JPH0778638B2

JPH0778638B2 - 光受容部材

Info

Publication number: JPH0778638B2
Application number: JP61023689A
Authority: JP
Inventors: 茂白井
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1986-02-07
Filing date: 1986-02-07
Publication date: 1995-08-23
Anticipated expiration: 2010-08-23
Also published as: JPS62183466A

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の属する技術分野〕本発明は、光（ここでは広義の光であつて、紫外線、可
視光線、赤外線、Ｘ線、γ線等を意味する。）のような
電磁波に対して感受性のある光受容部材に関する。

〔従来技術の説明〕

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、SN比〔光電流（Ip）／暗
電流（Id）〕が高く、照射する電磁波のスペクトル特性
に適合した吸収スペクトル特性を有すること、光応答性
が速く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時において
人体に対して無公害であること、更には固体撮像装置に
おいては、残像を所定時間内に容易に処理することがで
きること等の特性が要求される。殊に、事務機としてオ
フイスで使用される電子写真装置内に組込まれる電子写
真用像形成部材の場合には、上記の使用時における無公
害性が重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光受容材料に
アモルフアスシリコン（以後a-Siと表記す）があり、例
えば、独国公開第2746967号公報、同第2855718号公報に
は電子写真用像形成部材として、独国公開第2933411号
公報には光電変換読取装置への応用が記載されている。

しかしながら、従来のa-Siで構成された光受容層を有す
る光受容部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気
的、光学的、光導電的特性、及び使用環境特性の点、更
には経時的安定性及び耐久性の点において、各々、個々
には特性の向上が計られているが、総合的な特性向上を
計る上で更に改良される余地が存するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると従来におい
てはその使用時において残留電位が残る場合が度々観測
され、この種の光受容部材は長時間繰返し使用し続ける
と、繰返し使用による疲労の蓄積が起つて、残像が生ず
る所謂ゴースト現象を発する様になる等の不都合な点が
少なくなかつた。

又、a-Si材料で光受容層を構成する場合には、その電気
的、光導電的特性の改良を計るために、水素原子或いは
弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び電気伝導型
の制御のために硼素原子や燐原子等が或いはその他の特
性改良のために他の原子が、各々構成原子として光受容
層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方如
何によつては、形成した層の電気的或いは光導電的特性
や電気的耐圧性に問題が生ずる場合があつた。

即ち、例えば、形成した光受容層中に光照射によつて発
生したフオトキヤリアの該層中での寿命が充分でないこ
とや、暗部における支持体側よりの電荷の注入の阻止が
充分でないこと、或いは、転写紙に転写された画像に俗
に「白ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破壊現象による
と思われる画像欠陥や、クリーニングにブレードを用い
るとその摺擦によると思われる、俗に「白スジ」と云わ
れている画像欠陥が生じたりしていた。又、多湿雰囲気
中で使用したり、或いは多湿雰囲気中に長時間放置した
直後に使用すると俗に云う画像のボケが生ずる場合が少
なくなかつた。

更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の真空堆積
室より取り出した後、空気中での放置時間の経過と共
に、支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に亀裂
が生ずる等の現象を引起しがちになる。この現象は、殊
に支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されている
ドラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の点
に於いて解決されるべき点がある。

従つてa-Si材料そのものの特性改良が計られる一方で光
受容部材を設計する際に、上記した様な問題の総てが解
決される様に工夫される必要がある。

〔発明の目的〕

本発明は、上述のごときa-Siで構成された光受容層を有
する光受容部材における諸問題を解決することを目的と
するものである。

すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際
しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全くか又は殆んど観測されない、a-Siで構成され
た光受容層を有する光受容部材を提供することにある。

本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材として適用
させた場合、静電像形成のための帯電処理の際の電荷保
持能力が充分あり、通常の電子写真法が極めて有効に適
用され得る優れた電子写真特性を有する、a-Siで構成さ
れた光受容層を有する光受容部材を提供することにあ
る。

本発明の別の目的は、長期の使用に於いて画像欠陥や画
像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明
に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得ることが容易
にできる電子写真用のa-Siで構成された光受容層を有す
る光受容部材を提供することにある。

本発明の更に別の目的は、高光感度性、高SN比特性及び
高電気的耐圧性を有する、a-Siで構成された光受容層を
有する光受容部材を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明は上記の目的を達成するものであつて、電子写真
用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等に使用される
光受容部材としてのa-Siの製品成立性、適用性、応用性
等の事項を含めて総括的に鋭意研究を続けた結果、シリ
コン原子を母体とする非晶質材料、特にシリコン原子を
母体とし、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）の少
なくともいずれか一方を含有するアモルフアス材料、い
わゆる水素化アモルフアスシリコン、ハロゲン化アモル
フアスシリコン、あるいはハロゲン含有水素化アモルフ
アスシリコン〔以下、「a-Si（H,X）」と表記する。〕
で構成される光受容層を有する光受容部材の層構成を以
下に記載する様な特定の二層構成の下に設計されて作成
された光受容部材が、実用上著しく優れた特性を示すば
かりでなく、従来の光受容部材と比較してみてもあらゆ
る点において凌駕しており、特に電子写真用の光受容部
材として著しく優れた特性を有しているという事実を見
い出したことに基づいて完成せしめたものである。

すなわち、本発明の光受容部材は、支持体と、該支持体
上に、シリコン原子を母体とする非晶質材料で構成され
光導電性を有する、層厚１〜100μｍの第一の層と、シ
リコン原子を母体とし１×10^-3〜90atomic％の炭素原子
を含有する非晶質材料で構成される、層厚５×10^-3〜30
μｍの第二の層とが積層された光受容層を有し、かつ、
前記第一の層は、周期律表第III族または第Ｖ族のいず
れかに属する原子を前記第二の層側に多く含有されるよ
うに該層中に層厚方向に不均一な分布状態で含有し、前
記第二の層は、周期律表第III族または第Ｖ族のいずれ
かに属する原子を該層中に均一な分布状態で含有すると
ともに、前記第一の層の第二の層側の前記周期律表第II
I族または第Ｖ族のいずれかに属する原子と前記第二の
層の前記周期律表第III族または第Ｖ族のいずれかに属
する原子の含有量が等しくされていることを特徴とす
る。

そして、前記第一の層を構成するシリコン原子を母体と
する非晶質材料としては、特に、シリコン原子（Si）を
母体とし、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）の少
なくともいずれか一方を含有するアモルフアス材料、即
ちa-Si（H,X）を用い、前記第二の層を構成する、シリ
コン原子を母体とし炭素原子を含有する非晶質材料とし
ては、特に、シリコン原子（Si）を母体とし、炭素原子
（Ｃ）と、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）の少
なくともいずれか一方とを含有するアモルフアス材料
〔以下、「a-SiC（H,X）」と表記する。〕を用いる。

前記の伝導性を制御する物質としては、半導体分野に於
ていう、いわゆる不純物を挙げることができ、Ｐ型伝導
性を与える周期律表第III族に属する原子（以下第III族
原子と称す。）、又は、ｎ型伝導性を与える周期律表第
Ｖ族に属する原子（以下第Ｖ族原子と称す。）を用い
る。具体的には、第III族原子としては、Ｂ（硼素）、A
l（アルミニウム）、Ga（ガリウム）、In（インジウ
ム）、Tl（タリウム）等を、特に好ましくは、Ｂ、Gaを
用いる。また、第Ｖ族原子としては、Ｐ（燐）、As（砒
素）、Sb（アンチモン）、Bi（ビスマス）等を、特に好
ましくは、Ｐ、Asを用いる。そして、第一の層に含有せ
しめる伝導性を制御する物質と、第二の層に含有せしめ
る伝導性を制御する物質とは、同じであつても、或い
は、異なつていてもよい。

本発明の光受容部材においては、これらの伝導性を制御
する物質を、第一の層についてはその全層領域中又は一
部の層領域中に不均一な分布状態で含有せしめ、第二の
層についてはその全層領域中に均一な分布状態で含有せ
しめる。

伝導性を制御する物質を第一の層中に含有せしめるにつ
いての目的、作用効果は、以下に記載するごとく、それ
の該第一の層中に分布含有せしめられる状態に応じて異
なる。

すなわち、第一の層について、支持体と接する側におい
て伝導性を制御する物質の含有量が比較的多量となるよ
うに含有せしめる場合、電荷注入阻止層としての効果が
奏される。この場合、含有せしめる伝導性を制御する物
質の量は比較的多量であり、一般的には30〜５×10⁴ato
mic ppmであるが、好ましくは50〜１×10⁴atomic ppm、
最適には１×10²〜５×10³atomic ppmである。

また、上述の場合とは逆に、第一の層の第二の層と接す
る側において伝導性を制御する物質が比較的多量となる
ように含有せしめる場合、第一の層と第二の層に含有せ
しめる伝導性を制御する物質の伝導型が同じであれば、
第一の層と第二の層の間のエネルギーレベル的整合性を
向上せしめ、両層間での電荷の移送を高めるという効果
が奏され、この効果は第二の層の層厚が厚く、暗抵抗が
高い場合に特に顕著である。

さらに、第一の層の第二の層と接する側において比較的
多量となるように伝導性を制御する物質を含有せしめる
場合において、第一の層と第二の層に含有せしめる伝導
性を制御する物質の伝導型が異なつていれば、該多量に
含有せしめた層領域は積極的に第一の層と第二の層の接
合部となり、帯電処理時における見掛け上の暗抵抗の増
大をはかるという効果が奏される。

そして、第一の層の第二の層と接する側において比較的
多量に伝導性を制御する物質を含有せしめる場合には、
いずれの場合もその量は比較的わずかな量でよく、一般
的には１×10^-3〜１×10³atomic ppmであるが、好まし
くは５×10^-2〜５×10²atomic ppm、最適には１×10^-1
〜２×10²atomic ppmである。

次に第二の層に炭素原子および伝導性を制御する物質を
含有せしめる目的について説明する。

本発明の光受容部材の第二の層は、耐湿性、連続繰返し
使用特性、電気的耐圧性、使用環境特性、および耐久性
等を向上させる目的で、第一の層上に設けられる。そし
てこの目的は、第二の層を構成するアモルフアス材料に
炭素原子を構造的に導入せしめることにより達成でき
る。第二の層に炭素原子を構造的に導入する場合、炭素
原子の量の増加に伴つて、前述の特性は向上するが、炭
素原子の量が多すぎると層品質が低下し、電気的および
機械的特性も低下する。こうしたことから、炭素原子の
含有量は通常は、１×10^-3〜90atomic％とし、好ましく
は１〜90atomic％、最適には10〜80atomic％とする。

さらに、連続繰返し使用特性および耐久性の向上のため
には、第二の層の層厚を厚くすることが好ましいが、層
厚が厚くなると残留電位の発生原因となる。こうしたこ
とから、第二の層に伝導性を制御する物質、即ち、第II
I族原子又は第Ｖ族原子を含有せしめることにより、前
述の残留電位の発生を、防止するかあるいは実質的な影
響がない程度に抑止することができる。通常の場合のこ
の種の第二の層は、機械的耐久性には優れているが、先
端が鋭角なもので該層の表面を摺擦したり、あるいは押
圧したりすると、表面にいわゆる傷として残らないにし
ても、帯電処理時には静電荷的痕跡傷となつて現われ、
トナー転写画像の画像品質の低下をきたしてしまう場合
が多々ある。こうした場合にも、第二の層に伝導性を制
御する物質を含有せしめることにより、これらの問題の
発生を未然に防止できる。

本発明の第一の層および第二の層に必要に応じて含有せ
しめるハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフツ
素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられるが、特に好ましい
ものはフツ素および塩素である。

また、本発明の第一の層および第二の層に含有せしめる
水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量、又は
水素原子（Ｈ）とハロゲン原子（Ｘ）の量の和は、一般
的には0.01〜40atomic％とするが、好ましくは0.05〜30
atomic％、最適には0.1〜25atomic％とする。

本発明における第一の層の層厚および第二の層の層厚
は、本発明の目的を効率的に達成するためには重要な要
因の１つであり、所期の目的に応じて適宜決定されるも
のであるが、各層に含有せしめる酸素原子、第III族原
子、第Ｖ族原子、炭素原子、ハロゲン原子、水素原子の
量、あるいは各層相互の層厚等の関係において、要求さ
れる特性に応じて相互的かつ有機的関連性の下に決定す
る必要もある。更に、生産性や量産性をも加味した経済
性の点においても考慮する必要がある。こうしたことか
ら、第一の層の層厚は通常は１〜100μ、好ましくは１
〜80μ、最適には２〜50μとし、第二の層の層厚は通常
は３×10^-3〜30μ、好ましくは４×10^-3〜20μ、最適に
は５×10^-3〜10μとする。

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルフアスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、極
めて優れた電気的、光学的、光導電的特性、電気的耐圧
性及び使用環境特性を示す。特に、電子写真用像形成部
材として適用した場合には、画像形成への残留電位の影
響が全くなく、その電気的特性が安定しており高感度
で、高SN比を有するものであつて、耐光疲労、繰返し使
用特性に優れ、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明に出
て、且つ解像度の高い、高品質の画像を安定して繰返し
得ることができる。

又、本発明の光受容部材は支持体上に形成される光受容
層が、層自体が強靱であつて、高速で長時間連続的に繰
返し使用することが出来る。

以下、図面により本発明の光受容部材の具体的層構成に
ついて詳しく説明する。

第１図は本発明の光受容部材の層構成を説明するために
模式的に示した図であり、図において100は光受容部
材、101は支持体、102は第一の層、103は第二の層、104
は自由表面を表わす。

本発明に用いる支持体101は、導電性でも電気絶縁性で
あつてもよく、導電性支持体としては、例えば、NiCr、
ステンレス、Al、Cr、Mo、Au、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pb
等の金属又はこれ等の合金が挙げられ、電気絶縁性支持
体としては、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボ
ネート、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ
塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリ
アミド等の合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セ
ラミツク、紙等を使用する。これ等の電気絶縁性支持体
は、好適には少なくともその一方の表面を導電処理し、
該導電処理された表面側に光受容層を設けるのが望まし
い。

例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr、Al、Cr、
Mo、Au、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pd、In₂O₃、SnO₂、I
TO（In₂O₃＋SnO₂）等から成る薄膜を設けることによつ
て導電性を付与し、或いはポリエステルフイルム等の合
成樹脂フイルムであれば、NiCr、Al、Ag、Pb、Zn、Ni、
Au、Cr、Mo、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt等の金属の薄膜を
真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタリング等でその表
面に設け、又は前記金属でその表面をラミネート処理し
て、その表面に導電性を付与する。支持体の形状として
は、円筒状、ベルト状、板状等任意の形状が使用可能で
あり、所望によつて、その形状を決定するが、例えば、
電子写真用像形成部材として使用するのであれば連続高
速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが
望ましい。支持体の厚さは、所望通りの光受容部材を形
成しうる様に適宜決定するが、光受容部材として可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能を充分発揮
しうる範囲内で可能な限り薄くすることができる。しか
しながら、この様な場合、支持体の製造上及び取扱い
上、機械的強度等の点から、通常は、10μ以上とする。

第一の層102は前記支持体101の上に設けるものであつ
て、伝導性を制御する物質、即ち、第III族の原子又は
第Ｖ族の原子を含有するa-Si（H,X）〔以下、「a-SiM
（H,X）」（但し、Ｍは第III族原子又は第Ｖ族原子を表
わす。）と表記する。〕から構成され、光導電性を有す
る層である。該第一の層中の第III族原子又は第Ｖ族原
子は、前述のごとく層厚方向の分布濃度が不均一となる
ように分布しているが、支持体表面と平行な面方向の分
布状態は均一となるように分布している。

以下、第III族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃが層厚
方向に不均一である場合の第III族原子又は第Ｖ族原子
の分布状態について説明する。

第２図乃至第10図は、第III族原子又は第Ｖ族原子を支
持体側において比較的多量に含有せしめ、第III族原子
又は第Ｖ族原子の含有量を支持体側から第二の層と接す
る側へ徐々に減少せしめた場合の典型的な例を示す。図
中、横軸は第III族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃ
を、縦軸は第一の層の層厚ｔを示す。そして、t_Bは支持
体表面と第一の層とが接する界面位置を、t_Tは第一の層
と第二の層との界面位置を示す。

第２図は、第一の層中に含有せしめる第III族原子又は
第Ｖ族原子の層厚方向の分布状態の第一の典型例を図示
したものである。該例においては、第III族原子又は第
Ｖ族原子を含有する第一の層と支持体表面とが接する界
面位置t_Bよりt₁の位置までは、第III族原子又は第Ｖ族
原子の分布濃度ＣがC₁なる一定値をとり、位置t₁より第
一の層が第二の層と接する界面位置t_Tまでは、第III族
原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃが濃度C₂から連続的に
減少し、界面位置t_Tにおいては、第III族原子又は第Ｖ
族原子の分布濃度がC₃となる。

第３図は、他の典型例の１つを図示しており、第３図の
例では、第一の層に含有せしめる第III族原子又は第Ｖ
族原子の濃度Ｃは、位置t_Bから位置t_Tにいたるまで、濃
度C₄から連続的に減少し、位置t_Tにおいては濃度C₅とな
る。

第４図に図示する例では、位置t_Bより位置t₂までは、第
III族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃは濃度C₆なる一
定値を保ち、位置t₂から位置t_Tにいたるまでは、濃度C₇
から連続的に減少し、位置t_Tにおいては分布濃度Ｃは実
質的に零となる。（ここで実質的に零とは、検出限界未
満の場合に用いる。）第５図に図示する例では、第III族原子又は第Ｖ族原子
の分布濃度Ｃは、位置t_Bより位置t_Tにいたるまで、濃度
C₈から連続的に減少し、位置t_Tにおいては分布濃度が実
質的に零である。

第６図に図示する例では、第III族原子又は第Ｖ族原子
の分布濃度Ｃは位置t_Bより位置t₃の間においては濃度C₉
と一定値であり、位置t₃と位置t₄の間では、濃度C₉から
実質的に零となるまで連続的に減少し、その減少のしか
たは一次関数的な減少を示すものである。

第７図に図示する例では、第III族原子又は第Ｖ族原子
の分布濃度Ｃは、位置t_Bより位置t₄までは濃度C₁₁の一
定値を保ち、位置t₄と位置t_Tの間では濃度C₁₂から濃度C
₁₃まで一次関数的に減少する。

第８図に図示する例では、第III族原子又は第Ｖ族原子
の分布濃度Ｃは、位置t_Bから位置t_Tまで、濃度C₁₄より
実質的に零となるまで一次関数的に減少する。

第９図に図示する例では、第III族原子又は第Ｖ族原子
の分布濃度Ｃは、位置t_Bから位置t₅にいたるまでは濃度
C₁₅より濃度C₁₆まで一次関数的に減少し、位置t₅から位
置t_Tまでにおいては、濃度C₁₆の一定値を保つ。

最後に、第10図に図示する例では、第III族原子又は第
Ｖ族原子の分布濃度Ｃは、位置t_Bにおいては濃度C
₁₇で、位置t_Bから位置t₆までは濃度C₁₇からはじめはゆ
つくり減少して、位置t₆付近においては急激に減少し、
位置t₆においては濃度C₁₈となる。さらに位置t₆と位置t
₇の間では初めのうちは急激に減少し、その後は緩かに
徐々に減少し位置t₇においては濃度C₁₉となる。また更
に位置t₇と位置t₈の間では極めてゆつくりと徐々に減少
し、位置t₈において濃度C₂₀となる。また更に、位置t₈
から位置t_Tにいたるまでは、濃度C₁₈より実質的に零に
なるまで徐々に減少するものである。

第２図〜第10図に示した例のごとく、第一の層の支持体
側に近い側に第III族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃ
の高い部分を有し、第一の層の第二の層との界面側にお
いては、該分布濃度Ｃがかなり低い濃度の部分あるいは
実質的に零に近い濃度の部分を有する場合、好ましく
は、前述のごとく、支持体側に近い部分に第III族原子
又は第Ｖ族原子の分布濃度が比較的高濃度である局在領
域Ａを有しており、特に好ましくは該局在領域Ａを支持
体表面と接触する界面位置から５μ以内に設けた場合に
は、第III族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度が高濃度で
ある層領域が電荷注入阻止層としての効果を奏するもの
である。

本発明では前述のごとく、第III族原子又は第Ｖ族原子
の分布状態を目的に応じて自由に決定しうるものであつ
て、第２図、第３図、第６図、第７図及び第９図に示さ
れるような本発明の分布状態はその１例にすぎないこと
は明らかである。すなわち、他の分布状態、例えば第一
の層の第二の層との界面側における第III族原子又は第
Ｖ族原子の分布濃度を比較的高濃度とする場合や、第一
の層の中央の部分における第III族原子又は第Ｖ族原子
の分布濃度を比較的高濃度とする場合等においては、第
２図〜第10図に示した分布状態を適宜応用して用いるこ
とができるものである。

本発明の第二の層103は、前記第一の層102の上に設ける
ものであつて、炭素原子および伝導性を制御する物質、
即ち、第III族原子又は第Ｖ族原子を含有するa-Si（H,
X）〔以下、「a-SiCM（H,X）」（但し、Ｍは第III族原
子又は第Ｖ族原子を表わす。）と表記する。〕から構成
される。そして該第二の層中の炭素原子および第III族
原子又は第Ｖ族原子はその層厚方向および支持体表面と
平行な面方向の分布状態が均一となるように分布してい
るものである。

第二の層103は、所望通りの特性が得られるように注意
深く形成する必要がある。即ち、シリコン原子、炭素原
子、水素原子及び／又はハロゲン原子、および第III族
原子又は第Ｖ族原子を構成原子とする物質は、各構成原
子の含有量やその他の作成条件によつて、形態は結晶状
態から非晶質状態までをとり、電気的物性は導電性か
ら、半導電性、絶縁性までを、さらに光電的性質は光導
電的性質から非光導電的性質までを、各々示すため、目
的に応じた所望の特性を有する第二の層103を形成しう
るように、各構成原子の含有量や作成条件等を選ぶこと
が重要である。

例えば、第二の層103を電気的耐圧性の向上を主たる目
的として設ける場合には、第二の層103を構成する非晶
質材料は、使用条件下において電気絶縁的挙動の顕著な
ものとして形成する。又、第二の層103を連続繰返し使
用特性や使用環境特性の向上を主たる目的として設ける
場合には、第二の層103を構成する非晶質材料は、前述
の電気的絶縁性の度合はある程度緩和するが、照射する
光に対してある程度の感度を有するものとして形成す
る。

次に本発明の光受容層の形成方法について説明する。

本発明の光受容層を構成する非晶質材料はいずれもグロ
ー放電法、スパツタリング法、或いはイオンプレーテイ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によつて行わ
れる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負
荷程度、製造規模、作製される光受容部材に所望される
特性等の要因によつて適宜選択されて採用されるが、所
望の特性を有する光受容部材を製造するに当つての条件
の制御が比較的容易であり、シリコン原子と共に炭素原
子及び水素原子の導入を容易に行い得る等のことからし
て、グロー放電法或いはスパツタリング法が好適であ
る。そして、グロー放電法とスパツタリング法とを同一
装置系内で併用して形成してもよい。

例えば、グロー放電法によって、a-Si（H,X）で構成さ
れる層を形成するには、基本的にはシリコン原子（Si）
を供給し得るSi供給用の原料ガスと共に、水素原子
（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の
原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、
該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設
置した所定の支持体表面上にa-Si（H,X）から成る層を
形成する。

必要に応じて層中に含有せしめるハロゲン原子（Ｘ）と
しては、具体的にはフツ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げ
られ、殊にフツ素、塩素が好ましい。

前記Si供給用の原料ガスとしては、SiH₄、Si₂H₆、Si
₃H₈、Si₄H₁₀等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅
素（シラン類）が挙げられ、殊に、層作成作業のし易
さ、Si供給効率の良さ等の点でSiH₄、Si₂H₆が好まし
い。

また、前記ハロゲン原子導入用の原料ガスとしては、多
くのハロゲン化合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、
ハリゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換され
たシラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハロゲ
ン化合物が好ましい。

更に又、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素とす
るガス状態の又はガス化し得るハロゲン原子を含む硅素
化合物も有効なものとして挙げることができる。具体的
には、ハロゲン化合物としては、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF、ClF、ClF₃、BrF₅、BrF₃、
IF₃、IF₇、ICl、IBr等のハロゲン間化合物を挙げること
ができ、ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、SiF₄、Si₂F
₆、SiCl₄、BiBr₄等のハロゲン化硅素が好ましいものと
して挙げられる。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を使用してグロ
ー放電法により形成する場合には、Siを供給し得る原料
ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、所定の
支持体上にハロゲン原子を含むa-Siから成る層を形成す
る事ができる。

グロー放電法を用いて、ハロゲン原子を含む層を形成す
る場合、基本的には、Si供給用の原料ガスであるハロゲ
ン化硅素ガスとAr、H₂、He等のガス等を所定の混合比と
ガス流量になる様にして堆積室に導入し、グロー放電を
生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成すること
によつて、所定の支持体上に層を形成し得るものである
が、水素原子の導入を計る為にこれ等のガスに更に水素
原子を含む硅素化合物のガスも所定量混合してもよい。

又、各ガスでは単独種のみでなく所定の混合比で複数種
混合して使用してもよい。

反応スパツタリング法或いはイオンプレーテイング法に
依つてa-Si（H,X）から成る層を形成するには、例えば
スパツタリング法の場合にはSiから成るターゲツトを使
用して、これを所定のガスプラズマ雰囲気中でスパツタ
リングし、イオンプレーテイング法の場合には、多結晶
シリコン又は単結晶シリコンを蒸発源として蒸着ボート
に収容し、このシリコン蒸発源を抵抗加熱法、或いはエ
レクトロンビーム法（EB法）等によつて加熱蒸発させ飛
翔蒸発物を所定のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事
で行うことができる。

その際、スパツタリング法、イオンプレーテイング法の
何れの場合でも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るについては、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲ
ン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該
ガスのプラズマ雰囲気を形成してやればよい。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、H₂或いは前記したシラン類等のガスを
スパツタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプラズ
マ雰囲気を形成してやればよい。

グロー放電法、スパツタリング法またはイオンプレーテ
イング法等によつて層を形成するにおいては、ハロゲン
原子導入用の原料ガスとして前記のハロゲン化合物或い
はハロゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用で
きるが、これ等の他に、HF、HCl、HBr、HI等のハロゲン
化水素、SiH₂F₂、SiH₂I₂、SiH₂Cl₂、SiHCl₃、SiH₂Br₂、
SiHBr₃等のハロゲン置換水素化硅素、等々のガス状態の
或いはガス化し得る、水素原子を構成要素の１つとする
ハロゲン化物も有効な出発物質として挙げる事ができ
る。

これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、層形成の際に
層中にハロゲン原子の導入と同時に電気的或いは光電的
特性の制御に極めて有効な水素原子も導入しうるので、
好適なハロゲン原子導入用の原料として使用できる。

水素原子を層中に構造的に導入するには、上記の他に
H₂、或いはSiH₄、Si₂H₆、Si₃H₈、Si₄H₁₀等の水素化硅素
のガスをSiを供給する為のシリコン化合物と堆積室中に
共存させて放電を生起させる事でも行うことができる。

例えば、反応スパツタリング法の場合には、Siターゲツ
トを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及びH₂ガスを必
要に応じてHe、Ar等の不活性ガスも含めて堆積室内に導
入してプラズマ雰囲気を形成し、前記Siターゲツトをス
パツタリングすることによつて、支持体上にa-Si（H,
X）から成る層を形成する。

本発明の光受容部材の光受容層中に含有せしめる水素原
子（Ｈ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子
とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は通常の場合１〜40
atomic％、好適には５〜30atomic％とするのが望まし
い。

光受容層中に含有せしめる水素原子（Ｈ）又は／及びハ
ロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持体温
度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子
（Ｘ）を含有せしめる為に使用する出発物質の堆積装置
系内へ導入する量、放電々力等を制御してやればよい。

第一の層は前述のa-Si（H,X）に第III族原子又は第Ｖ族
原子を含有せしめたもの、第二の層はa-Si（H,X）に炭
素原子および第III族原子又は第Ｖ族原子を含有せしめ
たもの、で各々構成されるが、これらの層を設けるに
は、グロー放電法、スパツタリング法あるいはイオンプ
レーテイング法等によるa-Si（H,X）の層の形成の際
に、第III族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質、あ
るいは炭素原子導入用の出発物質を、夫々前述したa-Si
（H,X）形成用の出発物質と共に使用して、形成する層
中へのそれらの量を制御しながら含有せしめてやること
により行なわれる。

例えば、第二の層は第III族原子又は第Ｖ族原子を含有
するa-SiC（H,X）〔以下、a-SiCM（H,X）（但し、Ｍは
第III族原子又は第Ｖ族原子を表わす。）と表記す
る。〕で構成されるものであるが、グロー放電法によつ
て第二の層を形成するには、a-SiCM（H,X）形成用の原
料ガスを、必要に応じて希釈ガスと所定量の混合比で混
合して、支持体101の設置してある真空堆積用の堆積室
に導入し、導入されたガスをグロー放電を生起させるこ
とでガスプラズマ化して前記支持体上に既に形成されて
ある第一の層上にa-SiCM（H,X）を堆積させればよい。

a-SiCM（H,X）形成用の原料ガスとしては、Si、Ｃ、Ｈ
及び／又はハロゲン原子、及び第III族原子又は第Ｖ族
原子の中の少なくとも一つを構成原子とするガス状の物
質又はガス化し得る物質をガス化したものであれば、い
ずれのものであつてもよい。

Si、Ｃ、Ｈ及び／又はハロゲン原子、第III族原子又は
第Ｖ族原子の中の１つとしてSiを構成原子とする原料ガ
スを使用する場合は、例えばSiを構成原子とする原料ガ
スと、Ｃを構成原子とする原料ガスと、Ｈ及び／又はハ
ロゲン原子を構成原子とする原料ガスと第III族原子又
は第Ｖ族原子を構成原子とする原料ガスを所望の混合比
で混合して使用するか、又は、Siを構成原子とする原料
ガスと、Ｃ及びＨ及び／又はハロゲン原子を構成原子と
する原料ガスと、第III族原子又は第Ｖ族原子を構成原
子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合す
るか、或いは、Siを構成原子とする原料ガスと、Si、Ｃ
及びＨ及び／又はハロゲン原子の３つを構成原子とする
原料ガスと第III族原子又は第Ｖ族原子を構成原子とす
る原料ガスとを混合して使用することができる。

又、別には、SiとＨ及び／又はハロゲン原子とを構成原
子とする原料ガスにＣを構成原子とする原料ガスと第II
I族原子又は第Ｖ族原子を構成原子とする原料ガスとを
混合して使用してもよい。

a-SiC（H,X）で構成される層形成用の原料ガスとして有
効に使用されるのは、SiとＨとを構成原子とするSiH₄、
Si₂H₆、Si₃H₈、Si₄H₁₀等のシラン（Silane）類等の水素
化硅素ガス、ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭素数
１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化
水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素等が挙げら
れる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（CH₄）、
エタン（C₂H₆）、プロパン（C₃H₈）、ｎ−ブタン（ｎ−
C₄H₁₀）、ペンタン（C₅H₁₂）、エチレン系炭化水素とし
ては、エチレン（C₂H₄）、プロピレン（C₃H₆）、ブテン
−１（C₄H₈）、ブテン−２（C₄H₈）、イソブチレン（C₄
H₈）、ペンテン（C₅H₁₀）、アセチレン系炭化水素とし
ては、アセチレン（C₂H₂）、メチルアセチレン（C
₃H₄）、ブチン（C₄H₆）等が挙げられる。

SiとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、Si(C
H₃)₄、Si(C₂H₅)₄等のケイ化アルキルを挙げることがで
きる。これ等の原料ガスの他、Ｈ導入用の原料ガスとし
ては勿論H₂も使用できる。

第III族原子又は第Ｖ族原子を含有する層を形成するの
にグロー放電法を用いる場合、これらの層又は層領域形
成用の原料ガスとなる出発物質としては、a-Si（H,X）
又はa-SiC（H,X）形成用の出発物質の中から所望に従つ
て選択したものに、第III族原子又は第Ｖ族原子導入用
の出発物質を加えたものを用いる。

第III族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質として
は、第III族原子又は第Ｖ族原子となるガス状の物質又
はガス化し得る物質をガス化したものであれば何でも用
いることができる。

第III族原子導入用の出発物質として具体的には硼素原
子導入用としては、B₂H₆、B₄H₁₀、B₅H₉、B₅H₁₁、B
₆H₁₀、B₆H₁₂、B₆H₁₄等の水素化硼素、BF₃、BCl₃、BBr₃
等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、AlCl₃、G
aCl₃、Ga(CH₃)₂、InCl₃、TlCl₃等も挙げることができ
る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、具体的には燐原子
導入用としては、PH₃、P₂H₄等の水素化燐、PH₄I、PF₃、
PF₅、PCl₃、PCl₅、PBr₃、PBr₅、PI₅等のハロゲン化燐が
挙げられる。この他、AsH₃、AsF₃、AsCl₃、AsBr₃、As
F₅、SbH₃、SbF₃、SbF₅、SbCl₃、SbCl₅、BiH₃、BiCl₃、B
iBr₅等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なものとし
て挙げることができる。

グロー放電法、スパツタリング法等により本発明の第一
の層および第二の層を形成する場合、a-Si（H,X）に導
入する炭素原子、第III族原子又は第Ｖ族原子の含有量
は、堆積室中に流入される出発物質のガス流量、ガス流
量比、放電パワー、支持体温度、堆積室内の圧力等を制
御することによつて任意に制御できる。

支持体温度は通常の場合、50℃〜350℃、好適には100℃
〜250℃とするのが望ましいものである。放電パワー条
件は、それぞれの層の機能に考慮をはらつて適宜選択さ
れ、具体的には、0.005〜50W/cm²の範囲にするのが通常
である。しかし好しくは、0.01〜30W/cm²、特に好しく
は0.01〜20W/cm²の範囲である。また、堆積室内のガス
圧については通常0.01〜1Torr、好適には0.1〜0.5Torr
程度とするのが望ましい。

支持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記
した範囲の値が挙げられるが、これらの層作成フアクタ
ーは、通常は独立的に別々に決められるものではなく、
所望特性のアモルフアス層を形成すべく相互的且つ有機
的関連性に基いて、各層作成フアクターの最適値を決め
るのが望ましい。

本発明において、第一の層の形成の際に、該層中に含有
せしめる第III族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度を層厚
方向に変化させて所望の層厚方向の分布状態を有する第
一の層を形成するには、グロー放電法を用いる場合であ
れば、第III族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質の
ガスの堆積室内に導入する際のガス流量を、所望の変化
率曲線に従つて適宜変化させ、その他の条件を一定に保
ちつつ形成する。ガス流量を変化させるには、具体的に
は、例えば手動あるいは外部駆動モーター等の通常用い
られている何らかの方法により、ガス流路系の途中に設
けられた所定のニードルバルブの開口を漸次変化させる
操作を行えば良い。このとき、流量の変化率は線型であ
る必要はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ
設計された変化率曲線に従つて流量を制御し、所望の含
有率曲線を得ることもできる。

また、第一の層をスパツタリング法を用いて形成する場
合、第III族原子又は第Ｖ族原子の層厚方向の分布濃度
を層厚方向で変化させて所望の層厚方向の分布状態を形
成するには、グロー放電法を用いた場合と同様に、第II
I族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態で
使用し、該ガスを堆積室内へ導入する際のガス流量を所
望に従つて変化させる。

本発明においては、第二の層中に含有せしめる炭素原子
及び第III族原子又は第Ｖ族原子は該層中に均一に分布
しているものであり、該第二の層を形成するには、上述
の諸条件を一定に保つことが必要である。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例に従つて、より詳細に説明する
が、本発明はこれ等によつて限定されるものではない。

各実施例においては、第一の層および第二の層をグロー
放電法を用いて形成した。第11図はグロー放電法による
本発明の光受容部材の製造装置である。

図中の202、203、204、205、206のガスボンベには、本
発明の夫々の層を形成するための原料ガスが密封されて
おり、その１例として、たとえば、202はHeで稀釈され
たSiH₄ガス（純度99.999％、以下SiH₄/Heと略す）ボン
ベ、203はHeで稀釈されたPH₃ガス（純度99.999％、以下
PH₃/Heと略す。）ボンベ、204はHeで稀釈されたB₂H₆ガ
ス（純度99.999％、以下B₂H₆/Heと略す。）ボンベ、205
はC₂H₄ガス（純度99.999％）ボンベ、206はHeで稀釈さ
れたSi₂H₆ガス（純度99.999％、以下Si₂H₆/Heと略
す。）ボンベである。

形成される層中にハロゲン原子を導入する場合には、Si
H₄ガス又はSi₂H₆ガスに代えて、例えば、SiF₄ガスを用
いる様にボンベを代えればよい。

これらのガスを反応室201に流入させるにはガスボンベ2
02〜206のバルブ222〜226、リークバルブ235が閉じられ
ていることを確認し又、流入バルブ212〜216、流出バル
ブ217〜221、補助バルブ232、233が開かれていることを
確認して、先ずメインバルブ234を開いて反応室201、ガ
ス配管内を排気する。次に真空計236の読みが約５×10
^-6torrになつた時点で、補助バルブ232、233、流出バル
ブ217〜221を閉じる。

基体シリンダー237上に第一の層102を形成する場合の１
例をあげる。ガスボンベ202よりSiH₄/Heガス、ガスボン
ベ204よりB₂H₆/Heガスの夫々をバルブ222、224を開いて
出口圧ゲージ227、229の圧を1Kg/cm²に調整し、流入バ
ルブ212、214を徐々に開けて、マスフロコントローラ20
7、209内に流入させる。引き続いて流出バルブ217、21
9、補助バルブ232を徐々に開いてガスを反応室201内に
流入させる。このときのSiH₄/Heガス流量、B₂H₆/Heガス
流量の比が所望の値になるように流出バルブ217、219を
調整し、又、反応室201内の圧力が所望の値になるよう
に真空計236の読みを見ながらメインバルブ234の開口を
調整する。そして基体シリンダー237の温度が加熱ヒー
ター238により50〜400℃の範囲の温度に設定されている
ことを確認された後、電源240を所望の電力に設定して
反応室201内にグロー放電を生起せしめるとともに、マ
イクロコンピユーター（図示せず）を用いて、あらかじ
め設計された変化率線に従つて、B₂H₆/Heガス流量、SiH
₄/Heガス流量の比を制御しながら、基体シリンダー237
上に先ず、硼素原子とシリコン原子を含有する層領域を
形成する。

次に所定時間経過後、B₂H₆/Heガスの反応室201内への導
入を各対応するガス導入管のバルブを閉じて遮断し、引
き続きグロー放電を所定時間続けることによつて、硼素
原子を含有しない層を形成せしめる。

第一の層中にハロゲン原子を含有せしめる場合には、上
記のガスに例えばSiF₄/Heガスを更に付加して反応室に
送り込めばよい。

上記の様な操作によつて、基体シリンダー237上に形成
された第一の層上に第二の層を形成するには、第一の層
の形成の際と同様なバルブ操作によつて、例えば、SiH₄
ガス、C₂H₄ガス、PH₃ガスの夫々を、必要に応じてHe等
の稀釈ガスで稀釈して、所望の流量比で反応室201中に
流し、所望の条件に従つて、グロー放電を生起させるこ
とによつて成される。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バルブ以外の
流出バルブは全て閉じることは言うまでもなく、又夫々
の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
201内、流出バルブ217〜221から反応室201内に至るガス
配管内に残留することを避けるために、必要に応じて流
出バルブ217〜221を閉じ補助バルブ232、233を開いてメ
インバルブ234を全開して系内を一旦高真空に排気する
操作を行う。

又、第二の層の層形成を行つている間は層形成の均一化
を図るため基体シリンダー237は、モーター239によつて
所望される速度で一定に回転させる。

参考例１第11図に示した製造装置を用いて、第１表に示す層形成
条件に従つて、通常の方法で洗浄したドラム状アルミニ
ウム基体上に層形成を行なつた。この際、B₂H₆／SiH₄の
ガス流量比の変化は、予め設計した第12図に示す流量比
変化線に従つて、マイクロコンピユーター制御により、
自動的に調整した。

こうして得られた電子写真用のドラム状光受容部材を、
実験用に改造したキヤノン製高速複写機に設置し、キヤ
ノン製テストチヤートを原稿として、画像形成プロセス
条件（光源はタングステンランプを使用）を適宜選択
し、複写テストを行なつたところ、解像力に優れた高品
質の画像を得ることができた。

参考例２第２表に示す層形成条件に従つて、B₂H₆／SiH₄ガス流量
比を第13図に示す流量比変化線に従つて制御した以外は
参考例１と同様にして電子写真用のドラム状光受容部材
を得、参考例１と同様の複写テストを行なつたところ、
解像力に優れた高品質の画像を得ることができた。

参考例３第３表に示す層形成条件に従つて、B₂H₆／SiH₄ガス流量
比を第13図に示す流量比変化線に従つて制御した以外は
参考例１と同様にして電子写真用のドラム状光受容部材
を得、参考例１と同様の複写テストを行なつたところ、
解像力に優れた高品質の画像を得ることができた。

実施例１第４表に示す層形成条件に従つて、B₂H₆／SiH₄ガス流量
比を第14図に示す流量比変化線に従つて制御した以外は
参考例１と同様にして電子写真用のドラム状光受容部材
を得、参考例１と同様の複写テストを行なつたところ、
解像力に優れた高品質の画像を得ることができた。

実施例２第５表に示す層形成条件に従つて、B₂H₆／SiH₄ガス流量
比を第15図に示す流量比変化線に従つて制御した以外は
参考例１と同様にして電子写真用のドラム状光受容部材
を得、参考例１と同様の複写テストを行なつたところ、
解像力に優れた高品質の画像を得ることができた。

参考例４第１表に於ける第二の層（II）の形成の際に、その層厚
を第６表に示す如く種々変化させた以外は、参考例１と
同様の手順と略々同様の条件で各光受容部材（試料No.7
01〜707）を作成し、各々に参考例１と同様の画像形成
プロセスを適用して評価を行つたところ第６表に示す結
果を得た。

参考例５第１表に於ける第二の層（II）の形成の際にガス流量比
C₂H₄／SiH₄の値を第７表に示す値とした以外は、参考例
１と同様の手順と略同様の条件で各光受容部材（試料N
o.801〜807）を作成し、参考例１と同様の評価を行つた
ところ、各々に於いて中間調の再現性が良く、高品質の
画像を得ることができた。

又、繰返し連続使用による耐久性試験に於いても、初期
の画像品質に較べても何等遜色のない品質の画像を得る
ことができ、耐久性にも優れていることが実証された。

〔発明の効果の概略〕本発明の光受容部材はa-Si（H,X）で構成した光受容層
を有するものであつて、該光受容部材の層構成を前述の
ごとき特定のものとしたことにより、a-Siで構成した従
来の光受容部材における諸問題を全て解決することがで
きたものである。即ち、本発明の光受容部材は特に優れ
た耐湿性、連続繰返し使用特性、電気的耐圧性、使用環
境特性及び耐久性等を有するものであり、また光感度及
び暗抵抗性が向上したものである。本発明の光受容部材
を電子写真用像形成部材として適用させた場合には、残
留電位の影響が全くなく、その電気的特性が安定してお
り、それを用いて得られた画像は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出る等、すぐれた極めて秀でたものとな
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光受容部材の層構造を模式的に示した
図であり、第２〜10図は本発明の光受容部材の第一の層
中における第III族原子又は第Ｖ族原子の分布状態の典
型例を示すための濃度分布図であり、第11図は本発明の
光受容部材を製造するための装置の一例で、グロー放電
分解法による製造装置の模式的説明図であり、第12図乃
至第15図は、本発明の層形成中のガス流量比変化の状態
を表わす図である。 100……光受容部材、101……支持体、102……第一の
層、103……第二の層、104……自由表面、201……反応
室、202〜206……ガスボンベ、207〜211……マスフロコ
ントローラ、212〜216……流入バルブ、217〜221……流
出バルブ、222〜226……バルブ、227〜231……圧力調整
器、232,233……補助バルブ、234……メインバルブ、23
5……リークバルブ、236……真空計、237……基本シリ
ンダー、238……加熱ヒーター、239……モーター、240
……高周波電源、C,C₁〜C₁₉……第III族原子又は第Ｖ族
原子の分布濃度、t,t₂〜t₄……層厚、t_B……支持体表面
と第一の層との界面位置、t_r……第一の層と第二の層と
の界面位置。

フロントページの続き (56)参考文献特開昭58−156944（ＪＰ，Ａ) 特開昭58−108542（ＪＰ，Ａ) 特開昭58−108543（ＪＰ，Ａ) 特開昭58−108544（ＪＰ，Ａ) 特開昭61−25154（ＪＰ，Ａ) 特開昭59−99541（ＪＰ，Ａ) 実開昭60−60764（ＪＰ，Ｕ)

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】支持体と、該支持体上に、シリコン原子を
母体とする非晶質材料で構成され光導電性を有する、層
厚１〜100μｍの第一の層と、シリコン原子を母体とし
１×10^-3〜90atomic％の炭素原子を含有する非晶質材料
で構成される、層厚５×10^-3〜30μｍの第二の層とが積
層された光受容層を有し、かつ、前記第一の層は、周期
律表第III族または第Ｖ族のいずれかに属する原子を前
記第二の層側に多く含有されるように該層中に層厚方向
に不均一な分布状態で含有し、前記第二の層は、周期律
表第III族または第Ｖ族のいずれかに属する原子を該層
中に均一な分布状態で含有するとともに、前記第一の層
の第二の層側の前記周期律表第III族または第Ｖ族のい
ずれかに属する原子と前記第二の層の前記周期律表第II
I族または第Ｖ族のいずれかに属する原子の含有量が等
しくされていることを特徴とする光受容部材。
【請求項２】前記第一の層の前記周期律表第III族また
は第Ｖ族のいずれかに属する原子は前記支持体側の方に
多く含有されている特許請求の範囲第（１）項に記載の
光受容部材。