JPH0774909B2 - 光導電部材 - Google Patents
光導電部材Info
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- JPH0774909B2 JPH0774909B2 JP59221962A JP22196284A JPH0774909B2 JP H0774909 B2 JPH0774909 B2 JP H0774909B2 JP 59221962 A JP59221962 A JP 59221962A JP 22196284 A JP22196284 A JP 22196284A JP H0774909 B2 JPH0774909 B2 JP H0774909B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
- G03G5/08242—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers at least one with varying composition
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ 本発明は光（紫外から可視、赤外、Ｘ線、γ線等の電磁
波をいう）に感受性のある光導電部材に関する。
波をいう）に感受性のある光導電部材に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］ 固体撮像素子、電子写真感光体等における光導電性層を
構成する光導電性材料は、その使用上の目的から暗所で
の比抵抗が高く、かつ光照射により比抵抗が小さくなる
性質をもつものでなくてはならない。電子写真を例にと
って、その原理および感光体として必要な条件を簡単に
説明する。電子写真は感光体表面にコロナ放電により電
荷を付与し帯電させる。次に感光体に光照射すると電子
と正孔の対ができ、そのどちらか一方により表面の電荷
が中和される。例えば正に帯電させた場合、光照射によ
りできた対のうち、電子によって中和され感光体表面に
正電荷の潜像が形成される。可視化は、感光体表面の電
荷と異符号に帯電したトナーと呼ばれる黒粉体を感光体
表面にクーロン力によって吸引させることによりなされ
る。この時電荷がなくとも、トナーの電荷で感光体に引
付けられることを避けるため、感光体と現像器の間に電
荷による電場と逆方向の電場が生ずるように現像器の電
位を高くするという処理がなされている。これを以下現
像バイアスという。以上が原理であるが、次に感光体し
て必要な条件を述べると、第１にコロナ放電により帯電
した電荷が光照射まで保持されること、第２に光照射に
より生成した電子と正孔の対が再結合することなく一方
が表面の電荷を中和し、さらにもう一方は感光体支持体
まで瞬時に到達することなどがあげられる。
構成する光導電性材料は、その使用上の目的から暗所で
の比抵抗が高く、かつ光照射により比抵抗が小さくなる
性質をもつものでなくてはならない。電子写真を例にと
って、その原理および感光体として必要な条件を簡単に
説明する。電子写真は感光体表面にコロナ放電により電
荷を付与し帯電させる。次に感光体に光照射すると電子
と正孔の対ができ、そのどちらか一方により表面の電荷
が中和される。例えば正に帯電させた場合、光照射によ
りできた対のうち、電子によって中和され感光体表面に
正電荷の潜像が形成される。可視化は、感光体表面の電
荷と異符号に帯電したトナーと呼ばれる黒粉体を感光体
表面にクーロン力によって吸引させることによりなされ
る。この時電荷がなくとも、トナーの電荷で感光体に引
付けられることを避けるため、感光体と現像器の間に電
荷による電場と逆方向の電場が生ずるように現像器の電
位を高くするという処理がなされている。これを以下現
像バイアスという。以上が原理であるが、次に感光体し
て必要な条件を述べると、第１にコロナ放電により帯電
した電荷が光照射まで保持されること、第２に光照射に
より生成した電子と正孔の対が再結合することなく一方
が表面の電荷を中和し、さらにもう一方は感光体支持体
まで瞬時に到達することなどがあげられる。
従来使用されているものでは、非晶質カルコゲナイド系
などがある。非晶質カルコゲナイドは、大面積化が容易
であり、すぐれた光導電性をもつ材料であるが、光の吸
収端が可視から紫外に近いところにあり、実用上、可視
域の光に対する感度が低い。また硬度が低く、電子写真
感光体に応用した場合、寿命が短かいなど、幾つかの問
題をかかえている。
などがある。非晶質カルコゲナイドは、大面積化が容易
であり、すぐれた光導電性をもつ材料であるが、光の吸
収端が可視から紫外に近いところにあり、実用上、可視
域の光に対する感度が低い。また硬度が低く、電子写真
感光体に応用した場合、寿命が短かいなど、幾つかの問
題をかかえている。
このような点に基づき、最近注目されている光導電性材
料には、アモルファスシリコンがある。（以下ａ−Siと
書く）ａ−Siは吸収波長域が広く、感度も高い。また硬
度が高く、電子写真感光体として応用した場合、従来の
ものより10倍以上の寿命を持つことが期待されている。
さらに人体に無害であり、単結晶シリコンと比較した場
合、安価で容易に大面積のものが得られるなど、多くの
利点を持つすぐれた材料である。しかしながら、ａ−Si
は暗所での比抵抗（以下、暗抵抗という）が低く、通常
1088Ωcm〜1010Ωcm程度で電子写真感光体のような静電
潜像を形成するものでは、表面に帯電させた電荷を保持
することができない。
料には、アモルファスシリコンがある。（以下ａ−Siと
書く）ａ−Siは吸収波長域が広く、感度も高い。また硬
度が高く、電子写真感光体として応用した場合、従来の
ものより10倍以上の寿命を持つことが期待されている。
さらに人体に無害であり、単結晶シリコンと比較した場
合、安価で容易に大面積のものが得られるなど、多くの
利点を持つすぐれた材料である。しかしながら、ａ−Si
は暗所での比抵抗（以下、暗抵抗という）が低く、通常
1088Ωcm〜1010Ωcm程度で電子写真感光体のような静電
潜像を形成するものでは、表面に帯電させた電荷を保持
することができない。
そこでａ−Siを電子写真に応用した例では、感光体と支
持体との間に窒化シリコン、酸化シリコン等の絶縁物の
層を設けるか、あるいはｐ形、ｎ形のａ−Si層を設け支
持体からのキャリアの注入を阻止することが試みられて
いる。ただし後者のａ−Si層を用いる際には、正帯電の
場合には電子をブロックし、正孔を通過させうるｐ形の
ａ−Si層を負帯電の場合にはｎ形のａ−Si層を使用す
る。こうした構造の感光体では帯電能力を高くすること
が可能である。しかしながら前者の構造では絶縁物の層
を厚くすると、感光層から支持体へ流れるキャリアの通
過をも阻止しその結果、残留電位が高くなるという問題
が生じる。一方このａ−Si層を薄くすると、現像バイア
スによる絶縁破壊がおこる。一方後者の構造ではｐ形、
ｎ形のａ−Si層を厚くしてもこれらの問題は生じない。
しかしａ−Si層は第III a族元素の添加によりｐ形に、
第Va族元素の添加によりｎ形にそれぞれなるか、これら
の不純物添加によって膜中の歪みが大きくなる。こうし
たａ−Si層を電荷注入防止層として用い、この上に光導
電性層を積層した場合、各層の歪みが異なるため膜剥が
れの原因となる等の不具合点が生じている。
持体との間に窒化シリコン、酸化シリコン等の絶縁物の
層を設けるか、あるいはｐ形、ｎ形のａ−Si層を設け支
持体からのキャリアの注入を阻止することが試みられて
いる。ただし後者のａ−Si層を用いる際には、正帯電の
場合には電子をブロックし、正孔を通過させうるｐ形の
ａ−Si層を負帯電の場合にはｎ形のａ−Si層を使用す
る。こうした構造の感光体では帯電能力を高くすること
が可能である。しかしながら前者の構造では絶縁物の層
を厚くすると、感光層から支持体へ流れるキャリアの通
過をも阻止しその結果、残留電位が高くなるという問題
が生じる。一方このａ−Si層を薄くすると、現像バイア
スによる絶縁破壊がおこる。一方後者の構造ではｐ形、
ｎ形のａ−Si層を厚くしてもこれらの問題は生じない。
しかしａ−Si層は第III a族元素の添加によりｐ形に、
第Va族元素の添加によりｎ形にそれぞれなるか、これら
の不純物添加によって膜中の歪みが大きくなる。こうし
たａ−Si層を電荷注入防止層として用い、この上に光導
電性層を積層した場合、各層の歪みが異なるため膜剥が
れの原因となる等の不具合点が生じている。
また電荷注入防止層を設けることで全ての問題は解決す
るのではなく光導電性層を形成する材料の比抵抗が低い
場合例えば1011Ωcm以下では電位保持能が低くなってし
まう。
るのではなく光導電性層を形成する材料の比抵抗が低い
場合例えば1011Ωcm以下では電位保持能が低くなってし
まう。
さらに表面電位を高くするには表面被覆層はなくてなら
ず、多くの場合比抵抗の高い絶縁物が用いられている。
しかしこのような材料内では電子の易動度が小さく光感
度および残留電位に及ぼす影響は大きい。特にこの層の
膜厚には十分な吟味が必要であり通常50Å〜1000Å程度
とされている。1000Å以上となる場合には光感度は低下
し残留電位は高くなる。しかし環境による化学的安定化
を重視した場合にはこの層の膜厚は厚いほうが望まし
い。
ず、多くの場合比抵抗の高い絶縁物が用いられている。
しかしこのような材料内では電子の易動度が小さく光感
度および残留電位に及ぼす影響は大きい。特にこの層の
膜厚には十分な吟味が必要であり通常50Å〜1000Å程度
とされている。1000Å以上となる場合には光感度は低下
し残留電位は高くなる。しかし環境による化学的安定化
を重視した場合にはこの層の膜厚は厚いほうが望まし
い。
以上のようにａ−Siは多くの利点をもつ一方、電子写真
感光体として用いるには多くの問題を抱えている。
感光体として用いるには多くの問題を抱えている。
［発明の目的］ 本発明は以上のような事情に基づいてなされたもので、
電荷注入防止層、光導電性層、表面被覆層とを順次積層
して構成されるアモルファスシリコンよりなる光導電部
材において、光感度を高め、帯電能、電荷保持能を向上
させ、かつ層間において膜剥がれを防止することを目的
とする。
電荷注入防止層、光導電性層、表面被覆層とを順次積層
して構成されるアモルファスシリコンよりなる光導電部
材において、光感度を高め、帯電能、電荷保持能を向上
させ、かつ層間において膜剥がれを防止することを目的
とする。
［発明の概要］ 本発明の光導電部材は、上記目的を達成するために、導
電性支持体と、前記導電性支持体上に設けられ、シリコ
ン、炭素及びホウ素を含み、シリコンの含有量と炭素の
含有量との総和に対する炭素の含有量が1.0〜15原子
％、シリコンの含有量とホウ素の含有量との総和に対す
るホウ素の含有量が１×10-3〜２原子％である非晶質炭
化シリコンからなり、支持対から電荷の注入を防止する
電荷注入防止層と、前記電荷注入防止層上に設けられ、
シリコン、炭素及びホウ素を含み、シリコンの含有量と
炭素の含有量との総和に対する炭素の含有量が1.0〜15
原子％であるとともに、ホウ素の含有量が前記電荷注入
防止層に含まれるホウ素の量の1/10以下となるようシリ
コンの含有量とホウ素の含有量との総和に対するホウ素
の含有量が１×10-7〜１×10-4原子％である非晶質炭化
シリコンからなり、光を吸収することによってキャリア
を発生する光導電性層と、前記光導電性層上に設けら
れ、シリコン、炭素及びホウ素を含み、シリコンの含有
量と炭素の含有量との総和に対する炭素の含有量が15〜
25原子％、シリコンの含有量とホウ素の含有量との総和
に対するホウ素の含有量が１×10-7〜１×10-4原子％で
ある非晶質炭化シリコンからなり、表面に電荷を安定に
保持する表面被覆層とを有し、前記電荷注入防止層、前
記光導電性層及び前記表面被覆層はいずれも同一の元素
によって構成されている。
電性支持体と、前記導電性支持体上に設けられ、シリコ
ン、炭素及びホウ素を含み、シリコンの含有量と炭素の
含有量との総和に対する炭素の含有量が1.0〜15原子
％、シリコンの含有量とホウ素の含有量との総和に対す
るホウ素の含有量が１×10-3〜２原子％である非晶質炭
化シリコンからなり、支持対から電荷の注入を防止する
電荷注入防止層と、前記電荷注入防止層上に設けられ、
シリコン、炭素及びホウ素を含み、シリコンの含有量と
炭素の含有量との総和に対する炭素の含有量が1.0〜15
原子％であるとともに、ホウ素の含有量が前記電荷注入
防止層に含まれるホウ素の量の1/10以下となるようシリ
コンの含有量とホウ素の含有量との総和に対するホウ素
の含有量が１×10-7〜１×10-4原子％である非晶質炭化
シリコンからなり、光を吸収することによってキャリア
を発生する光導電性層と、前記光導電性層上に設けら
れ、シリコン、炭素及びホウ素を含み、シリコンの含有
量と炭素の含有量との総和に対する炭素の含有量が15〜
25原子％、シリコンの含有量とホウ素の含有量との総和
に対するホウ素の含有量が１×10-7〜１×10-4原子％で
ある非晶質炭化シリコンからなり、表面に電荷を安定に
保持する表面被覆層とを有し、前記電荷注入防止層、前
記光導電性層及び前記表面被覆層はいずれも同一の元素
によって構成されている。
［発明の実施例］ 以下本発明を図示の一実施例を参照しながら説明する。
第１図は、本発明の光導電部材の基本的な構成例を説明
するために模式的に示した模式的構成図である。光導電
部材１の層構成は第１図に示すように導電性支持体２の
上に電荷注入防止層３と光導電性層４と表面被覆層５と
をこの順に成層してなる。
するために模式的に示した模式的構成図である。光導電
部材１の層構成は第１図に示すように導電性支持体２の
上に電荷注入防止層３と光導電性層４と表面被覆層５と
をこの順に成層してなる。
導電性支持体２は例えばアルミニウム、ステンレス等の
金属、又はガラス、高分子フィムの表面に導電性もしく
は半導電性物質をコーティングしたものが利用でき、平
板状あるいはドラム状に形成して用いられる。
金属、又はガラス、高分子フィムの表面に導電性もしく
は半導電性物質をコーティングしたものが利用でき、平
板状あるいはドラム状に形成して用いられる。
電荷注入防止層３は非晶質炭化シリコンからなり、第II
I a族元素あるいは第Va族元素を多量にドーピングして
ある。非晶質炭化シリコンの場合は多量にドーピングし
ても歪みが少ない膜質の良好な膜を得ることができる。
I a族元素あるいは第Va族元素を多量にドーピングして
ある。非晶質炭化シリコンの場合は多量にドーピングし
ても歪みが少ない膜質の良好な膜を得ることができる。
光導電性層４は、非晶質炭化シリコンからなり、第III
a族元素あるいは第Va族元素を多量にドーピングすると
比抵抗が下がるので電荷注入防止層３と比較すると10分
の１以下のドーピング量にする。このような少量のドー
ピングを行なった場合、正孔の易動度が大きくなり比抵
抗が1011〜1014Ωcm高く帯電能、電荷保持能に大きな向
上がみられる。しかしドーピングしない場合は、膜中の
正孔の易動度が小さく、光感度が低下してしまい、さら
に繰返し特性に劣化が生じる。
a族元素あるいは第Va族元素を多量にドーピングすると
比抵抗が下がるので電荷注入防止層３と比較すると10分
の１以下のドーピング量にする。このような少量のドー
ピングを行なった場合、正孔の易動度が大きくなり比抵
抗が1011〜1014Ωcm高く帯電能、電荷保持能に大きな向
上がみられる。しかしドーピングしない場合は、膜中の
正孔の易動度が小さく、光感度が低下してしまい、さら
に繰返し特性に劣化が生じる。
表面被覆５は表面の安定化のために設けた層であり非晶
質炭化シリコンからなる。また光をできる限り吸収しな
いことが好ましく、光導電性層４よりも光学的バンドギ
ャップの広いことが望まれる。非晶質炭化シリコンは窒
化シリコンあるいは酸化シリコンなどと比較すると、バ
ンドギャップは狭いものの、第III a族元素あるいは第V
a族元素のドーピングにより電子の易動度を高くするこ
とができ、膜厚を厚くしても、光感度、残留電位に悪影
響を及ぼすことがない。即ち表面被覆層において光吸収
が起こり、生じた電子、正孔はそれぞれ膜中を所定の時
間内に走りきることができる。ただしこの層で吸収され
る光は短波長の光に限られる。従って非晶質炭化シリコ
ンを用いることにより膜厚も0.1μｍ〜５μｍ程度まで
厚くすることができるので、窒化シリコン、酸化シリコ
ンなどの絶縁物を用いた場合よりも、より化学的に安定
で長寿命かつ表面電位も高くすることが可能になる。
質炭化シリコンからなる。また光をできる限り吸収しな
いことが好ましく、光導電性層４よりも光学的バンドギ
ャップの広いことが望まれる。非晶質炭化シリコンは窒
化シリコンあるいは酸化シリコンなどと比較すると、バ
ンドギャップは狭いものの、第III a族元素あるいは第V
a族元素のドーピングにより電子の易動度を高くするこ
とができ、膜厚を厚くしても、光感度、残留電位に悪影
響を及ぼすことがない。即ち表面被覆層において光吸収
が起こり、生じた電子、正孔はそれぞれ膜中を所定の時
間内に走りきることができる。ただしこの層で吸収され
る光は短波長の光に限られる。従って非晶質炭化シリコ
ンを用いることにより膜厚も0.1μｍ〜５μｍ程度まで
厚くすることができるので、窒化シリコン、酸化シリコ
ンなどの絶縁物を用いた場合よりも、より化学的に安定
で長寿命かつ表面電位も高くすることが可能になる。
次に以上構成の光導電部材の成膜方法を説明する。
導電性支持体２を真空反応室（図示しない）に取付け、
メカニカルブースターポンプと油回転ポンプにより10-3
〜10-4Torrの真空にする。
メカニカルブースターポンプと油回転ポンプにより10-3
〜10-4Torrの真空にする。
この時、導電性支持体２は100℃〜400℃の温度に保たれ
ている。次に反応室内にSi原子を含む、例えばSiH4、Si
2H6、SiF4等のガスと、周期律表第III a族元素あるいは
第Va族元素を含むガス、例えばB2H6、BF3、PH3、PF3等
のドーピングガス、およびCH4、C2H6、C2H2等のＣ原子
を含むガスを導入し、0.1〜10Torr程度の圧力になるよ
うに排気系の排気速度を調節し、定常状態になるまで待
つ。次に反応室内の電極間に13.56MHzの高周波電力を印
加することで、導電性支持体２上に第１図に示すような
電荷注入防止層３、光導電性層４、および表面被覆層が
成膜される。
ている。次に反応室内にSi原子を含む、例えばSiH4、Si
2H6、SiF4等のガスと、周期律表第III a族元素あるいは
第Va族元素を含むガス、例えばB2H6、BF3、PH3、PF3等
のドーピングガス、およびCH4、C2H6、C2H2等のＣ原子
を含むガスを導入し、0.1〜10Torr程度の圧力になるよ
うに排気系の排気速度を調節し、定常状態になるまで待
つ。次に反応室内の電極間に13.56MHzの高周波電力を印
加することで、導電性支持体２上に第１図に示すような
電荷注入防止層３、光導電性層４、および表面被覆層が
成膜される。
これらの成膜条件を以下に述べる。
電荷注入防止層３は、SiH4を400SCCM、B2H6をSiH4流量
に対し１×10-2〜５％、CH4をSiH4流量に対し10〜100％
混合し、反応圧10Torr、印加電力200Wの条件で５分間成
膜を行なった。この膜厚は約１μｍである。
に対し１×10-2〜５％、CH4をSiH4流量に対し10〜100％
混合し、反応圧10Torr、印加電力200Wの条件で５分間成
膜を行なった。この膜厚は約１μｍである。
光導電性層４は、B2H6の量をSiH4流量に対し１×10-6〜
１×10-3％まで減少させてRF電力を500Wにする。他の条
件は電荷注入防止層と同様で２時間成膜を行なった。こ
の膜厚さは約24μｍである。
１×10-3％まで減少させてRF電力を500Wにする。他の条
件は電荷注入防止層と同様で２時間成膜を行なった。こ
の膜厚さは約24μｍである。
表面被覆層５は、SiH4を100SCCMに減らし、CH4の量をSi
H4流量に対し100〜300％に増し、他の条件は光導電性層
と同様で20分間成膜を行なった。この膜厚は約1.0μｍ
である。
H4流量に対し100〜300％に増し、他の条件は光導電性層
と同様で20分間成膜を行なった。この膜厚は約1.0μｍ
である。
このようにして作成された本発明による電子写真感光対
は、コロナチャージャからAlドラムへの流入電流0.4μc
/cm2の条件下で表面電位800Vを有し、非晶室シリコンを
用いた感光体と比較して、帯電能において20％以上の特
性向上がみられた。また帯電15秒後の電荷保持率は80
％、表面電位600Vの半減露光量0.3lux・secであり、現
像バイアスに体する耐圧は1500V以上となり、従来の非
晶質シリコンでは200V程度で絶縁破壊が生じるのに比べ
て大幅に改善された。さらに200万枚の繰返し使用にお
いても良好な画像が得られ、長寿命であることが確認さ
れた。また表面被覆層が厚いので研魔材による感光体の
リフレッシュが可能であり、誤って傷をつけた場合でも
再生はかなり広い範囲で行なえ、半永久的といえる。
は、コロナチャージャからAlドラムへの流入電流0.4μc
/cm2の条件下で表面電位800Vを有し、非晶室シリコンを
用いた感光体と比較して、帯電能において20％以上の特
性向上がみられた。また帯電15秒後の電荷保持率は80
％、表面電位600Vの半減露光量0.3lux・secであり、現
像バイアスに体する耐圧は1500V以上となり、従来の非
晶質シリコンでは200V程度で絶縁破壊が生じるのに比べ
て大幅に改善された。さらに200万枚の繰返し使用にお
いても良好な画像が得られ、長寿命であることが確認さ
れた。また表面被覆層が厚いので研魔材による感光体の
リフレッシュが可能であり、誤って傷をつけた場合でも
再生はかなり広い範囲で行なえ、半永久的といえる。
なお、上述の実施例では成膜時のガス流量比を条件とし
て示しているが、感光体中の元素の比で示すと第１表の
ようになる。
て示しているが、感光体中の元素の比で示すと第１表の
ようになる。
第１表からわかるように、ほう素濃度は電荷注入防止層
において最も高くなっている。
において最も高くなっている。
以上は各層の界面近傍においてガスの入れかえ（パー
ジ）を行なったが、次に不純物の濃度を連続的に変化さ
せた例を第２表および第２図を参照して説明する。
ジ）を行なったが、次に不純物の濃度を連続的に変化さ
せた例を第２表および第２図を参照して説明する。
この実施例では導電性支持上に電荷注入防止層、光導電
性層、表面被覆層を順次積層する過程において、各層の
界面近傍にてB2H6、CH4の流量をマイクロコンピュータ
ーにより制御し、連続的に変化させて成膜を行なった。
このような電子写真感光体では、各層の歪みの違いに起
因する膜はがれが生じにくく、電子写真特性的にも損色
はなかった。
性層、表面被覆層を順次積層する過程において、各層の
界面近傍にてB2H6、CH4の流量をマイクロコンピュータ
ーにより制御し、連続的に変化させて成膜を行なった。
このような電子写真感光体では、各層の歪みの違いに起
因する膜はがれが生じにくく、電子写真特性的にも損色
はなかった。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、ホウ素を多量に
含有する電荷注入防止層と、少量のホウ素を含有する光
導電性層と、多量に炭素を含有する表面被覆層とを積層
させる場合において、全ての層をホウ素及び炭素を含む
同一の元素よりなるアモルファスシリコン層で形成し、
かつ層間においてホウ素と炭素の両方の濃度が同時に大
きく変化しないようにしたので、層間における膜剥がれ
を防止できる。そして本発明の光導電部材によれば膜剥
がれを防止すると同時に、電荷注入防止層は、支持体か
らのキャリアの注入を阻止するとともに残量電位の上昇
を防止し、光導電性層は高い光感度を有し、表面被覆層
は光透過性に優れ表面電荷を安定に保持するので、光導
電部材として極めて優れたものが得られる。
含有する電荷注入防止層と、少量のホウ素を含有する光
導電性層と、多量に炭素を含有する表面被覆層とを積層
させる場合において、全ての層をホウ素及び炭素を含む
同一の元素よりなるアモルファスシリコン層で形成し、
かつ層間においてホウ素と炭素の両方の濃度が同時に大
きく変化しないようにしたので、層間における膜剥がれ
を防止できる。そして本発明の光導電部材によれば膜剥
がれを防止すると同時に、電荷注入防止層は、支持体か
らのキャリアの注入を阻止するとともに残量電位の上昇
を防止し、光導電性層は高い光感度を有し、表面被覆層
は光透過性に優れ表面電荷を安定に保持するので、光導
電部材として極めて優れたものが得られる。
第１図は本発明の一実施例の光導電部材の模式的構成
図、第２図は本発明に係わる電子写真感光体の成膜時間
とガス流量の関係を示す図である。 １……光導電部材、２……導電性支持体、 ３……電荷注入防止層、４……光導電性層、 ５……表面被覆層。
図、第２図は本発明に係わる電子写真感光体の成膜時間
とガス流量の関係を示す図である。 １……光導電部材、２……導電性支持体、 ３……電荷注入防止層、４……光導電性層、 ５……表面被覆層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｇ 5/08 ３３６
Claims (1)
- 【請求項１】導電性支持体と、 前記導電性支持体上に設けられ、シリコン、炭素及びホ
ウ素を含み、シリコンの含有量と炭素の含有量との総和
に対する炭素の含有量が1.0〜15原子％、シリコンの含
有量とホウ素の含有量との総和に対するホウ素の含有量
が１×10-3〜２原子％である非晶質炭化シリコンからな
り、支持体から電荷の注入を防止する電荷注入防止層
と、 前記電荷注入防止層に設けられ、シリコン、炭素及びホ
ウ素を含み、シリコンの含有量と炭素の含有量との総和
に対する炭素の含有量が1.0〜15原子％であるととも
に、ホウ素の含有量が前記電荷注入防止層に含まれるホ
ウ素の量の1/10以下となるようシリコンの含有量とホウ
素の含有量との総和に対するホウ素の含有量が１×10-7
〜１×10-4原子％である非晶質炭化シリコンからなり、
光を吸収することによってキャリアを発生する光導電性
層と、 前記光導電性層上に設けられ、シリコン、炭素及びホウ
素を含み、シリコンの含有量と炭素の含有量との総和に
対する炭素の含有量が15〜25原子％、シリコンの含有量
とホウ素の含有量との総和に対するホウ素の含有量が１
×10-7〜１×10-4原子％である非晶質炭化シリコンから
なり、表面に電荷を安定に保持する表面被覆層とを有
し、 前記電荷注入防止層、前記光導電性層及び前記表面被覆
層はいずれも同一の元素によって構成されていることを
特徴とする光導電部材。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| AU32669/84A AU549925B2 (en) | 1983-11-28 | 1984-09-03 | Automatic telephone hold releasing circuit |
| JP59221962A JPH0774909B2 (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | 光導電部材 |
| US06/779,065 US4656110A (en) | 1984-10-24 | 1985-09-23 | Electrophotographic photosensitive member having a photoconductive layer of an amorphous material |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP59221962A JPH0774909B2 (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | 光導電部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61100759A JPS61100759A (ja) | 1986-05-19 |
| JPH0774909B2 true JPH0774909B2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=16774883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59221962A Expired - Lifetime JPH0774909B2 (ja) | 1983-11-28 | 1984-10-24 | 光導電部材 |
Country Status (3)
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| JP (1) | JPH0774909B2 (ja) |
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-
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-
1985
- 1985-09-23 US US06/779,065 patent/US4656110A/en not_active Expired - Lifetime
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