JPS6247303B2 - - Google Patents
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- JPS6247303B2 JPS6247303B2 JP55127543A JP12754380A JPS6247303B2 JP S6247303 B2 JPS6247303 B2 JP S6247303B2 JP 55127543 A JP55127543 A JP 55127543A JP 12754380 A JP12754380 A JP 12754380A JP S6247303 B2 JPS6247303 B2 JP S6247303B2
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Description
本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある光導電部材に関す
る。固体撮像装置、或いは像形成分野に於ける電
子写真用像形成部材や原稿読取装置等に於ける光
導電層を構成する光導電材料としては、高感度
で、SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高
く、照射する電磁波のスペクトル特性を有するこ
と、光応答性が良好で、所望の暗抵抗値を有する
こと、使用時に於いて人体に対して無公害である
事、更には、撮像装置に於いては、残像を所定時
間内に容易に処理出来る事等の特性が要求され
る。殊に、事務機としてオフイスで使用される電
子写真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材
の場合には、上記の使用時に於ける無公害性は重
要な点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと記
す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、特開昭55−39404号公報には光電変換
読取装置への応用が記載されてある。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性及び耐候
性、耐湿性等の使用環境特性の点に於いて、更に
改良される可き点が存し、実用的な固体撮像装置
や読取装置、電子写真用像形成部材等には、生産
性、量産性をも加味して仲々有効に使用し得ない
のが実情である。 例えば、電子写真用像形成部材や固体撮像装置
に適用した場合に、その使用時に於いて残留電位
が残る場合が度々観測され、この様な種の光導電
部材は繰返し長時間使用し続けると、繰返し使用
による疲労の蓄積が起る、残像が生ずる所謂ゴー
スト現象を発する様になる等の不都合な点が少な
くなかつた。 更には、例えば本発明者等の多くの実験によれ
ば、電子写真用像形成部材の光導電層を構成する
材料としてのａ―Siは従来のSe，CdS，ZnO或い
はPVCzやTNF等のOPC（有機光導電部材）に較
べて、数多くの利点を有するが、従来の太陽電池
用として使用する為の特性が付与されたａ―Siか
ら成る単層構成の光導電層有する電子写真用像形
成部材の上記光導電層に静電像形成の為の帯電処
理を施しても暗減衰（dark decay）が著しく速
く、通常の電子写真法が仲々適用され難い事、及
び多湿雰囲気中に於いては上記傾向が著しく、場
合によつては現像時間まで帯電電荷を全く保持し
得ない事がある等、解決され得る可き点が存在し
ている事が判明している。 従つて、ａ―Si材料そのものの特性改良が計ら
れる一方で光導電部材を設計する際に、所望の電
気的、光学的及び光導電的特性が得られる様に工
夫される必要がある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
―Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、シリコン原子を母体とし
て水素原子を含有するアモルフアス材料、所謂水
素化アモルフアスシリコン（以後ａ―Si；Ｈと記
す）から成る光導電層と、該光導電層を支持する
支持体との間に特定の中間層を介在させる層構成
に設計されて作製された光導電部材は実用的に充
分使用し得るばかりでなく、従来の光導電部材と
較べてみても殆んどの点に於いて凌駕しているこ
と、殊に電子写真用の光導電部材として著しく優
れた特性を有していることを見出した点に基いて
いる。 本発明は電気的・光学的・光導電的特性が常時
安定していて、殆んど使用環境に制限を受けない
全環境型であり、耐光疲労に著しく長け、繰返し
使用に際しても劣化現象を起さず、残留電位が全
く又は殆んど観測されない光導電部材を提供する
ことを主たる目的とする。 本発明の別の目的は、光感度が高く、分光感度
領域も略々全可視光域を覆つていて、且つ光応答
性の速い光導電部材を提供することである。 本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材
として適用させた場合通常の電子写真法が極めて
有効に適用され得る程度に、静電像形成の為の帯
電処理の際の電荷保持能が充分あり、且つ多湿雰
囲気中でもその特性の低下が殆んど観測されない
優れた電子写真特性を有する光導電部材を提供す
ることである。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得る事が容易に出来る電子写真用の光導電部
材を提供することである。 本発明の光導電部材は、支持体と、シリコン原
子を母体とし、水素原子を含むアモルフアス材料
で構成されている光導電層と、これらの間に設け
られ、前記支持体側から前記光導電層中へのキヤ
リヤの流入を阻止し且つ電磁波照射によつて前記
光導電層中に生じ前記支持体側に向つて移動する
キヤリヤの前記光導電層側から前記支持体側への
通過を許す機能を有する中間層とを備えた光導電
部材に於て、前記中間層は、（SixC1-x）YＨ1-Y
（但し、0.1≦Ｘ≦0.35、0.65≦Ｙ≦0.98）で示さ
れるアモルフアス材料で構成され、30〜1000Åの
層厚を有する事を特徴とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し
得、極めてすぐれた電気的・光学的・光導電的特
性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材或いは撮像装置と
して適用させた場合には帯電処理の際の電荷保持
能に長け、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、多湿雰囲気中でもその電気的特性が安定して
おり高感度で、高SN比を有するものであつて耐
光疲労、繰返し使用性に著しく長け、更に電子写
真用像形成部材の場合には濃度が高く、ハーフト
ーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品質の
可視画像を得る事が出来る。 又、電子写真用像形成部材に適用させる場合、
高暗抵抗のａ―Si：Ｈは光感度が低く、逆に光感
度の高いａ―Si：Ｈは暗抵抗が108Ωcm前後と低
く、いずれの場合にも、従来の層構成の光導電層
のままでは電子写真用の像形成部材には適用され
なかつたのに対して、本発明の場合には、比較的
低抵抗（５×109Ωcm以上）のａ―Si：Ｈ層でも
電子写真用の光導電層を構成することができるの
で、抵抗は比較的低いが高感度であるａ―Si：Ｈ
も充分使用し得、ａ―Si：Ｈの特性面からの制約
が軽減され得る。 以下、図面に従つて、本発に明の光導電部材に
就て詳細に説明する。 第１図は、本発明の光導電部材の基本的な構成
例を説明する為に模式的に示した模式的構成図で
ある。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、中間層１０２、
該中間層１０２に直接接触した状態に設けられて
いる光導電層１０３とで構成される層構造を有
し、本発明の最も基本的な例である。 支持体１０１としては、導電性でも電気性でも
電気絶縁性であつても良い。導電性支持体として
は、例えば、NiCr、ステンレス、Al，Cr，Mo，
Au，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd等の金属又は
これ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズ、ア
セテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等
の合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラ
ミツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶
縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面がNiCr，
Al，Mo，Au，Ir，No，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd，
In2O3，SnO2，ITO（In2O3＋SnO2）等の薄膜を設
けることによつて導電処理され、或いはポリエス
テルフイルム等の合成樹脂フイルムであれば、
NiCr，Al，Ag，Pb，Zn，Ni，Au，Cr，Mo，
Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt等の金属で真空蒸着、
電子ビーム蒸着、スパツタリング等で処理し、又
は前記金属でラミネート処理して、その表面が導
電処理される。支持体の形状としては、円筒状、
ベルト状、板状等、任意の形状とし得、所望によ
つて、その形状は決定されるが、例えば、第１図
の光導電部材１００を電子写真用像形成部材とし
て使用するのであれば連続高速複写の場合には、
無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支
持体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成され
る様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓
性が要求される場合には、支持体としての機能が
充分発揮される範囲内であれば、可能な限り薄く
される。而乍ら、この様な場合、支持体の製造上
及び取扱い上、機械的強度等の点から、通常は、
10μ以上とされる。 中間層１０２はシリコン原子及び炭素原子とを
母体とし、水素原子を含む、非光導電性のアモル
フアス材料〔ａ―（SixC1-x）y：Ｈ1-yと略記す
る。但し０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１〕で構成され、
支持体１０１の側から光導電層１０３中へのキヤ
リアの流入を効果的に阻止し且つ電磁波の照射に
よつて光導電層１０３中に生じ、支持体１０１の
側に向つて移動するフオトキヤリアの光導電層１
０３の側から支持体１０１の側への通過を容易に
許す機能を有するものである。 ａ―（SixC1-x）y：Ｈ1-yで構成される中間層１
０２の形成はグロー放電法、スパツターリング
法、イオンインプランテーシヨン法、イオンプレ
ーテイング法、エレクトロンビーム法等によつて
成される。これ等の製造法は、製造条件、設備資
本投下の負荷程度、製造規模、作製される光導電
部材に所望される特性等の要因によつて適宜選択
されて採用されるが、所望する特性を有する光導
電部材を製造する為の作製条件の制御が比較的容
易である、シリコン原子と共に炭素原子及び水素
原子を作製する中間層中に導入するが容易に行え
る等の利点からグロー放電法或いはスパツターリ
ング法が好適に採用される。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して中間
層１０２を形成しても良い。 グロー放電法によつて中間層１０２を形成する
には、ａ―（SixC1-x）y：Ｈ1-y形成用の原料ガス
を、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混
合して、支持体１０１の設置してある真空堆積用
の堆積室に導入し、導入されたガスをグロー放電
を生起させることでガスプラズマ化して前記支持
体１０１上にａ―（SixC1-x）y：Ｈ1-yを堆積させ
れば良い。 本発明に於いてａ―（SixC1-x）y：Ｈ1-y形成用
の原料ガスとしては、Si，Ｃ，Ｈの中の少なくと
も１つを構成原子とするガス状の物質又はガス化
し得る物質をガス化したものの中の大概のものが
使用され得る。 Si，Ｃ，Ｈの中の１つとしてSiを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構成原
子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガ
スと、Ｈを構成原子とする原料ガスとを所望の混
合比で混合して使用するか、又は、Siを構成原子
とする原料ガスと、Ｃ及びＨを構成原子とする原
料ガスとを、これも又所望の混合比で混合する
か、或いは、Siを構成原子とする原料ガスと、
Si，Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガスと
を混合して使用することが出来る。 又、別には、SiとＨとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明に於いて、中間層１０２形成用の原料ガ
スとして有効に使用されるのは、SiとＨとを構成
原子とするSiH4，Si2H6，Si3H8，Si4H10等のシラ
ン（Silane）類等の水素化硅素ガス、ＣとＨとを
構成原子とする。例えば炭素数１〜５の飽和炭化
水素、炭素数２〜５のエチレン系炭化水素、炭素
数２〜４のアセチレン系炭化水素等が挙げられ
る。 具体的には、飽和炭化水素としてはメタン
（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン（C3H3）、ｎ
―ブタン（ｎ―C4H10）、ペンタン（C5H12）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C2H4）、
プロピレン（C3H6）、ブテン―１（C4H8）、ブテ
ン―２（C4H8）、イソブチレン（C4H8）、ペンテ
ン（C5H10）、アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C2H2）、メチルアセチレン
（C3H4）、ブチン（C4H6）等が挙げられる。 SiとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとして
は、Si（CH3）4、Si（C2H5）4等のケイ化アルキル
を挙げることが出来る。これ等の原料ガスの他、
Ｈ導入用の原料ガスとしては勿論H2も有効なも
のとして使用される。 スパツターリング法によつて中間層１０２を形
成するには、単結晶又は多結晶のSiウエーハー又
はＣウエーハー又はSiとＣが混合されて含有され
ているウエーハーをターゲツトとして、これ等を
種々のガス雰囲気中でスパツターリングすること
によつて行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＣとＨを導入する為の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツターリングす
れば良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、少なくともＨ原子を含有す
るガス雰囲気中でスパツターリングすることによ
つて成される。 Ｃ又はＨ導入用の原料ガスとしては、先述した
グロー放電の例で示した原料ガスが、スパツター
リングの場合にも有効なガスとして使用され得
る。 本発明に於いて、中間層１０２をグロー放電法
又はスパツターリング法で形成する際に使用され
る稀釈ガスとしては、所謂・希ガス、例えば
He，Ne，Ar等が好適なものとして挙げることが
出来る。 本発明に於ける中間層１０２は、その要求され
る特性が所望通りに与えられる様に注意深く形成
される。 即ち、Si，Ｃ、及びＨを構成原子とする物質は
その作成条件によつて構造的には結晶からアモル
フアスまでの形態を取り、電気物性的には導電性
から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導
電的性質から非光導電的性質までの間の性質を、
各々示すので、本発明に於いては、非光導電性の
ａ―（SixC1-x）y：Ｈ1-yが形成される様に、その
作成条件の選択が厳密に成される。 本発明の中間層１０２を構成するａ―
（SixC1-x）y：Ｈ1-yは中間層１０２の機能が、支
持体１０１側から光導電層１０３中へのキヤリア
の注入を阻止し、且つ光導電層１０３中で発生し
たフオトキヤリアが移動して支持体１０１側に通
過するのを容易に許すことを果すものであること
から、電気絶縁性的挙動を示すものとして形成さ
れる。 又、光導電層１０３中で発生したフオトキヤリ
アが中間層１０２中を通過する際、その通過がス
ムーズに成される程度に通過するキヤリアに対す
る易動度（mobility）の値を有するものとしてａ
―（SixC1-x）y：Ｈ1-yが作成される。 上記の様な特性を有するａ―（SixC1-x）y：Ｈ1
−ｙが作成される為の作成条件の中の重要な要素と
して、作成時の支持体温度を挙げる事が出来る。 即ち、支持体１０１の表面にａ―（SixC1-x）
y：Ｈ1-yから成る中間層１０２を形成する際、層
形成中の支持体温度は、形成される層の構造及び
特性を左右する重要な因子であつて、本発明に於
いては、目的とする特性を有するａ―
（SixC1-x）y：Ｈ1-yが所望通りに作成され得る様
に層作成時の支持体温度が厳密に制御される。 本発明に於ける目的が効果的に達成される為の
中間層１０２を形成する際の支持体温度としては
中間層１０２の形成法に併せて適宜最適範囲が選
択されて、中間層１０２の形成が実行されるが、
通常の場合、100℃〜300℃好適には150℃〜250℃
とされるのが望ましいものである。中間層１０２
の形成には、同一系内で中間層１０２から光導電
層１０３、更には必要に応じて光導電層１０３上
に形成される第３の層まで連続的に形成する事が
出来る、各層を構成する原子の組成比の微妙な制
御や層厚の制御が他の方法に較べて比較的容易で
ある事等の為に、グロー放電法やスパツターリン
グ法の採用が有利であるが、これ等の層形成法で
中間層１０２を形成する場合には、前記の支持体
温度と同様に層形成の際の放電パワー、ガス圧が
作成されるａ―（SixC1-x）y：Ｈ1-yの特性を左右
する重要な因子の１つである。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ―（SixC1-x）y：Ｈ1-yが生産性良く効果的
に作形される為の放電パワー条件としては、通常
１〜30W、好適には２〜10Wである。堆積室内の
ガス圧は通常0.01〜1Torr、好適には0.1〜
0.5Torr程度とされるのが望ましい。 本発明の光導電部材に於ける中間層１０２に含
有される炭素原子及び水素原子の量は、中間層１
０２の作製条件と同様、本発明の目的を達成する
所望の特性が得られる中間層が形成される重要な
因子である。 本発明における中間層１０２に含有される炭素
原子の量は通常40〜90atomic％、好適には50〜
80atomic％とされるのが望ましいものである。
水素原子の含有量としては、通常の場合２〜
35atomic％、好適には５〜30atomic％とされる
のが望ましく、これ等の範囲に水素含有量がある
場合に形成される光導電部材は、実際面において
優れたものとして充分適用させ得るものである。 即ち、先のａ―（SixC1-x）y：Ｈ1-yの表示で行
えばｘが通常は0.1〜0.35、好適には0.15〜0.30、
ｙが通常0.98〜0.65、好適には0.95〜0.70であ
る。 本発明における中間層１０２の層厚の数値範囲
は、本発明の目的を効果的に達成する為の重要な
因子の１つである。中間層１０２の層厚が充分過
ぎる程に薄いと、支持体１０１の側からの光導電
層１０３へのキヤリアの流入を阻止する働きが充
分果し得なくなり、又、充分過ぎる程以上に厚い
と、光導電層１０３中に於いて生ずるフオトキヤ
リアの支持体１０１の側への通過する確率が極め
て小さくなり、従つて、いずれの場合にも本発明
の目的を効果的に達成され得なくなる。 本発明の目的を効果的に達成する為の中間層１
０２の層厚としては、通常の場合、30〜1000Å好
適には50〜600Åである。 本発明に於いて、その目的を効果的に達成する
為に、中間層１０２上に積層される光導電層１０
３は、下記に示す半導体特性を有するａ―Si：Ｈ
で構成される。 ｐ型ａ―Si：Ｈ…アクセプターのみを含むも
の。或いは、ドナーとアクセプターとの両方を
含み、アクセプターの濃度（Na）が高いも
の。 ｐ―型ａ―Si：Ｈ…のタイプに於いてアク
セプターの濃度（Na）が低い所謂ｐ型不純物
をライトリードープしたもの。 ｎ型ａ―Si：Ｈ…ドナーのみを含むもの。或
いはドナーとアクセプターの両方を含み、ドナ
ー濃度（Nd）が高いもの。 ｎ―型ａ―Si：Ｈ…のタイプに於いてドナ
ーの濃度（Nd）が低い。所謂ｎ型不純物をラ
イトリードープしたもの。 ｉ型ａ―Si：Ｈ…NaNdＯのもの又は、
NaNdのもの。 本発明に於いては、中間層１０２を設けること
によつて前記したように光導電層１０３を構成す
るａ―Si：Ｈは、従来に較べて比較的低抵抗のも
のも使用され得るものであるが、一層良好な結果
を得る為には、形成される光導電層１０３の暗抵
抗が好適には５×109Ωcm以上、最適には1010Ω
cm以上となる様に光導電層１０３が形成されるの
が望ましいものである。 殊に、この暗抵抗値の数値条件は、作製された
光導電部材を電子写真用像形成部材や、低照度領
域で使用される高感度の読取装置や固体撮像装
置、或いは光電変換装置として使用する場合には
重要な要素である。 本発明に於ける光導電層部材の光導電層の層厚
としては、取読装置、固体撮像装置或いは電子写
真用像形成部材の適用するものの目的に適合させ
て所望に従つて適宜決定される。 本発明に於いては、光導電層の層厚としては、
光導電層の機能及び中間層の機能が各々有効に活
されて本発明の目的が効果的に達成される様に中
間層との層厚関係に於いて適宜所望に従つて決め
られるものであり、通常の場合、中間層の層厚に
対して数百〜数千倍以上の層厚とされるのが好ま
しいものである。 具体的な値としては、通常１〜100μ、好適に
は２〜50μの範囲とされるのが望ましい。 本発明に於いて、光導電層を、ａ―Si：Ｈで構
成された層とするには、これ等の層を形成する
際、次の様な方法によつてＨを層中に含有させ
る。 ここに於いて、「層中Ｈが含有されている」と
いうことは、「Ｈが、Siと結合した状態」「Ｈがイ
オン化して層中に取り込まれている状態」又は
「H2として層中に取り込まれている状態」の何れ
かの又はこれ等の複合されている状態を意味す
る。 光導電層へのＨの含有法としては、例えば層を
形成する際、堆積装置系内にSiH4，Si2H6，
Si3H8，Si4H10等のシラン（Silane）類等のシリコ
ン化合物の形で導入し、グロー放電分解法によつ
て、それらの化合物を分解して、層の成長に併せ
て含有される。 このグロー放電法によつて、光導電層を形成す
る場合には、ａ―Siを形成する出発物質がSiH4，
Si2H6、Si3H8、Si4H10等の水素化硅素ガスが分解
して層が形成される際、Ｈは自動的に層中に含有
される。 反応スパツターリング法による場合にはHeや
Ar等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースと
した混合ガス雰囲気中でSiをターゲツトとしてス
パツターリング行なう際にH2ガスを導入してや
るか又はSiH4，Si2H4，Si3H8，Si4H10等の水素化
硅素ガス、或いは、不純物のドーピングも兼ねて
B2H6、PH３等のガスを導入してやれば良い。 本発明者等の知見によれば、ａ―Si：Ｈで構成
される光導電層のＨの含有量は、形成された光導
電部材が実際面に於いて充分適用され得るか否か
を左右する大きな要因の一つであつて極めて重要
であることが判明している。 本発明に於いて、形成される光導電部材が実際
面に充分適用させ得る為には、光導電層中に含有
されるＨの量は通常の場合１〜40atomic％、好
適には５〜30atomic％とされるのが望ましい。 層中に含有されるＨの量を制御するには、例え
ば堆積支持体温度又は／及びＨを含有させる為に
使用される出発物質の堆積装置系内へ導入する
量、放電々力等を制御してやれば良い。 光導電層をｎ型又はｐ型とするには、グロー放
電法や反応スパツターリング法等による層形成の
際に、ｎ型不純物又は、ｐ型不純物、或いは両不
純物を形成される層中にその量を制御し乍らドー
ピングしてやる事によつて成される。 光導電層中にドーピングされる不純物として
は、光導電層をｐ型にするには、周期律表第族
Ａの元素、例えば、Ｂ，Al，Ga，In，Tl等が好
適なものとして挙げられ、ｎ型にする場合には、
周期律表第Ｖ族Ａの元素、例えば、Ｎ，Ｐ，
As，Sb，Bi等が好適なものとして挙げられる。
これ等の不純物は、層中に含有される量がppm
オーダーであるので、光導電層を構成する主物質
程その公害性に注意を払う必要はないが出来る限
り公害性のないものを使用するのが好ましい。こ
の様な観点からすれば、形成される層の電気的・
光学的特性を加味して、例えば、Ｂ，As，Ｐ，
Sb等が最適である。この他に、例えば、熱拡散
やインプランテーシヨンによつてLi等がインター
ステイシアルにドーピングされることでｎ型に制
御することも可能である。光導電層中にドーピン
グされる不純物の量は、所望される電気的・光学
的特性に応じて適宜決定されるが、周期律表第
族Ａの不純物の場合には、通常10-6〜10-3atomic
％、好適には10-5〜10-4atomic％、周期律表第Ｖ
族Ａの場合には通常10-8〜10-3atomic％、好適に
は10-8〜10-4atomic％とされるのが望ましい。 第２図には、本発明の光導電部材の別の実施態
様例の構成を説明する為の模式的構成図が示され
る。 第２図に示される光導電部材２００は、光導電
層２０３の上に、中間層２０２と同様の機能を有
する上部層２０５を設けた以外は、第１図に示す
光導電部材１００と同様の層構造を有するもので
ある。 即ち、光導電部材２００は、支持体２０１の上
に中間層１０２と同様の材料であるａ―
（SixC1-x）y：Ｈ1-yを使用して同様の機能を有す
る様に形成された中間層２０２と、ａ―Si：Ｈで
構成される光導電層２０３と、該光導電層２０３
上に設けられ自由表面２０４を有する上部層２０
５を具備している。 上部層２０５は、例えば光導電部材２００を自
由表面２０４に帯電処理を施して電荷像を形成す
る場合の様な使い方をする際、自由表面２０４に
保持される可き電荷が光導電層２０３中に流入す
るのを阻止し且つ、電磁波の照射を受けた際には
光導電層２０３中に発生したフオトキヤリアと、
電磁場の照射を受けた部分の帯電々荷とがリコン
ビネーシヨンを起す様に、フオトキヤリアの通過
又は帯電々荷の通過を容易に許す機能を有する。 上部層２０５は、中間層２０２と同様の特性を
有するａ―（SixC1-x）：Ｈ1-yで構成される他ａ
―SiaN1-a、（ａ―SiaN1-a）b：Ｈ1-b、ａ―
SicO1-c、（ａ―SicO1-c）d：Ｈ1-d等の光導電層を
構成する母体原子である、シリコン原子と窒素原
子又は酸素原子とで構成されるか又は、これ等の
原子を母体とし水素原子を含むアモルフアス材
料、SiNO，Al2O3等の無機絶縁性材料、ポリエス
テル、ポリパラキシリレン、ポリウレタン等の有
機絶縁性材料で構成することも出来る。 而乍ら、上部層２０５を構成する材料としては
生産性、量産性及び形成された層の電気的及び使
用環境的安定性等の点から、中間層２０２と同様
の特性を有するａ―（SixC1-x）y：Ｈ1-yで構成す
るか又は、水素原子を含まないａ―SixC1-xで構
成するのが望ましい。 上部層２０５を構成する材料としては、上記に
挙げた物質の他好適なものとしては、シリコン原
子と、Ｃ，Ｎ，Ｏの中の少なくとも２つの原子と
を母体とし、ハロゲン原子か又はハロゲン原子と
水素原子とを含むアモルフアス材料を挙げること
が出来る。 ハロゲン原子としては、Ｆ，Cl，Br等が挙げ
られるが、熱的安定性の点から上記アモルフアス
材料の中Ｆを含有するものが有効である。 上部層２０５を構成する材料の選択及びその層
厚の決定は、上部層２０５側より光導電層２０３
の感受する電磁波を照射する様にして光導電部材
２００を使用する場合には、照射される電磁波が
光導電層２０３に充分量到達して、効率良く、フ
オトキヤリアの発生を引起させ得る様に注意深く
成される。 本発明に於ける上部層２０５の層厚としては、
前述した機能が充分発揮される様に、層を構成す
る材料、層形成条件等によつて所望に従つて適宜
決定される。 本発明に於ける上部層２０５の層厚としては、
通常の場合、30〜1000Å、好適には50〜600Åと
されるのが望ましいものである。 本発明の光導電部材を電子写真用像形成部材と
して使用する場合にある種の電子写真プロセスを
採用するのであれば、第１図又は第２図に示され
る層構成の光導電部材の自由表面上に更に表面被
覆層を設ける必要がある。 この場合の表面被覆層は、例えば、特公昭42−
23910号公報、同43−24748号公報に記載されてい
るNP方式の様な電子写真プロセスを適用するの
であれば、電気的絶縁性であつて、帯電処理を受
けた際の静電荷保持能が充分あつて、ある程度以
上の厚みがあることが要求されるが、例えば、カ
ールソンプロセスの如き電子写真プロセスを適用
するのであれば、静電像形成後の明暗の電位は非
常に小さいことが望ましいので表面被覆層の厚さ
としては非常に薄いことが要求される。表面被覆
層は、その所望される電気的特性を満足するのに
加えて、光導電層又は上部層に化学的・物理的に
悪影響を与えないこと光導電層又は上部層との電
気的接触性及び装着性、更には耐湿性、耐摩耗
性、クリーニング性当を考慮して形成される。 表面被覆層の形成材料として有効に使用される
ものとして、その代表的なのは、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリカーボネート、ポリプロピレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
ビニルアルコール、ポリスチレン、ポリアミド、
ポリ四弗化エチレン、ポリ三弗化塩化エチレン、
ポリ弗化ビニル、ポリ弗化ビニリデン、六弗化プ
ロピレン一四弗化エチレンコポリマー、三弗化エ
チレン一弗化ビニリデンコポリマー、ポリブデ
ン、ポリビニルブチラール、ポリウレタン、ポリ
パラキシリレン等の有機絶縁体、シリコン窒化
物、シリコン酸化物等の無機絶縁体等が挙げられ
る。これ等の合成樹脂又はセルロース誘導体はフ
イルム状とされて光導電層又は上部層の上に貼合
されても良く、又、それ等の塗布液を形成して、
光導電層又は上部層上に塗布し、層形成しても良
い。表面被覆層の層厚は、所望される特性に応じ
て、又、使用される材質によつて適宜決定される
が、通常の場合、0.5〜70μ程度とされる。殊に
表面被覆層が先述した保護層としての機能が要求
される場合には、通常の場合、10μ以下とされ、
逆に電気的絶縁層としての機能が要求される場合
には、通常の場合10μ以上とされる。而乍ら、こ
の保護層と電気絶縁層とを差別する層厚値は、使
用材料及び適用される電子写真プロセス、設計さ
れる像形成部材の構造によつて、変動するもの
で、先の10μという値は絶対的なものではない。 又、この表面被覆層は、反射防止層としての役
目も荷わせれば、その機能が一層拡大されて効果
的となる。 実施例 １ 完全にシールドされたクリーンルーム中に設置
された第３図に示す装置を用い、以下の如き操作
によつて電子写真用像形成部材を作製した。 表面が清浄にされた0.5mm厚10cm角のモリブデ
ン板（基板）３０９を支持台３０２上に静置され
たグロー放電堆積室３０１内の所定位置にある固
定部材３０３に堅固に固定した。基板３０９は、
固定部材３０３内の加熱ヒーター３０８によつて
±0.5℃の精度で加熱される。温度は、熱電対
（アルメルークロメル）によつて基板裏面を直接
測定されるようになされた。次いで系内の全バル
ブが閉じられていることを確認してからメインバ
ルブ３１０を全開して、室３０１内が排気され、
約５×10-6Torrの真空度にした。その後ヒータ
ー３０８の入力電圧を上昇させ、モリブデン基板
温度を検知しながら入力電圧を変化させ、200℃
の一定値になるまで安定させた。 その後、補助バルブ３４０、次いで流出バルブ
３２５，３２６，２７及び流入バルブ３２０，３
２１，３２２を全開し、フローメーター３１６，
３１７，３１８内も十分脱気真空状態にされた。
補助バルブ３４０、バルブ３２５，３２６，３２
７，３２０，３２１，３２２を閉じた後、H2で
10vol％に稀釈されたSiH4ガス（純度99.999％）
ボンベ３１１のバルブ３３０、H2で10vol％に稀
釈されたC2H4ガスボンベ３１２のバルブ３３１
を開け、出口圧ゲージ３３５，３３６の圧を１
Kg／cm2に調整し、流入バルブ３２０，３２１を
徐々に開けてフローメーター３１６，３１７内へ
SiH4ガスC2H4ガスを流入させた。引続いて、流
出バルブ３２５，３２６を徐々に開け、次いで補
助バルブ３４０を徐々に開けた。このときSiH4
ガス流量とC2H4ガス流量比が１：９になるよう
に流入バルブ３２０，３２１を調整した。次にピ
ラニーゲジ３４１の読みを注視しながら補助バル
ブ３４０の開口を調整し、室３０１内が１×
10-2Torrになるまで補助バルブ３４０を開け
た。室３０１内圧が安定してから、メインバルブ
３１０を徐々に閉じ、ピラニーゲージ３４１の指
示が0.5Torrになるまで開口を絞つた。ガス流入
が安定し内圧が安定するのを確認し続いて高周波
電源３４２のスイツチをON状態にして、誘導コ
イル３４３に、13.56MHzの高周波電力を投入し
コイル部（室上部）の室３０１内にグロー放電を
発生させ、3Wの入力電力とした。上記条件で基
板上にａ―（SixC1-x）y：Ｈ1-yを堆積させる為
に、１分間条件を保つて中間層を形成した。その
後、高周波電源３４２をoff状態とし、グロー放
電を中子させた状態で、流出バルブ３２６を閉
じ、次にH2で50vol ppmに稀釈されたB2H6ガス
ボンベ３１３から流入バルブ３２２を通じて１
Kg／cm2のガス圧（出口圧ゲージ３３７の読み）
で、流入バルブ３２２、流出バルブ３２７の調整
によつてフロメータ３１８の読みが、SiH4ガス
の流量の1/50になる様に流出バルブ３２７の開口
を定め、安定化させた。 引き続き、再び高周波電源３４２をON状態に
して、グロー放電を再開させた。そのときの入力
電力を10Wにし、以前より増加させた。こうして
グロー放電を更に３時間持続させて光導電層を形
成した後、加熱ヒーター３０８をoff状態にし、
高周波電源３４２もoff状態とし、基板温度が100
℃になるのを待つてから流出バルブ３２５，３２
７及び流入バルブ３２０，３２２を閉じ、メイン
バルブ３１０を全開にして、室３０１内を
10-5Torr以下にした後、メインバルブ３１０を
閉じ室３０１内をリークバルブ３４４によつて大
気圧として基板を取り出した。この場合、形成さ
れた層の全厚は約９μであつた。こうして得られ
た像形成部材を、帯電露光実験装置に設置し、
6.0KVで0.2sec間コロナ帯電を行い、直ちに光像
を照射した。光像は、タングステンランプ光源を
用い、1.0lux・secの光量を透過型のテストチヤ
ートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を部材表面にカスケードするこ
とによつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を、−5.0KVのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調
再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 次に上記像形成部材に就て、帯電露光実験装置
で5.5KVで、0.2sec間のコロナ帯電を行い、直
ちに0.8lux・secの光量で、画像露光を行い、そ
の後直ちに荷電性の現像剤を部材表面にカスケ
ードし、次に転写紙上に転写・定着したところ、
極めて鮮明な画像が得られた。 この結果と先の結果から、本実施例で得られた
電子写真用像形成部材は、帯電極性に対する依存
性がなく、両極性像形成部材の特性を具備してい
ることが判つた。 実施例 ２ モリブデン基板上に中間層を形成する際のグロ
ー放電保持時間を、下記の第１表に示す様に、
種々変化させた以外は、実施例１と全く同様の条
件及び手順によつて試料No.〜で示される像形
成部材を作成し、実施例１と全く同様の帯電露光
実験装置に設置して同様の画像形成を行つたとこ
ろ下記の第１表に示す如き結果を得た。 第１表に示される結果から判る様に本発明の目
的を達成するには、中間層の膜厚を30Å〜1000Å
の範囲で形成する必要がある。
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある光導電部材に関す
る。固体撮像装置、或いは像形成分野に於ける電
子写真用像形成部材や原稿読取装置等に於ける光
導電層を構成する光導電材料としては、高感度
で、SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高
く、照射する電磁波のスペクトル特性を有するこ
と、光応答性が良好で、所望の暗抵抗値を有する
こと、使用時に於いて人体に対して無公害である
事、更には、撮像装置に於いては、残像を所定時
間内に容易に処理出来る事等の特性が要求され
る。殊に、事務機としてオフイスで使用される電
子写真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材
の場合には、上記の使用時に於ける無公害性は重
要な点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと記
す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、特開昭55−39404号公報には光電変換
読取装置への応用が記載されてある。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性及び耐候
性、耐湿性等の使用環境特性の点に於いて、更に
改良される可き点が存し、実用的な固体撮像装置
や読取装置、電子写真用像形成部材等には、生産
性、量産性をも加味して仲々有効に使用し得ない
のが実情である。 例えば、電子写真用像形成部材や固体撮像装置
に適用した場合に、その使用時に於いて残留電位
が残る場合が度々観測され、この様な種の光導電
部材は繰返し長時間使用し続けると、繰返し使用
による疲労の蓄積が起る、残像が生ずる所謂ゴー
スト現象を発する様になる等の不都合な点が少な
くなかつた。 更には、例えば本発明者等の多くの実験によれ
ば、電子写真用像形成部材の光導電層を構成する
材料としてのａ―Siは従来のSe，CdS，ZnO或い
はPVCzやTNF等のOPC（有機光導電部材）に較
べて、数多くの利点を有するが、従来の太陽電池
用として使用する為の特性が付与されたａ―Siか
ら成る単層構成の光導電層有する電子写真用像形
成部材の上記光導電層に静電像形成の為の帯電処
理を施しても暗減衰（dark decay）が著しく速
く、通常の電子写真法が仲々適用され難い事、及
び多湿雰囲気中に於いては上記傾向が著しく、場
合によつては現像時間まで帯電電荷を全く保持し
得ない事がある等、解決され得る可き点が存在し
ている事が判明している。 従つて、ａ―Si材料そのものの特性改良が計ら
れる一方で光導電部材を設計する際に、所望の電
気的、光学的及び光導電的特性が得られる様に工
夫される必要がある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
―Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、シリコン原子を母体とし
て水素原子を含有するアモルフアス材料、所謂水
素化アモルフアスシリコン（以後ａ―Si；Ｈと記
す）から成る光導電層と、該光導電層を支持する
支持体との間に特定の中間層を介在させる層構成
に設計されて作製された光導電部材は実用的に充
分使用し得るばかりでなく、従来の光導電部材と
較べてみても殆んどの点に於いて凌駕しているこ
と、殊に電子写真用の光導電部材として著しく優
れた特性を有していることを見出した点に基いて
いる。 本発明は電気的・光学的・光導電的特性が常時
安定していて、殆んど使用環境に制限を受けない
全環境型であり、耐光疲労に著しく長け、繰返し
使用に際しても劣化現象を起さず、残留電位が全
く又は殆んど観測されない光導電部材を提供する
ことを主たる目的とする。 本発明の別の目的は、光感度が高く、分光感度
領域も略々全可視光域を覆つていて、且つ光応答
性の速い光導電部材を提供することである。 本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材
として適用させた場合通常の電子写真法が極めて
有効に適用され得る程度に、静電像形成の為の帯
電処理の際の電荷保持能が充分あり、且つ多湿雰
囲気中でもその特性の低下が殆んど観測されない
優れた電子写真特性を有する光導電部材を提供す
ることである。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得る事が容易に出来る電子写真用の光導電部
材を提供することである。 本発明の光導電部材は、支持体と、シリコン原
子を母体とし、水素原子を含むアモルフアス材料
で構成されている光導電層と、これらの間に設け
られ、前記支持体側から前記光導電層中へのキヤ
リヤの流入を阻止し且つ電磁波照射によつて前記
光導電層中に生じ前記支持体側に向つて移動する
キヤリヤの前記光導電層側から前記支持体側への
通過を許す機能を有する中間層とを備えた光導電
部材に於て、前記中間層は、（SixC1-x）YＨ1-Y
（但し、0.1≦Ｘ≦0.35、0.65≦Ｙ≦0.98）で示さ
れるアモルフアス材料で構成され、30〜1000Åの
層厚を有する事を特徴とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し
得、極めてすぐれた電気的・光学的・光導電的特
性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材或いは撮像装置と
して適用させた場合には帯電処理の際の電荷保持
能に長け、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、多湿雰囲気中でもその電気的特性が安定して
おり高感度で、高SN比を有するものであつて耐
光疲労、繰返し使用性に著しく長け、更に電子写
真用像形成部材の場合には濃度が高く、ハーフト
ーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品質の
可視画像を得る事が出来る。 又、電子写真用像形成部材に適用させる場合、
高暗抵抗のａ―Si：Ｈは光感度が低く、逆に光感
度の高いａ―Si：Ｈは暗抵抗が108Ωcm前後と低
く、いずれの場合にも、従来の層構成の光導電層
のままでは電子写真用の像形成部材には適用され
なかつたのに対して、本発明の場合には、比較的
低抵抗（５×109Ωcm以上）のａ―Si：Ｈ層でも
電子写真用の光導電層を構成することができるの
で、抵抗は比較的低いが高感度であるａ―Si：Ｈ
も充分使用し得、ａ―Si：Ｈの特性面からの制約
が軽減され得る。 以下、図面に従つて、本発に明の光導電部材に
就て詳細に説明する。 第１図は、本発明の光導電部材の基本的な構成
例を説明する為に模式的に示した模式的構成図で
ある。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、中間層１０２、
該中間層１０２に直接接触した状態に設けられて
いる光導電層１０３とで構成される層構造を有
し、本発明の最も基本的な例である。 支持体１０１としては、導電性でも電気性でも
電気絶縁性であつても良い。導電性支持体として
は、例えば、NiCr、ステンレス、Al，Cr，Mo，
Au，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd等の金属又は
これ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズ、ア
セテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等
の合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラ
ミツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶
縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面がNiCr，
Al，Mo，Au，Ir，No，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd，
In2O3，SnO2，ITO（In2O3＋SnO2）等の薄膜を設
けることによつて導電処理され、或いはポリエス
テルフイルム等の合成樹脂フイルムであれば、
NiCr，Al，Ag，Pb，Zn，Ni，Au，Cr，Mo，
Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt等の金属で真空蒸着、
電子ビーム蒸着、スパツタリング等で処理し、又
は前記金属でラミネート処理して、その表面が導
電処理される。支持体の形状としては、円筒状、
ベルト状、板状等、任意の形状とし得、所望によ
つて、その形状は決定されるが、例えば、第１図
の光導電部材１００を電子写真用像形成部材とし
て使用するのであれば連続高速複写の場合には、
無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支
持体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成され
る様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓
性が要求される場合には、支持体としての機能が
充分発揮される範囲内であれば、可能な限り薄く
される。而乍ら、この様な場合、支持体の製造上
及び取扱い上、機械的強度等の点から、通常は、
10μ以上とされる。 中間層１０２はシリコン原子及び炭素原子とを
母体とし、水素原子を含む、非光導電性のアモル
フアス材料〔ａ―（SixC1-x）y：Ｈ1-yと略記す
る。但し０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１〕で構成され、
支持体１０１の側から光導電層１０３中へのキヤ
リアの流入を効果的に阻止し且つ電磁波の照射に
よつて光導電層１０３中に生じ、支持体１０１の
側に向つて移動するフオトキヤリアの光導電層１
０３の側から支持体１０１の側への通過を容易に
許す機能を有するものである。 ａ―（SixC1-x）y：Ｈ1-yで構成される中間層１
０２の形成はグロー放電法、スパツターリング
法、イオンインプランテーシヨン法、イオンプレ
ーテイング法、エレクトロンビーム法等によつて
成される。これ等の製造法は、製造条件、設備資
本投下の負荷程度、製造規模、作製される光導電
部材に所望される特性等の要因によつて適宜選択
されて採用されるが、所望する特性を有する光導
電部材を製造する為の作製条件の制御が比較的容
易である、シリコン原子と共に炭素原子及び水素
原子を作製する中間層中に導入するが容易に行え
る等の利点からグロー放電法或いはスパツターリ
ング法が好適に採用される。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して中間
層１０２を形成しても良い。 グロー放電法によつて中間層１０２を形成する
には、ａ―（SixC1-x）y：Ｈ1-y形成用の原料ガス
を、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混
合して、支持体１０１の設置してある真空堆積用
の堆積室に導入し、導入されたガスをグロー放電
を生起させることでガスプラズマ化して前記支持
体１０１上にａ―（SixC1-x）y：Ｈ1-yを堆積させ
れば良い。 本発明に於いてａ―（SixC1-x）y：Ｈ1-y形成用
の原料ガスとしては、Si，Ｃ，Ｈの中の少なくと
も１つを構成原子とするガス状の物質又はガス化
し得る物質をガス化したものの中の大概のものが
使用され得る。 Si，Ｃ，Ｈの中の１つとしてSiを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構成原
子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガ
スと、Ｈを構成原子とする原料ガスとを所望の混
合比で混合して使用するか、又は、Siを構成原子
とする原料ガスと、Ｃ及びＨを構成原子とする原
料ガスとを、これも又所望の混合比で混合する
か、或いは、Siを構成原子とする原料ガスと、
Si，Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガスと
を混合して使用することが出来る。 又、別には、SiとＨとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明に於いて、中間層１０２形成用の原料ガ
スとして有効に使用されるのは、SiとＨとを構成
原子とするSiH4，Si2H6，Si3H8，Si4H10等のシラ
ン（Silane）類等の水素化硅素ガス、ＣとＨとを
構成原子とする。例えば炭素数１〜５の飽和炭化
水素、炭素数２〜５のエチレン系炭化水素、炭素
数２〜４のアセチレン系炭化水素等が挙げられ
る。 具体的には、飽和炭化水素としてはメタン
（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン（C3H3）、ｎ
―ブタン（ｎ―C4H10）、ペンタン（C5H12）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C2H4）、
プロピレン（C3H6）、ブテン―１（C4H8）、ブテ
ン―２（C4H8）、イソブチレン（C4H8）、ペンテ
ン（C5H10）、アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C2H2）、メチルアセチレン
（C3H4）、ブチン（C4H6）等が挙げられる。 SiとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとして
は、Si（CH3）4、Si（C2H5）4等のケイ化アルキル
を挙げることが出来る。これ等の原料ガスの他、
Ｈ導入用の原料ガスとしては勿論H2も有効なも
のとして使用される。 スパツターリング法によつて中間層１０２を形
成するには、単結晶又は多結晶のSiウエーハー又
はＣウエーハー又はSiとＣが混合されて含有され
ているウエーハーをターゲツトとして、これ等を
種々のガス雰囲気中でスパツターリングすること
によつて行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＣとＨを導入する為の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツターリングす
れば良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、少なくともＨ原子を含有す
るガス雰囲気中でスパツターリングすることによ
つて成される。 Ｃ又はＨ導入用の原料ガスとしては、先述した
グロー放電の例で示した原料ガスが、スパツター
リングの場合にも有効なガスとして使用され得
る。 本発明に於いて、中間層１０２をグロー放電法
又はスパツターリング法で形成する際に使用され
る稀釈ガスとしては、所謂・希ガス、例えば
He，Ne，Ar等が好適なものとして挙げることが
出来る。 本発明に於ける中間層１０２は、その要求され
る特性が所望通りに与えられる様に注意深く形成
される。 即ち、Si，Ｃ、及びＨを構成原子とする物質は
その作成条件によつて構造的には結晶からアモル
フアスまでの形態を取り、電気物性的には導電性
から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導
電的性質から非光導電的性質までの間の性質を、
各々示すので、本発明に於いては、非光導電性の
ａ―（SixC1-x）y：Ｈ1-yが形成される様に、その
作成条件の選択が厳密に成される。 本発明の中間層１０２を構成するａ―
（SixC1-x）y：Ｈ1-yは中間層１０２の機能が、支
持体１０１側から光導電層１０３中へのキヤリア
の注入を阻止し、且つ光導電層１０３中で発生し
たフオトキヤリアが移動して支持体１０１側に通
過するのを容易に許すことを果すものであること
から、電気絶縁性的挙動を示すものとして形成さ
れる。 又、光導電層１０３中で発生したフオトキヤリ
アが中間層１０２中を通過する際、その通過がス
ムーズに成される程度に通過するキヤリアに対す
る易動度（mobility）の値を有するものとしてａ
―（SixC1-x）y：Ｈ1-yが作成される。 上記の様な特性を有するａ―（SixC1-x）y：Ｈ1
−ｙが作成される為の作成条件の中の重要な要素と
して、作成時の支持体温度を挙げる事が出来る。 即ち、支持体１０１の表面にａ―（SixC1-x）
y：Ｈ1-yから成る中間層１０２を形成する際、層
形成中の支持体温度は、形成される層の構造及び
特性を左右する重要な因子であつて、本発明に於
いては、目的とする特性を有するａ―
（SixC1-x）y：Ｈ1-yが所望通りに作成され得る様
に層作成時の支持体温度が厳密に制御される。 本発明に於ける目的が効果的に達成される為の
中間層１０２を形成する際の支持体温度としては
中間層１０２の形成法に併せて適宜最適範囲が選
択されて、中間層１０２の形成が実行されるが、
通常の場合、100℃〜300℃好適には150℃〜250℃
とされるのが望ましいものである。中間層１０２
の形成には、同一系内で中間層１０２から光導電
層１０３、更には必要に応じて光導電層１０３上
に形成される第３の層まで連続的に形成する事が
出来る、各層を構成する原子の組成比の微妙な制
御や層厚の制御が他の方法に較べて比較的容易で
ある事等の為に、グロー放電法やスパツターリン
グ法の採用が有利であるが、これ等の層形成法で
中間層１０２を形成する場合には、前記の支持体
温度と同様に層形成の際の放電パワー、ガス圧が
作成されるａ―（SixC1-x）y：Ｈ1-yの特性を左右
する重要な因子の１つである。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ―（SixC1-x）y：Ｈ1-yが生産性良く効果的
に作形される為の放電パワー条件としては、通常
１〜30W、好適には２〜10Wである。堆積室内の
ガス圧は通常0.01〜1Torr、好適には0.1〜
0.5Torr程度とされるのが望ましい。 本発明の光導電部材に於ける中間層１０２に含
有される炭素原子及び水素原子の量は、中間層１
０２の作製条件と同様、本発明の目的を達成する
所望の特性が得られる中間層が形成される重要な
因子である。 本発明における中間層１０２に含有される炭素
原子の量は通常40〜90atomic％、好適には50〜
80atomic％とされるのが望ましいものである。
水素原子の含有量としては、通常の場合２〜
35atomic％、好適には５〜30atomic％とされる
のが望ましく、これ等の範囲に水素含有量がある
場合に形成される光導電部材は、実際面において
優れたものとして充分適用させ得るものである。 即ち、先のａ―（SixC1-x）y：Ｈ1-yの表示で行
えばｘが通常は0.1〜0.35、好適には0.15〜0.30、
ｙが通常0.98〜0.65、好適には0.95〜0.70であ
る。 本発明における中間層１０２の層厚の数値範囲
は、本発明の目的を効果的に達成する為の重要な
因子の１つである。中間層１０２の層厚が充分過
ぎる程に薄いと、支持体１０１の側からの光導電
層１０３へのキヤリアの流入を阻止する働きが充
分果し得なくなり、又、充分過ぎる程以上に厚い
と、光導電層１０３中に於いて生ずるフオトキヤ
リアの支持体１０１の側への通過する確率が極め
て小さくなり、従つて、いずれの場合にも本発明
の目的を効果的に達成され得なくなる。 本発明の目的を効果的に達成する為の中間層１
０２の層厚としては、通常の場合、30〜1000Å好
適には50〜600Åである。 本発明に於いて、その目的を効果的に達成する
為に、中間層１０２上に積層される光導電層１０
３は、下記に示す半導体特性を有するａ―Si：Ｈ
で構成される。 ｐ型ａ―Si：Ｈ…アクセプターのみを含むも
の。或いは、ドナーとアクセプターとの両方を
含み、アクセプターの濃度（Na）が高いも
の。 ｐ―型ａ―Si：Ｈ…のタイプに於いてアク
セプターの濃度（Na）が低い所謂ｐ型不純物
をライトリードープしたもの。 ｎ型ａ―Si：Ｈ…ドナーのみを含むもの。或
いはドナーとアクセプターの両方を含み、ドナ
ー濃度（Nd）が高いもの。 ｎ―型ａ―Si：Ｈ…のタイプに於いてドナ
ーの濃度（Nd）が低い。所謂ｎ型不純物をラ
イトリードープしたもの。 ｉ型ａ―Si：Ｈ…NaNdＯのもの又は、
NaNdのもの。 本発明に於いては、中間層１０２を設けること
によつて前記したように光導電層１０３を構成す
るａ―Si：Ｈは、従来に較べて比較的低抵抗のも
のも使用され得るものであるが、一層良好な結果
を得る為には、形成される光導電層１０３の暗抵
抗が好適には５×109Ωcm以上、最適には1010Ω
cm以上となる様に光導電層１０３が形成されるの
が望ましいものである。 殊に、この暗抵抗値の数値条件は、作製された
光導電部材を電子写真用像形成部材や、低照度領
域で使用される高感度の読取装置や固体撮像装
置、或いは光電変換装置として使用する場合には
重要な要素である。 本発明に於ける光導電層部材の光導電層の層厚
としては、取読装置、固体撮像装置或いは電子写
真用像形成部材の適用するものの目的に適合させ
て所望に従つて適宜決定される。 本発明に於いては、光導電層の層厚としては、
光導電層の機能及び中間層の機能が各々有効に活
されて本発明の目的が効果的に達成される様に中
間層との層厚関係に於いて適宜所望に従つて決め
られるものであり、通常の場合、中間層の層厚に
対して数百〜数千倍以上の層厚とされるのが好ま
しいものである。 具体的な値としては、通常１〜100μ、好適に
は２〜50μの範囲とされるのが望ましい。 本発明に於いて、光導電層を、ａ―Si：Ｈで構
成された層とするには、これ等の層を形成する
際、次の様な方法によつてＨを層中に含有させ
る。 ここに於いて、「層中Ｈが含有されている」と
いうことは、「Ｈが、Siと結合した状態」「Ｈがイ
オン化して層中に取り込まれている状態」又は
「H2として層中に取り込まれている状態」の何れ
かの又はこれ等の複合されている状態を意味す
る。 光導電層へのＨの含有法としては、例えば層を
形成する際、堆積装置系内にSiH4，Si2H6，
Si3H8，Si4H10等のシラン（Silane）類等のシリコ
ン化合物の形で導入し、グロー放電分解法によつ
て、それらの化合物を分解して、層の成長に併せ
て含有される。 このグロー放電法によつて、光導電層を形成す
る場合には、ａ―Siを形成する出発物質がSiH4，
Si2H6、Si3H8、Si4H10等の水素化硅素ガスが分解
して層が形成される際、Ｈは自動的に層中に含有
される。 反応スパツターリング法による場合にはHeや
Ar等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースと
した混合ガス雰囲気中でSiをターゲツトとしてス
パツターリング行なう際にH2ガスを導入してや
るか又はSiH4，Si2H4，Si3H8，Si4H10等の水素化
硅素ガス、或いは、不純物のドーピングも兼ねて
B2H6、PH３等のガスを導入してやれば良い。 本発明者等の知見によれば、ａ―Si：Ｈで構成
される光導電層のＨの含有量は、形成された光導
電部材が実際面に於いて充分適用され得るか否か
を左右する大きな要因の一つであつて極めて重要
であることが判明している。 本発明に於いて、形成される光導電部材が実際
面に充分適用させ得る為には、光導電層中に含有
されるＨの量は通常の場合１〜40atomic％、好
適には５〜30atomic％とされるのが望ましい。 層中に含有されるＨの量を制御するには、例え
ば堆積支持体温度又は／及びＨを含有させる為に
使用される出発物質の堆積装置系内へ導入する
量、放電々力等を制御してやれば良い。 光導電層をｎ型又はｐ型とするには、グロー放
電法や反応スパツターリング法等による層形成の
際に、ｎ型不純物又は、ｐ型不純物、或いは両不
純物を形成される層中にその量を制御し乍らドー
ピングしてやる事によつて成される。 光導電層中にドーピングされる不純物として
は、光導電層をｐ型にするには、周期律表第族
Ａの元素、例えば、Ｂ，Al，Ga，In，Tl等が好
適なものとして挙げられ、ｎ型にする場合には、
周期律表第Ｖ族Ａの元素、例えば、Ｎ，Ｐ，
As，Sb，Bi等が好適なものとして挙げられる。
これ等の不純物は、層中に含有される量がppm
オーダーであるので、光導電層を構成する主物質
程その公害性に注意を払う必要はないが出来る限
り公害性のないものを使用するのが好ましい。こ
の様な観点からすれば、形成される層の電気的・
光学的特性を加味して、例えば、Ｂ，As，Ｐ，
Sb等が最適である。この他に、例えば、熱拡散
やインプランテーシヨンによつてLi等がインター
ステイシアルにドーピングされることでｎ型に制
御することも可能である。光導電層中にドーピン
グされる不純物の量は、所望される電気的・光学
的特性に応じて適宜決定されるが、周期律表第
族Ａの不純物の場合には、通常10-6〜10-3atomic
％、好適には10-5〜10-4atomic％、周期律表第Ｖ
族Ａの場合には通常10-8〜10-3atomic％、好適に
は10-8〜10-4atomic％とされるのが望ましい。 第２図には、本発明の光導電部材の別の実施態
様例の構成を説明する為の模式的構成図が示され
る。 第２図に示される光導電部材２００は、光導電
層２０３の上に、中間層２０２と同様の機能を有
する上部層２０５を設けた以外は、第１図に示す
光導電部材１００と同様の層構造を有するもので
ある。 即ち、光導電部材２００は、支持体２０１の上
に中間層１０２と同様の材料であるａ―
（SixC1-x）y：Ｈ1-yを使用して同様の機能を有す
る様に形成された中間層２０２と、ａ―Si：Ｈで
構成される光導電層２０３と、該光導電層２０３
上に設けられ自由表面２０４を有する上部層２０
５を具備している。 上部層２０５は、例えば光導電部材２００を自
由表面２０４に帯電処理を施して電荷像を形成す
る場合の様な使い方をする際、自由表面２０４に
保持される可き電荷が光導電層２０３中に流入す
るのを阻止し且つ、電磁波の照射を受けた際には
光導電層２０３中に発生したフオトキヤリアと、
電磁場の照射を受けた部分の帯電々荷とがリコン
ビネーシヨンを起す様に、フオトキヤリアの通過
又は帯電々荷の通過を容易に許す機能を有する。 上部層２０５は、中間層２０２と同様の特性を
有するａ―（SixC1-x）：Ｈ1-yで構成される他ａ
―SiaN1-a、（ａ―SiaN1-a）b：Ｈ1-b、ａ―
SicO1-c、（ａ―SicO1-c）d：Ｈ1-d等の光導電層を
構成する母体原子である、シリコン原子と窒素原
子又は酸素原子とで構成されるか又は、これ等の
原子を母体とし水素原子を含むアモルフアス材
料、SiNO，Al2O3等の無機絶縁性材料、ポリエス
テル、ポリパラキシリレン、ポリウレタン等の有
機絶縁性材料で構成することも出来る。 而乍ら、上部層２０５を構成する材料としては
生産性、量産性及び形成された層の電気的及び使
用環境的安定性等の点から、中間層２０２と同様
の特性を有するａ―（SixC1-x）y：Ｈ1-yで構成す
るか又は、水素原子を含まないａ―SixC1-xで構
成するのが望ましい。 上部層２０５を構成する材料としては、上記に
挙げた物質の他好適なものとしては、シリコン原
子と、Ｃ，Ｎ，Ｏの中の少なくとも２つの原子と
を母体とし、ハロゲン原子か又はハロゲン原子と
水素原子とを含むアモルフアス材料を挙げること
が出来る。 ハロゲン原子としては、Ｆ，Cl，Br等が挙げ
られるが、熱的安定性の点から上記アモルフアス
材料の中Ｆを含有するものが有効である。 上部層２０５を構成する材料の選択及びその層
厚の決定は、上部層２０５側より光導電層２０３
の感受する電磁波を照射する様にして光導電部材
２００を使用する場合には、照射される電磁波が
光導電層２０３に充分量到達して、効率良く、フ
オトキヤリアの発生を引起させ得る様に注意深く
成される。 本発明に於ける上部層２０５の層厚としては、
前述した機能が充分発揮される様に、層を構成す
る材料、層形成条件等によつて所望に従つて適宜
決定される。 本発明に於ける上部層２０５の層厚としては、
通常の場合、30〜1000Å、好適には50〜600Åと
されるのが望ましいものである。 本発明の光導電部材を電子写真用像形成部材と
して使用する場合にある種の電子写真プロセスを
採用するのであれば、第１図又は第２図に示され
る層構成の光導電部材の自由表面上に更に表面被
覆層を設ける必要がある。 この場合の表面被覆層は、例えば、特公昭42−
23910号公報、同43−24748号公報に記載されてい
るNP方式の様な電子写真プロセスを適用するの
であれば、電気的絶縁性であつて、帯電処理を受
けた際の静電荷保持能が充分あつて、ある程度以
上の厚みがあることが要求されるが、例えば、カ
ールソンプロセスの如き電子写真プロセスを適用
するのであれば、静電像形成後の明暗の電位は非
常に小さいことが望ましいので表面被覆層の厚さ
としては非常に薄いことが要求される。表面被覆
層は、その所望される電気的特性を満足するのに
加えて、光導電層又は上部層に化学的・物理的に
悪影響を与えないこと光導電層又は上部層との電
気的接触性及び装着性、更には耐湿性、耐摩耗
性、クリーニング性当を考慮して形成される。 表面被覆層の形成材料として有効に使用される
ものとして、その代表的なのは、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリカーボネート、ポリプロピレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
ビニルアルコール、ポリスチレン、ポリアミド、
ポリ四弗化エチレン、ポリ三弗化塩化エチレン、
ポリ弗化ビニル、ポリ弗化ビニリデン、六弗化プ
ロピレン一四弗化エチレンコポリマー、三弗化エ
チレン一弗化ビニリデンコポリマー、ポリブデ
ン、ポリビニルブチラール、ポリウレタン、ポリ
パラキシリレン等の有機絶縁体、シリコン窒化
物、シリコン酸化物等の無機絶縁体等が挙げられ
る。これ等の合成樹脂又はセルロース誘導体はフ
イルム状とされて光導電層又は上部層の上に貼合
されても良く、又、それ等の塗布液を形成して、
光導電層又は上部層上に塗布し、層形成しても良
い。表面被覆層の層厚は、所望される特性に応じ
て、又、使用される材質によつて適宜決定される
が、通常の場合、0.5〜70μ程度とされる。殊に
表面被覆層が先述した保護層としての機能が要求
される場合には、通常の場合、10μ以下とされ、
逆に電気的絶縁層としての機能が要求される場合
には、通常の場合10μ以上とされる。而乍ら、こ
の保護層と電気絶縁層とを差別する層厚値は、使
用材料及び適用される電子写真プロセス、設計さ
れる像形成部材の構造によつて、変動するもの
で、先の10μという値は絶対的なものではない。 又、この表面被覆層は、反射防止層としての役
目も荷わせれば、その機能が一層拡大されて効果
的となる。 実施例 １ 完全にシールドされたクリーンルーム中に設置
された第３図に示す装置を用い、以下の如き操作
によつて電子写真用像形成部材を作製した。 表面が清浄にされた0.5mm厚10cm角のモリブデ
ン板（基板）３０９を支持台３０２上に静置され
たグロー放電堆積室３０１内の所定位置にある固
定部材３０３に堅固に固定した。基板３０９は、
固定部材３０３内の加熱ヒーター３０８によつて
±0.5℃の精度で加熱される。温度は、熱電対
（アルメルークロメル）によつて基板裏面を直接
測定されるようになされた。次いで系内の全バル
ブが閉じられていることを確認してからメインバ
ルブ３１０を全開して、室３０１内が排気され、
約５×10-6Torrの真空度にした。その後ヒータ
ー３０８の入力電圧を上昇させ、モリブデン基板
温度を検知しながら入力電圧を変化させ、200℃
の一定値になるまで安定させた。 その後、補助バルブ３４０、次いで流出バルブ
３２５，３２６，２７及び流入バルブ３２０，３
２１，３２２を全開し、フローメーター３１６，
３１７，３１８内も十分脱気真空状態にされた。
補助バルブ３４０、バルブ３２５，３２６，３２
７，３２０，３２１，３２２を閉じた後、H2で
10vol％に稀釈されたSiH4ガス（純度99.999％）
ボンベ３１１のバルブ３３０、H2で10vol％に稀
釈されたC2H4ガスボンベ３１２のバルブ３３１
を開け、出口圧ゲージ３３５，３３６の圧を１
Kg／cm2に調整し、流入バルブ３２０，３２１を
徐々に開けてフローメーター３１６，３１７内へ
SiH4ガスC2H4ガスを流入させた。引続いて、流
出バルブ３２５，３２６を徐々に開け、次いで補
助バルブ３４０を徐々に開けた。このときSiH4
ガス流量とC2H4ガス流量比が１：９になるよう
に流入バルブ３２０，３２１を調整した。次にピ
ラニーゲジ３４１の読みを注視しながら補助バル
ブ３４０の開口を調整し、室３０１内が１×
10-2Torrになるまで補助バルブ３４０を開け
た。室３０１内圧が安定してから、メインバルブ
３１０を徐々に閉じ、ピラニーゲージ３４１の指
示が0.5Torrになるまで開口を絞つた。ガス流入
が安定し内圧が安定するのを確認し続いて高周波
電源３４２のスイツチをON状態にして、誘導コ
イル３４３に、13.56MHzの高周波電力を投入し
コイル部（室上部）の室３０１内にグロー放電を
発生させ、3Wの入力電力とした。上記条件で基
板上にａ―（SixC1-x）y：Ｈ1-yを堆積させる為
に、１分間条件を保つて中間層を形成した。その
後、高周波電源３４２をoff状態とし、グロー放
電を中子させた状態で、流出バルブ３２６を閉
じ、次にH2で50vol ppmに稀釈されたB2H6ガス
ボンベ３１３から流入バルブ３２２を通じて１
Kg／cm2のガス圧（出口圧ゲージ３３７の読み）
で、流入バルブ３２２、流出バルブ３２７の調整
によつてフロメータ３１８の読みが、SiH4ガス
の流量の1/50になる様に流出バルブ３２７の開口
を定め、安定化させた。 引き続き、再び高周波電源３４２をON状態に
して、グロー放電を再開させた。そのときの入力
電力を10Wにし、以前より増加させた。こうして
グロー放電を更に３時間持続させて光導電層を形
成した後、加熱ヒーター３０８をoff状態にし、
高周波電源３４２もoff状態とし、基板温度が100
℃になるのを待つてから流出バルブ３２５，３２
７及び流入バルブ３２０，３２２を閉じ、メイン
バルブ３１０を全開にして、室３０１内を
10-5Torr以下にした後、メインバルブ３１０を
閉じ室３０１内をリークバルブ３４４によつて大
気圧として基板を取り出した。この場合、形成さ
れた層の全厚は約９μであつた。こうして得られ
た像形成部材を、帯電露光実験装置に設置し、
6.0KVで0.2sec間コロナ帯電を行い、直ちに光像
を照射した。光像は、タングステンランプ光源を
用い、1.0lux・secの光量を透過型のテストチヤ
ートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を部材表面にカスケードするこ
とによつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を、−5.0KVのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調
再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 次に上記像形成部材に就て、帯電露光実験装置
で5.5KVで、0.2sec間のコロナ帯電を行い、直
ちに0.8lux・secの光量で、画像露光を行い、そ
の後直ちに荷電性の現像剤を部材表面にカスケ
ードし、次に転写紙上に転写・定着したところ、
極めて鮮明な画像が得られた。 この結果と先の結果から、本実施例で得られた
電子写真用像形成部材は、帯電極性に対する依存
性がなく、両極性像形成部材の特性を具備してい
ることが判つた。 実施例 ２ モリブデン基板上に中間層を形成する際のグロ
ー放電保持時間を、下記の第１表に示す様に、
種々変化させた以外は、実施例１と全く同様の条
件及び手順によつて試料No.〜で示される像形
成部材を作成し、実施例１と全く同様の帯電露光
実験装置に設置して同様の画像形成を行つたとこ
ろ下記の第１表に示す如き結果を得た。 第１表に示される結果から判る様に本発明の目
的を達成するには、中間層の膜厚を30Å〜1000Å
の範囲で形成する必要がある。
【表】
実施例 ３
モリブデン基板上に中間層を形成する際の中間
層におけるSiH4とC2H4の流量比を第２表に示す
様に種々変化させた以外は、実施例１と全く同様
の条件及び手順によつて試料No.９〜15で示される
像形成部材を作成し、実施例１と全く同様の帯電
露光実験装置に設置して同様の画像形成を行なつ
た所、第２表に示す如き結果を得た。尚、試料No.
11〜15中間層のみをelectron microprobe法及び
加熱により発生する水素ガス質量分析法により分
析した結果を第３表に示す。第２，３表に示され
る結果から判る様に本発明の目的を達成するには
中間層におけるSiとＣの組成比に関係するｘを
0.35〜0.1の範囲で形成する必要がある。
層におけるSiH4とC2H4の流量比を第２表に示す
様に種々変化させた以外は、実施例１と全く同様
の条件及び手順によつて試料No.９〜15で示される
像形成部材を作成し、実施例１と全く同様の帯電
露光実験装置に設置して同様の画像形成を行なつ
た所、第２表に示す如き結果を得た。尚、試料No.
11〜15中間層のみをelectron microprobe法及び
加熱により発生する水素ガス質量分析法により分
析した結果を第３表に示す。第２，３表に示され
る結果から判る様に本発明の目的を達成するには
中間層におけるSiとＣの組成比に関係するｘを
0.35〜0.1の範囲で形成する必要がある。
【表】
【表】
実施例 ４
実施例１と同様にモリブデン基板を設置し続い
て実施例１と同様の操作によつてグロー放電堆積
室３０１内を５×10-6Torrの真空となし、基板
温度は200℃に保たれた後実施例１と同様の操作
によつて補助バルブ３４０、次いで流出バルブ３
２５，３２６、及び流入バルブ３２０，３２１を
全開し、フローメーター３１６，３１７内も十分
脱気真空状態にされた。補助バルブ３４０、バル
ブ３２５，３２６，３２０，３２１を閉じた後、
H2で10vol％に稀釈されたSiH4ガス（純度99.999
％）ボンベ３１１のバルブ３３０、H2で10vol％
に稀釈されたC2H4ガスボンベ３１２のバルブ３
３１を開け、出口圧ゲージ３３５，３３６の圧を
１Kg／cm2に調整し、流入バルブ３２０，３２１を
徐々に開けてフローロメーター３１６，３１７内
へSiH4ガスC2H4ガスを流入させた。引続いて、
流出バルブ３２５，３２６を徐々に開け、次いで
補助バルブ３４０を徐々に開けた。このとき
SiH4ガス流量とC2H4ガス流量比が１：９になる
ように流入バルブ３２０，３２１を調整した。次
にピラニーゲージ３４１の読みを注視しながら補
助バルブ３４０の開口を調整し、室３０１内が１
×10-2Torrになるまで補助バルブ３４０を開け
た。室３０１内圧が安定してから、メインバルブ
３１０を徐々に閉じ、ピラニーゲージ３４１の指
示が0.5Torrになるまで開口を絞つた。ガス流入
が安定し内圧が安定するのを確認し続いて高周波
電源３４２のスイツチをON状態にして、誘導コ
イル３４３に、13.56MHzの高周波電力を投入し
コイル部（室上部）の室３０１内にグロー放電を
発生させ、3Wの入力電力とした。上記条件で基
板上にａ―（SixC1-x）y：Ｈ1-yを堆積させる為
に、１分間条件を保つて中間層を形成した。その
後、高周波電源３４２をoff状態とし、グロー放
電を中止させた状態で、流出バルブ３２６を閉
じ、引き続き、再び高周波電源３４２をon状態
にして、グロー放電を再開させた。そのときの入
力電力を10Wにし、以前より増加した。こうして
グロー放電を更に５時間持続させて光導電層を形
成した後、加熱ヒーター３０８をoff状態にし、
高周波電源３４２もoff状態とし、基板温度が100
℃になるのを待つてから流出バルブ３２５及び流
入バルブ３２０，３２１を閉じ、メインバルブ３
１０を全開にして、室３０１内を10-5Torr以下
にした後、メインバルブ３１０を閉じ室３０１内
をリークバルブ３４４によつて大気圧として基板
を取り出した。この場合、形成された層の全厚は
約15μであつた。この像形成部材に就て、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ、コロナ放電を行つて画像形成した
方が、コロナ放電を行つて画像形成したより
も、その画質が優れており、極めて鮮明であつ
た。この結果より本実施例で得られた感光体に
は、帯電極性の依存性が認められた。 実施例 ５ 実施例１と同様な条件及び手順によつて、モリ
ブデン基板上に１分間の中間層の形成を行つた
後、その後、高周波電源３４２をoff状態とし、
グロー放電を中止させた状態で、流出バルブ３２
６を閉じ、次にH2で25vol ppmに稀釈されたPH
３ガスボンベ３１４から流入バルブ３２３を通じ
て１Kg／cm2のガス圧（出口圧ゲージ３３８の読
み）で、流入バルブ３２３、流出バルブ３２８の
調整によつてフローメータ３１９の読みが、
SiH4ガスの流量の1/50になる様に流出バルブ３
２８の開口を定め、安定化させた。 引き続き、再び高周波電源３４２をon状態に
して、グロー放電を再開させた。そのときの入力
電力を10Wにし、以前より増加した。こうしてグ
ロー放電を更に４時間持続させて光導電層を形成
した後、加熱ヒーター３０８をoff状態にし、高
周波電源３４２もoff状態とし、基板温度が100℃
になるのを待つてから流出バルブ３２５，３２８
及び流入バルブ３２０，３２３を閉じ、メインバ
ルブ３１０を全開にして、室３０１内を10-5torr
以下にした後、メインバルブ３１０を閉じ室３０
１内をリークバルブ３４４によつて大気圧として
基板を取り出した。この場合、形成された層の全
厚は約11μであつた。こうして得られた像形成部
材を、実施例１と同様の条件及び手順で転写紙上
に画像を形成たところ、コロナ放電を行つて画
像形成した方が、コロナ放電を行つて画像形成
したよりも、その画質が優れており極めて鮮明で
あつた。この結果より本実施例で得られた感光体
には、帯電極性の依存性が認められた。 実施例 ６ 実施例１と同様な条件及び手順によつて、モリ
ブデン基板上に１分間の中間層の形成を行つた
後、高周波電源３４２をoff状態とし、グロー放
電を中止させた状態で、流出バルブ２６を閉じ、
次にH2で50vol ppmに稀釈されたB2H6ガスボン
ベ３１３から流入バルブ３２２を通じて１Kg／cm2
のガス圧（出口圧ゲージ３３７の読み）で、流入
バルブ３２２流出バルブ３２７の調整によつてフ
ローメータ３１８の読みが、SiH4ガスの流量の
1/10になる様に流出バルブ３２７の開口を定め、
安定化させた。 引き続き、再び高周波電源３４２をon状態に
して、グロー放電を再開させた。そのときの入力
電力を10Wにし、以前より増加した。こうしてグ
ロー放電を更に３時間持続させて光導電層を形成
した後、加熱ヒーター３０８をoff状態にし、高
周波電源３４２もoff状態とし、基板温度が100℃
になるのを待つてから流出バルブ３２５，３２７
及び流入バルブ３２０，３２２を閉じ、メインバ
ルブ３１０を全開にして、室３０１内を10-5torr
以下にした後、メインバルブ３１０を閉じ室３０
１内をリークバルブ３４３によつて大気圧として
基板を取り出した。この場合、形成された層の全
厚は約10μであつた。こうして得られた像形成部
材を、実施例１と同様の条件及び手順で転写紙上
に画像を形成したころ、コロナ放電を行つて画
像形成した方が、コロナ放電を行つて画像形成し
たよりも、その画質が優れており極めて鮮明であ
つた。この結果より本実施例で得られた感光体に
は、帯電極性の依存性が認められた。而し、その
帯電極性依存性は、実施例３，４で得られた像形
成部材とは逆であつた。 実施例 ７ 実施例１と同様な条件及び手順によつて、モリ
ブデン基板上に１分間の中間層の形成、５時間の
光導電層の形成を行つた後、高周波電源３４２を
off状態として、グロー放電を中止させた状態
で、流出バルブ３２７を閉じ、そして再び、流出
バルブ３２６を開き、中間層の形成時と同様の条
件になるようにした。引き続き再び高周波電源を
on状態にしてグロー放電を再開させた。そのと
きの入力電力も中間層形成時と同様の3Wとし
た。こうしてグロー放電を２分間持続させて光導
電層上に、上部層を形成した後、加熱ヒーター３
０８をoff状態にし、高周波電源３４２もoff状態
とし、基板温度が100℃になるのを待つてから流
出バルブ３２５，３２７及び流入バルブ３２０，
３２２を閉じ、メインバルブ３１０を全開にし
て、室３０１内を10-5Torr以下にした後、メイ
ンバルブ３１０を閉じ室３０１内をリークバルブ
３４３によつて大気圧として基板を取り出した。
こうして得られた像形成部材を、実施例１と同様
の帯電露光実験装置に設置し、6.0KVで0.2sec
間コロナ帯電を行い、直ちに光像を照射した。光
像は、タングステンランプ光源を用い、1.0lux・
secの光量を透過型のテストチヤートを通して照
射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を部材表面にカスケードするこ
とによつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を、−5.0KVのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調
再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 実施例 ８ 表面が清浄にされた、コーニング7059ガラス
（１mm厚、４×４cm、両面研磨したもの）表面の
一方に、電子ビーム蒸着法によつてITOを1000Å
蒸着したものを、実施例１と同様の装置（第３
図）の固定部材３０３上にITO蒸着面を上面にし
て設置した。続いて、実施例１と同様の操作及び
手順によつてグロー放電堆積室３０１内を５×
10-6Torrの真空となし、基板温度は200℃に保た
れた後、補助バルブ３４０、次いで流出バルブ３
２５，３２６，３２７，３２９及び流入バルブ３
２０，３２１，３２２，３２４を全開し、フロー
メーター３１６，３１７，３１８，３２０内も十
分脱気真空状態にされた。補助バルブ３４０、バ
ルブ３２５，３２６，３２７，３２９，３１６，
３１７，３１８，３２０を閉じた後、H2で10vol
％に希釈されたSi（CH3）4ガス（純度99.99％）ボ
ンベ３１５のバルブ３３４を開け出口圧ゲージの
圧を１Kg／cm2に調整し、流入バルブ３２４を徐々
に開けてフローメーター３２０内へSi（CH3）4ガ
スを流入させた。引続いて流出バルブ３２９を
徐々に開けた。次にピラニーゲージ３４１の読み
を注視しながら補助バルブ３４０の開口を調整
し、室３０１内が１×10-2Torrになるまで補助
バルブ３４０を開けた。室３０１の内圧が安定し
てから、メインバルブ３１０を徐々に閉じ、ピラ
ニーゲージ３４１の指示が0.5Torrになるまで開
口を絞つた。ガス流入が安定し内圧が安定するの
を確認し、続いて高周波電源３４２のスイツチを
ON状態にして、誘導コイル３４３に、13.56MHz
の高周波電力を投入しコイル部（室上部）の室３
０１内にグロー放電を発生させ、3Wの入力電力
とした。１分間同条件を保つて中間層を形成した
後、高周波電源３４２をoff状態とし、グロー放
電を中止させた状態で、しばらくして流出バルブ
３２９、流入バルブ３２４を閉じ、次にH2で
10vol％に稀釈されたSiH4ガスボンベ３１１のバ
ルブ３３０、H2で50vol ppmに希釈されたB2H6
ガスボンベ３１３のバルブ３３２を開け、出口圧
ケゲージ３３５，３３７の圧を１Kg／cm2に調整
し、流入バルブ３２０，３２２を徐々に開けてフ
ローメーター３１６，３１８内へSiH4ガス、
B2H6ガスを各々流入させた。引続いて流出バル
ブ３２５，３２７を徐々に開けた。このときの
SiH4ガス流量とB2H6ガス流量の比が50：１にな
る様に流出バルブ３２５，３２７の開口を定め安
定化させた。尚室３０１内の内圧が0.5Torrにな
るようにバルブ調整操作を中間層形成時と同様に
行つた。その後引き続き、再び高周波電源３４２
をon状態にして、グロー放電を再開させた。そ
のときの入力電力を10Wにし、以前より増加させ
た。こうしてグロー放電を更に３時間持続させて
光導電層を形成した後、加熱ヒーター３０８を
off状態にし、高周波電源３４２もoff状態とし、
基板温度が100℃になるのを待つてから流出バル
ブ３２５，３２９及び流入バルブ３２０，３２４
を閉じ、メインバルブ３１０を全開にして、室３
０１内を10-5torr以下にした後、メインバルブ３
１０を閉じ室３０１内をリークバルブ３４３によ
つて大気圧として基板を取り出した。この場合、
形成された層の全厚は約９μであつた。こうして
得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設置
し、6.0KVで0.2sec間コロナ帯電を行い、直ち
に光像を照射した。光像は、タングステンランプ
光源を用い、1.0lux・secの光量を透過型のテス
トチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を部材表面にカスケードするこ
とによつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を、−5.0KVのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調
再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 又、コロナ帯電極性をに、現像剤極性をに
変えても同様に鮮明な良好な画像が実施例１と同
様に得られた。 実施例 ９ H2で10vol％に稀釈されたSiH4ボンベ３１１
を、稀釈されていないSi2H6ボンベに、H2で50vol
ppmに稀釈されたB2H6ボンベ３１３を、H2で
500vol ppmに希釈されたB2H6ボンベに変えた以
外は、実施例１と同様の条件及び手順によつて中
間層、光導電層をモリブリデン基板上に形成した
後、堆積室３０１外に取り出し実施例１と同様に
帯電露光の実験装置に静置して画像形成の試験を
した所、−5.5KVのコロナ放電、荷電性現像剤
の組み合せの場合に、極めて良質の、コントラス
トの高いトナー画像が転写紙上に得られた。
て実施例１と同様の操作によつてグロー放電堆積
室３０１内を５×10-6Torrの真空となし、基板
温度は200℃に保たれた後実施例１と同様の操作
によつて補助バルブ３４０、次いで流出バルブ３
２５，３２６、及び流入バルブ３２０，３２１を
全開し、フローメーター３１６，３１７内も十分
脱気真空状態にされた。補助バルブ３４０、バル
ブ３２５，３２６，３２０，３２１を閉じた後、
H2で10vol％に稀釈されたSiH4ガス（純度99.999
％）ボンベ３１１のバルブ３３０、H2で10vol％
に稀釈されたC2H4ガスボンベ３１２のバルブ３
３１を開け、出口圧ゲージ３３５，３３６の圧を
１Kg／cm2に調整し、流入バルブ３２０，３２１を
徐々に開けてフローロメーター３１６，３１７内
へSiH4ガスC2H4ガスを流入させた。引続いて、
流出バルブ３２５，３２６を徐々に開け、次いで
補助バルブ３４０を徐々に開けた。このとき
SiH4ガス流量とC2H4ガス流量比が１：９になる
ように流入バルブ３２０，３２１を調整した。次
にピラニーゲージ３４１の読みを注視しながら補
助バルブ３４０の開口を調整し、室３０１内が１
×10-2Torrになるまで補助バルブ３４０を開け
た。室３０１内圧が安定してから、メインバルブ
３１０を徐々に閉じ、ピラニーゲージ３４１の指
示が0.5Torrになるまで開口を絞つた。ガス流入
が安定し内圧が安定するのを確認し続いて高周波
電源３４２のスイツチをON状態にして、誘導コ
イル３４３に、13.56MHzの高周波電力を投入し
コイル部（室上部）の室３０１内にグロー放電を
発生させ、3Wの入力電力とした。上記条件で基
板上にａ―（SixC1-x）y：Ｈ1-yを堆積させる為
に、１分間条件を保つて中間層を形成した。その
後、高周波電源３４２をoff状態とし、グロー放
電を中止させた状態で、流出バルブ３２６を閉
じ、引き続き、再び高周波電源３４２をon状態
にして、グロー放電を再開させた。そのときの入
力電力を10Wにし、以前より増加した。こうして
グロー放電を更に５時間持続させて光導電層を形
成した後、加熱ヒーター３０８をoff状態にし、
高周波電源３４２もoff状態とし、基板温度が100
℃になるのを待つてから流出バルブ３２５及び流
入バルブ３２０，３２１を閉じ、メインバルブ３
１０を全開にして、室３０１内を10-5Torr以下
にした後、メインバルブ３１０を閉じ室３０１内
をリークバルブ３４４によつて大気圧として基板
を取り出した。この場合、形成された層の全厚は
約15μであつた。この像形成部材に就て、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ、コロナ放電を行つて画像形成した
方が、コロナ放電を行つて画像形成したより
も、その画質が優れており、極めて鮮明であつ
た。この結果より本実施例で得られた感光体に
は、帯電極性の依存性が認められた。 実施例 ５ 実施例１と同様な条件及び手順によつて、モリ
ブデン基板上に１分間の中間層の形成を行つた
後、その後、高周波電源３４２をoff状態とし、
グロー放電を中止させた状態で、流出バルブ３２
６を閉じ、次にH2で25vol ppmに稀釈されたPH
３ガスボンベ３１４から流入バルブ３２３を通じ
て１Kg／cm2のガス圧（出口圧ゲージ３３８の読
み）で、流入バルブ３２３、流出バルブ３２８の
調整によつてフローメータ３１９の読みが、
SiH4ガスの流量の1/50になる様に流出バルブ３
２８の開口を定め、安定化させた。 引き続き、再び高周波電源３４２をon状態に
して、グロー放電を再開させた。そのときの入力
電力を10Wにし、以前より増加した。こうしてグ
ロー放電を更に４時間持続させて光導電層を形成
した後、加熱ヒーター３０８をoff状態にし、高
周波電源３４２もoff状態とし、基板温度が100℃
になるのを待つてから流出バルブ３２５，３２８
及び流入バルブ３２０，３２３を閉じ、メインバ
ルブ３１０を全開にして、室３０１内を10-5torr
以下にした後、メインバルブ３１０を閉じ室３０
１内をリークバルブ３４４によつて大気圧として
基板を取り出した。この場合、形成された層の全
厚は約11μであつた。こうして得られた像形成部
材を、実施例１と同様の条件及び手順で転写紙上
に画像を形成たところ、コロナ放電を行つて画
像形成した方が、コロナ放電を行つて画像形成
したよりも、その画質が優れており極めて鮮明で
あつた。この結果より本実施例で得られた感光体
には、帯電極性の依存性が認められた。 実施例 ６ 実施例１と同様な条件及び手順によつて、モリ
ブデン基板上に１分間の中間層の形成を行つた
後、高周波電源３４２をoff状態とし、グロー放
電を中止させた状態で、流出バルブ２６を閉じ、
次にH2で50vol ppmに稀釈されたB2H6ガスボン
ベ３１３から流入バルブ３２２を通じて１Kg／cm2
のガス圧（出口圧ゲージ３３７の読み）で、流入
バルブ３２２流出バルブ３２７の調整によつてフ
ローメータ３１８の読みが、SiH4ガスの流量の
1/10になる様に流出バルブ３２７の開口を定め、
安定化させた。 引き続き、再び高周波電源３４２をon状態に
して、グロー放電を再開させた。そのときの入力
電力を10Wにし、以前より増加した。こうしてグ
ロー放電を更に３時間持続させて光導電層を形成
した後、加熱ヒーター３０８をoff状態にし、高
周波電源３４２もoff状態とし、基板温度が100℃
になるのを待つてから流出バルブ３２５，３２７
及び流入バルブ３２０，３２２を閉じ、メインバ
ルブ３１０を全開にして、室３０１内を10-5torr
以下にした後、メインバルブ３１０を閉じ室３０
１内をリークバルブ３４３によつて大気圧として
基板を取り出した。この場合、形成された層の全
厚は約10μであつた。こうして得られた像形成部
材を、実施例１と同様の条件及び手順で転写紙上
に画像を形成したころ、コロナ放電を行つて画
像形成した方が、コロナ放電を行つて画像形成し
たよりも、その画質が優れており極めて鮮明であ
つた。この結果より本実施例で得られた感光体に
は、帯電極性の依存性が認められた。而し、その
帯電極性依存性は、実施例３，４で得られた像形
成部材とは逆であつた。 実施例 ７ 実施例１と同様な条件及び手順によつて、モリ
ブデン基板上に１分間の中間層の形成、５時間の
光導電層の形成を行つた後、高周波電源３４２を
off状態として、グロー放電を中止させた状態
で、流出バルブ３２７を閉じ、そして再び、流出
バルブ３２６を開き、中間層の形成時と同様の条
件になるようにした。引き続き再び高周波電源を
on状態にしてグロー放電を再開させた。そのと
きの入力電力も中間層形成時と同様の3Wとし
た。こうしてグロー放電を２分間持続させて光導
電層上に、上部層を形成した後、加熱ヒーター３
０８をoff状態にし、高周波電源３４２もoff状態
とし、基板温度が100℃になるのを待つてから流
出バルブ３２５，３２７及び流入バルブ３２０，
３２２を閉じ、メインバルブ３１０を全開にし
て、室３０１内を10-5Torr以下にした後、メイ
ンバルブ３１０を閉じ室３０１内をリークバルブ
３４３によつて大気圧として基板を取り出した。
こうして得られた像形成部材を、実施例１と同様
の帯電露光実験装置に設置し、6.0KVで0.2sec
間コロナ帯電を行い、直ちに光像を照射した。光
像は、タングステンランプ光源を用い、1.0lux・
secの光量を透過型のテストチヤートを通して照
射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を部材表面にカスケードするこ
とによつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を、−5.0KVのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調
再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 実施例 ８ 表面が清浄にされた、コーニング7059ガラス
（１mm厚、４×４cm、両面研磨したもの）表面の
一方に、電子ビーム蒸着法によつてITOを1000Å
蒸着したものを、実施例１と同様の装置（第３
図）の固定部材３０３上にITO蒸着面を上面にし
て設置した。続いて、実施例１と同様の操作及び
手順によつてグロー放電堆積室３０１内を５×
10-6Torrの真空となし、基板温度は200℃に保た
れた後、補助バルブ３４０、次いで流出バルブ３
２５，３２６，３２７，３２９及び流入バルブ３
２０，３２１，３２２，３２４を全開し、フロー
メーター３１６，３１７，３１８，３２０内も十
分脱気真空状態にされた。補助バルブ３４０、バ
ルブ３２５，３２６，３２７，３２９，３１６，
３１７，３１８，３２０を閉じた後、H2で10vol
％に希釈されたSi（CH3）4ガス（純度99.99％）ボ
ンベ３１５のバルブ３３４を開け出口圧ゲージの
圧を１Kg／cm2に調整し、流入バルブ３２４を徐々
に開けてフローメーター３２０内へSi（CH3）4ガ
スを流入させた。引続いて流出バルブ３２９を
徐々に開けた。次にピラニーゲージ３４１の読み
を注視しながら補助バルブ３４０の開口を調整
し、室３０１内が１×10-2Torrになるまで補助
バルブ３４０を開けた。室３０１の内圧が安定し
てから、メインバルブ３１０を徐々に閉じ、ピラ
ニーゲージ３４１の指示が0.5Torrになるまで開
口を絞つた。ガス流入が安定し内圧が安定するの
を確認し、続いて高周波電源３４２のスイツチを
ON状態にして、誘導コイル３４３に、13.56MHz
の高周波電力を投入しコイル部（室上部）の室３
０１内にグロー放電を発生させ、3Wの入力電力
とした。１分間同条件を保つて中間層を形成した
後、高周波電源３４２をoff状態とし、グロー放
電を中止させた状態で、しばらくして流出バルブ
３２９、流入バルブ３２４を閉じ、次にH2で
10vol％に稀釈されたSiH4ガスボンベ３１１のバ
ルブ３３０、H2で50vol ppmに希釈されたB2H6
ガスボンベ３１３のバルブ３３２を開け、出口圧
ケゲージ３３５，３３７の圧を１Kg／cm2に調整
し、流入バルブ３２０，３２２を徐々に開けてフ
ローメーター３１６，３１８内へSiH4ガス、
B2H6ガスを各々流入させた。引続いて流出バル
ブ３２５，３２７を徐々に開けた。このときの
SiH4ガス流量とB2H6ガス流量の比が50：１にな
る様に流出バルブ３２５，３２７の開口を定め安
定化させた。尚室３０１内の内圧が0.5Torrにな
るようにバルブ調整操作を中間層形成時と同様に
行つた。その後引き続き、再び高周波電源３４２
をon状態にして、グロー放電を再開させた。そ
のときの入力電力を10Wにし、以前より増加させ
た。こうしてグロー放電を更に３時間持続させて
光導電層を形成した後、加熱ヒーター３０８を
off状態にし、高周波電源３４２もoff状態とし、
基板温度が100℃になるのを待つてから流出バル
ブ３２５，３２９及び流入バルブ３２０，３２４
を閉じ、メインバルブ３１０を全開にして、室３
０１内を10-5torr以下にした後、メインバルブ３
１０を閉じ室３０１内をリークバルブ３４３によ
つて大気圧として基板を取り出した。この場合、
形成された層の全厚は約９μであつた。こうして
得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設置
し、6.0KVで0.2sec間コロナ帯電を行い、直ち
に光像を照射した。光像は、タングステンランプ
光源を用い、1.0lux・secの光量を透過型のテス
トチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を部材表面にカスケードするこ
とによつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を、−5.0KVのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調
再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 又、コロナ帯電極性をに、現像剤極性をに
変えても同様に鮮明な良好な画像が実施例１と同
様に得られた。 実施例 ９ H2で10vol％に稀釈されたSiH4ボンベ３１１
を、稀釈されていないSi2H6ボンベに、H2で50vol
ppmに稀釈されたB2H6ボンベ３１３を、H2で
500vol ppmに希釈されたB2H6ボンベに変えた以
外は、実施例１と同様の条件及び手順によつて中
間層、光導電層をモリブリデン基板上に形成した
後、堆積室３０１外に取り出し実施例１と同様に
帯電露光の実験装置に静置して画像形成の試験を
した所、−5.5KVのコロナ放電、荷電性現像剤
の組み合せの場合に、極めて良質の、コントラス
トの高いトナー画像が転写紙上に得られた。
第１図及び第２図は各々本発明の光導電部材の
好適な実施態様例の構成を説明する為の模式的構
成図、第３図は本発明の光導電部材を製造する場
合の装置の一例を示す模式的説明図である。 １００，２００……光導電部材、１０１，２０
１……支持体、１０２，２０２……中間層、１０
３，２０３……光導電層、１０４，２０４……自
由表面、２０５……上部層。
好適な実施態様例の構成を説明する為の模式的構
成図、第３図は本発明の光導電部材を製造する場
合の装置の一例を示す模式的説明図である。 １００，２００……光導電部材、１０１，２０
１……支持体、１０２，２０２……中間層、１０
３，２０３……光導電層、１０４，２０４……自
由表面、２０５……上部層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 支持体と、シリコン原子を母体とし、水素原
子を含むアモルフアス材料で構成されている光導
電層と、これらの間に設けられ、前記支持体側か
ら前記光導電層中へのキヤリヤの流入を阻止し且
つ電磁波照射によつて前記光導電層中に生じ前記
支持体側に向つて移動するキヤリヤの前記光導電
層側から前記支持体側への通過を許す機能を有す
る中間層とを備えた光導電部材に於て、前記中間
層は、（SixC1-x）YＨ1-Y（但し、0.1≦Ｘ≦0.35、
0.65≦Ｙ≦0.98）で示されるアモルフアス材料で
構成され、30〜1000Åの層厚を有する事を特徴と
する光導電部材。 ２ 前記光導電層の上部表面に、シリコン原子を
母体とし、水素原子及びハロゲン原子の少なくと
もいずれか一方と、炭素原子、窒素原子及び酸素
原子の中の少なくとも１つと、を含むアモルフア
ス材料で構成された上部層を有する特許請求の範
囲第１項の光導電部材。 ３ 前記光導電層の上部表面に、無機絶縁材料又
は有機絶縁材料から成る上部層を有する特許請求
の範囲第１項の光導電部材。 ４ 前記光導電層の上部表面に、電荷像形成面と
なる自由表面を有し、0.5〜70μの層厚を有する
表面被覆層が設けてある特許請求の範囲第１項の
光導電部材。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55127543A JPS5752180A (en) | 1980-09-12 | 1980-09-12 | Photoconductive member |
| US06/299,576 US4394425A (en) | 1980-09-12 | 1981-09-04 | Photoconductive member with α-Si(C) barrier layer |
| CA000385692A CA1181630A (en) | 1980-09-12 | 1981-09-11 | Photoconductive member including non-photoconductive layer containing amorphous silicon matrix containing carbon |
| DE19813136141 DE3136141A1 (de) | 1980-09-12 | 1981-09-11 | Photoleitfaehiges element |
| GB8127479A GB2086133B (en) | 1980-09-12 | 1981-09-11 | Photoconductive member |
| FR8117327A FR2490359B1 (fr) | 1980-09-12 | 1981-09-14 | Element photoconducteur |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55127543A JPS5752180A (en) | 1980-09-12 | 1980-09-12 | Photoconductive member |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58079901A Division JPS5910283A (ja) | 1983-05-06 | 1983-05-06 | 光導電部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5752180A JPS5752180A (en) | 1982-03-27 |
| JPS6247303B2 true JPS6247303B2 (ja) | 1987-10-07 |
Family
ID=14962602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55127543A Granted JPS5752180A (en) | 1980-09-12 | 1980-09-12 | Photoconductive member |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5752180A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4675263A (en) | 1984-03-12 | 1987-06-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Member having substrate and light-receiving layer of A-Si:Ge film and A-Si film with non-parallel interface with substrate |
| JPS6187160A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-02 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| US4678733A (en) | 1984-10-15 | 1987-07-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Member having light receiving layer of A-Si: Ge (C,N,O) A-Si/surface antireflection layer with non-parallel interfaces |
| JPS6289064A (ja) | 1985-10-16 | 1987-04-23 | Canon Inc | 光受容部材 |
| JPS6290663A (ja) | 1985-10-17 | 1987-04-25 | Canon Inc | 光受容部材 |
| JPS62106468A (ja) | 1985-11-01 | 1987-05-16 | Canon Inc | 光受容部材 |
| JPS62106470A (ja) | 1985-11-02 | 1987-05-16 | Canon Inc | 光受容部材 |
| JPS63102804A (ja) * | 1986-10-21 | 1988-05-07 | Honda Motor Co Ltd | 多軸ヘッド交換式工作機械におけるヘッド位置検出機構付きヘッド交換装置 |
| JPH0769622B2 (ja) * | 1988-03-08 | 1995-07-31 | 富士通株式会社 | 光背面記録用感光体及び画像形成装置 |
| JPH03242653A (ja) * | 1990-02-20 | 1991-10-29 | Sharp Corp | 電子写真感光体 |
-
1980
- 1980-09-12 JP JP55127543A patent/JPS5752180A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5752180A (en) | 1982-03-27 |