JPS6299757A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

〔発明の属する技術分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。 さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。 〔従来技術の説明〕 デノタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ヅタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材−を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、
次いで該潜像を現像するか、更に必要に応じて転写、定
着などの処理を行なう、画像を記録する方法が知られて
おり、中でも電子写真法による画像形成法では、レーザ
ーとして、小型で安価なＨｅ　−Ｎｅレーデ−あるいは
半導体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍ　の発光波
長を有する）を使用して像記録を行なうのが一般的であ
る。 ところで、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写
真用の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が
他の種類の光受容部材と比べて優れているのに加えて、
ビッカース硬度が高く、公害の問題が少ない等の点から
評価され、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開
昭５６−８３７４６号公報にみられるようなシリコン原
子を含む非晶質材料（以後ｒａ−８ｉＪと略記する）か
ら成る光受容部材が注目されている。 しかしながら、前記光受容部材については、光受容層を
単層構成のａ　−３ｉ層とすると、その高光感度を保持
しつつ、電子写真用として要求される１０１２ＱＣＩｒ
Ｌ　　以上の暗抵抗を確保するには、水素原子やハロゲ
ン原子、或いはこれ等に加えてポロン原子とを特定の景
範囲で層中に制御された形で構造的に含有させる必要性
があり、ために層形成に当って各種条件を厳密にコント
ロールすることが要求される等、光受容部材の設計につ
いての許容度に可成りの制限がある。そしてそうした設
計上の許容度の問題をある程度低暗抵抗であっても、そ
の高光感度を有効に利用出来る様にする等して改善する
提案がなされている。即ち、例えば、特開昭５４−１２
１７４３号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭
５７−４１７２号公報にみられるように光受容層を伝導
特性の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光
受容層内部に空乏層を形成したシ、或いは特開昭５７−
５２１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５
８１５９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報
にみられるように支持体と光受容層の間、又は／及び光
受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造としたシし
て、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案されて
いる。 ところがそうした光受容層が多層構造を有する光受容部
材は、各層の層厚にばらつきがあり、これを用いてレー
ザー記録を行う場合、レーザー光が可干渉性の単色光で
あるので、光受容層のレーザー光照射側自由表面、光受
容層を構成する各層及び支持体と光受容層との層界面（
以後、この自由表面及び層界面の両者を併せた意味で「
界面」と称する。）より反射して来る反射光の夫々が干
渉を起してしまうことがしばしばある。 この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の原因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合にちっては
、識別性の著しく劣った陽画像を与えるところとなる。 まだ重要な点として、使用する半導体レーザー光の波長
領域が長波長になるにつれ光受容層に於ける該レーザー
光の吸収が減少してくるので、前記の干渉現象が顕著に
なるという問題がある。 即ち、例えば２若しくはそれ以上の層（多層）構成のも
のであるものにおいては、それらの各層について干渉効
果が起り、それぞれの干渉が相乗的に作用し合って干渉
縞模様を呈するところとなり、それがそのま＼転写部材
に影響し、該部材上に前記干渉縞模様に対応した干渉縞
が転写、定着され可視画像に現出して不良画像をもたら
してしまうといった問題がある。 こうした問題を解消する策として、（ａ）支持体表面を
ダイヤモンド切削して、±５００λ〜±１００００にの
凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５
８−１６２９７５号公報参照）、（ｂ）アルミニウム支
持体表面を黒色アルマイト処理したシ、或いは、樹脂中
にカーピン、着色顔料、染料を分散したすして光吸収層
を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５８４５号公報
参照）、（ｃ）アルεニウム支持体表面を梨地状のアル
マイト処理したり、サンドブラストにより砂目状の微細
凹凸を設けたりして、支持体表面に光散乱反射防止層を
設ける方法（例えば特開昭５７−１６５５４号公報参照
）等が提案されてはいる。 これ等の提案方法は、一応の結果はもたらすものの、画
像上に現出する干渉縞模様を完全に解消するに十分なも
のではない。 即ち、（ａ）の方法については、支持体表面に特定の凹
凸を多数設けていて、それにより光散乱効果による干渉
縞模様の現出゛が一応それなりに防止はされるものの、
光散乱としては依然として正反射光成分が残存するため
、該正反射光による干渉縞模様が残存してしまうことに
加えて、支持体表面での光散乱効果により照射スポット
に拡がりが生じ、実質的な解像度低下をきたしてしまう
。 （ｂ）の方法については、黒色アルマイト処理では、完
全吸収は不可能であり、支持体表面での反射光は残存し
てしまう。まだ、着色顔料分散樹脂層を設ける場合は、
ａ−Ｓｉ層を形成する際、樹脂層よυ脱気現象が生じ、
形成される光受容層の層品質が著しく低下すること、樹
脂層がａ　−Ｓｉ層形成の際のプラズマによってダメー
ジを受けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表面
状態の悪化によるその後のａ　−Ｓｉ層の形成に悪影響
を与えること等の問題点を有する。 （Ｃ）の方法については、例えば入射光についてみれば
光受容層の表面でその一部が反射されて反射光となり、
残りは、光受容層の内部に進入して透過光となる。透過
光は、支持体の表面に於いて、その一部は、光散乱され
て拡散光となり、残りが正反射されて反射光となり、そ
の一部が出射光となって外部に出ては行くが、出射光は
、反射光と干渉する成分であって、いずれにしろ残留す
るため依然として干渉縞模様が完全に消失はしない。 ところで、この場合の干渉を防止するについて、光受容
層内部での多重反射が起らない゛ように、支持体の表面
の拡散性を増加させる試みもあるが、そうしたところで
かえって光受容層内で光が拡散してハレーションを生じ
てしまい結局は解像度が低下してしまう。 特に、多層構成の光受容部材においては、支持体表面を
不規則的に荒しても、第１層表面での反射光、第２層で
の反射光、支持体面での正反射光の夫々が干渉して、光
受容部材の各層厚にしたがった干渉縞模様が生じる。従
って、多層構成の光受容部材においては、支持体表面を
不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止することは
不可能である。 又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上問題がある。加えて、比較的大きな
突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大きな
突起が光受容層の局所的ブレークダウンをもたらしてし
まう。 又、支持体表面を単に規則的に荒したところで、通常、
支持体の表面の凹凸形状に沿って、光受容層が堆積する
だめ、支持体の凹凸の傾斜面と光受容層の凹凸の傾斜面
とが平行になり、その部分では入射光は、明部、暗部を
もたらすところとなり、また、光受容層全体では光受容
層の層厚の不均一性があるだめ明暗の縞模様が現われる
。従って、支持体表面を規則的に荒しただけでは、干渉
縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。 又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、支持体表面での正反射光と、
光受容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面
での反射光による干渉が加わるだめ、一層構成の光受容
部材の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。 〔発明の目的〕 本発明は、主としてａ−８ｉで構成された光受容層を有
する光受容部材について、上述の諸問題を排除し、各種
要求を満たすものにすることを目的とするものである。 すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際
しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されなく、製造管理が容易で
ある、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光受容部
材を提供することにある。 本発明の別の目的は、全可視光域において光感度が高く
、とくに半導体レープ″−とのマツチング性に優れ、且
つ光応答の速い、ａ−３ｉで構成された光受容層を有す
る光受容部材を提供することにある。 本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性及
び高電気的耐圧性を有する、ａ−８ｉで構成された光受
容層を有する光受容部材を提供することにある。 本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い、ａ−
８ｉで構成された光受容層を有する光受容部材を提供す
ることにある。 本発明の更に他の目的は、可干渉性単色光を用いる画像
形成に適し、長期の繰り返し使用にあっても、干渉縞模
様と反転現像時の斑点の現出がなく、且つ画像欠陥や画
像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明
に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得ることのでき
る、ａ−８Ｉで構成された光受容層を有する光受容部材
を提供することにある。 〔発明の構成〕 本発明者らは、従来の光受容部材についての前述の諸問
題を克服して、上述の目的を達成すべく鋭意研究を重ね
た結果、上述する知見を得、該知見に基づいて本発明を
完成するに至づ、ρ。 即ち、本発明は、支持体上に、シリフッ／原子を母体と
する非晶質材料で構成された第一の層と、シリコン原子
と酸素原子とを含有する非晶質材料で構成された第二の
層とからなる光受容層を有する光受容部材であって、前
記支持体の表面が複数の球状痕跡窪みによる両凸形状を
有し、かつ、該球状痕跡窪み内に更に微小な複数の凹凸
形状を有していることを骨子とする光受容部材に関する
。 ところで、本発明者らが鋭意研究を重ねだ結果部た知見
は、概要゛、支持体上に複数の層を有する光受容部材に
おいて、前記支持体表面に、複数の球状痕跡窪みによる
凹凸を設は八がつ）該球状痕跡窪み内に更に微小な複数
の凹凸形状を設けることにより、画像形成時に現われる
干渉縞模様の問題が著しく解消されるというものである
。 この知見は、本発明者らが試みた各種の実験により得た
事実関係に基づくものである。 このところを、理解を容易にするだめ、図面を用いて以
下に説明する。 第１図は、本発明に係る光受容部材１０００層構成を示
す模式図であシ、微小な複数の球状痕跡窪みによる凹凸
形状を有し、かつ、該球状痕跡窪み内に更に微小な複数
の凹凸形状を有する支持体１（用土に、その凹凸の傾斜
面に沿って、第一の層１０２及び第二の層１０３とから
なる光受容層を備えた光受容部材を示している。 第２及び４図は、本発明の光受容部材において干渉縞模
様の問題が解消されるところを説明するだめの図である
。 第３図は、表面を規則的に荒した支持体上に、多層構成
の光受容層を堆積させた従来の光受容部材の一部を拡大
して示した図である。読図において、３０１は第一の層
、３０２は第二の層、３０３は自由表面、３０４は第一
の層と第二の層の界面をそれぞれ示している。第３図に
示すごとく、支持体表面を切削加工等の手段により単に
規則的に荒しただけの場合、通常は、支持体の表面の凹
凸形状に沿って光受容層が形成されるだめ、支持体表面
の凹凸の傾斜面と光受容層の凹凸の傾斜面とが平行関係
をなすところとなる。 このことが原因で、例えば、光受容層が第一の層３０］
と、第二の層３０２との２つの層からなる多層構成のも
のである光受容部材においては、例えば次のような問題
が定常的に惹起される。 即ち、第一の層と第二の層との界面３０４及び自由表面
３０３とが平行関係にあるため、界面３０４での反射光
Ｒ，と自由表面での反射光Ｒ２とは方向が一致し、第二
の層の層厚に応じた干渉縞が生じる。 第２図は、複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を有する
支持体上に、多層構成の光受容層を堆積させた光受容部
材の一部を拡大して示した図である。読図において、２
０１は第一の層、２０２シフ＋第二の層、２０３は自由
表面、２０４は第一の層と第二の層との界面をそれぞれ
示している。第２図に示すごとく、支持体表面に複数の
微小な球状痕跡窪みによる凹凸形状を設けた場合、該支
持体上に設けられる光受容層は、該凹凸形状に沿って堆
積するため、第一の層２０１と第二の層２０２との界面
２０４、及び自由表面２０３は、各々、前記支持体表面
の凹凸形状に沿って、球状痕跡窪みによる凹凸形状に形
成される。界面２０４に形成される球状痕跡窪みの曲率
をＲ１、自由表面に形成される球状痕跡窪みの曲率をＲ
２とすると、Ｒ１とＲ２とはＲ２＼Ｒ２となるため、界
面２０４での反射光と、自由表面２０３での反射光とは
、各々異なる反射角度を有し、即ち、第２図におけるθ
１．θ２がθ１＼θ２であって、方向が異なるうえ、第
２図に示す１．　、６２．ｇ３を用いてｅ、＋ｅｚ　　
ｅｓで表わさｉするところの波長のずれも一定とはなら
ずに変化するだめ、いわゆるニュートンリング現象に相
当するシェアリング干渉が生起し、干渉縞は窪み内で分
散されるところとなる。これにより、こうした光受容部
材を介して現出される画像は、ミクロ的には干渉縞が仮
に現出されていたとしても、それらは視覚にはとられら
れない程度のものとなる。 即ち、かくなる表面形状を有する支持体の使用は、その
上に多層構成の光受容層を形成してなる光受容部材にあ
って、該光受容層を通過した光が、層界面及び支持体表
面で反射し、それらが干渉することにより、形成される
画像が縞模様となることを効率的に防止し、優れた画像
を形成しうる光受容部材を得ることにつながる。 第・１図は、第１図に示す本発明の光受容部材における
支持体表面の一部を拡大した図である。 第４図に示すごとく、本発明の光受容部材における支持
体表面は、球状痕跡窪み４０１内の表面の一部分乃至全
体に、更に微小な凹凸乃至凹凸群４０２が形成されてい
る。この様な更に微／卦な凹凸乃至凹凸群４０２を設け
た場合、第２図を用いて記述したところの干渉防止効果
に加えて、該微小凹凸、１０２による散乱効果がもたら
されて、これにより干渉縞模様の発生がより一層確実に
防止される。 ところで、従来技術においては、前述したごとく、支持
体表面をランダムに荒らすことで乱反射させ、干渉縞模
様の発生を防止していた。 しかし、この様な場合充分な干渉縞模様の発生を防止す
る効果が得られないばかりでなく、画像転写後のクリー
ニングにおいて、例えばグレードを用いてクリーニング
する場合にも問題が生ずる。即ち、光受容層の表面は、
支持体上に設けられた凹凸に沿った凹凸が生ずるため、
プレート°が光受容層の凹凸の凸部に主としてあたり、
クリーニング性が悪く、また、光受容層の凸部とブレー
ド表面の摩耗が犬きくなシ、結果的に両者の耐久性がよ
くなく問題がある。 これに対し、本発明の光受容部材においては、散乱効果
をもたらす微小な凹凸形状が、球状痕跡窪み（凹部）内
に存在するため、クリーニング時において、グレードが
光受容層の凹部に接触するということがなくなシ、グレ
ードや光受容層表面に大きな負荷がかからないという利
点を有している。 さて、本発明の光受容部材の支持体表面に設けられる球
状痕跡窪みによる凹凸形状の曲率、幅、及び該球状痕跡
窪み内の更に微小な凹凸の高さは、こうした本発明の光
受容部材における干渉縞の発生を防止する作用効果を効
率的に得るについて重要である。本発明者らは、各種実
験を重ねた結果以下のところを究明した。 即ち、球状痕跡窪みによる凹凸形状の曲率をＲ１幅をＤ
どした場合、次式： ％式％ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが０．５本以上存在するこ
ととなる。さらに次式：％式％ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが１本以上存在することと
なる。 こうしたことから、光受容部材の全体に発生する干渉縞
を、各々の痕跡窪み内に分散せしめ、光受容部材におけ
る干渉縞の発生を防止するだめには、π■記りを０．０
３５、好ましくは帆０５５以−１とすることが望ましい
。 というのは、ｐが０．５より大きくなると、窪みの幅り
が相対的に大きくなり、画像ムラ等を派生じ易い状況と
なるためである。 また、痕跡窪みによる凹凸の幅りは、大きくとも５００
μｍ程度、好ましくは２００ρｍ以下、より好ましくは
１００μｍ以下とするのが望ましい。Ｄが５００μｍを
超えると、画像ムラを派生しやすくなるとともに、解像
力をこえてしまうおそれがあり、こうした場合には、効
率的な干渉縞防止効果が得られにくくなる。 球状痕跡窪み内に形成される微小凹凸の高さ、即ち、球
状痕跡窪み内の表面粗さｒｒｎ＆Ｘは、０．５〜２０ｐ
ｍ　　の範囲であることが好ましい。ｒｏ。が０．５μ
ｍ以下である場合には散乱効果が十分に得られず、また
、２０μｍ　をこえると、球状痕跡窪みによる凹凸と比
較して、球状痕跡窪み内の微小凹凸が大きくなりすぎ、
痕跡窪みが球状をなさなくなったりして、干渉縞模様の
発生を防止する効果が充分に得られなくなる。また、こ
うした支持体上に設けられる光受容層の不均一性を増長
することともなシ、画像欠陥を生じやすくなるため、好
ましくない。 上述のような特定の表面形状の支持体上に形成される本
発明の光受容部材の光受容層は、第一の層と第二の層と
からなシ、該第−の層は、シリコン原子を母体とするア
モルファス材料、特に好ましくはシリコン原子（Ｓｌ）
と、水素源子（Ｈ）　又はハロケ゛ン原子（Ｘ）の少な
くとも一方を含有するアモルファス材料〔以下、ｒ　ａ
−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）ｊと表記する。〕で構成されておシ
、該第−の層には、さらに伝導性を制御する物質を含有
せしめることか好ましい。そして、該第−の層は多層構
造を有していることもあり、特に好ましくは、前記伝導
性を制御する物質を含有する電荷注入阻止層又は／及び
電気絶縁性材料から成るいわゆる障壁層を構成層の一つ
として有するものである。 また、前記第二の層は、シリコン原子と酸素とを含有す
るアモルファス材料で構成され、特に望ましくは、シリ
コン原子（Ｓｉ）と、酸素原子（０）と、水素原子（Ｈ
）及びハロケ゛ン原子（Ｘ）の少なくともいずれか一方
とを含有するアモルファス材料〔以下、ｒ　ａ　−Ｓ　
ｉ　Ｏ（Ｈ、Ｘ　）　Ｊ　　と表記する。〕で構成され
る。 本発明の光受容部材の光受容層の作成については、本発
明の前述の目的を効率的に達成するために、その層厚を
光学的レベルで正確に制御する必要があることから、グ
ロー放電法、スパッタリング法、イオングレーティング
法等の真空堆積法が通常使用されるが、これらの他、光
ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等を採用することもできる。 以下、図示の実施例にしたが・りて本発明の光受容部材
の具体的内容を説明するが、本発明の光受容部材はそれ
ら実施例によシ限定されるものではない。 第１図は、本発明の光受容部材の層構成を説明するため
に模式的に示しだ図であり、図中、１００は光受容部材
、１０１は支持体、１０２は第一の層、１０３は第二の
層、１０４は自由表面を示している。 支持体 本発明の光受容部材における支持体１０１は、その表面
が光受容部材に要求される解像力よりも微小な凹凸を有
し、しかも該凹凸は、複数の球状痕跡窪みによるもので
あり、かつ、該球状痕跡窪み内には更に微小な複数の凹
凸が形成されているものである。 以下に、本発明の光受容部材における支持体の表面の形
状及びその好適な製造例を、第４及び５図により説明す
るが、本発明の光受容部材における支持体の表面形状及
びその製造法は、これらによって限定されるものではな
い。 第４図は、本発明の光受容部材における支持体の表面の
形状の典型的−例を、その凹凸形状の一部を部分的に拡
大して模式的に示すものである。 第４図において４旧は支持体、４０２は支持体表面、４
０３は球状痕跡窪みによる凹凸形状、４０４は該球状痕
跡窪み内に設けられた更に微小な凹凸形状を示している
。 さらに第４図は、該支持体表面形状を得るのに好ましい
製造方法の１例をも示すものでもあり、４０３′は、表
面に微小な凹凸形状４０４′を有する剛体球を示してお
り、該剛体球４０３′を支持体表面４０２より所定高さ
の位置より自然落下させて支持体表面４０２に衝突させ
ることにより、窪み内に微小な凹凸形状４０４を有する
、球状痕跡窪みによる凹凸形状４０３を形成しうろこと
を示している。そして、ほぼ同一径Ｒ′の剛体球４０３
′を複数個用い、それらを同一の高さｈより、同時ある
いは逐時、落下させることにより、支持体表面４０２に
、はソ同一の曲率Ｒ及びはソ同一の幅りを有する複数の
球状痕跡窪み４０３を形成することができる。 第５図は、前述のごとくして表面に、複数の球状痕跡窪
みによる凹凸形状の形成された支持体のいくつかの典型
例を示すものである。読図において、５０１は支持体、
５ｏ２は支持体表面、５０３は、窪み内に複数の更に微
小な凹凸形状を有する球状痕跡窪み（なお、第５図にお
いては球状痕跡窪み内に形成される更に微小な複数の凹
凸形状は図示してぃ々いが、球状痕跡窪み５０３内には
各々更に微小な凹凸形状を有しているものとする。）、
５０３′は表面に微小な凹凸形状を有する剛体−球（同
様にして、表面の微／」・な凹凸形状は図示していない
が、剛体球の表面には、微小な凹凸形状を有しているも
のとする。）を、それぞれ示している。 第５囚図に示す例では、支持体５０１の表面５０２の異
なる部位に、ほぼ同一の径の複数の球体５０３’　、５
０３’　、・・・をほぼ同一の高さより規則的に落下さ
せてほぼ同一の曲率及びほぼ同一の幅の複数の痕跡窪み
５０３．５０３．・・・　を互いに重複し合うように密
に生じせしめて規則的に凹凸形状を形成したものである
。なおこの場合、互いに重複する窪み５０３　、５０３
　、・・・を形成するには、球体５０３′の支持体表面
５０２への衝突時期が、互いにずれるように球体５０３
’　、　５０３’　、・・・を自然落下せしめる必要の
あることはいうまでもない。 また、第５（Ｂ）図に示す例では、異なる径を有する二
種類の球体５０３’　、　５０３’　、・・・をほぼ同
一の高さ又は異なる高さから落下させて、支持体５０１
の表面５０２に、二種の曲率及び二種の幅の複数の窪み
５０３　、５０３　、・・・を互いに重複し合うように
密に生じせしめて、表面の凹凸の高さが不規則な凹凸を
形成したものである。 更に、第５　（Ｃ）図（支持体表面の正面図および断面
図）に示す例では、支持一体５０１の表面５０２に、ほ
ぼ同一の径の複数の球体５０３’　、　５０３’　、　
−・・をほぼ同一の高さより不規則に落下させ、ほぼ同
一の曲率及び複数種の幅を有する複数の窪み５０３　、
５０３　、・・・を互いに重複し合うように生じせしめ
て、不規則な凹凸を形成したものである。 以上のように、本発明の光受容部材の支持体の表面に球
状痕跡窪みによる凹凸形状を形成せしめ、かつ、該球状
痕跡窪み内に更に微小な複数の凹凸形状を形成せしめる
については、表面に微小な凹凸形状を有する剛体球を支
持体表面に落下させる方法が、好ましい例として挙げら
れるが、この場合、剛体球の径、落下させる高さ、剛体
球と支持体表面の硬度、剛体球の表面の凹凸の形状及び
大きさ、あるいは落下せしめる剛体球の量等の諸条件を
適宜選択することにより、支持体表面に所望の平均曲率
及び平均幅を有する球状痕跡窪み、あるいは該球状痕跡
窪み内に所望の大きさ及び形状の凹凸を、所定の密度で
形成することができる。即ち、上記諸条件を選択するこ
とにより、支持体表面に形成される凹凸形状の凹凸の高
さや凹凸のピッチ、あるいは凹凸形状の凹部に形成され
る更に微小な凹凸形状の凹凸の高さや凹凸のピッチ等を
、目的に応じて自在に調節することが可能であり、所望
の凹凸形状を有する支持体を得ることができる。 そして、光受容部材の支持体を凹凸形状表面のものにす
るについて、旋盤、フライス盤等を用いたダイヤモンド
バイトにより切削加工して作成する方法の提案がなされ
ていてそれなりに有効な方法ではあるが、該方法にあっ
ては切削油の使用、切削によシネ可避的に生ずる切粉の
除去、切削面に残存してしまう切削油の除去が不可欠で
あり、結局は加工処理が煩雑であって効率のよくない等
の問題を伴うところ、本発明にあっては、支持体の凹凸
表面形状を前述したように球状痕跡窪みにより形成する
ことから上述の問題は全くなくして所望の凹凸形状表面
の支持体を効率的且つ簡便に作成できる。 本発明に用いる支持体１０１は、導電性のものでちって
も、また電気絶縁性のものであってもよい。導電性支持
体としては、例えば、Ｎ１Ｃｒ、スデンレス、ｋｅ　、
Ｃｒ　、Ｍｏ　、Ａｕ　、Ｎｂ　、Ｔａ　、Ｖ　、　Ｔ
ｉ、　ｐｉ　、　ｐｌ）等の金属又はこれ等の合金が挙
げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等の
電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面を導電処理し、該導電処理された表面側に光受容層を
設けるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮＩｃｒ。 Ａｄ　、Ｃｒ　、Ｍｏ　、Ａｕ　、　Ｉｒ　、Ｎｂ　、
Ｔａ　、Ｖ、Ｔｉ　、Ｐｊ　。 Ｐｄ　、　Ｉｎ、Ｏ，、ＳｎＯ２，ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３
＋５ｎ０２）等から成る薄膜を設けることによって導電
性を付与し、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂
フィルムチあれば、ＮｌＣｒ　、Ａｄ　、　Ａｇ　、　
Ｐｂ　、　Ｚｎ　、Ｎ１゜Ａｕ　、Ｃｒ　＋Ｍｏ　、　
Ｉｒ　、Ｎｂ　、Ｔａ　、Ｖ、ＴＶ　、ＰＬ等の金属の
薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、ス・Ｐツタリング等
でその表面に設け、又は前記金属でその表面をラミネー
ト処理して、その表面に導電性を付与する。支持体の形
状は、円筒状、ベルト状、板状等任意の形状であること
ができるが、用途、所望によって、その形状は適宜に決
めることのできるものである。例えば、第１図の光受容
部材１００を電子写真用像形成部材として使用するので
あれば、連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円
筒状とするのが望ましい。支持体の厚さは、所望通りの
光受容部材を形成しうる様に適宜決定するが、光受容部
材として可撓性が要求される場合には、支持体としての
機能が充分発揮される範囲内で可能な限り薄くすること
ができる。しかしながら、支持体の製造上及び取扱い上
、機械的強度等の点から、通常は、ｌＯμ以上とされる
。 次に、本発明の光受容部材を電子写真用の光受容部材と
して用いる場合について、その支持体表面の製造装置の
１例を第６（Ａ）図及び第６ａ３）図を用いて説明する
が、本発明はこれによって限定されるものではない。 電子写真用像形成部材の支持体としては、アルミニウム
合金等に通常の押出加工を施して、ボートホール管ある
いはマンドレル管とし、更に引抜加工して得られる引抜
管に、必要に応じて熱処理や調質等の処理を施した円筒
状（シリンダー状）基体を用い、該円筒状基体に第６（
〜、（坊図に示した製造装置を用いて、支持体表面に凹
凸形状を形成せしめる。 支持体表面に前述のような凹凸形状を形成するについて
用いる球体としては、例えばステンレス、アルミニウム
、鋼鉄、ニッケル、真鍮等の金属、セラミック、プラス
チック等の各種剛体球を挙げることができ、とりわけ耐
久性及び低コスト化等の理由により、ステンレス及び鋼
鉄の剛体球が望ましい。そしてそうした剛体球の硬度は
、支持体の硬度よりも高くても、あるいは低くてもよい
が、球体を繰返し使用する場合には、支持体の硬度より
も高いものであることが望ましい。 本発明の支持体表面に前述のごとき特定形状を形成する
には、上述のような各種剛体球の表面に凹凸を有するも
のを防用する必要があり、こうした表面に凹凸を有する
剛体球は、例えばエンボス、波付は等の塑性加工処理を
応用する方法、地荒し法（梨地法）等の粗面化方法など
、機械的処理により凹凸を形成する方法、酸やアルカリ
による食刻処理等化学的法により凹凸を形成する方法な
どを用いて剛体球を処理することにより作製することが
できる。また更にこの様に凹凸を形成した剛体球表面に
、電解研摩、化学研摩、仕上研摩等、又は陽極酸化皮膜
形成、化成皮膜形成、めっき、はうろう、塗装、蒸着嘆
形成、ＣＶＤ法による膜形成などの表面処理を施して凹
凸形状（高さ）、硬度などを適宜調整することができる
。 第６　（Ａｔ　、　（Ｂ）図１は、製造装置の一例を説
明するための模式的な断面図である。 図中、６０１は支持体作成用のアルミニウムシリンダー
であり、該シリンダー６０１は、予め表面を適宜の平滑
度に仕上げられていてもよい。 シリンダー６０１は、回転軸６０２に軸支されており、
モーター等の適宜の駆動手段６０３で駆動され、ほぼ軸
芯のまわりで回転可能にされている。 ６０４は、軸受６０２に軸支され、シリンダー６０１と
同一の方向に回転する回転容器であり、該容器６０４の
内部には、表面に凹凸形状を有する多数の剛体球６０５
が収容されている。剛体球６０５は、回転容器６０４の
内壁に設けられている突出した複数のリブ６０６によっ
て担持され、且つ、回転容器６０４の回転によって容器
上部まで輸送される。回１耘容器の回転速度がある適度
の速度の時に、容器壁について容器上部まで輸送された
剛体球６０５ば、シリンダー６０１上に向は落下し、シ
リンダー表面に伸ｉ突１７、表面に痕跡窪みを形成する
。 なお、回転容器６０４の壁に均一に孔を９″っておき、
回転時に容器６０４の外部に設けたシャワー管６０７よ
り洗浄液を噴射するようにし、シリンダー６０１と剛体
球６０５及び回転容器６０４を洗浄しうるＦ１２にする
こともできる。このようにした場合、剛体球どうし、又
は剛体球と回転容器との接触等により生ずる静電気によ
って付青したゴミ等を、回転容器６０４外へ洗い出すこ
ととなり、ゴミ等の付量がない所望の支持体を形成する
ことかでｈ液の乾燥むらや液だ れのないものを用いる必要があり、こうしたことから不
揮発性物質単独、又はトリクロルエタン、トリクロルエ
チレン等の洗浄液との混合物を用いるのが好ましい。 第一の層 本発明の光受容部材１００においては、前述の支持体１
０１上に第一の層１０２を有するものであり、該第−の
層は、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され。 必要に応じて伝導性を制御する物質を含有せしめること
ができる。そして、該第−の層は多層構造を負している
こともあシ、特に好ましくは、前記伝導性を制御する物
質を含有する電荷阻止層又は／及び電気絶縁性材料から
なるいわゆる障壁層を構成層の一つとして有するもので
ある。 第一の層中に含有せしめるハロゲン原子（Ｘ）としては
、具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、
特にフッ素、塩素を好適なものとして挙げることができ
る。そして、第一の層１０２中に含有される水素原子（
Ｈ）の量又はノ１０ゲン原子（Ｘ）のな又は水素原子と
ノ・ロゲン原子の訃の和（Ｉ（＋Ｘ）は通常の場合１〜
４０　ａｔｏｍｉｃ％、好適には５〜３０ａｔｏｍｉｃ
％とされるのが望ましい。 また、本発明の光受容部材において、第一の層の層厚は
、本発明の目的を効率的に達成するには重要な要因の１
つであって、光受容部材に所望の特性が与えられるよう
に、光受容部材の設計の際には充分な注意を払う必要が
あり、通常は１〜１００μとするが、好ましくは１〜８
０μ、より好ましくは２〜５０μとする。 本発明の光受容部材においては第一の層に伝導性を制御
する物質を、全層領域又は一部の層領域に均−又は不均
一な分布状態で含有せしめることができる。 前記伝導性を制御する物質としては、半導体分野におい
ていういわゆる不純物を挙げることができ、Ｐ型伝導性
を与える周期律表第■族に＋、：１する原子（以下単に
「第■族原子」と称す。）、又は、ｎ型伝導性を与える
周期律表第Ｖ族に属する原子（以Ｆ単に「第■族原子」
と称す。）が使用される。具体的には、第■族原子とし
ては、Ｂ（イｊｉｌｌ素）、／ｌ　（アルミニウム）、
（ｌａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔｌ　（タ
リウム）等を猶げることができるが、特に好ましいもの
は、１３．Ｇａである。また第Ｖ族原子としてはＰ（、
）、Ａ？）、Ａｓ　（砒素）、Ｓｈ（アンチモン）、Ｂ
１（ビスマン）等を挙げることができるか、特に好まし
いものは、ｐ、　ｓｂである。 本発明の第一の層に伝導性を制御する物質である第■族
原子又は第Ｖ族原子を含有せしめる場合、全層領域に含
有せしめるか、あるいは一部の層領域に含有せしめるか
は、後述するように目的とするところ乃至１す１侍する
作用効果によって異なり、含有せしめる１ｉ′も異なる
ところとなる。 すなわち、第一の層の伝導型又は／及び伝導率を制御す
ることを主たる目的にする場合には、第一の層の全層領
域中に含有せしめ、この場合、第■族原子又は第Ｖ族原
子の含有量は比較的わずかでよく、通常はｌＸｌ０’〜
Ｉ　Ｘ　ＩＱ３ａｔｏｍｉｃｐｐｍであり、好ましくば
５×１０−２〜５Ｘ１０２ａｔｏｍｉｃ　Ｉ）Ｉ）ｍ１
最適にはＩ　Ｘ　１０　’〜２Ｘ１０”ａｔｏｍｉｃｐ
ｐｍである。 また、支持体と接する一部の層；１域に第１１１　疾原
子又は第■族原子を均一な分布状態で含有せしめるか、
ある、いは層厚方向における第■族原子又は第Ｖ族原子
の分布濃度が、支持体と接する側において高濃度となる
ように含有せしめる場合には、こうした第■族原子又は
第Ｖ族原子を含有する構成層あるいは第■族原子又は第
■族１！１１子を高濃度に含有する層領域は、電荷注入
阻止ノ缶として機能するところとなる。即ち、第■族原
子を含有せしめた場合には、光受容層の自由表面が■極
性に帯電処理を受けた際に、支持体側から光受容層中へ
注入される電子の移動をより効率的に阻止することがで
き、又、第■族原子を含有せしめた場合には、光受容層
の自由表面がＯ極性に帯電処理を受けた際に、支持体側
から光受容層中へ注入される正孔の移動をより効率的に
阻止することができる。そして、こうした場合の含有州
は比較的多１ｔであって、４体的には、３０〜５　Ｘ　
１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、好ましくは５０〜１　
ｘｌＯ’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最適には１×１０２
〜５　Ｘ　１０３ａ　＋ｏｍｉ　ｃ　ｐｐｍとする。さ
らに、該電荷注入阻！Ｅ層としての効果を効率的に奏す
るためには、第■族原子又は第Ｖ族原子を含有する支持
体側の端部に設けられる層又は層領域の層厚をｔとし、
光受容層の層厚をＴとした場合、＋／Ｔ≦０．４の関係
が成立することが望ましく、よ）好ましくは該関係式の
値が０．３５以下、最適には０．３以下となるようにす
るのが望ましい。 また、該層又は層領域の層厚ｔは、一般的には３Ｘ１０
’〜１０μとするが、好ましくは４Ｘ］、Ｏ’〜８μ、
最適には５Ｘ１０−３〜５μとするのが望ましい。 次に第一の層に含有せしめる第■族原子又は第■族原子
のＥｆ土が、支持体側においては比較的多計であって、
支持体側から第二の層側に向って減少し、第二の層との
界面付近においては、比較的少量となるかあるいは実質
的にゼロに近くなるように第■族原子又は第■族原子を
分布させる場合の典型的例のいくつかを、第７図乃至第
１５図によって説明するが、本発明はこれらの例によっ
て限定されるものではない。各因において、横軸は第■
族原子又は第■族原子の分布濃度Ｃを、縦軸は第一の層
の層厚を示し、ｔＢは支持体と第一の層との界面位置を
、１Ｔは第一の層と第二の層との界面位置を示す。 第７図は、第一の層中に含有せしめる第１族原子又は第
■族原子の層厚方向の分布状態の第一の典型例を示して
いる。該層では、第１１［族原子又は第■族原子を含有
する第一の層と支持体表面とが接する界面位置ｔＢより
位置ｔ１までは、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度
ＣがＣ１なる一定値をとり、位置ｔ、より第二の層との
界面位置１Ｔまでは、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布
濃度Ｃが濃度Ｃ２から連続的に減少し、界面位置１Ｔに
おいては第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃが０３
となる・ 第８図は、他の典型例の１つを示している。 該層では、第一の層に含有せしめる第■族原子又は第■
族原子の分布濃度Ｃは、位置ｔＢから位置ＩＴにいたる
まで、濃度Ｃ４から連続的に減少し、位置１Ｔにおいて
濃度Ｃ３となる。 第９図に示す例では、位置ＩＢから位置

【２までは第１
族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃが濃度Ｃ０なる一定
値を保ち、位置ｔ２から位置【Ｔにいたるまでは、第凹
族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ７から徐々
に連続的に減少して位置１Ｔにおいては第■族原子又は
第Ｖ族原子の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。但し、
ここで実質的にゼロとは、検出限界量未満の場合をいう
。 第１０図に示す例では、第■族原子又は第■族原子の分
布濃度Ｃは位置ｔＢよυ位置ｔ７にいたるまで、濃度Ｃ
６から連続的に徐々に減少し、位置ｔＴにおいては第■
族原子又は第■族原子の分布濃度Ｃは実質的にゼロとな
る。 第１１図に示す例では、第■族原子又は第Ｖ族原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢより位置ｔ、の間においては濃度
Ｃ０の一定値にあり、位置ｔ３から位置ｔＴの間におい
ては、濃度Ｃ０から濃度Ｃ１ｏとなるまで、−次間数的
に減少する。 第１２図に示す例では、第１６１’ｌｉ子又は第■族原
子の分布濃度Ｃは、位置ＩＢより位置【４にいたるまで
は濃度ＣＩ＋の一定値にあり、位置ｔ４より位置ＩＴま
では濃度Ｃ３２から濃度ＣＩ３となるまで一次関数的に
減少する。 第１３図に示す例においては、第■族原子又は第Ｖ族原
子の分布濃度Ｃは、位置ｔＢから位置ＩＴにいたるまで
、濃度Ｃ１４から実質的にゼロとなるまで一次関数的に
減少する。 第１４図に示す例では、第■族原子又は第■族原子の分
布濃度Ｃは、位置ＩＢから位置ｔ、にめたるまで濃度Ｃ
１，から濃度ＣＩ６　となるまで−次関数的に減／νし
、位置ｔ５から位ｉ％、？ｔ７圭では〆農度Ｃ１６の一
定（直を１呆つ。 最後に、第１５図に示す例では、第１族原子又は第Ｖ族
原子の分布イ農度Ｃは、位置【Ｂにおいて濃度Ｃ３７で
あり、位置ｔＢから位置ｔ６までは濃度Ｃ１□からはじ
めはゆっくり減少して、位置ｔ６付近では急激に減少し
、位置ｔ６では濃度Ｃ＋ｇとなる。次に、位置ｔ６から
位置ｔ７までははじめのうちは急激に詠）νし、その後
は緩かに徐々に減少し、位置ｔ７においては濃度ＣＩ９
となる。更に位置１７と位置ｔ８の間では極めてゆつく
シと徐々に減少し、位置ｔ８において濃度Ｃ２０となる
。また央に、位置ｔ、から位置ＩＴにいたるまでは、濃
度Ｃ２０から実質的にゼロとなるまで徐々に減少する。 第７図〜第１５図に示した例のごとく、第一の層の支持
体側に近い側に第■族原子又は第Ｖ族ｊ、Ｈ’、ｉ子の
分布ｌ農度Ｃの高す部分を有し、第二の層との界面側に
おいては、該分布濃度Ｃがかなり低い濃度の部分あるい
は実質的にゼロに近い濃度の部分を有する場合にあって
は、支持体側に近い部分に第１族原子又は第Ｖ族原子の
分布濃度が比（数的高濃度である局在領域を設けること
、好ましくは該局在領域を支持体表面と接触する界面位
置から５μ以内に設けることにより、第■族原子又は第
Ｖ族原子の分布濃度が高濃肛である胤：領域が電荷注入
阻止層を形成するという前述の作用効果がより一層効率
的に奏される。 以上、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布状１塵について
、個々に各々の作用効果を記述したが。 所望の目的を達成しうる特性を有する光受容部材を得る
については、これらの第■族原子又は第Ｖ族原子の分布
状態および第一の層に含有せしめる第■族原子又は第■
族原子の量を、必要に応じて適宜組み合わせて用いるも
のであることは、いうまでもない。例えば、第一の層の
支持体側の端部に電荷注入阻止層を設けた場合、電荷注
入阻止層以外の第一の層中に、電荷注入阻止層に含有せ
しめた伝梯性を制御する物質の極性とは別の極性の伝等
性を制御する物質を含イｔせしめてもよく、あるいは、
同極性の伝偉性をＩｌｌ　Ｊ’する肉質を、電荷注入阻
止層に含有される：１；、よりも一段と少ない：Ｉ：に
して含（丁せしめてもよい。 さらに、本発明の光受容部材においては、支持体側の端
部に設ける構成層として、電荷注入１ｉ１１　＋）一層
の代わりに、電気絶縁性材料から成るいわゆる１！ｌ’
：’ｉ壁層を設けることもでき、あるいは１、ｉ４１−
ｓ：’ｚ　Ｉ：、’ｊ層と電荷注入阻止層との両方を構
成層とすることもできる。こうした障壁層を構成する祠
イ［としては、Ａｌ２Ｏ３、Ｓ　＋　Ｏｚ、ＳｉＮ、等
の無機電気）色像材料やポリカーボネート等の有機電気
絶縁材料を挙げることができる。 第二の層 本発明の光受容部材の第二の層１０３は、上述の第一の
層１０２上に、役けられ、自由表面１０・１をイ１゛す
る層、すなわち表面層であり、酸素原子を均一な分布状
態で含有するａ−８ｉ　（Ｈ、Ｘ）　Ｃ即ち、ａ−８ｉ
ｎ（ＩＩ、　Ｘ’）　）で＋１１１）成されている。 本発明の光′Ｕ容部材に第二の層１０３を１投ける目的
は、耐湿ｉ／シ、連続繰返し使用時ヰ、電気的１耐圧性
、使用環境特性、および耐久性等を向上させることにあ
り、これらの目的は、第二の層を構成するアモルファス
材料に、酸素原子を含有せしめることにより達成される
。 又、本発明の光受容部材においては、第一の層１０２と
第二の層１０３を構成するアモルファス材料の各々が、
シリコン原子という共通した構成原子を灯しているので
、第一の層ｉｏ２と第二の層１０３との界面において化
学的安定性が確保できる。 第二の層１０３中には、酸素原子を均一な分布状態で含
有せしめるものであるが、酸素原子の含有せしめる量の
増加に伴って、前述の緒特性は向上する。しかし、多す
ぎると層品質が低下し、電気的および機械的特性も低下
する。こうしたことから、酸素原子の量は、通常０．０
０１〜９Ｑ　ａｔｏｍｉｃ％、好ましくは１−９Ｑ　ａ
ＬＯｒｎｌｃ％、最適には１０〜８Ｑ　ａｔｏｍｉｃ％
　とする。 第二の層にも水素原子又はハロゲン原子の少なくともい
ずれか一方を含有せしめることが望ましく、第二の層中
に含有せしめる水素原子（Ｉ−１’）の）ｄ′、父はハ
ロゲン１０　Ｆ　（Ｘ）の量、あるいは水素１１）１子
とハロゲン原子の計の和（Ｈ＋Ｘ）は、通常１〜４Ｑ　
ａｔｏｍｉｃ％、好ましくは５〜３Ｑ　ａｔｏｍｉｃ％
、最適には５〜２５　ａｔｏｍｉｃ％とする。 第二の層１０３は、所望通りの特性が得、られるように
注意深く形成する必要がある。即ち、シリコン原子、お
よび酸素原子、あるいはさらに、水素原子又は／及びハ
ロゲン原子を構成原子とする物質は、各構成原子の含有
ｌやその他の作成条件によって、形態は結晶状態から非
晶質状態までをとり、電気的物性は導電性から、半導電
性、絶縁性までを、さらに光電的性質は光導電的性質か
ら非光導電的性質までを、各々示すため、目的に応じた
所望の特性を有する第二の層１０３を形成しうるように
、各構成原子の含有′８ｊトや作成条件等を選ぶことが
重要である。 例えば、第二の層１０３を電気的耐圧性の向上を主たる
目的として設ける場合には、第二０層１０３を構成する
非晶質材料は、使用条件下において電気絶縁的挙動の顕
著なものとして形成する。又、第二の層１０３を連続繰
返し使用時［生や使用環境特性の向上を主たる目的とし
て設ける場合には、第二の層１０３を構成する非晶質材
料は、前述の電気的絶縁性の度合はある程度援ｐＨする
が、照射する光に対しである程度の感度を有するものと
して形成する。 また、本発明において、第二の層の層厚も本発明の目的
を効率的に達成するための重要彦要因の１つであり２、
所期の目的に応じて適宜決定されるものであるが、該層
に含有せしめる酸素原子、ハロゲン原子、水素原子の量
、あるいは第二の層に要求される特性に応じて相互的か
つ有機的関連性の下に決定する必要がある。更に、生産
性や量産性をも加味した経済性の点においても考慮する
必要もある。こうしたことから、第二の層の層厚は通常
は３　Ｘ　１０　’〜３０μとするが、より好ましくは
４Ｘ１０−３〜２０μ、特に好好ましくは５　Ｘ　１０
　’〜１０μとする。 本発明の光受容部材は前記のごとき層構成とした、二と
により、前言己したアモルファスシリコンで構成された
光受容層を有する光受容部材の１渚問題の総てを解決で
き、特に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源と
して用いた場合にも、干渉現象による形成画像における
千渉縞嘆（玉の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可
視画法を形成することができる。 また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、〕１−７トーンが群間に出て、且つ解像度の高い高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。 次に、本発明の光受容層の形成方法について説明する。 本発明の光受容層を構成する非晶質材料はいずれもグロ
ー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって行わ
れる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負
荷程度、製造規模、作製される光受容部材に所望される
特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所
望の特性を有する光受容部材を製造するに当っての条件
の制す卸が比較的容易であり、シリコン原子と共に炭素
原子及び水素原子の導入を容易に行い得る等のことから
して、グロー放電法或いはスパッタリング法が好適であ
る。 そして、グロー放電法とスパッタリングｔノことを同一
装置系内で併用して形成してもよい。 例えば、グロー放電法によって、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で
構成される層を形成するには、基本的にはシリコン原子
（Ｓｉ　）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと共に、
水素ｎ；）子（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン原子（
Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆ｆｊｊ
室内に導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、
予め所定位置に設置した所定の支持体表面上にａ−８ｉ
（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成する。 前記Ｓ１供給用の原料ガスとしては、ＳｉＨ，、Ｓｌ。 Ｈ６，５Ｉ３Ｈ８、Ｓｉ４＋１．。等のガス状態の又は
ガス化し得る水素化硅素（Ｌ／シラン類が挙げられ、特
に、層形成作業のし易さ、Ｓ１供給効率の良さ等の点で
、Ｓ＋ＬＩ４　、Ｓ＋□ＩＩ、が好ましい。 また、前記ハロゲン原子導入用の原料ガスとしては、多
くのハロゲン化合物が挙げられ、例エバハロゲンガス、
ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換され
たりラン誘導体等のｆ１ス状態の又はガス化しうるハロ
ゲン化合物が好ましい。具体的にはフッ素、塩素、臭素
、ヨウ素のハコデンガス、ＢｒＦ、　ＣＩＦ％ＣｌＦ３
、Ｂ　ｒ　Ｐ−、、ＢｒＦ３、ＩＦ７、ＩＣ４ｆＢｒ等
のハロゲン間化合’Ｈａ、お、上びＳｉＦ、、　　５ｉ
２Ｆ、１、Ｓ　＋　ｃ１４．　Ｂ　＋　Ｂ　ｒ＋等の７
、ロゲフ化硅素等が挙げられる。上述のごときハ？＋− コゲン冒、素のガス状態の又はガス化しうるものを用い
る場合には、Ｓ１供給用の原料ガスを別途使用すること
なくして、ハロゲン原子を含有するａ　−Ｓ　ｉで構成
された層が形成できるので、特に有効である。 また、前記水素原子供給用の原料ガスとしては、水素ガ
ス、Ｉ−ＩＰ、　ＨＣｌ、　ＨＢｒ、ＨＩ等のハロゲン
化物、５ｉｔ（４，Ｓ−（、，５１３Ｉ−Ｈ８、Ｓ　ｌ
　４　ＨＩｏ　　等の水素化１ｉ１素、あるいは５ＩＩ
Ｉ２Ｆ２．５ｉＨ２Ｉ、、、５ｉＨ２（Ｊ？ｚ、Ｓ　＋
　ＨＣｌ３、Ｓ　＋　Ｈ２Ｂ　ｒ　２．５ｉＨＢｒ３等
のハロゲン置換水素化硅素等のガス状態の又はガス化し
うるものを用いることができ、これらの原料ガスを用い
た場合には、電気的あるいは光電的特性の制御という点
で極めて有効であるところの水素原子（１−（）の含有
量の制御を容易に行うことができるため、有効である。 そして、前記ハロゲン化水素又は前記ハロゲン置換水素
化硅素を用いた場合にはハロゲン原子の導入と同時に水
素原子（Ｈ）も導入されるので、特に有効である。 また、ａ−８ｉ層中に含有せしめる水素原子（Ｈ）又は
／及びハロゲン原子（Ｘ）の晴の制御は、例えば支持体
温度、水素原子（■１）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）
を導入するために用いる出発物質の堆積室内へ導入する
１１、放電電力等を制御することによって行われる。 反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依ってａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成するには、
例えばスパッタリング法の場合には、ハロゲン原子を導
入するについては、前記のハロゲン化合物又は前記のハ
ロゲン原子を含む硅素化合物のが必珀債室中に導入して
該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやればよい。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２或いは前記したシラン類等のガス
をスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプラ
ズマ雰囲気を形成してやればよい。 例えば、反応スパッタリング法の場合には、Ｓ１ターゲ
ツトを使用し、ハロゲン原子心入用のガス及びＨ２ガス
を必要に応じてＨｅ、Ａｒ等の不活性ガスも含めて堆積
室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記Ｓ１ター
ゲツトをスパッタリングすることによって、支持体上に
ａ　−Ｓ　ｉ（Ｈ、（イ）から成る層を形成する。 グロー放電法、スパッタリング法、あるいはイオンブレ
ーティング法を用いて、ａ　−Ｓ　ｉ　（Ｈ，Ｘ）に第
■族原子又は第Ｖ族原子を含有せしめた非晶質材料で構
成された層を形成するには、ａ−８ｉ（■■、Ｘ）の層
の形成の際に、第■族原子又は第■族原子導入用の出発
物質、窒素原子導入用の出発物質、酸素原子導入用の出
発物質、あるいは炭素原子導入用の出発物質を、前述し
たａ　−Ｓ　ｉ（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質と共に使用
して、形成する層中へのそれらの量を制御卸しながら含
有せしめてやることによって行なう。 例えば、グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオ
ンブレーティング法を用いて、第■族原子又は第■族原
子を含有するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される層又は層
饋域を形成するには、上述のａ−８Ｉ（ＩＩ、Ｘ）で構
成され、６層の形成の：ηに、第１俟原子又は第■族原
子導入用の出発物質を、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）形成用の出
発物質とともに使用して、Ｊし成する層中へのそれらの
量を制御しながら含有せしめることによって行なう。 第■族原子心人用の出発物質として具体的には硼素原子
導入用としては、Ｂ、、Ｈ，、Ｂ　、Ｈ、ｏ、Ｂ５Ｈｇ
、Ｂ、Ｈ，、、Ｂ　、Ｈ、。、Ｂ、Ｈ，２、ｆ３　、Ｈ
、、等の水素化イノ１１素、ＰＦ３、ＢＣｌ３、ＢＢｒ
３等のハロゲン化硼素等が挙げられる。コノ他、Ａｌｃ
ｌｌ、ＧａＣｌ３、Ｇａ　（ＣＨ３）　２、ＩｎＣ４’
３、ＴｌＣｌ３等も挙げることができる。 第■族原子導入用の出発物質として、具体的には燐原子
導入用としてはＰＪ（３、Ｐ２Ｎ２等の水素化膜、ＰＨ
，Ｉ、ＰＦ３、ＰＦ、、ＰＣｌ３、ＰＣｌ、、ＰＢ　ｒ
　３、ＰＢ　ｒｓ、ＰＨ７等のハロゲン比隣が挙げられ
る。この他、Ａｓ　Ｈ３、ＡｓＦ３、ＡｓＣｌ２、Ａｓ
Ｂｒ３、ＡｓＦ７、ＳｂＨ３、ＳｂＦ３、Ｓ　ｂ　Ｉ”
　、、ｓ　ｂ　ｃ４３．５ｂＣｌ、、ＢｉＨ，、Ｂ　ｉ
　Ｃｌ、、Ｂ１Ｂｒ、等も第Ｖ族原子導入用の出発物質
の有効なものとして挙げることができる。 酸素原子を含有するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第
二の層を形成するのにグロー放電法を用いる場合には、
前記した光受容層形成用の出発物質の中から所望に従っ
て選択されたものに酸素原子導入用の出発物質が加えら
れる。その様な酸素原子導入用の出発物質としては、少
なくとも酸素原子を構成原子とするガス状の物質又はガ
ス化し得る物質であればほとんどのものが使用できる。 例えばシリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料ガス
と、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと°、必
要に応じて水素原子（Ｉ（）又は／及びハロゲン原子（
Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合
して使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｌ）を構成原
子とする原料ガスと、酸素原子（０）及び水素原子（Ｈ
）を構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合
比で混合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｌ）を構成
原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｌ）、酸素原
子（０）及び水素原子（Ｈ）の３つを構成原子とする原
料ガスとを混合して使用することができる。 又、別には、シリコン原子（Ｓｉ　）と水素原子（ｊ−
１）とを構成原子とする原料ガスに酸素原子（ｑを構成
原子とする原料ガスを混合して使用してもよい。 具体的には、例えば酸素（０□）、オゾン（０３）、−
酸化窒素（Ｎｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）　、−二酸化
窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０．　）、四′二
酸化窒素（Ｎ２０４）、三二酸化窒素（Ｎ２０．）、二
酸化窒素（Ｎｏ３）、シリコン原子（ＳＬ）と酸素原子
（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えばジ
シロキ＋　７　（Ｈ３ＳｉＯ８ｉＨ３）、ト’）　ｉ／
　Ｏキサン（Ｈ３ＳＩＯ８ｌＦ（、、Ｏ８１）Ｉ３）等
の低級ンロキサン等を挙げることができる。 スパッタリング法によって、酸素原子を含有するａ　　
ＳＬで構成された第二の層を形成するには、単結晶又は
多結晶のＳｉウェーハー又はＳ　＋　０２ウエーハー、
又はＳｌとＳｉＯ□が混合されて含有されているウェー
ハーをターゲットとして、これ等を種々のガス雰囲気中
でスパッタリングすることによって行えばよい。 例えば、Ｓ１ウエーハーをターゲットとして使用すれば
、酸素原子と必要に応じて水素原子父は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパンター用の堆積室中に導入し、これ等
のガスのガスプラズマを形成して前記ＳＩウェーハーを
スパッタリングすればよい。 又、別には、Ｓｉと５ＩＯ２とは別々のターゲットとし
て、又はＳｌとＳｉＯ３の混合した一枚のターゲットを
使用する、ことによって、スパッター用のガスとしての
稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（■］）
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有す
るガス雰囲気中でスパッタリングすることによって形成
できる。酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述した
グロー放電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用
の原料ガスが、スパッタリングの場合にも有効なガスと
して使用できる。 グロー放電法、スパッタリング法、あるいはイオンブレ
ーティング法により本発明の光受容層を形成する場合、
ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ’）に導入する第１ＩＩ族原子又は第
■族原子、酸素一原子、あるいは水素原子又は／及びハ
ロゲン原子の２（の制御は、堆積室中に流入される出発
物質のガス流量、ガス流４１゛比を制御することにより
行なわれる。 また、光受容層形成時の支持体温度、堆積室内のガス圧
、放電パワー等の条件は、所望の特性を（１−する光受
容部材を得るためには重要な要因であり、形成する層の
機能に考慮をはらって適宜選択されるものである。さら
に、これらの層ｊヒ１人条件は、光受容層に含有せしめ
る上記の各原子の種類及びｈ］によっても異なることも
あることから、含有せしめる原子の種類あるいはその）
１１等にも考慮をはらって決定する必要もある。 具体的には、支持体温度は、通常５０〜３５０　’Ｃと
するが、特に好ましくは５０〜２５０℃とする。 堆積室内のガス圧は、通常０．０１〜ＩＴｏｒｒとする
が、特に好ましくは０．１〜０．５Ｔｏｒｒ　とする。 また、放電パワーは０．００５〜５０　Ｗ／ｉとするの
が通常であるが、よシ好ましくは０．０１〜３０　Ｗ／
ｉ、特に好ましくは０．０１〜２０Ｗ／ｉとする。 しかし、これらの、層形成を行うについての支持体温度
、放電パワー、堆積室内のガス圧の具体的条件は、通常
には個々に独立しては容易には決め難いものである。し
たがって、所望の特性の非晶質材料層を形成すべく、相
互的且つ有機的関連性に基づいて、層形成の至適条件を
決めるのが望ましい。 ところで、本発明の光受容層に含有せしめる酸素原子、
第■族原子又は第Ｖ族原子、あるいは水素原子父は／及
びハロゲン原子の分布状態を均一とするためには、光受
容層を形成するに際して、前記の諸条件を一定に保つこ
とが必要である。 また、本発明において、第一の層の形成の際に、該層中
に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度を
層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状態を有す
る光受容層を形成するには、グロー放電法を用いる場合
であれば、第１１１族く（子又は第■族原子導入用の出
発物質のガスの堆積室内に導入する際のガス流量を、所
望の変化率に従って適宜変化させ、その他の条件を一定
に保ちつつ形成する。そして、ガス流１辻を変化させる
には、具体的には、例えば手動あるいは外部駆動モータ
等の通常用いられている何らかの方法により、ガス流路
系の途中に設けられた所定のニードルバルブの開口を漸
次変化させる操作を行えばよい。このとき、流量の変化
率は線型である必要はなく、例えばマイコン等を用“ハ
て、あらかじめ設計された変化率曲線に従って流量を制
御し、所望の含有率曲線を得ることもできる。 また、第一の層をスパッタリング法を用いて形成する場
合、第■族原子又は第■族原子の層厚方向の分布濃度を
層厚方向で変化させて所望の層厚方向の分布状態を形成
するには、グロー放電法を用いた場合と同様に、第■族
原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態で使用
し、該ガスを堆積室内へ導入する際のガス流量を所望の
変化率に従って変化させる。 〔実施例〕 以下、本発明を実施例１乃至６に従って、より詳細に説
明するが、本発明はこれ等によって限定されるものでは
ない。 各実施例においては、光受容層をグロー放電法を用いて
形成した。第１６図はグロー放電法による本発明の光受
容部材の製造装置である。 図中の１６０２．１６０３．１６０４．１６０５．１６
０６　　のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成す
るだめの原料ガスが密封されておシ、その−例として、
たとえば、１６０２は５ｉＩ−１２ガス（純度９９．９
９９％）ボンベ、１６０３はＨ２で稀釈されたＢ２Ｈ，
ガス（純度９９．９９９％、以下Ｂ２Ｈ，／Ｈ，，と略
す。）ボンベ、１６０４はＨ２ガスで稀釈されたＰＨ３
ガス（純度９９　、９９９％、以降ＰＩ−Ｉ３／Ｉ］２
ガスと略す。）ボンベ、１６ｏ５はＨ２ｆｆ　ス（純度
９９．９９９％）ボンへ、１６０６ば０２ガス（純度９
９．９９９％）ボンベである。 これらのガスを反応室１６０１に流入させるにはがスボ
ンベ１６０２〜１６０６のバルブ１６２２〜１６２６、
リークバルブ１６３５が閉じられていることを確認し又
、流入バルブ１６１２〜１６１６、流出バルブ１６１７
〜１６２１　、補助バルブ１６３２　、１６３３が開か
れていることを確認して、先ずメインバルブ】６３４を
開いて反応室１６０１、ガス配管内を排気する。次に真
空計１６３６の読みが約５Ｘ１０’１ｏｒｒになった時
点で、補助バルブ１６３２　、１６３３、流出バルブ１
６１７〜１６２１を閉じる。 基体シリンダー１６３７上に光受容層を形成する場合の
一例をあげる。ガスボンベ１６０２よりＳ　ｉ　Ｉ（４
ガス、ガスボンベ］６０３よυＢ２Ｉ］、／ＦＩ２ガス
の夫々をバルブ１６２２　、１６２３を開いて出口圧ゲ
ージ１６２７　、１６２８の圧をＬ　Ｋｙ／ｃｒＡに調
整し、流入バルブ１６１２　、１６１３を徐々に開けて
、マスフロコントローラ１，６０７　、１６０８内に流
入させる。引き続いて流出バルブ１，６１７　、１６１
８、補助バルブ１６３２を徐々に開すてガスを反応室１
６ｏ１内に流入させる。このときのＳｉＨ，ガス流計、
Ｂ２Ｈ，／Ｉ（２ガス流量の比が所望の値になるように
流出バルブ１６１７　、１６１８を調整し、又、反応室
１６０１内の圧力が所望の値になるように真空計１６３
６の読みを見ながらメインバルブｌ６３４の開口を調整
する。そして基体シリンダー１６３７の温度が加熱ヒー
ター１６３８により５０〜４００’Ｃの範囲の温度に設
定されていることを確認された後、電源１６４０を所望
の電力に設定して反応室１６０１内にグロー放電を生起
せしめるとともに、マイクロコンピュータ−（図示せず
）を用いて、あらかじめ設計された変化率線に従って、
Ｂ２４（、／■］２ガス流訊とＳｉＨ４ガス流量とを制
御しながら、載体シリンダー１６３７上に先ず、硼素原
子を含有するａ　　Ｓ＋で構成された第一の層を形成す
る。 所定時間経過後、Ｂ、、Ｈ，／Ｈ２Ｈ２ガス応室１６０
１内に導入するのを中止し、ＭｉＴ述の第一の層形成時
と同様にして０２ガスとＳ　ｉ　Ｈ４ガスとを反応室１
６０１内に心入することにより、ｉｉＪ記硼素原子を含
有するａ−Ｓｉ層で構成された第一の層の上に、酸素原
子を含有するａ−３ｉ層で構成された第二の層を形成す
ることができる。 夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バルブ以外の
流出バルブは全て閉じることは言う土でもなく、又夫々
の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
１６０１内、流出バルブ１６１７〜１６２１から反応室
１６０１内に至るガス配管内に残留することを避けるだ
めに、流出バルブ１６１７〜１６２１を閉じ補助バルブ
１６３２　。 １６３３を開いてメインバルブ１６３４を全開して系内
を一計高真空に排気する操作を必要に応じて行う、っ 試験例　１ 径Ｑ、６ｍｍの８　＋、Ｊ　Ｓステンレス製剛体球に化
学的処理を施して表面を食刻して凹凸を形成せしめた。 使用する処理剤としては、塩酸、フン酸、硫酸、クロム
酸等の酸、苛νＦソーダ等のアルカリを挙げることがで
きる。本試験例においては、濃塩酸１に対して純水１〜
４の容星比で混合した塩酸溶液を用い、剛体球の浸漬時
間、酸濃度等を変化させ、凹凸の形状を適宜調整した。 試験例　２ 試験例１の方法によって処理された剛体球（表面凹凸の
高さｒｍａｘ＝５／１ｍ）を用い、第６（）〜。 重囲に示した装置を用いて、アルミニウム合金製シリン
ダー（径６０龍、長さ２９８ｍｍ’）の表面を処理し、
凹凸を形成させた。 真球の径Ｒ′、落下高さｈと痕跡窪みの曲率Ｒ１幅ｒと
の関係を調べたところ、痕跡窪みの曲率Ｒと幅ｒとは、
真球の径Ｒ′と落下高さｈ等の条件により決められるこ
とが確認された。また、痕跡窪みのピッチ（痕跡窪みの
密度、また凹凸のピンチ）は、シリンダーの回転速度、
回転数乃至は剛体真球の落下量等を制御して所望のピン
チに調整することができることが確認された。 更に、ＲおよびＤの大きさについて検討した結果、Ｒが
、Ｑ、ｌｉｍ未満であると、剛体球を小さく軽くして落
下高さを確保しなければならず、痕跡窪みの形成をコン
トロールしにくくなるため好ましくないこと、Ｒが２．
Ｑｉｍを超えると、剛体球を犬きく重くして、落下高さ
を調節するため、例えばＤを比較的小さくしたい場合に
落−ド高さを極端に低くする必要があるなど、痕跡窪み
の形成をコントロールしにくくなるため好ましくないこ
と、更に、ＤがＱ、Ｑ２ｍｘ未１萬であると剛体球を小
さく軽くして落下高さを確保しなければならず、痕跡窪
みの形成をコントロールしにくくなるため好ましくない
ことが、夫々確１１忍された。 更に、形成された痕跡窪みを試べたところ、痕跡窪み内
ては、剛体球の表面凹凸形状に応じた微小な凹凸が形成
されていることが確認された。 実１１ａ例　１ 試験例２と同様にアルミニウム合金製シリンダーの表面
を処理し、第１Ａ表上欄に示すＤ及り び雇を資するシリンダー状Ａｌ支持体（シリンダーｘ１
ｏ１〜１０６）を得た。 次に該Ａ７？支持体（シリンダーｆＩ＆１１０１〜１０
６）上に、以下の第１Ｂ表に示す条件で、第１６図に示
した製造装置により光受容層を形成した。 これらの光昭容部材について、第１７図に示す画像露光
装置を用い、波長７８０７１１１１、スポット径８０μ
ｍのレーザー光を照射して画像露光を行ない、現像、転
写を行なって画像を得た。得られた画像の干渉縞の発生
状況は第１Ａ表下’ｌ、’Ｉ’（ｌに示すとおりであっ
た。 なお、第１７（Ｎ図は露光装置の全体を模式的に示す平
面略図であり、第１７憬）図は露光装置の全体を模式的
に示す側面路Ｎである。図中、１７０１は光受容部材、
１７０２は半導体レーザー、１７０３はｒθレン、ズ、
１７０４はポリゴンミラーを示している。 次に、比較として、従来のダイヤモンドバイトにより表
面処理されたアルミニウム合金製シリンダー（遅１０７
　）　（径６０扉貫、長さ２９８朋、凹凸ピッチ１００
μｍ、凹凸の深さ３μｍ）を用いて、前述と同様にして
光受容部材を作製した。得られた光受容部材を電子顕微
鏡で観察したところ、支持体表面と光受容層の層界面及
び光受容層の表面とは平行をなしていた。この光受容部
材を用いて、前述と同様にして画像形成をおこない、得
られた画像について前述と同様の評価を行なった。その
結果は、第１Ａ表下欄に示すとおりであった。 実施例　２ 第２Ｂ表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した
以外はすべて実施例１と同様にして、ｌＸ、ｌ支持体（
シリンダー陥１０１〜１０７）上に光受容層を形成した
。 得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像を形成したところ、得られた画像における干渉縞の発
生状況は、第２Ａ表下欄に示すとお）であった。 実施例　３ 第３Ａ表上欄に示す表面凹凸の高さく’ｍａｚ）の剛体
球を用いた以外はすべて実施例１と同様ＫＬ−’ｒ、球
状痕跡窪み（Ｄ　＝　４５０　ｆ　５０　（μｍ）、−
Ｈ＝０．０５）を有するＡｌ支持体（シリンダー％３０
１〜３０６）を得た。 次に該Ａｌ支持体（シリンダー％　３０１〜３０６）上
に、以上の第３Ｂ表に示す条件で、第２５図に示した製
造装置を用いて光受容層を形成した。 得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像形成を行なったところ、得られた画像における干渉縞
の発生状況は、第３Ａ表下欄に示すとおりであった。 実施例　４ 第４Ｂ表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した
以外は、すべて実施例３と同様にして、Ａｌ支持体（シ
リンダー１’１に１３０１〜３０６）上に光受容層を形
成した。なお、第一の層形成時におけるＢ２Ｈ，，４−
１２ガス及びＨ２ガスのガス流星は第１８図に示す流量
変化線に従って、マイクココンピューター制御により、
自動的ｔｃ調整した。 得られた光受容部材について実施例１と同様てして画像
を形成したところ、得られた画１象における干渉縞の発
生状況は、第４Ａ表下ｎ・“１゛・１に示すとおりであ
った。 第４Ａ表 ×・実用不向、△・・・実用上回、○・・・実用性良好
◎・・・実用性特に良好 実施例　５，６ 実施例１のＡｌ支持休体シリンダー遅１０３〜１０６）
上に、第５，６表に示す層形成条件に従って光受容層を
形成した以外はすべて実施例１と同様にして光受容部材
を作製した。なお、実施例５，６において、第一の層形
成時における使用ガスの流量は、各々、第１９．２０図
に示す流ｆｉｔ変化線に従って、マイクロコンピュタ−
制御により自動的に調整した。 得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像形成をおこなった。 得られた画１象は、いずれも干渉縞の発生が観察されず
、そして極めて良質のものであった。 〔発明の効果の概略〕 本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。 また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて鏝れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しておシ高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質
の画像を安定して繰返し得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光受容部材の１例を模式的に示した図
であり、第２及び３図は、本発明の光受容部材における
干渉縞の発生の防止の原理を説明するための部分拡大図
であり、第２図は、支持体表面に球状痕跡窪みによる凹
凸が形成された光受容部材において、干渉縞の発生が防
止しうろことを示す図、第３図は、従来の表面を規則的
に荒した支持体上に光受容層を堆積させた光受容部材に
おいて、干渉縞が発生すること°を示す図である。第４
及び５図は、本発明の光受容部材の支持体表面の凹凸形
状及び該凹凸形状を作製する方法を説明するための模式
図である。第６図は、本発明の光受容部材の支持体に設
けられる凹凸形状を形成するのに好適な装置の一構成例
を模式的に示す図であって、第６（Ｎ図は正面図、第６
（Ｂ）図は縦断面図である。 第７〜１５図は、本発明の光受容部材の第一の層におけ
る酸素原子、炭素原子及び窒素原子のなかから選ばれる
少なくとも一種、あるいは第■族原子又は第■族原子の
層厚方向の分布状態を表わす図であり、各図において、
縦軸は第一の層の層厚を示し、横軸は各原子の分布濃度
を表わしている。第１６図は、本発明の光受容部材の光
受容層を製造するだめの装置の１例で、グロー放電法に
よる製造装置の模式的説明図である。第１７図はレーザ
ー光による画像露光装置を説明する図である。第１８乃
至２０図は、本発明の光受容層形成におけるガス流量比
の変化状態を示す図であり、縦軸は第一の層の層厚、横
軸は使用ガスのガス流量を示している。 第１乃至第３図について、 １００・・・光受容層、１０１・・・支持体、１０２　
、２０１　。 ３０１・・・第一の層、１０３　、２０２　、３０２・
・・第二の層、１０４　、２０３　、３０３・・・自由
表面、２０４　、３０４・・・第一の層と第二の層との
界面 第４，５図について、 ４０１　、５０１・・・支持体、４０２　、５０２・・
・支持体表面、４０３　、５０３・・・球状痕跡窪み、
４０３’　、　５０３’・・表面に凹凸形状を有する剛
体球、４０４・・球状痕跡窪み内に形成された微小凹凸
形状、４０４′・・剛体球表面に形成された凹凸形状 第６図について、 ６０１・・・シリンダー、６０２・・・回転軸（受）、
６０３・・駆動手段、６０４・・・回転容器、６０５・
・・表面に凹凸形状を有する剛体球、６０６・・・容器
内壁に設けられたリブ、６０７・・・シャワー管 第１６図について、 １６０１・・・反Ｇ　室、１６０２〜１６０６・・・ガ
スボンベ、１６０７〜１６１１・・・マスフロコントロ
ーラ、１６１２〜１６１６・・・流入バルブ、１６１７
〜１６２１・・・流出バルブ、１６２２〜１６２６・・
・バルブ、１６２７〜１６３１・・・圧力調整器、１６
３２　、１６３３・・・補助バルブ、１６３４・・・メ
インバルブ、１６３５・・・リークバルブ、１６３６・
・・真空計、１６３７・・・基体シリンダー、１６３８
　・・加熱ヒーター、１６３９・・・モーター、１６４
０・・高周波電源、第１７図について、 １７０１・・・光受容部材、１７０２・・・半導体レー
ザー、１７０３・・・ｆθレンズ、１７０４・・・ポリ
ゴンミラー。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）支持体上に、シリコン原子を母体とする非晶質材
   料で構成された第一の層と、シリコン原子と酸素原子と
   を含有する非晶質材料を構成された第二の層とからなる
   光受容層を有する光受容部材であって、前記支持体の表
   面が複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を有し、かつ、
   該球状痕跡窪み内に更に微小な複数の凹凸形状を有して
   いることを特徴とする光受容部材。 （２）第一の層が伝導性を制御する物質を含有している
   、特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （３）第一の層が多層構成の層である特許請求の範囲第
   （１）項に記載の光受容部材。 （４）第一の層が、伝導性を制御する物質を含有する電
   荷注入阻止層を構成層の１つとして有する、特許請求の
   範囲第（３）項に記載の光受容部材。 （５）第一の層が、構成層の１つとして障壁層を有する
   、特許請求の範囲第（３）項に記載の光受容部材。 （６）第二の層中に酸素原子を均一な分布状態で含有せ
   しめた特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （７）支持体の表面に設けられた複数の凹凸形状が、同
   一の曲率の球状痕跡窪みによる凹凸形状である特許請求
   の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （８）支持体の表面に設けられた複数の凹凸形状が、同
   一の曲率及び同一の幅の球状痕跡窪みによる凹凸形状で
   ある特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （９）支持体の表面の凹凸形状が、支持体表面に、表面
   に凹凸を有する複数の剛体球を自然落下させて得られた
   前記剛体球の痕跡窪みによる凹凸形状である特許請求の
   範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （１０）支持体の表面の凹凸形状が、表面に凹凸を有す
   る、ほぼ同一径を有する複数の剛体球をほぼ同一の高さ
   から落下させて得られた剛体球の痕跡窪みによる凹凸形
   状である特許請求の範囲第（９）項に記載の光受容部材
   。 （１１）球状痕跡窪みの曲率Ｒと幅Ｄとが、次式：０．
   ０３５≦Ｄ／Ｒ≦０．５ を満足する値である特許請求の範囲第（１）項に記載の
   光受容部材。 （１２）球状痕跡窪みの幅Ｄが、次式： Ｄ≦０．５ｍｍ を満足する値である特許請求の範囲第■項に記載の光受
   容部材。 （１３）球状痕跡窪み内の微小凹凸の高さｒが、次式： ０．５μｍ≦ｒ≦２０μｍ を満足する値である特許請求の範囲第（１）項に記載の
   光受容部材。 （１４）支持体が、金属体である特許請求の範囲第（１
   ）項に記載の光受容部材。