JPS6410068B2

JPS6410068B2 -

Info

Publication number: JPS6410068B2
Application number: JP56002276A
Authority: JP
Inventors: Shigeru Shirai; Junichiro Kanbe; Tadaharu Fukuda
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1981-01-09
Filing date: 1981-01-09
Publication date: 1989-02-21
Also published as: JPS57115559A

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
のような電磁波に感受性のある電子写真用光導電
部材に関する。固体撮像装置、或いは像形成分野に於ける電子
写真用像形成部材や原稿読取装置等に於ける光導
電層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時に於い
て人体に対して無公害である事、更には固体撮像
装置に於いては、残像を所定時間内に容易に処理
することが出来る事等の特性が要求される。殊
に、事務機としてオフイスで使用される電子写真
装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場合
には、上記の使用時に於ける無公害性は重要な点
である。このような点に立脚して最近注目されている光
導電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと
表記する）があり、例えば、独国公開第2746967
号公報、同第2855718号公報には電子写真用像形
成部材として、特開昭55−39404号公報には光電
変換読取装置への応用が記載されている。而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性及び耐湿性
等の使用環境特性の点、更には経時的安定性の点
に於いて、更に改良される可き点が存し、広範囲
に於ける応用を含めた実用的な固体撮像装置や読
取装置、電子写真用像形成部材等には、生産性、
量産性をも加味して仲々有効に使用し得ないのが
実情である。例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、その使用時に於いて残留電位が残る場合が
度々観測され、このような種の光導電部材は繰返
し長時間使用し続けると、繰返し使用による疲労
の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴースト現象
を発するようになる等の不都合な点が少なくなか
つた。更には例えば、本発明者等の多くの実験によれ
ば、電子写真用像形成部材の光導電層を構成する
材料としてのａ−Siは、従来のSe、CdS、ZnO或
いはPVCzやTNF等のOPC（有機光導電材料）に
較べて、数多くの利点を有するが、従来の太陽電
池用として使用する為の特性が付与されたａ−Si
から成る単層構成の光導電層を有する電子写真用
像形成部材の上記光導電層に静電像形成の為の帯
電処理を施しても暗減衰（dark decay）が著し
く速く、通常の電子写真法が仲々適用され難い
事、及び多湿雰囲気中に於いては、上記傾向が著
しく、場合によつては現像時間まで帯電々荷を全
く保持し得ない事がある等、解決され得る可き点
が存在している事が判明している。従つて、ａ−Si材料そのものの特性改良が計ら
れる一方で電子写真用光導電部材を設計する際
に、上記したような所望の電気的、光学的及び光
導電的特性が得られるように工夫される必要があ
る。本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材に使用される光
導電部材としての適用性とその応用性という観点
から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリコ
ン原子を母体とし、水素原子(H)又はハロゲン原子
（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含有するアモ
ルフアス材料、所謂水素化アモルフアスシリコ
ン、ハロゲン化シリコン、或いはハロゲン含有水
素化アモルフアスシリコン〔以後これ等の総称的
表記としてａ−Si（Ｈ、Ｘ）を使用する〕から構
成される光導電層上に特定の障壁層を設けた層構
成に設計されて作製された電子写真用光導電部材
は実用的に充分使用し得るばかりでなく、従来の
光導電部材と較べてみても殆んどの点に於いて凌
駕していること、電子写真用光導電部材として、
著しく優れた特性を有していることを見出した点
に基づいている。本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時
安定していて、殆んど使用環境に制限を受けない
全環境型であり、耐光疲労に著しく長け、繰返し
使用に際しても劣化現象を起こさず、残留電位が
全く又は殆んど観測されない電子写真用光導電部
材を提供することを主たる目的とする。本発明の別の目的は、光感度が高く、分光感度
領域も略々全可視光域を覆つていて、且つ光応答
性の速い電子写真用光導電部材を提供することに
ある。本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材
として適用した場合通常の電子写真法が極めて有
効に適用され得る程度に、静電像形成の為の帯電
処理の際の電荷保持能が充分あり、且つ多湿雰囲
気中でもその特性の低下が殆んど観測されない優
れた電子写真特性を有する電子写真用光導電部材
を提供することにある。本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得る事が容易に出来る電子写真用光導電部材
を提供することにある。本発明の光導電部材は支持体と、シリコン原子
を母体とし、水素原子又はハロゲン原子のいずれ
か一方を含むアモルフアス材料で構成されている
光導電層と、該光導電層の上に設けられ、シリコ
ン原子を母体とし、炭素原子とハロゲン原子を含
むアモルフアス材料で構成されている表面障壁層
とを具備する事を特徴とする。上述したような層構成を取るようにして設計さ
れた本発明の電子写真用光導電部材は、前記した
諸問題の総てを解決し得、極めてすぐれた電気
的・光学的・光導電的特性及び使用環境特性を示
す。また、本発明の電子写真用光導電部材は、電子
写真用像形成部材としての使用に於いて、帯電処
理の際の電荷保持能に長け、画像形成への残留電
位の影響が全くなく、多湿雰囲気中でもその電気
的特性が安定しており高感度で、高SN比を有す
るものであつて耐光疲労、繰返し使用性に著しく
長け、更に濃度が高く、ハーフトーンが鮮明に出
て、且つ解像度の高い、高品質の可視画像を得る
事が出来る。更に又、本発明の電子写真用光導電部材は、高
暗抵抗のａ−Si（Ｈ、Ｘ）は光感度が低く、逆に
光感度の高いａ−Si（Ｈ、Ｘ）は暗抵抗が10⁸Ωcm
前後と低く、いずれの場合にも、従来の層構成の
光導電層のままでは電子写真用の像形成部材には
適用されなかつたのに対して、本発明の場合に
は、その特定化された層構成から比較的低抵抗
（５×10⁹Ωcm以上）のａ−Si（Ｈ、Ｘ）でも電子
写真用の光導電層を構成する材料となることがで
きるので、抵抗は比較的低いが高感度であるａ−
Si（Ｈ、Ｘ）も充分使用し得、ａ−Si（Ｈ、Ｘ）の
特性面からの制約が軽減され得る。以下、図面に従つて、本発明の電子写真用光導
電部材（以下、単に“光導電部材”と称する。）
に就いて詳細に説明する。第１図は、本発明の光導電部材の基本的な構成
例を説明する為に模式的に示した模式的構成図で
ある。第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、光導電層１０
２、該光導電層１０２上に直接接触した状態に設
けられている表面障壁層１０３とで構成される層
構造を有する。支持体１０１としては、導電性でも電気絶縁性
であつても良い。導電性支持体としては、例え
ば、NiCr、ステンレス、Al、Cr、Mo、Au、
Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pd等の金属又はこれ等
の合金が挙げられる。電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズ、ア
セテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等
の合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラ
ミツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶
縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr、
Al、Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、
Pd、In₂O₃、SnO₂、ITO（In₂O₃＋SnO₂）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr、Al、Ag、Pb、Zn、Ni、
Au、Cr、Mo、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベ
ルト状、板状等、任意の形状とし得、所望によつ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１図の
光導電部材１００を電子写真用像形成部材として
使用するのであれば連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される
ように適宜決定されるが、光導電部材として可撓
性が要求される場合には、支持体としての機能が
充分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くさ
れる。而乍ら、このような場合支持体の製造上及
び取扱い上、機械的強度等の点から、通常は、
10μ以上とされる。表面障壁層１０３は、その表面に帯電処理が施
された際、表面電荷が光導電層１０２中に注入さ
れるのを阻止する機能が荷せられている。表面障壁層１０３を構成する材料の選択及びそ
の層厚の決定は、表面障壁層１０３側より光導電
層１０２の感受する電磁波を照射するようにして
光導電部材１００を使用する場合には、照射され
る電磁波が光導電層１０２に充分量到達して、効
率良く、フオトキヤリアの発生を引起こさせるよ
うに注意深く成される。表面障壁層１０３はシリコン原子及び炭素原子
とを母体とし、ハロゲン原子（Ｘと記す）を含む
非光導電性のアモルフアス材料〔ａ−（Si_xC_1-x）
_ｙ：X_1-yと略記する。但し、０＜ｘ＜１、０＜
y1〕で構成され、表面障壁層１０３は、その表
面に帯電処理が施された際、表面電荷が光導電層
１０２中に注入されるのを阻止する機能が荷せら
れている。ａ−（Si_xC_1-x）_y：X_1-yで構成される表面障壁層
１０３の形成はグロー放電法、スパツタリング
法、イオンプランンテーシヨン法、イオンプレー
テイング法、エレクトロンビーム法等によつて成
される。これ等の製造法は、製造条件、設備資本
投下の負荷程度、製造規模、作製される光導電部
材に所望される特性等の要因によつて適宜選択さ
れて採用されるのが、所望する特性を有する光導
電部材を製造する為の作製条件の制御が比較的容
易である、シリコン原子と共に炭素原子及びハロ
ゲン原子を、作製する表面障壁層中に導入するの
が容易に行える等の利点からグロー放電法或いは
スパツタリング法が好適に採用される。更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツタリング法とを同一装置系内で併用して表面障
壁層１０３を形成しても良い。グロー放電法によつて表面障壁層１０３を形成
するには、ａ−（Si_xC_1-x）_y：X_1-y形成用の原料ガ
スを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で
混合して、支持体１０１の設置してある真空堆積
用の堆積室に導入し、導入されたガスを、グロー
放電を生起させることでガスプラズマ化して光導
電層１０２上にａ−（Si_xC_1-x）_y：X_1-yを堆積させ
れば良い。本発明に於いて、ａ−（Si_xC_1-x）_y：X_1-y形成用
の原料ガスとしては、Si、Ｃ、Ｘの中の少なくと
も１つを構成原子とするガス状の物質又はガス化
し得る物質をガス化したものの中の大概のものが
使用され得る。 Si、Ｃ、Ｘの中の１つとしてSiを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構成原
子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガ
スと、Ｘを構成原子とする原料ガスとを所望の混
合比で混合して使用するか、又は、Siを構成原子
とする原料ガスと、Ｃ及びＸを構成原子とする原
料ガスとを、これも又所望の混合比で混合する
か、或いは、Siを構成原子とする原料ガスと、
Si、Ｃ及びＸの３つの構成原子とする原料ガスと
を混合して使用することが出来る。又、別には、SiとＸとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。本発明に於いて、ハロゲン原子Ｘとして好適な
のはＦ、Cl、Br、Ｉであり、殊にＦ、Clが望ま
しいものである。本発明に於いて、表面障壁層１０３は、ａ−
（Si_xC_1-x）_y：X_1-yで構成されるものであるが、表
面障壁層１０３には更に水素原子を含有させるこ
とが出来る。表面障壁層１０３への水素原子の含有は、光導
電層１０２との連続層形成の際に原料ガス種の一
部共通化を計ることが出来るので生産コスト面の
上で好都合である。本発明に於いて、表面障壁層１０３を形成する
のに有効に使用される原料ガスと成り得るものと
しては、常温常圧に於いてガス状態のもの又は容
易にガス化し得る物質を挙げることが出来る。このような表面障壁層形成用の物質としては、
例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜
４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチ
レン系炭化水素、ハロゲン単体、ハロゲン化水
素、ハロゲン間化合物、ハロゲン化硅素、ハロゲ
ン置換水素化硅素、水素化硅素等を挙げる事が出
来る。具体的には、飽和炭化水素としてはメタン
（CH₄）、エタン（C₂H₆）、プロパン（C₃H₈）、ｎ
−ブタン（ｎ−C₄H₁₀）、ペンタン（C₅H₁₂）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C₂H₄）、
プロピレン（C₃H₆）、ブテン−１（C₄H₈）、ブテ
ン−２（C₄H₈）、イソブチレン（C₄H₈）、ペンテ
ン（C₅H₁₀）、アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C₂H₂）、メチルアセチレン
（C₃H₄）、ブチン（C₄H₆）、ハロゲン原子単体と
しては、フツ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲン
ガス、ハロゲン化水素としては、FH、HI、
HCl、HBr、ハロゲン間化合物としては、BrF、
ClF、ClF₃、ClF₅、BrF₅、BrF₃、IF₇、IF₅、
ICl、IBr、ハロゲン化硅素としては、SiF₄、
Si₂F₆、SiCl₄、SiCl₃Br、SiCl₂Br₂、SiClBr₃、
SiCl₃I、SiBr₄、ハロゲン置換水素化硅素として
は、SiH₂F₂、SiH₂Cl₂、SiHCl₃、SiH₃Cl、
SiH₃Br、SiH₂Br₂、SiHBr₃、水素化硅素として
は、SiH₄、Si₂H₆、Si₃H₈、Si₄H₁₀等のシラン
（Silane）類、等々を挙げることが出来る。これ等の他に、CCl₄、CHF₃、CH₂F₂、CH₃F、
CH₃Cl、CH₃Br、CH₃I、C₂H₅Cl等のハロゲン置
換パラフイン系炭化水素、SF₄、SF₆等のフツ素
化硫黄化合物、Si（CH₃）₄、Si（C₂H₅）₄、等のケイ
化アルキルやSiCl（CH₃）₃、SiCl₂（CH₃）₂、
SiCl₃CH₃等のハロゲン含有ケイ化アルキル等の
シランの誘導体も有効なものとして挙げることが
出来る。これ等の表面障壁層形成物質は、形成される表
面障壁層中に、所定の組成比でシリコン原子、炭
素原子及びハロゲン原子と必要に応じて水素原子
とが含有されるように、表面障壁層形成の際に所
望に従つて選択されて使用される。例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
の含有が容易に成し得て且つ所望の特性の表面障
壁層が形成され得るSi（CH₃）₄とハロゲン原子を
含有させるものとしてのSiHCl₃、SiCl₄、
SiH₂Cl₂、あるいはSiH₃Cl等を所定の混合比でガ
ス状態で表面障壁層形成用の装置系内に導入して
グロー放電を生起させることによつてａ−Si_x
C_1-x：Cl：Ｈから成る表面障壁層を形成すること
ができる。スパツタリング法によつて表面障壁層１０３を
形成するには、単結晶又は多結晶のSiウエーハー
又はＣウエーハー又はSiとＣが混合されて含有さ
れているウエーハーをターゲツトとして、これら
をハロゲンと必要に応じて水素を構成要素として
含む種々のガス雰囲気中でスパツタリングするこ
とによつて行えば良い。例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＣとＸを導入する為の原料ガスを必要に
応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツタ用の堆積室
中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形成
して前記Siウエーハーをスパツタリングすれば良
い。又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚にターゲツトを使
用することによつて、少なくともハロゲン原子を
含有するガス雰囲気中でスパツタリングすること
によつて成される。Ｃ及びＸ、必要に応じてＨの
導入用の原料ガスとなる物質としては先述したグ
ロー放電の例で示した表面障壁層形成用の物質が
スパツタリング法の場合にも有効な物質として使
用され得る。本発明に於いて、表面障壁層１０３をグロー放
電法又はスパツタリング法で形成する際に使用さ
れる稀釈ガスとしては、所謂・希ガス、例えば
He、Ne、Ar等が好適なものとして挙げること
が出来る。本発明に於ける表面障壁層１０３は、その要求
される特性が所望通りに与えられるように注意深
く形成される。即ち、Si、Ｃ及びＸ、必要に応じてＨを構成原
子とする物質は、その作成条件によつて構造的に
は結晶からアモルフアスまでの形態を取り、電気
物性的には、導電性から半導電性、絶縁性までの
間の性質を、又光導電的物質から非光導電的性質
までの間の性質を、各々示すので、本発明に於い
ては、非光導電性のａ−（Si_xC_1-x）_y：X_1-yが形成
されるように、その作成条件の選択が厳密に成さ
れる。本発明の表面障壁層１０３を構成するａ−（Si_x
C_1-x）_y：X_1-yは、表面障壁層１０３の機能が、そ
の表面に帯電処理が施された際、表面電荷が光導
電層１０２中に注入されるのを阻止する機能が荷
せられることから、電気絶縁性的挙動を示すもの
として形成される。又、光導電層１０２中で発生したフオトキヤリ
アが表面障壁層１０３中を通過する際、その通過
がスムーズに成される程度に、通過するキヤリア
に対する易動度（mobility）の値を有するものと
してａ−（Si_xC_1-x）_y：X_1-yが作成条件の中の重要
な要素として、作成時の支持体温度を挙げる事が
出来る。即ち、光導電体１０２の表面にａ−（Si_xC_1-x）
_ｙ：X_1-yからなる表面障壁層１０３を形成する際、
層形成中の支持体温度は、形成される層の構造及
び特性を左右する重要な因子であつて、本発明に
於いては、目的とする特性を有するａ−（Si_x
C_1-x）_y：X_1-yが所望通りに作成され得るように層
作成時の支持体温度が厳密に制御される。本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成さ
れる為の表面障壁層１０３を形成する際の支持体
温度としては、表面障壁層１０３の形成法に併せ
て適宜最適範囲が選択されて、表面障壁層１０３
の形成が実行されるが、通常の場合、100〜300
℃、好適には150〜250℃とされるのが望ましいも
のである。表面障壁層１０３の形成には、同一系
内で光導電層１０２、と表面障壁層１０３とを連
続的に形成することが出来る。各層を構成する原
子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が他の方法
に較べて比較的容易である事等の為に、グロー放
電法やスパツタリング法の採用が有利であるが、
これ等の層形成法で表面障壁層１０３を形成する
場合には、前記の支持体温度と同様に層形成の際
の放電パワーが作成されるａ−（Si_xC_1-x）_y：X_1-y
の特性を左右する重要な因子の１つである。本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ−（Si_xC_1-x）_y：X_1-yが生産性良く効果的に
作成される為の放電パワー条件としては、通常10
〜200W、好適には20〜100Wである。堆積室内のガス圧は通常0.01〜1Torr、好適に
は、0.1〜0.5Torr程度とされるのが望ましい。本発明の光導電部材に於ける表面障壁層１０３
に含有される炭素原子及びハロゲン原子の量は、
表面障壁層１０３の作製条件と同様本発明の目的
を達成する所望の特性が得られる表面障壁層１０
３が形成される重要な因子である。本発明に於ける表面障壁層１０３に含有される
炭素原子の量は、通常は40〜90atomic％、好適
には50〜90atomic％、最適には60〜80atomic％
とされるのが望ましいものである。ハロゲン原子
の含有量としては、通常の場合１〜20atomic％、
好適には１〜18atomic％、最適には２〜
15atomic％とされるのが望ましく、これ等の範
囲にハロゲン含有量がある場合に作成される光導
電部材を実際面に充分適用させ得るものである。
必要に応じて含有される水素原子の含有量として
は、通常の場合19atomic％以下、好適には
13atomic％以下とされるのが望ましいものであ
る。即ち先のａ−（Si_xC_1-x）_y：X_1-yの表示で行え
ばｘが通常は0.1〜0.47、好適には0.1〜0.35、最
適には0.15〜0.30、ｙが通常0.99〜0.80、好適に
は0.99〜0.82、最適には0.98〜0.85である。ハロゲン原子と水素原子の両方が含まれる場
合、先と同様のａ−（Si_xC_1-x）_y：（Ｈ＋Ｘ）_1-yの表
示で行えば、この場合のｘ、ｙの数値範囲もａ−
（Si_xC_1-x）_y：X_1-yの場合と、略々同様である。本発明に於ける表面障壁層１０３の層厚の数値
範囲は、本発明の目的を効果的に達成する為の重
要な因子の１つである。表面障壁層１０３の層厚が充分過ぎる程に薄い
と、その表面からの光導電層１０２への表面電荷
の流入を阻止する働きが充分果たし得なくなり、
又、充分過ぎる程以上に厚いと、光導電層１０３
中に於いて生ずるフオトキヤリアが表面障壁層１
０３を通過して表面電荷と再結合する確率が極め
て小さくなり、従つて、いずれの場合にも、本発
明の目的を効果的に達成され得なくなる。本発明の目的を効果的に達成する為の表面障壁
層１０３の層厚としては、通常の場合、30Å〜
5μｍ、好適には、50Å〜2μｍである。本発明に於いて、その目的を効果的に達成する
為に、支持体１０１上に形成される光導電層１０
２は下記に示す半導体特性を有するａ−Si（Ｈ、
Ｘ）で構成される。ｐ型ａ−Si（Ｈ、Ｘ）…アクセプターのみを
含むもの。或いは、ドナーとアクセプターとの
両方を含み、アクセプターの濃度（Na）が高
いもの。 p^-型ａ−Si（Ｈ、Ｘ）…のタイプに於いて
アクセプターの濃度（Na）が低い所謂ｐ型不
純物をライトリードープしたもの。ｎ型ａ−Si（Ｈ、Ｘ）…ドナーのみを含むも
の。或いはドナーとアクセプターの両方を含
み、ドナー濃度（Nd）が高いもの。 n^-型ａ−Si（Ｈ、Ｘ）…のタイプに於いて
ドナーの濃度（Nd）が低い、所謂ノンドープ
のものか又はｎ型不純物をライトリードープし
たもの。ｉ型ａ−Si（Ｈ、Ｘ）…NaNdＯのもの
又は、NaNdのもの。本発明に於いて、光導電層１０２中に含有され
るハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフツ
素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフツ
素、塩素を好適なものとして挙げることが出来
る。本発明において、ａ−Si（Ｈ、Ｘ）で構成され
る光導電層１０２を形成するには例えばグロー放
電法、スパツタリング法、或いはイオンプレーテ
イング法等の放電現象を利用する真空堆積法によ
つて成される。例えば、グロー放電法によつて、
ａ−Si（Ｈ、Ｘ）で構成される光導電層を形成す
るには、Siを生成し得るSi生成原料ガスと共に、
水素原子導入用の又は／及びハロゲン原子導入用
の原料ガスを内部が減圧にし得る堆積室内に導入
して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め
所定位置に設置されてある所定の支持体表面上に
ａ−Si（Ｈ、Ｘ）からなる層を形成させれば良い。
又、スパツタリング法で形成する場合には、例え
ばAr、He等の不活性ガス又はこれ等のガスをベ
ースとした混合ガスの雰囲気中でSiで形成された
ターゲツトをスパツタリングする際、水素原子又
は／及びハロゲン原子導入用のガスをスパツタリ
ング用の堆積室に導入してやれば良い。本発明に於いて使用されるSi生成原料ガスとし
ては、SiH₄、Si₂H₆、Si₃H₈、Si₄H₁₀等のガス状
態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン類）が
有効に使用されるものとして挙げられ、殊に、層
作成作業の際の扱い易さ、Si生成効率の良さ等の
点でSiH₄、Si₂H₆が好ましいものとして挙げられ
る。本発明に於いて使用されるハロゲン原子導入用
原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化合
物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン化
物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシ
ラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハロ
ゲン化合物が好ましく挙げられる。又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲンを含む硅素化合物も有効なものとして本発
明に於いては挙げることが出来る。本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF、ClF、ClF₃、
BrF₅、BrF₃、IF₇、IF₅、ICl、IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。ハロゲンを含む硅素化合物、所謂、ハロゲンで
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例
えばSiF₄、Si₂F₆、SiCl₄、SiBr₄等のハロゲン化
硅素が好ましいものとして挙げることが出来る。このようなハロゲンを含む硅素化合物を採用し
てグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導電
部材を形成する場合には、Siを生成し得る原料ガ
スとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、所
定の支持体上にａ−Si：Ｘから成る光導電層を形
成する事が出来る。グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む光
導電層１０２を製造する場合、基本的には、Si生
成用の原料ガスであるハロゲン化硅素ガスとAr、
H₂、He等のガスとを所定の混合比とガス流量に
なるようにして光導電層を形成する堆積室内に導
入し、グロー放電を生起してこれ等のガスのプラ
ズマ雰囲気を形成することによつて、所定の支持
体上に光導電層１０２を形成し得るものである
が、水素原子の導入を計る為にこれ等のガスに更
に水素原子を含む硅素化合物のガスも所定量混合
して層形成しても良い。又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。反応スパツタリング法或いはイオンプレーテ
イング法に依つてａ−Si（Ｈ、Ｘ）から成る光導
電層を形成するには、例えばスパツタリング法の
場合にはSiから成るターゲツトを使用して、これ
を所定のガスプラズマ雰囲気中でスパツタリング
し、イオンプレーテイング法の場合には、多結晶
シリコン又は単結晶シリコンを蒸発源として蒸着
ボートに収容し、このシリコン蒸発源を抵抗加熱
法、或いはエレクトロンビーム法（EB法）等に
よつて加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガスプラ
ズマ雰囲気中を通過させる事で行う事が出来る。この際、スパツタリング法、イオンプレーテイ
ング法の何れの場合にも形成される層中にハロゲ
ン原子を導入するには、前記のハロゲン化合物又
は前記のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを
堆積室中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形
成してやれば良いものである。又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H₂、前記したシラン
類等のガスをスパツタリング用の堆積室中に導入
して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれば良
い。本発明に於いては、ハロゲン導入用の原料ガス
として上記されたハロゲン化合物或いはハロゲン
を含む硅素化合物が有効なものとして使用される
ものであるが、その他に、HF、HCl、HBr、HI
等のハロゲン化水素、SiH₂F₂、SiH₂Cl₂、
SiHCl₃、SiH₂Br₂、SiHBr₃等のハロゲン置換水
素化硅素、等々のガス状態の或いはガス化し得
る、水素原子を構成要素の１つとするハロゲン化
物も有効な光導電層形成用の出発物質として挙げ
る事が出来る。これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、光導
電層形成の際に層中のハロゲン原子の導入と同時
に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な
水素原子も導入されるので、本発明においては好
適なハロゲン導入用の原料として使用される。水素原子を光導電層中に構造的に導入するに
は、上記の他にH₂、或いはSiH₄、Si₂H₆、
Si₃H₈、Si₄H₁₀等の水素化硅素のガスをSiを生成
する為のシリコン化合物と堆積室中に共存させて
放電を生起させる事でも行う事が出来る。例えば、反応スパツタリング法の場合には、Si
ターゲツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス
及びH₂ガスを必要に応じてHe、Ar等の不活性ガ
スも含めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を
形成し、前記Siターゲツトをスパツタリングする
事によつて、基板上にａ−Si（Ｈ、Ｘ）から成る
光導電層が形成される。更には、不純物のドーピングも兼ねてB₂H₆、
PH₃、PF₃等のガスを導入してやる事も出来る。本発明に於いて、形成される光導電部材の光導
電層中に含有されるＨ又はＸの量又は（Ｈ＋Ｘ）
の量は通通常の場合１〜40atomic％、好適には
５〜30atomic％とされるのが望ましい。層中に含有されるＨ又は／及びＸの量を制御す
るには、例えば堆積支持体温度又は／及びＨを含
有させる為に使用される出発物質の堆積装置系内
へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良
い。光導電層をｎ型傾向又はｐ型傾向或いはｉ型と
するには、グロー放電法や反応スパツタリング法
等による層形成の際に、ｎ型不純物又はｐ型不純
物、或いは両不純物を形成される層中にその量を
制御し乍らドーピングしてやる事によつて成され
る。光導電層中にドーピングされる不純物として
は、光導電層をｉ型又はｐ型傾向にするには、周
期律表第族Ａの元素、例えば、Ｂ、Al、Ga、
In、Tl等が好適なものとして挙げられる。ｎ型傾向にする場合には、周期律表第族Ａの
元素、例えば、Ｎ、Ｐ、As、Sb、Bi等が好適な
ものとして挙げられる。光導電層中にドーピング
される不純物の量は、所望される電気的・光学的
特性に応じて適宜決定されるが、周期律表第族
Ａの不純物の場合は３×10^-3atomic％までの範
囲内でドーピングしてやれば良く、周期律表第
族の不純物の場合は５×10^-3atomic％以下の量
範囲でドーピングしてやることが望ましいもので
ある。光導電層の層厚は、光導電層中でフオトキ
ヤリアが効率良く発生され、所定の方向に効率良
く輸送されるように所望に従つて適宜決められ、
通常は３〜100μ、好適には５〜50μとされる。本発明に於いては、表面障壁層１０３を設ける
ことによつて光導電層１０２は、比較的低抵抗で
あつても使用され得るものであるが、一層良好な
結果を得る為には、形成される光導電層１０２の
暗抵抗が好適には５×10^-9Ωcm以上、最適には
10¹⁰Ωcm以上となるように光導電層１０２が形成
されるのが望ましいものである。殊に、この暗抵抗値の数値条件は、作製された
光導電部材を電子写真用像形成部材や、低照度領
域で使用される高感度の読取装置や撮像装置、或
いは光電変換装置として使用する場合には重要な
要素である。本発明に於ける電子写真用光導電部材の光導電
層１０２の層厚としては、読取装置、撮像装置或
いは電子写真用像形成部材等の適用するものの目
的に適合させて所望に従つて適宜決定される。本発明に於いては、光導電層１０２の層厚とし
ては、光導電層１０２の機能及び障壁層の機能が
各々有効に活かされて本発明の目的が効果的に達
成されるように表面障壁層１０３との層厚関係に
於いて適宜所望に従つて決められるものであり、
通常の場合、表面障壁層１０３の層厚に対して数
百〜数千倍以上の層厚とされるのが好ましいもの
である。実施例１完章にシールドされたクリーンルーム中に設置
された第２図に示す装置を用い、以下の如き操作
によつて第１図に示す層構造の光導電部材を作成
した。表面が清浄にされた0.5mm厚10cm角のモリブデ
ン板（基板）２０５を堆積室２０１内の所定位置
にある固定部材２０３に堅固に固定した。基板２
０５は、固定部材２０３内の加熱ヒーター２０４
によつて±0.5℃の精度で加熱される。温度は、
熱電対（アルメル−クロメル）によつて基板裏面
を直接測定されるようになされた。次いで系内の
全バルブが閉じられていることを確認してからメ
インバルブ２２８を全開して一旦５×10^-7Torr
程度まで真空にされ（このとき系の全バルブは閉
じられている）、補助バルブ２２７及び流出バル
ブ２２２，２２３，２２４，２２５，２２６が開
かれ、フローメータ２３５，２３６，２３７，２
３８，２３９内が十分に脱気された後、流出バル
ブ２２２，２２３，２２４，２２５，２２６補助
バルブ２２７が閉じられた。ここでヒーター２０
４はONされ基板温度は250℃に設置された。その後、H₂で70vol％に稀釈されたSiF₄ガス
（純度99.999％、以後SiF₄（70）／H₂と記す）の
ボンベ２０７のバルブ２１２、H₂で500v ppmに
稀釈されたB₂H₆ガス（以後B₂H₆（500）／H₂と
記す）のボンベ２０８のバルブ２１３を開け、出
口圧ゲージ２３０，２３１の圧を１Kg／cm²に調整
し、流入バルブ２１７，２１８を徐々に開けてフ
ローメーター２３５，２３６内へSiF₄（70）／H₂
ガス、B₂H₆（500）／H₂ガスを流入させた。引き
続いて流出バルブ２２２，２２３を徐々に開け、
次いで補助バルブ２２７を徐々に開けた。このと
きSiF₄（70）／H₂ガス流量とB₂H₆（500）／H₂ガ
ス流量との比が70：１になるように流入バルブ２
１７，２１８の開口を調整し、補助バルブ２２７
の開口を調整して、室２０１内を１×10^-2Torr
に保つた。室２０１の内圧が安定してからメイン
バルブ２２８を徐々に閉じ、ピラニーゲージ２４
０の指示が0.2Torrになるまで開口を調整した。
ガス流入が安定し、内圧が安定するのを確認し高
周波電源２４１のスイツチをON状態にして誘導
コイル２０６に高周波電力を投入し、入力電力
60Wで室２０１内にグロー放電を発生させた。こ
のようにしてグロー放電を約10時間持続させるこ
とによつて光導電層を形成した。その後、メイン
バルブ２２８を除いた系の全バルブを閉じた。次に、SiF₄（70）／H₂ガスのボンベ２０７のバ
ルブ２１２、H₂で10vol％に稀釈されたC₂H₄ガ
ス（C₂H₄(10)／H₂と記す）のボンベ２１０のバル
ブ２１５を開け、出口圧ゲージ２３０，２３３の
圧を１Kg／cm²に調整し、流入バルブ２１７，２２
０を徐々に開けてフローメーター２３５，２３８
内へSiF₄（70）／H₂ガス、C₂H₄(10)／H₂ガスを
夫々流入させた。引き続いて、流出バルブ２２
２，２２５を徐々に開け、次いで補助バルブ２２
７を徐々に開けた。このときSiF₄（70）／H₂ガス
流量とC₂H₄(10)／H₂ガス流量の比が１：60になる
ように流入バルブ２１７，２２０を調整した。次
にピラニーゲージ２４０の読みを注視しながら補
助バルブ２２７の開口を調整し、室２０１内の内
圧を１×10^-2Torrにした。室２０１内圧が安定
してから、メインバルブ２２８を徐々に閉じ、ピ
ラニーゲージ２４０の指示が0.5Torrになるまで
開口を絞つた。ガス流入が安定し内圧が安定する
のを確認した。続いて高周波電源２４１のスイツ
チをON状態にして、誘導コイル２０６に、
13.56MHzの高周波電力を投入し室２０１内にグ
ロー放電を発生させ、60Wの入力電力とした。上
記条件を１分間保つて前記光導電層上に表面障壁
層を形成した。その後、加熱ヒーター２０４を
off状態にし、高周波電源２４１もoff状態とし、
基板温度が100℃になるのを待つてから流出バル
ブ２２２，２２５及び流入バルブ２１７，２２０
を閉じ、メインバルブ２２８を全開にして、室２
０１内を10^-5Torr以下にした後、メインバルブ
２２８を閉じ、室２０１内をリークバルブ２２９
によつて大気圧として基板を取り出した。この場
合、形成された層の全厚は約9μであつた。こう
して得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に
設置し、6.0kVで0.2sec間コロナ帯電を行い、
直ちに光像を照射した。光像は、タングステンラ
ンプ光源を用い、0.8lux・secの光量を透過型の
テストチヤートを通して照射させた。その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を部材表面にカスケードするこ
とによつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を、5.0kVのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、諧調
再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。次に上記像形成部材に就て、帯電露光実験装置
で5.5kVで0.2sec間コロナ帯電を行い、直ちに
0.8lux・secの光量で画像露光を行い、その後直
ちに電荷性の現像剤を部材表面にカスケード
し、次に転写紙上に転写・定着したところ極めて
鮮明な画像が得られた。この結果と先の結果から本実施例で得られた電
子写真用像形成部材は帯電極地に対する依存性が
なく、両極性像形成部材の特性を具備しているこ
とが判つた。実施例２表面障壁層の形成に於いて、SiF₄（70）／H₂ガ
スとC₂H₄(10)／H₂ガスの流量比を変えることによ
つて表面障壁層中のＣの含有量を種々に変化させ
たこと及び、グロー放電時間を変えることによつ
て表面障壁層の層厚を種々に変化させた以外は実
施例１と全く同様の条件及び手順によつて光導電
部材を作成し、それぞれの試料を実施例１と全く
同様の帯電露光装置に設置して画像形成を行い、
その画質を判定したところ、下記の第１表に示す
如き結果を得た。

【表】

【表】実施例３実施例１と同様な条件及び手順に従つてモリブ
デン基板上に光導電層を形成した後、H₂で10vol
％に稀釈されたSiCl（CH₃）₃ガス（純度99.000％、
以後SiCl（CH₃）₃(10)／H₂と記す）のボンベ２１１
のバルブ２１６を開け、出口圧ゲージの圧を１
Kg／cm²に調整し、流入バルブ２２１を徐々に開け
てフローメーター２３９内へSiCl（CH₃）₃(10)／H₂
ガスを流入させた。引き続いて流出バルブ２２６
を徐々に開けた。次にピラニーゲージ２４０の読
みを注視しながら補助バルブの開口を調整し、２
０１内が１×10^-2Torrになるまで補助バルブ２
２７を開けた。室２０１の内圧が安定してから、
メインバルブ２２８を徐々に閉じ、ピラニーゲー
ジー２４０の指示が0.5Torrになるまでに開口を
絞つた。ガス流入が安定し内圧が安定するのを確
認し、続いて高周波電源２４１のスイツチをON
状態にして、誘導コイル２０６に、13.56MHzの
高周波電力を投入し室２０１内にグロー放電を発
生させ、20Wの入力電力とした。１分間同条件を
保つて表面障壁層を形成した後、高周波電源３４
２をoff状態とし、加熱ヒーター２０４もoff状態
にして、基板温度が100℃になるのを待つてから
流出バルブ２２６及び流入バルブ２２１を閉じ、
メインバルブ２２８を全開にして、室２０１内を
10^-5Torr以下にした後、メインバルブ２２８を
閉じ室２０１内をリークバルブ２２９によつて大
気圧として基板を取り出した。この場合、形成さ
れた層の全厚は約9μであつた。こうして得られ
た像形成部材を、帯電露光実験装置に設置し、
6.0kVで0.2sec間コロナ帯電を行い、直ちに光像
を照射した。光像は、タングステンランプ光源を
用い、1.0lux・secの光量を透過型のテストチヤ
ートを通して照射させた。その後直ちに、電荷性の現像剤（トナーとキ
ヤリヤーを含む）を部材表面にカスケードするこ
とによつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を、−5.0kVのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、諧調
再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。又、コロナ帯電極性をに、現像剤極性をに
変えても同様に鮮明で良好な画像が実施例１と同
様に得られた。実施例４モリブデン基板上に光導電層を形成する際にヒ
ーター２０４の入力電圧を上昇させ、基板温度を
検知しながら入力電圧を変化させ、250℃の一定
値になるまで安定させた。その後、補助バルブ２２７、次いで流出バルブ
２２２及び流入バルブ２１７を全開し、フローメ
ーター２３５内も十分脱気真空状態にされた。補
助バルブ２２７、バルブ２１７，２２２を閉じた
後、SiF₄（70）／H₂（純度99.999％）のボンベ２
０７のバルブ２１２を開け、出口圧ゲージ２３０
の圧を１Kg／cm²に調整し、流入バルブ２１７を
徐々に開けてフローメーター２３５内へSiF₄
（70）／H₂ガスを流入させた。引き続いて流出バ
ルブ２２２を徐々に開け、次いで補助バルブ２２
７を徐々に開けた。次にピラニーゲージ２４０の
読みを注視しながら補助バルブ２２７の開口を調
整し、室２０１内が１×10^-2Torrになるまで補
助バルブ２２７を開けた。室２０１内圧が安定し
てから、メインバルブ２２８を徐々に閉じ、ピラ
ニーゲージ２４０の指示が0.5Torrになるまで開
口を絞つた。ガス流入が安定し内圧が安定するの
を確認し、続いて高周波電源２４１のスイツチを
ON状態にして、誘導コイル２０６、13.56MHzの
高周波電力を投入し室２０１内にグロー放電を発
生させ、60Wの入力電力とした。グロー放電を３
時間持続させて光導電層を形成した後、加熱ヒー
ター２０４をoff状態にし、高周波電源２４１も
off状態とし、基板温度が100℃になるのを待つて
から実施例１と同様の操作によつて光導電層上に
ａ−（Si_xC_1-x）_y：（Ｈ＋Ｘ）_1-yからなる表面障壁層
を設けた。この場合、形成された層の全厚は約
9μであつた。こうして得られた像形成部材を、
実施例１と同様の手順に従い転写紙上に画像形成
したところ、コロナ放電を行つて画像形成した
方が、コロナ放電を行つて画像形成したよりも
その画質が優れており極めて鮮明であつた。この
結果より本実施例で得られた像形成部材には帯電
極性の依存性が認められた。実施例５実施例１と同様な条件及び手順によつて堆積室
内を５×10^-7Torrまで排気して、SiF₄（70）／H₂
ガスを実施例１と同様の手順で室内に導入した。
その後H₂で25vol ppmに稀釈したPH₃ガス
（PH₃（25）／H₂と記す）のボンベ２０９から流
入バルブ２１９を通じて１Kg／cm²のガス圧（出口
圧ゲージ２３２の読み）で流入バルブ２１９、流
出バルブ２２４の調整によつてフローメーター２
３７の読みがSiF₄（70）／H₂ガスの流量の1/7に
なるように流出バルブ２２４の開口を定め、安定
化させた。引き続き、高周波電源２４１をON状態にし
て、グロー放電を発生させた。そのときの入力電
圧を60Wにした。こうしてグロー放電を４時間持
続させて光導電層を形成した後、加熱ヒーター２
０４をoff状態にし、高周波電源２４１もoff状態
とし、基板温度が100℃になるのを待つてから実
施例１と同様な条件及び手順によつて光導電層上
にａ−（Si_xC_1-x）_y：（Ｈ＋Ｘ）_1-yからなる表面障壁
層を設けた。この場合、形成された層の全厚は約
11μであつた。こうして得られた像形成部材を、
実施例１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像
を形成したところコロナ放電を行つて画像形成
した方が、コロナ放電を行つて画像形成したよ
りもその画質が優れており極めて鮮明であつた。
この結果より本実施例で得られた像形成部材には
帯電極性の依存性が認められた。実施例６実施例１と同様な条件及び手順によつて、堆積
室内を５×10^-7Torrまで排気してSiF₄（70）／H₂
ガスを室２０１内に導入した。その後B₂H₆
（500）／H₂ガスボンベ２０８から、流入バルブ
２１８を通じて１Kg／cm²のガス圧（出口圧ゲージ
２３１の読み）で、フローメーター２３６内に
B₂H₆（500）／H₂ガスを導入した。次いで流入バ
ルブ２１８、流出バルブ２２３の調整によつてフ
ローメーター２３６の読みがSiF₄ガスの流量の1/
１０になるように流出バルブ２２３の開口を定め、
安定化させた。引き続き、高周波電源２４１をON状態にし
て、グロー放電を発生させた。そのときの入力電
力を60Wにした。こうしてグロー放電を更に４時
間持続させて光導電層を形成した後、加熱ヒータ
ー２０４をoff状態にし、高周波電源２４１もoff
状態とし、基板温度が100℃になるのを待つてか
ら実施例１と同様の操作によつて光導電層上にａ
−（Si_xC_1-x）_y：（Ｈ＋Ｘ）_1-yからなる表面障壁層を
設けた。この場合形成された層の全厚は約10μで
あつた。こうして得られた像形成部材を、実施例１と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したと
ころ、コロナ放電を行つて画像形成した方が、
コロナ放電を行つて画像形成したよりもその画
質が優れており極めて鮮明であつた。この結果よ
り本実施例で得られた像形成部材には帯電極性の
依存性が認められた。而し、その帯電極性依存性
は実施例４、５で得られた像形成部材とは逆であ
つた。実施例７光学研磨されたガラス板上に通常の方法で酸化
スズ透明電極を設けた基体上に実施例１と同様に
して光導電層及び表面障壁層を形成した。但し、
光導電層の形成に際しては、作成時間を短縮し
て、層厚が約2μとなるようにした。このように
作成された光導電部材をビジユン型撮像管の受光
面として用いたところ、ターゲツト印加電圧60V
で白色光15l_xを照射した時に信号電流650ｍＡ、
暗電流1.0ｍＡ以下、残像特性３フイールド後に
10％という良好な特性が得られた。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の電子写真用光導電部材の好
適な実施態様例の層構造を説明する為の模式的説
明図、第２図は本発明の電子写真用光導電部材を
作成する為の装置を説明する為の模式的説明図で
ある。１００……電子写真用光導電部材、１０１……
支持体、１０２……光導電層、１０３……表面障
壁層、１０４……自由表面。

Claims

【特許請求の範囲】１支持体と、シリコン原子を母体とし、水素原
子又はハロゲン原子のいずれか一方を含むアモル
フアス材料で構成され、前記水素原子及び前記ハ
ロゲン原子のいずれか一方の含有量又は両者の含
有量の総和が１〜40atomic％である光導電層と、
この上に設けられ、シリコン原子を母体とし、炭
素原子とハロゲン原子を含むアモルフアス材料で
構成された表面障壁層とを備えている事を特徴と
する電子写真用光導電部材。２前記表面障壁層には、水素原子が含有されて
いる特許請求の範囲第１項に記載の電子写真用光
導電部材。３前記光導電層に、ｐ型又はｎ型の不純物が含
有されている特許請求の範囲第１項に記載の電子
写真用光導電部材。