JPH0380307B2 - - Google Patents
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Description
本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある光導電部材に関す
る。 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Ip）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。
殊に、事務機としてオフイスで使用される電子写
真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場
合には、上記の使用時における無公害性は重要な
点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び耐湿
性等の使用環境特性の点、更には経時的安定性の
点において、総合的な特性向上を計る必要がある
という更に改良される可き点が存するのが実情で
ある。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとす
ると、従来においては、その使用時において残留
電位が残る場合が度々観測され、この種の光導電
部材は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用
による疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴ
ースト現象を発する様になる或いは、高速で繰返
し使用すると応答性が次第に低下する、等の不都
合な点が生ずる場合が少なくなかつた。 更には、ａ−Siは可視光領域の短波長側に較べ
て、長波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸
収係数が比較的小さく、現在実用化されている半
導体レーザとのマツチングに於いて、通常使用さ
れているハロゲンランプや蛍光灯を光源とする場
合、長波長側の光を有効に使用し得ていないとい
う点に於いて、夫々改良される余地が残つてい
る。 又、別には、照射される光が光導電層中に於い
て、充分吸収されずに支持体に到達する光の量が
多くなると、支持体自体が光導電層を透過して来
る光に対する反射率が高い場合には、光導電層内
に於いて多重反射による干渉が起つて、画像の
「ボケ」が生ずる一要因となる。 この影響は、解像度を上げる為に、照射スポツ
トを小さくする程大きくなり、殊に半導体レーザ
を光源とする場合には大きな問題となつている。 或いは又、ａ−Si材料で光導電層を構成する場
合には、その電気的、光導電的特性の改良を計る
ために、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等の
ハロゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼
素原子や燐原子等が或いはその他の特性改良のた
めに他の原子が、各々構成原子として光導電層中
に含有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方
如何によつては、形成した層の電気的或いは光導
電的特性や耐圧性に問題が生ずる場合があつた。 即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射に
よつて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命
が充分でないことや暗部において、支持体側より
の電荷の注入の阻止が充分でないこと、或いは、
転写紙に転写された画像に俗に「白ヌケ」と呼ば
れる、局所的な放電破壊現象によると思われる画
像欠陥や、例えば、クリーニングに、ブレードを
用いるとその摺擦によると思われる、俗に「白ス
ジ」と云われている所謂画像欠陥が生じたりして
いた。又、多湿雰囲気中で使用したり、或いは多
湿雰囲気中に長時間放置した直後に使用すると俗
に云う画像のボケが生ずる場合が少なくなかつ
た。 更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の
真空堆積室より取り出した後、空気中での放置時
間の経過と共に、支持体表面からの層の浮きや剥
離、或いは層に亀裂が生ずる等の現象を引起し勝
ちになる。この現象は、殊に支持体が通常、電子
写真分野に於いて使用されているドラム状支持体
の場合に多く起る等、経時的安定性の点に於いて
解決される可き点がある。 従つてａ−Si材料そのものの特性改良が計られ
る一方で光導電部材を設計する際に、上記した様
な問題の総てが解決される様に工夫される必要が
ある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、シリコン原子（Si）とゲ
ルマニウム原子（Ge）とを母体とし、水素原子
（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）のいずれか一方を
少なくとも含有するアモルフアス材料、所謂水素
化アモルフアスシリコンゲルマニウム、ハロゲン
化アモルフアスシリコンゲルマニウム、或いはハ
ロゲン含有水素化アモルフアスシリコンゲルマニ
ウム〔以後これ等の総称的表記として「ａ−
SiGe（Ｈ，Ｘ）」を使用する〕から構成される光
導電性を示す非晶質層を有する光導電部材の構成
を以後に説明される様な特定化の下に設計されて
作成された光導電部材は実用上著しく優れた特性
を示すばかりでなく、従来の光導電部材と較べて
みてもあらゆる点において凌駕していること、殊
に電子写真用の光導電部材として著しく優れた特
性を有していること、及び長波長側に於ける吸収
スペクトル特性に優れていることを見出した点に
基いている。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時
安定していて、殆んど使用環境に制限を受けない
全環境型であり、長波長側の光感度特性に優れる
と共に耐光疲労に著しく長く、繰返し使用に際し
て劣化現象を起さず、残留電位が全く又は殆んど
観測されない光導電部材を提供することを主たる
目的とする。 本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優
れ、且つ光応答の速い光導電部材を提供すること
である。 本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材
として適用させた場合、通常の電子写真法が極め
て有効に適用され得る程度に、静電像形成の為の
帯電処理の際の電荷保持能が充分ある光導電部材
を提供することである。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得る事が容易に出来る電子写真用の光導電部
材を提供することである。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性を有する光導電部材を提供すること
でもある。 本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層
と支持体との間や積層される層の各層間に於ける
密着性に優れ、構造配列的に緻密で安定的であ
り、層品質の高い光導電部材を提供することであ
る。 本発明の更に他の目的は、長期の使用に於いて
画像欠陥や画像のボケが全くなく、濃度が高く、
ハーフトーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高
品質画像を得ることが容易にできる電子写真用の
光導電部材を提供することである。 本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体
と、シリコン原子とゲルマニウム原子とを含む非
晶質材料で構成された、光導電性を示す第一の非
晶質層と、シリコン原子と炭素原子とを含む非晶
質材料で構成された第二の非晶質層とを有し、前
記第一の非晶質層中に於けるゲルマニウム原子の
分布濃度が、前記支持体より該支持体側とは反対
の側に向かつて減少しており、該第一の非晶質層
中には酸素原子が含有されていることを特徴とす
る。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて、耐光疲労、繰返し
使用特性を長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い、高品質の画像を安
定して繰返し得ることができる。 又、本発明の光導電部材は支持体上に形成され
る非晶質層が、層自体が強靭であつて、且つ支持
体との密着性に著しく優れており、高速で長時間
連続的に繰返し使用することができる。 更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於
いて光感度が高く、殊に半導体レーザとのマツチ
ングに優れ、且つ光応答が速い。 又、本発明の光導電部材は支持体上に形成され
る非晶質層が、層自体が強靭であつて、且つ支持
体との密着性に著しく優れており、高速で長時間
連続的に繰返し使用することが出来る。 以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
て詳細に説明する。 第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電
部材の層構成を説明するために模式的に示した模
式的構成図である。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、ａ−SiGe（Ｈ，
Ｘ）から成り、酸素原子を含有し、光導電性を有
する第一の非晶質層（）１０２と、第二の非晶
質層（）１０３とを具備し、第二の非晶質層
（）１０３は自由表面を有している。 第一の非晶質層（）１０２中に含有されるゲ
ルマニウム原子は、該非晶質層（）１０２の層
厚方向には連続的であつて且つ前記支持体１０１
の設けられてある側とは反対の側（第二の非晶質
層（）１０２側）の方に対して前記支持体側の
方に多く分布した状態となる様に前記第一の非晶
質層（）１０２中に含有される。 本発明の光導電部材においては、第一の非晶質
層（）中に含有されるゲルマニウム原子の分布
状態は、層厚方向においては、前記の様な分布状
態を取り、支持体の表面と平行な面内方向に均一
な分布状態とされるのが望ましいものである。 第２図乃至第１０図には、本発明における光導
電部材の第一の非晶質層（）中に含有されるゲ
ルマニウム原子の層厚方向の分布状態の典型的例
が示される。 第２図乃至第１０図において、横軸はゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃを、縦軸は光導電性を示す
第一の非晶質層（）の層厚を示し、tBは支持体
側の第一の非晶質層（）の表面の位置を、tTは
支持体側とは反対側の第一の非晶質層（）の表
面の位置を示す。即ち、ゲルマニウム原子の含有
される第一の非晶質層（）はtB側よりtT側に向
つて層形成がなされる。 第２図には、第一の非晶質層（）中に含有さ
れるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の第
１の典型例が示される。 第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の
含有される第一の非晶質層（）が形成される表
面と該第一の非晶質層（）の表面とが接する界
面位置tBよりt1の位置までは、ゲルマニウム原子
の分布濃度ＣがC1なる一定の値を取り乍らゲル
マニウム原子が、形成される第一の非晶質層
（）に含有され、位置t1よりは界面位置tTに至
るまで分布濃度C2より徐々に連続的に減少され
ている。界面位置tTにおいてはゲルマニウム原子
の分布濃度ＣはC3とされる。 第３図に示される例においては、含有されるゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは位置tBより位置tT
に至るまで濃度C4から徐々に連続的に減少して
位置tTにおいて濃度C5となる様な分布状態を形成
している。 第４図の場合には、位置tBより位置t2まではゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度C6と一定値
とされ、位置t2と位置tTとの間において、徐徐に
連続的に減少され、位置tTにおいて、分布濃度Ｃ
は実質的に零とされている（ここで実質的に零と
は検出限界量未満の場合である）。 第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは位置tBにより位置tTに至るまで、濃度C8よ
り連続的に徐々に減少され、位置tTにおいて実質
的に零とされている。 第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃは、位置tBと位置t3間においては、
濃度C9と一定値であり、位置tTにおいては濃度
C10される。位置t3と位置tTとの間では、分布濃度
Ｃは一次関数的に位置t3より位置tTに至るまで減
少されている。 第７図に示されている例においては、分布濃度
Ｃは位置tBにより位置t4までは濃度C11の一定値を
取り、位置t4より位置tTまでは濃度C12より濃度
C13まで一次関数的に減少する分布状態とされて
いる。 第８図に示す例においては、位置tBより位置tT
に至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃
度C14より実質的に零に至る様に一次関数的に減
少している。 第９図においては、位置tBより位置t5に至るま
ではゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度C15
より濃度C16まで一次関数的に減少され、位置t5
と位置tTとの間においては、濃度C16の一定値と
された例が示されている。 第１０図に示されている例においては、ゲルマ
ニウム原子の分布濃度Ｃは位置tBにおいて濃度
C17であり、位置t6に至るまではこの濃度C17より
初めはゆつくりと減少され、t6の位置付近におい
ては、急激に減少されて位置t6では濃度C18とさ
れる。 位置t6と位置t7との間においては、初め急激に
減少されて、その後は、緩かに徐々に減少されて
位置t7で温度Ｃ１９となり、位置t7と位置t8との
間では、極めてゆつくりと徐々に減少されて位置
t8において、濃度C20に至る。位置t8と位置tTの間
においては、濃度C20より実質的に零になる様に
図に示す如き形状の曲線に従つて減少されてい
る。 以上、第２図乃至第１０図により、第一の非晶
質層（）中に含有されるゲルマニウム原子の層
厚方向の分布状態の典型例の幾つかを説明した様
に、本発明においては、支持体側において、ゲル
マニウム原子の分布濃度Ｃの高い部分を有し、界
面tT側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に
較べて可成り低くされた部分を有するゲルマニウ
ム原子の分布状態が第一の非晶質層（）に設け
られている。 本発明に於ける光導電部材を構成する第一の非
晶質層（）は好ましくは上記した様に支持体側
の方にゲルマニウム原子が比較的高濃度で含有さ
れている局在領域(A)を有するのが望ましい。 本発明に於いて局在領域(A)は、第２図乃至第１
０図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置tB
より5μ以内に設けられるのが望ましいものであ
る。 本発明においては、上記局在領域(A)は、界面位
置tBより5μ厚までの全層領域（LT）とされる場合
もあるし、又、層領域（LT）の一部とされる場
合もある。 局在領域(A)を層領域（LT）の一部とするか又
は全部とするかは、形成される第一の非晶質層
（）に要求される特性に従つて適宜決められる。 局在領域(A)はその中に含有されるゲルマニウム
原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原
子の分布濃度の最大値Cnaxがシリコン原子に対し
て、通常は1000atomic ppm以上、好適には
5000atomic ppm以上、最適には１×104atomic
ppm以上とされる様な分布状態となり得る様に層
形成されるのが望ましい。 即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の
含有される第一の非晶質層（）は、支持体側か
らの厚層で5μ以内（tBから5μ厚の層領域）に分布
濃度の最大値Cnaxが存在する様に形成されるのが
好ましいものである。 本発明において、第一の非晶質層（）中に含
有されるゲルマニウム原子の含有量としては、本
発明の目的が効果的に達成される様に所望に従つ
て適宜決められるが、通常は１〜9.5×105atomic
ppm、好ましくは100〜８×105atomic ppm、最
適には、500×７×105atomic ppmとされるのが
望ましいものである。 本発明の光導電部材に於いては、第一の非晶質
層（）中に於けるゲルマニウム原子の分布状態
は、全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布
し、ゲルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが
支持体側より第一の非晶質層（）の自由表面側
に向つて、減少する変化が与えられているので、
分布濃度Ｃの変化率曲線を所望に従つて任意に設
計することによつて、要求される特性を持つた非
晶質層を所望通りに実現することが出来る。 例えば、第一の非晶質層（）中に於けるゲル
マニウムの分布濃度Ｃを支持体側に於いては、充
分高め、第一の非晶質層（）の自由表面側に於
いては、極力低める様な、分布濃度Ｃの変化を、
ゲルマニウム原子の分布濃度曲線に与えることに
よつて、可視光領域を含む、比較的短波長から比
較的長波長迄の全領域の波長の光に対して光感度
化を図ることが出来る。 又、後述される様に、第一の非晶質層（）の
支持体側端部に於いて、ゲルマニウム原子の分布
濃度Ｃを極端に大きくすることにより、半導体レ
ーザを使用した場合の、第一の非晶質層（）の
レーザ照射面側に於いて充分吸収し切れない長波
長側の光を第一の非晶質層（）の支持体側端部
層領域に於いて、実質的に完全に吸収することが
出来、支持体面からの反射による干渉を効果的に
防止することが出来る。 本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と
高暗抵抗化、更には、支持体と第一の非晶質層
（）との間の密着性の改良を図る目的の為に、
第一の非晶質層（）中には、酸素原子が含有さ
れる。第一の非晶質層（）中に含有される酸素
原子は、第一の非晶質層（）の全層領域に万遍
なく含有されても良いし、或いは、第一の非晶質
層（）の一部の層領域のみに含有させて遍在さ
せても良い。 又、酸素原子の分布状態は分布濃度Ｃ（Ｏ）が、
第一の非晶質層（Ｉ）の層厚方向に於いては、均
一であつても、第２図乃至第１０図を用いて説明
したゲルマニウム原子の分布状態と同様に分布濃
度Ｃ（Ｏ）が層厚方向には不均一であつても良い。 詰り、酸素原子の分布濃度Ｃ（Ｏ）が層厚方向
に不均一である場合の酸素原子の分布状態は、第
２図乃至第１０図を用いてゲルマニウム原子の場
合と同様に説明され得る。 本発明の於いて、第一の非晶質層（）に設け
られる酸素原子の含有されている層領域（Ｏ）
は、光感度と暗抵抗の向上を主たる目的とする場
合には、第一の非晶質層（）の全層領域を占め
る様に設けられ、支持体と第一の非晶質層（）
との間の密着性の強化を図るのを主たる目的とす
る場合には、第一の非晶質層（）の支持体側端
部層領域を占める様に設けられる。 前者の場合、層領域（Ｏ）中に含有される酸素
原子の含有量は、光感度を維持する為に比較的少
なくされ、後者の場合には、支持体との密着性の
強化を確実に図る為に比較的多くされるのが望ま
しい。 又、前者と後者の両方を同時に達成する目的の
為には、支持体側に於いて比較的高濃度に分布さ
せ、第一の非晶質層（）の自由表面側に於いて
比較的低濃度に分布させるか、或いは、第一の非
晶質層（）の自由表面側の表面層領域には、酸
素原子を積極的には含有させない様な酸素原子の
分布状態を領域層（Ｏ）中に形成すれば良い。 本発明に於いて、第一の非晶質層（）に設け
られる層領域（Ｏ）に含有される酸素原子の含有
量は、層領域（Ｏ）自体に要求される特性、或い
は該層領域（Ｏ）が支持体に直に接触して設けら
れる場合には、該支持体との接触界面に於ける特
性との関係等、有機的関連性に於いて、適宜選択
することが出来る。 又、前記層領域（Ｏ）に直に接触して他の層領
域が設けられる場合には、該他の層領域の特性
や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、酸素原子の含有量が適宜選択
される。 層領域（Ｏ）中に含有される酸素原子の量は、
形成される光導電部材に要求される特性に応じて
所望に従つて適宜決められるが、通常の場合、
0.001〜50atomic％、好ましくは、0.002〜
40atomic％、最適には0.003〜30atomic％とされ
るのが望ましいものである。 本発明に於いて、層領域（Ｏ）が第一の非晶質
層（）の全域を占めるか、或いは、第一の非晶
質層（）の層全域を占めなくとも、層領域
（Ｏ）の層厚T0の第一の非晶質層（）の層厚Ｔ
に占める割合が充分多い場合には、層領域(O)に含
有される酸素原子の含有量の上限は、前記の値よ
り充分少なくされるのが望ましい。 本発明の場合には、層領域（Ｏ）の層厚T0が
第一の非晶質層（）の層厚Ｔに対して占める割
合が５分の２以上となる様な場合には、層領域
（Ｏ）中に含有される酸素原子の量の上限として
は、通常は、30atomic％以下、好ましくは、
20atomic％以下、最適には10atomic％以下とさ
れるのが望ましいものである。 本発明において、第一の非晶質層（）を構成
する酸素原子の含有される層領域（Ｏ）は、上記
した様に支持体側の方に酸素原子が比較的高濃度
で含有されている局在領域(B)を有するものとして
設けられるのが望ましく、この場合には、支持体
と第一の非晶質層（）との間の密着性をより一
層向上させることが出来る。 上記局在領域(B)は、第２図乃至第１０図に示す
記号を用いて説明すれば、界面位置tBより5μ以内
に設けられるのが望ましい。 本発明においては、上記局在領域(B)は、界面位
置tBより5μ厚までの全層領域（LT）とされる場合
もあるし、又、層領域（LT）の一部とされる場
合もある。 局在領域を層領域（LT）一部とするか又は全
部とするかは、形成される非晶質層に要求される
特性に従つて適宜決められる。 局在領域(B)はその中に含有される酸素原子の層
厚方向の分布状態として酸素原子の分布濃度の最
大値Cnaxが通常は500atomic ppm以上、好適に
は800atomic ppm以上、最適には1000atomic
ppm以上とされる様な分布状態となり得る様に層
形成されるのが望ましい。 即ち、本発明においては、酸素原子の含有され
る層領域（Ｏ）は、支持体側からの層厚で5μ以
内（tBから5μ厚の層領域）に分布濃度の最大値
Cnaxが存在する様に形成されるのが望ましい。 本発明において、必要に応じて非晶質層中に含
有されるハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的に
はフツ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊に
フツ素、塩素を好適なものとして挙げることが出
来る。 本発明において、ａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる第一の非晶質層（）を形成するには、例え
ば、グロー放電法、スパツタリング法、或いはイ
オンプレーテイング法等の放電現象を利用する真
空堆積法によつて成される。例えば、グロー放電
法によつて、ａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構成される第
一の非晶質層（）を形成するには、基本的には
シリコン原子（Si）を供給し得るSi供給用の原料
ガスとゲルマニウム原子（Ge）を供給し得るGe
供給用の原料ガスと、必要に応じて水素原子(H)導
入用の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導
入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内
に所望のガス圧状態で導入して、該堆積室内にグ
ロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されて
ある、所定の支持体表面上に含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度を所望の変化率曲線に従つて
制御し乍らａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成
させれば良い。又、スパツタリング法で形成する
場合には、例えばAr，He等の不活性ガス又はこ
れ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中で
Siで構成されたターゲツト、或いは、該ターゲツ
トとGeで構成されたターゲツトの二枚を使用し
て、又は、SiとGeの混合されたターゲツトを使
用して、必要に応じて、He，Ar等の稀釈ガスで
稀釈されたGe供給用の原料ガスを、必要に応じ
て、水素原子(H)又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導
入用のガスをスパツタリング用の堆積室に導入
し、所望のガスのプラズマ雰囲気を形成すると共
に、前記Ge供給用の原料ガスのガス流量を所望
の変化率曲線に従つて制御し乍ら、前記のターゲ
ツトをスパツタリングしてやれば良い。 イオンプレーテイング法の場合には、例えば多
結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマ
ニウム又は単結晶ゲルマニウムとを、夫々蒸発源
として蒸着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加
熱法、或いは、エレクトロンビーム法（EB法）
等によつて加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガ
スプラズマ雰囲気中を通過させる以外は、スパツ
タリング法の場合と同様にする事で行うことが出
来る。 本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
と成り得る物質としては、SiH4，Si2H6，Si3H8，
Si4H10等のガス状態の又はガス化し得る水素化珪
素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙
げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Si供
給効率の良さ等の点でSiH4，Si2H6が好ましいも
のとして挙げられる。 Ge供給用の原料ガスと成り得る物質としては、
GeH4，Ge2H6，Ge3H8，Ge4H10，Ge5H12，
Ge6H14，Ge7H16，Ge8H18，Ge9H20等のガス状
態の又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効
に使用されるものとして挙げられ、殊に、層作成
作業時の取扱い易さ、Ge供給効率の良さ等の点
で、GeH4，Ge2H6，Ge3H8が好ましいものとし
て挙げられる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン
化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換された
シラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハ
ロゲン化合物が好ましく挙げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む水素化硅素化合物も有効なもの
として本発明においては挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF，ClF，ClF3，
BrF5，BrF3，IF3，IF7，ICl，IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF4，Si2F6，SiCl4，SiBr4等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、Ge供給用の原料ガ
スと共にSiを供給し得る原料ガスとしての水素化
硅素ガスを使用しなくとも、所望の支持体上にハ
ロゲン原子を含むａ−SiGeから成る第一の非晶
質層（）を形成する事が出来る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む第
一の非晶質層（）を製造する場合、基本的に
は、例えばSi供給用の原料ガスとなるハロゲン化
硅素とGe供給用の原料ガスとなる水素化ゲルマ
ニウムとAr，H2，He等のガス等を所定の混合比
とガス流量になる様にして第一の非晶質層（）
を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起し
てこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成すること
によつて、所望の支持体上に第一の非晶質層
（）を形成し得るものであるが、水素原子の導
入割合の制御を一層容易になる様に図る為にこれ
等のガスに更に水素ガス又は水素原子を含む珪素
化合物のガスも所望量混合して層形成しても良
い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。 スパツタリング法、イオンプレーテイング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を
導入するには、前記のハロゲン化合物又は前記の
ハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中
に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してや
れば良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H2、或いは前記した
シラン類又は／及び水素化ゲルマニウム等のガス
類をスパツタリング用の堆積室中に導入して該ガ
ス類のプラズマ雰囲気を形成してやれば良い。 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF，HCl，
HBr，HI等のハロゲン化水素、SiH2F2，
SiH2I2，SiH2Cl2，SiHCl3，SiH2Br2，SiHBr3等
のハロゲン置換水素化珪素、及びGeHF3，
GeH2F2，GeH3F，GeHCl3，GeH2Cl2，
GeH3Cl，GeHBr3，GeH2Br2，GeH3Br，
GeHI3，GeH2I2，GeH3I等の水素化ハロゲン化
ゲルマニウム、等の水素原子を構成要素の１つと
するハロゲン化物、GeF4，GeCl4，GeBr4，
GeI4，GeF2，GeCl2，GeBr2，GeI2等のハロゲン
化ゲルマニウム、等々のガス状態の或いはガス化
し得る物質も有効な第一の非晶質層（）形成用
の出発物質として挙げる事が出来る。 これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化
物は、第一の非晶質層（）形成の際に層中にハ
ロゲン原子の導入と同時に電気的或いは光電的特
性の制御に極めて有効な水素原子も導入されるの
で、本発明においては好適なハロゲン導入用の原
料として使用される。 水素原子を第一の非晶質層（）中に構造的に
導入するには、上記の他にH2、或いはSiH4，
Si2H6，Si3H8，Si4H10等の水素化硅素をGeを供
給する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物
と、或いは、GeH4，Ge2H6，Ge3H8，Ge4H10，
Ge5H12，Ge6H14，Ge7H16，Ge8H18，Ge9H20等
の水素化ゲルマニウムとSiを供給する為のシリコ
ン又はシリコン化合物と、を堆積室中に共存させ
て放電を生起させる事でも行う事が出来る。 本発明の好ましい例において、形成される光導
電部材の第一の非晶質層（）中に含有される水
素原子(H)の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水
素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は通常
の場合0.01〜40atomic％、好適には0.05〜
30atomic％、最適には0.1〜25atomic％とされる
のが望ましい。 第一の非晶質層（）中に含有される水素原子
(H)又は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御する
には、例えば支持体温度又は／及び水素原子(H)、
或いはハロゲン原子（Ｘ）を含有させる為に使用
される出発物質の堆積装置系内へ導入する量、放
電電力等を制御してやれば良い。 本発明の光導電部材に於ける第一の非晶質層
（）の層厚は、第一の非晶質層（）中で発生
されるフオトキヤリアが効率良く輸送される様に
所望に従つて適宜決められ、通常は、１〜100μ、
好適には１〜80μ、最適には２〜50μとされるの
が望ましい。 本発明に於いて、第一の非晶質層（）に酸素
原子の含有された層領域（Ｏ）を設けるには、第
一の非晶質層（）の形成の際に酸素原子導入用
の出発物質を前記した第一の非晶質層（）形成
用の出発物質と共に使用して、形成される層中に
その量を制御し乍ら含有してやれば良い。 層領域（Ｏ）を形成するのにグロー放電法を用
いる場合には、前記した第一の非晶質層（）形
成用の出発物質の中から所望に従つて選択された
ものに酸素原子導入用の出発物質が加えられる。
その様な酸素原子導入用の出発物質としては、少
なくとも酸素原子を構成原子とするガス状の物質
又はガス化し得る物質をガス化したものの中の大
概のものが使用され得る。 例えばシリコン原子（Si）を構成原子とする原
料ガスと、酸素原子（Ｏ）を構成原子とする原料
ガスと、必要に応じて水素原子(H)又は及びハロゲ
ン原子（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望
の混合比で混合して使用するか、又は、シリコン
原子（Si）を構成原子とする原料ガスと、酸素原
子（Ｏ）及び水素原子(H)を構成原子とする原料ガ
スとを、これも又所望の混合比で混合するか、或
いは、シリコン原子（Si）を構成原子とする原料
ガスと、シリコン原子（Si），酸素原子（Ｏ）及
び水素原子(H)の３つを構成原子とする原料ガスと
を混合して使用することが出来る。 又、別には、シリコン原子（Si）と水素原子(H)
とを構成原子とする原料ガスに酸素原子（Ｏ）を
構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良
い。 具体的には、例えば酸素（O2），オゾン（O3），
一酸化窒素（NO），二酸化窒素（NO2），一二酸
化窒素（N2O），三二酸化窒素（N2O3），四二酸
化窒素（N2O4），五二酸化窒素（N2O5），三酸化
窒素（NO3），シリコン原子（Si）と酸素原子(O)
と水素原子(H)とを構成原子とする、例えば、ジシ
ロキサン（H3SiOSiH3），トリシロキサン
（H3SiOSiH2OSiH3）等の低級シロキサン等を挙
げることが出来る。 スパツタリング法によつて、酸素原子を含有す
る第一の非晶質層（）を形成するには、単結晶
又は多結晶のSiウエーハー又はSiO2ウエーハー、
又はSiとSiO2が混合された含有されているウエ
ーハーをターゲツトとして、これ等を種々のガス
雰囲気中でスパツタリングすることによつて行え
ば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／
及びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必
要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の
堆積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマ
を形成して前記Siウエーハーをスパツタリングす
れば良い。 又、別には、SiとSiO2とは別々のターゲツト
として、又はSiとSiO2の混合した一枚のターゲ
ツトを使用することによつて、スパツター用のガ
スとしての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも
水素原子(H)又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成
原子として含有するガス雰囲気中でスパツタリン
グすることによつて成される。酸素原子導入用の
原料ガスとしては、先述したグロー放電の例で示
した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガス
が、スパツタリングの場合にも有効なガスとして
使用され得る。 本発明に於いて、第一の非晶質層（）の形成
の際に、酸素原子の含有される層領域（Ｏ）を設
ける場合、該層領域（Ｏ）に含有される酸素原子
の分布濃度Ｃ（Ｏ）の層厚方向に変化させて、所
望の層厚方向の分布状態（depth profile）を有
する層領域（Ｏ）を形成するには、グロー放電の
場合には、分布濃度Ｃ（Ｏ）は変化させるべき酸
素原子導入用の出発物質のガスを、そのガス流量
を所望の変化率曲線に従つて適宜変化させ乍ら、
堆積室内に導入することによつて成される。 例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用
いられている何らかの方法により、ガス流路系の
途中に設けられた所定のニードルバルブの開口を
漸次変化させる操作を行えば良い。このとき、流
量の変化率は線型である必要はなく、例えばマイ
コン等を用いて、あらかじめ設計された変化率曲
線に従つて流量を制御し、所望の含有率曲線を得
ることもできる。 層領域（Ｏ）をスパツタリング法によつて形成
する場合、酸素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（Ｏ）
を層厚方向で変化させて、酸素原子の層厚方向の
所望の分布状態（depth prfile）を形成するに
は、第一には、グロー放電法による場合と同様
に、酸素原子導入用の出発物質をガス状態で使用
し、該ガスを堆積室中へ導入する際のガス流量を
所望に従つて適宜変化させることによつて成され
る。 第二には、スパツタリング用のターゲツトを、
例えばSiとSiO2との混合されたターゲツトを使
用するのであれば、SiとSiO2との混合比を、タ
ーゲツトの層厚方向に於いて、予め変化させてお
くことによつて成される。 第１図に示される光導電部材１００に於いては
第一の非晶質層（）１０２上に形成される第二
の非晶質層（）１０３は自由表面を有し、主に
耐湿性、連続繰返し使用特性、耐圧性、使用環境
特性、耐久性に於いて本発明の目的を達成する為
に設けられる。 又、本発明に於いては、第一の非晶質層（）
１０２と第二の非晶質層（）１０３とを構成す
る非晶質材料の各々がシリコン原子という共通の
構成要素を有しているので、積層界面に於いて化
学的な安定性の確保が充分成されている。 本発明に於ける第二の非晶質層（）は、シリ
コン原子（Si）と炭素原子(C)と、必要に応じて水
素原子(H)又は／及びハロゲン原子（Ｘ）とを含む
非晶質材料（以後、「ａ−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-
ｙ」、但し、０＜ｘ，ｙ＜１、と記す）で構成され
る。 ａ−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yで構成される第二
の非晶質層（）の形成はグロー放電法、スパツ
タリング法、イオンプランテーシヨン法、イオン
プレーテイング法、エレクトロンビーム法等によ
つて成される。これ等の製造法は、製造条件、設
備資本投下の負荷程度、製造規模、作製される光
導電部材に所望される特性等の要因によつて適宜
選択されて採用されるが、所望する特性を有する
光導電部材を製造する為の作製条件の制御が比較
的容易である、シリコン原子と共に炭酸原子及び
ハロゲン原子を、作製する第二の非晶質層（）
中に導入するのが容易に行えう等の利点からグロ
ー放電法或はスパツターリング法が好適に採用さ
れる。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して第二
の非晶質層（）を形成しても良い。 グロー放電法によつて第二の非晶質層（）を
形成するには、ａ−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-y形成
用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量
の混合比で混合して、支持体の設置してある真空
堆積用の堆積室に導入し、導入されたガスを、グ
ロー放電を生起させることでガスプラズマ化し
て、前記支持体上で既に形成されてある第一の非
晶質層（）上にａ−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yを
堆積させれば良い。 本発明に於いて、ａ−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-y
形成用の原料ガスとしては、シリコン原子（Si），
炭素(C)，水素原子(H)，ハロゲン原子（Ｘ）の中の
少なくとも１つを構成原子とするガス状の物質又
はガス化し得る物質をガス化したものの中の大概
のものが使用され得る。 Si，Ｃ，Ｈ，Ｘの中の１つとしてSiを構成原子
とする原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構
成原子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原
料ガスと、必要に応じてＨを構成原子とする原料
ガス又は／及びＸを構成原子とする原料ガスとを
所望の混合比で混合して使用するか、又はSiを構
成原子とする原料ガルと、Ｃ及びＨを構成原料と
する原料ガス又は／及びＣ及びＸを構成原子とす
る原料ガスとを、これも又、所望の混合比で混合
するか、或いは、Siを構成原子とする原料ガス
と、Si，Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガ
ス又は、Si，Ｃ及びＸの３つを構成原子とする原
料ガスとを混合して使用することが出来る。又、
別にはSiとＨとを構成原子とする原料ガスにＣを
構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良
いし、SiとＸとを構成原子とする原料ガスにＣを
構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良
い。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）中に含
有されるハロゲン原子（Ｘ）として好適なのは
Ｆ，Cl，Br，Ｉであり、株にＦ，Clが望ましい
ものである。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）を形成
するのに有効に使用される原料ガスと成り得るも
のとしては、常温常圧に於いてガス状態のもの又
は容易にガス化し得る物質を挙げることが出来
る。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）形成用
の原料ガスとして有効に使用されるのは、SiとＨ
とを構成原子とするSiH4，Si2H6，Si3H8，
Si4H10等のシラン（Silane）類等の水素化硅素ガ
ス、ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭素数１
〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系
炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水
素，ハロゲン単体，ハロゲン化水素，ハロゲン間
化合物，ハロゲン化硅素，ハロゲン置換水素化硅
素，水素化硅素等を挙げる事が出来る。 具体的には、飽和炭化水素としてはメタン
（CH4），エタン（C2H6），プロパン（C3H8），ｎ
−ブタン（ｎ−C4H10），ペンタン（C5H12），エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C4H4），
プロピレン（C3H6），ブテン−１（C4H8），ブテ
ン−２（C4H8），イソブチレン（C4H8），ペンテ
ン（C5H10），アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C2H2），メチルアセチレン
（C3H4），ブチン（C4H6），ハロゲン単体として
は、フツ素，塩素，臭素，ヨウ素のハロゲンガ
ス，ハロゲン化水素としては、FH，HI，HCl，
HBr，ハロゲン間化合物としては、BrF，ClF，
ClF3，ClF5，BrF5BrF3，IF7，IF5，ICl，IBrハ
ロゲン化硅素としてはSiF4，Si2F6，SiCl4，
SiCl3Br，SiCl2Br2，SiClBr3，SiCl3I，SiBr4，
ハロゲン置換水素化硅素としては、SiH2F2，
SiH2Cl2，SiHCl3，SiH3Cl，SiH3Br，SiH2Br2，
SiHBr3，水素化硅素としては、SiH4，Si2H8，
Si4H10等のシラン（Silane）類、等々を挙げるこ
とが出来る。 これ等の他に、CF4，CCl4，CBr4，CHF3，
CH2F2，CH3F，CH3Cl，CH3Br，CH3I，
C2H5Cl等のハロゲン置換パラフイン系炭化水素，
SF4，SF6等のフツ素化硫黄化合物，Si（CH3）4，
Si（C2H5）4，等のケイ化アルキルやSiCl（CH3）3，
SiCl2（CH3）2，SiCl3CH3等のハロゲン含有ケイ化
アルキル等のシラン誘導体も有効なものとして挙
げることが出来る。 これ等の第二の非晶質層（）形成物質は、形
成される第二の非晶質層（）中に、所定の組成
比でシリコン原子，炭素原子及びハロゲン原子と
必要に応じて水素原子とが含有される様に、第二
の非晶質層（）の形成の際に所望に従つて選択
されて使用される。 例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
の含有が容易に成し得て且つ所望の特性の層が形
成され得るSi（CH3）4と、ハロゲン原子を含有さ
せるものとしてのSiHCl3，SiH2Cl2，SiCl4，或
いはSiH3Cl等を所定の混合比にしてガス状態で
第二の非晶質層（）形成用の装置内に導入して
グロー放電を生起させることによつてａ−（Six
C1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yから成る第二の非晶質層
（）を形成することが出来る。 スパツターリング法によつて第二の非晶質層
（）を形成するには、単結晶又は多結晶のSiウ
エーハー又はＣウエーハー又はSiとＣが混合され
て含有されているウエーハーをターゲツトとし
て、これ等を必要に応じてハロゲン原子又は／及
び水素原子を構成要素として含む種々のガス雰囲
気中でスパツターリングすることによつて行えば
良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＣとＨ又は／及びＸを導入する為の原料
ガスを、必要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパ
ツター用の堆積室中に導入し、これ等のガスのガ
スプラズマを形成して前記Siウエーハーをスパツ
ターリングすれば良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、必要に応じて水素原子又
は／及びハロゲン原子を含有するガス雰囲気中で
スパツターリングすることによつて成される。
Ｃ，Ｈ及びＸの導入用の原料ガスとなる物質とし
ては先述したグロー放電の例で示した第二の非晶
質層（）形成用の物質がストツパーリング法の
場合にも有効な物質として使用され得る。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）をグロ
ー放電法又はスパツターリング法で形成する際に
使用される稀釈ガスとしては、所謂・希ガス、例
えばHe，Ne，Ar等が好適なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明に於ける第二の非晶質層（）は、その
要求される特性が所望通りに与えられる様に注意
深く形成される。 即ち、Si，Ｃ，必要に応じてＨ又は／及びＸを
構成原子とする物質は、その作成条件によつて構
造的に結晶からアモルフアスまでの形態を取り、
電気物性的には、導電性から半導体性、絶縁性ま
での間の性質を、又光導電的性質から非光導電的
性質までの間の性質を、各々示すので本発明に於
いては、目的に応じた所望の特性を有するａ−
（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yが形成される様に、所望
に従つてその作成条件の選択が厳密に成される。
例えば、第二の非晶質層（）を耐圧性の向上を
主な目的として設けるにはａ−（SixC1-x）y（Ｈ，
Ｘ）1-yは使用環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕
著な非晶質材料として作成される。 又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上
を主たる目的として第二の非晶質層（）が設け
られる場合には上記の電気絶縁性の度合はある程
度緩和され、照射される光に対してある程度の感
度を有する非晶質材料としてａ−（SixC1-x）y
（Ｈ，Ｘ）1-yが作成される。 第一の非晶質層（）の表面にａ−（SixC1-x）y
（Ｈ，Ｘ）1-yから成る第二の非晶質層（）を形
成する際、層形成中の支持体温温度は、形成され
る層の構造及び特性を左右する重要な因子であつ
て、本発明に於いては、目的とする特性を有する
ａ−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yが所望通りに作成さ
れ得る様に層作成時の支持体温度が厳密に制御さ
れるのが望ましい。 本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成さ
れる為の第二の非晶質層（）の形成法に併せて
適宜最適範囲が選択されて、第二の非晶質層
（）の形成が実行されるが、通常の場合、20〜
400℃、好適には50〜350℃、最適には100〜300℃
とされるのが望ましいものである。第二の非晶質
層（）の形成には、層を構成する原子の組成比
の微妙の制御や層厚の制御が他の方法に較べて比
較的容易である事等の為に、グロー放電法やスパ
ツターリング法の採用が有利であるが、これ等の
層形成法で第二の非晶質層（）を形成する場合
には、前記の支持体温度と同様に層形成の際の放
電パワーが作成されるａ−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1
−ｙの特性を左右する重要な因子の１つである。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yが生産性良く効
果的に作成される為の放電パワー条件としては通
常10〜300W、好適には20〜250W、最適には50W
〜200Wとされるのが望ましいものである。 堆積室内のガス圧は通常は0.01〜1Torr，好適
には、0.1〜0.5Torr程度とされるのが望ましい。 本発明に於いては第二の非晶質層（）を作成
する為の支持体温度、放電パワーの望ましい数値
範囲として前記した範囲の値が挙げられるが、こ
れ等の層作成フアクターは、独立的に別々に決め
られるものではなく、所望特性のａ−（SixC1-x）y
（Ｈ，Ｘ）1-yから成る第二の非晶質層（）が形
成される様に相互的有機的関連性に基づいて各層
作成フアクターの最適値が決められるのが望まし
い。 本発明の光導電部材に於ける第二の非晶質層
（）に含有される炭素原子の量は、第二の非晶
質層（）の作成条件と同様、本発明の目的を達
成する所望の特性が得られる第二の非晶質層
（）が形成される重要な因子である。 本発明に於ける第二の非晶質層（）に含有さ
れる炭素原子の量は、第二の非晶質層（）を構
成する非晶質材料の種類及びその特性に応じて適
宜所望に応じて決められるものである。 即ち、前記一般式ａ−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-y
で示される非晶質材料は、大別すると、シリコン
原子と炭素原子とで構成される非晶質材料（以
後、「ａ−SiaC1-a」と記す。但し、０＜ａ＜１）、
シリコン原子と炭素原子と水素原子とで構成され
る非晶質材料（以後、「ａ−（SibC1-b）cH1-c」と
記す。但し、０＜ｂ，ｃ＜１）、シリコン原子と
ハロゲン原子と必要に応じて水素原子とで構成さ
れる非晶質材料（以後、「ａ−（SidC1-d）e（Ｈ，
Ｘ）1-e」と記す。但し、０＜ｄ，ｅ＜１）に分類
される。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）がａ−
SiaC1-aで構成される場合、第二の非晶質層（）
に含有される炭素原子の量は通常としては、１×
10-3〜90atomic％、好適には１〜80atomic％、
最適には10〜75atomic％とされるのが望ましい
ものである。即ち、先のａ−SiaC1-aのａの表示
で行えば、ａが通常は0.1〜0.99999、好適には0.2
〜0.99、最適には0.25〜0.9である。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）がａ−
（SibC1-b）cH1-cで構成される場合、第二の非晶質
層（）に含有される炭素原子の量は、通常１×
10-3〜90atomic％とされ、好ましくは１〜
90atomic％、最適には10〜80atomic％とされる
のが望ましいものである。水素原子の含有量とし
ては、通常の場合１〜40atomic％、好ましくは
２〜35atomic％、最適には５〜30atomic％、と
されるのが望ましく、これ等の範囲に水素含有量
がある場合に形成される光導電部材は、実際面に
於いて優れたものとして充分適用させ得るもので
ある。 即ち、先のａ−（SibC1-b）cH1-cの表示で行えば
ｂが通常は0.1〜0.99999、好適には0.1〜0.99、好
適には0.65〜0.98、最適には0.7〜0.95であるのが
望ましい。 第二の非晶質層（）が、ａ−（SidC1-d）ｅ
（Ｈ，Ｘ）1-eで構成される場合には、第二の非晶
質層（）中に含有される炭素原子の含有量とし
ては、通常、１×10-3〜90atomic％、好適には
１〜90atomic％、最適には10〜80atomic％とさ
れるのが望ましいものである。ハロゲン原子の含
有量としては、通常の場合、１〜20atomic％好
適には１〜18atomic％、最適にな２〜15atomic
％とされるのが望ましく、これ等の範囲にハロゲ
ン原子含有量がある場合に作成される光導電部材
を実際面に充分適用させ得るものである。必要に
応じて含有される水素原子の含有量としては、通
常の場合19atomic％以下、好適には13atomic％
以下とされるのが望ましいものである。 即ち、先のａ−（SidC1-d）ｅ（Ｈ，Ｘ）1-eのｄ，
ｅの表示で行えば、ｄが通常、0.1〜0.99999、好
適には0.1〜0.99、最適には0.15〜0.9、ｅが通常
0.8〜0.99、好適には0.82〜0.99、最適には0.85〜
0.98であるのが望ましい。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚の
数範囲は、本発明の目的を効果的に達成する為の
重要な因子の１つである。 本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目
的に応じて適宜所望に従つて決められる。 又、第二の非晶質層（）の層厚は、該層
（）中に含有される炭素原子の量や第一の非晶
質層（）と層厚との関係に於いても、各々の層
領域に要求される特性に応じた有機的な関連性の
下に所望に従つて適宜決定される必要がある。 更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経
済性の点に於いても考慮されるのが望ましい。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚と
しては、通常0.003〜30μ、好適には0.004〜20μ、
最適には0.005〜10μとされるのが望ましいもので
ある。 本発明において使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NiCr，ステンレス，Al，
Cr，Mo，Au，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル，ポ
リエチレン，ポリカーボネート，セルロースアセ
テート，ポリプロピレン，ポリ塩化ビニル，ポリ
塩化ビニリデン，ポリスチレン，ポリアミド等の
合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラミ
ツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面
を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr，
Al，Cr，Mo，Au，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，
Pd，In2O3，SnO2，ITO（In2O3＋SnO2）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr，Al，Ag，Pb，Zn，Ni，
Au，Cr，Mo，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベ
ルト状、板状等任意の形状とし得、所望によつ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１図の
光導電部材１００を電子写真用像形成部材として
使用するのであれば連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される
様に適宜決定されるが、光導電部材とし可撓性が
要求される場合には、支持体としての機能が充発
揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる。
而乍ら、この様な場合支持特体の製造上及び取扱
い上、機械的強度等の点から、通常は、10μ以上
とされる。 次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概
略について説明する。 第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示
す。 図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、
本発明の光導電部材を形成するための原料ガスが
密封されており、その１例としてたとえば１１０
２は、Heで稀釈されたSiH4ガス（純度99.999％、
以下SiH4／Heと略す。）ボンベ、１１０３はHe
で稀釈されたGeH4ガス（純度99.999％、以下
GeH4／Heと略す。）ボンベ、１１０４はHeで稀
釈されたSiF4ガス（純度99.99％、以下SiF4／He
と略す。）ボンベ、１１０５はNOガス（純度
99.999％）ボンベ、１１０６はC2H4ガス（純度
99.999％）ボンベである。 これらのガスを反応室１１０１に流入させるに
はガスボンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２
２〜１１２６、リークバルブ１１３５が閉じられ
ていることを確認し、又、流入バルブ１１１２〜
１１１６、流出バルブ１１１７〜１１２１、補助
バルブ１１３２，１１３３が開かれていることを
確認して、先づメインバルブ１１３４を開いて反
応室１１０１、及び各ガス配管内を排気する。次
に真空計１１３６の読みが約５×10-6torrになつ
た時点で補助バルブ１１３２，１１３３、流出バ
ルブ１１１７〜１１２１を閉じる。 次にシリンダー状基体１１３７上に第一の非晶
質層（）を形成する場合の１例をあげると、ガ
スボンベ１１０２よりSiH4／Heガス、ガスボン
ベ１１０３よりGeH4／Heガス、ガスボンベ１１
０５よりNOガスをバルブ１１２２，１１２３，
１１２４を開いて出口圧ゲージ１１２７，１１２
８，１１２９の圧を１Kg／cm2に調整し、流入バル
ブ１１１２，１１１３，１１１４を徐々に開け
て、マスフロコントローラ１１０７，１１０８，
１１０９内に夫々流入させる。引き続いて流出バ
ルブ１１１７，１１１８，１１１９、補助バルブ
１１３２を徐々に開いて夫々のガスを反応室１１
０１に流入させる。このときのSiH4／Heガス流
量とGeH4／Heガス流量とNOガス流量との比が
所望の値になるように流出バルブ１１１７，１１
１８，１１１９を調整し、又、反応室１１０１内
の圧力が所望の値になるように真空計１１３６の
読みを見ながらメインバルブ１１３４の開口を調
整する。そして基体１１３７の温度が加熱ヒータ
ー１１３８により50〜400℃の範囲の温度に設定
されていることを確認された後、電源１１４０を
所望の電力に設定して反応室１１０１内にグロー
放電を生起させ、同時にあらかじめ設計された変
化率曲線に従つてGeH4／Heガスの流量を手動あ
るいは外部駆動モータ等の方法によつてバルブ１
１１８の開口を漸次変化させる操作を行なつて形
成される層中に含有されるゲルマニウム原子の分
布濃度を制御する。 第一の非晶質層（）中にハロゲン原子を含有
させる場合には、上記のガスに、例えばSiF4ガス
を更に付加して、グロー放電を生起させれば良
い。 又、第一の非晶質層（）中に水素原子を含有
させずにハロゲン原子を含有させる場合には、先
のSiH4／Heガス及びGeH4／Heガスの代りに、
SiF4／Heガス及びGeF4／Heガスを使用すれば
良い。 上記の様にして所望層厚に形成された第一の非
晶質層（）上に第二の非晶質層（）を形成す
るには、第一の非晶質層（）の形成の際と同様
なバルブ操作によつて、例えばSiH4ガス、C2H4
ガスの夫々を必要に応じてHe等の稀釈ガスで稀
釈して、所望の条件に従つて、グロー放電を生起
させることによつて成される。 第二の非晶質層（）中にハロゲン原子を含有
させるには、例えばSiF4ガスとC2H4ガス、或い
は、これにSiH4ガスを上記と同様にして第二の
非晶質層（）を形成することによつて成され
る。 夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バル
ブ以外の流出バルブは全て閉じることは言うまで
もなく、又夫々の層を形成する際、前層の形成に
使用したガスが反応室１１０１内、流出バルブ１
１１７〜１１２１から反応室１１０１内に至るガ
ス配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ１１１７〜１１２１を閉じ、補助バルブ１１
３２，１１３３を開いてメインバルブ１１３４を
全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要
に応じて行う。 第二の非晶質層（）中に含有される炭素原子
の量は例えば、グロー放電による場合はSiH4ガ
スと、S2H4ガスの反応室１１０１内に導入され
る流量比を所望に従つて変えるか、或いは、スパ
ツターリングで層形成する場合には、ターゲツト
を形成する際シリコンウエハとグラフアイトウエ
ハのスパツタ面積比率を変えるか、又はシリコン
粉末とグラフアイト粉末の混合比率を変えてター
ゲツトを成型することによつて所望に応じて制御
することが出来る。第二の非晶質層（）中に含
有されるハロゲン原子（Ｘ）の量は、ハロゲン原
子導入用の原料ガス、例えばSiF4ガスが反応室１
１０１に導入される際の流量を調整することによ
つて成される。 又、層形成を行つている間は層形成の均一化を
計るため基体１１３７はモータ１１３９により一
定速度で回転させてやるのが望ましい。 以下実施例について説明する。 実施例 １ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第１表に示す条件で第１２図
に示すガス流量比の変化率曲線に従つて、
GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガス流量比を
層作成経過時間と共に変化させて第一の非晶質層
（）の形成を行つた後、第１表に示す条件で第
二の非晶質層を形成して電子写真用像形成部材を
得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0kVで0.3sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した光像はタングステンラ
ンプ光源を用い、2lux・secの光量を透過型のテ
ストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を像形成部材表面をカスケード
することによつて、像形成部材表面上に良好なト
ナー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を、
5.0kVのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、
解像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の
画像が得られた。 実施例 ２ 第１１図に示した製造装置により、第２表に示
す条件で第１３図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、第一の非晶質
層（）を形成した以外は、実施例１と同様にし
て電子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ３ 第１１図に示した製造装置により、第３表に示
す条件で第１４図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、第一の非晶質
層（）を形成した以外は、実施例１と同様にし
て電子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ４ 第１１図に示した製造装置により、第４表に示
す条件で第１５図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、第一の非晶質
層（）を形成した以外は、実施例１と同様にし
て電子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ５ 第１１図に示した製造装置により、第５表に示
す条件で第１６図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、第一の非晶質
層（）を形成した以外は、実施例１と同様にし
て電子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ６ 第１１図に示した製造装置により、第６表に示
す条件で第１７図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、第一の非晶質
層（）を形成した以外は、実施例１と同様にし
て電子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ７ 第１１図に示した製造装置により、第７表に示
す条件で第１８図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、第一の非晶質
層（）を形成した以外は、実施例１と同様にし
て電子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ８ 実施例１に於いて、SiH4／Heガスの代りに
Si2H6／Heガスを使用し、第８表に示す条件にし
た以外は、実施例１と同様の条件にして電子写真
用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ９ 実施例１に於いて、SiH4／Heガスの代りに
SiF4／Heガスを使用し、第９表に示す条件にし
た以外は、実施例１と同様の条件にして電子写真
用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 10 実施例１に於いて、SiH4／Heガスの代りに
（SiH4／He＋SiF4／He）ガスを使用し、第10表
に示す条件にした以外は、実施例１と同様の条件
にして得られた電子写真用像形成部材を形成し
た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画像が得られた。 実施例 11 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第11表に示す条件で第１２図
に示すガス流量比の変化率曲線に従つて、
GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガス流量比を
層作成経過時間と共に変化させて第一の非晶質層
（）を形成した以外は、実施例１と同様にして
電子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0kVで0.3sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した光像はタングステンラ
ンプ光源を用い、2lux・secの光量を透過型のテ
ストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を像形成部材表面をカスケード
することによつて、像形成部材表面上に良好なト
ナー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を、
5.0kVのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、
解像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の
画像が得られた。 実施例 12 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第12表に示す条件で、第１９
図に示すガス流量比の変化率曲線に従つて、
GeH4／HeガスとSiH4／Heガス、及びNOガス
と、SiH4／Heガスのガス流量比の夫々を層作成
経過時間と共に変化させて第一の非晶質層（）
を形成した以外は、実施例１と同様にして電子写
真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0kVで0.3sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した光像はタングステンラ
ンプ光源を用い、2lux・secの光量を透過型のテ
ストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を像形成部材表面をカスケード
することによつて、像形成部材表面上に良好なト
ナー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を、
5.0kVのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、
解像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の
画像が得られた。 実施例 13 実施例１に於いて、第１層の作成の際にNOの
（SiH4＋GeH4）に対する流量を第13表に示す様
に変えた以外は、実施例１と同様の条件で電子写
真用像形成部材の夫々（試料No.1301〜1308）を作
成した。 こうして得られた像形成部材の夫々に就いて、
実施例１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像
を形成したところ第13表に示す結果が得られた。 実施例 14 実施例１に於いて、第１層の層厚を第14表に示
す様に変える以外は、実施例１と同様にして電子
写真用像形成部材の夫々（試料No.1401〜1408）を
作成した。 こうして得られた各像形成部材に就いて、実施
例１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形
成したところ第14表に示す結果が得られた。 実施例 15 実施例１〜10に於いて光源をタングステンラン
プの代りに810mmのGaAs系半導体レーザ（10ｍ
Ｗ）を用いて、静電像の形成を行つた以外は、実
施例１と同様のトナー画像形成条件にして、実施
例１〜10と同様の条件で作成した電子写真用像形
成部材の夫々に就てトナー転写画像の画質評価を
行つたところ、解像力に優れ、階調再現性の良い
鮮明な高品位の画像が得られた。 実施例 16 非晶質層（）の作成条件を第15表に示す各条
件にした以外は、実施例２〜10の各実施例と同様
の条件と手順に従つて電子写真用像形成部材の
夫々（試料No.12−201〜12−208，12−301〜12−
308，……，12−1001〜12−1008の72個の試料）
を作成した。 こうして得られた各電子写真用像形成部材の夫
夫を個別に複写装置に設置し、5kVで0.2sec間
コロナ帯電を行い、光像を照射した。光源はタン
グステンランプを用い、光量は1.0lux・secとし
た。潜像は荷電性の現像剤（トナーとキヤリヤ
を含む）によつて現像され、通常の紙に転写され
た。転写画像は、極めて良好なものであつた。転
写されないで電子写真用像形成部材上に残つたト
ナーは、ゴムブレードによつてクリーニングされ
た。このような工程を繰り返し10万回以上行つて
も、いずれの場合も画像の劣化は見られなかつ
た。 各試料の転写画像の総合画質評価と繰返し連続
使用による耐久性の評価の結果を第15A表に示
す。 実施例 17 非晶質層（）の形成の際に、スパツターリン
グ法を採用し、シリコンウエハとグラフアイトの
ターゲツト面積比を変えて、非晶質層（）に於
けるシリコン原子と炭素原子の含有量比を変化さ
せる以外は、実施例１と全く同様な方法によつて
像形成部材の夫々を作成した。こうして得られた
像形成部材の夫々につき、実施例１に述べた如
き、作像、現像、クリーニングの工程を約５万回
繰り返した後画像評価を行つたところ第16表の如
き結果を得た。 実施例 18 非晶質層（）の層の形成時、SiH4ガスと
C2H4ガスの流量比を変えて、非晶質層（）に
於けるシリコン原子と炭素原子の含有量比を変化
させる以外は実施例１と全く同様な方法によつて
像形成部材の夫々を作成した。こうして得られた
各像形成部材につき、実施例１に述べた如き方法
で転写までの工程を約５万回繰り返した後、画像
評価を行つたところ、第17表の如き結果を得た。 実施例 19 非晶質層（）の層の形成時、SiH4ガス、
SiF4ガス、C2H4ガスの流量比を変えて、非晶質
層（）に於けるシリコン原子と炭素原子と含有
量比を変化させる以外は、実施例１と全く同様な
方法によつて像形成部材の夫々を作成した。こう
して得られた各像形成部材につき実施例１に述べ
た如き作像、現像、クリーニングの工程を約５万
回繰り返した後、画像評価を行つたところ第18表
の如き結果を得た。 実施例 20 非晶質層（）の層厚を変える以外は、実施例
１と全く同様な方法によつて像形成部材の夫々を
作成した。実施例１に述べた如き、作像、現像、
クリーニングの工程を繰り返し第19表の結果を得
た。
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある光導電部材に関す
る。 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Ip）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。
殊に、事務機としてオフイスで使用される電子写
真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場
合には、上記の使用時における無公害性は重要な
点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び耐湿
性等の使用環境特性の点、更には経時的安定性の
点において、総合的な特性向上を計る必要がある
という更に改良される可き点が存するのが実情で
ある。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとす
ると、従来においては、その使用時において残留
電位が残る場合が度々観測され、この種の光導電
部材は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用
による疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴ
ースト現象を発する様になる或いは、高速で繰返
し使用すると応答性が次第に低下する、等の不都
合な点が生ずる場合が少なくなかつた。 更には、ａ−Siは可視光領域の短波長側に較べ
て、長波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸
収係数が比較的小さく、現在実用化されている半
導体レーザとのマツチングに於いて、通常使用さ
れているハロゲンランプや蛍光灯を光源とする場
合、長波長側の光を有効に使用し得ていないとい
う点に於いて、夫々改良される余地が残つてい
る。 又、別には、照射される光が光導電層中に於い
て、充分吸収されずに支持体に到達する光の量が
多くなると、支持体自体が光導電層を透過して来
る光に対する反射率が高い場合には、光導電層内
に於いて多重反射による干渉が起つて、画像の
「ボケ」が生ずる一要因となる。 この影響は、解像度を上げる為に、照射スポツ
トを小さくする程大きくなり、殊に半導体レーザ
を光源とする場合には大きな問題となつている。 或いは又、ａ−Si材料で光導電層を構成する場
合には、その電気的、光導電的特性の改良を計る
ために、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等の
ハロゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼
素原子や燐原子等が或いはその他の特性改良のた
めに他の原子が、各々構成原子として光導電層中
に含有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方
如何によつては、形成した層の電気的或いは光導
電的特性や耐圧性に問題が生ずる場合があつた。 即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射に
よつて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命
が充分でないことや暗部において、支持体側より
の電荷の注入の阻止が充分でないこと、或いは、
転写紙に転写された画像に俗に「白ヌケ」と呼ば
れる、局所的な放電破壊現象によると思われる画
像欠陥や、例えば、クリーニングに、ブレードを
用いるとその摺擦によると思われる、俗に「白ス
ジ」と云われている所謂画像欠陥が生じたりして
いた。又、多湿雰囲気中で使用したり、或いは多
湿雰囲気中に長時間放置した直後に使用すると俗
に云う画像のボケが生ずる場合が少なくなかつ
た。 更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の
真空堆積室より取り出した後、空気中での放置時
間の経過と共に、支持体表面からの層の浮きや剥
離、或いは層に亀裂が生ずる等の現象を引起し勝
ちになる。この現象は、殊に支持体が通常、電子
写真分野に於いて使用されているドラム状支持体
の場合に多く起る等、経時的安定性の点に於いて
解決される可き点がある。 従つてａ−Si材料そのものの特性改良が計られ
る一方で光導電部材を設計する際に、上記した様
な問題の総てが解決される様に工夫される必要が
ある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、シリコン原子（Si）とゲ
ルマニウム原子（Ge）とを母体とし、水素原子
（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）のいずれか一方を
少なくとも含有するアモルフアス材料、所謂水素
化アモルフアスシリコンゲルマニウム、ハロゲン
化アモルフアスシリコンゲルマニウム、或いはハ
ロゲン含有水素化アモルフアスシリコンゲルマニ
ウム〔以後これ等の総称的表記として「ａ−
SiGe（Ｈ，Ｘ）」を使用する〕から構成される光
導電性を示す非晶質層を有する光導電部材の構成
を以後に説明される様な特定化の下に設計されて
作成された光導電部材は実用上著しく優れた特性
を示すばかりでなく、従来の光導電部材と較べて
みてもあらゆる点において凌駕していること、殊
に電子写真用の光導電部材として著しく優れた特
性を有していること、及び長波長側に於ける吸収
スペクトル特性に優れていることを見出した点に
基いている。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時
安定していて、殆んど使用環境に制限を受けない
全環境型であり、長波長側の光感度特性に優れる
と共に耐光疲労に著しく長く、繰返し使用に際し
て劣化現象を起さず、残留電位が全く又は殆んど
観測されない光導電部材を提供することを主たる
目的とする。 本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優
れ、且つ光応答の速い光導電部材を提供すること
である。 本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材
として適用させた場合、通常の電子写真法が極め
て有効に適用され得る程度に、静電像形成の為の
帯電処理の際の電荷保持能が充分ある光導電部材
を提供することである。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得る事が容易に出来る電子写真用の光導電部
材を提供することである。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性を有する光導電部材を提供すること
でもある。 本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層
と支持体との間や積層される層の各層間に於ける
密着性に優れ、構造配列的に緻密で安定的であ
り、層品質の高い光導電部材を提供することであ
る。 本発明の更に他の目的は、長期の使用に於いて
画像欠陥や画像のボケが全くなく、濃度が高く、
ハーフトーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高
品質画像を得ることが容易にできる電子写真用の
光導電部材を提供することである。 本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体
と、シリコン原子とゲルマニウム原子とを含む非
晶質材料で構成された、光導電性を示す第一の非
晶質層と、シリコン原子と炭素原子とを含む非晶
質材料で構成された第二の非晶質層とを有し、前
記第一の非晶質層中に於けるゲルマニウム原子の
分布濃度が、前記支持体より該支持体側とは反対
の側に向かつて減少しており、該第一の非晶質層
中には酸素原子が含有されていることを特徴とす
る。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて、耐光疲労、繰返し
使用特性を長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い、高品質の画像を安
定して繰返し得ることができる。 又、本発明の光導電部材は支持体上に形成され
る非晶質層が、層自体が強靭であつて、且つ支持
体との密着性に著しく優れており、高速で長時間
連続的に繰返し使用することができる。 更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於
いて光感度が高く、殊に半導体レーザとのマツチ
ングに優れ、且つ光応答が速い。 又、本発明の光導電部材は支持体上に形成され
る非晶質層が、層自体が強靭であつて、且つ支持
体との密着性に著しく優れており、高速で長時間
連続的に繰返し使用することが出来る。 以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
て詳細に説明する。 第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電
部材の層構成を説明するために模式的に示した模
式的構成図である。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、ａ−SiGe（Ｈ，
Ｘ）から成り、酸素原子を含有し、光導電性を有
する第一の非晶質層（）１０２と、第二の非晶
質層（）１０３とを具備し、第二の非晶質層
（）１０３は自由表面を有している。 第一の非晶質層（）１０２中に含有されるゲ
ルマニウム原子は、該非晶質層（）１０２の層
厚方向には連続的であつて且つ前記支持体１０１
の設けられてある側とは反対の側（第二の非晶質
層（）１０２側）の方に対して前記支持体側の
方に多く分布した状態となる様に前記第一の非晶
質層（）１０２中に含有される。 本発明の光導電部材においては、第一の非晶質
層（）中に含有されるゲルマニウム原子の分布
状態は、層厚方向においては、前記の様な分布状
態を取り、支持体の表面と平行な面内方向に均一
な分布状態とされるのが望ましいものである。 第２図乃至第１０図には、本発明における光導
電部材の第一の非晶質層（）中に含有されるゲ
ルマニウム原子の層厚方向の分布状態の典型的例
が示される。 第２図乃至第１０図において、横軸はゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃを、縦軸は光導電性を示す
第一の非晶質層（）の層厚を示し、tBは支持体
側の第一の非晶質層（）の表面の位置を、tTは
支持体側とは反対側の第一の非晶質層（）の表
面の位置を示す。即ち、ゲルマニウム原子の含有
される第一の非晶質層（）はtB側よりtT側に向
つて層形成がなされる。 第２図には、第一の非晶質層（）中に含有さ
れるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の第
１の典型例が示される。 第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の
含有される第一の非晶質層（）が形成される表
面と該第一の非晶質層（）の表面とが接する界
面位置tBよりt1の位置までは、ゲルマニウム原子
の分布濃度ＣがC1なる一定の値を取り乍らゲル
マニウム原子が、形成される第一の非晶質層
（）に含有され、位置t1よりは界面位置tTに至
るまで分布濃度C2より徐々に連続的に減少され
ている。界面位置tTにおいてはゲルマニウム原子
の分布濃度ＣはC3とされる。 第３図に示される例においては、含有されるゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは位置tBより位置tT
に至るまで濃度C4から徐々に連続的に減少して
位置tTにおいて濃度C5となる様な分布状態を形成
している。 第４図の場合には、位置tBより位置t2まではゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度C6と一定値
とされ、位置t2と位置tTとの間において、徐徐に
連続的に減少され、位置tTにおいて、分布濃度Ｃ
は実質的に零とされている（ここで実質的に零と
は検出限界量未満の場合である）。 第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは位置tBにより位置tTに至るまで、濃度C8よ
り連続的に徐々に減少され、位置tTにおいて実質
的に零とされている。 第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃは、位置tBと位置t3間においては、
濃度C9と一定値であり、位置tTにおいては濃度
C10される。位置t3と位置tTとの間では、分布濃度
Ｃは一次関数的に位置t3より位置tTに至るまで減
少されている。 第７図に示されている例においては、分布濃度
Ｃは位置tBにより位置t4までは濃度C11の一定値を
取り、位置t4より位置tTまでは濃度C12より濃度
C13まで一次関数的に減少する分布状態とされて
いる。 第８図に示す例においては、位置tBより位置tT
に至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃
度C14より実質的に零に至る様に一次関数的に減
少している。 第９図においては、位置tBより位置t5に至るま
ではゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度C15
より濃度C16まで一次関数的に減少され、位置t5
と位置tTとの間においては、濃度C16の一定値と
された例が示されている。 第１０図に示されている例においては、ゲルマ
ニウム原子の分布濃度Ｃは位置tBにおいて濃度
C17であり、位置t6に至るまではこの濃度C17より
初めはゆつくりと減少され、t6の位置付近におい
ては、急激に減少されて位置t6では濃度C18とさ
れる。 位置t6と位置t7との間においては、初め急激に
減少されて、その後は、緩かに徐々に減少されて
位置t7で温度Ｃ１９となり、位置t7と位置t8との
間では、極めてゆつくりと徐々に減少されて位置
t8において、濃度C20に至る。位置t8と位置tTの間
においては、濃度C20より実質的に零になる様に
図に示す如き形状の曲線に従つて減少されてい
る。 以上、第２図乃至第１０図により、第一の非晶
質層（）中に含有されるゲルマニウム原子の層
厚方向の分布状態の典型例の幾つかを説明した様
に、本発明においては、支持体側において、ゲル
マニウム原子の分布濃度Ｃの高い部分を有し、界
面tT側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に
較べて可成り低くされた部分を有するゲルマニウ
ム原子の分布状態が第一の非晶質層（）に設け
られている。 本発明に於ける光導電部材を構成する第一の非
晶質層（）は好ましくは上記した様に支持体側
の方にゲルマニウム原子が比較的高濃度で含有さ
れている局在領域(A)を有するのが望ましい。 本発明に於いて局在領域(A)は、第２図乃至第１
０図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置tB
より5μ以内に設けられるのが望ましいものであ
る。 本発明においては、上記局在領域(A)は、界面位
置tBより5μ厚までの全層領域（LT）とされる場合
もあるし、又、層領域（LT）の一部とされる場
合もある。 局在領域(A)を層領域（LT）の一部とするか又
は全部とするかは、形成される第一の非晶質層
（）に要求される特性に従つて適宜決められる。 局在領域(A)はその中に含有されるゲルマニウム
原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原
子の分布濃度の最大値Cnaxがシリコン原子に対し
て、通常は1000atomic ppm以上、好適には
5000atomic ppm以上、最適には１×104atomic
ppm以上とされる様な分布状態となり得る様に層
形成されるのが望ましい。 即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の
含有される第一の非晶質層（）は、支持体側か
らの厚層で5μ以内（tBから5μ厚の層領域）に分布
濃度の最大値Cnaxが存在する様に形成されるのが
好ましいものである。 本発明において、第一の非晶質層（）中に含
有されるゲルマニウム原子の含有量としては、本
発明の目的が効果的に達成される様に所望に従つ
て適宜決められるが、通常は１〜9.5×105atomic
ppm、好ましくは100〜８×105atomic ppm、最
適には、500×７×105atomic ppmとされるのが
望ましいものである。 本発明の光導電部材に於いては、第一の非晶質
層（）中に於けるゲルマニウム原子の分布状態
は、全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布
し、ゲルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが
支持体側より第一の非晶質層（）の自由表面側
に向つて、減少する変化が与えられているので、
分布濃度Ｃの変化率曲線を所望に従つて任意に設
計することによつて、要求される特性を持つた非
晶質層を所望通りに実現することが出来る。 例えば、第一の非晶質層（）中に於けるゲル
マニウムの分布濃度Ｃを支持体側に於いては、充
分高め、第一の非晶質層（）の自由表面側に於
いては、極力低める様な、分布濃度Ｃの変化を、
ゲルマニウム原子の分布濃度曲線に与えることに
よつて、可視光領域を含む、比較的短波長から比
較的長波長迄の全領域の波長の光に対して光感度
化を図ることが出来る。 又、後述される様に、第一の非晶質層（）の
支持体側端部に於いて、ゲルマニウム原子の分布
濃度Ｃを極端に大きくすることにより、半導体レ
ーザを使用した場合の、第一の非晶質層（）の
レーザ照射面側に於いて充分吸収し切れない長波
長側の光を第一の非晶質層（）の支持体側端部
層領域に於いて、実質的に完全に吸収することが
出来、支持体面からの反射による干渉を効果的に
防止することが出来る。 本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と
高暗抵抗化、更には、支持体と第一の非晶質層
（）との間の密着性の改良を図る目的の為に、
第一の非晶質層（）中には、酸素原子が含有さ
れる。第一の非晶質層（）中に含有される酸素
原子は、第一の非晶質層（）の全層領域に万遍
なく含有されても良いし、或いは、第一の非晶質
層（）の一部の層領域のみに含有させて遍在さ
せても良い。 又、酸素原子の分布状態は分布濃度Ｃ（Ｏ）が、
第一の非晶質層（Ｉ）の層厚方向に於いては、均
一であつても、第２図乃至第１０図を用いて説明
したゲルマニウム原子の分布状態と同様に分布濃
度Ｃ（Ｏ）が層厚方向には不均一であつても良い。 詰り、酸素原子の分布濃度Ｃ（Ｏ）が層厚方向
に不均一である場合の酸素原子の分布状態は、第
２図乃至第１０図を用いてゲルマニウム原子の場
合と同様に説明され得る。 本発明の於いて、第一の非晶質層（）に設け
られる酸素原子の含有されている層領域（Ｏ）
は、光感度と暗抵抗の向上を主たる目的とする場
合には、第一の非晶質層（）の全層領域を占め
る様に設けられ、支持体と第一の非晶質層（）
との間の密着性の強化を図るのを主たる目的とす
る場合には、第一の非晶質層（）の支持体側端
部層領域を占める様に設けられる。 前者の場合、層領域（Ｏ）中に含有される酸素
原子の含有量は、光感度を維持する為に比較的少
なくされ、後者の場合には、支持体との密着性の
強化を確実に図る為に比較的多くされるのが望ま
しい。 又、前者と後者の両方を同時に達成する目的の
為には、支持体側に於いて比較的高濃度に分布さ
せ、第一の非晶質層（）の自由表面側に於いて
比較的低濃度に分布させるか、或いは、第一の非
晶質層（）の自由表面側の表面層領域には、酸
素原子を積極的には含有させない様な酸素原子の
分布状態を領域層（Ｏ）中に形成すれば良い。 本発明に於いて、第一の非晶質層（）に設け
られる層領域（Ｏ）に含有される酸素原子の含有
量は、層領域（Ｏ）自体に要求される特性、或い
は該層領域（Ｏ）が支持体に直に接触して設けら
れる場合には、該支持体との接触界面に於ける特
性との関係等、有機的関連性に於いて、適宜選択
することが出来る。 又、前記層領域（Ｏ）に直に接触して他の層領
域が設けられる場合には、該他の層領域の特性
や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、酸素原子の含有量が適宜選択
される。 層領域（Ｏ）中に含有される酸素原子の量は、
形成される光導電部材に要求される特性に応じて
所望に従つて適宜決められるが、通常の場合、
0.001〜50atomic％、好ましくは、0.002〜
40atomic％、最適には0.003〜30atomic％とされ
るのが望ましいものである。 本発明に於いて、層領域（Ｏ）が第一の非晶質
層（）の全域を占めるか、或いは、第一の非晶
質層（）の層全域を占めなくとも、層領域
（Ｏ）の層厚T0の第一の非晶質層（）の層厚Ｔ
に占める割合が充分多い場合には、層領域(O)に含
有される酸素原子の含有量の上限は、前記の値よ
り充分少なくされるのが望ましい。 本発明の場合には、層領域（Ｏ）の層厚T0が
第一の非晶質層（）の層厚Ｔに対して占める割
合が５分の２以上となる様な場合には、層領域
（Ｏ）中に含有される酸素原子の量の上限として
は、通常は、30atomic％以下、好ましくは、
20atomic％以下、最適には10atomic％以下とさ
れるのが望ましいものである。 本発明において、第一の非晶質層（）を構成
する酸素原子の含有される層領域（Ｏ）は、上記
した様に支持体側の方に酸素原子が比較的高濃度
で含有されている局在領域(B)を有するものとして
設けられるのが望ましく、この場合には、支持体
と第一の非晶質層（）との間の密着性をより一
層向上させることが出来る。 上記局在領域(B)は、第２図乃至第１０図に示す
記号を用いて説明すれば、界面位置tBより5μ以内
に設けられるのが望ましい。 本発明においては、上記局在領域(B)は、界面位
置tBより5μ厚までの全層領域（LT）とされる場合
もあるし、又、層領域（LT）の一部とされる場
合もある。 局在領域を層領域（LT）一部とするか又は全
部とするかは、形成される非晶質層に要求される
特性に従つて適宜決められる。 局在領域(B)はその中に含有される酸素原子の層
厚方向の分布状態として酸素原子の分布濃度の最
大値Cnaxが通常は500atomic ppm以上、好適に
は800atomic ppm以上、最適には1000atomic
ppm以上とされる様な分布状態となり得る様に層
形成されるのが望ましい。 即ち、本発明においては、酸素原子の含有され
る層領域（Ｏ）は、支持体側からの層厚で5μ以
内（tBから5μ厚の層領域）に分布濃度の最大値
Cnaxが存在する様に形成されるのが望ましい。 本発明において、必要に応じて非晶質層中に含
有されるハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的に
はフツ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊に
フツ素、塩素を好適なものとして挙げることが出
来る。 本発明において、ａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる第一の非晶質層（）を形成するには、例え
ば、グロー放電法、スパツタリング法、或いはイ
オンプレーテイング法等の放電現象を利用する真
空堆積法によつて成される。例えば、グロー放電
法によつて、ａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構成される第
一の非晶質層（）を形成するには、基本的には
シリコン原子（Si）を供給し得るSi供給用の原料
ガスとゲルマニウム原子（Ge）を供給し得るGe
供給用の原料ガスと、必要に応じて水素原子(H)導
入用の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導
入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内
に所望のガス圧状態で導入して、該堆積室内にグ
ロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されて
ある、所定の支持体表面上に含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度を所望の変化率曲線に従つて
制御し乍らａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成
させれば良い。又、スパツタリング法で形成する
場合には、例えばAr，He等の不活性ガス又はこ
れ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中で
Siで構成されたターゲツト、或いは、該ターゲツ
トとGeで構成されたターゲツトの二枚を使用し
て、又は、SiとGeの混合されたターゲツトを使
用して、必要に応じて、He，Ar等の稀釈ガスで
稀釈されたGe供給用の原料ガスを、必要に応じ
て、水素原子(H)又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導
入用のガスをスパツタリング用の堆積室に導入
し、所望のガスのプラズマ雰囲気を形成すると共
に、前記Ge供給用の原料ガスのガス流量を所望
の変化率曲線に従つて制御し乍ら、前記のターゲ
ツトをスパツタリングしてやれば良い。 イオンプレーテイング法の場合には、例えば多
結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマ
ニウム又は単結晶ゲルマニウムとを、夫々蒸発源
として蒸着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加
熱法、或いは、エレクトロンビーム法（EB法）
等によつて加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガ
スプラズマ雰囲気中を通過させる以外は、スパツ
タリング法の場合と同様にする事で行うことが出
来る。 本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
と成り得る物質としては、SiH4，Si2H6，Si3H8，
Si4H10等のガス状態の又はガス化し得る水素化珪
素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙
げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Si供
給効率の良さ等の点でSiH4，Si2H6が好ましいも
のとして挙げられる。 Ge供給用の原料ガスと成り得る物質としては、
GeH4，Ge2H6，Ge3H8，Ge4H10，Ge5H12，
Ge6H14，Ge7H16，Ge8H18，Ge9H20等のガス状
態の又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効
に使用されるものとして挙げられ、殊に、層作成
作業時の取扱い易さ、Ge供給効率の良さ等の点
で、GeH4，Ge2H6，Ge3H8が好ましいものとし
て挙げられる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン
化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換された
シラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハ
ロゲン化合物が好ましく挙げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む水素化硅素化合物も有効なもの
として本発明においては挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF，ClF，ClF3，
BrF5，BrF3，IF3，IF7，ICl，IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF4，Si2F6，SiCl4，SiBr4等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、Ge供給用の原料ガ
スと共にSiを供給し得る原料ガスとしての水素化
硅素ガスを使用しなくとも、所望の支持体上にハ
ロゲン原子を含むａ−SiGeから成る第一の非晶
質層（）を形成する事が出来る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む第
一の非晶質層（）を製造する場合、基本的に
は、例えばSi供給用の原料ガスとなるハロゲン化
硅素とGe供給用の原料ガスとなる水素化ゲルマ
ニウムとAr，H2，He等のガス等を所定の混合比
とガス流量になる様にして第一の非晶質層（）
を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起し
てこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成すること
によつて、所望の支持体上に第一の非晶質層
（）を形成し得るものであるが、水素原子の導
入割合の制御を一層容易になる様に図る為にこれ
等のガスに更に水素ガス又は水素原子を含む珪素
化合物のガスも所望量混合して層形成しても良
い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。 スパツタリング法、イオンプレーテイング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を
導入するには、前記のハロゲン化合物又は前記の
ハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中
に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してや
れば良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H2、或いは前記した
シラン類又は／及び水素化ゲルマニウム等のガス
類をスパツタリング用の堆積室中に導入して該ガ
ス類のプラズマ雰囲気を形成してやれば良い。 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF，HCl，
HBr，HI等のハロゲン化水素、SiH2F2，
SiH2I2，SiH2Cl2，SiHCl3，SiH2Br2，SiHBr3等
のハロゲン置換水素化珪素、及びGeHF3，
GeH2F2，GeH3F，GeHCl3，GeH2Cl2，
GeH3Cl，GeHBr3，GeH2Br2，GeH3Br，
GeHI3，GeH2I2，GeH3I等の水素化ハロゲン化
ゲルマニウム、等の水素原子を構成要素の１つと
するハロゲン化物、GeF4，GeCl4，GeBr4，
GeI4，GeF2，GeCl2，GeBr2，GeI2等のハロゲン
化ゲルマニウム、等々のガス状態の或いはガス化
し得る物質も有効な第一の非晶質層（）形成用
の出発物質として挙げる事が出来る。 これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化
物は、第一の非晶質層（）形成の際に層中にハ
ロゲン原子の導入と同時に電気的或いは光電的特
性の制御に極めて有効な水素原子も導入されるの
で、本発明においては好適なハロゲン導入用の原
料として使用される。 水素原子を第一の非晶質層（）中に構造的に
導入するには、上記の他にH2、或いはSiH4，
Si2H6，Si3H8，Si4H10等の水素化硅素をGeを供
給する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物
と、或いは、GeH4，Ge2H6，Ge3H8，Ge4H10，
Ge5H12，Ge6H14，Ge7H16，Ge8H18，Ge9H20等
の水素化ゲルマニウムとSiを供給する為のシリコ
ン又はシリコン化合物と、を堆積室中に共存させ
て放電を生起させる事でも行う事が出来る。 本発明の好ましい例において、形成される光導
電部材の第一の非晶質層（）中に含有される水
素原子(H)の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水
素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は通常
の場合0.01〜40atomic％、好適には0.05〜
30atomic％、最適には0.1〜25atomic％とされる
のが望ましい。 第一の非晶質層（）中に含有される水素原子
(H)又は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御する
には、例えば支持体温度又は／及び水素原子(H)、
或いはハロゲン原子（Ｘ）を含有させる為に使用
される出発物質の堆積装置系内へ導入する量、放
電電力等を制御してやれば良い。 本発明の光導電部材に於ける第一の非晶質層
（）の層厚は、第一の非晶質層（）中で発生
されるフオトキヤリアが効率良く輸送される様に
所望に従つて適宜決められ、通常は、１〜100μ、
好適には１〜80μ、最適には２〜50μとされるの
が望ましい。 本発明に於いて、第一の非晶質層（）に酸素
原子の含有された層領域（Ｏ）を設けるには、第
一の非晶質層（）の形成の際に酸素原子導入用
の出発物質を前記した第一の非晶質層（）形成
用の出発物質と共に使用して、形成される層中に
その量を制御し乍ら含有してやれば良い。 層領域（Ｏ）を形成するのにグロー放電法を用
いる場合には、前記した第一の非晶質層（）形
成用の出発物質の中から所望に従つて選択された
ものに酸素原子導入用の出発物質が加えられる。
その様な酸素原子導入用の出発物質としては、少
なくとも酸素原子を構成原子とするガス状の物質
又はガス化し得る物質をガス化したものの中の大
概のものが使用され得る。 例えばシリコン原子（Si）を構成原子とする原
料ガスと、酸素原子（Ｏ）を構成原子とする原料
ガスと、必要に応じて水素原子(H)又は及びハロゲ
ン原子（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望
の混合比で混合して使用するか、又は、シリコン
原子（Si）を構成原子とする原料ガスと、酸素原
子（Ｏ）及び水素原子(H)を構成原子とする原料ガ
スとを、これも又所望の混合比で混合するか、或
いは、シリコン原子（Si）を構成原子とする原料
ガスと、シリコン原子（Si），酸素原子（Ｏ）及
び水素原子(H)の３つを構成原子とする原料ガスと
を混合して使用することが出来る。 又、別には、シリコン原子（Si）と水素原子(H)
とを構成原子とする原料ガスに酸素原子（Ｏ）を
構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良
い。 具体的には、例えば酸素（O2），オゾン（O3），
一酸化窒素（NO），二酸化窒素（NO2），一二酸
化窒素（N2O），三二酸化窒素（N2O3），四二酸
化窒素（N2O4），五二酸化窒素（N2O5），三酸化
窒素（NO3），シリコン原子（Si）と酸素原子(O)
と水素原子(H)とを構成原子とする、例えば、ジシ
ロキサン（H3SiOSiH3），トリシロキサン
（H3SiOSiH2OSiH3）等の低級シロキサン等を挙
げることが出来る。 スパツタリング法によつて、酸素原子を含有す
る第一の非晶質層（）を形成するには、単結晶
又は多結晶のSiウエーハー又はSiO2ウエーハー、
又はSiとSiO2が混合された含有されているウエ
ーハーをターゲツトとして、これ等を種々のガス
雰囲気中でスパツタリングすることによつて行え
ば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／
及びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必
要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の
堆積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマ
を形成して前記Siウエーハーをスパツタリングす
れば良い。 又、別には、SiとSiO2とは別々のターゲツト
として、又はSiとSiO2の混合した一枚のターゲ
ツトを使用することによつて、スパツター用のガ
スとしての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも
水素原子(H)又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成
原子として含有するガス雰囲気中でスパツタリン
グすることによつて成される。酸素原子導入用の
原料ガスとしては、先述したグロー放電の例で示
した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガス
が、スパツタリングの場合にも有効なガスとして
使用され得る。 本発明に於いて、第一の非晶質層（）の形成
の際に、酸素原子の含有される層領域（Ｏ）を設
ける場合、該層領域（Ｏ）に含有される酸素原子
の分布濃度Ｃ（Ｏ）の層厚方向に変化させて、所
望の層厚方向の分布状態（depth profile）を有
する層領域（Ｏ）を形成するには、グロー放電の
場合には、分布濃度Ｃ（Ｏ）は変化させるべき酸
素原子導入用の出発物質のガスを、そのガス流量
を所望の変化率曲線に従つて適宜変化させ乍ら、
堆積室内に導入することによつて成される。 例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用
いられている何らかの方法により、ガス流路系の
途中に設けられた所定のニードルバルブの開口を
漸次変化させる操作を行えば良い。このとき、流
量の変化率は線型である必要はなく、例えばマイ
コン等を用いて、あらかじめ設計された変化率曲
線に従つて流量を制御し、所望の含有率曲線を得
ることもできる。 層領域（Ｏ）をスパツタリング法によつて形成
する場合、酸素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（Ｏ）
を層厚方向で変化させて、酸素原子の層厚方向の
所望の分布状態（depth prfile）を形成するに
は、第一には、グロー放電法による場合と同様
に、酸素原子導入用の出発物質をガス状態で使用
し、該ガスを堆積室中へ導入する際のガス流量を
所望に従つて適宜変化させることによつて成され
る。 第二には、スパツタリング用のターゲツトを、
例えばSiとSiO2との混合されたターゲツトを使
用するのであれば、SiとSiO2との混合比を、タ
ーゲツトの層厚方向に於いて、予め変化させてお
くことによつて成される。 第１図に示される光導電部材１００に於いては
第一の非晶質層（）１０２上に形成される第二
の非晶質層（）１０３は自由表面を有し、主に
耐湿性、連続繰返し使用特性、耐圧性、使用環境
特性、耐久性に於いて本発明の目的を達成する為
に設けられる。 又、本発明に於いては、第一の非晶質層（）
１０２と第二の非晶質層（）１０３とを構成す
る非晶質材料の各々がシリコン原子という共通の
構成要素を有しているので、積層界面に於いて化
学的な安定性の確保が充分成されている。 本発明に於ける第二の非晶質層（）は、シリ
コン原子（Si）と炭素原子(C)と、必要に応じて水
素原子(H)又は／及びハロゲン原子（Ｘ）とを含む
非晶質材料（以後、「ａ−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-
ｙ」、但し、０＜ｘ，ｙ＜１、と記す）で構成され
る。 ａ−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yで構成される第二
の非晶質層（）の形成はグロー放電法、スパツ
タリング法、イオンプランテーシヨン法、イオン
プレーテイング法、エレクトロンビーム法等によ
つて成される。これ等の製造法は、製造条件、設
備資本投下の負荷程度、製造規模、作製される光
導電部材に所望される特性等の要因によつて適宜
選択されて採用されるが、所望する特性を有する
光導電部材を製造する為の作製条件の制御が比較
的容易である、シリコン原子と共に炭酸原子及び
ハロゲン原子を、作製する第二の非晶質層（）
中に導入するのが容易に行えう等の利点からグロ
ー放電法或はスパツターリング法が好適に採用さ
れる。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して第二
の非晶質層（）を形成しても良い。 グロー放電法によつて第二の非晶質層（）を
形成するには、ａ−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-y形成
用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量
の混合比で混合して、支持体の設置してある真空
堆積用の堆積室に導入し、導入されたガスを、グ
ロー放電を生起させることでガスプラズマ化し
て、前記支持体上で既に形成されてある第一の非
晶質層（）上にａ−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yを
堆積させれば良い。 本発明に於いて、ａ−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-y
形成用の原料ガスとしては、シリコン原子（Si），
炭素(C)，水素原子(H)，ハロゲン原子（Ｘ）の中の
少なくとも１つを構成原子とするガス状の物質又
はガス化し得る物質をガス化したものの中の大概
のものが使用され得る。 Si，Ｃ，Ｈ，Ｘの中の１つとしてSiを構成原子
とする原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構
成原子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原
料ガスと、必要に応じてＨを構成原子とする原料
ガス又は／及びＸを構成原子とする原料ガスとを
所望の混合比で混合して使用するか、又はSiを構
成原子とする原料ガルと、Ｃ及びＨを構成原料と
する原料ガス又は／及びＣ及びＸを構成原子とす
る原料ガスとを、これも又、所望の混合比で混合
するか、或いは、Siを構成原子とする原料ガス
と、Si，Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガ
ス又は、Si，Ｃ及びＸの３つを構成原子とする原
料ガスとを混合して使用することが出来る。又、
別にはSiとＨとを構成原子とする原料ガスにＣを
構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良
いし、SiとＸとを構成原子とする原料ガスにＣを
構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良
い。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）中に含
有されるハロゲン原子（Ｘ）として好適なのは
Ｆ，Cl，Br，Ｉであり、株にＦ，Clが望ましい
ものである。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）を形成
するのに有効に使用される原料ガスと成り得るも
のとしては、常温常圧に於いてガス状態のもの又
は容易にガス化し得る物質を挙げることが出来
る。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）形成用
の原料ガスとして有効に使用されるのは、SiとＨ
とを構成原子とするSiH4，Si2H6，Si3H8，
Si4H10等のシラン（Silane）類等の水素化硅素ガ
ス、ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭素数１
〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系
炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水
素，ハロゲン単体，ハロゲン化水素，ハロゲン間
化合物，ハロゲン化硅素，ハロゲン置換水素化硅
素，水素化硅素等を挙げる事が出来る。 具体的には、飽和炭化水素としてはメタン
（CH4），エタン（C2H6），プロパン（C3H8），ｎ
−ブタン（ｎ−C4H10），ペンタン（C5H12），エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C4H4），
プロピレン（C3H6），ブテン−１（C4H8），ブテ
ン−２（C4H8），イソブチレン（C4H8），ペンテ
ン（C5H10），アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C2H2），メチルアセチレン
（C3H4），ブチン（C4H6），ハロゲン単体として
は、フツ素，塩素，臭素，ヨウ素のハロゲンガ
ス，ハロゲン化水素としては、FH，HI，HCl，
HBr，ハロゲン間化合物としては、BrF，ClF，
ClF3，ClF5，BrF5BrF3，IF7，IF5，ICl，IBrハ
ロゲン化硅素としてはSiF4，Si2F6，SiCl4，
SiCl3Br，SiCl2Br2，SiClBr3，SiCl3I，SiBr4，
ハロゲン置換水素化硅素としては、SiH2F2，
SiH2Cl2，SiHCl3，SiH3Cl，SiH3Br，SiH2Br2，
SiHBr3，水素化硅素としては、SiH4，Si2H8，
Si4H10等のシラン（Silane）類、等々を挙げるこ
とが出来る。 これ等の他に、CF4，CCl4，CBr4，CHF3，
CH2F2，CH3F，CH3Cl，CH3Br，CH3I，
C2H5Cl等のハロゲン置換パラフイン系炭化水素，
SF4，SF6等のフツ素化硫黄化合物，Si（CH3）4，
Si（C2H5）4，等のケイ化アルキルやSiCl（CH3）3，
SiCl2（CH3）2，SiCl3CH3等のハロゲン含有ケイ化
アルキル等のシラン誘導体も有効なものとして挙
げることが出来る。 これ等の第二の非晶質層（）形成物質は、形
成される第二の非晶質層（）中に、所定の組成
比でシリコン原子，炭素原子及びハロゲン原子と
必要に応じて水素原子とが含有される様に、第二
の非晶質層（）の形成の際に所望に従つて選択
されて使用される。 例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
の含有が容易に成し得て且つ所望の特性の層が形
成され得るSi（CH3）4と、ハロゲン原子を含有さ
せるものとしてのSiHCl3，SiH2Cl2，SiCl4，或
いはSiH3Cl等を所定の混合比にしてガス状態で
第二の非晶質層（）形成用の装置内に導入して
グロー放電を生起させることによつてａ−（Six
C1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yから成る第二の非晶質層
（）を形成することが出来る。 スパツターリング法によつて第二の非晶質層
（）を形成するには、単結晶又は多結晶のSiウ
エーハー又はＣウエーハー又はSiとＣが混合され
て含有されているウエーハーをターゲツトとし
て、これ等を必要に応じてハロゲン原子又は／及
び水素原子を構成要素として含む種々のガス雰囲
気中でスパツターリングすることによつて行えば
良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＣとＨ又は／及びＸを導入する為の原料
ガスを、必要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパ
ツター用の堆積室中に導入し、これ等のガスのガ
スプラズマを形成して前記Siウエーハーをスパツ
ターリングすれば良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、必要に応じて水素原子又
は／及びハロゲン原子を含有するガス雰囲気中で
スパツターリングすることによつて成される。
Ｃ，Ｈ及びＸの導入用の原料ガスとなる物質とし
ては先述したグロー放電の例で示した第二の非晶
質層（）形成用の物質がストツパーリング法の
場合にも有効な物質として使用され得る。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）をグロ
ー放電法又はスパツターリング法で形成する際に
使用される稀釈ガスとしては、所謂・希ガス、例
えばHe，Ne，Ar等が好適なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明に於ける第二の非晶質層（）は、その
要求される特性が所望通りに与えられる様に注意
深く形成される。 即ち、Si，Ｃ，必要に応じてＨ又は／及びＸを
構成原子とする物質は、その作成条件によつて構
造的に結晶からアモルフアスまでの形態を取り、
電気物性的には、導電性から半導体性、絶縁性ま
での間の性質を、又光導電的性質から非光導電的
性質までの間の性質を、各々示すので本発明に於
いては、目的に応じた所望の特性を有するａ−
（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yが形成される様に、所望
に従つてその作成条件の選択が厳密に成される。
例えば、第二の非晶質層（）を耐圧性の向上を
主な目的として設けるにはａ−（SixC1-x）y（Ｈ，
Ｘ）1-yは使用環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕
著な非晶質材料として作成される。 又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上
を主たる目的として第二の非晶質層（）が設け
られる場合には上記の電気絶縁性の度合はある程
度緩和され、照射される光に対してある程度の感
度を有する非晶質材料としてａ−（SixC1-x）y
（Ｈ，Ｘ）1-yが作成される。 第一の非晶質層（）の表面にａ−（SixC1-x）y
（Ｈ，Ｘ）1-yから成る第二の非晶質層（）を形
成する際、層形成中の支持体温温度は、形成され
る層の構造及び特性を左右する重要な因子であつ
て、本発明に於いては、目的とする特性を有する
ａ−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yが所望通りに作成さ
れ得る様に層作成時の支持体温度が厳密に制御さ
れるのが望ましい。 本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成さ
れる為の第二の非晶質層（）の形成法に併せて
適宜最適範囲が選択されて、第二の非晶質層
（）の形成が実行されるが、通常の場合、20〜
400℃、好適には50〜350℃、最適には100〜300℃
とされるのが望ましいものである。第二の非晶質
層（）の形成には、層を構成する原子の組成比
の微妙の制御や層厚の制御が他の方法に較べて比
較的容易である事等の為に、グロー放電法やスパ
ツターリング法の採用が有利であるが、これ等の
層形成法で第二の非晶質層（）を形成する場合
には、前記の支持体温度と同様に層形成の際の放
電パワーが作成されるａ−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1
−ｙの特性を左右する重要な因子の１つである。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yが生産性良く効
果的に作成される為の放電パワー条件としては通
常10〜300W、好適には20〜250W、最適には50W
〜200Wとされるのが望ましいものである。 堆積室内のガス圧は通常は0.01〜1Torr，好適
には、0.1〜0.5Torr程度とされるのが望ましい。 本発明に於いては第二の非晶質層（）を作成
する為の支持体温度、放電パワーの望ましい数値
範囲として前記した範囲の値が挙げられるが、こ
れ等の層作成フアクターは、独立的に別々に決め
られるものではなく、所望特性のａ−（SixC1-x）y
（Ｈ，Ｘ）1-yから成る第二の非晶質層（）が形
成される様に相互的有機的関連性に基づいて各層
作成フアクターの最適値が決められるのが望まし
い。 本発明の光導電部材に於ける第二の非晶質層
（）に含有される炭素原子の量は、第二の非晶
質層（）の作成条件と同様、本発明の目的を達
成する所望の特性が得られる第二の非晶質層
（）が形成される重要な因子である。 本発明に於ける第二の非晶質層（）に含有さ
れる炭素原子の量は、第二の非晶質層（）を構
成する非晶質材料の種類及びその特性に応じて適
宜所望に応じて決められるものである。 即ち、前記一般式ａ−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-y
で示される非晶質材料は、大別すると、シリコン
原子と炭素原子とで構成される非晶質材料（以
後、「ａ−SiaC1-a」と記す。但し、０＜ａ＜１）、
シリコン原子と炭素原子と水素原子とで構成され
る非晶質材料（以後、「ａ−（SibC1-b）cH1-c」と
記す。但し、０＜ｂ，ｃ＜１）、シリコン原子と
ハロゲン原子と必要に応じて水素原子とで構成さ
れる非晶質材料（以後、「ａ−（SidC1-d）e（Ｈ，
Ｘ）1-e」と記す。但し、０＜ｄ，ｅ＜１）に分類
される。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）がａ−
SiaC1-aで構成される場合、第二の非晶質層（）
に含有される炭素原子の量は通常としては、１×
10-3〜90atomic％、好適には１〜80atomic％、
最適には10〜75atomic％とされるのが望ましい
ものである。即ち、先のａ−SiaC1-aのａの表示
で行えば、ａが通常は0.1〜0.99999、好適には0.2
〜0.99、最適には0.25〜0.9である。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）がａ−
（SibC1-b）cH1-cで構成される場合、第二の非晶質
層（）に含有される炭素原子の量は、通常１×
10-3〜90atomic％とされ、好ましくは１〜
90atomic％、最適には10〜80atomic％とされる
のが望ましいものである。水素原子の含有量とし
ては、通常の場合１〜40atomic％、好ましくは
２〜35atomic％、最適には５〜30atomic％、と
されるのが望ましく、これ等の範囲に水素含有量
がある場合に形成される光導電部材は、実際面に
於いて優れたものとして充分適用させ得るもので
ある。 即ち、先のａ−（SibC1-b）cH1-cの表示で行えば
ｂが通常は0.1〜0.99999、好適には0.1〜0.99、好
適には0.65〜0.98、最適には0.7〜0.95であるのが
望ましい。 第二の非晶質層（）が、ａ−（SidC1-d）ｅ
（Ｈ，Ｘ）1-eで構成される場合には、第二の非晶
質層（）中に含有される炭素原子の含有量とし
ては、通常、１×10-3〜90atomic％、好適には
１〜90atomic％、最適には10〜80atomic％とさ
れるのが望ましいものである。ハロゲン原子の含
有量としては、通常の場合、１〜20atomic％好
適には１〜18atomic％、最適にな２〜15atomic
％とされるのが望ましく、これ等の範囲にハロゲ
ン原子含有量がある場合に作成される光導電部材
を実際面に充分適用させ得るものである。必要に
応じて含有される水素原子の含有量としては、通
常の場合19atomic％以下、好適には13atomic％
以下とされるのが望ましいものである。 即ち、先のａ−（SidC1-d）ｅ（Ｈ，Ｘ）1-eのｄ，
ｅの表示で行えば、ｄが通常、0.1〜0.99999、好
適には0.1〜0.99、最適には0.15〜0.9、ｅが通常
0.8〜0.99、好適には0.82〜0.99、最適には0.85〜
0.98であるのが望ましい。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚の
数範囲は、本発明の目的を効果的に達成する為の
重要な因子の１つである。 本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目
的に応じて適宜所望に従つて決められる。 又、第二の非晶質層（）の層厚は、該層
（）中に含有される炭素原子の量や第一の非晶
質層（）と層厚との関係に於いても、各々の層
領域に要求される特性に応じた有機的な関連性の
下に所望に従つて適宜決定される必要がある。 更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経
済性の点に於いても考慮されるのが望ましい。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚と
しては、通常0.003〜30μ、好適には0.004〜20μ、
最適には0.005〜10μとされるのが望ましいもので
ある。 本発明において使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NiCr，ステンレス，Al，
Cr，Mo，Au，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル，ポ
リエチレン，ポリカーボネート，セルロースアセ
テート，ポリプロピレン，ポリ塩化ビニル，ポリ
塩化ビニリデン，ポリスチレン，ポリアミド等の
合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラミ
ツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面
を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr，
Al，Cr，Mo，Au，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，
Pd，In2O3，SnO2，ITO（In2O3＋SnO2）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr，Al，Ag，Pb，Zn，Ni，
Au，Cr，Mo，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベ
ルト状、板状等任意の形状とし得、所望によつ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１図の
光導電部材１００を電子写真用像形成部材として
使用するのであれば連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される
様に適宜決定されるが、光導電部材とし可撓性が
要求される場合には、支持体としての機能が充発
揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる。
而乍ら、この様な場合支持特体の製造上及び取扱
い上、機械的強度等の点から、通常は、10μ以上
とされる。 次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概
略について説明する。 第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示
す。 図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、
本発明の光導電部材を形成するための原料ガスが
密封されており、その１例としてたとえば１１０
２は、Heで稀釈されたSiH4ガス（純度99.999％、
以下SiH4／Heと略す。）ボンベ、１１０３はHe
で稀釈されたGeH4ガス（純度99.999％、以下
GeH4／Heと略す。）ボンベ、１１０４はHeで稀
釈されたSiF4ガス（純度99.99％、以下SiF4／He
と略す。）ボンベ、１１０５はNOガス（純度
99.999％）ボンベ、１１０６はC2H4ガス（純度
99.999％）ボンベである。 これらのガスを反応室１１０１に流入させるに
はガスボンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２
２〜１１２６、リークバルブ１１３５が閉じられ
ていることを確認し、又、流入バルブ１１１２〜
１１１６、流出バルブ１１１７〜１１２１、補助
バルブ１１３２，１１３３が開かれていることを
確認して、先づメインバルブ１１３４を開いて反
応室１１０１、及び各ガス配管内を排気する。次
に真空計１１３６の読みが約５×10-6torrになつ
た時点で補助バルブ１１３２，１１３３、流出バ
ルブ１１１７〜１１２１を閉じる。 次にシリンダー状基体１１３７上に第一の非晶
質層（）を形成する場合の１例をあげると、ガ
スボンベ１１０２よりSiH4／Heガス、ガスボン
ベ１１０３よりGeH4／Heガス、ガスボンベ１１
０５よりNOガスをバルブ１１２２，１１２３，
１１２４を開いて出口圧ゲージ１１２７，１１２
８，１１２９の圧を１Kg／cm2に調整し、流入バル
ブ１１１２，１１１３，１１１４を徐々に開け
て、マスフロコントローラ１１０７，１１０８，
１１０９内に夫々流入させる。引き続いて流出バ
ルブ１１１７，１１１８，１１１９、補助バルブ
１１３２を徐々に開いて夫々のガスを反応室１１
０１に流入させる。このときのSiH4／Heガス流
量とGeH4／Heガス流量とNOガス流量との比が
所望の値になるように流出バルブ１１１７，１１
１８，１１１９を調整し、又、反応室１１０１内
の圧力が所望の値になるように真空計１１３６の
読みを見ながらメインバルブ１１３４の開口を調
整する。そして基体１１３７の温度が加熱ヒータ
ー１１３８により50〜400℃の範囲の温度に設定
されていることを確認された後、電源１１４０を
所望の電力に設定して反応室１１０１内にグロー
放電を生起させ、同時にあらかじめ設計された変
化率曲線に従つてGeH4／Heガスの流量を手動あ
るいは外部駆動モータ等の方法によつてバルブ１
１１８の開口を漸次変化させる操作を行なつて形
成される層中に含有されるゲルマニウム原子の分
布濃度を制御する。 第一の非晶質層（）中にハロゲン原子を含有
させる場合には、上記のガスに、例えばSiF4ガス
を更に付加して、グロー放電を生起させれば良
い。 又、第一の非晶質層（）中に水素原子を含有
させずにハロゲン原子を含有させる場合には、先
のSiH4／Heガス及びGeH4／Heガスの代りに、
SiF4／Heガス及びGeF4／Heガスを使用すれば
良い。 上記の様にして所望層厚に形成された第一の非
晶質層（）上に第二の非晶質層（）を形成す
るには、第一の非晶質層（）の形成の際と同様
なバルブ操作によつて、例えばSiH4ガス、C2H4
ガスの夫々を必要に応じてHe等の稀釈ガスで稀
釈して、所望の条件に従つて、グロー放電を生起
させることによつて成される。 第二の非晶質層（）中にハロゲン原子を含有
させるには、例えばSiF4ガスとC2H4ガス、或い
は、これにSiH4ガスを上記と同様にして第二の
非晶質層（）を形成することによつて成され
る。 夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バル
ブ以外の流出バルブは全て閉じることは言うまで
もなく、又夫々の層を形成する際、前層の形成に
使用したガスが反応室１１０１内、流出バルブ１
１１７〜１１２１から反応室１１０１内に至るガ
ス配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ１１１７〜１１２１を閉じ、補助バルブ１１
３２，１１３３を開いてメインバルブ１１３４を
全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要
に応じて行う。 第二の非晶質層（）中に含有される炭素原子
の量は例えば、グロー放電による場合はSiH4ガ
スと、S2H4ガスの反応室１１０１内に導入され
る流量比を所望に従つて変えるか、或いは、スパ
ツターリングで層形成する場合には、ターゲツト
を形成する際シリコンウエハとグラフアイトウエ
ハのスパツタ面積比率を変えるか、又はシリコン
粉末とグラフアイト粉末の混合比率を変えてター
ゲツトを成型することによつて所望に応じて制御
することが出来る。第二の非晶質層（）中に含
有されるハロゲン原子（Ｘ）の量は、ハロゲン原
子導入用の原料ガス、例えばSiF4ガスが反応室１
１０１に導入される際の流量を調整することによ
つて成される。 又、層形成を行つている間は層形成の均一化を
計るため基体１１３７はモータ１１３９により一
定速度で回転させてやるのが望ましい。 以下実施例について説明する。 実施例 １ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第１表に示す条件で第１２図
に示すガス流量比の変化率曲線に従つて、
GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガス流量比を
層作成経過時間と共に変化させて第一の非晶質層
（）の形成を行つた後、第１表に示す条件で第
二の非晶質層を形成して電子写真用像形成部材を
得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0kVで0.3sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した光像はタングステンラ
ンプ光源を用い、2lux・secの光量を透過型のテ
ストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を像形成部材表面をカスケード
することによつて、像形成部材表面上に良好なト
ナー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を、
5.0kVのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、
解像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の
画像が得られた。 実施例 ２ 第１１図に示した製造装置により、第２表に示
す条件で第１３図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、第一の非晶質
層（）を形成した以外は、実施例１と同様にし
て電子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ３ 第１１図に示した製造装置により、第３表に示
す条件で第１４図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、第一の非晶質
層（）を形成した以外は、実施例１と同様にし
て電子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ４ 第１１図に示した製造装置により、第４表に示
す条件で第１５図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、第一の非晶質
層（）を形成した以外は、実施例１と同様にし
て電子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ５ 第１１図に示した製造装置により、第５表に示
す条件で第１６図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、第一の非晶質
層（）を形成した以外は、実施例１と同様にし
て電子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ６ 第１１図に示した製造装置により、第６表に示
す条件で第１７図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、第一の非晶質
層（）を形成した以外は、実施例１と同様にし
て電子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ７ 第１１図に示した製造装置により、第７表に示
す条件で第１８図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、第一の非晶質
層（）を形成した以外は、実施例１と同様にし
て電子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ８ 実施例１に於いて、SiH4／Heガスの代りに
Si2H6／Heガスを使用し、第８表に示す条件にし
た以外は、実施例１と同様の条件にして電子写真
用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ９ 実施例１に於いて、SiH4／Heガスの代りに
SiF4／Heガスを使用し、第９表に示す条件にし
た以外は、実施例１と同様の条件にして電子写真
用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 10 実施例１に於いて、SiH4／Heガスの代りに
（SiH4／He＋SiF4／He）ガスを使用し、第10表
に示す条件にした以外は、実施例１と同様の条件
にして得られた電子写真用像形成部材を形成し
た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画像が得られた。 実施例 11 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第11表に示す条件で第１２図
に示すガス流量比の変化率曲線に従つて、
GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガス流量比を
層作成経過時間と共に変化させて第一の非晶質層
（）を形成した以外は、実施例１と同様にして
電子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0kVで0.3sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した光像はタングステンラ
ンプ光源を用い、2lux・secの光量を透過型のテ
ストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を像形成部材表面をカスケード
することによつて、像形成部材表面上に良好なト
ナー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を、
5.0kVのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、
解像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の
画像が得られた。 実施例 12 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第12表に示す条件で、第１９
図に示すガス流量比の変化率曲線に従つて、
GeH4／HeガスとSiH4／Heガス、及びNOガス
と、SiH4／Heガスのガス流量比の夫々を層作成
経過時間と共に変化させて第一の非晶質層（）
を形成した以外は、実施例１と同様にして電子写
真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0kVで0.3sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した光像はタングステンラ
ンプ光源を用い、2lux・secの光量を透過型のテ
ストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を像形成部材表面をカスケード
することによつて、像形成部材表面上に良好なト
ナー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を、
5.0kVのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、
解像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の
画像が得られた。 実施例 13 実施例１に於いて、第１層の作成の際にNOの
（SiH4＋GeH4）に対する流量を第13表に示す様
に変えた以外は、実施例１と同様の条件で電子写
真用像形成部材の夫々（試料No.1301〜1308）を作
成した。 こうして得られた像形成部材の夫々に就いて、
実施例１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像
を形成したところ第13表に示す結果が得られた。 実施例 14 実施例１に於いて、第１層の層厚を第14表に示
す様に変える以外は、実施例１と同様にして電子
写真用像形成部材の夫々（試料No.1401〜1408）を
作成した。 こうして得られた各像形成部材に就いて、実施
例１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形
成したところ第14表に示す結果が得られた。 実施例 15 実施例１〜10に於いて光源をタングステンラン
プの代りに810mmのGaAs系半導体レーザ（10ｍ
Ｗ）を用いて、静電像の形成を行つた以外は、実
施例１と同様のトナー画像形成条件にして、実施
例１〜10と同様の条件で作成した電子写真用像形
成部材の夫々に就てトナー転写画像の画質評価を
行つたところ、解像力に優れ、階調再現性の良い
鮮明な高品位の画像が得られた。 実施例 16 非晶質層（）の作成条件を第15表に示す各条
件にした以外は、実施例２〜10の各実施例と同様
の条件と手順に従つて電子写真用像形成部材の
夫々（試料No.12−201〜12−208，12−301〜12−
308，……，12−1001〜12−1008の72個の試料）
を作成した。 こうして得られた各電子写真用像形成部材の夫
夫を個別に複写装置に設置し、5kVで0.2sec間
コロナ帯電を行い、光像を照射した。光源はタン
グステンランプを用い、光量は1.0lux・secとし
た。潜像は荷電性の現像剤（トナーとキヤリヤ
を含む）によつて現像され、通常の紙に転写され
た。転写画像は、極めて良好なものであつた。転
写されないで電子写真用像形成部材上に残つたト
ナーは、ゴムブレードによつてクリーニングされ
た。このような工程を繰り返し10万回以上行つて
も、いずれの場合も画像の劣化は見られなかつ
た。 各試料の転写画像の総合画質評価と繰返し連続
使用による耐久性の評価の結果を第15A表に示
す。 実施例 17 非晶質層（）の形成の際に、スパツターリン
グ法を採用し、シリコンウエハとグラフアイトの
ターゲツト面積比を変えて、非晶質層（）に於
けるシリコン原子と炭素原子の含有量比を変化さ
せる以外は、実施例１と全く同様な方法によつて
像形成部材の夫々を作成した。こうして得られた
像形成部材の夫々につき、実施例１に述べた如
き、作像、現像、クリーニングの工程を約５万回
繰り返した後画像評価を行つたところ第16表の如
き結果を得た。 実施例 18 非晶質層（）の層の形成時、SiH4ガスと
C2H4ガスの流量比を変えて、非晶質層（）に
於けるシリコン原子と炭素原子の含有量比を変化
させる以外は実施例１と全く同様な方法によつて
像形成部材の夫々を作成した。こうして得られた
各像形成部材につき、実施例１に述べた如き方法
で転写までの工程を約５万回繰り返した後、画像
評価を行つたところ、第17表の如き結果を得た。 実施例 19 非晶質層（）の層の形成時、SiH4ガス、
SiF4ガス、C2H4ガスの流量比を変えて、非晶質
層（）に於けるシリコン原子と炭素原子と含有
量比を変化させる以外は、実施例１と全く同様な
方法によつて像形成部材の夫々を作成した。こう
して得られた各像形成部材につき実施例１に述べ
た如き作像、現像、クリーニングの工程を約５万
回繰り返した後、画像評価を行つたところ第18表
の如き結果を得た。 実施例 20 非晶質層（）の層厚を変える以外は、実施例
１と全く同様な方法によつて像形成部材の夫々を
作成した。実施例１に述べた如き、作像、現像、
クリーニングの工程を繰り返し第19表の結果を得
た。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
◎：優良 ○：良好 △：実用上充分である
【表】
◎：優良 ○：良好 △：実用上充分で
ある
ある
【表】
【表】
【表】
◎〓非常に良好 ○〓良好 △〓実用に充分耐える
×〓画像欠陥を生ずる
×〓画像欠陥を生ずる
【表】
◎〓非常に良好 ○〓良好 △〓実用上充分であ
る ×〓画像欠陥を生ずる
る ×〓画像欠陥を生ずる
【表】
◎〓非常に良好 ○〓良好 △〓実用上充分である
×〓画像欠陥を生ずる
×〓画像欠陥を生ずる
【表】
以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条
件を以下に示す。 基体温度：ゲルマニウム原子（Ge）含有層……
約200℃ ゲルマニウム原子（Ge）非含有層……約250℃ 放電周波数：13.56MHz 反応時反応室内圧：0.3Torr
件を以下に示す。 基体温度：ゲルマニウム原子（Ge）含有層……
約200℃ ゲルマニウム原子（Ge）非含有層……約250℃ 放電周波数：13.56MHz 反応時反応室内圧：0.3Torr
第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明
する為の模式的層構成図、第２図乃至第１０図は
夫々第一の非晶質層（）中のゲルマニウム原子
の分布状態を説明する為の説明図、第１１図は、
本発明で使用された装置の模式的説明図で、第１
２図乃至第１９図は夫々本発明の実施例に於ける
ガス流量比の変化率曲線を示す説明図である。 １００……光導電部材、１０１……支持体、１
０２……第一の非晶質層（）、１０３……第二
の非晶質層（）。
する為の模式的層構成図、第２図乃至第１０図は
夫々第一の非晶質層（）中のゲルマニウム原子
の分布状態を説明する為の説明図、第１１図は、
本発明で使用された装置の模式的説明図で、第１
２図乃至第１９図は夫々本発明の実施例に於ける
ガス流量比の変化率曲線を示す説明図である。 １００……光導電部材、１０１……支持体、１
０２……第一の非晶質層（）、１０３……第二
の非晶質層（）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光導電部材用の支持体と、シリコン原子とゲ
ルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
た、光導電性を示す第一の非晶質層と、シリコン
原子と炭素原子とを含む非晶質材料で構成された
第二の非晶質層とを有し、前記第一の非晶質層中
に於けるゲルマニウム原子の分布濃度が前記支持
体側より該支持体側とは反対の側に向かつて減少
しており、該第一の非晶質中には酸素原子が含有
されていることを特徴とする光導電部材。 ２ 前記非晶質層中に水素原子が含有されている
特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 ３ 前記非晶質中にハロゲン原子が含有されてい
る特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 ４ 前記非晶質中に水素原子とハロゲン原子が含
有されている特許請求の範囲第１項に記載の光導
電部材。 ５ 前記水素原子が0.01〜40atomic％含有されて
いる特許請求の範囲第２項に記載の光導電部材。 ６ 前記ハロゲン原子が0.01〜40atomic％含有さ
れている特許請求の範囲第３項に記載の光導電部
材。 ７ 前記水素原子とハロゲン原子の量の和が0.01
〜40atomic％である特許請求の範囲第４項に記
載の光導電部材。 ８ 前記非晶質層中に含有されるゲルマニウム原
子の量が１〜9.5×105atomic ppmである特許請
求の範囲第１項に記載の光導電部材。 ９ 前記非晶質層の層厚が１〜100μである特許
請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 １０ 前記酸素原子の含有量が0.001〜50atomic
％である特許請求の範囲第１項に記載の光導電部
材。 １１ 前記非晶質層中に於ける酸素原子の分布状
態が前記支持体側の方に多く分布する分布状態で
ある特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 １２ 前記酸素原子の分布濃度の最大値が
500atomic ppm以上である特許請求の範囲第１
１項に記載の光導電部材。 １３ 前記ハロゲン原子はフツ素、塩素から選ば
れる特許請求の範囲第３項又は４項に記載の光導
電部材。 １４ 前記第２の非晶質層の層厚は0.003〜30μで
ある特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 １５ 前記第２の非晶質層には水素原子が含有さ
れている特許請求の範囲第１項に記載の光導電部
材。 １６ 前記第２の非晶質層には水素原子及びハロ
ゲン原子が含有されている特許請求の範囲第１項
に記載の光導電部材。 １７ 前記水素原子が0.01〜40atomic％含有され
ている特許請求の範囲第１５項に記載の光導電部
材。 １８ 前記水素原子の含有量が19atomic％以下
で前記ハロゲン原子の含有量が0.01〜20atomic％
である特許請求の範囲第１６項に記載の光導電部
材。 １９ 前記炭素原子の含有量は１×10-3〜
90atomic％である特許請求の範囲第１項に記載
の光導電部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57070773A JPS58187935A (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | 光導電部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57070773A JPS58187935A (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | 光導電部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58187935A JPS58187935A (ja) | 1983-11-02 |
| JPH0380307B2 true JPH0380307B2 (ja) | 1991-12-24 |
Family
ID=13441170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57070773A Granted JPS58187935A (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | 光導電部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58187935A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4532198A (en) * | 1983-05-09 | 1985-07-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member |
| JPS6012554A (ja) * | 1983-07-04 | 1985-01-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS6214161A (ja) * | 1985-07-11 | 1987-01-22 | Canon Inc | 光受容部材 |
| JPS632069A (ja) * | 1986-02-13 | 1988-01-07 | Canon Inc | 光受容部材 |
-
1982
- 1982-04-27 JP JP57070773A patent/JPS58187935A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58187935A (ja) | 1983-11-02 |