JPH0456307B2 - - Google Patents
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- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
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Description
本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある光導電部材に関す
る。 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。 殊に、事務機としてオフイスで使用される電子
写真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の
場合には、上記の使用時における無公害性は重要
な点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電交
換読取装置への応用が記載されている。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び使用
環境特性の点、更には経時的安定性及び耐久性の
点において、各々、個々には特性の向上が計られ
ているが、総合的な特性向上を計る上で更に改良
される余地が存するのが実情である。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとす
ると従来においてはその使用時において残留電位
が残る場合が度々観測され、この種の光導電部材
は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用によ
る疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴース
ト現象を発する様になる等の不都合な点が少なく
なかつた。 又、ａ−Si材料で光導電層を構成する場合に
は、その電気的、光導電的特性の改良を計るため
に、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロ
ゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼素原
子や隣原子等が或いはその他の特性改良のために
他の原子が、各々構成原子として光導電層中に含
有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方如何
によつては、形成した層の電気的或いは光導電的
特性や耐圧性に問題が生ずる場合があつた。 即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射に
よつて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命
が充分でないこと、或いは暗部において、支持体
側よりの電荷の注入の阻止が充分でないこと等が
生ずる場合があつた。 従つて、ａ−Si材料そのものの特性改良が計ら
れる一方で光導電部材を設計する際に、上記した
様な問題の総てが解決される様に工夫される必要
がある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、シリコン原子を母体と
し、水素原子(H)又はハロゲン原子(X)のいずれか一
方を少なくとも含有するアモルフアス材料、所謂
水素化アモルフアスシリコン、ハロゲン化アモル
フアスシリコン或いはハロゲン含有水素化アモル
フアスシリコン〔以後これ等の総称的表記として
「ａ−Si（Ｈ，Ｘ）」を使用する〕から構成される
光導電層を有する光導電部材の層構成を以後に説
明される様に特定化する様に設計されて作成され
た光導電部材は実用上著しく優れた特性を示すば
かりでなく、従来の光導電部材と較べてみてもあ
らゆる点において凌駕していること、殊に電子写
真用の光導電部材として著しく優れた特性を有し
ていることを見出した点に基づいている。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が使用
環境に殆んど影響を受けず常時安定し、耐光疲労
に著しく長け、繰返し使用に際しても劣化現象を
起さず耐久性に優れ、残留電位が全く又は殆んど
観測されない光導電部材を提供することを主たる
目的とする。 本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材と
して適用させた場合、静電像形成のための帯電処
理の際の電荷保持能が充分あり、通常の電子写真
法が極めて有効に適用され得る優れた電子写真特
性を有する光導電部材を提供することである。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得ることが容易にできる電子写真用の光導電
部材を提供することである。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性及び高耐圧性を有する光導電部材を
提供することでもある。 本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体
と、シリコン原子を母体とする非晶質材料で構成
された、光導電性を有する第一の非晶質層と、シ
リコン原子と炭素原子と水素原子とを含む非晶質
材料で構成された第二の非晶質層とを有し、前記
第一の非晶質層が、層厚方向に連続的で且つ前記
支持体側から層厚5μ以内に構成原子として酸素
原子を500atomic ppm以上の最大濃度で含有し
前記第二の非晶質層側における濃度を支持体側に
較べて比較的低くし、且つ分布濃度が徐々に連続
的に減少された領域を有する第１の層領域と、構
成原子として周期律表第族に属する原子を含有
する第２の層領域とを有し、前記第１の層領域
は、前記第一の非晶質層の前記支持体側の方の一
部領域に偏在しており、前記第２の層領域の層厚
TBと前記第一の非晶質層の層厚より前記第２の
層領域の層厚TBを除いた部分の層厚ＴとがTB／
Ｔ≦１なる関係にあることを特徴とする。 上記した様に層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて、耐光疲労、繰返し
使用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い、高品質の画像を安
定して繰返し得ることができる。 以下、図面に従つて本発明の光導電部材に就て
詳細に説明する。 第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明
する為に模式的に示した模式的構成図である。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、ａ−Siから成る
光導電性を有する第一の非晶質層（）１０２と
該第一の非晶質（）１０２上にシリコン原子と
炭素原子と水素原子とを含む非晶質材料で構成さ
れた第二の非晶質層（）１０６を有する。 第一の非晶質層（）１０２は、層厚方向に連
続的で且つ前記支持体１０１の方に多く分布する
分布状態で、構成原子として酸素原子を含有する
第１の層領域(O)１０３と構成原子として第族原
子を含有する第２の層領域（）１０４とを有す
る様に構成された層構造を有する。第１図に示す
例においては、第１の層領域(O)１０３が第２の層
領域（）１０４の一部を占めた層構造を有し、
第１の層領域(O)１０３及び第２の層領域（）１
０４は第一の非晶質層１０２の支持体１０１側の
方に偏在している。 第一の非晶質層１０２の上部層領域１０５に
は、酸素原子及び第族原子は、実質的に含まれ
ておらず、酸素原子は第１の層領域(O)１０３に、
第族原子は第２の層領域（）１０４に含有さ
れている。勿論、第１の層領域(O)１０３には第
族原子も含まれている。 本発明に於いて、上記の様な層構成とするの
は、第１の層領域(O)１０３は、酸素原子の含有に
よつて、高暗抵抗化と支持体１０１と第一の非晶
質層（）１０２との間の密着性の向上が重点的
に計られ、上部層領域１０５には、酸素原子を含
有させずに高感度化が重点的に計られている。第
１の層領域(O)１０３に含有される酸素原子は層厚
方向に連続的に不均一な分布状態で、且つ支持体
１０１と第一の非晶質層（）１０２との界面に
平行な面内に於いては、実質的に均一な分布状態
で前記第１の層領域(O)１０３中に含有されてい
る。 本発明において、第一の非晶質層（）１０２
を構成し、第族原子を含有する第２の層領域
（）１０４中に含有される第族原子としては、
Ｂ（硼素）、Al（アルミニウム）、Ga（ガリウム）、
In（インジウム）、Tl（タリウム）等であり、殊に
好適に用いられるのはＢ、Gaである。 本発明においては、第２の層領域（）１０４
中に含有される第族原子の分布状態は、層厚方
向において及び支持体１０１の表面と平行な面内
に於いて実質的に均一な分布状態とされる。 第１の層領域(O)１０３と上部層領域１０５との
層厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の
重要な因子の１つであるので形成される光導電部
材に所望の特性が充分与えられる様に、光導電部
材の設計の際に充分なる注意が払われる必要があ
る。 本発明に於いて、第２の層領域（）１０４の
層厚TBは、その上限としては、通常の場合、50μ
以下、好ましくは、30μ以下、最適には、10μ以
下とされるのが望ましい。又、上部層領域１０５
の層厚Ｔは、その下限としては、通常の場合0.5μ
以上、好ましくは1μ以上、最適には3μ以上とさ
れるのが望ましい。 第２の層領域（）１０４の層厚TBの下限及
び上部層領域１０５の層厚Ｔの上限としては、両
層領域に要求される特性と第一の非晶質層（）
１０２全体に要求される特性との相互間の有機的
関連性に基いて、光導電部材の層設計の際に、所
望に従つて適宜決定される。 本発明に於いては、上記の層厚TBの下限及び
層厚Ｔの上限としては、通常は、TB／Ｔ≦１な
る関係を満足する様に、夫々に対して適宜適切な
数値が選択される。 層厚TB及び層厚Ｔの数値の選択に於いて、よ
り好ましくは、TB／Ｔ≦0.9、最適にはTB／Ｔ≦
0.8なる関係が満足される様に層厚TB及び層厚Ｔ
の値が決定されるのが望ましいものである。 第１図に示す本発明の光導電部材に於いては、
第族原子が含有されている第２の層領域（）
１０４内に第１の層領域(O)１０３が形成されてい
るが、第１の層領域(O)と第２の層領域（）とを
同一層領域とすることも出来る。 又、第１の層領域(O)内に第２の層領域（）を
形成する場合も良好な実施態様例の１つとして挙
げることが出来る。 第１の層領域(O)中の含有される酸素原子の量
は、形成される光導電部材に要求される特性に応
じて所望に従つて適宜決められるが、通常の場
合、0.001〜50atomic％、好ましくは0.002〜
40atomic％、最適には0.003〜30atomic％とされ
るのが望ましいものである。 第１の層領域(O)の層厚TOが充分厚いか、又は
第一の非晶質層（）の全層厚に対する割合が５
分の２以上を越える様な場合には、第１の層領域
(O)中に含有される酸素原子の量の上限としては、
通常は30atomic％以下、好ましくは20atomic％
以下、最適には10atomic％以下とされるのが望
ましいものである。 本発明に於いては、第一の非晶質層（）の層
厚としては、所望の電子写真特性が得られること
及び経済性等の点から通常は、１〜100μ、好適
には１〜80μ、最適には２〜50μとされるのが望
ましい。 第２図乃至第１０図には、本発明における光導
電部材の第一の非晶質層（）を構成する第一の
層領域(O)中に含有される酸素原子の層厚方向の分
布状態の典型的例が示される。 第２図乃至第１０図の例に於いて、第族原子
の含有される層領域（）は、層領域(O)と同一層
領域であつても、層領域(O)を内包しても、或い
は、層領域(O)の一部の層領域を共有しても良いも
のであるので、以後の説明に於いては、第族原
子の含有されている層領域（）については、殊
に説明を要しない限り言及しない。 第２図乃至第１０図において、横軸は酸素原子
の分布濃度Ｃを、縦軸は、光導電性を示す非晶質
層を構成し、酸素原子の含有される層領域(O)の層
厚ｔを示しtBは支持体側の界面の位置を、tTは支
持体側とは反対側の界面の位置を示す。即ち、酸
素原子の含有される層領域(O)はtB側よりtT側に向
つて層形成がなされる。 本発明においては、酸素原子の含有される層領
域(O)は、光導電部材を構成するａ−Si（Ｈ，Ｘ）
から成り、光導電性を示す第一の非晶質層（）
の一部を占めている。 本発明において、前記層領域(O)は、第１図の例
で示せば第一の非晶質層（）の支持体１０１側
の表面を含んで第一の非晶質層（）１０２の下
部層領域に設けられるのが好ましいものである。 第２図には、層領域(O)中に含有される酸素原子
の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示され
る。 第２図に示される例では、酸素原子の含有され
る層領域(O)が形成される表面と該層領域(O)の表面
とが接する界面位置tBよりt1の位置までは、酸素
原子の分布濃度ＣがC1なる一定の値を取り乍ら
酸素原子が形成される層領域(O)に含有され、位置
t1より分布濃度Ｃは界面位置tTに至るまでC2より
徐々に連続的に減少されている。界面位置tTにお
いては酸素原子の分布濃度ＣはC3とされる。 第３図に示される例においては、含有される酸
素原子の分布濃度Ｃは位置TBより位置tTに至るま
でC4から徐々に連続的に減少して位置tTにおいて
C3となる様な分布状態を形成している。 第４図の場合には、位置tBより位置t2までは酸
素原子の分布濃度ＣはC6と一定値とされ、位置t2
と位置tTとの間において、徐々に連続的に減少さ
れ、位置tTにおいて、実質的に零とされている。 第５図の場合には、酸素原子は位置tBより位置
tTに至るまで、分布濃度ＣはC8より連続的に徐々
に減少され、位置tTにおいて実質的に零とされて
いる。 第６図に示す例においては、酸素原子の分布濃
度Ｃは、位置tBと位置t3間においては、C9と一定
値であり、位置tTにおいてはC10とされる。位置t3
と位置tTとの間では、分布濃度Ｃは一次関数的に
位置t3より位置tTに至るまで減少されている。 第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは
位置tBより位置t4まではC11の一定値を取り、位置
t4より位置tTまではC12よりC13まで一次関数的に
減少する分布状態とされている。 第８図に示す例においては、位置tBより位置tT
に至るまで、酸素原子の分布濃度ＣはC14より零
に至る様に一次関数的に減少している。 第９図においては、位置tBより位置t5に至るま
では酸素原子の分布濃度Ｃは、C15よりC16まで一
次関数的に減少され、位置t5と位置tTとの間にお
いては、C16の一定値とされた例が示されている。 第１０図に示される例においては、酸素原子の
分布濃度Ｃは位置tBにおいてはC17であり、位置t6
に至るまではこのC17より初めはゆつくりと減少
され、t6の位置付近においては、急激に減少され
て位置t6ではC18とされる。 位置t6と位置t7との間においては、分布濃度Ｃ
は初め急激に減少されて、その後は、緩やかに
徐々に減少されて位置t7でC19となり、位置t7と位
置t8との間では、極めてゆつくりと徐々に減少さ
れて位置t8において、C20に至る。位置t8と位置tT
の間においては、分布濃度ＣはC20より実質的に
零になる様に図に示す如き形状の曲線に従つて減
少されている。 以上、第２図乃至第１０図により、層領域(O)中
に含有される酸素原子の層厚方向の分布状態の典
型例の幾つかを説明した様に、本発明において
は、支持体側において、酸素原子の分布濃度Ｃの
高い部分を有し、界面tT側においては、前記分布
濃度Ｃは支持体側に較べて比較的低くされた部分
を有する分布状態で酸素原子が含有された層領域
(O)が非晶質層に設けられている。 本発明において、非晶質層を構成する酸素原子
の含有される層領域(O)は、上記した様に支持体側
の方に酸素原子が比較的高濃度で含有されている
局在領域(A)を有すものとして設けられるのが望ま
しく、この場合に、支持体と非晶質層との間の密
着性をより一層向上させることが出来る。 局在領域(A)は、第２図乃至第１０図に示す記号
を用いて説明すれば、界面位置tBより5μ以内に設
けられるのが望ましい。 本発明においては、上記局在領域(A)は、界面位
置tBより5μ厚さまでの全層領域LTとされる場合も
あるし、又、層領域LTの一部とされる場合もあ
る。 局在領域(A)を層領域LTの一部とするか又は全
部とするかは、形成される非晶質層に要求される
特性に従つて適宜決められる。 局在領域(A)はその中に含有される酸素原子の層
厚方向の分布状態として酸素原子の分布濃度の最
大値Cmaxが通常は500atomic ppm以上、好適に
は800atomic ppm以上、最適には1000atomic
ppm以上とされる様な分布状態となり得る様に層
結成されるのが望ましい。 即ち、本発明においては、酸素原子の含有され
る層領域(O)は、支持体側からの層厚で5μ以内（tB
から5μ厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大値Cmax
が存在する様に形成されるのが望ましい。 本発明において、原子の含有される層領域
（）中に含有される第族原子の含有量として
は、本発明の目的が効果的に達成される様に所望
に従つて適宜決められるが、通常は0.01〜５×
104atomic ppm、好ましくは0.5〜１×104atomic
ppm、最適には１〜５×103atomic ppm、とさ
れるのが望ましいものである。 本発明において、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第一の非晶質層（）を形成するには例えばグ
ロー放電法、スパツタリング法、或いはイオンプ
レーテイング法等の放電現象を利用する真空堆積
法によつて成される。例えば、グロー放電法によ
つて、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成される第一の非晶
質層（）を形成するには、基本的にはシリコン
原子（Si）を供給し、得るSi供給用の原料ガスと
共に、水素原子(H)導入用の又は／及びハロゲン原
子(X)導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆
積室内に導入して、該堆積室内にグロー放電を生
起させ、予め所定位置に設置されてある所定の支
持表面上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成さ
せれば良い。又、スパツタリング法で形成する場
合には、例えばAr，He等の不活性ガス又はこれ
等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でSi
で構成されたターゲツトをスパツタリングする際
に、水素原子(H)又は／及びハロゲン原子(X)導入用
のガスをスパツタリング用の堆積室に導入してや
れば良い。 本発明において、必要に応じて第一の非晶質層
（）中に含有されるハロゲン原子(X)としては、
具体的にはフツ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げら
れ、殊にフツ素、塩素を好適なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
としては、SiH4、Si2H6、Si3H3、Si4H10等のガ
ス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン
類）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊
に、層作成作業の扱い易さ、Si供給効率の良さ等
の点でSiH4、Si2H6が好ましいものとして挙げら
れる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン
化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換された
シラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハ
ロゲン化合物が好ましく挙げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む硅素化合物も有効なものとして
本発明においては挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF、ClF、OlF3、
BrF5、BrF3、IF2、IF7、ICl、IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF4、Si2F6、SiCl4、SiBr4等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、Siを供給し得る原料
ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、
所定の支持体上にハロゲン原子を含むａ−Siから
成る第一の非晶質層（）を形成する事が出来
る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む第
一の非晶質層（）を形成する場合、基本的に
は、Si供給用の原料ガスであるハロゲン化硅素ガ
スとAr、H2、He等のガス等を所定の混合比とガ
ス流量になる様にして第一の非晶質層（）を形
成する堆積室に導入し、グロー放電を生起してこ
れ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによ
つて、所定の支持体上に第一の非晶質層（）を
形成し得るものであるが、水素原子の導入を図る
為にこれ等のガスに更に水素原子を含む硅素化合
物のガスも所定量混合して層形成しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。 反応スパツタリング法或いはイオンプレー
テイング法に依つてａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成る第
一の非晶質層（）を形成するには、例えばスパ
ツタリング法の場合にはSiから成るターゲツトを
使用して、これを所定のガスプラズマ雰囲気中で
スパツタリングし、イオンプレーテイング法の場
合には、多結晶シリコン又は単結晶シリコンを蒸
発源として蒸着ボートに収容し、このシリコン蒸
発源を抵抗加熱法、或いはエレクトロンビーム法
（EB法）等によつて加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所
定のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事で行う
事が出来る。 この際、スパツタリング法、イオンプレーテイ
ング法の何れの場合にも形成される層中にハロゲ
ン原子を導入するには、前記のハロゲン化合物又
は前記のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを
堆積室中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形
成してやれば良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H2、或いは前記した
シラン類等のガスをスパツタリング用の堆積室中
に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してや
れば良い。 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF、HCl、
HBr、HI等のハロゲン化水素、SiH2F2、
SiH2I2、SiH2Cl2、SiHCl3、SiH2Br2、SiHBr3等
のハロゲン置換水素化硅素、等々のガス状態の或
いはガス化し得る、水素原子を構成要素の１つと
するハロゲン化物も有効な第一の非晶質層（）
形成用の出発物質として挙げる事が出来る。 これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、第一
の非晶質層（）形成の際に層中にハロゲン原子
の導入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に
極めて有効な水素原子も導入されるので、本発明
においては好適なハロゲン原子導入用の原料とし
て使用される。 水素原子を第一の非晶質層（）中に構造的に
導入するには、上記の他にH2、或いはSiH4、
Si2H6、Si3H8、Si4H10等の水素化硅素のガスを
Siを供給する為のシリコン化合物と堆積室中に共
存させて放電を生起させる事でも行う事が出来
る。 例えば、反応スパツタリング法の場合には、Si
ターゲツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス
及びH2ガスを必要に応じてHe、Ar等の不活性ガ
スも含めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を
形成し、前記Siターゲツトをスパツタリングする
事によつて、支持体上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成
る第一の非晶質層（）が形成される。 更には、不純物のドーピングも兼ねてB2H6等
のガスを導入してやることも出来る。 本発明において、形成される光導電部材の第一
の非晶質層（）に含有される水素原子(H)の量又
はハロゲン原子(X)の量又は水素原子とハロゲン原
子の量の和は通常の場合１〜40atomic％、好適
には５〜30atomic％とされるのが望ましい。 第一の非晶質層（）中に含有される水素原子
(H)又は／及びハロゲン原子(X)の量を制御するに
は、例えば支持体温度又は／及び水素原子(H)、或
いはハロゲン原子(X)を含有させる為に使用される
出発物質の堆積装置系内へ導入する量、放電々力
等を制御してやれば良い。 第一の非晶質層（）に、第族原子を含有す
る層領域（）及び酸素原子を含有する層領域(O)
を設けるには、グロー放電法や反応スパツタリン
グ法等による第一の非晶質層（）の形成の際
に、第族原子導入用の出発物質及び酸素原子導
入用の出発物質を夫々前記した第一の非晶質層
（）形成用の出発物質と共に使用して、形成さ
れる層中にその量を制御し乍ら含有してやる事に
よつて成される。 第一の非晶質層（）を構成する、酸素原子の
含有される層領域(O)及び第族原子の含有される
層領域（）を夫々形成するにグロー放電法を用
いる場合各層領域形成用の原料ガスとなる出発物
質としては、前記した第一の非晶質層（）形成
用の出発物質の中から所望に従つて選択されたも
のに、酸素原子導入用の出発物質又は／及び第
族原子導入用の出発物質が加えられる。その様な
酸素原子導入用の出発物質又は第族原子導入用
の出発物質としては、少なくとも酸素原子或いは
第族原子を構成原子とするガス状の物質又はガ
ス化し得る物質をガス化したものの中の大概のも
のが使用され得る。 例えば層領域(O)を形成するのであればシリコン
原子（Si）を構成原子とする原料ガスと、酸素原
子(O)を構成原子とする原料ガスと、必要に応じて
水素原子(H)又は及びハロゲン原子(X)を構成原子と
する原料ガスとを所望の混合比で混合して使用す
るか、又は、シリコン原子（Si）を構成原子とす
る原料ガスと、酸素原子(O)及び水素原子(H)を構成
原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比
で混合するか、或いは、シリコン原子（Si）を構
成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Si）、
酸素原子(O)及び水素原子(H)の３つの構成原子とす
る原料ガスとを混合して使用することが出来る。 又、別には、シリコン原子（Si）と水素原子(H)
とを構成原子とする原料ガスに酸素原子(O)を構成
原子とする原料ガスを混合して使用しても良い。 酸素原子導入用の出発物質となるものとして具
体的には、例えば酸素（O2）、オゾン（O3）、一
酸化窒素（NO）、二酸化窒素（NO2）、一二酸化
窒素（N2O）、三二酸化窒素（N2O3）、四二酸化
窒素（N2O4）、五二酸化窒素（N2O5）、三酸化窒
素（NO3）、シリコン原子（Si）と酸素原子(O)と
水素原子(H)とを構成原子とする、例えば、ジシロ
キサン（H3SiOSiH3）、トリシロキサン
（H3SiOSiH2OSH3）等の低級シロキサン等を挙
げることが出来る。 層領域（）をグロー放電法を用いて形成する
場合に第族原子導入用の出発物質として、本発
明において有効に使用されるのは、硼素原子導入
用としては、B2H6、B4H10、B5H9、B5H11、
B6H10、B6H12、B6H14等の水素化硼素、BF3、
BCl3、BBr3等のハロゲン化硼素等が挙げられる。
この他、AlCl3、GaCl3、Ga（CH3）3、InCl3、
TlCl3等も挙げることが出来る。 第族原子を含有する層領域（）に導入され
る第族原子の含有量は、堆積室中に流入される
第族原子導入用の出発物質のガス流量、ガス流
量比、放電パワー、支持体温度、堆積室内の圧力
等を制御することによつて任意に制御され得る。 スパツタリング法によつて、酸素原子を含有す
る層領域(O)を形成するには、単結晶又は多結晶の
Siウエーハー又はSiO2ウエーハー、又はSiと
SiO2が混合されて含有されているウエーハーを
ターゲツトとして、これ等を種々のガス雰囲気中
でスパツタリングすることによつて行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／
及びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必
要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の
堆積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマ
を形成して前記Siウエーハーをスパツターリング
すれば良い。 又、別には、SiとSiO2とは別々のターゲツト
として、又はSiとSiO2の混合した一枚のターゲ
ツトを使用することによつて、スパツター用のガ
スとしての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも
水素原子(H)又は／及びハロゲン原子(X)を構成原子
として含有するガス雰囲気中でスパツターリング
することによつて成される。酸素原子導入用の原
料ガスとしては、先述したグロー放電の例で示し
た原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガスが、
スパツターリングの場合にも有効なガスとして使
用され得る。 本発明において、第一の非晶質層（）をグロ
ー放電法で形成する際に使用される稀釈ガス或い
はスパツターリング法で形成される際に使用され
るスパツターリング用のガスとしては、所謂稀ガ
ス、例えばHe、Ne、Ar等が好適なものとして
挙げることが出来る。 第１図に示される光導電部材１００に於いて
は、第一の非晶質層（）１０２上に形成される
第二の非晶質層（）１０６は、自由表面１０７
を有し、主に耐湿性、連続繰返し使用特性、耐圧
性使用環境特性、耐久性に於いて本発明の目的も
達成する為に設けられる。 又、本発明に於いては、第一の非晶質層（）
と第二の非晶質層（）とを形成する非晶質材料
の各々がシリコン原子という共通の構成要素を有
しているので、積層界面に於いて化学的な安定性
の確保が充分成されている。 第二の非晶質層（）は、シリコン原子と炭素
原子と水素原子とで構成される非晶質材料〔ａ−
（SixC1-x）yH1-y、但し０＜ｘ，ｙ＜１〕で形成
される。 ａ−（SixC1-x）yH1-yで構成される第二の非晶
質層（）の形成はグロー放電法、スパツターリ
ング法、イオンインプランテーシヨン法、イオン
プレーテイング法、エレクトロンビーム法等によ
つて成される。これ等の製造法は、製造条件、設
備資本投下の負荷程度、製造規模、作製される光
導電部材に所望される特性等の要因によつて適宜
選択されて採用されるが、所望する特性を有する
光導電部材を製造する為の作製条件の制御が比較
的容易である。シリコン原子と共に炭素原子及び
水素原子を作製する第二の非晶質層（）中に導
入するが容易に行える等の利点からグロー放電法
或いはスパツターリング法が好適に採用される。 更に本発明に於いては、グロー放電法とスパツ
ターリング法とを同一装置系内で併用して第二の
非晶質層（）を形成しても良い。 グロー放電法によつて第二の非晶質層（）を
形成するには、ａ−（SixC1-x）yH1-y形成用の原
料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合
比で混合して、支持体の配置してある真空堆積用
の堆積室に導入し、導入されたガスをグロー放電
を生起させることでガスプラズマ化して前記支持
体上に既に形成されてある第一の非晶質層（）
上にａ−（SixC1-x）yH1-yを堆積させれば良い。 本発明に於いてａ−（SixC1-x）yH1-y形成用の
原料ガスとしては、シリコン原子（Si）、炭素原
子(C)、水素原子(H)の中の少なくとも一つも構成原
子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガ
ス化したものの中の大概のものが使用され得る。 （Si）、(C)、(H)の中の１つとしてSiを構成原子
とする原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構
成原子する原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料
ガスと、Ｈを構成原子とする原料ガスとを所望の
混合比で混合して使用するか、又は、Siを構成原
子とする原料ガスと、Ｃ及びＨを構成原子とする
原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合する
か、或いは、Siを構成原子とする原料ガスと、
Si，Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガスと
を混合して使用することが出来る。 又、別には、SiとＨとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）形成用
の原料ガスとして有効に使用されるのは、SiとＨ
とを構成原子とするSiH4、Si2H6、Si3H8、
Si4H10等のシラン（Silane）類等の水素化硅素ガ
ス、ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭素数１
〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系
炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素
等が挙げられる。 具体的には、飽和炭化水素としては、メタン
（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン（CH8）、ｎ
−プタン（ｎ−C4H10）、ペンタン（C5H12）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C2H4）、
プロピレン（C3H6）、ブテン−１（C4H8）、ブテ
ン−２（C4H8）、イソブチレン（C4H8）、ペンテ
ン（C5H10）、アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C2H2）、メチルアセチレン
（C3H4）、ブチン（C4H6）等が挙げられる。 SiとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとして
は、Si（CH3）4、Si（C2H5）4等のケイ化アルキルを
挙げることが出来る。これ等の原料ガスの他、Ｈ
導入用の原料ガスとしては勿論H2も有効なもの
として使用される。 スパツターリング法によつて第二の非晶質層
（）を形成するには、単結晶又は多結晶のSiウ
エーハー又はＣウエーハー又はSiとＣが混合され
て含有されているウエーハーをターゲツトとし
て、これ等を種々のガス雰囲気中でスパツターリ
ングすることによつて行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＣとＨを導入する為の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツターリングす
れば良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、少なくとも水素原子を含有
するガス雰囲気中でスパツターリングすることに
よつて成される。 Ｃ又はＨ導入用の原料ガスとしては、先述した
グロー放電の例で示した原料ガスが、スパツター
リングの場合にも有効なガスとして使用され得
る。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）をグロ
ー放電法又はスパツターリング法で形成する際に
使用される稀釈ガスとしては、所謂・希ガス、例
えばHe，Ne，Ar等が好適なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明に於ける第二の非晶質層（）は、その
要求される特性が所望通りに与えられる様に注意
深く形成される。 即ち、Si，Ｃ，及びＨを構成原子とする物質は
その作成条件によつて構造的には結晶からアモル
フアスまでの形態を取り、電気物性的には導電性
から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導
電的性質から非光導電的性質までの間の性質を、
各々示すので、本発明に於いては、目的に応じた
所望の特性を有するａ−（SixC1-x）yH1-yが形成
される様に、所望に従つてその作成条件の選択が
厳密に成される。 例えば、第二の非晶質層（）を耐圧性の向上
を主な目的として設けるには、ａ−（SixC1-x）
yH1-yは使用条件下に於いて電気絶縁性的挙動の
顕著な非晶質材料として作成される。 又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上
を主たる目的として第二の非晶質層（）が設け
られる場合には、上記の電気絶縁性の度合はある
程度緩和され、照射される光に対してある程度の
感度を有する非晶質材料としてａ−（SixC1-x）
yH1-yが作成される。 第一の非晶質層（）の表面にａ−（SixC1-x）
yH1-yから成る第二の非晶質層（）を形成する
際、層形成中の支持体温度は、形成される層の構
造及び特性を左右する重要な因子であつて、本発
明に於いては、目的とする特性を有するａ−
（SixC1-x）yH1-yが所望通りに作成され得る様に
層作成時の支持体温度が厳密に制御されるのが望
ましい。 本発明に於ける目的が効果的に達成される為の
第二の非晶質層（）を形成する際の支持体温度
としては第二の非晶質層（）の形成法に併せて
適宜最適範囲が選択されて、第二の非晶質層
（）の形成が実行されるが、通常の場合、50℃
〜350℃、好適には100℃〜250℃とされるのが望
ましいものである。第二の非晶質層（）の形成
には、層を構成する原子の組成比の微妙な制御や
層厚の制御が他の方法に較べて比較的容易である
事等の為に、グロー放電法やスパツターリング法
の採用が有利であるが、これ等の層形成法で第二
の非晶質層（）を形成する場合には、前記の支
持体温度と同様に層形成の際の放電パワー、ガス
圧が作成されるａ−（SixC1-x）yH1-yの特性を左
右する重要な因子の１つである。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ−（SixC1-x）yH1-yが生産性良く効果的に
作成される為の放電パワー条件としては、通常、
10〜300W、好適には20〜200Wとされるのが望ま
しい。堆積室内のガス圧は通常0.01〜1Torr、好
適には0.1〜0.5Torr程度とされるのが望ましい。 本発明に於いては、第二の非晶質層（）を作
成する為の支持体温度、放電パワーの望ましい数
値範囲として前記した範囲の値が挙げられるが、
これ等の層作成フアクターは、独立的に別別に決
められるものではなく、所望特性のａ−
（SixC1-x）yH1-yから成る第二の非晶質層（）
が形成される様に相互的有機的関連性に基いて、
各層構成フアクターの最適値が決められるのが望
ましい。 本発明の光導電部材に於ける第二の非晶質層
（）に含有される炭素原子及び水素原子の量は、
第二の非晶質層（）の作製条件と同様、本発明
の目的を達成する所望の特性が得られる第二の非
晶質層（）が形成される重要な因子である。 本発明に於ける第二の非晶質層（）に含有さ
れる炭素原子の量は通常１×10-3〜90atomic％
とされ、好ましくは１〜90atomic％、最適には
10〜80atomic％とされるのが望ましいものであ
る。水素原子の含有量としては、通常の場合１〜
40atomic％、好ましくは２〜35atomic％最適に
は５〜30atomic％とされるのが望ましく、これ
等の範囲に水素含有量がある場合に形成される光
導電部材は、実際面に於いて優れたものとして充
分適用させ得るものである。 即ち、先のａ−（SixC1-x）yH1-yの表示で行え
ばｘが通常は0.1〜0.99999、好適には0.1〜0.99、
最適には0.15〜0.9、ｙが通常0.6〜0.99、好適に
は0.65〜0.98、最適には0.7〜0.98であるのが望ま
しい。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚の
数値範囲は、本発明の目的を効果的に達成する為
の重要な因子の１つである。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚の
数値範囲は、本発明の目的を効果的に達成する様
に所期の目的に応じて適宜所望に従つて決められ
る。 又、第二の非晶質層（）の層厚は、該層
（）中に含有される炭素原子や水素原子の量、
第一の非晶質層（）の層厚等との関係に於いて
も、各々の層領域に要求される特性に応じた有機
的な関連性の下に所望に従つて適宜決定される必
要がある。更に加え得るに、生産性や量産性を加
味した経済性の点に於いても考慮されるのが望ま
しい。 本発明に於ける第二の非晶質層（）と層厚と
しては、通常0.003〜30μ好適には、0.004〜20μ最
適には、0.005〜10μとされるのが望ましいもので
ある。 本発明において使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NiCr、ステンレス、Al、
Cr、Mo、Au、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルロース、ア
セテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等
の合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラ
ミツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶
縁性支持体は、好適には少なくともその表面を導
電処理され、該導電処理された表面側に他の層が
設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr、
Al、Cr、Mo、Au、Ir、Nd、Ta、Ｖ、Ti、Pt、
Pd、In2O3、SnO2、ITO（In2O3＋SnO2）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr、Al、Ag、Pb、Zn、Ni、
Au、Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt
等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、ス
パツターリング等でその表面に設け、又は前記金
属でその表面をラミネート処理して、その表面に
導電性が付与される。支持体の形状としては、円
筒状、ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望
によつて、その形状は決定されるが、例えば、第
１図の光導電部材１００を電子写真用像形成部材
として使用するのであれば連続高速複写の場合に
は、無端ベルト状又は円筒状とするがのが望まし
い。支持体の厚さは、所望通りの光導電部材が形
成される様に適宜決定されるが、光導電部材とし
て可撓性が要求される場合には、支持体としての
機能が充分発揮される範囲内であれば可能な限り
薄くされる。而乍ら、この様な場合支持体の製造
上及び取扱い上、機械的強度等の点から、通常
は、10μ以上とされる。 次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概
略について説明する。 第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示
す。 図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、
本発明の夫々の層領域を形成するための原料ガス
が密封されており、その一例としてたとえば１１
０２は、Heで稀釈されたSiH4（純度99.999％、以
下SiH4／Heと略す。）ボンベ、１１０３はHeで
稀釈されたB2H6ガス（純度99.999％、以下
B2H6／Heと略す。）ボンベ、１１０４はC2H4ガ
ス（純度99.99％）、ボンベ、１１０５はNOガス
（純度99.999％）ボンベ、１１０６はHeで稀釈さ
れたSiF4ガス（純度99.999％、以下SiF4／Heと
略す。）ボンベである。 これらのガスを反応室１１０１に流入させるに
はガスボンベ１１０２〜１１０６のバルブ、１１
２２〜１１２６、リークバルブ１１３５が閉じら
れていることを確認し、又は、流入バルブ１１１
２〜１１１６、流出バルブ１１１７〜１１２１、
補助バルブ１１３２〜１１３３が開かれているこ
とを確認して先づメインバルブ１１３４を開いて
反応室１１０１、ガス配管内を排気する。次に真
空計１１３６の読が約５×10-6torrになつた時点
で補助バルブ１１３２，１１３３、流出バルブ１
１１７〜１１２１を閉じる。 次に基本１１３７上に第１図に示す層構成の光
導電部材を形成する場合の１例をあげる。ガズボ
ンベ１１０２よりSiH4／Heガス、ガスボンベ１
１０３よりB2H6／Heガスを、ガスボンベ１１０
５よりNOガスを夫々バルブ１１２２，１１２
３，１１２５を開いて出口圧ゲージ１１２７，１
１２８，１１３０の圧を夫々１Kg／cm2に調整し、
流入バルブ１１１２，１１１３，１１１５を夫々
徐々に開けて、マスフロコントローラ１１０７，
１１０８，１１１０内に夫々流入させる。引き続
いて流出バルブ１１１７，１１１８，１１２０、
補助バルブ１１３２を徐々に開いて夫々のガスを
反応室１１０１に流入させる。このときの
SiH4／Heガス流量とB2H6／Heガス流量、NOガ
ス流量との比が所望の値になるように流出バルブ
１１１７，１１１８，１１２０を調整し、又、反
応室内の圧力が所望の値になるように真空計１１
３６の読みを見ながらメインバルブ１１３４の開
口を調整する。そして基本シリンダー１１３７の
温度が加熱ヒーター１１３８により50〜400℃の
範囲の温度に設定されていることを確認された
後、電源１１４０の所望の電力に設定して反応室
１１０１内にグロー放電を生起させ、同時にあら
かじめ設計された変化率曲線に従つてNOガスの
流量の手動あるいは外部駆動モータ等の方法によ
つてバルブ１１２０を漸次変化させる操作を行な
つて形成させる層中に含有される酸素原子の層厚
方向の分布濃度を制御する。 上記の様にして、所望層厚に硼素原子と酸素原
子の含有された層領域（Ｂ，Ｏ）が形成された時
点で、流出バルブ１１１８，１１２０を閉じ、反
応室１１０１内へのB2H6／Heガス及びNOガス
の流入を遮断する以外は、同条件にて引続き層形
成を行うことによつて、酸素原子及び硼素原子の
含有されない層領域を層領域（Ｂ，Ｏ）上に所望
の層厚に形成する。この様にして所望特性の非晶
質層を基本１１３７上に形成することが出来る。 硼素原子の含有される層領域（）は、非晶質
層の形成過程に於いて、適当な時点でB2H6／He
ガスの反応室１１０１内への流入を断つことによ
つて、所望層厚に形成することができ、該層領域
（）が層領域(O)の全層領域を占める場合や一部
を占める場合のいずれも実現出来る。 例えば、上記の例に於いては、層領域（Ｂ，
Ｏ）を所望層厚に形成した時点で、NOガスの反
応室１１０１内への流入を流出バルブ１１２０を
完全に閉じることによつて断つこと以外は、同条
件で引続き層形成を行うことで、層領域（Ｂ，
Ｏ）上に硼素原子は含有されているが酸素原子は
含有されてない層領域を非晶質層の一部として形
成することが出来る。 又、硼素原子は含有されないが酸素原子は含有
される層領域を形成する場合には、例えばNOガ
スとSiH4／Heガスを使用して層形成すれば良
い。 非晶質晶中にハロゲン原子を含有させる場合に
は上記のガスにたとえばSiF4／Heを、更に付加
して反応室１１０１内に送り込む。 非晶質層の形成の際ガス種の選択によつては、
層形成速度を更に高めることが出来る。例えば
SiH4ガスのかわりにSi2H6ガスを用いて層形成を
行なえば、数倍高めることが出来、生産性が向上
する。 上記の様にして作成された第一の非晶質層
（）上に第二の非晶質層（）を形成するには、
第一の非晶質層（）の形成の際と同様なバルブ
操作によつて例えば、SiH4ガス、C2H4ガスの
夫々を、必要に応じてHe等の稀釈ガスで稀釈し
て、所望の流量比で反応室１１０１中に流し、所
望の条件に従つて、グロー放電を生起させること
によつて成される。 第二の非晶質層（）中に含有させる炭素原子
の量は例えば、SiH4ガスと、C2H4ガスの反応室
１１０１内に導入される流量比を所望に従つて任
意に変えることによつて、所望に応じて制御する
ことが出来る。 夫々の層を形成する際に必要なガス以外の流出
バルブは全て閉じることは言うまでもなく、又、
夫々の層を形成する際、前層の形成に使用したガ
スが反応室１１０１内、流出バルブ１１１７〜１
１２１から反応室１１０１内に至る配管内に残留
することを避けるために、流出バルブ１１１７〜
１１２１を閉じ補助バルブ１１３２を開いてメイ
ンバルブ１１３４を全開して系内を一旦高真空に
排気する操作を必要に応じて行う。 実施例 １ 第１１図に示した製造装置を用い、第１第２層
内で、第１２図に示すような酸素濃度分布を持つ
像形成部材を第１表の条件下で作製した。 こうして得られた像形成部材を、帯電路光実験
装置に設置し5.0KVで0.2sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した光像はタングステンラ
ンプ光源を用い、1.5lux・secの光量を透過型の
テストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を部材表面をカスケードするこ
とによつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を、5.0KVのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調
再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある光導電部材に関す
る。 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。 殊に、事務機としてオフイスで使用される電子
写真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の
場合には、上記の使用時における無公害性は重要
な点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電交
換読取装置への応用が記載されている。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び使用
環境特性の点、更には経時的安定性及び耐久性の
点において、各々、個々には特性の向上が計られ
ているが、総合的な特性向上を計る上で更に改良
される余地が存するのが実情である。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとす
ると従来においてはその使用時において残留電位
が残る場合が度々観測され、この種の光導電部材
は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用によ
る疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴース
ト現象を発する様になる等の不都合な点が少なく
なかつた。 又、ａ−Si材料で光導電層を構成する場合に
は、その電気的、光導電的特性の改良を計るため
に、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロ
ゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼素原
子や隣原子等が或いはその他の特性改良のために
他の原子が、各々構成原子として光導電層中に含
有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方如何
によつては、形成した層の電気的或いは光導電的
特性や耐圧性に問題が生ずる場合があつた。 即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射に
よつて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命
が充分でないこと、或いは暗部において、支持体
側よりの電荷の注入の阻止が充分でないこと等が
生ずる場合があつた。 従つて、ａ−Si材料そのものの特性改良が計ら
れる一方で光導電部材を設計する際に、上記した
様な問題の総てが解決される様に工夫される必要
がある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、シリコン原子を母体と
し、水素原子(H)又はハロゲン原子(X)のいずれか一
方を少なくとも含有するアモルフアス材料、所謂
水素化アモルフアスシリコン、ハロゲン化アモル
フアスシリコン或いはハロゲン含有水素化アモル
フアスシリコン〔以後これ等の総称的表記として
「ａ−Si（Ｈ，Ｘ）」を使用する〕から構成される
光導電層を有する光導電部材の層構成を以後に説
明される様に特定化する様に設計されて作成され
た光導電部材は実用上著しく優れた特性を示すば
かりでなく、従来の光導電部材と較べてみてもあ
らゆる点において凌駕していること、殊に電子写
真用の光導電部材として著しく優れた特性を有し
ていることを見出した点に基づいている。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が使用
環境に殆んど影響を受けず常時安定し、耐光疲労
に著しく長け、繰返し使用に際しても劣化現象を
起さず耐久性に優れ、残留電位が全く又は殆んど
観測されない光導電部材を提供することを主たる
目的とする。 本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材と
して適用させた場合、静電像形成のための帯電処
理の際の電荷保持能が充分あり、通常の電子写真
法が極めて有効に適用され得る優れた電子写真特
性を有する光導電部材を提供することである。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得ることが容易にできる電子写真用の光導電
部材を提供することである。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性及び高耐圧性を有する光導電部材を
提供することでもある。 本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体
と、シリコン原子を母体とする非晶質材料で構成
された、光導電性を有する第一の非晶質層と、シ
リコン原子と炭素原子と水素原子とを含む非晶質
材料で構成された第二の非晶質層とを有し、前記
第一の非晶質層が、層厚方向に連続的で且つ前記
支持体側から層厚5μ以内に構成原子として酸素
原子を500atomic ppm以上の最大濃度で含有し
前記第二の非晶質層側における濃度を支持体側に
較べて比較的低くし、且つ分布濃度が徐々に連続
的に減少された領域を有する第１の層領域と、構
成原子として周期律表第族に属する原子を含有
する第２の層領域とを有し、前記第１の層領域
は、前記第一の非晶質層の前記支持体側の方の一
部領域に偏在しており、前記第２の層領域の層厚
TBと前記第一の非晶質層の層厚より前記第２の
層領域の層厚TBを除いた部分の層厚ＴとがTB／
Ｔ≦１なる関係にあることを特徴とする。 上記した様に層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて、耐光疲労、繰返し
使用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い、高品質の画像を安
定して繰返し得ることができる。 以下、図面に従つて本発明の光導電部材に就て
詳細に説明する。 第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明
する為に模式的に示した模式的構成図である。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、ａ−Siから成る
光導電性を有する第一の非晶質層（）１０２と
該第一の非晶質（）１０２上にシリコン原子と
炭素原子と水素原子とを含む非晶質材料で構成さ
れた第二の非晶質層（）１０６を有する。 第一の非晶質層（）１０２は、層厚方向に連
続的で且つ前記支持体１０１の方に多く分布する
分布状態で、構成原子として酸素原子を含有する
第１の層領域(O)１０３と構成原子として第族原
子を含有する第２の層領域（）１０４とを有す
る様に構成された層構造を有する。第１図に示す
例においては、第１の層領域(O)１０３が第２の層
領域（）１０４の一部を占めた層構造を有し、
第１の層領域(O)１０３及び第２の層領域（）１
０４は第一の非晶質層１０２の支持体１０１側の
方に偏在している。 第一の非晶質層１０２の上部層領域１０５に
は、酸素原子及び第族原子は、実質的に含まれ
ておらず、酸素原子は第１の層領域(O)１０３に、
第族原子は第２の層領域（）１０４に含有さ
れている。勿論、第１の層領域(O)１０３には第
族原子も含まれている。 本発明に於いて、上記の様な層構成とするの
は、第１の層領域(O)１０３は、酸素原子の含有に
よつて、高暗抵抗化と支持体１０１と第一の非晶
質層（）１０２との間の密着性の向上が重点的
に計られ、上部層領域１０５には、酸素原子を含
有させずに高感度化が重点的に計られている。第
１の層領域(O)１０３に含有される酸素原子は層厚
方向に連続的に不均一な分布状態で、且つ支持体
１０１と第一の非晶質層（）１０２との界面に
平行な面内に於いては、実質的に均一な分布状態
で前記第１の層領域(O)１０３中に含有されてい
る。 本発明において、第一の非晶質層（）１０２
を構成し、第族原子を含有する第２の層領域
（）１０４中に含有される第族原子としては、
Ｂ（硼素）、Al（アルミニウム）、Ga（ガリウム）、
In（インジウム）、Tl（タリウム）等であり、殊に
好適に用いられるのはＢ、Gaである。 本発明においては、第２の層領域（）１０４
中に含有される第族原子の分布状態は、層厚方
向において及び支持体１０１の表面と平行な面内
に於いて実質的に均一な分布状態とされる。 第１の層領域(O)１０３と上部層領域１０５との
層厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の
重要な因子の１つであるので形成される光導電部
材に所望の特性が充分与えられる様に、光導電部
材の設計の際に充分なる注意が払われる必要があ
る。 本発明に於いて、第２の層領域（）１０４の
層厚TBは、その上限としては、通常の場合、50μ
以下、好ましくは、30μ以下、最適には、10μ以
下とされるのが望ましい。又、上部層領域１０５
の層厚Ｔは、その下限としては、通常の場合0.5μ
以上、好ましくは1μ以上、最適には3μ以上とさ
れるのが望ましい。 第２の層領域（）１０４の層厚TBの下限及
び上部層領域１０５の層厚Ｔの上限としては、両
層領域に要求される特性と第一の非晶質層（）
１０２全体に要求される特性との相互間の有機的
関連性に基いて、光導電部材の層設計の際に、所
望に従つて適宜決定される。 本発明に於いては、上記の層厚TBの下限及び
層厚Ｔの上限としては、通常は、TB／Ｔ≦１な
る関係を満足する様に、夫々に対して適宜適切な
数値が選択される。 層厚TB及び層厚Ｔの数値の選択に於いて、よ
り好ましくは、TB／Ｔ≦0.9、最適にはTB／Ｔ≦
0.8なる関係が満足される様に層厚TB及び層厚Ｔ
の値が決定されるのが望ましいものである。 第１図に示す本発明の光導電部材に於いては、
第族原子が含有されている第２の層領域（）
１０４内に第１の層領域(O)１０３が形成されてい
るが、第１の層領域(O)と第２の層領域（）とを
同一層領域とすることも出来る。 又、第１の層領域(O)内に第２の層領域（）を
形成する場合も良好な実施態様例の１つとして挙
げることが出来る。 第１の層領域(O)中の含有される酸素原子の量
は、形成される光導電部材に要求される特性に応
じて所望に従つて適宜決められるが、通常の場
合、0.001〜50atomic％、好ましくは0.002〜
40atomic％、最適には0.003〜30atomic％とされ
るのが望ましいものである。 第１の層領域(O)の層厚TOが充分厚いか、又は
第一の非晶質層（）の全層厚に対する割合が５
分の２以上を越える様な場合には、第１の層領域
(O)中に含有される酸素原子の量の上限としては、
通常は30atomic％以下、好ましくは20atomic％
以下、最適には10atomic％以下とされるのが望
ましいものである。 本発明に於いては、第一の非晶質層（）の層
厚としては、所望の電子写真特性が得られること
及び経済性等の点から通常は、１〜100μ、好適
には１〜80μ、最適には２〜50μとされるのが望
ましい。 第２図乃至第１０図には、本発明における光導
電部材の第一の非晶質層（）を構成する第一の
層領域(O)中に含有される酸素原子の層厚方向の分
布状態の典型的例が示される。 第２図乃至第１０図の例に於いて、第族原子
の含有される層領域（）は、層領域(O)と同一層
領域であつても、層領域(O)を内包しても、或い
は、層領域(O)の一部の層領域を共有しても良いも
のであるので、以後の説明に於いては、第族原
子の含有されている層領域（）については、殊
に説明を要しない限り言及しない。 第２図乃至第１０図において、横軸は酸素原子
の分布濃度Ｃを、縦軸は、光導電性を示す非晶質
層を構成し、酸素原子の含有される層領域(O)の層
厚ｔを示しtBは支持体側の界面の位置を、tTは支
持体側とは反対側の界面の位置を示す。即ち、酸
素原子の含有される層領域(O)はtB側よりtT側に向
つて層形成がなされる。 本発明においては、酸素原子の含有される層領
域(O)は、光導電部材を構成するａ−Si（Ｈ，Ｘ）
から成り、光導電性を示す第一の非晶質層（）
の一部を占めている。 本発明において、前記層領域(O)は、第１図の例
で示せば第一の非晶質層（）の支持体１０１側
の表面を含んで第一の非晶質層（）１０２の下
部層領域に設けられるのが好ましいものである。 第２図には、層領域(O)中に含有される酸素原子
の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示され
る。 第２図に示される例では、酸素原子の含有され
る層領域(O)が形成される表面と該層領域(O)の表面
とが接する界面位置tBよりt1の位置までは、酸素
原子の分布濃度ＣがC1なる一定の値を取り乍ら
酸素原子が形成される層領域(O)に含有され、位置
t1より分布濃度Ｃは界面位置tTに至るまでC2より
徐々に連続的に減少されている。界面位置tTにお
いては酸素原子の分布濃度ＣはC3とされる。 第３図に示される例においては、含有される酸
素原子の分布濃度Ｃは位置TBより位置tTに至るま
でC4から徐々に連続的に減少して位置tTにおいて
C3となる様な分布状態を形成している。 第４図の場合には、位置tBより位置t2までは酸
素原子の分布濃度ＣはC6と一定値とされ、位置t2
と位置tTとの間において、徐々に連続的に減少さ
れ、位置tTにおいて、実質的に零とされている。 第５図の場合には、酸素原子は位置tBより位置
tTに至るまで、分布濃度ＣはC8より連続的に徐々
に減少され、位置tTにおいて実質的に零とされて
いる。 第６図に示す例においては、酸素原子の分布濃
度Ｃは、位置tBと位置t3間においては、C9と一定
値であり、位置tTにおいてはC10とされる。位置t3
と位置tTとの間では、分布濃度Ｃは一次関数的に
位置t3より位置tTに至るまで減少されている。 第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは
位置tBより位置t4まではC11の一定値を取り、位置
t4より位置tTまではC12よりC13まで一次関数的に
減少する分布状態とされている。 第８図に示す例においては、位置tBより位置tT
に至るまで、酸素原子の分布濃度ＣはC14より零
に至る様に一次関数的に減少している。 第９図においては、位置tBより位置t5に至るま
では酸素原子の分布濃度Ｃは、C15よりC16まで一
次関数的に減少され、位置t5と位置tTとの間にお
いては、C16の一定値とされた例が示されている。 第１０図に示される例においては、酸素原子の
分布濃度Ｃは位置tBにおいてはC17であり、位置t6
に至るまではこのC17より初めはゆつくりと減少
され、t6の位置付近においては、急激に減少され
て位置t6ではC18とされる。 位置t6と位置t7との間においては、分布濃度Ｃ
は初め急激に減少されて、その後は、緩やかに
徐々に減少されて位置t7でC19となり、位置t7と位
置t8との間では、極めてゆつくりと徐々に減少さ
れて位置t8において、C20に至る。位置t8と位置tT
の間においては、分布濃度ＣはC20より実質的に
零になる様に図に示す如き形状の曲線に従つて減
少されている。 以上、第２図乃至第１０図により、層領域(O)中
に含有される酸素原子の層厚方向の分布状態の典
型例の幾つかを説明した様に、本発明において
は、支持体側において、酸素原子の分布濃度Ｃの
高い部分を有し、界面tT側においては、前記分布
濃度Ｃは支持体側に較べて比較的低くされた部分
を有する分布状態で酸素原子が含有された層領域
(O)が非晶質層に設けられている。 本発明において、非晶質層を構成する酸素原子
の含有される層領域(O)は、上記した様に支持体側
の方に酸素原子が比較的高濃度で含有されている
局在領域(A)を有すものとして設けられるのが望ま
しく、この場合に、支持体と非晶質層との間の密
着性をより一層向上させることが出来る。 局在領域(A)は、第２図乃至第１０図に示す記号
を用いて説明すれば、界面位置tBより5μ以内に設
けられるのが望ましい。 本発明においては、上記局在領域(A)は、界面位
置tBより5μ厚さまでの全層領域LTとされる場合も
あるし、又、層領域LTの一部とされる場合もあ
る。 局在領域(A)を層領域LTの一部とするか又は全
部とするかは、形成される非晶質層に要求される
特性に従つて適宜決められる。 局在領域(A)はその中に含有される酸素原子の層
厚方向の分布状態として酸素原子の分布濃度の最
大値Cmaxが通常は500atomic ppm以上、好適に
は800atomic ppm以上、最適には1000atomic
ppm以上とされる様な分布状態となり得る様に層
結成されるのが望ましい。 即ち、本発明においては、酸素原子の含有され
る層領域(O)は、支持体側からの層厚で5μ以内（tB
から5μ厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大値Cmax
が存在する様に形成されるのが望ましい。 本発明において、原子の含有される層領域
（）中に含有される第族原子の含有量として
は、本発明の目的が効果的に達成される様に所望
に従つて適宜決められるが、通常は0.01〜５×
104atomic ppm、好ましくは0.5〜１×104atomic
ppm、最適には１〜５×103atomic ppm、とさ
れるのが望ましいものである。 本発明において、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第一の非晶質層（）を形成するには例えばグ
ロー放電法、スパツタリング法、或いはイオンプ
レーテイング法等の放電現象を利用する真空堆積
法によつて成される。例えば、グロー放電法によ
つて、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成される第一の非晶
質層（）を形成するには、基本的にはシリコン
原子（Si）を供給し、得るSi供給用の原料ガスと
共に、水素原子(H)導入用の又は／及びハロゲン原
子(X)導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆
積室内に導入して、該堆積室内にグロー放電を生
起させ、予め所定位置に設置されてある所定の支
持表面上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成さ
せれば良い。又、スパツタリング法で形成する場
合には、例えばAr，He等の不活性ガス又はこれ
等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でSi
で構成されたターゲツトをスパツタリングする際
に、水素原子(H)又は／及びハロゲン原子(X)導入用
のガスをスパツタリング用の堆積室に導入してや
れば良い。 本発明において、必要に応じて第一の非晶質層
（）中に含有されるハロゲン原子(X)としては、
具体的にはフツ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げら
れ、殊にフツ素、塩素を好適なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
としては、SiH4、Si2H6、Si3H3、Si4H10等のガ
ス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン
類）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊
に、層作成作業の扱い易さ、Si供給効率の良さ等
の点でSiH4、Si2H6が好ましいものとして挙げら
れる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン
化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換された
シラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハ
ロゲン化合物が好ましく挙げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む硅素化合物も有効なものとして
本発明においては挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF、ClF、OlF3、
BrF5、BrF3、IF2、IF7、ICl、IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF4、Si2F6、SiCl4、SiBr4等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、Siを供給し得る原料
ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、
所定の支持体上にハロゲン原子を含むａ−Siから
成る第一の非晶質層（）を形成する事が出来
る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む第
一の非晶質層（）を形成する場合、基本的に
は、Si供給用の原料ガスであるハロゲン化硅素ガ
スとAr、H2、He等のガス等を所定の混合比とガ
ス流量になる様にして第一の非晶質層（）を形
成する堆積室に導入し、グロー放電を生起してこ
れ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによ
つて、所定の支持体上に第一の非晶質層（）を
形成し得るものであるが、水素原子の導入を図る
為にこれ等のガスに更に水素原子を含む硅素化合
物のガスも所定量混合して層形成しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。 反応スパツタリング法或いはイオンプレー
テイング法に依つてａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成る第
一の非晶質層（）を形成するには、例えばスパ
ツタリング法の場合にはSiから成るターゲツトを
使用して、これを所定のガスプラズマ雰囲気中で
スパツタリングし、イオンプレーテイング法の場
合には、多結晶シリコン又は単結晶シリコンを蒸
発源として蒸着ボートに収容し、このシリコン蒸
発源を抵抗加熱法、或いはエレクトロンビーム法
（EB法）等によつて加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所
定のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事で行う
事が出来る。 この際、スパツタリング法、イオンプレーテイ
ング法の何れの場合にも形成される層中にハロゲ
ン原子を導入するには、前記のハロゲン化合物又
は前記のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを
堆積室中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形
成してやれば良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H2、或いは前記した
シラン類等のガスをスパツタリング用の堆積室中
に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してや
れば良い。 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF、HCl、
HBr、HI等のハロゲン化水素、SiH2F2、
SiH2I2、SiH2Cl2、SiHCl3、SiH2Br2、SiHBr3等
のハロゲン置換水素化硅素、等々のガス状態の或
いはガス化し得る、水素原子を構成要素の１つと
するハロゲン化物も有効な第一の非晶質層（）
形成用の出発物質として挙げる事が出来る。 これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、第一
の非晶質層（）形成の際に層中にハロゲン原子
の導入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に
極めて有効な水素原子も導入されるので、本発明
においては好適なハロゲン原子導入用の原料とし
て使用される。 水素原子を第一の非晶質層（）中に構造的に
導入するには、上記の他にH2、或いはSiH4、
Si2H6、Si3H8、Si4H10等の水素化硅素のガスを
Siを供給する為のシリコン化合物と堆積室中に共
存させて放電を生起させる事でも行う事が出来
る。 例えば、反応スパツタリング法の場合には、Si
ターゲツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス
及びH2ガスを必要に応じてHe、Ar等の不活性ガ
スも含めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を
形成し、前記Siターゲツトをスパツタリングする
事によつて、支持体上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成
る第一の非晶質層（）が形成される。 更には、不純物のドーピングも兼ねてB2H6等
のガスを導入してやることも出来る。 本発明において、形成される光導電部材の第一
の非晶質層（）に含有される水素原子(H)の量又
はハロゲン原子(X)の量又は水素原子とハロゲン原
子の量の和は通常の場合１〜40atomic％、好適
には５〜30atomic％とされるのが望ましい。 第一の非晶質層（）中に含有される水素原子
(H)又は／及びハロゲン原子(X)の量を制御するに
は、例えば支持体温度又は／及び水素原子(H)、或
いはハロゲン原子(X)を含有させる為に使用される
出発物質の堆積装置系内へ導入する量、放電々力
等を制御してやれば良い。 第一の非晶質層（）に、第族原子を含有す
る層領域（）及び酸素原子を含有する層領域(O)
を設けるには、グロー放電法や反応スパツタリン
グ法等による第一の非晶質層（）の形成の際
に、第族原子導入用の出発物質及び酸素原子導
入用の出発物質を夫々前記した第一の非晶質層
（）形成用の出発物質と共に使用して、形成さ
れる層中にその量を制御し乍ら含有してやる事に
よつて成される。 第一の非晶質層（）を構成する、酸素原子の
含有される層領域(O)及び第族原子の含有される
層領域（）を夫々形成するにグロー放電法を用
いる場合各層領域形成用の原料ガスとなる出発物
質としては、前記した第一の非晶質層（）形成
用の出発物質の中から所望に従つて選択されたも
のに、酸素原子導入用の出発物質又は／及び第
族原子導入用の出発物質が加えられる。その様な
酸素原子導入用の出発物質又は第族原子導入用
の出発物質としては、少なくとも酸素原子或いは
第族原子を構成原子とするガス状の物質又はガ
ス化し得る物質をガス化したものの中の大概のも
のが使用され得る。 例えば層領域(O)を形成するのであればシリコン
原子（Si）を構成原子とする原料ガスと、酸素原
子(O)を構成原子とする原料ガスと、必要に応じて
水素原子(H)又は及びハロゲン原子(X)を構成原子と
する原料ガスとを所望の混合比で混合して使用す
るか、又は、シリコン原子（Si）を構成原子とす
る原料ガスと、酸素原子(O)及び水素原子(H)を構成
原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比
で混合するか、或いは、シリコン原子（Si）を構
成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Si）、
酸素原子(O)及び水素原子(H)の３つの構成原子とす
る原料ガスとを混合して使用することが出来る。 又、別には、シリコン原子（Si）と水素原子(H)
とを構成原子とする原料ガスに酸素原子(O)を構成
原子とする原料ガスを混合して使用しても良い。 酸素原子導入用の出発物質となるものとして具
体的には、例えば酸素（O2）、オゾン（O3）、一
酸化窒素（NO）、二酸化窒素（NO2）、一二酸化
窒素（N2O）、三二酸化窒素（N2O3）、四二酸化
窒素（N2O4）、五二酸化窒素（N2O5）、三酸化窒
素（NO3）、シリコン原子（Si）と酸素原子(O)と
水素原子(H)とを構成原子とする、例えば、ジシロ
キサン（H3SiOSiH3）、トリシロキサン
（H3SiOSiH2OSH3）等の低級シロキサン等を挙
げることが出来る。 層領域（）をグロー放電法を用いて形成する
場合に第族原子導入用の出発物質として、本発
明において有効に使用されるのは、硼素原子導入
用としては、B2H6、B4H10、B5H9、B5H11、
B6H10、B6H12、B6H14等の水素化硼素、BF3、
BCl3、BBr3等のハロゲン化硼素等が挙げられる。
この他、AlCl3、GaCl3、Ga（CH3）3、InCl3、
TlCl3等も挙げることが出来る。 第族原子を含有する層領域（）に導入され
る第族原子の含有量は、堆積室中に流入される
第族原子導入用の出発物質のガス流量、ガス流
量比、放電パワー、支持体温度、堆積室内の圧力
等を制御することによつて任意に制御され得る。 スパツタリング法によつて、酸素原子を含有す
る層領域(O)を形成するには、単結晶又は多結晶の
Siウエーハー又はSiO2ウエーハー、又はSiと
SiO2が混合されて含有されているウエーハーを
ターゲツトとして、これ等を種々のガス雰囲気中
でスパツタリングすることによつて行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／
及びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必
要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の
堆積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマ
を形成して前記Siウエーハーをスパツターリング
すれば良い。 又、別には、SiとSiO2とは別々のターゲツト
として、又はSiとSiO2の混合した一枚のターゲ
ツトを使用することによつて、スパツター用のガ
スとしての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも
水素原子(H)又は／及びハロゲン原子(X)を構成原子
として含有するガス雰囲気中でスパツターリング
することによつて成される。酸素原子導入用の原
料ガスとしては、先述したグロー放電の例で示し
た原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガスが、
スパツターリングの場合にも有効なガスとして使
用され得る。 本発明において、第一の非晶質層（）をグロ
ー放電法で形成する際に使用される稀釈ガス或い
はスパツターリング法で形成される際に使用され
るスパツターリング用のガスとしては、所謂稀ガ
ス、例えばHe、Ne、Ar等が好適なものとして
挙げることが出来る。 第１図に示される光導電部材１００に於いて
は、第一の非晶質層（）１０２上に形成される
第二の非晶質層（）１０６は、自由表面１０７
を有し、主に耐湿性、連続繰返し使用特性、耐圧
性使用環境特性、耐久性に於いて本発明の目的も
達成する為に設けられる。 又、本発明に於いては、第一の非晶質層（）
と第二の非晶質層（）とを形成する非晶質材料
の各々がシリコン原子という共通の構成要素を有
しているので、積層界面に於いて化学的な安定性
の確保が充分成されている。 第二の非晶質層（）は、シリコン原子と炭素
原子と水素原子とで構成される非晶質材料〔ａ−
（SixC1-x）yH1-y、但し０＜ｘ，ｙ＜１〕で形成
される。 ａ−（SixC1-x）yH1-yで構成される第二の非晶
質層（）の形成はグロー放電法、スパツターリ
ング法、イオンインプランテーシヨン法、イオン
プレーテイング法、エレクトロンビーム法等によ
つて成される。これ等の製造法は、製造条件、設
備資本投下の負荷程度、製造規模、作製される光
導電部材に所望される特性等の要因によつて適宜
選択されて採用されるが、所望する特性を有する
光導電部材を製造する為の作製条件の制御が比較
的容易である。シリコン原子と共に炭素原子及び
水素原子を作製する第二の非晶質層（）中に導
入するが容易に行える等の利点からグロー放電法
或いはスパツターリング法が好適に採用される。 更に本発明に於いては、グロー放電法とスパツ
ターリング法とを同一装置系内で併用して第二の
非晶質層（）を形成しても良い。 グロー放電法によつて第二の非晶質層（）を
形成するには、ａ−（SixC1-x）yH1-y形成用の原
料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合
比で混合して、支持体の配置してある真空堆積用
の堆積室に導入し、導入されたガスをグロー放電
を生起させることでガスプラズマ化して前記支持
体上に既に形成されてある第一の非晶質層（）
上にａ−（SixC1-x）yH1-yを堆積させれば良い。 本発明に於いてａ−（SixC1-x）yH1-y形成用の
原料ガスとしては、シリコン原子（Si）、炭素原
子(C)、水素原子(H)の中の少なくとも一つも構成原
子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガ
ス化したものの中の大概のものが使用され得る。 （Si）、(C)、(H)の中の１つとしてSiを構成原子
とする原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構
成原子する原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料
ガスと、Ｈを構成原子とする原料ガスとを所望の
混合比で混合して使用するか、又は、Siを構成原
子とする原料ガスと、Ｃ及びＨを構成原子とする
原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合する
か、或いは、Siを構成原子とする原料ガスと、
Si，Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガスと
を混合して使用することが出来る。 又、別には、SiとＨとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）形成用
の原料ガスとして有効に使用されるのは、SiとＨ
とを構成原子とするSiH4、Si2H6、Si3H8、
Si4H10等のシラン（Silane）類等の水素化硅素ガ
ス、ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭素数１
〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系
炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素
等が挙げられる。 具体的には、飽和炭化水素としては、メタン
（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン（CH8）、ｎ
−プタン（ｎ−C4H10）、ペンタン（C5H12）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C2H4）、
プロピレン（C3H6）、ブテン−１（C4H8）、ブテ
ン−２（C4H8）、イソブチレン（C4H8）、ペンテ
ン（C5H10）、アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C2H2）、メチルアセチレン
（C3H4）、ブチン（C4H6）等が挙げられる。 SiとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとして
は、Si（CH3）4、Si（C2H5）4等のケイ化アルキルを
挙げることが出来る。これ等の原料ガスの他、Ｈ
導入用の原料ガスとしては勿論H2も有効なもの
として使用される。 スパツターリング法によつて第二の非晶質層
（）を形成するには、単結晶又は多結晶のSiウ
エーハー又はＣウエーハー又はSiとＣが混合され
て含有されているウエーハーをターゲツトとし
て、これ等を種々のガス雰囲気中でスパツターリ
ングすることによつて行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＣとＨを導入する為の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツターリングす
れば良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、少なくとも水素原子を含有
するガス雰囲気中でスパツターリングすることに
よつて成される。 Ｃ又はＨ導入用の原料ガスとしては、先述した
グロー放電の例で示した原料ガスが、スパツター
リングの場合にも有効なガスとして使用され得
る。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）をグロ
ー放電法又はスパツターリング法で形成する際に
使用される稀釈ガスとしては、所謂・希ガス、例
えばHe，Ne，Ar等が好適なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明に於ける第二の非晶質層（）は、その
要求される特性が所望通りに与えられる様に注意
深く形成される。 即ち、Si，Ｃ，及びＨを構成原子とする物質は
その作成条件によつて構造的には結晶からアモル
フアスまでの形態を取り、電気物性的には導電性
から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導
電的性質から非光導電的性質までの間の性質を、
各々示すので、本発明に於いては、目的に応じた
所望の特性を有するａ−（SixC1-x）yH1-yが形成
される様に、所望に従つてその作成条件の選択が
厳密に成される。 例えば、第二の非晶質層（）を耐圧性の向上
を主な目的として設けるには、ａ−（SixC1-x）
yH1-yは使用条件下に於いて電気絶縁性的挙動の
顕著な非晶質材料として作成される。 又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上
を主たる目的として第二の非晶質層（）が設け
られる場合には、上記の電気絶縁性の度合はある
程度緩和され、照射される光に対してある程度の
感度を有する非晶質材料としてａ−（SixC1-x）
yH1-yが作成される。 第一の非晶質層（）の表面にａ−（SixC1-x）
yH1-yから成る第二の非晶質層（）を形成する
際、層形成中の支持体温度は、形成される層の構
造及び特性を左右する重要な因子であつて、本発
明に於いては、目的とする特性を有するａ−
（SixC1-x）yH1-yが所望通りに作成され得る様に
層作成時の支持体温度が厳密に制御されるのが望
ましい。 本発明に於ける目的が効果的に達成される為の
第二の非晶質層（）を形成する際の支持体温度
としては第二の非晶質層（）の形成法に併せて
適宜最適範囲が選択されて、第二の非晶質層
（）の形成が実行されるが、通常の場合、50℃
〜350℃、好適には100℃〜250℃とされるのが望
ましいものである。第二の非晶質層（）の形成
には、層を構成する原子の組成比の微妙な制御や
層厚の制御が他の方法に較べて比較的容易である
事等の為に、グロー放電法やスパツターリング法
の採用が有利であるが、これ等の層形成法で第二
の非晶質層（）を形成する場合には、前記の支
持体温度と同様に層形成の際の放電パワー、ガス
圧が作成されるａ−（SixC1-x）yH1-yの特性を左
右する重要な因子の１つである。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ−（SixC1-x）yH1-yが生産性良く効果的に
作成される為の放電パワー条件としては、通常、
10〜300W、好適には20〜200Wとされるのが望ま
しい。堆積室内のガス圧は通常0.01〜1Torr、好
適には0.1〜0.5Torr程度とされるのが望ましい。 本発明に於いては、第二の非晶質層（）を作
成する為の支持体温度、放電パワーの望ましい数
値範囲として前記した範囲の値が挙げられるが、
これ等の層作成フアクターは、独立的に別別に決
められるものではなく、所望特性のａ−
（SixC1-x）yH1-yから成る第二の非晶質層（）
が形成される様に相互的有機的関連性に基いて、
各層構成フアクターの最適値が決められるのが望
ましい。 本発明の光導電部材に於ける第二の非晶質層
（）に含有される炭素原子及び水素原子の量は、
第二の非晶質層（）の作製条件と同様、本発明
の目的を達成する所望の特性が得られる第二の非
晶質層（）が形成される重要な因子である。 本発明に於ける第二の非晶質層（）に含有さ
れる炭素原子の量は通常１×10-3〜90atomic％
とされ、好ましくは１〜90atomic％、最適には
10〜80atomic％とされるのが望ましいものであ
る。水素原子の含有量としては、通常の場合１〜
40atomic％、好ましくは２〜35atomic％最適に
は５〜30atomic％とされるのが望ましく、これ
等の範囲に水素含有量がある場合に形成される光
導電部材は、実際面に於いて優れたものとして充
分適用させ得るものである。 即ち、先のａ−（SixC1-x）yH1-yの表示で行え
ばｘが通常は0.1〜0.99999、好適には0.1〜0.99、
最適には0.15〜0.9、ｙが通常0.6〜0.99、好適に
は0.65〜0.98、最適には0.7〜0.98であるのが望ま
しい。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚の
数値範囲は、本発明の目的を効果的に達成する為
の重要な因子の１つである。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚の
数値範囲は、本発明の目的を効果的に達成する様
に所期の目的に応じて適宜所望に従つて決められ
る。 又、第二の非晶質層（）の層厚は、該層
（）中に含有される炭素原子や水素原子の量、
第一の非晶質層（）の層厚等との関係に於いて
も、各々の層領域に要求される特性に応じた有機
的な関連性の下に所望に従つて適宜決定される必
要がある。更に加え得るに、生産性や量産性を加
味した経済性の点に於いても考慮されるのが望ま
しい。 本発明に於ける第二の非晶質層（）と層厚と
しては、通常0.003〜30μ好適には、0.004〜20μ最
適には、0.005〜10μとされるのが望ましいもので
ある。 本発明において使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NiCr、ステンレス、Al、
Cr、Mo、Au、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルロース、ア
セテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等
の合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラ
ミツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶
縁性支持体は、好適には少なくともその表面を導
電処理され、該導電処理された表面側に他の層が
設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr、
Al、Cr、Mo、Au、Ir、Nd、Ta、Ｖ、Ti、Pt、
Pd、In2O3、SnO2、ITO（In2O3＋SnO2）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr、Al、Ag、Pb、Zn、Ni、
Au、Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt
等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、ス
パツターリング等でその表面に設け、又は前記金
属でその表面をラミネート処理して、その表面に
導電性が付与される。支持体の形状としては、円
筒状、ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望
によつて、その形状は決定されるが、例えば、第
１図の光導電部材１００を電子写真用像形成部材
として使用するのであれば連続高速複写の場合に
は、無端ベルト状又は円筒状とするがのが望まし
い。支持体の厚さは、所望通りの光導電部材が形
成される様に適宜決定されるが、光導電部材とし
て可撓性が要求される場合には、支持体としての
機能が充分発揮される範囲内であれば可能な限り
薄くされる。而乍ら、この様な場合支持体の製造
上及び取扱い上、機械的強度等の点から、通常
は、10μ以上とされる。 次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概
略について説明する。 第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示
す。 図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、
本発明の夫々の層領域を形成するための原料ガス
が密封されており、その一例としてたとえば１１
０２は、Heで稀釈されたSiH4（純度99.999％、以
下SiH4／Heと略す。）ボンベ、１１０３はHeで
稀釈されたB2H6ガス（純度99.999％、以下
B2H6／Heと略す。）ボンベ、１１０４はC2H4ガ
ス（純度99.99％）、ボンベ、１１０５はNOガス
（純度99.999％）ボンベ、１１０６はHeで稀釈さ
れたSiF4ガス（純度99.999％、以下SiF4／Heと
略す。）ボンベである。 これらのガスを反応室１１０１に流入させるに
はガスボンベ１１０２〜１１０６のバルブ、１１
２２〜１１２６、リークバルブ１１３５が閉じら
れていることを確認し、又は、流入バルブ１１１
２〜１１１６、流出バルブ１１１７〜１１２１、
補助バルブ１１３２〜１１３３が開かれているこ
とを確認して先づメインバルブ１１３４を開いて
反応室１１０１、ガス配管内を排気する。次に真
空計１１３６の読が約５×10-6torrになつた時点
で補助バルブ１１３２，１１３３、流出バルブ１
１１７〜１１２１を閉じる。 次に基本１１３７上に第１図に示す層構成の光
導電部材を形成する場合の１例をあげる。ガズボ
ンベ１１０２よりSiH4／Heガス、ガスボンベ１
１０３よりB2H6／Heガスを、ガスボンベ１１０
５よりNOガスを夫々バルブ１１２２，１１２
３，１１２５を開いて出口圧ゲージ１１２７，１
１２８，１１３０の圧を夫々１Kg／cm2に調整し、
流入バルブ１１１２，１１１３，１１１５を夫々
徐々に開けて、マスフロコントローラ１１０７，
１１０８，１１１０内に夫々流入させる。引き続
いて流出バルブ１１１７，１１１８，１１２０、
補助バルブ１１３２を徐々に開いて夫々のガスを
反応室１１０１に流入させる。このときの
SiH4／Heガス流量とB2H6／Heガス流量、NOガ
ス流量との比が所望の値になるように流出バルブ
１１１７，１１１８，１１２０を調整し、又、反
応室内の圧力が所望の値になるように真空計１１
３６の読みを見ながらメインバルブ１１３４の開
口を調整する。そして基本シリンダー１１３７の
温度が加熱ヒーター１１３８により50〜400℃の
範囲の温度に設定されていることを確認された
後、電源１１４０の所望の電力に設定して反応室
１１０１内にグロー放電を生起させ、同時にあら
かじめ設計された変化率曲線に従つてNOガスの
流量の手動あるいは外部駆動モータ等の方法によ
つてバルブ１１２０を漸次変化させる操作を行な
つて形成させる層中に含有される酸素原子の層厚
方向の分布濃度を制御する。 上記の様にして、所望層厚に硼素原子と酸素原
子の含有された層領域（Ｂ，Ｏ）が形成された時
点で、流出バルブ１１１８，１１２０を閉じ、反
応室１１０１内へのB2H6／Heガス及びNOガス
の流入を遮断する以外は、同条件にて引続き層形
成を行うことによつて、酸素原子及び硼素原子の
含有されない層領域を層領域（Ｂ，Ｏ）上に所望
の層厚に形成する。この様にして所望特性の非晶
質層を基本１１３７上に形成することが出来る。 硼素原子の含有される層領域（）は、非晶質
層の形成過程に於いて、適当な時点でB2H6／He
ガスの反応室１１０１内への流入を断つことによ
つて、所望層厚に形成することができ、該層領域
（）が層領域(O)の全層領域を占める場合や一部
を占める場合のいずれも実現出来る。 例えば、上記の例に於いては、層領域（Ｂ，
Ｏ）を所望層厚に形成した時点で、NOガスの反
応室１１０１内への流入を流出バルブ１１２０を
完全に閉じることによつて断つこと以外は、同条
件で引続き層形成を行うことで、層領域（Ｂ，
Ｏ）上に硼素原子は含有されているが酸素原子は
含有されてない層領域を非晶質層の一部として形
成することが出来る。 又、硼素原子は含有されないが酸素原子は含有
される層領域を形成する場合には、例えばNOガ
スとSiH4／Heガスを使用して層形成すれば良
い。 非晶質晶中にハロゲン原子を含有させる場合に
は上記のガスにたとえばSiF4／Heを、更に付加
して反応室１１０１内に送り込む。 非晶質層の形成の際ガス種の選択によつては、
層形成速度を更に高めることが出来る。例えば
SiH4ガスのかわりにSi2H6ガスを用いて層形成を
行なえば、数倍高めることが出来、生産性が向上
する。 上記の様にして作成された第一の非晶質層
（）上に第二の非晶質層（）を形成するには、
第一の非晶質層（）の形成の際と同様なバルブ
操作によつて例えば、SiH4ガス、C2H4ガスの
夫々を、必要に応じてHe等の稀釈ガスで稀釈し
て、所望の流量比で反応室１１０１中に流し、所
望の条件に従つて、グロー放電を生起させること
によつて成される。 第二の非晶質層（）中に含有させる炭素原子
の量は例えば、SiH4ガスと、C2H4ガスの反応室
１１０１内に導入される流量比を所望に従つて任
意に変えることによつて、所望に応じて制御する
ことが出来る。 夫々の層を形成する際に必要なガス以外の流出
バルブは全て閉じることは言うまでもなく、又、
夫々の層を形成する際、前層の形成に使用したガ
スが反応室１１０１内、流出バルブ１１１７〜１
１２１から反応室１１０１内に至る配管内に残留
することを避けるために、流出バルブ１１１７〜
１１２１を閉じ補助バルブ１１３２を開いてメイ
ンバルブ１１３４を全開して系内を一旦高真空に
排気する操作を必要に応じて行う。 実施例 １ 第１１図に示した製造装置を用い、第１第２層
内で、第１２図に示すような酸素濃度分布を持つ
像形成部材を第１表の条件下で作製した。 こうして得られた像形成部材を、帯電路光実験
装置に設置し5.0KVで0.2sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した光像はタングステンラ
ンプ光源を用い、1.5lux・secの光量を透過型の
テストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を部材表面をカスケードするこ
とによつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を、5.0KVのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調
再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。
【表】
実施例 ２
第１１図に示した製造装置を用い、第１、第２
層内で第１３図に示すような酸素分布濃度を有す
る像形成部材を第２表の条件下で作成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。
層内で第１３図に示すような酸素分布濃度を有す
る像形成部材を第２表の条件下で作成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。
【表】
【表】
実施例 ３
第１１図に示した製造装置を用い、第１層内で
第１４図に示すような酸素分布濃度を有する像形
成部材を第３表の条件下で作成した。 その他の条件は実施例１と同様にして行つた。
こうして得られた像形成部材に就いて実施例１と
同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成した
ところ極めて鮮明な画質が得られた。
第１４図に示すような酸素分布濃度を有する像形
成部材を第３表の条件下で作成した。 その他の条件は実施例１と同様にして行つた。
こうして得られた像形成部材に就いて実施例１と
同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成した
ところ極めて鮮明な画質が得られた。
【表】
実施例 ４
非晶質層（）の層の形成時、SiH4ガスと
C2H4ガスの流量比を変えて、非晶質層（）に
於けるシリコン原子と炭素原子の含有量比を変化
させる以外は実施例１と全く同様な方法によつて
層形成を行つた。こうして得られた感光ドラムに
つき、実施例１に述べた如き方法で転写までの工
程を約５万回繰り返した後、画像評価を行つたと
ころ、第４表の如き結果を得た。
C2H4ガスの流量比を変えて、非晶質層（）に
於けるシリコン原子と炭素原子の含有量比を変化
させる以外は実施例１と全く同様な方法によつて
層形成を行つた。こうして得られた感光ドラムに
つき、実施例１に述べた如き方法で転写までの工
程を約５万回繰り返した後、画像評価を行つたと
ころ、第４表の如き結果を得た。
【表】
◎〓非常に良好 ○〓良好 △〓実用上充分で
ある ×〓画像欠陥をやや生ずる
実施例 ５ 非晶質層（）の層の層厚を下表の如く変える
以外は、実施例１と全く同様な方法によつて層形
成を行つた。評価の結果は下表の如くである。
ある ×〓画像欠陥をやや生ずる
実施例 ５ 非晶質層（）の層の層厚を下表の如く変える
以外は、実施例１と全く同様な方法によつて層形
成を行つた。評価の結果は下表の如くである。
【表】
実施例 ６
第１及び第２層の形成方法を下表の如く変える
以外は、実施例１と同様な方法で層形成を行い、
実施例１と同様な画像評価を行つたところ良好な
結果が得られた。
以外は、実施例１と同様な方法で層形成を行い、
実施例１と同様な画像評価を行つたところ良好な
結果が得られた。
第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明
する為の模式的層構成図、第２図乃至第１０図は
夫々非晶質層を構成する酸素原子を含有する層領
域(O)中の酸素原子の分布状態を説明する為の説明
図、第１１図は、本発明で使用された装置の模式
的説明図で第１２図乃至第１４図は夫々本発明の
実施例に於ける酸素原子の分布状態を示す説明図
である。 １００……光導電部材、１０１……支持体、１
０２……第一の非晶質層（）、１０３……第１
の層領域(O)、１０４……第２の層領域（）、１
０５……上部層領域、１０６……第二の非晶質層
（）、１０７……自由表面。
する為の模式的層構成図、第２図乃至第１０図は
夫々非晶質層を構成する酸素原子を含有する層領
域(O)中の酸素原子の分布状態を説明する為の説明
図、第１１図は、本発明で使用された装置の模式
的説明図で第１２図乃至第１４図は夫々本発明の
実施例に於ける酸素原子の分布状態を示す説明図
である。 １００……光導電部材、１０１……支持体、１
０２……第一の非晶質層（）、１０３……第１
の層領域(O)、１０４……第２の層領域（）、１
０５……上部層領域、１０６……第二の非晶質層
（）、１０７……自由表面。
Claims (1)
- １ 光導電部材用の支持体と、シリコン原子を母
体とする非晶質材料で構成された、光導電性を有
する第一の非晶質層と、シリコン原子と炭素原子
と水素原子とを含む非晶質材料で構成された第二
の非晶質層とを有し、前記第一の非晶質層が、層
厚方向に連続的で且つ前記支持体側から層厚5μ
以内に構成原子として酸素原子を500atomic
ppm以上の最大濃度で含有し前記第二の非晶質層
側における濃度を支持体側に較べて比較的低く
し、且つ分布濃度が徐々に連続的に減少された領
域を有する第１の層領域と、構成原子として周期
律表第族に属する原子を含有する第２の層領域
とを有し、前記第１の層領域は、前記第一の非晶
質層の前記支持体側の方の一部領域に偏在してお
り、前記第２の層領域の層厚TBと前記第一の非
晶質層の層厚より前記第２の層領域の層厚TBを
除いた部分の層厚ＴとがTB／Ｔ≦１なる関係に
あることを特徴とする光導電部材。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57042224A JPS58158647A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | 光導電部材 |
| US06/475,251 US4486521A (en) | 1982-03-16 | 1983-03-14 | Photoconductive member with doped and oxygen containing amorphous silicon layers |
| DE19833309219 DE3309219A1 (de) | 1982-03-16 | 1983-03-15 | Photoleitfaehiges element |
| US07/039,448 US4795688A (en) | 1982-03-16 | 1987-04-17 | Layered photoconductive member comprising amorphous silicon |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57042224A JPS58158647A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | 光導電部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58158647A JPS58158647A (ja) | 1983-09-20 |
| JPH0456307B2 true JPH0456307B2 (ja) | 1992-09-08 |
Family
ID=12630060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57042224A Granted JPS58158647A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | 光導電部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58158647A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2532830B2 (ja) * | 1985-05-22 | 1996-09-11 | キヤノン株式会社 | 光受容部材 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5735633A (en) * | 1980-08-08 | 1982-02-26 | Hitachi Ltd | Heat treatment of metallic thin strip |
-
1982
- 1982-03-16 JP JP57042224A patent/JPS58158647A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5735633A (en) * | 1980-08-08 | 1982-02-26 | Hitachi Ltd | Heat treatment of metallic thin strip |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58158647A (ja) | 1983-09-20 |