JPS61126560A - 光導電部材 - Google Patents
光導電部材Info
- Publication number
- JPS61126560A JPS61126560A JP59248089A JP24808984A JPS61126560A JP S61126560 A JPS61126560 A JP S61126560A JP 59248089 A JP59248089 A JP 59248089A JP 24808984 A JP24808984 A JP 24808984A JP S61126560 A JPS61126560 A JP S61126560A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- amorphous silicon
- charge injection
- photoconductive
- silicon carbide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は光（紫外から可視、赤外、Ｘ線、γ線等にわた
る領域の電磁波をいう）に感受性のある光導電部材に関
する。
る領域の電磁波をいう）に感受性のある光導電部材に関
する。
固体撮像素子、電子写真感光体等における光導電層を構
成する光導電性材料は、その使用上の目的から暗所での
比抵抗が高く（通常１０１３Ωｃｍ以上）、かつ光照射
により比抵抗が小さくなる性質をもつものでなくてはな
らない。
成する光導電性材料は、その使用上の目的から暗所での
比抵抗が高く（通常１０１３Ωｃｍ以上）、かつ光照射
により比抵抗が小さくなる性質をもつものでなくてはな
らない。
ここでは電子写真を例にとって、そのＪ７Ｘ理及び感光
体として必要な条件を簡単に説明する。電子写真は感光
体表面にコロナ放電により電荷をふらせ帯電させる。次
に感光体に光を照射すると電子と正孔の対ができそのど
ちらか一方により表面の電荷が中和される。例えば正に
帯電させた場合。
体として必要な条件を簡単に説明する。電子写真は感光
体表面にコロナ放電により電荷をふらせ帯電させる。次
に感光体に光を照射すると電子と正孔の対ができそのど
ちらか一方により表面の電荷が中和される。例えば正に
帯電させた場合。
光照射によりできた対のうち電子によって中和され感光
体表面に正電荷の潜像が形成される。可視化は感光体表
面の電荷と異符号に帯電したトナーと呼ばれる黒粉体を
感光体表面にクーロン力によって吸引させることにより
なされる。このとき。
体表面に正電荷の潜像が形成される。可視化は感光体表
面の電荷と異符号に帯電したトナーと呼ばれる黒粉体を
感光体表面にクーロン力によって吸引させることにより
なされる。このとき。
感光体表面に電荷がなくとも、トナーの電荷で感光体に
引きつけられることを避けるため、感光体と現像器の間
に電荷による電場と逆方向の電場が生ずるように現像器
の電位を高くするという処理がなされている。これを、
現像バイアスという。
引きつけられることを避けるため、感光体と現像器の間
に電荷による電場と逆方向の電場が生ずるように現像器
の電位を高くするという処理がなされている。これを、
現像バイアスという。
以上が原理であるが、つぎに感光体として必要な条件を
述べると、第１にコロナ放電により帯電した電荷が光照
射まで保持されること、第２に光照射により生成した電
子と正孔の対が再結合することなく、一方が表面の電荷
を中和し、さらにもう一方は感光層の支持体まで短時間
に到達することなどがあげられる。
述べると、第１にコロナ放電により帯電した電荷が光照
射まで保持されること、第２に光照射により生成した電
子と正孔の対が再結合することなく、一方が表面の電荷
を中和し、さらにもう一方は感光層の支持体まで短時間
に到達することなどがあげられる。
従来、光導電部材における光導電性層の形成に使用され
るものとして非晶質カルコゲナイド系材料がある。非晶
質カルコゲナイド系材料は、大面積化を容易に達成する
ことのできる優れた光導電性材料であるが、光吸収領域
端が可視領域から紫外領域に近いところまでにあるので
実用上可視領域における光感度が低く、また硬度が低い
ので電子写真感光体に応用した場合、寿命が短かいなど
幾つかの問題を有している。
るものとして非晶質カルコゲナイド系材料がある。非晶
質カルコゲナイド系材料は、大面積化を容易に達成する
ことのできる優れた光導電性材料であるが、光吸収領域
端が可視領域から紫外領域に近いところまでにあるので
実用上可視領域における光感度が低く、また硬度が低い
ので電子写真感光体に応用した場合、寿命が短かいなど
幾つかの問題を有している。
このような問題点に基づき最近注目されている光導電性
材料にはアモルファスシリコンがある（以下、ａ−５ｉ
と記す）。ａ−Ｓｉは吸収波長域が広く全整色（Ｐａｎ
ｃｈｒｏｍａｅｉｃ）であり、光感度も高い。またａ−
５ｉは硬度も高く、電子写真感光体に応用した場合、従
来のものより１０倍以上の寿命を持つことが期待されて
いる。さらにａ−５ｉは１人体に無害であり、単結晶シ
リコンと比較した場合、安価で容易に大面積化を図るこ
とができる等の多くの利点を有する。
材料にはアモルファスシリコンがある（以下、ａ−５ｉ
と記す）。ａ−Ｓｉは吸収波長域が広く全整色（Ｐａｎ
ｃｈｒｏｍａｅｉｃ）であり、光感度も高い。またａ−
５ｉは硬度も高く、電子写真感光体に応用した場合、従
来のものより１０倍以上の寿命を持つことが期待されて
いる。さらにａ−５ｉは１人体に無害であり、単結晶シ
リコンと比較した場合、安価で容易に大面積化を図るこ
とができる等の多くの利点を有する。
しかしながら、ａ−５ｉは暗所での比抵抗（以下、暗抵
抗という）が通常１０’ Ω】〜１０”ｃ＋ｎ程度の低
さであるから、静電潜像を形成する電子写真感光体にあ
っては、その表面に帯電した電荷を保持することができ
ない。もっとも、電子写真感光体においでは、アモルフ
ァスシリコン感光層と支持体との間に、窒化シリコン、
炭化シリコン、酸化シリコンなどを介在させることによ
り支持体からのキャリアの注入を防止することが試みら
れている。
抗という）が通常１０’ Ω】〜１０”ｃ＋ｎ程度の低
さであるから、静電潜像を形成する電子写真感光体にあ
っては、その表面に帯電した電荷を保持することができ
ない。もっとも、電子写真感光体においでは、アモルフ
ァスシリコン感光層と支持体との間に、窒化シリコン、
炭化シリコン、酸化シリコンなどを介在させることによ
り支持体からのキャリアの注入を防止することが試みら
れている。
しかしながら、この試みにより比抵抗の高いａ−５ｉ層
の厚みを大きくすると、その上にあるａ−５ｉ層から支
持体へ流れるキャリアの通過を阻止することとなるので
、結果として残留電位が高くなるという問題が生じてし
まう。また、比抵抗の高いａ−５ｉ層の厚みを小さくす
ると、十分な電位保持能を持たせることができなくなっ
てしまい、また現像バイアスによる絶縁破壊が起るとい
う欠点を有している。
の厚みを大きくすると、その上にあるａ−５ｉ層から支
持体へ流れるキャリアの通過を阻止することとなるので
、結果として残留電位が高くなるという問題が生じてし
まう。また、比抵抗の高いａ−５ｉ層の厚みを小さくす
ると、十分な電位保持能を持たせることができなくなっ
てしまい、また現像バイアスによる絶縁破壊が起るとい
う欠点を有している。
一方、導電性基体と光導電性層の間にＰ型あるいはｎ型
の導電性をもつ半導体膜を設ける方法もある。通常は硼
素（Ｂ）あるいは燐（Ｐ）を多量にドープしたＰ型ある
いはｎ型の非晶質シリコンを用いる。このような層を電
荷注入防止層と呼ぶ。この層における電荷注入防止能は
ＢあるいはＰを多くドープすることにより向上するが、
そのような膜は膜内部の歪が大きく、その上に歪の異な
る膜を積層すると膜が剥離してしまうという不具合を有
している。また、非晶質シリコンの光吸収は広い波長域
にねたって起り、光吸収端付近でも徐々に吸収が減少す
るという様相を示す。すなわち、７００ｎ’ｍから８０
０’ｎ ｍの波長域では吸収は減少するが零にはならず
、僅かながら吸収するものである。
の導電性をもつ半導体膜を設ける方法もある。通常は硼
素（Ｂ）あるいは燐（Ｐ）を多量にドープしたＰ型ある
いはｎ型の非晶質シリコンを用いる。このような層を電
荷注入防止層と呼ぶ。この層における電荷注入防止能は
ＢあるいはＰを多くドープすることにより向上するが、
そのような膜は膜内部の歪が大きく、その上に歪の異な
る膜を積層すると膜が剥離してしまうという不具合を有
している。また、非晶質シリコンの光吸収は広い波長域
にねたって起り、光吸収端付近でも徐々に吸収が減少す
るという様相を示す。すなわち、７００ｎ’ｍから８０
０’ｎ ｍの波長域では吸収は減少するが零にはならず
、僅かながら吸収するものである。
このような材料で光導電性層を作る場合、電子写真感光
体のように光導電性層の膜厚が厚い場合には、長波長光
を光導電性層の基体に近いところでも吸収する。非晶質
シリコンは電子、正孔とともにその易動度はあまり高く
ないので、露光により感光体の表面より遠い所で発生し
たキャリアは残り易い。電子写真装置には１枚の画像を
形成した後、感光体表面に残る電荷を除去する除電と呼
ばれるプロセスがあるが、これを光照射で行なう場合に
は上記理由により残留した膜中のキャリアが次の画像を
得るために行なう感光体表面の帯電による表面電荷を中
和してしまう。したがって、露当直後の帯電能は暗中に
放置した後の帯電能よりも大幅に低下するという不具合
が生じている。
体のように光導電性層の膜厚が厚い場合には、長波長光
を光導電性層の基体に近いところでも吸収する。非晶質
シリコンは電子、正孔とともにその易動度はあまり高く
ないので、露光により感光体の表面より遠い所で発生し
たキャリアは残り易い。電子写真装置には１枚の画像を
形成した後、感光体表面に残る電荷を除去する除電と呼
ばれるプロセスがあるが、これを光照射で行なう場合に
は上記理由により残留した膜中のキャリアが次の画像を
得るために行なう感光体表面の帯電による表面電荷を中
和してしまう。したがって、露当直後の帯電能は暗中に
放置した後の帯電能よりも大幅に低下するという不具合
が生じている。
本発明は上記事情にもとづきなされたもので、感光体の
表面に残留電位を生せしめることなく、高い帯電能なら
びに電位保持能を有するとともに、現像バイアスによる
絶縁破壊を起すことのない光導電部材を提供することを
目的としている。
表面に残留電位を生せしめることなく、高い帯電能なら
びに電位保持能を有するとともに、現像バイアスによる
絶縁破壊を起すことのない光導電部材を提供することを
目的としている。
本発明は上記目的を達成するために導電性支持体上に電
荷注入防止層、光導電性層および表面被覆層をこの順序
で成層した光導電部材において、上記支持体と光導電性
層との間に支持体側からｍａ族元素またはＶａ族元素の
うちいずれか一方を１×１０−４乃至１．Ｏａｔｏ＋ｉ
ｉｃ％を含む非晶質炭化シリコンより成る第１の電荷注
入防止層が積層され、さらにこの第１の電荷注入防止層
の上に膜厚が５μｍ乃至４０μｌにして、かつ周期律表
ｍａ族元素またはＶａ族元素のうちいずれか一方を１×
１０−８乃至Ｉ Ｘ ］ Ｏ”ａｔｏｍｉｃ％を含む非
晶質炭化シリコンより成る第２の電荷注入防止層が積層
されることを特徴とするものである。
荷注入防止層、光導電性層および表面被覆層をこの順序
で成層した光導電部材において、上記支持体と光導電性
層との間に支持体側からｍａ族元素またはＶａ族元素の
うちいずれか一方を１×１０−４乃至１．Ｏａｔｏ＋ｉ
ｉｃ％を含む非晶質炭化シリコンより成る第１の電荷注
入防止層が積層され、さらにこの第１の電荷注入防止層
の上に膜厚が５μｍ乃至４０μｌにして、かつ周期律表
ｍａ族元素またはＶａ族元素のうちいずれか一方を１×
１０−８乃至Ｉ Ｘ ］ Ｏ”ａｔｏｍｉｃ％を含む非
晶質炭化シリコンより成る第２の電荷注入防止層が積層
されることを特徴とするものである。
以下、本発明を図面に示す一実施例にもとづいて説明す
る。図中、（１）はたとえば電子写真感光体に使用する
光導電部材である。この光導電部材（１）は平板状また
はドラム状の導電性支持体（２）上に積層され、周期律
表ｎＩａ族元素またはＶａ族元素が１×１０−’〜１．
Ｏａｔｏａ＋ｉｃ％含まれた非晶質炭化シリコンから成
る第１の電荷注入防止層（３）と、この第１の電荷注入
防止層（３）の上に積層され、＋１１ａ族元素またはＶ
ａ族元素のいずれか一方がＩ×１０−ｓ〜Ｉ Ｘ １０
−’ａｔｏｍｉｃ％含まれた非晶質炭化シリコンより成
る膜厚５μＩ１１〜４０μｍの第２の電荷注入防止層（
４）と、この第２の電荷注入防止層（４）の上に積層さ
れ、周期律表ｍａ族元素またはＶａ族元素がＩ Ｘ １
０−＠Ｘ １０−’ａシｏ＋ｏｉｃ％含まれた非晶質シ
リコンより成る膜厚０．５μｍ〜５μｍの光導電性層（
５）と、さらに化学的安定性の向上のために上記光導電
性！ （５）の上に５００人〜５μｍ膜厚の非晶質炭化
シリコン、または窒化シリコンあるいは酸化シリコンを
積層した表面被覆層（６）とから構成される。
る。図中、（１）はたとえば電子写真感光体に使用する
光導電部材である。この光導電部材（１）は平板状また
はドラム状の導電性支持体（２）上に積層され、周期律
表ｎＩａ族元素またはＶａ族元素が１×１０−’〜１．
Ｏａｔｏａ＋ｉｃ％含まれた非晶質炭化シリコンから成
る第１の電荷注入防止層（３）と、この第１の電荷注入
防止層（３）の上に積層され、＋１１ａ族元素またはＶ
ａ族元素のいずれか一方がＩ×１０−ｓ〜Ｉ Ｘ １０
−’ａｔｏｍｉｃ％含まれた非晶質炭化シリコンより成
る膜厚５μＩ１１〜４０μｍの第２の電荷注入防止層（
４）と、この第２の電荷注入防止層（４）の上に積層さ
れ、周期律表ｍａ族元素またはＶａ族元素がＩ Ｘ １
０−＠Ｘ １０−’ａシｏ＋ｏｉｃ％含まれた非晶質シ
リコンより成る膜厚０．５μｍ〜５μｍの光導電性層（
５）と、さらに化学的安定性の向上のために上記光導電
性！ （５）の上に５００人〜５μｍ膜厚の非晶質炭化
シリコン、または窒化シリコンあるいは酸化シリコンを
積層した表面被覆層（６）とから構成される。
つぎに、各層について説明する。まず、第１の電荷注入
防止層（３）の膜厚は５μｍでも良いが光導電部材（１
）の表面を帯電して用いられる場合にはどの程度の表面
電位を得るかによって膜厚を変えるように設定する。ま
た、光導電性層（５）として積層される非晶質シリコン
は広い波長域に亘って吸光係数が高く、上記膜厚で充分
な感度が得られる。さらに１表面被覆層（６）は電子の
易動度を高くするために周期律表ＩＩＩａ族元素のドー
ピングも好ましい。
防止層（３）の膜厚は５μｍでも良いが光導電部材（１
）の表面を帯電して用いられる場合にはどの程度の表面
電位を得るかによって膜厚を変えるように設定する。ま
た、光導電性層（５）として積層される非晶質シリコン
は広い波長域に亘って吸光係数が高く、上記膜厚で充分
な感度が得られる。さらに１表面被覆層（６）は電子の
易動度を高くするために周期律表ＩＩＩａ族元素のドー
ピングも好ましい。
一方、第２の電荷注入防止層（４）は第１の電荷注入防
止層（３）の補助的役割を果すものであって、光学的バ
ンドギャップが第１の電荷注入防止層（３）の場合より
も僅か広く、また比抵抗も高い非晶質炭化シリコンであ
る。
止層（３）の補助的役割を果すものであって、光学的バ
ンドギャップが第１の電荷注入防止層（３）の場合より
も僅か広く、また比抵抗も高い非晶質炭化シリコンであ
る。
つぎに、上記構成にもとづく本発明の光導電部材の成膜
方法を説明する。まず、導電性支持体（２）を真空反応
室（図示しない）に取付け、反応室内を図示しないメカ
ニカルブースターポンプと油回転ポンプにより１０−３
〜１０−’Ｔｏｒｒの真空状態とする。このとき、上記
支持体（２）は１００℃〜４００℃の温度に保持してお
く。
方法を説明する。まず、導電性支持体（２）を真空反応
室（図示しない）に取付け、反応室内を図示しないメカ
ニカルブースターポンプと油回転ポンプにより１０−３
〜１０−’Ｔｏｒｒの真空状態とする。このとき、上記
支持体（２）は１００℃〜４００℃の温度に保持してお
く。
つぎに１反応室内にＳｉを含むガス、例えばＳｉＨ４゜
Ｓｊ、Ｈ６、ＳｉＦ４等のガスを導入するが第１の電荷
注入防止層（３）に用いる非晶質炭化シリコンを成膜す
るには上記ガスにＣＨ４，ＣＨ６等の炭化水素を混合す
る。この際、ガスの混合比を変えることにより光学的バ
ンドギャップを変えることができる。
Ｓｊ、Ｈ６、ＳｉＦ４等のガスを導入するが第１の電荷
注入防止層（３）に用いる非晶質炭化シリコンを成膜す
るには上記ガスにＣＨ４，ＣＨ６等の炭化水素を混合す
る。この際、ガスの混合比を変えることにより光学的バ
ンドギャップを変えることができる。
さらに、表面被覆Ｍ（６）として用いられる周期律表ｍ
ａ族元素またはＶａ族元素のドーピングにはＦ１２）＋
６． ＢＦ、あるいはＰＨ３，ＰＦ５等のガスを混合す
ることにより達成される。
ａ族元素またはＶａ族元素のドーピングにはＦ１２）＋
６． ＢＦ、あるいはＰＨ３，ＰＦ５等のガスを混合す
ることにより達成される。
このようなガスを各層の組成にもとづき反応室内に導入
し、０．１〜３ Ｔｏｒｒ程度の圧力となるように排気
速度を調節する。
し、０．１〜３ Ｔｏｒｒ程度の圧力となるように排気
速度を調節する。
つぎに、上記支持体（２）の周辺にプラズマが起るよう
に設置した電極間に高周波電力投入することにより支持
体（２）上に成膜することができる。
に設置した電極間に高周波電力投入することにより支持
体（２）上に成膜することができる。
そこで、上記成膜方法を用いて例えばＡＱの円筒状支持
体に積層し、電子写真感光体とした一例を説明する。ま
ず、導電性支持体（２）上に硼素（Ｂ）をＩ Ｘ １０
−３ａｔｏｉｉｃ％ドーピングした非晶質炭化シリコン
から成る第１の電荷注入防止層（３）が０．５μｍの膜
厚となるように積層する。この第１の電荷注入防止層（
３）は硼素ＣＢ）を多くドーピングしており、比抵抗が
低く、かつ光学的バンドギャップも１．７ｅＶ程度であ
る。
体に積層し、電子写真感光体とした一例を説明する。ま
ず、導電性支持体（２）上に硼素（Ｂ）をＩ Ｘ １０
−３ａｔｏｉｉｃ％ドーピングした非晶質炭化シリコン
から成る第１の電荷注入防止層（３）が０．５μｍの膜
厚となるように積層する。この第１の電荷注入防止層（
３）は硼素ＣＢ）を多くドーピングしており、比抵抗が
低く、かつ光学的バンドギャップも１．７ｅＶ程度であ
る。
つぎに、第２の電荷注入防止層（４）は硼素（Ｂ）をＩ
Ｘ Ｉ Ｏ−’ａｔ、ｏｎ＋ｉｃ％ドーピングした非
晶質炭化シリコンを２５μｍの膜厚に積層する。この第
２の電荷注入防止層（４）は少量の硼素（Ｂ）をドーピ
ングすることにより真性領域に近いものが得られ、比抵
抗は１０１３Ωｃｍ以上と高く、光学的バンドギャップ
も１ 、７５ｅＶ程度で、上記第１の電荷注入防止層（
３）より広くなる。
Ｘ Ｉ Ｏ−’ａｔ、ｏｎ＋ｉｃ％ドーピングした非
晶質炭化シリコンを２５μｍの膜厚に積層する。この第
２の電荷注入防止層（４）は少量の硼素（Ｂ）をドーピ
ングすることにより真性領域に近いものが得られ、比抵
抗は１０１３Ωｃｍ以上と高く、光学的バンドギャップ
も１ 、７５ｅＶ程度で、上記第１の電荷注入防止層（
３）より広くなる。
つぎに、光導電性層（５）は非晶質シリコンを５μｍ程
度の膜厚に積層するにの光導電性層（５）はドーピング
しないでもよいが硼素（Ｂ）をＩＸＩｌＸｌｏ−６ａｔ
ｏ％程度ドーピングすることにより正孔の易動度が大き
くなり、より好ましいものが得られる。
度の膜厚に積層するにの光導電性層（５）はドーピング
しないでもよいが硼素（Ｂ）をＩＸＩｌＸｌｏ−６ａｔ
ｏ％程度ドーピングすることにより正孔の易動度が大き
くなり、より好ましいものが得られる。
また、この層は１ 、５５ｅＶ程度の光学的バンドギャ
ップをもっており、広い波長域に亘って光を吸収するこ
とができる。
ップをもっており、広い波長域に亘って光を吸収するこ
とができる。
さらに、表面被覆層（６）は光学的バンドギャップが２
．２ｅＶ、比抵抗が１０１４Ωス程度の非晶質炭化シリ
コンを１μｍの膜厚に積層する。この表面被覆層（６）
は０．１μｍ程度でもよいが、厚くても５μ厘以下であ
れば多少の残留電位がふえるだけであって、それ以上に
暗中での帯電能の向上が見られる上、化学的にも安定す
るという利点を有する。また、硼素（Ｂ）をＩ Ｘ １
０−’ａｔｏｍｉｃ％ドーピングすることにより電子の
易動度が高くなるのでドーピングすることも有効である
。
．２ｅＶ、比抵抗が１０１４Ωス程度の非晶質炭化シリ
コンを１μｍの膜厚に積層する。この表面被覆層（６）
は０．１μｍ程度でもよいが、厚くても５μ厘以下であ
れば多少の残留電位がふえるだけであって、それ以上に
暗中での帯電能の向上が見られる上、化学的にも安定す
るという利点を有する。また、硼素（Ｂ）をＩ Ｘ １
０−’ａｔｏｍｉｃ％ドーピングすることにより電子の
易動度が高くなるのでドーピングすることも有効である
。
このようにして作成された光導電部材を電子写真感光体
として使用した場合、コロナチャージャから感光体への
流入電流が０．４μｃ／ａｌという条件で７００ｖ以上
の表面電位が得られ、帯電１５秒後の電位保持率が８０
％という良好な静電特性を有するものである。
として使用した場合、コロナチャージャから感光体への
流入電流が０．４μｃ／ａｌという条件で７００ｖ以上
の表面電位が得られ、帯電１５秒後の電位保持率が８０
％という良好な静電特性を有するものである。
なお、上記光導電部材は正帯電用電子写真感光体に応用
したがドーピングされた硼素（Ｂ）を燐（Ｐ）に変える
ことにより負帯電用電子写真感光体が得られる。すなわ
ち、成膜時に混合するガスを８２８６からＰＨ３に変え
ればよく、他の条件は上記と同様である。このようにし
て作成された光導電部材はコロナチャージャへ印加する
電圧の極性を変える以外、上記と同一条件で帯電能及び
電位保持能を有するものである。
したがドーピングされた硼素（Ｂ）を燐（Ｐ）に変える
ことにより負帯電用電子写真感光体が得られる。すなわ
ち、成膜時に混合するガスを８２８６からＰＨ３に変え
ればよく、他の条件は上記と同様である。このようにし
て作成された光導電部材はコロナチャージャへ印加する
電圧の極性を変える以外、上記と同一条件で帯電能及び
電位保持能を有するものである。
以上説明したように本発明によれば光導電部材の表面に
残留電位を生ぜしぬることがなく、高い電位保持能なら
びに帯電能を有するとともに、現像バイアスによる絶縁
破壊を起すことのない優れた効果を奏するものである。
残留電位を生ぜしぬることがなく、高い電位保持能なら
びに帯電能を有するとともに、現像バイアスによる絶縁
破壊を起すことのない優れた効果を奏するものである。
図面は本発明の一実施例を示す光導電部材の模式的構成
図である。
図である。
Claims (3)
- （１）導電性支持体上に第１の電荷注入防止層、第２の
電荷注入防止層、光導電性層および表面被覆層を積層し
てなる光導電部材において、前記第１の電荷注入防止層
は周期律表IIIａ族元素またはＶａ族元素を１×１０＾
−＾４乃至１．０ａｔｏｍｉｃ％含む非晶質炭化シリコ
ンから成り、第２の電荷注入防止層は膜厚が５μｍ乃至
４０μｍであって、周期律表IIIａ族元素またはＶａ族
元素を１×１０＾−＾４乃至１×１０＾−＾８ａｔｏｍ
ｉｃ％含む非晶質炭化シリコンから成り、さらに光導電
性層は膜厚が０．５μｍ乃至５μｍの非晶質シリコン層
であることを特徴とする光導電部材。 - （２）光導電性層は同期律表IIIａ族元素またはＶａ族
元素を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の光導電部材。 - （３）表面被覆層は膜厚が０．０５μｍ５μｍにして、
かつ比抵抗が１０＾１＾３Ωｃｍ以上であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の光導電部材。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59248089A JPS61126560A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | 光導電部材 |
| US06/800,972 US4666803A (en) | 1984-11-26 | 1985-11-22 | Photoconductive member for exhibiting photoconductivity upon illumination by electromagnetic light in the visible to ultraviolet range |
| DE19853541764 DE3541764A1 (de) | 1984-11-26 | 1985-11-26 | Photoleiterelement |
| US06/913,362 US4724193A (en) | 1984-11-26 | 1986-09-30 | Photoconductive membrane for exhibiting photoconductivity upon illumination by electromagnetic light in the visible to ultraviolet range |
| US06/913,369 US4716090A (en) | 1984-11-26 | 1986-09-30 | Photoconductive member for exhibiting photoconductivity upon illumination by electromagnetic light in the visible to ultraviolet range |
| US06/913,368 US4716089A (en) | 1984-11-26 | 1986-09-30 | Photoconductive member for exhibiting photoconductivity upon illumination by electromagnetic light in the visible to ultraviolet range |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59248089A JPS61126560A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | 光導電部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61126560A true JPS61126560A (ja) | 1986-06-14 |
Family
ID=17173041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59248089A Pending JPS61126560A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | 光導電部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61126560A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61138958A (ja) * | 1984-12-12 | 1986-06-26 | Toshiba Corp | 電子写真感光体 |
-
1984
- 1984-11-26 JP JP59248089A patent/JPS61126560A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61138958A (ja) * | 1984-12-12 | 1986-06-26 | Toshiba Corp | 電子写真感光体 |
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