JPS6283758A

JPS6283758A - 光受容部材

Info

Publication number: JPS6283758A
Application number: JP22446085A
Authority: JP
Inventors: Mitsuru Honda; 充本田; Keiichi Murai; 啓一村井; Kyosuke Ogawa; 小川　恭介; Atsushi Koike; 淳小池
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1985-10-08
Filing date: 1985-10-08
Publication date: 1987-04-17
Anticipated expiration: 2009-08-31
Also published as: JPH0668631B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の属する技術分野〕本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ＠、ｒ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。

さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。

〔従来技術の説明〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することによシ靜電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像するか、更に必要に応じて転写、定着
などの処理を行ない、画像を記録する方法が知られてお
り、中でも電子写真法による画像形成法では、レーザー
として、小型で安価なＨｅ　−Ｎｅレーザーあるいは半
導体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｒｎの発光波長
を有する）を使用して像記録を行なうのが一般的である
。

ところで、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写
真用の光受容部材としては、その光感度領域の性合性が
他の種類の光受容部材と比べて優れているのに加えて、
ビッカーズ硬度が高く、公害の問題が少ない等の点から
評価され、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開
昭５６−８３７４６号公報にみられるようなンリコン原
子を含む物質（以後「ａ−ｓｉＪと略記する）から成る
光受容部材が注目されている。

しかしながら、前記光受容部材については、光受容層を
単層構成のａ　−Ｓｉ層とすると、その高光感度を保持
しつつ、電子写真用として要求される１０１２Ω園以上
の暗抵抗を確保するては、水素原子やハロゲン原子、或
いはこれ等に加えてボロン原子とを特定の量範囲で層中
に制御された形で構造的に含有させる必要性があり、た
めに層形成に当って各種条件を厳密だコントロールする
ことが要求される等、光受容部材の設計についての許容
度に可成りの制約がある。そしてそうした設計−ヒの許
容度の問題をある穆度低暗抵抗であっても、その高光感
度を有効に利用出来る様にする等して改善する提案がな
されている。即ち、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７　４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報にみられるように光受容層を伝導特性の異
なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容層内
部に空乏層を形成したシ、或いは特開昭５７−５２１７
８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１５９
号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報にみられ
るように支持体と光受容層の間、又は／及び光受容層の
上部表面に障壁層を設けた多層構造としたシして、見掛
は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案されている。

ところがそうした光受容層が多層構造を有する光受容部
材は、各層の層厚にばらつきがあり、これを用いてレー
ザー記録を行う場合、レーザー光が可干渉性の単色光で
あるので、光受容層のレーザー光照射側自由表面、光受
容層を構成する各層及び支持体と光受容層との層界面（
以後、この自由表面及び層界面の両者を併せた意味で「
界面」と称する。）より反射して来る反射光の夫々が干
渉を起してしまうことがしばしばある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の原因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合にあっては
、識別性の著しく劣った阻画像を与えるところとなる。

また重要な点として、使用する半導体レーザー光の波長
領域が長波長になるにつれ光受容層に於ける該レーザー
光の吸収が減少してくるので、前記の干渉現象が顕著に
なるという問題がある。

即ち、例えば２若しくはそれ以上の層（多層）構成のも
のであるものにおいては、それらの各層について干渉効
果が起り、それぞれの干渉が相乗的に作用し合って干渉
縞模様を呈するところとなり、それがそのま＼転写部材
に影響し、該部材上に前記干渉縞模様に対応した干渉縞
が転写、定着され可視画像に現出して不良画像をもたら
してしまうといった問題がある。

こうした問題を解消する策として、（ａ）支持体表面を
ダイヤモンド切削して、±５０ＯＡ−”ｌ：１００００
＾の凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開
昭５８−１６２９７５号公報参照）、（ｂ）アルミニウ
ム支持体表面を黒色アルマイト処理したり、或いは、樹
脂中にカーボン、着色顔料、染料を分散したシして光吸
収層を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５８４５号
公報参照）、（Ｃ）アルミニウム支持体表面を梨地状の
アルマイト処理したり、サンドブラストにより砂目状の
微細凹凸を設けたりして、支持体表面に光散乱反射防止
層を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５５４号公報
参照）等が提案されてはいる。

これ等の提案方法は、一応の結果はもたらすものの、画
像上に現出する干渉縞模様を完全に解消するに十分なも
のではない。

即ち、（ａ）の方法については、支持体表面に特定ｔの
凹凸を多数設けていて、それにより光散乱効果による干
渉縞模様の現出が一応それなりに防止はされるものの、
光散乱としては依然として正反射光成分が残存するため
、該正反射光による干渉縞模様が残存してしまうことに
加えて、支持体表面での光散乱効果により照射スポット
に拡がりが生じ、実質的な解像度低下をきたしてしまう
。

（ｂ）の方法については、黒色アルマイト処理では、完
全吸収は不可能であり、支持体表面での反射光は残存し
てしまう。また、着色顔料分散樹脂層を設ける場合は、
ａ−８ｉ層を形成する際、樹脂層より脱気現象が生じ、
形成される光受容層の層品質が著しく低下すること、樹
脂層がａ−８ｉ層形成の際のプラズマによってダメージ
を受けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表面状
態の悪化によるその後のａ−８ｉ層の形成に悪影響を与
えること等の問題点を有する。

（ｅ）の方法については、例えば入射光についてみれば
光受容層の表面でその一部が反射されて反射光となり、
残りは、光受容層の内部に進入して透過光となる。透過
光は、支持体の表面に於いて、その一部は、光散乱され
て拡散光となり、残りが正反射されて反射光となり、そ
の一部が出射光となって外部に出ては行くが、出射光は
、反射光と干渉する成分であって、いずれにしろ残留す
るため依然として干渉縞模様が完全に消失はしない。

ところで、この場合の干渉を防止するについて、光受容
層内部での多重反射が起らないように、支持体の表面の
拡散性を増加させる試みもあるが、そうしたところでか
えって光受容層内で光が拡散してハレーションを生じて
しまい、結局は解像度が低下してしまう。

特１（、多層構成の光受容部材においては、支特休表面
を不規則的に荒しても、第１層での表面での反射光、第
２層での反射光、支持体表面での正反射光の夫々が干渉
して、光受容部材の各層厚にしたがった干渉縞模様が生
じる。従って、多層構成の光受容部材においては、支持
体表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止す
ることは不可能である。

又、サンｒブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上問題がある。加えて、比較的大きな
突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大きな
突起が光受容層の局所的ブレークダウンをもたらしてし
まう。

又、支持体表面を単に規則的に荒したところで、通常、
支持体の長面の凹凸形状に沿って、光受容層が堆積する
ため、支持体表面の凹凸の傾斜面と光受容層の凹凸の傾
斜面とが平行になり、その部分では入射光は、明部、暗
部をもたらすところとなり、また、光受容層全体では光
受容層の層厚の不均一性があるため明暗の縞模様が現わ
れてしまう。従って、支持体表面を規則的に荒しただけ
では、干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、支持体表面での正反射光と、
光受容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面
での反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容
部材の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明は、主としてａ−８ｉで構成された光受容層を有
する光受容部材１ｃついて、上述の諸問題を排除し、各
種要求を満たすものにすることを目的とするものである
。

すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定しており、耐光疲労に潰れ、繰返し使用に際
しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されなく、製造管理が容易で
ある、ａ−６ｉで構成された光受容層を有する光受容部
材を提供することにある。

本発明の別の目的は、全可視光域において光感度が高く
、とくに半導体レーザーとのマツチング性に憂れ、且つ
光応答の速い、ａ−３ｉで構成された光受容層を有する
光受容部材を提供することにある。

本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性及
び高電気的耐圧性を有する、ａ−８ｉで構成された光受
容層を有する光受容部材を提供することにある。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に厳密で安定的であり、層品質の高い、ａ−
８ｉで構成された光受容層を有する光受容部材を提供す
ることにある。

本発明の更に他の目的は、可干渉性単色光を用いる画像
形成に適し、長期の繰り返し使用にあっても、干渉縞模
様と反転現像時の斑点の現出がなく、且つ画像欠陥や画
像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明
に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得ることのでき
る、ａ−８１で構成された光受容層を有する光受容部材
を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明者らは、従来の光受容部材についての前述の諸問
題を克服して、上述の目的を達成すべく鋭意研究を重ね
た結果、上述する知見を得、該知見に基づいて本発明を
完成するに至った。

即ち、本発明は、支持体上に、シリコン原子を母体とす
る物質で構成された第一の層と、反射防止・機能を奏す
る第二の層とからなる光受容層を備えた光受容部材であ
って、前記支持体の表面が、複数の球状痕跡窪みによる
凹凸形状を有してなることを骨子とする光受容部材に関
する。

ところで、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果得た知見
は、概要、支持体上に複数の層を有する光受容部材にお
いて、前記支持体表面に、複数の球状痕跡窪みによる凹
凸を設けることばよシ、画像形成時に現われる干渉縞模
様の問題が解消されるというものである。

この知見は、本発明者らが試みた各種の実験により得た
事実関係に基づくものである。

このところを、理解を容易にするため、図面を用いて以
下に説明する。

第１図は、本発明に係る光受容部材１００の層構成を示
す模式図であり、微小な複数の球状痕跡窪みによる凹凸
形状を有する支持体１０１上に、その凹凸の傾斜面に沿
って、第一の層１０２及び第二の層１０３を備えた光受
容部材を示している。

第２及び３図は、本発明の光受容部材において干渉縞模
様の問題が解消されるところを説明するための図である
。

第３図は、表面を規則的に荒した支持体上に、多層構成
の光受容層を堆積させた従来の光受容部材の一部を拡大
して示した図である。該図において、３０１は第一の層
、３０２は第二の層、３０３は自由表面、３０・１は第
一の層と第二の層の界面をそれぞれ示している。第３図
に示すごとく、支持体表面を切削加工等の手段により単
に規則的に荒しただけの場合、通常は、支持体の表面の
凹凸形状に沿って光受容層が形成されるため、支持体表
面の凹凸の傾斜面と光受容層の凹凸の傾斜面とが平行関
係をなすところとなる。

このことが原因で、例えば、光受容層が第一の層３０１
と、第二の層３０２との２つの層からなる多層構成のも
のである光受容部材においては、例えば次のような問題
が定常的に惹起される。

即ち、第一の層と第二の層との界面３０４及び自由表面
３０３とが平行関係にあるため、界面３０４での反射光
Ｒ工と自由表面での反射光Ｒ２とは方向が一致し、第二
の層の層厚に応じた干渉縞が生じる。

第２図は、第１図の一部を拡大した図であって、第２図
に示すごとく、本発明の光受容部材は支持体表面に複数
の微小な球状痕跡窪みによる凹凸形状が形成されておシ
、その上の光受容層は、該凹凸形状に沿って堆積するた
め、例えば光受容層が第一の層２０１と第二の層２０２
との二層からなる多層構成の光受容部材知あっては、第
一の層２０１と第二の層２０２との界面２０４、及び自
由表面２０３は、各々、前記支桔体表面の凹凸形状に沿
って、球状痕跡窪みによる凹凸形状に形成される。界面
２０４に形成される球状痕跡窪みの曲率をＲ工、自由表
面に形成される球状痕跡窪みの曲率を島とすると、Ｒ１
とＲ２とはＲ１−！１ＦＲ２となるため、界面２０４で
の反射光と、自由表面２０３での反射光とは、各々異な
る反射角度を有し、即ち、第２図におけるθ０、θ２が
θ、キθ２であって、方向が異なるうえ、第２図に示す
ｌ工、１２１３を用いてｌ工＋１２−１３で表わされる
ところの波長のずれも一定とはならずに変化するため、
いわゆるニュートンリング現象に相当するシェアリング
干渉が生起し、干渉縞は窪み内で分散されるところとな
る。これにより、こうした光受容部材を介して現出され
る画像は、ミクロ的には干渉縞が仮に現出されていたと
しても、それらは視覚にはとらえられない程度のものと
なる。

即ち、かくなる次面形状を有する支持体の使用は、その
上に多層構成の光受容層を形成してなる光受容部材にあ
って、該光受容層を通過した光が、層界面及び支持体表
面で反射し、それらが干渉することにより、形成される
画像が槁模様となることを効率的に防止し、優れた画像
を形成しうる光受容部材を得ることにつながる。

ところで、本発明の光受容部材の支持体表面の球状痕跡
窪みによる凹凸形状の曲率Ｒ及び福りは、こうした本発
明の光受容部材における干渉縞の発生を防止する作用効
果を効率的に達成するためには重要な要因である。本発
明者らは、各種実験を重ねた結果以下のところを究明し
た。

即ち、曲率Ｒ及び幅りが次式：％式％を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが０．５本以上存在するこ
ととなる。さらに次式−一≧０．０５５を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが１本以上存在することと
なる。

こうしたことから、光受容部材の全体に発生する干渉縞
を、各々の痕跡窪み内に分散せしめ、光受容部材におけ
る干渉縞の発生を防止するためには、前記−を０．０３
５、好ましくは０．０５５以上とすることが望ましい。

また、痕跡窪みによる凹凸の幅りは、大きくとも５００
μｍ程度、好ましくは２００／Ｌｍ以下、より好ましく
は１００μｍ以下とするのが望ましい。

上述のような特定の表面形状の支持体上に形成される本
発明の光受容部材の光受容層は、第一の層と第二の層と
からなり、該第−の層は、／リコン原子を母体とするア
モルファス材料、特に好ましくはシリコン原子（Ｓｌ）
と、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）の少なくと
も一方を含有するアモルファス材料〔以下、「ａ−ｓｉ
（ｕ、ｘ）ｊと表記する。〕、あるいは、酸素原子、炭
素原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種を
含有するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成されており、該第−
の層には伝導性を制御する物質を含有せしめることがで
きる。そして、該第−の層は、多層構造を有しているこ
ともあり、特に好ましくは、前記伝導性を制御する物質
を含有する電荷注入阻止層又は／及び電気絶縁性材料か
ら成るいわゆる障壁層を構成層の一つとして有するもの
である。

また、前記第二の層は、無機弗化物、無機酸化物及び無
機硫化物の中から選ばれる少なくとも一種で構成されて
いて１反射防止機能を有するものである。

本発明の第一の層及び第二の層の作成については、本発
明の前述の目的を効率的に達成するために、その層厚ｆ
ｊｃ光学的レベルで正確に制御する必要があることから
、グロー放電法、ス・Ｑツタリング法、イオンブレーテ
ィング法等の真空堆積法が通常使用されるが、これらの
他、光ＣＶＩ）法、熱ＣＶＤ法等を採用することもでき
る。

以下、第１図により本発明の光受容部材の具体的構成に
ついて詳しく説明する。

第１図は、本発明の光受容部材の層・構成を説明するた
めに模式的に示した図であり、図中、１００は光受容部
材、１０１は支持体、１０２は第一の層、１０３は第二
の層、１０４は自由表面を示す。

支持体本発明の光受容部材における支持体１０１は、その表面
が光受容部材に要求される解像力よりも微小な凹凸を有
し、しかも咳凹凸は、複数の球状痕跡窪みによるもので
ある。

以下に、本発明の光受容部材における支持体の表面の形
状及びその好適な製造例を、第４及び５図により説明す
るが、本発明の光受容部材における支持体の形状及びそ
の製造法は、これらによって限定されるものではない。

第４図は、本発明の光受容部材における支持体の表面の
形状の典型的−例を、その凹凸形状の一部を部分的に拡
大して模式的に示すものである。

第４図に訃いて４０１は支持体、４０２は支持体表面、
４０３は剛体真球、４０４は球状痕跡窪みを示している
。

さらに第４図は、該支持体表面形状を得るのに好−まし
い製造方法の１例をも示すものでもある。即ち、剛体真
球４０３を、支持体表面４０２より所定高さの位置より
自然落下させて支持体表面４０２に衝突させることによ
り、球状窪み４０４を形成しうろことを示している。そ
して、はぼ同一径Ｒ′の剛体真球４０３を腹数個用い、
それらを同一の高さｈより、同時あるいは逐時、落下さ
せることによシ、支持体表面４０２に、はぼ同一曲率Ｒ
及び同一幅りを有する複数の球状痕跡窪み４０４を形成
することができる。

第５図は、前述のごとくして、表面に複数の球状痕跡窪
みによる凹凸形状の形成された支持体の、いくつかの典
型例を示すものである。

第５（Ａ）図に示す例では、支持体５０１０表面５０２
の異なる部位に、はぼ同一の径の複数の球体５０３．　
５０３、・・・をほぼ同一の高さより規則的に落下させ
てほぼ同一の曲率及びほぼ同一の１埋の複数の痕跡窪み
６０４．６０４、・・・を互いに重複し合うように密に
生じせしめて規則的に凹凸形状を形成したものである。

なおこの場合、互いに重複する窪み５０４．５０４、・
・・を形成するには、球体５０３の支持体表面５０２へ
の衝突時期が、互いにずれるようだ球体５゛０３．５０
３、・・・を自然落下せしめる必要のあることはいうま
でもない。

また、第５（Ｂ）図に示す例では、異なる径を有する二
種類の球体５０３．５０３′・・・をほぼ同一の高さ又
は異なる高さから落下させて、支持体５０１の表面５０
２に、二種の曲率及び二種の幅の複数の窪み５０４．５
０４′・・・を互いに重複し合うようＩ’Ｃ密に生じせ
しめて、表面の凹凸の高さが不規則な凹凸を形成したも
のである。

更に、第５（Ｃ）図（支持体表面の正面図および断面図
）Ｋ示す例では、支持体５０１の表面５０２に、はぼ同
一の径の複数の球体５０３．５０３、・・・をほぼ同一
の高さより不規則に落下させ、はぼ同一の曲率及び複数
種の幅を有する複数の窪み５０４．５０４、・・・を互
いに重複し合うよう（（生じせしめて、不規則な凹凸を
形成したものである。

以上のように、剛体真球を支持体表面に落下させること
によシ、球状痕跡窪みによる凹凸形状を形成することが
できるが、この場合、剛体真球の径、落下させる高さ、
剛体真球と支持体表面の硬度、あるいは、落下させる球
体の量等の諸条件を適宜選択することにより、支持体表
面に所望の曲率及び幅を有する複数の球状痕跡窪みを、
所定の密度で形成することができる。

即ち、上記諸条件を選択することにより、支持体表面に
形成される凹凸形状の凹凸の高さや凹凸のピッチを、目
的に応じて自在に調整でき、表面に所望の凹凸形状を有
する支持体を得ることができる。

そして、光受容部材の支持体を凹凸形状表面のものにす
るについて、旋盤、フライス盤等を用いたダイヤモンド
バイトにより切削加工して作成する方法の提案がなされ
ていてそれなりに有効な方法ではあるが、該方法にあっ
ては切削油の使用、切削によシネ可避的に生ずる切粉の
除去、切削面に残存してしまう切削油の除去が不可欠で
あり、結局は加工処理が煩雑であって効率のよくない等
の問題を伴うところ、本発明にあっては、支持体の凹凸
表面形状を前述したように球状痕跡窪みにより形成する
ことから上述の問題は全くなくして所望の凹凸形状表面
の支持体を効率的且つ簡便に作成できる。

本発明に用いる支持体１０１は、導電性のものであって
も、また電気絶縁性のものであってもよい。導電性支持
体としては、例えば、Ｎｉ０ｒ、ステンレス、ＡＪ％Ｏ
ｒ、　ＭＯｌＡｕ　、　Ｎｂ　％’　Ｔａ　。

Ｖ、Ｔｉ、ｐｔ、ｐｂ　　等の金属又はこれ等の合金が
挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等
の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の
表面を導電処理し、該導電処理された表面側に光受容層
を設けるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣ！ｒ、ｈ
ｌ、ｌＣｒ％Ｍｏ、ｌＡｕ、　　Ｉｒ、Ｎｂ、ＩＴａ、
　Ｖ、　Ｔｉ、ｐｔ、ｐａ、工ｎ２０３．５ｎ０２、Ｉ
ＴＯ（工ｎ２０３　＋　５ｎ０２　）等から成る薄膜を
設けることによって導電性を付与し、或いはポリエステ
ルフィルム等の合成附脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ　
、　Ａｌ　、　Ａｇ　、　Ｐｂ、Ｚｎ、ｌＮｉ、Ａｕ、
１０ｒ、Ｍｏ、工ｒ、　Ｎｂ％Ｔａ、Ｖ、Ｔｌ、Ｐｔ等
の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリ
ング等でその表面（Ｃ設け、又は前記金属でその表面を
ラミネート処理して、その表面に導電性を付与する。支
持体の形状は、円筒状、ベルト状、板状等任意の形状で
あることができるが、用途、所望Ｃてよって、その形状
は適宜に決めることのできるものである。例えば、第１
図の光受容部材１００を電子写真用像形成部材として開
用するのであれば、連続高速連写の場合には、無端ベル
ト状又は円筒状とするのが望ましい。支持体の厚さは、
所望通りの光受容部材を形成しうる様に適宜決定するが
、光受容部材として回復性が要求される場合には、支持
体としての機能が充分発揮される範囲内で可能な限り薄
くすることができる。しかしながら、支持体の製造上及
び取扱い上、機械的強度等の点から、通常は、１０μ以
上とされる。

次に、本発明の光受容部材を電子写真用の光受容部材と
して用いる場合について、その支持体表面の製造装置の
１列を第６Ａ図及び第６（Ｂ）図を用いて説明するが、
本発明はこれによって限定されるものではない。

電子写真用、光受容部材の支持体としては、アルミニウ
ム合金等に通常の押出加工を施してボートホール管ある
いはマンドレル管とし、更に引抜加工して得られる引抜
管に、必要に応じて熱処理や調質等の処理を施した円筒
状（シリンダー状）基体を用い、該円筒状基体に第６　
（Ａ）、（Ｂ）図に示した製造装置を用いて、支持体表
面に凹凸形状を形成せしめる。支持体表面に前述のよう
な凹凸形状を形成するについて用いる球体としては、例
えばステンレス、アルミニウム、鋼鉄、ニッケル、真鍮
等の金属、セラミック、プラスチック等の各踵剛体球分
挙げることができ、とりわけ耐久ヰ及び低コスト化等の
理由により、ステンレス及び鋼鉄の剛体球が好ましい。

そしてそうした球体の硬度は、支持体の硬度よりも高く
ても、あるいは低くてもよいが、球体を繰返し使用する
場合洗は、支持体の硬度よりも高いものであることが望
ましい。

第６１．第６Ｂ図は製造装置全体の断面略図であり、６
０１は支持体作成用のアルミニウムシリンダーであり、
該シリンダー６０１は、予め表面を適宜の平滑度に仕上
げられていてもよい。

シリンダー６０１は、回転軸６０２によって軸支されて
おり、モーター等の適宜の駆動手段６０３で駆動され、
はぼ軸芯のまわりで回転可能にされている。回転速度は
、形成する球状痕跡窪みの密度及び剛体真球の供給量等
を考慮して、適宜に決定され、制御される。

６０４ば、剛体真球６０５を自然落下させるための落下
装置であり、剛体真球６０５を貯留し、落下させるだめ
のボールフィーダー６０６、フィーダー６０６から剛体
真球６０５が落下しやすいよって揺動させる振動機６０
７、シリンダーに衝突して落下する剛体真球６０５を回
収するだめの回収槽６０８、回収槽６０８で回収された
剛体真球６０５をフィーダー６０６マで管鴫送するため
のボール送り裟胃６０９、送り装置６０９の途中で剛体
真球を液洗浄するための洗浄装置６１０、洗浄装置６１
０にノズル等を介して洗浄液（溶剤等）を供給する液だ
め６１１、洗浄に用いた液を回収する回収槽６１２など
で構成されている。

フィーダー６０６から自然落下する剛体真球の量は、落
下口６１３の開閉度、憑動機６０７による揺・勅の程度
等により適宜調節される。

第一の層本発明の光受容部材においては、前述の支持体１０１上
に、　ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）、あるいは、酸素原子、炭素
原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種を含
有するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第一の層１０２
が積層されており、該第−の層１０２には、さらに伝導
性を制御する物質を含有せしめることもできる。

第一の層中に含有せしめるハロゲン原子（Ｘ）としては
、具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、
特にフッ素、塩素を好適なものとして挙げることができ
る。そして、第一の層１０２中に含有せしめる水素原子
（Ｈ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子と
ハロゲン原子の量の和（ａ＋ｘ）、ｄ通常の場合１〜４
０　ａｔｏｍｉｃ％、好適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ
％とするのが望ましい。

また、本発明の光受容部材において、第一の層の層厚は
、本発明の目的を効率的に達成するには重要な要因の１
つであって、光受容部材に所望の特性が与えられるよう
に、光受容部材の設計の際には充分な注意を払う必要が
あり、通常は１〜１００μとするが、好ましくは１〜８
０μ、より好ましくは２〜５０μとする。

ところで、本発明の光受容部材の第一の層に、酸素原子
、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種
を含有せしめる目的は、主として該光受容部材の高光感
度化と高暗抵抗化、そして支持体と第一の層との間の密
着性の向上にある。

本発明の第一の層においては、酸素原子、炭素原子及び
窒素原子の中から選ばれる少くとも一種を含有せしめる
場合、層厚方向に均一な分布状態でき有せしめるか、あ
るいは層厚方向に不均一な分布状態で含有せしめるかは
、前述の目的とするところ乃至期待する作用効果によっ
て異なり、したがって、含有せしめる量も異なるところ
となる。

すなわち、光受容部材の高光感度化と高暗抵抗化を目的
とする場合には、第一の層の全層領域に均一な分布状態
で含有せしめ、この場合、第一の層に含有せしめる炭素
原子、酸素原子、窒素原子の中から選ばれる少くとも一
種の量は比較的少量でよい。

また、支持体と第一の層との密着性の向上を目的とする
場合には、第一の層の支持体側端部の一部の層領域に均
一に含有せしめるか、あるいは、第一の層の支持体側端
部にあ・いて、炭素原子、酸素原子、及び窒素原子の中
から選ばれる少くとも一種の分布濃度が高くなるような
分布状態で含有せしめ、この場合、第一の層に含有せし
める酸素原子、炭素原子、及び窒素原子の中から選ばれ
る少くとも一種の量は、支持体との密着性の向上を確実
に図るために、比較的多量にされる。

本発明の光受容部材において、第一の層に含有せしめる
酸素原子、炭素原子、及び窒素原子の中から選ばれる少
くとも一種の景は、しかし、上述のごとき第一の層に要
求される特性に対する考慮の他、支持体との接触界面に
おける特性等、有機的関連性にも考慮をはらって決定さ
れるものであり、通常は０．００１〜５０　ａｔｏｍｉ
ｃ　％、好ましくは０．００２〜４０　ａｔｏｍｉｃ　
％、最適には０．００３〜３０　ａｔｏｍｉｃ　％とす
る。

ところで、第一の層の全層領域に含有せしめるか、ある
いは、含有せしめる一部の層領域の層厚の第一の層の層
厚中に占める割合が大きい場合には、前述の含有せしめ
る量の上限を少なめＫされる。すなわち、その場合、例
えば、含有せしめる層領域の層厚が、第一の層の層厚の
旦となるような場合には、含有せしめる量は通常３０　
ａｔｏｍｉｃ％以下、好ま°しくは２０　ａｔｏｍｉｃ
　％以下、最適には１０　ａｔｏｍｉｃ％以下にされる
。

次に、本発明の第一の層に含有せしめる酸素原子、炭素
原子、及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種の量
が、支持体側においては比較的多量であり、支持体側の
端部から第二の層側の端部に向かって減少し、第一の層
の第二の層側の端部付近においては、比較的少量となる
が、あるいは実質的にゼロに近くなるように分布せしめ
る場合の典型的な例のいくつかを、第７図乃至第１６図
によって説明する。しかし、本発明はこれらの例によっ
て限定されるものではない。以下、炭素原子、酸素原子
の中から選ばれる少くとも一種を「原子（０，Ｃ，Ｎ　
）　Ｊと表記する。

第７乃至１５図において、横軸は原子（Ｏ，Ｃ，Ｎ）の
分布濃度Ｃを、縦軸は第一の層の層厚を示し、ｔＢは支
持体と第一の層との界面位置を、ｔＴは第一の層の第二
の層との界面の位置を示す。

第７図は、第一の層中に含有せしめる原子（Ｏ２Ｃ２Ｎ
）の層、す方向の分布状態の第一の典型例を示している
。該例では、原子（０，Ｃ２Ｎ）を含有する第一の層と
支持体との界面位置ｔＢより位置ｔ１までは、原子（ｏ
、ｃ、Ｎ）の分布濃度ＣがＣ１なる一定値をとり、位１
ｆｉｔ工より第二の層との界面位置ｔＴまでは原子（０
，Ｃ２Ｎ）の分布濃度Ｃがａ度ｃ２から連続的に減少し
、位置ｔ７においては原子（０，Ｃ２Ｎ）の分布濃度が
０３となる。

第８図に示す他の典型例の１つでは、第一の層に含有せ
しめる原子（０，ｃ、Ｎ）の分布濃度Ｃは、位置ｔＢか
ら位置ｔＴＫいたるまで、濃度Ｃ４から連続的に減少し
、位ｆｆ１ｔＴにおいて濃度ｃ５となる。

第９図に示す例では、位ｆｔｐから位置ｔ２までは原子
（Ｏ，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃが濃度Ｃ６なる一定値を保
ち、位置ｔ２から位置ｔＴにいたるまでは、原子（０，
Ｃ，Ｎ　）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ，，から徐々に連続的
に減少して位置ｔＴにおいては原子（０゜Ｃ，Ｎ　）の
分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。

第１Ｏ図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃
度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ７にいたるまで、濃度Ｃ８か
ら連続的に徐々に減少し、位ｒｔ　ｔＴにおいては原子
（，０１（：！ＩＮ　）の分布濃度Ｃは実質的にゼロと
なる。

第１１図に示す例では、原子（Ｏ，Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＢより位置ｔ３の間においては濃度Ｃ９の
一定値にあり、位置ｔ３から位置ｔＴの間においては、
濃度Ｃ９から濃度Ｃ□。となるまで、−次間数的に減少
する。

第１２因に示す例では、原子（”ｒＣ＋Ｎ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＢより位置ｔ、にいたるまでは濃度Ｃよ、
の一定値にあり、位置ｔ４よシ位ｆｌｔｔＴにいだるま
では濃度Ｃ１２から濃度（１’１３となるまで一次関数
的に減少する。

第１３図に示す例においては、原子（０，Ｃ２Ｎ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢから位ｒｔｌＬ　ｔＴにいたるま
で、濃度Ｃよ、から実質的にゼロとなるまで一次関数的
に減少する。

第１４図に示す例では、原子（”＋ＣｒＮ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＢから位ｆｔ　ｔａにいたるまで濃度Ｃ１
５から濃度Ｃ１６となるまで一次関数的に減少し、位置
ｔ５から位置ｔ７までは濃度Ｃ工６の一定値を保つ。

最後に、第１５図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ　）
の分布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度Ｃ１’／であり
、位ｔｖＬ、ｔｓから位置ｔ６までは、濃度Ｃ，″７か
らはじめはゆっくり減少して、位置ｔ６付近では急激に
減少し、位置ｔＴでは濃度Ｃ工。となる。次に、位置ｔ
６から位置１．までははじめのうちは急激に減少し、そ
の後は緩かに徐々に減少し、位置ｔ７においては濃度Ｃ
工、となる。更に位ｒｔ　ｔヮと位置ｔ８の間では極め
てゆっくりと徐々に減少し、位置ｔ８において一度Ｃ２
ｏとなる。また更Ｋ、位置ｔ８から位ｆｔ　ｔｒ　Ｋい
たるまでは濃度Ｃ２０から実質的にゼロとなるまで徐々
に減少する。

第７図〜第１５図に示した例のごとく、第一の層の支持
体側の端部に原子（Ｏ，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃの高い部
分を有し、第一の層の第二の層側の端部においては、該
分布濃度Ｃがかなり低い部分を有するか、あるいは実質
的にゼロ（で近い濃度の部分を有する場合にあっては、
第一の層の支持体側の端部に原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分
布濃度が比較的高濃度である局在領域を設けること、好
ましくは該局在領域を支持体表面と第一の層との界面位
置ｔＢから５μ以内に設けることにより、支持体と第一
の層との密着性の向−ヒをより一層効率的に達成するこ
とができる。

前記局在領域は、原子（０，Ｃ２Ｎ）を含有せしめる第
一の層の支持体側の端部の一部層領域の全部であっても
、あるいは一部であってもよく、いずれにするかは、形
成される第一の層に要求される特性に従って適宜決める
。

局在領域て含有せしめる原子（０＋Ｃ＋Ｎ）の禮は、原
子（Ｏ，Ｃ，Ｎ）の分子濃度Ｃの最大値が５００　ａｔ
ｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、好ましくは８００　ａｔｏｍｉ
ｃｐｐｍ以上、最適には１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ以上となるような分布状態とするのが望ましい。

更に、本発明の光受容部材においては必要に応じて第一
の層に伝導性を制御する物質を、全層領域又は一部の層
領域に均−又は不均一な分布状態で含有せしめることが
できる。

前記伝導性を制御する物質としては、半導体分野におい
ていういわゆる不純物を挙げることができ、Ｐ型伝導性
を与える周期律表第■族（て属する原子（以下単に「第
■挨原子」と称す。）、又は、ｎ型伝導性を与える周期
律表第Ｖ族（で属する原子（以下単に「第Ｖ族原子」と
称す。）が使用される。具体的には、第１■族原子とし
ては、Ｂ（硼素）、ｐ、ｌ　（アルミニウム）、Ｇａ（
ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔｌ　（タリウム）
等を挙げることができるが、特に好ましいものは、Ｂ、
Ｇａである。また第Ｖ族原子としては、Ｐ（燐）、Ａ８
（（ｉｌｔ素）、ｓｂ　（アンチモン）　、Ｂｔ　（ビ
スマン）等を挙げることができるが、特に好ましいもの
は、ｐ、ｓｂである。

本発明の第一の層に伝導性を制御する物質である第■族
原子又は第■族原子を含有せしめる場合、全層領域に含
有せしめるが、あるいは一部の層領域に含有せしめるか
は、後述するように目的とするところ乃至期待する作用
効果によって異なり、含有せしめる量も異なるところと
なる。

すなわち、第一の層の伝導型又は／及び伝導率を制御す
ることを主たる目的にする場合には、光受容層の全層領
域中に含有せしめ、この場合、第１ＩＩ族原子又は第Ｖ
族原子の含有量は比較的わずかでよく、通常は１×１０
−３〜Ｉ　Ｘ　１０３ａｔｏ１０３ａｔｏであり、好ま
しくは５　Ｘ　１０−２〜５　Ｘ　１０２１０２ａｔｏ
　ｐｐｍ１最適にはＩ　Ｘ　１０−１〜２　Ｘ１０２ａ
ｔＸ１０２ａｔｏである。

また、支持体と接する一部の層領域に第１■族原子又は
第Ｖ族原子を均一な分布状態で含有せしめるか、あるい
は層厚方向における第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃
度が、支持体と接する側において高濃度となるように含
有せしめる場合には、こうした第１■族原子又は第Ｖ族
原子を含有する構成層あるいは第１ＩＩ族原子を高濃度
に含有する層領域は、電荷注入阻止層として機能すると
ころとなる。

即ち、第１ＩＩ族原子を含有せしめた場合には、光受容
層の自由表面が■極性の帯電処理を受けた際に、支持体
側から光受容層中へ注入される電子の移動をより効率的
に阻止することができ、又、第■族原子を含有せしめた
場合には、光受容層の自由表面がｅ極性に帯電処理を受
けた際に、支持体側から光受容層中へ注入される正孔の
移動をより効率的に阻止することができる。

そして、こうした場合の含有量は比較的多量であって、
具体的には、３０〜５　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍ、好ましくは５０〜Ｉ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ、最適には１　’Ｘ　１０２〜５　Ｘ　１０”
　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとする。さらに、該電荷注入阻
止層としての効果を効率的に奏するためには、第ｍ族原
子を含有する支持体側の端部に設けられる層又は層領域
の層厚をｔとし、光受容層の層厚をＴとした場合、ｔ／
Ｔ≦０．４の関係が成立することが望ましく、より好１
しくは該関係式の値が０．３５以下、最適には０．３以
下となるようにするのが望ましい。また、該層又は層領
域の層厚ｔば、一般的には３Ｘ１０”〜１０μとするが
、好ましくは４Ｘ１０−３〜８μ、最適には５　Ｘ　１
０−３〜５μとするのが望ましい。

第一の層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子の量
が、支持体側においては比較的多量であって、支持体側
から第二の層側に向って減少し、第二の層側の端面付近
においては、比較的少量となるかあるいは実質的にゼロ
に近くなるように第■族原子又は第Ｖ族原子を分布させ
る場合の典型的な例は、前述の第一の層に酸素原子、炭
素原子又は窒素原子のうちの少なくともいずれか１つを
含有せしめる場合に例示した第７乃至１５図のと同様な
例によって説明することができるが、本発明はこれらの
例によって限定されるものではない。

そして、第７図〜第１５図に示した例のごとく、第一の
層の支持体側に近い側に第■族原子又は第Ｖ族原子の分
布濃度Ｃの高い部分を有し、第二の層の第二の層に近い
側ておいては、該分布濃度Ｃがかなり低い濃度の部分あ
るいは実質的にゼロに近い濃度の部分を有する場合にあ
っては、支持体ｉＦ！＋＋に近い部分に第１■夜原子又
は第Ｖ族原子の分布濃度が比較的高４度である局在領域
を設けること、好ましくは該局在領域を支持体表面と接
触する界面位置から５μ以内に投けることにより、第■
族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度が高濃度である層領域
が電荷注入阻止層を形成するという前述の作用効果がよ
り一層効果的に奏される。

以上、第■族原子又は第■族原子の分布状態について、
個々に各々の作用効果を記述したが、所望の目的を達成
しうる特性を有する光受容部材を得るについては、これ
らの第１■族原子又は第■族原子の分布状態および第一
の層に含有せしめる第１■族原子又は第Ｖ族原子の量を
、必要に応じて適宜組み合わせて用いるものであること
は、いうまでもない。例えば、第一の層の支持体側の端
部に電荷注入阻止層を設けた場合、電荷注入阻止層以外
の第一の層中に、電荷注入阻止層に含有せしめた伝導性
を制御する物質の極性とは別の極性の伝導性を制御する
物質を含有せしめてもよく、あるいは、同極性の伝導性
を制御する物質を、電荷注入阻止層に含有される量より
も一段と少ない−ｉＫして含有せしめてもよい。

さらに、本発明の光受容部材においては、支持体側の端
部に設けるｍＶ層として、電荷注入阻止層の代わりに、
電気絶縁性材料から成るいわゆる障壁層を設けることも
でき、あるいは、該障壁層と電荷注入阻止層との両方を
構成層とすることもできる。こうした障壁層を構成する
材料としては、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉｎ。、Ｓｉ３Ｎ、等の
無機電気絶縁材料やポリカーボネート等の有機電気絶縁
材料を挙げることができる。

次に本発明の第一の層の形成方法について説明する。

本発明の第一の層を構成する物質はいずれもグロー放電
法、ス・♀ツタリング法、或いはイオンブレーティング
法等の放電現象を利用する真空堆積法によって行われる
。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程
度、製造規模、作製される光受容部材に所望される特性
等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所望の
特性を有する光受容部材を製造するに当っての条件の制
御が比較的容易であり、シリコン原子と共に炭素原子及
び水素原子の導入を容易に行い得る等のことからして、
グロー放電法或いはス・ｑツタリング法が好適である。

そして、グロー放電法とスパッタリング法とを同一装置
系内で併用して形成してもよい。

グロー放電法によってａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される
光受容層を形成するには、シリコン原子（Ｓｌ）を供給
しうるＳ１供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）又は／
及びハロゲン原子（幻を供給しりる水素原子（Ｈ）又は
／及びハロゲン原子（Ｘ）供給用の原料ガスを、内部を
減圧にしうる堆積室内に所望のガス圧状態で導入し、該
堆積室内にグロー放電を生起せしめて、予め所定位置に
設置しである所定の支持体表面上に、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ
）でノ４成される層を形成する。

前記Ｓ１供給用の原料ガスとなりうる物質としては、Ｓ
ｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ４，５ｉ３Ｈ６，５ｉ４Ｈ１ｏ　　等
のガス状態の又はガスｆヒしうる水素化硅素（シラン類
）が挙げられ、特に、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が好ましい
。

更に、前記ハロゲン原子供給用の原料ガスとなりうる物
質としては、多くのハロゲン化合物があり、例えば・・
ロダンガス、・・ロデン化′吻、・・ロデン間化合物、
ハロゲンで置換された７ラン透導体等のガス状態の又は
ガス化しうるハロゲン化合物を用いることができる。具
体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス
、ＢｒＦ、　ＣＩＦ１ＣＩＦ３、ＢｒＦ３、ＢｒＦ５、
工Ｆ３、ＩＦ７、ＩＣｌ。

ＩＢｒ等のハロゲン間化合物、およびＳ　ｉ　Ｆ４、Ｓ
ｉ２Ｆ６．５ｉ（１！ｌ、、ＳｉＢｒ４等のハロゲン化
硅素等が好ましいものとして挙げられる。

上述のごときハロゲン原子を含む硅素化合物のガス状態
のもの又はガス【ヒしうるものを原料ガスとしてグロー
放′４法により形成する場合には、Ｓｉ原子供給用原料
ガスとしての水素化硅素ガスを使用することなく、所定
の支持体上に）・ロデン原子を含有するａ−３ｉで構成
される眉を形成することができるので、特に有効である
。

グロー放電法を用いて第一の層を形成する場合には、基
本的には、Ｓ１供給用の原料ガスとなるハロゲン化硅素
と、Ａｒ％Ｈ２、Ｈｅ等のガスとを所定の混合比とガス
流量になるようにして堆積室に導入し、グロー放電を生
起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することに
より、支持体上に光受容層を形成するものであるが、電
気的あるいは光電的特性の制御という点で甑めて有効で
あるところの水素原子（Ｈ）の含有量の制御を一層容易
にするためには、これ等のガスに更に水素原子供給用の
原料ガスを混合することもできる。該水素原子供給用の
ガスとしては、水素ガスあるいは、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ
６，５１３Ｈ８，５ｉ４Ｈ１゜等の水素化硅素のガスが
用いられる。また、水素原子供給用ガスとして、ＨＦ、
　ＨＣｌ、　ＨＢｒ、　ＨＩ等（７）　ハロゲン化物、
Ｓ　ｉ　Ｈ２Ｆ２．３ｉＨ２Ｉ２．５ｉＨ２Ｃｅ２．５
ｉＨＣ！６３．５ｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３　　等の
ノ１０ゲン置換水素化硅素等のガス状態のあるいはガス
化しうるものを用いた場合には、ノ・ロダン原子ｆｘ）
の導入と同時に水素原子（Ｈ）も導入されるので、有効
である。

ス／ｅツタリング法によってａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成
される光受容層を形成するには、シリコンから成るター
デッドを用い、これ等を所望のガス雰囲気中でスパッタ
リングすることによって行なう。

イオンブレーティング法を用いて光受容層を形成する場
合には、例えば、多結晶シリコン又は単結晶シリコンを
蒸発源として蒸着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加
熱法あるいはエレクトロンビーム法（Ｋ、Ｂ、法）等に
よって加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ
雰囲気中を通過せしめることで行ない得る。

スパッタリング法およびイオンブレーティング法のいず
れの場合にも、形成する層中にノ・ロデン原子を含有せ
しめるには、前述の・・ロダン化物又はハロゲン原子を
含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入し、該ガスのプ
ラズマ雰囲気を形成すればよい。又、水素原子を導入す
る場合には、水素原子供給用の原料ガス、例えばＨ２あ
るいは前記した水素化シラン類のガスをス・Ｑツタリン
グ用の唯積室内に導入してこれ等のガス類のプラズマ雰
囲気を形成すればよい。さらにハロゲン原子供給用の原
料ガスとしては、前記のハロゲン化物或いはハロゲンを
含む硅素化合物が有効なものとして挙げられるが、その
他に、ＨＦ、　ＨＣｌ１ＨＢｒ、　ＨＩ　　等のハロゲ
ン化水素、ＳｉＨ２Ｆ２、ＳｉＨ２工ｚ、Ｓｉ’Ｈ２（
Ｊ！２．５ｉＨＣ１３，５ｉＨ２Ｂｒ２、Ｓ　１ＨＢｒ
ｓ等のハロゲン置換水素化硅素、等々のガス状態の又は
ガス化しうる物質も有効な出発物質として使用できる。

酸素原子、炭素原子、又は窒素原子を含有するａ−８ｉ
（Ｈ，Ｘ）で構成される層又は一部の層領域を形成する
については、それをグロー放電法により行う場合、上述
のａ−９ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される眉を形成する際に、
原子（”＋Ｃ＋Ｎ）導入用の出発物質を、ａ−８ｉ（Ｈ
，Ｘ）形成用の出発物質とともに使用して、形成する層
中へ、それらのｋｋ制御しながら含有せしめることによ
って行われる。

そのような原子（０，０，Ｎ　）導入用の出発物質とし
ては、少なくとも原子（ＯＩＣ，Ｎ　）を構成原子とす
るガス状の物質又はガス化し得る物質であれば、殆んど
のものが使用できる。

具体的には酸素原子（０）導入用の出発物質として、例
えば、酸素（０２）、オゾン（０３）、−酸化窒素（Ｎ
ｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸化窒素（Ｎ２０）
、三二酸化窒素（Ｎ２Ｏ３）　、四三酸化窒素（Ｎ２０
４）、三二酸化窒素（Ｎ２Ｏ５）、三二酸化窒素（ＮＯ
３）、シリコン原子（Ｓｌ）と酸素原子（０）と水素原
子（Ｈ）とを構成原子とする、例えば、ジンロキナン（
Ｈ３ＳｉＯ３ｉＨ３）、トリシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ８
ｉＨ２０ＳｉＨ３）等の低級シロキサン等が挙げられ、
炭素原子（Ｃ）導入用の出発物質としては、例えば、メ
タン（ｃＨ，）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロノξン（Ｃ
３Ｈ８）、ｎ−ブタン（ｎ　−Ｃ４ＨＩＯ）、ペンタ７
　（Ｃ！５Ｈ１２）等の炭素数１〜５の飽和炭化水素、
エチレン（ＣｚＨ４）、プロピレン（０３Ｈ６）、ブチ
ｙ　−１（ｃ、）（ｓ　）、ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）、
インブナノン（Ｃ４ＨＩ３　）、認／テン（Ｃ３Ｈ１０
）等の炭素数２〜５のエチレン系炭化水素、アセチレン
（０２Ｈ２）、メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ４）、ブチン
（Ｃ４Ｈ６）等の炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素
等が挙げられ、窒素原子（Ｎ）導入用の出発物質として
は、例えば、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、ヒ
ドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、アジ化水素（ＨＮ、、　）
、アジ化アンモニウム（Ｎｌ（４Ｎ３）、三弗化窒素（
Ｆ３Ｎ）、四弗化窒素（７４Ｎ）等が挙げられる。

また、ス／ｅツタリング法を用いて原子（０，Ｃ２Ｎ）
を含有するａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される掻を形成す
る場合には、原子（０ＩＯＩＮ　）　；’４人用の出発
物質としては、グロー放電法の際に列挙した前記のガス
化可能な出発物質の外て、固体化出発物質として、５ｉ
０２、Ｓｉ３Ｎ４、カーボンブラック等を挙げることが
出来る。これ等は、Ｓｌ等のターゲットとしての形で使
用することができる。

グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング法を用いて、第■族原子又は第Ｖ族原子を含有
するａ　　５ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される層又は一部の層
領域を形成するには、上述のａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成
される層の形成の際に。

第■族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質を、ａ−Ｓ
ｉ（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質とともに使用して、形成
する層中へのそれらの量を制御しながら含有せしめるこ
とにより行われる。

第■族原子導入用の出発物質として具体的には硼素原子
導入用としては、Ｂ２Ｈ，、Ｂ、Ｈよ。、Ｂ５Ｈ０、Ｂ
５Ｈ□１、Ｂ、Ｈ工。、Ｂ６Ｈ□２、Ｂ６Ｈ１４等の水
素化硼素、ＢＦ３、ＢＣｌ３、ＢＢｒ３　等のハロゲン
化硼素等が挙げられる。この他、ＡＩＣｊ１３、ｅａｆ
Ｊ３、Ｇａ　（（Ｈ３）２、工ｎｃ＃３、ＴｌＣｌ３等
も挙げることができる。

第Ｖ疾原子導入用の出発物質として、具体的には燐原子
導入用としてはＰＨ３、Ｐ２１（６等の水素化溝、ＰＨ
４工、ＰＦ３、ＰＦ５、ＰＣｌ３、ＰＣｌｒｓ、ＰＢｒ
３、ＰＢｒ３、Ｐ工３導の・・ロダン化燐が挙げられる
。この他、ＡｓＨ３、ＡｓＦ３、Ａｓ（Ｊ３、ＡｓＢｒ
３、ＡｓＦ５、ＳｂＨ３、ＳｂＦ３、ＳｂＦ５、Ｓ　ｂ
Ｃ１１３、ｓｂｃｇ５、ＢｉＨ３，８１０ｇ３、Ｂ１Ｂ
ｒ３　等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なものと
して挙げることができる。

グロー放電法、ス・ぐツタリング法、あるいはイオンブ
レーティング法により本発明の第一の　。

層を形成する場合、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）に導入する酸素
原子、炭素原子及び窒素原子あるいは第■族原子又は第
■族原子の含有量の制御は、堆積室中に流入される出発
物質のガス流量、ガス流量比を制御することにより行な
われる。

また、第一の層形成時の支持体温度、堆積室内のガス圧
、放電・Ｑワー等の条件は、所望の特性を有する光受容
部材を得るためには重要な要因であシ、形成する層の機
能に考慮をはらって適宜選択されるものである。さらに
、これらの層形成条件は、第一の層に含有せしめる上記
の各原子の種類及び量によっても異なることもあること
から、含有せしめる原子の種類あるいはその量等にも考
慮をはらって決定する必要もある。

具体的には、支持体温度は、通常５０〜３５０’Ｃとす
るが、特に好ましくは５０〜２５０℃とする。

堆積室内のガス圧は、通常０．０１〜Ｉ　Ｔｏｒｒとす
るが、特に好ましくは０．１〜０．５　Ｔｏｒｒとする
。

ｔｉ、放’Ｎ　−Ｑ　ワ−ハ０．００５〜５０　Ｖ７／
ｃＩｒＬ２とするのが通常であるが、より好ましくは０
．０１−３０Ｗ　／、”、特に好ましくは０．０１〜２
０ｗ／ｍ２とする。

しかし、これらの、層形成を行うについての支持体温度
、放電・ξワー、堆積室内のガス圧の具体的条件は、通
常には個々（・て独立しては容易には決め難いものであ
る。したがって、所望の特性の物質層を形成すべく、相
互的且つ有機的関連性（で基づいて、層形成の至適条件
を決めるのが望ましい。

ところで、本発明の第一の層に含有せしめる酸素原子、
炭素原子、窒素原子、第■族原子又は第Ｖ族原子、ある
いは水素原子又は／及びハロゲン原子の分布状態を均一
とするためには、光受容層を形成するに際して、前記の
諸条件を一定に保つことが必要である。

また、本発明において、第一の層の形成の際に、該層中
に含有せしめる酸素原子、炭素原子、窒素原子、あるい
は第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度を層厚方向に変
化させて所望の層厚方向の分布状態を有する第一の層を
形成するには、グロー放電法を用いる場合であれば、酸
素原子、炭素原子、窒素原子あるいは第■族原子又は第
Ｖ族原子導入用の出発物質のガスの１１１に遺室内に導
入する際のガス流量を、所望の変化率に従って適宜変化
させ、その池の条件を一定に保ちつつ形成する。そして
、ガス流量を変化させるには、具体的には、例えば手動
あるいは外部ｊ駆動モータ等の通常用いられている何ら
かの方法によシ、ガス流路系の途中に設けられた所定の
ニーｒルバルプの開口を漸次変化させる操作を行えばよ
い。このとき、流量の変化率は線型である必要はなく、
例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計された変化
率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲線を得る
こともできる。

また、第一の層をスパッタリング法を用いて形成する場
合、酸素原子、炭素原子、窒素原子、あるいは第■族原
子又は第■族原子の層厚方向の分布濃度を層厚方向で変
化させて所望の層厚方向の分布状態を形成するには、グ
ロー放電法を用いた場合と同様に、酸素原子、炭素原子
、窒素原子、あるいは第■崇原子又は第Ｖ族原子導入用
の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室内へ導
入する際のガス流量を所望の変化率に従って変化させる
。

第二の層本発明の光受容部材の第二の層１０３は、上述の第一の
層１０２上に設けられ、自由表面１０４を有する層、す
なわち表面層であって、光受容層の自由表面１０４での
反射をへらし、透過率を増加させる機能、即ち、反射防
止機能を奏するとともに、光受容部材の耐湿性、連続繰
返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境性および耐久性
等の緒特性を向上せしめる機能を奏するものである。

そして、第二の層の形成材料は、それをもってして構成
される層が優れた反射防止機能を奏するとともに、前述
の緒特性を向−ヒせしめる機能を奏するという条件の他
に、光受容部材の光導電性に悪影響を与えないこと、電
子写真特性、例えばある程度以上の抵抗を有すること、
液体現像法を採用する場合には耐溶剤性にすぐれてＡる
こと、即に形成されている第一の層の諸！痔性を低下さ
せないこと等の条件が要求されるものであって、こうし
た諸条件を満たし、有効に使用しうるものとしては、例
えば、ＭｇＦ′２、Ａｇ２ｏ５、ＺｒＯ２、Ｔｉｅ□、
ＺｎＳ、　ＣｅＯ２、Ｃ！ｅＦ３、Ｔａ２０５、Ａｎ’
３、ＮａＦ等の無機弗化物、無機酸化物及び無機硫化物
の中から選ばれる少なくとも一種が挙げられる。

また、反射防止を効率的に達成するには、第二の層の形
成材料として、第二の層の形成材料の屈折率をｎとし、
第二の層が直接積層される第一の層の構成層の屈折率を
１４とした場合、次式：の条件を満たす材料を選択使用することが望ましい。

以下、前述の無機弗化物、無機酸化物及び無機硫化物、
あるいはそれらの混合物の屈折率の例のいくつかを挙げ
るが、これらの屈折率については、作成する層の種類、
条件等により多少変動するものであることはいうまでも
ない。なお、かっこ書きの数字が屈折率を表わしている
。

ＺｒＯ２（２，００）、ＴｉＯ２（２，２６）、ＺｒＯ
２／　Ｔｉ０２＝６／１　（２，０９）、ＴｉＯ２／Ｚ
ｒ０２＝３／　１　（２，２０）、ＧｅＯ２（２，２３
）、ＺｎＳ　（２，２４）、ＡＪ２０３（１，６３）、
Ｃ１３Ｆ３　（１，６０）、ｐ、１２０３／　ＺｒＯ２
＝　１　／　１　（１，６８）、ＭｇＦｚ　（１，３８
）また、更に第二の層の厚さは、第二の層の層さをｄ、第
二の層を構成する材料の屈折率をｎ１照射光の波長をλ
とした場合、次式：ｄ＝−ｍ（出し、ｍは正の奇数）ｎの条件を満たすようにすることが望ましい。具体的には
、露光光の波長が近赤外から可視光の波長域にある場合
、第二の層の層厚は、０．０５〜２μｍとするのが好ま
しい。

該第二の層を形成するについては、本発明の目的を効率
的に達成するために、その層厚を光学的レベルで制御す
る必要があることから、蒸着法、ス・？ツタリング法、
プラズマ気相法、光ＯＶＤ法、熱ＣＶＤ法等が使用され
る。これらの形成方法は、表面層の形成材料の種類、製
造条件、設備資本投下の負荷程度、製造規模等の要因を
考慮して適宜選択されて使用されることはいうまでもな
い。

ところで、操作の容易さ、条件設定の容易さ等の視点か
らして、表面層を形成するについて、前述の無機化合物
が使用される場合ス・（ツタリング法を採用するのがよ
い。即ち、表面層形成用の無機化合物をターゲットとし
て用い、ス・ｑツタリングガスとしてはＡｒガス会用い
、グロー放電を生起せしめて、無機化合物をス、ｅツタ
リングすることによシ、第一の層が形成された支持体上
知、第二の層を堆積する。

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
よシ、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を頒著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに匝めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質
の画像を安定して繰返し得ることができる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例１乃至１１（（従って、より詳細
に説明するが、本発明はこれ等によって限定されるもの
ではない。

各実施例においては、第一の層をグロー放電法を用いて
形成し、第二の層はス、ｅツタリ／グ法を用いて形成し
た。第１６図は本発明の光受容部材の製造装置である。

図中の１６０２．１６０３．１６０４．１６ｏ５．１６
ｏ６のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成するた
めの原料ガスが密封されており、その１列として、たと
えば、１６０２はＳｉＦ、ガス（純度９９．９９９％）
ボンベ、１６ｏ３はＢ２で稀釈されたＢ２Ｈ６ガス（純
度９９．９９９％、以下Ｂ２Ｈ６／　Ｂ２と略す。）ボ
ンベ、１６０４はＯＨ４ガス（純度９９．９９９％）ボ
ンベ、１６０５はＮＨ３ガス（純度９９．９９９％）ボ
ンベ、１６０６は不活性ガス（Ｈｅ　）ボンベである。

そして、１６０６’はＳｎＣ／４が入った密閉容器であ
る。

これらのガスを反応室１６０１に流入させるにはガスボ
ンベ１６０２〜１６０６のｌ署ルブ１６２２〜１６２６
、リークパルプ１６３５が閉じられていることを確認し
又、流入パルプ１６１２〜１６１６、流出パルプ１６１
７〜１６２１、補助ノ考ルブ１６３２．１６３３が開か
れていることを確認して、先ずメイン・考ルブ１６３４
を開いて反応室１６０１　、ガス配管内を排気する。次
に真空Ａｄシリンダー１６３７上に第一の層及び第二の
層を形成する場合の１例を以下に記載する。

まず、ガスボンベ１６ｏ２より８１Ｆ、ガス、ガスボン
ベ１６０３よりＢ２Ｈ６／　Ｂ２ガス、ガスボンベ１６
０４よシＣＨ４ガスの夫々をパルプ１６２２．１６２３
．１６２４を開いて出口圧デージ１６２７．１６２８．
１６２９の圧を１　ｋｇ／ｃｍ”　Ｉｃ調整し、流入パ
ルプ１６１２．１６１３．１６１４を徐々に開けて、マ
スフロコントローラ１６０７．１６０８．１６０９内に
流入される。引き続いて流出バルブ１６１７，１６１８
．１６１９、補助パルプ１６３２を徐々に開いてガスを
反応室１６０１内に流入される。このときのＳｉＦ４ガ
ス流量、ＣＨ。

ガス流量、Ｂ２　Ｈ，／　Ｂ２ガス流量の比が所望の値
になるように流出バルブ１６１７．１６１８．１６１９
を１稠整し、又、反応室１６０１内の圧力が所望の値て
なるように真空計１６３６の読みを見ながらメインパル
プ１６３４の開口を調整する。そして基体シリンダー１
６３７の温度が加熱ヒーター１６３８により５０〜４０
０℃の範囲の温度だ設定されていることを確認された後
、電源１６４０を所望の電力に設定して反応室１６０１
内にグロー放電を生起せしめるとともに、マイクロコン
ピュータ−（図示せず）を用いて、あらかじめ設計され
た流量変化率臓に従って、ＳｉＦ、ガス、ＣＨ，ガス及
びＢ２　Ｈ６／　Ｂ２ガスのガス流量を制御しながら、
基体シリンダー１６３７上に先ず、シリコン原子、炭素
原子及び硼素原子を含有する第一の層を形成する。

前述のようにして第一の層をグロー放電法により形成し
た後、第一の層を形成するのに用いた各原料ガス及び希
釈ガスのパルプを閉じたのち、リークパルプ１６３５を
徐々に開いて堆積装置内を大気圧に戻し、次にアルゴン
ガスを用いて堆積室内を清掃する。

次にカソード電極（図示せず）上に、第二の層形成用の
無機化合物からなるターデッドを一面に張り、リークパ
ルプ１６３５を閉じて堆積装置内を峨圧した後、アルゴ
ンガスを堆積装置内が０．０１５〜Ｑ、０２　Ｔｏｒｒ
程度になるまで導入する。

こうしたところに高周波電力（１５０〜１７０　Ｗ程度
）でグロー放電を生起せしめ、無機化合物をス、ｅツタ
リングして、すでに形成されてｂる第一の層上に第二の
層を堆積する。

試懺例径２朋のＳＵＳステンレス裂剛体真球を用い、前述の第
６図に示した装置を用い、アルミニウノ、合金製シリン
ダー（径ＧＯｆｆｉ罵、長さ２９８　ｒｎ　）の表面を
処理し、凹凸を形成させた。

真球の径Ｒ′、落下高さｈと痕跡窪みの曲率Ｒ１幅りと
の関係を調べたところ、痕跡窪みの曲率Ｒと幅りとは、
真球の径Ｒ′と落下高さｈ等の条件によシ決められるこ
とが確認された。まだ、痕跡窪みのピッチ（痕跡窪みの
密度、また凹凸のピッチ）は、シリンダーの回転速度、
回転数乃至は剛体真球の落下量等を制御して所望のピッ
チに調整することができることが確認された。

実施例１試験例と同様にアルミニウム合金製シリンダーの表面を
処理し、第１Ａ表上欄に示すＤ、及びＰを有するシリン
ダー状Ａｌ支持体（シリンダ一階１０１〜１０６）を得
た。

次に該ＡＩ支持体（シリンダーＮｎ　１０１〜１０６　
）上に、第１６図に示す製造装置により、以下の第１Ｂ
に示す条件で、第一の層を形成し、その後、第二の層の
形成材料としてｚｒＯ２（屈折率２．００　）を用い、
層厚０．２９３μｍの第二の層を形成した。

これらの光受容部材について、第１７図に示す画像露光
装置を用い、波長７８０ｎｍ、スポット径８０μｍのレ
ーザー光を照射して画像露光を行ない、現像、転写を行
なって画像を得た。得られた画像の干渉縞の発生状況は
第１Ａ表下欄に示すとおりであった。

なお、第１７　（ＡＪ図は露光装置の全体を模式的に示
す平面略図であり、第１７　（Ｂ）図は露光装置の全体
を模式的に示す側面略図である。図中、１７０１は光受
容部材、１７０２は一半導体レーザー、１７０３はｆθ
レンズ、１７０４はポリゴンミラーを示している。

次しこ、比較として、従来のダイヤモンｒバイトにより
表面処理されたアルミニウム合金製シリンダー（Ｎｎ１
０７）（径６０＋Ｉ、長さ２９８ａｍ、凹凸ピッチ１０
０μｍ、凹凸の深さ３μｍ）を用いて、前述と同様にし
て光受容部材を作製した。得られた光受容部材を電子顕
微鏡で観察したところ、支持体表面と光受容層の層界面
及び光受容層の表面とは平行をなしていた。この光受容
部材を用いて、前述と同様にして画像形成をおこない、
得られた画像について前述と同様の評価を行なった。そ
の結果は、第１Ａ表下欄に示すとおりであった。

実施例２第２Ｂ表に示す層形成条件に従って第一の層を形成した
以外はすべて実施例１と同様にして、Ａｔ支持体（シリ
ンダーｌＩ＆１１０１〜１０７）上に光受容層を形成し
た。

なお、第一の層中に含有せしめる硼素原子は、Ｂ２　Ｈ
６／　Ｓ　ＩＦ４　＝　１００　ｐｐｍであって、該層
全層について約２００　ｐｐｆｆｌドーピングされてい
るようになるべく導入した。

得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像を形成したところ、得られた画像における干渉縞の発
生状況は、第２Ａ表下欄に示すとおりであった。

実施例３実施例１で用いたｐ、を支持体（シリンダー陽１０５）
上に、第一の層を第３Ａ表に示す層形成条件により形成
した。なお、第一の層に含有せしめる硼素原子は、実施
例２と同じ条件で導入した。また、第一の層形成時にお
けるＢ２　Ｈ６／　Ｈ２ガス及びＨ２がスのガス流量は
、第１８図に示す流量変化曲線に従って、マイクロコン
ピュータ−制御により自動的に調整した。第一の層形成
後、第３Ｂ表上欄に示す第二の層構成材料（３０１〜３
２０）を用いて、第二の層を各々第３Ｂ表下欄に示す層
厚となるようにス・にツタリング法により形成した。

得られた光受容部材（３０１〜３２０）について、実施
例１と同様にして画像形成をおこなった。

得られた画像は、いずれも干渉縞の発生が観察され丁、
そして極めて良質のものであった。

実施例４実施例１のＡｔ支持体（シリンダーＮｃｔ１０５）上に
、第４表に示す層形成条件に従って第一の層を形成した
以外は、すべて実施例３と同様にして光受容層を作成し
た。なお、第一の層形成時におけるＢ２　Ｈ６／　Ｈ２
ガスおよびＨ２ガスの流量は、第１９図に示す流量変化
線に従って、マイクロコンピュータ−制御により自動的
に調整した。また、第一の層中に含有せしめる硼素原子
は実施例２と同じ条件とした。

得られた光受容部材（４０１〜４２０）について、実施
例１と同様にして画像形成をおこなった。

得られた画像は、いずれも干渉縞の発生が観察されず、
そして極めて良質のものであった。

実施例５〜１１実施例１で用いたＡｔ支持体（シリンダー陽１０３〜１
０６）上に、各々、第５〜１１表に示す層形成条件に従
って、第一の層を形成した後、各６第１２表上欄に示す
層構成材料を用い、各々、第１２表下欄に示す層厚の第
二の層をス・Ｑツタリング法により形成した。

なお、実施例７．８．１０および１１において、第一の
層形成時における使用ガスは、各々第加〜お図に示す流
量変化線に従って、マイクロコンピュータ−制御により
自動的に調整した。また、第一の層中に含有せしめる硼
素原子は、各実施例とも、実施例２と同じ条件とした。

これらの光受容部材について、実施例１と同様の方法で
画像形成を行なったところ、実施例１と同様の良好な結
果が得られた。

〔発明の効果の概略〕

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
よシ、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハー７ト−ンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質
の画像を安定して繰返し得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光受容部材の１例を模式的に示した図
であり、第２及び３図は、本発明の光受容部材における
干渉縞の発生の防止の原理を説明するための部分拡大図
であシ、第２図は、支持体表面に球状痕跡窪みによる凹
凸が形成された光受容部材において、干渉縞の発生が防
止しうろことを示す図、第３図は、従来の表面を規則的
に荒した支持体上に光受容層を堆積させた光受容部材に
おいて、干渉縞が発生することを示す図である。第４及
び５図は、本発明の光受容部材の支持体表面の凹凸形状
及び該凹凸形状を作製する方法を説明するための模式図
である。第６図は、本発明の光受容部材の支持体に設け
られる凹凸形状を形成するのに好適な装置の一構成例を
模式的に示す図であって、第６（Ａ）図は正面図、第６
（Ｂ）図は縦断面図である。第７〜１５図は、本発明の光受容部材の第一の層におけ
る第■族原子又は第Ｖ族原子の層厚方向の分布状態を表
わす図であり、各図において、縦軸は第一の層の層厚を
示し、横軸は各原子の分布濃度を表わしている。第１６
図は、本発明の光受容部材の光受容層を製造するための
装置の１例で、グロー放電法による製造装置の模式的説
明図である。第１７図はレーザー光による画像露光装置
を説明する図である。第１８乃至お図は、本発明の光受
容層形成におけるガス流量比の変化状態を示す図であり
、縦軸は第一の層の層厚、横軸は使用ガスのガス流量を
示している。第１乃至第３図について、１００・・・光受容層、１０１・・・支持体、１０２．
２０１．３０１・・・第一の層、１０３．２０２．３０
２・・・第二の層、１０４．２０３．３０３・・・自由
表面、２０４．３０４・・・第一の層と第二の層との界
面第４．５図について、４０１．５０１・・・支持体、４０２．５０２・・・支
持体表面、４０３．５０３．５０３′・・・剛体真球、
４０４．５０４・・・球状痕跡窪み第６図について、６０１・・・シリンダー、６０２・・・回転軸、６０３
・・・駆動手段、６０４・・・落下装置、６０５・・・
剛体真球、６０６・・・ボールフィーダー、６０７・・
・振動機、６０８・・・回収槽、６０９・・・ボール送
り装置、６１０・・・洗浄装置、６１１・・・洗浄液だ
め、６１２・・・洗浄液回収槽、６１３・・・落下口第１６図について、１６０１・・・反応室、１６０２〜１６０６・・・ガス
ボンベ、１６０７〜１６１１・・・マス７０コントロー
ラ、１６１２〜１６１６・・・流入バルブ、１６１７〜
１６２１・・・流出／々ルブ、１６２２〜１６２６・・
・バルブ、１６２７〜１６３１・・・圧力調整器、１６
３２．１６３３・・・補助バルブ、１６３４・・・メイ
ンバルブ、１６３５・・・リークバルブ、１６３６・・
・真空計、１６３７・・・基体シリンダー、１６３８・
・・加熱ヒーター、１６３９・・・モーター、１６４ｏ
・・・高周波電源、第１７図について、１７０１・・・光受容部材、１７ｏ２・・・半導体レー
ザー、１７０３・・・ｆθレンズ、１７０４・・・ポリ
ゴンミラー。Ｉ：］ｒの浄書（内容に変更なし）第６（Ａ）図第７図第８図し □Ｃ第１３図Ｃ □ＣＨ２ガス　　　　　　Ｂ２Ｈ６／Ｈ２ガス第１９図Ｈ２ガス　　　　　　　　　ＢｚＨａ／Ｈｚガス手　続
　補　正　＃！（方式）昭和６０年１１月２０日特許庁長官　宇　賀　道　部　殿１、事件の表示昭和６０年特許願第２２４４６０号２発明の名称住　所　　東京都太田区下丸子３丁目３０番２号名称　
（１００）キャノン株式会社４、代理人住　所　　東京都千代田区麹町３丁目１２番地６麹町グ
リーンビル５、補正命令の日付　　　自　　発６、補正の対象明細書および図面７、補正の内容願書に最初に添付した明細書および図面の浄書・別紙の
とおり（内容に変更なし）以上

Claims

【特許請求の範囲】

（１）支持体上に、シリコン原子を母体とする非晶質材
料で構成された第一の層と、反射防止機能を奏する第二
の層とからなる光受容層を有する光受容部材であつて、
前記支持体表面が、複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状
を有していることを特徴とする光受容部材。
（２）第一の層が、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の
中から選ばれる少くとも一種を含有している、特許請求
の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
（３）第一の層が伝導性を制御する物質を含有している
、特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
（４）第一の層が多層構成である、特許請求の範囲第（
１）項に記載の光受容部材。
（５）第一の層が、伝導性を制御する物質を含有する電
荷注入阻止層を構成層の１つとして有する、特許請求の
範囲第（４）項に記載の光受容部材。
（６）第一の層が、構成層の１つとして障壁層を有する
、特許請求の範囲第（４）項に記載の光受容部材。
（７）第二の層が、無機弗化物、無機酸化物及び無機硫
化物の中から選ばれる少なくとも一種で構成されたもの
である特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
（８）第二の層を構成する物質の屈折率をｎ、照射光の
波長をλとした場合、第二の層の厚さｄが次式：ｄ＝（λ／４ｎ）ｍ（但し、ｍは正の奇数である。）を
満足する特許請求の範囲第（７）項に記載の光受容部材
。
（９）第二の層を構成する物質の屈折率をｎとし、第二
の層と接する第一の層を構成する非晶質材料の屈折率を
ｎ＿ａとした場合、次式：ｎ＝√ｎ＿ａを満足する特許請求の範囲第（７）項に記載の光受容部
材。
（１０）支持体の表面に設けられた複数の凹凸形状が、
同一の曲率の球状痕跡窪みによる凹凸形状である特許請
求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
（１１）支持体の表面に設けられた複数の凹凸形状が、
同一の曲率及び同一の幅の球状痕跡窪みによる凹凸形状
である特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
（１２）支持体の表面の凹凸形状が、支持体表面に複数
の剛体真球を自然落下させて得られた前記剛体真球の痕
跡窪みによる凹凸形状である特許請求の範囲第（１）項
に記載の光受容部材。
（１３）支持体表面の凹凸形状が、ほぼ同一径の剛体真
球をほぼ同一の高さから落下させて得られた剛体真球の
痕跡窪みによる凹凸形状である特許請求の範囲第（１）
項に記載の光受容部材。
（１４）球状痕跡窪みの曲率Ｒと幅Ｄとが、次式：０．
０３５≦Ｄ／Ｒを満足する値である特許請求の範囲第（１）項に記載の
光受容部材。
（１５）球状痕跡窪みの幅が、５００μｍ以下である特
許請求の範囲第（１４）項に記載の光受容部材。
（１６）支持体が、金属体である特許請求の範囲第（１
）項に記載の光受容部材。