JPS5967551A - 記録体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は記録体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。

従来、電子写−１（感光体として、Ｓ６、又は５ｅＫＡ
８、Ｔｅ−８ｂ等’ｅドープした感光体、ＺｎＯやＣｄ
Ｓを樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られてい
る。しかしながらこれらの感光体は、積項汚染性、熱的
安定性、機絨的強度の点で問題がある。

一方、アモルファスシリコン（ａ　−Ｓ　ｌ　）　’ｅ
母材として用いた電子写真感光体が近年になって提案さ
れている。ａ−Ｓｔは、５ｔ−８１の結合手が切れたい
わゆるダングリングボンドを有しており、この欠陥に起
因してエネルギーギャップ内に多くの局在準位が存在す
る。このために、熱励起担体のホッピング伝導が生じて
暗抵抗が小さく、筐た光励起担体が局在準位にトラップ
されて光導電性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を
水素原子（６）で補償して８１にＨを結合させること罠
よって、ダングリングボンドを埋めることが行なわれる
。

このようなアモルファス水素化シリコン（以下ａ−８１
：Ｈと称するδの暗所での抵抗率は１０８−１０９Ω−
ｃｍでありて、アモルファスＳｓと比較すれば約１万分
の１も低い。従って、ａ−８ｌ：Ｉ（の単層からなる感
光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯ｉｔｓ位
が低いという問題点を有している。しかし他方では、可
視及び赤外領域の光を照射すると抵抗率が大きく減少す
るため、感光体の感光層として極めて優れた特性を有し
ている。

そこで、この上うなａ−８ｌ：Ｈに電位保持能全付与す
るため、ホウ素全ドープすることにより抵抗率を約１０
　　Ω−ｃｍにまで高めることができるが、ホウ素ｔを
そのように正確に制御することは容易ではない上に、１
０　　Ω−ＣＬ１１程度の抵抗率でもカールソン方式に
よる感光プロセスに使用するには光感度が不十分であり
、電荷保持特性もなお不十分である。また、ホウ素と共
に微量の酸素を導入することにより１０　　Ω−Ｃ［Ｉ
ｌ程度の高抵抗化が可能であるが、これを感光体に用い
た場合には光導電性が低下し、裾切れの悪化や残留電位
の発生という問題が生じる。

また、ａ−８１：Ｈ全表面とする感光体は、長期に亘っ
て大気や湿気に曝されることによる影響、コロナ放電で
生成される化学種の影ｗ等の如き表面の化学的安定性に
関して、これ迄十分な検討がなされていない。例えば１
力月以上放置したものは湿気の影＃全受け、受容電位が
著しく低下することが分っている。更に、＆−８４：Ｈ
はＡｌやステンレス等の支持体に対して膜付き（接着性
）が悪く、電子写真感光体として実用化する上で問題と
なる。この対策として、特開昭５５−８７１５４号にお
ける如きシランカップリング剤、特開昭５６−７４２５
７号における如きポリイミド樹脂又はトリアジン樹脂等
の有機高分子化合物からなる接着層全ａ−８ｔ：Ｈ層と
支持体との間に設けることが知られている。

しかしながら、こ九らの場合、接着層の形成とａ−８１
：Ｈ層の製膜とを別の方法で行なう必要があり、そのた
めに新たな製Ｍ装置會用いなければならず、作業性が不
良となる。

しかも、ａ−８ｔ：１（層を光導電性の良好なものとす
るには、その製膜時の基板（支持体）温朋ヲ通常約２０
０°Ｃ又にそれ以上に保持すること全便するが、このよ
うな温度に対し下地の接着層は熱的に耐えることができ
ない。

一方、ａ−８ｉ　：　Ｈに窒素原子を含有せしめた窒素
原子含有ａ−８ｌ：Ｈ（以下、ａ−８ＩＮ：Ｈと称する
ことがある。）によって光導電層を形成することが、特
開昭５４−１４５５３９号、特開昭５７−ｊ７３５２号
の各明細書に記載されている。この公知のａ−８ＩＮ：
ＨＮは、ボロンのドーピングによって暗所比抵抗Ｐｏが
約１×１０　Ω−Ｃｍに高められ得ると共に、光導電性
（感度）にも優れている。しかしながら、本発明者の検
討によれば、上記の公知の感光体においては、ａ−８Ｉ
Ｎ：Ｈ層への導電性支持体からの不要な電荷の注入が生
じ易い上に、ａ−８ＩＮＳＨ層と支持体との接着性も不
充分であることが分つ友。また、ａ　　Ｓ　Ｉ　Ｎ　：
　Ｈへのボロンドーピング量を制御することは容易では
なく、このために帯電電位の保持能（換言すれば光導電
層の高抵抗化）を再現性良く充分に発揮させることが困
難でおる。更に、ａ−８ｌＮ：Ｈ層上に表面被覆層を設
けた例もあるが、表面被覆層は合成樹脂から形成されて
いるにすぎないので、耐刷性をはじめ、耐熱性、繰返し
使用時の電子写真特性の安定性、表面の化学的安定性、
機械的強度等が充分ではないことも分った。しかも上記
の表面被覆層は、ａ　　ＳＩＮ：Ｈ層へ入射すべき光全
吸収若しくは反射し易いために、光感度も低下させてし
まうという欠点がある。

本発明は、上記の如き欠陥を是正すべくなされたもので
あって、基体（例えばＡＪ等の導電性支持体）と、この
基体上に形成されたＮ凰又はＰ型アモルファス水素化及
び／又はフッ素化炭化シリコン（例えばａｓｌｃ：Ｈ）
からなる厚さ１００Ａ〜１μｍの電荷ブロッキング層と
、この電荷プロツキふ ング層上に形成されアモルファス水素化及び／又は７ノ
素化炭化シリコン（例えばａ−８ＩＣ：Ｈ）からなる厚
さ２〜８０μｍＱ）！荷輸送層と、この１「荷輸送層上
に形成された窒累原子含有アモルファスら からなる厚さ１００〜５０００Ａの表面改質層と〆なる
ことを特徴とする記録体に係るものである。

本発明によれば、光導電層は窒素含有ａ−８ｉで形成し
ているので、窒素量のコントロールによって可視及び赤
外領域の光に対し優れた感度を示し、かつ固有抵抗の制
御を窒素量及び不純物ドーピング量で任意に行なえるも
のとなっている。特に、ホウ素等のドーピングで１０１
０Ω−ｃｍ以上のＰＤヲ示すので、光感度と共に電位保
持能にも優れた光導電層となる。

しかも、電荷輸送層下には、Ｎ型又はＰ壓ａ−５１Ｃか
らなるブロッキング層を設けているので、これがない場
合に比べて、基体からの不要なキャリアの注入を防止し
て感光体の帯電電位の保持能を著しく向上させることが
でき、かつ基体との接着性も充分となる。しかも、光導
電層下には、ａ−８ＩＣからなる′電荷輸送層を設けて
いるので、これがない場合に比べて、高抵抗ａ−８ＩＣ
により感光体の帯電電位の保持能を著しく向上させるこ
とができ、かつ基体との接着性も充分とかり、かつ光導
電層からのキャリアは大きな移動度と寿命で以って効率
良く支持体側へ移動することができる。更に、光ｉｊ！
電層上には表面改質層として無機物質層を設けているが
、この無機物質層は耐熱性や表面硬度が高いため、耐刷
性、耐熱性、光感度、繰返し使用時の電子写真特性の安
定性、感光体表面の化学的安定性、機械的強度、保存中
の経時変化の防止作用等を著しく向上させることができ
る。

以下、本発明全実施例について図面参照下に詳細に説明
する。

第１図〜第２図には、感光体の構造が例示されている。

第１図の感光体は、Ａ１等の導電性支持体基板１上に、
Ｎ型（更にはＮ＋型）ａ−８ＩＣ：ＨからなるＫＷブロ
ッキング層２と、ａ−８１ｃ：Ｈからなる電荷輸送層３
と、ａ−３ｋＮ：Ｈからなる光４電層５と、無機物質（
例えば５１０２）からなる表面改質層４とが順次積層さ
れた構造からなっている。

光導電層５は、特に窒素原子含有ｆを１〜３０ａｔｏｒ
ｎｌ’ｃ　％　（望ましくは１５〜２５　ａｔｏｍｉｃ
　％　）とすることによって、第３図に示す如く、暗所
抵抗率Ｐ。

と光照射時の抵抗率入との比が充分であり、光感度（特
に可視及び赤外領域○光に対するもの）が良好となる。

また、周期表第１１１Ａ族元素、例えばホウ素を後述の
流量比（Ｂ２Ｈ６／Ｓ　ＩＨ４）　＝１〜５００ｐｐｍ
でドーピングすることによって、第４図の如く、固有抵
抗を１０　　Ω−ｃｍ以上）とし、高抵抗化できること
が分る。この高抵抗化だよって電荷保持能を向上させる
ことができる。

これによって、光感度、電位保持能共に良好な光導Ｉｔ
Ｊｉ層とすることができる。比較のために、第４図中に
破線でａ−８１：Ｈへの不純物ドーピングによる抵抗変
化を示したが、ａ−８ｌ：Ｈでは高抵抗化の程度が不充
分であり、しかも１０１０Ω−ｃｍ程度でしか安定した
扁抵抗□値を得ることができない。また、第３図から理
解されるように、ａ−８ＩＮ：Ｈでは窒累量によっても
Ｐｂを制御できる（し、不純物ドーピングとの組合せで
抵抗制御の範囲を広くとることができる０また、第５図
に示す如く、光導電層５は、窒素含有量の増加に伴なっ
て光学的エネルギーギー？ノブ（ａ−８１：Ｈの場合に
は約１．６５ｅＶ）を太きくし、入射光に対する吸収特
性全コントロールできることが分る。

上記ブロッキング層２は、炭素原子含有皿ヲ５〜９０　
ａｔｏｍｌｅ　％　（望甘しくけ１０〜５０　ａｔｏｍ
ｌｃ　％　）とする。ブロッキング効果を高めるために
、第６図の如く、周期表第ＶＡ族元ｌＡ（例えばリン）
のドーピングによってａ−８ＩＣ：Ｈ層２ｉＮ型化すれ
ば特に負帯電時での基板からのホールの注入が充分に阻
止される。このためのリンドープ量は流量比で表わせば
Ｐ）（５／Ｓ　ＩＨ４＝　１００〜１０．ＯＯＯｐｐｍ
　（’；’（＞で１０６Ω−ａｍ以下）とするのがよい
。−また、正帯電時の基板からの電子の注入を充分に防
ぐには、第７図のように、周期表第■人族元素（例えば
ボロン）を流量比Ｂ２Ｈ６／Ｓ　ＩＨ４＝　５００−１
００．ＯＯＯｐｐｍでドープして、第２図の如くＰ型化
（更にはＰ＋型化）するとよい。

上記電荷輸送層３は、炭素原子含有址’ｅ５〜９０ａｔ
ｏｍｉｃチ（望ましくは１０〜５０　ａｔｏｍｌｃφ）
とすることによって、ｆ）、　＝　１０１２〜１０１５
Ω−ｃｍと昼抵抗化され、感光体の帯′を電位保持能を
向上させることができる。感光層５から注入される光キ
ャリアは、電荷輸送層３中を大きな移動度と寿命で以っ
て移動し、効率良く支持体１へ到達できるから、電荷輸
送性が大幅に向上する。また、第７図に示す如く、不純
物として周期表第■Ａ族元素、例えばボロンを流量比Ｂ
　２　Ｈ６／Ｓ　ｉ　Ｈ４’＝　１〜５００　ｐ　ｐｍ
でドープすると、入金１０　＋　ＳΩ−ｃｍ以上とする
ことができ、これによって帯電電位及び電荷輸送能を一
層向上させることができる。

また、上記表面改質層４については、その固有抵抗全１
ｏ　１５Ω−ｃｍ以上とすることが、表面電位保持能を
向上させる上で望ましい。使用可能な構成材料は、８１
０，５１０２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｐＯｌＺｎＯ，ＰｂＯ。

Ｃａｂ、　Ｂｅｄ、　ＢａＯ１Ｚ　ｎ　Ｏ２、ＴｉＯ２
、Ｔ＆２ｏ５、Ｃｅ　Ｏ２、Ｓ　ｎ　Ｏ２からなる群よ
り選ばれた少なくとも１種が単げられる。

上記した感光体の各層の厚みについても適切な範囲があ
り、光導電層３は０．３〜５μｍ（望ましくは０．５〜
３μｍ）、ブロッキング層２は１００−１．／ｊｒｎ（
望ｔ　Ｌ、　＜　ｎ　４００〜ｒ；ｏｏｏＸ　）、電荷
輸送層’３ハ２〜８０μｍ（望１しくに５〜３０μｍ）
、表面改ｇ！、層４は１００〜５ｏｏｏＡ　＜　ｗｔ　
Ｉ、　＜　ｎ　４００〜ｚｏｏＸ　＞　トスへｔ：テｈ
る。光導電ノ＠３の厚みが０．３μｍ未満であると光を
充分に吸収できず、光感度が低下し、また、５μｍを越
えることは実用上不適当である。電荷輸送層２も２μｍ
未満であると効果がなく、また８０ｍｆ。

越えると実用上不適当であり、製膜に時間がかがる。ま
た、表面改質層４も１００＾未満であると、効果がなく
、逆に５０００Ｘ　＠越えると光感度が低下し、残留電
位が増える等、不適当となる。ブロッキング層２も１０
０　Ａ未満ではプロンキング効果がなく、１μｍｆ越え
ると電荷輸送能が不良となる。

なお、上記の各層は水素を含有することが必要であるが
、水素を含有しない場合には感光体の電荷保持特性が実
用的なものとはならないからである。

このため、水素含有ｉｌｌ：　ｌ’ｔ　１〜４０　ａｔ
ｏｍｌｃ　％　（更には１０〜３０　ａｔｏｍｌｃ係）
とするのが望号しい。特に、光導電層３中の水素含有ｆ
ｌは、ダングリングボンドを補償して光導電性及び電荷
保持性全肉−ヒさせるために必須不可欠であって、通常
１〜４０　ａｔｏｍｌｃチであシ〜３５〜２０　ａｔｏ
ｍｌａφであるのがより望ましい。ｔ＆、ビー１？’ン
グ不純物として、ボロン以外にもＡＬ　Ｇａ、Ｉｎ、Ｔ
１等、周期表第１１ＩＡ族元素を使用でき、リン以外に
もＡａ−Ｓｂ、　Ｂｉ　停の周期表第ＭＡ族元素をドー
プできる。

なお、ダングリングボンド全補償するためＫは、上記し
たＨの代如に、或いはＨと併用してフッ素を導入し、ａ
　　ＳＩＮ：Ｆ、　ａ　　ＳｊＮ：Ｈ：Ｆ、　ａ　　Ｓ
ＩＣ：Ｆ、ａ−８ｉＣ：Ｈ：Ｆとすることもできる。

この場合の７ノ素量は０．０１〜２０　ａｔｏｍｉｃ係
がよく、０．５〜１０　ａｔｏｍｉｃ　％がより望まし
い。

次に、上記した感光体の製造方法及び装置（グロー放電
装［）ｋ第８図について説明する。

この装置１１の真空槽１２内では、上記した基板１が基
板保持部１４上に固定され、ヒーター１５で基板１を所
定温度に加熱し得るようになっている。基板１に対向し
て高周波電極１７が配され、基板１との間にグロー放電
が生せしめられる。なお、図中の２０．２１．２２．．
２＼２４．２５．２７．２飄２９．３仮３１．３７．３
ＦＫ４０は各パルプ、３２はＳｉＨ４又はガス状シリコ
ン化合物の供給源、３３はＮＨ３又はＮ２等の窒素の供
給源、３４はＣＨ４等の炭化水素ガスの供給源、３５は
Ａｒ又はＨ２等のキャリアガス供給源、３６は不純物ガ
ス（例えばＢ２Ｈ６又はＰＨ３）供給源である。このグ
ロー放電装置において、まず支持体である例えば、１基
板１の表面を清浄化した後に真空槽１２内に配置し、真
空槽１２内のガス圧が１０””Ｔｏｒｒとなるようにパ
ルプ３７を調節して排気し、かつ基板１ｔ−所定温度、
例えば３０〜４００℃に加熱保持する。次いで、高純度
の不活性ガスをキャリアガスとして、５ＩＨ４又はガス
状シリコン化合物、及びＮＨ５又はＮ２全適蟲量希釈し
几混合ガス及びＣＨ４、ＰＨ３、Ｂ２Ｈ６等を適宜真空
槽１２内に導入し、例えば００１〜１０Ｔｏｒｒの反応
圧下で高周波電源１６により高周波電圧（例えば１３．
５６ＭＨｚ）を印加する。これによって、上記各反応ガ
スをグロー放電分解し、Ｎ型又はＰ型ａ−８ＩＣ：Ｈ１
水素を含むａ−８ＩＮ：Ｈを上記の層２２．５として基
板上に順次堆積させる。この際、シリコン化合物と窒素
化合物又は炭素化合物の流量比及び基板温度を適宜調整
することによって、所望の組成比及び光学的エネルギー
ギャップを有するａ−８ｌｌ−ｘＮｘ：　Ｈ，ａ　　Ｓ
　ｉ　１　　ｙ　Ｃｙ　：　Ｈｆ析出させることができ
、また析出する膜の電気的特性にさほど影響を与えるこ
となく、１０００　Ａ　／　ｍ　ｌ　ｎ以上の速度で堆
積させることが可能である。表面改質層４は、例えばス
パッタリング法及び真空蒸着法等で形成可能である。ス
パッタリング法による場合には例えば５１ｏ２からなる
ターゲットを使用して、例えばＡｒガス尋のスパッタ用
のガス全堆積層内に導入して、スパッタリングを行って
５ＩＯ２からなる薄ｙ１．′Ｉｉ−形成すれば良い。Ａ
ｒ雰囲気の圧力はグロー放電が維持できる範囲であれば
いずれでも良く、一般には０．０１〜１．０Ｔｏｒｒ、
安定した放ｉｔを得る為には０．１〜１．０Ｔｏｒｒで
あることが望せしい。

本発明によるＮ型又はＰ型ａ　　ＳＩＣ：１（／ａ　　
８１Ｃ：Ｈ／　ａ　　Ｓ　Ｉ　Ｎ　：　Ｈ／　Ｓ　１０
２　’＜基本構造とする感光体は、特にａ−ｓｌｃＨｕ
、ａ　−８１Ｎ　：　Ｈは使用する反応ガスの種類及び
流延を変えるだけで同一装置により順次各層金製模する
ことによって作成できる。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にもヘスバッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下で８１を蒸発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２
４５５号）の方法）＠によっても上記感光体の製造が可
能である。

使用する反応ガスは、Ｓ　ＩＨ４以外にもＳ　１２Ｈ６
、Ｓ　ｉＦ’４．５ＩＨＦ３、又はその誘導体ガス、Ｃ
Ｈ４以外のＣ２Ｈ６、Ｃ３Ｈ［１等の低級炭化水素ガス
が使用可能である。

第９図は、本発明による感光体を上記特開昭５６−７８
４１３号の蒸着法により作成するのに用いる蒸着装置を
示すものである。

ベルン１−−４１は、バタフライバルブ４２ヲ有する排
気管４３全介して真空ポンプ（図示せず）を接続し、こ
れにより当該ペルジャー４１内を例えば１０−５〜１Ｏ
−７ＴｏｒｒＯ高真空状態とし、当該ベルジャ−４１内
には基板１を配置してこれをヒーター４５により温度１
５０〜５００℃、好ましくは２５０〜４５０℃に加熱す
ると共に、直流電源４６により基板１に０〜ｌ０ＫＶ好
１しくば−１〜−６ＫＶの直ｂｌｔ負電圧を印加し、そ
の出口が基板１と対向するようペルジャー４１に出口を
接続して設けた水素ガス放電管４７よりの活性水素及び
水素イオンをペルジャー４１ｉ内に導入しながら、基板
１と対向するよう設けたシリコン蒸発源４８及び必要あ
ればアルミニウム蒸発源４９を加熱すると共に各上方の
シャッターＳを開き、シリコン及びアルミニウムをその
蒸発速度比が例えば１．１０　　となる蒸発速度で同時
に蒸発させ、がっペルジャー４１内へ、放電管５０によ
り活性化されたＮＨガス又はＣＨ４’ｉｉ７導入し、と
ルによりａ−８ＩＮ＝Ｈ層５、ａ−８ｉ　Ｃ：Ｈ／賛２
．３（第１図〜第２図参照）を形成する。

上記の放電管４７．５０の構造を例えば放電管４７につ
いて示すと、第１０図の如く、ガス入口６１ヲ有する筒
状の一方の電極部材６２と、この一方の電極部材６２全
一端に設けた、放電空間６３を凹む例えば筒状ガラス製
の放電空間部材６４と、この放電空間部材６４の他端に
設けた、出口６５を有するリング状の他方の電極部羽６
６とより成シ、前記一方の電極部羽６２と他方の電極部
羽６６との間に直流又は交流の電圧が印加されることに
より、ガス人口６１を介して供給された例えば水素ガス
が放電空間６３においてグロー放電を生じ、これによυ
電子エネルギー的に賦活された水素原子若しくは分子よ
り成る活性水素及びイオン化された水嵩イオンが出口６
５より排出される。この図示の例の放電空間部材６４は
二重管構造であって冷却水を流過せしめ得る構成を有し
、６７．６８が冷却水入口及び出口を示す。

６９は一方の電極部材６２の冷却用フィンである。上記
の水素ガス放電管４７における電極間距離は１０〜１５
ｃｍであり、印加電圧は６００Ｖ、放電空間６３の圧力
はＩＱ　　Ｔｏｒｒ程度とされる。

次Ｋ、本発明の実施例を具体的に説明する。

トリクロルエチレンで洗浄し、０．１％ＮａＯＨ水溶液
、０．１％ＨＮＯ３水溶液でエツチングしたＡ１基板ｆ
ｃ第８図のグロー放電装置内にセットし、反応槽内を１
０　　Ｔｏｒｒ台の高真空度に排気し、支持体温度を２
００°Ｃに加熱した後高純度Ａｒガスを導入し、０．５
７ｏｒｒの背圧のもとて周波数１３．５６　Ｍ　Ｉｌｚ
。

電力密度０．０４Ｗ４．の高周波電力を印加し、１５分
間の予備放ｉ！ヲ行った。次いで、５ＩＨ４とＣＨ４か
らなる反応ガス′ｌｒ、導入し、（Ａ　ｒ　＋　Ｓ　Ｉ
　Ｈ＋ＣＨａ　）混合ガス及びＰＨ３又はＢ２Ｈ６ガス
全グロー放電分解することにより、キャリア注入の防止
、及び電荷輸送用の各ａ−８ＩＣ：Ｈ層全形成した。光
導電層の形成に尚っては、５ＩＨ４、Ｎ２、及び必要あ
ればＢ２Ｈ６２ｉｉｌ−放電分解し、ａ−８ＩＮ：Ｈ感
光層全形成した。表面改質層４は、例えばスパッタリン
グ法及び真空蒸着法等で形成可能である。スパッタリン
グによる場合には例えば５１０２からなるターゲットを
使用して、例えばＡｒガス等のスパッタ用のガスを堆積
層内に導入して、スパッタリングを行って５１０２から
なる薄膜を形成すれば良い。Ａｒ雰囲気の圧力はグロー
放電が維持できる範囲であればいずれでも良く、一般に
ｏ、ｏｉ〜１．０Ｔｏｒｒ、安定した放電を得る為には
０．１〜１．　ＯＴｏｒｒであることが望−士しい。

このようにして作成した電子写真感光体をエレクトロメ
ーター５Ｐ−４２８型（川口電機６巾製）に装着し、？
ｔＹ電器放電極に対する印加電圧を６ＫＶとし、５秒間
帯電縁作を行ない、この帯電操作直後における感光体表
面の帯電電位をＶ。（７）とし、フラットとなり、完全
にゼロとならない場合があるが、この電位を残留電位Ｖ
Ｒ（Ｖ）と称する。

また、画質については、感光体をドラム状に作成し、２
０９Ｃ，６０％ＲＨで電子写真複写機Ｕ−ＢｌｘＶ（小
函六写真工業■製）に装着し、絵出しを行ない、初期画
質（１０００コピ一時）及び多数回測用時の画質（２０
万画質）を次の如くに評価した。

画像濃度　１．０以上　◎　（画質が非常に良好）０．
６〜１．００　（画質が良好） ０．６未満　Δ　（画像にボケが発生）Ｘ　（び！度が
著しく低く） 判別不能 本発明による各感光体を比較例と共に第１１図に示した
が、光導電層（感光層）に不純物全ドープ、窒素量をコ
ントロールした場合には著しく特性が向上する。この感
光Ｗｌヲはじめ、ブロッキング層、電荷輸送層、表面改
質層の組成や厚み全適切に選べば結果が良好となること
も分る。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の実施例を示すものであって、第第１図、
第２図は感光体の二側の各断面図、第３図は脳ノく量に
ょるａ−８ＩＮ：Ｈの抵抗変化を示グラフ、 第４図は不純物ドーピングにょるａ−８ｌ（６）＝Ｈの
抵抗変化を示すグラフ、 第５図は窒素量によるａ−８ＩＮ：Ｈの光学的エネルギ
ーギャップの変化を示すグラフ、 第６図はリンドープによるａ　　Ｓｌｃの抵抗変化を示
すグラフ、 第７図はボロンドープによるａ−ｓｔｃの抵抗変化を示
すグラフ、 第８図はグロー放電装着の概略断面図、第９図は真空蒸
着装置の概略断面図、 なお、図面に示された符号において、 １、・・・・・・・・・・・・支持体基板λ・・・・・
・・・・・・・ａ−８１Ｃ：Ｈｆｆｉ（ブロッキング層
）３・・・・・・・・・・・・ａ−８ＩＣ：Ｈ／帖（電
荷輸送層）４、・・・・・・・・・・・・無機物質層（
表面改質層）＆・・・・・・・・・・・・ａ−８ＩＮ：
Ｈ層（光導電層又は感光層）代理人　弁理士　逢　坂　
　　宏 第１図 第２図 第３図 第４図 Ｐｌｂ／ＳｉＨ４＋Ｎ２Ｂ２比／ＳｉＨ４＋Ｎ２第５図 ａ−５ｉ＋−ｘＮｘ：Ｈ 第６図 ＰＨ３／Ｓｉｋ（ｐｐｍｌ Ｂ２Ｈ６／Ｓｉｋ　ｆｐｐｍ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基体と、この基体上に形成されｆｃ　Ｎ　ｆｉｌ又
   はＰ型アモルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリ
   コンからなる厚さ１００λ〜１μｍの電荷ブロッキング
   層と、この電荷ブロッキング層上に形成されたアモルフ
   ァス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコンからなる厚
   さ２〜８０μｍの電荷輸送層と、この電荷輸送層上に形
   成された窒素原子含有アモルファス水素化及び／又はフ
   ッ素化シリコンからなる厚さ０．３〜５μｍの光導電層
   と、この光導電層上に形成された無機物質からなる厚さ
   １００〜５０００λの表面改質層とからなること金％体
   とする記録体。 ２、光４電層の窒素原子含有量が１〜３０　ａｔｏｍｉ
   ａ％罵荷ブロッキング層及び電荷輸送層の炭素原子含有
   量が夫々５〜９０　ａｔｏｍｉｃチである、特許請求の
   範囲の第１項に記載した記録体。 ３、光導電層の窒素原子含有量が１５〜２５ｎｔｏｍｌ
   ａ覧電荷ブロッキング層及び電荷輸送層の炭素原子含有
   量が夫々１０〜５０　ａｔｏｍｉａ％である、特許請求
   の範囲の第２項に記載した記録体。 ４、光導電層の固有抵抗が、周期表第１［［Ａ族元素の
   ドーピングによって１０　　Ω−ｃｍ以上となっている
   、特許請求の範囲の第１項〜第３項のいずれか１項に記
   載した記録体。 五　光導電層の固有抵抗が、周期表第１１１Ａ族元素の
   ドーピングによって１０　　Ω−ｃｍ以上となっている
   、特許請求の範囲の第４項に記載した記録体。 ６、　電荷輸送層の固有抵抗が、周期表第１１ＴＡ族元
   素のドーピングによって１０　　Ω−ｃｍ以上となって
   いる、特許請求の範囲の第１項〜第５項のいずれか１項
   に記載した記録体。 ７、　表面改質層の固有抵抗が１０　　Ω−ｃｍ以上で
   ある、特許請求の範囲の第１項〜第６項のいずれか１項
   に記載した記録体。 ８、　表面改質層がＳ１０，８１０２、Ａｌ２Ｏ３、Ｍ
   、ｌｉ’ｏ。 Ｚ！１０ＳＰｂＯ１ＣａｂＳＢｏｏ、Ｂ　ａ　Ｏ，Ｚ　
   ｎ　Ｏ２、ＴｌＯ２、Ｔａ２Ｏ，。 Ｃｅ　Ｏ２、Ｓ　ｎ　Ｏ２から万る群より選ばれた少な
   くとも１種によって形成されている、特許請求の範囲の
   第１項〜第７項のいずれか１項に記載した記録体。 ９　光導電層の厚みが０．５〜３μｍ、電荷ブロッキン
   グ層の厚みが４００〜５０００Ａ、電荷輸送層の厚みが
   ５〜３０μｍ１表面改質層の厚みが４００〜２０００　
   Ａである、特許請求の範囲の第１項〜第８項のいずれか
   １項に記載した記録体。