JPH0221579B2 - - Google Patents
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Description
本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を指す）
の様な電磁波に感受性のある電子写真用光導電部
材に関する。 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部分や原稿読取装置における光導電
層を有する光導電材料としては、高過度で、SN
比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照射
する電磁波のスペクトル特性にマツチングした吸
収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無害であること、更には固体撮像
装置においては、残像を所定時間内に容易に処理
することができること等の特性が要求される。殊
に、事務機としてオフイスで使用される電子写真
装置内に組込まれる電子写真用像形成部分の場合
には、上記の使用時における無害性は重要な点で
ある。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用として記載されている。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する電子写真用光導電部材は、暗抵抗値、光感
度、光応答性等の電気的、光学的、光導電的特
性、及び耐湿性等の使用環境特性の点、更には経
時的安定性の点において、結合的な特性向上を計
るには更に改良されるべき点が存するのが実情で
ある。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度、高暗抵抗化を同時に計ろうとする
と、従来においては、その使用時において残留電
位が残る場合が度々観測され、この種の光導電部
材は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用に
よる疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴー
スト現象を発する様になる、或いは高速で繰返し
使用すると応答性が次第に低下する等の不都合な
点が生ずる場合が少なくなかつた。 更には、ａ−Siは可視光領域の短波長側に較べ
て長波長側の波長領域の吸収係数が比較的小さ
く、現在実用化されている半導体レーザとのマツ
チングに於いて、又は、通常使用されているハロ
ゲンランプや螢光灯を光源とする場合に長波長側
の光を有効に使用し得ないという点に於いて、
夫々改良される余地が残つている。 又、別には、照射される光が光導電層中に於い
て充分吸収されず、支持体に到達する光の量が多
くなると、支持体自体が光導電層を透過して来る
光に対する反射率が高い場合には、光導電層内に
於いて多重反射による干渉が起つて画像の「ボ
ケ」が生ずる一要因となる。 この影像は、解像度を上げる為に、照射スポツ
トを小さくする程大きくなり、殊に半導体レーザ
を光源とする場合には大きな問題となつている。 更に、ａ−Si材料で光導電層を構成する場合に
は、その電気的、光導電的特性の改良を計るため
に水素原子或いは弗素原子等のハロゲン原子、及
び電気伝導型の制御のために硼素原子や燐原子
等、或いはその他の特性改良のために他の原子
が、各々構成原子として光導電層中に含有される
が、これ等の構成原子の含有の仕方如何によつて
は、形成した層の電均的或いは光導電的特性に問
題が生ずる場合がある。 即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射に
よつて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命
が充分でないこと、或いは暗部において支持体側
よりの電荷の注入の阻止が充分でないこと等が生
ずる場合が少なくない。 更には、層厚が十数μ以上になると、層形成用
の真空堆積室より取り出した後、空気中での放置
時間の経過と共に、支持体表面からの層の浮きや
剥離、或いは層に亀裂が生ずる等の現象を引起し
勝ちであつた。この現象は、殊に支持体が通常、
電子写真分野に於いて使用されているドラム状支
持体の場合に多く起るもので、経時的安定性の点
に於いて解決されるべき点である。 従つてａ−Si材料そのものの特性改良が計られ
る一方で、光導電部材を設計する際に、上記した
様な問題の総てが解決される様に工夫される必要
がある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材に使用される光
導電部材としての適用性とその応用性という観点
から総括的に鋭意研討を続けた結果、シリコン原
子を母体とし、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子
（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含有するアモ
ルフアス材料、所謂水素化アモルフアスシリコ
ン、ハロゲン化アモルフアスシリコン、或いはハ
ロゲン含有水素化アモルフアスシリコン〔以後こ
れ等の総括的表記として「ａ−Si（Ｈ、Ｘ）」を使
用する〕から構成されている光導電性を示す層を
有する光導電部材であつて以後に説明される様な
特定化して設計され作成された光導電部材は、実
用上著しく優れた特性を示すばかりでなく、従来
の光導電部材あらゆる点において凌駕しているこ
と、殊に電子写真用の光導電部材として著しく優
れた特性を有していること及び長波長側に於ける
吸収スペクトル特性に優れていることを見出した
ことに基いている。 本発明は、電気的、光学的、光導電的特性が常
時安定していて、殆んど使用環境に制限を受けな
い全環境型であり、長波長側の光感度特性に優れ
ると共に耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際
しても劣化現象を起さず、残留電位が全く又は殆
んど観測されない電子写真用光導電部材を提供す
ることを主たる目的とする。 本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優
れ、且つ光応答の速い電子写真用光導電部材を提
供することである。 本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層
と支持体との間および積層される層の各層間の密
着性に優れ、構造配列的に緻密で安定的であり、
層品質の高い電子写真用光導電部材を提供するこ
とである。 本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材
として使用した場合、通常の電子写真法が極めて
有効に適用され得る程度に、静電像形成の為の帯
電処理の際の電荷保持能が充分であり、且つ多湿
雰囲気中でもその特性の低下が殆んど観測されな
い優れた電子写真用光導電部材を提供することで
ある。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出た且つ解像度の高い高品質画像
を得る事が容易に出来る電子写真用の光導電部材
を提供することである。 本発明の更にもう１つの目的は、高感度特性、
高SN比特性及び支持体との間に良好な電気的接
触性を有する電子写真用光導電部材を提供するこ
とでもある。 本発明の電子写真用光導電部材は、電子写真用
光導電部材用の支持体と、該支持体上に、シリコ
ン原子と１〜9.5×105atomic ppmのゲルマニウ
ム原子とを含む非晶質材料で構成された層厚30Å
〜50μの第１の層領域（Ｇ）とシリコン原子を含
む（ゲルマニウム原子を含まない）非晶質材料で
構成された層厚0.5〜90μの第２の層領域（Ｓ）と
が前記支持体側より順に設けられた層厚１〜
100μの光導電性を示す第一の層と、シリコン原
子と１×10-3〜90atomic％の炭素原子とを含む
非晶質材料で構成された層厚0.003〜30μの第二の
層と、からなる電子写真用光導電部材（以下単に
「光導電部材」と称する）であつて、前記第１の
層領域（Ｇ）中におけるゲルマニウム原子の分布
状態を前記支持体側においてゲルマニウム原子の
分布濃度がシリコン原子との和に対して
1000atomic ppm以上の高い部分を有し、前記第
２の層領域（Ｓ）との界面側において前記支持体
側に比べて可なり低くされた部分を有する分布状
態とし、かつ、前記第一の層中には0.001〜
50atomic％の窒素原子が含有されている事を特
徴とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用された
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて、耐光疲労、繰返し
使用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い高品質の画像を安定
して繰返し得ることができる。 又、本発明の光導電部材は支持体上に形成され
る層自体が強靭であつて、且つ支持体との密着性
に著しく優れており、高速で長時間連続的に繰返
し使用することができる。 更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於
いて光感度が高く、殊に半導体レーザとのマツチ
ングに優れ、且つ光応答が速い。 以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
て詳細に説明する。 第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電
部材の層構成を説明するための模式的構成図であ
る。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１と該支持体１０１の上に
第一の層（）１０２と、第二の層（）１０３
とを有し、該第二の層（）１０３は自由表面１
０６を一方の端面に有している。第一の層（）
１０２は支持体１０１側よりゲルマニウム原子を
含有するａ−Si（Ｈ、Ｘ）（以後「ａ−SiGe（Ｈ、
Ｘ）」と略記する）で構成された第１の層領域
（Ｇ）１０４とａ−SiGe（Ｈ、Ｘ）で構成され光
導電性を有する第２の層領域（Ｓ）１０５とが順
に積層された層構造を有する。第１の層領域
（Ｇ）１０４中に含有されるゲルマニウム原子は、
該第１の層領域（Ｇ）１０４の層厚方向には連続
的であつて且つ前記支持体１０１の設けられてあ
る側とは反対の側（第二の層（）１０３側）の
方よりも前記支持体１０１側の方に多く分布した
状態となる様に前記第１の層領域（Ｇ）１０４中
に含有される。 本発明の光導電部材においては、第１の層領域
（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子の分布状
態は、層厚方向においては、前記の様な分布状態
を取り、支持体の表面と平行な面内方向には均一
な分布状態とされるのが望ましい。 本発明に於いては、第１の層領域（Ｇ）上に設
けられる第２の層領域（Ｓ）中には、ゲルマニウ
ム原子は含有されておらず、この様な層構造に第
一の層（）を形成することによつて、可視光領
域を含む比較的短波長から比較的長波長迄の全領
域の波長の光に対して光感度が優れている光導電
部材とし得るものである。 又、第１の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウ
ム原子の分布状態は、全層領域にゲルマニウム原
子が連続的に分布し、ゲルマニウム原子の層厚方
向の分布濃度Ｃが支持体側より第２の層領域
（Ｓ）に向つて減少する変化が与えられているの
で、第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ）と
の間に於ける親和性に優れると共に実質的に連続
した屈折率の変化を与えることが出来るので可干
渉光を使用する場合に於ける層界面に於ける反射
に伴う干渉を阻止することが出来、且つ後述する
様に支持体側端部に於いてゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃを極端に大きくすることにより半導体レ
ーザ等を使用した場合の、第２の層領域（Ｓ）で
は殆んど吸収し切れない長波長側の光を第１の層
領域（Ｇ）に於いて実質的に吸収することが出
来、支持体面からの反射による干渉を防止するこ
とが出来る。 又、本発明の光導電部材に於いては、第１の層
領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ）とを構成する非
晶質材料の夫々がシリコン原子という共通の構成
要素を有しているので、積層界面に於いて化学的
な安定性の確保が充分成されている。 第２図乃至第１０図には、本発明における光導
電部材の第１の層領域（Ｇ）中に含有されるゲル
マニウム原子の層厚方向の分布状態の典型的例が
示される。 第２図乃至第１０図において、横軸はゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃを、縦軸は第１の層領域
（Ｇ）の層厚を示し、tBは支持体側の第１の層領
域（Ｇ）の端面の位置を、tTは支持体側とは反対
側の第１の層領域（Ｇ）の端面の位置を示す。即
ち、ゲルマニウム原子の含有される第１の層領域
（Ｇ）はtB側よりtT側に向つて層形成がなされる。 第２図には、第１の層領域（Ｇ）中に含有され
るゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の第１
の典型例が示される。 第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の
含有される第１の層領域（Ｇ）が形成される支持
体表面と該第１の層領域（Ｇ）の表面とが接する
界面位置tBよりt1の位置までは、ゲルマニウム原
子の分布濃度ＣがC1なる一定の値を取り乍らゲ
ルマニウム原子が形成される第１の層領域（Ｇ）
に含有され、位置t1より界面位置tTに至るまで濃
度C2より徐徐に連続的に減少されている。界面
位置tTにおいてはゲルマニウム原子の分布濃度Ｃ
はC3とされる。 第３図に示される例においては、含有されるゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは位置tBより位置tT
に至るまで濃度C4から徐々に連続的に減少して
位置tTにおいて濃度C5となる様な分布状態を形成
している。 第４図の場合は、位置tBより位置t2まではゲル
マニウム原子の分布濃度Ｃは濃度C6なる一定値
とされ、位置t2と位置tTとの間において徐々に連
続的に減少され、位置tTにおいて分布濃度Ｃは実
質的に零とされている（ここで実質的に零とは検
出限界量未満の場合である）。 第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置tBより位置tTに至るまで濃度C8より
連続的に徐々に減少され、位置tTにおいて実質的
に零とされている。 第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃは、位置tBと位置t3間においては濃
度C9の一定値であり、位置tTにおいては濃度C10
とされる。位置t3と位置tTとの間では、分布濃度
Ｃは一次関数的に位置t3より位置tTに至るまで減
少されている。 第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは
位置tBより位置t4までは濃度C11の一定値を取り、
位置t4より位置tTまでは濃度C12より濃度C13まで
一次関数的に減少する分布状態とされている。 第８図に示す例においては、位置tBより位置tT
に至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃
度C14より実質的に零に至る様に一次関数的に減
少している。 第９図においては、位置tBより位置t5に至るま
ではゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度C15よ
り濃度C16まで一次関数的に減少され、位置t5と
位置tTとの間においては濃度C16の一定値とされ
た例が示されている。 第１０図に示される例においては、ゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは、位置tBにおいて濃度C17
であり、位置t6に至るまではこの濃度C17より初
めはゆつくりと減少され、t6の位置付近において
は急激に減少されて位置t6では濃度C18とされる。 位置t6と位置t7との間においては、初め急激に
減少されて、その後は、緩かに徐々に減少されて
位置t7で濃度C19となり、位置t7と位置t8との間で
は極めてゆつくりと徐々に減少されて、位置t8に
おいて濃度C20に至る。位置t8と位置tTの間におい
ては、濃度C20より実質的に零になる様に図に示
す如き形状の曲線に従つて減少されている。 以上、第２図乃至第１０図により、第１の層領
域（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子の層厚
方向の分布状態の典型例の幾つかを説明した様
に、本発明においては、支持体側において、ゲル
マニウム原子の分布濃度Ｃの高い部分を有し、界
面tT側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に
較べて可成り低くされた部分を有するゲルマニウ
ム原子の分布状態が第１の層領域（Ｇ）に設けら
れている。 本発明に於ける光導電部材を構成する層を構成
する第１の層領域（Ｇ）は、好ましくは上記した
様に支持体側の方にゲルマニウム原子が比較的高
濃度で含有されている局在領域（Ａ）を有するの
が望ましい。 本発明に於いては局在領域（Ａ）は、第２図乃
至第１０図に示す記号を用いて説明すれば、界面
位置tBより5μ以内に設けられるのが望ましい。 本発明においては、上記局在領域（Ａ）は、界
面位置tBより5μ厚までの全層領域（LT）とされる
場合もあるし、又、層領域（LT）の一部とされ
る場合もある。 局在領域（Ａ）を層領域（LT）の一部とする
か又は全部とするかは、形成される第一の層
（）に要求される特性に従つて適宜決められる。 局在領域（Ａ）は、その中に含有されるゲルマ
ニウム原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニ
ウム原子の分布濃度の最大値Cnaxがシリコン原子
との和に対して、好ましくは1000atomic ppm以
上、より好適には5000atomic ppm以上、最適に
は１×104atomic ppm以上とされる様な分布状
態となり得る様に層形成される。 即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の
含有される第１の層領域（Ｇ）は、支持体側から
の層厚で5μ以内（tBから5μ厚の層領域）に分布濃
度の最大値Cnaxが存在する様に形成されるのが好
ましい。 本発明において、第１の層領域（Ｇ）中に含有
されるゲルマニウム原子の含有量は、本発明の目
的が効果的に達成される様に所望に従つて適宜決
められるが、好ましくは１〜9.5×105atomic
ppm、より好ましくは100〜8.0×105atomic
ppm、最適には500〜７×105atomic ppmとされ
る。 本発明に於いて第１の層領域（Ｇ）と第２の層
領域（Ｓ）との層厚は、本発明の目的を効果的に
達成させる為の重要な因子の１つであるので、形
成される光導電部材に所望の特性が充分与えられ
る様に、光導電部材の設計の際に充分なる注意が
払われる必要がある。 本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）の層厚
TBは、好ましくは30Å〜50μ、より好ましくは40
Å〜40μ、最適には50Å〜30μとされる。 又、第２の層領域（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましく
は0.5〜90μ、より好ましくは１〜80μ、最適には
２〜50μとされる。 第１の層領域（Ｇ）の層厚tBと第２の層領域
（Ｓ）の層厚Ｔの和（TB＋Ｔ）は、両層領域に要
求される特性と第一の層（）全体に要求される
特性との相互間の有機的関連性に基づいて、光導
電部材の層設計の際に所望に従つて、適宜決定さ
れる。 本発明の光導電部材に於いては、上記の（TB
＋Ｔ）の数値範囲としては好ましくは１〜100μ、
より好適には１〜80μ、最適には２〜50μとされ
る。 本発明のより好ましい実施態様例に於いては、
上記の層厚TB及び層厚Ｔは、好ましくはTB／Ｔ
≦１なる関係を満足するように、夫々に対して適
宜適切な数値が選択されるのが望ましい。 上記の場合に於ける層厚TB及び層厚Ｔの数値
の選択に於いて、より好ましくはTB／Ｔ≦0.9、
最適にはTB／Ｔ≦0.8なる関係が満足される様に
層厚TB及び層厚Ｔの値が決定される。 本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）中に含有
されるゲルマニウム原子の含有量が１×
105atomic ppm以上の場合には、第１の層領域
（Ｇ）の層厚TBとしては、成可く薄くされるのが
望ましく、好ましくは30μ以下、より好ましくは
25μ以下、最適には20μ以下とされる。 本発明の光導電部材に於いては、第１の層領域
（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布状態は、
該層領域（Ｇ）の全層領域にゲルマニウム原子が
連続的に分布し、ゲルマニウム原子の層厚方向の
分布濃度Ｃが支持体側より第一の層（）の第二
の層（）側に向つて減少する変化が与えられて
いるので、分布濃度Ｃの変化率曲線を所望に従つ
て任意に設計することによつて、要求される特性
を持つた第一の層（）を所望通りに実現するこ
とが出来る。 例えば、第１の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマ
ニウム原子の分布濃度Ｃを支持体側に於いては充
分高め、第一の層（）の第二の層（）側に於
いては極力低める様な、分布濃度Ｃの変化をゲル
マニウム原子の分布濃度曲線に与えることによつ
て、可視光領域を含む比較的短波長から比較的長
波長迄の全領域の波長の光に対して光感度化を図
ることが出来る。 又、後述される様に第１の層領域（Ｇ）の支持
体側端部に於いてゲルマニウム原子の分布濃度Ｃ
を極端に大きくすることにより、半導体レーザを
使用した場合の、レーザ照射面側にある第２の層
領域（Ｓ）に於いて充分吸収し切れない長波長側
の光を、層領域（Ｇ）に於いて実質的に完全に吸
収することが出来、支持体面からの反射による干
渉を効果的に防止することが出来る。 本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と
高暗抵抗化、更には、支持体と第一の層（）と
の間の密着性の改良を図る目的の為に、第一の層
（）中には、窒素原子が含有される。 第一の層（）中に含有される窒素原子は、第
一の層（）の全層領域に万遍なく含有されても
良いし、或いは、第一の層（）の一部の層領域
のみに含有させて偏在させても良い。 又、窒素原子の分布状態は、分布濃度Ｃ（Ｎ）
が、第一の層（）の層厚方向に於いては、均一
であつてもよいし、第２図乃至第１０図を用いて
説明したゲルマニウム原子の分布状態と同様に、
不均一であつても良い。 詰り、窒素原子の分布濃度Ｃ（Ｎ）が層厚方向
に不均一である場合の窒素原子の分布状態は、第
２図乃至第１０図を用いてゲルマニウム原子の場
合と同様に説明され得る。 本発明に於いて、第一の層（）に設けられる
窒素原子の含有されている層領域（Ｎ）は、光感
度と暗抵抗の向上を主たる目的とする場合には、
第一の層（）の全層領域を占める様に設けら
れ、支持体と第一の層（）との間の密着性の強
化を図るのを主たる目的とする場合には、第一の
層（）の支持体側端部層領域（Ｅ）を占める様
に設けられる。 前者の場合、層領域（Ｎ）中に含有される窒素
原子の含有量は、高光感度を維持する為に比較的
少なくされ、後者の場合には、支持体側との密着
性の強化を確実に図る為に比較的多くされるのが
望ましい。 又、前者と後者の両方を同時に達成する目的の
為には、支持体側に於いて比較的高濃度に分布さ
せ、第一の層（）の第二の層（）側に於いて
比較的低濃度に分布させるか、或いは、第一の層
（）の第二の層（）側の表層領域には、窒素
原子を積極的には含有させない様な窒素原子の分
布状態を層領域（Ｎ）中に形成すれば良い。 本発明に於いて、第一の層（）に設けられる
層領域（Ｎ）に含有される窒素原子の含有量は、
層領域（Ｎ）自体に要求される特性、或いは該層
領域（Ｎ）が支持体に直に接触して設けられる場
合には、該支持体との接触界面に於ける特性との
関係等、有機的関連性に於いて適宜選択すること
が出来る。 又、前記層領域（Ｎ）に直に接触して他の層領
域が設けられる場合には、該他の層領域の特性
や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、窒素原子の含有量が適宜選択
される。 層領域（Ｎ）中に含有される窒素原子の量は、
形成される光導電部材に要求される特性に応じて
所望に従つて適宜決められるが、好ましくは
0.001〜50atomic％、より好ましくは0.002〜
40atomic％、最適には0.003〜30atomic％とされ
る。 本発明に於いて、層領域（Ｎ）が第一の層
（）の全域を占めるか、或いは第一の層（）
の全域を占めなくとも、層領域（Ｎ）の層厚TN
の第一の層（）の層厚Ｔに占める割合が充分多
い場合には、層領域（Ｎ）に含有される窒素原子
の含有量の上限は、前記の値より充分少なくされ
るのが望ましい。 本発明の場合には層領域（Ｎ）の層厚TNが第
一の層（）の層厚Ｔに対して占める割合が５分
の２以上となる様な場合には、層領域（Ｎ）中に
含有される窒素原子の量の上限は、好ましくは
30atomic％以下、より好ましくは20atomic％以
下、最適には10atomic％以下とされる。 本発明において、第一の層（）を構成する窒
素原子の含有される層領域（Ｎ）は、上記した様
に支持体側の方に窒素原子が比較的高濃度で含有
されている局在領域（Ｂ）を有するものとして設
けられるのが望ましく、この場合には支持体側と
第一の層（）との間の密着性をより一層向上さ
せることが出来る。 上記局在領域（Ｂ）は、第２図乃至第１０図に
示す記号を用いて説明すれば、界面位置tBより5μ
以内に設けられるのが望ましい。 本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は界面
位置TBより5μ厚までの全層領域（LT）とされる
場合もあるし、又、層領域（LT）の一部とされ
る場合もある。 局在領域を層領域（LT）の一部とするか又は
全部とするかは、形成される第一の層（）に要
求される特性に従つて適宜決められる。 局在領域（Ｂ）は、その中に含有される窒素原
子の層厚方向の分布状態として窒素原子の分布濃
度の最大値Cnaxが、好ましくは500atomic ppm
以上、より好適には800atomic ppm以上、最適
には1000atomic ppmとされる様な分布状態とな
り得る様に層形成される。 即ち、本発明においては、窒素原子の含有され
る層領域（Ｎ）は、支持体側からの層厚で5μ以
内（tBから5μ厚の層領域）に分布濃度の最大値
Cnaxが存在する様に形成されるのが望ましい。 本発明において、必要に応じて第一の層（）
を構成する第１の層領域（Ｇ）及び第２の層領域
（Ｓ）中に含有されるハロゲン原子（Ｘ）として
は、具体的にはフツ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙
げられ、殊にフツ素、塩素を好適なものとして挙
げることが出来る。 本発明において、ａ−SiGe（Ｈ、Ｘ）で構成さ
れる第１の層領域（Ｇ）を形成するには、例えば
グロー放電法、スパツタリング法、或いはイオン
プレーテイング法等の放電現象を利用する真空堆
積法によつて成される。 例えば、グロー放電法によつて、ａ−SiGe
（Ｈ、Ｘ）で構成される第１の層領域Ｇを形成す
るには、基本的にはシリコン原子（Si）を供給し
得るSi供給用の原料ガスとゲルマニウム原子
（Ge）を供給し得るGe供給用の原料ガスと、必
要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の原料ガス又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスと
を、内部が減圧し得る堆積室内に所望のガス圧状
態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起さ
せ、予め所定位置に設置されてある所定の支持体
表面上に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度
を所望の変化率曲線に従つて制御し乍らａ−
SiGe（Ｈ、Ｘ）からなる層を形成させれば良い。
又、スパツタリング法で形成する場合には、例え
ばAr、He等の不活性ガス又はこれ等のガスをベ
ースとした混合ガスの雰囲気中でSiで構成された
ターゲツト、或いは、該ターゲツトとGeで構成
されたターゲツトの二枚を使用して、又は、Siと
Geの混合されたターゲツトを使用して、必要に
応じてHe、Ar等の稀釈ガスで稀釈されたGe供給
用の原料ガスを、必要に応じて、水素原子（Ｈ）
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスと共
にスパツタリング用の堆積室に導入し、所望のガ
スのプラズマ雰囲気を形成すると共に、前記Ge
供給用の原料ガスのガス流量を所望の変化曲線に
従つて制御し乍ら、前記のターゲツトをスパツタ
リングしてやれば良い。 イオンプレーテイング法の場合には、例えば多
結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマ
ニウム又は単結晶ゲルマニウムとを、夫々蒸発源
として蒸着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加
熱法、或いはエレクトロンビーム法（EB法）等
によつて加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガス
プラズマ雰囲気中を通過させる以外は、スパツタ
リング法の場合を同様にする事で行うことが出来
る。 本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
となり得る物質としては、SiH4、Si2H6、Si3H8、
Si4H10等のガス状態の又はガス化し得る水素化珪
素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙
げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Si供
給効率の良さ等の点でSiH4、Si2H6が好ましいも
のとして挙げられる。 Ge供給用の原料ガスとなり得る物質としては、
GeH4、Ge2H6、Ge3H8、Ge4H10、Ge5H12、
Ge6H14、Ge7H16、Ge8H18、Ge9H20等のガス状
態の又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効
に使用されるものとして挙げられ、殊に、層作成
作業時の取扱い易さ、Ge供給効率の良さ等の点
で、GeH4、Ge2H6、Ge3H8が好ましいものとし
て挙げられる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは多くのハロゲン化合
物であり、例えば、ハロゲンガス、ハロゲン化
物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシ
ラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハロ
ゲン化合物が好ましいものとして挙げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効なもの
として本発明においては挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF、ClF、ClF3、
BrF5、BrF3、IF3、IF7、ICl、IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF4、Si2F6、SiCl4、SiBr4等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、Ge供給用の原料ガ
スと共にSiを供給し得る原料ガスとしての水素化
硅素ガスを使用しなくとも、所望の支持体上にハ
ロゲン原子を含むａ−SiGeから成る第１の層領
域（Ｇ）を形成する事が出来る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む第
１の層領域（Ｇ）を作成する場合、基本的には、
例えばSi供給用の原料ガスとなるハロゲン化硅素
とGe供給用の原料ガスとなる水素化ゲルマニウ
ムとAr、H2、He等のガス等とを所定の混合比お
よびガス流量になる様にして第１の層領域（Ｇ）
を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起し
てこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成すること
によつて、所望の支持体上に第１の層領域（Ｇ）
を形成し得るものであるが、水素原子の導入割合
の制御を一層容易になる様にする為にこれ等のガ
スに更に水素ガス又は水素原子を含む硅素化合物
のガスも所望量混合して層形成しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えない。 スパツタリング法、イオンプレーテイング法の
何れの場合にも、形成される層中にハロゲン原子
を導入するには、前記のハロゲン化合物又は前記
のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室
中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成して
やれば良い。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H2、或いは前記した
シラン類又は／及び水素化ゲルマニウム等のガス
類をスパツタリング用の堆積室中に導入して該ガ
ス類のプラズマ雰囲気を形成してやれば良い。 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF、HCl、
HBr、HI等のハロゲン化水素、SiH2F2、
SiH2I2、SiH2Cl2、SiHCl3、SiH2Br2、SiHBr3等
のハロゲン置換水素化硅素、及びGeHF3、
GeH2F2、GeH3F、GeHCl3、GeH2Cl2、
GeH3Cl、GeHBr3、GeH2Br2、GeH3Br、
GeHI3、GeH2I2、GeH3I等の水素化ハロゲン化
ゲルマニウム、等の水素原子を構成要素の１つと
するハロゲン化物、GeF4、GeCl4、GeBr4、
GeI4、GeF2、GeCl2、GeBr2、GeI2等のハロゲン
化ゲルマニウム、等々のガス状態のあるいはガス
化し得る物質も有効な第１の層領域（Ｇ）形成用
の出発物質として挙げる事が出来る。 これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化
物は、第１の層領域（Ｇ）形成の際に層中にハロ
ゲン原子の導入と同時に電気的或いは光電的特性
の制御に極めて有効な水素原子も導入するので、
本発明においては好適なハロゲン導入の原料とし
て使用される。 水素原子を第１の層領域（Ｇ）中に構造的に導
入するには、上記の他にH2、或いはSiH4、
Si2H6、Si3H8、Si4H10等の水素化硅素と、Geを
供給する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合
物と、或いは、GeH4、Ge2H6、Ge3H8、
Ge4H10、Ge5H12、Ge6H14、Ge7H16、Se8H18、
Ge9H20等の水素化ゲルマニウムと、Siを供給す
る為のシリコン又はシリコン化合物と、を堆積室
中に共存させて放電を生起させる事でも行う事が
出来る。 本発明の好ましい例において、形成される第一
の層（）を構成する第１の層領域（Ｇ）中に含
有される水素原子（Ｈ）の量、又はハロゲン原子
（Ｘ）の量、又は水素原子とハロゲン原子の量の
和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは0.01〜40atomic％、
より好適には0.05〜30Atomic％、最適には0.1〜
25atomic％とされる。 第１の層領域（Ｇ）中に含有される水素原子
（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御
するには、例えば支持体温度又は／及び水素原子
（Ｈ）、或いはハロゲン原子（Ｘ）を含有させる為
に使用される出発物質の堆積装置系内へ導入する
量、放電々力等を制御してやれば良い。 本発明に於いて、ａ−SiGe（Ｈ、Ｘ）で構成さ
れる第２の層領域（Ｓ）を形成するには、前記し
た第１の層領域（Ｇ）形成用の出発物質（）の
中より、Ｇ供給用の原料ガスとなる出発物質を除
いた出発物質〔第２の層領域（Ｓ）形成用の出発
物質（）〕を使用して第１の層領域（Ｇ）を形
成する場合と同様の方法と条件に従つて行うこと
が出来る。 即ち、本発明において、ａ−SiGe（Ｈ、Ｘ）で
構成される第２の層領域（Ｓ）を形成するには、
例えばグロー放電法、スパツタリング法、或いは
イオンプレーテイング法等の放電現象を利用する
真空堆積法によつて成される。例えば、グロー放
電によつて、ａ−SiGe（Ｈ、Ｘ）で構成される第
２の層領域（Ｓ）を形成するには、基本的には前
記したシリコン原子（Si）を供給し得るSi供給用
の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）
導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の
原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入
して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め
所定位置に設置されてある所定の支持表面上にａ
−SiGe（Ｈ、Ｘ）からなる層を形成させれば良
い。又、スパツタリング法で形成する場合には、
例えばAr、He等の不活性ガス又はこれ等のガス
をベースとした混合ガスの雰囲気中でSiで構成さ
れたターゲツトをスパツタリングする際、水素原
子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の
ガスをスパツタリング用の堆積室に導入しておけ
ば良い。 本発明の光導電部材に於いては、ゲルマニウム
原子の含有される第１の層領域（Ｇ）の上に設け
られ、ゲルマニウム原子の含有されない第２の層
領域（Ｓ）に伝導特性を制御する物質を含有させ
ることにより、該層領域（Ｓ）の伝導特性を所望
に従つて任意に制御することが出来る。 この様な物質としては、所謂、半導体分野で云
われる不純物を挙げることが出来、本発明に於い
ては、形成される第２の層領域（Ｓ）を構成する
ａ−SiGe（Ｈ、Ｘ）に対して、ｐ型伝導特性を与
えるｐ型不純物、及びｎ型伝導特性を与えるｎ型
不純物を挙げることが出来る。 具体的には、ｐ型不純物としては、周期律表第
族に属する原子（第族原子）、例えば、Ｂ（硼
素）、Al（アルミニウム）、Ga（ガリウム）、In（イ
ンジウム）、Tl（タリウム）等があり、殊に好適
に用いられるのはＢ、Gaである。 ｎ型不純物としては、周期律表第族に属する
原子（第族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ag（砒
素）、Sb（アンチモン）、Bi（ビスマス）等であり、
殊に、好適に用いられるのはＰ、Asである。 本発明に於いて、第２の層領域（Ｓ）に含有さ
れる伝導特性を制御する物質の含有量は、該層領
域（Ｓ）に要求される伝導特性、或いは該層領域
（Ｓ）に直に接触して設けられる他の層領域の特
性や、該他の層領域との接触界面に於ける特性と
の関係等、有機的関連性に於いて適宜選択するこ
とが出来る。 本発明に於いて、第２の層領域（Ｓ）中に含有
される伝導特性を制御する物質の含有量は、好ま
しくは0.001〜1000atomic ppm、より好適には
0.05〜500atomic ppm、最適には0.1〜200atomic
ppmとされる。 第２の層領域（Ｓ）中に伝導特性を制御する物
質、例えば第族原子或いは第族原子を構造的
に導入するには、層形成の際に第族原子導入用
の出発物質或いは第族原子導入用の出発物質を
ガス状態で堆積室中に、第２の層領域を形成する
為の他の出発物質と共に導入してやれば良い。こ
の様な第族原子導入用の出発物質となり得るも
のとしては、常温常圧でガス状の、又は、少なく
とも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採
用されるのが望ましい。その様な第族原子導入
用の出発物質は、具体的には、硼素原子導入用と
しては、B2H6、B4H10、B5H9、B5H11、B6H10、
B6H12、B6H14等の水素化硼素、BF3、BCl3、
BBr3等のハロゲン化硼素が挙げられる。この他、
AlCl3、GaCl3、Ga（CH3）3、InCl3、TlCl3等も挙
げることが出来る。 第族原子導入用の出発物質として本発明にお
いて有効に使用されるのは、燐原子導入用として
は、PH3、P2H4等の水素化燐、PH4I、PF3、
PF5、PCl3、PCl5、PBr3、PBr5、PI3等のハロゲ
ン化燐が挙げられる。この他、AsH3、AsF3、
AsCl3、AsBr3、AsF5、SbH3、SbF3、SbF5、
SbCl3、SbCl5、BiH3、BiCl3、BiBr3等も第族
原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明に於いて、第一の層（）中に窒素原子
の含有された層領域（Ｎ）を設けるには、第一の
層（）の形成の際に窒素原子導入用の出発物質
を前記した第一の層（）形成用の出発物質と共
に使用して、形成される層中にその量を制御し乍
ら含有してやれば良い。層領域（Ｎ）を形成する
のにグロー放電法を用いる場合には、前記した第
一の層（）形成用の出発物質の中から所望に従
つて選択されたものに窒素原子導入用の出発物質
が加えられる。その様な窒素原子導入用の出発物
質としては、少なくとも窒素原子を構成原子とす
るガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化し
たものの中の大概のものが使用され得る。 例えばシリコン原子（Si）を構成原子とする原
料ガスと、窒素原子（Ｎ）を構成原子とする原料
ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は及びハ
ロゲン原子（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを
所望の混合比で混合して使用するか、又は、シリ
コン原子（Si）を構成原子とする原料ガスと、窒
素原子（Ｎ）及び水素原子（Ｈ）を構成原子とす
る原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合す
るか、或いは、シリコン原子（Si）を構成原子と
する原料ガスと、シリコン原子（Si）、窒素原子
（Ｎ）及び水素原子（Ｈ）の３つを構成原子とす
る原料ガスとを混合して使用することが出来る。 又、別には、シリコン原子（Si）と水素原子
（Ｈ）とを構成原子とする原料ガスに窒素原子
（Ｎ）を構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 層領域（Ｎ）を形成する際に使用される窒素原
子（Ｎ）導入用の原料ガスに成り得るものとして
有効に使用される出発物質は、Ｎを構成原子とす
る或いはＮとＨとを構成原子とする例えば窒素
（N2）、アンモニア（NH3）、ヒドラジン
（H2NNH2）、アジ化水素（HN3）、アジ化アンモ
ニウム（NH4N3）等のガス状の又はガス化し得
る窒素、窒化物及びアジ化物質等の窒素化合物を
挙げることができる。この他に、窒素原子（Ｎ）
の導入に加えてハロゲン原子（Ｘ）の導入も行え
るという点から、三弗化窒素（F3N）、四弗化窒
素（F4N2）等のハロゲン化窒素化合物を挙げる
ことができる。 本発明に於いては、層領域（Ｎ）中には窒素原
子で得られる効果を更に助長させる為に、窒素原
子に加えて、更に酸素原子を含有することができ
る。酸素原子と層領域（Ｎ）に導入する為の酸素
原子導入用の原料ガスとしては、例えば酸素
（O2）、オゾン（O3）、一酸化窒素（NO）、二酸化
窒素（NO2）、一二酸化窒素（N2O）、三二酸化
窒素（N2O3）、四三酸化窒素（N2O4）、五二酸化
窒素（N2O5）、三酸化窒素（NO3）、シリコン原
子（Si）と酸素原子（Ｏ）と水素原子（Ｈ）とを
構成原子とする、例えば、ジシロキサン
（H3SiOSiH3）、トリシロキサン
（H3SiOSiH2OSiH3）等の低級シロキサン等を挙
げることができる。 スパツタリング法によつて、窒素原子を含有す
る層領域（Ｎ）を形成するには、単結晶又は多結
晶のSiウエーハー又はSi3N4ウエーハー、又はSi
とSi3N4が混合されて含有されているウエーハー
をターゲツトとして、これ等を種々のガス雰囲気
中でスパツタリングすることによつて行えば良
い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／
及びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツタリングすれ
ば良い。 又、別には、SiとSi3N4とは別々のターゲツト
として、又はSiとSi3N4の混合した一枚のターゲ
ツトを使用することによつて、スパツター用のガ
スとしての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも
水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を
構成原子として含有するガス雰囲気中でスパツタ
リングすることによつて成される。窒素原子導入
用の原料ガスとしては、先述したグロー放電の例
で示した原料ガスの中の窒素原子導入用の原料ガ
スが、スパツタリングの場合にも有効なガスとし
て使用され得る。 本発明に於いて、第一の層（）の形成の際に
窒素原子の含有される層領域（Ｎ）を設ける場
合、該層領域（Ｎ）に含有される窒素原子の分布
濃度Ｃ（Ｎ）を層厚方向に変化させて所望の層厚
方向の分布状態（depth profile）を有する層領
域（Ｎ）を形成するには、グロー放電の場合には
分布濃度Ｃ（Ｎ）を変化させるべき窒素原子導入
用の出発物質のガスを、そのガス流量を所望の変
化率曲線に従つて適宜変化させ乍ら、堆積室内に
導入することによつて成される。例えば、手動あ
るいは外部駆動モータ等の通常用いられている何
らかの手段により、ガス流路系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を漸次変化させる
操作を行えば良い。このとき、流量の変化率は線
型である必要はなく、例えばマイコン等を用い
て、あらかじめ設計された変化率曲線に従つて流
量を制御し、所望の含有率曲線を得ることもでき
る。層領域（Ｎ）をスパツタリング法によつて形
成する場合、窒素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ
（Ｎ）を層厚方向で変化させて、窒素原子の層厚
方向の所望の分布状態（depth profil）を形成す
るには、第一にはグロー放電法による場合と同様
に窒素原子導入用の出発物質をガス状態で使用
し、該ガスを堆積室中へ導入する際のガス流量を
所望に従つて適宜変化させることによつて成され
る。第二にはスパツタリング用のターゲツトとし
て、例えばSiとSi3N4との混合されたターゲツト
を使用するのであれば、SiとSi3N4との混合比を
ターゲツトの層厚方向に於いて予め変化させてお
くことによつて成される。 本発明に於いて、形成される第一の層（）を
構成する第２の層領域（Ｓ）中に含有される水素
原子（Ｈ）の量、又はハロゲン原子（Ｘ）の量、
又は水素原子（Ｈ）とハロゲン原子の量の和（Ｈ
＋Ｘ）は、好ましくは１〜40atomic％、好適に
は５〜30atomic％、最適には５〜25atomic％と
される。 第１図に示される光導電部材１００においては
第一の層（）１０２上に形成される第二の層
（）１０３は自由表面を有し、主に耐湿性、連
続繰返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特
性、耐久性において本発明の目的を達成する為に
設けられる。 又、本発明においては、第一の層（）１０２
と第二の層（）１０３とを構成する非晶質材料
の各々がシリコン原子という共通の構成要素を有
しているので、積層界面において化学的な安定性
の確保が充分成されている。 本発明における第二の層（）は、シリコン原
子（Si）と炭素原子（Ｃ）と、必要に応じて水素
原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）とを含
む非晶質材料（以後、「ａ−（SixC1-x）y（Ｈ、Ｘ）
1-y」と記す。但し、０＜ｘ、ｙ＜１）で構成さ
れる。 ａ−（SixC1-x）y（Ｈ、Ｘ）1-yで構成される第二
の層（）の形成はグロー放電法、スパツタリン
グ法、イオンプランテーシヨン法、イオンプレー
テイング法、エレクトロンビーム法等によつて成
される。これ等の製造法は、製造条件、設備資本
投下の負荷程度、製造規模、作製される光導電部
材に所望される特性等の要因によつて適宜選択さ
れて採用されるが、所望する特性を有する光導電
部材を製造する為の作製条件の制御が比較的容易
である、シリコン原子と共に炭素原子及びハロゲ
ン原子を、作成する第二の層（）中に導入する
のが容易に行える等の利点から、グロー放電法或
いはスパツターリング法が好適に採用される。 更に、本発明においては、グロー放電とスパツ
ターリング法とを同一装置系内で併用して第二の
層（）を形成しても良い。 グロー放電法によつて第二の層（）を形成す
るには、ａ−（SixC1-x）y（Ｈ、Ｘ）1-y形成用の原
料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合
比で混合して、支持体の設置してある真空堆積用
の堆積室に導入し、導入されたガスをグロー放電
を生起させることでガスプラズマ化して、前記支
持体上に既に形成されてある第一の層（）上に ａ−（SixC1-x）y（Ｈ、Ｘ）1-yを堆積させれば良い。 本発明において、ａ−（SixC1-x）y（Ｈ、Ｘ）1-y
形成用の原料ガスとしては、シリコン原子（Si）、
炭素原子（Ｃ）、水素原子（Ｈ）、ハロゲン原子
（Ｘ）の中の少なくとも１つを構成原子とするガ
ス状の物質又はガス化し得る物質をガス化したも
のの中の大概のものが使用され得る。 Si、Ｃ、Ｈ、Ｘの中の１つとしてSiを構成原子
とする原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構
成原子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原
料ガスと、必要に応じてＨを構成原子とする原料
ガス又は／及びＸを構成原子とする原料ガスとを
所望の混合比で混合して使用するか、又はSiを構
成原子とする原料ガスと、Ｃ及びＨを構成原子と
する原料ガス又は／及びＸを構成原子とする原料
ガスとを、これも又、所望の混合比で混合する
か、或いはSiを構成原子とする原料ガスと、Si、
Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガス、又
は、Si、Ｃ及びＸの３つを構成原子とする原料ガ
スとを混合して使用することが出来る。 又、別には、SiとＨとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良いし、SiとＸとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明において、第二の層（）中に含有され
るハロゲン原子（Ｘ）として好適なのはＦ、Cl、
Br、Ｉであり、殊にＦ、Clが望ましいものであ
る。 本発明において、第二の層（）を形成するの
に有効に使用される原料ガスとなり得るものとし
ては、常温常圧においてガス状のもの又は容易に
ガス化し得る物質を挙げることが出来る。 本発明において、第二の層（）形成用の原料
ガスとして有効に使用されるのは、SiとＨとを構
成原子とするSiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10等の
シラン（Silane）類等の水素化硅素ガス、ＣとＨ
とを構成原子とする、例えば炭素数１〜４の飽和
炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、
炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素、ハロゲン
単体、ハロゲン化水素、ハロゲン間化合物、ハロ
ゲン化硅素、ハロゲン置換水素化硅素、水素化硅
素等を挙げる事が出来る。 具体的には、飽和炭化水素としてはメタン
（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン（C3H8）、ｎ
−ブタン（ｎ−C4H10）、ペンタン（C5H12）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C2H4）、
プロピレン（C3H6）、ブテン−１（C4H8）、ブテ
ン−２（C4H8）、イソブチレン（C4H8）、ペンテ
ン（C5H10）、アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C2H2）、メチルアセチレン
（C3H4）、ブチン（C4H6）、ハロゲン単体として
は、フツ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガ
ス、ハロゲン化水素としては、FH、HI、HCl、
HBr、ハロゲン間化合物としては、BrF、ClF、
ClF3、ClF5、BrF5、BrF3、IF7、IF5、ICl、IBr、
ハロゲン化硅素としてはSiF4、Si2F6、SiCl4、
SiCl3Br、SiCl2Br2、SiClBr3、SiCl3I、SiBr4、
ハロゲン置換水素化硅素としては、SiH2F2、
SiH2Cl2、SiHCl3、SiH3Cl、SiH3Br、SiH2Br2、
SiHBr3、水素化硅素としては、SiH4、Si2H8、
Si4H10等のシラン（Silane）類、等々を挙げるこ
とが出来る。 これ等の他にCF4、CCl4、CBr4、CHF3、
CH2F2、CH3F、CH3Cl、CH3Br、CH3I、
C2H5Cl等のハロゲン置換パラフイン系炭化水素、
SF4、SF6等のフツ素化硫黄化合物、Si（CH3）4、
Si（C2H5）4等のケイ化アルキルやSiCl（CH3）3、
SiCl2（CH3）2、SiCl3CH3等のハロゲン含有ケイ化
アルキル等のシラン誘導体も有効なものとして挙
げることが出来る。 これ等の第二の層（）形成物質は、形成され
る第二の層（）中に、所定の組成比でシリコン
原子炭素原子及びハロゲン原子と必要に応じて水
素原子とが含有される様に、第二の層（）の形
成の際に所望に従つて選択されて使用される。 例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
の含有が容易に成し得て且つ所望の特性の層が形
成され得るSi（CH3）4と、ハロゲン原子を含有さ
せるものとしてのSiHCl3、SiH2Cl2、SiCl4或い
はSiH3Cl等を所定の混合比にしてガス状態で第
二の層（）形成用の装置内に導入してグロー放
電を生起させることによつて ａ−（SixC1-x）y（Cl＋Ｈ）1-yからなる第二の層
（）を形成することが出来る。 スパツターリング法によつて第二の層（）を
形成するには、単結晶又は多結晶のSiウエーハー
又はＣウエーハー又はSiとＣが混合されて含有さ
れているウエーハーをターゲツトとして、これ等
を必要に応じてハロゲン原子又は／及び水素原子
を構成要素として含む種々のガス雰囲気中でスパ
ツターリングすることによつて行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＣとＨ又は／及びＸを導入する為の原料
ガスを、必要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパ
ツター用の堆積室中に導入し、これ等のガスのガ
スプラズマを形成して前記Siウエーハーをスパツ
ターリングすれば良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、必要に応じて水素原子又
は／及びハロゲン原子を含有するガス雰囲気中で
スパツターリングすることによつて成される。
Ｃ、Ｈ及びＸの導入用の原料ガスとなる物質とし
ては、先述したグロー放電の例で示した第二の層
（）形成用の物質がスパツターリング法の場合
にも有効な物質として使用され得る。 本発明において、第二の層（）をグロー放電
法又はスパツターリング法で形成する際に使用さ
れる稀釈ガスとしては、所謂希ガス、例えばHe、
Ne、Ar等が好適なものとして挙げることが出来
る。 本発明における第二の層（）は、その要求さ
れる特性が所望通りに与えられる様に注意深く形
成される。 即ち、Si、Ｃ、必要に応じてＨ又は／及びＸを
構成原子とする物質は、その作成条件によつて構
造的には結晶からアモルフアスまでの形態を取
り、電気物性的には導電性から半導体性、絶縁性
までの間の性質を、又光導電的性質から非光導電
的性質までの間の性質を各々示すので、本発明に
おいては、目的に応じた所望の特性を有するａ−
（SixC1-x）y（Ｈ、Ｘ）1-yが形成される様に、所望
に従つてその作成条件の選択が厳密に成される。
例えば、第二の層（）を電気的耐圧性の向上を
主な目的として設けるには ａ−（SixC1-x）y（Ｈ、Ｘ）1-yは使用環境において
電均絶縁性的挙動の顕著な非晶質材料として作成
される。 又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上
を主たる目的として第二の層（）が設けられる
場合には、上記の電気絶縁性の度合はある程度緩
和され、照射される光に対してある程度の感度を
有する非晶質材料として ａ−（SixC1-x）y（Ｈ、Ｘ）1-yが形成される。 第一の層（）の表面にａ−（SixC1-x）y（Ｈ、
Ｘ）1-yから成る第二の層（）を形成する際、層
形成中の支持体温度は、形成される層の構造及び
特性を左右する重要な因子であつて、本発明にお
いては、目的とする特性を有するａ−（SixC1-x）y
（Ｈ、Ｘ）1-yが所望通りに作成され得る様に層作
成時の支持体温度が厳密に制御されるのが望まし
い。 本発明における、所望の目的が効果的に達成さ
れる為の第二の層（）の形成法に併せて適宜最
適範囲が選択されて、第二の層（）の形成が実
行されるが、好ましくは20〜400℃、より好適に
は50〜350℃、最適には100〜300℃とされるのが
望ましい。第二の層（）の形成には、層を構成
する原子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が他
の方法に較べて比較的容易である事等の為に、グ
ロー放電がスパツターリング法の採用が有利であ
るが、これ等の層形成法で第二の層（）を形成
する場合には、前記の支持体温度と同様に層形成
の際放電パワーが作成される ａ−（SixC1-x）yX1-yの特性を左右する重要な因子
の１つである。 本発明における目的が達成される為の特性を有
するａ−（SixC1-x）yX1-yが生産性良く効果的に作
成される為の放電パワー条件としては、好ましく
は10〜300W、より好適には20〜250W、最適には
50〜200Wとされる。 堆積室内のガス圧は好ましくは0.01〜1Torr、
より好適には0.1〜0.5Torr程度とされる。 本発明においては第二の層（）を作成する為
の支持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲と
して前記した範囲の値が挙げられるが、これ等の
層作成フアクターは、独立的に別々に決められる
ものではなく、所望特性のａ−（SixC1-x）y（Ｈ、
Ｘ）1-yから成る第二の層（）が形成される様に
相互的有機的関連性に基づいて各層作成フアクタ
ーの最適値が決められるのが望ましい。 本発明の光導電部材における第二の層（）に
含有される炭素原子の量は、第二の層（）の作
成条件と同様、本発明の目的を達成する所望の特
性が得られる第二の層（）が形成される重要な
因子である。本発明における第二の層（）に含
有される炭素原子の量は、第二の層（）を構成
する非晶質材料の種類及びその特性に応じて適宜
所望に応じて決められるものである。 即ち、前記一般式ａ−（SixC1-x）y（Ｈ、Ｘ）1-y
で示される非晶質材料は、大別すると、シリコン
原子と炭素原子とで構成される非晶質材料（以
後、「ａ−SiaC1-a」と記す。但し、０＜ａ＜１）、
シリコン原子と炭素原子と水素原子とで構成され
る非晶質材料（以後、「ａ−（SibC1-b）cH1-c」と
記す。但し、０＜ｂ、ｃ＜１）、シリコン原子と
炭素原子とハロゲン原子と必要に応じて水素原子
とで構成される非晶質材料（以後、「ａ−（Sid
C1-d）e（Ｈ、Ｘ）1-e」と記す。但し０＜ｄ、ｅ＜
１）に分類される。 本発明において、第二の層（）がａ−Sia
C1-aで構成される場合、第二の層（）に含有さ
れる炭素原子の量は好ましくは１×10-3〜
90atomic％より好適には１〜80atomic％、最適
には10〜75atomic％とされる。 即ち、先のａ−SiaC1-aのａの表示で行えば、
ａが好ましくは0.1〜0.99999、より好適には0.2〜
0.99、最適には0.25〜0.9である。 本発明において、第二の層（）がａ−（Sib
C1-b）cH1-cで構成される場合、第二の層（）に
含有される炭素原子の量は、好ましくは１×10-3
〜90atomic％とされ、より好ましくは１〜
90atomic％、最適には10〜80atomic％とされる。
水素原子の含有量としては、好ましくは１〜
40atomic％、より好ましくは２〜35atomic％、
最適には５〜30atomic％とされ、これ等の範囲
に水素含有量がある場合に形成される光導電部材
は、実際面において優れたものとして充分適用さ
せ得るものである。 即ち、先のａ−（SibC1-b）cH1-cの表示で行えば
ｂが好ましくは0.1〜0.99999、より好適には0.1〜
0.99、最適には0.15〜0.9、ｃが好ましくは0.6〜
0.99、より好適には0.65〜0.98、最適には0.7〜
0.95である。 第二の層（）が、ａ−（SidC1-d）eH1-eで構成
される場合には、第二の層（）中に含有される
炭素原子の含有量は、好ましくは１×10-3〜
90atomic％、より好適には１〜90atomic％、最
適には10〜80atomic％とされる。ハロゲン原子
の含有量は、好ましくは１〜20atomic％、より
好適には１〜18atomic％、最適には２〜
15atomic％とされる。これ等の範囲にハロゲン
原子含有量がある場合に作成される光導電部材は
実際面に充分適用させ得るものである。必要に応
じて含有される水素原子の含有量は、好ましくは
19atomic％以下、より好適には13atomic％以下
とされる。 即ち、先のａ−（SidC1-d）e（Ｈ、Ｘ）1-eのｄ、
ｅの表示で行えば、ｄが好ましくは0.1〜
0.99999、より好適には0.1〜0.99、最適には0.15
〜0.9、ｅが好ましくは0.8〜0.99、より好適には
0.82〜0.99、最適には0.85〜0.98である。 本発明における第二の層（）の層厚の数範囲
は、本発明の目的を効果的に達成する為の重要な
因子の１つである。 本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目
的に応じてこれは適宜所望に従つて決められる。 又、第二の層（）の層厚は、該層（）中に
含有される炭素原子の量や第一の層（）の層厚
との関係においても、各々の層領域に要求される
特性に応じた有機的な関連性の下に所望に従つて
適宜決定される必要がある。 更に加えて、生産性や量産性を加味した経済性
の点においても考慮されるのが望ましい。 本発明における第二の層（）の層厚は、好ま
しくは0.003〜30μ、より好適には0.004〜20μ、最
適には0.005〜10μとされる。 本発明において使用される支持体は、導電性で
も電気絶縁性であつても良い。導電性支持体とし
ては、例えば、NiCr、ステンレス、Al、Cr、
Mo、Au、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pd等の金属
又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズ、ア
セテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等
の合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラ
ミツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶
縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面にNiCr、
Al、Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、
Pd、In2O3、SnO2、ITO（In2O3＋SnO2）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr、Al、Ag、Pb、Zn、Ni、
Au、Cr、Mo、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状は、円筒状、ベルト
状、板状等任意の形状とし得、所望によつて、そ
の形状は決定されるが、例えば、第１図の光導電
部材１００を電子写真用像形成部材として使用す
るのであれば、連続高速複写の場合には、無端ベ
ルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持体の
厚さは、所望通りの光導電部材が形成される様に
適宜決定されるが、光導電部材として可撓性が要
求される場合には、支持体としての機能が充分発
揮される範囲であれば可能な限り薄くされる。而
乍ら、この様な場合、支持体の製造上及び取扱い
上、機械的強度等の点から、好ましくは10μ以上
とされる。 次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概
略について説明する。 第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示
す。 図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、
本発明の光導電部材を形成するための原料ガスが
密封されており、その１例としてたとえば１１０
２はHeで稀釈されたSiH4ガス（純度99.999％、
以下、SiH4／Heと略す。）ボンベ、１１０３は
Heで稀釈されたGeH4ガス（純度99.999％、以下
GeH4／Heと略す。）ボンベ、１１０４はHeで稀
釈されたSiF4ガス（純度99.99％、以下SiF4／He
と略す。）ボンベ、１１０５はNH3ガス（純度
99.999％）ボンベ、１１０６はH2ガス（純度
99.999％）ボンベである。 これらのガスを反応室１１０１に流入させるに
は、ガスボンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１
２２〜１１２６、リークバルブ１１３５が閉じら
れていることを確認し、又、流入バルブ１１１２
〜１１１６、流出バルブ１１１７〜１１２１、補
助バルブ１１３２，１１３３が開かれていること
を確認して、先づメインバルブ１１３４を開いて
反応室１１０１及び各ガス配管内を排気する。次
に真空計１１３６の読みが約５×10-6torrになつ
た時点で補助バルブ１１３２，１１３３、流出バ
ルブ１１１７〜１１２１を閉じる。 次にシリンダー状基体１１３７上に第一の層
（）を形成する場合の１例をあげると、ガスボ
ンベ１１０２よりSiH4／Heガス、ガスボンベ１
１０３よりGeH4／Heガス、ガスボンベ１１０５
よりNH3ガスを、バルブ１１２２，１１２３，
１１２５を開いて出口圧ゲージ１１２７，１１２
８，１１３０の圧を１Kg／cm2に調整し、流入バル
ブ１１１２，１１１３，１１１５を徐々に開け
て、マスフロコントローラ１１０７，１１０８，
１１１０内に夫々流入させる。引き続いて流出バ
ルブ１１１７，１１１８，１１２０、補助バルブ
１１３２を徐々に開いて夫々のガスを反応室１１
０１に流入させる。このときのSiH4／Heガス流
量とGeH4／Heガス流量とNH3ガス流量との比
が所望の値になるように流出バルブ１１１７，１
１１８，１１２０を調整し、又、反応室１１０１
内の圧力が所望の値になるように真空計１１３６
の読みを見ながらメインバルブ１１３４の開口を
調整する。そして基体１１３７の温度が加熱ヒー
ター１１３８により50〜400℃程度の範囲の温度
に設定されていることを確認した後、電源１１４
０を所望の電力に設定して反応室１１０１内にグ
ロー放電を生起させ、同時にあらかじめ設計され
た変化率曲線にあらかじめ設計された変化率曲線
に従つてGeH4／Heガスの流量を手動あるいは外
部駆動モータ等の手段によつてバルブ１１１８の
開口を漸次変化させる操作を行なうことにより制
御して、形成される層中に含有されるゲルマニウ
ム原子の分布濃度を制御する。 上記の様にして、所望時間グロー放電を維持し
て、所望層厚に基体１１３７上に第１の層領域
（Ｇ）を形成する。所望層厚に第１の層領域（Ｇ）
が形成された段階に於いて、流出バルブ１１１８
を完全に閉じること、及び必要に応じて放電条件
を変える以外は、同様な条件と手順に従つて所望
時間グロー放電を維持することで第１の層領域
（Ｇ）上にゲルマニウム原子の実質的に含有され
ない第２の層領域（Ｓ）を形成することが出来
る。 第２の層領域（Ｓ）中に、伝導性を支配する物
質を含有させるには、第２の層領域（Ｓ）の形成
の際に例えばB2H6、PH3等のガスを堆積室１１
０１の中に導入するガスに加えてやれば良い。 第一の層（）中にシリコン原子を含有させる
場合には、上記のガスに、例えばSiF4ガスを更に
付加してグロー放電を生起させれば良い。 又、第一の層（）中に水素原子を含有させず
にハロゲン原子を含有させる場合には、先の
SiH4／H4ガス及びGeH4／Heガスの代りに、
SiF4／Heガス及びGeF4／Heガスを使用すれば
良い。 上記の様にして所望層厚に形成された第一の層
（）上に第二の層（）を形成するには、第一
の層（）の形成の際と同様なバルブ操作によつ
て、例えばSiH4ガス、C2H4ガスの夫々を必要に
応じてHe等の稀釈ガスで稀釈して、所望の条件
に従つて、グロー放電を生起させることによつて
成される。 第二の層（）中にハロゲン原子を含有させる
には、例えばSiF4ガスとC2H4ガス、或いはこれ
にSiH2ガスを加えて上記と同様にして第二の層
（）を形成することによつて成される。 夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バル
ブ以外の流出バルブは全て閉じることは言うまで
もなく、又、夫々の層を形成する際、前層の形成
に使用したガスが反応室１１０１内、流出バルブ
１１１７〜１１２１から反応室１１０１内に至る
ガス配管内に残留することを避けるために、流出
バルブ１１１７〜１１２１を閉じ、補助バルブ１
１３２，１１３３を開いてメインバルブ１１３４
を全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必
要に応じて行う。 第二の層（）中に含有される炭素原子の量
は、例えば、グロー放電による場合は、SiH4ガ
スとC2H4ガスの反応室１１０１内に導入される
流量比を所望に従つて変えるか、或いは、スパツ
ターリングで層形成する場合には、ターゲツトを
形成する際シリコンウエハとグラフアイトウエハ
のスパツタ面積比率を変えるか、又はシリコン粉
末とグラフアイト粉末の混合比率を変えてターゲ
ツトを成型することによつて所望に応じて制御す
ることが出来る。第二の層（）中に含有される
ハロゲン原子（Ｘ）の量は、ハロゲン原子導入用
の原料ガス、例えばSiF4ガスが反応室１１０１内
に導入される際の流量を調整することによつて成
される。 又、層形成を行つている間は層形成の均一化を
計るため基体１１３７はモータ１１３９により一
定速度で回転させてやるのが望ましい。 以下実施例について説明する。 実施例 １ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に第１表に示す条件で第１２図に
示すガス流量比の変化率曲線に従つてGeH4／He
ガスとSiH4／Heガスのガス流量比を層作成経過
時間と共に変化させて層形成を行つて電子写真用
像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0kVで0.3sec間コロナ放電を行
い、直ちに光像を照射した。光像照射はタングス
テンランプ光源を用い、2lux・secの光量を透過
型のテストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を像形成部材表面にカスケード
することによつて像形成部材表面上に良好なトナ
ー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を
5.0kVのコロナ放電で転写紙上に転写した所、解
像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画
像が得られた。 実施例 ２ 第１１図に示した製造装置により、第２表に示
す条件で第１３図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ３ 第１１図に示した製造装置により、第３表に示
す条件で第１４図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ４ 第１１図に示した製造装置により、第４表に示
す条件で第１５図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ５ 第１１図に示した製造装置により、第５表に示
す条件で第１６図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ６ 第１１図に示した製造装置により、第６表に示
す条件で第１７図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ７ 第１１図に示した製造装置により、第７表に示
す条件で第１８図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ８ 実施例１に於いて、SiH4／Heガスの代りに
Si2H6／Heガスを使用し、第８表に示す条件にし
た以外は、実施例１と同様の条件にして層形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画像が得られた。 実施例 ９ 実施例１に於いて、SiH4／Heの代りにSiF4／
Heガスを使用し、第９表に示す条件にした以外
は、実施例１と同様の条件にして層形成を行つて
電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 10 実施例１に於いて、SiH4／Heガスの代りに
（SiH4／He＋SiF4／He）ガスを使用し、第10表
に示す条件にした以外は、実施例１と同様の条件
にして層形成を行つて電子写真用像形成部材を得
た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画像が得られた。 実施例 11 実施例１〜10に於いて、第２層の作成条件を第
11表に示す条件にした以外は、各実施例に示す条
件と同様にして電子写真用像形成部材の夫々を作
成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ、第１１Ａ表に示す結果が得られた。 実施例 12 実施例１〜10に於いて、第２層の作成条件を第
12表に示す条件にした以外は、各実施例に示す条
件と同様にして電子写真用像形成部材の夫々を作
成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ第１２Ａ表に示す結果が得られた。 実施例 13 第１１図に示した製造装置により、第13表に示
す条件で第１９図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスと、
NH3ガスとSiH4／Heガスとのガス流量比を層作
成経過時間と、共に夫々変化させ、その他の条件
は実施例１と同様にして層形成を行つて電子写真
用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 14 第１１図に示した製造装置により、第14表に示
す条件で第２０図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスと、
NH3ガスとSiH4／Heガスとのガス流量比を層作
成経過時間と共に夫々変化させ、その他の条件は
実施例１と同様にして、層形成を行つて電子写真
用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 15 実施例１〜10に於いて、光源としてタングステ
ンランプの代りに810nmのGaAs系半導体レーザ
（10mW）を用いて静電像の形成を行つた以外は、
実施例１と同様のトナー画像形成条件にして、実
施例１〜10と同様の条件で作成した電子写真用像
形成部材の夫々に就いてトナー転写画像の画質評
価を行つたところ、解像力に優れ、階調再現性の
良い鮮明な高品位の画質が得られた。 実施例 16 層（）の作成条件を第15表に示す各条件にし
た以外は、実施例１と同様の条件と手順に従つて
電子写真用像形成部材の夫々（試料No.12−401〜
12−408、12−701〜12−708、12−801〜12−808
の72個の試料）を作成した。 こうして得られた各電子写真用像形成部材の
夫々を個別に複写装置に設置し、該実施例に記載
したのと同様の条件によつて、該実施例に対応し
た電子写真用像形成部材の夫々について、転写画
像の総合画質評価と繰返し連続使用による耐久性
の評価を行つた。 各試料の転写画像の総合画質評価と、繰返し連
続使用による耐久性の評価の結果を第16表に示
す。 実施例 17 層（）の形成時、シリコンウエハとグラフア
イトのターゲツト面積比を変えて、層（）にお
けるシリコン原子と炭素原子の含有量比を変化さ
せる以外は、実施例１と全く同様な方法によつて
像形成部材の夫々を作成した。こうして得られた
像形成部材の夫々につき、実施例１に述べた如
き、作像、現像、クリーニングの工程を約５万回
繰り返した後画像評価を行つたところ第17表の如
き結果を得た。 実施例 18 層（）の層の形成時、SiH4ガスとC2H4ガス
の流量比を変えて、層（）におけるシリコン原
子と炭素原子の含有量比を変化させる以外は実施
例１と全く同様な方法によつて像形成部材の夫々
を作成した。 こうして得られた各像形成部材につき、実施例
１に述べた如き方法で転写までの工程を約５万回
繰り返した後、画像評価を行つたところ、第18表
の如き結果を得た。 実施例 19 層（）層の形成時、SiH4ガス、SiF4ガス、
C2H4ガスの流量比を変えて、層（）における
シリコン原子と炭素原子の含有量比を変化させる
以外は、実施例１と全く同様な方法によつて像形
成部材の夫々を作成した。こうして得られた各像
形成部材につき実施例１に述べた如き作像、現
像、クリーニングの工程を約５万回繰り返した
後、画像評価を行つたところ第19表の如き結果を
得た。 実施例 20 層（）層厚を変える以外は、実施例１と全く
同様な方法によつて像形成部材の夫々を作成し
た。実施例１に述べた如き、作像、現像、クリー
ニングの工程を繰り返し第20表の結果を得た。
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を指す）
の様な電磁波に感受性のある電子写真用光導電部
材に関する。 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部分や原稿読取装置における光導電
層を有する光導電材料としては、高過度で、SN
比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照射
する電磁波のスペクトル特性にマツチングした吸
収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無害であること、更には固体撮像
装置においては、残像を所定時間内に容易に処理
することができること等の特性が要求される。殊
に、事務機としてオフイスで使用される電子写真
装置内に組込まれる電子写真用像形成部分の場合
には、上記の使用時における無害性は重要な点で
ある。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用として記載されている。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する電子写真用光導電部材は、暗抵抗値、光感
度、光応答性等の電気的、光学的、光導電的特
性、及び耐湿性等の使用環境特性の点、更には経
時的安定性の点において、結合的な特性向上を計
るには更に改良されるべき点が存するのが実情で
ある。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度、高暗抵抗化を同時に計ろうとする
と、従来においては、その使用時において残留電
位が残る場合が度々観測され、この種の光導電部
材は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用に
よる疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴー
スト現象を発する様になる、或いは高速で繰返し
使用すると応答性が次第に低下する等の不都合な
点が生ずる場合が少なくなかつた。 更には、ａ−Siは可視光領域の短波長側に較べ
て長波長側の波長領域の吸収係数が比較的小さ
く、現在実用化されている半導体レーザとのマツ
チングに於いて、又は、通常使用されているハロ
ゲンランプや螢光灯を光源とする場合に長波長側
の光を有効に使用し得ないという点に於いて、
夫々改良される余地が残つている。 又、別には、照射される光が光導電層中に於い
て充分吸収されず、支持体に到達する光の量が多
くなると、支持体自体が光導電層を透過して来る
光に対する反射率が高い場合には、光導電層内に
於いて多重反射による干渉が起つて画像の「ボ
ケ」が生ずる一要因となる。 この影像は、解像度を上げる為に、照射スポツ
トを小さくする程大きくなり、殊に半導体レーザ
を光源とする場合には大きな問題となつている。 更に、ａ−Si材料で光導電層を構成する場合に
は、その電気的、光導電的特性の改良を計るため
に水素原子或いは弗素原子等のハロゲン原子、及
び電気伝導型の制御のために硼素原子や燐原子
等、或いはその他の特性改良のために他の原子
が、各々構成原子として光導電層中に含有される
が、これ等の構成原子の含有の仕方如何によつて
は、形成した層の電均的或いは光導電的特性に問
題が生ずる場合がある。 即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射に
よつて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命
が充分でないこと、或いは暗部において支持体側
よりの電荷の注入の阻止が充分でないこと等が生
ずる場合が少なくない。 更には、層厚が十数μ以上になると、層形成用
の真空堆積室より取り出した後、空気中での放置
時間の経過と共に、支持体表面からの層の浮きや
剥離、或いは層に亀裂が生ずる等の現象を引起し
勝ちであつた。この現象は、殊に支持体が通常、
電子写真分野に於いて使用されているドラム状支
持体の場合に多く起るもので、経時的安定性の点
に於いて解決されるべき点である。 従つてａ−Si材料そのものの特性改良が計られ
る一方で、光導電部材を設計する際に、上記した
様な問題の総てが解決される様に工夫される必要
がある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材に使用される光
導電部材としての適用性とその応用性という観点
から総括的に鋭意研討を続けた結果、シリコン原
子を母体とし、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子
（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含有するアモ
ルフアス材料、所謂水素化アモルフアスシリコ
ン、ハロゲン化アモルフアスシリコン、或いはハ
ロゲン含有水素化アモルフアスシリコン〔以後こ
れ等の総括的表記として「ａ−Si（Ｈ、Ｘ）」を使
用する〕から構成されている光導電性を示す層を
有する光導電部材であつて以後に説明される様な
特定化して設計され作成された光導電部材は、実
用上著しく優れた特性を示すばかりでなく、従来
の光導電部材あらゆる点において凌駕しているこ
と、殊に電子写真用の光導電部材として著しく優
れた特性を有していること及び長波長側に於ける
吸収スペクトル特性に優れていることを見出した
ことに基いている。 本発明は、電気的、光学的、光導電的特性が常
時安定していて、殆んど使用環境に制限を受けな
い全環境型であり、長波長側の光感度特性に優れ
ると共に耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際
しても劣化現象を起さず、残留電位が全く又は殆
んど観測されない電子写真用光導電部材を提供す
ることを主たる目的とする。 本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優
れ、且つ光応答の速い電子写真用光導電部材を提
供することである。 本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層
と支持体との間および積層される層の各層間の密
着性に優れ、構造配列的に緻密で安定的であり、
層品質の高い電子写真用光導電部材を提供するこ
とである。 本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材
として使用した場合、通常の電子写真法が極めて
有効に適用され得る程度に、静電像形成の為の帯
電処理の際の電荷保持能が充分であり、且つ多湿
雰囲気中でもその特性の低下が殆んど観測されな
い優れた電子写真用光導電部材を提供することで
ある。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出た且つ解像度の高い高品質画像
を得る事が容易に出来る電子写真用の光導電部材
を提供することである。 本発明の更にもう１つの目的は、高感度特性、
高SN比特性及び支持体との間に良好な電気的接
触性を有する電子写真用光導電部材を提供するこ
とでもある。 本発明の電子写真用光導電部材は、電子写真用
光導電部材用の支持体と、該支持体上に、シリコ
ン原子と１〜9.5×105atomic ppmのゲルマニウ
ム原子とを含む非晶質材料で構成された層厚30Å
〜50μの第１の層領域（Ｇ）とシリコン原子を含
む（ゲルマニウム原子を含まない）非晶質材料で
構成された層厚0.5〜90μの第２の層領域（Ｓ）と
が前記支持体側より順に設けられた層厚１〜
100μの光導電性を示す第一の層と、シリコン原
子と１×10-3〜90atomic％の炭素原子とを含む
非晶質材料で構成された層厚0.003〜30μの第二の
層と、からなる電子写真用光導電部材（以下単に
「光導電部材」と称する）であつて、前記第１の
層領域（Ｇ）中におけるゲルマニウム原子の分布
状態を前記支持体側においてゲルマニウム原子の
分布濃度がシリコン原子との和に対して
1000atomic ppm以上の高い部分を有し、前記第
２の層領域（Ｓ）との界面側において前記支持体
側に比べて可なり低くされた部分を有する分布状
態とし、かつ、前記第一の層中には0.001〜
50atomic％の窒素原子が含有されている事を特
徴とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用された
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて、耐光疲労、繰返し
使用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い高品質の画像を安定
して繰返し得ることができる。 又、本発明の光導電部材は支持体上に形成され
る層自体が強靭であつて、且つ支持体との密着性
に著しく優れており、高速で長時間連続的に繰返
し使用することができる。 更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於
いて光感度が高く、殊に半導体レーザとのマツチ
ングに優れ、且つ光応答が速い。 以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
て詳細に説明する。 第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電
部材の層構成を説明するための模式的構成図であ
る。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１と該支持体１０１の上に
第一の層（）１０２と、第二の層（）１０３
とを有し、該第二の層（）１０３は自由表面１
０６を一方の端面に有している。第一の層（）
１０２は支持体１０１側よりゲルマニウム原子を
含有するａ−Si（Ｈ、Ｘ）（以後「ａ−SiGe（Ｈ、
Ｘ）」と略記する）で構成された第１の層領域
（Ｇ）１０４とａ−SiGe（Ｈ、Ｘ）で構成され光
導電性を有する第２の層領域（Ｓ）１０５とが順
に積層された層構造を有する。第１の層領域
（Ｇ）１０４中に含有されるゲルマニウム原子は、
該第１の層領域（Ｇ）１０４の層厚方向には連続
的であつて且つ前記支持体１０１の設けられてあ
る側とは反対の側（第二の層（）１０３側）の
方よりも前記支持体１０１側の方に多く分布した
状態となる様に前記第１の層領域（Ｇ）１０４中
に含有される。 本発明の光導電部材においては、第１の層領域
（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子の分布状
態は、層厚方向においては、前記の様な分布状態
を取り、支持体の表面と平行な面内方向には均一
な分布状態とされるのが望ましい。 本発明に於いては、第１の層領域（Ｇ）上に設
けられる第２の層領域（Ｓ）中には、ゲルマニウ
ム原子は含有されておらず、この様な層構造に第
一の層（）を形成することによつて、可視光領
域を含む比較的短波長から比較的長波長迄の全領
域の波長の光に対して光感度が優れている光導電
部材とし得るものである。 又、第１の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウ
ム原子の分布状態は、全層領域にゲルマニウム原
子が連続的に分布し、ゲルマニウム原子の層厚方
向の分布濃度Ｃが支持体側より第２の層領域
（Ｓ）に向つて減少する変化が与えられているの
で、第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ）と
の間に於ける親和性に優れると共に実質的に連続
した屈折率の変化を与えることが出来るので可干
渉光を使用する場合に於ける層界面に於ける反射
に伴う干渉を阻止することが出来、且つ後述する
様に支持体側端部に於いてゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃを極端に大きくすることにより半導体レ
ーザ等を使用した場合の、第２の層領域（Ｓ）で
は殆んど吸収し切れない長波長側の光を第１の層
領域（Ｇ）に於いて実質的に吸収することが出
来、支持体面からの反射による干渉を防止するこ
とが出来る。 又、本発明の光導電部材に於いては、第１の層
領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ）とを構成する非
晶質材料の夫々がシリコン原子という共通の構成
要素を有しているので、積層界面に於いて化学的
な安定性の確保が充分成されている。 第２図乃至第１０図には、本発明における光導
電部材の第１の層領域（Ｇ）中に含有されるゲル
マニウム原子の層厚方向の分布状態の典型的例が
示される。 第２図乃至第１０図において、横軸はゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃを、縦軸は第１の層領域
（Ｇ）の層厚を示し、tBは支持体側の第１の層領
域（Ｇ）の端面の位置を、tTは支持体側とは反対
側の第１の層領域（Ｇ）の端面の位置を示す。即
ち、ゲルマニウム原子の含有される第１の層領域
（Ｇ）はtB側よりtT側に向つて層形成がなされる。 第２図には、第１の層領域（Ｇ）中に含有され
るゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の第１
の典型例が示される。 第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の
含有される第１の層領域（Ｇ）が形成される支持
体表面と該第１の層領域（Ｇ）の表面とが接する
界面位置tBよりt1の位置までは、ゲルマニウム原
子の分布濃度ＣがC1なる一定の値を取り乍らゲ
ルマニウム原子が形成される第１の層領域（Ｇ）
に含有され、位置t1より界面位置tTに至るまで濃
度C2より徐徐に連続的に減少されている。界面
位置tTにおいてはゲルマニウム原子の分布濃度Ｃ
はC3とされる。 第３図に示される例においては、含有されるゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは位置tBより位置tT
に至るまで濃度C4から徐々に連続的に減少して
位置tTにおいて濃度C5となる様な分布状態を形成
している。 第４図の場合は、位置tBより位置t2まではゲル
マニウム原子の分布濃度Ｃは濃度C6なる一定値
とされ、位置t2と位置tTとの間において徐々に連
続的に減少され、位置tTにおいて分布濃度Ｃは実
質的に零とされている（ここで実質的に零とは検
出限界量未満の場合である）。 第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置tBより位置tTに至るまで濃度C8より
連続的に徐々に減少され、位置tTにおいて実質的
に零とされている。 第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃは、位置tBと位置t3間においては濃
度C9の一定値であり、位置tTにおいては濃度C10
とされる。位置t3と位置tTとの間では、分布濃度
Ｃは一次関数的に位置t3より位置tTに至るまで減
少されている。 第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは
位置tBより位置t4までは濃度C11の一定値を取り、
位置t4より位置tTまでは濃度C12より濃度C13まで
一次関数的に減少する分布状態とされている。 第８図に示す例においては、位置tBより位置tT
に至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃
度C14より実質的に零に至る様に一次関数的に減
少している。 第９図においては、位置tBより位置t5に至るま
ではゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度C15よ
り濃度C16まで一次関数的に減少され、位置t5と
位置tTとの間においては濃度C16の一定値とされ
た例が示されている。 第１０図に示される例においては、ゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは、位置tBにおいて濃度C17
であり、位置t6に至るまではこの濃度C17より初
めはゆつくりと減少され、t6の位置付近において
は急激に減少されて位置t6では濃度C18とされる。 位置t6と位置t7との間においては、初め急激に
減少されて、その後は、緩かに徐々に減少されて
位置t7で濃度C19となり、位置t7と位置t8との間で
は極めてゆつくりと徐々に減少されて、位置t8に
おいて濃度C20に至る。位置t8と位置tTの間におい
ては、濃度C20より実質的に零になる様に図に示
す如き形状の曲線に従つて減少されている。 以上、第２図乃至第１０図により、第１の層領
域（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子の層厚
方向の分布状態の典型例の幾つかを説明した様
に、本発明においては、支持体側において、ゲル
マニウム原子の分布濃度Ｃの高い部分を有し、界
面tT側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に
較べて可成り低くされた部分を有するゲルマニウ
ム原子の分布状態が第１の層領域（Ｇ）に設けら
れている。 本発明に於ける光導電部材を構成する層を構成
する第１の層領域（Ｇ）は、好ましくは上記した
様に支持体側の方にゲルマニウム原子が比較的高
濃度で含有されている局在領域（Ａ）を有するの
が望ましい。 本発明に於いては局在領域（Ａ）は、第２図乃
至第１０図に示す記号を用いて説明すれば、界面
位置tBより5μ以内に設けられるのが望ましい。 本発明においては、上記局在領域（Ａ）は、界
面位置tBより5μ厚までの全層領域（LT）とされる
場合もあるし、又、層領域（LT）の一部とされ
る場合もある。 局在領域（Ａ）を層領域（LT）の一部とする
か又は全部とするかは、形成される第一の層
（）に要求される特性に従つて適宜決められる。 局在領域（Ａ）は、その中に含有されるゲルマ
ニウム原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニ
ウム原子の分布濃度の最大値Cnaxがシリコン原子
との和に対して、好ましくは1000atomic ppm以
上、より好適には5000atomic ppm以上、最適に
は１×104atomic ppm以上とされる様な分布状
態となり得る様に層形成される。 即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の
含有される第１の層領域（Ｇ）は、支持体側から
の層厚で5μ以内（tBから5μ厚の層領域）に分布濃
度の最大値Cnaxが存在する様に形成されるのが好
ましい。 本発明において、第１の層領域（Ｇ）中に含有
されるゲルマニウム原子の含有量は、本発明の目
的が効果的に達成される様に所望に従つて適宜決
められるが、好ましくは１〜9.5×105atomic
ppm、より好ましくは100〜8.0×105atomic
ppm、最適には500〜７×105atomic ppmとされ
る。 本発明に於いて第１の層領域（Ｇ）と第２の層
領域（Ｓ）との層厚は、本発明の目的を効果的に
達成させる為の重要な因子の１つであるので、形
成される光導電部材に所望の特性が充分与えられ
る様に、光導電部材の設計の際に充分なる注意が
払われる必要がある。 本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）の層厚
TBは、好ましくは30Å〜50μ、より好ましくは40
Å〜40μ、最適には50Å〜30μとされる。 又、第２の層領域（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましく
は0.5〜90μ、より好ましくは１〜80μ、最適には
２〜50μとされる。 第１の層領域（Ｇ）の層厚tBと第２の層領域
（Ｓ）の層厚Ｔの和（TB＋Ｔ）は、両層領域に要
求される特性と第一の層（）全体に要求される
特性との相互間の有機的関連性に基づいて、光導
電部材の層設計の際に所望に従つて、適宜決定さ
れる。 本発明の光導電部材に於いては、上記の（TB
＋Ｔ）の数値範囲としては好ましくは１〜100μ、
より好適には１〜80μ、最適には２〜50μとされ
る。 本発明のより好ましい実施態様例に於いては、
上記の層厚TB及び層厚Ｔは、好ましくはTB／Ｔ
≦１なる関係を満足するように、夫々に対して適
宜適切な数値が選択されるのが望ましい。 上記の場合に於ける層厚TB及び層厚Ｔの数値
の選択に於いて、より好ましくはTB／Ｔ≦0.9、
最適にはTB／Ｔ≦0.8なる関係が満足される様に
層厚TB及び層厚Ｔの値が決定される。 本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）中に含有
されるゲルマニウム原子の含有量が１×
105atomic ppm以上の場合には、第１の層領域
（Ｇ）の層厚TBとしては、成可く薄くされるのが
望ましく、好ましくは30μ以下、より好ましくは
25μ以下、最適には20μ以下とされる。 本発明の光導電部材に於いては、第１の層領域
（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布状態は、
該層領域（Ｇ）の全層領域にゲルマニウム原子が
連続的に分布し、ゲルマニウム原子の層厚方向の
分布濃度Ｃが支持体側より第一の層（）の第二
の層（）側に向つて減少する変化が与えられて
いるので、分布濃度Ｃの変化率曲線を所望に従つ
て任意に設計することによつて、要求される特性
を持つた第一の層（）を所望通りに実現するこ
とが出来る。 例えば、第１の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマ
ニウム原子の分布濃度Ｃを支持体側に於いては充
分高め、第一の層（）の第二の層（）側に於
いては極力低める様な、分布濃度Ｃの変化をゲル
マニウム原子の分布濃度曲線に与えることによつ
て、可視光領域を含む比較的短波長から比較的長
波長迄の全領域の波長の光に対して光感度化を図
ることが出来る。 又、後述される様に第１の層領域（Ｇ）の支持
体側端部に於いてゲルマニウム原子の分布濃度Ｃ
を極端に大きくすることにより、半導体レーザを
使用した場合の、レーザ照射面側にある第２の層
領域（Ｓ）に於いて充分吸収し切れない長波長側
の光を、層領域（Ｇ）に於いて実質的に完全に吸
収することが出来、支持体面からの反射による干
渉を効果的に防止することが出来る。 本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と
高暗抵抗化、更には、支持体と第一の層（）と
の間の密着性の改良を図る目的の為に、第一の層
（）中には、窒素原子が含有される。 第一の層（）中に含有される窒素原子は、第
一の層（）の全層領域に万遍なく含有されても
良いし、或いは、第一の層（）の一部の層領域
のみに含有させて偏在させても良い。 又、窒素原子の分布状態は、分布濃度Ｃ（Ｎ）
が、第一の層（）の層厚方向に於いては、均一
であつてもよいし、第２図乃至第１０図を用いて
説明したゲルマニウム原子の分布状態と同様に、
不均一であつても良い。 詰り、窒素原子の分布濃度Ｃ（Ｎ）が層厚方向
に不均一である場合の窒素原子の分布状態は、第
２図乃至第１０図を用いてゲルマニウム原子の場
合と同様に説明され得る。 本発明に於いて、第一の層（）に設けられる
窒素原子の含有されている層領域（Ｎ）は、光感
度と暗抵抗の向上を主たる目的とする場合には、
第一の層（）の全層領域を占める様に設けら
れ、支持体と第一の層（）との間の密着性の強
化を図るのを主たる目的とする場合には、第一の
層（）の支持体側端部層領域（Ｅ）を占める様
に設けられる。 前者の場合、層領域（Ｎ）中に含有される窒素
原子の含有量は、高光感度を維持する為に比較的
少なくされ、後者の場合には、支持体側との密着
性の強化を確実に図る為に比較的多くされるのが
望ましい。 又、前者と後者の両方を同時に達成する目的の
為には、支持体側に於いて比較的高濃度に分布さ
せ、第一の層（）の第二の層（）側に於いて
比較的低濃度に分布させるか、或いは、第一の層
（）の第二の層（）側の表層領域には、窒素
原子を積極的には含有させない様な窒素原子の分
布状態を層領域（Ｎ）中に形成すれば良い。 本発明に於いて、第一の層（）に設けられる
層領域（Ｎ）に含有される窒素原子の含有量は、
層領域（Ｎ）自体に要求される特性、或いは該層
領域（Ｎ）が支持体に直に接触して設けられる場
合には、該支持体との接触界面に於ける特性との
関係等、有機的関連性に於いて適宜選択すること
が出来る。 又、前記層領域（Ｎ）に直に接触して他の層領
域が設けられる場合には、該他の層領域の特性
や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、窒素原子の含有量が適宜選択
される。 層領域（Ｎ）中に含有される窒素原子の量は、
形成される光導電部材に要求される特性に応じて
所望に従つて適宜決められるが、好ましくは
0.001〜50atomic％、より好ましくは0.002〜
40atomic％、最適には0.003〜30atomic％とされ
る。 本発明に於いて、層領域（Ｎ）が第一の層
（）の全域を占めるか、或いは第一の層（）
の全域を占めなくとも、層領域（Ｎ）の層厚TN
の第一の層（）の層厚Ｔに占める割合が充分多
い場合には、層領域（Ｎ）に含有される窒素原子
の含有量の上限は、前記の値より充分少なくされ
るのが望ましい。 本発明の場合には層領域（Ｎ）の層厚TNが第
一の層（）の層厚Ｔに対して占める割合が５分
の２以上となる様な場合には、層領域（Ｎ）中に
含有される窒素原子の量の上限は、好ましくは
30atomic％以下、より好ましくは20atomic％以
下、最適には10atomic％以下とされる。 本発明において、第一の層（）を構成する窒
素原子の含有される層領域（Ｎ）は、上記した様
に支持体側の方に窒素原子が比較的高濃度で含有
されている局在領域（Ｂ）を有するものとして設
けられるのが望ましく、この場合には支持体側と
第一の層（）との間の密着性をより一層向上さ
せることが出来る。 上記局在領域（Ｂ）は、第２図乃至第１０図に
示す記号を用いて説明すれば、界面位置tBより5μ
以内に設けられるのが望ましい。 本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は界面
位置TBより5μ厚までの全層領域（LT）とされる
場合もあるし、又、層領域（LT）の一部とされ
る場合もある。 局在領域を層領域（LT）の一部とするか又は
全部とするかは、形成される第一の層（）に要
求される特性に従つて適宜決められる。 局在領域（Ｂ）は、その中に含有される窒素原
子の層厚方向の分布状態として窒素原子の分布濃
度の最大値Cnaxが、好ましくは500atomic ppm
以上、より好適には800atomic ppm以上、最適
には1000atomic ppmとされる様な分布状態とな
り得る様に層形成される。 即ち、本発明においては、窒素原子の含有され
る層領域（Ｎ）は、支持体側からの層厚で5μ以
内（tBから5μ厚の層領域）に分布濃度の最大値
Cnaxが存在する様に形成されるのが望ましい。 本発明において、必要に応じて第一の層（）
を構成する第１の層領域（Ｇ）及び第２の層領域
（Ｓ）中に含有されるハロゲン原子（Ｘ）として
は、具体的にはフツ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙
げられ、殊にフツ素、塩素を好適なものとして挙
げることが出来る。 本発明において、ａ−SiGe（Ｈ、Ｘ）で構成さ
れる第１の層領域（Ｇ）を形成するには、例えば
グロー放電法、スパツタリング法、或いはイオン
プレーテイング法等の放電現象を利用する真空堆
積法によつて成される。 例えば、グロー放電法によつて、ａ−SiGe
（Ｈ、Ｘ）で構成される第１の層領域Ｇを形成す
るには、基本的にはシリコン原子（Si）を供給し
得るSi供給用の原料ガスとゲルマニウム原子
（Ge）を供給し得るGe供給用の原料ガスと、必
要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の原料ガス又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスと
を、内部が減圧し得る堆積室内に所望のガス圧状
態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起さ
せ、予め所定位置に設置されてある所定の支持体
表面上に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度
を所望の変化率曲線に従つて制御し乍らａ−
SiGe（Ｈ、Ｘ）からなる層を形成させれば良い。
又、スパツタリング法で形成する場合には、例え
ばAr、He等の不活性ガス又はこれ等のガスをベ
ースとした混合ガスの雰囲気中でSiで構成された
ターゲツト、或いは、該ターゲツトとGeで構成
されたターゲツトの二枚を使用して、又は、Siと
Geの混合されたターゲツトを使用して、必要に
応じてHe、Ar等の稀釈ガスで稀釈されたGe供給
用の原料ガスを、必要に応じて、水素原子（Ｈ）
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスと共
にスパツタリング用の堆積室に導入し、所望のガ
スのプラズマ雰囲気を形成すると共に、前記Ge
供給用の原料ガスのガス流量を所望の変化曲線に
従つて制御し乍ら、前記のターゲツトをスパツタ
リングしてやれば良い。 イオンプレーテイング法の場合には、例えば多
結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマ
ニウム又は単結晶ゲルマニウムとを、夫々蒸発源
として蒸着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加
熱法、或いはエレクトロンビーム法（EB法）等
によつて加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガス
プラズマ雰囲気中を通過させる以外は、スパツタ
リング法の場合を同様にする事で行うことが出来
る。 本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
となり得る物質としては、SiH4、Si2H6、Si3H8、
Si4H10等のガス状態の又はガス化し得る水素化珪
素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙
げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Si供
給効率の良さ等の点でSiH4、Si2H6が好ましいも
のとして挙げられる。 Ge供給用の原料ガスとなり得る物質としては、
GeH4、Ge2H6、Ge3H8、Ge4H10、Ge5H12、
Ge6H14、Ge7H16、Ge8H18、Ge9H20等のガス状
態の又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効
に使用されるものとして挙げられ、殊に、層作成
作業時の取扱い易さ、Ge供給効率の良さ等の点
で、GeH4、Ge2H6、Ge3H8が好ましいものとし
て挙げられる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは多くのハロゲン化合
物であり、例えば、ハロゲンガス、ハロゲン化
物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシ
ラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハロ
ゲン化合物が好ましいものとして挙げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効なもの
として本発明においては挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF、ClF、ClF3、
BrF5、BrF3、IF3、IF7、ICl、IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF4、Si2F6、SiCl4、SiBr4等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、Ge供給用の原料ガ
スと共にSiを供給し得る原料ガスとしての水素化
硅素ガスを使用しなくとも、所望の支持体上にハ
ロゲン原子を含むａ−SiGeから成る第１の層領
域（Ｇ）を形成する事が出来る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む第
１の層領域（Ｇ）を作成する場合、基本的には、
例えばSi供給用の原料ガスとなるハロゲン化硅素
とGe供給用の原料ガスとなる水素化ゲルマニウ
ムとAr、H2、He等のガス等とを所定の混合比お
よびガス流量になる様にして第１の層領域（Ｇ）
を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起し
てこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成すること
によつて、所望の支持体上に第１の層領域（Ｇ）
を形成し得るものであるが、水素原子の導入割合
の制御を一層容易になる様にする為にこれ等のガ
スに更に水素ガス又は水素原子を含む硅素化合物
のガスも所望量混合して層形成しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えない。 スパツタリング法、イオンプレーテイング法の
何れの場合にも、形成される層中にハロゲン原子
を導入するには、前記のハロゲン化合物又は前記
のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室
中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成して
やれば良い。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H2、或いは前記した
シラン類又は／及び水素化ゲルマニウム等のガス
類をスパツタリング用の堆積室中に導入して該ガ
ス類のプラズマ雰囲気を形成してやれば良い。 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF、HCl、
HBr、HI等のハロゲン化水素、SiH2F2、
SiH2I2、SiH2Cl2、SiHCl3、SiH2Br2、SiHBr3等
のハロゲン置換水素化硅素、及びGeHF3、
GeH2F2、GeH3F、GeHCl3、GeH2Cl2、
GeH3Cl、GeHBr3、GeH2Br2、GeH3Br、
GeHI3、GeH2I2、GeH3I等の水素化ハロゲン化
ゲルマニウム、等の水素原子を構成要素の１つと
するハロゲン化物、GeF4、GeCl4、GeBr4、
GeI4、GeF2、GeCl2、GeBr2、GeI2等のハロゲン
化ゲルマニウム、等々のガス状態のあるいはガス
化し得る物質も有効な第１の層領域（Ｇ）形成用
の出発物質として挙げる事が出来る。 これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化
物は、第１の層領域（Ｇ）形成の際に層中にハロ
ゲン原子の導入と同時に電気的或いは光電的特性
の制御に極めて有効な水素原子も導入するので、
本発明においては好適なハロゲン導入の原料とし
て使用される。 水素原子を第１の層領域（Ｇ）中に構造的に導
入するには、上記の他にH2、或いはSiH4、
Si2H6、Si3H8、Si4H10等の水素化硅素と、Geを
供給する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合
物と、或いは、GeH4、Ge2H6、Ge3H8、
Ge4H10、Ge5H12、Ge6H14、Ge7H16、Se8H18、
Ge9H20等の水素化ゲルマニウムと、Siを供給す
る為のシリコン又はシリコン化合物と、を堆積室
中に共存させて放電を生起させる事でも行う事が
出来る。 本発明の好ましい例において、形成される第一
の層（）を構成する第１の層領域（Ｇ）中に含
有される水素原子（Ｈ）の量、又はハロゲン原子
（Ｘ）の量、又は水素原子とハロゲン原子の量の
和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは0.01〜40atomic％、
より好適には0.05〜30Atomic％、最適には0.1〜
25atomic％とされる。 第１の層領域（Ｇ）中に含有される水素原子
（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御
するには、例えば支持体温度又は／及び水素原子
（Ｈ）、或いはハロゲン原子（Ｘ）を含有させる為
に使用される出発物質の堆積装置系内へ導入する
量、放電々力等を制御してやれば良い。 本発明に於いて、ａ−SiGe（Ｈ、Ｘ）で構成さ
れる第２の層領域（Ｓ）を形成するには、前記し
た第１の層領域（Ｇ）形成用の出発物質（）の
中より、Ｇ供給用の原料ガスとなる出発物質を除
いた出発物質〔第２の層領域（Ｓ）形成用の出発
物質（）〕を使用して第１の層領域（Ｇ）を形
成する場合と同様の方法と条件に従つて行うこと
が出来る。 即ち、本発明において、ａ−SiGe（Ｈ、Ｘ）で
構成される第２の層領域（Ｓ）を形成するには、
例えばグロー放電法、スパツタリング法、或いは
イオンプレーテイング法等の放電現象を利用する
真空堆積法によつて成される。例えば、グロー放
電によつて、ａ−SiGe（Ｈ、Ｘ）で構成される第
２の層領域（Ｓ）を形成するには、基本的には前
記したシリコン原子（Si）を供給し得るSi供給用
の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）
導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の
原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入
して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め
所定位置に設置されてある所定の支持表面上にａ
−SiGe（Ｈ、Ｘ）からなる層を形成させれば良
い。又、スパツタリング法で形成する場合には、
例えばAr、He等の不活性ガス又はこれ等のガス
をベースとした混合ガスの雰囲気中でSiで構成さ
れたターゲツトをスパツタリングする際、水素原
子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の
ガスをスパツタリング用の堆積室に導入しておけ
ば良い。 本発明の光導電部材に於いては、ゲルマニウム
原子の含有される第１の層領域（Ｇ）の上に設け
られ、ゲルマニウム原子の含有されない第２の層
領域（Ｓ）に伝導特性を制御する物質を含有させ
ることにより、該層領域（Ｓ）の伝導特性を所望
に従つて任意に制御することが出来る。 この様な物質としては、所謂、半導体分野で云
われる不純物を挙げることが出来、本発明に於い
ては、形成される第２の層領域（Ｓ）を構成する
ａ−SiGe（Ｈ、Ｘ）に対して、ｐ型伝導特性を与
えるｐ型不純物、及びｎ型伝導特性を与えるｎ型
不純物を挙げることが出来る。 具体的には、ｐ型不純物としては、周期律表第
族に属する原子（第族原子）、例えば、Ｂ（硼
素）、Al（アルミニウム）、Ga（ガリウム）、In（イ
ンジウム）、Tl（タリウム）等があり、殊に好適
に用いられるのはＢ、Gaである。 ｎ型不純物としては、周期律表第族に属する
原子（第族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ag（砒
素）、Sb（アンチモン）、Bi（ビスマス）等であり、
殊に、好適に用いられるのはＰ、Asである。 本発明に於いて、第２の層領域（Ｓ）に含有さ
れる伝導特性を制御する物質の含有量は、該層領
域（Ｓ）に要求される伝導特性、或いは該層領域
（Ｓ）に直に接触して設けられる他の層領域の特
性や、該他の層領域との接触界面に於ける特性と
の関係等、有機的関連性に於いて適宜選択するこ
とが出来る。 本発明に於いて、第２の層領域（Ｓ）中に含有
される伝導特性を制御する物質の含有量は、好ま
しくは0.001〜1000atomic ppm、より好適には
0.05〜500atomic ppm、最適には0.1〜200atomic
ppmとされる。 第２の層領域（Ｓ）中に伝導特性を制御する物
質、例えば第族原子或いは第族原子を構造的
に導入するには、層形成の際に第族原子導入用
の出発物質或いは第族原子導入用の出発物質を
ガス状態で堆積室中に、第２の層領域を形成する
為の他の出発物質と共に導入してやれば良い。こ
の様な第族原子導入用の出発物質となり得るも
のとしては、常温常圧でガス状の、又は、少なく
とも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採
用されるのが望ましい。その様な第族原子導入
用の出発物質は、具体的には、硼素原子導入用と
しては、B2H6、B4H10、B5H9、B5H11、B6H10、
B6H12、B6H14等の水素化硼素、BF3、BCl3、
BBr3等のハロゲン化硼素が挙げられる。この他、
AlCl3、GaCl3、Ga（CH3）3、InCl3、TlCl3等も挙
げることが出来る。 第族原子導入用の出発物質として本発明にお
いて有効に使用されるのは、燐原子導入用として
は、PH3、P2H4等の水素化燐、PH4I、PF3、
PF5、PCl3、PCl5、PBr3、PBr5、PI3等のハロゲ
ン化燐が挙げられる。この他、AsH3、AsF3、
AsCl3、AsBr3、AsF5、SbH3、SbF3、SbF5、
SbCl3、SbCl5、BiH3、BiCl3、BiBr3等も第族
原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明に於いて、第一の層（）中に窒素原子
の含有された層領域（Ｎ）を設けるには、第一の
層（）の形成の際に窒素原子導入用の出発物質
を前記した第一の層（）形成用の出発物質と共
に使用して、形成される層中にその量を制御し乍
ら含有してやれば良い。層領域（Ｎ）を形成する
のにグロー放電法を用いる場合には、前記した第
一の層（）形成用の出発物質の中から所望に従
つて選択されたものに窒素原子導入用の出発物質
が加えられる。その様な窒素原子導入用の出発物
質としては、少なくとも窒素原子を構成原子とす
るガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化し
たものの中の大概のものが使用され得る。 例えばシリコン原子（Si）を構成原子とする原
料ガスと、窒素原子（Ｎ）を構成原子とする原料
ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は及びハ
ロゲン原子（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを
所望の混合比で混合して使用するか、又は、シリ
コン原子（Si）を構成原子とする原料ガスと、窒
素原子（Ｎ）及び水素原子（Ｈ）を構成原子とす
る原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合す
るか、或いは、シリコン原子（Si）を構成原子と
する原料ガスと、シリコン原子（Si）、窒素原子
（Ｎ）及び水素原子（Ｈ）の３つを構成原子とす
る原料ガスとを混合して使用することが出来る。 又、別には、シリコン原子（Si）と水素原子
（Ｈ）とを構成原子とする原料ガスに窒素原子
（Ｎ）を構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 層領域（Ｎ）を形成する際に使用される窒素原
子（Ｎ）導入用の原料ガスに成り得るものとして
有効に使用される出発物質は、Ｎを構成原子とす
る或いはＮとＨとを構成原子とする例えば窒素
（N2）、アンモニア（NH3）、ヒドラジン
（H2NNH2）、アジ化水素（HN3）、アジ化アンモ
ニウム（NH4N3）等のガス状の又はガス化し得
る窒素、窒化物及びアジ化物質等の窒素化合物を
挙げることができる。この他に、窒素原子（Ｎ）
の導入に加えてハロゲン原子（Ｘ）の導入も行え
るという点から、三弗化窒素（F3N）、四弗化窒
素（F4N2）等のハロゲン化窒素化合物を挙げる
ことができる。 本発明に於いては、層領域（Ｎ）中には窒素原
子で得られる効果を更に助長させる為に、窒素原
子に加えて、更に酸素原子を含有することができ
る。酸素原子と層領域（Ｎ）に導入する為の酸素
原子導入用の原料ガスとしては、例えば酸素
（O2）、オゾン（O3）、一酸化窒素（NO）、二酸化
窒素（NO2）、一二酸化窒素（N2O）、三二酸化
窒素（N2O3）、四三酸化窒素（N2O4）、五二酸化
窒素（N2O5）、三酸化窒素（NO3）、シリコン原
子（Si）と酸素原子（Ｏ）と水素原子（Ｈ）とを
構成原子とする、例えば、ジシロキサン
（H3SiOSiH3）、トリシロキサン
（H3SiOSiH2OSiH3）等の低級シロキサン等を挙
げることができる。 スパツタリング法によつて、窒素原子を含有す
る層領域（Ｎ）を形成するには、単結晶又は多結
晶のSiウエーハー又はSi3N4ウエーハー、又はSi
とSi3N4が混合されて含有されているウエーハー
をターゲツトとして、これ等を種々のガス雰囲気
中でスパツタリングすることによつて行えば良
い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／
及びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツタリングすれ
ば良い。 又、別には、SiとSi3N4とは別々のターゲツト
として、又はSiとSi3N4の混合した一枚のターゲ
ツトを使用することによつて、スパツター用のガ
スとしての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも
水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を
構成原子として含有するガス雰囲気中でスパツタ
リングすることによつて成される。窒素原子導入
用の原料ガスとしては、先述したグロー放電の例
で示した原料ガスの中の窒素原子導入用の原料ガ
スが、スパツタリングの場合にも有効なガスとし
て使用され得る。 本発明に於いて、第一の層（）の形成の際に
窒素原子の含有される層領域（Ｎ）を設ける場
合、該層領域（Ｎ）に含有される窒素原子の分布
濃度Ｃ（Ｎ）を層厚方向に変化させて所望の層厚
方向の分布状態（depth profile）を有する層領
域（Ｎ）を形成するには、グロー放電の場合には
分布濃度Ｃ（Ｎ）を変化させるべき窒素原子導入
用の出発物質のガスを、そのガス流量を所望の変
化率曲線に従つて適宜変化させ乍ら、堆積室内に
導入することによつて成される。例えば、手動あ
るいは外部駆動モータ等の通常用いられている何
らかの手段により、ガス流路系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を漸次変化させる
操作を行えば良い。このとき、流量の変化率は線
型である必要はなく、例えばマイコン等を用い
て、あらかじめ設計された変化率曲線に従つて流
量を制御し、所望の含有率曲線を得ることもでき
る。層領域（Ｎ）をスパツタリング法によつて形
成する場合、窒素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ
（Ｎ）を層厚方向で変化させて、窒素原子の層厚
方向の所望の分布状態（depth profil）を形成す
るには、第一にはグロー放電法による場合と同様
に窒素原子導入用の出発物質をガス状態で使用
し、該ガスを堆積室中へ導入する際のガス流量を
所望に従つて適宜変化させることによつて成され
る。第二にはスパツタリング用のターゲツトとし
て、例えばSiとSi3N4との混合されたターゲツト
を使用するのであれば、SiとSi3N4との混合比を
ターゲツトの層厚方向に於いて予め変化させてお
くことによつて成される。 本発明に於いて、形成される第一の層（）を
構成する第２の層領域（Ｓ）中に含有される水素
原子（Ｈ）の量、又はハロゲン原子（Ｘ）の量、
又は水素原子（Ｈ）とハロゲン原子の量の和（Ｈ
＋Ｘ）は、好ましくは１〜40atomic％、好適に
は５〜30atomic％、最適には５〜25atomic％と
される。 第１図に示される光導電部材１００においては
第一の層（）１０２上に形成される第二の層
（）１０３は自由表面を有し、主に耐湿性、連
続繰返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特
性、耐久性において本発明の目的を達成する為に
設けられる。 又、本発明においては、第一の層（）１０２
と第二の層（）１０３とを構成する非晶質材料
の各々がシリコン原子という共通の構成要素を有
しているので、積層界面において化学的な安定性
の確保が充分成されている。 本発明における第二の層（）は、シリコン原
子（Si）と炭素原子（Ｃ）と、必要に応じて水素
原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）とを含
む非晶質材料（以後、「ａ−（SixC1-x）y（Ｈ、Ｘ）
1-y」と記す。但し、０＜ｘ、ｙ＜１）で構成さ
れる。 ａ−（SixC1-x）y（Ｈ、Ｘ）1-yで構成される第二
の層（）の形成はグロー放電法、スパツタリン
グ法、イオンプランテーシヨン法、イオンプレー
テイング法、エレクトロンビーム法等によつて成
される。これ等の製造法は、製造条件、設備資本
投下の負荷程度、製造規模、作製される光導電部
材に所望される特性等の要因によつて適宜選択さ
れて採用されるが、所望する特性を有する光導電
部材を製造する為の作製条件の制御が比較的容易
である、シリコン原子と共に炭素原子及びハロゲ
ン原子を、作成する第二の層（）中に導入する
のが容易に行える等の利点から、グロー放電法或
いはスパツターリング法が好適に採用される。 更に、本発明においては、グロー放電とスパツ
ターリング法とを同一装置系内で併用して第二の
層（）を形成しても良い。 グロー放電法によつて第二の層（）を形成す
るには、ａ−（SixC1-x）y（Ｈ、Ｘ）1-y形成用の原
料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合
比で混合して、支持体の設置してある真空堆積用
の堆積室に導入し、導入されたガスをグロー放電
を生起させることでガスプラズマ化して、前記支
持体上に既に形成されてある第一の層（）上に ａ−（SixC1-x）y（Ｈ、Ｘ）1-yを堆積させれば良い。 本発明において、ａ−（SixC1-x）y（Ｈ、Ｘ）1-y
形成用の原料ガスとしては、シリコン原子（Si）、
炭素原子（Ｃ）、水素原子（Ｈ）、ハロゲン原子
（Ｘ）の中の少なくとも１つを構成原子とするガ
ス状の物質又はガス化し得る物質をガス化したも
のの中の大概のものが使用され得る。 Si、Ｃ、Ｈ、Ｘの中の１つとしてSiを構成原子
とする原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構
成原子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原
料ガスと、必要に応じてＨを構成原子とする原料
ガス又は／及びＸを構成原子とする原料ガスとを
所望の混合比で混合して使用するか、又はSiを構
成原子とする原料ガスと、Ｃ及びＨを構成原子と
する原料ガス又は／及びＸを構成原子とする原料
ガスとを、これも又、所望の混合比で混合する
か、或いはSiを構成原子とする原料ガスと、Si、
Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガス、又
は、Si、Ｃ及びＸの３つを構成原子とする原料ガ
スとを混合して使用することが出来る。 又、別には、SiとＨとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良いし、SiとＸとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明において、第二の層（）中に含有され
るハロゲン原子（Ｘ）として好適なのはＦ、Cl、
Br、Ｉであり、殊にＦ、Clが望ましいものであ
る。 本発明において、第二の層（）を形成するの
に有効に使用される原料ガスとなり得るものとし
ては、常温常圧においてガス状のもの又は容易に
ガス化し得る物質を挙げることが出来る。 本発明において、第二の層（）形成用の原料
ガスとして有効に使用されるのは、SiとＨとを構
成原子とするSiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10等の
シラン（Silane）類等の水素化硅素ガス、ＣとＨ
とを構成原子とする、例えば炭素数１〜４の飽和
炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、
炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素、ハロゲン
単体、ハロゲン化水素、ハロゲン間化合物、ハロ
ゲン化硅素、ハロゲン置換水素化硅素、水素化硅
素等を挙げる事が出来る。 具体的には、飽和炭化水素としてはメタン
（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン（C3H8）、ｎ
−ブタン（ｎ−C4H10）、ペンタン（C5H12）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C2H4）、
プロピレン（C3H6）、ブテン−１（C4H8）、ブテ
ン−２（C4H8）、イソブチレン（C4H8）、ペンテ
ン（C5H10）、アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C2H2）、メチルアセチレン
（C3H4）、ブチン（C4H6）、ハロゲン単体として
は、フツ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガ
ス、ハロゲン化水素としては、FH、HI、HCl、
HBr、ハロゲン間化合物としては、BrF、ClF、
ClF3、ClF5、BrF5、BrF3、IF7、IF5、ICl、IBr、
ハロゲン化硅素としてはSiF4、Si2F6、SiCl4、
SiCl3Br、SiCl2Br2、SiClBr3、SiCl3I、SiBr4、
ハロゲン置換水素化硅素としては、SiH2F2、
SiH2Cl2、SiHCl3、SiH3Cl、SiH3Br、SiH2Br2、
SiHBr3、水素化硅素としては、SiH4、Si2H8、
Si4H10等のシラン（Silane）類、等々を挙げるこ
とが出来る。 これ等の他にCF4、CCl4、CBr4、CHF3、
CH2F2、CH3F、CH3Cl、CH3Br、CH3I、
C2H5Cl等のハロゲン置換パラフイン系炭化水素、
SF4、SF6等のフツ素化硫黄化合物、Si（CH3）4、
Si（C2H5）4等のケイ化アルキルやSiCl（CH3）3、
SiCl2（CH3）2、SiCl3CH3等のハロゲン含有ケイ化
アルキル等のシラン誘導体も有効なものとして挙
げることが出来る。 これ等の第二の層（）形成物質は、形成され
る第二の層（）中に、所定の組成比でシリコン
原子炭素原子及びハロゲン原子と必要に応じて水
素原子とが含有される様に、第二の層（）の形
成の際に所望に従つて選択されて使用される。 例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
の含有が容易に成し得て且つ所望の特性の層が形
成され得るSi（CH3）4と、ハロゲン原子を含有さ
せるものとしてのSiHCl3、SiH2Cl2、SiCl4或い
はSiH3Cl等を所定の混合比にしてガス状態で第
二の層（）形成用の装置内に導入してグロー放
電を生起させることによつて ａ−（SixC1-x）y（Cl＋Ｈ）1-yからなる第二の層
（）を形成することが出来る。 スパツターリング法によつて第二の層（）を
形成するには、単結晶又は多結晶のSiウエーハー
又はＣウエーハー又はSiとＣが混合されて含有さ
れているウエーハーをターゲツトとして、これ等
を必要に応じてハロゲン原子又は／及び水素原子
を構成要素として含む種々のガス雰囲気中でスパ
ツターリングすることによつて行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＣとＨ又は／及びＸを導入する為の原料
ガスを、必要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパ
ツター用の堆積室中に導入し、これ等のガスのガ
スプラズマを形成して前記Siウエーハーをスパツ
ターリングすれば良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、必要に応じて水素原子又
は／及びハロゲン原子を含有するガス雰囲気中で
スパツターリングすることによつて成される。
Ｃ、Ｈ及びＸの導入用の原料ガスとなる物質とし
ては、先述したグロー放電の例で示した第二の層
（）形成用の物質がスパツターリング法の場合
にも有効な物質として使用され得る。 本発明において、第二の層（）をグロー放電
法又はスパツターリング法で形成する際に使用さ
れる稀釈ガスとしては、所謂希ガス、例えばHe、
Ne、Ar等が好適なものとして挙げることが出来
る。 本発明における第二の層（）は、その要求さ
れる特性が所望通りに与えられる様に注意深く形
成される。 即ち、Si、Ｃ、必要に応じてＨ又は／及びＸを
構成原子とする物質は、その作成条件によつて構
造的には結晶からアモルフアスまでの形態を取
り、電気物性的には導電性から半導体性、絶縁性
までの間の性質を、又光導電的性質から非光導電
的性質までの間の性質を各々示すので、本発明に
おいては、目的に応じた所望の特性を有するａ−
（SixC1-x）y（Ｈ、Ｘ）1-yが形成される様に、所望
に従つてその作成条件の選択が厳密に成される。
例えば、第二の層（）を電気的耐圧性の向上を
主な目的として設けるには ａ−（SixC1-x）y（Ｈ、Ｘ）1-yは使用環境において
電均絶縁性的挙動の顕著な非晶質材料として作成
される。 又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上
を主たる目的として第二の層（）が設けられる
場合には、上記の電気絶縁性の度合はある程度緩
和され、照射される光に対してある程度の感度を
有する非晶質材料として ａ−（SixC1-x）y（Ｈ、Ｘ）1-yが形成される。 第一の層（）の表面にａ−（SixC1-x）y（Ｈ、
Ｘ）1-yから成る第二の層（）を形成する際、層
形成中の支持体温度は、形成される層の構造及び
特性を左右する重要な因子であつて、本発明にお
いては、目的とする特性を有するａ−（SixC1-x）y
（Ｈ、Ｘ）1-yが所望通りに作成され得る様に層作
成時の支持体温度が厳密に制御されるのが望まし
い。 本発明における、所望の目的が効果的に達成さ
れる為の第二の層（）の形成法に併せて適宜最
適範囲が選択されて、第二の層（）の形成が実
行されるが、好ましくは20〜400℃、より好適に
は50〜350℃、最適には100〜300℃とされるのが
望ましい。第二の層（）の形成には、層を構成
する原子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が他
の方法に較べて比較的容易である事等の為に、グ
ロー放電がスパツターリング法の採用が有利であ
るが、これ等の層形成法で第二の層（）を形成
する場合には、前記の支持体温度と同様に層形成
の際放電パワーが作成される ａ−（SixC1-x）yX1-yの特性を左右する重要な因子
の１つである。 本発明における目的が達成される為の特性を有
するａ−（SixC1-x）yX1-yが生産性良く効果的に作
成される為の放電パワー条件としては、好ましく
は10〜300W、より好適には20〜250W、最適には
50〜200Wとされる。 堆積室内のガス圧は好ましくは0.01〜1Torr、
より好適には0.1〜0.5Torr程度とされる。 本発明においては第二の層（）を作成する為
の支持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲と
して前記した範囲の値が挙げられるが、これ等の
層作成フアクターは、独立的に別々に決められる
ものではなく、所望特性のａ−（SixC1-x）y（Ｈ、
Ｘ）1-yから成る第二の層（）が形成される様に
相互的有機的関連性に基づいて各層作成フアクタ
ーの最適値が決められるのが望ましい。 本発明の光導電部材における第二の層（）に
含有される炭素原子の量は、第二の層（）の作
成条件と同様、本発明の目的を達成する所望の特
性が得られる第二の層（）が形成される重要な
因子である。本発明における第二の層（）に含
有される炭素原子の量は、第二の層（）を構成
する非晶質材料の種類及びその特性に応じて適宜
所望に応じて決められるものである。 即ち、前記一般式ａ−（SixC1-x）y（Ｈ、Ｘ）1-y
で示される非晶質材料は、大別すると、シリコン
原子と炭素原子とで構成される非晶質材料（以
後、「ａ−SiaC1-a」と記す。但し、０＜ａ＜１）、
シリコン原子と炭素原子と水素原子とで構成され
る非晶質材料（以後、「ａ−（SibC1-b）cH1-c」と
記す。但し、０＜ｂ、ｃ＜１）、シリコン原子と
炭素原子とハロゲン原子と必要に応じて水素原子
とで構成される非晶質材料（以後、「ａ−（Sid
C1-d）e（Ｈ、Ｘ）1-e」と記す。但し０＜ｄ、ｅ＜
１）に分類される。 本発明において、第二の層（）がａ−Sia
C1-aで構成される場合、第二の層（）に含有さ
れる炭素原子の量は好ましくは１×10-3〜
90atomic％より好適には１〜80atomic％、最適
には10〜75atomic％とされる。 即ち、先のａ−SiaC1-aのａの表示で行えば、
ａが好ましくは0.1〜0.99999、より好適には0.2〜
0.99、最適には0.25〜0.9である。 本発明において、第二の層（）がａ−（Sib
C1-b）cH1-cで構成される場合、第二の層（）に
含有される炭素原子の量は、好ましくは１×10-3
〜90atomic％とされ、より好ましくは１〜
90atomic％、最適には10〜80atomic％とされる。
水素原子の含有量としては、好ましくは１〜
40atomic％、より好ましくは２〜35atomic％、
最適には５〜30atomic％とされ、これ等の範囲
に水素含有量がある場合に形成される光導電部材
は、実際面において優れたものとして充分適用さ
せ得るものである。 即ち、先のａ−（SibC1-b）cH1-cの表示で行えば
ｂが好ましくは0.1〜0.99999、より好適には0.1〜
0.99、最適には0.15〜0.9、ｃが好ましくは0.6〜
0.99、より好適には0.65〜0.98、最適には0.7〜
0.95である。 第二の層（）が、ａ−（SidC1-d）eH1-eで構成
される場合には、第二の層（）中に含有される
炭素原子の含有量は、好ましくは１×10-3〜
90atomic％、より好適には１〜90atomic％、最
適には10〜80atomic％とされる。ハロゲン原子
の含有量は、好ましくは１〜20atomic％、より
好適には１〜18atomic％、最適には２〜
15atomic％とされる。これ等の範囲にハロゲン
原子含有量がある場合に作成される光導電部材は
実際面に充分適用させ得るものである。必要に応
じて含有される水素原子の含有量は、好ましくは
19atomic％以下、より好適には13atomic％以下
とされる。 即ち、先のａ−（SidC1-d）e（Ｈ、Ｘ）1-eのｄ、
ｅの表示で行えば、ｄが好ましくは0.1〜
0.99999、より好適には0.1〜0.99、最適には0.15
〜0.9、ｅが好ましくは0.8〜0.99、より好適には
0.82〜0.99、最適には0.85〜0.98である。 本発明における第二の層（）の層厚の数範囲
は、本発明の目的を効果的に達成する為の重要な
因子の１つである。 本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目
的に応じてこれは適宜所望に従つて決められる。 又、第二の層（）の層厚は、該層（）中に
含有される炭素原子の量や第一の層（）の層厚
との関係においても、各々の層領域に要求される
特性に応じた有機的な関連性の下に所望に従つて
適宜決定される必要がある。 更に加えて、生産性や量産性を加味した経済性
の点においても考慮されるのが望ましい。 本発明における第二の層（）の層厚は、好ま
しくは0.003〜30μ、より好適には0.004〜20μ、最
適には0.005〜10μとされる。 本発明において使用される支持体は、導電性で
も電気絶縁性であつても良い。導電性支持体とし
ては、例えば、NiCr、ステンレス、Al、Cr、
Mo、Au、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pd等の金属
又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズ、ア
セテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等
の合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラ
ミツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶
縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面にNiCr、
Al、Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、
Pd、In2O3、SnO2、ITO（In2O3＋SnO2）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr、Al、Ag、Pb、Zn、Ni、
Au、Cr、Mo、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状は、円筒状、ベルト
状、板状等任意の形状とし得、所望によつて、そ
の形状は決定されるが、例えば、第１図の光導電
部材１００を電子写真用像形成部材として使用す
るのであれば、連続高速複写の場合には、無端ベ
ルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持体の
厚さは、所望通りの光導電部材が形成される様に
適宜決定されるが、光導電部材として可撓性が要
求される場合には、支持体としての機能が充分発
揮される範囲であれば可能な限り薄くされる。而
乍ら、この様な場合、支持体の製造上及び取扱い
上、機械的強度等の点から、好ましくは10μ以上
とされる。 次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概
略について説明する。 第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示
す。 図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、
本発明の光導電部材を形成するための原料ガスが
密封されており、その１例としてたとえば１１０
２はHeで稀釈されたSiH4ガス（純度99.999％、
以下、SiH4／Heと略す。）ボンベ、１１０３は
Heで稀釈されたGeH4ガス（純度99.999％、以下
GeH4／Heと略す。）ボンベ、１１０４はHeで稀
釈されたSiF4ガス（純度99.99％、以下SiF4／He
と略す。）ボンベ、１１０５はNH3ガス（純度
99.999％）ボンベ、１１０６はH2ガス（純度
99.999％）ボンベである。 これらのガスを反応室１１０１に流入させるに
は、ガスボンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１
２２〜１１２６、リークバルブ１１３５が閉じら
れていることを確認し、又、流入バルブ１１１２
〜１１１６、流出バルブ１１１７〜１１２１、補
助バルブ１１３２，１１３３が開かれていること
を確認して、先づメインバルブ１１３４を開いて
反応室１１０１及び各ガス配管内を排気する。次
に真空計１１３６の読みが約５×10-6torrになつ
た時点で補助バルブ１１３２，１１３３、流出バ
ルブ１１１７〜１１２１を閉じる。 次にシリンダー状基体１１３７上に第一の層
（）を形成する場合の１例をあげると、ガスボ
ンベ１１０２よりSiH4／Heガス、ガスボンベ１
１０３よりGeH4／Heガス、ガスボンベ１１０５
よりNH3ガスを、バルブ１１２２，１１２３，
１１２５を開いて出口圧ゲージ１１２７，１１２
８，１１３０の圧を１Kg／cm2に調整し、流入バル
ブ１１１２，１１１３，１１１５を徐々に開け
て、マスフロコントローラ１１０７，１１０８，
１１１０内に夫々流入させる。引き続いて流出バ
ルブ１１１７，１１１８，１１２０、補助バルブ
１１３２を徐々に開いて夫々のガスを反応室１１
０１に流入させる。このときのSiH4／Heガス流
量とGeH4／Heガス流量とNH3ガス流量との比
が所望の値になるように流出バルブ１１１７，１
１１８，１１２０を調整し、又、反応室１１０１
内の圧力が所望の値になるように真空計１１３６
の読みを見ながらメインバルブ１１３４の開口を
調整する。そして基体１１３７の温度が加熱ヒー
ター１１３８により50〜400℃程度の範囲の温度
に設定されていることを確認した後、電源１１４
０を所望の電力に設定して反応室１１０１内にグ
ロー放電を生起させ、同時にあらかじめ設計され
た変化率曲線にあらかじめ設計された変化率曲線
に従つてGeH4／Heガスの流量を手動あるいは外
部駆動モータ等の手段によつてバルブ１１１８の
開口を漸次変化させる操作を行なうことにより制
御して、形成される層中に含有されるゲルマニウ
ム原子の分布濃度を制御する。 上記の様にして、所望時間グロー放電を維持し
て、所望層厚に基体１１３７上に第１の層領域
（Ｇ）を形成する。所望層厚に第１の層領域（Ｇ）
が形成された段階に於いて、流出バルブ１１１８
を完全に閉じること、及び必要に応じて放電条件
を変える以外は、同様な条件と手順に従つて所望
時間グロー放電を維持することで第１の層領域
（Ｇ）上にゲルマニウム原子の実質的に含有され
ない第２の層領域（Ｓ）を形成することが出来
る。 第２の層領域（Ｓ）中に、伝導性を支配する物
質を含有させるには、第２の層領域（Ｓ）の形成
の際に例えばB2H6、PH3等のガスを堆積室１１
０１の中に導入するガスに加えてやれば良い。 第一の層（）中にシリコン原子を含有させる
場合には、上記のガスに、例えばSiF4ガスを更に
付加してグロー放電を生起させれば良い。 又、第一の層（）中に水素原子を含有させず
にハロゲン原子を含有させる場合には、先の
SiH4／H4ガス及びGeH4／Heガスの代りに、
SiF4／Heガス及びGeF4／Heガスを使用すれば
良い。 上記の様にして所望層厚に形成された第一の層
（）上に第二の層（）を形成するには、第一
の層（）の形成の際と同様なバルブ操作によつ
て、例えばSiH4ガス、C2H4ガスの夫々を必要に
応じてHe等の稀釈ガスで稀釈して、所望の条件
に従つて、グロー放電を生起させることによつて
成される。 第二の層（）中にハロゲン原子を含有させる
には、例えばSiF4ガスとC2H4ガス、或いはこれ
にSiH2ガスを加えて上記と同様にして第二の層
（）を形成することによつて成される。 夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バル
ブ以外の流出バルブは全て閉じることは言うまで
もなく、又、夫々の層を形成する際、前層の形成
に使用したガスが反応室１１０１内、流出バルブ
１１１７〜１１２１から反応室１１０１内に至る
ガス配管内に残留することを避けるために、流出
バルブ１１１７〜１１２１を閉じ、補助バルブ１
１３２，１１３３を開いてメインバルブ１１３４
を全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必
要に応じて行う。 第二の層（）中に含有される炭素原子の量
は、例えば、グロー放電による場合は、SiH4ガ
スとC2H4ガスの反応室１１０１内に導入される
流量比を所望に従つて変えるか、或いは、スパツ
ターリングで層形成する場合には、ターゲツトを
形成する際シリコンウエハとグラフアイトウエハ
のスパツタ面積比率を変えるか、又はシリコン粉
末とグラフアイト粉末の混合比率を変えてターゲ
ツトを成型することによつて所望に応じて制御す
ることが出来る。第二の層（）中に含有される
ハロゲン原子（Ｘ）の量は、ハロゲン原子導入用
の原料ガス、例えばSiF4ガスが反応室１１０１内
に導入される際の流量を調整することによつて成
される。 又、層形成を行つている間は層形成の均一化を
計るため基体１１３７はモータ１１３９により一
定速度で回転させてやるのが望ましい。 以下実施例について説明する。 実施例 １ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に第１表に示す条件で第１２図に
示すガス流量比の変化率曲線に従つてGeH4／He
ガスとSiH4／Heガスのガス流量比を層作成経過
時間と共に変化させて層形成を行つて電子写真用
像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0kVで0.3sec間コロナ放電を行
い、直ちに光像を照射した。光像照射はタングス
テンランプ光源を用い、2lux・secの光量を透過
型のテストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を像形成部材表面にカスケード
することによつて像形成部材表面上に良好なトナ
ー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を
5.0kVのコロナ放電で転写紙上に転写した所、解
像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画
像が得られた。 実施例 ２ 第１１図に示した製造装置により、第２表に示
す条件で第１３図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ３ 第１１図に示した製造装置により、第３表に示
す条件で第１４図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ４ 第１１図に示した製造装置により、第４表に示
す条件で第１５図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ５ 第１１図に示した製造装置により、第５表に示
す条件で第１６図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ６ 第１１図に示した製造装置により、第６表に示
す条件で第１７図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ７ 第１１図に示した製造装置により、第７表に示
す条件で第１８図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ８ 実施例１に於いて、SiH4／Heガスの代りに
Si2H6／Heガスを使用し、第８表に示す条件にし
た以外は、実施例１と同様の条件にして層形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画像が得られた。 実施例 ９ 実施例１に於いて、SiH4／Heの代りにSiF4／
Heガスを使用し、第９表に示す条件にした以外
は、実施例１と同様の条件にして層形成を行つて
電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 10 実施例１に於いて、SiH4／Heガスの代りに
（SiH4／He＋SiF4／He）ガスを使用し、第10表
に示す条件にした以外は、実施例１と同様の条件
にして層形成を行つて電子写真用像形成部材を得
た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画像が得られた。 実施例 11 実施例１〜10に於いて、第２層の作成条件を第
11表に示す条件にした以外は、各実施例に示す条
件と同様にして電子写真用像形成部材の夫々を作
成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ、第１１Ａ表に示す結果が得られた。 実施例 12 実施例１〜10に於いて、第２層の作成条件を第
12表に示す条件にした以外は、各実施例に示す条
件と同様にして電子写真用像形成部材の夫々を作
成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ第１２Ａ表に示す結果が得られた。 実施例 13 第１１図に示した製造装置により、第13表に示
す条件で第１９図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスと、
NH3ガスとSiH4／Heガスとのガス流量比を層作
成経過時間と、共に夫々変化させ、その他の条件
は実施例１と同様にして層形成を行つて電子写真
用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 14 第１１図に示した製造装置により、第14表に示
す条件で第２０図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスと、
NH3ガスとSiH4／Heガスとのガス流量比を層作
成経過時間と共に夫々変化させ、その他の条件は
実施例１と同様にして、層形成を行つて電子写真
用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 15 実施例１〜10に於いて、光源としてタングステ
ンランプの代りに810nmのGaAs系半導体レーザ
（10mW）を用いて静電像の形成を行つた以外は、
実施例１と同様のトナー画像形成条件にして、実
施例１〜10と同様の条件で作成した電子写真用像
形成部材の夫々に就いてトナー転写画像の画質評
価を行つたところ、解像力に優れ、階調再現性の
良い鮮明な高品位の画質が得られた。 実施例 16 層（）の作成条件を第15表に示す各条件にし
た以外は、実施例１と同様の条件と手順に従つて
電子写真用像形成部材の夫々（試料No.12−401〜
12−408、12−701〜12−708、12−801〜12−808
の72個の試料）を作成した。 こうして得られた各電子写真用像形成部材の
夫々を個別に複写装置に設置し、該実施例に記載
したのと同様の条件によつて、該実施例に対応し
た電子写真用像形成部材の夫々について、転写画
像の総合画質評価と繰返し連続使用による耐久性
の評価を行つた。 各試料の転写画像の総合画質評価と、繰返し連
続使用による耐久性の評価の結果を第16表に示
す。 実施例 17 層（）の形成時、シリコンウエハとグラフア
イトのターゲツト面積比を変えて、層（）にお
けるシリコン原子と炭素原子の含有量比を変化さ
せる以外は、実施例１と全く同様な方法によつて
像形成部材の夫々を作成した。こうして得られた
像形成部材の夫々につき、実施例１に述べた如
き、作像、現像、クリーニングの工程を約５万回
繰り返した後画像評価を行つたところ第17表の如
き結果を得た。 実施例 18 層（）の層の形成時、SiH4ガスとC2H4ガス
の流量比を変えて、層（）におけるシリコン原
子と炭素原子の含有量比を変化させる以外は実施
例１と全く同様な方法によつて像形成部材の夫々
を作成した。 こうして得られた各像形成部材につき、実施例
１に述べた如き方法で転写までの工程を約５万回
繰り返した後、画像評価を行つたところ、第18表
の如き結果を得た。 実施例 19 層（）層の形成時、SiH4ガス、SiF4ガス、
C2H4ガスの流量比を変えて、層（）における
シリコン原子と炭素原子の含有量比を変化させる
以外は、実施例１と全く同様な方法によつて像形
成部材の夫々を作成した。こうして得られた各像
形成部材につき実施例１に述べた如き作像、現
像、クリーニングの工程を約５万回繰り返した
後、画像評価を行つたところ第19表の如き結果を
得た。 実施例 20 層（）層厚を変える以外は、実施例１と全く
同様な方法によつて像形成部材の夫々を作成し
た。実施例１に述べた如き、作像、現像、クリー
ニングの工程を繰り返し第20表の結果を得た。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
◎：優良 ○：良好
【表】
【表】
◎：優良 ○：良好
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
◎：非常に良好 ○：良好 △：実用に充分耐え
る ×：画像欠陥を生ずる
る ×：画像欠陥を生ずる
【表】
◎：非常に良好 ○：良好 △：実用に充分耐え
る ×：画像欠陥を生ずる
る ×：画像欠陥を生ずる
【表】
◎：非常に良好 ○：良好 △：実用上充分である
×：画像欠陥を生ずる
×：画像欠陥を生ずる
【表】
以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条
件を以下に示す通りである。 基体温度：ゲルマニウム原子（Ge）含有層
……約200℃ ゲルマニウム原子（Ge）非含有層
…約250℃ 放電周波数：13.56MHz 反応時反応室内圧：0.3Torr
件を以下に示す通りである。 基体温度：ゲルマニウム原子（Ge）含有層
……約200℃ ゲルマニウム原子（Ge）非含有層
…約250℃ 放電周波数：13.56MHz 反応時反応室内圧：0.3Torr
第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明
する為の模式的層構成図、第２図乃至第１０図は
夫々層領域（Ｇ）中のゲルマニウム原子の分布状
態を説明する為の説明図、第１１図は、本発明の
光導電部材の作製に使用された装置の模式的説明
図、第１２図乃至第２０図は夫々本発明の実施例
に於けるガス流量比の変化率曲線を示す説明図で
ある。 １００…光導電部材、１０１…支持体、１０２
…第一の層（）、１０３…第二の層（）、１０
４…第一の層領域（Ｇ）、１０５…第二の層領域
（Ｓ）。
する為の模式的層構成図、第２図乃至第１０図は
夫々層領域（Ｇ）中のゲルマニウム原子の分布状
態を説明する為の説明図、第１１図は、本発明の
光導電部材の作製に使用された装置の模式的説明
図、第１２図乃至第２０図は夫々本発明の実施例
に於けるガス流量比の変化率曲線を示す説明図で
ある。 １００…光導電部材、１０１…支持体、１０２
…第一の層（）、１０３…第二の層（）、１０
４…第一の層領域（Ｇ）、１０５…第二の層領域
（Ｓ）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電子写真用光導電部材用の支持体と、該支持
体上に、シリコン原子と１〜9.5×105atomic
ppmのゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構
成された層厚30Å〜50μの第１の層領域（Ｇ）と
シリコン原子を含む（ゲルマニウム原子を含まな
い）非晶質材料で構成された層厚0.5〜90μの第２
の層領域（Ｓ）とが前記支持体側より順に設けら
れた層厚１〜100μの光導電性を示す第一の層と、
シリコン原子と１×10-3〜90atomic％の炭素原
子とを含む非晶質材料で構成された層厚0.003〜
30μの第二の層と、からなる電子写真用光導電部
材であつて、前記第１の層領域（Ｇ）中における
ゲルマニウム原子の分布状態を前記支持体側にお
いてゲルマニウム原子の分布濃度がシリコン原子
との和に対して1000atomic ppm以上の高い部分
を有し、前記第２の層領域（Ｓ）との界面側にお
いて前記支持体側に比べて可なり低くされた部分
を有する分布状態とし、かつ、前記第一の層中に
は0.001〜50atomic％の窒素原子が含有されてい
る事を特徴とする電子写真用光導電部材。 ２ 前記第１の層領域（Ｇ）及び前記第２の層領
域（Ｓ）のいずれか一方に水素原子が含有されて
いる特許請求の範囲第１項に記載の電子写真用光
導電部材。 ３ 前記第１の層領域（Ｇ）及び前記第２の層領
域（Ｓ）のいずれか一方にハロゲン原子が含有さ
れている特許請求の範囲第１項に記載の電子写真
用光導電部材。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58167747A JPS6059360A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 電子写真用光導電部材 |
| US06/646,511 US4585719A (en) | 1983-09-05 | 1984-08-31 | Photoconductive member comprising (SI-GE)-SI and N |
| FR8413661A FR2551562B1 (ja) | 1983-09-05 | 1984-09-05 | |
| DE19843432645 DE3432645A1 (de) | 1983-09-05 | 1984-09-05 | Fotoleitfaehiges aufzeichnungselement |
| GB08422403A GB2148022B (en) | 1983-09-05 | 1984-09-05 | Photoconductive member |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58167747A JPS6059360A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 電子写真用光導電部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6059360A JPS6059360A (ja) | 1985-04-05 |
| JPH0221579B2 true JPH0221579B2 (ja) | 1990-05-15 |
Family
ID=15855354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58167747A Granted JPS6059360A (ja) | 1983-09-05 | 1983-09-12 | 電子写真用光導電部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6059360A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62126392U (ja) * | 1986-02-04 | 1987-08-11 | ||
| JPS6326660A (ja) * | 1986-02-07 | 1988-02-04 | Canon Inc | 光受容部材 |
| JP2739517B2 (ja) * | 1990-06-27 | 1998-04-15 | 市川毛織株式会社 | 抄紙用フェルト |
-
1983
- 1983-09-12 JP JP58167747A patent/JPS6059360A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6059360A (ja) | 1985-04-05 |