JPS62106470A - 光受容部材 - Google Patents
光受容部材Info
- Publication number
- JPS62106470A JPS62106470A JP60246473A JP24647385A JPS62106470A JP S62106470 A JPS62106470 A JP S62106470A JP 60246473 A JP60246473 A JP 60246473A JP 24647385 A JP24647385 A JP 24647385A JP S62106470 A JPS62106470 A JP S62106470A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- atoms
- light
- receiving member
- support
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
- G03G5/08242—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers at least one with varying composition
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/10—Bases for charge-receiving or other layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/147—Cover layers
- G03G5/14704—Cover layers comprising inorganic material
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Inspection Of Paper Currency And Valuable Securities (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、ＸＩＶｉ！、γ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある光受容部材に関する。 さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。 〔従来技術の説明〕 デジタル画像情報全画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材全光学的に走査するこ七により静電潜像を形成し、次
いで該潜像全現像するか、更に必要に応じて転写、定着
などの処理を行なう、画像を記録する方法が知られてお
り、中でも電子写真法による画像形成法では、レーザー
として、小型で安価なＨｅ −Ｎｅレーザーあるいは半
導体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を
有する）を使用して像記録を行なうのが一般的である。 ところで、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写
真用の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が
他の種類の光受容部材と比べて優れているのに加えて、
ビッカース硬度が高く、公害の問題が少ない等の点から
評価され、例えば特開昭５４．−８６３４１号公報や特
開昭５６−８３７４６号公報にみられるようなシリコン
原子を含む非晶質材料（以後ｒ ａ Ｆ；ｊ、 Ｊと
略記する）から成る光受容部材が注目されている。 しかしながら、前記光受容部材については、光受容層を
単層構成のａ−８ｉ層とすると、その高光感度を保持し
つつ、電子写真用として要求される１０１２Ωｃｍ以上
の暗抵抗を確保するには、水素原子やハロゲン原子、或
いはこれ等に加えてボロン原子とを特定の量範囲で層中
に制御された形で構造的に含有させる必要性があり、た
めに層形成に当って各種条件を厳密にコントロールする
ことが要求される等、光受容部材の設計についての許容
度に可成りの制限がある。そしてそうした設計上の許容
度の問題音ある程度低暗抵抗であっても、その高光感度
を有効に利用出来る様にする等して改善する提案がなさ
れている。即ち、例えば、特開昭５４−１２１７４３号
公報、特開昭５７−４．０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報にみられるように光受容層を伝導特性の異
なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容層内
部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２１７
８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１５９
号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報にみられ
るように支持体と光受容層の間、又は／及び光受容層の
」二部表面に障壁層を設けた多層構造としたりして、見
掛け−１−の暗抵抗を高めた光受容部材が提案されてい
る。 ところがそうした光受容層が多層構造を有する光受容部
材は、各層の層厚にばらつきがあり、これを用いてレー
ザー記録を行う場合、レーザー光が可干渉性の単色光で
あるので、光受容層のレーザー光照射側自由表面、光受
容Ｒ全構成する各層及び支持体と光受容層との層界面（
以後、この自由表面及び層界面の両者を併せた意味で「
界面」と称する。）より反射して来る反射光の夫々が干
渉奮起してし吐うことがしばしばある。 この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の原因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合にあっては
、識別性の著しく劣った阻画像を与えるところとなる。 また重要な点として、使用する半導体レーザー光の波長
領域が長波長になるにつれ光受容層に於ける該レーザー
光の吸収が減少してくるので、前記の干渉現象が顕著に
なるという問題がある。 即ち、例えば２若しくはそれ以上の層（多層）構成のも
のであるものにおいては、それらの各層について干渉効
果が起り、それぞれの干渉が相乗的に作用し合って干渉
縞模様を呈するところとな９、それがそのま＼転写部材
に影響し、該部材上に前記干渉縞模様に対応した干渉縞
が転写、定着され可視画像に現出して不良画像をもたら
してしまうといった問題がある。 こうした問題を解消する策として、（ａ）支持体表面全
ダイヤモンド切削して、±５ｏｏＸ〜±１０００ＯＡの
凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５
８−１６２９７５号公報参照） 、 （ｂ）アルミニウ
ム支持体表面を黒色アルマイト処理したり、或いは、樹
脂中にカーボン、着色顔料、染料を分散したりして光吸
収層を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５８４５号
公報参照） 、（Ｃ）アルミニウム支持体表面を梨地状
のアルマイト処理したり、サンドブラストにより砂［］
状の微細凹凸を設けたりして、支持体表面に光散乱反射
防止層を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５５４号
公報参照９等が提案されている。 これ等の提案方法は、一応の結果はもたらすものの、画
像上に現出する干渉縞模様を完全に解消するに十分なも
ので０、ない。 即ち、（ａ）の方法については、支持体表面に特定の凹
凸を多数設けていて、それにより光散乱効果による干渉
縞模様の現出が一応それなりに防止はされるものの、光
散乱としては依然として正反射光成分が残存するため、
該正反射光による干渉縞模様が残存してし才うことに加
えて、支持体表面での光散乱効果により照射スポットに
拡がりが生じ、実質的な解像度低下をきたＩ７てしまう
。 （ｂ）の方法については、黒色アルマイト処理では、完
全吸収は不可能であり、支持体表面での反射光は残存し
てしまう。また、着色顔料分散樹脂層を設ける場合は、
ａ−８ｊ層全形成する際、樹脂層より脱気現象が生じ、
形成される光受容層の層品質が著しく低下すること、樹
脂層がａ−８ｊ層形成の際のプラズマによってダメージ
を受けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表面状
態の悪化によるその後のａ−８］層の形成に悪影響を与
えること等の問題点を有する。 （Ｃ）の方法については、例えば入射光についてみれば
光受容層の表面でその一部が反射されて反射光となり、
残りは、光受容層の内部に進入して透過光となる。透過
光は、支持体の表面に於いて、その一部は、光散乱され
て拡散光となり、残りが正反射されて反射光となり、そ
の一部が出射光となって外部に出ては行くが、出射光は
、反射光と干渉する成分であって、いずれにしろ残留す
るため依然として干渉縞模様が完全に消失はしない。 ところで、この場合の干渉を防止するについて、光受容
層内部での多重反射が起らないように、支持体の表面の
拡散＋１を増加させる試みもあるが、そうしたところで
かえって光受容層内で光が拡散してハレーションを生じ
てしまい結局は解像度が低下してしまう。 特に、多層構成の光受容部材においては、支持体表面全
不規則的に荒しても、第１層表面での反射光、第２層で
の反射光、支持体面での正反射光の夫々が干渉し７て、
光受容部材の各層厚にしたがった干渉縞模様が生じる。 従って、多層構成の光受容部材においては、支持体表面
を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止すること
は不可能である。 又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてノ々ラ
ツキが多く、−目つ同一ロットに於いても粗面度に不均
一があって、製造管理上問題がある。加えて、比較的大
きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大
きな突起が光受容層の局所的ゾレークダウン全もたらし
てしまう。 又、支持体表面ケ単に規則的に荒したところで、通常、
支持体の表面の凹凸形状に沿って、光受容層が堆積する
ため、支持体の凹凸の傾斜面と光受容層の凹凸の傾斜面
とが平ｒ了になり、その部分では入射光は、明部、暗部
をもたらすところとなり、また、光受容層全体では光受
容層の層厚の不均一性があるため明暗の縞模様が現われ
る。従って、支持体表面を規則的に荒しただけでは、干
渉縞模様の発生全完全に防ぐことはできない。 又、表面全規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、支持体表面での正反射光と、
光受容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面
での反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容
部材の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。 更に丑た、こうした多層構成の光受容部材における反射
光による干渉現象の問題は、その表面層に関係するとこ
ろも大である。即ち、上述したところからして明らかな
ように、表面層の層厚が均一でないと、該層とそれに接
している感光層との界面での反射光による干渉現象が起
きて、光受容部材の機能に障害を与えてしまう。 ところで、表面層の層厚が不均一である状態は、表面層
の形成時に抑もたらされる他、光受容部材の使用時にお
ける摩耗、特に部分的摩耗によってももたらされる。そ
して特に後者の場合、上述したように、干渉模様の現出
を招く他、光受容部材全体の感度変化、感度むら等をも
たらすところとなる。 こうした表面層に係る問題をなくす意味で表面層の層厚
をできるだけ厚くする試みがなされているが、そのよう
にした場合、残留電位が増大する要因が形成されてし壕
うことの他、表面層にはかえって層厚むらが増大されて
しまい、そうした表面層を有する光受容部材は、その形
成時読に感度変化、感度むら等の問題をもたらす要因を
具有するわけであり、それを使用したとなれば初期画像
から採用に価しないものを与えてしまう。 〔発明の目的〕 本発明は、主としてａ−８１で構成された光受容層全体
する光受容部材について、上述の諸問題全排除し、各種
要求を満たすものにすることを目的とするものである。 すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際
しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されなく、製造管理が容易で
ある、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光受容部
材を提供することにある。 本発明の別の目的は、全可視光域において光感度が高く
、とくに半導体レーザーとのマツチング性に優れ、且つ
光応答の速い、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する
光受容部材を提供することにある。 本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性及
び高電気的耐圧性を有する、ａ−３ｉで構成された光受
容層を有する光受容部拐を提供することにある。 本発明の他の目的は、支持体−１−に設けられる層と支
持体との間や積層さＩする層の各層間に於ける密着性に
優れ、構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い
、・１． ’ Ｆ１’、１で構成された光受容層を有す
る光受容部４Ａ”ｃ ’Ｊｊ１−供することにある。 本発明の更に他の１］的ｄ２、［拝干渉性単色光を用い
る画像形成に適し、長期の繰り返し使用にあっても、干
渉縞模様と反転現像時の斑点の現出がなく、且つ画像欠
陥や画像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーン
が鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像をイｕるこ
とのできる、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光
受容部材を提供することにある。 〔発明の構成〕 本発明者らは、従来の光受容ｆｆ（１，材についての前
述の諸問題を克服して、上述の目的を達成すべく鋭意研
究を重ねた結果、上述する知見を得、該知見に基づいて
本発明を完成するに至った。 即ち、本発明は、支持体上に、シリコン原子と、ゲルマ
ニウム原子またはスズ原子の少くともいずれか一方を含
有する非晶質材料で構成された感光層と、表面層とを有
する光受容層を備えた光受容部材であって、前記表面層
は最外殻に耐摩耗層と、内部に反射防止層を少なくとも
有する多層構成であり、前記支持体の表面が複数の球状
痕跡窪みによる凹凸形状を有し、かつ、該球状痕跡窪み
内に更に微小な複数の凹凸形状を有していることを骨子
とする光受容部材に関する。 ところで、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果前た知見
は、概要、以下に記述するところである。 即ち、支持体上に感光層と表面層とを有する光受容層全
備えた光受容部材にあっては、表面層を、最外殻に耐摩
耗層と、内部に反射防止層を少なくとも有する多層構成
とした場合、表面層と感光層との界面における入射光の
反射が防止され、表面層の形成時における層厚むら又は
／及び表面層の摩耗による層厚むらによってもたらされ
るところの干渉模様や感度むらの問題が解消されるとい
うものである。 また、支持体上に複数の層全有する光受容部材において
、前記支持体表面に、複数の球状痕跡窪みによる凹凸を
設け、かつ、該球状痕跡窪み内に更に微小な複数の凹凸
形状を設けることにより、画像形成時に現われる干渉縞
模様の問題が著しく解消されるというものである。 ところで、後者の知見は、本発明者らが試みた各種の実
験により得た事実関係に基づくものである。 このところ金、理解全容易にするため、図面を用いて以
下に説明する。 第１図は、本発明に係る光受容部材１０００層構成を示
す模式図であり、微小な複数の球状痕跡窪みによる凹凸
形状を有し、かつ、該球状痕跡窪み内に更に微小な複数
の凹凸形状を有する支持体１０１上に、その凹凸の傾斜
面に渚って、感光層１０２及び表面層１０３とからなる
光受容層を備えた光受容部材を示している。 第２及び４図は、本発明の光受容部材において干渉縞模
様の問題が解消されるところを説明するための図である
。 第３図は、表面全規則的に荒した支持体上に、多層構成
の光受容層を堆積させた従来の光受容部材の一部を拡大
して示した図である。核間において、３０１は感光層、
３０２は表面層、３０３は自由表面、３（１４は感光層
と表面層の界面をそれぞれ示している。第３図に示すご
とく、支持体表面全切削加工等の手段により単に規則的
に荒しただけの場合、通常は、支持体の表面の凹凸形状
に沿って光受容層が形成されるため、支持体表面の凹凸
の傾斜面と光受容層の凹凸の傾斜面とが平行関係全なす
ところとなる。 このことが原因で、例えば、光受容層が感光層３０１と
、表面層３０２との２つの層からなる多層構成のもので
ある光受容部材においては、例えば次のような問題が定
常的に惹起される。 即ち、感光層と表面層との界面３（１４及び自由表面３
０３とが平行関係にあるため、界面３（１４での反射光
Ｒ］と自由表面での反射光［（２とは方向が一致し、表
面層の層厚に応じた干渉縞が生じる。 第２図は、複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を有する
支持体上に、多層構成の光受容層を堆積させた光受容部
材の一部を拡大して示した図である。核間において、２
０１は感光層、２０２は表面層、２０３は自由表面、２
（１４は感光層と表面層との界面をそれぞれ示している
。第２図に示すごとく、支持体表面に複数の微小な球状
痕跡窪みによる凹凸形状を設けた場合、該支持体上に設
けられる光受容層は、該凹凸形状に渚って堆積するため
、感光層２０１と表面層２０２との界面２（１４、及び
自由表面２０３は、各々、前記支持体表面の凹凸形状に
沿って、球状痕跡窪みによる凹凸形状に形成される。界
面２（１４に形成される球状痕跡窪みの曲率ヲＲ１、自
由表面に形成される球状痕跡窪みの曲本音Ｒ２とすると
、１（□とＲ２とはＲ１〜Ｒ２となるため、界面２（１
４での反射光と、自由表面２０３での反射光とは、各々
異なる反射角度を有し、即ち、第２図におけるθ１、θ
２がθ１へ一層２であって、方向が異なるうえ、第２図
に示す１１．１２．１３を用いてｌ］＋ｊｈ ｌ！３
で表わされ、るところの波長のずれも一定とはならずに
変化するため、いわゆるニュートンリング現象に相当す
るンエアリング干渉が生起し、干渉縞は窪み内で分散さ
れるところとなる。これにより、こうした光受容部材を
介して現出される画像は、ミクロ的には干渉縞が仮に現
出されていたとしても、それらは視覚にはとられられな
い程度のものとなる。 即ち、かぐなる表面形状を有する支持体の使用は、その
上に多層構成の光受容層を形成してなる光受容部材にあ
って、該光受容層を通過した光が、層界面及び支持体表
面で反射し、それらが干渉することにより、形成される
画像が縞模様となることを効率的に防止し、優れた画像
を形成しつる光受容部材を得ることにつながる。 第４図は、第１図に示す本発明の光受容部材における支
持体表面の一部全拡大した図である。 第４図に示すごとく、本発明の光受容部材における支持
体表面は、球状痕跡窪み４０１内の表面の一部分乃至全
体に、更に微小な凹凸乃至凹凸群４０２が形成されてい
る。この様な更に微小な凹凸乃至凹凸群４０２ヲ設けた
場合、第２図を用いて記述したところの干渉防止効果に
加えて、該微小凹凸４０２による散乱効果がもたらされ
て。 これによシ干渉縞模様の発生がより一層確実に防止され
る。 ところで、従来技術においては、前述したごとく、支持
体表面をランダムに荒らすことで乱反射させ、干渉縞模
様の発生全防止していた。 しかし、この様な場合充分な干渉縞模様の発生を防止す
る効果が得られないばかりでなく、画像転写後のクリー
ニングにおいて、例えばプレーｐ２用いてクリーニング
する場合にも問題が生ずる。即ち、光受容層の表面は、
支持体上に設けられた凹凸に治った凹凸が生ずるため、
ブレードが光受容層の凹凸の凸部に主としてあたリ、ク
リーニング性が悪く、また、光受容層の凸部とブレード
表面の摩耗が大きくなり、結果的に両者の耐久性がよく
なく問題がある。 これに対し、本発明の光受容部材においては。 散乱効果をもたらす微小な凹凸形状が、球状痕跡窪み（
四部）内に存在するため、クリーニング時において、ブ
レードが光受容層の四部に接触するということがなくな
り、ブレードや光受容層表面に大きな負荷がかからない
という利点も有している。 さて、本発明の光受容部材の支持体表面に設けられる球
状痕跡窪みによる凹凸形状の曲率、幅、及び該球状痕跡
窪み内の更に微小な凹凸の高さは、こうした本発明の光
受容部材における干渉縞の発生全防止する作用効果を効
率的に得るについて重要である。本発明者らは、各種実
験を重ねた結果以下のところを究明した。 即ち、球状痕跡窪みによる凹凸形状の曲率をＲ１幅をＤ
とした場合、次式： ％式％ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが０．５本以上存在するこ
ととなる。さらに次式゛−２０，０５５ 全満足する場合には、各々の痕跡窪み内に７エアリング
干渉によるニュートンリングが１本以上存在することと
なる。 こうしたこと〃・ら、光受容部材の全体に発生する干渉
縞を、各々の痕跡窪み内に分散せしめ、光受容部材にお
ける干渉縞の発牛全防１］二するためには、前記百を０
．０３５、好寸しく←１．０．０５５以上とすることが
望ましい。 というのは、１１が０．５より大きくなると、窪みの幅
りが相対的に大きくなり、画像ムラ等を派生し易い状況
となるためである。 また、痕跡窪みによる凹凸の幅りは、大きくとも５００
１ｚｍ程度、好丑しくは２００μｍ以下、より好ましく
は１００μｔｎ以下とするのが重重しい。Ｄが５００μ
ｍｉ超えると、画像ムラを派生しやすくなるとともに、
解像力をこえてし１つおそれがあり、こうした場合には
、効率的な干渉縞防止効果が得られにくくなる。 球状痕跡窪み内に形成される微小凹凸の高さ、即ち、球
状痕跡窪み内の表面粗さｒ ｍａｘは、０．５〜２（ｂ
ｚｍの範囲であることが好寸しい。Ｔｍａ、ｘが０．５
μｍ以下である場合には散乱効果が十分に得られず、ま
た、２０μｍをこえると、球状痕跡窪みによる凹凸と比
較して、球状痕跡窪み内の微小凹凸が大きくなりすぎ、
痕跡窪みが球状をなさなくなったりして、干渉縞模様の
発生を防止する効果が充分に得られなくなる。丑た、こ
うした支持体上に設けられる光受容層の不均一性を増長
することともなり、画像欠陥を生じやすくなるため、好
ましくない。 −ｈ述のごとき特定の表面形状を有する支持体上に設け
る本発明の光受容部材の光受容層は、感光層と表面層と
からなり、該感光層は、シリコン原子と、ゲルマニウム
原子又はスズ原子の少なくともいずれか一方とを含有す
るアモルファス材料で構成され、特に望佳しくけシリコ
ン原子（Ｓｌ）と、ゲルマニウム、原子（Ｇｃ ）又は
スズ原子（８ｎ）の少なくともいずれか一方と、水素原
子（ｌ］）はハロゲン原子（Ｘ）の少なくともいずれか
一方とを含有するアモルファス材料〔以下、「ａ Ｓ
ｉ （Ｇｅ、Ｓｎ ） （Ｈ＋ Ｘ）Ｊと表記する。〕
、あるいは、酸素原子（０）、炭素原子（Ｃ）及び窒素
原子（Ｎ）の中から選ばれる少なくとも一種全含有する
ａ Ｓｉ （Ｇｅ、Ｓｎ ） （Ｈ、Ｘ ） ［：以
下、［ａ −８−ｉ（Ｇｅ、Ｓｎ ） （０ｙＣＩＮ
） （Ｉイ、Ｘ）Ｊ１表記する。〕で構成され、さらに
必要に応じて伝導性を制御する物質全含有せしめること
ができる。そして、該層は、多層構造を有することもあ
り、特に好ましくは、伝導性を制御する物質を含有する
電荷注入阻止層を構成層の１つとして有するか、または
／及び、障壁層を構成層の１つとして有するものである
。 また、前記表面層は、シリコン原子と、酸素原子、炭素
原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種と、好
寸しくけさらに水素原子又はハロゲン原子の少なくとも
いずれか一方とを含有するアモルファス材料〔以下、Ｊ
ａ−８ｉ（０，Ｃ，１寸） （■１． ｘ ） Ｊと表
記する。〕で構成されるか、あるいけ無機弗化物、無機
酸化物及び無機硫化物の中から選ばれる少なくとも一種
で構成されており、該表面層は、最外殻に耐摩耗層と、
内部に反射防止層を少なくとも有する多層構成とされて
いる。 本発明の光受容部材の光受容層の作成については、本発
明の前述の目的を効率的に達成するために、その層厚を
光学的レベルで正確に制御する必吸があることから、グ
ロー放電法、スパッタリング法、イオンシレーティング
法等の真空堆積法が通常使用されるが、これらの他、光
ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等全採用することもできる。 以下、図示の実施例にしたがって本発明の光受容部材の
具体的内容を説明するが、本発明の光受容部材はそれら
実施例により限定されるものではない。 第１図は、本発明の光受容部材の層構成全説明するため
に模式的に示した図であり、図中、１００は光受容部材
、１０１は支持体、１０２ｉｄ感光層、１０３は表面層
、１（１４は１′目１１表面を示している。 支持体 本発明の光受容部材における支持体１月は、その表面が
光受容部利に要求される解像力よりも微小な凹凸を有し
、しかも該凹凸は、複数の球状痕跡窪みによるものであ
り、かつ、該球状痕跡窪み内には更に微小な複数の凹凸
が形成されているものである。 以下に、本発明の光受容部拐における支持体の表面の形
状及びその好適な製造例を、第４及び５図により説明す
るが、本発明の光受容部材における支持体の表面形状及
びその製造法は、これらによって限定されるものではな
い。 第４図は、本発明の光受容部材における支持体の表面の
形状のり１↓型的−例を、その凹凸形状の一部を部分的
に拡大して模式的に示すものである。 第４図において４０１は支持体、４０２は支持体表面、
４０３は球状痕跡窪みによる凹凸形状、４（１４は該球
状痕跡窪み内に設けられた更に微小な凹凸形状を示して
いる。 さらに第４図は、該子持体表面形状を得るのに好寸しい
製造方法の１例をも示すものでもあり、４０３′は、表
面に微小な凹凸形状４（１４”ｉ有する剛体球を示して
おり、該剛体球４０３’に支持体表面４．０２より所定
高さの位置より自然落丁させて支持体表面４０２に衝突
させることにより、窪み内に微小な凹凸形状４（１４ヲ
有する、球状痕跡窪みによる凹凸形状４０３ ｉ形成し
うろことを示している。そして、ほぼ同一径Ｒ′の剛体
球４０３′を複数個用い、それらを同一の高さｈより、
同時あるいは逐時、落下させることにより、支持体表面
４０２に、はマ同一の曲率Ｒ及びはソ同一の幅Ｄｉ有す
る複数の球状痕跡窪み４０３ｆｆ形成することができる
。 第５図は、前述のごとくして表面に、複数の球状痕跡窪
みによる凹凸形状の形成された支持体のいくつかの典型
例を示すものである。読図において、５０１は支持体、
５０２は支持体表面、５０３は；窪み内に複数の更に微
小な凹凸形状を有する球状痕跡窪み（なお、第５図にお
いては球状痕跡窪み内に形成される更に微小な複数の凹
凸形状は図示していないが、球状痕跡窪み５０３内には
各々更に微小な凹凸形状を有しているものとする。）、
５０３′は表面に微小な凹凸形状を有する剛体球（同様
にして１表面の微小な凹凸形状は図示していないが、剛
体球の表面には、微小な凹凸形状を有しているものとす
る。）を、それぞれ示している。 第５（Ａ）図に示す例では、支持体５０１の表面５０２
の異なる部位に、ほぼ同一の径の複数の球体５０３′、
５０３′、・・・ｔほぼ同一の高さより規則的に落下さ
せてほぼ同一の曲率及びほぼ同一の幅の複数の痕跡窪み
５０３．５０３、・・・全圧いに重複し合うように密に
生じせしめて規則的に凹凸形状を形成したものである。 なおこの場合、互いに重複する窪み５０３．５０３、・
・全形成するには、球体５０３′の支持１本表面５０２
への衝突時期が、互いにずれるように球体５０３′、５
０３′、・・・全自然落下せしめる必要のあることはい
うまでもない。 また、第ｓ （１３）図に示す例では、異なる径を有す
る二種類の球体５０３′、５０３′、・・・をほぼ同一
の高さ又は異なる高さから落下させて、支持体５０１の
入面５０２に、二種の曲率及び二種の幅の複数の窪み５
０３．５０３、・・・を互いに重複し合うように密に生
じせしめて、表面の凹凸の高さが不規則な凹凸を形成し
たものである。 更に、第５（Ｃ）図（支持体表面の正面図および断面図
）に示す例では、支持体５０１の表面５０２に、ほぼ同
一の径の複数の球体５０３′、５０３′、・・・全ほぼ
同一の高さより不規則に落下させ、ほぼ同一の曲率及び
複数種の幅を有する複数の窪み５０３．５０３、・・・
全圧いに重複し合うように生じせしめて、不規則な凹凸
を形成したものである。 以」二のように、本発明の光受容部材の支持体の表面に
球状痕跡窪みによる凹凸形状全形成せしめ、かつ、該球
状痕跡窪み内に更に微小な複数の凹凸形状を形成せしめ
るについては、表面に微小な凹凸形状を有する剛体球を
支持体表面に落下させる方法が、好寸しい例として挙げ
られるが、この場合、剛体球の径、落下させる高さ、剛
体球と支持体表面の硬度、剛体球の表面の凹凸の形状及
び大きさ、あるいは落丁せしめる剛体球の量等の諸条件
を適宜選択することにより、支持体表面に所望の平均曲
率及び平均幅を有する球状痕跡窪み、あるいは該球状痕
跡窪み内に所望の大きさ及び形状の凹凸を、所定の密度
で形成することができる。１４１Ｊち、上記諸条件を選
択することにより、支持体表面に形成される凹凸形状の
凹凸の高さや凹凸のピッチ、あるいは凹凸形状の四部に
形成される更に微小な凹凸形状の凹凸の高さや凹凸のピ
ッチ等を、目的に応じて自在に調節することが可能であ
シ、所望の凹凸形状を有する支持体全得ることができる
。 そして、光受容部材の支持体全凹凸形状表面のものにす
るについて、旋盤、フライス盤等を用いたダイヤモンド
バイトにより切削加工して作成する方法の提案がなされ
ていてそれなりに有効な方法ではあるが、該方法にあっ
ては切削油の使用、切削により不可避的に生ずる切粉の
除去、切削面に残存してし寸う切削油の除去が不可欠で
あり、結局は加工処理が煩雑であって効率のよくない等
の問題を伴うところ、本発明にあっては、支持体の凹凸
表面形状を前述したように球状痕跡窪みにより形成する
ことから上述の問題は全くなくして所望の凹凸形状表面
の支持体を効率的且つ簡便に作成できる。 本発明に用いる支持体１０１は、導電性のものであって
も、また電気絶縁性のものであってもよい。導電性支持
体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａｌ、
Ｃｒ、 ＭＯＳＡｕ、Ｎｂ、 Ｔａ、 Ｖ、 Ｔｉ、ｐ
ｔ、 ｐｂ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等
の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の
表面を導電処理し、該導電処理された表面側に光受容層
を設けるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、Ｎ ｊ、Ｃｒ、
ＡＩ！、ＣｒｌＭｏ、 Ａｕ、 Ｉｒ、 Ｎｂ、 Ｔａ
、 Ｖ、Ｔ］、Ｐｔ１Ｐｄ。 Ｉｎ２Ｏ３５ｎ０２、ＩＴＯ（Ｉｎ２０ａ ＋５ｎ０２
）等かう成ル薄膜を設けることによって導電性全付与
し、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルム
であれば、ＮｉＣｒ、 Ａｌ、 Ａ、ｇ、Ｐｂ、 Ｚｎ
、 Ｎｉ、Ａｕ。 Ｃｒ、ＩＭｏ、 Ｉｒ、 Ｎｂ、 Ｔａ、 ＶｌＴｌ、
Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、ス
・ぐツタリング等でその表面に設け、又は前記金属でそ
の表面をラミネート処理して、その表面に導電性全付与
する。支持体の形状は、円筒状、ベルト状、板状等任意
の形状であることができるが、用途、所望によって、そ
の形状は適宜に決めることのできるものである。例えば
、第１図の光受容部−凹一 材１００ヲ電子写真用像形成部材として使用するのであ
れば、連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒
状とするのが望ましい。支持体の厚さは、所望通りの光
受容部材を形成しうる様に適宜決定するが、光受容部材
として可撓性が要求される場合には、支持体としての機
能が充分発揮される範囲内で可能な限シ薄くすることが
できる。しかしながら、支持体の製造上及び取扱い」二
、機械的強度等の点から、通常は、１０μ以上とされる
。 次に、本発明の光受容部材ｆ：電子写真用の光受容部材
として用いる場合について、その支持体表面の製造装置
の１例を第６（Ａ）図及び第６（Ｂ）図を用いて説明す
るが、本発明はこれによって限定されるものではない。 ′隠子写真用光受容部材の支持体としては、アルミニウ
ム合金等に通常の押出加工を施して、ボートホール管あ
るいはマンドレル管とし、更に引抜加工して得られる引
抜管に、必要に応じて熱処理や調質等の処理を施した円
筒状（シリンダー状）基体を用い、該円筒状基体に第６
（Ａ）、（Ｂ）図に示した製造装置を用いて、支持体表
面に凹凸形状全形成せしめる。 支持体表面に前述のような凹凸形状を形成するについて
用いる球体としては、例えばステンレス、アルミニウム
、鋼鉄、ニッケル、真鍮等のｌｉ、セラミック、プラス
チック等の各種剛体球を挙げることができ、とりわけ耐
久性及び低コスト化等の理由により、ステンレス及び鋼
鉄の剛体球が望ましい。そ１−てそうした剛体球の硬度
は、支持体の硬度Ｊ：りも高くても、あるいは低くても
よいが、球体ケ繰叔し使用する場合には、支持体の硬度
よりも高いものであることが望ましい。 本発明の支持体表面に前述のごとき特定形状を形成する
には、上述のような各種剛体球の表面に凹凸を有するも
のを使用する必要があり、こうした表面に凹凸を有する
剛体球は、例えばエンボス、波付は等の塑性加工処理全
応用する方法、地荒し法（梨地法）等の粗面化方法など
、機械的処理により凹凸を形成する方法、酸やアルカリ
による食刻処理等化学的法により凹凸を形成する方法な
どを用いて剛体球を処理することにより作製することが
できる。また更にこの様に凹凸を形成した剛体球表面に
、電解研摩、化学研摩、仕北げ研摩等、又は陽極酸化皮
膜形成、化成皮膜形成、めっき、はうろう、塗装、蒸着
膜形成、ＣＶＤ法による膜形成などの表面処理を施して
凹凸形状（高さ）、硬度などを適宜調整することができ
る。 第６（Ａ）、（Ｂ）図は、製造装置の一例を説明するた
めの模式的な断面図である。図中、６０１は支持体作成
用のアルミニウムシリンダーであり、該シリンダー６０
１は、予め表面を適宜の平滑度に仕上げられていてもよ
い。シリンダー６０１は、回転軸６０２に軸支されてお
り、モーター等の適宜の駆動手段６０３で駆動され、ほ
ぼ軸芯のまわりで回転可能にされている。６（１４は、
軸受６０２に軸支され、シリンダー６０１と同一の方向
に回転する回転容器であり、該容器６（１４の内部には
、表面に凹凸形状を有する多数の剛体球６０５が収容さ
れている。剛体球６０５は、回転容器６（１４の内壁に
設けられている突出した複数のリブ６０６によって担持
され、且つ、回転容器６（１４の回転によって容器上部
まで輸送される。回転容器の回転速度がある適度の速度
の時に、容器壁について容器上部まで輸送された剛体球
６０５は、シリンダー６０１上に向は落Ｆし、／リンダ
ー表面に衝突し、表面に痕跡窪みを形成する。 なお、回転容器６（１４の壁に均一に孔を穿っておき、
回転時に容器６（１４の外部に設けたシャワー管６０７
よシ洗浄液を噴射するようにし、シリンダー６０１と剛
体球６０５及び回転容器６（１４ヲ洗浄しうる様にする
こともできる。このようにした場合、剛体球どうし、又
は剛体球と回転容器との接触等により生ずる静電気によ
って付着したゴミ等を、回転容器６（１４外へ洗い出す
こととなり、ゴミ等の付着がない所望の支持体全形成す
ることができる。該洗浄液としては、洗浄液の乾燥むら
や液だれのないものを用いる必要が−３’ｉ’ − あり、こうしたことから不揮発性物質単独、又ハトリク
ロルエタン、トリクロルエチレン等ノ洗浄液との混合物
を用いるのが好ましい。 感光層 本発明の光受容部材においては、前述の支持体１０１上
に、感光層１０２が設けられておυ、該感光層は、ａ−
８ｉ （Ｇｅ、Ｓｎ ） （Ｈ、Ｘ）又はａ−８ｉ（（
）ｅ、Ｓｎ ） （０＋Ｃ＋Ｎ ） （Ｈｒ ｘ）
で構成されており、好ましくは、さらに伝導性を制御す
る物質を含有せしめることができる。 感光層中に含有せしめるノ・ロゲン原子凶）としては、
具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、時
にフッ素、塩素を好適なものとして挙げることができる
。そして、感光層１０２中に含有される水素原子（Ｈ）
の量又はノ・ロゲン原子（（３）の量又は水素原子とハ
ロゲン原子の量の和（Ｈ十Ｘ）は通常の場合１〜４０
ａｔｏｍｉｃ ％、好適には５〜３０ ａｔｏｍｉｃ
％とされるのが望ましい。 また、本発明の光受容部材において、感光層の層厚は、
本発明の目的を効率的に達成するには重要な袋内の１つ
であって、光受容部材に所望の特性が与えられるように
、光受容部材の設計の際には充分な注意を払う心安があ
り、通常は１〜１００ｚｚとするが、好寸しくけ１〜８
０μ、より好ましくは２〜５０ Ｉｔとする。 ところで、本発明の光受容部材の感光層にゲルマニウム
原子及び／又はスズ原子を含有せしめる目的は、主とし
て該光受容部材の長波長側における吸収スペクトル特性
を向上せしめることにある。 即ち、前記感光層中にゲルマニウム原Ｐ又は／及びスズ
原子を含有せしめることにより、本発明の光受容部材は
、各種の優れた特性を示すところのものとなるが、中で
も特に可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的長波
長屋の全領域の波長の光に対して光感度が優れ光応答性
の速いものとなる。そしてこのことは、半導体レーザー
全光線とした場合に特に顕著である。 本発明における感光層においては、ゲルマニウム原子又
は／及びスズ原子は、その全層領域に含有せしめても、
あるいは、支持体と接する一部の層領域に含有せしめて
もよい。後者の場合、感光層は、ゲルマニウム原子又は
／及びスズ原子全含有する構成層と、ゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子のいずれも含有しない構成層が支持
体側の端部よりこの順に積層された層構成全有するもの
となる。そして、ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子
を全層領域に含有せしめる場合および一部の層領域にの
み含有せしめる場合のいずれの場合も、ゲルマニウム原
子及び／又はスズ原子を該層中または層領域中に、均一
な分布状態で含有せしめてもよく、あるいは不均一な分
布状態で含有せしめてもよい。 （ここで均一な分布状態とは、ゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の分布濃度が、感光層の支持体表面と平行
な面方向において均一であり、感光層の層厚方向にも均
一であることをいい、又、不均一な分布状態とは、ゲル
マニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃度が、感光層
の支持体表面と平行な面方向には均一であるが、感光層
の層厚方向には不均一であることをいう。）そして本発
明の感光層においては、特に、支持体側の端部にゲルマ
ニウム原子及び／又はスズ原子を比較的多量に均一な分
布状態で含有する層を設けるか、あるいは自由表面側よ
りも支持体側の方に多く分布した状態となる様にゲルマ
ニウム原子又は／及びスズ原子を含有せしめることが望
ましく、こうした場合、支持体側の端部においてゲルマ
ニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃度を極端に大き
くすることによシ、半導体レーザー等の長波長の光源を
用いた場合に、光受容層の自由表面側に近い構成層又は
層領域においては殆んど吸収しきれない長波長の光を、
光受容層の支持体と接する構成層又は層領域において実
質的に完全に吸収されるため、支持体表面からの反射光
による干渉が防止されるようになる。 前述のごとく、本発明の感光層においては、ゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子を全層中又は一部の構成層中
に均一に分布せしめることもでき、あるいは、全層又は
一部の構成層の層厚方向に連続的かつ不均一に分布せし
めることもできるが、以下、層厚方向に連続的かつ不均
一な分布状態の典型的な例のいくつかを、ゲルマニウム
原子を例として、第７乃至１５図により説明する。 第７図乃至第１５図において、横軸はゲルマニウム原子
の分布濃度ｃｌ、縦軸は、感光層全層又は支持体と接す
る一部の構成層の層厚を示し、ｔＢは支持体側の感光層
の端面の位置全、ｔＴは支持体側とは反対側の表面層側
の端面、又はゲルマニウム原子を含有する構成層とゲル
マニウムを含有しない構成層との界面の位置を示す。即
ち、ゲルマニウム原子の含有される感光層はｔＢ側より
ｔＴ側に向って層形成がなされる。 同、各図に於いて、層厚及び濃度の表示はそのままの値
で示すと各々の図の違いが明確でなくなる為、極端な形
で図示しており、これらの図はあくまでも理解全容易に
するための説明のための模式的なものである。 第７図には、感光層中に含有されるゲルマニウム原子の
層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。 第７図に示される例では、ゲルマニラｌ、原子の含有さ
れる感光層が形成される支持体表面と該層とが接する界
面位置１中より１、・ｒの位置脣では、ゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃが濃度Ｃ１なる一定の値を取り乍らゲル
マニウノ、原子が感光層に含有され、位置ｔ〕よりは、
濃１川Ｃ２より界面位置ｔＴに至るまで徐々に連続的に
減少されている。 界面位置ｔＴにおいてはゲルマニウム原子の分布濃度Ｃ
は実質的にゼロとされる。 （ここで実質的にゼロとは検出限界量未満の場合である
。） 第８図に示される例においては、含有されるゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置１、Ｂより位置ｔＴに至るま
で濃度Ｃ，から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおい
て濃度Ｃ４となる様な分布状態全形成している。 第９図の場合には、位置ｔＢより位置１，２までは、ゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ５と一定位置とさ
れ、位置１，２と位置ｔ７との間において、徐々に連続
的に減少され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的
にゼロとされている。 第１０図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置１．Ｂより位置１，３に至る丑で、濃度Ｃ６より初
め連続的に徐々に減少され、位置ｔ３よりは急速に連続
的に減少されて位置ｔＴにおいて実質的にゼロとされて
いる。 第１１図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置ｔＢと位置ｔ４間においては、濃度Ｃ７と
一定値であり、位置ｉ、Ｔに於ては分布濃度Ｃはゼロと
される。位置ｔ４と位置↑１Ｔとの間では、分布濃度Ｃ
は一次関数的に位置ｔ４より位置ｔＴに至る壕で減少さ
れている。 第１２図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔ５丑では濃度Ｃ８の一定値を取り、位置ｔ
５より位置ｔＴまでは濃度Ｃ９より濃度Ｃ１０丑で一次
関数的に減少する分布状態とされている。 第１３図に示す例においては、位置１＝Ｅより位置ｔＴ
に至る寸で、ゲルマニウノ、原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ
１］ より一次関数的に減少されて、ゼロに至っている
。 第１４図においては、位置ｔＢより位置ｔ６に至るまで
はゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１２より濃
度Ｃ１３まで一次関数的に減少され、位置ｔ６と位置ｔ
Ｔとの間においては、濃度Ｃ］、３の一定値とされた例
が示されている。 第１５図に示される例において、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔ１．ｌにおいて濃度Ｃ１４であシ、
位置ｔ７に至る丑ではこの濃度Ｃ］４ より初めはゆ
っくりと減少され、↑、７の位置付近においては、急激
に減少されて位置ｔ７では濃度Ｃ１５とされる。 位置１．と位置ｔ８との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ８
で濃度Ｃ］、６ となり、位置ｔ８と位置ｔ９との間
では、徐々に減少されて位置ｔ９において、濃度Ｃ，に
至る。位置ｔ９と位置ｔＴとの間においては濃度Ｃ］７
より実質的にゼロになる様に図に示す如き形状の曲線
に従って減少されている。 以上、第７図乃至第１５図により、感光層中に含有され
るゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の層厚方向の分
布状態の典型例の幾つかを説明した様に、本発明の光受
容部材においては、支持体側において、ゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の分布濃度Ｃの高い部分を有し、
界面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に比
べてかなり低くされた部分を有するゲルマニウム原子又
は／及びスズ原子の分布状態が感光層に設けられている
のが望ましい。 即ち、本発明における光受容部材を構成する感光層は、
好ましくは、上述した様に支持体側の方にゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子が比較的高濃度で含有されてい
る局在領域を有するのが重重しい。 本発明の光受容部材に於ては、局在領域は、第７図乃至
第１５図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢ
より５ ｌｔ以内に設けられるのが望ましい。 そして、上記局在領域は、界面位置ｔＢより５μ厚まで
の全層領域とされる場合もあるし、又、該層領域の一部
とされる場合もある。 局在領域を層領域の一部とするか又は全部とするかは、
形成される光受容層に要求される特性に従って適宜決め
られる３゜ 局在領域はその中に含有されるゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム
原子又に１、／及びスズ原子の分布濃度の最大値Ｃ工、
Ｘがシリコン原ｆ−に対して、好ましくは１０００ ａ
、 ｔｃｕ旧（ｌ Ｉ−）１１１＋１以ト、より好適に
は５０００ ａもｏｍｉｃ ｐｐｍ以」−１最適にｔｄ
、 Ｉ Ｘ ｌ（１’ａ ｌａ＋ｒ＋＋ｃｐｐｍ以」二
とされる様な分布状態となり１１）る様に層形成される
のが望ましい３゜ 即ち、本発明の光受容部材においては、ゲルマニウム原
子又は／及びスズ原Ｐの含有される感光層は、支持体側
からの層厚で５ ｌｔ以内（ｔ！３から５μ層の層領域
）に分布濃度の最大値Ｃｍａｘが存在する様に形成され
るのが好ましいものである。 不））６明の光受容部材において、感光層中に含有せし
めるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の含有Ａ（は
、本発明の目的を効率的に達成しつる様に所望に従って
適宜決める心安があり、通常は１〜６ Ｘ １０” ａ
ｔｏｍｊ、ｃ ｐｐｍとするが、好ましくは１０／−３
Ｘ １０５１０５ａｔｏ ｐｐｍ、より好ましくｉ’；
ｊ： Ｉ Ｘ １０２〜２ Ｘ １０５１０５ａｔｏ
ｐｐｍとする。 本発明の光受容部材の感光層に、酸素原子、炭素原子及
び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種全含有せしめ
る目的は、主として該光・受答部材の高光感度化と高暗
抵抗化、そして支持体と感光層との間の密着性の向上に
ある。 本発明の感光層においては、酸素原子、炭素原子及び窒
素原子の中から選ば扛る少くとも一種全含有せしめる１
易合、層厚方向に均一な分布状態で含有せしめるか、あ
、るいは層厚方向に不均一な分布状態で含有せしめるか
は、前述の目的とするところ乃至期待する作用効果によ
って異なり、したがって、含有せしめる量も異なるとこ
ろとなる。 すなわち、光受容部材の高光感度化と高暗抵抗化全目的
とする場合には、感光層の全層領域に均一な分布状態で
含有せしめ、この場合感光層に含有せしめる炭素原子、
酸素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種の
量は、比較的少量でよい。 筐た、支持体と感光層との密着性の向上全目的とする場
合には、感光層の支持体側端部の一部の層領域に均一に
含有せしめるか、あるいは、感光層の支持体側端部にお
いて、炭素原子、酸素原子、及び窒素原子の甲から：、
”、４ばれる少くとも一種の分布湿度が島くなるような
分布状態で含有せしめ、この場合、感光層に含有せしめ
る酸素原子、炭素原子、及び窒素原子の中から選ばれる
少くとも一種の量は、支持体との密着性の向上全確実に
図るために、比較的多量にされる。 本発明の光受容部材において、感光層に含有せしめる酸
素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くと
も一種の量は、しかし、上述のごとき感光層に要求され
る特性に対する考慮の他、支持体との接触界面における
特性等、有機的関連性にも考慮をはらって決定されるも
のであり、通常は０．００１〜５０ ａｔｏｍｉｃ％、
好ましくは０．００２〜４０ ａｔｏｍｉｃ％、最適に
は０．００３〜３０ａｔｏｍｉｃ％とする。ところで、
感光層の全層領域に含有せしめるか、あるいは、含有せ
しめる一部の層領域の層厚の感光層の層厚中に占める割
合が大きい場合には、前述の含有せしめる量の上限全少
なめにされる。すなわち、その場合、例えば、含有せし
める層領域の層厚が、感光層の層厚の％となるような場
合には、含有せしめる量は通常３０ ａｔｏｍｉｃ ％
以下、好ましくはａ）ａｔｏｍｉｃ係以下、最適には１
０ ａｔｏｍｉｃ％以下にされる。 次に不発明の感光層に含有せしめる酸素原子、炭素原子
及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種の量が、支
持体側においては比較的多量であり、支持体側の端部か
ら表面層側の端部に−５０〜 向かって減少し、感光層の表面層側の端部伺近において
は、比較的少１１４−となるか、あるいは実質的にゼロ
に近くなるように分布せしめる場合の典型的な例のいく
つかを、第１６図乃至第２４図によって説明する。しか
し、本発明はこれらの例によって限定されるものではな
い。以下、炭素原子、酸素原子及び窒素原子の中から選
ばれる少くとも一層を「原子（０，Ｃ，Ｎ ） Ｊと表
記する。 第１６乃至討図において、横＋ｌｌ＋は原子（ｏ、ｃ、
Ｎ）の分布濃度Ｃｉ、縦軸は感光層の層厚を示し、ｔＢ
は支持体と感光層との界面位置を、ｔＴは感光層の表面
層との界面の位置ケ示す。 第１６図は、感光層中に含有せしめる原子（０゜Ｃ，Ｎ
）の層厚方向の分布状態の第一の典型例全示している。 眼側では、原子（０，Ｃ，Ｎ ）−２含有する感光層と
支持体との界面位置ｔＢより位置ｔ］才では、原子（ｏ
、ｃ、Ｎ）の分布濃度Ｃが０１なる一定値をと９、位置
ｔｌＪ：ｐ表面層との界面位置ｔＴまでは原子（ｏｒ”
：ｒＮ）の分布濃度Ｃが濃度Ｃ２から連続的に減少し、
位置ｔＴにおいては原子（０，Ｃ，Ｎ ）の分布濃度が
０３となる。 第１７図に示す他の典型例の１つでは、感光層に含有せ
しめる原子（０，Ｃ，Ｎ ）の分布濃度Ｃは、位置ｔＢ
から位置ｔＴにいたるまで、濃度ｃ４から連続的に減少
し、付随ｔＴにおいて濃度ｃ５となる。 第１８図に示す例では、位ｈａｔ ｔＢから位置ｔ２ま
では原子（０，Ｃ，Ｎ ）の分布濃度Ｃが譲度ｃ６なる
一定値を保ち、位置ｔ２から位置ｔＴにいたるまでは、
原子（０，ｃ、Ｎ ）の分布濃度Ｃは濃度ｃ７から徐々
に連続的に減少して位ｍｔＴにおいては原子（０゜Ｃ，
Ｎ）の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。 第１９図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ ）の分布濃
度Ｃは位置ｔｎより位置ｔＴにいたる才で、濃度Ｃ８か
ら連続的に徐々に減少し、位置ｔＴにおいては原子（０
，Ｃ，Ｎ ）の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。 第２０図に示す例では、原子（○、Ｃ，Ｎ ）の分布濃
度Ｃは、位置ｔＢより位ｗｔ３の間においては濃度Ｃ９
の一定値にあり、位置ｔ３から位ＭｔＴの間においては
、濃度Ｃ９から濃度Ｃ１ｏとなるまで、−次間数的に減
少する。 第２１図に示す例では、原子（ｏｒｃｒＮ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＢより位置ｔ４にいたる丑では濃度Ｃ１ｌ
の一定値にあり、位置１，４よ逆位置ｔＴにいたるまで
は濃度Ｃ１，２から濃度Ｃ１３となる丑で一次関数的に
減少する。 第ｎ図に示す例においては、原子（０＋Ｃ＋Ｎ ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢから位置ｔＴにいたるまで、濃度
Ｃ１４から実質的にゼロとなる壕で一次関数的に減少す
る。 第羽図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ ）の分布濃度
Ｃは、位置１＋＞から位置ｔ５にいたる丑で濃度Ｃ１５
から濃Ｋ Ｃ１６となる丑で一次関数的に減少し、位置
ｔ５から位置ｔ７１ではｉ度Ｃｌ−６の一定値全保つ。 最後に、第２４図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の
分布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度ｃｘ７であり、位
置ｔＢから位置ｔ６ｆでは、濃度Ｃ□、からはじめはゆ
つくり減少して、位置ｔ６付近では急激に減少し、位置
ｔ６では濃度Ｃ１，８となる。次に、位置ｔ６から位置
ｔ７までははじめのうちは急激に減少し、その後は緩か
に徐々に減少し、位置１゜においては濃度Ｃ１，９とな
る。更に位置ｔ７と位置ｔ８の間では極めてゆっくりと
徐々に減少し、位置ｔ８において濃度Ｃ２０となる。ま
た更に、位置ｔ８から位置ｔＴにいたるまでは、濃度Ｃ
２Ｏから実質的にゼロとなる丑で徐々に減少する。 第１６図〜第２４図に示した例のごとく、感光層の支持
体側の端部に原子（０，Ｃ，Ｎ ）の分布濃度Ｃの高い
部分を有し、感光層の表面層側の端部においては、該分
布濃度Ｃがかなシ低い部分を有するか、あるいは実質的
にゼロに近い濃度の部分を有する場合にあっては、感光
層の支持体側の端部に原子（０，Ｃ，Ｎ ）の分布濃度
が比較的高濃度である局在領域を設けること、好ましく
は該局在領域を支持体表面と感光層との界面位置ｔＢか
ら５μ以内に設けることにより、支持体と感光層との密
着性の向上をより一層効率的に達成することができる。 前記局在領域は、原子（０ＩＣＩＮ ） −を含有せし
める感光層の支持体側の端部の一部層領域の全部であっ
ても、あるいは一部であってもよく、いずれにするかは
、形成される感光層に要求される特性に従って適宜状め
る。 局在領域に含有せしめる原子（０，Ｃ，Ｎ ）の量は、
原子（０，Ｃ，Ｎ ）の分子濃度Ｃの最大値が５００
ａｔｏｍｊ、ｃ ｐｐｍ以上、好捷しくは８００ ａｔ
ｏｍｉｃｐｐｍ以上、最適には１０００ ａｔｏｍｊ−
ｃ ｐｐｍ以上トするような分布状態とするのが重重し
い。 本発明の光受容部材においては感光層に伝導性全制御す
る物質を、全層領域又は一部の層領域に均−又は不均一
な分布状態で含有せしめることができる。 前記伝導性を制御する物質としては、半導体分野におい
ていういわゆる不純物を挙げることができ、ｐ型伝導性
を与える周期律表第■族に属する原子（以下単に「第ｍ
族原子」と称す。）、又は、ｎ型伝導性を与える周期律
表第Ｖ族に属する原子（以下単に「第Ｖ族原子」と称す
。）は、Ｂ（細索） 、 ＡＪ （アルミニウム）、Ｇ
ａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔｌ（タリウム
）等を挙げることができるが、特に好ましいものは、月
、Ｇａである。また第Ｖ族原子としてはＰ（燐）、Ａｓ
（砒素）、ｓｂ（アンチモン）、Ｂ］（ビスマン）等を
挙げることができるが、特に好ましいものは、ｐ＝ｓｂ
である。 本発明の感光層に伝導性を制御する物質である第■族原
子又は第Ｖ族原子を含有せしめる場合、全層領域に含有
せしめるか、あるいは一部の層領域に含有せしめるかは
、後述するように目的とするところ乃至期待する作用効
果によって異なり、含有せしめる量も異なるところとな
る。 すなわち、感光層の伝導型又は／及び伝導率を制御する
ことを主たる目的にする場合には、感光層の全層領域中
に含有せしめ、この場合、第■族原子又は第Ｖ族原子の
含有量は比較的わずかでよく、通常はＩ Ｘ Ｔｏ−”
〜Ｉ Ｘ １０” ａｔｏｍｉｃｐｐｍであり、好ま
しくば５Ｘ ＩＱ−２〜５ Ｘ１０Ｘ１０２ａｔｏ ｐ
ｐｍ、最適には１×１（戸〜２ Ｘ １０” ａｔ、ｏ
ｍｊ ｃｐｐｍである。 また、支持体と接する一部の層領域に第１［１族原子又
は第Ｖ族原子を均一な分布状態で含有せしめるか、ある
いは層厚方向における第１Ｈ族原子又は第■族原子の分
布濃度が、支持体と接する側において高濃度となるよう
に含有せしめる場合には、こうした第■族原子又は＠Ｖ
族原子を含有する構成層あるいは第■族原子又は第Ｖ族
原子を高濃度に含有する層領ＦＪ！２は、電荷注入阻止
層として機能するところとなる。即ち、第■族原子を含
有せしめた場合には、光受容層の自由表面が■極性に帯
電処理を受けた際に、支持体側から光受容層中へ注入さ
れるｍ子の移動をより効率的に阻止することができ、又
、第Ｖ族原子を含有せしめた場合には、光受容層の自由
表面が○極性に帯電処理を受けた際に、支持体側から光
受容層中へ注入される正孔の移動をよシ効率的に阻止す
ることができる。そして、＝５７ ＝ こうした場合の含有量は比較的多量であって、具体的に
は、３０〜５ Ｘ １０’ ａｔｏｍｉｃ ｐｐｍ 、
好ましくは５（Ｌ−Ｉ Ｘ １０’ ａｔｏｍｉｃ ｐ
ｐｍ 、最適には１×１０２〜５×１０３ａｔｏ１０３
ａｔｏとするｎさらに・該電荷注入阻止層としての効果
を効率的に奏するために幻：、第■族原子又は第Ｖ族原
子を含有する支持体側の端部に設けられる層又は層領域
の層厚ｙ ｔとし、光受容層の層厚ｉＴとした場合、ｔ
／Ｔ≦０．４の関係が成立することが望ましく、より好
ましくは該関係式の値が０．３５以下、最適には０．３
以下となるようにするのが望ましい。 また、該層又は層領域の層厚上は、一般的には３ Ｘ
１．０−３〜ｌＯμとするか、好壕しくけ４． Ｘ １
０−”〜８μ、最適には５ Ｘ ｌＯ＝〜５μとするの
が重重しい。 次に感光層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子の
量が、支持体側においては比較的多量であって、支持体
側から表面層側に向って減少し、表面層との界面付近に
おいては、比較的少量となるかあるいは実質的にゼロに
近くなる−５８＝ ように第■族原子又は第■族原子を分布させる場合の典
型的例は前述の感光層に酸素原子、炭素原子及び窒素原
子の中から選ばれる少なくとも一種を含有せしめる場合
に例示した、第１６図乃至冴図の例と同様の例によって
説明することができる。しかし、本発明は、これらの例
によって限定されるものではない。 第１６図〜第２４図に示した例のごとく、感光層の支持
体側に近い・則に第１ＩＩ族原子又は第Ｖ族原子の分布
濃度Ｃの高い部分含有し、表面層との界面側においては
、該分布濃度Ｃがかなり低い濃度の部分あるいは実質的
に一１！口に近い濃度の部分を有する場合にあっては、
支持体側に近い部分に第■族原子又ｄ、第Ｖ族原子の分
布濃度が比較的高濃度である局在類１威を設けること、
好ましくは該局在類１戎を支持体表面と接触する界面位
置から５μ以内に設けることにより、第１Ｈ族原子又は
第Ｖ族原子の分布濃度が高濃度である層領戦が電荷注入
阻止層全形成するという前述の作用効果がより一層効率
的に奏される。 以上、第１Ｈ族原子又は第Ｖ族原子の分布状態について
、個々に各々の作用効果を記述したが、所望の目的を達
成しうる特性を有する光受容部材を？４）るについては
、これらの第■族原子又は第Ｖ族原子の分布状態および
感光層に含有せしめる第１ＩＴ族原子又は第Ｖ族原子の
量を、必要に応じて適宜組み合わせて用いるものである
ことは、いうまでもない。例えば、感光層の支持体側の
端部に電荷注入阻止層を設けた場合、電荷注入阻止層以
外の感光層中に、電荷注入阻止層に含有せしめた伝導性
を制御する物質の極性とは別の極性の伝導性を制御する
物質を含有せしめてもよく、あるいは、同極性の伝導性
を制御する物質を、電荷注入阻止層に含有される量より
も一段と少ない量にして含有せしめてもよい。 さらに、本発明の光受容部材においては、支持体側の端
部に設ける構成層として、電荷注入阻止層の代わりに、
電気絶縁性材料から成るいわゆる障壁層を設けることも
でき、あるいは、該障壁層と電荷注入阻止層との両方を
構成層とすることもできる。こうした障壁層を構成する
材料、！： Ｌ テｉｈ、、Ａ７！２０３．８１０２、
”Ｊ”＋ ４３Ｎ４等の無機′ｍ気絶縁材料やポリカー
ボネート等の有機電気絶縁材料を挙げることができる。 表面層 本発明の光受容部材の表面層１０３は、前述の感光層１
０２の上に設けられ、自由表面１（１４を有している。 該表面層１０３は、光受容部材の自由表面１（１４にお
ける入射光の反射をへらし、透過率を増加させるととも
に、光受容部材の耐湿性、連続繰返し使用特性、電気的
耐圧性、使用環境特性および耐久性等の諸特性を向上せ
しめる目的で、感光層１０２の上に形成せしめるもので
ある。そして、第二の層の形成材料は、それをもってし
て構成される層が優れた反射防止機能を奏するとともに
、前述の諸特性を向上せしめる機能を奏するという条件
の他に、光受容部材の光導電性に悪影響を与えないこと
、電子写真特性、例えば、ある程度以上の抵抗を有する
こと、液体−６コ − 現像法を採用する場合には耐溶剤性にすぐれていること
、すでに形成されている感光層の諸特性を低下させない
こと等の条件が要求されるものであって、こうした諸条
件を満たし、有効に使用しうるものとしては、シリコン
原子（Ｓｌ）と、酸素原子（０）、炭素原子（Ｃ）及び
窒素原子（Ｎ）の中から選ばれる少くとも一種と、好ま
しくはさらに水素原子（■１）又はノ・ロゲン原子図）
の少なくともいずれか一方を含有するアモルファス材料
〔以下、「ａ−８ｊ、（○、ｃ、Ｎ）（Ｈ，Ｘ）Ｊと表
記する。〕あるいは、ＭｇＦ２、Ａｌ ２０３、Ｚ ｎ
Ｓ ％ Ｔ １０２、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、ＣｅＦ３
、ＡｌＦ３、ＮａＦ 等の無機弗化物、無機酸化物及
び無機硫化物の中から選ばれる少くとも一種が挙げられ
る。 そして、本発明の光受容部材にあっては、該表面層の層
厚むらによって生じる干渉模様や感度むらの問題を解消
するため、表面層の構成を、最外殻に耐摩耗層、内部に
反射防止層を少なくとも有する多層構成とするものであ
る。即ち、表面層を多層構成とする本発明の光受容部材
にあっては、表面層内に複数の界面が生じ、各界面での
反射が互いに打ち消し合うことにより、表面層表感光層
との界面にＪ、・Ｉｄる反射を減少せしめることができ
るため、従来の表面層の層厚むらによる反射率の変化と
いう問題が解消さノー１−ることとなる。 本発明の表面層を構成する耐摩耗層（最外部層）および
反射防止層（内部層）は、それ等に要求される特性を満
足する様に形成されるものであれば、各々、一層構成の
みならず、二層以上の多層構成と１〜でもよいことはい
う寸でもない。 表面層をこうした多層構成とするには、耐摩耗層（最外
部層）と反射防１に層（内部層）を構成する層の光学的
バンドギャップ（Ｅｏｐｔ ）が異なるように形成する
。具体的には、耐摩耗層（最外部層）の屈折率と反射防
止層（内部層）の屈折率と、表面層が直接設けられる感
光層の屈折率を各々異なるように形成せしめる１、そし
て、感光層のＡＴＩ折率をｒｌ、表面層を構成する耐摩
耗層の屈折率を１１３、反射防止層の屈折率をｎ、１、
反射防止層の厚さをｄ、入射光の波長をλとした場合、
次式： ％式％） ２ｎ３ｄ ＝ （−十ｍ ） ／ｌ （ｍは整数を表わ
す。）の関係を満足するようにすることにより、感光層
と表面層の界面における反射をゼロとすることができる
。 上記の例ではｎｌ＜ ｎ３ ＜ ｎ２としたが、眼側は
１例であって、これに限定される必要はなく、例えば、
表面層をンリコン原子と、酸素原子、炭素原子又は窒素
原子の中から選ばれる少くとも一種を含有するアモルフ
ァス材料で構成する場合、表面層中に含有せしめる酸素
原子、炭素原子又は窒素原子の量を耐摩耗層と反射防止
層とで異ならしめることにより、屈折率を異ならしめる
。具体的には、感光層をａ ＳＩＨで構成し、表面層
をａ−３ｉＣＨで構成する場合であれば、耐摩耗層中に
含有せしめる炭素原子の量を、反射防止層中に含有せし
める炭素原子の量よりも多くし、感光層の屈折率ｎ１反
射防止層の屈折率ｎ３、耐摩耗層の屈折率ｎ２、耐摩耗
層の層厚ｄの各々をｎｌ”Ｍ２．ｏ、ｎｚ”？３．５、
ｎａ ”ｓ ２．６５ 、ｄ ＞ ７５５Ｘとする。１
だ、表面層中に含有せしめる酸素原子、炭素原子又は窒
素原子を、耐摩耗層と反射防止層とで異ならしめること
により、各々の耐摩耗層をａ Ｓ］、Ｃ（ＨＩ Ｘ
）で形成せしめ、反射防止層をａ−８ｊ−Ｎ （Ｈ、Ｘ
）又はａ−８ｉｏ （Ｈ、Ｘ）で形成せしめることがで
きる。 表面層を構成する耐摩耗層及び反射防止層中には、酸素
原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも
一種を均一な分布状態で含有せしめるものであるが、こ
れらの原子の含有せしめる量の増加に伴い、前述の緒特
性は向上する。しかし、多すぎると、層品質が低下し、
電気的及び機械的特性も低下する。こうｉ〜たことから
、表面層中に含有せしめるこれらの原子の量は、通常０
．００１〜９０ ａ先ｏｍｉｃ％、好１しくけ１〜９０
ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜８０ａｔｏｍｊ、ｃ係
とする。さらに該表面層にも水素原子又はハロゲン６５
一 原子の少なくともいずれか一方を含有せしめることが望
壕しく、表面層に含有せしめる水素原子（■」）の量、
又はハロゲン原子〆）の量、あるいは水素原子とハロゲ
ン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は通常１〜４０ ａｔｏｍｉ
ｃ％、好ましくは５〜３０ａｔｏｍｉｃ％、最適には５
〜２５ ａ １； ｏｍ ｊ、 ｃ％とする。 また更に、表面層を無機弗化物、無機酸化物、及び無機
硫化物の中から選ばれる少くとも一種で構成する場合に
は、以下に例示する各々の無機化合物及びその混合物の
屈折率を考慮して、感光層、耐摩耗層および反射防止層
の各々の屈折率が異なり、前述した条件を満たすべく選
択して用いる。無慎化合物及びその混合物の屈折率はカ
ッコ書きで示す。Ｚｒ０ｚ （２，００）、Ｔｊ、Ｑ２
（２，２６）、ＺｒＯ２／ Ｔｉ０２＝ ６７１ （２
，０９）、ＴｉＯ２／Ｚｒ０２＝ ３７１ （２，２０
）、ＧｅＯ２（２，２３）、Ｚｎ５（２，２４）、Ａｈ
Ｏｓ （１，、６３）、ＣｅＦ３ （］、、６０ ）、
Ａｌｚ０３ ／ Ｚｒ０２＝１、／］、 （１，６８）
、ＭｇＦ２ （１，３８）。なお、これ等の屈折率につ
いては、作成する層の種類、条件等により、多少変動す
るものであることはいうまでもない。 また、本発明において、表面層の層厚も本発明の目的を
効率的に達成するだめの重要な要因の１つであり、所期
の目的に応じて適宜決定されるものであるが、該層に含
有せしめる酸素原子、炭素原子、窒素原子、・・ロゲン
原子、水素原子の量、あるいは表面層に要求される特性
に応じて相互的かつ有機的関連性の下に決定する必要が
ある。更に、生産性や鼠産性をも加味した経済性の点に
おいても考慮する必要もある。 こうしたことから、表面層の層厚は通常は３×１０−３
〜３０μとするが、より好壕しくは４ Ｘ １０−”〜
２０μ、特に好ましくは５ Ｘ １０−”〜１０μとす
る。 本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。 寸だ、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、′電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、・・−フトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。 次に本発明の光受容層の形成方法について説明する。 本発明の光受容層を構成する非晶質材料はいずれもグロ
ー放電法、ス・Ｑツタリング法、或いはイオンブレーテ
ィング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって行
われる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の
負荷程度、製造規模、作製される光受容部材に所望され
る特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、
所望の特性を有する光受容部材を製造するに当っての条
件の制御が比較的容易であり、シリコン原子と共に炭素
原子及び水素原子の導入を容易に行い得る等のことから
して、グＯ−放電法或いはス・ｇツタリング法が好適で
ある。 そして、グロー放電法とスパッタリング法とを同一装置
系内で併用して形成してもよい。 例えば、グロー放電法によって、ａ ５ｌ（８１χ）
で構成される層を形成するには、基本的にはシリコン原
子（Ｓ］）を供給しイ１するＳ１供給用の原料ガスと共
に、水素原子（Ｉｉ）導入用の又は／及びハロゲン原子
区）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内
に導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め
所定位置に設置した所定の支持体表面」−に８． ！
〕１． （Ｈ＋ Ｘ ）から成る層を形成する。 前記Ｓ１供給用の原料ガスとしては、Ｓ ］、ｌ−１４
、８ｉ２Ｉ４６、Ｓ ｉ ３ ＨＢ、Ｓ １４Ｈｉｏ
等のガス状態の又はガス化ｌ−得る水素化硅素（シラン
類）が挙げられ、特に、層形成作業のし易さ、Ｓ１供給
効率の良さ等の点で、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が好ましい
。 丑だ、前記ハロゲン原子導入用の原料ガスとしては、多
くのハロゲン化合物が挙げられ、例工ばハロゲンガス、
ハロゲン化物、ハｏ ’ｙ’ ７間化合物、ハロゲンで
置換されたシラン誘導体等のガス状態の又はガス化しう
るハロゲン化合物が好ましい。具体的にはフッ素、塩素
、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ、 ＣｌＦ、
Ｃ１１Ｆ３、ＢｒＦ５、ＢｒＦ３、ＩＦ、、ＩＣ１１１
Ｂｒ等のハロゲン間化合物、およびＳ ＩＦ４、Ｓｉ２
Ｆ６、Ｓ］ＣＩ４、ＳｉＢｒ４等のハロゲン化硅素等が
挙げられる。上述のごとき・・ロゲン化硅素のガス状態
の又はガス化しうるものを用いる場合には、Ｓ１供給用
の原料ガスを別途使用することなくして、ハロゲン原子
を含有するａ −８］で構成された層が形成できるので
、特に有効である。 寸だ、前記水素原子供給用の原料ガスとしては、水素ガ
ス、）ＩＦ、 ＨＣｌ、 Ｉ−］臣、Ｊ−］ ＩＩ 等
のハロゲン化物、Ｓ ］Ｈａ、Ｓｊ、２Ｈ６、Ｓｊ、３
１１６、Ｓｉ、４Ｈ１ｏ 等の水素化硅素、あるいは
５ｊＪ（２Ｆ２、Ｓｊ、）１２］：２．５ｊＨ２Ｃ／ｈ
、Ｓ ｉ、ＨＣ１３、Ｓｊ、Ｈ２Ｂｒ２、Ｓ １．ＨＢ
ｒ ３ 等のハロゲン置換水素化硅素等のガス状態
の又はガス化しうるものを用いることができ、これらの
原料ガスを用いた場合には、゛電気的あるいは光電的特
性の制御という点で極めて有効であるところの水素原子
（Ｈ）の含有量の制御を容易に行うことができるため、
有効である。そして、前記・・ロゲン化水素又は前記ハ
ロゲン置換水素化硅素を用いた場合にはハロゲン原子の
導入と同時に水素原子（１−１）も導入されるので、特
に有効である。 反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依ってａ−８ｊ、（１■、Ｘ）から成る層を形成するに
は、例えばス・々ツタリング法の場合には、ハロゲン原
子を導入するについては、前記のハロゲン化合物又は前
記のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に
導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやればよい
。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２或いは前記したソラン類等のガス
をスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプラ
ズマ雰囲気を形成してやればよい。 例えば、反応スパッタリング法の場合には、Ｓ１ターゲ
ツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及びＨ２ガス
を必要に応じてＨｅ、Ａｒ等の不活性ガスも含めて堆積
室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記Ｓ１ター
ゲツトをスパッタリングすることによって、支持体上に
ａ−８ｉ（Ｉ−１、Ｘ ）から成る層を形成する。 グロー放電法によってａ −８ｉ（）ｅ （Ｈ、Ｘ）で
構成される層を形成するには、シリコン原子（Ｓｌ）を
供給しうるＳ１供給用の原料ガスと、ゲルマニウム原子
（Ｇｅ）を供給しうる（）ｅ供給用の原料ガスと、水素
原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給しりる
水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（３）供給用の
原料ガスを、内部を減圧しうる堆積室内に所望のガス圧
状態で導入し、該堆積室内にグロー放電を生起せしめて
、予め所定位置に設置しである所定の支持体表面上に、
ａ−８ｊ、Ｇｅ（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成する。 Ｓ１供給用の原料ガス、・・ロデン原子供給用の原料ガ
ス、及び水素原子供給用の原料ガスとなりうる物質とし
ては、前述のａ ５ｌ（ＩＩ、Ｘ）で構成される層を
形成する場合に用いたものがそのまま用いられる。 また、前記Ｇｅ供給用の原料ガスとなりうる物質として
は、（）ｅＨ４、Ｇｅ ２Ｈ６、（）ｅ３Ｈａ、Ｇｅ４
Ｈ１ｏｓＧｅ５Ｈｘｚ、Ｇｅ６Ｈ□４、Ｇｅ７Ｈ１，６
、（）ｅＢＴ（１，ｅ、（）ｅ９Ｈ２ｏ等のガス状態の
又はガス化しりる水素化ゲルマニウムを用いることがで
きる。特に、層作成作業時の取扱い易さ、（）ｅ供給効
率の良さ等の点から、ＧｅＨ４、Ｇｅ２１１−１６、お
よびＧｅ３Ｈｓが好ましい。 スパッタリング法によってａ−３ｊ、Ｇｅ （Ｈ、Ｘ）
で構成される層を形成するには、シリコンから成ルター
ゲットと、ゲルマニウムから成るターゲットとの二枚を
、あるいは、シリコンとゲルマニウムからなるターゲッ
トを用い、これ等を所望のガス雰囲気中でス・ξツタリ
ングすることによって行なう。 イオンシレーティング法を用いてａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ
）で構成される層を形成する場合には、例えば、多結晶
シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は
単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ボートに
収容し、この蒸発源を抵抗加熱法あるいはエレクトロン
ビーム法（Ｅ。 Ｂ、法）等によって加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望の
ガスプラズマ雰囲気中を通過せしめることで行ない得る
。 スパッタリング法およびイオンシレーティング法のいず
れの場合にも、形成する層中にハロゲン原子を含有せし
めるには、前述の・・ロゲン化物又はハロゲン原子を含
む硅素化合物のガスを堆積室中に導入し、該ガスのプラ
ズマ雰囲気を形成すればよい。又、水素原子を導入する
場合には、水素原子供給用の原料ガス、例えばＨ３ある
いは前記した水素化シラン類又は／及び水素化ゲルマニ
ウム等のガス類をス・々ツタリング用の堆積室内に導入
してこれ等のガス類のプラズマ雰囲気を形成すればよい
。さらにハロゲン原子供給用の原料ガスとしては、前記
のハロゲン化物或いは・・ロゲンを含む硅素化合物が有
効なものとして挙げられるが、その他に、ＩＦ、ＨＣｌ
、 ＨＢｒ 、 Ｈ工 等のハロゲン化水素、Ｓ］−
Ｈ２Ｆ２、ＳｉＩコ２Ｉ２、Ｓ １１１２ Ｃｌ）２、
Ｓ ］−Ｉ−］ Ｃ１３、Ｅ： ］、 １１２ Ｂ ｒ
２、Ｓ ｊ Ｈ山・３等のハロゲン置換水素化硅素、
おＪ：びＧｅＩ］Ｆ３、Ｃ）ｅＨ２Ｆ２、ＧｅＨ３Ｆ
、 ＧｅＨＣｌａ、（）ＯＲ２Ｃ６２、ＧＯ）ＬｓＣ／
！、 ０ｅｌ−ＨＢｒ３、ＧｅＨｚＢｒｚ、ＧｅＨ３Ｂ
ｒ、（］ｅ１１．Ｉ３．００１１２．ｌ’２、Ｇ ｅ
’ｆ−１：５ Ｊ等の水素化ハロゲン化ゲルマニウノ、
等、Ｃ）ｅ１１１４、Ｇｅｃ６４、ＧｅＢｒ４、Ｇ ｅ
Ｉ ａ、Ｇｅ Ｆ２、ＧｅＣ１１！ｚ、（）（Ｖ山゛
２−１ＯｅＩ２等のハロゲン化ゲルマニウノ、等々のガ
ス状態の又はガス化しうる物質も有効な出発物質として
使用できる。 グロー放電法、ス、ｏツタリング法あるいはイオンブレ
ーティング法を用いて、スズ原子を含有スるアモルファ
スシリコン（以下、［’ａ−８ｊ、５ｎ（Ｈ，Ｘ）Ｊと
表記する。）で構成される光受容層を形成するには、上
述のａ−８ｉＧｅ（）（、Ｘ）で構成される層の形成の
際に、ゲルマニウム原子供給用の出発物質を、スズ原子
（Ｓｎ）供給用の出発物質にかえて使用し、形成する層
中へのその量を制御しながら含有せしめることによって
行なう。 前記スズ原子（Ｓｎ ）供給用の原料ガスとなりうる物
質としては、水素化スズ（５ｒｌＨ４）やＳ ｎＦ２．
５ｒｌＦ４、ＳｎＣ１２、Ｓｒ＋Ｃｌａ、５ｎＥｒ２、
ＳｎＢｒ４、Ｓ ｎ Ｉ ２．５ｒｌＩ４等のハロゲン
化スズ等のガス状態の又はガス化しうるものを用いるこ
とができ、ハロゲン化スズを用いる場合には、所定の支
持体上に・・ロゲン原子を含有するａｓｊで構成される
層を形成することができるので、特に有効である。なか
でも、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｎ供給効率の良さ
等の点から、５ｎＣＪ！ｔが好ましい。 そして、５ｒｌＣ１４をスズ原子ＣＳｎ ）供給用の出
発物質として用いる場合、これをガス化するには、固体
状の５ｎ（Ｊ！４を加熱するとともに、Ａｒ、Ｆｌ ｅ
、等の不活性ガスを吹き込み、該不活性ガスを用いてノ
ミブリングするのが望ましく、こうして生成したガスを
、内部を減圧にした堆積室内に所望のガス圧状態で導入
する。 グロー放電法、スノｇツタリング法、あるいはイオンシ
レーティング法を用いて、ａ−８］、 （Ｈ＋χ）又は
ａ’＝ｓｉ（Ｇｅ、５ｎ）（Ｈ，Ｘ）にさらに第■族原
子又は第■族原子、窒素原子、酸素原子あるいは炭素原
子を含有せしめた非晶質材料で構成された層を形成する
には、ａ −８ｊ、 （Ｈ、Ｘ）又はａ−８ｉ （Ｇｅ
、Ｓｎ ） （Ｈ、Ｘ）の層の形成の際に、第■族原子
又は第Ｖ族原子導入用の出発物質、窒素原子導入用の出
発物質、酸素原子導入用の出発物質、あるいは炭素原子
導入用の出発物質を、前述したａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）又は
ａ−３ｊ、 （Ｇｅ 、Ｓｎ ） （Ｈ，Ｘ）形成用の
出発物質と共に使用して、形成する層中へのそれらの量
を制御しながら含有せしめてやることによって行なう。 例えば、グロー放電法を用いて、原子（０，Ｃ，Ｎ）を
含有するａ Ｓ ］、 （Ｈ＋ Ｘ ）で構成される
層又は原子（０，Ｃ，Ｎ）を含有するａ Ｓ ］、
（Ｇ Ｏ＋ ｂｎ ） （ＨＩ Ｘ ）で構成される層
を形成するには、前述の８ ８１（ｎ 、 ｘ ）で構
成される層又はａ Ｓｉ （Ｇｅ）Ｓｎ ）（１，１
、ｘ ）で構成される層を形成する際に、原子（０，Ｃ
，Ｎ ）導入用の出発物質を、ａ−８ｉ（Ｈ＋Ｘ）形成
用又はａ−８ｉ （Ｇｅ、Ｓｎ ） （Ｈ、Ｘ）形成用
の出発物質とともに使用１〜で形成する層中へのそれら
の量を制御しながら含有せしめることによって行なう。 このような原子（０，Ｃ，Ｎ ）導入用の出発物質とし
ては、少なくとも原子（０，Ｃ，Ｎ ）を構成原子とす
るガス状の物質又はガス化し得る物質であれば、殆んど
のものが使用できる。 具体的には、酸素原子（０）導入用の出発物質として、
例えば、酸素（０２）、オゾン（０３）、−酸化窒素（
Ｎｏ）、−二酸化窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２
Ｏ３）、四三酸化窒素（Ｎ２Ｏ４）、三二酸化窒素（Ｎ
２Ｏ５）、三酸化窒素（Ｎｏ３）、シリコン原子（Ｓｉ
）と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子と
する、例えばジシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ８ｉＨ３）、ト
リシロキザン（Ｈ３ＳｉＯ８ｉＨ２０ＳｉＨａ ）等の
低級シロキサン等が挙げられ、炭素原子（Ｃ）導入用の
出発物質としては、例えば、メタン（ＣＨ４）、エタン
（Ｃ２Ｈ６）、プＯｚｅン（Ｃ３Ｈａ ）、 ｒｌ−ブ
タン（■１−Ｃ４Ｈコ０）、ペンタン（Ｃ５１ｈ２）等
の炭素数１〜５の飽和炭化水素、エチレン（Ｃ２■＋４
）、 プロピレン（０３Ｈ６）、 ブテン−１（ＣＪ
−１＋＋ ）、 ブテン−２（Ｃ，）（ｅ ）、 イソ
ブチレン（Ｃ４ｆｌ＋、＋ ）、 ペンテン（Ｃ５１−
１１，０）等の炭素数２〜５のエチレン系炭化水素、ア
セチレン（Ｃ２１−１２） 、 メチルアセチレン（
Ｃ３Ｈ４）、 ブチン（Ｃ４Ｂ６）等の炭素数２〜４の
アセチレン系炭化水素等が挙げられ、窒素原子（Ｎ）導
入用の出発物質としてに１、例えば、窒素（Ｎ２）、ア
ンモニア（ＮＦｌ、）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、
アジ化水素（）ｉＮ：３ ）、アジ化アンモニウム（、
ＮＨ，Ｎ・、）、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ ）、四弗化窒素
（Ｙｌ゛４Ｎ）等が挙げられる。 例えば、グロー放電法、ス・Ｑツタリング法あるいはイ
オンブレーティング法を用いて、第１ＩＩ族原子又は第
■族原子を含イｊ−するａ ５１（ｉ（、Ｘ）又はａ
Ｓｌ （Ｇｅ、Ｓｎ ） （１１＋Ｘ） で構成
される層又は層領域を形成するには、上述のｃｌ ＋
３１． （Ｈ＋ Ｘ ）又はａ−３ｉ （Ｇｅ、Ｓｎ
） （Ｈ、Ｘ）で構成される層の形成の際に、第１ＩＩ
族原子又は第■族原子導入用の出発物質を、８− Ｓ
ｌ （Ｈ１χ）又はａ Ｓｉ （Ｇｅ 、５ｎ）（Ｉ
−１、Ｘ ）形成用の出発物質とともに使用して、形成
する層中へのそれらの量を制御しながら含有せしめるこ
とによって行なう。 第■族原子導入用の出発物質として具体的には硼素原子
導入用としては、Ｂ２Ｈ６、Ｂ、Ｈｌ、、Ｂ５Ｈ９、Ｂ
ｓＨｌ」、 ｓ Ｂ６Ｈ１−ｏ、Ｂ６Ｈ１，２、Ｂ６Ｈ
ｘ４等の水素化硼素、ＢＦ３５ＢＣ１３、ＢＢｒ３等の
・・ロゲン化硼素等が挙げられる。 この他、ＡｌＣ１ｂ、ＧａＣ６ａ、Ｇａ （ＣＨ３）２
、ＩｎＣｌ３、ＴｌＣ＃ａ等も挙げることができる。 第■族原子導入用の出発物質として、具体的には燐原子
導入用としてはＰＨ３、Ｂ２Ｈ６等の水素北隣、ＰＨ４
Ｉ、ＰＦ３、ＰＦ５、Ｐ（Ｊ！３、ＰＣＩＩ５、ＰＢｒ
３、ＰＢｒ３．１’ｌａ等の・・ロゲン北隣が挙げられ
る。この他、Ａ、Ｓ ｌ−１３、Ａｓ Ｆ３、Ａｓ Ｃ
Ｈ３３、ＡｓＢｒ３、ＡｓＦ５、ＳｂＨ３、ＳｂＦ３、
Ｓｂ Ｆ５、Ｓ ｂ Ｃ１３，５ｂＣ１５、Ｂｊ、Ｈｓ
、Ｂｊ、（Ｊ！３、Ｂ１Ｂｒ３ 等も第■族原子導入用
の出発物質の有効なものとして挙げることができる。 酸素原子を含有する層又は層領域を形成するのにグロー
放電法を用いる場合には、前記した光受容層形成用の出
発物質の中から所望に従って選択されたものに酸素Ｄ１
！、子導入用の出発物質が加えられる。その様な酸素原
子導入用の出発物質としては、少なくとも酸素原子を構
成原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質であれ
ばほとんどのものが使用できる。 例えばシリコン原子（ε１］）を構成原子とする原料ガ
スと、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必
要に応じて水素原子（１−Ｑ又は／及び）・ロデン原子
（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混
合して使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｌ）を構成
原子とする原料ガスと、酸素原子（０）及び水素原子（
■−＋）を構成原子とする原料ガスとを、これも又所望
の混合比で混合するか、或いは、シリコン原子（Ｆ、；
ｊ、 ）を構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（
Ｓｌ）、酸素原子（○）及び水素原子（■１）の３つを
構成原子とする原料ガスとを混合して使用することがで
きる。 又、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（■］）
とを構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用してもよい。 具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン（０３）、−
酸化窒素（Ｎｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸化窒
素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２Ｏ３） 、四三酸化
窒素（Ｎ２Ｏ４，）、三二酸化窒素（Ｎ２０５）、三酸
化窒素（Ｎｏ３）、シリコン原子（Ｓｌ）と酸素原子（
０）と水素原子（ｒ−１）とを構成原子とする、例えば
、ジシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ８ｉＴ’（３）、トリシロ
キサン（トｉ３ｓ ｊ−Ｏ８ｉＨ２０Ｓｊ、Ｂ３ ）
等の低級シロキサン等を挙げることができる。 ス・ξツタリング法によって、酸素原子を含有する層ま
たは層領域を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウ
エーノ・−又ＵＳｉＯｚウエーノ・−１又はＳ」とＳｌ
０２が混合されて含有されているウェー・・−をターゲ
ットとして、これ等を種々のガス雰囲気中で、ス・ξツ
タリングすることによって行えばよい。 例えば、Ｓｌウェーハーをターゲットとして使用すれば
、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、ス・々ツター用の堆積室中に導入し、これ
等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｊウエーノ・
−をス・ξツタリングすればよい。 又、別には、ＳｌとＳ】０２とは別々のターゲットとし
て、又はＳｌと８１０２の混合した一枚のターゲットを
使用することによって、ス・々ツター用のガスとしての
稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（■１）
又は／及び・・ロゲン原子（（イ）を構成原子として含
有するガス雰囲気中でス・ｇツタリングすることによっ
て形成できる。酸素原子導入用の原料ガスとしてｋＪ、
先ν１（シたグロー放電の例で示した原料ガスの中の酸
素原子導入用の原料ガスが、ス・々ツタリングの場合に
も有効なガスとして使用できる。 寸だ、例えば炭素原子を含有するアモルファスシリコン
で構成される層をグロー放電法により形成するには、シ
リコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料ガスと、炭素
原子（Ｃ）を構成原子とする原料ガスと、必要に応じて
水素原子（■］）又は／及び・・ロゲン原子（Ｘ）を構
成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用
するか、又はシリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原
料ガスと、炭素原子（Ｃ）及び水素原子（Ｘ（）を構成
原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合
するか、或いはシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする
原料ガスと、シリコン原子（Ｓｌ）、炭素原子（Ｃ’）
及び水素原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスを混合す
るか、更にまた、シリコン原子（Ｓｌ）と水素原子（■
１）を構成原子とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を構
成原子とする原料ガスを混合１〜で使用する。 このような原料ガスとして有効に使用されるのは、Ｓｌ
とＩ−Ｉとを構成原子とするＳｊ、Ｈａ、５１２Ｈ６，
５ｊ３Ｈｅ、Ｓｌ４Ｈ１ｏ等のシラン（５ｉ１３ａｎｅ
）類等の水素化硅素ガス、ＣとＨとを構成原子とする
、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４の
エチレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化
水素等が挙げられる。 具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４，
）、エタン（Ｃ２■１６）、−）’ ０ ノＱ ７ （
Ｃ３Ｈ８）、ｎ−ブタン（ｎ −Ｃ４Ｔ］］、ｏ ）、
ペンタン（Ｃ３Ｔ−１１２）、エチレン系炭化水素とし
てＵ：、エチレン（Ｃ２Ｈ４，）、プロピレン（Ｃ３Ｈ
６）、ブテン−１（Ｃ４Ｔコ８）、ブテン−２（Ｃ４Ｈ
Ｂ ）、イソブチレン（Ｃ４，ｌ−１８）、はシラン（
Ｃ＋ｊｌ］、ｏ）、アセチレン系炭化水素としてハ、ア
セチレン（Ｃ２■シ）、メチルアセチレン（０３Ｈ４）
、ブチン（Ｃ４Ｔ−１６）等が挙げられる。 ＳｉとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、Ｓ
ｊ、（ＣＨ３）４、Ｓ １ （Ｃ２Ｈ５八等のケイ化ア
ルギルを挙げることができる。これ等の原料ガスの他、
Ｈ導入用の原料ガスとしては勿論Ｉ］２も使用できる。 スパッタリング法によってａ−ｓｌｃ（ｒｌ、ｘ）で構
成される層を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｌウ
ェーハー又ＵＣ（グラファイト）ウェーハー、又はＳｌ
とＣが混合されているウェーハ一をターゲットとして、
これ等を所望のガス雰囲気中でスパッタリングすること
によって行う。 ｆｌばＳ １ウエーハーをターゲットとして使用する場
合には、炭素原子、および水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入するだめの原料ガスを、必要に応じてＡｒ、
Ｈｅ等の稀釈ガスで稀釈して、ス・ξツタリング用の堆
積室内に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形成し
てＳ１ウエーハーをス、（＋ツタリングすればよい。 又、ＳｌとＣとは別々のターゲットとするか、あるいは
ＳｌとＣの混合した１枚のターゲットとして使用する場
合には、ス・ぐツタリング用のガスとして水素原子又は
／及びハロゲン原子導入用の原料ガスを、必要に応じて
稀釈ガスで稀釈して、スパッタリング用の堆積室内に導
入し、ガスプラズマを形成してス・ξツタリングすれば
よい。該ス・ｅツタリング法に用いる各原子の導入用の
原料ガスとしては、前述のグロー放電法に用いる原料ガ
スがその壕ま使用できる。 窒素原子を含有する層重だは層領域を形成するのにグロ
ー放電法を用いる場合には、前記した光受容層形成用の
出発物Ｔヶの中から所望に従って選択されたものに窒素
片ｒ−導入用の出発物質を加える。その様な窒素原子導
入用の出発物質としては、少なくとも窒素原子を構成原
子とするガス状の物質又はガス化しイ（Ｉる物質であれ
ばほとんどのものが使用できる３３ 例えばシリコン原子（Ｓ」）を構成原子とする原料ガス
と、窒素原子（Ｎ）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（１１）又は／及び・・ロデン原子（
Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合
して使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｌ）を構成原
子とする原料ガスと、窒素原子（Ｎ）及び水素原子（１
１）を構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混
合比で混合するかして使用することができる。 又、別には、７リコンＪ３Ｊｔ子（Ｓｌ）と水素原子（
Ｈ）とを構成原子とする原料ガスに窒素原子Ｑｑ）を構
成原子とする原料ガスを混合して使用してもよい。 る際に使用する窒素原子（Ｎ）導入用の原料ガスとして
有効に使用される出発物質は、Ｎを構成原子とするか或
いはＮとＨとを構成原子とする例えば窒素（Ｎ２）、ア
ンモニア（ＮＨ３）、ヒドラジン（■）２ＮＮＨ２）、
アジ化水素（ＨＮ、）、アジ化アンモニウム（Ｎ１１４
Ｎ３）等のガス状の又はガス化し得る窒素、窒化物及び
アジ化物等の窒素化合物を挙げることができる。この他
に、窒素原子（→の導入に加えて、・・ロゲン原子（Ｘ
）の導入も行えるという点から、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）
、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ２ ）等の・・ロゲン化窒素化合
物を挙げることができる。 ス・Ｑツタリング法によって、窒素原子を含有する層ま
たは層領域を形成するには、単結晶又は多結晶のＳ１ウ
エーハー又はＳｉ３Ｎ４ ウェーハー、又は！（１と５
ｊ−３Ｎ４が混合されて含有されているウェーハーをタ
ーデッドとじて、これ等を種々のガス雰囲気中でス・ξ
ツタリングすることによって行えはよい。 例えば、Ｓｌウェーハーをターゲットとじて使用すれば
、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等
のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｌウェーハーを
スノ々ツタリングすればよい。 又、別には、ＳｌとＳｊ、３Ｎ４とは別々のターゲット
として、又はＳｌとＳｊ、３Ｎ４の混合した一枚のター
ゲットを使用することによって、スパッター用のガスと
しての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（
１１）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として
含有するガス雰囲気中でス・Ｑツタリングすることによ
って形成できる。窒素原子導入用の原料ガスとしては、
先述したグロー放電の例で示した原料ガスの中の窒素原
子導入用の原料ガスが、ス、ｏツタリングの場合にも有
効なガスとして使用できる。 以上記述したように、本発明の光受容部材の光受容層は
、グロー放電法、ス・々ツタリング法等を用いて形成す
るが、光受容層に含有せしめるゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子、第■族原子又は第Ｖ族原子、酸素原子、
炭素原子又は窒素原子、あるいは水素原子又は／及びノ
・ロゲン原子の各々の含有量の制御は、堆積室内へ流入
する、各々の原子供給用出発物質のガス流量あるいは各
々の原子供給用出発物質間のガス流量比を制御すること
により行われる。 １だ、感光層および表面層形成時の支持体温度、堆積室
内のガス圧、放′亀・ξワー等の条件は、所望の特性を
有する光受容部材を得るためには重要な要因であり、形
成する層の機能に考慮をはらって適宜選択されるもので
ある。さらに、これらの層形成条件は、感光層および表
面層に含有せしめる上記の各原子の種類及び量によって
も異なることもあることから、含有せしめる原子の種類
あるいはその量等にも考慮をはらって決定する必要もあ
る。 具体的には窒素原子、酸素原子、炭素原子等を含有せし
めたａ −８ｉ （Ｈ、Ｘ）からなる光受容層を形成す
る場合には、支持体温度は、通常５０〜３５０℃とする
が、特に好寸しくＣ１５０〜２５０℃表する。堆積室内
のガス圧は、通常０．０１〜ｌ’ｌ・（１１１−１とす
るが、特に好１しくに０．１〜０ 、５ ’、’ｌ’、
’ ｏｒｒとする。壕だ、放′屯）Ｑワーｋｊ、０ 、
（１（１５” ５０ Ｗ ／ｃ１ｎ２とするのが通常
であるが、より好丑しく ｋｌ： ０．０１〜３０Ｗ／
ｃｍ”、特に好ましくは０．０１〜２０ｗ／ｃｍ２ ト
する。 ａ −Ｓｊ、Ｇｅ （Ｈ、χ）からなる感光層を形成す
る場合、あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子を含有せし
めたａ−８ｊ、Ｇｅ （Ｈ＋Ｘ）からなる感光層を形成
する場合については、支持体〃−１Ｘ度は、通常５０〜
３５０℃とするが、より好ましくは５０〜３００℃、特
に好ましくは１００〜３００’Ｃとする。そして、堆積
室内のガス圧は、通常Ｃ０旧〜５Ｔｏｒｒとするが、好
ましくは、０．ＯＱ１〜３ Ｔｏｒｒと１〜、特に好ま
しくは０．１〜Ｉ’ｌ”ｏｒｒとする。寸／こ、放電・
Ｑワーは０．００５〜５Ｑ Ｗ／ｃｍ、２とするのが通
常であるが、好１しくは（１、０１〜３（ｌ ｗ ／ｃ
ｍｆ’とし、特に好１しくはＯ、Ｏ］ 〜２０ Ｗ ７
ｃｍ”とする。 しかし、これらの、層形成を行うについての支持体温度
、放電パワー、堆積室内のガス圧の具体的条件は、通常
には個々に独立しては容易には決め難いものである。し
だがって、所望の特性の非晶質材料層を形成すべく、相
互的且つ有慎的関連性に基づいて、層形成の至適条件を
決めるのが望ましい。 ところで、本発明の感光層に含有せしめるゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子、酸素原子、炭素原子又は窒素
原子、第１ＴＩ族原子又は第Ｖ族原子、あるいは水素原
子又は／及びハロゲン原子の分布状態を均一とするため
には、感光層を形成するに際して、前記の諸条件を一定
に保つことが必要である。 丑だ、本発明において、光受容層の形成の際に、該層中
に含有せしめるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子、
酸素原子、炭素原子又は窒素原子、あるいは第１ＴＩ族
原子又は第Ｖ族原子の分布濃度を層厚方向に変化させて
所望の層厚方向の分布状態を有する層を形成するには、
グロー放電法を用いる場合であれば、ゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子、酸素原子、炭素原子又は窒素原子
、あるいは第１１＋族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発
物質のガスの堆積室内に導入する際のガス流量を、所望
変化率に従って適宜変化させ、その他の条件を一定に保
ちつつ形成する。そして、ガス流１ｄ・を変化させるに
は、具体的には、例えば手動あるいは外部駆動モータ等
の通常用いられている何らかの方法により、ガス流路系
の途中に設けられた所定のニードルパルプの開口を漸次
変化させる操作を行えばよい。このとき、流星・の変化
率は線型である必要はなく、例えばマイコン等を用いて
、あらかじめ設計された変化率曲線に従って流叶を制御
し、所望の含有率曲線を得ることもできる。 また、光受容層をス・（ツタリング法を用いて形成する
場合、ゲルマニウム原子又はスズ原子、酸素原子、炭素
原子又は窒素原子あるいは第１ＩＩ族原子又は第Ｖ族原
子の層厚方向の分布濃度を層厚方向で変化させて所望の
層厚方向の分布状態を形成するには、グロー放電法を用
いた場合と同様に、ゲルマニウム原子又はスズ原子、酸
素原子、炭素原子又は窒素原子あるいは第■族原子又は
第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態で使用し、該ガ
スを堆積室内へ導入する際のガス流量を所望の変化率に
従って変化させる。 また、本発明の表面層を、無機弗化物、無機酸化物、無
機硫化物の中から選ばれる少なくとも一種で構成する場
合、こうした表面層を形成するについても、その層厚を
光学的レベルで制御する必要があることから、蒸着法、
ス・Ｑツタリング法、プラズマ気相法、光ＣＶＤ法、熱
ＣＶＤ法等が使用される。これらの形成方法は、表面層
の形成材料の種類、製造条件、設備資本投下の負荷程度
、製造規模等の要因を考慮して適宜選択されて使用され
ることはいうまでもない。 ところで、操作の容易さ、条件設定の容易さ等の観点か
らして、表面層を形成するについて、前述の無機化合物
が使用される場合ス・ξツタリング法を採用するのがよ
い。即ち、表面層形成用の無機化合物をターゲットとし
て用い、ス・ＱツタリングガスとしてはＡＩ・ガスを用
い、無機化合物をスノξツタリングして、表面層を堆積
する。 〔実施例〕 以ド、本発明を実施例１乃至２６に従って、より詳細に
説明するが、本発明に１、こわ２等によって限定される
ものではない。１ 各実施例においてに１１、感ケＣ９層←Ｊダ「１−放′
屯法を用い、表面層はダロー放屯法又Ｃ、ス・♀ツタリ
ング法を用いて形成した１、第２５図はグ
赤外線、ＸＩＶｉ！、γ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある光受容部材に関する。 さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。 〔従来技術の説明〕 デジタル画像情報全画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材全光学的に走査するこ七により静電潜像を形成し、次
いで該潜像全現像するか、更に必要に応じて転写、定着
などの処理を行なう、画像を記録する方法が知られてお
り、中でも電子写真法による画像形成法では、レーザー
として、小型で安価なＨｅ −Ｎｅレーザーあるいは半
導体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を
有する）を使用して像記録を行なうのが一般的である。 ところで、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写
真用の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が
他の種類の光受容部材と比べて優れているのに加えて、
ビッカース硬度が高く、公害の問題が少ない等の点から
評価され、例えば特開昭５４．−８６３４１号公報や特
開昭５６−８３７４６号公報にみられるようなシリコン
原子を含む非晶質材料（以後ｒ ａ Ｆ；ｊ、 Ｊと
略記する）から成る光受容部材が注目されている。 しかしながら、前記光受容部材については、光受容層を
単層構成のａ−８ｉ層とすると、その高光感度を保持し
つつ、電子写真用として要求される１０１２Ωｃｍ以上
の暗抵抗を確保するには、水素原子やハロゲン原子、或
いはこれ等に加えてボロン原子とを特定の量範囲で層中
に制御された形で構造的に含有させる必要性があり、た
めに層形成に当って各種条件を厳密にコントロールする
ことが要求される等、光受容部材の設計についての許容
度に可成りの制限がある。そしてそうした設計上の許容
度の問題音ある程度低暗抵抗であっても、その高光感度
を有効に利用出来る様にする等して改善する提案がなさ
れている。即ち、例えば、特開昭５４−１２１７４３号
公報、特開昭５７−４．０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報にみられるように光受容層を伝導特性の異
なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容層内
部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２１７
８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１５９
号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報にみられ
るように支持体と光受容層の間、又は／及び光受容層の
」二部表面に障壁層を設けた多層構造としたりして、見
掛け−１−の暗抵抗を高めた光受容部材が提案されてい
る。 ところがそうした光受容層が多層構造を有する光受容部
材は、各層の層厚にばらつきがあり、これを用いてレー
ザー記録を行う場合、レーザー光が可干渉性の単色光で
あるので、光受容層のレーザー光照射側自由表面、光受
容Ｒ全構成する各層及び支持体と光受容層との層界面（
以後、この自由表面及び層界面の両者を併せた意味で「
界面」と称する。）より反射して来る反射光の夫々が干
渉奮起してし吐うことがしばしばある。 この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の原因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合にあっては
、識別性の著しく劣った阻画像を与えるところとなる。 また重要な点として、使用する半導体レーザー光の波長
領域が長波長になるにつれ光受容層に於ける該レーザー
光の吸収が減少してくるので、前記の干渉現象が顕著に
なるという問題がある。 即ち、例えば２若しくはそれ以上の層（多層）構成のも
のであるものにおいては、それらの各層について干渉効
果が起り、それぞれの干渉が相乗的に作用し合って干渉
縞模様を呈するところとな９、それがそのま＼転写部材
に影響し、該部材上に前記干渉縞模様に対応した干渉縞
が転写、定着され可視画像に現出して不良画像をもたら
してしまうといった問題がある。 こうした問題を解消する策として、（ａ）支持体表面全
ダイヤモンド切削して、±５ｏｏＸ〜±１０００ＯＡの
凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５
８−１６２９７５号公報参照） 、 （ｂ）アルミニウ
ム支持体表面を黒色アルマイト処理したり、或いは、樹
脂中にカーボン、着色顔料、染料を分散したりして光吸
収層を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５８４５号
公報参照） 、（Ｃ）アルミニウム支持体表面を梨地状
のアルマイト処理したり、サンドブラストにより砂［］
状の微細凹凸を設けたりして、支持体表面に光散乱反射
防止層を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５５４号
公報参照９等が提案されている。 これ等の提案方法は、一応の結果はもたらすものの、画
像上に現出する干渉縞模様を完全に解消するに十分なも
ので０、ない。 即ち、（ａ）の方法については、支持体表面に特定の凹
凸を多数設けていて、それにより光散乱効果による干渉
縞模様の現出が一応それなりに防止はされるものの、光
散乱としては依然として正反射光成分が残存するため、
該正反射光による干渉縞模様が残存してし才うことに加
えて、支持体表面での光散乱効果により照射スポットに
拡がりが生じ、実質的な解像度低下をきたＩ７てしまう
。 （ｂ）の方法については、黒色アルマイト処理では、完
全吸収は不可能であり、支持体表面での反射光は残存し
てしまう。また、着色顔料分散樹脂層を設ける場合は、
ａ−８ｊ層全形成する際、樹脂層より脱気現象が生じ、
形成される光受容層の層品質が著しく低下すること、樹
脂層がａ−８ｊ層形成の際のプラズマによってダメージ
を受けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表面状
態の悪化によるその後のａ−８］層の形成に悪影響を与
えること等の問題点を有する。 （Ｃ）の方法については、例えば入射光についてみれば
光受容層の表面でその一部が反射されて反射光となり、
残りは、光受容層の内部に進入して透過光となる。透過
光は、支持体の表面に於いて、その一部は、光散乱され
て拡散光となり、残りが正反射されて反射光となり、そ
の一部が出射光となって外部に出ては行くが、出射光は
、反射光と干渉する成分であって、いずれにしろ残留す
るため依然として干渉縞模様が完全に消失はしない。 ところで、この場合の干渉を防止するについて、光受容
層内部での多重反射が起らないように、支持体の表面の
拡散＋１を増加させる試みもあるが、そうしたところで
かえって光受容層内で光が拡散してハレーションを生じ
てしまい結局は解像度が低下してしまう。 特に、多層構成の光受容部材においては、支持体表面全
不規則的に荒しても、第１層表面での反射光、第２層で
の反射光、支持体面での正反射光の夫々が干渉し７て、
光受容部材の各層厚にしたがった干渉縞模様が生じる。 従って、多層構成の光受容部材においては、支持体表面
を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止すること
は不可能である。 又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてノ々ラ
ツキが多く、−目つ同一ロットに於いても粗面度に不均
一があって、製造管理上問題がある。加えて、比較的大
きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大
きな突起が光受容層の局所的ゾレークダウン全もたらし
てしまう。 又、支持体表面ケ単に規則的に荒したところで、通常、
支持体の表面の凹凸形状に沿って、光受容層が堆積する
ため、支持体の凹凸の傾斜面と光受容層の凹凸の傾斜面
とが平ｒ了になり、その部分では入射光は、明部、暗部
をもたらすところとなり、また、光受容層全体では光受
容層の層厚の不均一性があるため明暗の縞模様が現われ
る。従って、支持体表面を規則的に荒しただけでは、干
渉縞模様の発生全完全に防ぐことはできない。 又、表面全規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、支持体表面での正反射光と、
光受容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面
での反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容
部材の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。 更に丑た、こうした多層構成の光受容部材における反射
光による干渉現象の問題は、その表面層に関係するとこ
ろも大である。即ち、上述したところからして明らかな
ように、表面層の層厚が均一でないと、該層とそれに接
している感光層との界面での反射光による干渉現象が起
きて、光受容部材の機能に障害を与えてしまう。 ところで、表面層の層厚が不均一である状態は、表面層
の形成時に抑もたらされる他、光受容部材の使用時にお
ける摩耗、特に部分的摩耗によってももたらされる。そ
して特に後者の場合、上述したように、干渉模様の現出
を招く他、光受容部材全体の感度変化、感度むら等をも
たらすところとなる。 こうした表面層に係る問題をなくす意味で表面層の層厚
をできるだけ厚くする試みがなされているが、そのよう
にした場合、残留電位が増大する要因が形成されてし壕
うことの他、表面層にはかえって層厚むらが増大されて
しまい、そうした表面層を有する光受容部材は、その形
成時読に感度変化、感度むら等の問題をもたらす要因を
具有するわけであり、それを使用したとなれば初期画像
から採用に価しないものを与えてしまう。 〔発明の目的〕 本発明は、主としてａ−８１で構成された光受容層全体
する光受容部材について、上述の諸問題全排除し、各種
要求を満たすものにすることを目的とするものである。 すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際
しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されなく、製造管理が容易で
ある、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光受容部
材を提供することにある。 本発明の別の目的は、全可視光域において光感度が高く
、とくに半導体レーザーとのマツチング性に優れ、且つ
光応答の速い、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する
光受容部材を提供することにある。 本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性及
び高電気的耐圧性を有する、ａ−３ｉで構成された光受
容層を有する光受容部拐を提供することにある。 本発明の他の目的は、支持体−１−に設けられる層と支
持体との間や積層さＩする層の各層間に於ける密着性に
優れ、構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い
、・１． ’ Ｆ１’、１で構成された光受容層を有す
る光受容部４Ａ”ｃ ’Ｊｊ１−供することにある。 本発明の更に他の１］的ｄ２、［拝干渉性単色光を用い
る画像形成に適し、長期の繰り返し使用にあっても、干
渉縞模様と反転現像時の斑点の現出がなく、且つ画像欠
陥や画像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーン
が鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像をイｕるこ
とのできる、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光
受容部材を提供することにある。 〔発明の構成〕 本発明者らは、従来の光受容ｆｆ（１，材についての前
述の諸問題を克服して、上述の目的を達成すべく鋭意研
究を重ねた結果、上述する知見を得、該知見に基づいて
本発明を完成するに至った。 即ち、本発明は、支持体上に、シリコン原子と、ゲルマ
ニウム原子またはスズ原子の少くともいずれか一方を含
有する非晶質材料で構成された感光層と、表面層とを有
する光受容層を備えた光受容部材であって、前記表面層
は最外殻に耐摩耗層と、内部に反射防止層を少なくとも
有する多層構成であり、前記支持体の表面が複数の球状
痕跡窪みによる凹凸形状を有し、かつ、該球状痕跡窪み
内に更に微小な複数の凹凸形状を有していることを骨子
とする光受容部材に関する。 ところで、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果前た知見
は、概要、以下に記述するところである。 即ち、支持体上に感光層と表面層とを有する光受容層全
備えた光受容部材にあっては、表面層を、最外殻に耐摩
耗層と、内部に反射防止層を少なくとも有する多層構成
とした場合、表面層と感光層との界面における入射光の
反射が防止され、表面層の形成時における層厚むら又は
／及び表面層の摩耗による層厚むらによってもたらされ
るところの干渉模様や感度むらの問題が解消されるとい
うものである。 また、支持体上に複数の層全有する光受容部材において
、前記支持体表面に、複数の球状痕跡窪みによる凹凸を
設け、かつ、該球状痕跡窪み内に更に微小な複数の凹凸
形状を設けることにより、画像形成時に現われる干渉縞
模様の問題が著しく解消されるというものである。 ところで、後者の知見は、本発明者らが試みた各種の実
験により得た事実関係に基づくものである。 このところ金、理解全容易にするため、図面を用いて以
下に説明する。 第１図は、本発明に係る光受容部材１０００層構成を示
す模式図であり、微小な複数の球状痕跡窪みによる凹凸
形状を有し、かつ、該球状痕跡窪み内に更に微小な複数
の凹凸形状を有する支持体１０１上に、その凹凸の傾斜
面に渚って、感光層１０２及び表面層１０３とからなる
光受容層を備えた光受容部材を示している。 第２及び４図は、本発明の光受容部材において干渉縞模
様の問題が解消されるところを説明するための図である
。 第３図は、表面全規則的に荒した支持体上に、多層構成
の光受容層を堆積させた従来の光受容部材の一部を拡大
して示した図である。核間において、３０１は感光層、
３０２は表面層、３０３は自由表面、３（１４は感光層
と表面層の界面をそれぞれ示している。第３図に示すご
とく、支持体表面全切削加工等の手段により単に規則的
に荒しただけの場合、通常は、支持体の表面の凹凸形状
に沿って光受容層が形成されるため、支持体表面の凹凸
の傾斜面と光受容層の凹凸の傾斜面とが平行関係全なす
ところとなる。 このことが原因で、例えば、光受容層が感光層３０１と
、表面層３０２との２つの層からなる多層構成のもので
ある光受容部材においては、例えば次のような問題が定
常的に惹起される。 即ち、感光層と表面層との界面３（１４及び自由表面３
０３とが平行関係にあるため、界面３（１４での反射光
Ｒ］と自由表面での反射光［（２とは方向が一致し、表
面層の層厚に応じた干渉縞が生じる。 第２図は、複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を有する
支持体上に、多層構成の光受容層を堆積させた光受容部
材の一部を拡大して示した図である。核間において、２
０１は感光層、２０２は表面層、２０３は自由表面、２
（１４は感光層と表面層との界面をそれぞれ示している
。第２図に示すごとく、支持体表面に複数の微小な球状
痕跡窪みによる凹凸形状を設けた場合、該支持体上に設
けられる光受容層は、該凹凸形状に渚って堆積するため
、感光層２０１と表面層２０２との界面２（１４、及び
自由表面２０３は、各々、前記支持体表面の凹凸形状に
沿って、球状痕跡窪みによる凹凸形状に形成される。界
面２（１４に形成される球状痕跡窪みの曲率ヲＲ１、自
由表面に形成される球状痕跡窪みの曲本音Ｒ２とすると
、１（□とＲ２とはＲ１〜Ｒ２となるため、界面２（１
４での反射光と、自由表面２０３での反射光とは、各々
異なる反射角度を有し、即ち、第２図におけるθ１、θ
２がθ１へ一層２であって、方向が異なるうえ、第２図
に示す１１．１２．１３を用いてｌ］＋ｊｈ ｌ！３
で表わされ、るところの波長のずれも一定とはならずに
変化するため、いわゆるニュートンリング現象に相当す
るンエアリング干渉が生起し、干渉縞は窪み内で分散さ
れるところとなる。これにより、こうした光受容部材を
介して現出される画像は、ミクロ的には干渉縞が仮に現
出されていたとしても、それらは視覚にはとられられな
い程度のものとなる。 即ち、かぐなる表面形状を有する支持体の使用は、その
上に多層構成の光受容層を形成してなる光受容部材にあ
って、該光受容層を通過した光が、層界面及び支持体表
面で反射し、それらが干渉することにより、形成される
画像が縞模様となることを効率的に防止し、優れた画像
を形成しつる光受容部材を得ることにつながる。 第４図は、第１図に示す本発明の光受容部材における支
持体表面の一部全拡大した図である。 第４図に示すごとく、本発明の光受容部材における支持
体表面は、球状痕跡窪み４０１内の表面の一部分乃至全
体に、更に微小な凹凸乃至凹凸群４０２が形成されてい
る。この様な更に微小な凹凸乃至凹凸群４０２ヲ設けた
場合、第２図を用いて記述したところの干渉防止効果に
加えて、該微小凹凸４０２による散乱効果がもたらされ
て。 これによシ干渉縞模様の発生がより一層確実に防止され
る。 ところで、従来技術においては、前述したごとく、支持
体表面をランダムに荒らすことで乱反射させ、干渉縞模
様の発生全防止していた。 しかし、この様な場合充分な干渉縞模様の発生を防止す
る効果が得られないばかりでなく、画像転写後のクリー
ニングにおいて、例えばプレーｐ２用いてクリーニング
する場合にも問題が生ずる。即ち、光受容層の表面は、
支持体上に設けられた凹凸に治った凹凸が生ずるため、
ブレードが光受容層の凹凸の凸部に主としてあたリ、ク
リーニング性が悪く、また、光受容層の凸部とブレード
表面の摩耗が大きくなり、結果的に両者の耐久性がよく
なく問題がある。 これに対し、本発明の光受容部材においては。 散乱効果をもたらす微小な凹凸形状が、球状痕跡窪み（
四部）内に存在するため、クリーニング時において、ブ
レードが光受容層の四部に接触するということがなくな
り、ブレードや光受容層表面に大きな負荷がかからない
という利点も有している。 さて、本発明の光受容部材の支持体表面に設けられる球
状痕跡窪みによる凹凸形状の曲率、幅、及び該球状痕跡
窪み内の更に微小な凹凸の高さは、こうした本発明の光
受容部材における干渉縞の発生全防止する作用効果を効
率的に得るについて重要である。本発明者らは、各種実
験を重ねた結果以下のところを究明した。 即ち、球状痕跡窪みによる凹凸形状の曲率をＲ１幅をＤ
とした場合、次式： ％式％ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが０．５本以上存在するこ
ととなる。さらに次式゛−２０，０５５ 全満足する場合には、各々の痕跡窪み内に７エアリング
干渉によるニュートンリングが１本以上存在することと
なる。 こうしたこと〃・ら、光受容部材の全体に発生する干渉
縞を、各々の痕跡窪み内に分散せしめ、光受容部材にお
ける干渉縞の発牛全防１］二するためには、前記百を０
．０３５、好寸しく←１．０．０５５以上とすることが
望ましい。 というのは、１１が０．５より大きくなると、窪みの幅
りが相対的に大きくなり、画像ムラ等を派生し易い状況
となるためである。 また、痕跡窪みによる凹凸の幅りは、大きくとも５００
１ｚｍ程度、好丑しくは２００μｍ以下、より好ましく
は１００μｔｎ以下とするのが重重しい。Ｄが５００μ
ｍｉ超えると、画像ムラを派生しやすくなるとともに、
解像力をこえてし１つおそれがあり、こうした場合には
、効率的な干渉縞防止効果が得られにくくなる。 球状痕跡窪み内に形成される微小凹凸の高さ、即ち、球
状痕跡窪み内の表面粗さｒ ｍａｘは、０．５〜２（ｂ
ｚｍの範囲であることが好寸しい。Ｔｍａ、ｘが０．５
μｍ以下である場合には散乱効果が十分に得られず、ま
た、２０μｍをこえると、球状痕跡窪みによる凹凸と比
較して、球状痕跡窪み内の微小凹凸が大きくなりすぎ、
痕跡窪みが球状をなさなくなったりして、干渉縞模様の
発生を防止する効果が充分に得られなくなる。丑た、こ
うした支持体上に設けられる光受容層の不均一性を増長
することともなり、画像欠陥を生じやすくなるため、好
ましくない。 −ｈ述のごとき特定の表面形状を有する支持体上に設け
る本発明の光受容部材の光受容層は、感光層と表面層と
からなり、該感光層は、シリコン原子と、ゲルマニウム
原子又はスズ原子の少なくともいずれか一方とを含有す
るアモルファス材料で構成され、特に望佳しくけシリコ
ン原子（Ｓｌ）と、ゲルマニウム、原子（Ｇｃ ）又は
スズ原子（８ｎ）の少なくともいずれか一方と、水素原
子（ｌ］）はハロゲン原子（Ｘ）の少なくともいずれか
一方とを含有するアモルファス材料〔以下、「ａ Ｓ
ｉ （Ｇｅ、Ｓｎ ） （Ｈ＋ Ｘ）Ｊと表記する。〕
、あるいは、酸素原子（０）、炭素原子（Ｃ）及び窒素
原子（Ｎ）の中から選ばれる少なくとも一種全含有する
ａ Ｓｉ （Ｇｅ、Ｓｎ ） （Ｈ、Ｘ ） ［：以
下、［ａ −８−ｉ（Ｇｅ、Ｓｎ ） （０ｙＣＩＮ
） （Ｉイ、Ｘ）Ｊ１表記する。〕で構成され、さらに
必要に応じて伝導性を制御する物質全含有せしめること
ができる。そして、該層は、多層構造を有することもあ
り、特に好ましくは、伝導性を制御する物質を含有する
電荷注入阻止層を構成層の１つとして有するか、または
／及び、障壁層を構成層の１つとして有するものである
。 また、前記表面層は、シリコン原子と、酸素原子、炭素
原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種と、好
寸しくけさらに水素原子又はハロゲン原子の少なくとも
いずれか一方とを含有するアモルファス材料〔以下、Ｊ
ａ−８ｉ（０，Ｃ，１寸） （■１． ｘ ） Ｊと表
記する。〕で構成されるか、あるいけ無機弗化物、無機
酸化物及び無機硫化物の中から選ばれる少なくとも一種
で構成されており、該表面層は、最外殻に耐摩耗層と、
内部に反射防止層を少なくとも有する多層構成とされて
いる。 本発明の光受容部材の光受容層の作成については、本発
明の前述の目的を効率的に達成するために、その層厚を
光学的レベルで正確に制御する必吸があることから、グ
ロー放電法、スパッタリング法、イオンシレーティング
法等の真空堆積法が通常使用されるが、これらの他、光
ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等全採用することもできる。 以下、図示の実施例にしたがって本発明の光受容部材の
具体的内容を説明するが、本発明の光受容部材はそれら
実施例により限定されるものではない。 第１図は、本発明の光受容部材の層構成全説明するため
に模式的に示した図であり、図中、１００は光受容部材
、１０１は支持体、１０２ｉｄ感光層、１０３は表面層
、１（１４は１′目１１表面を示している。 支持体 本発明の光受容部材における支持体１月は、その表面が
光受容部利に要求される解像力よりも微小な凹凸を有し
、しかも該凹凸は、複数の球状痕跡窪みによるものであ
り、かつ、該球状痕跡窪み内には更に微小な複数の凹凸
が形成されているものである。 以下に、本発明の光受容部拐における支持体の表面の形
状及びその好適な製造例を、第４及び５図により説明す
るが、本発明の光受容部材における支持体の表面形状及
びその製造法は、これらによって限定されるものではな
い。 第４図は、本発明の光受容部材における支持体の表面の
形状のり１↓型的−例を、その凹凸形状の一部を部分的
に拡大して模式的に示すものである。 第４図において４０１は支持体、４０２は支持体表面、
４０３は球状痕跡窪みによる凹凸形状、４（１４は該球
状痕跡窪み内に設けられた更に微小な凹凸形状を示して
いる。 さらに第４図は、該子持体表面形状を得るのに好寸しい
製造方法の１例をも示すものでもあり、４０３′は、表
面に微小な凹凸形状４（１４”ｉ有する剛体球を示して
おり、該剛体球４０３’に支持体表面４．０２より所定
高さの位置より自然落丁させて支持体表面４０２に衝突
させることにより、窪み内に微小な凹凸形状４（１４ヲ
有する、球状痕跡窪みによる凹凸形状４０３ ｉ形成し
うろことを示している。そして、ほぼ同一径Ｒ′の剛体
球４０３′を複数個用い、それらを同一の高さｈより、
同時あるいは逐時、落下させることにより、支持体表面
４０２に、はマ同一の曲率Ｒ及びはソ同一の幅Ｄｉ有す
る複数の球状痕跡窪み４０３ｆｆ形成することができる
。 第５図は、前述のごとくして表面に、複数の球状痕跡窪
みによる凹凸形状の形成された支持体のいくつかの典型
例を示すものである。読図において、５０１は支持体、
５０２は支持体表面、５０３は；窪み内に複数の更に微
小な凹凸形状を有する球状痕跡窪み（なお、第５図にお
いては球状痕跡窪み内に形成される更に微小な複数の凹
凸形状は図示していないが、球状痕跡窪み５０３内には
各々更に微小な凹凸形状を有しているものとする。）、
５０３′は表面に微小な凹凸形状を有する剛体球（同様
にして１表面の微小な凹凸形状は図示していないが、剛
体球の表面には、微小な凹凸形状を有しているものとす
る。）を、それぞれ示している。 第５（Ａ）図に示す例では、支持体５０１の表面５０２
の異なる部位に、ほぼ同一の径の複数の球体５０３′、
５０３′、・・・ｔほぼ同一の高さより規則的に落下さ
せてほぼ同一の曲率及びほぼ同一の幅の複数の痕跡窪み
５０３．５０３、・・・全圧いに重複し合うように密に
生じせしめて規則的に凹凸形状を形成したものである。 なおこの場合、互いに重複する窪み５０３．５０３、・
・全形成するには、球体５０３′の支持１本表面５０２
への衝突時期が、互いにずれるように球体５０３′、５
０３′、・・・全自然落下せしめる必要のあることはい
うまでもない。 また、第ｓ （１３）図に示す例では、異なる径を有す
る二種類の球体５０３′、５０３′、・・・をほぼ同一
の高さ又は異なる高さから落下させて、支持体５０１の
入面５０２に、二種の曲率及び二種の幅の複数の窪み５
０３．５０３、・・・を互いに重複し合うように密に生
じせしめて、表面の凹凸の高さが不規則な凹凸を形成し
たものである。 更に、第５（Ｃ）図（支持体表面の正面図および断面図
）に示す例では、支持体５０１の表面５０２に、ほぼ同
一の径の複数の球体５０３′、５０３′、・・・全ほぼ
同一の高さより不規則に落下させ、ほぼ同一の曲率及び
複数種の幅を有する複数の窪み５０３．５０３、・・・
全圧いに重複し合うように生じせしめて、不規則な凹凸
を形成したものである。 以」二のように、本発明の光受容部材の支持体の表面に
球状痕跡窪みによる凹凸形状全形成せしめ、かつ、該球
状痕跡窪み内に更に微小な複数の凹凸形状を形成せしめ
るについては、表面に微小な凹凸形状を有する剛体球を
支持体表面に落下させる方法が、好寸しい例として挙げ
られるが、この場合、剛体球の径、落下させる高さ、剛
体球と支持体表面の硬度、剛体球の表面の凹凸の形状及
び大きさ、あるいは落丁せしめる剛体球の量等の諸条件
を適宜選択することにより、支持体表面に所望の平均曲
率及び平均幅を有する球状痕跡窪み、あるいは該球状痕
跡窪み内に所望の大きさ及び形状の凹凸を、所定の密度
で形成することができる。１４１Ｊち、上記諸条件を選
択することにより、支持体表面に形成される凹凸形状の
凹凸の高さや凹凸のピッチ、あるいは凹凸形状の四部に
形成される更に微小な凹凸形状の凹凸の高さや凹凸のピ
ッチ等を、目的に応じて自在に調節することが可能であ
シ、所望の凹凸形状を有する支持体全得ることができる
。 そして、光受容部材の支持体全凹凸形状表面のものにす
るについて、旋盤、フライス盤等を用いたダイヤモンド
バイトにより切削加工して作成する方法の提案がなされ
ていてそれなりに有効な方法ではあるが、該方法にあっ
ては切削油の使用、切削により不可避的に生ずる切粉の
除去、切削面に残存してし寸う切削油の除去が不可欠で
あり、結局は加工処理が煩雑であって効率のよくない等
の問題を伴うところ、本発明にあっては、支持体の凹凸
表面形状を前述したように球状痕跡窪みにより形成する
ことから上述の問題は全くなくして所望の凹凸形状表面
の支持体を効率的且つ簡便に作成できる。 本発明に用いる支持体１０１は、導電性のものであって
も、また電気絶縁性のものであってもよい。導電性支持
体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａｌ、
Ｃｒ、 ＭＯＳＡｕ、Ｎｂ、 Ｔａ、 Ｖ、 Ｔｉ、ｐ
ｔ、 ｐｂ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等
の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の
表面を導電処理し、該導電処理された表面側に光受容層
を設けるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、Ｎ ｊ、Ｃｒ、
ＡＩ！、ＣｒｌＭｏ、 Ａｕ、 Ｉｒ、 Ｎｂ、 Ｔａ
、 Ｖ、Ｔ］、Ｐｔ１Ｐｄ。 Ｉｎ２Ｏ３５ｎ０２、ＩＴＯ（Ｉｎ２０ａ ＋５ｎ０２
）等かう成ル薄膜を設けることによって導電性全付与
し、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルム
であれば、ＮｉＣｒ、 Ａｌ、 Ａ、ｇ、Ｐｂ、 Ｚｎ
、 Ｎｉ、Ａｕ。 Ｃｒ、ＩＭｏ、 Ｉｒ、 Ｎｂ、 Ｔａ、 ＶｌＴｌ、
Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、ス
・ぐツタリング等でその表面に設け、又は前記金属でそ
の表面をラミネート処理して、その表面に導電性全付与
する。支持体の形状は、円筒状、ベルト状、板状等任意
の形状であることができるが、用途、所望によって、そ
の形状は適宜に決めることのできるものである。例えば
、第１図の光受容部−凹一 材１００ヲ電子写真用像形成部材として使用するのであ
れば、連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒
状とするのが望ましい。支持体の厚さは、所望通りの光
受容部材を形成しうる様に適宜決定するが、光受容部材
として可撓性が要求される場合には、支持体としての機
能が充分発揮される範囲内で可能な限シ薄くすることが
できる。しかしながら、支持体の製造上及び取扱い」二
、機械的強度等の点から、通常は、１０μ以上とされる
。 次に、本発明の光受容部材ｆ：電子写真用の光受容部材
として用いる場合について、その支持体表面の製造装置
の１例を第６（Ａ）図及び第６（Ｂ）図を用いて説明す
るが、本発明はこれによって限定されるものではない。 ′隠子写真用光受容部材の支持体としては、アルミニウ
ム合金等に通常の押出加工を施して、ボートホール管あ
るいはマンドレル管とし、更に引抜加工して得られる引
抜管に、必要に応じて熱処理や調質等の処理を施した円
筒状（シリンダー状）基体を用い、該円筒状基体に第６
（Ａ）、（Ｂ）図に示した製造装置を用いて、支持体表
面に凹凸形状全形成せしめる。 支持体表面に前述のような凹凸形状を形成するについて
用いる球体としては、例えばステンレス、アルミニウム
、鋼鉄、ニッケル、真鍮等のｌｉ、セラミック、プラス
チック等の各種剛体球を挙げることができ、とりわけ耐
久性及び低コスト化等の理由により、ステンレス及び鋼
鉄の剛体球が望ましい。そ１−てそうした剛体球の硬度
は、支持体の硬度Ｊ：りも高くても、あるいは低くても
よいが、球体ケ繰叔し使用する場合には、支持体の硬度
よりも高いものであることが望ましい。 本発明の支持体表面に前述のごとき特定形状を形成する
には、上述のような各種剛体球の表面に凹凸を有するも
のを使用する必要があり、こうした表面に凹凸を有する
剛体球は、例えばエンボス、波付は等の塑性加工処理全
応用する方法、地荒し法（梨地法）等の粗面化方法など
、機械的処理により凹凸を形成する方法、酸やアルカリ
による食刻処理等化学的法により凹凸を形成する方法な
どを用いて剛体球を処理することにより作製することが
できる。また更にこの様に凹凸を形成した剛体球表面に
、電解研摩、化学研摩、仕北げ研摩等、又は陽極酸化皮
膜形成、化成皮膜形成、めっき、はうろう、塗装、蒸着
膜形成、ＣＶＤ法による膜形成などの表面処理を施して
凹凸形状（高さ）、硬度などを適宜調整することができ
る。 第６（Ａ）、（Ｂ）図は、製造装置の一例を説明するた
めの模式的な断面図である。図中、６０１は支持体作成
用のアルミニウムシリンダーであり、該シリンダー６０
１は、予め表面を適宜の平滑度に仕上げられていてもよ
い。シリンダー６０１は、回転軸６０２に軸支されてお
り、モーター等の適宜の駆動手段６０３で駆動され、ほ
ぼ軸芯のまわりで回転可能にされている。６（１４は、
軸受６０２に軸支され、シリンダー６０１と同一の方向
に回転する回転容器であり、該容器６（１４の内部には
、表面に凹凸形状を有する多数の剛体球６０５が収容さ
れている。剛体球６０５は、回転容器６（１４の内壁に
設けられている突出した複数のリブ６０６によって担持
され、且つ、回転容器６（１４の回転によって容器上部
まで輸送される。回転容器の回転速度がある適度の速度
の時に、容器壁について容器上部まで輸送された剛体球
６０５は、シリンダー６０１上に向は落Ｆし、／リンダ
ー表面に衝突し、表面に痕跡窪みを形成する。 なお、回転容器６（１４の壁に均一に孔を穿っておき、
回転時に容器６（１４の外部に設けたシャワー管６０７
よシ洗浄液を噴射するようにし、シリンダー６０１と剛
体球６０５及び回転容器６（１４ヲ洗浄しうる様にする
こともできる。このようにした場合、剛体球どうし、又
は剛体球と回転容器との接触等により生ずる静電気によ
って付着したゴミ等を、回転容器６（１４外へ洗い出す
こととなり、ゴミ等の付着がない所望の支持体全形成す
ることができる。該洗浄液としては、洗浄液の乾燥むら
や液だれのないものを用いる必要が−３’ｉ’ − あり、こうしたことから不揮発性物質単独、又ハトリク
ロルエタン、トリクロルエチレン等ノ洗浄液との混合物
を用いるのが好ましい。 感光層 本発明の光受容部材においては、前述の支持体１０１上
に、感光層１０２が設けられておυ、該感光層は、ａ−
８ｉ （Ｇｅ、Ｓｎ ） （Ｈ、Ｘ）又はａ−８ｉ（（
）ｅ、Ｓｎ ） （０＋Ｃ＋Ｎ ） （Ｈｒ ｘ）
で構成されており、好ましくは、さらに伝導性を制御す
る物質を含有せしめることができる。 感光層中に含有せしめるノ・ロゲン原子凶）としては、
具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、時
にフッ素、塩素を好適なものとして挙げることができる
。そして、感光層１０２中に含有される水素原子（Ｈ）
の量又はノ・ロゲン原子（（３）の量又は水素原子とハ
ロゲン原子の量の和（Ｈ十Ｘ）は通常の場合１〜４０
ａｔｏｍｉｃ ％、好適には５〜３０ ａｔｏｍｉｃ
％とされるのが望ましい。 また、本発明の光受容部材において、感光層の層厚は、
本発明の目的を効率的に達成するには重要な袋内の１つ
であって、光受容部材に所望の特性が与えられるように
、光受容部材の設計の際には充分な注意を払う心安があ
り、通常は１〜１００ｚｚとするが、好寸しくけ１〜８
０μ、より好ましくは２〜５０ Ｉｔとする。 ところで、本発明の光受容部材の感光層にゲルマニウム
原子及び／又はスズ原子を含有せしめる目的は、主とし
て該光受容部材の長波長側における吸収スペクトル特性
を向上せしめることにある。 即ち、前記感光層中にゲルマニウム原Ｐ又は／及びスズ
原子を含有せしめることにより、本発明の光受容部材は
、各種の優れた特性を示すところのものとなるが、中で
も特に可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的長波
長屋の全領域の波長の光に対して光感度が優れ光応答性
の速いものとなる。そしてこのことは、半導体レーザー
全光線とした場合に特に顕著である。 本発明における感光層においては、ゲルマニウム原子又
は／及びスズ原子は、その全層領域に含有せしめても、
あるいは、支持体と接する一部の層領域に含有せしめて
もよい。後者の場合、感光層は、ゲルマニウム原子又は
／及びスズ原子全含有する構成層と、ゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子のいずれも含有しない構成層が支持
体側の端部よりこの順に積層された層構成全有するもの
となる。そして、ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子
を全層領域に含有せしめる場合および一部の層領域にの
み含有せしめる場合のいずれの場合も、ゲルマニウム原
子及び／又はスズ原子を該層中または層領域中に、均一
な分布状態で含有せしめてもよく、あるいは不均一な分
布状態で含有せしめてもよい。 （ここで均一な分布状態とは、ゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の分布濃度が、感光層の支持体表面と平行
な面方向において均一であり、感光層の層厚方向にも均
一であることをいい、又、不均一な分布状態とは、ゲル
マニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃度が、感光層
の支持体表面と平行な面方向には均一であるが、感光層
の層厚方向には不均一であることをいう。）そして本発
明の感光層においては、特に、支持体側の端部にゲルマ
ニウム原子及び／又はスズ原子を比較的多量に均一な分
布状態で含有する層を設けるか、あるいは自由表面側よ
りも支持体側の方に多く分布した状態となる様にゲルマ
ニウム原子又は／及びスズ原子を含有せしめることが望
ましく、こうした場合、支持体側の端部においてゲルマ
ニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃度を極端に大き
くすることによシ、半導体レーザー等の長波長の光源を
用いた場合に、光受容層の自由表面側に近い構成層又は
層領域においては殆んど吸収しきれない長波長の光を、
光受容層の支持体と接する構成層又は層領域において実
質的に完全に吸収されるため、支持体表面からの反射光
による干渉が防止されるようになる。 前述のごとく、本発明の感光層においては、ゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子を全層中又は一部の構成層中
に均一に分布せしめることもでき、あるいは、全層又は
一部の構成層の層厚方向に連続的かつ不均一に分布せし
めることもできるが、以下、層厚方向に連続的かつ不均
一な分布状態の典型的な例のいくつかを、ゲルマニウム
原子を例として、第７乃至１５図により説明する。 第７図乃至第１５図において、横軸はゲルマニウム原子
の分布濃度ｃｌ、縦軸は、感光層全層又は支持体と接す
る一部の構成層の層厚を示し、ｔＢは支持体側の感光層
の端面の位置全、ｔＴは支持体側とは反対側の表面層側
の端面、又はゲルマニウム原子を含有する構成層とゲル
マニウムを含有しない構成層との界面の位置を示す。即
ち、ゲルマニウム原子の含有される感光層はｔＢ側より
ｔＴ側に向って層形成がなされる。 同、各図に於いて、層厚及び濃度の表示はそのままの値
で示すと各々の図の違いが明確でなくなる為、極端な形
で図示しており、これらの図はあくまでも理解全容易に
するための説明のための模式的なものである。 第７図には、感光層中に含有されるゲルマニウム原子の
層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。 第７図に示される例では、ゲルマニラｌ、原子の含有さ
れる感光層が形成される支持体表面と該層とが接する界
面位置１中より１、・ｒの位置脣では、ゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃが濃度Ｃ１なる一定の値を取り乍らゲル
マニウノ、原子が感光層に含有され、位置ｔ〕よりは、
濃１川Ｃ２より界面位置ｔＴに至るまで徐々に連続的に
減少されている。 界面位置ｔＴにおいてはゲルマニウム原子の分布濃度Ｃ
は実質的にゼロとされる。 （ここで実質的にゼロとは検出限界量未満の場合である
。） 第８図に示される例においては、含有されるゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置１、Ｂより位置ｔＴに至るま
で濃度Ｃ，から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおい
て濃度Ｃ４となる様な分布状態全形成している。 第９図の場合には、位置ｔＢより位置１，２までは、ゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ５と一定位置とさ
れ、位置１，２と位置ｔ７との間において、徐々に連続
的に減少され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的
にゼロとされている。 第１０図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置１．Ｂより位置１，３に至る丑で、濃度Ｃ６より初
め連続的に徐々に減少され、位置ｔ３よりは急速に連続
的に減少されて位置ｔＴにおいて実質的にゼロとされて
いる。 第１１図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置ｔＢと位置ｔ４間においては、濃度Ｃ７と
一定値であり、位置ｉ、Ｔに於ては分布濃度Ｃはゼロと
される。位置ｔ４と位置↑１Ｔとの間では、分布濃度Ｃ
は一次関数的に位置ｔ４より位置ｔＴに至る壕で減少さ
れている。 第１２図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔ５丑では濃度Ｃ８の一定値を取り、位置ｔ
５より位置ｔＴまでは濃度Ｃ９より濃度Ｃ１０丑で一次
関数的に減少する分布状態とされている。 第１３図に示す例においては、位置１＝Ｅより位置ｔＴ
に至る寸で、ゲルマニウノ、原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ
１］ より一次関数的に減少されて、ゼロに至っている
。 第１４図においては、位置ｔＢより位置ｔ６に至るまで
はゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１２より濃
度Ｃ１３まで一次関数的に減少され、位置ｔ６と位置ｔ
Ｔとの間においては、濃度Ｃ］、３の一定値とされた例
が示されている。 第１５図に示される例において、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔ１．ｌにおいて濃度Ｃ１４であシ、
位置ｔ７に至る丑ではこの濃度Ｃ］４ より初めはゆ
っくりと減少され、↑、７の位置付近においては、急激
に減少されて位置ｔ７では濃度Ｃ１５とされる。 位置１．と位置ｔ８との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ８
で濃度Ｃ］、６ となり、位置ｔ８と位置ｔ９との間
では、徐々に減少されて位置ｔ９において、濃度Ｃ，に
至る。位置ｔ９と位置ｔＴとの間においては濃度Ｃ］７
より実質的にゼロになる様に図に示す如き形状の曲線
に従って減少されている。 以上、第７図乃至第１５図により、感光層中に含有され
るゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の層厚方向の分
布状態の典型例の幾つかを説明した様に、本発明の光受
容部材においては、支持体側において、ゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の分布濃度Ｃの高い部分を有し、
界面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に比
べてかなり低くされた部分を有するゲルマニウム原子又
は／及びスズ原子の分布状態が感光層に設けられている
のが望ましい。 即ち、本発明における光受容部材を構成する感光層は、
好ましくは、上述した様に支持体側の方にゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子が比較的高濃度で含有されてい
る局在領域を有するのが重重しい。 本発明の光受容部材に於ては、局在領域は、第７図乃至
第１５図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢ
より５ ｌｔ以内に設けられるのが望ましい。 そして、上記局在領域は、界面位置ｔＢより５μ厚まで
の全層領域とされる場合もあるし、又、該層領域の一部
とされる場合もある。 局在領域を層領域の一部とするか又は全部とするかは、
形成される光受容層に要求される特性に従って適宜決め
られる３゜ 局在領域はその中に含有されるゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム
原子又に１、／及びスズ原子の分布濃度の最大値Ｃ工、
Ｘがシリコン原ｆ−に対して、好ましくは１０００ ａ
、 ｔｃｕ旧（ｌ Ｉ−）１１１＋１以ト、より好適に
は５０００ ａもｏｍｉｃ ｐｐｍ以」−１最適にｔｄ
、 Ｉ Ｘ ｌ（１’ａ ｌａ＋ｒ＋＋ｃｐｐｍ以」二
とされる様な分布状態となり１１）る様に層形成される
のが望ましい３゜ 即ち、本発明の光受容部材においては、ゲルマニウム原
子又は／及びスズ原Ｐの含有される感光層は、支持体側
からの層厚で５ ｌｔ以内（ｔ！３から５μ層の層領域
）に分布濃度の最大値Ｃｍａｘが存在する様に形成され
るのが好ましいものである。 不））６明の光受容部材において、感光層中に含有せし
めるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の含有Ａ（は
、本発明の目的を効率的に達成しつる様に所望に従って
適宜決める心安があり、通常は１〜６ Ｘ １０” ａ
ｔｏｍｊ、ｃ ｐｐｍとするが、好ましくは１０／−３
Ｘ １０５１０５ａｔｏ ｐｐｍ、より好ましくｉ’；
ｊ： Ｉ Ｘ １０２〜２ Ｘ １０５１０５ａｔｏ
ｐｐｍとする。 本発明の光受容部材の感光層に、酸素原子、炭素原子及
び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種全含有せしめ
る目的は、主として該光・受答部材の高光感度化と高暗
抵抗化、そして支持体と感光層との間の密着性の向上に
ある。 本発明の感光層においては、酸素原子、炭素原子及び窒
素原子の中から選ば扛る少くとも一種全含有せしめる１
易合、層厚方向に均一な分布状態で含有せしめるか、あ
、るいは層厚方向に不均一な分布状態で含有せしめるか
は、前述の目的とするところ乃至期待する作用効果によ
って異なり、したがって、含有せしめる量も異なるとこ
ろとなる。 すなわち、光受容部材の高光感度化と高暗抵抗化全目的
とする場合には、感光層の全層領域に均一な分布状態で
含有せしめ、この場合感光層に含有せしめる炭素原子、
酸素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種の
量は、比較的少量でよい。 筐た、支持体と感光層との密着性の向上全目的とする場
合には、感光層の支持体側端部の一部の層領域に均一に
含有せしめるか、あるいは、感光層の支持体側端部にお
いて、炭素原子、酸素原子、及び窒素原子の甲から：、
”、４ばれる少くとも一種の分布湿度が島くなるような
分布状態で含有せしめ、この場合、感光層に含有せしめ
る酸素原子、炭素原子、及び窒素原子の中から選ばれる
少くとも一種の量は、支持体との密着性の向上全確実に
図るために、比較的多量にされる。 本発明の光受容部材において、感光層に含有せしめる酸
素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くと
も一種の量は、しかし、上述のごとき感光層に要求され
る特性に対する考慮の他、支持体との接触界面における
特性等、有機的関連性にも考慮をはらって決定されるも
のであり、通常は０．００１〜５０ ａｔｏｍｉｃ％、
好ましくは０．００２〜４０ ａｔｏｍｉｃ％、最適に
は０．００３〜３０ａｔｏｍｉｃ％とする。ところで、
感光層の全層領域に含有せしめるか、あるいは、含有せ
しめる一部の層領域の層厚の感光層の層厚中に占める割
合が大きい場合には、前述の含有せしめる量の上限全少
なめにされる。すなわち、その場合、例えば、含有せし
める層領域の層厚が、感光層の層厚の％となるような場
合には、含有せしめる量は通常３０ ａｔｏｍｉｃ ％
以下、好ましくはａ）ａｔｏｍｉｃ係以下、最適には１
０ ａｔｏｍｉｃ％以下にされる。 次に不発明の感光層に含有せしめる酸素原子、炭素原子
及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種の量が、支
持体側においては比較的多量であり、支持体側の端部か
ら表面層側の端部に−５０〜 向かって減少し、感光層の表面層側の端部伺近において
は、比較的少１１４−となるか、あるいは実質的にゼロ
に近くなるように分布せしめる場合の典型的な例のいく
つかを、第１６図乃至第２４図によって説明する。しか
し、本発明はこれらの例によって限定されるものではな
い。以下、炭素原子、酸素原子及び窒素原子の中から選
ばれる少くとも一層を「原子（０，Ｃ，Ｎ ） Ｊと表
記する。 第１６乃至討図において、横＋ｌｌ＋は原子（ｏ、ｃ、
Ｎ）の分布濃度Ｃｉ、縦軸は感光層の層厚を示し、ｔＢ
は支持体と感光層との界面位置を、ｔＴは感光層の表面
層との界面の位置ケ示す。 第１６図は、感光層中に含有せしめる原子（０゜Ｃ，Ｎ
）の層厚方向の分布状態の第一の典型例全示している。 眼側では、原子（０，Ｃ，Ｎ ）−２含有する感光層と
支持体との界面位置ｔＢより位置ｔ］才では、原子（ｏ
、ｃ、Ｎ）の分布濃度Ｃが０１なる一定値をと９、位置
ｔｌＪ：ｐ表面層との界面位置ｔＴまでは原子（ｏｒ”
：ｒＮ）の分布濃度Ｃが濃度Ｃ２から連続的に減少し、
位置ｔＴにおいては原子（０，Ｃ，Ｎ ）の分布濃度が
０３となる。 第１７図に示す他の典型例の１つでは、感光層に含有せ
しめる原子（０，Ｃ，Ｎ ）の分布濃度Ｃは、位置ｔＢ
から位置ｔＴにいたるまで、濃度ｃ４から連続的に減少
し、付随ｔＴにおいて濃度ｃ５となる。 第１８図に示す例では、位ｈａｔ ｔＢから位置ｔ２ま
では原子（０，Ｃ，Ｎ ）の分布濃度Ｃが譲度ｃ６なる
一定値を保ち、位置ｔ２から位置ｔＴにいたるまでは、
原子（０，ｃ、Ｎ ）の分布濃度Ｃは濃度ｃ７から徐々
に連続的に減少して位ｍｔＴにおいては原子（０゜Ｃ，
Ｎ）の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。 第１９図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ ）の分布濃
度Ｃは位置ｔｎより位置ｔＴにいたる才で、濃度Ｃ８か
ら連続的に徐々に減少し、位置ｔＴにおいては原子（０
，Ｃ，Ｎ ）の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。 第２０図に示す例では、原子（○、Ｃ，Ｎ ）の分布濃
度Ｃは、位置ｔＢより位ｗｔ３の間においては濃度Ｃ９
の一定値にあり、位置ｔ３から位ＭｔＴの間においては
、濃度Ｃ９から濃度Ｃ１ｏとなるまで、−次間数的に減
少する。 第２１図に示す例では、原子（ｏｒｃｒＮ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＢより位置ｔ４にいたる丑では濃度Ｃ１ｌ
の一定値にあり、位置１，４よ逆位置ｔＴにいたるまで
は濃度Ｃ１，２から濃度Ｃ１３となる丑で一次関数的に
減少する。 第ｎ図に示す例においては、原子（０＋Ｃ＋Ｎ ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢから位置ｔＴにいたるまで、濃度
Ｃ１４から実質的にゼロとなる壕で一次関数的に減少す
る。 第羽図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ ）の分布濃度
Ｃは、位置１＋＞から位置ｔ５にいたる丑で濃度Ｃ１５
から濃Ｋ Ｃ１６となる丑で一次関数的に減少し、位置
ｔ５から位置ｔ７１ではｉ度Ｃｌ−６の一定値全保つ。 最後に、第２４図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の
分布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度ｃｘ７であり、位
置ｔＢから位置ｔ６ｆでは、濃度Ｃ□、からはじめはゆ
つくり減少して、位置ｔ６付近では急激に減少し、位置
ｔ６では濃度Ｃ１，８となる。次に、位置ｔ６から位置
ｔ７までははじめのうちは急激に減少し、その後は緩か
に徐々に減少し、位置１゜においては濃度Ｃ１，９とな
る。更に位置ｔ７と位置ｔ８の間では極めてゆっくりと
徐々に減少し、位置ｔ８において濃度Ｃ２０となる。ま
た更に、位置ｔ８から位置ｔＴにいたるまでは、濃度Ｃ
２Ｏから実質的にゼロとなる丑で徐々に減少する。 第１６図〜第２４図に示した例のごとく、感光層の支持
体側の端部に原子（０，Ｃ，Ｎ ）の分布濃度Ｃの高い
部分を有し、感光層の表面層側の端部においては、該分
布濃度Ｃがかなシ低い部分を有するか、あるいは実質的
にゼロに近い濃度の部分を有する場合にあっては、感光
層の支持体側の端部に原子（０，Ｃ，Ｎ ）の分布濃度
が比較的高濃度である局在領域を設けること、好ましく
は該局在領域を支持体表面と感光層との界面位置ｔＢか
ら５μ以内に設けることにより、支持体と感光層との密
着性の向上をより一層効率的に達成することができる。 前記局在領域は、原子（０ＩＣＩＮ ） −を含有せし
める感光層の支持体側の端部の一部層領域の全部であっ
ても、あるいは一部であってもよく、いずれにするかは
、形成される感光層に要求される特性に従って適宜状め
る。 局在領域に含有せしめる原子（０，Ｃ，Ｎ ）の量は、
原子（０，Ｃ，Ｎ ）の分子濃度Ｃの最大値が５００
ａｔｏｍｊ、ｃ ｐｐｍ以上、好捷しくは８００ ａｔ
ｏｍｉｃｐｐｍ以上、最適には１０００ ａｔｏｍｊ−
ｃ ｐｐｍ以上トするような分布状態とするのが重重し
い。 本発明の光受容部材においては感光層に伝導性全制御す
る物質を、全層領域又は一部の層領域に均−又は不均一
な分布状態で含有せしめることができる。 前記伝導性を制御する物質としては、半導体分野におい
ていういわゆる不純物を挙げることができ、ｐ型伝導性
を与える周期律表第■族に属する原子（以下単に「第ｍ
族原子」と称す。）、又は、ｎ型伝導性を与える周期律
表第Ｖ族に属する原子（以下単に「第Ｖ族原子」と称す
。）は、Ｂ（細索） 、 ＡＪ （アルミニウム）、Ｇ
ａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔｌ（タリウム
）等を挙げることができるが、特に好ましいものは、月
、Ｇａである。また第Ｖ族原子としてはＰ（燐）、Ａｓ
（砒素）、ｓｂ（アンチモン）、Ｂ］（ビスマン）等を
挙げることができるが、特に好ましいものは、ｐ＝ｓｂ
である。 本発明の感光層に伝導性を制御する物質である第■族原
子又は第Ｖ族原子を含有せしめる場合、全層領域に含有
せしめるか、あるいは一部の層領域に含有せしめるかは
、後述するように目的とするところ乃至期待する作用効
果によって異なり、含有せしめる量も異なるところとな
る。 すなわち、感光層の伝導型又は／及び伝導率を制御する
ことを主たる目的にする場合には、感光層の全層領域中
に含有せしめ、この場合、第■族原子又は第Ｖ族原子の
含有量は比較的わずかでよく、通常はＩ Ｘ Ｔｏ−”
〜Ｉ Ｘ １０” ａｔｏｍｉｃｐｐｍであり、好ま
しくば５Ｘ ＩＱ−２〜５ Ｘ１０Ｘ１０２ａｔｏ ｐ
ｐｍ、最適には１×１（戸〜２ Ｘ １０” ａｔ、ｏ
ｍｊ ｃｐｐｍである。 また、支持体と接する一部の層領域に第１［１族原子又
は第Ｖ族原子を均一な分布状態で含有せしめるか、ある
いは層厚方向における第１Ｈ族原子又は第■族原子の分
布濃度が、支持体と接する側において高濃度となるよう
に含有せしめる場合には、こうした第■族原子又は＠Ｖ
族原子を含有する構成層あるいは第■族原子又は第Ｖ族
原子を高濃度に含有する層領ＦＪ！２は、電荷注入阻止
層として機能するところとなる。即ち、第■族原子を含
有せしめた場合には、光受容層の自由表面が■極性に帯
電処理を受けた際に、支持体側から光受容層中へ注入さ
れるｍ子の移動をより効率的に阻止することができ、又
、第Ｖ族原子を含有せしめた場合には、光受容層の自由
表面が○極性に帯電処理を受けた際に、支持体側から光
受容層中へ注入される正孔の移動をよシ効率的に阻止す
ることができる。そして、＝５７ ＝ こうした場合の含有量は比較的多量であって、具体的に
は、３０〜５ Ｘ １０’ ａｔｏｍｉｃ ｐｐｍ 、
好ましくは５（Ｌ−Ｉ Ｘ １０’ ａｔｏｍｉｃ ｐ
ｐｍ 、最適には１×１０２〜５×１０３ａｔｏ１０３
ａｔｏとするｎさらに・該電荷注入阻止層としての効果
を効率的に奏するために幻：、第■族原子又は第Ｖ族原
子を含有する支持体側の端部に設けられる層又は層領域
の層厚ｙ ｔとし、光受容層の層厚ｉＴとした場合、ｔ
／Ｔ≦０．４の関係が成立することが望ましく、より好
ましくは該関係式の値が０．３５以下、最適には０．３
以下となるようにするのが望ましい。 また、該層又は層領域の層厚上は、一般的には３ Ｘ
１．０−３〜ｌＯμとするか、好壕しくけ４． Ｘ １
０−”〜８μ、最適には５ Ｘ ｌＯ＝〜５μとするの
が重重しい。 次に感光層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子の
量が、支持体側においては比較的多量であって、支持体
側から表面層側に向って減少し、表面層との界面付近に
おいては、比較的少量となるかあるいは実質的にゼロに
近くなる−５８＝ ように第■族原子又は第■族原子を分布させる場合の典
型的例は前述の感光層に酸素原子、炭素原子及び窒素原
子の中から選ばれる少なくとも一種を含有せしめる場合
に例示した、第１６図乃至冴図の例と同様の例によって
説明することができる。しかし、本発明は、これらの例
によって限定されるものではない。 第１６図〜第２４図に示した例のごとく、感光層の支持
体側に近い・則に第１ＩＩ族原子又は第Ｖ族原子の分布
濃度Ｃの高い部分含有し、表面層との界面側においては
、該分布濃度Ｃがかなり低い濃度の部分あるいは実質的
に一１！口に近い濃度の部分を有する場合にあっては、
支持体側に近い部分に第■族原子又ｄ、第Ｖ族原子の分
布濃度が比較的高濃度である局在類１威を設けること、
好ましくは該局在類１戎を支持体表面と接触する界面位
置から５μ以内に設けることにより、第１Ｈ族原子又は
第Ｖ族原子の分布濃度が高濃度である層領戦が電荷注入
阻止層全形成するという前述の作用効果がより一層効率
的に奏される。 以上、第１Ｈ族原子又は第Ｖ族原子の分布状態について
、個々に各々の作用効果を記述したが、所望の目的を達
成しうる特性を有する光受容部材を？４）るについては
、これらの第■族原子又は第Ｖ族原子の分布状態および
感光層に含有せしめる第１ＩＴ族原子又は第Ｖ族原子の
量を、必要に応じて適宜組み合わせて用いるものである
ことは、いうまでもない。例えば、感光層の支持体側の
端部に電荷注入阻止層を設けた場合、電荷注入阻止層以
外の感光層中に、電荷注入阻止層に含有せしめた伝導性
を制御する物質の極性とは別の極性の伝導性を制御する
物質を含有せしめてもよく、あるいは、同極性の伝導性
を制御する物質を、電荷注入阻止層に含有される量より
も一段と少ない量にして含有せしめてもよい。 さらに、本発明の光受容部材においては、支持体側の端
部に設ける構成層として、電荷注入阻止層の代わりに、
電気絶縁性材料から成るいわゆる障壁層を設けることも
でき、あるいは、該障壁層と電荷注入阻止層との両方を
構成層とすることもできる。こうした障壁層を構成する
材料、！： Ｌ テｉｈ、、Ａ７！２０３．８１０２、
”Ｊ”＋ ４３Ｎ４等の無機′ｍ気絶縁材料やポリカー
ボネート等の有機電気絶縁材料を挙げることができる。 表面層 本発明の光受容部材の表面層１０３は、前述の感光層１
０２の上に設けられ、自由表面１（１４を有している。 該表面層１０３は、光受容部材の自由表面１（１４にお
ける入射光の反射をへらし、透過率を増加させるととも
に、光受容部材の耐湿性、連続繰返し使用特性、電気的
耐圧性、使用環境特性および耐久性等の諸特性を向上せ
しめる目的で、感光層１０２の上に形成せしめるもので
ある。そして、第二の層の形成材料は、それをもってし
て構成される層が優れた反射防止機能を奏するとともに
、前述の諸特性を向上せしめる機能を奏するという条件
の他に、光受容部材の光導電性に悪影響を与えないこと
、電子写真特性、例えば、ある程度以上の抵抗を有する
こと、液体−６コ − 現像法を採用する場合には耐溶剤性にすぐれていること
、すでに形成されている感光層の諸特性を低下させない
こと等の条件が要求されるものであって、こうした諸条
件を満たし、有効に使用しうるものとしては、シリコン
原子（Ｓｌ）と、酸素原子（０）、炭素原子（Ｃ）及び
窒素原子（Ｎ）の中から選ばれる少くとも一種と、好ま
しくはさらに水素原子（■１）又はノ・ロゲン原子図）
の少なくともいずれか一方を含有するアモルファス材料
〔以下、「ａ−８ｊ、（○、ｃ、Ｎ）（Ｈ，Ｘ）Ｊと表
記する。〕あるいは、ＭｇＦ２、Ａｌ ２０３、Ｚ ｎ
Ｓ ％ Ｔ １０２、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、ＣｅＦ３
、ＡｌＦ３、ＮａＦ 等の無機弗化物、無機酸化物及
び無機硫化物の中から選ばれる少くとも一種が挙げられ
る。 そして、本発明の光受容部材にあっては、該表面層の層
厚むらによって生じる干渉模様や感度むらの問題を解消
するため、表面層の構成を、最外殻に耐摩耗層、内部に
反射防止層を少なくとも有する多層構成とするものであ
る。即ち、表面層を多層構成とする本発明の光受容部材
にあっては、表面層内に複数の界面が生じ、各界面での
反射が互いに打ち消し合うことにより、表面層表感光層
との界面にＪ、・Ｉｄる反射を減少せしめることができ
るため、従来の表面層の層厚むらによる反射率の変化と
いう問題が解消さノー１−ることとなる。 本発明の表面層を構成する耐摩耗層（最外部層）および
反射防止層（内部層）は、それ等に要求される特性を満
足する様に形成されるものであれば、各々、一層構成の
みならず、二層以上の多層構成と１〜でもよいことはい
う寸でもない。 表面層をこうした多層構成とするには、耐摩耗層（最外
部層）と反射防１に層（内部層）を構成する層の光学的
バンドギャップ（Ｅｏｐｔ ）が異なるように形成する
。具体的には、耐摩耗層（最外部層）の屈折率と反射防
止層（内部層）の屈折率と、表面層が直接設けられる感
光層の屈折率を各々異なるように形成せしめる１、そし
て、感光層のＡＴＩ折率をｒｌ、表面層を構成する耐摩
耗層の屈折率を１１３、反射防止層の屈折率をｎ、１、
反射防止層の厚さをｄ、入射光の波長をλとした場合、
次式： ％式％） ２ｎ３ｄ ＝ （−十ｍ ） ／ｌ （ｍは整数を表わ
す。）の関係を満足するようにすることにより、感光層
と表面層の界面における反射をゼロとすることができる
。 上記の例ではｎｌ＜ ｎ３ ＜ ｎ２としたが、眼側は
１例であって、これに限定される必要はなく、例えば、
表面層をンリコン原子と、酸素原子、炭素原子又は窒素
原子の中から選ばれる少くとも一種を含有するアモルフ
ァス材料で構成する場合、表面層中に含有せしめる酸素
原子、炭素原子又は窒素原子の量を耐摩耗層と反射防止
層とで異ならしめることにより、屈折率を異ならしめる
。具体的には、感光層をａ ＳＩＨで構成し、表面層
をａ−３ｉＣＨで構成する場合であれば、耐摩耗層中に
含有せしめる炭素原子の量を、反射防止層中に含有せし
める炭素原子の量よりも多くし、感光層の屈折率ｎ１反
射防止層の屈折率ｎ３、耐摩耗層の屈折率ｎ２、耐摩耗
層の層厚ｄの各々をｎｌ”Ｍ２．ｏ、ｎｚ”？３．５、
ｎａ ”ｓ ２．６５ 、ｄ ＞ ７５５Ｘとする。１
だ、表面層中に含有せしめる酸素原子、炭素原子又は窒
素原子を、耐摩耗層と反射防止層とで異ならしめること
により、各々の耐摩耗層をａ Ｓ］、Ｃ（ＨＩ Ｘ
）で形成せしめ、反射防止層をａ−８ｊ−Ｎ （Ｈ、Ｘ
）又はａ−８ｉｏ （Ｈ、Ｘ）で形成せしめることがで
きる。 表面層を構成する耐摩耗層及び反射防止層中には、酸素
原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも
一種を均一な分布状態で含有せしめるものであるが、こ
れらの原子の含有せしめる量の増加に伴い、前述の緒特
性は向上する。しかし、多すぎると、層品質が低下し、
電気的及び機械的特性も低下する。こうｉ〜たことから
、表面層中に含有せしめるこれらの原子の量は、通常０
．００１〜９０ ａ先ｏｍｉｃ％、好１しくけ１〜９０
ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜８０ａｔｏｍｊ、ｃ係
とする。さらに該表面層にも水素原子又はハロゲン６５
一 原子の少なくともいずれか一方を含有せしめることが望
壕しく、表面層に含有せしめる水素原子（■」）の量、
又はハロゲン原子〆）の量、あるいは水素原子とハロゲ
ン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は通常１〜４０ ａｔｏｍｉ
ｃ％、好ましくは５〜３０ａｔｏｍｉｃ％、最適には５
〜２５ ａ １； ｏｍ ｊ、 ｃ％とする。 また更に、表面層を無機弗化物、無機酸化物、及び無機
硫化物の中から選ばれる少くとも一種で構成する場合に
は、以下に例示する各々の無機化合物及びその混合物の
屈折率を考慮して、感光層、耐摩耗層および反射防止層
の各々の屈折率が異なり、前述した条件を満たすべく選
択して用いる。無慎化合物及びその混合物の屈折率はカ
ッコ書きで示す。Ｚｒ０ｚ （２，００）、Ｔｊ、Ｑ２
（２，２６）、ＺｒＯ２／ Ｔｉ０２＝ ６７１ （２
，０９）、ＴｉＯ２／Ｚｒ０２＝ ３７１ （２，２０
）、ＧｅＯ２（２，２３）、Ｚｎ５（２，２４）、Ａｈ
Ｏｓ （１，、６３）、ＣｅＦ３ （］、、６０ ）、
Ａｌｚ０３ ／ Ｚｒ０２＝１、／］、 （１，６８）
、ＭｇＦ２ （１，３８）。なお、これ等の屈折率につ
いては、作成する層の種類、条件等により、多少変動す
るものであることはいうまでもない。 また、本発明において、表面層の層厚も本発明の目的を
効率的に達成するだめの重要な要因の１つであり、所期
の目的に応じて適宜決定されるものであるが、該層に含
有せしめる酸素原子、炭素原子、窒素原子、・・ロゲン
原子、水素原子の量、あるいは表面層に要求される特性
に応じて相互的かつ有機的関連性の下に決定する必要が
ある。更に、生産性や鼠産性をも加味した経済性の点に
おいても考慮する必要もある。 こうしたことから、表面層の層厚は通常は３×１０−３
〜３０μとするが、より好壕しくは４ Ｘ １０−”〜
２０μ、特に好ましくは５ Ｘ １０−”〜１０μとす
る。 本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。 寸だ、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、′電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、・・−フトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。 次に本発明の光受容層の形成方法について説明する。 本発明の光受容層を構成する非晶質材料はいずれもグロ
ー放電法、ス・Ｑツタリング法、或いはイオンブレーテ
ィング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって行
われる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の
負荷程度、製造規模、作製される光受容部材に所望され
る特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、
所望の特性を有する光受容部材を製造するに当っての条
件の制御が比較的容易であり、シリコン原子と共に炭素
原子及び水素原子の導入を容易に行い得る等のことから
して、グＯ−放電法或いはス・ｇツタリング法が好適で
ある。 そして、グロー放電法とスパッタリング法とを同一装置
系内で併用して形成してもよい。 例えば、グロー放電法によって、ａ ５ｌ（８１χ）
で構成される層を形成するには、基本的にはシリコン原
子（Ｓ］）を供給しイ１するＳ１供給用の原料ガスと共
に、水素原子（Ｉｉ）導入用の又は／及びハロゲン原子
区）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内
に導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め
所定位置に設置した所定の支持体表面」−に８． ！
〕１． （Ｈ＋ Ｘ ）から成る層を形成する。 前記Ｓ１供給用の原料ガスとしては、Ｓ ］、ｌ−１４
、８ｉ２Ｉ４６、Ｓ ｉ ３ ＨＢ、Ｓ １４Ｈｉｏ
等のガス状態の又はガス化ｌ−得る水素化硅素（シラン
類）が挙げられ、特に、層形成作業のし易さ、Ｓ１供給
効率の良さ等の点で、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が好ましい
。 丑だ、前記ハロゲン原子導入用の原料ガスとしては、多
くのハロゲン化合物が挙げられ、例工ばハロゲンガス、
ハロゲン化物、ハｏ ’ｙ’ ７間化合物、ハロゲンで
置換されたシラン誘導体等のガス状態の又はガス化しう
るハロゲン化合物が好ましい。具体的にはフッ素、塩素
、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ、 ＣｌＦ、
Ｃ１１Ｆ３、ＢｒＦ５、ＢｒＦ３、ＩＦ、、ＩＣ１１１
Ｂｒ等のハロゲン間化合物、およびＳ ＩＦ４、Ｓｉ２
Ｆ６、Ｓ］ＣＩ４、ＳｉＢｒ４等のハロゲン化硅素等が
挙げられる。上述のごとき・・ロゲン化硅素のガス状態
の又はガス化しうるものを用いる場合には、Ｓ１供給用
の原料ガスを別途使用することなくして、ハロゲン原子
を含有するａ −８］で構成された層が形成できるので
、特に有効である。 寸だ、前記水素原子供給用の原料ガスとしては、水素ガ
ス、）ＩＦ、 ＨＣｌ、 Ｉ−］臣、Ｊ−］ ＩＩ 等
のハロゲン化物、Ｓ ］Ｈａ、Ｓｊ、２Ｈ６、Ｓｊ、３
１１６、Ｓｉ、４Ｈ１ｏ 等の水素化硅素、あるいは
５ｊＪ（２Ｆ２、Ｓｊ、）１２］：２．５ｊＨ２Ｃ／ｈ
、Ｓ ｉ、ＨＣ１３、Ｓｊ、Ｈ２Ｂｒ２、Ｓ １．ＨＢ
ｒ ３ 等のハロゲン置換水素化硅素等のガス状態
の又はガス化しうるものを用いることができ、これらの
原料ガスを用いた場合には、゛電気的あるいは光電的特
性の制御という点で極めて有効であるところの水素原子
（Ｈ）の含有量の制御を容易に行うことができるため、
有効である。そして、前記・・ロゲン化水素又は前記ハ
ロゲン置換水素化硅素を用いた場合にはハロゲン原子の
導入と同時に水素原子（１−１）も導入されるので、特
に有効である。 反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依ってａ−８ｊ、（１■、Ｘ）から成る層を形成するに
は、例えばス・々ツタリング法の場合には、ハロゲン原
子を導入するについては、前記のハロゲン化合物又は前
記のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に
導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやればよい
。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２或いは前記したソラン類等のガス
をスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプラ
ズマ雰囲気を形成してやればよい。 例えば、反応スパッタリング法の場合には、Ｓ１ターゲ
ツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及びＨ２ガス
を必要に応じてＨｅ、Ａｒ等の不活性ガスも含めて堆積
室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記Ｓ１ター
ゲツトをスパッタリングすることによって、支持体上に
ａ−８ｉ（Ｉ−１、Ｘ ）から成る層を形成する。 グロー放電法によってａ −８ｉ（）ｅ （Ｈ、Ｘ）で
構成される層を形成するには、シリコン原子（Ｓｌ）を
供給しうるＳ１供給用の原料ガスと、ゲルマニウム原子
（Ｇｅ）を供給しうる（）ｅ供給用の原料ガスと、水素
原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給しりる
水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（３）供給用の
原料ガスを、内部を減圧しうる堆積室内に所望のガス圧
状態で導入し、該堆積室内にグロー放電を生起せしめて
、予め所定位置に設置しである所定の支持体表面上に、
ａ−８ｊ、Ｇｅ（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成する。 Ｓ１供給用の原料ガス、・・ロデン原子供給用の原料ガ
ス、及び水素原子供給用の原料ガスとなりうる物質とし
ては、前述のａ ５ｌ（ＩＩ、Ｘ）で構成される層を
形成する場合に用いたものがそのまま用いられる。 また、前記Ｇｅ供給用の原料ガスとなりうる物質として
は、（）ｅＨ４、Ｇｅ ２Ｈ６、（）ｅ３Ｈａ、Ｇｅ４
Ｈ１ｏｓＧｅ５Ｈｘｚ、Ｇｅ６Ｈ□４、Ｇｅ７Ｈ１，６
、（）ｅＢＴ（１，ｅ、（）ｅ９Ｈ２ｏ等のガス状態の
又はガス化しりる水素化ゲルマニウムを用いることがで
きる。特に、層作成作業時の取扱い易さ、（）ｅ供給効
率の良さ等の点から、ＧｅＨ４、Ｇｅ２１１−１６、お
よびＧｅ３Ｈｓが好ましい。 スパッタリング法によってａ−３ｊ、Ｇｅ （Ｈ、Ｘ）
で構成される層を形成するには、シリコンから成ルター
ゲットと、ゲルマニウムから成るターゲットとの二枚を
、あるいは、シリコンとゲルマニウムからなるターゲッ
トを用い、これ等を所望のガス雰囲気中でス・ξツタリ
ングすることによって行なう。 イオンシレーティング法を用いてａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ
）で構成される層を形成する場合には、例えば、多結晶
シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は
単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ボートに
収容し、この蒸発源を抵抗加熱法あるいはエレクトロン
ビーム法（Ｅ。 Ｂ、法）等によって加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望の
ガスプラズマ雰囲気中を通過せしめることで行ない得る
。 スパッタリング法およびイオンシレーティング法のいず
れの場合にも、形成する層中にハロゲン原子を含有せし
めるには、前述の・・ロゲン化物又はハロゲン原子を含
む硅素化合物のガスを堆積室中に導入し、該ガスのプラ
ズマ雰囲気を形成すればよい。又、水素原子を導入する
場合には、水素原子供給用の原料ガス、例えばＨ３ある
いは前記した水素化シラン類又は／及び水素化ゲルマニ
ウム等のガス類をス・々ツタリング用の堆積室内に導入
してこれ等のガス類のプラズマ雰囲気を形成すればよい
。さらにハロゲン原子供給用の原料ガスとしては、前記
のハロゲン化物或いは・・ロゲンを含む硅素化合物が有
効なものとして挙げられるが、その他に、ＩＦ、ＨＣｌ
、 ＨＢｒ 、 Ｈ工 等のハロゲン化水素、Ｓ］−
Ｈ２Ｆ２、ＳｉＩコ２Ｉ２、Ｓ １１１２ Ｃｌ）２、
Ｓ ］−Ｉ−］ Ｃ１３、Ｅ： ］、 １１２ Ｂ ｒ
２、Ｓ ｊ Ｈ山・３等のハロゲン置換水素化硅素、
おＪ：びＧｅＩ］Ｆ３、Ｃ）ｅＨ２Ｆ２、ＧｅＨ３Ｆ
、 ＧｅＨＣｌａ、（）ＯＲ２Ｃ６２、ＧＯ）ＬｓＣ／
！、 ０ｅｌ−ＨＢｒ３、ＧｅＨｚＢｒｚ、ＧｅＨ３Ｂ
ｒ、（］ｅ１１．Ｉ３．００１１２．ｌ’２、Ｇ ｅ
’ｆ−１：５ Ｊ等の水素化ハロゲン化ゲルマニウノ、
等、Ｃ）ｅ１１１４、Ｇｅｃ６４、ＧｅＢｒ４、Ｇ ｅ
Ｉ ａ、Ｇｅ Ｆ２、ＧｅＣ１１！ｚ、（）（Ｖ山゛
２−１ＯｅＩ２等のハロゲン化ゲルマニウノ、等々のガ
ス状態の又はガス化しうる物質も有効な出発物質として
使用できる。 グロー放電法、ス、ｏツタリング法あるいはイオンブレ
ーティング法を用いて、スズ原子を含有スるアモルファ
スシリコン（以下、［’ａ−８ｊ、５ｎ（Ｈ，Ｘ）Ｊと
表記する。）で構成される光受容層を形成するには、上
述のａ−８ｉＧｅ（）（、Ｘ）で構成される層の形成の
際に、ゲルマニウム原子供給用の出発物質を、スズ原子
（Ｓｎ）供給用の出発物質にかえて使用し、形成する層
中へのその量を制御しながら含有せしめることによって
行なう。 前記スズ原子（Ｓｎ ）供給用の原料ガスとなりうる物
質としては、水素化スズ（５ｒｌＨ４）やＳ ｎＦ２．
５ｒｌＦ４、ＳｎＣ１２、Ｓｒ＋Ｃｌａ、５ｎＥｒ２、
ＳｎＢｒ４、Ｓ ｎ Ｉ ２．５ｒｌＩ４等のハロゲン
化スズ等のガス状態の又はガス化しうるものを用いるこ
とができ、ハロゲン化スズを用いる場合には、所定の支
持体上に・・ロゲン原子を含有するａｓｊで構成される
層を形成することができるので、特に有効である。なか
でも、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｎ供給効率の良さ
等の点から、５ｎＣＪ！ｔが好ましい。 そして、５ｒｌＣ１４をスズ原子ＣＳｎ ）供給用の出
発物質として用いる場合、これをガス化するには、固体
状の５ｎ（Ｊ！４を加熱するとともに、Ａｒ、Ｆｌ ｅ
、等の不活性ガスを吹き込み、該不活性ガスを用いてノ
ミブリングするのが望ましく、こうして生成したガスを
、内部を減圧にした堆積室内に所望のガス圧状態で導入
する。 グロー放電法、スノｇツタリング法、あるいはイオンシ
レーティング法を用いて、ａ−８］、 （Ｈ＋χ）又は
ａ’＝ｓｉ（Ｇｅ、５ｎ）（Ｈ，Ｘ）にさらに第■族原
子又は第■族原子、窒素原子、酸素原子あるいは炭素原
子を含有せしめた非晶質材料で構成された層を形成する
には、ａ −８ｊ、 （Ｈ、Ｘ）又はａ−８ｉ （Ｇｅ
、Ｓｎ ） （Ｈ、Ｘ）の層の形成の際に、第■族原子
又は第Ｖ族原子導入用の出発物質、窒素原子導入用の出
発物質、酸素原子導入用の出発物質、あるいは炭素原子
導入用の出発物質を、前述したａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）又は
ａ−３ｊ、 （Ｇｅ 、Ｓｎ ） （Ｈ，Ｘ）形成用の
出発物質と共に使用して、形成する層中へのそれらの量
を制御しながら含有せしめてやることによって行なう。 例えば、グロー放電法を用いて、原子（０，Ｃ，Ｎ）を
含有するａ Ｓ ］、 （Ｈ＋ Ｘ ）で構成される
層又は原子（０，Ｃ，Ｎ）を含有するａ Ｓ ］、
（Ｇ Ｏ＋ ｂｎ ） （ＨＩ Ｘ ）で構成される層
を形成するには、前述の８ ８１（ｎ 、 ｘ ）で構
成される層又はａ Ｓｉ （Ｇｅ）Ｓｎ ）（１，１
、ｘ ）で構成される層を形成する際に、原子（０，Ｃ
，Ｎ ）導入用の出発物質を、ａ−８ｉ（Ｈ＋Ｘ）形成
用又はａ−８ｉ （Ｇｅ、Ｓｎ ） （Ｈ、Ｘ）形成用
の出発物質とともに使用１〜で形成する層中へのそれら
の量を制御しながら含有せしめることによって行なう。 このような原子（０，Ｃ，Ｎ ）導入用の出発物質とし
ては、少なくとも原子（０，Ｃ，Ｎ ）を構成原子とす
るガス状の物質又はガス化し得る物質であれば、殆んど
のものが使用できる。 具体的には、酸素原子（０）導入用の出発物質として、
例えば、酸素（０２）、オゾン（０３）、−酸化窒素（
Ｎｏ）、−二酸化窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２
Ｏ３）、四三酸化窒素（Ｎ２Ｏ４）、三二酸化窒素（Ｎ
２Ｏ５）、三酸化窒素（Ｎｏ３）、シリコン原子（Ｓｉ
）と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子と
する、例えばジシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ８ｉＨ３）、ト
リシロキザン（Ｈ３ＳｉＯ８ｉＨ２０ＳｉＨａ ）等の
低級シロキサン等が挙げられ、炭素原子（Ｃ）導入用の
出発物質としては、例えば、メタン（ＣＨ４）、エタン
（Ｃ２Ｈ６）、プＯｚｅン（Ｃ３Ｈａ ）、 ｒｌ−ブ
タン（■１−Ｃ４Ｈコ０）、ペンタン（Ｃ５１ｈ２）等
の炭素数１〜５の飽和炭化水素、エチレン（Ｃ２■＋４
）、 プロピレン（０３Ｈ６）、 ブテン−１（ＣＪ
−１＋＋ ）、 ブテン−２（Ｃ，）（ｅ ）、 イソ
ブチレン（Ｃ４ｆｌ＋、＋ ）、 ペンテン（Ｃ５１−
１１，０）等の炭素数２〜５のエチレン系炭化水素、ア
セチレン（Ｃ２１−１２） 、 メチルアセチレン（
Ｃ３Ｈ４）、 ブチン（Ｃ４Ｂ６）等の炭素数２〜４の
アセチレン系炭化水素等が挙げられ、窒素原子（Ｎ）導
入用の出発物質としてに１、例えば、窒素（Ｎ２）、ア
ンモニア（ＮＦｌ、）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、
アジ化水素（）ｉＮ：３ ）、アジ化アンモニウム（、
ＮＨ，Ｎ・、）、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ ）、四弗化窒素
（Ｙｌ゛４Ｎ）等が挙げられる。 例えば、グロー放電法、ス・Ｑツタリング法あるいはイ
オンブレーティング法を用いて、第１ＩＩ族原子又は第
■族原子を含イｊ−するａ ５１（ｉ（、Ｘ）又はａ
Ｓｌ （Ｇｅ、Ｓｎ ） （１１＋Ｘ） で構成
される層又は層領域を形成するには、上述のｃｌ ＋
３１． （Ｈ＋ Ｘ ）又はａ−３ｉ （Ｇｅ、Ｓｎ
） （Ｈ、Ｘ）で構成される層の形成の際に、第１ＩＩ
族原子又は第■族原子導入用の出発物質を、８− Ｓ
ｌ （Ｈ１χ）又はａ Ｓｉ （Ｇｅ 、５ｎ）（Ｉ
−１、Ｘ ）形成用の出発物質とともに使用して、形成
する層中へのそれらの量を制御しながら含有せしめるこ
とによって行なう。 第■族原子導入用の出発物質として具体的には硼素原子
導入用としては、Ｂ２Ｈ６、Ｂ、Ｈｌ、、Ｂ５Ｈ９、Ｂ
ｓＨｌ」、 ｓ Ｂ６Ｈ１−ｏ、Ｂ６Ｈ１，２、Ｂ６Ｈ
ｘ４等の水素化硼素、ＢＦ３５ＢＣ１３、ＢＢｒ３等の
・・ロゲン化硼素等が挙げられる。 この他、ＡｌＣ１ｂ、ＧａＣ６ａ、Ｇａ （ＣＨ３）２
、ＩｎＣｌ３、ＴｌＣ＃ａ等も挙げることができる。 第■族原子導入用の出発物質として、具体的には燐原子
導入用としてはＰＨ３、Ｂ２Ｈ６等の水素北隣、ＰＨ４
Ｉ、ＰＦ３、ＰＦ５、Ｐ（Ｊ！３、ＰＣＩＩ５、ＰＢｒ
３、ＰＢｒ３．１’ｌａ等の・・ロゲン北隣が挙げられ
る。この他、Ａ、Ｓ ｌ−１３、Ａｓ Ｆ３、Ａｓ Ｃ
Ｈ３３、ＡｓＢｒ３、ＡｓＦ５、ＳｂＨ３、ＳｂＦ３、
Ｓｂ Ｆ５、Ｓ ｂ Ｃ１３，５ｂＣ１５、Ｂｊ、Ｈｓ
、Ｂｊ、（Ｊ！３、Ｂ１Ｂｒ３ 等も第■族原子導入用
の出発物質の有効なものとして挙げることができる。 酸素原子を含有する層又は層領域を形成するのにグロー
放電法を用いる場合には、前記した光受容層形成用の出
発物質の中から所望に従って選択されたものに酸素Ｄ１
！、子導入用の出発物質が加えられる。その様な酸素原
子導入用の出発物質としては、少なくとも酸素原子を構
成原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質であれ
ばほとんどのものが使用できる。 例えばシリコン原子（ε１］）を構成原子とする原料ガ
スと、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必
要に応じて水素原子（１−Ｑ又は／及び）・ロデン原子
（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混
合して使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｌ）を構成
原子とする原料ガスと、酸素原子（０）及び水素原子（
■−＋）を構成原子とする原料ガスとを、これも又所望
の混合比で混合するか、或いは、シリコン原子（Ｆ、；
ｊ、 ）を構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（
Ｓｌ）、酸素原子（○）及び水素原子（■１）の３つを
構成原子とする原料ガスとを混合して使用することがで
きる。 又、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（■］）
とを構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用してもよい。 具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン（０３）、−
酸化窒素（Ｎｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸化窒
素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２Ｏ３） 、四三酸化
窒素（Ｎ２Ｏ４，）、三二酸化窒素（Ｎ２０５）、三酸
化窒素（Ｎｏ３）、シリコン原子（Ｓｌ）と酸素原子（
０）と水素原子（ｒ−１）とを構成原子とする、例えば
、ジシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ８ｉＴ’（３）、トリシロ
キサン（トｉ３ｓ ｊ−Ｏ８ｉＨ２０Ｓｊ、Ｂ３ ）
等の低級シロキサン等を挙げることができる。 ス・ξツタリング法によって、酸素原子を含有する層ま
たは層領域を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウ
エーノ・−又ＵＳｉＯｚウエーノ・−１又はＳ」とＳｌ
０２が混合されて含有されているウェー・・−をターゲ
ットとして、これ等を種々のガス雰囲気中で、ス・ξツ
タリングすることによって行えばよい。 例えば、Ｓｌウェーハーをターゲットとして使用すれば
、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、ス・々ツター用の堆積室中に導入し、これ
等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｊウエーノ・
−をス・ξツタリングすればよい。 又、別には、ＳｌとＳ】０２とは別々のターゲットとし
て、又はＳｌと８１０２の混合した一枚のターゲットを
使用することによって、ス・々ツター用のガスとしての
稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（■１）
又は／及び・・ロゲン原子（（イ）を構成原子として含
有するガス雰囲気中でス・ｇツタリングすることによっ
て形成できる。酸素原子導入用の原料ガスとしてｋＪ、
先ν１（シたグロー放電の例で示した原料ガスの中の酸
素原子導入用の原料ガスが、ス・々ツタリングの場合に
も有効なガスとして使用できる。 寸だ、例えば炭素原子を含有するアモルファスシリコン
で構成される層をグロー放電法により形成するには、シ
リコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料ガスと、炭素
原子（Ｃ）を構成原子とする原料ガスと、必要に応じて
水素原子（■］）又は／及び・・ロゲン原子（Ｘ）を構
成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用
するか、又はシリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原
料ガスと、炭素原子（Ｃ）及び水素原子（Ｘ（）を構成
原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合
するか、或いはシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする
原料ガスと、シリコン原子（Ｓｌ）、炭素原子（Ｃ’）
及び水素原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスを混合す
るか、更にまた、シリコン原子（Ｓｌ）と水素原子（■
１）を構成原子とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を構
成原子とする原料ガスを混合１〜で使用する。 このような原料ガスとして有効に使用されるのは、Ｓｌ
とＩ−Ｉとを構成原子とするＳｊ、Ｈａ、５１２Ｈ６，
５ｊ３Ｈｅ、Ｓｌ４Ｈ１ｏ等のシラン（５ｉ１３ａｎｅ
）類等の水素化硅素ガス、ＣとＨとを構成原子とする
、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４の
エチレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化
水素等が挙げられる。 具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４，
）、エタン（Ｃ２■１６）、−）’ ０ ノＱ ７ （
Ｃ３Ｈ８）、ｎ−ブタン（ｎ −Ｃ４Ｔ］］、ｏ ）、
ペンタン（Ｃ３Ｔ−１１２）、エチレン系炭化水素とし
てＵ：、エチレン（Ｃ２Ｈ４，）、プロピレン（Ｃ３Ｈ
６）、ブテン−１（Ｃ４Ｔコ８）、ブテン−２（Ｃ４Ｈ
Ｂ ）、イソブチレン（Ｃ４，ｌ−１８）、はシラン（
Ｃ＋ｊｌ］、ｏ）、アセチレン系炭化水素としてハ、ア
セチレン（Ｃ２■シ）、メチルアセチレン（０３Ｈ４）
、ブチン（Ｃ４Ｔ−１６）等が挙げられる。 ＳｉとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、Ｓ
ｊ、（ＣＨ３）４、Ｓ １ （Ｃ２Ｈ５八等のケイ化ア
ルギルを挙げることができる。これ等の原料ガスの他、
Ｈ導入用の原料ガスとしては勿論Ｉ］２も使用できる。 スパッタリング法によってａ−ｓｌｃ（ｒｌ、ｘ）で構
成される層を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｌウ
ェーハー又ＵＣ（グラファイト）ウェーハー、又はＳｌ
とＣが混合されているウェーハ一をターゲットとして、
これ等を所望のガス雰囲気中でスパッタリングすること
によって行う。 ｆｌばＳ １ウエーハーをターゲットとして使用する場
合には、炭素原子、および水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入するだめの原料ガスを、必要に応じてＡｒ、
Ｈｅ等の稀釈ガスで稀釈して、ス・ξツタリング用の堆
積室内に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形成し
てＳ１ウエーハーをス、（＋ツタリングすればよい。 又、ＳｌとＣとは別々のターゲットとするか、あるいは
ＳｌとＣの混合した１枚のターゲットとして使用する場
合には、ス・ぐツタリング用のガスとして水素原子又は
／及びハロゲン原子導入用の原料ガスを、必要に応じて
稀釈ガスで稀釈して、スパッタリング用の堆積室内に導
入し、ガスプラズマを形成してス・ξツタリングすれば
よい。該ス・ｅツタリング法に用いる各原子の導入用の
原料ガスとしては、前述のグロー放電法に用いる原料ガ
スがその壕ま使用できる。 窒素原子を含有する層重だは層領域を形成するのにグロ
ー放電法を用いる場合には、前記した光受容層形成用の
出発物Ｔヶの中から所望に従って選択されたものに窒素
片ｒ−導入用の出発物質を加える。その様な窒素原子導
入用の出発物質としては、少なくとも窒素原子を構成原
子とするガス状の物質又はガス化しイ（Ｉる物質であれ
ばほとんどのものが使用できる３３ 例えばシリコン原子（Ｓ」）を構成原子とする原料ガス
と、窒素原子（Ｎ）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（１１）又は／及び・・ロデン原子（
Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合
して使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｌ）を構成原
子とする原料ガスと、窒素原子（Ｎ）及び水素原子（１
１）を構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混
合比で混合するかして使用することができる。 又、別には、７リコンＪ３Ｊｔ子（Ｓｌ）と水素原子（
Ｈ）とを構成原子とする原料ガスに窒素原子Ｑｑ）を構
成原子とする原料ガスを混合して使用してもよい。 る際に使用する窒素原子（Ｎ）導入用の原料ガスとして
有効に使用される出発物質は、Ｎを構成原子とするか或
いはＮとＨとを構成原子とする例えば窒素（Ｎ２）、ア
ンモニア（ＮＨ３）、ヒドラジン（■）２ＮＮＨ２）、
アジ化水素（ＨＮ、）、アジ化アンモニウム（Ｎ１１４
Ｎ３）等のガス状の又はガス化し得る窒素、窒化物及び
アジ化物等の窒素化合物を挙げることができる。この他
に、窒素原子（→の導入に加えて、・・ロゲン原子（Ｘ
）の導入も行えるという点から、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）
、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ２ ）等の・・ロゲン化窒素化合
物を挙げることができる。 ス・Ｑツタリング法によって、窒素原子を含有する層ま
たは層領域を形成するには、単結晶又は多結晶のＳ１ウ
エーハー又はＳｉ３Ｎ４ ウェーハー、又は！（１と５
ｊ−３Ｎ４が混合されて含有されているウェーハーをタ
ーデッドとじて、これ等を種々のガス雰囲気中でス・ξ
ツタリングすることによって行えはよい。 例えば、Ｓｌウェーハーをターゲットとじて使用すれば
、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等
のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｌウェーハーを
スノ々ツタリングすればよい。 又、別には、ＳｌとＳｊ、３Ｎ４とは別々のターゲット
として、又はＳｌとＳｊ、３Ｎ４の混合した一枚のター
ゲットを使用することによって、スパッター用のガスと
しての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（
１１）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として
含有するガス雰囲気中でス・Ｑツタリングすることによ
って形成できる。窒素原子導入用の原料ガスとしては、
先述したグロー放電の例で示した原料ガスの中の窒素原
子導入用の原料ガスが、ス、ｏツタリングの場合にも有
効なガスとして使用できる。 以上記述したように、本発明の光受容部材の光受容層は
、グロー放電法、ス・々ツタリング法等を用いて形成す
るが、光受容層に含有せしめるゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子、第■族原子又は第Ｖ族原子、酸素原子、
炭素原子又は窒素原子、あるいは水素原子又は／及びノ
・ロゲン原子の各々の含有量の制御は、堆積室内へ流入
する、各々の原子供給用出発物質のガス流量あるいは各
々の原子供給用出発物質間のガス流量比を制御すること
により行われる。 １だ、感光層および表面層形成時の支持体温度、堆積室
内のガス圧、放′亀・ξワー等の条件は、所望の特性を
有する光受容部材を得るためには重要な要因であり、形
成する層の機能に考慮をはらって適宜選択されるもので
ある。さらに、これらの層形成条件は、感光層および表
面層に含有せしめる上記の各原子の種類及び量によって
も異なることもあることから、含有せしめる原子の種類
あるいはその量等にも考慮をはらって決定する必要もあ
る。 具体的には窒素原子、酸素原子、炭素原子等を含有せし
めたａ −８ｉ （Ｈ、Ｘ）からなる光受容層を形成す
る場合には、支持体温度は、通常５０〜３５０℃とする
が、特に好寸しくＣ１５０〜２５０℃表する。堆積室内
のガス圧は、通常０．０１〜ｌ’ｌ・（１１１−１とす
るが、特に好１しくに０．１〜０ 、５ ’、’ｌ’、
’ ｏｒｒとする。壕だ、放′屯）Ｑワーｋｊ、０ 、
（１（１５” ５０ Ｗ ／ｃ１ｎ２とするのが通常
であるが、より好丑しく ｋｌ： ０．０１〜３０Ｗ／
ｃｍ”、特に好ましくは０．０１〜２０ｗ／ｃｍ２ ト
する。 ａ −Ｓｊ、Ｇｅ （Ｈ、χ）からなる感光層を形成す
る場合、あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子を含有せし
めたａ−８ｊ、Ｇｅ （Ｈ＋Ｘ）からなる感光層を形成
する場合については、支持体〃−１Ｘ度は、通常５０〜
３５０℃とするが、より好ましくは５０〜３００℃、特
に好ましくは１００〜３００’Ｃとする。そして、堆積
室内のガス圧は、通常Ｃ０旧〜５Ｔｏｒｒとするが、好
ましくは、０．ＯＱ１〜３ Ｔｏｒｒと１〜、特に好ま
しくは０．１〜Ｉ’ｌ”ｏｒｒとする。寸／こ、放電・
Ｑワーは０．００５〜５Ｑ Ｗ／ｃｍ、２とするのが通
常であるが、好１しくは（１、０１〜３（ｌ ｗ ／ｃ
ｍｆ’とし、特に好１しくはＯ、Ｏ］ 〜２０ Ｗ ７
ｃｍ”とする。 しかし、これらの、層形成を行うについての支持体温度
、放電パワー、堆積室内のガス圧の具体的条件は、通常
には個々に独立しては容易には決め難いものである。し
だがって、所望の特性の非晶質材料層を形成すべく、相
互的且つ有慎的関連性に基づいて、層形成の至適条件を
決めるのが望ましい。 ところで、本発明の感光層に含有せしめるゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子、酸素原子、炭素原子又は窒素
原子、第１ＴＩ族原子又は第Ｖ族原子、あるいは水素原
子又は／及びハロゲン原子の分布状態を均一とするため
には、感光層を形成するに際して、前記の諸条件を一定
に保つことが必要である。 丑だ、本発明において、光受容層の形成の際に、該層中
に含有せしめるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子、
酸素原子、炭素原子又は窒素原子、あるいは第１ＴＩ族
原子又は第Ｖ族原子の分布濃度を層厚方向に変化させて
所望の層厚方向の分布状態を有する層を形成するには、
グロー放電法を用いる場合であれば、ゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子、酸素原子、炭素原子又は窒素原子
、あるいは第１１＋族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発
物質のガスの堆積室内に導入する際のガス流量を、所望
変化率に従って適宜変化させ、その他の条件を一定に保
ちつつ形成する。そして、ガス流１ｄ・を変化させるに
は、具体的には、例えば手動あるいは外部駆動モータ等
の通常用いられている何らかの方法により、ガス流路系
の途中に設けられた所定のニードルパルプの開口を漸次
変化させる操作を行えばよい。このとき、流星・の変化
率は線型である必要はなく、例えばマイコン等を用いて
、あらかじめ設計された変化率曲線に従って流叶を制御
し、所望の含有率曲線を得ることもできる。 また、光受容層をス・（ツタリング法を用いて形成する
場合、ゲルマニウム原子又はスズ原子、酸素原子、炭素
原子又は窒素原子あるいは第１ＩＩ族原子又は第Ｖ族原
子の層厚方向の分布濃度を層厚方向で変化させて所望の
層厚方向の分布状態を形成するには、グロー放電法を用
いた場合と同様に、ゲルマニウム原子又はスズ原子、酸
素原子、炭素原子又は窒素原子あるいは第■族原子又は
第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態で使用し、該ガ
スを堆積室内へ導入する際のガス流量を所望の変化率に
従って変化させる。 また、本発明の表面層を、無機弗化物、無機酸化物、無
機硫化物の中から選ばれる少なくとも一種で構成する場
合、こうした表面層を形成するについても、その層厚を
光学的レベルで制御する必要があることから、蒸着法、
ス・Ｑツタリング法、プラズマ気相法、光ＣＶＤ法、熱
ＣＶＤ法等が使用される。これらの形成方法は、表面層
の形成材料の種類、製造条件、設備資本投下の負荷程度
、製造規模等の要因を考慮して適宜選択されて使用され
ることはいうまでもない。 ところで、操作の容易さ、条件設定の容易さ等の観点か
らして、表面層を形成するについて、前述の無機化合物
が使用される場合ス・ξツタリング法を採用するのがよ
い。即ち、表面層形成用の無機化合物をターゲットとし
て用い、ス・ＱツタリングガスとしてはＡＩ・ガスを用
い、無機化合物をスノξツタリングして、表面層を堆積
する。 〔実施例〕 以ド、本発明を実施例１乃至２６に従って、より詳細に
説明するが、本発明に１、こわ２等によって限定される
ものではない。１ 各実施例においてに１１、感ケＣ９層←Ｊダ「１−放′
屯法を用い、表面層はダロー放屯法又Ｃ、ス・♀ツタリ
ング法を用いて形成した１、第２５図はグ
【］−放電法
による本発明の光受容部月の製造装置である１３図中の
２５０２．２５０３．２５（月、２５０５．２５０６
のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成するだめの
原料ガスが密封されており、その−例として、たとえば
、２５０２はＳ−１［＋’４ ガス（純度９９，９９９
％）ボンベ、２５０３はｌ−１２で稀釈されだＪ３２Ｈ
６ガス（純度９９．９９９係、以下Ｅ２１（６／Ｈ２と
略す。）ボンベ、２５（１４はＣＨ４ガス（純度用１．
９９９％）ボンベ、２５０５はＧ ｅＦ４ガス（純度９
９．９９９ ％ ）ボンベ、２５０６はＨｅガス（純度
９９，９９９％）ボンベである。 そして２５０６’はｆＥ ｒｌＣ１４が入った密閉容器
である。 こ扛らのガスを反応室２５０１に流入させるにはガスボ
ンベ２５０２〜２５０６のバルブ２５２２〜２５２６、
リークバルブ２５３５が閉じられていることを確認し又
、流入バルブ２５１２〜２５１６、流出バルブ２５１７
〜２５２１．補助バルブ２５３２．２５３３が開かれて
いることを確認して、先ずメインバルブ２５３４を開い
て反応室２５０１、ガス配管内を排気する。次に真空Ａ
ｌンリングー２５３７上に第一の層及び第二の層を形成
する場合の一例を以下に記載する。 まず、ガスボンベ２５０２よりＳｉＦ４ガス、ガスボン
ベ２５０３よりＢ２Ｈ６／’Ｈ２ガス、ガスボンベ２５
０５よりＧ ｅＦ４ガスの夫々をバルブ２５２２．２５
２３．２５２５を開いて出口圧ゲージ２５２７．２５２
８．２５３０ の圧をＩ Ｋｑ／ｃｍ”に調整し、流入
バルブ２５１２．２５１３．２５、＋５ヲ徐々ニ開ケて
、マスフロコントローラ２５０７．２５０８．２５］、
Ｃ１内に流入させる。引き続いて流出ノルゾ２５１７
．２５１８．２５２０、補助バルブ２５３２を徐々に開
いてガスを反応室２５０１内に流入させる。このときの
Ｓ Ｉ Ｆ４ガス流量、（）ｅＦ４ガス流量、Ｂ２Ｈ６
／Ｈ２ガス流量の比が所望の値になるように流出バルブ
２５１７．２５１８．２５２０ を調整し、又、反応
室２５０１内の圧力が所望の値になるように真空計２５
３６の読みを見ながらメインバルブ２５３４の開口を調
整する。そして基体シリンダー２５３７の温度が加熱ヒ
ーター２５３８によシ５０〜４００℃の範囲の温度に設
定されていることを確認された後、電源２５４０を所望
の電力に設定して反応室２５ｏ】内にグロー放電を生起
せしめるとともに、マイクロコンピュータ−（図示せず
）を用いて、あらかじめ設計された流量変化率線に従っ
て、ｆＥ ］−Ｆ４ガス、ＧｅＦ４ガス及びＢ２Ｈ６／
Ｈ２ガスのガス流量を制御しながら、基体シリンダー２
５３７土に先ず、シリコン原子、ゲルマニウム原子及び
硼素原子を含有する第一の層を形成する。 上記と同様の操作により、第一の層上に第二の層を形成
するには、例えばεＥ ｔ ■（’４ガス、及びＣＨ，
ガスの夫々を、必要に応じて■（０、Ａｒ、Ｈ２等の稀
釈ガスで稀釈して、所望のガス流量で反応室２５０１内
に流入し、所望の条件に従って、グロー９フー ー放′屯を生起せしめることによって成される。 夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バルブ以外の
流出、６ルブは全て閉じることは言う丑でもなく、又夫
々の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応
室２５０１内、流出・ミルブ２５１７〜２５２１から反
応室２５０１内に至るガス配管内に残留することを避け
るために、流出・ミルブ２５１７〜２５２１を閉じ補助
〕ζζジブ５３２．２５３３を開いてメインバルブ２５
３４を全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要
に応じて行う。 丑た、第一の層中にスズ原子を含有せしめる場合にあっ
て、原料ガスとして５ｎＣＶａを出発物質としたガスを
用いる場合には、２５０６ ’に入れられた固体状５Ｈ
Ｃ１４を加熱手段（図示せず）を用いて加熱するととも
に、該５ｎＣ１４中にＡｒ１Ｈｅ等の不活性ガスボンベ
２５０６よりＡ、ｒ、Ｈｅ等の不活性ガスを吹き込み、
ノミブリングする。発生した５ｎＣ１！４のガスは、前
述のＳ ｉ Ｆ４ガス、（）ｅＦ４ガス及びＢ２Ｈ６／
Ｈ２ガス等と同様の手順により反応室内に流入させる。 １だ、感光層をグロー放電法により形成したのち、表面
層をス・Ｑツタリング法により形成する場合は、感光層
を形成するのに用いた各原ｔ）ガス及び稀釈ガスの、２
ルブを閉じだのち、リーク、２ルブ２５３５を徐々に開
いて堆積装置内を大気圧に戻し、次にアルゴンガスを用
いて堆積室内を清掃する。 次にカソード電極（図示せず）上に、表面層形成用の無
機化合物からなるターゲットを一面に張り、感光層を形
成せしめた支持体を堆積装置内に設置し、リークバルブ
２５３５を閉じて堆積装置内を減圧した後、アルゴンガ
スを堆積装置内が０．０１５〜０．０２ Ｔｏｒｒ程度
に々る捷で導入する。こうしたところに高周波電力（１
，５０〜１７０Ｗ程度）でグロー放電を生起せしめ、無
機化合物をスパッタリングして、すでに形成されている
感光層上に表面層を堆積する。 試験例１ 径０．６ＭのＳＵＳステンレス製剛体球に化学的処理を
施して表面を食刻して凹凸を形成せしめた。使用する処
理剤としては、塩酸、フッ酸、硫酸、クロム酸等の酸、
苛性ソーダ等のアルカリを挙げることができる。本試験
例においては、濃塩酸１に対して純水１〜４の容量比で
混合した塩酸溶液を用い、剛体球の浸漬時間、酸濃度等
を変化させ、凹凸の形状を適宜調整した。 試験例２ 試験例１の方法によって処理された剛体球（表面凹凸の
高さｒｍａｘ＝５μｍ）を用い、第６（Ａ）、（Ｂ）図
に示した装置を用いて、アルミニウム合金製シリンダー
（径６０Ｂ１長さ２９８ ｍｙｎ ）の表面を処理し、
凹凸を形成させた。 直球の径Ｒ′、落下高さｈと痕跡窪みの曲率Ｒ１幅ｒと
の関係を調べだところ、痕跡窪みの曲率Ｒと幅ｒとは、
真球の径Ｒ′と落下高さｈ等の条件により決められるこ
とが確認された。また、痕跡窪みのピッチ（痕跡窪みの
密度、捷だ凹凸のピッチ）は、シリンダーの回転速度、
回転数乃至は剛体真球の落下量等を制御して所望のピッ
チに調整することができることが確認された。 更に、ＲおよびＤの大きさについて検討した結果、Ｒが
、０．１朋未満であると、剛体球を小さく軽くして落下
高さを確保しんければならず、痕跡窪みの形成をコント
ロールしにくくなるだめ好ましくないこと、Ｒが２−（
１＋＋＋＋＋＋を超えると、剛体球を大きく重くして、
落下高さを調節するため、例えばＤを比較的小さくした
い用台に落下高さを極端に低くする心安があるなど、痕
跡窪みの形成をコントロールしにくくなるだめ好ましく
ないこと、更に、Ｄが０．０２ｍｍ未満であると剛体球
を小さく軽くして落下高さを確保しなければならず、痕
跡窪みの形成をコン）・ロールしにくくなるため好まし
くないことが、夫々確認された。 更に、形成された痕跡窪みを試べたところ、痕跡窪み内
には、剛体球の表面凹凸形状に応じた微小な凹凸が形成
されていることが確認された。 実施例１ 試験例２と同様にアルミニウム合金製シリングーの表面
を処理し、第１Ａ表上欄に示すＤ、及び百を有するシリ
ンダー状ＡＡ支持体（シリンダーＮ［１１０１〜１０６
）を得た。 次に、該Ａｔ支持体（シリンダーＮｏ１．０１〜１０６
）上に、以下のＡ表及びＢ表に示す条件で、第５図に示
した製造装置により光受容層を形成した。 これらの光受容部材について、第２６図に示す画像露光
装置を用い、波長７８０ ｎｍ、スポット径８０μｍの
レーザーを照射して画像露光を行ない、現像、転写を行
なって画像を得だ。得られた画像の干渉縞の発生状況は
、第１Ａ表下欄に示すとおりであった。 なお、第２６ （Ａ）図は露光装置の全体を模式的に示
す平面略図であり、第２６ （Ｂ１図は露光装置の全体
を模式的に示す側面略図である。図中、２６０１は光受
容部材、２６０２は半導体レーザー、２６０３はｆθレ
ンズ、２６（１４はポリゴンミラーを示している。 次に、比較として、従来のダイヤモンドバイトにより表
面処理されたアルミニウム合金製シリンダー（Ｎｏ、１
０７）（径６０ａ、長さ２９８Ｂ、凹凸ピッチ］、ＯＯ
ｌｚｍ、凹凸の深さ３μｍ）を用いて、前述と同様にし
て光受容部利を作製した。イ（Ｉられた光受容部材を電
子顕微鏡で観察ｉ〜だところ、支持体表面と光受容層の
層界面及び光受容層の表面とは平行をなしていた。この
光受容部材を用いて、前述と同様にして画像形成をおこ
ない、得られた画像について前述と同様の評価を行なっ
た。その結果は、第１Ａ表下欄に示すとおりであった。 実施例２ 実施例１において用いたＡｔ支持体（シリング−Ｎ０１
０１〜１０７）上に、Ａ表及びＢ表に示す条件で実施例
１と同様にして光受容層を形成した。 得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像を形成したところ、（４’＋られだ画像における干渉
縞の発生状況は、第２Ａ表下欄に示すとおりであった。 実施例３ 第３Ａ表−１−欄に示す表面凹凸の高さく ｒｍａｘ
）の剛体球を用いた以外はすべて実Ｍ１１例１と同様に
して、球状痕跡窪み（Ｄ ＝ ４５０１５０ （７１ｍ
）、五 一＝０．０５）を有するＡｌ支持体（シリンダーＮＯ３
０１〜３０６）をイＨた。 次に、得られたＡｔ支持体（７リンダーＮｏ３０１〜３
０６）上に、Ａ表及びＢ表に示す層形成条件により、光
受容層を形成した。 得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像形成を行なつノコところ、得られた画像における干渉
縞の発生状況は、第３Ａ表下欄に示すとおりであった。 第 ３ Ａ 表 ×・・・実用不向、△・・・実用上回、○・・実用性良
好、◎・・・実用性特に良好 実施例４ 実施例３で用いたｐ、ｌ支持体（シリンダーＮ。 ３０１〜３０６）上に、Ａ表及びＢ表に示す層形成条件
に従って、光受容層を形成した。 得られた光受容部材について実施例１と同様にして画像
を形成し／こところ、得られた画像における干渉縞の発
生状況は、第４Ａ表下＄１１に示すとおりであった。 第 ／Ｉ Ａ 表 ×・・・実用不向、△・・・実用上回、Ｏ・・・実用性
良好、◎・・・実用性特に良好 実施例５〜２６ Ａ表及びＢ表に示す層作成条件により、実施例１に用い
たＡｔ支持体（シリンダーＮ０．１０３〜１０６）上に
光受容層を形成した。 得られた光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、得られた画像はいずれも干
渉縞の発生が観察されず、極めて良質のものであった。 Ａ表 但し、表中の数字は、Ｂ表の層陽を表わす。 １．１０− Ａ 表 （わｌ・き ） Ｂ表 Ｂ 表 （続き１） −１，］、３− Ｂ 表 （続き２） Ｂ 表 （続き３） Ｂ 表 （続き４） 〔発明の効果の概略〕 本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
よシ、前ｄ己１−／こアモルファスシリコンで構成され
た光受容層を有する光受容部材の諸問題の総てをＷ「決
でき、１１！「に、可干渉性の単色光であるレーザー光
を光源として用いた場合にも、干渉現象による形成画像
における干渉縞模様の現出を顕著に防止し、きわめて良
質な可視画像を形成することができる。 また、本発明の光受容部拐は、全可視光域に於いて光感
度が高く、１だ、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用光受容部材とし７て適用させた場合に
は、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気
的特性が安定ｌ〜でおり高感度で、高ＳＩＪ比を有する
ものであって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度
が高く、ハーフト（］、’７− −ンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質の画像を安
定して繰返し得ることができる。
による本発明の光受容部月の製造装置である１３図中の
２５０２．２５０３．２５（月、２５０５．２５０６
のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成するだめの
原料ガスが密封されており、その−例として、たとえば
、２５０２はＳ−１［＋’４ ガス（純度９９，９９９
％）ボンベ、２５０３はｌ−１２で稀釈されだＪ３２Ｈ
６ガス（純度９９．９９９係、以下Ｅ２１（６／Ｈ２と
略す。）ボンベ、２５（１４はＣＨ４ガス（純度用１．
９９９％）ボンベ、２５０５はＧ ｅＦ４ガス（純度９
９．９９９ ％ ）ボンベ、２５０６はＨｅガス（純度
９９，９９９％）ボンベである。 そして２５０６’はｆＥ ｒｌＣ１４が入った密閉容器
である。 こ扛らのガスを反応室２５０１に流入させるにはガスボ
ンベ２５０２〜２５０６のバルブ２５２２〜２５２６、
リークバルブ２５３５が閉じられていることを確認し又
、流入バルブ２５１２〜２５１６、流出バルブ２５１７
〜２５２１．補助バルブ２５３２．２５３３が開かれて
いることを確認して、先ずメインバルブ２５３４を開い
て反応室２５０１、ガス配管内を排気する。次に真空Ａ
ｌンリングー２５３７上に第一の層及び第二の層を形成
する場合の一例を以下に記載する。 まず、ガスボンベ２５０２よりＳｉＦ４ガス、ガスボン
ベ２５０３よりＢ２Ｈ６／’Ｈ２ガス、ガスボンベ２５
０５よりＧ ｅＦ４ガスの夫々をバルブ２５２２．２５
２３．２５２５を開いて出口圧ゲージ２５２７．２５２
８．２５３０ の圧をＩ Ｋｑ／ｃｍ”に調整し、流入
バルブ２５１２．２５１３．２５、＋５ヲ徐々ニ開ケて
、マスフロコントローラ２５０７．２５０８．２５］、
Ｃ１内に流入させる。引き続いて流出ノルゾ２５１７
．２５１８．２５２０、補助バルブ２５３２を徐々に開
いてガスを反応室２５０１内に流入させる。このときの
Ｓ Ｉ Ｆ４ガス流量、（）ｅＦ４ガス流量、Ｂ２Ｈ６
／Ｈ２ガス流量の比が所望の値になるように流出バルブ
２５１７．２５１８．２５２０ を調整し、又、反応
室２５０１内の圧力が所望の値になるように真空計２５
３６の読みを見ながらメインバルブ２５３４の開口を調
整する。そして基体シリンダー２５３７の温度が加熱ヒ
ーター２５３８によシ５０〜４００℃の範囲の温度に設
定されていることを確認された後、電源２５４０を所望
の電力に設定して反応室２５ｏ】内にグロー放電を生起
せしめるとともに、マイクロコンピュータ−（図示せず
）を用いて、あらかじめ設計された流量変化率線に従っ
て、ｆＥ ］−Ｆ４ガス、ＧｅＦ４ガス及びＢ２Ｈ６／
Ｈ２ガスのガス流量を制御しながら、基体シリンダー２
５３７土に先ず、シリコン原子、ゲルマニウム原子及び
硼素原子を含有する第一の層を形成する。 上記と同様の操作により、第一の層上に第二の層を形成
するには、例えばεＥ ｔ ■（’４ガス、及びＣＨ，
ガスの夫々を、必要に応じて■（０、Ａｒ、Ｈ２等の稀
釈ガスで稀釈して、所望のガス流量で反応室２５０１内
に流入し、所望の条件に従って、グロー９フー ー放′屯を生起せしめることによって成される。 夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バルブ以外の
流出、６ルブは全て閉じることは言う丑でもなく、又夫
々の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応
室２５０１内、流出・ミルブ２５１７〜２５２１から反
応室２５０１内に至るガス配管内に残留することを避け
るために、流出・ミルブ２５１７〜２５２１を閉じ補助
〕ζζジブ５３２．２５３３を開いてメインバルブ２５
３４を全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要
に応じて行う。 丑た、第一の層中にスズ原子を含有せしめる場合にあっ
て、原料ガスとして５ｎＣＶａを出発物質としたガスを
用いる場合には、２５０６ ’に入れられた固体状５Ｈ
Ｃ１４を加熱手段（図示せず）を用いて加熱するととも
に、該５ｎＣ１４中にＡｒ１Ｈｅ等の不活性ガスボンベ
２５０６よりＡ、ｒ、Ｈｅ等の不活性ガスを吹き込み、
ノミブリングする。発生した５ｎＣ１！４のガスは、前
述のＳ ｉ Ｆ４ガス、（）ｅＦ４ガス及びＢ２Ｈ６／
Ｈ２ガス等と同様の手順により反応室内に流入させる。 １だ、感光層をグロー放電法により形成したのち、表面
層をス・Ｑツタリング法により形成する場合は、感光層
を形成するのに用いた各原ｔ）ガス及び稀釈ガスの、２
ルブを閉じだのち、リーク、２ルブ２５３５を徐々に開
いて堆積装置内を大気圧に戻し、次にアルゴンガスを用
いて堆積室内を清掃する。 次にカソード電極（図示せず）上に、表面層形成用の無
機化合物からなるターゲットを一面に張り、感光層を形
成せしめた支持体を堆積装置内に設置し、リークバルブ
２５３５を閉じて堆積装置内を減圧した後、アルゴンガ
スを堆積装置内が０．０１５〜０．０２ Ｔｏｒｒ程度
に々る捷で導入する。こうしたところに高周波電力（１
，５０〜１７０Ｗ程度）でグロー放電を生起せしめ、無
機化合物をスパッタリングして、すでに形成されている
感光層上に表面層を堆積する。 試験例１ 径０．６ＭのＳＵＳステンレス製剛体球に化学的処理を
施して表面を食刻して凹凸を形成せしめた。使用する処
理剤としては、塩酸、フッ酸、硫酸、クロム酸等の酸、
苛性ソーダ等のアルカリを挙げることができる。本試験
例においては、濃塩酸１に対して純水１〜４の容量比で
混合した塩酸溶液を用い、剛体球の浸漬時間、酸濃度等
を変化させ、凹凸の形状を適宜調整した。 試験例２ 試験例１の方法によって処理された剛体球（表面凹凸の
高さｒｍａｘ＝５μｍ）を用い、第６（Ａ）、（Ｂ）図
に示した装置を用いて、アルミニウム合金製シリンダー
（径６０Ｂ１長さ２９８ ｍｙｎ ）の表面を処理し、
凹凸を形成させた。 直球の径Ｒ′、落下高さｈと痕跡窪みの曲率Ｒ１幅ｒと
の関係を調べだところ、痕跡窪みの曲率Ｒと幅ｒとは、
真球の径Ｒ′と落下高さｈ等の条件により決められるこ
とが確認された。また、痕跡窪みのピッチ（痕跡窪みの
密度、捷だ凹凸のピッチ）は、シリンダーの回転速度、
回転数乃至は剛体真球の落下量等を制御して所望のピッ
チに調整することができることが確認された。 更に、ＲおよびＤの大きさについて検討した結果、Ｒが
、０．１朋未満であると、剛体球を小さく軽くして落下
高さを確保しんければならず、痕跡窪みの形成をコント
ロールしにくくなるだめ好ましくないこと、Ｒが２−（
１＋＋＋＋＋＋を超えると、剛体球を大きく重くして、
落下高さを調節するため、例えばＤを比較的小さくした
い用台に落下高さを極端に低くする心安があるなど、痕
跡窪みの形成をコントロールしにくくなるだめ好ましく
ないこと、更に、Ｄが０．０２ｍｍ未満であると剛体球
を小さく軽くして落下高さを確保しなければならず、痕
跡窪みの形成をコン）・ロールしにくくなるため好まし
くないことが、夫々確認された。 更に、形成された痕跡窪みを試べたところ、痕跡窪み内
には、剛体球の表面凹凸形状に応じた微小な凹凸が形成
されていることが確認された。 実施例１ 試験例２と同様にアルミニウム合金製シリングーの表面
を処理し、第１Ａ表上欄に示すＤ、及び百を有するシリ
ンダー状ＡＡ支持体（シリンダーＮ［１１０１〜１０６
）を得た。 次に、該Ａｔ支持体（シリンダーＮｏ１．０１〜１０６
）上に、以下のＡ表及びＢ表に示す条件で、第５図に示
した製造装置により光受容層を形成した。 これらの光受容部材について、第２６図に示す画像露光
装置を用い、波長７８０ ｎｍ、スポット径８０μｍの
レーザーを照射して画像露光を行ない、現像、転写を行
なって画像を得だ。得られた画像の干渉縞の発生状況は
、第１Ａ表下欄に示すとおりであった。 なお、第２６ （Ａ）図は露光装置の全体を模式的に示
す平面略図であり、第２６ （Ｂ１図は露光装置の全体
を模式的に示す側面略図である。図中、２６０１は光受
容部材、２６０２は半導体レーザー、２６０３はｆθレ
ンズ、２６（１４はポリゴンミラーを示している。 次に、比較として、従来のダイヤモンドバイトにより表
面処理されたアルミニウム合金製シリンダー（Ｎｏ、１
０７）（径６０ａ、長さ２９８Ｂ、凹凸ピッチ］、ＯＯ
ｌｚｍ、凹凸の深さ３μｍ）を用いて、前述と同様にし
て光受容部利を作製した。イ（Ｉられた光受容部材を電
子顕微鏡で観察ｉ〜だところ、支持体表面と光受容層の
層界面及び光受容層の表面とは平行をなしていた。この
光受容部材を用いて、前述と同様にして画像形成をおこ
ない、得られた画像について前述と同様の評価を行なっ
た。その結果は、第１Ａ表下欄に示すとおりであった。 実施例２ 実施例１において用いたＡｔ支持体（シリング−Ｎ０１
０１〜１０７）上に、Ａ表及びＢ表に示す条件で実施例
１と同様にして光受容層を形成した。 得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像を形成したところ、（４’＋られだ画像における干渉
縞の発生状況は、第２Ａ表下欄に示すとおりであった。 実施例３ 第３Ａ表−１−欄に示す表面凹凸の高さく ｒｍａｘ
）の剛体球を用いた以外はすべて実Ｍ１１例１と同様に
して、球状痕跡窪み（Ｄ ＝ ４５０１５０ （７１ｍ
）、五 一＝０．０５）を有するＡｌ支持体（シリンダーＮＯ３
０１〜３０６）をイＨた。 次に、得られたＡｔ支持体（７リンダーＮｏ３０１〜３
０６）上に、Ａ表及びＢ表に示す層形成条件により、光
受容層を形成した。 得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像形成を行なつノコところ、得られた画像における干渉
縞の発生状況は、第３Ａ表下欄に示すとおりであった。 第 ３ Ａ 表 ×・・・実用不向、△・・・実用上回、○・・実用性良
好、◎・・・実用性特に良好 実施例４ 実施例３で用いたｐ、ｌ支持体（シリンダーＮ。 ３０１〜３０６）上に、Ａ表及びＢ表に示す層形成条件
に従って、光受容層を形成した。 得られた光受容部材について実施例１と同様にして画像
を形成し／こところ、得られた画像における干渉縞の発
生状況は、第４Ａ表下＄１１に示すとおりであった。 第 ／Ｉ Ａ 表 ×・・・実用不向、△・・・実用上回、Ｏ・・・実用性
良好、◎・・・実用性特に良好 実施例５〜２６ Ａ表及びＢ表に示す層作成条件により、実施例１に用い
たＡｔ支持体（シリンダーＮ０．１０３〜１０６）上に
光受容層を形成した。 得られた光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、得られた画像はいずれも干
渉縞の発生が観察されず、極めて良質のものであった。 Ａ表 但し、表中の数字は、Ｂ表の層陽を表わす。 １．１０− Ａ 表 （わｌ・き ） Ｂ表 Ｂ 表 （続き１） −１，］、３− Ｂ 表 （続き２） Ｂ 表 （続き３） Ｂ 表 （続き４） 〔発明の効果の概略〕 本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
よシ、前ｄ己１−／こアモルファスシリコンで構成され
た光受容層を有する光受容部材の諸問題の総てをＷ「決
でき、１１！「に、可干渉性の単色光であるレーザー光
を光源として用いた場合にも、干渉現象による形成画像
における干渉縞模様の現出を顕著に防止し、きわめて良
質な可視画像を形成することができる。 また、本発明の光受容部拐は、全可視光域に於いて光感
度が高く、１だ、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用光受容部材とし７て適用させた場合に
は、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気
的特性が安定ｌ〜でおり高感度で、高ＳＩＪ比を有する
ものであって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度
が高く、ハーフト（］、’７− −ンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質の画像を安
定して繰返し得ることができる。
第１図は本発明の光受容部材の１例を模式的に示した図
であり、第２及び３図は、本発明の光受容部材における
干渉縞の発生の防止の原理を説明するだめの部分拡大図
であり、第２図は、支持体表面に球状痕跡窪みによる凹
凸が形成された光受容部材において、干渉縞の発生が防
止しうろことを示す図、第３図は、従来の表面を規則的
に荒した支持体上に光受容層を堆積させた光受容部材に
おいて、干渉縞が発生することを示す図である。第４及
び５図は、本発明の光受容部材の支持体表面の凹凸形状
及び該凹凸形状を作製する方法を説明するだめの模式図
である。第６図は、本発明の光受容部材の支持体に設け
られる凹凸形状を形成するのに好適な装置の一構成例を
模式的に示す図であって、第６（Ａ）図は正面図、第６
（Ｂ）図は縦断面図である。第７〜１５図は、本発明の
感光層中におけるゲルマニラム原子又はスズ原子の層Ｊ
！１方向の分布状態を表わす図であり、第１６〜２４図
は、本発明の感光層中における酸素原子、炭素原子又は
窒素原子、あるいは第ｉｌｌ族原子又ｄ、第■族原子の
層厚方向の分布状態を表わす図であり、各図において、
縦軸は感光層の層厚を示し、横軸は各原子の分布濃度を
表わしている。第２５図は、本発明の光受容部材の感光
層及び表面層を製造するだめの装置の例で、グロー放電
法による製造装置Ｋケの模式的説明図である。第２６図
はレーザー光による画像露光装置を説明する図である。 第１乃至３図について、 １００・・・光受容部拐、１０１−・・支持体、１０２
．２旧、３０１・・・感光層、１０３．２０２．３０２
・・表面層、１０７Ｉ。 ２０３．３０３・・・自由表面、２旧、：３（１４・・
感光層と表′１ｆｉ１層との界面、 第４．５図について、 ４０１．５０１・・・支持体、／１０２．５０２・・・
支持体表面、４０３．５０３・・・球状痕跡窪み、４０
３’、５０３′・・・表面に凹凸形状を有する剛体球、
４（１４・・球状痕跡窪み内に形成された凹凸形状、 第６図について、 ６０１・・・シリンダー、６０２・・・回転軸（受）
、６０３・・・駆動手段、６（１４・・・回転容器、６
０５・・表面に凹凸形状を有する剛体球、６０６・・・
容器内壁に設けられたリブ、６０７・・・シャワー管、
第５図について、 ２５０１・・・反応室、２５０２〜２５０６・・ガスボ
ンベ、２５０６”・ＳｎＣ，４４槽、２５０７〜２５１
１・・・マスフロコントローラ、２５１２〜２５１６・
・・流入バルブ、２５１７〜２５２】・・流出バルブ、
２５２２〜２５２６・・・バルブ、２５２７〜２５３１
・・圧力調整器、２５３２．２５３３・・・補助バルブ
、２５３４・・・メインバルブ、２５３５・・リークバ
ルブ、２５３６・・・真空計、２５３７・・・基体シリ
ンダー、２５３８・・・加熱ヒーター、２５３９・・・
モーター、２５４０・・・高周波電源、 第２６図について、 ２６０１・・・光受容部材、２６０２・・・半導体レー
ザー、２６０３・・・ｆＯレンズ、２６（１４・・・ポ
リゴンミラー。 図面の浄書（内容に変更なし） 第２図 第４図 第７図 第８図 第９図 第１０図 第１１図 第１２図 □Ｃ 第１３図 第１４図 第１５図 第１６図 第１７図 第１９図 第２０図 第２１図 □Ｃ 第２２図 □Ｃ 第２６図 手 続 補 正 書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和６０年特許願第２４６４−７３ 号２、発明の名
称 光受容部材 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 化 所 東京都大田区下丸子３丁目３０番２号名称
（１００）ギヤノン株式会社 ４、代理人 住 所 東京都千代田区麹町３丁目１２番地６麹町グ
リーンビル ６、補正の対象 明細書および図面 ７、補正の内容 願書に最初に添付した明細書および図面の浄書・別紙の
とおり（内容に変更なし） 以上
であり、第２及び３図は、本発明の光受容部材における
干渉縞の発生の防止の原理を説明するだめの部分拡大図
であり、第２図は、支持体表面に球状痕跡窪みによる凹
凸が形成された光受容部材において、干渉縞の発生が防
止しうろことを示す図、第３図は、従来の表面を規則的
に荒した支持体上に光受容層を堆積させた光受容部材に
おいて、干渉縞が発生することを示す図である。第４及
び５図は、本発明の光受容部材の支持体表面の凹凸形状
及び該凹凸形状を作製する方法を説明するだめの模式図
である。第６図は、本発明の光受容部材の支持体に設け
られる凹凸形状を形成するのに好適な装置の一構成例を
模式的に示す図であって、第６（Ａ）図は正面図、第６
（Ｂ）図は縦断面図である。第７〜１５図は、本発明の
感光層中におけるゲルマニラム原子又はスズ原子の層Ｊ
！１方向の分布状態を表わす図であり、第１６〜２４図
は、本発明の感光層中における酸素原子、炭素原子又は
窒素原子、あるいは第ｉｌｌ族原子又ｄ、第■族原子の
層厚方向の分布状態を表わす図であり、各図において、
縦軸は感光層の層厚を示し、横軸は各原子の分布濃度を
表わしている。第２５図は、本発明の光受容部材の感光
層及び表面層を製造するだめの装置の例で、グロー放電
法による製造装置Ｋケの模式的説明図である。第２６図
はレーザー光による画像露光装置を説明する図である。 第１乃至３図について、 １００・・・光受容部拐、１０１−・・支持体、１０２
．２旧、３０１・・・感光層、１０３．２０２．３０２
・・表面層、１０７Ｉ。 ２０３．３０３・・・自由表面、２旧、：３（１４・・
感光層と表′１ｆｉ１層との界面、 第４．５図について、 ４０１．５０１・・・支持体、／１０２．５０２・・・
支持体表面、４０３．５０３・・・球状痕跡窪み、４０
３’、５０３′・・・表面に凹凸形状を有する剛体球、
４（１４・・球状痕跡窪み内に形成された凹凸形状、 第６図について、 ６０１・・・シリンダー、６０２・・・回転軸（受）
、６０３・・・駆動手段、６（１４・・・回転容器、６
０５・・表面に凹凸形状を有する剛体球、６０６・・・
容器内壁に設けられたリブ、６０７・・・シャワー管、
第５図について、 ２５０１・・・反応室、２５０２〜２５０６・・ガスボ
ンベ、２５０６”・ＳｎＣ，４４槽、２５０７〜２５１
１・・・マスフロコントローラ、２５１２〜２５１６・
・・流入バルブ、２５１７〜２５２】・・流出バルブ、
２５２２〜２５２６・・・バルブ、２５２７〜２５３１
・・圧力調整器、２５３２．２５３３・・・補助バルブ
、２５３４・・・メインバルブ、２５３５・・リークバ
ルブ、２５３６・・・真空計、２５３７・・・基体シリ
ンダー、２５３８・・・加熱ヒーター、２５３９・・・
モーター、２５４０・・・高周波電源、 第２６図について、 ２６０１・・・光受容部材、２６０２・・・半導体レー
ザー、２６０３・・・ｆＯレンズ、２６（１４・・・ポ
リゴンミラー。 図面の浄書（内容に変更なし） 第２図 第４図 第７図 第８図 第９図 第１０図 第１１図 第１２図 □Ｃ 第１３図 第１４図 第１５図 第１６図 第１７図 第１９図 第２０図 第２１図 □Ｃ 第２２図 □Ｃ 第２６図 手 続 補 正 書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和６０年特許願第２４６４−７３ 号２、発明の名
称 光受容部材 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 化 所 東京都大田区下丸子３丁目３０番２号名称
（１００）ギヤノン株式会社 ４、代理人 住 所 東京都千代田区麹町３丁目１２番地６麹町グ
リーンビル ６、補正の対象 明細書および図面 ７、補正の内容 願書に最初に添付した明細書および図面の浄書・別紙の
とおり（内容に変更なし） 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）支持体上に、シリコン原子と、ゲルマニウム原子
またはスズ原子の少くともいずれか一方を含有する非晶
質材料で構成された感光層と、表面層とを有する光受容
層を備えた光受容部材であつて、前記表面層は最外殻に
耐摩耗層と、内部に反射防止層を少なくとも有する多層
構成であり、前記支持体の表面が複数の球状痕跡窪みに
よる凹凸形状を有し、かつ、該球状痕跡窪み内に更に微
小な複数の凹凸形状を有していることを特徴とする光受
容部材。 （２）表面層が、シリコン原子と、酸素原子、炭素原子
及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種とを含有す
る非晶質材料で構成されたものである特許請求の範囲第
（１）項に記載の光受容部材。 （３）表面層が、無機弗化物、無機酸化物及び無機硫化
物の中から選ばれる少くとも一種で構成されたものであ
る特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （４）感光層が、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中
から選ばれる少なくとも一種を含有している特許請求の
範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （５）感光層が伝導性を制御する物質を含有している特
許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （６）感光層が多層構成である特許請求の範囲第（１）
項に記載の光受容部材。 （７）感光層が、伝導性を制御する物質を含有する電荷
注入阻止層を構成層の１つとして有する、特許請求の範
囲第（４）項に記載の光受容部材。 （８）感光層が、構成層の１つとして障壁層を有する、
特許請求の範囲第（４）項に記載の光受容部材。 （９）支持体の表面に設けられた複数の凹凸形状が、同
一の曲率の球状痕跡窪みによる凹凸形状である特許請求
の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （１０）支持体の表面に設けられた複数の凹凸形状が、
同一の曲率及び同一の幅の球状痕跡窪みによる凹凸形状
である特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （１１）支持体の表面の凹凸形状が、支持体表面に、表
面に凹凸を有する複数の剛体球を自然落下させて得られ
た前記剛体球の痕跡窪みによる凹凸形状である特許請求
の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （１２）支持体の表面の凹凸形状が、表面に凹凸を有す
る、ほぼ同一径を有する複数の剛体球をほぼ同一の高さ
から落下させて得られた剛体球の痕跡窪みによる凹凸形
状である特許請求の範囲第（１１）項に記載の光受容部
材。 （１３）球状痕跡窪みの曲率Ｒと幅Ｄとが、次式：０．
０３５≦Ｄ／Ｒ≦０．５ を満足する値である特許請求の範囲第（１）項に記載の
光受容部材。 （１４）球状痕跡窪みの幅Ｄが、次式： Ｄ≦０．５ｍｍ を満足する値である特許請求の範囲第（１３）項に記載
の光受容部材。 （１５）球状痕跡窪み内の微小凹凸の高さｒが、次式： ０．５μｍ≦ｒ≦２０μｍ を満足する値である特許請求の範囲第（１）項に記載の
光受容部材。 （１６）支持体が、金属体である特許請求の範囲第（１
）項に記載の光受容部材。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60246473A JPS62106470A (ja) | 1985-11-02 | 1985-11-02 | 光受容部材 |
| US06/924,265 US4797336A (en) | 1985-11-02 | 1986-10-29 | Light receiving member having a-Si(GE,SN) photosensitive layer and multi-layered surface layer containing reflection preventive layer and abrasion resistant layer on a support having spherical dimples with inside faces having minute irregularities |
| AU64572/86A AU593588B2 (en) | 1985-11-02 | 1986-10-31 | Light receiving members having a-si(ge,sn)photosensitive layer and multi-layered surface layer containing reflection preventive layer and abrasion resistant layer on a support having spherical dimples with inside faces having minute irregularities |
| CA000521966A CA1288630C (en) | 1985-11-02 | 1986-10-31 | Light receiving members having a-si(ge,sn) photosensitive layer and multi-layered surface layer containing reflection preventive layer and abrasion resistantlayer on a support having spherical dimples with inside faces having minute irregularities |
| DE8686308521T DE3677329D1 (de) | 1985-11-02 | 1986-10-31 | Lichtempfindliche elemente. |
| AT86308521T ATE60670T1 (de) | 1985-11-02 | 1986-10-31 | Lichtempfindliche elemente. |
| EP86308521A EP0223469B1 (en) | 1985-11-02 | 1986-10-31 | Light receiving members |
| CN86108356A CN1011354B (zh) | 1985-11-02 | 1986-11-02 | 光接收元件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60246473A JPS62106470A (ja) | 1985-11-02 | 1985-11-02 | 光受容部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62106470A true JPS62106470A (ja) | 1987-05-16 |
Family
ID=17148923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60246473A Pending JPS62106470A (ja) | 1985-11-02 | 1985-11-02 | 光受容部材 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4797336A (ja) |
| EP (1) | EP0223469B1 (ja) |
| JP (1) | JPS62106470A (ja) |
| CN (1) | CN1011354B (ja) |
| AT (1) | ATE60670T1 (ja) |
| AU (1) | AU593588B2 (ja) |
| CA (1) | CA1288630C (ja) |
| DE (1) | DE3677329D1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1237798A (en) * | 1984-07-23 | 1988-06-07 | Anthony E. Dombrowski | Driver alerting device |
| US4762762A (en) * | 1985-10-24 | 1988-08-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic light receiving members comprising amorphous silicon and substrate having minute irregularities |
| US4834501A (en) * | 1985-10-28 | 1989-05-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Light receiving member having a light receiving layer of a-Si(Ge,Sn)(H,X) and a-Si(H,X) layers on a support having spherical dimples with inside faces having minute irregularities |
| US5096792A (en) * | 1990-07-02 | 1992-03-17 | Xerox Corporation | Plywood effect suppression in photosensitive imaging members |
| JP2000029232A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-01-28 | Canon Inc | 画像形成装置 |
| EP1134619A3 (en) * | 2000-03-16 | 2003-04-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-receiving member, image-forming apparatus, and image-forming method |
| CN100442146C (zh) * | 2003-03-04 | 2008-12-10 | 三菱化学株式会社 | 用于电子照相光感受器的基底、其生产方法及使用其的电子照相光感受器 |
| DE102015113141A1 (de) * | 2014-12-15 | 2016-06-16 | Mauser-Werke Oberndorf Maschinenbau Gmbh | Verfahren zur Bearbeitung einer Werkstückoberfläche und Werkstück |
| CN109155340A (zh) * | 2015-12-21 | 2019-01-04 | 文和文森斯设备公司 | 微结构增强吸收光敏器件 |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2100759B (en) * | 1977-12-22 | 1983-06-08 | Canon Kk | Electrophotographic photosensitive member and process for production thereof |
| JPS6035059B2 (ja) | 1977-12-22 | 1985-08-12 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体およびその製造方法 |
| JPS54171743U (ja) | 1978-05-24 | 1979-12-04 | ||
| US4202704A (en) * | 1978-12-13 | 1980-05-13 | International Business Machines Corporation | Optical energy conversion |
| JPS55137536A (en) * | 1979-04-13 | 1980-10-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | Transfer film for electrophotographic copier |
| JPS5683746A (en) | 1979-12-13 | 1981-07-08 | Canon Inc | Electrophotographic image forming member |
| JPS574053A (en) | 1980-06-09 | 1982-01-09 | Canon Inc | Photoconductive member |
| JPS574172A (en) | 1980-06-09 | 1982-01-09 | Canon Inc | Light conductive member |
| JPS6059822B2 (ja) | 1980-06-30 | 1985-12-26 | 松下電工株式会社 | 無鉄芯型電機子の製造方法 |
| JPS5752180A (en) | 1980-09-12 | 1982-03-27 | Canon Inc | Photoconductive member |
| US4394425A (en) * | 1980-09-12 | 1983-07-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member with α-Si(C) barrier layer |
| JPS5752178A (en) | 1980-09-13 | 1982-03-27 | Canon Inc | Photoconductive member |
| JPS5752179A (en) | 1980-09-12 | 1982-03-27 | Canon Inc | Photoconductive member |
| JPS5758160A (en) | 1980-09-25 | 1982-04-07 | Canon Inc | Photoconductive member |
| JPS5758159A (en) | 1980-09-25 | 1982-04-07 | Canon Inc | Photoconductive member |
| JPS5758161A (en) | 1980-09-25 | 1982-04-07 | Canon Inc | Photoconductive member |
| JPS57165845A (en) | 1981-04-06 | 1982-10-13 | Hitachi Ltd | Electrophotographic recorder |
| JPS58162975A (ja) | 1982-03-24 | 1983-09-27 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
| DE3311835A1 (de) * | 1982-03-31 | 1983-10-13 | Canon K.K., Tokyo | Fotoleitfaehiges aufzeichnungselement |
| DE3321648A1 (de) * | 1982-06-15 | 1983-12-15 | Konishiroku Photo Industry Co., Ltd., Tokyo | Photorezeptor |
| CA1209681A (en) * | 1982-08-04 | 1986-08-12 | Exxon Research And Engineering Company | Optically enhanced thin film photovoltaic device using lithography defined random surfaces |
| CA1225139A (en) * | 1982-09-17 | 1987-08-04 | J. Thomas Tiedje | Optical absorption enhancement in amorphous silicon deposited on rough substrate |
| US4514582A (en) * | 1982-09-17 | 1985-04-30 | Exxon Research And Engineering Co. | Optical absorption enhancement in amorphous silicon deposited on rough substrate |
| US4663188A (en) * | 1982-09-27 | 1987-05-05 | Rca Corporation | Method for making a photodetector with enhanced light absorption |
| US4599482A (en) * | 1983-03-07 | 1986-07-08 | Semiconductor Energy Lab. Co., Ltd. | Semiconductor photoelectric conversion device and method of making the same |
| US4532198A (en) * | 1983-05-09 | 1985-07-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member |
| US4705732A (en) * | 1984-04-27 | 1987-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Member having substrate with projecting portions at surface and light receiving layer of amorphous silicon |
-
1985
- 1985-11-02 JP JP60246473A patent/JPS62106470A/ja active Pending
-
1986
- 1986-10-29 US US06/924,265 patent/US4797336A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-10-31 CA CA000521966A patent/CA1288630C/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-10-31 EP EP86308521A patent/EP0223469B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-10-31 DE DE8686308521T patent/DE3677329D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-10-31 AT AT86308521T patent/ATE60670T1/de not_active IP Right Cessation
- 1986-10-31 AU AU64572/86A patent/AU593588B2/en not_active Expired
- 1986-11-02 CN CN86108356A patent/CN1011354B/zh not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3677329D1 (de) | 1991-03-07 |
| AU6457286A (en) | 1987-05-07 |
| CN1011354B (zh) | 1991-01-23 |
| ATE60670T1 (de) | 1991-02-15 |
| EP0223469A2 (en) | 1987-05-27 |
| CA1288630C (en) | 1991-09-10 |
| US4797336A (en) | 1989-01-10 |
| AU593588B2 (en) | 1990-02-15 |
| CN86108356A (zh) | 1987-06-17 |
| EP0223469B1 (en) | 1991-01-30 |
| EP0223469A3 (en) | 1987-09-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62106470A (ja) | 光受容部材 | |
| JPS6290663A (ja) | 光受容部材 | |
| JPS6289064A (ja) | 光受容部材 | |
| CA1289404C (en) | Electrophotographic light receiving members comprising amorphous silicon and substrate having minute irregularities | |
| JPS6289063A (ja) | 光受容部材 | |
| JPS62106467A (ja) | 光受容部材 | |
| JPS62106468A (ja) | 光受容部材 | |
| JPS62106469A (ja) | 光受容部材 | |
| JPS62103655A (ja) | 光受容部材 | |
| JPS6296947A (ja) | 光受容部材 | |
| JPS62102248A (ja) | 光受容部材 | |
| JPH0690534B2 (ja) | 光受容部材 | |
| JPS6289065A (ja) | 光受容部材 | |
| JPS62103654A (ja) | 光受容部材 | |
| JPS6269273A (ja) | 光受容部材 | |
| JPS6283758A (ja) | 光受容部材 | |
| JPH0668636B2 (ja) | 光受容部材 | |
| JPS61102654A (ja) | 光受容部材 | |
| JPS62115454A (ja) | 光受容部材 | |
| JPS6299756A (ja) | 光受容部材 | |
| JPH0690532B2 (ja) | 光受容部材 | |
| JPS62102249A (ja) | 光受容部材 | |
| JPS6271963A (ja) | 光受容部材 | |
| JPH0690535B2 (ja) | 光受容部材 | |
| JPS62222261A (ja) | 光受容部材 |