JPS61256354A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光であって、紫外線、可
視光線、赤外線、Ｘ線、γ線等を意味する。）のような
電磁波に対して感受性のある光受容部材に関する。

〔従来技術の説明〕

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ　
）　／暗電流（Ｉｄ））が高く、照射する電磁波のスペ
クトル特性に適合した吸収スペクトル特性を有すること
、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、使用
時において人体に対して無公害であること、更には固体
撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に処理す
ることができること等の特性が要求される。殊に、事務
機としてオフィスで使用される電子写真装置内に組込捷
れる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使用時に
おける無公害性が重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されて因る光受容材料に
アモルファスシリコン（以ｒｋ　ａ　−Ｓｊと表記する
。）があり、例えば、独国公開第２７４．６９６７号公
報、同第２８５５７１８号公報には電子写真用像形成部
材としての使用、才だ独国公］用第２９３３４．１．１
号公報には光電変換読取装置への応用が記載されている
。

しかしながら、従来のａ−８ｉで構成された光受容層を
有する光受容部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の
電気的、光学的、光導電的特性、及び使用環境特性の点
、更には経時的安定性及び耐久性の点において、各々、
個々には特性の向上が計られているが、総合的な特性向
−ヒを計る上で更に改良される余地が多々存在するのが
実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると従来法では
その使用時において残留電位が残る場合が度々観測され
、この種の光受容部利は長時間繰返し使用し続けると、
繰返し使用による疲労の蓄潰が起って、残像が生ずる所
謂＝ｒ−スト現象を発する様になる等の不都合な点が少
なくなかった。

又、δ−８１材旧で光受容層を構成する場合には、その
電気的、光導電的ｌ持件の改良を割るために、水素原子
或いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び電気
伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或い６寸そ
の他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子とし
て光受容層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有
の仕方如何によっては、形成した層の電気的或いは光導
電的特性や電気的耐圧性に問題が生ずる場合があった。

即ち、例えば、形成した光受容層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの核層中での寿命が充分でないこ
とや、暗部における支持体側よｐの電荷の注入の阻止が
充分でないこと、或いは、転写紙に転写された画像に俗
に「白ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破壊現型による
と思われる画像欠陥や、クリーニングにブレードを用い
るとその摺擦によると思われる、俗に「白スジ」と云わ
れている画像欠陥が生じたりしていた。又、多湿雰囲気
中で使用したり、或いは多湿雰囲気中に長時間放置した
直後に使用すると俗に云う画像のボケが生ずる場合が少
なくなかった。

更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の真空堆積
室より取り出した後、空気中での放置時間の経過と共に
、支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に亀裂が
生ずる等の現象を引起しがちになる。との現象は、殊に
支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されているド
ラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の点に
於いて解決されるべき問題がいくつかある。

従ってａ−８ｊ材料そのものの特性改良が計られる一方
で光受容部材を設計する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

〔発明の目的〕

本発明は、上述のごときａ−８ｉで構成された光受容層
を有する光受容部材における諸問題を解決することを目
的とするものである。

すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際
しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全くか又は殆んど観測されない、ａ−３ｉで構成
された光受容層を有する光受容部材を提供することにあ
る。

本発明の別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性及び高
電気的耐圧性を有する、ａ　−Ｓｊで構成された光受容
層を有する光受容部材を提供することにある。

本発明の更に別の目的は、支持体−４二に設けられる層
と支持体との間や積層される層の各層間に於ける密着性
に陵れ、構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高
い、ａ−３ｉで構成されン”ｌ光受容層を有する光受容
部拐を提供することにある。

本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材として適用
させた場合、静電像形成のだめの帯電処理の際の電荷保
持能力が充分であり、通常の電子写真法が極めて有効に
適用され得る優れた電子写真特性を有する、ａ−８ｊで
構成された光受容層を有する光受容部材を提供すること
にある。

本発明の更に他の目的は、長期の使用に於いて画像欠陥
や画像のｉＪＺケが全くなく、濃度が高く、・・−７１
・−ンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得
ることができるａ−８ｉで構成された光受容層を有する
電子写真用の光受容部材を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明は上述の目的を達成するものであって、電子写真
用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等に使用される
光受容部材としてのａ　　Ｓｊの製品成立性、適用性、
応用性等の事項を含めて総括的に鋭意細穴を続けた結果
、シリコン原子を母体とする非晶質材料、特にシリコン
原子を母体とし、水素原子（Ｈ）又は・・ロデン原子（
Ｘ）の少なくともいずれか一方を含有するアモルファス
材料、いわゆる水素化アモルファスシリコン、ハロゲン
化アモルファスシリコン、するいはハロゲン含有水素化
アモルファスシリコン〔以下、［−ａ　　Ｓｉ　（Ｈ，
Ｘ）　ｊと表記する。〕で構成される光受容層を有する
光受容部材の層構成を以下に記載する様な特定の二層構
成の下に設計されて作成された光受容部材が、実用上著
しく優れた特性を示すばかりでなく、従来の光受容部材
と比較してみてもあらゆる点において凌駕しており、特
に電子写真用の光受容部材として著しく優れた特性を有
しているという事実を見い出したことに基づいて完成せ
しめたものである。

即ち、本発明の光受容部材は、支持体と、該支持体上に
シリコン原子を母体とする非晶質材料で構成され光導電
性を有する第一の層と、シリコン原イを母体とし炭素原
子および伝導性を制御する物１６を含有する非晶質月相
で構成される第二の層とを積層してなる光受容層とから
なり、前記光受容層が、伝導性を制御する物質を前記第
一の層の全層域あるいは一部の層領域に不均一な分布状
態で含有し、さらに窒素原子を、少くとも、前記第一の
層の全層領域、その一部の層領域および前記第二の層領
域の中のいずれか一つに含有し、必要に応じさらに酸素
原子を、少くとも前記第一の層の全層領域、その一部の
層領域および前記第二の層の中の一つに含有することを
特做とするものである。

そして前記第一の層を構成するシリコン原子を母体とす
る非晶質材料として、特にシリコン原子（Ｓ］）を母体
とし水素原子（Ｘ）又はハロゲン原子ＣＸ）の少なくと
もいずれか一方を含有するアモルファス材料、即ち、ａ
−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）を用いる。また、前記第二の層を構
成するシリコン原子を母体とし、炭素原子（Ｃ）および
伝導性を制御する物質を含有する非晶質材料として、特
にシリコン原子（Ｓｌ）を母体とし、炭素原子（Ｃ）、
伝導性を制御する物質および水素原子（Ｉ（）又はノ・
ロゲン原子（Ｃ）の少なくともいずれか一方を含有する
アモルファス材料〔以下、「ａ　−Ｓｊ、ＣＭ（Ｈ，Ｘ
）１（但し、Ｍは伝導性を制御する物質を表わす。）と
表記する。〕を用いる。

前記の伝導性を制御する物質としては、半導体分野に於
ていう、いわゆる不純物を挙げることができ、Ｐ型伝導
性を与える周期律表第■族に属する原子（以下単に「第
１ＩＩ族原子」と称す。）。

又は、ｎ型伝導性を与える周期律表第Ｖ族に属する原子
（以下単に「第■族原子」と称す。）を用いる。具体的
には、第ｍ族原子としては、Ｂ（硼素）、Ａｌ　（アル
ミニウム）、Ｇａ　（ガリウム）、Ｉｎ　（インジウム
）、Ｔｌ（タリウム）等が挙げられるが、特に好“まし
くは、Ｂ、Ｇａを用いる。捷た、第Ｖ族原子としては、
Ｐ（燐）、Ａｓ　（砒素）、ｓｂ　（アンチモン）　、
Ｂｉ　（ビスマス）等が挙げられるが、特に好ましくは
、Ｐ、−１〇− Ａｓを用いる。そして、第一の層に含有せしめる伝導性
を制御する物質と、第一二の層に含有せ［、。

める伝導性を制御する物質とは、同じであっても、或い
は、異なっていてもよい。

ところで、本発明の光受容部材は、第一の層の全層領域
又ｉｄ一部の層領域に前記の伝導性を制御する物質であ
る第ｒｎ族原子又は第Ｖ族原子を不均一な分布状態で含
有するものであるが、第一の層に伝導性を制御する物質
を含有せしめることにより、第一の層の伝導型又は／及
び伝導率の制御、電荷阻止層の形成、第一の層と第二の
層との間の電荷の移送の向上、あるいは、帯電処理時に
おける見掛け」−の暗抵抗の増大等の作用効果を奏する
ものである。そして後に詳しく述べるように、伝導性を
制御する物質を含有せしめる第一の層の層領域が全層領
域であるか又は一部の層領域であるかあるいは第一の層
に含有せしめる伝導性を制御する物質の伝導型が第二の
層に含有せしめる伝導性を制御する物質の伝導型と同じ
であるか又は異なっているかによって、前述の奏される
作用効果は異なるものであり、目的および期待する作用
効果に応じて、伝導性を制御する物質を含有せしめる層
領域および伝導性を制御する物質の伝導型を適宜選択す
る必要がある。

また、本発明の光受容部材は第一の層の全層領域又は一
部の層領域および第二の層の全層領域の少なくともいず
れかに窒素原子を均−又は不均一な分布状態で含有する
ものであり、第一の層に窒素原子を含有せしめることに
より光受容部材の高光感度化と高暗抵抗化、および支持
体と第一の層の間又は第一の層と第二の層の間の密着性
の良化等の作用効果を奏するものである。そして、これ
らの作用効果についても、窒素原子を第一の層の全層領
域に含有せしめるか、又は第一の層の一部の層領域に含
有せしめるか、又は第二の層に含有せしめるか、あるい
は均一な分布状態で含有せしめるか又は不均一な分布状
態で含有せしめるかによって異なっているものであシ、
目的と期待する作用効果に応じて、窒素原子を含有せし
める層又は層領域および分布状態を適宜選択する必要が
ある。

本発明の光受容部材の第二の層は光受容部材の耐湿性、
連続繰返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特性、お
よび耐久性を向上させるために第一の層上に設けられる
ものであって、このことは第二の層に炭素原子を含有せ
しめることによシ達成できる。さらに、こうした第二の
層を第一の層上に設けると、残留電位の発生および帯電
処理時における静電荷的痕跡傷の発生等の問題を生ずる
場合が多々あるが、第二の層に前述の伝導性を制御する
物質である第１１Ｔ族原子又は第Ｖ族原子を含有せしめ
ることによりこうした問題の発生を未然に防止できる。

本発明の光受容部材の第一の層および第二の層には必要
に応じて水素原子（Ｘ）又は／及びハロゲン原子ＣＸ）
を含有せしめる。該・・ロゲン原子区）としては、具体
的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられるが、特
に好ましいものはフッ素および塩素である。そして、本
発明の第一の１３一 層および第二の層に含有せしめる水素原子（Ｈ）の量ま
たは・・ロゲン原子０りの量、あるいは水素原子とハロ
ゲン原子（Ｈ＋Ｘ）の量の和は、一般的には１．　Ｘ　
ＩＣ）”’〜４　ｘ　１０　ａｔｏｍ１ｃ％とするが、
好ましくは５　Ｘ　１０−２〜３　ｘ　１０　ａｔｏｍ
ｉｃ％、最適には１ｘ　１０−１１−２５　ａｔｏｍｉ
ｃ％とする。

以下、図面により本発明の光受容部材の具体的層構成に
ついてよシ詳しく説明する。

第１〜４図は本発明の光受容部材の層構成を説明するだ
めの模式図であり、各図において１００は光受容部材、
１０１は支持体、１．０２は第一の層、１０３は第二の
層、１．０４は自由表面、１０５〜１０９は層領域を示
す。

支持体 本発明に用いる支持体１０１は、導電性のものであって
も電気絶縁性のものであってもよい。

導電性支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス
、　ｉ、　Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ａｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　
Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ。

Ｐｂ　等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ボー］４− リエチレン、ポリカーボネ−１・、セルロースアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィル
ム又はシート、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる
。これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともそ
の一方の表面を導電処理し、該導電処理された表面側に
光受容層を設けるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、Ｎｉ、Ｃｒ。

Ａｌ、　Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ａｕ、　工ｒ、　Ｎｂ、　Ｔ
ａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｃｌ。

Ｉｎ２Ｏ３，５ｎ０２　、　ＩＴＯ（Ｉｎ、２０３　＋
　５ｎ０２　）等から成る薄膜を設けることによって導
電性を付与し、或いはポリエステルフィルム等の合成樹
脂フィルムであれば、Ｎｊ、Ｃｒ、　Ａｌ、　Ａｇ、　
Ｐｂ、　Ｚｎ、　Ｎｊ、、　Ａｕ、　Ｃｒ。

Ｍｏ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ
等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、ス・Ｑツ
タリング等でその表面に設け、又は前記金属でその表向
をラミネート処理して、その表面に導電性を付与する。

支持体の形状は、円筒状、ベルト状、板状等任意の形状
が使用可能である。用途、所望によって、その形状は適
宜に決めることのできるものであるが、例えば、電子写
真用像形成部材として１吏用するのであれば、連続高速
複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望
ましい。支持体の厚さは、所望通りの光受容部材を形成
しうる様に適宜決定するが、光受容部材として可撓性が
要求される場合には、支持体としての機能を充分発揮し
うる範囲内で可能な限り薄くすることができる。しかし
ながら、支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の
点から、通常は、１０μ以上にされる。

第一の層 第−の層１０２は、前記支持体１．０１上に設けるもの
であって、伝導性を制御する物質である第■族原子又は
第Ｖ族原子、および必要に応じて窒素原子あるいはさら
に酸素原子を含有するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成されて
いる。そして、第■族原子又は第Ｖ族原子は該層１０２
の全層領域又は一部の層領域に不均一な分布状・態で分
布しておシ、窒素原子は該層１０２の全層領域又は一部
の層領域に均−又は不均一な分布状態で分布しているも
のである。ここで均一な分布状態とは、含有せしめる原
子の分布濃度が、第一の層の支持体表面と平行な面方向
および第一の層の層厚方向の両方において均一であるこ
とをいい、不均一な分布状態とは、含有せしめる原子の
分布濃度が、第一の層の支持体表面と平行な面方向にお
いては均一であるが、第一の層の層厚方向においては不
均一であることをいう。

本発明の第一の層に伝導性を制御する物質である第■族
原子又は第Ｖ族原子を含有せしめることによって奏され
る作用効果は、後述するごとく、該原子の分布状態によ
って、あるいは、第一の層に含有せしめる７４１Ｈ族原
子又は第Ｖ族原子の伝導型が、第二の層に含有せしめる
第■族原子又は第Ｖ族原子の伝導型と同じであるか又は
異なっているかによって異なるものである。

したがって、目的に応じた所望の特性を有する光受容部
材を得るためには、第■■族原子又は第Ｖ族原子を不均
一な分布状態で含有せしめる層領域を全層領域とするか
又は一部の層領域とするか、また、第■族原子又は第■
族原子の伝導型を第二の層のものと同じにするか、又は
異なるものとするかを適宜選択する必要がある。さらに
、第一の層に含有せしめる第■族原子又ｔよ第Ｖ族原子
の量も、期待する作用効果に応じて異なることから、目
的に応じた所望の特性を有する光受容部材を得るために
は、第一の層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子
の量についても適宜選択する必要がある。

即ち、第一の層の全層領域に第■族原子又は第Ｖ族原子
を含有せしめる場合には、第一の層の伝導性及び／又は
伝導率を制御するという作用効果を奏する。そしてこの
場合、第一の層領域に含有せしめる第■族原子又は第■
族原子の量は比較的少量でよく、通常はＩ　Ｘ　１０−
”〜Ｊ×１０”　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとするが、好ま
しくは５　Ｘ　１０””’〜５　Ｘ　１０”　ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｍ　、最適にはＩＸ］０−１−２Ｘ　１０”
　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとするのが望ましい。又、この
場合、第一の層に含有せしめる伝導性を制御−］８− する物質の伝導型は、後述する第１．の層に含有せしめ
るものの伝導型と同じであっても、あるいは異なってい
てもよい。

また、第一の層について、支持体と接する側において第
ｎ［族原子又は第Ｖ族原子の會有量が比較的多量となり
、第二の層と接する側において第ｒ［Ｉ族原子又は第■
族原子の含有軍が比較的少量と々るかあるいは実質的に
ゼロに近くなるようにした場合、第１ＴＩ族原子又Ｕ：
第＼ｌ族原子を比較的多量に含有する層領域１でよって
電荷１明止層が形成されるという作用効果を奏する。こ
の場合、第一の層に含有せしめる第１ＴＩ族原子又は第
Ｖ族原子の量は比較的多量であって、通常は３　Ｘ　］
Ｏ＝　５　Ｘ　］０４ａｔｏｍｉ、ｃ　ｐｐｍとするが
、好１しくは５　ｘ　１０−１　ｘ　４０’　ａｔ；ｏ
ｍｊ、ｃ　ｐｐｍ　、最適にけ［Ｘ　１ｃ）２〜５　ｘ
　１０′３ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとする。

次に第一の層に含有せし、める第１ＩＩ族原子又は第Ｖ
族原子の量が、支持体側においては比較的多量であって
、支持体側から第二の層との界面に向って減少し、第二
の層との界面付近においては、比較的少量となるかある
いは実質的にピロて近くなるように、第１１１族原子又
は第■族原子を分布させる場合の典型的例のいくつかを
、第５図乃至第１３図によって説明するが、本発明はこ
れらの例１（よって限定されるものではない。

各図において、横軸は第１Ｉ＋族原子又は第■族原子の
分布濃度Ｃを、縦’ｉＱｂは第一の層１０２の層厚を示
し、ｔＢは支持体１０１側と第一の層との界面位置を、
ｔＴは第二の層１０３と第一の層との界面位置を示す。

第５図（性、第一の層中に含有せしめる第用族原子又は
第■族原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例を示し
ている。該例では、第１Ｈ族原子又は第＼ｌ族原子を含
有する第一の層と支持体表面とが接する界面位置ｔＢま
り位１Ｉｆｔ、、までは、第１ＴＩ族原子又は第Ｖ族原
子の分布濃）ｇ；　Ｃが０１なる一定値をとり、位置ｔ
Ｔより第一の層が第二の層と接する界面位置性までは、
第■族原子又は第Ｖ族原子の分布（濃度Ｃが濃度Ｃ３か
ら連続的に減少し、界面位ｉｃｉ　ｔＴにおいては第１
■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度ＣがＣ３となる。

第６図は、他の典型例の１つを示している。

該例では、第一の層に含有ぜしめる第１ＴＩ族原子又は
第Ｖ族原子の分布濃度Ｃは、位Ｋ　ｋ、ｓから位置１Ｔ
にいたる丑で、濃度Ｃ４から連続的に減少し、位置ｔＴ
において濃度Ｃ５となる。

第７図に示す例では、位置ｔＢ、から位置Ｌ２までは第
■族原子又は第■族原子の分布濃度Ｃが濃度Ｃ６なる一
定値を保ち、位置ｔ２から位置ｔ７にいたるまでは、第
１ＴＩ族原子又は第■族原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ，か
ら徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいては第■族原
子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。

但し、ここで実質的にゼロとは、検出限界量未満の場合
をいう。

第８図に示す例では、第ｍ族原子又は第Ｖ族原子の分布
濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴにいたるまで、濃度Ｃ８
から連続的に徐々に減少し、位置ｔＴ　　においては第
■族原子又は第Ｖ族原子の分布４度Ｃは実質的にゼロと
なる。

第９図に示す例では、第■族原子又は第■族原子の分布
濃度Ｃば、位置ｔＢより位置ｔ３の間においては濃度Ｃ
９の一定値にあり、位置ｔ３から位置ｔＴの間において
は、濃度Ｃ９から濃度Ｃ１，Ｏとなるまで、−次間数的
に減少する。

第１０図に示す例では、第１Ｈ族原子又は第Ｖ族原子の
分布濃度Ｃは、位置ｔＢより立置ｔ４にいたるまでは濃
度Ｃ１□の一定値にあり、位置ｔ４より位置ｔ／ｒまで
は濃度Ｃ１２から濃度Ｃ１３となるまで一次関数的に減
少する。

第１１図に示す例においては、第１Ｈ族原子又は第Ｖ族
原子の分布濃度Ｃば、位置ｔＢから位置性にいたるまで
、濃度Ｃ□４から実質的にゼロとなるまで一次関数的に
減少する。

第１２図に示す例では、第■族原子又は第Ｖ族原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢから位置ｔ５にいたるまで濃度Ｃ
工。から濃度Ｃ１６となる寸で一次関数的に減少し、位
置ｔ５から位置ｔ／ｒまでは濃度Ｃ１６の一定値を保つ
。

最後に、第１３図に示す例では、第■族原子又は第Ｖ族
原子の分布濃度Ｃは、位置ｔＢＫ訃いて濃度Ｃ］、７で
あシ、位置ｔ、３から位置す、６丑で（ｌま濃度Ｃ１□
からはじめはゆっくり減少して、位置ｔ６付近では急激
に減少し、位ｆ＃　ｔ、３では濃度Ｃ１，ｅ　となる。

次に、位置ｔ６から位置ｔヮ゛までははじめのうち（は
急激に減少し、その後は；暖かに徐々に減少し、位置ｔ
７においては濃度Ｃ１−９となる。更に位置しヮと位置
ｔ８の間では極めてゆっくりと徐々に減少し、位置ｔ８
において濃度Ｃ３゜となる。捷た更に、位置ｔ８から位
置ち、にいたるまでは、濃度Ｃｐ、ｏから実質的にゼロ
となるまで徐々に減少する。

第５図〜第１３図に示した例のごとく、第一の層の支持
体側に近い側に第ｎｒ族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度
Ｃの高い部分を有し、第一の層の第二の層との界面側に
おいては、該分布濃度Ｃがかなり低い濃度の部分あるい
は実質的にゼロに近い濃度の部分を有する場合において
は、支持体側に近い部分に第■族原子又は第■族原子の
分布濃度が比較的高濃度である局在領域を設けること、
好ましくは該局在領域Ａを支持体表面と接触する界面位
１置から５μ以内に設けること（てより、第１１Ｔ　疾
京子又は第Ｖ涙腺その分布濃度が高濃度である層領域が
電荷注入阻止層を形成するという前述の作用効果がより
一層効率的に奏される。

廿だ、上述の場合とは逆に、第一の層の第二の層と接す
る側において伝導性を制御する物質であるところの第１
Ｉｒ族原子又は第ｙ族原子が肚較的多量となるように含
有せしめる場合、第一の層と第二の層に含有せしめる伝
導性を制御する物質の伝導型が同じであれば、第一の層
と第二の層の間のエネルギーレベル的整合性を向上せし
め、両層間での電荷の移送を高めるという作用効果が奏
され、この作用効果は第二の層の層厚が厚く、暗抵抗が
高い場合に特に顕著である。

さらに、第一の層の第二の層と接する側において比較的
多量となるように伝導性を制御する物質である第■族原
子又は第Ｖ族原子を含有せしめる場合において、第一の
層と第二の層に含有せしめる伝導性を制御する物質の伝
導型が異なっていれば、該多量に含有せしめた層領域は
積極的に第一の層と第二の層の接合部となり、帯電処理
時における見掛は上の暗抵抗の増大をはかるという作用
効果が奏される。

いずれの場合にも、第一の層の第二の層と接する側にお
いて第１ＩＩ族原子又は第Ｖ疾原子を比較的多量となる
ように含有せしめる場合の、第１ＩＩ族原子又は第■族
原子の第一一の層における分布状態の典型例のいくつか
は、前述の第５図〜第１３図によシ示した典型例の層厚
方向を逆にしたものすなわち、ｔＩ３を第二の層１０３
と第一の層１０２との界面位置とし、１．Ｔを支持体と
第一の層の界面位置としたものによって、同様に説明さ
れる。そして、第二の層と接する側において、第■族原
子又は第■族原子を比較的多量に含有せしめる場合は、
その量は比較的わずかな景でよく、通常は１　ｘ　ＩＦ
”　〜１　ｘ　１０”　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとするが
、好゛ましく　ｕ　５　Ｘ　ＩＯ−２〜５　Ｘ　］０２
ａｔｏｍｉｃｐｐｍ　、最適にはＩＸ］０””〜２　Ｘ
　１０２ａｔ○ｍｉｃ　ｐｐｍとするのが望ましい。

以上、第■族原子又は第Ｖ族原子の分布状態について、
個々に各々の作用効果を記述しだが、所望の目的を達成
しうる特性を有する光受容部材を得るについては、これ
らの第Ｔｌ１Ｉ族原子又ｄ：第Ｖ族原子の分布状態およ
び第一の層に含有せしめる第ｎｌ族原子又は第Ｖ族原子
の量を、必要に応じて適宜組み合わせて用いるものであ
ることは、いうまでもない。

本発明の光受容部材は第一の層に窒素原子を含有せしめ
ることにより、第一の層の光感度および暗抵抗が増大し
、さらに、支持体と第一の層又は第一の層と第二の層の
密着性が良化するものである。

第一の層の窒素原子を含有せしめる層領域は、第一の層
の全層領域であってもよく、また、一部の層領域であっ
てもよい。さらに、該層領域における窒素原子の分布状
態は、均一であってもよく、また、不均一であってもよ
い。そして、後述するごとく、窒素原子を含有せしめる
層領域が全層領域であるか又は一部の層領域であるかに
より、あるいは窒素原子の該領域における分布状態が均
一であるか不均一であるかによって、奏されるところの
作用効果は異なるものである。したがって、所望の目的
、および期待する作用効果を効率的に達成しうる光受容
部材を得るためには、窒素原子を含有せしめる層領域お
よび分布状態を適宜選択する必要がある。さらに、第一
の層に含有せしめる窒素原子の量も、目的とする作用効
果に応じて異なるものであることから、所望の目的・作
用効果を奏する光受容部材を得るためには、第一の層に
含有せしめる窒素原子の量についても適宜選択する必要
がある。

即ち、第１図において模式的に示すごとく、第一の層の
全層領域に窒素原子を含有せしめる場合、第一の層の光
感度および暗抵抗を増大させるという効果が奏される。

この場合、第一の層に含有せしめる窒素原子の量は、高
光感度を維持するために、比較的少量とする。

捷だ、第２（９）において模式的に示すごとく、第一の
層の支持体と接する一部の層領域１ｏ５１ｆ（窒素原子
を均一な分布状態で含有せしめるが、あるいは第一の層
の支持体と接する側で窒素原子の分布濃度が比較的高く
なるように窒素原子を含有せしめる場合には、支持体１
０１と第一の層の密着性が良化するという作用効果が奏
される。さらに、第３図において模式的に示すごとく、
第一の層の第二の層と接する一部の層領域１．０６に窒
素原子を均一・な分布状態で含有せしめるか、あるいは
第一の層の第二の層と接する側で窒素原子の分布濃度が
比較的高くなるように窒素原子を含有せしめる場合には
、第一の層と第二の層の密着性が良化するという作用効
果が奏さする。更にまた、第一の層と第二の層の密着性
を良化させるという作用効果は後に述べるところの第二
の層に窒素原子を均一な分布状態で含有せしめることに
よっても達成しうるものである。

第一の層の支持体側゛ま／こは第一の層の第二の層と筬
する側において窒素原子が比較的多量となるよう１ｃ不
均一に分布せしめるについては、先に記述した第■族原
子又は第Ｖ後原子を不均一に分布せしめる場合と同様で
あり、その典型的な例は第５図乃至第１３図に示されて
いるが、本発明においてはそれらの例に限定されるもの
ではない。

そして、支持体と第一の層、又は第一の層と第二の層の
密着性の良化を図って窒素原子を含有せしめる場合、第
一の層に含有せしめる窒素原子の量は、密着性を確実と
するために比較的多量とするのが好ましい。

さらに、前述のごとく本発明においては窒素原子を第一
の層の支持体と接する側において比較的高濃度に含有せ
しめることによυ支持体と第一の層の密着性を向上せし
めることが可能となるが、この場合、窒素原子を高濃度
で含有せしめた局在領域を有するようにすると、より一
層密着性の向上を図ることができる。この様な局在領域
は第５図乃至第１１図に示す記号を用い＝２９− て記載すれば、界面位ｉｔ　ｔ）３より５μ以内に設け
ることが望ましく、このような局在領域は窒素原子を含
有する一部の層領域１０５の全部であってもよく、また
、一部の層領域のさらに一部であってもよい。

以上、窒素原子の分布状態について各々にその作用効果
を記載したが、本発明の光受容部材において、これらの
作用効果の２つ以上を同時に奏するようにするためには
、窒素原子を含有せしめる層領域および窒素原子の分布
状態を適宜組み合わせて用いることはいうまでもない。

例えば、支持体と第一の層との間の密着性の良化および
第一の層の光感度と暗抵抗の向上の双方を達成しうるよ
うにするためには、第一の層の支持体側において比較的
高濃度となるように窒素原子を分布せしめ、その他の層
領域においては比較的低濃度となるように窒素原子を分
布せしめればよい。

本発明において第一の層に含有せしめる窒素原子の量は
第一の層内体に要求される特性、あるいは支持体又は第
二の層と接する一部の層領域に含有せしめる、場合にお
いては隣接する層又は支持体の特性との関係等、相”１
的且っ有機的関連性を考慮して決定され、通常はＩ　Ｘ
　１１０””〜５０　ａｔｏｍｉｃ％とするが、よシ好
ましくは２×１ｏづ〜４．Ｏａもｏｒｎｉｃ％、最適に
は３　ｘ　１０−”　−３０ａｔｏｍｉｃ　％とする。

また、窒素原子を第一の層の全層領域に含有せしめるか
、あるいは窒素原子を含有する一部の層領域の第一の層
に占める割合が充分に大きい場合には、窒素原子の量の
上限は、前記の値より充分小さくすることが望ましい。

例えば窒素原子を含有する一部の層領域の層厚が、第一
の層の層厚の５分の２以上となるような場合には、該一
部の層領域に含有せしめる窒素原子の量の」−眼は、通
常：（Ｏａｔｏｍｉｃ％とするが、より好ましくは２０
ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０　ａｔｏｍｉｃ係以下と
する。

さらに、窒素原子を高濃度に含有する局在領域を形成す
る場合、窒素原子の層厚方向の分布状態として、窒素原
子の分布濃度の最大値ｃｒｎａｘが通常５　ｘ　ｔ０２
ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以」−１より好捷しくは８　Ｘ　
１０２１０２ａｔｏ　ｐｐｍ以上、最適には］　Ｘ　］
Ｏ″ａｔｏｍｉｃ　Ｉｌｌ’）ｍ以」−となるような分
布状態を形成することが望ましい。

本発明においては、第一の層中に窒素原子を含有せしめ
ることにより、前述のごとき効果を得るものであるが、
これらの効果を更に一層助長させる目的で、前述の窒素
原子に加えて更に酸素原子を第一の層に含有せしめるこ
とができる。寸だ、本発明の窒素原子は、第二の層に含
有せしめてもよいことは前述のとおシであるが、この場
合にも同じ目的で酸素原子を更に含有せしめることがで
きる。酸素原子を含有せしめるにあたシ、その分布状態
や含有量等は窒素原子の場合と同様であって、即ち、高
光感度化及び高暗抵抗化を主たる目的とする場合には、
第一の層の全層領域に含有せしめ、その量は比較的少量
であり、捷だ支持体と第一の層又は第一の層と第二の層
との密着性の向上を主たる目的とする場合には、先に示
した第２図や第３図に示すように、第一の層の一部の層
領域に均一あるいは不均一な分布状態で、比較的多量に
含有せしめる。そして、窒素原子と酸素原子の含有せし
める層領域、含有量、あるいはそれらの原子の分布状態
は、同じであってもよく、あるいは異々つていてもよい
。

本発明の第一の層には、以上の説明のごとく、第ｒｎ族
原子又は第Ｖ族原子、窒素原子及び／又は酸素原子を含
有せしめるものであるが、これらの各々の原子は、本発
明において目的とする所望の特性を効率的に得るように
、各原子の含有量および各原子の分布状態を適宜選択し
て用いるものであって、各々の原子を含有せしめる層領
域は互いに異なっていてもよく、あるいは異なっていて
もよく、さらには互いに一部が重なシ合っていてもよい
。以下、第４図にその１例を示すが、該例によって本発
明が限定されることはない。第４図に示す例でなよ、第
一の層が支持体側より、層領域１０７、層領域］、、０
８、層領域１０９を形成するものであって、層領域１０
７　ｉｄ第■族原子又は第Ｖ族原子を高濃度に含有し、
さらに窒素原子を含有しているものとし、層領域１．０
８には第１ＴＩ族原子又は第■族原子を低濃度に含有し
、さらに窒素原子を含有しているものとする。そして、
層領域１０９は第１ＴＩ族原子又は第■族原子および窒
素原子のいずれも含有しないものとする。

第一の層１０２の層厚は、本発明の目的を効率的に達成
するだめの重要な要因の１つであり、所望の目的に応じ
て適宜決定するものである。

壕だ、第一の層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原
子、窒素原子、酸素原子、および水素原子又は／及びハ
ロゲン原子の量、あるいは第・−の層と第二の層相互の
層厚等の関係において、要求される特性に応じて、相互
的かつ有機的関連性の下に決定する必要もある。更に、
生産性や量産性をも加味した経済性の点においても充分
に考慮する必要がある。こうしたことから第一の層の層
厚は通常は１〜Ｉ　Ｘ　１０”μとするが、好ましくは
１〜８０μ、最適には２〜５０μとする−３４＝ のが望せしい。

本発明の光受容部材の第二の層１０３は、ａ−８ｉｃ（
ｒ］、ｘ）で構成され、該層の全層領１戊に伝導性を制
御する物質を不均一な分布状態で含有しているものであ
って、耐湿性、連続繰返し使用特性、電気的耐圧性、使
用環境特注、および耐久性等を向」ニさせる目的で、第
一の層上に設けられる。そしてこの目的は、第二の層を
構成するアモルファス材料に炭素原子を構造的に導入せ
しめることにより達成できろ。第二の層に炭素原子を構
造的に導入する場合、炭素原子の量の増加に伴って、＾
１■述の特性は向上するが、炭素原子の量が多すぎると
層品質が低下し、電気的および機械的特性も低下する。

こうしたことから、炭素原子の含有−罐は通常は、ｌＸ
ｌ０−３〜９０　ａｔｏｍｉｃ　％とし、好捷しくは］
〜９０　ａ、ｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜８０　ａｔ
ｏｍｉｃ％とする。

さらに、連続繰返し使用特性および耐久性の向−ヒのた
めには、第二の層の層厚を厚くすることが好丑しいが、
層厚が厚くなると残留電位の発生原因となる。そうした
残留電位の発生は、第二の層に伝導性を制御する物質、
即ち、第■族原子又は第■族原子を含崩せしめることに
より防止するかあるいは実質的な影響がｋい程度に抑止
することができる。捷だ、通常の場合のこの種の第二の
層は、機械的耐久性には優れているが、先端が鋭角なも
ので該層の表面を慴擦したり、あるいは押圧したりする
と１表面にいわゆる傷として残らないにしても、帯電処
理時には静電荷的痕跡傷となって現われ、トナー転写画
像の画像品質の低下をきだしてし１う場合が多々ある。

こうしだＪ場合にも、第二の層に前述の伝導性を制御す
る物質を含有せしめることにより、そうした問題の発生
を未然に防Ｉ」二できる。したがって、第二の層に伝導
性を制御する物質であるところの第■族原子又は第■族
原了を含有せしめることは、本発明の目的を達成し得る
所望の特性を有する第二の層を形成するについて重要で
ある。そして、第二の層に含有せしめる第■族原子又は
第Ｖ族原子の量は、通常は１．０〜１０４１０４ａｔｏ
　ｐｐｍとするが、好捷シクけ１０〜５　Ｘ　３０”　
ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、最適には１０”〜５　Ｘ　１
０”ａ　ｔｏｍｊ、　ｃ　ｐｐｍとするのが望ましい。

本発明の光受容部材の第二の層１０３には、第一の層１
０２と第二の層１０３との間の密着性を良化するため、
窒素原子あるいは酸素原子を該層１０３の全層領域に均
一な分布状態で含有せしめることもでき、特に、第一の
層１０２が少くとも窒素原子を、そして寸だ酸素原子を
も含有しない場合には、第二の層１０３に少くとも窒素
原子を、そして、必要に応じて酸素原子を含有せしめる
。そして、第二の層１０３１４含有せしめる窒素原子あ
るいは酸素原子の量は、通常はｌＸｌ０−”〜５０　ａ
ｔｏｍｊ、ｃ％とするが、より好ましくは２Ｘ１．０−
”〜４０　ａ　ｔ、ｏｍｉｃ　％、最適にば３　Ｘ　１
０−”　〜３０ａｔｏｍｉｃ％とする。

第二の層１０３１は、所望通りの特性が得られるように
注意深く形成する心安がある。即ち、シリコン原子、炭
素原子、水素原子及び／又はハロゲン原子、および第ｍ
族原子又は第■族原子を構成原子とする物質は、各構成
原子の含有量やその他の作成条件によって、形態は結晶
状態から非晶質状態捷でをとり、電気的物性は導電性か
ら、半導電性、絶縁性までを、さらに光電的性質は光導
電的性質から非光導電的性質寸でを、各々示すため、目
的に応じた所望の特性を有する第二の層１０３を形成し
うるように、各構成原子の含有量や作成条件等を選ぶこ
とが重要である。

例えば、第二の層１０３を電気的耐圧性の向上を主たる
目的として設ける場合には、第二の層１０３を構成する
非晶質材料は、使用条件下において電気絶縁的挙動の顕
著なものとして形成する。又、第二の層１０３を連続繰
返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる目的として
設ける場合には、第二の層１０３を構成する非晶質材料
は、前述の電気的絶縁性の度合はある程度緩和するが、
照射する光に対しである程度の感度を有するものとして
形成する。

捷だ、本発明において、第二の層の層厚も本発明の目的
を効率的に達成するための重要な要因の１つであり、所
期０目的に応じて適宜法５−１ｌさ庇るものであるが、
該層に言付せしめる第１１１族原子、第Ｖ族原子、炭素
原子、ハロゲン原子、水素原子の量、あるいは第二の層
に要求される特性に応じて相互的かつ有機的１ハ連（体
の下に決定する必要がある。更に、生産性や量）そ性を
も加味（−７こ経済性の点においても考慮する必要もあ
る。とうしたことから、第１−の層の層）ワは通常は３
　Ｘ　Ｔｏ　”〜３０μとするが、より好捷しくは４、
　Ｘ　１０””’〜２０μ、特に好−ましくは５Ｘ１０
−”〜１０１１とする。

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルファスンリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、極
めて浸れた電気的、光学的、光導電的７侍性、電気的耐
圧性及び使用環境特性を示す。特に、電子写真用像形成
部材として適用した場合には、画像形成への残留ｆｈ。

位の影響が全くなく、その′電気的特性が安定しており
高感度で、高ＳＮ比を有するものであって、耐光疲労、
繰返１７使用！持性に優れ、濃度が高く、ノ・−フト一
ンが鮮明に出て、且つ１弄１象度の高い、高品質の画像
を安定して繰返し得ることができる。

父、本発明の光受容Ｆｅ１ｔ　４４は支持体上に形成さ
れろ光受容層が、層自体が強靭であって、かつ支持体と
の密着性に著しく優れているため、高速で長時間遠；読
的に繰返し使用することが出来る。

次に本発明の光受容層の形成力法について説明する。

本発明の光受容層を構成する非晶質材料はいずれもグロ
ー放電法、ス・Ｑツタリング法、或いはイオンゾ″レー
ティング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって
行われる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下
の負荷程度、製造規模、作製される光受容部材に所望さ
れろ特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが
、所望の特性を有する光受容部材を製造するに当っての
条件の制御が比較的容易であ炒、／リコン原モと共に炭
素原子及び水素原子の導入を容易に行い得る等のことか
らして、グロー放電法或いはス・ξツタリング法が好適
である。

ソシテ、グロー放電法とス・ｇツタリング法とを同一装
置系内で併用して形成してもよい。

例えば、グロー放電法によって、ａ　−ｓ］、（■］、
ｘ）で構成される層を形成するには、基本的にはシリコ
ン原子（Ｓｌ）を供給し得るＳ］供給用の原料ガスと共
に、水素原子（■（）導入用の又は／及び・・ロデン原
子区）導入用の原木」力スを、内部が減圧にし得る堆積
室内に導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、
予め所定位置に設置した所定の支持体表面上にａ−８ｊ
、（Ｈ，χ）から成る層を形成する。

必要に応じて層中に含有ぜしめるノ・ロゲン原子（Ｘ）
としては、具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙
げられるが、殊にフッ素、塩素が好ましい。

前記Ｓ］供給用の原料ガスとしては、ＳｉＨ４，。

−４１〜 Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３Ｈｓ、　５ｉ４Ｈ１ｏ　等のガス状
態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン類）が挙げら
れ、殊に、層作成作業のし易さ、Ｓ］供給効率の良さ等
の点で５ｉＨａ、　５ｉ２Ｈａ　が好ましい。

前記水素原子供給用の県別ガスとしては、Ｈ２ガスＨＣ
ｅ、　ＨＦ、　ＨＢｒ、　ＨＩ等の／％０ゲン化物、５
ＩＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、５１３Ｉ（Ｂ　、　５ｉ４Ｈ１ｏ
　　等の前記水素化硅素、あるいはＳコＨ２Ｆ’２．　
Ｓ　ＩＨルＳｊ、Ｈ２Ｃ／！２．　Ｓｊ、ＨＣｌ３゜Ｓ
　１Ｈ２Ｂｒ２　、５ｉＨＢｒ３等の／Ｎ　ｌ’ｌｌｌ
デン置換水素化硅素等のガス状態の又はガス化しうるも
のを用いることができ、これ等の原料ガスを用いた場合
には、電気的あるいは光電的特性の制御という点−ｃ極
めて有効であるところの水素原子の含有量の制御を容易
にできるため有効である。さらに・・ロゲン化水素又は
・・ロゲン置換水素化硅素を用いた場合には、水素原子
の導入とともに）・ロゲン原子も導入されるので有効で
ある。

捷だ、前記ノ・ロゲン原子導入用の原料ガスとしては、
多くのノ・ロデン化合物が挙げられ、例ｔ　ハ／・ロデ
ンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間−４，２− 化合物、・・ロデンで置換されたシラン誘導体等のガス
状態の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましい。具
体的には、ハロゲン化合物としては、フッ素、塩素、臭
素、ヨウ素の・・ロデンガス、ＢｒＦ、　ＣｌＦ、　Ｃ
ｌＦ３．　ＢｒＦ５．　ＢｒＦ３．　ＩＦ３．　ＩＦ５
゜ＩＣｌ、　ＩＢｒ　等のハロゲン間化合物を挙げるこ
とができ、ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロ
ゲン原子で置換された／ラン誘導体としては、Ｓｊ、Ｆ
、　、　Ｓｉ２Ｆ６．５ｉＣ１４，５ｉＢｒ、　　等の
ハＤデン化硅素が好ましいものとして挙げられる。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を使用してグロ
ー放電法により形成する場合には、Ｓｌを供給し得る原
料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、所定
の支持体」二にハロゲン原子を含むａ−８ｉから成る層
を形成する事ができる。・・ロデン原子導入用の原料ガ
スとして前記のハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅
素化合物が有効なものとして使用できるが、これ等の他
に、ＨＦ、　ＨＣｌ、　ＨＢｒ、　Ｈ工　　等のハロゲ
ン化水素、ＳｉＨ２Ｆ２．５ｉＨ２Ｉ２．５ｉＨ２Ｃ１
２，５ｉＨＣ１３゜５ｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３　等
の／％０ゲン置換水素化硅素、等々のガス状態の或いは
ガス化し得る、水素原子を構成要素の１つとする・・ロ
ゲン化物も有効な出発物質として挙げる事ができる。

これ等の水素原子を含むノ・ロゲン化物は、層形成の際
に層中にハロゲン原子の導入と同時に電気的或いは光電
的特性の制御に極めて有効な水素原子も導入しうるので
、好適々・・ロデン原子導入用の原料として使用できる
。

グロー放電法を用いて、ノ・ロゲン原子を含む層を形成
する場合、基本的には、Ｓ１供給用の原料ガスであるノ
・ロデン化硅素ガスとＡｒ、　Ｈｅ　　等のガス等を所
定の混合比とガス流量になる様にして堆積室に導入し、
グロー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を
形成することによって、所定の支持体上に層を形成し得
るものであるが、水素原子の導入を計る為にこれ等のガ
スに更に水素原子を含む硅素化合物のガスも所定量混合
してもよい。

又、各ガスは単独様のみで々く所定の混合比で複数種混
合して使用してもよい。

反応スパッタリング法或いはイオンシレーティング法に
依ってａ　　Ｓ　１（Ｈ＋　Ｘ　）から成る層を形成す
るには、例えばスノξツタリング法の場合にはＳｌから
成るターデッドを使用して、これを所定のガスプラズマ
雰囲気中でス・ξツタリングし、イオンブレーティング
法の場合には、多結晶シリコン又は単結晶シリコンを蒸
発源として蒸着ボートに収容し、このシリコン蒸発源を
抵抗加熱法、或いは工ｌ／クトロンビーム法（ＦＢ法）
等によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガスプラズ
マ雰囲気中を通過させる事で行うことができる。

その際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合でも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るについては、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲ
ン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該
ガスのプラズマ雰囲気を形成してやればよい。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２或いは前記したシラン類等のガス
をス・Ｑツタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプ
ラズマ雰囲気を形成してやればよい。具体的には例えば
、反応ス・ξツタリング法の場合（では、Ｓ１ターゲツ
トを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及びＨ２ガスを
必要に応じてＨｅ、　Ａｒ　　等の不活性ガスも含めて
堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記Ｓ１
ターゲツトをスパッタリングすることによって、支持体
上にａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成する。

グロー放電法、スノξツタリング法あるいはイオンブレ
ーティング法を用いてａ−８１（Ｔ（、ｘ）にゲルマニ
ウム原子、第■族原子又は第Ｖ族原子、窒素原子あるい
はさらに酸素原子、水素原子又は／及びハロゲン原子、
あるいは炭素原子を含有せしめた非晶質材料で構成され
る層を形成するには、前述のａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構
成される層形成の際に、ゲルマニウム原子、第■族原子
又は第■族原子、水素原子又は／及びハロゲ−４６＝ ン原子、炭素原子導入用の出発物質をａ−８ｊ（Ｈ、Ｘ
　）形成用の出発物質と共に使用し、形成する層中への
それぞれの量を制御しながら行なう。

例えばグロー放電法によって第ｒｎ族原子又は第Ｖ族原
子を含有するａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から構成される層又は
層領域を形成するには、前述のａ−８ｊ（Ｈ，Ｘ）形成
用の原料ガスと、第■族原子又は第■族原子導入用の原
料ガスと、必要に応じてＨｅガス、へｒガス等の稀釈ガ
スとを所定量の混合比で混合して、支持体１０１の設置
しである真空堆積用の堆積室に導入し、導入されたガス
をグロー放電を生起させることでガスプラズマ化して前
記支持体１０１上に第■族原子又は第■族原子を含有す
るａ−３ｊ（Ｈ，Ｘ）を堆’Ａｆｔさせればよい。

そのような第■族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質
としては第■族原子又は第Ｖ族原子を構成原子とするガ
ス状態の物質又はガス化しうる物質をガス化したもので
あれば、いずれのものであってもよい。

本発明において第ｍ族原子導入用の出発物質として有効
に使用されるものとしては、具体的には硼素原子導入用
として、Ｂ２Ｈ６＋　Ｂ４Ｈ１０、、Ｈ５Ｎ９　。

Ｂ５Ｈ１１、Ｂ６Ｈ１ｏ　、　Ｂ６Ｈ１２、Ｂ６丁工□
４等の水素化硼素、ＢＦ２　、　ＢＣ１１？３．　ＢＢ
ｒ３　等の／’１０ゲン化硼素等を挙げることができる
が、この他１．ａ、ｌｃｅ、、　、　ＧａＣｌ３　。

ＩｎＣｌ３　、　ＴｌＣ／ｌ！３等も挙げることができ
る。

本発明において第Ｖ族原子導入用の出発物質として有効
に使用されるのは、具体的には燐原子導入用としては、
ＰＨ３、Ｐ２Ｈ４等の水素比隣、ＰＨ，Ｉ、　ＰＦ３．
　ＰＦ５．　ｐＣｌ、、、　ｐｃｌ、　ＰＢｒ３．　Ｐ
Ｂｒ３．　ＰＩ３゜等の・・ロゲン化燐が挙げられる。

この他、ＡＳＨ３＋ＡＳＦ３．　Ａｓｃ１３．　ＡｓＢ
ｒａ、　ＡＳＦ５．５ｌ）Ｎ３．　ＳｂＦ３．　ＳｂＦ
５゜５ｂｃ１３．５ｂＣ１５，ＢｉＨ３、ＢｉＣｌ３　
、　Ｂ１Ｂｒ３等も挙げることができる。

また、例えば窒素原子を含有する層又は層領域を形成す
るには、窒素原子導入用の出発物質を、前述のａ−３ｉ
　（Ｈ，Ｘ）で構成される層形成用の出発物質とともに
使用して、形成される層又は層領域中にその量を制御し
ながら含有せしめる。

即ち、窒素原子を含有する層又（は層領域をグロー放電
法を用いて形成するには、前述のａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で
構成される層をグロー放電法により形成する際に用いる
出発物質の中から所望に従って適宜選択したものに、窒
素原子導入用の出発物質が加えられる。例えばシリコン
原子（Ｓ〕）を構成原子とする原料ガスと、窒素原子（
トＪ）を構成原子とする原料ガスと、必要に応じて水素
原子（Ｉ−Ｔ）又は及び・・ロゲン原子（Ｘ）を構成原
子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用する
か、又は、シリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料
ガスと、窒素原子（Ｎ）及び水素原子（１］）を構成原
子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合す
るかして使用することができる。

又、別には、シリコン原子（Ｓｌ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに窒素原子（Ｎ）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用してもよい。

その様な窒素原子導入用の出発物質としては、少なくと
も窒素原子を構成原子とするガス状の物質又はガス化し
得る物質をガス化したものであれば、いずれのものであ
ってもよい。　　　′窒素原子導入用の出発物質として
は、具体的には、窒素原子を構成原子とするかあるいは
窒素原子と水素原子を構成原子とする、窒素（Ｎ２）、
アンモニア（ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＩ（２）
、アジ化水素（ＨＮ３　）、アジ化アンモニウム（ＮＨ
４Ｎ３　）等の窒素、窒化物及びアジ化物等の窒素化合
物を挙げることができる。この他に、三弗化窒素（Ｎ３
Ｎ）、四弗化窒素（Ｈ４Ｎ２　）等の・・ロデン化窒素
化合物を挙げることができ、これらのハロゲン化窒素化
合物を用いる場合、窒素原子（ト■）の導入に加えて、
ハロゲン原子（Ｘ）導入もできる。

本発明に於いては、前述のよう罠、窒素原子を含有せし
めることにより得られる効果を更に助長させる為に、窒
素原子に加えて、更に酸素原子を含有せしめることがで
きるが、酸素原子を含有せしめるだめの酸素原子導入用
の原料ガスとしては、例えば酸素（０２）、オゾン（Ｏ
３）、−酸化窒素（Ｎｏ　）、二酸化窒素（ＮＯ２）、
−二酸化窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２Ｏ３）、
四Ｊ酸化窒素（Ｎ２Ｏ４）、三二酸化窒素（Ｎ２Ｏ５）
　、二酸化窒素（ＮＯ３）、／リコン原子（ｓｌ）と酸
素原子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例
えば、ジシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ８ＩＨ３）、トリンロ
キザン（ｌ１３ＳｉＯ８ｊ、ｌＴ２ＯＳｉＨ３）　　等
の低級シロキサン等を挙げることができる。

ス・ξツタリング法によって、窒素原子を含有する層領
域を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｌウェーハー
又はＳｉ３Ｎ４ウェーハー、又はｓｌとＳ　ｊ　３　Ｎ
４が混合されて含有されているウェーハーをターゲット
とじて、これ等を種々のガス雰囲気中でス・ξツタリン
ダすることによって行えばよい。

例えば、Ｓｌウェーハーをターデッドとして使用すれば
、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、ス・Ｑツタ用の堆積室中に導入し、これ等
のガスのガスプラズマを形成して］前記Ｓｌウェーハー
をスパッタリングすればよい。

又、別には、ＳｌとＳｌ・（Ｎ４とは別々のターゲット
とじて、又はＳｌと８１・３Ｎ４の混合した一枚のター
ゲットを使用することによって、ス・Ｑツタ用のガスと
しての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（
Ｉ（）又は／及び・・ロゲン原子（Ｘ）を構成原子とし
て含有するガス雰囲気中でス・Ｑツタリングすることに
よって成される。窒素原子導入用の原料ガスとしては、
先述したグロー放電の例で示した原料ガスの中の窒素原
子導入用の原料ガスが、ス・ξツタリングの場合にも有
効なガスとして使用できる。

スパッタリング法によって、酸素原子を含有する層を形
成するには、単結晶又は多結晶の８］ウエーハー又はＳ
１０．ウエーノ・−１又はＳｌとＳ１０゜が混合されて
含有されているウェーハーをターゲットとして、これ等
を種々のガス雰囲気中でス・ｑツタリングすることによ
って行えばよい。

例えば、Ｓ１ウエーハーをターゲットとじて使用すれば
、酸素原子と必要むて応じて水素原子又１ｄ、／及びハ
ロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀
釈ガスで稀釈して、ス・Ｑツタ用の堆積室中に導入し、
これ等のツｒスのガスプラズマを形成して前記Ｓ］ラウ
ェ−・−をス・Ｑツタリングすればよい。

父、別には、Ｓｌと５ｉ０２とは別々のター２ツトとし
て、又はＳｌとＳｉＣ，の混合した一つのターゲットを
使用することによって、ス・々ツタ用のガスとしての稀
釈ガスの雰囲気中で又（は少なくとも水素原子（■］）
又は／及びノ・ロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有
するガス雰囲気中でス・Ｑツタリングすることによって
成される。酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述し
たグロー放電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入
用の原料ガスが、スパッタリングの場合すても有効なガ
スとして使用できる。

例えば、第二の層は第■族原子又は第Ｖ族原子を含有す
るａ　　Ｓ　Ｉｃ　（Ｈ＋　Ｘ　）　Ｃ以下、ａ−Ｓｉ
ＣＭ（Ｈ，Ｘ）（但し、Ｍは第１ＴＩ族原子又は第■族
原子を表わす。）と表記する。〕で構成されるものであ
るが、グロー放電法によって第二の層を形成するには、
ａ　−ＳＩＣＭ　（Ｉ−■、ｘ）形成用の原料ガスを、
必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混合して、支
持体１旧の設置しである真空堆積用の堆積室に導入し、
導入されたガスをグロー放電を生起させることでガスプ
ラズマ化して前記支持体」二に既に形成されである第一
の層上にａ−ＳｉＣＭ　（Ｈ、Ｘ）を堆積させればよい
。

ａ−ＳｉＣＭ　（Ｈ、Ｘ）形成用の原料ガスとしては、
Ｓｌ、　Ｃ，Ｈ及び／又はノ・ロゲン原子、及び第１Ｉ
族原子又は第Ｖ族原子の中の少々くとも一つを構成原子
とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化した
ものであれば、いずれのものであってもよい。

ｓｉ、　Ｃ，Ｈ及び／又はハロゲン原子、第１Ｉ族原子
又は第■族原子の中の１つとしてＳｌを構成原子とする
原料ガスを使用する場合は、例えば＝５４− Ｓ」を構成原子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする
原石ガスと、■（及び／又は・・ロデン原子を構成原子
とする原料ガスと第１１’ｌ族原子又は第Ｖ族原子を構
成原子とする原石ガスを所望の混合比で混合して使用す
るか、又は、Ｓｌｅ構成原子とする原料ガスと、Ｃ及び
Ｉ」及び／又はハロゲン原子を構成原子とする原石ガス
と、第ｒｎ族原子又は第Ｖ族原子を構成原子とする原石
ガスとを、これも又所望の混合比で混合するか、或いは
、Ｓｌを構成原子とする原料ガスと、Ｓｉ、Ｃ及びＨ及
び／又はハロゲン原子の３つを構成原子とする原石ガス
と第１■族原子又は第Ｖ族原子を構成原子とする原料ガ
スとを混合して使用することができる。

又、別には、ＳｊとＨ及び／又はハロゲン原子とを構成
原子とする原ポ」ガスにＣを構成原子とする原石ガスと
第■族原子又は第Ｖ族原子を構成原子とする原料ガスと
を混合して使用してもよい。

＆　−Ｓｉ、Ｃ（Ｈ，Ｘ）で構成される層形成用の原石
ガスとして有効に使用されるのは、ＳｌとＨとを構成原
子とするＳｊ、Ｈ４，Ｓｊ、ｚＨ６，Ｓｊ、ａＨｓ　ｒ
　５ｊ４Ｈユ。

等のシラン（５ｉｌａ、ｎｅ　）類等の水素化硅素ガス
、ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭素数１〜４の飽
和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素
数２〜３のアセチレン系炭化水素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素として１ｄ、メタン（ＣＨ４
）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロ・ぐン（Ｃ３Ｈ８）　、
’。

ｎ−ブタン（ｎ−Ｃ４Ｈ１ｏ）、はシラン（Ｃ５Ｈ１２
）、エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ２Ｈ４
）、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン−’　（Ｃ４Ｈ８
）、ブチ７−２（Ｃ４Ｈ８）、イソブチｌ／７　（Ｃ，
Ｈｌ（）、ペンテン（Ｃ３Ｈ□。）、アセチレン系炭化
水素としてウ ハ、アセチレン（Ｃ２■（２）、メチルアセメレン（ｃ
ｓ工（１，）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）等が挙げられる。

ＳｌとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、Ｓ
ｊ、（ＣＨ３）、、　５ｉ（０２Ｈ５）４等のケイ化ア
ルキルを挙げることができる。これ等の原料ガスの他、
Ｈ導入用の原料ガスとしては勿論Ｈ２も使用できる。

第ＴＩＴ族原子導入用の出発物質として具体的には硼素
原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６、Ｂ４Ｈ］、０　、　Ｂ
５Ｈ９。

Ｂ５Ｈ１ｌ　、　Ｂ６Ｈｔｏ　１Ｂ６Ｈ１２、Ｂ６Ｈ１
４等の水素化硼素、ＢＦ３　、　ＢＣｌ３．　ＢＢｒ３
　等のノ・ロゲン化硼素等が挙げられる。この他、ＡＩ
ＪＣ１３，ＧａＣ６３，Ｇａ（ＣＨｓ）２゜ＩｎＣ１，
、、ＴｌＣ１１３等も挙げることができる。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、具体的には燐原子
導入用としては、ＰＨ３、Ｐ２　Ｈ４等の水素比隣、Ｐ
Ｈ４Ｉ、　ＰＦ３．　ＰＦ５．　ＰＣ，ｌ？３．　ＰＣ
ｌ５．　ｐＢｒ３゜ＰＢｒ３．　ＰＩ３等の・・ロゲン
比隣が挙げられる。この他、ＡｓＨ３，ＡｓＦ３．　Ａ
ｓＣｌ３．　ＡｓＢｒ３．　ＡｓＦ５．　ＳｂＨ３゜Ｓ
ｂＦ３．　ｓｂｐ’５．　ｓｂｃ’１３．５ｂｃｘａ、
　ＢｉＨ３，ＢｉＣｌ３．　Ｂ１Ｂｒ３等も第Ｖ族原子
導入用の出発物質の有効なものとして挙げることができ
る。

スノξツタリング法によってａ−ｓｉ、ｃｕ（Ｈ，ｘ）
で構成される第二の層を形成する１（は、単結晶又は多
結晶のＳ１ウエーハー又はＣ（グラファイト）ウェーハ
ー、又はＳｌとＣが混合されて含有されているウェーハ
ーをターゲットとして、これ等を所望のガス雰囲気中で
ス・Ｑツタリングすることによって行う。

例えばＳ１ウエーハーをターゲットとして使用する場合
には、炭素原子、第■族原子又は第Ｖ族原子、および水
素原子又は／及び・・ロゲン原子を導入するための原料
ガスを、必要に応じてＡｒ、　Ｈｅ　　等の稀釈ガスで
稀釈して、スノ々ツタ用の堆積室内（で導入し、これ等
のガスのガスプラズマを形成してＳ１ウエーハーをスパ
ッタＩＪ　７グすればよい。

又、ＳｌとＣとは別々のターゲットとするか、あるいは
ＳｌとＣの混合した１枚のターデッドとして使用する場
合には、スパッタ用のガスとして第ｒｎ族原子又は第Ｖ
族原子、および水素原子又は／及びハロゲン原子導入用
の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスで稀釈して、ス・
Ｑツタ用の堆積室内に導入し、ガスプラズマを形成して
スノＱツタリングすればよい。

該ス・Ｑツタリング法に用いる各原子の導入用の原石ガ
スとしては、前述のグロー放電法に用いる原料ガスがそ
のｉｔ使用できる。

以上記述したように、本発明の光受容部材の光受容層の
第一の層および第二の層は、グロー放電法、ス・ξツタ
リング法等を用いて形成するが、第一の層および第二の
層に含有せしめる第１Ｉ族原子又は第Ｖ族原子、窒素原
子あるいはさらに酸素原子、炭素原子、あるいは水素原
子及び／又はハロゲン原子の各々の含有量の制御は、堆
積室内へ流入する、各々の原子供給用出発物質のガス流
量あるいは各々の原子供給用出発物質間のガス流量比を
制御することによし行われる。

また、第一の層および第二の層形成時の支持体温度、堆
積室内のガス圧、放電・ｇワー等の条件は、所望の特性
を有する光受容部材を得るためには重要な要因であシ、
形成する層の機能に考慮をはらって適宜選択されるもの
である。さらに、これらの層形成条件は、第一の層およ
び第二の層に含有せしめる上記の各原子の種類及び量に
よっても異なることもあることから、含有せしめる原子
の種類あるいはその量等にも考慮をはらって決定する必
要もある、。

具体的には、ａ　　５１（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成す
る場合、あるいは第１１Ｉ族原子又は第■族原子、窒素
原子又はさらに窒素原子、および、炭素原子等を含有せ
しめたＢ−ｓｉ　（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成する場合
には、支持体温度は、通常５０〜３５００（１；とする
が、特（（好捷しくは５０〜２５０°Ｃとする。堆積室
内のガス圧は、通常０．０１〜ＩＴｏｒｒとするが、特
に好捷しくは０．１〜０．５Ｔｏｒｒとする。また、放
電］ξワーは０．００５〜５０Ｗ／ｃｍ”とするのが通
常であるが、よす好捷しくけ０．０１〜３０　ｗ／Ｃｒ
ｎ２．特に好ましくは０．０１〜２０Ｗ／Ｃｒｎ２とす
る。

しかし、これらの、層形成を行うについての支持体温度
、放電パワー、堆積室内のガス圧の具体的条件は、通常
には個々に独立しては容易には決め難いものである。し
たがって、所望の特性の非晶質材料層を形成すべく、相
互的且つ有機的関連性に基づいて、層形成の至適条件を
決めるのが望ましい。

ところで、本発明において第一の層中に含有せしめる窒
素原子又は酸素原子あるいは第二の層中に含有せしめる
第ｍ族原子又は第■族原子、および炭素原子の分布状態
を均一とするためには、第一の層および第二の層を形成
するに際して、前記の諸条件を一定に保つことが必要で
ある。

本発明において、第一の層の形成の際に、該層中に含有
せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子、あるいは窒素原子
及び／又は酸素原子の分布濃度を層厚方向に変化させて
所望の層厚方向の分布状態を有する第一の層を形成する
には、グロー放電法を用いる場合であれば、第■族原子
又は第Ｖ族原子導入用、あるいは窒素原子及び／又は酸
素原子導入用の出発物質のガスの堆積室内に導入する際
のガス流量を、所望の変化率曲線に従って適宜変化させ
、その他の条件を一定に保ちつつ形成する。ガス流量を
変化させるには、具体的には、例えば手動あるいは外部
駆動モータ等の通常用いられている何らかの方法によバ
ガス流路系の途中に設けられた所定のニードルバルブの
開口を漸次変化させる操作ヲ＜ｉえば良い。このとき、
流量の変化率は線型である必要はなく、例えばマイコン
等を用いて、あらかじめ設計された変化率曲線に従って
流量を制御し、所望の含有率曲線を得ることもできる。

まだ、第一の層をス・Ｑツタリング法を用いて形成する
場合、第■Ｉ族原子又は第Ｖ族原子あるいは窒素原子又
は酸素原子の層厚方向の分布濃度を層厚方向で変化させ
て所望の層厚方向の分布状態を形成するには、グロー放
電法を用いた場合と同様に、第■族原子又は第■族原子
導入用あるいは窒素原子又は酸素原子導入用の出発物質
をガス状態で使用腰該ガスを堆積室内へ導入する際のガ
ス流量を所望に従って変化させる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例１乃至１１に従って、よシ詳細に
説明するが、本発明はこれ等によって限定されるもので
はない。

各実施例においては、第一の層および第二の層をグロー
放電法を用いて形成した。第１４図はグロー放電法によ
る本発明の光受容部材の製造装置である。

図中の２０２．２０３．２０４．、２０５．２０６　（
ＤｊＩＸボンベには、本発明の夫々の層を形成するだめ
の原料ガスが密封されており、その１例として、たとえ
ば、２０２はＨｅで稀釈されたＳｉＨ，ガス（純度９９
．９９９％、以下Ｓ　ＩＨ４／　Ｈｅと略す）ボンベ、
２０３はＨｅで稀釈されたＰＨ，ガス（純度９９．９９
９係、以下ＰＨ３／Ｈｅと略す。）ボンベ、２０４はＨ
ｅで稀釈されたＢ２Ｈ６ガス（純度９９．９９９％、以
下Ｂ、Ｈ６／Ｈｅト略ス。）ホンへ、２０５　ｕ　Ｃ２
Ｈ４ガス（純度９９．９９９係）ボンベ、２０６はｌ（
ｅで稀釈したＮＨ３ガス（純度９９．９９９％、以下Ｎ
Ｈ３／Ｈｅと略す。）ボンベである。

形成される層中にハロゲン原子を導入する場合１ては、
Ｓ　］、Ｈ４ガスに代えて、例えば、Ｓ　ｊ、Ｆ、ガス
を用いる様にボンベを代えレバよい。

これらのガスを反応室２０１に流入させるにはガスボン
ベ２０２〜２０６の、・バルブ２２２〜２２６、リーク
バルブ２３５が閉じられていることを確認し又、流入バ
ルブ２１２〜２１６、流出ノζルブ２１７〜２２１、補
助バルブ２３２．２３３　　が開かれていることを確認
して、先ずメインバルブ２３４を開いて反応室２０１、
ガス配管内を排気する。次に真空計２３６の読みが約５
　Ｘ　１．０−６Ｔｏｒｒになった時点で、補助六ルブ
２３２．２３３　　、流出バルブ２１７〜２２１を閉じ
る。

基体シリンダー２３７上に第一の層１０２を形成する場
合の１例をあげる。ガスボンベ２０２よシＳｉＨ４／Ｈ
ｅガス、ガスボンベ２０４よりＢ２Ｈａ／Ｈｅガス、ガ
スボンベ２０６よＩ）　ＮＨ３／　Ｈｅ　ガスの夫々を
バルブ２２２．２２４．２２６を開いて出口圧ゲージ２
２７、２２９．２３１の圧を１ｋｇ／ｃｒｆＬ２に調整
し、流入バルブ２１２．２１４．２１６を徐々に開けて
、マス７、ロコントローラ２０７．２０９．２１１内に
流入させる。

引き続いて流出、２ルプ２１７．２１９．２２１、補助
バルブ２３２．２３３　　を徐々に開いてガスを反応室
２０１内に流入させる。このときのＳ　ｉ　Ｈ４／　Ｈ
ｅガス流量、Ｂ２　Ｈａ　／　Ｈｅガス流量、ＮＨ３／
　Ｈｅガス流量の比が所望の値になるように流出バルブ
２１７．２１９゜２２１を調整し、又、反応室２０１内
の圧力が所望の値になるように真空計２３６の読みを見
ながらメインバルブ２３４の開口を調整する。そして基
体シリンダー２３７の温度が加熱ヒーター２３８によシ
５０〜４００°Ｃの範囲の温度に設定されていることを
確認された後、電源２４０を所望の電力に設定して反応
室２０１内にグロー放電を生起せしめるとともに、マイ
クロコンピュータ−（図示せず）を用いて、あらかじめ
設計された変化率線に従って、Ｂ２　Ｈ６／　Ｈｅガス
流量、Ｎ■（３／　Ｈｅ　ガス流量、ＳｉＨ，／Ｈｅガ
ス流量の比を制御しながら、基体シリンダー２３７上に
先ず、硼素原子と窒素原子とを含有する層領域を形成す
る。

次に所定時間経過後、Ｂ２Ｈ６／　Ｈｅガス及びＮＴ（
３／Ｈｅガスの反応室２旧内への導入を各対応するガス
導入管の、６ルブを閉じて遮断し、引き続きグロー放電
を所定時間続けることによって、硼素原子及び窒素原子
を含有しない層を形成せしめる。

第一の層中にハロゲン原子を含有せしめる場合に（ｄ、
上記のガスに例えばＳ　ｉ　Ｆ４　／　Ｈｅガスを更に
付加して反応室に送り込めばよい。

上記の様な操作によって、基体シリンダー２３７上に形
成された第一　の層上に第二の層を形成するには、第一
の層の形成の際と同様なバルブ操作によって、例えば、
ＳｉＨ４ガス、０２Ｈ，ガス、ＰＨ３ガスの夫々を、必
要に応じてＨｅ等の稀釈ガスで稀釈して、所望の流量比
で反応室２０］中に流し、所望の条件に従って、グロー
放電を生起させることによって成される。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バルブ以外の
流出バルブは全て閉じることは言う捷でもなく、又夫々
の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
２旧内、流出バルブ２１７〜２２１から反応室２０１内
に至るガス配管内に残留することを避けるために、必要
に応じて流出バルブ２１７〜２２１を閉じ補助７ミルプ
２３２゜２３３を開いてメインバルブ２３４を全開して
系内６６一 を一旦高真空に排気する操作を行う。

又、第二の層の層形成を行っている間は層形−成の均一
化を図るため基体シリンダー２３７は、モータ２３９に
よって所望される速度で一定に回転させる。

実施例Ｉ 第１４図に示した製造装置を用いて、第１表に示す層形
成条件に従って、通常の方法で洗浄したドラム状アルミ
ニウム基体」−に層形成を行なった。この際、Ｂ２Ｈ６
／　Ｓ　ＩＨ４のガス流量比の変化は、予め設計した第
八図に示す流量叱変化線に従って、マイクロコンピュー
タ−制御により、自動的に調整した。

こうして得られた電子写真用のドラム状光受容部材を、
実験用に改造したキャノン製高速複写機に設置１７、ギ
ヤノン製テストチャートを原稿として、画像形成プロセ
ス条件（光源はタングステンランプを使用）を適宜選択
し、複写テストを行なったところ、解像力に優れた高品
質の画像を得ることができた。

実施例２ 第２表に示す層形成条件に従って、Ｂ２Ｈ６／ｓｉ　Ｈ
４ガス流量比およびＮＨ５／ＳｉＨ４ガス流量比を各々
第８図および第Ｃ図に示す流量比変化線に従って制御し
／（以外は実施例１と同様にして電子写真用のドラム状
光受容部利を得、実施例］と同様の複写テ′７．１・を
行々ったところ、解像力に優れた高品質の画像を得るこ
とができた。

実施例３ 第３表に示す層形成条件に従って、Ｂ２Ｈ，／Ｓｉ■（
。

ガス流ｍ゛比およびＮＨ３／　ＦＩｉＨ４ガス流量比を
各々第３図および第Ｃ図に示す流量比変化線に従って制
御した以外は実施例１と同様にして電子写真用のドラム
状光受容部材を得、実施例１と同様の複写テストを行な
ったところ、解像力に優れた高品質の画像を得ることが
できた。

実施例４ 第４表に示す層形成条件に従って、Ｂ２Ｈ６／ＳｉＨ４
ガス流量比を第り図に示す流量比変化線に従って制御し
た以外は実施例１と同様にして電子写真用のドラム状光
受容部制を得、実施例１と同様の接写テストを行なった
ところ、解像力に優れた高品質の画像を得ることができ
だ。

実施例５ 第５表に示す層形成条件に従って、Ｂ２　Ｈ６／Ｓ　Ｉ
　Ｈａガス流量比を第四図に示す流量比変化線に従って
制御した以外は実施例１と同様にして電子写真用のドラ
ム状光受容部材を得、実施例］と同様の複写テス］・を
行なったところ、解像力に優れた高品質の画像を得るこ
とができた。

実施例６ 第６表に示す層形成条件に従って、ＮＨ３／ｓｊ　Ｈ４
ガス流量比およびＢ２　Ｈ６／Ｓ　ｉ　］’（４ガス流
量比を各々第Ｃ図および第２図に示す流量比変化線に従
って制御した以外は実施例１と同様にして電子写真用の
ドラム状光受容部材を得、実施例１と同様の複写テスト
を行なったところ、解像力に優れた高品質の画像を得る
ことができだ。

実施例７ 第７表に示す層形成条件に従って、Ｂ２Ｈ６／５ＩＨ４
ガス流量比を第八図に示す流量比変化線に従って制御し
た以外は実施例１と同様にして電子写真用のドラム状光
受容部材を得、実施例１と同様の複写テストを行なった
ととる、解像力に優れた高品質の画像を得ることができ
だ。

実施例８ 第８表に示す層形成条件に従って、Ｂ２Ｈａ／ＳｉＨ４
ガス流量比を第八図に示す流量比変化線に従って制御１
〜だ以外は実施例１と同様にして電子写真用のドラム状
光受容部材を得、実施例１と同様の覆写テストを行なっ
たところ、解像力に優れた高品質の画像を得ることがで
きだ。

実施例９ 第１表に於ける、第二の層（川の形成の際に、その層厚
を第９表に示す如く種々変化させた以外は、実施例１と
同様の手順と略々同様の条件で各光受容部材（試料Ｎｏ
、９０１〜９０７）を作成し、各々に実施例１と同様の
画像形成プロセスを適用して評価を行彦ったところ第９
表に示す結果を得た。

７・／ ７″ 実施例】Ｏ 第１表に於ける、第二の層（ＴＴ）の形成の際にガス流
量比Ｃ２Ｈ，／ＳｉＨ４の値を第１．０表に示す値とし
だ以外は、実施例１と同様の手順と略同様の条件で各光
受容部材（試料Ｎｏ、１００１〜１００７　）を作成し
、実施例１と同様の評価を行なったところ、各々に於い
て中間調の再現性が良く、高品質の画像を得ることがで
きた。

又、繰返し連続使用による耐久性試験に於いでも、初期
の画像品質に比べても何等遜色のない品質の画像を得る
ことができ、耐久性にも優れていることが実証された。

実施例１１ 第１１表に示す層形成条件に従って、Ｂ２Ｈ６／Ｓｉ　
Ｈ４ガス流量比およびＮＯ／ＳｉＨ，ガス流量を各々第
Ｂ図および第Ｃ図に示す流量比変化線に従って制御１〜
た以夕）は実施例１と同様にして電子写真用のドラム状
光受容部材を得、実施例１と同様の複写テス］・を行々
つたところ、解像力に優れた高品質の画像を得ることが
できた。

〔発明の効果の概略〕

本発明では、ａ−Ｂｉで構成された光受容層を有する光
受容部材を」１記のごとき層構成をとる様に設計した結
果、従来のａ−８ｉで構成された光受容層を有する光受
容部材の諸問題の全てを解決し、極めて優れた電気的、
光学的、光導電的特性、電気的耐圧性および使用環境特
性を示す。特に、電子写真用像形成部材として璃用させ
た場合には、画像形成への残留電位の影響が全くなく、
その電気的特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有
するものであって、耐光疲労、繰返ｌ〜使用特性に長け
、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度
の高い、高品質の画像を安定して繰返し得ることができ
る。

また、本発明の光受容部材は支持体上に形成される光受
容層の、層自体が強靭であって、かつ支持体との密着性
に著しく優れているため、高速で長時間連続的に繰返し
使用することができる。

【図面の簡単な説明】

第１〜４図は本発明の光受容部材の層構造を模式的に示
した図であり、第５〜１３図は本発明の光受容部材の第
一の層における第■族原子又は第■族原子および窒素原
子の層厚方向の分布濃度を示す図であυ、縦軸は層厚ｔ
を示し、横軸は分布濃度Ｃを表わす。さらに、第１４図
は本発明の光受容部材を製造するだめの装置の一例で、
グロー放電法を用いた製造装置の模式的説明図であり、
第Ａ　−Ｆ図は本発明の層形成中のガス流量比変化の状
態を表わす図である。 １００−光受容部材、１０１・・・支持体、１０２・・
・第一の層、１０３・・・第二の層、１０４・・自由表
面、１０５〜１０９・・・層領域、２０１・・反応室、
２０２〜２０６・・・ガスボンベ、２０７〜２１１・・
・マスフロコンｌ−ローラ、２１２〜２１６・・・流入
ノよルブ、２１７〜２２１・・・流出パルプ、２２２〜
２２６・・・ノζルプ、２２７〜２３１・・・圧力調整
器、２３２．２３３・・・補助ｄ　、Ｉｌｙプ、２３４
・・・メインノミルフ、２３５・・・リークノミルフ、
２３６・・・真空計、２３７・・・基体シリンダー、２
３８・・・加熱ヒーター、２３９・・・モーター、２４
０・・・高周波電源第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第１１図 □Ｃ □−−〇 第１３図、。 “１゜ □ Ａｒ２（’ｌ　　　（’＋。１ｍ＋７ Ｌ！１泄３ 岬　冊　３ 第Ｃ図 第り図 ガス流量比ｘ　Ｉ／Ｉｏｏｏ。 第Ｅ図 ”′流量比Ｘ／４Ｑｏ。 第Ｆ図 ガス流量比ＸＶ′４゜ｏ。 手続補正１□（方式） 昭和６０年８月２９日 特許庁長官　宇　賀　道　部　殿 １、事件の表示 昭和６０年特許願第９７９６４号 ２、発明の名称 光受容部・材 ３、補正をする者 事件との関係　　　　特許出願人 住　所　　東京都太田区下丸子３丁目３０番２号名称　
（１００）　ギヤノン株式会社 ４、代理人 住　所　　東京都千代田区麹町３丁目１２番地６麹町グ
リーンビル ５　補正命令の日付 ６　補正のす・１象 明細書の図面の簡単な説明の欄及び図面７、補正の内容 ４、図面の簡単な説明 明細書９０頁１０行の「第Ａ〜Ｆ図」の記載を「第１５
〜２０図」と訂正する。 ■１図　面 別添の図面に赤字で訂正したとおりに、第Ａ図〜第Ｆ図
の図番号を第１５図〜第２０図と訂正する。 以上 一暫３ 弾　醋　３ 第ｅ図 ””　”　”　ａ　ｔ　ｋｆｓ　％　Ａ。 第５Ｄ図 カス流量比ｘ　７．。。。。 ガス流量比Ｘ１／４ｏＯ０

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体と、該支持体上に、シリコン原子を母体と
   する非晶質材料で構成され光導電性を有する第一の層と
   、シリコン原子を母体とし炭素原子および伝導性を制御
   する物質を含有する非晶質材料で構成される第二の層と
   を積層してなる光受容層とからなり、前記光受容層が、
   伝導性を制御する物質を前記第一の層の全層領域、また
   はその一部の層領域に不均一な分布状態で含有し、さら
   に、窒素原子を、少くとも、前記第一の層の全層領域、
   その一部の層領域および前記第二の層の中のいずれか一
   つに含有していることを特徴とする光受容部材。
2. （２）第一の層が、さらに酸素原子を、少くとも、前記
   第一の層の全層領域、その一部の層領域および前記第二
   の層の中のいずれか一つに含有していることを特徴とす
   る特許請求の範囲第（１）項に記載された光受容部材。