JPH058422B2 - - Google Patents
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Description
本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある光導電部材に関す
る。 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。
殊に、事務機としてオフイスで使用される電子写
真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場
合には、上記の使用時における無公害性は重要な
点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び耐湿
性等の使用環境特性の点、更には経時的安定性の
点において、総合的な特性向上を図る必要がある
という更に改良される可き点が存するのが実情で
ある。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に図ろうとす
ると従来においてはその使用時において残留電位
が残る場合が度々観測され、この種の光導電部材
は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用によ
る疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴース
ト現象を発する様になる等の不都合な点が少なく
なかつた。 又は例えば、本発明者等の多くの実験によれ
ば、電子写真用像形成部材の光導電層を構成する
材料としてのａ−Siは、従来のSe，CdS，ZnO等
の無機光導電材料或いはPVCzやTNF等の有機
光導電材料に較べて、数多くの利点を有するが、
従来の太陽電池用として使用するための特性が付
与されたａ−Siから成る単層構成の光導電層を有
する電子写真用像形成部材の上記光導電層に静電
像形成のための帯電処理を施しても暗減衰
（dark decay）が著しく速く、通常の電子写真法
が仲々適用され難いこと、及び多湿雰囲気中にお
いては、上記傾向が著しく、場合によつては現像
時間まで帯電々荷を殆んど保持し得ないことがあ
る等、解決され得る可き点が存在していることが
判明している。 更に、ａ−Si材料で光導電層を構成する場合に
は、その電気的、光導電的特性の改良を図るため
に、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロ
ゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼素原
子や燐原子等が或いはその他の特性改良のために
他の原子が、各々構成原子として光導電層中に含
有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方如何
によつては、形成した層の電気的或いは光導電的
特性に問題が生ずる場合がある。 即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射に
よつて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命
が充分でないこと、或いは暗部において、支持体
側よりの電荷の注入の阻止が充分でないこと等が
生ずる場合が少なくない。 従つて、ａ−Si材料そのものの特性改良が図ら
れる一方で光導電部材を設計する際に、上記した
様な所望の電気的、光学的及び光導電的特性が得
られる様に工夫される必要がある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、シリコン原子を母体と
し、水素原子(H)又はハロゲン原子(X)のいずれか一
方を少なくとも含有するアモルフアス材料（非晶
質材料）、所謂水素化アモルフアスシリコン、ハ
ロゲン化アモルフアスシリコン、或いはハロゲン
含有水素化アモルフアスシリコン〔以後これ等の
総称的表記として「ａ−Si（Ｈ，Ｘ）」を使用す
る〕から構成される光導電層を有する光導電部材
の層構成を特定化する様に設計されて作成された
光導電部材は実用上著しく優れた特性を示すばか
りでなく、従来の光導電部材と較べてみてもあら
ゆる点において凌駕していること、殊に電子写真
用の光導電部材として著しく優れた特性を有して
いることを見出した点に基づいている。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が殆ん
ど使用環境に制御を受けず常時安定している全環
境型であり、耐光疲労に著しく長け、繰返し使用
に際しても劣化現象を起さず耐久性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を
提供することを主たる目的とする。 本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材と
して適用させた場合、静電像形成のための帯電処
理の際の電荷保持能が充分あり、通常の電子写真
法が極めて有効に適用され得る優れた電子写真特
性を有する光導電部材を提供することである。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得ることが容易にできる電子写真用の光導電
部材を提供することである。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性及び支持体との間に良好な電気的接
触性を有する光導電部材を提供することでもあ
る。 本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体
と、シリコン原子を母体とする非晶質材料で構成
された、光導電性を有する第一の非晶質層と、シ
リコン原子と炭素原子とハロゲン原子とを含む非
晶質材料で構成された第二の非晶質層とを有し、
前記第一の非晶質層が、前記支持体に接して設け
られ、構成原子として前記支持体側の方の一部領
域に偏在して酸素原子が含有された第一の層領域
と、層厚方向に連続的に不均一であつて、前記支
持体側の方に100atomic ppm以上の最大濃度を
有し前記第二の非晶質層側の界面側においては支
持体側に較べて低くされた部分を有する濃度分布
で周期律表第族に属する原子を含有する第二の
層領域を有し、前記第一の層領域と前記第二の層
領域は、前記支持体に接して設けられて少なくと
も前記第一の層領域と互いの一部を共有している
ことを特徴とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には帯電処理の際の電荷保持能に長け、画像
形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高SN比を有する
ものであつて耐光疲労、繰返し使用特性、殊に多
湿雰囲気中での繰返し使用特性に長け、濃度が高
く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高
い、高品質の可視画像を得ることができる。 以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
て詳細に説明する。 第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明
するために模式的に示した模式的構成図である。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）
から成り、光導電性を示す第一の非晶質層（）
１０２と第一の非晶質層（）１０２上に設けら
れた、シリコン原子と炭素原子とを構成原子とす
る非晶質材料で構成される第二の非晶質材料
（）１０７とを有する。 非晶質層（）１０２は、構成原子として酸素
原子を含有する第一の層領域(O)１０３、周期律表
第族に属する原子（第族原子）を含有する第
二の層領域(V)１０４、及び第二の層領域(V)１０４
上に、酸素原子及び第族原子が含有されてない
層領域１０６とから成る層構造を有する。 第一の層領域(O)１０３と層領域１０６との間に
設けられてる層領域１０５には第族原子は含有
されているが酸素原子は含有されていない。 第二の層領域(V)１０４に含有される第Ｖ族原子
は、層厚方向には連続的に不均一に分布し、又、
支持体１０１の表面に実質的に平行な面内におい
ては連続的に且つ実質的に均一に分布される。 本発明において第一の層領域(O)１０３中に含有
される酸素原子は、層厚方向及び支持体１０１の
表面に平行な面内において実質的に均一な分布状
態を形成する様に、第一の層領域(O)１０３の全層
領域に含有される。 本発明においては、第一の層領域(O)中に酸素原
子を含有することによつて、第一の非晶質層
（）が直接設けられる支持体との間の密着性の
向上が重点的に計られている。 第１図に示す場合の例の様な本発明の光導電部
材においては、非晶質層（）１０２の表面側部
分には、酸素原子及び第族原子が含有されない
層領域（第１図に示す層領域１０６に相当）を有
するが、第族原子は含有されているが、酸素原
子は含有されない層領域（第１図に示す層領域１
０５）は必ずしも設けられることを要しない。 即ち、例えば第１図において、第一の層領域(O)
１０３と第二の層領域(V)１０４とが同じ層領域で
あつても良いし、又、第一の層領域(O)１０３の中
に第二の層領域(V)１０４が設けられても良いもの
である。 本発明の光導電部材においては非晶質層（）
の一部を構成し酸素原子の含有される第一の層領
域(O)は、１つには非晶質層（）の支持体との密
着性の向上を計る目的の為に、又、非晶質層
（）の一部を構成し第Ｖ族原子の含有される第
二の層領域(V)は、１つには、非晶質層（）の自
由表面側より帯電処理を施された際支持体側より
非晶質層（）の内部に電荷が注入されるのを阻
止する目的の為に夫々、非晶質層（）の一部と
して支持体と非晶質層（）とが接合する層領域
として少なくとも互いの一部を共有する構造で設
けられる。 又、別には第二の層領域(V)の支持体と、或いは
第二の層領域(V)の上に直接設けられる層領域との
密着性の向上をより一層効果的に達成するには、
第一の層領域(O)を、支持体との接触界面から、第
二の層領域(V)を内包する様に設ける、詰り、支持
体との接触界面から第二の層領域(V)の上方まで、
第二の層領域(V)を貫いてる層構造となる様に第一
の層領域(O)を非晶質層（）中に設けるのが好ま
しいものである。 層領域(V)に含有される第族原子は、層厚方向
には連続的であつて且つ前記支持体の設けられて
ある側とは反対の側（第１図においては第二の非
晶質層（）１０７側）の方に対して前記支持体
側の方に多く分布する状態となる様に前記層領域
中(V)に含有されている。 本発明において、非晶質層（）を構成する第
二の層領域(V)中に含有される周期律表第族に属
する原子として使用されるのは、Ｐ（燐）、As（砒
素）Sb（アンチモン）、Bi（ビスマス）等であり、
殊に好適に用いられるのはＰ，Asである。 本発明においては、層領域(V)中に含有される第
族原子の分布状態は、層厚方向においては、前
記の様な分布状態を取り、支持体の表面と平行な
方向には実質的に均一な分布状態とされる。 第２図乃至第１０図には、本発明における光導
電部材の第一の非晶質層（）を構成する層領域
(V)中に含有される第族原子の層厚方向の分布状
態の典型的例が示される。 酸素原子は、本発明の場合、第一の層領域(O)の
全層領域中に前記した分布状態で万偏なく含有さ
れるので、第２図乃至第１０図の例において、以
後の説明では、酸素原子の含有される層領域(O)に
就ては、殊に説明を要しない限り言及しない。 第２図乃至第１０図において、横軸は第族原
子の含有量Ｃを、縦軸は、光導電性を示す第一の
非晶質層（）に設けられる、第族原子の含有
される層領域(V)の層厚を示し、tBは支持体側の界
面の位置を、tTは支持体側とは反対側の界面の位
置を示す。即ち、第族原子の含有される層領域
(V)はtB側よりもtT側に向つて層形成がなされる。 本発明においては、第族原子の含有される層
領域(V)は、光導電部材を構成するａ−Si（Ｈ，Ｘ）
から成り、光導電性を示す第一の非晶質層（）
の支持体側に偏在される。 第２図には、第一の非晶質層（）を構成する
層領域(V)中に含有される第族原子の層厚方向の
分布状態の第１の典型例が示される。 第２図に示される例では、第Ｖ族原子の含有さ
れる層領域(V)が形成される表面（第１図で示せば
支持体１０１の表面）と該層領域(V)の表面とが接
する境界面位置tBよりt1の位置までは、第族原
子の分布濃度ＣがC1なる一定の値を取り乍ら第
族原子が形成される層領域(V)に含有され、位置
t1よりは分布濃度C2より境界面tTに至るまで徐々
に連続的に減少されている。境界面位置tTにおい
ては第族原子の分布濃度ＣはC3とされる。 第３図に示される例においては、含有される第
族原子の分布濃度Ｃは位置tBより位置tTに至る
まで分布濃度C4から徐々に連続的に減少して位
置tTにおいて濃度C5となる様な分布状態を形成し
ている。 第４図の場合には、位置tBより位置t2までは第
族原子の分布濃度Ｃは濃度C6と一定値とされ、
位置t2と位置tTとの間において、徐々に連続的に
減少され、位置tTにおいて、分布濃度Ｃは実質的
に零とされている。 第５図の場合には、第族原子は位置tBより位
置tTに至るまで、分布濃度C8より連続的に徐々に
減少され、位置tTにおいて実質的に零とされてい
る。 第６図に示す例においては、第族原子の分布
濃度Ｃは、位置tBと位置t3間においては、分布濃
度C9と一定値であり、位置tTにおいては分布濃度
C10とされる。位置t3と位置tTとの間では、分布濃
度Ｃは一次関数的に位置tSより位置tTに至るまで
減少されている。 第７図に示される例においては、位置tBより位
置t4までは分布濃度C11の一定値を取り、位置t4よ
り位置tTまでは分布濃度C12より分布濃度C13まで
一次関数的に減少する分布状態とされている。 第８図に示す例においては、位置tBより位置tT
に至るまで、第族原子の分布濃度Ｃは濃度C14
より零に至る様に一次関数的に減少している。 第９図においては、位置tBより位置t5に至るま
では第族原子の分布濃度Ｃは、分布濃度C15よ
り分布濃度C16まで一次関数的に減少され、位置
t5と位置tTとの間においては、分布濃度C16の一定
値とされた例が示されている。 第１０図に示される例においては、第族原子
の分布濃度Ｃは位置tBにおいて分布濃度C17であ
り、位置t3に至るまではこの分布濃度C17より初
めはゆつくりと減少され、t6の位置付近において
は、急激に減少されて位置t6では分布濃度C13と
される。 位置t6と位置t7との間においては、初めは急激
に減少されて、その後は、緩かに徐々に減少され
て位置t7で分布濃度C19となり、位置t7と位置t3と
の間では、極めてゆつくりと徐々に減少されて位
置t8において、分布濃度C20に至る。位置t3と位置
tTの間においては、分布濃度C20より実質的に零
になる様に図に示す如き形状の曲線に従つて減少
されている。 以上、第２図乃至第１０図により、層領域(V)中
に含有される第族原子の層厚方向の分布状態の
典型例の幾つかを説明した様に、本発明において
は、支持体側において、第族原子の分布濃度Ｃ
の高い部分を有し、界面tT側においては、前記分
布濃度Ｃの支持体側に較べて低くされた部分を有
する分布状態で、第族原子が含有された層領域
(V)が非晶質層に設けられている。 本発明において、非晶質層を構成する第族原
子の含有されている層領域(V)は、好ましくは上記
した様に支持体側の方に第族原子が高濃度で含
有されている局在領域(A)を有する。 局在領域(A)は、第２図乃至第１０図に示す記号
を用いて説明すれば、界面位置tBより5μ以内に設
けられる。 本発明においては、上記局在領域(A)は、界面位
置tBより5μ厚までの全層領域LTとされる場合もあ
るし、又、層領域LTの一部とされる場合もある。 局在領域(A)を層領域LTの一部とするか又は全
部とするかは、形成される非晶質層に要求される
特性に従つて適宜決められる。 局在領域(A)はその中に含有される第族原子の
層厚方向の分布状態として第族原子の含有量分
布値（分布濃度値）の最大値Cmaxがシリコン原
子に対して通常は100atomic ppm以上、好適に
は150atomic ppm以上、最適には200atomic
ppm以上とされる様な分布状態となり得る様に層
形成されるのが望ましい。 即ち、本発明においては、第族原子の含有さ
れる層領域(V)は、支持体側からの層厚で5μ以内
（tBから5μ厚の層領域）に分布濃度の最大値
Cmaxが存在する様に形成される。 上記の様に層領域(V)中の支持体側の方に第族
原子が高濃度に含有されている局在領域(A)を設け
ることによつて支持体側からの非晶質層中への電
荷の注入により効果的に阻止することが出来る。 本発明において、第族原子の含有される前記
の層領域(V)中に含有される第族原子の含有量と
しては、本発明の目的が効果的に達成される様に
所望に従つて適宜決められるが、通常は30〜５×
104atomic ppm、好ましくは50〜１×104atomic
ppmとされるのが望ましいものである。第一の層
領域(O)中に含有される酸素原子の量に就ても形成
される光導電部材に要求される特性に応じて所望
に従つて適宜決められるが、通常の場合、0.001
〜50atomic％、好ましくは、0.002〜40atmoic％
最適には0.003〜30atomic％とされるのが望まし
いものである。 本発明の光導電部材においては、第族原子の
含有されている層領域(V)の層厚tB（第１図では層
領域１０３の層厚）と、層領域(V)の上に設けられ
た、第族原子の含有されていない層領域、即ち
層領域(V)を除いた部分の層領域(B)（第１図では層
領域１０６）の層厚Ｔとは、所望される特性の第
一の非晶質層（）が支持体上に形成される様に
層設計の際に適宜目的に従つて決定される。 本発明において、第族原子の含有される層領
域(V)の層厚tBとしては、通常30Å〜5μ、好適には
40Å〜4μ、最適には50Å〜3μとされ、層領域(B)
の層厚Ｔとしては、通常0.2〜95μ、好適適には
0.5〜76μ、最適には１〜47μとされるのが望まし
いものである。 又、前記層厚Ｔと層厚tBとの和（Ｔ＋tB）とし
ては、通常は１〜100μ、好適には１〜80μ、最適
には２〜50μとされるのが望ましいものである。 酸素原子の含有される層領域(O)の層厚tOとして
は、少なくともその一部の層領域を共有する層領
域(V)の層厚tBとの関係において適宜所望する目的
に従つて決定されるのが望ましい。即ち、層領域
(V)と、該層領域(V)と直に接触する支持体との間の
密着性の強化を計る目的であれば、層領域(O)は、
層領域(V)の支持体側端部層領域に少なくとも設け
られてあれば良いから、層領域(O)の層厚tOとして
は、高々層領域(V)の層厚tB分だけあれば良い。 又、層領域(V)と該層領域(V)上に直に設けられる
層領域（第１図で示せば層領域１０６に相当す
る）との間の密着性の強化を計るのであれば、層
領域(O)は、層領域(V)の支持体の設けてある側とは
反対の端部層領域に少なくとも設けてあれば良い
から、層領域(O)の層厚tOとしては、高々、層領域
(V)の層厚tB分だけあれば良い。 更に、上記２つの点を満足する場合を考慮すれ
ば、層領域(O)の層厚tOとしては、少なくとも層領
域(V)の層厚tB以上ある必要があり、且つ、この場
合は、層領域(O)中に層領域(V)が設けられた層構造
とされる必要がある。 層領域(V)と、該層領域(V)上に直に設けられる層
領域との間の密着性を一層効果的に計るには、層
領域(O)を層領域(V)の上方（支持体のある側とは反
対方向）に延在させるのが好ましいものである。 本発明においては、非晶質層（）の非晶質層
（）側端部層領域に酸素原子の含有されてない
部分を設け、層領域(O)を非晶質層（）の支持体
側に局所的に偏在させる必要があることから、層
領域(O)の層厚tOとしては、通常の場合、10Å〜
10μ、好適には、20Å〜8μ、最適には30Å〜5μと
されるのが望ましいものである。 本発明においては、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる非晶質層（）を形成するには例えばグロー
放電法、スパツタリング法、或いはイオンプレー
テイング法等の放電現象を利用する真空堆積法に
よつて成される。例えば、グロー放電法によつ
て、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成される非晶質層（）
を形成するには、基本的にはシリコン原子（Si）
を供給し得るSi供給用の原料ガスと共に、水素原
子(H)導入用の又は／及びハロゲン原子(X)導入用の
原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入
して、該堆積室内にグロー放電法を生起させ、予
め所定位置に設置されてある所定の支持体表面上
にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成させれば良
い。又、スパツタリング法で形成する場合には、
例えばAr，He等の不活性ガス又はこれ等のガス
をベースとした混合ガスの雰囲気中でSiで構成さ
れたターゲツトをスパツタリングする際、水素原
子(H)又は／及びハロゲン原子(X)導入用のガスをス
パツタリング用の堆積室に導入してやれば良い。 本発明において、必要に応じて非晶質層（）
中に含有されるハロゲン原子(X)としては、具体的
にはフツ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊
にフツ素、塩素を好適なものとして挙げることが
できる。 本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
としては、SiH4，Si2H6，Si3H8，Si4H10等のガ
ス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン
類）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊
に、層作成作業の扱い易さ、Si供給効率の良さ等
の点でSiH4，Si2H6が好ましいものとして挙げら
れる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン
化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換された
シラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハ
ロゲン化合物が好ましく挙げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む硅素化合物も有効なものとして
本発明においては挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF，ClF，ClF3，
BrF3，BrF3，IF3，IF7，ICl，IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF4，Si2F6，SiCl4，SiBr4等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、Siを供給し得る原料
ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、
所定の支持体上にハロゲン原子を含むａ−Siから
成る非晶質層（）を形成することが出来る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む非
晶質層（）を形成する場合、基本的には、Si供
給用の原料ガスであるハロゲン化硅素ガスとAr，
H2，He等のガス等を所定の混合比とガス流量に
なる様にして非晶質層（）を形成する堆積室に
導入し、グロー放電を生起してこれ等のガスのプ
ラズマ雰囲気を形成することによつて、所定の支
持体上に非晶質層（）を形成し得るものである
が、水素原子の導入を計る為にこれ等のガスに更
に水素原子を含む硅素化合物のガスも所定量混合
して層形成しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。 反応スパツタリング法或いはイオンプレーテイ
ング法に依つてａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成る非晶質
層（）を形成するには、例えばスパツタリング
法の場合にはSiから成るターゲツトを使用して、
これを所定のガスプラズマ雰囲気中でスパツタリ
ングし、イオンプレーテイング法の場合には、多
結晶シリコン又は単結晶シリコンを蒸発源として
蒸着ポートに収容し、このシリコン蒸発源を抵抗
加熱法、或いはエレクトロンビーム法（EB法）
等によつて加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガス
プラズマ雰囲気中を通過させることで行うことが
出来る。 この際、スパツタリング法、イオンプレーテイ
ング法の何れの場合にも形成される層中にハロゲ
ン原子を導入するには、前記のハロゲン化合物又
は前記のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを
堆積室中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形
成してやれば良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H2、或いは前記した
シラン類等のガスをスパツタリング用の堆積室中
に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してや
れば良い。 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF，HCl，
HBr，HI等のハロゲン化水素、SiH2F2，
SiH2I2，SiH2Cl2，SiHCl3，SiH2Br2，SiHBr3等
のハロゲン置換水素化硅素、等々のガス状態の或
いはガス化し得る、水素原子を構成要素の１つと
するハロゲン化合物も有効な非晶質層（）形成
用の出発物質てして挙げることが出来る。 これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、非晶
質層（）形成の際に層中にハロゲン原子の導入
と同時に電気的或いは光導電的特性の制御に極め
て有効な水素原子も導入されるので、本発明にお
いては好適なハロゲン原子導入用の原料として使
用される。 水素原子を非晶質層（）中に構造的に導入す
るには、上記の他にH2、或いはSiH4，Si2H6，
Si3H8，Si4H10等の水素化硅素のガスをSiを供給
する為のシリコン化合物と堆積室中に共存させて
放電を生起させることでも行うことが出来る。 例えば、反応スパツタリング法の場合には、Si
ターゲツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス
及びH2ガスを必要に応じてHe，Ar等の不活性ガ
スも含めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を
形成し、前記Siターゲツトをスパツタリングする
ことによつて、基板上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成
る非晶質層（）が形成される。 更には、不純物のドーピングも兼ねてB2H3等
のガスを導入してやることも出来る。 本発明において、形成される光導電部材の非晶
質層（）中に含有される水素原子(H)の量又はハ
ロゲン原子(X)の量又は水素原子とハロゲン原子の
量の和（Ｈ＋Ｘ）は通常の場合１〜40atomic％、
好適には５〜30atomic％とされるのが望ましい。 非晶質層（）中に含有される水素原子(H)又
は／及びハロゲン原子(X)の量を制御するには、例
えば支持体温度又は／及び水素原子(H)、或いはハ
ロゲン原子(X)を含有させる為に使用される出発物
質の堆積装置系内へ導入する量、放電々力等を制
御してやれば良い。 非晶質層（）に、第族原子を含有する層領
域(V)及び酸素原子を含有する層領域(O)を設けるに
は、グロー放電法や反応スパツタリング法等によ
る非晶質層（）の形成の際に、第族原子導入
用の出発物質及び酸素原子導入用の出発物質を
夫々前記した非晶質層（）形成用の出発物質と
共に使用して形成される層中にその量を制御し乍
ら含有してやることによつて成される。 非晶質層（）を構成する、酸素原子の含有さ
れる層領域(O)及び第族原子の含有される層領域
(V)を夫々形成するのにグロー放電法を用いる場
合、各層領域形成用の原料ガスとなる出発物質と
しては、前記した非晶質層（）形成用の出発物
質の中から所望に従つて選択されたものに、酸素
原子導入用の出発物質又は／及び第族原子導入
用の出発物質が加えられる。その様な酸素原子導
入用の出発物質又は第族原子導入用の出発物質
としては、少なくとも酸素原子或いは第族原子
を構成原子とするガス状の物質又はガス化し得る
物質をガス化したものの中の大概のものが使用さ
れ得る。 例えば層領域(O)を形成するのであれば、シリコ
ン原子（Si）を構成原子とする原料ガスと、酸素
原子(O)を構成原子とする原料ガスと、必要に応じ
て水素原子(H)又は／及びハロゲン原子(V)を構成原
子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使
用するか、又は、シリコン原子(X)を構成原子とす
る原料ガスと、酸素原子(O)及び水素原子(H)を構成
原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比
で混合するか、或いは、シリコン原子（Si）を構
成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Si）、
酸素原子(O)及び水素原子(H)の３つを構成原子とす
る原料ガスとを混合して使用することが出来る。 又、別には、シリコン原子（Si）と水素原子(H)
とを構成原子とする原料ガスに酸素原子(O)を構成
原子とする原料ガスを混合して使用しても良い。 酸素原子導入用の出発物質となるものとして具
体的には、例えば酸素（O2）、オゾン（O3）、一
酸化窒素（NO）、二酸化窒素（NO2）、一二酸化
窒素（N2O）、三二酸化窒素（N2O3）、四二酸化
窒素（N2O4）、五二酸化窒素（N2O5）、三酸化窒
素（NO3）、シリコン原子（Si）と酸素原子(O)と
水素原子(H)とを構成原子とする、例えば、ジシロ
キサンH3SiOSiH3、トリシロキサン
H3SiOSiH2OSiH3等の低級シロキサン等を挙げ
ることができる。 層領域(V)をグロー放電法を用いて形成する場合
に第族原子導入用の出発物質として、本発明に
おいて有効に使用されるのは、燐原子導入用とし
ては、PH3，P2H4等の水素化燐、PH4I，PF3，
PF5，PCl3，PCl5，PBr5，PBr5，PI3等のハロゲ
ン化燐が挙げられる。この他、AsH3，AsF3，
AsCl3，AsBr3，AsF5，SbH3，SbF3，SbF5，
SbCl3，SbCl3，BiH3，BiCl3，BiBr3等も第族
原子導入用の出発物質の有効なものとしと挙げる
ことが出来る。 第族原子を含有する層領域(V)に導入される第
族原子の含有量は、堆積室中に流入される第
族原子導入用の出発物質のガス流量、ガス流量
比、放電パワー、支持体温度、堆積室内の圧力等
を制御することによつて任意に制御され得る。 スパツターリング法によつて、酸素原子を含有
する層領域(O)を形成するには、単結晶又は多結晶
のSiウエーハー又はSiO2ウエーハー、又はSiと
SiO2が混合されて含有されているウエーハーを
ターゲツトとして、これ等を種々のガス雰囲気中
でスパツターリングすることによつて行えば良
い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／
及びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必
要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の
堆積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマ
を形成して前記Siウエーハーをスパツターリング
すれば良い。 又、別には、SiとSiO2とは別々のターゲツト
として、又はSiとSiO2の混合した一枚のターゲ
ツトを使用することによつて、スパツター用のガ
スとしての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも
水素原子(H)又は／及びハロゲン原子(X)を構成原子
として含有するガス雰囲気中でスパツターリング
することによつて成される。酸素原子導入用の原
料ガスとしては、先述したグロー放電の例で示し
た原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガスが、
スパツターリングの場合にも有効なガスとして使
用され得る。 本発明において、非晶質層（）をグロー放電
法で形成する際に使用される稀釈ガス、或いはス
パツタリング法で形成される際に使用されるスパ
ツターリング用のガスとしては、所謂稀釈ガス、
例えばHe，Ne，Ar等が好適なものとして挙げ
ることが出来る。 本発明の光導電部材においては、第族原子の
含有される層領域(V)の上に設けられ、第族原子
の含有されない層領域(B)（第１図では層領域１０
６に相当する）には、伝導特性を制御する物質を
含有させることにより、該層領域(B)の伝導特性を
所望に従つて任意に制御することが出来る。 この様な物質としては、所謂、半導体分野で云
われる不純物を挙げることが出来、本発明におい
ては、形成される非晶質層（）を構成するａ−
Si（Ｈ，Ｘ）に対して、Ｐ型伝導特性を与えるＰ
型不純物、具体的には、周期律表第族に属する
原子（第族原子）、例えば、Ｂ（硼素）、Al（ア
ルミニウム）、Ga（ガリウム）、In（インジウム）、
Tl（タリウム）等があり、殊に好適に用いられる
のは、Ｂ、Gaである。 本発明において、層領域(B)に含有される伝導特
性を制御する物質の含有量は、該層領域(B)に要求
される伝導特性、或いは該層領域(B)に直に接触し
て設けられる他の層領域の特性や、該他の層領域
との接触界面における特性との関係等、有機的関
連性において、適宜選択することが出来る。 本発明において、層領域(B)中に含有される伝導
特性を制御する物質の含有量としては、通常の場
合、0.001〜1000atomic ppm、好適には0.05〜
500atomic ppm、最適には0.1〜200atomic ppm
とされるのが望ましいものである。 層領域(B)中に伝導特性を制御する物質、例えば
第族原子を構造的に導入するには、層形成の際
に第族原子導入用の出発物質をガス状態で堆積
室中に、非晶質層を形成する為の他の出発物質と
共に導入してやれば良い。この様な第族原子導
入用の出発物質と成り得るものとしては、常温常
圧でガス状の又は、少なくとも層形成条件下で容
易にガス化し得るものが採用されるのが望まし
い。その様な第族原子導入用の出発物質として
具体的には硅素原子導入用としては、B2H6，
B4H10，B3H9，B5H11，B6H10，B6H12，B5H14
等の水素化硼素、BF3，BCl3，BBr3等のハロゲ
ン化硼素等が挙げられる。この他、AlCl3，
GaCl3，Ga（CH3）5，InCl3，TlCl3等も挙げるこ
とが出来る。 本発明の光導電部材においては、第１図に示し
た例において説明した様に、非晶質層（）を構
成する層領域(O)が、非晶質層（）において支持
体側の方に局所的に偏在されている場合を好適な
実施態様例とするが、本発明は、これに限定され
ることはなく、例えば、層領域(O)の層厚を酸素原
子の含有されない層領域の層厚に対して充分厚く
なる様に非晶質層（）を形成しても良いもので
ある。 この場合、非晶質層（）が光導電性を示すも
のとして作成される必要があることから、層領域
(O)中に含有される酸素原子の量の上限としては、
通常30atomic％、好適には10atomic％、最適に
は5atomic％とすることが望ましいものである。
下限としては、この場合も勿論前記した値とされ
る。 第１図に示される光導電部材１００においては
第一の非晶質層（）１０２上に形成される第二
の非晶質層（）１０７は自由表面１０８を有
し、主に耐湿性、連続繰返し使用特性、耐圧性、
使用環境特性、耐久性において本発明の目的を達
成する為に設けられる。 又、本発明においては、第一の非晶質層（）
１０２と第二の非晶質層（）１０７とを構成す
る非晶質材料の各々がシリコン原子という共通の
構成要素を有しているので、積層界面において化
学的な安定性の確保が充分成されている。 第二の非晶質材料（）１０７は、シリコン原
子と炭素原子とハロゲン原子(X)とで構成される非
晶質材料〔ａ−（SixC1-x）yX1-y、但し０＜ｘ，ｙ
＜１〕で形成される。 ａ−（SixC1-x）yX1-yで構成される第二の非晶質
層（）の形成はグロー放電法、スパツタリング
法、イオンプランテーシヨン法、イオンプレーテ
イング法、エレクトロンビーム法等によつて成さ
れる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投
下の負荷程度、製造規模、作製される光導電部材
に所望される特性等の要因によつて適宜選択され
て採用されるが、所望する特性を有する光導電部
材を製造する為の作製条件の制御が比較的容易で
ある、シリコン原子と共に炭素原子及びハロゲン
原子を、作製する第二の非晶質層（）中に導入
するのが容易に行える等の利点からグロー放電法
或いはスパツターリング法が好適に採用される。 更に、本発明においては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して第二
の非晶質層（）を形成しても良い。 グロー放電法によつて第二の非晶質層（）を
形成するには、ａ−（SixC1-x）yX1-y形成用の原料
ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比
で混合して、支持体の設置してある真空堆積用の
堆積室に導入し、導入されたガスを、グロー放電
を生起させることでガスプラズマ化して前記支持
体上に既に形成されてある第一の非晶質層（）
上にａ−（SixC1-x）yX1-yを堆積させれば良い。 本発明において、ａ−（SixC1-x）yX1-y形成用の
原料ガスとしては、Si，Ｃ，Ｘの中の少なくとも
１つを構成原子とするガス状の物質又はガス化し
得る物質をガス化したものの中の大概のものが使
用され得る。 Si，Ｃ，Ｘの中の１つとしてSiを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構成原
子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガ
スと、Ｘを構成原子とする原料ガスとを所望の混
合比で混合して使用するか、又は、Siを構成原子
とする原料ガスと、Ｃ及びＸを構成原子とする原
料ガスとを、これも又所望の混合比で混合する
か、或いは、Siを構成原子とする原料ガスと、
Si，Ｃ及びＸの３つを構成原子とする原料ガスと
を混合して使用することが出来る。 又、別には、SiとＸとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明において、第二の非晶質層（）中に含
有されるハロゲン原子(X)として好適なのはＦ，
Cl，Br，Ｉであり、殊にＦ，Clが望ましいもの
である。 本発明において、第二の非晶質層（）は、ａ
−（SixC1-x）yX1-yで構成されるものであるが、更
に水素原子を含有させることが出来る。 第二の非晶質層（）への水素原子の含有は、
第一の非晶質層（）との連続層形成の際に原料
ガス種の一部共通化を計ることが出来るので生産
コスト面の上で好都合である。 本発明において、第二の非晶質層（）を形成
するのに有効に使用される原料ガスと成り得るも
のとしては、常温常圧においてガス状態のもの又
は容易にガス化し得る物質を挙げることが出来
る。 この様な第二の非晶質層（）形成用の物質と
しては、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭
素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３
のアセチレン系炭化水素、ハロゲン単体、ハロゲ
ン化水素、ハロゲン間化合物、ハロゲン化硅素、
ハロゲン置換水素化硅素、水素化硅素等を挙げる
事が出来る。 具体的には、飽和炭化水素としてはメタン
（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン（C3H6）、ｎ
−ブタン（ｎ−C4H10）、ペンタン（C5H12）；エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C2H4）、
プロピレン（C3H6）、ブテン−１（C4H8）、ブテ
ン−２（C4H8）、イソブチレン（C4H8）、ペンテ
ン（C5H10）、アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C2H2）、メチルアセチレン
（C3H4）、ブチン（C4H6）、ハロゲン単体として
は、フツ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガ
ス、ハロゲン化水素としては、FH，HI，HCl，
HBr、ハロゲン間化合物としては、BrF，ClF，
ClF3，ClF5，BrF5，BrF3，IF7，IF5，ICl，IBr、
ハロゲン化硅素としてはSiF4，Si2F6，SiCl4，
SiCl3Br，SiCl2Br2，SiClBr3，SiCl3I，SiBr4、
ハロゲン置換水素化硅素としては、SiH2F2，
SiH2Cl2，SiHCl3，SiH3Cl、SiH3Br，SiH2Br2，
SiHBr3、水素化硅素としては、SiH4，Si2H6，
Si3H8，Si4H10等のシラン（Silane）類、等々を
挙げることが出来る。 これ等の他に、CCl4，CHF3，CH2F2，CH3F，
CH3Cl，CH3Br，CH3I，C2H5Cl等のハロゲン置
換パラフイン系炭化水素、SF4，SF6等のフツ素
化硫黄化合物、Si（CH3）4，Si（C2H5）4、等のケイ
化アルキルやSiCl（CH3）3，SiCl2（CH3）2，
SiCl3CH3等のハロゲン含有ケイ化アルキル等の
シラン誘導体も有効なものとして挙げることが出
来る。 これ等の第二の非晶質層（）形成物質は、形
成される第二の非晶質層（）中に、所定の組成
比でシリコン原子、炭素原子及びハロゲン原子と
必要に応じて水素原子とが含有される様に、第二
の非晶質層（）の形成の際に所望に従つて選択
されて使用される。 例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
の含有が容易に成し得て且つ所望の特性の層が形
成され得るSi（CH3）4と、ハロゲン原子を含有さ
せるものとしてのSiHCl3，SiCl4，SiH2Cl2、或
いはSiH3Cl等を所定の混合比にしてガス状態で
第二の非晶質層（）形成用の装置内に導入して
グロー放電を生起させることによつてａ−（Six
C1-x）y（Cl＋Ｈ）1-yから成る第二の非晶質層
（）を形成することが出来る。 スパツターリング法によつて第二の非晶質層
（）を形成するには、単結晶又は多結晶のSiウ
エーハー又はＣウエーハー又はSiとＣが混合され
て含有されているウエーハーをターゲツトとし
て、これ等をハロゲン原子と必要に応じて水素原
子を構成要素として含む種々のガス雰囲気中でス
パツターリングすることによつて行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＣとＸを導入する為の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツターリングす
れば良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、少なくともハロゲン原子を
含有するガス雰囲気中でスパツターリングするこ
とによつて成される。Ｃ及びＸ、必要に応じてＨ
の導入用の原料ガスとなる物質としては先述した
グロー放電の例で示した第二の非晶質層（）形
成用の物質がスパツターリング法の場合にも有効
な物質として使用され得る。 本発明において、第二の非晶質層（）のグロ
ー放電法又はスパツターリング法で形成する際に
使用される稀釈ガスとしては、所謂・希ガス、例
えばHe，Ne，Ar等が好適なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明における第二の非晶質層（）は、その
要求される特性が所望通りに与えられる様に注意
深く形成される。 即ち、Si，Ｃ及びＸ、必要に応じてＨを構成原
子とする物質は、その作成条件によつて構造的に
は結晶からアモルフアスまでの形態を取り、電気
物性的には、導電性から半導体性、絶縁性までの
間の性質を、又光導電的性質から非光導電的性質
までの間の性質を、各々示すので本発明において
は、目的に応じた所望の特性を有するａ−（Six
C1-x）yX1-yが形成される様に、所望に従つてその
作成条件の選択が厳密に成される。例えば、第二
の非晶質層（）を耐圧性の向上を主な目的とし
て設けるにはａ−（SixC1-x）yX1-yは使用環境にお
いて電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材料として
作成される。 又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上
を主たる目的として第二の非晶質層（）が設け
られる場合には上記の電気絶縁性の度合はある程
度緩和され、照射される光に対してある程度の感
度を有する非晶質材料としてａ−（SixC1-x）yX1-y
が作成される。 第一の非晶質層（）の表面にａ−（SixC1-x）y
X1-yから成る第二の非晶質層（）を形成する
際、層形成中の支持体温度は、形成される層の構
造及び特性を左右する重要な因子であつて、本発
明においては、目的とする特性を有するａ−（Six
C1-x）yX1-yが所望通りに作成され得る様に層作成
時の支持体温度が厳密に制御されるのが望まし
い。 本発明における、所望の目的が効果的に達成さ
れる為の第二の非晶質層（）の形成法に併せて
適宜最適範囲が選択されて、第二の非晶質層
（）の形成が実行されるが、通常の場合、50〜
350℃、好適には100〜250℃とされるのが望まし
いものである。第二の非晶質層（）の形成に
は、層を構成する原子の組成比の微妙な制御や層
厚の制御が他の方法に較べて比較的容易である事
等の為に、グロー放電法やスパツターリング法の
採用が有利であるが、これ等の層形成法で第二の
非晶質層（）を形成する場合には、前記の支持
体温度と同様に層形成の際の放電パワーが作成さ
れるａ−（SixC1-x）yX1-yの特性を左右する重要な
因子の１つである。 本発明における目的が達成される為の特性を有
するａ−（SixC1-x）yX1-yが生産性良く効果的に作
成される為の放電パワー条件としては通常10〜
300W、好適には20〜200Wである。 堆積室内のガス圧は通常は0.01〜1Torr、好適
には0.1〜0.5Torr程度とされるのが望ましい。 本発明においては第二の非晶質層（）を作成
する為の支持体温度、放電パワーの望ましい数値
範囲として前記した範囲の値が挙げられるが、こ
れ等の層作成フアクターは、独立的に別々に決め
られるものではなく、所望特性のａ−（SixC1-x）y
X1-yから成る第二の非晶質層（）が形成され
る様に相互的有機的関連性に基づいて各層作成フ
アクターの最適値が決められるのが望ましい。 本発明の光導電部材における第二の非晶質層
（）に含有される炭素原子及びハロゲン原子の
量は、第二の非晶質層（）の作製条件と同様、
本発明の目的を達成する所望の特性が得られる第
二の非晶質層（）が形成される重要な因子であ
る。 本発明における第二の非晶質層（）に含有さ
れる炭素原子の量は通常１×10-3〜90atomic％、
好適には１〜90atomic％、最適には10〜
80atomic％とされるのが望ましいものである。
ハロゲン原子の含有量としては、通常の場合、１
〜20atomic％、好適には１〜18atomic％、最適
には２〜15atomic％とされるのが望ましく、こ
れ等の範囲にハロゲン原子含有量がある場合に、
作成される光導電部材を実際面に充分適用させ得
るものである。必要に応じて含有される水素原子
の含有量としては、通常の場合19atomic％、好
適には13atomic％以下とされるのが望ましいも
のである。即ち先のａ−（SixC1-x）yX1-yのｘ，ｙ
表示で行えばｘが通常0.1〜0.99999、好適には0.1
〜0.99、最適には0.15〜0.9、ｙが通常0.8〜0.99、
好適には0.82〜0.99で最適には0.85〜0.98あるの
が望ましい。ハロゲン原子と水素原子の両方が含
まれる場合、先と同様のａ−（SixC1-x）y（Ｈ＋
Ｘ）1-yの表示で行えばこの場合のｘ，ｙの数値範
囲ａ−（SixC1-x）yX1-yの場合と、略々同様であ
る。 本発明における第二の非晶質層（）の層厚の
数値範囲は、本発明の目的を効果的に達成する為
の重要な因子の１つである。 本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目
的に応じて適宜所望に従つて決められる。 又、第二の非晶質層（）の層厚は、第一の層
領域(O)１０３の層厚との関係においても、各々の
層領域に要求される特性に応じた有機的な関連性
の下に所望に従つて適宜決定される必要がある。 更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経
済性の点においても考慮されるのが望ましい。本
発明における第二の非晶質層（）の層厚として
は、通常0.003〜30μ、好適には0.004〜20μ、最適
には0.005〜10μ、とされるのが望ましいものであ
る。 本発明において使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NiCr、ステンレス、Al，
Cr，Mo，Au，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルロース、ア
セテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等
の合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラ
ミツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶
縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr，
Al，Cr，Mo，Au，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，
Pd，In2O3，SnO2，ITO（In2O3＋SnO2）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr，Al，Ag，Pb，Zn，Ni，
Au，Cr，Mo，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタ
ーリング等でその表面に設け、又は前記金属でそ
の表面をラミネート処理して、その表面に導電性
が付与される。支持体の形状としては、円筒状、
ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望によつ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１図の
光導電部材１００を電子写真用像形成部材として
使用するのであれば連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される
様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能が充
分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされ
る。而乍ら、この様な場合支持体の製造上及び取
扱い上、機械的強度等の点から、通常は10μ以上
とされる。 次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概
略について説明する。 第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示
す。 図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、
本発明の夫々の層を形成するための原料ガスが密
封されており、その１例として例えば１１０２
は、Heで稀釈されたSiH4ガス（純度99.999％、
以下SiH4／Heと略す。）ボンベ、１１０３はHe
で稀釈されたB2H6ガス（純度99.999％、以下
B2H6／Heと略す。）ボンベ、１１０４はHeで稀
釈されたPH3ガス（純度99.99％、以下PH3／He
と略す。）ボンベ、１１０５はHeで稀釈された
SiF4ガス（純度99.999％、以下SiF4／Heと略
す。）ボンベ、１１０６はNOガス又はC2H4ガス
（純度99.99％）用のボンベである。 これらのガスを反応室１１０１に流入させるに
はガスボンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２
２〜１１２６、リークバルブ１１３５が閉じられ
ていることを確認し、又、流入バルブ１１１２〜
１１１６、流出バルブ１１１７〜１１２１、補助
バルブ１１３２が開かれていることを確認して、
先づメインバルブ１１３４を開いて反応室１１０
１、ガス配管内を排気する。次に真空計１１３６
の読みが約５×10-6torrになつた時点で、補助バ
ルブ１１３２、流出バルブ１１１７〜１１２１を
閉じる。 基体１１３７上に第一の非晶質層（）を形成
する場合の１例をあげると、ガスボンベ１１０２
よりSiH4／Heガス、ガスボンベ１１０４より
PH3／Heガス、ガスボンベ１１０６よりNOガス
をバルブ１１２２，１１２４，１１２６を開いて
出口圧ゲージ１１２７，１１２９，１１３０の圧
を１Kg／cm2に調整し、流入バルブ１１１２，１１
１４，１１１６を徐々に開けて、マスフロコント
ローラ１１０７，１１０９，１１１１内に夫々流
入させる。引き続いて流出バルブ１１１７，１１
１９，１１２１、補助バルブ１１３２，１１３３
を徐々に開いて夫々のガスを反応室１１０１に流
入させる。このときのSiH4／Heガス流量と
PH3／Heガス流量とNOガス流量との比が所望の
値になるように流出バルブ１１１７，１１１９，
１１２１を夫々調整し、又、反応室１１０１内の
圧力が所望の値になるように真空計１１３６の読
みを見ながらメインバルブ１１３４の開口を調整
する。そして基体１１３７の温度が加熱ヒーター
１１３８により50〜400℃の範囲の温度に設定さ
れていることを確認された後、電源１１４０を所
望の電力に設定して反応室１１０１内にグロー放
電を生起させ、同時にあらかじめ設計された変化
率曲線に従つてPH3／Heガスの流量を手動或い
は外部駆動モータ等の方法によつてバルブ１１１
８を漸次変化させる操作を行つて形成される層中
に含有される燐原子(P)の分布濃度を制御する。上
記の様にして基体１１３７上に先づ燐原子と酸素
原子の含有された層領域（Ｐ，Ｏ）を形成する。 この際、PH3／Heガス、或いはNOガスの反応
室１１０１内への導入を各対応するガス導入管の
バルブを閉じることによつて遮断することで、燐
原子の含有される層領域、或いは、酸素原子の含
有される層領域の層厚を所望に従つて任意に制御
することが出来る。 燐原子と酸素原子が夫々含有された層領域
（Ｐ，Ｏ）が上記の様にして所望層厚に形成され
た後、流出バルブ１１１９，１１２１の夫々を閉
じて、引き続きグロー放電を所望時間続けること
によつて、燐原子と酸素原子が夫々含有された層
領域（Ｐ，Ｏ）上に、燐原子及び酸素原子の含有
されない層領域が所望の層厚に形成されて、第一
の非晶質層（）の形成が終了する。 第一の非晶質層（）中にハロゲン原子を含有
させる場合には上記のガスに、例えばSiF4／He
を、更に付加して反応室１１０１内に送り込む。 第一の非晶質層（）上に第二の非晶質層
（）を形成するには、例えば次の様に行う。ま
ずシヤツター１１４２を開く。すべてのガス供給
バルブは一旦閉じられ、反応室１１０１は、メイ
ンバルブ１１３４を全開することにより、排気さ
れる。 高圧電力が印加される電極１１４１上には、あ
らかじめ高純度シリコンウエーハー１１４２−
１、及び高純度グラフアイトウエーハー１１４２
−２が所望の面積比率で設置されたターゲツトが
設けられている。あらかじめSiF4／Arガスを充
填しておいたガスボンベ１１０５よりSiF4／Ar
ガスを、反応室１１０１内に導入し、反応室１１
０１の内圧が0.05〜1torrとなるようメインバル
ブ１１３４を調節する。高圧電源をONとし前記
のターゲツトをスパツターリングすることによ
り、第一の非晶質層（）上に第二の非晶質層
（）を形成することが出来る。 第二の非晶質層（）を形成する他の方法とし
ては、第一の非晶質層（）の形成の際と同様な
バルブ操作によつて例えば、SiH4ガス、SiF4ガ
ス、C2H4ガスの夫々を必要に応じてHe等の稀釈
ガスで稀釈して、所望の流量比で反応室１１０１
中に流し、所望の条件に従つてグロー放電を生起
させることによつて成される。 夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バル
ブ以外の流出バルブは全て閉じることは言うまで
もなく、又夫々の層を形成する際、前層の形成に
使用したガスが反応室１１０１内、流出バルブ１
１１７〜１１２１から反応室１１０１内に至るガ
ス配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ１１１７〜１１２１を閉じ補助バルブ１１３
２を開いてメインバルブ１１３４を全開して系内
を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行
う。 実施例 １ 第１１図に示した製造装置により、アルミニウ
ム基体上に、以下の第１表に示す条件で層形成を
行つた。 こうして得られた像形成部材を帯電露光現像装
置に設置し、5KVで0.2sec間コロナ放電を行い
直ちに光像を照射した。光源はタングステンラン
プを用い、1.0lux・secの光量を、透過型のテス
トチヤートを用いて照射した。 その後直ちに荷電性の現像剤（トナーとキヤ
リヤを含む）を部材表面をカスケードすることに
よつて、部材表面上に良好なトナー画像を得た。 このようにして得られたトナー像を、一旦ゴム
ブレードでクリーニングし、再び上記作像クリー
ニング工程を繰り返した。繰り返し回数15万回以
上行つても、画像の劣化は見られなかつた。
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある光導電部材に関す
る。 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。
殊に、事務機としてオフイスで使用される電子写
真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場
合には、上記の使用時における無公害性は重要な
点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び耐湿
性等の使用環境特性の点、更には経時的安定性の
点において、総合的な特性向上を図る必要がある
という更に改良される可き点が存するのが実情で
ある。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に図ろうとす
ると従来においてはその使用時において残留電位
が残る場合が度々観測され、この種の光導電部材
は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用によ
る疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴース
ト現象を発する様になる等の不都合な点が少なく
なかつた。 又は例えば、本発明者等の多くの実験によれ
ば、電子写真用像形成部材の光導電層を構成する
材料としてのａ−Siは、従来のSe，CdS，ZnO等
の無機光導電材料或いはPVCzやTNF等の有機
光導電材料に較べて、数多くの利点を有するが、
従来の太陽電池用として使用するための特性が付
与されたａ−Siから成る単層構成の光導電層を有
する電子写真用像形成部材の上記光導電層に静電
像形成のための帯電処理を施しても暗減衰
（dark decay）が著しく速く、通常の電子写真法
が仲々適用され難いこと、及び多湿雰囲気中にお
いては、上記傾向が著しく、場合によつては現像
時間まで帯電々荷を殆んど保持し得ないことがあ
る等、解決され得る可き点が存在していることが
判明している。 更に、ａ−Si材料で光導電層を構成する場合に
は、その電気的、光導電的特性の改良を図るため
に、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロ
ゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼素原
子や燐原子等が或いはその他の特性改良のために
他の原子が、各々構成原子として光導電層中に含
有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方如何
によつては、形成した層の電気的或いは光導電的
特性に問題が生ずる場合がある。 即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射に
よつて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命
が充分でないこと、或いは暗部において、支持体
側よりの電荷の注入の阻止が充分でないこと等が
生ずる場合が少なくない。 従つて、ａ−Si材料そのものの特性改良が図ら
れる一方で光導電部材を設計する際に、上記した
様な所望の電気的、光学的及び光導電的特性が得
られる様に工夫される必要がある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、シリコン原子を母体と
し、水素原子(H)又はハロゲン原子(X)のいずれか一
方を少なくとも含有するアモルフアス材料（非晶
質材料）、所謂水素化アモルフアスシリコン、ハ
ロゲン化アモルフアスシリコン、或いはハロゲン
含有水素化アモルフアスシリコン〔以後これ等の
総称的表記として「ａ−Si（Ｈ，Ｘ）」を使用す
る〕から構成される光導電層を有する光導電部材
の層構成を特定化する様に設計されて作成された
光導電部材は実用上著しく優れた特性を示すばか
りでなく、従来の光導電部材と較べてみてもあら
ゆる点において凌駕していること、殊に電子写真
用の光導電部材として著しく優れた特性を有して
いることを見出した点に基づいている。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が殆ん
ど使用環境に制御を受けず常時安定している全環
境型であり、耐光疲労に著しく長け、繰返し使用
に際しても劣化現象を起さず耐久性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を
提供することを主たる目的とする。 本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材と
して適用させた場合、静電像形成のための帯電処
理の際の電荷保持能が充分あり、通常の電子写真
法が極めて有効に適用され得る優れた電子写真特
性を有する光導電部材を提供することである。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得ることが容易にできる電子写真用の光導電
部材を提供することである。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性及び支持体との間に良好な電気的接
触性を有する光導電部材を提供することでもあ
る。 本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体
と、シリコン原子を母体とする非晶質材料で構成
された、光導電性を有する第一の非晶質層と、シ
リコン原子と炭素原子とハロゲン原子とを含む非
晶質材料で構成された第二の非晶質層とを有し、
前記第一の非晶質層が、前記支持体に接して設け
られ、構成原子として前記支持体側の方の一部領
域に偏在して酸素原子が含有された第一の層領域
と、層厚方向に連続的に不均一であつて、前記支
持体側の方に100atomic ppm以上の最大濃度を
有し前記第二の非晶質層側の界面側においては支
持体側に較べて低くされた部分を有する濃度分布
で周期律表第族に属する原子を含有する第二の
層領域を有し、前記第一の層領域と前記第二の層
領域は、前記支持体に接して設けられて少なくと
も前記第一の層領域と互いの一部を共有している
ことを特徴とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には帯電処理の際の電荷保持能に長け、画像
形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高SN比を有する
ものであつて耐光疲労、繰返し使用特性、殊に多
湿雰囲気中での繰返し使用特性に長け、濃度が高
く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高
い、高品質の可視画像を得ることができる。 以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
て詳細に説明する。 第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明
するために模式的に示した模式的構成図である。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）
から成り、光導電性を示す第一の非晶質層（）
１０２と第一の非晶質層（）１０２上に設けら
れた、シリコン原子と炭素原子とを構成原子とす
る非晶質材料で構成される第二の非晶質材料
（）１０７とを有する。 非晶質層（）１０２は、構成原子として酸素
原子を含有する第一の層領域(O)１０３、周期律表
第族に属する原子（第族原子）を含有する第
二の層領域(V)１０４、及び第二の層領域(V)１０４
上に、酸素原子及び第族原子が含有されてない
層領域１０６とから成る層構造を有する。 第一の層領域(O)１０３と層領域１０６との間に
設けられてる層領域１０５には第族原子は含有
されているが酸素原子は含有されていない。 第二の層領域(V)１０４に含有される第Ｖ族原子
は、層厚方向には連続的に不均一に分布し、又、
支持体１０１の表面に実質的に平行な面内におい
ては連続的に且つ実質的に均一に分布される。 本発明において第一の層領域(O)１０３中に含有
される酸素原子は、層厚方向及び支持体１０１の
表面に平行な面内において実質的に均一な分布状
態を形成する様に、第一の層領域(O)１０３の全層
領域に含有される。 本発明においては、第一の層領域(O)中に酸素原
子を含有することによつて、第一の非晶質層
（）が直接設けられる支持体との間の密着性の
向上が重点的に計られている。 第１図に示す場合の例の様な本発明の光導電部
材においては、非晶質層（）１０２の表面側部
分には、酸素原子及び第族原子が含有されない
層領域（第１図に示す層領域１０６に相当）を有
するが、第族原子は含有されているが、酸素原
子は含有されない層領域（第１図に示す層領域１
０５）は必ずしも設けられることを要しない。 即ち、例えば第１図において、第一の層領域(O)
１０３と第二の層領域(V)１０４とが同じ層領域で
あつても良いし、又、第一の層領域(O)１０３の中
に第二の層領域(V)１０４が設けられても良いもの
である。 本発明の光導電部材においては非晶質層（）
の一部を構成し酸素原子の含有される第一の層領
域(O)は、１つには非晶質層（）の支持体との密
着性の向上を計る目的の為に、又、非晶質層
（）の一部を構成し第Ｖ族原子の含有される第
二の層領域(V)は、１つには、非晶質層（）の自
由表面側より帯電処理を施された際支持体側より
非晶質層（）の内部に電荷が注入されるのを阻
止する目的の為に夫々、非晶質層（）の一部と
して支持体と非晶質層（）とが接合する層領域
として少なくとも互いの一部を共有する構造で設
けられる。 又、別には第二の層領域(V)の支持体と、或いは
第二の層領域(V)の上に直接設けられる層領域との
密着性の向上をより一層効果的に達成するには、
第一の層領域(O)を、支持体との接触界面から、第
二の層領域(V)を内包する様に設ける、詰り、支持
体との接触界面から第二の層領域(V)の上方まで、
第二の層領域(V)を貫いてる層構造となる様に第一
の層領域(O)を非晶質層（）中に設けるのが好ま
しいものである。 層領域(V)に含有される第族原子は、層厚方向
には連続的であつて且つ前記支持体の設けられて
ある側とは反対の側（第１図においては第二の非
晶質層（）１０７側）の方に対して前記支持体
側の方に多く分布する状態となる様に前記層領域
中(V)に含有されている。 本発明において、非晶質層（）を構成する第
二の層領域(V)中に含有される周期律表第族に属
する原子として使用されるのは、Ｐ（燐）、As（砒
素）Sb（アンチモン）、Bi（ビスマス）等であり、
殊に好適に用いられるのはＰ，Asである。 本発明においては、層領域(V)中に含有される第
族原子の分布状態は、層厚方向においては、前
記の様な分布状態を取り、支持体の表面と平行な
方向には実質的に均一な分布状態とされる。 第２図乃至第１０図には、本発明における光導
電部材の第一の非晶質層（）を構成する層領域
(V)中に含有される第族原子の層厚方向の分布状
態の典型的例が示される。 酸素原子は、本発明の場合、第一の層領域(O)の
全層領域中に前記した分布状態で万偏なく含有さ
れるので、第２図乃至第１０図の例において、以
後の説明では、酸素原子の含有される層領域(O)に
就ては、殊に説明を要しない限り言及しない。 第２図乃至第１０図において、横軸は第族原
子の含有量Ｃを、縦軸は、光導電性を示す第一の
非晶質層（）に設けられる、第族原子の含有
される層領域(V)の層厚を示し、tBは支持体側の界
面の位置を、tTは支持体側とは反対側の界面の位
置を示す。即ち、第族原子の含有される層領域
(V)はtB側よりもtT側に向つて層形成がなされる。 本発明においては、第族原子の含有される層
領域(V)は、光導電部材を構成するａ−Si（Ｈ，Ｘ）
から成り、光導電性を示す第一の非晶質層（）
の支持体側に偏在される。 第２図には、第一の非晶質層（）を構成する
層領域(V)中に含有される第族原子の層厚方向の
分布状態の第１の典型例が示される。 第２図に示される例では、第Ｖ族原子の含有さ
れる層領域(V)が形成される表面（第１図で示せば
支持体１０１の表面）と該層領域(V)の表面とが接
する境界面位置tBよりt1の位置までは、第族原
子の分布濃度ＣがC1なる一定の値を取り乍ら第
族原子が形成される層領域(V)に含有され、位置
t1よりは分布濃度C2より境界面tTに至るまで徐々
に連続的に減少されている。境界面位置tTにおい
ては第族原子の分布濃度ＣはC3とされる。 第３図に示される例においては、含有される第
族原子の分布濃度Ｃは位置tBより位置tTに至る
まで分布濃度C4から徐々に連続的に減少して位
置tTにおいて濃度C5となる様な分布状態を形成し
ている。 第４図の場合には、位置tBより位置t2までは第
族原子の分布濃度Ｃは濃度C6と一定値とされ、
位置t2と位置tTとの間において、徐々に連続的に
減少され、位置tTにおいて、分布濃度Ｃは実質的
に零とされている。 第５図の場合には、第族原子は位置tBより位
置tTに至るまで、分布濃度C8より連続的に徐々に
減少され、位置tTにおいて実質的に零とされてい
る。 第６図に示す例においては、第族原子の分布
濃度Ｃは、位置tBと位置t3間においては、分布濃
度C9と一定値であり、位置tTにおいては分布濃度
C10とされる。位置t3と位置tTとの間では、分布濃
度Ｃは一次関数的に位置tSより位置tTに至るまで
減少されている。 第７図に示される例においては、位置tBより位
置t4までは分布濃度C11の一定値を取り、位置t4よ
り位置tTまでは分布濃度C12より分布濃度C13まで
一次関数的に減少する分布状態とされている。 第８図に示す例においては、位置tBより位置tT
に至るまで、第族原子の分布濃度Ｃは濃度C14
より零に至る様に一次関数的に減少している。 第９図においては、位置tBより位置t5に至るま
では第族原子の分布濃度Ｃは、分布濃度C15よ
り分布濃度C16まで一次関数的に減少され、位置
t5と位置tTとの間においては、分布濃度C16の一定
値とされた例が示されている。 第１０図に示される例においては、第族原子
の分布濃度Ｃは位置tBにおいて分布濃度C17であ
り、位置t3に至るまではこの分布濃度C17より初
めはゆつくりと減少され、t6の位置付近において
は、急激に減少されて位置t6では分布濃度C13と
される。 位置t6と位置t7との間においては、初めは急激
に減少されて、その後は、緩かに徐々に減少され
て位置t7で分布濃度C19となり、位置t7と位置t3と
の間では、極めてゆつくりと徐々に減少されて位
置t8において、分布濃度C20に至る。位置t3と位置
tTの間においては、分布濃度C20より実質的に零
になる様に図に示す如き形状の曲線に従つて減少
されている。 以上、第２図乃至第１０図により、層領域(V)中
に含有される第族原子の層厚方向の分布状態の
典型例の幾つかを説明した様に、本発明において
は、支持体側において、第族原子の分布濃度Ｃ
の高い部分を有し、界面tT側においては、前記分
布濃度Ｃの支持体側に較べて低くされた部分を有
する分布状態で、第族原子が含有された層領域
(V)が非晶質層に設けられている。 本発明において、非晶質層を構成する第族原
子の含有されている層領域(V)は、好ましくは上記
した様に支持体側の方に第族原子が高濃度で含
有されている局在領域(A)を有する。 局在領域(A)は、第２図乃至第１０図に示す記号
を用いて説明すれば、界面位置tBより5μ以内に設
けられる。 本発明においては、上記局在領域(A)は、界面位
置tBより5μ厚までの全層領域LTとされる場合もあ
るし、又、層領域LTの一部とされる場合もある。 局在領域(A)を層領域LTの一部とするか又は全
部とするかは、形成される非晶質層に要求される
特性に従つて適宜決められる。 局在領域(A)はその中に含有される第族原子の
層厚方向の分布状態として第族原子の含有量分
布値（分布濃度値）の最大値Cmaxがシリコン原
子に対して通常は100atomic ppm以上、好適に
は150atomic ppm以上、最適には200atomic
ppm以上とされる様な分布状態となり得る様に層
形成されるのが望ましい。 即ち、本発明においては、第族原子の含有さ
れる層領域(V)は、支持体側からの層厚で5μ以内
（tBから5μ厚の層領域）に分布濃度の最大値
Cmaxが存在する様に形成される。 上記の様に層領域(V)中の支持体側の方に第族
原子が高濃度に含有されている局在領域(A)を設け
ることによつて支持体側からの非晶質層中への電
荷の注入により効果的に阻止することが出来る。 本発明において、第族原子の含有される前記
の層領域(V)中に含有される第族原子の含有量と
しては、本発明の目的が効果的に達成される様に
所望に従つて適宜決められるが、通常は30〜５×
104atomic ppm、好ましくは50〜１×104atomic
ppmとされるのが望ましいものである。第一の層
領域(O)中に含有される酸素原子の量に就ても形成
される光導電部材に要求される特性に応じて所望
に従つて適宜決められるが、通常の場合、0.001
〜50atomic％、好ましくは、0.002〜40atmoic％
最適には0.003〜30atomic％とされるのが望まし
いものである。 本発明の光導電部材においては、第族原子の
含有されている層領域(V)の層厚tB（第１図では層
領域１０３の層厚）と、層領域(V)の上に設けられ
た、第族原子の含有されていない層領域、即ち
層領域(V)を除いた部分の層領域(B)（第１図では層
領域１０６）の層厚Ｔとは、所望される特性の第
一の非晶質層（）が支持体上に形成される様に
層設計の際に適宜目的に従つて決定される。 本発明において、第族原子の含有される層領
域(V)の層厚tBとしては、通常30Å〜5μ、好適には
40Å〜4μ、最適には50Å〜3μとされ、層領域(B)
の層厚Ｔとしては、通常0.2〜95μ、好適適には
0.5〜76μ、最適には１〜47μとされるのが望まし
いものである。 又、前記層厚Ｔと層厚tBとの和（Ｔ＋tB）とし
ては、通常は１〜100μ、好適には１〜80μ、最適
には２〜50μとされるのが望ましいものである。 酸素原子の含有される層領域(O)の層厚tOとして
は、少なくともその一部の層領域を共有する層領
域(V)の層厚tBとの関係において適宜所望する目的
に従つて決定されるのが望ましい。即ち、層領域
(V)と、該層領域(V)と直に接触する支持体との間の
密着性の強化を計る目的であれば、層領域(O)は、
層領域(V)の支持体側端部層領域に少なくとも設け
られてあれば良いから、層領域(O)の層厚tOとして
は、高々層領域(V)の層厚tB分だけあれば良い。 又、層領域(V)と該層領域(V)上に直に設けられる
層領域（第１図で示せば層領域１０６に相当す
る）との間の密着性の強化を計るのであれば、層
領域(O)は、層領域(V)の支持体の設けてある側とは
反対の端部層領域に少なくとも設けてあれば良い
から、層領域(O)の層厚tOとしては、高々、層領域
(V)の層厚tB分だけあれば良い。 更に、上記２つの点を満足する場合を考慮すれ
ば、層領域(O)の層厚tOとしては、少なくとも層領
域(V)の層厚tB以上ある必要があり、且つ、この場
合は、層領域(O)中に層領域(V)が設けられた層構造
とされる必要がある。 層領域(V)と、該層領域(V)上に直に設けられる層
領域との間の密着性を一層効果的に計るには、層
領域(O)を層領域(V)の上方（支持体のある側とは反
対方向）に延在させるのが好ましいものである。 本発明においては、非晶質層（）の非晶質層
（）側端部層領域に酸素原子の含有されてない
部分を設け、層領域(O)を非晶質層（）の支持体
側に局所的に偏在させる必要があることから、層
領域(O)の層厚tOとしては、通常の場合、10Å〜
10μ、好適には、20Å〜8μ、最適には30Å〜5μと
されるのが望ましいものである。 本発明においては、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる非晶質層（）を形成するには例えばグロー
放電法、スパツタリング法、或いはイオンプレー
テイング法等の放電現象を利用する真空堆積法に
よつて成される。例えば、グロー放電法によつ
て、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成される非晶質層（）
を形成するには、基本的にはシリコン原子（Si）
を供給し得るSi供給用の原料ガスと共に、水素原
子(H)導入用の又は／及びハロゲン原子(X)導入用の
原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入
して、該堆積室内にグロー放電法を生起させ、予
め所定位置に設置されてある所定の支持体表面上
にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成させれば良
い。又、スパツタリング法で形成する場合には、
例えばAr，He等の不活性ガス又はこれ等のガス
をベースとした混合ガスの雰囲気中でSiで構成さ
れたターゲツトをスパツタリングする際、水素原
子(H)又は／及びハロゲン原子(X)導入用のガスをス
パツタリング用の堆積室に導入してやれば良い。 本発明において、必要に応じて非晶質層（）
中に含有されるハロゲン原子(X)としては、具体的
にはフツ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊
にフツ素、塩素を好適なものとして挙げることが
できる。 本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
としては、SiH4，Si2H6，Si3H8，Si4H10等のガ
ス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン
類）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊
に、層作成作業の扱い易さ、Si供給効率の良さ等
の点でSiH4，Si2H6が好ましいものとして挙げら
れる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン
化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換された
シラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハ
ロゲン化合物が好ましく挙げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む硅素化合物も有効なものとして
本発明においては挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF，ClF，ClF3，
BrF3，BrF3，IF3，IF7，ICl，IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF4，Si2F6，SiCl4，SiBr4等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、Siを供給し得る原料
ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、
所定の支持体上にハロゲン原子を含むａ−Siから
成る非晶質層（）を形成することが出来る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む非
晶質層（）を形成する場合、基本的には、Si供
給用の原料ガスであるハロゲン化硅素ガスとAr，
H2，He等のガス等を所定の混合比とガス流量に
なる様にして非晶質層（）を形成する堆積室に
導入し、グロー放電を生起してこれ等のガスのプ
ラズマ雰囲気を形成することによつて、所定の支
持体上に非晶質層（）を形成し得るものである
が、水素原子の導入を計る為にこれ等のガスに更
に水素原子を含む硅素化合物のガスも所定量混合
して層形成しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。 反応スパツタリング法或いはイオンプレーテイ
ング法に依つてａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成る非晶質
層（）を形成するには、例えばスパツタリング
法の場合にはSiから成るターゲツトを使用して、
これを所定のガスプラズマ雰囲気中でスパツタリ
ングし、イオンプレーテイング法の場合には、多
結晶シリコン又は単結晶シリコンを蒸発源として
蒸着ポートに収容し、このシリコン蒸発源を抵抗
加熱法、或いはエレクトロンビーム法（EB法）
等によつて加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガス
プラズマ雰囲気中を通過させることで行うことが
出来る。 この際、スパツタリング法、イオンプレーテイ
ング法の何れの場合にも形成される層中にハロゲ
ン原子を導入するには、前記のハロゲン化合物又
は前記のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを
堆積室中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形
成してやれば良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H2、或いは前記した
シラン類等のガスをスパツタリング用の堆積室中
に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してや
れば良い。 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF，HCl，
HBr，HI等のハロゲン化水素、SiH2F2，
SiH2I2，SiH2Cl2，SiHCl3，SiH2Br2，SiHBr3等
のハロゲン置換水素化硅素、等々のガス状態の或
いはガス化し得る、水素原子を構成要素の１つと
するハロゲン化合物も有効な非晶質層（）形成
用の出発物質てして挙げることが出来る。 これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、非晶
質層（）形成の際に層中にハロゲン原子の導入
と同時に電気的或いは光導電的特性の制御に極め
て有効な水素原子も導入されるので、本発明にお
いては好適なハロゲン原子導入用の原料として使
用される。 水素原子を非晶質層（）中に構造的に導入す
るには、上記の他にH2、或いはSiH4，Si2H6，
Si3H8，Si4H10等の水素化硅素のガスをSiを供給
する為のシリコン化合物と堆積室中に共存させて
放電を生起させることでも行うことが出来る。 例えば、反応スパツタリング法の場合には、Si
ターゲツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス
及びH2ガスを必要に応じてHe，Ar等の不活性ガ
スも含めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を
形成し、前記Siターゲツトをスパツタリングする
ことによつて、基板上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成
る非晶質層（）が形成される。 更には、不純物のドーピングも兼ねてB2H3等
のガスを導入してやることも出来る。 本発明において、形成される光導電部材の非晶
質層（）中に含有される水素原子(H)の量又はハ
ロゲン原子(X)の量又は水素原子とハロゲン原子の
量の和（Ｈ＋Ｘ）は通常の場合１〜40atomic％、
好適には５〜30atomic％とされるのが望ましい。 非晶質層（）中に含有される水素原子(H)又
は／及びハロゲン原子(X)の量を制御するには、例
えば支持体温度又は／及び水素原子(H)、或いはハ
ロゲン原子(X)を含有させる為に使用される出発物
質の堆積装置系内へ導入する量、放電々力等を制
御してやれば良い。 非晶質層（）に、第族原子を含有する層領
域(V)及び酸素原子を含有する層領域(O)を設けるに
は、グロー放電法や反応スパツタリング法等によ
る非晶質層（）の形成の際に、第族原子導入
用の出発物質及び酸素原子導入用の出発物質を
夫々前記した非晶質層（）形成用の出発物質と
共に使用して形成される層中にその量を制御し乍
ら含有してやることによつて成される。 非晶質層（）を構成する、酸素原子の含有さ
れる層領域(O)及び第族原子の含有される層領域
(V)を夫々形成するのにグロー放電法を用いる場
合、各層領域形成用の原料ガスとなる出発物質と
しては、前記した非晶質層（）形成用の出発物
質の中から所望に従つて選択されたものに、酸素
原子導入用の出発物質又は／及び第族原子導入
用の出発物質が加えられる。その様な酸素原子導
入用の出発物質又は第族原子導入用の出発物質
としては、少なくとも酸素原子或いは第族原子
を構成原子とするガス状の物質又はガス化し得る
物質をガス化したものの中の大概のものが使用さ
れ得る。 例えば層領域(O)を形成するのであれば、シリコ
ン原子（Si）を構成原子とする原料ガスと、酸素
原子(O)を構成原子とする原料ガスと、必要に応じ
て水素原子(H)又は／及びハロゲン原子(V)を構成原
子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使
用するか、又は、シリコン原子(X)を構成原子とす
る原料ガスと、酸素原子(O)及び水素原子(H)を構成
原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比
で混合するか、或いは、シリコン原子（Si）を構
成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Si）、
酸素原子(O)及び水素原子(H)の３つを構成原子とす
る原料ガスとを混合して使用することが出来る。 又、別には、シリコン原子（Si）と水素原子(H)
とを構成原子とする原料ガスに酸素原子(O)を構成
原子とする原料ガスを混合して使用しても良い。 酸素原子導入用の出発物質となるものとして具
体的には、例えば酸素（O2）、オゾン（O3）、一
酸化窒素（NO）、二酸化窒素（NO2）、一二酸化
窒素（N2O）、三二酸化窒素（N2O3）、四二酸化
窒素（N2O4）、五二酸化窒素（N2O5）、三酸化窒
素（NO3）、シリコン原子（Si）と酸素原子(O)と
水素原子(H)とを構成原子とする、例えば、ジシロ
キサンH3SiOSiH3、トリシロキサン
H3SiOSiH2OSiH3等の低級シロキサン等を挙げ
ることができる。 層領域(V)をグロー放電法を用いて形成する場合
に第族原子導入用の出発物質として、本発明に
おいて有効に使用されるのは、燐原子導入用とし
ては、PH3，P2H4等の水素化燐、PH4I，PF3，
PF5，PCl3，PCl5，PBr5，PBr5，PI3等のハロゲ
ン化燐が挙げられる。この他、AsH3，AsF3，
AsCl3，AsBr3，AsF5，SbH3，SbF3，SbF5，
SbCl3，SbCl3，BiH3，BiCl3，BiBr3等も第族
原子導入用の出発物質の有効なものとしと挙げる
ことが出来る。 第族原子を含有する層領域(V)に導入される第
族原子の含有量は、堆積室中に流入される第
族原子導入用の出発物質のガス流量、ガス流量
比、放電パワー、支持体温度、堆積室内の圧力等
を制御することによつて任意に制御され得る。 スパツターリング法によつて、酸素原子を含有
する層領域(O)を形成するには、単結晶又は多結晶
のSiウエーハー又はSiO2ウエーハー、又はSiと
SiO2が混合されて含有されているウエーハーを
ターゲツトとして、これ等を種々のガス雰囲気中
でスパツターリングすることによつて行えば良
い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／
及びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必
要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の
堆積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマ
を形成して前記Siウエーハーをスパツターリング
すれば良い。 又、別には、SiとSiO2とは別々のターゲツト
として、又はSiとSiO2の混合した一枚のターゲ
ツトを使用することによつて、スパツター用のガ
スとしての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも
水素原子(H)又は／及びハロゲン原子(X)を構成原子
として含有するガス雰囲気中でスパツターリング
することによつて成される。酸素原子導入用の原
料ガスとしては、先述したグロー放電の例で示し
た原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガスが、
スパツターリングの場合にも有効なガスとして使
用され得る。 本発明において、非晶質層（）をグロー放電
法で形成する際に使用される稀釈ガス、或いはス
パツタリング法で形成される際に使用されるスパ
ツターリング用のガスとしては、所謂稀釈ガス、
例えばHe，Ne，Ar等が好適なものとして挙げ
ることが出来る。 本発明の光導電部材においては、第族原子の
含有される層領域(V)の上に設けられ、第族原子
の含有されない層領域(B)（第１図では層領域１０
６に相当する）には、伝導特性を制御する物質を
含有させることにより、該層領域(B)の伝導特性を
所望に従つて任意に制御することが出来る。 この様な物質としては、所謂、半導体分野で云
われる不純物を挙げることが出来、本発明におい
ては、形成される非晶質層（）を構成するａ−
Si（Ｈ，Ｘ）に対して、Ｐ型伝導特性を与えるＰ
型不純物、具体的には、周期律表第族に属する
原子（第族原子）、例えば、Ｂ（硼素）、Al（ア
ルミニウム）、Ga（ガリウム）、In（インジウム）、
Tl（タリウム）等があり、殊に好適に用いられる
のは、Ｂ、Gaである。 本発明において、層領域(B)に含有される伝導特
性を制御する物質の含有量は、該層領域(B)に要求
される伝導特性、或いは該層領域(B)に直に接触し
て設けられる他の層領域の特性や、該他の層領域
との接触界面における特性との関係等、有機的関
連性において、適宜選択することが出来る。 本発明において、層領域(B)中に含有される伝導
特性を制御する物質の含有量としては、通常の場
合、0.001〜1000atomic ppm、好適には0.05〜
500atomic ppm、最適には0.1〜200atomic ppm
とされるのが望ましいものである。 層領域(B)中に伝導特性を制御する物質、例えば
第族原子を構造的に導入するには、層形成の際
に第族原子導入用の出発物質をガス状態で堆積
室中に、非晶質層を形成する為の他の出発物質と
共に導入してやれば良い。この様な第族原子導
入用の出発物質と成り得るものとしては、常温常
圧でガス状の又は、少なくとも層形成条件下で容
易にガス化し得るものが採用されるのが望まし
い。その様な第族原子導入用の出発物質として
具体的には硅素原子導入用としては、B2H6，
B4H10，B3H9，B5H11，B6H10，B6H12，B5H14
等の水素化硼素、BF3，BCl3，BBr3等のハロゲ
ン化硼素等が挙げられる。この他、AlCl3，
GaCl3，Ga（CH3）5，InCl3，TlCl3等も挙げるこ
とが出来る。 本発明の光導電部材においては、第１図に示し
た例において説明した様に、非晶質層（）を構
成する層領域(O)が、非晶質層（）において支持
体側の方に局所的に偏在されている場合を好適な
実施態様例とするが、本発明は、これに限定され
ることはなく、例えば、層領域(O)の層厚を酸素原
子の含有されない層領域の層厚に対して充分厚く
なる様に非晶質層（）を形成しても良いもので
ある。 この場合、非晶質層（）が光導電性を示すも
のとして作成される必要があることから、層領域
(O)中に含有される酸素原子の量の上限としては、
通常30atomic％、好適には10atomic％、最適に
は5atomic％とすることが望ましいものである。
下限としては、この場合も勿論前記した値とされ
る。 第１図に示される光導電部材１００においては
第一の非晶質層（）１０２上に形成される第二
の非晶質層（）１０７は自由表面１０８を有
し、主に耐湿性、連続繰返し使用特性、耐圧性、
使用環境特性、耐久性において本発明の目的を達
成する為に設けられる。 又、本発明においては、第一の非晶質層（）
１０２と第二の非晶質層（）１０７とを構成す
る非晶質材料の各々がシリコン原子という共通の
構成要素を有しているので、積層界面において化
学的な安定性の確保が充分成されている。 第二の非晶質材料（）１０７は、シリコン原
子と炭素原子とハロゲン原子(X)とで構成される非
晶質材料〔ａ−（SixC1-x）yX1-y、但し０＜ｘ，ｙ
＜１〕で形成される。 ａ−（SixC1-x）yX1-yで構成される第二の非晶質
層（）の形成はグロー放電法、スパツタリング
法、イオンプランテーシヨン法、イオンプレーテ
イング法、エレクトロンビーム法等によつて成さ
れる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投
下の負荷程度、製造規模、作製される光導電部材
に所望される特性等の要因によつて適宜選択され
て採用されるが、所望する特性を有する光導電部
材を製造する為の作製条件の制御が比較的容易で
ある、シリコン原子と共に炭素原子及びハロゲン
原子を、作製する第二の非晶質層（）中に導入
するのが容易に行える等の利点からグロー放電法
或いはスパツターリング法が好適に採用される。 更に、本発明においては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して第二
の非晶質層（）を形成しても良い。 グロー放電法によつて第二の非晶質層（）を
形成するには、ａ−（SixC1-x）yX1-y形成用の原料
ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比
で混合して、支持体の設置してある真空堆積用の
堆積室に導入し、導入されたガスを、グロー放電
を生起させることでガスプラズマ化して前記支持
体上に既に形成されてある第一の非晶質層（）
上にａ−（SixC1-x）yX1-yを堆積させれば良い。 本発明において、ａ−（SixC1-x）yX1-y形成用の
原料ガスとしては、Si，Ｃ，Ｘの中の少なくとも
１つを構成原子とするガス状の物質又はガス化し
得る物質をガス化したものの中の大概のものが使
用され得る。 Si，Ｃ，Ｘの中の１つとしてSiを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構成原
子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガ
スと、Ｘを構成原子とする原料ガスとを所望の混
合比で混合して使用するか、又は、Siを構成原子
とする原料ガスと、Ｃ及びＸを構成原子とする原
料ガスとを、これも又所望の混合比で混合する
か、或いは、Siを構成原子とする原料ガスと、
Si，Ｃ及びＸの３つを構成原子とする原料ガスと
を混合して使用することが出来る。 又、別には、SiとＸとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明において、第二の非晶質層（）中に含
有されるハロゲン原子(X)として好適なのはＦ，
Cl，Br，Ｉであり、殊にＦ，Clが望ましいもの
である。 本発明において、第二の非晶質層（）は、ａ
−（SixC1-x）yX1-yで構成されるものであるが、更
に水素原子を含有させることが出来る。 第二の非晶質層（）への水素原子の含有は、
第一の非晶質層（）との連続層形成の際に原料
ガス種の一部共通化を計ることが出来るので生産
コスト面の上で好都合である。 本発明において、第二の非晶質層（）を形成
するのに有効に使用される原料ガスと成り得るも
のとしては、常温常圧においてガス状態のもの又
は容易にガス化し得る物質を挙げることが出来
る。 この様な第二の非晶質層（）形成用の物質と
しては、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭
素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３
のアセチレン系炭化水素、ハロゲン単体、ハロゲ
ン化水素、ハロゲン間化合物、ハロゲン化硅素、
ハロゲン置換水素化硅素、水素化硅素等を挙げる
事が出来る。 具体的には、飽和炭化水素としてはメタン
（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン（C3H6）、ｎ
−ブタン（ｎ−C4H10）、ペンタン（C5H12）；エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C2H4）、
プロピレン（C3H6）、ブテン−１（C4H8）、ブテ
ン−２（C4H8）、イソブチレン（C4H8）、ペンテ
ン（C5H10）、アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C2H2）、メチルアセチレン
（C3H4）、ブチン（C4H6）、ハロゲン単体として
は、フツ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガ
ス、ハロゲン化水素としては、FH，HI，HCl，
HBr、ハロゲン間化合物としては、BrF，ClF，
ClF3，ClF5，BrF5，BrF3，IF7，IF5，ICl，IBr、
ハロゲン化硅素としてはSiF4，Si2F6，SiCl4，
SiCl3Br，SiCl2Br2，SiClBr3，SiCl3I，SiBr4、
ハロゲン置換水素化硅素としては、SiH2F2，
SiH2Cl2，SiHCl3，SiH3Cl、SiH3Br，SiH2Br2，
SiHBr3、水素化硅素としては、SiH4，Si2H6，
Si3H8，Si4H10等のシラン（Silane）類、等々を
挙げることが出来る。 これ等の他に、CCl4，CHF3，CH2F2，CH3F，
CH3Cl，CH3Br，CH3I，C2H5Cl等のハロゲン置
換パラフイン系炭化水素、SF4，SF6等のフツ素
化硫黄化合物、Si（CH3）4，Si（C2H5）4、等のケイ
化アルキルやSiCl（CH3）3，SiCl2（CH3）2，
SiCl3CH3等のハロゲン含有ケイ化アルキル等の
シラン誘導体も有効なものとして挙げることが出
来る。 これ等の第二の非晶質層（）形成物質は、形
成される第二の非晶質層（）中に、所定の組成
比でシリコン原子、炭素原子及びハロゲン原子と
必要に応じて水素原子とが含有される様に、第二
の非晶質層（）の形成の際に所望に従つて選択
されて使用される。 例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
の含有が容易に成し得て且つ所望の特性の層が形
成され得るSi（CH3）4と、ハロゲン原子を含有さ
せるものとしてのSiHCl3，SiCl4，SiH2Cl2、或
いはSiH3Cl等を所定の混合比にしてガス状態で
第二の非晶質層（）形成用の装置内に導入して
グロー放電を生起させることによつてａ−（Six
C1-x）y（Cl＋Ｈ）1-yから成る第二の非晶質層
（）を形成することが出来る。 スパツターリング法によつて第二の非晶質層
（）を形成するには、単結晶又は多結晶のSiウ
エーハー又はＣウエーハー又はSiとＣが混合され
て含有されているウエーハーをターゲツトとし
て、これ等をハロゲン原子と必要に応じて水素原
子を構成要素として含む種々のガス雰囲気中でス
パツターリングすることによつて行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＣとＸを導入する為の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツターリングす
れば良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、少なくともハロゲン原子を
含有するガス雰囲気中でスパツターリングするこ
とによつて成される。Ｃ及びＸ、必要に応じてＨ
の導入用の原料ガスとなる物質としては先述した
グロー放電の例で示した第二の非晶質層（）形
成用の物質がスパツターリング法の場合にも有効
な物質として使用され得る。 本発明において、第二の非晶質層（）のグロ
ー放電法又はスパツターリング法で形成する際に
使用される稀釈ガスとしては、所謂・希ガス、例
えばHe，Ne，Ar等が好適なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明における第二の非晶質層（）は、その
要求される特性が所望通りに与えられる様に注意
深く形成される。 即ち、Si，Ｃ及びＸ、必要に応じてＨを構成原
子とする物質は、その作成条件によつて構造的に
は結晶からアモルフアスまでの形態を取り、電気
物性的には、導電性から半導体性、絶縁性までの
間の性質を、又光導電的性質から非光導電的性質
までの間の性質を、各々示すので本発明において
は、目的に応じた所望の特性を有するａ−（Six
C1-x）yX1-yが形成される様に、所望に従つてその
作成条件の選択が厳密に成される。例えば、第二
の非晶質層（）を耐圧性の向上を主な目的とし
て設けるにはａ−（SixC1-x）yX1-yは使用環境にお
いて電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材料として
作成される。 又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上
を主たる目的として第二の非晶質層（）が設け
られる場合には上記の電気絶縁性の度合はある程
度緩和され、照射される光に対してある程度の感
度を有する非晶質材料としてａ−（SixC1-x）yX1-y
が作成される。 第一の非晶質層（）の表面にａ−（SixC1-x）y
X1-yから成る第二の非晶質層（）を形成する
際、層形成中の支持体温度は、形成される層の構
造及び特性を左右する重要な因子であつて、本発
明においては、目的とする特性を有するａ−（Six
C1-x）yX1-yが所望通りに作成され得る様に層作成
時の支持体温度が厳密に制御されるのが望まし
い。 本発明における、所望の目的が効果的に達成さ
れる為の第二の非晶質層（）の形成法に併せて
適宜最適範囲が選択されて、第二の非晶質層
（）の形成が実行されるが、通常の場合、50〜
350℃、好適には100〜250℃とされるのが望まし
いものである。第二の非晶質層（）の形成に
は、層を構成する原子の組成比の微妙な制御や層
厚の制御が他の方法に較べて比較的容易である事
等の為に、グロー放電法やスパツターリング法の
採用が有利であるが、これ等の層形成法で第二の
非晶質層（）を形成する場合には、前記の支持
体温度と同様に層形成の際の放電パワーが作成さ
れるａ−（SixC1-x）yX1-yの特性を左右する重要な
因子の１つである。 本発明における目的が達成される為の特性を有
するａ−（SixC1-x）yX1-yが生産性良く効果的に作
成される為の放電パワー条件としては通常10〜
300W、好適には20〜200Wである。 堆積室内のガス圧は通常は0.01〜1Torr、好適
には0.1〜0.5Torr程度とされるのが望ましい。 本発明においては第二の非晶質層（）を作成
する為の支持体温度、放電パワーの望ましい数値
範囲として前記した範囲の値が挙げられるが、こ
れ等の層作成フアクターは、独立的に別々に決め
られるものではなく、所望特性のａ−（SixC1-x）y
X1-yから成る第二の非晶質層（）が形成され
る様に相互的有機的関連性に基づいて各層作成フ
アクターの最適値が決められるのが望ましい。 本発明の光導電部材における第二の非晶質層
（）に含有される炭素原子及びハロゲン原子の
量は、第二の非晶質層（）の作製条件と同様、
本発明の目的を達成する所望の特性が得られる第
二の非晶質層（）が形成される重要な因子であ
る。 本発明における第二の非晶質層（）に含有さ
れる炭素原子の量は通常１×10-3〜90atomic％、
好適には１〜90atomic％、最適には10〜
80atomic％とされるのが望ましいものである。
ハロゲン原子の含有量としては、通常の場合、１
〜20atomic％、好適には１〜18atomic％、最適
には２〜15atomic％とされるのが望ましく、こ
れ等の範囲にハロゲン原子含有量がある場合に、
作成される光導電部材を実際面に充分適用させ得
るものである。必要に応じて含有される水素原子
の含有量としては、通常の場合19atomic％、好
適には13atomic％以下とされるのが望ましいも
のである。即ち先のａ−（SixC1-x）yX1-yのｘ，ｙ
表示で行えばｘが通常0.1〜0.99999、好適には0.1
〜0.99、最適には0.15〜0.9、ｙが通常0.8〜0.99、
好適には0.82〜0.99で最適には0.85〜0.98あるの
が望ましい。ハロゲン原子と水素原子の両方が含
まれる場合、先と同様のａ−（SixC1-x）y（Ｈ＋
Ｘ）1-yの表示で行えばこの場合のｘ，ｙの数値範
囲ａ−（SixC1-x）yX1-yの場合と、略々同様であ
る。 本発明における第二の非晶質層（）の層厚の
数値範囲は、本発明の目的を効果的に達成する為
の重要な因子の１つである。 本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目
的に応じて適宜所望に従つて決められる。 又、第二の非晶質層（）の層厚は、第一の層
領域(O)１０３の層厚との関係においても、各々の
層領域に要求される特性に応じた有機的な関連性
の下に所望に従つて適宜決定される必要がある。 更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経
済性の点においても考慮されるのが望ましい。本
発明における第二の非晶質層（）の層厚として
は、通常0.003〜30μ、好適には0.004〜20μ、最適
には0.005〜10μ、とされるのが望ましいものであ
る。 本発明において使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NiCr、ステンレス、Al，
Cr，Mo，Au，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルロース、ア
セテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等
の合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラ
ミツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶
縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr，
Al，Cr，Mo，Au，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，
Pd，In2O3，SnO2，ITO（In2O3＋SnO2）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr，Al，Ag，Pb，Zn，Ni，
Au，Cr，Mo，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタ
ーリング等でその表面に設け、又は前記金属でそ
の表面をラミネート処理して、その表面に導電性
が付与される。支持体の形状としては、円筒状、
ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望によつ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１図の
光導電部材１００を電子写真用像形成部材として
使用するのであれば連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される
様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能が充
分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされ
る。而乍ら、この様な場合支持体の製造上及び取
扱い上、機械的強度等の点から、通常は10μ以上
とされる。 次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概
略について説明する。 第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示
す。 図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、
本発明の夫々の層を形成するための原料ガスが密
封されており、その１例として例えば１１０２
は、Heで稀釈されたSiH4ガス（純度99.999％、
以下SiH4／Heと略す。）ボンベ、１１０３はHe
で稀釈されたB2H6ガス（純度99.999％、以下
B2H6／Heと略す。）ボンベ、１１０４はHeで稀
釈されたPH3ガス（純度99.99％、以下PH3／He
と略す。）ボンベ、１１０５はHeで稀釈された
SiF4ガス（純度99.999％、以下SiF4／Heと略
す。）ボンベ、１１０６はNOガス又はC2H4ガス
（純度99.99％）用のボンベである。 これらのガスを反応室１１０１に流入させるに
はガスボンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２
２〜１１２６、リークバルブ１１３５が閉じられ
ていることを確認し、又、流入バルブ１１１２〜
１１１６、流出バルブ１１１７〜１１２１、補助
バルブ１１３２が開かれていることを確認して、
先づメインバルブ１１３４を開いて反応室１１０
１、ガス配管内を排気する。次に真空計１１３６
の読みが約５×10-6torrになつた時点で、補助バ
ルブ１１３２、流出バルブ１１１７〜１１２１を
閉じる。 基体１１３７上に第一の非晶質層（）を形成
する場合の１例をあげると、ガスボンベ１１０２
よりSiH4／Heガス、ガスボンベ１１０４より
PH3／Heガス、ガスボンベ１１０６よりNOガス
をバルブ１１２２，１１２４，１１２６を開いて
出口圧ゲージ１１２７，１１２９，１１３０の圧
を１Kg／cm2に調整し、流入バルブ１１１２，１１
１４，１１１６を徐々に開けて、マスフロコント
ローラ１１０７，１１０９，１１１１内に夫々流
入させる。引き続いて流出バルブ１１１７，１１
１９，１１２１、補助バルブ１１３２，１１３３
を徐々に開いて夫々のガスを反応室１１０１に流
入させる。このときのSiH4／Heガス流量と
PH3／Heガス流量とNOガス流量との比が所望の
値になるように流出バルブ１１１７，１１１９，
１１２１を夫々調整し、又、反応室１１０１内の
圧力が所望の値になるように真空計１１３６の読
みを見ながらメインバルブ１１３４の開口を調整
する。そして基体１１３７の温度が加熱ヒーター
１１３８により50〜400℃の範囲の温度に設定さ
れていることを確認された後、電源１１４０を所
望の電力に設定して反応室１１０１内にグロー放
電を生起させ、同時にあらかじめ設計された変化
率曲線に従つてPH3／Heガスの流量を手動或い
は外部駆動モータ等の方法によつてバルブ１１１
８を漸次変化させる操作を行つて形成される層中
に含有される燐原子(P)の分布濃度を制御する。上
記の様にして基体１１３７上に先づ燐原子と酸素
原子の含有された層領域（Ｐ，Ｏ）を形成する。 この際、PH3／Heガス、或いはNOガスの反応
室１１０１内への導入を各対応するガス導入管の
バルブを閉じることによつて遮断することで、燐
原子の含有される層領域、或いは、酸素原子の含
有される層領域の層厚を所望に従つて任意に制御
することが出来る。 燐原子と酸素原子が夫々含有された層領域
（Ｐ，Ｏ）が上記の様にして所望層厚に形成され
た後、流出バルブ１１１９，１１２１の夫々を閉
じて、引き続きグロー放電を所望時間続けること
によつて、燐原子と酸素原子が夫々含有された層
領域（Ｐ，Ｏ）上に、燐原子及び酸素原子の含有
されない層領域が所望の層厚に形成されて、第一
の非晶質層（）の形成が終了する。 第一の非晶質層（）中にハロゲン原子を含有
させる場合には上記のガスに、例えばSiF4／He
を、更に付加して反応室１１０１内に送り込む。 第一の非晶質層（）上に第二の非晶質層
（）を形成するには、例えば次の様に行う。ま
ずシヤツター１１４２を開く。すべてのガス供給
バルブは一旦閉じられ、反応室１１０１は、メイ
ンバルブ１１３４を全開することにより、排気さ
れる。 高圧電力が印加される電極１１４１上には、あ
らかじめ高純度シリコンウエーハー１１４２−
１、及び高純度グラフアイトウエーハー１１４２
−２が所望の面積比率で設置されたターゲツトが
設けられている。あらかじめSiF4／Arガスを充
填しておいたガスボンベ１１０５よりSiF4／Ar
ガスを、反応室１１０１内に導入し、反応室１１
０１の内圧が0.05〜1torrとなるようメインバル
ブ１１３４を調節する。高圧電源をONとし前記
のターゲツトをスパツターリングすることによ
り、第一の非晶質層（）上に第二の非晶質層
（）を形成することが出来る。 第二の非晶質層（）を形成する他の方法とし
ては、第一の非晶質層（）の形成の際と同様な
バルブ操作によつて例えば、SiH4ガス、SiF4ガ
ス、C2H4ガスの夫々を必要に応じてHe等の稀釈
ガスで稀釈して、所望の流量比で反応室１１０１
中に流し、所望の条件に従つてグロー放電を生起
させることによつて成される。 夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バル
ブ以外の流出バルブは全て閉じることは言うまで
もなく、又夫々の層を形成する際、前層の形成に
使用したガスが反応室１１０１内、流出バルブ１
１１７〜１１２１から反応室１１０１内に至るガ
ス配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ１１１７〜１１２１を閉じ補助バルブ１１３
２を開いてメインバルブ１１３４を全開して系内
を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行
う。 実施例 １ 第１１図に示した製造装置により、アルミニウ
ム基体上に、以下の第１表に示す条件で層形成を
行つた。 こうして得られた像形成部材を帯電露光現像装
置に設置し、5KVで0.2sec間コロナ放電を行い
直ちに光像を照射した。光源はタングステンラン
プを用い、1.0lux・secの光量を、透過型のテス
トチヤートを用いて照射した。 その後直ちに荷電性の現像剤（トナーとキヤ
リヤを含む）を部材表面をカスケードすることに
よつて、部材表面上に良好なトナー画像を得た。 このようにして得られたトナー像を、一旦ゴム
ブレードでクリーニングし、再び上記作像クリー
ニング工程を繰り返した。繰り返し回数15万回以
上行つても、画像の劣化は見られなかつた。
【表】
実施例 ２
第１１図に示した製造装置を用い燐(P)の層中へ
の含有量をパラメータとして、Al基体上に非晶
質層（）の層形成を行つた以外は実施例１と同
様にした。このときの各試料における共通の作製
条件は、第２−１表に示した通りである。第２−
２表に第一の非晶質層（）中に含有される燐原
子の、基体表面からの層厚方向の各位置における
分布濃度と、得られた試料の電子写真特性の評価
結果を示す。 表中左欄の数字は試料番号を示す。 作製した電子写真用像形成部材の各々は、帯電
−像露光−現像−転写までの一連の電子写真プロ
セスを経て転写紙上に顕像化された画像の〔濃
度〕〔解像力〕〔階調再現性〕等の優劣をもつて総
合的に評価した。
の含有量をパラメータとして、Al基体上に非晶
質層（）の層形成を行つた以外は実施例１と同
様にした。このときの各試料における共通の作製
条件は、第２−１表に示した通りである。第２−
２表に第一の非晶質層（）中に含有される燐原
子の、基体表面からの層厚方向の各位置における
分布濃度と、得られた試料の電子写真特性の評価
結果を示す。 表中左欄の数字は試料番号を示す。 作製した電子写真用像形成部材の各々は、帯電
−像露光−現像−転写までの一連の電子写真プロ
セスを経て転写紙上に顕像化された画像の〔濃
度〕〔解像力〕〔階調再現性〕等の優劣をもつて総
合的に評価した。
【表】
【表】
実施例 ３
第１１図に示した製造装置により、Al基体上
に以下の第３表に示す条件で層形成を行つた。 その他の条件は実施例１と同様にして行つた。 こうして得られた像形成部材を帯電露光現像装
置に設置し、5KVで0.2sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光源はタングステン
ランプを用い、1.0lux・secの光量を透過型のテ
ストチヤートを用いて照射した。 その後直ちに荷電性の現像剤（トナーとキヤ
リヤを含む）を部材表面をカスケードすることに
よつて、部材表面上に良好なトナー画像を得た。 このようにして得られたトナー像を一旦ゴムブ
レードでクリーニングし、再び上記作像、クリー
ニング工程を繰り返した。繰り返し回数10万回以
上行つても画像の劣化は見られなかつた。
に以下の第３表に示す条件で層形成を行つた。 その他の条件は実施例１と同様にして行つた。 こうして得られた像形成部材を帯電露光現像装
置に設置し、5KVで0.2sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光源はタングステン
ランプを用い、1.0lux・secの光量を透過型のテ
ストチヤートを用いて照射した。 その後直ちに荷電性の現像剤（トナーとキヤ
リヤを含む）を部材表面をカスケードすることに
よつて、部材表面上に良好なトナー画像を得た。 このようにして得られたトナー像を一旦ゴムブ
レードでクリーニングし、再び上記作像、クリー
ニング工程を繰り返した。繰り返し回数10万回以
上行つても画像の劣化は見られなかつた。
【表】
実施例 ４
第１１図に示した装置により、Al基体上に以
下の第４表に示す条件で層形成を行つた。 その他の条件は、実施例１と同様にして行つ
た。 こうして得られた像形成部材を帯電露光現像装
置に設置し、5KVで0.2sec間コロナ放電を行
い、直ちに光像を照射した。光源はタングステン
ランプを用い、1.0lux・secの光量を透過型のテ
ストチヤートを用いて照射した。 その後直ちに荷電性の現像剤（トナーとキヤ
リヤを含む）を部材表面をカスケードすることに
よつて、部材表面上に濃度の極めて高い良好なト
ナー画像を得た。 このようにして得られたトナー像を一旦ゴムブ
レードでクリーニングし、再び上記作像、クリー
ニング工程を繰り返した。繰り返し回数15万回以
上行つても、画像の劣化は見られなかつた。
下の第４表に示す条件で層形成を行つた。 その他の条件は、実施例１と同様にして行つ
た。 こうして得られた像形成部材を帯電露光現像装
置に設置し、5KVで0.2sec間コロナ放電を行
い、直ちに光像を照射した。光源はタングステン
ランプを用い、1.0lux・secの光量を透過型のテ
ストチヤートを用いて照射した。 その後直ちに荷電性の現像剤（トナーとキヤ
リヤを含む）を部材表面をカスケードすることに
よつて、部材表面上に濃度の極めて高い良好なト
ナー画像を得た。 このようにして得られたトナー像を一旦ゴムブ
レードでクリーニングし、再び上記作像、クリー
ニング工程を繰り返した。繰り返し回数15万回以
上行つても、画像の劣化は見られなかつた。
【表】
実施例 ５
第二の非晶質層（）の形成の際とシリコンウ
エハとグラフアイトの面積比を変えて、非晶質層
（）中におけるシリコン原子と炭素原子の含有
量比を変化させる以外は、実施例４と全く同様な
方法によつて像形成部材を作成した。 こうして得られた像形成部材につき実施例１に
述べた如き作像、現像、クリーニングの工程を約
５万回繰り返した後画像評価を行つたところ第５
表の如き結果を得た。
エハとグラフアイトの面積比を変えて、非晶質層
（）中におけるシリコン原子と炭素原子の含有
量比を変化させる以外は、実施例４と全く同様な
方法によつて像形成部材を作成した。 こうして得られた像形成部材につき実施例１に
述べた如き作像、現像、クリーニングの工程を約
５万回繰り返した後画像評価を行つたところ第５
表の如き結果を得た。
【表】
◎〓非常に良好 ○〓良好 △〓実用上充分であ
る ×〓画像欠陥を生ずる
実施例 ６ 第二の非晶質層（）の層厚を変える以外は、
実施例１と全く同様な方法によつて像形成部材を
作成した。実施例１に述べた如き、作像、現像、
クリーニングの工程を繰り返し下記の第６表に示
す結果を得た。
る ×〓画像欠陥を生ずる
実施例 ６ 第二の非晶質層（）の層厚を変える以外は、
実施例１と全く同様な方法によつて像形成部材を
作成した。実施例１に述べた如き、作像、現像、
クリーニングの工程を繰り返し下記の第６表に示
す結果を得た。
【表】
実施例 ７
第一の非晶質層（）の形成方法を下記第７表
の如く変える以外は、実施例１と同様な方法で像
形成部材を作成し、実施例１と同様な方法で評価
を行つたところ良好な結果が得られた。
の如く変える以外は、実施例１と同様な方法で像
形成部材を作成し、実施例１と同様な方法で評価
を行つたところ良好な結果が得られた。
【表】
実施例 ８
第一の非晶質層（）の形成方法を下記の第８
表の如く変える以外は、実施例１と同様な方法で
像形成部材を作成し、実施例１と同様な方法で評
価を行つたところ、良好な結果が得られた。
表の如く変える以外は、実施例１と同様な方法で
像形成部材を作成し、実施例１と同様な方法で評
価を行つたところ、良好な結果が得られた。
【表】
実施例 ９
実施例３の第２、３層作成段階における、層作
成条件を下記の第９表に示す各条件にした以外
は、実施例３に示した条件と手順に従つて、電子
写真用像形成部材の夫々を作製し、実施例１と同
様の方法で評価したところ、夫々に就いて特に画
質、耐久性の点において良好な結果が得られた。
成条件を下記の第９表に示す各条件にした以外
は、実施例３に示した条件と手順に従つて、電子
写真用像形成部材の夫々を作製し、実施例１と同
様の方法で評価したところ、夫々に就いて特に画
質、耐久性の点において良好な結果が得られた。
第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明
する為の模式的層構成図、第２図乃至第１０図は
夫々非晶質層を構成する第族原子の含有される
層領域(V)中の第族原子の分布状態を説明する為
の説明図、第１１図は、本発明で使用された装置
の模式的説明図である。 １００…光導電部材、１０１…支持体、１０２
…第一の非晶質層（）、１０３…層領域(V)、１
０４…層領域(B)、１０５…第二の非晶質層（）、
１０６…自由表面。
する為の模式的層構成図、第２図乃至第１０図は
夫々非晶質層を構成する第族原子の含有される
層領域(V)中の第族原子の分布状態を説明する為
の説明図、第１１図は、本発明で使用された装置
の模式的説明図である。 １００…光導電部材、１０１…支持体、１０２
…第一の非晶質層（）、１０３…層領域(V)、１
０４…層領域(B)、１０５…第二の非晶質層（）、
１０６…自由表面。
Claims (1)
- １ 光導電部材用の支持体と、シリコン原子を母
体とする非晶質材料で構成された、光導電性を有
する第一の非晶質層と、シリコン原子と炭素原子
とハロゲン原子とを含む非晶質材料で構成された
第二の非晶質層とを有し、前記第一の非晶質層
が、前記支持体に接して設けられ、構成原子とし
て前記支持体側の方の一部領域に偏在して酸素原
子が含有された第一の層領域と、層厚方向に連続
的に不均一であつて、前記支持体側の方に
100atomic ppm以上の最大濃度を有し前記第二
の非晶質層側の界面側においては支持体側に較べ
て低くされた部分を有する濃度分布で周期律表第
族に属する原子を含有する第二の層領域を有
し、前記第一の層領域と前記第二の層領域は、前
記支持体に接して設けられて少なくとも前記第一
の層領域と互いの一部を共有していることを特徴
とする光導電部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57042407A JPS58159545A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | 光導電部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57042407A JPS58159545A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | 光導電部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58159545A JPS58159545A (ja) | 1983-09-21 |
| JPH058422B2 true JPH058422B2 (ja) | 1993-02-02 |
Family
ID=12635209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57042407A Granted JPS58159545A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | 光導電部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58159545A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6014248A (ja) * | 1983-07-06 | 1985-01-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子写真用感光体 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5733293A (en) * | 1980-08-01 | 1982-02-23 | Seibu Gas Kk | Repairing method and device of gas pipe |
-
1982
- 1982-03-17 JP JP57042407A patent/JPS58159545A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5733293A (en) * | 1980-08-01 | 1982-02-23 | Seibu Gas Kk | Repairing method and device of gas pipe |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58159545A (ja) | 1983-09-21 |