JPH0373855B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0373855B2 JPH0373855B2 JP57042403A JP4240382A JPH0373855B2 JP H0373855 B2 JPH0373855 B2 JP H0373855B2 JP 57042403 A JP57042403 A JP 57042403A JP 4240382 A JP4240382 A JP 4240382A JP H0373855 B2 JPH0373855 B2 JP H0373855B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- atoms
- layer
- gas
- amorphous layer
- amorphous
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 86
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 54
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 13
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 12
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 6
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 259
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 115
- 238000000034 method Methods 0.000 description 35
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 27
- -1 Iodine halogen Chemical class 0.000 description 25
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 23
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 23
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 16
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 16
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 14
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 8
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 8
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 7
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 7
- 229910052990 silicon hydride Inorganic materials 0.000 description 7
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 5
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 5
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 4
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 3
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 3
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 3
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical compound CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003691 SiBr Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- KDKYADYSIPSCCQ-UHFFFAOYSA-N but-1-yne Chemical compound CCC#C KDKYADYSIPSCCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021617 Indium monochloride Inorganic materials 0.000 description 1
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical group CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- 229910018287 SbF 5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical class B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M chlorogallium Chemical compound [Ga]Cl XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- XNMQEEKYCVKGBD-UHFFFAOYSA-N dimethylacetylene Natural products CC#CC XNMQEEKYCVKGBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical compound [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 1
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 1
- YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N pentene Chemical compound CCCC=C YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003017 phosphorus Chemical class 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N propyne Chemical group CC#C MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBECUEIQVRDUKB-UHFFFAOYSA-M thallium monochloride Chemical compound [Tl]Cl GBECUEIQVRDUKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線，可視光線，赤外光線，Ｘ線，γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある光導電部材に関す
る。 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。
殊に、事務機としてオリフイスで使用される電子
写真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の
場合には、上記の使用時における無公害性は重要
な点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び耐湿
性等の使用環境特性の点、更には経時的安定性の
点において、総合的な特性向上を図る必要がある
という更に改良される可き点が存するのが実情で
ある。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に図ろうとす
ると従来においてはその使用時において残留電位
が残る場合が度々観測され、この種の光導電部材
は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用によ
る疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴース
ト現象を発する様になる等の不都合な点が少なく
なかつた。 又は、例えば、本発明者等の多くの実験によれ
ば、電子写真用像形成部材の光導電層を構成する
材料としてのａ−Siは、従来のSe，OdS，ZnO等
の無機光導電材料或いはPVCzやTNF等の有機
光導電材料に較べて、数多くの利点を有するが、
従来の太陽電池用として使用するための特性が付
与されたａ−Siから成る単層構成の光導電層を有
する電子写真用像形成部材の上記光導電層に静電
像形成のための帯電処理を施しても暗減衰
（dark decay）が著しく速く、通常の電子写真法
が仲々適用され難いこと、及び多湿雰囲気中にお
いては、上記傾向が著しく、場合によつては現像
時間まで帯電々荷を殆んど保持し得ないことがあ
る等、解決され得る可き点が存在していることが
判明している。 更に、ａ−Si材料で光導電層を構成する場合に
は、その電気的、光導電的特性の改良を図るため
に、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロ
ゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼素原
子や燐原子等が或いはその他の特性改良のために
他の原子が、各々構成原子として光導電層中に含
有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方如何
によつては、形成した層の電気的或いは光導電的
特性に問題が生ずる場合がある。 即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射に
よつて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命
が充分でないこと、或いは暗部において、支持体
側よりの電荷の注入の阻止が充分でないこと等が
生ずる場合が少なくない。 従つて、ａ−Si材料そのものの特性改良が図ら
れる一方で光導電部材を設計する際に、上記した
様な所望の電気的、光学的及び光導電的特性が得
られる様に工夫される必要がある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を読けた結果、シリコン原子を母体と
し、水素原子(H)又はハロゲン原子（Ｘ）のいずれ
か一方を少なくとも含有するアモルフアス材料
（非晶質材料）、所謂水素化アモルフアスシリコ
ン、ハロゲン化アモルフアスシリコン、或いはハ
ロゲン含有水素化アモルフアスシリコン〔以後こ
れ等の総称的表記として〔ａ−Si（Ｈ，Ｘ）」を使
用する〕から構成される光導電層を有する光導電
部材の層構成を特定化する様に設計されて作成さ
れた光導電部材は実用上著しく優れた特性を示す
ばかりでなく、従来の光導電部材と較べてみても
あらゆる点において凌駕していること、殊に電子
写真用の光導電部材として著しく優れた特性を有
していることを見出した点に基づいている。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が殆ん
ど使用環境に制御を受けず常時安定している全環
境型であり、耐光疲労に著しく長け、繰返し使用
に際しても劣化現象を起さず耐久性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を
提供することを主たる目的とする。 本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材と
して適用させた場合、静電像形成のための帯電処
理の際の電荷保持能が充分あり、通常の電子写真
法が極めて有効に適用され得る優れた電子写真特
性を有する光導電部材を提供することである。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得ることが容易にできる電子写真用の光導電
部材を提供することである。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性及び支持体との間に良好な電気的、
接触性を有する光導電部材を提供することでもあ
る。 本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体
と、シリコン原子を母体とする非晶質材料で構成
された、光導電性を有する第一の非晶質層と、シ
リコン原子と炭素原子とハロゲン原子とを含む非
晶質材料で構成された第二の非晶質層と、を支持
体側から有し、前記第一の非晶質層が、支持体側
に構成原子として周期律表第Ｖ族に属する原子を
含有する層領域（Ｖ）を有する光導電部材におい
て、前記層領域（Ｖ）は、Ｐ、As、Sb、および
Biからなる群から少なくとも一つ選ばれる周期
律表第Ｖ族に属する原子の層厚方向の分布濃度が
支持体側より連続的に減少する領域を有し、前記
非晶質層は、酸素原子を含有し該酸素原子の層厚
方向における分布濃度が連続的に均一であること
を特徴とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には帯電処理の際の電荷保持能に長け、画像
形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高SN比を有する
ものであつて耐光疲労、繰返し使用特性、殊に多
湿雰囲気中での繰返し使用特性に長け、濃度が高
く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高
い、高品質の可視画像を得ることができる。 以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
て詳細に説明する。 第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明
するために模式的に示した模式的構成図である。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）
から成る光導電性を有する第一の非晶質層（）
１０２、第二の非晶質層（）１０５とを有し、
該第一の非晶質層（）１０２は、構成原子とし
て周期律表第Ｖ族に属する原子（第Ｖ族原子）を
含有する層領域（Ｖ）１０３を支持体１０１側に
有する。 第一の非晶質層（）１０２の一部を構成する
層領域１０４には、上記の第Ｖ族原子は実質的に
含まれてない。 本発明の光導電部材に於いては、第一の非晶質
層（）中には酸素原子が含有される。 本発明に於いて第一の非晶質層（）中に含有
される酸素原子は、層厚方向及び支持体の表面に
平行な面内に於いて実質的に均一な分布状態を形
成する様に、第一の非晶質層（）の全層領域に
含有される。 本発明に於いては、第一の非晶質層（）中に
酸素原子を含有することによつて、第一の非晶質
層（）全体の高暗抵抗化と、第一の非晶質層
（）が直接設けられる支持体との間の密着性の
向上が重点的に計られている。 層領域（Ｖ）１０３に含有される第Ｖ族原子
は、層厚方向には連続的であつて且つ前記支持体
１０１の設けられてある側とは反対の側（非晶質
層（）１０２の自由表面１０５側）の方に対し
て前記支持体１０１側の方に多く分布する状態と
なる様に前記層領域（Ｖ）１０３中に含有されて
いる。 本発明において、非晶質層（）を構成する層
領域（Ｖ）中に含有される第Ｖ族原子として使用
されるのは、Ｐ（燐）、As（砒素）、Sb（アンチモ
ン）、Bi（ビスマス）等であり、殊に好適に用い
られるのはＰ，Asである。 本発明において、非晶質層（）を構成する層
領域（Ｖ）中に含有される前記第Ｖ族原子の該層
領域（Ｖ）中での分布状態は、非晶質層（）の
支持体側において、非晶質層（）側においてよ
りも多く含有されている分布状態とされる。 本発明においては、層領域（Ｖ）中に含有され
る第Ｖ族原子の分布状態は、層厚方向において
は、前記の様な分布状態を取り、支持体の表面と
平行な方向には実質的に均一な分布状態とされ
る。 第２図乃至第１０図には、本発明における光導
電部材の第一の非晶質層（）を構成する層領域
（Ｖ）中に含有される第Ｖ族原子の層厚方向の分
布状態の典型的例が示される。 酸素原子は本発明の場合、非晶質層の全層領域
中に前記した分布状態で万偏なく含有されるの
で、第２図乃至第１０図の例に於いて、以後の説
明では、酸素原子の含有される層領域（Ｏ）（非
晶質層全層領域）に就ては、殊に説明を要しない
限り言及しない。 第２図乃至第１０図において、横軸は第Ｖ族原
子の含有量Ｃを、縦軸は、光導電性を示す第一の
非晶質層（）に設けられる、第Ｖ族原子の含有
される層領域（Ｖ）の層厚を示し、tBは支持体側
の界面の位置を、tTは支持体側とは反対側の界面
の位置を示す。即ち、第Ｖ族原子の含有される層
領域（Ｖ）はtB側よりもtT側に向つて層形成がな
される。 本発明においては、第Ｖ族原子の含有される層
領域（Ｖ）は、光導電部材を構成するａ−Si（Ｈ，
Ｘ）から成り、光導電性を示す第一の非晶質層
（）の支持体側に偏在される。 第２図には、第一の非晶質層（）を構成する
層領域（Ｖ）中に含有される第Ｖ族原子の層厚方
向の分布状態の第１の典型例が示される。 第２図に示される例では、第Ｖ族原子の含有さ
れる層領域（Ｖ）が形成される表面（第１図で示
せば支持体１０１の表面）と該層領域（Ｖ）の表
面とが接する境界面位置tBよりt1の位置までは、
第Ｖ族原子の分布濃度ＣがC1なる一定の値を取
り乍ら第Ｖ族原子が形成される層領域（Ｖ）に含
有され、位置t1よりは、分布濃度C2より、境界面
位置tTに至るまで徐々に連続的に減少されてい
る。境界面位置tTにおいては第Ｖ族原子の分布濃
度ＣはC3とされる。 第３図に示される例においては、含有される第
Ｖ族原子の分布濃度Ｃは位置tBより位置tTに至る
まで分布濃度C4から徐々に連続的に減少して位
置tTにおいて分布濃度C5となる様な分布状態を形
成している。 第４図の場合には、位置tBより位置t2までは第
Ｖ族原子の分布濃度Ｃは濃度C6と一定値とされ、
位置t2と位置tTとの間において、徐々に連続的に
減少され、位置tTにおいて、分布濃度Ｃは実質的
に零とされている。 第５図の場合には、第Ｖ族原子は位置tBより位
置tTに至るまで、分布濃度C8より連続的に徐々に
減少され、位置tTにおいて実質的に零とされてい
る。 第６図に示す例においては、第Ｖ族原子の分布
濃度Ｃは、位置tBと位置t3間においては、分布濃
度C9と一定値であり位置tTにおいては分布濃度
C10とされる。位置t3と位置tTとの間では、分布濃
度Ｃは一次関数的に位置t3より位置tTに至るまで
減少されている。 第７図に示される例においては、位置tBより位
置t4までは分布濃度C11の一定値を取り、位置t4よ
り位置tTまでは分布濃度C12より分布濃度C13まで
一次関数的に減少する分布状態とされている。 第８図に示す例においては、位置tBより位置tT
に至るまで、第Ｖ族原子の分布濃度Ｃは濃度C14
より零に至る様に一次関数的に減少している。 第９図においては、位置tBより位置t5に至るま
では第Ｖ族原子の分布濃度Ｃは、分布濃度C15よ
り分布濃度C16まで一次関数的に減少され、位置
t5と位置tTとの間においては、分布濃度C16の一定
値とされた例が示されている。 第１０図に示される例においては、第Ｖ族原子
の分布濃度Ｃは位置tBにおいて分布濃度C17であ
り、位置t6に至るまではこの分布濃度C17より初
めはゆつくりと減少され、t6の位置付近において
は、急激に減少されて位置t6では分布濃度C18と
される。 位置t6と位置t7との間においては、初め急激に
減少されて、その後は、緩やかに徐々に減少され
て位置t7で分布濃度C19となり、位置t7と位置t8と
の間では、極めてゆつくりと徐々に減少されて位
置t8において、分布濃度C20に至る。位置t8と位置
tTの間においては、分布濃度C20より実質的に零
になる様に図に示す如き形状の曲線に従つて減少
されている。 以上、第２図乃至第１０図により、層領域
（Ｖ）中に含有される第Ｖ族原子の層厚方向の分
布状態の典型例の幾つかを説明した様に、本発明
においては、支持体側において、第Ｖ族原子の分
布濃度Ｃの高い部分を有し、界面tT側において
は、前記分布濃度Ｃは支持体側に較べて低くされ
た部分を有する分布状態で、第Ｖ族原子が含有さ
れた層領域（Ｖ）が第一の非晶質層（）に設け
られている。 本発明において、第一の非晶質層（）を構成
する第Ｖ族原子の含有されている層領域（Ｖ）
は、好ましくは上記した様に支持体側の方に第Ｖ
族原子が高濃度で含有されている局在領域(A)を有
する。 局在領域(A)は、第２図乃至第１０図に示す記号
を用いて説明すれば、界面位置tBより5μ以内に設
けられる。 本発明においては、上記局在領域(A)は、界面位
置tBより5μ厚までの全層領域LTとされる場合もあ
るし、又、層領域LTの一部とされる場合もある。 局在領域(A)を層領域LTの一部とするか又は全
部とするかは、形成される第一の非晶質層（）
に要求される特性に従つて適宜決められる。 局在領域(A)はその中に含有される第Ｖ族原子の
層厚方向の分布状態として第Ｖ族原子の含有量分
布値（分布濃度値）の最大値Cmaxがシリコン原
子に対して、通常は100atomic ppm以上、好適
には150atomic ppm以上、最適には200atomic
ppm以上とされる様な分布状態となり得る様に層
形成されるのが望ましい。 即ち、本発明においては、第Ｖ族原子の含有さ
れる層領域（Ｖ）は、支持体側からの層厚で5μ
以内（tBから5μ厚の層領域）に分布濃度の最大値
Cmaxが存在する様に形成される。 上記の様に層領域（Ｖ）中の支持体側の方に第
Ｖ族原子が高濃度に含有されている局在領域(A)を
設けることによつて支持体側からの第一の非晶質
層（）中への電荷の注入をより効果的に阻止す
ることが出来る。 本発明において、第Ｖ族原子の含有される前記
の層領域（Ｖ）中に含有される第Ｖ族原子の含有
量としては、本発明の目的が効果的に達成される
様に所望に従つて適宜決められるが、通常は30〜
５×104atomic ppm、好ましくは50〜１×
104atomic ppm、最適には100〜５×103atomic
ppmとされるのが望ましいものである。 本発明において、第一の非晶質層（）中に含
有される酸素原子の量に就ても形成される光導電
部材に要求される特性に応じて所望に従つて適宜
決められるが、通常の場合、0.001〜30atomic％，
好ましくは、0.002〜20atomic％，最適には0.003
〜10atomic％とされるのが望ましいものである。 本発明の光導電部材に於いては、第Ｖ族原子の
含有されている層領域（Ｖ）の層厚tB（第１図で
は層領域１０３の層厚）と、層領域（Ｖ）の上に
設けられた、第Ｖ族原子の含有されてない層領
域、即ち層領域（Ｖ）を除いた部分の層領域(B)
（第１図では層領域１０４）の層厚Ｔとは、所望
される特性の第一の非晶質層（）が支持体上に
形成される様に層設計の際に適宜目的に従つて決
定される。 本発明に於いて、第Ｖ族原子の含有される層領
域（Ｖ）の層厚tBとしては、通常30Å〜5μ、好適
には40Å〜4μ、最適には50Å〜3μとされ、層領
域(B)の層厚Ｔとしては、通常は0.2〜95μ、好適に
は0.5〜76μ、最適には１〜47μとされるのが望ま
しいものである。 又、前記層厚Ｔと層厚tBとの和（Ｔ＋tB）とし
ては、通常は１〜100μ、好適には１〜80μ、最適
には２〜50μとされるのが望ましいものである。 本発明に於いて、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第一の非晶質層（）を形成するには例えば、
グロー放電法，スパツタリング法，或いはイオン
プレーテイング法等の放電現象を利用する真空堆
積法によつて成される。 例えば、グロー放電法によつてａ−Si（Ｈ，Ｘ）
で構成される第一の非晶質層（）を形成するに
は、基本的にはシリコン原子（Si）を供給し得る
Si供給用の原料ガスと共に、水素原子(H)導入用の
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガス
を、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該
堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置
に設置されてある、所定の支持体表面上にａ−Si
（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば良い。又、
スパツタリング法で形成する場合には、例えば
Ar，He等の不活性ガス又はこれ等のガスをベー
スとした混合ガスの雰囲気中でSiで構成されたタ
ーゲツトをスパツタリングする際、水素原子(H)又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパ
ツタリング用の堆積室に導入してやれば良い。 本発明において、必要に必じて第一の非晶質層
（）中に含有されるハロゲン原子（Ｘ）として
は、具体的にはフツ素，塩素，臭素，ヨウ素が挙
げられ、殊にフツ素，塩素を好適なものとして挙
げることが出来る。 本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
としては、SiH4，Si2H6，Si3H8，Si4H10等のガ
ス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン
類）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊
に、層作成作業の扱い易さ、Si供給効率の良さ等
の点でSiH4，Si2H6が好ましいものとして挙げら
れる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が挙げられ、例えばハロゲンガス，ハロゲン
化物，ハロゲン間化合物，ハロゲンで置換された
シラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハ
ロゲン化合物が好ましく挙げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む硅素化合物も有効なものとして
本発明において挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素，塩素，臭素，
ヨウ素のハロゲンガス、BrF，ClF，ClF3，
BrF5，BrF3，IF3，IF7，ICl，IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えば、SiF4，Si2F6，SiCl4，SiBr4等の
ハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げること
が出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、Siを供給し得る原料
ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、
所定の支持体上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成り、光
導電性を有する非晶質層（）を形成する事が出
来る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む第
一の非晶質層（）を製造する場合、基本的に
は、Si供給用の原料ガスであるハロゲン化硅素ガ
スとAr，H2，He等のガス等を所定の混合比とガ
ス流量になる様にして非晶質層（）を形成する
堆積室に導入し、グロー放電を生起してこれ等の
ガスのプラズマ雰囲気を形成することによつて、
所定の支持体上に非晶質層（）を形成し得るも
のであるが、水素原子の導入を計る為にこれ等の
ガスに更に水素原子を含む硅素化合物のガスも所
定量混合して層形成しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。 反応スパツタリング法或いはイオンプレーテイ
ング法に依つてａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成る非晶質
層（）を形成するには、例えばスパツタリング
法の場合にはSiから成るターゲツトを使用して、
これを所定のガスプラズマ雰囲気中でスパツタリ
ングし、イオンプレーテイング法の場合には、多
結晶シリコン又は単結晶シリコンを蒸発源として
蒸着ボートに収容し、このシリコン蒸発源を抵抗
加熱法、或いはエレクトロンビーム法（EB法）
等によつて加熱蒸発させ飛翔蒸発物を、所定のガ
スプラズマ雰囲気中を通過させる事で行う事が出
来る。 この際、スパツタリング法，イオンプレーテイ
ング法の何れの場合にも形成される層中にハロゲ
ン原子を導入するには、前記のハロゲン化合物又
は前記のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを
堆積室中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形
成してやれば良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H2、或いは前記した
シラン類等のガスをスパツタリング用の堆積室中
に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してや
れば良い。 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物、或いはハ
ロゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用
されるものであるが、その他に、HF，HCl，
HBr，HI等のハロゲン化水素、SiH2F2，
SiH2I2，SiH2Cl2，SiHCl3，SiH2Br2，SiHBr3等
のハロゲン置換水素化硅素、等々のガス状態の或
いはガス化し得る、水素原子を構成要素の１つと
するハロゲン化物も有効な第一の非晶質層（）
形成用の出発物質として挙げる事が出来る。 これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、非晶
質層の形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効
な水素原子も導入されるので、本発明においては
好適なハロゲン導入用の原料として使用される。 水素原子を第一の非晶質層（）中に構造的に
導入するには、上記の他にH2、或いはSiH4，
Si2H6，Si3H8，Si4H10等の水素化硅素のガスを、
Siを供給する為のシリコン化合物と堆積室中に共
存させて放電を生起させる事でも行う事が出来
る。 例えば、反応スパツタリング法の場合には、Si
ターゲツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス
及びH2ガスを必要に応じてHe，Ar等の不活性ガ
スも含めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を
形成し、前記Siターゲツトをスパツタリングする
事によつて、支持体上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成
る第一の非晶質層（）が形成される。 更には、不純物のドーピングも兼ねてB2H6等
のガスを導入してやることも出来る。 本発明において、形成される光導電部材の非晶
質層（）中に含有される水素原子(H)の量又はハ
ロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原
子の量の和は、通常の場合１〜40atomic％、好
適には５〜30atomic％とされるのが望ましい。 第一の非晶質層（）中に含有される水素原子
(H)又は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御する
には、例えば支持体温度又は／及び水素原子(H)、
或いはハロゲン原子（Ｘ）を含有させる為に使用
される出発物質の堆積装置系内へ導入する量、放
電々力等を制御してやれば良い。 非晶質層（）に、第Ｖ族原子を含有する層領
域（Ｖ）を設けるには、グロー放電法や反応スパ
ツタリング法等による非晶質層（）の形成の際
に、第（Ｖ）族原子導入用の出発物質を前記した
非晶質層（）形成用の出発物質と共に使用し
て、形成される層中にその量を制御し乍ら含有し
てやる事によつて成される。 第一の非晶質層（）を構成する第Ｖ族原子の
含有される層領域（Ｖ）を形成するのにグロー放
電法を用いる場合には、該層領域（Ｖ）形成用の
原料ガスとなる出発物質としては、前記した非晶
質層（）形成用の出発物質の中から所望に従つ
て選択されたものに第Ｖ族原子導入用の出発物質
が加えられる。その様な第Ｖ族原子導入用の出発
物質としては、少なくとも第Ｖ族原子を構成原子
とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス
化したものの中の大概のものが使用され得る。 第Ｖ族原子を含有する層領域（Ｖ）に導入され
る第Ｖ族原子の含有量は、堆積室中に流入される
第Ｖ族原子導入用の出発物質のガス流量、ガス流
量比、放電パワー等を制御することによつて任意
に制御される。 層領域（Ｖ）をグロー放電法を用いて形成する
場合に第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発
明において有効に使用されるのは、燐原子導入用
としては、PH3，P2H4等の水素化燐，PH4I，
PF3，PF5，PCl3，PCl5，PBr3，PBr5，PI3等の
ハロゲン化燐が挙げられる。この他、AsH3，
AsF3，AsCl3，AsBr3，AsF5，SbH3，SbF3，
SbCl3，SbF5，SbCl5，BiH3，BiCl3，BiBr3等も
第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なものとして
挙げることが出来る。 第Ｖ族原子を含有する層領域（Ｖ）に導入され
る第Ｖ族原子の含有量は、堆積室中に導入される
第Ｖ族原子導入用の出発物質のガス流量、ガス流
量比、放電パワー、支持体温度、堆積室内の圧力
等を制御することによつて任意に制御され得る。 本発明において、第一の非晶質層（）をグロ
ー放電法で形成する際に使用される稀釈ガス、或
いはスパツタリング法で形成される際に使用され
るスパツタリング用のガスとしては、所謂稀ガ
ス、例えばHe，Ne，Ar等が好適なものとして
挙げることが出来る。 本発明の光導電部材に於いては、第Ｖ族原子の
含有される層領域（Ｖ）の上に設けられ、第Ｖ族
原子の含有されない層領域(B)（第１図では層領域
１０４に相当する）には、伝導特性を制御する物
質を含有させることにより、該層領域(B)の伝導特
性を所望に従つて任意に制御することが出来る。 この様な物質としては、所謂、半導体分野で云
われる不純物を挙げることが出来、本発明に於い
ては、形成される非晶質層を構成するａ−Si（Ｈ，
Ｘ）に対して、Ｐ型伝導特性を与えるＰ型不純
物、具体的には、周期律表第族に属する原子
（第族原子）、例えば、Ｂ（硼素），Al（アルミニ
ウム），Ga（カリウム），In（インジウム），Tl（タ
リウム）等があり、殊に好適に用いられるのは、
Ｂ，Gaである。 本発明に於いては、層領域(B)に含有される伝導
特性を制御する物質の含有量は、該層領域(B)に要
求される伝導特性、或いは該層領域(B)に直に接触
して設けられる他の層領域の特性や、該他の層領
域との接触界面に於ける特性との関係等有機的関
連性に於いて、適宜選択することが出来る。 本発明に於いて、層領域(B)中に含有される伝導
特性を制御する物質の含有量としては、通常の場
合、0.001〜1000atomic ppm、好適には0.05〜
500atomic ppm、最適には0.1〜200atomic ppm
とされるのが望ましいものである。 層領域(B)中に伝導特性を制御する物質、例えば
第族原子を構造的に導入するには、層形成の際
に第族原子導入用の出発物質をガス状態で堆積
室中に、非晶質層（）を形成する為の他の出発
物質と共に導入してやれば良い。この様な第族
原子導入用の出発物質と成り得るものとしては、
常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条件
下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望
ましい。その様な第族原子導入用の出発物質と
して具体的には硼素原子導入用としては、B2H6，
B4H10，B5H9，B5H11，B6H10，B6H12，B6H14
等の水素化硼素、BF3，BCl3，BBr3，等のハロ
ゲン化硼素等が挙げられる。この他、AlCl3，
GaCl3，Ga（CH3）3，InCl3，TlCl3等も挙げるこ
とが出来る。 第１図に示される光導電部材１００に於いては
第一の非晶質層（）１０４上に形成される第二
の非晶質層（）１０５は自由表面１０６を有
し、主に耐湿性，連続繰返し使用特性，耐圧性，
使用環境特性，耐久性に於いて本発明の目的を達
成する為に設けられる。 又、本発明に於いては、第一の非晶質層（）
１０２と第二の非晶質層（）１０５とを構成す
る非晶質材料の各々がシリコン原子という共通の
構成要素を有しているので、積層界面に於いて化
学的な安定性の確保が充分成されている。 第二の非晶質層（）１０５は、シリコン原子
と炭素原子とハロゲン原子（Ｘ）とで構成される
非晶質材料〔ａ−（SixC1-x）yX1-y，但し０＜ｘ，
ｙ＜１〕で形成される。 ａ−SixC1-x）yX1-yで構成される第二の非晶質
層（）の形成はグロー放電法，スパツタリング
法，イオンインプランテーシヨン法，イオンプレ
ーテイング法，エレクトロンビーム法等によつて
成される。これらの製造法は、製造条件，設備資
本投下の負荷程度、製造規模、作製される光導電
部材に所望される特性等の要因によつて適宜選択
されて採用されるが、所望する特性を有する光導
電部材を製造する為の作製条件の制御が比較的容
易である。シリコン原子と共に炭素原子及びハロ
ゲン原子を、作製する第二の非晶質層（）中に
導入するのが容易に行える等の利点からグロー放
電法或いはスパツターリング法が好適に採用され
る。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して第二
の非晶質層（）を形成しても良い。 グロー放電法によつて第二の非晶質層（）を
形成するには、ａ−SixC1-x）yX1-y形成用の原料
ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比
で混合して、支持体の設置してある真空堆積用の
堆積室に導入し、導入されたガスを、グロー放電
を生起させることでガスプラズマ化して前記支持
体上に既に形成されてある第一の非晶質層（）
上にａ−SixC1-x）yX1-yを堆積させれば良い。 本発明に於いて、ａ−SixC1-x）yX1-y形成用の
原料ガスとしては、シリコン原子（Si），炭素原
子(C)，ハロゲン原子（Ｘ）の中の少なくとも１つ
を構成原子とするガス状の物質又はガス化し得る
物質をガス化したものの中の大概のものが使用さ
れ得る。 Si，Ｃ，Ｘの中の１つとしてSiを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構成原
子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガ
スと、Ｘを構成原子とする原料ガスとを所望の混
合比で混合して使用するか、又はSiを構成原子と
する原料ガスと、Ｃ及びＸを構成原子とする原料
ガスとを、これも又所望の混合比で混合するか、
或いは、Siを構成原子とする原料ガスと、Si，Ｃ
及びＸの３つを構成原子とする原料ガスとを混合
して使用することが出来る。 又、別には、SiとＸとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）中に含
有されるハロゲン原子（Ｘ）として好適なのは
Ｆ，Cl，Br，Ｉであり、殊にＦ，Clが望ましい
ものである。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）は、ａ
−（SixC1-x）yX1-yで構成されるものであるが、更
に水素原子を含有させることが出来る。 第二の非晶質層（）への水素原子の含有は、
第一の非晶質層（）との連続層形成の際に原料
ガス種の一部共通化を計ることが出来るので生産
コスト面の上で好都合である。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）を形成
するのに有効に使用される原料ガスと成り得るも
のとしては、常温常圧に於いてガス状態のもの又
は容易にガス化し得る物質を挙げることが出来
る。 この様な第二の非晶質層（）形成用の物質と
しては、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素，炭
素数２〜４のエチレン系炭化水素，炭素数２〜３
のアセチレン系炭化水素，ハロゲン単体，ハロゲ
ン化水素，ハロゲン間化合物，ハロゲン化硅素，
ハロゲン置換水素化硅素，水素化硅素等を挙げる
事が出来る。 具体的には、飽和炭化水素としてはメタン
（CH4），エタン（C2H6），プロパン（C3H8），ｎ
−ブタン（ｎ−C4H10），ペンタン（C5H12），エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C2H4），
プロピレン（C3H6），ブテン−１（C4H8），ブチ
ン−２（C4H8），イソブチレン（C4H8），ペンテ
ン（C5H10），アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C2H2），メチルアセチレン
（C3H4），ブチン（C4H6），ハロゲン単体として
は、フツ素，塩素，臭素，ヨウ素のハロゲンガ
ス，ハロゲン化水素としては、FH，HI，HCl，
HBr，ハロゲン間化合物としては、BrF，ClF，
ClF3，ClF5，BrF5，BrF3，IF7，IF5，ICl，IBr，
ハロゲン化硅素としてはSiF4，Si2F6，SiCl4，
SiCl3Br，SiCl2Br2，SiClBr3，SiCl3I，SiBr4，
ハロゲン置換水素化硅素としては、SiH2F2，
SiH2Cl2，SiHCl3，SiH3Cl，SiH3Br，SiH2Br2，
SiHBr3，水素化硅素としては、SiH4，Si2H8，
Si4H10等のシラン（Silane）類、等々を挙げるこ
とが出来る。 これ等の他に、CCl4，CHF3，CH2F2，CH3F，
CH3Cl，CH3Br，CH3I，C2H5Cl等のハロゲン置
換パラフイン系炭化水素，SF4，SF8等のフツ素
化硫黄化合物，Si（CH3）4，Si（C2H5）4，等のケイ
化アルキルやSiCl（CH3）3，SiCl3CH3，SiCl2
（CH3）2，等のハロゲン含有ケイ化アルキル等の
シラン誘導体も有効なものとして挙げることが出
来る。 これ等の第二の非晶質層（）形成物質は、形
成される第二の非晶質層（）中に、所定の組成
比でシリコン原子，炭素原子及びハロゲン原子と
必要に応じて水素原子とが含有される様に、第二
の非晶質層（）の形成の際に所望に従つて選択
されて使用される。 例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
の含有が容易に成し得て且つ所望の特性の層が形
成され得るSi（CH3）4と、ハロゲン原子を含有さ
せるものとしてのSiHCl3，SiCl4，SiH2Cl2，或
いはSiH3Cl等を所定の混合比にしてガス状態で
第二の非晶質層（）形成用の装置内に導入して
グロー放電を生起させることによつてａ−（Six
C1-x）y（Cl＋Ｈ）1-yから成る第二の非晶質層
（）を形成することが出来る。 スパツターリング法によつて第二の非晶質層
（）を形成するには、単結晶又は多結晶のSiウ
エーハー又はＣウエーハー又はSiとＣが混合され
て含有されているウエーハーをターゲツトとし
て、これ等をハロゲン原子と必要に応じて水素原
子を構成要素として含む種々のガス雰囲気中でス
パツターリングすることによつて行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＣとＸを導入する為の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツターリングす
れば良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、少なくともハロゲン原子を
含有するガス雰囲気中でスパツターリングするこ
とによつて成される。Ｃ及びＸ，必要に応じてＨ
の導入用の原料ガスとなる物質としては先述した
グロー放電の例で示した第二の非晶質層（）形
成用の物質がスパツターリング法の場合にも有効
な物質として使用され得る。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）をグロ
ー放電法又はスパツターリング法で形成する際に
使用される稀釈ガスとしては、所謂稀ガス、例え
ばHe，Ne，Ar等が好適なものとして挙げるこ
とが出来る。 本発明に於ける第二の非晶質層（）は、その
要求される特性が所望通りに与えられる様に注意
深く形成される。 即ち、Si，Ｃ及びＸ，必要に応じてＨを構成原
子とする物質は、その作成条件によつて構造的に
は結晶からアモルフアスまでの形態を取り、電気
物性的には、導電性から半導体性，絶縁性までの
間の性質を、又光導電的性質から非光導電的性質
までの間の性質を、各々示すので本発明に於いて
は、目的に応じた所望の特性を有するａ−（Six
C1-x）yX1-yが形成される様に、所望に従つてその
作成条件の選択が厳密に成される。例えば、第二
の非晶質層（）を耐圧性の向上を主な目的とし
て設けるにはａ−（SixC1-x）yX1-yは使用環境に於
いて電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材料として
作成される。 又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上
を主たる目的として第二の非晶質層が設けられ
る場合には上記の電気絶縁性の度合はある程度緩
和され、照射される光に対してある程度の感度を
有する非晶質材料としてａ−（SixC1-x）yX1-yが作
成される。 第一の非晶質層（）の表面にａ−（SixC1-x）y
X1-yから成る第二の非晶質層（）を形成する
際、層形成中の支持体温度は、形成される層の構
造及び特性を左右する重要な因子であつて、本発
明に於いては、目的とする特性を有するａ−（Six
C1-x）yX1-yが所望通りに作成され得る様に層作成
時の支持体温度が厳密に制御されるのが望まし
い。 本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成さ
れる為の第二の非晶質層（）の形成法に併せて
適宜最適範囲が選択されて、第二の非晶質層
（）の形成が実行されるが、通常の場合、50〜
350℃、好適には100〜250℃とされるのが望まし
いものである。第二の非晶質層（）の形成に
は、層を構成する原子の組成比の微妙な制御や層
厚の制御が他の方法に較べて比較的容易である事
等の為に、グロー放電法やスパツタリング法の採
用が有利であるが、これ等の層形成法で第二の非
晶質層（）を形成する場合には、前記の支持体
温度と同様に層形成の際に放電パワーが作成され
るａ−（SixC1-x）yX1-yの特性を左右する重要な因
子の１つである。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ−（SixC1-x）yX1-yが生産性良く効果的に作
成される為の放電パワー条件としては、通常10〜
300W，好適には20〜200Wである。 堆積室内のガス圧は、通常は0.01〜1Torr，好
適には、0.1〜0.5Torr程度とされるのが望まし
い。 本発明に於いては第二の非晶質層（）を作成
する為の支持体温度、放電パワーの望ましい数値
範囲として前記した範囲の値が挙げられるが、こ
れ等の層作成フアクターは、独立的に別々に決め
られるものではなく、所望特性のａ−（SixC1-x）y
X1-yから成る第二の非晶質層（）が形成され
る様に相互的有機的関連性に基づいて各層作成フ
アクターの最適値が決められるのが望ましい。 本発明の光導電部材に於ける第二の非晶質層
（）に含有される炭素原子及びハロゲン原子の
量は、第二の非晶質層（）の作製条件と同様、
本発明の目的を達成する所望の特性が得られる第
二の非晶質層（）が形成される重要な因子であ
る。 本発明に於ける第二の非晶質層（）に含有さ
れる炭素原子の量は、通常１×10-3〜90atomic
％，好適には１〜90atomic％，最適には10〜
80atomic％とされるのが望ましいものである。
ハロゲン原子の含有量としては、通常の場合、１
〜20atomic％，好適には１〜18atomic％，最適
には２〜15atomic％とされるのが望ましく、こ
れらの範囲にハロゲン原子含有量がある場合に作
成される光導電部材を実際面に充分適用させ得る
ものである。必要に応じて含有される水素原子の
含有量としては、通常の場合19atomic％，好適
には13atomic％以下とされるのが望ましいもの
である。即ち先のａ−（SixC1-x）yX1-yのｘ，ｙ表
示で行えばｘが通常0.1〜0.99999，好適には0.1〜
0.99，最適には0.15〜0.9，ｙが通常0.8〜0.99，好
適には0.82〜0.99で最適には0.85〜0.98あるのが
望ましい。ハロゲン原子と水素原子の両方が含ま
れる場合、先と同様のａ−（SixC1-x）y（Ｈ＋Ｘ）1
−ｙの表示で行えばこの場合のｘ，ｙの数値範囲ａ
−（SixC1-x）yX1-yの場合と、略々同様である。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚の
数値範囲は、本発明の目的を効果的に達成する為
の重要な因子の１つである。 本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目
的に応じて適宜所望に従つて決められる。 また、第二の非晶質層（）の層厚は、第一の
層領域１０３の層厚との関係に於いても、おのお
のの層領域に要求される特性に応じた有機的な関
連性の下に所望に従つて適宜決定される必要があ
る。 更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経
済性の点に於いても考慮されるのが望ましい。本
発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚として
は、通常0.003〜30μ、好適には0.004〜20μ，最適
には0.005〜10μとされるのが望ましいものであ
る。 本発明に於いて使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NiCr，ステンレス，Al，
Cr，Mo，Au，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル，ポ
リエチレン，ポリカーボネート，セルローズ，ア
セテート，ポリプロピレン，ポリ塩化ビニル，ポ
リ塩化ビニリデン，ポリスチレン，ポリアミド等
の合成樹脂のフイルム又はシート，ガラス，セラ
ミツク，紙等が通常使用される。これ等の電気絶
縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr，
Al，Cr，Mo，Au，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，
Pd，In2O3，SnO2，ITO（In2O3＋SnO2）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr，Al，Ag，Pb，Zn，Ni，
Au，Cr，Mo，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着，電子ビーム蒸着，スパツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状，ベ
ルト状，板状等任意の形状とし得、所望によつ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１図の
光導電部材１００を電子写真用像形成部材として
使用するのであれば連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される
様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能が充
分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされ
る。而乍ら、この様な場合支持体の製造上及び取
扱い上、機械的強度等の点から、通常は、10μ以
上とされる。 次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概
略について説明する。 第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示
す。 図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、
本発明の夫々の層を形成するための原料ガスが密
封されており、その１例としてたとえば１１０２
は、Heで稀釈されたSiH4ガス（純度99.999％，
以下SiH4／Heと略す。）ボンベ、１１０３はHe
で稀釈されたB2H6ガス（純度99.999％，以下
B2H6／Heと略す。）ボンベ、１１０４はHeで稀
釈されたPH3ガス（純度99.99％，以下PH3／He
と略す。）ボンベ、１１０５はHeで稀釈された
SiF4ガス（純度99.999％，以下SiF4／Heと略
す。）ボンベ、１１０６はHeでNOガス又はC2H4
ガス（99.99％）用のボンベである。 これらのガスを反応室１１０１に流入させるに
はガスボンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２
２〜１１２６，リークバルブ１１３５が閉じられ
ていることを確認し、又、流入バルブ１１１２〜
１１１６、流出バルブ１１１７〜１１２１、補助
バルブ１１３２が開かれていることを確認して、
先づメインバルブ１１３４を開いて反応室１１０
１、ガス配管内を排気する。次に真空計１１３６
の読みが約５×10-6torrになつた時点で、補助バ
ルブ１１３２，流出バルブ１１１７〜１１２１を
閉じる。 基体１１３７上に第一の非晶質層（）を形成
する場合の１例をあげると、ガスボンベ１１０２
よりSiH4／Heガス、ガスボンベ１１０４より
PH3／Heガス，ガスボンベNOガスをバルブ１１
２２，１１２４，１１２６を開いて出口圧ゲージ
１１２７，１１２９，１１３１の圧を１Kg／cm2に
調整し、流入バルブ１１１２，１１１４，１１１
６を徐々に開けて、マスフロコントローラ１１０
７，１１０９，１１１１内に流入させる。引き続
いて流出バルブ１１１７，１１１９，１１２１補
助バルブ１１３２を徐々に開いて夫々のガスを反
応室１１０１に流入させる。このときのSiH4／
Heガス流量とPH3／Heガス流量とNOガス流量
との比が所望の値になるように流出バルブ１１１
７，１１１９，１１２１を調整し、又、反応室１
１０１内の圧力が所望の値になるように真空計１
１３６の読みを見ながらメインバルブ１１３４の
開口を調整する。そして基体１１３７の温度が加
熱ヒーター１１３８により50〜400℃の範囲の温
度に設定されていることを確認された後、電源１
１４０を所望の電力に設定して反応室１１０１内
にグロー放電を生起させ、同時にあらかじめ設計
された変化率曲線に従つてPH3／Heガスの流量
を手動あるいは外部駆動モータ等の方法によつて
バルブ１１１８を漸次変化させる操作を行なつて
形成される層中に含有される燐原子（Ｐ）の分布
濃度を制御する。 上記の様にして基体１１３７上に先ず燐原子及
び酸素原子の含有された層領域（Ｐ，Ｏ）を形成
する。 この際、PH3／Heガスの反応室１１０１内へ
の導入を対応するガス導入管のバルブを閉じるこ
とによつて遮断し、燐原子の含有される層領域の
層厚を所望に従つて任意に制御することが出来
る。 燐原子及び酸素原子が含有された層領域（Ｐ，
Ｏ）が上記の様にして所望層厚に形成された後、
流出バルブ１１１９を閉じて、引き続きグロー放
電を所望時間続けることによつて、燐原子及び酸
素原子が含有された層領域（Ｐ，Ｏ）上に、燐原
子は含有されないが酸素原子は含有されている層
領域が所望の層厚に形成されて、第一の非晶質層
（）の形成が終了する。 第一の非晶質層（）中にハロゲン原子を含有
させる場合には上記のガスに、例えばSiF4／He
を、更に付加して反応室１１０１内に送り込む。 第一の非晶質層（）の形成の際ガス種の選択
によつては、層形成速度を更に高めることが出来
る。例えばSiH4ガスのかわりにSi2H6ガスを用い
て層形成を行なえば、数倍高めることが出来、生
産性が向上する。 第一の非晶質層（）上に第二の非晶質層
（）を形成するには、例えば次の様に行う。ま
ずシヤツター１１４２を開く。すべてのガス供給
バルブは一旦閉じられ、反応室１１０１は、メイ
ンバルブ１１３４を全開することにより、排気さ
れる。 高圧電力が印加される電極１１４１上には、予
め高純度シリコンウエハ１１４２−１、及び高純
度グラフアイトウエハ１１４２−２が所望の面積
比率で設置されたターゲツトが設けられている。
ガスボンベ１１０６よりSiF4／Heガスを、反応
室１１０１内に導入し、反応室１１０１の内圧が
0.05〜1Torrとなるようメインバルブ１１３４を
調節する。高圧電源をONとし上記のターゲツト
をスパツタリングすることにより、第一の非晶質
層（）上に第二の非晶質層（）を形成するこ
とが出来る。 第二の非晶質層（）を形成する他の方法とし
ては、第一の非晶質層（）の形成の際と同様な
バルブ操作によつて例えば、SiH4ガス、SiF4ガ
ス、C2H4ガスの夫々を必要に応じてHe等の稀釈
ガスで稀釈して、所望の流量比で反応室１１０１
中に流し所望の条件に従つてグロー放電を生起さ
せることによつて成される。 夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バル
ブ以外の流出バルブは全て閉じることは言うまで
もなく、又夫々の層を形成する際、前層の形成に
使用したガスが反応室１１０１内、流出バルブ１
１１７〜１１２１から反応室１１０１内に至るガ
ス配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ１１１７〜１１２１を閉じ、補助バルブ１１
３２を開いてメインバルブ１１３４を全開して系
内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行
う。 第二の非晶質層（）中に含有される炭素原子
の量は例えば、SiH4ガスと、C2H4ガスの反応室
１１０１内に導入される流量比を所望に従つて変
えるか、或いは、スパツタリングで層形成する場
合には、ターゲツトを形成する際シリコンウエハ
とグラフアイトウエハのスパツタ面積比率を変え
るか、又はシリコン粉末とグラフアイト粉末の混
合比率を変えてターゲツトを成型することによつ
て所望に応じて制御することが出来る。第二の非
晶質層（）中に含有されるハロゲン原子（Ｘ）
の量は、ハロゲン原子導入用の原料ガス、例えば
SiF4ガスが反応室１１０１内に導入される際の流
量を調整することによつて成される。 実施例 １ 第１１図に示した製造装置を用い燐（Ｐ）の層
領域（Ｖ）中への含有量をパラメータとして、
Al基体上に層形成を行つていつた。このときの
共通の作製条件は、第１表に示した通りである。 第２表に第一の非晶質層（）を構成する層領
域（Ｖ）中に含有される燐の、基体表面からの層
厚方向の各位置に於ける分布濃度と、得られた試
料の電子写真特性の評価結果を示す。 表中左欄の数字は試料番号を示す。作製した電
子写真用像形成部材の各々は、帯電−像露光−現
像−転写までの一連の電子写真プロセスを経て転
写紙上に顕像化された画像の〔濃度〕〔解像力〕
〔階調再現性〕〔耐久性〕等の優劣をもつて総合的
に評価した。
線，可視光線，赤外光線，Ｘ線，γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある光導電部材に関す
る。 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。
殊に、事務機としてオリフイスで使用される電子
写真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の
場合には、上記の使用時における無公害性は重要
な点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び耐湿
性等の使用環境特性の点、更には経時的安定性の
点において、総合的な特性向上を図る必要がある
という更に改良される可き点が存するのが実情で
ある。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に図ろうとす
ると従来においてはその使用時において残留電位
が残る場合が度々観測され、この種の光導電部材
は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用によ
る疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴース
ト現象を発する様になる等の不都合な点が少なく
なかつた。 又は、例えば、本発明者等の多くの実験によれ
ば、電子写真用像形成部材の光導電層を構成する
材料としてのａ−Siは、従来のSe，OdS，ZnO等
の無機光導電材料或いはPVCzやTNF等の有機
光導電材料に較べて、数多くの利点を有するが、
従来の太陽電池用として使用するための特性が付
与されたａ−Siから成る単層構成の光導電層を有
する電子写真用像形成部材の上記光導電層に静電
像形成のための帯電処理を施しても暗減衰
（dark decay）が著しく速く、通常の電子写真法
が仲々適用され難いこと、及び多湿雰囲気中にお
いては、上記傾向が著しく、場合によつては現像
時間まで帯電々荷を殆んど保持し得ないことがあ
る等、解決され得る可き点が存在していることが
判明している。 更に、ａ−Si材料で光導電層を構成する場合に
は、その電気的、光導電的特性の改良を図るため
に、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロ
ゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼素原
子や燐原子等が或いはその他の特性改良のために
他の原子が、各々構成原子として光導電層中に含
有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方如何
によつては、形成した層の電気的或いは光導電的
特性に問題が生ずる場合がある。 即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射に
よつて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命
が充分でないこと、或いは暗部において、支持体
側よりの電荷の注入の阻止が充分でないこと等が
生ずる場合が少なくない。 従つて、ａ−Si材料そのものの特性改良が図ら
れる一方で光導電部材を設計する際に、上記した
様な所望の電気的、光学的及び光導電的特性が得
られる様に工夫される必要がある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を読けた結果、シリコン原子を母体と
し、水素原子(H)又はハロゲン原子（Ｘ）のいずれ
か一方を少なくとも含有するアモルフアス材料
（非晶質材料）、所謂水素化アモルフアスシリコ
ン、ハロゲン化アモルフアスシリコン、或いはハ
ロゲン含有水素化アモルフアスシリコン〔以後こ
れ等の総称的表記として〔ａ−Si（Ｈ，Ｘ）」を使
用する〕から構成される光導電層を有する光導電
部材の層構成を特定化する様に設計されて作成さ
れた光導電部材は実用上著しく優れた特性を示す
ばかりでなく、従来の光導電部材と較べてみても
あらゆる点において凌駕していること、殊に電子
写真用の光導電部材として著しく優れた特性を有
していることを見出した点に基づいている。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が殆ん
ど使用環境に制御を受けず常時安定している全環
境型であり、耐光疲労に著しく長け、繰返し使用
に際しても劣化現象を起さず耐久性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を
提供することを主たる目的とする。 本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材と
して適用させた場合、静電像形成のための帯電処
理の際の電荷保持能が充分あり、通常の電子写真
法が極めて有効に適用され得る優れた電子写真特
性を有する光導電部材を提供することである。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得ることが容易にできる電子写真用の光導電
部材を提供することである。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性及び支持体との間に良好な電気的、
接触性を有する光導電部材を提供することでもあ
る。 本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体
と、シリコン原子を母体とする非晶質材料で構成
された、光導電性を有する第一の非晶質層と、シ
リコン原子と炭素原子とハロゲン原子とを含む非
晶質材料で構成された第二の非晶質層と、を支持
体側から有し、前記第一の非晶質層が、支持体側
に構成原子として周期律表第Ｖ族に属する原子を
含有する層領域（Ｖ）を有する光導電部材におい
て、前記層領域（Ｖ）は、Ｐ、As、Sb、および
Biからなる群から少なくとも一つ選ばれる周期
律表第Ｖ族に属する原子の層厚方向の分布濃度が
支持体側より連続的に減少する領域を有し、前記
非晶質層は、酸素原子を含有し該酸素原子の層厚
方向における分布濃度が連続的に均一であること
を特徴とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には帯電処理の際の電荷保持能に長け、画像
形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高SN比を有する
ものであつて耐光疲労、繰返し使用特性、殊に多
湿雰囲気中での繰返し使用特性に長け、濃度が高
く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高
い、高品質の可視画像を得ることができる。 以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
て詳細に説明する。 第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明
するために模式的に示した模式的構成図である。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）
から成る光導電性を有する第一の非晶質層（）
１０２、第二の非晶質層（）１０５とを有し、
該第一の非晶質層（）１０２は、構成原子とし
て周期律表第Ｖ族に属する原子（第Ｖ族原子）を
含有する層領域（Ｖ）１０３を支持体１０１側に
有する。 第一の非晶質層（）１０２の一部を構成する
層領域１０４には、上記の第Ｖ族原子は実質的に
含まれてない。 本発明の光導電部材に於いては、第一の非晶質
層（）中には酸素原子が含有される。 本発明に於いて第一の非晶質層（）中に含有
される酸素原子は、層厚方向及び支持体の表面に
平行な面内に於いて実質的に均一な分布状態を形
成する様に、第一の非晶質層（）の全層領域に
含有される。 本発明に於いては、第一の非晶質層（）中に
酸素原子を含有することによつて、第一の非晶質
層（）全体の高暗抵抗化と、第一の非晶質層
（）が直接設けられる支持体との間の密着性の
向上が重点的に計られている。 層領域（Ｖ）１０３に含有される第Ｖ族原子
は、層厚方向には連続的であつて且つ前記支持体
１０１の設けられてある側とは反対の側（非晶質
層（）１０２の自由表面１０５側）の方に対し
て前記支持体１０１側の方に多く分布する状態と
なる様に前記層領域（Ｖ）１０３中に含有されて
いる。 本発明において、非晶質層（）を構成する層
領域（Ｖ）中に含有される第Ｖ族原子として使用
されるのは、Ｐ（燐）、As（砒素）、Sb（アンチモ
ン）、Bi（ビスマス）等であり、殊に好適に用い
られるのはＰ，Asである。 本発明において、非晶質層（）を構成する層
領域（Ｖ）中に含有される前記第Ｖ族原子の該層
領域（Ｖ）中での分布状態は、非晶質層（）の
支持体側において、非晶質層（）側においてよ
りも多く含有されている分布状態とされる。 本発明においては、層領域（Ｖ）中に含有され
る第Ｖ族原子の分布状態は、層厚方向において
は、前記の様な分布状態を取り、支持体の表面と
平行な方向には実質的に均一な分布状態とされ
る。 第２図乃至第１０図には、本発明における光導
電部材の第一の非晶質層（）を構成する層領域
（Ｖ）中に含有される第Ｖ族原子の層厚方向の分
布状態の典型的例が示される。 酸素原子は本発明の場合、非晶質層の全層領域
中に前記した分布状態で万偏なく含有されるの
で、第２図乃至第１０図の例に於いて、以後の説
明では、酸素原子の含有される層領域（Ｏ）（非
晶質層全層領域）に就ては、殊に説明を要しない
限り言及しない。 第２図乃至第１０図において、横軸は第Ｖ族原
子の含有量Ｃを、縦軸は、光導電性を示す第一の
非晶質層（）に設けられる、第Ｖ族原子の含有
される層領域（Ｖ）の層厚を示し、tBは支持体側
の界面の位置を、tTは支持体側とは反対側の界面
の位置を示す。即ち、第Ｖ族原子の含有される層
領域（Ｖ）はtB側よりもtT側に向つて層形成がな
される。 本発明においては、第Ｖ族原子の含有される層
領域（Ｖ）は、光導電部材を構成するａ−Si（Ｈ，
Ｘ）から成り、光導電性を示す第一の非晶質層
（）の支持体側に偏在される。 第２図には、第一の非晶質層（）を構成する
層領域（Ｖ）中に含有される第Ｖ族原子の層厚方
向の分布状態の第１の典型例が示される。 第２図に示される例では、第Ｖ族原子の含有さ
れる層領域（Ｖ）が形成される表面（第１図で示
せば支持体１０１の表面）と該層領域（Ｖ）の表
面とが接する境界面位置tBよりt1の位置までは、
第Ｖ族原子の分布濃度ＣがC1なる一定の値を取
り乍ら第Ｖ族原子が形成される層領域（Ｖ）に含
有され、位置t1よりは、分布濃度C2より、境界面
位置tTに至るまで徐々に連続的に減少されてい
る。境界面位置tTにおいては第Ｖ族原子の分布濃
度ＣはC3とされる。 第３図に示される例においては、含有される第
Ｖ族原子の分布濃度Ｃは位置tBより位置tTに至る
まで分布濃度C4から徐々に連続的に減少して位
置tTにおいて分布濃度C5となる様な分布状態を形
成している。 第４図の場合には、位置tBより位置t2までは第
Ｖ族原子の分布濃度Ｃは濃度C6と一定値とされ、
位置t2と位置tTとの間において、徐々に連続的に
減少され、位置tTにおいて、分布濃度Ｃは実質的
に零とされている。 第５図の場合には、第Ｖ族原子は位置tBより位
置tTに至るまで、分布濃度C8より連続的に徐々に
減少され、位置tTにおいて実質的に零とされてい
る。 第６図に示す例においては、第Ｖ族原子の分布
濃度Ｃは、位置tBと位置t3間においては、分布濃
度C9と一定値であり位置tTにおいては分布濃度
C10とされる。位置t3と位置tTとの間では、分布濃
度Ｃは一次関数的に位置t3より位置tTに至るまで
減少されている。 第７図に示される例においては、位置tBより位
置t4までは分布濃度C11の一定値を取り、位置t4よ
り位置tTまでは分布濃度C12より分布濃度C13まで
一次関数的に減少する分布状態とされている。 第８図に示す例においては、位置tBより位置tT
に至るまで、第Ｖ族原子の分布濃度Ｃは濃度C14
より零に至る様に一次関数的に減少している。 第９図においては、位置tBより位置t5に至るま
では第Ｖ族原子の分布濃度Ｃは、分布濃度C15よ
り分布濃度C16まで一次関数的に減少され、位置
t5と位置tTとの間においては、分布濃度C16の一定
値とされた例が示されている。 第１０図に示される例においては、第Ｖ族原子
の分布濃度Ｃは位置tBにおいて分布濃度C17であ
り、位置t6に至るまではこの分布濃度C17より初
めはゆつくりと減少され、t6の位置付近において
は、急激に減少されて位置t6では分布濃度C18と
される。 位置t6と位置t7との間においては、初め急激に
減少されて、その後は、緩やかに徐々に減少され
て位置t7で分布濃度C19となり、位置t7と位置t8と
の間では、極めてゆつくりと徐々に減少されて位
置t8において、分布濃度C20に至る。位置t8と位置
tTの間においては、分布濃度C20より実質的に零
になる様に図に示す如き形状の曲線に従つて減少
されている。 以上、第２図乃至第１０図により、層領域
（Ｖ）中に含有される第Ｖ族原子の層厚方向の分
布状態の典型例の幾つかを説明した様に、本発明
においては、支持体側において、第Ｖ族原子の分
布濃度Ｃの高い部分を有し、界面tT側において
は、前記分布濃度Ｃは支持体側に較べて低くされ
た部分を有する分布状態で、第Ｖ族原子が含有さ
れた層領域（Ｖ）が第一の非晶質層（）に設け
られている。 本発明において、第一の非晶質層（）を構成
する第Ｖ族原子の含有されている層領域（Ｖ）
は、好ましくは上記した様に支持体側の方に第Ｖ
族原子が高濃度で含有されている局在領域(A)を有
する。 局在領域(A)は、第２図乃至第１０図に示す記号
を用いて説明すれば、界面位置tBより5μ以内に設
けられる。 本発明においては、上記局在領域(A)は、界面位
置tBより5μ厚までの全層領域LTとされる場合もあ
るし、又、層領域LTの一部とされる場合もある。 局在領域(A)を層領域LTの一部とするか又は全
部とするかは、形成される第一の非晶質層（）
に要求される特性に従つて適宜決められる。 局在領域(A)はその中に含有される第Ｖ族原子の
層厚方向の分布状態として第Ｖ族原子の含有量分
布値（分布濃度値）の最大値Cmaxがシリコン原
子に対して、通常は100atomic ppm以上、好適
には150atomic ppm以上、最適には200atomic
ppm以上とされる様な分布状態となり得る様に層
形成されるのが望ましい。 即ち、本発明においては、第Ｖ族原子の含有さ
れる層領域（Ｖ）は、支持体側からの層厚で5μ
以内（tBから5μ厚の層領域）に分布濃度の最大値
Cmaxが存在する様に形成される。 上記の様に層領域（Ｖ）中の支持体側の方に第
Ｖ族原子が高濃度に含有されている局在領域(A)を
設けることによつて支持体側からの第一の非晶質
層（）中への電荷の注入をより効果的に阻止す
ることが出来る。 本発明において、第Ｖ族原子の含有される前記
の層領域（Ｖ）中に含有される第Ｖ族原子の含有
量としては、本発明の目的が効果的に達成される
様に所望に従つて適宜決められるが、通常は30〜
５×104atomic ppm、好ましくは50〜１×
104atomic ppm、最適には100〜５×103atomic
ppmとされるのが望ましいものである。 本発明において、第一の非晶質層（）中に含
有される酸素原子の量に就ても形成される光導電
部材に要求される特性に応じて所望に従つて適宜
決められるが、通常の場合、0.001〜30atomic％，
好ましくは、0.002〜20atomic％，最適には0.003
〜10atomic％とされるのが望ましいものである。 本発明の光導電部材に於いては、第Ｖ族原子の
含有されている層領域（Ｖ）の層厚tB（第１図で
は層領域１０３の層厚）と、層領域（Ｖ）の上に
設けられた、第Ｖ族原子の含有されてない層領
域、即ち層領域（Ｖ）を除いた部分の層領域(B)
（第１図では層領域１０４）の層厚Ｔとは、所望
される特性の第一の非晶質層（）が支持体上に
形成される様に層設計の際に適宜目的に従つて決
定される。 本発明に於いて、第Ｖ族原子の含有される層領
域（Ｖ）の層厚tBとしては、通常30Å〜5μ、好適
には40Å〜4μ、最適には50Å〜3μとされ、層領
域(B)の層厚Ｔとしては、通常は0.2〜95μ、好適に
は0.5〜76μ、最適には１〜47μとされるのが望ま
しいものである。 又、前記層厚Ｔと層厚tBとの和（Ｔ＋tB）とし
ては、通常は１〜100μ、好適には１〜80μ、最適
には２〜50μとされるのが望ましいものである。 本発明に於いて、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第一の非晶質層（）を形成するには例えば、
グロー放電法，スパツタリング法，或いはイオン
プレーテイング法等の放電現象を利用する真空堆
積法によつて成される。 例えば、グロー放電法によつてａ−Si（Ｈ，Ｘ）
で構成される第一の非晶質層（）を形成するに
は、基本的にはシリコン原子（Si）を供給し得る
Si供給用の原料ガスと共に、水素原子(H)導入用の
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガス
を、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該
堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置
に設置されてある、所定の支持体表面上にａ−Si
（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば良い。又、
スパツタリング法で形成する場合には、例えば
Ar，He等の不活性ガス又はこれ等のガスをベー
スとした混合ガスの雰囲気中でSiで構成されたタ
ーゲツトをスパツタリングする際、水素原子(H)又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパ
ツタリング用の堆積室に導入してやれば良い。 本発明において、必要に必じて第一の非晶質層
（）中に含有されるハロゲン原子（Ｘ）として
は、具体的にはフツ素，塩素，臭素，ヨウ素が挙
げられ、殊にフツ素，塩素を好適なものとして挙
げることが出来る。 本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
としては、SiH4，Si2H6，Si3H8，Si4H10等のガ
ス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン
類）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊
に、層作成作業の扱い易さ、Si供給効率の良さ等
の点でSiH4，Si2H6が好ましいものとして挙げら
れる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が挙げられ、例えばハロゲンガス，ハロゲン
化物，ハロゲン間化合物，ハロゲンで置換された
シラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハ
ロゲン化合物が好ましく挙げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む硅素化合物も有効なものとして
本発明において挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素，塩素，臭素，
ヨウ素のハロゲンガス、BrF，ClF，ClF3，
BrF5，BrF3，IF3，IF7，ICl，IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えば、SiF4，Si2F6，SiCl4，SiBr4等の
ハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げること
が出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、Siを供給し得る原料
ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、
所定の支持体上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成り、光
導電性を有する非晶質層（）を形成する事が出
来る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む第
一の非晶質層（）を製造する場合、基本的に
は、Si供給用の原料ガスであるハロゲン化硅素ガ
スとAr，H2，He等のガス等を所定の混合比とガ
ス流量になる様にして非晶質層（）を形成する
堆積室に導入し、グロー放電を生起してこれ等の
ガスのプラズマ雰囲気を形成することによつて、
所定の支持体上に非晶質層（）を形成し得るも
のであるが、水素原子の導入を計る為にこれ等の
ガスに更に水素原子を含む硅素化合物のガスも所
定量混合して層形成しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。 反応スパツタリング法或いはイオンプレーテイ
ング法に依つてａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成る非晶質
層（）を形成するには、例えばスパツタリング
法の場合にはSiから成るターゲツトを使用して、
これを所定のガスプラズマ雰囲気中でスパツタリ
ングし、イオンプレーテイング法の場合には、多
結晶シリコン又は単結晶シリコンを蒸発源として
蒸着ボートに収容し、このシリコン蒸発源を抵抗
加熱法、或いはエレクトロンビーム法（EB法）
等によつて加熱蒸発させ飛翔蒸発物を、所定のガ
スプラズマ雰囲気中を通過させる事で行う事が出
来る。 この際、スパツタリング法，イオンプレーテイ
ング法の何れの場合にも形成される層中にハロゲ
ン原子を導入するには、前記のハロゲン化合物又
は前記のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを
堆積室中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形
成してやれば良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H2、或いは前記した
シラン類等のガスをスパツタリング用の堆積室中
に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してや
れば良い。 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物、或いはハ
ロゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用
されるものであるが、その他に、HF，HCl，
HBr，HI等のハロゲン化水素、SiH2F2，
SiH2I2，SiH2Cl2，SiHCl3，SiH2Br2，SiHBr3等
のハロゲン置換水素化硅素、等々のガス状態の或
いはガス化し得る、水素原子を構成要素の１つと
するハロゲン化物も有効な第一の非晶質層（）
形成用の出発物質として挙げる事が出来る。 これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、非晶
質層の形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同
時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効
な水素原子も導入されるので、本発明においては
好適なハロゲン導入用の原料として使用される。 水素原子を第一の非晶質層（）中に構造的に
導入するには、上記の他にH2、或いはSiH4，
Si2H6，Si3H8，Si4H10等の水素化硅素のガスを、
Siを供給する為のシリコン化合物と堆積室中に共
存させて放電を生起させる事でも行う事が出来
る。 例えば、反応スパツタリング法の場合には、Si
ターゲツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス
及びH2ガスを必要に応じてHe，Ar等の不活性ガ
スも含めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を
形成し、前記Siターゲツトをスパツタリングする
事によつて、支持体上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成
る第一の非晶質層（）が形成される。 更には、不純物のドーピングも兼ねてB2H6等
のガスを導入してやることも出来る。 本発明において、形成される光導電部材の非晶
質層（）中に含有される水素原子(H)の量又はハ
ロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原
子の量の和は、通常の場合１〜40atomic％、好
適には５〜30atomic％とされるのが望ましい。 第一の非晶質層（）中に含有される水素原子
(H)又は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御する
には、例えば支持体温度又は／及び水素原子(H)、
或いはハロゲン原子（Ｘ）を含有させる為に使用
される出発物質の堆積装置系内へ導入する量、放
電々力等を制御してやれば良い。 非晶質層（）に、第Ｖ族原子を含有する層領
域（Ｖ）を設けるには、グロー放電法や反応スパ
ツタリング法等による非晶質層（）の形成の際
に、第（Ｖ）族原子導入用の出発物質を前記した
非晶質層（）形成用の出発物質と共に使用し
て、形成される層中にその量を制御し乍ら含有し
てやる事によつて成される。 第一の非晶質層（）を構成する第Ｖ族原子の
含有される層領域（Ｖ）を形成するのにグロー放
電法を用いる場合には、該層領域（Ｖ）形成用の
原料ガスとなる出発物質としては、前記した非晶
質層（）形成用の出発物質の中から所望に従つ
て選択されたものに第Ｖ族原子導入用の出発物質
が加えられる。その様な第Ｖ族原子導入用の出発
物質としては、少なくとも第Ｖ族原子を構成原子
とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス
化したものの中の大概のものが使用され得る。 第Ｖ族原子を含有する層領域（Ｖ）に導入され
る第Ｖ族原子の含有量は、堆積室中に流入される
第Ｖ族原子導入用の出発物質のガス流量、ガス流
量比、放電パワー等を制御することによつて任意
に制御される。 層領域（Ｖ）をグロー放電法を用いて形成する
場合に第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発
明において有効に使用されるのは、燐原子導入用
としては、PH3，P2H4等の水素化燐，PH4I，
PF3，PF5，PCl3，PCl5，PBr3，PBr5，PI3等の
ハロゲン化燐が挙げられる。この他、AsH3，
AsF3，AsCl3，AsBr3，AsF5，SbH3，SbF3，
SbCl3，SbF5，SbCl5，BiH3，BiCl3，BiBr3等も
第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なものとして
挙げることが出来る。 第Ｖ族原子を含有する層領域（Ｖ）に導入され
る第Ｖ族原子の含有量は、堆積室中に導入される
第Ｖ族原子導入用の出発物質のガス流量、ガス流
量比、放電パワー、支持体温度、堆積室内の圧力
等を制御することによつて任意に制御され得る。 本発明において、第一の非晶質層（）をグロ
ー放電法で形成する際に使用される稀釈ガス、或
いはスパツタリング法で形成される際に使用され
るスパツタリング用のガスとしては、所謂稀ガ
ス、例えばHe，Ne，Ar等が好適なものとして
挙げることが出来る。 本発明の光導電部材に於いては、第Ｖ族原子の
含有される層領域（Ｖ）の上に設けられ、第Ｖ族
原子の含有されない層領域(B)（第１図では層領域
１０４に相当する）には、伝導特性を制御する物
質を含有させることにより、該層領域(B)の伝導特
性を所望に従つて任意に制御することが出来る。 この様な物質としては、所謂、半導体分野で云
われる不純物を挙げることが出来、本発明に於い
ては、形成される非晶質層を構成するａ−Si（Ｈ，
Ｘ）に対して、Ｐ型伝導特性を与えるＰ型不純
物、具体的には、周期律表第族に属する原子
（第族原子）、例えば、Ｂ（硼素），Al（アルミニ
ウム），Ga（カリウム），In（インジウム），Tl（タ
リウム）等があり、殊に好適に用いられるのは、
Ｂ，Gaである。 本発明に於いては、層領域(B)に含有される伝導
特性を制御する物質の含有量は、該層領域(B)に要
求される伝導特性、或いは該層領域(B)に直に接触
して設けられる他の層領域の特性や、該他の層領
域との接触界面に於ける特性との関係等有機的関
連性に於いて、適宜選択することが出来る。 本発明に於いて、層領域(B)中に含有される伝導
特性を制御する物質の含有量としては、通常の場
合、0.001〜1000atomic ppm、好適には0.05〜
500atomic ppm、最適には0.1〜200atomic ppm
とされるのが望ましいものである。 層領域(B)中に伝導特性を制御する物質、例えば
第族原子を構造的に導入するには、層形成の際
に第族原子導入用の出発物質をガス状態で堆積
室中に、非晶質層（）を形成する為の他の出発
物質と共に導入してやれば良い。この様な第族
原子導入用の出発物質と成り得るものとしては、
常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条件
下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望
ましい。その様な第族原子導入用の出発物質と
して具体的には硼素原子導入用としては、B2H6，
B4H10，B5H9，B5H11，B6H10，B6H12，B6H14
等の水素化硼素、BF3，BCl3，BBr3，等のハロ
ゲン化硼素等が挙げられる。この他、AlCl3，
GaCl3，Ga（CH3）3，InCl3，TlCl3等も挙げるこ
とが出来る。 第１図に示される光導電部材１００に於いては
第一の非晶質層（）１０４上に形成される第二
の非晶質層（）１０５は自由表面１０６を有
し、主に耐湿性，連続繰返し使用特性，耐圧性，
使用環境特性，耐久性に於いて本発明の目的を達
成する為に設けられる。 又、本発明に於いては、第一の非晶質層（）
１０２と第二の非晶質層（）１０５とを構成す
る非晶質材料の各々がシリコン原子という共通の
構成要素を有しているので、積層界面に於いて化
学的な安定性の確保が充分成されている。 第二の非晶質層（）１０５は、シリコン原子
と炭素原子とハロゲン原子（Ｘ）とで構成される
非晶質材料〔ａ−（SixC1-x）yX1-y，但し０＜ｘ，
ｙ＜１〕で形成される。 ａ−SixC1-x）yX1-yで構成される第二の非晶質
層（）の形成はグロー放電法，スパツタリング
法，イオンインプランテーシヨン法，イオンプレ
ーテイング法，エレクトロンビーム法等によつて
成される。これらの製造法は、製造条件，設備資
本投下の負荷程度、製造規模、作製される光導電
部材に所望される特性等の要因によつて適宜選択
されて採用されるが、所望する特性を有する光導
電部材を製造する為の作製条件の制御が比較的容
易である。シリコン原子と共に炭素原子及びハロ
ゲン原子を、作製する第二の非晶質層（）中に
導入するのが容易に行える等の利点からグロー放
電法或いはスパツターリング法が好適に採用され
る。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して第二
の非晶質層（）を形成しても良い。 グロー放電法によつて第二の非晶質層（）を
形成するには、ａ−SixC1-x）yX1-y形成用の原料
ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比
で混合して、支持体の設置してある真空堆積用の
堆積室に導入し、導入されたガスを、グロー放電
を生起させることでガスプラズマ化して前記支持
体上に既に形成されてある第一の非晶質層（）
上にａ−SixC1-x）yX1-yを堆積させれば良い。 本発明に於いて、ａ−SixC1-x）yX1-y形成用の
原料ガスとしては、シリコン原子（Si），炭素原
子(C)，ハロゲン原子（Ｘ）の中の少なくとも１つ
を構成原子とするガス状の物質又はガス化し得る
物質をガス化したものの中の大概のものが使用さ
れ得る。 Si，Ｃ，Ｘの中の１つとしてSiを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構成原
子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガ
スと、Ｘを構成原子とする原料ガスとを所望の混
合比で混合して使用するか、又はSiを構成原子と
する原料ガスと、Ｃ及びＸを構成原子とする原料
ガスとを、これも又所望の混合比で混合するか、
或いは、Siを構成原子とする原料ガスと、Si，Ｃ
及びＸの３つを構成原子とする原料ガスとを混合
して使用することが出来る。 又、別には、SiとＸとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）中に含
有されるハロゲン原子（Ｘ）として好適なのは
Ｆ，Cl，Br，Ｉであり、殊にＦ，Clが望ましい
ものである。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）は、ａ
−（SixC1-x）yX1-yで構成されるものであるが、更
に水素原子を含有させることが出来る。 第二の非晶質層（）への水素原子の含有は、
第一の非晶質層（）との連続層形成の際に原料
ガス種の一部共通化を計ることが出来るので生産
コスト面の上で好都合である。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）を形成
するのに有効に使用される原料ガスと成り得るも
のとしては、常温常圧に於いてガス状態のもの又
は容易にガス化し得る物質を挙げることが出来
る。 この様な第二の非晶質層（）形成用の物質と
しては、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素，炭
素数２〜４のエチレン系炭化水素，炭素数２〜３
のアセチレン系炭化水素，ハロゲン単体，ハロゲ
ン化水素，ハロゲン間化合物，ハロゲン化硅素，
ハロゲン置換水素化硅素，水素化硅素等を挙げる
事が出来る。 具体的には、飽和炭化水素としてはメタン
（CH4），エタン（C2H6），プロパン（C3H8），ｎ
−ブタン（ｎ−C4H10），ペンタン（C5H12），エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C2H4），
プロピレン（C3H6），ブテン−１（C4H8），ブチ
ン−２（C4H8），イソブチレン（C4H8），ペンテ
ン（C5H10），アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C2H2），メチルアセチレン
（C3H4），ブチン（C4H6），ハロゲン単体として
は、フツ素，塩素，臭素，ヨウ素のハロゲンガ
ス，ハロゲン化水素としては、FH，HI，HCl，
HBr，ハロゲン間化合物としては、BrF，ClF，
ClF3，ClF5，BrF5，BrF3，IF7，IF5，ICl，IBr，
ハロゲン化硅素としてはSiF4，Si2F6，SiCl4，
SiCl3Br，SiCl2Br2，SiClBr3，SiCl3I，SiBr4，
ハロゲン置換水素化硅素としては、SiH2F2，
SiH2Cl2，SiHCl3，SiH3Cl，SiH3Br，SiH2Br2，
SiHBr3，水素化硅素としては、SiH4，Si2H8，
Si4H10等のシラン（Silane）類、等々を挙げるこ
とが出来る。 これ等の他に、CCl4，CHF3，CH2F2，CH3F，
CH3Cl，CH3Br，CH3I，C2H5Cl等のハロゲン置
換パラフイン系炭化水素，SF4，SF8等のフツ素
化硫黄化合物，Si（CH3）4，Si（C2H5）4，等のケイ
化アルキルやSiCl（CH3）3，SiCl3CH3，SiCl2
（CH3）2，等のハロゲン含有ケイ化アルキル等の
シラン誘導体も有効なものとして挙げることが出
来る。 これ等の第二の非晶質層（）形成物質は、形
成される第二の非晶質層（）中に、所定の組成
比でシリコン原子，炭素原子及びハロゲン原子と
必要に応じて水素原子とが含有される様に、第二
の非晶質層（）の形成の際に所望に従つて選択
されて使用される。 例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
の含有が容易に成し得て且つ所望の特性の層が形
成され得るSi（CH3）4と、ハロゲン原子を含有さ
せるものとしてのSiHCl3，SiCl4，SiH2Cl2，或
いはSiH3Cl等を所定の混合比にしてガス状態で
第二の非晶質層（）形成用の装置内に導入して
グロー放電を生起させることによつてａ−（Six
C1-x）y（Cl＋Ｈ）1-yから成る第二の非晶質層
（）を形成することが出来る。 スパツターリング法によつて第二の非晶質層
（）を形成するには、単結晶又は多結晶のSiウ
エーハー又はＣウエーハー又はSiとＣが混合され
て含有されているウエーハーをターゲツトとし
て、これ等をハロゲン原子と必要に応じて水素原
子を構成要素として含む種々のガス雰囲気中でス
パツターリングすることによつて行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＣとＸを導入する為の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツターリングす
れば良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、少なくともハロゲン原子を
含有するガス雰囲気中でスパツターリングするこ
とによつて成される。Ｃ及びＸ，必要に応じてＨ
の導入用の原料ガスとなる物質としては先述した
グロー放電の例で示した第二の非晶質層（）形
成用の物質がスパツターリング法の場合にも有効
な物質として使用され得る。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）をグロ
ー放電法又はスパツターリング法で形成する際に
使用される稀釈ガスとしては、所謂稀ガス、例え
ばHe，Ne，Ar等が好適なものとして挙げるこ
とが出来る。 本発明に於ける第二の非晶質層（）は、その
要求される特性が所望通りに与えられる様に注意
深く形成される。 即ち、Si，Ｃ及びＸ，必要に応じてＨを構成原
子とする物質は、その作成条件によつて構造的に
は結晶からアモルフアスまでの形態を取り、電気
物性的には、導電性から半導体性，絶縁性までの
間の性質を、又光導電的性質から非光導電的性質
までの間の性質を、各々示すので本発明に於いて
は、目的に応じた所望の特性を有するａ−（Six
C1-x）yX1-yが形成される様に、所望に従つてその
作成条件の選択が厳密に成される。例えば、第二
の非晶質層（）を耐圧性の向上を主な目的とし
て設けるにはａ−（SixC1-x）yX1-yは使用環境に於
いて電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材料として
作成される。 又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上
を主たる目的として第二の非晶質層が設けられ
る場合には上記の電気絶縁性の度合はある程度緩
和され、照射される光に対してある程度の感度を
有する非晶質材料としてａ−（SixC1-x）yX1-yが作
成される。 第一の非晶質層（）の表面にａ−（SixC1-x）y
X1-yから成る第二の非晶質層（）を形成する
際、層形成中の支持体温度は、形成される層の構
造及び特性を左右する重要な因子であつて、本発
明に於いては、目的とする特性を有するａ−（Six
C1-x）yX1-yが所望通りに作成され得る様に層作成
時の支持体温度が厳密に制御されるのが望まし
い。 本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成さ
れる為の第二の非晶質層（）の形成法に併せて
適宜最適範囲が選択されて、第二の非晶質層
（）の形成が実行されるが、通常の場合、50〜
350℃、好適には100〜250℃とされるのが望まし
いものである。第二の非晶質層（）の形成に
は、層を構成する原子の組成比の微妙な制御や層
厚の制御が他の方法に較べて比較的容易である事
等の為に、グロー放電法やスパツタリング法の採
用が有利であるが、これ等の層形成法で第二の非
晶質層（）を形成する場合には、前記の支持体
温度と同様に層形成の際に放電パワーが作成され
るａ−（SixC1-x）yX1-yの特性を左右する重要な因
子の１つである。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ−（SixC1-x）yX1-yが生産性良く効果的に作
成される為の放電パワー条件としては、通常10〜
300W，好適には20〜200Wである。 堆積室内のガス圧は、通常は0.01〜1Torr，好
適には、0.1〜0.5Torr程度とされるのが望まし
い。 本発明に於いては第二の非晶質層（）を作成
する為の支持体温度、放電パワーの望ましい数値
範囲として前記した範囲の値が挙げられるが、こ
れ等の層作成フアクターは、独立的に別々に決め
られるものではなく、所望特性のａ−（SixC1-x）y
X1-yから成る第二の非晶質層（）が形成され
る様に相互的有機的関連性に基づいて各層作成フ
アクターの最適値が決められるのが望ましい。 本発明の光導電部材に於ける第二の非晶質層
（）に含有される炭素原子及びハロゲン原子の
量は、第二の非晶質層（）の作製条件と同様、
本発明の目的を達成する所望の特性が得られる第
二の非晶質層（）が形成される重要な因子であ
る。 本発明に於ける第二の非晶質層（）に含有さ
れる炭素原子の量は、通常１×10-3〜90atomic
％，好適には１〜90atomic％，最適には10〜
80atomic％とされるのが望ましいものである。
ハロゲン原子の含有量としては、通常の場合、１
〜20atomic％，好適には１〜18atomic％，最適
には２〜15atomic％とされるのが望ましく、こ
れらの範囲にハロゲン原子含有量がある場合に作
成される光導電部材を実際面に充分適用させ得る
ものである。必要に応じて含有される水素原子の
含有量としては、通常の場合19atomic％，好適
には13atomic％以下とされるのが望ましいもの
である。即ち先のａ−（SixC1-x）yX1-yのｘ，ｙ表
示で行えばｘが通常0.1〜0.99999，好適には0.1〜
0.99，最適には0.15〜0.9，ｙが通常0.8〜0.99，好
適には0.82〜0.99で最適には0.85〜0.98あるのが
望ましい。ハロゲン原子と水素原子の両方が含ま
れる場合、先と同様のａ−（SixC1-x）y（Ｈ＋Ｘ）1
−ｙの表示で行えばこの場合のｘ，ｙの数値範囲ａ
−（SixC1-x）yX1-yの場合と、略々同様である。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚の
数値範囲は、本発明の目的を効果的に達成する為
の重要な因子の１つである。 本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目
的に応じて適宜所望に従つて決められる。 また、第二の非晶質層（）の層厚は、第一の
層領域１０３の層厚との関係に於いても、おのお
のの層領域に要求される特性に応じた有機的な関
連性の下に所望に従つて適宜決定される必要があ
る。 更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経
済性の点に於いても考慮されるのが望ましい。本
発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚として
は、通常0.003〜30μ、好適には0.004〜20μ，最適
には0.005〜10μとされるのが望ましいものであ
る。 本発明に於いて使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NiCr，ステンレス，Al，
Cr，Mo，Au，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル，ポ
リエチレン，ポリカーボネート，セルローズ，ア
セテート，ポリプロピレン，ポリ塩化ビニル，ポ
リ塩化ビニリデン，ポリスチレン，ポリアミド等
の合成樹脂のフイルム又はシート，ガラス，セラ
ミツク，紙等が通常使用される。これ等の電気絶
縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr，
Al，Cr，Mo，Au，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，
Pd，In2O3，SnO2，ITO（In2O3＋SnO2）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr，Al，Ag，Pb，Zn，Ni，
Au，Cr，Mo，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着，電子ビーム蒸着，スパツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状，ベ
ルト状，板状等任意の形状とし得、所望によつ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１図の
光導電部材１００を電子写真用像形成部材として
使用するのであれば連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される
様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能が充
分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされ
る。而乍ら、この様な場合支持体の製造上及び取
扱い上、機械的強度等の点から、通常は、10μ以
上とされる。 次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概
略について説明する。 第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示
す。 図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、
本発明の夫々の層を形成するための原料ガスが密
封されており、その１例としてたとえば１１０２
は、Heで稀釈されたSiH4ガス（純度99.999％，
以下SiH4／Heと略す。）ボンベ、１１０３はHe
で稀釈されたB2H6ガス（純度99.999％，以下
B2H6／Heと略す。）ボンベ、１１０４はHeで稀
釈されたPH3ガス（純度99.99％，以下PH3／He
と略す。）ボンベ、１１０５はHeで稀釈された
SiF4ガス（純度99.999％，以下SiF4／Heと略
す。）ボンベ、１１０６はHeでNOガス又はC2H4
ガス（99.99％）用のボンベである。 これらのガスを反応室１１０１に流入させるに
はガスボンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２
２〜１１２６，リークバルブ１１３５が閉じられ
ていることを確認し、又、流入バルブ１１１２〜
１１１６、流出バルブ１１１７〜１１２１、補助
バルブ１１３２が開かれていることを確認して、
先づメインバルブ１１３４を開いて反応室１１０
１、ガス配管内を排気する。次に真空計１１３６
の読みが約５×10-6torrになつた時点で、補助バ
ルブ１１３２，流出バルブ１１１７〜１１２１を
閉じる。 基体１１３７上に第一の非晶質層（）を形成
する場合の１例をあげると、ガスボンベ１１０２
よりSiH4／Heガス、ガスボンベ１１０４より
PH3／Heガス，ガスボンベNOガスをバルブ１１
２２，１１２４，１１２６を開いて出口圧ゲージ
１１２７，１１２９，１１３１の圧を１Kg／cm2に
調整し、流入バルブ１１１２，１１１４，１１１
６を徐々に開けて、マスフロコントローラ１１０
７，１１０９，１１１１内に流入させる。引き続
いて流出バルブ１１１７，１１１９，１１２１補
助バルブ１１３２を徐々に開いて夫々のガスを反
応室１１０１に流入させる。このときのSiH4／
Heガス流量とPH3／Heガス流量とNOガス流量
との比が所望の値になるように流出バルブ１１１
７，１１１９，１１２１を調整し、又、反応室１
１０１内の圧力が所望の値になるように真空計１
１３６の読みを見ながらメインバルブ１１３４の
開口を調整する。そして基体１１３７の温度が加
熱ヒーター１１３８により50〜400℃の範囲の温
度に設定されていることを確認された後、電源１
１４０を所望の電力に設定して反応室１１０１内
にグロー放電を生起させ、同時にあらかじめ設計
された変化率曲線に従つてPH3／Heガスの流量
を手動あるいは外部駆動モータ等の方法によつて
バルブ１１１８を漸次変化させる操作を行なつて
形成される層中に含有される燐原子（Ｐ）の分布
濃度を制御する。 上記の様にして基体１１３７上に先ず燐原子及
び酸素原子の含有された層領域（Ｐ，Ｏ）を形成
する。 この際、PH3／Heガスの反応室１１０１内へ
の導入を対応するガス導入管のバルブを閉じるこ
とによつて遮断し、燐原子の含有される層領域の
層厚を所望に従つて任意に制御することが出来
る。 燐原子及び酸素原子が含有された層領域（Ｐ，
Ｏ）が上記の様にして所望層厚に形成された後、
流出バルブ１１１９を閉じて、引き続きグロー放
電を所望時間続けることによつて、燐原子及び酸
素原子が含有された層領域（Ｐ，Ｏ）上に、燐原
子は含有されないが酸素原子は含有されている層
領域が所望の層厚に形成されて、第一の非晶質層
（）の形成が終了する。 第一の非晶質層（）中にハロゲン原子を含有
させる場合には上記のガスに、例えばSiF4／He
を、更に付加して反応室１１０１内に送り込む。 第一の非晶質層（）の形成の際ガス種の選択
によつては、層形成速度を更に高めることが出来
る。例えばSiH4ガスのかわりにSi2H6ガスを用い
て層形成を行なえば、数倍高めることが出来、生
産性が向上する。 第一の非晶質層（）上に第二の非晶質層
（）を形成するには、例えば次の様に行う。ま
ずシヤツター１１４２を開く。すべてのガス供給
バルブは一旦閉じられ、反応室１１０１は、メイ
ンバルブ１１３４を全開することにより、排気さ
れる。 高圧電力が印加される電極１１４１上には、予
め高純度シリコンウエハ１１４２−１、及び高純
度グラフアイトウエハ１１４２−２が所望の面積
比率で設置されたターゲツトが設けられている。
ガスボンベ１１０６よりSiF4／Heガスを、反応
室１１０１内に導入し、反応室１１０１の内圧が
0.05〜1Torrとなるようメインバルブ１１３４を
調節する。高圧電源をONとし上記のターゲツト
をスパツタリングすることにより、第一の非晶質
層（）上に第二の非晶質層（）を形成するこ
とが出来る。 第二の非晶質層（）を形成する他の方法とし
ては、第一の非晶質層（）の形成の際と同様な
バルブ操作によつて例えば、SiH4ガス、SiF4ガ
ス、C2H4ガスの夫々を必要に応じてHe等の稀釈
ガスで稀釈して、所望の流量比で反応室１１０１
中に流し所望の条件に従つてグロー放電を生起さ
せることによつて成される。 夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バル
ブ以外の流出バルブは全て閉じることは言うまで
もなく、又夫々の層を形成する際、前層の形成に
使用したガスが反応室１１０１内、流出バルブ１
１１７〜１１２１から反応室１１０１内に至るガ
ス配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ１１１７〜１１２１を閉じ、補助バルブ１１
３２を開いてメインバルブ１１３４を全開して系
内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行
う。 第二の非晶質層（）中に含有される炭素原子
の量は例えば、SiH4ガスと、C2H4ガスの反応室
１１０１内に導入される流量比を所望に従つて変
えるか、或いは、スパツタリングで層形成する場
合には、ターゲツトを形成する際シリコンウエハ
とグラフアイトウエハのスパツタ面積比率を変え
るか、又はシリコン粉末とグラフアイト粉末の混
合比率を変えてターゲツトを成型することによつ
て所望に応じて制御することが出来る。第二の非
晶質層（）中に含有されるハロゲン原子（Ｘ）
の量は、ハロゲン原子導入用の原料ガス、例えば
SiF4ガスが反応室１１０１内に導入される際の流
量を調整することによつて成される。 実施例 １ 第１１図に示した製造装置を用い燐（Ｐ）の層
領域（Ｖ）中への含有量をパラメータとして、
Al基体上に層形成を行つていつた。このときの
共通の作製条件は、第１表に示した通りである。 第２表に第一の非晶質層（）を構成する層領
域（Ｖ）中に含有される燐の、基体表面からの層
厚方向の各位置に於ける分布濃度と、得られた試
料の電子写真特性の評価結果を示す。 表中左欄の数字は試料番号を示す。作製した電
子写真用像形成部材の各々は、帯電−像露光−現
像−転写までの一連の電子写真プロセスを経て転
写紙上に顕像化された画像の〔濃度〕〔解像力〕
〔階調再現性〕〔耐久性〕等の優劣をもつて総合的
に評価した。
【表】
【表】
【表】
実施例 ２
実施例１に示した試料（No.101〜No.116）と同様
の層構成を有する電子写真用像形成部材を、
SiH4／HeガスのかわりにSi2H6／Heガスを用い
て第３表に示す条件のもとで非晶質層（）を作
成した以外は、実施例１と同様にして作成し、同
様に評価した。その結果を第４表に示す。 なお第４表でNo.201は第２表におけるNo.101と同
等の層構成を有する試料を意味している（No.202
以下全試料について同様）。
の層構成を有する電子写真用像形成部材を、
SiH4／HeガスのかわりにSi2H6／Heガスを用い
て第３表に示す条件のもとで非晶質層（）を作
成した以外は、実施例１と同様にして作成し、同
様に評価した。その結果を第４表に示す。 なお第４表でNo.201は第２表におけるNo.101と同
等の層構成を有する試料を意味している（No.202
以下全試料について同様）。
【表】
【表】
実施例 ３
実施例１における試料のうち試料No.103，No.
104，No.106，No.109，No.115と同様の層構成を有す
る電子写真用像形成部材を、SiH4／Heガスにさ
らにSiF4／Heガスを加えて作製した。この時、
SiH4ガスに対するSiF4ガスの混合比（SiF4／
SiH4＋SiF4）を30vol％とし、その他の作製条件
並びに操作手順は実施例１と同様にした。この様
にして得られた電子写真用像形成部材を一連の電
子写真プロセスのもとで転写紙上に画像形成し実
施例１と同様にして評価したところいずれも高濃
度で高解像力を有し、階調再現性の面でも優れて
いることがわかつた。 実施例 ４ 実施例１及び２の層領域(B)の作成の際に、層作
成条件を下記の第５表に示す条件の中、実施例１
の場合には条件１，２，４とし、実施例２の場合
は条件３にした以外は、実施例１及び２に示した
各条件と手順に従つて、電子写真用像形成部材の
夫々を作製し、実施例１と同様の方法で評価した
ところ、夫々に就いて特に画質，耐久性の点に於
いて良好な結果が得られた。
104，No.106，No.109，No.115と同様の層構成を有す
る電子写真用像形成部材を、SiH4／Heガスにさ
らにSiF4／Heガスを加えて作製した。この時、
SiH4ガスに対するSiF4ガスの混合比（SiF4／
SiH4＋SiF4）を30vol％とし、その他の作製条件
並びに操作手順は実施例１と同様にした。この様
にして得られた電子写真用像形成部材を一連の電
子写真プロセスのもとで転写紙上に画像形成し実
施例１と同様にして評価したところいずれも高濃
度で高解像力を有し、階調再現性の面でも優れて
いることがわかつた。 実施例 ４ 実施例１及び２の層領域(B)の作成の際に、層作
成条件を下記の第５表に示す条件の中、実施例１
の場合には条件１，２，４とし、実施例２の場合
は条件３にした以外は、実施例１及び２に示した
各条件と手順に従つて、電子写真用像形成部材の
夫々を作製し、実施例１と同様の方法で評価した
ところ、夫々に就いて特に画質，耐久性の点に於
いて良好な結果が得られた。
【表】
【表】
実施例 ５
実施例１及び２に於いて、非晶質層（）の作
成条件を下記第６表に示す各条件にした以外は、
各実施例に於けるのと同様の条件と手順に従つ
て、電子写真用像形成部材を夫々作成した。 こうして得られた各電子写真用像形成部材を帯
電露光現像装置に設置し、5kvで0.2sec間コロ
ナ帯電を行い、直ちに光像を照射した。光源はタ
ングステンランプを用い、1.0lux・secの光量を
透過型のテストチヤートを用いて照射した。 その後直ちに荷電性の現像剤（トナーとキヤ
リヤを含む）を電子写真用像形成部材表面をカス
ケードすることによつて、電子写真用像形成部材
表面上に良好なトナー画像を得た。 このようにして得られたトナー像を一旦ゴムブ
レードでクリーニングし、再び上記作像、クリー
ニング工程を繰り返した。繰り返し回数10万回以
上行つてもいずれの電子写真用像形成部材も画像
の劣化は見られなかつた。
成条件を下記第６表に示す各条件にした以外は、
各実施例に於けるのと同様の条件と手順に従つ
て、電子写真用像形成部材を夫々作成した。 こうして得られた各電子写真用像形成部材を帯
電露光現像装置に設置し、5kvで0.2sec間コロ
ナ帯電を行い、直ちに光像を照射した。光源はタ
ングステンランプを用い、1.0lux・secの光量を
透過型のテストチヤートを用いて照射した。 その後直ちに荷電性の現像剤（トナーとキヤ
リヤを含む）を電子写真用像形成部材表面をカス
ケードすることによつて、電子写真用像形成部材
表面上に良好なトナー画像を得た。 このようにして得られたトナー像を一旦ゴムブ
レードでクリーニングし、再び上記作像、クリー
ニング工程を繰り返した。繰り返し回数10万回以
上行つてもいずれの電子写真用像形成部材も画像
の劣化は見られなかつた。
【表】
実施例 ６
非晶質層（）の形成時、SiH4ガス、SiF4ガ
ス、C2H4ガスの流量比を変えて、非晶質層（）
に於けるシリコン原子と炭素原子の含有量比を変
化させる以外は、実施例１に於ける試料No.102，
104，105，106，109，113，114の場合と同様な方
法によつて夫々の像形成部材（試料No.601〜649）
を作成した。こうして得られた各像形成部材につ
き、実施例１に述べた如き、作像，現像，クリー
ニングの工程を約５万回繰り返した後、画像評価
を行つたところ第７表の如き結果を得た。
ス、C2H4ガスの流量比を変えて、非晶質層（）
に於けるシリコン原子と炭素原子の含有量比を変
化させる以外は、実施例１に於ける試料No.102，
104，105，106，109，113，114の場合と同様な方
法によつて夫々の像形成部材（試料No.601〜649）
を作成した。こうして得られた各像形成部材につ
き、実施例１に述べた如き、作像，現像，クリー
ニングの工程を約５万回繰り返した後、画像評価
を行つたところ第７表の如き結果を得た。
【表】
◎〓非常に良好 ○〓良好 △〓実用上充分で
ある ×〓画像欠陥をやや生ずる
実施例 ７ 非晶質層（）の層厚を変える以外は、実施例
１に於ける試料No.103と同様な方法によつて各像
形成部材（試料No.701〜704）を作成した。各試料
に就て実施例１に述べた如き、作像，現像，クリ
ーニングの工程を繰り返し行つて下記の結果を得
た。
ある ×〓画像欠陥をやや生ずる
実施例 ７ 非晶質層（）の層厚を変える以外は、実施例
１に於ける試料No.103と同様な方法によつて各像
形成部材（試料No.701〜704）を作成した。各試料
に就て実施例１に述べた如き、作像，現像，クリ
ーニングの工程を繰り返し行つて下記の結果を得
た。
第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明
する為の模式的層構成図、第２図乃至第１０図は
夫々非晶質層を構成する第Ｖ族原子の含有される
層領域（Ｖ）中の第Ｖ族原子の分布状態を説明す
る為の説明図、第１１図は、本発明で使用された
装置の模式的説明図である。 １００…光導電部材、１０１…支持体、１０２
…第一の非晶質層（）、１０３…層領域（Ｖ）、
１０４…層領域(B)、１０５…第二の非晶質層
（）、１０６…自由表面。
する為の模式的層構成図、第２図乃至第１０図は
夫々非晶質層を構成する第Ｖ族原子の含有される
層領域（Ｖ）中の第Ｖ族原子の分布状態を説明す
る為の説明図、第１１図は、本発明で使用された
装置の模式的説明図である。 １００…光導電部材、１０１…支持体、１０２
…第一の非晶質層（）、１０３…層領域（Ｖ）、
１０４…層領域(B)、１０５…第二の非晶質層
（）、１０６…自由表面。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光導電部材用の支持体と、シリコン原子を母
体とする非晶質材料で構成された、光導電性を有
する第一の非晶質層と、シリコン原子と炭素原子
とハロゲン原子とを含む非晶質材料で構成された
第二の非晶質層と、を支持体側から有し、前記第
一の非晶質層が、支持体側に構成原子として周期
律表第Ｖ族に属する原子を含有する層領域（Ｖ）
を有する光導電部材において、 前記層領域（Ｖ）は、Ｐ，As，Sb、およびBi
からなる群から少なくとも一つ選ばれる周期律表
第Ｖ族に属する原子の層厚方向の分布濃度が支持
体側より連続的に減少する領域を有し、 前記非晶質層は、酸素原子を含有し該酸素原子
の層厚方向における分布濃度が連続的に均一であ
ることを特徴とする光導電部材。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57042403A JPS58159541A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | 光導電部材 |
| US06/475,250 US4490454A (en) | 1982-03-17 | 1983-03-14 | Photoconductive member comprising multiple amorphous layers |
| DE19833309627 DE3309627A1 (de) | 1982-03-17 | 1983-03-17 | Fotoleitfaehiges aufzeichnungselement |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57042403A JPS58159541A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | 光導電部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58159541A JPS58159541A (ja) | 1983-09-21 |
| JPH0373855B2 true JPH0373855B2 (ja) | 1991-11-25 |
Family
ID=12635096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57042403A Granted JPS58159541A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | 光導電部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58159541A (ja) |
-
1982
- 1982-03-17 JP JP57042403A patent/JPS58159541A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58159541A (ja) | 1983-09-21 |