JPH0760272B2 - 光導電部材 - Google Patents
光導電部材Info
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- JPH0760272B2 JPH0760272B2 JP59262212A JP26221284A JPH0760272B2 JP H0760272 B2 JPH0760272 B2 JP H0760272B2 JP 59262212 A JP59262212 A JP 59262212A JP 26221284 A JP26221284 A JP 26221284A JP H0760272 B2 JPH0760272 B2 JP H0760272B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は紫外線から遠赤外線にまでおよび光に感応性の
ある光導電性部材に関する。
ある光導電性部材に関する。
固体撮像素子、電子写真感光体等における光導電層を構
成する光導電性材料は、その使用上の目的から暗所での
比抵抗が高く（通常1013Ωcm以上で）、かつ光照射によ
り比抵抗が小さくなる性質をもつものでなくてはならな
い。
成する光導電性材料は、その使用上の目的から暗所での
比抵抗が高く（通常1013Ωcm以上で）、かつ光照射によ
り比抵抗が小さくなる性質をもつものでなくてはならな
い。
ここで、電子写真に例をとつて、その原理および感光体
として必要な条件を簡単に説明する。
として必要な条件を簡単に説明する。
先ず、原理を説明すると、電子写真は感光体表面にコロ
ナ放電により電荷をふらせ帯電させる。次に、感光体に
光を照射すると、電子と正孔の対が生じ、そのどちらか
一方により表面の電荷が中和される。たとえば正に帯電
させた場合、光照射により生じた対のうち電子によつて
中和される。したがつて光照射により感光体表面に静電
荷の潜像が形成される。そして、この潜像の可視化は、
感光体表面の電荷と逆極性に帯電したトナーと呼ばれる
黒粉体を感光体表面にクーロン力によつて吸引させるこ
とによりなされる。このとき、感光体表面に電荷がなく
とも、トナーの電荷で、感光体に引きつけられることを
避けるため、感光体と現像器の間に電荷による電場と逆
方向の電場が生ずるように現像器の電位を高くするとい
う処置がなされている。これを、現像バイアスという。
ナ放電により電荷をふらせ帯電させる。次に、感光体に
光を照射すると、電子と正孔の対が生じ、そのどちらか
一方により表面の電荷が中和される。たとえば正に帯電
させた場合、光照射により生じた対のうち電子によつて
中和される。したがつて光照射により感光体表面に静電
荷の潜像が形成される。そして、この潜像の可視化は、
感光体表面の電荷と逆極性に帯電したトナーと呼ばれる
黒粉体を感光体表面にクーロン力によつて吸引させるこ
とによりなされる。このとき、感光体表面に電荷がなく
とも、トナーの電荷で、感光体に引きつけられることを
避けるため、感光体と現像器の間に電荷による電場と逆
方向の電場が生ずるように現像器の電位を高くするとい
う処置がなされている。これを、現像バイアスという。
次に、感光体として必要な条件を説明すると、第１にコ
ロナ放電により帯電した電荷が光照射まで保持されるこ
と、第２に光照射により生成した電子と正孔の対が再結
合することなく、一方が表面の電荷を中和し、さらにも
う一方は、感光層の支持体まで短時間に到達することな
どがあげられる。
ロナ放電により帯電した電荷が光照射まで保持されるこ
と、第２に光照射により生成した電子と正孔の対が再結
合することなく、一方が表面の電荷を中和し、さらにも
う一方は、感光層の支持体まで短時間に到達することな
どがあげられる。
ところで、従来、光導電部材における光導電性層の形成
に使用されるものとして非晶質カルコゲナイド系材料が
ある。非晶質カルコゲナイド系材料は、大面積化を容易
に達成することのできるすぐれた光導電性材料である
が、光吸収領域端が可視領域から紫外領域に近いところ
までに有るので、実用上、可視領域における光感度が低
く、また、硬度が低いので電子写真感光体に応用しても
寿命が短かい等の問題点を有する。
に使用されるものとして非晶質カルコゲナイド系材料が
ある。非晶質カルコゲナイド系材料は、大面積化を容易
に達成することのできるすぐれた光導電性材料である
が、光吸収領域端が可視領域から紫外領域に近いところ
までに有るので、実用上、可視領域における光感度が低
く、また、硬度が低いので電子写真感光体に応用しても
寿命が短かい等の問題点を有する。
そこで、近年、上記問題点を解消する光導電性材料とし
て、アモルフアスシリコンが注目されている。このアモ
ルフアスシリコンは、吸収波長域が広くて全整色（Panc
hromatic）であり、光感度も高い。また、アモルフアス
シリコンは硬度も高く、電子写真感光体に応用した場
合、従来のものに比べて10倍以上の寿命を有するとされ
ている。さらに、アモルフアスシリコンは、人体に無害
であり、単結晶シリコンと比較すると、安価で容易に大
面積化を図ることができる等の多くの利点を有する。
て、アモルフアスシリコンが注目されている。このアモ
ルフアスシリコンは、吸収波長域が広くて全整色（Panc
hromatic）であり、光感度も高い。また、アモルフアス
シリコンは硬度も高く、電子写真感光体に応用した場
合、従来のものに比べて10倍以上の寿命を有するとされ
ている。さらに、アモルフアスシリコンは、人体に無害
であり、単結晶シリコンと比較すると、安価で容易に大
面積化を図ることができる等の多くの利点を有する。
しかしながら、アモルフアスシリコンは、暗所での比抵
抗（単に暗抵抗ということもある。）が、通常、108〜1
010Ωcm程度の低さであるから、静電潜像を形成する電
子写真感光体にあつては、その表面に帯電した電荷を保
持することができない。もつとも、電子写真感光体にお
いては、アモルフアスシリコン感光層と支持体との間
に、酸化シリコン、炭化シリコン、窒化シリコンなどの
比抵抗の高い絶縁層（ブロツキング層）を介在させるこ
とにより、支持体からのキヤリアの注入を防止すること
が試みられてはいる。しかし、この場合、比抵抗の高い
絶縁層（ブロツキング層）の厚みを大きくすると、その
上にあるアモルフアスシリコン層から支持体へのキヤリ
アの透過を阻止することとなるので、結果として、残留
電位が生じてしまう。また、比抵抗の高いアモルフアス
シリコン層の厚みを小さくすると、十分な電位保持能を
持たせることができなくなつてしまう。
抗（単に暗抵抗ということもある。）が、通常、108〜1
010Ωcm程度の低さであるから、静電潜像を形成する電
子写真感光体にあつては、その表面に帯電した電荷を保
持することができない。もつとも、電子写真感光体にお
いては、アモルフアスシリコン感光層と支持体との間
に、酸化シリコン、炭化シリコン、窒化シリコンなどの
比抵抗の高い絶縁層（ブロツキング層）を介在させるこ
とにより、支持体からのキヤリアの注入を防止すること
が試みられてはいる。しかし、この場合、比抵抗の高い
絶縁層（ブロツキング層）の厚みを大きくすると、その
上にあるアモルフアスシリコン層から支持体へのキヤリ
アの透過を阻止することとなるので、結果として、残留
電位が生じてしまう。また、比抵抗の高いアモルフアス
シリコン層の厚みを小さくすると、十分な電位保持能を
持たせることができなくなつてしまう。
一方、導電性基体と光導電性層の間にＰ型あるいはｎ型
の導電性をもつ半導体膜を設ける方法もある。通常はＢ
あるいはＰを多量にドーピングした非晶質シリコンを用
いる。このような層を電荷注入防止層と呼ぶ。この電荷
注入防止層の電荷注入防止能はＢあるいはＰを多くドー
ピングすることにより向上するが、そのような膜は膜内
部の歪が大きく、その上に歪の異なる膜を積層すると膜
がはがれるという不具合点を持つている。また、非晶質
シリコンの光吸収は広い波長域に亘つて起こり、吸収端
付近でも徐徐に吸収が減るという様相を示す。すなわ
ち、700nmから800nmまでの波長域では吸収は減るもの
の、ゼロにはならず、わずかながら吸収する。したがつ
て、このような材料で光導電性層を作ると、電子写真感
光体のように光導電性層の膜厚が厚い場合には、長波長
光を光導電性層の基体に近いところでも吸収する。そし
て、この非晶質シリコンは、電子、正孔ともにその易動
度はあまり高くないので、露光により感光体の表面より
遠いところで発生したキヤリアは残り易い。電子写真装
置には一枚の画像を出した後、感光体表面に残る電荷を
消却する除電と呼ばれるプロセスがあるが、これを露光
で行なう場合には上記理由により、残留した膜中のキヤ
リアが次の画像を得るために行なう感光体表面の帯電に
よる表面電荷を中和してしまう。したがつて、露光直後
の帯電能は、暗中に放置した後の帯電能より大幅に低下
するという不具合点が生じている。
の導電性をもつ半導体膜を設ける方法もある。通常はＢ
あるいはＰを多量にドーピングした非晶質シリコンを用
いる。このような層を電荷注入防止層と呼ぶ。この電荷
注入防止層の電荷注入防止能はＢあるいはＰを多くドー
ピングすることにより向上するが、そのような膜は膜内
部の歪が大きく、その上に歪の異なる膜を積層すると膜
がはがれるという不具合点を持つている。また、非晶質
シリコンの光吸収は広い波長域に亘つて起こり、吸収端
付近でも徐徐に吸収が減るという様相を示す。すなわ
ち、700nmから800nmまでの波長域では吸収は減るもの
の、ゼロにはならず、わずかながら吸収する。したがつ
て、このような材料で光導電性層を作ると、電子写真感
光体のように光導電性層の膜厚が厚い場合には、長波長
光を光導電性層の基体に近いところでも吸収する。そし
て、この非晶質シリコンは、電子、正孔ともにその易動
度はあまり高くないので、露光により感光体の表面より
遠いところで発生したキヤリアは残り易い。電子写真装
置には一枚の画像を出した後、感光体表面に残る電荷を
消却する除電と呼ばれるプロセスがあるが、これを露光
で行なう場合には上記理由により、残留した膜中のキヤ
リアが次の画像を得るために行なう感光体表面の帯電に
よる表面電荷を中和してしまう。したがつて、露光直後
の帯電能は、暗中に放置した後の帯電能より大幅に低下
するという不具合点が生じている。
本発明は上記事情に基づいてなされたもので、その目的
とするところは、膜はがれがなく、帯電能ならびに電位
保持能に優れ、帯電直前の露光による帯電能の減少が少
ない光導電部材を提供することにある。
とするところは、膜はがれがなく、帯電能ならびに電位
保持能に優れ、帯電直前の露光による帯電能の減少が少
ない光導電部材を提供することにある。
本発明は、上記目的を達成するために、導電性支持体上
に、たとえばＢやＰ等を多量にドーピングしても歪の少
ない非晶質炭化シリコンよりなる電荷注入防止層を積層
し、その上に、非晶質シリコンよりも光学的バンドギヤ
ツプが広く、かつ光吸収により生成される電子・正孔対
のうちの正孔の易動度と寿命との積が１×10-7cm2/V以
上である非晶質窒化シリコンよりなる光導電性層を積層
し、その上に、膜厚が0.1μｍ以上5.0μｍ以下の非晶質
シリコンよりなる光導電性層を積層したことを特徴とす
るものである。
に、たとえばＢやＰ等を多量にドーピングしても歪の少
ない非晶質炭化シリコンよりなる電荷注入防止層を積層
し、その上に、非晶質シリコンよりも光学的バンドギヤ
ツプが広く、かつ光吸収により生成される電子・正孔対
のうちの正孔の易動度と寿命との積が１×10-7cm2/V以
上である非晶質窒化シリコンよりなる光導電性層を積層
し、その上に、膜厚が0.1μｍ以上5.0μｍ以下の非晶質
シリコンよりなる光導電性層を積層したことを特徴とす
るものである。
本発明の一実施例について図面を参照しながら説明す
る。
る。
図面は、本発明に係る光導電部材（たとえば感光体）を
示すもので、図中１は平板状あるいはドラム状等の導電
性支持体である。
示すもので、図中１は平板状あるいはドラム状等の導電
性支持体である。
この導電性支持体１上には、周期律表III a族かV a族元
素を1.0×10-4atomic％以上1.0atomic％以下の範囲で含
む非晶質炭化シリコンからなる電荷注入防止層２が積層
されている。
素を1.0×10-4atomic％以上1.0atomic％以下の範囲で含
む非晶質炭化シリコンからなる電荷注入防止層２が積層
されている。
また、この電荷注入防止層２上には、III a族元素を1.0
×10-8atomic％以上1.0×10-4atomic％以下の範囲で含
む非晶質窒化シリコンからなる第１の光導電性層３が５
μｍ以上60μｍ以下の膜厚で積層されている。なお、こ
の第１の光導電性層３の厚さは５μｍでも良いが、表面
を帯電して用いる場合には、必要とする表面電位に合わ
せて膜厚を変える。また、この第１の光導電性層３に要
求される特性は、膜中の窒素の量がシリコンに対して0.
1atomic％以上15atomic％以下の程度で、光学的バンド
ギヤツプが1.65eVから1.9eVまでくらいのものがよく、
少量のIII a族元素のドーピングにより、光吸収により
生成された電子・正孔対のうちの正孔の易動度μと寿命
τの積μ・τが１×10-7cm2/V以上になつていること等
があげられる。なお、この場合、特に易動度μの高いこ
とが重要であり、感光体を構成する非晶質層中で表面層
以外の部分に易動度の低いところが存在すると、光吸収
により生成されたキヤリアの導電性支持体１方向への速
やかな移動を妨げ、その結果、繰り返し特性等に劣化が
生じてしまう。したがつて、非晶質窒化シリコンや非晶
質シリコンは、電子の易動度は高いが、正孔の易動度が
比較的低いので、この点に注意して材料を選定する必要
がある。
×10-8atomic％以上1.0×10-4atomic％以下の範囲で含
む非晶質窒化シリコンからなる第１の光導電性層３が５
μｍ以上60μｍ以下の膜厚で積層されている。なお、こ
の第１の光導電性層３の厚さは５μｍでも良いが、表面
を帯電して用いる場合には、必要とする表面電位に合わ
せて膜厚を変える。また、この第１の光導電性層３に要
求される特性は、膜中の窒素の量がシリコンに対して0.
1atomic％以上15atomic％以下の程度で、光学的バンド
ギヤツプが1.65eVから1.9eVまでくらいのものがよく、
少量のIII a族元素のドーピングにより、光吸収により
生成された電子・正孔対のうちの正孔の易動度μと寿命
τの積μ・τが１×10-7cm2/V以上になつていること等
があげられる。なお、この場合、特に易動度μの高いこ
とが重要であり、感光体を構成する非晶質層中で表面層
以外の部分に易動度の低いところが存在すると、光吸収
により生成されたキヤリアの導電性支持体１方向への速
やかな移動を妨げ、その結果、繰り返し特性等に劣化が
生じてしまう。したがつて、非晶質窒化シリコンや非晶
質シリコンは、電子の易動度は高いが、正孔の易動度が
比較的低いので、この点に注意して材料を選定する必要
がある。
さらに、この第１の光導電性層３上には、周期律表III
a族元素を１×10-8atomic％以上1.0×10-4atomic％以下
の範囲で含む非晶質シリコンよりなる第２の光導電性層
４が0.5μｍ以上５μｍ以下膜厚で積層されている。こ
の非晶質シリコンは、広い波長域に亘つて吸光係数が高
く、この程度の膜厚で充分な感度が得られるものであ
る。
a族元素を１×10-8atomic％以上1.0×10-4atomic％以下
の範囲で含む非晶質シリコンよりなる第２の光導電性層
４が0.5μｍ以上５μｍ以下膜厚で積層されている。こ
の非晶質シリコンは、広い波長域に亘つて吸光係数が高
く、この程度の膜厚で充分な感度が得られるものであ
る。
さらに、この第２の光導電性層４上には、化学的安定性
の向上の為に、表面被覆層５が500Å以上５μｍ以下の
程度で積層されている。この材料は、SiO2、SiN、SiC等
の光学的バンドギヤツプの広いものが良く、電子の易動
度を高くするために周期律表III a族元素の少量のドー
ピングも有効である。
の向上の為に、表面被覆層５が500Å以上５μｍ以下の
程度で積層されている。この材料は、SiO2、SiN、SiC等
の光学的バンドギヤツプの広いものが良く、電子の易動
度を高くするために周期律表III a族元素の少量のドー
ピングも有効である。
以上の構成によれば、電荷注入防止層２を、周期律表II
I a族かV a族元素を１×10-4atomic％以上1.0atomic％
以下の範囲で含む非晶質炭化シリコンで構成したので、
膜はがれを防止することができる。
I a族かV a族元素を１×10-4atomic％以上1.0atomic％
以下の範囲で含む非晶質炭化シリコンで構成したので、
膜はがれを防止することができる。
また、光導電性層を、III a族元素を１×10-8atomic％
以上１×10-4atomic％以下の範囲で含み、光吸収により
生成された電子・正孔対のうちの正孔の易動度μと寿命
τとの積μ・τが１×10-7cm2/Vで、かつ、膜厚が５μ
ｍ以上60μｍ以下の非晶質窒化シリコンからなる第１の
光導電性層３と、III a族元素を１×10-8atomic％以上
1.0×10-4atomic％以下の範囲で含み、膜厚が0.5μｍ以
上５μｍ以下の非晶質シリコンよりなる第２の光導電性
層４とで構成したので、帯電能ならびに電位保持能に優
れ、帯電直前の露光による帯電能の減少が少ない。
以上１×10-4atomic％以下の範囲で含み、光吸収により
生成された電子・正孔対のうちの正孔の易動度μと寿命
τとの積μ・τが１×10-7cm2/Vで、かつ、膜厚が５μ
ｍ以上60μｍ以下の非晶質窒化シリコンからなる第１の
光導電性層３と、III a族元素を１×10-8atomic％以上
1.0×10-4atomic％以下の範囲で含み、膜厚が0.5μｍ以
上５μｍ以下の非晶質シリコンよりなる第２の光導電性
層４とで構成したので、帯電能ならびに電位保持能に優
れ、帯電直前の露光による帯電能の減少が少ない。
なお、上記第１と第２の光導電性層３、４を上述のよう
に異なる材料で構成し、さらに、表面に近い方の第２の
光導電性層４に光学的バンドギヤツプの小さい材料を用
いると、光吸収は、この第２の光導電性層４において主
に起こり、膜厚を５μｍ程度にしておくと、露光により
発生したキヤリアが残ることはなくなるので、帯電直前
の露光による帯電能の減少はさらに少なくなる。
に異なる材料で構成し、さらに、表面に近い方の第２の
光導電性層４に光学的バンドギヤツプの小さい材料を用
いると、光吸収は、この第２の光導電性層４において主
に起こり、膜厚を５μｍ程度にしておくと、露光により
発生したキヤリアが残ることはなくなるので、帯電直前
の露光による帯電能の減少はさらに少なくなる。
また、電荷注入防止層２側の第１の光導電性層３は、光
学的バンドギャツプが1.7eV以上2.0eV以下程度の非晶質
窒化シリコンが好ましく、ＢあるいはＰを少量ドーピン
グすると正孔の易動度が高くなるので更に好ましい。
学的バンドギャツプが1.7eV以上2.0eV以下程度の非晶質
窒化シリコンが好ましく、ＢあるいはＰを少量ドーピン
グすると正孔の易動度が高くなるので更に好ましい。
次に、成膜方法の一例を説明する。先ず、導電性支持体
１を真空反応容器に入れ、容器内をメカニカルブースタ
ーポンプと油回転ポンプにより10-3Torr程度の真空に
し、導電性支持体１を100〜400℃の温度に保持する。
１を真空反応容器に入れ、容器内をメカニカルブースタ
ーポンプと油回転ポンプにより10-3Torr程度の真空に
し、導電性支持体１を100〜400℃の温度に保持する。
ついで、容器内にSi原子を含むガス、たとえば、SiH4、
Si2H6、SiF4等のガスを導入する。ここで、非晶質炭化
シリコンあるいは非晶質窒化シリコンを成膜するには、
これらのガスにCH4、C2H6等の炭化水素またはN2、NH3等
のガスを混合する。混合比を変えることにより光学的バ
ンドギヤツプを変えることができる。また、周期律表II
I a族元素あるいはV a族元素のドーピングは、B2H6、BF
3あるいはPH3、PF5等のガスを混合することで達成され
る。
Si2H6、SiF4等のガスを導入する。ここで、非晶質炭化
シリコンあるいは非晶質窒化シリコンを成膜するには、
これらのガスにCH4、C2H6等の炭化水素またはN2、NH3等
のガスを混合する。混合比を変えることにより光学的バ
ンドギヤツプを変えることができる。また、周期律表II
I a族元素あるいはV a族元素のドーピングは、B2H6、BF
3あるいはPH3、PF5等のガスを混合することで達成され
る。
以上のようなガスを各層の組成に合わせて反応容器内に
導入し、0.1〜3Torr程度の圧力になるように排気速度を
調節する。
導入し、0.1〜3Torr程度の圧力になるように排気速度を
調節する。
ついで、導電性支持体１の周辺にプラズマが起こるべく
設置した電極間に高周波電力を投入すると、導電性支持
体１上に成膜される。
設置した電極間に高周波電力を投入すると、導電性支持
体１上に成膜される。
次に、このようにして成膜された光導電部材の一例につ
いて説明する。
いて説明する。
電荷注入防止層２は、Ｂを１×10-3atomic％ドーピング
した非晶質炭化シリコンを用い、0.5μｍ程度積層して
なる。この電荷注入防止層２は、Ｂを多くドーピングし
ており、比抵抗が低く、光学的バンドギヤツプも1.70eV
程度である。
した非晶質炭化シリコンを用い、0.5μｍ程度積層して
なる。この電荷注入防止層２は、Ｂを多くドーピングし
ており、比抵抗が低く、光学的バンドギヤツプも1.70eV
程度である。
第１の光導電性層３は、Ｂを１×10-6atomic％ドーピン
グした非晶質窒化シリコンを25μｍ程度積層してなる。
この第１の光導電性層３は、少量のＢドープにより、真
性領域に近く、比抵抗も1013Ωcm以上と高く、さらに、
光学的バンドギヤツプも1.75eV程度で、第２の光導電性
層４の光学的バンドギヤツプよりも広い。
グした非晶質窒化シリコンを25μｍ程度積層してなる。
この第１の光導電性層３は、少量のＢドープにより、真
性領域に近く、比抵抗も1013Ωcm以上と高く、さらに、
光学的バンドギヤツプも1.75eV程度で、第２の光導電性
層４の光学的バンドギヤツプよりも広い。
第２の光導電性層４は、非晶質シリコンを５μｍ程度積
層してなる。この第２の光導電性層４は、ドーピングし
なくとも良いが、Ｂを１×10-6atomic％程度ドーピング
すると正孔の易動度が大きくなり、より好ましい。ま
た、この第２の光導電性層４は、1.55eV程度の光学的バ
ンドギヤツプをもつており、広い波長域に亘つて光を吸
収する。
層してなる。この第２の光導電性層４は、ドーピングし
なくとも良いが、Ｂを１×10-6atomic％程度ドーピング
すると正孔の易動度が大きくなり、より好ましい。ま
た、この第２の光導電性層４は、1.55eV程度の光学的バ
ンドギヤツプをもつており、広い波長域に亘つて光を吸
収する。
表面被覆層５は、光学的バンドギヤツプが2.2eV、比抵
抗が1014Ωcm程度の非晶質炭化シリコンを１μｍ積層し
てなる。この表面被覆層５は、膜厚が0.1μｍ程度でも
良いが、５μｍ以下であれば厚くとも多少の残留電位が
増えるだけで、それ以上の暗中での帯電能の向上が見ら
れる上、化学的にも安定になるので好ましい。また、Ｂ
の１×10-6atomic％程度のドーピングにより、電子の易
動度が高くなるので、ドーピングすることも有効であ
る。また、この表面被覆層５は、非晶質窒化シリコンで
も同様の効果が得られる。
抗が1014Ωcm程度の非晶質炭化シリコンを１μｍ積層し
てなる。この表面被覆層５は、膜厚が0.1μｍ程度でも
良いが、５μｍ以下であれば厚くとも多少の残留電位が
増えるだけで、それ以上の暗中での帯電能の向上が見ら
れる上、化学的にも安定になるので好ましい。また、Ｂ
の１×10-6atomic％程度のドーピングにより、電子の易
動度が高くなるので、ドーピングすることも有効であ
る。また、この表面被覆層５は、非晶質窒化シリコンで
も同様の効果が得られる。
このようにして作製した光導電部材を電子写真感光体と
して使用したところ、コロナチヤージヤーから感光体へ
の流入電流が0.4μC/cm2という条件で、700V以上の表面
電位が得られ、帯電15秒後の電位保持率が80％と良好な
静電特性を備えていることが確認された。また、膜はが
れがなく、帯電直前の露による帯電能の減少も少なかつ
た。
して使用したところ、コロナチヤージヤーから感光体へ
の流入電流が0.4μC/cm2という条件で、700V以上の表面
電位が得られ、帯電15秒後の電位保持率が80％と良好な
静電特性を備えていることが確認された。また、膜はが
れがなく、帯電直前の露による帯電能の減少も少なかつ
た。
なお、上記光導電部材は正帯電用電子写真感光体に応用
したものであつたが、上記ドーパントＢをＰに変えると
負帯電用電子写真感光体となる。すなわち、成膜時に混
合するガスがB2H6であつたものをPH3にすれば良く、他
の条件は上記と同じである。このようにして作製した光
導電部材をコロナチヤージヤーへの印加電圧の極性を変
える以外は同じ条件で使用したところ、帯電能および電
位ともに上記同様優れていた。
したものであつたが、上記ドーパントＢをＰに変えると
負帯電用電子写真感光体となる。すなわち、成膜時に混
合するガスがB2H6であつたものをPH3にすれば良く、他
の条件は上記と同じである。このようにして作製した光
導電部材をコロナチヤージヤーへの印加電圧の極性を変
える以外は同じ条件で使用したところ、帯電能および電
位ともに上記同様優れていた。
以上説明したように本発明によれば、膜はがれがなく、
帯電能ならびに電位保持能に優れ、帯電直前の露光によ
る帯電能の減少が少ない等の優れた効果を奏する。
帯電能ならびに電位保持能に優れ、帯電直前の露光によ
る帯電能の減少が少ない等の優れた効果を奏する。
図面は本発明の一実施例を示すものである。 １……導電性支持体、２……電荷注入防止層、３……第
１の光導電性層、４……第２の光導電性層、５……表面
被覆層。
１の光導電性層、４……第２の光導電性層、５……表面
被覆層。
Claims (2)
- 【請求項１】導電性基体と、 前記導電性基体上に積層され、炭素を含むとともに、周
期律表第III a族あるいは第V a族元素を1.0×10-4atomi
c％以上1.0atomic％以下の範囲で含む非晶質炭化シリコ
ンからなる電荷注入防止層と、 前記電荷注入防止層の上に積層され、窒素を含むととも
に、1.65〜1.90eVの光学的バンドギャップを有し、かつ
周期律表第III a族元素を1.0×10-8atomic％以上1.0×1
0-4atomic％以下の範囲で含むことにより、光吸収によ
り生成された電子・正孔対のうちの正孔の易動度と寿命
との積が１×10-7cm2/V以上である非晶質窒化シリコン
からなる第１の光導電性層と、 前記第１の光導電性層上に積層され、前記第１の光導電
性層よりも小さい光学的バンドギャップを有するととも
に、周期律表第III a族元素を1.0×10-8atomic％以上1.
0×10-4atomic％以下の範囲で含み、膜厚が0.5μｍ以上
5.0μｍ以下の非晶質シリコンのみからなる第２の光導
電性層とを有することを特徴とする光導電部材。 - 【請求項２】光導電性層上に、膜厚が0.05μｍ以上５μ
ｍ以下で比抵抗が1013Ωcm以上の表面被覆層を設けた特
許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59262212A JPH0760272B2 (ja) | 1984-12-12 | 1984-12-12 | 光導電部材 |
| US06/800,972 US4666803A (en) | 1984-11-26 | 1985-11-22 | Photoconductive member for exhibiting photoconductivity upon illumination by electromagnetic light in the visible to ultraviolet range |
| DE19853541764 DE3541764A1 (de) | 1984-11-26 | 1985-11-26 | Photoleiterelement |
| US06/913,362 US4724193A (en) | 1984-11-26 | 1986-09-30 | Photoconductive membrane for exhibiting photoconductivity upon illumination by electromagnetic light in the visible to ultraviolet range |
| US06/913,369 US4716090A (en) | 1984-11-26 | 1986-09-30 | Photoconductive member for exhibiting photoconductivity upon illumination by electromagnetic light in the visible to ultraviolet range |
| US06/913,368 US4716089A (en) | 1984-11-26 | 1986-09-30 | Photoconductive member for exhibiting photoconductivity upon illumination by electromagnetic light in the visible to ultraviolet range |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59262212A JPH0760272B2 (ja) | 1984-12-12 | 1984-12-12 | 光導電部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61138957A JPS61138957A (ja) | 1986-06-26 |
| JPH0760272B2 true JPH0760272B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=17372632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59262212A Expired - Lifetime JPH0760272B2 (ja) | 1984-11-26 | 1984-12-12 | 光導電部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760272B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990010892A1 (en) * | 1989-03-16 | 1990-09-20 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Electrostatic data recording medium and electrostatic data recording/reproducing method |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5893384A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-03 | Canon Inc | 光導電部材 |
| JPS58219559A (ja) * | 1982-06-15 | 1983-12-21 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 記録体 |
| JPS58219565A (ja) * | 1982-06-15 | 1983-12-21 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光体 |
| JPS5967549A (ja) * | 1982-10-11 | 1984-04-17 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 記録体 |
| JPS5967551A (ja) * | 1982-10-11 | 1984-04-17 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 記録体 |
| JPS60235150A (ja) * | 1984-05-09 | 1985-11-21 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光体 |
| JPS61126559A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-14 | Toshiba Corp | 光導電部材 |
| JPH0743543B2 (ja) * | 1984-11-26 | 1995-05-15 | 株式会社東芝 | 光導電部材 |
| JPS61134768A (ja) * | 1984-12-05 | 1986-06-21 | Toshiba Corp | 光導電部材 |
-
1984
- 1984-12-12 JP JP59262212A patent/JPH0760272B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61138957A (ja) | 1986-06-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |