JPS6296946A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。

さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。

〔従来技術の一説明〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することによシ静電潜像全形成し、次
いで該潜像を現像するか、更に必要に応じて転写、定着
などの処理を行なう、画像全記録する方法が知られてお
り、中でも電子写真法による画像形成法では、レーザー
として、小塵で安価なＨｅ　−Ｎｅレーザーあるいは半
導体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を
有する）’に使用して像記録を行なうのが一般打である
。

ところで、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写
真用の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が
他の種類の光受容部材と比べて優れているのに加えて、
ビッカーズ硬度が高く、公害の問題が少ない等の点から
評価され、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開
昭５６−８３７４６号公報にみられるようなシリコン原
子を含む非晶質材料（以後１’−ａ−ｓｉＪと略記する
）から成る光受容部材が注目されている。

しかしながら、前記光受容部材については、光受容層を
単層構成のａ−３ｉ層とすると、その高光感度を保持し
つつ、電子写真用として要求される【０１２Ωｃｍ以上
の暗抵抗を確保するには、水素原子や・・ロゲン原子、
或いはこれ等に加えてボロン原子とを特定の量範囲で層
中に制御された形で構造的に含有させる必要性があり、
ために層形成に当って各種条件を厳密にコントロールす
ることが要求される等、光受容部材の設計についての許
容度に可成りの制限がある。そしてそうした設計上の許
容度の問題をある程度低暗抵抗であっても、その高光感
度を有効に利用出来る様にする等して改善する提案がな
されている。即ち、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−＝１０５３号公報、特開昭５７−
４１７２号公報にみられるように光受容層を伝導特性の
異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容層
内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２１
７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１５
９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報にみら
れるように支持体と光受容層の間、又は／及び光受容層
の上部表面に障壁層全没けた多層構造としたりして、見
掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案されている。

ところがそうした光受容層が多層構造を有する光受容部
材は、各層の層厚にばらつきがあり、これを用いてレー
ザー記録を行う場合、レーザー光が可干渉性の単色光で
あるので、光受容層のレーザー光照射側自由表面、光受
容層を構成する各層及び支持体と光受容層との層界面（
以後、この自由表面及び層界面の両者を併せた意味で「
界面」と称する。）より反射して来る反射光の夫々が干
渉を起してしまうことがしばしばある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の原因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合にあっては
、識別性の著しく劣った阻画像を与えるところとなる。

また重要な点として、使用する半導体レーザー光の波長
領域が長波長になるにつれ光受容層に於ける該レーザー
光の吸収が減少してくるので、前記の干渉現象が顕著に
なるという問題がある。

即ち、例えば２若しくはそれ以上の層（多層）構成のも
のであるものにおいては、それらの各層について干渉効
果が起り、それぞれの干渉が相乗的に作用し合って干渉
縞模様を呈するところとなり、それがそのま＼転写部材
に影響し、該部材上に前記干渉縞模様に対応した干渉縞
が転写、定着され可視画像に現出して不良画像をもたら
してしまうといった問題がある。

こうした問題を解消する策として、（ａ）支持体表面を
ダイヤモンド切削して、±５（１０番仕ｔｏｏｏｏｘの
凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５
８−１６２９７５号公報参照）、（ｂ）アルミニウム支
持体表面を黒色アルマイト処理したり、或いは、樹脂中
にカーボン、着色顔料、染料を分散したシして光吸収層
を設ける方法（例えば特開昭５７−．１６５８４５号公
報参照）、（Ｃ）アルミニウム支持体表面を梨地状のア
ルマイト処理したり、サンドブラストにより砂目状の微
細凹凸を設けたりして、支持体表面に光散乱反射防止層
を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５５４号公報参
照）等が提案されてはいる。

これ等の提案方法は、一応の結果はもたらすものの、画
像上に現出する干渉縞模様を完全に解消するに十分なも
のではない。

即ち、（ａ）の方法については、支持体表面に特定の凹
凸を多数設けていて、それによシ光散乱効果による干渉
縞模様の現出が一応それなりに防止はされるものの、光
散乱としては依然として正反射光成分が残存するため、
該正反射光による干渉縞模様が残存してしまうことに加
えて、支持体表面での光散乱効果により照射スポットに
拡がシが生じ、実質的な解像度低下をきたしてしまう。

（ｂ）の方法については、黒色アルマイト処理では、完
全吸収は不可能であシ、支持体表面での反射光は残存し
てしまう。また、着色顔料分散樹脂層を設ける場合は、
ａ−８ｉ層を形成する際、樹脂層より脱気現象が生じ、
形成される光受容層の層品質が著しく低下すること、樹
脂層がａ−８ｉ層形成の際のプラズマによってダメージ
を受けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表面状
態の悪化によるその後のａ−８ｉ層の形成に悪影響を与
えること等の問題点を有する。

（Ｃ）の方法については、例えば入射光についてみれば
光受容層の表面でその一部が反射されて反射光となり、
残シは、光受容層の内部に進入して透過光となる。透過
光は、支持体の表面に於いて、その一部は、光散乱され
て拡散光となシ、残シが正反射されて反射光となシ、そ
の一部が出射光となって外部に出ては行くが、出射光は
、反射光と干渉する成分であって、いずれにしろ残留す
るため依然として干渉縞模様が完全に消失はしない。

ところで、この場合の干渉を防止するについて、光受容
層内部での多重反射が起らないように、支持体の表面の
拡散性を増加させる試みもあるが、そうしたところでか
えって光受容層内で光が拡散してハレーションを生じて
しまい結局は解像度が低下してしまう。

特に、多層構成の光受容部材においては、支持体表面を
不規則的に荒しても、第１層表面での反射光、第２層で
の反射光、支持体面での正反射光の夫々が干渉して、光
受容部材の各層厚にしたがった干渉縞模様が生じる。従
って、多層構成の光受容部材においては、支持体表面を
不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止することは
不可能である。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上問題がある。加えて、比較的大きな
突起がうンダムに形成される機会が多く、斯かる大きな
突起が光受容層の局所的ブレークダウンをもたらしてし
まう。

又、支持体表面を単に規則的に荒したところで、通常、
支持体の表面の凹凸形状に沿って、光受容層が堆積する
ため、支持体の凹凸の傾斜面と光受容層の凹凸の傾斜面
とが平行になり、その部分では入射光は、明部、暗部を
もたらすところとなり、また、光受容層全体では光受容
層の層厚の不均一性があるため明暗の縞模様が現われる
。従って、支持体表面を規則的に荒しただけでは、干渉
縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、支持体表面での正反射光と、
光受容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面
での反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容
部材の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明は、主としてａ−８ｉで構成された光受容層を有
する光受容部材について、上述の諸問題を排除し、各種
要求を満たすものにすること全目的とするものである。

すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際
しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されなく、製造管理が容易で
ある、ａ−３ｉで構成された光受容層全体する光受容部
材を提供することにある。

本発明の別の目的は、全可視光域において光感度が高く
、とくに半導体レーザーとのマツチング性に優れ、且つ
光応答の速い、ａ−３ｉで構成された光受容層を有する
光受容部材を提供することにある。

本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性及
び？１Ｔｙｌｔ気的耐圧性を有する、ａ−８ｉで構成さ
れた光受容層を有する光受容部材を提供することにある
。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い、ａ−
３ｉで構成された光受容層を有する光受容部材を提供す
ることにある。

本発明の更に他の目的は、可干渉性単色光を用いる画像
形成に適し、長期の繰シ返し使用にあっても、干渉縞模
様と反転現像時の斑点の現出がなく、且つ画像欠陥や画
像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明
に出て且２つ解像度の高い、高品質画像を得ることので
きる、ａ−３ｉで構成された光受容層を有する光受容部
材全提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明者らは、従来の光受容部材についての前述の諸問
題全克服して、上述の目的全達成すべく鋭意研究を重ね
た結果、下達する知見金得、該知見に基づいて本発明を
完成するに至った。

即ち、本発明は、支持体上に、シリコン原子と、ゲルマ
ニウム原子またはスズ原子の少なくともいずれか一方を
含有する非晶質材料で構成された感光層を少なくとも有
する多層構成の光受容層を備えた光受容部材であって、
前記支持体の表面が複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状
を有し、かつ、該球状痕跡窪み内に更に微小な複数の凹
凸形状を有していることを骨子とする光受容部材に関す
る。

ところで、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果得た知見
は、概要、支持体上に複数の層を有する光受容部材にお
いて、前記支持体表面に、複数の球状痕跡窪みによる凹
凸を設け、かつ、該球状痕跡窪み内に更に微小な複数の
凹凸形状を設けることによシ、画像形成時に現われる干
渉縞模様の問題が著しく解消されるというものである。

この知見は、本発明者らが試みた各種の実験により得た
事実関係に基づくものである。

このところを、理解を容易にするため、図面を用いて以
下に説明する。

第１図は、本発明に係る光受容部材１（１０の層構成を
示す模式図であり、微小な複数の球状痕跡窪みによる凹
凸形状を有し、かつ、該球状痕跡窪み内に更に微小な複
数の凹凸形状を有する支持体１０１上に、その凹凸の傾
斜面に沿って、第一の層１０２′及び第二の層１０２“
とからなる光受容層１０２を備えた光受容部材を示して
いる。

第２及び４図は、本発明の光受容部材において干渉縞模
様の問題が解消されるところを説明するための図である
。

第３図は、表面を規則的に荒した支持体上に、多層構成
の光受容層を堆積させた従来の光受容部材の一部を拡大
して示した図である。該図において、３０１は第一の層
、３０２は第二の層、３０３は自由表面、３０４は第一
の層と第二の層の界面をそれぞれ示している。第３図に
示すごとく、支持体表面を切削加工等の手段により単に
規則的に荒しただけの場合、通常は、支持体の表面の凹
凸形状に沿って光受容層が形成されるため、支持体表面
の凹凸の傾斜面と光受容層の凹凸の傾斜面とが平行関係
をなすところとなる。

このことが原因で、例えば、光受容層が第一の層３０１
と、第二の層３０２との２つの層からなる多層構成のも
のである光受容部材においては、例えば次のような問題
が定常的に惹起される。

即ち、第一の層と第二の層との界面３０４及び自由表面
３０３とが平行関係にあるため、界面３０４での反射光
Ｒ，と自由表面での反射光＆とは方向が一致し、第二の
層の層厚に応じた干渉縞が生じる。

第２図は、複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を有する
支持体上に、多層構成の光受容層を堆積させた光受容部
材の一部を拡大して示した図である。該図において、２
０１は第一の層、２０２は第二の層、２０３は自由表面
、２０４は第一の層と第二の層との界面をそれぞれ示し
ている。第２図に示すごとく、支持体表面に複数の微小
な球状痕跡窪みによる凹凸形状を設けた場合、該支持体
上に設けられる光受容層は、該凹凸形状に治って堆積す
るため、第一の層２０１と第二の層２０２との界面２０
４、及び自由表面２０３は、６各、前記支持体表面の凹
凸形状に治って、球状痕跡窪みによる凹凸形状に形成さ
れる。界面２０４に形成される球状痕跡窪みの曲率をＲ
１，自由表面に形成される球状痕跡窪みの曲率ｋ　Ｒ２
とすると、Ｒ１とＲ２とはＲ１へ＆となるため、界面２
０４での反射光と、自由表面２０３での反射光とは、各
々異なる反射角度を有し、即ち、第２図におけるθｌ、
θ２がθ１←θ２であって、方向が異なるうえ、第２図
に示すｌｌ、ｈ、１３ｆ用いてｌ工＋Ａ’２−ｈで表わ
されるところの波長のずれも一定とはならずに変化する
ため、いわゆるニュートンリング現象に相当するシェア
リング干渉が生起し、干渉縞は窪み内で分散されるとこ
ろとなる。これにより、こうした光受容部材を介して現
出される画像は、ミクロ的には干渉縞が仮に現出されて
いたとしても、それらは視覚にはとられられない程度の
ものとなる。

即ち、かくなる表面形状を有する支持体の使用は、その
上に多層構成の光受容層を形成してなる光受容部材にあ
って、該光受容層を通過した光が、層界面及び支持体表
面で反射し、それらが干渉することにより、形成される
画像が縞模様となることを効率的に防止し、優れた画像
を形成しうる光受容部材を得ることにつながる。

第４図は、第１図に示す本発明の光受容部材における支
持体表面の一部を拡大した図である。

第４図に示すごとく、本発明の光受容部材における支持
体表面は、球状痕跡窪み４０１内の表面の一部分乃至全
体に、更に微小な凹凸乃至凹凸群４０２が形成されてい
る。この様な更に微小な凹凸乃至凹凸群４０２　’ｉ設
けた場合、第２図を用いて記述したところの干渉防止効
果に加えて、該微小凹凸４０２による散乱効果がもたら
されて、これによシ干渉縞模様の発生がより一層確実に
防止される。

ところで、従来技術においては、前述したごとく、支持
体表面をランダムに荒らすことで乱反射させ、干渉縞模
様の発生を防止していた。

しかし、この様な場合充分な干渉縞模様の発生を防止す
る効果が得られないばかりでなく、画像転写後のクリー
ニングにおいて、例えばブレードを用いてクリーニング
する場合にも問題が生ずる。即ち、光受容層の表面は、
支持体上に設けられた凹凸に沿った凹凸が生ずるため、
ブレードが光受容層の凹凸の凸部に主としてあたり、ク
リーニング性が悪く、また、光受容層の凸部とブレード
表面の摩耗が大きくなり、結果的に両者の耐久性がよく
なく問題がある。

これに対し、本発明の光受容部材においては、散乱効果
をもたらす微小な凹凸形状が、球状痕跡窪み（凹部）内
に存在するため、クリーニング時において、ブレードが
光受容層の凹部に接触するということがなくなり、ブレ
ードや光受容層表面に大きな負荷がかからないという利
点も有している。

さて、本発明の光受容部材の支持体表面に設けられる球
状痕跡窪みによる凹凸形状の曲率、幅、及び該球状痕跡
窪み内の更に微小な凹凸の高さは、こうした本発明の光
受容部材における干渉縞の発生を防止する作用効果を効
率的に得るについて重要である。本発明者らは、各種実
験を重ねた結果以下のところを究明した。

即ち、球状痕跡窪みによる凹凸形状の曲率をＲ１幅をＤ
とした場合、次式： ％式％ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが０．５本以上存在するこ
ととなる。さらに次式ニー≧０．０５５ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが１本以上存在することと
なる。

こうしたことから、光受容部材の全体に発生する干渉縞
を、各々の痕跡窪み内に分散せしめ、光受容部材におけ
る干渉縞の発生を防止するためには、前記玉を０．０３
５、好ましくは０．０５５以上とすることが望ましい。

また、百の上限は、望ましくは０．５とされる。

というのは、−が０．５より大きくなると、窪みの幅り
が相対的に大きくなり、画像ムラ等を派生し易い状況と
なるためである。

また、痕跡窪みによる凹凸の幅りは、大きくとも５（１
０μｍ程度、好ましくは２（１０μｍ以下、より好まし
く　ｉ　１（１０μｍ以下とするのが望ましい。Ｄが５
（１０μｍを超えると、画像ムラを派生しやすくなると
ともに、解像力をこえてしまうおそれがあり、こうした
場合には、効率的な干渉縞防止効果が得られにくくなる
。

球状痕跡窪み内に形成される微小凹凸の高さ、即ち、球
状痕跡窪み内の表面粗さｒｍａＸは、０．５〜加μｍの
範囲であることが好ましい。γｍａｘが０．５μｍ以下
である場合には散乱効果が十分に得られす、また、加μ
ｍをこえると、球状痕跡窪みによる凹凸と比較して、球
状痕跡窪み内の微小凹凸が大きくなりすぎ、痕跡窪みが
球状をなさなくなったりして、干渉縞模様の発生を防止
する効果が充分に得られなくなる。また、こうした支持
体上に設けられる光受容層の不均一性を増長することと
もなり、画像欠陥を生じやすくなるため、好ましくない
。

上述のような特定の表面形状の支持体上に形成される光
受容層は、シリコン原子と、ゲルマニウム原子又はスズ
原子の少なくともいずれか一方とを含有するアモルファ
ス材料で構成され、特に望ましくはシリコン原子（Ｓｌ
）と、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）又はスズ原子（Ｓｎ　
）の少なくともいずれか一方と、好ましくは水素原子（
Ｈ）とハロゲン原子（３）の少なくともいずれか一方と
を含有するアモルファス材料〔以下、［ａ　−８ｉ（Ｇ
ｅ、５ｎ）（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記する。］で構成され、さ
らに必要に応じて伝導性を制御する物質を含有せしめる
ことができる。そして、該光受容層は、多層構造を有し
ており、特に好ましくは、伝導性を制御する物質を含有
する電荷注入阻止層を構成層の１つとして有するか、ま
たは／及び障壁層を構成層の１つとして有することが望
ましく、さらに、後で詳述するように、干渉全防止する
ことを目的として、光受容層の支持体側の端部にゲルマ
ニウム原子又は／及びスズ原子を比較的多量に含有する
局在領域を形成せしめることが望ましく、こうした構成
の本発明の光受容部材は支持体上に複数の層による複数
の界面が形成されることとなる。

本発明の光受容部材の光受容層の作成については、本発
明の前述の目的を効率的に達成するために、その層厚を
光学的レベルで正確に制御す、る必要があることから、
グロー放電法、スパッタリング法、イオンブレーティン
グ法等の真空堆積法が通常使用されるが、これらの他、
光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等を採用することもできる。

以下、図示の実施例にしたがって本発明の光受容部材の
具体的内容を説明するが、本発明の光受容部材はそれら
実施例により限定されるものではない。

第１図は、本発明の光受容部材の層構成を説明するため
に模式的に示した図であシ、図中、１（１０は光受容部
材、１０１は支持体、１０２は第一の層、１０３は第二
の層、１０４は自由表面を示している。

支持体 本発明の光受容部材における支持体１０１は、その表面
が、光受容部材に要求される解像力よりも微小な凹凸を
有し、しかも該凹凸は、複数の球状痕跡窪みによるもの
であり、かつ、該球状痕跡窪み内には更に微小な複数の
凹凸が形成されているものである。

以下に、本発明の光受容部材における支持体の表面の形
状及びその好適な製造例を、第４及び５図によシ説明す
るが、本発明の光受容部材における支持体の表面形状及
びその製造法は、これらによって限定されるものではな
い。

第４図は、本発明の光受容部材における支持体の表面の
形状の典型的−例を、その凹凸形状の一部を部分的に拡
大して模式的に示すものである。

第４図において４０１は支持体、４０２は支持体表面、
４０３は球状痕跡窪みによる凹凸形状、４０４は該球状
痕跡窪み内に設けられた更に微小な凹凸形状を示してい
る。

さらに第４図は、該支持体表面形状を得るの忙好ましい
製造方法の１例をも示すものでもあり、４０３′は、表
面に微小な凹凸形状４’０４’ｉ有する剛体球を示して
おシ、該剛体球４０３”ｉ支持体表面４０２より所定高
さの位置よシ自然落下させて支持体表面４０２に衝突さ
せることによシ、窪み内に微小な凹凸形状４０４　ｉ有
する、球状痕跡窪みによる凹凸形状４０３全形成しうろ
ことを示している。そして、ほぼ同一径Ｒ′の剛体球４
０３′を複数個用い、それらを同一の高さｈよシ、同時
あるいは逐次、落下させることにより、支持体表面４０
２に、はソ同一の曲率Ｒ及びはソ同一の幅りを有する複
数の球状痕跡窪み４０３　ｆｔ形成することができる。

第５図は、前述のごとくして表面に、複数の球状痕跡窪
みによる凹凸形状の形成された支持７体のいくつかの典
型例を示すものである。該図において、５０１は支持体
、５０２は支持体表面、５０３は、窪み内に複数の更に
微小な凹凸形状を有する球状痕跡窪み（なお、第５図に
おいては球状痕跡窪み内に形成される更に微小な複数の
凹凸形状は図示していないが、球状痕跡窪み５０３内に
は各々更に微小な凹凸形状を有しているものとする。）
、５０３′は表面に微小な凹凸形状を有する剛体球（同
様にして、表面の微小な凹凸形状は図示していないが、
剛体球の表面には、微小な凹凸形状を有しているものと
する。）をそれぞれ示している。

第５（ト）図に示す例では、支持体５０１の表面５０２
の異なる部位に、ほぼ同一の径の複数の球体５０３′、
５０３′、・・・をほぼ同一の高さよシ規則的に落下さ
せてほぼ同一の曲率及びほぼ同一の幅の複数の痕跡窪み
５０３．５０３、・・・を互いに重複し合うように密に
生じせしめて規則的に凹凸形状を形成したものである。

なおこの場合、互いに重複する窪み５０３．５０３、・
・・を形成するには、球体５０３′の支持体表面５０２
への衝突時期が、互いにずれるように球体５０３’、５
０３’、・・・を自然落下せしめる必要のあることはい
うまでもない。

また、第５（Ｂ）図に示す例では、異なる径を有する二
種類の球体５０３′、５０３′、・・・をほぼ同一の高
さ又は異なる高さから落下させて、支持体５０１の表面
５０２に、二種の曲率及び二種の幅の複数の窪み５０３
．５０３、・・・を互いに重複し合うように密に生じせ
しめて、表面の凹凸の高さが不規則な凹凸を形成したも
のである。

更に、第５（Ｃ）図（支持体表面の正面図および断面図
）に示す例では、支持体５０１の表面５０２に、ほぼ同
一の径の複数の球体５０３′、５０３′、・・・をほぼ
同一の高さより不規則に落下させ、ほぼ同一の曲率及び
複数種の幅を有する複数の窪み５０３．５０３、・・・
を互いに重複し合うように生じせしめて、不規則な凹凸
を形成したものである。

以上のように、本発明の光受容部材の支持体の表面に球
状痕跡窪みによる凹凸形状を形成せしめ、かつ、該球状
痕跡窪み内に更に微小な複数の凹凸形状を形成せしめる
については、表面に微小な凹凸形状を有する剛体球を支
持体表面に落下させる方法が、好ましい例として挙げら
れるが、この場合、剛体球の径、落下させる高さ、剛体
球と支持体表面の硬度、剛体球の表面の凹凸の形状及び
大きさ、あるいは落下せしめる剛体球の、量等の諸条件
を適宜選択することによシ、支持体表面に所望の平均曲
率及び平均幅を有する球状痕跡窪み、あるいは該球状痕
跡窪み内に所望の大きさ及び形状の凹凸を、所定の密度
で形成することができる。即ち、上記諸条件全選択する
ことにより、支持体表面に形成される凹凸形状の凹凸の
高さや凹凸のピッチ、あるいは凹凸形状の凹部に形成さ
れる更に微小な凹凸形状の凹凸の高さや凹凸のピッチ等
を、目的に応じて自在に調節することが可能であり、所
望の凹凸形状を有する支持体を得ることができる。

そして、光受容部材の支持体を凹凸形状表面のものにす
るについて、旋盤、フライス盤等を用いたダイヤモンｒ
バイトによシ切削加工して作成する方法の提案がなされ
ていてそれなりに有効な方法ではあるが、該方法にあっ
ては切削油の使用、切削によシネ可避的に生ずる切粉の
除去、切削面に残存してしまう切削油の除去が不可欠で
あり、結局は加工処理が煩雑であって効率のよくない等
の問題を伴うところ、本発明にあっては、支持体の凹凸
表面形状を前述したように球状痕跡窪みによシ形成する
ことから上述の問題は全くなくして所望の凹凸形状表面
の支持体を効率的且つ簡便に作成できる。

本発明に用いる支持体１０１は、導電性のものであって
も、また電気絶縁性のものであってもよい。導電性支持
体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、ｋｌ、　
Ｃｒ、　Ｍｏ、Ａｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ、
ｐｔ、　ｐｂ　等の金属又はこれ等の合金が挙げられる
。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ホリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等
の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の
表面を導電処理し、該導電処理された表面側に光受容層
を設けるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、ｋｌ
ｌＣｒｌＭｏ、　Ａｕ、　Ｉｒ、　Ｎｂ１Ｔａ、　Ｖ、
　Ｔｉ、Ｐｔ、　Ｐｄ。

Ｉｎ２Ｏ３，５ｎｕ２、ＩＴＯ（ＩｎｚＯ３＋　５ｎＯ
ｓ＋　）等から成る薄膜を設けることによって導電性全
付与し、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィ
ルムであれば、ＮｉＣｒ、　ＡＡ’、　Ａｇ１Ｐｂ、　
Ｚｎ、　Ｎｉ、ＡｕｌＣｒｌＭｏ、Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔ
ａ、　Ｖ％Ｔｌ、　Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電
子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面に設け、又
は前記金属でその表面をラミネート処理して、その表面
に導電性を付与する。支持体の形状は、円筒状、ベルト
状、板状等任意の形状であることができるが、用途、所
望によって、その形状は適宜に決めることのできるもの
である。例えば、第１図の光受容部材１（１０ｆ、電子
写真用像形成部材として使用するのであれば、連続高速
複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望
ましい。支持体の厚さは、所望通りの光受容部材全形成
しうる様に適宜決定するが、光受容部材として可撓性が
要求される場合には、支持体としての機能が充分発揮さ
れる範囲内で可能な限り薄くすることができる。しかし
ながら、支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の
点から、通常は、１０３以上とされる。

次に、本発明の光受容部材全電子写真用の光受容部材と
して用いる場合について、その支持体表面の製造装置の
１例を第６（４）図及び第６（Ｂ）図を用いて説明する
が、本発明はこれによって限定されるものではない。

電子写真用光受容部材の支持体としては、アルミニウム
合金等に通常の押出加工を施して、ボートホール管ある
いはマンドレル管とし、更に引抜加工して得られる引抜
管に、必要に応じて熱処理や調質等の処理を施した円筒
状（シリンダー状）基体を用い、該円筒状基体に第６（
Ａ）、０）図に示した製造装置を用いて、支持体表面に
凹凸形状を形成せしめる。

支持体表面に前述のような凹凸形状を形成するについて
用いる球体としては、例えばステンレス、アルミニウム
、鋼鉄、ニッケル、真鍮等の金属、セラミック、プラス
チック等の各種剛体球を挙げ、ることかでき、と９わけ
耐久性及び低コスト化等の理由により、ステンレス及び
鋼鉄の剛体球が望ましい。そしてそうした剛体球の硬度
は、支持体の硬度よりも高くても、あるいは低くてもよ
いが、球体を繰返し使用する場合には、支持体の硬度よ
りも高いものであることが望ましい。

本発明の支持体表面に前述のごとき特定形状を形成する
には、上述のような各種剛体球の表面に凹凸を有するも
のを使用する必要があり、こうした表面に凹凸を有する
剛体球は、例えばエンボス、波付は等の塑性加工処理を
応用する方法、地荒し法（梨地法）等の粗面化方法など
、機械的処理によシ凹凸を形成する方法、酸やアルカリ
による食刻処理等化学的法によシ凹凸を形成する方法な
どを用いて剛体球を処理することにより作製することが
できる。また更にこの様に凹凸を形成した剛体球表面に
、電解研摩、化学研摩、仕上げ研摩等、又は陽極酸化皮
膜形成、化成皮膜形成、めっき、はうろう、塗装、蒸着
膜形成、ＣＶＤ法による膜形成などの表面処理を施して
凹凸形状（高さ）、硬度などを適宜調整することができ
る。

第６（Ａ）、（Ｂ）図は、製造装置の一例を説明するた
めの模式的な断面図である。図中、６０１は支持体作成
用のアルミニウムシリンダーであり、該シリンダー６０
１は、予め表面を適宜の平滑度に仕上げられていてもよ
い。シリンダー６０１は、回転軸６０２に軸支されてお
り、モーター等の適宜の駆動手段６０３で駆動され、ほ
ぼ軸芯のまわりで回転可能にされている。６０４は、軸
受６０２に軸支され、シリンダー６０１と同一の方向に
回転する回転容器であシ、該容器６０４の内部には、表
面に凹凸形状を有する多数の剛体球６０５が収容されて
いる。剛体球６０５は、回転容器６０４の内壁に設けら
れている、突出した複数のリブ６０６によって担持され
、且つ、回転容器６０４の回転によって容器上部まで輸
送される。回転容器の回転速度がある適度の速度の時に
、容器壁について容器上部まで輸送された剛体球６０５
は、シリンダー６０１上に向は落下し、シリンダー表面
に衝突し、表面に痕跡窪みを形成する。

なお、回転容器６０４の壁に均一に孔を穿っておき、回
転時に容器６０４の外部に設けたシャワー管６０７より
洗浄液を噴射するようにし、シリンダー６０１と剛体球
６０５及び回転容器６０４　ｉ洗浄しうる様にすること
もできる。このようにした場合、剛体球どうし、又は剛
体球と回転容器との接触等により生ずる静電気によって
付着したゴミ等を、回転容器６０４外へ洗い出すことと
なシ、ゴミ等の付着がない所望の支持体を形成すること
ができる。該洗浄液としては、洗浄液の乾燥むらや液だ
れのないものを用いる必要があり、こうしたことから不
揮発性物質単独、又ハトリクロルエタン、トリクロルエ
チレン等の洗浄液との混合物を用いるのが好ましい。

先受」１ 本発明の光受容部材１（１０においては、前述の支持体
１０１上に光受容層１０２ヲ設けるものであり、該受容
層１０２は、ａ−８ｉ（Ｇｅ、Ｓｎ）　（Ｈ、Ｘ）で構
成されており、該光受容層には、必要に応じて伝導性全
制御する物質を含有せしめることが可能である。そして
、本発明の光受容層は、多層構成となっており、例えば
第１図に示す例においては第一の層１０２′と第二の層
１０２“とより構成され、光受容層の支持体側と反対の
側には自由表面１０３ヲ有している。

ところで、本発明の光受容部材の光受容層にゲルマニウ
ム原子及び／又はスズ原子を含有せしめる目的は、主と
して該光受容部材の長波長側における吸収ス啄りトル特
性を向上せしめることにある。

即ち、前記光受容層中にゲルマニウム原子又は／及びス
ズ原子を含有せしめることにより、本発明の光受容部材
は、各種の優れた特性を示すところのものとなるが、中
でも特に可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的短
波長迄の全領域の波長の光に対して光感度が優れ光応答
性の速いものとなる。そしてこのことは、半導体レーザ
ーを光源とした場合に特に顕著である。

本発明における光受容層においては、ゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子は、その全層領域に均一な分布状態
で含有せしめるかあるいは不均一な分布状態で含有せし
めるものである。

（ここで均一な分布状態とは、ゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の分布濃度が、光受容層の支持体表面と平
行な面方向において均一であり、光受容層の層厚方向に
も均一であることをいい、又、不均一な分布状態とは、
ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃度が、光
受容層の支持体表面と平行な面方向には均一であるが、
光受容層の層厚方向には不均一であることをいう。） そして、本発明の光受容層においては、特に支持体側の
端部にゲルマニウム原子及び／又はスズ原子を比較的多
量に均一な分布状態で含有する層（第１図における第一
の層１０２’）を設けるか、あるいは自由表面側よりも
支持体側の方に多く分布した状態となる様にゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子を含有せしめることが望まし
く、こうした場合、支持体側の端部においてゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子の分布濃度を極端に大きくす
ることにより、半導体レーザー等の長波長の光源を用い
た場合に、光受容層の自由表面側に近い構成層又は層領
域においては殆んど吸収しきれない長波長の光を、光受
容層の支持体と接する構成層又は層領域において実質的
に完全に吸収されるため、支持体表面からの反射光によ
る干渉が防止されるようになる。

前述のごとく、本発明の光受容層においては、ゲルマニ
ウム原子又は／及びスズ原子を全層領域において均一に
分布せしめることもでき、また層厚方向に連続的かつ不
均一に分布せしめることもできるが、以下、層厚方向の
分布状態の典型的な例のいくつかを、ゲルマニウム原子
ヲ例として、第７乃至１５図により説明する。

第７図乃至第１５図において、横軸はゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃｉ、縦軸は、光受容層の層厚を示し、ｔＢ
は支持体側の光受容層の端面の位置を、ｔＴは支持体側
とは反対側の自由表面側の端面の位置を示す。即ち、ゲ
ルマニウム原子の含有される光受容層はｔＢ側よりｔＴ
側に向って層形成がなされる。

冑、各図に於いて、層厚及び濃度の表示はそのままの値
で示すと各々の図の違いが明確でなくなる為、極端な形
で図示しており、これらの図はあくまでも理解を容易に
するための説明のための模式的なものである。

第７図には、光受容層中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第７図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有され
る光受容層が形成される支持体表面と光受容層とが接す
る界面位置ｔＢより１．の位置までは、ゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃが濃度Ｃ１なる一定の値を取り乍らゲル
マニウム原子が光受容層に含有され、位置ｔ１よシは濃
度Ｃ２よシ位置ｔＴに至るまで徐々に連続的に減少され
ている。位置ｔＴにおいてはゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは実質的にゼロとされる。（ここで実質的にゼロと
は検出限界量未満の場合である）。

第８図に示される例においては、含有されるゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢよシ位置ｔ７に至るまで
濃度Ｃ３から徐々に連続的の減少して位置ｔＴにおいて
濃度Ｃ４となる様な分布状態を形成している。

第９図の場合には、位置ｔＢよシ位置ｔ２までは、ゲル
マニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ５と一定位置とされ
、位置ｔ２と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的に
減少され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的にゼ
ロとされている。

第１０図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置ｔＢより位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃ６より初め連
続的に徐々に減少され、位置ｔ３よシは急速に連続的に
減少されて位置ｔ７において実質的にゼロとされている
。

第１１図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置ｔＢと位置ｔ４間においては、濃度Ｃ７と
一定値であシ、位置ｔＴに於ては分布濃度Ｃはゼロ、と
される。位置ｔ４と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは
一次関数的に位置ｔ４より位置ｔ７に至るまで減少され
ている。

第１２図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂよシ位置ｔ５までは濃度ＣＢの一定値を取シ、位置ｔ
６よシ位置ｔ７までは濃度Ｃ９よシ濃度ＣＩＯまで一次
関数的に減少する分布状態とされている。

第１３図に示す例においては、位置ｔＢよシ位置ｔＴに
至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１ｌ
よシー次関数的に減少されて、ゼロに至っている。

第１４図においては、位置ｔＢよシ位置ｔ６に至るまで
はゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１２よシ濃
度Ｃ１３まで一次関数的に減少され、位置ｔ６と位置ｔ
Ｔとの間においては、濃度Ｃ１３の一定値とされた例が
示されている。

第１５図に示される例において、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度Ｃ１４であり、位置
ｔ７に至るまではこの濃度Ｃ１４よシ初めはゆっくりと
減少され、１．の位置付近においては、急激に減少され
て位置１？では濃度Ｃ１５とされる。

位置１フと位置ｔ８との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少　゛されて位置
ｔ８で濃度Ｃ１６となり、位置ｔ８と位置ｔ９との間で
は、徐々に減少されて位置ｔ９において、濃度Ｃ１７に
至る。位置ｔ９と位置ｔ４との間においては濃度Ｃ１７
より実質的にゼロになる様に図に示す如き形状の曲線に
従って減少されている。

以上、第７図乃至第１５図によシ、光受容層中に含有さ
れるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の層厚方向の
分布状態の典型例の幾つか全説明した様に、本発明の光
受容部材においては、支持体側において、ゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子の分布濃度Ｃの高い部分を有し
、端面ｔＴ側にお込ては、前記分布濃度Ｃは支持体側に
比べてかなシ低くされた部分を有するゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子の分布状態が光受容層に設けられて
いるのが望ましい。

即ち、本発明における光受容部材を構成する光受容層は
、好ましくは、上述した様に支持体側の方にゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子が比較的高濃度で含有されて
いる局在領域を有するのが望ましい。

本発明の光受容部材に於ては、局在領域は、第７図乃至
第１５図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢ
よ９５８以内に設けられるのが望ましい。

そして、上記局在領域は、界面位置ｔＢよシ５μ厚まで
の全層領域とされる場合もあるし、又、該層領域の一部
とされる場合もある。

局在領域を層領域の一部とするか又は全部とするかは、
形成される光受容層に要求される特性に従って適宜状め
られる。

局在領域はその中に含有されるゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子の分布濃度の最大値ｃｍａｘが
シリコン原子に対して、好ましくは１（１００　ａｔｏ
ｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好適には５（１００　ａｔｏ
ｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適にはｌＸｌ０’ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ以上とされる様な分布状態となシ得る様に層形
成されるのが望ましい。

即ち、本発明の光受容部材においては、ゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の含有される光受容層は、支持体
側からの層厚で５μ以内（ｔＢから５μ厚の層領域）に
分布濃度の最大値ＣｍａＸが存在する様に形成されるの
が好ましいものである。

本発明の光受容部材において、光受容層中に含有せしめ
るゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の含有量は、本
発明の目的を効率的に達成しうる様に所望に従って適宜
状める必要があり、通常は１　ｗ　６　Ｘ　１０’　ａ
ｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとするが、好ましくは１０〜３　Ｘ
　１０５１０５ａｔｏ　ｐｐｍ　、より好ましくはＩ　
Ｘ　１０２ｗ　２　Ｘ　１０５１０５ａｔｏ　ｐｐｍと
する。

また、本発明の光受容部材において、光受容層の層厚は
、本発明の目的を効率的に達成するには重要な要因の１
つであって、光受容部材に所望の特性−が与えられるよ
うに、光受容部材の設計の際には充分な注意を払う必要
があり、通常は１〜１（１０μとするが、好ましくは１
〜８０μ、より好ましくは２〜５０μとする。

本発明の光受容部材においては光受容層に伝導性を制御
する物質を、全層領域又は一部の層領域に均−又は不均
一な分布状態で含有せしめることができる。

前記伝導性を制御する物質としては、半導体分野におい
ていういわゆる不純物を挙げることができ、Ｐ型伝導性
を与える周期律表第■族に属する原子（以下単に「第■
族原子」と称す。）、又は、ｎ型伝導性を与える周期律
表第Ｖ族に属する原子（以下単に「第Ｖ族原子」と称す
。）が使用される。具体的には、第■族原子としては、
Ｂ（硼素）、Ａ４（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）
、Ｉｎ（インジウム）、Ｔｌ（タリウム）等を挙げるこ
とができるが、特に好ましいものは、Ｂ、Ｇａである。

また第Ｖ族原子としては、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓ
ｂ（アンチモン）、Ｂ１（ビスマン）等を挙げることが
できるが、特に好ましいものは、ｐ、　ｓｂである。

本発明の光受容層に伝導性を制御する物質である第■族
原子又は第Ｖ族原子を含有せしめる場合、全層領域に含
有せしめるか、あるいは一部の層領域に含有せしめるか
は、後述するように目的とするところ乃至期待する作用
効果によって異なり、含有せしめる量も異なるところと
なる。

すなわち、光受容層の伝導型又は／及び伝導率を制御す
ることを主たる目的にする場合には、光受容層の全層領
域中に含有せしめ、この場合、第■族原子又は第Ｖ族原
子の含有量は比較的わずかでよく、通常はＩ　Ｘ　１０
−”　〜Ｉ　Ｘ　１０”　ａｔｏｍｉｃｐｐｍであり、
好ましくは５　Ｘ　ｔｏ　　ｗ　５　Ｘ　１０　ａｔｏ
ｍｉｃｐｐ”　ｓ最適にはＩ　Ｘ　１０−’　ｗ　２　
Ｘ　１０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍである。

また、支持体と接する一部の層領域に第■族原子又は第
Ｖ族原子を均一な分布状態で含有せしめるか、あるいは
層厚方向における第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度
が、支持体と接する側において高濃度となるように含有
せしめる場合には、こうした第■族原子又は第Ｖ族原子
を含有する一部の層領域あるいは高濃度に含有する領域
は、電荷注入阻止層として機能するところとなる。即ち
、第■族原子を含有せしめた場合には、光受容層の自由
表面が■極性に帯電処理を受けた際に、支持体側から光
受容層中へ注入される電子の移動全より効率的に阻止す
ることができ、又、第Ｖ族原子を含有せしめた場合には
、光受容層の自由表面がｅ極性に帯電処理を受けた際に
、支持体側から光受容層中へ注入される正孔の移動をよ
シ効率的に阻止することができる。そして、こうした場
合の含有量は比較的多量であって、具体的には、３０〜
５ＸｌＯ’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、好ましくは５０〜Ｉ
　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ、最適にはＩ　Ｘ　
１０２〜５　Ｘ　ｔｏ３ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとする。

さらに、該電荷注入阻止層としての効果を効率的に奏す
るためには、第■族原子又は第Ｖ族原子を含有する支持
体側の端部に設けられる層又は層領域の層厚’６ｔとし
、光受容層の層厚をＴとした場合、ｔ／’ｒ≦０．４の
関係が成立することが望ましく、より好ましくは該関係
式の値が０．３５以下、最適には０．３以下となるよう
にするのが望ましい。また、該層又は層領域の層厚ｔは
、一般的には３Ｘ１０−３〜１０μとするが、好ましく
は４　Ｘ　１０−３〜８μ、最適には５Ｘ１０−３〜５
μとするのが望ましい。

次に光受容層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子
の量が、支持体側においては比較的多量であって、支持
体側から自由表面を有する側に向って減少し、光受容層
の自由表面付近においては、比較的少量となるかあるい
は実質的にゼロに近くなるように第■族原子又は第Ｖ族
原子を分布させる場合の典型的例のいくつか全、第１６
図乃至第Ｍ図によって説明するが、本発明はこれらの例
によって限定されるものではない。

各図において、横軸は第■族原子又は第Ｖ族原子の分布
濃度Ｃｉ、縦軸は光受容層の層厚を示し、ｔＢは支持体
と光受容層との界面位置を、ｔでは光受容層、の自由表
面側の端面の位置を示す。

第１６図は、光受容層中に含有せしめる第■族原子又は
第Ｖ族原子の層厚方向の分布状態の第一の典型例を示し
ている。該層では、第■族原子又は第Ｖ族原子を含有す
る光受容層と支持体表面とが接する界面位置ｔＢよ多位
置１．までは、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃ
がＣ１なる一定値をとシ、位置１．よシ自由表面側の端
面位置ｔＴまでは、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃
度Ｃが濃度Ｃ２から連続的に減少し、位置ｔ７において
は第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度ＣがＣ３となる
。

第１７図は、他の典型例の１つを示している。

該層では、光受容層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ
族原子の分布濃度Ｃは、位置ｔＢから位置ｔＴにいたる
まで、濃度Ｃ４から連続的に減少し、位置ｔＴにおいて
濃度Ｃ５となる。

第１８図に示す例では、位置ｔＢから位置ｔ２までは第
■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃが濃度Ｃ６なる一
定値を保ち、位置ｔ２から位置ｔ７にいたるまでは、第
■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ，から徐
々に連続的に減少して位置ｔＴにおいては第■族原子又
は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。但し
、ここで実質的にゼロとは、検出限界量未満の場合をい
　′う。

第１９図に示す例では、第■族原子又は第Ｖ族原子の分
布濃度Ｃは位置ｔＢよ多位置ｔＴにいたるまで、濃度Ｃ
８から連続的に徐々に減少し、位置ｔ７においては第■
族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃは実質的にゼロとな
る。

第四図に示す例では、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布
濃度Ｃは、位ｋｔＢよ多位置ｔ３の間においては濃度Ｃ
９の一定値にあり、位置ｔ３から位置ｔＴの間において
は、濃度Ｃ９から濃度Ｃ１ｏ　となるまで、−次関数的
に減少する。

第２１図に示す例では、第■族原子又は第Ｖ族原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢよ多位置ｔ４にいたるまでは濃度
Ｃ１ｌの一定値にあり、位置ｔ４よ多位置ｔＴまでは濃
度Ｃ１２から濃度Ｃ１３となるまで−次関数的に減少す
る。

第ｎ図に示す例においては、第■族原子又は第Ｖ族原子
の分布濃度Ｃは、位置ｔＢから位置ｔＴにいたるまで、
濃度Ｃ１４から実質的にゼロとなるまで一次関数的に減
少する。

第久図に示す例では、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布
濃度Ｃは、位置ｔＢから位置ｔ５にいたるまで濃度Ｃ１
５から濃度Ｃ’１６となるまで一次関数的に減少し、位
置ｔＢから位置ｔ７までは濃度Ｃ１６の一定値を保つ。

最後に、第Ｕ図に示す例では、第■族原子又は第Ｖ族原
子の分布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度Ｃ１７であシ
、位置ｔＢから位置ｔ６までは濃度Ｃ１ワからはじめは
ゆつくシ減少して、位置ｔ６付近では急激に減少し、位
置ｔ６では濃度Ｃ１６となる。次に、位置ｔ６から位置
１フまでははじめのうちは急激に減少し、その後は緩か
に徐々に減少し、位置１＝においては濃度Ｃ１９となる
。更に位置ｔｙと位置ｔ８の間では極めてゆっくりと徐
々に減少し、位置ｔ８において濃度Ｃ２０となる。また
更に、位置ｔ８から位置ｔ７にいたるまでは、濃度Ｃ２
０から実質的にゼロとなるまで徐々に減少する。

第１６図〜第Ｕ図に示した例のごとく、光受容層の支持
体側に近い側に第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃ
の高い部分を有し、光受容層の自由表面側においては、
該分布濃度Ｃがかなり低い濃度の部分あるいは実質的に
ゼロに近い濃度の部分を有する場合にあっては、支持体
側に近い部分に第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度が
比較的高濃度である局在領域を設けること、好ましくは
該局在領域を支持体表面と接触する界面位置から５μ以
内に設けることにより、第■族原子又は第Ｖ族原子の分
布濃度が高濃度である層領域が電荷注入阻止層を形成す
るという前述の作用効果がよシ一層効率的に奏される。

以上、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布状態について、
個々に各々の作用効果を記述したが、所望の目的を達成
しうる特性全盲する光受容部材を得るについては、これ
らの第■族原子又は第Ｖ族原子の分布状態および光受容
層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子の量を、必
要に応じて適宜組み合わせて用いるものであることは、
いうまでもない。例えば、光受容層の支持体側の端部に
電荷注入阻止層を設けた場合、電荷注入阻止層以外の光
受容層中に、電荷注入阻止層に含有せしめた伝導性を制
御する物質の極性とは別の極性の伝導性を制御する物質
？含有せしめてもよく、あるいは、同極性の伝導性を制
御する物質を、電荷注入阻止層に含有される童よりも一
段と少ない量にして含有せしめてもよい。

さらに、本発明の光受容部材においては、支持体側の端
部に設ける構成層として、電荷注入阻止層の代わシに、
電気絶縁性材料から成るいわゆる障壁層を設けることも
でき、あるいは、該障壁層と電荷注入阻止層との両方を
構成層とすることもできる。こうした障壁層を構成する
材料としては、ＡＪ２（Ｉｓ、Ｓ　ｉｏ２、Ｓｉ３Ｎ４
等の無機電気絶縁材料やポリカーボネート等の有機電気
絶縁材料を挙げることができる。

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
よυ、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光全光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光
導電的時性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、を子写真用光受容部材として適用させ念場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しておシ高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質
の画像全安定して繰返し得ることができる。

次に本発明の光受容層の形成方法について説明する。

本発明の光受容層を構成する非晶質材料はいずれもグロ
ー放電法、スーＱツタリング法、或いはイオンブレーテ
ィング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって行
われる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の
負荷程度、製造規模、作製される光受容部材に所望され
る特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、
所望の特性を有する光受容部材を製造するに当っての条
件の制御が比較的容易であり、シリコン原子と共に炭素
原子及び水素原子の導入全容易に行い得る等のことから
して、グロー放電法或いはスノにツタリング法が好適で
ある。

そして、グロー放電法とス・Ｑツタリング法とを同−装
置系内で併用して形成してもよい。

グロー放電法によってａ　−８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）で構
成される光受容層を形成するには、シリコン原子（９１
）を供給しうるＳ１供給用の原料ガスと、ゲルマニウム
原子（Ｇｅ）ｉ供給しうるａｅ供給用の原料ガスと、水
素原子（Ｈ）又は／及びＩ・ロゲン原子（Ｘ）ｔ−供給
しうる水素原子但）又は／及びハロゲン原子（３）供給
用の原料ガスを、内部を減圧にしうる堆積室内に所望の
ガス圧状態で導入し、該堆積室内にグロー放ｉｔ’を生
起せしめて、予め所定位置に設置しである所定の支持体
表面上に、ａ　−３ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）で構成される層
を形成する。

前記Ｓｉ供給用の原料ガスとなりうる物質としては、Ｓ
ｉＨ４，５ｉ２Ｈａ、５ｉ３Ｈａ、５ｉ４Ｈｘｏ’＄の
ガス状態の又はガス化しりる水素化硅素（シラン類）が
挙げられ、特に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓ１供給
効率の良さ等の点から、ＳｉＨ４および５ｉ２Ｈａが好
ましい。

また、前記Ｃ）ｅ供給用の原料ガスとなシうる物質とし
ては、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３Ｈｇ、Ｇｅ４Ｈ工
０、Ｇｅ５Ｈｚｇ、ＧｅａＨｘａ、ＧｅｙＨｚａ、Ｇｅ
５Ｈｘａ、ＧｅｅＨｇｏ　等のガス状態の又はガス化し
りろ水素化ゲルマニウムを用いることができる。特に、
層作成作業時の取扱い易さ１、Ｇｅ供給効率の良さ等の
点から、ＧｅＨ４、ＧｅａＨａ、およびＧｅ５Ｈｓが好
ましい。

更に、前記ハロゲン原子供給用の原料ガスとなシうる物
質としては、多くのハロゲン化合物があり、例えばハロ
ゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲン
で置換されたシラン誘導体等のガス状態の又はガス化し
うるハロゲン化合物を用いることができる。具体的には
、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ
、　　０１１１％　ＣｌＦ３、　ＢｒＦ５　　、　Ｂｒ
Ｆ５　　　ＩＦ３、　ＩＦ７、　ＩＣＪ、ＩＢｒ等のハ
ロゲン間化合物、およ゛び８ｉ八、５ｉ２Ｆａ、ＳｉＣ
ム、８１Ｂｒａ等のハロゲン化硅素等が好ましいものと
して挙げられる。

上述のごときハロゲン原子を含む硅素化合物のガス状態
のもの又はガス化しうるもの′ｆｒ原料ガスとしてグロ
ー放電法により形成する場合には、８１原子供給用原料
ガスと口ての水素化硅素がスを使用することなく、所定
の支持体上にハロゲン原子を含有するａ−８ｉで構成さ
れる層を形成することができるので、特に有効である。

グロー放電法を用いて光受容層を形成する場合には、基
本的には、Ｓｉ供給用の原料ガスとなるハロゲン化硅素
とＧｅ供給用の原料となる水素化ゲルマニウムとＡｒ、
　Ｈ２，Ｈｅ等のガスとを所定の混合比とガス流量にな
るようにして堆積室に導入し、グロー放電を生起してこ
れ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することにより、支
持体上に光受容層を形成するものであるが、電気的ある
いは光電的特性の制御という点で極めて有効であるとこ
ろの水素原子０の含有量の制御を一層容易にするために
は、これ等のガスに更に水素原子供給用の原料ガスを混
合することもできる。該水素原子供給用のガスとしては
、水素ガスあるいは、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ、＋
Ｈｓ、５ｉ４Ｈｘｏ　　等の水素化硅素のガスが用いら
れる。また、水素原子供給用ガスとして、ＨＦ、　ＨＣ
Ｉ、　ＨＢｒ、　ＨＩ　　等のハロゲン化物、５ｉＨｚ
Ｆａ、５ｉＨ２Ｉｚ、５ｉＨａＣ１２，５ｉＨＣ６ｓ、
８ｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３　　等のハロゲン置換水
素化硅素等のガス状態のあるいはガス化しうるものを用
いた場合には、・・ロデン原子■の導入と同時に水素原
子（６）も導入されるので、有効である。

スノｑツタリング法によってａ　−８ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ
）で構成される光受容層を形成する罠は、シリコンから
成るターゲットと、ゲルマニウムカラ成るターゲットと
の二枚を、あるいは、シリコンとゲルマニウムからなる
ターゲットを用い、これ等を所望のガス雰囲気中でス・
ぐツタリングすることによって行なう。

イオン、ブレーティング法を用いて光受容層を形成する
場合には、例えば、多結晶シリコン又は単結晶シリコン
と多結晶ゲルマニウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々
蒸発源として蒸着ポートに収容し、この蒸発源を抵抗加
熱法あるいはエレクトロンビーム法（Ｅ、Ｂ、法）等に
よって加熱蒸発させ６、飛翔蒸発物を所望のガスプラズ
マ雰囲気中を通過せしめることで行ない得る。

スパッタリング法およびイオンブレーティング法のいず
れの場合にも、形成する層中にハロゲン原子を含有せし
めるには、前述のハロゲン化物又はハロゲン原子を含む
硅素化合物のガスを堆積室中に導入し、該ガスのプラズ
マ雰囲気を形成すればよい。又、水素原子を導入する場
合には、水素原子供給用の原料ガス、例えばＢ２あるい
は前記した水素化シラン類又は／及び水素化ゲルマニウ
ム等のガス類をスパッタリング用の堆積室内に導入して
これ等のガス類のプラズマ雰囲気を形成すればよい。さ
らにハロゲン原子供給用の原料ガスとしては、前記のノ
・ロデン化物或いはノ・ロデンを含む硅素化合物が有効
なものとして挙げられるが、その他に、ＨＦ、ＨＣＩ、
　ＨＢｒ、　ＨＩ等のハロゲン化水素、５ｉＨ２Ｆｚ、
５ｉＨ２Ｉ２、ＳｉＨｇＣＪ２．５ｉＨＣＪ３．８ｉＨ
２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３等のハロゲン置換水素化硅素、
およびＧｅＨＦ３、ＧｅＨＢｒ３、ＧｅＨｓＦ　、　Ｇ
ｅＨＢｒ３、ＧｅＨ２Ｃ／２、ＧｅＨ３Ｃｌ　、　Ｇｅ
ＨＢｒ３、ＧｅＨＢｒ３．０ｅＨ３＝３ｒ　、　ＧｅＨ
Ｉ３、Ｇｅ＆Ｉｚ、ＧｅＨ３Ｉ等の水素化ハロゲン化ゲ
ルマニウム等、ＧｅＦ４、ＧｅＣｌ４、ＧｅＢｒ、、Ｇ
ｅＩ４、ＧｅＦ２、Ｇ８Ｃｊ？２、ＧｅＢｒ２、ＧｅＩ
２等のハロゲン化ゲルマニウム等々のガス状態の又はガ
ス化しうる物質も有効な出発物質として使用できる。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層中に
含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン原子（３）
の量又は水素原子とハロゲン原子の重の和（Ｈ＋Ｘ　）
は、好ましくは０．ＯＩ〜４０ａｔｏｍｉｃチ、よシ好
適には０．０５〜３０　ａｔｏｍｉｃ　％、最適には０
．１〜２５ａｔｏｍｉｃ％とするのが望ましい。

グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング法を用いて、スズ原子を含有するアモルファス
シリコ７　（以下、　　ｌ’−ａ−３ｉＳｎ（Ｈ，Ｘ）
Ｊと表記する。）で構成される光受容層を形成するには
、上述のａ　−８ｉＣ）ｅ　（Ｈ、Ｘ）で構成される層
の形成の際に、ゲルマニウム原子供給用の出発物質を、
スズ原子（Ｓｎ　）供給片の出発物質にかえて使用し、
形成する層中へのそのｔ’ｒ制御しながら含有せしめる
ことＫよって行なう。

前記スズ原子（Ｓｎ　）供給用の原料ガスとなりうる物
質としては、水素化スズ（５ｎＨ４）やＳ　ｎＦ２．５
ｎＦ４．５ｎ（Ｊｚ、５ｎＣ１４、ＳｎＢｒ２、ＳｎＢ
ｒ４．５ｎＩｚ、ＳｎＩ４等の・・ロデン化スズ等のガ
ス状態の又はガス化しうるものを用いることができ、ハ
ロゲン化スズを用いる場合には、所定の支持体上にハロ
ゲン原子を含有するａ−８ｉで構成される層を形成する
ことができるので、特に有効である。なかでも、層作成
作業時の取扱い易さ、Ｓｎ供給効率の良さ等の点から、
５ｎＣＡ！４が好ましい。

そして、５ｎＣＡ’４　ｔ−スズ原子（Ｓｎ　）供給用
の出発物質として用いる場合、これをガス化するには、
固体状の５ｎＣＡ’ａ　Ｋｌ”加熱するとともに、Ａｒ
、Ｈｅ、等の不活性ガスを吹き込み、該不活性ガスを用
いてノζブリングするのが望ましく、こうして生成した
ガスを、内部を減圧にした堆積室内に所望のガス圧状態
で導入する。

グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング法を用いて、第■族原子又は第Ｖ族原子を含有
するａ　−８ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）又は／及びａ　−５１
ｓｎ（Ｈ、Ｘ　）で構成される層又は一部の層領域を形
成するには、上述のａ　−５ｔＧｅ（Ｈ，ｘ）又は／及
びａ　−Ｓｉｇｎ（Ｈ、Ｘ　）で構成される層の形成の
際に、第■族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質を、
ａ−ｓｌＧｅ（ａ、ｘ）又は／及びａ−８ｉＳｎ（Ｈ２
ｘ）形成用の出発物質とともに使用して、形成する層中
へのそれらの量を制御しながら含有せしめることによっ
て行なう。

第■族原子導入用の出発物質として具体的には硼素原子
導入用としては、Ｂ２Ｈ６、Ｂ、Ｈ工。、Ｂ５Ｈ９、”
５Ｈ１１ｓ　”６Ｈ１０ｓ　”６Ｈ１２ｓ　Ｂ６Ｈ１４
等の水素化硼素、Ｂｒ３゜ＢＣｌ３、ＢＢｒ３等のハロ
ゲン化硼素等が挙げられる。

この他、ＡｌＣｌ３、ＧａＣｌ３、Ｇａ（ＯＨ３）２、
工ｎ　Ｃ１３、ＴｌＣｌ３等も挙げることができる。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、具体的には燐原子
導入用としてはＰＨ３、Ｐ２Ｈ４等の水素北隣、ＰＨ，
工、ＰＦ３、ＰＦ５、ＰＣｌ３、ｐｃ　ｇ５、ＰＢｒ３
、ＰＢｒ３、ＰＩ３等のハロゲン北隣が挙げられる。こ
の他、Ａ８Ｈ３、ＡｓＦ３、Ａ３０ｊ！３、ＡｓＢｒ３
、ＡｓＦ５、ＳｂＨ３，５ｂＦ３、Ｓ　１）Ｆ、、５ｂ
Ｃ１３，５ｂｃＡ！５、ＢｉＩ３、Ｂ１０Ａ’３、Ｂ１
Ｂｒ３　等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なもの
として挙げることができる。

以上記述したようＫ、本発明の光受容部材の光受容層は
、グロー放電法、スパッタリング法等を用いて形成する
が、光受容層に含有せしめるゲルマニウム原子又は／及
びスズ原子、第■族原子又は第Ｖ族原子、あるいは水素
原子及び／又はハロゲン原子の各々の含有量の制御は、
堆積室内へ流入する、各々の原子供給用出発物質のガス
流量あるいは各々の原子供給用出発物質間のガス流量比
を制御することにより行われる。

また、光受容層形成時の支持体温度、堆積室内のガス圧
、放電・２ワ一等の条件は、所望の特性を有する光受容
部材を得るためには重要な要因であり、形成する層の機
能に考慮をはらって適宜選択されるものである。さらに
、これらの層形成条件は、光受容層に含有せしめる上記
の各原子の種類及び量によっても異なることもあること
から、含有せしめる原子の種類あるいはその量等にも考
慮をはらって決定する必要もちる。

具体的には、ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成
する場合１、あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子を含有
せしめたａ−ＥｔｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成す
る場合については、支持体温度は、通常５０〜３５０℃
とするが、より好ましくは５０〜３（１０℃、特に好ま
しくは１（１０〜３（１０℃とする。そして、堆積室内
のガス圧は、通常０．０１〜５τｏｒｒとするが、好ま
しくは、０．（１０１〜３　Ｔｏｒｒ、特に好ましくは
０．１〜ｌ　Ｔｏｒｒとする。また、放電パワーは０　
、（１０５〜５０　Ｗ　／ｃｌＸとするのが通常である
が、好ましくは０．０１〜３０　Ｗ／ｃＷ１２、特に好
ましくは０．０１〜２０Ｗ／ｃｍ”とする。

しかし、これらの、層形成を行うについての支持体温度
、放電・ｑワー、堆積室内のガス圧の具体的条件は、通
常には個々に独立しては容易には決め難いものである。

したがって、所望の特性の非晶質材料層を形成すべく、
相互的且つ有機的関連性に基づいて、層形成の至適条件
を決めるのが望ましい。

ところで、本発明の光受容層に含有せしめるゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子、第■族原子又は第Ｖ族原子
、あるいは水素原子又は／及びハロゲン原子の分布状態
を均一とするためには、光受容層を形成するに際して、
前記の諸条件を一定に保つことが必要である。

また、本発明において、光受容層の形成の際に、該層中
に含有せしめるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子あ
るいは第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度を層厚方向
に変化させて所望の層厚方向の分布状態を有する光受容
層を形成するには、グロー放電法を用いる場合であれば
、ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子あるいは第■族
原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質のガスの堆積室内
に導入する際のガス流量を、所望の変化率に従って適宜
変化させ、その他の条件を一定に保ちつつ形成する。そ
して、ガス流量を変化させるには、具体的には、例えば
手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられている何
らかの方法によシ、ガス流路系の途中に設けられた所定
のニードルパルプの開口を漸次変化させる操作を行えば
よい。このとき、流量の変化率は線型である必要はなく
、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計された変
化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲線を得
ることもできる。

また、光受容層をスパッタリング法を用いて形成する場
合、ゲルマニウム原子又はスズ原子あるいは第■族原子
又は第Ｖ族原子の層厚方向の分布濃度を層厚方向で変化
させて所望の層厚方向の分布状態を形成するには、グロ
ー放電法を用いた場合と同様に、ゲルマニウム原子又は
スズ原子あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子導入用の出
発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室内へ導入す
る際のガス流量を所望の変化率に従って変化させる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例１乃至１ｏに従って、よシ詳細に
説明するが、本発明はこれ等によって限定されるもので
はない。

各実施例においては、光受容層をグロー放電法を用いて
形成した。第５図はグロー放電法による本発明の光受容
部材の製造装置である。

図中の２５０２．２５０３．２５０４．２５０５．２５
０６　　のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成す
るための原料ガスが密封されておシ、その−例として、
たとえば、２５０２はＳｉＨ，ガス（純度９９．９９９
チ）ボンベ、２５０３はＨ２で稀釈されたＢ２Ｈ６ガス
（純度９９．９９９％、以下Ｂ２Ｈ６／　Ｉ（２と略す
。）ボンベ、２５０４は５ｉａＨａガス（純度９９．９
９９　％　＞ボンへ、２５０５はＧｅＨ４がス（純度９
９．９９９％）ボンベ、２５０６は不活性ガス（Ｈｅ）
ボンベである。そして、２５０６’は５ｎ（Ｊ４　が入
った密封容器である。

これらのガスを反応室２５０１に流入させるにはガスボ
ンベ２５０２〜２５０６のバルブ２５２２〜２５２６、
リークバルブ２５３５が閉じられていることを確認し又
、流入バルブ２５１２〜２５１６、流出バルブ２５１７
〜２５２１、補助）署ルブ２５３２．２５３３が開かれ
ていることを確認して、先ずメインバルブ２５３４を開
いて反応室２５０１、ガス配管内を排気する。次に真空
計２５３６の読みが約５　Ｘ　１０””ｔｏｒｒになっ
た時点で、補助バルブ２５３２．２５３３、流出バルブ
２５１７〜２５２１を閉じる。

基体シリンダー２５３フ上に光受容層１０２を形成する
場合の一例をあげる。ガスボンベ２５０２よりＳ　ｉＨ
，ガス、ガスボンベ２５０５よりＧｅＨ４ガスの夫夫ヲ
バルブ２５２２．２５２５を開いて出口圧デージ２５２
７．２５３０の圧を１１（ｌｉｔ／ｃＩｒＬ２に調整し
、流入バルブ２５１２．２５１５を徐々に開けて、マス
フロコントローラ２５０７．２５１０内に流入させる。

引き続いて流出バルブ２５１７．２５２０、補助バルブ
２５３２を徐々に開いてガスを反応室２５０１内に流入
させる。このときのＳｉＨ，ガス流量、Ｇｅｍ、ガス流
量の比が所望の値になるように流出バルブ２５１７．２
５２０を調整し、又、反応室２５０１内の圧力が所望の
値になるように真空計２５３６の読みを見ながらメイン
バルブ２５３４の開口を調整する。

そして基体シリンダー２５３７の温度が加熱ヒーター　
２５３８により５０〜４（１０℃の範囲の温度に設定さ
れていることを確認された後、電源２５４０を所望の電
力に設定して反応室２５０１内にグロー放電を生起せし
めるとともに、マイクロコンピュータ−（図示せず）を
用いて、あらかじめ設計された変化率線に従って、Ｇｅ
Ｈ４ガス流量とＳｉＨ４ガス流量の比を制御しながら、
基体シリンダー２５３７上に先ず、ゲルマニウム原子を
含有する光受容層を形成する。

光受容層中にハロゲン原子を含有せしめる場合には、上
記のＳｉＨ４ガスやＧｅＦ４ガスにかえて例えばＳｉＦ
、ガスやＧｅＦ４ガスを反応室に送り込めばよい。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バルブ以外の
流出バルブは全て閉じることは言うまでもない。

また、光受容層中にスズ原子を含有せしめる場合にあっ
て、原料ガスとしてＳｎＣ！１４を出発物質としたガス
を用いる場合には、２５０６’に入れられた固体状Ｓｎ
Ｏらを加熱手段（図示せず）を用いて加熱するとともに
、該５ｎＣ６，中にＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガスボンベ２
５０６よりＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガスを吹き込み、バブ
リングする。発生したＳｎＣ！ｌａのガスは、前述のＳ
ｉＨ４、ＧｅＨ４ガス等と同様の手順により反応室内に
流入させる。

試験例１ 径０．６　ｒｘｘのＳＵＳステンレス製剛体球に化学的
処理を施して表面を食刻して凹凸を形成せしめた。使用
する処理剤としては、塩酸、フッ酸、硫酸、クロム酸等
の酸、苛性ソーダ等のアルカリを挙げることができる。

本試験例においては、濃塩酸１に対して純水１〜４の容
量比で混合した塩酸溶液を用い、剛体球の浸漬時間、酸
濃度等を変化させ、凹凸の形状を適宜調整した。

試験例２ 試験例１の方法によって処理された剛体球（表面凹凸の
高さｒｍａｘ　”　５μｍ）を用い、第６（Ａ）、（Ｂ
）図に示した装置を用いて、アルミニウム合金製シリン
ダー（径６０　ｒｓｒｘ、長さ２９８　ｍｍ　）の表面
を処理し、凹凸を形成させた。

真球の径Ｒ′、落下高さｈと痕跡窪みの曲率Ｒ１幅ｒと
の関係を調べたところ、痕跡窪みの曲率Ｒと幅ｒとは、
真球の径Ｒ′と落下高さｈ等の条件によシ決められるこ
とが確認された。また、痕跡窪みのピッチ（痕跡窪みの
密度、また凹凸のピッチ）は、シリンダーの回転速度、
回転数乃至は剛体真球の落下量等を制御して所望のピッ
チに調整することができることが確認された。

更に、ＲおよびＤの大きさについて検討した結果、Ｒが
０．１＊ｍ未満であると、剛体球を小さく軽くして落下
高さを確保しなければならず、痕跡窪みの形成をコント
ロールしにくくなるため好ましくないこと、Ｒが０．２
　ｍを超えると、剛体球を大きく重くして、落下高さを
調節するため、例えばＤを比較的小さくしたい場合に落
下高さを極端に低くする必要があるなど、痕跡窪ミノ形
成をコントロールしにくくなるため好ましくないこと、
更に、Ｄが０．０２ｍ未満であると剛体球を小さく軽く
して落下高さを確保しなければならず、痕跡窪みの形成
をコントロールしにくくなるため好ましくないことが、
夫々確認された。

更に、形成された痕跡窪みを試べたところ、痕跡窪み内
には、剛体球の表面凹凸形状に応じた微小な凹、凸が形
成されていることが確認された。

実施例１ 試験例２と同様にアルミニウム合金製シリンダーの表面
を処理し、第１Ａ表上欄に示すＤ、及び−を有するシリ
ンダー状ＡＩ支持体（シリング−ＮｉＬＩ０１〜１０６
）を得た。

次に該ＡＩ支持体（シリンダーＮｎ　１０１〜１０６）
上Ｋ、以下の第１Ｂ表に示す条件で、第５図に示した製
造装置により光受容層を形成した。

これらの光受容部材について、第あ図に示す画像露光装
置を用い、波長７８０ｎｍ、スポット径（資）μｍのレ
ーザー光を照射して画像露光を行ない、現像、転写を行
なって画像を得た。得られた画像の干渉縞の発生状況は
第１Ａ表下欄に示すとおシであった。

なお、第２６　（ａ）図は露光装置の全体を模式的に示
す平面略図であり、第２６　（Ｂ）図は露光装置の全体
を模式的に示す側面略図である。図中、２６０１は光受
容部材、２６０２は半導体レーザー、２６０３はｆθレ
ンズ、２６０４はポリノンミラーを示している。

次に、比較として、従来のダイヤモンドバイトにより表
面処理されたアルミニウム合金製シリンダー（径６０ｍ
１ｔ、長さ２９８皿、凹凸ピッチ１（１０μｍ、凹凸の
深さ３μｍ）を用いて、前述と同様にして光受容部材を
作製した。得られた光受容部材を電子顕微鏡で観察した
ところ、支持体表面と光受容層の層界面及び光受容層の
表面とは平行をなしていた。この光受容部材を用いて、
前述と同様にして画像形成をおこない、得られた画像に
ついて前述と同様の評価を行なった。

その結果は、第１Ａ表下欄に示すとおりであった。

実施例２ 第２Ｂ表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した
以外はすべて実施例１と同様にして、ａ支持体（・シリ
ンダー陽１０１〜１０７）上に光受容層を形成した。な
お、光受容層形成時におけるＳｉＦ４ガス及びＧＥＩＦ
、ガスのガス流量は第ｎ図に示す流量変化線に従って、
マイクロコンピュータ−制御により、自動的に調整した
。

得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像を形成したところ、得られた画像における干渉縞の発
生状況は、第２Ａ表下欄に示すとおシであった。

実施例３ 第３Ａ表上欄に示す表面凹凸の高さくｒｍａｘ）の剛体
球を用いた以外はすべて実施例１と同様ニシテ、球状痕
跡窪み（Ｄ　＝　４５０±５０　（７１ｍ　’）、一＝
０．０５）を有するＡｔ支持体（シリンダー陽３０１〜
３０６）を得た。

次に該Ａｔ支持体（シリンダーＮ１３０１〜３０６）上
に、以下の第３Ｂ表に示す条件で、第５図に示した製造
装置を用いて光受容層を形成した。

得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像形成を行なったところ、得られた画像における干渉縞
の発生状況は、第３Ａ表下欄に示すとおりであった。

第　　３　　Ａ　　表 刈・・実施不向　△・・・実用上回　○・・・実用性良
好◎・・・実用性特に良好 実施例４ 第４Ｂ表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した
以外は、すべて実施例３と同様にして、Ａｔ支持体（シ
リンダーＮ１３０１〜３０６　）上に光受容層を形成し
た。なお、光受容層形成時における８１Ｆ、ガス及びＧ
ｅＦ、ガスのガス流量は第５図に示す流量変化線に従っ
て、マイクロコンピュータ−制御により、自動的に調整
した。

得られた光受容部材について実施例１と同様にして画像
を形成したところ、得られた画像における干渉縞の発生
状況は、第４Ａ表下欄に示すとおりであった。

第　　４　　Ａ　表 刈・・実施不向　△・・・実用上回　○・・・実用性良
好◎・・・実用性特に良好 実施例５〜１０ 実施例１のａ支持体（シリンダーＮｎ　１０３〜１０６
）上に、第５〜１０表に示す層形成条件に従って光受容
層を形成した以外はすべて実施例１と同様にして光受容
部材を作製した。なお、実施例５〜１０において、光受
容層形成時における使用ガスの流量は、各々、第四〜あ
図に示す流量変化線に従って、マイクロコンピュータ−
制御により自動的に調整した。

得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像形成をおこなった。

得られた画像は、いずれも干渉縞の発生が観察されず、
そして極めて良質のものであった。

〔発明の効果の概略〕

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルファスシリコンで構成さ・れた光
受容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、
特に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として
用いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉
縞模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像
を形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しておシ高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質
の画像を安定して繰返し得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光受容部材の１例を模式的に示した図
であり、第２及び３図は、本発明の光受容部材における
干渉縞の発生の防止の原理を説明するだめの部分拡大図
であり、第２図は、支持体表面に球状痕跡窪みによる凹
凸が形成された光受容部材において、干渉縞の発生が防
止しうろことを示す図、第３図は、従来の表面を規則的
に荒した支持体上に光受容層を堆積させた光受容部材に
おいて、干渉縞が発生することを示す図である。第４及
ｊ５図は、本発明の光受容部材の支持体表面の凹凸形状
及び該凹凸形状を作製する方法を説明するための模式図
である。第６図は、本発明の光受容部材の支持体に設け
られる凹凸形状を形成するのに好適な装置の一構成例を
模式的に示す図であって、第６（Ａ）図は正面図、第６
（Ｂ）図は縦断面図である。第７〜１５図は、本発明の
光受容層におけるゲルマニウム原子又はスズ原子の層厚
方向の分布状態を表わす図であり、第１６〜２４図は、
本発明の光受容層における第■族原子又は第Ｖ族原子の
層厚方向の分布状態を表わす図であり、各図において、
縦軸は光受容層の層厚を示し、横軸は各原子の分布濃度
を表わしている。第５図は、本発明の光受容部材の光受
容層を製造するための装置の１例で、グロー放電法によ
る製造装置の模式的説明図である。第２６図はレーザー
光による画像露光装置を説明する図である。第ｎ乃至Ｍ
図は、本発明の光受容層形成におけるガス流量比の変化
状態を示す図であり、縦軸は光受容層の層厚、横軸は使
用ガスのガス流量を示している。 第１乃至第３図について、 １（１０・・・光受容層、１０１・・・支持体、１０２
・・・光受容層、１０２′、２０１．３０１−＠　−ノ
層、ｌＯ’２’、２０２．３０２・・・第二の層、１０
３．２０３．３０３・・・自由表面、２０４．３０４・
・・第一の層と第二の層との界面第４．５図について、 ４０１．５０１・・・支持体、４０２．５０２・・・支
持体表面、４０３．５０３・・・球状痕跡窪み、４０３
′、５０３′・・・表面に凹凸形状を有する剛体球、４
０４・・・球状痕跡窪み内に形成された微小凹凸球状、
４０４′・・・剛体球表面に形成された凹凸形状 第６図について、 ６０１・・・シリンダー、６０２・・・回転軸（受）、
６０３・・・駆動手段、６０４・・・回転容器、６０５
・・・表面に凹凸形状を有する剛体球、６０６・・・容
器内壁に設けられたリブ、６０７・・・シャワー管 第５図について、 ２５０１・・・反応室、　２５０２〜２５０６・・・ガ
スボンベ、２５０６’−・ＳｎＯ／４槽、２５０７〜２
５１１　・＝　マス７　ｏ　コｙトローラ、２５１２〜
２５１６・・・流入ノ！ルプ、２５１７〜２５２１・・
・流出パルプ、２５２２〜２５２６・・・パルプ、２５
２７〜２５３１・・・圧力調整器、２５，３２．２５３
３・・・補助パルプ、　２５３４・・・メインパルプ、
　２５３５・・・リークパルプ、２５３６・・・真空計
、２５３７・・・基体シリンダー、２５３８・・・加熱
ヒーター、２５３９・・・モーター、２５４０・・・高
周波電源 第２６図について、 ２６０１・・・光受容部材、２６０２・・・半導体レー
ザー、２６０３・・・ｆθレンズ、２６０４・・・ポリ
ゴンミラー。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）支持体上に、シリコン原子と、ゲルマニウム原子
   及びスズ原子の少なくともいずれか一方とを含有する非
   晶質材料で構成された感光層を少なくとも有する多層構
   成の光受容層を備えた光受容部材であつて、前記支持体
   の表面が複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を有し、か
   つ、該球状痕跡窪み内に更に微小な複数の凹凸形状を有
   していることを特徴とする光受容部材。 （２）光受容層が伝導性を制御する物質を含有している
   、特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （３）光受容層が、伝導性を制御する物質を含有する電
   荷注入阻止層を構成層の１つとして有する、特許請求の
   範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （４）光受容層が構成層の１つとして障壁層を有する、
   特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （５）支持体の表面に設けられた複数の凹凸形状が、同
   一の曲率の球状痕跡窪みによる凹凸形状である特許請求
   の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （６）支持体の表面に設けられた複数の凹凸形状が、同
   一の曲率及び同一の幅の球状痕跡窪みによる凹凸形状で
   ある特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （７）支持体の表面の凹凸形状が、支持体表面に、表面
   に凹凸を有する複数の剛体球を自然落下させて得られた
   前記剛体球の痕跡窪みによる凹凸形状である特許請求の
   範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （８）支持体の表面の凹凸形状が、表面に凹凸を有する
   、ほぼ同一径を有する複数の剛体球をほぼ同一の高さか
   ら落下させて得られた剛体球の痕跡窪みによる凹凸形状
   である特許請求の範囲第（７）項に記載の光受容部材。 （９）球状痕跡窪みの曲率Ｒと幅Ｄとが、次式：０．０
   ３５≦Ｄ／Ｒ≦０．５ を満足する値である特許請求の範囲第（１）項に記載の
   光受容部材。 （１０）球状痕跡窪みの幅Ｄが、次式： Ｄ≦０．５ｍｍ を満足する値である特許請求の範囲第（９）項に記載の
   光受容部材。 （１１）球状痕跡窪み内の微小凹凸の高さｒが、次式： ０．５μｍ≦ｒ≦２０μｍ を満足する値である特許請求の範囲第（１）項に記載の
   光受容部材。 （１２）支持体が、金属体である特許請求の範囲第（１
   ）項に記載の光受容部材。