JPS59204049A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある光導電部材に関する。

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）
／暗電流（Ｉｄ））が高く、照射する電磁波のスペクト
ル特性にマッチングした吸収スペクトル特性を有するこ
と、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、使
用時において人体に対して無公害であること、更には固
体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に処理
することができること等の特性が要求される。殊に、事
務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に組込
まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使用時
における無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ−Ｓｉと表記す）があり
、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２８
５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として、独
国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取装置へ
の応用が記載されている。

而乍ら、従来のａ−Ｓｉで構成された光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値，光感度，光応答性等の電気的
，光学的，光導電的特性、及び耐湿性等の使用環境特性
の点、更には経時的安定性の点において、結合的な特性
向上を計る必要があるという更に改良される可き点が存
するのが実状である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度，高暗抵抗化を同時に計ろうとすると、従来におい
ては、その使用時において残留電位が残る場合が度々観
測され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し続け
ると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が生
ずる所謂ゴースト現象を発する様になる、或いは高速で
繰返し使用すると応答性が次第に低下する等の不都合な
点が生ずる場合が少なくなかった。

更には、ａ−Ｓｉは可視光領域の短波長側に較べて長波
長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比較的
小さく、現在実用化されている半導体レーザとのマッチ
ングに於いて、通常使用されているハロゲンランプや蛍
光灯を光源とする場合、長波長側の光を有効に使用し得
ていないという点に於いて、夫々改良される余地が残っ
ている。

又、別には、照射される光が光導電層中に於いて、充分
吸収されずに支持体に到達する光の量が多くなると、支
持体自体が光導電層を透過して来る光に対する反射率が
高い場合には、光導電層内に於いて多重反射による干渉
が起って画像の「ボケ」が生ずる一要因となる。

この影響は、解像度を上げる為に、照射スポットを小さ
くする程大きくなり、殊に半導体レーザを光源とする場
合には大きな問題となっている。

更に、ａ−Ｓｉ材料で光導電層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素原子
或いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び電気
伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或いはその
他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子として
光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有の
仕方如何によっては、形成した層の電気的或いは光導電
的特性や電気的耐圧性に問題が生ずる場合がある。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
とや暗部において、支持体側よりの電荷の注入の阻止が
充分でないこと、或いは、転写紙に転写された画像に俗
に「白ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破壊現象による
と思われる画像欠陥や、例えば、クリーニングに、ブレ
ードを用いるとその摩擦によると思われる、俗に「白ス
ジ」といわれている所謂画像欠陥が生じたりしていた。

又、多湿雰囲気中で使用したり、或いは多湿雰囲気中に
長時間放置した直後に使用すると俗にいう画像のボケが
生ずる場合が少なくなかった。

更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の真空堆積
室より取り出した後、空気中での放置時間の経過と共に
、支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に亀裂が
生ずる等の現象を引起し勝ちであった。この現象は、殊
に支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されている
ドラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の点
に於いて解決される可き点がある。

従ってａ−Ｓｉ材料そのものの特性改良が計られる一方
で光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−Ｓｉに
就て電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、ａ−
Ｓｉ、殊にシリコン原子を母体とし、水素原子（Ｈ）又
はハロゲン原子（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含有
するアモルファス材料、所謂水素化アモルファスシリコ
ン，ハロゲン化アモルファスシリコン、或いはハロゲン
含有水素化アモルファスシリコン〔以後これ等の総称的
表記として「ａ−Ｓｉ（Ｈ、Ｘ）」を使用する〕から構
成される光導電性を示す光受容層を有する光導電部材の
構成を以後に説明される様な特定化の下に設計されて作
成された光導電部材は実用上著しく優れた特性を示すば
かりでなく、従来の光導電部材と較べてみてもあらゆる
点において凌駕していること、殊に電子写真用の光導電
部材として著しく優れた特性を有していること及び長波
長側に於ける吸収スペクトル特性に優れていることを見
出した点に基いている。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であり
、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提供す
ることを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマッチングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い光導電
部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に、静電像形成の為の帯電処理の際の電荷保
持能が充分あり、且つ多湿雰囲気中でもその特性の低下
か殆んど観測されない優れた電子写真特性を有する光導
電部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が容
易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することであ
る。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、高ＳＮ比
特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を有する光
導電部材を提供することでもある。

本発明の更に他の目的は、長期の使用に於いて画像欠陥
や画像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得ることが
容易にできる電子写真用の光導電部材を提供することで
ある。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体とＧｅｘ
Ｓｉ１−ｘ（０．９５＜ｘ≦１）を含む非晶質材料で構
成された第１の層領域とシリコン原子を含む非晶質材料
で構成され、光導電性を示す第２の層領域とシリコン原
子と炭素原子とを含む非晶質材料で構成された第３の層
領域とが前記支持体側より順に設けられた層構成の光受
容層とを有し、前記第１の層領域中に於けるゲルマニウ
ム原子の分布状態が膜厚方向に不均一であって、前記光
受容層中には酸素原子が含有されている事を特徴とする
。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的，光学的，光導電的特性，電気的耐圧性
及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

又、本発明の光導電部材は支持体上に形成される光受容
層が、層自体が強靭であって、且つ支持体との密着性に
著しく優れており、高速で長時間連続的に繰返し使用す
ることができる。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマッチングに優れ、且
つ光応答か速い。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て詳細に
説明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、光受容層１０２を有し、該光受
容層１０２は自由表面１０５を一方の端面に有している
。光受容層１０２は支持体１０１側よりＧｅｘＳｉ１−
ｘ（０．９５＜ｘ≦１）を含む非晶質材料（以下「ａ−
ＧｅｘＳｉ１−ｘ（Ｈ，Ｘ）」と記載）で構成された第
１の層領域（Ｇ）１０３とａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れ、光導電性を有する第２の層領域（Ｓ）１０４とシリ
コン原子と炭素原子とを含む非晶質材料で構成された第
３の層領域（Ｍ）１０６とが順に積層された層構造を有
する。第１の層領域（Ｇ）１０３中に含有されるゲルマ
ニウム原子は、該第１の層領域（Ｇ）１０３に於いて、
その層厚方向には連続的であって且つ前記支持体１０１
の設けられである側とは反対の側（光受容層１０２の表
面１０５側）の方に対して前記支持体１０１側の方に多
く分布した状態となる様に前記第１の層領域（Ｇ）１０
３中に含有される。

本発明の光導電部材においては、第１の層領域（Ｇ）中
に含有されるゲルマニウム原子の分布状態は、層厚方向
においては、前記の様な分布状態を取り、支持体の表面
と平行な面内方向には均一な分布状態とされるのが望ま
しいものである。

本発明に於いては、第１の層領域（Ｇ）上に設けられる
第２の層領域（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は包有さ
れておらずこの様な層構造に光受容層を形成することに
よって可視光領域を含む、比較的短波長から比較的長波
長辺の全領域の波長の光に対して光感度が優れている光
導電部材とし得る。

又、第１の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の
分布状態は、全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分
布し、ゲルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支持
体側より第２の層領域（Ｓ）に向って減少する変化が与
えられているので、第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域
（Ｓ）との間に於ける親和性に優れ、且つ後述する様に
支持体側端部に於いてゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを
極端に大きくすることにより半導体レーザ等を使用した
場合の、第２の層領域（Ｓ）では殆んど吸収し切れない
長波長側の光を第１の層領域（Ｇ）に於いて実質的に完
全に吸収することが出来、支持体面からの反射による干
渉を防止することが出来る。又、本発明の光導電部材に
於いては、第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ）と
を構成する非晶質材料の夫々がシリコン原子という共通
の構成要素を有しているので、積層界面に於いて化学的
な安定性の確保が充分成されている。

第２図乃至第１０図には、本発明における光導電部材の
第１の層領域（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子の
層厚方向の分布状態の典型的例が示される。

第２図乃至第１０図において、横軸はゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃを、縦軸は、第１の層領域（Ｇ）の層厚を
示し、ｔＢは支持体側の第１の層領域（Ｇ）の端面の位
置を、ｔＴは支持体側とは反対側の第１の層領域（Ｇ）
の端面の位置を示す。即ち、ゲルマニウム原子の含有さ
れる第１の層領域（Ｇ）はｔＢ側よりｔＴ側に向って層
形成がなされる。

第２図には、第１の層領域（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示さ
れる。

第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有され
る第１の層領域（Ｇ）が形成される表面と該第１の層領
域（Ｃ）の表面とが接する界面位置ｔＢよりｔ１の位置
までは、ゲルマニウム原子の分布濃度ＣがＣ１なる一定
の値を取り乍らゲルマニウム原子が形成される第１の層
領域（Ｇ）に含有され、位置ｔ１より、濃度Ｃ２より界
面位置ｔＴに至るまで徐々に連続的に減少されている。

界面位置ｔＴにおいてはゲルマニウム原子の分布濃度Ｃ
はＣ３とされる。

第３図に示される例においては、含有されるゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るまで
濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいて
濃度Ｃ５となる様な分布状態を形成している。

第４図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２まではゲルマ
ニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｇ６と一定値とされ、位
置ｔ２と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的に減少
され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零とさ
れている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合
である）。

第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位
置ｔＢより位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃより連続的に徐
々に減少され、位置ｔＴにおいて実質的に零とされてい
る。

第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置ｔＢと位置ｔ３間においては、濃度Ｃ９と
一定値であり、位置ｔＴにおいては濃度Ｃ１０される。

位置ｔ３と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一次関数
的に位置ｔ３より位置ｔＴに至るまで減少されている。

第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔＢ
より位置ｔ４までは濃度ｔｔの一定値を取り、位置ｔ４
より位置ｔＴまでは濃度Ｃ１２より濃度Ｃ１３まで一次
関数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔＴに至
るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１４よ
りｔＴ，ｔＢ近傍での変化率が小さい形で濃度Ｃ１４′
まで減少している。

第９図においては、位置ｔＢより位置ｔ５に至るまでは
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１５より濃度
Ｃ１６まで一次関数的に減少され、位置ｔ５と位置ｔＴ
との間においては、濃度Ｃ１６の一定値とされた例が示
されている。

第１Ｏ図に示される例においては、ゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃは位置ｔＢにおいて濃度Ｃ１７であり、位置
ｔ６に至るまではこの濃度Ｃ１７より初めはゆっくりと
減少され、１６の位置付近においては、急激に減少され
て位置ｔ６では濃度Ｃ１８とされる。

位置ｔ６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩かに徐々に減少されて位置ｔ７で
濃度Ｃ１９となり、位置ｔ７と位置ｔ８との間では、徐
々に減少されて位置ｔ８において、濃度Ｃ２０に至る。

位置ｔ８と位置ｔＴの間においては、濃度Ｃ２０より実
質的に零になる様に図に示す如き形状の曲線に従って減
少されている。

以上、第２図乃至第１０図により、第１の層領域（Ｇ）
中に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態
の典型例の幾つかを説明した様に、本発明においては、
支持体側において、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの高
い部分を有し、界面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃ
は支持体側に較べて可成り低くされた部分を有するゲル
マニウム原子の分布状態が第１の層領域（Ｇ）に設けら
れている。

本発明に於ける光導電部材の光受容層を構成する第１の
層領域（Ｇ）は好ましくは上記した様に支持体側の方に
ゲルマニウム原子が比較的面濃度で含有されている局在
領域（Ａ）を有するのが望ましい。

本発明に於いては局在領域（Ａ）は、第２図乃至第１０
図に示す記号を用いて説明すれは、界面位置ｔＢより５
μ以内に設けられるのが望ましい。

本発明に於いては、上記局在領域（Ａ）は、界面位置ｔ
Ｂより５μ厚までの全層領域（ＬＴ）とされる場合もあ
るし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ａ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜決められる。

局在領域（Ａ）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態を考えた場合、ゲルマニウム原子
の分布濃度の最大値Ｃｍａｘが、ＮＧｅ／（ＮＧｅ＋Ｎ
Ｓｉ）として、好ましくは０．９９以上、より好適には
０．９９５以上、最適には０．９９９以上とされる様な
分布状態となり得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る光受容層は、支持体側からの層厚で５μ以内（ｔＢか
ら５μ厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃｍａｘが存在
する様に形成されるのが好ましい。

本発明において、第１の層領域中に含有されるシリコン
原子の含有量〔Ｎｓｉ／（Ｎｓｉ＋ＮＧｅ）：ＮＡは層
中のＡ原子の総原子数〕としては、本発明の目的が効果
的に達成される様に所望に従って適宜決められるが、好
ましくは５×１０４ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下、より好
ましくは１Ｘ１０４ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下、最適に
は１×１０３ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下とされるのが望
ましい。

即ち、ａ−ＧｅｘＳｉ１−ｘ（Ｈ，Ｘ）におけるＸの値
としては、好ましくは９．９５＜ｘ≦１、より好ましく
は０．９９＜ｘ≦１、最適には０．９９９＜ｘ≦１とさ
れるのが望ましい。

第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ）との層厚は、
本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因子の１
つであるので形成される光導電部材に所望の特性が充分
与えられる様に、光導電部材の設計の際に充分なる注意
が払われるのが望ましい。

本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）の層厚ＴＢは、好
ましくは３０Å〜５０μ、より好ましくは４０Å〜４０
μ、最適には５０Å〜３０μとされるのが望ましい。又
、第２の層領域（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは、０．５
〜９０μ、より好ましくは１〜８０μ、最適には２〜５
０μとされるのが望ましい。

第１の層領域（Ｇ）の層厚ＴＢと第２の層領域（Ｓ）の
層厚Ｔの和（ＴＢ＋Ｔ）としては、両層領域に要求され
る特性と光受容層全体に要求される特性との相互間の有
機的関連性に基いて、光導電部材の層設計の際に所望に
従って、適宜決定される。

本発明の光導電部材に於いては、上記の（ＴＢ＋Ｔ）の
数値範囲としては好ましくは１〜１００μ、より好適に
は１〜８０μ、最適には２〜５０μとされるのが望まし
い。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、ＴＢ／Ｔ≦１なる関係を満
足する際に、夫々に対して適宜適切な数値が選択される
のが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、より好ましくは、ＴＢ／Ｔ≦０．９、最適には
ＴＢ／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚ＴＢ及
び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましい。

本発明に於いては、第１の層領域（Ｇ）の層厚ＴＢとし
ては、成可く薄くされるのが望ましく、好ましくは３０
μ以下、より好ましくは２５μ以下、最適には２０μ以
下とされるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於いては、第１の層領域（Ｇ）の
層厚ＴＢとしては、成可く薄くされるのが望ましく、好
ましくは３０μ以下、より好ましくは２５μ以下、最適
には２０μ以下とされるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於いては、第１の層領域（Ｇ）中
に於けるゲルマニウム原子の分布状態は、該層領域（Ｇ
）の全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布し、ゲ
ルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支持体側より
光受容層の自由表面側に向って、減少する変化が与えら
れているので、分布濃度Ｃの変化率曲線を所望に従って
任意に設計することによって、要求される特性を持った
光受容層を所望通りに実現することが出来る。例えば、
第１の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウムの分布濃度
Ｃを支持体側に於いては充分高め、光受容層の自由表面
側に於いては、極力低める様な、分布濃度Ｃの変化をゲ
ルマニウム原子の分布濃度曲線に与えることによって、
可視光領域を含む、比較的短波長から比較的長波長迄の
全領域の波長の光に対して光感度化を図ることが出来る
。

又、後述される様に第１の層領域（Ｇ）の支持体側端部
に於いて、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを極端に大き
くすることにより、半導体レーザを使用した場合の、レ
ーザ照射面側にある第２の層領域（Ｓ）に於いて充分吸
収し切れない長波長側の光を層領域（Ｇ）に於いて、実
質的に完全に吸収することが出来、支持体面からの反射
による干渉を効果的に防止することが出来る。

本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良を
図る目的の為に、第３の層領域（Ｍ）を除いた光受容層
中には、酸素原子が含有される層領域（Ｏ）が設けられ
る。

層領域（Ｏ）は、第３の層領域（Ｍ）を除いた光受容層
の全層領域を占める様にしても良いし、或いは、第３の
層領域（Ｍ）を除いた光受容層の一部の層領域のみを占
める様にしてその一部に偏在させても良い。

酸素原子の分布状態は分布濃度Ｃｏは、層領域（Ｏ）の
層厚方向に於いて均一に且つ連続して含有される様にさ
れる。

本発明に於いて、酸素原子の含有されている層領域（Ｏ
）は、光感度と暗抵抗の向上を主たる目的とする場合に
は、第３の層領域（Ｍ）を除いた光受容層の全層領域を
占める様に設けられ、支持体と光受容層との間の密着性
の強化を図るのを主たる目的とする場合には、光受容層
の支持体側端部層領域を占める様に設けられる。

前者の場合、層領域（Ｏ）中に含有される酸素原子の含
有量は、高光感度を維持する為に、比較的少なくされ、
後者の場合には、支持体との密着性の強化を確実に図る
為に比較的多くされるのが望ましい。

本発明に於いて、第３の層領域（Ｍ）を除いた光受容層
に設けられる層領域（Ｏ）に含有される酸素原子の含有
量は、層領域（Ｏ）自体に要求される特性、或いは該層
領域（Ｏ）が支持体に直に接触して設けられる場合には
、該支持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機
的関連性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（Ｏ）に直に接触して他の層領域が設け
られる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層領域
との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、酸素
原子の含有量が適宜選択されるのが望ましい。

層領域（Ｏ）中に含有される酸素原子の量は、形成され
る光導電部材に要求される特性に応じて所望に従って適
宜決められるが、好ましくは、０．００１〜５０ａｔｏ
ｍｉｃ％、より好ましくは、０．００２〜４０ａｔｏｍ
ｉｃ％、最適には０．００３〜３０ａｔｏｍｉｃ％とさ
れるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（Ｏ）が第３の層領域（Ｍ）を
除いた光受容層の全域を占めるが、或いは、第３の層領
域（Ｍ）を除いた光受容層の全域を占めなくとも、層領
域（Ｏ）の層厚Ｔ０の第３の層領域（Ｍ）を除いた光受
容層の層厚Ｔに占める割合が充分多い場合には、層領域
（Ｏ）に含有される酸素原子の含有量の上限は、前記の
値より充分少なくされるのが望ましい。

本発明の場合には層領域（Ｏ）の層厚Ｔ０が第３の層領
域（Ｍ）を除いた光受容層の層厚Ｔに対して占める割合
が５分の２以上となる様な場合には、層領域（Ｏ）中に
含有される酸素原子の量の上限としては、好ましくは、
３０ａｔｏｍｉｃ％以下、より好ましくは、２０ａｔｏ
ｍｉｃ％以下、最適には１０ａｔｏｍｉｃ％以下とされ
るのが望ましい。

本発明において、必要に応じて光受容層を構成する第１
の層領域（Ｇ）及び第２の層領域（Ｓ）中に含有される
ハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフッ素、塩素
、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適な
ものとして挙げることが出来る。

本発明において、ａ−ＧｅｘＳｉ１−ｘ（Ｈ，Ｘ）（０
．９５＜Ｘ≦１）で構成される第１の層領域（Ｇ）を形
成するには例えばグロー放電法、スパッタリング法、或
いはイオンプレーティング法等の放電現象を利用する真
空堆積法によって成される。

例えば、グロー放電法によって、ａ−ＧｅｘＳｉ１−ｘ
（Ｈ，Ｘ）で構成される第１の層領域（Ｇ）を形成する
には、０．９５＜ｘ＜１の場合、ゲルマニウム原子（Ｇ
ｅ）を供給し得るＧｅ供給用の原料ガスとシリコン原子
（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと必要に応
じて水素原子（Ｈ）導入用の原料ガス又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る
堆積室内に所望のガス圧状態で導入して、該堆積室内に
グロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されてある
所定の支持体表面上にａ−ＧｅｘＳｉ１−ｘ（Ｈ，Ｘ）
からなる層を形成させれば良い。ｘ＝１の時には前述の
原料ガスのうちＳｉ供給用ガスを除いておけばよい。

又、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ
，Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした
混合ガス雰囲気中でＧｅ構成されたターゲットを一枚、
或いは、該ターゲットとＳｉで構成されたターゲットの
二枚を使用して、又は、ＳｉとＧｅの混合されたターゲ
ットを使用して、必要に応じてＨｅ，Ａｒ等の希釈ガス
で稀釈されたＧｅ供給用の原料ガスを、必要に応じて、
水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の
ガスをスパッタリング用の堆積室に導入し、所望のガス
プラズマ雰囲気を形成して前記のターゲットをスパッタ
リングしてやれば良い。

イオンプレーティング法の場合には、例えば多結晶ゲル
マニウム又は単結晶ゲルマニウム、必要に応じて多結晶
シリコン又は単結晶シリコンを用い夫々蒸発源として蒸
着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエ
レクトロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ
飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる
以外はスパッタリングの場合と同様にする事で行う事が
出来る。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，Ｓｉ３Ｈ８
，Ｓｉ４Ｈ１０等のガス状態の又はガス化し得る水素化
硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げら
れ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供給効率の
良さ等の点でＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６が好ましいものとし
て挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
４，Ｇｅ２Ｈ６，Ｇｅ３Ｈ８，Ｇｅ４Ｈ１０，Ｇｅ５Ｈ
１４２，Ｇｅ６Ｈ１４，Ｇｅ７Ｈ１６，Ｇｅ８Ｈ１８，
Ｇｅ９Ｈ２０等のガス状態又はガス化し得る水素化ゲル
マニウムが有効に使用されるものとして挙げられ、殊に
、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の
点で、ＧｅＨ４，Ｇｅ２Ｈ６，Ｇｅ３Ｈ８が好ましいも
のとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えば、ハロゲンガス，ハロゲン化物，ハロゲン間化
合物，ハロゲンで置換されだシラン誘導体等のガス状態
の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ン化物、ＢｒＦ，ＣｌＦ，ＣｌＦ３，ＢｒＦ５，ＢｒＦ
３，ＩＦ３，ＩＦγＩＣｌ，ＩＢｒ等のハロゲン間化合
物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物，所謂，ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４，Ｓｉ２Ｆ６，ＳｉＣｌ４，ＳｉＢｒ４等のハロ
ゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光尋電部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｉを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−ＳｉＧｅか
ら成る第１の層領域（Ｃ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層領
域（Ｇ）を作成する場合、基本的には例えばＳｉ供給用
の原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガ
スとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ，Ｈ２，Ｈｅ等のガ
ス等を所定の混合化とガス流量になる様にして第１の層
領域（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生
起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することに
よって、所望の支持体上に第１の層領域（Ｇ）を形成し
得るものであるが、水素原子の導入割合の制御を一層容
易になる様に図る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は
水素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形
成しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンプレーティング法の何れの場
合にも形成される層中にハロゲン原子を導入するには、
前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む硅
素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズマ
雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ，ＨＣｌ，ＨＢｒ，ＨＩ等のハロゲン化水
素、ＳｉＨ２Ｆ２，ＳｉＨ２Ｉ２，ＳｉＨ２Ｃｌ２．Ｓ
ｉＨＣｌ３，ＳｉＨ２Ｂｒ２，ＳｉＨＢｒ３等のハロゲ
ン置換水素化硅素、及びＧｅＨＦ３，ＧｅＨ２Ｆ２，Ｇ
ｅＨ３Ｆ，ＧｅＨＣｌ３，ＧｅＨ２Ｃｌ２，ＧｅＨ３Ｃ
ｌ，ＧｅＨＢｒ３ｒ，ＧｅＨ２Ｂｒ２，ＧｅＨ３Ｂｒ，
ＧｅＨＩ３，ＧｅＨ２Ｉ２，ＧｅＨ３Ｉ等の水素化ハロ
ゲン化ゲルマニウム、等の水素原子を構成要素の１つと
するハロゲン化物、ＧｅＦ４，ＧｅＣｌ４，ＧｅＢｒ４
，ＧｅＩ４，ＧｅＦ２，ＧｅＣｌ２，ＧｅＢｒ２，Ｇｅ
Ｉ２等のハロゲン化ゲルマニウム、等々のガス状態の或
いはガス化し得る物質も有効な第１の層領域（Ｇ）形成
用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の層領域（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入
と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な
水素原子も導入されるので、本発明においては好適なハ
ロゲン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層領域（Ｇ）中に構造的に導入するに
は、上記の他にＨ２、或いはＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，Ｓ
ｉ３Ｈ８Ｓｉ４Ｈ１０等の水素化硅素をＧｅを供給する
為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と或いは、Ｇ
ｅＨ４，Ｇｅ２Ｈ６，Ｇｅ３Ｈ８，Ｇｅ４Ｈ１０，Ｇｅ
５Ｈ１２，Ｇｅ６Ｈ１４，Ｇｅ７Ｈ１６，Ｇｅ８Ｈ１６
，Ｇｅ９Ｈ２０等の水素化ゲルマニウムとＳｉを供給す
る為のシリコン又はシリコン化合物と、を堆積室中に共
存させて放電を生起させる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第１の層領域（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ
）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロ
ゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０．０１〜
４０ａｔｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３０ａｔ
ｏｍｉｃ％最適には０．１〜２５ａｔｏｍｉｃ％とされ
るのが望ましい。

第１の層領域（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は
／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えは
支持体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン
原子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積
装置系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれは良
い。

本発明に於いて、ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
の層領域（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層領域
（Ｇ）形成用の出発物質（Ｉ）の上より、Ｇ供給用の原
料ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第２の層領域
（Ｓ）形成用の出発物質（ＩＩ）〕を使用して第１の層
領域（Ｇ）を形成する場合と同様の方法と条件に従って
行うことが出来る。

即ち、本発明において、ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層領域（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電
法、スパッタリング法、或いはイオンプレーティング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。

例えば、グロー放電法によって、ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）で
構成される第２の層領域（Ｓ）を形成するには、基本的
には前記したシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供
給用の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導
入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガス
を、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室
内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されて
ある所定の支持表面上にａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層
を形成させれば良い。又、スパッタリング法で形成する
場合には、例えばＡｒＨｅ等の不活性ガス又はこれ等の
ガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成さ
れたターゲットをスパッタリングする際、水素原子（Ｈ
）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッ
タリング用の堆積室に導入しておけは良い。

本発明の光導電部材に於いては、ゲルマニウム原子の含
有される第１の層領域（Ｇ）の上に設けられ、ゲルマニ
ウム原子の含有されない第２の層領域（Ｓ）には、伝導
特性を制御する物質（Ｃ）を含有させることにより、該
層領域（Ｓ）の伝導特性を所望に従って任意に制御する
ことが出来る。

この様な物質（Ｃ）としては、所謂，半導体分野で云わ
れる不純物を挙げることが出来、本発明に於いては、形
成される第２の層領域（Ｓ）を構成するａ−Ｓｉ（Ｈ，
Ｘ）に対して、Ｐ型伝導特性を与えるＰ型不純物、及び
ｎ型伝導特性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る
。

具体的には、Ｐ型不純物としては周期律表第ＩＩＩ族に
属する原子（第ＩＩＩ族原子）、例えば、Ｂ（硼素），
Ａｌ（アルミニウム），Ｇａ（ガリウム）Ｉｎ（インジ
ウム），Ｔｌ（タリウム）等があり、殊に好適に用いら
れるのは、Ｂ，Ｇａである。ｎ型不純物としては、周期
律表第Ｖ族に属する原子（第Ｖ族原子）、例えば、Ｐ（
燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（アンチモン）、Ｂｉ（ビス
マス）等であり、殊に、好適に用いられるのは、Ｐ，Ａ
ｓである。

本発明に於いて、第２の層領域（Ｓ）に含有される伝導
特性を制御する物質（Ｃ）の含有量は、該層領域（Ｓ）
に要求される伝導特性、或いは該層領域（Ｓ）に直に接
触して設けられる他の層領域の特性や、該他の層領域と
の接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に於
いて、適宜選択することができる。

本発明に於いて、第２の層領域（Ｓ）中に含有される伝
導特性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好まし
くは、０．００１〜１０００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ，よ
り好適には０．０５〜５００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ，最
適には０．１〜２００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされるの
が望ましい。

第２の層領域（Ｓ）中に伝導特性を制御する物質（Ｃ）
、例えば第ＩＩＩ族原子或いは第Ｖ族原子を構造的に導
入するには、層形成の際に第ＩＩＩ族原子導入用の出発
物質或いは第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態で堆
積室中に、第２の層領域を形成する為の他の出発物質と
共に導入してやれば良い。この様な第ＩＩＩ族原子導入
用の出発物質と成り得るものとしては、常湿常圧でガス
状の又は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得
るものが採用されるのが望ましい。その様な第ＩＩＩ族
原子導入用の出発物質として具体的には硼素原子導入用
としては、Ｂ２Ｈ６，Ｂ４Ｈ１０，Ｂ５Ｈ９，Ｂ５Ｈ１
１，Ｂ６Ｈ１０，Ｂ６Ｈ１２，Ｂ６Ｈ１４等の水素化硼
素、ＢＦ３，ＢＣｌ３，ＢＢｒ３等のハロゲン化硼素等
が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ３，ＧａＣｌ３，Ｇａ
（ＣＨ３）３，ＩｎＣｌ３，ＴｌＣｌ３等も挙げること
が出来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３，
Ｐ２Ｈ４等の水素化隣、ＰＨ４Ｉ，ＰＦ３，ＰＦ５，Ｐ
Ｃｌ３，ＰＣｌ５，ＰＢｒ３，ＰＢｒ５，ＰＩ３等のハ
ロゲン比隣が挙げられる。この他、ＡｓＨ３，ＡｓＦ３
，ＡｓＣｌ２，ＡｓＢｒ３，ＡｓＦ５，ＳｂＨ３，Ｓｂ
Ｆ３，ＳｂＦ５，ＳｂＣｌ３，ＳｂＣｌ５，ＢｉＨ３，
ＢｉＣｌ３，Ｂ１Ｂｒ３等も第Ｖ族原子導入用の出発特
質の有効なものとして挙げることが出来る。

本発明に於いて、第３の層領域（Ｍ）を除いた光受容層
に酸素原子の含有された層領域（Ｏ）を設けるには、光
受容層の形成の際に酵素原子導入用の出発物質を前記し
た光受容層形成用の出発物質と共に使用して、形成され
る層中にその量を制御し乍ら含有してやれば良い。層領
域（Ｏ）を形成するのにグロー放電法を用いる場合には
、前記した光受容層形成用の出発物質の中から所望に従
って選択されたものに酸素原子導入用の出発物質が加え
られる。

その様な酸素原子導入用の出発物質としては、少なくと
も酸素原子な構成原子とするガス状の物質又はガス化し
得る物質をガス化したものの中の大概のものが使用され
得る。

例えばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、酸素原子（Ｏ）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（Ｈ）又は及びハロゲン原子（Ｘ）を
構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使
用するか、又は、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とす
る原料ガスと、酵素原子（Ｏ）及び水素原子（Ｈ）を構
成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混
合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子と
する原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ），酸素原子（Ｏ
）及び水素原子（Ｈ）の３つを構成原子する原料ガスと
を混合して使用することが出来る。

又、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに酸素原子（Ｏ）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用しても良い。

具体的には、例えば酸素（Ｏ２），オゾン（Ｏ３），一
酸化窒素（ＮＯ），二酸化窒素（ＮＯ２），一二酸化窒
素（Ｎ２Ｏ），三二酸化窒素（Ｎ２Ｏ３）、四二酸化窒
素（Ｎ２Ｏ４），五二酸化窒素（Ｎ２Ｏ５），三酸化窒
素（ＮＯ３）シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（Ｏ）と
水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えばジシロキサ
ン（Ｈ３ＳｉＯＳｉＨ３、）ジシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ
Ｓｉ２ＯＳｉＨ３）等の低級シロキサン等を挙げること
が出来る。

スパッタリング法によって、酸素原子を含有する層領域
（Ｏ）を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェー
ハー又はＳｉＯ２ウェーハー、又はＳｉとＳｉＯ２が混
合されて含有されているウェーハーをターゲットとして
、これ等を種々のガス雰囲気中でスパッタリングするこ
とによって行えば良い。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原石ガスを必要に応じて稀釈ガスで
稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等の
ガスのカスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハーをス
パッタリングすれば良い。

又、別には、ＳｉとＳｉＯ２とは別々のターゲットとし
て、又はＳｉとＳｉＯ２の混合した一枚のターゲットを
使用することによって、スパッター用のガスとしての稀
釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ）又は
／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有するガ
ス雰囲気中でスパッタリングすることによって成される
。酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー
放電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料
ガスが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして使
用され得る。

本発明に於いて、第２の層領域（Ｓ）中に含有される水
素原子（Ｈ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素
原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは
１〜４０ａｔｏｍｉｃ％，より好適には５〜３０ａｔｏ
ｍｉｃ％，最適には５〜２５ａｔｏｍｉｃ％，とされる
のが望ましい。

第１図に示される光導電部材１００に於いては第２の層
領域（Ｓ）１０４上に形成される第３の層領域（Ｍ）１
０６は自由表面を有し、主に耐湿性、連続繰返し使用特
性、電気的耐圧性、使用環境特性、耐久性に於いて本発
明の目的を達成するために設けられる。

又、本発明に於いては、第２の層領域（Ｓ）１０４と３
の層領域（Ｍ）１０４とを構成する非晶質材料の各々が
シリコン原子という共通の構成要素を有しているので、
積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分成されて
いる。

本発明に於ける第３の層領域（Ｍ）は、シリコン原子（
Ｓｉ）と炭素原子（Ｃ）と、必要に応じて水素原子（Ｈ
）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）とを含む非晶質材料（
以後、「ａ−（ＳｉｘＣ１−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）１−ｙ」
と記す。但し、ｏ＜ｘ，ｙ＜１）で構成される。

ａ−（ＳｉｘＣ１−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）１−ｙで構成され
る第３の層領域（Ｍ）の形成はグロー放電法、スパッタ
リング法、エレクトロンビーム法等によって成される。

これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度
、製造規模、作製される光導電部材に所望される特性等
の要因によって適宜選択されて採用されるが、所望する
特性を有する光導電部材を製造するための作製条件の制
御が比較的容易である、シリコン原子と共に炭素原子及
びハロゲン原子を作製する第３の層領域（Ｍ）中に導入
するのが容易に行える等の利点からグロー放電法域はス
パッターリング法が好適に採用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同−装置系内で併用して第３の層領域（Ｍ）
を形成してもよい。

グロー放電法によって第３の層領域（Ｍ）を形形するに
はａ−（ＳｉｘＣ１−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）１−ｙ形成用の
原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で
混合して、支持体の設着してある真空堆積室に導入し、
導入されたガスを、グロー放電を生起させることでガス
プラズマ化して、前記支持体上に既に形成されである第
２の層領域（Ｓ）上にａ−（ＳｉｘＣ１−ｘ）ｙ（Ｈ，
Ｘ）１−ｙを堆積させれば良い。

本発明に於いて、ａ−（ＳｉｘＣ１−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）
１−ｙ形成用の原料ガスとしては、シリコン原子（Ｓｉ
）、炭素原子（Ｃ）、水素原子（Ｈ）、ハロゲン原子（
Ｘ）の中の少なくとも一つを構成原子とするガス状の物
質又はガス化し得る物質をガス化したものの中の大概の
ものが使用され得る。

Ｓｉ，Ｃ，Ｈ，Ｘの中の一つとしてＳｉを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、側えばＳｉを構成原子と
する原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと、必要
に応じてＨを構成原子とする原料ガス又は／及びＸを構
成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用
するか、又はＳｉを構成原子とする原料ガスと、Ｃ及び
Ｈを構成原子とする原料ガス又は／及びＣ及びＸを構成
原子とする原料ガスとを、これも又、所望の混合比で混
合するか、或いは、Ｓｉを構成原子とする原料ガスと、
Ｓｉ、Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガス又は、
Ｓｉ、Ｃ及びＸの３つを構成原子とする原料ガスとを混
合して使用することができる。

又、別には、ＳｉとＨとを構成原子とする原料ガスにＣ
を構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良いし
、ＳｉとＸとを構成原子とする原料ガスにＣを構成原子
とする原料ガスを混合して使用しても良い。

本発明に於いて、第３の層領域（Ｍ）中に含有されるハ
ロゲン原子（Ｘ）として好適なのはＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ
であり、殊にＦ，Ｃｌが望ましいものである。

本発明に於いて、第３の層領域（Ｍ）を形成するのに有
効に使用される原料ガスと成り得るものとしては、常温
常圧に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る物
質を挙げることができる。

本発明に於いて、第３の層領域（Ｍ）形成用の原料ガス
として有効に使用されるのは、ＳｉとＨとを構成原子と
するＳｉＨ４，Ｓｉ２６，Ｓｉ３Ｈ８，Ｓｉ４Ｈ１０等
のシラン（Ｓｉｌａｎｅ）類等の水素化硅素ガス、Ｃと
Ｈとを構成原子とする、例えば炭素数１〜４の飽和炭化
水素，炭素数２〜４のエチレン系炭化水素，炭素数２〜
３のアセチレン系炭化水素，ハロゲン単体，ハロゲン化
水素、ハロゲン間化合物，ハロゲン化硅素，ハロゲン置
換水素化硅素、水素化硅素等を挙げる事ができる。具体
的には、飽和炭化水素としてメタン（ＣＨ４），エタン
（Ｃ２Ｈ６），プロパン（Ｃ３Ｈ６），ブタン（ｎ−Ｃ
４Ｈ１０），ペンタン（Ｃ５Ｈ１２），エチレン系炭化
水素としては、エチレン（Ｃ２Ｈ４），プロピレン（Ｃ
３Ｈ６），ブテン−１（Ｃ４Ｈ８），ブテン−２（Ｃ６
Ｈ８），イソブチレン（Ｃ４Ｈ８），ペンテン（Ｃ５Ｈ
１０），アセチレン系炭化水素としては、アセチレン（
Ｃ２Ｈ２），メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ４），ブチン（
Ｃ４Ｈ６），ハロゲン単体としては、フッ素，塩素，臭
素，ヨウ素のハロゲンガス，ハロゲン化水素としては、
ＦＨ，ＨＩ，ＨＣｌ，ＨＢｒ，ハロゲン間化合物として
は、ＢｒＦ，ＣｌＦ，ＣｌＦ３，ＣｌＦ５，ＢｒＦ５，
ＢｒＦ３，ＩＦ７，ＩＦ５，ＩＣｌ，ＩＢｒハロゲン化
硅素としてはＳｉＦ４，Ｓｉ２Ｆ５，ＳｉＣｌ３Ｂｒ，
ＳｉＣｌ２Ｂｒ２，ＳｉＣｌＢｒ３，ＳｉＣｌ３Ｉ，Ｓ
ｉＢｒ４，ハロゲン置換水素化硅素としては、Ｓｉｎ２
Ｆ２，ＳｉＨ２Ｃｌ２，ＳｉＨＣｌ３，ＳｉＨ３Ｃｌ，
ＳｉＨ３Ｂｒ，ＳｉＨ２Ｂｒ２，ＳｉＨＢｒ３，水素化
硅素としては、ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ３，Ｓｉ４Ｈ１０等
のシラン（Ｓｉｌａｎｅ）類、等々を挙げることができ
る。

これ等の他にＣＦ４，ＣＣｌ４，ＣＢｒ４，ＣＨＦ３，
ＣＨ２Ｆ２，ＣＨ３Ｆ，ＣＨ３Ｃｌ，ＣＨ３Ｂｒ，ＣＨ
３Ｉ，Ｃ２Ｈ５Ｃｌ等のハロゲン置換パラフィン系炭化
水素，ＳＦ４，ＳＦ６等のフッ素化硫黄化合物、Ｓｉ（
ＣＨ３）４，Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）４，等のケイ化アルキル
やＳｉＣｌ（ＣＨ３）３，ＳｉＣｌ２（ＣＨ２）２，Ｓ
ｉＣｌ３ＣＨ２等のハロゲン含有ケイ化アルキル等のシ
ラン誘導体も有効なものとして挙げることができる。

これ等の第３の層領域（Ｍ）形成物質は、形成される第
３の層領域（Ｍ）中に、所定の組成比でシリコン原子，
炭素原子及びハロゲン原子と必要に応じて水素原子とが
含有される様に、第３の層領域（Ｍ）の形成の際に所望
に従って選択されて使用される。

例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子との含有が
容易に成し得て且つ所望の特性の層が形成され得るＳｉ
（ＣＨ３）４と、ハロゲン原子を含有させるものとして
のＳｉＨＣ３，ＳｉＨ２Ｃｌ２，ＳｉＣｌ４、或いはＳ
ｉＨ３Ｃｌ等を所定の混合比にしてガス状態で第３の層
領域（Ｍ）形成用の装置内に導入してグロー放電を生起
させることによってａ−（ＳｉｘＣ１−ｘ）ｙ（Ｃｌ＋
Ｈ）１−ｘから成る第３の層領域（Ｍ）を形成すること
ができる。

スパッターリング法によって第３の層領域（Ｍ）を形成
するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェーハー又はＣウ
ェーハー又はＳｉとＣが混合されて含有されているウェ
ーハーをターゲットとして、これらを必要に応じてハロ
ゲン原子又は／及び水素原子を構成要素として含む種々
のガス雰囲気中でスパッターリングすることによって行
えば良い。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、ＣとＨ又は／及びＸを導入するための原料ガスを、必
要に応じて稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し
、これらのガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウエ
ーハーをスパッターリングすれば良い。

又、別には、ＳｉとＣとは別々のターゲットとして、又
はＳｉとＣの混合した一枚のターゲットを使用すること
によって、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を含有するガス雰囲気中でスパッターリングすること
によって成される。Ｃ，Ｈ及びＸの導入用の原料ガスと
なる物質としては先述したグロー放電の例で示した第３
の層領域（Ｍ）形成用の物質がスパッターリング法の場
合にも有効な物質として使用され得る。

本発明に於いて、第３の層領域（Ｍ）をグロー放電法又
はスパッターリング法で形成する際に使用される稀釈ガ
スとしては、所謂・希ガス、例えばＨｅ，Ｎｅ，Ａｒ等
が好適なものとして挙げることができる。

本発明に於ける第３の層領域（Ｍ）は、その要求される
特性が所望通りに与えられる様に注意深く形成される。

即ち、Ｓｉ，Ｃ、必要に応じてＨ又は／及びＸを構成原
子とする物質は、その作成条件によって構造的には結晶
からアモルファスまでの形態を取り、電気物性的には、
導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導
電的性質から非光導電的性質を、各々示すので本発明に
於いては、目的に応じた所望の特性を有するａ−（Ｓｉ
ｘＣ）１−ｘ（Ｈ，Ｘ）１−ｙが形成される様に、所望
に従ってその作成条件の選択が厳密に成される。例えば
、第３の層領域（Ｍ）を電気的耐圧性の向上を主な目的
として設けるにはａ−（ＳｉｘＣ１−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）
１−ｙは使用環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非
晶質材料として作成される。

又、連続縁返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として第３層領域（Ｍ）が設けられる場合には上記
の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される光
に対しである程度の感度を有する非晶質材料としてａ−
（ＳｉｘＣ１−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）１−ｙが作成される。

第２の層領域（Ｓ）の表面にａ−（ＳｉｘＣ１−ｘ）ｙ
（Ｈ，Ｘ）１−ｙから成る第３の層領域（Ｍ）の表面に
ａ−（ＳｉｘＣ１−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）１−ｙからなる第
３の層領域（Ｍ）を形成する際、層形成中の支持体温度
は、形成される層の構造及び特性を左右する重要な因子
であって、本発明に於いては、目的とする特性を有する
ａ−（ＳｉｘＣ１−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）１−ｙが所望通り
に作成され得る様に層作成時の支持体温度が厳密に制御
されるのが望ましい。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成されるため
の第３の層領域（Ｍ）の形成法に併せて適宜最適範囲が
選択されて、第３の層領域（Ｍ）の形成が実行されるが
、好ましくは、２０〜４００℃、好適には５０〜３５０
℃、最適には１００〜３００℃とされるのが望ましい。

第３の層領域（Ｍ）の形成には、層を構成する原子の組
成比の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に較べて比較
的容易である事等のために、グロー放電法やスパッター
リング法の採用が有利であるが、これ等の層形成法で第
３の層領域（Ｍ）を形成する場合には、前記の支持体温
度と同様に層形成の際の放電パワーが作成されるａ−（
ＳｉｘＣ１−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）１−ｙの特性を左右する
重要な因子の一つである。

本発明に於ける目的が達成されるための特性を有するａ
−（ＳｉｘＣ１−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）１−ｙが生産性良く
効果的に作成されるための放電パワー条件としては、好
ましくは１０〜３００Ｗ、より好適には２０〜２５０Ｗ
、最適には５０〜２００Ｗとされるのが望ましい。

堆積室内のガス圧は、好ましくは０．０１〜１Ｔｏｒｒ
、より好適には、０．１〜０．５Ｔｏｒｒ程度とされる
のが望ましい。

本発明に於いては第３の層領域（Ｍ）を作成するための
支持本温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記
した範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファクタ
ーは、独立的に別々に決められるものではなく、所望特
性の ａ−（ＳｉｘＣ１−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）１−ｙから成る第
３の層領域（Ｍ）が形成される様に相互的有機的関連性
に基づいて各層作成ファクターの最適値が決められるの
が望ましい。

本発明の光導電部材に於ける第３の層領域（Ｍ）に含有
される炭素原子の量は、第３の層領域（Ｍ）の作成条件
と同様、本発明の目的な達成する所望の特性が得られる
第３の層領域（４）が形成される重要な因子である。

本発明に於ける第３の層領域（Ｍ）に含有される炭素原
子の量は、第３の層領域（Ｍ）を構成する非晶質材料の
種類及びその特性に応じて適宜所望に応じて決められる
。

即ち、前記一般式ａ−（ＳｉｘＣ１−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）
１−ｙで示される非晶質材料は、大別すると、シリコン
原子と炭素原子とで構成される非晶質材料（以後、「ａ
−ＳｉａＣ１−ａ」と記す。但し、０＜ａ＜１）、シリ
コン原子と炭素原子と水素原子とで構成される非晶質材
料（以後、「ａ−（ＳｉｂＣ１−ｂ）ｃＨ１−ｃ」と記
す。但し、０＜ｂ，ｃ＜１）、シリコン原子と炭素原子
とハロゲン原子と必要に応じて水素原子とで構成される
非晶質材料（以後、「ａ−（ＳｉｄＣ１−ｄ）ｅ（Ｈ，
Ｘ）１−ｅ」と記す。但し０＜ｄ，ｅ＜１）、に分類さ
れる。

本発明に於いて、第３の層領域（Ｍ）がａ−ＳｉａＣ１
−ａで構成される場合、第３の層領域（Ｍ）に含有され
る炭素原子の量は、好ましくは、１×１０−３〜９０ａ
ｔｏｍｉｃ％，より好適には１〜８０ａｔｏｍｉｃ％，
最適には１０〜７５ａｔｃｍｉｃとされるのが望ましい
。即ち、先のａ−ＳｉａＣ１−ａのａの表示で行えば、
ａが好ましくは０．１〜０．９９９９９，より好適には
０．２〜０．９９，最適には０．２５〜０．９である。

本発明に於いて、第３の層領域（Ｍ）がａ−（ＳｉｂＣ
１−ｂ）ｃＨ１−ｃで構成される場合、第３の層領域（
Ｍ）に含有される炭素原子の量は、好ましくは１×１０
−３〜９０ａｔｏｍｉｃ％とされ、より好ましくは１〜
９０ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜８０ａｔｏｍｉｃ
％とされるのが望ましい。水素原子の含有量としては、
好ましくは１〜４０ａｔｏｍｉｃ％、より好ましくは２
〜３５ａｔｏｍｉｃ％、最適には５〜３０ａｔｏｍｉｃ
％とされるのが望ましく、これ等の範囲に水素含有量が
ある場合に形成される光導電部材は、実際面に於いて優
れたものとして充分適用させ得る。

即ち、先のａ−（ＳｉｂＣ１−ｂ）ｃｈ１−ｃの表示で
行えばｂが、好ましくは０．１〜０．９９９９９、より
好適には０．１〜０．９９、最適には０．１５〜０．９
、Ｃが通常０．６〜０．９９、好適には０．６５〜０．
９８、最適には０．７〜０．９５であるのが望ましい。

第３の層領域（Ｍ）が、ａ−（ＳｉｄＣ１−ｄ）ｅ（Ｈ
，Ｘ）１−ｅで構成される場合には、第３の層領域（Ｍ
）中に含有される炭素原子の含有量としては、好ましく
は、１Ｘ１０−３〜９０ａｔｏｍｉｃ％、より好適には
１〜９０ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜８０ａｔｏｍ
ｉｃ％とされるのが望ましいハロゲン原子の含有量とし
ては、好ましくは、１〜２０ａｔｏｍｉｃ％とされるの
が望ましく、これ等の範囲にハロゲン原子含有量がある
場合に作成される光導電部材を実際面に充分適用させ得
る必要に応じて含有される水素原子の含有量としては、
好ましくは１９ａｔｏｍｉｃ％以下、より好適には１３
ａｔｏｍｔｃ％以下とされるのが望ましい。

即ち、先のａ−（ＳｉｄＣ１−ｄ）ｅ（Ｈ，Ｘ）１−ｅ
のｄ，ｅの表示で行えばｄが好ましくは、０．１〜０．
９９９９９より好適には０．１〜０．９９、最適には０
．１５〜０．９、ｅが好ましくは０．８〜０．９９、よ
り好適には０．８２〜０．９９、最適には０．８５〜０
．９８であるのが望ましい。

本発明に於ける第３の層領域（Ｍ）の層厚の数範囲は、
本発明の目的を効果的に達成するための重要な因子の一
つである。

本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に応じ
て適宜所望に従って決められる。

又、第３の層領域（Ｍ）の層厚は、該層領域（Ｍ）中に
含有される炭素原子の量や第１の層領域（Ｇ）と第２の
層領域（８）の層厚との関係に於いても、各々の層領域
に要求される特性に応じた有機的な関連性の下に所望に
従って適宜決定されるのが望ましい。

更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経済性の点
に於いても考慮されるのが望ましい。

本発明に於ける第３の層領域（Ｍ）の層厚としては、好
ましくは０．００３〜３０μより好適には０．００４〜
２０μ、最適には０．００５〜１０μとされるのが望ま
しい。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ
，Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ等の金属又はこれ
等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持としては、ポリエステル、ポリエチレン
、ポリカーボネート、セルローズ、アセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。これ
等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方
の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、Ａｌ
，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｒ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐ
ｔ，Ｐｄ，Ｉｎ２Ｏ３，ＳｎＯ２，ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３
＋ＳｎＯ２）等から成る薄膜を設けることによって導電
性が付与され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹
脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ，Ａｌ，Ａｇ，Ｐｂ，Ｚ
ｎ，Ｎｉ，Ａｕ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｉｒ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ，
Ｔｉ，Ｐｔ等の金属の薄板を真空蒸着、電子ビーム蒸着
、スパッタリング等でその表面に設け、又は前記金属で
その表面をラミネート処理して、その表面に導電性が付
与される。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、
板状等任意の形状とし得、所望によって、その形状は決
定されるが、例えば、第１図の光導電部材１００を電子
写真用像形成部材として使用するのであれば連続高速複
写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ま
しい。

支持体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される様
に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性が要求さ
れる場合には、支持体としての機能が充分発揮される範
囲内であれば可能な限り薄くされる。而乍ら、この様な
場合支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点か
ら、通常は、１０μ以上とされる。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第１１図に光導電部材の光導電装置の一例を示す。

図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、本発明の
光導電部材を形成するための原料ガスが密封されており
、その１例としてたとえば１１０２は、Ｈｅで稀釈され
たＳｉＨ４ガス（純度９９．９９９、以下ＳｉＨ４／Ｈ
ｅと略す。）ボンベ、１１０３はＨｅで稀釈されたＧｅ
Ｈ４ガス（純度９９．９９９％、以下ＧｅＨ４／Ｈｅと
略す。）ボンベ、１１０４はＨｅで稀釈されたＳｉＦ４
ガス（純度９９．９９％、以下ＳｉＦ４／Ｈｅと略す。

）ボンベ、１１０５はＮｏガス（純度９９．９９９％）
ボンベ、１１０６はＨ２ガス（純度９９．９９９％）ボ
ンベである。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるにはガスボ
ンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２２〜１１２６、
リークバルブ１１３５が閉じられていることを確認し、
又、流入バルブ１１１２〜１１１６、流出バルブ１１１
７〜１１２１、補助バルブ１１３２、１１３３が開かれ
ていることを確認して、先づメインバルブ１１３４を開
いて反応室１１０１、及び各ガス配管内を排気する。次
に真空計１１３６の読みが約５×１０ｔｏｒｒになった
時点で補助バルブ１１３２、１１３３、流出バルブ１１
１７〜１１２１を閉じる。

次にシリンダー状基体１１３７上に光受層を形成する場
合の１例をあげると、ガスボンベ１１０２よりＳｉＨ４
／Ｈｅガス、ガスボンベ１１０３よりＧｅＨ４／Ｈｅガ
ス、ガスボンベ１１０５よりＮｏガスをバルブ１１２２
、１１２３、１１２４を開いて出口圧ゲージ１１２７、
１１２８、１１２９の圧を１Ｋｇ／ｃｍに調整し、流入
バルブ１１１２、１１１３、１１１４を徐々に開いて、
マスフロコントローラ１１０７、１１０８、１１０９内
に夫々流入させる。

引き続いて流出バルブ１１１７、１１１８、１１１９、
補助バルブ１１３２を徐々に開いて夫々のガスを反応室
１１０１に流入させる。このときのＳｉＨ４／Ｈｅガス
流量とＧｅＨ４／Ｈｅガス流量との比が所望の値になる
ように流出バルブ１１１７、１１１８を調製し、又、反
応室１１０１内の圧力が所望の値になるように真空計１
１３６の読みを見ながらメインバルブ１１３４の開口を
調製する。そして基体１１３７の温度が加熱ヒーター１
１３８により５０〜４００℃の範囲の温度に設定されて
いることを確認された後、電源１１４０を所望の電力に
設定して反応室１１０１内にグロー放電を生じさせ、同
時にあらかじめ設計された変化率曲線に従ってＧｅＨ４
／Ｈｅガスの流量を手動あるいは外部駆動モータ等の方
法によってバルブ１１１８の開口を■次変化させる操作
を行なって形成される層中に含有されるゲルマニウム原
子の分布濃度を制御する。

上記の様にして、所望時間グロー放電を維持して、所望
層厚に、基体１１３７上に第１の層領域（Ｇ）を形成す
る。所望層厚に第１の層領域（Ｇ）が形成された段階に
於いて、流出バルブ１１１８を完全に閉じること、及び
必要に応じて放電条件を変える以外は、同様な条件と手
順に従って所望時間グロー放電を維持することで第１の
層領域（Ｇ）上にゲルマニウム原子の実質的に含有され
ない第２の層領域（Ｓ）を形成することが出来る。

第２の層領域（Ｓ）中に、伝導性を支配する物質（Ｃ）
を含有させるには、第２の層領域（Ｓ）の形成の際に例
えばＢ２Ｈ６，ＰＨ３等のガスを堆積室１１０１の中に
導入するガスに加えてやれば良い。

上記の様にして所望層厚に形成された第１の層領域（０
）と第２の層領域（Ｓ）上に第３の層領域（Ｍ）を形成
するには、第３の層領域（Ｍ）の形成時に使用しないガ
スフィンにＣ２Ｈ４ガスボンベをつなぎ、第２の層領域
（Ｓ）の形成の際と同様なバルブ操作によって、例えば
ＳｉＨ４ガス、Ｃ２Ｈ４ガスの夫々を必要に応じてＨｅ
等で希釈して、所望の条件に従って、グロー放電を生起
させることによって成される。

第３の層領域（Ｍ）中にハロゲン原子を含有させるには
、例えばＳｉＦ４ガスとＣ２Ｈ４ガス、或いは、これに
ＳｉＨ４ガスを加えて上記と同様にして第３の層領域（
Ｍ）を形成することによって成される。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バルブ以外の
流出バルブは全て閉じることは言うまでもなく、又夫々
の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
１１０１内、流出バルブ１１１７〜１１２１から反応室
１１０１内に到るガス配管内に残留することを避けるた
めに、流出バルブ１１１７〜１１２１を閉じ、補助バル
ブ１１３２、１１３３を開いてメインバルブ１１３４を
全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じ
て行う。

第３の層領域（Ｍ）中に含有される炭素原子の量は例え
ば、グロー放電による場合には、ＳｉＨ４ガスと、Ｃ２
Ｈ４ガスの反応室１１０１内に導入される流量比を所望
に従って変えるか、或いは、スパッターリングで層形成
する場合には、ターゲットを形成する際シリコンウェハ
とグラファイトウェハのスパッタ面積比率を変えるか、
又はシリコン粉末とグラファイト粉末の混合比率を変え
てターゲットを成型することによって所望に応じて制御
することができる。第３の層領域に含有されるハロゲン
原子（Ｘ）の量は、ハロゲン原子導入用の原料ガス、例
えばＳｉＦ４ガスが反応室１１０１内に導入される際の
流量を調整することによって成される。

又、層形成を行っている間は層形成の均一化を計るため
基本１１３７はモータ１１３９により一定速度で回転さ
せてやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１ 第２０図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｌ
基体上に第１表に示す条件で第１２図に示すガス流に比
の変化率曲線に従ってＧｅＨ４／ＨｅガスとＳｉＨ４／
Ｈｅガスのガス流量比を層作成経過時間と共に変化させ
て層形成を行って電子写真用像形成部をを得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置し■５．０ｋＶで０．３ｓｅｃ間コロナ帯電を行い、
直ちに光像を照射した。光像はタングステンランプ光源
を用い、　２ｌｕｘ・ｓｅｃの光量を透過型のテストチ
ャートを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成の現像剤をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、■５．０ｋＶのコロナ帯電で
転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現性のよ
い鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例２． 第１１図に示した製造装置により、第２表に示す条件で
第１３図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
Ｈ４／ＨｅガスとＳｉＨ４／Ｈｅガスのガス流量比を層
作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例１
．と同様にして、層形成を行って電子写頁用像形成部材
を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例３． 第２０図に示した製造装置により、第３表に示す条件で
第２３図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
Ｈ４／ＨｅガスとＳｉＨ４／Ｈｅガスのガス流量比を層
作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例１
．と同様にして、層形成を行って電子写真用像形成部材
を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１．と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極
めて鮮明な画質が得られた。

実施例４． 第１１図に示した製造装置ににより、第４表に示す条件
で第１５図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇ
ｅＨ４／ＨｅガスとＳｉＨ４／Ｈｅガスのガス流量比を
層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例
１．と同様にして、層形成を行って電子写真用像形成部
材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例５ 第１１図に示した製造装置により、第５表に示す条件で
第１６図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
Ｈ４／ＨｅガスとＳｉＨ４／Ｈｅガスのガス流量比を層
作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例１
．と同様にして、層形成を行って電子写真用像形成部材
を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１．と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極
めて鮮明な画質が得られた。

実施例６． 第１１図に示した製造装置により、第６表に示す条件で
第１７図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
Ｈ４／ＨｅガスとＳｉＨ４／Ｈｅガスのガス流量比を層
作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例１
．と同様にして、層形成を行って電子写真用像形成部材
を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１．と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極
めて鮮明な画質が得られた。

曲線に従って、ＧｅＨ４／ＨｅガスとＳｉＨ４／Ｈｅガ
スのガス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１．と同様にして、層形成を行って電
子写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例８． 実施例１に於いて、ＳｉＨ４／Ｈｅガスの代りに、Ｓｉ
２Ｈ６Ａ／Ｈｅガスを使用し、第８表に示す条件にした
以外は、実施例１．と同様の条件にして層形成を行って
電子写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１．と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極
めて鮮明な画質が得られた。

実施例９． 実施例１．に於いて、ＳｉＨ４／Ｈｅガスの代りに、Ｓ
ｉＦ４／Ｈｅガスを使用し、第９表に示す条件にした以
外は、実施例１．と同様の条件にして層形成を行って電
子写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１．と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極
めて鮮明な画質が得られた。

実施例１０． 実施例１．に於いて、ＳｉＨ４／Ｈｅガスの代りに、（
ＳｉＨ４／Ｈｅ＋ＳｉＦ４／Ｈｅ）ガスを使用し、第１
０表に示す条件にした以外は、実施例１．と同様の条件
にして層形成を行って電子写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１．と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極
めて鮮明な画質が得られた。

実施例１１． 実施例１〜１０に於いて、第２層の作成条件を第１１表
に示す条件にした以外は、各実施例に示す条件と同様に
して電子写真用像形成部材の夫々を作成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１．と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第
１１Ａ表に示す結果が得られた。

実施例１２． 実施例１〜１０に於いて、第２層の作成条件を第１２表
に示す条件にした以外は、各実施例に示す条件と同様に
して電子写真用像形成部材の夫々を作成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１．と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第
１２Ａ表に示す結果が得られた。

実施例１３． 実施例１〜１０に於いて、光源をタングステンランプの
代りに８１０ｎｍのＧａＡｓ系半導体レーザ（１０ｍｗ
）を用いて、静電像の形成を行った以外は、実施例１．
と同様のトナー画像形成条件にして、実施例１〜１０と
同様の条件で作成した電子写真用像形成部材の夫々に就
いてトナー転写画像の画質評価を行ったところ、解像力
に優れ、階調再現性の良い鮮明な高品位の画像が得られ
た。

実施例１４． 第３の層領域（Ｍ）の作成条件を第１３表に示す各条件
にした以外は実施例２〜１０の各実施例と同様の条件と
手順に従って電子写真用像形成部材の夫々（試料Ｎｏ．
１２−２０１〜１２−２０８、１２−３０１〜１２−３
０８、・・・・・・、１２−１００１〜１２−１００９
の７２個の試料）を作成した。

こうして得られた各電子写真用像形成部材の夫々を個別
に複写装置に設置し、■５ＫＶで０．２ｓｅｃ間コロナ
荀電を行い、光像を照射した。光源はタングステンラン
プを用い、光量は１．０ｌｕｘ・ｓｅｃとした。潜像は
■荷電性の現像剤（トナーとキャリヤを含む）によって
現像され、通常の紙に転写された。

転写画像は、極めて良好なものであった。転写されない
で電子写真用像形成部材上に残ったトナーは、ゴムブレ
ードによってクリーニングされた。このような工程を繰
り返し１０万回以上行っても、いずれの場合も画像の劣
化は見られなかった。

各試料の転写画像の総合画質評価と繰返し連続使用によ
る耐久性の評価の結果を第１４表に示す。

実施例１５． 第３の層領域（Ｍ）の形成時、シリコンウェハとグラフ
ァイトのターゲット面積比を変えて、第３の層領域（Ｍ
）に於けるシリコン原子の炭素原子の含有量比を変化さ
せる以外は、実施例１．と全く同様な方法によって像形
成部材の夫々を作成した。こうして得られた像形成部材
の夫々につき、実施例１．に述べた如き、作像、現像、
クリーニングの工程を約５万回繰り返した後画像評価を
行ったところ第１５表の如き結果を得た。

実施例１６ 第３の層領域（Ｍ）の形成時、ＳｉＨ４ガスとＣ２Ｈ４
ガスの流量比を変えて、第３の層領域（Ｍ）に於けるシ
リコン原子と炭素原子の含有量比を変化させる以外は実
施例１．と全く同様な方法によって像形成部材の夫々を
作成した。こうして得られた各像形成部材につき、実施
例１．に述べた如き方法で転写までの工程を約５万回繰
り返した後、画像評価を行ったところ、第１６表の如き
結果を得た。

実施例１７． 第３の層領域（Ｍ）の形成時、ＳｉＨ４ガス、ＳｉＦ４
ガス、Ｃ２Ｈ４ガスの流量比を変えて、第３の層領域（
Ｍ）に於けるシリコン原子と炭素原子の含有量比を変化
させる以外は、実施料１と全く同様な方法によって像形
成部材の夫々を作成した。

こうして得られた各像形成部材につき実施例１．に述べ
た如き作像、現像、クリーニングの工程を約５万回繰り
返した後、画像評価を行ったところ第１７表の如き結果
を得た。

実施例１８． 第３の層領域（Ｍ）の層厚を変える以外は、実施例１．
と全く同様な方法によって像形成部材の夫々を作成した
実施例１．に述べた如き、作像、現像、クリーニングの
工程を繰り返し第１８表の結果を得た。

第１８表 以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以下
に示す。

基本温度：ゲルマニウム原子（Ｇｅ） 含有量・・・約２００℃ ゲルマニウム原子（Ｇｅ） 非含有量・・・約２５０℃ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 反応時反応室内圧：０．３Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明するため
の模式的層構成図、第２図乃至第１０図は夫々光受容層
中のゲルマニウム原子の分布状態を説明する為の説明図
、 第１１図は、本発明で使用 された装置の模式的説明図で、第１２図乃至第１８図は
夫々本発明の実施例に於けるガス流量比の変化率曲線を
示す説明図である。 １００・・・光導電部材 １０１　支持体 １０２・・・光受容層 ００ □Ｃ Ｃ □Ｃ □Ｃ 刀゛又″ｉ量ｒｔｓ 〃゛スｉ量比 ち１５霞 ０．ＱＱＯＯ，ＱＱ？　　　Ｏ，ＱＱＬ　　　Ｏ，Ｑ’
？ｂ　　　Ｏ，Ｑ（？８　　　ＬＯＯＯカス流量比 カ“ス流量比 手続補正書（方式） １　事件の表示 昭和５８年　特許願　　第　７９９０４　　　号２　発
明の名称 光導電部材 ３　補正をする者 １田との関係　　　　　　　特許出願人イ１　ノリ「　
重工；ぞ都人出区）九子３−３０−２居　所　１〒１４
６東京都大田区丁九子３−３０−２５、補正命令の日付 昭和５８年８月６０日（発送日） ６、補正の対象 明細書 Ｚ補正の内容 明細書の２６〜６１ページの浄書（内容に変更なし）（
別紙の通り）

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）光導電部材用の支持体と、該支持体上に、Ｇｅｘ
   Ｓｉ１−ｘ（０．９５＜ｘ≦１）を含む非晶質材料で構
   成された第１の層領域とシリコン原子を含む非晶質材料
   で構成され、光導電性を示す第２の層領域とシリコン原
   子と炭素原子とを含む非晶質材料で構成された第３の層
   領域とが前記支持体側より順に設けられた層構成の光受
   容層とを有し、前記第１の層領域中に於けるゲルマニウ
   ム原子の分布状態が層厚方向に不均一であって、前記光
   受容層中には酸素原子が含有されている事 を特徴とする光導電部材。
2. （２）第１の層領域，第２の層領域及び第３の層領域の
   少なくともいずれか一つに水素原子が含有されている特
   許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。
3. （３）第１の層領域，第２の層領域及び第３の層領域の
   少なくともいずれか一つにハロゲン原子が含有されてい
   る特許請求の範囲第１項及び同第２項に記載の光導電部
   材。
4. （４）第１の層領域中に於けるゲルマニウム原子の分布
   状態が前記支持体側の方に多く分布する分布状態である
   特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。