JPS61177464A - 光導電部材 - Google Patents
光導電部材Info
- Publication number
- JPS61177464A JPS61177464A JP60019412A JP1941285A JPS61177464A JP S61177464 A JPS61177464 A JP S61177464A JP 60019412 A JP60019412 A JP 60019412A JP 1941285 A JP1941285 A JP 1941285A JP S61177464 A JPS61177464 A JP S61177464A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous silicon
- layer
- group
- silicon nitride
- photoconductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、光（この明細書において、光とは、紫外領域
からγ線領域にわたる電磁波をいう。）に感応性のある
光導電部材に関する。
からγ線領域にわたる電磁波をいう。）に感応性のある
光導電部材に関する。
固体撮像素子、電子写真感光体等における光導電性層を
構成する光導電性材料は、その使用上の目的から暗所で
の比抵抗が高く（通常１０ Ωα以上で）、かつ光照射
により比抵抗が小さくなる性質をもつものでなくてはな
らない。
構成する光導電性材料は、その使用上の目的から暗所で
の比抵抗が高く（通常１０ Ωα以上で）、かつ光照射
により比抵抗が小さくなる性質をもつものでなくてはな
らない。
ここで、電子写真を例にとって、その原理および感光体
として必要な条件を簡単に説明する。電子写真は感光体
表面にコロナ放電により電荷をふらせ帯電させる。次に
、感光体に照射すると電子と正孔の対ができ、そのどち
らか一方により表面の電荷が中和される。たとえば正に
帯電させた場合、光照射により生じた対のうち電子によ
って中和される。したがって、光照射により感光体表面
に静電化の潜像が形成される。そして、この潜像の可視
化は、感光体表面の電荷と逆極性に帯電したトナーと呼
ばれる黒粉体を感光体表面にクーロン力によって吸引さ
せることによりなされる。このとき、感光体表面に電荷
がなくとも、トナーの電荷でトナーが感光体に引付けら
れることを避けるため、感光体と現像器との間に電荷に
よる電場と逆方向の電場が生じるように現像器の電位を
高くするという処置がなされている。これを、以下現像
バイアスという。以上が原理であるが、次に、感光体と
して必要な条件を述べると、第１にコロナ放電により帯
電した電荷が光照射まで保持されること、第２に光照射
により生成した電子と正孔の対が再結合することなく、
一方が表面の電荷を中和し、さらにもう一方は、感光層
の支持体まで短時間に到達すること等が上げられる。
として必要な条件を簡単に説明する。電子写真は感光体
表面にコロナ放電により電荷をふらせ帯電させる。次に
、感光体に照射すると電子と正孔の対ができ、そのどち
らか一方により表面の電荷が中和される。たとえば正に
帯電させた場合、光照射により生じた対のうち電子によ
って中和される。したがって、光照射により感光体表面
に静電化の潜像が形成される。そして、この潜像の可視
化は、感光体表面の電荷と逆極性に帯電したトナーと呼
ばれる黒粉体を感光体表面にクーロン力によって吸引さ
せることによりなされる。このとき、感光体表面に電荷
がなくとも、トナーの電荷でトナーが感光体に引付けら
れることを避けるため、感光体と現像器との間に電荷に
よる電場と逆方向の電場が生じるように現像器の電位を
高くするという処置がなされている。これを、以下現像
バイアスという。以上が原理であるが、次に、感光体と
して必要な条件を述べると、第１にコロナ放電により帯
電した電荷が光照射まで保持されること、第２に光照射
により生成した電子と正孔の対が再結合することなく、
一方が表面の電荷を中和し、さらにもう一方は、感光層
の支持体まで短時間に到達すること等が上げられる。
従来、光導電部材における光導電性層の形成に使用され
るものとして非晶質カルコゲナイド系材料がある。非晶
質カルコゲナイド系材料は、大面積化を容易に達成する
ことのできる優れた光導電材料であるが、光吸収領域端
が可視領域から紫外領域に近いところまであるので、実
用上、可視領域における光感度が低く、また、硬度が低
いので電子写真感光体に応用しても寿命が短い等の問題
点を有する。
るものとして非晶質カルコゲナイド系材料がある。非晶
質カルコゲナイド系材料は、大面積化を容易に達成する
ことのできる優れた光導電材料であるが、光吸収領域端
が可視領域から紫外領域に近いところまであるので、実
用上、可視領域における光感度が低く、また、硬度が低
いので電子写真感光体に応用しても寿命が短い等の問題
点を有する。
上記問題点を解消する光導電性材料として、近年、アモ
ルファスシリコンが注目されている。アモルファスシリ
コンは、光吸収波長領域が広くて全整色（１）ａｎｃｈ
ｒｏｌａｔ ｉＣ）であり、光感度も高い。
ルファスシリコンが注目されている。アモルファスシリ
コンは、光吸収波長領域が広くて全整色（１）ａｎｃｈ
ｒｏｌａｔ ｉＣ）であり、光感度も高い。
また、アモルファスシリコンは硬度も高く、電子写真感
光体に応用した場合、従来のものに比べて１０倍以上の
寿命を有するとされている。さらに、アモルファスシリ
コンは、人体に無害であり、単結晶シリコンと比較する
と、安価で容易に大面積化を図ることができる等の多く
の利点を有する。
光体に応用した場合、従来のものに比べて１０倍以上の
寿命を有するとされている。さらに、アモルファスシリ
コンは、人体に無害であり、単結晶シリコンと比較する
と、安価で容易に大面積化を図ることができる等の多く
の利点を有する。
しかしながら、アモルファスシリコンは、暗所での比抵
抗（以下、単に暗抵抗ということもある。
抗（以下、単に暗抵抗ということもある。
）が、１０８〜１０１０Ωα程度の低さであるから、静
電潜像を形成する電子写真感光体にあっては、その表面
に帯電した電荷を保持することができない。もっとも、
電子写真感光体においては、アモルファスシリコン感光
体と支持体との間に、窒素原子、炭素原子、酸素原子等
をドーピングした比抵抗の高いアモルファスシリコン層
を介在させることにより、支持体からのキャリアの注入
を防止することが試みられてはいる。しかし、この試み
により、比抵抗の高いアモルファスシリコン層の厚みを
大きくすると、その上にあるアモルファスシリコン層か
ら支持体へのキャリアの透過を阻止することとなるので
、結果として残留電位が生じてしまう。また、比抵抗の
高いアモルファスシリコン層の厚みを小さくすると、十
分な電位保持能を持たせることができなくなってしまい
、また、現像バイアスによる絶縁破壊が起こる。
電潜像を形成する電子写真感光体にあっては、その表面
に帯電した電荷を保持することができない。もっとも、
電子写真感光体においては、アモルファスシリコン感光
体と支持体との間に、窒素原子、炭素原子、酸素原子等
をドーピングした比抵抗の高いアモルファスシリコン層
を介在させることにより、支持体からのキャリアの注入
を防止することが試みられてはいる。しかし、この試み
により、比抵抗の高いアモルファスシリコン層の厚みを
大きくすると、その上にあるアモルファスシリコン層か
ら支持体へのキャリアの透過を阻止することとなるので
、結果として残留電位が生じてしまう。また、比抵抗の
高いアモルファスシリコン層の厚みを小さくすると、十
分な電位保持能を持たせることができなくなってしまい
、また、現像バイアスによる絶縁破壊が起こる。
本発明は上記事情にもとづいてなされたもので、その目
的とするところは、残留電位を生ぜず、高い電位保持能
ならびに帯電能を有するとともに、現像バイアスによる
絶縁破壊を起こすことがない光導電部材を提供すること
にある。
的とするところは、残留電位を生ぜず、高い電位保持能
ならびに帯電能を有するとともに、現像バイアスによる
絶縁破壊を起こすことがない光導電部材を提供すること
にある。
本発明は、上記目的を達成するために、導電性支持体と
、光導電性層との間に、導電性支持体側から、周期律表
ＩＩＩａ族元素かＶａ族元素のいずれかを１ ｘ １０
’ ａｔｏｍｉｃ％以上１ 、０ａｔｏｍｉｃ％以下
の範囲で含む非晶質窒化シリコンからなる第１の電荷注
入防止層と、周期律表ＩＩＩａ族元素かＶａ族元素のい
ずれかをＩ Ｘ １０ ａｔｏｍｉｃ％以上１ ｘ
１０ ’ ａｔｏｍｉｃ％以下の範囲で含み、膜厚が５
μｍ以上４０μｍ以下の範囲の非晶質窒化シリコンから
なる第２の電荷注入防止層とをこの順に積層したことを
特徴とするものである。
、光導電性層との間に、導電性支持体側から、周期律表
ＩＩＩａ族元素かＶａ族元素のいずれかを１ ｘ １０
’ ａｔｏｍｉｃ％以上１ 、０ａｔｏｍｉｃ％以下
の範囲で含む非晶質窒化シリコンからなる第１の電荷注
入防止層と、周期律表ＩＩＩａ族元素かＶａ族元素のい
ずれかをＩ Ｘ １０ ａｔｏｍｉｃ％以上１ ｘ
１０ ’ ａｔｏｍｉｃ％以下の範囲で含み、膜厚が５
μｍ以上４０μｍ以下の範囲の非晶質窒化シリコンから
なる第２の電荷注入防止層とをこの順に積層したことを
特徴とするものである。
以下、本発明の一実施例を図面を参照しながら説明する
。
。
図中、１はたとえば平板状やドラム状の導電性支持体（
たとえばアルミニウム製ドラム）であり、この導電性支
持体１上には、周期律表■ａ族元素かＶａ族元素のいず
れか一方を１ Ｘ １０ ’ ａｔｏｍｉｃ％以上１
、 Ｏａｔｏｍｉｃ％以下の範囲で含む非晶質窒化シリ
コンからなる第１の電荷注入防止層２が積層されている
。
たとえばアルミニウム製ドラム）であり、この導電性支
持体１上には、周期律表■ａ族元素かＶａ族元素のいず
れか一方を１ Ｘ １０ ’ ａｔｏｍｉｃ％以上１
、 Ｏａｔｏｍｉｃ％以下の範囲で含む非晶質窒化シリ
コンからなる第１の電荷注入防止層２が積層されている
。
また、この第１の電荷注入防止層２上には、周期律表ｍ
ａ族元素かＶａ族元素のいずれか一方を１ Ｘ １０
ａｔｏｍｉｃ％以上１ ｘ １０４ａｔｏｍｉｃ％以
下の範囲で含む非晶質窒化シリコンからなる第２の電荷
注入防止層３が５μｍ以上４０μ７ＦＬ以下の範囲の膜
厚で積層されている。この第２の電荷注入防止層３は、
膜厚が５μ風でも良いが、表面を帯電して用いる場合に
は、どの程度の表面電位を得るかによって膜厚を変える
必要がある。
ａ族元素かＶａ族元素のいずれか一方を１ Ｘ １０
ａｔｏｍｉｃ％以上１ ｘ １０４ａｔｏｍｉｃ％以
下の範囲で含む非晶質窒化シリコンからなる第２の電荷
注入防止層３が５μｍ以上４０μ７ＦＬ以下の範囲の膜
厚で積層されている。この第２の電荷注入防止層３は、
膜厚が５μ風でも良いが、表面を帯電して用いる場合に
は、どの程度の表面電位を得るかによって膜厚を変える
必要がある。
また、この第２の電荷注入防止層３上には、周期律表Ｉ
ＩＩａ族元素かＶａ族元素のいずれか一方を１ ｘ １
０ ａｔｏｍｉｃ％以上Ｉ Ｘ １０ ’ ａｔｏｍ
ｉｃ％以下の範囲で含む非晶質シリコンからなる光導電
性層４が０．５μ風以上５μｍ以下の範囲の膜厚で積層
されている。ここで、非晶質シリコンは、広い波長域に
亘って吸収係数が高く、この程度の膜厚で十分な光感度
が得られるものである。
ＩＩａ族元素かＶａ族元素のいずれか一方を１ ｘ １
０ ａｔｏｍｉｃ％以上Ｉ Ｘ １０ ’ ａｔｏｍ
ｉｃ％以下の範囲で含む非晶質シリコンからなる光導電
性層４が０．５μ風以上５μｍ以下の範囲の膜厚で積層
されている。ここで、非晶質シリコンは、広い波長域に
亘って吸収係数が高く、この程度の膜厚で十分な光感度
が得られるものである。
なお、この光導電性層４上には、化学的安定性の向上の
ために、比抵抗が１０１８Ωα以上の表面被覆層５を０
．０５μ而以上５μｍ以下の範囲の膜厚で積層すること
が望ましい。この材料は、Ｓ ｉ ０２ 、 Ｓ ｉ
Ｎ、 Ｓ ｉ Ｃ４１）光学的ｔ＜ントキｖツブの広い
ものが良く、電子の易動度を高くするために、周期律表
１ａ族元素のドーピングも好ましい。
ために、比抵抗が１０１８Ωα以上の表面被覆層５を０
．０５μ而以上５μｍ以下の範囲の膜厚で積層すること
が望ましい。この材料は、Ｓ ｉ ０２ 、 Ｓ ｉ
Ｎ、 Ｓ ｉ Ｃ４１）光学的ｔ＜ントキｖツブの広い
ものが良く、電子の易動度を高くするために、周期律表
１ａ族元素のドーピングも好ましい。
また、第２の電荷注入防止層３は、第１の電荷注入防止
層２の補助的役割を果たすもので、光学的バンドギャッ
プが第１の電荷注入防止層２よりもやや広く、しかも、
比抵抗も高い非晶質窒化シリコンである。
層２の補助的役割を果たすもので、光学的バンドギャッ
プが第１の電荷注入防止層２よりもやや広く、しかも、
比抵抗も高い非晶質窒化シリコンである。
次に、成膜方法を説明する。
先ず、導電性支持体１を真空反応容器に入れ、容器内を
メカニカルブースターポンプと油圧回転ポンプにより１
０°３Ｔｏｒｒ程度の真空にし、支持体１を１００〜４
００℃の温度に保持する。ついで、容器内に３ｉ原子を
含むガス、たとえばＳｉＨ４，５ｉ２Ｈｓ 、ＳｉＦ４
等の原料ガスを導入する。また、非晶質窒化シリコンを
成膜するには、これらの原料ガスにＮ２ 、Ｎ８３等の
Ｎを含むガスを混合する。なお、この混合比を変えるこ
とにより光学的バンドギャップを変えることができる。
メカニカルブースターポンプと油圧回転ポンプにより１
０°３Ｔｏｒｒ程度の真空にし、支持体１を１００〜４
００℃の温度に保持する。ついで、容器内に３ｉ原子を
含むガス、たとえばＳｉＨ４，５ｉ２Ｈｓ 、ＳｉＦ４
等の原料ガスを導入する。また、非晶質窒化シリコンを
成膜するには、これらの原料ガスにＮ２ 、Ｎ８３等の
Ｎを含むガスを混合する。なお、この混合比を変えるこ
とにより光学的バンドギャップを変えることができる。
さらに、周期律表ＩＩＩａ族元素あるいはＶａ族元素の
ドーピングは、８２）−１ｓ 、 ＢＦｇあるいはＰＨ
ｓ 、ＰＦ５等のガスを混合することで達成される。
ドーピングは、８２）−１ｓ 、 ＢＦｇあるいはＰＨ
ｓ 、ＰＦ５等のガスを混合することで達成される。
以上のようなガスを各層の組成に合せて反応容器内に導
入し、０．１〜３ Ｔｏｒｒ程度の圧力になるように排
気速度を調節する。
入し、０．１〜３ Ｔｏｒｒ程度の圧力になるように排
気速度を調節する。
ついで、支持体１の周辺にプラズマが起こるように設置
した電極間に高周波電力を投入すると支持体１上に成膜
される。
した電極間に高周波電力を投入すると支持体１上に成膜
される。
次に、このようにして成膜した光導電部材の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
第１の電荷注入防止層２は、ＢをＩＸｌｌＸｌｏ−３ａ
ｔｏ％ドーピングした非晶質窒化シリコンを用い、０．
５μｍ積度積層した。この層はＢを多くドーピングして
おり、比抵抗が低く、光学的バンドギャップも１．７０
ｅＶ程度である。
ｔｏ％ドーピングした非晶質窒化シリコンを用い、０．
５μｍ積度積層した。この層はＢを多くドーピングして
おり、比抵抗が低く、光学的バンドギャップも１．７０
ｅＶ程度である。
また、第２の電荷注入防止層３は、ＢをＩ Ｘ １０
’ ａｔｏ１ｃ％ドーピングした非晶質窒化シリコンを
２５μｍ程度積層した。この層は少量のＢドープにより
、真性領域に近く、比抵抗も１０１８０１以上と高く、
光学的バンドギャップも１．７５８Ｖ程度で、第１の電
荷注入防止層２のそれよりも広い。
’ ａｔｏ１ｃ％ドーピングした非晶質窒化シリコンを
２５μｍ程度積層した。この層は少量のＢドープにより
、真性領域に近く、比抵抗も１０１８０１以上と高く、
光学的バンドギャップも１．７５８Ｖ程度で、第１の電
荷注入防止層２のそれよりも広い。
また、光導電性層４は、非晶質シリコンを５μｍ積度積
層した。この層はドーピングしなくとも良いが、Ｂを１
×１０唱ａｔｏｍｔｃ％程度ドーピングすると正孔の易
動度が大きくなり、より好ましい。また、この層は、１
．５５ｅＶ程度の光学的バンドギャップをもっており、
広い波長域に亘って光を吸収する。
層した。この層はドーピングしなくとも良いが、Ｂを１
×１０唱ａｔｏｍｔｃ％程度ドーピングすると正孔の易
動度が大きくなり、より好ましい。また、この層は、１
．５５ｅＶ程度の光学的バンドギャップをもっており、
広い波長域に亘って光を吸収する。
さらに、表面被覆層５は、光学的バンドギャップが２．
２ｅＶ、比抵抗が１０ Ωυ′程度の非晶質炭化シリコ
ンを１μｍ積層した。この層は０．１μ扉程度でも良い
が、５μｍ以下であれば厚くとも多少の残留電位が増え
るだけで、それ以上の暗中での帯電能の向上が見られる
上、化学的にも安定になるので好ましい。また、Ｂの１
ｘ １０ ａｔｏｍｉｃ％程度のドーピングにより
、電子の易動度が高くなるので、ドーピングすることも
有効である。また、この層は非晶質窒化シリコンでも良
い。
２ｅＶ、比抵抗が１０ Ωυ′程度の非晶質炭化シリコ
ンを１μｍ積層した。この層は０．１μ扉程度でも良い
が、５μｍ以下であれば厚くとも多少の残留電位が増え
るだけで、それ以上の暗中での帯電能の向上が見られる
上、化学的にも安定になるので好ましい。また、Ｂの１
ｘ １０ ａｔｏｍｉｃ％程度のドーピングにより
、電子の易動度が高くなるので、ドーピングすることも
有効である。また、この層は非晶質窒化シリコンでも良
い。
次に、このようにして作製した光導電部材を電子写真感
光体として使用したところ、コロナチャージャから感光
体への流入電流が０．４μＣ／ｄという条件で７００Ｖ
以上の表面電位が得られ、帯電後１５秒後の電位保持率
が８０％と良好な静電特性を備えていることが確認され
た。
光体として使用したところ、コロナチャージャから感光
体への流入電流が０．４μＣ／ｄという条件で７００Ｖ
以上の表面電位が得られ、帯電後１５秒後の電位保持率
が８０％と良好な静電特性を備えていることが確認され
た。
なお、上記光導電部材は、正帯電用電子写真感光体に適
用するためのものであるが、上記ドーパントＢ（はう素
）をＰ（りん）に変えると負帯電用電子写真感光体に適
用することができる。すなわち、成膜時に混合するガス
が８２ ＨｓであったものをＰＨ３にすれば良く、他の
条件は上記と同じである。このようにして作製した光導
電部材は、コロナチャージャへの印加電圧の極性を変え
る以外は上記と同じ条件で帯電能および電位保持能とも
に上記同様価れていた。
用するためのものであるが、上記ドーパントＢ（はう素
）をＰ（りん）に変えると負帯電用電子写真感光体に適
用することができる。すなわち、成膜時に混合するガス
が８２ ＨｓであったものをＰＨ３にすれば良く、他の
条件は上記と同じである。このようにして作製した光導
電部材は、コロナチャージャへの印加電圧の極性を変え
る以外は上記と同じ条件で帯電能および電位保持能とも
に上記同様価れていた。
以上説明したように本発明によれば、残留電位を生ぜず
、高い電位保持能ならびに帯電能を有するとともに、現
像バイアスによる絶縁破壊を起こすことがない等の優れ
た効果を奏する。
、高い電位保持能ならびに帯電能を有するとともに、現
像バイアスによる絶縁破壊を起こすことがない等の優れ
た効果を奏する。
図面は本発明の一実施例を示す構成図である。
１・・・導電性支持体、２・・・第１の電荷注入防止層
、３・・・第２の電荷注入防止層、４・・・光導電性層
、５・・・表面被覆層。
、３・・・第２の電荷注入防止層、４・・・光導電性層
、５・・・表面被覆層。
Claims (3)
- （１）導電性支持体上に、周期律表IIIａ族元素かＶａ
族元素のいずれかを１×１０＾−＾４ａｔｏｍｉｃ％以
上１．０ａｔｏｍｉｃ％以下の範囲で含む非晶質窒化シ
リコンからなる第１の電荷注入防止層と、周期律表III
ａ族元素かＶａ族元素のいずれかを１×１０＾−＾８ａ
ｔｏｍｉｃ％以上１×１０＾−＾４ａｔｏｍｉｃ％以下
の範囲で含み、膜厚が５μｍ以上４０μｍ以下の範囲の
非晶質窒化シリコンからなる第２の電荷注入防止層と、
膜厚が０．５μｍ以上５μｍ以下の範囲の非晶質シリコ
ンからなる光導電性層とをこの順に積層したことを特徴
とする光導電部材。 - （２）光導電性層は、周期律表IIIａ族元素かＶａ族元
素のいずれかを含むことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の光導電部材。 - （３）光導電性層は、膜厚が０．０５μｍ以上５μｍ以
下の範囲で比抵抗が１０＾１＾８Ωｃｍ以上の表面被覆
層で被覆したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光導電部材。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60019412A JPS61177464A (ja) | 1985-02-04 | 1985-02-04 | 光導電部材 |
| US06/800,972 US4666803A (en) | 1984-11-26 | 1985-11-22 | Photoconductive member for exhibiting photoconductivity upon illumination by electromagnetic light in the visible to ultraviolet range |
| DE19853541764 DE3541764A1 (de) | 1984-11-26 | 1985-11-26 | Photoleiterelement |
| US06/913,362 US4724193A (en) | 1984-11-26 | 1986-09-30 | Photoconductive membrane for exhibiting photoconductivity upon illumination by electromagnetic light in the visible to ultraviolet range |
| US06/913,369 US4716090A (en) | 1984-11-26 | 1986-09-30 | Photoconductive member for exhibiting photoconductivity upon illumination by electromagnetic light in the visible to ultraviolet range |
| US06/913,368 US4716089A (en) | 1984-11-26 | 1986-09-30 | Photoconductive member for exhibiting photoconductivity upon illumination by electromagnetic light in the visible to ultraviolet range |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60019412A JPS61177464A (ja) | 1985-02-04 | 1985-02-04 | 光導電部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61177464A true JPS61177464A (ja) | 1986-08-09 |
Family
ID=11998536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60019412A Pending JPS61177464A (ja) | 1984-11-26 | 1985-02-04 | 光導電部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61177464A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5346809B2 (ja) * | 2008-05-21 | 2013-11-20 | キヤノン株式会社 | 負帯電用電子写真感光体、画像形成方法および電子写真装置 |
-
1985
- 1985-02-04 JP JP60019412A patent/JPS61177464A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5346809B2 (ja) * | 2008-05-21 | 2013-11-20 | キヤノン株式会社 | 負帯電用電子写真感光体、画像形成方法および電子写真装置 |
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