JPS5828750A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、Ｘ線、γ線、赤外光線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある光導電部材に関する。

固体撮影装置、或いは像形成分野に於ける電子写真用像
形成部材や原稿読取装置に於ける光導電部材の光導電層
を構成する光導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光
電流（Ｉｐ）／暗電槻（工ａ）　）が高く、照射する電
磁波のスペクトル特性を有すること、光応答性が良好で
、所望の暗抵抗値を有すること、使用時に於いて人体に
対して無公害である事、更には固体撮影装置に於いては
、残像を所定時間内に容易に処理する事が出来る事等の
特性が請求される。殊に、事務機としてオフィスで使用
される電子写真装置内に組込まれる電子写真用像形成部
材の場合には、上記の使用時に於ける無公害性は重要な
点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ−８ｉと記す）があシ、
例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２８５
５７１８号公報及び同３０４６５０９号公報には電子写
真用像形成部材として、独国公開第２９３３４１１号公
報には光電変換読取装置への応用が記載されている。

上記の先行技術の中で、殊に独国公開第３０４６５０９
号公報に開示されである電子写真用像形成部材となる光
導電部材は、その具備する光導電層をシリコン原子・（
Ｓｉ　）を母体としハロゲン原子（Ｘを表記する）を含
む光導電性の非晶質材料（以後ａ−８ｉ：Ｘと表記する
）で構成されている為に従来のａ−８ｔで構成された光
導電層を有する電子写真用としての光導電部材に較べて
、優れた点を幾つか有している。

そして上記の光導電部材の好ましい態様例の層構成とし
ては光導電部材用としての支持体と該支持体上にａ−８
ｉ：Ｘで構成される光導電層と、該光導電層と支持体と
の間に支持体側より光導電層への電荷の注入を阻止すべ
く機能する障壁層とを有する。

上記の障壁層は、光導電部材を電子写真用や固体撮像用
として適用させる場合には、帯電処理時に於ける支持体
側より光導電層への電荷の注入を効果的に阻止させる為
に重要でおる。

ところでａ−８ｉ：Ｘで構成される光導電層を有する光
導電部材はその光導電層の形成を、グロー放電分解法、
アーク放電分解法、或いは反応性スパッターリング法等
の所謂放電によるガスプラズマ現象を利用して行うのが
一般的である。

その為に光導電層形成初期に於いて、既に形成されであ
る前記障壁層の表面を前記プラズマによって破損又はエ
ツチングして仕舞い、障壁層の電気的或いは機械的な特
性を低下させ所望通りに機能する障壁層を有する光導電
部材の形成を阻害する大きな要因の１つとなっている。

その為に、所謂、主に水素原子（Ｈ）で夕°ングリング
ボンドが補償されている、シリコン原子を母体とする非
晶質材料（以後ａ−８ｉ：Ｈと表記する）で構成される
光導電性を有する光導電部材に較べて、実用化の開発が
遅れているのが現状である。

本発明は上記の点に鑑み成されたものでおって、上記に
述べた課題を解決した優れた光導電部材を提供すること
を主たる目的とする。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であシ
、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は実質的に殆んど観測されない光導電部材
を提供することもその目的とする、 又、本発明は、形成初期の特性と変ることのない、或い
は実質的に殆んど変ることのない特性を有する障壁層を
具備する光導電部材を提供することを目白りとする一 本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、且つ光応答性の速い光導電部材を提供することである
。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に、静電像形成の為の帯電処理の際の電荷保
持能が充分あり、且つ多湿雰囲気中でもその特性の低下
が殆んど観測されない優れた電子写真特性を有する光導
電部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つＭｇＰ、度の高い、高品質画像を得る事
が容易に出来る電子写真用の光導電部材を提供すること
である。

上記の目的を達成する本発明の光導電部材は、光導電部
材用の支持体と、シリコン原子を母体とし、ハロゲン原
子を構成要素として含み、必要に応じて水素原子（Ｈ）
も構成要素として含む光導電性の非晶質材料〔以後ａ　
−８ｉ　（Ｈ、Ｘ　）と表記する〕で構成された光導電
層とを有する光導電部材に於いて、前記支持体と前記光
導電部材との間に、前記支持体側よシ、障壁的に機能す
る第１の中間層と、シリコン原子を母体とし、水素原子
を構成要素として含む非晶質材料（ａ−ｓｉ：ａ）で構
成された第２の中間層とが順次積層されて設けられてい
る事を特徴とする。

上記した様な層構成を取る様にして設計された光導電部
材は、所望通シの障壁的な機能を果す第１の中間層が、
上記の第２の中間層を設けることで容易に形成される為
に前記した諸問題の総てを解決し得、極めてすぐれた電
気的、光学的、光導電的特性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
帯電処理の際の電荷保持能に長け、画像形成への残留電
位の影響が全くなく、多湿雰囲気中でもその電気的特性
が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するものであっ
て耐光疲労、繰返し使用性に著しく長け、濃度が高く、
ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品質
の可視画像を得る事が出来る。

更に又、電子写真用像形成部材に適用させる場合、高暗
抵抗のａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）は光感度が低く、逆に光感度
の高いａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）は暗抵抗が１０’Ω副前後と
低く、いずれの場合にも、従来の層構成の光導電層のま
までは電子写真用の像形成部材には適用されなかったの
に対して、本発明の場合には、その特定化された層構造
から比較的低抵抗（５Ｘ１０’Ωｍ以上）のａ　−８ｔ
（Ｈ，Ｘ）でも電子写真用の光導電層を構成する材料と
なることができるので、暗抵抗は比較的低いが高感度で
ある。ａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）も充分使用し得、ａ−８１（
Ｈ，Ｘ）の特性面からの制約が軽減され得る。

本発明の光導電部材は、上記した様に支持体上に後述さ
れる材料で構成され、電気的に障壁的な機能を果す第１
の中間層と、該第１の中間層及びその上に形成される光
導電層と電気的及び機械的に良好な接触状態を形成し、
且つ、光導電層の形成の際に、第１の中間層をプラズマ
の悪影響から保護する様に機能する、ａ−８ｉ：Ｈから
成る第２の中間層、及び該第２の中間層の上に形成され
た、ａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）から成る光導電層とを具備する
。

本発明に於いて、第１の中間層は、該層の形成される支
持体及び該層の上に形成される第２の中間層と電気的及
び機械的に良好な接触状態を形成する為に、第２の中間
層を構成する材料の構成母体要素であるシリコン原子を
、その母体とする非晶質材料で好ましくは構成されるの
が望ましい。

この様に、本発明に於いてはその好適な実施態様例とし
て第１の中間層、第２の中間層及び光導電層とをその構
成する材料の母体を共通のシリコン原子としである為に
、各層間に於ける界面状態が機械的にも電気的にも良好
な接触状態と機械的には更に密着性の高い接触状態を形
成し得る。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て詳細に
説明する。

第１図は本発明の光導電部材の基本的な構成例を説明す
る為に模式的に示した模式的構成図である。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、第１の中間層１０２、該中間層
１０２に直接接触した状態に設けられている第２の中間
層１０５及び該中間層１０５上に形成された光導電層１
０３とで構成されておシ光導電層１０３は自由表面１０
４を有し、本発明の最も基本的な例である。

支持体１０１としては、導電性でも電気絶縁性であって
も良い。導電性支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ　、
　ステンｖス、　Ａｔ、Ｃｒ　、Ｍｏ　＋Ａｕ　＋Ｎｂ
　＋Ｔａ　、　Ｖ　、　ＴＬＰｔ　、　Ｐｄ等の金属又
はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。

セ？ミンク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を導電
処理され、該導電処理された表面側に他の層が設けられ
るのが望ましい。

例えば、ガラスでおれば、その表面に、ＮｉＣｒ。

Ａ／−１ｃｒ＃Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ５Ｎｌ）　、Ｔａ、Ｖ
、Ｔｔ　、ｐｔ　、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｏ，。

５ｎＯｔ　、　ＩＴＯ（ＩｎｔＯａ＋ＳｎＯ＊　）等か
ら成る薄膜を設けることによって導電性が付与され、或
いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれ
ば、ＮｉＣｒ　＃　Ａｔ＊　Ａｇ　Ｔ　Ｐ　ｂ　ｅ　Ｚ
ｎ　ｒ　Ｎｉ　ｙ　Ａｕ　ｅ　Ｃｒ　、Ｍｏ　ｖ　Ｉ　
ｒ　。

Ｎｂ　、Ｔａ　、Ｖ、Ｔｉ　、Ｐｔ等の金属の薄膜を真
空蒸着。

電子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面に設け、
又は前記金属でその表面をラミネート処理して、その表
面に導電性が付与される。支持体の形状としては、円筒
状、ベルト状、板状等、任意の形状とし得、所望によっ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１図の光導電
部材１００を電子写真用像形成部材として使用するので
あれば連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒
状とするのが望ましい。支持体の厚さは、所望通シの光
導電部材が形成される様に適宜決定されるが、光導電部
材として可撓性が要求される場合には、支持体としての
機能が充分発揮される範囲内であれば可能な限シ薄くさ
れる。百年ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱い
上、機械的強度等の点から、通常は、１０μ以上とされ
る。

側方向へのフリーキャリアの流入を効果的に阻止し且つ
電磁波照射時に於いて電磁波の照射によって光導電層１
０３中に生じ、支持体１０１の側に向りて移動するフォ
トキャリアの光導電層１０３の側から支持体１０１の側
への通過を容易に許す機能を有するものである。

中間層１０２は、シリコン原子を母体とし、炭素原子（
Ｃ）、窒素原子（Ｎ）及び酸素原子（０）の中から選択
される原子の少なくとも一種と、必要に応じて水素原子
（Ｈ）又は・・ロゲン原子（Ｘ）の少なくともいずれか
一方とを含む非晶質材料くこれ等を総称してａ　　［５
ｉｘ（Ｃ，Ｎ、０）、−ｘ：］ｙ（Ｈ，Ｘ）ｌ−９と表
記する（但し、Ｏ＜：Ｘ（１゜０＜ｙ＜１）＞で構成さ
れる。

本発明に於いて、中間層１０２を構成する材料の構成要
素としてのハロゲン原子（Ｘ）として好適なのはＦ、Ｃ
ｔ、Ｂｒ、Ｉで６Ｄ、殊にＦ　＃　Ｃｔが望ましいもの
である。

上記中間層１０２を構成する非晶質材料として本発明に
於いて有効に使用されるものとして具体的には、例えば
炭素系の非晶質制料としてａ　　５ｉａＣ＋　ａ　ｓ　
ａ（ＳｔｂＣ，−ｂ）ＣＨ＋　Ｃ＋　ａ（ＳｌｄＣ＋　
ｄ）。

Ｘ＋−ｃｚａ　　（ＳｉｆＣ，−ｆ）ｇ（Ｈ十Ｘ）＋−
ｇｌ窒素系の非晶質材料としてａ−８ｉｌＩＮ＋−ｈ、
　ａ　　（５ｉｉＮｔ−ｉ）　ｊｌ（＋　−ｊ　。

ａ−（５ｉｋＮｔ　ｋ　）ｔｘ＋　−ｔ　＊　ａ（Ｓｉ
ｍＮ＋−ｒｎ）ｎ　（Ｈ＋Ｘ）＋　−ｎ。

酸素系の非晶質側斜としてａ　−８ｔｏｐ、−＋’）　
Ｉ　ａ−（ＳｉｐＯｘ−ｐ）ｑＨ＋　−ｑ　、　ａ　−
（ＳｉｒＯ＋−ｒ）ｓＸｔ　−ａ、　ａ　−（Ｓ　ｉ　
ｔ’ｓ　−ｔ　）ｕ　（Ｈ十Ｘ　）＋−ｕ等、更には、
上記ノ非晶質材料に於いて、Ｃ，Ｎ、Ｏの中の少なくと
も２種の原子を構成原子として含む非晶質材料を挙げる
ことができる（但しＯ（ａ、ｂ、ｃ、ｄ。

ｅ、ｆ、ｇ、ｈ、ｉ、ｊ、に、ｚ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐ。

ｑｒ　ｒ　ｅ　ａｅ　ｔｒ　ｕ＜　１　）。

これ等の非晶質材料は層構成の最適化設計に依電層１０
３との連続的作成の容易さ等によって適宜最適なものが
選択される。殊に特性面からすれば、炭素系、窒素系の
非晶質材料を選択するのがより好ましいものである。

中間層１０２を上記の非晶質材料で構成する場合の層形
成法としてはグロー放電法、スパッターリング法、イオ
ンインプランテーション法。

イオンブレーティング法、エレクトロンビーム法等によ
って成される。これ等の製造法は、製造条件、設備資本
投下の負荷程度、製造規模。

作製される光導電部材に所望される特性等の要因によっ
て適宜選択されて採用されるが、所望する特性を有する
光導電部材を製造する為の作製条件の制御が比較的容易
である。シリコン原子と共に炭素原子（Ｃ）、窒素原子
（Ｎ）、酸素原子（０）、或いは、必要に応じて水素原
子（Ｈ）やス ハロゲン原子（＄）を作製する障壁層１０２中に導入す
るのが容易に行える等の利点からグロー放電法或いはス
パッターリング法が好適に採用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同一装置内で併用して中間層１０２を形成し
ても曳い。

グロー放電法によって中間層１０２を形成するには、前
記非晶質材料形成用の原料ガスを、心太に応じて稀釈ガ
スと所定量の混合比で混合して、支持体１０１の設置し
である真空堆積室に導入１〜、導入させたガスをグロー
放電を生起させることでガスプラズマ化して前記支持体
１０１土に前記の非晶質材料を堆積させれば良い。

本発明に於いて、炭素系の非晶質材料で構成される中間
層１０２を形成する為の原料ガスとして有効に使用され
るのは、シリコン原子（Ｓｔ）と水素原子（Ｈ）とを構
成原子とするＳｉｎ、。

５ｉｘＨａ　ｒ　５ｉｓＨｓ　＋　ＳｉＪ＋ｏ等のシラ
ン（Ｓｉｚａｎｅ）類等の水素化硅素ガス、炭素原子（
Ｃ）と水素原子（ｆ（）とを構成原子とする、例えば炭
素数１〜５の飽和炭化水素、炭素数１〜５のエチレン系
炭化水素、炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素等が承
けられる。

具体的には、飽和炭化水素としてはメタン（ＣＨ４）、
エタン（Ｃ，Ｈ，、）、プロパン（ＣｓＨａ）　、　　
ｎ−ブタン（ｎ　　Ｃ４ＨＩＧ　）　、ペンタン（ｃ、
Ｌｔ　）　−エチレン　系炭化水素としては、エチレン
（ｃｔＨ４）、プロピレン（ＣＳＨｓ）、ブテン−１（
Ｃ４Ｈ１１）、ブテン−２（Ｃ＋Ｈａ　）イソブチレン
（Ｃ４Ｈ８）、ペンテン（Ｃ６Ｈ１Ｏ）　、アセチレン
系炭化水素としては、アセチレン（Ｃ１Ｈ２）、メチル
アセチレン（ｃＡ）、ブテン（Ｃ４Ｌ　）等が挙げられ
る。

シリコン原子（Ｓｔ）と炭素原子（Ｃ）と水素原子（Ｈ
）とを構成原子とする原料ガスとしては、Ｓｉ　（ＣＨ
Ｉ）４　＊　Ｓｉ　（ＣｔＨｓ）ａ等のケイ化アルキル
を挙げることが出来る。これ等の原料ガスの他、水素原
子（Ｈ）導入用の原料ガスとしては勿論比も有効なもの
として使用される。

中間層１０２をノ・ロゲン原子（Ｘ）を含む炭素系の非
晶質材料で構成する為の層形成用の原料ガスの中でハロ
ゲン原子導入用の原料ガスとしては、例えばノ・ロゲン
単体、ノーロゲン化水素、ノ１０ゲン間花合物、ノ・ロ
ゲン化硅素、・・ロゲン置換水素化硅素、水素化硅素等
を挙げることが出来る。

具体的にはハロゲン単体としては、フッ素。

塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ノ＼ロゲン化水素
としては、ＦＨ、ＨＩ　、　ＨＣｌ、　ＨＴ３ｒ　、　
ノ１０ゲン間化合物としては、ＢｒＦ　、　ＣＩＦ　、
　ＣｔＦａ　ｌ　Ｃ１Ｆ　ｓ　＊ＢｒＦ＋＋、　ＢｒＦ
５＊　ＩＦｙ＋　ＩＦｓ、　ＩＣｚ　、ＩＢｒ　、／％
　ロゲン化硅素としては、Ｓ　ＩＦ４　ｒ　Ｓ　ｔ２Ｆ
”６　＃　Ｓ　ｔＣ４１Ｓ　ｔｃｔｓＢｒ　１ＳｉＣＡ
ｔＢｒ、　、　５ｉＣｚＢｒ、　、　５ｉＣ４Ｉ　、　
５ｉＢｒ、　、ハ１ゲ′置換水素化硅素としては、Ｓ　
１Ｈ２Ｆｓ　、　Ｓ　ｉルＣｔ２゜３ｉ）ＩｃＡｓ　、
　５ｉＨｓＣＬ　、　５ｉＨａＢｒ　、　５ｉＨｚＢｒ
２．５ｉＨＢｒｓ　＊水索化硅累としては、ＳｉＬ　ｔ
　Ｓｉ、ｆ（ａ　、　５ｉａｌｆ（ａ　＊　Ｓｉ、Ｈ，
。

等のシラン（Ｓｉｌａｎｅ）類、等々を挙げることが出
来る。

これ等の他に、ＣＣｔ、　、　ＣＨＦ５　、　ＣＨｔＦ
ｔ、　ＣＫｓＦ　。

ＣＨａＣ６＊　ＣＨａＢｒ　、　Ｃ［ａＩ　、　ＣｔＨ
ｓＣｚ等の）１０ゲン置換パラフイン系炭化水素、　Ｓ
Ｆ、　、　ＳＦｅ等のフッ素化硫黄化合物＋　５ｉ（Ｃ
Ｈｉ）４＊　Ｓｔ　（ＣｔＨａ）４ｊ等のケイ化アルキ
ルやＳ　ｔｃｔ（ＣＨｓ　）ｓ　＋　Ｓ　ＩＣ４（ＣＨ
ｓ　）ｔ　ｔＳｉＣｔｓＣＨｍ等のハロゲン含有ケイ化
アルキル等のシランの誘導体も有効なものとして挙げる
ことが出来る。

どれ等の第１の中間層形成物質は、形成される第１の中
間層中に、所定の組成比でシリコン原子（Ｓｉ）　、炭
素原子（Ｃ）及び必要に応じてノ・ロゲ原子（Ｘ）及び
水素原子（Ｈ）のいずれか少なくとも一方とが含有され
る様に、中間層形成の際に所望に従って選択されて使用
される。

例えば、シリコン原子（Ｓｔ）と炭素原子（Ｃ）と水素
原子（Ｈ）との含有が容易に成し得て且つ所望の特性の
第１の中間層が形成され得るＳ　ｉ　（ＣＨｓ　）４と
ハロゲン原子を含有させるものとしての５ＩＨＣ７ｓ　
＋ＳｉＣム、Ｓｉ迅Ｃｔ、、或いはＳｔ几Ｃｔ等を所定
の混合比でガス状態で中間層形成用の装置系内に導入し
てグロー放電を生起させることによってａ　一台件搏ド
ー音（５ｉｆＣ＊　−ｆ　）ｇ　（Ｘ＋）ｆ　）＋−ｇ
から成る第１の中間層を形成することが出来る。

本発明に於いて、窒素系の非晶質材料で第１の層１０２
を構成するのにグロー放電法を採用する場合には、先に
挙げた第１の中間層形成用の物質の中から所望に応じた
ものを選択し、それに加えて次の窒素原子導入用の原料
ガスを使用すれば良い。即ち、中間層１０２形成用の窒
素原子導入用の原料ガスに成り得るものとして有効に使
用される出発物質は、窒素原子（Ｎ）を構成原子とする
或いは窒素原子（Ｎ）と水素原子（Ｈ）とを構成原子と
する例えば窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ，）、ヒド
ラジン（Ｈ，ＮＮＨ，）　、アジ化水素（ＨＮｓ　）　
。

アジ化アンモニウム（ＮＬ（、ＮＳ　）等のガス状の又
はガス化し得る窄素、嗜化物及びアジ化物等の窒素化合
物を挙げることが出来る。この他に、窒素原子（Ｎ）の
導入に加えて、ノ・ロゲン原子（Ｘ）の導入も行えると
いう点から、三弗化窒素（Ｆ、Ｎ）、四弗化窒素（Ｆ４
Ｎ２）等のハロゲン化窒素化合物を挙げることが出来る
。。

酸素系の非晶質材料で中間層１０２を構成するのにグロ
ー放電法によって層形成を行う場合に於ける中間層１０
２形成用の原料ガスとなる出発物質としては、前記した
中間層形成用の出発物質の中から所望に従って選択され
たものに酸素原子導入用の出発物質が加えられる。その
様な酸素原子導入用の出発物質としては、少なくとも酸
素原子（０）を構成原子とするガス状の物質又はガス化
し得る物質をガス化したものの中の大概のものが使用さ
れ得る。

例えばシリコン原子（Ｓｔ）を、構成原子とする原料ガ
スを使用する場合はシリコン原子（Ｓｔ）を構成原子と
する原料ガスと、酸素原子（０）を構成原子とする原料
ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びノ・ロ
ゲン原子（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混
合比で混合して使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｔ
）を構成原子とする原料ガスと、酸素原子（０）及び水
素原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、これも又
所望の混合比で混合するか、或いは、シリコン原子（Ｓ
ｔ）を構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ
）　、酸素原子（０）及び水素原子（Ｈ）の３つを構成
原子とする原料ガスとを混合して使用することが出来る
。

又、別には、シリコン原子（Ｓｔ）と水素原子（ロ）と
を構成原子とする原料ガスに酸素、：原子０）を構成原
子トする原料ガスを混合して使用しても良い。

具体的には、例えば酸素（０１）、オゾン（ＯＳ）。

−酸化炭素（ｃｏ）、二酸化炭素（ｃｏ２）、−酸化窒
素（Ｎｏ）、二酸化炭素（Ｃｏｔ）、−酸化窒素（ＮＯ
）。

二酸化窒素（ＮＯ□）、−二酸化窒素（Ｎ２Ｑ）　、三
二酸化窒素（ＮｇＯｓ　）　、四二酸化窒素（Ｎｔ０４
）、三二酸化窒素（Ｎ２０５）−二酸化窒素（ＮＯ，）
　、　Ｓｉと０とＨとを構成原子とする、例えばジシロ
キサンＨＩＳｉＯ８ｉＨａ　、　）ジシロキサンＨＩＳ
　ｉＯ８１Ｈ１０ｓ　ｉＨａ等の低級シロキサン等を挙
げることが出来る。

上記したように、グロー放電法によって第１の中間層１
０２を形成する場合には、第１の中間層形成用の出発物
質を上記した物質の中より種々選択して使用することに
より、所望特性を有する所望構成材料で構成された中間
層１０２を形成することが出来る。中間層１０２をグロ
ー放電法で形成する場合の出発物質の組合せで良好なも
のとして具体的には、例えばＳ　Ｌ　（ＣＨｓ　）４　
。

ＳｉＣム（ＣＨｓ　）を等の単独ガス又は５ｔＨ４−Ｎ
２０系。

ＳｉＬ　　Ｏ−（Ａｒ）系、５ｉＨ４−ＮＯ２系＋Ｓｔ
Ｌ　　Ｏｓ　１’Ｊ！系。

Ｓ　Ｉ　Ｃｔ４　　ＣＯ２Ｎ２系、　ＳｉＣムーＮ０−
Ｉ（、系、Ｓｔルー■、系、ＳｉＣムーＮＨ４系、　Ｓ
　１Ｈ４−Ｎ、系＋　５ＩＨａ　　ＮＨ＠−Ｎｏ系、　
５ｉ（ＣＨｓ）４８１）Ｌ系、　Ｓ　１ｃｔｔ　（ＣＨ
ｓ　）ｔ　　Ｓ　ｉル系等の混合ガスを挙げることがで
きる。

スパッターリング法によって炭素系の非晶質材料で構成
される中間層１０２を形成するには、単結晶又は多結晶
のＳｔウエーノ・−又はＣウェーハー又はＳｉとＣが混
合されて含有されているウェーハーをターゲットとして
、これ等を種々のガス雰囲気中でスパッターリングする
ことによって行えば良い。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用するの
であれは、炭素原子（Ｃ）と水素原子（Ｈ）又はハロゲ
ン原子（Ｘ）を導入する為の原料ガスを、必要に応じて
稀釈ガスで稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し
、これ等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウエ
ーノ・−をスパッターリングすれば良い。

又、別には、ＳｉとＣとは別々のターゲットとして、又
はＳｉとＣの混合した一枚のターゲットを使用すること
によって、少なくとも水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子
（Ｘ）を含有するガス雰囲気中でスパッターリングする
ことによって成される。

炭素原子又は水素原子或いはノ−ロゲン原子導入用の原
料ガスとしては、先述したグロー放電の例で示した原料
ガスが、スパッターリング法の場合にも有効なガスとし
て使用され得る。

スパッターリング法によって窒素系の非晶質材料で構成
される中間層１０２を形成するには、単結晶又は多結晶
の８１ウエーノ・−又はＳ　ｉ　ｓＮａウェーハー又は
ＳｔとＳｉ、Ｎ、が混合されて含有されているウェーハ
ーをターゲットとして、これ等を種々のガス雰囲気中で
スパッターリングすることによりて行えば良い。

／及びハロゲン原子を導入する為の原料ガス、例えばＨ
ｔとＮｔ、又は■、を、必要に応じて稀釈ガスで稀釈し
て、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等のガスの
ガスプラズマを形成して前記＆ウェーハーをスパッター
リングすれば良い。

又、別には、ＳｉとＳｔ、Ｎａとは別々のターゲットと
して、又はＳｉ＆Ｓｉ、Ｎ、の混合して形成した一枚の
ターゲットを使用することによって、スパッター用のガ
スとして稀釈ガス雰囲気中で又は少なくとも水素原子及
び／又はハロゲン原子を含有するガス雰囲気中でスパッ
ターリングすることによりて成される。

窒素原子導入用の原料ガスと成シ得るものとしては、先
述したグロー放電の例で示した障壁層形成用の出発物質
の中の窒素原子導入用の原料ガスが、スパッターリング
の場合にも有効なガスとして使用され得る。

スパッターリング法によりて酸素系の非晶質材料で構成
される中間層１０２を形成するには、単結晶又は多結晶
のＳｌウェーハー又はＳ　ｉｏａウェーハー又はＳｉと
ｓｔｙ、が混合されて含有されているウェーハー或いは
Ｓ　ｔＯ，ウェーハーをターゲットとして、これ等を種
々のガス雰囲気中でスパッターリングすることによって
行えば良い。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲラ　トとして使用すれ
ば、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲ
ン原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガ
スで稀釈し、て、スパンター用の堆積室中に導入し、こ
れ等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハ
ーをスパッターリングすれば良い。

又、別には、Ｓｌと５ｉｆｔとは別々のターゲットとし
て、又はＳｔとＳｉＱ、の混合した一枚のターゲットを
使用することによって、スパッター用のガスとしての稀
釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子又は／及び
ハロゲン原子を構成要素として含有するガス雰囲気中で
スパッターリングすることによって成される。酸素原子
導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放電の例で
示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガスが、ス
パッターリングの場合にも有効なガスとして使用され得
る。

本発明に於いて、中間層１０２をグロー放電法又はスパ
ッターリング法で形成する際に使用される稀釈ガスとし
ては、所謂、希ガス、飼えばＨｅ　、　Ｎｅ　、　Ａｒ
等が好適なものとして挙げることが出来る。

本発明に於ける第１の中間層１０２は、そＬ７）要求さ
れる特性が所望通υに与えられる様に注意深く形成され
る。

即ち、ＳｉとＣ，Ｎ、Ｏの中の少なくとも１つ及び必要
に応じてＨ又は／及びＸを構成原子とする物質はその作
成条件によって構造的には結晶性質を、又光導電的性質
から非光導電的性質までの間の性質を、各々示すので、
本発明に於いては、少なくとも可視光領域に於いて非光
導電性の非晶質羽料が形成される様に、その作成条件の
選択が厳密に成される。

本発明に於ける中間層１０２を構成する非晶質材料は中
間層１０２の機能が、支持体１０１側から光導電層１０
３側へ又は光導電層１０３側から支持体１０１側へのフ
リーキャリアの注入を阻止し、且つ光導電層１０３中で
発生したフォトキャリアが移動して支持体１０１側に通
過するのを容易に許すことを果すものであることから、
好ましくは、少なくとも可視光領域に於いて電気的挙動
を示すものとして形成されるのが望ましい。

又、光導電層１０３中で発生したフォトキャリアが中間
層１０２中を通過する際、その通過がスムーズに成され
る程度に通過するキャリアに対する易動度（ｍｏｂｉｔ
ｉｔｙ）の値を有するものとして中間層１０２は形成さ
れるのが望ましい。

上記の様な特性を有する前記の非晶質材料から成る中間
層１０２が形成される為の層作成条件の中の重要な要素
として、層作成時の支持体温度を挙げる事が出来る。

即ち、支持体１０１０表面に前記非晶質材料から成る中
間層１０２を形成する際、層形成中の支持体温度は、形
成される層の構造及び特性を左右する重要な因子であっ
て、本発明に於いては、目的とする特性を有する前記非
晶質材料が所望通シに作成され得る様に層作成時の支持
体温度が厳密に制御される。

本発明に於ける目的が効果的に達成される為の第１の中
間層１０２を形成する際の支持体温度としては中間層１
０２の形成法に併せて適宜最適範囲が選択されて、中間
層１０２の形成が実行されるが、通常の場合、１００℃
〜３００℃、好適には、１５０℃〜２５０℃とされるの
が望ましいものである。

中間層１０２の形成には、同一系内で中間層１０２から
光導電層１０３．更には必要に応じて光導電層１０３上
に形成される第３の層まで連続的に形成する事が出来る
。各層を構成する原子の組成比の微妙な制御や層厚の制
御が他の方法に比べて比較的容易である事等の為に、グ
ロー放電法やスパッターリング法の採用が有利であるが
、これ等の層形成法で中間層１０２を形成する場合には
、前記の支持体温度と同様に層形成の際の放電パワー、
ガス圧が、作成される中間層１０２の特性を左右する重
要な因子として挙げることが出来る。

本発明に於ける目的が達成される為の特性を有する中間
層１０２が生産性よく効果的に作成される為の放電パワ
ー条件としては、通常１〜３００Ｗ、好適には２〜１５
０Ｗである。又、油種室内のガス圧は通常３Ｘ１０−３
〜５　Ｔｏｒｒ、好適には８　Ｘ　１０−”〜０．５　
Ｔｏｒｒ程度とされるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於ける第１の中間層１０２に含有
される炭素原子（Ｃ）　、　ｉ［素原子（０）及び水素
原子（Ｈ）、−・ログン原子（Ｘ）、窒素原子（Ｎ）の
量は、中間層１０２の作製条件と同様、本発明の目的を
達成する所望の特性が得られる中間層が形成される重要
な因子である。

第１の中間層１０２をａ−８ｉａＣ＋〜ａで構成する場
合には炭素原子の含有量は、シリコン原子に対して通常
は６０〜９０　ａｔｏｍｉｃ％、好適には６５〜８゜ａ
ｔｏｍｉｃ％、最適には７０〜７５　ａｔｏｍｉｃ％、
ａの表示ではｏ、ｉ〜０．４．好適には０．２〜０．３
５．最適には０．２５〜０．３とされ、ａ　　（Ｓ　ｉ
　ｂｃｔ　−ｂ　）ｃｌｆＬ　−ｃ　で構成する場合に
は、炭素原子の含有量は通常３０〜９０　ａｔｏｍｉｃ
％、好適には４０〜９０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には５
０〜８０　ａｔｏ＝ｃ％、水素原子の含肩量としては、
通常１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、好適には２〜３５ａｔ
ｏｍｉｃ％、最適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ　Ｘ、　
ｂ　、　ｃの表示で示せば、ｂが通常は０．１〜０．５
．好適には０．１〜０．３５．最適には０．１５〜０．
３　、　ｃが通常は０．６０〜０．９９．好適には０．
６５〜０．９８．最適には０．７〜０．９５とされ、ａ
−（ＳｉｄＣｓ−ｄ）、ｘｉ　ｅ又は、好適には５０〜
９０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には６０〜８０ａｔｏｍｉ
ｃ％、ハロゲン原子又はハロゲン原子と水素原子とを併
せた含有量は通常は１〜２０　ａｔｏｒｎｉｃＸ。

好適には１〜１８　ａｔｏｍｉｃ％、最適には２〜１５
ａｔｏｍｉｃＸとされ、ハロゲン原子と水素原子の両者
ｄ＋ｅｍ’＋ｇの表示では、ｄ、ｆが通常は０．１〜０
．４７゜好適には０．１〜０．３５　、最適には０．１
５〜０．３　、　ｅ　、　ｇが通常は０．８〜０．９９
．好適には０．８５〜０．９９．最適には０．８５〜０
．９８とされる。

第１の中間層１０２を窒素系の非晶質材料で構成する場
合、先ずａ−８ｉｈ′Ｎ−ｈの場合には、窒素原子の含
有量はシリコン原子に対して通常は４３〜６０　ａｔｏ
ｍｉｃ％、好適には４３〜５０　ａｔｏｍｉｃ％。

ｈの表示では通常は０．４３〜０．６０．好適には０．
４３〜０．５０とされる。

ａ−（Ｓｉ　ｉＮ＋　　ｉ　）　ｊＨｌ−ｊで構成する
場合には、窒素原子含有量としては、通常は２５〜５５
ａｔｏｎｉｉｃ％、好適には３５〜５５　ａｔｏｍｉｃ
％、水素原子の含有量としては、通常２〜３５　ａｔｏ
ｍｉｃ％、好適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％とされ、
’＋ｊで表示すれば、ｉとしては通常０．４３〜０．６
．好適には０．４３〜０．５．ｊとしては通常０．６５
〜０．９８．好適には０．７〜０．９５とされ、ａ　　
（ＳｉｋＮ＋−ｋ）ｔＸ＋　Ａ　又ハａ−（Ｓｔ、、Ｍ
ｌ−、、）、（ｆ（＋Ｘ）Ｉ、で構成する場合には窒素
原子の含有量は、通常３０〜６０　ａｔｏｍｉｃ％。

好適には４０〜６０　ａｔｏｍｉｃ％、ハロゲン原子又
は、ハロゲン原子と水素原子とを併せた含有量は、通常
１〜２０　ａｔｏｍｉｃ％、好適には２〜１５　ａｔｏ
ｍｉｃ　Ｘとされ、ハロゲン原子と水素原子の両者が含
有される場合の水素原子の含有量は通常は１９ａｔｏｍ
ｉｃ％以下、好適には１３　ａｔｏｍｉｃ　Ｘ以下とさ
れ、ｋ　、　ｌ　、　ｍ　、　ｎの表示では、ｋ、ｌが
通常は０．４３〜０．６０　、好適には０．４３〜０．
４９１　ｍ　Ｉ　ｎが通常は０．８〜０．９９．好適に
は０．８５〜０．９８とされる。

中間層１０２を酸素系の非晶質材料で構成する場合には
、先ず、ａ−８ｉ００ｔ−ｏでは、酸素原子の含有量は
、シリコン原子に対して、６０〜６７ａｔｏｍｉｃ％、
好適には６３〜６７　ａｔｏｍｉｃ％とされ、０の表示
では、通常０．３３〜０．４０．好適には０．３３〜０
．３７とされる。

ａ　　（Ｓ　ｉ　ｐＯ＋　−ｐ　）ｑＨｔ　ｑの場合に
は、酸素原子の含有量は通常３９〜６６　ａｔｏｍｉｃ
　Ｘ　、好適には４２〜５４　ａｔｏｍｉｃ　Ｘ、水素
原子の含有量としては、通常は２〜３５　ａｔｏｍｉ　
ｃ％、好適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％。

ｐ、ｑの表示では、ｐとして通常０．３３〜０．４０゜
好適には０．３３〜０．３７．ｑとして通常０．６５〜
０．９８．好適には０．７０〜０．９５である。

ａ　　（ＳｉｒＯ＋−７）ＢＸ＋　Ｂ　＋又はａ　−（
ＳｉｔＯ＋−ｊ）ｕ（Ｈ＋Ｘ　）＋−０で構成する場合
には、酸素原子の含有量は、通常４８〜６６　ａｔｏｍ
ｉｃ％、好適には５１〜５５　ａｔｏｍｉｃ％、ハロゲ
ンｉ子又はハロゲン原子と水素原子とを併せた含有量は
、通常は１〜２０　ａｔｏｍｉ　ｃ％、好適には２〜１
５　ａｔｏｍｉ　ｃ％とされ、ハロゲン原子の両者が含
有される場合には、水素原子の含有量は通常１９　ａｔ
ｏｍｉｃ％以下、好適には１３　ａｔｏｍｉｃ　Ｘ以下
とされ、ｒ、ａ、ｔ、ｕの表示では、ｒ、ｓは通常は０
．３３〜０．４０．好適には０．３３〜０．３７．ｔｌ
ｕとしては通常０．８０〜０．９９゜好適には０．８５
〜０．９８とされる。

本発明に於ける第１の中間層１０２の層厚の数値範囲は
、本発明の目的を効果的に達成する為の重要な因子の１
つである。

第１の中間層１０２の層厚が充分過ぎる程に薄いと、支
持体１０１の側からの光導電層１０３側方向へ、又は光
導電層１０４側がら支持体１０１側方向へのフリーキャ
リアの流入を阻止する働きが充分果し得なくなり、又、
充分過ぎる稈身上に厚いと、光導電層１０３中に於いて
生ずるフォトキャリアの支持体１０１の側への通過する
確率が極めて小さくなり、従って、いずれの場合にも、
本発明の目的を効果的に達成され得なくなる。

上記の点に鑑みて本発明に於ける中間層１０２０層厚と
しては、通常の場合、３０〜１００ＯＡ。

好適には、５０〜６００　Ａとされるのが望ましい。

本発明に於いて、その目的を効果的に達成する為に、第
１の中間層１０２上に積層される第２の中間層１０５は
下記に示す半導体特性を有するａ−８ｔ：Ｈで構成され
る。

（Ｈ−１）ｐ型ａ　−Ｓｉ　：　Ｈ−アクセプターのみ
を含むもの。或いは、ドナーとア クセプターとの両方を含み、アクセ プターの濃度（Ｎａ　）が高いもの。

（Ｈ−２）ｐ−型ａ−８ｔ　：　Ｈ−（Ｈ−１）のタイ
プに於いてアクセプターの濃度 （Ｎａ）が低い例えば所謂ｐ型不純物 をライトリ−ドープしたもの。

（Ｈ−３）ｎ型ａ　−Ｓｔ：　Ｈ−ドナーのみを含むも
の。或いはドナーとアクセプタ ーの両方を含み、ドナー濃度（Ｎｄ） が高いもの。

（Ｈ−４）ｎ−型ａ−８ｉ　：　Ｈ−（ｆ（−３）のタ
イプに於いてドナーの濃度（Ｎｄ）が 低い、例えば所謂ノンドープのもの か又はｎ型不純物をライトリ−ドー プしたもの。

（Ｈ−５）ｉ型ａ　−Ｓｉ：　Ｈ−Ｎａ　＝Ｎｄ　＝　
０のもの又は、Ｎａ　＝　ＮｄＯもの。

本発明の光導電部材において、含有されるハロゲン原子
としては、具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙
げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものとして挙げるこ
とが出来る。

本発明において、ａ−８ｔ：Ｈで構成される第２の中間
層を形成するには、例えばグロー放電法、スパッタリン
グ法等の放電によるプラズマ現象を利用する真空堆積法
によって成される。

例えば、グロー放電法によって、ａ−８ｉ：Ｈから成る
第２の中間層を形成するには、シリコン原子（Ｓｔ）を
供給し得るＳｔ供給原料ガス、或いは、このガスと共に
必要に応じて不純物導入用の原料ガス、稀釈ガスを内部
が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロ
ー放電を生起させ、予め設置されである所定の光導電部
材用支持体表面上に予め形成されである第１の中間層１
０２上にａ−８ｔ：Ｈを堆積させて層形成すれば良い０
又、反応スパッターリング法で形成する場合には、例え
ばＡｒ　ｌ　Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベ
ースとした混合ガスの雰囲気中でシリコン（Ｓｔ）で形
成されたターゲットをスパッターリングする際、Ｂ２や
前記のシラン類等の水素原子導入用原料ガスをスパッタ
ーリング用の堆積室に導入してやれば良い。

本発明において使用されるＳｉ生成原料ガスとしては、
５ｉＩ（４１５ＬＨａ　、　５ｉｓＨａ　＋　５ｉ４Ｈ
＋ｏ等のシラン類等のガス状態の又はガス化し得る水素
化硅素が有効に使用されるものとして挙げられ、殊に、
層作成作業の際の扱い易さ、ｓｉ供給効率の良さ等の点
で５ｉ）ｆ４　、５ｉｔｅ６が好ましいものとして挙げ
られる。

本発明に於いて、形成される光導電部材が実際面に充分
適用させ得る為には、形成されるａ−８ｔ：Ｈから成る
層中に含有される水素原子（Ｈ）の量は通常の場合１〜
４０　ａｔｏｍｉｃ％　＋好適には５〜３０　ａｔｏｍ
ｉｃ％とされるのが望ましい。

形成されるａ−８ｔ：Ｈから成る第２の中間層中に含有
される水素原子（Ｈ）の量を制御するには、例えば堆積
基板温度又は／及び水素原子（Ｈ）を含有させる為に使
用される出発物質の堆積装置系内へ導入する量を制御し
てやれば艮ａ−８ｉ：Ｈから成る第２の中間層中にドー
ピングされる不純物としては、ｐ型不純物としては、周
期律表第■族Ａの水素、例えばＢ、ＡＩ。

Ｇａ　＋　　Ｉｎ　＋　Ｔ’等が好適なものとして挙げ
られ、ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族Ａの元素、
例えば、Ｎ　＋　Ｐ　＊　Ａｓ　＋　Ｓｂ　＋　Ｂ１等
が好適なものとして挙げられる。

ａ−８ｔ：Ｈから成る第２の中間層中にドーピングされ
る不純物の量は、所望される電気的・光学的特性に応じ
て適宜決定されるが、周期律表第■族Ａの不純物及び周
期律表第■族Ａの不純物共に１００１０００ａｔｏ　Ｉ
）ｆｌ１未満、好適には９００　ａｔ（ｒｒｌｉ　ｃｐ
ｐＩｎ以下１最適には８５０　ａｔｏｍｉｃ　９％以下
とされるのが望ましい。

本発明に於いて、第１の中間層１０２上に形成される第
２の中間層は光導電層１０３を形成する際の第１の中間
層１０２のプラズマからの保護的役目を荷うと共にＷＪ
ｌの中間層１０２と光導電層１０３との間に於ける必要
時の電荷のやり取りをスムースに行わせる役目も荷う。

又、光導電層１０３に該層′１０３の感受する電磁波が
照射された際に発生するフォトキャリアが第１の中間層
１０２方向に効率良く輸送される為に所謂、電荷輸送層
としての機能が果される様に第２の中間層１０５を形成
しても良いものである。

或いは、又、光導電層１０３の感受しない、或いは感受
するが感度の低い波長領域の電磁波に対して、充分感受
する様に第２の中間層１０５を形成することによって、
作製される光導電部材の波長感度領域を拡大させること
も出来る。

本発明に於ける第２の中間層１０５は、要求される基本
的な特性に加えて上記した種々の特性を付与することが
出来る。

本発明に於ける第２の中間層１０５０層厚としては、所
望される特性が付与される様に選択使用される層構成材
料に応じて適宜決定することが望ましいものである。

本発明に於ける第２の中間層１０５の層厚としては、製
造される光導電部材の製造コストや製造時間等も含めた
経済性も加味して通常の場合、５０Ａ〜１００μ、好適
には１００八〜５０μ、最適には１５０Ａ〜３０μの層
厚の範囲とされるのが望ましいものである。

本発明の目的を効果的に達成する為に、第２の中間層１
０５上に積層される光導電層１０３は下記に示す半導体
特性を有する光導電性のａ　　Ｓｉ（Ｈ＋　Ｘ　）で構
成される。

（Ｘ−１）ｐ型ａ−８ｉ（■■、Ｘ）・・・アクセプタ
ーのみを含むもの。或いは、ドナ ーとアクセプターとの両方を含み、 アクセプターの濃度（Ｎａ　）が高いもの０ （Ｘ−２）ｐ−型ａ　−Ｓｔ　（Ｈ、Ｘ　）　−（Ｘ−
１）細物をライトリ−ドープしたもの。

（Ｘ−３）ｎ型ａ−８ｉ（Ｈ９Ｘ）・・・ドナーのみを
含むもの。或いはドナーとアク セフタ−の両方を含み、ドナー濃度 （Ｎｄ）が高いもの。

（Ｘ−４）ｎ−型ａ−８ｉ（Ｈ、Ｘ　）　−（Ｘ　−３
）のタイプに於いてドナーの濃度（Ｎｄ）が低い、所謂
　　　　°　〜 ｊ４ｎ型不純物をライトリ−ドープし たもの。

（Ｘ−６）ｉ型ａ−８ｉ（Ｈ、Ｘ　）　・・・Ｎａ＝Ｎ
ｄ＝０のもの又は、Ｎａ國のもの。

本発明において、光導電層１０３中に含有されるハロゲ
ン原子（ト）としては、具体的にはフッ素、塩素、臭素
、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものと
して挙げることが出来る０ 本発明において、ａ−８ｉ（ＨｌＸ）で構成される光導
電層１０３を形成するには例えばアーク放電法、グロー
放電法、スパッターング法等の放電によるプラズマ現象
を利用する真空堆積法によって成される０例えば、グロ
ー放電法によって、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される光
導′酸層を形成するには、シリコン原子（Ｓｉ）を供給
し得るシリコン原子（Ｓｔ）供給原料ガスと共に、ハロ
ゲン原子導入用の原料ガス、又はこれ等のガスと共に水
素原子導入用の原料ガスを内部が減圧にし得る堆積室内
に導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め
所定位置に設置されである所定の支持体表面上に形成さ
れた第２の中間層１０４上にａ　　Ｓｉ（Ｈ＋　Ｘ　）
からなる光導電層を形成させれば良い。又、スパッター
リング法で形成する場合には、例えばＡｒ　、　Ｈｅ等
の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合ガス
の雰囲気中でシリコン（Ｓｔ）で形成されたターゲット
をスパッターリングする際、必要に応じて水素原子導入
用の原料ガスと共にハロゲン原子導入用のガスをスパッ
ターリング用の堆積室に導入してやれば良い。

本発明において使用されるＳｔ供給原料ガスとしては、
５ｌ）（４＋　Ｓ１＊Ｈａ　＋　５１ｓＨ８＋　５１４
Ｉ（１０等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅素（
シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊
に、層作成作業の際の扱い易さ、シリコン原子（Ｓｔ）
供給効率の良さ等の点でＳｉＬ　＋　Ｓｉ２Ｈ６が好ま
しいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用原料ガス
として有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ、
例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合物
、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の又
はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲンを含む硅
素化合物も有効なものとして本発明においては挙げるこ
とが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ　、　ＣＩＦ　＋　ＣｌＦ５　。

ＢｒＦ５＋　　ＢｒＦ５＋　　ＩＦｙ＋　　ＩＦａ＋　
　ＩＣｊ’＋　　ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙げる
ことが出来る。

ハロゲンを含む硅素化合物、所謂、ハロゲンで置換され
たシラン誘導体としては、具体的に例えばＳｉＦ４＋　
Ｓｉｔ　ｆａ　＋　５ｉＣ４、５ｉＢｒ、等のハ（Ｉゲ
イ３ ン化硅素が好ましいものとして挙げることが出来る。

この様なハロゲンを含む硅素化合物を採用１゜てグロー
放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成する
場合には、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得る原料ガス
としての水素化硅素ガスを使用しなくとも、所定の支持
体上にａ−８ｉ：Ｘから成る光導電層を形成する事が出
来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む光導電層１
０３を製造する場合、基本的には、シリコン原子（Ｓｔ
）供給用の原料ガスであるハロゲン化硅素ガスとＡｒ、
　Ｈｔ　Ｉ　Ｈｅ等のガスとを所定の混合比とガス流量
になるようにして光導電層を形成する堆積室内に導入す
るか、又は、これ等のガスを各々別々に所定のガス流量
で導入される堆積室内に於いて所定の混合比となる様に
導入し、これ等のガス中に於いてグロー放電を生起して
これ等のガスのプラズマ雰囲気を形４ を形成し得るものであるが、必要に応じて導入される水
素原子の導入を計る為にこれ等のガスに更に水素原子を
含む硅素化合物のガスも所定量混合して層形成しても良
い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。反応スパッタ
リング法に依ってａ−８ｔ　（Ｈ＋Ｘ）から成る光導電
層を形成するには、シリコン（Ｓｉ）から成るターゲッ
トを使用して、これを所定のガスプラズマ雰囲気中でス
パッタリングすれば良い。

この際、形成される層中にハロゲン原子を導入するには
、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む
硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズ
マ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈｔ、前記したシラン類等のガスをス
パッタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプラズマ
雰囲気を形成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン導入用の原料ガスとして上
記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素化合
物が有効々ものとして使用されるものであるが、その他
に、ＨＦ＋　Ｈｅ４　Ｉ（Ｂｒ。

ＨＩ等のハロゲン化水素、ＳｉＨｔＦｚ　、　５ｉＨｚ
　Ｃ１２＋　５ｉＨＣ４。

５ｉＨＪｒ２＋　５ｉＩ（Ｂｒａ等のハ０ゲン置換水素
化硅素、等々のガス状態の或いはガス化し得る、水素原
子を構成要素の１つとする〕・ロゲン化物も有効な光導
電層形成用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、光導電層形成
の際に、形成される層中にハロゲン原子の導入と同時に
電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子
も導入されるので、本発明においては好適なハロゲン導
入用の原料として使用される。

水素原子を光導電層中に構造的に導入するはけ、上記の
他にＨｔ、或いは５ｉＪＬ　、　Ｓｉｔ　Ｈａ　、　５
ｉｓＨａ　＋Ｓ　１４　ＨＩＯ等の水素化硅素のガスを
シリコン原子（Ｓｉ）を供給する為のシリコン化合物と
堆積室中に共させて放電を生起させる事でも行う事が出
来る。

例えば、反応スパッタリング法の場合には、Ｓｉターゲ
ットを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及びＨ２ガス
を必要に応じてＨｅ、　Ａｒ等の不活性ガスも含めて堆
積室内に導入してプラズマ豚囲気を形成し、前記Ｓｉタ
ーゲットをスパッタリングする事によって、所定の特性
を有する第２の中間層表面上にａ−８ｉ（Ｈ＋Ｘ）から
成る光導電層が形成される。

更には、不純物のドーピングも兼ねてＢ＊Ｈａ　。

ＰＨｓ　、　ＲＨ４等のガスを導入してやることも出来
る。

本発明に於いて、形成される光導電部材の光導電層中に
含有される水素原子■又はハロゲン原子（２）の量又は
両原子（Ｈ十Ｘ）の量は通常の場合１〜４０ａｔｏｍｉ
ｃチ、好適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃチとされるのが
望ましい。

光導電層中に含有される水素原子０又は／及びハロゲン
原子■の量を制御するには、例えば堆積支持体温度又は
／及び水素原子眞やハロゲン原子■を含有させる為に使
用される出発物質の堆積装置系内へ導入する量、放電々
力等を制御してやれば良い。

光導電層１０３をｎ型又はｐ塑成いはｉ型とするには、
グロー放電法や反応スパッターリング法等による層形成
の膀に、ｎ型不純物又はｐ型不純物、或いは両年細物を
形成される層中にその量を制御し乍らドーピングしてや
る事によって成される。

光導電層中にドーピングされる不純物としては、ｐ型不
純物として周期律表第■族Ａの元素、例えば、Ｂ　ｅ　
Ａ’　＋　Ｇａ＋　Ｉｎ　、　Ｔ１等が好適なものとし
て挙げられる。

ｎ型不純物としては、周期律表第■族Ａの元素、例えば
、ＮＩ　Ｐ　Ｉ　Ａ３１ＳｂｌＢｉ等が好適なものとし
て挙げられる。

この他に、例えば、熱拡散やインプランテーションによ
ってＬｉ等がインターステイシアルにドーピングされる
ことでｎ型に制御することも可能である。

光導電層中にドーピングされる不純物の量は、所望され
る電気的・光学的特性に応じて適宜決定されるが、周期
律表第■族Ａの不純物の場合にはＩ　Ｘ　１０−”ａｔ
ｏｍｉｃ　％以下の量範囲でドーピングしてやれば良い
。周期律表第Ｖ族Ａの不純物の場合には５　Ｘ　１０−
”　ａｔｏｍｉｃ　％以下の量範囲でドーピングしてや
ることが望ましいものである。

本発明に於いては、第１の中間層１０２を設けることに
よって光導電層１０３は、比較的低抵抗であっても使用
され得るものであるが、一層良好な結果を得る為には、
形成される光導電層１０３の暗抵抗が好適には５　ｘ　
１（１０ｃｍ以上、最適には１σ０Ω儂以上となる様に
光導電層１０３が形成されるのが望ましいものである０
殊に、この暗抵抗値の数値条件は、作製された光導電部
材を電子写真用像形成部材や、低照度領域で使用される
高感度の読取装置や撮像装置、或いは光電変換装置とし
て使用する場合には重要な要素である○ 本発明に於ける光導電部材の光導電層１０３の層厚とし
ては、読取装置、撮像装置或いは電子写真用像形成部材
等の適用するものの目的に適合させて所望に従って適宜
決定される。

本発明に於いては、光導電層１０３の層厚としては、光
導電層１０３の機能及び障壁層の機能が各々有効に活さ
れて本発明の目的が効果的に達成される様に第１の中間
層１０２との層厚関係に於いて適宜所望に従って決めら
れるものであり、通常の場合、第１の中間層１０２の層
厚に対して数百〜数千倍以上の層厚とされるのが好まし
いものである。

光導電層の層厚は、光導電層中で発生されるフォトキャ
リアが効率良く注入され、該注入されたフォトキャリア
が所定の方向に効率良く輸送される様に所望に従って適
宜決められ、通常は３〜１００μ、好適には５〜５０μ
とされる。

第２図には、本発明の光導電部材の第２の実施態様例の
構成を説明する為の模式的構成図が示される。第２図に
示される光導電部材２００は、第１図に示される光導電
部材１００と同様の層構造に於いて光導電層２０３の上
部表面に表面障壁層２０５を設けた以外は、第１図に示
す光導電部材１００と層構造及び各層の機能は同様であ
る。

表面障壁層２０５は、その表面に帯電処理が施された際
、表面電荷が光導電層２０３中に注入されるのを阻止す
る機能が荷せられている。

第１の中間層２０２及び表面障壁層２０５は、第１図に
於ける第１の中間層１０２を構成する材料として前記し
た材料の中より所望に従って選択した材料で構成される
。

表面障壁層２０５を構成する材料の選択及びその層厚の
決定は、表面障壁層２０５側より光導電層２０３の感受
する電磁波を照射する様にして光導電部材２００を使用
する場合には、照射される電磁波が光導電層２０３に充
分量到達して、効率良く、フォトキャリアの発生を引起
同様の手法で、例えばグロー放電法や反応スパッターリ
ング法で形成することが出来る。

表面障壁層２０５の層厚としては、前述した機能が充分
発揮される様に、層を構成する材料、層形成条件等によ
って所望に従って適宜決定さ本発明に於ける表面障壁層
ｐ寺唖の層厚としては、通常の場合、３０穴〜５μ、好
適には５０Ｘ〜２μとされるのが望ましい。

本発明の光導電部材等として、第１図及び第２図で説明
した場合には光導電層は、単一の前記した特性を有する
ａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成されるものとしヤ説明したが
、別の層構成としては、光導電層を、前記した特性を有
するａ−Ｓｔ…。

Ｘ）の中より２種以上を選択し、それ等で構成される層
を積層して形成する事も出来る。この場には、光導電層
は伝導型の異なるａ　−Ｓｉ　（Ｈ，Ｘ）構造となる。

本発明の光導電部材に於いては、第１図及び第２図で説
明した層構造の場合には、第２の中間層と光導電層との
伝導型の極性は、同極性であることが望ましく、殊に両
層ともにｉ型であることが望ましい。

張 又、上記した光導電層中に空気層を有する層構造の光導
電部材に於いては、好ましくは、第２の中間層の伝導型
としてｎ型又はｐ型を選択し、光導電層として第２の中
間層と逆極性の伝導型を有する様に、各層を形成するの
が望ましい０ 百年ら、光導電層の伝導型としては、例えば電子写真用
とするには、ｉ型、ｎ−型又はｐ″′型とｉ〜、これ等
の伝導型の光導電層と良好な電気的及び機械的マツチン
グを取り得る様に第２の中間層の伝導型を決定してやる
のが一層望ましいものである。

本発明の光導電部材を電子写真用像形成部材として使用
する場合にある種の電子写真プロセに表面被覆層を設け
る必要がある。この場合の表面被覆層は、例えば、特公
昭４２−２３９１０号公報同４３−２４７４８号公報に
記載されているＮＰ方式の様な電子写真プロセスを適用
するのであれば、電気的絶縁性であって、帯電処理を受
けた際の静電荷保持能が充分あって、ある程度以上の厚
みがあることが要求されるが、例えば、カールソンプロ
セスの如き電子写真プロセスに適用するのであれば、静
電像形成後の明部の電位は非常に小さいことが望捷しい
ので表面被覆層の厚さとしては非常に薄いことが要求さ
れる。

表面被覆層は、その所望される電気的特性を満足するの
に加えて、光導電層又は上部層に化学的・物理的に悪影
響を与えないこと、光導電層又は上部層との電気的接触
及び接着性、更には耐湿性、耐摩耗性、クリーニング性
等を考慮して形成される。

表面被積層の形成材料として有効に使用されるものとし
て、その代表的なのは、ポリエチレンテレフタレート、
ポリカーボネート、ポリプロビレン、ポリ塩化ビニル、
ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリスチ
レン、ポリアミド、ポリ四弗化エチレン、ポリ三弗化塩
化エチレン、ポリ弗化ビニル、ポリ弗化ビニリデン、六
弗化プロピレン−四弗化エチレンコポリマー、三弗化エ
チレン−弗化ビニリデンコポリマー、ボリブデン、ポリ
ビニルブチラール。

ポリウレタン、ポリパラキシリレン等の有機絶縁体、シ
リコン窒化物、シリコン酸化物等の無機絶縁体等が挙げ
られる。これ等の合成樹脂又はセルロース誘導体はフィ
ルム状とされて光導電層又は−ヒ部層の上に貼合されて
も良く、又、それ等の塗布液を形成して、光導電層又は
上部層上に塗布し、層形成しても良い。表面被覆層の層
厚は、所望される特性に応じて、又、使用される材質に
よって適宜決定されるが、通常の場合、０．５〜７０μ
程度とされる。殊に表面被覆層が先述した保護層として
の機能が要求される場合には、通常の場合、１０μ以下
とされ、逆に電気的絶縁層としての機能が要求される場
合には、５ 通常の場合、１０μ以上とされる。百年ら、この保護層
と電気絶縁層とを差別する層厚は、使用材料及び適用さ
れる電子写真プロセス、設計される像形成部材の構造に
よって、変動するもので、先の１０μという値は絶対的
なものではない〇又、この表面被覆層は、反射防止層と
しての役目も荷わせれば、その機能が一層拡大されて　
′効果的となる。

実施例１ 完全にシールドされたクリーンルーム中に設置された第
３図に示す装置を用い、以下の如き操作によって電子写
真用像形成部材を作製した。

表面が清浄にされた０、５趨厚１０（１７７１角のモリ
ブデン板（基板）３０２をグロー放電堆積室３０１内の
所定位置にある固定部材３０３に堅固に固定した。基板
３０２は、固定部材３０３内の加熱ヒーター３０４によ
って±０．５℃の精度で加熱される。温度は、熱電対（
アルメル−クロメル）によって基板裏面を直接測定され
るようになされた。次いで系内の全パルプが閉じられて
いることを確認してからメインパルプ３１２を全開して
、室３０１内が排気され、約５　Ｘ　１０　　ｔｏｒｒ
の真空度にした。その稜ヒーター３０４の入力電圧を上
昇させ、モリブデン基板温度を検知しながら入力電圧を
変化させ、２５０℃の一定値になるまで安定させた。

その後、補助パルプ３０９、次いで流出パルプ３１３，
３１９，３３１，３３７及び流入パルプ３１５．３２１
．３３３．３３９を全開し、フローメーター３１４．３
２０．３３２．３３８内も十分脱気真空状態にされた。

補助パルプ３０９、パルプ３１３．３１９．３３１．３
３７　。

３１５．３２１，３３３，３３９を閉じた後、鴇で１０
ｖｏｌ！優に稀釈された５ｉ）ｆｌ、ガス（以後ＳｉＨ
，（１１／にと略す。純度９９．９９９％）ボンベ３３
６のパルプ３３５、Ｎ（純度９９．９９９％）ガスボン
ベ３４２のパルプ３４１を開け、出口圧ゲージ３３４．
３４０の圧ｔｌ−１ｋｇ／−に調整し、流入パルプ３３
３，３３９を除々Ｋ１１ｆＦｌｌてフローメーター３３
２，３３８内へＳｉＨ，顛／ルガス、娩ガスを流入させ
た。引続いて、流出パルプ３３１゜３３７を徐々に開け
、次いで補助パルプ３０９を徐々に開けた。このとき５
ｉＨ４Ｑｌ／Ｈａガス流量とＮガス流量との比が１：１
０になるように流入パルプ３３３．３３９を調整した。

次にビラニーゲージ３１０の読みを注視しながら補助パ
ルプ３０９の開口を調整し、室３０１内がＩ　Ｘ　１０
１ｔｏｒｒになるｌで補助パルプ３０９を開けた。室３
０１内圧が安定してから、メインバルブ３１２を徐々に
閉じ、ビ２二−ゲ〜ジ３１０の指示が０．５　ｔｏｒｒ
になるまで開口を絞った。ガス流入が安定し内圧が安定
するのを確認しさらにシャッター３０７（電極も兼ねる
）が閉じていることを確認した上で続いて高周波電源３
０８のスイッチをＯＮ状態にして、電極３０３、シャッ
ター３０７間に１３．５６　ＭＨｚの高周波電力を投入
し室３０１内にグロー放電を発生させ、３Ｗの入力電力
とした。上記条件で基板上にａ−（Ｓｉｘ？ＶＪ１−　
ｘ）ｙ：　Ｈｌ−ｙを堆積させる為に、３分間条件を保
ってＭｌ中間層を形成した。その後、高周波電源３０８
をｏｆｆ状態とし、グロー放電を中止させた状態で、流
出パルプ３３１．３３７を閉じ、メインバルブ３１２を
全開して室３０１内のガスを抜き５　Ｘ　１０　　ｔｏ
ｒｒまで＾空にした。その後、補助パルプ３０９を閉じ
た。

次に、鴇ガスで１０　ｖｏ１％に稀釈されｆｃｓｉＨ４
ガス（以後ＳｉＨ，αＩ／ルと略す。９９．９９９％）
ボンベ３３６のバルブ３３５　、Ｈ，で５００　ｖａｔ
　ｐｐｍに稀釈されたＢｚＨａガス（以後Ｂ２ル（５０
０）　／鴇と略す。純度９９．９９９９１ボンベ３２４
のバ／ｌ／　７’３２３を開け、出口圧ゲージ３３４．
３２２の圧をＩＪｃｙ／ｃＩＩＫｍ整し、流入バルブ３
３３゜３２１を徐々に開けてフローメーター３３２゜３
２０内へＳ　ｉＨ，（１１／Ｈ，ガス、Ｂ！Ｈ１ｌ（５
００）　／Ｈａｌｌ　スを流入させた。引続いて、流出
パルプ３３１゜３１９を徐々に開け、次いで補助パルプ
３０９を徐々に開けた。このとき５ｆＨ４ＱＩ／Ｉ（２
ガス流量とＢｚＨａ　（５０Φ／迅ガス流量との比が２
５０　：　１になるように流入バルブ３３３．３２１を
調整した。

次にビラニーゲージ３１０の読みを注視しながら補助パ
ルプ３０９の開口を１１１ｉＬ、室３０１内がｌ　Ｘ　
１０””ｔｏｒｒになるまで補助パルプ３０９を開けた
。室３０１内圧が安定してから、メインパルプ３１２を
徐々に閉じ、ビラニーゲージ３１０の指示が０．５　ｔ
ｏｒｒになるまで開口を絞った。ガス流入が安短し内圧
が安定するのを確認し、さらにシャッター３０７が閉じ
ていることを確認した上で高周波電源３０８のスイッチ
をＯＮ状態にして、電極３０３．シャッター３０７間に
１３．５６　′ＭＨｚの高周波電力を投入し室３０１内
にグルー放電を発生させ、６ｏＷの入力電力とした。グ
ロー放電を１時間持続させて第２中間層を形成した。

次に、ルガスを１０　ｖｏ１％含むＳｉＦ４ガス（以後
ＳｉＦ４．〆１顛と略す。９９．９９９チ）ボ／べ３１
８のパルプ３１７．Ｈ，で５００　ｖｏｌ　ＰＰｍに稀
釈されたＢｚＨａガス（以後ＢｔＨａ　（５００）　／
為と略す。純度９９．９９９Ｌ）ボンベ３２４のバルブ
３２３を開け、出口圧ゲージ３１６，３２２の圧をｘｌ
ｃｙ／ｄにｗ４整し、流入バルブ３１５，３２１を徐々
に開けてフローメーター３１４．３２０内へＳｉＦ４／
ル０１ガス、Ｂ！ル（５０の／残ガスを流入させた。引
続いて、流出パルプ３１３，３１９を徐々に開け、次い
で補助パルプ３０９を徐々に開けた。このときＳｉｎ’
、／爬（＋１ガス流量とＢ！Ｈ，（５０の／為ガス流量
比が２５＝１になるように流入バルブ３１５，３２１を
調整した。次にビラニーゲージ３１０の読みを注視しな
がら補助パルプ３０９の開口を調整し、室３０１内がＩ
　Ｘ　１０’−”ｔｏｒｒになるまで補助パルプ３０９
を開けた。室３０１内圧が安定してから、メインパルプ
３１２を徐々に閉じ、ビラニーゲージ３１０の指示が０
、５　ｔｏｒｒになるまで開口を絞った。ガス流入が安
定し内圧が安定するのを確認し、さらにシャッター３０
７が閉じていることを確認した上で高周波電源３０８の
スイッチをＯＮ状態にして、電極３０３．シャッター３
０７間に１３．５６ＭＥｉｚの高周波電力を投入し室３
０１内にグロー放電を発生させ、６０Ｗの入力電力とし
た。グロー放電を６．５時間持続させて光導電層を形成
した後、加熱ヒーター３０４をｏｆｆ状態にし、高周波
電源３０８もｏｆｆ状態とし、基板温度が１００℃にな
るのを待ってから流出パルプ３１３゜３１９及び流入バ
ルブ３１５，３２１，３３３゜３３９を閉じ、メインパ
ルプ３１２を全開にして、室３０１内を１０−’　ｔｏ
ｒｒ以下にした後、メインバルブ３１２を閉じ室３０１
内をリークパルプ３１１によって大気圧として基板を取
シ出した。この場合、形成された層の全厚は約２１μｍ
であった。こうして得られた像形成部材を帯電１１元実
験装置に設置し、■６．　ＯＫ　Ｖで０．２ｓｅｃ間コ
ロナ帯電を行い、直ちに光像を照射した。

光像は、タングステンランプ光源を用い、０．８１！ｕ
ｘ・ｓｅｅの光量を透過型のテストチャートを通して照
射させた。

その後直ちに、θ荷電性の現像剤（トナーとキャリヤー
を含む）を像形成部材表面にカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画ｍを、■５．　ＯＫ　Ｖのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調Ｐ＋現
性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。この結果から
本実施例で得られた電子写真用像形成部材は■コロナ帯
電に対して優れた特性を具備していることが判った。

また、上記条件のもとて第１中間層を形成した後、第２
中間層の形成に於て、Ｓ　ｉＨａ　Ｑｌ／ＨｚとＢｇ　
Ｈａ　（５０の／Ｈ！の流量比を所定の値にすることに
よりＢ含量を第１表の様に変化させた。その後、光導電
層を上記条件のもとで形成した。

こうして得られた像形成部材を用いて上記と同様の条件
及び手順で画像形成したところ実用に充分な画像が得ら
れた。

実施例２ 実施例１と同様な条件及び手順によってモリブデン基板
上に３分間の第１中間層の形成を行った後、堆積室内を
５　Ｘ　ＩＦ’ｔｏｒｒまで排気してＳ　ｉＨ，Ｑｉ）
／Ｈ，ガスを実施例１と同様の手順で室内に導入した。

その後、烏ガスで５００ｖＰｐｍに稀釈したＰＨ，ガス
ポンベ３３０（以後ＰＨ，（５００）　／鴇と略す、純
度９９．９９９％）から実施例１と同様な手順でガスを
流しフローメーター３２６の読みが５ｉＨ４（１１／Ｈ
！ｌｊ　ス（Ｄ流量＋７）　１／１０００　Ｋ　ナル様
に安定させた。引き続き、実施例１と同様なグロー放電
の条件でグロー放電を再開させた。こうしてグロー放電
を約１時間持続させ、第２中間層を形成した。次に実施
例１と同様の手順でＳｉＦ４／Ｈ２ＱＩガスを流しその
後Ｐル（５０の／ａｔガスの流量の９／１０００になる
様に流出バルブ３２５の開口を定め、安定化させた。引
き続き実施例１と同様な条件でグロー放電を再開させた
。こうしてグロー放電を約６．５時間持続させ光導電層
を形成した。その後実施例１と同様な手順に従い反応管
から基板を取シ出した。この場合形成された層の全厚は
約２１μｍであった。こうして得られた像形成部材を用
いて実施例１と同様の帯電露光実験装置で０５．５　Ｋ
　Ｖで０．２ｓｅｃ間のコロナ帯電を行い直ちに０．８
１ｕｘ−ｓｅｅの光量で画像露光を行い、その後直ちに
■荷電性の現像剤を部材表面にカスケードし、次に転写
紙上に転写・定着したところ、極めて鮮明な画像が得ら
れた。

また、上記条件のもとて第１中間層を形成した後、第２
中間層の形成に於て、５ｉＨ４ＱＩ／ＨｔとＰＨ，（５
０Φ／Ｈ２の流量比を所定の値にすることによｐＢ含量
を第２表の様に変化させた。その後、光導電層を上記条
件のもとで形成した。

こうして得られた像形成部材を用いて上記と同様の条件
及び手順で画像形成したところ実用に充分な画像が得ら
れた。

実施例４ 実施例１と同様な条件及び手順によってモリブデン基板
上に３分間の第１中間層の形成を行った後、堆積室内を
５　Ｘ　１０−’　ｔｏｒｒまで排気して５ｉＨ４Ｑｌ
／Ｈａガスを実施例１と同様の手順で室内に導入した。

引き続き実施例１と同様なグロー放電の条件でグロー放
電を再開させた。こうしてグロー放電を約１時間持続さ
せ、第２中間層を形成した。次に実施例１と同様の手順
で、５ＩＦ４／Ｈ，（ＩＱガスを流し引き続き実施例１
と同様な条件でグロー放電を再開させた。こうしてグロ
ー放電を約６．５時間持続式せ光導電層を形成した。

その後実施例１と同様な手順に従い、Ｑ檀家から基板を
取り出した。この場合形成された層の全厚は約２１μｍ
であった。こうして得られた像形成部材を用いて実施例
１，２と同様の条件及び手順で転写紙上にトナー画像を
形成したところ、■コロナ放′嶋を行って画像形成をし
たものについて解像力に優れ階調再現性のよい鮮明な高
濃度の画像が得られた。

またθコロナ放電を行って画像形成をしたものについて
も極めて鮮明な画像が得られた。

これらの結果から本実施例で得られた電子写真用像形成
部材は帯電極性に対する依存性がなく両極性像形成部材
の特性を具備していることが判った。

実施例３ 実施例１と同様な条件及び手順によってモリブデン基板
上に３分間の第１中間層の形成を行った後、堆積室内を
５　Ｘ　１０”−’ｔｏｒｒまで排気して導入した０そ
の後、Ｂ、Ｈ，（５０の／Ｈｌガスボンベ３２４から、
実施例１と同様な手順でガスを流し）ｏ−メーター３２
０の読＋　カＳｉＨ，（Ｉｌ／Ｈ，カスの流量の１１５
００になる様に安定化させた。

引き続き実施例１と同様なグロー放電の条件でグロー放
電を再開させた。こうしてグロー放電を約１時間持続さ
せ、第２中間層を形成した。

次に実施例１と同様の手順でＳｉＦ％／ＨｔＱＩガスを
流しその後Ｂ！　Ｈａ　（５００）　／ｆｆ、ガスを５
ＩＦｉ／Ｈｚ（ＪＱ　ｌｊスの流量の９１５００になる
様に流出パルプ３１９の開口を定め安定化させた。引き
続き実施例１と同様な条件でグロー放電を再開させた。

こうしてグロー放電を約６．５時間持続させ光流電層を
形成した。その後実施例１と同様な手順に従い堆積室か
ら基板を取り出した。この場合形成された層の全厚は約
２１μｍであった。

こうして得られた像形成部材を用いて実施例１．２と同
様の条件及び手順で転写紙上にトナー画像を形成したと
ころ、■コロナ放電を行って画像形成をしたものについ
て解像力に優れ階調再現性のよい鮮明な高濃度の画像が
得られた。

またＯコロナ放電を行って画像形成をしたものについて
も極めて鮮明な画像が得られた。

これらの結果から本実施例で得られた電子写真用像形成
部材は帯電極性に対する依存性がなく両極性像形成部材
の特性を具備していることが判った。

また、上記条件のもとで、第１中間層を形成した後、第
２中間層の形成に於て、ＳｉＨ，Ｑｌ）／Ｈ，とＢ！　
Ｈｌｌ（５００）　／Ｈ２の流量比を所定の値にするこ
とによりＢ含蓄をＭ３表の様に変化させた。その後、光
導電層を上記条件のもとで形成した。

こうして得られｆｃ像形成部材を用いて上記と同様の条
件及び手順で画像形成したところ実用に充分な画像が得
られた。

また、上記条件のもとで、第１中間層を形成した後、第
２中間層の形成に於て、ＳｉＨ４顛／Ｈ，とＰ％　（５
００）　／Ｈ，の流量比を所定の値にすることによりｐ
含ｉｔを第４表の様に変化させた。その後、光導電層を
上記条件のもとで形成した。

こうして得られた像形成部材を用いて上記と同様の条件
及び手順で画像形成したところ実用に充分な画像が得ら
れた。

第４表 実施例５ 実施例工と同様な条件及び手順によってモリブデン基板
上に３分間の第１中間層の形成を行った後、堆積室内を
５　Ｘ　１Ｏ−７ｔｏｒｒまで排気してＳｉ＆Ｈ，ガス
を実施例１と同様の手順で室内に導入した。その後ＰＨ
４（５００）　／Ｈ，カスホｙべ３３０から実施例１と
同様な手順で、ガス金泥しフローメーター３２６の読み
が５ｔＨ４ａ呻／Ｈｌガスの流量の１／１０００になる
様に安定化させた。引き続き、実施例１と同様なグロー
放電の条件でグロー放電を再開させた。こうしてグロー
放電を約１時間持続させ、第２中間層を形成した。次に
実施例１と同様の手順で、ＳｉＦ４／Ｈｚα燵ガスを流
しその後Ｂ２　Ｈｌｌ（５００）　／Ｈ２ガスをＳｉＦ
、／Ｈ，（１１ガスノ流童の１／２５になる様に流出パ
ルプ３１９の開口を定め、安定化させた。引き続き実施
例１と同様な条件でグロー放電を再開させた。こうして
グロー放電を約６．５時間持続させ光導電層を形成した
。その後、実施例１と同様な手順に従い堆積室から基板
全域９出した。この場合形成された層の全厚は約２１μ
ｍであった。こうして得られた像形成部材を用いて実施
例１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成した
ところ、■コロナ放電を行って画像形成をしたものにつ
いて解像力に優れ階調再現性のよい鮮明な高濃度の画像
が得られた。

また、上記条件のもとて第１中間層を形成した後、第２
中間層の形成に於て、ＳｉＨ，α１／Ｈ２とＰＨ５（５
００）　／Ｈｚの流量比を所定の値にすることによ＃）
Ｐ含量を第５表の様に変化させた。その後、光導電層を
上記条件のもとで形成した。

こうして得られた像形成部材を用いて上記と同様の条件
及び手順で画像形成したところ実用に充分な画像が得ら
れた。

実施例６ 実施例１と同様な条件及び千Ｊ―によってモリブデン基
板上に３分間の第１中間層の形成を行った後、堆積室内
を５　Ｘ　１０−’ｔｏｒｒまで排気して（１０） Ｓ消ンｔ！ガスを実施例１と同様の手順で室内に導入し
た。その後、Ｂ、ル（ＳＯＯ）／＆ガスボンベ３２４か
ら、実施例１と同様な手順で、ガスを流しフローメータ
ー３２６の読みがＳｉＨ４四／烏ガスの流量のし′２５
０になる様に安定化させた。

引き絖き、実施例１と同様なグロー放電の条件でグロー
放電を再開させた。こうしてグロー放電を約１時間持続
させ、第２中間層を形成した５、次に実施例１と同様の
手順でＳｉＦ、／＆（ＩＩガスを流しその後ＰＨ，（５
００）　／Ｈ，カスをＳｉＦ、／ＨＩＱＩ　ｌｊ　スの
流量の９／１０００になる様に流出パルプ３２５の開口
を定め、安定化させた。引き続き実施例１と同様な条件
でグロー放電を再開させた。こうしてグロー放電を約６
．５時間持続させ光導電層を形成した。その後、実施例
１と同様な手順に従い堆積室から基板を取り出した。こ
の場合形成された層の全厚は約２１μｍであった。こう
して得られた像形成部材を用いて実施例１と同様の条件
及び手順で転写紙上にトナー画像を形成したところ、Ｏ
コロナ放電を行って画像形成をしたものについて解像力
に優れ階調再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた
。

捷た、上記条件のもとで、第１中間層を形成した後、第
２中間層の形成に於て、ＳｉＨ，Ｑｌ／Ｈ！とＢ、　Ｈ
ａ　（５０ｏ）　／Ｈ２の流量比ｔｌ−所定の値にする
ことによりＢ含量を＃！６表の様に変化させた。その後
、光導電層を上記条件のもとで形成した。

こうして得られた像形成部材を用いて上記と同様の条件
及び手順で画像形成したところ実用に充分な画像が得ら
れた。

第６表 実施例７ モリブデン基板上に第１中間層を形成する際の第１中間
層における５ＩＨ４顛／Ｈ，とＮ！の流量比を第２表に
示す様に種々変化させた以外は、実施例３と全く同様の
条件及び手順によって試料屋５２〜５８で示される像形
成部材を作成し、実施例３と全く同様の帯電露光実験装
置に設置して同様の画像形成を行なった所、第７表に示
す如き結果を得た。尚、試料１版５４〜５８の中間層の
みをオージェ電子分光分析法により分析した結果を第８
表に示す。第７，８表に示される結果から判る様に本発
明の目的を達成するには中間層におけるＳｉとＮの組成
比に関係するＸを０．６０〜０．４３の範囲で形成する
必要がある。

第７表 ◎：優　○：良　Δ；実用上使用し得る×：不可 第８表 実施例８ 第１中間層上に形成する第２中間層の膜の厚さをＨ９表
に示すように種々変化させた以外は、実施例３と全く同
様の条件及び手順によって試料ムロ４〜７３で示される
像形成部材を作成し実施例３と全く同様の帯電線光実験
装置に設置して同様の画像形成を行った所、第９表に示
す如き結果を得た。第９表に示される結果から判る様に
本発明の目的を達成するには第２中間層の厚さとして少
なくとも５ＯＡ形成する必要がある。

◎：優　○：良　△：実用上使用し得るＸ：不可 実施例９ 第１０表に示す如き条件で第１中間層Ａ−Ｌの各々を各
々１２枚のモリブデン基板上に形成し、各々実施例３と
同様な第２中間層、光導電層を形成した。

尚、スパッタリング法にて第１中間層Ａを形成する際に
はターゲット３０５を多結晶シリコンターゲット上に部
分的にグラファイトターゲットが積層されたものにし、
更にＮ２ガスボンベ３４２をＡｒガスボンベに変えた。

第１中間層Ｅを形成する際にはターゲットをＳｉ、Ｎ４
ターゲツトにし、Ｎ２ガスボンベ３４２をＡｒで５０％
稀釈されたＮ２ガスボンベに変えた。又第一中間層Ｊを
形成する際にはターゲットをＳ１６ターゲツトＫＬ、０
２ガスボンベ３４９をＡｒで１０％に稀釈された０□ガ
スボンベに変えた。

又、グロー放電法にて第１中間層Ｂを形成する際にはＢ
２ル（５００）　／Ｈ，ガスボンベ３２４を八で１０　
ｖｏＲに稀釈されたＣ４Ｉｌ（４ガス（以後Ｃ，Ｈ，（
１１ｍ／烏と配す）ボンベに、第１中間層Ｃを形成する
際には、Ｂ！　Ｈ６（５００）　／Ｈｌガスボンベ３２
４をＢ−ｃ’１０　ｖｏ１％に稀釈された５ｉ（ＣＩ（
ａ）ａガス（Ｓｔ（（Ｊム）４Ｑｌ　／　Ｈ，と記す〕
ボンベに、第１中間層りを形成する際には第１中間層Ｂ
の形成の際と同様に鳥ル（５０の／へガスボンベ３２４
をらル（１１／Ｈ，ガスボンベに第１中間層Ｇを形成す
る際にはＰＨ。

（５００）／Ｈ，ガスボ／べ３３０を為で１０　ｖｏｌ
’１６に稀釈された虱ガス（以後１％（ＩＩ／Ｈ，と記
す）ボンベに、第１中間層Ｉを形成する際はＰＨａ　（
５００）　／トガスボンベ３３０をＮＨ，Ｑｌ／Ｈ，ガ
スボンベに、第１中間層ＫまたはＬを形成する際にはへ
ガスボンベ３４９を使用した。

第４表に示す第１中間層Ａ−Ｌに実施例３と同様の第２
中間層、光導電層を有する像形成部材１２枚を各々実施
例３と同様の操作、条件にて像形成を行って転写紙にト
ナー画像を転写したところ何れも帯電極性に対する依存
性がなく極めて鮮明なトナー像が得られた。

第１Ｏ表 実施例ｉ。

実施例１と同様な条件及び手順によってモリブデン基板
上に３分間のＭｌ中間層の形成を行った後、堆積室内を
５　Ｘ　１０　　ｔｏｒｒまで排気して（１０） Ｓｓ属ンｔｔガスを実施例１と同様の手順で室内に導入
した。引き続き、実施例１と同様なグロー放電の条件で
グロー放電を再開させた。こうしてグロー放ｔを約１時
間持続させ、第２中間層を形成した。次に実施例１と同
様の手順でＳｉＦ。

／Ｈｔα〔ガスを流し実施例１と同様な条件でグロー放
電を再開させた。こうしてグロー放電を約６．５時間持
続させ光導電層を形成した。

その上に第１中間層の形成と同様な原料ガス、条件、手
順によ９３分間グロー放電を行い表面障壁層を形成した
。

その後実施φｕ１と同様な手順に従い堆積室から基板を
取り出した。この場合形成された層の全厚は約２１μｍ
であった。こうして得られた像形成部材を用いて実施例
３と同様な条件及び手順で転写紙上にトナー画像を形成
したところ、■コロナ放電による画像形成及び○コロナ
放電による画像形成いずれの場合も解像力に優れ、階調
再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。

これらの結果から、本実施例で得られた電子写真用像形
成部材は帯電極性に対する依存性がなく両極性像形成部
材の特性を具備していることが判った。

実施例１１ モリブデン基板上に第１中間層を形成する際のグロー放
電保持時間を、下記の第１１表に示す様に、種々変化さ
せた以外は、実施例３と全く同様の条件及び手Ｊ順によ
って試料Ａ７４〜８１で示される像形成部材を作成し、
実施例３と全く同様の帯ｔｇ光実験装置に設置して同様
の画像形成を行ったところ下記の第１１表に示す如き結
果を得た。

第１１表に示される結果から判る様に本発明の目的を達
成するには、第１中間層の膜厚を３０Ａ〜１００ＯＡの
範囲で形成する必要がある。

第１１表 ◎：優　○：良　△：実用上使用し得る×：不可 中間層の膜堆積速度：ｌ＾／　５ｅｅ

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は各々本発明の光導電部材の好適な実
施態様例の構成を説明する為の模式的構成図、第３図は
本発明の光導電部材を製造する場合の装置の一例を示す
模式的説明図である。 １００．２００・・・光導電部材、１０１．２０１・・
支持体、１０２．２０２・・・第１の中間層、１０３゜
２０３・・・光導電層、１０４．２０４・・・自由表面
、１０５．２０６・・・第２の中間層。 出願人　キャノン株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 光導電部材用の支持体と、シリコン原子を母体とし、ハ
   ロゲン原子を構成要素として含む光導電性の非晶質材料
   で構成された光導電層とを有する光導電部材に於いて、
   前記支持体と前記光導電部材との間に、前記支持体側よ
   り、障壁的に機能する第１の中間層と、シリコン原子を
   を母体とし、水素原子を構成要素として含む非晶質材料
   で構成された第２の中間層とが順次積層されて設けられ
   ている事を特徴とする光導電部材。