JPS62106468A - 光受容部材 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔発明リーする」支術分野〕
本発明は、光（ここでは広域の光で紫外線、可視先触、
赤外線、Ｘ秋、γ線等を刀（す）の様な電磁波に感受性
のある光受容部材に関する。 さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに通した光受容部材に関する。 〔従来技術の説明〕 デジタル叫ｆ未情報をｔｈ１永としてｉ己録する方法と
して、デジタルＩｌ！ＩＪ隊情報に応じて変調したレー
ザー光で光受容部材を光学的に走査することにより靜″
也浩隊を形成し、仄いで該沿泳を現像するが、史に心安
に応じて転写、定肩などの処理を行なう、自浄を１己録
する方法が知られており、中でも電子与Ａ法にまり訓１
家形成法では、レーザーとして、小型で安価なＨｅ −
Ｎｅレーザーあるいは半導体レーザー（通常は６５０〜
８２０ｎｍの発光波長を有する）を使用して諌記録を行
なうのが一般的である。 ところで、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写
真用の光受容部材としては、その元感度憧域の整合性が
他の種類の光受容部材と比べて優れているのに加えて、
ビッカース硬度が筒く、公害の問題が少ない等の点から
評価され、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開
昭あ一８３７４６号公報にみられるようなシリコン原子
を含む非晶買材料（以後ｒａ−８ｉＪと略記する）から
成る光受容部材が注目されている。 しかしながら、前記光受容部材については、光受容層を
単層構成のａ−８ｉ層とすると、その高光感度を保持し
つつ、電子写真用として安水される１０Ｉ２Ω硼以上の
暗抵抗を確保するには、水素原子やハロゲン原子、或い
はこれ等に加えてボロン原子とを特定の輩軛四でＩ−中
に制（財）された形で構造的に含有させる必要性があり
、ために層形成に当って各種条件を厳密にコントロール
することが要求される等、光受容部材の設計＝４− についての許容度に可成りの制限がある。そしてそうし
た設計上の許容度の問題をある程度低暗抵抗であっても
、その高光感度を有効に利用出来る様にする等して改善
する提案がなされている。即ち、例えは、特開昭５４−
１２１７４３号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特
開昭５７−４１７２号公報にみられるように光受容層を
伝、ｖ！特性の異なる層を積層した二ｊ−以上の層構成
として、光受容層内部に空乏層を形成したり、或いは特
開昭５７−５２１７８号、同５２１７９ ′＠、同５２
１８０号、同５８１５９号、同５８１６０号、同５８１
６１号の各公報にみられるように支持体と光受容層の間
、又は／及び光受容層の上部表面に障壁層を設けた多層
構造としたりして、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部
材か提案されている。 ところがそうした光受容ｒｖ！ｊが多層構造を有する光
受容部材は、各層の層厚にばらつきがあり、これを用い
てレーザー記録を行う場合、レーザー光か可干渉性の単
色光であるので、光受容層のレーザー光照射側自由表面
、光受容層を構成する各層及び支持体と光受容ｊ−との
層界面（以後、この自由表面及び層界面の両名を併せた
意味で「界面」と称する。）より反射して来る反射光の
夫々が干渉を起してしまうことがしばしばある。 この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所甜、
干渉縞模様となって現われ、１ｋｌＩ１１象不良の原因
となる。殊に階調性の高い中間調の画像を形成する場合
にあっては、識別性の著しく劣った阻画諌を与えるとこ
ろとなる。 またム璧な点として、使用する半導体レーザー光の波長
領域が長波長になるにつれ先受′６１−に於ける該レー
ザー光の吸収が減少してくるので、前記の干渉現象が顕
著になるという問題かある。 即ち、例えば２若しくはそれ以上の層（多層）構成のも
のであるものにおいては、それらの谷ｊ−について干渉
効果が起り、それぞれの干渉が相乗的に作用し合って干
渉縞模様を呈するところとなり、それが七のま〜転写部
材に影響し、転写、定着され可視画像に現出して不良画
像をもたらしてしまうといった問題がある。 こうした問題を解消する策として、（ａ）支持体表面を
ダイヤモンド切削して、±５（１０Ａ〜±１（１０（１
０１の凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特
開昭５８−１６２９７５号公報参照）、（ｂ）アルミニ
ウム支持体表面を黒色アルマイト処理したり、或いは、
樹脂中にカーボン、着色顔料、染料を分散したりして光
吸収層を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５８４５
号公報参照）、（Ｃ）アルミニウム支持体表面を梨地状
のアルマイト処理したり、サンドブラストにより砂目状
の微細凹凸を設けたりして、支持体表面に光散乱反射防
止Ｉ−を設けろ方法（？すえば特開昭５７−１６５５４
号公報杉照）等が提某されている。 これ等の提案力法は、一応の結果はもたらすものの、Ｎ
像上に現出する干渉招俣様を完全に解消するに十分なも
のではない。 即ち、（ａ）の方法については、支持体表面に特定の凹
凸を多数設けていて、それにより光散乱効果による干渉
縞模様の現出が一応それなりに防止はされるものの、光
散乱としては依然として正反射光成分が残存するため、
該正反射光による干渉縞模様が残存してしまうことに加
えて、支持体表面での光散乱効果により照射スポットに
拡がりが生じ、実質的な解像度低下をきたしてしまう。 （ｂ）の方法については、黒色アルマイト処理では、完
全吸収は不可能であり、支持体表面での反射光は残存し
てしまう。また、堆色鵡料分散樹脂１−を設ける場合は
、ａ−８ｉ層を形成する際、樹脂層より脱気現象が生じ
、形成される光受容層の層品質が著しく低下すること、
樹脂ＪＶＩがａ−８ｉ層形成の除のプラズマによってダ
メージを受けて、本末の吸収機能を低減させると共に、
表面状態の悲化によるその後のａ −Ｓ ｉ １９４の
形成に悪影響を与えること等の問題点を有する。 （ｃ）の方法については、例えば入射光についてみれば
光受容層の表面でその一部が反射されて反射光となり、
残りは、光受容層の内部に進入して透過光となる。透過
光は、支持体の表面に於いて、その一部は、光散乱され
て拡散光となり、残りが正反射されて反射光となり、そ
の一部が出射光となって外部に出ては行くが、出射光は
、反射光と干渉する成分であって、いずれにしろ残留す
るため依然として干渉縞模様が完全に消失はしない。 ところで、この場合の干渉を防止するについて、光受容
層内部での多重反射が起らないように、支持体の表面の
拡散性を増加させる試みもあるが、そうしたところでか
えって光受容層内で光が拡散してハレーションを生じて
しまい結局は解像度が低下してしまう。 物に、多層構成の光受容部材においては、支持体表面を
不規則的に荒しても、第１層表面での反射光、第２層で
の反射光、支持体面での正反射光の夫々が干渉して、光
受容部材の各層厚にしたかった干渉物模様か生じる。従
って、多層構成の光受容部材においては、支持体表面を
不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止することは
不可能である。 又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上問題がある。加えて、比較的大きな
突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大きな
突起が光受容層の局所的ブレークダウンをもたらしてし
まう。 又、支持体表面を単に規則的に荒したところで、通常、
支持体の表面の凹凸形状に沿って、光受容層が堆積する
ため、支持体の凹凸の傾斜面と光受容層の凹凸の傾斜面
とが平行になり、その部分では入射光は、明部、暗部を
もたらすところとなり、また、先覚′８層全体では光受
容層の層厚の不均一性があるため明暗の縞模様が現われ
る。促って、丸竹体表ＩＩｎを規則的に荒しただけでは
、干渉縞模様のう６生を完全に防ぐことはできない。 又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、支持体表面での正反射光と、
光受容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面
での反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容
部材の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。 更にまた、こうした多層構成の光受容部材における反射
光による干渉現象の問題は、その表面層に関係するとこ
ろも大である。即ち、上述したところからして明らかな
ように、表面層の層厚が均一でないと、該層とそれに接
している感光層との界面での反射光による干渉現象が起
きて、光受容部材の機能に障害を与えてしまう。 ところで、表面層の層厚か不均一である状態は、表面層
の形成時に抑もたらされる他、光受容部材の使用時にお
ける摩耗、特に部分的摩耗によってももたらされる。そ
して特に後者の場合、上述したように、干渉模様の現出
を招く他、光受容部材全体の感度変化、感度むら等をも
たらすところとなる。 こうした表面層に係る問題をなくす意味で表面層の層厚
をできるだけ厚くする試みがなされているが、そのよう
にした場合、残留電位が増大する要因が形成されてしま
うことの他、表面層にはかえって層厚むらが増大されて
しまい、そうした表面層を有する光受容部材は、その形
成時読に感度変化、感度むら等の問題をもたらす要因を
具有するわけであり、それを使用したとなれば初期画像
から採用に価しないものを与えてしまう。 〔発明の目的〕 本発明は、主としてａ−８ｉで構成された光受容層を有
する光受容部材について、上述の鮪問題を排除し、％種
要求を満たすものにすることを目的とするものである。 すなわち、本＠明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定しており、耐光疲労に漬れ、繰返し使用に除
しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に潰れ、残留
電位か全く又は殆んど観測されなく、製造管理が容易で
ある、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光受容部
材を提供することにある。 本発明の別の目的は、全可視光域において光感度が誦く
、とくに半導体レーザーとのマツチング性に優れ、且つ
光応答の速い、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する
光受容部材を提供することにある。 本発明の更に別の目的は、高光感度性、高８Ｎ比特性及
び高電気的耐圧性を有する、ａ−８１で構成された光受
容層を有する光受容部材を提供することにある。 本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層のＧ層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品員の尚い、ａ−
３ｉで構成された光受容層を有する光受容部材を提供す
ることにある。 本発明の艮に他の目的は、可干渉性単色光を用いる画像
形成に通し、長期の蛛り返し便用にあっでも、干渉縞模
様と反転睨隊時の斑点の現出がなく、且つ画ｆ象欠陥や
画像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て且つ解ｆ家度の高い、高品賀凹白象を得ること
のできる、ａ−５ｉで構成された光受容ノーを有する光
受容部材を提供することにある。 〔発明の構成〕 本発明者らは、従来の光受容部材についての前述の諸問
題を克服して、上述の目的を達成すべく鋭意研究な亘ね
た粕来、下達する知見を得、該知見に基づいて本発明を
構成するに至った。 即ち、本発明は、支持体上に、シリコン原子と、ゲルマ
ニウム原子またはスズ原子の少くともいずれか一方を含
有する非晶質材料で構成された感光層と、シリコン原子
と、酸素原子、炭素原子、及び窒素原子の中から選ばれ
る少くとも一部とを含有する非晶實制料で構成された表
面層とを有する光受容Ｊ−を備えた光受容部材であって
、前ｍｌ感光ノーと前記表面ノーとの界面において光学
的バンドギャップが整合しており、前凸形状を有し、か
つ、該球状痕跡窪み内に更に微小な複数の凹凸形状を有
してなることを骨子とする光受容部材に関する。 ところで、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果、得た知
見は、概要、以下に記述するところである。 即ち、支持体上に表面層と感光Ｉ―とを有する光受容層
を備えた光受容部材にあっては、表面層と感光ｊ−との
界面において、表面層の有する光学的バンドギャップと
、該表面層が直接設けられる感光層の翁する光学的バン
ドキャップとか整合するように構成した場合、表面７１
４ｉ１と感光層との界面における入射光の反射か防止さ
れ、表面層の形成時における層厚むら又は／及び表面ｊ
ｉ＃の摩耗によるＪ層厚むらによってもたらされるとこ
ろの干渉模様や感度むらの問題が等消されるというもの
である。 また、支持体上に仮数の層を有する光受容部材において
、前Ｆ支持体表面に、複数の球状痕跡窪みによる凹凸を
設け、かつ、該球状痕跡毬み内に更に微小な凹凸形状を
設けることにより、ｒＩ！ｉｌ像形成時に現われる干渉
Ｎ＠模様の問題が者しく解消されるというものである。 ところで後者の知見は、本発明者らが試みた各種の実験
により得た事実関係に基づくものである。 このところを、理解を容易にするため、図面を用いて以
下に説明する。 第１図は、本発明に係る光受容部材１（１００層構成を
示す模式図であり、微小な複数の球状痕跡窪みによる凹
凸形状を有し、かつ、該球状痕跡窪み内に更に微小な複
数の凹凸形状を有する支持体１（１１上に、その凹凸の
傾斜面に沿って、感光層１（１２及び表面）１ｊｉ１０
３とからなる光受容層を備えた光受容部材を示している
。 第２及び４図は、本発明の光受容部材において干渉縞模
様の問題か解消されるところを説明するだめの図である
。 第３図は、表面を規則的に荒した支持体上に、多層構成
の光受容層を堆積させた従来の光受容部材の一部を拡大
して示した図である。該図において、３（１１は感光層
、３（１２は表面１輪、３０３は自由表面、３０４は感
光層と表面層の界面をそれぞれ示している。第３図に示
すごとく、支持体表面を切削加工等のす段により率に規
則的に荒しただけの場合、辿冨は、支持体の表面の凹凸
形状に沿って光受容層が形成されるため、支持体表面の
凹凸の傾斜面と光受容層の凹凸の１唄斜面とか平行関係
をなすところとなる。 このことが原因で、例えば、光受容層が感光ｊｄ３（１
１と、表面７ｄ３（１２との２つのｊ曽からなる多層構
成のものである光受容部材においては、例えば次のよう
な問題か定常的に惹起される。即ち、感光ｊ−と衣面泗
との界面３０４及び自由表面３０３とか平行関係にある
ため、界面３０４での反射光ｌｔｌと自由表面での反射
光鳥とは方向か一致し、表面Ｉ−の層厚に応じた干渉縞
か生じる。 第２図は、複数の球状痕閾・注みによる凹凸形状を有す
る支持体上に、多層構成の光受容層を堆積させた光受容
部材の一部を拡大して示した図である。該図において、
２（１１は感光層、２（１２は表面層、２０３は自由表
面、２０４は感光Ｊ−と表面層との界面をそれぞれボし
ている。第２図に示すごとく、支持体表面に複数の微小
な球状痕跡窪みによる凹凸形状を設けた場合、該支持体
上に設けられる光受容層は、核凹凸形状に沿って堆積す
るため、感光層２（１１と表面層２（１２との界面２０
４、及び自由表面２０３は、各々、前記支持体表面の凹
凸形状に沿って、球状痕跡窪みによる凹凸形状に形成さ
れる。界面２０４に形成される球状痕跡窪みの曲率をＲ
１、自由表面に形成される球状痕跡窪みの曲￥をＲ６と
すると、Ｒ８とＲ１とはａ、（凡、となるため、ｙｆ−
曲２０４での反射光と、自由表面２０３での戊射光とは
、谷々異なる反射角度を有し、即ち、第２図におけるθ
１、θ２がθ、Ｎθ２であって、方向か異なるうえ、第
２図にボすｌ８．１２．６を用いてＡ＋ ＋Ｉｔ ｌ
ｊｓで表わされるところめ波長のずれも一定とはならず
に変化するため、いわゆるニュートンリング現象に相当
するシェアリング干渉か生起し、干？ＪＪＭは注み内で
分散されるところとなる。これにより、こうした光受容
部材を介して現出されるｌｌ１１１１氷は、ミクロ的に
は干渉縞か仮に現出されていたとしても、それらは視覚
にはとられられない栓度のものとなる。 即ち、かくなる表向形状を有する支持体の使用は、その
上に多Ｎ構成の光受容層をル成してなる光受容部材にあ
って、該光受容層を通過した光が、ｒ＊界面及び支持体
表面で反射し、それらか干渉することにより、形成され
る一エボか縞模様となることを効率的に防止し、後れた
画像を形成しうる光受容部材を得ることにつながる。 第４図は、第１図に示す本発明の光受容部材における支
持体表面の一部を拡大した図である。 第４図にボすごとく、本発明の光受容部材における支持
体表面は、球状痕跡凍み４（１１内の表面の一部分乃至
金棒に、史に微小な凹凸乃至凹凸＃４（１２か形成され
ている。この様な更に微小な凹凸乃至凹凸！＃４（１２
を設けた場付、第２図を用いて記述したところの干渉防
止効果に加えて、該微小凹凸４（１２による散乱効果が
もたらされて。 これにより干渉縞模様の発生がより一層確実に防止され
る。 ところで、従来技術においては、前述したごとく、支持
体表面をランダムに荒らすことで乱反射させ、干渉縞模
様の発生を防止していた。 しかし、この様な場合光分な干渉縞模様の発生を防止す
る効果が得られないばかりでなく、画像転写後のクリー
ニングにおいて、例えばブレードを用いてクリーニング
する場合にも問題が生ずる。即ち、光受容層の表面は、
支持体上に設けられた凹凸に沿った凹凸が生ずるため、
ブレードが光受容層の凹凸の凸部に主としてあたり、ク
リーニング性か思く、また、光受容層の凸部とブレード
表面のＩｉ＃礼か大きくなり、結果的に両者の耐久性が
よくなく問題がある。 これに対し、本発明の光受容部材においては、散乱効果
をもたらす微小な凹凸形状が、球状痕跡窪み（凹部）内
に存在するため、クリーニング時において、ブレードが
光受容層の凹部に接触するということがなくなり、ブレ
ードや光受容層表面に大きな負荷がかからないという利
点も有している。 さて、本発明の光受容部材の支持体表面に設けられる球
状痕跡窪みによる凹凸形状の曲率。 幅、及び該球状痕跡窪み内の更に微小な凹凸の高さは、
こうした本発明の光受容部材における干渉縞の発生を防
止する作用効果を効率的に得るについて重要である。本
発明省らは、′ｉ！ｒ橡央験を血ねた結果以下のところ
を究明した。 即ち、球状痕跡窪みによる凹凸形状の曲率をＲ１幅をＤ
とした場合、次式： ％式％ を満址する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によΦニュートンリングが０．５本以上存在するこ
ととなる。さらに次式：％式％ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが１本以上存在することと
なる。 こうしたことから、光受容部材の全体に発生する干渉縞
を、各々の痕跡窪み内に分散せしめ、光受容部材におけ
る干渉縞の発生を防止するためには、前記Ｔを０．０３
５、好ましくは０．０５５以上とすることが望ましい。 Ｄ 。 というのは、−か０．５より大きくなると、窪みの幅り
が相対的に大きくなり、画像ムラ等を派生し易い状況と
なるためである。 また、痕跡窪みによる凹凸の幅りは、大きくとも５（１
０μｍ程度、好ましくは２（１０μｍ以下、より好まし
くは１（１０μｍ以下とするのが望ましい。Ｄが５（１
０μｍを超えると、画像ムラを派生しやすくなるととも
に、解像力をこえてしまうおそれがあり、こうした場合
には、効率的な干渉縞防止効果が得られにくくなる。 球状痕跡窪み内に形成される微小凹凸の高さ、即ち、球
状痕跡窪み内の表面粗さγｍａｘは、０．５〜２０μｍ
の範囲であることが好ましい。γｍａｘが０．５μｍ以
下である場合には散乱効果が十分に得うれず、また、加
μｍをこえると、球状痕跡窪みによる凹凸と比較して、
球状痕跡窪み内の微小凹凸が大きくなりすき、痕跡窪み
が球状をなさなくなったりして、干渉縞模様の発生を防
止する効果が充分に得られなくなる。また、こうした支
持体上に設けられる光受容層の不均一性を増長すること
ともなり、ｍ像欠陥を生じやすくなるため、好ましくな
い。 上述のごとき特定の表面形状を有する支持体上に設ける
本発明の光受容部材の光受容層は、感光層と表面層とか
らなり、該感光層は、シリコン原子と、ゲルマニウム原
子又はスズ原子の少なくともいずれか一方とを含有する
アそルファス材料で構成され、特に望ましくはシリコン
原子（Ｓｉ）と、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）又はスズ原
子（Ｓｎ ）の少なくともいずれか一力と、水素原子（
Ｈ）はハロゲン原子（Ｘ）の少なくともいずれか一方と
を含有するアモルファス材料〔以下、ｒ ａ−８ｉ （
Ｇｅ、 Ｓｎ ） （Ｈ，Ｘ） Ｊと表記する。〕、あ
るいは、酸素原子（０）、炭素原子（Ｃ）及び窒素原子
（Ｎ）の中から選ばれる少なくとも一塊を含有するａ−
８ｉ （Ｇｅ、 Ｓｎ） （Ｈ，Ｘ） Ｃ以下、ｒ ａ
−８ｉ （Ｇｅ、 Ｓｎ） （０，Ｃ，Ｎ） （Ｈ，Ｘ
） Ｊと表記する。〕で構成され、さらに会費に応じて
伝導性を制御する物質を含有せしめることができる。そ
して、該感光層は、多層構造を有することもあり、特に
好ましくは、伝導性を制御する物質な含有する電荷注入
阻止層を構成層の１つとして有するが、または／及び、
障壁層を構成層の１つとして有するものである。 また、前記表面層は、シリコン原子と、酸素原子、炭素
原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種とを含
有するアモルファス材料、特に望ましくは、シリコン原
子（Ｓｉ）と、酸素原子（０）、炭素原子（Ｃ）及び窒
素原子（Ｎ）の中から選ばれる少べとも一塊と、水素原
子（Ｈ）及びハロゲン原子（刈の少なくともいずれか一
方一冴一 とを含有するアモルファス材料〔以下、ｒａ−８ｉ（０
，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記する。〕で構成される。 本発明の感光層及び表面層の作成については、本発明の
前述の目的を効率的に達成するために、七〇層厚を光学
的レベルで正確に制御する必要があることから、グロー
放電法、スパッタリング法、イオンブレーティング法等
の真空堆積法が通常使用されるが、これらの他、光ＣＶ
Ｄ法、熱ＣＶＤ法等を採用することもできる。 以下、図示の実施例にしたがって本発明の光受容部材の
具体的内容を説明するが、本発明の光受容部材はそれら
実施例により限定されるものではない。 第１図は、本発明の光受容部材の層構成を説明するため
に模式的に示した図であり、図中、】（１０は光受容部
材、１（１１は支持体、１（１２は第一の膚、１０３は
第二の鳩、１０４は自由表面を示している。 支持体 本発明の光受容部材における支持体１（１１は、その表
面が光受容部材に要求される解像力よりも微小な凹凸を
有し、しかも該凹凸は、複数の球状痕跡窪みによるもの
であり、かつ、該球状痕跡窪み内には史に微小な複数の
凹凸が形成されているものである。 以下に１本発明の光受容部材における支持体の表面の形
状及びその好適な製造例を、第４及び５図により説明す
るが、本発明の光受容部材における支持体の表面形状及
びその製造法は、これらによって限定されるものではな
い。 第４図は、本発明の光受容部材における支持体の表面の
形状の典型的−例を、その凹凸形状の一部を部分的に拡
大して模式的に示すものである。 第４図において４（１１は支持体、４（１２は支持体表
面、４０３は球状痕跡窪みによる凹凸形状、４０４は該
球状痕跡窪み内に設けられた丈に微小な凹凸形状を示し
ている。 さらに第４図は、該支持体表面形状を得るのに好ましい
製造方法の１例をも示すものでもあり、４０３′は、表
面に微小な凹凸形状４０４′を有する剛体球を示してお
り、該剛体球４０３′を支持体表面４（１２より所定高
さの位置より自然落下させて支持体表面４（１２に衝突
させろことにより、淡み内に微小な凹凸形状４０４を有
する、球状痕跡窪みによる凹凸形状４０３を形成しうる
ことを示している。そして、ほぼ同一径Ｒ′の剛体球４
０３′を複数個用い、それらを同一の高さｈより、同時
あるいは逐時、落下させることにより、支持体表面４（
１２に、はｙ同一の曲率Ｒ及びはｙ同一の幅りを有する
複数の球状痕跡窪み４０３を形成することができる。 第５図は、前述のごとくして表面に、複数の球状痕跡Ｅ
！みによる凹凸形状の形成された支持体のいくつかの典
型例を示すものである。該図において、５（１１は支持
体、５（１２は支持体表面、５０３は、娼み内に被数の
更に微小な凹凸形状を有する球状沢跡鋳み（なお、第５
図においては球状痕跡窪み内に形成される史に微小な被
数の凹凸形状は図示していないが、球状痕跡窪み５０３
内には各々更に微小な凹凸形状を有しているものとする
。）、５０３′は表面に微小な凹凸形状を有する剛体球
（同様にして、表面の微小な凹凸形状は図示していない
が、剛体球の表面には、微小な凹凸形状を有しているも
のとする。）をそれぞれ示している。 第５（Ａ）図に示す例では、支持体５（１１の表面５（
１２の異なる部位に、ほぼ同一の径の複数の球体５０３
’、 ５０３’、・・・をほぼ同一の高さより規則的
に落下させてほぼ同一の曲率及びほぼ同一の幅の複数の
痕跡窪み５０３．５０３、・・・を互いに重複し合うよ
うに蜜に生じせしめて規則的に凹凸形状を形成したもの
である。なおこの場合、互いに重複する窪み５０３．５
０３、・・・を形成するには、球体５０３′の支持体表
面５（１２への衡突時期が、互いにずれるように球体５
０３′、５０３′、・・・を自然落下せしめる必要のあ
ることはいうまでもない。 また、第５（Ｂ）図にだす例では、異なる径を有する二
Ｓ類の球体５０３’、５０３’、・・・をほぼ同一の高
さ又は異なる高さから落下させて、支持体５（１１の表
面５（１２に、二種の曲率及び二種の幅の複数の韻み５
０３．５０３、・・・を互いに重複し合うように密に生
じせしめて、表面の凹凸の高さが゛不規則な凹凸を形成
したものである。 兜に、第５（Ｃ）図（支持体表面の正面図および断面図
）に示す例では、支持体５（１１の表面５（１２に、ほ
ぼ同一の径の複数の球体５０３′、５０３′、・・・を
ほぼ同一の高さより不規則に落下させ、ほぼ同一の曲率
及び複数種の幅を有する複数の窪み５０３． ５０３、
・・・を互いに重複し合うように生じせしめて、不規則
な凹凸を形成したものである。 以上のように、本発明の光受容部材の支持体の表面に球
状痕跡窪みによる凹凸形状を形成せしめ、かつ、該球状
痕跡毬み内に更に微小な複数の凹凸形状を形成せしめる
については、表面に微小な凹凸形状を有する剛体球を支
持体表面に落下させる方法が、好ましい例として挙げら
れるが、この：ｌ＃台、剛体球の径、落下させる高さ、
剛体球と支持体表面の硬度、剛体球の表面の凹凸の形状
及び大きさ、あるいは落下せしめる剛体球の量等の諸条
件を適宜選択することにより、支持体表面に所望の平均
曲率及び平均幅を有する球状痕跡印み、あるいは該球状
痕跡性み内に所望の大きさ及び形状の凹凸を、所定の密
度で形成することができる。即ち、上記諸条件を選択す
ることにより、支持体表面に形成される凹凸形状の凹凸
の高さや凹凸のピッチ、あるいは凹凸形状の凹部に形成
される更に微小な凹凸形状の凹凸の高さや凹凸のピッチ
等を、目的に応じて自在に調節することが可能であり、
所望の凹凸形状を有する支持体を得ることができる。 そして、光受容部材の支持体を凹凸形状表面のものにす
るについて、旋盤、フライス盤等を用いたダイヤモンド
バイトにより切削加工して作成する方法の提案がなされ
ていてそれなりに有効な方法ではあるが、該方法にあっ
ては切削油の使用、切削により不用辷的に生ずる切粉の
除去、切削面に残存してしまう切削油の除去が不可欠で
あり、結局は加工処理が煩雑であって効率のよくない等
の問題を伴うところ、本発明にあっては、支持体の凹凸
表面形状を前述したように球状痕跡性みにより形成する
ことから上述の問題は全くなくして所望の凹凸形状表面
の支持体を効率的且つ簡便に作成できる。 本発明に用いる支持体１（１１は、導電性のものであっ
ても、また電気絶縁性のものであってもよい。２４電性
支狩体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、ｋｌ
、 Ｃｒ、 Ｍｏ、 Ａｕ、 Ｎｂ、 Ｔａ。 ■、Ｔｉ、ＰＬ、Ｐｂ等の金部又はこれ等の合金が挙げ
られる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニルポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等の
電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面を導電処理し、該導電処理された表面側に光受容層を
設けるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、ｋｌ
、 Ｏｒ、 Ｍｏ％Ａｕ、 Ｉｒ、 Ｎｂ、 Ｔａ、
Ｖ、 Ｔｉ 。 Ｐｔ 、 Ｐｄ 、 Ｉｎ、０．．８ｎＯ，、ＩＴＯ（
Ｉｎ、０．＋ ８ｎＯ，）等から成る薄膜を設けること
によって導電性を付与し、或いはポリエステルフィルム
等の合成樹脂フイＡ／ムであれば、 ＮｉＣｒ、 ｌ’
ｈｌ、Ａｇ、 Ｐｂ。 Ｚｎ、 Ｎｉ 、 Ａｕ、 Ｃｒ、 Ｍｏ、 Ｉｒ 、
Ｎｂ、 Ｔａ％Ｖ。 Ｔｌ、Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着
、スパッタリング等でその表面に設け、又は前記金属で
その表面をラミネート処理して、その表面に導電性を付
与する。支持体のプレ状は、円筒状、べ／ｌ／）状、板
状等任意の形状であることができるが、用途、所望によ
って、その形状は適宜に決めることのできるものである
。例えば、第１図の光受容部材１（１０を電子写真用像
形成部材として使用するのであれは、連続高速複写の場
合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。 支持体の厚さは、所望迫りの光受容部材を形成しうる様
に適宜決定するが、光受容部材として可撓性が要求され
る場合には、支持体としての機能が充分発揮される範囲
内で可能な限り薄くすることができる。しかしながら、
支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、
通常は、１０μ以上とされる。 次に、本発明の光受容部材を電子写真用の先受′６部材
として用いる場合について、その支持体表面の製造装置
の１例を第６（Ａ）図及び第６（Ｂ）図を用いて説明す
るが、本発明はこれによって限定されるものではない。 電子写真用光受容部材の支持体としては、アルミニウム
合金等に通常の押出加工を施して、ボートホール営ある
いはマンドレル管とし、更に引抜加工して得られる引抜
管に、必要に応じて熱処理や稠寅等の処理を施した円筒
状（シリンダー状）基体を用い、該円筒状基体に第６（
Ａ）、（Ｂ）図に示した製造装置を用いて、支持体表面
に凹凸形状を形成せしめる。 支持体表面に前述のような凹凸形状を形成するについて
用いる球体としては、例えばステンレス、アルミニウム
、鋼鉄、ニッケル、ｇａｓの金属、セラミック、プラス
チック等の各種剛体球を挙げることができ、とりわけ耐
久性及び低コスト化等の理由により、ステンレス及び鋼
鉄の剛体球が望ましい。そしてそうした剛体球の硬度は
、支持体の硬度よりも高くても、あるいは低くてもよい
が、球体を繰返し使用する場合には、支持体の硬度より
も扁いものであることが望ましい。 本発明の支持体表面に前述のごとき特定形状を形成する
には、上述のような各種剛体球の表面に凹凸を有するも
のを使用する必要があり、こうした表面に凹凸を有する
剛体球は、例えばエンボス、波付は等の塑性加工処理を
応用する方法、地荒し法（梨地法）等の粗面化方法など
、機械的処理により凹凸′ｆ：形成する方法、酸やアル
カリによる食刻処理等化学的法により凹凸を形成する方
法などを用いて剛体球を処理することにより作製するこ
とができる。また更にこの様に凹凸を形成した剛体球表
面に、電解研摩、化学研摩、仕上げ研摩等、又は陽極酸
化皮膜形成、化成皮膜形成、めっき、はうろう、塗装、
蒸着膜形成、ＣＶＤ法による膜形成などの表面処理を施
して凹凸形状（高さ）、硬度などを適宜調整することが
できる。 第６ （Ａ） 、 （Ｂ）図は、製造装置の一例を説明
するだめの模式的な断面図である。 図中、６（１１は支持体作成用のアルミニウムシリンダ
ーであり、該シリンダー６（１１は、予め表面を適宜の
平滑度に仕上げられていてもよい。 シリンダー６（１１は、回転軸６（１２に軸支され℃お
り、モーター等の適宜の駆動手段６０３で駆動され、ほ
ぼ軸芯のまわりで回転可能にされている。 ６０４は、軸受６（１２に軸支され、シリンダー６（１
１と同一の方向に回転する回転容器であり、該容器６０
４の内部には、表面に凹凸形状を有する多数の剛体球６
０５か収容されている。剛体球６０５は、回転容器６０
４の内壁に設けられている突出した複数のリブ６０６に
よって担持され、且つ、回転容器６０４０回転によって
容器上部まで輸送される。回転容器の回転速度がある適
度の速度の時に、容器壁について容器上部まで輸送され
た剛体球６０５は、シリンダー６（１１上に向は落下し
、シリンダー表面に衝突し、表面に痕跡窪みを形成する
。 なお、回転容器６０４の壁に均一に孔を穿っておき、回
転時に容器６０４の外部に設けたシャワー管６０７より
洗浄液を噴射するようにし、シリンダー６（１１と剛体
球６０５及び回転容器６０４を洗浄しうる様にすること
もできる。このようにした場合、剛体球どうし、又は剛
体球と回転容器との接触等により生ずる静電気によって
付着したゴミ等を、回転容器６０４外へ洗い出すことと
なり、ゴミ等の付着がない所望の支持体を形成すること
ができる。該洗浄液としては、洗浄液の乾燥むらや液だ
れのないものを用いる必要があり、こうしたことから不
挿発性物貴単独、又ハ） ＩＪ クロルエタン、トリク
ロルエチレン等の洗浄液との混合物を用いるのが好まし
い。 感光層 本発明の光受容部材においては、前述の支持体１（１１
上に、感光Ｎ１（１２が設けられており、該感光層は、
ａ−８ｉ （Ｇｅ、 Ｓｎ） （Ｈ，Ｘ）又はａ−８ｉ
（Ｇｅ、Ｓｎ ） （０，Ｃ，Ｎ） （Ｈ，Ｘ）で構成
されており、好ましくは、さらに伝導性を制御する物質
を含有せしめることができる。 感光層中に含有せしめるハロゲン原子（Ｘ）としては、
具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、特
にフッ素、塩素を好適なものとして挙げることができる
。そして、感光層１（１２中に含有されろ水素原子（Ｈ
）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の鼠又は水素原子とハロ
ゲン原子の童の和（Ｈ＋Ｘ）は通常の場合１〜４０ａｔ
ｏｍｉｃ％、好適には５〜３Ｑａｉｏｍｉｃ％とされる
のが望ましい。 また、本発明の光受容部材において、感光層の層厚は、
本発明の目的を効率的に達成するには車装な要因の１つ
であって、光受容部材に所望の時性が与えられるように
、光受容部材の設計の際には光分な注意を払う必要があ
り、通常は１〜１（１０μとするが、好ましくは１〜８
０μ、より好ましくは２〜５０μとする。 ところで、本発明の光受容部材の感光層にゲルマニウム
原子及び／又はスズ原子を含有せしめる目的は、主とし
て該光受容部材の長波長側における吸収スペクトル特性
を向上せしめることにある。 ｆｆ１Ｊち、前記感光層中にゲルマニウム原子又は／及
びスズ原子を言イ１せしめることにより、本発明の光受
容部材は、６柚の潰れた！瞳性を示すところのものとな
るが、中でも特に町祝元執域をふくむ比較的短波長から
比較的短波長迄の全領域の波長の光に対して光感度が優
れ光応答性の速いものとなる。そしてこのことは、半導
体レーザーを光線とした場合に特に顕著である。 本発明における感光層においては、ゲルマニウム原子又
は／及びスズ原子は、ての全層値域に含有せしめても、
あるいは、支持体と接する一部の層惧域に含有せしめて
もよい。後者の場ズ原子を含有する構成層と、ゲルマニ
ウム原子又は／及びスズ原子のいずれも含有しない構成
層が支持体側の端部よりこの順に積層された層構成を有
するものとなる。そして、ゲルマニウム原子又は／及び
スズ原子を全層執域に含有せしめる場合および一部の層
物域にのみ含有せしめる場合のいずれの場合も、ゲルマ
ニウム原子及び／又はスズ原子を該層中または層領域中
に、均一な分布状態で富有せしめてもよく、あるいは不
均一な分布状態で含有せしめてもよい。（ここで、均一
な分布状態とは、ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子
の分布濃度が、感光層の支持体表面と平行な面方向にお
いて均一であり、感光層のｊ層厚方向にも均一であるこ
とをいい、又、不均一な分布状態とは、ゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の分布＠度が、感光層の支持体表
面と半行な面方向には均一であるが、感光層の層厚方向
には不均一であることをいう。）そして本発明の感光層
においては、特に、支特休側の端部にゲルマニウム原子
及び／又はスズ原子を比較的多量に均一な分布状態で含
有する層を設けるが、あるいは自由表面側よりも支持体
側の方に多く分布した状態となる様にゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子を貧有せしめることが望ましく、こ
うした場合、支持体側の端部においてゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子の分布龜度を極端に大きくすること
により、半導体レーザー等の長波長の光源を用いた場合
に、元受客層の自由表面側に近い構成層又は層領域にお
いては殆んど吸収しきれない長波長の光を、元受客層の
支持体と接する構成層又は層狐域において実買的に元金
に吸収されるため、支持体表面からの反射光による干渉
が防止されるようになる。 前述のごとく、本発明の感光層においては、ゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子を全１＝中又は一部の構成層
中に均一に分布せしめることもでき、あるいは、全１輪
又は一部の構成ｙ＠の層厚方向に連続的かつ不均一に分
布せしめることもてきるが、以下、層厚方向に連続的か
つ不均一な分布状態の典型的な例のいくつかを、ゲルマ
ニウム原子を例として、第７乃至１５図により説明する
。 第７図乃至第１５図において、横軸はゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃを、縦軸は、感光層全層又は支持体と接す
る一部の構成層の層厚を示し、１、は支持体側の感光層
の端面の位置を、１１は支持体側とは反対側の表面層側
の端部、又はゲルマニウム原子を含有する構成層とゲル
マニウムを富有しない構成層との界面の位置を示す。即
ち、ゲルマニウム原子の富有される感光層はｉｎ側より
１Ｔ側に向ってＭｌ形成がなされる。 尚、各図に於いて、Ｉｎ厚及び濃度の表示はそのままの
値でボすと各々の図の違いが明確でなくなる為、極端な
形で図示しており、これらの図はあくまでも理解を容易
にするだめの説明のための俣式的なものである。 第７図には、感光層中に富有されるゲルマニウム原子の
ｊ層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。 第７図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有され
る感光層が形成される支持体表面と該層とが接する界面
位ｔｔｍより１．の位置までは、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃが濃度Ｃ１なる一定の値を取り乍らゲルマニウ
ム原子が感光層に含有され、位［１，よりは濃度Ｃ７よ
り界面位置ｔＴに至るまで徐々に連続的に減少されてい
る。界面位置ｔｙにおいてはゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは実質的にゼロとされる。 （ここで実質的にゼロとは検出限界量未満の場合である
。） 第８図に示される例においては、含有されるゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位ｌ１ｔｔｌＩより位ｔｔｙに至
るまで濃度Ｃ８から保々に連続的に減少して位置１１に
おいて損ｆｘ Ｃａとなる様な分布状態を形成している
。 ｗ、９図の場合には、位置１．より位Ｗｔｔまでは。 ゲルマニウム原子の分布ｍｉｃは幽’ｒｙｉ−Ｃｓと一
定位置とされ、位Ｗｔｔと位置ｔＴとの間において、徐
々に連続的に減少され、位置を丁において、分布濃度Ｃ
は実質的にゼロとされている。 第１０図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置１．より位ｆｔ丁に至るまで、濃度Ｃ６より初め連
続的に保々に減少され、位ｔｔｓよりは急速に連続的に
減少されて位ｉｔ丁において実質的にゼロとされている
。 第１１図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位＊ ｔ Ｂと位ｔｔ ４間においては、濃度
Ｃ１と一定値であり、位ｔｔｔに於ては分布濃度Ｃはゼ
ロとされる。位置ｔ４と位置ｔＴとの間では、分Ｘｈｍ
度Ｃは一次関数的に位置ｔ４より位置１１に至るまで減
少されている。 第１２図に示される例においては、分布濃度Ｃは位１１
＋より位ｗｔｓまでは濃度Ｃ６の一足値を取り、位置ｔ
、より位置ｔＴまでは濃笈Ｃ０より濃度Ｃ０゜まで−次
間数的に減少する分布状態とされている。 第１３図に示す例においては、位ｔｔＢより位置ｔＴに
至るまで、ゲルマニウム原子の分布＆［Ｃ＝４３− は濃度ＣＩ！より一次関数的に減少されて、ゼロに至っ
ている。 第１４図においては、位置１．より位置ｔ６に至るまで
はゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃｔｔより濃
度ｃｐｓまで一次関数的に減少され、位置ｔ、と位置
赤外線、Ｘ秋、γ線等を刀（す）の様な電磁波に感受性
のある光受容部材に関する。 さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに通した光受容部材に関する。 〔従来技術の説明〕 デジタル叫ｆ未情報をｔｈ１永としてｉ己録する方法と
して、デジタルＩｌ！ＩＪ隊情報に応じて変調したレー
ザー光で光受容部材を光学的に走査することにより靜″
也浩隊を形成し、仄いで該沿泳を現像するが、史に心安
に応じて転写、定肩などの処理を行なう、自浄を１己録
する方法が知られており、中でも電子与Ａ法にまり訓１
家形成法では、レーザーとして、小型で安価なＨｅ −
Ｎｅレーザーあるいは半導体レーザー（通常は６５０〜
８２０ｎｍの発光波長を有する）を使用して諌記録を行
なうのが一般的である。 ところで、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写
真用の光受容部材としては、その元感度憧域の整合性が
他の種類の光受容部材と比べて優れているのに加えて、
ビッカース硬度が筒く、公害の問題が少ない等の点から
評価され、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開
昭あ一８３７４６号公報にみられるようなシリコン原子
を含む非晶買材料（以後ｒａ−８ｉＪと略記する）から
成る光受容部材が注目されている。 しかしながら、前記光受容部材については、光受容層を
単層構成のａ−８ｉ層とすると、その高光感度を保持し
つつ、電子写真用として安水される１０Ｉ２Ω硼以上の
暗抵抗を確保するには、水素原子やハロゲン原子、或い
はこれ等に加えてボロン原子とを特定の輩軛四でＩ−中
に制（財）された形で構造的に含有させる必要性があり
、ために層形成に当って各種条件を厳密にコントロール
することが要求される等、光受容部材の設計＝４− についての許容度に可成りの制限がある。そしてそうし
た設計上の許容度の問題をある程度低暗抵抗であっても
、その高光感度を有効に利用出来る様にする等して改善
する提案がなされている。即ち、例えは、特開昭５４−
１２１７４３号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特
開昭５７−４１７２号公報にみられるように光受容層を
伝、ｖ！特性の異なる層を積層した二ｊ−以上の層構成
として、光受容層内部に空乏層を形成したり、或いは特
開昭５７−５２１７８号、同５２１７９ ′＠、同５２
１８０号、同５８１５９号、同５８１６０号、同５８１
６１号の各公報にみられるように支持体と光受容層の間
、又は／及び光受容層の上部表面に障壁層を設けた多層
構造としたりして、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部
材か提案されている。 ところがそうした光受容ｒｖ！ｊが多層構造を有する光
受容部材は、各層の層厚にばらつきがあり、これを用い
てレーザー記録を行う場合、レーザー光か可干渉性の単
色光であるので、光受容層のレーザー光照射側自由表面
、光受容層を構成する各層及び支持体と光受容ｊ−との
層界面（以後、この自由表面及び層界面の両名を併せた
意味で「界面」と称する。）より反射して来る反射光の
夫々が干渉を起してしまうことがしばしばある。 この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所甜、
干渉縞模様となって現われ、１ｋｌＩ１１象不良の原因
となる。殊に階調性の高い中間調の画像を形成する場合
にあっては、識別性の著しく劣った阻画諌を与えるとこ
ろとなる。 またム璧な点として、使用する半導体レーザー光の波長
領域が長波長になるにつれ先受′６１−に於ける該レー
ザー光の吸収が減少してくるので、前記の干渉現象が顕
著になるという問題かある。 即ち、例えば２若しくはそれ以上の層（多層）構成のも
のであるものにおいては、それらの谷ｊ−について干渉
効果が起り、それぞれの干渉が相乗的に作用し合って干
渉縞模様を呈するところとなり、それが七のま〜転写部
材に影響し、転写、定着され可視画像に現出して不良画
像をもたらしてしまうといった問題がある。 こうした問題を解消する策として、（ａ）支持体表面を
ダイヤモンド切削して、±５（１０Ａ〜±１（１０（１
０１の凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特
開昭５８−１６２９７５号公報参照）、（ｂ）アルミニ
ウム支持体表面を黒色アルマイト処理したり、或いは、
樹脂中にカーボン、着色顔料、染料を分散したりして光
吸収層を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５８４５
号公報参照）、（Ｃ）アルミニウム支持体表面を梨地状
のアルマイト処理したり、サンドブラストにより砂目状
の微細凹凸を設けたりして、支持体表面に光散乱反射防
止Ｉ−を設けろ方法（？すえば特開昭５７−１６５５４
号公報杉照）等が提某されている。 これ等の提案力法は、一応の結果はもたらすものの、Ｎ
像上に現出する干渉招俣様を完全に解消するに十分なも
のではない。 即ち、（ａ）の方法については、支持体表面に特定の凹
凸を多数設けていて、それにより光散乱効果による干渉
縞模様の現出が一応それなりに防止はされるものの、光
散乱としては依然として正反射光成分が残存するため、
該正反射光による干渉縞模様が残存してしまうことに加
えて、支持体表面での光散乱効果により照射スポットに
拡がりが生じ、実質的な解像度低下をきたしてしまう。 （ｂ）の方法については、黒色アルマイト処理では、完
全吸収は不可能であり、支持体表面での反射光は残存し
てしまう。また、堆色鵡料分散樹脂１−を設ける場合は
、ａ−８ｉ層を形成する際、樹脂層より脱気現象が生じ
、形成される光受容層の層品質が著しく低下すること、
樹脂ＪＶＩがａ−８ｉ層形成の除のプラズマによってダ
メージを受けて、本末の吸収機能を低減させると共に、
表面状態の悲化によるその後のａ −Ｓ ｉ １９４の
形成に悪影響を与えること等の問題点を有する。 （ｃ）の方法については、例えば入射光についてみれば
光受容層の表面でその一部が反射されて反射光となり、
残りは、光受容層の内部に進入して透過光となる。透過
光は、支持体の表面に於いて、その一部は、光散乱され
て拡散光となり、残りが正反射されて反射光となり、そ
の一部が出射光となって外部に出ては行くが、出射光は
、反射光と干渉する成分であって、いずれにしろ残留す
るため依然として干渉縞模様が完全に消失はしない。 ところで、この場合の干渉を防止するについて、光受容
層内部での多重反射が起らないように、支持体の表面の
拡散性を増加させる試みもあるが、そうしたところでか
えって光受容層内で光が拡散してハレーションを生じて
しまい結局は解像度が低下してしまう。 物に、多層構成の光受容部材においては、支持体表面を
不規則的に荒しても、第１層表面での反射光、第２層で
の反射光、支持体面での正反射光の夫々が干渉して、光
受容部材の各層厚にしたかった干渉物模様か生じる。従
って、多層構成の光受容部材においては、支持体表面を
不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止することは
不可能である。 又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上問題がある。加えて、比較的大きな
突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大きな
突起が光受容層の局所的ブレークダウンをもたらしてし
まう。 又、支持体表面を単に規則的に荒したところで、通常、
支持体の表面の凹凸形状に沿って、光受容層が堆積する
ため、支持体の凹凸の傾斜面と光受容層の凹凸の傾斜面
とが平行になり、その部分では入射光は、明部、暗部を
もたらすところとなり、また、先覚′８層全体では光受
容層の層厚の不均一性があるため明暗の縞模様が現われ
る。促って、丸竹体表ＩＩｎを規則的に荒しただけでは
、干渉縞模様のう６生を完全に防ぐことはできない。 又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、支持体表面での正反射光と、
光受容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面
での反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容
部材の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。 更にまた、こうした多層構成の光受容部材における反射
光による干渉現象の問題は、その表面層に関係するとこ
ろも大である。即ち、上述したところからして明らかな
ように、表面層の層厚が均一でないと、該層とそれに接
している感光層との界面での反射光による干渉現象が起
きて、光受容部材の機能に障害を与えてしまう。 ところで、表面層の層厚か不均一である状態は、表面層
の形成時に抑もたらされる他、光受容部材の使用時にお
ける摩耗、特に部分的摩耗によってももたらされる。そ
して特に後者の場合、上述したように、干渉模様の現出
を招く他、光受容部材全体の感度変化、感度むら等をも
たらすところとなる。 こうした表面層に係る問題をなくす意味で表面層の層厚
をできるだけ厚くする試みがなされているが、そのよう
にした場合、残留電位が増大する要因が形成されてしま
うことの他、表面層にはかえって層厚むらが増大されて
しまい、そうした表面層を有する光受容部材は、その形
成時読に感度変化、感度むら等の問題をもたらす要因を
具有するわけであり、それを使用したとなれば初期画像
から採用に価しないものを与えてしまう。 〔発明の目的〕 本発明は、主としてａ−８ｉで構成された光受容層を有
する光受容部材について、上述の鮪問題を排除し、％種
要求を満たすものにすることを目的とするものである。 すなわち、本＠明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定しており、耐光疲労に漬れ、繰返し使用に除
しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に潰れ、残留
電位か全く又は殆んど観測されなく、製造管理が容易で
ある、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光受容部
材を提供することにある。 本発明の別の目的は、全可視光域において光感度が誦く
、とくに半導体レーザーとのマツチング性に優れ、且つ
光応答の速い、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する
光受容部材を提供することにある。 本発明の更に別の目的は、高光感度性、高８Ｎ比特性及
び高電気的耐圧性を有する、ａ−８１で構成された光受
容層を有する光受容部材を提供することにある。 本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層のＧ層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品員の尚い、ａ−
３ｉで構成された光受容層を有する光受容部材を提供す
ることにある。 本発明の艮に他の目的は、可干渉性単色光を用いる画像
形成に通し、長期の蛛り返し便用にあっでも、干渉縞模
様と反転睨隊時の斑点の現出がなく、且つ画ｆ象欠陥や
画像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て且つ解ｆ家度の高い、高品賀凹白象を得ること
のできる、ａ−５ｉで構成された光受容ノーを有する光
受容部材を提供することにある。 〔発明の構成〕 本発明者らは、従来の光受容部材についての前述の諸問
題を克服して、上述の目的を達成すべく鋭意研究な亘ね
た粕来、下達する知見を得、該知見に基づいて本発明を
構成するに至った。 即ち、本発明は、支持体上に、シリコン原子と、ゲルマ
ニウム原子またはスズ原子の少くともいずれか一方を含
有する非晶質材料で構成された感光層と、シリコン原子
と、酸素原子、炭素原子、及び窒素原子の中から選ばれ
る少くとも一部とを含有する非晶實制料で構成された表
面層とを有する光受容Ｊ−を備えた光受容部材であって
、前ｍｌ感光ノーと前記表面ノーとの界面において光学
的バンドギャップが整合しており、前凸形状を有し、か
つ、該球状痕跡窪み内に更に微小な複数の凹凸形状を有
してなることを骨子とする光受容部材に関する。 ところで、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果、得た知
見は、概要、以下に記述するところである。 即ち、支持体上に表面層と感光Ｉ―とを有する光受容層
を備えた光受容部材にあっては、表面層と感光ｊ−との
界面において、表面層の有する光学的バンドギャップと
、該表面層が直接設けられる感光層の翁する光学的バン
ドキャップとか整合するように構成した場合、表面７１
４ｉ１と感光層との界面における入射光の反射か防止さ
れ、表面層の形成時における層厚むら又は／及び表面ｊ
ｉ＃の摩耗によるＪ層厚むらによってもたらされるとこ
ろの干渉模様や感度むらの問題が等消されるというもの
である。 また、支持体上に仮数の層を有する光受容部材において
、前Ｆ支持体表面に、複数の球状痕跡窪みによる凹凸を
設け、かつ、該球状痕跡毬み内に更に微小な凹凸形状を
設けることにより、ｒＩ！ｉｌ像形成時に現われる干渉
Ｎ＠模様の問題が者しく解消されるというものである。 ところで後者の知見は、本発明者らが試みた各種の実験
により得た事実関係に基づくものである。 このところを、理解を容易にするため、図面を用いて以
下に説明する。 第１図は、本発明に係る光受容部材１（１００層構成を
示す模式図であり、微小な複数の球状痕跡窪みによる凹
凸形状を有し、かつ、該球状痕跡窪み内に更に微小な複
数の凹凸形状を有する支持体１（１１上に、その凹凸の
傾斜面に沿って、感光層１（１２及び表面）１ｊｉ１０
３とからなる光受容層を備えた光受容部材を示している
。 第２及び４図は、本発明の光受容部材において干渉縞模
様の問題か解消されるところを説明するだめの図である
。 第３図は、表面を規則的に荒した支持体上に、多層構成
の光受容層を堆積させた従来の光受容部材の一部を拡大
して示した図である。該図において、３（１１は感光層
、３（１２は表面１輪、３０３は自由表面、３０４は感
光層と表面層の界面をそれぞれ示している。第３図に示
すごとく、支持体表面を切削加工等のす段により率に規
則的に荒しただけの場合、辿冨は、支持体の表面の凹凸
形状に沿って光受容層が形成されるため、支持体表面の
凹凸の傾斜面と光受容層の凹凸の１唄斜面とか平行関係
をなすところとなる。 このことが原因で、例えば、光受容層が感光ｊｄ３（１
１と、表面７ｄ３（１２との２つのｊ曽からなる多層構
成のものである光受容部材においては、例えば次のよう
な問題か定常的に惹起される。即ち、感光ｊ−と衣面泗
との界面３０４及び自由表面３０３とか平行関係にある
ため、界面３０４での反射光ｌｔｌと自由表面での反射
光鳥とは方向か一致し、表面Ｉ−の層厚に応じた干渉縞
か生じる。 第２図は、複数の球状痕閾・注みによる凹凸形状を有す
る支持体上に、多層構成の光受容層を堆積させた光受容
部材の一部を拡大して示した図である。該図において、
２（１１は感光層、２（１２は表面層、２０３は自由表
面、２０４は感光Ｊ−と表面層との界面をそれぞれボし
ている。第２図に示すごとく、支持体表面に複数の微小
な球状痕跡窪みによる凹凸形状を設けた場合、該支持体
上に設けられる光受容層は、核凹凸形状に沿って堆積す
るため、感光層２（１１と表面層２（１２との界面２０
４、及び自由表面２０３は、各々、前記支持体表面の凹
凸形状に沿って、球状痕跡窪みによる凹凸形状に形成さ
れる。界面２０４に形成される球状痕跡窪みの曲率をＲ
１、自由表面に形成される球状痕跡窪みの曲￥をＲ６と
すると、Ｒ８とＲ１とはａ、（凡、となるため、ｙｆ−
曲２０４での反射光と、自由表面２０３での戊射光とは
、谷々異なる反射角度を有し、即ち、第２図におけるθ
１、θ２がθ、Ｎθ２であって、方向か異なるうえ、第
２図にボすｌ８．１２．６を用いてＡ＋ ＋Ｉｔ ｌ
ｊｓで表わされるところめ波長のずれも一定とはならず
に変化するため、いわゆるニュートンリング現象に相当
するシェアリング干渉か生起し、干？ＪＪＭは注み内で
分散されるところとなる。これにより、こうした光受容
部材を介して現出されるｌｌ１１１１氷は、ミクロ的に
は干渉縞か仮に現出されていたとしても、それらは視覚
にはとられられない栓度のものとなる。 即ち、かくなる表向形状を有する支持体の使用は、その
上に多Ｎ構成の光受容層をル成してなる光受容部材にあ
って、該光受容層を通過した光が、ｒ＊界面及び支持体
表面で反射し、それらか干渉することにより、形成され
る一エボか縞模様となることを効率的に防止し、後れた
画像を形成しうる光受容部材を得ることにつながる。 第４図は、第１図に示す本発明の光受容部材における支
持体表面の一部を拡大した図である。 第４図にボすごとく、本発明の光受容部材における支持
体表面は、球状痕跡凍み４（１１内の表面の一部分乃至
金棒に、史に微小な凹凸乃至凹凸＃４（１２か形成され
ている。この様な更に微小な凹凸乃至凹凸！＃４（１２
を設けた場付、第２図を用いて記述したところの干渉防
止効果に加えて、該微小凹凸４（１２による散乱効果が
もたらされて。 これにより干渉縞模様の発生がより一層確実に防止され
る。 ところで、従来技術においては、前述したごとく、支持
体表面をランダムに荒らすことで乱反射させ、干渉縞模
様の発生を防止していた。 しかし、この様な場合光分な干渉縞模様の発生を防止す
る効果が得られないばかりでなく、画像転写後のクリー
ニングにおいて、例えばブレードを用いてクリーニング
する場合にも問題が生ずる。即ち、光受容層の表面は、
支持体上に設けられた凹凸に沿った凹凸が生ずるため、
ブレードが光受容層の凹凸の凸部に主としてあたり、ク
リーニング性か思く、また、光受容層の凸部とブレード
表面のＩｉ＃礼か大きくなり、結果的に両者の耐久性が
よくなく問題がある。 これに対し、本発明の光受容部材においては、散乱効果
をもたらす微小な凹凸形状が、球状痕跡窪み（凹部）内
に存在するため、クリーニング時において、ブレードが
光受容層の凹部に接触するということがなくなり、ブレ
ードや光受容層表面に大きな負荷がかからないという利
点も有している。 さて、本発明の光受容部材の支持体表面に設けられる球
状痕跡窪みによる凹凸形状の曲率。 幅、及び該球状痕跡窪み内の更に微小な凹凸の高さは、
こうした本発明の光受容部材における干渉縞の発生を防
止する作用効果を効率的に得るについて重要である。本
発明省らは、′ｉ！ｒ橡央験を血ねた結果以下のところ
を究明した。 即ち、球状痕跡窪みによる凹凸形状の曲率をＲ１幅をＤ
とした場合、次式： ％式％ を満址する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によΦニュートンリングが０．５本以上存在するこ
ととなる。さらに次式：％式％ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが１本以上存在することと
なる。 こうしたことから、光受容部材の全体に発生する干渉縞
を、各々の痕跡窪み内に分散せしめ、光受容部材におけ
る干渉縞の発生を防止するためには、前記Ｔを０．０３
５、好ましくは０．０５５以上とすることが望ましい。 Ｄ 。 というのは、−か０．５より大きくなると、窪みの幅り
が相対的に大きくなり、画像ムラ等を派生し易い状況と
なるためである。 また、痕跡窪みによる凹凸の幅りは、大きくとも５（１
０μｍ程度、好ましくは２（１０μｍ以下、より好まし
くは１（１０μｍ以下とするのが望ましい。Ｄが５（１
０μｍを超えると、画像ムラを派生しやすくなるととも
に、解像力をこえてしまうおそれがあり、こうした場合
には、効率的な干渉縞防止効果が得られにくくなる。 球状痕跡窪み内に形成される微小凹凸の高さ、即ち、球
状痕跡窪み内の表面粗さγｍａｘは、０．５〜２０μｍ
の範囲であることが好ましい。γｍａｘが０．５μｍ以
下である場合には散乱効果が十分に得うれず、また、加
μｍをこえると、球状痕跡窪みによる凹凸と比較して、
球状痕跡窪み内の微小凹凸が大きくなりすき、痕跡窪み
が球状をなさなくなったりして、干渉縞模様の発生を防
止する効果が充分に得られなくなる。また、こうした支
持体上に設けられる光受容層の不均一性を増長すること
ともなり、ｍ像欠陥を生じやすくなるため、好ましくな
い。 上述のごとき特定の表面形状を有する支持体上に設ける
本発明の光受容部材の光受容層は、感光層と表面層とか
らなり、該感光層は、シリコン原子と、ゲルマニウム原
子又はスズ原子の少なくともいずれか一方とを含有する
アそルファス材料で構成され、特に望ましくはシリコン
原子（Ｓｉ）と、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）又はスズ原
子（Ｓｎ ）の少なくともいずれか一力と、水素原子（
Ｈ）はハロゲン原子（Ｘ）の少なくともいずれか一方と
を含有するアモルファス材料〔以下、ｒ ａ−８ｉ （
Ｇｅ、 Ｓｎ ） （Ｈ，Ｘ） Ｊと表記する。〕、あ
るいは、酸素原子（０）、炭素原子（Ｃ）及び窒素原子
（Ｎ）の中から選ばれる少なくとも一塊を含有するａ−
８ｉ （Ｇｅ、 Ｓｎ） （Ｈ，Ｘ） Ｃ以下、ｒ ａ
−８ｉ （Ｇｅ、 Ｓｎ） （０，Ｃ，Ｎ） （Ｈ，Ｘ
） Ｊと表記する。〕で構成され、さらに会費に応じて
伝導性を制御する物質を含有せしめることができる。そ
して、該感光層は、多層構造を有することもあり、特に
好ましくは、伝導性を制御する物質な含有する電荷注入
阻止層を構成層の１つとして有するが、または／及び、
障壁層を構成層の１つとして有するものである。 また、前記表面層は、シリコン原子と、酸素原子、炭素
原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種とを含
有するアモルファス材料、特に望ましくは、シリコン原
子（Ｓｉ）と、酸素原子（０）、炭素原子（Ｃ）及び窒
素原子（Ｎ）の中から選ばれる少べとも一塊と、水素原
子（Ｈ）及びハロゲン原子（刈の少なくともいずれか一
方一冴一 とを含有するアモルファス材料〔以下、ｒａ−８ｉ（０
，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記する。〕で構成される。 本発明の感光層及び表面層の作成については、本発明の
前述の目的を効率的に達成するために、七〇層厚を光学
的レベルで正確に制御する必要があることから、グロー
放電法、スパッタリング法、イオンブレーティング法等
の真空堆積法が通常使用されるが、これらの他、光ＣＶ
Ｄ法、熱ＣＶＤ法等を採用することもできる。 以下、図示の実施例にしたがって本発明の光受容部材の
具体的内容を説明するが、本発明の光受容部材はそれら
実施例により限定されるものではない。 第１図は、本発明の光受容部材の層構成を説明するため
に模式的に示した図であり、図中、】（１０は光受容部
材、１（１１は支持体、１（１２は第一の膚、１０３は
第二の鳩、１０４は自由表面を示している。 支持体 本発明の光受容部材における支持体１（１１は、その表
面が光受容部材に要求される解像力よりも微小な凹凸を
有し、しかも該凹凸は、複数の球状痕跡窪みによるもの
であり、かつ、該球状痕跡窪み内には史に微小な複数の
凹凸が形成されているものである。 以下に１本発明の光受容部材における支持体の表面の形
状及びその好適な製造例を、第４及び５図により説明す
るが、本発明の光受容部材における支持体の表面形状及
びその製造法は、これらによって限定されるものではな
い。 第４図は、本発明の光受容部材における支持体の表面の
形状の典型的−例を、その凹凸形状の一部を部分的に拡
大して模式的に示すものである。 第４図において４（１１は支持体、４（１２は支持体表
面、４０３は球状痕跡窪みによる凹凸形状、４０４は該
球状痕跡窪み内に設けられた丈に微小な凹凸形状を示し
ている。 さらに第４図は、該支持体表面形状を得るのに好ましい
製造方法の１例をも示すものでもあり、４０３′は、表
面に微小な凹凸形状４０４′を有する剛体球を示してお
り、該剛体球４０３′を支持体表面４（１２より所定高
さの位置より自然落下させて支持体表面４（１２に衝突
させろことにより、淡み内に微小な凹凸形状４０４を有
する、球状痕跡窪みによる凹凸形状４０３を形成しうる
ことを示している。そして、ほぼ同一径Ｒ′の剛体球４
０３′を複数個用い、それらを同一の高さｈより、同時
あるいは逐時、落下させることにより、支持体表面４（
１２に、はｙ同一の曲率Ｒ及びはｙ同一の幅りを有する
複数の球状痕跡窪み４０３を形成することができる。 第５図は、前述のごとくして表面に、複数の球状痕跡Ｅ
！みによる凹凸形状の形成された支持体のいくつかの典
型例を示すものである。該図において、５（１１は支持
体、５（１２は支持体表面、５０３は、娼み内に被数の
更に微小な凹凸形状を有する球状沢跡鋳み（なお、第５
図においては球状痕跡窪み内に形成される史に微小な被
数の凹凸形状は図示していないが、球状痕跡窪み５０３
内には各々更に微小な凹凸形状を有しているものとする
。）、５０３′は表面に微小な凹凸形状を有する剛体球
（同様にして、表面の微小な凹凸形状は図示していない
が、剛体球の表面には、微小な凹凸形状を有しているも
のとする。）をそれぞれ示している。 第５（Ａ）図に示す例では、支持体５（１１の表面５（
１２の異なる部位に、ほぼ同一の径の複数の球体５０３
’、 ５０３’、・・・をほぼ同一の高さより規則的
に落下させてほぼ同一の曲率及びほぼ同一の幅の複数の
痕跡窪み５０３．５０３、・・・を互いに重複し合うよ
うに蜜に生じせしめて規則的に凹凸形状を形成したもの
である。なおこの場合、互いに重複する窪み５０３．５
０３、・・・を形成するには、球体５０３′の支持体表
面５（１２への衡突時期が、互いにずれるように球体５
０３′、５０３′、・・・を自然落下せしめる必要のあ
ることはいうまでもない。 また、第５（Ｂ）図にだす例では、異なる径を有する二
Ｓ類の球体５０３’、５０３’、・・・をほぼ同一の高
さ又は異なる高さから落下させて、支持体５（１１の表
面５（１２に、二種の曲率及び二種の幅の複数の韻み５
０３．５０３、・・・を互いに重複し合うように密に生
じせしめて、表面の凹凸の高さが゛不規則な凹凸を形成
したものである。 兜に、第５（Ｃ）図（支持体表面の正面図および断面図
）に示す例では、支持体５（１１の表面５（１２に、ほ
ぼ同一の径の複数の球体５０３′、５０３′、・・・を
ほぼ同一の高さより不規則に落下させ、ほぼ同一の曲率
及び複数種の幅を有する複数の窪み５０３． ５０３、
・・・を互いに重複し合うように生じせしめて、不規則
な凹凸を形成したものである。 以上のように、本発明の光受容部材の支持体の表面に球
状痕跡窪みによる凹凸形状を形成せしめ、かつ、該球状
痕跡毬み内に更に微小な複数の凹凸形状を形成せしめる
については、表面に微小な凹凸形状を有する剛体球を支
持体表面に落下させる方法が、好ましい例として挙げら
れるが、この：ｌ＃台、剛体球の径、落下させる高さ、
剛体球と支持体表面の硬度、剛体球の表面の凹凸の形状
及び大きさ、あるいは落下せしめる剛体球の量等の諸条
件を適宜選択することにより、支持体表面に所望の平均
曲率及び平均幅を有する球状痕跡印み、あるいは該球状
痕跡性み内に所望の大きさ及び形状の凹凸を、所定の密
度で形成することができる。即ち、上記諸条件を選択す
ることにより、支持体表面に形成される凹凸形状の凹凸
の高さや凹凸のピッチ、あるいは凹凸形状の凹部に形成
される更に微小な凹凸形状の凹凸の高さや凹凸のピッチ
等を、目的に応じて自在に調節することが可能であり、
所望の凹凸形状を有する支持体を得ることができる。 そして、光受容部材の支持体を凹凸形状表面のものにす
るについて、旋盤、フライス盤等を用いたダイヤモンド
バイトにより切削加工して作成する方法の提案がなされ
ていてそれなりに有効な方法ではあるが、該方法にあっ
ては切削油の使用、切削により不用辷的に生ずる切粉の
除去、切削面に残存してしまう切削油の除去が不可欠で
あり、結局は加工処理が煩雑であって効率のよくない等
の問題を伴うところ、本発明にあっては、支持体の凹凸
表面形状を前述したように球状痕跡性みにより形成する
ことから上述の問題は全くなくして所望の凹凸形状表面
の支持体を効率的且つ簡便に作成できる。 本発明に用いる支持体１（１１は、導電性のものであっ
ても、また電気絶縁性のものであってもよい。２４電性
支狩体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、ｋｌ
、 Ｃｒ、 Ｍｏ、 Ａｕ、 Ｎｂ、 Ｔａ。 ■、Ｔｉ、ＰＬ、Ｐｂ等の金部又はこれ等の合金が挙げ
られる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニルポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等の
電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面を導電処理し、該導電処理された表面側に光受容層を
設けるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、ｋｌ
、 Ｏｒ、 Ｍｏ％Ａｕ、 Ｉｒ、 Ｎｂ、 Ｔａ、
Ｖ、 Ｔｉ 。 Ｐｔ 、 Ｐｄ 、 Ｉｎ、０．．８ｎＯ，、ＩＴＯ（
Ｉｎ、０．＋ ８ｎＯ，）等から成る薄膜を設けること
によって導電性を付与し、或いはポリエステルフィルム
等の合成樹脂フイＡ／ムであれば、 ＮｉＣｒ、 ｌ’
ｈｌ、Ａｇ、 Ｐｂ。 Ｚｎ、 Ｎｉ 、 Ａｕ、 Ｃｒ、 Ｍｏ、 Ｉｒ 、
Ｎｂ、 Ｔａ％Ｖ。 Ｔｌ、Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着
、スパッタリング等でその表面に設け、又は前記金属で
その表面をラミネート処理して、その表面に導電性を付
与する。支持体のプレ状は、円筒状、べ／ｌ／）状、板
状等任意の形状であることができるが、用途、所望によ
って、その形状は適宜に決めることのできるものである
。例えば、第１図の光受容部材１（１０を電子写真用像
形成部材として使用するのであれは、連続高速複写の場
合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。 支持体の厚さは、所望迫りの光受容部材を形成しうる様
に適宜決定するが、光受容部材として可撓性が要求され
る場合には、支持体としての機能が充分発揮される範囲
内で可能な限り薄くすることができる。しかしながら、
支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、
通常は、１０μ以上とされる。 次に、本発明の光受容部材を電子写真用の先受′６部材
として用いる場合について、その支持体表面の製造装置
の１例を第６（Ａ）図及び第６（Ｂ）図を用いて説明す
るが、本発明はこれによって限定されるものではない。 電子写真用光受容部材の支持体としては、アルミニウム
合金等に通常の押出加工を施して、ボートホール営ある
いはマンドレル管とし、更に引抜加工して得られる引抜
管に、必要に応じて熱処理や稠寅等の処理を施した円筒
状（シリンダー状）基体を用い、該円筒状基体に第６（
Ａ）、（Ｂ）図に示した製造装置を用いて、支持体表面
に凹凸形状を形成せしめる。 支持体表面に前述のような凹凸形状を形成するについて
用いる球体としては、例えばステンレス、アルミニウム
、鋼鉄、ニッケル、ｇａｓの金属、セラミック、プラス
チック等の各種剛体球を挙げることができ、とりわけ耐
久性及び低コスト化等の理由により、ステンレス及び鋼
鉄の剛体球が望ましい。そしてそうした剛体球の硬度は
、支持体の硬度よりも高くても、あるいは低くてもよい
が、球体を繰返し使用する場合には、支持体の硬度より
も扁いものであることが望ましい。 本発明の支持体表面に前述のごとき特定形状を形成する
には、上述のような各種剛体球の表面に凹凸を有するも
のを使用する必要があり、こうした表面に凹凸を有する
剛体球は、例えばエンボス、波付は等の塑性加工処理を
応用する方法、地荒し法（梨地法）等の粗面化方法など
、機械的処理により凹凸′ｆ：形成する方法、酸やアル
カリによる食刻処理等化学的法により凹凸を形成する方
法などを用いて剛体球を処理することにより作製するこ
とができる。また更にこの様に凹凸を形成した剛体球表
面に、電解研摩、化学研摩、仕上げ研摩等、又は陽極酸
化皮膜形成、化成皮膜形成、めっき、はうろう、塗装、
蒸着膜形成、ＣＶＤ法による膜形成などの表面処理を施
して凹凸形状（高さ）、硬度などを適宜調整することが
できる。 第６ （Ａ） 、 （Ｂ）図は、製造装置の一例を説明
するだめの模式的な断面図である。 図中、６（１１は支持体作成用のアルミニウムシリンダ
ーであり、該シリンダー６（１１は、予め表面を適宜の
平滑度に仕上げられていてもよい。 シリンダー６（１１は、回転軸６（１２に軸支され℃お
り、モーター等の適宜の駆動手段６０３で駆動され、ほ
ぼ軸芯のまわりで回転可能にされている。 ６０４は、軸受６（１２に軸支され、シリンダー６（１
１と同一の方向に回転する回転容器であり、該容器６０
４の内部には、表面に凹凸形状を有する多数の剛体球６
０５か収容されている。剛体球６０５は、回転容器６０
４の内壁に設けられている突出した複数のリブ６０６に
よって担持され、且つ、回転容器６０４０回転によって
容器上部まで輸送される。回転容器の回転速度がある適
度の速度の時に、容器壁について容器上部まで輸送され
た剛体球６０５は、シリンダー６（１１上に向は落下し
、シリンダー表面に衝突し、表面に痕跡窪みを形成する
。 なお、回転容器６０４の壁に均一に孔を穿っておき、回
転時に容器６０４の外部に設けたシャワー管６０７より
洗浄液を噴射するようにし、シリンダー６（１１と剛体
球６０５及び回転容器６０４を洗浄しうる様にすること
もできる。このようにした場合、剛体球どうし、又は剛
体球と回転容器との接触等により生ずる静電気によって
付着したゴミ等を、回転容器６０４外へ洗い出すことと
なり、ゴミ等の付着がない所望の支持体を形成すること
ができる。該洗浄液としては、洗浄液の乾燥むらや液だ
れのないものを用いる必要があり、こうしたことから不
挿発性物貴単独、又ハ） ＩＪ クロルエタン、トリク
ロルエチレン等の洗浄液との混合物を用いるのが好まし
い。 感光層 本発明の光受容部材においては、前述の支持体１（１１
上に、感光Ｎ１（１２が設けられており、該感光層は、
ａ−８ｉ （Ｇｅ、 Ｓｎ） （Ｈ，Ｘ）又はａ−８ｉ
（Ｇｅ、Ｓｎ ） （０，Ｃ，Ｎ） （Ｈ，Ｘ）で構成
されており、好ましくは、さらに伝導性を制御する物質
を含有せしめることができる。 感光層中に含有せしめるハロゲン原子（Ｘ）としては、
具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、特
にフッ素、塩素を好適なものとして挙げることができる
。そして、感光層１（１２中に含有されろ水素原子（Ｈ
）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の鼠又は水素原子とハロ
ゲン原子の童の和（Ｈ＋Ｘ）は通常の場合１〜４０ａｔ
ｏｍｉｃ％、好適には５〜３Ｑａｉｏｍｉｃ％とされる
のが望ましい。 また、本発明の光受容部材において、感光層の層厚は、
本発明の目的を効率的に達成するには車装な要因の１つ
であって、光受容部材に所望の時性が与えられるように
、光受容部材の設計の際には光分な注意を払う必要があ
り、通常は１〜１（１０μとするが、好ましくは１〜８
０μ、より好ましくは２〜５０μとする。 ところで、本発明の光受容部材の感光層にゲルマニウム
原子及び／又はスズ原子を含有せしめる目的は、主とし
て該光受容部材の長波長側における吸収スペクトル特性
を向上せしめることにある。 ｆｆ１Ｊち、前記感光層中にゲルマニウム原子又は／及
びスズ原子を言イ１せしめることにより、本発明の光受
容部材は、６柚の潰れた！瞳性を示すところのものとな
るが、中でも特に町祝元執域をふくむ比較的短波長から
比較的短波長迄の全領域の波長の光に対して光感度が優
れ光応答性の速いものとなる。そしてこのことは、半導
体レーザーを光線とした場合に特に顕著である。 本発明における感光層においては、ゲルマニウム原子又
は／及びスズ原子は、ての全層値域に含有せしめても、
あるいは、支持体と接する一部の層惧域に含有せしめて
もよい。後者の場ズ原子を含有する構成層と、ゲルマニ
ウム原子又は／及びスズ原子のいずれも含有しない構成
層が支持体側の端部よりこの順に積層された層構成を有
するものとなる。そして、ゲルマニウム原子又は／及び
スズ原子を全層執域に含有せしめる場合および一部の層
物域にのみ含有せしめる場合のいずれの場合も、ゲルマ
ニウム原子及び／又はスズ原子を該層中または層領域中
に、均一な分布状態で富有せしめてもよく、あるいは不
均一な分布状態で含有せしめてもよい。（ここで、均一
な分布状態とは、ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子
の分布濃度が、感光層の支持体表面と平行な面方向にお
いて均一であり、感光層のｊ層厚方向にも均一であるこ
とをいい、又、不均一な分布状態とは、ゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の分布＠度が、感光層の支持体表
面と半行な面方向には均一であるが、感光層の層厚方向
には不均一であることをいう。）そして本発明の感光層
においては、特に、支特休側の端部にゲルマニウム原子
及び／又はスズ原子を比較的多量に均一な分布状態で含
有する層を設けるが、あるいは自由表面側よりも支持体
側の方に多く分布した状態となる様にゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子を貧有せしめることが望ましく、こ
うした場合、支持体側の端部においてゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子の分布龜度を極端に大きくすること
により、半導体レーザー等の長波長の光源を用いた場合
に、元受客層の自由表面側に近い構成層又は層領域にお
いては殆んど吸収しきれない長波長の光を、元受客層の
支持体と接する構成層又は層狐域において実買的に元金
に吸収されるため、支持体表面からの反射光による干渉
が防止されるようになる。 前述のごとく、本発明の感光層においては、ゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子を全１＝中又は一部の構成層
中に均一に分布せしめることもでき、あるいは、全１輪
又は一部の構成ｙ＠の層厚方向に連続的かつ不均一に分
布せしめることもてきるが、以下、層厚方向に連続的か
つ不均一な分布状態の典型的な例のいくつかを、ゲルマ
ニウム原子を例として、第７乃至１５図により説明する
。 第７図乃至第１５図において、横軸はゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃを、縦軸は、感光層全層又は支持体と接す
る一部の構成層の層厚を示し、１、は支持体側の感光層
の端面の位置を、１１は支持体側とは反対側の表面層側
の端部、又はゲルマニウム原子を含有する構成層とゲル
マニウムを富有しない構成層との界面の位置を示す。即
ち、ゲルマニウム原子の富有される感光層はｉｎ側より
１Ｔ側に向ってＭｌ形成がなされる。 尚、各図に於いて、Ｉｎ厚及び濃度の表示はそのままの
値でボすと各々の図の違いが明確でなくなる為、極端な
形で図示しており、これらの図はあくまでも理解を容易
にするだめの説明のための俣式的なものである。 第７図には、感光層中に富有されるゲルマニウム原子の
ｊ層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。 第７図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有され
る感光層が形成される支持体表面と該層とが接する界面
位ｔｔｍより１．の位置までは、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃが濃度Ｃ１なる一定の値を取り乍らゲルマニウ
ム原子が感光層に含有され、位［１，よりは濃度Ｃ７よ
り界面位置ｔＴに至るまで徐々に連続的に減少されてい
る。界面位置ｔｙにおいてはゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは実質的にゼロとされる。 （ここで実質的にゼロとは検出限界量未満の場合である
。） 第８図に示される例においては、含有されるゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位ｌ１ｔｔｌＩより位ｔｔｙに至
るまで濃度Ｃ８から保々に連続的に減少して位置１１に
おいて損ｆｘ Ｃａとなる様な分布状態を形成している
。 ｗ、９図の場合には、位置１．より位Ｗｔｔまでは。 ゲルマニウム原子の分布ｍｉｃは幽’ｒｙｉ−Ｃｓと一
定位置とされ、位Ｗｔｔと位置ｔＴとの間において、徐
々に連続的に減少され、位置を丁において、分布濃度Ｃ
は実質的にゼロとされている。 第１０図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置１．より位ｆｔ丁に至るまで、濃度Ｃ６より初め連
続的に保々に減少され、位ｔｔｓよりは急速に連続的に
減少されて位ｉｔ丁において実質的にゼロとされている
。 第１１図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位＊ ｔ Ｂと位ｔｔ ４間においては、濃度
Ｃ１と一定値であり、位ｔｔｔに於ては分布濃度Ｃはゼ
ロとされる。位置ｔ４と位置ｔＴとの間では、分Ｘｈｍ
度Ｃは一次関数的に位置ｔ４より位置１１に至るまで減
少されている。 第１２図に示される例においては、分布濃度Ｃは位１１
＋より位ｗｔｓまでは濃度Ｃ６の一足値を取り、位置ｔ
、より位置ｔＴまでは濃笈Ｃ０より濃度Ｃ０゜まで−次
間数的に減少する分布状態とされている。 第１３図に示す例においては、位ｔｔＢより位置ｔＴに
至るまで、ゲルマニウム原子の分布＆［Ｃ＝４３− は濃度ＣＩ！より一次関数的に減少されて、ゼロに至っ
ている。 第１４図においては、位置１．より位置ｔ６に至るまで
はゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃｔｔより濃
度ｃｐｓまで一次関数的に減少され、位置ｔ、と位置
【
Ｔとの間においては、濃度Ｃｔａの一定値とされた例が
示されている。 第１５図にボされる例において、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは、位Ｗ、ｔＢにおいて濃度ＣＩ４であり、位
ｉｔ？に至るまではこの濃度ＣＩ４より初めはゆっくり
と減少され、ｔ、の位置付近においては、急減に減少さ
れて位置ｔ７では濃度ＣＩｌ＋とされる。 位置ｔ、と位置【、との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位ｔｔｓ
で濃度ｃ１ｅとなり、位ｔｔｓと位置ｔ９との間では、
保々に減少されて位ｉｔｓにおいて、濃度ＣＯに至る。 位ｔｔｏと位ｔｔ丁との間においては濃度Ｃ１□より実
質的にゼロになる様に図に示す如き形状の曲Ｈに従って
減少され一祠一 ている。 以上、第７図乃至第１５図により、感光層中に含有され
るゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の層厚方向の分
布状態の典型例の妓つかを説明した様に、本発明の光受
容部材においては、支持体側において、ゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の分布濃度Ｃの高い部分を有し、
界面ＩＴ側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に比
べてかなり低くされた部分を有するゲルマニウム原子又
は／及びスズ原子の分布状態が感光層に設けられている
のが望ましい。 即ち、本発明における光受容部材を構成する感光層は、
好ましくは、上述した様に支持体側の方にゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子が比較的高濃度で含有されてい
る局在領域を有するのが望ましい。 本発明の光受容部材に於ては、局在領域は、第７図乃至
第１５図に示す記号を用いて説明すれは、界面位［ｔｎ
より５μ以内に設けられるのが望ましい。 そして、上記局在領域は、界面位置ｔｓより５μ厚まで
の全層領域とされる場合もあるし、又、該層領域の一部
とされる場合もある。 局在領域を１ｍ ’１ｉＪｔ域の一部とするか又は全部
とするかは、形成される光受容層に要求される特性に従
って適宜決められる。 局在領域はその中に含有されるゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子の分布＃度Ｃｍａｘがシリコン
原子に対して、好ましくは１（１００ ａｔｏｍｉｃ
ｐｐｍ以上、より好適には５（１００ ａｔｏｍｉｃ
ｐｐｍ以上、最適にはＩ Ｘ １０’ａｔｏｍｉｃ ｐ
ｐｍ以上とされる様な分布状態となり得る様に層形成さ
れるのが望ましい。 即ち、本発明の光受容部材においては、ゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の含有される感光層は、支持体側
からの増厚で５μ以内（ｔｍから５μ層のＮｉ穎域）に
分イ１】＃度の最大ｉｉｋｃｍ−ｘが存在する様に形成
されるのが好ましいものである。 本発明の光受容部材において、感光層中に含有せしめる
ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の含有量は、本発
明の目的を効率的に達成しうる様に所望に従って適宜次
める必要があり、通常は１〜６ Ｘ １０５１０５ａｔ
ｏ ｐｐｍとするが、好ましくは１０〜３ Ｘ １０５
１０５ａｔｏ ｐｐｍ 、より好ましくはＩ Ｘ １（
１２〜２ Ｘ １０’ ａｔｏｍｉｃ ｐｐｍとする。 本発明の光受容部材の感光層に、酸素原子、炭素原子及
び家系原子の中から選ばれる少くとも一種を含有せしめ
る目的は、主として該光受容部材の高光感度化とｒ ８
ｆａ抗化、そして支持体と感光層との間の密層性の向上
にある。 本発明の感光層においては、酸素原子、炭素原子及び窒
素原子の中から選ばれる少くとも一種を含有せしめる場
合、層厚方向に均一な分布状態で含有せしめるが、ある
いは層厚方向に不均一な分布状態で含有せしめるかは、
前述の目的とするところ乃至期待する作用効米によって
異なり、したかつて、＠有せしめる友も異なるところと
なる。 すなわち、光受容部材の高光感度化と高暗抵抗化を目的
とする場合には、感光層の全層領域に均一な分布状態で
含有せしめ、この場合、感光層に含有せしめる炭素原子
、酸素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種
の電は、比較的少量でよい。 また、支持体と感光層との４／！ｉ着性の向上を目的と
する場合には、感光層の支持体側端部の一部の層領域に
均一に含有せしめるが、あるいは、感光層の支持体側端
部において、炭素原子、酸素原子、及び家系原子の中か
ら選ばれる少くとも一種の分布瀝度が高くなるような分
布状態で含有せしめ、この場合、感光層に含有せしめる
酸素原子、炭素原子、及び家系原子の中から選ばれる少
くとも一種の量は、支持体との密層性の向上を確実に図
るために、比教的多童にされる。 本発明の光受容部材において、感光層に富有せしめる酸
素原子、炭素原子及び家系原子の中から選ばれる少くと
も一種の麓は、しかし、上述のごとき感光層に要求され
る特性に対する考慮の他、支持体との接触界面における
特性等、有機的関連性にも考慮をはらって決定されるも
のであり、通常は０．（１０１−５０ ａｔｏｍｉｃ％
、好ましくは０．（１０２〜４Ｑ ａｔｏｍ ｉｃ％、
最適には０．（１０３〜３０ａｔｏｍｉｃ％とする。と
ころで、感光層の全層領域に含有せしめるが、あるいは
、含有せしめる一部のＪ−領域の層厚の感光層の層厚中
に占める割合が大きい場合には、前述の含有せしめる意
の上限を少なめにされる。すなわち、その場合、例えは
、富有せしめる層領域の層厚が、感光層の層厚の−とな
るような場合には、含有せしめる鼠は通常３Ｑａｔｏｍ
ｉｃ％以下、好ましくは２０ ａｔｏｍｉｃ％以下、最
適には１０ ａｔｏｍｉｃ％以下にされる。 次に本発明の感光層に富有せしめる醒案原子灰累原子及
び家系原子の中から選ばれる少くとも一種の霊が、支持
体側においては比戟的多駕であり、支持体側の端部から
表面層側の端部に回かつて減少し、感光層の表面層側の
端部付近においては、比較的少量となるが、あるいは実
質的にゼロに近くなるように分布せしめる場合の典型的
な例のいくつかを、第１６図乃至第冴図によって説明す
る。しかし、本発明はこれらの例によって限定されるも
のでＱまない。以下、炭素原子、酸素原子及び室木原子
の中から選ばれる少くとも一層を［原子（０，Ｃ，Ｎ）
Ｊと表記する。 第１６乃至Ｕ図において、横軸は原子（０，Ｃ，Ｎ）の
分布濃度Ｃを、縦軸は感光層の層厚を示し、１、は支持
体と感光層との界面位置を、１丁は感光層と表面層との
界面の位置を示す。 第１６図は、感光ｊ−中に含有せしめる原子（０゜Ｃ，
Ｎ）の層厚方向の分布状態の第一の典型例を示している
。眼側では、原子（０，Ｃ，Ｎ）を含有する感光層と支
持体との界面位置１．より位置ｔ１までは、原子（０，
Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃか（１１なる一定値をとり、位置
ｔ１より表面層との界１位置ｔ！までは原子（０，Ｃ，
Ｎ）の分布濃度Ｃが濃度Ｃ宜から連続的に減少し、位置
ｔ？においては原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度がＣ８と
なる。 第１７図に不す他の典型例の１つでは、感光層に含有せ
しめる原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃは、位＆Ｌｓか
ら位ｔｉｔｈ：ｔ Ｔにいたるまで、濃度Ｃ４から連続
的に減少し、位置１Ｔにおいて濃度Ｃ６となる。 第１８図に示す例では、位置１．から位＆ｊｔまでは原
子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃが濃度Ｃ６なる一足値を
保ち、位置ｔ、から位置１．にいたるまでは、原子（０
，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ７から徐々に連続的に
減少して位置ＩＴにおいては原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布
濃度Ｃは実質的にゼロと彦る。 第１９図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは位ｔｔＢより位置１１にいたるまで、濃度Ｃ８から
連続的に保々に減少し、位置ｔＴにおいては原子（０，
Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。 第四図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃ
は、位置１．より位置ｔ、の間においては濃度Ｃ９の一
定値にあり、位置ｔ、から位置ｔ↑の間においては、濃
度Ｃ０から濃度Ｃ３゜となるまで、−次間数的に減少す
る。 第２１図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＢより位置ｔ４にいたるまでは濃度Ｃ１ｌ
の一定値にあり、位置ｔ４より位置を丁にいたるまでは
濃度Ｃ１！から濃度ＣＩ３となるまで一次関数的に減少
する。 第四図に示す例においては、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布
濃度Ｃは、位置１．から位置１丁にいたるまで、濃度Ｃ
Ｉ４から実質的にゼロとなるまで一次関数的に減少する
。 第る図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃ
は、位ｔｔｍから位ｔ ｔｓにいたるまで濃度Ｃ１ｌか
ら濃度Ｃ１６となるまで一次関数的に減少し、位ｔｔｓ
から位［１丁までは濃度ＣＩ６の一定値を保つ。 最後に、第冴図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ ）の
分布濃度Ｃは、位置１．において濃度ＣＵＴであり、位
置１．から位置ｔ６までは、濃度Ｃ１７からはじめはゆ
っくり減少して、位ａｔｅ付近では急激に減少し、位置
ｔ６では濃度ＣｔＳとなる。次に、位置ｔ、から位置ｔ
、までははじめのうちは急激に減少し、その後は緩かに
徐々に減少し、位置ｔ、においては濃度ＣｔＯとなる。 更に位置ｔ、と位置ｔ８の間では極めてゆっくりと徐々
に減少し、位置ｔ８において濃度Ｃ１゜となる。また更
に、位ｆｉｔｓから位置ｔＴにいたるまでは、濃度Ｃ２
Ｏから実質的にゼロとなるまで徐々に減少する。 第１６図〜第ａ図に示した例のごとく、感光層の支持体
側の端部に原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃの高い部分
を有し、感光層の表面層側の端部においては、該分布濃
度Ｃがかなり低い部分を有するが、あるいは実質的にゼ
ロに近い濃度の部分を有する場合にあっては、感光層の
支持体側の端部に原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度が比軟
的高濃度である局在領域を設けること、好ましくは該局
在領域を支持体表面と感光層との界面位ｔｔｍかも５μ
以内に設けることにより、支持体と感光層との密層性の
同上をより一層効率的に達成することができる。 前記局在領域は、原子（０，Ｃ，Ｎ）を含有せしめる感
光層の支持体側の端部の一部層領域の全部であっても、
あるいは一部であってもよく、いずれにするかは、形成
される感光層に安来される特性に従って適宜法める。 局在領域に含有せしめる原子（０，Ｃ，Ｎ）の量は、原
子（０，Ｃ，Ｎ）の分子濃度Ｃの最大値が５（１０ａｔ
ｏｍｉｃ ｐｐｍ以上、好ましくは８（１０ ａｔｏｍ
ｉｃｐｐｍ以上、最適には１（１００ ａｔｏｍｉｃ
ｐｐｍ以上となるような分布状態とするのが望ましい。 本発明の光受容部材においては感光層に伝導性を制御す
る物質を、全Ｎ領域又は一部の層領域に均−又は不均一
な分布状態で含有せしめることができる。 前記伝導性を制御する物質としては、半導体分野におい
ていういわゆる不純物を挙げることができ、Ｐ型伝導性
を与える周期律表第■族に属する原子（以下単に「第■
族原子」と称す。）、又は、ｎ型伝導性を与える絢期律
表第■族に属する原子（以下単に「第■族原子」と称す
。）が使用される。具体的には、第■族原子としては、
Ｂ（硼素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）
、Ｉｎ （インジウム）、Ｔｌ（タリウム）等を挙げる
ことができるが、特に好ましいものは、Ｂ、Ｇａである
。また第■族原子としてはＰ（燐）、Ａｓ （砒素）、
Ｓｂ（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマン）等を挙げること
ができるが、特に好ましいものは、Ｐ、Ｓｂである。 本発明の感光層に伝導性を制御する物質である第■族原
子又は第■族原子を含有せしめる場合、全層領域に含有
せしめるが、あるいは一部の層領域に含有せしめるかは
、後述するように目的とするところ乃至期待する作用効
果によって異なり、含有せしめる童も異なるところとな
る。 すなわち、感光層の伝導型又は／及び伝導率を制御する
ことを主たる目的にする場合には、感光層の全Ｎ！ｉ執
城中に含有せしめ、この場合、第■族原子又は第■族原
子の含有量は比較的わずかでよく、通常はＩ Ｘ １０
−３− Ｉ Ｘ １０’ ａｔｏｍｉｃｐｐｍであり、
好ましくは５ Ｘ １０−２〜５ Ｘ １０”ａｔｏｍ
ｉｃｐｐｍ、最適には％Ｉ Ｘ １０ ’ −２Ｘ １
０”ａｔｏｍｉｃ ｐｐｍである。 また、支持体と接する一部の層領域に第■族原子又は第
■族原子を均一な分布状態で含有せしめるが、あるいは
層厚方向における第ｉｌｌ族原子又は第■族原子の分布
濃度が、支持体と接する側において高濃度となるように
含有せしめる場合には、こ５１．ｆｃ＠ｌ族原子又は第
■族原子を含有する構成層あるいは第■族原子又は第■
族原子を高濃度に含有する層領域は、電荷注入阻止層と
して機能するところとなる。即ち、第■族原子を含有せ
しめた場合には、光受容層の自由表面が■極性に帯電処
理を受けた際に、支持体側から光受容層中へ注入される
電子の移動をより効率的に阻止することができ、又、第
■族原子を富有せしめた場合には、光受容層の自由表面
が○極性に帯電処理を受けた除に、支持体側から光受容
層中へ注入される正孔の移動をより効率的に阻止するこ
とができる。そして、こうした場合の含有量は比較的多
量であって、具体的には、３０〜５ Ｘ ＩＱ’ ａｔ
ｏｍｉｃ ｐｐｍ 、好ましくは５０〜Ｉ Ｘ １０’
ａｔｏｍｉｃ ｐｐｍ、最適には１×１０！−５Ｘ
１０’ ａｔｏｍｉｃ ｐｐｍとする。さらに、該電荷
注入阻止Ｉ−としての効果を効率的に葵するためには、
第■族原子又は第■族原子を含有する支持体側の端部に
設けられる層又は層領域の層厚をｔとし、光受容層の層
厚をＴとした場合、ｔ／Ｔ≦０．４の関係か成立するこ
とが望ましく、より好ましくは該関係式の値が０．３５
以下、最適には０．３以下となるようにするのが望まし
い。 また、該層又は層領域の層厚ｔは、一般的には３Ｘ１０
”〜１０μとするが、好ましくは４Ｘ１０”〜８μ、最
適には５Ｘ１０−３〜５μとするのが望ましい。 次に感光層に貧有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子の
童が、支持体側においては比較的多量であって、支持体
側から表面層側に向って減少し、表面層との界面付近に
おいては、比教的少憲となるかあるいは実質的にゼロに
近くなるように第■族原子又は第■族原子を分布させる
場合の典型的例は、前述の感光層に酸素原子、炭素原子
及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一層を含有せ
しめる場合に例示した、第１６図乃至次回の例と同様の
例によって説明することができる。しかし、本発明は、
これらの例によって限定されるものではない。 第１６図〜第Ｕ図に示した例のごとく、感光層の支持体
側に近い側に第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃの
高い部分を有し、表面層との界面側においては、該分イ
ロ濃度Ｃがかなり低い濃度の部分あるいは央ｊ幌的にセ
ロに近い１１に度の部分を有する場合にあっては、支持
体側に近い部分に第■族原子又は第■麩原子の分布濃度
が比較的高＠度である局在領域を設けろこと、好ましく
は該局在領域を支持体表面と接触する界面位置から５μ
以内に設けることにより、第■族彪子又は第Ｖ族原子の
分布一度が筒？＆度である層慣域が電荷注入阻止層を形
成するという前述の作用効果がより一層効率的に奏され
る。 以上、第■族原子又は第■族原子の分布状態について、
個々に各々の作用効果を記述したが、所望の目的を達成
しつる特性を有する光受容部材を得るについては、これ
らの第■族原子又は第■族原子の分布状態および感光層
に含有せしめる第■族原子又は第■族原子の量を、必要
に応じて適宜組み合わせて用いるものであることは、い
うまでもない。例えば、感光層の支持体側の端部に電荷
注入阻止層を設けた場合、電荷注入阻止層以外の感光層
中に、電荷注入阻止層に含有せしめた伝導性を制御する
物質の他性とは別の極性の伝導性を制御するｖｌ員を含
有せしめてもよく、あるいは、同極性の伝導性を制御す
る物質を、電荷注入阻止層に含有される量よりも一段と
少ない童にして含有せしめてもよい。 さらに、本発明の光受容部材においては、支持体側の端
部に設ける構成層として、’！電荷注入阻止層代わりに
、電気絶縁性材料から成るいわゆる障壁層を設けること
もでき、あるいは、該障壁層と電荷注入阻止層との内方
を構成層とすることもできる。こうした障壁層を構成す
る材料としては、ＡＪ、Ｏ８，８ｉ０．．８ｉ、Ｎ、等
の無機電気絶縁材料やポリカーボネート等の有機電気絶
縁材料を挙げることができる。 表面層 本発明の光受容部材の表面層１０３は、前述の感光層１
（１２の上に設けられ、自由表面１０４を有している。 該表面層は、Ｖ素原子（Ｏ）、炭素原子（Ｃ）及び窒素
原子（Ｎ）の中から選ばれる少なくとも一層、好ましく
はさらに水素原子（Ｈ）及びハロゲン原子（Ｘ）の少な
くともいずれか一方を含有するａ−８ｉ（以下、ｒ ａ
−８ｉ （０，Ｃ，Ｎ）（Ｉ−（、Ｘ ）ｌと表記する
。〕で栴成されていて、光受容部材の自由表面１０４に
おける入射光の反射をへらし、透過率を増加させる機能
を奏するとともに、光受容部材の耐湿性、連続線返し便
用特性、電気的海・ｊ正性、便用環境特性および耐久性
等の賄特性を同上せしめる機能を奏するものである。 そして、本発明の光受容部材にあっては、表面層１０３
と感光層１（１２との界面において、表面層の有する光
学的バンドギャップＬｅａｐｔと、該表面層が直接設け
られている感光層１（１２の有する光学的バンドギャッ
プＥｏｐｔとが、整合するが、あるいは表面層１０３と
感光層１（１２との界面における入射光の反射を実買的
に防止しうる程度に整合するように構成される必要があ
る。さらに、上述の条件に加えて、表面層１０３の自由
表面側の端部においては、表面層の下に設けられている
感光層１（１２に到達する入射光の光量が充分に確保で
きるようにするため、表面層１０３の自由表面側の端部
においては、表面層の有する光学的バンドギャップＥｏ
ｐ ｔを充分に大きくするように構成されることか望ま
しい。そして、表面層１０３と感光層１（１２との界面
において光学的バンドギャップＥｉｏｐ ｔが整合する
ように構成するとともに、表面層の自由表面側の端部に
おいて光学的バンドギャップＥｏｐｔを充分に大きくす
るように構成する場合、表面層の有する光学的バンドギ
ャップが、表面層の層厚方向において連続的に変化する
ように構成される。 表面層の光学的バンドギャップＥｏｐ ｔＯ層厚方向に
おける値を前述のごとく制御するには、光学的バンドギ
ャップの調整原子であるところの酸素原子（０）、炭素
原子（Ｃ）及び窒素原子（Ｎ）の中から選ばれる少くと
も一種の表面層に含有せしめる量を制御することによっ
て行なわれろ。 具体的には、感光層の表面層と接する側の端部において
酸素原子（０）、炭素原子（Ｃ）及び窒素原子（Ｎ）の
中から選ばれる少なくとも一種〔以下、［原子（０，Ｃ
，Ｎ） Ｊと表記する。〕が含有されていない場合には
、表面層の感光層と接する側の端部における原子（０，
Ｃ，Ｎ）の含有量をゼロ又はゼロに近い値とし、感光層
の表面層と接する側の端部において原子（０，Ｃ，Ｎ）
が含有されている場合については、表面層の感光層と接
する側の端部における原子（０，Ｃ，Ｎ）の含有量と、
感光層の表面層と接する側の端部における原子（０，Ｃ
，Ｎ）の含有量とが同じが、あるいは実質的に差がない
ようにする。そして、表面層の感光Ｊ−側の端部から自
由表面側の端部に向かって、原子（０，Ｃ，Ｎ）の量を
連続的に増加させ、自由表面側の端部付近においては、
自由表面における入射光の反射を防止するのに充分な皿
の原子（０，Ｃ，Ｎ）を含有せしめる。以下、表面層に
おける原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布状態の典型的な例のい
くつかを、第５乃至ｎ図によって説明するが、本発明は
これらの例によって限定されるものではない。 第５乃至ｎ図において、横軸は原子（０，Ｃ，Ｎ）およ
びシリコン原子の分布濃度Ｃ，縦軸は表面層の層厚ｔを
示しており、図中、ｔＴは感光層と表面層との界面位置
、ｔｒは目出表面位置、実線は原子（０，Ｃ，Ｎ）の分
布徴度の変化、破線はシリコン原子（Ｓｔ）の分布濃度
の変化を示している。 第５図は、表面ノー中に含有せしめる原子（０゜Ｃ，ｆ
’、ｌ）とシリコン原子（Ｓｉ）の層厚方向の分布状態
の第一の典型例を示している。眼側では、界面位１１１
より位１１１まで、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃが
ゼロより濃度ＣＩとなるまで一次関数的に増加し、一方
、シリコン原子の分布濃度は、濃度Ｃ３から濃度Ｃ８と
なるまで一次関数的に減少し、位置ｔ１から位置１．に
いたるまでは、原子（０，Ｃ，Ｎ）およびシリコン原子
の分布濃度Ｃは各々濃度ＣＩおよび濃度Ｃ３の一定値を
保つ。 第ｎ図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃ
は界面位置ｔＴより位置ｔ、まではゼロから濃度Ｃ４ま
で一次関数的に増加し、位ｔ’ｓより位ｆｆ１ｔｔｙに
いたるまでは、濃度Ｃ４の一冗値を保つ。一方、シリコ
ン原子の分布濃度Ｃは、位置ｔＴより位ｔｔｚまではＩ
Ｉｋ度Ｃ５から濃度Ｃ０まで一次関数的に減少し、位Ｗ
ｔｚより位ｔｌｔ、Ｌｓまでは、濃度Ｃ６から濃度Ｃ７
まで一次関数的に減少し、位置ｔ３から位置ｔＦにいた
るまでは、濃度Ｃフの一定値を保つ。表面層の形成の初
期において、シリコン原子の濃度が高い場合、成膜速度
が速くなるが、この例のようにシリコン原子の分布濃度
を２段階で減少することにより、成膜速度を補正するこ
とができる。 第ｎ図に示す例では、位置ｔＴから位ｔｔ＋までは、原
子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度はゼロから濃度Ｃ８まで連
続的に増加し、一方、シリコン原子（Ｓｉ）の分布濃度
Ｃは、濃度Ｃ８から濃度ＣｔＯまで連続的に減少し、位
置ｔ４から位ｔｔｙにいたるまでは、原子（０，Ｃ，Ｎ
）の分布濃度およびシリコン原子（Ｓｉ）の分布濃度は
、各々一度Ｃ８および濃度Ｃ８゜の一定値を保つ。この
例のごとく、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度を徐々に連
続して増加せしめる場合には、表面層の層厚方向の屈折
率の変化率をほぼ一定とすることができる。 本発明の光受容部材の表面層は、第５乃至ｎ図に示した
ごとく、表面層の感光ＪＷＩ側の端部においては原子（
０，Ｃ，Ｎ’）の分布濃度を実質的にゼロに近い濃度と
し、自由表面側に向かって連続的に増加させ、表面層の
自由表面側の端部においては、比較的高濃度である層慎
域を設けるようにすることが望ましい。セして、この場
合の該Ｍ領域の層厚は、反射防止層としての機能および
、保護層としての機能を果たすため、通常は０．１μｍ
以上となるようにされる。 表面層にも、水素原子又はハロゲン原子の少なくとも一
方を含有せしめることが望ましく、含有せしめる水素原
子（Ｈ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量、あるいは水
素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ十Ｘ ）は１１通常
１〜４０ ａ ｔｏｍ ｉｃ％、好ましくは５〜３０ａ
ｔｏｍｉＣ％、最適には５〜２５ａｔｏｍｉｃ％とする
。 また、本発明において、表面層の層厚も本発明の目的を
効率的に達成するための１要な要因の１つであり、所期
の目的に応じて適宜決定されるものであるが、該層に含
有せしめる酸素原子、炭素原子、窒素原子、ハロゲン原
子、水素原子の量、あるいは表面層に要求される特性に
応じて相互的かつ有機的関連性の下に決定する必要があ
る。更に、生産性や菫産性をも加味した経済性の点にお
いても考慮する必要もある。 こうしたことから、表面層の層厚は通常は３Ｘ１０−５
〜３０μとするが、より好ましくは４ Ｘ １０−’〜
加μ、特に好ましくは５Ｘ１０−５〜ｌｏμとする。 本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。 また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が尚く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的制圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留′屯位の影響が全くなく、その電気
的特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもの
であって、耐光疲労、繰返し使用特性に艮け、濃度が尚
く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品
買の画像を安定して繰返し得ることができる。 次に本発明の光受容層の形成方法について説明する。 本発明の光受容Ｉ−を構成する非晶質材料はいずれもグ
ロー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーテ
ィング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって行
われる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の
負荷程度、製造規模、作製される光受容部材に所望され
る特性等め要因によって適宜選択されて採用されるが、
所望の特性を有する光受容部材を製造するに当っての条
件の制御が比較的容易であり、シリコン原子と共に炭素
原子及び水素原子の導入を容易に行い得る等のことから
して、グロー放電法或いはスパッタリング法が好適であ
る。 そして、グロー放電法とスパッタリング法とを同−装置
系内で併用して形成してもよい。 例えば、グロー放電法によって、ａ−８ｔ（Ｈ。 Ｘ）で構成される層を形成するには、基本的にはシリコ
ン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと共
に、水素原子（Ｈ） 導入用の又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室
内に導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予
め所定位置に設置した所定の支持体表面上にａ−８ｉ（
Ｈ，Ｘ）から成る層を形成する。 前記Ｓｉ供給用の原料ガスとしては、ＳｉＨ，。 Ｓｉ、Ｈ，、Ｓｔ、Ｈ，、Ｓｉ、Ｈ，。等のガス状態の
又はガス化し得る水素化硅素（シラン類）が挙げられ、
特に、層形成作業のし易さ、Ｓｔ供給効率の良さ等の点
で、ＳｉＨ４、Ｓｉ、Ｈ６が好ましい。 また、前記ハロゲン原子導入用の原料ガスとしては、多
くのハロゲン化合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、
ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換され
たシラン誘導体等のガス状態の又はガス化しうるハロゲ
ン化合物が好ましい。具体的にはフッ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、Ｂ ｒ 、Ｆ” 、 Ｃｌｋ
’、ＣＩＦ、、ＢｒＦＢ、ＢｒＦ３、ＩＰ、、ＩＣｌ、
ＩＢｒ等のハロゲン間化合物、およびＳｉＦ４．Ｓ
ｉ、Ｆ、、５ｉＣＪ、、ＳｉＢｒ４等のハロゲン化硅素
等が挙げられる。上述のごときハロゲン化硅素のガス状
態の又はガス化しうるものを用いる場合には、Ｓｉ供給
用の原料ガスを別途使用することなくして、ハロゲン原
子を含有するａ−８ｉで構成されたＪ−が形成できるの
で、特に有効である。 また、前記水素原子供給用の原料ガスとしては、水素ガ
ス、１−ＩＦ 、 ＨＣｌ 、 ＨＢｒ 、 ＨＩ等の
ハロゲン化物、ＳｉＨ４，Ｓｉ！Ｈ，、Ｓｉ、ＩＩ、、
Ｓｔ、Ｈ，。等の水素化硅素、あるいはＳ １Ｉ−Ｊ、
Ｆい ３ｉＨ２１ｔ、Ｓ ｉＨ，Ｃ１１ｔ、 Ｓ
１Ｈｃ１．、ＳＩＨ，ＩＪｒ、、５ｉＨＢｒｓ等のハロ
ゲン置換水素化硅素尋のガス状態の又はガス化しうるも
のを用いることができ、これらの原料ガスを用いた場合
には、電気的あるいは光電的特性の制御という点で極め
て有効であるところの水素原子（Ｈ）の含有賞の制斜な
容易に行うことができるため、有効である。そして、前
記ハロゲン化水素又は前ｍｌハロゲン置換水素化硅素を
用いた場合にはハロゲン原子の尋人と同である。 反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依ってａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成するには、
例えばスパッタリング法の場合には、ハロゲン原子を導
入するについては、前記のハロゲン化合物又は前記のハ
ロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入し
て該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれはよい。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子等入用の原
料ガス、例えは、Ｈ２或いは前記した７ラン知等のガス
をスパッタリング用の堆積室中に尋人して該ガスのプラ
ズマ雰囲気を形成してやればよい。 例工は、反応スパッタリング法の場合には、Ｓｉターゲ
ットを使用し、ハロゲン原子尋人用のガス及びＨ２カス
を必要に応じてＨｅ 、 Ａｒ等の不活性ガスも含めて
堆積案内に尋人してプラズマ雰囲気を形成し、前記Ｓｉ
ターゲットをスパッタリングすることによって、皮付体
上にａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成する。 グロー放電法によってａ −５ｉＧｅ（Ｈ、Ｘ ）で構
成される層を形成するには、シリコン原子（８ｉ）を供
給しうるＳｉ供給用の原料ガスと、ゲルマニウム原子（
Ｇｅ ）を供給しうるＧｅ供給用の原料ガスと、水素原
子Ｑ（）又は／及びハロゲン原子（３）を供給しりろ水
素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）供給用の原
料ガスを、内部を減圧しうる堆積案内に所望のガス王状
態で導入し、該堆積室内にグロー放電を生起せしめて、
予め所定位置に設置しである所定の支持体表面上に、ａ
−８ｉＧｅ （Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成する。 Ｓｉ供給用の原料ガス、ハロゲン原子供給用の原料ガス
、及び水素原子供給用の原料ガスとなりうる物質として
は、前述のａ−８ｉ （Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成
する場合に用いたものがそのまま用いられる。 また、前記Ｇｅ供給用の原料ガスとなりうる物質として
は、Ｇｅｌ−１４、ＧｅｔＨａ、（ｉｅ、Ｈ＠ 、 Ｇ
ｅ、Ｈ，。、（ＪｅｌＨ１！、Ｇｅ６Ｈ１４、ａｅ？Ｈ
＋８、Ｕｅ、Ｈ，、、Ｇｅ、Ｈ，ｏ等のガス状態の又は
ガス化しりる水素化ゲルマニウムを用いることができる
。特に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良
さ等の点から、ＧｅＨ４、Ｇｅ、Ｈ，、および（ｊｅｓ
Ｈｓが好ましい。 スパッタリング法によってａ−８ｉＧｅ （Ｈ，Ｘ）で
構成される層を形成するには、シリコンから成るターゲ
ットと、ゲルマニウムから成るターゲットとの二枚を、
あるいは、シリコンとゲルマニウムからなるターゲット
を用い、これ等を所望のガス雰囲気中でスパッタリング
することによって行なう。 イオンブレーティング法を用いてａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ
）で構成される層を形成する場合には。 例えば、多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲ
ルマニウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源とし
て蒸着ポートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法あるい
はエレクトロンビーム法（１（、Ｂ、法）等によって加
熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ暮囲気中
をＳ遇せしめることで行ない得る。 スパッタリング法およびイオンブレーティング法のいず
れの場合にも、形成する層中にハロゲン原子を含有せし
めるには、前述のハロゲン化物又はハロゲン原子を営む
硅素化合物のガスを堆積室中に導入し、該ガスのプラズ
マ雰囲気を形成すればよい。又、水素原子を導入する場
合には、水素原子供給用の原料ガス、例えばＨｌあるい
は前記した水素化シラン類又は／及び水素化ゲルマニウ
ム等のガス類をスパッタリング用の堆積室内に導入して
これ等のガス類のプラズマ雰囲気を形成すればよい。さ
らにハロゲン原子供給用の原料ガスとしては、前記のハ
ロゲン化物或いはハロゲンを営む硅素化合物が有効なも
のとして挙げられるが、その他に、ＨＦ、ＨＣｌ 、
ＨＢｒ 、 ＨＩ等のハロゲン化水素、ＳｉＨ！Ｆ、、
５ｉＩ（ｊ、、Ｓ ｉＨ，Ｃ１１、８１ｌ−１ｃｌｓ、
Ｓ ｉＨ，Ｂｒ、、５ｉＨＢｒ３等のハロゲン置換
水素化硅素、およびＧｅｎｅ”８、 ＧｅＨ！Ｆ、
、 （ｊｅ）−１，Ｆ、 Ｇｅ）−１ｃｌｓ、
ＣｘｅＨ１Ｃ１２、ＧｅＨｓｃｌ、 Ｇｅ）ＬＢｒ
、、Ｇｅｔ−１，Ｂ ｒ 、、Ｇｅｌ、 Ｂｒ 。 ＧｅＨＩ３、ＧｅＨ，Ｉ、、 ＧｅＨ，Ｉ等の水素化
ハＣｌゲン化ゲルマニウム等、ＧｅＦ４、ＧｅＣｌ＋
、 ＧｅＢｒ４、ＧｅＩ、、ＧｅＦ！、ＧｅＣ６，、
ＧｅＢｒ、、（３ｅＩ、等）／’ロゲン化ゲルマニウム
等々のガス状態の又はガス化しうる物質も有効な出発物
質として使用できる。 グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング法を用いて、スズ原子を含有するアモルファス
シリコ７ （以下、 ｒ ａ−８ｉ８ｎ（Ｈ，Ｘ）Ｊと
表記する。）で構成される光受容層を形成するには、上
述のａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成されるｊ−の形成の
際に、ゲルマニウム原子供給用の出発物質を、スズ原子
（８口）供給用の出発物質にかえて使用し、形成する層
中へのその址をｉ＋Ｊｎしながら含有せしめることによ
って行なう。 前記スズ原子（Ｓｎ）供給用の原料ガスとなりうる物負
としては、水素化スズ（ＳｎＨ４）や８ｎＦ’ｔ％５ｎ
ｉ１１４．５ｎ（Ｊ２．５ｎＣ１４，５ｎＢｒ、、５ｎ
Ｂｒ、、ＳｎＩ、、ＳｎＩ、 Ｖのハロゲン化スズ等
のガス状態の又はガス化しうるものを用いることができ
、ハロゲン化スズを用いる場合には、所定の支持体上に
ハロゲン原子を含有するａ−８ｉで構成される層を形成
することができるので、特に有効である。なかでも、Ｊ
−作成作業時の取扱い易さ、Ｓｎ供給効率の良さ等の点
から、５ｎＣ１４が好ましい。 そして、８ｎＣ６ａをスズ原子（８ｎ）供給用の出発物
質として用いる場合、これをガス化するには、固体状の
５ｎＣ１４を加熱するとともに、Ａｒ、Ｈｅ、等の不活
性ガスを吹き込み、該不宿性ガスを用いてバブリングす
るのが望ましく、こうして生成したガスを、内部を減圧
にした堆積室内に所望のガス圧状態で導入する。 グロー放電法、スパッタリング法、あるいはイオンブレ
ーティング法を用いて、ａ−８ｉ（Ｈ。 Ｘ）又はａ−８ｉ （Ｇｅ 、 ８ｎ） （Ｈ，Ｘ）に
さらに第■族鳳子又は第■族原子、窒素原子、酸素原子
あるいは炭素原子を含有せしめた非晶質材料で構成され
た層を形成するには、ａ−８ｉ（Ｈ９Ｘ）又はａ−８ｉ
（Ｇｅ、 Ｓｎ ） （Ｈ，Ｘ） （ｒ）ＷＩ）形成
ノ際に、第■族原子又は第■族原子導入用の出発物質、
窒素原子尋入用の出発物質、酸素原子導入用の出発物質
、あるいは炭素原子導入用の出発物質を、前述したａ−
８ｔ（Ｈ，Ｘ）又はａ−８１（Ｇｅ、 Ｓｎ） （Ｈ，
Ｘ）形成用の出発物質と共に使用して、形成する層中へ
のそれらの量を制御しながら含有せしめてやることによ
って行なう。 例えば、グロー放電法を用いて、原子（０゜Ｃ，Ｎ）を
含有するａ ５ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される層又は原子
（０，Ｃ，Ｎ）を含有するａ−８ｉ（Ｇｅ。 ５ｎ）（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成するには、前述
のａ −Ｓ ｉ （）ｉ 、 Ｘ ）で構成される層又
はａ−８ｉ （Ｇｅ、 ８ｎ） （Ｈ，Ｘ）で構成され
る層を形成する際に、原子（０，Ｃ，Ｎ）尋人用の出発
物質を、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）形成用又はａ−８ｔ（Ｇｅ
、 ５ｎ）（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質とともに使用し
て形成する層中へのそれらの量を制御しなから含有せし
めることによって行なう。 このような原子（ｏ、 ｃ、 Ｎ＞＝入用の出発物質と
しては、少なくとも原子Ｃｏ、 Ｃ，Ｎ）を構成鳳子と
するガス状の物質又はガス化し得る物質であれば、殆ん
どのものが使用できる。 具体的には、酸素原子（０）２ｓ入用の出発物質として
、例えば、酸素（０，）、オゾン（０，）、−酸化箪索
（ＮＯ）、−二酸化窒素（Ｎ、Ｕ）、三二酸化屋累（Ｎ
２Ｏ２）、四三酸化窒素（Ｎ２Ｏ２）、 五二酸化璧素
（Ｎ、０． ）、 三酸化窒素（ＮＯ８）、シリコン原
子（Ｓｉ）と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成
原子とする例えばジシロキサン（Ｂ３８ ｉｔｓ １Ｈ
３）、トリシロキサン（鴇Ｓｉ Ｏ８ｉｎ、Ｏ８１Ｈ３
）等の低級シロキサン等が挙げられ、炭素原子（Ｃ）
４人用の出発物質としては、例えば、メタン（ＣＨ，）
、エタン（ＣｔＨｅ）、プロパｙ（Ｃ３Ｈ，）、ｎ−ブ
タン（ｎ Ｃ４Ｈ１０）、ペンタン（Ｃ，Ｈ，、）等
の炭素数１〜５の飽和炭化水素、エチレン（Ｃ，）ｉ４
）、プロピレン（ＣｓＨ６）、ブテン−１（Ｃ＋）Ｉｇ
）、ブテン−２（ＣｔＨｅ）、イソブチレン（Ｃ４Ｈ８
）、ペンテン（ｃ、ｎ、。）等の炭素数２〜５のエチレ
ン糸炭化水素、アセチレン（Ｃ，Ｈ，）、メチルアセチ
レン（Ｃ，）ｉ４）、ブチン（Ｃ４１−１，）等の炭素
数２〜４子（Ｎ）４入用の出発ｖＩＪ員としては、例え
ば、窒素（Ｎ、）、アンモニア（Ｎｕ（、）、ヒドラジ
ン（Ｈ，ＮＮＨ，）、アジ化水素（ＨＮ、）、アジ化ア
ンモニウム（Ｎ Ｈ４Ｎ１１）、三弗化室索（Ｉｉ”３
Ｎ）、四弗化窒素（Ｆ’、Ｎ）等が挙げられる。 例えば、グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオ
ンブレーティング法を用いて、ｍｌ族原子又は第Ｖ族原
子を含有するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）又はａ−８ｉ （Ｇｅ
、 Ｓｎ） （Ｈ，Ｘ）テｉ成すレル層又は層領域を形
成するには、上述のａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）又はａ−８ｔ
（Ｇｅ、 ８ｎＨＨ，Ｘ）テ構成さレル層ノ形成の際に
、第■【族原子又は謁■族原子導入用の出発物質を、ａ
−８ｉ（Ｈ，Ｘ）又はａ−８ｉ（Ｇｅ。 ５ｎ）（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質とともに使用して、
形成する層中へのそれらの量を制御しながら含有せしめ
ることによって行なう。 第■族原子尋人用の出発物質として具体的には１１１ｉ
ｌｌ素原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６、Ｂ４Ｈ１０、Ｂ
、）（、、Ｂ５Ｈ１ｌ 、Ｂ６ＨＩＯ、Ｂ６ＨＩ２、Ｂ
６Ｈ１４等の水素化硼素、 ＢＰ、、ＢＣｌｓ、 Ｂ
Ｂｒ、等のハロゲン化硼素等が挙げられろ。この他、Ａ
ｌｃｌｌｓ、Ｇａ Ｃｌ＊、Ｇａ（ＣＨ３）、、ＩｎＣ
１ｍ、ＴｌＣｌ３等も挙げることができる。 第■族原子導入用の出発物質として、具体的には燐原子
導入用としてはＰＨ３、Ｐ、Ｈ，等の水素化燐、ＰＨ４
Ｉ、ＰＦ、、ＰＦ、、ＰＣｌ５％ＰＣｌ３、ＰＢｒ、、
ＰＢｒ、、 ＰＩ、等の／Ｓロゲン化燐が挙げられる。 この他、Ａｓ）（３、ＡｓＦ、、ＡｓＣ＃３、ＡｓＢｒ
、、ＡｓＦ、、ＳｂＨ３，５ｂｉｔ’、、ＳｂＦ、 、
５ｂｃｄ、 ％８ｂＣ６ｓ、ＢｉＨ，、Ｂ１Ｃｌ、
、Ｂ１Ｂｒ、等も第■族原子尋人用の出発物質の有効な
ものとして挙げることかできる。 酸素原子を含有する層又は層領域を形成するのにグロー
放電法を用いる場合には、前記した光受容層形成用の出
発物質の中から所望に従って選択されたものに酸素原子
導入用の出発物質が加えられる。その様な酸素原子導入
用の出発物質としては、少なくとも酸素原子を構成原子
とするガス状の物質又はガス化し得る物質であればほと
んどのものが使用できる。 例えばシリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料ガス
と、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必袂
に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）
を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して
使用するが、又は、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子と
する原料ガスと、酸素原子（０）及び水素原子（Ｈ）を
構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で
混合するが、或いは、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子
とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）、酸素原子（
０）及び水系原子（Ｈ）の３つを構成原子とする原料ガ
スとを混合して使用することができる。 又、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水酸原子（■（）
とを構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用してもよい。 具体的には、例えば峨素（（１２）、オゾン（０３）、
−峡化室索（ＮＯ）、二酸化篤系（Ｎｏ、）、−二酸化
窒素（Ｎ、Ｏ）、三二酸化窒素（Ｎ、０．） 、四二酸
化室累（Ｎ、０４）、三二酸化窒素（Ｎ２０．）、三酸
化窒素（ＮＯ，）、シリコン原子（Ｓｉ） と酸素原子
（０）と水素原子（■４）とを構成原子とする、例えば
、ジシロキサン（Ｈ８８ｉ０８ｉ１（ｓ）、トリシロキ
サン（Ｈ，Ｓ ｉ０８ ｉＨ，０８ｉＨ，）等の低級シ
ロキサン等を挙げることができる。 スパッタリング法によって、酸素原子を含有する層また
は層領域を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェ
ーハー又はＳｉｎ、ウエーノ・−１又はＳｉとＳｉｎ、
が混合されて含有されているウェーハーをターゲットと
して、これ等を釉々のガス雰囲気中でスパッタリングす
ることによって行えばよい。 例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、ｆｇ、素原子と必要に応じて水系原子又は／及びハロ
ゲン原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈
ガスで稀釈して、スノくツタ−用の堆積寥中に導入し、
これ等のカスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェー
ハ・−をスパッタリングすればよい。 又、別には、ＳｉとＳｉｎ、とは別々のターゲットとし
て、又はＳｉとＳｉｎ、の混合した一枚のターゲットを
使用することによって、スパッター用のガスとしての稀
釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ）又は
／及びノ・ロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有する
ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって形成で
きる。 酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放
電の例で示した原料カスの中の酸素原子導入用の原料ガ
スが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして使用
できる。 また、例えは炭素原子を含有するアモルファスシリコン
で構成される層をグロー放電法により形成するには、シ
リコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガスと、炭素
原子（Ｃ）を構成原子とする原料ガスと、必要に応じて
水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原
子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用する
が、又はシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガ
スと、炭素原子（Ｃ）及び水素原子（Ｈ）を構成原子と
する原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合するが
、或いはシリコン原子（８１）を構成原子とする原料ガ
スと、シリコン原子（Ｓｉ）、炭素原子（Ｃ）及び水素
原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスを混合するが、更
にまた、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（Ｈ）を構成
原子とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を構成原子とす
る原料ガスを混合して使用する。 このような原料ガスとして有効に使用されるのは、Ｓｉ
とＨとを構成原子とするＳｉＨ，、Ｓ ｉ ｔ Ｈａ、
Ｓｉ３Ｈｇ、Ｓ ｉ、Ｈ，、）等のシラ７ （５ｉｌａ
ｎｅ）類等の水素化硅素ガス、ＣとＨとを構成原子とす
る、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４
のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭
化水素等が挙げられる。 具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（Ｃ）１４
）、エタｙ（Ｃ，Ｈ，）、プロパン（Ｃ，Ｈ，）、ｎ−
ブｐ ｙ （ｎ−Ｃ４Ｈｔｏ ）、ペンタン（Ｃ，Ｈ，
、）、 エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ，
）１４）、プロピレン（ＣｓＨａ）、ブテン−１（Ｃ，
Ｈ，）、ブテン−２（Ｃ４Ｈ，）、インブチレン（Ｃ４
）１．）、ペンテン（ＣｓＨｔｏ）、アセチレン系炭化
水素としては、アセチレン（Ｃ，Ｈ，）、メチルアセチ
レン（ｃ、Ｈ４）、ブチン（Ｃ４Ｈ，）等が挙げられる
。 ＳｉとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、５
ｉ（ＣＨ，）４、Ｓｉ （ＣｚＨｓ）４等のケイ化アル
キルを挙げることができる。これ等の原料ガスの他、Ｈ
４人用の原料ガスとしては勿論Ｈ！も使用できる。 スパッタリング法によってａ−８ｉＣ（Ｈ，Ｘ）で構成
される層を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェ
ーハ又はＣ（グラファイト）ウェーハ、又はＳｔとＣが
混合されているウエーノ・をターゲットとして、これ等
を所望のガス雰囲気中でスパッタリングすることによっ
て行う。 例えばＳｉウェーハをターゲットとして使用する場合に
は、炭素原子、および水系原子又は／及びハロケン原子
を導入するための原料ガスを。 必要に応じてＡｒ、Ｈｅ等の稀釈ガスで稀釈して、スパ
ッタリング用の堆積室内に導入し、これ等のガスのガス
プラズマを形成してＳｉウェーハをスパッタリングすれ
ばよい。 又、ＳｉとＣは別々のターゲットとするが、あるいはＳ
ｉとＣの混合した１枚のターゲットとして使用する場合
には、スパッタリング用のガスとして水素原子又は／及
びハロゲン原子導入用の原料ガスを、必要に応じて稀釈
ガスで稀釈して、スパッタリング用の堆槓至内に導入し
、ガスプラズマを形成してスパッタリングすれはよい。 該スパッタリング法に用いる各原子の導入用の原料ガス
としては、前述のグロー放電法に用いる原料ガスがその
まま便用できる。 窒素原子を含有するｊ−またはｊ−領域を形成するのに
グロー放電法を用いる場合には、前記した光受容層形成
用の出発物質の中から所望に従って選択されたものに窒
素原子導入用の出発物質を加える。その様な窒素原子導
入用の出発物質としては、少なくとも窒素原子を構成原
子とするガス状の物質又はガス化し得る物質であればほ
とんどのものが使用できる。 例えばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、窒素原子（Ｎ）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）
を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して
使用するが、又は、シリコン原子（Ｓｔ）を構成原子と
する原料ガスと、窒素原子（Ｎ）及び水素原子（Ｈ）を
構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で
混合するかして使用することができる。 又、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（ｉ−ｉ
）とを構成原子とする原料ガスに窒素原子（Ｎ）を構成
原子とする原料ガスを混合して使用してもよい。 窒素原子を含有する層または層領域を形成する際に使用
する窒素原子（Ｎ）４人用の原料ガスとして有効に使用
される出発物質は、Ｎを構成原子とするか或いはＮとＨ
とを構成原子とする例えば室累（Ｎ、）、アンモニア（
Ｎ）ｌ、）、ヒドラジン（Ｈ，ＮＮＨ，）、アジ化水素
（ＮＨｓ）、アジ化アンモニウム（ＮＨ，Ｎ３）等のガ
ス状の又はガス化し得る窒素、窒化物及びアジ化物等の
音素化合物を挙げることができる。この他に、窒素原子
（Ｎ）の導入に加えて、ハロゲン原子（Ｘ）の導入も行
えるという点から、三弗化り累（ＦｓＮ）、四弗化窒素
（Ｆ４Ｎ）等のハロゲン化窒素化合物を挙げることがで
きる。 スパッターリング法によって、窒素原子を含有する層ま
たは層領域を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｌウ
ェーハー又はＳｉ、Ｎ、ウエーノ・−１又はＳｔとＳ
ｔ３Ｎ４が混合されて含有されているウェーハーをター
ゲットとして、これ等を棟種のガス雰囲気中でスパッタ
リングすることによって行えばよい。 例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等
のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハーを
スパッターリングすればよい。 又、別には、ＳｉとＳｉ３Ｎ、とは別々のターゲットと
して、又はＳｉとＳ ｉ、Ｎ、の混合した一枚のターゲ
ットを使用することによって、スパッター用のガスとし
ての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ
）又は／及びノ・ロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含
有するガス雰囲気中でスパッタリングすることによって
形成できる。窒素原子導入用の原料ガスとしては、先述
したグロー放電の例で示したｙＡ科ガスの中の窒素原子
導入用の原料ガスが、スパッタリングの場合にも有効な
ガスとして使用できる。 以上記述したように、本発明の光受容部材の光受容層は
、グロー放電法、スパッタリング法等を用いて形成する
が、光受容層に含有せしめるゲルマニウム原子又は／及
びスズ原子、第■族原子又は第■族原子、酸素原子、炭
素原子又は窒素原子、あるいは水素原子又は／及びノ・
ロケン原子の各々の當有童の制御は、堆積室内へ流入す
る、各々の原子供給用出発物質のガス流量あるいは各々
の原子供給用出発物質間のガス流量比を制御することに
より行われる。 また、感光層および衣面ｊ輌形成時の支持体温度、堆積
室内のガス圧、放電パワー等の条件は。 所望の特性を有する光受容部材を得るためには重要な要
因であり、形成する層の機能に考慮をはらって適宜選択
されるものである。さらに、これらの層形成条件は、感
光ｙ−および表面層に含有せしめる上記の各原子の種類
及び社によっても異なることもあることから、含有せし
める原子の種類あるいはその量等にも考慮をはらって決
定する必要もある。 具体的には窒素原子、酸素原子、炭素原子等を含有せし
めたａ−８ｉ（ｌ（、Ｘ）からなる光受容層を形成する
場合には、支持体温度は、通常（資）〜３５０Ｃとする
が、特に好ましくは５０〜２５０Ｃとする。堆積室内の
ガス圧は、通常０．Ｏ１〜ＩＴｏｒｒとするが、特に好
ましくは０．１〜０．５ Ｔｏｒｒとする。また、放電
パワーは０．（１０５〜５０騒とするのが通常であるが
、より好ましくは０．（１１〜３０Ｗ／ｃｒＩ、％に好
ましくは０．（１１−２０ ’Ｗ １ｃｒｌとする。 ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）からなる感光層を形成する場合
、あるいは第■族原子又は第■族原子を含有せしめたａ
−８ｉＧｅ （Ｈ、Ｘ ）からなる感光層を形成する場
合については、支持体温度は、通常５０〜３５０Ｃとす
るが、より好ましくは５ｃｌ〜３ｏｏＣ１特に好ましく
は１（１０〜３（１０Ｃとする。そして、堆積室内のガ
ス圧は、通常０．（１１〜５ Ｔｏｒｒとするが、好ま
しくは、０．（１０１〜３ Ｔｏｒｒとし、特に好まし
くは０．１〜ＩＴｏｒｒとする。また、放電パワーは０
．（１０５〜５０Ｗ／ｃ＋＋ｔとするのが通常であるが
、好ましくは０．（１１〜３０Ｗ／、ｌとし、特に好ま
しくは０．（１１〜２０ Ｗ ／ｃｙｉとする。 しかし、これらの、層形成を行うについての支持体温度
、放電パワー、堆積室内のカス圧の具体的条件は、通常
には個々に独立しては容易には決め難いものである。し
たがって、所望の特性の非晶質材料層を形成すべく、相
互的且つ有機的関連性に基づいて、層形成の至適条件を
決めるのが望ましい。 ところで、本発明の感光層に含有せしめるゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子、酸素原子、炭素原子又は窒素
原子、第■族原子又は第■族原子、あるいは水素原子又
は／及びハロゲン原子の分布状態を均一とするためには
、感光層を形成するに際して、前記の諸条件を一定に保
つことが必要である。 また、本発明において、光受容層の形成の際に、該層中
に含有せしめるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子、
酸素原子、炭素原子又は窒素原子、あるいは第■族原子
又は第■族原子の分布濃度を層厚方向に変化させて所望
の層厚方向の分布状態を有する層を形成するには、グロ
ー放電法を用いる場合であれば、ゲルマニウム原子又は
／及びスズ原子、酸素原子、炭素原子又は窒素原子、あ
るいは第１ｆｌ族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質
のガスの堆積室内に導入する際のガス流量を所望の変化
率に従って適宜変化させ、その他の条件を一定に保ちつ
つ形成する。そして、ガス流量を変化させるには、具体
的には、例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用
いられている何らかの方法により、ガス流路系の途中に
設けられた所定のニードルバルブの開口を漸次変化させ
る操作を行えばよい。このとき、流量の変化率は線型で
ある必要はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじ
め設計された変化率曲線に従って流量を制御し、所望の
含有率曲線を得ることもできろ。 また、光受容層をスバツタリ／グ法を用いて形成する場
合、ゲルマニウム原子又はスズ原子、酸素原子、炭素原
子又は窒素原子あるいは第■族原子又は第■族原子のｊ
會厚万同の分布濃度をノー厚方向で変化させて所望の層
厚方向の分布状態を形成するには、グロー放電法を用い
た場合と同様に、ゲルマニウム原子又はスズ原子、酸素
原子、炭素原子又は窒素原子あるいは第■族原子又は第
■族原子導入用の出発物質をガス状態で使用し、該カス
を堆積室内へ導入する際のガス流量を所望の変化率に従
って変化させる。 〔実施例〕 以下、本発明を実施例１乃至１０に従って、より詳細に
説明するが、本発明はこれ等によって限定されるもので
はない。 各実施例においては、光受容Ｊｔｊｌをグロー放電法を
用いて形成した。第四図はグロー放電法による本発明の
光受容部材の製造装置である。 図中の２８（１２．２８ｏ３．２８ｏ４．２８ｏ５．２
８ｏ６のガスボンベには、本発明の夫々のノーを形成す
るための原料ガスが密封されており、七の１例として、
たとえば、２８（１２はＳｉＦ４ガス（純度９９．９９
９％）ボンベ、２８ｏ３は１−■、で稀釈されたＢ！Ｈ
６ガス（純度９９，９９９％、以下Ｂｙｔｅ／Ｈｔと略
す。）ボンベ、２８０４はＣＨ４ガス（純度９９，９９
９％）ボンベ、２８０５はＱｅＦ４ＣＨ４ガス９９，９
９９％）ホンへ、２８０６は不活性ガス（Ｈｅ） ボ
ンベである。そして、２８０６’は５ｎＣ７１４が入っ
た密閉容器である。 これらのガスを反応室２８ｏ１に流入させるにはガスボ
ンベ２８（１２〜２８ｏ６のバルブ２８２２〜２８２６
、リークバルブ２８３５が閉じられていることを確認し
又、流入バルブ２８１２〜２８１６、流出バルブ２８１
７〜２８２１、補助バルブ２８３２．２８３３が開かれ
ていることを確認して、先ずメインバルブ２８３４を開
いて反応室２８（１１、ガス配管内を排気する。次に真
空Ａｌシリンダー２８３７上に感光層及び表面層を形成
する場合の１例を以下に記載する。 まず、ガスボンベ２８（１２よりＳｉＦ、ガス、ガスボ
ンベ２８０３よりＢｄ（ａ／Ｈｚガス、ガスボンベ２８
０５よりＧｅｈ’４ガスの夫々をバルブ２８２２．２８
２３．２８２５を開いて出口圧ゲージ２８２７．２８２
８．２８３゜の王をＩ Ｋｑ ／ ａｉに調整し、流入
バルブ２８１２．２８１３．２８１５を徐々に開けて、
マスフロコントローラ２８０７．２８０８．２８１０
内に流入させる。 Ｇｅｈ’、ガス流蓋、’ｔ Ｈｅ／Ｈ２カス流量の比が
所望の値になるように流出パルプ２８１７．２８１８、
２８２０を調整し、又、反応室２８（１１内の圧力が所
望の値になるように真空計２８３６の続みな見ながらメ
インパルプ２８３４の開口を調整する。 そして基体シリンダー２８３７の温度が加熱ヒーター
２８３８により５０〜４（１０ Ｃの範囲の温度に設定
されていることを確認された後、電源２８４０を所望の
電力に設定して反応室２８（１１内にグロー放電を生起
せしめるとともに、マイクロコンピュータ−（図示せず
）を用いて、あらかじめ設計された流！を変化率線に従
って、５ｉｉＩ″４ガス、ＱｅＦ４ＣＨ４ガス！Ｈｅ／
Ｈｚガスのガス流量を制御しながら、基体シリンダー２
８３７上に先ず、シリコン原子、ゲルマニウム原子及び
硼素原子を含有する感光層を形成する。 上記と同様の操作により、感光層上に′＆面層を形成す
るには、例えばＳｉｒ、ガス、及びＣＨ４ガスの夫々を
、必要に応じてＨｅ 、 Ａｒ 、Ｈ，等の稀釈ガスで
稀釈して、所望のガス流量で反応室２８（１１内に流入
し、所望の条件に従ってグロー放電を生起せしめ、マイ
クロコンピュータ−に−％− よりＳ ｉＦ４ガスとＯＨ４ガスのガス流ｆｉｔ’Ｅ＝
制御しながら、表面層を形成する。 夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バルブ以外の
流出パルプは全て閉じることは言うまでもなく、又夫々
の層ご形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
２８（１１内、流出パルプ２８１７〜２８２１から反応
室２８（１１内に至るガス配管内に残留することを避け
るために、流出パルプ２８１７〜２８２１を閉じ補助バ
ルブ２８３２．２ｓ３３ｅＭいてメインパルプ２８３４
を全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応
じて行う。 また、感光層中にスズ原子を含有せしめる場合にあって
、原料ガスとしてＳｎＯ／４ｋ ＩＯＢ発物質としたガ
スな用いる場合には、２８０６’に入ｎられた固体状８
ｎＯ／ａを加熱手段（図示せず）′ｆｒ：用いて加熱す
るとともに、該８ｎＯ／４中にＡｒ 、 Ｈｅ等の不活
性ガスボンベ２８０６よりＡｒ ＳＨｅ等の不活性ガス
ご吹き込み、バブリングする。発生した８ｎＯ／ ４の
ガスは、前述のＳｉＦ４ガス、ＧｅＦ４ガス及びＢ２
Ｈｌｌ ／ Ｂ２ ガス等と同様の手順により反応室
内に流入させる。 試験例 １ 径０．６ｍｍの８ＵＳステンレス製剛体球に化学的処理
を施して表面を食刻して凹凸を形成せしめた。使用する
処理剤としては、塩酸、フッ酸、硫酸、クロム酸等の酸
、苛性ソーダ等のアルカリを挙げることができる。本試
験例においては、濃塩酸１に対して純水１〜４０６４ｓ
ｔ比で混合した塩酸缶液を用い、１ｂｌｌ１体球の浸漬
時間、酸濃度等を変化させ、凹凸の形状を適宜調金した
。 試験例 ２ 試験例１の方法によって処理された剛体球合金製シリン
ダー（径（ｉＱｍｍ、長さ２９８ ｍｍ）の表面を処理
し、凹凸を形成させた。 真球の径Ｒ′、落下高さｈと痕跡窪みの曲率ｌモ、幅ｒ
との関係を調べたところ、仮跡甚みの曲率Ｒと幅ｒとは
、真球の径比′と落下高さｈ等の条件により汲められる
ことが確認された。また、痕跡窪みのピッチ（痕跡窪み
の密度、また凹凸のピッチ）は、シリンダーの回転速度
、回転数乃至は剛体其球の落下蓋等を制御して所望のピ
ッチに調整することかできることが確認された。 更に、ＲおよびＤの大きさについて検討した結果、比が
、Ｑ、１ｍｍ未満であると、剛体球を小好ましくないこ
と、ＲかｊＱｍｍを超えると、剛体球を大きく重くして
、落下高さを調節するため、例えばｌ）を比較的小さく
したい場合に落下高さを極端に低くする必要があるなど
、痕跡窪みの形成をコントロールしにくくなるため好ま
しくないこと、史に、Ｄが０．（１２ｍｍ未満であると
剛体球を小さく軽くして落下＾さを確保しなければなら
す、痕跡窪みの形成をコントロールしにくくなるため好
ましくないことが、夫々確酩された。 更に、形成された痕跡窪みを試べたところ、痕跡窪み内
には、剛体球の表面凹凸形状に応じた微小な凹凸が形成
されていることが確認された。 実施例 １ 試験例と同様にアルミニウム合金製シリンダーの表面を
処理し、第１Ａ表上欄に示すＤ、及り び−を有するシリンダー状Ａｌ支持体（シリンダ−Ａｌ
０Ｉ〜１０６）を得た。 次に、該Ａｌ支持体（シリンダーＡ１（１１〜１０６）
上に、以下の第１Ｂ表に示す条件で、第四図に示した製
造装置により光受容層を形成した。 この際、表面層形成時におけるＣＨ，ガス、１１．ガス
およびＳｉＦ、ガスの流量変化は、第四図に示す流量変
化線に従って、マイクロコンピュータ−制御により、自
動的に調整した。 これらの光受容部材について、第四図に示す画像露光装
置を用い、波長７８０ ｎ ｍ 、スポット径８０μｍ
のレーザー光を照射して１１！ＩＩ ｍ 露光を行ない
、現像、転写を行なって１１１１Ｉ像を得た。得らＺｏ
ｏ − れた画像の干渉縞の発生状況は第１Ａ表下欄に示すとお
りであった。 なお、第２９（Ａ）図は露光装置の全体を模式的に示す
平面略図であり、第２９（Ｂ）図は露光装置の全体を模
式的に示す側面略図である。図中、２９（１１は光受容
部材、２９（１２は半導体レーザー、２９０３はｆθレ
ンズ、２９０４はポリゴンミラーを示している。 次に、比較として、従来のダイヤモンドバイトにより表
面処理されたアルミニウム合金製シリンダー（Ａ１０７
） （径６Ｑｍｍ、長さ２９８ ｍ ｍ 。 凹凸ピッチ１（１０μｍ、凹凸の深さ３μｍ）を用いて
、前述と同様にして光受容部材を作製した。 得られた光受容部材を電子顕微鏡で観察したところ、支
持体表面と光受容層の層界面及び光受容層の表面とは平
行をなしていた。この光受容部材を用い℃、前述と同様
にして画像形成をおこない、得られた画像について前述
と同様の評価を行なった。その結果は、第１Ａ表下楠に
示すとおりであった。 −１０３一 実施例 ２ 第２Ｂ表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した
以外はすべて実施例１と同様にして、Ａｄ支持体（シリ
ンダーＡｌ０Ｉ〜１０７）上に光受容層を形成した。こ
の際、感光層形成時におけるＱｅ Ｆ、ガス及びＳｉＦ
４ガス流蓋の変化、および表面層形成時におけるＮＨ３
カス、Ｈ２ガス及びＳｉＦ、ガスのガス流量の変化は、
各々第３１図及び第３２図に示す流量変化線に従って、
マイクロコンピュータ−制御により、自動的に肖整した
。 なお、感光層中に含有せしめる硼素原子は、Ｂ２ Ｈ６
／ Ｓ Ｉ Ｆ ４ ＋Ｇｅ Ｆ４ ＃ １（１０ ｐ
ｌ）Ｉｎであって、該層全層について約２（１０ ｐＩ
）ｍドーピングされているようになるべく導入した。 得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像を形成したところ、得られたｉＩ！ｌＩＩＭｅにおけ
る干渉縞の発生状況は、第２Ａ表下欄に示すとおりであ
った。 実施例 ３ 第３Ａ表上掴に示す表面凹凸の高さくγｍａｘ）の剛体
球を用いた以外はすべて実施？ｌｌ １と同様にして、
球状痕跡窪み（Ｄ ＝ ４５０±５０ ｐｍ ）。 、＝０．０５）を有するＡｌ支持体（シリンダー屋３（
１１〜３０６）を得た。 次に該Ａｌ支持体（シリンダーＡ３（１１〜３０６）上
に、以下の第３Ｂ表に示す条件で、第５図に示した製造
装置を用いて光受容層を形成した。 この際、感光層形成時におけるＢｔ ）Ｌｅ／ Ｈ２ガ
スおよびＨ，ガス、および表面層形成時におけるＮＯガ
ス、 Ｈ２ガスおよびＳｉＦ、ガスのガス流量は、各々
第３３図および第３４図に示す流鼠袈化線に従ッテ、マ
イクロコンピュータ−′＃１１１−により、自動的に調
整した。また、感光層に含有せしめる硼素原子は、実施
例２と同様の条件で導入した。 得られた光受容部材について、実施例１と同様にして１
Ｉｉｉｌ像形成を行なったところ、得られた画像におけ
る干渉縞の発生状況は、第３Ａ表下個に示すとおりであ
った。 実施例 ４ 実施例３で用いたＡｌ支持体（シリンダー人３（１１〜
３０６）上に、第４Ｂ表に示す層形成条件に従って、光
受容層を形成した。なお、感光層形成時におけるＢ、Ｈ
，／Ｈ，ガス、Ｈ，ガスおよびＧｅＦ、ガスのガス流電
、及び表面層形成時におけるＮＨ８ガス、Ｈ，ガスおよ
び５ｉＩＩ’、ガスのガス流輩は、各々、第お図および
第３６図に示す流輩変化線に従って、マイクロコンピュ
ータ−制御により、自動的に調整した。また、感光層中
に貧有せしめる硼素原子は、実施例２と同様の条件で尋
人した。 得られた光受容部材について実施例１と同様にして画１
象を形成したところ、得られた画像における干渉縞の元
生状況は、第４八表下掴に示すとおりであった。 １１２一 実施例 ５〜１０ 実施例１のＡｌ支持体（シリンダーＡｌＯ３〜１０６）
上に、第５〜１０表に示す層形成条件に従って光受容層
を形成した以外はすべて実施例１と同様にして光受容部
材を作製した。なお、各実施例において、感光層形成時
及び表面層形成時における使用ガスのガス流量は、各々
第１１表に示したように第３７図〜第４５図のガス流量
変化線に従って、マイクロコンピュータ−制御ニより自
動的に調整した。また、感光層中に含有せしめる硼素原
子は、実施例２と同じ条件で導入した。 得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像形成をおこなった。 得られた画像は、いずれも干渉縞の発生が観察されず、
そして極めて良質のものであった。 〔発明の効果の概略〕 本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。 また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に潰れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的射出性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画ｆ象形成への残貿寛位の影響が全くな（、その電気
的特性が安定しており尚感度で、高ＳＮ比を有するもの
であって、耐光疲労、繰返し便用特性に長け、濃度が尚
く、ハーフト−ンが鮮明に出て、且つ解（家産の高い高
品質の画像を安定して繰返し得ることができる。
Ｔとの間においては、濃度Ｃｔａの一定値とされた例が
示されている。 第１５図にボされる例において、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは、位Ｗ、ｔＢにおいて濃度ＣＩ４であり、位
ｉｔ？に至るまではこの濃度ＣＩ４より初めはゆっくり
と減少され、ｔ、の位置付近においては、急減に減少さ
れて位置ｔ７では濃度ＣＩｌ＋とされる。 位置ｔ、と位置【、との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位ｔｔｓ
で濃度ｃ１ｅとなり、位ｔｔｓと位置ｔ９との間では、
保々に減少されて位ｉｔｓにおいて、濃度ＣＯに至る。 位ｔｔｏと位ｔｔ丁との間においては濃度Ｃ１□より実
質的にゼロになる様に図に示す如き形状の曲Ｈに従って
減少され一祠一 ている。 以上、第７図乃至第１５図により、感光層中に含有され
るゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の層厚方向の分
布状態の典型例の妓つかを説明した様に、本発明の光受
容部材においては、支持体側において、ゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の分布濃度Ｃの高い部分を有し、
界面ＩＴ側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に比
べてかなり低くされた部分を有するゲルマニウム原子又
は／及びスズ原子の分布状態が感光層に設けられている
のが望ましい。 即ち、本発明における光受容部材を構成する感光層は、
好ましくは、上述した様に支持体側の方にゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子が比較的高濃度で含有されてい
る局在領域を有するのが望ましい。 本発明の光受容部材に於ては、局在領域は、第７図乃至
第１５図に示す記号を用いて説明すれは、界面位［ｔｎ
より５μ以内に設けられるのが望ましい。 そして、上記局在領域は、界面位置ｔｓより５μ厚まで
の全層領域とされる場合もあるし、又、該層領域の一部
とされる場合もある。 局在領域を１ｍ ’１ｉＪｔ域の一部とするか又は全部
とするかは、形成される光受容層に要求される特性に従
って適宜決められる。 局在領域はその中に含有されるゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子の分布＃度Ｃｍａｘがシリコン
原子に対して、好ましくは１（１００ ａｔｏｍｉｃ
ｐｐｍ以上、より好適には５（１００ ａｔｏｍｉｃ
ｐｐｍ以上、最適にはＩ Ｘ １０’ａｔｏｍｉｃ ｐ
ｐｍ以上とされる様な分布状態となり得る様に層形成さ
れるのが望ましい。 即ち、本発明の光受容部材においては、ゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の含有される感光層は、支持体側
からの増厚で５μ以内（ｔｍから５μ層のＮｉ穎域）に
分イ１】＃度の最大ｉｉｋｃｍ−ｘが存在する様に形成
されるのが好ましいものである。 本発明の光受容部材において、感光層中に含有せしめる
ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の含有量は、本発
明の目的を効率的に達成しうる様に所望に従って適宜次
める必要があり、通常は１〜６ Ｘ １０５１０５ａｔ
ｏ ｐｐｍとするが、好ましくは１０〜３ Ｘ １０５
１０５ａｔｏ ｐｐｍ 、より好ましくはＩ Ｘ １（
１２〜２ Ｘ １０’ ａｔｏｍｉｃ ｐｐｍとする。 本発明の光受容部材の感光層に、酸素原子、炭素原子及
び家系原子の中から選ばれる少くとも一種を含有せしめ
る目的は、主として該光受容部材の高光感度化とｒ ８
ｆａ抗化、そして支持体と感光層との間の密層性の向上
にある。 本発明の感光層においては、酸素原子、炭素原子及び窒
素原子の中から選ばれる少くとも一種を含有せしめる場
合、層厚方向に均一な分布状態で含有せしめるが、ある
いは層厚方向に不均一な分布状態で含有せしめるかは、
前述の目的とするところ乃至期待する作用効米によって
異なり、したかつて、＠有せしめる友も異なるところと
なる。 すなわち、光受容部材の高光感度化と高暗抵抗化を目的
とする場合には、感光層の全層領域に均一な分布状態で
含有せしめ、この場合、感光層に含有せしめる炭素原子
、酸素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種
の電は、比較的少量でよい。 また、支持体と感光層との４／！ｉ着性の向上を目的と
する場合には、感光層の支持体側端部の一部の層領域に
均一に含有せしめるが、あるいは、感光層の支持体側端
部において、炭素原子、酸素原子、及び家系原子の中か
ら選ばれる少くとも一種の分布瀝度が高くなるような分
布状態で含有せしめ、この場合、感光層に含有せしめる
酸素原子、炭素原子、及び家系原子の中から選ばれる少
くとも一種の量は、支持体との密層性の向上を確実に図
るために、比教的多童にされる。 本発明の光受容部材において、感光層に富有せしめる酸
素原子、炭素原子及び家系原子の中から選ばれる少くと
も一種の麓は、しかし、上述のごとき感光層に要求され
る特性に対する考慮の他、支持体との接触界面における
特性等、有機的関連性にも考慮をはらって決定されるも
のであり、通常は０．（１０１−５０ ａｔｏｍｉｃ％
、好ましくは０．（１０２〜４Ｑ ａｔｏｍ ｉｃ％、
最適には０．（１０３〜３０ａｔｏｍｉｃ％とする。と
ころで、感光層の全層領域に含有せしめるが、あるいは
、含有せしめる一部のＪ−領域の層厚の感光層の層厚中
に占める割合が大きい場合には、前述の含有せしめる意
の上限を少なめにされる。すなわち、その場合、例えは
、富有せしめる層領域の層厚が、感光層の層厚の−とな
るような場合には、含有せしめる鼠は通常３Ｑａｔｏｍ
ｉｃ％以下、好ましくは２０ ａｔｏｍｉｃ％以下、最
適には１０ ａｔｏｍｉｃ％以下にされる。 次に本発明の感光層に富有せしめる醒案原子灰累原子及
び家系原子の中から選ばれる少くとも一種の霊が、支持
体側においては比戟的多駕であり、支持体側の端部から
表面層側の端部に回かつて減少し、感光層の表面層側の
端部付近においては、比較的少量となるが、あるいは実
質的にゼロに近くなるように分布せしめる場合の典型的
な例のいくつかを、第１６図乃至第冴図によって説明す
る。しかし、本発明はこれらの例によって限定されるも
のでＱまない。以下、炭素原子、酸素原子及び室木原子
の中から選ばれる少くとも一層を［原子（０，Ｃ，Ｎ）
Ｊと表記する。 第１６乃至Ｕ図において、横軸は原子（０，Ｃ，Ｎ）の
分布濃度Ｃを、縦軸は感光層の層厚を示し、１、は支持
体と感光層との界面位置を、１丁は感光層と表面層との
界面の位置を示す。 第１６図は、感光ｊ−中に含有せしめる原子（０゜Ｃ，
Ｎ）の層厚方向の分布状態の第一の典型例を示している
。眼側では、原子（０，Ｃ，Ｎ）を含有する感光層と支
持体との界面位置１．より位置ｔ１までは、原子（０，
Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃか（１１なる一定値をとり、位置
ｔ１より表面層との界１位置ｔ！までは原子（０，Ｃ，
Ｎ）の分布濃度Ｃが濃度Ｃ宜から連続的に減少し、位置
ｔ？においては原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度がＣ８と
なる。 第１７図に不す他の典型例の１つでは、感光層に含有せ
しめる原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃは、位＆Ｌｓか
ら位ｔｉｔｈ：ｔ Ｔにいたるまで、濃度Ｃ４から連続
的に減少し、位置１Ｔにおいて濃度Ｃ６となる。 第１８図に示す例では、位置１．から位＆ｊｔまでは原
子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃが濃度Ｃ６なる一足値を
保ち、位置ｔ、から位置１．にいたるまでは、原子（０
，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ７から徐々に連続的に
減少して位置ＩＴにおいては原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布
濃度Ｃは実質的にゼロと彦る。 第１９図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは位ｔｔＢより位置１１にいたるまで、濃度Ｃ８から
連続的に保々に減少し、位置ｔＴにおいては原子（０，
Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。 第四図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃ
は、位置１．より位置ｔ、の間においては濃度Ｃ９の一
定値にあり、位置ｔ、から位置ｔ↑の間においては、濃
度Ｃ０から濃度Ｃ３゜となるまで、−次間数的に減少す
る。 第２１図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＢより位置ｔ４にいたるまでは濃度Ｃ１ｌ
の一定値にあり、位置ｔ４より位置を丁にいたるまでは
濃度Ｃ１！から濃度ＣＩ３となるまで一次関数的に減少
する。 第四図に示す例においては、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布
濃度Ｃは、位置１．から位置１丁にいたるまで、濃度Ｃ
Ｉ４から実質的にゼロとなるまで一次関数的に減少する
。 第る図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃ
は、位ｔｔｍから位ｔ ｔｓにいたるまで濃度Ｃ１ｌか
ら濃度Ｃ１６となるまで一次関数的に減少し、位ｔｔｓ
から位［１丁までは濃度ＣＩ６の一定値を保つ。 最後に、第冴図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ ）の
分布濃度Ｃは、位置１．において濃度ＣＵＴであり、位
置１．から位置ｔ６までは、濃度Ｃ１７からはじめはゆ
っくり減少して、位ａｔｅ付近では急激に減少し、位置
ｔ６では濃度ＣｔＳとなる。次に、位置ｔ、から位置ｔ
、までははじめのうちは急激に減少し、その後は緩かに
徐々に減少し、位置ｔ、においては濃度ＣｔＯとなる。 更に位置ｔ、と位置ｔ８の間では極めてゆっくりと徐々
に減少し、位置ｔ８において濃度Ｃ１゜となる。また更
に、位ｆｉｔｓから位置ｔＴにいたるまでは、濃度Ｃ２
Ｏから実質的にゼロとなるまで徐々に減少する。 第１６図〜第ａ図に示した例のごとく、感光層の支持体
側の端部に原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃの高い部分
を有し、感光層の表面層側の端部においては、該分布濃
度Ｃがかなり低い部分を有するが、あるいは実質的にゼ
ロに近い濃度の部分を有する場合にあっては、感光層の
支持体側の端部に原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度が比軟
的高濃度である局在領域を設けること、好ましくは該局
在領域を支持体表面と感光層との界面位ｔｔｍかも５μ
以内に設けることにより、支持体と感光層との密層性の
同上をより一層効率的に達成することができる。 前記局在領域は、原子（０，Ｃ，Ｎ）を含有せしめる感
光層の支持体側の端部の一部層領域の全部であっても、
あるいは一部であってもよく、いずれにするかは、形成
される感光層に安来される特性に従って適宜法める。 局在領域に含有せしめる原子（０，Ｃ，Ｎ）の量は、原
子（０，Ｃ，Ｎ）の分子濃度Ｃの最大値が５（１０ａｔ
ｏｍｉｃ ｐｐｍ以上、好ましくは８（１０ ａｔｏｍ
ｉｃｐｐｍ以上、最適には１（１００ ａｔｏｍｉｃ
ｐｐｍ以上となるような分布状態とするのが望ましい。 本発明の光受容部材においては感光層に伝導性を制御す
る物質を、全Ｎ領域又は一部の層領域に均−又は不均一
な分布状態で含有せしめることができる。 前記伝導性を制御する物質としては、半導体分野におい
ていういわゆる不純物を挙げることができ、Ｐ型伝導性
を与える周期律表第■族に属する原子（以下単に「第■
族原子」と称す。）、又は、ｎ型伝導性を与える絢期律
表第■族に属する原子（以下単に「第■族原子」と称す
。）が使用される。具体的には、第■族原子としては、
Ｂ（硼素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）
、Ｉｎ （インジウム）、Ｔｌ（タリウム）等を挙げる
ことができるが、特に好ましいものは、Ｂ、Ｇａである
。また第■族原子としてはＰ（燐）、Ａｓ （砒素）、
Ｓｂ（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマン）等を挙げること
ができるが、特に好ましいものは、Ｐ、Ｓｂである。 本発明の感光層に伝導性を制御する物質である第■族原
子又は第■族原子を含有せしめる場合、全層領域に含有
せしめるが、あるいは一部の層領域に含有せしめるかは
、後述するように目的とするところ乃至期待する作用効
果によって異なり、含有せしめる童も異なるところとな
る。 すなわち、感光層の伝導型又は／及び伝導率を制御する
ことを主たる目的にする場合には、感光層の全Ｎ！ｉ執
城中に含有せしめ、この場合、第■族原子又は第■族原
子の含有量は比較的わずかでよく、通常はＩ Ｘ １０
−３− Ｉ Ｘ １０’ ａｔｏｍｉｃｐｐｍであり、
好ましくは５ Ｘ １０−２〜５ Ｘ １０”ａｔｏｍ
ｉｃｐｐｍ、最適には％Ｉ Ｘ １０ ’ −２Ｘ １
０”ａｔｏｍｉｃ ｐｐｍである。 また、支持体と接する一部の層領域に第■族原子又は第
■族原子を均一な分布状態で含有せしめるが、あるいは
層厚方向における第ｉｌｌ族原子又は第■族原子の分布
濃度が、支持体と接する側において高濃度となるように
含有せしめる場合には、こ５１．ｆｃ＠ｌ族原子又は第
■族原子を含有する構成層あるいは第■族原子又は第■
族原子を高濃度に含有する層領域は、電荷注入阻止層と
して機能するところとなる。即ち、第■族原子を含有せ
しめた場合には、光受容層の自由表面が■極性に帯電処
理を受けた際に、支持体側から光受容層中へ注入される
電子の移動をより効率的に阻止することができ、又、第
■族原子を富有せしめた場合には、光受容層の自由表面
が○極性に帯電処理を受けた除に、支持体側から光受容
層中へ注入される正孔の移動をより効率的に阻止するこ
とができる。そして、こうした場合の含有量は比較的多
量であって、具体的には、３０〜５ Ｘ ＩＱ’ ａｔ
ｏｍｉｃ ｐｐｍ 、好ましくは５０〜Ｉ Ｘ １０’
ａｔｏｍｉｃ ｐｐｍ、最適には１×１０！−５Ｘ
１０’ ａｔｏｍｉｃ ｐｐｍとする。さらに、該電荷
注入阻止Ｉ−としての効果を効率的に葵するためには、
第■族原子又は第■族原子を含有する支持体側の端部に
設けられる層又は層領域の層厚をｔとし、光受容層の層
厚をＴとした場合、ｔ／Ｔ≦０．４の関係か成立するこ
とが望ましく、より好ましくは該関係式の値が０．３５
以下、最適には０．３以下となるようにするのが望まし
い。 また、該層又は層領域の層厚ｔは、一般的には３Ｘ１０
”〜１０μとするが、好ましくは４Ｘ１０”〜８μ、最
適には５Ｘ１０−３〜５μとするのが望ましい。 次に感光層に貧有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子の
童が、支持体側においては比較的多量であって、支持体
側から表面層側に向って減少し、表面層との界面付近に
おいては、比教的少憲となるかあるいは実質的にゼロに
近くなるように第■族原子又は第■族原子を分布させる
場合の典型的例は、前述の感光層に酸素原子、炭素原子
及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一層を含有せ
しめる場合に例示した、第１６図乃至次回の例と同様の
例によって説明することができる。しかし、本発明は、
これらの例によって限定されるものではない。 第１６図〜第Ｕ図に示した例のごとく、感光層の支持体
側に近い側に第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃの
高い部分を有し、表面層との界面側においては、該分イ
ロ濃度Ｃがかなり低い濃度の部分あるいは央ｊ幌的にセ
ロに近い１１に度の部分を有する場合にあっては、支持
体側に近い部分に第■族原子又は第■麩原子の分布濃度
が比較的高＠度である局在領域を設けろこと、好ましく
は該局在領域を支持体表面と接触する界面位置から５μ
以内に設けることにより、第■族彪子又は第Ｖ族原子の
分布一度が筒？＆度である層慣域が電荷注入阻止層を形
成するという前述の作用効果がより一層効率的に奏され
る。 以上、第■族原子又は第■族原子の分布状態について、
個々に各々の作用効果を記述したが、所望の目的を達成
しつる特性を有する光受容部材を得るについては、これ
らの第■族原子又は第■族原子の分布状態および感光層
に含有せしめる第■族原子又は第■族原子の量を、必要
に応じて適宜組み合わせて用いるものであることは、い
うまでもない。例えば、感光層の支持体側の端部に電荷
注入阻止層を設けた場合、電荷注入阻止層以外の感光層
中に、電荷注入阻止層に含有せしめた伝導性を制御する
物質の他性とは別の極性の伝導性を制御するｖｌ員を含
有せしめてもよく、あるいは、同極性の伝導性を制御す
る物質を、電荷注入阻止層に含有される量よりも一段と
少ない童にして含有せしめてもよい。 さらに、本発明の光受容部材においては、支持体側の端
部に設ける構成層として、’！電荷注入阻止層代わりに
、電気絶縁性材料から成るいわゆる障壁層を設けること
もでき、あるいは、該障壁層と電荷注入阻止層との内方
を構成層とすることもできる。こうした障壁層を構成す
る材料としては、ＡＪ、Ｏ８，８ｉ０．．８ｉ、Ｎ、等
の無機電気絶縁材料やポリカーボネート等の有機電気絶
縁材料を挙げることができる。 表面層 本発明の光受容部材の表面層１０３は、前述の感光層１
（１２の上に設けられ、自由表面１０４を有している。 該表面層は、Ｖ素原子（Ｏ）、炭素原子（Ｃ）及び窒素
原子（Ｎ）の中から選ばれる少なくとも一層、好ましく
はさらに水素原子（Ｈ）及びハロゲン原子（Ｘ）の少な
くともいずれか一方を含有するａ−８ｉ（以下、ｒ ａ
−８ｉ （０，Ｃ，Ｎ）（Ｉ−（、Ｘ ）ｌと表記する
。〕で栴成されていて、光受容部材の自由表面１０４に
おける入射光の反射をへらし、透過率を増加させる機能
を奏するとともに、光受容部材の耐湿性、連続線返し便
用特性、電気的海・ｊ正性、便用環境特性および耐久性
等の賄特性を同上せしめる機能を奏するものである。 そして、本発明の光受容部材にあっては、表面層１０３
と感光層１（１２との界面において、表面層の有する光
学的バンドギャップＬｅａｐｔと、該表面層が直接設け
られている感光層１（１２の有する光学的バンドギャッ
プＥｏｐｔとが、整合するが、あるいは表面層１０３と
感光層１（１２との界面における入射光の反射を実買的
に防止しうる程度に整合するように構成される必要があ
る。さらに、上述の条件に加えて、表面層１０３の自由
表面側の端部においては、表面層の下に設けられている
感光層１（１２に到達する入射光の光量が充分に確保で
きるようにするため、表面層１０３の自由表面側の端部
においては、表面層の有する光学的バンドギャップＥｏ
ｐ ｔを充分に大きくするように構成されることか望ま
しい。そして、表面層１０３と感光層１（１２との界面
において光学的バンドギャップＥｉｏｐ ｔが整合する
ように構成するとともに、表面層の自由表面側の端部に
おいて光学的バンドギャップＥｏｐｔを充分に大きくす
るように構成する場合、表面層の有する光学的バンドギ
ャップが、表面層の層厚方向において連続的に変化する
ように構成される。 表面層の光学的バンドギャップＥｏｐ ｔＯ層厚方向に
おける値を前述のごとく制御するには、光学的バンドギ
ャップの調整原子であるところの酸素原子（０）、炭素
原子（Ｃ）及び窒素原子（Ｎ）の中から選ばれる少くと
も一種の表面層に含有せしめる量を制御することによっ
て行なわれろ。 具体的には、感光層の表面層と接する側の端部において
酸素原子（０）、炭素原子（Ｃ）及び窒素原子（Ｎ）の
中から選ばれる少なくとも一種〔以下、［原子（０，Ｃ
，Ｎ） Ｊと表記する。〕が含有されていない場合には
、表面層の感光層と接する側の端部における原子（０，
Ｃ，Ｎ）の含有量をゼロ又はゼロに近い値とし、感光層
の表面層と接する側の端部において原子（０，Ｃ，Ｎ）
が含有されている場合については、表面層の感光層と接
する側の端部における原子（０，Ｃ，Ｎ）の含有量と、
感光層の表面層と接する側の端部における原子（０，Ｃ
，Ｎ）の含有量とが同じが、あるいは実質的に差がない
ようにする。そして、表面層の感光Ｊ−側の端部から自
由表面側の端部に向かって、原子（０，Ｃ，Ｎ）の量を
連続的に増加させ、自由表面側の端部付近においては、
自由表面における入射光の反射を防止するのに充分な皿
の原子（０，Ｃ，Ｎ）を含有せしめる。以下、表面層に
おける原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布状態の典型的な例のい
くつかを、第５乃至ｎ図によって説明するが、本発明は
これらの例によって限定されるものではない。 第５乃至ｎ図において、横軸は原子（０，Ｃ，Ｎ）およ
びシリコン原子の分布濃度Ｃ，縦軸は表面層の層厚ｔを
示しており、図中、ｔＴは感光層と表面層との界面位置
、ｔｒは目出表面位置、実線は原子（０，Ｃ，Ｎ）の分
布徴度の変化、破線はシリコン原子（Ｓｔ）の分布濃度
の変化を示している。 第５図は、表面ノー中に含有せしめる原子（０゜Ｃ，ｆ
’、ｌ）とシリコン原子（Ｓｉ）の層厚方向の分布状態
の第一の典型例を示している。眼側では、界面位１１１
より位１１１まで、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃが
ゼロより濃度ＣＩとなるまで一次関数的に増加し、一方
、シリコン原子の分布濃度は、濃度Ｃ３から濃度Ｃ８と
なるまで一次関数的に減少し、位置ｔ１から位置１．に
いたるまでは、原子（０，Ｃ，Ｎ）およびシリコン原子
の分布濃度Ｃは各々濃度ＣＩおよび濃度Ｃ３の一定値を
保つ。 第ｎ図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃ
は界面位置ｔＴより位置ｔ、まではゼロから濃度Ｃ４ま
で一次関数的に増加し、位ｔ’ｓより位ｆｆ１ｔｔｙに
いたるまでは、濃度Ｃ４の一冗値を保つ。一方、シリコ
ン原子の分布濃度Ｃは、位置ｔＴより位ｔｔｚまではＩ
Ｉｋ度Ｃ５から濃度Ｃ０まで一次関数的に減少し、位Ｗ
ｔｚより位ｔｌｔ、Ｌｓまでは、濃度Ｃ６から濃度Ｃ７
まで一次関数的に減少し、位置ｔ３から位置ｔＦにいた
るまでは、濃度Ｃフの一定値を保つ。表面層の形成の初
期において、シリコン原子の濃度が高い場合、成膜速度
が速くなるが、この例のようにシリコン原子の分布濃度
を２段階で減少することにより、成膜速度を補正するこ
とができる。 第ｎ図に示す例では、位置ｔＴから位ｔｔ＋までは、原
子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度はゼロから濃度Ｃ８まで連
続的に増加し、一方、シリコン原子（Ｓｉ）の分布濃度
Ｃは、濃度Ｃ８から濃度ＣｔＯまで連続的に減少し、位
置ｔ４から位ｔｔｙにいたるまでは、原子（０，Ｃ，Ｎ
）の分布濃度およびシリコン原子（Ｓｉ）の分布濃度は
、各々一度Ｃ８および濃度Ｃ８゜の一定値を保つ。この
例のごとく、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度を徐々に連
続して増加せしめる場合には、表面層の層厚方向の屈折
率の変化率をほぼ一定とすることができる。 本発明の光受容部材の表面層は、第５乃至ｎ図に示した
ごとく、表面層の感光ＪＷＩ側の端部においては原子（
０，Ｃ，Ｎ’）の分布濃度を実質的にゼロに近い濃度と
し、自由表面側に向かって連続的に増加させ、表面層の
自由表面側の端部においては、比較的高濃度である層慎
域を設けるようにすることが望ましい。セして、この場
合の該Ｍ領域の層厚は、反射防止層としての機能および
、保護層としての機能を果たすため、通常は０．１μｍ
以上となるようにされる。 表面層にも、水素原子又はハロゲン原子の少なくとも一
方を含有せしめることが望ましく、含有せしめる水素原
子（Ｈ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量、あるいは水
素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ十Ｘ ）は１１通常
１〜４０ ａ ｔｏｍ ｉｃ％、好ましくは５〜３０ａ
ｔｏｍｉＣ％、最適には５〜２５ａｔｏｍｉｃ％とする
。 また、本発明において、表面層の層厚も本発明の目的を
効率的に達成するための１要な要因の１つであり、所期
の目的に応じて適宜決定されるものであるが、該層に含
有せしめる酸素原子、炭素原子、窒素原子、ハロゲン原
子、水素原子の量、あるいは表面層に要求される特性に
応じて相互的かつ有機的関連性の下に決定する必要があ
る。更に、生産性や菫産性をも加味した経済性の点にお
いても考慮する必要もある。 こうしたことから、表面層の層厚は通常は３Ｘ１０−５
〜３０μとするが、より好ましくは４ Ｘ １０−’〜
加μ、特に好ましくは５Ｘ１０−５〜ｌｏμとする。 本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。 また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が尚く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的制圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留′屯位の影響が全くなく、その電気
的特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもの
であって、耐光疲労、繰返し使用特性に艮け、濃度が尚
く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品
買の画像を安定して繰返し得ることができる。 次に本発明の光受容層の形成方法について説明する。 本発明の光受容Ｉ−を構成する非晶質材料はいずれもグ
ロー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーテ
ィング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって行
われる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の
負荷程度、製造規模、作製される光受容部材に所望され
る特性等め要因によって適宜選択されて採用されるが、
所望の特性を有する光受容部材を製造するに当っての条
件の制御が比較的容易であり、シリコン原子と共に炭素
原子及び水素原子の導入を容易に行い得る等のことから
して、グロー放電法或いはスパッタリング法が好適であ
る。 そして、グロー放電法とスパッタリング法とを同−装置
系内で併用して形成してもよい。 例えば、グロー放電法によって、ａ−８ｔ（Ｈ。 Ｘ）で構成される層を形成するには、基本的にはシリコ
ン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと共
に、水素原子（Ｈ） 導入用の又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室
内に導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予
め所定位置に設置した所定の支持体表面上にａ−８ｉ（
Ｈ，Ｘ）から成る層を形成する。 前記Ｓｉ供給用の原料ガスとしては、ＳｉＨ，。 Ｓｉ、Ｈ，、Ｓｔ、Ｈ，、Ｓｉ、Ｈ，。等のガス状態の
又はガス化し得る水素化硅素（シラン類）が挙げられ、
特に、層形成作業のし易さ、Ｓｔ供給効率の良さ等の点
で、ＳｉＨ４、Ｓｉ、Ｈ６が好ましい。 また、前記ハロゲン原子導入用の原料ガスとしては、多
くのハロゲン化合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、
ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換され
たシラン誘導体等のガス状態の又はガス化しうるハロゲ
ン化合物が好ましい。具体的にはフッ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、Ｂ ｒ 、Ｆ” 、 Ｃｌｋ
’、ＣＩＦ、、ＢｒＦＢ、ＢｒＦ３、ＩＰ、、ＩＣｌ、
ＩＢｒ等のハロゲン間化合物、およびＳｉＦ４．Ｓ
ｉ、Ｆ、、５ｉＣＪ、、ＳｉＢｒ４等のハロゲン化硅素
等が挙げられる。上述のごときハロゲン化硅素のガス状
態の又はガス化しうるものを用いる場合には、Ｓｉ供給
用の原料ガスを別途使用することなくして、ハロゲン原
子を含有するａ−８ｉで構成されたＪ−が形成できるの
で、特に有効である。 また、前記水素原子供給用の原料ガスとしては、水素ガ
ス、１−ＩＦ 、 ＨＣｌ 、 ＨＢｒ 、 ＨＩ等の
ハロゲン化物、ＳｉＨ４，Ｓｉ！Ｈ，、Ｓｉ、ＩＩ、、
Ｓｔ、Ｈ，。等の水素化硅素、あるいはＳ １Ｉ−Ｊ、
Ｆい ３ｉＨ２１ｔ、Ｓ ｉＨ，Ｃ１１ｔ、 Ｓ
１Ｈｃ１．、ＳＩＨ，ＩＪｒ、、５ｉＨＢｒｓ等のハロ
ゲン置換水素化硅素尋のガス状態の又はガス化しうるも
のを用いることができ、これらの原料ガスを用いた場合
には、電気的あるいは光電的特性の制御という点で極め
て有効であるところの水素原子（Ｈ）の含有賞の制斜な
容易に行うことができるため、有効である。そして、前
記ハロゲン化水素又は前ｍｌハロゲン置換水素化硅素を
用いた場合にはハロゲン原子の尋人と同である。 反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依ってａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成するには、
例えばスパッタリング法の場合には、ハロゲン原子を導
入するについては、前記のハロゲン化合物又は前記のハ
ロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入し
て該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれはよい。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子等入用の原
料ガス、例えは、Ｈ２或いは前記した７ラン知等のガス
をスパッタリング用の堆積室中に尋人して該ガスのプラ
ズマ雰囲気を形成してやればよい。 例工は、反応スパッタリング法の場合には、Ｓｉターゲ
ットを使用し、ハロゲン原子尋人用のガス及びＨ２カス
を必要に応じてＨｅ 、 Ａｒ等の不活性ガスも含めて
堆積案内に尋人してプラズマ雰囲気を形成し、前記Ｓｉ
ターゲットをスパッタリングすることによって、皮付体
上にａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成する。 グロー放電法によってａ −５ｉＧｅ（Ｈ、Ｘ ）で構
成される層を形成するには、シリコン原子（８ｉ）を供
給しうるＳｉ供給用の原料ガスと、ゲルマニウム原子（
Ｇｅ ）を供給しうるＧｅ供給用の原料ガスと、水素原
子Ｑ（）又は／及びハロゲン原子（３）を供給しりろ水
素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）供給用の原
料ガスを、内部を減圧しうる堆積案内に所望のガス王状
態で導入し、該堆積室内にグロー放電を生起せしめて、
予め所定位置に設置しである所定の支持体表面上に、ａ
−８ｉＧｅ （Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成する。 Ｓｉ供給用の原料ガス、ハロゲン原子供給用の原料ガス
、及び水素原子供給用の原料ガスとなりうる物質として
は、前述のａ−８ｉ （Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成
する場合に用いたものがそのまま用いられる。 また、前記Ｇｅ供給用の原料ガスとなりうる物質として
は、Ｇｅｌ−１４、ＧｅｔＨａ、（ｉｅ、Ｈ＠ 、 Ｇ
ｅ、Ｈ，。、（ＪｅｌＨ１！、Ｇｅ６Ｈ１４、ａｅ？Ｈ
＋８、Ｕｅ、Ｈ，、、Ｇｅ、Ｈ，ｏ等のガス状態の又は
ガス化しりる水素化ゲルマニウムを用いることができる
。特に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良
さ等の点から、ＧｅＨ４、Ｇｅ、Ｈ，、および（ｊｅｓ
Ｈｓが好ましい。 スパッタリング法によってａ−８ｉＧｅ （Ｈ，Ｘ）で
構成される層を形成するには、シリコンから成るターゲ
ットと、ゲルマニウムから成るターゲットとの二枚を、
あるいは、シリコンとゲルマニウムからなるターゲット
を用い、これ等を所望のガス雰囲気中でスパッタリング
することによって行なう。 イオンブレーティング法を用いてａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ
）で構成される層を形成する場合には。 例えば、多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲ
ルマニウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源とし
て蒸着ポートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法あるい
はエレクトロンビーム法（１（、Ｂ、法）等によって加
熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ暮囲気中
をＳ遇せしめることで行ない得る。 スパッタリング法およびイオンブレーティング法のいず
れの場合にも、形成する層中にハロゲン原子を含有せし
めるには、前述のハロゲン化物又はハロゲン原子を営む
硅素化合物のガスを堆積室中に導入し、該ガスのプラズ
マ雰囲気を形成すればよい。又、水素原子を導入する場
合には、水素原子供給用の原料ガス、例えばＨｌあるい
は前記した水素化シラン類又は／及び水素化ゲルマニウ
ム等のガス類をスパッタリング用の堆積室内に導入して
これ等のガス類のプラズマ雰囲気を形成すればよい。さ
らにハロゲン原子供給用の原料ガスとしては、前記のハ
ロゲン化物或いはハロゲンを営む硅素化合物が有効なも
のとして挙げられるが、その他に、ＨＦ、ＨＣｌ 、
ＨＢｒ 、 ＨＩ等のハロゲン化水素、ＳｉＨ！Ｆ、、
５ｉＩ（ｊ、、Ｓ ｉＨ，Ｃ１１、８１ｌ−１ｃｌｓ、
Ｓ ｉＨ，Ｂｒ、、５ｉＨＢｒ３等のハロゲン置換
水素化硅素、およびＧｅｎｅ”８、 ＧｅＨ！Ｆ、
、 （ｊｅ）−１，Ｆ、 Ｇｅ）−１ｃｌｓ、
ＣｘｅＨ１Ｃ１２、ＧｅＨｓｃｌ、 Ｇｅ）ＬＢｒ
、、Ｇｅｔ−１，Ｂ ｒ 、、Ｇｅｌ、 Ｂｒ 。 ＧｅＨＩ３、ＧｅＨ，Ｉ、、 ＧｅＨ，Ｉ等の水素化
ハＣｌゲン化ゲルマニウム等、ＧｅＦ４、ＧｅＣｌ＋
、 ＧｅＢｒ４、ＧｅＩ、、ＧｅＦ！、ＧｅＣ６，、
ＧｅＢｒ、、（３ｅＩ、等）／’ロゲン化ゲルマニウム
等々のガス状態の又はガス化しうる物質も有効な出発物
質として使用できる。 グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング法を用いて、スズ原子を含有するアモルファス
シリコ７ （以下、 ｒ ａ−８ｉ８ｎ（Ｈ，Ｘ）Ｊと
表記する。）で構成される光受容層を形成するには、上
述のａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成されるｊ−の形成の
際に、ゲルマニウム原子供給用の出発物質を、スズ原子
（８口）供給用の出発物質にかえて使用し、形成する層
中へのその址をｉ＋Ｊｎしながら含有せしめることによ
って行なう。 前記スズ原子（Ｓｎ）供給用の原料ガスとなりうる物負
としては、水素化スズ（ＳｎＨ４）や８ｎＦ’ｔ％５ｎ
ｉ１１４．５ｎ（Ｊ２．５ｎＣ１４，５ｎＢｒ、、５ｎ
Ｂｒ、、ＳｎＩ、、ＳｎＩ、 Ｖのハロゲン化スズ等
のガス状態の又はガス化しうるものを用いることができ
、ハロゲン化スズを用いる場合には、所定の支持体上に
ハロゲン原子を含有するａ−８ｉで構成される層を形成
することができるので、特に有効である。なかでも、Ｊ
−作成作業時の取扱い易さ、Ｓｎ供給効率の良さ等の点
から、５ｎＣ１４が好ましい。 そして、８ｎＣ６ａをスズ原子（８ｎ）供給用の出発物
質として用いる場合、これをガス化するには、固体状の
５ｎＣ１４を加熱するとともに、Ａｒ、Ｈｅ、等の不活
性ガスを吹き込み、該不宿性ガスを用いてバブリングす
るのが望ましく、こうして生成したガスを、内部を減圧
にした堆積室内に所望のガス圧状態で導入する。 グロー放電法、スパッタリング法、あるいはイオンブレ
ーティング法を用いて、ａ−８ｉ（Ｈ。 Ｘ）又はａ−８ｉ （Ｇｅ 、 ８ｎ） （Ｈ，Ｘ）に
さらに第■族鳳子又は第■族原子、窒素原子、酸素原子
あるいは炭素原子を含有せしめた非晶質材料で構成され
た層を形成するには、ａ−８ｉ（Ｈ９Ｘ）又はａ−８ｉ
（Ｇｅ、 Ｓｎ ） （Ｈ，Ｘ） （ｒ）ＷＩ）形成
ノ際に、第■族原子又は第■族原子導入用の出発物質、
窒素原子尋入用の出発物質、酸素原子導入用の出発物質
、あるいは炭素原子導入用の出発物質を、前述したａ−
８ｔ（Ｈ，Ｘ）又はａ−８１（Ｇｅ、 Ｓｎ） （Ｈ，
Ｘ）形成用の出発物質と共に使用して、形成する層中へ
のそれらの量を制御しながら含有せしめてやることによ
って行なう。 例えば、グロー放電法を用いて、原子（０゜Ｃ，Ｎ）を
含有するａ ５ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される層又は原子
（０，Ｃ，Ｎ）を含有するａ−８ｉ（Ｇｅ。 ５ｎ）（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成するには、前述
のａ −Ｓ ｉ （）ｉ 、 Ｘ ）で構成される層又
はａ−８ｉ （Ｇｅ、 ８ｎ） （Ｈ，Ｘ）で構成され
る層を形成する際に、原子（０，Ｃ，Ｎ）尋人用の出発
物質を、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）形成用又はａ−８ｔ（Ｇｅ
、 ５ｎ）（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質とともに使用し
て形成する層中へのそれらの量を制御しなから含有せし
めることによって行なう。 このような原子（ｏ、 ｃ、 Ｎ＞＝入用の出発物質と
しては、少なくとも原子Ｃｏ、 Ｃ，Ｎ）を構成鳳子と
するガス状の物質又はガス化し得る物質であれば、殆ん
どのものが使用できる。 具体的には、酸素原子（０）２ｓ入用の出発物質として
、例えば、酸素（０，）、オゾン（０，）、−酸化箪索
（ＮＯ）、−二酸化窒素（Ｎ、Ｕ）、三二酸化屋累（Ｎ
２Ｏ２）、四三酸化窒素（Ｎ２Ｏ２）、 五二酸化璧素
（Ｎ、０． ）、 三酸化窒素（ＮＯ８）、シリコン原
子（Ｓｉ）と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成
原子とする例えばジシロキサン（Ｂ３８ ｉｔｓ １Ｈ
３）、トリシロキサン（鴇Ｓｉ Ｏ８ｉｎ、Ｏ８１Ｈ３
）等の低級シロキサン等が挙げられ、炭素原子（Ｃ）
４人用の出発物質としては、例えば、メタン（ＣＨ，）
、エタン（ＣｔＨｅ）、プロパｙ（Ｃ３Ｈ，）、ｎ−ブ
タン（ｎ Ｃ４Ｈ１０）、ペンタン（Ｃ，Ｈ，、）等
の炭素数１〜５の飽和炭化水素、エチレン（Ｃ，）ｉ４
）、プロピレン（ＣｓＨ６）、ブテン−１（Ｃ＋）Ｉｇ
）、ブテン−２（ＣｔＨｅ）、イソブチレン（Ｃ４Ｈ８
）、ペンテン（ｃ、ｎ、。）等の炭素数２〜５のエチレ
ン糸炭化水素、アセチレン（Ｃ，Ｈ，）、メチルアセチ
レン（Ｃ，）ｉ４）、ブチン（Ｃ４１−１，）等の炭素
数２〜４子（Ｎ）４入用の出発ｖＩＪ員としては、例え
ば、窒素（Ｎ、）、アンモニア（Ｎｕ（、）、ヒドラジ
ン（Ｈ，ＮＮＨ，）、アジ化水素（ＨＮ、）、アジ化ア
ンモニウム（Ｎ Ｈ４Ｎ１１）、三弗化室索（Ｉｉ”３
Ｎ）、四弗化窒素（Ｆ’、Ｎ）等が挙げられる。 例えば、グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオ
ンブレーティング法を用いて、ｍｌ族原子又は第Ｖ族原
子を含有するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）又はａ−８ｉ （Ｇｅ
、 Ｓｎ） （Ｈ，Ｘ）テｉ成すレル層又は層領域を形
成するには、上述のａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）又はａ−８ｔ
（Ｇｅ、 ８ｎＨＨ，Ｘ）テ構成さレル層ノ形成の際に
、第■【族原子又は謁■族原子導入用の出発物質を、ａ
−８ｉ（Ｈ，Ｘ）又はａ−８ｉ（Ｇｅ。 ５ｎ）（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質とともに使用して、
形成する層中へのそれらの量を制御しながら含有せしめ
ることによって行なう。 第■族原子尋人用の出発物質として具体的には１１１ｉ
ｌｌ素原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６、Ｂ４Ｈ１０、Ｂ
、）（、、Ｂ５Ｈ１ｌ 、Ｂ６ＨＩＯ、Ｂ６ＨＩ２、Ｂ
６Ｈ１４等の水素化硼素、 ＢＰ、、ＢＣｌｓ、 Ｂ
Ｂｒ、等のハロゲン化硼素等が挙げられろ。この他、Ａ
ｌｃｌｌｓ、Ｇａ Ｃｌ＊、Ｇａ（ＣＨ３）、、ＩｎＣ
１ｍ、ＴｌＣｌ３等も挙げることができる。 第■族原子導入用の出発物質として、具体的には燐原子
導入用としてはＰＨ３、Ｐ、Ｈ，等の水素化燐、ＰＨ４
Ｉ、ＰＦ、、ＰＦ、、ＰＣｌ５％ＰＣｌ３、ＰＢｒ、、
ＰＢｒ、、 ＰＩ、等の／Ｓロゲン化燐が挙げられる。 この他、Ａｓ）（３、ＡｓＦ、、ＡｓＣ＃３、ＡｓＢｒ
、、ＡｓＦ、、ＳｂＨ３，５ｂｉｔ’、、ＳｂＦ、 、
５ｂｃｄ、 ％８ｂＣ６ｓ、ＢｉＨ，、Ｂ１Ｃｌ、
、Ｂ１Ｂｒ、等も第■族原子尋人用の出発物質の有効な
ものとして挙げることかできる。 酸素原子を含有する層又は層領域を形成するのにグロー
放電法を用いる場合には、前記した光受容層形成用の出
発物質の中から所望に従って選択されたものに酸素原子
導入用の出発物質が加えられる。その様な酸素原子導入
用の出発物質としては、少なくとも酸素原子を構成原子
とするガス状の物質又はガス化し得る物質であればほと
んどのものが使用できる。 例えばシリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料ガス
と、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必袂
に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）
を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して
使用するが、又は、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子と
する原料ガスと、酸素原子（０）及び水素原子（Ｈ）を
構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で
混合するが、或いは、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子
とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）、酸素原子（
０）及び水系原子（Ｈ）の３つを構成原子とする原料ガ
スとを混合して使用することができる。 又、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水酸原子（■（）
とを構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用してもよい。 具体的には、例えば峨素（（１２）、オゾン（０３）、
−峡化室索（ＮＯ）、二酸化篤系（Ｎｏ、）、−二酸化
窒素（Ｎ、Ｏ）、三二酸化窒素（Ｎ、０．） 、四二酸
化室累（Ｎ、０４）、三二酸化窒素（Ｎ２０．）、三酸
化窒素（ＮＯ，）、シリコン原子（Ｓｉ） と酸素原子
（０）と水素原子（■４）とを構成原子とする、例えば
、ジシロキサン（Ｈ８８ｉ０８ｉ１（ｓ）、トリシロキ
サン（Ｈ，Ｓ ｉ０８ ｉＨ，０８ｉＨ，）等の低級シ
ロキサン等を挙げることができる。 スパッタリング法によって、酸素原子を含有する層また
は層領域を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェ
ーハー又はＳｉｎ、ウエーノ・−１又はＳｉとＳｉｎ、
が混合されて含有されているウェーハーをターゲットと
して、これ等を釉々のガス雰囲気中でスパッタリングす
ることによって行えばよい。 例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、ｆｇ、素原子と必要に応じて水系原子又は／及びハロ
ゲン原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈
ガスで稀釈して、スノくツタ−用の堆積寥中に導入し、
これ等のカスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェー
ハ・−をスパッタリングすればよい。 又、別には、ＳｉとＳｉｎ、とは別々のターゲットとし
て、又はＳｉとＳｉｎ、の混合した一枚のターゲットを
使用することによって、スパッター用のガスとしての稀
釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ）又は
／及びノ・ロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有する
ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって形成で
きる。 酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放
電の例で示した原料カスの中の酸素原子導入用の原料ガ
スが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして使用
できる。 また、例えは炭素原子を含有するアモルファスシリコン
で構成される層をグロー放電法により形成するには、シ
リコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガスと、炭素
原子（Ｃ）を構成原子とする原料ガスと、必要に応じて
水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原
子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用する
が、又はシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガ
スと、炭素原子（Ｃ）及び水素原子（Ｈ）を構成原子と
する原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合するが
、或いはシリコン原子（８１）を構成原子とする原料ガ
スと、シリコン原子（Ｓｉ）、炭素原子（Ｃ）及び水素
原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスを混合するが、更
にまた、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（Ｈ）を構成
原子とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を構成原子とす
る原料ガスを混合して使用する。 このような原料ガスとして有効に使用されるのは、Ｓｉ
とＨとを構成原子とするＳｉＨ，、Ｓ ｉ ｔ Ｈａ、
Ｓｉ３Ｈｇ、Ｓ ｉ、Ｈ，、）等のシラ７ （５ｉｌａ
ｎｅ）類等の水素化硅素ガス、ＣとＨとを構成原子とす
る、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４
のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭
化水素等が挙げられる。 具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（Ｃ）１４
）、エタｙ（Ｃ，Ｈ，）、プロパン（Ｃ，Ｈ，）、ｎ−
ブｐ ｙ （ｎ−Ｃ４Ｈｔｏ ）、ペンタン（Ｃ，Ｈ，
、）、 エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ，
）１４）、プロピレン（ＣｓＨａ）、ブテン−１（Ｃ，
Ｈ，）、ブテン−２（Ｃ４Ｈ，）、インブチレン（Ｃ４
）１．）、ペンテン（ＣｓＨｔｏ）、アセチレン系炭化
水素としては、アセチレン（Ｃ，Ｈ，）、メチルアセチ
レン（ｃ、Ｈ４）、ブチン（Ｃ４Ｈ，）等が挙げられる
。 ＳｉとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、５
ｉ（ＣＨ，）４、Ｓｉ （ＣｚＨｓ）４等のケイ化アル
キルを挙げることができる。これ等の原料ガスの他、Ｈ
４人用の原料ガスとしては勿論Ｈ！も使用できる。 スパッタリング法によってａ−８ｉＣ（Ｈ，Ｘ）で構成
される層を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェ
ーハ又はＣ（グラファイト）ウェーハ、又はＳｔとＣが
混合されているウエーノ・をターゲットとして、これ等
を所望のガス雰囲気中でスパッタリングすることによっ
て行う。 例えばＳｉウェーハをターゲットとして使用する場合に
は、炭素原子、および水系原子又は／及びハロケン原子
を導入するための原料ガスを。 必要に応じてＡｒ、Ｈｅ等の稀釈ガスで稀釈して、スパ
ッタリング用の堆積室内に導入し、これ等のガスのガス
プラズマを形成してＳｉウェーハをスパッタリングすれ
ばよい。 又、ＳｉとＣは別々のターゲットとするが、あるいはＳ
ｉとＣの混合した１枚のターゲットとして使用する場合
には、スパッタリング用のガスとして水素原子又は／及
びハロゲン原子導入用の原料ガスを、必要に応じて稀釈
ガスで稀釈して、スパッタリング用の堆槓至内に導入し
、ガスプラズマを形成してスパッタリングすれはよい。 該スパッタリング法に用いる各原子の導入用の原料ガス
としては、前述のグロー放電法に用いる原料ガスがその
まま便用できる。 窒素原子を含有するｊ−またはｊ−領域を形成するのに
グロー放電法を用いる場合には、前記した光受容層形成
用の出発物質の中から所望に従って選択されたものに窒
素原子導入用の出発物質を加える。その様な窒素原子導
入用の出発物質としては、少なくとも窒素原子を構成原
子とするガス状の物質又はガス化し得る物質であればほ
とんどのものが使用できる。 例えばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、窒素原子（Ｎ）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）
を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して
使用するが、又は、シリコン原子（Ｓｔ）を構成原子と
する原料ガスと、窒素原子（Ｎ）及び水素原子（Ｈ）を
構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で
混合するかして使用することができる。 又、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（ｉ−ｉ
）とを構成原子とする原料ガスに窒素原子（Ｎ）を構成
原子とする原料ガスを混合して使用してもよい。 窒素原子を含有する層または層領域を形成する際に使用
する窒素原子（Ｎ）４人用の原料ガスとして有効に使用
される出発物質は、Ｎを構成原子とするか或いはＮとＨ
とを構成原子とする例えば室累（Ｎ、）、アンモニア（
Ｎ）ｌ、）、ヒドラジン（Ｈ，ＮＮＨ，）、アジ化水素
（ＮＨｓ）、アジ化アンモニウム（ＮＨ，Ｎ３）等のガ
ス状の又はガス化し得る窒素、窒化物及びアジ化物等の
音素化合物を挙げることができる。この他に、窒素原子
（Ｎ）の導入に加えて、ハロゲン原子（Ｘ）の導入も行
えるという点から、三弗化り累（ＦｓＮ）、四弗化窒素
（Ｆ４Ｎ）等のハロゲン化窒素化合物を挙げることがで
きる。 スパッターリング法によって、窒素原子を含有する層ま
たは層領域を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｌウ
ェーハー又はＳｉ、Ｎ、ウエーノ・−１又はＳｔとＳ
ｔ３Ｎ４が混合されて含有されているウェーハーをター
ゲットとして、これ等を棟種のガス雰囲気中でスパッタ
リングすることによって行えばよい。 例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等
のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハーを
スパッターリングすればよい。 又、別には、ＳｉとＳｉ３Ｎ、とは別々のターゲットと
して、又はＳｉとＳ ｉ、Ｎ、の混合した一枚のターゲ
ットを使用することによって、スパッター用のガスとし
ての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ
）又は／及びノ・ロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含
有するガス雰囲気中でスパッタリングすることによって
形成できる。窒素原子導入用の原料ガスとしては、先述
したグロー放電の例で示したｙＡ科ガスの中の窒素原子
導入用の原料ガスが、スパッタリングの場合にも有効な
ガスとして使用できる。 以上記述したように、本発明の光受容部材の光受容層は
、グロー放電法、スパッタリング法等を用いて形成する
が、光受容層に含有せしめるゲルマニウム原子又は／及
びスズ原子、第■族原子又は第■族原子、酸素原子、炭
素原子又は窒素原子、あるいは水素原子又は／及びノ・
ロケン原子の各々の當有童の制御は、堆積室内へ流入す
る、各々の原子供給用出発物質のガス流量あるいは各々
の原子供給用出発物質間のガス流量比を制御することに
より行われる。 また、感光層および衣面ｊ輌形成時の支持体温度、堆積
室内のガス圧、放電パワー等の条件は。 所望の特性を有する光受容部材を得るためには重要な要
因であり、形成する層の機能に考慮をはらって適宜選択
されるものである。さらに、これらの層形成条件は、感
光ｙ−および表面層に含有せしめる上記の各原子の種類
及び社によっても異なることもあることから、含有せし
める原子の種類あるいはその量等にも考慮をはらって決
定する必要もある。 具体的には窒素原子、酸素原子、炭素原子等を含有せし
めたａ−８ｉ（ｌ（、Ｘ）からなる光受容層を形成する
場合には、支持体温度は、通常（資）〜３５０Ｃとする
が、特に好ましくは５０〜２５０Ｃとする。堆積室内の
ガス圧は、通常０．Ｏ１〜ＩＴｏｒｒとするが、特に好
ましくは０．１〜０．５ Ｔｏｒｒとする。また、放電
パワーは０．（１０５〜５０騒とするのが通常であるが
、より好ましくは０．（１１〜３０Ｗ／ｃｒＩ、％に好
ましくは０．（１１−２０ ’Ｗ １ｃｒｌとする。 ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）からなる感光層を形成する場合
、あるいは第■族原子又は第■族原子を含有せしめたａ
−８ｉＧｅ （Ｈ、Ｘ ）からなる感光層を形成する場
合については、支持体温度は、通常５０〜３５０Ｃとす
るが、より好ましくは５ｃｌ〜３ｏｏＣ１特に好ましく
は１（１０〜３（１０Ｃとする。そして、堆積室内のガ
ス圧は、通常０．（１１〜５ Ｔｏｒｒとするが、好ま
しくは、０．（１０１〜３ Ｔｏｒｒとし、特に好まし
くは０．１〜ＩＴｏｒｒとする。また、放電パワーは０
．（１０５〜５０Ｗ／ｃ＋＋ｔとするのが通常であるが
、好ましくは０．（１１〜３０Ｗ／、ｌとし、特に好ま
しくは０．（１１〜２０ Ｗ ／ｃｙｉとする。 しかし、これらの、層形成を行うについての支持体温度
、放電パワー、堆積室内のカス圧の具体的条件は、通常
には個々に独立しては容易には決め難いものである。し
たがって、所望の特性の非晶質材料層を形成すべく、相
互的且つ有機的関連性に基づいて、層形成の至適条件を
決めるのが望ましい。 ところで、本発明の感光層に含有せしめるゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子、酸素原子、炭素原子又は窒素
原子、第■族原子又は第■族原子、あるいは水素原子又
は／及びハロゲン原子の分布状態を均一とするためには
、感光層を形成するに際して、前記の諸条件を一定に保
つことが必要である。 また、本発明において、光受容層の形成の際に、該層中
に含有せしめるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子、
酸素原子、炭素原子又は窒素原子、あるいは第■族原子
又は第■族原子の分布濃度を層厚方向に変化させて所望
の層厚方向の分布状態を有する層を形成するには、グロ
ー放電法を用いる場合であれば、ゲルマニウム原子又は
／及びスズ原子、酸素原子、炭素原子又は窒素原子、あ
るいは第１ｆｌ族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質
のガスの堆積室内に導入する際のガス流量を所望の変化
率に従って適宜変化させ、その他の条件を一定に保ちつ
つ形成する。そして、ガス流量を変化させるには、具体
的には、例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用
いられている何らかの方法により、ガス流路系の途中に
設けられた所定のニードルバルブの開口を漸次変化させ
る操作を行えばよい。このとき、流量の変化率は線型で
ある必要はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじ
め設計された変化率曲線に従って流量を制御し、所望の
含有率曲線を得ることもできろ。 また、光受容層をスバツタリ／グ法を用いて形成する場
合、ゲルマニウム原子又はスズ原子、酸素原子、炭素原
子又は窒素原子あるいは第■族原子又は第■族原子のｊ
會厚万同の分布濃度をノー厚方向で変化させて所望の層
厚方向の分布状態を形成するには、グロー放電法を用い
た場合と同様に、ゲルマニウム原子又はスズ原子、酸素
原子、炭素原子又は窒素原子あるいは第■族原子又は第
■族原子導入用の出発物質をガス状態で使用し、該カス
を堆積室内へ導入する際のガス流量を所望の変化率に従
って変化させる。 〔実施例〕 以下、本発明を実施例１乃至１０に従って、より詳細に
説明するが、本発明はこれ等によって限定されるもので
はない。 各実施例においては、光受容Ｊｔｊｌをグロー放電法を
用いて形成した。第四図はグロー放電法による本発明の
光受容部材の製造装置である。 図中の２８（１２．２８ｏ３．２８ｏ４．２８ｏ５．２
８ｏ６のガスボンベには、本発明の夫々のノーを形成す
るための原料ガスが密封されており、七の１例として、
たとえば、２８（１２はＳｉＦ４ガス（純度９９．９９
９％）ボンベ、２８ｏ３は１−■、で稀釈されたＢ！Ｈ
６ガス（純度９９，９９９％、以下Ｂｙｔｅ／Ｈｔと略
す。）ボンベ、２８０４はＣＨ４ガス（純度９９，９９
９％）ボンベ、２８０５はＱｅＦ４ＣＨ４ガス９９，９
９９％）ホンへ、２８０６は不活性ガス（Ｈｅ） ボ
ンベである。そして、２８０６’は５ｎＣ７１４が入っ
た密閉容器である。 これらのガスを反応室２８ｏ１に流入させるにはガスボ
ンベ２８（１２〜２８ｏ６のバルブ２８２２〜２８２６
、リークバルブ２８３５が閉じられていることを確認し
又、流入バルブ２８１２〜２８１６、流出バルブ２８１
７〜２８２１、補助バルブ２８３２．２８３３が開かれ
ていることを確認して、先ずメインバルブ２８３４を開
いて反応室２８（１１、ガス配管内を排気する。次に真
空Ａｌシリンダー２８３７上に感光層及び表面層を形成
する場合の１例を以下に記載する。 まず、ガスボンベ２８（１２よりＳｉＦ、ガス、ガスボ
ンベ２８０３よりＢｄ（ａ／Ｈｚガス、ガスボンベ２８
０５よりＧｅｈ’４ガスの夫々をバルブ２８２２．２８
２３．２８２５を開いて出口圧ゲージ２８２７．２８２
８．２８３゜の王をＩ Ｋｑ ／ ａｉに調整し、流入
バルブ２８１２．２８１３．２８１５を徐々に開けて、
マスフロコントローラ２８０７．２８０８．２８１０
内に流入させる。 Ｇｅｈ’、ガス流蓋、’ｔ Ｈｅ／Ｈ２カス流量の比が
所望の値になるように流出パルプ２８１７．２８１８、
２８２０を調整し、又、反応室２８（１１内の圧力が所
望の値になるように真空計２８３６の続みな見ながらメ
インパルプ２８３４の開口を調整する。 そして基体シリンダー２８３７の温度が加熱ヒーター
２８３８により５０〜４（１０ Ｃの範囲の温度に設定
されていることを確認された後、電源２８４０を所望の
電力に設定して反応室２８（１１内にグロー放電を生起
せしめるとともに、マイクロコンピュータ−（図示せず
）を用いて、あらかじめ設計された流！を変化率線に従
って、５ｉｉＩ″４ガス、ＱｅＦ４ＣＨ４ガス！Ｈｅ／
Ｈｚガスのガス流量を制御しながら、基体シリンダー２
８３７上に先ず、シリコン原子、ゲルマニウム原子及び
硼素原子を含有する感光層を形成する。 上記と同様の操作により、感光層上に′＆面層を形成す
るには、例えばＳｉｒ、ガス、及びＣＨ４ガスの夫々を
、必要に応じてＨｅ 、 Ａｒ 、Ｈ，等の稀釈ガスで
稀釈して、所望のガス流量で反応室２８（１１内に流入
し、所望の条件に従ってグロー放電を生起せしめ、マイ
クロコンピュータ−に−％− よりＳ ｉＦ４ガスとＯＨ４ガスのガス流ｆｉｔ’Ｅ＝
制御しながら、表面層を形成する。 夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バルブ以外の
流出パルプは全て閉じることは言うまでもなく、又夫々
の層ご形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
２８（１１内、流出パルプ２８１７〜２８２１から反応
室２８（１１内に至るガス配管内に残留することを避け
るために、流出パルプ２８１７〜２８２１を閉じ補助バ
ルブ２８３２．２ｓ３３ｅＭいてメインパルプ２８３４
を全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応
じて行う。 また、感光層中にスズ原子を含有せしめる場合にあって
、原料ガスとしてＳｎＯ／４ｋ ＩＯＢ発物質としたガ
スな用いる場合には、２８０６’に入ｎられた固体状８
ｎＯ／ａを加熱手段（図示せず）′ｆｒ：用いて加熱す
るとともに、該８ｎＯ／４中にＡｒ 、 Ｈｅ等の不活
性ガスボンベ２８０６よりＡｒ ＳＨｅ等の不活性ガス
ご吹き込み、バブリングする。発生した８ｎＯ／ ４の
ガスは、前述のＳｉＦ４ガス、ＧｅＦ４ガス及びＢ２
Ｈｌｌ ／ Ｂ２ ガス等と同様の手順により反応室
内に流入させる。 試験例 １ 径０．６ｍｍの８ＵＳステンレス製剛体球に化学的処理
を施して表面を食刻して凹凸を形成せしめた。使用する
処理剤としては、塩酸、フッ酸、硫酸、クロム酸等の酸
、苛性ソーダ等のアルカリを挙げることができる。本試
験例においては、濃塩酸１に対して純水１〜４０６４ｓ
ｔ比で混合した塩酸缶液を用い、１ｂｌｌ１体球の浸漬
時間、酸濃度等を変化させ、凹凸の形状を適宜調金した
。 試験例 ２ 試験例１の方法によって処理された剛体球合金製シリン
ダー（径（ｉＱｍｍ、長さ２９８ ｍｍ）の表面を処理
し、凹凸を形成させた。 真球の径Ｒ′、落下高さｈと痕跡窪みの曲率ｌモ、幅ｒ
との関係を調べたところ、仮跡甚みの曲率Ｒと幅ｒとは
、真球の径比′と落下高さｈ等の条件により汲められる
ことが確認された。また、痕跡窪みのピッチ（痕跡窪み
の密度、また凹凸のピッチ）は、シリンダーの回転速度
、回転数乃至は剛体其球の落下蓋等を制御して所望のピ
ッチに調整することかできることが確認された。 更に、ＲおよびＤの大きさについて検討した結果、比が
、Ｑ、１ｍｍ未満であると、剛体球を小好ましくないこ
と、ＲかｊＱｍｍを超えると、剛体球を大きく重くして
、落下高さを調節するため、例えばｌ）を比較的小さく
したい場合に落下高さを極端に低くする必要があるなど
、痕跡窪みの形成をコントロールしにくくなるため好ま
しくないこと、史に、Ｄが０．（１２ｍｍ未満であると
剛体球を小さく軽くして落下＾さを確保しなければなら
す、痕跡窪みの形成をコントロールしにくくなるため好
ましくないことが、夫々確酩された。 更に、形成された痕跡窪みを試べたところ、痕跡窪み内
には、剛体球の表面凹凸形状に応じた微小な凹凸が形成
されていることが確認された。 実施例 １ 試験例と同様にアルミニウム合金製シリンダーの表面を
処理し、第１Ａ表上欄に示すＤ、及り び−を有するシリンダー状Ａｌ支持体（シリンダ−Ａｌ
０Ｉ〜１０６）を得た。 次に、該Ａｌ支持体（シリンダーＡ１（１１〜１０６）
上に、以下の第１Ｂ表に示す条件で、第四図に示した製
造装置により光受容層を形成した。 この際、表面層形成時におけるＣＨ，ガス、１１．ガス
およびＳｉＦ、ガスの流量変化は、第四図に示す流量変
化線に従って、マイクロコンピュータ−制御により、自
動的に調整した。 これらの光受容部材について、第四図に示す画像露光装
置を用い、波長７８０ ｎ ｍ 、スポット径８０μｍ
のレーザー光を照射して１１！ＩＩ ｍ 露光を行ない
、現像、転写を行なって１１１１Ｉ像を得た。得らＺｏ
ｏ − れた画像の干渉縞の発生状況は第１Ａ表下欄に示すとお
りであった。 なお、第２９（Ａ）図は露光装置の全体を模式的に示す
平面略図であり、第２９（Ｂ）図は露光装置の全体を模
式的に示す側面略図である。図中、２９（１１は光受容
部材、２９（１２は半導体レーザー、２９０３はｆθレ
ンズ、２９０４はポリゴンミラーを示している。 次に、比較として、従来のダイヤモンドバイトにより表
面処理されたアルミニウム合金製シリンダー（Ａ１０７
） （径６Ｑｍｍ、長さ２９８ ｍ ｍ 。 凹凸ピッチ１（１０μｍ、凹凸の深さ３μｍ）を用いて
、前述と同様にして光受容部材を作製した。 得られた光受容部材を電子顕微鏡で観察したところ、支
持体表面と光受容層の層界面及び光受容層の表面とは平
行をなしていた。この光受容部材を用い℃、前述と同様
にして画像形成をおこない、得られた画像について前述
と同様の評価を行なった。その結果は、第１Ａ表下楠に
示すとおりであった。 −１０３一 実施例 ２ 第２Ｂ表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した
以外はすべて実施例１と同様にして、Ａｄ支持体（シリ
ンダーＡｌ０Ｉ〜１０７）上に光受容層を形成した。こ
の際、感光層形成時におけるＱｅ Ｆ、ガス及びＳｉＦ
４ガス流蓋の変化、および表面層形成時におけるＮＨ３
カス、Ｈ２ガス及びＳｉＦ、ガスのガス流量の変化は、
各々第３１図及び第３２図に示す流量変化線に従って、
マイクロコンピュータ−制御により、自動的に肖整した
。 なお、感光層中に含有せしめる硼素原子は、Ｂ２ Ｈ６
／ Ｓ Ｉ Ｆ ４ ＋Ｇｅ Ｆ４ ＃ １（１０ ｐ
ｌ）Ｉｎであって、該層全層について約２（１０ ｐＩ
）ｍドーピングされているようになるべく導入した。 得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像を形成したところ、得られたｉＩ！ｌＩＩＭｅにおけ
る干渉縞の発生状況は、第２Ａ表下欄に示すとおりであ
った。 実施例 ３ 第３Ａ表上掴に示す表面凹凸の高さくγｍａｘ）の剛体
球を用いた以外はすべて実施？ｌｌ １と同様にして、
球状痕跡窪み（Ｄ ＝ ４５０±５０ ｐｍ ）。 、＝０．０５）を有するＡｌ支持体（シリンダー屋３（
１１〜３０６）を得た。 次に該Ａｌ支持体（シリンダーＡ３（１１〜３０６）上
に、以下の第３Ｂ表に示す条件で、第５図に示した製造
装置を用いて光受容層を形成した。 この際、感光層形成時におけるＢｔ ）Ｌｅ／ Ｈ２ガ
スおよびＨ，ガス、および表面層形成時におけるＮＯガ
ス、 Ｈ２ガスおよびＳｉＦ、ガスのガス流量は、各々
第３３図および第３４図に示す流鼠袈化線に従ッテ、マ
イクロコンピュータ−′＃１１１−により、自動的に調
整した。また、感光層に含有せしめる硼素原子は、実施
例２と同様の条件で導入した。 得られた光受容部材について、実施例１と同様にして１
Ｉｉｉｌ像形成を行なったところ、得られた画像におけ
る干渉縞の発生状況は、第３Ａ表下個に示すとおりであ
った。 実施例 ４ 実施例３で用いたＡｌ支持体（シリンダー人３（１１〜
３０６）上に、第４Ｂ表に示す層形成条件に従って、光
受容層を形成した。なお、感光層形成時におけるＢ、Ｈ
，／Ｈ，ガス、Ｈ，ガスおよびＧｅＦ、ガスのガス流電
、及び表面層形成時におけるＮＨ８ガス、Ｈ，ガスおよ
び５ｉＩＩ’、ガスのガス流輩は、各々、第お図および
第３６図に示す流輩変化線に従って、マイクロコンピュ
ータ−制御により、自動的に調整した。また、感光層中
に貧有せしめる硼素原子は、実施例２と同様の条件で尋
人した。 得られた光受容部材について実施例１と同様にして画１
象を形成したところ、得られた画像における干渉縞の元
生状況は、第４八表下掴に示すとおりであった。 １１２一 実施例 ５〜１０ 実施例１のＡｌ支持体（シリンダーＡｌＯ３〜１０６）
上に、第５〜１０表に示す層形成条件に従って光受容層
を形成した以外はすべて実施例１と同様にして光受容部
材を作製した。なお、各実施例において、感光層形成時
及び表面層形成時における使用ガスのガス流量は、各々
第１１表に示したように第３７図〜第４５図のガス流量
変化線に従って、マイクロコンピュータ−制御ニより自
動的に調整した。また、感光層中に含有せしめる硼素原
子は、実施例２と同じ条件で導入した。 得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像形成をおこなった。 得られた画像は、いずれも干渉縞の発生が観察されず、
そして極めて良質のものであった。 〔発明の効果の概略〕 本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。 また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に潰れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的射出性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画ｆ象形成への残貿寛位の影響が全くな（、その電気
的特性が安定しており尚感度で、高ＳＮ比を有するもの
であって、耐光疲労、繰返し便用特性に長け、濃度が尚
く、ハーフト−ンが鮮明に出て、且つ解（家産の高い高
品質の画像を安定して繰返し得ることができる。
第１図は本発明の光受容部材の１例を模式的に示した図
であり、第２及び３図は１本発明の光受容部材における
干渉縞の発生の防止の原理を説明するための部分拡大図
であり、第２図は、支持体表面に球状痕跡窪みによる凹
凸が形成された光受容部材において、干渉縞の発生が防
止しうろことを示す図、第３図は、従来の表面を規則的
に荒した支持体上に光受容）Ｗｌを堆積させた光受容部
材において、干渉縞が発生することを示す図である。第
４及び５図は、本発明の光受容部材の支持体表面の凹凸
形状及び該凹凸形状を作製する方法を説明するための侯
式図である。第６図は、本発明の光受容部材の支持体に
設けられる凹凸形状を形成するのに好適な装置の一構成
例を模式的に示す図であって、第６（Ａ）図は正面図、
第６ＣＢ）図は縦断面図である。第７〜１５図は、本発
明の感光層中におけるダルマニウム原子又はスズ原子の
層厚方向の分布状態を表わす図であり、第１６〜２４図
は、本発明の感光層中における酸素原子、炭素原子又は
窒素原子、あるいは第１１１族原子又は第■族原子の層
厚方向の分布状態を表わす図であり、第５〜２７図は、
本発明の表面層中におけるシリコン原子、及び酸素原子
、炭素原子又は窒素原子の層厚方向の分布状態を表わす
図であり、各図において、縦軸は感光層又は表面層の層
厚を示し、横軸は各原子の分布濃度を表わしている。第
四図は、本発明の光受容部材の感光層及び表面層を製造
するだめの装置の例で、グロー放電法による製造装置の
模式的説明図である。第四図は、レーザー光によるｍ像
露光装置を説明する図である。 第（資）乃至４５図は、本発明の光受容層形成における
ガス流量比の変化状態を示す図であり、縦軸は感光層又
は表面層のノー厚、横軸は使用ガスのガス流量を示して
いる。 第１乃至３図について、 １（１０・・・光受容部材、１（１１・・・支持体、１
（１２ 、２（１１゜３（１１・・・感光層、１０３．
２（１２．３（１２・・・表面層、１０４．２０３．３
０３・・・自由表面、２０４．３０４・・・感光層と表
面層との界面。 第４．５図について、 ４（１１．５（１１・・・支持体、４（１２．５（１２
・・・支持体表面、４０３．５０３・・・球状痕＠−窪
み、４０３′、５０３′・・・表面に凹凸形状を有する
剛体球、４０４・・・球状痕跡窪み内に形成された微小
凹凸形状、４０４′・・・剛体球表面に形成された凹凸
形状。 第６図について。 ６（１１・・・シリンダー、６（１２・・・回転軸（受
）、６０３・・・駆動手段、６０４・・・回転容器、６
０５・・・表面に凹凸形状を有する剛体球、６０６・・
・容器内壁に設けられたリプ、６０７・・・シャワー管
。 第四図について。 ２８（１１・・・反応ｔ ２８（１２〜２８０６・・・
ガスボンベ、２８０６’・・−８ｎＣＡ！４用密閉容器
、２８０７〜３２１１−・−マスフロコントローラ、
２８１２〜２８１６・・・流入パルプ、２８１７〜２
８２１・・・流出パルプ、２８２２〜２８２６・・・パ
ルプ、２８２７〜２８３１・・・圧力調整器、２８３２
．２８３３・・・補助パルプ％２８３４・・・メインパ
ルプ、２８３５・・・リークパルプ、２８３６・・・真
空計、２８３７・・・基体シリンダー、２８３８・・・
加熱ヒーター、２８３９・・・モーター、２８４０・・
・高周波電諒。 第四図について、 ２９（１１・・・光受容部材、２９（１２・・・半導体
レーザー、２９０３・・・ｆθレンズ、２９０４・・・
ポリゴンミラー。
であり、第２及び３図は１本発明の光受容部材における
干渉縞の発生の防止の原理を説明するための部分拡大図
であり、第２図は、支持体表面に球状痕跡窪みによる凹
凸が形成された光受容部材において、干渉縞の発生が防
止しうろことを示す図、第３図は、従来の表面を規則的
に荒した支持体上に光受容）Ｗｌを堆積させた光受容部
材において、干渉縞が発生することを示す図である。第
４及び５図は、本発明の光受容部材の支持体表面の凹凸
形状及び該凹凸形状を作製する方法を説明するための侯
式図である。第６図は、本発明の光受容部材の支持体に
設けられる凹凸形状を形成するのに好適な装置の一構成
例を模式的に示す図であって、第６（Ａ）図は正面図、
第６ＣＢ）図は縦断面図である。第７〜１５図は、本発
明の感光層中におけるダルマニウム原子又はスズ原子の
層厚方向の分布状態を表わす図であり、第１６〜２４図
は、本発明の感光層中における酸素原子、炭素原子又は
窒素原子、あるいは第１１１族原子又は第■族原子の層
厚方向の分布状態を表わす図であり、第５〜２７図は、
本発明の表面層中におけるシリコン原子、及び酸素原子
、炭素原子又は窒素原子の層厚方向の分布状態を表わす
図であり、各図において、縦軸は感光層又は表面層の層
厚を示し、横軸は各原子の分布濃度を表わしている。第
四図は、本発明の光受容部材の感光層及び表面層を製造
するだめの装置の例で、グロー放電法による製造装置の
模式的説明図である。第四図は、レーザー光によるｍ像
露光装置を説明する図である。 第（資）乃至４５図は、本発明の光受容層形成における
ガス流量比の変化状態を示す図であり、縦軸は感光層又
は表面層のノー厚、横軸は使用ガスのガス流量を示して
いる。 第１乃至３図について、 １（１０・・・光受容部材、１（１１・・・支持体、１
（１２ 、２（１１゜３（１１・・・感光層、１０３．
２（１２．３（１２・・・表面層、１０４．２０３．３
０３・・・自由表面、２０４．３０４・・・感光層と表
面層との界面。 第４．５図について、 ４（１１．５（１１・・・支持体、４（１２．５（１２
・・・支持体表面、４０３．５０３・・・球状痕＠−窪
み、４０３′、５０３′・・・表面に凹凸形状を有する
剛体球、４０４・・・球状痕跡窪み内に形成された微小
凹凸形状、４０４′・・・剛体球表面に形成された凹凸
形状。 第６図について。 ６（１１・・・シリンダー、６（１２・・・回転軸（受
）、６０３・・・駆動手段、６０４・・・回転容器、６
０５・・・表面に凹凸形状を有する剛体球、６０６・・
・容器内壁に設けられたリプ、６０７・・・シャワー管
。 第四図について。 ２８（１１・・・反応ｔ ２８（１２〜２８０６・・・
ガスボンベ、２８０６’・・−８ｎＣＡ！４用密閉容器
、２８０７〜３２１１−・−マスフロコントローラ、
２８１２〜２８１６・・・流入パルプ、２８１７〜２
８２１・・・流出パルプ、２８２２〜２８２６・・・パ
ルプ、２８２７〜２８３１・・・圧力調整器、２８３２
．２８３３・・・補助パルプ％２８３４・・・メインパ
ルプ、２８３５・・・リークパルプ、２８３６・・・真
空計、２８３７・・・基体シリンダー、２８３８・・・
加熱ヒーター、２８３９・・・モーター、２８４０・・
・高周波電諒。 第四図について、 ２９（１１・・・光受容部材、２９（１２・・・半導体
レーザー、２９０３・・・ｆθレンズ、２９０４・・・
ポリゴンミラー。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）支持体上に、シリコン原子と、ゲルマニウム原子
またはスズ原子の少くともいずれか一方を含有する非晶
質材料で構成された感光層と、シリコン原子と、酸素原
子、炭素原子、及び窒素原子の中から選ばれる少くとも
一種とを含有する非晶質材料で構成された表面層とを有
する光受容層を備えた光受容部材であつて、前記感光層
と前記表面層との界面において光学的バンドギャップが
整合しており、前記支持体の表面が複数の球状痕跡窪み
による凹凸形状を有し、かつ、該球状痕跡窪み内に更に
微小な複数の凹凸形状を有していることを特徴とする光
受容部材。 （２）感光層が、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中
から選ばれる少なくとも一種を含有している特許請求の
範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （３）感光層が伝導性を制御する物質を含有している特
許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （４）感光層が多層構成である特許請求の範囲第（１）
項に記載の光受容部材。 （５）感光層が、伝導性を制御する物質を含有する電荷
注入阻止層を構成層の１つとして有する、特許請求の範
囲第（４）項に記載の光受容部材。 （６）感光層が、構成層の１つとして障壁層を有する、
特許請求の範囲第（４）項に記載の光受容部材。 （５）支持体の表面に設けられた複数の凹凸形状が、同
一の曲率の球状痕跡窪みによる凹凸形状である特許請求
の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （６）支持体の表面に設けられた複数の凹凸形状が、同
一の曲率及び同一の幅の球状痕跡窪みによる凹凸形状で
ある特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。 （７）支持体の表面の凹凸形状が、支持体表面に凹凸を
有する複数の剛体球を自然落下させて得られた前記剛体
球の痕跡窪みによる凹凸形状である特許請求の範囲第（
１）項に記載の光受容部材。 （８）支持体の表面の凹凸形状が、表面に凹凸を有する
、ほぼ同一径を有する複数の剛体球をほぼ同一の高さか
ら落下させて得られた剛体球の痕跡窪みによる凹凸形状
である特許請求の範囲第（７）項に記載の光受容部材。 （９）球状痕跡窪みの曲率Ｒと幅Ｄとが、次式：０．０
３５≦Ｄ／Ｒ≦０．５ を満足する値である特許請求の範囲第（１）項に記載の
光受容部材。 （１０）球状痕跡窪みの幅Ｄが、次式： Ｄ≦０．５ｍｍ を満足する値である特許請求の範囲第（９）項に記載の
光受容部材。 （１１）球状痕跡窪み内の微小凹凸の高さｒが、次式： ０．５μｍ≦ｒ≦２０μｍ を満足する値である特許請求の範囲第（１）項に記載の
光受容部材。 （１２）支持体が、金属体である特許請求の範囲第（１
）項に記載の光受容部材。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60244142A JPS62106468A (ja) | 1985-11-01 | 1985-11-01 | 光受容部材 |
| US06/924,448 US4797299A (en) | 1985-11-01 | 1986-10-29 | Light receiving member having a-Si (Ge,Sn) photosensitive layer and a-Si (O,C,N) surface layer on a support having spherical dimples with inside faces having minute irregularities |
| CA000521965A CA1285415C (en) | 1985-11-01 | 1986-10-31 | Light receiving member having a-si(ge,sn) photosensitive layer and a-si(o,c,n) surface layer on a support having spherical dimples with inside faces having minute irregularities |
| DE8686308520T DE3676445D1 (de) | 1985-11-01 | 1986-10-31 | Lichtempfindliche elemente. |
| AT86308520T ATE59711T1 (de) | 1985-11-01 | 1986-10-31 | Lichtempfindliche elemente. |
| AU64571/86A AU616855C (en) | 1985-11-01 | 1986-10-31 | Light receiving members having A-SI (GESN) photosensitive layer and A-SI (O,C,N) surfacer layer on a support having spherical dimples with inside faces having minute irregularities |
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