JPS61126558A - 光導電部材 - Google Patents
光導電部材Info
- Publication number
- JPS61126558A JPS61126558A JP59248087A JP24808784A JPS61126558A JP S61126558 A JPS61126558 A JP S61126558A JP 59248087 A JP59248087 A JP 59248087A JP 24808784 A JP24808784 A JP 24808784A JP S61126558 A JPS61126558 A JP S61126558A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoconductive
- amorphous silicon
- charge injection
- photoconductive layer
- Prior art date
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は光（紫外から可視、赤外、Ｘ線、γ線等にわた
る領域の電磁波をいう）に感受性のある光導電部材に関
する。
る領域の電磁波をいう）に感受性のある光導電部材に関
する。
固体撮像素子、電子写真感光体等における光導電層を構
成する光導電性材料は、その使用上の目的から暗所での
比抵抗が高く（通常１０１３Ω１以上）、かつ光照射に
より比抵抗が小さくなる性質をもつものでなくてはなら
ない。
成する光導電性材料は、その使用上の目的から暗所での
比抵抗が高く（通常１０１３Ω１以上）、かつ光照射に
より比抵抗が小さくなる性質をもつものでなくてはなら
ない。
ここでは電子写真を例にとって、その原理及び感光体と
して必要な条件を簡単に説明する。電子写真は感光体表
面にコロナ放電により電荷をふらせ帯電させる。次に感
光体に光を照射すると電子と正孔の対ができそのどちら
か一方により表面の電荷が中和される。例えば正に帯電
させた場合、光照射によりできた対のうち電子によって
中和され感光体表面に正電荷の潜像が形成される。可視
化は感光体表面の電荷と異符号に帯電したトナーと呼ば
れる黒粉体を感光体表面にクーロンカにょって吸引させ
ることによりなされる。このとき、感光体表面に電荷が
なくとも、トナーの電荷で感光体に引きつけられること
を避けるため、感光体と現像器の闇に電荷による電場と
逆方向の電場が生ずるように現像器の電位を高くすると
いう処理がなされている。これを、現像バイアスという
。
して必要な条件を簡単に説明する。電子写真は感光体表
面にコロナ放電により電荷をふらせ帯電させる。次に感
光体に光を照射すると電子と正孔の対ができそのどちら
か一方により表面の電荷が中和される。例えば正に帯電
させた場合、光照射によりできた対のうち電子によって
中和され感光体表面に正電荷の潜像が形成される。可視
化は感光体表面の電荷と異符号に帯電したトナーと呼ば
れる黒粉体を感光体表面にクーロンカにょって吸引させ
ることによりなされる。このとき、感光体表面に電荷が
なくとも、トナーの電荷で感光体に引きつけられること
を避けるため、感光体と現像器の闇に電荷による電場と
逆方向の電場が生ずるように現像器の電位を高くすると
いう処理がなされている。これを、現像バイアスという
。
以上が原理であるが、つぎに感光体として必要な条件を
述べると、第１にコロナ放電により帯電した電荷が光照
射まで保持されること、第２に光照射により生成した電
子と正孔の対が再結合することなく、一方が表面の電荷
を中和し、さらにもう一方は感光層の支持体まで短時間
に到達することなどがあげられる。
述べると、第１にコロナ放電により帯電した電荷が光照
射まで保持されること、第２に光照射により生成した電
子と正孔の対が再結合することなく、一方が表面の電荷
を中和し、さらにもう一方は感光層の支持体まで短時間
に到達することなどがあげられる。
従来、光導電部材における光導電性層の形成に使用され
るものとして非晶質カルコゲナイド系材料がある。非晶
質カルコゲナイド系材料は、大面積化を容易に達成する
ことのできる優れた光導電性材料であるが、光吸収領域
端が可視領域から紫外領域に近いところまでにあるので
実用上可視領域における光感度が低く、また硬度が低い
ので電子写真感光体に応用した場合、寿命が短かいなど
幾つかの問題を有している。
るものとして非晶質カルコゲナイド系材料がある。非晶
質カルコゲナイド系材料は、大面積化を容易に達成する
ことのできる優れた光導電性材料であるが、光吸収領域
端が可視領域から紫外領域に近いところまでにあるので
実用上可視領域における光感度が低く、また硬度が低い
ので電子写真感光体に応用した場合、寿命が短かいなど
幾つかの問題を有している。
このような問題点に基づき最近注目されている光導電性
材料にはアモルファスシリコンがある（以下、ａ−５ｉ
と記す）。ａ−５ｉは吸収波長域が広く全整色（Ｐａｎ
ｃｈｒｏｅ＋ａｔｉｃ）であり、光感度も高い。またａ
−５ｉは硬度も高く、電子写真感光体に応用した場合、
従来のものより１０倍以上の寿命を持つことが期待され
ている。さらにａ−５ｉは１人体に無害であり、単結晶
シリコンと比較した場合、安価で容易に大面積化を図か
ることができる等の多くの利点を有する。
材料にはアモルファスシリコンがある（以下、ａ−５ｉ
と記す）。ａ−５ｉは吸収波長域が広く全整色（Ｐａｎ
ｃｈｒｏｅ＋ａｔｉｃ）であり、光感度も高い。またａ
−５ｉは硬度も高く、電子写真感光体に応用した場合、
従来のものより１０倍以上の寿命を持つことが期待され
ている。さらにａ−５ｉは１人体に無害であり、単結晶
シリコンと比較した場合、安価で容易に大面積化を図か
ることができる等の多くの利点を有する。
しかしながら、ａ−３ｉは暗所での比抵抗（以下、暗抵
抗という）が通常１０″ΩＣａ１〜１０１０Ω口程度の
低さであるから、静電潜像を形成する電子写真感光体に
あっては、その表面に帯電した電荷を保持することがで
きない。もっとも、電子写真感光体においてはアモルフ
ァスシリコン感光層と支持体との間に、窒化シリコン、
炭化シリコン、酸化シリコンなどを介在させることによ
り支持体がらのキャリアの注入を防止することが試みら
れている。
抗という）が通常１０″ΩＣａ１〜１０１０Ω口程度の
低さであるから、静電潜像を形成する電子写真感光体に
あっては、その表面に帯電した電荷を保持することがで
きない。もっとも、電子写真感光体においてはアモルフ
ァスシリコン感光層と支持体との間に、窒化シリコン、
炭化シリコン、酸化シリコンなどを介在させることによ
り支持体がらのキャリアの注入を防止することが試みら
れている。
しかしながら、この試みにより比抵抗の高いａ−５ｉ層
の厚みを大きくすると、その上にあるａ−５ｉ層から支
持体へ流れるキャリアの通過を阻止することとなるので
、結果として残留電位が高くなるという問題が生じてし
まう。また、比抵抗の高いａ−５ｉ層の厚みを小さくす
ると、十分な電位保持能を持たせることができなくなっ
てしまい、また現像バイアスによる絶縁破壊が起るとい
う欠点を有している。
の厚みを大きくすると、その上にあるａ−５ｉ層から支
持体へ流れるキャリアの通過を阻止することとなるので
、結果として残留電位が高くなるという問題が生じてし
まう。また、比抵抗の高いａ−５ｉ層の厚みを小さくす
ると、十分な電位保持能を持たせることができなくなっ
てしまい、また現像バイアスによる絶縁破壊が起るとい
う欠点を有している。
一方、導電性基体と光導電性層の間にＰ型あるいはｎ型
の導電性をもつ半導体膜を設ける方法もある。通常は硼
素（Ｂ）あるいは燐（Ｐ）を多量にドープしたＰ型ある
いはｎ型の非晶質シリコンを用いる。このような層を電
荷注入防止層と呼ぶ。この層における電荷注入防止能は
ＢあるいはＰを多くドープすることにより向上するが、
そのような膜１文膜内部の歪が大きく、その上に歪の異
なる膜を積層すると膜が剥離してしまうという不具合を
有している。また、非晶質シリコンの光吸収は広い波長
域にわたって起り、光吸収端付近でも徐々に吸収が減少
するという様相を示す。すなわち、７００ｎ＋ｎから８
０ｏｎ−の波長域では吸収は減少するが零にはならず、
僅かながら吸収するものであるにのような材料で光導電
性層を作る場合、電子写真感光−のように光導電性層の
膜厚が厚い場合には、長波長光を光導電性層の基体に近
いところでも吸収する。非晶質シリコンは電子、正孔と
ともにその易動度はあまり高くないので、露光により感
光体の表面より遠い所で発生したキャリアは残り易い。
の導電性をもつ半導体膜を設ける方法もある。通常は硼
素（Ｂ）あるいは燐（Ｐ）を多量にドープしたＰ型ある
いはｎ型の非晶質シリコンを用いる。このような層を電
荷注入防止層と呼ぶ。この層における電荷注入防止能は
ＢあるいはＰを多くドープすることにより向上するが、
そのような膜１文膜内部の歪が大きく、その上に歪の異
なる膜を積層すると膜が剥離してしまうという不具合を
有している。また、非晶質シリコンの光吸収は広い波長
域にわたって起り、光吸収端付近でも徐々に吸収が減少
するという様相を示す。すなわち、７００ｎ＋ｎから８
０ｏｎ−の波長域では吸収は減少するが零にはならず、
僅かながら吸収するものであるにのような材料で光導電
性層を作る場合、電子写真感光−のように光導電性層の
膜厚が厚い場合には、長波長光を光導電性層の基体に近
いところでも吸収する。非晶質シリコンは電子、正孔と
ともにその易動度はあまり高くないので、露光により感
光体の表面より遠い所で発生したキャリアは残り易い。
電子写真装置には１枚の画像を形成した後、感光体表面
に残る電荷を除去する除電と呼ばれるプロセスがあるが
、これを光照射で行なう場合には上記理由により残留し
た膜中のキャリアが次の画像を得るために行なう感光体
表面の帯電による表面電荷を中和してしまう。したがっ
て、露光直後の帯電能は暗中に放置した後の帯電能より
も大幅に低下するという不具合が生じている。
に残る電荷を除去する除電と呼ばれるプロセスがあるが
、これを光照射で行なう場合には上記理由により残留し
た膜中のキャリアが次の画像を得るために行なう感光体
表面の帯電による表面電荷を中和してしまう。したがっ
て、露光直後の帯電能は暗中に放置した後の帯電能より
も大幅に低下するという不具合が生じている。
本発明は上記事情にもとづきなされたもので。
残留電位を生じしめることなく帯電能に優れ、紫外から
近赤外にまで及ぶ広い波長域において、高い光感度をも
ち、かつ長期間の使用に耐え得る光導電部材を提供する
ことを目的とする。
近赤外にまで及ぶ広い波長域において、高い光感度をも
ち、かつ長期間の使用に耐え得る光導電部材を提供する
ことを目的とする。
本発明は上記目的を達成するために導電性支持体上に電
荷注入防止層、光導電性層および表面被覆層の順序で成
層される光導電部材において、非晶質炭化シリコンから
成る電荷注入防止層上に０．１μｍ乃至５．０μ謂の膜
厚を有する非晶質シリコンから成る第１の光導電性層が
積層され、さらにこの第１の光導電性層の上に非晶質窒
化シリコンから成る第２の光導電性層が積層されること
を特徴とするものである。
荷注入防止層、光導電性層および表面被覆層の順序で成
層される光導電部材において、非晶質炭化シリコンから
成る電荷注入防止層上に０．１μｍ乃至５．０μ謂の膜
厚を有する非晶質シリコンから成る第１の光導電性層が
積層され、さらにこの第１の光導電性層の上に非晶質窒
化シリコンから成る第２の光導電性層が積層されること
を特徴とするものである。
以下、本発明を図面に示す一実施例にもとづいて説明す
る。図中、（１）はたとえば電子写真感光体として使用
される光導電部材である。この光導電部材（１）は平板
状またはドラム状の導電性支持体（２）上に積層した非
晶質炭化シリコンから成る電荷注入防止層（３）と、こ
の電荷注入防止層（３）の上に０．１〜５．０μｍ膜厚
のａ−５ｉ層を積層した第１の光導電性層（４）と、こ
の第１の光導電性層（４）の上に積層した非晶質窒化シ
リコンから成る第２の光導電性層（５）と、さらに好ま
しくは上記第２の光導電性層（５）の上に５００Ａ〜５
μ隋膜厚の非晶質炭化シリコン、窒化シリコンあるいは
酸化シリコンを積層した表面被覆層（６）とから構成さ
れる。
る。図中、（１）はたとえば電子写真感光体として使用
される光導電部材である。この光導電部材（１）は平板
状またはドラム状の導電性支持体（２）上に積層した非
晶質炭化シリコンから成る電荷注入防止層（３）と、こ
の電荷注入防止層（３）の上に０．１〜５．０μｍ膜厚
のａ−５ｉ層を積層した第１の光導電性層（４）と、こ
の第１の光導電性層（４）の上に積層した非晶質窒化シ
リコンから成る第２の光導電性層（５）と、さらに好ま
しくは上記第２の光導電性層（５）の上に５００Ａ〜５
μ隋膜厚の非晶質炭化シリコン、窒化シリコンあるいは
酸化シリコンを積層した表面被覆層（６）とから構成さ
れる。
つぎに、各層について説明する６まず、電荷注入防止層
（３）として硼素（Ｂ）あるいは燐ＣＰ）などをドープ
したＰ型あるいはｎの非晶質炭化シリコンを積層する理
由は、ａ−５Ｌは硼素（Ｂ）あるいは燐（Ｐ）を大量に
ドーピングすることにより膜中の歪が大きくなり膜が剥
離し易くなるのに対し非晶質炭化シリコンはこのような
問題がなく硼素（Ｂ）あるいは燐（Ｐ）を大量にドーピ
ングすることが可能となり、電荷注入防止層（３）とし
て優れた膜が得られる。また、第１の光導電性層（４）
の役割は上部に積層した第２の光導電性層（５）に非晶
質窒化シリコンを使用したときの欠点を補なうことにあ
る。
（３）として硼素（Ｂ）あるいは燐ＣＰ）などをドープ
したＰ型あるいはｎの非晶質炭化シリコンを積層する理
由は、ａ−５Ｌは硼素（Ｂ）あるいは燐（Ｐ）を大量に
ドーピングすることにより膜中の歪が大きくなり膜が剥
離し易くなるのに対し非晶質炭化シリコンはこのような
問題がなく硼素（Ｂ）あるいは燐（Ｐ）を大量にドーピ
ングすることが可能となり、電荷注入防止層（３）とし
て優れた膜が得られる。また、第１の光導電性層（４）
の役割は上部に積層した第２の光導電性層（５）に非晶
質窒化シリコンを使用したときの欠点を補なうことにあ
る。
すなわち、非晶質窒化シリコンはａ−５ｉと比較して光
学的バンドギャップが広く、感光波長域が狭い。
学的バンドギャップが広く、感光波長域が狭い。
したがって、 ａ−５ｉ層は露光に用いられる光源に対
応させて０．１〜０．５μ謂程度の膜厚があればよい。
応させて０．１〜０．５μ謂程度の膜厚があればよい。
さらに、第２の光導電性層（５）はａ−５ｉでもよいが
、ａ−５ｉは比抵抗が低く、帯電能ならびに電位保持能
も満足すべきものではない。これに対して非晶質窒化シ
リコンは比抵抗が高いため＋ ａ−５ｉと比較して帯電
能ならびに電位保持能に２０〜３０％程度の向上があっ
た。
、ａ−５ｉは比抵抗が低く、帯電能ならびに電位保持能
も満足すべきものではない。これに対して非晶質窒化シ
リコンは比抵抗が高いため＋ ａ−５ｉと比較して帯電
能ならびに電位保持能に２０〜３０％程度の向上があっ
た。
また、これらの光導電性Ｎ（４）、（５）に少量の硼素
（Ｂ）をドーピングすることにより比抵抗は更に高くな
り、正孔の易動度、すなわち動き易さもドーピングしな
い場合よりも高くなるので好ましい結果が得られる。
（Ｂ）をドーピングすることにより比抵抗は更に高くな
り、正孔の易動度、すなわち動き易さもドーピングしな
い場合よりも高くなるので好ましい結果が得られる。
つぎに、上記構成にもとづく本発明の光導電部材の成膜
方法を説明する。まず、導電性支持体（２）を真空反応
室（図示しない）に取付け、反応室内を図示しないメカ
ニカルブースターポンプと油回転ポンプにより１０−３
〜１０ ”Ｔｏｒｒの真空状態とする。このとき、上記
支持体（２）は１００℃〜４００℃の温度に保持してお
く。
方法を説明する。まず、導電性支持体（２）を真空反応
室（図示しない）に取付け、反応室内を図示しないメカ
ニカルブースターポンプと油回転ポンプにより１０−３
〜１０ ”Ｔｏｒｒの真空状態とする。このとき、上記
支持体（２）は１００℃〜４００℃の温度に保持してお
く。
つぎに、反応室内にＳｉ原子を含むガス、例えばＳｉＨ
４ｒ ＳｉＨ６ｒ ＳｘＦ ４等のガスを導入し、０．
１〜ＩＴｏｒｒ程度の圧力になるように排気速度を調節
し定常状態になるまで待機する。
４ｒ ＳｉＨ６ｒ ＳｘＦ ４等のガスを導入し、０．
１〜ＩＴｏｒｒ程度の圧力になるように排気速度を調節
し定常状態になるまで待機する。
つぎに、反応室内の電極間に１３．５６ＭＨｚの高周波
電力を印加することにより成膜することができる。
電力を印加することにより成膜することができる。
また、 ａ−５ｉは周期律表第ＩＩＩａ族元素もしくは
Ｖａ族元素のドーピングにより価電子制御が可能であり
、比抵抗の制御も可能である。さらに、窒素、炭素、ま
たは酸素の添加により比抵抗を高くすることができる。
Ｖａ族元素のドーピングにより価電子制御が可能であり
、比抵抗の制御も可能である。さらに、窒素、炭素、ま
たは酸素の添加により比抵抗を高くすることができる。
また、不純物添加の方法は、成膜時において、反応室内
にＳｉ原子を含むガスと添加したい元素を含むガスとを
混合することにより成膜が可能となる。
にＳｉ原子を含むガスと添加したい元素を含むガスとを
混合することにより成膜が可能となる。
そこで、上記成膜方法を用いて例えばｌの円筒状支持体
に積層し、電子写真感光体とした一例を説明する。まず
、導電性支持体（２）上に硼素（Ｂ）がＩ Ｘ １０−
３乃至１．Ｏａｌ：、。ｍｉｃ％を含む非晶質炭化シリ
コンを積層して電荷注入防止層（３）とする。
に積層し、電子写真感光体とした一例を説明する。まず
、導電性支持体（２）上に硼素（Ｂ）がＩ Ｘ １０−
３乃至１．Ｏａｌ：、。ｍｉｃ％を含む非晶質炭化シリ
コンを積層して電荷注入防止層（３）とする。
このときの成膜条件はＳｉＨ４ガスに対してＣＨ４ガス
を２０％乃至１００％程度混合し、Ｈｅガスで希釈した
Ｂ２Ｈｓ（濃度２０ 、０００ｐρｍ）ガスをＳｉＨ４
ガスに対し１〜１０％程度混合している。
を２０％乃至１００％程度混合し、Ｈｅガスで希釈した
Ｂ２Ｈｓ（濃度２０ 、０００ｐρｍ）ガスをＳｉＨ４
ガスに対し１〜１０％程度混合している。
つぎに、ａ−５ｊから成る第１の光導電性層（４）を膜
厚０．１〜５μｍ積層するには硼素（Ｂ）を少量ドーピ
ングすることが望ましく、そのときにはＳｉＨ４ガスに
対しＨｅガスで稀釈したＢ２ Ｈ６（濃度２０ｐｐｍ）
ガスを１〜１０％程度混合して成膜する。
厚０．１〜５μｍ積層するには硼素（Ｂ）を少量ドーピ
ングすることが望ましく、そのときにはＳｉＨ４ガスに
対しＨｅガスで稀釈したＢ２ Ｈ６（濃度２０ｐｐｍ）
ガスを１〜１０％程度混合して成膜する。
つぎに、非晶質窒化シリコンから成る第２の光導電性層
（５）はＮ２もしくはＮＨ３ガスをＳｉＨ４ガスに対し
５〜４０％程度混合する以外はａ−５ｉから成る第１の
光導電性層（４）と同様である。このとき、得られる膜
の光学的バンドギャップはｌ 、 ７ｅＶまたは！、９
ｅＶとなり、ａ−５ｉに比較して大きい利点がある。
（５）はＮ２もしくはＮＨ３ガスをＳｉＨ４ガスに対し
５〜４０％程度混合する以外はａ−５ｉから成る第１の
光導電性層（４）と同様である。このとき、得られる膜
の光学的バンドギャップはｌ 、 ７ｅＶまたは！、９
ｅＶとなり、ａ−５ｉに比較して大きい利点がある。
さらに、表面被覆層（６）はＳｉＨ４に対し同量かそ九
以上のＣＨ４ｒ Ｃ２Ｈ５ｒ Ｃ２ｔ１２ ｒ ｏ２＋
Ｎ２ ＊ ＮＨ３ガスを混合して成膜するが、その膜
厚は５００八〜５．０μｍ程度が好ましく、光学的バン
ドギャップも２ 、 ＯｅＶ以上の大きなものが得られ
る。
以上のＣＨ４ｒ Ｃ２Ｈ５ｒ Ｃ２ｔ１２ ｒ ｏ２＋
Ｎ２ ＊ ＮＨ３ガスを混合して成膜するが、その膜
厚は５００八〜５．０μｍ程度が好ましく、光学的バン
ドギャップも２ 、 ＯｅＶ以上の大きなものが得られ
る。
このように成層されたＡＩｌの円筒状支持体（２）を電
子写真感光体として用いた結果、正帯電用として充分使
用可能な帯電能と電荷保持能を有しており、１０万枚以
上のコピーにも画像の乱れがなく。
子写真感光体として用いた結果、正帯電用として充分使
用可能な帯電能と電荷保持能を有しており、１０万枚以
上のコピーにも画像の乱れがなく。
長期間の使用に耐え得ることが立証されている。
一方、上記電荷注入防止層（３）に硼素（Ｂ）の代りに
燐（Ｐ）をドーピングすると負帯電用となり、上記同様
の電子写真用感光体が得られるものである。
燐（Ｐ）をドーピングすると負帯電用となり、上記同様
の電子写真用感光体が得られるものである。
以上説明したように本発明によれば光導電部材の表面に
残留電位がなく、帯電能および電荷保持能に優れている
ため、長期間に亘り寿命を伸ばすことができるという格
別な効果を奏するものである。
残留電位がなく、帯電能および電荷保持能に優れている
ため、長期間に亘り寿命を伸ばすことができるという格
別な効果を奏するものである。
図面は本発明の一実施例を示す光導電部材の模式的構成
図である。
図である。
Claims (3)
- （１）導電性支持体上に電荷注入防止層、光導電性層お
よび表面被覆層を積層して成る光導電部材において、電
荷注入防止層は非晶質炭化シリコンから成り、この電荷
注入防止層の上に積層される膜厚０．１μｍ乃至５．０
μｍの非晶質シリコンから成る第１の光導電性層と、こ
の第１の光導電性層の上に積層される非晶質窒化シリコ
ンから成る第２の光導電性層とを備えたことを特徴とす
る光導電部材。 - （２）電荷注入防止層、第１の光導電性層および第２の
光導電性層には周期律表IIIａ族またはＶａ族元素が含
まれることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光
導電部材。 - （３）表面被覆層は第２の光導電性層よりも光学的バン
ドギャップの大きい非晶質炭化シリコンまたは非晶質窒
化シリコンあるいは非晶質酸化シリコンの層であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光導電部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59248087A JPH0743543B2 (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | 光導電部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59248087A JPH0743543B2 (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | 光導電部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61126558A true JPS61126558A (ja) | 1986-06-14 |
| JPH0743543B2 JPH0743543B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=17173011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59248087A Expired - Lifetime JPH0743543B2 (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | 光導電部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0743543B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61138957A (ja) * | 1984-12-12 | 1986-06-26 | Toshiba Corp | 電子写真感光体 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58219565A (ja) * | 1982-06-15 | 1983-12-21 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光体 |
| JPS5967551A (ja) * | 1982-10-11 | 1984-04-17 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 記録体 |
| JPS5967549A (ja) * | 1982-10-11 | 1984-04-17 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 記録体 |
| JPS59177561A (ja) * | 1983-03-28 | 1984-10-08 | Canon Inc | 電子写真用光導電部材 |
-
1984
- 1984-11-26 JP JP59248087A patent/JPH0743543B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58219565A (ja) * | 1982-06-15 | 1983-12-21 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光体 |
| JPS5967551A (ja) * | 1982-10-11 | 1984-04-17 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 記録体 |
| JPS5967549A (ja) * | 1982-10-11 | 1984-04-17 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 記録体 |
| JPS59177561A (ja) * | 1983-03-28 | 1984-10-08 | Canon Inc | 電子写真用光導電部材 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61138957A (ja) * | 1984-12-12 | 1986-06-26 | Toshiba Corp | 電子写真感光体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0743543B2 (ja) | 1995-05-15 |
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