JPS60153051A - 光導電部材 - Google Patents
光導電部材Info
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- JPS60153051A JPS60153051A JP59007070A JP707084A JPS60153051A JP S60153051 A JPS60153051 A JP S60153051A JP 59007070 A JP59007070 A JP 59007070A JP 707084 A JP707084 A JP 707084A JP S60153051 A JPS60153051 A JP S60153051A
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- Japan
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- photoconductive
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- photoconductive member
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
- G03G5/08242—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers at least one with varying composition
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- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は光（紫外から可視、赤外、Ｘ線、γ線等の電磁
波をいう）に感受性のある光導電部材に関する０ 〔発明の技術的背景とその問題点〕 固体撮像素子、電子写真感光体等における光導電層を構
成する光導電性材料は、その使用上の目的から暗所での
比抵抗が高く、かつ光照射により比抵抗が小さくなる性
質をもつものでなくてはならない０ 電子写真を例にとって、その原理及び感光体として必要
な条件を簡単に説明する０電子写真は感光体表面にコロ
ナ放電により電荷をふらせ帯電させる０次に感光体に光
を照射すると電子と正孔の対ができ、そのどちらか一方
により表面の電荷が中和される０例えば正に帯電させた
場合、光照射によりできた対のうち、電子によって中和
され、感光体表面に正電荷の潜像が形成される。潜像の
可視化は、感光体表面の電荷と異符号に帯電したトナー
と呼ばれる黒粉体を、感光体表面にクーロン力によって
吸引させることによりなされる０この時、電荷がなくと
も、トナーの電荷で、感光体に引きつけられることを避
けるため、感光体と現像器の間に電荷による電場と逆方
向の電場が生ずる様に１現像器の電位を高くするという
処理がなされている。これを、以下現像バイアスという
。以上が原理であるが、次に感光体として必要な条件を
述べると、第１にコロナ放電によシ帯電した電荷が光照
射まで保持されること、第２に光照射により生成した電
子と正孔の対が再結合することなく、一方が表面の電荷
を中和し、ざらＫもう一方は、感光体支持体まで瞬時に
到達することなどがあげられる。
波をいう）に感受性のある光導電部材に関する０ 〔発明の技術的背景とその問題点〕 固体撮像素子、電子写真感光体等における光導電層を構
成する光導電性材料は、その使用上の目的から暗所での
比抵抗が高く、かつ光照射により比抵抗が小さくなる性
質をもつものでなくてはならない０ 電子写真を例にとって、その原理及び感光体として必要
な条件を簡単に説明する０電子写真は感光体表面にコロ
ナ放電により電荷をふらせ帯電させる０次に感光体に光
を照射すると電子と正孔の対ができ、そのどちらか一方
により表面の電荷が中和される０例えば正に帯電させた
場合、光照射によりできた対のうち、電子によって中和
され、感光体表面に正電荷の潜像が形成される。潜像の
可視化は、感光体表面の電荷と異符号に帯電したトナー
と呼ばれる黒粉体を、感光体表面にクーロン力によって
吸引させることによりなされる０この時、電荷がなくと
も、トナーの電荷で、感光体に引きつけられることを避
けるため、感光体と現像器の間に電荷による電場と逆方
向の電場が生ずる様に１現像器の電位を高くするという
処理がなされている。これを、以下現像バイアスという
。以上が原理であるが、次に感光体として必要な条件を
述べると、第１にコロナ放電によシ帯電した電荷が光照
射まで保持されること、第２に光照射により生成した電
子と正孔の対が再結合することなく、一方が表面の電荷
を中和し、ざらＫもう一方は、感光体支持体まで瞬時に
到達することなどがあげられる。
従来、感光体として使用されているものでは、非晶質カ
ルコゲナイド系などがある。非晶質カルコゲナイドは、
大面積化が容易であシ、すぐれた光導電性をもつ材料で
あるが、光の吸収端、が可視から紫外に近いところにあ
シ、実用上、可視域の光に対する感度が低い。また硬度
が低く、電子写真感光体に応用した場合、寿命が短いな
ど、幾つかの問題をかかえている。
ルコゲナイド系などがある。非晶質カルコゲナイドは、
大面積化が容易であシ、すぐれた光導電性をもつ材料で
あるが、光の吸収端、が可視から紫外に近いところにあ
シ、実用上、可視域の光に対する感度が低い。また硬度
が低く、電子写真感光体に応用した場合、寿命が短いな
ど、幾つかの問題をかかえている。
このような点に基づき、最近注目されている光導電性材
料には、アモルファスシリコンがある。以下ａ −８ｉ
と書く。ａ −Ｓ ｉは吸収波長域が広く、感度も高
い。また硬度が高く、電子写真感光体として応用した場
合、従来のものより１０倍以上の寿命を持つことが期待
されている。さらに人体に無害であり、単結晶シリコン
と比較した場合、安価で容易に大面積のものが得られる
など、多くの利点をもつ、すぐれた材料である。しかし
ながら、ａ−８ｉは暗所での比抵抗（以下、暗抵抗とい
う）が低く、通常１Ｏ８０１〜１０１０Ω函程度で、電
子写真感光体のような静電潜像を形成するものでは、表
面に帯電させた電荷を保持することができない。
料には、アモルファスシリコンがある。以下ａ −８ｉ
と書く。ａ −Ｓ ｉは吸収波長域が広く、感度も高
い。また硬度が高く、電子写真感光体として応用した場
合、従来のものより１０倍以上の寿命を持つことが期待
されている。さらに人体に無害であり、単結晶シリコン
と比較した場合、安価で容易に大面積のものが得られる
など、多くの利点をもつ、すぐれた材料である。しかし
ながら、ａ−８ｉは暗所での比抵抗（以下、暗抵抗とい
う）が低く、通常１Ｏ８０１〜１０１０Ω函程度で、電
子写真感光体のような静電潜像を形成するものでは、表
面に帯電させた電荷を保持することができない。
そこで、ａ−８ｉを電子写真に応用した例では、感光層
と支持体との間にＮ（窒素）、Ｃ（炭素）、０（酸素）
などを添加した比抵抗の高いａ −Ｓ ｉ層を設は支持
体からのキャリアの注入を阻止することが試みられてい
る。また、この層は、ｐ形あるいはｎ形の半導体膜でも
良い。
と支持体との間にＮ（窒素）、Ｃ（炭素）、０（酸素）
などを添加した比抵抗の高いａ −Ｓ ｉ層を設は支持
体からのキャリアの注入を阻止することが試みられてい
る。また、この層は、ｐ形あるいはｎ形の半導体膜でも
良い。
ただし、正帯電の場合には電子をブロックし、正孔が通
過しうるｐ形半導体を用い負帯電の場合にはｎ形半導体
を用いる。
過しうるｐ形半導体を用い負帯電の場合にはｎ形半導体
を用いる。
ところが、従来の光導電部材は、第１図（ａ）に示すよ
うに導電性支持体２上にブロッキング層３、光導電層４
、表面層５を成層した三層構造の光導電部材１または第
１図（ｂ）に示すように、ブロッキング層が第１ブロッ
キング層３ａと第２ブロッキング層３ｂとに分かれてい
る四層構造の光導電部材６等であり、例えば正に帯電さ
せた場合、正電荷の潜像が保持されるがその電荷により
形成される電界は光導電層４内に形成される空乏層によ
シ広がりを持ち、表面層５上の電荷を横方向に引つばシ
、この結果、画像がぼやけてしまうという不具合点があ
った０〔発明の目的〕 本発明は、以上のような事情にもとづいてなされたもの
で電界の広がりを防ぎ、より鮮明な画像の得られる光導
電部材を提供することを目的とする。
うに導電性支持体２上にブロッキング層３、光導電層４
、表面層５を成層した三層構造の光導電部材１または第
１図（ｂ）に示すように、ブロッキング層が第１ブロッ
キング層３ａと第２ブロッキング層３ｂとに分かれてい
る四層構造の光導電部材６等であり、例えば正に帯電さ
せた場合、正電荷の潜像が保持されるがその電荷により
形成される電界は光導電層４内に形成される空乏層によ
シ広がりを持ち、表面層５上の電荷を横方向に引つばシ
、この結果、画像がぼやけてしまうという不具合点があ
った０〔発明の目的〕 本発明は、以上のような事情にもとづいてなされたもの
で電界の広がりを防ぎ、より鮮明な画像の得られる光導
電部材を提供することを目的とする。
本発明は、上記目的を達成するために、光導電層と表面
層との間に不純物ドーピング領域を設け、電界の広がり
を防ぎより鮮明な画像を得ることが可能な光導電部材で
ある。
層との間に不純物ドーピング領域を設け、電界の広がり
を防ぎより鮮明な画像を得ることが可能な光導電部材で
ある。
以下本発明を図示の一実施例を参照しながら説明する。
第２図は、本発明の光導電部材の基本的な構成例を説明
するために模式的に光導電部材を示した模式的構成図で
ある。光導電部材２１０層構成は第２図に示すように導
電性支持体２２の上に、ブロッキング層２３と光導電層
２４と不純物ドーピング層２６と表面層２５とをこの順
に積層してなる。
するために模式的に光導電部材を示した模式的構成図で
ある。光導電部材２１０層構成は第２図に示すように導
電性支持体２２の上に、ブロッキング層２３と光導電層
２４と不純物ドーピング層２６と表面層２５とをこの順
に積層してなる。
導電性支持体２２は、例えば、アルミニウム、ステンレ
スなどの金属又はガラス、高分子フィルムの表面に導筒
、性もしくは半４電性物質をコーティングしたものが利
用でき、平板上あるいはドラム状に形成して用いられる
。
スなどの金属又はガラス、高分子フィルムの表面に導筒
、性もしくは半４電性物質をコーティングしたものが利
用でき、平板上あるいはドラム状に形成して用いられる
。
ブロッキング層２３はｐ形のアモルファス炭化シリコン
からなる。
からなる。
光導電層２４は真性のａ −８ｉからなる。この層はア
ンドープのａ−８ｉでも良いが、はう素等の不純物を少
量添加しである方が比抵抗が高く画像のぼけを防ぐのに
効果的である。
ンドープのａ−８ｉでも良いが、はう素等の不純物を少
量添加しである方が比抵抗が高く画像のぼけを防ぐのに
効果的である。
不純物ドーピング層２６は、ドーグ剤としてＢ（はう素
）、Ｇ’ａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｐ（り
ん）またはＡｓ（ひ素）等を含むガスを用いて成層され
るｐ形のａ−８ｉ からなる。
）、Ｇ’ａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｐ（り
ん）またはＡｓ（ひ素）等を含むガスを用いて成層され
るｐ形のａ−８ｉ からなる。
表面層２５は、表面の安定化のために設けた比抵抗の＾
い層である。
い層である。
以上構成の光導電部材、例えば電子写真感光体は第３図
に示す電子写真感光体製造装置にょシ製造することがで
きる。
に示す電子写真感光体製造装置にょシ製造することがで
きる。
第３図に示すように、電子写真感光体製造袋＃は、基台
７上に反応容器としての真空チェンバ８を気密可能に装
着し、基台７に接続するパイプ９を介して排気装置、例
えばメカニカルブースタポンプ１０及びロータリーポン
プ１１により真空チェンバ８内を減圧、例えば１０−３
〜１０’Ｔｏｒｒにするように構成される。真空チェン
バ８内の基台７には、ドラム保持装置１２がギヤ１３を
介して駆動装置１４により回転可能に立設されでいる。
７上に反応容器としての真空チェンバ８を気密可能に装
着し、基台７に接続するパイプ９を介して排気装置、例
えばメカニカルブースタポンプ１０及びロータリーポン
プ１１により真空チェンバ８内を減圧、例えば１０−３
〜１０’Ｔｏｒｒにするように構成される。真空チェン
バ８内の基台７には、ドラム保持装置１２がギヤ１３を
介して駆動装置１４により回転可能に立設されでいる。
ドラム保持装置１２は、円筒形のドラム状導電性支持体
１５を装着することができると共にヒータ１６を有して
ドラム状導電性支持体１５を所定温度、例えば１５０〜
３００°Ｃに加熱することができるように構成される。
１５を装着することができると共にヒータ１６を有して
ドラム状導電性支持体１５を所定温度、例えば１５０〜
３００°Ｃに加熱することができるように構成される。
ドラム保持装置１２の周囲には、ガス導入部１７がこの
ドラム保持装置１２のまわりを取り凹むように配置され
る。ガス導入部１７のドラム保持装置１２に保持された
ドラム状導電性支持体１５の外周面に対向する内周面は
、複数個のカス噴出孔１８をイアすると共に電圧の印加
により放電を可能とする電極１９を兼ねている。カス導
入部１７は、パイプを介して真空チェンバ８外のパルプ
２０により真空チェンバ８内に導くガスの流量が調節さ
れるように構成されている。
ドラム保持装置１２のまわりを取り凹むように配置され
る。ガス導入部１７のドラム保持装置１２に保持された
ドラム状導電性支持体１５の外周面に対向する内周面は
、複数個のカス噴出孔１８をイアすると共に電圧の印加
により放電を可能とする電極１９を兼ねている。カス導
入部１７は、パイプを介して真空チェンバ８外のパルプ
２０により真空チェンバ８内に導くガスの流量が調節さ
れるように構成されている。
次に、第３図に示す電子写真感光体製造方法を用いて、
この発明に係る光導電部材、例えば電子写真感光体を製
造する方法を示す。
この発明に係る光導電部材、例えば電子写真感光体を製
造する方法を示す。
壕ず、基台７より真空チェンバ８を開放して、ドラム保
持装＠１２の細径部にドラム状導電性支持体１５を装置
した後、基台７に真空チェンバ８を気密に装着する。次
いでヒータ１６によりドラム状導電性支持体１５を１５
０〜３００℃に加熱し、また、ロータリーポンプ１１に
より真空チェンバ８内を約１０〜１ＱＴｏｒｒに減圧す
る。真空チェンバ８内の排気系を、ロータリーポンプ１
１からメカニカルブースタポンプ１０に切り換えると同
時にパルプ２０を開いて、原料ガスを真空チェンバ８内
に導く。ここで原料ガスはシリコン原子を含むガス、例
えばＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＦ４等のシリコンを含
むガスを用いる。この原料ガスは、ガス導入部１７内を
通りガス噴出孔１８よりドラム状導電性基体１５に向っ
て噴出する。噴出する混合ガスはメカニカルブースタポ
ンプ１ｏにょシ真空チェンバ８外に排出される。そこで
真空チェンバ８内の混合ガス圧が０．１〜ＩＴｏｒｒ程
度になるようにパルプ２０及びメカニカルブースタポン
プ１０を調節すると共に、駆動装置１４によりドラム保
持装置１２を回転させる。電極１９に周波数１３．５６
ＭＨｚ の高周波電力を印加すると共に、ドラム状導
電性支持体１５を接地することにより原料ガス中で放電
を行なうと共に、原料カスを供給することにより、ドラ
ム状導チ。
持装＠１２の細径部にドラム状導電性支持体１５を装置
した後、基台７に真空チェンバ８を気密に装着する。次
いでヒータ１６によりドラム状導電性支持体１５を１５
０〜３００℃に加熱し、また、ロータリーポンプ１１に
より真空チェンバ８内を約１０〜１ＱＴｏｒｒに減圧す
る。真空チェンバ８内の排気系を、ロータリーポンプ１
１からメカニカルブースタポンプ１０に切り換えると同
時にパルプ２０を開いて、原料ガスを真空チェンバ８内
に導く。ここで原料ガスはシリコン原子を含むガス、例
えばＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＦ４等のシリコンを含
むガスを用いる。この原料ガスは、ガス導入部１７内を
通りガス噴出孔１８よりドラム状導電性基体１５に向っ
て噴出する。噴出する混合ガスはメカニカルブースタポ
ンプ１ｏにょシ真空チェンバ８外に排出される。そこで
真空チェンバ８内の混合ガス圧が０．１〜ＩＴｏｒｒ程
度になるようにパルプ２０及びメカニカルブースタポン
プ１０を調節すると共に、駆動装置１４によりドラム保
持装置１２を回転させる。電極１９に周波数１３．５６
ＭＨｚ の高周波電力を印加すると共に、ドラム状導
電性支持体１５を接地することにより原料ガス中で放電
を行なうと共に、原料カスを供給することにより、ドラ
ム状導チ。
性支持体１５上に第２図に示すようなブロッキング層２
３．光４電層２４．不純物ドーピングを螢２６及び表面
層２５が成層できる。
３．光４電層２４．不純物ドーピングを螢２６及び表面
層２５が成層できる。
またドーピングの方法は、真空チェンバ８内にＳｉ原子
を含むカスを導入する際、同時にドーピングしたい原子
を含むカスを導入するだけで以下は同じである。なお、
ａ−８ｉ は周期律表第１１［ａ族、第■ａ族元素のド
ーピングにより、価電子制御が可能であり、この時、多
量のドーピングにより比抵抗は小さく、第１ｎ ａ族元
素の極少量のドーピングによシ比抵抗は、やや太きくな
る。
を含むカスを導入する際、同時にドーピングしたい原子
を含むカスを導入するだけで以下は同じである。なお、
ａ−８ｉ は周期律表第１１［ａ族、第■ａ族元素のド
ーピングにより、価電子制御が可能であり、この時、多
量のドーピングにより比抵抗は小さく、第１ｎ ａ族元
素の極少量のドーピングによシ比抵抗は、やや太きくな
る。
これらの層の成膜条件を以下に述べる。
ブロッキング層２３けＳｉＨ４流量に対しＢ２Ｊ（６を
００１〜１．０係、ＣＨ４を１０〜１００チ混合し、反
応圧０．４．Ｔｏｒｒ、印加電力２００Ｗ、基板温度２
５０ ’Ｏで、１漠厚が００１〜５μｍになるべく２０
分開成膜を行った。
００１〜１．０係、ＣＨ４を１０〜１００チ混合し、反
応圧０．４．Ｔｏｒｒ、印加電力２００Ｗ、基板温度２
５０ ’Ｏで、１漠厚が００１〜５μｍになるべく２０
分開成膜を行った。
光導電層２４はＳｉＨ４流量に対しＢ２Ｈ６を００１係
以下混合し、膜厚１２μｍになるべく９０分開成膜を行
った。以下反応圧、印加電力、基板温度は一定である。
以下混合し、膜厚１２μｍになるべく９０分開成膜を行
った。以下反応圧、印加電力、基板温度は一定である。
不純物ドーピング層２６は、ＳｉＨ４流量に対しＢ２Ｈ
６を０．０１〜１．０％混合し、膜厚１０１〜１μｍに
なるべく、数１０秒〜２分開成膜を行った。
６を０．０１〜１．０％混合し、膜厚１０１〜１μｍに
なるべく、数１０秒〜２分開成膜を行った。
表面層２５け、ＳｉＨ４流量に対しＣＨ４を１００〜数
１００係混合し、膜厚０．０５μｍになるべく４０秒間
成膜を行った。
１００係混合し、膜厚０．０５μｍになるべく４０秒間
成膜を行った。
このようにして作成された電子写真感光体により得られ
た画像は、不純物ドーピング層のない従来の感光体によ
る画像と比較して、鮮明で、より解像度の萬いものであ
った。
た画像は、不純物ドーピング層のない従来の感光体によ
る画像と比較して、鮮明で、より解像度の萬いものであ
った。
なお、上記矢施例においては、光導１扛層２４と表面層
２５との間の部分は第２図に示すように不純物ドーピン
グ層２６として、光導電層２４とは異なる層を形成して
いるが、第４図に示すように、光導電層３４０表面層３
５に接する部分を、不純物ドーピング領域３４−１とし
て、光導電層３４と連続して形成してもよい。
２５との間の部分は第２図に示すように不純物ドーピン
グ層２６として、光導電層２４とは異なる層を形成して
いるが、第４図に示すように、光導電層３４０表面層３
５に接する部分を、不純物ドーピング領域３４−１とし
て、光導電層３４と連続して形成してもよい。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、電界の広がりを
防ぎ、より鮮明な画像を得ることが可能である。
防ぎ、より鮮明な画像を得ることが可能である。
第１図（ａ） （ｂ）は、従来の光導電部材の模式的構
成図、第２図及び第４図は、本発明の一実′ＩＭ１９１
ｊの光導電部材を示す模式的構成図、第３図は、本発明
の光導電部材を製造するに好適な電子写真感光体製造装
置を示す説明図である。 ２１．３１・・・光導電部材、２２．３２・・・４電性
支持体、２４．３４・・・光導電層、２５．３．５・・
・表面層、２６・不純物ドーピング層、３４−１・・光
ξブ電層の不純物ドーピング領域。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ｋなか１名）
成図、第２図及び第４図は、本発明の一実′ＩＭ１９１
ｊの光導電部材を示す模式的構成図、第３図は、本発明
の光導電部材を製造するに好適な電子写真感光体製造装
置を示す説明図である。 ２１．３１・・・光導電部材、２２．３２・・・４電性
支持体、２４．３４・・・光導電層、２５．３．５・・
・表面層、２６・不純物ドーピング層、３４−１・・光
ξブ電層の不純物ドーピング領域。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ｋなか１名）
Claims (3)
- （１）支持体上に、シリコン原子を各々含む光導電層及
び表面層をこの順に有する光導電部材において、前記光
導電層と前記表面層との間に不純物ドーピング領域が設
けられていることを特徴とする光導電部材。 - （２）前記不純物ドーピング領域には、周期律表第１ｉ
ａ族あるいは第■ａ族元素と、水素あるいはハロゲンと
が含有されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の光導電部材。 - （３）前記不純物ドーピング領域は、膜厚１０Ｘ〜１μ
ｍの薄膜であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
又は第２項記載の光導電部材。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59007070A JPS60153051A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 光導電部材 |
| DE19853501382 DE3501382A1 (de) | 1984-01-20 | 1985-01-17 | Fotoleitungselement |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59007070A JPS60153051A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 光導電部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60153051A true JPS60153051A (ja) | 1985-08-12 |
Family
ID=11655813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59007070A Pending JPS60153051A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 光導電部材 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60153051A (ja) |
| DE (1) | DE3501382A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6270853A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-04-01 | エナ−ジ−・コンバ−シヨン・デバイセス・インコ−ポレ−テツド | 電子写真装置およびその媒体 |
| JPS62125363A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-06-06 | エナ−ジ−・コンバ−シヨン・デバイセス・インコ−ポレ−テツド | 電子写真用光受容体のための改良された基板及びその製法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3046509A1 (de) * | 1979-12-13 | 1981-08-27 | Canon K.K., Tokyo | Elektrophotographisches bilderzeugungsmaterial |
-
1984
- 1984-01-20 JP JP59007070A patent/JPS60153051A/ja active Pending
-
1985
- 1985-01-17 DE DE19853501382 patent/DE3501382A1/de not_active Ceased
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6270853A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-04-01 | エナ−ジ−・コンバ−シヨン・デバイセス・インコ−ポレ−テツド | 電子写真装置およびその媒体 |
| JPS62125363A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-06-06 | エナ−ジ−・コンバ−シヨン・デバイセス・インコ−ポレ−テツド | 電子写真用光受容体のための改良された基板及びその製法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3501382A1 (de) | 1985-07-25 |
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