JPS5893384A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
−、＄４１１；線＊　ＸＭ　ｔ　ｒｌｌｊ等を示す）′
の様な電磁波に感受性のある光導電部材に関するＯ 固体達律装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原ｓｖｔ坂装置における光導電ノーを形成す
る光導電材料としては、＾感度で、ＳＮ比〔充電流（Ｉ
ｐ）　／暗１流（Ｉｄ）　）が＾く、照射する電磁波の
スペクトル骨性にマツチングした吸収スペクト次特性を
有すること、光応答性が速く、所望のｌｉｌ抵抗値を有
すること、ｋ用時において人体に対して無公害であるこ
と、史ＶＣは固体撮稼装置においては、残像上所定時間
ｆ’ｉ　ｖＣ谷易に処理することがで！！１こと等の特
注がｔＬ″Ｘされる。妹に、４１謹慎としてオフィスで
便用される隠子写真ａｍ内に組込まれる電子写真用像形
成部材の場合には、上記の便用時における無公害性は重
要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光４電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ−８ｉと訳記丁）があプ
、例えば、独−公開第２７４６９６７１：：１ 号公′＠、同＠　２８５５７１８号公報には電子写真用
像形成部材として、ａｍ公開第２９３３４１１号公報に
は元鴫変換絖城装置への応用が記載されている。

丙午ら、従来のａ−８ｉで構成された光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感度９元応答性等の電気的
、光学的、光導電的特性、及び耐湿性等の使用環境特性
の点、史には経時的安定性の点において、総合的な特性
向上を計る必要があるという更に改良される可き点が存
するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に通用した場合に、＾光
感に化、高＊ａ抗化を同時に計ろうとするζ従来におい
てはその使用時に２いて残貿゛磁位が残る＠倉が直々Ｉ
Ｉｉ観さｔＬ　％　この種の光導電部材は長時間繰返し
使用し続けると、繰返し便用による疲労の蓄積が起って
、残像が生ずる所鯖ゴースト現象を発する様になる等の
不都合な点が少なくなかった。

又は例えば、本発明者等の多くの実験によれば、電子写
真用像夢・、、成部材の光導電層を構成する材料として
のａ−８ｉは、従来ＯＳｅ、　ＣｄＳ、　ＺｎＯ等の無
機光導電材料或いはＰＶＣｚ’Ｐ弁伊等の有−光４電材
料に較べて、数多くの利点を舊するが、従来の太＠電池
用として使用する丸めの特性が付与され九ａ−８ｔから
成る単層構成の光導電層を有する電子写真用像形成部材
Ｏ上記光導電層に靜１ｍ形成のための帯域部ｌｌを施し
ても暗滅渡（ｄａｒｋ　ｄ＠ｃａｙ　）が著しく速く、
通常の電子軍真法が仲々適用され離いこと、及び多ｔｔ
ｔｉ＊ｍ気中においては、上記傾向が著しく、場合によ
っては現像時間まで帯電々荷を殆んど保持し得ないこと
がある等、解決され得る可き点が存在していることが判
明している。

東に、ａ−８１材料で光導電層を構成する場合には、そ
の電気的９元導電的特性の改良を計る丸めに、水素原子
或いは弗ｌ／Ｌ厘子中塩素原子等０ハロゲン原子、及び
電気伝導臘の制御のために硼素原子や燐原子等が或いは
その傭の４Ｉ性改良の丸めに他の原子が、各々構成原子
として光４電層中に含有されるが、これ等の構成原子Ｏ
ｔＷの仕方如何によって紘、形成し光層の電気的、光学
的或いは光導電的特性に問題が生ずる一合がめる０ 即ち、例えは、形成した光導電層中に元照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
と、或いは暗部において、支持体側よりの電荷の注入の
阻止が充分でないこと勢が生ずる場合が少なくない０ 従って、ａ−８ｉ材料そのも００特性改＾が計られる一
方で光導電部材を設計する際に、上記した様な所望の電
気的９元学的及び光導電的特性が得られる様に工夫され
る必要がある０本発明は上記の諸点に鑑み成され友もの
で、ａ−８ｉに就て電子写真用像形成部材中囲体撮像装
置、Ｉｌ！取装置等に使用される光導電部材としての適
用性とその応用性という観点から総括的に鋭意研究検討
を続けた結果、シリコン原子を母体とし、水素原子（Ｈ
）又は／１Ｅ２グン原子（Ｘ）のいずれか一方を少なく
とも含有するア毫ル７アス材料、所謂水素化アモルファ
スシリコン。

ハロゲン化アモルファスシリコン、或いはハｐゲン含有
水素化アモルファスシリコン〔以後これ等の騙称的表−
として［ａ　−Ｓ　ｔ　（ＨｓＸ）　Ｊを使用する〕か
ら構成される元導鴫層金有する元４−−材のノー構成を
％足化する様に設計されて作成された元４鴫部材は実用
上着しく優れた特性ｔｎ＜　ｆばか９で’ｔ　＜　、従
来の元４−鄭材と較べてチてもめりゆる点において便駕
していること、鉢に電子写真用の光導電部材として着し
く優れた台注ｔ−有していることを見出した点に基づい
−Ｃいる。

本発明は≦気的、光学的２元４４ＦＪ脣性が殆んど披用
環境に制御ｌＩ４１ｔ−受けず常時安定している全ｊ４
境戚で＃り、耐元鼓労に着しく氏け、繰返し便用に際し
ても劣化視象を起さず耐久性に優れ、ｆｉ璽嵯位がｔ〈
又は殆んど統一されない元４−婦材を提供することを王
たる目的とする。

本発明、の他の目的は、電子写真用謙形成部材として通
用させた場合、靜電意形成のための帝４処理の−の鴫ｆ
Ｉ保持絽が光分第９、通常の・−子与＾法が憔めてＭ効
に通用され得る優れた鴫子写Ｘ籍性を有する光導電部材
を提供することでめる。

本発明の更に他の目的は、績藏が高く、−％　−７トー
ンが鮮明に出て且つ解像度の高い、＾品質−城を祷るこ
とが＃易にできる電子写真用の光導電部材を提供するこ
とでめる。

本発明の更にもう１″：）の目的Ｖよ、＾光感直性。

ｆ４ＳＮ比特性及び支持体との間に良好な電気的接触性
を有する光４電部材を提供することでもめる。

不発明の光導電部材は、元尋−婦材用の支持体と、シリ
コン原子を母体とし、構ｇ原子として水素原子（ｌｆ）
又ｊ（／％ロゲン原子ＣＸ）のいずれか一方を少なくと
も含有する非墨實材料〔畠−８ｘ　（Ｈ＊Ｘ）　）で構
成された、光導電性を有する非晶質層とを有する光導′
４ｓ＃におｉて、ＩｉＩ配非晶質層が＃或原子として、
ノー厚方向に不均一で連続的な分布状旙で窒素原子が含
有されていが含有されている纂二の層′＠域とを有し、
ｗｉ記第−のノー領域がｍ紀非晶質ノーの表面下に内在
している事を特徴とする。

上記した様な層構成ｔ−取る様にして設計された本発明
の光導電部材は、前記した諸問題の総てｔ解決し得、極
めて優れた電気的、ｊｔ学的。

光導電的特性及び使用環境特性を示す。

妹に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
帝“鴫処理の際の電萄保持ｉ１Ｍに糞け、−像形成への
残留載位の影響が全くなく、そＯ電気的特性が安定して
おり縄感跋で、’１ａＢＮ比を奪するものでるって耐ｊ
［労、繰返し便用特性、妹に多＠雰囲気中での繰返し使
用特性に負け、ｌ１１１＆カ萬＜、）・−７トーンが鮮
１ｊ１１ｒｃ出て、且つ′ｓ菫匿の高い、鳥品質の可視
画像を得ることかでさる。

以下、図面に従って、本発明の光導″ＩＩＬ部材に就て
詳細に説明する。

扇１図は、本発明の第１の夾施繍様例の光導電部材の層
１１Ｉ成會説明するために模式的に示した襖式的構成図
である。

縞１図に示す光導’１１１ｉ１１００は、光導電部材用
としての支持体１０１の上に、ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）か
ら成る光導・電性を有する非晶質層１０２　ｋ有する。

非晶質層１０２は、構成素子として窒素原子を含有する
第一のノー領域１０３、周期律＊＊ｍｍに属する原子（
第門族原子）を含有する第二０層領域１０４、及び４二
の層領域１０４上に、窒素原子及び第１１族原子が含有
されてない表向層領域１０６とから成る層構造を有する
。

箒−の層値＄　１０３と表面層領域１０６との閾に設け
られてるノー領域１０５にはａｌｆｆｌ族鳳子は含有さ
れてｉるがｌｌ！ｔＸ原子は含有されてなｉ０第一のノ
ー領域１０３に含有される窒素原子は、鉄層領域１０３
に於いて層厚方向には連続的に分布し、その分布状雇は
不均一とされるが、支持体１０１　Ｃ）表面、に実質的
に平行な方向には連続的に且つ実質的に均一に分布され
るのが好ましいものでめる０ 本発明の光導電部材に於いては、菖ｌ−に示す様（、非
晶質層１０２　Ｏ表向部分には、窒素原子が含有されな
いｍ領域（３１１１図に示す機函層領域１０６　Ｖｃ相
当）ｔ−有することを必要とするが、第ｍ族原子は含有
されているが、窒Ｘ原子は含Ｍされない層領域（蕗１図
に示す層領域１０５　）は必ずしも設けられることｔ−
要しない。

即ち、例えば第１図に於いて、第一の層領域１０３と第
二０層領域１０４とが同じ層領域であっても良いし、又
、第一０層領域１０３の中に第二０層領域１０４が設け
られても良いものである〇−二のノー領域１０４中に含
有される！Ｉｆｊｆｆｉ子は、該層領域１０４に於いて
層厚方向には連続的ｖＣ分布し、その分布状雇は不均一
であっても実ｆＣ且つ実質的に均一に分布されるのが好
ましいものである。

第１図に示す光導電部材１００に於いては、表−ノー領
域１０６にはｊＩｍ族原子ｉ含有されてないが、本発明
に於いては鋏表向層領域１０６　Ｋも菖門族原子を含有
しても良いものでるる。

本発明の光導電部材に於いては、第一の層領域には、窒
嬌原子の含有によって、高暗抵抗化と、非晶質層が直接
設けられる支持体との閾の密着性の向上が重点的に計ら
れ、表向層領域にはｗ１素原子を含有させずに耐多湿性
、耐コロナイオン性の向上と嶋感跋化が重点的に計られ
ている。

ａＫ、ＪＩ１図ニ示す光導ｔｓ＄　１０Ｇ　Ｏ嫌゛に、
非晶質層１０２が、輩系原子を含有する第一の層領域１
０３，１１１ｇ膳族原子音含有する第二の層領域ｉｏ４
．ｉ！１ｍ庫子の含有されていない層領域１０５゜及び
ｉｉ１累鳳子及び第鳳族原子の含有されていない表面層
領域１０６とを有し、第一の層領域１０３と第二の層領
域１０４とが共有する層領域を有する層構造の場合によ
り良好な結果が得られる〇又、本発明の光導・一部材に
於ｉては、第一の層領域に含有される輩素原子の鉄層領
域に於ける層厚方向の分布−履は、１ｌｉｌには＃第一
〇層領域の設けられる支持体又は伽の層との四層性及び
接触性を良くする為に支持体又は他の層との接合面１１
ｉ１１の万に分布ａｍが高くなる様にされる。第２には
、上記第一０層領域中に含有される′１ｌ１１１木ぷ子
は、第一０層領域上に設けられる、ｍ素原子の含有され
ない層領域との接合界面での電気的振触性を滑らかにす
る為にｌｌ１１本原子のｔＶされていない層領域側に於
いて分布曖直が次第に減少式れ、接合−に於いては、分
布績直が実質的に零となる様に第一０層領域中に含有さ
れるのが好ましいものでるる。

この点は、第二め層領域中に含有されるｇ膳涙鳳子に就
ても同様でろって、非晶質層の＃を面ノー領域に該＃ｌ
ｌｌ１ｉｌｊｃ鳳子が含有されない例の場合には該表向
層領域−に焚いて、第二の層領域中のｔｇＩＭＪ＃ｃＭ
Ａ子の分布鏡度は表面層領域との接合一方間に次第に減
少され、威飯倉園に於いて実質的に零となる様に第門族
原子の分布状態が形成δれるのが好ましいものであゐＯ 本発明において、非晶質層を構成する第二の層領域中に
含有される周期律弐ｇｍ族に属する原子として使用され
るのは、Ｂ（−嵩）、Ａノ（アルミニウム）　＊　Ｇａ
　（ガリウム）　＋　Ｉｎ　（インジウム）　、　Ｔ７
　（タリウム）等で６９、殊に好適に用いられるのはＢ
　、　Ｇａである。

本＠明において、第二の層領域中に含有されるＪｉＩＡ
ＩＩＩｋ鳳子の含有菫としては、本発明のｌ的が幼果的
に達成される様に所望に従って適宜決められるが、非晶
質層を構成するシリコン原子の量に対して、通常は１　
％　１００　ｓｔＱｍｔｅ　ＰｐＯｌ　％好ましくは２
〜５０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｒｎ、　ｊ１遍には３〜２
０ａｔｏｍｉｅ　ｐ陣とされるのが望ましいものでめる
０硝−の層領域中に含有される窒′ＪＡ原子の菫に就て
も形成される光導電部材に要求される特性に応じて所望
に従って迩宜決められるが、通常の場合、０．０１〜２
０　ａｔｏｍｉｃ　％、好ましくは、０．０２〜ｌ　Ｏ
ａｔｏｍｉｃ　’％、ｊｌｌ過には０．０３〜５　ａｔ
ｏｍｉｃ　％とされるのが望ましいものである。

第２図乃至第１θ図の夫々には、本発明における光導電
部材の非晶質層中に含有されるｓｉｘ鳳子及びｊｌＩＭ
Ｉ′ｌｌ１ｃ原子の層厚方向の分布状麗の典蓋的例が示
６れる。

＠２図乃至嬉ｌＯ図において、横軸は窒素鳳子又は第門
族原子の含有＃［Ｃを、縦軸は、光導電性を示す非晶質
層の層厚方向を示し、ｔｌは支持体−の表面の位置を、
ｔ、は支持体側とは反対側の表面の位置を示す０詰夛、
窒Ｓ原子及び絣門族原子の含有される非晶質層はｔｍ［
よｌａ側に向って層の成長がなされる。

尚、縦軸のスクール線、窒素原子と第曹族原子とでは異
なっている。、又、Ａ２−７１０体、窒素素子の、ｕ〜
１３１Ｑは第鳳族原子の分ｍｍ度線を夫々表わす。

第２図には、非晶質層中に含有される窒素原子及び第門
族原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される
０ ６１２図に示す例では、ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）から成り
光導電性を示す非晶質層（ｔｓ　ｔａ）　（ｔｓからｔ
ｌまでの全層領域）は、支持体側よシ、窒素原子が血 分布＃［Ｃ（切１で、第１族原子が分布濃度Ｃ（至）１
で、層厚方向に実質的に均一に分布している層領域（ｔ
’、ｂ）（ｔｘとｔｌとの閾Ｏ層領域）と、窒ｌＩＡ原
子の分布１１１１Ｋが分布鎖［Ｃｔｃｅｔから実質的に
零になるまで＊臘的に次第に減少し且つ第鳳族原子の分
子濃度が分布凝＊Ｃ（至）１から実質的に零になるまで
線温的に次第に減少している層領域（ｔｓ　＊＊　）と
、１ｌｌＡ原子及びＪｉｍ族原子のいずれも実質的に含
有されてなｉ層領域（ｔａ　ｔｓ　）とを有している。

ＩＧ２［ｖｃ示す例の様に非晶質層（Ｌｍ　ｔｍ　）が
支持体側に設けられ、支持体又は他Ｏ層とＯ！Ｉ触ｍ（
ｔｍｔｃ＠ｉ）を有し、ｉｉ素ｘ子及び第厘族原子の分
布が均一でるる層領域（ｂ　ｔｍ　）を有する場合には
、分布ｌｌ＆嵐Ｃ（１）１及びＣ（切ｌは、支持体域い
は他の層上の関係に於いて所望に従って適宜決められる
ものであるが、Ｃ（至）ｉｏ場合シリコン原子に酎して
過賞の場合０．１〜１０００　ａｔｏｍｉｃＰＰｍ　＊
好適には１〜４００　Ｑｔａｉ＠ｌ　ｐｐｍ　、最適に
は２〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ＰＰｍ　：さＫＬ　Ｎ　
Ｃ（切１の場合、クリ”・。

３７原子に対して過賞は０．０１〜３０　ａｔｏｍｉ＠
％、好適には０．０２〜２０　ａｔｏｍｉｃ　ＩＧ、最
適には０．０３〜ｉ　ｏ　ａｔａｍｔｃ−とされるのが
ＩＩましｉものである。

層領域（ｔａｔｓ）は、生に層領域（ｔａｔｓ）と層領
域（ｔｌｔｉ＋）との間の電気的接触を滑らかにする為
に設けられるものであるので、該層領域（ｔｇｌｍ）の
層厚は、窒素原子の分布＄１ｆｃ＠ｌ及び菖ｍ脹原子の
分布５ＩｉＬＣ（２）１１殊に分布濃度Ｃ（ｏ）１との
関係に於いて適宜所望に従って決められる必聚がある。

必賛に応じて゛・第門族原子を含有しても良いが′Ｍ１
嵩原子は含有されない層領域（ｔｅｔｓ）Ｏ層厚として
は繰返し使用に対する耐久性も含めて窒素原子の含有さ
れる層領域（ｔｓｔｉ）が、大気からＯ保謙を充分受け
られる嫌に、又、鋏層領域（ｔｓ　ｔｓ　）に於いて光
照射によるフォトキャリアｆ：発生させるのであれと１
照射する光が賦層執域（ｔｓ　ｔ、）に於いて充分吸収
される様に、所望に従って適宜決められる。

本発明に於いて、非晶質層の構面層領域に設けられる窒
素原子の含有されない層領域Ｏ層厚としては、通常１Ｇ
ＯＡ　−１０μ、好適には２００ム〜５μ、最適には５
００ム〜３μとされるのが望ましいものでるる。

子の分布状緒を有する光導電部材に於いては＾光感度化
及びａ％暗低抵抗化計９乍ら支持体又は他の層との閏の
密着性と支持体側よりの非晶質層中へのｖＬ荷の阻止性
をより向上させるには、第２図に於いて一点鎖線ａで示
す様に非晶質層の支持体１１Ｉｌ１表面（Ｉｓの位置に
相轟）部分に於いて、１ｉｉｌＡ原子の分布濃度を分布
濃度Ｃ（ロ）１１９更に高くした層領域（ｔａｂ）を設
けるのが嵐いものである。

窒ｌＡ原子が高−直で分布している層領域（ｔｓｔｉ）
に於ける窒素原子の分布ＩＩＩ　ｆ　Ｃ（０）２として
は、シリコン原子に対して通常は、７０　ａｔｏｍｉｃ
　＊以下、好適には５０　ａｔｏｍｉｃ−以下、最適に
は３０ａｔｏｍｉｃ−以下とされるのが菫ましいもので
める０輩Ｘ原子の高−嵐で分布される層領域に於ける＊
＊原子の分布状１１は、第２図に一点鎖線ａで示す様に
層厚方向に一足（均一）とされても良いし、直接接合さ
れるｍｌ接層領域との閏の電気的接触會鼠好にする為に
一点鎖Ｗ７Ａｂで示す様に、゛　支持体−より、らる厚
さまで一定値Ｃ（ｏ）２で、その後は、Ｃ（ｏ）１にな
るまで連続的に次第に減少する様にさｎても良い。

画工の層領域に含有される第用族原子の腋層−域に於け
る分布状態は、支持体側に於いて、分布ａｍ＊ｃ（２）
ｌで一定値を維持した層領域（層領域（ｔｕｂ）に相当
）を有する様にされるのが遁′−でるるか、支持体側よ
り非晶質層への電荷の圧入をより効皐良く阻止する為に
は支持体側に第２図に一点鎖線Ｃで示す様に第皇族原子
が高ＩＩＩＩ！で分布する層領域（ｔｉｔｓ）を設ける
のが望ましいものである。

本発明に於いては、層領域（ｔｉｔｓ）は位ｔｔｍより
５μ以内に設けられるのが好ましい。層領Ｈ（ｔａ　Ｌ
ｍ　）は、位置ｔ１より５μ厚までの全層領域Ｌ？とさ
れても良いし、又、層領域Ｌ！の一部として設けられて
も良い。： ｌ１１１懺城（ｔａｂ）を層領域Ｌ！の一部とするか又
は全部とするかは、形成される非晶質層に賛意される特
性に従って通宜決められる。

層領域（ｔ４ｂ）はその中に含有される＃Ｉ膳子音子の
ノー厚方向の分布状態として第門族原子の含ｉ量分布値
（分布濃度値）の最大Ｃｎｒａｚがシリコン原子に対し
て通常は５０　ａｔｏｍｌｃ　ｐｐｍ以上、経過には８
０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｒｍ以上、最適には１００１０
０ａｔｏ　ＰＰｍ以上とされる様な分布状態となｐ得る
様に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、ｔ４ＩＩＩ族原子の含有され
る第二０層領域は、支持体側からの層厚で５μ以内（ｔ
ｉから５μ厚の層領域）に含有量分布の最大１ａ［Ｑｎ
ａｘが存在する嫌に形成されるのが好ましいものである
。

本発明に於いて窒素原子が高凝直Ｖこ分布している、層
領域（ｔ４ｉｍ）の層厚及び蕗■族原子が扁１１１Ｊｔ
に分布している層領域（ｔ４ｔｉ）の層厚は、これ等の
層領域に含有される窒素原子或いは第鳳族原子の含有−
及び含有分布状−に応じて所望に従って適宜決定され、
通常の場合、５０ム〜〜５０００ムとされているのが望
ましいものでるる〇第３図Ｖこ示される例は、基本的に
は、第２図ｙｃボした例と同様であるが、異なる点は、
第２図の例の場合には、ｔ、の位置より、窒素原子の分
４ＩＩＩｋＫも第鳳族原子の分布濃度も共に減少が始ま
り、位置ｔ１に到って実質的に零になっているのに対し
て、第３図の例の場合には、実線Ａｄで不す様にＵ素原
子の分布１１１度はｔ、の位置↓９、実線Ｂ３で示す様
に第皇族原子の分布濃［Ｗよ６の位置より、夫々減少が
始ま９、ｔ、の位−に於いて、両者共に実質的に苓にな
っていることである。

即ち、窒素原子の含有さルている第一の層領域（ｔｉｔ
ｓ）は分布−［Ｃ（ｏ）ｌで実質的に均一に分布きれて
いる層領域（ｔｓｔｊ＋）と、位置ｔ、より分４　ｔｌ
ｋ　Ｉｆ　Ｃ（ｏ）　１から実質的に零に到るまで線温
的に次第に減少しているｊ−領域（ｔｓｔｓ）とで構成
されている。

第ｍ族諷子の含Ｍされる第二０層領域（ｔＶ　ｔｊは、
分布濃ｔＣ（至）１で実質的に均一に分布されているノ
ー領域（１，１扉）と、位置ｔ８より分布練成Ｃ（＋＋
Ｂから実質的に零に到るまでｉＩｉ型的に次第ｙｃ減少
している層領域（ｔｌｔりとで構成されている。層領域
（ｔｓｔｔ）には、第２図に示すノー領域（ｔｓ　ｔｔ
　）と同様に窒素原子も第門族原子も含（されていない
。

第４図に示す例は、第３図に示す例の変形例であって、
ｌ１１１ｇ原子が分布練成Ｃ１ａｌｔで均一分布で含有
されている層領域（ｔｘｔｍ）中に、嬉鳳族原子が分布
濃度Ｃ（２）ｌで均一分布で含有１れている層領域（ｔ
ｌｔｉ＋）が設けて６る点ｔ−にけば、菖３図に示す場
合と同様である。

第５図に示す例は、第門１１ｋ原子が一部の分布濃度で
均一分布で富有されている層領域１に２つＭする場合で
める０ 第５図に示す例の非晶質層は、支持体側より、ｗ１嵩原
子と１ｉＩｌｌＩ族原子との両方が含有されている層領
域（ｔｓｋ）と、該層領域（ｔｓｔｍ）上に第門族原子
はｔＶされているが窒素原子は含有されてないノー領域
（ｔｔｔｉ）と、ａｍ族原子もＩＩｊ１本原子もいずれ
も含有されていない層領域（ｔｉｔｓ）とで構成されて
ｉる。

そして、窒ｌＡ原子の含有されている層領域（ｔ、ｔｓ
）は、分布濃度Ｃ（・：１で層厚方向に実質的に均一に
分布されている層領域（ｔｉｔｓ）と、分布１１ｋ　Ｊ
［Ｃｌ０ＩＩより次第に線皺的に減少されて実質的に零
に到っている層領域（ｔｓ　ｔｇ　）とで構成されてい
る。

層領域（ｔｒｉｍ）は、支持体側から、第層表原子か、
分布１１１ｔｊｆＣ（ｓＢで実質的に均一分布している
層領域（ｔｉｔｓ）、分布磯＊Ｃｇ４ｚから分布一度Ｃ
０１３まで！１１目的に連続減少して分布している層領
域（ｔｓｋａ）、分布鎖［Ｃ（ｌａで実質的に均−分布
している層領域（ｔｕｔｓ）、及び分布濃度Ｃ（至）易
から？ＩＩｉ型的に連続減少して分布している層領域（
ｔｓｔｇ）とが積層され光層＃１１ｔｔ−有している。

第６図には、第５図に示す例の変形例が示される。

＋４６図に示す例の場合には、窒素原子と第１＆原子と
が夫々、分布ＩＩＩ　Ｊ［Ｃ１１）＋１　；　Ｃ（１０
１で均一分布している層領域（ｔａ　ｔｍ　）と、窒素
原子が分布一度Ｃ（＠１からｌｌ７Ｎ麺的に次ｊ１４ｃ
減少されて実質的に零に到っている層領域（ｔａｔｓ）
中に、１ｌｉＩＩｉ的に減少する分布状態で蕗鳳族原子
が含有されている層領域（ｔ４ｔｓ）と分布ａＸＣ（２
）３で実質的に均−分布状層で菖鳳ｆ！原子が含有され
ている層領域（ｔａｔｍ）とが設けられている。

層領域（ｔｓｔｍ）の上には、１ｉｘａｃ子が実質的に
含有されてない層領域（ｔｉｔｓ）が設けられ、層領域
Ｃｔａｔａ）は、第鳳族原子が含有されてｉる層領域（
ｔａｔｓ）と、１１１Ａ原子、第鳳展鳳子のいずれも含
有されてない層領域（ｔｍ　ｔｓ　）とで構成さｎてい
る。

＋１７図には、非晶質層〔層領域（ｔｕｔｓ））の金層
領域に第鳳族原子が含有され、表向層領域（ｔａ　ｔ、
　）には、窒ｌＡ原子が含有されていない例が示される
。

窒素原子ＯｔＶされ１１：：る層領域（ｔｉｔｓ）は、
実−ム７で示す−に、分布繰Ｊ［Ｃ１ｏｌＢで均−分布
状る分布状層で窒素原子が含有されてｉる層領域＜　１
１．１．　）とを有する。

非晶質層中に於ける第ｉ族原子の分布は、夷１ｉＩＢ７
で示される。即ち第１族原子の含有される層領域（ｔａ
ｔｍ）は、分布１１１度Ｃ（２）ｌで均一に第Ｍｌ族原
子が分布されている層領域（ｔ、ｔｍ）と、分布−［Ｃ
（２）２で均一に＃！厘層表子が分布されている層領域
（ｔｓｔｔ）との間に分布′ａ度Ｃ（至）１と分４１１
ＩＩＩ藏Ｃ（至）２との閏の第夏族原子の分布変化を連
続δせる為に、これ等の分布＃に度量で線部的に連続的
に変化している分布状層で第門族原子が含有されている
ノー領域（ｔｌｔりとを有する。

第８図には、第７図に示す例の変形例が示される。

非晶質層の全）ＩＩＩ′＠域には、実−Ｂ８で示す橡Ｗ
Ｃｓ第−ｆ！原子が含有されてお９、層領域（１゜ｔｍ
）には、１ｉＩＸ原子が含有されている。層領域分布状
雇で含有されておシ、層領域（ｔｓ　ｔａ　）に於いて
は、ｇ層表原子が、分布濃ｆｃ（Ｉ）ｚｏ均一な分布状
層で含有されている。

ｉｌｌ素鳳子は夷巌ム８で示される様に、ノー領域Ｄｔ
ｔｓ）に於いて、支持体側より分布＃［Ｃ１＠ｔから１
ＩＩＩｊｌ的に次第に減少されて位ｔｔ１に於いて実質
的に零になる様に含有されている０層領域（ｔ、ｔｓ）
では、ａｉＩ族原子が、分布濃度Ｃ０１１から分布製置
Ｃ（至）２に到るまで徐々に減少する分布状層で含有さ
れている。

＄９図には、Ｗ１累原子は、層厚方向に不均一な分布状
層で含有されるが、ｊＩ厘層表子は、連続的に含有され
る層領域に於いて、層厚方向に実質的に均一な分布状態
で含有されている例が示される〇 第９図に示される例に於いては、電ｌＩＡ鳳子の含有さ
れる第一の層領域と蕗臘族原子の含有される第二０層領
域とは、実質的に同一層領域であって、Ｎ巣鳳子及び扇
鳳族原子のいずれも含有されていない表面領域を有して
いるＯｉ１素原子は、ノー領域（ｔｉｔｓ）に於いては
、分４線度Ｃ１ｏ１１で実質的に均一な分布状態で含有
さｔしており、層領域（ｔｌｔりに於いて、分布濃度Ｃ
１゜１１より分布１１１度Ｃ（。１２に到るまで連続し
て減少的に叢化する分布状態で含有されている０＃Ｉｌ
Ｏ図に示す例に於いては、窒素原子、第門諌原子のいず
れもが、連続的に分布する層領域に於いて不均一な分布
状態で含有され、窒素原子の含有されている層領域中に
第曹族原子が含有されている層領域が設けられている。

そして、層領域（ｔｕｔｓ）に於いては、窒素原子が分
布濃度Ｃ（６１１で、第門族原子が分布濃度Ｃ（至）ｌ
で、夫々一定の分布１１にで実質的に均一に含４Ｅされ
ており、ノー領域（ｔｚｔｓ）では、窒素原子及び第門
族原子が夫々層の成兼に併せて次第に分Ｎ１一度を減少
する様に含有され、第鳳族原子の場合には、ｔ！に於い
て分布＊［が実質上零とされている。　　　　　　　１ ｉｊ１本原子は、第■族原子の含有されてない層領域（
ｔｉｔりに於いても線層的な減少分布状腺を形成する様
に含有され、ｔ、に於いてその分布状態が実質的に零と
されている。

層領域（ｔｓ　ｔｘ　）に紘、窒ｌＡ原子も第門族原子
も含有されていない。

以上、第２図乃至第１０図により、非晶質層中に含有さ
れる窒素原子及び！！尉族原子の層厚方向の分布状態の
典屋例の幾つかｔ−説明し九が、＃Ｉ３図乃至第１θ図
の場合においても、第２図の場合に説明し九のと同様に
支持体−に、ｉ１本原子又はａｇｍ族腺子の含有纜［Ｃ
の尚い部分ｔ１衣面１．側には、含有製板Ｃが２支持体
飼に較べて可成シ低くされた部分を有する分布状態が形
成され光層領域に設けても良いものである。又、′Ｍ１
素鳳子、第凹族原子の分布−表の夫々は線蓋的だけでは
なく１疎的に減少させても艮い。

本発明において、必要に応じて非晶質層中に含有される
ハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的、：：・ にはフッ巣、塩素、臭素、ヨウ業が挙げられ、妹に７ツ
索、塩素を好適なものとして挙げることが出来る。

本発明において、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）でｍｔｋｌｔ、さ
れる非晶質４　ｔ−形成するには、例えば、グロー放電
法、スパッタリング沃ミ或いはイオンブレーティング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される０
例えけ、グロー放・１法によって、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）
で構成される非晶質層を形成するには、基本的にはシリ
コン原子（Ｓｉ）ｔ−供給し褥るＳｉ供給用の原料ガス
と共に、水素原子（５）導入用の又は／及びノ・ロゲン
原子００導入用の原料ガスで、内部が減圧にし得る堆積
室内に導入して、該堆積室内にグロー放・鴫を生起させ
、予め所定値ｔｔｖｃ設置されてらる所定の支持体貴面
上にａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば嵐い
Ｏ又、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡ
ｒ、）ｉｏ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースと
した混合ガスの雰囲気中でＳｔで構成されたターゲット
をスパッタリングする際、水素原子Ｉ又は／及びノ・ロ
ゲン原子００導入用のガスをスパッタリング用の堆積室
に導入してやれば良い。

本発明に２いて使用されるＳｉ供給用の原料ガスとして
は、ＳｉＬ　ｓ　ＳｉＪ＆　ｓ　８１ｓＨ，ｔ　Ｓｉ＊
Ｈｉ。等のガス伏線の又はガス化し得る水素化ａ素（シ
ラン（２）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊
に、層作成作業の扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点
でＳｉｎ、、８ｉ、Ｈ＠が好ましいものとして挙げられ
６０本発明において使用されるノーＱゲン原子導入用の
原料ガスとして有効なのは、多くのＩ・ロゲ／化合物が
挙けられ、例えば／Ｓロゲンガス、ノーロゲン化物、ノ
・ロゲン閲化酋物、ノーロゲンで置換された７ラン一導
体勢のガス状麿の又はガス化し得るハロゲン化合物が好
ましく挙げられるＯ又、良には、シリコン原子と／Ｓロ
グン原子と１−＊＊賛嵩とするガス状麿の又はガス化し
得る、ハロゲン原子を含む硅素化合物も有効なものとし
て本発明においては挙けることが出来る０本発明におい
て好適に使用し得るノ１０ゲン化合物としては、具体的
には、７ツ嵩、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、Ｂ
ｒＦ、　ＣＩＦ、　ＣｊＦｌ　。

ＢｒＦｇ　、　ＢｒＦＢ　、　ＩＦＦ　、　ＩＦｙ　、
　ＩＣｊ、　ＩＢｒ等の／ＩＩ　Ｃｌグン関化合物を挙
げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、ｍａｔ、ハｐゲン原子
で置換されたシラン酵導体としては、具体的には例えば
ＳｉＦ４　、　Ｓｉ／ｓ　、　５ｉＣｊ４　、　ＳｉＨ
４等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げること
が出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｓｉを供給し得る原料ガスとしての水嵩化
硅素ガスを使用しなくとも、所定の支持体上にａ−８ｉ
：Ｘから成る非Ｉ！＆責層を形成する事が出来る。

グロー放ｍ法に従って、ハロゲン原子を含む非晶質層を
製造する場合、基本的には、Ｓｌ供給用の原料ガスであ
るハロゲン化硅素ガスとＡｒ。

鵬、　Ｈｅ等のガス等を所定の混合比とガス流量になる
様にして非晶質層を形成する堆積室に導入し、グロー放
電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成する
ことによって、所定の支持体上に非晶質ノーを形成し得
る′も□゛０であるが、水素原子の導入を計る為にこれ
等のガスに更に水素原子を含む硅素化合物のガスも所定
量混合して層形成しても嵐い。

又、各ガスは単独＠０みでなく所定の混合比で複数株混
合して使用しても差支えないものである。

反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依ってａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る非晶質層ｔ一層形成
るには、例えばスパッタリング法の場合には８五から成
るターゲットを使用して、これを所定のガスプラズマ雰
囲気中でスパッタリングし、イオンブレーティング法の
場合には、多Ｍ晶シリコン又は単結晶シリコンを蒸発源
として蒸着ボートに収容し、このシリコン蒸発１１１に
抵抗線Ｎｋ法、成りはエレクトロンビーム法（ＥＢ法）
等によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガス／２ズ
マ雰囲気中を通過させる事で行う事が出来る。

この際、スパン・りｖ、１．、、、フグ法、イオンブレ
ーティング＠Ｏ何れの場合にも形成される層中にハロゲ
ン原子ｔ−導入するには、前記のハロゲン化合物又は前
記のハロゲン原子を含む硅素化合物のガス倉堆積室中に
導入して該ガスのプラズマ謬囲気會形成してやれば良い
ものでるる。

又、水素原子を導入する一合には、水素原子尋入用の原
料ガス、例えば、鳩、或いは前記したシラン類等のガス
金スパツタリング用の堆積意中に導入して該ガスのプラ
ズマ雰囲気を形成してやれば艮い。

不発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ、　）ｉｃＪ。

ンｗｔ換水索化硅素、等々のガス状層の或いはガス化し
得る、水素原子を構成要素の１つとするハロゲン化物も
有効な非晶質層形成用の出発物質として挙げる事が出来
る。

これ等の水Ｘ原子ｔｔむハロゲン化物は、非晶質層形成
の際にノー中にハロゲン原子の導入と同時に電気的或い
は光電的特性の１Ｉ４１−に極めて有効な水素原子も導
入されるので、本発明においては好適なハロゲン導入用
の原料として使用される。

水素原子を非晶質層中に構造的に導入するには、上記の
他に為、或いはＳｉＨ，ｅ　５ｆｔＨ，＊　８１ｓ為。

８１４Ｈ１＠等の水素化硅素のガスｔｓｉを供給する為
のシリコン化合物と堆積室中に共存させて放電を生起さ
せる躯でも行う事が出来る。

例えば１７反反応スパッタリング法場合には、８ｉター
ゲツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及び鵬ガス
を必要に応じてＨｅ、Ａｒ等の不活性ガスも官めて堆積
室内に導入してプラズマ雰囲気を１＃成し、前記Ｓｉタ
ーゲットをスパッタリングする事によって、基板上にａ
−８ｔ（Ｈ，Ｘ）から成る非晶質層が形成される。

炎には、不純物のドーピングも爺ねてｌｉｔａｍ等のガ
スを導入してやることも出来る。

本発明において、形成される光導電部材の非晶質層中に
ｔ有される水素原子（６）の蓋又はハロゲン鳳子囚の量
又は水素原子とハロゲン原子の墓の和は通常の場合１〜
４０　ａｔｏｎｘｉｃ−１好適にケよ５〜３０　ａｔｏ
ｍｉｃ−とされるのが望ましい〇非晶質ノー中に含有さ
れる水嵩原子（６）又は／及びハロゲン原子閑の量を制
御するには、例えば支持体ＩＩＡｗ７Ｌ又は／及び水素
原子（６）、或いはＩ−ログン原子（Ｘ）ｔ−含有させ
る為に使用される出発物質の堆積装置系内へ導入する量
、放電々力等を制御してやれば良い。

本発明に於て、非蟲質層をグロー放電法又はスパッター
リング法で形成する際ｖｃ使用される稀釈ガスとしては
、所１ＩＩ４１ガス、例えばＨ・、Ｎ・。

Ａｒ等が好適なものとして挙げることが出来る。

非−質層中にｉｉｘ＊子及び周期律表嬉鳳族原子を導入
して、第一０層領域及び第二０層領域を形成するには、
グロー放電法や反応スパッタリング法等による層形成の
際に、第鳳族原子導入用の出発物質又は窒素原子導入用
の出発物質、賊′いは内山始物質をｍ記し是非晶質層形
成用のａＳ見物買と共に使用して、形成される層中にそ
のｍｔ−１１１１＃Ｌ乍ら含有してやる事によって威さ
れる。

非晶質層を構成する第一０層領域を形成するのにグロー
放電法を用いる場合には、第１の層領域形成用の原料ガ
スとなる出発物質としては、前記した非晶５ｉＬ層形成
用の出発物質の中から所望に従って選択されたものに窒
素原子導入用の構成原子とするガス状の物質又はガス化
し得る物質をガス化したものの中の大概のものが使用さ
れ得る。

例えばシリコン原子（Ｓｉ　）を構成原子とする原料ガ
スと、窒素原子（へ）を構成原子とする原料ガスと、必
要に応じて水素原子０又は及びハロゲン原子■を構成原
子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用する
か、又は、シリコン原子（Ｓｉ　）を構成原子とする原
料ガスと、窒素原子（へ）及び水木原′＋０を構成原子
とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合する
ことが出来る。

又、別には、シリコン原子（Ｓｉ　）と水素原子０とを
構成原子とする原料ガスに窒素原子（へ）を構成原子と
する原料ガスを混合して使用しても艮い。

窒素原子導入用の原料ガスに成り得るものとして有効に
使用される出発′＠質として具体的には、Ｎを構成原子
とする或いはＮとＨとを構成原子とする例えば窒素（Ｎ
ｓ）ｍアンモニア（Ｎ）Ｉｓ）、ヒドラジン（Ｈ，ＮＮ
［（、）　、アジ化水素（ｌ（Ｎｓ）　、アジ化アンモ
ニウム（ＮＨ４Ｎ、）−％！のガス状ｐ又はガス化し得
る窒素、窒化物及びアジ化物等の窒素化８？！ｌを挙げ
ることが出来る。

この他に、窒素原子の尋人に加えて、ハロゲ事化付吻を
挙げることが出来る。

スパッターリング法によって、窒素原子を含自する比−
の層領域を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｔ　ウ
ェーハー又はＳｉ、Ｎ、ウェーハ〜、父はＳｔと５ｉｓ
Ｎｓが混合されて含有されているウェーハーをターゲッ
トとして、これ等を檀々のガス雰囲気中でスパッターリ
ングすることによって朽えは良い。

例えば、Ｓｔ　　ウエーノ１−をターゲットとして使用
すれば、窒素原子と必要に応じて水ｌＡ原子又は／及び
ハロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて
稀釈ガスで稀釈して、スノ（ツタ−用の堆積室中に導入
し、これ等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｔウ
エーノ１−をスパッターリングすれば良い。

又、別に−は、ＳｔとＳｔｍＮａ　　とは別々のターゲ
ットとして、又はＳＬとＳｔ、Ｎ、の混合した一枚のタ
ーゲットを使用することによって、スパッター用のガス
としての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子
０又は／及び）−ロゲ／原子閃を構成原子として含有す
るガス雰囲気中でスパッターリングすることによって成
される０鼠素原子導入用の原料ガスとしては、先述した
グロー放電の例で示した原料ガスの中の窒素原子導入用
の原料ガスが、スパッターリングの場合にも有効なガス
として使用され得る０本発明に於いて、非晶質層を構成
する第一〇層頒城中には前述した様に窒素原子が含南さ
れるものであるが、更に窒素原子と同様の目的でに改り
得るものとして有効にに用される出発書画としてれ体的
には例えば、酸素（ＯＸ）ｔオゾン（ｏｎ）を−酸化炭
素（ｃｏ）、二酸化炭素（ＣＯｘ）−一鹸化−４素（Ｎ
Ｏ）　、二酸化窒素（ＮＯ２）−−二酸化窒素（Ｎヨ０
）、三二酸化窒業（ＫＯｓ　）　を四三酸化窒素（Ｎ２
Ｏ２）　ｓ　五二酸化窒素（Ｎ＊Ｏｓ　）−三酸化窒素
（ＮＯａ）−ＳｉとＯとＨとを構成原子とする、例えば
ジシロキサンＨＪＳＩＯ８ＩＨａ＊　　トリシロキサン
Ｈ，５ｉＯ８ｉＨ，０８ｉＨｓ等の低級シロキサン等を
挙げることが出教る。

尋人用のｌＪ：ｌ祐物質としてはｓ　Ｓｉ（％又はＳｉ
とＳｉＯｚ）ｍ＝すれた、或いはＳｉｎ、とＳｔ、Ｎ４
（Ｄ混合、；；ｉｔだ、史にはＳｉとＳｉｎ、とＳ　ｉ
　、Ｎ４とが混合−されたものを夫々ターゲットとして
Ｐ９ｒ望に従って選択して使用することも出来る。

非晶質層を構成する第二の１−・磯域を形成するには、
前述した非晶質層の形成の除に前記し九非晶賀層形成用
となる原料ガスと共に、第臘族原子導入用となるガス状
態の又はガス化し得る出発物質をガス状態で非晶質層形
成の為の真空４債室中に尋人してやれば良いものである
。

第二の層領域に導入される第■族原子の含有電は、堆積
室中に流入される第■族原子導入用の出発物質のガス流
量、ガス流量化、放電パワー等を制御することによって
任意に制御され得るＯ 第凹族原子導入用の出発物質として、不発明に於いて有
効に使用されるのは、硼素原子導入用としては、ＢｔＨ
ａ　−Ｂａ１ｔｓ　ｔ　ＢＩＬ　−Ｂａｔｉｓｔ　＊　
ＢｓＨｓ＊　＊”ａＨｕ　＋　Ｂ山４等の水氷化硼素、
ＢＦｓ　ｔ　ＢＣＬａ　。

ＢＢｒ、　　等のハロゲン化硼素等が挙けられる。この
↑０１、　　Ａｌｃ４　　ｖ　　　（ｙａｃ４　　ｔ　
　　（ｒａ（Ｃ）１ｍ）３　ｔ　　　ＩｎＣ４１’ｒＡ
う（ゴｚ。

寺も挙げることが出来る。

本発明に於いて遷移層領域（窒素原子又は第１１ｉ族原
子のいずれかの分布濃度Ｃが層厚方向に変化している層
領域）の形成は分布濃度Ｃを変化させるべき成分を含有
するガスの流量を適宜変化させることにより達成される
。例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられ
ている何らかの方法により、ガス流路系の途中に設けら
れた所定のニードルパルプの開口を漸次変化させる操作
を行えば良い。このとき、流量の変化率は腺型である必
要はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計
された変化率曲線に従って流量を制御し、Ｆ９ｒ望の含
有率曲線を得ることもできる。

非晶質層作成の際遷移層領域と他の層領域との境界にお
いて、プラズマ状態は維持されても、中断されても膜の
特性上には何ら影響を及ぼさないが連続的に行うのが管
理上も好ましい〇非晶質層の層厚は、非晶質層中で発生
されるフオ°トキャリアが効率良く輸送される様に所望
に従って適宜法められ、通常は、３〜１００μ、好適に
は５〜５０μとされる。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば％　ＮｘＣｒ　＊　　ステンレス。

ＡＬ、　Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ａｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ
、　Ｔｉ　、　Ｐｔ。

Ｐｄ　等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。

セラミック、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を導電
処理され、該導電処理された表面側に他の層が設けられ
るのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、Ｎ１Ｃｒｔｈｔ
、　Ｃｒｔ　Ｍｏｗ　Ａｕ、　Ｉｒｅ　Ｎｂ、　Ｔａ、
　Ｖ、　Ｔｉ　ｅＰｔ　＊　Ｐｄ　ｔ　Ｉｎ＊Ｏｓ　ｔ
　Ｓｎｏｗ　ｅ　　ＩＴＯ（Ｉｎ＊Ｏｓ　＋　Ｓｎｏｗ
　）等から成る薄膜を設けることによって導電性が付与
され、或いはポリエステルフィルム等の合成剖脂フィル
ムであれば、ＮｉＣｒ　ｙ　Ａｔ＊　Ａｇ　ｔＰｂ、、
Ｚｎ、　Ｎｉ　＊　Ａｕ、　Ｃｒｙ　Ｍｏｗ　Ｉｒ、　
Ｎｂ、　Ｔａ。

Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム
蒸着、スパッタリング等でその表向に設け、又は前記全
域でその表面をラミネート処理して、その表面に導電性
が付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベルト
状、板状等任意の形状とし得、所望によって、その形状
は決定されるが、例えば、第１図の光導電部材１００を
鴫子与真用像形成部材として使用するのであれば連続高
速複写の場合にけ、無端ベルト状又は円筒状と、するの
が望ましい。支持体の厚さは、次望造りの光導電部材が
形成される様に適宜決定されるが、光導電部材として可
撓性が要求される場合には、支持体としての機能が充分
発揮される範囲内であれば可能な＠シ薄くされる◇丙午
ら、この様な場合支持体＋７；）１１Ｍ造上及び取扱い
上、機械的強度等の点から、通常は、１０μ以上とされ
る。

本発明の光導電部材においては、非晶質層上に％該非晶
ｙｌｉ層中への自由表面側からの電荷の注入を阻止する
働きのある、所謂障壁層と云われる表面層を設けるのが
好ましい。−非晶質層上に設けられる表面層は、シリコ
ン原子を母体とし、炭素原子０、窒素原子（へ）の中か
ら選択される原子の少なくとも一種と、必要に応じて水
素原子又はハロゲン原子の少なくともいずれか一方とを
含む非晶質材料くこれ等を総称してａ−（Ｓｉｚ（Ｃｏ
　Ｎ）、　−ｘ）ｙ（Ｈｅ　Ｘ）、　−ｙ　　と表記す
る（但し、０　＜　ｘ　＜　１　？　０　＜　ｙ　＜　
１　）　＞又は、電気絶縁性の金栖酸化物或いは電気絶
縁性の有機化合物で構成される。

本発明において、表面層中に含有されるハロゲン原子■
として好適なのはＦ、　ＣＬ、　Ｈｒ、　Ｉであシ、殊
にＦ、ＣＬが舅ましいものである〇上記表面層を構成す
る非晶質材料として有効に使用されるものとして具体的
には１例えば炭素系の非晶質材料としてａ　５ｉ５１Ｃ
ｔ−ａｓ　ａ　（ＳｉｂＱ　−−ｂ）ｃ）ｈ　−ｅ　ｅ
　ａ　（ＳｉｄＱ−ｄ）、Ｘ５−ｅ　、　ａ−（Ｓｉｆ
Ｑ−ｆ）ｇ（ｍｘ）１ｇ　、窒素系の非晶質材料として
ａ−８ｉｈＮｔ−ｈ　ｊ　ａ−（８ｉｔＮｔ　−１）ｊ
ｅ　ａ−（ＳｉｋＮｔ−ｋ）必−ｔ。

ａ　（ＳｉｒｎＮｓ　ｍ）　ｎ（ＨｅＸ）１−Ｈｅ等、
更には、上記の非晶質材料において、Ｃ及びＮの２１１
の原子を構成原子として含む非晶質材料を挙げることが
出来る（但し０＜Ａｇ　ｂｖ　Ｃｓ　ｄｏ　＠ｅ　ｆ＊
　Ｋ＊ｈｖ　１　＊　Ｊｅ　”＊　ｊ＠　ｍｇ　ｎ＜１
　）。

これ等の非晶質材料は層構成の最適化設針に依る表面層
に要求される特性及び該表面層と接触して・設けられる
非晶質層との連続的作成の容易さ等によって適′ｘ、Ｒ
ｋ適なものが選択される０殊に特性面からすれば、炭素
系の非晶質材料を選択するのがより好ましいものである
０表面層を上記の非晶質材料で構成する場合の鳩形成法
としてはグロー放電法、スパッターリング法、イオンイ
ンプランテーシ璽ン法、イオンプレーティンク法、エレ
クトロンビーム法等によって成される。

六面層を前記の非晶質材料で構成する場合には、その東
京される特性が所望通シに与えられる様に注意深く形成
される。

即ち、　Ｓｔと、Ｃ，Ｎ　の中の少なくとも１つ及び必
要に応じてＨ又は／及びＸを構成原子とする物質はその
作成条件によって構造的には結晶からアモルファスまで
の形態を堆り、電気物性的には導電性から半導電性、絶
縁性までの間の性質を、又光導電的性質から非光導電的
性質までの間の性質を、各々示すので、本発明において
は、少なくとも可視光領域において非光導鑞性であって
暗抵抗の高いところの非晶質材料が形成される様に、そ
の作成条件の選択が厳密に成される。

表面層に含有される炭素原子、窒素原子及び水素原子、
ハロゲン原子の量は、表面層の作成条件と同様、所望の
特性が得られる上部層が形成される重要な因子である。

表面層をａ　−５ｉｌｅｎｔ　−ａで構成する場合には
炭素原子の含有量は、シリコン原子に対して通常は６０
〜９０　ａｔｏｍｌｏ＊　ｅ好適には６５−８０６５−
８０ａｔｏ最適には７０〜７５　ａｔｏｍｉｅ−＊　ａ
の表示では０．１〜０．４．好適には０．２〜０．３５
．最適には０．２５〜０．３とされ、ａ−（Ｓｉｂｅｓ
−ｂ）ｃＨｓ−ｅで構成する場合には、炭素原子の含有
量は、通常３０〜９０　ａｔｏｍｉｅ５Ｇ　、好適には
４０〜９０ａｔｏｍｉｅｓ　＊　ＩＩｋ適には５０〜ｓ
　ｏ　ａｔｏｍｉｅｓ　を水素原子の含有量としては１
通常１〜４０　ａｔｏｍｉｃ９Ｌ好適には２〜３５　ａ
ｔｏｍｉｅｓ　＊最適には５〜３０ａｔｏｍｉｃ％　、
　ｂ　、　ｃの犬示で示せば、ｂ　２５Ａ通常は０、１
〜０．５．好適には０．１〜０．３５．最適には０．１
５〜０．３．ｃが通常は０，６０〜０．９９．好適には
０．６５〜０．９８．最適には０．７〜０．９５とされ
、ａ−（ＳｔｄＣｓ−ｄ　）　ｅＸｔ−ｅ又は、ａ−（
Ｓ　ｉ　ｆＣｓ−ｆ）ｇ　（ｗｒＸ）１−ｇで構成され
る場合には、炭素原子の含有量は通常は４０〜９０　ａ
ｔｏｍｉｅｓ　、好適には５０〜９０　ａｔｏｍｉｃ嘔
ｔ　最適には６０〜８０ａｔｏｍｉｅｓ　ｓハロゲン原
子はハロゲン原子と水素原子とを併せた含有量は通常は
１〜２０　ａｔｏｍｉｃチ、好適には１〜１８　ａｔｏ
ｍｉｅｓ　＊゛蝦適は２〜１５　ａｔｏｍｉｃ−とされ
、ハロゲン原子と水素原子の両者が含有される場合の水
素原子の含有量は通常は１９　ａｔｏｍｉｃ’ｊ以下、
好適には１３ａｔｏｍｉｅ−ｆが通常は０．１〜０．４
７　、好適には０．１〜０．３５゜最適には０．１５〜
０．３ｔｅｔｇが通常は０．８〜０．９９．好適には０
．８５〜０．９９　、最適には０．８５〜０．９８とさ
れる。

表面層を窒素系の非晶質材料で構成する場合、先ずａ−
８ｉｈＨ，−ｈの場合には、窒素原子の含有量はシリコ
ン原子に対して通常は４３〜６０ａｔ（２）ｉｅ％好適
には４３〜５０　ａｔｏｍｉｅｓ　、　ｈの表示では通
常は０．４３〜０．６０　、好適には０．４３〜０．５
０とされる。

ａ−（ＳｌｌＮｔ　−ｉ　）　ｊＨｎ−ｊで構成する場
合には、炭素原子を含有量としては、通常は２５〜５５
ａｔｏｍｌｃ＊　、好適には３５〜５５　ａｔ１ｔｃ％
　＊水素原子の含有量としては、通常２〜３５　ａｔｏ
ｍｉｃ−＊好適には５〜３０　ａｔｏｍｉｅｓとされｓ
　　ｔ−ｊで表１：。

示すれば、ｌとしては通常０．４３〜０．６．好適には
０．４３〜０．５．ｊとしては通常０．６５〜０．９８
．好適には０．７〜０．９５とされ、ａ−（Ｓ　ｉ　ｋ
Ｎｔ　−ｋ）　ｔＸｌ−１又は＠　（Ｓ　１Ｈｙｐ＊−
ｍ）　ｎ（Ｈ＋Ｘ　）ｔ−Ｂで構成する場合には窒素原
子の含有量は、ａｔｏｍｉａｌｌハロゲン原子又は、ハ
ロゲン原子と水素原子とを併せた含有量は１通常１〜２
゜ａｔｏｍｉｅｓ　を好適には２〜１５　ａｔｏｍｉｅ
ｓとされ。

ハロゲン原子と水素原子の両者が含有される場合の水素
原子の含有量は通常は１９　ａｔｏｍｉｅ−以下、好適
にはｌ　３　ａｔｏｍｉｅ％以下とされ％ｋｔｔｅｒｎ
、ｎの表示では、ｋ、ｔが通常は０．４３〜０．６０．
好適には０．４３〜０．４９．ｒｎ、ｎが通常は０．８
〜０．９９．好適には０．８５〜０．９８とされる。

表面層を構成する電気絶縁性の金属酸化物としては％　
Ｔｉ１ｔ　ｔ　Ｃｅ１Ｑ、　ｔ　ＺｒＯ＊　ｇ　ＨｆＯ
＊　ｅ　　Ｇｅ０１　ｔＣａＯ、ＢｅＯ、右Ｏｓ　、　
Ｃｒ鷺Ｏｍ　ｔ　Ａ４０ｓ　ｅ　ＭｇＯｔ　ＭｇＯ’Ａ
４０ａ　ｅ　５ｉｆｔ　？　ＭｇＯ等が好ましいものと
して挙げることが出来る０これ等は２種以上を併用して
表面層を形成しても良いものである＠電気絶縁性の金属
酸化物で構成される表面層の形成は、真空蒸着法、ＣＶ
　Ｄ　（ｅｈｅｍｅａｌｖａｐｏｕｒ　ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ　）法、グロー供電分解法。

スハッタリング法、イオンインプランテーシッン法、イ
オンブレーティング法、エレクトロンビーム法等によっ
て成される。

表面層の厚層の数値範囲は、その目的を効果的に達成す
る為の重要な因子の１つである０表面層の層厚が充分過
ぎる程に薄いと、表面層の表面の側からの非晶質層中の
電荷の流入を阻止する働きが充分果し得なくなシ、又、
充分過ぎる程以上に厚いと、光照射によって非晶質）−
中において生ずるフォトキャリアと表面層表面にある電
荷との結合の確率が他めて小さくなり、従って、いずれ
の場合も、表面層を設ける目的を効果的に達成され得な
くなる。

上記の点に鑑みて表面層を設ける目的を効果的に達成す
る為の表面層の層厚としては、通常の場合、３０Ａ〜５
μ、好適には５０Ａ−１μとされるのが望ましいもので
ある。

次にグロー放電分解法によって生成される光導電部材の
製造方法について説明する。

第１１図にグロー放電分解法による光導電部材の製造装
置を示す。

図中の１１０２．１１０３．１１０４のガスボンベには
、本発明の夫々の層を形成する丸めの原料ガスが密封さ
れておシ、その１例としてたとえば１１０２希釈された
Ｂ＊Ｂｓガス（純度９９．９９９　嗟ｙ以下Ｂｍ　Ｈｌ
　／１（ｅと略す。）ボンベ、１１０４はＣＨ４ガ誠（
純度９９．９９チ）ボンベ、１１０５は凪ガス（純度９
９．９９％）ボンベｓ　１１０６はＨｅで希釈された５
ｉＦａガス（純度９９．９９９１以下Ｓ　ｉ　Ｆ４／）
（ｅと略す。）ボンベである。

これらのガスを反応室１１０１　Ｋ流入させるＫはガス
ボ／ぺ１１０２〜１１０６のバルブ、　１１２２〜１１
２６、ＩＪ−クパルブ１１３５が夫々閉じられているこ
とを確認し、又、流入バルブ１１１２〜１１１６　、流
出パルプ１１１７〜１１２１、補助バルブ１１３２、１
１３３が開かれていることを確認して、先づメインパル
プ１１３４を開いて反応室１１０１゜及びガス配管内を
排気する。次に真空計１１３６の読みが約５　Ｘ　１０
　”ｔｏｒｒになった時点で補助パルプ１１３２．１１
３３、流出バルブ１１１７〜１１２１を閉じる。

基体シリンダー１１３７上に非晶質層を形成する場合の
１例をあげると、ガスボンベ１１０２よ、り　５ｉＦａ
／ｉ（６ガスを、ガスボンベ１１０３よシＢ＊Ｈｓ／）
Ｉｓガスを、ガスボンベ１１０５よシ虱ガスを、夫々バ
ルブ１１２２．１１２３．１１２５を開いて出口圧ゲー
ジ１１２７．１１２８．１１３０の圧を１（−に調整し
、流入バルブ１１１２．１１１３．１１１５を徐々に開
けて、マスフローコントローラ１１０７゜１４０８．１
１１０内に流入させる。引き続いて流出パルプ１１１７
．１１１８．１１２０　、補助パルプ１１３２を徐々に
開いて夫々・１めガスを反応室１１０１に流入させる。

このときのＳ　ｉ　Ｆ４Ａｅガス流量とＢｔ＆／ｆ（ｅ
ガス流量とｈガス流量との比が所望の値に表るように流
出パルプ１１１７．１１１８．１１２０を調整し、又、
反応室内の圧力が所望の値になるように真空計１１３６
の読みを見ながらメインバルブ１１３４の開口を調整す
る。そして基板シリンダー１１３７の温度が加熱ヒータ
ー１１３８により５０〜４００℃の温度に設定されてい
ることを確認された後、電源１１４０を所望の電力に設
定して反応室１１０１内にグロー放電を生起させ、同時
にあらかじめ設定された変化率曲線に従ってＢ＊ｋｂ　
、／ｉ（ａガスの流量及びｈガスの流量を夫々手動ある
いは外部駆動モータ等の方法によってバルブ１１１８及
び１１２０を漸次変化させる操作を行なって形成される
層中に含有されるＢ等の第曹族原子及び窒素原子の含有
濃度を制御すび鵬ガスのかわシにＣＬガスを用いて層形
成を行なう。

夫々の層を形成する際に必要なガス以外の流出パルプは
全て閉じることは言うまでもなく、したガスが反応室１
１０１内、流出パルプ１１１７〜１１２１から反応室１
１０１内に至る配管内に残留することを避けるために、
流出パルプ１１１７〜１１２１を閉じ補助パルプ１１３
２．１１３３を開いてメインパルプ１１３４を全開して
系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。

又、層形成を行っている間は層形成の均一化を計るため
基体シリンダー１１３７はモータ１１３９により一定速
度で回転させる。

以下実施例について説明する。

ｆ・ ″　ζ 実施例１ １７４１１図に示した製造装置を用い硼氷の）及び窒素
（へ）の層中の含有量をパラメータとして、ｈｔクシリ
ンダ上第２図に示す層構成を有する非晶電層の形成を行
って電子写真用像形成部材を作製し九〇このときの共通
の作製条件は、第１表に示した通りである。

θ 第２表〆縦軸に硼素の誉有量負動１１横軸に酸素の含有
１１ｃｋ＋、　　とを夫々示し、得られた各試料の評価
結果を示す。

作製した電子写真用像形成部材は、帯電−像繕光一現儂
一転写までの一連の電子写真プロセスを経て転写紙上に
顕像化された画像の〔鍍〕〔解儂力〕〔階調再現性〕等
の優劣をもって綜第１表 実施例２ 第１１図に示した製造装置を用い、硼素（６）及び窒素
（へ）の層中の含有量をパラメータとして、ＡＡ　　シ
リンダ上に第３図に示す・層構成を有する非晶質層の形
成を行って、電子写真用像形成部材を得た。この際の非
晶質層を構成する各層領域の作成条件を、下記第３表に
示した。

得られた電子写真用像形成部材を用いて、実施例１と同
様に電子写真プロセスを適用して転写紙上にトナー画像
を繰返し形成したところ、安定して高品質のトナー転写
画像を得ることが出来た。

第　　３　　表 款電周波＄１　：　１ｍ、１１關− 実施例３ 第１１図に示し友製造装置を用い、硼素（６）及び窒素
（へ）の層中の含有量をノくラメータとして、Ａｔ　　
シリンダ上に第４図に示す層構成を有する非晶・誓層の
形成を行って、電子写真用像形成部材を得た。この際の
非晶質層を構成する各層領域の作成条件を、下記第４表
に示したＯ得られた電子写真用像形成部材を用いて、実
施例１と同様に電子写真プロ１−スを適用して転写紙上
にトナー画像を繰返し形成したところ、安定して高品質
のトナー転写画像を得ることが出来た。

第　　４　　表 款電周諌歇：　ｔｓ、ｓａｍ 実施例４ 第１１図に示し丸製造装置を用い、硼素（８及び窒素（
へ）の層中の含有量をパラメータとして、）１　　シリ
ンダ上に第５図に示す層構成を有する非晶質層の形成を
行って、電子写真用像形成部材を得た。

この除の非晶質層を構成する各層領域の作成条件を下記
第５表に示した。

得られた電子写真用像形成部材の夫々を用いて実施例１
と同様に電子写真プロセスを適用して転写紙上にトナー
画像を繰返し形成したところ、第６表に示す様な評価を
得ることが出来た。

但し、第５表中のｏｏ（４）は次の通シである。

５４−１・・・・・・ｌＸｌ０　’　　　８４−２・・
・・・・５Ｘ１０−’−・ ５４−３・・・・・・ｌＸｌ０　　　８４−４・・・・
・・５Ｘ１０　’第　　５　　表 第　　６　　表 実施例５ 第１１図に示した製造装置を用い、硼素＠尊び窒素（へ
）の層中の含有量をパラメータとして、Ａｔ　　シリン
ダ上に第６図に示す層構成を有する非晶質層の形成を行
って、電子写真用像形成部材を得た。

この際の非晶質層を構成する各層領域の作成条件を下記
第７表に示した。

得られた成子写真用１像形成部材の夫々を用いて実施例
１と同様に電子、写真プロセスを適用して転写紙上にト
ナー画像゛を繰返し形成したところ第６表に示す様な評
価を得ること、卆出来た〇但し、第７表中のＸ（６）は
次の通シである。

５５−１・・・・・・ｌＸｌ０　’　　　８５−２・・
・・・・５Ｘ１０　’５５−３・・・・・・ｌＸｌ０　
”　　　８５−４・・・・・・５Ｘ１０　’５５−５・
・・・・・ｌＸｌ０　　’　　　８５−６・・・・・・
２×１０−“５５−７・−・−・−４Ｘ１０　”　　　
８５−８・−・・・−８Ｘ１０−’５５−９・・・・・
・ｌＸｌ０　’ 第　　７　　表 象電周波黴：１１．闘關− 実施例６ 第１１図に示した製造装置を用い、硼素（６）及び窒素
（へ）の層中の含有量をパラメータとして、Ａｔ　　シ
リンダ上に第７図に示す層構成を有する非晶質層の形成
を行って、電子写真用像形成部材を得九。

この際の非晶質層を構成する各層領域の作成条件を下記
第８表に示した。

得られた電子写真用像形成部材の夫々を用いて、実施例
１と同様に電子写真プロセスを適用して転写紙上にトナ
ー画像を繰返し形成したところ第６表に示す計測を得る
ことが出来だ。

但し、第８表中のＸ（７）は次の通シでるる。

５６−１・・・・・・ｌＸｌ０　　　　８６−２・・・
・・・５Ｘ１０−ｑＳ６−３・・・・・・１Ｘ１０　　
　　８６−４・・・・・・５Ｘ１０−＠−・ ８６−５・−・・−ＩＸＩＯ８６−６−・・・・−２Ｘ
１０−”第　　８　　表 放電局液黴：　１ｓ、ｓ＠馳 実施例７ Ａｔ　　シリンダ上に第８図に示す層構成を有する非晶
質層の形成を行って、電子写真用像形成部材を得た。

この際の非晶質層を構成する各層領域の作成条件を下記
第９表に示した０ 得られた電子写真用像形成部材の夫々を用いて、実施例
１と同様に電子写真プロセスを適用して転写紙上にトナ
ー画像を繰返し形成したところ第６表に示す様な評価を
得る、ことが出来たＯ但し、第９表中のＸ（テ）は次の
通シである０８７−１・・・・・・ｌＸｌ０　’　　　
８７−２・・・・−５Ｘ１０−’５７−３・・・・・・
ｌＸｌ０　　　　Ｓ７−４−・・・・・５Ｘ１０　’−
［相］ ５７−５・・・・・・ｌＸｌ０−”　　　　８７−６・
・・・・・２Ｘ１０−”８７−７−−・・−４Ｘ１０−
”　　　　８７−８−・−８ｘｌＯ−”５７−９・・・
・−ＩＸＩＯ−’ 第　　９　　表 第１１図に示した製造装置を用い、硼素（６）及び窒素
（へ）の層中の含有量をパラメータとして、ｋＡ　　シ
リンダ上に第９図に示す層構成を有する非晶質層の形成
を行って、電子写真用像形成部材を得た。この際の非晶
質層を構成する各層領域の作成条件を、下記第１０表に
示した。

得られ良電子写真用像形成部材の夫々を用いて、実施例
１と同様に電子写真プロセスを適用して転写紙上にトナ
ー画像を繰返し形成したところ、第１１表に示す評価を
得ることが出来九但し、第１０表中のＸ（８）は次の通
シである＠５８−１・・・・・・１．ｌＸ１０　’　　
　８Ｂ−２・・・・・・４．４　Ｘ　１０−ａＳ８−３
・・・・・・１．ｌＸ１０ｉＴ”　　　８８−４・・・
・・・２．２　Ｘ　１０−″１Ｓ８−５−・・・・４．
４Ｘ１０　　”　　　８８−６−−−−−・７．７Ｘ１
０−”第　　１０　　Ｉ！ 第　　１１　　表 （評債基準は１８２表に同じ） 実施例９ 第１１図に示し丸製造装置を用い、Ａｔシリンダ上に第
１０図に示す層構成を有する非晶質層の形成を層領域（
ｔｓｔｍ）ｅ層領域（ｔｕｔｓ）の夫々の層厚をパラメ
ータとして行って、電子写真用像形成部材を得た。この
際の非晶質層を構成する各層領域の作成条件を、下記第
１２表に示した。

得られた電子写真用像形成部材の夫々を用いて、実施例
１と同様に電子写真プロセスを適用して転写紙上にトナ
ー画像を繰返し形成したところ、第１３表に示す奸価を
得ることが出来た。

第１セ表 第　　１３　　表 夷、ｍ個１０ 、Ｘｌ１図に示した製造装置を用い、硼Ｘ（至）及び−
＝ｊ１本（へ）のＪｆｌｌｌ中の含有量をパラメータと
して１Ａｔシリンダ上に第２図に示す層構成を有する非
晶質層の形成を行って、電子写真用僧形成部材を得た。

この際の非感賞層を構成する各層領域の作成条件を、下
記第１４表に示した０得られた電子写真像形成部材を用
いて、実施例１と同様に電子写真プロセスを適用して転
写紙上にトナー画像を繰返し形成したところ、安定して
高品質のトナー転写画像を得ることが出来た０ 第１４表 実施例１１ 天施例２と同様の条件と作製手順に従って、Ａｔシリン
ダ上に第３図に示す層構成を有する非晶質ｆ−を形成し
た後に、該非晶質層上に以下の条件に従って、炭化シリ
コン系の表面障壁層を形成した０この様にして得られた
試料に就て実施例１と同様に繰返し電子写真プロセスを
適用し、トナー転写画像を得たところ１００万枚目のト
ナー転写画像も極めて一品質であって、一枚目の転写画
像と較べても何等遜色ないものであった０ 使用ガス・・・・−・・ＣＨ４ ８ｉＨ４／）ｌｅ　＝　１０　：　２５０流　　　量・
・・・・・・Ｓｉ＆　＝１０ＳＣＣＭ流量比・・・・−
・・ＣＨａ／ｓｉ　Ｈａ　＝３０層形成速度・・・・−
・・０．８０Ａ／ｓｅｅ放電電力・・・・−・・ｏ、ｉ
ｓＷ／ａＩ幕板温度・・・・−・・２５０℃ 反応時圧・−・・・・０．５　ｔｏｒｒ笑施例１２ 第１１図に示した製造装置を用い、首婁箸蚕Ａｔシリン
ダ上に第３図に示す層＃Ｉ成をＭする非晶質層の形成を
行って、電子写真用像形成部材を得た。この際の非晶質
層を構成する各層領域の作成条件を、下記第１５表に示
した０得られた電子写真用像形成部材を用いて、実施例
１と同様に′１子写真プロセスを適用して転写紙上にト
ナー画嘩を繰返し形成したところ、安定して高品質のト
ナー転写画像を得ることが出来た。

第　　１５　　表 攻電馬液数：　１３．５６ＭＨｇ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の構成の好適な例の１つ
を説明する為の模式的説明図、第２図乃至第１０図は夫
々、本発明の光導電部材を構成する非晶質層の層構成を
説明する模式的説明図、第１１図は、本発明の光導電部
材を作製する為に使用された装置の模式的説明図である
０１００・・・光導電部材　　１０１・・・支持体１０
２・・・非晶質層　　　１０３・・・第一の層領域１０
４・・・第二の層領域　１０５・・・層領域１０６・・
・上部層領域　　１０７・・・自由表面出願人　キャノ
ン株式会社 □Ｃ □Ｃ □Ｃ Ｖ　　　ｔ＜１Ｅン３　ｔ４）　　　　　　　Ｃどｌン
）ｆ−一−Ｃ 制御噛−６ □Ｃ θ　　Ｃ６ｘｉｉ　　　どαυｆ　　　　　　　どρ／
Ｈ□Ｃ 手　　続　　補　　正　　書（自効 昭和５７年１１月　５日 特許庁長官　若　杉　和　夫　殿 １、　事件の表示 昭和５６年特許願第１９３２００号 ２、発明の名称 光導電部材 ３、補正をする者 事件との関係　　　　　特許出願人 住所　東京都大田区下丸子３−３０−２名称　（１００
）キャノン株式会社 代表者　賀　　来　　１三　部 ４、代理人 居所　〒１４８東京都大田区下丸子３−３０−２５補正
の対象 （１）明細書の１発明の詳細な説明」の欄（２）明細書
の「図面の簡単な説明」の欄（３）図面 ６補正の内容 （１）■明細書の第１１頁第１１行目の「に分布し、」
の後から同第１１頁第１２行目の「・・・ものであるが
、」までの文章を削除する。 ■同第１４頁第７行目に「・・・、通常はｌ・・・、好
」とあるのを［・・・、通常は、０．０１〜５　Ｘ　１
０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、好ましくは、１〜ｉＱ［ｌ
　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ。 より好」と補正する。 ■同第１４頁第１６行目に［場合、・・・・好ましくは
、Ｏ，’０２Ｊとあるのを［場合、０．００１〜３　Ｑ
　ａｔｏｍｉｃ％、好ましくは、０．０１〜２　Ｏａｔ
ｏｍｉｃ係、より好ましくは、０．０２Ｊと補正する。 ■同第１６頁第１４行に［１１・・通常の場合・・・・
・ａｔＯｍｉＣＪとあるのを「・・・通常の場合、０．
１〜８ｘ　１ｏ’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、好ましくは
、０．１〜１０００　ａｔｏｍｉｃ　Ｊと補正スル。 ろ■壇ｔＦ？ｔ″Ｔ と補正する。 ■同第２６頁第１０行目乃至一同第１４行目の文章を「
第９図には、窒素原子及び第■族原子が層厚方向に均一
な分布状態で含有されている層領域上に、これ等の原子
が不均一に、連続的に含有されている層領域が形成され
ている例が示される。」と補正する。 ■同第２６頁第１９行に「・・・表面領域・・・」とあ
るのを１・・・表面層領域・・・」と補正する。 ■同第７３頁の第１０表の「流量比」の項目の第２段中
に［Ｂ２Ｈ６／ＳｉＨ４＝　４　Ｘ　１０−’　ｊとあ
るのをｒ　Ｂ２Ｈ６／ＳｉＨ４＝　４　Ｘ　１０−’〜
２　Ｘ　１０−’　Ｊ　と補する。 （２）明−書箱８２頁第１１行目に「１０６・・・上部
層領域」とあるのを「１０６・・・表面層領域」と補正
する。 （６）別紙の通り Ｚ添付書類の目録 第９図を記載した図面　　　　−葉 ：１゜

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　光導・一部材用の支持体と、シリコン原子を母
   体とし、構成原子として水累原子又はハロゲン原子のい
   ずれか一方を少なくとも含有する非晶質材料で構成され
   、光導電性を示す非轟質層とを有する光導電部材におｉ
   て、前記非晶質層が、構成原子として、層厚方向に不均
   一で連続的な分布状態で窒Ｘ原子が含有されている第一
   ０層領域と、構成原子として、層厚方向に連続的な分布
   状態で周期律表第門族に属する原子が含有されている第
   二０層領域とを有し、前記第一０層領域が前記非蟲質層
   の表面下に内在している事を特徴とする光導電部材。 （２）周期律＊ｇｉ族に属する原子の分布状總が均一で
   ある特許請求の範１ｆｆｉＪＩ１項に記載の光導電部材
   。 （３）周期律表＃Ｉ厘族に属する原子の分布状態が不均
   一である特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 （４Ｊ′第一〇層領域と第二０層領域とは、少なくとも
   その一部を共有している特許鰭求０ＳＳｊ１１項に記載
   の光導電部材。 ＋５）　　ｊｌ−の層領域と第二０層領域とが実質的に
   同一層領域である特ｌｆｆ績求の範ＷＡＪＩ１項に記載
   の光導＃を部材。 （Ｑ　第一０層領域が第二０層領域の一部を構成してい
   る特許請求の範ｍ１１１項に記載の光導電部材。 （７）　　第二の層領域が第一０層領域の一部を構成し
   ている特許請求の範１ＩｊｉＩ１項に記載の光導電部材
   。