JPH0373854B2

JPH0373854B2 -

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Publication number: JPH0373854B2
Application number: JP57042402A
Authority: JP
Priority date: 1982-03-17
Filing date: 1982-03-17
Publication date: 1991-11-25
Also published as: JPS58159540A

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線，可視光線，赤外光線，Ｘ線，γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある光導電部材に関す
る。固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Ip）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。
殊に、事務機としてオフイスで使用される電子写
真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場
合には、上記の使用時における無公害性は重要な
点である。この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報，同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値，光感度，光応答
性等の電気的，光学的，光導電的特性，及び耐湿
性等の使用環境特性の点、更には経時的安定性の
点において、総合的な特性向上を図る必要がある
という更に改良される可き点が存するのが実情で
ある。例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化，高暗抵抗化を同時に図ろうとす
ると従来においてはその使用時において残留電位
が残る場合が度々観測され、この種の光導電部材
は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用によ
る疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴース
ト現象を発する様になる等の不都合な点が少なく
なかつた。又は例えば、本発明者等の多くの実験によれ
ば、電子写真用像形成部材の光導電層を構成する
材料としてのａ−Siは、従来のSe，CdS，ZnO等
の無機光導電材料或いはPVCzやTNF等の有機
光導電材料に較べて、数多くの利点を有するが、
従来の太陽電池用として使用するための特性が付
与されたａ−Siから成る単層構成の光導電層を有
する電子写真用像形成部材の上記光導電層に静電
像形成のための帯電処理を施しても暗減衰
（dark decay）が著しく速く、通常の電子写真法
が仲々適用され難いこと、及び多湿雰囲気中にお
いては、上記傾向が著しく、場合によつては現像
時間まで帯電々荷を殆んど保持し得ないことがあ
る等、解決され得る可き点が存在していることが
判明している。更に、ａ−Si材料で光導電層を構成する場合に
は、その電気的，光導電的特性の改良を図るため
に、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロ
ゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼素原
子や燐原子等が或いはその他の特性改良のために
他の原子が、各々構成原子として光導電層中に含
有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方如何
によつては、形成した層の電気或いは光導電的特
性に問題が生ずる場合がある。即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射に
よつて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命
が充分でないこと、或いは暗部において、支持体
側よりの電荷の注入の阻止が充分でないこと等が
生ずる場合が少なくない。従つて、ａ−Si材料そのものの特性改良が図ら
れる一方で光導電部材を設計する際に、上記した
様な所望の電気的，光学的及び光導電的特性が得
られる様に工夫される必要がある。本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、シリコン原子を母体と
し、水素原子(H)又はハロゲン原子（Ｘ）のいずれ
か一方を少なくとも含有するアモルフアス材料
（非晶質材料）、所謂水素化アモルフアスシリコ
ン，ハロゲン化アモルフアスシリコン，或いはハ
ロゲン含有水素化アモルフアスシリコン〔以後こ
れ等の総称的表記として「ａ−Si（Ｈ，Ｘ）」を使
用する〕から構成される光導電層を有する光導電
部材の層構成を特定化する様に設計されて作成さ
れた光導電部材は実用上著しく優れた特性を示す
ばかりでなく、従来の光導電部材と較べてみても
あらゆる点において凌駕していること、殊に電子
写真用の光導電部材として著しく優れた特性を有
していることを見出した点に基づいている。本発明は電気的，光学的，光導電的特性が殆ん
ど使用環境に制御を受けず常時安定している全環
境型であり、耐光疲労に著しく長け、繰返し使用
に際しても劣化現象を起さず耐久性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を
提供することを主たる目的とする。本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材と
して適用させた場合、静電像形成のための帯電処
理の際の電荷保持能が充分あり、通常の電子写真
法が極めて有効に適用され得る優れた電子写真特
性を有する光導電部材を提供することである。本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得ることが容易にできる電子写真用の光導電
部材を提供することである。本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性，
高SN比特性及び支持体との間に良好な電気的接
触性を有する光導電部材を提供することでもあ
る。本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体
と、シリコン原子を母体とする非晶質材料で構成
された、光導電性を有する第一の非晶質層と、シ
リコン原子と炭素原子と水素原子とを含む非晶質
材料で構成された第二の非晶質層と、を支持体側
から有し、前記第一の非晶質層が、支持体側に構
成原子として周期律表第Ｖ族に属する原子を含有
する層領域（Ｖ）を有する光導電部材において、
前記層領域（Ｖ）は、Ｐ、As、Sb、およびBiか
らなる群から少なくとも一つ選ばれる周期律表第
Ｖ族に属する原子の層厚方向の分布濃度が支持体
側より連続的に減少する領域を有し、前記非晶質
層は、酸素原子を含有し該酸素原子の層厚方向に
おける分布濃度が連続的に均一であることを特徴
とする。上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的，光学的，光導電
的特性及び使用環境特性を示す。殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には帯電処理の際の電荷保持能に長け、画像
形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高SN比を有する
ものであつて耐光疲労、繰返し使用特性、殊に多
湿雰囲気中での繰返し使用特性に長け、濃度が高
く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高
い、高品質の可視画像を得ることができる。以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
て詳細に説明する。第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明
するために模式的に示した模式的構成図である。第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）
から成る光導電性を有する第一の非晶質層（）、
１０２，第二の非晶質層（）１０５とを有し、
該第一の非晶質層（）１０２は、構成原子とし
て周期律表第族に属する原子（第族原子）を
含有する層領域（）１０３を支持体１０１側に
有する。第一の非晶質層（）１０２の一部を構成する
層領域１０４には、上記の第族原子は実質的に
含まれてない。本発明の光導電部材に於いては、第一の非晶質
層（）中には酸素原子が含有される。本発明に於いて第一の非晶質層（）中に含有
される酸素原子は、層厚方向及び支持体の表面に
平行な面内に於いて実質的に均一な分布状態を形
成する様に、第一の非晶質層（）の全層領域に
含有される。本発明に於いては、第一の非晶質層（）中に
酸素原子を含有することによつて、第一の非晶質
層（）全体の高暗抵抗化と、第一の非晶質層
（）が直接設けられる支持体との間の密着性の
向上が重点的に図られている。層領域（）１０３に含有される第族原子
は、層厚方向には連続的であつて且つ前記支持体
１０１の設けられてある側とは反対の側（非晶質
層（）１０２の自由表面１０５側）の方に対し
て前記支持体１０１側の方に多く分布する状態と
なる様に前記層領域（）中１０３に含有されて
いる。本発明において、非晶質層（）を構成する層
領域（）中に含有される第族原子として使用
されるのは、Ｐ（燐）、As（砒素）、Sb（アンチモ
ン）、Bi（ビスマス）等であり、殊に好適に用い
られるのはＰ，Asである。本発明において、非晶質層（）を構成する層
領域（）中に含有される前記第族原子の該層
領域（）中での分布状態は、非晶質層（）の
支持体側において、非晶質層（）側においてよ
りも多く含有されている分布状態とされる。本発明においては、層領域（）中に含有され
る第族原子の分布状態は、層厚方向において
は、前記の様な分布状態を取り、支持体の表面と
平行な方向には実質的に均一な分布状態とされ
る。第２図乃至第１０図には、本発明における光導
電部材の第一の非晶質層（）を構成する層領域
（）中に含有される第族原子の層厚方向の分
布状態の典型的例が示される。酸素原子は、本発明の場合、非晶質層の全層領
域中に前記した分布状態で万偏なく含有されるの
で、第２図乃至第１０図の例に於いて、以後の説
明では、酸素原子の含有される層領域（Ｏ）（非
晶質層全層領域）に就ては、殊に説明を要しない
限り言及しない。第２図乃至第１０図において、横軸は第族原
子の含有量Ｃを、縦軸は、光導電性を示す第一の
非晶質層（）に設けられる、第族原子の含有
される層領域（）の層厚を示し、t_Bは支持体側
の界面の位置を、t_Tは支持体側とは反対側の界面
の位置を示す。即ち、第族原子の含有される層
領域（）はt_B側よりもt_Tに向つて層形成がなさ
れる。本発明においては、第族原子の含有される層
領域（）は、光導電部材を構成するｄ−Si（Ｈ，
Ｘ）から成り、光導電性を示す第一の非晶質層
（）の支持体側に偏在される。第２図には、第一の非晶質層（）を構成する
層領域（）中に含有される第族原子の層厚方
向の分布状態の第１の典型例が示される。第２図に示される例では、第族原子の含有さ
れる層領域（）が形成される表面（第１図で示
せば支持体１０１の表面）と該層領域（）の表
面とが接する境界面位置t_Bよりt₁の位置までは、
第族原子の分布濃度ＣがC₁なる一定の値を取
り乍ら第族原子が形成される層領域（）に含
有され、位置t₁よりは、分布濃度C₂より、境界面
位置t_Tに至るまで徐々に連続的に減少されてい
る。境界面位置t_Tにおいては第族原子の分布濃度
ＣはC₃とされる。第３図に示される例においては、含有される第
族原子の分布濃度Ｃは位置t_Bより位置t_Tに至る
まで分布濃度C₄から徐々に連続的に減少して位
置t_Tにおいて分布濃度C₅となる様な分布状態を形
成している。第４図の場合には、位置t_Bより位置t₂までは第
族原子の分布濃度Ｃは濃度C₆と一定値とされ、
位置t₂と位置t_Tとの間において、徐々に連続的に
減少され、位置t_Tにおいて、分布濃度Ｃは実質的
に零とされている。第５図の場合には、第族原子は位置t_Bより位
置t_Tに至るまで、分布濃度C₈より連続的に徐々に
減少され、位置t_Tにおいて実質的に零とされてい
る。第６図に示す例においては、第族原子の分布
濃度Ｃは、位置t_Bと位置t₃間においては、分布濃
度C₉と一定値であり、位置t_Tにおいては分布濃度
C₁₀とされる。位置t₃と位置t_Tとの間では、分布濃
度Ｃは一次関数的に位置t₃より位置t_Tに至るまで
減少されている。第７図に示される例においては、位置t_Bより位
置t₄までは分布濃度C₁₁の一定値を取り、位置t₄よ
り位置t_Tまでは分布濃度C₁₂より分布濃度C₁₃まで
一次関数的に減少する分布状態とされている。第８図に示す例においては、位置t_Bより位置t_T
に至るまで、第族原子の分布濃度Ｃは濃度C₁₄
より零に至る様に一次関数的に減少している。第９図においては、位置t_Bより位置t₅に至るま
では第族原子の分布濃度Ｃは、分布濃度C₁₅よ
り分布濃度C₁₆まで一次関数的に減少され、位置
t₅と位置t_Tとの間においては、分布濃度C₁₆の一定
値とされた例が示されている。第１０図に示される例においては、第族原子
の分布濃度Ｃは位置t_Bにおいて分布濃度C₁₇であ
り、位置t₆に至るまではこの分布濃度C₁₇より初
めはゆつくりと減少され、t₆の位置付近において
は、急激に減少されて位置t₆では分布濃度C₁₈と
される。位置t₆と位置t₇との間においては、初め急激に
減少されて、その後は、緩やかに徐々に減少され
て位置t₇で分布濃度C₁₉となり、位置t₇と位置t₈と
の間では、極めてゆつくりと徐々に減少されて位
置t₈において、分布濃度C₂₀に至る。位置t₈と位置
t_Tの間においては、分布濃度C₂₀より実質的に零
になる様に図に示す如き形状の曲線に従つて減少
されている。以上、第２図乃至第１０図により、層領域
（）中に含有される第族原子の層厚方向の分
布状態の典型例の幾つかを説明した様に、本発明
においては、支持体側において、第族原子の分
布濃度Ｃの高い部分を有し、界面t_T側において
は、前記分布濃度Ｃは支持体側に較べて低くされ
た部分を有する分布状態で、第族原子が含有さ
れた層領域（）が第一の非晶質層（）に設け
られている。本発明において、第一の非晶質層（）を構成
する第族原子の含有されている層領域（）
は、好ましくは上記した様に支持体側の方に第
族原子が高濃度で含有されている局在領域(A)を有
する。局在領域(A)は、第２図乃至第１０図に示す記号
を用いて説明すれば、界面位置t_Bより5μ以内に設
けられる。本発明においては、上記局在領域(A)は、界面位
置t_Bより5μ厚までの全層領域L_Tとされる場合もあ
るし、又、層領域L_Tの一部とされる場合もある。局在領域(A)を層領域L_Tの一部とするか又は全
部とするかは、形成される第一の非晶質層（）
に要求される特性に従つて適宜決められる。局在領域(A)はその中に含有される第族原子の
層厚方向の分布状態として第族原子の含有量分
布値（分布濃度値）の最大Cmaxがシリコン原子
に対して、通常は100atomic ppm以上、好適に
は150atomic ppm以上、最適には200atomic
ppm以上とされる様な分布状態となり得る様に層
形成されるのが望ましい。即ち、本発明においては、第族原子の含有さ
れる層領域（）は、支持体側からの層厚で5μ
以内（t_Bから5μ厚の層領域）に分布濃度の最大値
Cmaxが存在する様に形成される。上記の様に層領域（）中の支持体側の方に第
族原子が高濃度に含有されている局在領域(A)を
設けることによつて支持体側からの第一の非晶質
層（）中への電荷の注入をより効果的に阻止す
ることが出来る。本発明において、第族原子の含有される前記
の層領域（）中に含有される第族原子の含有
量としては、本発明の目的が効果的に達成される
様に所望に従つて適宜決められるが、通常は30〜
５×10⁴atomic ppm、好ましくは50〜１×
10⁴atomic ppm、最適には100〜５×10³atomic
ppmとされるのが望ましいものである。本発明に於いて、第一の非晶質層（）中に含
有される酸素原子の量に就ても形成される光導電
部材に要求される特性に応じて所望に従つて適宜
決められるが、通常の場合、0.001〜30atomic％，
好ましくは、0.002〜20atomic％，最適には0.003
〜10atomic％とされるのが望ましいものである。本発明の光導電部材に於いては、第族原子の
含有されている層領域（）の層厚t_B（第１図で
は層領域１０３の層厚）と、層領域（）の上に
設けられた、第族原子の含有されてない層領
域、即ち層領域（）を除いた部分の層領域(B)
（第１図では層領域１０４）の層厚Ｔとは、所望
される特性の第一の非晶質層（）が支持体上に
形成される様に層設計の際に適宜目的に従つて決
定される。本発明に於いて、第族原子の含有される層領
域（）の層厚t_Bとしては、通常30Å〜5μ、好適
には40Å〜4μ、最適には50Å〜3μとされ、層領
域(B)の層厚Ｔとしては、通常は0.2〜95μ、好適に
は0.5〜76μ、最適には１〜47μとされるのが望ま
しいものである。又、前記層厚Ｔと層厚t_Bとの和（Ｔ＋t_B）とし
ては、通常は１〜100μ、好適には１〜80μ、最適
には２〜50μとされるのが望ましいものである。本発明において、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第一の非晶質層（）を形成するには例えばグ
ロー放電法、スパツタリング法、或いはイオンプ
レーテイング法等の放電現象を利用する真空堆積
法によつて成される。例えば、グロー放電法によつて、ａ−Si（Ｈ，
Ｘ）で構成される第一の非晶質層（）を形成す
るには、基本的にはシリコン原子（Si）を供給し
得るSi供給用の原料ガスと供に、水素原子(H)導入
用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料
ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入し
て、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所
定位置に設置されてある、所定の支持体表面上に
ａ−Si（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば良い。
又、スパツタリング法で形成する場合には、例え
ば、Ar，He等の不活性ガス又はこれ等のガスを
ベースとした混合ガスの雰囲気中でSiで構成され
たターゲツトをスパツタリングする際、水素原子
(H)又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスを
スパツタリング用の堆積室に導入してやれば良
い。本発明において、必要に応じて第一の非晶質層
（）中に含有されるハロゲン原子（Ｘ）として
は、具体的にはフツ素，塩素，臭素，ヨウ素が挙
げられ、殊にフツ素，塩素を好適なものとして挙
げることが出来る。本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
としては、SiH₄，Si₂H₆，Si₃H₈，Si₄H₁₀等のガ
ス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン
類）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊
に、層作成作業の扱い易さ、Si供給効率の良さ等
の点でSiH₄，Si₂H₆が好ましいものとして挙げら
れる。本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原子ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が挙げられ、例えばハロゲンガス，ハロゲン
化合物，ハロゲン間化合物，ハロゲンで置換され
たシラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得る
ハロゲン化合物が好ましく挙げられる。又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む硅素化合物も有効なものとして
本発明においては挙げることが出来る。本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素，塩素，臭素，
ヨウ素のハロゲンガス、BrF，ClF，ClF₃，
BrF₅，BrF₃，IF₃，IF₇，ICl，IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF₄，Si₂F₆，SiCl₄，SiBr₄等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、Siを供給し得る原料
ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、
所定の支持体上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成り、光
導電性を有する非晶質層（）を形成する事が出
来る。グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む第
一の非晶質層（）を製造する場合、基本的に
は、Si供給用の原料ガスであるハロゲン化硅素ガ
スと、Ar，H₂，He等のガス等を所定の混合比と
ガス流量になる様にして非晶質層（）を形成す
る堆積室に導入し、グロー放電を生起してこれ等
のガスのプラズマ雰囲気を形成することによつ
て、所定の支持体上に非晶質層（）を形成し得
るものであるが、水素原子の導入を図る為にこれ
等のガスに更に水素原子を含む硅素化合物のガス
も所定量混合して層形成しても良い。又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。反応スパツタリング法或いはイオンプレーテイ
ング法に依つてａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成る非晶質
層（）を形成するには、例えばスパツタリング
法の場合にはSiから成るターゲツトを使用して、
これを所定のガスプラズマ雰囲気中でスパツタリ
ングし、イオンプレーテイング法の場合には、多
結晶シリコン又は単結晶シリコンを蒸発源として
蒸着ボードに収容し、このシリコン蒸発源を抵抗
加熱法、或いはエレクトロンビーム法（EB法）
等によつて加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガス
プラズマ雰囲気中を通過させる事で行う事が出来
る。この際、スパツタリング法、イオンプレーテイ
ング法の何れの場合にも形成される層中にハロゲ
ン原子を導入するには、前記のハロゲン化合物又
は前記のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを
堆積室中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形
成してやれば良いものである。又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H₂、或いは前記した
シラン類等のガスをスパツタリング用の堆積室中
に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してや
れば良い。本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物、或いはハ
ロゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用
されるものであるが、その他に、HF，HCl，
HBr，HI等のハロゲン化水素、SiH₂F₂，
SiH₂I₂，SiH₂Cl₂，SiHCl₃，SiH₂Br₂，SiHBr₃等
のハロゲン置換水素化硅素、等々のガス状態の或
いはガス化し得る、水素原子を構成要素の１つと
するハロゲン化物も有効な第一の非晶質層（）
形成用の出発物質として挙げる事が出来る。これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、非晶
質層の形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効
な水素原子も導入されるので、本発明においては
好適なハロゲン導入用の原料として使用される。水素原子を第一の非晶質層（）中に構造的に
導入するには、上記の他にH₂、或いはSiH₄，
Si₂H₆，Si₃H₈，Si₄H₁₀等の水素化硅素のガスを
Siを供給する為のシリコン化合物と堆積室中に共
存させて放電を生起させる事でも行う事が出来
る。例えば、反応スパツタリング法の場合には、Si
ターゲツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス
及びH₂ガスを必要に応じてHe，Ar等の不活性ガ
スも含めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を
形成し、前記Siターゲツトをスパツタリングする
事によつて、支持体上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成
る第一の非晶質層（）が形成される。更には、不純物のドーピングを兼ねてB₂H₆等
のガスを導入してやることも出来る。本発明において、形成される光導電部材の非晶
質層（）中に含有される水素原子(H)の量又はハ
ロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原
子の量の和は通常の場合１〜40atomic％、好適
には５〜30atomic％とされるのが望ましい。第一の非晶質層（）中に含有される水素原子
(H)又は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御する
には、例えば支持体温度又は／及び水素原子(H)、
或いはハロゲン原子（Ｘ）を含有させる為に使用
される出発物質の堆積装置系内へ導入する量、放
電々力等を制御してやれば良い。非晶質層（）に、第Ｖ族原子を含有する層領
域（Ｖ）を設けるには、グロー放電法や反応スパ
ツタリング法等による非晶質層（）の形成の際
に、第（Ｖ）族原子導入用の出発物質を前記した
非晶質層（）形成用の出発物質と共に使用し
て、形成される層中にその量を制御し乍ら含有し
てやる事によつて成される。第一の非晶質層（）を構成する第Ｖ族原子の
含有される層領域（Ｖ）を形成するのにグロー放
電法を用いる場合には、該層領域（Ｖ）形成用の
原料ガスとなる出発物質としては、前記した非晶
質層（）形成用の出発物質の中から所望に従つ
て選択されたものに第Ｖ族原子導入用の出発物質
が加えられる。その様な第Ｖ族原子導入用の出発
物質としては、少なくとも第Ｖ族原子を構成原子
とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス
化したものの中の大概のものが使用され得る。第Ｖ族原子を含有する層領域（Ｖ）に導入され
る第Ｖ族原子の含有量は、堆積室中に流入される
第Ｖ族原子導入用の出発物質のガス流量、ガス流
量比、放電パワー等を制御することによつて任意
に制御される。層領域（Ｖ）をグロー放電法を用いて形成する
場合に第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発
明において有効に使用されるのは、燐原子導入用
としては、PH₃，P₂H₄等の水素化燐、PH₄I，
PF₃，PF₅，PCl₃，PCl₅，PBr₃，PBr₅，PI₃等の
ハロゲン化燐が挙げられる。この他、AsH₃，
AsF₃，AsCl₃，AsBr₃，AsF₅，SbH₃，SbF₃，
SbF₅，SbCl₈，SbCl₅，BiH₃，BiCl₃，BiBr₃等も
第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なものとして
挙げることが出来る。第Ｖ族原子を含有する層領域（Ｖ）に導入され
る第Ｖ族原子の含有量は、堆積室中に流入される
第Ｖ族原子導入用の出発物質のガス流量、ガス流
量比，放電パワー，支持体温度，堆積室内の圧力
等を制御することによつて任意に制御され得る。本発明において、第一の非晶質層（）をグロ
ー放電法で形成する際に使用される稀釈ガス、或
いはスパツタリング法で形成される際に使用され
るスパツタリング用のガスとしては、所謂稀ガ
ス、例えばHe，Ne，Ar等が好適なものとして
挙げることが出来る。本発明の光導電部材に於いては、第Ｖ族原子の
含有される層領域（Ｖ）の上に設けられ、第Ｖ族
原子の含有されない層領域(B)（第１図では層領域
１０４に相当する。）には、伝導特性を制御する
物質を含有させることにより、該層領域(B)の伝導
特性を所望に従つて任意に制御することが出来
る。この様な物質としては、所謂，半導体分野で云
われる不純物を挙げることが出来、本発明に於い
ては、形成される非晶質層を構成するａ−Si（Ｈ，
Ｘ）に対して、Ｐ型伝導特性を与えるＰ型不純
物、具体的には、周期律表第族に属する原子
（第族原子）、例えば、Ｂ（硼素），Al（アルミニ
ウム），Ga（カリウム），In（インジウム），Tl（タ
リウム）等があり、殊に好適に用いられるのは、
Ｂ，Gaである。本発明に於いて、層領域(B)に含有される伝導特
性を制御する物質の含有量は、該層領域(B)に要求
される伝導特性、或いは該層領域(B)に直に接触し
て設けられる他の層領域の特性や、該他の層領域
との接触界面に於ける特性との関係等有機的関連
性に於いて、適宜選択することが出来る。本発明に於いて、層領域(B)中に含有される伝導
特性を制御する物質の含有量としては、通常の場
合、0.001〜1000atomic ppm、好適には、0.05〜
500atomic ppm、最適には0.1〜200atomic ppm
とされるのが望ましいものである。層領域(B)中に伝導特性を制御する物質、例えば
第族原子を構造的に導入するには、層形成の際
に第族原子導入用の出発物質をガス状態で堆積
室中に、非晶質層（）を形成する為の他の出発
物質と共に導入してやれば良い。この様な第族
原子導入用の出発物質と成り得るものとしては、
常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条件
下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望
ましい。その様な第族原子導入用の出発物質と
して具体的には硼素原子導入用としては、B₂H₆，
B₄H₁₀，B₅H₉，B₅H₁₁，B₆H₁₀，B₆H₁₂，B₆H₁₄，
等の水素化硼素、BF₃，BCl₃，BBr₃等のハロゲ
ン化硼素等が挙げられる。この他、AlCl₃，
GaCl₃，Ga（CH₃）₃，InCl₃，TlCl₃等も挙げるこ
とが出来る。第１図に示される光導電部材１００に於いて
は、第一の非晶質層（）１０２上に形成される
第二の非晶質層（）１０５は、自由表面１０６
を有し、主に耐湿性、連続繰返し使用特性、耐圧
性、使用環境特性、耐久性に於いて本発明の目的
を達成する為に設けられる。又、本発明に於いては、非晶質層（）１０２
を構成する第一の非晶質層（）１０２と第二の
非晶質層（）１０５とを形成する非晶質材料の
各々がシリコン原子という共通の構成要素を有し
ているので、積層界面に於いて化学的な安定性の
確保が充分成されている。第の非晶質層（）は、シリコン原子と炭素
原子と水素原子とで構成される非晶質材料〔ａ−
（SixC_1-x）yH_1-y，但し０＜ｘ，ｙ＜１〕で形成
される。ａ−（SixC_1-x）yH_1-yで構成される第二
の非晶質層（）の形成はグロー放電法、スパツ
タリング法、イオンインプランテーシヨン法、イ
オンプレーテイング法、エレクトロンビーム法等
によつて成される。これ等の製造法は、製造条
件、設備資本投下の負荷程度、製造規模、作製さ
れる光導電部材に所望される特性等の要因によつ
て適宜選択されて採用されるが、所望する特性を
有する光導電部材を製造する為の作製条件の制御
が比較的容易である。シリコン原子と共に炭素原
子及び水素原子を作製する第二の非晶質層（）
中に導入するが容易に行える等の利点からグロー
放電法或いはスパツタリング法が好適に採用され
る。更に本発明に於いては、グロー放電法とスパツ
タリング法とを同一装置系内で併用して第二の非
晶質層（）を形成しても良い。グロー放電法によつて第二の非晶質層（）を
形成するには、ａ−（SixC_1-x）yH_1-y形成用の原
料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合
比で混合して、支持体の設置してある真空堆積用
の堆積室に導入し、導入されたガスをグロー放電
を生起させることでガスプラズマ化して前記支持
体上に既に形成されてある第一の非晶質層（）
上にａ−（SixC_1-x）yH_1-yを堆積させれば良い。本発明に於いてａ−（SixC_1-x）yH_1-y形成用の
原料ガスとしては、シリコン原子（Si），炭素原
子(C)，水素原子(H)の中の少なくとも一つを構成原
子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガ
ス化したものの中の大概のものが使用され得る。 Si，Ｃ，Ｈの中の１つとしてSiを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構成原
子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガ
スと、Ｈを構成原子とする原料ガスとを所望の混
合比で混合して使用するか、又は、Siを構成原子
とする原料ガスと、Ｃ及びＨを構成原子とする原
料ガスとを、これも又所望の混合比で混合する
か、或いは、Siを構成原子とする原料ガスと、
Si，Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガスと
を混合して使用することが出来る。又、別には、SiとＨとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。本発明に於いて、第二の非晶質層（）形成用
の原料ガスとして有効に使用されるのは、SiとＨ
とを構成原子とするSiH₄，Si₂H₆，Si₃H₈，
Si₄H₁₀等のシラン（Silane）類等の水素化硅素ガ
ス、ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭素数１
〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系
炭化水素，炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素
等が挙げられる。具体的には、飽和炭化水素としては、メタン
（CH₄），エタン（C₂H₆），プロパン（CH₈），ｎ
−ブタン（ｎ−C₄H₁₀），ペンタン（C₅H₁₂），エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C₂H₄），
プロピレン（C₃H₆），ブテン−１（C₄H₈），ブデ
ン−２（C₄H₈），イソブチレン（C₄H₈），ペンテ
ン（C₅H₁₀），アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C₂H₂），メチルアセチレン
（C₃H₄），ブチン（C₄H₆）等が挙げられる。 SiとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとして
は、Si（CH₃）₄，Si（C₂H₅）₄等のケイ化アルキルを
挙げることが出来る。これ等の原料ガスの他、Ｈ
導入用の原料ガスとしては勿論H₂も有効なもの
として使用される。スパツタリング法によつて第二の非晶質層
（）を形成するには、単結晶又は多結晶のSiウ
エーハー又はＣウエーハー又はSiとＣが混合され
て含有されているウエーハーをターゲツトとし
て、これ等を種々のガス雰囲気中でスパツタリン
グすることによつて行えば良い。例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＣとＨを導入する為の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツタリングすれ
ば良い。又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、少なくとも水素原子を含有
するガス雰囲気中でスパツターリングすることに
よつて成される。Ｃ又はＨ導入用の原料ガスとしては、先述した
グロー放電の例で示した原料ガスが、スパツタリ
ングの場合にも有効なガスとして使用され得る。本発明に於いて、第二の非晶質層（）をグロ
ー放電法又はスパツタリング法で形成する際に使
用される稀釈ガスとしては、所謂稀ガス，例えば
He，Ne，Ar等が好適なものとして挙げること
が出来る。本発明に於ける第二の非晶質層（）は、その
要求される特性が所望通りに与えられる様に注意
深く形成される。即ち、Si，Ｃ，及びＨを構成原子とする物質は
その作成条件によつて構造的には結晶からアモル
フアスまでの形態を取り、電気物性的には導電性
から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導
電的性質から非光導電的性質までの間の性質を、
各々示すので、本発明に於いては、目的に応じた
所望の特性を有するａ−（SixC_1-x）yH_1-yが形成
される様に、所望に従つてその作成条件の選択が
厳密に成される。例えば、第二の非晶質層（）を耐圧性の向上
を主な目的として設けるには、ａ−（SixC_1-x）
yH_1-yは使用条件下に於いて電気絶縁性的挙動の
顕著な非晶質材料として作成される。又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上
を主たる目的として第二の非晶質層（）が設け
られる場合には、上記の電気絶縁性の度合はある
程度緩和され、照射される光に対してある程度の
感度を有する非晶質材料としてａ−（SixC_1-x）
yH_1-yが作成される。第一の非晶質層（）の表面にａ−（Si_xC_1-x）_y
H_1-yから成る第二の非晶質層（）を形成する
際、層形成中の支持体温度は、形成される層の構
造及び特性を左右する重要な因子であつて、本発
明に於いては、目的とする特性を有するａ−（Si_x
C_1-x）_yH_1-yが所望通りに作成され得る様に層作成
時の支持体温度が厳密に制御されるのが望まし
い。本発明に於ける目的が効果的に達成される為の
第二の非晶質層（）を形成する際の支持体温度
としては第二の非晶質層（）の形成法に併せて
適宜最適範囲が選択されて、第二の非晶質層
（）の形成が実行されるが、通常の場合、50℃
〜350℃、好適には100℃〜250℃とされるのが望
ましいものである。第二の非晶質層（）の形成
には、層を構成する原子の組成比の微妙な制御や
層厚の制御が他の方法に較べて比較的容易である
事等の為に、グロー放電法やスパツターリング法
の採用が有利であるが、これ等の層形成法で第二
の非晶質層（）を形成する場合には、前記の支
持体温度と同様に層形成の際の放電パワー，ガス
圧が作成されるａ−（Si_xC_1-x）_yH_1-yの特性を左右
する重要な因子の１つである。本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ−（Si_xC_1-x）_yH_1-yが生産性が良く効果的に
作成される為の放電パワー条件としては、通常、
10〜300W、好適には20〜200Wとされるのが望ま
しい。堆積室内のガス圧は通常0.01〜1Torr、好
適には0.1〜0.5Torr程度とされるのが望ましい。本発明に於いては、第二の非晶質層（）を作
成する為の支持体温度、放電パワーの望ましい数
値範囲として前記した範囲の値が挙げられるが、
これ等の層作成フアクターは、独立的に別別に決
められるものではなく、所望特性のａ−（Si_x
C_1-x）_yH_1-yから成る第二の非晶質層（）が形成
される様に相互的有機的関連性に基いて、各層作
成フアクターの最適値が決められるのが望まし
い。本発明の光導電部材に於ける第二の非晶質層
（）に含有される炭素原子及び水素原子の量は、
第二の非晶質層（）の作製条件と同様、本発明
の目的を達成する所望の特性が得られる第二の非
晶質層（）が形成される重要な因子である。本発明に於ける第二の非晶質層（）に含有さ
れる炭素原子の量は通常１×10^-3〜90atomic％
とされ、好ましくは１〜90atomic％、最適には
10〜80atomic％とされるのが望ましいものであ
る。水素原子の含有量としては、通常の場合１〜
40atomic％、好ましくは２〜35atomic％、最適
には５〜30atomic％とされるのが望ましく、こ
れ等の範囲に水素含有量がある場合に形成される
光導電部材は、実際面に於いて優れたものとして
充分適用させ得るものである。即ち、先のａ−（Si_xC_1-x）_yH_1-yの表示で行えば
ｘが通常は0.1〜0.99999、好適には0.1〜0.99、最
適には、0.15〜0.9、ｙが通常0.6〜0.99、好適に
は0.65〜0.98、最適には0.7〜0.95であるのが望ま
しい。本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚の
数値範囲は、本発明の目的を効果的に達成する為
の重要な因子の１つである。本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚の
数値範囲は、本発明の目的を効果的に達成する様
に所期の目的に応じて適宜所望に従つて決められ
る。又、第二の非晶質層（）の層厚は、該層
（）中に含有される炭素原子や水素原子の量、
第一の非晶質層（）の層厚等との関係に於いて
も、各々の層領域に要求される特性に応じた有機
的な関連性の下に所望に従つて適宜決定される必
要がある。更に加え得るに、生産性や量産性を加
味した経済性の点に於いても考慮されるのが望ま
しい。本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚と
しては、通常0.003〜30μ好適には、0.004〜20μ最
適には、0.005〜10μとされるのが望ましいもので
ある。本発明において使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NiCr，ステンレス，Al，
Ar，Mo，Au，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。電気絶縁性支持体としては、ポリエステル，ポ
リエチレン，ポリカーボネート，セルローズ，ア
セテート，ポリプロピレン，ポリ塩化ビニル，ポ
リ塩化ビニリデン，ポリスチレン，ポリアミド等
の合成樹脂のフイルム又はシート，ガラス，セラ
ミツク，紙等が通常使用される。これ等の電気絶
縁性支持体は、好適には少なくともその表面を導
電処理され、該導電処理された表面側に他の層が
設けられるのが望ましい。例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr，
Al，Cr，Mo、Au，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，
Pd，In₂O₃，SnO₂，ITO（In₂O₃＋SnO₂）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr，Al，Ag，Pb，Zn，Ni，
Au，Cr，Mo，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着，電子ビーム蒸着，スパツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状，ベ
ルト状，板状等任意の形状とし得、所望によつ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１図の
光導電部材１００を電子写真用像形成部材として
使用するものであれば連続高速複写の場合には、
無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支
持体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成され
る様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓
性が要求される場合には、支持体としての機能が
充分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くさ
れる。而乍ら、この様な場合支持体の製造上及び
取扱い上、機械的強度等の点から、通常は、10μ
以上とされる。次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概
略について説明する。第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示
す。図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、
本発明の夫々の層を形成するための原料ガスが密
封されており、その１例としてたとえば１１０２
は、Heで稀釈されたSiH₄ガス（純度99.999％，
以下SiH₄／Heと略す。）ボンベ、１１０３はHe
で稀釈されたB₂H₆ガス（純度99.999％，以下
B₂H₆／Heと略す。）ボンベ、１１０４はHeで稀
釈されたPH₃ガス（純度99.99％，以下PH₃／He
と略す。）ボンベ、１１０５はNoガス（純度
99.999％）ボンベ、１１０６はC₂H₄ガス（純度
99.99％）ボンベである。これ等のガスを反応室１１０１に流入させるに
はガスボンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２
２〜１１２６，リークバルブ１１３５が閉じられ
ていることを確認し、又、流入バルブ１１１２〜
１１１６、流出バルブ１１１７〜１１２１、補助
バルブ１１３２がひらかれていることを確認し
て、先づメインバルブ１１３４を開いて反応室１
１０１、ガス配管内を排気する。次に真空計１１
３６の読みが約５×10^-6torrになつた時点で、補
助バルブ１１３２、流出バルブ１１１７〜１１２
１を閉じる。基体１１３７上に第一の非晶質層（）を形成
する場合の１例をあげると、ガスボンベ１１０２
よりSiH₄／Heガス、ガスボンベ１１０４より
PH₃／Heガス、ガスボンベ１１０５よりNoガス
をバルブ１１２２，１１２４，１１２５を開いて
出口圧ゲージ１１２７，１１２９，１１２０の圧
を１Kg／cm²に調整し、流入バルブ１１１２，１１
１４，１１１５を徐々に開けて、マスフロコント
ローラ１１０７，１１０９，１１１０内に流入さ
せる。引き続いて流出バルブ１１１７，１１１
９，１１２０，補助バルブ１１３２を徐々に開い
て夫々のガスを反応室１１０１に流入させる。こ
のときのSiH₄／Heガス流量とPH₃／Heガス流量
とNoガス流量との比が所望の値になるように流
出バルブ１１１７，１１１９，１１２０を調整
し、又、反応室１１０１内の圧力が所望の値にな
るように真空計１１３６の読みを見ながらメイン
バルブ１１３４の開口を調整する。そして基体１
１３７の温度が加熱ヒーター１１３８により50〜
400℃の範囲の温度に設定されていることを確認
された後、電源１１４０を所望の電力に設定して
反応室１１０１内にグロー放電を生起させ、同時
にあらかじめ設計された変化率曲線に従つて
PH₃／Heガスの流量を手動あるいは外部駆動モ
ータ等の方法によつてバルブ１１１８を漸次変化
させる操作を行なつて形成される層中に含有され
る燐原子（Ｐ）の分布濃度を制御する。上記の様にして基本１１３７上に先ず燐原子及
び酸素原子の含有された層領域（Ｐ，Ｏ）を形成
する。この際、PH₃／Heガスの反応室１１０１内へ
の導入を、対応するガス導入管のバルブを閉じる
ことによつて遮断し、燐原子の含有される層領域
の層厚を所望に従つて任意に制御することが出来
る。燐原子及び酸素原子が含有された層領域（Ｐ，
Ｏ）が上記の様にして所望層厚に形成された後、
流出バルブ１１１９を閉じて、引き続きグロー放
電を所望時間続けることによつて、燐原子と酸素
原子が含有された層領域（Ｐ，Ｏ）上に、燐原子
は含有されないが酸素原子は含有されている層領
域が所望の層厚に形成されて、第一の非晶質層
（）の形成が終了する。第一の非晶質層（）中にハロゲン原子を含有
させる場合には上記のガスに、例えばSiF₄／He
を、更に付加して反応室１１０１内に送り込む。第一の非晶質層（）の形成の際ガス種の選択
によつては、層形成速度を更に高めることが出来
る。例えばSiH₄ガスのかわりにSi₂H₆ガスを用い
て層形成を行なえば、数倍以上高めることが出
来、生産性が向上する。上記の様にして作成された第一の非晶質層
（）上に第二の非晶質層（）を形成するには、
第一の非晶質層（）の形成の際と同様なバルブ
操作によつて例えば、SiH₄ガス，C₂H₄ガスの
夫々を、必要に応じてHe等の稀釈ガスで稀釈し
て、所望の流量比で反応室１１０１中に流し、所
望の条件に従つて、グロー放電を生起させること
によつて成される。第二の非晶質層（）中に含有される炭素原子
の量は例えば、SiH₄ガスと、C₂H₄ガスの反応室
１１０１内に導入される流量比を所望に従つて任
意に変えることによつて、所望に応じて制御する
ことが出来る。夫々の層を形成する際に必要なガス以外の流出
バルブは全て閉じることは言うまでもなく、又、
夫々の層を形成する際、前層の形成に使用したガ
スが反応室１１０１内、流出バルブ１１１７〜１
１２１から反応室１１０１内に至る配管内に残留
することを避けるために、流出バルブ１１１７〜
１１２１を閉じ補助バルブ１１３２を開いてメイ
ンバルブ１１３４を全開して系内を一旦高真空に
排気する操作を必要に応じて行う。実施例１第１１図に示した製造装置を用いて燐（Ｐ）の
層領域（Ｖ）中への含有量をパラメータとして、
Al基体上に層形成を行つていつた。このときの
共通の作製条件は、第１表に示した通りである。第２表に第一の非晶質層（）を構成する層領
域（Ｖ）中に含有される燐の、基体表面からの層
厚方向の各位置に於ける分布濃度と、得られた試
料の電子写真特性の評価結果を示す。表中左欄の数字は試料番号を示す。作製した電子写真用像形成部材の各々は、帯電
−像露光−現像−転写までの一連の電子写真プロ
セスを経て転写紙上に顕像化された画像の〔濃
度〕〔解像力〕〔階調再現性〕〔耐久性〕等の優劣
をもつて総合的に評価した。

【表】

【表】実施例２実施例１に示した試料（No.101〜No.116）と同様
の層構成を有する電子写真用像形成部材を、
SiH₄／HeガスのかわりにSi₂H₆／Heガスを用い
て第３表に示す条件のもとで非晶質層（）を作
成した以外は、実施例１と同様にして作成し、同
様に評価した。その結果を第４表に示す。なお第４表でNo.201は第２表におけるNo.101と同
等の層構成を有する試料を意味している（No.202
以下全試料について同様）。

【表】

【表】実施例３実施例１における試料のうち試料No.103，No.
104，No.106，No.109，No.115と同様の層構成を有す
る電子写真用像形成部材を、SiH₄／Heガスにさ
らにSiF₄／Heガスを加えて作製した。この時、
SiH₄ガスに対するSiF₄ガスの混合比（SiF₄／
SiH₄＋SiF₄）を30vol％として、その他の作製条
件並びに操作手順は実施例１と同様にした。この様にして得られた電子写真用像形成部材を
一連の電子写真プロセスのもとで転写紙上に画像
形成し実施例１と同様にして評価したところいず
れも高濃度で高解像力を有し、階調再現性の面で
も優れていることがわかつた。実施例４実施例１及び２の層領域(B)の作成の際に、層作
成条件を下記の第５表に示す条件の中、実施例１
の場合には条件１，２，４とし、実施例２の場合
には条件３にした以外は、実施例１及び２に示し
た各条件と手順に従つて、電子写真用像形成部材
の夫々を作製し、実施例１と同様の方法で評価し
たところ、夫々に就いて特に画質、耐久性の点に
於いて良好な結果が得られた。

【表】

【表】実施例５実施例１及び２に於いて、非晶質層（）の作
成条件を下記第６表に示す各条件にした以外は、
各実施例に於けるのと同様の条件と手順に従つ
て、電子写真用像形成部材を夫々作成した。こうして得られた各電子写真用像形成部材を帯
電露光現像装置に設置し、5KVで0.2sec間コロ
ナ帯電を行い、直ちに光像を照射した。光源はタ
ングステンランプを用い、1.0lux・secの光量を
透過型のテストチヤートを用いて照射した。その後直ちに荷電性の現像剤（トナーとキヤ
リヤを含む）を電子写真用像形成部材表面をカス
ケードすることによつて、電子写真用像形成部材
表面上に良好なトナー画像を得た。このようにして得られたトナー像を一旦ゴムブ
レードでクリーニングし、再び上記作像、クリー
ニング工程を繰り返した。繰り返し回数10万回以
上行つてもいずれの電子写真用像形成部材も画像
の劣化は見られなかつた。

【表】実施例６非晶質層（）の形成時、SiH₄ガスとC₂H₄ガ
スの流量比を変えて、非晶質層（）に於けるシ
リコン原子と炭素原子の含有量比を変化させる以
外は、実施例１に於ける試料No.102，104，105，
106，109，113，114の場合と同様な方法によつて
夫々の像形成部材（試料No.601〜649）を作成し
た。こうして得られた各像形成部材につき、実施
例１に述べた如き、作像，現像，クリーニングの
工程を約５万回繰り返した後画像評価を行つたと
ころ第７表の如き結果を得た。

【表】 ◎：非常に良好 ○：良好 △：実用に充分耐える
×：画像欠陥をやや生ずる
実施例７非晶質層（）の層厚を変える以外は、実施例
１に於ける試料No.103と同様な方法によつて各像
形成部材（試料No.701〜704）を作成した。各試料
に就て実施例１に述べた如き、作像，現像，クリ
ーニングの工程を繰り返し行つて下記の結果を得
た。

【表】【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明
する為の模式的層構成図，第２図乃至第１０図は
夫々非晶質層を構成する第Ｖ族原子の含有される
層領域（Ｖ）中の第Ｖ族原子の分布状態を説明す
る為の説明図、第１１図は、本発明で使用された
装置の模式的説明図である。１００…光導電部材、１０１…支持体、１０２
…第一の非晶質層（）、１０３…層領域（Ｖ）、
１０４…層領域(B)、１０５…第二の非晶質層
（）、１０６…自由表面。

Claims

【特許請求の範囲】１光導電部材用の支持体と、シリコン原子を母
体とする非晶質材料で構成された、光導電性を有
する第一の非晶質層と、シリコン原子と炭素原子
と水素原子とを含む非晶質材料で構成された第二
の非晶質層と、を支持体側から有し、前記第一の
非晶質層が、支持体側に構成原子として周期律表
第Ｖ族に属する原子を含有する層領域（Ｖ）を有
する光導電部材において、前記層領域（Ｖ）は、Ｐ、As、Sb、およびBi
からなる群から少なくとも一つ選ばれる周期律表
第Ｖ族に属する原子の層厚方向の分布濃度が支持
体側より連続的に減少する領域を有し、前記非晶質層は、酸素原子を含有し該酸素原子
の層厚方向における分布濃度が連続的に均一であ
ることを特徴とする光導電部材。