JPH0473147B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0473147B2 JPH0473147B2 JP56208495A JP20849581A JPH0473147B2 JP H0473147 B2 JPH0473147 B2 JP H0473147B2 JP 56208495 A JP56208495 A JP 56208495A JP 20849581 A JP20849581 A JP 20849581A JP H0473147 B2 JPH0473147 B2 JP H0473147B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- atoms
- layer region
- layer
- support
- photoconductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 72
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 31
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 28
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 26
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 23
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 23
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 83
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 26
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 22
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 18
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 17
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 7
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 7
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 4
- 229910052990 silicon hydride Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 3
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 3
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical compound CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020313 ClF Inorganic materials 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003691 SiBr Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDKYADYSIPSCCQ-UHFFFAOYSA-N but-1-yne Chemical compound CCC#C KDKYADYSIPSCCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009828 non-uniform distribution Methods 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910014264 BrF Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021617 Indium monochloride Inorganic materials 0.000 description 1
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical group CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- 229910018287 SbF 5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000519995 Stachys sylvatica Species 0.000 description 1
- XMIJDTGORVPYLW-UHFFFAOYSA-N [SiH2] Chemical compound [SiH2] XMIJDTGORVPYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N butene Natural products CC=CC IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M chlorogallium Chemical compound [Ga]Cl XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical compound [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 1
- YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N pentene Chemical compound CCCC=C YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N propyne Chemical group CC#C MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- GBECUEIQVRDUKB-UHFFFAOYSA-M thallium monochloride Chemical compound [Tl]Cl GBECUEIQVRDUKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- IAQRGUVFOMOMEM-ONEGZZNKSA-N trans-but-2-ene Chemical compound C\C=C\C IAQRGUVFOMOMEM-ONEGZZNKSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
［産業上の利用分野］
本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある光導電部材及びそれ
を用いる像形成方法に関する。 ［従来の技術］ 固体撮像装置、或いは像形成分野に於ける電子
写真用像形成部材や原稿読取装置に於ける光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時に於い
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置に於いては、残像を所定時間内に容易に処
理することが出来ること等の特性が要求される。
殊に、事務機としてオフイスで使用される電子写
真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場
合には、上記の使用時に於ける無公害性は重要な
点である。 この様な点に立脚して、最近注目されている光
導電材料にアモルフアスシリコン（以後、ａ−Si
と表記す）があり、例えば、独国公開第2746967
号公報、同第2855718号公報には電子写真用像形
成部材として、独国公開第2933411号公報には光
電変換読取装置への応用が記載されている。 ［発明が解決しようとする課題］ 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は暗抵抗値、光感度、光応答性
等の電気的、光学的、光導電的特性、及び繰返し
特性の点、使用環境特性の点、更には経時的安定
性や耐久性の点に於いて、各々、個々には特性の
向上が計られているが、総合的な特性向上を計る
上で更に改良される余地が存する。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとす
ると、従来においては、その使用時に於いて残留
電位が残る場合が度々観測され、この種の光導電
部材は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用
による疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴ
ースト現象を生ずる様になる等の不都合な点が少
なくなかつた。 又、ａ−Si材料で光導電層を構成する場合に
は、その電気的、光導電的特性の改良を計るため
に、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロ
ゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼素原
子や燐原子等が、或いはその他の特性改良のため
に他の原子が、各々構成原子として光導電層中に
含有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方如
何によつては、形成した層の電気的、光学的或い
は光導電的特性、使用環境特性、電気的耐圧性に
問題が生ずる場合がある。 即ち、例えば形成した光導電層中に光照射によ
つて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命が
充分でないこと、或いは転写紙に転写された画像
に俗に「白ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破壊
現象によると思われる画像欠陥や、例えばクリー
ニングに、ブレードを用いるとその摺擦によると
思われる俗に「白スジ」と云われている所謂画像
欠陥が生じたりしていた。又、多湿雰囲気中で使
用したり、或いは多湿雰囲気中に長時間放置した
直後に使用すると俗に云う画像のボケが生ずる場
合が少なくなかつた。 従つて、ａ−Si材料そのものの特性改良が計ら
れる一方で光導電部材を設計する際に、上記した
様な問題の総てが解決される様に工夫される必要
がある。 ［課題を解決するための手段］ 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就いて電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、シリコン原子を母体と
し、水素原子（Ｈ）及びハロゲン原子（Ｘ）のい
ずれか一方を少なくとも含有するアモルフアス材
料、所謂水素化アモルフアスシリコン、ハロゲン
化アモルフアスシリコン、或いはハロゲン含有水
素化アモルフアスシリコン［以後これ等の総称的
表記として「ａ−Si（Ｈ，Ｘ）」を使用する］から
構成される光導電層を有する光導電部材の層構成
を以後に説明される様に特定化する様に設計され
て作成された光導電部材は実用上著しく優れた特
性を示すばかりでなく、従来の光導電部材と較べ
てみても多くの点において凌駕していること、殊
に電子写真用の光導電部材として著しく優れた特
性を有していることを見出した点に基づいてい
る。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が使用
環境に殆んど依存なく実質的に常時安定してお
り、耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際して
も劣化現象を起さず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材及
びそれを用いる像形成方法を提供することを主た
る目的とする。 本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材と
して適用させた場合、静電像形成のための帯電処
理の際の電荷保持能力が充分あり、通常の電子写
真法が極めて有効に適用され得る優れた電子写真
特性を有する光導電部材及びそれを用いる像形成
方法を提供することである。 本発明の更に他の目的は、長期の使用に於いて
画像欠陥や画像のボケが全くなく、濃度が高く、
ハーフトーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高
品質画像を得ることが容易に出来る電子写真用の
光導電部材及びそれを用いた像形成方法を提供す
ることである。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性及び高耐圧性を有する光導電部材及
びそれを用いた像形成方法を提供することでもあ
る。 本発明における第１の発明は、光導電部材用の
支持体と、該支持体上に設けられ、シリコン原子
を母体とし、水素原子及びハロゲン原子の少なく
ともいずれか一方を構成要素とする非晶質材料で
構成された光導電性を示す第１の層領域と、シリ
コン原子と炭素原子とハロゲン原子とを構成要素
とする非晶質材料で構成されている第２の層領域
と、を支持体側から順に有する非晶質層とを有
し、前記第１の層領域には構成原子として周期律
表第族に属する原子をその分布濃度が該層厚方
向に連続的でかつ前記支持体側の方に高くされた
部分を有し第２の層領域側においては該支持体側
に較べて可成り低くされた部分を有する分布状態
で含有し且つ前記第２の層領域に於いて炭素原子
が60原子％まで含有されている事を特徴とする光
導電部材である。 また、本発明における第２の発明は、光導電部
材用の支持体と、該支持体上に設けられ、シリコ
ン原子を母体とし、水素原子及びハロゲン原子の
少なくともいずれか一方を構成要素とする非晶質
材料で構成された光導電性を示す第１の層領域
と、シリコン原子と炭素原子とハロゲン原子とを
構成要素とする非晶質材料で構成されている第２
の層領域と、を支持体側から順に有する非晶質層
とを有し、前記第１の層領域には構成原子として
周期律表第族に属する原子をその分布濃度が該
層厚方向に連続的でかつ前記支持体側の方に高く
された部分を有し第２の層領域側においては該支
持体側に較べて可成り低くされた部分を有する分
布状態で含有し且つ前記第２の層領域に於いて炭
素原子が60原子％まで含有されている光導電部材
を用い、前記光導電部材に帯電を行い、構造を照
射して潜像を形成し、該潜像を現像剤によつて現
像して現像像を形成し、該現像像を記録部材に転
写し、転写画像を形成した後、前記光導電部材の
表面のクリーニングを行なう像形成方法である。 以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
いて詳細に説明する。 第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明
する為に模式的に示した模式的構成図である。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、非晶質層１０２
が設けられており、該非晶質層１０２はａ−Si
（Ｈ，Ｘ）から成り、光導電性を有する第１の層
領域１０３と、シリコン原子と炭素原子とハロゲ
ン原子とを構成要素とする非晶質材料で構成さ
れ、前記炭素原子が上限として40原子％迄、下限
としては通常１×10-3原子％の量、即ち、Ｃ／
（Si＋Ｃ＋Ｘ）の値が％表示で１×10-3原子％か
ら40原子％までとなる量範囲で炭素原子が含有さ
れている第２の層領域１０４とから成る層構造を
有する。 本発明において使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NiCr、ステンレス、Al，
Cr，Mo，Au，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラミ
ツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面
を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面にNiCr，
Al，Cr，Mo，Au，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，
Pd，In2O3，SnO2，ITO（In2O3＋SnO2）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr，Al，Ag，Pb，Zn，Ni，
Au，Cr，Mo，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベ
ルト状、板状等任意の形状とし得、所望によつ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１図の
光導電部材１００を電子写真用像形成部材として
使用するのであれば連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される
様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能が充
分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされ
る。而乍ら、この様な場合支持体の製造上及び取
扱い上、機械的強度等の点から、通常は、10μ以
上とされる。 本発明に於いて、その目的を効果的に達成する
為に、支持体１０１上に形成され、非晶質層１０
２の一部を構成する第１の層領域１０３は下記に
示す半導体特性を有し、照射される光に対して光
導電性を示すａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成される。 ｐ型ａ−Si（Ｈ，Ｘ）……アクセプターのみ
を含むもの。或いは、ドナーとアクセプターと
の両方を含み、アクセプターの相対的濃度が高
いもの。 ｐ型ａ−Si（Ｈ，Ｘ）……のタイプに於い
てアクセプターの濃度（Na）が低いか又はア
クセプターの相対的濃度が低いもの。 ｎ型ａ−Si（Ｈ，Ｘ）……ドナーのみを含む
もの。或いはドナーとアクセプターの両方を含
み、ドナーの相対的濃度が高いもの。 n-型ａ−Si（Ｈ，Ｘ）……のタイプに於い
てドナーの濃度（Na）が低いか、又はアクセ
プターの相対的濃度が低いもの。 ｉ型ａ−Si（Ｈ，Ｘ）……NaNdＯのも
の、又はNaNdのもの。 本発明に於いて、第１の層領域１０３中に含有
されるハロゲン原子（Ｘ）として好適なのはＦ，
Cl，Br，Ｉであり、殊にＦ，Clが望ましいもの
である。 本発明においてａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成される
第１の層領域１０３を形成するには例えばグロー
放電法、スパツタリング法、或いはイオンプレー
テイング法等の放電現象を利用する真空堆積法が
採用される。例えば、グロー放電法によつて、ａ
−Si（Ｈ，Ｘ）で構成される第１の層領域１０３
を形成するには、基本的にはシリコン原子（Si）
を供給し得るSi供給用の原料ガスと共に、水素原
子（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）
導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室
内に導入して、該堆積室内にグロー放電を生起さ
せ、予め所定位置に設置されてある所定の支持体
表面上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成すれ
ば良い。又、スパツタリング法で形成する場合に
は、例えばAr，He等の不活性ガス又はこれ等の
ガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でSiで構
成されたターゲツトをスパツタリングする際、水
素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入
用のガスをスパツタリング用の堆積室に導入して
やれば良い。 本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
としては、SiH4，Si2H6，Si3H8，Si4H10等のガ
ス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン
類）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊
に、層作成作業の扱い易さ、Si供給効率の良さ等
の点でSiH4，Si2H6が好ましいものとして挙げら
れる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン
化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換された
シラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハ
ロゲン化合物が好ましく挙げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む硅素化合物も有効なものとして
本発明においては挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的にはフツ素、塩素、臭素、ヨ
ウ素のハロゲンガス、BrF，ClF，ClF3，BrF5，
BrF3，IF3，IF7，ICl，IBr等のハロゲン間化合
物を挙げる事が出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF4，Si2F6，SiCl4，SiBr4等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、Siを供給し得る原料
ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、
所定の支持体上にハロゲン原子を構成要素として
含むａ−Siから成る層を形成する事が出来る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む層
を製造する場合、基本的には、Si供給用の原料ガ
スであるハロゲン化硅素ガスとAr，H2，He等の
ガス等を所定の混合比とガス流量になる様にして
第１の層領域を形成する堆積室内に導入し、グロ
ー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気
を形成することによつて、所定の支持体上に第１
の層領域を形成し得るものであるが、水素原子の
導入を計る為にこれ等のガスに更に水素原子を含
む硅素化合物のガスも所定量混合して層形成して
も良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。 反応スパツタリング法或いはイオンプレーテイ
ング法に依つてａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成る層を形
成するには、例えばスパツタリング法の場合に
は、Siから成るターゲツトを使用して、これを所
定のガスプラズマ雰囲気中でスパツタリングし、
イオンプレーテイング法の場合には、多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンを蒸発源として蒸着ボー
トに収容し、このシリコン蒸発源を抵抗加熱法、
或いはエレクトロンビーム法（EB法）等によつ
て加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガスプラズマ
雰囲気中を通過させる事で行う事が出来る。 この際、スパツタリング法、イオンプレーテイ
ング法の何れの場合にも形成される層中にハロゲ
ン原子を導入するには、前記のハロゲン化合物又
は前記のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを
堆積室中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形
成してやれば良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H2、或いは前記した
シラン類等のガスをスパツタリング用の堆積室中
に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してや
れば良い。 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF，HCl，
HBr，HI等のハロゲン化水素、SiH2F2，SiH2
I2，SiH2Cl2，SiHCl3，SiH2Br2，SiHBr3等のハ
ロゲン置換水素化硅素、等々のガス状態の或いは
ガス化し得る、水素原子を構成要素の１つとする
ハロゲン化物も有効な第１の層領域形成用の出発
物質として挙げる事が出来る。 これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、層形
成の際に層中にハロゲン原子の導入と同時に電気
的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原
子も導入されるので、本発明においては好適なハ
ロゲン導入用の原料として使用される。 水素原子を層中に構造的に導入するには、上記
の他に、H2、或いはSiH4，Si2H6，Si3H8，Si4
H10等の水素化硅素のガスをSiを供給する為のシ
リコン化合物と堆積室中に共存させて放電を生起
させる事でも行う事が出来る。 例えば、反応スパツタリング法の場合には、Si
ターゲツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス
及びH2ガスを必要に応じてHe，Ar等の不活性ガ
スも含めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を
形成し、前記Siターゲツトをスパツタリングする
ことによつて、基板上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成
る層が形成される。 更には、不純物のドーピングも兼ねてB2H6等
のガスを導入してやることも出来る。 本発明において、形成される光導電部材の第１
の層領域中に含有される水素原子（Ｈ）の量又は
ハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン
原子の量の和は通常の場合１〜40原子％、好適に
は５〜30原子％とされるのが望ましい。層中に含
有される水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持体温度又
は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子
（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆
積装置系内へ導入する量、放電々力等を制御して
やれば良い。 本発明に於いて、第１の層領域をグロー放電法
又はスパツターリング法で形成する際に使用され
る稀釈ガスとしては、所謂稀ガス、例えばHe，
Ne，Ar等が好適なものとして挙げることが出来
る。 第１の層領域１０３の半導体特性を〜の中
の所望のものとするには、該層形成の際に、ｎ型
不純物、又はｐ型不純物、或いは両不純物を形成
される層中にその量を制御し乍らドーピングして
やる事によつて成される。その様な不純物として
は、ｐ型不純物として周期律表第族に属する原
子、例えば、Ｂ，Al，Ga，In，Tl等が好適なも
のとして挙げられ、ｎ型不純物としては、周期律
表第族に属する原子、例えば、Ｎ，Ｐ，As，
Sb，Bi等が好適なものとして挙げられるが、殊
にＢ，Ga，Ｐ，Sb等が最適である。 本発明に於いて所望の伝導型を有する為に第１
の層領域１０３中にドーピングされる不純物の量
は、所望される電気的、光学的特性に応じて適宜
決定されるが、周期律表第族の不純物の場合は
３×104原子ppm以下の量範囲でドーピングして
やれば良く、周期律表第族の不純物の場合には
５×103原子ppm以下の量範囲でドーピングして
やれば良い。 第１の層領域１０３中に不純物をドーピングす
るには、層形成の際に不純物導入用の原料物質を
ガス状態で堆積室中に第１の層領域１０３を形成
する主原料物質と共に導入してやれば良い。この
様な不純物導入用の原料物質としては、常温常圧
でガス状態の又は、少なくとも層形成条件下で容
易にガス化し得るものが採用されるのが望まし
い。その様な不純物導入用の出発物質として具体
的には、PH3，P2H4，PF3，PF5，PCl3，AsH3，
AsF3，AsF5，AsCl3，SbH3，SbF3，SbF5，
BiH3，BF3，BCl3，BBr3，B2H6，B4H10，B5
H9，B5H11，B6H10，B6H12，B6H14，AlCl3，
GaCl3，InCl3，TlCl3等を挙げることが出来る。 第１の層領域１０３の層厚は、所望のスペクト
ル特性を有する光の照射によつて発生されるフオ
トキヤリアが効率良く輸送される様に所望に従つ
て適宜決められ、通常は、１〜100μ、好適には、
２〜50μとされる。 本発明に於いて伝導型や暗抵抗値の制御の為に
第１の層領域１０３中に不純物として含有される
周期律表第族に属する原子（以後「第族原
子」と記す）や周期律表第族に属する原子（以
後「第族原子」と記す）は、上記層領域１０３
の層厚方向に実質的に垂直な面（支持体１０１の
表面に平行な面）内に於いては、実質的に均一に
分布されるが、層厚方向に対してはその分布状態
は不均一とされる。 さらに、形成される非晶質層１０２全体として
の暗抵抗の増大と電気的耐圧特性の向上をより効
果的に達成するには、上記の不純物は、支持体１
０１側の方に多く分布した不均一分布状態が形成
される様に第１の層領域１０３中に含有されるの
が望ましい。殊に電子写真用として適用させる場
合には、第族原子としては、殊に硼素（Ｂ）や
ガリウム（Ga）を、第族原子としては、殊に
燐（Ｐ）を夫々上記の様に不均一分布させて含有
させるのが好ましい。又、第１の層領域１０３中
に含有される前記の不純物は、該層領域１０３の
層厚方向の全領域に連続的に含有されても良い
し、又、層厚方向に於いて部分的に含有させても
良い。 次に本発明に於いて、第１の層領域１０４中に
前記の不純物が層厚方向に不均一な分布状態で含
有される場合の分布状態の典型例に就て説明す
る。 尚、説明の簡便さを計る為に、不純物としては
第族原子で説明し、又、図面化された層領域と
しては、第族原子の含有されている層領域の部
分のみを示す様にした。即ち、以下の不純物の分
布状態の説明用としての図面に示されている層領
域（）は、第１の層領域１０３の全領域に等し
くても良いし、又、第１の層領域１０３の一部と
されても良いものである。 而乍ら、第１の層領域１０３へ含有される不純
物は層領域（）が第１の層領域１０３の支持体
１０１側の端部層領域を含む様に含有されるのが
好適である。 第２図乃至第１０図には、本発明における光導
電部材の第１の層領域１０３を構成する層領域
（）中に含有される第族原子の層厚方向の分
布状態の典型的例が示される。 第２図乃至第１０図において、横軸は第族原
子の含有量Ｃを、縦軸は第族原子の含有されて
いる層領域（）の層厚を示し、tBは支持体側の
界面の位置を、tTは支持体側とは反対側の界面の
位置を示す。即ち、第族原子の含有されている
層領域（）はtB側よりtT側に向つて層形成がな
される。 本発明においては、第族原子の含有される層
領域（）は、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成り、光導
電性を示す第１の層領域１０３の全層領域を占め
ても良いし、又、その一部を占めても良い。 本発明において、前記層領域（）が第１の層
領域１０３の一部の層領域を占める場合には、第
１図の例で示せば支持体１０１側との界面を含ん
で第１の層領域１０３の下部層領域に設けられる
のが好ましいものである。 第２図には、層領域（）中に含有される第
族原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示
される。 第２図に示される例では、第族原子の含有さ
れる層領域が形成される表面と該層領域の表面と
が接する界面位置tBよりt1の位置までは、第族
原子の含有濃度ＣがC1なる一定の値を取り乍ら
第族原子が形成される層領域に含有され、位置
t1より濃度C2より界面位置tTに到るまで徐々に連
続的に減少されている。界面位置tTにおいては第
族原子の含有濃度ＣはC3とされる。 第３図に示される例においては、含有される第
族原子の含有濃度Ｃは位置tBより位置tTに到る
まで濃度C4から徐々に連続的に減少して位置tTに
おいて濃度C5となる様な分布状態を形成してい
る。 第４図の場合には、位置tBより位置t2までは第
族原子の含有濃度ＣはC6と一定値とされ、位
置t2と位置tTとの間において、徐々に連続的に減
少され、位置tTにおいて、含有濃度Ｃは実質的に
零とされている。 第５図の場合には、第族原子は位置tBより位
置tTに到るまで、含有濃度C8より連続的に徐々に
減少され、位置tTにおいて実質的に零とされてい
る。 第６図に示す例においては、第族原子の含有
濃度Ｃは、位置tBと位置t3間においては、濃度C9
と一定値であり、位置tTにおいては濃度C10とさ
れる。位置t3と位置tTとの間では、含有濃度Ｃは
一次関数的に位置t3より位置tTに到るまで減少さ
れている。 第７図に示される例においては、位置tBより位
置t4までは濃度C11の一定値を取り、位置t4より位
置tTまでは濃度C12より濃度C13まで一次関数的に
減少する分布状態とされている。 第８図に示す例においては、位置tBより位置tT
に到るまで、第族原子の含有濃度Ｃは濃度C14
より零に到る様に一次関数的に減少している。 第９図においては、位置tBより位置t5に到るま
では第族原子の含有濃度Ｃは、濃度C15より濃
度C16まで一次関数的に減少され、位置t5と位置tT
との間においては、濃度C16の一定値とされた例
が示されている。 第１０図に示される例においては、第族原子
の含有濃度Ｃは位置tBにおいて濃度C17であり、
位置t6に到るまではこの濃度C17より初めはゆつ
くりと減少され、t6の位置付近においては、急激
に減少されて位置t6では濃度C18とされる。 位置t6と位置t7との間においては、初め急激に
減少されて、その後は、緩やかに徐々に減少され
て位置t7で濃度C19となり、位置t7と位置t8との間
では、極めてゆつくりと徐々に減少されて位置t8
において、濃度C20に到る。位置t8と位置tTの間に
おいては、濃度C20より実質的に零になる様に図
に示す如き形状の曲線に従つて減少されている。 以上、第２図乃至第１０図により、層領域
（）中に含有される第族原子の層厚方向の分
布状態の典型例の幾つかを説明した様に、本発明
においては、支持体側において、第族原子の含
有濃度Ｃの高い部分を有し、界面tT側において
は、前記含有濃度Ｃは支持体側に較べて可成り低
くされた部分を有する第族原子の分布状態が形
成された層領域（）が第１の層領域１０３に設
けられるのが好ましい。 本発明のより好ましい実施態様においては、非
晶質層を構成する第族原子の含有される層領域
（）は、上記した様に支持体側の方に第族原
子が比較的高濃度で含有されている局在領域Ａを
有する。 局在領域Ａは、第２図乃至第１０図に示す記号
を用いて説明すれば、界面位置tBより5μ以内に設
けられるのが望ましい。 上記局在領域Ａは、界面位置tBより5μ厚までの
全層領域LTとされる場合もあるし、又、層領域
LTの一部とされる場合もある。 局在領域Ａを層領域LTの一部とするか又は全
部とするかは、形成される非晶質層に要求される
特性に従つて適宜決められる。 局在領域Ａはその中に含有される第族原子の
層厚方向の分布状態として第族原子の含有量分
布値（濃度分布値）の最大Cmaxがシリコン原子
に対して通常は50原子ppm以上、好適には80原子
ppm以上、最適には100原子ppm以上とされる様
な分布状態となり得る様に層形成されるのが望ま
しい。 即ち、本発明の好ましい実施態様例において
は、第族原子の含有される層領域（）は、支
持体側からの層厚で5μ以内（tBから5μ厚の層領
域）に含有量分布の最大値Cmaxが存在する様に
形成される。 本発明において、第族原子の含有される前記
の層領域（）中に含有される第族原子の含有
量としては、本発明の目的が効果的に達成される
様に所望に従つて適宜決められるが、前記の第１
の層領域１０３を構成するシリコン原子の量に対
して、通常は１〜３×104原子ppm、好ましくは
２〜500原子ppm、最適には３〜200原子ppmとさ
れるのが望ましいものである。 第族原子の場合には、Cmaxとしてはシリコ
ン原子に対して、通常は50原子ppm以上、好適に
は80原子ppm以上、最適には100原子ppm以上と
される様な分布状態となり得る様に層形成される
のが望ましい。 又、第族原子の含有される層領域（）［前
述の層領域（）に相当］中に含有される第族
原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に
達成される様に所望に従つて適宜決められるが、
前記の第１の層領域１０３を構成するシリコン原
子の量に対して、通常は１〜５×103原子ppm、
好ましくは１〜300原子ppm、最適には１〜200原
子ppmとされるのが望ましいものである。 以上説明した第１の層領域の層構成例の多く
は、第族原子又は第族原子の濃度分布が層厚
方向に緩やかに変化する領域を有する。このこと
は、層の機械的強度と繰返し使用特性を高める点
に於いて殊に顕著な効果が示される。 第１図に示される光導電部材１００に於いては
第１の層領域１０３上に形成される第２の層領域
１０４は自由表面１０５を有し、主に耐湿性、連
続繰返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特
性、耐久性に於いて本発明の目的を達成する為に
設けられる。 又、本発明に於いては、非晶質層１０２を構成
する第１の層領域１０３と第２の層領域１０４と
を形成する非晶質材料の各々がシリコン原子とい
う共通の構成要素を有しているので、積層界面に
於いて化学的な安定性の確保が充分成されてい
る。第２の層領域１０４は、シリコン原子と炭素
原子とハロゲン原子で構成される非晶質材料（ａ
−（SixC1-x）y：X1-y、但し0.53≦ｘ≦0.99999，0.8
≦ｙ≦0.99）で形成される。 ａ−（SixC1-x）y：X1-yで構成される第２の層領
域１０４の形成はグロー放電法、スパツタリング
法、イオンプランテーシヨン法、イオンプレーテ
イング法、エレクトロンビーム法等によつて成さ
れる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投
下の負荷程度、製造規模、作製される光導電部材
に所望される特性等の要因によつて適宜選択され
て採用されるが、所望する特性を有する光導電部
材を製造する為の作製条件の制御が比較的容易で
ある、シリコン原子と共に炭素原子及びハロゲン
原子を作製する第２の層領域１０４中に導入する
のが容易に行える等の利点からグロー放電法或い
はスパツターリング法が好適に採用される。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して第２
の層領域１０４を形成しても良い。 グロー放電法によつて第２の層領域１０４を形
成するには、ａ−（SixC1-x）y：X1-y形成用の原料
ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比
で混合して、支持体１０１の設置してある真空堆
積用の堆積室に導入し、導入されたガスを、グロ
ー放電を生起させることでガラスプラズマ化して
前記支持体１０１上に既に形成されてある第１の
層領域１０３上にａ−（SixC1-x）y：X1-yを堆積さ
せれば良い。 本発明に於いて、ａ−（SixC1-x）y：X1-y形成用
の原料ガスとしては、Si，Ｃ，Ｘの中の少なくと
も１つを構成原子とするガス状の物質又はガス化
し得る物質をガス化したものの中の大概のものが
使用され得る。 Si，Ｃ，Ｘの中の１つとしてSiを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構成原
子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガ
スと、Ｘを構成原子とする原料ガスとを所望の混
合比で混合して使用するか、又は、Siを構成原子
とする原料ガスと、Ｃ及びＸを構成原子とする原
料ガスとを、これも又所望の混合比で混合する
か、或いは、Siを構成原子とする原料ガスと、
Si，Ｃ及びＸの３つを構成原子とする原料ガスと
を混合して使用することが出来る。 又、別には、SiとＸとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明に於いて、第２の層領域１０４中に含有
されるハロゲン原子Ｘとして好適なのはＦ，Cl，
Br，Ｉであり、殊にＦ，Clが望ましいものであ
る。 本発明に於いて、第２の層領域１０４は、ａ−
（SixC1-x）y：X1-yで構成されるものであるが、更
に水素原子を含有させることが出来る。 第２の層領域１０４への水素原子の含有は、第
１の層領域１０３との連続層形成の際に原料ガス
種の一部共通化を計ることが出来るので生産コス
ト面の上で好都合である。 本発明に於いて、第２の層領域１０４を形成す
るのに有効に使用される原料ガスと成り得るもの
としては、常温常圧に於いてガス状態のもの又は
容易にガス化し得る物質を挙げることが出来る。 この様な第２の層領域１０４形成用の物質とし
ては、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素
数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３の
アセチレン系炭化水素、ハロゲン単体、ハロゲン
化水素、ハロゲン間化合物、ハロゲン化硅素、ハ
ロゲン置換水素化硅素、水素化硅素等を挙げる事
が出来る。 具体的には、飽和炭化水素としてはメタン
（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン（C3H8）、ｎ
−ブタン（ｎ−C4H10）、ペンタン（C5H12）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C2H4）、
プロピレン（C3H6）、ブテン−１（C4H8）、ブテ
ン−２（C4H8）、イソブチレン（C4H8）、ペンテ
ン（C5H10）、アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C2H2）、メチルアセチレン（C3
H4）、ブチン（C4H6）、ハロゲン単体としては、
フツ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ハ
ロゲン化水素としては、FH，HI，HCl，BHr、
ハロゲン間化合物としては、BrF，ClF，ClF3，
ClF5，BrF5，BrF3，IF7，IF5，ICl，IBr、ハロ
ゲン化硅素としてはSiF4，Si2F6，SiCl4，SiCl3
Br，SiCl2Br2，SiClBr3，SiCl3Ｉ，SiBr4、ハロ
ゲン置換水素化硅素としては、SiH2F2，SiH2
Cl2，SiHCl3，SiH3Cl，SiH3Br，SiH2Br2，
SiHBr3、水素化硅素としては、SiH4，Si2H6，
Si3H8，Si4H10等のシラン（Silane）類、等々を
挙げることが出来る。 これ等の他に、CCl4，CHF3，CH2F2，CH3
Ｆ，CH3Cl，CH3Br，CH3Ｉ，C2H5Cl等のハロ
ゲン置換パラフイン系炭化水素、SF4，SF6等の
フツ素化硫黄化合物、Si（CH3）4，Si（C2H5）4，等
のケイ化アルキルやSiCl（CH3）3，SiCl2（CH3）2，
SiCl3CH3等のハロゲン含有ケイ化アルキル等の
シラン誘導体も有効なものとして挙げることが出
来る。 これ等の第２の層領域１０４形成物質は、形成
される第２の層領域中に、所定の組成比でシリコ
ン原子、炭素原子及びハロゲン原子と必要に応じ
て水素原子とが含有される様に、第２の層領域１
０４の形成の際に所望に従つて選択されて使用さ
れる。 例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
の含有が容易に為し得て且つ所望の特性の第２の
層領域が形成され得るSi（CH3）4とハロゲン原子
を含有させるものとしてのSiHCl3，SiCl4，SiH2
Cl2、或いはSiH3Cl等を所定の混合比でガス状態
で第２の層領域１０４形成用の装置内に導入して
グロー放電を生起させることによつてａ−Six
C1-x：Cl：Ｈから成る第２の層領域１０４を形成
することが出来る。 スパツターリング法によつて第２の層領域１０
４を形成するには、単結晶又は多結晶のSiウエー
ハー又はＣウエーハー、又はSiとＣが混合されて
含有されているウエーハーをターゲツトとして、
これ等をハロゲン原子と必要に応じて水素原子を
構成要素として含む種々のガス雰囲気中でスパツ
ターリングすることによつて行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＣとＸを導入する為の原料ガスを、必要
に応じて希釈ガスで希釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツターリングす
れば良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣとの混合した一枚のターゲツトを
使用することによつて、少なくともハロゲン原子
を含有するガス雰囲気中でスパツターリングする
ことによつて成される。Ｃ及びＸ、必要に応じて
Ｈの導入用の原料ガスとなる物質としては先述し
たグロー放電の例で示した第２の層領域１０４形
成用の物質がスパツターリング法の場合にも有効
な物質として使用され得る。 本発明に於いて、第２の層領域１０４をグロー
放電法又はスパツターリング法で形成する際に使
用される稀釈ガスとしては、所謂、希ガス、例え
ばHe，Ne，Ar等が好適なものとして挙げるこ
とが出来る。 本発明に於ける第２の層領域は、その要求され
る特性が所望通りに与えられる様に注意深く形成
される。 即ち、Si，Ｃ及びＸ，必要に応じてＨを構成原
子とする物質は、その作成条件によつて構造的に
は結晶からアモルフアスまでの形態を取り、電気
物性的には導電性から半導体性、絶縁性までの間
の性質を、又光導電的性質から非光導電的性質ま
での間の性質を、各々示すので、本発明に於いて
は、目的に応じた所望の特性を有するａ−Six
C1-xが形成される様に、所望に従つてその作成条
件の選択が厳密に成される。例えば第２の層領域
１０４をで電気的耐圧性の向上を主な目的として
設けるにはａ−（SixC1-x）yX1-yは使用環境に於い
て電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材料として作
成される。 又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上
を主たる目的として第２の層領域１０４が設けら
れる場合には、上記の電気絶縁性の度合はある程
度緩和され、照射される光に対してある程度の感
度を有する非晶質材料としてａ−SixC1-xが作成
される。 第１図の層領域１０３の表面にａ−（SixC1-x）y
X1-yから成る第２の層領域１０４を形成する際、
層形成中の支持体温度は、形成される層の構造及
び特性を左右する重要な因子であつて、本発明に
於いては、目的とする特性を有するａ−（Six
C1-x）yX1-yが所望通りに作成され得る様に層作成
時の支持体温度が厳密に制御されるのが望まし
い。 本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成さ
れる為の第２の層領域１０４の形成法に併せて適
宜最適範囲が選択されて、第２の層領域１０４の
形成が実行されるが、通常の場合、100〜300℃、
好適には150〜250℃とされるのが望ましいもので
ある。第２の層領域１０４の形成には、層を構成
する原子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が他
の方法に較べて比較的容易である事等の為に、グ
ロー放電法やスパツターリング法やの採用が有利
であるが、これ等の層形成法で第２の層領域１０
４を形成する場合には、前記の支持体温度と同様
に層形成の際の放電パワーが作成されるａ−（Six
C1-x）y：X1-yの特性を左右する重要な因子の１つ
である。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ−（SixC1-x）y：X1-yが生産性良く効果的に
作成される為の放電パワー条件としては、通常
10W〜300W、好適には20W〜200Wである。 堆積室内のガス圧は、通常は0.01〜1Torr、好
適には0.1〜0.5Torr程度とされるのが望ましい。 本発明に於いては、第２の層領域１０４を作成
する為の支持体温度、放電パワーの望ましい数値
範囲として前記した範囲の値が挙げられるが、こ
れ等の層作成フアクターは独立的に別々に決めら
れるものではなく、所望特性のａ−SixC1-xから
成る第２の層領域１０４が形成される様に相互的
有機的関連性に基づいて各層作成フアクターの最
適値が決められるのが望ましい。 本発明の光導電部材に於ける第２の層領域１０
４に含有される炭素原子及びハロゲン原子の量
は、第２の層領域の作製条件と同様本発明の目的
を達成する所望の特性が得られる第２の層領域１
０４が形成される重要な因子である。 本発明に於ける第２の層領域１０４に含有され
る炭素原子の量は、通常は１×10-3〜40原子％、
好適には１〜40原子％、最適には10〜40原子％と
されるのが望ましいものである。ハロゲン原子の
含有量としては、通常の場合、１〜20原子％、好
適には１〜20原子％、最適には２〜15原子％とさ
れるのが望ましく、これ等の範囲にハロゲン原子
含有量がある場合に作成される光導電部材を実際
面に充分に適用され得るものである。即ち、先の
ａ−（SixC1-x）y：X1-yの表示で行えば、ｘが通常
は0.53〜0.99999、好適には0.5〜0.99、最適には、
0.5〜0.9、ｙが通常0.8〜0.99、好適には0.82〜
0.99で、最適には0.85〜0.98あるのが望ましい。
必要に応じて含有される水素原子の含有量として
は、通常の場合19原子％、好適には13原子％以下
とされるのが望ましいものである。ハロゲン原子
と水素原子の両方が含まれる場合、先と同様のａ
−（SixC1-x）y：（Ｈ＋Ｘ）1-yの表示で行えば、この
場合のｘ，ｙも前記のａ−（SixC1-x）y：X1-yの場
合の数値範囲と、同じ値とされる。 本発明に於ける第２の層領域１０４の層厚の数
値範囲は、本発明の目的を効果的に達成する為の
重要な因子の１つである。 本発明の目的を効果的に達成する様に初期の目
的に応じて適宜所望に従つて決められる。 又、第２の層領域１０４の層厚は、第１の層領
域１０３の層厚との関係に於いても、各々の層領
域に要求される特性に応じた有機的な関連性の下
に所望に従つて適宜決定される必要がある。 更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経
済性の点に於いても考慮されるのが望ましい。 本発明に於ける第２の層領域１０４の層厚とし
ては、通常0.01〜10μ、好適には0.02〜5μ、最適
には0.04〜5μとされるのが望ましいものである。 本発明に於ける光導電層部材１００の非晶質層
の層厚としては、読取装置、撮像装置或いは電子
写真用像形成部材等の適用するものの目的に適合
させて所望に従つて適宜決定される。 本発明に於いては、非晶質層１０２の層厚とし
ては、非晶質層１０２を構成する第１の層領域１
０３と第２の層領域１０４に付与される特性が
各々有効に活かされて本発明の目的が効果的に達
成される様に第１の層領域１０３と第２の層領域
１０４との層厚関係に於いて適宜所望に従つて決
められるものであり、好ましくは第２の層領域１
０４の層厚に対して第１の層領域１０３の層厚が
数百〜数千倍以上となる様にされるのが好ましい
ものである。 非晶質層１０２の層厚の具体的な値としては、
通常0.5〜100μ、好適には１〜70μ、最適には２〜
50μの範囲とされるのが望ましい。 次にグロー放電分解法によつて形成される光導
電部材の製造方法について説明する。 第１１図にグロー放電分解法及びスパツタリン
グ法による層形成が行なえる光導電部材の製造装
置を示す。 図中の１１１１〜１１１５のガスボンベには、
本発明の夫々の層を形成するための原料ガスが密
封されており、その１例として、たとえば、１１
１１はHeで稀釈されたSiH4ガス（純度99.999％、
以下SiH4／Heと略す。）ボンベ、１１１２はHe
で稀釈されたB2H6ガス（純度99.999％、以下B2
H6／Heと略す。）ボンベ、１１１３はC2H4ガス
（純度99.99％）ボンベ、１１１４はHeで稀釈さ
れたSiF4ガス（純度99.999％、以下SiF4／Heと
略す。）ボンベ、１１１５はArガスボンベであ
る。 これらのガスを反応室１１０１に流入させるに
はガスボンベ１１１１〜１１１５のバルブ１１３
１〜１１３５、リークバルブ１１０６が閉じられ
ていることを確認し、又、流入バルブ１１２１〜
１１２５、流出バルブ１１２６〜１１３０、補助
バルブ１１４１が開かれていることを確認して先
ずメインバルブ１１１０を開いて反応室１１０
１、ガス配管内を排気する。次に真空計１１４２
の読みが約５×10-6Torrになつた時点で、補助
バルブ１１４１、流出バルブ１１２６〜１１３０
を閉じる。 基板１１０９上に第１領域層を形成する場合の
一例をあげると、シヤツター１１０５は閉じられ
ており、電源１１４３より高圧電力が印加される
よう接続されている。ガスボンベ１１１１より
SiH4／Heガス、ガスボンベ１１１２よりB2H6／
Heガス、バルブ１１３１，１１３２を開いて出
口圧ゲージ１１３６，１１３７の圧を１Kg／cm2に
調整し、流入バルブ１１２１，１１２２を徐々に
開けて、マスフロコントローラ１１１６，１１１
７内に流入させる。引き続いて流出バルブ１１２
６，１１２７、補助バルブ１１４１を徐々に開い
て夫々のガスを反応室１１０１に流入させる。こ
のときのSiH4／Heガス流量、B2H6／Heガス流
量の夫々の比が所望の値になるように流出バルブ
１１２６，１１２７を調整し、又、反応室内の圧
力が所望の値になるように真空計１１４２の読み
を見ながらメインバルブ１１１０の開口を調整す
る。そして基板１１０９の温度が加熱ヒーター１
１０８により例えば50〜400℃の温度に設定され
ていることを確認された後、電源１１４３を所望
の電力に設定して反応室１１０１内にグロー放電
を生起させ基板１１０９に第１の層領域１０３を
形成する。 第１の層領域１０３にハロゲン原子を含有させ
る場合には上記のガスに、例えばSiF4／Heを更
に付加して反応室内に送り込む。 第２の層領域１０４をスパツタリング法によつ
て形成するには、まずシヤツター１１０５を開
く。すべてのガス供給バルブは一旦閉じられ、反
応室１１０１はメインバルブ１１１０を全開する
ことにより排気される。高圧電力が印加される電
極１１０２上に高純度シリコンウエハ１１０４−
１、及び高純度グラフアイト１１０４−２が所望
の面積比率でターゲツトとして設置されている。
ガスボンベにより、Arガス及びSiF4／Heガスを
反応室１１０１内に導入し、反応室１１０１の内
圧が0.05〜1Torrとなるようメインバルブ１１１
０を調節する。高圧電源１１４３をONとし、Si
とＣとを同時にスパツタリングすることにより、
第１の層領域１０３上にシリコン原子、炭素原
子、フツ素原子よりなる第２の層領域１０４を形
成することができる。 又、上記ガスに加えて、更にSiH4ガスをも流
すことにより、シリコン原子、炭素原子、フツ素
原子、水素原子よりなる第２領域層を形成するこ
とができる。 第２領域層１０４をグロー放電法によつて形成
するには、第１領域層形成時と同様なバルブ操作
によつてSiH4ガス、SiF4ガス、及びC2H4ガスを
所定の流量比で反応槽に流し、グロー放電を生起
させればよい。 実施例 １ 第１１図に示した製造装置により、アルミニウ
ム基板上に、以下の条件で層形成を行つた。
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある光導電部材及びそれ
を用いる像形成方法に関する。 ［従来の技術］ 固体撮像装置、或いは像形成分野に於ける電子
写真用像形成部材や原稿読取装置に於ける光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時に於い
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置に於いては、残像を所定時間内に容易に処
理することが出来ること等の特性が要求される。
殊に、事務機としてオフイスで使用される電子写
真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場
合には、上記の使用時に於ける無公害性は重要な
点である。 この様な点に立脚して、最近注目されている光
導電材料にアモルフアスシリコン（以後、ａ−Si
と表記す）があり、例えば、独国公開第2746967
号公報、同第2855718号公報には電子写真用像形
成部材として、独国公開第2933411号公報には光
電変換読取装置への応用が記載されている。 ［発明が解決しようとする課題］ 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は暗抵抗値、光感度、光応答性
等の電気的、光学的、光導電的特性、及び繰返し
特性の点、使用環境特性の点、更には経時的安定
性や耐久性の点に於いて、各々、個々には特性の
向上が計られているが、総合的な特性向上を計る
上で更に改良される余地が存する。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとす
ると、従来においては、その使用時に於いて残留
電位が残る場合が度々観測され、この種の光導電
部材は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用
による疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴ
ースト現象を生ずる様になる等の不都合な点が少
なくなかつた。 又、ａ−Si材料で光導電層を構成する場合に
は、その電気的、光導電的特性の改良を計るため
に、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロ
ゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼素原
子や燐原子等が、或いはその他の特性改良のため
に他の原子が、各々構成原子として光導電層中に
含有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方如
何によつては、形成した層の電気的、光学的或い
は光導電的特性、使用環境特性、電気的耐圧性に
問題が生ずる場合がある。 即ち、例えば形成した光導電層中に光照射によ
つて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命が
充分でないこと、或いは転写紙に転写された画像
に俗に「白ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破壊
現象によると思われる画像欠陥や、例えばクリー
ニングに、ブレードを用いるとその摺擦によると
思われる俗に「白スジ」と云われている所謂画像
欠陥が生じたりしていた。又、多湿雰囲気中で使
用したり、或いは多湿雰囲気中に長時間放置した
直後に使用すると俗に云う画像のボケが生ずる場
合が少なくなかつた。 従つて、ａ−Si材料そのものの特性改良が計ら
れる一方で光導電部材を設計する際に、上記した
様な問題の総てが解決される様に工夫される必要
がある。 ［課題を解決するための手段］ 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就いて電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、シリコン原子を母体と
し、水素原子（Ｈ）及びハロゲン原子（Ｘ）のい
ずれか一方を少なくとも含有するアモルフアス材
料、所謂水素化アモルフアスシリコン、ハロゲン
化アモルフアスシリコン、或いはハロゲン含有水
素化アモルフアスシリコン［以後これ等の総称的
表記として「ａ−Si（Ｈ，Ｘ）」を使用する］から
構成される光導電層を有する光導電部材の層構成
を以後に説明される様に特定化する様に設計され
て作成された光導電部材は実用上著しく優れた特
性を示すばかりでなく、従来の光導電部材と較べ
てみても多くの点において凌駕していること、殊
に電子写真用の光導電部材として著しく優れた特
性を有していることを見出した点に基づいてい
る。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が使用
環境に殆んど依存なく実質的に常時安定してお
り、耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際して
も劣化現象を起さず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材及
びそれを用いる像形成方法を提供することを主た
る目的とする。 本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材と
して適用させた場合、静電像形成のための帯電処
理の際の電荷保持能力が充分あり、通常の電子写
真法が極めて有効に適用され得る優れた電子写真
特性を有する光導電部材及びそれを用いる像形成
方法を提供することである。 本発明の更に他の目的は、長期の使用に於いて
画像欠陥や画像のボケが全くなく、濃度が高く、
ハーフトーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高
品質画像を得ることが容易に出来る電子写真用の
光導電部材及びそれを用いた像形成方法を提供す
ることである。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性及び高耐圧性を有する光導電部材及
びそれを用いた像形成方法を提供することでもあ
る。 本発明における第１の発明は、光導電部材用の
支持体と、該支持体上に設けられ、シリコン原子
を母体とし、水素原子及びハロゲン原子の少なく
ともいずれか一方を構成要素とする非晶質材料で
構成された光導電性を示す第１の層領域と、シリ
コン原子と炭素原子とハロゲン原子とを構成要素
とする非晶質材料で構成されている第２の層領域
と、を支持体側から順に有する非晶質層とを有
し、前記第１の層領域には構成原子として周期律
表第族に属する原子をその分布濃度が該層厚方
向に連続的でかつ前記支持体側の方に高くされた
部分を有し第２の層領域側においては該支持体側
に較べて可成り低くされた部分を有する分布状態
で含有し且つ前記第２の層領域に於いて炭素原子
が60原子％まで含有されている事を特徴とする光
導電部材である。 また、本発明における第２の発明は、光導電部
材用の支持体と、該支持体上に設けられ、シリコ
ン原子を母体とし、水素原子及びハロゲン原子の
少なくともいずれか一方を構成要素とする非晶質
材料で構成された光導電性を示す第１の層領域
と、シリコン原子と炭素原子とハロゲン原子とを
構成要素とする非晶質材料で構成されている第２
の層領域と、を支持体側から順に有する非晶質層
とを有し、前記第１の層領域には構成原子として
周期律表第族に属する原子をその分布濃度が該
層厚方向に連続的でかつ前記支持体側の方に高く
された部分を有し第２の層領域側においては該支
持体側に較べて可成り低くされた部分を有する分
布状態で含有し且つ前記第２の層領域に於いて炭
素原子が60原子％まで含有されている光導電部材
を用い、前記光導電部材に帯電を行い、構造を照
射して潜像を形成し、該潜像を現像剤によつて現
像して現像像を形成し、該現像像を記録部材に転
写し、転写画像を形成した後、前記光導電部材の
表面のクリーニングを行なう像形成方法である。 以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
いて詳細に説明する。 第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明
する為に模式的に示した模式的構成図である。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、非晶質層１０２
が設けられており、該非晶質層１０２はａ−Si
（Ｈ，Ｘ）から成り、光導電性を有する第１の層
領域１０３と、シリコン原子と炭素原子とハロゲ
ン原子とを構成要素とする非晶質材料で構成さ
れ、前記炭素原子が上限として40原子％迄、下限
としては通常１×10-3原子％の量、即ち、Ｃ／
（Si＋Ｃ＋Ｘ）の値が％表示で１×10-3原子％か
ら40原子％までとなる量範囲で炭素原子が含有さ
れている第２の層領域１０４とから成る層構造を
有する。 本発明において使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NiCr、ステンレス、Al，
Cr，Mo，Au，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラミ
ツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面
を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面にNiCr，
Al，Cr，Mo，Au，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，
Pd，In2O3，SnO2，ITO（In2O3＋SnO2）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr，Al，Ag，Pb，Zn，Ni，
Au，Cr，Mo，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベ
ルト状、板状等任意の形状とし得、所望によつ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１図の
光導電部材１００を電子写真用像形成部材として
使用するのであれば連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される
様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能が充
分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされ
る。而乍ら、この様な場合支持体の製造上及び取
扱い上、機械的強度等の点から、通常は、10μ以
上とされる。 本発明に於いて、その目的を効果的に達成する
為に、支持体１０１上に形成され、非晶質層１０
２の一部を構成する第１の層領域１０３は下記に
示す半導体特性を有し、照射される光に対して光
導電性を示すａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成される。 ｐ型ａ−Si（Ｈ，Ｘ）……アクセプターのみ
を含むもの。或いは、ドナーとアクセプターと
の両方を含み、アクセプターの相対的濃度が高
いもの。 ｐ型ａ−Si（Ｈ，Ｘ）……のタイプに於い
てアクセプターの濃度（Na）が低いか又はア
クセプターの相対的濃度が低いもの。 ｎ型ａ−Si（Ｈ，Ｘ）……ドナーのみを含む
もの。或いはドナーとアクセプターの両方を含
み、ドナーの相対的濃度が高いもの。 n-型ａ−Si（Ｈ，Ｘ）……のタイプに於い
てドナーの濃度（Na）が低いか、又はアクセ
プターの相対的濃度が低いもの。 ｉ型ａ−Si（Ｈ，Ｘ）……NaNdＯのも
の、又はNaNdのもの。 本発明に於いて、第１の層領域１０３中に含有
されるハロゲン原子（Ｘ）として好適なのはＦ，
Cl，Br，Ｉであり、殊にＦ，Clが望ましいもの
である。 本発明においてａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成される
第１の層領域１０３を形成するには例えばグロー
放電法、スパツタリング法、或いはイオンプレー
テイング法等の放電現象を利用する真空堆積法が
採用される。例えば、グロー放電法によつて、ａ
−Si（Ｈ，Ｘ）で構成される第１の層領域１０３
を形成するには、基本的にはシリコン原子（Si）
を供給し得るSi供給用の原料ガスと共に、水素原
子（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）
導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室
内に導入して、該堆積室内にグロー放電を生起さ
せ、予め所定位置に設置されてある所定の支持体
表面上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成すれ
ば良い。又、スパツタリング法で形成する場合に
は、例えばAr，He等の不活性ガス又はこれ等の
ガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でSiで構
成されたターゲツトをスパツタリングする際、水
素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入
用のガスをスパツタリング用の堆積室に導入して
やれば良い。 本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
としては、SiH4，Si2H6，Si3H8，Si4H10等のガ
ス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン
類）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊
に、層作成作業の扱い易さ、Si供給効率の良さ等
の点でSiH4，Si2H6が好ましいものとして挙げら
れる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン
化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換された
シラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハ
ロゲン化合物が好ましく挙げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む硅素化合物も有効なものとして
本発明においては挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的にはフツ素、塩素、臭素、ヨ
ウ素のハロゲンガス、BrF，ClF，ClF3，BrF5，
BrF3，IF3，IF7，ICl，IBr等のハロゲン間化合
物を挙げる事が出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF4，Si2F6，SiCl4，SiBr4等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、Siを供給し得る原料
ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、
所定の支持体上にハロゲン原子を構成要素として
含むａ−Siから成る層を形成する事が出来る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む層
を製造する場合、基本的には、Si供給用の原料ガ
スであるハロゲン化硅素ガスとAr，H2，He等の
ガス等を所定の混合比とガス流量になる様にして
第１の層領域を形成する堆積室内に導入し、グロ
ー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気
を形成することによつて、所定の支持体上に第１
の層領域を形成し得るものであるが、水素原子の
導入を計る為にこれ等のガスに更に水素原子を含
む硅素化合物のガスも所定量混合して層形成して
も良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。 反応スパツタリング法或いはイオンプレーテイ
ング法に依つてａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成る層を形
成するには、例えばスパツタリング法の場合に
は、Siから成るターゲツトを使用して、これを所
定のガスプラズマ雰囲気中でスパツタリングし、
イオンプレーテイング法の場合には、多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンを蒸発源として蒸着ボー
トに収容し、このシリコン蒸発源を抵抗加熱法、
或いはエレクトロンビーム法（EB法）等によつ
て加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガスプラズマ
雰囲気中を通過させる事で行う事が出来る。 この際、スパツタリング法、イオンプレーテイ
ング法の何れの場合にも形成される層中にハロゲ
ン原子を導入するには、前記のハロゲン化合物又
は前記のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを
堆積室中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形
成してやれば良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H2、或いは前記した
シラン類等のガスをスパツタリング用の堆積室中
に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してや
れば良い。 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF，HCl，
HBr，HI等のハロゲン化水素、SiH2F2，SiH2
I2，SiH2Cl2，SiHCl3，SiH2Br2，SiHBr3等のハ
ロゲン置換水素化硅素、等々のガス状態の或いは
ガス化し得る、水素原子を構成要素の１つとする
ハロゲン化物も有効な第１の層領域形成用の出発
物質として挙げる事が出来る。 これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、層形
成の際に層中にハロゲン原子の導入と同時に電気
的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原
子も導入されるので、本発明においては好適なハ
ロゲン導入用の原料として使用される。 水素原子を層中に構造的に導入するには、上記
の他に、H2、或いはSiH4，Si2H6，Si3H8，Si4
H10等の水素化硅素のガスをSiを供給する為のシ
リコン化合物と堆積室中に共存させて放電を生起
させる事でも行う事が出来る。 例えば、反応スパツタリング法の場合には、Si
ターゲツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス
及びH2ガスを必要に応じてHe，Ar等の不活性ガ
スも含めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を
形成し、前記Siターゲツトをスパツタリングする
ことによつて、基板上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成
る層が形成される。 更には、不純物のドーピングも兼ねてB2H6等
のガスを導入してやることも出来る。 本発明において、形成される光導電部材の第１
の層領域中に含有される水素原子（Ｈ）の量又は
ハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン
原子の量の和は通常の場合１〜40原子％、好適に
は５〜30原子％とされるのが望ましい。層中に含
有される水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持体温度又
は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子
（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆
積装置系内へ導入する量、放電々力等を制御して
やれば良い。 本発明に於いて、第１の層領域をグロー放電法
又はスパツターリング法で形成する際に使用され
る稀釈ガスとしては、所謂稀ガス、例えばHe，
Ne，Ar等が好適なものとして挙げることが出来
る。 第１の層領域１０３の半導体特性を〜の中
の所望のものとするには、該層形成の際に、ｎ型
不純物、又はｐ型不純物、或いは両不純物を形成
される層中にその量を制御し乍らドーピングして
やる事によつて成される。その様な不純物として
は、ｐ型不純物として周期律表第族に属する原
子、例えば、Ｂ，Al，Ga，In，Tl等が好適なも
のとして挙げられ、ｎ型不純物としては、周期律
表第族に属する原子、例えば、Ｎ，Ｐ，As，
Sb，Bi等が好適なものとして挙げられるが、殊
にＢ，Ga，Ｐ，Sb等が最適である。 本発明に於いて所望の伝導型を有する為に第１
の層領域１０３中にドーピングされる不純物の量
は、所望される電気的、光学的特性に応じて適宜
決定されるが、周期律表第族の不純物の場合は
３×104原子ppm以下の量範囲でドーピングして
やれば良く、周期律表第族の不純物の場合には
５×103原子ppm以下の量範囲でドーピングして
やれば良い。 第１の層領域１０３中に不純物をドーピングす
るには、層形成の際に不純物導入用の原料物質を
ガス状態で堆積室中に第１の層領域１０３を形成
する主原料物質と共に導入してやれば良い。この
様な不純物導入用の原料物質としては、常温常圧
でガス状態の又は、少なくとも層形成条件下で容
易にガス化し得るものが採用されるのが望まし
い。その様な不純物導入用の出発物質として具体
的には、PH3，P2H4，PF3，PF5，PCl3，AsH3，
AsF3，AsF5，AsCl3，SbH3，SbF3，SbF5，
BiH3，BF3，BCl3，BBr3，B2H6，B4H10，B5
H9，B5H11，B6H10，B6H12，B6H14，AlCl3，
GaCl3，InCl3，TlCl3等を挙げることが出来る。 第１の層領域１０３の層厚は、所望のスペクト
ル特性を有する光の照射によつて発生されるフオ
トキヤリアが効率良く輸送される様に所望に従つ
て適宜決められ、通常は、１〜100μ、好適には、
２〜50μとされる。 本発明に於いて伝導型や暗抵抗値の制御の為に
第１の層領域１０３中に不純物として含有される
周期律表第族に属する原子（以後「第族原
子」と記す）や周期律表第族に属する原子（以
後「第族原子」と記す）は、上記層領域１０３
の層厚方向に実質的に垂直な面（支持体１０１の
表面に平行な面）内に於いては、実質的に均一に
分布されるが、層厚方向に対してはその分布状態
は不均一とされる。 さらに、形成される非晶質層１０２全体として
の暗抵抗の増大と電気的耐圧特性の向上をより効
果的に達成するには、上記の不純物は、支持体１
０１側の方に多く分布した不均一分布状態が形成
される様に第１の層領域１０３中に含有されるの
が望ましい。殊に電子写真用として適用させる場
合には、第族原子としては、殊に硼素（Ｂ）や
ガリウム（Ga）を、第族原子としては、殊に
燐（Ｐ）を夫々上記の様に不均一分布させて含有
させるのが好ましい。又、第１の層領域１０３中
に含有される前記の不純物は、該層領域１０３の
層厚方向の全領域に連続的に含有されても良い
し、又、層厚方向に於いて部分的に含有させても
良い。 次に本発明に於いて、第１の層領域１０４中に
前記の不純物が層厚方向に不均一な分布状態で含
有される場合の分布状態の典型例に就て説明す
る。 尚、説明の簡便さを計る為に、不純物としては
第族原子で説明し、又、図面化された層領域と
しては、第族原子の含有されている層領域の部
分のみを示す様にした。即ち、以下の不純物の分
布状態の説明用としての図面に示されている層領
域（）は、第１の層領域１０３の全領域に等し
くても良いし、又、第１の層領域１０３の一部と
されても良いものである。 而乍ら、第１の層領域１０３へ含有される不純
物は層領域（）が第１の層領域１０３の支持体
１０１側の端部層領域を含む様に含有されるのが
好適である。 第２図乃至第１０図には、本発明における光導
電部材の第１の層領域１０３を構成する層領域
（）中に含有される第族原子の層厚方向の分
布状態の典型的例が示される。 第２図乃至第１０図において、横軸は第族原
子の含有量Ｃを、縦軸は第族原子の含有されて
いる層領域（）の層厚を示し、tBは支持体側の
界面の位置を、tTは支持体側とは反対側の界面の
位置を示す。即ち、第族原子の含有されている
層領域（）はtB側よりtT側に向つて層形成がな
される。 本発明においては、第族原子の含有される層
領域（）は、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成り、光導
電性を示す第１の層領域１０３の全層領域を占め
ても良いし、又、その一部を占めても良い。 本発明において、前記層領域（）が第１の層
領域１０３の一部の層領域を占める場合には、第
１図の例で示せば支持体１０１側との界面を含ん
で第１の層領域１０３の下部層領域に設けられる
のが好ましいものである。 第２図には、層領域（）中に含有される第
族原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示
される。 第２図に示される例では、第族原子の含有さ
れる層領域が形成される表面と該層領域の表面と
が接する界面位置tBよりt1の位置までは、第族
原子の含有濃度ＣがC1なる一定の値を取り乍ら
第族原子が形成される層領域に含有され、位置
t1より濃度C2より界面位置tTに到るまで徐々に連
続的に減少されている。界面位置tTにおいては第
族原子の含有濃度ＣはC3とされる。 第３図に示される例においては、含有される第
族原子の含有濃度Ｃは位置tBより位置tTに到る
まで濃度C4から徐々に連続的に減少して位置tTに
おいて濃度C5となる様な分布状態を形成してい
る。 第４図の場合には、位置tBより位置t2までは第
族原子の含有濃度ＣはC6と一定値とされ、位
置t2と位置tTとの間において、徐々に連続的に減
少され、位置tTにおいて、含有濃度Ｃは実質的に
零とされている。 第５図の場合には、第族原子は位置tBより位
置tTに到るまで、含有濃度C8より連続的に徐々に
減少され、位置tTにおいて実質的に零とされてい
る。 第６図に示す例においては、第族原子の含有
濃度Ｃは、位置tBと位置t3間においては、濃度C9
と一定値であり、位置tTにおいては濃度C10とさ
れる。位置t3と位置tTとの間では、含有濃度Ｃは
一次関数的に位置t3より位置tTに到るまで減少さ
れている。 第７図に示される例においては、位置tBより位
置t4までは濃度C11の一定値を取り、位置t4より位
置tTまでは濃度C12より濃度C13まで一次関数的に
減少する分布状態とされている。 第８図に示す例においては、位置tBより位置tT
に到るまで、第族原子の含有濃度Ｃは濃度C14
より零に到る様に一次関数的に減少している。 第９図においては、位置tBより位置t5に到るま
では第族原子の含有濃度Ｃは、濃度C15より濃
度C16まで一次関数的に減少され、位置t5と位置tT
との間においては、濃度C16の一定値とされた例
が示されている。 第１０図に示される例においては、第族原子
の含有濃度Ｃは位置tBにおいて濃度C17であり、
位置t6に到るまではこの濃度C17より初めはゆつ
くりと減少され、t6の位置付近においては、急激
に減少されて位置t6では濃度C18とされる。 位置t6と位置t7との間においては、初め急激に
減少されて、その後は、緩やかに徐々に減少され
て位置t7で濃度C19となり、位置t7と位置t8との間
では、極めてゆつくりと徐々に減少されて位置t8
において、濃度C20に到る。位置t8と位置tTの間に
おいては、濃度C20より実質的に零になる様に図
に示す如き形状の曲線に従つて減少されている。 以上、第２図乃至第１０図により、層領域
（）中に含有される第族原子の層厚方向の分
布状態の典型例の幾つかを説明した様に、本発明
においては、支持体側において、第族原子の含
有濃度Ｃの高い部分を有し、界面tT側において
は、前記含有濃度Ｃは支持体側に較べて可成り低
くされた部分を有する第族原子の分布状態が形
成された層領域（）が第１の層領域１０３に設
けられるのが好ましい。 本発明のより好ましい実施態様においては、非
晶質層を構成する第族原子の含有される層領域
（）は、上記した様に支持体側の方に第族原
子が比較的高濃度で含有されている局在領域Ａを
有する。 局在領域Ａは、第２図乃至第１０図に示す記号
を用いて説明すれば、界面位置tBより5μ以内に設
けられるのが望ましい。 上記局在領域Ａは、界面位置tBより5μ厚までの
全層領域LTとされる場合もあるし、又、層領域
LTの一部とされる場合もある。 局在領域Ａを層領域LTの一部とするか又は全
部とするかは、形成される非晶質層に要求される
特性に従つて適宜決められる。 局在領域Ａはその中に含有される第族原子の
層厚方向の分布状態として第族原子の含有量分
布値（濃度分布値）の最大Cmaxがシリコン原子
に対して通常は50原子ppm以上、好適には80原子
ppm以上、最適には100原子ppm以上とされる様
な分布状態となり得る様に層形成されるのが望ま
しい。 即ち、本発明の好ましい実施態様例において
は、第族原子の含有される層領域（）は、支
持体側からの層厚で5μ以内（tBから5μ厚の層領
域）に含有量分布の最大値Cmaxが存在する様に
形成される。 本発明において、第族原子の含有される前記
の層領域（）中に含有される第族原子の含有
量としては、本発明の目的が効果的に達成される
様に所望に従つて適宜決められるが、前記の第１
の層領域１０３を構成するシリコン原子の量に対
して、通常は１〜３×104原子ppm、好ましくは
２〜500原子ppm、最適には３〜200原子ppmとさ
れるのが望ましいものである。 第族原子の場合には、Cmaxとしてはシリコ
ン原子に対して、通常は50原子ppm以上、好適に
は80原子ppm以上、最適には100原子ppm以上と
される様な分布状態となり得る様に層形成される
のが望ましい。 又、第族原子の含有される層領域（）［前
述の層領域（）に相当］中に含有される第族
原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に
達成される様に所望に従つて適宜決められるが、
前記の第１の層領域１０３を構成するシリコン原
子の量に対して、通常は１〜５×103原子ppm、
好ましくは１〜300原子ppm、最適には１〜200原
子ppmとされるのが望ましいものである。 以上説明した第１の層領域の層構成例の多く
は、第族原子又は第族原子の濃度分布が層厚
方向に緩やかに変化する領域を有する。このこと
は、層の機械的強度と繰返し使用特性を高める点
に於いて殊に顕著な効果が示される。 第１図に示される光導電部材１００に於いては
第１の層領域１０３上に形成される第２の層領域
１０４は自由表面１０５を有し、主に耐湿性、連
続繰返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特
性、耐久性に於いて本発明の目的を達成する為に
設けられる。 又、本発明に於いては、非晶質層１０２を構成
する第１の層領域１０３と第２の層領域１０４と
を形成する非晶質材料の各々がシリコン原子とい
う共通の構成要素を有しているので、積層界面に
於いて化学的な安定性の確保が充分成されてい
る。第２の層領域１０４は、シリコン原子と炭素
原子とハロゲン原子で構成される非晶質材料（ａ
−（SixC1-x）y：X1-y、但し0.53≦ｘ≦0.99999，0.8
≦ｙ≦0.99）で形成される。 ａ−（SixC1-x）y：X1-yで構成される第２の層領
域１０４の形成はグロー放電法、スパツタリング
法、イオンプランテーシヨン法、イオンプレーテ
イング法、エレクトロンビーム法等によつて成さ
れる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投
下の負荷程度、製造規模、作製される光導電部材
に所望される特性等の要因によつて適宜選択され
て採用されるが、所望する特性を有する光導電部
材を製造する為の作製条件の制御が比較的容易で
ある、シリコン原子と共に炭素原子及びハロゲン
原子を作製する第２の層領域１０４中に導入する
のが容易に行える等の利点からグロー放電法或い
はスパツターリング法が好適に採用される。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して第２
の層領域１０４を形成しても良い。 グロー放電法によつて第２の層領域１０４を形
成するには、ａ−（SixC1-x）y：X1-y形成用の原料
ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比
で混合して、支持体１０１の設置してある真空堆
積用の堆積室に導入し、導入されたガスを、グロ
ー放電を生起させることでガラスプラズマ化して
前記支持体１０１上に既に形成されてある第１の
層領域１０３上にａ−（SixC1-x）y：X1-yを堆積さ
せれば良い。 本発明に於いて、ａ−（SixC1-x）y：X1-y形成用
の原料ガスとしては、Si，Ｃ，Ｘの中の少なくと
も１つを構成原子とするガス状の物質又はガス化
し得る物質をガス化したものの中の大概のものが
使用され得る。 Si，Ｃ，Ｘの中の１つとしてSiを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構成原
子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガ
スと、Ｘを構成原子とする原料ガスとを所望の混
合比で混合して使用するか、又は、Siを構成原子
とする原料ガスと、Ｃ及びＸを構成原子とする原
料ガスとを、これも又所望の混合比で混合する
か、或いは、Siを構成原子とする原料ガスと、
Si，Ｃ及びＸの３つを構成原子とする原料ガスと
を混合して使用することが出来る。 又、別には、SiとＸとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明に於いて、第２の層領域１０４中に含有
されるハロゲン原子Ｘとして好適なのはＦ，Cl，
Br，Ｉであり、殊にＦ，Clが望ましいものであ
る。 本発明に於いて、第２の層領域１０４は、ａ−
（SixC1-x）y：X1-yで構成されるものであるが、更
に水素原子を含有させることが出来る。 第２の層領域１０４への水素原子の含有は、第
１の層領域１０３との連続層形成の際に原料ガス
種の一部共通化を計ることが出来るので生産コス
ト面の上で好都合である。 本発明に於いて、第２の層領域１０４を形成す
るのに有効に使用される原料ガスと成り得るもの
としては、常温常圧に於いてガス状態のもの又は
容易にガス化し得る物質を挙げることが出来る。 この様な第２の層領域１０４形成用の物質とし
ては、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素
数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３の
アセチレン系炭化水素、ハロゲン単体、ハロゲン
化水素、ハロゲン間化合物、ハロゲン化硅素、ハ
ロゲン置換水素化硅素、水素化硅素等を挙げる事
が出来る。 具体的には、飽和炭化水素としてはメタン
（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン（C3H8）、ｎ
−ブタン（ｎ−C4H10）、ペンタン（C5H12）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C2H4）、
プロピレン（C3H6）、ブテン−１（C4H8）、ブテ
ン−２（C4H8）、イソブチレン（C4H8）、ペンテ
ン（C5H10）、アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C2H2）、メチルアセチレン（C3
H4）、ブチン（C4H6）、ハロゲン単体としては、
フツ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ハ
ロゲン化水素としては、FH，HI，HCl，BHr、
ハロゲン間化合物としては、BrF，ClF，ClF3，
ClF5，BrF5，BrF3，IF7，IF5，ICl，IBr、ハロ
ゲン化硅素としてはSiF4，Si2F6，SiCl4，SiCl3
Br，SiCl2Br2，SiClBr3，SiCl3Ｉ，SiBr4、ハロ
ゲン置換水素化硅素としては、SiH2F2，SiH2
Cl2，SiHCl3，SiH3Cl，SiH3Br，SiH2Br2，
SiHBr3、水素化硅素としては、SiH4，Si2H6，
Si3H8，Si4H10等のシラン（Silane）類、等々を
挙げることが出来る。 これ等の他に、CCl4，CHF3，CH2F2，CH3
Ｆ，CH3Cl，CH3Br，CH3Ｉ，C2H5Cl等のハロ
ゲン置換パラフイン系炭化水素、SF4，SF6等の
フツ素化硫黄化合物、Si（CH3）4，Si（C2H5）4，等
のケイ化アルキルやSiCl（CH3）3，SiCl2（CH3）2，
SiCl3CH3等のハロゲン含有ケイ化アルキル等の
シラン誘導体も有効なものとして挙げることが出
来る。 これ等の第２の層領域１０４形成物質は、形成
される第２の層領域中に、所定の組成比でシリコ
ン原子、炭素原子及びハロゲン原子と必要に応じ
て水素原子とが含有される様に、第２の層領域１
０４の形成の際に所望に従つて選択されて使用さ
れる。 例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
の含有が容易に為し得て且つ所望の特性の第２の
層領域が形成され得るSi（CH3）4とハロゲン原子
を含有させるものとしてのSiHCl3，SiCl4，SiH2
Cl2、或いはSiH3Cl等を所定の混合比でガス状態
で第２の層領域１０４形成用の装置内に導入して
グロー放電を生起させることによつてａ−Six
C1-x：Cl：Ｈから成る第２の層領域１０４を形成
することが出来る。 スパツターリング法によつて第２の層領域１０
４を形成するには、単結晶又は多結晶のSiウエー
ハー又はＣウエーハー、又はSiとＣが混合されて
含有されているウエーハーをターゲツトとして、
これ等をハロゲン原子と必要に応じて水素原子を
構成要素として含む種々のガス雰囲気中でスパツ
ターリングすることによつて行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＣとＸを導入する為の原料ガスを、必要
に応じて希釈ガスで希釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツターリングす
れば良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣとの混合した一枚のターゲツトを
使用することによつて、少なくともハロゲン原子
を含有するガス雰囲気中でスパツターリングする
ことによつて成される。Ｃ及びＸ、必要に応じて
Ｈの導入用の原料ガスとなる物質としては先述し
たグロー放電の例で示した第２の層領域１０４形
成用の物質がスパツターリング法の場合にも有効
な物質として使用され得る。 本発明に於いて、第２の層領域１０４をグロー
放電法又はスパツターリング法で形成する際に使
用される稀釈ガスとしては、所謂、希ガス、例え
ばHe，Ne，Ar等が好適なものとして挙げるこ
とが出来る。 本発明に於ける第２の層領域は、その要求され
る特性が所望通りに与えられる様に注意深く形成
される。 即ち、Si，Ｃ及びＸ，必要に応じてＨを構成原
子とする物質は、その作成条件によつて構造的に
は結晶からアモルフアスまでの形態を取り、電気
物性的には導電性から半導体性、絶縁性までの間
の性質を、又光導電的性質から非光導電的性質ま
での間の性質を、各々示すので、本発明に於いて
は、目的に応じた所望の特性を有するａ−Six
C1-xが形成される様に、所望に従つてその作成条
件の選択が厳密に成される。例えば第２の層領域
１０４をで電気的耐圧性の向上を主な目的として
設けるにはａ−（SixC1-x）yX1-yは使用環境に於い
て電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材料として作
成される。 又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上
を主たる目的として第２の層領域１０４が設けら
れる場合には、上記の電気絶縁性の度合はある程
度緩和され、照射される光に対してある程度の感
度を有する非晶質材料としてａ−SixC1-xが作成
される。 第１図の層領域１０３の表面にａ−（SixC1-x）y
X1-yから成る第２の層領域１０４を形成する際、
層形成中の支持体温度は、形成される層の構造及
び特性を左右する重要な因子であつて、本発明に
於いては、目的とする特性を有するａ−（Six
C1-x）yX1-yが所望通りに作成され得る様に層作成
時の支持体温度が厳密に制御されるのが望まし
い。 本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成さ
れる為の第２の層領域１０４の形成法に併せて適
宜最適範囲が選択されて、第２の層領域１０４の
形成が実行されるが、通常の場合、100〜300℃、
好適には150〜250℃とされるのが望ましいもので
ある。第２の層領域１０４の形成には、層を構成
する原子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が他
の方法に較べて比較的容易である事等の為に、グ
ロー放電法やスパツターリング法やの採用が有利
であるが、これ等の層形成法で第２の層領域１０
４を形成する場合には、前記の支持体温度と同様
に層形成の際の放電パワーが作成されるａ−（Six
C1-x）y：X1-yの特性を左右する重要な因子の１つ
である。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ−（SixC1-x）y：X1-yが生産性良く効果的に
作成される為の放電パワー条件としては、通常
10W〜300W、好適には20W〜200Wである。 堆積室内のガス圧は、通常は0.01〜1Torr、好
適には0.1〜0.5Torr程度とされるのが望ましい。 本発明に於いては、第２の層領域１０４を作成
する為の支持体温度、放電パワーの望ましい数値
範囲として前記した範囲の値が挙げられるが、こ
れ等の層作成フアクターは独立的に別々に決めら
れるものではなく、所望特性のａ−SixC1-xから
成る第２の層領域１０４が形成される様に相互的
有機的関連性に基づいて各層作成フアクターの最
適値が決められるのが望ましい。 本発明の光導電部材に於ける第２の層領域１０
４に含有される炭素原子及びハロゲン原子の量
は、第２の層領域の作製条件と同様本発明の目的
を達成する所望の特性が得られる第２の層領域１
０４が形成される重要な因子である。 本発明に於ける第２の層領域１０４に含有され
る炭素原子の量は、通常は１×10-3〜40原子％、
好適には１〜40原子％、最適には10〜40原子％と
されるのが望ましいものである。ハロゲン原子の
含有量としては、通常の場合、１〜20原子％、好
適には１〜20原子％、最適には２〜15原子％とさ
れるのが望ましく、これ等の範囲にハロゲン原子
含有量がある場合に作成される光導電部材を実際
面に充分に適用され得るものである。即ち、先の
ａ−（SixC1-x）y：X1-yの表示で行えば、ｘが通常
は0.53〜0.99999、好適には0.5〜0.99、最適には、
0.5〜0.9、ｙが通常0.8〜0.99、好適には0.82〜
0.99で、最適には0.85〜0.98あるのが望ましい。
必要に応じて含有される水素原子の含有量として
は、通常の場合19原子％、好適には13原子％以下
とされるのが望ましいものである。ハロゲン原子
と水素原子の両方が含まれる場合、先と同様のａ
−（SixC1-x）y：（Ｈ＋Ｘ）1-yの表示で行えば、この
場合のｘ，ｙも前記のａ−（SixC1-x）y：X1-yの場
合の数値範囲と、同じ値とされる。 本発明に於ける第２の層領域１０４の層厚の数
値範囲は、本発明の目的を効果的に達成する為の
重要な因子の１つである。 本発明の目的を効果的に達成する様に初期の目
的に応じて適宜所望に従つて決められる。 又、第２の層領域１０４の層厚は、第１の層領
域１０３の層厚との関係に於いても、各々の層領
域に要求される特性に応じた有機的な関連性の下
に所望に従つて適宜決定される必要がある。 更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経
済性の点に於いても考慮されるのが望ましい。 本発明に於ける第２の層領域１０４の層厚とし
ては、通常0.01〜10μ、好適には0.02〜5μ、最適
には0.04〜5μとされるのが望ましいものである。 本発明に於ける光導電層部材１００の非晶質層
の層厚としては、読取装置、撮像装置或いは電子
写真用像形成部材等の適用するものの目的に適合
させて所望に従つて適宜決定される。 本発明に於いては、非晶質層１０２の層厚とし
ては、非晶質層１０２を構成する第１の層領域１
０３と第２の層領域１０４に付与される特性が
各々有効に活かされて本発明の目的が効果的に達
成される様に第１の層領域１０３と第２の層領域
１０４との層厚関係に於いて適宜所望に従つて決
められるものであり、好ましくは第２の層領域１
０４の層厚に対して第１の層領域１０３の層厚が
数百〜数千倍以上となる様にされるのが好ましい
ものである。 非晶質層１０２の層厚の具体的な値としては、
通常0.5〜100μ、好適には１〜70μ、最適には２〜
50μの範囲とされるのが望ましい。 次にグロー放電分解法によつて形成される光導
電部材の製造方法について説明する。 第１１図にグロー放電分解法及びスパツタリン
グ法による層形成が行なえる光導電部材の製造装
置を示す。 図中の１１１１〜１１１５のガスボンベには、
本発明の夫々の層を形成するための原料ガスが密
封されており、その１例として、たとえば、１１
１１はHeで稀釈されたSiH4ガス（純度99.999％、
以下SiH4／Heと略す。）ボンベ、１１１２はHe
で稀釈されたB2H6ガス（純度99.999％、以下B2
H6／Heと略す。）ボンベ、１１１３はC2H4ガス
（純度99.99％）ボンベ、１１１４はHeで稀釈さ
れたSiF4ガス（純度99.999％、以下SiF4／Heと
略す。）ボンベ、１１１５はArガスボンベであ
る。 これらのガスを反応室１１０１に流入させるに
はガスボンベ１１１１〜１１１５のバルブ１１３
１〜１１３５、リークバルブ１１０６が閉じられ
ていることを確認し、又、流入バルブ１１２１〜
１１２５、流出バルブ１１２６〜１１３０、補助
バルブ１１４１が開かれていることを確認して先
ずメインバルブ１１１０を開いて反応室１１０
１、ガス配管内を排気する。次に真空計１１４２
の読みが約５×10-6Torrになつた時点で、補助
バルブ１１４１、流出バルブ１１２６〜１１３０
を閉じる。 基板１１０９上に第１領域層を形成する場合の
一例をあげると、シヤツター１１０５は閉じられ
ており、電源１１４３より高圧電力が印加される
よう接続されている。ガスボンベ１１１１より
SiH4／Heガス、ガスボンベ１１１２よりB2H6／
Heガス、バルブ１１３１，１１３２を開いて出
口圧ゲージ１１３６，１１３７の圧を１Kg／cm2に
調整し、流入バルブ１１２１，１１２２を徐々に
開けて、マスフロコントローラ１１１６，１１１
７内に流入させる。引き続いて流出バルブ１１２
６，１１２７、補助バルブ１１４１を徐々に開い
て夫々のガスを反応室１１０１に流入させる。こ
のときのSiH4／Heガス流量、B2H6／Heガス流
量の夫々の比が所望の値になるように流出バルブ
１１２６，１１２７を調整し、又、反応室内の圧
力が所望の値になるように真空計１１４２の読み
を見ながらメインバルブ１１１０の開口を調整す
る。そして基板１１０９の温度が加熱ヒーター１
１０８により例えば50〜400℃の温度に設定され
ていることを確認された後、電源１１４３を所望
の電力に設定して反応室１１０１内にグロー放電
を生起させ基板１１０９に第１の層領域１０３を
形成する。 第１の層領域１０３にハロゲン原子を含有させ
る場合には上記のガスに、例えばSiF4／Heを更
に付加して反応室内に送り込む。 第２の層領域１０４をスパツタリング法によつ
て形成するには、まずシヤツター１１０５を開
く。すべてのガス供給バルブは一旦閉じられ、反
応室１１０１はメインバルブ１１１０を全開する
ことにより排気される。高圧電力が印加される電
極１１０２上に高純度シリコンウエハ１１０４−
１、及び高純度グラフアイト１１０４−２が所望
の面積比率でターゲツトとして設置されている。
ガスボンベにより、Arガス及びSiF4／Heガスを
反応室１１０１内に導入し、反応室１１０１の内
圧が0.05〜1Torrとなるようメインバルブ１１１
０を調節する。高圧電源１１４３をONとし、Si
とＣとを同時にスパツタリングすることにより、
第１の層領域１０３上にシリコン原子、炭素原
子、フツ素原子よりなる第２の層領域１０４を形
成することができる。 又、上記ガスに加えて、更にSiH4ガスをも流
すことにより、シリコン原子、炭素原子、フツ素
原子、水素原子よりなる第２領域層を形成するこ
とができる。 第２領域層１０４をグロー放電法によつて形成
するには、第１領域層形成時と同様なバルブ操作
によつてSiH4ガス、SiF4ガス、及びC2H4ガスを
所定の流量比で反応槽に流し、グロー放電を生起
させればよい。 実施例 １ 第１１図に示した製造装置により、アルミニウ
ム基板上に、以下の条件で層形成を行つた。
【表】
なお、基板温度は250℃、放電周波数は13.56M
Hz、第１の層領域形成時の反応室内圧は
0.5Torr、第２の層領域形成時の反応室内圧は
0.2Torrとして成膜を行なつた。 こうして得られた像形成部材を帯電露光現像装
置に設置し、5KVで0.2sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光源はタングステン
ランプを用い、1.0lux・secの光量を透過型のテ
ストチヤートを用いて照射した。 その後直ちに荷電性の現像剤（トナーとキヤ
リヤを含む）を部材表面をカスケードすることに
よつて、部材表面上に濃度の極めて高い良好なト
ナー画像を得た。 このようにして得られたトナー像を一旦ゴムブ
レードでクリーニングし、再び上記作像、クリー
ニング工程を繰り返した。繰り返し回数10万回以
上行つても、画像の劣化は見られなかつた。 実施例 ２ 第２の層領域の形成時、第３表に於いて
SiH4：SiF4：C2H4の流量比を変えて、第２領域
層に於けるシリコン原子とカーボン原子の含有量
比を変化させる以外は、実施例１と全く同様な方
法によつて層形成を行つた。このとき、各条件に
よつて膜堆積速度は異なるが、いずれも第２層領
域の膜厚は2μと一定にしている。こうして得ら
れた層について実施例３と同様にして評価を行な
つた。 結果を第２表に示す。
Hz、第１の層領域形成時の反応室内圧は
0.5Torr、第２の層領域形成時の反応室内圧は
0.2Torrとして成膜を行なつた。 こうして得られた像形成部材を帯電露光現像装
置に設置し、5KVで0.2sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光源はタングステン
ランプを用い、1.0lux・secの光量を透過型のテ
ストチヤートを用いて照射した。 その後直ちに荷電性の現像剤（トナーとキヤ
リヤを含む）を部材表面をカスケードすることに
よつて、部材表面上に濃度の極めて高い良好なト
ナー画像を得た。 このようにして得られたトナー像を一旦ゴムブ
レードでクリーニングし、再び上記作像、クリー
ニング工程を繰り返した。繰り返し回数10万回以
上行つても、画像の劣化は見られなかつた。 実施例 ２ 第２の層領域の形成時、第３表に於いて
SiH4：SiF4：C2H4の流量比を変えて、第２領域
層に於けるシリコン原子とカーボン原子の含有量
比を変化させる以外は、実施例１と全く同様な方
法によつて層形成を行つた。このとき、各条件に
よつて膜堆積速度は異なるが、いずれも第２層領
域の膜厚は2μと一定にしている。こうして得ら
れた層について実施例３と同様にして評価を行な
つた。 結果を第２表に示す。
【表】
○〓極めて良好
○△〓画像欠陥が生じる場合がある
△〓画像欠陥が生ずる場合がままある
実施例 ３ 第２の層領域の層厚を変える以外は、実施例３
と全く同様な方法によつて像形成部材を作成し
た。実施例１に述べた如き、作像、現像、クリー
ニングの工程を繰り返し、下記の結果を得た。
○△〓画像欠陥が生じる場合がある
△〓画像欠陥が生ずる場合がままある
実施例 ３ 第２の層領域の層厚を変える以外は、実施例３
と全く同様な方法によつて像形成部材を作成し
た。実施例１に述べた如き、作像、現像、クリー
ニングの工程を繰り返し、下記の結果を得た。
【表】
［発明の効果］
以上詳細に説明した様な層構成を取る様にして
設計された本発明の光導電部材は、前記した諸問
題の総てを解決し得、極めて優れた電気的、光学
的、光導電的特性、耐久性及び使用環境特性を示
す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて耐光疲労、繰返し使
用特性、耐湿性、耐圧性に長ける為に、濃度が高
く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高
い、高品質の画像を安定して繰返し得る事が出来
る。
設計された本発明の光導電部材は、前記した諸問
題の総てを解決し得、極めて優れた電気的、光学
的、光導電的特性、耐久性及び使用環境特性を示
す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて耐光疲労、繰返し使
用特性、耐湿性、耐圧性に長ける為に、濃度が高
く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高
い、高品質の画像を安定して繰返し得る事が出来
る。
第１図は、本発明の光導電部材の好適な実施態
様例の一つの層構成を説明するための模式的層構
成図、第２図乃至第１０図は、夫々、非晶質層を
構成する、第族原子を含有する層領域（）中
の第族原子の分布状態を説明するための説明
図、第１１図は本発明の光導電部材を製造するた
めの装置の模式的説明図である。 １００……光導電部材、１０１……支持体、１
０２……非晶質層、１０３……第１の層領域、１
０４……第２の層領域、１０５……自由表面。
様例の一つの層構成を説明するための模式的層構
成図、第２図乃至第１０図は、夫々、非晶質層を
構成する、第族原子を含有する層領域（）中
の第族原子の分布状態を説明するための説明
図、第１１図は本発明の光導電部材を製造するた
めの装置の模式的説明図である。 １００……光導電部材、１０１……支持体、１
０２……非晶質層、１０３……第１の層領域、１
０４……第２の層領域、１０５……自由表面。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光導電部材用の支持体と、該支持体上に設け
られ、シリコン原子を母体とし、水素原子及びハ
ロゲン原子の少なくともいずれか一方を構成要素
とする非晶質材料で構成された光導電性を示す第
１の層領域と、シリコン原子と炭素原子とハロゲ
ン原子とを構成要素とする非晶質材料で構成され
ている第２の層領域と、を支持体側から順に有す
る非晶質層とを有し、前記第１の層領域には構成
原子として周期律表第族に属する原子をその分
布濃度が該層厚方向に連続的でかつ前記支持体側
の方に高くされた部分を有し第２の層領域側にお
いては該支持体側に較べて可成り低くされた部分
を有する分布状態で含有し且つ前記第２の層領域
に於いて炭素原子が60原子％まで含有されている
事を特徴とする光導電部材。 ２ 前記周期律表第族に属する原子は、Ｂ，
Al，Ga，In及びTlである特許請求の範囲第１項
に記載の光導電部材。 ３ 前記第２の層領域の層厚は0.01μ〜10μである
特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 ４ 光導電部材用の支持体と、該支持体上に設け
られ、シリコン原子を母体とし、水素原子及びハ
ロゲン原子の少なくともいずれか一方を構成要素
とする非晶質材料で構成された光導電性を示す第
１の層領域と、シリコン原子と炭素原子とハロゲ
ン原子とを構成要素とする非晶質材料で構成され
ている第２の層領域と、を支持体側から順に有す
る非晶質層とを有し、前記第１の層領域には構成
原子として周期律表第族に属する原子をその分
布濃度が該層厚方向に連続的でかつ前記支持体側
の方に高くされた部分を有し第２の層領域側にお
いては該支持体側に較べて可成り低くされた部分
を有する分布状態で含有し且つ前記第２の層領域
に於いて炭素原子が60原子％まで含有されている
光導電部材を用い、前記光導電部材に帯電を行
い、構造を照射して潜像を形成し、該潜像を現像
剤によつて現像して現像像を形成し、該現像像を
記録部材に転写し、転写画像を形成した後、前記
光導電部材の表面のクリーニングを行なう事を特
徴とする像形成方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56208495A JPS58108544A (ja) | 1981-12-22 | 1981-12-22 | 光導電部材及びそれを用いる像形成方法 |
| US06/449,418 US4465750A (en) | 1981-12-22 | 1982-12-13 | Photoconductive member with a -Si having two layer regions |
| DE3247526A DE3247526C2 (de) | 1981-12-22 | 1982-12-22 | Lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56208495A JPS58108544A (ja) | 1981-12-22 | 1981-12-22 | 光導電部材及びそれを用いる像形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58108544A JPS58108544A (ja) | 1983-06-28 |
| JPH0473147B2 true JPH0473147B2 (ja) | 1992-11-20 |
Family
ID=16557099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56208495A Granted JPS58108544A (ja) | 1981-12-22 | 1981-12-22 | 光導電部材及びそれを用いる像形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58108544A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0778638B2 (ja) * | 1986-02-07 | 1995-08-23 | キヤノン株式会社 | 光受容部材 |
| JPH01204055A (ja) * | 1988-02-10 | 1989-08-16 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体の製造方法 |
-
1981
- 1981-12-22 JP JP56208495A patent/JPS58108544A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58108544A (ja) | 1983-06-28 |