JPH0476105B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0476105B2 JPH0476105B2 JP22446185A JP22446185A JPH0476105B2 JP H0476105 B2 JPH0476105 B2 JP H0476105B2 JP 22446185 A JP22446185 A JP 22446185A JP 22446185 A JP22446185 A JP 22446185A JP H0476105 B2 JPH0476105 B2 JP H0476105B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- atoms
- light
- receiving member
- support
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 190
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 65
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical group [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 55
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 41
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 27
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 18
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 10
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 claims description 9
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 360
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 156
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 description 57
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 38
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 33
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 28
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 27
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 22
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 22
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 21
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 21
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 20
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 20
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 19
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 17
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 13
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 7
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 7
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 7
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 5
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- LZDSILRDTDCIQT-UHFFFAOYSA-N dinitrogen trioxide Inorganic materials [O-][N+](=O)N=O LZDSILRDTDCIQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910007264 Si2H6 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 3
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 3
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017011 AsBr3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017009 AsCl3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017050 AsF3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910015845 BBr3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910015844 BCl3 Inorganic materials 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000238558 Eucarida Species 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020667 PBr3 Inorganic materials 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003818 SiH2Cl2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003816 SiH2F2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003822 SiHCl3 Inorganic materials 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical class [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000074 antimony hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K antimony trichloride Chemical compound Cl[Sb](Cl)Cl FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- GUNJVIDCYZYFGV-UHFFFAOYSA-K antimony trifluoride Chemical compound F[Sb](F)F GUNJVIDCYZYFGV-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000070 arsenic hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- JMBNQWNFNACVCB-UHFFFAOYSA-N arsenic tribromide Chemical compound Br[As](Br)Br JMBNQWNFNACVCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OEYOHULQRFXULB-UHFFFAOYSA-N arsenic trichloride Chemical compound Cl[As](Cl)Cl OEYOHULQRFXULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JCMGUODNZMETBM-UHFFFAOYSA-N arsenic trifluoride Chemical compound F[As](F)F JCMGUODNZMETBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N boron tribromide Substances BrB(Br)Br ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- MJBPUQUGJNAPAZ-AWEZNQCLSA-N butin Chemical compound C1([C@@H]2CC(=O)C3=CC=C(C=C3O2)O)=CC=C(O)C(O)=C1 MJBPUQUGJNAPAZ-AWEZNQCLSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000010730 cutting oil Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- MGNHOGAVECORPT-UHFFFAOYSA-N difluorosilicon Chemical compound F[Si]F MGNHOGAVECORPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RNRZLEZABHZRSX-UHFFFAOYSA-N diiodosilicon Chemical compound I[Si]I RNRZLEZABHZRSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFPZPJSADLPSON-UHFFFAOYSA-N dinitrogen tetraoxide Chemical compound [O-][N+](=O)[N+]([O-])=O WFPZPJSADLPSON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002534 ethynyl group Chemical class [H]C#C* 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- QUZPNFFHZPRKJD-UHFFFAOYSA-N germane Chemical compound [GeH4] QUZPNFFHZPRKJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052986 germanium hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000026030 halogenation Effects 0.000 description 2
- 238000005658 halogenation reaction Methods 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 2
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009828 non-uniform distribution Methods 0.000 description 2
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 2
- 150000003017 phosphorus Chemical class 0.000 description 2
- IPNPIHIZVLFAFP-UHFFFAOYSA-N phosphorus tribromide Chemical compound BrP(Br)Br IPNPIHIZVLFAFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAIAAWCVCHQXDN-UHFFFAOYSA-N phosphorus trichloride Chemical compound ClP(Cl)Cl FAIAAWCVCHQXDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- OUULRIDHGPHMNQ-UHFFFAOYSA-N stibane Chemical compound [SbH3] OUULRIDHGPHMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSUXOVNWDZTCFN-UHFFFAOYSA-L tin(ii) bromide Chemical compound Br[Sn]Br ZSUXOVNWDZTCFN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- JTDNNCYXCFHBGG-UHFFFAOYSA-L tin(ii) iodide Chemical compound I[Sn]I JTDNNCYXCFHBGG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZQXCQTAELHSNAT-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-3-nitro-5-(trifluoromethyl)benzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC(Cl)=CC(C(F)(F)F)=C1 ZQXCQTAELHSNAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910014263 BrF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- MJBPUQUGJNAPAZ-UHFFFAOYSA-N Butine Natural products O1C2=CC(O)=CC=C2C(=O)CC1C1=CC=C(O)C(O)=C1 MJBPUQUGJNAPAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020323 ClF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229910005267 GaCl3 Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006111 GeCl2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006158 GeF2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006162 GeI2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021600 Germanium(II) bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical group CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001676573 Minium Species 0.000 description 1
- 206010028347 Muscle twitching Diseases 0.000 description 1
- 241000233855 Orchidaceae Species 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000287462 Phalacrocorax carbo Species 0.000 description 1
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910007260 Si2F6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005096 Si3H8 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020328 SiSn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- XMIJDTGORVPYLW-UHFFFAOYSA-N [SiH2] Chemical compound [SiH2] XMIJDTGORVPYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UAZDIGCOBKKMPU-UHFFFAOYSA-O azanium;azide Chemical compound [NH4+].[N-]=[N+]=[N-] UAZDIGCOBKKMPU-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 150000001540 azides Chemical class 0.000 description 1
- PDZVQXVLQRBWCR-UHFFFAOYSA-N bismane Chemical compound C1CC[BiH]CC1 PDZVQXVLQRBWCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHXKRIRFYBPWGE-UHFFFAOYSA-K bismuth chloride Chemical compound Cl[Bi](Cl)Cl JHXKRIRFYBPWGE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910000072 bismuth hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- BPBOBPIKWGUSQG-UHFFFAOYSA-N bismuthane Chemical compound [BiH3] BPBOBPIKWGUSQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 1
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- DUVPPTXIBVUIKL-UHFFFAOYSA-N dibromogermanium Chemical compound Br[Ge]Br DUVPPTXIBVUIKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBDJQNUZLNUGDS-UHFFFAOYSA-N dibromosilicon Chemical compound Br[Si]Br KBDJQNUZLNUGDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- ZWWCURLKEXEFQT-UHFFFAOYSA-N dinitrogen pentaoxide Chemical compound [O-][N+](=O)O[N+]([O-])=O ZWWCURLKEXEFQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012772 electrical insulation material Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000003631 expected effect Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- 125000001590 germanediyl group Chemical group [H][Ge]([H])(*)* 0.000 description 1
- AHVNUGPIPKMDBB-UHFFFAOYSA-N germanium Chemical compound [Ge].[Ge].[Ge] AHVNUGPIPKMDBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGRFVJMYCCLWPQ-UHFFFAOYSA-N germanium Chemical compound [Ge].[Ge] VGRFVJMYCCLWPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHGIKMVOLGCZIP-UHFFFAOYSA-N germanium dichloride Chemical compound Cl[Ge]Cl QHGIKMVOLGCZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GGJOARIBACGTDV-UHFFFAOYSA-N germanium difluoride Chemical compound F[Ge]F GGJOARIBACGTDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N nitrous oxide Inorganic materials [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N propyne Chemical group CC#C MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108020003175 receptors Proteins 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052990 silicon hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- KXCAEQNNTZANTK-UHFFFAOYSA-N stannane Chemical compound [SnH4] KXCAEQNNTZANTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ANOBYBYXJXCGBS-UHFFFAOYSA-L stannous fluoride Chemical compound F[Sn]F ANOBYBYXJXCGBS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000013517 stratification Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 1
- ZFXYFBGIUFBOJW-UHFFFAOYSA-N theophylline Chemical compound O=C1N(C)C(=O)N(C)C2=C1NC=N2 ZFXYFBGIUFBOJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000083 tin tetrahydride Inorganic materials 0.000 description 1
- AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L tin(II) chloride (anhydrous) Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sn+2] AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- SDNBGJALFMSQER-UHFFFAOYSA-N trifluoro(trifluorosilyl)silane Chemical compound F[Si](F)(F)[Si](F)(F)F SDNBGJALFMSQER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQFKTKUFHWNTBN-UHFFFAOYSA-N trifluoro-$l^{3}-bromane Chemical compound FBr(F)F FQFKTKUFHWNTBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N trifluorochlorine Chemical compound FCl(F)F JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQTYRTSKQFQYPQ-UHFFFAOYSA-N trisiloxane Chemical compound [SiH3]O[SiH2]O[SiH3] ZQTYRTSKQFQYPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/10—Bases for charge-receiving or other layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
- G03G5/08228—Silicon-based comprising one or two silicon based layers at least one with varying composition
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
- G03G5/08242—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers at least one with varying composition
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可
視光線、赤外線、Ｘ線、ｒ線等を示す）の様な電
磁波に感受性のある光受容部材に関する。さらに
詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。 〔従来技術の説明〕 デジタル画像情報を画像として記録する方法と
して、デジタル画像情報に応じて変調したレーザ
ー光で光受容部材を光学的に走査することにより
静電潜像を形成し、次いで該潜像を現像するか、
更に必要に応じて転写、定着などの処理を行な
う、画像を記録する方法が知られており、中でも
電子写真法による画像形成法では、レーザーとし
て、小型で安価なHe−Neレーザーあるいは半導
体レーザー（通常は650〜820nmの発光波長を有
する）を使用して像記録を行なうのが一般であ
る。 ところで、半導体レーザーを用いる場合に適し
た電子写真用の光受容部材としては、その光感度
領域の整合性が他の種類の光受容部材と比べて優
れているのに加えて、ピツカース硬度が高く、公
害の問題が少ない等の点から評価され、例えば特
開昭54−86341号公報や特開昭56−83746号公報に
みられるようなシリコン原子を含む非晶質材料
（以後「ａ−Si」と略記する）から成る光受容部
材が注目されている。 しかしながら、前記光受容部材については、光
受容層を半層構成のａ−Si層とすると、その高光
感度を保持しつつ、電子写真用として要求される
1012Ωcm以上の暗抵抗を確保するには、水素原子
やハロゲン原子、或いはこれ等に加えてポロン原
子と特定の量範囲で層中に制御された形で構造的
に含有させる必要性があり、ために層形成に当つ
て各種条件を厳密にコントロールすることが要求
される等、光受容部材の設計についての許容度に
可成りの制約がある。そしてそうした設計状の許
容度の問題がある程度低暗抵抗であつても、その
高光感度を有効に利用出来る様にする等して改善
する提案がなされている。即ち、例えば、特開昭
54−121743号公報、特開昭57−4053号公報、特開
昭57−4172号公報にみられるように光受容層を伝
導特性の異なる層を積層した二種以上の層構成と
して、光受容層内部に空乏層を形成したり、或い
は特開昭57−52178号、同52179号、同52180号、
同58159号、同58160号、同58161号の各公報にみ
られるように支持体と光受容層の間、又は／及び
光受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造と
したりして、見掛け上の暗抵抗を高めた光受容部
材が提案されている。 ところがそうした光受容層が多層構造を有する
光受容部材は、各層の層厚にばらつきがあり、こ
れを用いてレーザー記録を行う場合、レーザー光
が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層
及び支持体と光受容層との層界面（以後、この自
由表面及び層界面の両者を併せた意味で「界面」
と称する。）より反射して来る反射光の夫々が干
渉を起してしまうことがしばしばある。 この干渉現象は、形成される可視画像に於い
て、所謂、干渉縞模様となつて現われ、画像不良
の原因となる。殊に階調性の高い中間調の画像を
形成する場合にあつては、識別性の著しく劣つた
阻画像を与えるところとなる。 また重要な点として、使用する半導体レーザー
光の波長領域が長波長になるにつれ光受容層に於
ける該レーザー光の吸収が減少してくるので、前
記の干渉現象が顕著となるという問題がある。 即ち、例えば２若しくはそれ以上の層（多層）
構成のものであるものにおいては、それらの各層
について干渉効果が起り、それぞれの干渉が相乗
的に作用し合つて干渉縞模様を呈するところとな
り、それがそのまゝ転写部材に影響し、該部材上
に前記干渉縞模様に対応した干渉縞が転写、定着
され可視画像に現出して不良画像をもたらしてし
まうといつた問題がある。 こうした問題を解消する策として、(a)支持体表
面をダイヤモンド切削して、±500Å〜10000Åの
凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特
開昭58−162975号公報参照）、(b)アルミニウム支
持体表面を黒色アルマイト処理したり、或いは、
樹脂中のカーボン、着色顔料、染料を分散したり
して光吸収層を設ける方法（例えば特開昭57−
165845号公報参照）、(c)アルミニウム支持体表面
を梨地状のアルマイト処理したり、サンドプラス
トにより砂目状の微細凹凸を設けたりして、支持
体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば
特開昭57−16554号公報参照）等が提案されては
いる。 これ等の提案方法は、一応の結果はもたらすも
のの、画像状に現出する干渉縞模様を完全に解消
するに十分なものではない。 即ち、(a)の方法については、支持体表面に特定
ｔの凹凸を多数設けていて、それにより光散乱効
果による干渉縞模様の現出が一応それなりに防止
はされるものの、光散乱としては依然として正反
射光成分が残存するため、該正反射光による干渉
縞模様が残存してしまうことに加えて、支持体表
面で光散乱効果により照射スポツトに拡がりが生
じ、実質的な解像度低下をきたしてしまう。 (b)の方法については、黒色アルマイト処理で
は、完全吸収は不可能であり、支持体表面での反
射光は残存してしまう。また、着色顔料分散樹脂
層を設ける場合は、ａ−Si層を形成する際、樹脂
層より脱気現象が生じ、形成される光受容層の層
品質が著しく低下すること、樹脂層がａ−Si層形
成の際のプラズマによつてダメージを受けて、本
来の吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪
化によるその後のａ−Si層の形成に悪影響を与え
ること等の問題点を有する。 (c)の方法については、例えば入射光についてみ
れば光受容層の表面でその一部が反射されて反射
光となり、残りは、光受容層の内部に進入して透
過光となる。透過光は、支持体の表面に於いて、
その一部は、光散乱されて拡散光となり、残りが
正反射されて反射光となり、その一部が出射光と
なつて外部に出ては行くが、出射光は、反射光と
干渉する成分であつて、いずれにしろ残留するた
め依然として干渉縞模様が完全に消失はしない。 ところで、この場合の干渉を防止するについ
て、光受容層内部での多重反射が起らないよう
に、支持体の表面の拡散性を増加させる試みもあ
るが、そうしたところでかえつて光受容層内で光
が拡散してハレーシヨンを生じてしまい、結局は
解像度が低下してしまう。 特に、多層構成の光受容部材においては、支持
体表面を不規則に荒らしても、第１層での表面で
の反射光、第２層での反射光、支持体表面での正
反射光の夫々が干渉して、光受容部材の各層厚に
したがつた干渉縞模様が生じる。従つて、多層構
成の光受容部材においては、支持体表面を不規則
に荒すことでは、干渉縞を完全に防止することは
不可能である。 又、サンドプラスト等の方法によつて支持体表
面を不規則に荒す場合は、その粗面度がロツド間
に於いてバラツキが多く、且つ同一ロツトに於い
ても組面度に不均一があつて、製造管理上問題が
ある。加えて、比較的大きな突起がランダムに形
成される機械が多く、斯かる大きな突起が光受容
層の局所的ブレークダウンをもたらしてしまう。 又、支持体表面を単に規則的に荒したところ
で、通常、支持体の表面の凹凸形状に沿つて、光
受容層が堆積するため、支持体表面の凹凸の傾斜
面と光受容層の凹凸の傾斜面とが平行になり、そ
の部分では入射光は、明部、暗部をもたらすとこ
ろとなり、また、光受容層全体では光受容層の層
厚の不均一性があるため明暗の縞模様が現われて
しまう。従つて、支持体表面を規則的に荒しただ
けでは、干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはで
きない。 又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成
の光受容層を堆積させた場合にも、支持体表面で
の正反射光と、光受容層表面での反射光との干渉
の他に、各層間の界面での反射光による干渉が加
わるため、一層構成の光受容部材の干渉縞模様発
現度合より一層複雑となる。 〔発明の目的〕 本発明は、主としてａ−Siで構成された光受容
層を有する光受容部材について、上述の諸問題を
排除し、各種要求を満たすものにすることを目的
とするものである。 すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光
学的、光導電的特性が使用環境に殆んど依存する
ことなく実質的に常時安定しており、耐光疲労に
優れ、繰返し使用に際しても劣化現象を起こさず
耐久性、耐湿性に優れ、残留電位が全く又は殆ん
ど観測されなく、製造管理が容易である、ａ−Si
で構成された光受容層を有する光受容部材を提供
することにある。 本発明の別の目的は、全可視光域において光感
度が高く、とくに半導体レーザーとのマツチング
性に優れ、且つ光応答の速い、ａ−Siで構成され
た光受容層を有する光受容部材を提供することに
ある。 本発明の更に別の目的は、高光感度性、高SN
比特性及び高電気的耐圧性を有する、ａ−Siで構
成された光受容層を有する光受容部材を提供する
ことにある。 本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層
と支持体との間や積層される層の各層間に於ける
密着性に優れ、構造配列的に厳密で安定的であ
り、層品質の高い、ａ−Siで構成された光受容層
を有する光受容部材を提供することにある。 本発明の更に他の目的は、可干渉性単色光を用
いる画像形成に適し、長期の繰り返し使用にあつ
ても、干渉縞模様と反転現象時の斑点の現出がな
く、且つ画像欠陥や画像のボケが全くなく、濃度
が高く、ハーフトーンが鮮明に出て且つ解像度の
高い、高品質画像を得ることのできる、ａ−Siで
構成された光受容層を有する光受容部材を提供す
ることにある。 〔発明の構成〕 本発明者らは、従来の光受容部材についての前
述の諸問題を克服して、上述の目的を達成すべく
鋭意研究を重ねた結果、下述する知見を得、該知
見に基づいて本発明を完成するに至つた。 即ち、本発明は、支持体上に、シリコン原子
と、ゲルマニウム原子又はスズ原子の少なくとも
一方とを有する非晶質材料で構成された第一の層
と、シリコン原子と、酸素原子、炭素原子及び窒
素原子の中から選ばれる少なくとも一種とを含有
する非晶質材料で構成された第二の層とを有する
光受容部材であつて、前記第一の層が、ゲルマニ
ウム原子又はスズ原子の少なくとも一方を含有す
る層と、ゲルマニウム原子及びスズ原子のいずれ
も含有しない層とを支持体側から順に有する多層
構成であり、かつ、前記支持体の表面が複数の球
状痕跡窪みによる凹凸形状を有してなることを骨
子とする光受容部材に関する。 ところで、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果
得た知見は、概要、支持体上に複数の層を有する
光受容部材において、前記支持体表面に、複数の
球状痕跡窪みによる凹凸を設けることにより、画
像形成時に現れる干渉縞模様の問題が解消される
というものである。 この知見は、本発明者らが試みた各種の実験に
より得た事実関係に基づくものである。 このところを、理解を容易にするため、図面を
用いて以下に説明する。 第１図は、本発明に係る光受容部材１００の層
構成を示す模式図であり、微小な複数の球状痕跡
窪みによる凹凸形状を有する支持体１０１上に、
その凹凸の傾斜面に沿つて、第一の層１０２及び
第二の層１０３を備えた光受容部材を示してい
る。 第２及び第３図は、本発明の光受容部材におい
て干渉縞模様の問題が解消されるところを説明す
るための図である。 第３図は、表面を規則的に荒した支持体上に、
多層構成の光受容層を堆積させた従来の光受容部
材の一部を拡大して示した図である。該図におい
て、３０１は第一の層、３０２は第二の層、３０
３は自由表面、３０４は第一の層と第二の層の界
面をそれぞれ示している。第３図に示すごとく、
支持体表面を切削加工等の手段により単に規則的
に荒しただけの場合、通常は、支持体の表面の凹
凸形状に沿つて光受容層が形成されるため、支持
体表面の凹凸の傾斜面と光受容層の凹凸の傾斜面
とが平行関係をなすところとなる。 このことが原因で、例えば、光受容層が第一の
層３０１と、第二の層３０２との２つの層からな
る多層構成のものである光受容部材においては、
例えば次のような問題が定常的に惹起される。即
ち、第一の層と第二の層との界面３０４及び自由
表面３０３とが平行関係にあるため、界面３０４
での反射光R1と自由表面での反射光R2とは方向
が一致し、第二の層の層厚に応じた干渉縞が生じ
る。 第２図は、第１図の一部を拡大した図であつ
て、第２図に示すごとく、本発明の光受容部材は
支持体表面に複数の微小な球状痕跡窪みによる凹
凸形状が形成されており、その上の光受容層は、
該凹凸形状に沿つて堆積するため、例えば光受容
層が第一の層２０１と第二の層２０２との二層か
らなる多層構成の光受容部材にあつては、第一の
層２０１と第二の層２０２との界面２０４、及び
自由表面２０３は、各々、前記支持体表面の凹凸
形状に沿つて、球状痕跡窪みによる凹凸形状に形
成される。界面２０４に形成される球状痕跡窪み
の曲率をR1、自由表面に形成される球状痕跡窪
みの曲率R2とすること、R1とR2とはR1≠R2とな
るため、界面２０４での反射光と、自由表面２０
３での反射光とは、各々異なる反射角度を有し、
即ち、第２図におけるθ1，θ2がθ1≠θ2であつて、
方向が異なるうえ、第２図に示すl1，l2，l3を用
いてl1＋l2−l3で表わされるところの波長のずれ
も一定とはならずに変化するため、いわゆるニユ
ートンリング現象に相当するシエアリング干渉が
生起し、干渉縞は窪みが内で分散されるところと
なる。これにより、こうした光受容部材を介して
現出される画像は、ミクロ的には干渉縞が仮に現
出されていたとしても、それらは視覚にはとられ
られない程度のものとなる。 即ち、かくなる表面形状を有する支持体の使用
は、その上に多層構成の光受容層を形成してなる
光受容部材にあつては、該光受容層を通過した光
が、層界面及び支持体表面で反射し、それらが干
渉することにより、形成される画像が縞模様とな
ることを効率的に防止し、優れた画像を形成しう
る光受容部材を得ることにつながる。 ところで、本発明の光受容部材の支持体表面の
球状痕跡窪みによる凹凸形状の曲率Ｒ及び幅Ｄ
は、こうした本発明の光受容部材における干渉縞
の発生を防止する作用効果を効率的に達成するた
めには重要な原因である。本発明者らは、各種実
験を重ねた結果以下のところ究明した。即ち、曲
率Ｒ及び幅Ｄが次式： Ｄ／Ｒ≧0.035 を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシエア
リング干渉によるニユートンリングが0.5本以上
存在することとなる。さらに次式： Ｄ／Ｒ≧0.055 を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシエア
リング干渉によるニユートンリングが１本以上存
在することとなる。 こうしたことから、光受容部材の全体に発生す
る干渉縞を、各々の痕跡窪み内に分散せしめ、光
受容部材における干渉縞の発生を防止するために
は、前記Ｄ／Ｒを0.035、好ましくは0.055以上とす ることが望ましい。 また、痕跡窪みによる凹凸の幅Ｄは、大きくと
も500μｍ程度、好ましくは200μｍ以下、より好
ましくは100μｍ以下とするのが望ましい。 本発明は、上記の究明した事実に基くものであ
り、本発明により提供される光受容部材は、下述
する構成を骨子とするものである。 即ち、支持体上に、シリコン原子と、ゲルマニ
ウム原子又はスズ原子の少なくとも一方とを含有
する非晶質材料で構成された第一の層と、シリコ
ン原子と、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中
から選ばれる少なくとも一種を含有する非晶質材
料で構成された第二の層とを有する光受容層を備
えた光受容層であつて、前記第一の層が、ゲルマ
ニウム原子又はスズ原子の少なくとも一方を含有
する層イと、ゲルマニウム原子及びスズ原子のい
ずれも含有しない層ロとを支持体側から順に有す
る多層構成とされ、前記支持体の表面が、窪みの
幅Ｄが500μｍ以下で窪みの曲率半径Ｒと幅Ｄと
が0.035≦Ｄ／Ｒとされた複数の球状痕跡窪みに
よる凹凸を有することを特徴とする光受容部材で
ある。 上記構成の本発明の光受容部材における支持体
の表面の前記複数の球状痕跡窪みによる凹凸は、
同一の曲率半径のものであつても、或は、ほぼ同
一の曲率半径及び幅の窪みにより形成されたもの
であつてもよい。 上記構成の本発明の光受容部材における光受容
層は、周期律表第族または第族に属する原子
を含有してもよい。この場合、光受容層に含有さ
れる周期律表第族または第族に属する原子に
ついて、それら原子の分布濃度が支持体側で比較
的高濃度であり、第二の層側で支持体側に較べて
かなり低いかあるいは実質的にゼロに近い濃度で
あるように層厚方向に不均一に分布するようにす
ることができる。 上記構成の本発明の光受容部材においては、前
記層イに含有されるゲルマニウム原子又はスズ原
子について、それら原子の分布濃度が支持体側で
比較的高濃度とされ、前記層ロ（即ち、ゲルマニ
ウム原子及びスズ原子のいずれも含有しない層）
側で支持体側に較べかなり低い濃度で層厚方向に
不均一に分布されているようにすることができ
る。 上記構成の本発明の光受容部材の前記第二の層
に含有される酸素原子、炭素原子及び窒素原子の
中から選ばれる少なくとも一種の原子について、
それら原子が層厚方向に均一な分布状態で含有さ
れるようにしてもよいし、或いは、それら原子の
分布濃度が、支持体側で比較的高濃度であり、該
第二の層の表面側で支持体側に較べてかなり低い
濃度あるいは実質的にゼロに近い濃度であるよう
に層厚方向に不均一に分布されているようにする
ことができる。 上記構成の本発明の光受容部材における光受容
層は、周期律表第族まはた第族に属する原子
を含有する電荷注入防止層を構成層の１つとして
有することができる。 上記構成の本発明の光受容部材における光受容
層は、構成層の１つとして障壁層を有することが
できる。 本発明の光受容部材の第一の層及び第二の層の
作成については、本発明の前述の目的を効率的に
達成するために、その層厚を光学的レベルで正確
に制御する必要があることから、グロー放電法、
スパツタリング法、イオンブレーテイング法等の
真空堆積法が通常使用されるが、これらの他、光
CVO法、熱CVO法等を採用することもできる。 以下、図示の実施例にしたがつて本発明の光受
容部材の具体的内容を説明するが、本発明の光受
容部材はそれらの例により限定されるものではな
い。 第１図は、本発明の光受容部材の層構成を説明
するために模式的に示した図であり、図中、１０
０は光受容部材、１０１は支持体、１０２は第一
の層、１０３は第二の層、１０４は自由表面をそ
れぞれ示している。 支持体 本発明の光受容部材における支持体１０１は、
その表面が光受容部材に要求される解像力よりも
微小な凹凸を有し、しかも該凹凸は、複数の球状
痕跡窪みによるものである。 以下に、本発明の光受容部材における支持体の
表面の形状及びその好適な製造例を、第４及び５
図により説明するが、本発明の光受容部材におけ
る支持体の形状及びその製造法は、これらによつ
て限定されるものではない。 第４図は、本発明の光受容部材における支持体
の表面の形状の典型的一例を、その凹凸形状の一
部を部分的に拡大して模式的に示すものである。 第４図において４０１は支持体、４０２は支持
体表面、４０３は剛体真球、４０４は球状痕跡窪
みを示している。 さらに第４図は、該支持体表面形状を得るのに
好ましい製造方法の１例をも示すものである。即
ち、剛体真球４０３を、支持体表面４０２より所
定高さの位置より自然落下させて支持体表面４０
２に衝突させることにより、球状窪み４０４を形
成しうることを示している。そして、ほぼ同一径
R′の剛体真球４０３を複数個用い、それらを同
一の高さｈより、同時あるいは逐次、落下させる
ことにより、支持体表面４０２に、ほぼ同一曲率
Ｒ及び同一幅Ｄを有する複数の球状痕跡窪み４０
４を形成することができる。 第５図は、前述のごとくして、表面に複数の球
状痕跡窪みによる凹凸形状の形成された支持体
の、いくつもの典型例を示すものである。 第５Ａ図に示す例では、支持体５０１の表面５
０２の異なる部位に、ほぼ同一の径の複数の球体
５０３，５０３，……をほぼ同一の高さより規則
的に落下させてほぼ同一の曲率及びほぼ同一の幅
の複数の痕跡窪み５０４，５０４，……を互いに
重複し合うように密に生じせしめて規則的に凹凸
形状を形成したものである。なおこの場合、互い
に重複する窪み５０４，５０４，……を形成する
には、球体５０３の支持体表面５０２への衝突時
期が、互いにずれるように球体５０３，５０３，
……を自然落下せしめる必要があることはいうま
でもない。 また、第５Ｂ図に示す例では、異なる径を有す
る二種類の球体５０３，５０３′，……をほぼ同
一の高さ又は異なる高さから落下させて、支持体
５０１の表面５０２に、二種の曲率及び二種の幅
の複数の窪み５０４，５０４′……を互いに重複
し合うように密に生じせしめて、表面の凹凸の高
さが不規則な凹凸を形成したものである。 更に、第５Ｃ図（支持体表面の正面図および断
面図）に示す例では、支持体５０１の表面５０２
に、ほぼ同一の径の複数の球体５０３，５０３，
……をほぼ同一の高さより不規則に落下させ、ほ
ぼ同一の曲率及び複数種の幅を有する複数の窪み
５０４，５０４，……を互いに重複し合うように
生じせしめて、不規則な凹凸を形成したものであ
る。 以上のように、剛体真球を支持体表面に落下さ
せることにより、球状痕跡窪みによる凹凸形状を
形成することができるが、この場合、剛体真球の
径、落下させる高さ、剛体真球と支持体表面の硬
度、あるいは、落下させる球体の量等の諸条件を
適宜選択することにより、支持体表面に所望の曲
率及び幅を有する複数の球状痕跡窪みを、所定の
密度で形成することができる。即ち、上記諸条件
を選択することにより、支持体表面に形成される
凹凸形状の凹凸の高さや凹凸のピツチを、目的に
応じて自在に調製でき、表面に所望の凹凸形状を
有する支持体を得ることができる。 そして、光受容部材の支持体を凹凸形状表面の
ものにするについて、旋盤、フライス盤等を用い
たダイヤモンドバイトにより切削加工して作成す
る方法の提案がなされていてそれなりに有効な方
法ではあるが、諸方法にあつては切削油の使用、
切削により不可避的に生ずる切粉の除去、切削面
に残存してしまう切削油の除去が不可欠であり、
結局は加工処理が煩雑であつて効率のよくない等
の問題を伴うところ、本発明にあつては、支持体
の凹凸表面形状を前述したように球状痕跡窪みに
より形成することから上述の問題は全くなくして
所望の凹凸形状表面の支持体を効率的且つ簡便に
作成できる。 本発明に用いる支持体１０１は、導電性のもの
であつても、また電気絶縁性のものであつてもよ
い。導電性支持体としては、例えば、NiCr、ス
テンレス、Al，Cr，Mo，Au，Nb，Ta，Ｖ，
Ti，Pt，Pb等の金属又はこれ等の合金が挙げら
れる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニルヂン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラミ
ツク、紙等が挙げられる。これ等の電気絶縁性支
持体は、好適には少なくともその一方の表面を導
電処理し、該導電処理された表面側に光受容層を
設けるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr，
Al，Cr，Mo，Au，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，
Pb，In2O3，SnO2，ITO（In2O3＋SnO2）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性を付与し、
或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フイル
ムであれば、NiCr，Al，Ag，Pb，Zn，Ni，
Au，Cr，Mo，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Tl，Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性を
付与する。支持体の形状は、円筒状、ベルト状、
板状等任意の形状であることができるが、用途、
所望によつて、その形状は適宜に決めることので
きるものである。例えば、第１図の光受容部材１
００を電子写真用像形成部材として使用するので
あれば、連続高速複写の場合には、無端ベルト状
又は円筒状とするのが望ましい。支持体の厚さ
は、所望通りの光受容部材を形成しうる様に適宜
決定するが、光受容部材として可撥性が要求され
る場合には、支持体としての機能が充分発揮され
る範囲内で可能な限り薄くすることができる。し
かしながら、支持体の製造上及び取扱い上、機械
的強度等の点から、通常は、10μ以上とされる。 次に、本発明の光受容部材を電子写真用の光受
容部材として用いる場合について、その支持体表
面の製造装置の１例を第６Ａ図及び第６Ｂ図を用
いて説明するが、本発明はこれによつて限定され
るものではない。 電子写真用光受容部材の支持体としては、アル
ミニウム合金等に通常の押出加工を施してポート
ホール管あるいはマンドレル管とし、更に引抜加
工して得られる引抜管に、必要に応じて熱処理や
調質等の処理を施した円筒状（シリンダー状）基
体を用い、該円筒状基体に第６Ａ，Ｂ図に示した
製造装置を用いて、支持体表面に凹凸形状を形成
せしめる。 支持体表面に前述のような凹凸形状を形成する
について用いる球体としては、例えばステンレ
ス、アルミニウム、鋼鉄、ニツケル、真鍮等の金
属、セラミツク、プラスチツク等の各種剛体球を
挙げることができ、とりわけ耐久性及び低コスト
化等の理由により、ステンレス及び鋼鉄の剛体球
が好ましい。そしてそうした球体の硬度は、支持
体の硬度よりも高くても、あるいは低くてもよい
が、球体を繰返し使用する場合には、支持体の硬
度よりも高いものであることが望ましい。 第６Ａ、第６Ｂ図は製造装置全体の断面略図で
あり、６０１は支持体作成用のアルミニウムシリ
ンダーであり、該シリンダー６０１は、予め表面
を適宜の平滑度に仕上げられていてもよい。シリ
ンダー６０１は、回転軸６０２によつて軸支され
ており、モーター等の適宜の駆動手段６０３で駆
動され、ほぼ軸芯のまわりで回転可能にされてい
る。回転速度は、形成する球状痕跡窪みの密度及
び剛体真球の供給量等を考慮して、適宜に決定さ
れ、制御される。 ６０４は、剛体真球６０５を自然落下させるた
めの落下装置であり、剛体真球６０５を貯留し、
落下させるためのボールフイーダー６０６、フイ
ーダー６０６から剛体真球６０５が落下しやすい
ように揺動させる振動機６０７、シリンダーに衝
突して落下する剛体真球６０５を回収するための
回収槽６０８、回収槽６０８で回収された剛体真
球６０５をフイーダー６０６までの管輸送するた
めのボール送り装置６０９、送り装置６０９の途
中で剛体真球を液洗浄するための洗浄装置６１
０、洗浄装置６１０にノズル等を介して洗浄液
（溶剤等）を供給する液だめ６１１、洗浄に用い
た液を回収する回収槽６１２などで構成されてい
る。 フイーダー６０６から自然落下する剛体真球の
量は、落下口６１３の開閉度、振動機６０７によ
る揺動の程度等により適宜調節される。 第一の層 本発明の光受容部材においては、第一の層１０
２は前述の支持体１０１上に設けられ、該第一の
層は、支持体１０１側より、ゲルマニウム原子
（Ge）又はスズ原子（Sn）の少なくともいずれか
一方と、好ましくはさらに水素原子及びハロゲン
原子の少なくともいずれか一方を含有っするａ−
Si〔以下、「ａ−Si（Ge，Sn）（Ｈ，Ｘ）」と表記す
る。〕で構成された層１０２′と、必要に応じて水
素原子及びハロゲン原子の少なくともいずれか一
方を含有するａ−Si〔以下、「ａ−Si（Ｈ，Ｘ）」と
表記する。〕で構成された層１０２″とが順に積層
された多層構造を有する。そして該光受容層１０
２には、さらに必要に応じて伝導性を制御する物
質を含有せしめることができる。 第一の層中に含有せしめるハロゲン原子（Ｘ）
としては、具体的にはフツ素、塩素、臭素、ヨウ
素が挙げられ、特にフツ素、塩素を好適なものと
して挙げることができる。そして第一の層１０２
中に含有せしめる水素原子（Ｈ）の量又はハロゲ
ン原子（Ｘ）の量、あるいは水素原子とハロゲン
原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、通常１〜40atomic
％、好ましくは５〜30atomic％とするのが望ま
しい。 また、本発明の光受容部材において、第一の層
の層厚は、本発明の目的を効率的に達成するには
重要な要因の１つであつて、光受容部材に所望の
特性が与えられるように、光受容部材の設計の際
には充分な注意を払う必要があり、通常は１〜
100μとするが、好ましくは１〜80μ、より好まし
くは２〜50μとする。 ところで、本発明の光受容部材の第一の層にゲ
ルマニウム原子及び／又はスズ原子を含有せしめ
る目的は、主として該光受容部材の長波長側にお
ける吸収スペクトル特性を向上せしめることにあ
る。 即ち、前記第一の層中にゲルマニウム原子又
は／及びスズ原子を含有せしめることにより、本
発明の光受容部材は、各種の優れた特性を示すと
ころのものとなるが、中でも特に可視光領域をふ
くむ比較的短波長から比較的長波長迄の全領域の
波長の光に対して光感度が優れ光応答性の速いも
のとなる。そしてこのことは、半導体レーザーを
光線とした場合に特に顕著である。 本発明の光受容部材における第一の層において
は、ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子は、支
持体１０１に接する層１０２′中に均一な分布状
態で含有せしめるか、あるいは不均一な分布状態
で含有せしめるものである。（ここで均一な分布
状態とは、ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子
の分布濃度が、層１０２′の支持体表面と平行な
面方向において均一であり、層１０２′の層厚方
向にも均一であることをいい、又、不均一な分布
状態とは、ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子
の分布濃度が、層１０２′の支持体表面と平行な
面方向には均一であるが、層１０２′の層厚方向
には不均一であることをいう。） そして本発明の層１０２′においては、特に、
ゲルマニウム原子及び／又はスズ原子は、層１０
２″側よりも支持体側の方に多く分布した状態と
なるように含有せしめることが望ましく、こうし
た場合、支持体側の端部においてゲルマニウム原
子及び／又はスズ原子の分布濃度を極端に大きく
することにより、半導体レーザ等に長波長の光源
を用いた場合に、層１０２″においては殆んど吸
収しきれない長波長の光を、層１０２′において
実質的に完全に吸収することができ、支持体表面
からの反射光による干渉が防止されるようにな
る。 また、本発明の光受容部材においては、層１０
２′と層１０２″とを構成する非晶質材料が各々、
シリコン原子という共通の構成要素を有している
ので積層界面において化学的な安全性が充分確保
されている。 以下、層１０２′に含有されるゲルマニウム原
子及び／又はスズ原子の層１０２′の層厚方向の
分布状態の典型的な例のいくつかを、ゲルマニウ
ム原子を例として第７乃至１５図により説明す
る。 第７図乃至第１５図において、横軸はゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃを、縦軸は、層１０２′の
層厚を示し、tBは支持体側の層１０２′の端部の
位置を、tTは支持体側とは反対側の層１０２″側
の端面の位置を示す。即ち、ゲルマニウム原子の
含有される層１０２′はtB側よりもtT側に向つて
層形成がなされる。 尚、各図に於いて、層厚及び濃度の表示はその
ままの値で示すと各々の図の違いが明確でなくな
る為、極端な形で図示しており、これらの図はあ
くまでも理解を容易にするための説明のための模
式的なものである。 第７図には、層１０２′中に含有されるゲルマ
ニウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例
が示される。 第７図に示される例では、ゲルマニウム原子の
含有される層１０２′が形成される支持体表面と
層１０２′とが接する界面位置tBよりt1の位置ま
では、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃが濃度C1
なる一定の値を取り乍らゲルマニウム原子が層１
０２′に含有され、位置t1より濃度C2より界面位
置tTに至るまで徐々に連続的に減少されている。
界面位置tTにおいてはゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは実質的にゼロとされる。 （ここで実質的にゼロとは検出限界量未満の場
合である。） 第８図に示される例においては、含有されるゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは位置tBより位置tT
に至るまでの濃度C3から徐々に連続的に減少し
て位置tTにおいて濃度C4となる様な分布状態を形
成している。 第９図の場合には、位置tBより位置tTまでは、
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度C5と一定
位置とされ、位置t2と位置tTとの間において、
徐々に連続的に減少され、位置tTにおいて、分布
濃度Ｃは実質的にゼロとされている。 第１０図の場合には、ゲルマニウム原子の分布
濃度Ｃは位置tBより位置tTに至るまで、濃度C6よ
り初め連続的に徐々に減少され、位置t3よりは急
速に連続的に減少されて位置tTにおいて実質的に
ゼロとされている。 第１１図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃは、位置tBと位置t4間においては、
濃度C7と一定値であり、位置tTに於ては分布濃度
Ｃは零とされる。位置t4と位置tTとの間では、分
布濃度Ｃは一次関数的に位置t4より位置tTに至る
まで減少されている。 第１２図に示される例においては、分布濃度Ｃ
は位置tBより位置t5までは濃度C8の一定値を取
り、位置t5より位置tTまでは濃度C9より濃度C10
まで一次関数的に減少する分布状態とされてい
る。 第１３図に示す例においては、位置tBより位置
tTに至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
濃度C11より一次関数的に減少されて、ゼロに至
つている。 第１４図においては、位置tBより位置t6に至る
まではゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度
C12より濃度C13まで一次関数的に減少され、位置
t6と位置tTとの間においては、濃度C13の一定値と
された例が示されている。 第１５図に示される例においては、ゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは、位置tBにおいて濃度14で
あり、位置t7に至るまではこの濃度C14より初め
はゆつくりと減少され、t7の位置付近において
は、急激に減少されて位置t7では濃度C15とされ
る。 位置t7と位置t6との間においては、初め急激に
減少されて、その後は、緩やかに徐々に減少され
て位置t8で濃度C16となり、位置t8と位置t9との間
では、徐々に減少されて位置t9において、濃度17
に至る。位置t9と位置tTとの間においては濃度C17
より実質的にゼロになる様に図に示す如き形状の
曲線に従つて減少されている。 以上、第７図乃至第１５図により、層１０２′
中に含有されるゲルマニウム原子又は／及びスズ
原子の層厚方向の分布状態の典型例の幾つかを説
明した様に、本発明の光受容部材においては、支
持体側において、ゲルマニウム原子又は／及びス
ズ原子の分布濃度Ｃの高い部分を有し、界面tT側
においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に比べて
かなり低くされた部分を有するゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子の分布状態が構成層１０２′
に設けられているのが望ましい。 即ち、本発明における光受容部材を構成する層
１０２′は、好ましくは、上述した様に支持体側
の方にゲルマニウム原子又は／及びスズ原子が比
較的高濃度で含有されている局在領域を有するの
が望ましい。 本発明の光受容部材に於ては、局在領域は、第
７図乃至第１５図に示す記号を用いて説明すれ
ば、界面位置tBより5μ以内に設けられるのが望ま
しい。 そして、上記局在領域は、界面位置tBより5μ厚
までの全層領域とされる場合もあるし、又、該層
領域の一部とされる場合もある。 局在領域を層１０２′の一部とするか又は全部
とするかは、形成される光受容層に要求される特
性に従つて適宜決められる。 局在領域はその中に含有されるゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の層厚方向の分布状態とし
てゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃
度の最大値Cmaxがシリコン原子に対して、好ま
しくは1000atomic ppm以上、より好適には
5000atomic ppm以上、最適には１×104atomic
ppm以上とされる様な分布状態となり得る様に層
形成されるのが望ましい。 即ち、本発明の光受容部材いおいて、ゲルマニ
ウム原子又は／及びスズ原子の含有される層１０
２′は、支持体側からの層厚で5μ以内（tBから5μ
層の層領域）に分布濃度の最大値Cmaxが存在す
る様に形成されるのが好ましいものである。 本発明の光受容部材において、層１０２′中に
含有せしめるゲルマニウム原子又は／及びスズ原
子の含有量は、本発明の目的を効率的に達成しう
る様に所望に従つて適宜決める必要があり、通常
は１〜６×105atomic ppmとするが、好ましく
は10〜３×105atomic ppm、より好ましくは１
×102〜２×105atomic ppmとする。 また、本発明の光受容部材においては第一の層
に伝導性を制御する物質を、全層領域又は一部の
層領域に均一又は不均一な分布状態で含有せしめ
ることができる。 前記伝導性を制御する物質としては、半導体分
野においていういわゆる不純物を挙げることがで
き、Ｐ型伝導性を与える周期律表第族に属する
原子（以下単に「第族原子」と称す。）、又は、
ｎ型伝導性を与える周期律表第族に属する原子
（以下単に「第族原子」と称す。）、が使用され
る。具体的には、第族原子としては、Ｂ（硼
素）、Al（アルミニウム）、Ga（ガリウム）、In（イ
ンジウム）、Tl（タリウム）等を挙げることがで
きるが、特に好ましいものはB.Caである。また
第族原子としてはＰ（燐）、As（砒素）、Sb（アン
チモン）、Bi（ビスマン）等を挙げることができ
るが、特に好ましいものは、Ｐ，Sbである。 本発明の第一の層に伝導性を制御する物質であ
る第族原子又は第族原子を含有せしめる場合
に、全層領域に含有せしめるか、あるいは一部の
層領域に含有せしめるかは、後述するように目的
とするところ乃至期待する作用効果によつて異な
り、含有せしめる量も異なるところとなる。 すなわち、第一の層の伝導型又は／及び伝導率
を制御することを主たる目的にする場合には、第
一の層の全層領域中に含有せしめ、この場合、第
族原子又は第族原子の含有量は比較的わずか
でよく、通常は１×10-3〜１×103atomic ppmで
あり、好ましくは５×10-2〜５×102atomic
ppm、最適には１×10-1〜２×102atomic ppmで
ある。 また、支持体と接する一部の層領域に第族原
子又は第族原子を均一な分布状態で含有せしめ
るか、あるいは層厚方向における第族原子又は
第族原子の分布濃度が、支持体と接する側にお
いて高濃度となるように含有せしめる場合には、
こうした第族原子又は第族原子を含有する構
成層あるいは第族原子又は第族原子を高濃度
に含有する層領域は、電荷注入阻止層として機能
するところとなる。即ち、第族原子を含有せし
めた場合には、光受容層の自由表面が極性に帯
電処理を受けた際に、支持体側から光受容層中へ
注入される電子の移動をより効率的に阻止するこ
とができ、又、第族原子を含有せしめた場合に
は、光受容層の自由表面が極性に帯電処理を受
けた際に、支持体調から光受容層中へ注入される
正孔の移動をより効率的に阻止することができ
る。そして、こうした場合の含有量は比較的多量
であつて、具体的には、30〜５×104atomic
ppm、好ましくは50〜１×104atomic ppm、最
適には１×102〜５×103atomic ppmとする。さ
らに、該電荷注入阻止層としての効果を効率的に
奏するためには、第族原子又は第族原子を含
有する支持体調の端部に設けられる層又は層領域
の層厚をｔとし、光受容層の層厚をＴとした場
合、ｔ／Ｔ≦0.4の関係が成立することが望まし
く、より好ましくは該関係式の値が0.35以下、最
適には0.3以下となるようにするのが望ましい。
また、該層又は層領域の層厚ｔは、一般的には３
×10-3〜10μとするが、好ましくは４×10-3〜8μ、
最適には５×10-3〜5μとするのが望ましい。 次に第一の層の含有せしめる第族原子又は第
族原子の量が、支持体側においては比較的多量
であつて、支持体側から第二の層側に向つて減少
し、第二の層との界面付近においては、比較的少
量となるかあるいは実質的にゼロに近くなるよう
に第族原子又は第族原子を分布させる場合の
典型的例のいくつかを、第１６図乃至第２４図に
よつて説明するが、本発明はこれらの例によつて
限定されるものではない。各図において、横軸は
第族原子又は第族原子の分布濃度Ｃは、縦軸
は第一の層の層厚を示し、tBは支持体と第一の層
との界面位置を、tTは第一の層と第二の層との界
面位置を示す。 第１６図は、第一の層中に含有せしめる第族
原子又は第族原子の層厚方向の分布状態の第一
の典型例を示している。該例では、第族原子又
は第族原子を含有する第一の層と支持体表面と
が接する界面位置tBより位置t1までは、第族原
子又は第族原子の分布濃度ＣがC1なる一定値
をとり、位置t1より第二の層との界面位置tTまで
は、第族原子又は第族原子の分布濃度Ｃが濃
度C2から連続的に減少し、界面位置tTにおいては
第族原子又は第族原子の分布濃度ＣがC3と
なる。 第１７図は、他の典型例の１つを示している。
該例では、第一の層に含有せしめる第族原子又
は第族原子の分布濃度Ｃは、位置tBから位置tT
にいたるまで、濃度C4から連続的に減少し、位
置tTにおいて濃度C5となる。 第１８図に示す例では、位置tBから位置t2まで
は第族原子又は第族原子の分布濃度Ｃが濃度
C6なる一定値を保ち、位置t2から位置tTにいたる
までは、第族原子又は第族原子の分布濃度Ｃ
は濃度C7から徐々に連続的に減少して位置tTにお
いては第族原子又は第族原子の分布濃度Ｃは
実質的にゼロとなる。但し、ここで実質的にゼロ
とは、検出限界量未満の場合をいう。 第１９図に示す例では、第族原子又は第族
原子の分布濃度Ｃは位置tBより位置tTにいたるま
で、濃度C8から連続的に徐々に減少し、位置tTに
おいては第族原子又は第族原子の分布濃度Ｃ
は実質的にゼロとなる。 第２０図に示す例では、第族原子又は第族
原子の分布濃度Ｃは、位置tBより位置t3の間にお
いては濃度C9の一定値にあり、位置t3から位置tT
の間においては、濃度C9から濃度C10となるまで、
一次関数的に減少する。 第２１図に示す例では、第族原子又は第族
原子の分布濃度Ｃは、位置tBより位置t4にいたる
までは濃度C11の一定値にあり、位置t4より位置tT
までは濃度C12から濃度C13となるまで一次関数的
に減少する。 第２２図に示す例においては、第族原子又は
第族原子の分布濃度Ｃは、位置tBから位置tTに
いたるまで、濃度C14から実質的にゼロとなるま
で一次関数的に減少する。 第２３図に示す例では、第族原子又は第族
原子の分布濃度Ｃは、位置tBから位置t5にいたる
まで濃度C15から濃度C16となるまで一次関数的に
減少し、位置tBから位置tTまでは濃度C16の一定値
を保つ。 最後に、第２４図に示す例では、第族原子又
は第族原子の分布濃度Ｃは、位置tBにおいて濃
度C17であり、位置tBから位置t6までは濃度C17か
らはじめゆつくり減少して、位置t6付近では急激
に減少し、位置t6では濃度C18となる。次に、位
置t6から位置t7までははじめのうちは急激に減少
し、その後は緩やかに徐々に減少し、位置t7にお
いては、濃度C19となる。更に位置7と位置8の間
では極めてゆつくりと徐々に減少し、位置t8にお
いて濃度C20となる。また更に、位置t8から位置tT
にいたるまでは、濃度C20から実質的にゼロとな
るまで徐々に減少する。 第１６図〜第２４図に示した例のごとく、第一
の層の支持体側に近い側に第族原子又は第族
原子の分布濃度Ｃの高い部分を有し、第二の層と
の界面側においては、該分布濃度Ｃがかなり低い
濃度の部分あるいは実質的にゼロに近い濃度の部
分を有する場合にあつては、支持体側に近い部分
に第族原子又は第族原子の分布濃度が比較的
高濃度である局在領域を設けること、好ましくは
該局在領域を支持体表面と接触する界面位置から
5μ以内に設けることにより、第族原子又は第
族原子の分布濃度が高濃度である層領域が電荷
注入阻止層を形成するという前述の作用効果がよ
り一層効率的に奏される。 以上、第族原子又は第族原子の分布状態に
ついて、個々に各々の作用効果を記述したが、所
望の目的を達成しうる特性を有する光受容部材を
得るについては、これらの第族原子又は第族
原子の分布状態および第一の層に含有せしめる第
族原子又は第族原子の量を、必要に応じて適
宜組み合わせて用いるものであることは、いうま
でもない。例えば、第一の層の支持体側の端部に
電荷注入阻止層を設けた場合、電荷注入阻止層以
外の第一の層中に、電荷注入阻止層に含有せしめ
た伝導性を制御する物質の極性とは別の極性の伝
導性を制御する物質を含有せしめてもよく、ある
いは、同極性の伝導性を制御する物質を、電荷注
入阻止層に含有される量よりも一段と少ない量に
して含有せしめてもよい。 さらに、本発明の光受容部材においては、支持
体側の端部に設ける構成層として、電荷注入阻止
層の代わりに、電気絶縁性材料から成るいわゆる
障壁層を設けることもでき、あるいは、該障壁層
と電荷注入阻止層との両方を構成層とすることも
できる。こうした障壁層を構成する材料として
は、Al2O3，SiO2，Si3N4等の無機電気絶縁材料
やポリカーボネート等の有機電気絶縁材料を挙げ
ることができる。 第二の層 本発明の光受容部材の第二の層１０３は、上述
の第一の層１０２上に設けられ、自由表面１０４
を有する層、すなわち表面層であり、酸素原子、
炭素原子又は窒素原子のうちの少なくともいずれ
か１つを均一な分布状態で含有するアモルフアス
シリコン〔以下、「ａ−Si（Ｏ，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，
Ｘ）」と表記する。〕で構成されている。 本発明の光受容部材に第二の層１０３を設ける
目的は、耐湿性、連続繰返し使用特性、電気的耐
圧性、使用環境特性、および耐久性を向上させる
ことにあり、これらの目的は、第二の層を構成す
るアモルフアス材料に、酸素原子、炭素原子又は
窒素原子のうち少なくともいずれか１つを含有せ
しめることにより達成される。 又、本発明の光受容部材においては、第一の層
１０２と第二の層１０３を構成するアモルフアス
材料の各々が、シリコン原子という共通した構成
原子を有しているので、第一の層１０２と第二の
層１０３との界面において化学的安定性が確保で
きる。 第二の層１０３中には、酸素原子、炭素原子及
び窒素原子を均一な分布状態で含有せしめるもの
であるが、これらの原子含有せしめる量の増加に
伴つて、前述の諸特性は向上する。しかし、多す
ぎると層品質が低下し、電気的および機械的特性
も低下する。こうしたことから、これらの原子の
含有量は、通常0.001〜90atomic％、好ましくは
１〜90atomic％、最適には10〜80atomic％とす
る。 第二の層にも、水素原子又はハロゲン原子の少
なくともいずれか一方を含有せしめることが望ま
しく、第二の層中に含有せしる水素原子（Ｈ）の
量、又はハロゲン原子（Ｘ）の量あるいは水素原
子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、通常１
〜40atomic％、好ましくは５〜30atomic％、最
適には５〜25atomic％とする。 第二の層１０３は、所望通りの特性が得られる
ように注意深く形成する必要がある。即ち、シリ
コン原子、および酸素原子、炭素原子及び窒素原
子の中から選ばれる少なくとも一種、あるいはさ
らに、水素原子又は／及びハロゲン原子を構成原
子とする物質は、各構成原子の含有量やその他の
作成条件によつて、形態は結晶状態から非晶質材
料までをとり、電気的物性は導電性から、半導電
性、絶縁性までを、さらに光電的性質は光導電的
性質から非光導電的性質までを、各々示すため、
目的に応じた所望の特性を有する第二の層１０３
を形成しうるように、各構成原子の含有量や作成
条件等を選ぶことが重要である。 例えば、第二の層１０３を電気的耐圧性の向上
を主たる目的として設ける場合には、第二の層１
０３を構成する非晶質材料は、使用条件下におい
て電気絶縁的挙動の顕著なものとして形成する。
又、第二の層１０３を連続的繰返し使用特性や使
用環境特性の向上を主たる目的として設ける場合
には、第二の層１０３を構成する非晶質材料は、
前述の電気的絶縁性の度合はある程度緩和する
が、照射する光に対してある程度の感度を有する
ものとして形成する。 また、本発明において、第二の層の層厚も本発
明の目的を効率的に達成するための重要な要因の
１つであり、所期の目的に応じて適宜決定される
ものであるが、該層に含有せしめる酸素原子、炭
素原子、窒素原子、ハロゲン原子、水素原子の
量、あるいは第二の層に要求される特性に応じて
相互的に有機的関連性の下に決定する必要があ
る。更に、生産性や量産性をも加味した経済性の
点においても考慮する必要もある。こうしたこと
から、第二の層の層厚は通常は３×10-3〜30μと
するが、より好ましくは４×10-3〜20μ、特に好
ましくは５×10-3μとする。 本発明の光受容部材は前記のごとき層構成とし
たことにより、前記したアモルフアスシリコンで
構成された光受容層を有する光受容部材の諸問題
の総てを解決でき、特に、可干渉性の単色光であ
るレーザー光を光源として用いた場合にも、干渉
現象による形成画像における干渉縞模様の現出を
顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を形成す
ることができる。 また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於
いて光感度が高く、また、特に長波長側の光感度
特性に優れているため殊に半導体レーザーとのマ
ツチングに優れ、且つ光応答が速く、さらに極め
て優れた電気的、光学的、光導電的特性、電気的
耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用光受容部材として適用させた
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて、耐光疲労、繰返し
使用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い高品質の画像を安定
して繰返し得ることができる。 次に本発明の光受容層の形成方法について説明
する。 本発明の光受容層を構成する非晶質材料はいず
れもグロー放電法、スパツタリング法、或いはイ
オンブレーテイング法等の放電現象を利用する真
空堆積法によつて行われる。これ等の製造法は、
製造条件、設備資本投下の負荷程度、製造規模、
作製される光受容部材に所望される特性等の要因
によつて適宜選択されて採用されるが、所望の特
性を有する光受容部材を製造するに当つての条件
の制御が比較的容易であり、シリコン原子と共に
炭素原子及び水素原子の導入を容易に行い得る等
のことからして、グロー放電法或いはスパツタリ
ング法が好適である。そして、グロー放電法とス
パツタリング法とを同一装置系内で併用して形成
してもよい。 例えば、グロー放電法によつて、ａ−Si（Ｈ，
Ｘ）で構成される層を形成するには、基本的には
シリコン原子（Si）を供給し得るSi供給用の原料
ガスと共に、水素原子（Ｈ）導入用の又は／及び
ハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が
減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内に
グロー放電法を生起させ、予め所定位置に設置し
た所定の支持体表面上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成
る層を形成する。 前記Si供給用の原料ガスとしては、SiH4，Si2
H6，Si4H10等のガス状態の又はガス化し得る水
素化硅素（シラン類）が挙げられ、特に、層形成
作業のし易さ、Si供給効率の良さ等の点で、
SiH4，Si2H6が好ましい。 また、前記ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
ては、多くのハロゲン化合物が挙げられ、例えば
ハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス
状態の又はガス化しうるハロゲン化合物が好まし
い。具体的にはフツ素、塩素、臭素、ヨウ素のハ
ロゲンガス、BrF，ClF，ClF3，BrF5，BrF3，
IF7，ICl，IBr等のハロゲン間化合物、および
SiF4，Si2F6，SiCl4，SiBr4等のハロゲン化硅素
等が挙げられる。上述のごときハロゲン化硅素の
ガス状態の又はガス化しうるものを用いる場合に
は、Si供給用の原料ガスを別途使用することなく
して、ハロゲン原子を含有するａ−Siで構成され
た層が形成できるので、特に有効である。 また、前記水素原子供給用の原料ガスとして
は、水素ガス、HF，HCl，HBr，HI等のハロゲ
ン化物、SiH4，Si2H6，Si3H6，Si4H10等の水素
化硅素、あるいはSiH2F2，SiH2I2，SiH2Cl2，
SiHCl3，SiH2Br2，SiHBr3等のハロゲン置換水
素化硅素等のガス状態の又はガス化しうるものを
用いることができ、これらの原料ガスを用いた場
合には、電気的あるいは光電的特性の制御という
点で極めて有効であるところの水素原子（Ｈ）の
含有量の制御を容易に行うことができるため、有
効である。そして、前記ハロゲン化水素又は前記
ハロゲン置換水素化硅素を用いた場合にはハロゲ
ン原子の導入と同時に水素原子（Ｈ）も導入され
るので、特に有効である。 反応スパツタリング法或いはイオンプレーテイ
ング法に依つてａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成る層を形
成するには、例えばスパツタリング法の場合に
は、ハロゲン原子を導入するについては、前記の
ハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む硅
素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプ
ラズマ雰囲気を形成してやればよい。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H2或いは前記したシ
ラン類等のガスをスパツタリング用の堆積室中に
導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれ
ばよい。 例えば、反応スパツタリング法の場合には、Si
ターゲツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス
及びH2ガスを必要に応じてHe，Ar等の不活性ガ
スも含めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を
形成し、前記Siターゲツトをスパツタリングする
ことによつて、支持体上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から
成る層を形成する。 グロー放電法によつてａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構
成される層を形成するには、シリコン原子（Si）
を供給しうるSi供給用の原料ガスと、ゲルマニウ
ム原子（Ge）を供給しうるGe供給用の原料ガス
と、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）を供給しうる水素原子（Ｈ）又は／及びハ
ロゲン原子（Ｘ）供給用の原料ガスを、内部を減
圧しうる堆積室内に所望のガス圧状態で導入し、
該堆積室内にグロー放電を生起せしめて、予め所
定位置に設置してある所定の支持体表面上に、ａ
−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成する。 Si供給用原料ガス、ハロゲン原子供給用の原料
ガス、及び水素原子供給用の原料ガスとなりうる
物質としては、前述のａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構成
される層を形成する場合に用いたものがそのまま
用いられる。 また、前記Ge供給用の原料ガスとなりうる物
質としては、GeH4，Ge2H6，Ge3H8，Ge4H10，
GeSH12，Ge6H14，Ge8H18，Ge9H20等のガス状
態の又はガス化しうる水素化ゲルマニウムを用い
ることができる。特に、層作成作業時の取扱い易
さ、Ge供給効率の良さ等の点から、GeH4，Ge2
H6、およびGe3H8が好ましい。 スパツタリング法によつてａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）
で構成される層を形成するには、シリコンから成
るターゲツトと、ゲルマニウムから成るターゲツ
トとの二枚を、あるいは、シリコンとゲルマニウ
ムからなるターゲツトを用い、これ等を所望のガ
ス雰囲気中でスパツタリングすることによつて行
なう。 イオンプレーテイング法を用いてａ−SiGe
（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成する場合には、
例えば、多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多
結晶ゲルマニウム又は単結晶ゲルマニウムとを
夫々蒸発源として蒸着ポートに収容し、この蒸発
源を抵抗加熱法あるいはエレクトロンビーム法
（E.B.法）等によつて加熱蒸発させ、飛翔蒸発物
を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過せしめるこ
とで行ない得る。 スパツタリング法およびイオンプレーテイング
法のいずれの場合にも、形成する層中にハロゲン
原子を含有せしめるには、前述のハロゲン化物又
はハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室
中に導入し、該ガスのプラズマ雰囲気を形成すれ
ばよい。又、水素原子を導入する場合には、水素
原子供給用の原料ガス、例えばH2あるいは前記
した水素化シラン類／及び水素化ゲルマニウム等
のガス類をスパツタリング用の堆積室内に導入し
てこれ等のガス類のプラズマ雰囲気を形成すれば
よい。さらにハロゲン原子供給用の原料ガスとし
ては、前記のハロゲン化物或いはハロゲンを含む
硅素化合物が有効なものとして挙げられるが、そ
の他に、HF，HCl，HBr，HI等のハロゲン化水
素、SiH2F2，SiH2I2，SiH2Cl2，SiHCl3，SiH2
Br2，SiHBr3等のハロゲン置換水素化硅素、およ
びGeHF3，GeH2F2，GeH3Ｆ，GeHCl3，GeH2
Cl2，GeH3Cl，GeHBr3，GeH2Br2，GeH3Br、
GeHI3，GeH2I2，GeH3Ｉ等の水素化ハロゲン化
ゲルマニウム等、GeF4，GeCl4，GeBr4，GeI4，
GeF2，GeCl2，GeBr2，GeI2等のハロゲン化ゲル
マニウム等々のガス状態の又はガス化しうる物質
も有効な出発物質として使用できる。 グロー放電法、スパツタリング法あるいはイオ
ンプレーテイング法を用いて、スズ原子を含有す
るアモルフアスシリコン（以下、「ａ−SiSn（Ｈ，
Ｘ）」と表記する。）で構成される光受容層を形成
するには、上述のａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構成され
る層の形成の際に、ゲルマニウム原子供給用の出
発物質を、スズ原子（Sn）供給用の出発物質に
かえて使用し、形成する層中へのその量を制御し
ながら含有せしめることによつて行なう。 前記スズ原子（Sn）供給用の原料ガスとなり
うる物質としては、水素化スズ（SnH4）や
SnF2，SnF4，SnCl2，SnCl4，SnBr2，SnBr4，
SnI2，SnI4等のハロゲン化スズ等のガス状態の又
はガス化しうるものを用いることができ、ハロゲ
ン化スズを用いる場合には、所定の支持体上にハ
ロゲン原子を含有するａ−Siで構成される層を形
成することができるので、特に有効である。なか
でも、層作成作業時の取扱い易さ、Sn供給効率
の良さ等の点から、SnCl4が好ましい。 そして、SnCl4をスズ原子（Sn）供給用の出発
物質として用いる場合、これをガス化するには、
固体状のSnCl4を加熱するとともに、Ar，He、
等の不活性ガスを吹き込み、該不活性ガスを用い
てパブリングするのが望ましく、こうして生成し
たガスを、内部を減圧にした堆積室内に所望のガ
ス圧状態で導入する。 グロー放電法、スパツタリング法、あるいはイ
オンプレーテイング法を用いてａ−Si（Ｈ，Ｘ）
又はａ−Si（Ge，Sn）（Ｈ，Ｘ）にさらに第族
原子又は第族原子を含有せしめた非晶質材料で
構成された層を形成するには、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）
又はａ−Si（Ge，Sn）（Ｈ，Ｘ）の層の形成の際
に、第族原子又は第族原子導入用の出発物質
を、前述したａ−Si（Ｈ，Ｘ）又はａ−Si（Ge，
Sn）（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質と共に使用し
て、形成する層中へのそれらの量を制御しながら
含有せしめてやることによつて行なう。 第族原子導入用の出発物質として具体的には
硼素原子導入用としては、B2H6，B4H10，B5
H9，B5H11，B6H10，B6H12，B6H14等の水素化
硼素、BF3，BCl3，BBr3等のハロゲン化硼素等
が挙げられる。この他、AlCl3，GaCl3，Ga
（CH3）2，InCl3，TlCl3等も挙げることができる。 第族原子導入用の出発物質として、具体的に
は燐素原子導入用としてはPH3，P2H4等の水素
化燐、PH4Ｉ，PF3，PF5，PCl3，PCl5，PBr3，
PBr5，PI3等のハロゲン化燐が挙げられる。この
他、AsH3，AsF3，AsCl3，AsBr3，AsF5，
SbH3，SbF3，SbF5，SbCl3，SbCl5，BCl3，
BBr3等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この
他、AlCl3，CaCl3，Ga（CH3）2，InCl3，TlCl3等
も挙げることができる。 第族原子導入用の出発物質として、具体的に
は燐原子導入用としてはPH3，P2H6等の水素化
燐、PH4Ｉ，PF3，PF5，PCl3，PCl5，PBr3，
PBr5，PI3等のハロゲン化燐が挙げられる。この
他、AsH3，AsF3，AsCl3，AsBr3，AsF5，
SbH3，SbF3，SbF5，SbCl3，SbCl5，BiH3，
BiCl3，BiBr5等も第族原子導入用の出発物質
の有効なものとして挙げることができる。 酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ば
れる少なくとも一種を、グロー放電法、スパツタ
リング法或いはイオンプレーテイング法を用い
て、第二の層１０３に含有せしめてａ−Si（Ｏ，
Ｃ，Ｎ）（Ｎ，Ｘ）で構成される層を形成するに
ついては、前述の第一の層を形成する場合と同様
にして行われる。 例えば酸素原子を含有する層又は層領域をグロ
ー放電法により形成するには、シリコン原子
（Si）を構成原子とする原料ガスと、酸素原子
（Ｏ）を構成原子とする原料ガスと、必要に応じ
て水素原子（Ｈ）又は及びハロゲン原子（Ｘ）を
構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合
して使用するか、又は、シリコン原子（Si）を構
成原子とする原料ガスと、酸素原子（Ｏ）及び水
素原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、こ
れも又所望の混合比で混合するか、或いは、シリ
コン原子（Si）を構成原子とする原料ガスと、シ
リコン原子（Si）、酸素原子（Ｏ）及び水素原子
（Ｈ）の３つを構成原子とする原料ガスとを混合
して使用することができる。 又、別には、シリコン原子（Si）と水素原子
（Ｈ）とを構成原子とする原料ガスに酸素原子
（Ｏ）を構成原子とする原料ガスを混合して使用
してもよい。 そのような酸素原子導入用の出発物質としては
酸素原子を構成原子とするガス状態の又はガス化
しうる物質をガス化したものであれば、いずれの
ものであつてもよい。 酸素原子導入用の出発物質としては具体的に
は、例えば酸素（O2）、オゾン（O3）、一酸化窒
素（NO）、二酸化窒素（NO2）、一二酸化窒素
（N2Ｏ）、三二酸化窒素（N2O3）、四二酸化窒素
（N2O4）、五二酸化窒素（N2O5）、三酸化窒素
（NO3）、シリコン原子（Si）と酸素原子（Ｏ）と
水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えば、ジ
シロキサン（H3SiOSiH3）、トリシロキサン（H3
SiOSiH2OSiH3）等の低級シロキサン等を挙げる
ことができる。 スパツタリング法によつて、酸素原子を含有す
る層を形成するには、単結晶又は多結晶のSiウエ
ーハ又はSiO2ウエーハ、又はSiとSiO2が混合さ
れて含有されているウエーハをターゲツトとし
て、これ等を種々のガス雰囲気中でスパツタリン
グすることによつて行えばよい。 例えば、Siウエーハをターゲツトとして使用す
るば、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及
びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツタリング用
の堆積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズ
マを形成して前記Siウエーハをスパツタリングす
ればよい。 又、別には、SiとSiO2とは別々のターゲツト
として、又はSiとSiO2の混合した一つのターゲ
ツトを使用することによつて、スパツタリング用
のガスとしての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なく
とも水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）を構成原子として含有するガス雰囲気中で
スパツタリングすることによつて成される。酸素
原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー
放電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用
の原料ガスが、スパツタリングの場合にも有効な
ガスとして使用できる。 また、例えば炭素原子を含有する第二の層をグ
ロー放電法により形成するには、シリコン原子
（Si）を構成原子とする原料ガスと、炭素原子
（Ｃ）を構成原子とする原料ガスと、必要に応じ
て水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）
を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混
合して使用するか、又はシリコン原子（Si）を構
成原子とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）及び水
素原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、こ
れも又所望の混合比で混合するか、或いはシリコ
ン原子（Si）を構成原子とする原料ガスと、シリ
コン原子（Si）、炭素原子（Ｃ）及び水素原子
（Ｈ）を構成原子とする原料ガスを混合するか、
更にまた、シリコン原子（Si）と水素原子（Ｈ）
を構成原子とする原料ガスと炭素原子（Ｃ）を構
成原子とする原料ガスを混合して使用する。 このような原料ガスとして有効に使用されるの
は、SiとＨとを構成原子とするSiH4，Si2H6，
Si3H8，Si4H10等のシラン（Silane）類等の水素
化硅素ガス、ＣとＨとを構成原子とする、例えば
炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエ
チレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系
炭化水素等が挙げられる。 具体的には、飽和炭化水素としては、メタン
（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン（C3H8）、ｎ
−プタン（ｎ−C4H10）、ペンタン（C5H12）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C2H4）、
プロピレン（C3H6）、プテン−１（C4H8）、ブテ
ン−２（C4H8）、イソブチレン（C4H8）、ペンテ
ン（C5H10）、アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C2H2）、メチルアセチレン（C3
H4）、ブチン（C4H6）等が挙げられる。 SiとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとして
は、Si（CH3）4，Si（C2H5）4等のケイ化アルキルを
挙げることができる。これ等の原料ガスの他、Ｈ
導入用の原料ガスとしては勿論H2も使用できる。 スパツタリング法によつてａ−SiC（Ｈ，Ｘ）
で構成される第二の層を形成するには、多結晶又
は多結晶のSiウエーハ又はＣ（グラフアイト）ウ
エーハ、又はSiとＣが混合されて含有されている
ウエーハをターゲツトとして、これ等を所望のガ
ス雰囲気中でスパツタリングすることによつて行
う。 例えばSiウエーハをターゲツトとして使用する
場合には、炭素原子、および水素原子又は／及び
ハロゲン原子を導入するための原料ガスを、必要
に応じてAr，He等の希釈ガスで稀釈して、スパ
ツタリング用の堆積室内に導入し、これ等のガス
のガスプラズマを形成してSiウエーハをスパツタ
リングすればよい。 又、SiとＣとは別々のターゲツトとするか、あ
るいはSiとＣの混合した１枚のターゲツトとして
使用する場合には、スパツタリング用のガスとし
て水素原子又は／及びハロゲン原子導入用の原料
ガスを、必要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパ
ツタリング用の堆積室内に導入し、ガスプラズマ
を形成してスパツタリングすればよい。該スパツ
タリング法に用いる各原子の導入用の原料ガスと
しては、前述のグロー放電法に用いる原料ガスが
そのまま使用できる。 更に、例えば窒素原子を含有するアモルフアス
シリコンで構成される第二の層をグロー放電法に
より形成するには、シリコン原子（Si）を構成原
子とする原料ガスと、窒素原子（Ｎ）を構成原子
とする原料ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子とする
原料ガスとを所望の混合比で混合して使用する
か、又は、シリコン原子（Si）を構成原子とする
原料ガスと、窒素原子（Ｎ）及び水素原子（Ｈ）
を構成原子とする原料ガスとを、これも又は所望
の混合比で混合するかして使用することができ
る。 又、別には、シリコン原子（Si）と水素原子
（Ｈ）とを構成原子とする原料ガスに窒素原子
（Ｎ）を構成原子とする原料ガスを混合して使用
してもよい。 その様な窒素原子導入用の出発物質としては、
少なくとも窒素原子を構成原子とするガス状の物
質又はガス化し得る物質をガス化したものであれ
ば、いずれのものであつてもよい。 窒素原子導入用の出発物質としては、具体的に
は、窒素原子を構成原子とするかあるいは窒素原
子と水素原子を構成原子とする、窒素（N2），ア
ンモニア（NH3）、ヒドラジン（H2NNH2）、ア
ジ化水素（HN3）、アジ化アンモニウム（NH4
N3）等の窒素、窒化物及びアジ化物等の窒素化
合物を挙げることができる。この他に、三弗化窒
素（F3Ｎ）、四弗化窒素（F4N2）等のハロゲン化
窒素化合物を挙げることができ、これらのハロゲ
ン化窒素化合物を用いる場合、窒素原子（Ｎ）の
導入に加えて、ハロゲン原子（Ｘ）導入もでき
る。 スパツタリング法によつて、窒素原子を含有す
る層領域を形成するには、単結晶又は多結晶のSi
ウエーハ又はSi3N4ウエーハ、又はSiとSi3N4が
混合されて含有されているウエーハをターゲツト
として、これ等を種々のガス雰囲気中でスパツタ
リングすることによつて行えばよい。 例えば、Siウエーハをターゲツトとして使用す
れば、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及
びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツタリング用
の堆積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズ
マを形成して前記Siウエーハをスパツタリングす
ればよい。 又、別には、SiとSi3N4とは別々のターゲツト
として、又はSiとSi3N4の混合した一枚ターゲツ
トを使用することによつて、スパツタリング用の
ガスとしての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくと
も水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）
を構成原子として含有するガス雰囲気中でスパツ
タリングすることによつて成される。窒素原子導
入用の原料ガスとしては、先述したグロー放電の
例で示した原料ガスの中の窒素原子導入用の原料
ガスが、スパツタリングの場合にも有効なガスと
して使用できる。 以上記述したように、本発明の光受容部材の光
受容層は、グロー放電法、スパツタリング法等を
用いて形成するが、光受容層に含有せしめて第
族原子又は第族原子、酸素原子、炭素原子又は
窒素原子、あるいは水素原子又は／及びハロゲン
原子の各々の含有量の制御は、堆積室内へ流入す
る、各々の原子供給用出発物質のガス流量あるい
は各々の原子供給用出発物質間のガス流量比を制
御することにより行われる。 また、第一の層および第二の層形成時の支持体
温度、堆積室内のガス圧、放電パワー等の条件
は、所望の特性を有する光受容部材を得るために
は重要な要因であり、形成する層の機能に考慮を
はらつて適宜選択されるものである。さらに、こ
れらの層形成条件は、第一の層および第二の層に
含有せしめる上記の各原子の種類及び量によつて
も異なることもあることから、含有せしめる原子
の種類あるいはその量等にも考慮をはらつて決定
する必要もある。 具体的にはａ−Si（Ｈ，Ｘ）からなる層、ある
いは第族原子又は第族原子、または酸素原
子、炭素原子、窒素原子を含有せしめたａ−Si
（Ｈ，Ｘ）からなる光受容層を形成する場合には、
支持体温度は、通常50〜350℃とするが、特に好
ましくは50〜250℃とする。堆積室内のガス圧は、
通常0.01〜1Torrとするが、特に好ましくは0.1〜
0.5Torrとする。また、放電パワーは0.005〜
50W／cm3とするのが通常であるが、より好ましく
は0.01〜30W／cm3、特に好ましくは0.01〜20W／
cm3とする。 ａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成する場
合、あるいは第族原子又は第族原子を含有せ
しめたａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成する
場合については、支持体温度は、通常50〜350℃
とするが、より好ましくは50〜300℃、特に好ま
しくは100〜300℃とする。そして、堆積室内のガ
ス圧は、通常0.01〜5Torrとするが、好ましく
は、0.001〜3Torrとし、特に好ましくは0.1〜
1Torrとする。また、放電パワーは0.005〜
50W／cm3とするのが通常であるが、好ましくは
0.01〜30W／cm3とし、特に好ましくは0.01〜
20W／cm3とする。 しかし、これらの、層形成を行うについての支
持体温度、放電パワー、堆積室内のガス圧の具体
的条件は、通常には個々に独立しては容易には決
め難いものである。したがつて、所望の特性の非
晶質材料層を形成すべく、相互的且つ有機的関連
性に基づいて、層形成の至適条件を決めるのが望
ましい。 ところで、本発明の光受容層に含有せしめるゲ
ルマニウム原子又は／及びスズ原子、酸素原子、
炭素原子又は窒素原子、第族原子又は第族原
子、あるいは水素原子又は／及びハロゲン原子の
分布状態を均一とするためには、感光層を形成す
るに際して、前記の諸条件を一定に保つことが必
要である。 また、本発明において、光受容層の形成の際
に、該層中に含有せしめるゲルマニウム原子又
は／及びスズ原子、あるいは第族原子又は第
族原子の分布濃度を層厚方向に変化させて所望の
層厚方向の分布状態を有する層を形成するには、
グロー放電法を用いる場合であれば、ゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子、あるいは第族原子
又は第族原子導入用の出発物質のガスの堆積室
内に導入する際のガス流量を、所望変化率に従つ
て適宜変化させ、その他の条件を一定に保ちつつ
形成する。そして、ガス流量を変化させるには、
具体的には、例えば手動あるいは外部駆動モータ
等の通常用いられている何らかの方法により、ガ
ス流路系の途中に設けられた所定のニードルバル
ブの開口を漸次変化させる操作を行えばよい。こ
のとき、流量の変化率は線型である必要はなく、
例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計され
た変化率曲線に従つて流量を制御し、所望の含有
率曲線を得ることもできる。 また、光受容層をスパツタリング法を用いて形
成する場合、ゲルマニウム原子又はスズ原子ある
いは第族原子又は第族原子の層厚方向の分布
濃度を層厚方向で変化させて所望の層厚方向の分
布状態を形成するには、グロー放電法を用いた場
合と同様に、ゲルマニウム原子又はスズ原子、あ
るいは第族原子又は第族原子導入用の出発物
質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室内へ導入
する際のガス流量を所望の変化率に従つて変化さ
せる。 〔実施例〕 以下、本発明を実施例１乃至11に従つて、より
詳細に説明するが、本発明はこれ等によつて限定
されるものではない。 各実施例においては、光受容層をグロー放電法
を用いて形成した。第２５図はグロー放電法によ
る本発明の光受容部材の製造装置である。 図中の２５０２，２５０３，２５０４，２５０
５，２５０６のガスボンベには、本発明の夫々の
層を形成するための原料ガスが密封されており、
その１例として、たとえば、２５０２はSiF4ガス
（純度99.999％）ボンベ、２５０３はH2で稀釈さ
れたB2H4ガス（純度99.999％、以下B2H4／Ｈと
略す。）ボンベ、２５０４はCH4ガス（純度
99.999％）ボンベ、２５０５はGeF4ガス（純度
99.999％）ボンベ、２５０６は不活性ガス（He）
ボンベである。そして、２５０６′はSnCl4が入
つた密閉容器である。 これらのガスを反応室２５０１に流入させるに
はガスボンベ２５０２〜２５０６のバルブ２５２
２〜２５２６、リークバルブ２５３５が閉じられ
ていることを確認し又、流入バルブ２５１２〜２
５１６、流出バルブ２５１７〜２５２１、補助バ
ルブ２５３２，２５３３が開かれていることを確
認して、先ずメインバルブ２５３４を開いて反応
室２５０１、ガス配管内を排気する。次に真空
Alシリンダー２５３７上に第一の層および第二
の層を形成する場合の一例を以下に記載する。 まず、ガスボンベ２５０２よりSiF4ガス、ガス
ボンベ２５０３よりB2H6／H2ガス、ガスボンベ
２５０５よりGeF4ガスの夫々をバルブ２５２２，
２５２３，２５２５を開いて出口圧ゲージ２５２
７，２５２８，２５３０の圧を１Kg／cm2に調製
し、流入バルブ２５１２，２５１３，２５１５を
徐々に開けて、マスフロコントローラ２５０７，
２５０８，２５１０内に流入させる。引き続いて
流入バルブ２５１７，２５１８，２５２０補助バ
ルブ２５３２を徐々に開いてガスを反応室２５０
１内に流入させる。このときのSiF4ガス流量、
GeF4ガス流量、B2H6／H2ガス流量の比が所望の
値になるように流出バルブ２５１７，２５１８，
２５２０を調整し、又、反応室２５０１内の圧力
が所望の値になるように真空計２５３６の読みを
見ながらメインバルブ２５３４の開口を調整す
る。そして基体シリンダー２５３７の温度が加熱
ヒーター２５３８により50〜400℃の範囲の温度
に設定されていることを確認された後、電源２５
４０を所望の電力に設定して反応室２５０１内に
グロー放電を生起せしめるとともに、マイクロコ
ンピユーター（図示せず）を用いて、あらかじめ
設計された流量変化率線に従つて、SiF4ガス、
GeF4ガス及びB2H6／H2ガスのガス流量を制御し
ながら、基体シリンダー２５３７上に先ず、シリ
コン原子、ゲルマニウム原子及び硼素原子を含有
する層１０２′を形成する。所望の層厚に層１０
２′が形成された段階において、流出バルブ２５
１８，２５２０を完全に閉じ、必要に応じて放電
条件をかえる以外は同様の手順に従つてグロー放
電を続けることにより層１０２′の上に、ゲルマ
ニウム原子を実質的に含有しない層１０２″を形
成することができる。 こうして層１０２′と層１０２″を支持体側から
順に有する第一の層１０２を形成したのち、第一
の層１０２の上に第二の層１０３を形成するに
は、上記の同様の操作により、例えば、SiF4ガス
及びCH4ガスの夫々を、必要に応じてHe，Ar，
H2等の稀釈ガスで稀釈して、所望のガス流量で
反応室１６０１内に流入し、所望の条件に従つ
て、第二の層を堆積させる。 夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バル
ブ以外の流出バルブは全て閉じることは言うまで
もなく、又夫々の層を形成する際、前層の形成に
使用したガスが反応室２５０１内、流出バルブ２
５１７〜２５２１から反応室２５０１内に至るガ
ス配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ２５１７〜２５２１を閉じ補助バルブ２５３
２，２５３３を開いてメインバルブ２５３４を全
開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要に
応じて行う。 また、第一の層中にスズ原子を含有せしめる場
合にあつて、原料ガスとしてSnCl4を出発物質と
したガスを用いる場合には、２５０６′に入れら
れた固体状SnCl4を加熱手段（図示せず）を用い
て加熱するとともに、該SnCl4中にAr，He等の
不活性ガスボンベ２５０６よりAr，He等の不活
性ガスを吹き込み、パブリングする。発生した
SnCl4のガスは、前述のSiF4ガス、GeF4ガス及び
B2H6／H2ガス等と同様の手順により反応室内に
流入させる。 試験例 径２mmのSUSステンレス製剛体真球を用い、
前述の第６図に示した装置を用い、アルミニウム
合金製シリンダー（径60mm、長さ298mm）の表面
を処理し、凹凸を形成させた。 真球の径R′、落下高さｈと痕跡窪みの曲率Ｒ、
幅Ｄとの関係を調べたところ、痕跡窪みの曲率Ｒ
と幅Ｄとは、真球の径R′と落下高さｈ等の条件
により決められることが確認された。また、痕跡
窪みのピツチ（痕跡窪みの密度、また凹凸のピツ
チ）は、シリンダーの回転速度、回転数乃至は剛
体真球の落下量等を制御して所望のピツチに調整
することができることが確認された。 実施例 １ 試験例と同様にアルミニウム合金製シリンダー
の表面を処理し、第1A表上欄に示すＤ、及びＤ／Ｒ を有するシリンダー状Al支持体（シリンダーNo.
101〜106）を得た。 次に該Al支持体（シリンダーNo.101〜106）上
に、以下の第1B表に示す条件で、第２５図に示
した製造装置により光受容層を形成した。 これらの光受容部材については、第２６図に示
す画像露光装置を用い、波長780mm、スポツト径
80μｍのレーザー光を照射して画像露光を行な
い、現像、転写を行なつて画像を得た。得られた
画像の干渉縞の発生状況は第1A表下欄に示すと
おりであつた。 なお、第２６Ａ図は露光装置の全体を模式的に
示す平面略図であり、第２６Ｂ図は露光装置の全
体を模式的に示す側面略図である。図中、２６０
１は光受容部材、２６０２は半導体レーザー、２
６０３はfθレンズ、２６０４はポリゴンミラーを
示している。 次に、比較として、従来のダイヤモンドバイト
により表面処理されたアルミニウム合金製シリン
ダー（No.７）（径60mm、長さ298mm、凹凸ピツチ
100μｍ、凹凸の深さ3μｍ）を用いて、前述と同
様にして光受容部材を作製した。得られた光受容
部材を電子顕微鏡で観察したところ、支持体表面
と光受容層の層界面及び光受容層の表面とは平行
をなしていた。この光受容部材を用いて、前述と
同様にして画像形成をおこない、得られた画像に
ついて前述と同様の評価を行なつた。その結果
は、第1A表下欄に示すとおりであつた。
視光線、赤外線、Ｘ線、ｒ線等を示す）の様な電
磁波に感受性のある光受容部材に関する。さらに
詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。 〔従来技術の説明〕 デジタル画像情報を画像として記録する方法と
して、デジタル画像情報に応じて変調したレーザ
ー光で光受容部材を光学的に走査することにより
静電潜像を形成し、次いで該潜像を現像するか、
更に必要に応じて転写、定着などの処理を行な
う、画像を記録する方法が知られており、中でも
電子写真法による画像形成法では、レーザーとし
て、小型で安価なHe−Neレーザーあるいは半導
体レーザー（通常は650〜820nmの発光波長を有
する）を使用して像記録を行なうのが一般であ
る。 ところで、半導体レーザーを用いる場合に適し
た電子写真用の光受容部材としては、その光感度
領域の整合性が他の種類の光受容部材と比べて優
れているのに加えて、ピツカース硬度が高く、公
害の問題が少ない等の点から評価され、例えば特
開昭54−86341号公報や特開昭56−83746号公報に
みられるようなシリコン原子を含む非晶質材料
（以後「ａ−Si」と略記する）から成る光受容部
材が注目されている。 しかしながら、前記光受容部材については、光
受容層を半層構成のａ−Si層とすると、その高光
感度を保持しつつ、電子写真用として要求される
1012Ωcm以上の暗抵抗を確保するには、水素原子
やハロゲン原子、或いはこれ等に加えてポロン原
子と特定の量範囲で層中に制御された形で構造的
に含有させる必要性があり、ために層形成に当つ
て各種条件を厳密にコントロールすることが要求
される等、光受容部材の設計についての許容度に
可成りの制約がある。そしてそうした設計状の許
容度の問題がある程度低暗抵抗であつても、その
高光感度を有効に利用出来る様にする等して改善
する提案がなされている。即ち、例えば、特開昭
54−121743号公報、特開昭57−4053号公報、特開
昭57−4172号公報にみられるように光受容層を伝
導特性の異なる層を積層した二種以上の層構成と
して、光受容層内部に空乏層を形成したり、或い
は特開昭57−52178号、同52179号、同52180号、
同58159号、同58160号、同58161号の各公報にみ
られるように支持体と光受容層の間、又は／及び
光受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造と
したりして、見掛け上の暗抵抗を高めた光受容部
材が提案されている。 ところがそうした光受容層が多層構造を有する
光受容部材は、各層の層厚にばらつきがあり、こ
れを用いてレーザー記録を行う場合、レーザー光
が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層
及び支持体と光受容層との層界面（以後、この自
由表面及び層界面の両者を併せた意味で「界面」
と称する。）より反射して来る反射光の夫々が干
渉を起してしまうことがしばしばある。 この干渉現象は、形成される可視画像に於い
て、所謂、干渉縞模様となつて現われ、画像不良
の原因となる。殊に階調性の高い中間調の画像を
形成する場合にあつては、識別性の著しく劣つた
阻画像を与えるところとなる。 また重要な点として、使用する半導体レーザー
光の波長領域が長波長になるにつれ光受容層に於
ける該レーザー光の吸収が減少してくるので、前
記の干渉現象が顕著となるという問題がある。 即ち、例えば２若しくはそれ以上の層（多層）
構成のものであるものにおいては、それらの各層
について干渉効果が起り、それぞれの干渉が相乗
的に作用し合つて干渉縞模様を呈するところとな
り、それがそのまゝ転写部材に影響し、該部材上
に前記干渉縞模様に対応した干渉縞が転写、定着
され可視画像に現出して不良画像をもたらしてし
まうといつた問題がある。 こうした問題を解消する策として、(a)支持体表
面をダイヤモンド切削して、±500Å〜10000Åの
凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特
開昭58−162975号公報参照）、(b)アルミニウム支
持体表面を黒色アルマイト処理したり、或いは、
樹脂中のカーボン、着色顔料、染料を分散したり
して光吸収層を設ける方法（例えば特開昭57−
165845号公報参照）、(c)アルミニウム支持体表面
を梨地状のアルマイト処理したり、サンドプラス
トにより砂目状の微細凹凸を設けたりして、支持
体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば
特開昭57−16554号公報参照）等が提案されては
いる。 これ等の提案方法は、一応の結果はもたらすも
のの、画像状に現出する干渉縞模様を完全に解消
するに十分なものではない。 即ち、(a)の方法については、支持体表面に特定
ｔの凹凸を多数設けていて、それにより光散乱効
果による干渉縞模様の現出が一応それなりに防止
はされるものの、光散乱としては依然として正反
射光成分が残存するため、該正反射光による干渉
縞模様が残存してしまうことに加えて、支持体表
面で光散乱効果により照射スポツトに拡がりが生
じ、実質的な解像度低下をきたしてしまう。 (b)の方法については、黒色アルマイト処理で
は、完全吸収は不可能であり、支持体表面での反
射光は残存してしまう。また、着色顔料分散樹脂
層を設ける場合は、ａ−Si層を形成する際、樹脂
層より脱気現象が生じ、形成される光受容層の層
品質が著しく低下すること、樹脂層がａ−Si層形
成の際のプラズマによつてダメージを受けて、本
来の吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪
化によるその後のａ−Si層の形成に悪影響を与え
ること等の問題点を有する。 (c)の方法については、例えば入射光についてみ
れば光受容層の表面でその一部が反射されて反射
光となり、残りは、光受容層の内部に進入して透
過光となる。透過光は、支持体の表面に於いて、
その一部は、光散乱されて拡散光となり、残りが
正反射されて反射光となり、その一部が出射光と
なつて外部に出ては行くが、出射光は、反射光と
干渉する成分であつて、いずれにしろ残留するた
め依然として干渉縞模様が完全に消失はしない。 ところで、この場合の干渉を防止するについ
て、光受容層内部での多重反射が起らないよう
に、支持体の表面の拡散性を増加させる試みもあ
るが、そうしたところでかえつて光受容層内で光
が拡散してハレーシヨンを生じてしまい、結局は
解像度が低下してしまう。 特に、多層構成の光受容部材においては、支持
体表面を不規則に荒らしても、第１層での表面で
の反射光、第２層での反射光、支持体表面での正
反射光の夫々が干渉して、光受容部材の各層厚に
したがつた干渉縞模様が生じる。従つて、多層構
成の光受容部材においては、支持体表面を不規則
に荒すことでは、干渉縞を完全に防止することは
不可能である。 又、サンドプラスト等の方法によつて支持体表
面を不規則に荒す場合は、その粗面度がロツド間
に於いてバラツキが多く、且つ同一ロツトに於い
ても組面度に不均一があつて、製造管理上問題が
ある。加えて、比較的大きな突起がランダムに形
成される機械が多く、斯かる大きな突起が光受容
層の局所的ブレークダウンをもたらしてしまう。 又、支持体表面を単に規則的に荒したところ
で、通常、支持体の表面の凹凸形状に沿つて、光
受容層が堆積するため、支持体表面の凹凸の傾斜
面と光受容層の凹凸の傾斜面とが平行になり、そ
の部分では入射光は、明部、暗部をもたらすとこ
ろとなり、また、光受容層全体では光受容層の層
厚の不均一性があるため明暗の縞模様が現われて
しまう。従つて、支持体表面を規則的に荒しただ
けでは、干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはで
きない。 又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成
の光受容層を堆積させた場合にも、支持体表面で
の正反射光と、光受容層表面での反射光との干渉
の他に、各層間の界面での反射光による干渉が加
わるため、一層構成の光受容部材の干渉縞模様発
現度合より一層複雑となる。 〔発明の目的〕 本発明は、主としてａ−Siで構成された光受容
層を有する光受容部材について、上述の諸問題を
排除し、各種要求を満たすものにすることを目的
とするものである。 すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光
学的、光導電的特性が使用環境に殆んど依存する
ことなく実質的に常時安定しており、耐光疲労に
優れ、繰返し使用に際しても劣化現象を起こさず
耐久性、耐湿性に優れ、残留電位が全く又は殆ん
ど観測されなく、製造管理が容易である、ａ−Si
で構成された光受容層を有する光受容部材を提供
することにある。 本発明の別の目的は、全可視光域において光感
度が高く、とくに半導体レーザーとのマツチング
性に優れ、且つ光応答の速い、ａ−Siで構成され
た光受容層を有する光受容部材を提供することに
ある。 本発明の更に別の目的は、高光感度性、高SN
比特性及び高電気的耐圧性を有する、ａ−Siで構
成された光受容層を有する光受容部材を提供する
ことにある。 本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層
と支持体との間や積層される層の各層間に於ける
密着性に優れ、構造配列的に厳密で安定的であ
り、層品質の高い、ａ−Siで構成された光受容層
を有する光受容部材を提供することにある。 本発明の更に他の目的は、可干渉性単色光を用
いる画像形成に適し、長期の繰り返し使用にあつ
ても、干渉縞模様と反転現象時の斑点の現出がな
く、且つ画像欠陥や画像のボケが全くなく、濃度
が高く、ハーフトーンが鮮明に出て且つ解像度の
高い、高品質画像を得ることのできる、ａ−Siで
構成された光受容層を有する光受容部材を提供す
ることにある。 〔発明の構成〕 本発明者らは、従来の光受容部材についての前
述の諸問題を克服して、上述の目的を達成すべく
鋭意研究を重ねた結果、下述する知見を得、該知
見に基づいて本発明を完成するに至つた。 即ち、本発明は、支持体上に、シリコン原子
と、ゲルマニウム原子又はスズ原子の少なくとも
一方とを有する非晶質材料で構成された第一の層
と、シリコン原子と、酸素原子、炭素原子及び窒
素原子の中から選ばれる少なくとも一種とを含有
する非晶質材料で構成された第二の層とを有する
光受容部材であつて、前記第一の層が、ゲルマニ
ウム原子又はスズ原子の少なくとも一方を含有す
る層と、ゲルマニウム原子及びスズ原子のいずれ
も含有しない層とを支持体側から順に有する多層
構成であり、かつ、前記支持体の表面が複数の球
状痕跡窪みによる凹凸形状を有してなることを骨
子とする光受容部材に関する。 ところで、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果
得た知見は、概要、支持体上に複数の層を有する
光受容部材において、前記支持体表面に、複数の
球状痕跡窪みによる凹凸を設けることにより、画
像形成時に現れる干渉縞模様の問題が解消される
というものである。 この知見は、本発明者らが試みた各種の実験に
より得た事実関係に基づくものである。 このところを、理解を容易にするため、図面を
用いて以下に説明する。 第１図は、本発明に係る光受容部材１００の層
構成を示す模式図であり、微小な複数の球状痕跡
窪みによる凹凸形状を有する支持体１０１上に、
その凹凸の傾斜面に沿つて、第一の層１０２及び
第二の層１０３を備えた光受容部材を示してい
る。 第２及び第３図は、本発明の光受容部材におい
て干渉縞模様の問題が解消されるところを説明す
るための図である。 第３図は、表面を規則的に荒した支持体上に、
多層構成の光受容層を堆積させた従来の光受容部
材の一部を拡大して示した図である。該図におい
て、３０１は第一の層、３０２は第二の層、３０
３は自由表面、３０４は第一の層と第二の層の界
面をそれぞれ示している。第３図に示すごとく、
支持体表面を切削加工等の手段により単に規則的
に荒しただけの場合、通常は、支持体の表面の凹
凸形状に沿つて光受容層が形成されるため、支持
体表面の凹凸の傾斜面と光受容層の凹凸の傾斜面
とが平行関係をなすところとなる。 このことが原因で、例えば、光受容層が第一の
層３０１と、第二の層３０２との２つの層からな
る多層構成のものである光受容部材においては、
例えば次のような問題が定常的に惹起される。即
ち、第一の層と第二の層との界面３０４及び自由
表面３０３とが平行関係にあるため、界面３０４
での反射光R1と自由表面での反射光R2とは方向
が一致し、第二の層の層厚に応じた干渉縞が生じ
る。 第２図は、第１図の一部を拡大した図であつ
て、第２図に示すごとく、本発明の光受容部材は
支持体表面に複数の微小な球状痕跡窪みによる凹
凸形状が形成されており、その上の光受容層は、
該凹凸形状に沿つて堆積するため、例えば光受容
層が第一の層２０１と第二の層２０２との二層か
らなる多層構成の光受容部材にあつては、第一の
層２０１と第二の層２０２との界面２０４、及び
自由表面２０３は、各々、前記支持体表面の凹凸
形状に沿つて、球状痕跡窪みによる凹凸形状に形
成される。界面２０４に形成される球状痕跡窪み
の曲率をR1、自由表面に形成される球状痕跡窪
みの曲率R2とすること、R1とR2とはR1≠R2とな
るため、界面２０４での反射光と、自由表面２０
３での反射光とは、各々異なる反射角度を有し、
即ち、第２図におけるθ1，θ2がθ1≠θ2であつて、
方向が異なるうえ、第２図に示すl1，l2，l3を用
いてl1＋l2−l3で表わされるところの波長のずれ
も一定とはならずに変化するため、いわゆるニユ
ートンリング現象に相当するシエアリング干渉が
生起し、干渉縞は窪みが内で分散されるところと
なる。これにより、こうした光受容部材を介して
現出される画像は、ミクロ的には干渉縞が仮に現
出されていたとしても、それらは視覚にはとられ
られない程度のものとなる。 即ち、かくなる表面形状を有する支持体の使用
は、その上に多層構成の光受容層を形成してなる
光受容部材にあつては、該光受容層を通過した光
が、層界面及び支持体表面で反射し、それらが干
渉することにより、形成される画像が縞模様とな
ることを効率的に防止し、優れた画像を形成しう
る光受容部材を得ることにつながる。 ところで、本発明の光受容部材の支持体表面の
球状痕跡窪みによる凹凸形状の曲率Ｒ及び幅Ｄ
は、こうした本発明の光受容部材における干渉縞
の発生を防止する作用効果を効率的に達成するた
めには重要な原因である。本発明者らは、各種実
験を重ねた結果以下のところ究明した。即ち、曲
率Ｒ及び幅Ｄが次式： Ｄ／Ｒ≧0.035 を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシエア
リング干渉によるニユートンリングが0.5本以上
存在することとなる。さらに次式： Ｄ／Ｒ≧0.055 を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシエア
リング干渉によるニユートンリングが１本以上存
在することとなる。 こうしたことから、光受容部材の全体に発生す
る干渉縞を、各々の痕跡窪み内に分散せしめ、光
受容部材における干渉縞の発生を防止するために
は、前記Ｄ／Ｒを0.035、好ましくは0.055以上とす ることが望ましい。 また、痕跡窪みによる凹凸の幅Ｄは、大きくと
も500μｍ程度、好ましくは200μｍ以下、より好
ましくは100μｍ以下とするのが望ましい。 本発明は、上記の究明した事実に基くものであ
り、本発明により提供される光受容部材は、下述
する構成を骨子とするものである。 即ち、支持体上に、シリコン原子と、ゲルマニ
ウム原子又はスズ原子の少なくとも一方とを含有
する非晶質材料で構成された第一の層と、シリコ
ン原子と、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中
から選ばれる少なくとも一種を含有する非晶質材
料で構成された第二の層とを有する光受容層を備
えた光受容層であつて、前記第一の層が、ゲルマ
ニウム原子又はスズ原子の少なくとも一方を含有
する層イと、ゲルマニウム原子及びスズ原子のい
ずれも含有しない層ロとを支持体側から順に有す
る多層構成とされ、前記支持体の表面が、窪みの
幅Ｄが500μｍ以下で窪みの曲率半径Ｒと幅Ｄと
が0.035≦Ｄ／Ｒとされた複数の球状痕跡窪みに
よる凹凸を有することを特徴とする光受容部材で
ある。 上記構成の本発明の光受容部材における支持体
の表面の前記複数の球状痕跡窪みによる凹凸は、
同一の曲率半径のものであつても、或は、ほぼ同
一の曲率半径及び幅の窪みにより形成されたもの
であつてもよい。 上記構成の本発明の光受容部材における光受容
層は、周期律表第族または第族に属する原子
を含有してもよい。この場合、光受容層に含有さ
れる周期律表第族または第族に属する原子に
ついて、それら原子の分布濃度が支持体側で比較
的高濃度であり、第二の層側で支持体側に較べて
かなり低いかあるいは実質的にゼロに近い濃度で
あるように層厚方向に不均一に分布するようにす
ることができる。 上記構成の本発明の光受容部材においては、前
記層イに含有されるゲルマニウム原子又はスズ原
子について、それら原子の分布濃度が支持体側で
比較的高濃度とされ、前記層ロ（即ち、ゲルマニ
ウム原子及びスズ原子のいずれも含有しない層）
側で支持体側に較べかなり低い濃度で層厚方向に
不均一に分布されているようにすることができ
る。 上記構成の本発明の光受容部材の前記第二の層
に含有される酸素原子、炭素原子及び窒素原子の
中から選ばれる少なくとも一種の原子について、
それら原子が層厚方向に均一な分布状態で含有さ
れるようにしてもよいし、或いは、それら原子の
分布濃度が、支持体側で比較的高濃度であり、該
第二の層の表面側で支持体側に較べてかなり低い
濃度あるいは実質的にゼロに近い濃度であるよう
に層厚方向に不均一に分布されているようにする
ことができる。 上記構成の本発明の光受容部材における光受容
層は、周期律表第族まはた第族に属する原子
を含有する電荷注入防止層を構成層の１つとして
有することができる。 上記構成の本発明の光受容部材における光受容
層は、構成層の１つとして障壁層を有することが
できる。 本発明の光受容部材の第一の層及び第二の層の
作成については、本発明の前述の目的を効率的に
達成するために、その層厚を光学的レベルで正確
に制御する必要があることから、グロー放電法、
スパツタリング法、イオンブレーテイング法等の
真空堆積法が通常使用されるが、これらの他、光
CVO法、熱CVO法等を採用することもできる。 以下、図示の実施例にしたがつて本発明の光受
容部材の具体的内容を説明するが、本発明の光受
容部材はそれらの例により限定されるものではな
い。 第１図は、本発明の光受容部材の層構成を説明
するために模式的に示した図であり、図中、１０
０は光受容部材、１０１は支持体、１０２は第一
の層、１０３は第二の層、１０４は自由表面をそ
れぞれ示している。 支持体 本発明の光受容部材における支持体１０１は、
その表面が光受容部材に要求される解像力よりも
微小な凹凸を有し、しかも該凹凸は、複数の球状
痕跡窪みによるものである。 以下に、本発明の光受容部材における支持体の
表面の形状及びその好適な製造例を、第４及び５
図により説明するが、本発明の光受容部材におけ
る支持体の形状及びその製造法は、これらによつ
て限定されるものではない。 第４図は、本発明の光受容部材における支持体
の表面の形状の典型的一例を、その凹凸形状の一
部を部分的に拡大して模式的に示すものである。 第４図において４０１は支持体、４０２は支持
体表面、４０３は剛体真球、４０４は球状痕跡窪
みを示している。 さらに第４図は、該支持体表面形状を得るのに
好ましい製造方法の１例をも示すものである。即
ち、剛体真球４０３を、支持体表面４０２より所
定高さの位置より自然落下させて支持体表面４０
２に衝突させることにより、球状窪み４０４を形
成しうることを示している。そして、ほぼ同一径
R′の剛体真球４０３を複数個用い、それらを同
一の高さｈより、同時あるいは逐次、落下させる
ことにより、支持体表面４０２に、ほぼ同一曲率
Ｒ及び同一幅Ｄを有する複数の球状痕跡窪み４０
４を形成することができる。 第５図は、前述のごとくして、表面に複数の球
状痕跡窪みによる凹凸形状の形成された支持体
の、いくつもの典型例を示すものである。 第５Ａ図に示す例では、支持体５０１の表面５
０２の異なる部位に、ほぼ同一の径の複数の球体
５０３，５０３，……をほぼ同一の高さより規則
的に落下させてほぼ同一の曲率及びほぼ同一の幅
の複数の痕跡窪み５０４，５０４，……を互いに
重複し合うように密に生じせしめて規則的に凹凸
形状を形成したものである。なおこの場合、互い
に重複する窪み５０４，５０４，……を形成する
には、球体５０３の支持体表面５０２への衝突時
期が、互いにずれるように球体５０３，５０３，
……を自然落下せしめる必要があることはいうま
でもない。 また、第５Ｂ図に示す例では、異なる径を有す
る二種類の球体５０３，５０３′，……をほぼ同
一の高さ又は異なる高さから落下させて、支持体
５０１の表面５０２に、二種の曲率及び二種の幅
の複数の窪み５０４，５０４′……を互いに重複
し合うように密に生じせしめて、表面の凹凸の高
さが不規則な凹凸を形成したものである。 更に、第５Ｃ図（支持体表面の正面図および断
面図）に示す例では、支持体５０１の表面５０２
に、ほぼ同一の径の複数の球体５０３，５０３，
……をほぼ同一の高さより不規則に落下させ、ほ
ぼ同一の曲率及び複数種の幅を有する複数の窪み
５０４，５０４，……を互いに重複し合うように
生じせしめて、不規則な凹凸を形成したものであ
る。 以上のように、剛体真球を支持体表面に落下さ
せることにより、球状痕跡窪みによる凹凸形状を
形成することができるが、この場合、剛体真球の
径、落下させる高さ、剛体真球と支持体表面の硬
度、あるいは、落下させる球体の量等の諸条件を
適宜選択することにより、支持体表面に所望の曲
率及び幅を有する複数の球状痕跡窪みを、所定の
密度で形成することができる。即ち、上記諸条件
を選択することにより、支持体表面に形成される
凹凸形状の凹凸の高さや凹凸のピツチを、目的に
応じて自在に調製でき、表面に所望の凹凸形状を
有する支持体を得ることができる。 そして、光受容部材の支持体を凹凸形状表面の
ものにするについて、旋盤、フライス盤等を用い
たダイヤモンドバイトにより切削加工して作成す
る方法の提案がなされていてそれなりに有効な方
法ではあるが、諸方法にあつては切削油の使用、
切削により不可避的に生ずる切粉の除去、切削面
に残存してしまう切削油の除去が不可欠であり、
結局は加工処理が煩雑であつて効率のよくない等
の問題を伴うところ、本発明にあつては、支持体
の凹凸表面形状を前述したように球状痕跡窪みに
より形成することから上述の問題は全くなくして
所望の凹凸形状表面の支持体を効率的且つ簡便に
作成できる。 本発明に用いる支持体１０１は、導電性のもの
であつても、また電気絶縁性のものであつてもよ
い。導電性支持体としては、例えば、NiCr、ス
テンレス、Al，Cr，Mo，Au，Nb，Ta，Ｖ，
Ti，Pt，Pb等の金属又はこれ等の合金が挙げら
れる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニルヂン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラミ
ツク、紙等が挙げられる。これ等の電気絶縁性支
持体は、好適には少なくともその一方の表面を導
電処理し、該導電処理された表面側に光受容層を
設けるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr，
Al，Cr，Mo，Au，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，
Pb，In2O3，SnO2，ITO（In2O3＋SnO2）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性を付与し、
或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フイル
ムであれば、NiCr，Al，Ag，Pb，Zn，Ni，
Au，Cr，Mo，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Tl，Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性を
付与する。支持体の形状は、円筒状、ベルト状、
板状等任意の形状であることができるが、用途、
所望によつて、その形状は適宜に決めることので
きるものである。例えば、第１図の光受容部材１
００を電子写真用像形成部材として使用するので
あれば、連続高速複写の場合には、無端ベルト状
又は円筒状とするのが望ましい。支持体の厚さ
は、所望通りの光受容部材を形成しうる様に適宜
決定するが、光受容部材として可撥性が要求され
る場合には、支持体としての機能が充分発揮され
る範囲内で可能な限り薄くすることができる。し
かしながら、支持体の製造上及び取扱い上、機械
的強度等の点から、通常は、10μ以上とされる。 次に、本発明の光受容部材を電子写真用の光受
容部材として用いる場合について、その支持体表
面の製造装置の１例を第６Ａ図及び第６Ｂ図を用
いて説明するが、本発明はこれによつて限定され
るものではない。 電子写真用光受容部材の支持体としては、アル
ミニウム合金等に通常の押出加工を施してポート
ホール管あるいはマンドレル管とし、更に引抜加
工して得られる引抜管に、必要に応じて熱処理や
調質等の処理を施した円筒状（シリンダー状）基
体を用い、該円筒状基体に第６Ａ，Ｂ図に示した
製造装置を用いて、支持体表面に凹凸形状を形成
せしめる。 支持体表面に前述のような凹凸形状を形成する
について用いる球体としては、例えばステンレ
ス、アルミニウム、鋼鉄、ニツケル、真鍮等の金
属、セラミツク、プラスチツク等の各種剛体球を
挙げることができ、とりわけ耐久性及び低コスト
化等の理由により、ステンレス及び鋼鉄の剛体球
が好ましい。そしてそうした球体の硬度は、支持
体の硬度よりも高くても、あるいは低くてもよい
が、球体を繰返し使用する場合には、支持体の硬
度よりも高いものであることが望ましい。 第６Ａ、第６Ｂ図は製造装置全体の断面略図で
あり、６０１は支持体作成用のアルミニウムシリ
ンダーであり、該シリンダー６０１は、予め表面
を適宜の平滑度に仕上げられていてもよい。シリ
ンダー６０１は、回転軸６０２によつて軸支され
ており、モーター等の適宜の駆動手段６０３で駆
動され、ほぼ軸芯のまわりで回転可能にされてい
る。回転速度は、形成する球状痕跡窪みの密度及
び剛体真球の供給量等を考慮して、適宜に決定さ
れ、制御される。 ６０４は、剛体真球６０５を自然落下させるた
めの落下装置であり、剛体真球６０５を貯留し、
落下させるためのボールフイーダー６０６、フイ
ーダー６０６から剛体真球６０５が落下しやすい
ように揺動させる振動機６０７、シリンダーに衝
突して落下する剛体真球６０５を回収するための
回収槽６０８、回収槽６０８で回収された剛体真
球６０５をフイーダー６０６までの管輸送するた
めのボール送り装置６０９、送り装置６０９の途
中で剛体真球を液洗浄するための洗浄装置６１
０、洗浄装置６１０にノズル等を介して洗浄液
（溶剤等）を供給する液だめ６１１、洗浄に用い
た液を回収する回収槽６１２などで構成されてい
る。 フイーダー６０６から自然落下する剛体真球の
量は、落下口６１３の開閉度、振動機６０７によ
る揺動の程度等により適宜調節される。 第一の層 本発明の光受容部材においては、第一の層１０
２は前述の支持体１０１上に設けられ、該第一の
層は、支持体１０１側より、ゲルマニウム原子
（Ge）又はスズ原子（Sn）の少なくともいずれか
一方と、好ましくはさらに水素原子及びハロゲン
原子の少なくともいずれか一方を含有っするａ−
Si〔以下、「ａ−Si（Ge，Sn）（Ｈ，Ｘ）」と表記す
る。〕で構成された層１０２′と、必要に応じて水
素原子及びハロゲン原子の少なくともいずれか一
方を含有するａ−Si〔以下、「ａ−Si（Ｈ，Ｘ）」と
表記する。〕で構成された層１０２″とが順に積層
された多層構造を有する。そして該光受容層１０
２には、さらに必要に応じて伝導性を制御する物
質を含有せしめることができる。 第一の層中に含有せしめるハロゲン原子（Ｘ）
としては、具体的にはフツ素、塩素、臭素、ヨウ
素が挙げられ、特にフツ素、塩素を好適なものと
して挙げることができる。そして第一の層１０２
中に含有せしめる水素原子（Ｈ）の量又はハロゲ
ン原子（Ｘ）の量、あるいは水素原子とハロゲン
原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、通常１〜40atomic
％、好ましくは５〜30atomic％とするのが望ま
しい。 また、本発明の光受容部材において、第一の層
の層厚は、本発明の目的を効率的に達成するには
重要な要因の１つであつて、光受容部材に所望の
特性が与えられるように、光受容部材の設計の際
には充分な注意を払う必要があり、通常は１〜
100μとするが、好ましくは１〜80μ、より好まし
くは２〜50μとする。 ところで、本発明の光受容部材の第一の層にゲ
ルマニウム原子及び／又はスズ原子を含有せしめ
る目的は、主として該光受容部材の長波長側にお
ける吸収スペクトル特性を向上せしめることにあ
る。 即ち、前記第一の層中にゲルマニウム原子又
は／及びスズ原子を含有せしめることにより、本
発明の光受容部材は、各種の優れた特性を示すと
ころのものとなるが、中でも特に可視光領域をふ
くむ比較的短波長から比較的長波長迄の全領域の
波長の光に対して光感度が優れ光応答性の速いも
のとなる。そしてこのことは、半導体レーザーを
光線とした場合に特に顕著である。 本発明の光受容部材における第一の層において
は、ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子は、支
持体１０１に接する層１０２′中に均一な分布状
態で含有せしめるか、あるいは不均一な分布状態
で含有せしめるものである。（ここで均一な分布
状態とは、ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子
の分布濃度が、層１０２′の支持体表面と平行な
面方向において均一であり、層１０２′の層厚方
向にも均一であることをいい、又、不均一な分布
状態とは、ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子
の分布濃度が、層１０２′の支持体表面と平行な
面方向には均一であるが、層１０２′の層厚方向
には不均一であることをいう。） そして本発明の層１０２′においては、特に、
ゲルマニウム原子及び／又はスズ原子は、層１０
２″側よりも支持体側の方に多く分布した状態と
なるように含有せしめることが望ましく、こうし
た場合、支持体側の端部においてゲルマニウム原
子及び／又はスズ原子の分布濃度を極端に大きく
することにより、半導体レーザ等に長波長の光源
を用いた場合に、層１０２″においては殆んど吸
収しきれない長波長の光を、層１０２′において
実質的に完全に吸収することができ、支持体表面
からの反射光による干渉が防止されるようにな
る。 また、本発明の光受容部材においては、層１０
２′と層１０２″とを構成する非晶質材料が各々、
シリコン原子という共通の構成要素を有している
ので積層界面において化学的な安全性が充分確保
されている。 以下、層１０２′に含有されるゲルマニウム原
子及び／又はスズ原子の層１０２′の層厚方向の
分布状態の典型的な例のいくつかを、ゲルマニウ
ム原子を例として第７乃至１５図により説明す
る。 第７図乃至第１５図において、横軸はゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃを、縦軸は、層１０２′の
層厚を示し、tBは支持体側の層１０２′の端部の
位置を、tTは支持体側とは反対側の層１０２″側
の端面の位置を示す。即ち、ゲルマニウム原子の
含有される層１０２′はtB側よりもtT側に向つて
層形成がなされる。 尚、各図に於いて、層厚及び濃度の表示はその
ままの値で示すと各々の図の違いが明確でなくな
る為、極端な形で図示しており、これらの図はあ
くまでも理解を容易にするための説明のための模
式的なものである。 第７図には、層１０２′中に含有されるゲルマ
ニウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例
が示される。 第７図に示される例では、ゲルマニウム原子の
含有される層１０２′が形成される支持体表面と
層１０２′とが接する界面位置tBよりt1の位置ま
では、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃが濃度C1
なる一定の値を取り乍らゲルマニウム原子が層１
０２′に含有され、位置t1より濃度C2より界面位
置tTに至るまで徐々に連続的に減少されている。
界面位置tTにおいてはゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは実質的にゼロとされる。 （ここで実質的にゼロとは検出限界量未満の場
合である。） 第８図に示される例においては、含有されるゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは位置tBより位置tT
に至るまでの濃度C3から徐々に連続的に減少し
て位置tTにおいて濃度C4となる様な分布状態を形
成している。 第９図の場合には、位置tBより位置tTまでは、
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度C5と一定
位置とされ、位置t2と位置tTとの間において、
徐々に連続的に減少され、位置tTにおいて、分布
濃度Ｃは実質的にゼロとされている。 第１０図の場合には、ゲルマニウム原子の分布
濃度Ｃは位置tBより位置tTに至るまで、濃度C6よ
り初め連続的に徐々に減少され、位置t3よりは急
速に連続的に減少されて位置tTにおいて実質的に
ゼロとされている。 第１１図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃは、位置tBと位置t4間においては、
濃度C7と一定値であり、位置tTに於ては分布濃度
Ｃは零とされる。位置t4と位置tTとの間では、分
布濃度Ｃは一次関数的に位置t4より位置tTに至る
まで減少されている。 第１２図に示される例においては、分布濃度Ｃ
は位置tBより位置t5までは濃度C8の一定値を取
り、位置t5より位置tTまでは濃度C9より濃度C10
まで一次関数的に減少する分布状態とされてい
る。 第１３図に示す例においては、位置tBより位置
tTに至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
濃度C11より一次関数的に減少されて、ゼロに至
つている。 第１４図においては、位置tBより位置t6に至る
まではゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度
C12より濃度C13まで一次関数的に減少され、位置
t6と位置tTとの間においては、濃度C13の一定値と
された例が示されている。 第１５図に示される例においては、ゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは、位置tBにおいて濃度14で
あり、位置t7に至るまではこの濃度C14より初め
はゆつくりと減少され、t7の位置付近において
は、急激に減少されて位置t7では濃度C15とされ
る。 位置t7と位置t6との間においては、初め急激に
減少されて、その後は、緩やかに徐々に減少され
て位置t8で濃度C16となり、位置t8と位置t9との間
では、徐々に減少されて位置t9において、濃度17
に至る。位置t9と位置tTとの間においては濃度C17
より実質的にゼロになる様に図に示す如き形状の
曲線に従つて減少されている。 以上、第７図乃至第１５図により、層１０２′
中に含有されるゲルマニウム原子又は／及びスズ
原子の層厚方向の分布状態の典型例の幾つかを説
明した様に、本発明の光受容部材においては、支
持体側において、ゲルマニウム原子又は／及びス
ズ原子の分布濃度Ｃの高い部分を有し、界面tT側
においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に比べて
かなり低くされた部分を有するゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子の分布状態が構成層１０２′
に設けられているのが望ましい。 即ち、本発明における光受容部材を構成する層
１０２′は、好ましくは、上述した様に支持体側
の方にゲルマニウム原子又は／及びスズ原子が比
較的高濃度で含有されている局在領域を有するの
が望ましい。 本発明の光受容部材に於ては、局在領域は、第
７図乃至第１５図に示す記号を用いて説明すれ
ば、界面位置tBより5μ以内に設けられるのが望ま
しい。 そして、上記局在領域は、界面位置tBより5μ厚
までの全層領域とされる場合もあるし、又、該層
領域の一部とされる場合もある。 局在領域を層１０２′の一部とするか又は全部
とするかは、形成される光受容層に要求される特
性に従つて適宜決められる。 局在領域はその中に含有されるゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の層厚方向の分布状態とし
てゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃
度の最大値Cmaxがシリコン原子に対して、好ま
しくは1000atomic ppm以上、より好適には
5000atomic ppm以上、最適には１×104atomic
ppm以上とされる様な分布状態となり得る様に層
形成されるのが望ましい。 即ち、本発明の光受容部材いおいて、ゲルマニ
ウム原子又は／及びスズ原子の含有される層１０
２′は、支持体側からの層厚で5μ以内（tBから5μ
層の層領域）に分布濃度の最大値Cmaxが存在す
る様に形成されるのが好ましいものである。 本発明の光受容部材において、層１０２′中に
含有せしめるゲルマニウム原子又は／及びスズ原
子の含有量は、本発明の目的を効率的に達成しう
る様に所望に従つて適宜決める必要があり、通常
は１〜６×105atomic ppmとするが、好ましく
は10〜３×105atomic ppm、より好ましくは１
×102〜２×105atomic ppmとする。 また、本発明の光受容部材においては第一の層
に伝導性を制御する物質を、全層領域又は一部の
層領域に均一又は不均一な分布状態で含有せしめ
ることができる。 前記伝導性を制御する物質としては、半導体分
野においていういわゆる不純物を挙げることがで
き、Ｐ型伝導性を与える周期律表第族に属する
原子（以下単に「第族原子」と称す。）、又は、
ｎ型伝導性を与える周期律表第族に属する原子
（以下単に「第族原子」と称す。）、が使用され
る。具体的には、第族原子としては、Ｂ（硼
素）、Al（アルミニウム）、Ga（ガリウム）、In（イ
ンジウム）、Tl（タリウム）等を挙げることがで
きるが、特に好ましいものはB.Caである。また
第族原子としてはＰ（燐）、As（砒素）、Sb（アン
チモン）、Bi（ビスマン）等を挙げることができ
るが、特に好ましいものは、Ｐ，Sbである。 本発明の第一の層に伝導性を制御する物質であ
る第族原子又は第族原子を含有せしめる場合
に、全層領域に含有せしめるか、あるいは一部の
層領域に含有せしめるかは、後述するように目的
とするところ乃至期待する作用効果によつて異な
り、含有せしめる量も異なるところとなる。 すなわち、第一の層の伝導型又は／及び伝導率
を制御することを主たる目的にする場合には、第
一の層の全層領域中に含有せしめ、この場合、第
族原子又は第族原子の含有量は比較的わずか
でよく、通常は１×10-3〜１×103atomic ppmで
あり、好ましくは５×10-2〜５×102atomic
ppm、最適には１×10-1〜２×102atomic ppmで
ある。 また、支持体と接する一部の層領域に第族原
子又は第族原子を均一な分布状態で含有せしめ
るか、あるいは層厚方向における第族原子又は
第族原子の分布濃度が、支持体と接する側にお
いて高濃度となるように含有せしめる場合には、
こうした第族原子又は第族原子を含有する構
成層あるいは第族原子又は第族原子を高濃度
に含有する層領域は、電荷注入阻止層として機能
するところとなる。即ち、第族原子を含有せし
めた場合には、光受容層の自由表面が極性に帯
電処理を受けた際に、支持体側から光受容層中へ
注入される電子の移動をより効率的に阻止するこ
とができ、又、第族原子を含有せしめた場合に
は、光受容層の自由表面が極性に帯電処理を受
けた際に、支持体調から光受容層中へ注入される
正孔の移動をより効率的に阻止することができ
る。そして、こうした場合の含有量は比較的多量
であつて、具体的には、30〜５×104atomic
ppm、好ましくは50〜１×104atomic ppm、最
適には１×102〜５×103atomic ppmとする。さ
らに、該電荷注入阻止層としての効果を効率的に
奏するためには、第族原子又は第族原子を含
有する支持体調の端部に設けられる層又は層領域
の層厚をｔとし、光受容層の層厚をＴとした場
合、ｔ／Ｔ≦0.4の関係が成立することが望まし
く、より好ましくは該関係式の値が0.35以下、最
適には0.3以下となるようにするのが望ましい。
また、該層又は層領域の層厚ｔは、一般的には３
×10-3〜10μとするが、好ましくは４×10-3〜8μ、
最適には５×10-3〜5μとするのが望ましい。 次に第一の層の含有せしめる第族原子又は第
族原子の量が、支持体側においては比較的多量
であつて、支持体側から第二の層側に向つて減少
し、第二の層との界面付近においては、比較的少
量となるかあるいは実質的にゼロに近くなるよう
に第族原子又は第族原子を分布させる場合の
典型的例のいくつかを、第１６図乃至第２４図に
よつて説明するが、本発明はこれらの例によつて
限定されるものではない。各図において、横軸は
第族原子又は第族原子の分布濃度Ｃは、縦軸
は第一の層の層厚を示し、tBは支持体と第一の層
との界面位置を、tTは第一の層と第二の層との界
面位置を示す。 第１６図は、第一の層中に含有せしめる第族
原子又は第族原子の層厚方向の分布状態の第一
の典型例を示している。該例では、第族原子又
は第族原子を含有する第一の層と支持体表面と
が接する界面位置tBより位置t1までは、第族原
子又は第族原子の分布濃度ＣがC1なる一定値
をとり、位置t1より第二の層との界面位置tTまで
は、第族原子又は第族原子の分布濃度Ｃが濃
度C2から連続的に減少し、界面位置tTにおいては
第族原子又は第族原子の分布濃度ＣがC3と
なる。 第１７図は、他の典型例の１つを示している。
該例では、第一の層に含有せしめる第族原子又
は第族原子の分布濃度Ｃは、位置tBから位置tT
にいたるまで、濃度C4から連続的に減少し、位
置tTにおいて濃度C5となる。 第１８図に示す例では、位置tBから位置t2まで
は第族原子又は第族原子の分布濃度Ｃが濃度
C6なる一定値を保ち、位置t2から位置tTにいたる
までは、第族原子又は第族原子の分布濃度Ｃ
は濃度C7から徐々に連続的に減少して位置tTにお
いては第族原子又は第族原子の分布濃度Ｃは
実質的にゼロとなる。但し、ここで実質的にゼロ
とは、検出限界量未満の場合をいう。 第１９図に示す例では、第族原子又は第族
原子の分布濃度Ｃは位置tBより位置tTにいたるま
で、濃度C8から連続的に徐々に減少し、位置tTに
おいては第族原子又は第族原子の分布濃度Ｃ
は実質的にゼロとなる。 第２０図に示す例では、第族原子又は第族
原子の分布濃度Ｃは、位置tBより位置t3の間にお
いては濃度C9の一定値にあり、位置t3から位置tT
の間においては、濃度C9から濃度C10となるまで、
一次関数的に減少する。 第２１図に示す例では、第族原子又は第族
原子の分布濃度Ｃは、位置tBより位置t4にいたる
までは濃度C11の一定値にあり、位置t4より位置tT
までは濃度C12から濃度C13となるまで一次関数的
に減少する。 第２２図に示す例においては、第族原子又は
第族原子の分布濃度Ｃは、位置tBから位置tTに
いたるまで、濃度C14から実質的にゼロとなるま
で一次関数的に減少する。 第２３図に示す例では、第族原子又は第族
原子の分布濃度Ｃは、位置tBから位置t5にいたる
まで濃度C15から濃度C16となるまで一次関数的に
減少し、位置tBから位置tTまでは濃度C16の一定値
を保つ。 最後に、第２４図に示す例では、第族原子又
は第族原子の分布濃度Ｃは、位置tBにおいて濃
度C17であり、位置tBから位置t6までは濃度C17か
らはじめゆつくり減少して、位置t6付近では急激
に減少し、位置t6では濃度C18となる。次に、位
置t6から位置t7までははじめのうちは急激に減少
し、その後は緩やかに徐々に減少し、位置t7にお
いては、濃度C19となる。更に位置7と位置8の間
では極めてゆつくりと徐々に減少し、位置t8にお
いて濃度C20となる。また更に、位置t8から位置tT
にいたるまでは、濃度C20から実質的にゼロとな
るまで徐々に減少する。 第１６図〜第２４図に示した例のごとく、第一
の層の支持体側に近い側に第族原子又は第族
原子の分布濃度Ｃの高い部分を有し、第二の層と
の界面側においては、該分布濃度Ｃがかなり低い
濃度の部分あるいは実質的にゼロに近い濃度の部
分を有する場合にあつては、支持体側に近い部分
に第族原子又は第族原子の分布濃度が比較的
高濃度である局在領域を設けること、好ましくは
該局在領域を支持体表面と接触する界面位置から
5μ以内に設けることにより、第族原子又は第
族原子の分布濃度が高濃度である層領域が電荷
注入阻止層を形成するという前述の作用効果がよ
り一層効率的に奏される。 以上、第族原子又は第族原子の分布状態に
ついて、個々に各々の作用効果を記述したが、所
望の目的を達成しうる特性を有する光受容部材を
得るについては、これらの第族原子又は第族
原子の分布状態および第一の層に含有せしめる第
族原子又は第族原子の量を、必要に応じて適
宜組み合わせて用いるものであることは、いうま
でもない。例えば、第一の層の支持体側の端部に
電荷注入阻止層を設けた場合、電荷注入阻止層以
外の第一の層中に、電荷注入阻止層に含有せしめ
た伝導性を制御する物質の極性とは別の極性の伝
導性を制御する物質を含有せしめてもよく、ある
いは、同極性の伝導性を制御する物質を、電荷注
入阻止層に含有される量よりも一段と少ない量に
して含有せしめてもよい。 さらに、本発明の光受容部材においては、支持
体側の端部に設ける構成層として、電荷注入阻止
層の代わりに、電気絶縁性材料から成るいわゆる
障壁層を設けることもでき、あるいは、該障壁層
と電荷注入阻止層との両方を構成層とすることも
できる。こうした障壁層を構成する材料として
は、Al2O3，SiO2，Si3N4等の無機電気絶縁材料
やポリカーボネート等の有機電気絶縁材料を挙げ
ることができる。 第二の層 本発明の光受容部材の第二の層１０３は、上述
の第一の層１０２上に設けられ、自由表面１０４
を有する層、すなわち表面層であり、酸素原子、
炭素原子又は窒素原子のうちの少なくともいずれ
か１つを均一な分布状態で含有するアモルフアス
シリコン〔以下、「ａ−Si（Ｏ，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，
Ｘ）」と表記する。〕で構成されている。 本発明の光受容部材に第二の層１０３を設ける
目的は、耐湿性、連続繰返し使用特性、電気的耐
圧性、使用環境特性、および耐久性を向上させる
ことにあり、これらの目的は、第二の層を構成す
るアモルフアス材料に、酸素原子、炭素原子又は
窒素原子のうち少なくともいずれか１つを含有せ
しめることにより達成される。 又、本発明の光受容部材においては、第一の層
１０２と第二の層１０３を構成するアモルフアス
材料の各々が、シリコン原子という共通した構成
原子を有しているので、第一の層１０２と第二の
層１０３との界面において化学的安定性が確保で
きる。 第二の層１０３中には、酸素原子、炭素原子及
び窒素原子を均一な分布状態で含有せしめるもの
であるが、これらの原子含有せしめる量の増加に
伴つて、前述の諸特性は向上する。しかし、多す
ぎると層品質が低下し、電気的および機械的特性
も低下する。こうしたことから、これらの原子の
含有量は、通常0.001〜90atomic％、好ましくは
１〜90atomic％、最適には10〜80atomic％とす
る。 第二の層にも、水素原子又はハロゲン原子の少
なくともいずれか一方を含有せしめることが望ま
しく、第二の層中に含有せしる水素原子（Ｈ）の
量、又はハロゲン原子（Ｘ）の量あるいは水素原
子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、通常１
〜40atomic％、好ましくは５〜30atomic％、最
適には５〜25atomic％とする。 第二の層１０３は、所望通りの特性が得られる
ように注意深く形成する必要がある。即ち、シリ
コン原子、および酸素原子、炭素原子及び窒素原
子の中から選ばれる少なくとも一種、あるいはさ
らに、水素原子又は／及びハロゲン原子を構成原
子とする物質は、各構成原子の含有量やその他の
作成条件によつて、形態は結晶状態から非晶質材
料までをとり、電気的物性は導電性から、半導電
性、絶縁性までを、さらに光電的性質は光導電的
性質から非光導電的性質までを、各々示すため、
目的に応じた所望の特性を有する第二の層１０３
を形成しうるように、各構成原子の含有量や作成
条件等を選ぶことが重要である。 例えば、第二の層１０３を電気的耐圧性の向上
を主たる目的として設ける場合には、第二の層１
０３を構成する非晶質材料は、使用条件下におい
て電気絶縁的挙動の顕著なものとして形成する。
又、第二の層１０３を連続的繰返し使用特性や使
用環境特性の向上を主たる目的として設ける場合
には、第二の層１０３を構成する非晶質材料は、
前述の電気的絶縁性の度合はある程度緩和する
が、照射する光に対してある程度の感度を有する
ものとして形成する。 また、本発明において、第二の層の層厚も本発
明の目的を効率的に達成するための重要な要因の
１つであり、所期の目的に応じて適宜決定される
ものであるが、該層に含有せしめる酸素原子、炭
素原子、窒素原子、ハロゲン原子、水素原子の
量、あるいは第二の層に要求される特性に応じて
相互的に有機的関連性の下に決定する必要があ
る。更に、生産性や量産性をも加味した経済性の
点においても考慮する必要もある。こうしたこと
から、第二の層の層厚は通常は３×10-3〜30μと
するが、より好ましくは４×10-3〜20μ、特に好
ましくは５×10-3μとする。 本発明の光受容部材は前記のごとき層構成とし
たことにより、前記したアモルフアスシリコンで
構成された光受容層を有する光受容部材の諸問題
の総てを解決でき、特に、可干渉性の単色光であ
るレーザー光を光源として用いた場合にも、干渉
現象による形成画像における干渉縞模様の現出を
顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を形成す
ることができる。 また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於
いて光感度が高く、また、特に長波長側の光感度
特性に優れているため殊に半導体レーザーとのマ
ツチングに優れ、且つ光応答が速く、さらに極め
て優れた電気的、光学的、光導電的特性、電気的
耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用光受容部材として適用させた
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて、耐光疲労、繰返し
使用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い高品質の画像を安定
して繰返し得ることができる。 次に本発明の光受容層の形成方法について説明
する。 本発明の光受容層を構成する非晶質材料はいず
れもグロー放電法、スパツタリング法、或いはイ
オンブレーテイング法等の放電現象を利用する真
空堆積法によつて行われる。これ等の製造法は、
製造条件、設備資本投下の負荷程度、製造規模、
作製される光受容部材に所望される特性等の要因
によつて適宜選択されて採用されるが、所望の特
性を有する光受容部材を製造するに当つての条件
の制御が比較的容易であり、シリコン原子と共に
炭素原子及び水素原子の導入を容易に行い得る等
のことからして、グロー放電法或いはスパツタリ
ング法が好適である。そして、グロー放電法とス
パツタリング法とを同一装置系内で併用して形成
してもよい。 例えば、グロー放電法によつて、ａ−Si（Ｈ，
Ｘ）で構成される層を形成するには、基本的には
シリコン原子（Si）を供給し得るSi供給用の原料
ガスと共に、水素原子（Ｈ）導入用の又は／及び
ハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が
減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内に
グロー放電法を生起させ、予め所定位置に設置し
た所定の支持体表面上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成
る層を形成する。 前記Si供給用の原料ガスとしては、SiH4，Si2
H6，Si4H10等のガス状態の又はガス化し得る水
素化硅素（シラン類）が挙げられ、特に、層形成
作業のし易さ、Si供給効率の良さ等の点で、
SiH4，Si2H6が好ましい。 また、前記ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
ては、多くのハロゲン化合物が挙げられ、例えば
ハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス
状態の又はガス化しうるハロゲン化合物が好まし
い。具体的にはフツ素、塩素、臭素、ヨウ素のハ
ロゲンガス、BrF，ClF，ClF3，BrF5，BrF3，
IF7，ICl，IBr等のハロゲン間化合物、および
SiF4，Si2F6，SiCl4，SiBr4等のハロゲン化硅素
等が挙げられる。上述のごときハロゲン化硅素の
ガス状態の又はガス化しうるものを用いる場合に
は、Si供給用の原料ガスを別途使用することなく
して、ハロゲン原子を含有するａ−Siで構成され
た層が形成できるので、特に有効である。 また、前記水素原子供給用の原料ガスとして
は、水素ガス、HF，HCl，HBr，HI等のハロゲ
ン化物、SiH4，Si2H6，Si3H6，Si4H10等の水素
化硅素、あるいはSiH2F2，SiH2I2，SiH2Cl2，
SiHCl3，SiH2Br2，SiHBr3等のハロゲン置換水
素化硅素等のガス状態の又はガス化しうるものを
用いることができ、これらの原料ガスを用いた場
合には、電気的あるいは光電的特性の制御という
点で極めて有効であるところの水素原子（Ｈ）の
含有量の制御を容易に行うことができるため、有
効である。そして、前記ハロゲン化水素又は前記
ハロゲン置換水素化硅素を用いた場合にはハロゲ
ン原子の導入と同時に水素原子（Ｈ）も導入され
るので、特に有効である。 反応スパツタリング法或いはイオンプレーテイ
ング法に依つてａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成る層を形
成するには、例えばスパツタリング法の場合に
は、ハロゲン原子を導入するについては、前記の
ハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む硅
素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプ
ラズマ雰囲気を形成してやればよい。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H2或いは前記したシ
ラン類等のガスをスパツタリング用の堆積室中に
導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれ
ばよい。 例えば、反応スパツタリング法の場合には、Si
ターゲツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス
及びH2ガスを必要に応じてHe，Ar等の不活性ガ
スも含めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を
形成し、前記Siターゲツトをスパツタリングする
ことによつて、支持体上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から
成る層を形成する。 グロー放電法によつてａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構
成される層を形成するには、シリコン原子（Si）
を供給しうるSi供給用の原料ガスと、ゲルマニウ
ム原子（Ge）を供給しうるGe供給用の原料ガス
と、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）を供給しうる水素原子（Ｈ）又は／及びハ
ロゲン原子（Ｘ）供給用の原料ガスを、内部を減
圧しうる堆積室内に所望のガス圧状態で導入し、
該堆積室内にグロー放電を生起せしめて、予め所
定位置に設置してある所定の支持体表面上に、ａ
−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成する。 Si供給用原料ガス、ハロゲン原子供給用の原料
ガス、及び水素原子供給用の原料ガスとなりうる
物質としては、前述のａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構成
される層を形成する場合に用いたものがそのまま
用いられる。 また、前記Ge供給用の原料ガスとなりうる物
質としては、GeH4，Ge2H6，Ge3H8，Ge4H10，
GeSH12，Ge6H14，Ge8H18，Ge9H20等のガス状
態の又はガス化しうる水素化ゲルマニウムを用い
ることができる。特に、層作成作業時の取扱い易
さ、Ge供給効率の良さ等の点から、GeH4，Ge2
H6、およびGe3H8が好ましい。 スパツタリング法によつてａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）
で構成される層を形成するには、シリコンから成
るターゲツトと、ゲルマニウムから成るターゲツ
トとの二枚を、あるいは、シリコンとゲルマニウ
ムからなるターゲツトを用い、これ等を所望のガ
ス雰囲気中でスパツタリングすることによつて行
なう。 イオンプレーテイング法を用いてａ−SiGe
（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成する場合には、
例えば、多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多
結晶ゲルマニウム又は単結晶ゲルマニウムとを
夫々蒸発源として蒸着ポートに収容し、この蒸発
源を抵抗加熱法あるいはエレクトロンビーム法
（E.B.法）等によつて加熱蒸発させ、飛翔蒸発物
を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過せしめるこ
とで行ない得る。 スパツタリング法およびイオンプレーテイング
法のいずれの場合にも、形成する層中にハロゲン
原子を含有せしめるには、前述のハロゲン化物又
はハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室
中に導入し、該ガスのプラズマ雰囲気を形成すれ
ばよい。又、水素原子を導入する場合には、水素
原子供給用の原料ガス、例えばH2あるいは前記
した水素化シラン類／及び水素化ゲルマニウム等
のガス類をスパツタリング用の堆積室内に導入し
てこれ等のガス類のプラズマ雰囲気を形成すれば
よい。さらにハロゲン原子供給用の原料ガスとし
ては、前記のハロゲン化物或いはハロゲンを含む
硅素化合物が有効なものとして挙げられるが、そ
の他に、HF，HCl，HBr，HI等のハロゲン化水
素、SiH2F2，SiH2I2，SiH2Cl2，SiHCl3，SiH2
Br2，SiHBr3等のハロゲン置換水素化硅素、およ
びGeHF3，GeH2F2，GeH3Ｆ，GeHCl3，GeH2
Cl2，GeH3Cl，GeHBr3，GeH2Br2，GeH3Br、
GeHI3，GeH2I2，GeH3Ｉ等の水素化ハロゲン化
ゲルマニウム等、GeF4，GeCl4，GeBr4，GeI4，
GeF2，GeCl2，GeBr2，GeI2等のハロゲン化ゲル
マニウム等々のガス状態の又はガス化しうる物質
も有効な出発物質として使用できる。 グロー放電法、スパツタリング法あるいはイオ
ンプレーテイング法を用いて、スズ原子を含有す
るアモルフアスシリコン（以下、「ａ−SiSn（Ｈ，
Ｘ）」と表記する。）で構成される光受容層を形成
するには、上述のａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構成され
る層の形成の際に、ゲルマニウム原子供給用の出
発物質を、スズ原子（Sn）供給用の出発物質に
かえて使用し、形成する層中へのその量を制御し
ながら含有せしめることによつて行なう。 前記スズ原子（Sn）供給用の原料ガスとなり
うる物質としては、水素化スズ（SnH4）や
SnF2，SnF4，SnCl2，SnCl4，SnBr2，SnBr4，
SnI2，SnI4等のハロゲン化スズ等のガス状態の又
はガス化しうるものを用いることができ、ハロゲ
ン化スズを用いる場合には、所定の支持体上にハ
ロゲン原子を含有するａ−Siで構成される層を形
成することができるので、特に有効である。なか
でも、層作成作業時の取扱い易さ、Sn供給効率
の良さ等の点から、SnCl4が好ましい。 そして、SnCl4をスズ原子（Sn）供給用の出発
物質として用いる場合、これをガス化するには、
固体状のSnCl4を加熱するとともに、Ar，He、
等の不活性ガスを吹き込み、該不活性ガスを用い
てパブリングするのが望ましく、こうして生成し
たガスを、内部を減圧にした堆積室内に所望のガ
ス圧状態で導入する。 グロー放電法、スパツタリング法、あるいはイ
オンプレーテイング法を用いてａ−Si（Ｈ，Ｘ）
又はａ−Si（Ge，Sn）（Ｈ，Ｘ）にさらに第族
原子又は第族原子を含有せしめた非晶質材料で
構成された層を形成するには、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）
又はａ−Si（Ge，Sn）（Ｈ，Ｘ）の層の形成の際
に、第族原子又は第族原子導入用の出発物質
を、前述したａ−Si（Ｈ，Ｘ）又はａ−Si（Ge，
Sn）（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質と共に使用し
て、形成する層中へのそれらの量を制御しながら
含有せしめてやることによつて行なう。 第族原子導入用の出発物質として具体的には
硼素原子導入用としては、B2H6，B4H10，B5
H9，B5H11，B6H10，B6H12，B6H14等の水素化
硼素、BF3，BCl3，BBr3等のハロゲン化硼素等
が挙げられる。この他、AlCl3，GaCl3，Ga
（CH3）2，InCl3，TlCl3等も挙げることができる。 第族原子導入用の出発物質として、具体的に
は燐素原子導入用としてはPH3，P2H4等の水素
化燐、PH4Ｉ，PF3，PF5，PCl3，PCl5，PBr3，
PBr5，PI3等のハロゲン化燐が挙げられる。この
他、AsH3，AsF3，AsCl3，AsBr3，AsF5，
SbH3，SbF3，SbF5，SbCl3，SbCl5，BCl3，
BBr3等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この
他、AlCl3，CaCl3，Ga（CH3）2，InCl3，TlCl3等
も挙げることができる。 第族原子導入用の出発物質として、具体的に
は燐原子導入用としてはPH3，P2H6等の水素化
燐、PH4Ｉ，PF3，PF5，PCl3，PCl5，PBr3，
PBr5，PI3等のハロゲン化燐が挙げられる。この
他、AsH3，AsF3，AsCl3，AsBr3，AsF5，
SbH3，SbF3，SbF5，SbCl3，SbCl5，BiH3，
BiCl3，BiBr5等も第族原子導入用の出発物質
の有効なものとして挙げることができる。 酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ば
れる少なくとも一種を、グロー放電法、スパツタ
リング法或いはイオンプレーテイング法を用い
て、第二の層１０３に含有せしめてａ−Si（Ｏ，
Ｃ，Ｎ）（Ｎ，Ｘ）で構成される層を形成するに
ついては、前述の第一の層を形成する場合と同様
にして行われる。 例えば酸素原子を含有する層又は層領域をグロ
ー放電法により形成するには、シリコン原子
（Si）を構成原子とする原料ガスと、酸素原子
（Ｏ）を構成原子とする原料ガスと、必要に応じ
て水素原子（Ｈ）又は及びハロゲン原子（Ｘ）を
構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合
して使用するか、又は、シリコン原子（Si）を構
成原子とする原料ガスと、酸素原子（Ｏ）及び水
素原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、こ
れも又所望の混合比で混合するか、或いは、シリ
コン原子（Si）を構成原子とする原料ガスと、シ
リコン原子（Si）、酸素原子（Ｏ）及び水素原子
（Ｈ）の３つを構成原子とする原料ガスとを混合
して使用することができる。 又、別には、シリコン原子（Si）と水素原子
（Ｈ）とを構成原子とする原料ガスに酸素原子
（Ｏ）を構成原子とする原料ガスを混合して使用
してもよい。 そのような酸素原子導入用の出発物質としては
酸素原子を構成原子とするガス状態の又はガス化
しうる物質をガス化したものであれば、いずれの
ものであつてもよい。 酸素原子導入用の出発物質としては具体的に
は、例えば酸素（O2）、オゾン（O3）、一酸化窒
素（NO）、二酸化窒素（NO2）、一二酸化窒素
（N2Ｏ）、三二酸化窒素（N2O3）、四二酸化窒素
（N2O4）、五二酸化窒素（N2O5）、三酸化窒素
（NO3）、シリコン原子（Si）と酸素原子（Ｏ）と
水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えば、ジ
シロキサン（H3SiOSiH3）、トリシロキサン（H3
SiOSiH2OSiH3）等の低級シロキサン等を挙げる
ことができる。 スパツタリング法によつて、酸素原子を含有す
る層を形成するには、単結晶又は多結晶のSiウエ
ーハ又はSiO2ウエーハ、又はSiとSiO2が混合さ
れて含有されているウエーハをターゲツトとし
て、これ等を種々のガス雰囲気中でスパツタリン
グすることによつて行えばよい。 例えば、Siウエーハをターゲツトとして使用す
るば、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及
びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツタリング用
の堆積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズ
マを形成して前記Siウエーハをスパツタリングす
ればよい。 又、別には、SiとSiO2とは別々のターゲツト
として、又はSiとSiO2の混合した一つのターゲ
ツトを使用することによつて、スパツタリング用
のガスとしての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なく
とも水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）を構成原子として含有するガス雰囲気中で
スパツタリングすることによつて成される。酸素
原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー
放電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用
の原料ガスが、スパツタリングの場合にも有効な
ガスとして使用できる。 また、例えば炭素原子を含有する第二の層をグ
ロー放電法により形成するには、シリコン原子
（Si）を構成原子とする原料ガスと、炭素原子
（Ｃ）を構成原子とする原料ガスと、必要に応じ
て水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）
を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混
合して使用するか、又はシリコン原子（Si）を構
成原子とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）及び水
素原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、こ
れも又所望の混合比で混合するか、或いはシリコ
ン原子（Si）を構成原子とする原料ガスと、シリ
コン原子（Si）、炭素原子（Ｃ）及び水素原子
（Ｈ）を構成原子とする原料ガスを混合するか、
更にまた、シリコン原子（Si）と水素原子（Ｈ）
を構成原子とする原料ガスと炭素原子（Ｃ）を構
成原子とする原料ガスを混合して使用する。 このような原料ガスとして有効に使用されるの
は、SiとＨとを構成原子とするSiH4，Si2H6，
Si3H8，Si4H10等のシラン（Silane）類等の水素
化硅素ガス、ＣとＨとを構成原子とする、例えば
炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエ
チレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系
炭化水素等が挙げられる。 具体的には、飽和炭化水素としては、メタン
（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン（C3H8）、ｎ
−プタン（ｎ−C4H10）、ペンタン（C5H12）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C2H4）、
プロピレン（C3H6）、プテン−１（C4H8）、ブテ
ン−２（C4H8）、イソブチレン（C4H8）、ペンテ
ン（C5H10）、アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C2H2）、メチルアセチレン（C3
H4）、ブチン（C4H6）等が挙げられる。 SiとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとして
は、Si（CH3）4，Si（C2H5）4等のケイ化アルキルを
挙げることができる。これ等の原料ガスの他、Ｈ
導入用の原料ガスとしては勿論H2も使用できる。 スパツタリング法によつてａ−SiC（Ｈ，Ｘ）
で構成される第二の層を形成するには、多結晶又
は多結晶のSiウエーハ又はＣ（グラフアイト）ウ
エーハ、又はSiとＣが混合されて含有されている
ウエーハをターゲツトとして、これ等を所望のガ
ス雰囲気中でスパツタリングすることによつて行
う。 例えばSiウエーハをターゲツトとして使用する
場合には、炭素原子、および水素原子又は／及び
ハロゲン原子を導入するための原料ガスを、必要
に応じてAr，He等の希釈ガスで稀釈して、スパ
ツタリング用の堆積室内に導入し、これ等のガス
のガスプラズマを形成してSiウエーハをスパツタ
リングすればよい。 又、SiとＣとは別々のターゲツトとするか、あ
るいはSiとＣの混合した１枚のターゲツトとして
使用する場合には、スパツタリング用のガスとし
て水素原子又は／及びハロゲン原子導入用の原料
ガスを、必要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパ
ツタリング用の堆積室内に導入し、ガスプラズマ
を形成してスパツタリングすればよい。該スパツ
タリング法に用いる各原子の導入用の原料ガスと
しては、前述のグロー放電法に用いる原料ガスが
そのまま使用できる。 更に、例えば窒素原子を含有するアモルフアス
シリコンで構成される第二の層をグロー放電法に
より形成するには、シリコン原子（Si）を構成原
子とする原料ガスと、窒素原子（Ｎ）を構成原子
とする原料ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子とする
原料ガスとを所望の混合比で混合して使用する
か、又は、シリコン原子（Si）を構成原子とする
原料ガスと、窒素原子（Ｎ）及び水素原子（Ｈ）
を構成原子とする原料ガスとを、これも又は所望
の混合比で混合するかして使用することができ
る。 又、別には、シリコン原子（Si）と水素原子
（Ｈ）とを構成原子とする原料ガスに窒素原子
（Ｎ）を構成原子とする原料ガスを混合して使用
してもよい。 その様な窒素原子導入用の出発物質としては、
少なくとも窒素原子を構成原子とするガス状の物
質又はガス化し得る物質をガス化したものであれ
ば、いずれのものであつてもよい。 窒素原子導入用の出発物質としては、具体的に
は、窒素原子を構成原子とするかあるいは窒素原
子と水素原子を構成原子とする、窒素（N2），ア
ンモニア（NH3）、ヒドラジン（H2NNH2）、ア
ジ化水素（HN3）、アジ化アンモニウム（NH4
N3）等の窒素、窒化物及びアジ化物等の窒素化
合物を挙げることができる。この他に、三弗化窒
素（F3Ｎ）、四弗化窒素（F4N2）等のハロゲン化
窒素化合物を挙げることができ、これらのハロゲ
ン化窒素化合物を用いる場合、窒素原子（Ｎ）の
導入に加えて、ハロゲン原子（Ｘ）導入もでき
る。 スパツタリング法によつて、窒素原子を含有す
る層領域を形成するには、単結晶又は多結晶のSi
ウエーハ又はSi3N4ウエーハ、又はSiとSi3N4が
混合されて含有されているウエーハをターゲツト
として、これ等を種々のガス雰囲気中でスパツタ
リングすることによつて行えばよい。 例えば、Siウエーハをターゲツトとして使用す
れば、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及
びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツタリング用
の堆積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズ
マを形成して前記Siウエーハをスパツタリングす
ればよい。 又、別には、SiとSi3N4とは別々のターゲツト
として、又はSiとSi3N4の混合した一枚ターゲツ
トを使用することによつて、スパツタリング用の
ガスとしての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくと
も水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）
を構成原子として含有するガス雰囲気中でスパツ
タリングすることによつて成される。窒素原子導
入用の原料ガスとしては、先述したグロー放電の
例で示した原料ガスの中の窒素原子導入用の原料
ガスが、スパツタリングの場合にも有効なガスと
して使用できる。 以上記述したように、本発明の光受容部材の光
受容層は、グロー放電法、スパツタリング法等を
用いて形成するが、光受容層に含有せしめて第
族原子又は第族原子、酸素原子、炭素原子又は
窒素原子、あるいは水素原子又は／及びハロゲン
原子の各々の含有量の制御は、堆積室内へ流入す
る、各々の原子供給用出発物質のガス流量あるい
は各々の原子供給用出発物質間のガス流量比を制
御することにより行われる。 また、第一の層および第二の層形成時の支持体
温度、堆積室内のガス圧、放電パワー等の条件
は、所望の特性を有する光受容部材を得るために
は重要な要因であり、形成する層の機能に考慮を
はらつて適宜選択されるものである。さらに、こ
れらの層形成条件は、第一の層および第二の層に
含有せしめる上記の各原子の種類及び量によつて
も異なることもあることから、含有せしめる原子
の種類あるいはその量等にも考慮をはらつて決定
する必要もある。 具体的にはａ−Si（Ｈ，Ｘ）からなる層、ある
いは第族原子又は第族原子、または酸素原
子、炭素原子、窒素原子を含有せしめたａ−Si
（Ｈ，Ｘ）からなる光受容層を形成する場合には、
支持体温度は、通常50〜350℃とするが、特に好
ましくは50〜250℃とする。堆積室内のガス圧は、
通常0.01〜1Torrとするが、特に好ましくは0.1〜
0.5Torrとする。また、放電パワーは0.005〜
50W／cm3とするのが通常であるが、より好ましく
は0.01〜30W／cm3、特に好ましくは0.01〜20W／
cm3とする。 ａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成する場
合、あるいは第族原子又は第族原子を含有せ
しめたａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成する
場合については、支持体温度は、通常50〜350℃
とするが、より好ましくは50〜300℃、特に好ま
しくは100〜300℃とする。そして、堆積室内のガ
ス圧は、通常0.01〜5Torrとするが、好ましく
は、0.001〜3Torrとし、特に好ましくは0.1〜
1Torrとする。また、放電パワーは0.005〜
50W／cm3とするのが通常であるが、好ましくは
0.01〜30W／cm3とし、特に好ましくは0.01〜
20W／cm3とする。 しかし、これらの、層形成を行うについての支
持体温度、放電パワー、堆積室内のガス圧の具体
的条件は、通常には個々に独立しては容易には決
め難いものである。したがつて、所望の特性の非
晶質材料層を形成すべく、相互的且つ有機的関連
性に基づいて、層形成の至適条件を決めるのが望
ましい。 ところで、本発明の光受容層に含有せしめるゲ
ルマニウム原子又は／及びスズ原子、酸素原子、
炭素原子又は窒素原子、第族原子又は第族原
子、あるいは水素原子又は／及びハロゲン原子の
分布状態を均一とするためには、感光層を形成す
るに際して、前記の諸条件を一定に保つことが必
要である。 また、本発明において、光受容層の形成の際
に、該層中に含有せしめるゲルマニウム原子又
は／及びスズ原子、あるいは第族原子又は第
族原子の分布濃度を層厚方向に変化させて所望の
層厚方向の分布状態を有する層を形成するには、
グロー放電法を用いる場合であれば、ゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子、あるいは第族原子
又は第族原子導入用の出発物質のガスの堆積室
内に導入する際のガス流量を、所望変化率に従つ
て適宜変化させ、その他の条件を一定に保ちつつ
形成する。そして、ガス流量を変化させるには、
具体的には、例えば手動あるいは外部駆動モータ
等の通常用いられている何らかの方法により、ガ
ス流路系の途中に設けられた所定のニードルバル
ブの開口を漸次変化させる操作を行えばよい。こ
のとき、流量の変化率は線型である必要はなく、
例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計され
た変化率曲線に従つて流量を制御し、所望の含有
率曲線を得ることもできる。 また、光受容層をスパツタリング法を用いて形
成する場合、ゲルマニウム原子又はスズ原子ある
いは第族原子又は第族原子の層厚方向の分布
濃度を層厚方向で変化させて所望の層厚方向の分
布状態を形成するには、グロー放電法を用いた場
合と同様に、ゲルマニウム原子又はスズ原子、あ
るいは第族原子又は第族原子導入用の出発物
質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室内へ導入
する際のガス流量を所望の変化率に従つて変化さ
せる。 〔実施例〕 以下、本発明を実施例１乃至11に従つて、より
詳細に説明するが、本発明はこれ等によつて限定
されるものではない。 各実施例においては、光受容層をグロー放電法
を用いて形成した。第２５図はグロー放電法によ
る本発明の光受容部材の製造装置である。 図中の２５０２，２５０３，２５０４，２５０
５，２５０６のガスボンベには、本発明の夫々の
層を形成するための原料ガスが密封されており、
その１例として、たとえば、２５０２はSiF4ガス
（純度99.999％）ボンベ、２５０３はH2で稀釈さ
れたB2H4ガス（純度99.999％、以下B2H4／Ｈと
略す。）ボンベ、２５０４はCH4ガス（純度
99.999％）ボンベ、２５０５はGeF4ガス（純度
99.999％）ボンベ、２５０６は不活性ガス（He）
ボンベである。そして、２５０６′はSnCl4が入
つた密閉容器である。 これらのガスを反応室２５０１に流入させるに
はガスボンベ２５０２〜２５０６のバルブ２５２
２〜２５２６、リークバルブ２５３５が閉じられ
ていることを確認し又、流入バルブ２５１２〜２
５１６、流出バルブ２５１７〜２５２１、補助バ
ルブ２５３２，２５３３が開かれていることを確
認して、先ずメインバルブ２５３４を開いて反応
室２５０１、ガス配管内を排気する。次に真空
Alシリンダー２５３７上に第一の層および第二
の層を形成する場合の一例を以下に記載する。 まず、ガスボンベ２５０２よりSiF4ガス、ガス
ボンベ２５０３よりB2H6／H2ガス、ガスボンベ
２５０５よりGeF4ガスの夫々をバルブ２５２２，
２５２３，２５２５を開いて出口圧ゲージ２５２
７，２５２８，２５３０の圧を１Kg／cm2に調製
し、流入バルブ２５１２，２５１３，２５１５を
徐々に開けて、マスフロコントローラ２５０７，
２５０８，２５１０内に流入させる。引き続いて
流入バルブ２５１７，２５１８，２５２０補助バ
ルブ２５３２を徐々に開いてガスを反応室２５０
１内に流入させる。このときのSiF4ガス流量、
GeF4ガス流量、B2H6／H2ガス流量の比が所望の
値になるように流出バルブ２５１７，２５１８，
２５２０を調整し、又、反応室２５０１内の圧力
が所望の値になるように真空計２５３６の読みを
見ながらメインバルブ２５３４の開口を調整す
る。そして基体シリンダー２５３７の温度が加熱
ヒーター２５３８により50〜400℃の範囲の温度
に設定されていることを確認された後、電源２５
４０を所望の電力に設定して反応室２５０１内に
グロー放電を生起せしめるとともに、マイクロコ
ンピユーター（図示せず）を用いて、あらかじめ
設計された流量変化率線に従つて、SiF4ガス、
GeF4ガス及びB2H6／H2ガスのガス流量を制御し
ながら、基体シリンダー２５３７上に先ず、シリ
コン原子、ゲルマニウム原子及び硼素原子を含有
する層１０２′を形成する。所望の層厚に層１０
２′が形成された段階において、流出バルブ２５
１８，２５２０を完全に閉じ、必要に応じて放電
条件をかえる以外は同様の手順に従つてグロー放
電を続けることにより層１０２′の上に、ゲルマ
ニウム原子を実質的に含有しない層１０２″を形
成することができる。 こうして層１０２′と層１０２″を支持体側から
順に有する第一の層１０２を形成したのち、第一
の層１０２の上に第二の層１０３を形成するに
は、上記の同様の操作により、例えば、SiF4ガス
及びCH4ガスの夫々を、必要に応じてHe，Ar，
H2等の稀釈ガスで稀釈して、所望のガス流量で
反応室１６０１内に流入し、所望の条件に従つ
て、第二の層を堆積させる。 夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バル
ブ以外の流出バルブは全て閉じることは言うまで
もなく、又夫々の層を形成する際、前層の形成に
使用したガスが反応室２５０１内、流出バルブ２
５１７〜２５２１から反応室２５０１内に至るガ
ス配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ２５１７〜２５２１を閉じ補助バルブ２５３
２，２５３３を開いてメインバルブ２５３４を全
開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要に
応じて行う。 また、第一の層中にスズ原子を含有せしめる場
合にあつて、原料ガスとしてSnCl4を出発物質と
したガスを用いる場合には、２５０６′に入れら
れた固体状SnCl4を加熱手段（図示せず）を用い
て加熱するとともに、該SnCl4中にAr，He等の
不活性ガスボンベ２５０６よりAr，He等の不活
性ガスを吹き込み、パブリングする。発生した
SnCl4のガスは、前述のSiF4ガス、GeF4ガス及び
B2H6／H2ガス等と同様の手順により反応室内に
流入させる。 試験例 径２mmのSUSステンレス製剛体真球を用い、
前述の第６図に示した装置を用い、アルミニウム
合金製シリンダー（径60mm、長さ298mm）の表面
を処理し、凹凸を形成させた。 真球の径R′、落下高さｈと痕跡窪みの曲率Ｒ、
幅Ｄとの関係を調べたところ、痕跡窪みの曲率Ｒ
と幅Ｄとは、真球の径R′と落下高さｈ等の条件
により決められることが確認された。また、痕跡
窪みのピツチ（痕跡窪みの密度、また凹凸のピツ
チ）は、シリンダーの回転速度、回転数乃至は剛
体真球の落下量等を制御して所望のピツチに調整
することができることが確認された。 実施例 １ 試験例と同様にアルミニウム合金製シリンダー
の表面を処理し、第1A表上欄に示すＤ、及びＤ／Ｒ を有するシリンダー状Al支持体（シリンダーNo.
101〜106）を得た。 次に該Al支持体（シリンダーNo.101〜106）上
に、以下の第1B表に示す条件で、第２５図に示
した製造装置により光受容層を形成した。 これらの光受容部材については、第２６図に示
す画像露光装置を用い、波長780mm、スポツト径
80μｍのレーザー光を照射して画像露光を行な
い、現像、転写を行なつて画像を得た。得られた
画像の干渉縞の発生状況は第1A表下欄に示すと
おりであつた。 なお、第２６Ａ図は露光装置の全体を模式的に
示す平面略図であり、第２６Ｂ図は露光装置の全
体を模式的に示す側面略図である。図中、２６０
１は光受容部材、２６０２は半導体レーザー、２
６０３はfθレンズ、２６０４はポリゴンミラーを
示している。 次に、比較として、従来のダイヤモンドバイト
により表面処理されたアルミニウム合金製シリン
ダー（No.７）（径60mm、長さ298mm、凹凸ピツチ
100μｍ、凹凸の深さ3μｍ）を用いて、前述と同
様にして光受容部材を作製した。得られた光受容
部材を電子顕微鏡で観察したところ、支持体表面
と光受容層の層界面及び光受容層の表面とは平行
をなしていた。この光受容部材を用いて、前述と
同様にして画像形成をおこない、得られた画像に
ついて前述と同様の評価を行なつた。その結果
は、第1A表下欄に示すとおりであつた。
【表】
×…実用不能、△…実用上可、○…実用
性良好、◎…実用性特に良好
性良好、◎…実用性特に良好
【表】
実施例 ２
第2B表に示す層形成条件に従つて光受容層を
形成した以外はすべて実施例１と同様にして、
Al支持体（シリンダーNo.101〜107）上に光受容
層を形成した。なお、第一の層形成時における
SiF4ガス及びGeF4ガスのガス流量は第２７図に
示す流量変化線に従つて、マイクロコンピユータ
ー制御により、自動的に調整した。 得られた光受容部材について、実施例１と同様
にして画像を形成したところ、得られた画像にお
ける干渉縞の発生状況は、第2A表下欄に示すと
おりであつた。
形成した以外はすべて実施例１と同様にして、
Al支持体（シリンダーNo.101〜107）上に光受容
層を形成した。なお、第一の層形成時における
SiF4ガス及びGeF4ガスのガス流量は第２７図に
示す流量変化線に従つて、マイクロコンピユータ
ー制御により、自動的に調整した。 得られた光受容部材について、実施例１と同様
にして画像を形成したところ、得られた画像にお
ける干渉縞の発生状況は、第2A表下欄に示すと
おりであつた。
【表】
×…実施不能、△…実用上可、○…実用
性良好、◎…実用性特に良好
性良好、◎…実用性特に良好
【表】
実施例 ３〜11
実施例１のAl支持体（シリンダーNo.103〜106）
上に、第３〜11表に示す層形成条件に従つて光受
容層を形成した以外はすべて実施例１と同様にし
て光受容部材を作製した。なお、実施例３〜11に
おいて、第一の層形成時における使用ガスの流量
は、各々、第２８〜３６図に示す流量変化線に従
つて、マイクロコンピユーター制御により自動的
に調整した。 得られた光受容部材について、実施例１と同様
にして画像形成をおこなつた。 得られた画像は、いずれも干渉縞の発生が観察
されず、そして極めて良質のものであつた。
上に、第３〜11表に示す層形成条件に従つて光受
容層を形成した以外はすべて実施例１と同様にし
て光受容部材を作製した。なお、実施例３〜11に
おいて、第一の層形成時における使用ガスの流量
は、各々、第２８〜３６図に示す流量変化線に従
つて、マイクロコンピユーター制御により自動的
に調整した。 得られた光受容部材について、実施例１と同様
にして画像形成をおこなつた。 得られた画像は、いずれも干渉縞の発生が観察
されず、そして極めて良質のものであつた。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
本発明の光受容部材は前記のごとき層構成とし
たことにより、前記したアモルフアスシリコンで
構成された光受容層を有する光受容部材の諸問題
の総てを解決でき、特に、可干渉性の単色光であ
るレーザー光を光源として用いた場合にも、干渉
現象による形成画像における干渉縞模様の現出を
顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を形成す
ることができる。 また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於
いて光感度が高く、また、特に長波長側の光感度
特性に優れているため殊に半導体レーザーとのマ
ツチングに優れ、且つ光応答が速く、さらに極め
て優れた電気的、光学的、光導電的特性、電気的
耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用光受容部材として適用させた
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて、耐光疲労、繰返し
使用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い高品質の画像を安定
して繰返し得ることができる。
たことにより、前記したアモルフアスシリコンで
構成された光受容層を有する光受容部材の諸問題
の総てを解決でき、特に、可干渉性の単色光であ
るレーザー光を光源として用いた場合にも、干渉
現象による形成画像における干渉縞模様の現出を
顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を形成す
ることができる。 また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於
いて光感度が高く、また、特に長波長側の光感度
特性に優れているため殊に半導体レーザーとのマ
ツチングに優れ、且つ光応答が速く、さらに極め
て優れた電気的、光学的、光導電的特性、電気的
耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用光受容部材として適用させた
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて、耐光疲労、繰返し
使用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い高品質の画像を安定
して繰返し得ることができる。
第１図は本発明の光受容部材の一例を模式的に
示した図であり、第２及び３図は、本発明の光受
容部材における干渉縞の発生の防止の原理を説明
するための部分拡大図であり、第２図は、支持体
表面に球状痕跡窪みによる凹凸が形成された光受
容部材において、干渉縞の発生が防止しうること
を示す図、第３図は、従来の表面を規則的に荒ら
した支持体上に光受容層を堆積させた光受容部材
において、干渉縞が発生することを示す図であ
る。第４及び５図は、本発明の光受容部材の支持
体表面の凹凸形状及び該凹凸形状を作製する方法
を説明するための模式図である。第６図は、本発
明の光受容部材の支持体に設けられる凹凸形状を
形成するのに好適な装置の一構成例を模式的に示
す図であつて、第６Ａ図は正面図、第６Ｂ図は縦
断面図である。第７〜１５図は、本発明の光受容
層におけるゲルマニウム原子又はスズ原子の層厚
方向の分布状態を表わす図であり、第１６〜２４
図は、本発明の第一の層における第族原子又は
第族原子の層厚方向の分布状態を表わす図であ
り、各図において、縦軸は光受容層の層厚を示
し、横軸は各原子の分布濃度を表わしている。第
２５図は、本発明の光受容部材の光受容層を製造
するための装置の一例で、グロー放電法による製
造装置の模式的説明図である。第２６図はレーザ
ー光による画像露光装置を説明する図である。第
２７乃至３６図は、本発明の第一の層形成におけ
るガス流量の変化状態を示す図であり、縦軸は光
受容層の層厚、横軸は使用ガスのガス流量を示し
ている。 第１句至第３図について、１００……光受容部
材、１０１……支持体、１０２，２０１，３０１
……第一の層、１０２′……ゲルマニウム原子ま
たはスズ原子の少なくともいずれか一方を含有す
る層、１０２″……ゲルマニウム原子およびスズ
原子のいずれも含有しない層、１０３，２０２，
３０２……第二の層、１０４，２０３，３０３…
…自由表面、２０４，３０４……第一の層と第二
の層との界面、第４，５図について、４０１，５
０１……支持体、４０２，５０２……支持体表
面、４０２，５０３，５０３′……剛体真球、４
０４，５０４……球状窪み、第６図について、６
０１……シリンダー、６０２……回転軸、６０３
……駆動手段、６０４……落下装置、６０５……
剛体真球、６０６……ボールフイーダー、６０７
……駆動機、６０８……回収槽、６０９……ボー
ル送り装置、６１０……洗浄装置、６１１……洗
浄液だめ、６１２……洗浄液回収槽、６１３……
落下口、第２５図について、２５０１……反応
室、２５０２〜２５０６……ガスボンベ、２５０
６′……SnCl4用密閉容器、２５０７〜２５１１
……マスフロコントローラ、２５１２〜２５１６
……流入バルブ、２５１７〜２５２１……流出バ
ルブ、２５２２〜２５２６……バルブ、２５２７
〜２５３１……圧力調整器、２５３２，２５３３
……補助バルブ、２５３４……メインバルブ、２
５３５……リークバルブ、２５３６……真空計、
２５３７……基体シリンダー、２５３８……加熱
ヒーター、２５３９……モーター、２５４０……
高周波電源、第２６図について、２６０１……光
受容部材、２６０２……半導体レーザー、２６０
３……fθレンズ、２６０４……ポリゴンミラー。
示した図であり、第２及び３図は、本発明の光受
容部材における干渉縞の発生の防止の原理を説明
するための部分拡大図であり、第２図は、支持体
表面に球状痕跡窪みによる凹凸が形成された光受
容部材において、干渉縞の発生が防止しうること
を示す図、第３図は、従来の表面を規則的に荒ら
した支持体上に光受容層を堆積させた光受容部材
において、干渉縞が発生することを示す図であ
る。第４及び５図は、本発明の光受容部材の支持
体表面の凹凸形状及び該凹凸形状を作製する方法
を説明するための模式図である。第６図は、本発
明の光受容部材の支持体に設けられる凹凸形状を
形成するのに好適な装置の一構成例を模式的に示
す図であつて、第６Ａ図は正面図、第６Ｂ図は縦
断面図である。第７〜１５図は、本発明の光受容
層におけるゲルマニウム原子又はスズ原子の層厚
方向の分布状態を表わす図であり、第１６〜２４
図は、本発明の第一の層における第族原子又は
第族原子の層厚方向の分布状態を表わす図であ
り、各図において、縦軸は光受容層の層厚を示
し、横軸は各原子の分布濃度を表わしている。第
２５図は、本発明の光受容部材の光受容層を製造
するための装置の一例で、グロー放電法による製
造装置の模式的説明図である。第２６図はレーザ
ー光による画像露光装置を説明する図である。第
２７乃至３６図は、本発明の第一の層形成におけ
るガス流量の変化状態を示す図であり、縦軸は光
受容層の層厚、横軸は使用ガスのガス流量を示し
ている。 第１句至第３図について、１００……光受容部
材、１０１……支持体、１０２，２０１，３０１
……第一の層、１０２′……ゲルマニウム原子ま
たはスズ原子の少なくともいずれか一方を含有す
る層、１０２″……ゲルマニウム原子およびスズ
原子のいずれも含有しない層、１０３，２０２，
３０２……第二の層、１０４，２０３，３０３…
…自由表面、２０４，３０４……第一の層と第二
の層との界面、第４，５図について、４０１，５
０１……支持体、４０２，５０２……支持体表
面、４０２，５０３，５０３′……剛体真球、４
０４，５０４……球状窪み、第６図について、６
０１……シリンダー、６０２……回転軸、６０３
……駆動手段、６０４……落下装置、６０５……
剛体真球、６０６……ボールフイーダー、６０７
……駆動機、６０８……回収槽、６０９……ボー
ル送り装置、６１０……洗浄装置、６１１……洗
浄液だめ、６１２……洗浄液回収槽、６１３……
落下口、第２５図について、２５０１……反応
室、２５０２〜２５０６……ガスボンベ、２５０
６′……SnCl4用密閉容器、２５０７〜２５１１
……マスフロコントローラ、２５１２〜２５１６
……流入バルブ、２５１７〜２５２１……流出バ
ルブ、２５２２〜２５２６……バルブ、２５２７
〜２５３１……圧力調整器、２５３２，２５３３
……補助バルブ、２５３４……メインバルブ、２
５３５……リークバルブ、２５３６……真空計、
２５３７……基体シリンダー、２５３８……加熱
ヒーター、２５３９……モーター、２５４０……
高周波電源、第２６図について、２６０１……光
受容部材、２６０２……半導体レーザー、２６０
３……fθレンズ、２６０４……ポリゴンミラー。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 支持体上に、シリコン原子と、ゲルマニウム
原子又はスズ原子の少なくとも一方とを含有する
非晶質材料で構成された第一の層と、シリコン原
子と、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から
選ばれる少なくとも一種を含有する非晶質材料で
構成された第二の層とを有する光受容層を備えた
光受容層であつて、前記第一の層が、ゲルマニウ
ム原子又はスズ原子の少なくとも一方を含有する
層イと、ゲルマニウム原子及びスズ原子のいずれ
も含有しない層ロとを支持体側から順に有する多
層構成とされ、前記支持体の表面が、窪みの幅Ｄ
が500μｍ以下で窪みの曲率半径Ｒと幅Ｄとが
0.035≦Ｄ／Ｒとされた複数の球状痕跡窪みによ
る凹凸を有することを特徴とする光受容部材。 ２ 前記第二の層が、前記酸素原子、炭素原子及
び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種を層
厚方向に均一な分布状態で含有する特許請求の範
囲第１項に記載の光受容部材。 ３ 前記光受容層が、周期律表第族または第
族に属する原子を含有している、特許請求の範囲
第１項に記載の光受容部材。 ４ 前記光受容部層が、周期律表第族または第
族に属する原子を含有する電荷注入防止層を構
成層の１つとして有する、特許請求の範囲第１項
に記載の光受容部材。 ５ 前記光受容層が、構成層の１つとして障壁層
を有する、特許請求の範囲第１項に記載の光受容
部材。 ６ 前記球状痕跡窪みによる凹凸が同一の曲率半
径である、特許請求の範囲第１項に記載の光受容
部材。 ７ 前記球状痕跡窪みによる凹凸が、ほぼ同一の
曲率半径及び幅の窪みにより形成されている特許
請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 ８ 前記支持体が、金属体である特許請求の範囲
第１項に記載の光受容部材。 ９ 前記光受容層に含有される周期律表第族ま
たは族に属する原子の分布濃度が、支持体側で
比較的高濃度とされ、第二の層側で支持体側に較
べてかなり低いあるいは実質的にゼロに近い濃度
で層厚方向に不均一に分布されている特許請求の
範囲第３項に記載の光受容部材。 １０ 前記層イに含有されるゲルマニウム原子又
はスズ原子の分布濃度が、支持体側で比較的高濃
度とされ、前記ゲルマニウム原子及びスズ原子の
いずれも含有しない層ロ側で支持体側に較べかな
り低い濃度で層厚方向に不均一に分布されている
特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。 １１ 前記第二の層に含有される酸素原子、炭素
原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一
種の原子の分布濃度が、支持体側で比較的高濃度
とされ、該第二の層の表面側で支持体側に較べて
かなり低い濃度あるいは実質的にゼロに近い濃度
で層厚方向に不均一に分布されている特許請求の
範囲第１項に記載の光受容部材。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22446185A JPS6283759A (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | 光受容部材 |
| US06/911,355 US4808504A (en) | 1985-09-25 | 1986-09-24 | Light receiving members with spherically dimpled support |
| AU63094/86A AU596374B2 (en) | 1985-09-25 | 1986-09-24 | Light receiving members |
| CA000519011A CA1278452C (en) | 1985-09-25 | 1986-09-24 | Support with spherical dimples for light receiving layer having a-si(ge,sn) (h,x) and a-si(h,x) layers |
| EP86307388A EP0239694B1 (en) | 1985-09-25 | 1986-09-25 | Light receiving members |
| DE8686307388T DE3678713D1 (de) | 1985-09-25 | 1986-09-25 | Lichtempfindliches element. |
| AT86307388T ATE62555T1 (de) | 1985-09-25 | 1986-09-25 | Lichtempfindliches element. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22446185A JPS6283759A (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | 光受容部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6283759A JPS6283759A (ja) | 1987-04-17 |
| JPH0476105B2 true JPH0476105B2 (ja) | 1992-12-02 |
Family
ID=16814143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22446185A Granted JPS6283759A (ja) | 1985-09-25 | 1985-10-08 | 光受容部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6283759A (ja) |
-
1985
- 1985-10-08 JP JP22446185A patent/JPS6283759A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6283759A (ja) | 1987-04-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4740440A (en) | Amorphous silicon multilayered photosensitive element containing spherical-dimpled substrate surface | |
| JPH0476105B2 (ja) | ||
| US4808504A (en) | Light receiving members with spherically dimpled support | |
| JPH0476106B2 (ja) | ||
| JPH0476473B2 (ja) | ||
| JPH0476476B2 (ja) | ||
| JPH0513513B2 (ja) | ||
| JPH0476474B2 (ja) | ||
| JPH0476475B2 (ja) | ||
| JPH0690531B2 (ja) | 光受容部材 | |
| JPH0668629B2 (ja) | 光受容部材 | |
| JPH0476104B2 (ja) | ||
| JPH0668633B2 (ja) | 光受容部材 | |
| JPH0668631B2 (ja) | 光受容部材 | |
| JPH0668630B2 (ja) | 光受容部材 | |
| JPH0668632B2 (ja) | 光受容部材 | |
| JPH0690530B2 (ja) | 光受容部材 | |
| JPH0690529B2 (ja) | 光受容部材 | |
| JPH0690528B2 (ja) | 光受容部材 | |
| JPH0719070B2 (ja) | 光受容部材 | |
| JPH0668636B2 (ja) | 光受容部材 | |
| JPH0690534B2 (ja) | 光受容部材 | |
| JPH0476103B2 (ja) | ||
| JPH0235300B2 (ja) | ||
| JPH0690533B2 (ja) | 光受容部材 |