JPH0216511B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、ｒ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある電子写真用光導電部
材に関する。 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。
殊に、事務機としてオフイスで使用される電子写
真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場
合には、上記の使用時における無公害性は重要な
点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ―Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報，同2855718号公報には電子写真用像形成部材
として、独国公開第2933411号公報には光電変換
読取装置への応用が記載されている。 而乍ら、従来のａ―Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値，光感度，光応答
性等の電気的，光学的，光導電的特性，及び耐湿
性等の使用環境特性の点、更には経時的安定性の
点において、結合的な特性向上を図る必要がある
という更に改良される可き点が存するのが実情で
ある。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化，高暗抵抗化を同時に図ろうとす
ると従来においてはその使用時において残留電位
が残る場合が度々観測され、この種の光導電部材
は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用によ
る疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴース
ト現象を発する様になる等の不都合な点が少なく
なかつた。 又は例えば、本発明者等の多くの実験によれ
ば、電子写真用像形成部材の光導電層を構成する
材料としてのａ―Siは、従来のSe，CdS，ZnO等
の無機光導電材料或いはPVCzやTNF等の有機
光導電材料に較べて、数多くの利点を有するが、
従来の太陽電池用として使用するための特性が付
与されたａ―Siから成る単層構成の光導電層を有
する電子写真用像形成部材の上記光導電層に静電
像形成のための帯電処理を施しても暗減衰
（dark decay）が著しく速く、通常の電子写真法
が仲々適用され難いこと、及び多湿雰囲気中にお
いては、上記傾向が著しく、場合によつては現像
時間まで帯電々荷を殆んど保持し得ないことがあ
る等、解決され得る可き点が存在していることが
判明している。 更に、ａ―Si材料で光導電層を構成する場合に
は、その電気的，光導電的特性の改良を図るため
に、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロ
ゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼素原
子や燐原子等が或いはその他の特性改良のために
他の原子が、各々構成原子として光導電層中に含
有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方如何
によつては、形成した層の電気的或いは光導電的
特性に問題が生ずる場合がある。 即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射に
よつて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命
が充分でないこと、或いは暗部において、支持体
側よりの電荷の注入の阻止が充分でないこと等が
生ずる場合が少なくない。 従つて、ａ―Si材料そのものの特性改良が図ら
れる一方で電子写真用光導電部材を設計する際
に、上記した様な所望の電気的，光学的及び光導
電的特性が得られる様に工夫される必要がある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
―Siに就て電子写真用像形成部材に使用される光
導電部材としての適用性とその応用性という観点
から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリコ
ン原子を母体とし、水素原子（Ｈ）又はハロゲン
原子（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含有する
アモルフアス材料（非晶質材料）、所謂水素化ア
モルフアスシリコン，ハロゲン化アモルフアスシ
リコン，或いはハロゲン含有水素化アモルフアス
シリコン〔以後これ等の総称的表記として「ａ―
Si（Ｈ，Ｘ）」を使用する〕から構成される光導電
層を有する光導電部材の層構成を特定化する様に
設計されて作成された光導電部材は実用上著しく
優れた特性を示すばかりでなく、従来の光導電部
材と較べてみてもあらゆる点において凌駕してい
ること、殊に電子写真用の光導電部材として著し
く優れた特性を有していることを見出した点に基
づいている。 本発明は電気的，光学的，光導電的特性が殆ん
ど使用環境に制御を受けず常時安定している全環
境型であり、耐光疲労に著しく長け、繰返し使用
に際しても劣化現象を起さず耐久性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されない電子写真用光
導電部材を提供することを主たる目的とする。 本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材と
して適用された場合、静電像形成のための帯電処
理の際の電荷保持能が充分あり、通常の電子写真
法が極めて有効に適用され得る優れた電子写真特
性を有する電子写真用光導電部材を提供すること
である。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得ることが容易にできる電子写真用の光導電
部材を提供することである。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性及び支持体との間に良好な電気的接
触性を有する電子写真用光導電部材を提供するこ
とでもある。 本発明の電子写真用光導電部材は電子写真用光
導電部材（以後「光導電部材」と称す）用の支持
体と、シリコン原子を母体とする非晶質材料で構
成された、層厚１〜100μの光導電性を有する第
一の非晶質層とシリコン原子と炭素原子とハロゲ
ン原子とを含む非晶質材料で構成された層厚
0.003〜30μの第二の非晶質層とからなり、前記第
一の非晶質層が、構成原子として、酸素原子を層
厚方向に連続的であつて、前記支持体側の方に多
く、最大の分布濃度1atomic％以上の濃度で含有
し、且つ周期律表第族に属する原子を層厚方向
に均一連続的に0.01〜５×10⁴atomic ppmの濃度
で含有する事を特徴とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的，光学的，光導電
的特性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には帯電処理の際の電荷保持能に長け、画像
形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高SN比を有する
ものであつて耐光疲労、繰返し使用特性、殊に多
湿雰囲気中での繰返し使用特性に長け、濃度が高
く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高
い、高品質の可視画像を得ることができる。 以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
いて詳細に説明する。 第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明
するために模式的に示した模式的構成図である。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、ａ―Si（Ｈ，Ｘ）
から成る光導電性を有する第一の非晶質層（）
１０２の第二の非晶質層（）１０３とを有し、
前記第一の非晶質層（）１０２は、構成原子と
して、層厚方向に連続的であつて、前記支持体１
０１側の方に多く分布した状態で酸素原子を含有
し、且つ周期律表第族に属する原子（第族原
子）を層厚方向に均一連続的に含有する。 本発明に於いて、非晶質層（）中に含有され
る第族原子として使用されるのは、形成される
非晶質層（）を構成するａ―Si（Ｈ，Ｘ）に対
して、Ｐ型伝導特性を与えるＰ型不純物であつ
て、例えば、Ｂ（硼素），Al（アルミニウム），Ga
（ガリウム），In（インジウム），Tl（タリウム）等
があり、殊に好適に用いられるのは、Ｂ、Gaで
ある。 本発明に於いて、非晶質層（）中に含有さ
れ、伝導特性を制御する物質としての第族原子
の含有量は、非晶質層（）に要求される伝導特
性、或いは非晶質層（）に直に接触して設けら
れる他の層の特性や、該他の層との接触界面に於
ける特性との関係等、有機的関連性に於いて、適
宜選択することが出来る。 本発明に於いて、非晶質層（）中に含有され
る伝導特性を制御する物質の含有量としては、通
常の場合、0.01〜５×10⁴atomic ppm，好適には
0.5〜１×10⁴atomic ppm，最適には１〜５×
10³atomic ppmとされるのが望ましいものであ
る。 非晶質層（）中に伝導特性を制御する物質と
しての第族原子を構造的に導入するには、層形
成の際に第族原子導入用の出発物質をガス状態
で堆積室中に、非晶質層を形成する為の他の出発
物質と共に導入してやれば良い。この様な第族
原子導入用の出発物質と成り得るものとしては、
常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条件
下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望
ましい。 第２図乃至第１０図には、本発明における光導
電部材の第一の非晶質層中に含有される酸素原子
の層厚方向の分布状態の典型的例が示される。 第２図乃至第１０図において、横軸は酸素原子
の層厚方向の分布濃度Ｃを、縦軸は、光導電性を
示す第一の非晶質層（）の層厚を示し、t_Bはは
支持体側の界面の位置を、t_Tは支持体側とは反対
側の界面の位置を示す。即ち、酸素原子の含有さ
れる非晶質層（）は、t_B側よりもt_T側に向つて
層形成がなされる。 本発明においては、酸素原子の含有される非晶
質層（）は、光導電部材を構成するａ―Si（Ｈ，
Ｘ）から成り、光導電性を示す。 第２図には、第一の非晶質層（）中に含有さ
れる酸素原子の層厚方向の分布状態の第一の典型
例が示される。 第２図に示される例では、酸素原子の含有され
る非晶質層（）が形成される表面（第１図で示
せば支持体１０１の表面）と非晶質層（）の表
面が接する境界面位置t_Bよりt₁の位置までは、酸
素原子の分布濃度ＣがC₁なる一定の値を取り乍
ら酸素原子が形成される非晶質層（）に含有さ
れ、位置t₁よりは分布濃度C₂より境界面位置t_Tに
到るまで徐々に連続的に減少されている。境界面
位置t_Tにおいては酸素原子の分布濃度ＣはC₃とさ
れる。 第３図に示される例においては、含有される酸
素原子の分布濃度Ｃは位置t_Bより位置t_Tに到るま
で分布濃度C₄から徐々に連続的に減少して位置t_T
において分布濃度C₅となる様な分布状態を形成
している。 第４図の場合には、位置t_Bより位置t₂までは酸
素原子の分布濃度Ｃは濃度C₆と一定値とされ、
位置t₂と位置t_Tとの間において、徐々に連続的に
減少され、位置t_Tにおいて、分布濃度Ｃは実質的
に零とされている。 第５図の場合には、酸素原子は位置t_Bより位置
t_Tに到るまで、分布濃度C₈より連続的に徐々に減
少され、位置t_Tにおいて実質的に零とされてい
る。 第６図に示す例においては、酸素原子の分布濃
度Ｃは、位置t_Bと位置t₃においては、分布濃度C₉
と一定値であり、位置t_Tにおいては分布濃度C₁₀
とされる。位置t₃と位置t_Tとの間では、分布濃度
Ｃは一次関数的に位置t₃より位置t_Tに到るまで減
少されている。 第７図に示される例においては、位置t_Bより位
置t₄までは分布濃度C₁₁の一定値を取り、位置t₄よ
り位置t_Tまでは分布濃度C₁₂より分布濃度C₁₃まで
一次関数的に減少する分布状態とされている。 第８図に示す例においては、位置t_Bより位置t_T
に到るまで、酸素原子の分布濃度Ｃは濃度C₁₄よ
り零に至る様に一次関数的に減少している。 第９図においては、位置t_Bより位置t₅に至るま
では酸素原子の分布濃度Ｃは、分布濃度C₁₅より
分布濃度C₁₆まで一次関数的に減少され、位置t₅
と位置t_Tとの間においては、分布濃度C₁₆の一定
値とされた例が示されている。 第１０図に示される例においては、酸素原子の
分布濃度Ｃは位置t_Bにおいて分布濃度C₁₇であり、
位置t₆に到るまではこの分布濃度C₁₇より初めは
ゆつくりと減少され、t₆の位置付近においては、
急激に減少されて位置t₆では分布濃度C₁₅とされ
る。 位置t₆と位置t₇との間においては、初め急激に
減少されて、その後は、緩かに徐々に減少されて
位置t₇で分布濃度C₁₉となり、位置t₇と位置t₈との
間では、極めてゆつくりと徐々に減少されて位置
t₈において、分布濃度C₂₀に至る。位置t₈と位置t_T
の間においては、分布濃度C₂₀より実質的に零に
なる様に図に示す如き形状の曲線に従つて減少さ
れている。 以上、第２図乃至第１０図により、非晶質層
（）に含有される酸素原子の層厚方向の分布状
態の典型例の幾つかを説明した様に、本発明にお
いては、支持体側において、酸素原子の分布濃度
Ｃの高い部分を有し、界面t_T側においては、前記
分布濃度Ｃは支持体側に較べて低くされた部分を
有する分布状態で、酸素原子が含有された第一の
非晶質層（）が支持体上に設けられている。 本発明において、第一の非晶質層（）は、好
ましくは上記した様に支持体側の方に酸素原子が
高濃度で含有されている局在領域(A)を有する。 局在領域(A)は、第２図乃至第１０図に示す記号
を用いて説明すれば、界面位置t_Bより5μ以内に設
けられる。 本発明においては、上記局在領域(A)は、界面位
置t_Bより5μ厚までの全層領域L_Tとされる場合もあ
るし、又、層領域L_Tの一部とされる場合もある。 局在領域(A)を層領域L_Tの一部とするか又は全
部とするかは、形成される第一の非晶質層（）
に要求される特性に従つて適宜決められる。 局在領域(A)はその中に含有される酸素原子の層
厚方向の分布状態として酸素原子の含有量分布値
（分布濃度値）の最大Cmaxがシリコン原子に対
しては通常は1atomic％以上、好適には3atomic
％以上、最適には5atomic％以上とされる様な分
布状態となり得る様に層形されるのが望ましい。 即ち、本発明においては、酸素原子の含有され
る非晶質層（）は、支持体側からの層厚で5μ
以内（t_Bから5μ厚の層領域）に分布濃度の最大値
Cmaxが存在する様に形成される。 上記の様に非晶質層（）に於いて支持体側の
方に酸素原子が高濃度に含有されている局在領域
(A)を設けることによつて支持体と第一の非晶質層
（）との間の密着性をより効果的に促進するこ
とが出来る。 本発明の光導電部材に於いては、第一の非晶質
層（）の層厚としては、所望される特性の第一
の非晶質層（）が支持体上に形成される様に層
設計の際に適宜目的に従つて決定されるものであ
り、通常は１〜100μ、好適には１〜80μ、最適に
は２〜50μとされるのが望ましいものである。 本発明において、必要に応じて第一の非晶質層
（）中に含有されるハロゲン原子（Ｘ）として
は、具体的にはフツ素，塩素，臭素，ヨウ素が挙
げられ、殊にフツ素，塩素を好適なものとして挙
げることが出来る。 本発明において、ａ―Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第一の非晶質層（）を形成するには例えばグ
ロー放電法、スパツターリング法、或いはイオン
プレーテイング法等の放電現象を利用する真空堆
積法によつて成される。例えば、グロー放電法に
よつて、ａ―Si（Ｈ，Ｘ）で構成される第一の非
晶質層（）を形成するには、基本的にはシリコ
ン原子（Si）を供給し得るSi供給用の原料ガスと
共に、水素原子（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧に
し得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー
放電を生起させ、予め所定位置に設置されてある
所定の支持体表面上にａ―Si（Ｈ，Ｘ）からなる
層を形成させれば良い。又、スパツターリング法
で形成する場合には、例えばAr，He等の不活性
ガス又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの
雰囲気中でSiで構成されたターゲツトをスパツタ
ーリングする際、水素原子（Ｈ）又は／及びハロ
ゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパツターリング
用の堆積室に導入してやれば良い。 本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
としては、SiH₄，Si₂H₆，Si₃H₆，Si₄H₁₀等のガ
ス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン
類）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊
に、層作成作業の扱い易さ、Si供給効率の良さ等
の点でSiH₄，Si₂H₆が好ましいものとして挙げら
れる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン
化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換された
シラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハ
ロゲン化合物が好ましく挙げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む硅素化合物も有効なものとして
本発明においては挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF，ClF，ClF₃，
BrF₅，BrF₃，IF₃，IF₇，ICl，IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF₄，Si₂F₆，SiCl₄，SiBr₄等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、Siを供給し得る原料
ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、
所定の支持体上にａ―Si：Ｘから成る第一の非晶
質層（）を形成する事が出来る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む第
一の非晶質層（）を製造する場合、基本的に
は、Si供給用の原料ガスであるハロゲン化硅素ガ
スとAr，H₂，He等のガス等を所定の混合比とガ
ス流量になる様にして第一の非晶質層（）を形
成する堆積室に導入し、グロー放電を生起してこ
れ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによ
つて、所定の支持体上に第一の非晶質層（）を
形成し得るものであるが、水素原子の導を図る為
にこれ等のガスに更に水素原子を含む硅素化合物
のガスも所定量混合して層形成しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。 反応スパツターリング法或いはイオンプレーテ
イング法に依つてａ―Si（Ｈ，Ｘ）から成る第一
の非晶質層（）を形成するには、例えばスパツ
ターリング法の場合にはSiから成るターゲツトを
使用して、これを所定のガスプラズマ雰囲気中で
スパツターリングし、イオンプレーテイング法の
場合には、多結晶シリコン又は単結晶シリコンを
蒸発源として蒸着ボートに収容し、このシリコン
蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレクトロンビーム
法（EB法）等によつて加熱蒸発させ飛翔蒸発物
を所定のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事で
行う事が出来る。 この際、スパツターリング法、イオンプレーテ
イング法の何れの場合にも形成される層中にハロ
ゲン原子を導入するには、前記のハロゲン化合物
又は前記のハロゲン原子を含む硅素化合物のガス
を堆積室中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を
形成してやれば良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H₂、或いは前記した
シラン類等のガスをスパツターリング用の堆積室
中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成して
やれば良い。 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF，HCl，
HBr，HI等のハロゲン化水素、SiH₂F₂，
SiH₂I₂，SiH₂Cl₂，SiHCl₃，SiH₂Br₂，SiHBr₃等
のハロゲン置換水素化硅素、等々のガス状態の或
いはガス化し得る、水素原子を構成要素の１つと
するハロゲン化物も有効な第一の非晶質層（）
形成用の出発物質として挙げる事が出来る。 これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、第一
の非晶質層（）形成の際に層中にハロゲン原子
の導入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に
極めて有効な水素原子も導入されるので、本発明
においては好適なハロゲン導入用の原料として使
用される。 水素原子を第一の非晶質層（）中に構造的に
導入するには、上記の他にH₂，或いはSiH₄，
Si₂H₆，Si₃H₈，Si₄H₁₀等の水素化硅素のガスを
Siを供給する為のシリコン化合物と堆積室中に共
存させて放電を生起させる事でも行う事が出来
る。 例えば、反応スパツターリング法の場合には、
Siターゲツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガ
ス及びH₂ガスを必要に応じてHe，Ar等の不活性
ガスも含めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気
を形成し、前記Siターゲツトをスパツターリング
する事によつて、基板上にａ―Si（Ｈ，Ｘ）から
成る第一の非晶質層（）が形成される。 更には、不純物のドービングも兼ねてB₂H₆等
のガスを導入してやることも出来る。 本発明において、形成される光導電部材の第一
の非晶質層（）中に含有される水素原子（Ｈ）
の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子と
ハロゲン原子の量の和は通常の場合１〜
40atomic％、好適には５〜30atomic％とされる
のが望ましい。 第一の非晶質層（）中に含有される水素原子
（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御
するには、例えば支持体温度又は／及び水素原子
（Ｈ）、或いはハロゲン原子（Ｘ）を含有させる為
に使用される出発物質の堆積装置系内へ導入する
量、放電々力等を制御してやれば良い。 本発明に於いて、第一の非晶質層（）をグロ
ー放電法又はスパツターリング法で形成する際に
使用される稀釈ガスとしては、所謂稀ガス、例え
ばHe，Ne，Ar等が好適なものとして挙げるこ
とが出来る。 本発明に於いて、第一の非晶質層（）中に酸
素原子及び周規律表第族原子を導入するには、
グロー放電法や反応スパツターリング法等による
層形成の際に、第族原子導入用の出発物質又は
酸素原子導入用の出発物質、或いは両出発物質を
前記した非晶質層（）形成用の出発物質と共に
使用して、形成される層中にその量を制御し乍ら
含有してやる事によつて成される。 酸素原子の導入された第一の非晶質層（）を
形成するのにグロー放電法を用いる場合には、前
記した非晶質層（）形成用の出発物質の中から
所望に従つて選択されたものに酸素原子導用の出
発物質が加えられる。その様な酸素原子導入用の
出発物質としては、少なくとも酸素原子を構成原
子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガ
ス化したものの中の大概のものが使用され得る。 例えばシリコン原子（Si）を構成原子とする原
料ガスと、酸素原子（Ｏ）を構成原子とする原料
ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は及びハ
ロゲン原子（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを
所望の混合比で混合して使用するか、又は、シリ
コン原子（Si）を構成原子とする原料ガスと、酸
素原子（Ｏ）及び水素原子（Ｈ）を構成原子とす
る原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合す
るか、或いは、シリコン原子（Si）を構成原子と
する原料ガスと、シリコン原子（Si），酸素原子
（Ｏ）及び水素原子（Ｈ）の３つを構成原子とす
る原料ガスとを混合して使用することが出来る。 又、別には、シリコン原子（Si）と水素原子
（Ｈ）とを構成原子とする原料ガスに酸素原子
（Ｏ）を構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 具体的には、例えば酸素（O₂），オゾン（O₃），
一酸化窒素（NO），二酸化窒素（NO₂），一二酸
化窒素（N₂O），三二酸化窒素（N₂O₃），四二酸
化窒素（N₂O₄），五二酸化窒素（N₂O₅），三酸化
窒素（NO₃），シリコン原子（Si）と酸素原子
（Ｏ）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例
えば、ジシロキサンH₃SiOSiH₃，トリシロキサ
ンH₃SiOSiH₂OSiH₃等の低級シロキサン等を挙
げることが出来る。 スパツターリング法によつて、酸素原子を含有
する第一の非晶質層（）を形成するには、単結
晶又は多結晶のSiウエーハー又はSiO₂ウエーハ
ー、又はSiとSiO₂が混合されて含有されている
ウエーハーをターゲツトとして、これ等を種々の
ガス雰囲気中でスパツターリングすることによつ
て行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／
及びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必
要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の
堆積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマ
を形成して前記Siウエーハーをスパツターリング
すれば良い。 又、別には、SiとSiO₂とは別々のターゲツト
として、又はSiとSiO₂の混合した一枚のターゲ
ツトを使用することによつて、スパツター用のガ
スとしての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも
水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を
構成原子として含有するガス雰囲気中でスパツタ
ーリングすることによつて成される。酸素原子導
入用の原料ガスとしては、先述したグロー放電の
例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料
ガスが、スパツターリングの場合にも有効なガス
として使用され得る。 第族原子の導入された第一の非晶質層（）
を形成するには、前述した第一の非晶質層（）
の形成の際に前記した非晶質層（）形成用とな
る原料ガスと共に、第族原子導入用となるガス
状態の又はガス化し得る出発物質をガス状態で第
一の非晶質層（）の形成の為の真空堆積室中に
導入してやれば良いものである。 非晶質層（）中に導入される第族原子の含
有量は、堆積室中に流入される第族原子導入用
の出発物質のガス流量、ガス流量比、放電パワー
等を制御することによつて任意に制御され得る。 第族原子導入用の出発物質として、本発明に
於いて有効に使用されるのは、硼素原子導入用と
しては、B₂H₆，B₄H₁₀，B₅H₉，B₅H₁₁，B₆H₁₀，
B₆H₁₂，B₆H₁₄等の水素化硼素、BF₃，BCl₃，
BBr₃等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この
他、AlCl₃，GaCl₃，Ga（CH₃）₃，InCl₃，TlCl₃等
も挙げることが出来る。 本発明に於いて第一の非晶質層（）の際に、
該層（）に含有される酸素原子の分布濃度を層
厚方向に変化させて、所望の層厚方向の分布状態
（depth profile）を有する非晶質層（）を形成
するにはグロー放電の場合には分布濃度を変化さ
せるべき酸素原子を含有するガスの流量を所望に
従つて適宜変化させることにより達成される。例
えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いら
れている何らかの方法により、ガス流路系の途中
に設けられた所定のニードルバルブの開口を漸次
変化させる操作を行えば良い。このとき、流量の
変化率は線型である必要はなく、例えばマイコン
等を用いて、あらかじめ設計された変化率曲線に
従つて流量を制御し、所望の含有率曲線を得るこ
ともできる。 第一の非晶質層（）をスパツターリング法に
よつて形成する場合、該第一の非晶質層（）中
に含有される酸素原子の層厚方向の分布濃度を制
御することにより、酸素原子の層厚方向の所望の
分布状態（depth profile）を形成するには、第
一にはグロー放電法による場合と同様に、酸素原
子導入用物質のガスを使用し、該ガスを堆積室中
へ導入する際のガス流量を所望に従つて適宜変化
させることによつて成される。第二には、スパツ
ターリング用のターゲツトを、例えばSiとSiO₂
との混合されたターゲツトを使用するのであれ
ば、SiとSiO₂との混合比をターゲツトの層厚方
向に於いて、予め変化させておくことによつて成
される。 第１図に示される光導電部材１００に於いては
第一の非晶質層（）１０２上に形成される第二
の非晶質層（）１０３は自由表面１０４を有
し、主に耐湿性，連続繰返し使用特性，耐圧性，
使用環境特性，耐久性に於いて本発明の目的を達
成する為に設けられる。 又、本発明に於いては、第一の非晶質層（）
と第二の非晶質層（）とを構成する非晶質材料
の各々がシリコン原子という共通の構成要素を有
しているので、積層界面に於いて化学的な安定性
の確保が充分成されている。 第二の非晶質層（）は、シリコン原子と炭素
原子とハロゲン原子（Ｘ）とで構成される非晶質
材料〔ａ―（Si_xC_1-x）_yX_1-y，但し０＜ｘ，ｙ＜
１〕で形成される。 ａ―｛Si_xC_1-x）_yX_1-yで構成される第二の非晶
質層（）の形成はグロー放電法、スパツタリン
グ法、イオンプランテーシヨン法、イオンプレー
テイング法、エレクトロンビーム法等によつて成
される。これ等の製造法は、製造条件、設備資本
投下の負荷程度、製造規模、作製される光導電部
材に所望される特性等の要因によつて適宜選択さ
れて採用されるが、所望する特性を有する光導電
部材を製造する為の作製条件の制御が比較的容易
である、シリコン原子と共に炭素原子及びハロゲ
ン原子を、作製する第二の非晶質層（）中に導
入するのが容易に行える等の利点からグロー放電
法或いはスパツターリング法が好適に採用され
る。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して第二
の非晶質層（）を形成しても良い。 グロー放電法によつて第二の非晶質層（）を
形成するには、ａ―（Si_xC_1-x）_yX_1-y形成用の原
料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合
比で混合して、支持体の設置してある真空堆積用
の堆積室に導入し、導入されたガスを、グロー放
電を生起させることでガスプラズマ化して前記支
持体上に既に形成されてある第一の非晶質層
（）上にａ―（Si_xC_1-x）_yX_1-yを堆積させれば良
い。 本発明に於いて、ａ―（Si_xC_1-x）_yX_1-y形成用
の原料ガスとしては、シリコン原子（Si），炭素
原子（Ｃ），ハロゲン原子（Ｘ）の中の少なくと
も１つを構成原子とするガス状の物質又はガス化
し得る物質をガス化したものの中の大概のものが
使用され得る。 Si，Ｃ，Ｘの中の１つとしてSiを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構成原
子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガ
スと、Ｘを構成原子とする原料ガスとを所望の混
合比で混合して使用するか、又はSiを構成原子と
する原料ガスと、Ｃ及びＸを構成原子とする原料
ガスとを、これも又所望の混合比で混合するか、
或いは、Siを構成原子とする原料ガスと、Si，Ｃ
及びＸの３つを構成原子とする原料ガスとを混合
して使用することが出来る。 又、別には、SiとＸとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）中に含
有されるハロゲン原子（Ｘ）として好適なのは
Ｆ，Cl，Br，Ｉであり、殊にＦ，Clが望ましい
ものである。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）は、ａ
―（Si_xC_1-x）_yX_1-yで構成されるものであるが、
更に水素原子を含有させることが出来る。 第二の非晶質層（）への水素原子の含有は、
第一の非晶質層（）との連続層形成の際に原料
ガス種の一部共通化を図ることが出来るので生産
コスト面の上で好都合である。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）を形成
するのに有効に使用される原料ガスと成り得るも
のとしては、常温常圧に於いてガス状態のもの又
は容易にガス化し得る物質を挙げることが出来
る。 この様な第二の非晶質層（）形成用の物質と
しては、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素，炭
素数２〜４のエチレン系炭化水素，炭素数２〜３
のアセチレン系炭化水素，ハロゲン単体，ハロゲ
ン化水素，ハロゲン間化合物，ハロゲン化硅素，
ハロゲン置換水素化硅素，水素化硅素等を挙げる
事が出来る。 具体的には、飽和炭化水素としては、メタン
（CH₄），エタン（C₂H₆），プロパン（C₃H₈），ｎ
―ブタン（ｎ―C₄H₁₀），ペンタン（C₅H₁₂），エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C₂H₄），
プロピレン（C₃H₆），ブテン―１（C₄H₈），ブテ
ン―２（C₄H₈），イソブチレン（C₄H₈），ペンテ
ン（C₅H₁₀），アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C₂H₂），メチルアセチレン
（C₃H₄），ブチン（C₄H₆），ハロゲン単体として
は、フツ素，塩素，臭素，ヨウ素のハロゲンガ
ス，ハロゲン化水素としては、FH，HI，HCl，
HBr，ハロゲン間化合物としては、BrF，ClF，
ClF₃，ClF₅，BrF₅，BrF₃，IF₇，IF₅，ICl，IBr，
ハロゲン化硅素としてはSiF₄，Si₂F₆，SiCl₄，
SiCl₃Br，SiCl₂Br₂，SiClBr₃，SiCl₃I，SiBr₄，
ハロゲン置換水素化硅素としては、SiH₂F₂，
SiH₂Cl₂，SiHCl₃，SiH₃Cl，SiH₃Br，SiH₂Br₂，
SiHBr₃，水素化硅素としては、SiH₄，Si₂H₈，
Si₄H₁₀等のシラン（Silane）類、等々を挙げるこ
とが出来る。 これ等の他に、CCl₄，CHF₃，CH₂F₂，CH₃F，
CH₃Cl，CH₃Br，CH₃I，C₂H₅Cl等のハロゲン置
換パラフイン系炭化水素，SF₄，SF₆のフツ素化
硫黄化合物，Si（CH₃）₄，Si（C₂H₅）₄，等のケイ化
アルキルやSiCl（CH₃）₃，SiCl₂（CH₃）₂，
SiCl₃CH₃等のハロゲン含有ケイ化アルキル等の
シラン誘導体も有効なものとして挙げることが出
来る。 これ等の第二の非晶質層（）形成物質は、形
成される第二の非晶質層（）中に、所定の組成
比でシリコン原子，炭素原子及びハロゲン原子と
必要に応じて水素原子とが含有される様に、第二
の非晶質層（）の形成の際に所望に従つて選択
されて使用される。 例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
の含有が容易に成し得て且つ所望の特性の層が形
成され得るSi（CH₃）₄と、ハロゲン原子を含有さ
せるものとしてのSiHCl₃，SiCl₄，SiH₂Cl₂，或
いはSiH₃Cl等を所定の混合比にしてガス状態で
第二の非晶質層（）形成用の装置内に導入して
グロー放電を生成させることによつてａ―（Si_x
C_1-x）_y（Cl＋Ｈ）_1-yから成る第二の非晶質層
（）を形成することが出来る。 スパツターリング法によつて第二の非晶質層
（）を形成するには、単結晶又は多結晶のSiウ
エーハー又はＣウエーハー又はSiとＣが混合され
て含有されているウエーハーをターゲツトとし
て、これ等をハロゲン原子と必要に応じて水素原
子を構成要素として含む種々のガス雰囲気中でス
パツターリングすることによつて行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＣとＸを導入する為の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツターリングす
れば良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、少なくともハロゲン原子を
含有するガス雰囲気中でスパツターリングするこ
とによつて成される。Ｃ及びＸ，必要に応じてＨ
の導入用の原料ガスとなる物質としては先述した
グロー放電の例で示した第二の非晶質層（）形
成用の物質がスパツターリング法の場合にも有効
な物質として使用され得る。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）をグロ
ー放電法又はスパツターリング法で形成する際に
使用される稀釈ガスとしては、所謂・希ガス、例
えばHe，Ne，Ar等が好適なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明に於ける第二の非晶質層（）は、その
要求される特性が所望通りに与えられる様に注意
深く形成される。 即ち、Si，Ｃ及びＸ，必要に応じてＨを構成原
子とする物質は、その作成条件によつて構造的に
は結晶からアモルフアスまでの形態を取り、電気
物性的には、導電性から半導体性、絶縁性までの
間の性質を、又光導電的性質から非光導電的性質
までの間の性質を、各々示すので本発明に於いて
は、目的に応じた所望の特性を有するａ―（Si_x
C_1-x）_yX_1-yが形成される様に、所望に従つてその
作成条件の選択が厳密に成される。例えば、第二
の非晶質層（）を耐圧性の向上を主な目的とし
て設けるにはａ―（Si_xC_1-x）_yX_1-yは使用環境に
於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材料とし
て作成される。 又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上
を主たる目的として第二の非晶質層（）が設け
られる場合には上記の電気絶縁性の度合はある程
度緩和され、照射される光に対してある程度の感
度を有する非晶質材料としてａ―（Si_xC_1-x）_y
X_1-yが作成される。 第一の非晶質層（）の表面にａ―（Si_xC_1-x）
_yX_1-yから成る第二の非晶質層（）を形成する
際、層形成中の支持体温度は、形成される層の構
造及び特性を左右する重要な因子であつて、本発
明に於いては、目的とする特性を有するａ―
（Si_xC_1-x）_yX_1-yが所望通りに作成され得る様に層
作成時の支持体温度が厳密に制御されるのが望ま
しい。 本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成さ
れる為の第二の非晶質層（）の形成法に併せて
適宜最適範囲が選択されて、第二の非晶質層
（）の形成が実行されるが、通常の場合、50〜
350℃、好適には100〜250℃とされるのが望まし
いものである。第二の非晶質層（）の形成に
は、層を構成する原子の組成比の微妙な制御や層
厚の制御が他の方法に較べて比較的容易である事
等の為に、グロー放電法やスパツターリング法の
採用が有利であるが、これ等の層形成法で第二の
非晶質層（）を形成する場合には、前記の支持
体温度と同様に層形成の際の放電パワーが作成さ
れるａ―（Si_xC_1-x）_yX_1-yの特性を左右する重要
な因子の１つである。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ―（Si_xC_1-x）_yX_1-yが生産性良く効果的に
作成される為の放電パワー条件としては通常10〜
300W，好適には20〜200Wである。 堆積室内のガス圧は通常は0.01〜1Torr，好適
には、0.1〜0.5Torr程度とされるのが望ましい。 本発明に於いては第二の非晶質層（）を作成
する為の支持体温度、放電パワーの望ましい数値
範囲として前記した範囲の値が挙げられるが、こ
れ等の層作成フアクターは、独立的に別々に決め
られるものではなく、所望特性のａ―（Si_xC_1-x）
_yX_1-yから成る第二の非晶質層（）が形成され
る様に相互的有機的関連性に基づいて各層作成フ
アクターの最適値が決められるのが望ましい。 本発明の光導電部材に於ける第二の非晶質層
（）に含有される炭素原子及びハロゲン原子の
量は、第二の非晶質層（）の作製条件と同様、
本発明の目的を達成する所望の特性が得られる第
二の非晶質層（）が形成される重要な因子であ
る。 本発明に於ける第二の非晶質層（）に含有さ
れる炭素原子の量は通常１×10^-3〜90atomic％，
好適には１〜90atomic％，最適には10〜
80atomic％とされるのが望ましいものである。
ハロゲン原子の含有量としては、通常の場合、１
〜20atomic％好適には１〜18atomic％，最適に
は２〜15atomic％とされるのが望ましく、これ
等の範囲にハロゲン原子含有量がある場合に作成
される光導電部材を実際面に充分適用させ得るも
のである。必要に応じて含有される水素原子の含
有量としては、通常の場合19atomic％，好適に
は13atomic％以下とされるのが望ましいもので
ある。即ち先のａ―（Si_xC_1-x）_y：X_1-yのｘ，ｙ
表示で行えばｘが通常0.1〜0.99999，好適には0.1
〜0.99，最適には0.15〜0.9，ｙが通常0.8〜0.99，
好適には0.82〜0.99で最適には0.85〜0.98あるの
が望ましい。ハロゲン原子と水素原子の両方が含
まれる場合、先と同様のａ―（Si_xC_1-x）_y（Ｈ＋
Ｘ）_1-yの表示で行えばこの場合のｘ，ｙの数値範
囲ａ―（Si_xC_1-x）_yX_1-yの場合と、略々同様であ
る。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚の
数値範囲は、本発明の目的を効果的に達成する為
の重要な因子の１つである。 本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目
的に応じて適宜所望に従つて決められる。 また、第二の非晶質層（）の層厚は、第一の
域１０３の層厚との関係に於いても、おのおのの
層領域に要求される特性に応じた有機的な関連性
の下に所望に従つて適宜決定される必要がある。 更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経
済性の点に於いても考慮されるのが望ましい。本
発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚として
は、通常0.003〜30μ、好適には0.004〜〜20μ、最
適には0.005〜10μとされるのが望ましいものであ
る。 本発明において使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NiCr，ステンレス，Al，
Cr，Mo，Au，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル，ポ
リエチレン，ポリカーボネート，セルロースアセ
テート，ポリプロピレン，ポリ塩化ビニル，ポリ
塩化ビニリデン，ポリスチレン，ポリアミド等の
合成樹脂のフイルム又はシート，ガラス，セラミ
ツク，紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面
を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr，
Al，Cr，Mo，Au，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，
Pd，In₂O₃，SnO₂，ITO（In₂O₃＋SnO₂）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr，Al，Ag，Pb，Zn，Ni，
Au，Cr，Mo，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着，電子ビーム蒸着，スパツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状，ベ
ルト状，板状等任意の形状とし得、所望によつ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１図の
光導電部材１００を電子写真用像形成部材として
使用するのであれば連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される
様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能が充
分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされ
る。而乍ら、この様な場合支持体の製造上及び取
扱い上、機械的強度等の点から、通常は、10μ以
上とされる。 次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概
略について説明する。 第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示
す。 図中の１１０２，１１０３，１１０４のガスボ
ンベには、本発明の夫々の層を形成するための原
料ガスが密封されており、その１例としてたとえ
ば１１０２は、Heで稀釈されたSiH₄ガス（純度
99.999％，以下SiH₄／Heと略す。）ボンベ、１１
０３はHeで稀釈されたB₂H₆ガス（純度99.999
％，以下B₂H₆／Heと略す。）、１１０４はNOガ
ス（純度99.99％）ボンベ、１１０５はHeで稀釈
されたSiF₄ガス（純度99.999％，以下SiF₄／He
と略す。）ボンベ、１１０６はHeで稀釈された
Si₂H₆ガス（純度99.99％，以下Si₂H₆／Heと略
す）ボンベである。 これらのガスを反応室１１０１に流入させるに
はガスボンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２
２〜１１２６，リークバルブ１１３５が閉じられ
ていることを確認し、又、流入バルブ１１１２〜
１１１６、流出バルブ１１１７〜１１２１、補助
バルブ１１３２が開かれていることを確認し、先
づメインバルブ１１３４を開いて反応室１１０
１、ガス配管内を排気する。次に真空計１１３６
の読みが約５×10^-6torrになつた時点で、補助バ
ルブ１１３２、流出バルブ１１１７〜１１２１を
閉じる。 基体１１３７上に先ず第一の非晶質層（）を
形成する場合の１例をあげると、ガスボンベ１１
０２よりSiH₄／Heガス、ガスボンベ１１０３よ
りB₂H₆／Heガス、ガスボンベ１１０４よりNO
ガスをバルブ１１２２〜１１２４を開いて出口圧
ゲージ１１２７〜１１２９の圧を１Kg／cm²に調整
し、流入バルブ１１１２〜１１１４を徐々に開け
て、マスフロコントローラ１１０７〜１１０９内
に夫々流させる。引き続いて流出バルブ１１１７
〜１１１９、補助バルブ１１３２を徐々に開いて
夫々のガスを反応室１１０１に流入させる。この
ときのSiH₄／Heガス流量とNOガス流量と
B₂H₆／Heガス流量との比が所望の値になるよう
に流出バルブ１１１７〜１１１９を調整し、又、
反応室内の圧力が所望の値になるように真空計１
１３６の読みを見ながらメインバルブ１１３４の
開口を調整する。そして基体１１３７の温度が加
熱ヒーター１１３８により50〜400℃の範囲の温
度に設定されていることを確認された後、電源１
１４０を所望の電力に設定して反応室１１０１内
にグロー放電を生起させ、同時にあらかじめ設計
された変化率曲線に従つてNOガスの流量を手動
あるいは外部駆動モータ等の方法によつてバルブ
１１１９を漸次変化させる操作を行なつて形成さ
れる層中に含有される酸素原子の分布濃度を制御
する。 上記の様にして基体１１３７上に先ず酸素原子
及び硼素原子の含有された第一の非晶質層（）
を形成する。 第一の非晶質層（）中にハロゲン原子を含有
させる場合には上記のガスに、例えばSiF₄／He
を、更に付加して反応室１１０１内に送り込む。
非晶質層の形成の際ガス種の選択によつては、層
形成速度を更に高めることが出来る。例えば
SiH₄ガスのかわりにSi₂H₆ガスを用いて層形成を
行なえば、数倍高めることが出来、生産性が向上
する。 第一の非晶質層（）上に第二の非晶質層
（）を形成するには、例えば次の様に行う。ま
ずシヤツター１１４２を開く。すべてのガス供給
バルブは一旦閉じられ、反応室１１０１は、メイ
ンバルブ１１３４を全開することにより、排気さ
れる。 高圧電力が印加される電極１１４１上には、予
め高純度シリコンウエハ１１４２―１、及び高純
度グラフアイトウエハ１１４２―２が所望の面積
比率で設置されたターゲツトが設けられている。
ガスボンベ１１０６よりSiF₄／Heガスを、反応
室１１０１内に導入し、反応室１１０１の内圧が
0.05〜1Torrとなるようメインバルブ１１３４を
調節する。高圧電源をONとして上記のターゲツ
トをスパツタリングすることにより、第一の非晶
質層（）上に第二の非晶質層（）を形成する
ことが出来る。 第二の非晶質層（）を形成する他の方法とし
ては、第一の非晶質層（）の形成の際と同様な
バルブ操作によつて例えば、SiH₄ガス、SiF₄ガ
ス、C₂H₄ガスの夫々を必要に応じてHe等の稀釈
ガスで稀釈して、所望の流量比で反応室１１０１
中に流し所望の条件に従つてグロー放電を生起さ
せることによつて成される。 夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バル
ブ以外の流出バルブは全て閉じることは言うまで
もなく、又夫々の層を形成する際、前層の形成に
使用したガスが反応室１１０１内、流出バルブ１
１１７〜１１２１から反応室１１０１内に至るガ
ス配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ１１１７〜１１２１を閉じ、補助バルブ１１
３２を開いてメインバルブ１１３４を全開して系
内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行
う。 第二の非晶質層（）中に含有される炭素原子
の量は例えば、SiH₄ガスと、C₂H₄ガスの反応室
１１０１内に導入される流量比を所望に従つて変
えるか、或いは、スパツターリングで層形成する
場合には、ターゲツトを形成する際シリコンウエ
ハとグラフアイトウエハのスパツタ面積比率を変
えるか、又はシリコン粉末とグラフアイト粉末の
混合比率を変えてターゲツトを成型することによ
つて所望に応じて制御することが出来る。第二の
非晶質層（）中に含有されるハロゲン原子
（Ｘ）の量は、ハロゲン原子導入用の原料ガス、
例えばSiF₄ガスが反応室１１０１内に導入される
際の流量を調整することによつて成される。 実施例 １ 第１１図に示した製造装置を用い、非晶質層
（）内で第１２図に示すような酸素濃度分布を
持つ像形成部材を第１表の条件下で作製した。 こうして得られた像形成部材を帯電露光現像装
置に設置し、5kVで0.2sec間コロナ帯電を行い
直ちに光像を照射した。光源はタングステンラン
プを用い、1.0lux・secの光量を、透過型のテス
トチヤートを用いて照射した。 その後直ちに荷電性の現像剤（トナーとキヤ
リヤを含む）を部材表面をカスケードすることに
よつて、部材表面上に良好なトナー画像を得た。 このようにして得られたトナー像を、一旦ゴム
プレードでクリーニングし、再び上記作像クリー
ニング工程を繰り返した。繰り返し回数15万回以
上行つても、画像の劣化は見られなかつた。

【表】 実施例 ２ 非晶質層（）のB₂H₆とSiH₄の流量比を変え
て、層中に含有されるＢ濃度を変化させる以外
は、実施例１と全く同様な方法によつて像形成部
材を作成した。 こうして得られた各像形成部材（試料No.21〜
26）につき、実施例１に述べた如き、作像、現
像、クリーニングの工程を約５万回繰り返した後
画像評価を行つたところ第２表の如き結果を得
た。

【表】 ◎ 優秀 ○ 良好
実施例 ３ 非晶質層（）における酸素の、基本的な分布
型は第３図通りとしNOの流量を変えて、第３図
におけるｄ＝1μでの酸素濃度を変える以外は、
実施例１と同様の方法によつて、像形成部材を作
成した。 こうして得られた各像形成部材（試料No.31〜
35）につき、実施例１に述べた如き、作像、現
像、クリーニングの工程を約５万回繰り返した後
画像評価を行つたところ第３表の如き結果を得
た。

【表】 ◎ 高感度でかつ画質良好
○ 画質良好
△ 非常に高感度
実施例 ４ 非晶質層（）の層の形成時、SiH₄ガス、
SiF₄ガス、C₂H₄ガスの流量比を変えて、非晶質
層（）に於けるシリコン原子と炭素原子の含有
量比を変化させる以外は、実施例１と全く同様な
方法によつて像形成部材を作成した。こうして得
られた各像形成部材（試料No.41〜48）につき実施
例１に述べた如き作像、現像、クリーニングの工
程を約５万回繰り返した後、画像評価を行つたと
ころ第４表の如き結果を得た。

【表】 実施例 ５ 非晶質層（）の層の層厚を変える以外は、実
施例１と全く同様な方法によつて各像形成部材
（試料No.51〜54）を作成した。実施例１に述べた
如き、作像、現像、クリーニングの工程を繰り返
し下記の結果を得た。

【表】 実施例 ６ 非晶質層（）の作成条件を、第６表の如く変
える以外は、実施例１と同様な方法によつて像形
成部材の作成を行い、実施例１と同様の評価を行
つたところ良好な結果を得た。

【表】 【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明
する為の模式的層構成図、第２図乃至第１０図は
夫々、非晶質層中に含有される酸素原子の分布状
態を説明する為の説明図、第１１図は、本発明で
使用された装置の模式的説明図、第１２図は、実
施例に於ける非晶質層中に含有される酸素原子の
分布状態を説明する説明図である。 １００…光導電部材、１０１…支持体、１０２
…第一の非晶質層（）、１０３…第二の非晶質
層（）、１０４…自由表面。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 電子写真用光導電部材用の支持体と、シリコ
   ン原子を母体とする非晶質材料で構成された、層
   厚１〜100μの光導電性を有する第一の非晶質層
   とシリコン原子と炭素原子とハロゲン原子とを含
   む非晶質材料で構成された層厚0.003〜30μの第二
   の非晶質層とからなり、前記第一の非晶質層が、
   構成原子として、酸素原子を層厚方向に連続的で
   あつて、前記支持体側の方に多く、最大の分布濃
   度値1atomic％以上の濃度で含有し、且つ周期律
   表第族に属する原子を層厚方向に均一連続的に
   0.01〜５×10⁴atomic ppmの濃度で含有する事を
   特徴とする電子写真用光導電部材。