JPS6271963A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、ｒ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。

さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。

〔従来技術の説明〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像するか、更に必要に応じて転写、定着
などの処理を行なう、画像全記録する方法が知られてお
り、中でも電子写真法による画像形成法では、レーザー
として、小型で安価なＨθ−Ｎｅ　　レーザーあるいは
半導体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長
を有する）を使用して像記録を行なうのが一般である。

とこ゛ろで、半導体レーザーを用いる場合に適した電子
写真用の先受、容部材としては、その光感度領域の整合
性が他の種類の光受容部材と比べて優れているのに加え
て、ビッカース硬度が高く、公害の問題が少ない等の点
から評価され、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や
特開昭５６−８３７４６号公報にみられるようなシリコ
ン原子を含む非晶質材料（以後１−ａ−８ｉＪと略記す
る）から成る光受容部材が注目されている。

しかしながら、前記光受容部材については、光受容層上
単層構成のａ−８ｉ層とすると、その高光感度を保持し
つつ、電子写真用として要求される１０１２０ｍ以上の
暗抵抗を確保するには、水素原子やノ・ロゲン原子、或
いはこれ等に加えてボロン原子とを特定の量範囲で層中
に制御された形で構造的に含有させる必要性があり、た
めに層形成に当って各種条件を厳密にコントロールする
ことが要求される等、光受容部材の設計についての許容
度に可成りの制約がある。そしてそうした設計上の許容
度の問題をある程度低暗抵抗であっても、その高光感度
を有効に利用出来る様にする等しそ改善する提案がなさ
れている。即ち、例えば、特開昭５４−１２１７４３号
公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４１
７２号公報にみられるように光受容層を伝導特性の異な
る層を積層した二層以上の層構成として、光受容層内部
に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２１７８
号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１５９号
、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報にみられる
ように支持体と光受容層の間、又は／及び光受容層の上
部表面に障壁層を設けた多層構造としたシして、見掛は
上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案されている。

ところがそうした光受容層が多層構造を有する光受容部
材は、各層の層厚にばらつきがあり、これを用いてレー
ザー記録を行う場合、レーザー光が可干渉性の単色光で
あるので、光受容層のレーザー光照射側自由表面、光受
容層を構成する各層及び支持体と光受容層との層界面（
以後、この自由表面及び層界面の両者を併せた意味で「
界面」と称する。）より反射して来る反射光の夫々が干
渉を起してしまうことがしばしばある。゛ この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の原因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合にあっては
、識別性の著しく劣った阻画像を与えるところとなる。

また重要な点として、使用する半導体レーザー光の波長
領域が長波長になるにつれ光受容層に於ける該レーザー
光の吸収が減少してくるので、前記の干渉現象が顕著に
なるという問題がある。

即ち、例えば２若しくはそれ以上の層（多層）構成のも
のであるものにおいては、それらの各層について干渉効
果が起シ、それぞれの干渉が相乗的に作用し合って干渉
縞模様を呈するところとなり、それがそのま＼転写部材
に影響し、該部材上に前記干渉縞模様に対応した干渉縞
が転写、定着され可視画像に現出して不良画像をもたら
してしまうといった問題がある。

こうした問題を解消する策として、（ａ）支持体表面を
ダイヤモンド切削して、±５００　Ａ〜±１ｏｏｏ。

Ａの凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開
昭５８−１６２９７５号公報参照）、（ｂ）アルミニウ
ム支持体表面を黒色アルマイト処理したり、或いは、樹
脂中にカーボン、着色顔料、染料を分散したりして光吸
収層を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５８４５号
公報参照Ｌ（Ｃ）アルミニウム支持体表面を梨地状のア
ルマイト処理したり、サンドブラストにより砂目状の微
細凹凸を設けたりして、支持体表面に光散乱反射防止層
を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５５４号公報参
照）等が提案されてはいる。

これ等の提案方法は、一応の結果はもたらすものの、画
像上に現出する干渉縞模様を完全に解消するに十分なも
のではない。

即ち、（ａ）の方法については、支持体表面に特定ｔの
凹凸を多数設けていて、それにより光散乱効果による干
渉縞模様の現出が一応それなりに防止はされるものの、
光散乱としては依然として正反射光成分が残存するため
、該正反射光による干渉縞模様が残存してしまうことに
加えて、支持体表面での光散乱効果により照射スポット
に拡がりが生じ、実質的な解像度低下をきたしてしまう
。

（ｂ）の方法については、黒色アルマイト処理では、完
全吸収は不可能であり、支持体表面での反射光は残存し
てしまう。また、着色顔料分散樹脂層を設ける場合は、
ａ−８ｉ層を形成する際、樹脂層より脱気現象が生じ、
形成される光受容層の層重質が著しく低下すること、樹
脂層がａ−８ｉ層形成の際のプラズマによってダメージ
？受けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表面状
態の悪化によるその後のａ−ｆＥｉ層の形成に悪影響を
与えること等の問題点を有する。

（Ｃ）の方法については、例えば入射光についてみれば
光受容層の表面でその一部が反射されて反射光となり、
残りは、光受容層の内部に進入して透過光となる。透過
光は、支持体の表面に於いて、その一部は、光散乱され
て拡散光となり、残りが正反射されて反射光となり、そ
の一部が出射光となって外部に出ては行くが、出射光は
、反射光と干渉する成分であって、いずれにしろ残留す
るため依然として干渉縞模様が完全に消失はしない。

ところで、この場合の干渉を防止するについて、光受容
層内部での多重反射が起らないように、支持体の表面の
拡散性を増加させる試みもあるが、そうしたところでか
えって光受容層内で光が拡散してハレーションを生じて
しまい、結局は解像度が低下してしまう。

特に、多層構成の光受容部材においては、支持体表面を
不規則的に荒しても、第１層での表面での反射光、第２
層での反射光、支持体表面での正反射光の夫々が干渉し
て、光受容部材の各層厚にしたがった干渉縞模様が生じ
る。従って、多層構成の光受容部材においては、支持体
表面を不規則に荒すことでは、干渉縞全完全に防止する
ことは不可能である。

冬、サンドブラスト等の方法によって支持体　。

表面を不規則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於
いてバラツキが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度
に不均一があって、製造管理上問題がある。加えて、比
較的大きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯
かる大きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンをも
たらしてしまう。

又、支持体表面を単に規則的に荒したところで、通常、
支持体の表面の凹凸形状に沿って、光受容層が堆積する
ため、支持体表面の凹凸の傾斜面と光受容層の凹凸の傾
斜面とが平行になり、その部分では入射光は、明部、暗
部をもたらすところとなり、また、光受容層全体では光
受容層の層厚の不均一性があるため明暗の縞模様が現わ
れてしまう。従って、支持体表面を規則的に荒しただけ
では、干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、支持体表面での正反射光と、
光受容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面
での反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容
部材の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明は、主としてａ−８ｉで構成された光受容層を有
する光受容部材について、上述の諸問題を排除し、各種
要求を満たすものにすること金目的とするものである。

すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際
しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されなく、製造管理が容易で
ある、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光受容部
材を提供することにある。

本発明の別の目的は、全可視光域において光感度が高く
、とくに半導体レーザーとのマツチング性に優れ、且つ
光応答の速い、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する
光受容部材を提供することにある。

本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性及
び高電気的耐圧性を有する、ａ−８ｉで構成された光受
容層を有する光受容部材を提供することにある。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に厳密で安定的であり、層品質の高い、ａ−
８ｉで構成された光受容層を有する光受容部材を提供す
ることにある。

本発明の更に他の目的は、可干渉性単色光を用いる画像
形成に適し、長期の繰り返し使用にあっても、干渉縞模
様と反転現像時の斑点の現出がなく、且つ画像欠陥や画
像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明
に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得ることのでき
る、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光受容部材
を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明者らは、従来の光受容部材についての前述の諸問
題を克服して、上述の目的を達成すべく鋭意研究を重ね
た結果、下達する知見を得、該知見に基づいて本発明を
完成するに至った。

即ち、本発明は、支持体上に、シリコン原子全母体とす
る非晶質材料で構成された第一の層と、シリコン原子と
酸素原子とを含有する非晶質材料で構成された第二の層
とからなる光受容層を有する光受容部材であって、前記
支持体の表面が、複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を
有していることを骨子とする光受容部材に関する。

ところで、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果得た知見
は、概要、支持体上に複数の層を有する光受容部材にお
いて、前記支持体表面に、複数の球状痕跡窪みによる凹
凸を設けることにより、画像形成時に現われる干渉縞模
様の問題が解消されるというものである。

この知見は、本発明者らが試みた各種の実験により得た
事実関係に基づくものである。

このところを、理解を容易にするため、図面を用いて以
下に説明する。

第１図は、本発明に係る光受容部材１００の層構成を示
す模式図であシ、微小な複数の球状痕跡窪みによる凹凸
形状を有する支持体１０１上に、その凹凸の傾斜面に沿
って、第一の層１０２及び第二の層１０３を備えた光受
容部材を示している。

第２及び３図は、本発明の光受容部材において干渉縞模
様の問題が解消されるところを説明するだめの図である
。

第３図は、表面を規則的に荒した支持体上に、多層構成
の光受容層を堆積させた従来の光受容部材の一部を拡大
して示した図である。該図において、３０１は第一の層
、３０２は第二の層、３０３は自由表面、３０４は第一
の層と第二の層の界面をそれぞれ示している。第３図に
示すごとく、支持体表面を切削加工等の手段により単に
規則的に荒しただけの場合、通常は、支持体の表面の凹
凸形状に沿って光受容層が形成されるだめ、支持体表面
の凹凸の傾斜面と光受容層の凹凸の傾斜面とが平行関係
をなすところとなる。

このことが原因で、例えば、光受容層が第一の層３０１
と、第二の層３０２との２つの層からなる多層構成のも
のである光受容部材においては、例えば次のような問題
が定常的に惹起される。

即ち、第一の層と第二の層との界面３０４及び自由表面
３０３とが平行関係にあるため、界面３０４での反射光
Ｒ１と自由表面での反射光−とは方向が一致し、第二の
層の層厚に応じた干渉縞が生じる。

第２図は、第１図の一部を拡大した図であって、第２図
に示すごとく、本発明の光受容部材は支持体表面に複数
の微小な球状痕跡窪みによる凹凸形状が形成されておシ
、その上の光受容層は、該凹凸形状に沿って堆積するた
め、例えば光受容層が第一の層２０１と第二の層２０２
との二層からなる多層構成の光受容部材にあっては、第
一の層２０１と第二の層２０２との界面２０４、及び自
由表面２０３は、各々、前記支持体表面の凹凸形状に沿
って、球状痕跡窪みによる凹凸形状に形成される。界面
２０４に形成される球状痕跡窪みの曲率ｋ　Ｒ１、自由
表面に形成される球状痕跡窪みの曲率全Ｒ２とすると、
ＲユとＲ２とはＲ１％　Ｒ２となるため、界面２０４で
の反射光と、自由表面２０３での反射光とは、各々異な
る反射角度を有し、即ち、第２図におけるθ１、θ２が
０１笑θ２であって、方向が異なるうえ、第２図に示す
ｔｌ、Ｒ２、Ｒ３を用いてＬｌ＋　Ｌ２Ｌ３で表わされ
るところの波長のず−れ１も一定とはならずに変化する
だめ、いわゆるニュートンリング現象に和尚するシェア
リング干渉が生起し、干渉縞は窪み内で分散されるとこ
ろとなる。これにより、こうした光受容部材を介して現
出される画像は、ミクロ的には干渉縞が仮に現出されて
いたとしても、それらは視覚にはとられられない程度の
ものとなる。

即ち、かくなる表面形状を有する支持体の使用は、その
上に多層構成の光受容層を形成してなる光受容部材にあ
って、該光受容層を通過した光が、層界面及び支持体表
面で反射し、それらが干渉することにより、形成される
画像が縞模様となることを効率的に防止し、優れた画像
を形成しうる光受容部材ヲ得ることにつながる。

ところで、本発明の光受容部材の支持体表面の球状痕跡
窪みによる凹凸形状の曲率Ｒ及び幅りは、こうした本発
明の光受容部材における干渉縞の発生を防止する作用効
果を効率的に達成するだめには重要な要因である。本発
明者らは、各種実験、を重ねた結果以下のところを究明
した。

即ち、曲率Ｒ及び幅りが次式： ％式％ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが０．５本以上存在するこ
ととなる。さらに次式：％式％ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが１本以上存在することと
なる。

こうしたことから、光受容部材の全体に発生する干渉縞
を、各々の痕跡窪み内に分散せしめ、光受容部材におけ
る干渉縞の発生を防止するためには、前記百を０．０３
５、好ましくは０．０５５以上とすることが望ましい。

また、痕跡窪みによる凹凸の幅りは、大きくとも５００
μｍ程度、好ましくは２００１１ｒｎ以下、より好まし
くは１００１ｔｆｆ１以下とするのが望ましい。

上述のような特定の表面形状の支持体上に形成される本
発明の光受容部材の光受容層は、第一の層と第二の層と
からなり、該第−の層は、シリコン原子を母体とするア
モルファス材料、特に好ましくはシリコン原子（Ｓｉ）
と、水素原子（Ｈ）　又はノ・ロゲン原子（Ｘ）の少な
くとも一方を含有するアモルファス材料〔以下、［ａ−
８ｉ（Ｈ，Ｘ）ｊと表記する。〕で構成されており、該
第−の層には、さらに伝導性を制御する物質を含有せし
めることが好ましい。そして、該第−の層は多層構造を
有していることもあり、特に好ましくは、前記伝導性を
制御する物質を含有する電荷注入阻止層又は／及び電気
絶縁性材料から成るいわゆる障壁層を構成層の一つとし
て有するものである。

また、前記第二の層は、シリコン原子と酸素原子とを含
有するアモルファス材料で構成され、特に望ましくは、
シリコン原子（Ｓｌ）と、酸素原子（○）と、水素原子
（Ｉ（）及びノ・ロゲン原子（Ｘ）の少なくともいずれ
か一方とを含有するアモルファス材料〔以下、［ａ−８
ｉ○（Ｈ、Ｘ　）Ｊと表記する。〕で構成される。

本発明の第一の層及び第二の層の作成については、本発
明の前述の目的を効率的に達成するために、その層厚を
光学的レベルで正確に制御する必要がおることから、グ
ロー放電法、スノＱツタリング法、イオンブレーティン
グ法等の真空堆積法が通常使用されるが、これらの他、
光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等を採用することもできる。

以下、第１図に示した本発明の光受容部材の具体的構成
について詳しく説明する。

第１図は、本発明の光受容部材の層構成を説明するため
に模式的に示した図であり、図中、１００は光受容部材
、１０１は支持体、１０２は第一の層、１０３は第二の
層、１０４は自由表面を示す。

支持体 本発明の光受容部材における支持体１０１は、その表面
が光受容部材に要求される解像力よりも微小な凹凸を有
し、しかも該凹凸は、複数の球状痕跡窪みによるもので
ある。

以下に、本発明の光受容部材における支持体の表面の形
状及びその好適な製造例を、第４及び５図により説明す
るが、本発明の光受容部材における支持体の形状及びそ
の製造法は、これらによって限定されるものではない。

第４図は、本発明の光受容部材における支持体の表面の
形状の典型的−例を、その凹凸形状の一部を部分的に拡
大して模式的に示すものである。

第４図において４０１は支持体、４０２は支持体表面、
４０３は剛体真球、４０４は球状痕跡窪みを示している
。

さらに第４図は、該支持体表面形状を得るのに好ましい
製造方法の一例をも示すものでもちる。即ち、剛体真球
４０３全、支持体表面４０２より所定高さの位置より自
然落下させて支持体表面４０２に衝突させることにより
、球状窪み４０４を形成しうろことを示している。そし
て、ほぼ同一径Ｒ′の剛体真球４０３を複数個用い、そ
れらを同一の高さｈより、同時あるいは逐時、落下させ
ることにより、支持体表面４０２に、ほぼ同一曲率Ｒ及
び同一幅りを有する複数の球状痕跡窪み４０４を形成す
ることができる。

第５図は、前述のごとくして、表面に複数の球状痕跡窪
みによる凹凸形状の形成された支持体の、いくつかの典
型例を示すものである。

第５（Ａ）図に示す例では、支持体５０１の表面５０２
の異なる部位に、ほぼ同一の径の複数の球体５０３，５
０３、・・・をほぼ同一の高さより規則的に落下させて
ほぼ同一の曲率及びほぼ同一の幅の複数の痕跡窪み６０
４．６０４、・・・を互いに重複し合うように密に生じ
せしめて規則的に凹凸形状を形成したものである。なお
この場合、互いに重複する窪み５０４．５０４、・・・
を形成するには、球体５０３の支持体表面５０２への衝
突時期が、互いにずれるように球体５０３．５０３、・
・・を自然落下せしめる必要のあることはいうまでもな
い。

また、第５（Ｂ）図に示す例では、異なる径を有する二
種類の球体５０３．５０３′、・・・をほぼ同一の高さ
又は異なる高さから落下させて、支持体５０１の表面５
０２に、二種の曲率及び二種の幅の複数の窪み５０４．
５０４′、・・・を互いに重複し合うように密に生じせ
しめて、表面の凹凸の高さが不規則な凹凸を形成し、た
ものである。

更に、第５（Ｃ）図（支持体表面の正面図および断面図
）に示す例では、支持体５０１の表面５０２に、ほぼ同
一の径の複数の球体５０３．５０３、・・・をほぼ同一
の高さより不規則に落下させ、ほぼ同一の曲率及び複数
種の幅を有する複数の窪み５０４．５０・１、・・・を
互いに重複し合うように生じせしめて、不規則な凹凸を
形成したものである。

以上のように、剛体真球を支持体表面に落下させること
により、球状痕跡窪みによる凹凸形状を形成することが
できるが、この場合、剛体真球の径、落下させる高さ、
剛体真球と支持体表面の硬度、あるいは、落下させる球
体の量等の諸条件を適宜選択することにより、支持体表
面に所望の曲率及び幅を有する複数の球状痕跡窪みを、
所定の密度で形成することができる。

即ち、上記諸条件を選択することにより、支持体表面に
形成される凹凸形状の凹凸の高さや凹凸のピッチを、目
的に応じて自在に調整でき、表面に所望の凹凸形状を有
する支持体を得ることができる。

そして、光受容部材の支持体を凹凸形状表面のものにす
るについて、旋盤、フライス盤等を用いたダイヤモンド
バイトにより切削加工して作成する方法の提案がなされ
ていてそれなりに有効な方法ではあるが、該方法にあっ
ては切削油の使用、切削により不可避的に生ずる切粉の
除去、切削面に残存してしまう切削油の除去が不可欠で
あり、結局は加工処理が煩雑であって効率のよくない等
の問題を伴うところ、本発明にあっては、支持体の凹凸
表面形状を前述したように球状痕跡窪みにより形成する
ことから上述の問題は全くなくして所望の凹凸形状表面
の支持体を効率的且つ簡便に作成できる。

本発明に用いる支持体１０１は、導電性のものであって
も、まだ電気絶縁性のものであってもよい。導電性支持
体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａｚ、　
Ｃｒ％Ｍｏ、　Ａｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ。

Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｂ等の金属又はこれ等の合金が挙げられ
る。

電気絶縁性支持体としては１，１５１Ｊエステル、ポリ
スチレン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート
、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデ
ン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム
又はシート、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。

これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその
一方の表面を導電処理し、該導電処理された表面側に光
受容層を設けるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ。

Ａｔ％Ｃｒ１Ｍ０１Ａｕ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　
Ｖ、　Ｔｉ、Ｐｔ。

ｐａ　、工ｎ２０３．５ｎｏ２、■Ｔｏ　（Ｉｎ２Ｏ３
＋　５ｎＯ２）等から成る薄膜を設けることによって導
電性を付与し、或いは、ｔ？　ＩＪエステルフィルム等
の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、　Ａｔ、　Ａ
ｇ、　Ｐｂ、　Ｚｎ、　Ｎｉ。

Ａｕ、ＣｒｌＭｏ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｔ、Ｐｔ
等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその表面を
ラミネート処理して、その表面に導電性を付与する。支
持体の形状は、円筒状、ベルト状、板状等任意の形状で
あることができるが、用途、所望によって、その形状は
適宜に決めることのできるものである。例えば、第１図
の光受容部材１００を電子写真用像形成部材として使用
するのであれば、連続高速複写の場合には、無端ベルト
状又は円筒状とするのが望ましい。支持体の厚さは、所
望通りの光受容部材を形成しうる様に適宜決定するが、
光受容部材として可撓性が要求される場合には、支持体
としての機能が充分発揮される範囲内で可能な限り薄く
することがで、きる。しかしながら、支持体の製造上及
び取扱い上、機械的強度等の点から、通常は、１０μ以
上とされる。

次に、本発明の光受容部材を電子写真用の光受容部材と
して用いる場合について、その支持体表面の製造装置の
１例を第６（Ａ）図及び第６（Ｂ）図を用いて説明する
が、本発明はこれによって限定されるものではない。

電子写真用、光受容部材の支持体としては、アルミニウ
ム合金等に通常の押出加工を施して、ボートホール管あ
るいはＸンドレル管とし、更に引抜加工して得られる引
抜管に、必要に応じて熱処理や調質等の処理を施した円
筒状（シリンダー状）基体を用い、該円筒状基体に第６
（Ａ）、ＣＢ）図に示した製造装置を用いて、支持体表
面に凹凸形状を形成せしめる。

支持体表面に前述のような凹凸形状を形成するについて
用いる球体としては、例えばステンレス、７　／ｌ／ｌ
／ミニラム鉄、ニッケル、真鍮等の金属、セラミック、
プラスチック等の各種剛体球を挙げることができ、とシ
わけ耐久性及び低コスト化等の理由により、ステンレス
及び鋼鉄の剛体球が好ましい。そしてそうした球体の硬
度は、支持体の硬度よりも高くても、あるいは低くても
よいが、球体を繰返し使用する場合には、支持体の硬度
よりも高いものであることが望ましい。

第６　（Ａ）、第６　（ｄ図は製造装置全体の断面略図
であり、６０１は支持体作成用のアルミニウムシリンダ
ーであり、該シリンダー６０１は、予め表面を適宜の平
滑度に仕上げられていてもよい。

シリンダー６０１は、回転軸６０２によって軸支されて
おり、モーター等の適宜の駆動手段６０３で駆動され、
ほぼ軸芯のまわりで回転可能にされている。回転速度は
一形成する球状痕跡窪みの密度及び剛体真球の供給量等
を考慮して、適宜に決定され、制御される。

６０４は、剛体真球６０５を自然落下させるだめの落下
装置であり、剛体真球６０５を貯留し、落下させるため
のボールフィーダー６０６、フィーダー６０６から剛体
真球６０５が落下しやすいように揺動させる振動機６０
７、シリンダーに衝突して落下する剛体真球６０５を回
収するための回収槽６０８、回収槽６０８で回収された
剛体真球６０５をフィーダー６０６マで管輸送するため
のボール送り装置６０９、送り装置６０９の途中で剛体
真球を液洗浄するだめの洗浄装置６１０、洗浄装置６１
０にノズル等を介して洗浄液（溶剤等）を供給する液だ
め６１１、洗浄に用いた液を回収する回収槽６１２など
で構成されている。

フィーダー６０６から自然落下する剛体真球の量は、落
下口６１３の開閉度、振動機６０７による揺動の程度等
により適宜調節される。

第一の層 本発明の光受容部材１００においては、前述の支持体１
０１上に第一の層１０２を有するものであり、該第−の
層は、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され、必要に応じて伝
導性を制御する物質を含有せしめることができる。そし
て、該第−の層は多層構造を有していることもあり、特
に好ましくは、前記伝導性を制御する物質を含有する電
荷阻止層又は／及び電気絶縁性材料からなるいわゆる障
壁層を構成層の一つとして有するものである。

第一の層中に含有せしめるノ・ロゲン原子（Ｘ）として
は、具体的にはフッ素、塩素、臭、素、ヨウ素が挙げら
れ、特にフッ素、塩素を好適なものとして挙げることが
できる。そして、第一の層１０２中に含有される水素原
子（Ｈ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子
とノ・ロデン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は通常の場合１〜
４０　ａｔｏｍｉＣチ、好適には５〜３Ｑａｔｏｍｉｃ
％とされるのが望ましい。

また、本発明の光受容部材において、第一の層の層厚は
、本発明の目的を効率的に達成するには重要な要因の１
つであって、光受容部材に所望の特性か与えられるよう
に、光受容部材の設計の際には充分な注意を払う必要か
あり、通常は１〜１００μとするか、好まし−くは１〜
８０μ、より好ましくは２〜５０μとする。

本発明の光受容部材においては第一の層に伝導性を制御
する物質を、全層領域又は一部の層領域に均−又は不均
一な分布状態で含有せしめることができる。

前記伝導性を制御する物質としては、半導体分野におい
ていういわゆる不純物を挙げることができ、Ｐ型伝導性
を与える周期律表第■族に属する原子（以下単に「第■
族原子」と称す。）、又は、ｎ型伝導性を与える周期律
表第■族に属する原子（以下単に「第Ｖ族原子」と称す
。）が使用される。具体的には、第■族原子としては、
Ｂ（硼素）、Ａｅ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）
、Ｉｎ（インジウム）、Ｔｌ（、Ｊリウム）等を挙げる
ことができるが、特に好ましいものは、Ｂ、（）ａであ
る。また第Ｖ族原子としてはＰ（燐）、Ａｓ（砒素）、
ｓｂ（アンチモン）、Ｂ１（ビスマン）等を挙げること
ができるが、特に好ましいものは、ｐ、　ｓｂである。

本発明の第一の層に伝導性を制御する物質である第■族
原子又は第Ｖ族原子を含有せしめる場合、全層領域に含
有せしめるか、あるいは一部の層領域に含有せしめるか
は、後述するように目的とするところ乃至期待する作用
効果によって異なり、含有せしめる量も異なるところと
なる。

すなわち、第一の層の伝導型又は／及び伝導率を制御す
ることを主たる目的にする場合には、第一の層の全層領
域中に含有せしめ、この場合、第■族原子又は第Ｖ族原
子の含有量は比較的わずかでよく、通常はＩ　Ｘ　１０
−３〜Ｉ　Ｘ　１０”ａｔｏｍｉｃｐｐｌｎであり、好
ましくは５×ｌ０−２〜５ＸＩＯ２ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ、最適にはＩ　Ｘ　１０　”　〜２　Ｘ　ｔＯ”ａｔ
ｏｍｌｃｐｐｍである。

また、支持体と接する一部の層領域に第■族原子又は第
Ｖ族原子を均一な分布状態で含有せしめるか、あるいは
層厚方向における第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度
が、支持体と接する側において高濃度となるように含有
せしめる場合には、こうした第■族原子又は第Ｖ族原子
を含有する構成層あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子を
高濃度に含有する層領域は、電荷注入阻止層として機能
するところとなる。即ち、第■族原子金含有せしめた場
合には、光受容層の自由表面が■極性に帯電処理を受け
た際に、支持体側から光受容層中へ注入される電子の移
動をより効率的に阻止することができ、又、第Ｖ族原子
金含有せしめた場合には、光受容層の自由表面がＯ極性
に帯電処理を受けた際に、支持体側から光受容層中へ注
入される正孔の移動をよシ効率的に阻止することができ
る。そして、こうした場合の含有量は比較的多量であっ
て、具体的には、３Ｑ　ｗ　５　Ｘ　１０’　ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｍ、好ましくは５０〜Ｉ　Ｘ　１０’　ａｔ
ｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、最適には１×１０２〜５　Ｘ　１
０３ａｔ’○ｍｉｃ　ｐｐｍとする。さらに、該電荷注
入阻止層としての効果を効率的に奏するためには、第■
族原子又は第Ｖ族原子を含有する支持体側の端部に設け
られる層又は層領域の層厚’６ｔとし、光受容層の層厚
をＴとした場合、ｔ／Ｔ≦０．４の関係が成立すること
が望ましく、より好ましくは該関係式の値が０．３５以
下、最適には０．３以下となるようにするのが望ましい
。

また、該層又は層領域の層厚ｔは、一般的には３　Ｘ　
１０−”〜１０μとするが、好ましくは４　Ｘ　１０−
”〜８μ、最適には５　Ｘ　１ｏ−３〜５μとするのが
望ましい。

次に第一の層に含有せしめる第ｍ族原子又は第Ｖ族原子
の量が、支持体側においては比較的多量であって、支持
体側から第二の層側に向って減少し、第二の層との界面
付近においては、比較的少量となるかあるいは実質的に
ゼロに近くなるように第１ｎ族原子又は第Ｖ族原子を分
布させる場合の典型的例のいくつかを、第７図乃至第１
５図によって説明するが、本発明はこれらの例によって
限定されるものではない。各図において、横軸は第■族
原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃを、縦軸は第一の層の
層厚金示し、ｔＢは支持体と第一の層との界面位置を、
ｔ４は第一の層と第二の層との界面位置上水す。

第７図は、第一の１層中に含有せしめる第■族原子又は
第Ｖ族原子の層厚方向の分布状態の第一の典型例を示し
ている。該層では、第１ＩＩ族原子又は第Ｖ族原子を含
有する第一の層と支持体表面とが接する界面位置ｔＢよ
り位置ｔ１までは１、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布
濃度ＣがＣ１なる一定値をとり、位置ｔ１よシ第二の層
との界面位置ｔＴまでは、第■族原子又は第Ｖ族原子の
分布濃度Ｃが濃度Ｃ２から連続的に減少し、界面位置ｔ
Ｔにおいては第■族原子又は第■族原子の分布濃度Ｃが
０３となる。

第８図は、他の典型例の１つを示している。

該層では、第一の層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ
族原子の分布濃度Ｃは、位置ｔＢから位置ｔＴにいたる
まで、濃度Ｃ４から連続的に減少し、位置ｔＴにおいて
濃度Ｃ５となる。

第９図に示す例では、位置ｔＢから位置ｔ２までは第■
族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃが濃度Ｃ６なる一定
値を保ち、位置ｔ２から位置ｔＴにいたるまでは、第■
族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ７から徐々
に連続的に減少して位置ｔ７においては第■族原子又は
第Ｖ族原子の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。但し、
ここで実質的にゼロとは、検出限界量未満の場合をいう
。

第１０図に示す例では、第■族原子又は第Ｖ族原子の分
布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴにいたるまで、濃度Ｃ
８から連続的に徐々に減少し、位置ｔ７においては第■
族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃは実質的にゼロとな
る。

第１１図に示す例では、第■族原子又は第Ｖ族原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢより位置ｔ３の間においては濃度
Ｃ９の一定値にあり、位置ｔ３から位置ｔＴの間におい
ては、濃度ｃ９から濃度ｃｌｏ　となるまで、−次関数
的に減少する。

第１２図に示す例では、第■族原子又は第■族原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢよシ位置ｔ４にいたるまでは濃度
Ｃ１ｌの一定値にあり１位置ｔ４より位置ｔ１までは濃
度ｃ１２から濃度ｃ１３　となるまで−次関数的に減少
する。

第１３図に示す例においては、第■族原子又は第Ｖ族原
子の分布濃度Ｃは、位置ｔＢがら位置ｔ７にいたるまで
、濃度ｃ１４から実質的にゼロとなるまで一次関数的に
減少する。

第１４図に示す例では、第１ＴＩ　、１％原子又は第Ｖ
族原子の分布濃度Ｃは、位置ｔＢがら位置ｔ５Ｖｃいた
るまで濃度Ｃ工、から濃度Ｃ工。となるまで−次関数的
に減少し、位置ｔ５から位置ｔＴまでは濃度Ｃ工。

の一定値を保つ。

最後に、第１５図に示す例では、第■族原子又は第Ｖ族
原子の分布、濃度Ｃは、位ｍ＃　ｔＢにおいて濃度Ｃ工
、であり、位ｆｌ　ｔＢから位置ｔ６′！では濃度ｃ１
７からはじめはゆっくり減少して、位置ｔ６付近では急
激に減少し、位置ｔ６では濃度０１８　となる。次に、
位置ｔ６から位置ｔヮまでははじめのうちは急激に減少
し、その後は緩か（で徐々に減少し、位置ｔ７において
はａ度Ｃ１９となる。更に位置℃ヮと位ＲｔＢの間では
極めてゆっくりと徐々：（減少し、位置ｔ８に訃いて濃
ｖＣ２０となる。また更に、位置ｔ８から位置ｔＴに込
たるまでは、濃度Ｃ２Ｏから実質的にゼロとなるまで徐
々に減少する。

第７図〜第１５図に示した例のごとく、第一の層の支持
体側に近い側１で第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度
Ｃの高い部分を有し、第二の層との界面側においては、
該分布濃度Ｃがかなり低い濃度の部分あるいは実質的に
ゼロに近い濃度の部分を有する場合にあっては、支持６
体側に近い部分に第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度
が比較的高濃度である局在領域を設けること、好ましく
は該局在領域を支持体表面と接触する界面位置から５μ
以内１７ｉ：設けることにより、第１ＩＩ族原子又は第
Ｖ族原子の分布漿度が高濃度である層領域が電荷注入阻
止層を形成するという前述の作用効果がより一層効率的
に奏される。

以上、第１ｕ族原子又は第■族原子の分布状態について
、個々に各々の作用効果を記述したが、所望の目的を達
成しうる特性を有する光受容部材を得るについては、こ
れらの第１ｕ族原子又は第ｖ（％原子つ分布状態および
第一の層に含有せしめる第１■族原子又は第■族原子の
量を、必要に応じて適宜組み合わせて用いるものである
ことは、いうまでもない。例えば、第一の層の支持体側
の端部に電荷注入阻止層を設けた場合、電荷注入阻止層
以外の第一の層中に、電荷注入阻止層に含有せしめた伝
導性を制御する物質の極性とは別の極性の伝導性を制御
する物質を含有せしめてもよく、あるいは、同極性の伝
導性を制御する物質を、電荷注入阻止層に含有される量
よりも一段と少ない量にして含有せしめてもよい。

さらに、本発明の光受容部材（でおいては、支持体側の
端部に設ける構成層として、電荷注入阻止層の代わりに
、電気絶縁性材料から成るいわゆるＲ壁層を設けること
もでき、あるいは、該障壁、智と電荷注入６１止層との
両方を構成層とすることもできる。こうした障壁層を構
成する材料としては、Ａｌ、、Ｏ，、，５ｉ０２、Ｓｉ
３Ｎ、等の無機電気絶縁材料や、ｔ？　ＩＪカーボネー
ト等の有機電気絶縁材料を挙げることができる。

第二の層 本発明の光受容部材の第二の層１０３は、上述の第一の
層１０２上に設けられ、自由表面１０４を有する層、す
なわち表面層であり、酸素原子均一な分布状態で含有す
るａ　−ｓ　ｉ　（ａ　ｔ　ｘ　）　（即ち、ａ−３ｉ
Ｏ（Ｈ、Ｘ　）　）で構成されている。

本発明の光受容部材に第二の層１０３を設ける目的は、
耐湿性、連続繰返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境
特性、および耐久性等を向上させることにあ夛、これら
の目的は、第二の層を構成するアモルファス材料に、酸
素原子を含有せしめるととてより達成される。

又、本発明の光受容部材においては、第一の層１０２と
第二の層１０３を構成するアモルファス材料の各々が、
シリコン原子という共通した構成原子を有しているので
、第一の層１０２と第二の層１０３との界面において化
学的安定性が確保できる。

第二の層１０３中には、酸素原子を均一な分布状態で含
有せしめるものであるが、酸素原子の含有せしめる量の
増加に伴って、前述の諸物件は向上する。しかし、多す
ぎると層重質が低下し、電気的および機械的特性も低下
する。こうしたことから、酸素原子の量は、通常０．０
０１〜９０　ａｔｏｍｉｃ　％、好ましくは１〜９０　
ａｔ−ｏｍｉｃ％、最適には１０〜８０　ａｔｏｍｉ　
ｃ　％とする。

第二の層にも水素原子又はハロゲン原子の少なくともい
ずれか一方を含有せしめることが望ましく、第二の層中
に含有せしめる水素原子（Ｈ）の量、又はハロ２ン原子
（Ｘ）の量、あるいは水素原子とハロゲン原子の量の和
（Ｈ＋Ｘ）は、通常１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、好まし
くは５　ｗ　３０　ａｔｏｍｉｃ　％、最適には５〜２
５ａｔｏｍｉｃ％とする。

第二の層１０３は、所望通りの特性が得られるように注
意深く形成する必要がある。即ち、シリコン原子、およ
び酸素原子、あるいはさらに、水素原子又は／及び・・
ロゲン原子を構成原子とする物質は、各構成原子の含有
量やその他の作成条件によって、形態は結晶状態から非
晶質状態までをとり、電気的特性は導電性から、半導電
性、絶縁性までを、さらに光電的性質は光導電的性質か
ら非光導電的性質までを、各々示すため、目的に応じた
所望の特性を有する第二の層１０３を形成しうるように
、各構成原子の含有量や作成条件等を選ぶことが重要で
ある。

例えば、第二の層１０３を電気的耐圧性の向上を主たる
目的として設ける場合には、第二の層１０３を構成する
非晶質材料は、使用条件下において電気絶縁的挙動の顕
著なものとして形成する。又、第二の層１０３を連続繰
返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる目的として
設ける場合には、第二の層１０３を構成する非晶質材料
は、前述の電気的絶縁性の度合はある程度緩和するが、
照射する光に対しである程度の感度を有するものとして
形成する。

また、本発明において、第二の層の層厚も本発明の目的
を効率的に達成するための重要な要因の１つであシ、所
期の目的だ応じて、適宜決定されるものであるが、該層
に含有せしめる酸素原子、ハロゲン原子、水素原子の量
、あるいは第二の層に要求される特性に応じて相互的か
つ有機的関連性の下に決定する必要がある。更に、生産
性や量産性をも加味した経済性の点ておいても考慮する
必要もある。こうしたことがら、第二の層の層厚は通常
は３　Ｘ　１０−”〜３０μとするが、より好ましくは
４　Ｘ　ｔｏ−”〜２０μ、特に好ましくは５　ｘ　１
０−３〜１０　μトする。

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
よシ、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。

まだ、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに匝めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊て、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明て出て、且つ解像度の高い高品質
の画像を安定して繰返し得ることができる。

次Ｋ、本発明の光受容層の形成方法について説明する。

本発明の光受容層を構成する非晶質材料はいずれもグロ
ー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって行わ
れる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負
荷程度、製造規模、作製される光受容部材に所望される
ｆ特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、
所望の特性を有する光受容部材を製造するに当っての条
件の制御が比較的容易であり、シリコン原子と共に炭素
原子及び水素原子の導入を・容易に行い得る等のことか
らして、グロー放１法或いはス・Ｑツタリング法が好適
である。

そして、グロー放電法とス・ぐツタリング法とを同一装
置系内で併用して形成してもよい。

例えば、グロー放電法によって、ａ　−５Ｌ（Ｈ，Ｘ）
で構成される層を形成するには、基本的にはシリコン原
子（Ｓｌ）を供給し得るＳ１供給用の原料ガスと共に、
水素原子ｒＨ＞導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）
導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導
入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定
位置に設置した所定の支持体表面上にａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ
）から成る層を形成する。

前記Ｓ１供給用の原料ガスとしては、ＳｉＨ，、Ｓｉ２
Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、Ｓｉ４Ｈ１０等のガス状態の又はガ
ス化し得る水素化硅素（シラン類）が挙げられ、特に、
層形成作業のし易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点で、Ｓ
ｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が好ましい。

まだ、前記・・ロダン原子導入用の原料ガスとしては、
多くの・・ロデン化合物が挙げられ、例エバハロゲンガ
ス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロビンで１置
換されたシラン誘導体等Ｏガス状態の又はガス化しうる
ハロゲン化合物が文子“ましい。具体的にはフッ素、塩
素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ、　ｃａＦ、
　ａｎ’３、ＢｒＦ５、Ｂｒ’Ｆ３、工Ｆ、、、ＩＣｌ
、　ＩＢｒ等のハロゲン化合物、およびＳｉＦ、、　Ｓ
ｉ２Ｆ６．５ｉＣｌ、、ＳｉＢｒ４　　等のハロゲン化
硅素等が挙げられる。上述のごときハロゲン化硅素のガ
ス状態の又はガス化しうるものを用いる場合には、Ｓ１
供給用の原料ガスを別途使用−することなくして、／・
ロゲン原子を含有するａ−８ｉで構成された層が形成で
きるので、特（Ｃ有効である。

また、前記水素原子供給用の原料ガスとしては、水素ガ
ス、ＨＦ、　ＨＯｅ、　ＨＢｒ、　ＨＩ　　等のｊ％　
ロゲン化物、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３ＨＢ、Ｓｉ
、Ｈｌｏ　　等の水素化硅素、あるいは５１Ｈ２Ｆ２．
５ｉＨｚ１２．８　ｉ　Ｈ２Ｃ１２、Ｓ　ｉ　ＨＣｅｓ
、５ｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３　　等のハロゲン置換
水素化硅素等のガス状態の又はガス化しうるものを用い
ることができ、とれらの原料ガスを用いた場合には、電
気的あるいは光電的特性の側聞という点で極めて有効で
あるところの水素原子（Ｈ）の含有量の制御を容易に行
うことができるため、有効である。そして、前記・・ロ
デン化水素又は前記ハロゲン置換水素化硅素を用いた場
合にはハロゲン原子の導入と同時に水素原子（■（）も
導入されるので、特に有効である。

また、ａ−８Ｌ層中に含有せしめる水素原子（Ｈ）又は
／及びハロゲン原子（ｚ）の量の制御は、例えば支持体
温度、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を
導入するために用いる出発物質の堆積室内へ導入する量
、放電電力等を制御することＫよって行われる。

反応ス・Ｑツタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ってａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成するには
、例えばスパッタリング法の場合には、ハロゲン原子を
導入するについては、前記のハロゲン化合物又は前記の
ハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入
して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやればよい。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２或いは前記したシラン類等のガス
をス・々ツタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプ
ラズマ雰囲気を形成してやればよい。

例えば、反応スパッタリング法の場合には、Ｓｉターゲ
ットを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及びＨ２ガス
を必要に応じてＨｅ、Ａｒ、等の不活性ガスも含めて堆
積室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記Ｓｉタ
ーゲットをスパッタリングすることだよって、支持体上
にａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成する。

グロー放電法、ス・ξツタリング法、あるいはイオンブ
レーティング法を用いて、ａ　−５ｉ（Ｈ，Ｘ）に第■
族原子又は第■族原子を含有せしめた非晶質材料で構成
された層を形成するには、ａ−９ｉ（ＨＩＸ）の層の形
成の際に、第１■族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物
質、窒素原子導入用の出発物質、酸素原子導入用の出発
°物質、あるいは炭素原子導入用の出発物質を、前述し
たａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質と共に使用して
、形成する層中へのそれらの量を制御しながら含有せし
めてやることによって行なう。

例えば、グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオ
ンシレーティング法を用いて、第■族原子又は第Ｖ族原
子を含有するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される層又は層
領域を形成するには、上述のａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成
される層の形成の際に、第１■族原子又は第Ｖ族原子導
入用の出発物質を、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物
質とともに使用して、形成する層中へのそれらの量を制
御しながら含有せしめることによって行なう。

第１ＩＩ族原子導入用の出発物質として具体的には硼素
原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６、Ｂ、Ｈ工０、Ｂ５Ｈ９
、Ｂ６Ｈ１１％　Ｂ６Ｈ１０％　Ｂ６Ｈ１２、Ｂ６Ｈ１
４等の水素化硼素、ＢＦ３、ＢＣｌ３３、ＢＢｒ３　等
のノ・ロデン化硼素等が挙げられる。コ（７）他、Ａｌ
Ｃｌ３、ＣａＣ１１３、Ｇａ　（ＣＨ３）２、ＩｎＣＪ
３、ＴｌＣｌ３等も挙げることができる。

第■族原子導入用の出発物質として、具体的には燐原子
導入用としてはＰＨ３、Ｐ２Ｈ６等の水素比隣、ＰＨ，
工、ＰＦ３、ＰＦ５．２０ｇ３、ＰＣｌ５、ＰＢｒ３、
ＰＢ　ｒ５、ＰＩ３等の・・ロゲン比隣が挙げられる。

この他、ＡｓＦ３、ＡｓＦ３、Ａ３０１３、ＡｓＢｒ３
、ＡｓＦ５．８１）Ｈ３、ＳｂＦ３、ＳｂＦ、、５ｂｃ
１３．５ｂＣ１５、ＢｉＨ３、ＢｉＣＪ５、Ｂ１Ｂｒ３
　等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なものとして
挙げることができる。

酸素原子を含有するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第
二の層を形成するのにグロー放電法を用いる場合には、
前記した光受容層形成用の出発物質の中から所望に従っ
て選択されたものに酸素原子導入用の出発物質が加えら
れる。その様な酸素原子導入用の出発物質としては、少
なくとも酸素原子を構成原子とするガス状の物質又はガ
ス化し得る物質であればほとんどのものが使用できる。

例えばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）
を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して
使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｌ）を構成原子と
する原料ガスと、酸素原子（０）及び水素原子（Ｈ）を
構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で
混合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子
とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）、酸素原子（
０）及び水素原子（Ｈ）の３つを構成原子とする原料ガ
スとを混合して使用することができる。

又、別には、シリコン原子（ｓｌ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用してもよい。

具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン（０３）、−
酸化窒素（Ｎｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸化窒
素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２Ｏ３）　、四三酸化
窒素（Ｎ２Ｏ４）、三二酸化窒素（Ｎ２０゜）、三酸化
窒素（Ｎｏ３）、シリコン原子（Ｓｌ）と酸素原子（０
）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えばジシロ
キサン（ａ３ｓ１ｏｓｕｒ３）、トリシロキサン（Ｈ３
ＳｉＯ８ＩＨ２０Ｓ１Ｈ３）等の低級シロキサン等を挙
げることができる。

スパッタリング法によって、酸素原子を含有するａ−８
１で構成された第二の層を形成するには、単結晶又は多
結晶のＳｉウェー・・−又は５１０２ウエーハー、又は
Ｓｉと５ｉ０２が混合されて含有されているウェーハー
をターゲットとして、これ等を種々のガス雰囲気中でス
、ｅツタリングすることによって行えばよい。

例えば、Ｓ１ウエーハーをターゲットとして使用すれば
、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパンター用の堆積室中に導入し、これ等
のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｌウェー・・−
をスパッタリングすればよい。

又、別には、Ｓｉと５ｉ０２とは別々のターゲットとし
て、又はＳｌと８１０２の混合した一枚のターゲットを
使用することによって、ス・ぐツタ−用のガスとしての
稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ）又
は／及びノ・ロゲン原子（）：）を構成原子として含有
するガス雰囲気中でス、ｅツタリングすることによって
形成できる。酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述
したグロー放電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導
入用の原料ガスが、ス、ｅツタリングの場合にも有効な
ガスとして使用できる。

グロー放電法、スパッタリング法、あるいはイオンブレ
ーティング法により本発明の光受容層を形成する場合、
ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）Ｉ／Ｃ導入する第■族原子又は第Ｖ
族原子、酸素原子、あるいは水素原子父は／及びハロゲ
ン原子の量の制御は、堆積室中に流入される出発物質の
ガス流量、ガス流量比を制御することにより行なわれる
。

また、光受容層形成時の支持体温度、堆積室内のガス圧
、放電パワー等の条件は、所望の特性を有する光受容部
材を得るためには重要な要因であシ、形成する層の機能
に考慮をはらって適宜選択されるものである。さらに、
これらの層形成条件は、光受容層に含有せしめる上記の
各原子の種類及び量によっても異なることもあることか
ら、含有せしめる原子の種類あるいはその量等にも考慮
をはらって決定する必要もある。

具体的には、支持体温度は、通常５０〜３５０℃とする
が、特に好ましくは５０〜２５０℃とする。

堆積室内のガス圧は、通常０．０１〜ｌ　Ｔｏｒｒとす
るが、特に好ましくは０．１〜Ｑ、５　Ｔｏｒｒとする
。

また、放電・々ターは００ＯＯ５〜５０Ｗ／ｃｒｒＬ２
とするのが通常であるが、より好ましくは０．０１〜３
０Ｗ乙１２、特に好ましくは０．０１〜２０Ｗ／６ｒ１
ｔ２とする。

しかし、これらの、層形成を行うについての支持体温度
、放電、ｅター、堆積室内のガス圧の具体的条件ば、通
常には個々に独立しては容易ては決め難いものである。

したがって、所望の特性の非晶質材料層を形成すべく、
相互的且つ有機的関連性に基づいて、層形成の至適条件
を決めるのが望捷しい。

ところで、本発明の光受容層に含有せしめる酸素原子、
第１ＩＩ族原子又は第Ｖ族原子、あるいは水素原子又は
／及び・・ロゲン原子の分布状態を均一とするためには
、光受容層を形成するに際して、前記の諸条件を一定て
保つことが必要である。

また、本発明ておいて、第一の層の形成の際に、該層中
に含有せしめる第１１！族原子又？′ｉ第ｖ族原子の分
布濃度を層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状
態を有する光受容層を形成するには、グロー放？を法を
用いる場合であれば、第１１疾原子又は第Ｖ族原子導入
用の出発物質のガスの堆積室内に導入する際のガス流量
を、所望の変化率に従って適宜変化させ、その他の条Ｆ
’ｌ＝を一定に保ちつつ形成する。そして、ガス流量を
変ｆヒさせるには、具体的には、例えば手動あるいは外
部、屯動モータ等の通常用いられている何らかの方法に
より、ガス流路系の途中に設けられた所定のニードルバ
ルブの開ロ′ｊ−漸次変化させる操作を行えばよい。こ
のとき、流量の変化率は線型である必要はなく、例えば
マイコン等を用いて、あらかじめ設計された変化率曲線
に従って流量を制御し、所望の含有率曲線を得ることも
できる。

また、第一の層をス・Ｑツタリング法を用いて形成する
場合、第１ＩＩ族原子又はＱｇ　ｖ族原子の層厚方向の
分布濃度を層厚方向で変化させて所望の層Ｊ１方向の分
布状態を形成するには、グロー故′［１記法を用いた場
合と同様に、第１■挨原子又は第Ｖ族原子導入用の出発
物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室内へ導入する
際のガス流量を所望の変化率に従って変化させる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例１ｐＪ至６に従って、より詳細に
説明するが１本発明はこれ等（Ｃよって限定されるもの
ではない。

各実施例においては、光受容層をグロー放電法を用いて
形成した。第１６図はグロー放電法による本発明の光受
容部材の製造装置である。

図中の１６０２．１６０３．１６０４．１６０５．１６
０６のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成するた
めの原料ガスが密封されており、その−例として、たと
えば、１６ｏ２はＳｉＨ２ガス（純度９９．９９９％）
ボンベ、１６０３はＢ２で稀釈されたＢ２Ｈ６ガス（純
度９９．９９９Ｌ以下Ｂ２　Ｈ６／　Ｈ２と略す。）ボ
ンベ、１６０４はＢ２ガスで稀釈されたＰＨ３ガス（純
度９９．９９９％、以降ＰＨ５／　Ｂ２ガスと略す。）
ボンベ、１６０５はＢ２ガス（純度９９．９９９％）ホ
ンへ、１６０６は０２ガス（純度９９．９９９％）ボン
ベである。

これらのガスを反応室１．６０１に流入させるにはガス
ボンベ１６０２〜１６０６のバルブ１６２２〜１６２６
、リークバルブ１６３５が閉じられていることを確認し
又、流入バルブ１６１２〜１６１６、流′出パルプ１６
１７〜１６２１　、補助ノぐルブ１６３２．１６３３が
開かれていることを確認して、先ずメインバルブ１６３
４を開いて反応室１６０１、ガス配管内を排気する。次
に真空計１６３６の読みが約５　ｘ　１０−’ｔｏｒｒ
てなった時点で、補助バルブ１６３２．１６３３、流出
バルブ１６１７〜１６２１を閉じる。

基体／リンダーエ６３７上に光受容層を形成する場合の
一例をあげる。ガスボンベ１６０２ヨリ５ＩＨ４ガス、
ガスボンベ１６０３よりＢ２　Ｈ６／　Ｂ２　　ガスの
夫夫を、２ルブ１６２２．１６２３を開いて出口圧ゲー
ジ１６２７．１６２８の圧を１ｋｇＺα２に調整し、流
入バルブ１６１２．１６１３を徐々に開けて、マスフロ
コントローラ１６０７．１６０８内に流入させる。引き
続いて流出バルブ１６１７．１６１８、補助バルブ１６
３２を徐々に開いてガスを反応室１６ｏ１内に流入させ
る。このときのＳｉＨ，ガス流量、Ｂ２　Ｈ６／Ｈ２ガ
ス流量の比が所望の値てなるように流出バルブ１６エ７
．１６１８を調整し、又、反応室１６０１内の圧力が所
望の値だなるようだ真空計１６３６．の読みを見ながら
メインバルブ１６３４の開口を調整する。

そして基体シリンダー１６３７の温度が加熱ヒーター１
６３８てよシ５０〜４００℃の範囲の温度に設定されて
いることを確認された後、電源１６１１ｏを所望の電力
に設定して反応室１６０１内にグ凸−放電を生起せしめ
るとともに、マイクロコンビエータ−（図示せず）を用
いて、あらかじめ設計された変化率線に従って、Ｂ２Ｈ
６／Ｂ２がス流ｋ　トｓｉＨ。

ガス流量とを制御しながら、基体シリンダー１６３７上
（Ｃ先ず、硼素原子を含有するａ−８ｉで構成された第
一の層を形成する。

所定時間ドを過後、Ｂ２　Ｈ６／　Ｂ２ガスと反応室１
６ｏ１内に導入するのを中止し７、前述の第一の層形成
時と同様にして０２ガスとＳｉＨ，ガスとを反応室１６
０１内に導入すること０でより、前記＋ＪＯＩ素原子を
含有するａ−９ｉ層で構゛成された第一の層の上：Ｃ１
酸素原子を含有するａ−Ｓｉ層で這成さ九だ第二の層を
形成することができる。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出・↑ルプ以外
の流出バルブは全て閉じることは言うまでもなく、又夫
々の層を形成する除、前層の形成に使用したガスが反応
室１６０１内、流出バルブ１６１７〜１６２１から反応
室１６ｏ１内に至るガス配管内に残留することを避ける
ために、流出パルプ１６１７〜１６２１を閉じ補助パル
プ１６３２．１６３３を開いてメインパルプ１６３４を
全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じ
て行う。

試験例 径２朋のＳＵＳステンレス製剛体真球を用い、前述の第
６図に示した装置を用い、アルミニウム合金製シリンダ
ー（径６０朋、長さ２ｇｓ　ｒｉｒｎ　）の表面を処理
し、凹凸を形成させた。

真球の径Ｒ′、落下高さｈと痕跡窪みの曲率Ｒ１幅りと
の関係を調べたところ、痕跡窪みの曲率Ｒとｒ４　Ｄと
は、真球の径Ｒ′と落下高さｈ等の条件により決められ
ることが確認された。まだ、痕跡窪みのピンチ（痕跡窪
みの密度、また凹凸のピンチ）は、シリンダーの回転速
ｊＷ、回転敢乃至は剛体真球の落下量等を制御して所望
のピンチて調整することがでさることが確認された。

実施例１ 拭慎例と同様だアルミニウム合金製シリンダーの表面を
処理し、第１Ａ表上欄に示すＤ、及びｐを有するノリン
ダー状ＡＩ支持体（シリンダ−１Ｊｕ１０１〜１０６）
を得た。

次に該Ａｄ支持体（シリンダー階１０１〜１０６）上に
、以下のｉｌＢ表に示す条件で、第１６図に示した製造
装置により光受容層を形成した。

これらの光受容部材について、第１７図に示す画１象露
光装置を用い、波長７８０ｎｍ、スポット径８０μｍの
レーザー光を照射して画像露光を行ない、現像、転写を
行なって画像を得た。得られた画像の干渉縞の発生状況
は第１Ａ表下瀾に示すとおりであった。

なお、第１７（Ａ）図は露光装置の全体を模式的に示す
平面略図であり、第１７　（Ｂ）図は、４光装置の全体
を模式的に示す側面格区である。図中、１７０１は光受
容部材、１７０２は半導体レーザー、１７０３ばｆθレ
ンズ、１７０４は７Ｐリゴンミラーを示している。

次に、比較として、従来のダイヤモンドバイトにより表
面処理されたアルミニウム合金製シリンダー（径Ｇｏ　
ｍｍ　、長さ２９８＋ＩＩｍ、凹凸ピッチ１００μｍ１
凹凸の深さ３μｍ）を用いて、前述と同様・てして光受
容部材を作製した。得られた光受容部材を電子顕微鏡で
観察したところ、支持体表面と光受容層の層界面及び光
受容層の表面とは平行をなしていた。この光受容部材を
用いて、前述と同様υてして両像形成をおこない、得ら
れた画像について前述と同様の評価を行なった。

その結果は、第１Ａ表下欄に示すとおりであった。

実施例２、 第２Ｂ表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した
以外はすべて実施例１と同様にして、Ａｔ支持体（７リ
ンダーＮｏ、１０１〜１０７）上に光受容層を形成した
。

得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像を形成したところ、得られた画像における干渉縞の発
生状況は、第２Ａ表下欄に示すとおりであった。

実施例３〜６ 実施例１のＡｔ支持体（シリンダーＮ１１１０３〜１０
６）上に、第３〜６表に示す層形成条件に従って光受容
層を形成した以外はすべて実施例１と同様にして光受容
部材を作製した。なお、実施例４〜６において、第一の
層形成時におけるＢ２Ｈ６／Ｈ２ガス及びＨ２ガスの流
量は、各々、第１８〜２０図に示す流量変化線に従って
、マイクロコンピュータ−制御により自動的に調整した
。

得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像形成をおこなった。

得られた画像は、いずれも干渉縞の発生が観察されず、
そして極めて良質のものであった。

〔発明の効果の概略〕

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
よシ、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的５光
導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、・・−フトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光受容部材の１例を模式的に示した図
であり、第２及び３図は、本発明の光受容部材における
干渉縞の発生の防止の原理全説明するための部分拡大図
であり、第２図は、支持体表面に球状痕跡窪みによる凹
凸が形成された光受容部材において、干渉縞の発生が防
止しうろことを示す図、第３図は、従来の表面全規則的
に荒した支持体上に光受容層を堆積させた光受容部材に
おいて、干渉縞が発生することを示す図である。第４＆
び５図は、本発明の光受容部材の支持体表面の凹凸形状
及び該凹凸形状を作製する方法を説明するための模式図
である。第６図は、本発明の光受容部材の支持体に設け
られる凹凸形状を形成するのに好適な装置の一構成例を
模式的に示す図であって、第６（４）図は正面図、第６
（Ｂ）図は縦断面図である。 第７〜１５図は、本発明の光受容部材の第一の層におけ
る第■族原子又は第Ｖ族原子の層厚方向の分布状態を表
わす図であり、各図において、縦軸は第一の層の層厚を
示し、横軸は各原子の分布濃度を表わしている。第１６
図は、本発明の光受容部材の光受容層を製造するだめの
装置の１例で、グロー放電法による製造装置の模式的説
明図である。第１７図はレーザー光による画像露光装置
を説明する図である。第１８乃至加図は、本発明の光受
容層形成におけるガス流量比の変化状態を示す図であり
、縦軸は第一の層の層厚、横軸は使用ガスのガス流量を
示している。 第１乃至第３図について、 １００・・・光受容層、１０１・・・支持体、１０２．
２０１．３０１・・・第一の層、１０３．２０２．３０
２・・・第二の層、１０４．２０３．３０３・・・自由
表面、２０４．３０４・・・第一の層と第二の層との界
面、 第４．５図について、 ４０１．５０１−・・支持体、４０２，５０２−・・支
持体表面、４０３．５０３，５０３′・・・剛体真球、
４０４．５０４・・・球状痕跡窪み、 第６図について、 ６０１・・・シリンダー、６０２・・・回転軸、６０３
・・・駆動手段、６０４・・・落下装置、６０５・・・
剛体真球、６０６・・・ボールフィーダー、６０７・・
・振動機、６０８・・・回収槽、６０９・・・ボール送
り装置、６１０・・・洗浄装置、６１１・・・洗浄液だ
め、６１２・・・洗浄液回収槽、６１３・・・落下口、 第１６図について、 １６０１・・・反応室、１６０２〜１６０６・・・ガス
ボンベ、１６０７〜１６１１・・・マスフロコントロー
ラ、１６１２〜１６Ｉ６・・・流入バルブ、１６１７〜
１６２１・・・流出バルブ、１６２２〜１６２６・・・
バルブ、１６２７〜１６３１・・・圧力調整器、１６３
２．１６３３・・・補助バルブ、１６３４・・・、メイ
ンバルブ、１６３５・・・リークバルブ、１６３６・・
・真空計、１６３７・・・基体シリンダー、１６３８・
・・加熱ヒーター、１６３９・・・モーター、１６４０
・・・高周波電源、第１７図について、 １７０１・・・光受容部材、１７０２・・・半導体レー
ザー、１７０３・・・ｆθレンズ、　１７０４・・・ポ
リゴンミラー。 １２面の７争３仔−ｊに＝更なし） 第６（Ｂ）図 第５（Ａ）図 第７図 第８図 □Ｃ 第１３図 第１７図 第１８図 Ｈ２ガス　　　　　　　　　８２Ｈ＠／）（、ガスＨ２
ガス　　　　　　Ｂ２Ｈ６／Ｈ２ガス２００　　　　　
　　　　　ＳＣＣＭ Ｂ２Ｈ６／Ｈ２ガス 手　続　補　正　書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和６０年特許願第２１０２５７　号 ２発明の名称 光　　受　　容　　部　　材 ３、補正をする者 事件との関係　　　　特許出願人 住　所　　東京都大田区下丸子３丁目３０番２号名称　
（１００）キャノン株式会社 ４、代理人 住　所　　東京都千代田区麹町３丁目１２番地６麹町グ
リーンビル ６、補正の対象 明細書および図面 ７、補正の内容 願書に最初に添付した明細書および図面の浄書・別紙の
とおり（内容に変更なし） 以上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）支持体上に、シリコン原子を母体とする非晶質材
   料で構成された第一の層と、シリコン原子と酸素原子と
   を含有する非晶質材料で構成された第二の層とからなる
   光受容層を有する光受容部材であつて、前記支持体の表
   面が、複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を有している
   ことを特徴とする光受容部材。 （２）第一の層が伝導性を制御する物質を含有している
   、特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （３）第一の層が多層構成の層である特許請求の範囲第
   （１）項に記載の光受容部材。 （４）第一の層が、伝導性を制御する物質を含有する電
   荷注入阻止層を構成層の１つとして有する、特許請求の
   範囲第（３）項に記載の光受容部材。 （５）第一の層が、構成層の１つとして障壁層を有する
   、特許請求の範囲第（３）項に記載の光受容部材。 （６）第二の層中に酸素原子を均一な分布状態で含有せ
   しめた特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （７）支持体の表面に設けられた複数の凹凸形状が、同
   一の曲率の球状痕跡窪みによる凹凸形状である特許請求
   の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （８）支持体の表面に設けられた複数の凹凸形状が、同
   一の曲率及び同一の幅の球状痕跡窪みによる凹凸形状で
   ある特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （９）支持体の表面の凹凸形状が、支持体表面に複数の
   剛体真球を自然落下させて得られた前記剛体真球の痕跡
   窪みによる凹凸形状である特許請求の範囲第（１）項に
   記載の光受容部材。 （１０）支持体表面の凹凸形状が、ほぼ同一径の剛体真
   球をほぼ同一の高さから落下させて得られた剛体真球の
   痕跡窪みによる凹凸形状である特許請求の範囲第（１）
   項に記載の光受容部材。 （１１）球状痕跡窪みの曲率Ｒと幅Ｄとが、次式：０．
   ０３５≦Ｄ／Ｒを満足する値である特許請求の範囲第（
   １）項に記載の光受容部材。 （１０）球状痕跡窪みの幅が、５００μｍ以下である特
   許請求の範囲第（１１）項に記載の光受容部材。 （１１）支持体が、金属体である特許請求の範囲第（１
   ）項に記載の光受容部材。