JPS62222261A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

〔発明の属する技術分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。 さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。 〔従来技術の説明〕 デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することによシ静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像するか、更に必要に応じて転写、定着
などの処理を行なう、画像を記録する方法が知られてお
り、中でも電子写真法による画像形成法では、レーザー
として、小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半導
体レーザー（通常は６５０〜８２０　ｎｍの発光波長を
有する）を使用して像記録を行なうのが一般である。 ところで、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写
真用の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が
他の種類の光受容部材と比べて優れているのに加えて、
ビツカーズ硬度が高く、公害の問題が少ない等の点から
評価され、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開
昭５６−８３７４６号公報にみられるようなシリコン原
子を含む非晶質材料（以後１’−ａ−３ｉＪ　　と略記
する）から成る光受容部材が注目されている。 しかしながら、前記光受容部材については、光受容層を
単層構成のａ−８ｉ層とすると、その高光感度を保持し
つつ、電子写真用として要求される１０１２Ωｃｍ以上
の暗抵抗を確保するには、水素原子やハロゲン原子、或
いはこれ等に加えてボロン原子とを特定の量範囲で層中
に制御された形で構造的に含有させる必要性があり、た
めに層形成に当って各種条件を厳密にコントロールする
ことが要求される等、光受容部材の設計についての許容
度に可成シの制約がある。そしてそうした設計上の許容
度の問題をある程度低暗抵抗であっても、その高光感度
を有効に利用出来る様にする等して改善する提案がなさ
れている。即ち、例えば、特開昭５４−１２１７４３号
公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４１
７２号公報にみられるように光受容層を伝導特性の異な
る層を積層した二層以上の層構成として、光受容層内部
に空乏層を形成したシ、或いは特開昭５７−５２１７８
号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１５９号
、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報知みられる
よう（Ｃ支持体と光受容層の間、又は／及び光受容層の
上部表面に障壁層を設けた多層構造としたりして、見掛
は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案されている。 ところがそうした光受容層が多層構造を有する光受容部
材は、各層の層厚にばらつきがあり、これを用いてレー
ザー記録を行う場合、レーザー光が可干渉性の単色光で
あるので、光受容層のレーザー光照射側自由表面、光受
容層を構成する各層及び支持体と光受容層との層界面（
以後、この自由表面及び層界面の両者を併せた意味で「
界面」と称する。）より反射して来る反射光の夫々が干
渉を起してしまうことがしばしばある。 この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の原因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合にあっては
、識別性の著しく劣った阻画像を与えるところとなる。 また重要な点として、使用する半導体レーザー光の波長
領域が長波長てなるにつれ光受容層に於ける該レーザー
光の吸収が減少してくるので、前記の干渉現象が顕著に
なるという問題がある。 即ち、例えば２若しくはそれ以上の層（多層）構成のも
のであるものにおいては、それらの各層について干渉効
果が起り、それぞれの干渉が相乗的に作用し合って干渉
縞模様を呈するところとなり、それがそのま＼転写部材
に影響し、該部材上に前記干渉縞模様に対応した干渉縞
が転写、定着され可視画像に現出して不良画像をもたら
してしまうといった問題がある。 こうした問題を憐情する策として、（ａ）支持体表面を
ダイヤモンド切削して、±５００Ｘ〜±１．００００Ｘ
の凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭
５８−１６２９７５号公報参照）　、　（ｂｌアルミニ
ウム支持体表面を黒色アルマイト処理したり、或いは、
樹脂中にカーボン、着色顔料、染料を分散したりして光
吸収層を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５８４５
号公報参照）％（Ｃ）アルミニウム支持体表面を梨地状
のアルマイト処理したり、サンドブラストにより砂目状
の微、１ｄ凹凸を設けたりして、支持体表面に光散乱反
射防止層を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５５４
号公報参照）等が提案されてはいる。 これ等の提案方法は、一応の結果はもたらすものの、画
像上に現出する干渉縞模様を完全に解消するに十分なも
のではない。 即ち、（ａ）の方法については、支持体表面に特定ｔの
凹凸を多数設けていて、それにより光散乱効果による干
渉縞模様の現出が一応それなりに防止はされるものの、
光散乱としては依然として正反射光成分が残存するため
、該正反射光による干渉縞模様が残存してしまうことに
加えて、支持体表面での光散乱効果により照射スポット
に拡がりが生じ、実質的な解像度低下をきだしてしまう
。 （ｂ）の方法については、黒色アルマイト処理では、完
全吸収は不可能であり、支持体表面での反射光は残存し
てしまう。また、着色顔料分散樹脂層を設ける場合は、
ａ−８ｉ層を形成する際、樹脂層より脱気現象が生じ、
形成される光受容層の層品質が著しく低下すること、樹
脂層がａ−８ｉ層形成の際のプラズマ（（よってダメー
ジを受けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表面
状態の悪化によるその後のａ−８ｉ層の形成に悪影響を
与えること等の問題点を有する。 （Ｃ）の方法については、例えば入射光についてみれば
光受容層の表面でその一部が反射されて反射光となり、
残りは、光受容層の内部に進入して透過光となる。透過
光は、支持体の表面に於いて、その一部は、光散乱され
て拡散光となり、残りが正反射されて反射光となり、そ
の一部が出射光となって外部＋／Ｃ出ては行くが、出射
光は、反射光と干渉する成分であって、いずれにしろ残
留するため依然として干渉縞模様が完全に消失はしない
。 ところで、この場合の干渉を防止するについて、光受容
層内部での多重反射が起らないように、支持体の表面の
拡散性を増加させる試みもあるが、そうしたところでか
えって光受容層内で光が拡散してハレーションを生じて
しまい、結局は解像間が低下してしまう。 特に、多層構成の光受容部材においては、支持体表面を
不規則的に荒しても、第１層での表面での反射光、第２
層での反射光、支持体表面での正反射光の夫々が干渉し
て、光受容部材の各層厚にしたがった干渉縞模様が生じ
る。従って、多層構成の光受容部材においては、支持体
表面を不規則（Ｃ荒すことでは、干渉、隔を完全に防止
することは不可能である。 又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度（Ｃ不均一
があって、製造管理上問題がある。加えて、比較的大き
な突起がうンダムに形成される機会が多く、斯かる大き
な突起が光受容層の局所的ブレークダウンをもたらして
しまう。 又、支持体表面を単に規則的に荒したところで、通常、
支持体の表面の凹凸形状に沿って、光受容層が堆積する
ため、支持体表面の凹凸の傾斜面と光受容層の凹凸の傾
斜面とが平行になり、その部分では入射光は、明部、暗
部をもたらすところとなり、また、光受容層全体では光
受容層の層厚の不均一性があるだめ明暗の縞模様が現わ
れてしまう。従って、支持体表面を規則的に荒しただけ
では、干渉縞模様の発生を完全：で防ぐことはできない
。 又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、支持体表面での正反射光と、
光受容層表面での反射光との干渉の他（で、各層間の界
面での反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受
容部材の干渉縞模様発現、間合より一層複雑となる。 〔発明の目的〕 本発明は、主としてａ−８ｉで構成された光受容層を有
する光受容部材について、上述の諸問題を排除し、各種
要求を満たすものにすることを目的とするものである。 すなわち、本発明の主だる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定（２ており、耐光疲労に優れ、繰返し使用に
際し、でも劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、
残留電位か全く父は殆んど観測されなく、製造管理が容
易である、ａ−３ｉで構成された光受容層を有する光受
容部材を提供することにある。 本発明の別の目的は、全可視光域において光感度が高く
、とくに半導体レーザーとのマツチング性に優れ、且つ
光応答の速い、ａ−３ｉで構成された光受容層を有する
光受容部材を提供することにあ°る。 本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性及
び高電気的耐圧性を有する、ａ−３ｉで構成された光受
容層を有する光受容部材を提供することにある。 本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に厳密で安定的であり、層品質の高い、ａ−
８ｉで構成された光受容層を有する光受容部材を提供す
ることにある。 本発明の更に他の目的は、可干渉性単色光を用いる画像
形成に適し、長期の繰り返し使用にあっても、干渉縞模
様と反転現像時の斑点の現出がなく、且つ画像欠陥や両
ケのボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明
に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得ることのでき
る、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光受容部材
を提供することだある。 〔発明の構成〕 本発明者らは、従来の光受容部材についての前述の諸問
題を克服して、上述の目的を達成すべく鋭意研究を重ね
た結果、上述する知見を得、該知見に基づいて本発明を
完成するに至った。 即ち、本発明は、支持体上知、シリコン原子と、ゲルマ
ニウム原子又はスズ原子の少なくとも一方と、酸素原子
、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一
種とを含有する非晶質材料で構成された第一の層と、シ
リコン原子と、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中か
ら選ばれる少なくとも一種とを含有する非晶質材料で構
成された第二の層とを有する光受容層を備えた光受容部
材において、前記支持体表面が、複数の球状痕跡窪み（
Ｃよる凹凸形状を有してなることを骨子とする光受容部
材（で関する。 ところで、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果得た知見
は、概要、支持体上に複数の層を有する光受容部材にお
いて、前記支持体表面（Ｃ１複数の球状痕跡窪みによる
凹凸を設けることシてより、画像形成時に現われる干渉
縞模様の間層が解消されるというものである。 この知見は、本発明者らが試みた各種の実験により得た
事実関係に基づくものである。 このところを、理解を容易にするため、図面を用いて以
下に説明する。 第１図は、本発明に係る光受容部材１００の層構成を示
す模式図であり、微小な複数の球状痕跡窪みによる凹凸
形状を有する支持体１０１上に、その凹凸の１頃斜面に
沿って、第一の層１０２及び第二の層１０３を備えだ光
受容部材を示している。 第２及び３図は、本発明の光受容部材において干渉縞模
様の問題が解消されるところを説明するだめの図である
。 第３図（ｄ、表面を規則的に荒した支持体上に、多層構
成の光受容層を堆積させた従来の光受容部材の一部を拡
大して示した興である。該図において、３０１は第一の
層、３０２は第二の層、３０３は自由表面、３０４は第
一の層と第二の層の界面をそれぞれ示している。第３図
に示すごとく、支持体表面を切削加工等の手段により単
に規則的に荒しただけの場合、通常は、支持体の表面の
凹凸形状て沿って光受容層が形成されるため、支持体表
面の凹凸の傾斜面と光受容層の凹凸の１頃斜面とが平行
関係をなすところとなる。 このことが原因で、例えば、光受容層が第一の層３０１
と、第二の層３０２との２つの層からなる多層構成のも
のである光受容部材においては、例えば次のような問題
が定常的に惹起される。 即ち、第一の層と第二の層との界面３０４及び自由表面
３０３′とが平行関係にあるため、界面３０４での反射
光Ｒ工と自由表面での反射光Ｒ２とは方向が一致し、第
二の層の層厚に応じた干渉縞が生じる。 第２図は、第１図の一部を拡大した図であって、第２図
に示すごとく、本発明の光受容部材は支持体表面に複数
の微小な球状痕跡窪みによる凹凸形状が形成されており
、そのとの光゛受容層は、該凹凸形状に沿って堆積する
ため、例えば光受容層が第一の層２０１と第二の層２０
２との二層からなる多層構成の光受容部材にあっては、
第一の層２０１と第二の層２０２との界面２０４、及び
自由表面２０３は、各々、前記支持体表面の凹凸形状に
沿って、球状痕跡窪みによる凹凸形状に形成される。界
面２０４ニ形成される球状痕跡窪みの曲率をＲ，、自由
表面に形成される球状痕１作窪みの曲率をＲ２とすると
、Ｒ１とＲ２トはＲエキＲ２となるため、界面２０４で
の反射光と、自由表面２０３での反射光とは、各々異な
る反射角度を有し、即ち、第２図におけるθ０、θ２が
θ、キθ２であって、方向が異なるうえ、第２図に示す
１１．１２．１３を用いてｇ工＋１２−６３で表わされ
るところの波長のずれも一定とはならすて変化するため
、いわゆる二ニートンリング現象に相当するシェアリン
グ干渉が生起し、干渉縞は窪み内で分散されるところと
なる。これ（（より、こうした光受容部材を介して現出
される画像は、ミクロ的には干渉縞が仮（・て現出され
ていたとしても、それらは視覚にはとられられない程度
のものとなる。 即ち、かくなる表面形状を有する支持体の使用は、その
上に多層・構成の光受容層を形成してなる光受容部材に
あって、該光受容層を通過した光が、層界面及び支持体
表面で反射し、それらが干渉することにより、形成され
る画像が縞模様となること′ｆＫ、効率的に防止し、優
れた画法を形成しうる光受容部材を得ることにつながる
。 ところで、本発明の光受容部材の支持体表面の球状痕跡
窪みによる凹凸形状の曲率Ｒ及び幅りは、こうした本発
明の光受容部材における干渉縞の発生を防止する作用効
果を効率的に達成するためには重要な要因である。本発
明者らは、各種実、険を重ねた結果以下のところを究明
した。 即ち、曲率Ｒ及び幅りが次式： ％式％ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内に／ニアリング
干渉によるニュートンリングが０．５本以上存在するこ
ととなる。さらに次式：％式％ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが１本以上存在することと
なる。 こうしたことから、光受容部材の全体に発生する干渉縞
を、各々の痕跡窪み内に分散せしめ、光受容部材におけ
る干渉縞の発生を防止するためには、前記−を０．０３
５、好１しくは０．０５５以上とすることが望ましい。 また、痕跡窪みてよる凹凸の幅りは、大きくとも５００
μｍ程度、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは
１００μｍ以下とするのが望ましい。 上述のような特定の表面形状の支持体上に形成される本
発明の光受容部材の光受容層（は、第一の層と第二の層
とからなり、該第−の層は、シリコン原子とゲルマニウ
ム原子又はスズ原子の少なくともいずれか一方と、酸素
原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも
一種と、好ましくはさらに水素原子（Ｈ）又はハロゲン
原子＜Ｘ）の少なくともいずれか一方とを含有するアモ
ルファス材料〔以下、［ａ　−５ｉ（Ｇｅ　、　５ｎ）
（０，（：！ＩＮ）（Ｈ，Ｘ）　Ｊと表記する。〕で構
成され、さらに必要に応じて伝導性を制御する物質を含
有せしめることができる。そして、該第−の層は、多層
構造を有することもあり、特に好ましくは伝導性を制御
する物質を含有する電荷注入阻止層を構成層の１つとし
て有するか、または／及び、障壁層を構成４の１つとし
て有するものである。 また、前記第二の曙は、シリコン原子と、酸素原子、炭
素１皇子、及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種
と、好ましくはさらに水素原子（Ｈ）及びハロゲン原子
（Ｘ）の少なくともいずれか一方とを含有するアモルフ
ァス材料〔以下、［ａ−３ｉ（０，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）
Ｊと表記する。〕で（〕構される。 本発明の第一の層及び第二の層の作成（てついては、本
発明の前述の目的を効率的に達成するために、その層厚
を光学的レベルで正確に制御する必要があることから、
グロー放電法、スノξツタリング法、イオンブレーティ
ング法等の真空堆積法が通常使用されるが、これらの他
、光ＣＶＯ法、熱ＣＶＯ法等を採用することもできる。 以下、第１図に示した本発明の光受容部材の具体的構成
について詳しく説明する。 第１図は、本発明の光受容部材の層構成を説明するため
に模式的に示した図であり、図中、１００は光受容部材
、１０１は支持体、１０２は第一の層、１０３は第二の
層、１０４は自由表面を示す。 支持体 本発明の光受容部材（ておける支持体１０１は、その表
面が光受容部材に要求される解像力よりも微小な凹凸を
有し、しかも該凹凸は、複数の球状痕跡窪みによるもの
である。 以下に、本発明の光受容部材における支持体の表面の形
状及びその好適な製造例を、第４及び５図により説明す
るが、本発明の光受容部材（／ｉ：おける支持体の形状
及びその製造法は、これらによって限定されるものでは
ない。 第４図は、本発明の光受容部材における支持体の表面の
形状の典型的−例を、その凹凸形状の一部を部分的に拡
大して模式的に示すものである。 第４図において４０１は支持体、４０２は支持体表面、
４０３は剛体真球、４０４は球状痕跡窪みを示している
。 さらに第４図は、該支持体表面形状を得るのに好ましい
製造方法の１５（］をも示すものでもある。即ち、剛体
真球４０３を、支持体表面・１０２より所定高さの位置
より自然落下させて支持体表面４０２に衛突させること
により、球状窪み４０４を形成しうろことを示している
。そして、ほぼ同一径Ｒ′の剛体真球４０３を漢数個用
い、そ九らを同一の高さｈより、同時あるいは逐時、落
下させることにより、支持体表面４０２に、ほぼ同一曲
率Ｒ及び同一幅りを有する複数の球状痕跡窪み４０４を
形成することができる。 第５図は、前述のごとくして、表面に複数の球状痕跡窪
み（でよる凹凸形状の形成された支持体の、いくつかの
典型例を示すものである。 第５（Ａ）図に示す例では、支持体５０１　ｖ表面５０
２の異なる部位に、ほぼ同一の径の複数の球体５０３．
５０３、・・・をほぼ同一の高さより規則的に落下させ
てほぼ同一の曲率及びほぼ同一の幅の複数の痕跡窪み６
０４．６０４、・・・を互い（（重複し合うように密に
生じせしめて規則的に凹凸形状を形成したものである。 なおこの場合、互いに重複する窪み５０４．５０４、・
・・を形成するには、球体５０３の支持体表面５０２へ
の衝突時期が、互いにずれるように球体５０３．５０３
、・・・を自然落下せしめる必要のあることはいうまで
もない。 また、第５（Ｂ）図に示す例では、異なる径を有する二
種類の球体５０３．５０３′・・・をほぼ同一の高さ又
は異なる高さから落下させて１．支持体５０１の表面５
０２に、二種の曲率及び二種の幅の複数の窪み５０４．
５０．１’・・・を互いに重複し合うように密に生じせ
しめて、表面の凹凸の高さが不規則な凹凸を形成したも
のである。 更に、第５（Ｃ）図（支持体表面の正面図および断面図
）に示す例では、支持体５０１の表面５０２に、ほぼ同
一の径の複数の球体５０３．５０３、・・・をほぼ同一
の高さより不規則に落下させ、ほぼ同一の曲率及び複数
種の幅を有する複数の窪み５０４．５０４、・・・を互
いに重複し合うように生じせしめて、不規則な凹凸を形
成したものである。 以上のように、剛体真球を支持体表面に落下させること
により、球状痕跡窪みによる凹凸形状を形成することが
できるが、この場合、剛体真球の径、落下させる高さ、
剛体真球と支持体表面の硬度、あるいは、落下させる球
体の量等の諸条件を適宜選択することにより、支持体表
面に所望の曲率及び幅を有する複数の球状痕跡窪みを、
所定の密度で形成することができる。 即ち、上記諸条件を選択することにより、支持体表面に
形成される凹凸形状の凹凸の高さや凹凸のピッチを、目
的に応じて自在に調整でき、表面に所望の凹凸形状を有
する支持体を得ることができる。 そして、光受容部材の支持体を凹凸形状表面のものにす
るについて、旋盤、フライス盤等を用いたダイヤモンド
バイトによシ切削加工して作成する方法の提案がなされ
ていてそれなりに有効な方法ではあるが、該方法にあっ
ては切削油の使用、切削により不可避的に生ずる切粉の
除去、切削面に残存してしまう切削油の除去が不可欠で
あり、結局は加工処理が煩雑であって効率のよくない等
の問題を伴うところ、本発明にあっては、支持体の凹凸
表面形状を前述したように球状痕跡窪みにより形成する
ことから上述の問題は全くなくして所望の凹凸形状表面
の支持体を効率的且つ簡便に作成できる。 本発明に用いる支持体１０１ば、導電性のものであって
も、また電気絶縁性のものであってもよい。導電性支持
体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａ１％Ｏ
ｒ、　Ｍｏ、　Ａｕ、　Ｎｂ％Ｔａ。 Ｖ、Ｔｉ、ｐｔ、ｐｂ　　等の金属又はこれ等の合金が
挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等
の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の
表面を導電処理し、該導電処理された表面側に光受容層
を設けるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣ！ｒ、Ａ
ｌｌ、Ｃｒ％ＭＯ，Ａｕ、　　工ｒ１Ｎｂ％Ｔａ％ｖ、
’ｒｉ、Ｐｔ　、　Ｐｄ　、　Ｉｎ２Ｏ３，５ｎ０２、
■Ｔｏ（工ｎ２０３＋５ｎ０２　）等から成る薄膜を設
けることによって導電性を付与し、或いはホリエステル
フィルム等の合成樹脂フィルムであれば、Ｎｉ０ｒ　、
　ｌ！　、　Ａｇ、　Ｐｂ　１Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｕ１Ｃｒ
、　ＭＯ，Ｉｒ、　　Ｎｂ％Ｔａ％ｖ。 ＴＪ、Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着
、スパッタリング等でその表面に設け、又は前記金属で
その表面をラミネート処理して、その表面＋Ｃ導電性を
付与する。支持体の形状は、円筒状、ベルト状、板状等
任意の形状であることができるが、用途、所望によって
、その形状は適宜に決めることのできるものである。例
えば、第１図の光受容部材１００を電子写真用像形成部
材として使用するのであれば、連続高速複写の場合ては
、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持体
の厚さは、所望通りの光受容部材を形成しうる様に適宜
決定するが、光受容部材として可＠注が要求される場合
には、支持体としての機能が充分発揮される範囲内で可
能な限シ薄くすることができる。しかしながら、支持体
の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、通常は
、１０μ以上とされる。 次に、本発明の光受容部材を電子写真用の光受容部材と
して用いる場合について、その支持体表面の製造装置の
１例を第６Ａ図及び第６（Ｂ）図を用いて説明するが、
本発明はこれによって限定されるものではない。 電子写真用、光受容部材の支持体としては、アルミニウ
ム合金等に通常の押出加工を施してポートホール管ある
いはマンｒレル管とし、更に引抜加工して得られる引抜
管に、必要に応じて熱処理や調質等の処理を施した円筒
状（シリンダー状）基体を用い、該円筒状基体に第６（
Ａ）、（Ｂ）図に示した製造装置を用いて、支持体表面
に凹凸形状を形成せしめる。支持体表面に前述のような
凹凸形状を形成するについて用いる球体としては、例え
ばステンレス、アルミニウム、鋼鉄、ニッケル、真鍮等
の金属、セラミック、プラスチック等の各踵剛体球を挙
げることができ、とりわけ耐久性々び低コスト化等の理
由により、ステンレス及び鋼鉄の剛体球が好ましい。 そしてそうした球体の硬度は、支持体の硬度よりも高く
ても、あるいは低くてもよいが、球体を操返し使用する
場合ては、支持体の硬度よりも高いものであることが望
ましい。 第６Ａ、第６Ｂ図は一製造装置全体の断面略１図であり
、６０１は支持体作成用のアルミニウムンリンダーであ
り、該シリンダー６０１は、予め表面を適宜の平滑度に
仕上げられていてもよい。 シリンダー６０１は、回転軸６０２によって軸支されて
おり、モーター等の適宜の駆動手段６０３で駆動され、
ほぼ葡芯のまわりで回転可能（でされている。回転速度
は、形成する球状痕跡窪みの密度及び剛体真球の供給量
等を考慮して、適宜に決定され、制御される。 ６０４は、剛体真球６０５を自然落下させるだめの落下
装置であシ、剛体真球６０５を貯留し、落下させるだめ
のボールフィーダー６０６、フィーダー６０６から剛体
真球６０５が落下しやすいように揺動させる振動Ｆ幾６
０７、シリンダーに衝突して落下する剛体真球６０５を
回収するだめの回収槽６０８、回収槽６０８で回収され
た剛体真球６０５をフィーダー６０６まで管輸送するだ
めのボール送り装置６０９、送り装置６０９の途中で剛
体真球を液洗浄するだめの洗浄装置６１０、洗浄装置６
１０にノズル等を介して洗浄液（溶剤等）を供給する液
だめ６１１、洗浄に用いた液を回収する回収槽６１２な
どで構成されている。 フィーダー６０６から自然落下する剛体真球の量は、落
下口６１３の開閉度、振動機６０７　Ｋよる陽動の程度
等により適宜調節される。 第一の層 本発明の光受容部材においては、前述の支持体１０１上
に第一の層１０２゛を設けるものであり、該第−の層は
、シリコン原子とゲルマニウム原子又はスズ原子の少な
くともいずれか一方と、酸素原子、炭素原子及び窒素原
子の中から選ばれる少なくとも一種と、好ましくはさら
に水素原子又は・・ロゲン原子の少なくともいずれか一
方を含有する非晶質材料で構成され、さらに、該第−の
層１０２には、必要に応じて伝導性を制御する物質を含
有せしめることが可能である。 第一の層中に含有せしめる・・ロゲン原子（Ｘ）として
は、具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ
、特にフッ素、塩素を好適なものとして挙げることがで
きる。そして、第一の層１０２中に含有せしめる水素原
子（Ｈ）の量又はノ・ロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原
子と・・ロデン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は通常の場合１
〜４０ａｔｏｍｉｃ　’ｆｙ、好適には５〜３０ａｔｏ
ｍｉｃ　％とするのが望ましい、また、本発明において
、第一の層の層厚、は、本発明の目的を効率的に達成す
るには重要な要しワの１つであって、光受容部材に所望
の特注が与えられるように、光受容部材の設計のｍ？　
Ｋは充分な注意を払う必要があり、通常は１〜１００μ
とするが、好ましくは１〜８０μ、より好ましくは２〜
関μとする。 ところで、本発明の光受容部材の第一の層にゲルマニウ
ム原子及び／又はスズ原子を含有せしめる目的は、主と
して該光受容部材の長波長側における吸収スペクトル特
性を向上せしめることにある。 即ち、前記第一の層中にゲルマニウム原子又は／及びス
ズ原子を含有せしめることにより、本発明の光受容部材
は、各種の浸れた特性を示すところのものとなるが、中
でも特に可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的長
波長文の全領域の波長の光に対して光感度が優れ光応答
性の速いものとなる。そしてこのことは、半導体レーザ
ーを光源とした場合に特に顕著である。 本発明における第一の層においては、ゲルマニウム、原
子又は／及びスズ原子は、第一の層の全１領域に均一な
分布状態で含有せしめるか、あるいは不均一な分布状態
で含有せしめるものである。 （ここで均一な分布状態とは、ゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の分布濃度が、第一の層の支持体表面と平
行な面方向に？いて均一であり、第一の層の層厚方向に
も均一であることをいい、又、不均一な分布状態とは、
ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃度が、第
一の層の支持体表面と平行な面方向には均一であるが、
第一の層の層、′卓方向には不均一であることをいう。 ） そして本発明の第一の層においては、特に、支持体側の
端部にゲルマニウム原子及び／又はスズ原子を比較的多
量に均一な分布状態で含有する層を設けるか、あるいは
自由表面側よりも支持体側の方に多く分布した状態とな
る様にゲルマニウム原子父は／及びスズ原子を含有せし
めることが望ましく、こうした場合、支持体側の端部に
おいてゲルマニウム原子父ば／及びスズ原子の分布濃度
を櫃端に大きくすることにより、半導体レーザー等の長
波長の光源を用いた場合て、光受容層の自由表面側に近
い構成層又は層領域においては殆んど吸収しきれない長
波長の光を、光受容層の支持体と接する構成層又は層領
域において実質的に完全に吸収されるだめ、支持体表面
からの反射光（でよる干渉が防止されるようになる。 前述のごとく、本発明の第一の層にはゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子を全層中に均一て分布せしめること
もでき、また層厚方向に連続的かつ不均一に分布せしめ
ることもできるが、以下、層厚方向の分布状態の典型的
な例のいくつかを、ゲルマニウム、原子を例として、第
７乃至１５図知より説明する。 第７図乃至第１５図において、横軸はゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃを、縦軸は、第一の層の層厚を示し、ｔＢ
は支持体側の第一の層の端面の位置を、ｔＴは支持体側
とは反対側の第二の層側の端面の位置を示す。即ち、ゲ
ルマニウム原子の含有される第一の層はｔＢ側よりｔＴ
側に向って層形成がなされる。 尚、各図に於いて、層厚及び濃度の表示はそのままの値
で示すと各々の図の違いが明確でなくなる為、極端な形
で図示しておりこれらの図はあくまでも理解を容易にす
るための説明のための模式的なものである。 第７図には、第一の層中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。 第７図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有され
る第一の層が形成される支持体表面と第一の層とが接す
る界面位ｔ１ｔ　ｔＢよりｔＴの位置までは、ゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃが濃度Ｃ１なる一定の値を取り乍
らゲルマニウム原子が第一の層に含有され、位＋１１よ
よりは濃度Ｃ２より界面位置ｔＴに至るまで徐々に連続
的に減少されている。位置ｔ７においてはゲルマニウム
原子の分布濃度Ｃは実質的に零とされる。 （ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合である。 ） 第８図に示される例においては、含有されるゲルマニウ
ム原子の分布、】度Ｃは位置ｔＢより位置を侵で至るま
で濃度Ｃ３から徐々に連続的の減少して位置ｔＴにおい
て積度Ｃ４となる様な分布状態を形成している。 第９図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２までは、ゲル
マニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ５と一定位置とされ
、位Ｒｔ２と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的に
減少され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零
とされている。 第１０図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位ＲｔＢより（装置ｔ７に至るまで、濃度Ｃ６より初め
連続的に余々に減少され、位置ｔ３よりは急速に連続的
に減少されて位ｉｔ　ｔ７において実質的に零とされて
いる。 第１１図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位ＲｔＢと位置ｔ４間においては、濃度Ｃ７と
一定値であシ、位１ｔＴｉｃ於ては分布濃度Ｃは零とさ
れる。位置ｔ４と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一
次関数的に位置ｔ４よシ位買ｔＴに至るまで減少されて
いる。 第１２図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂよシ位置ｔ５までは濃度Ｃ８の一定値を取シ、立置ｔ
５より位置ｔＴまでは濃度Ｃ９よシ濃度Ｃ’ｌＯまで一
次関数的に減少する分布状態とされてい第１３図に示す
レリにｋいては、位置ｔＢより位置ｔ７に至るまで、ゲ
ルマニウム原子の分布濃度ＣはαＥ箋Ｃｔｔ　上シー次
関数的に減少されて、零に至っている。 第１４図においては、位置ｔＢより位置ｔ６に至るまで
はゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ，より濃度
Ｃ１３まで一次関数的に減少され、位置ｔ６と位置ｔ７
との間においては、濃度Ｃ工、の一定値とされた例が示
されている。 第１５図に示される例において、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度ｃ１゜であシ、位置
ｔ７に至るまではこの濃度ｃ１４　より初めはゆつ〈シ
と減少され、ｔ７の位置付近においては、急激に減少さ
れて位置ｔ７では濃度Ｃ工。 とされる。 位置ｔヮと位置ｔ８との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ６
で濃度Ｃ工。となり、位置ｔ８と位置ｔ、との間では、
徐々に減少されて位置ｔ９Ｖｃおいて、濃度Ｃ１ヮに至
る。位置ｔ９と位置ｔＴとの間（Ｃおいては濃度Ｃ工、
より実質的に零になる様に図に示す如き形状の曲線に従
って減少されている。 以上、第７図乃至第１５図により、第一の層中に含有さ
れるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の層厚方向の
分布状態の典型例の幾つかを説明した様に、本発明の光
受容部材においては、支持体側において、ゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子の分布濃度Ｃの高い部分を有し
、端面ｔ７側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に
比べてかなり低くされた部分を有するゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子の分布状態が第一の層に設けられて
いるのが望ましい。 即ち、本発明における光受容部材を構成する第一の層は
、好ましくは上述した様に支持体側の方にゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子が比較的高濃度で含有されてい
る局在領域を有するのが望ましい。 本発明の光受容部材に於ては、局在領域は、第７図乃至
第１５図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢ
よ！ｌ１５μ以内に設けられるのが望ましい。 そして、上記局在領域は、界面位置ｔＢより５μ厚まで
の全層領域とされる場合もあるし、又、該層領域の一部
とされる場合もある。 局在領域を層領域の一部とするか又は全部とするかは、
形成される光受容層に要求される特性に従って適宜法め
られる。 局在領域はその中に含有されるゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子の分布濃度の最大値ｃｍａｘが
シリコン原子に対して、好ましくは１０００　ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｍ以上、よシ好適には５０００　ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍ以上、最適にはＩ　Ｘ　ｌＯ’ａｔｏｍｉｃ
ｐｐｍ以上とされる様な分布状態となり得る様に層形成
されるのが望ましい。 即ち、本発明の光受容部材においては、ゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の含有される第一の層は、支持体
側からの層厚で５μ以内（ｔＢから５μ厚の層領域）に
分布濃度の最大値ＯｍａＸ　　が存在する様に形成され
るのが好ましいものである。 本発明の光受容部材において、第一の層中に含有せしめ
るゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の含有竜ば、本
発明の目的を効果的に達成しうる様に所望に従って適宜
法める必要があシ、通常は１〜６　ｘ　１０５１０５ａ
ｔｏ　ｐｐｍとするが、好ましくは１０〜３　Ｘ　１０
５１０５ａｔｏ　ｐｐｍ、より好ましくはＩ　Ｘ　１０
２〜２　Ｘ　１０５１０５ａｔｏ　ｐｐｍとする。 また、本発明の光受容部材の第一の層に、酸素原子、炭
素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種を含
有せしめる目的は、主として該光受容部材の高光感度化
と高暗抵抗化、そして支持体と第一の層との間の密着性
の向−ヒにある。 本発明の第一の層においては、酸素原子、炭素原子及び
窒素原子の中から選ばれる少くとも一種を含有せしめる
場合、層厚方向に均一な分布状態で含有せしめるか、あ
るいは層厚方向に不均一な分布状態で含有せしめるかは
、前述の目的とするところ乃至期待する作用効果

【よっ
て異なり、したがって、含有せしめる量も異なるところ
となる。 すなわち、光受容部材の高光感度化と高暗抵抗化を目的
とする場合には、第一の層の全層領域に均一な分布状態
で含有せしめ、この場合、第一の層に含有せしめる炭素
原子、酸素原子、窒素原子の中から選ばれる少くとも一
種の量は比較的少量でよい。 また、支持体と第一の層との密着性の向上を目的とする
場合には、第一の層の支持体側端部の一部の層領域に均
一に含有せしめるか、あるいは、第一の層の支持体側端
部において、炭素原子、酸素原子、及び窒素原子の中か
ら選ばれる少くとも一種の分布濃度が高くなるような分
布状態で含有せしめ、この場合、第一の層に含有せしめ
る酸素原子、炭素原子、及び窒素原子の中から選ばれる
少くとも一種の量は、支持体との密着性の向上を確実に
図るだめに、比較的多量にされる。 本発明の光受容部材において、第一の層に含有せしめる
酸素原子、炭素原子、及び窒素原子の中から選ばれる少
くとも一種の量は、しかし、上述のごとき第一の層に要
求される特性に対する考慮の他、支持体との接触界面に
おける特性等、有機的関連性にも考慮をはらって決定さ
れるものであり、通常は０．００１〜５０　ａｔｏｍｉ
ｃ％、好ましくは０．００２〜４０　ａｔｏｍｉｃ　％
、最適には０　、００３〜３０　ａｔｏｍｉｃ　％とす
る。 ところで、第一の層の全層領域に含有せしめるか、ある
いは、含有せしめる一部の層領域の層厚の第一の層の層
厚中に占める割合が大きい場合には、前述の含有せしめ
る量の上限を少なめにされる。すなわち、その場合、例
えば、含有せしめる層領域の層厚が、第一の層の層厚の
＆となるような場合には、含有せしめる量は通常３０　
ａｔｏｍｉｃ　％以下、好ましくは２０ａｔｏｍｉｃ％
以下、最適には１０　ａｔｏｍｉｃ％以下にされる。 次に、本発明の第一の層に含有せしめる酸素原子、炭素
原子、及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種の量
が、支持体側においては比較的多量であり、支持体側の
端部から第二の層側の端部に向かって減少し、第一の層
の第二の層側の端部付近においては、比較的少量となる
が、あるいは実質的にゼロ（で近くなるように分布せし
める場合の典型的な列のいくつかを、第１６図乃至第２
４図によって説明する。しかし、本発明はこれらの例に
よって限定されるものではない。以下、炭素原子、酸素
原子の中から選ばれる少くとも一種を「原子（０，Ｃ，
Ｎ　）　ｊと表記する。 第１６乃至２４図に訃いて、横軸は原子（Ｏ５Ｃ１Ｎ）
の分布濃度Ｃを、縦軸は第一の層の層厚を示し、ｔＢは
支持体と第一の層との界面位置を、ｔ７は第一の層の第
二の層との界面の位置を示す。 第１６図は、第一の層中に含有せしめる原子（０，Ｃ，
Ｎ　）の層厚方向の分布状態の第一の典型例を示してい
る。該例では、原子（０，Ｃ，Ｎ　）を含有する第一の
層と支持体との界面位置ｔＢより位置ｔｌまでは、原子
（Ｏ，Ｃ，Ｎ）の分布濃度ＣがＣ工なる一定値をとり、
位置ｔ１よシ第二の層との界面位置ｔＴまでは原子（０
，Ｃ，Ｎ　）の分布濃度Ｃが濃度Ｃ２から連続的に減少
し、位置ｔ７においては原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃
度がＣ５となる。 第１７図に示す他の典型例の１つでは、第一の層に含有
せしめる原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃度Ｃは、位置ｔ
Ｂから位置ｔＴにいたるまで、濃度Ｃ４から連続的に減
少し、位置ｔＴにおいて濃度Ｃ５となる。 第１８図に示す例では、位置ｔＢから位置℃２までは原
子（○＋Ｃ＋Ｎ）の分布濃度Ｃが濃度Ｃ６なる一定値を
保ち、位置ｔ２から位ｆｔＴにいたるまでは、原子（０
，Ｃ，Ｎ’）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ７から徐々に連続的
に減少して位置ｔＴにおいては原子（０゜Ｃ，Ｎ　）の
分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。 第１１）図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布
濃度Ｃは位置ｔＢよシ（ｉ、置ｔＴにいたるまで、濃度
Ｃ８から連続的に徐々に減少し、位置ｔＴにおいては原
子（０，Ｃ９Ｎ）の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。 第２０図に示す例では、原子（Ｏ＋Ｃ＋Ｎ）の分布濃度
Ｃは、位Ｎｔｓより位置ｔ３の間においては濃度Ｃ９の
一定値にあり、位置ｔ３から位置ｔ７の間においては、
濃度Ｃ９から濃度Ｃよ。となるまで、−次間数的に減少
する。 第２１図に示す例では、原子（０，Ｃ！、Ｎ　）の分布
濃度Ｃば、位置ｔＢより位置ｔ４にいたるまでは濃度Ｃ
工、の一定値にあり、位ｒｉｔ　ｔ＋より位置ｔ７にい
たるまでは濃度Ｃ１２から濃度Ｃよ、となるまで−次間
数的に減少する。 第２２図に示す例においては、原子（Ｏ，Ｃ，Ｎ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢから位置ｔＴにいたるまで、濃度
Ｃ工、から実質的にゼロとなるまで一次関数的に減少す
る。 第２３図に示す例では、原子（ｏ、ｃ、Ｎ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＢから位置ｔ５にいたるまで濃度Ｃ工、か
ら濃度Ｃ□６となるまで一次関数的に減少し、位置ｔ５
から位置ｔＴまでは濃度Ｃ工。の一定値を保つ。 最後に、第冴図に示す例では、原子（ｏ＋ｃ＋Ｎ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて崖度Ｃ工、であり、位置
ｔ８から位置ｔ６までは、濃度Ｃ１’７からはじめはゆ
っくり減少して、位’Ｒｔａ付近では急激に減少し、位
置ｔ６では濃度ａ１ｅ　となる。次に・位置ｔ６から位
置ｔ７までははじめのうちは急激に減少し、その後は緩
かに徐々に減少し、位置ｔヮにおいては濃度Ｃ１１）と
なる。更に位置ｔ７と位置ｔ８の間では極めてゆっくり
と除々に減少し、位置ｔ８において濃度Ｃ２０となる。 また更に、位置ｔ８から位置ｔＴにいたるまでは濃度Ｃ
２０から実質的にゼロとなるまで徐々に減少する。 第１６図〜第２４図に示しだ例のごとく、第一の層の支
・特休側の端部に原子（ｏ、Ｃ２Ｎ）の分布濃度Ｃの高
い部分を有し、第一の層の第二の層側の端部においては
、該分布濃度Ｃがかなり低い部分を有するか、あるいは
実質的にゼロに近い濃度の部分を有する場合にあっては
、第一の層の支持体側の端部（（原子（０，Ｃ，Ｎ　）
の分布濃度が比較的高濃度である局在領域を設けること
、好ましくは該局在領域を支持体表面と第一の）研との
界面位ＲｔＢから５μ以内に設けることにより、支持体
と第一の層との密着性の向上をより一層効率的に達成す
ることができる。 前記局在領域は、原子（０１ＣＩＮ　）を含有せしめる
第一の層の支持体側の端部の一部層領域の全部であって
も、あるいは一部であってもよく、いずれにするかは、
形成される第一の層に要求される特性に従って適宜法め
る。 局在領域に含有せしめる原子（Ｏ，Ｃ，Ｎ）の量は、原
子（０，Ｃ，Ｎ　）の分子濃度Ｃの最大直が５ＱＱ　ａ
ｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、好ましくは８０Ｑ　ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｎ以−ヒ、最適には１０００　ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ以上となるような分布状態とするのが望ましい
。 更に、本発明の光受容部材においては必要に応じて第一
の層（（伝導性を制御する物質を、全層領域又は一部の
＠領域て均−又は不均一な分布状態で含有せしめること
ができる。 前記伝導性を制御する物質としては、半導体分野におい
ていういわゆる不純物を挙げることができ、Ｐ型伝導注
を与える周期律表第■疾に属する原子（以下学Ｋ「第■
族原子」と称す。）、又は、ｎ型伝導性を与える周期律
表第Ｖ族に属する原子（以下単に「第Ｖ族原子」と称す
。）が使用される。具体的には、第１■族原子としては
、Ｂ（硼素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム
）、Ｉｎ　（インジウム）、Ｔｌ　（タリウム）等を挙
げることができるが、特に好ましいものは、Ｂ、　Ｇａ
である。まだ第Ｖ族原子としては、Ｐ（＠）、Ａｓ　（
砒素）、ｓｂ　（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマン）等を
挙げることができるが、特に好ましいものは、ｐ、ｓｂ
である。 本発明の第一の層に伝導性を制御する物質である第■族
原子又は第Ｖ族原子を含有せしめる場合、全層領域に含
有せしめるか、あるいは一部の層領域に含有せしめるか
は、後述するように目的とするところ乃至期待する作用
効果によって異なり、含有せしめる量も異なるところと
なる。 すなわち、第一の層の伝導型又は／及び伝導率を制御す
ることを主たる目的にする場合には、光受容層の全層領
域中に含有せしめ、この場合、第１ＩＩ族原子又は第Ｖ
族原子の含有量は比較的わずかでよく、通常はＩ　Ｘ　
１０−”　〜Ｉ　Ｘ　１０”　ａｔｏｍｉｃｐｐｍであ
り、好ましくは５　Ｘ　１０−２〜５×１０２１０２ａ
ｔｏ　ｐｐｍ　１最適には１　ｘ　１０−１〜２　Ｘ　
１０２ａｔｏ１０２ａｔｏである。 また、支持体と接する一部の層領域（／′Ｃ第■族原子
又′ｒｉ第Ｖ族原子を均一な分布状態で含有せしめるか
、あるいは、１厚方向におけるｇ　ＩＩＩ　、Ｉ［原子
又は第Ｖ族原子の分布濃度が、支持体と接する側におい
て高濃度となるように含有せしめる場合には、こうした
第■疾原子又は第Ｖ族原子を含有する構成層あるいは第
■族原子を高濃度に含有する層領域は、電荷注入阻止層
として機能するところとなる。 即ち、第■族原子を含有せしめた場合には、光受容層の
自由表面が■極性の帯電処理を受けた際に、支持体側か
ら光受容層中へ注入される電子の移動をより効率的に阻
止することができ、又、第Ｖ族原子を含有せしめた場合
には、光受容層の自由表面が○極性に帯電処理を受けた
際に、支持体側から光受容層中へ注入される正孔の移動
をより効率的に阻止することができる。 そして、こうした場合の含有量は比較的多量であって、
具体的には、３０〜５　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍ、好ましくは５０〜Ｉ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ　１最適にはＩ　Ｘ　１０２〜５　Ｘ　１０”
　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとする。さらに、該電荷注入阻
止層としての効果を効率的に奏するためには、第■族原
子を含有する支持体側の端部に設けられる層又は層領域
の層厚をｔとし、光受容層の層厚をＴとした場合、ｔ、
／ｒ≦０．４の関係が成立することが望ましく、より好
ましくは該関係式の咳が０．３５以下、最適には０．３
以下となるようにするのが望ましい。また、該層又は層
領域の層厚ｔは、一般的には３Ｘ１０−”〜１０μとす
るが、好ましくは４　Ｘ　１０−３〜８μ、最適には５
　Ｘ　１０−”〜５μとするのが望塘しい。 第一の層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子の量
が、支持体側においては比較的多量であって、支持体側
から第二の層側に向って減少し、第二の層側の端面付近
においては、比較的少量となるかあるいは実質的にゼロ
に近くなるように第ｍ族原子又は第Ｖ族原子を分布させ
る場合の典型的な例は、前述の第一の層に酸素原子、炭
素原子又は窒素原子のうちの少なくともいずれか１つを
含有せしめる場合に例示した第１６乃至２４図のと同様
な例によって説明することができるが、本発明はこれら
の例によって限定されるもので汀ない。 そして、第１６図〜第２４図に示した例のごとく、第一
の層の支持体側に近い側知第［■族原子又はｇｙ族原子
の分布濃度Ｃの高い部分を有し、第二の層の第二の層に
近い側においては、該分布濃度Ｃがかなり低い濃度の部
分あるいは実質的にゼロに近い濃度の部分を有する場合
にあっては、支持体側に近い部分に第■挨原子又は第Ｖ
挨原子の分布濃度が比・咬的高濃度である局在領域を設
けること、好ましくは該局在領域を支持体表面と接触す
る界面位置から５μ以内に設けることにより、第■族原
子又は第ｖ族原子の分布濃度が高濃度であるノー領域が
電荷注入阻止層を形成するという前述の作用効果がより
一層効果的に奏される。 以上、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布状態について、
個々（Ｃ各々の作用効果を記述したが、所望の目的を達
成しうる特性を有する光受容部材を得るについては、こ
れらの第■族原子又は第Ｖ族原子の分布状態および第一
の層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子の量を、
必要に応じて適宜１組み合わせて用いるものであること
は、いうまでもない。例えば、第一の層の支持体側の端
部（Ｃ電荷注入阻止層を設けた場合、電荷注入阻止層以
外の第一の層中に、電荷注入阻止層に含有せしめた伝導
性を制御する物質の陽性とは別の極性の伝導性を制御す
る物質を含有せしめてもよく、あるいは、同極性の伝導
性を制御する物質を、電荷注入阻止層だ含有される号よ
シも一段と少ない量＋７４（して含有せしめてもよい。 さらに、本発明の光受容部材においては、支持休刊の端
部に設ける構成層として、電荷注入阻止層の代わ９に、
電気絶縁性材料から成るいわゆる障壁層を設けることも
でき、あるいは、該障壁層と電荷注入阻止層との両方を
構成層とすることもできる。こうした障壁１を構成する
材料としては、Ａｅ２０３．５１０２、Ｓｉ３Ｎ４等の
無ＣＭ　電気絶縁材料やポリカーボネート等の有機電気
絶１縁材料を挙げることができる。 第二の層 本発明の光受容部材の第二の層１０３は、上述の第一の
層１０２上に設けられ、自由表面１０４と有する層、す
なわち表面層であり、酸素原子、炭素原子又は窒素原子
のうちの少なくともいずれか１つを均一な分布状態で含
有するアモルファスシリコン〔以下、「ａ−８ｉ（０，
Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記する。」で構成されている
。 本発明の光受容部材に第二の層１０３を設ける目的は、
耐湿性、連続繰返し使用特性、電気的対圧性、使用環境
特性、および耐久性等を向上させることＫあり、これら
の目的は、第二の層を・構成するアモルファス材料に、
酸素原子、炭素原子又は窒素東予のうちの少なくともい
ずれか１つを含有せしめることにより達成される。 又、本発明の光受容部材においては、第一の層１０２と
第二の層１０３を構成するアモルファス材料の各々が、
シリコン原子という共通した構成原子を有しているので
、第一の層１０２と第二の層１０３との界面において化
学的安定性が確保できる。 第二の層１０３中には、酸素原子、炭素原子及び窒素原
子を均一な分布状態で含有せしめるものであるが、これ
らの原子含有せしめる量の増加に伴って、前述の緒特性
は向上する。しかし、多すぎると層重質が低下し、電気
的および機械的特性も低下する。こうしたことから、こ
れらの原子の含有量は、通常０．００１〜９０　ａｔｏ
ｍｉｃ％、好ましくは１〜９０　ａｔｏｍｉｃ％、最適
には１０〜８０ａｔｏｍｉｃ％とする。 第二の層にも、水素原子又はハロゲン原子の少なくとも
いずれか１方を含有せしめることが望ましく、第二の層
中に含有せしめる水素原子（Ｈ）の量、又は・・ロゲ／
原子（Ｘ）の量あるいは水素原子とハロゲン原子の量の
和（Ｈ＋Ｘ）は、通常１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、好ま
しくは５〜３０　ａｔｏｍｉｃチ、最適（Ｃは５〜２５
　ａｔｏｍｉｃ％とする。 第二の層１０３は、所望通りの特性が得られるように注
意深く形成する必要がある。即ち、シリコン原子、およ
び酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少
なくとも一種、あるいはさらに、水素原子又は／及びハ
ロゲン原子を構成原子とする物質は、各構成原子の含有
量やその池の作成条件によって、形態は結晶状態から非
晶質状態までをとり、電気的物性は導Ｆχ性から、半導
電性、絶縁性までを、さらに光電的性質は光導電的性質
から非光導電的性質までを、各々示すため、目的に応じ
た所望の特性を有する第二の層１０３を形成しうるよう
に、各構成原子の含有量や作成条件等を選ぶことが重要
である。 例えば、第二の層１０３を′直気的耐王性の向上を主た
る目的として設ける場合には、第二の層１０３を構成す
る非晶質材料は、使用条件下ておいて電気絶縁的挙動の
顕著なものとして形成する。又、第二の層１０３を連ｉ
売繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる目的と
して設ける場合シては、第二の層１０３を構成する非晶
質材料は、前述のに気的絶縁性の度合はある程度緩和す
るが、照射する光に対しである程度の感度を有するもの
として形成する。 また、本発明において、第二の層の層厚も本発明の目的
を効率的に達成するだめの重要な要因の１つであり、所
期の目的に応じて適宜決定されるものであるが、該層に
含有せしめる酸素原子、炭素原子、窒素張子、ハロゲン
原子、水素原子の量、あるいは第二の層（て要求される
特性に応じて相互的かつ布製的関連性の下に決定する必
要がある。更に、生産性や量産性をも加味した経済性の
点においても考慮する必要もある。こうしたことから、
第二の層の層厚は通常は３　ｘ’ｉｏ−”〜３０μとす
るが、より好ましくは４ｘｉｏ−３〜２０μ、特に好１
しくは５Ｘ１０−３〜１０μとする。 本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。 また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、まだ、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レー÷とのマツチングに憂れ、且つ光
応答が速く、さらに極めて浸れた電気的、光学的、光導
電的特性、電気的耐圧比及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成べの残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、・・−７トーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品
質のＦｉｉｉ像を安定［７て繰返し得ることができる。 次に本発明の光受容層の形成方法について説明する。 本発明の光受容層を構成する非晶質材料はいずれもグロ
ー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって行わ
れる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負
荷程度、製造規模、作製される光受容部材だ所望される
・特性等の要因てよって適宜選択されて採用されるが、
所望の特性を有する光受容部材を製造するに当っての条
件の制御が比較的容易であり、シリコン原子と共だ炭素
原子及び水素原子の導入を容易に行い得る等のことから
して、グロー放電法或いはスパッタリング法が好適であ
る。 そして、グロー放電法とス・Ｑツタリング法とを同一装
置系内で併用して形成してもよい。 グロー放電法によってａ　−５ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ　）　
　で構成される光受容層を形成するには、シリコン原子
（Ｅｔｉ　）を供給しつるＳ１供給用の原料ガスと、ゲ
ルマニウム原子（ｏｅ）を供給しうるＧｅ供給用の原料
ガスと、水素原子（Ｈ）又は／及び／・ロゲン原子（Ｘ
）を供給しりる水素原子（Ｈ）又は／及びノ・ロデン原
子（Ｘ）供給用の原料ガスを、内部を減圧だしうる堆積
室内に所望のガス圧状態で導入し、該堆積室内にグロー
放電を生起せしめて、予め所定位置に設置しである所定
の支持体表面上例、ａ−９ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る層を形成する。 前記Ｓ１供給用の原料ガスとなりうる物質としては、Ｓ
ｉＨ，，５ｉ２１（、，５ｉ３Ｈ６、Ｓｉ、Ｈ工。等の
ガス状態の又はガス化しうる水素化硅素（シラン類）が
挙げられ、特に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓ１供給
効率の良さ等の点から、ＳｉＨ，およびＳ　ｉ　２Ｈ４
が好ましい。 また、前記Ｇｅ供給用の原料ガスとなりうる物質として
は、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３ＨＢ、Ｇ　ｅ４　Ｈ
ｌ　（、、Ｇｅ５Ｈ１２、Ｇｅ６Ｈ１４ＮＧｅ７Ｈ１６
ｓ　ＧｅｆｌＨｌ［１ＳＧｅｇＨ２ｏ等のガス状態の又
はガス化しうる水素化ゲルマニウムを用いることができ
る。特に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の
良さ等の点から、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、およびＧｅ３
Ｈ８が好ましい。 更に、前記ハロゲン原子供給用の原料ガスとなりうる物
質としては、多くの・・ロゲン化合物があり、例えばハ
ロゲンガス、ノ・ロデン化物、ハロゲン間化合物、ハロ
ゲンで置換された７ラン誘導体等のガス状態の又はガス
化しうるノ・ロゲン化合物を用いることができる。具体
的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のノ・ロデンガス
、ＢｒＦ、　ａｌＦ、　ａｌＦ３、Ｂ　ｒＦ３、ＢｒＦ
５、工Ｆ３、工Ｆ７、ＩＣｇ。 よりｒ等のハロゲン間化合物、およびＳｉＦ４、Ｓｉ２
Ｆ６、ＢＬＣｌ、、ＳｉＢｒ４等のハロゲン化硅素等が
好ましいものとして挙げられる。 上述のごときハロゲン原子を含む硅素化合物のガス状態
のもの又はガス化しうるものを原料ガスとしてグロー放
電法によシ形成する場合には、Ｓ１原子供給用原料ガス
としての水素化硅素ガスを使用することなく、所定の支
持体上【ハロゲン原子を含有するａ−８ｉで構成される
層を形成することができるので、特に有効である。 グロー放電法を用いて光受容層を形成する場合には、基
本的には、Ｓ１供給用の原料ガスとなるハロゲン化硅素
とＧθ供給用の原料となる水素化ゲルマニウムとＡｒ％
　Ｈ：２　、　Ｈｅ　　等のガスとを所定の混合比とガ
ス流量（Ｃなるようにして堆積室に導入し、グロー放電
を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成するこ
とにより、支持体上に光受容層を形成するものであるが
、電気的あるいは光這的特囲の制御という点で極めて有
効であるところの水素原子（川の含有量のｉｌ制御を一
層容易にするためには、これ等のガスに更に水素原子供
給用の原料ガスを混合することもできる。該水素原子供
給用のガスとしては、水素ガスあるいは、ＳｉＨ４、Ｓ
　ｉ２　Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、Ｓｉ、Ｈ□。 等の水素化硅素のガスが用いられる。また、水素原子供
給用ガスとして、ＨＦ、　ＨＣＡ’、　ＨＢｒ、　Ｈｌ
等のハロゲン化物、Ｓ　ｉ　Ｈ２Ｆ２、ＳｉＨ２工２．
５ｉＨ２ＣＡ’２．５ｉＨＣｅ３．５ｉＨ２Ｂｒ２．５
ｉＨＢｒ３　　等のハＯ−ｆ　７置換水素化硅素等のガ
ス状態のあるいはガス化しうるものを用いた場合には、
ハロゲン原子（Ｘ）の導入と同時に水素原子（Ｈ）も導
入されるので、有効である。 スパッタリング法によってａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構
成される光受容層を形成するには、シリコンから成るタ
ーゲットと、ゲルマニウムから成るターデッドとの二枚
を、あるいは、シリコンとゲルマニウムからなるターゲ
ットを用い、これ等を所望のガス雰囲気中でスパッタリ
ングすることによって行なう。 イオンブレーティング法を用いて光受容層を形成する場
合には、例えば、多結晶シリコン又は単結晶、シリコン
と多、請晶ゲルマニウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫
々蒸発源として蒸着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗
加熱法あるいはエレクトロンビーム法（Ｅ、Ｂ、法）等
によって加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガスプラズ
マ雰囲気中を通過せしめることで行ない得る。 スフ９ツタリング法およびイオンブレーティング法のい
ずれの場合にも、形成する層中にハロゲン原子を含有せ
しめるＫは、前述のノ・ロゲン化物又はハロゲン原子を
含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入し、該ガスのプ
ラズマ雰囲気を形成すればよい。又、水素原子を導入す
る場合には、水素原子供給用の原料ガス、例えばＨ４あ
るいは前記した水素化７ラン類又は／及び水素化ゲルマ
ニウム等のガス類をスパッタリング用の堆積室内に導入
してこれ等のガス類のプラズマ雰囲気を形成すればよい
。さらにハロゲン原子供給用の原料ガスとしては、前記
のハロゲン化物或いはハロゲンを含む硅素化合物が有効
なものとして挙げられるが、その他に、ＨＦ、ＨＣｌ、
ＨＢｒ１Ｈ工　等のハロゲン化水素、Ｓ　ｉ　Ｈ２Ｆ２
、ＳｉＨ２工２．５ｉＨ２０／３．５ｉＨＣＪ３．５ｉ
Ｈ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３等のハロゲン置換水素化硅素
、およびＧｅＨＦ３、ＧｅＨＢｒ３、ＧｅＨ３Ｆ、　Ｇ
ｅＨＢｒ３、ＧｅＨＢｒ３、ＧｅＨ３Ｃ６！、　ＧｅＨ
Ｂｒ３、Ｇ　ｅ　Ｈ２Ｂｒ２、ＧｅＨＢｒ３１ＧｅＨ工
３、Ｇｅ）１２工２、ＧｅＨ３工等の水ｆｆｉ　化ハ０
　ケン化ゲルマニウム等、ＧｅＦいＧｅｃｅ４、Ｇ　ｅ
　Ｂｒ４、Ｇｅｘ４、ＧｅＦ２、ＧｅＣ１２、ＧｅＢｒ
２、Ｇｏ工２等のハロ・？ン化デルマニウム等々のガス
状態の又はガス化しうる物質も有効な出発物質として使
用できる。 本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第一の層中に含有される水素原子（■（）の量又
は・・ロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原
子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０．０１　ｗ　４
０　ａｔｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３Ｑ　ａ
ｔｏｍｉｃ％、最適には０．１　ｗ　２５　ａｔｏｍｉ
ｃ％とされるのが望ましい。 グロー放電法、ス・Ｑツタリング法あるいはイオンブレ
ーティング法を用いて、スズ原子を含有するアモルファ
スシリコン（以下、「ａ−８ＬＳｎ（Ｈ，Ｘ）ｊと表記
する。）で構成される光受容層を形成するには、上述の
ａ−ｓｌＧｅ（ｕ、ｘ）で構成される層の形成の際に、
ゲルマニウム原子供４袷用の出発物質を、スズ原子（Ｓ
ｎ　）供給用の出発物質にかえて使用し、形成する層中
へのその景を制御しながら含有せしめることによって行
なう。 前記スズ原子（Ｓｎ）供給用の原料ガスとなシうる物質
としては、水素化スズ（ＳｎＨ，）やＳｎＦ２．５ｎＦ
４．５ｎＣＩｈ、５ｎＯＶ４、ＳｎＢｒ２、ＳｎＢｒ４
、Ｓｎ工２、Ｓｎ工４等のハロゲン化スズ等のガス状態
の又はガス化しり石ものを用いることができ、・・ロゲ
ン化スズ金用いる場合には、所定の支持体上知・・ロゲ
／原子を含有するａ−８ｉで構成される層を形成するこ
とができるので、特に有効である。なかでも層作成作業
時の取扱い易さ、Ｓｎ供給効率の良さ等の点から、５ｎ
Ｃｅ、が好ましい。 そして、５ｎＣ１４をスズ原子（ｓｎ　）供給用の出発
物質として用いる場合、これをガス比するには、固体状
のＳｎＣｅ、を加熱するとともに、Ａｒ、Ｈｅ等の不活
性ガスを吹き込み、該不活性ガスを用いてバブリングす
るのが望ましく、こうして生成したガスを、内部を減圧
にしたｉ損室内に所望のガス圧状態で導入する。 グロー放′に法を用いて、酸素原子、炭素原子、又は窒
素原子を含有するａＳｉＧｅ（Ｈ、Ｘ　）、ａ−８ｉＳ
ｎ（Ｈ，Ｘ）又はａ　−５ｉＧｅＳｎ（Ｈ、Ｘ　）で構
成される層又は一部の層領域を形成するには、上述のａ
−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）又は／及びａ　　Ｓ　ｉ　Ｓｎ　
（Ｈ＋　Ｘ　）で構成される層の形成の際に、原子（０
＋”＋Ｎ）導入用の出発物質を、ａ−３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ
）又は／及びａ　−５ｉＳｎ（Ｈ、Ｘ　）形成用の出発
物質とともに使用して、形成する層中へのそれらの量を
制御しながら含有せしめること罠よって行なう。 そのような原子（０，Ｃ！、Ｎ　）導入用の出発物質と
しては、少なくとも原子（”ｐａｒＮ）を構成原子とす
るガス状の物質又はガス化し得る物質であれば、殆んど
のものが使用できる。 具体的には酸素原子（０）導入用の出是物質として、例
えば、酸素（０２）、オゾン（０３）、−酸化窒素（Ｎ
ｏ　）　、二酸化窒素（Ｎｏ２）、−二酸化窒素（Ｎ２
０）　、三二酸化窒素（Ｎ２Ｏ３）、四二酸化窒素＜　
Ｎ２Ｏ４）、三二酸化窒素（Ｎ２０５）、三二酸化窒素
（ＮＯ３）、シリコン原子（Ｓｌ）と酸素原子（０）と
水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えば、ジシロキ
サン（Ｈ５ＳｉＯ８ｉＨ３）、トリシロキサン（Ｈ３Ｓ
ｉＯ８ｉＨ２０ＳｉＨ３）等の低級シロキサン等が挙げ
られ、炭素原子（Ｃ）導入用の出発物質としては、例え
ば、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン
（Ｃ！３Ｈ，）、ｎ−ブタン（ｎ−ｆ４Ｈ１ｏ　）　、
ペンタ７（Ｃ５Ｈ工２）等の炭素数１〜５の飽和炭化水
素、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、プロピレン（０３Ｈ６）、
ブテン−１（Ｃ４Ｈ８）、ブテン−２（Ｃ！４Ｈ８）、
イソブチレン（Ｃ４／Ｈ８）、ペンテン（Ｃ’５Ｈ１０
）等の炭素数２〜５のエチレン系炭化水素、アセチレン
（０２Ｈ２）、メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ４）、ブチン
（Ｃ４Ｈ６）等の炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素
等が挙げられ、窒素原子（Ｎ）導入用の出発物質として
は、例えば、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、ヒ
ドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、アジ化水素（ＴＴＮ４）、
、　、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３　）、三弗化璧
粱（７３Ｎ）、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ）等が挙げられる。 また、ス・Ｑツタリング法を用いて原子（Ｏ，Ｃ。 Ｎ）を含有するａ　−５ｉＧｅ（Ｈ、Ｘ　）　、　ａ−
８ｉＳｎ（Ｈ，Ｘ）またはａ　−５ｉＧｅＳｎ（Ｈ、Ｘ
　）で構成される層を形成する場合には、原子（０，Ｃ
，Ｎ　）　４人用の出発物質としては、グロー放電法の
際に列挙した前記のガス化可能な出発物質の外に、固体
化出発物質として、５１０２．５Ｌ３Ｎ４、カーボンブ
ランク等ヲ挙げることが出来る。これ等は、８１等のタ
ーゲット表しての形で使用することができる。 グロー放′１法、ス・ぐツタリング法あるいはイオンブ
レーティング法を用いて、第■族原子又は第Ｖ族原子を
含有するａ　−５ＬＧｏ（Ｈ，Ｘ）又は／及びａ−８ｉ
！３ｎ（Ｈ，Ｘ）で構成される層又は一部の１頌域を形
成するには、上ポのａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）又は／及び
ａ　−５ｉＳｎ（Ｈ、Ｘ　）で構成される濁の形成の際
に、第■族原子又は第■族原子導入用の出発物質を、ａ
　−５ＬＧｏ（Ｈ、Ｘ　）又は／及びａ−８ｉＳｎ（Ｔ
（、！　）　゛形成用の出発物質とともに使用して、形
成する層中へのそれらの蚤を制御しながら含有せしめる
ことによって行なう。 第ｍ族原子導入用の出発物質として具体的には硼素原子
導入用としては、　Ｂ２Ｈａ、Ｂ４　Ｈｌｏ　ｓ　Ｂ５
　Ｎ９、Ｂ５　Ｈｌ　ｌ、Ｂ６　ＨＩＱ　ｓ　Ｂ６　Ｂ
１２、Ｂ６　Ｈｌ４等の水素化硼素、ＢＦ３、ＢＣＮ３
、ＢＢｒ３　　等のハロゲン化硼素等が挙げられる。こ
の他、Ａｌｃう、ＱａＣ１３、Ｇａ　（ＣＨ３）２．１
ｏＣ６ｚ、ＴｌＣｌ３等も挙げることができる。 第Ｖ異原子４人用の出発物質として、具体的にはｆ４原
子導入用としてはＰＨ３，Ｐ２Ｈ６等の水素２燐、ＰＨ
，１，ＰＦ３、ＰＦ５、ＰＣｌ３、ＰＣｈ、ｐＢｒ５、
ＰＢｒ３、ＰＩ３’４のハロ２／化燐が挙げられる。こ
の他、ＡｓＨ３、ＡＥ１Ｆ３、Ａ８Ｃｊ’３、ＡｓＢｒ
３、ＡｓＦ３．５ｔ）Ｎ３、ＳｂＦ３．５ｔｌＦ５．５
ｂＣ１３，５ｂｌＪ！５、ＢｉＨ３、ＢｉＣＪ３、Ｂ１
Ｂｒ３等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なものと
して挙げることができる。 グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング法を用いて、酸素原子、炭素原子又は窒素原子
のうちの少なくともいずれ力＝１つと含有するアモルフ
ァスノリコン、即チ、ａ−８ｉ（０，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ
）　　で構成される第二の層１０３を形成するには、　
ａ−８ｉ　（０，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ　）形成用の出発物
質を使用して、上述の原子（０゜Ｃ，Ｎ　）を含むａ−
８ｉＧ−ｅ（Ｈ，Ｘ）又Ｆｉ、／及びａ−３ｉｓｎ（Ｈ
，Ｘ）で構成される第一の層を形成する場合と同様にし
て行なう。 例えば酸素原子を含有する珈又′ｆ′ｉ層領域をグロー
放電法によシ形成するには、ノリコン原子（Ｓｌ）を構
成原子とする原料ガスと、酸素原子（０）を構成原子と
する原料ガスと、必要に応じて水素原子ｆ）（）又は及
びハロデフ原子（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所
望の混合比で混合して使用するか、又は、ノリコン原子
（Ｓｌ）を構成原子とする原料ガスと、ｒＩＩ素原子（
０）及び水素原子（Ｈ）　ｋ構成原子とする原料ガスと
を、これも又所望の混合比で混合するか、或いは、シリ
コン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料ガスと、ノリコ
ン原子（Ｓｌ）、酸素原子（０）及び水素原子（Ｈ）の
３つを構成原子とする原料ガスとを混合して１史用する
ことができる。 又、別には、シリコ／原子（ｓｌ）と水素原子（Ｈｌと
を構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用してもよい。 そのようなＩｔＲ原子導入用の出発物質としては酸素原
子を構成原子とするガス状態の又はガス化しうる物質を
ガス化したものであれば、いずれのものであってもよい
。 酸素原子導入用の出発物質としては具体的には、例えば
酸素（０２）、オシ７　（Ｏｓ　）、−酸化窒素（ｔｑ
ｏ　）、二酸化室１（ＮＯ２）、−二酸化窒素（Ｎ２０
）、三二酸化窒素（Ｎｚ０３）、四二酸化窒素（＋４２
０．　）　、三二酸化窒素（ｔｉ、、ｏ５）　、三酸化
窒素（ＮＯ３）、シリコン原子（Ｓｌ）と酸素原子（０
）と水素原子（Ｈｌとを構成原子とする、例えば、ジン
ロキ゛ナン（Ｎ３ＳｉＯｓｉＨ３）、トリフ０キサ７　
（Ｎ３ＳｉＯ９ｉＨ２０ＳｉＨ５）等の低級シロキサン
等を挙げることができる。 ス・Ｑツタリング法によって、酸素原子を含有する眉を
形成する釦は、単結晶又は多結晶の８１ウエーハ又は５
ｉ０２ウエーハ、又Ｈｓｔと５ｉｎ２が混合されて含有
されているウェーハをタービットとして、これ等を徨々
のガス雰囲気中でスパッタリングすることによって行え
ばよい。 例えば、Ｓ１ウエーハをターデッドとして使用すれば、
酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロデフ原
子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスで
稀釈して、ス・Ｑツタリング用の堆積室中に導入し、こ
れ等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーノ
ーをスパッタリングすればよい。 又、別には、Ｓｌと８１０２とは別々のターゲットとし
て、又ハＳ１と８１０２の混合した一つのターゲットを
使用することによって、ス・Ｑツタリング用のガスとし
ての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ
）又は／及び・・ロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含
有するガス雰囲気中でス・Ｑツタリングすることによっ
て成される。酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述
したグロー放電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導
入用の原料ガスが、スパッタリングの場合尾も有効なガ
スとして使用できる。 まだ、例えば炭素原子を含有する第二の層をグロー放電
法により形成するには、シリコン原子（Ｓｉ）ｋｌ構成
原子する原料ガスと、炭素原子（Ｃ）ト構成東予とする
原料ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は／及び・
・ロゲン原子（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望
の混合比で混合して［重用するか、又は７リコン原子（
Ｓｉ）を構成原子とする原料ガスと、炭素、原子（Ｃ）
及び水素原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、こ
れも又所望の混合比で混合するか、或いはシリコン原子
（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（
Ｓｉ　）　、炭素原子（Ｃ）及び水素原子（Ｈ）を構成
原子とする原料ガスを混合するか、更にまた、７リコン
原子（Ｓｌ）と水素原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガ
スと炭素原子（Ｃ）を構成、原子とする原料ガスを混合
して使用する。 このような原料ガスとして有効に使用されるのは、Ｓｌ
とＨとを構成原子とする５ｉＩ（４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ
３Ｈ８、Ｓｉ４Ｈ１０等のシラン（ｓｉｌａｎｅ　）類
等の水素化硅素ガス、ＣとＨとを構成原子とする、例え
ば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレ
ン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素等
が挙げられる。 具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（Ｃ！Ｈ４
）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロ・Ｑン（０３）Ｉｓ　）
、ｎ−ブタン（ｎ−０，Ｈｌ（、）、啄ンタン（Ｃ！５
Ｈ１２）、エチレン系炭化水素としては、エチレン（０
２Ｈ４）、プロピレン（０３Ｈ６）、ブテン−１（０４
Ｈａ　）、ブテン−２（０４Ｈ８）、インブチレン（ｃ
、Ｈａ　）、滅ンテン（０５Ｈよ０）、アセチレン系炭
化水素としてハ、アセチレン（０２Ｈ２）、メチルアセ
チレン（０３Ｈ４）、ブチン（０４Ｈ６）等が挙げられ
る。 ＳｉとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、Ｓ
ｉ（ＣＨ３）４、Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）４等のケイ化アルキ
ルを挙げることができる。これ等の原料ガスの他、Ｈ導
入用の見料ガスとしては勿論Ｉ■２も使用できる。 スパッタリング法によってａ　　ＧｉＣ（Ｈ，Ｘ）で構
成される第二の層を形成するには、単結晶又は多拮晶の
Ｓｉウェー・・又？′ｉａ（グラファイト）ウェーハ、
又はＳｌとＣが混合されて含有されているウェーハをタ
ーゲットとして、これ等を所望のガス′雰囲気中でス・
Ｑツタリングすることによって行う。 例えばＳｉウェーハをターゲットとして使用する場合に
は、炭素原子、および水素原子又は／及びハロゲン原子
を導入するための原料ガスを、必要に応じてＡｒ、Ｈｅ
等の希釈ガスで稀釈して、ス・Ｑツタリング用の堆積室
内に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形成してＳ
ｉウェーノ・をスパッタリングすればよい。 又、ＳｉとＣとは別々のターデッドとするか、あるいは
ＳｉとＣの混合した１枚のターゲットとして使用する場
合には、ス・Ｑツタリング用のガスとして水素原子又は
／及びノ・ロゲン原子導入用の原料ガスを、必要に応じ
て稀釈ガスで稀釈して、スパッタリング用の堆積室内に
導入し、ガスプラズマを形成してスパッタリングすれば
よい。該ス・ぐツタリング法に用いる各原子の導入用の
原料ガスとしては、前述のグロー放電法に用いる原料ガ
スがそのまま使用でへる。 更に、例えば窒素原子を含有するアモルファスシリコン
で構成される第二の層をグロー放電法により形成するに
は、シリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料ガスと
、窒素原子（Ｎ）を構成原子とする原料ガスと、必要に
応じて水素原子（刊又は及びハロゲン原子（Ｘ）を構成
原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用す
るか、又は、シリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原
料ガスと、窒素原子（Ｎ）及び水素原子（Ｈ）　ｔ−構
成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混
合するかして使用することができる。 又、別には、シリコン原子（Ｓｌ）と水素原子（Ｈ）と
を構成うλ子とする原料ガスに窒素原子（Ｎ）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用してもよい。 その様な窒素原子導入用の出発物質としては、少なくと
も窒素原子を構成原子とするガス状の物質又はガス化し
得る物質をガス化したものであれば、いずれのものであ
ってもよい。 窒素原子導入用の出発物質としては、具体的には、窒素
原子を構成原子とするかあるいは窒素原子と水素原子を
構成原子とする、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）
、ヒＩ’　ラ）　７　（Ｈ２ＮＮＨ２）、アシ化水素（
ＨＮ３）、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３　）等の窒
素、窒化物及びアジ化物等の窒素化合物を挙げることが
できる。この他に、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）、四弗化窒素
（７４Ｎ２　）等のハロゲン１ヒ５♀素化合物を挙げる
ことができ、これらのへロガン化窒素化合物を用いる場
合、窒素原子（Ｎ）Ｃつ１人に加えて、ハロゲン原子（
Ｘ）導入もできＳ０ス・ξツタリング法によって、窒素
原子を含・りする層領域を形成するには、単結晶又は多
チ吉晶のＳｉウェーハ又は５１３Ｎ４ウエーハ、又はＳ
】　と５Ｌ３Ｎ４が混合されて含有されているラニーハ
ラター２ツトとして、これ等を種々のガス雰囲気中でス
・Ｑツタリングすることによって行えばよい。 例えば、Ｓｉウェーハをターゲットとして使：１］干れ
ば、窒素原子と必要に応じて水素原子又１・寸／及びハ
ロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀
釈ガスで稀釈して、ス・Ｑツタリング用の堆７漬室中に
導入し、これ等のガスのガスプラズマを形成して前記ｓ
１ウェーハをス・♀ツタリングすればよい。 又、別には、ｓｌとＳｉ３Ｎ４とは別々のターゲットと
して、又はｓｌとＳｉ３Ｎ４の混合した一枚のターゲッ
トを使用することによって、スパッタリング用のガスと
しての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（
Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含
有するガス雰囲気中でス・Ｑツタリングすることてよっ
て成される。窒素原子導入用の漿料ガスとしては、先述
したグロー放電の例で示した原料ガスの中の窒素原子導
入用の原料ガスが、ス・Ｑツタリングの場合にも有効な
ガスとして使用できる。 以上記述したように、本発明の光受容部材の光受容層は
、グロー放電法、スパッタリング用等を用いて形成する
が、光受容層に含有せしめるゲルマニウム原子又は／及
びスズ、原子、第■族原子又は第Ｖ族原子、酸素原子、
炭素原子又は窒素原子、あるいは水素原子又！ｒｉ／及
びハロゲン原子の各々の含有量の制御は、堆積室内へ流
入する、各々の原子供給用出発物質のガス流量あるいは
各々の原子供給用出発物質間のガス流量比を制御するこ
とにより行われる。 また、第一の層および第二の層形成時の支持体温度、堆
積室内のガス圧、放電・Ｑワー等の条件は、所望の特性
を有する光受容部材を得る、′こめには重要な要因であ
り、形成する層の吸能（（考慮をはらって適宜選択され
るものでちる。さらに、これらの層形成条件は、第一の
層および第二の層に含有せしめる上記の各皇子の種類及
び量によっても異なることもあることから、含有せしめ
る原子の種類あるいはその量等にも考慮をはらって決定
する必要もある。 具体的には窒素原子、酸素原子、炭素原子等を含有せし
めたａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる第二の層を形成する場
合には、支持体温度は、通常５０〜３５０’Ｃとするが
、特に好ましくは５０〜２５０°Ｃとする。堆積室内の
ガス圧は、通常０．０１〜Ｉ　ＴＯｒｒとするが、特に
好ましくは０．１〜０．５　Ｔｏｒｒとする。また、放
電、ｅ　７−はｏ、ｏｏ５〜５０ｗ／ｃＩｒＬ２とする
のが通常であるが、より好ましくは０．０１〜３０Ｗ／
ＣｒＩＬ２、特に好ましくは０．０１−２０　Ｗ／ｃＩ
ｒＬ′！とする。 ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）からなる第一の層を形成する場
合、あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子を含有せしめた
ａ−８ｉＧθ（Ｈ，Ｘ）からなる第一の層を形成する場
合（でついては、支持体温度は、通常５０〜３５００Ｃ
とするが、より好ましくは５０〜３０００Ｃ，特に好１
しくは１００〜３００℃とする。そして、堆積室内のガ
ス圧は、通常０．０１〜５　Ｔｏｒｒとするが、好１し
くは、０．００１〜３　Ｔｏｒｒとし、特に好ましくは
０．１〜ｌ　ＴＯｒｒとする。また、放？に・２ワーは
０．００５〜５０Ｗ７／Ｃｆｎ、２とするのが通常であ
るが、好ましくは０　、０１〜３０　Ｗ　／ｃ／ｒＬ２
とし、特に好ましくは０．０１〜２０Ｗ／ｃＴＬ２とす
る。 しかし、これらの、層形成を行うについての支持体温度
、放′賀・？ワー、堆積室内のガス圧の具体的条件は、
通常には個々に独ケしては容易には決め難いものである
。したがって、所望の特注の非晶質材料１−を形成すべ
く、相互的且つ有１浸的関連性に基づいて、層形成の至
適条件を決めるのが望ましい。 ところで、本発明の光受容層に含有せしめるゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子、原子（０１ＣＩＮ　）　、
第１■族原子又は第Ｖ族原子、あるいは水素原子父は／
及びハロゲン原子の分布犬態を均一　とするためには、
光受容層を形成するに際して、前記の諸条閉を一定に保
つことが必要である。 また、本発明において、光受容層の形成の際に、該層中
に含有せしめるゲルマニウム原子又はスズ原子、原子（
０ＩＣＩＮ　）あるいは第１■族原子又は第Ｖ族原子の
分布濃度を１督厚方向（で変化させて所望の層、！４方
向の分布状態を有する光受容層を形成するには、グロー
放電法を用いる場合であれば、ゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子、原子＜　Ｏ，Ｃ，Ｎ　）、あるいは第１
ＩＩ族原子又は第ｖ族原子導入用の出発物質のガスの堆
積室内に導入する際のガス流量を、所望の変化率に従っ
て適宜変化させ、その他の条件を一定（・こ保ちつつ形
成する。そして、ガス流量を変化させるには、具体的に
は、例えば手動あるいは外部、駆動モータ等の通常用い
られている何らかの方法により、ガス流路系の途中に設
けられた所定のニードルバルブの開口を漸次変化させる
操咋を行えばよい。このとき、流量の変化率は線型であ
る必要はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ
設計された変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含
有率曲線を得ることもできる。 また、光受容層をス・Ｑツタリング法を用いて形成する
場合、ゲルマニウム原子又はスズ原子、原子（０，Ｃ，
Ｎ）、あるいは第１ＩＩ族原子又は第Ｖ族原子の層厚方
向の分布濃度を層厚方向で変化させて所望の層厚方向の
分布状態を形成するに汀、グロー放電法を用いた場合と
同様に、ゲルマニウム原子又はスズ原子、原子（０ＩＣ
ＩＮ　＞あるいは第１■族原子又は第Ｖ族原子導入用の
出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室内へ導入
する際のガス流量を所望の変化率に従って変化させる。 〔実施例〕 以下、本発明を実施例１乃至１３に従って、より詳細に
説明するが、本発明はこれ等によって限定されるもので
はない。 各実施例においては、光受容層をグロー放電法を用いて
形成した。第２５図はグロー放電法による本発明の光受
容部材の製造装置である。 図中の２５０２．２５０３．２５０４．２５０５．２５
０６のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成するだ
めの原料ガスが密封されて、かり、その１列として、た
とえば、　２５０２は５ｉｌｔ”、ガス（純度９９．９
９９係）ボンベ、２５０３はＨ２で稀釈されたＢ２Ｈ６
ガス（純度９９　、９９９チ、坩下Ｂ２Ｈ６／Ｈ２と略
す。）ボンベ、２５０４ばｃＨ４ガス（純度９９．９９
９　％　）ボンベ、２５０５はＧｅＦ’、ガス（純度９
９．９９９　％　）ボンベ、２５０６は不活性ガス（Ｈ
ｅ　）ボンベである。そして、２５０６’ば５ｎｌＪ４
が入った密封％　Ｆ５である。 これらのガスを反応室２５ｏ１に流入させるにはガスボ
ンベ２５０２〜２５０６のバルブ２５２２〜２５２６、
リークバルブ２５３５が閉じられていることを確認し父
、流入、２ルブ２５１２〜２５１６、流・出バルブ２５
１７〜２５２１　、補助バルブ２５３２．２５３３が開
かれていることを確認して、先ずメインバルブ２５３４
　Ｔｈ開いて反応室２５ｏ１、ガス配管内を排気する。 次に真空ＡＪシリンダー２５３７上に第一の層及び第二
の層を形成する場合の１例を以下に記載する。　　　　
゛ まず、ガスボンベ２５０２よりＳｉＦ４ガス、ガスボン
ベ２５０３よりＢ２Ｈ６／Ｈ２ガス、ガスボンベ２５０
４より　ＣＨ，ガス、ガスボンベ２５０５よりＧｅＦ４
ガスの夫々をバルブ２５２２．２５２３．２５２４．２
５２５を開いて出口圧デージ２５２７．２５２８．２５
２９．２５３０の圧を１！＃／ｉに調整し、流入バルブ
２５１２．２５１３．２５１４．２５１５を徐々に開け
て、マスフロコントローラ２５０７．２５０８．２５０
９．２５１０　　内に流入される。引き続いて流出バル
ブ２５１７．２５１８．２５１１）．２５２０、補助バ
ルブ２５３２を徐々に開いてガスを反応室２５０１内に
流入される。このときのＳｉＦ、ガス流量、ＧｅＦ、　
　ガス流量、ＯＨ，ガス流量、Ｂ２Ｈ６／Ｈ２ガス流量
の比が所望の値１′ｉ：なるように流出バルブ２５１７
．２５１８．２５１１）．２５２０を１調整し、又、反
応室２５ｏ１内の圧力が所望の値になるように真空計２
５３６の読みを見ながらメインバルブ２５３４の開口を
調整する。そして基体シリンダ−２５３７の温度が加熱
ヒーター２５３８により５０〜４００°Ｃの範囲の温度
に設定されていることを確認された後、電源２５４０を
所望の底力に設定して反応室２５０１内にグロー放電を
生起せしめるとともに、マイクロコンピュータ−（図示
せず）を用いて、あらかじめ設計された流量変化率線に
従って、ＳｉＦ、ガス、ＧｅＦ４ガス、ＣＨ４ガス及び
Ｂ２　Ｈ６／　Ｈ２ガスのガス流量を制御しながら、基
体シリンダー２５３フ上に先ず、シリコン原子、ゲルマ
ニウム原子、炭素原子及び硼素原子を含有する第一の層
を形成する。 上記と同様の操作により、第一の層上に第二の層を形成
するには、例えばＳｉＦ、ガス、及びＣＨ４ガスの夫々
を、必−要に応じてＨｅ、　Ａｒ、　Ｈ２等の稀釈ガス
で稀釈して、所望のガス流量で反応室２５０１内に流入
し、所望の条件に従って、グロー放電を生起せしめるこ
とによって成される。 夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バルブ以外の
流出バルブは全て閉じることは言う゛までもなく、又夫
々の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応
室２５０１内、流出バルブ２５１７〜２５２１から反応
室２５０１内に至るガス配管内に残留することを避ける
ために、流出バルブ２５１７〜２５２１を閉じ補助バル
ブ２５３２．２５３３を開いてメインバルブ２５３４を
全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じ
て行う。 また、第一の層中にスズ原子を含有せしめる場合にあっ
て、原料ガスとして５ｎ（Ｊ、を出発物質としたガスを
用いる場合には、２５０６’に入れられた固体状５ｎＣ
ｅ４を加熱手段（図示せず）を用いて加熱するとともに
、該５ｎＣ１４中にＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガスボンベ２
５０６よｔ）　Ａｒ　、　Ｈｅ　等ノ不活性ガスを吹き
込み、バブリングする。発生した５ｎ（Ｊ、のガスは、
前述のＳｉＦ、ガス、ＧｅＦ、ガス、ＣＨ４ガス、Ｂ２
Ｈ６／Ｈ２ガス等と同様の手順により反応室内に流入さ
せる。 試験例 径２１のＳＵＳステンレスｆｆ　ｉ！Ｉｌ１体）に球ヲ
用い、前述の第６図に示した装置を用い、アルミニウム
合金製／リンダ−（径６０　ｍｍ　ｓ長さ２９８　ｍｍ
　）の表面を処理し、凹凸を形成させた。 真球の径Ｒ′、落下高さｈと痕跡窪みの曲率Ｒ１＠Ｄと
の関係を調べたところ、痕跡窪みの曲率Ｒと、Ｍ　Ｄと
は、真球の径Ｒ′と落下高さｈ等の条件により決められ
ることが確認された。また、痕跡窪みのピッチ（痕跡窪
みの密度、また凹凸のピンチ）は、シリンダーの口伝速
度、回転数乃至は剛体真球の落下量等を制御して所望の
ピッチに調整することができることが確認された。 実施例１＠ 試験例４と同様にアルミニウム合金製シリンダーの表面
を処理し、第１Ａ表−ヒ欄に示すＤ、及び且を有するシ
リンダー状Ａｌ支持体（シリンダー磁１０１〜１０６）
を得た。 次に該Ａｌ支持体（シリンダーｒｈｌｏ１〜１０６）上
知、以下の第１Ｂ表に示す条件で、第５図だ示した夷造
装置により光受容層を形成した。 なお、第一の層中に含有せしめる硼素原子は、Ｂ２Ｈ６
／　ＳｉＦ４＋　ＧｅＦ４４１００ｐｐｍであって、該
層の全層について約２００　ｐｐｍドーピングされてい
るようシてなるべく導入した。 これらの光受容部材について、第２６図に示す画法露光
装置を用い、波長７８０　ｎｍ、スポット径８０μｍの
レーザー光を照射して画像露光を行ない、現像、転写を
行なって画像を得た。得られた画像の干渉縞の発生状況
は第１Ａ表下欄に示すとおりであった。 なお、第２６ｊＡ）図は露光装置の全体を模式的に示す
平面略図であり、第２６　（Ｂ）図は露光装置の全体を
模式的に示す側面略図である。図中、２６０１は光受容
部材、２６ｏ２は半導体レーザー、２６０３ばｆθレン
ズ、２６０４はポリゴンミラーを示している。 次ンζ、比較として、従来のダイヤモンＰバイトによシ
表面処理されたアルミニウム合金製ンリンダー（：＝ｈ
７）（径６０　ｍｍ、長さ２９８朋、凹凸ピッチ１００
μｍ、凹凸の深さ３μｍ）を用いて、前述と同様にして
光受容部材を炸裂した。得られた光受容部材を電子顕微
境で観察したところ、支持体表面と光受容層の層界面及
び光受容層の表面とは平行をなしていた。この光受容部
材を用いて、前述と同様てして画像形成をおこない、得
られた画像について前述と同様の評価を行なった。その
結果は、第１Ａ表下瀾て示すとおりであった。 実施例２ 第２Ｂ表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した
以外はすべて実施例１と同様にして、ｐ−１支持体（シ
リンダーＮｎ　１０１〜１０７）上に光受容層を形成し
た。 得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像を形成したところ、得られた画像における干渉縞の発
生状況は、第２Ａ表下欄に示すとおりであった。 実施例３〜１３ 実施例１のＡｔ支持体（シリンダー階１０３〜１０６）
上に、第３〜１３表に示す層形成条件に従って光受容層
を形成した以外はすべて実施例゛１と同様にして光受容
部材を作製した。 なお、実施例３〜６．８〜１１において、第一〇層形成
時における使用ガスのガス流量は、各各、第２７〜３０
．３１〜３４図に示す流量変化曲線に従って、マイクロ
コンピュータ−制御により自励的に調整した。また各実
施例において、第一の層中に含有せしめる硼素原子は実
施例１と同様の条件で導入した。 得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像形成をおこなった。 得られた画像は、いずれも干渉縞の発生が観察されず、
そして極めて良質のものであった。 〔発明の効果の概略〕 本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。 まだ、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた電敞的、光学的、光
導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し便用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質
の画像を安定して繰返し得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光受容部材の１例を模式的に示した図
であり、第２及び３図は、本発明の光受容部材における
干渉縞の発生の防止の原理を説明するだめの部分拡大図
であり、第２図は、支持体表面に球状痕跡窪みによる凹
凸が形成された光受容部材において、干渉縞の発生が防
止しうろことを示す図、第３図は、従来の表面を規則的
に荒した支持体上に光受容層を堆積させた光受容部材に
おいて、干渉縞が発生することを示す図である。第４及
び５図は、本発明の光受容部材の支持体表面の凹凸形状
及び該凹凸形状を作製する方法を説明するだめの模式図
である。第６図け、本発明の光受容部材の支持体に設け
られる凹凸形状を形成するのに好適な装置の一構成例を
模式的に示す図であって、第６　（Ａ）図は正面図、第
６（Ｂ）図は縦断面図である。第７〜１５図は、本発明
の第一の層中におけるケ゛ルマニウム原子又はスズ原子
の層厚方向の分布状態を表わす図であり、第１６〜２４
図は、本発明の第一の層中における酸素原子、炭素原子
及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種、および第
１ｒＩ族原子又は第Ｖ族原子の層厚方向の分布状態を表
わす図であり、各図において、縦軸は第一の序の層厚を
示し、４７６軸は各原子の分布濃度を表わしている。第
Ｚ５図は、本発明の光受容部材の第一の層及び第二の層
を製造するだめの装置の１例で、グロー放雷法による製
造装置の模式的詐明図である。第２６図はレーザー光に
よる画像露光装置を説明する図である。第ｎ乃至３４図
は、本発明の第一の層形成におけるガス流量の変化状態
を示す図であり、縦軸は第一の層の層厚、横軸は使用ガ
スのガス流量を示している。 第１乃至第３０について、 １００・・・光受容部材、１０１・・・支持体、１０２
．２０１．３０１・・・第一の層、１０３．２０２．３
０２・・・第二の層、１０４．２０３．３０３・・・自
由表面、２０４．３０４・・・第一の層と第二の層との
界面 第４．５図について、 ４０１．５０１・・・支持体、４０２．５０２・・・支
持体表面、４０３．５０３．５０３′・・・剛体真球、
４０４．５０４・・・球状痕跡窪み 第６図について、 ６０１・・・シリンダー、６０２・・・回転軸、６０３
・・・駆動手段、６０４・・・落下装置、６０５・・・
剛体真球、６０６・・・ボールフィーダー、６０７・・
・振動機、６０８・・・回収槽、６０９・・・ボール送
り装置、６１０・・・洗浄装置、６１１・・・洗浄液だ
め、６１２・・・洗浄液回収槽、６１３・・・落下口 第５図において、 ２５０１・・・反応室、２５０２〜２５０６・・・ガス
ボンベ、２５０６′・・・５ｎＣ４４槽、２５０７〜２
５１１・・・マスフロコントローラ、２５１２〜２５１
６・・・流入バルブ、２５１７〜２５２１・・・流出バ
ルブ、２５２２〜２５２６・・・バルブ、２５２７〜２
５３１・・・圧力調整器、２５３２．２５３３・・・補
助バルブ、２５３４・・・メインノζルブ、２５３５・
・・リークバルブ、２５３６・・・真空計、２５３７・
・・基体シリンダー、２５３８・・・加熱ヒーター、２
５３９・・・モーター、２５４ｏ・・・高周波電源 第２６図において、 ２６０１・・・光受容部材、２６０２・・・半導体レー
ザー、２６０３・・・ｆθレンズ、　２６０４・・・ポ
リゴンミラー特許出題人　キャノン株式会社 図面の浄書（内容に変更なし） 第１図 第６（Ａ）図 第７図 第８図 第９図 第１０図 第１１図 第１２図 □Ｃ 第１３図 第１４図 第１５図 □Ｃ 第１６図 第１７図 第１１）図 □Ｃ 第２２図 □Ｃ 第２８図 Ｈ鵞ガス　　　　　　　　　ＢｇＨａ／馬ガス手　　続
　　補　　正　　書　（方式）昭和６２年２月１１）日 特許庁長官　黒　１）明　雄　殿 １事件の表示 昭和６０年特許願２２４４５９号 ２、発明の名称 先受容部材 ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住所　東京都大田区下丸子３丁目３０番２号玉柳ビル３
Ｆ置＜２６１））９ｓ３ａ 氏名　弁理士　（９１１４）荻　上　豊　規５、補正命
令の日付 自　　　発 ６、補正の対象 明細書および図面 ７、補正の内容 （１）願書に最初に添付した明細書および図面の浄書・
別紙のとおり（内容に変更なし） 以　　上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）支持体上に、シリコン原子と、ゲルマニウム原子
   又はスズ原子の少なくとも一方と、酸素原子、炭素原子
   及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種とを包含
   する非晶質材料で構成された第一の層と、シリコン原子
   と、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる
   少なくとも一種とを含有する非晶質材料で構成された第
   二の層とを有する光受容層を備えた光受容部材であつて
   、前記支持体の表面が複数の球状痕跡窪みによる凹凸形
   状を有していることを特徴とする光受容部材。 （２）第二の層がシリコン原子と、酸素原子、炭素原子
   、窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種とを均一な
   分布状態で含有する非晶質材料で構成された特許請求の
   範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （３）第一の層が伝導性を制御する物質を含有している
   特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （４）第一の層が多層構成である特許請求の範囲第（１
   ）項に記載の光受容部材。 （５）第一の層が、伝導性を制御する物質を含有する電
   荷注入阻止層を構成層の１つとして有する、特許請求の
   範囲第（４）項に記載の光受容部材。 （６）第一の層が、構成層の１つとして障壁層を有する
   、特許請求の範囲第（４）項に記載の光受容部材。 （７）支持体の表面に設けられた複数の凹凸形状が、同
   一の曲率の球状痕跡窪みによる凹凸形状である特許請求
   の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （８）支持体の表面に設けられた複数の凹凸形状が、同
   一の曲率及び同一の幅の球状痕跡窪みによる凹凸形状で
   ある特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （９）支持体の表面の凹凸形状が、支持体表面に複数の
   剛体真球を自然落下させて得られた前記剛体真球の痕跡
   窪みによる凹凸形状である特許請求の範囲第（１）項に
   記載の光受容部材。 （１０）支持体表面の凹凸形状が、ほぼ同一径の剛体真
   球をほぼ同一の高さから落下させて得られた剛体真球の
   痕跡窪みによる凹凸形状である特許請求の範囲第（１）
   項に記載の光受容部材。 （１１）球状痕跡窪みの曲率Ｒと幅Ｄとが、次式：０．
   ０３５≦Ｄ／Ｒ を満足する値である特許請求の範囲第（１）項に記載の
   光受容部材。 （１０）球状痕跡窪みの幅が、５００μｍ以下である特
   許請求の範囲第（１１）項に記載の光受容部材。 （１１）支持体が、金属体である特許請求の範囲第（１
   ）項に記載の光受容部材。