JPS6391664A - 光受容部材 - Google Patents
光受容部材Info
- Publication number
- JPS6391664A JPS6391664A JP23630686A JP23630686A JPS6391664A JP S6391664 A JPS6391664 A JP S6391664A JP 23630686 A JP23630686 A JP 23630686A JP 23630686 A JP23630686 A JP 23630686A JP S6391664 A JPS6391664 A JP S6391664A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- drum
- layer
- light
- deposited film
- shaped
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 abstract 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- -1 Pt and Pb Chemical class 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000519995 Stachys sylvatica Species 0.000 description 1
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical group [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004347 surface barrier Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/10—Bases for charge-receiving or other layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、光(ここでは広義の光であって、紫外線、可
視光線、赤外線、X線、r線等を意味する。)のような
電磁波に対して感受性のある先受〔従来技術の説明〕 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、SN比〔光電流(Ip)
/暗電流 (Id))が高く、照射する電磁波のスペク
トル特性に適合した吸収スペクトル特性を有すること、
光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時
において人体に対して無公害であること、便には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処理する
ことができること等の特性が要求される。殊に、事務機
としてオフィスで使用される電子写真装置内に組込まれ
る電子写真用像形成部材の場合には、上記の使用時にお
ける無公害性は重要な点である。
視光線、赤外線、X線、r線等を意味する。)のような
電磁波に対して感受性のある先受〔従来技術の説明〕 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、SN比〔光電流(Ip)
/暗電流 (Id))が高く、照射する電磁波のスペク
トル特性に適合した吸収スペクトル特性を有すること、
光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時
において人体に対して無公害であること、便には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処理する
ことができること等の特性が要求される。殊に、事務機
としてオフィスで使用される電子写真装置内に組込まれ
る電子写真用像形成部材の場合には、上記の使用時にお
ける無公害性は重要な点である。
この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン(以後、r a−5i」と表記す
る。)があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。
アモルファスシリコン(以後、r a−5i」と表記す
る。)があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。
特に、水素原子または/及びハロゲン原子等の一価の元
素でダングリングボンドが音節されたa−5i(以後、
’a−51(H,X) J と表記する。)は、その優
れた光導電性、耐擦性、耐熱性及び大面積化が比較的容
易であることから電子写真用像形成部材への応用が期待
されている。
素でダングリングボンドが音節されたa−5i(以後、
’a−51(H,X) J と表記する。)は、その優
れた光導電性、耐擦性、耐熱性及び大面積化が比較的容
易であることから電子写真用像形成部材への応用が期待
されている。
ところで、ドラム状支持体上にa−5i ()l、 X
)かうなる光受容層を備えた電子写真用感光体ドラムを
製造する場合において、ドラム状支持体から光受容層が
はがれる現象、いわゆる1膜はがれ”が生じることがあ
る。これは、a−5l(H,X)膜の内部応力が大きい
ために生ずるものであり、1膜はがれ”を防止するため
に支持体と光受容層との間に密着層を設けたり、あるい
は、光受容層中に応力暖和剤を含有せしめたりする方法
がとられている。しかしながら、密着層の膜厚や応力暖
和剤の含有量によっては、電子写真特性を阻害してしま
うことがある。
)かうなる光受容層を備えた電子写真用感光体ドラムを
製造する場合において、ドラム状支持体から光受容層が
はがれる現象、いわゆる1膜はがれ”が生じることがあ
る。これは、a−5l(H,X)膜の内部応力が大きい
ために生ずるものであり、1膜はがれ”を防止するため
に支持体と光受容層との間に密着層を設けたり、あるい
は、光受容層中に応力暖和剤を含有せしめたりする方法
がとられている。しかしながら、密着層の膜厚や応力暖
和剤の含有量によっては、電子写真特性を阻害してしま
うことがある。
また、こうした膜はがれの現象は、本発明者らの多くの
実験によると、a−5t (H,X)層が厚くなる稚虫
じやすいことが判明している。便に、a−5t(H,X
)膜の内部応力にツイテは、a−5i ()I、 X)
IIJ (D製造条件、例えば、原料ガスの種類や流
量、放電パワー、基体の加熱温度等によって、ある程度
は暖和することはできるものの、完全に膜はがれを防止
することは未だ不可能である。
実験によると、a−5t (H,X)層が厚くなる稚虫
じやすいことが判明している。便に、a−5t(H,X
)膜の内部応力にツイテは、a−5i ()I、 X)
IIJ (D製造条件、例えば、原料ガスの種類や流
量、放電パワー、基体の加熱温度等によって、ある程度
は暖和することはできるものの、完全に膜はがれを防止
することは未だ不可能である。
膜はがれは、電子写真用感光体ドラムとして使用した場
合には画像欠陥の原因となるために致命的なものであり
、膜はがれを完全に防止することは、電子写真用感光体
ドラムにおいて重大な問題のひとつである。
合には画像欠陥の原因となるために致命的なものであり
、膜はがれを完全に防止することは、電子写真用感光体
ドラムにおいて重大な問題のひとつである。
本発明は、a−5i (H,X)で構成された光受容層
を有する電子写真用感光体ドラム等における上述の問題
を解決して、所望機能を奏する光受容部材を提供するこ
とを目的とするものである。
を有する電子写真用感光体ドラム等における上述の問題
を解決して、所望機能を奏する光受容部材を提供するこ
とを目的とするものである。
即ち、本発明の主たる目的は、ドラム状支持体上にa−
51(H%X)で構成される光受容層を備えた光受容部
材において、a−5i (H,X)膜の膜はがれを防止
し、白抜は等の画像欠陥を生じない高品質な画像を得る
ことができる電子写真用の光受容部材を提供することを
目的とする。
51(H%X)で構成される光受容層を備えた光受容部
材において、a−5i (H,X)膜の膜はがれを防止
し、白抜は等の画像欠陥を生じない高品質な画像を得る
ことができる電子写真用の光受容部材を提供することを
目的とする。
本発明の他の目的は、電気的、光学的、光導電的特性が
常時安定し、繰り返し使用に際しても劣化現象を起さず
、耐久性に優れた光受容部材を提供することにある。
常時安定し、繰り返し使用に際しても劣化現象を起さず
、耐久性に優れた光受容部材を提供することにある。
本発明者らは、従来のa−5i (H,X)で構成され
る光受容層を少なくとも有する電子写真用感光体等に用
いられる光受容部材について、前述の諸問題を克服して
上述の目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、特定の
直径を有するドラム状支持体を用いることにより、a−
5t(l(、X)堆積膜の膜はがれを防止しつるという
知見を得た。
る光受容層を少なくとも有する電子写真用感光体等に用
いられる光受容部材について、前述の諸問題を克服して
上述の目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、特定の
直径を有するドラム状支持体を用いることにより、a−
5t(l(、X)堆積膜の膜はがれを防止しつるという
知見を得た。
即ち、支持体表面の曲率の大きなものを使用することに
より、a−5t ()I、X)堆積膜の内部応力を支持
体表面で吸収することができ、a−3i (H,X)堆
積膜の膜はがれを、実用可能範囲内に減少させるか、あ
るいは皆無にさせることが可能となるというものである
。
より、a−5t ()I、X)堆積膜の内部応力を支持
体表面で吸収することができ、a−3i (H,X)堆
積膜の膜はがれを、実用可能範囲内に減少させるか、あ
るいは皆無にさせることが可能となるというものである
。
本発明は該知見に基すいて便に研究を重ねた結果、完成
せしめたものであり、ドラム状支持体と、該支持体上に
シリコン原子を母体とする非晶質材料を含有し光導電性
を有する光受容層とを有する光受容部材であって、前記
ドラム状支持体の外直径が70mm以下であることを特
徴とするものであり、より好ましくは該ドラム状支持体
の外直径が50mm以下であることが望ましい。
せしめたものであり、ドラム状支持体と、該支持体上に
シリコン原子を母体とする非晶質材料を含有し光導電性
を有する光受容層とを有する光受容部材であって、前記
ドラム状支持体の外直径が70mm以下であることを特
徴とするものであり、より好ましくは該ドラム状支持体
の外直径が50mm以下であることが望ましい。
又、本発明は、従来よりも小径のドラム状支持体を用い
ることにより、電子写真装置を小型化で誇るという利点
もある。
ることにより、電子写真装置を小型化で誇るという利点
もある。
便に、本発明はドラム状支持体の小型化により、機械的
強度の点で支持体の厚さをある程度まで薄くすることが
可能となり、生産性の向上、軽量化、コストダウンが図
れるという利点もある。
強度の点で支持体の厚さをある程度まで薄くすることが
可能となり、生産性の向上、軽量化、コストダウンが図
れるという利点もある。
そして、本発明においては、特性の面から、ドラム状支
持体の肉厚を3.0mm以下にすることが好ましい。
持体の肉厚を3.0mm以下にすることが好ましい。
本発明に用いるドラム状支持体は、導電性のものであっ
ても、また電気絶縁性のものでありてもよい。導電性支
持体としては、例えば、NiCr、ステンレス、 ^u
、Cr、Mo、Au、 Nb、 Ta、 V、 Ti、
Pt、 Pb 等の金属又はこれ等の合金が挙げら
れる。
ても、また電気絶縁性のものでありてもよい。導電性支
持体としては、例えば、NiCr、ステンレス、 ^u
、Cr、Mo、Au、 Nb、 Ta、 V、 Ti、
Pt、 Pb 等の金属又はこれ等の合金が挙げら
れる。
電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等
の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の
表面を導電処理し、該導電処理された表面側に光受容層
を設けるのが望ましい。
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等
の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の
表面を導電処理し、該導電処理された表面側に光受容層
を設けるのが望ましい。
例えば、ガラスであれば、その表面に、NtCr。
^j2 、 Cr、 Mo、Au、 Ir、 Nb、
Ta、 V、 Ti、Pt、 Pd、 In2O5、S
nO2、ITO(In20s+5nOz)等から成る薄
膜を設けることによって導電性を付与し、或いはポリエ
ステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、 Ni
Cr、 Ant八gへPb、Zn、Ni、Au、Cr
、Mo、Ir、Nb、Ta、V、 Tu、Pt等の金属
の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等
でその表面に設け、又は前記金属でその表面をラミネー
ト処理して、その表面に導電性を付与する。
Ta、 V、 Ti、Pt、 Pd、 In2O5、S
nO2、ITO(In20s+5nOz)等から成る薄
膜を設けることによって導電性を付与し、或いはポリエ
ステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、 Ni
Cr、 Ant八gへPb、Zn、Ni、Au、Cr
、Mo、Ir、Nb、Ta、V、 Tu、Pt等の金属
の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等
でその表面に設け、又は前記金属でその表面をラミネー
ト処理して、その表面に導電性を付与する。
本発明の光受容部材の光受容層は、a−5i(H,X)
で構成され、先導仏性を有する層であって、該層にはさ
らに、第1H族原子又は第V族原子又は/及び酸素原子
、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一
種を含有せしめることができる。
で構成され、先導仏性を有する層であって、該層にはさ
らに、第1H族原子又は第V族原子又は/及び酸素原子
、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一
種を含有せしめることができる。
該光受容層中に含有せしめるハロゲン原子(X)として
は、具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ
、特にフッ素、塩素を好適なものとして挙げることがで
きる。そして感光層10中に含有せしめる水素原子()
l)の量又はハロゲン原子(X)の量、あるいは水素原
子とハロゲン原子の量の和()I+X)は、好ましくは
、1〜40atomic%、より好ましくは5〜:lO
atomic%、とするのが望ましい。
は、具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ
、特にフッ素、塩素を好適なものとして挙げることがで
きる。そして感光層10中に含有せしめる水素原子()
l)の量又はハロゲン原子(X)の量、あるいは水素原
子とハロゲン原子の量の和()I+X)は、好ましくは
、1〜40atomic%、より好ましくは5〜:lO
atomic%、とするのが望ましい。
本発明の光受容部材の光受容層は、ドラム状支持体表面
に接する側に障壁層を有していてもよく、あるいは便に
、光受容層の自由表面側に、表面111!壁層を存して
いてもよい。
に接する側に障壁層を有していてもよく、あるいは便に
、光受容層の自由表面側に、表面111!壁層を存して
いてもよい。
該障壁層は、光受容層とドラム状基体との密着性向上あ
るいは電荷受容能の調整等の目的で設置されるものであ
り、目的に応じてIII族原子、V族原子、酸素原子、
炭素原子、ゲルマニウム原子等を含むa−5i ()1
. X)層若しくは微結晶−5t(H1×)層が、−層
あるいは多層に形成される。しかし、その層厚、含有原
子量はa−5l膜の特性の劣化が起きない程度にするこ
とが望ましい。
るいは電荷受容能の調整等の目的で設置されるものであ
り、目的に応じてIII族原子、V族原子、酸素原子、
炭素原子、ゲルマニウム原子等を含むa−5i ()1
. X)層若しくは微結晶−5t(H1×)層が、−層
あるいは多層に形成される。しかし、その層厚、含有原
子量はa−5l膜の特性の劣化が起きない程度にするこ
とが望ましい。
また、前記表面障壁層は、表面電荷注入防止層又は/及
び保護層として設けられるものであって、炭素原子、窒
素原子及び酸素原子の中から運ばれる少なくとも一種を
、好ましくは多量に、含有するa−5i (H,X)
、あるいは高抵抗有機物質で構成されるものである。
び保護層として設けられるものであって、炭素原子、窒
素原子及び酸素原子の中から運ばれる少なくとも一種を
、好ましくは多量に、含有するa−5i (H,X)
、あるいは高抵抗有機物質で構成されるものである。
本発明において、a−51()I、X)を含有する光受
容層を形成するには、例えば、真空蒸着法、熱CVD法
、プラズマCVD法、反応スパッタリング法、イオンブ
レーティング法、光CVD法、 HRCVD法あるいは
、ハロゲン系酸化剤と原料ガスとを反応空間に導入して
接触させハロゲン系酸化剤の酸化作用を利用して化学反
応を生起せしめるいわゆるFOCVD法等の種々の方法
が用いられる。
容層を形成するには、例えば、真空蒸着法、熱CVD法
、プラズマCVD法、反応スパッタリング法、イオンブ
レーティング法、光CVD法、 HRCVD法あるいは
、ハロゲン系酸化剤と原料ガスとを反応空間に導入して
接触させハロゲン系酸化剤の酸化作用を利用して化学反
応を生起せしめるいわゆるFOCVD法等の種々の方法
が用いられる。
次に、本発明の光受容部材を製造するのに適した、プラ
ズマCVD法による堆積膜形成方法について、図面によ
り説明するが、本発明はこれらによって限定されるもの
ではない。
ズマCVD法による堆積膜形成方法について、図面によ
り説明するが、本発明はこれらによって限定されるもの
ではない。
第1図は、本発明の光受容部材のプラズマCVD法によ
る堆積膜形成装置の典型例を模式的に示す断面略図であ
る。堆積W11は、ベースプレート2と槽壁3とトップ
プレート4とから構成され、この堆積槽1内には、カソ
ード電極5が設けられており、a−5t堆積膜が形成さ
れるドラム状基体6はカソード電極5の中央部に設置さ
れ、アノード電極も兼ねている。
る堆積膜形成装置の典型例を模式的に示す断面略図であ
る。堆積W11は、ベースプレート2と槽壁3とトップ
プレート4とから構成され、この堆積槽1内には、カソ
ード電極5が設けられており、a−5t堆積膜が形成さ
れるドラム状基体6はカソード電極5の中央部に設置さ
れ、アノード電極も兼ねている。
この製造装置を使用してa−5i堆積膜をドラム状基体
上に形成するには、まず、原料ガス流入バルブ7及びリ
ークバルブ8を閉じ、排気バルブ9を開け、堆積4i!
1内を排気する。真空計10の読みが約5 X 10’
″’torrになった時点で原料ガス流入バルブ7を開
いて、マスフローコントローラ11内で所定の混合比に
調整された、例えばSiH4ガス、5hH6ガス、Si
F4ガス等の原料混合ガスを堆積槽1内に流入させる。
上に形成するには、まず、原料ガス流入バルブ7及びリ
ークバルブ8を閉じ、排気バルブ9を開け、堆積4i!
1内を排気する。真空計10の読みが約5 X 10’
″’torrになった時点で原料ガス流入バルブ7を開
いて、マスフローコントローラ11内で所定の混合比に
調整された、例えばSiH4ガス、5hH6ガス、Si
F4ガス等の原料混合ガスを堆積槽1内に流入させる。
このとき堆積槽1内の圧力が所望の値になるように真空
計lOの読みを見ながら排気バルブ9の開口度を調整す
る。そしてドラム状基体6の表面温度が加熱ヒーター1
2により所定の温度に設定されていることを確認した後
、高周波電源13を所望の電力に設定して堆積槽1内に
グロー放電を生起させる。
計lOの読みを見ながら排気バルブ9の開口度を調整す
る。そしてドラム状基体6の表面温度が加熱ヒーター1
2により所定の温度に設定されていることを確認した後
、高周波電源13を所望の電力に設定して堆積槽1内に
グロー放電を生起させる。
また、層形成を行フている間は、層形成の均一化を計る
ためにドラム状基体6をモータ14により一定速度で回
転させる。このようにしてドラム状基体6上に、a−5
i堆積膜を形成することができる。
ためにドラム状基体6をモータ14により一定速度で回
転させる。このようにしてドラム状基体6上に、a−5
i堆積膜を形成することができる。
(実施例)
本発明を、実施例を用いて便に詳しく説明するが、本発
明はこれらによって限定されるものではない。
明はこれらによって限定されるものではない。
医!9111
第1図に示した製造装置を用い、プラズマCVD法によ
り、肉厚1.5mmでそれぞれ直径の異る6種のアルミ
ニウム製のドラム状支持体上に下記の条件により a−
5l (H,X)堆積膜を形成した。
り、肉厚1.5mmでそれぞれ直径の異る6種のアルミ
ニウム製のドラム状支持体上に下記の条件により a−
5l (H,X)堆積膜を形成した。
ドラム状基体温度=250℃
堆積膜形成時の堆積室内内圧: 0.3 Torr放電
周波数: 13.56 MHz 堆積膜形成速度: 20 A/sec 放電電カニ 0.18 W/cm” こうして得られた電子写真感光体ドラムで、膜はがれの
加速試験(200℃、10時間放置)を実施した。その
後、膜はがれの状態を観察し、実験用に改造したキャノ
ン製複写機に設置し、キャノン製テストチャートを原稿
として、画像形成プロセス条件(光源はタングステンラ
ンプを使用)を適宜選択し、複写テストを行なった。そ
の結果を第1表に示す。
周波数: 13.56 MHz 堆積膜形成速度: 20 A/sec 放電電カニ 0.18 W/cm” こうして得られた電子写真感光体ドラムで、膜はがれの
加速試験(200℃、10時間放置)を実施した。その
後、膜はがれの状態を観察し、実験用に改造したキャノ
ン製複写機に設置し、キャノン製テストチャートを原稿
として、画像形成プロセス条件(光源はタングステンラ
ンプを使用)を適宜選択し、複写テストを行なった。そ
の結果を第1表に示す。
五mflニ
ドラム状支持体を外直径30)でそれぞれ肉厚の異なる
6種類のアルミニウム製ドラム状支持体に替える以外は
、実施例1と同様の条件で成膜を行ない、同様の評価を
行なった。その結果を第2表に示す。
6種類のアルミニウム製ドラム状支持体に替える以外は
、実施例1と同様の条件で成膜を行ない、同様の評価を
行なった。その結果を第2表に示す。
寒ILニ
ドラム状支持体を外直径70mmでそれぞれ肉厚の異な
る6種類のアルミニウム製ドラム状支持体に替える以外
は、実施例1と同様の条件で成膜を行ない、同様の評価
を行なった。その結果を第3表に示す。
る6種類のアルミニウム製ドラム状支持体に替える以外
は、実施例1と同様の条件で成膜を行ない、同様の評価
を行なった。その結果を第3表に示す。
ゑJ1生j
第1図に示した製造装置を用い、プラズマCVD法によ
り、肉厚1.5mmの外直径30mmと50mmのドラ
ム状支持体上に、条件を下記の条件に替える以外は、実
施例1と同様の条件でa−5t堆積膜を形成した。
り、肉厚1.5mmの外直径30mmと50mmのドラ
ム状支持体上に、条件を下記の条件に替える以外は、実
施例1と同様の条件でa−5t堆積膜を形成した。
こうして得られた電子写真感光体ドラムで、実施例1と
同様の膜はがれの加速試験と画像評価を行なった所、両
ドラムとも膜はがれのない良好な画像が得られた。
同様の膜はがれの加速試験と画像評価を行なった所、両
ドラムとも膜はがれのない良好な画像が得られた。
蓑i班ユ
第1図に示した製造装置を用い、プラズマCVD法によ
り、肉厚1.5mmの外直径301III11と50m
mのドラム状支持体上に、条件を下記の条件に替える以
外は、実施例1と同様の条件でa−5i堆積膜を形成し
た。
り、肉厚1.5mmの外直径301III11と50m
mのドラム状支持体上に、条件を下記の条件に替える以
外は、実施例1と同様の条件でa−5i堆積膜を形成し
た。
こうして得られた電子写真感光体ドラムで、実施例1と
同様の膜はがれの加速試験と画像評価を行なった所、両
ドラムとも膜はがれのない良好な画像が得られた。
同様の膜はがれの加速試験と画像評価を行なった所、両
ドラムとも膜はがれのない良好な画像が得られた。
去JCI互
第1図に示した製造装置を用い、プラズマCVD法によ
り、肉厚1.5mmの外直径30mmと50mmのドラ
ム状基体上に、条件を下記の条件に替える以外は、実施
例1と同様の条件でa−5l堆積膜を形成しこうして得
られた電子写真感光体ドラムで、実施例1と同様の膜は
がれの加速試験を行ない、実験用に改善した半導体レー
ザーを光源に用いたキャノン製複写機に設置し、キャノ
ン製テストチャートを原稿として、画像形成プロセス条
件を適宜選択し、複写テストを行なった所、両ドラムと
も膜はがれのない良好な画像が得られた。
り、肉厚1.5mmの外直径30mmと50mmのドラ
ム状基体上に、条件を下記の条件に替える以外は、実施
例1と同様の条件でa−5l堆積膜を形成しこうして得
られた電子写真感光体ドラムで、実施例1と同様の膜は
がれの加速試験を行ない、実験用に改善した半導体レー
ザーを光源に用いたキャノン製複写機に設置し、キャノ
ン製テストチャートを原稿として、画像形成プロセス条
件を適宜選択し、複写テストを行なった所、両ドラムと
も膜はがれのない良好な画像が得られた。
〔発明の効果の概要)
本発明の光受容部材は、外直径が70mm以下のドラム
状支持体を用いることにより、a−5i(H,X) 堆
積膜の膜はがれを実用可能範囲内に減少させるか、ある
いは皆無にさせることができ、膜はがれによる白抜は等
の画像欠陥を生じることのない、高品質な画像を得るこ
とができる電子写真用の光受容部材を提供することがで
きる。また、ドラム状支持体の小型化により電子写真装
置全体を小型化できるとともに、ドラム状支持体の厚さ
をある程度薄くすることができるため、生産性の向上、
軽量化、コストダウンを図ることができる。
状支持体を用いることにより、a−5i(H,X) 堆
積膜の膜はがれを実用可能範囲内に減少させるか、ある
いは皆無にさせることができ、膜はがれによる白抜は等
の画像欠陥を生じることのない、高品質な画像を得るこ
とができる電子写真用の光受容部材を提供することがで
きる。また、ドラム状支持体の小型化により電子写真装
置全体を小型化できるとともに、ドラム状支持体の厚さ
をある程度薄くすることができるため、生産性の向上、
軽量化、コストダウンを図ることができる。
第1図は、プラズマCVD法による光受容部材の製造装
置を模式的に示す断面略図である。 1・・・・・堆積槽導、2・・・・・ベースプレート、
3・・・・・槽壁、4・・・・・ トッププレート、5
・・・・・カソード電極、6・・・・・ドラム状基体、
7・・・・・原料ガス流入バルブ、8・・・・・リーク
バルブ、9・・・・・排気バルブ、10・・・・・真空
計、ll・・・・・マスフローコントローラー、12・
・・・・ 加熱ヒーター、13・・・・・高周波電源、
14・・・・・モーター
置を模式的に示す断面略図である。 1・・・・・堆積槽導、2・・・・・ベースプレート、
3・・・・・槽壁、4・・・・・ トッププレート、5
・・・・・カソード電極、6・・・・・ドラム状基体、
7・・・・・原料ガス流入バルブ、8・・・・・リーク
バルブ、9・・・・・排気バルブ、10・・・・・真空
計、ll・・・・・マスフローコントローラー、12・
・・・・ 加熱ヒーター、13・・・・・高周波電源、
14・・・・・モーター
Claims (1)
- ドラム状支持体と、該支持体上に、シリコン原子を母体
とする非晶質材料を含有し光導電性を有する光受容層と
を有する光受容部材であって、前記ドラム状支持体の外
直径が70mm以下であることを特徴とする光受容部材
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23630686A JPS6391664A (ja) | 1986-10-06 | 1986-10-06 | 光受容部材 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23630686A JPS6391664A (ja) | 1986-10-06 | 1986-10-06 | 光受容部材 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6391664A true JPS6391664A (ja) | 1988-04-22 |
Family
ID=16998841
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23630686A Pending JPS6391664A (ja) | 1986-10-06 | 1986-10-06 | 光受容部材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6391664A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0957404A1 (en) * | 1998-05-14 | 1999-11-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic, photosensitive member and image forming apparatus |
EP0957405A1 (en) * | 1998-05-14 | 1999-11-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus |
-
1986
- 1986-10-06 JP JP23630686A patent/JPS6391664A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0957404A1 (en) * | 1998-05-14 | 1999-11-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic, photosensitive member and image forming apparatus |
EP0957405A1 (en) * | 1998-05-14 | 1999-11-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus |
US6110629A (en) * | 1998-05-14 | 2000-08-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic, photosensitive member and image forming apparatus |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6161103B2 (ja) | ||
US7211357B2 (en) | Electrophotographic photosensitive member | |
JPH0962020A (ja) | 電子写真用光受容部材 | |
JPH0792611B2 (ja) | 無定形ケイ素および酸化ケイ素からなる不均質電子写真像形成部材 | |
JPS6247303B2 (ja) | ||
US4911998A (en) | Process of electrophotographic imaging with layered light receiving member containing A-Si and Ge | |
JPS6391664A (ja) | 光受容部材 | |
US4895784A (en) | Photoconductive member | |
JPS59191065A (ja) | 光導電部材 | |
JPH0150905B2 (ja) | ||
US5945241A (en) | Light receiving member for electrophotography and fabrication process thereof | |
JP2524116B2 (ja) | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 | |
JPS63279259A (ja) | 電子写真用光受容部材 | |
JPS63121851A (ja) | 電子写真用光受容部材 | |
JPS5952251A (ja) | 電子写真用像形成部材の製造法 | |
JP2668406B2 (ja) | 電子写真用像形成部材 | |
JP2668408B2 (ja) | 電子写真用像形成部材 | |
JPS59198467A (ja) | 光導電部材 | |
JPS58134647A (ja) | 光導電部材 | |
JPS58137843A (ja) | 光導電部材 | |
JPS6341060B2 (ja) | ||
JPS58163951A (ja) | 光導電部材 | |
JPS58150959A (ja) | 光導電部材 | |
JPS58108542A (ja) | 光導電部材及びそれを用いる像形成方法 | |
JP2001330971A (ja) | 光受容部材の製造方法 |