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安定性
、機械的強度の点で問題がある。
一方、アモルファスシリコン（ａ−８ｔ）ｔ”母材トし
て用いた電子写真感光体が近年になって提案されている
。ａ−８ｉは、５ｉ−８１の結合手が切れたいわゆるダ
ングリングボンドを有しておル、この欠陥に起因してエ
ネルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。この
ために、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗が
小さく、マた光励起担体が局在準位にトラップされて光
導電性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水素原子
（Ｈ）で補償して８１にＨを結合させることによって、
ダングリングボンドを埋めることが行なわれる。
て用いた電子写真感光体が近年になって提案されている
。ａ−８ｉは、５ｉ−８１の結合手が切れたいわゆるダ
ングリングボンドを有しておル、この欠陥に起因してエ
ネルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。この
ために、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗が
小さく、マた光励起担体が局在準位にトラップされて光
導電性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水素原子
（Ｈ）で補償して８１にＨを結合させることによって、
ダングリングボンドを埋めることが行なわれる。
このようなアモルファス水素化シリコン（以下ａ−８１
：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は１０８〜１０゜Ω
−ｍであって、アモルファスＳｅと比較すれば約１万分
の１も低い。従って、ａ−８ｉ：Ｈの単層からなる感光
体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電電位が低
いという問題点を有している。
：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は１０８〜１０゜Ω
−ｍであって、アモルファスＳｅと比較すれば約１万分
の１も低い。従って、ａ−８ｉ：Ｈの単層からなる感光
体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電電位が低
いという問題点を有している。
しかし他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると抵
抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極め
て優れた特性を有している。
抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極め
て優れた特性を有している。
そこで、このようなａ−８１：Ｈに電位保持能を付与す
るため、ホウ素をドープすることにより抵抗率を約１０
１０−αにまで高めることができるが、ホウ素蓋をその
ように正確に制御することは容易ではない上に、１０″
Ω−副程度の抵抗率でもカールソン方式による感光プロ
セスに使用するには光感度が不十分であり、電荷保持特
性もなお不十分である。また、ホウ素と共に徽貸の酸素
を導入することにより１０１３Ω−副程度の高抵抗化が
可能であるが、これを感光体に用いた場合には光導電性
が低下し、裾切れの悪化や残留電位の発生という問題が
生じる。
るため、ホウ素をドープすることにより抵抗率を約１０
１０−αにまで高めることができるが、ホウ素蓋をその
ように正確に制御することは容易ではない上に、１０″
Ω−副程度の抵抗率でもカールソン方式による感光プロ
セスに使用するには光感度が不十分であり、電荷保持特
性もなお不十分である。また、ホウ素と共に徽貸の酸素
を導入することにより１０１３Ω−副程度の高抵抗化が
可能であるが、これを感光体に用いた場合には光導電性
が低下し、裾切れの悪化や残留電位の発生という問題が
生じる。
また、ａ−８１：Ｈを表面とする感光体は、長期に亘っ
て大気や湿気に曝されることによる影響、コロナ放電で
生成される化学種の影響等の如き表面の化学的安定性に
関して、これ迄十分な検討がなされていない。例えば１
力月以上放置したものは湿気の影響を受け、受容電位が
著しく低下することが分っている。更に、ａ−８ｉ：Ｈ
はＡＩやステンレス等の支持体に対して膜付き（接着性
）が悪く電子写真感光体として実用化する上で問題とな
る。
て大気や湿気に曝されることによる影響、コロナ放電で
生成される化学種の影響等の如き表面の化学的安定性に
関して、これ迄十分な検討がなされていない。例えば１
力月以上放置したものは湿気の影響を受け、受容電位が
著しく低下することが分っている。更に、ａ−８ｉ：Ｈ
はＡＩやステンレス等の支持体に対して膜付き（接着性
）が悪く電子写真感光体として実用化する上で問題とな
る。
この対策として、特開昭５５−８７１５４号における如
きシランカップリング剤、特開昭５６−７４２５７号に
おける如きポリイミド樹脂又はトリアジン樹脂等の有機
高分子化合物からなる接着層をａ−８ｉ：Ｈ層と支持体
との間に設けることが知られている。
きシランカップリング剤、特開昭５６−７４２５７号に
おける如きポリイミド樹脂又はトリアジン樹脂等の有機
高分子化合物からなる接着層をａ−８ｉ：Ｈ層と支持体
との間に設けることが知られている。
しかしながら、これらの場合、接着層の形成とａ−８ｉ
二Ｈ層の製膜とを別の方法で行なう必要があり、そのた
めに新たな製藤装置を用いなければならず、作業性が不
良となる。しかもａ−８ｉ：Ｈ層を光導電性の良好なも
のとするには、その製膜時の基板（支持体）温度を通常
約２００℃又はそれ以上に保持することを要するが、こ
のよう々温度に対し下地の接着層は熱的に耐えることは
できない〇 一方、ａ−８ｉ：Ｈに窒素原子を含有せしめた窒素原子
含有ａ−８１：Ｈ（以下、ａ−８ＩＮ：Ｈと称すること
がある。）によって光導電層を形成することが、特開昭
５４−１４５５３９号、特開昭５７−３７３５２号の各
明細書に記載されている。この公知のａ−８ＩＮ：Ｈ層
は、ボロンのドーピングによって暗所比抵抗９Ｄが約１
×１０１４０−備に高められ得ると共に、光導電性（感
度）にも優れている。しかしながら、本発明者の検討に
よれば、上記の公知の感光体においては、ａ−８ｉＮ：
Ｈ層へのボロンドーピング量を正確に制御することは容
易ではなく、このために帯電電位の保持能（換言すれば
光導電層の高抵抗化）を再現性良く充分に発揮させるこ
とが困難である。
二Ｈ層の製膜とを別の方法で行なう必要があり、そのた
めに新たな製藤装置を用いなければならず、作業性が不
良となる。しかもａ−８ｉ：Ｈ層を光導電性の良好なも
のとするには、その製膜時の基板（支持体）温度を通常
約２００℃又はそれ以上に保持することを要するが、こ
のよう々温度に対し下地の接着層は熱的に耐えることは
できない〇 一方、ａ−８ｉ：Ｈに窒素原子を含有せしめた窒素原子
含有ａ−８１：Ｈ（以下、ａ−８ＩＮ：Ｈと称すること
がある。）によって光導電層を形成することが、特開昭
５４−１４５５３９号、特開昭５７−３７３５２号の各
明細書に記載されている。この公知のａ−８ＩＮ：Ｈ層
は、ボロンのドーピングによって暗所比抵抗９Ｄが約１
×１０１４０−備に高められ得ると共に、光導電性（感
度）にも優れている。しかしながら、本発明者の検討に
よれば、上記の公知の感光体においては、ａ−８ｉＮ：
Ｈ層へのボロンドーピング量を正確に制御することは容
易ではなく、このために帯電電位の保持能（換言すれば
光導電層の高抵抗化）を再現性良く充分に発揮させるこ
とが困難である。
本発明は、上記の如き欠陥を是正すべくなされたもので
あって、基体（例えばＡｔ等の導電性支持体）と、この
基体上に形成されたアモルファス水素化及び／又はフッ
素化炭化シリコン（例えばａ−８ｉＣ：Ｈ）からなる厚
さ２〜８０μｍの電荷輸送層と、この電荷輸送層上に形
成された窒素原子含有アモルファス水素化及び／又はフ
ッ素化シリコン（例えばａ−８ｉＮ：Ｈ）からなる厚さ
０．３〜５μ謂の光導電層とからなることを特徴とする
記録体に係るものである。
あって、基体（例えばＡｔ等の導電性支持体）と、この
基体上に形成されたアモルファス水素化及び／又はフッ
素化炭化シリコン（例えばａ−８ｉＣ：Ｈ）からなる厚
さ２〜８０μｍの電荷輸送層と、この電荷輸送層上に形
成された窒素原子含有アモルファス水素化及び／又はフ
ッ素化シリコン（例えばａ−８ｉＮ：Ｈ）からなる厚さ
０．３〜５μ謂の光導電層とからなることを特徴とする
記録体に係るものである。
本発明によれば、光導電層は窒素含有ａ−８ｌで形成し
ているので、窒素量のコン）０−ルによりて可視及び赤
外領域の光に対し優れた感度を示し、かつ固有抵抗の制
御を窒素量及び不純物ドーピング量で任意に行なえるも
のとなっている。特に、ホウ素等のドーピングで１０１
００−ｍ以上のＰＤを示すので、光感度と共に電位保持
能にも優れた光導電層となる。
ているので、窒素量のコン）０−ルによりて可視及び赤
外領域の光に対し優れた感度を示し、かつ固有抵抗の制
御を窒素量及び不純物ドーピング量で任意に行なえるも
のとなっている。特に、ホウ素等のドーピングで１０１
００−ｍ以上のＰＤを示すので、光感度と共に電位保持
能にも優れた光導電層となる。
しかも、この光導電層下には、ａ−８ｉＣからなる電荷
輸送層を設けているので、これが力い場合に比べて、高
抵抗ａ−８ｉＣによシ感光体の帯電電位の保持能を著し
く向上させることができ、かつ基体との接着性も充分と
なシ、かつ光導電層からのキャリアは大きな移動度と寿
命で以って効率良く支持体側へ移動することができる。
輸送層を設けているので、これが力い場合に比べて、高
抵抗ａ−８ｉＣによシ感光体の帯電電位の保持能を著し
く向上させることができ、かつ基体との接着性も充分と
なシ、かつ光導電層からのキャリアは大きな移動度と寿
命で以って効率良く支持体側へ移動することができる。
以下、本発明を実施例について図面参照下に詳細に説明
する。
する。
第１図に示した感光体は、Ａｔ等の導電性支持体基板１
上に、ａ−８ｉＣ：Ｈからなる電荷輸送層２とａ−８ｉ
Ｎ：Ｈからなる光導電層３とが順次積層された構造から
なっている。
上に、ａ−８ｉＣ：Ｈからなる電荷輸送層２とａ−８ｉ
Ｎ：Ｈからなる光導電層３とが順次積層された構造から
なっている。
光導電層３は、特に窒素原子含有量を１〜３０ ａｔｍ
ｉｃ％（望ましくは１５〜２５ ａｔｏｍｉｃ ％ ）
とすることによって、第２図に示す如く、暗所抵抗率、
ＰＤと光照射時の抵抗率９Ｌとの比が充分であシ、光感
度（特に可視及び赤外領域の光に対するもの）が良好と
なる。また、周期表第■Ａ族元素、例えばホウ素を後述
の流量比（ＢｔＨｓ／ Ｓ ｉ Ｈ，） ＝ １〜５０
０ｐｐｍでドーピングすることによって、第３図の如く
、固有抵抗を１０１２０−α以上とし、高抵抗化できる
ことが分る。この高抵抗化によって電荷保持能を向上さ
せることができる。
ｉｃ％（望ましくは１５〜２５ ａｔｏｍｉｃ ％ ）
とすることによって、第２図に示す如く、暗所抵抗率、
ＰＤと光照射時の抵抗率９Ｌとの比が充分であシ、光感
度（特に可視及び赤外領域の光に対するもの）が良好と
なる。また、周期表第■Ａ族元素、例えばホウ素を後述
の流量比（ＢｔＨｓ／ Ｓ ｉ Ｈ，） ＝ １〜５０
０ｐｐｍでドーピングすることによって、第３図の如く
、固有抵抗を１０１２０−α以上とし、高抵抗化できる
ことが分る。この高抵抗化によって電荷保持能を向上さ
せることができる。
これによって、光感度、′−位保持能共に良好な光導電
層とすることができる。比較のために、第３図中に破線
でａ−８ｔ：Ｈへの不純物ドーピングによる抵抗変化を
示したが、ａ−８ｉ：Ｈでは高抵抗化の程度が不充分で
あり、しかも１０Ω−ｏｎ程度でしか安定した高抵抗値
を得ることができない。また、第２図から理解されるよ
うに、ａ−８ｉＮ：Ｈでは窒素量によってもＰを制御で
きるし、不純物ドーピングとの組合せで抵抗制御の範囲
を広くとることができる。また、第４図に示す如く、光
導電層３は、窒素含有量の増加に伴なって光学的エネル
ギーギ’ｒｙブ（ａ−８１：Ｈの場合には約１．６５
ｅＶ ）を大きくシ、入射光に対する吸収特性をコン）
ｏ−ルできることが分る。
層とすることができる。比較のために、第３図中に破線
でａ−８ｔ：Ｈへの不純物ドーピングによる抵抗変化を
示したが、ａ−８ｉ：Ｈでは高抵抗化の程度が不充分で
あり、しかも１０Ω−ｏｎ程度でしか安定した高抵抗値
を得ることができない。また、第２図から理解されるよ
うに、ａ−８ｉＮ：Ｈでは窒素量によってもＰを制御で
きるし、不純物ドーピングとの組合せで抵抗制御の範囲
を広くとることができる。また、第４図に示す如く、光
導電層３は、窒素含有量の増加に伴なって光学的エネル
ギーギ’ｒｙブ（ａ−８１：Ｈの場合には約１．６５
ｅＶ ）を大きくシ、入射光に対する吸収特性をコン）
ｏ−ルできることが分る。
上記電荷輸送層２は、炭素原子含有量を５〜９０ａｔｏ
ｍｉｃ％ （望ましくは１０〜５０ ａｔｏｍｌｃ ’
１６ ）とすることによって、ＦＤ＝１０１″〜１０°
Ω−鐸と高抵抗化され、感光体の帯電電位保持能を向上
させることができる。感光層３から注入される光キャリ
アは、電荷輸送層２中を大きな移動度と寿命で以って移
動し、効率良く支持体１へ到達できるから、電荷輸送性
が大幅に向上する。また、第５図に示す如く、不純物と
して周期表第ＩＪＩＡ族元素、例えばボロンを流量比Ｂ
、Ｈ，／ＳｉＨ，＝ １〜５００ ｐｐｍでドープする
と、ＰＤを１０１ｓΩ−ｍ以上とすることができ、これ
によって帯電電位及び電荷輸送能を一層向上させること
ができる。
ｍｉｃ％ （望ましくは１０〜５０ ａｔｏｍｌｃ ’
１６ ）とすることによって、ＦＤ＝１０１″〜１０°
Ω−鐸と高抵抗化され、感光体の帯電電位保持能を向上
させることができる。感光層３から注入される光キャリ
アは、電荷輸送層２中を大きな移動度と寿命で以って移
動し、効率良く支持体１へ到達できるから、電荷輸送性
が大幅に向上する。また、第５図に示す如く、不純物と
して周期表第ＩＪＩＡ族元素、例えばボロンを流量比Ｂ
、Ｈ，／ＳｉＨ，＝ １〜５００ ｐｐｍでドープする
と、ＰＤを１０１ｓΩ−ｍ以上とすることができ、これ
によって帯電電位及び電荷輸送能を一層向上させること
ができる。
上記した感光体の各層の厚みについても適切な範囲があ
り、光導電層３は０．３〜５μｍ（望゛ましくけ０．５
〜３μ＃Ｉ）電荷輸送層２は２〜８０μ＃１（望ましく
は５〜３０μｍ）とすべきである。光導電層３が０．３
μ講未満であると光を充分に吸収できず、光感度が低下
し、また５μ胃を越えることは実用上不適当である。電
荷輸送層も２μ講未満であると効果がなく、８０μｍを
越えると実用的でなく、製膜に時間がかかる。
り、光導電層３は０．３〜５μｍ（望゛ましくけ０．５
〜３μ＃Ｉ）電荷輸送層２は２〜８０μ＃１（望ましく
は５〜３０μｍ）とすべきである。光導電層３が０．３
μ講未満であると光を充分に吸収できず、光感度が低下
し、また５μ胃を越えることは実用上不適当である。電
荷輸送層も２μ講未満であると効果がなく、８０μｍを
越えると実用的でなく、製膜に時間がかかる。
なお、上記の各層線水素を含有することが必要であるが
、水素を含有しない場合には感光体の電荷保持特性が実
用的なものとはならないからである。このため、水素含
有量は１〜４０ａｔｏｍｉｃ％（更には１０〜３０ ａ
ｔｏｍｉｃ％）とするのが望ましい。
、水素を含有しない場合には感光体の電荷保持特性が実
用的なものとはならないからである。このため、水素含
有量は１〜４０ａｔｏｍｉｃ％（更には１０〜３０ ａ
ｔｏｍｉｃ％）とするのが望ましい。
特に、光導電層３中の水素含有量は、ダングリングボン
ドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させるため
に必須不可欠であって、通常は１〜４０ ａｔｏｍｉｃ
％であシ、３．５−２０ ａｔｏｍｉｃ％であるのが
より望ましい。また、ドーピング不純物としてボロン以
外にもＡｔ、 Ｇａ、 Ｉｎ、 Ｔｔ等を使用できる。
ドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させるため
に必須不可欠であって、通常は１〜４０ ａｔｏｍｉｃ
％であシ、３．５−２０ ａｔｏｍｉｃ％であるのが
より望ましい。また、ドーピング不純物としてボロン以
外にもＡｔ、 Ｇａ、 Ｉｎ、 Ｔｔ等を使用できる。
なお、ダングリングボンドを補償するためには、上記し
たＨの代シに、或いはＨと併用してフッ素を導入し、ａ
−８ｉＮ：Ｆ、ａ−８ｉＮ：Ｈ：Ｐ、ａ−８ｉＣ：Ｆ。
たＨの代シに、或いはＨと併用してフッ素を導入し、ａ
−８ｉＮ：Ｆ、ａ−８ｉＮ：Ｈ：Ｐ、ａ−８ｉＣ：Ｆ。
ａ−８ｉＣ：Ｈ：Ｆとすることもできる。
この場合のフッ素置は０．０１〜２０ａｔｏｍｉｃチが
よく、０．５〜１０ａｔｏｍｉｃチがよシ望ましい。
よく、０．５〜１０ａｔｏｍｉｃチがよシ望ましい。
次に、上記した感光体の製造方法及び装置（グロー放電
装置）を第６図について説明する。
装置）を第６図について説明する。
この装置１１の真空槽１２内では、上記した基板１が基
板保持部１４上に固定され、ヒーター１５で基板１を所
定温度に加熱し得るようになっている。基板１に対向し
て高周波電極１７が配され、基板１との間にグロー放電
が生せしめられる。なお、図中の２０．２１．２２．２
３．２４．２５．２７．２８．２９．３０１３１．３７
．３８．４０は各パルプ、３２はＳｉＨ４又はガス状シ
リコン化合物の供給源、３３はＮＨ３又はＮ２等の窒素
の供給源、３４はＣＩ−Ｉ、等の炭化水素ガスの供給源
、３５はＡｒ又はＨ３等のキャリアガス供給源、３６は
不純物ガス（例えばＢｚＨａ）供給源である。このグロ
ー放電において、まず支持体である例えばＡｔ基板１の
表面を清浄化した後に真空槽１２内に配置し、真空槽１
２内のガス圧６ が１０ Ｔｏｒｒとなるようにバルブ３７を調節して
排気し、かつ基板１を所定温度、例えば３０〜４００℃
に加熱保持する。次いで、高純度の不活性ガスをキャリ
アガスとして、ＳｉＨ４又はガス状シリコン化合物、及
びＮＨ，又はＮｔを適当量希釈した混合ガス、及びＣＨ
４Ｂ、Ｈ，等を適宜真空槽１２内に導入し、例えば０．
０１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波電源１６によし
高周波電圧（例えば１３．５６ＭＨｚ ）を印加する。
板保持部１４上に固定され、ヒーター１５で基板１を所
定温度に加熱し得るようになっている。基板１に対向し
て高周波電極１７が配され、基板１との間にグロー放電
が生せしめられる。なお、図中の２０．２１．２２．２
３．２４．２５．２７．２８．２９．３０１３１．３７
．３８．４０は各パルプ、３２はＳｉＨ４又はガス状シ
リコン化合物の供給源、３３はＮＨ３又はＮ２等の窒素
の供給源、３４はＣＩ−Ｉ、等の炭化水素ガスの供給源
、３５はＡｒ又はＨ３等のキャリアガス供給源、３６は
不純物ガス（例えばＢｚＨａ）供給源である。このグロ
ー放電において、まず支持体である例えばＡｔ基板１の
表面を清浄化した後に真空槽１２内に配置し、真空槽１
２内のガス圧６ が１０ Ｔｏｒｒとなるようにバルブ３７を調節して
排気し、かつ基板１を所定温度、例えば３０〜４００℃
に加熱保持する。次いで、高純度の不活性ガスをキャリ
アガスとして、ＳｉＨ４又はガス状シリコン化合物、及
びＮＨ，又はＮｔを適当量希釈した混合ガス、及びＣＨ
４Ｂ、Ｈ，等を適宜真空槽１２内に導入し、例えば０．
０１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波電源１６によし
高周波電圧（例えば１３．５６ＭＨｚ ）を印加する。
これによって、上記各反応ガスをグロー放電分解し、ａ
−８ｉＣ：Ｈ１水素を含むａ−８ｉＮ：Ｈを上記の層２
．３として基板上に順次堆積させる。この際、シリコン
イビ合物と窒素化合物又は炭素化合物の流量比及び基板
温度を適宜調整することによって、所望の組成比及び光
学的エネルギーギャップを有する＆ ５ｉｌ−ｘＮｘ
：Ｈ，ａ−８Ｌ−ｙＣｙ：Ｈを析出させることができ、
また析出する膜の電気的特性にさほど影響を与えること
なく 、１０００ Ａ ／ ｍｉ ｎ以上の速度で堆積
させることが可能である。このようにして、本発明によ
るａ−８ｉＣ：Ｈ／ａ−８ｉＮ：Ｈを基本構造とする感
光体は、使用する反応ガスの種類及び流量を変えるだけ
で同一装置によシ順次各層を製膜することによって作成
できる。
−８ｉＣ：Ｈ１水素を含むａ−８ｉＮ：Ｈを上記の層２
．３として基板上に順次堆積させる。この際、シリコン
イビ合物と窒素化合物又は炭素化合物の流量比及び基板
温度を適宜調整することによって、所望の組成比及び光
学的エネルギーギャップを有する＆ ５ｉｌ−ｘＮｘ
：Ｈ，ａ−８Ｌ−ｙＣｙ：Ｈを析出させることができ、
また析出する膜の電気的特性にさほど影響を与えること
なく 、１０００ Ａ ／ ｍｉ ｎ以上の速度で堆積
させることが可能である。このようにして、本発明によ
るａ−８ｉＣ：Ｈ／ａ−８ｉＮ：Ｈを基本構造とする感
光体は、使用する反応ガスの種類及び流量を変えるだけ
で同一装置によシ順次各層を製膜することによって作成
できる。
なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳｔを蒸発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２
４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が可
能でおる。使用する反応ガスは、ＳｉＨ，以外にもＳｔ
、Ｈ，、ＳｉＦ４．５ｉＨＦい又はその誘導体ガス、Ｃ
Ｈ４以外のＣ２Ｈ，、Ｃ，Ｈ６等の低級炭化水素ガスが
使用可能である。
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳｔを蒸発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２
４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が可
能でおる。使用する反応ガスは、ＳｉＨ，以外にもＳｔ
、Ｈ，、ＳｉＦ４．５ｉＨＦい又はその誘導体ガス、Ｃ
Ｈ４以外のＣ２Ｈ，、Ｃ，Ｈ６等の低級炭化水素ガスが
使用可能である。
第７図は、本発明による感光体を上記特開昭５６−７８
４１３号の蒸着法によシ作成するのに用いる蒸着装置を
示すものである。
４１３号の蒸着法によシ作成するのに用いる蒸着装置を
示すものである。
ペルジャー４１は、バタフライバルブ４２を有する排気
管４３を介して真空ポンプ（図示せず）を接続し、これ
によシ当該ペルジャー４１内を例えば１０−３〜１０−
’Ｔｏ’ｒ ｒＯ高真空状態とし、当該ペルジャー４１
内には基板１を配置してこれをヒーター４５によ多温度
１５０〜５００℃、好ましくは２５０〜４５０℃に加熱
すると共に、直流電源４６によシ基板１にθ〜−ＩＯＫ
Ｖ、好ましくは−１〜−６ＫＶの直流負電圧を印加し、
その出口が基板１と対向するようペルジャー４１に出口
を接続して設けた水素ガス放電管４７よりの活性水素及
び水素イオンをペルジャー４１内に導入しながら、基板
１と対向するよう設けたシリコン蒸発源４８及び必要あ
ればアルミニウム蒸発源４９を加熱すると共に各上方の
シャッターＳを開き、シリコン及びアルミニウムをその
蒸発速度比が例えば１：１０となる蒸発速度で同時に蒸
発させ、かつペルジャー４１内へ、放電管５０によシ活
性化されたＮＩＩ、ガス又はＣＨ，ガスを導入し、これ
により必要あればアルミニウムを所定量含有するａ−８
ｉＮ：Ｈ層３、ａ−８ｉＣ：Ｈ層２ （第１図参照）を
形成する。
管４３を介して真空ポンプ（図示せず）を接続し、これ
によシ当該ペルジャー４１内を例えば１０−３〜１０−
’Ｔｏ’ｒ ｒＯ高真空状態とし、当該ペルジャー４１
内には基板１を配置してこれをヒーター４５によ多温度
１５０〜５００℃、好ましくは２５０〜４５０℃に加熱
すると共に、直流電源４６によシ基板１にθ〜−ＩＯＫ
Ｖ、好ましくは−１〜−６ＫＶの直流負電圧を印加し、
その出口が基板１と対向するようペルジャー４１に出口
を接続して設けた水素ガス放電管４７よりの活性水素及
び水素イオンをペルジャー４１内に導入しながら、基板
１と対向するよう設けたシリコン蒸発源４８及び必要あ
ればアルミニウム蒸発源４９を加熱すると共に各上方の
シャッターＳを開き、シリコン及びアルミニウムをその
蒸発速度比が例えば１：１０となる蒸発速度で同時に蒸
発させ、かつペルジャー４１内へ、放電管５０によシ活
性化されたＮＩＩ、ガス又はＣＨ，ガスを導入し、これ
により必要あればアルミニウムを所定量含有するａ−８
ｉＮ：Ｈ層３、ａ−８ｉＣ：Ｈ層２ （第１図参照）を
形成する。
上記の放電管４７．５０の構造を例えば放電管４７につ
いて示すと、第８図の如く、ガス人口６１を有する筒状
の一方の電極部材６２と、この一方の電極部材６２を一
端に設けた、放電空間６３を囲む例えば筒状ガラス製の
放電空間部材６４と、この放電空間部材６４の他端に設
けた、出口６５を有するリング状の他方の電極部材６６
とよ構成シ、前記一方の電極部材６２と他方の電極部材
６６との間に直流又は交流の電圧が印加されることによ
り、ガス人口６１を介して供給された例えば水素ガスが
放電空間６３においてグロー放電を生じ、これにより電
子エネルギー的に賦活された水素原子若しくは分子より
成る活性水素及びイオン化された水素イオンが出口６５
より排出される。この図示の例の放電空間部月６４は二
Ｍ管構造であって冷却水を流過せしめ得る構成を有し、
６７．６８が冷却水入口及び出口を示す。６９は一方の
′に極部材６２の冷却用フィンである。上記の水素ガス
放電管４７における電極間距離は１０〜１５Ｃｍであり
、印加電圧は６００Ｖ、放電空間６３の圧力は１０”Ｔ
ｏｒｒ程度とされる♂’Ｚｒ＋次に、本発明の実施例を
具体的に説明する。
いて示すと、第８図の如く、ガス人口６１を有する筒状
の一方の電極部材６２と、この一方の電極部材６２を一
端に設けた、放電空間６３を囲む例えば筒状ガラス製の
放電空間部材６４と、この放電空間部材６４の他端に設
けた、出口６５を有するリング状の他方の電極部材６６
とよ構成シ、前記一方の電極部材６２と他方の電極部材
６６との間に直流又は交流の電圧が印加されることによ
り、ガス人口６１を介して供給された例えば水素ガスが
放電空間６３においてグロー放電を生じ、これにより電
子エネルギー的に賦活された水素原子若しくは分子より
成る活性水素及びイオン化された水素イオンが出口６５
より排出される。この図示の例の放電空間部月６４は二
Ｍ管構造であって冷却水を流過せしめ得る構成を有し、
６７．６８が冷却水入口及び出口を示す。６９は一方の
′に極部材６２の冷却用フィンである。上記の水素ガス
放電管４７における電極間距離は１０〜１５Ｃｍであり
、印加電圧は６００Ｖ、放電空間６３の圧力は１０”Ｔ
ｏｒｒ程度とされる♂’Ｚｒ＋次に、本発明の実施例を
具体的に説明する。
トリク關ルエチレンで洗浄し、０．１％Ｎ ａ ＯＨ水
溶液、０．１ ％ ＨＮＯ，水溶液でエツチングしたＡ
Ｉ基板を第６図のグロー放電装置内にセットし、反応槽
内を１０ Ｔｏｒｒ台の高真空度に排気し、支持体温
度を２００℃に加熱した後高純度Ａｒガスを導入し、０
．５Ｔｏｒｒの背圧のもとて周波数１３．５６ ＭＩｒ
ｚ、電力密度０．０４ Ｗ／ｃｌｌの高周波電力を印加
し、１５分間の予備放電を行った。次いで、ＳｉＨ，と
ｃＨ４からなる反応ガスを導入し、（Ａｒ＋ＳｉＨ，＋
ｅＨ４）混合ガス及びＢ 、Ｈ，ガスをグロー放電分解
することによシ、電荷キャリアを輸送するａ−８ｉＣ：
）Ｉ層を形成した。
溶液、０．１ ％ ＨＮＯ，水溶液でエツチングしたＡ
Ｉ基板を第６図のグロー放電装置内にセットし、反応槽
内を１０ Ｔｏｒｒ台の高真空度に排気し、支持体温
度を２００℃に加熱した後高純度Ａｒガスを導入し、０
．５Ｔｏｒｒの背圧のもとて周波数１３．５６ ＭＩｒ
ｚ、電力密度０．０４ Ｗ／ｃｌｌの高周波電力を印加
し、１５分間の予備放電を行った。次いで、ＳｉＨ，と
ｃＨ４からなる反応ガスを導入し、（Ａｒ＋ＳｉＨ，＋
ｅＨ４）混合ガス及びＢ 、Ｈ，ガスをグロー放電分解
することによシ、電荷キャリアを輸送するａ−８ｉＣ：
）Ｉ層を形成した。
光導電層の形成に当っては、ＳｉＨ４、Ｎｚ 、及び必
要あればＢ、Ｈ，を放電分解し、ａ−８ｉＮ：Ｉ（感光
層を形成した。
要あればＢ、Ｈ，を放電分解し、ａ−８ｉＮ：Ｉ（感光
層を形成した。
このようにして作成した電子写真感光体をエレクトロメ
ーター５Ｐ−４２８型（川口電機（株）製）に装着し、
帯電器放電極に対する印加電圧を６ＫＶとし５秒間帯電
縁作を行ない、この帯電操作直後における感光体表面の
帯電電位なＶｏ （ｖ）とし、この帯′低電位を１／２
に減衰せしめるために必要な照射光量を半減露光址Ｅｌ
／２ （ｔｕｘ・８ｅｅ）とした。表面電位の光減衰曲
線はある有限の電位でフラットとなシ完全にゼロとなら
ない場合がちるが、この電位を残留電位ｖＲ（ｖ）と称
する。
ーター５Ｐ−４２８型（川口電機（株）製）に装着し、
帯電器放電極に対する印加電圧を６ＫＶとし５秒間帯電
縁作を行ない、この帯電操作直後における感光体表面の
帯電電位なＶｏ （ｖ）とし、この帯′低電位を１／２
に減衰せしめるために必要な照射光量を半減露光址Ｅｌ
／２ （ｔｕｘ・８ｅｅ）とした。表面電位の光減衰曲
線はある有限の電位でフラットとなシ完全にゼロとなら
ない場合がちるが、この電位を残留電位ｖＲ（ｖ）と称
する。
また、画質については、感光体をドラム状に作成し２０
℃、６０％ＲＨで電子写真複写ｔＵＵ−ＢｉｘＶ（小西
六写真工業（株）製）に装着し、絵出しを行ない、初期
画質（１０００コピ一時の画質）及び多数回使用時の画
質（１０万コピ一時の画質）を次の如くに評価した。
℃、６０％ＲＨで電子写真複写ｔＵＵ−ＢｉｘＶ（小西
六写真工業（株）製）に装着し、絵出しを行ない、初期
画質（１０００コピ一時の画質）及び多数回使用時の画
質（１０万コピ一時の画質）を次の如くに評価した。
画像織度 １．０以上 ◎（画質が非常に良好）０．
６〜１．０ ０（画質が良好） ０．６未満 Δ（画像にボケが発生）本発明による各
感光体を比較例と共に第９図に示したが、光導電層（感
光層）に不純物をドープし、窒素量をコントロールした
場合には著しく特性が向上する。この感光層をはじめ、
電荷輸送層の組成や厚みを適切に選べば結果が良好とな
ることも分る。
６〜１．０ ０（画質が良好） ０．６未満 Δ（画像にボケが発生）本発明による各
感光体を比較例と共に第９図に示したが、光導電層（感
光層）に不純物をドープし、窒素量をコントロールした
場合には著しく特性が向上する。この感光層をはじめ、
電荷輸送層の組成や厚みを適切に選べば結果が良好とな
ることも分る。
図面は本発明の実施例を示すものであって、第１図は感
光体の断面図、 第２図は窒素量によるａ−８ｉＮ：Ｈの抵抗変化を示す
グラフ、 第３図は不純物ドーピングによるａ−８ｔ（Ｎ）：Ｉ（
の抵抗変化を示すグラフ、 第４図は窒素量によるａ−８ｉＮ：Ｈの光学的エネルギ
ーギャップの変化を示すグラフ、 第５図はａ−８ｉＣ：Ｈの不純物ドーピング証による抵
抗値変化を示すグラフ、 第６図はグロー放電装置の概略断面図、第７図は真空蒸
着装置の概略１９目ｈ１図、第８図はガス放電管の断面
図、 第９図は感光体の各特性を示す図 である。 なお、図面に示された符号において、 ｉ −−−−一支持体基板 ２−−−−−−ａ−８ｉ Ｃ：Ｈ層（電荷輸送層）３−
−−−−ａ−８ｉＮ：Ｈ層（光導電層又は感光層）であ
る。 代理人 弁理士 逢 坂 宏 第１日 Ｍ′３０ Ｐ％イ４＋ｈｈ ８’％イ４１．２ 第５日 ＥｂＨ６／ｓｉＨ４（ＰＰｍ） 第６０ ＠７日 第８日
光体の断面図、 第２図は窒素量によるａ−８ｉＮ：Ｈの抵抗変化を示す
グラフ、 第３図は不純物ドーピングによるａ−８ｔ（Ｎ）：Ｉ（
の抵抗変化を示すグラフ、 第４図は窒素量によるａ−８ｉＮ：Ｈの光学的エネルギ
ーギャップの変化を示すグラフ、 第５図はａ−８ｉＣ：Ｈの不純物ドーピング証による抵
抗値変化を示すグラフ、 第６図はグロー放電装置の概略断面図、第７図は真空蒸
着装置の概略１９目ｈ１図、第８図はガス放電管の断面
図、 第９図は感光体の各特性を示す図 である。 なお、図面に示された符号において、 ｉ −−−−一支持体基板 ２−−−−−−ａ−８ｉ Ｃ：Ｈ層（電荷輸送層）３−
−−−−ａ−８ｉＮ：Ｈ層（光導電層又は感光層）であ
る。 代理人 弁理士 逢 坂 宏 第１日 Ｍ′３０ Ｐ％イ４＋ｈｈ ８’％イ４１．２ 第５日 ＥｂＨ６／ｓｉＨ４（ＰＰｍ） 第６０ ＠７日 第８日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基体と、この基体上に形成されたアモルファス水素
化及び／又はフッ素化炭化シリコンからなる厚さ２〜８
０μｍの電荷輸送層と、この電荷輸送層上に形成された
窒素原子含有アモルファス水素化及び／又は７ツ索化シ
リコンからなる厚さ０．３〜５μｍの光導電層とからな
ることを特徴とする記録体。 ２、光導電層の窒素原子含有量が１〜３０ ａｔｏｍｉ
ｃチ電荷輸送層の炭素原子含有量が５〜９０ ａｔｏｍ
ｉｃ ％である、特許請求の範囲の第１項に記載した記
録体。 ３、光導電層の窒素原子含有量が１５〜２５ａｔｏｍｉ
ｃチ電荷輸送層の炭素原子含有量が１０〜５０ ａｔｏ
ｍｉｃ ％である、特許請求の範囲の第２項に記載した
記録体。 ４、光導電層の固有抵抗が、周期表第ＪＩＴＡ族元素の
ドーピングによって１０１ｔΩ−α以上となっている、
特許請求の範囲の第１項〜第３項のいずれか１項に記載
した記録体。 ５、電荷輸送層の固有抵抗が、周期表第１１ＴＡ族元素
のドーピングによって１０１３０−ｍ以上となっている
、特許請求の範囲の第１項〜第４項のいずれか１項に記
載した記録体。 ６、電荷輸送層の厚さが５〜３０μ簿、光導電層の厚さ
が０．５〜３μｍである、特許請求の範囲の第１項〜第
５項のいずれか１項に記載した記録体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17800582A JPS5967544A (ja) | 1982-10-11 | 1982-10-11 | 記録体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17800582A JPS5967544A (ja) | 1982-10-11 | 1982-10-11 | 記録体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5967544A true JPS5967544A (ja) | 1984-04-17 |
Family
ID=16040884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17800582A Pending JPS5967544A (ja) | 1982-10-11 | 1982-10-11 | 記録体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5967544A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60178727U (ja) * | 1984-05-09 | 1985-11-27 | 日本電熱株式会社 | 電気スト−ブ |
-
1982
- 1982-10-11 JP JP17800582A patent/JPS5967544A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60178727U (ja) * | 1984-05-09 | 1985-11-27 | 日本電熱株式会社 | 電気スト−ブ |
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