JPS61100759A - 光導電部材 - Google Patents
光導電部材Info
- Publication number
- JPS61100759A JPS61100759A JP59221962A JP22196284A JPS61100759A JP S61100759 A JPS61100759 A JP S61100759A JP 59221962 A JP59221962 A JP 59221962A JP 22196284 A JP22196284 A JP 22196284A JP S61100759 A JPS61100759 A JP S61100759A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoconductive
- amorphous silicon
- doped
- charge injection
- Prior art date
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- Granted
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
- G03G5/08242—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers at least one with varying composition
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野１
本発明は光（紫外から可視、赤外、ＸｗＡ、γ線等のｆ
ｆ１ｌ！１波をいう）に感受性のある光導電部材に関す
る。
ｆ１ｌ！１波をいう）に感受性のある光導電部材に関す
る。
［発明の技術的ｔ！川とその問題点］
固体Ｉｌ！！＠素子、電子写真感光体等における光導電
性層を構成する光７ｓ電性材料は、その使用、【二の目
的から暗所での比抵抗が高く、かつ光照射により比抵抗
が小さくなる性質をもつものでなくてはならない。電子
写真を例にとって、その原理および感光体として必要な
条件を簡単に説明りる。、電子写真は感光体表面にコロ
ナ放電によりＮ荷を付与し帯電させる。次に感光体に光
！１射するとｚ Ｔと正孔の対ができ、そのどちらか一
方により表面の電荷が中和される。例えば正に帯電させ
た場合、光照射によりできた対のうら、電子によって中
和され感光体表面に正電荷の潜像が形成される。可視化
は、感光体表面の電荷と異符号に帯電したトナーと呼ば
れる黒粉体を感光体表面にクーロンノ１によって吸引さ
せることによりなされる。この時電荷がなくとも、トナ
ーの電荷で感光体に引付けられることを避けるため、感
光体と現像器の間にＮｖＪによる電場と逆方向の電場が
生ずるように現像２の電位を高くするという処理がなさ
れている。
性層を構成する光７ｓ電性材料は、その使用、【二の目
的から暗所での比抵抗が高く、かつ光照射により比抵抗
が小さくなる性質をもつものでなくてはならない。電子
写真を例にとって、その原理および感光体として必要な
条件を簡単に説明りる。、電子写真は感光体表面にコロ
ナ放電によりＮ荷を付与し帯電させる。次に感光体に光
！１射するとｚ Ｔと正孔の対ができ、そのどちらか一
方により表面の電荷が中和される。例えば正に帯電させ
た場合、光照射によりできた対のうら、電子によって中
和され感光体表面に正電荷の潜像が形成される。可視化
は、感光体表面の電荷と異符号に帯電したトナーと呼ば
れる黒粉体を感光体表面にクーロンノ１によって吸引さ
せることによりなされる。この時電荷がなくとも、トナ
ーの電荷で感光体に引付けられることを避けるため、感
光体と現像器の間にＮｖＪによる電場と逆方向の電場が
生ずるように現像２の電位を高くするという処理がなさ
れている。
こ１を以下現像′＜リア２と（゛う・以上が・原理１あ
るが、次に感光体として必要な条件を述べると、第１に
コロナ放電により帯電した電荷が光照射まで保持される
こと、第２に光照射により生成した電子と正孔の対が再
結合することなく一方が表面の電荷を中和し、さらにも
う一方は感光体支持体まで瞬時に到達することなどがあ
げ、られ・、る。
るが、次に感光体として必要な条件を述べると、第１に
コロナ放電により帯電した電荷が光照射まで保持される
こと、第２に光照射により生成した電子と正孔の対が再
結合することなく一方が表面の電荷を中和し、さらにも
う一方は感光体支持体まで瞬時に到達することなどがあ
げ、られ・、る。
従来使用されているものでは、非晶質カルコゲナイド系
などがある。非晶質カルコゲナイドは、大面積化が容易
であり、すぐれた光導電性をもつ材料であるが、光の吸
収端が可視から紫外に近いところにあり、実用上、可視
域の光に対する感度１ が低い。また硬度が低
く、電子写真感光体に応用した場合、寿命が短いなど、
幾つかの問題をかかえている。
などがある。非晶質カルコゲナイドは、大面積化が容易
であり、すぐれた光導電性をもつ材料であるが、光の吸
収端が可視から紫外に近いところにあり、実用上、可視
域の光に対する感度１ が低い。また硬度が低
く、電子写真感光体に応用した場合、寿命が短いなど、
幾つかの問題をかかえている。
このような点に基づき、最近注目されている光１？！性
材料には、アモルファスシリコンがある。
材料には、アモルファスシリコンがある。
（以下ａ ３ｉ と書＜）ａ−８ｉは吸収波長域が広
く、感度も高い。また硬度が高く、電子写真感光体とし
て応用した場合、従来のものより１０１８以上の寿命を
持つことが期待されている。さらに人体に無害であり、
単結晶シリコンと比較した場合、安衛で容易に大面積の
ものが傳られるなど、多くの利点を持つすぐれた材料で
ある。しかり、ながら、ａ−３ｉは暗所での比抵抗（以
下、暗抵抗という）が低く、通常１０ ΩＣ１１〜１０
ΩＣ１程度で電子写真感光体のような静？！！！微を
形成するものでは、表面に帯電させた電荷を保持するこ
とができない。
く、感度も高い。また硬度が高く、電子写真感光体とし
て応用した場合、従来のものより１０１８以上の寿命を
持つことが期待されている。さらに人体に無害であり、
単結晶シリコンと比較した場合、安衛で容易に大面積の
ものが傳られるなど、多くの利点を持つすぐれた材料で
ある。しかり、ながら、ａ−３ｉは暗所での比抵抗（以
下、暗抵抗という）が低く、通常１０ ΩＣ１１〜１０
ΩＣ１程度で電子写真感光体のような静？！！！微を
形成するものでは、表面に帯電させた電荷を保持するこ
とができない。
そこでａ−３ｉを電子写真に応用した例では、感光層と
支持体との間に窒化シリコン、酸化シリコン等の絶縁物
の層を設けるか、あるいはｐ形、ｎ形のａ−３ｉ層を設
は支持体からのギヤリアの注入を阻止することが試みら
れている。ただし後者のａ−８ｉ層を用いる際には、正
帯電の場合には電子をブロックし、正孔を通過させうる
ｐ形のａ−８ｉｆｉを負帯電の場合にはｎ形のａ −８
ｉ 層を使用する。こうした構造の感光体では帯電能力
を高くすることが可能である。しかしながら前者の構造
では絶縁物の層を早くすると、感光層から支持体へ流れ
るキャリアの通過をも阻止しぞの結果、残留電位が高く
なるという問題が生じる。一方このａ−８ｉ層を薄（す
ると、現像バイアスによる絶縁破壊がおこる。一方後者
の構造ではｐ形、ｎ形のａ −３ｉ ＷＪを厚くしても
これらの問題は生じない。しかしａ −３＋ ＷＪは第
［１ａ族元素の添加によりｐ形に、第Ｖａ族元素の添加
によりｎ形にそれぞれなるか、これらの不純物添加によ
って膜中の歪みが大きくなる−６こうしたａ −３ｉ
ｉｌｌを電荷注入防止層として用い、この上に光導電性
層を積層した場合、各層の歪みが異なるため躾剥がれの
原因となる等の不具合点が生じている。
支持体との間に窒化シリコン、酸化シリコン等の絶縁物
の層を設けるか、あるいはｐ形、ｎ形のａ−３ｉ層を設
は支持体からのギヤリアの注入を阻止することが試みら
れている。ただし後者のａ−８ｉ層を用いる際には、正
帯電の場合には電子をブロックし、正孔を通過させうる
ｐ形のａ−８ｉｆｉを負帯電の場合にはｎ形のａ −８
ｉ 層を使用する。こうした構造の感光体では帯電能力
を高くすることが可能である。しかしながら前者の構造
では絶縁物の層を早くすると、感光層から支持体へ流れ
るキャリアの通過をも阻止しぞの結果、残留電位が高く
なるという問題が生じる。一方このａ−８ｉ層を薄（す
ると、現像バイアスによる絶縁破壊がおこる。一方後者
の構造ではｐ形、ｎ形のａ −３ｉ ＷＪを厚くしても
これらの問題は生じない。しかしａ −３＋ ＷＪは第
［１ａ族元素の添加によりｐ形に、第Ｖａ族元素の添加
によりｎ形にそれぞれなるか、これらの不純物添加によ
って膜中の歪みが大きくなる−６こうしたａ −３ｉ
ｉｌｌを電荷注入防止層として用い、この上に光導電性
層を積層した場合、各層の歪みが異なるため躾剥がれの
原因となる等の不具合点が生じている。
また電荷注入防止層を設けることで全ての問題は解決す
るのではなく光導電性層を形成する材料の比抵抗が低い
場合例えば１００ｃｍ以下では電位保持能が低くなって
しまう。
るのではなく光導電性層を形成する材料の比抵抗が低い
場合例えば１００ｃｍ以下では電位保持能が低くなって
しまう。
さらに表面電位を高（するには表面波ｉ層はなくてなら
ず、多くの場合比抵抗の高い絶縁物が用いられている。
ず、多くの場合比抵抗の高い絶縁物が用いられている。
しかしこのような材料内ではＭ ’Ｆの易肋瓜が小さく
光感度および残留電位に及ぼ覆影響は大きい。特にこの
層の膜厚には十分な吟味が必要であり通常５０Ａ〜１０
００Δ稈麿とされている。１０００Å以上となる場合に
は光感度は低下し残留電位は高くなる。しかし環境によ
る化学的安定化を重視した場合にはこの層のＩＩ！厚は
厚いほうが望まし′い。
光感度および残留電位に及ぼ覆影響は大きい。特にこの
層の膜厚には十分な吟味が必要であり通常５０Ａ〜１０
００Δ稈麿とされている。１０００Å以上となる場合に
は光感度は低下し残留電位は高くなる。しかし環境によ
る化学的安定化を重視した場合にはこの層のＩＩ！厚は
厚いほうが望まし′い。
以上のようにａ−３ｉは多くの利点をｂつ一方、電子写
真感光体として用いるには多くの問題を抱えている。
真感光体として用いるには多くの問題を抱えている。
［発明の目的］
本発明は以上のような事情にもとづいてなされたもので
、帯電能、電荷保持能が向上し、紫外から近赤外にまで
役ぶ広い波長域において高い光感度をもち長寿命な光導
電部材を提供することを目的とでろ。
、帯電能、電荷保持能が向上し、紫外から近赤外にまで
役ぶ広い波長域において高い光感度をもち長寿命な光導
電部材を提供することを目的とでろ。
［発明のＩＰ！要］
本発明は上記目的を達成Ｊるために導電性支持体上に電
荷注入防止層、光導電性層および表面波頂層をこの順に
Ｐｉする光導電部材において各層が非晶質炭化シリコン
７’Ｐ Ｉろなり、洛電能、゛電荷保持能が向上し高い
光感度をもち長寿命な光導゛心部材である。
荷注入防止層、光導電性層および表面波頂層をこの順に
Ｐｉする光導電部材において各層が非晶質炭化シリコン
７’Ｐ Ｉろなり、洛電能、゛電荷保持能が向上し高い
光感度をもち長寿命な光導゛心部材である。
［発明の実施例］
以下本発明を図示の一実施例を参照しながら説明する。
第１図は、本発明の光導電部材の基本的な構成例を説明
づるために模式的に示した模式的構成図である。光導電
部材１の層構成は第１図に示すように導電性支持体２の
上に電荷注入防止層３と光４？Ｔｉ性層４と表面被Ｎ層
５とをこの順に成否してなる。
づるために模式的に示した模式的構成図である。光導電
部材１の層構成は第１図に示すように導電性支持体２の
上に電荷注入防止層３と光４？Ｔｉ性層４と表面被Ｎ層
５とをこの順に成否してなる。
）９電性支持体２は例えばアルミニウム、ステン７
レス等の金属、又はガラス、高分子フィルムの表面
にｉ＃導電性しくは半導電性物質を］−ティングしたも
のが利用でき、平板状あるいはドラム状に形成して用い
られる。
レス等の金属、又はガラス、高分子フィルムの表面
にｉ＃導電性しくは半導電性物質を］−ティングしたも
のが利用でき、平板状あるいはドラム状に形成して用い
られる。
電荷注入防止層３は非晶質シリコンがらなり。
第ｎ［ａＦｉ元素あるいは第Ｖａ６χ元索を多用にドー
ピングしである。非晶質炭化シリコンの場合は５吊にド
ーピングしても歪みが少ない映質の良好な膜を得ること
ができる。
ピングしである。非晶質炭化シリコンの場合は５吊にド
ーピングしても歪みが少ない映質の良好な膜を得ること
ができる。
光導電性層４は、非晶質炭化シリコンからなり。
第■、］族元素あるいは第Ｖａ族元素を多帯にドーピン
グすると比抵抗が下がるので電？１ＪＬＬ人防止豹３と
比較すると１０分の１以下のドーピング量にする。この
ような少量のドルピンクを行なった場合、正孔の易動度
が大きくなり比抵抗が１０〜１０ｎｃｍ高く帯電能、電
荷保持能に大きな向」−がみられる。しかしドーピング
しない場合は、膜中の正孔の易動度が小さく、光感度が
ｆｌ（下してしまい、ざらに櫟返し特性に劣化が生じる
。
グすると比抵抗が下がるので電？１ＪＬＬ人防止豹３と
比較すると１０分の１以下のドーピング量にする。この
ような少量のドルピンクを行なった場合、正孔の易動度
が大きくなり比抵抗が１０〜１０ｎｃｍ高く帯電能、電
荷保持能に大きな向」−がみられる。しかしドーピング
しない場合は、膜中の正孔の易動度が小さく、光感度が
ｆｌ（下してしまい、ざらに櫟返し特性に劣化が生じる
。
表面被葭賢５は表面の安定化のために設けた苦であり非
晶質炭化シリコンからなる。また光をできる限り吸収し
ないことが好ましく、光導電ｔ！１１′４よりも光学的
バンドギャップの広いことが望まれる。非晶質炭化シリ
コンは窒化シリコンあるいは酸化シリコンなどと比較η
ると、バンドギ！・ツブは狭いものの、第１１１ａ族元
素あるいは第ｖａ族元素のドーピングにより電子の易動
度を高くすることができ、膜厚を厚くしても、光感度、
残留電位に悪影響を及ぼすことがない。即ち表面波″Ｆ
ｇ、層において光吸収が起こり、生じた電子、正孔はそ
れぞれ膜中を所定の時間内に走りきることができる。た
だしこの層で吸収される光（よ短波長の光に限られる。
晶質炭化シリコンからなる。また光をできる限り吸収し
ないことが好ましく、光導電ｔ！１１′４よりも光学的
バンドギャップの広いことが望まれる。非晶質炭化シリ
コンは窒化シリコンあるいは酸化シリコンなどと比較η
ると、バンドギ！・ツブは狭いものの、第１１１ａ族元
素あるいは第ｖａ族元素のドーピングにより電子の易動
度を高くすることができ、膜厚を厚くしても、光感度、
残留電位に悪影響を及ぼすことがない。即ち表面波″Ｆ
ｇ、層において光吸収が起こり、生じた電子、正孔はそ
れぞれ膜中を所定の時間内に走りきることができる。た
だしこの層で吸収される光（よ短波長の光に限られる。
従って非晶質炭化シリコンを用いろことにより股厚し０
．１μｍ〜５μｍ程度まで叩くすることができるので、
窒化シリコン、酸化シリコンなどの絶縁物を用いた場合
よりも、Ｊ、り化学的に安定で長寿命かつ表面電位も高
（づることが可能になる。
．１μｍ〜５μｍ程度まで叩くすることができるので、
窒化シリコン、酸化シリコンなどの絶縁物を用いた場合
よりも、Ｊ、り化学的に安定で長寿命かつ表面電位も高
（づることが可能になる。
次に以上構成の光２９電部材の成膜方法を説明づる。
；り電性支持体２を真空反応室（図示しない）に取付け
、メカニカルブースターポンプと油回転ボツブにより１
０〜１０＝Ｔｏｒｒの真空にする。
、メカニカルブースターポンプと油回転ボツブにより１
０〜１０＝Ｔｏｒｒの真空にする。
この時、導電性支持体２は１００℃〜４００℃の温度に
保たれている。次に反応室内にＳｉ原子を含ムカス、例
えば５ｉ１１４、ｓｉニド１６、Ｓｉ「４等のガスと、
周期律表第１［ａ族元素あるいは第ＶＩＸ元素を含むガ
ス、倒えばＢ Ｉ−１、［３Ｆ３、ス ６ ＰＨ，ＰＦ３等のドーピングガス、およびｃＨ４２６，
０２Ｈ２等のＣ原子を含むガスを、ＣＨ 導入し、０．１〜１０Ｔｏｒｒ程度の圧力になるように
拮気系の排気速度を調節し、定常状態になるまで持つ。
保たれている。次に反応室内にＳｉ原子を含ムカス、例
えば５ｉ１１４、ｓｉニド１６、Ｓｉ「４等のガスと、
周期律表第１［ａ族元素あるいは第ＶＩＸ元素を含むガ
ス、倒えばＢ Ｉ−１、［３Ｆ３、ス ６ ＰＨ，ＰＦ３等のドーピングガス、およびｃＨ４２６，
０２Ｈ２等のＣ原子を含むガスを、ＣＨ 導入し、０．１〜１０Ｔｏｒｒ程度の圧力になるように
拮気系の排気速度を調節し、定常状態になるまで持つ。
次に反応室内の電極間に１３．５６Ｍ１１ｚの高周波電
力を印加づることで、導電性支持体２上に第１図に示す
ような雪ｖＩ汁入防止層３．。
力を印加づることで、導電性支持体２上に第１図に示す
ような雪ｖＩ汁入防止層３．。
光導電性層４、おＪ：び表面被覆層が成膜される。
これらの成膜条件を以下に）ホベる。
電荷注入防止層３は、ｓ＋＋＋４を４００ＳＣＣＭ、Ｂ
、ｌ−１６；をＳｉＨ，流ｆｆｉニ対１，１ｘ１０ −
５５％、ＣＩ−１，＝、ヲ８１ Ｆ−１４流ｆｆ１ｌ、
ｍ対し１０−１００９６混合し、反応圧１０Ｔｏｒｒ、
印加電力２００ Ｗの条ｆ１で゛５分間成膜を行なった
。この膜Ｖは杓１μｍである。
、ｌ−１６；をＳｉＨ，流ｆｆｉニ対１，１ｘ１０ −
５５％、ＣＩ−１，＝、ヲ８１ Ｆ−１４流ｆｆ１ｌ、
ｍ対し１０−１００９６混合し、反応圧１０Ｔｏｒｒ、
印加電力２００ Ｗの条ｆ１で゛５分間成膜を行なった
。この膜Ｖは杓１μｍである。
）ｌｉ性ｒ４ Ｕ、Ｂ ２ ）−１６（７） ｍｉ ヲ
Ｓ ｉ ｌ Ｉ ４ａ Ｇｔに対しＩ Ｘ １０’−・
ｌＸ１０−”％まで減少させてＲｒ電力を５００Ｗにす
る。他の条１１は電荷注入防止層と同様で２時間成膜を
行なった。この膜厚さは約２４μｍである。
Ｓ ｉ ｌ Ｉ ４ａ Ｇｔに対しＩ Ｘ １０’−・
ｌＸ１０−”％まで減少させてＲｒ電力を５００Ｗにす
る。他の条１１は電荷注入防止層と同様で２時間成膜を
行なった。この膜厚さは約２４μｍである。
’ａ 面Ｗｉ Ｎ Ｐｉ ５ ハ、Ｓ ｉ Ｈ４”：
１００ Ｓ ＣＣＭ Ｌ：減らし、Ｃ１」４の偵をＳｉ
１−１４滝川に対し１００へ・３００％に増し、他の
条件は光導電性層と同様で２０分間成膜を行なった。こ
の膜厚は約１．０μｍである。
１００ Ｓ ＣＣＭ Ｌ：減らし、Ｃ１」４の偵をＳｉ
１−１４滝川に対し１００へ・３００％に増し、他の
条件は光導電性層と同様で２０分間成膜を行なった。こ
の膜厚は約１．０μｍである。
このようにして作成された本発明による電子写真感光体
は、コロナチャージレからΔ１ドラムへの流入電流０，
４μＣ，／’Ｃｌ１ｌ”の条件下で表面電位８００■を
有し、非晶質シリコンを用いｔｃ感光体と比較し−Ｃ１
帯電能において２０％以上の特性向上がみられた。また
帯電１５秒後の電荷保持率は８０％、表面電荷６００Ｖ
の半減露光量Ｑ、３１．＋×・ｓｅｃであり、現象バイ
アスに休する耐圧は１！１ ５００Ｖ以上となり、従来の非晶質シリコンでは２００
Ｖ程度で絶縁破壊が生じるのに比べて大幅に改善された
。さらに２００ｂ戊の繰返１．（力用に、６いてら良好
な画像が得られ、長ｒｉｌ令であることが確認された。
は、コロナチャージレからΔ１ドラムへの流入電流０，
４μＣ，／’Ｃｌ１ｌ”の条件下で表面電位８００■を
有し、非晶質シリコンを用いｔｃ感光体と比較し−Ｃ１
帯電能において２０％以上の特性向上がみられた。また
帯電１５秒後の電荷保持率は８０％、表面電荷６００Ｖ
の半減露光量Ｑ、３１．＋×・ｓｅｃであり、現象バイ
アスに休する耐圧は１！１ ５００Ｖ以上となり、従来の非晶質シリコンでは２００
Ｖ程度で絶縁破壊が生じるのに比べて大幅に改善された
。さらに２００ｂ戊の繰返１．（力用に、６いてら良好
な画像が得られ、長ｒｉｌ令であることが確認された。
また表面被覆層がりいのでｒｌ、ＩＩ魔祠による感光体
のリフレッシュが可能であり１．誤ってｎ２をつｉＪ
ｔこ揚台でも再生はがなり広い範（！Ｔｌτ（ｊなえ、
半永久的といえろつ なお、Ｆ述の実Ｗ！例では成膜時のガス流量比へ条件と
して示しているが、感光体中の元素の比て示１１と第１
表のようにｌｒる。
のリフレッシュが可能であり１．誤ってｎ２をつｉＪ
ｔこ揚台でも再生はがなり広い範（！Ｔｌτ（ｊなえ、
半永久的といえろつ なお、Ｆ述の実Ｗ！例では成膜時のガス流量比へ条件と
して示しているが、感光体中の元素の比て示１１と第１
表のようにｌｒる。
第１表かられかるように、はう素濃度は電荷注入防止層
において最も高くなっている。
において最も高くなっている。
以上は各層の界面近傍においてガスの入れがえＣバージ
）を行なったが、次に不純物の濃度を連続的に変化させ
た例を第２表および第２図を参照して説明する。
）を行なったが、次に不純物の濃度を連続的に変化させ
た例を第２表および第２図を参照して説明する。
この実施例でｔよ導電性支持体上に電荷注入ｇノ庄層、
光導電性層、表面１！覆居をＩｌ′ｉ次債育する過程に
・Ｌンいて、各層の界面近傍にてＢ ｌ−１，０）−
１（＋の流甲をマイクロコンビ１−ターにより制御し、
連続的に変化させて成膜を行なった。このような電子写
真感光体では、各層の歪みの違いに起因する膜はがれが
生しにくく、電子写真特性的にも損色はなかった。
光導電性層、表面１！覆居をＩｌ′ｉ次債育する過程に
・Ｌンいて、各層の界面近傍にてＢ ｌ−１，０）−
１（＋の流甲をマイクロコンビ１−ターにより制御し、
連続的に変化させて成膜を行なった。このような電子写
真感光体では、各層の歪みの違いに起因する膜はがれが
生しにくく、電子写真特性的にも損色はなかった。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば光導電部材の帯電
能、電荷保持能が向上し、高い光感度をもち、さらに長
寿命なものが得られる。
能、電荷保持能が向上し、高い光感度をもち、さらに長
寿命なものが得られる。
第１図は本発明の一実施例の光導電部材の模式的構成図
、第２図は本発明に係わる電子写真感光体の成膜時開と
ガス流量の関係を示づ図である。 １・・・光導電部材、２・・・３４電性支持体、３・・
・電荷注入防止層、４・・・光導電性層。 ５・・・表面被Ｎ層。 代哩人弁理士 則近憲（ｔｉ （他１名）第 １ 図
、第２図は本発明に係わる電子写真感光体の成膜時開と
ガス流量の関係を示づ図である。 １・・・光導電部材、２・・・３４電性支持体、３・・
・電荷注入防止層、４・・・光導電性層。 ５・・・表面被Ｎ層。 代哩人弁理士 則近憲（ｔｉ （他１名）第 １ 図
Claims (5)
- （１）導電性支持体上に電荷注入防止層、光導電性層、
及び表面被覆層をこの順に有する光導電部材において、
前記各層が非晶質炭化シリコンからなることを特徴とす
る光導電部材。 - （２）電荷注入防止層、光導電性層および表面被覆層が
同一種類の不純物を含むことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の光導電部材。 - （３）不純物が周期律表第IIIａ族あるいは第Ｖａ族元
素のいずれかを含むことを特徴とする特許請求の範囲第
２項記載の光導電部材。 - （４）不純物の濃度は電荷注入防止層において最も高い
ことを特徴とする特許請求の範囲第２項又は第３項記載
の光導電部材。 - （５）不純物の濃度が連続的に変化する部分が存在する
ことを特徴とする特許請求の範囲第２項乃至第４項のい
ずれかに記載の光導電部材。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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