JPS6279472A

JPS6279472A - 光受容部材

Info

Publication number: JPS6279472A
Application number: JP21991285A
Authority: JP
Inventors: Mitsuru Honda; 充本田; Keiichi Murai; 啓一村井; Kyosuke Ogawa; 小川　恭介; Atsushi Koike; 淳小池
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1985-10-02
Filing date: 1985-10-02
Publication date: 1987-04-11
Anticipated expiration: 2009-08-31
Also published as: JPH0668630B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の属する技術分野〕本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。

さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。

〔従来技術の説明〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像するか、更に必要に応じて転写、定着
などの処理を行ない、画像を記録する方法が知られてお
り、中でも電子写＾法による画像形成法では、レーサー
として、小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半導
体レーザー（通常は６５０〜Ｂ２Ｏｎｍの発光波長を有
する）を使用して像記録を行なうのが一般である。

ところで、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写
真用の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が
他の種類の光受容部材と比べて優れているのに加えて、
ビッカース硬度が高く、公害の問題が少ない等の点から
評価され、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開
昭５６−８３７４６号公報にみられるようなシリコン原
子を含む非晶質材料（以後ｒａ−８ｉＪと略記する）か
ら成る光受容部材が注目されている。

しかしながら、前記光受容部材については、光受容層を
単層構成のａ　−Ｓｉ層とすると、その高光感度を保持
しつつ、電子写真用として要求される１０１２９α以上
の暗抵抗を確保するには、水素原子やハロゲン原子、或
いはこれ等に加えてボロン原子とを特定の量範囲で層中
に制御された形で構造的に含有させる必要性があり、た
めにノー形成に当って各種条件を厳密にコントロールす
ることが要求される等、光受容部材の設計についての許
容度に可成りの制約がある。そしてそうした設計上の許
容度の問題をある程度低暗抵抗であっても、その高光感
度を有効に利用出来る様にする等して改善する提案がな
されている。即ち、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報にみられるように光受容層を伝導特性の異
なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容層内
部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２１７
８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１５９
号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報にみられ
るように支持体と光受容層の間、又は／及び光受容層の
上部表面に障壁層を設けた多層構造としたりして、見掛
は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案されている。

ところがそうした光受容層が多層構造を有する光受容部
材は、各層の層厚にばらつきがあり、これを用いてレー
ザー記録を行う場合、レーザー光が可干渉性の単色光で
あるので、光受容１のレーザー光照射側自由表面、光受
容層を構成する各層及び支持体と光受容層との層界面（
以後、この自由表面及び層界面の両者を併せた意味で「
界面」と称する。）より反射して来る反射光の夫々が干
渉を起してしまうことがしばしばある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、新組、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の原因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合にあっては
、識別性の著しく劣った阻画像を与えるところとなる。

また重要な点として、使用する半導体レーザー光の波長
領域が長波長になるにつれ光受容層に於ける該レーザー
光の吸収が減少してくるので、前記の干渉現象が顕著に
なるという問題がある。

即ち、例えば２若しくはそれ以上の層（多層）構成のも
のであるものにおいては、それらの各層について干渉効
果が起り、それぞれの干渉が相乗的に作用し会って干渉
縞模様を呈するところとなり、それがそのま＼転写部材
に影響し、該部材上に前記干渉縞模様に対応した干渉縞
が転写、定着され可視画像に現出して不良画像をもたら
してしまうといった問題がある。

こうした問題を解消する策として、（ａ）支持体表面を
ダイヤモンド切削して、±５０ＯＡ−４１００００糞の
凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５
８−１６２９７５号公報参照）　、（ｂ）アルミニウム
支持体表面を黒色アルマイト処理したり、或いは、樹脂
中にカーボン、着色顔料、染料を分散したプして光吸収
層を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５８４５号公
報参照）、（Ｃ）アルミニウム支持体表面を梨地状のア
ルマイト処理したシ、サンドブラストにより砂目状の微
細凹凸を設けたりして、支持体表面に光散乱反射防止層
を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５５４号公報参
照）等が提案されてはいる。

これ等の提案方法は、一応の結果はもたらすものの、画
像上に現出する干渉縞模様を完全に解消するに十分なも
のではない。

即ち、（転）の方法については、支持体表面に特定ｔの
凹凸を多数設けていて、それにより光散乱効果による干
渉縞模様の現出が一応それなりに防止はされるものの、
光散乱としては依然として正反射光成分が残存するため
、該正反射光による干渉縞模様が残存してしまうことに
加えて、支持体表面での光散乱効果により照射スポット
に拡がりが生じ、実質的な解像度低下なきたしてしまう
。

（ｂ）の方法については、黒色アルマイト処理では、完
全吸収は不可能であり、支持体表面での反射光は残存し
てしまう。また、着色顔料分散樹脂層を設ける場合は、
ａ　−８ｉ層を形成する際、樹脂層より脱気現象が生じ
、形成される光受容層の層品質が者しく低下すること、
樹脂層がａ　−８ｉ層形成の際のプラズマによってダメ
ージを受けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表
面状態の悪化によるその後のａ　−ｓｉ層の形成に悪影
響を与えること等の問題点を有する。

（Ｃ）の方法については、例えば入射光についてみれば
光受容ノーの表面でその一部が反射されて反射光となり
、残りは、光受容層の内部に進入して透過光となる。透
過光は、支持体の表面に於いて、その一部は、光散乱さ
れて拡散光となり、残りが正反射されて反射光と造り、
その一部が出射光となって外部に出ては行くが、出射光
は、反射光と干渉する成分であって、いずれにしろ残留
するため依然として干渉縞模様が完全に消失はしない。

ところで、この場合の干渉を防止するについて、光受容
層内部での多重反射が起らないように、支持体の表面の
拡散性を増加させる試みもあるが、そうしたところでか
えって光受容層内で光が拡散してハレーションを生じて
しまい、結局は解儂度が低下してしまう。

・　特に、多層構成の光受容部材においては、支持体表
面を不規則的に荒しても、第１層での表面での反射光、
第２層での反射光、支持体表面での正反射光の夫々が干
渉して、光受容部材の各層厚にしたがった干渉縞模様が
生じる。従って、多層構成の光受容部材においては、支
持体表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止
することは不可能である。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上問題がある。加えて、比較的大きな
突起がうンダムに形成される機会が多く、斯かる大きな
突起が光受容層の局所的ブレークダウンをもたらしてし
まう。

又、支持体表面を単に規則的に荒したところで、通常、
支持体の表面の凹凸形状に沿って、光受容層が堆積する
ため、支持体表面の凹凸の傾斜面と光受容層の凹凸の傾
斜面とが平行になり、その部分では入射光は、明部、暗
部をもたらすところとなり、また、光受容層全体では光
受容層のノー厚の不均一性があるため明暗の縞模様が現
われてしまう。従って、支持体表面を規則的に荒しただ
けでは、干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない
。

父、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
Ｊ−を堆積させた場合にも、支持体表面での正反射光と
、光受容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界
面での反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受
容部材の干渉縞模様発現度会より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明は、主としてａ　−Ｓｉで構成された光受容層を
有する光受容部材について、上述の諸問題を排除し、各
種要求を満たすものにすることを目的とするものである
。

すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際
しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されなく、製造管理が容易で
ある、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光受容部
材を提供することにある。

本発明の別の目的は、全可視光域において光感度が高く
、とくに半導体レーザーとのマツチング性に優れ、且つ
光応答の速い、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する
光受容部材を提供することにある。

本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性及
び高電気的耐圧性を有する、ａ　−Ｓｉで構成された光
受容層を有する光受容部材を提供することにある。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける。＠層性に優れ
、構造配列的に厳密で安定的であり、層品質の高い、ａ
−８ｉで構成された光受容層を有する光受容部材を提供
することにある。

本発明の更に他の目的は、可干渉性単色光を用いる画１
β形成に適し、長期の繰り返し便用にあっても、干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出がなく、且つ画像欠陥や
画像のボケが全くなく、ａ度が賜＜、ノ・−フトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、同品質画像を得ることの
できる、ａ　−Ｓｉで構成された光受容層を有する光受
容部材を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明者らは、従来の光受容部材についての前述の諸問
題を克服して、上述の目的を達成すべく鋭意研究を重ね
た結果、下述する知見を得、該知見に基づいて本発明を
完成するに至った。

即ち本発明は、支持体上に、シリコン原子と、酸素原子
、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種
とを含有する非晶質材料でそれぞれ構成された第一の層
と第二の層とを有する光受容層を備え、前記第一の層と
前記第二の層の構成材料に含有される酸素原子、炭素原
子及び窒素原子の中から選ばれるものが互に異るもので
あり、前記支持体の表面が複数の球状痕跡窪みによる凹
凸形状を有していることを骨子とする光受容部材に関す
る。

ところで、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果得た知見
は、概要、支持体上に複数の層を有する光受容部材にお
いて、前記支持体表面に、複数の球状痕跡窪みによる凹
凸を設けることにより、画像形成時に現われる干渉縞模
様の問題が解消されるというものである。

この知見は、本発明者らが試みた各種の実験により得た
事実関係に基づくものである。

このところを、理解を容易にするため、図面を用いて以
下に説明する。

第１図は、本発明に係る光受容部材１０００層構成を示
す模式図であり、微小な複数の球状痕跡窪みによる凹凸
形状を有する支持体１０１上に、その凹凸の傾斜面に沿
って、第一の層１０２′及び第二の層１０２“とからな
る光受容層１０２を備えた光受容部材を示している。

第２及び６図は、本発明の光受容部材において干渉縞模
様の問題が解消されるところを説明するための図である
。

第３図は、表面を規則的に荒した支持体上に、多層構成
の光受容層を堆積させた従来の光受容部材の一部を拡大
して示した図である。読図において、３０１は第一の層
、３０２は第二の層、６０３は自由表面、６０４は第一
の層と第二の層の界面をそれぞれ示している。第３図に
示すごとく、支持体表面を切削加工等の手段により単に
規則的に荒しただけの場合、通常は、支持体の表面の凹
凸形状に沿って光受容層が形成されるため、支持体表面
の凹凸の傾斜面と光受容層の凹凸の傾斜面とが平行関係
をなすところとなる。

このことが原因で、例えば、光受容層が第一の層３０１
と、第二の層３０２との２つの層からなる多層構成のも
のである光受容部材においては、例えば次のような問題
が定常的に惹起される。

即ち、第一の層と第二の層との界面３０４及び自由表面
３０３とが平行関係にあるため、界面３０４での反射光
Ｒ１と自由表面での反射光Ｒ２とは方向が一致し、第二
の層の層厚に応じた干渉縞が生じる。

第２図は、第１図の一部を拡大した図であって、第２図
に示すごとく、本発明の光受容部材は支持体表面に複数
の微小な球状痕跡窪みによる凹凸形状が形成されており
、その上の光受容層は、該凹凸形状に沿って堆積するた
め、例えば光受容層が第一の層２０１と第二の層２０２
との二層からなる多層構成の光受容部材にあっては、第
一の層２０１と第二の層２０２との界面２０４、及び自
由表面２０３は、各々、前記支持体表面の凹凸形状に沿
って、球状痕跡窪みによる凹凸形状に形成される。界面
２０４に形成される球状痕跡窪みの曲率をＲ１、自由表
面に形成される球状痕跡窪みの曲率をＲ２とすると、Ｒ
１とＲ２とはＲ１’４２となるため、界面２０４での反
射光と、自由表面２０３での反射光とは、各々異なる反
射角度を有し、即ち第２図における０１、θ２が０１−
０２であって、方向が異なるうえ、第２図に示すｔｌ、
ｔ２、ｔ３を用いてＬ１＋１２−Ｌｓで表わされるとこ
ろの波長のずれも一定とはならずに変化するため、いわ
ゆるニュートンリング現象に相当するシェアリング干渉
が生起し、干渉縞は窪み内で分散されるところとなる。

これにより、こうした光受容部・材を介して現出される
画像は、ミクロ的には干渉縞が仮に現出されていたとし
ても、それらは視覚にはとらえられない程度のものとな
る。

即ち、かくなる表面形状を有する支持体の使用は、その
上に多層構成の光受容層を形成してなる光受容部材にあ
って、該光受容層を通過した光が、層界面及び支持体表
面で反射し、それらが干渉することによりミ形成される
画像が縞模様となることを効率的に防止し、優れた画像
を形成しうる光受容部材を得ることにつながる。

ところで、本発明の光受容部材の支持体表面の球状痕跡
窪みによる凹凸形状の曲率Ｒ及び幅りは、こうした本発
明の光受容部材における干渉縞の発生を防止する作用効
果を効率的に達成するためには重要な要因である。本発
明者らは、各種実験を重ねた結果以下のところを究明し
た。

即ち、曲率Ｒ及び幅りが次式：％式％を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが０．５本以上存在するこ
ととなる。さらに次式：％式％を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが１本以上存在することと
なる。

こうしたことから、光受容部材の全体に発生する干渉縞
を、各々の痕跡窪み内に分散せしめ、光受容部材におけ
る干渉縞の発生を防止するためには、前記旦を０．０３
５、好ましくは０．０５５以Ｒ上とすることが望ましい。

また、痕跡窪みによる凹凸の［Ｄは、大きくとも５００
μｍ程度、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくば
１００μｍ以下とするのが望ましい。

上述のような特定の表面形状を有する支持体上に形成さ
れる光受容層は、第一の層と第二の層とを有し、該第−
のノーと第二の贋とは、シリコン原子と、酸素原子、炭
素原子、及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種と
を含有するアモルファス材料で構成され、特に望ましく
は、シリコン原子（Ｓｌ）と、酸素原子（０）、炭素原
子（Ｃ）及び窒素原子θ力の中から選ばれる少くとも一
種と、好ましくは水素原子但）及びハロゲン原子（３）
の少なくともいずれか一方とを含有するアモルファス材
料〔以下、ｒａ−８ｉ（０，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）　Ｊと
表記する。〕で構成され、前記第一の層と前記第二のノ
ーの構成材料に含有される酸素原子、炭素原子及び堅木
原子の中から選ばれるものが互に異るというものである
。

そして前記第一の１−は、多重構造を有することもあり
、特に好ましくは、伝導性を制御する物質を含有する電
荷注入阻止ＪＶＩを構成層の一つとして有するか、また
は／及び、障壁層を構成層の一つとして有するものであ
る。

本発明の光受容部材にあっては、上述のような特定の表
面形状の支持体上に、第一の層と第二の層とを積層して
有し、さらに干渉を防止することを主たる目的として、
第一の層の支持体側の端部に伝導性を制御する物質を比
較的多量に含有する局在領域（すなわち、電荷阻止層）
を形成せしめるか、又は／及び第一の層の支持体側の端
部に障壁層を形成することが望ましく、こうした構成の
本発明の光受容部材は支持体上に複数の層による複数の
界面が形成されることとなる。

本発明の光受容部材の第一の層及び第二の１−の作成に
ついては、本発明の前述の目的を効率的に達成するため
に、その層厚を光学的レベルで正確に制御する必要があ
ることから、グロー放電法、スパッタリング法、イオン
ブレーティング法等の真空堆積法が通常使用されるが、
これらの他、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等を採用すること
もできる。

以下、図示の実施例にしたがって本発明の光受容部材の
具体的内容を説明するが、本発明の光受容部材はそれら
の例により限定されるものではない。

第１図は、本発明の光受容部材の層構成を説明するため
に模式的に示した図であり、図中、１００は光受容部材
、１０１は支持体、１０２は第一の１−１１０′５は第
二の層、１０４は自由表面をそれぞれ示している。

支持体本発明の光受容部材における支持体１０１は、その表面
が光受容部材に要求される解像力よりも微小な凹凸を有
し、しかも該凹凸は、複数の球状痕跡窪みによるもので
ある。

以下に、本発明の光受容部材における支持体の表面の形
状及びその好適な製造例を第４及び５図により説明する
が、本発明の光受容部材における支持体表面形状及びそ
の製造法は、これらによって限定されるものではない。

第４図は、本発明の光受容部材における支持体の表面の
形状の典型的−例を、その凹凸形状の一部を部分的に拡
大して模式的に示すものである。

第４図において４０１は支持体、４０２は支持体表面、
４０３は剛体真球、４０４は球状痕跡αみを示している
。

さらに第４図は、該支持体表面形状を得るのに好ましい
製造方法の１例をも示すものでもある。即ち、剛体真球
４０６を、支持体表面４０２より所定高さの位置より自
然落下させて支持体表面４０２に衝突させることにより
、球状窪み４０４を形成しうろことを示している。そし
て、ほぼ同一径Ｒ′の剛体真球４０３を複数個用い、そ
れらを同一の高さｈより、同時あるいは逐次、落下させ
ることにより、支持体表面４０２に、ほぼ同一の曲率Ｒ
及びはソ同一の幅りを有する複数の球状痕跡窪み４０４
を形成することができる。

第５図は、前述のごとくして表面に、複数の球状痕跡窪
みによる凹凸形状の形成された支持体のいくつかの典型
例を示すものである。

第５に）図に示す例では、支持体５０１の表面５０２の
異なる部位に、ほぼ同一の径の複数の球体５０３．５０
３、・・・をほぼ同一の高さより規則的に落下させてほ
ぼ同一の曲率及びほぼ同一の幅の複数の痕跡窪み６０４
．６０４、・・・を互いに重複し合うように密に生じせ
しめて規則的に凹凸形状を形成したものである。なおこ
の場合、互いに重複する窪み５０４．５０４、・・・を
形成するには、球体５０３の支持体表面５０２への衝突
時期が、互いにす″れるように球体５０３．５０３、・
・・を自然落下せしめる必要のあることはいうまでもな
い。

また、第５の）図に示す例では、異なる径を有する二種
類の球体５０３．５０３′・・・をほぼ同一の高さ又は
異なる高さから落下させて、支持体５０１の表面５０２
に、二種の曲率及び二種の幅の複数の窪み５０４．５０
４’・・・を互いに重複し合うように密に生じせしめて
、表面の凹凸の高さが不規則な凹凸を形成したものであ
る。

更に、第５（Ｃ）図（支持体表面の正面図および断面図
）に示す例では、支持体５０１の表面５０２に、ほぼ同
一の径の複数の球体５０３．５０３、・・・をほぼ同一
の高さより不規則に落下させ、ほぼ同一の曲率及び複数
種の幅を有する複数の窪み５０４．５０４、・・・を互
いに重複し合うように生じせしめて、不規則な凹凸を形
成したものである。

以上のように、剛体真球を支持体表面に落下させること
により、球状痕跡窪みによる凹凸形状を形成することが
できるが、この場合、剛体真球の径、落下させる高さ、
剛体真球と支持体表面の硬度、あるいは、落下させる球
体の量等の諸条件を適宜選択することにより、支持体表
面に所望の曲率及び幅を有する複数の球状痕跡窪みを、
所定の密度で形成することができる。

即ち、上記諸条件を選択することにより、支持体表面に
形成される凹凸形状の凹凸の高さや凹凸のピッチを、目
的に応じて自在に調整でき、表面に所望の凹凸形状を有
する支持体を得ることができる。

そして、光受容部材の支持体を凹凸形状表面のようにす
るについて、旋盤、フライス盤等を用いた゛ダイヤモン
ドバイトにより切削加工して作成する方法の提案がなさ
れていてそれなりに有効な方法ではあるが、該方法にあ
っては切削油の使用、切削により不可避的に生ずる切粉
め除去、切削面に残存してしまう切削油の除去が不可欠
であり、結局は加工処理が煩雑であって効率のよくない
等の問題を伴うところ、本発明にあっては、支持体の凹
凸表面形状を前述したように球状痕跡窪みにより形成す
ることから上述の問題は全くなくして所望の凹凸形状表
面の支持体を効率的且つ簡便に作成できる。

本発明に用いる支持体１０１は、導電性のものであって
も、また電気絶縁性のものであってもよい。導電性支持
体としては、例えば、ＮｉＣｒ　。

ステンレス、Ａｔ５Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ
、Ｔｉ、ｐｔＳｐｂ等の金属又はこれ等の合金が挙げら
れる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ホリカーホネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等
の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の
表面を導電処理し、該導電処理された表面側に光受容層
を設けるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ。

、α、ｃｒ　、Ｍｏ　、Ａｕ　、　Ｉｒ　、Ｎｂ　ＳＴ
ａ　、ｖ、Ｔｉ　、Ｐｔ　、　Ｐｄ。

Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＩＴＯ（Ｉｎ２０３　＋５ｎＯ
２）等から成る薄膜を設けることによって導電性を付与
し、°或いはポリヱステルフイルム等の合成樹脂フィル
ムであれば、ＮｉＣｒ　、ｋｌ　、Ａｇ　、　Ｐｂ　、
　Ｚｎ　ＳＮｉ　、Ａｕ　。

Ｏｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂｏ、Ｔａ、　Ｖ、　ＴｔＳＰｔ
等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその表面を
ラミネート処理して、その表面に導電性を付与する。支
持体の形状は、円筒状、ベルト状、板状等任意の形状で
あることができるが、用途、所望によって、その形状は
適宜に決めることのできるものである。例えば、第１図
の光受容部材１００を電子写真用像形成部材として使用
するのであれば、連続高速複写の場合には、無端ベルト
状又は円筒状とするのが望ましい。支持体の厚さは、所
望通りの光受容部材を形成しうる様に適宜決定するが、
光受容部材として可撓性が要求される場合には、支持体
としての機能が充分発揮される範囲内で可能な限り薄く
することができる。しかしながら、支持体の製造上及び
取扱い上、機械的強度等の点から、通常は、１０μ以上
とされる。

次に、本発明の光受容部材を電子写真用の光受容部材と
して用いる場合について、その支持体表面の製造装置の
１例を第６（Ａ）図及び第６（Ｂ）図を用いて説明する
が、本発明はこれによって限定されるものではない。

電子写真用、光受容部材の支持体としては、アルミニウ
ム合金等に通常の押出加工を施してボートホール管ある
いはマンドレル管とし、更に引抜加工して得られる引抜
管に、必要に応じて熱処理や調質等の処理を施した円筒
状（シリンダー状）基体を用い、該円筒状基体に第６（
Ａ）、０）図に示した製造装置を用いて、支持体表面に
凹凸形状を形成せしめる。

支持体表面に前述のような凹凸形状を形成するについて
用いる球体としては、例えばステンレス、アルミニウム
、鋼鉄、ニッケル、真鍮等の金属、セラミック、プラス
チック等の各種剛体球を挙げることができ、とりわけ耐
久性及び低コスト化等の理由により、ステンレス及び鋼
鉄の剛体球が好ましい。そしてそうした球体の硬度は、
支持体の硬度よりも高くても、あるいは低くてもよいが
、球体を繰返し使用する場合には、支持体の硬度よシも
高いものであることが望ましい。

ｉ＠６囚、第６の）図は製造装置全体の断面略図であり
、６０１は支持体作成用のアルミニウムシリンダーであ
り、該シリンダー６０１は、予め表面を適宜の平滑度に
仕上げられていてもよい。

シリンダー６０１は、回転軸６０２によって軸支されて
おり、モーター等の適宜の駆動手段６０３で駆動され、
ほぼ軸芯のまわりで回転可能にされている。回転速度は
、形成する球状痕跡窪みの密度及び剛体真球の供給量等
を考慮して適宜に決定され、制御される。

６０４は、剛体真球６０５を自然落下させるための落下
装置であり、剛体真球６０５を貯留し、落下させるため
のボールフィーダー６０６、フィーダー６０６から剛体
真球６０５が落下しやすいように揺動させる振動機６０
７、シリンダーに衝突して落下する剛体真球６０５を回
収するための回収槽６０８、回収槽６０８で回収された
剛体真球６０５をフィーダー６０６まで雪輸送するため
のボール送り装置６０９、送り装置６０９の途中で剛体
真球を液洗浄するための洗浄装置６１０．洗浄装置６１
０にノズル等を介して洗浄液（溶剤等）を供給する液だ
め６１１、洗浄に用いた液を回収する回収槽６１２など
で構成されている。

フィーダー６０６から自然落下する剛体真球の量は、落
下口６１３の開閉度、振動機６０７による揺動の程度等
により適宜調節される。

光受容層第−の層本発明の光受容部材においては、前述の支持体１０１上
に第一の層１０２を設けるものであり、該第−の層は、
シリコン原子と、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中
から選ばれる少なくとも一徨であって第二の層１０３に
含有されないものと、好ましくはさらに水素原子又はハ
ロゲン原子の少なくともいずれか一方を含有する非晶質
材料で構成され、さらに、該第−の７１１０２には、必
要に応じて伝導性を制御する物質を官有せしめることが
可能である。また該第−の盾は多層構成であってもよく
、好ましくは、伝導性を制御する物質を比較的多量に官
有する′４荷注入阻止ノー又は／及び障壁層を支持体側
端部の層として有することが望ましい。

本発明において、第一の層中に含有せしめることのでき
るハロゲン原子は、具体的には、フッ素、塩素、臭素及
びヨウ素が挙げられるが、好ましくはフッ素及び塩素を
挙げることができる。そして、本発明の第一の層に含有
せしめる水素原子に）の量、又はノーロゲン原子（イ）
の量、あるいは水素原子とハロゲン原子の童の和（Ｈ＋
Ｘ）は、好ましくは０．０１〜４０　ａｔｏｍｉｃ　％
、より好ましくは０．０５〜５０　ａｔｏｍｉｃ％、最
適には０．１〜２５ａｔｏｍｉｃチとする。

また、本発明において、第一の層の層厚は、本発明の目
的を効率的に達成するには重要な要因の１つであって、
光受容部材に所望の特性が与えられるように、光受容部
材の設計の際には充分な注意を払う必要があり、通常は
１〜１００μとするが、好ましくは１〜８０μ、より好
ましくは２〜５０μとする。

本発明の光受容部材の第一の層に、酸素原子、炭素原子
及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種を含有せし
める目的は、主として該光受容部材の高光感度化と高暗
抵抗化、そして支持体と第一の層との間の密着性の向上
にある。

本発明の第一の層においては、酸素原子、炭素原子及び
窒素原子の中から選ばれる少くとも一種を含有せしめる
場合、層厚方向に均一な分布状態で含有せしめるか、あ
るいは層厚方向に不均一な分布状態で含有せしめるかは
、前述の目的とするところ乃至期待する作用効果によっ
て異なり、したがって、含有せしめる量も異なるところ
となる。

すなわち、光受容部材の高光感度化と高暗抵抗化を目的
とする場合には、第一の層の全層領域に均一な分布状態
で含有せしめ、この場合、第一の層に含有せしめる炭素
原子、酸素原子、窒素原子の中から選ばれる少くとも一
種の量は比較的少量でよい。

また、支持体と第一の層との密着性の向上を目的とする
場合には、第一の層の支持体側端部の一部の層領域に均
一に含有せしめるか、あるいは、第一の層の支持体側端
部において、炭素原□子、□酸素原子、及び窒素原子の
中から選ばれる少くとも一種の分布濃度が高くなるよう
な分布状態で含有せしめ、この場合、第一の層に含有せ
しめる酸素原子、炭素原子、及び窒素原子の中から選ば
れる少くとも一種の量は、支持体との密着性の向上を確
実に図るために、比較的多量にされる。

本発明の光受容部材において、第一の層に含有せしめる
酸素原子、炭素原子、及び窒素原子の中から選ばれる少
くとも一種の電は、しかし、上述のごとき第一の層に要
求される特性に対する考慮の他、支持体との接触界面に
おける特性等、有機的関連性にも考慮をはらって決定さ
れるものであり、通常はＯ，ＯＯ１〜５０　ａｔｏｍｉ
ｃ　％、好ましくは０．００２〜４０　ａｔｏｍｉｃ　
％、最適には０．００３〜３０　ａｔｏｍｉｃ　％とす
る。

ところで、第一の層の全層領域に含有せしめるか、ある
いは、含有せしめる一部の層領域の層厚の第一の層の層
厚中に占める割合が大きい場合には、前述の含有せしめ
る量の上限を少なめにされる。すなわち、その場合、例
えば、含有せしめる層領域の層厚が、第一の層の層厚の
□上となるような場合には、含有せしめる量は通常５０
　ａｔｏｍｉｃ　％以下、好ましくは２０　ａｔｏｍｉ
ｃ％以下、最適には１０　ａｔｏｍｉｃ　％以下にされ
る。

次に、本発明の第一の層に含有せしめる酸素原子、炭素
原子、及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種の量
が、支持体側においては比較的多量□であり、支持体側
の端部から第二の層側の端部に向かって減少し、第一の
層の第二の層側の端部付近においては、比較的少量とな
るが、あるいは実質的にゼロに近゛くなるように分布せ
しめる場合の典型的な例のいくつかを、第７図乃至第１
６図によって説明する。しかし、本発明はこれらの例に
よって限定されるものではない。以下、炭素原子、酸素
原子の中から選ばれる少くとも一種を「原子（０，Ｃ，
Ｎ）　Ｊと表記する。

第７図乃至第１５図において、横軸は原子（０，Ｃ，Ｎ
）の分布濃度Ｃを、縦軸は第一の層の層厚を示し、ｔＢ
は支持体と第一の層との界面位置を、ｔＴは第一の層の
第二の層との界面の位置を示す。

第７図は、第一の層中に含有せしめる原子（０，Ｃ，Ｎ
）の層厚方向の分布状態の第一の典型例を示している。

核例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）を含有する第一の層と支
持体との界面位ｆｔＢより位置ｔ１までは、原子（０、
Ｃ、Ｎ）の分布濃度Ｃが０１なる一定値をとり、位置ｔ
１より第二の層との界面位置ｔＴまでは原子（０，Ｃ，
Ｎ）の分布濃度Ｃが濃度Ｃ２から連続的に減少し、位置
ｔＴにおいては原子（０、Ｃ、Ｎ）の分布濃度が０３と
なる。

第８図に示す他の典型例の１つでは、第一の層に官有せ
しめる原子（○、Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃは、位置ｔＢか
ら位置ｔＴにいたるまで、濃度Ｃ４から連続的に減少し
、位置ｔＴにおいて濃度Ｃ５となる。

第９図に示す例でに、位ｔＩＬｔＥから位１ｔｔ２まで
は原子（０、Ｃ、Ｎ）の分布濃度Ｃが濃度Ｃ６なる一定
値を保ち、位ｔｔｚから位置ｔｌにいたるまでは、原子
（○、Ｃ，Ｎ）の分布凝度Ｃは濃度Ｃ７から除徐に連続
的に減少して位置ｔＴにおいては原子（０、Ｃ、Ｎ）の
分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。

第１０図に示す例では、原子（○、Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴにいたるまで、濃度Ｃ８から
連続的に徐々に減少し、位［ｔ）　においては原子（０
，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。

第１１図に示す例では、原子（○、Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＢより位置ｔ３の間においては濃度Ｃ９の
一定値にあり、位置ｔ３から位置ｔＴの間においては、
濃度Ｃ９から濃度Ｃ１０となるまで、−次間数的に減少
する。

第１２図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＢより位置ｔ４にいたるまでは濃度Ｃ１１
の一定値にあシ、位＃ｔ４より位置ｔＴにいたるまでは
濃度Ｃ１２から濃度Ｃ１３となるまで一次関数的に減少
する。

第１３図に示す例においては、原子（○、Ｃ，Ｎ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢから位置ｔＴにいたるまで、濃度
Ｃ１４から実質的にゼロとなるまで一次関数的に減少す
る。

第１４図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＢから位置ｔ５にいたるまで濃度Ｃ１５か
ら濃度Ｃ１６となるまで一次関数的に減少し、位ｆａｔ
ｓから位置１．Ｔまでは濃度Ｃ１６の一定値を保つ。

最後に、第１５図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の
分布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度Ｃ１７であり、位
置ｔＢから位置ｔ６までは、濃度Ｃ１７からはじめはゆ
っくり減少して、位置ｔ６付近では急激に減少し、位置
ｔ６では濃度Ｃ１８となる。次に、位ｔｔ６から位置ｔ
７までははじめのうちは急激に減少し、その後は緩かに
徐々に減少し、位置ｔ７においては濃度Ｃ１９となる。

更に位置ｔ７と位置ｔ８０間では極めてゆっくりと徐々
に減少し、位置ｔ８において濃度Ｃ２０となる。また更
に、位置ｔ８から位置１（にいたるまでは濃度Ｃ２０か
ら実質的にゼロとなる壕で徐々に減少する。

第７図〜＠１５図に示した例のごとく、第一の層の支持
体側の端部に原子（０、Ｃ、Ｎ）の分布濃度Ｃの高い部
分を有し、第一の層の第二の層側の端部においては、該
分布濃度Ｃがかなり低い部分を有するか、あるいは実質
的にゼロに近い濃度の部分を有する場合にあっては、第
一の層の支持体側の端部に原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃
度が比較的高濃度である局在領域を設けること、好まし
くは該局在領域を支持体表面と第一の層との界面位置痴
から５μ以内に設けることにより、支持体と第一の層と
の密着性の向上をより一層効率的に達成することができ
る。

前記局在領域は、原子（０，Ｃ，Ｎ）を含有せしめる第
一の層の支持体側の端部の一部層領域の全部であっても
、あるいは一部であってもよく、いずれにするかは、形
成される第一の層に要求される特性に従って適宜決める
。

局在領域に含有せしめる原子（０，Ｃ，Ｎ）の童は、原
子（０，Ｃ，Ｎ）の分子濃度Ｃの最大値が５００ａｔｏ
ｍｉｃ　ｐｐｍ以上、好ましくは９００　ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ以上、最適には１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ以上となるような分布状態とするのが望ましい。

更に、本発明の光受容部材においては必要に応じて第一
の層に伝導性を制御する物質を、全層領域又は一部の層
領域に均−又は不均一な分布状態で含有せしめることが
できる。

前記伝導性を制御する物質としては、半導体分野におい
ていういわゆる不純物を挙げることができ、Ｐｆｉ伝導
性を与える周期律表第■族に属する原子（以下単に「第
１族原子」と称す。）、又は、ｎ、Ｉｔ伝導性を与える
周期律表第Ｖ族に属する原子（以下単に「第■族原子」
と称す。）が使用される。具体的には、第瓜族原子とし
ては、Ｂ（硼素）、ＡＡ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリ
ウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔｔ（タリウム）等を挙
げることができるが、特に好ましいものは、Ｂ、Ｇａで
ある。また第Ｖ族原子としては、Ｐ（燐）、Ａｓ　（砒
素）、ｓｂ　（アンチモン）、Ｂｌ（ビスマン）等を挙
げることができるが、特に好ましいものは、ｐ、　ｓｂ
である。

本発明の第一の層に伝導性を制御する物質である第■族
原子又は第Ｖ族原子を含有せしめる場合、全層領域に含
有せしめるが、あるいは一部の層領域に含有せしめるか
は、後述するように目的とするところ乃至期待する作用
効果によって異なり、含有せしめる量も異なるところと
なる。

すなわち、第一の層の伝導塵又は／及び伝導率を制御す
ることを主たる目的にする場合には、光受容層の全層領
域中に含有せしめ、この場合、第鳳族原子又は第Ｖ族原
子の含有量は比較的わずかでよく、通常はＩ　Ｘ　１０
−５〜Ｉ　Ｘ　１０　Ｓａｔｏｍｉｃｐｐｍであり、好
ましくは５Ｘ１０−２〜５Ｘ１０２ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ　、最適には１ｘ１０−１〜２×１０２１０２ａｔｏ
　ｐｐｍである。

また、支持体と接する一部の層領域に第■族原子又は第
Ｖ族原子を均一な分布状態で含有せしめるか、あるいは
層厚方向における第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度
が、支持体と接する側において高濃度となるように含有
せしめる場合には、こうした第■族原子又は第Ｖ族原子
を含有する構成層あるいは第■族原子を高濃度に含有す
る層領域は、電荷注入阻止層として機能するところとな
る。

即ち、第■族原子を含有せしめた場合には、光受容層の
自由表面が■極性の帯電処理を受けた際に、支持体側か
ら光受容層中べ注入される電子の移動をより効率的に阻
止することができ、又、第■族原子を含有せしめた場合
には、光受容層の自由表面がｅ極性に帯電処理を受けた
際に、支持体側から光受容層中へ注入される正孔の移動
をより効率的に阻止することができる。

そして、こうした場合の含有ｉは比較的多量であって、
具体的には、３０〜５Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ　。

好ましくは５０〜Ｉ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ　、最適にはｌＸ１０２〜５Ｘ１０５　ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍとする。さらに、該電荷注入阻止層としての効
果を効率的に奏するためには、第■族原子を含有する支
持体側の端部に設けられる層又は層領域の層厚をｔとし
、光受容層の層厚をＴとした場合、ｔ／Ｔ≦０．４の関
係が成立することが望ましく、より好ましくは該関係式
の値が０．６５以下、最適には０．３以下となるように
するのが望ましい。また、該層又は層領域の層厚ｔは、
一般的には３Ｘ１０−５〜１０Ｊ１とするが、好ましく
は４Ｘ１０’″５〜８μ、最適には５　Ｘ　１０−”〜
５μとするのが望ましい。

第一の層に含有せしめる第瓜族原子又は第Ｖ族原子の量
が、支持体側においては比較的多量であって、支持体側
から第二の層側に向って減少し、第二の層側の端面付近
においては、比較的少量となるかあるいは実質的にゼロ
に近くなるように第臘族原子又は第Ｖ族原子を分布させ
る場合の典型的な例は、前述の第一の層に酸素原子、炭
素原子又は窒素原子のうちの少なくともいずれか１つを
含有せしめる場合に例示した第７乃至１５図のと同様な
例によって説明することができるが、本発明はこれらの
例によって限定されるものではない。

そして、第７図〜第１５図に示した例のごとく、第一の
層の支持体側に近い側に第■族原子又は第Ｖ族原子の分
布濃度Ｃの高い部分を有し、第二の層の第二□の層に近
い側においては、該分布濃度Ｃがかなり低い濃度の部分
あるいは実質的にゼロに近い濃度の部分を有する場合に
あっては、支持体側に近い部分に第■族原子又は第■族
原子の分布濃度が比較的高濃度である局在領域を設ける
こと、好ましくは該局在領域を支持体表面と接触する界
面位置から５μ以内に設けることにより、第■族原子又
は第Ｖ族原子の分布濃度が高濃度である層領域が電荷注
入阻止層を形成するという前述の作用効果がよジ一層効
果的に奏される。

以上、第■族原子又は第ｖ族原子の分布状態について、
個々に各々の作用効果を記述したが、所望の目的を達成
しうる特性を有する光受容部材を得るについては、これ
らの第■族原子又は第Ｖ族原子の分布状態および第一の
層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子の量を、必
要に応じて適宜組み合わせて用いるものであることは、
いうまでもない。例えば、第一の層の支持体側の端部に
電荷注入阻止層を設けた場合、電荷注入阻止層以外の第
一の層中に、電荷注入阻止層に含有せしめた伝導性を制
御する物質の極性とは別の極性の伝導性を制御する物質
を含有せしめてもよく、あるいは、同極性の伝導性を制
御する物質を、電荷注入阻止層に含有される量よりも一
段と少ない量にして含有せしめてもよい。

さらに、本発明の光受容部材においては、支持体側の端
部に設ける構成Ｉ−として、電荷注入阻止層の代わりに
、電気絶縁性材料から成るいわゆる障壁層を設けること
もでき、あるいは、該障壁層と電荷注入阻止層との両方
を構成層とすることもできる。こうした障壁層を構成す
る材料としては、ＡＬ２０ｓ　、ＳｉＯ２，５ｉｓＮ４
　　等の無機電気絶縁材料やポリカーボネート等の有機
電気絶縁材料を挙げることができる。

第二の層本発明の光受容部材の第二の層１０３は、上述の第一の
層１０２上に設けられ、自由表面１０４を有する層、す
なわち表面層であり、酸素原子、炭素原子又は窒素原子
の中から選ばれる少くとも一種であって第一の層に含有
されないものを均一な分布状態で含有するアモルファス
シリコン〔以下、ｒａ−８ｉ（０，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）
　Ｊと表記する。〕で構成されている。

本発明の光受容部材に第二の層１０３を設ける目的は、
耐湿性、連続繰返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境
特性、および耐久性等を向上させることにあり、これら
の目的は、第二の層を構成するアモルファス材料に、酸
素原子、炭素原子又は窒素原子のうちの少なくともいず
れか１つを含有せしめることにより達成される。

又、本発明の光受容部材においては、第一の層１０２と
第二の層１０３を構成するアモルファス材料の各々が、
シリコン原子という共通した構成原子を有しているので
、第一の層１０２と第二の層１０３との界面において化
学的安定性が確保できる。

第二の層１０６中には、酸素原子、炭素原子及び窒素原
子を均一な分布状態で含有せしめるものであるが、これ
らの原子含有せしめる量の増加に伴って、前述の緒特性
は向上する。しかし、多すぎると層品質が低下し、電気
的および機械的特性も低下する。こうしたことから、こ
れらの原子の含有量は、通常０．００１〜９０　ａｔｏ
ｍｉｃ％、好ましくは１〜９０　ａｔｏｍｉｃ％、最適
には１０〜８０ａｔｏｍｉｃ％とする。

第二の層にも、水素原子又はハロゲン原子の少なくとも
いずれか１万を含有せしめることが望ましく、第二の層
中に含有せしめる水素原子（６）の量、又はハロゲン原
子（３）の量あるいは水素原子とハロゲン原子の童の和
（Ｈ＋Ｘ　）は、通常１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、好ま
しくは５〜３　Ｌｌ　ａｔｏｍｉ　ｃ％、最適には５〜
２５　ａｔｏｍｉｃ％とする。

第二の層１０３は、所望通りの特性が得られるように注
意深く形成する必要がある。即ち、シリコン原子、およ
び酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少
なくとも一種、あるいはさらに、水素原子又は／及びハ
ロゲン原子を構成原子とする物質は、各構成原子の含有
量やその他の作成条件によって、形態は結晶状態から非
晶質状態までをとり、電気的物性は導電性から、半導電
性、絶縁性までを、さらに光電的性質は光導電的性質か
ら非光導電的性質までを、各々示すため、目的に応じた
所望の特性を有する第二の層１０３を形成しうるように
、各構成原子の含有黛や作成条件等を選ぶことが重要で
ある。

例えば、第二の層１０３を電気的耐圧性の向上を主たる
目的として設ける場合には、第二０層１０３　Ｙ構成す
る非晶質材料は、使用条件下において電気絶縁的挙動の
顕著なものとして形成する。又、第二の層１０３を連続
繰返し便用特性や便用環境特性の向上を王たる目的とし
て設ける場合ＩＣは、第二の層１０３を構成する非晶質
材料は、前述の電気的絶縁性の度合はある程度緩和する
が、照射する元に対しである程度の感度を有するものと
して形成する。

また、本発明において、第二の層の層厚も本発明の目的
を効率的に達成するための重要な要因の１つであり、所
期の目的に応じて適宜決定されるものであるが、該層に
含有せしめる酸素原子、炭素原子、窒素原子、へ〇ｙン
原子、水素原子の量、あるいは第二の層に要求される特
性に応じて相゛互的かつ有機的関連性の下に決定する必
要がある。更に、生産性や量産性をも加味した経済性の
点においても考慮する必要もある。こうしたことから、
第二の層の層厚は通常は５　Ｘ　１０−５〜３０μとす
るが、より好ましくは４　Ｘ　１０−５〜２０μ、特に
好ましくは５　Ｘ　１０−５〜１０Ｉ４とする。

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前述したアそルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的耐圧性及び使桓壊境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させ念場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高８Ｎ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高、
く、ノ１−７トーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高
品質の画像を安定して繰返し得ることができる。

次に本発明の光受容層の形成方法について説明する。

本発明の光受容層を構成する非晶質材料はいずれもグロ
ー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティ
ング法等の放電現象を利用゛する真空堆積法によって行
われる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の
負荷程度、製造規模、作製される光受容部材に所望され
る特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、
所望の特性を有する光受容部材を製造するに当っての条
件の制御が比較的容易であり、シリコン原子と共に炭素
原子及び水素原子の導入な容品に行い得る等のことから
して、グロー放電法或いはスパッタリング法が好適であ
る。

そして、グロー放電法とスパッタリング法とを同一装置
系内で併用して形成してもよい。

グロー放電法によってａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる光受容層を形成するには、シリコン原子（Ｓｌ）を
供給しうる８１供給用の原料ガスと、水素原子（ロ）又
は／及びハロゲン原子閃を供給しりる水素原子（ロ）又
は／及びハロゲン原子（３）供給用の原料ガスを、内部
を減圧にしうる堆積室内に所望のガス圧状態で導入し、
該堆積室内にグロー放電を生起せしめて、予め所定位置
に設置しである所定の支持体表面上に、ａ−８１（Ｈ，
Ｘ）で構成される層を形成する。

前記Ｓ１供給用の原料ガスとなりうる物質としては、８
ｉＨ４，８１２Ｈ４，８１ｇＨ６，５ｉ４Ｈ１ｏ等のガ
ス状態の又はガス化しりる水素化硅素（シラン類）が挙
げられ、特に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓ１供給効
率の良さ等の点から、Ｓ　ｉＨ４およびＳｉ２Ｈ４が好
ましい。

更に、前記ハロゲン原子供給用の原料ガスとなりうる物
質としては、多くの７１０ゲン化合物がアリ、例えばハ
ロゲンガス　／％ロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロ
ゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の又はガス
化しうるノ）ロゲン化合物を用いることができる。具体
的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のノ・ロゲンガス
、ＢｒＦ　、　Ｃ１Ｆ　５Ｃ１Ｆ３、ＢｒＦ３　、Ｂｒ
Ｆ５　、ＩＦ３　、ＩＦ７　、ＩＣｔ。

ＩＢｒ等のハロゲン間化合物、・およびＳｉＦ４　、Ｓ
ｉ２Ｆ６．５ｉＣｔ４　、Ｂ１Ｂｒ４等のハロゲン化硅
素等が好ましいものとして挙げられる。

上述のごときハロゲン原子を含む硅素化合物のガス状態
のもの又はガス化しうるものを原料ガスとしてグロー放
電法により形成する場合には、８１原子供給用原料ガス
としての水素化硅素ガスを使用することなく、所定の支
持体上にノ）ロゲン原子を含有するａ−８ｉで構成され
る層を形成することができるので、特に有効である。

グロー放電法を用いて光受容層を形成する場合には、基
本的には、Ｓｉ供給用の原料ガスとなるハロゲン化硅素
と、Ａｒ、Ｂ２、Ｈｅ等のガスとを所定の混合比とガス
流量になるようにして堆積室に導入し、グロー放電を生
起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することに
より、支持体上に光受容層を形成するものであるが、電
気的あるいは光電的特性の制御という点で極めて有効で
あるところの水素原子（６）の含有量の制御を一層容易
にするためには、これ等のガスに更に水素原子供給用の
原料ガスを混合することもできる。該水素原子供給用の
ガスとしては、水素ガスあるいは、ＳｉＨ４，５ｉｚＨ
６，５ｉ３Ｈｓ、５ｉ４Ｈ１ｏ等の水素化硅素のガスが
用いられる。また、水素原子供給用ガスとして、ＨＦ　
、　ＨＣＬ　、　ＨＢｒ、ＨＩ等のハロゲン化物、Ｓｉ
Ｈ２Ｆ２．５ｉＨ２Ｉ２．５ｉＨ２Ｃ６２，５ｉＨＣＬ
３．８１Ｈ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒｓ等のハロゲン置換水
素化硅素等のガス状態のあるいはガス化しうるものを用
いた場合には、ハロゲン原子（３）の導入と同時に水素
原子（６）も導入されるので、有効である。

スパッタリング法によってａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる光受容１１１を形成するには、シリコンから成るタ
ーゲットを用い、これ等を所望のガス雰囲気中でスパッ
タリングすることによって行なう。

イオンブレーティング法を用いて光受容層を形成する場
合には、例えば、多結晶シリコン又は単結晶シリコンを
蒸発源として蒸着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加
熱法あるいはエレクトロンビーム法（Ｅ、Ｂ、法）等に
よって加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ
雰囲気中を通過せしめることで行ない得る。

スパッタリング法およびイオンブレーティング法のいず
れの場合にも、形成する層中にハロゲン原子を貧有せし
めるには、前述のハロゲン化物又はハロゲン原子を含む
硅素化合物のガスを堆積室中に導入し、該ガスのプラズ
マ雰囲気を形成すればよい。又、水素原子を導入する場
合には、水素原子供給用の原料ガス、例えばＨｔあるい
は前記した水素化シラン類のガスをスパッタリング用の
堆積室内に導入してこれ等のガス類のプラズマ雰囲気を
形成すればよい。さらにハロゲン原子供給用の原料ガス
としては、前記のハロゲン化物或いはノ・ロゲンを含む
硅素化合物が有効なものとして挙げられるが、その他に
、ＨＦ　、　ＨＣＬ　５ＨＢｒ　ＳＨＩ等のハロゲン化
水素、ＳｉＨ２Ｆ２．５ｉＨ２Ｉ２．５ｉＨ２Ｃｔ２．
５ｉＨＣｔ３．５ｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒｘ等のハロ
ゲン置換水素化硅素、およびＧｅＨＦ３、ＧｅＢ２Ｆ２
　、Ｃ）ｅＨ３Ｆ　、　ＧｅＨＣｔｘ　、ＧｅＨ２Ｃ４
２、ＧｅＨＢｒ５　、　ＧｅＨＢｒ５　、ＧｅＢ２Ｂｒ
２、ＧｅＨＢｒ５Ｇ８Ｈ２Ｉ２　、ＧｅＨｘｌ等の水素
化ノ１０ゲン化ゲルマニウム等、Ｇ４Ｆ４　、ＧａＣｌ
２、ＧｅＢｒ　４　、Ｇｅ　Ｉ　４　、ＧｅＦ２．０ｅ
ｃＬ２、ＧｅＢｒ２　、ＧｅＩ２　　等のハロゲン化ゲ
ルマニウム等々のガス状態の又はガス化しうる物質も有
効な出発物質として使用できる。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第一の１ｅ１１中に含有される水素原子（６）の
量又はハロゲン原子（３）の量又は水累原子とハロゲン
原子の量の和（Ｈ＋Ｘ　）は、好ましくは０．０１〜４
０　ａｔｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３０　ａ
ｔｏｍｉｃ　ｆｂ、最適には０．１〜２５　ａｔｏｍｉ
ｃ％とされるのが望ましい。

酸素原子、炭素原子、又は窒素原子を含有するａ−８ｉ
（Ｈ，Ｘ）で構成される層又は一部の層領域を形成する
については、それをグロー放電法により行う場合、上述
のａ−８１（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成する際に、
原子（０，Ｃ，Ｎ）導入用の出発物質を、ａ−８ｉ　（
Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質とともに使用して、形成する
層やへ、それらの量を制御しながら含有せしめる゛こと
によって行われる。

そのような原子（０，Ｃ，Ｎ）　４人用の出発物質とし
ては、少なくとも原子（０，Ｃ，Ｎ）を構成原子とする
ガス状の物質又はガス化し得る物質であれば、殆んどの
ものが使用できる。

具体的にはｌ！！累原子（０）導入用の出発物質として
、例えば、酸素（０２）、オゾン（０３）、−酸化窒素
（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸化窒素（Ｎ２
０）、三二酸化窒素（Ｎ２０ｓ）、四二酸化窒素（Ｎ２
０４）、三二酸化窒素（Ｎ２０ｓ）−、三酸化窒素（Ｎ
ｏ　ｓ　）、シリコン原子（Ｓｌ）と酸素原子（０）と
水素原子（ロ）とを構成原子トする、例えば、ジシｉｓ
　キｔ　ｙ　（）ｂ８１０８１Ｈｓ）、トリシロキサン
（Ｈｓ８１０８１Ｈ２０８１Ｈｓ）等の低級シロキサン
等が挙げられ、炭素原子（Ｃ）導入用の出発物質として
は、例えば、メタン（ＣＨ４）　、エタン（Ｃ２Ｈ４）
、プ党パン（ｃｓＨｓ）、ｎ−ブタン（ｎ−０４Ｈ１ｏ
）、はブチン（Ｃ５Ｈ１２）等の炭素数１〜５の飽和炭
化水素、エチレン（０２Ｈ４）、プロピレン（（ＪＨ６
）、ブテン−１（Ｃ４Ｈｓ）、ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）
、イソブチレン（０４Ｈ８）、はブチン（Ｃ５Ｈ１０）
等の炭素数２〜５のエチレン系炭化水素、アセチレン（
Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレンＣＣ５Ｈａ）、ブチン（
０４Ｈ６）等の炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素等
が挙げられ、窒素原子（ロ）導入用の出発物質としては
、例えば、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、ヒド
ラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、アジ化水素（ＨＮ３）、アジ
化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ５）％三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）
、四弗化窒素（Ｆ’４Ｎ）等が挙げられる。

また、スパッタリング法を用いて原子（０，Ｃ，Ｎ）を
含有するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成する
場合には、原子（０，Ｃ，Ｎ）導入用の１発物質として
は、グロー放電法の際に列挙した前記のガス化可能な出
発物質の外に、固体化出発物質として、８１０２．５１
ｇＮ４、カーボンブラック等を挙げることが出来る。こ
れ等は、８１等のターゲットとしての形で使用すること
ができる。

グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング法を用いて、第瓜族原子又は第Ｖ族原子を含有
するａ−ｓｔｏｅ（Ｈｅ幻又は／及びａ−８１Ｓｎ（Ｈ
，Ｘ）で構成される層又は一部の層領域を形成するには
、上述のａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される層の形成の際
に、第■族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質を、ａ
−８１（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質とともに使用して、
形成する層中へのそれらの量を制御しながら含有せしめ
ることにより行われる。

第■族原子導入用の出発物質として具体的には錨索原子
４人用としては、Ｂ２Ｈ６、Ｂ４Ｈ１０ＳＢ５Ｈ９、Ｂ
５Ｈ１１、Ｂ６Ｈ１Ｇ　１Ｂ６Ｈ１２、Ｂ６Ｈ１４等の
水素化硼素、ＢＦ３　、ＢＣｌｓ　、ＢＢｒｉ等のハロ
ゲン化硼素等が挙げられる。この他、んｅ、ｃｔｓ　、
Ｇａｃｚ３、Ｇａ（ＣＨｓ）２、ＸｎＣ１５、’１’Ｌ
ＣＬｓ等も挙げることができる。

ｔａｖ族原子導入用の出発物質として、具体的には燐原
子導入用としてはＰ）Ｉ３　、Ｐ２Ｈ，等の水素北隣、
ＰＨａＸ　、ＰＦｓ　、ＰＦｓ　、ＰＣｌ５　、ＰＣＡ
ｓ　、ＰＢｒｓ、ＰＢｒｓ　、Ｐ工ｓ等のハロゲン原子
が挙げられる。この他、ＡａＦｌｓ　、ｈａｔｓ　、　
ＡａＣＬｓ　、ＡａＢｒｓ　、ＡｓＦ５．８ｂＨ５，８
ｂＦｓ　、８ｂＦｓ　、８ｂＣ１ｓ　、８ｂＣ１ｓ　、
Ｂｉａｓ　、ＢｉＣＡｘ　。

Ｂ１Ｂｒ３等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なも
のとして挙げることができる。

第一の層に含有さ五ない、酸素原子、炭素原子及び窒素
原子の中から選ばれる少くともｍ−を、グロー放電法、
スパッタリング法或いはイオンブレーティング法を用い
て、第二の層１ｏ慕に含有せしめてａ−Ｅｌｉ　（０、
Ｃ、Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成するについ
ては、前述の第一の層を形成する場合と同様にして行わ
れる。

例えば酸素原子な含有する層又は層領域をグロー放電法
により形成するには、シリ；ン原子（Ｓｌ）を構成原子
とする原料ガスと、酸素原子（０）を構成原子とする原
料ガスと、必要に応じて水素原子（財）又は及びハロゲ
ン原子（３）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合
比で混合して使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｌ）
を構成原子とする原料ガスと、酸素原子ｅ）及び水素原
子（ロ）を構成原子とする原料ガスとを、これも又所望
の混合比で混合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｌ）
を構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）、
酸素原子（０）及び水素原子（６）の３つを構成原子と
する原料ガスとを混合して使用することができる。

又、別には、シリコン原子（Ｓｌ）と水素原子σ）とを
構成原子とする原料ガスに酸素原子＠）を構成原子とす
る原料ガスを混合して使用してもよい。

そのような酸素原子導入用の出発物質としては酸素原子
を構成原子とするガス状態の又はガス化しうる物質をガ
ス化したものであれば、いずれのものであってもよい。

酸素原子導入用の出発物質としては具体的には、例えば
酸素（０２）、オゾン（０３）、−酸化窒素（ＮＯ）、
二酸化窒素（Ｎｏ　２　）、−二酸化窒素（Ｎ２０）、
三二酸化窒素（Ｎ２０３）、四二酸化窒素（Ｎ２０４）
、三二酸化窒素（Ｎ２０５）、三酸化窒素（Ｎｏｓ）、
シリコン原子（Ｓｌ）と酸素原子（０）と水素原子（６
）とを構成原子とする、例えば、ジシロキサン（Ｈ３Ｓ
ｉＯ８ｉＨ３）、トリシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ８ｉＨ２
０ＳｉＨ３）等の低級シロキサン等を挙げることができ
る。

スパッタリング法によって、酸素原子を含有する層を形
成するには、単結晶又は多結晶の８１ウエーハ又は８ｉ
０２ウエーハ、又はＳｌと５１０２が混合されて含有さ
れているウェーハをターゲットとして、これ等を糧々の
ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって行えば
よい。

例えば、８１ウエーハをターゲットとして使用すれば、
酸素原子と必要に応じて水素派手又は／及びハロゲン原
子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスで
稀釈して、スパッタリング用の堆積室中に導入し、これ
等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハを
スパッタリングすればよい。

又、別には、Ｓｉと８１０２とは別々のターゲットとし
て、又はＳｉと８ｉ０２の混合した一つのターゲットを
使用することによって、スパッタリング用のガスとして
の稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子斡）又
は／及びハロゲン原子■を構成原子として含有するガス
雰囲気中でスパッタリングすることによって成される。

酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放
電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガ
スが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして使用
できる。

また、例えば炭素原子を含有する第二の層をグロー放電
法によシ形成するには、シリコン原子（Ｓｌ）を構成原
子とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を構成原子とする
原料ガスと、必要に応じて水素原子（［（）又は／及び
ハロゲン原子（３）を構成原子とする原料ガスとを所望
の混合比で混合して使用するか、又はシリコン原子（Ｓ
ｌ）を構成原子とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）及び
水素原子（ロ）を構成原子とする原料ガスとを、これも
又所望の混合比で混合するか、或いはシリコン原子（Ｓ
ｌ）を構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（８１
）、炭素原子（Ｃ）及び水素原子（６）を構成原子とす
る原料ガスを混合するか、更にまた、シリコン原子（Ｓ
ｌ）と水素原子（６）を構成原子とする原料ガスと炭素
原子（Ｃ）を構成原子とする原料ガスを混合して使用す
る。

このような原料ガスとして有効に使用されるのは、Ｓｌ
とＨとを構成原子とするＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３
Ｈａ　、５ｉ４Ｈ１０等のシラン（８１１ａｎｅ）類等
の水素化硅素ガス、ＣとＨとを構成原子とする、例えば
炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン
系炭化水素、炭素数２〜６のアセチレン系炭化水素等が
挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
、エタｙ　（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（Ｃ３Ｈａ　）、ｎ
−ブタン（ｎ−Ｃ４Ｈ１ｏ）、はブタン（ＣｓＨ１２）
、エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ２Ｈ４）
、プロビレン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン−１（Ｃ４Ｈ６）、
ブテン−２（０４Ｈ８又イソブチレン（Ｃ４Ｈｓ）、は
ブテン（Ｃ５Ｈ１０）、アセチレン系炭化水素としては
、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ
４）、ブチン（ｃａａ６）等が挙げられる。

ＳｉとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、Ｓ
ｉ（ＣＨ３）４　、阻（０２Ｈ５）４等のケイ化アルキ
ルを挙げることができる。これ等の原等ガスの他、Ｈ導
入用の原料ガスとしては勿論Ｈ２も使用できる。

スパッタリング法によってａ−８ｉＣ（Ｈ，Ｘ）で構成
される第二の層を形成するには、単結晶又は多結晶のＳ
ｉウェーハ又はＣ（グラファイト）ウェーハ、又はＳｌ
とＣが混合されて含有されているウェーハをターゲット
として、これ等を所望のガス雰囲気中でスパッタリング
することによって行う。

例えばＳ１ウエーハをターゲットとして使用する場合に
は、炭素原子、および水素原子又は／及びハロゲン原子
を導入するための原料ガスを、必要に応じてＡｒ、Ｈｅ
等の稀釈ガスで稀釈して、スパッタリング用の堆積室内
圧導入し、これ等のガスのガスプラズマを形成してＳ１
ウエーハをスパッタリングすればよい。

又、ＳｌとＣとは別々のターゲットとするか、あるいは
阻とＣの混合した１枚のターゲットとして使用する場合
には、スパッタリング用のガスとして水素原子又は／及
びハロゲン原子導入用の原料ガスを、必要に応じて稀釈
ガスで稀釈して、スパッタリング用の堆積室内に導入し
、ガスプラズマを形成してスパッタリングすればよい。

該スパッタリング法に用いる各原子の導入用の原料ガス
としては、前述のグロー放電法に用いる原料ガスがその
まま使用できる。

更に、例えば窒素原子を含有するアモルファスシリコン
で構成される第二の層をグロー放電法により形成するに
は、シリコン原子（８１）を構成原子とする原料ガスと
、窒素原子韓を構成原子とする原料ガスと、必要に応じ
て水素原子（ロ）又は及びハロゲン原子（ト）を構成原
子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用する
か、又は、シリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料
ガスと、窒素原子■及び水素原子（ロ）を構成原子とす
る原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合するかし
て使用することができる。

父、別には、シリコン原子（Ｓｌ）と水素原子（６）と
を構成原子とする原料ガスに窒素原子（９）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用してもよい。

その様な窒素原子導入用の出発物質としては、少なくと
も窒素原子を構成原子とするガス状の物質又はガス化し
得る物質をガス化したものであれば、いずれのものであ
ってもよい。

窒素原子導入用の出発物質としては、具体的には、窒素
原子を構成原子とするかあるいは窒素原子と水素原子を
構成原子とする、窒素（Ｎ２）、アンモニア（Ｎ’Ｈ３
）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、アジ化水素（ＨＮｘ
）、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎり等の窒素、窒化物
及びアジ化物等の窒素化合物を挙げることができる。こ
の他に、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ２
）等のハロゲン化窒素化合物な挙げることができ、これ
らのハロゲン化窒素化合物を用いる場合、窒素原子（ロ
）の導入に加えて、ハロゲン原子閃導入もできる。

スパッタリング法によって、窒素原子を含有する層領域
を形成するには、単結晶又は多結晶の８１ウエーハ又は
Ｂ１５Ｎａウエーハ、又は８１と８１５Ｎ４が混合され
て含有されているウェーハをターゲットとして、これ等
を種々のガス雰囲気中でスパッタリングすることによっ
て行えばよい。

例えば、阻ウェーハをターゲットとして使用すれば、窒
素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原子
を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスで稀
釈して、スパッタリング用の堆積室中に導入し、これ等
のガスのガスプラズｉを形成して前記Ｓ１ウエーハをス
パッタリングすればよい。

又、別には、Ｓｌと５ｉｘＮ４とは別々のターゲットと
して、又はＳｌと８１ｇＮ４の混合した一枚のターゲッ
トを使用することによって、スパッタリング用のガスと
しての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（
６）又は／及びノ・ロゲン原子（３）を構成原子として
含有するガス雰囲気中でスパッタリングすることによっ
て成される。

奮素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放
・亀の例で示した原料ガスの中の窒素原子導入用の原料
ガスが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして使
用できる。

以上記述したように、本発明の光受容部材の光受容層は
、グロー放電法、スパッタリング法等を用いて形成する
が、光受容層に含有せしめる第瓜族原子又は第Ｖ族原子
、酸素原子、炭素原子又は窒素原子、あるいは水素原子
又は／及びハロゲン原子の各々の含有量の制御は、堆積
室内へ流入する、各々の原子供給用出発物質のガス流量
あるいは各々の原子供給用出発物質のガス流量比を制御
することにより行われる。

また、第一の層および第二の層形成時の支持体温度、堆
積室内のガス圧、放電パワー等の条件は、所望の特性を
有する光受容部材を得るためには重要な要因でおり、形
成する層の機能に考慮をはらって適宜選択されるもので
ある。さらに、これらの層形成条件は、第一の層および
第二の層に含有せしめる上記の各原子の種類及び量によ
っても異なることもあることから、含有せしめる原子の
種類あるいはその量等にも考慮をはらって決定する必要
もある。

具体的には、支持体温度は、通常５０〜６５０℃とする
が、特に好ましくは５０〜２５０℃とする。堆積室内の
ガス圧は、通常０．０１〜１Ｔｏｒｒとするが、特に好
ましくｆｉｏ、１〜０．５　Ｔｏｒｒとする。

また、放電パワーは０．００５〜５０Ｗ／ｃｓ２とする
のが通常であるが、より好ましくは０，０１〜３０Ｗ／
１２、特に好ましくは０．０１〜２０Ｗ１５１２とする
。

しかし、これらの、層形成を行うについての支持体温度
、放電パワー、堆積室内のガス圧の具体的条件は、通常
には個々に独立しては容易には決め難いものである。し
たがって、所望の特性の非晶質材料層を形成すべく、相
互的且つ有機的関連性に基づいて、層形底の至適条件を
決めるのが望ましい。

ところで、本発明の光受容層に含有せしめる原子（０，
Ｃ，Ｎ）、第■族原子又は第■族原子、あるいは水素原
子又は／及びノ１０ゲン原子の分布状態を均一とするた
めには、光受容層を形成するに際して、前記の諸条件を
一定に保つことが必要である。

また、本発明において、光受容層の形成の際に、核層中
に含有せしめる原子（０，Ｃ，Ｎ）あるいは第■族原子
又は第Ｖ族原子の分布濃度な層厚方向に変化させて所望
の層厚方向の分布状態を有する光受容層を形成するには
、グロー放電法を用いる場合であれば、原子（０，Ｃ，
Ｎ）　、あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子導入用の出
発物質のガスの堆積室内に導入する際のガス流量を、所
望の変化率に従って適宜変化させ、その他の条件を一定
に保ちつつ形成する。そして、ガス流量を変化させるに
は、具体的には、例えば手動あるいは外部駆動モータ等
の通常用いられている何らかの方法により、ガス流路系
の途中に設けられた所定のニードルバルブの開口を漸次
変化させる操作を行えばよい。このとき、流量の変化″
４は線盤である必要はなく、例えばマイコン等を用いて
、あらかじめ設計された変化率曲線に従って流量を制御
し、所望の含有率曲線を得ることもできる。

また、光受容層をスパッタリング法を用すて形成する場
合、原子（０，Ｃ，Ｎ）　、あるいは第ｍ族原子又は第
■族原子の層厚方向の分布濃度な層厚方向で変化させて
所望の層厚方向の分布状態を形成するには、グロー放電
法を用いた場合と同様に、原子（０，Ｃ，Ｎ）あるいは
第■族原子又は第ｖ族原子導入用の出発′＃質をカス状
態で使用し、該ガスを堆積室内へ導入する際のガス流量
を所望の変化率に従って変化させる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例１乃至１２に従って、より詳細に
説明するが、本発明はこれ等によって限定されるもので
はない。

各実施例においては、光受容層をグロー放電法を用いて
形成した。第１６図はグロー放電法による本発明の光受
容部材の製造装置である。

図中の１６０２．１６０３．１６０４．１６０５．１６
０６のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成するた
めの原料ガスが密封されており、その１例として、たと
えば、１６０２は１９１Ｆ４ガス（純度９９．９９９チ
）ボンベ、１６０３はＢ２で稀釈されたＢ２ＨＩＳガス
（純度９９．９９９チ、以下Ｂ　２Ｈ６／Ｈ２と略す。

）ボンベ、１６０４はＣＨａガス（純度９９．９９９％
）ボンベ、１６０５はＮＨｓガス（純度９９９９９１％
）ボンベ、１６０６は不活性ガス（Ｈｅ）ボンベである
。そして、１６０６’は５ｎＣＬ４が入った密閉容器で
ある。

これらのガスを反応室１６０１に流入させるにはガスボ
ンベ１６０２〜１６０６のバルブ１６２２〜１６２６、
リークバルブ１６６５が閉じられていることを確認し又
、流入バルブ１６１２〜１６１６、流出バルブ１６１７
〜１６２１、補助バルブ１６３２．１６３３が開かれて
いることを確認して、先ずメインバルブ１６３４を開い
て反応室１６０１、ガス配管内を排気する。次に真空Ａ
Ａシリンダー１６３７上に第一の層及び第二の層を形成
する場合の１例を以下に記載する。

まず、ガスボンベ１６０２より８ｉＦ４ガス、ガスボン
ベ１６０３よ、！７　Ｂ２Ｈ４／）ｆ、２ガス、ガスボ
ンベ１６０４よシＣＨ４ガスの夫々をバルブ１６２２．
１６２３．１６２４を開いて出口圧ゲージ１６２７．１
６２８．１６２９の圧をＩ　Ｋｐ／ａｗ２に調整し、流
入バルブ１６１２．１６１５．１６１４を徐々に開けて
、マスクロコントローラ１６０７．１６０８．１６０９
内に流入される。引き続いて流出バルブ１６１７．１６
１８．１６１９、補助バルブ１６３２を徐々に開いてガ
スを反応室１６０１内に流入される。このときの８１Ｆ
４ガス流量、ＣＨ４ガス流量、８２Ｈ６ハ２ガス流量の
比が所望の値になるように流出バルブ１６１７．１６１
８．１６１９を調整し、又、反応室１６０１内の圧力が
所望の値になるように真空計１６３６の読みを見ながら
メインバルブ１６３４の開口を調整する。そして基体シ
リンダー１６３７の温度が加熱ヒーター１６３８により
５０〜４００℃の範囲の温度に設定されていることを確
認された後、電源１６４０を所望の電力に設定して反応
室１６０１内にグロー放電を生起せしめるとともに、マ
イクロコンピュータ−（図示せず）を用いて、あらかじ
め設計された流量変化率線に従って、ＳｉＦ４ガス、Ｃ
Ｈａガス及びＢ２Ｈ６Ａ２ガスのガス流量を制御しなが
ら、基体シリンダー１６３７上に先ず、シリコン原子、
炭素原子及び硼累原子を含有する第一の層を形成する。

上記と同様の操作により、嬉−の層上に第二の層を形成
するには、例えば８ｉＦ４ガス、及びＮＨ３ガスの夫々
を、必要に応じてＨｅ、Ａｒ、Ｂ２　等の稀釈ガスで稀
釈して、所望のガス流量で反応室１６０１内に流入し、
所望の条件に従って、グロー放電を生起せしめることに
よって形成される。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出、＜ルブ以外
の流出バルブは全て閉じることは言うまでもなく、又夫
々の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応
室１６０１内、流出、＜ルブ１６１７〜１６２１から反
応室１６０１内に至るガス配管内に残留することを避け
るために、流出ノシルブ１６１７〜１６２１を閉じ補助
バルブ１６３２．１６３３を開いてメインバルブ１６３
４を全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要に
応じて行う。

試験例径２■のＳＵＳステンレス製剛体真球を用い、前述の第
６図に示した装置を用い、アルミニウム合金製シリンダ
ー（径６０■、長さ２９８ｍ）の表面を処理し、凹凸を
形成させた。

真球の径Ｒ′、落下高さｈと痕跡窪みの曲率Ｒ１幅りと
の関係を調べたところ、痕跡窪みの曲率Ｒと幅りとは、
真球の径Ｒ′と落下高さｈ等の条件により決められるこ
とが確認された。また、痕跡窪みのピッチ（痕跡窪みの
密度、また凹凸のピッチ）は、シリンダーの回転速度、
回転数乃至は剛体真球の落下量等を制御して所望のピッ
チに調整することができることが確認され九。

実施例　１試験例と同様にアルミニウム合金製シリンダーの表面を
処理し、第１Ａ表上横に示すＤｌ及び！２−ヲ有するシ
リンダー状Ｍ支持体（シリンダ−厘１０１〜１０６）を
得た。

次に該Ａｔ支持体（シリンダー屋１０１〜１０６）上に
、以下の第１Ｂ表に示す条件で、第１６図に示しｆｃ梨
造装置により光受容層を形成した。

なお、光受容層中に含有せしめる硼素原子は、Ｂ２Ｈ６
／５ｉＦｅ　＋ＧｅＦ４”−１００ｐｐｍであって、該
層の全層について約２００　ｐｐｍドーピングされてい
るようになるべく導入した。

これらの光受容部材について、第１７図に示す画像露光
装置を用い、波長７８０ｎｍ、スポット径８０μｍのレ
ーザー元を照射して画像露光を行ない、現像、転写を行
なって画像を得た。得られたｔｈＩＮの干渉縞の発生状
況は第１Ａ表下欄に示すとおりであった。

なお、第１７（Ａ）図は露光装置の全体を模式的に示す
平面略図であり、第１７（Ｂ）図は露光装置の全体を模
式的に示す側面略図である。図中、１７０１は光受容部
材、１７０２は半畳体レーザー、１７０３　Ｕ　ｆθレ
ンズ、１７０４はポリゴンミラーを示している。

次に１比較として、従来のダイヤモンドノ（イトにより
表面処理されたアルミニウム合金製シリンダー（Ａ　１
０７　）　（径６０鵡、長さ２９８閣、凹凸ピッチ１０
０μｍ１凹凸の深さ６μｍ）を用いて、前述と同様にし
て光受容部材を作製した。得られた光受容部材を電子顕
微鏡で観察したところ、支持体表面と光受容層の層界面
及び光受容層の表面とは平行をなしていた。この光受容
部材を用いて、前述と同様にして画像形成をおこない、
得られた画像について前述と同様の評価を行なった。そ
の結果は、第１Ａ表下欄に示すとおりであった。

第　　１　Ａ　　表Ｘ・・・実用不能　　○・・・実用性良好Δ・・・実用
上回　　◎・・・実用性特に良好実施例　２第２Ｂ表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した
以外はすべて実施例１と同様にして、Ａｔ支持体（シリ
ンダー屋１０１〜１０７）上に光受容層を形成した。

得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像を形成したところ、得られた画像における干渉縞の発
生状況は、第２Ａ表下欄に示すとおシでめった。

第２Ａ表 ×・・・実用不能　　　○・・・実用性良好△・・・実
用上回　　　◎・・・実用性特に良好実施例　３〜１２実施例１のＡＩ支持体（シリンダーＪ１６１０３〜１０
６）上に、第３〜１２表に示す層形成条件にしたがって
光受容層を形成した以外はすべて実施例１と同様にして
光受容部材を作成した。

なお、実施例３〜６．８〜１１において、光受容層形成
時における使用ガスの流量は、各々、第１８〜２１、第
２２〜２５図に示す流量変化線に従って、マイクロコン
ピュータ−制御により自動的に調整した。

また、光受容層中に含有せしめる硼素原子は、実施例１
と同様の条件で導入した。

得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像形成を行った。

得られた画像は、いずれも干渉縞の発生が観察されず、
極めて良質のものであった。

〔発明の効果の概略〕

本発明の光受容部材は前記のととき磨構成としたことに
より、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しておシ高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ノ・−フトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光受容部材の１例を模式的に示した図
であり、第２及び３図は、本発明の光受容部材における
干渉縞の発生の防止の原理を説明するための部分拡大図
であり、第２図は、支持体表面に球状痕跡窪みによる凹
凸が形成された光受容部材において、干渉縞の発生が防
止しうろことを示す図、第３図は、従来の表面を規則的
に荒した支持体上に光受容層を堆積させた光受容部材に
おいて、干渉縞が発生することを示す図である。第４及
び５図は、本発明の光受容部材の支持体表面の凹凸形状
及び該凹凸形状を作製する方法を説明するだめの模式図
である。第６図は、本発明の光受容部材の支持体に設け
られる凹凸形状を形成するのに好適々装置の一構成例を
模式的に示す図であって、第６（Ａ）図は正面図、第６
（Ｂ）図は縦断面図である。第７〜１５図は、本発明の光受容部材の第一の層におけ
る酸素原子、炭素原子及び窒素原子のなかから選ばれる
少なくとも一種、あるいは第厘族原子又は第■族原子の
層厚方向の分布状態を表わす図であシ、各図において、
縦軸は第一の層の層厚を示し、横軸は各原子の分布濃度
を表わしている。第１６図は、本発明の光受容部材の光
受容層を製造するための装置の１例で、グロー放電法に
よる製造装置の模式的説明図である。第１７図はレーザ
ー光による画像露光装置を説明する図である。第１８乃
至２５図は、本発明の光受容層形成におけるガス流量比
の変化状態を示す図であり、縦軸は第一の層の層厚、横
軸は使用ガスのガス流量を示している。第１乃至第３図について、１００・・・光受容層、１０１・・・支持体、１０２，
２０１．３０１・・・第一の層、１０！１，２０２，３
０２・・・第二の層、１０４゜２０３　、３０３・・・
自由表面、２０４，３０４・・・第一の層と第二の層と
の界面第４．５図について４０１．５０１・・・支持体、４０２　、５０２・・・
支持体表面、４０３．５０３，５０３’・・・剛体真球
、４０４，５０４・・・球状痕跡窪み第６図について、６０１・・・シリンダー、６０２・・・回転軸、６０３
・・・駆動手段、６０４・・・落下装置、６０５・・・
剛体真球、６０６・・・ボールフィーダー、６０７・・
・振動機、６０８・・・回収槽、６０９・・・ボール送
シ装置、６１０・・・洗浄装置、６１１・・・洗浄液だ
め、６１２・・・洗浄液回収槽、６１３・・・落下口第１６図について、１６０１・・・反応室、１６０２〜１６０６・・・ガス
ボンベ、１６０７〜１６１１・・・マスフロコントロー
ラ、１６１２〜１６１６・・・流入バルブ、１６１７〜
１６２１・・・流出バルブ、１６２２〜１６２６・・・
バルブ、１６２７〜１６３１・・・圧力調整器、１６３
２゜１６３３・・・補助バルブ、１６３４・・・メイン
バルブ、１６３５・・・リークバルブ、１６３６・・・
真空計、１６３７・・・基体シリンダー、１６３８・・
・加熱ヒーター、１６３９・・・モーター、１６４０・
・・高周波電源第１７図について１７０１・・・光受容部材、１７０２・・・半導体レー
ザー、１７０３・・・ｆθレンズ、１７０４・・・ポリ
ゴンミラー。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）支持体上に、シリコン原子と、酸素原子、炭素原
子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種とを含有
する非晶質材料でそれぞれ構成された第一の層と第二の
層とを有する光受容層を備え、前記第一の層と前記第二
の層の構成材料に含有される酸素原子、炭素原子及び窒
素原子の中から選ばれるものが互に異るものであり、前
記支持体の表面が複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を
有していることを特徴とする光受容部材。
（２）第一の層又は／及び第二の層が、シリコン原子と
、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少
くとも一種とを均一な分布状態で含有する非晶質材料で
構成された特許請求の範囲第（１）項に記載された光受
容部材。
（３）第一の層が伝導性を制御する物質を含有している
特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
（４）第一の層が多層構成である特許請求の範囲第（１
）項に記載の光受容部材。
（５）第一の層が、伝導性を制御する物質を含有する電
荷注入阻止層を構成層の１つとして有する、特許請求の
範囲第（４）項に記載の光受容部材。
（６）第一の層が、構成層の１つとして障壁層を有する
、特許請求の範囲第（４）項に記載の光受容部材。
（７）支持体の表面に設けられた複数の凹凸形状が、同
一の曲率の球状痕跡窪みによる凹凸形状である特許請求
の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
（８）支持体の表面に設けられた複数の凹凸形状が、同
一の曲率及び同一の幅の球状痕跡窪みによる凹凸形状で
ある特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
（９）支持体の表面の凹凸形状が、支持体表面に複数の
剛体真球を自然落下させて得られた前記剛体真球の痕跡
窪みによる凹凸形状である特許請求の範囲第（１）項に
記載の光受容部材。
（１０）支持体の表面の凹凸形状が、ほぼ同一径の剛体
真球をほぼ同一の高さから落下させて得られた剛体真球
の痕跡窪みによる凹凸形状である特許請求の範囲第（９
）項に記載の光受容部材。
（１１）球状痕跡窪みの曲率Ｒと幅Ｄとが、次式；０．
０３５≦Ｄ／Ｒを満足する値である特許請求の範囲第（１）項に記載の
光受容部材。
（１２）球状痕跡窪みの幅が、５００μｍ以下である特
許請求の範囲第（１１）項に記載の光受容部材。
（１３）支持体が、金属体である特許請求の範囲第（１
）項に記載の光受容部材。