JPH0220100B2 - - Google Patents
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Description
本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある電子写真用光導電部
材に関する。 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。 殊に、事務機としてオフイスで使用される電子
写真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の
場合には、上記の使用時における無公害性は重要
な点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び使用
環境特性の点、更には経時的安定性及び耐久性の
点において、各々、個々には特性の向上が計られ
ているが、総合的な特性向上を計る上で更に改良
される余地が存するのが実情である。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとす
ると従来においてはその使用時において残留電位
が残る場合が度々観測され、この種の光導電部材
は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用によ
る疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴース
ト現象を発する様になる等の不都合な点が少なく
なかつた。 又、ａ−Si材料で光導電層を構成する場合に
は、その電気的、光導電的特性の改良を計るため
に、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロ
ゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼素原
子や燐原子等が或いはその他の特性改良のために
他の原子が、各々構成原子として光導電層中に含
有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方如何
によつては、形成した層の電気的或いは光導電的
特性や耐圧性に問題が生ずる場合があつた。 即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射に
よつて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命
が充分でないこと、或いは暗部において、支持体
側よりの電荷の注入の阻止が充分でないこと等が
生ずる場合があつた。 従つて、ａ−Si材料そのものの特性改良が計ら
れる一方で電子写真用光導電部材を設計する際
に、上記した様な問題の総てが解決される様に工
夫される必要がある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材に使用される光
導電部材としての適用性とその応用性という観点
から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリコ
ン原子を母体とし、水素原子（Ｈ）又はハロゲン
原子（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含有する
アモルフアス材料、所謂水素化アモルフアスシリ
コン、ハロゲン化アモルフアスシリコン或いはハ
ロゲン含有水素化アモルフアスシリコン〔以後こ
れ等の総称的表記として（ａ−Si（Ｈ，Ｘ））を使
用する〕から構成される光導電層を有する光導電
部材の層構成を以後に説明される様に特定化する
様に設計されて作成された光導電部材は実用上著
しく優れた特性を示すばかりでなく、従来の光導
電部材と較べてみてもあらゆる点において凌篤し
ていること、殊に電子写真用の光導電部材として
著しく優れた特性を有していることを見出した点
に基づいている。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が使用
環境に殆んど影響を受けず常時安定し、耐光疲労
に著しく長け、繰返し使用に際しても劣化現象を
起さず耐久性に優れ、残留電位が全く又は殆んど
観測されない電子写真用光導電部材（以下「光導
電部材」と称する。）を提供することを主たる目
的とする。 本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材と
して適用させた場合、静電像形成のための帯電処
理の際の電荷保持能が充分あり、通常の電子写真
法が極めて有効に適用され得る優れた電子写真特
性を有する光導電部材を提供することである。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得ることが容易にできる電子写真用の光導電
部材を提供することである。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性及び高耐圧性を有する光導電部材を
提供することでもある。 本発明の電子写真用光導電部材は、電子写真用
光導電部材用の支持体と、シリコン原子を母体と
する非晶質材料で構成された、光導電性を有する
層厚１〜100μの第一の非晶質層と、シリコン原
子と１×10-3〜90atomic％の炭素原子とからな
る非晶質材料で構成された層厚0.003〜30μの第二
の非晶質層とからなり、前記第一の非晶質層が、
構成原子として0.001〜50atomic％の酸素原子を
含有して前記支持体と接し第一の非晶質層の一部
を占めている第１の層領域と、構成原子として
0.001〜５×104atomic ppmの周期律表第族に
属する原子を層厚方向において実質的に均一な分
布状態で含有する層厚50μ以下の第２の層領域と
を有し、前記酸素原子の分布状態を前記支持体側
において酸素原子の分布濃度が500atomic ppm
以上の高い部分を有し前記第二の非晶質層側にお
いて前記支持体側に較べて低くされた部分を有す
る層厚方向に不均一で連続的な分布状態としたこ
とを特徴とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて、耐光疲労、繰返し
使用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い、高品質の画像を安
定して繰返し得ることができる。 以下、図面に従つて本発明の光導電部材に就て
詳細に説明する。 第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明
する為に模式的に示した模式的構成図である。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）
から成る光導電性を有する第一の非晶質層（）
１０２とシリコン原子と炭素原子とを含む非晶質
材料で構成された第二の非晶質層（）１０６を
有する。第一の非晶質層（）１０２は、層厚方
向に連続的で且つ前記支持体１０１の方に多く分
布する分布状態で、構成原子として酸素原子を含
有する第１の層領域（Ｏ）１０３と構成原子とし
て第族原子を含有する第２の層領域（）１０
４とを有する様に構成された層構造を有する。第
１図に示す例においては、第１の層領域（Ｏ）１
０３が第２の層領域（）１０４の一部を占めた
層構造を有し、第１の層領域（Ｏ）１０３及び第
２の層領域（）１０４は第一の非晶質層（）
１０２の支持体１０１側の方に偏在している。第
一の非晶質層（）１０２の上部層領域１０５に
は、酸素原子及び第族原子は実質的に含まれて
おらず、酸素原子は第１の層領域（Ｏ）１０３に
第族原子は第２の層領域（）１０４に含有さ
れている。勿論、第１の層領域（Ｏ）１０３には
第族原子も含まれている。 本発明に於いて、上記の様な層構成とするの
は、第１の層領域（Ｏ）１０３は、酸素原子の含
有によつて高暗抵抗化と支持体１０１と第一の非
晶質層（）１０２との間の密着性の向上が重点
的に計られ、上部層領域１０５には、酸素原子を
含有させずに高感度化が重点的に計られている。
第１の層領域（Ｏ）１０３に含有される酸素原子
は層厚方向に連続的で不均一な分布状態で、且つ
支持体１０１と第一の非晶質層（）１０２との
界面に平行な面内に於いては、実質的に均一な分
布状態で前記第１の層領域（Ｏ）１０３中に含有
され本発明において、第一の非晶質層（）１０
２を構成し、第族原子を含有する第２の層領域
（）１０４中に含有される第族原子としては
Ｐ（燐）、As（砒素）、Sb（アンチモン）、Bi（ビス
マス）等であり、殊に好適に用いられるのはＰ，
Asである。 本発明においては、第２の層領域（）１０４
中に含有される第族原子の分布状態は、層厚方
向において及び支持体１０１の表面と平行な面内
に於いて実質的に均一な分布状態とされる。 第１の層領域（Ｏ）１０３と上部層領域１０５
との層厚は、本発明の目的を効果的に達成させる
為の重要な因子の１つであるので形成される光導
電部材に所望の特性が充分与えられる様に、光導
電部材の設計の際に充分なる注意が払われる必要
がある。 本発明に於いて、第２の層領域（）１０４の
層厚TBは、その上限としては、通常の場合、50μ
以下、好ましくは30μ以下、最適には10μ以下と
されるのが望ましい。又、上部層領域１０５の層
厚Ｔは、その下限としては通常の場合、0.5μ以
上、好ましくは1μ以上、最適には3μ以上とされ
るのが望ましい。第２の層領域（）１０４の層
厚TBの下限及び上部層領域１０５の層厚Ｔの上
限としては、両層領域に要求される特性と第一の
非晶質（）１０２全体に要求される特性との相
互間の有機的関連性に基づいて光導電部材の層設
計の際に、所望に従つて適宜決定される。 本発明に於いては、上記の層厚TB及び層厚Ｔ
としては、TB／Ｔ≦１なる関係を満足する様に
夫々に対して適宜適切な数値が選択されるのが望
ましい。層厚TB及び層厚Ｔの数値の選択に於い
て、より好ましくは、TB／Ｔ≦0.9、最適には
TB／Ｔ≦0.8なる関係が満足される様に層厚TB及
び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいものであ
る。 第１図に示す本発明の光導電部材に於いては、
第族原子が含有されている第２の層領域（）
１０４内に第１の層領域（Ｏ）１０３が形成され
ているが、第１の層領域（Ｏ）と第２の層領域
（）とを同一層領域とすることも出来る。 又、第１の層領域（Ｏ）内に第２の層領域
（）を形成する場合も良好な実施態様例の１つ
として拳げることが出来る。 第１の層領域（Ｏ）中に含有される酸素原子の
量は、形成される光導電部材に要求される特性に
応じて所望に従つて適宜決められるが、通常の場
合、0.001〜50atomic％、好ましくは、0.002〜
40atomic％、最適には0.003〜30atomic％とされ
るのが望ましいものである。 第１の層領域（Ｏ）の層厚Toが充分厚いか又
は第一の非晶質層（）の全層厚に対する割合が
５分の２以上を越える様な場合には、第１の層領
域（Ｏ）中に含有される酸素原子の量の上限とし
ては、通常は、30atomic％以下、好ましくは
20atomic％以下、最適には10atomic％以下とさ
れるのが望ましいものである。 本発明に於ては、第一の非晶質層（）の層厚
としては、所望の電子写真特性が得られること及
び経済性等の点から通常は、１〜100μ、好適に
は１〜80μ、最適には２〜50μとされるのが望ま
しい。 第２図乃至第１０図には、本発明における光導
電部材の第一の非晶質層（）を構成する第１の
層領域（Ｏ）中に含有される酸素原子の層厚方向
の分布状態の典型的例が示される。 第２図乃至第１０図の例に於いて、第族原子
の含有される層領域（）は、層領域（Ｏ）と同
一層領域であつても、層領域（Ｏ）を内包して
も、或いは、層領域（Ｏ）の一部の層領域を共有
しても良いものであるので以後の説明に於いて
は、第族原子の含有されている層領域（）に
ついては、殊に説明を要しない限り言及しない。 第２図乃至第１０図において、横軸は酸素原子
の分布濃度Ｃを、縦軸は、光導電性を示す非晶質
層を構成し、酸素原子の含有される層領域（Ｏ）
の層厚TBを示し、tBは支持体側の界面の位置を、
tTは支持体側とは反対側の界面の位置を示す。即
ち、酸素原子の含有される層領域（Ｏ）はtB側よ
りtT側に向つて層形成がなされる。 本発明においては、酸素原子の含有される層領
域（Ｏ）は、光導電部材を構成するａ−Si（Ｈ，
Ｘ）から成り、光導電性を示す第一の非晶質層
（）の一部を占めている。 本発明において、前記層領域（Ｏ）は、第１図
の例で示せば第一の非晶質層（）の支持体１０
１側の表面を含んで第一の非晶質層（）１０２
の下部層領域に設けられるのが好ましいものであ
る。 第２図には、層領域（Ｏ）中に含有される酸素
原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示さ
れる。 第２図に示される例では、酸素原子の含有され
る層領域（Ｏ）が形成される表面と該層領域
（Ｏ）の表面とが接する界面位置tBよりt1の位置
までは、酸素原子の分布濃度ＣがC1なる一定の
値を取り乍ら酸素原子が形成される層領域（Ｏ）
に含有され、位置t1より分布濃度Ｃは界面位置tT
に至るまでC2より徐々に連続的に減少されてい
る。界面位置tTにおいては酸素原子の分布濃度Ｃ
はC3とされる。 第３図に示される例においては、含有される酸
素原子の分布濃度Ｃは位置tBより位置tTに至るま
でC4から徐々に連続的に減少して位置tTにおいて
C5となる様な分布状態を形成している。 第４図の場合には、位置tBより位置t2までは酸
素原子の分布濃度ＣはC6と一定値とされ、位置t2
と位置tTとの間において、徐々に連続的に減少さ
れ、位置tTにおいて、実質的に零とされている。 第５図の場合には、酸素原子は位置tBより位置
tTに至るまで、分布濃度ＣはC8より連続的に徐々
に減少され、位置tTにおいて実質的に零とされて
いる。 第６図に示す例においては、酸素原子の分布濃
度Ｃは、位置tBと位置t3間においては、C9と一定
値であり、位置tTにおいてはC10とされる。位置t3
と位置tTとの間では、分布濃度Ｃは一次関数的に
位置t3より位置tTに至るまで減少されている。 第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは
位置tBより位置t4までC11の一定値を取り、位置t4
より位置tTまではC12よりC13まで一次関数的に減
少する分布状態とされている。 第８図に示す例においては、位置tBより位置tT
に至るまで、酸素原子の分布濃度ＣはC14より零
に至る様に一次関数的に減少している。 第９図においては、位置tBより位置t5に至るま
では酸素原子の分布濃度Ｃは、C15よりC16まで一
次関数的に減少され、位置t5と位置tTとの間にお
いては、C16の一定値とされた例が示されている。 第１０図に示される例においては、酸素原子の
分布濃度Ｃは位置tBにおいてC17であり、位置t6に
至るまではこのC17より初めはゆつくりと減少さ
れ、t6の位置付近においては、急激に減少されて
位置t6ではC18とされる。 位置t6と位置t7との間においては、分布濃度Ｃ
は初め急激に減少されて、その後は、緩やかに
徐々に減少されて位置t7でC19となり、位置t7と位
置t8との間では、極めてゆつくりと徐々に減少さ
れて位置t8において、C20に至る。位置t8と位置tT
の間においては、分布濃度ＣはC20より実質的に
零になる様に図に示す如き形状の曲線に従つて減
少されている。 以上、第２図乃至第１０図により、層領域
（Ｏ）中に含有される酸素原子の層厚方向の分布
状態の典型例の幾つかを説明した様に、本発明に
おいては、支持体側において、酸素原子の分布濃
度Ｃの高い部分を有し、界面tT側においては、前
記分布濃度Ｃは支持体側に較べて比較的低くされ
た部分を有する分布状態で酸素原子が含有された
層領域（Ｏ）が第一の非晶質層（）に設けられ
ている。 本発明において、第一の非晶質層（）を構成
する酸素原子の含有される層領域（Ｏ）は、上記
したように支持体側の方に酸素原子が比較的高濃
度で含有されている局在領域（Ａ）を有するもの
として設けられるのが望ましく、この場合に支持
体と第一の非晶質層（）との間の密着性をより
一層向上させることが出来る。 局在領域（Ａ）は、第２図乃至第１０図に示す
記号を用いて説明すれば、界面位置tBより5μ以内
に設けられるのが望ましい。 本発明においては、上記局在領域（Ａ）は、界
面位置tBより5μ厚までの全層領域LTとされる場合
もあるし、又は、層領域LTの一部とされる場合
もある。 局在領域（Ａ）を層領域LTの一部とするか又
は全部とするかは、形成される第一の非晶質層
（）に要求される特性に従つて適宜決められる。 局在領域（Ａ）はその中に含有される酸素原子
の層厚方向の分布状態として酸素原子の分布濃度
の最大値Cmaxが、通常は500atomic ppm以上、
好適には800atomic ppm以上、最適には
1000atomic ppm以上とされる様な分布状態とな
り得る様に層形成されるのが望ましい。 即ち、本発明においては、酸素原子の含有され
る層領域（Ｏ）は、支持体側からの層厚で5μ以
内（tBから5μ厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大値
Cmaxが存在する様に形成されるのが望ましい。 本発明において、層領域（）中に含有される
第族原子の含有量としては、本発明の目的が効
果的に達成される様に所望に従つて適宜決められ
るが、通常は30〜５×104atomic ppm、好まし
くは50〜１×104atomic ppm、最適には100〜５
×103atomic ppmとされるのが望ましいもので
ある。 本発明の光導電部材に於いては、第一の非晶質
層（）の一部を構成する第２の層領域（）
に、光導電部材が帯電処理を受けた際に、支持体
側より前記第一の非晶質層（）への電荷の注入
を阻止する機能を主として担わせる場合には、第
２の層領域（）中に含有される第族原子の含
有量と、第２の層領域（）上に直に設けられる
層領域の層厚及び特性との関係に於いて、第２の
層領域（）の層厚は、前記機能が充分果される
様に適宜所望に応じて決定されることが望まし
い。 本発明に於いては、上記の点を主と考慮する場
合、第２の層領域（）の層厚としては通常30Å
〜5μ、好適には40Å〜4μ、最適には50Å〜3μと
されるのが望ましいものである。 本発明において、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第一の非晶質層（）を形成するには例えばグ
ロー放電法、スパツタリング法、或いはイオンプ
レーテイング法等の放電現象を利用する真空堆積
法によつて成される。例えば、グロー放電法によ
つて、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成される第一の非晶
質層（）を形成するには、基本的にはシリコン
原子（Si）を供給し得るSi供給用の原料ガスと共
に、水素原子（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン
原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし
得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー放
電を生起させ、予め所定位置に設置されてある所
定の支持体表面上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）からなる層
を形成させれば良い。又、スパツタリング法で形
成する場合には、例えばAr，He等の不活性ガス
又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲
気中でSiで構成されたターゲツトをスパツタリン
グする際、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原
子（Ｘ）導入用のガスをスパツタリング用の堆積
室に導入しておけば良い。 本発明において、必要に応じて第一の非晶質層
（）中に含有されるハロゲン原子（Ｘ）として
は、具体的にはフツ素、塩素、臭素、ヨウ素が拳
げられ、殊にフツ素、塩素を好適なものとして拳
げることが出来る。 本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
としては、SiH4，Si2H6，Si3H8，Si4H10等のガ
ス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン
類）が有効に使用されるものとして拳げられ、殊
に、層作成作業の扱い易さ、Si供給効率の良さ等
の点でSiH4，Si2H6が好ましいものとして拳げら
れる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が拳げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン
化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換された
シラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハ
ロゲン化合物が好ましく拳げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む硅素化合物も有効なものとして
本発明においては拳げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF，ClF，ClF3，
BrF5，BrF3，IF2，IF7，ICl，IBr等のハロゲン
間化合物を拳げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF4，Si2F6，SiCl4，SiBr4等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして拳げることが
出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、Siを供給し得る原料
ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、
所定の支持体上にハロゲン原子を含むａ−Siから
成る第一の非晶質層（）を形成する事が出来
る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む第
一の非晶質層（）を形成する場合、基本的に
は、Si供給用の原料ガスであるハロゲン化硅素ガ
スとAr，H2，He等のガス等を所定の混合比とガ
ス流量になる様にして第一の非晶質層（）を形
成する堆積室に導入し、グロー放電を生起してこ
れ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによ
つて、所定の支持体上に第一の非晶質層（）を
形成し得るものであるが、水素原子の導入を計る
為にこれ等のガスに更に水素原子を含む硅素化合
物のガスも所定量混合して層形成しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。 反応スパツタリング法或いはイオンプレーテイ
ング法に依つてａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成る第一の
非晶質層（）を形成するには、例えばスパツタ
リング法の場合にはSiから成るターゲツトを使用
して、これを所定のガスプラズマ雰囲気中でスパ
ツタリングし、イオンプレーテイング法の場合に
は、多結晶シリコン又は単結晶シリコンを蒸発源
として蒸着ボートに収容し、このシリコン蒸発源
を抵抗加熱法、或いはエレクトロンビーム法
（EB法）等によつて加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所
定のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事で行う
事が出来る。 この際、スパツタリング法、イオンプレーテイ
ング法の何れの場合にも形成される層中にハロゲ
ン原子を導入するには、前記のハロゲン化合物又
は前記のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを
堆積室中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形
成してやれば良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H2、或いは前記した
シラン類等のガスをスパツタリング用の堆積室中
に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してや
れば良い。 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF，HCl，
HBr，HI等のハロゲン化水素、SiH2F2，
SiH2I2，SiH2Cl2，SiHCl3，SiH2Br2，SiHBr3等
のハロゲン置換水素化硅素、等々のガス状態の或
いはガス化し得る、水素原子を構成要素の１つと
するハロゲン化物も有効な第一の非晶質層（）
形成用の出発物質として拳げる事が出来る。 これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、第一
の非晶質層（）形成の際に層中にハロゲン原子
の導入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に
極めて有効な水素原子も導入されるので、本発明
においては好適なハロゲン原子導入用の原料とし
て使用される。 水素原子を第一の非晶質層（）中に構造的に
導入するには、上記の他にH2、或いはSiH4，
Si2H6，Si3H8，Si4H10等の水素化硅素のガスを
Siを供給する為のシリコン化合物と堆積室中に共
存させて放電を生起させる事でも行う事が出来
る。 例えば、反応スパツタリング法の場合には、Si
ターゲツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス
及びH2ガスを必要に応じてHe，Ar等の不活性ガ
スも含めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を
形成し、前記Siターゲツトをスパツタリングする
事によつて、支持体上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成
る第一の非晶質層（）が形成される。 更には、不純物のドーピングも兼ねてB2H6等
のガスを導入してやることも出来る。 本発明において、形成される光導電部材の第一
の非晶質層（）中に含有される水素原子（Ｈ）
の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量は水素原子とハ
ロゲン原子の量の和は通常の場合１〜40atomic
％、好適には５〜30atomic％とされるのが望ま
しい。 第一の非晶質層（）中に含有される水素原子
（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御
するには、例えば支持体温度又は／及び水素原子
（Ｈ）、或いはハロゲン原子（Ｘ）を含有させる為
に使用される出発物質の堆積装置系内へ導入する
量、放電々力等を制御してやれば良い。 第一の非晶質層（）に、第族原子を含有す
る層領域（）及び酸素原子を含有する層領域
（Ｏ）を設けるには、グロー放電法や反応スパツ
タリング法等による第一の非晶質層（）の形成
の際に、第族原子導入用の出発物質及び酸素原
子導入用の出発物質を夫々前記した第一の非晶質
層（）形成用の出発物質と共に使用して、形成
される層中にその量を制御し乍ら含有してやる事
によつて成される。 第一の非晶質層（）を構成する、酸素原子の
含有される層領域（Ｏ）及び第族原子の含有さ
れる層領域（）を夫々形成するにグロー放電法
を用いる場合各層領域形成用の原料ガスとなる出
発物質としては、前記した第一の非晶質層（）
形成用の出発物質の中から所望に従つて選択され
たものに、酸素原子導入用の出発物質又は／及び
第族原子導入用の出発物質が加えられる。その
様な酸素原子導入用の出発物質又は第族原子導
入用の出発物質としては、少なくとも酸素原子或
いは第族原子を構成原子とするガス状の物質又
はガス化し得る物質をガス化したものの中の大概
のものが使用され得る。 例えば層領域（Ｏ）を形成するのであればシリ
コン原子（Si）を構成原子とする原料ガスと、酸
素原子Ｏを構成原子とする原料ガスと、必要に応
じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合
比で混合して使用するか、又は、シリコン原子
（Si）を構成原子とする原料ガスと、酸素原子Ｏ
及び水素原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスと
を、これも又所望の混合比で混合するか、或い
は、シリコン原子（Si）を構成原子とする原料ガ
スと、シリコン原子（Si）、酸素原子Ｏ及び水素
原子（Ｈ）の３つを構成原子とする原料ガスとを
混合して使用することが出来る。 又、別には、シリコン原子（Si）と水素原子
（Ｈ）とを構成原子とする原料ガスに酸素原子Ｏ
を構成原子とする原料ガスを混合して使用しても
良い。 酸素原子導入用の出発物質となるものとして具
体的には、例えば酸素（O2）、オゾン（O3）、一
酸化窒素（NO）、二酸化窒素（NO2）、一二酸化
窒素（N2O）、三二酸化窒素（N2O3）、四二酸化
窒素（N2O4）、五二酸化窒素（N2O5）、三酸化窒
素（NO3）、シリコン原子（Si）と酸素原子（Ｏ）
と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えば、
ジシロキサン（H3SiOSiH3）、トリシロキサン
（H3SiOSiH2OSiH3）等の低級シロキサン等を拳
げることが出来る。 層領域（）をグロー放電法を用いて形成する
場合に第族原子導入用の出発物質として、本発
明において有効に使用されるのは、燐原子導入用
としては、PH3，P2H4等の水素化燐、PH4I，
PF3，PF5，PCl3，PCl5，PBr3，PBr5，PI3等の
ハロゲン化燐が拳げられる。この他、AsH3，
AsF3，AsCl3，AsBr3，AsF5，SbH3，SbF3，
SbF5，SbCl3，SbCl5，BiH3，BiCl3，BiBr3等も
第族原子導入用の出発物質の有効なものとして
拳げることが出来る。 第族原子を含有する層領域（）に導入され
る第族原子の含有量は、堆積室中に流入される
第族原子導入用の出発物質のガス流量、ガス流
量比、放電パワー、支持体温度、堆積室内の圧力
等を制御することによつて任意に制御され得る。 スパツタリング法によつて、酸素原子を含有す
る層領域（Ｏ）を形成するには、単結晶又は多結
晶のSiウエーハー又はSiO2ウエーハー、又はSiと
SiO2が混合されて含有されているウエーハーを
ターゲツトとして、これ等を種々のガス雰囲気中
でスパツターリングすることによつて行えば良
い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／
及びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必
要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の
堆積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマ
を形成して前記Siウエーハーをスパツターリング
すれば良い。 又、別には、SiとSiO2とは別々のターゲツト
として、又はSiとSiO2の混合した一枚のターゲ
ツトを使用することによつて、スパツター用のガ
スとしての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも
水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を
構成原子として含有するガス雰囲気中でスパツタ
ーリングすることによつて成される。酸素原子導
入用の原料ガスとしては、先述したグロー放電の
例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料
ガスが、スパツターリングの場合にも有効なガス
として使用され得る。 本発明において、第一の非晶質層（）をグロ
ー放電法で形成する際に使用される稀釈ガス、或
いはスパツターリング法で形成される際に使用さ
れるスパツターリング用のガスとしては、所謂稀
ガス、例えばHe，Ne，Ar等が好適なものとし
て拳げることが出来る。 本発明の光導電部材に於いては、第族原子の
含有される層領域（）の上に設けられ、第族
原子の含有されない層領域（Ｂ）（第１図では層
領域１０５に相当する）には、伝導特性を制御す
る物質を含有させることにより、該層領域（Ｂ）
の伝導特性を所望に従つて任意に制御することが
出来る。 この様な物質としては、所謂、半導体分野で云
われる不純物を拳げることが出来、本発明に於い
ては、形成される非晶質層（）を構成するａ−
Si（Ｈ，Ｘ）に対して、Ｐ型伝導特性を与えるＰ
型不純物、具体的には、周期律表第族に属する
原子（第族原子）、例えば、Ｂ（硼素）、Al（ア
ルミニウム）、Ga（ガリウム）、In（インジウム）、
Tl（タリウム）等があり、殊に好適に用いられる
のは、Ｂ，Gaである。 本発明に於いて、層領域（Ｂ）に含有される伝
導特性を制御する物質の含有量は、該層領域
（Ｂ）に要求される伝導特性、或いは該層領域
（Ｂ）に直に接触して設けられる他の層領域の特
性や、該他の層領域との接触界面に於ける特性と
の関係等、有機的関連性に於いて、適宜選択する
ことが出来る。 本発明に於いて、層領域（Ｂ）中に含有される
伝導特性を制御する物質の含有量としては、通常
の場合、0.001〜1000atomic ppm、好適には0.05
〜500atomic ppm、最適には0.1〜200atomic
ppmとされるのが望ましいものである。 層領域（Ｂ）中に伝導特性を制御する物質、例
えば第族原子を構造的に導入するには、層形成
の際に第族原子導入用の出発物質をガス状態で
堆積室中に、第一の非晶質層（）を形成する為
の他の出発物質と共に導入してやれば良い。この
様な第族原子導入用の出発物質と成り得るもの
としては、常温常圧でガス状の又は、少なくとも
層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用さ
れるのが望ましい。その様な第族原子導入用の
出発物質として具体的には硼素原子導入用として
は、B2H6，B4H10，B5H9，B5H11，B6H10，
B6H12，B6H14等の水素化硼素、BF3，BCl3，
BBr3等のハロゲン化硼素等が拳げられる。この
他、AlCl3，CaCl3，Ga（CH3）3，InCl3，TlCl3等
も拳げることが出来る。 第１図に示される光導電部材１００に於いて
は、第一の非晶質層（）１０２上に形成される
第二の非晶質層（）１０６は、自由表面１０７
を有し、主に耐湿性、連続繰返し使用特性、耐圧
性、使用環境特性、耐久性に於いて本発明の目的
を達成する為に設けられる。 本発明に於いては、第一の非晶質層（）と第
二の非晶質層（）とを形成する非晶質材料の
各々がシリコン原子という共通の構成要素を有し
ているので、積層界面に於いて化学的な安定性の
確保が充分成されている。 第二の非晶質層（）は、シリコン原子と炭素
原子とで構成される非晶質材料（ａ−SiXC1-X、
但し０＜Ｘ＜１）で形成される。 ａ−SiXC1-Xで構成される第二の非晶質層（）
１０６の形成はスパツターリング法、イオンイン
プランテーシヨン法、イオンプレーテイング法、
エレクトロンビーム法等によつて成される。これ
等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程
度、製造規模、作製される光導電部材に所望され
る特性等の要因によつて適宜選択されて採用され
るが、所望する特性を有する光導電部材を製造す
る為の作製条件の制御が比較的容易である、シリ
コン原子と共に炭素原子を作製する非晶質層
（）中に導入するのが容易に行える等の利点か
らスパツターリング法或いはエレクトロンビーム
法、イオンプレーテイング法が好適に採用され
る。 スパツターリング法によつて第二の非晶質層
（）を形成するには、単結晶又は多結晶のSiウ
エーハーとＣウエーハー、又はSiとＣとが混合さ
れて含有されているウエーハーをターゲツトとし
て、これ等を種々のガス雰囲気中でスパツターリ
ングすることによつて行えば良い。 例えば、Siウエーハー及びＣウエーハーをター
ゲツトとして使用する場合には、He，Ne，Ar
等のスパツターリング用のガスを、スパツター用
の堆積室中に導入してガスプラズマを形成し、前
記Siウエーハー及びＣウエーハーをスパツターリ
ングすれば良い。 又、別には、SiとＣの混合した一枚のターゲツ
トを使用することによつて、スパツターリング用
のガスを装置系内に導入し、そのガス雰囲気中で
スパツターリングすることによつて成される。エ
レクトロンビーム法を用いる場合には２個の蒸着
ボート内に各々、単結晶又は多結晶の高純度シリ
コン及び高純度グラフアイトを入れ、各々独立に
エレクトロンビームによつて同時蒸着するか、又
は同一蒸着ボート内に所望の混合比にして入れた
シリコン及びグラフアイトを単一のエレクトロン
ビームによつて蒸着すればよい。第二の非晶質層
（）中に含有されるシリコン原子と炭素原子の
含有比は前者の場合、エレクトロンビームの加速
電圧をシリコンとグラフアイトに対して変化させ
ることによつて制御し、後者の場合は、あらかじ
めシリコンとグラフアイトの混合量を定めること
によつて制御する。イオンプレーテイング法を用
いる場合は蒸着槽内に種々のガスを導入しあらか
じめ槽の周囲にまいたコイルに高周波電界を印加
してグローをおこした状態でエレクトロンビーム
法を利用してSi及びＣを蒸着すれば良い。 本発明に於ける第二の非晶質層（）は、その
要求される特性が所望通りに与えられる様に注意
深く形成される。 即ち、Si，Ｃを構成原子とする物質は、その作
成条件によつて構造的には結晶からアモルフアス
までの形態を取り、電気物性的には導電性から半
導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導電的性
質から非光導電的性質までの間の性質を、各々示
すので、本発明に於いては、目的に応じた所望の
特性を有するａ−SiXC1-Xが形成される様に、所
望に従つてその作成条件の選択が厳密に成され
る。 例えば、第二の非晶質層（）を耐圧性の向上
を主な目的として設けるにはａ−SiXC1-Xは使用
環境に於いて電気絶縁性的拳動の顕著な非晶質材
料として作成される。 又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上
を主たる目的として第二の非晶質層（）が設け
られる場合には、上記の電気絶縁性の度合はある
程度緩和され、照射される光に対してある程度の
感度を有する非晶質材料としてａ−SiXC1-Xが作
成される。 第一の非晶質層（）の表面にａ−SiXC1-Xか
ら成る第二の非晶質層（）を形成する際、層形
成中の支持体温度は、形成される層の構造及び特
性を左右する重要な因子であつて、本発明に於い
ては、目的とする特性を有するａ−SiXC1-Xが所
望通りに作成され得る様に層作成時の支持体温度
が厳密に制御されるのが望ましい。 本発明に於ける目的が効果的に達成される為の
第二の非晶質層（）を形成する際の支持体温度
としては、第二の非晶質層（）の形成法に併せ
て適宜最適範囲が選択されて、第二の非晶質層
（）の形成が行われるが、好適には20〜300℃、
最適には20〜250℃とされるのが望ましいもので
ある。 第二の非晶質層（）の形成には、層を構成す
る原子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が他の
方法に較べて比較的容易である事等の為に、スパ
ツターリング法やエレクトロンビーム法の採用が
有利であるが、これ等の層形成法で第二の非晶質
層（）を形成する場合には、前記の支持体温度
と同様に層形成の際の放電パワーが作成されるａ
−SiXC1-Xの特性を左右する重要な因子の１つと
して拳げることが出来る。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ−SiXC1-Xが生産性良く効果的に作成され
る為の放電パワー条件としては、好適には50W〜
250W、最適には80W〜150Wとされるのが望まし
い。 本発明に於いては、第二の非晶質層（）を作
成する為の支持体温度、放電パワーの望ましい数
値範囲として前記した範囲の値が拳げられるが、
これ等の層作成フアクターは、独立的に別々に決
められるものではなく、所望特性のａ−SiXC1-X
から成る第二の非晶質層（）が形成される様に
相互的有機的関連性に基づいて各作成フアクター
の最適値が決められるのが望ましい。 本発明の光導電部材に於ける第二の非晶質層
（）に含有される炭素原子の量は、第二の非晶
質層（）の作製条件と同様、本発明の目的を達
成する所望の特性が得られる層が形成される重要
な因子である。 本発明に於ける第二の非晶質層（）に含有さ
れる炭素原子の量は、シリコン原子と炭素原子の
和に対して、通常としては、１×10-3〜
90atomic％、好適には１〜80atomic％、最適に
は10〜75atomic％とされるのが望ましいもので
ある。即ち、先のａ−SiXC1-Xの表示で行えば、
Ｘが通常は0.1〜0.99999、好適には0.2〜0.99、最
適には0.25〜0.9である。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚の
数値範囲は、本発明の目的を効果的に達成する様
に所期の目的に応じて適宜所望に従つて決められ
る。 又、第二の非晶質層（）の層厚は、該層
（）中に含有される炭素原子の量や第一の非晶
質層（）の層厚との関係に於いても、各々の層
領域に要求される特性に応じた有機的な関連性の
下に所望に従つて適宜決定される必要がある。 更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経
済性の点に於いても考慮されるのが望ましい。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚と
しては、通常0.003〜30μ、好適には0.004〜20μ、
最適には0.005〜10μとされるのが望ましいもので
ある。 本発明において使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NiCr、ステンレス、Al，
Cr，Mo，Au，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd等の
金属又はこれ等の合金が拳げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラミ
ツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面
を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr，
Al，Cr，Mo，Au，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，
Pd，In2O3，SnO2，ITO（In2O3＋SnO2）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr，Al，Ag，Pb，Zn，Ni，
Au，Cr，Mo，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ベーム蒸着、スパツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベ
ルト状、板状等任意の形状とし得、所望によつ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１図の
光導電部材１００を電子写真用像形成部材として
使用するのであれば連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される
様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能が充
分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされ
る。而乍ら、この様な場合支持体の製造上及び取
扱い上、機械的強度等の点から通常は、10μ以上
とされる。 次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概
略について説明する。 第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示
す。 図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、
本発明の夫々の層領域を形成するための原料ガス
が密封されており、その一例としてたとえば１１
０２は、Heで稀釈されたSiH4（純度99.999％、以
下SiH4／Heと略す。）ボンベ、１１０３はHeで
稀釈されたPH3ガス（純度99.999％、以下PH3／
Heと略す。）ボンベ、１１０４はArガス（純度
99.99％）ボンベ、１１０５はNOガス（純度
99.999％）ボンベ、１１０６はHeで稀釈された
SiF4ガス（純度99.999％、以下SiF4／Heと略
す。）ボンベである。 これらのガスを反応室１１０１に流入させるに
はガスボンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２
２〜１１２６、リークバルブ１１３５が閉じられ
ていることを確認し、又、流入バルブ１１１２〜
１１１６、流出バルブ１１１７〜１１２１、補助
バルブ１１３２が開かれていることを確認して先
づメインバルブ１１３４を開いて反応室１１０
１、ガス配管内を排気する。次に真空計１１３６
の読みが約５×10-6torrになつた時点で補助バル
ブ１１３２、流出バルブ１１１７〜１１２１を閉
じる。 次に基体１１３７上に第１図に示す層構成の光
導電部材を形成する場合の一例をあげる。ガスボ
ンベ１１０２よりSiH4／Heガス、ガスボンベ１
１０３よりPH3／Heガスを、ガスボンベ１１０
５よりNOガスを夫々バルブ１１２２，１１２
３，１１２５を開いて出口圧ゲージ１１２７，１
１２８，１１３０の圧を夫々１Kg／cm2に調整し、
流入バルブ１１１２，１１１３，１１１５を夫々
徐々に開けて、マスフロコントローラ１１０７，
１１０８，１１１０内に夫々流入させる。引き続
いて流出バルブ１１１７，１１１８，１１２０、
補助バルブ１１３２を徐々に開いて夫々のガスを
反応室１１０１に流入させる。このときの
SiH4／Heガス流量とPH3／Heガス流量とNOガ
ス流量との比が所望の値になるように流出バルブ
１１１７，１１１８，１１２０を調整し、又、反
応室内の圧力が所望の値になるように真空計１１
３６の読みを見ながらメインバルブ１１３４の開
口を調整する。そして基体１１３７の温度が加熱
ヒーター１１３８により50〜400℃の範囲の温度
に設定されていることを確認した後、電源１１４
０を所望の電力に設定して反応室１１０１内にグ
ロー放電を生起させ、同時にあらかじめ設計され
た変化率曲線に従つてNOガスの流量を手動ある
いは外部駆動モータ等の方法によつてバルブ１１
２０を漸次変化させる操作を行なつて形成される
層中に含有される酸素原子の層厚方向の分布濃度
を制御する。 上記の様にして、所望層厚に燐原子と酸素原子
の含有された層領域（Ｐ，Ｏ）が形成された時点
で、流出バルブ１１１８，１１２０を閉じ、反応
室１１０１内へのPH3／Heガス及びNOガスの流
入を遮断する以外は、同条件で引続き層形成を行
うことによつて、酸素原子及び燐原子の含有され
ない層領域（Ｐ，Ｏ）上に所望の層厚に形成す
る。この様にして所望特性の第一の非晶質層
（）を基体１１３７上に形成することが出来る。 燐原子の含有される層領域（）は、第一の非
晶質層（）の形成過程に於いて、適当な時点で
PH3／Heガスの反応室１１０１への流入を断つ
ことによつて、所望層厚に形成することができ、
該層領域（）が層領域（Ｏ）の全層領域を占め
る場合や一部を占める場合のいずれも実現出来
る。例えば、上記の例に於いては、層領域（Ｐ，
Ｏ）を所望層厚に形成した時点で、NOガスの反
応室１１０１内への流入を流出バルブ１１２０を
完全に閉じることによつて断つこと以外は、同条
件で引続き層形成を行うことで、層領域（Ｐ，
Ｏ）上に燐原子は含有されているが酸素原子は含
有されていない層領域を第一の非晶質層（）の
一部として形成することが出来る。 又、燐原子は含有されないが酸素原子は含有さ
れる層領域を形成する場合には、例えばNOガス
とSiH4／Heガスを使用して層形成すれば良い。 第一の非晶質層（）中にハロゲン原子を含有
させる場合には上記のガスにたとえばSiF4／He
を、更に付加して反応室１１０１内に送り込む。 第一の非晶質層（）上に第二の非晶質層
（）を形成するには、例えば、次の様に行う。
まずシヤツター１１４２を開く。すべてのガス供
給バルブは一旦閉じられ、反応室１１０１は、メ
インバルブ１１３４を全開することにより、排気
される。 高圧電力が印加される電極１１４１上には、予
め高純度シリコンウエハ１１４２−１、及び高純
度グフアイトウエハ１１４２−２が所望の面積比
率で設置されたターゲツトを設けておく。ガスボ
ンベ１１０４より、Arガスを、反応室１１０１
内に導入し、反応室１１０１の内圧が0.05〜
1torrとなるようメインバルブ１１３４を調節す
る。高圧電源１１４０をONとし前記のターゲツ
トをスパツターリングすることにより、第一の非
晶質層（）上に第二の非晶質層（）を形成す
ることが出来る。 第二の非晶質層（）中に含有される炭素原子
の量は、シリコンウエハ１１４２−１とグラフア
イトウエハ１１４２−２のスパツター面積比率
や、ターゲツトを作成する際のシリコン粉末とグ
ラフアイト粉末の混合比を所望に従つて調整する
ことによつて所望に応じて制御することが出来
る。 夫々の層を形成する際に必要なガス以外の流出
バルブは全て閉じることは言うまでもなく、又、
夫々の層を形成する際、前層の形成に使用したガ
スが反応室１１０１内、流出バルブ１１１７〜１
１２１から反応室１１０１内に至る配管内に残留
することを避けるために、流出バルブ１１１７〜
１１２１を閉じ補助バルブ１１３２を開いてメイ
ンバルブ１１３４を全開して系内を一旦高真空に
排気する操作を必要に応じて行う。 実施例 １ 第１１図に示した製造装置を用い、第１、第２
領域層内で、第１２図に示すような酸素濃度分布
を持つ像形成部材を第１表の条件下で作製した。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0KVで0.2sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像はタングステン
ランプ光源を用い、1.5lux・secの光量を透過型
のテストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を部材表面をカスケードするこ
とによつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を、5.0KVのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調
再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 実施例 ２ 第１１図に示した製造装置を用い、第１、第２
層内で第１３図に示すような酸素分布濃度を有す
る像形成部材を第２表の条件下で作成した。その
他の条件は実施例１と同様にして行つた。 こうして得られた像形成部材に於いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ３ 第１１図に示した製造装置を用い、第１層内で
第５図に示すような酸素分布濃度を有する像形成
部材を第３表の条件下で作成した。 その他の条件は実施例１と同様にして行つた。
こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１
と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し
たところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ４ 非晶質層（）の形成の際に、シリコンウエハ
とグラフアイトの面積比を変えて、非晶質層
（）中に於けるシリコン原子と炭素原子の含有
量比を変化させる以外は、実施例３と全く同様な
方法によつて像形成部材を作成した。 こうして得られた像形成部材につき実施例１に
述べた如き作像、現像、クリーニングの工程を約
５万回繰り返した後画像評価を行つたところ第４
表の如き結果を得た。 実施例 ５ 非晶質層（）の層厚を変える以外は、実施例
１と全く同様な方法によつて像形成部材を作成し
た。実施例１に述べた如き、作像、現像、クリー
ニングの工程を繰り返し第５表の結果を得た。 実施例 ６ 第１及び第２層の形成方法を第６表の如く変え
る以外は、実施例１と同様な方法で層形成を行
い、実施例１と同様な画質評価を行つたところ第
６表に示す如く良好な結果が得られた。 実施例 ７ 実施例１及び３の第２層領域の作成の際に、層
作成条件を第７表に示す各条件にした以外は、実
施例１及び２に示した各条件と手順に従つて、電
子写真用像形成部材の夫々を作製し、実施例１と
同様の方法で評価したところ、夫々に就いて特に
画質、耐久性の点に於いて良好な結果が得られ
た。
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある電子写真用光導電部
材に関する。 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。 殊に、事務機としてオフイスで使用される電子
写真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の
場合には、上記の使用時における無公害性は重要
な点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び使用
環境特性の点、更には経時的安定性及び耐久性の
点において、各々、個々には特性の向上が計られ
ているが、総合的な特性向上を計る上で更に改良
される余地が存するのが実情である。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとす
ると従来においてはその使用時において残留電位
が残る場合が度々観測され、この種の光導電部材
は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用によ
る疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴース
ト現象を発する様になる等の不都合な点が少なく
なかつた。 又、ａ−Si材料で光導電層を構成する場合に
は、その電気的、光導電的特性の改良を計るため
に、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロ
ゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼素原
子や燐原子等が或いはその他の特性改良のために
他の原子が、各々構成原子として光導電層中に含
有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方如何
によつては、形成した層の電気的或いは光導電的
特性や耐圧性に問題が生ずる場合があつた。 即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射に
よつて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命
が充分でないこと、或いは暗部において、支持体
側よりの電荷の注入の阻止が充分でないこと等が
生ずる場合があつた。 従つて、ａ−Si材料そのものの特性改良が計ら
れる一方で電子写真用光導電部材を設計する際
に、上記した様な問題の総てが解決される様に工
夫される必要がある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材に使用される光
導電部材としての適用性とその応用性という観点
から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリコ
ン原子を母体とし、水素原子（Ｈ）又はハロゲン
原子（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含有する
アモルフアス材料、所謂水素化アモルフアスシリ
コン、ハロゲン化アモルフアスシリコン或いはハ
ロゲン含有水素化アモルフアスシリコン〔以後こ
れ等の総称的表記として（ａ−Si（Ｈ，Ｘ））を使
用する〕から構成される光導電層を有する光導電
部材の層構成を以後に説明される様に特定化する
様に設計されて作成された光導電部材は実用上著
しく優れた特性を示すばかりでなく、従来の光導
電部材と較べてみてもあらゆる点において凌篤し
ていること、殊に電子写真用の光導電部材として
著しく優れた特性を有していることを見出した点
に基づいている。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が使用
環境に殆んど影響を受けず常時安定し、耐光疲労
に著しく長け、繰返し使用に際しても劣化現象を
起さず耐久性に優れ、残留電位が全く又は殆んど
観測されない電子写真用光導電部材（以下「光導
電部材」と称する。）を提供することを主たる目
的とする。 本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材と
して適用させた場合、静電像形成のための帯電処
理の際の電荷保持能が充分あり、通常の電子写真
法が極めて有効に適用され得る優れた電子写真特
性を有する光導電部材を提供することである。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得ることが容易にできる電子写真用の光導電
部材を提供することである。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性及び高耐圧性を有する光導電部材を
提供することでもある。 本発明の電子写真用光導電部材は、電子写真用
光導電部材用の支持体と、シリコン原子を母体と
する非晶質材料で構成された、光導電性を有する
層厚１〜100μの第一の非晶質層と、シリコン原
子と１×10-3〜90atomic％の炭素原子とからな
る非晶質材料で構成された層厚0.003〜30μの第二
の非晶質層とからなり、前記第一の非晶質層が、
構成原子として0.001〜50atomic％の酸素原子を
含有して前記支持体と接し第一の非晶質層の一部
を占めている第１の層領域と、構成原子として
0.001〜５×104atomic ppmの周期律表第族に
属する原子を層厚方向において実質的に均一な分
布状態で含有する層厚50μ以下の第２の層領域と
を有し、前記酸素原子の分布状態を前記支持体側
において酸素原子の分布濃度が500atomic ppm
以上の高い部分を有し前記第二の非晶質層側にお
いて前記支持体側に較べて低くされた部分を有す
る層厚方向に不均一で連続的な分布状態としたこ
とを特徴とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて、耐光疲労、繰返し
使用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い、高品質の画像を安
定して繰返し得ることができる。 以下、図面に従つて本発明の光導電部材に就て
詳細に説明する。 第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明
する為に模式的に示した模式的構成図である。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）
から成る光導電性を有する第一の非晶質層（）
１０２とシリコン原子と炭素原子とを含む非晶質
材料で構成された第二の非晶質層（）１０６を
有する。第一の非晶質層（）１０２は、層厚方
向に連続的で且つ前記支持体１０１の方に多く分
布する分布状態で、構成原子として酸素原子を含
有する第１の層領域（Ｏ）１０３と構成原子とし
て第族原子を含有する第２の層領域（）１０
４とを有する様に構成された層構造を有する。第
１図に示す例においては、第１の層領域（Ｏ）１
０３が第２の層領域（）１０４の一部を占めた
層構造を有し、第１の層領域（Ｏ）１０３及び第
２の層領域（）１０４は第一の非晶質層（）
１０２の支持体１０１側の方に偏在している。第
一の非晶質層（）１０２の上部層領域１０５に
は、酸素原子及び第族原子は実質的に含まれて
おらず、酸素原子は第１の層領域（Ｏ）１０３に
第族原子は第２の層領域（）１０４に含有さ
れている。勿論、第１の層領域（Ｏ）１０３には
第族原子も含まれている。 本発明に於いて、上記の様な層構成とするの
は、第１の層領域（Ｏ）１０３は、酸素原子の含
有によつて高暗抵抗化と支持体１０１と第一の非
晶質層（）１０２との間の密着性の向上が重点
的に計られ、上部層領域１０５には、酸素原子を
含有させずに高感度化が重点的に計られている。
第１の層領域（Ｏ）１０３に含有される酸素原子
は層厚方向に連続的で不均一な分布状態で、且つ
支持体１０１と第一の非晶質層（）１０２との
界面に平行な面内に於いては、実質的に均一な分
布状態で前記第１の層領域（Ｏ）１０３中に含有
され本発明において、第一の非晶質層（）１０
２を構成し、第族原子を含有する第２の層領域
（）１０４中に含有される第族原子としては
Ｐ（燐）、As（砒素）、Sb（アンチモン）、Bi（ビス
マス）等であり、殊に好適に用いられるのはＰ，
Asである。 本発明においては、第２の層領域（）１０４
中に含有される第族原子の分布状態は、層厚方
向において及び支持体１０１の表面と平行な面内
に於いて実質的に均一な分布状態とされる。 第１の層領域（Ｏ）１０３と上部層領域１０５
との層厚は、本発明の目的を効果的に達成させる
為の重要な因子の１つであるので形成される光導
電部材に所望の特性が充分与えられる様に、光導
電部材の設計の際に充分なる注意が払われる必要
がある。 本発明に於いて、第２の層領域（）１０４の
層厚TBは、その上限としては、通常の場合、50μ
以下、好ましくは30μ以下、最適には10μ以下と
されるのが望ましい。又、上部層領域１０５の層
厚Ｔは、その下限としては通常の場合、0.5μ以
上、好ましくは1μ以上、最適には3μ以上とされ
るのが望ましい。第２の層領域（）１０４の層
厚TBの下限及び上部層領域１０５の層厚Ｔの上
限としては、両層領域に要求される特性と第一の
非晶質（）１０２全体に要求される特性との相
互間の有機的関連性に基づいて光導電部材の層設
計の際に、所望に従つて適宜決定される。 本発明に於いては、上記の層厚TB及び層厚Ｔ
としては、TB／Ｔ≦１なる関係を満足する様に
夫々に対して適宜適切な数値が選択されるのが望
ましい。層厚TB及び層厚Ｔの数値の選択に於い
て、より好ましくは、TB／Ｔ≦0.9、最適には
TB／Ｔ≦0.8なる関係が満足される様に層厚TB及
び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいものであ
る。 第１図に示す本発明の光導電部材に於いては、
第族原子が含有されている第２の層領域（）
１０４内に第１の層領域（Ｏ）１０３が形成され
ているが、第１の層領域（Ｏ）と第２の層領域
（）とを同一層領域とすることも出来る。 又、第１の層領域（Ｏ）内に第２の層領域
（）を形成する場合も良好な実施態様例の１つ
として拳げることが出来る。 第１の層領域（Ｏ）中に含有される酸素原子の
量は、形成される光導電部材に要求される特性に
応じて所望に従つて適宜決められるが、通常の場
合、0.001〜50atomic％、好ましくは、0.002〜
40atomic％、最適には0.003〜30atomic％とされ
るのが望ましいものである。 第１の層領域（Ｏ）の層厚Toが充分厚いか又
は第一の非晶質層（）の全層厚に対する割合が
５分の２以上を越える様な場合には、第１の層領
域（Ｏ）中に含有される酸素原子の量の上限とし
ては、通常は、30atomic％以下、好ましくは
20atomic％以下、最適には10atomic％以下とさ
れるのが望ましいものである。 本発明に於ては、第一の非晶質層（）の層厚
としては、所望の電子写真特性が得られること及
び経済性等の点から通常は、１〜100μ、好適に
は１〜80μ、最適には２〜50μとされるのが望ま
しい。 第２図乃至第１０図には、本発明における光導
電部材の第一の非晶質層（）を構成する第１の
層領域（Ｏ）中に含有される酸素原子の層厚方向
の分布状態の典型的例が示される。 第２図乃至第１０図の例に於いて、第族原子
の含有される層領域（）は、層領域（Ｏ）と同
一層領域であつても、層領域（Ｏ）を内包して
も、或いは、層領域（Ｏ）の一部の層領域を共有
しても良いものであるので以後の説明に於いて
は、第族原子の含有されている層領域（）に
ついては、殊に説明を要しない限り言及しない。 第２図乃至第１０図において、横軸は酸素原子
の分布濃度Ｃを、縦軸は、光導電性を示す非晶質
層を構成し、酸素原子の含有される層領域（Ｏ）
の層厚TBを示し、tBは支持体側の界面の位置を、
tTは支持体側とは反対側の界面の位置を示す。即
ち、酸素原子の含有される層領域（Ｏ）はtB側よ
りtT側に向つて層形成がなされる。 本発明においては、酸素原子の含有される層領
域（Ｏ）は、光導電部材を構成するａ−Si（Ｈ，
Ｘ）から成り、光導電性を示す第一の非晶質層
（）の一部を占めている。 本発明において、前記層領域（Ｏ）は、第１図
の例で示せば第一の非晶質層（）の支持体１０
１側の表面を含んで第一の非晶質層（）１０２
の下部層領域に設けられるのが好ましいものであ
る。 第２図には、層領域（Ｏ）中に含有される酸素
原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示さ
れる。 第２図に示される例では、酸素原子の含有され
る層領域（Ｏ）が形成される表面と該層領域
（Ｏ）の表面とが接する界面位置tBよりt1の位置
までは、酸素原子の分布濃度ＣがC1なる一定の
値を取り乍ら酸素原子が形成される層領域（Ｏ）
に含有され、位置t1より分布濃度Ｃは界面位置tT
に至るまでC2より徐々に連続的に減少されてい
る。界面位置tTにおいては酸素原子の分布濃度Ｃ
はC3とされる。 第３図に示される例においては、含有される酸
素原子の分布濃度Ｃは位置tBより位置tTに至るま
でC4から徐々に連続的に減少して位置tTにおいて
C5となる様な分布状態を形成している。 第４図の場合には、位置tBより位置t2までは酸
素原子の分布濃度ＣはC6と一定値とされ、位置t2
と位置tTとの間において、徐々に連続的に減少さ
れ、位置tTにおいて、実質的に零とされている。 第５図の場合には、酸素原子は位置tBより位置
tTに至るまで、分布濃度ＣはC8より連続的に徐々
に減少され、位置tTにおいて実質的に零とされて
いる。 第６図に示す例においては、酸素原子の分布濃
度Ｃは、位置tBと位置t3間においては、C9と一定
値であり、位置tTにおいてはC10とされる。位置t3
と位置tTとの間では、分布濃度Ｃは一次関数的に
位置t3より位置tTに至るまで減少されている。 第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは
位置tBより位置t4までC11の一定値を取り、位置t4
より位置tTまではC12よりC13まで一次関数的に減
少する分布状態とされている。 第８図に示す例においては、位置tBより位置tT
に至るまで、酸素原子の分布濃度ＣはC14より零
に至る様に一次関数的に減少している。 第９図においては、位置tBより位置t5に至るま
では酸素原子の分布濃度Ｃは、C15よりC16まで一
次関数的に減少され、位置t5と位置tTとの間にお
いては、C16の一定値とされた例が示されている。 第１０図に示される例においては、酸素原子の
分布濃度Ｃは位置tBにおいてC17であり、位置t6に
至るまではこのC17より初めはゆつくりと減少さ
れ、t6の位置付近においては、急激に減少されて
位置t6ではC18とされる。 位置t6と位置t7との間においては、分布濃度Ｃ
は初め急激に減少されて、その後は、緩やかに
徐々に減少されて位置t7でC19となり、位置t7と位
置t8との間では、極めてゆつくりと徐々に減少さ
れて位置t8において、C20に至る。位置t8と位置tT
の間においては、分布濃度ＣはC20より実質的に
零になる様に図に示す如き形状の曲線に従つて減
少されている。 以上、第２図乃至第１０図により、層領域
（Ｏ）中に含有される酸素原子の層厚方向の分布
状態の典型例の幾つかを説明した様に、本発明に
おいては、支持体側において、酸素原子の分布濃
度Ｃの高い部分を有し、界面tT側においては、前
記分布濃度Ｃは支持体側に較べて比較的低くされ
た部分を有する分布状態で酸素原子が含有された
層領域（Ｏ）が第一の非晶質層（）に設けられ
ている。 本発明において、第一の非晶質層（）を構成
する酸素原子の含有される層領域（Ｏ）は、上記
したように支持体側の方に酸素原子が比較的高濃
度で含有されている局在領域（Ａ）を有するもの
として設けられるのが望ましく、この場合に支持
体と第一の非晶質層（）との間の密着性をより
一層向上させることが出来る。 局在領域（Ａ）は、第２図乃至第１０図に示す
記号を用いて説明すれば、界面位置tBより5μ以内
に設けられるのが望ましい。 本発明においては、上記局在領域（Ａ）は、界
面位置tBより5μ厚までの全層領域LTとされる場合
もあるし、又は、層領域LTの一部とされる場合
もある。 局在領域（Ａ）を層領域LTの一部とするか又
は全部とするかは、形成される第一の非晶質層
（）に要求される特性に従つて適宜決められる。 局在領域（Ａ）はその中に含有される酸素原子
の層厚方向の分布状態として酸素原子の分布濃度
の最大値Cmaxが、通常は500atomic ppm以上、
好適には800atomic ppm以上、最適には
1000atomic ppm以上とされる様な分布状態とな
り得る様に層形成されるのが望ましい。 即ち、本発明においては、酸素原子の含有され
る層領域（Ｏ）は、支持体側からの層厚で5μ以
内（tBから5μ厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大値
Cmaxが存在する様に形成されるのが望ましい。 本発明において、層領域（）中に含有される
第族原子の含有量としては、本発明の目的が効
果的に達成される様に所望に従つて適宜決められ
るが、通常は30〜５×104atomic ppm、好まし
くは50〜１×104atomic ppm、最適には100〜５
×103atomic ppmとされるのが望ましいもので
ある。 本発明の光導電部材に於いては、第一の非晶質
層（）の一部を構成する第２の層領域（）
に、光導電部材が帯電処理を受けた際に、支持体
側より前記第一の非晶質層（）への電荷の注入
を阻止する機能を主として担わせる場合には、第
２の層領域（）中に含有される第族原子の含
有量と、第２の層領域（）上に直に設けられる
層領域の層厚及び特性との関係に於いて、第２の
層領域（）の層厚は、前記機能が充分果される
様に適宜所望に応じて決定されることが望まし
い。 本発明に於いては、上記の点を主と考慮する場
合、第２の層領域（）の層厚としては通常30Å
〜5μ、好適には40Å〜4μ、最適には50Å〜3μと
されるのが望ましいものである。 本発明において、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第一の非晶質層（）を形成するには例えばグ
ロー放電法、スパツタリング法、或いはイオンプ
レーテイング法等の放電現象を利用する真空堆積
法によつて成される。例えば、グロー放電法によ
つて、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成される第一の非晶
質層（）を形成するには、基本的にはシリコン
原子（Si）を供給し得るSi供給用の原料ガスと共
に、水素原子（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン
原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし
得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー放
電を生起させ、予め所定位置に設置されてある所
定の支持体表面上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）からなる層
を形成させれば良い。又、スパツタリング法で形
成する場合には、例えばAr，He等の不活性ガス
又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲
気中でSiで構成されたターゲツトをスパツタリン
グする際、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原
子（Ｘ）導入用のガスをスパツタリング用の堆積
室に導入しておけば良い。 本発明において、必要に応じて第一の非晶質層
（）中に含有されるハロゲン原子（Ｘ）として
は、具体的にはフツ素、塩素、臭素、ヨウ素が拳
げられ、殊にフツ素、塩素を好適なものとして拳
げることが出来る。 本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
としては、SiH4，Si2H6，Si3H8，Si4H10等のガ
ス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン
類）が有効に使用されるものとして拳げられ、殊
に、層作成作業の扱い易さ、Si供給効率の良さ等
の点でSiH4，Si2H6が好ましいものとして拳げら
れる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が拳げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン
化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換された
シラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハ
ロゲン化合物が好ましく拳げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む硅素化合物も有効なものとして
本発明においては拳げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF，ClF，ClF3，
BrF5，BrF3，IF2，IF7，ICl，IBr等のハロゲン
間化合物を拳げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF4，Si2F6，SiCl4，SiBr4等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして拳げることが
出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、Siを供給し得る原料
ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、
所定の支持体上にハロゲン原子を含むａ−Siから
成る第一の非晶質層（）を形成する事が出来
る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む第
一の非晶質層（）を形成する場合、基本的に
は、Si供給用の原料ガスであるハロゲン化硅素ガ
スとAr，H2，He等のガス等を所定の混合比とガ
ス流量になる様にして第一の非晶質層（）を形
成する堆積室に導入し、グロー放電を生起してこ
れ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによ
つて、所定の支持体上に第一の非晶質層（）を
形成し得るものであるが、水素原子の導入を計る
為にこれ等のガスに更に水素原子を含む硅素化合
物のガスも所定量混合して層形成しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。 反応スパツタリング法或いはイオンプレーテイ
ング法に依つてａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成る第一の
非晶質層（）を形成するには、例えばスパツタ
リング法の場合にはSiから成るターゲツトを使用
して、これを所定のガスプラズマ雰囲気中でスパ
ツタリングし、イオンプレーテイング法の場合に
は、多結晶シリコン又は単結晶シリコンを蒸発源
として蒸着ボートに収容し、このシリコン蒸発源
を抵抗加熱法、或いはエレクトロンビーム法
（EB法）等によつて加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所
定のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事で行う
事が出来る。 この際、スパツタリング法、イオンプレーテイ
ング法の何れの場合にも形成される層中にハロゲ
ン原子を導入するには、前記のハロゲン化合物又
は前記のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを
堆積室中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形
成してやれば良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H2、或いは前記した
シラン類等のガスをスパツタリング用の堆積室中
に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してや
れば良い。 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF，HCl，
HBr，HI等のハロゲン化水素、SiH2F2，
SiH2I2，SiH2Cl2，SiHCl3，SiH2Br2，SiHBr3等
のハロゲン置換水素化硅素、等々のガス状態の或
いはガス化し得る、水素原子を構成要素の１つと
するハロゲン化物も有効な第一の非晶質層（）
形成用の出発物質として拳げる事が出来る。 これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、第一
の非晶質層（）形成の際に層中にハロゲン原子
の導入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に
極めて有効な水素原子も導入されるので、本発明
においては好適なハロゲン原子導入用の原料とし
て使用される。 水素原子を第一の非晶質層（）中に構造的に
導入するには、上記の他にH2、或いはSiH4，
Si2H6，Si3H8，Si4H10等の水素化硅素のガスを
Siを供給する為のシリコン化合物と堆積室中に共
存させて放電を生起させる事でも行う事が出来
る。 例えば、反応スパツタリング法の場合には、Si
ターゲツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス
及びH2ガスを必要に応じてHe，Ar等の不活性ガ
スも含めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を
形成し、前記Siターゲツトをスパツタリングする
事によつて、支持体上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成
る第一の非晶質層（）が形成される。 更には、不純物のドーピングも兼ねてB2H6等
のガスを導入してやることも出来る。 本発明において、形成される光導電部材の第一
の非晶質層（）中に含有される水素原子（Ｈ）
の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量は水素原子とハ
ロゲン原子の量の和は通常の場合１〜40atomic
％、好適には５〜30atomic％とされるのが望ま
しい。 第一の非晶質層（）中に含有される水素原子
（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御
するには、例えば支持体温度又は／及び水素原子
（Ｈ）、或いはハロゲン原子（Ｘ）を含有させる為
に使用される出発物質の堆積装置系内へ導入する
量、放電々力等を制御してやれば良い。 第一の非晶質層（）に、第族原子を含有す
る層領域（）及び酸素原子を含有する層領域
（Ｏ）を設けるには、グロー放電法や反応スパツ
タリング法等による第一の非晶質層（）の形成
の際に、第族原子導入用の出発物質及び酸素原
子導入用の出発物質を夫々前記した第一の非晶質
層（）形成用の出発物質と共に使用して、形成
される層中にその量を制御し乍ら含有してやる事
によつて成される。 第一の非晶質層（）を構成する、酸素原子の
含有される層領域（Ｏ）及び第族原子の含有さ
れる層領域（）を夫々形成するにグロー放電法
を用いる場合各層領域形成用の原料ガスとなる出
発物質としては、前記した第一の非晶質層（）
形成用の出発物質の中から所望に従つて選択され
たものに、酸素原子導入用の出発物質又は／及び
第族原子導入用の出発物質が加えられる。その
様な酸素原子導入用の出発物質又は第族原子導
入用の出発物質としては、少なくとも酸素原子或
いは第族原子を構成原子とするガス状の物質又
はガス化し得る物質をガス化したものの中の大概
のものが使用され得る。 例えば層領域（Ｏ）を形成するのであればシリ
コン原子（Si）を構成原子とする原料ガスと、酸
素原子Ｏを構成原子とする原料ガスと、必要に応
じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合
比で混合して使用するか、又は、シリコン原子
（Si）を構成原子とする原料ガスと、酸素原子Ｏ
及び水素原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスと
を、これも又所望の混合比で混合するか、或い
は、シリコン原子（Si）を構成原子とする原料ガ
スと、シリコン原子（Si）、酸素原子Ｏ及び水素
原子（Ｈ）の３つを構成原子とする原料ガスとを
混合して使用することが出来る。 又、別には、シリコン原子（Si）と水素原子
（Ｈ）とを構成原子とする原料ガスに酸素原子Ｏ
を構成原子とする原料ガスを混合して使用しても
良い。 酸素原子導入用の出発物質となるものとして具
体的には、例えば酸素（O2）、オゾン（O3）、一
酸化窒素（NO）、二酸化窒素（NO2）、一二酸化
窒素（N2O）、三二酸化窒素（N2O3）、四二酸化
窒素（N2O4）、五二酸化窒素（N2O5）、三酸化窒
素（NO3）、シリコン原子（Si）と酸素原子（Ｏ）
と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えば、
ジシロキサン（H3SiOSiH3）、トリシロキサン
（H3SiOSiH2OSiH3）等の低級シロキサン等を拳
げることが出来る。 層領域（）をグロー放電法を用いて形成する
場合に第族原子導入用の出発物質として、本発
明において有効に使用されるのは、燐原子導入用
としては、PH3，P2H4等の水素化燐、PH4I，
PF3，PF5，PCl3，PCl5，PBr3，PBr5，PI3等の
ハロゲン化燐が拳げられる。この他、AsH3，
AsF3，AsCl3，AsBr3，AsF5，SbH3，SbF3，
SbF5，SbCl3，SbCl5，BiH3，BiCl3，BiBr3等も
第族原子導入用の出発物質の有効なものとして
拳げることが出来る。 第族原子を含有する層領域（）に導入され
る第族原子の含有量は、堆積室中に流入される
第族原子導入用の出発物質のガス流量、ガス流
量比、放電パワー、支持体温度、堆積室内の圧力
等を制御することによつて任意に制御され得る。 スパツタリング法によつて、酸素原子を含有す
る層領域（Ｏ）を形成するには、単結晶又は多結
晶のSiウエーハー又はSiO2ウエーハー、又はSiと
SiO2が混合されて含有されているウエーハーを
ターゲツトとして、これ等を種々のガス雰囲気中
でスパツターリングすることによつて行えば良
い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／
及びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必
要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の
堆積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマ
を形成して前記Siウエーハーをスパツターリング
すれば良い。 又、別には、SiとSiO2とは別々のターゲツト
として、又はSiとSiO2の混合した一枚のターゲ
ツトを使用することによつて、スパツター用のガ
スとしての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも
水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を
構成原子として含有するガス雰囲気中でスパツタ
ーリングすることによつて成される。酸素原子導
入用の原料ガスとしては、先述したグロー放電の
例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料
ガスが、スパツターリングの場合にも有効なガス
として使用され得る。 本発明において、第一の非晶質層（）をグロ
ー放電法で形成する際に使用される稀釈ガス、或
いはスパツターリング法で形成される際に使用さ
れるスパツターリング用のガスとしては、所謂稀
ガス、例えばHe，Ne，Ar等が好適なものとし
て拳げることが出来る。 本発明の光導電部材に於いては、第族原子の
含有される層領域（）の上に設けられ、第族
原子の含有されない層領域（Ｂ）（第１図では層
領域１０５に相当する）には、伝導特性を制御す
る物質を含有させることにより、該層領域（Ｂ）
の伝導特性を所望に従つて任意に制御することが
出来る。 この様な物質としては、所謂、半導体分野で云
われる不純物を拳げることが出来、本発明に於い
ては、形成される非晶質層（）を構成するａ−
Si（Ｈ，Ｘ）に対して、Ｐ型伝導特性を与えるＰ
型不純物、具体的には、周期律表第族に属する
原子（第族原子）、例えば、Ｂ（硼素）、Al（ア
ルミニウム）、Ga（ガリウム）、In（インジウム）、
Tl（タリウム）等があり、殊に好適に用いられる
のは、Ｂ，Gaである。 本発明に於いて、層領域（Ｂ）に含有される伝
導特性を制御する物質の含有量は、該層領域
（Ｂ）に要求される伝導特性、或いは該層領域
（Ｂ）に直に接触して設けられる他の層領域の特
性や、該他の層領域との接触界面に於ける特性と
の関係等、有機的関連性に於いて、適宜選択する
ことが出来る。 本発明に於いて、層領域（Ｂ）中に含有される
伝導特性を制御する物質の含有量としては、通常
の場合、0.001〜1000atomic ppm、好適には0.05
〜500atomic ppm、最適には0.1〜200atomic
ppmとされるのが望ましいものである。 層領域（Ｂ）中に伝導特性を制御する物質、例
えば第族原子を構造的に導入するには、層形成
の際に第族原子導入用の出発物質をガス状態で
堆積室中に、第一の非晶質層（）を形成する為
の他の出発物質と共に導入してやれば良い。この
様な第族原子導入用の出発物質と成り得るもの
としては、常温常圧でガス状の又は、少なくとも
層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用さ
れるのが望ましい。その様な第族原子導入用の
出発物質として具体的には硼素原子導入用として
は、B2H6，B4H10，B5H9，B5H11，B6H10，
B6H12，B6H14等の水素化硼素、BF3，BCl3，
BBr3等のハロゲン化硼素等が拳げられる。この
他、AlCl3，CaCl3，Ga（CH3）3，InCl3，TlCl3等
も拳げることが出来る。 第１図に示される光導電部材１００に於いて
は、第一の非晶質層（）１０２上に形成される
第二の非晶質層（）１０６は、自由表面１０７
を有し、主に耐湿性、連続繰返し使用特性、耐圧
性、使用環境特性、耐久性に於いて本発明の目的
を達成する為に設けられる。 本発明に於いては、第一の非晶質層（）と第
二の非晶質層（）とを形成する非晶質材料の
各々がシリコン原子という共通の構成要素を有し
ているので、積層界面に於いて化学的な安定性の
確保が充分成されている。 第二の非晶質層（）は、シリコン原子と炭素
原子とで構成される非晶質材料（ａ−SiXC1-X、
但し０＜Ｘ＜１）で形成される。 ａ−SiXC1-Xで構成される第二の非晶質層（）
１０６の形成はスパツターリング法、イオンイン
プランテーシヨン法、イオンプレーテイング法、
エレクトロンビーム法等によつて成される。これ
等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程
度、製造規模、作製される光導電部材に所望され
る特性等の要因によつて適宜選択されて採用され
るが、所望する特性を有する光導電部材を製造す
る為の作製条件の制御が比較的容易である、シリ
コン原子と共に炭素原子を作製する非晶質層
（）中に導入するのが容易に行える等の利点か
らスパツターリング法或いはエレクトロンビーム
法、イオンプレーテイング法が好適に採用され
る。 スパツターリング法によつて第二の非晶質層
（）を形成するには、単結晶又は多結晶のSiウ
エーハーとＣウエーハー、又はSiとＣとが混合さ
れて含有されているウエーハーをターゲツトとし
て、これ等を種々のガス雰囲気中でスパツターリ
ングすることによつて行えば良い。 例えば、Siウエーハー及びＣウエーハーをター
ゲツトとして使用する場合には、He，Ne，Ar
等のスパツターリング用のガスを、スパツター用
の堆積室中に導入してガスプラズマを形成し、前
記Siウエーハー及びＣウエーハーをスパツターリ
ングすれば良い。 又、別には、SiとＣの混合した一枚のターゲツ
トを使用することによつて、スパツターリング用
のガスを装置系内に導入し、そのガス雰囲気中で
スパツターリングすることによつて成される。エ
レクトロンビーム法を用いる場合には２個の蒸着
ボート内に各々、単結晶又は多結晶の高純度シリ
コン及び高純度グラフアイトを入れ、各々独立に
エレクトロンビームによつて同時蒸着するか、又
は同一蒸着ボート内に所望の混合比にして入れた
シリコン及びグラフアイトを単一のエレクトロン
ビームによつて蒸着すればよい。第二の非晶質層
（）中に含有されるシリコン原子と炭素原子の
含有比は前者の場合、エレクトロンビームの加速
電圧をシリコンとグラフアイトに対して変化させ
ることによつて制御し、後者の場合は、あらかじ
めシリコンとグラフアイトの混合量を定めること
によつて制御する。イオンプレーテイング法を用
いる場合は蒸着槽内に種々のガスを導入しあらか
じめ槽の周囲にまいたコイルに高周波電界を印加
してグローをおこした状態でエレクトロンビーム
法を利用してSi及びＣを蒸着すれば良い。 本発明に於ける第二の非晶質層（）は、その
要求される特性が所望通りに与えられる様に注意
深く形成される。 即ち、Si，Ｃを構成原子とする物質は、その作
成条件によつて構造的には結晶からアモルフアス
までの形態を取り、電気物性的には導電性から半
導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導電的性
質から非光導電的性質までの間の性質を、各々示
すので、本発明に於いては、目的に応じた所望の
特性を有するａ−SiXC1-Xが形成される様に、所
望に従つてその作成条件の選択が厳密に成され
る。 例えば、第二の非晶質層（）を耐圧性の向上
を主な目的として設けるにはａ−SiXC1-Xは使用
環境に於いて電気絶縁性的拳動の顕著な非晶質材
料として作成される。 又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上
を主たる目的として第二の非晶質層（）が設け
られる場合には、上記の電気絶縁性の度合はある
程度緩和され、照射される光に対してある程度の
感度を有する非晶質材料としてａ−SiXC1-Xが作
成される。 第一の非晶質層（）の表面にａ−SiXC1-Xか
ら成る第二の非晶質層（）を形成する際、層形
成中の支持体温度は、形成される層の構造及び特
性を左右する重要な因子であつて、本発明に於い
ては、目的とする特性を有するａ−SiXC1-Xが所
望通りに作成され得る様に層作成時の支持体温度
が厳密に制御されるのが望ましい。 本発明に於ける目的が効果的に達成される為の
第二の非晶質層（）を形成する際の支持体温度
としては、第二の非晶質層（）の形成法に併せ
て適宜最適範囲が選択されて、第二の非晶質層
（）の形成が行われるが、好適には20〜300℃、
最適には20〜250℃とされるのが望ましいもので
ある。 第二の非晶質層（）の形成には、層を構成す
る原子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が他の
方法に較べて比較的容易である事等の為に、スパ
ツターリング法やエレクトロンビーム法の採用が
有利であるが、これ等の層形成法で第二の非晶質
層（）を形成する場合には、前記の支持体温度
と同様に層形成の際の放電パワーが作成されるａ
−SiXC1-Xの特性を左右する重要な因子の１つと
して拳げることが出来る。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ−SiXC1-Xが生産性良く効果的に作成され
る為の放電パワー条件としては、好適には50W〜
250W、最適には80W〜150Wとされるのが望まし
い。 本発明に於いては、第二の非晶質層（）を作
成する為の支持体温度、放電パワーの望ましい数
値範囲として前記した範囲の値が拳げられるが、
これ等の層作成フアクターは、独立的に別々に決
められるものではなく、所望特性のａ−SiXC1-X
から成る第二の非晶質層（）が形成される様に
相互的有機的関連性に基づいて各作成フアクター
の最適値が決められるのが望ましい。 本発明の光導電部材に於ける第二の非晶質層
（）に含有される炭素原子の量は、第二の非晶
質層（）の作製条件と同様、本発明の目的を達
成する所望の特性が得られる層が形成される重要
な因子である。 本発明に於ける第二の非晶質層（）に含有さ
れる炭素原子の量は、シリコン原子と炭素原子の
和に対して、通常としては、１×10-3〜
90atomic％、好適には１〜80atomic％、最適に
は10〜75atomic％とされるのが望ましいもので
ある。即ち、先のａ−SiXC1-Xの表示で行えば、
Ｘが通常は0.1〜0.99999、好適には0.2〜0.99、最
適には0.25〜0.9である。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚の
数値範囲は、本発明の目的を効果的に達成する様
に所期の目的に応じて適宜所望に従つて決められ
る。 又、第二の非晶質層（）の層厚は、該層
（）中に含有される炭素原子の量や第一の非晶
質層（）の層厚との関係に於いても、各々の層
領域に要求される特性に応じた有機的な関連性の
下に所望に従つて適宜決定される必要がある。 更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経
済性の点に於いても考慮されるのが望ましい。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚と
しては、通常0.003〜30μ、好適には0.004〜20μ、
最適には0.005〜10μとされるのが望ましいもので
ある。 本発明において使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NiCr、ステンレス、Al，
Cr，Mo，Au，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd等の
金属又はこれ等の合金が拳げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラミ
ツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面
を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr，
Al，Cr，Mo，Au，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，
Pd，In2O3，SnO2，ITO（In2O3＋SnO2）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr，Al，Ag，Pb，Zn，Ni，
Au，Cr，Mo，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ベーム蒸着、スパツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベ
ルト状、板状等任意の形状とし得、所望によつ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１図の
光導電部材１００を電子写真用像形成部材として
使用するのであれば連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される
様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能が充
分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされ
る。而乍ら、この様な場合支持体の製造上及び取
扱い上、機械的強度等の点から通常は、10μ以上
とされる。 次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概
略について説明する。 第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示
す。 図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、
本発明の夫々の層領域を形成するための原料ガス
が密封されており、その一例としてたとえば１１
０２は、Heで稀釈されたSiH4（純度99.999％、以
下SiH4／Heと略す。）ボンベ、１１０３はHeで
稀釈されたPH3ガス（純度99.999％、以下PH3／
Heと略す。）ボンベ、１１０４はArガス（純度
99.99％）ボンベ、１１０５はNOガス（純度
99.999％）ボンベ、１１０６はHeで稀釈された
SiF4ガス（純度99.999％、以下SiF4／Heと略
す。）ボンベである。 これらのガスを反応室１１０１に流入させるに
はガスボンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２
２〜１１２６、リークバルブ１１３５が閉じられ
ていることを確認し、又、流入バルブ１１１２〜
１１１６、流出バルブ１１１７〜１１２１、補助
バルブ１１３２が開かれていることを確認して先
づメインバルブ１１３４を開いて反応室１１０
１、ガス配管内を排気する。次に真空計１１３６
の読みが約５×10-6torrになつた時点で補助バル
ブ１１３２、流出バルブ１１１７〜１１２１を閉
じる。 次に基体１１３７上に第１図に示す層構成の光
導電部材を形成する場合の一例をあげる。ガスボ
ンベ１１０２よりSiH4／Heガス、ガスボンベ１
１０３よりPH3／Heガスを、ガスボンベ１１０
５よりNOガスを夫々バルブ１１２２，１１２
３，１１２５を開いて出口圧ゲージ１１２７，１
１２８，１１３０の圧を夫々１Kg／cm2に調整し、
流入バルブ１１１２，１１１３，１１１５を夫々
徐々に開けて、マスフロコントローラ１１０７，
１１０８，１１１０内に夫々流入させる。引き続
いて流出バルブ１１１７，１１１８，１１２０、
補助バルブ１１３２を徐々に開いて夫々のガスを
反応室１１０１に流入させる。このときの
SiH4／Heガス流量とPH3／Heガス流量とNOガ
ス流量との比が所望の値になるように流出バルブ
１１１７，１１１８，１１２０を調整し、又、反
応室内の圧力が所望の値になるように真空計１１
３６の読みを見ながらメインバルブ１１３４の開
口を調整する。そして基体１１３７の温度が加熱
ヒーター１１３８により50〜400℃の範囲の温度
に設定されていることを確認した後、電源１１４
０を所望の電力に設定して反応室１１０１内にグ
ロー放電を生起させ、同時にあらかじめ設計され
た変化率曲線に従つてNOガスの流量を手動ある
いは外部駆動モータ等の方法によつてバルブ１１
２０を漸次変化させる操作を行なつて形成される
層中に含有される酸素原子の層厚方向の分布濃度
を制御する。 上記の様にして、所望層厚に燐原子と酸素原子
の含有された層領域（Ｐ，Ｏ）が形成された時点
で、流出バルブ１１１８，１１２０を閉じ、反応
室１１０１内へのPH3／Heガス及びNOガスの流
入を遮断する以外は、同条件で引続き層形成を行
うことによつて、酸素原子及び燐原子の含有され
ない層領域（Ｐ，Ｏ）上に所望の層厚に形成す
る。この様にして所望特性の第一の非晶質層
（）を基体１１３７上に形成することが出来る。 燐原子の含有される層領域（）は、第一の非
晶質層（）の形成過程に於いて、適当な時点で
PH3／Heガスの反応室１１０１への流入を断つ
ことによつて、所望層厚に形成することができ、
該層領域（）が層領域（Ｏ）の全層領域を占め
る場合や一部を占める場合のいずれも実現出来
る。例えば、上記の例に於いては、層領域（Ｐ，
Ｏ）を所望層厚に形成した時点で、NOガスの反
応室１１０１内への流入を流出バルブ１１２０を
完全に閉じることによつて断つこと以外は、同条
件で引続き層形成を行うことで、層領域（Ｐ，
Ｏ）上に燐原子は含有されているが酸素原子は含
有されていない層領域を第一の非晶質層（）の
一部として形成することが出来る。 又、燐原子は含有されないが酸素原子は含有さ
れる層領域を形成する場合には、例えばNOガス
とSiH4／Heガスを使用して層形成すれば良い。 第一の非晶質層（）中にハロゲン原子を含有
させる場合には上記のガスにたとえばSiF4／He
を、更に付加して反応室１１０１内に送り込む。 第一の非晶質層（）上に第二の非晶質層
（）を形成するには、例えば、次の様に行う。
まずシヤツター１１４２を開く。すべてのガス供
給バルブは一旦閉じられ、反応室１１０１は、メ
インバルブ１１３４を全開することにより、排気
される。 高圧電力が印加される電極１１４１上には、予
め高純度シリコンウエハ１１４２−１、及び高純
度グフアイトウエハ１１４２−２が所望の面積比
率で設置されたターゲツトを設けておく。ガスボ
ンベ１１０４より、Arガスを、反応室１１０１
内に導入し、反応室１１０１の内圧が0.05〜
1torrとなるようメインバルブ１１３４を調節す
る。高圧電源１１４０をONとし前記のターゲツ
トをスパツターリングすることにより、第一の非
晶質層（）上に第二の非晶質層（）を形成す
ることが出来る。 第二の非晶質層（）中に含有される炭素原子
の量は、シリコンウエハ１１４２−１とグラフア
イトウエハ１１４２−２のスパツター面積比率
や、ターゲツトを作成する際のシリコン粉末とグ
ラフアイト粉末の混合比を所望に従つて調整する
ことによつて所望に応じて制御することが出来
る。 夫々の層を形成する際に必要なガス以外の流出
バルブは全て閉じることは言うまでもなく、又、
夫々の層を形成する際、前層の形成に使用したガ
スが反応室１１０１内、流出バルブ１１１７〜１
１２１から反応室１１０１内に至る配管内に残留
することを避けるために、流出バルブ１１１７〜
１１２１を閉じ補助バルブ１１３２を開いてメイ
ンバルブ１１３４を全開して系内を一旦高真空に
排気する操作を必要に応じて行う。 実施例 １ 第１１図に示した製造装置を用い、第１、第２
領域層内で、第１２図に示すような酸素濃度分布
を持つ像形成部材を第１表の条件下で作製した。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0KVで0.2sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像はタングステン
ランプ光源を用い、1.5lux・secの光量を透過型
のテストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を部材表面をカスケードするこ
とによつて、部材表面上に良好なトナー画像を得
た。部材上のトナー画像を、5.0KVのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調
再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 実施例 ２ 第１１図に示した製造装置を用い、第１、第２
層内で第１３図に示すような酸素分布濃度を有す
る像形成部材を第２表の条件下で作成した。その
他の条件は実施例１と同様にして行つた。 こうして得られた像形成部材に於いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ３ 第１１図に示した製造装置を用い、第１層内で
第５図に示すような酸素分布濃度を有する像形成
部材を第３表の条件下で作成した。 その他の条件は実施例１と同様にして行つた。
こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１
と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し
たところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ４ 非晶質層（）の形成の際に、シリコンウエハ
とグラフアイトの面積比を変えて、非晶質層
（）中に於けるシリコン原子と炭素原子の含有
量比を変化させる以外は、実施例３と全く同様な
方法によつて像形成部材を作成した。 こうして得られた像形成部材につき実施例１に
述べた如き作像、現像、クリーニングの工程を約
５万回繰り返した後画像評価を行つたところ第４
表の如き結果を得た。 実施例 ５ 非晶質層（）の層厚を変える以外は、実施例
１と全く同様な方法によつて像形成部材を作成し
た。実施例１に述べた如き、作像、現像、クリー
ニングの工程を繰り返し第５表の結果を得た。 実施例 ６ 第１及び第２層の形成方法を第６表の如く変え
る以外は、実施例１と同様な方法で層形成を行
い、実施例１と同様な画質評価を行つたところ第
６表に示す如く良好な結果が得られた。 実施例 ７ 実施例１及び３の第２層領域の作成の際に、層
作成条件を第７表に示す各条件にした以外は、実
施例１及び２に示した各条件と手順に従つて、電
子写真用像形成部材の夫々を作製し、実施例１と
同様の方法で評価したところ、夫々に就いて特に
画質、耐久性の点に於いて良好な結果が得られ
た。
【表】
【表】
【表】
【表】
◎〓非常に良好 ○〓良好 △〓実用に充分耐える
×〓画像欠陥を生じやすい
×〓画像欠陥を生じやすい
【表】
【表】
【表】
第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明
する為の模式的層構成図、第２図乃至第１０図は
夫々非晶質層を構成する酸素原子を含有する層領
域（Ｏ）中の酸素原子の分布状態を説明する為の
説明図、第１１図は、本発明で使用された装置の
模式的説明図で第１２図乃至第１４図は夫々本発
明の実施例に於ける酸素原子の分布状態を示す説
明図である。 １００…光導電部材、１０１…支持体、１０２
…第一の非晶質層（）、１０３…第１の層領域
（Ｏ）、１０４…第２の層領域（）、１０５…上
部層領域、１０６…第二の非晶質層（）、１０
７…自由表面。
する為の模式的層構成図、第２図乃至第１０図は
夫々非晶質層を構成する酸素原子を含有する層領
域（Ｏ）中の酸素原子の分布状態を説明する為の
説明図、第１１図は、本発明で使用された装置の
模式的説明図で第１２図乃至第１４図は夫々本発
明の実施例に於ける酸素原子の分布状態を示す説
明図である。 １００…光導電部材、１０１…支持体、１０２
…第一の非晶質層（）、１０３…第１の層領域
（Ｏ）、１０４…第２の層領域（）、１０５…上
部層領域、１０６…第二の非晶質層（）、１０
７…自由表面。
Claims (1)
- １ 電子写真用光導電部材用の支持体と、シリコ
ン原子を母体とする非晶質材料で構成された、光
導電性を有する層厚１〜100μの第一の非晶質層
と、シリコン原子と１×10-3〜90atomic％の炭
素原子とからなる非晶質材料で構成された層厚
0.003〜30μの第二の非晶質層とからなり、前記第
一の非晶質層が、構成原子として0.001〜
50atomic％の酸素原子を含有して前記支持体と
接し第一の非晶質層の一部を占めている第１の層
領域と、構成原子として0.001〜５×104atomic
ppmの周期律表第族に属する原子を層厚方向に
おいて実質的に均一な分布状態で含有する層厚
50μ以下の第２の層領域とを有し、前記酸素原子
の分布状態を前記支持体側において酸素原子の分
布濃度が500atomic ppm以上の高い部分を有し
前記第二の非晶質層側において前記支持体側に較
べて低くされた部分を有する層厚方向に不均一で
連続的な分布状態としたことを特徴とする電子写
真用光導電部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57047805A JPS58163954A (ja) | 1982-03-25 | 1982-03-25 | 電子写真用光導電部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57047805A JPS58163954A (ja) | 1982-03-25 | 1982-03-25 | 電子写真用光導電部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58163954A JPS58163954A (ja) | 1983-09-28 |
| JPH0220100B2 true JPH0220100B2 (ja) | 1990-05-08 |
Family
ID=12785578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57047805A Granted JPS58163954A (ja) | 1982-03-25 | 1982-03-25 | 電子写真用光導電部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58163954A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62234379A (ja) * | 1986-04-04 | 1987-10-14 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| US5080985A (en) * | 1989-12-07 | 1992-01-14 | Duracell Inc. | High pressure seal for alkaline cells |
-
1982
- 1982-03-25 JP JP57047805A patent/JPS58163954A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58163954A (ja) | 1983-09-28 |