JPS5952251A - 電子写真用像形成部材の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波を利
用して像形成するのに使用される電子写真用像形成部材
の製造法に関する。

従来、電子写真用像形成部材の光導電層を構成する光導
電材料としては、Ｓｅ　、　ＣｄＳ　、　ＺｎＯ等の無
機光導電材料やポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（Ｐ”Ｖ
Ｋ）、）リニトロフルオレノン（ＴＮＦ　）等の有機光
導電材料（ｏｐｃ）が一般的に使用されている。

丙午ら、これ等の光導電材料を使用する電子写真感光体
に於いては、未だ諸々の解決される可き点があって、あ
る程度の条件緩和をして、個々の状況に応じて各々適当
な電子写真用像形成部材が使用されているのが実情であ
る。

例えば、８ｅを光導電層形成材料とする電子写真用像形
成部材は、Ｓｅ単独では、例えば可視光領域の光を利用
する場合その分光感度領域が狭いのでＴｅ＋Ａｓを添加
して分光感度領域を拡げることが計られている。

丙午ら、この様なＴ　ｅ　−？　Ａ　ｓを含むＳｅ系光
導電層を有する電子写真用像形成部材は、確かに分光感
度領域は改良されるが、光疲労が大きくなる為に、同一
原稿を連続的に繰返しコピーすると複写画像の画像濃度
の低下やバックグランドの汚れ（カブリ）を生じたり、
又、引続き他の原稿をコピーすると前の原稿の画像が残
像として複写される（ゴースト現像）等の欠点を有して
いる。

而も、Ｂｅ、殊に人ｓ、Ｔｅは人体に対して極めて有害
な物質であるので、製造時に於いて人体への接触がない
様な製造装置を使用する工夫が必要であって、装置への
資本投下刃！著しく大きい。更には、製造後に於いても
、光導電層が露呈していると、クリーニング等の処理を
受□ける際、光導電層表面は直接摺擦される為に、その
一部が削シ取られて、現像剤中に混入したシ、複写機内
に飛散したシ、複写画像中に混入したりして、人体に接
触する原因を与える。

又、Ｓｅ系光導電層は、その表面がコロナ放電に、連続
的に多数回繰返し　されると、層の表面付近が結晶化又
は酸化を起して光導電層の電気的特性の劣化を招く場合
が少なくない。或いは又、光導電層表面が露呈している
と、静電潜像の可視化（現像）に際し、液体現像剤を使
用する場合、その溶剤と接触する為に耐溶剤性（耐液現
性）に優れていることが要求されるがこの点に於いて、
Ｓｅ系光導電層は必ずしも条件を満足してｂるとは断言
し難い。

又、別には、Ｓｅ系光導電層は、通常の場合真空蒸着に
よって形成されるので、その為の装置への著しい資本投
下を必要とし且つ所望の光導電特性を有する光導電層を
再現性良く得る為には、蒸着温度、蒸着基板温度、真空
度、蒸着速度、冷却速度等の各種の製造パラメーターを
厳密に調整する必要がある。

又、Ｓｅ系光導電層は、電子写真用像形成部材の光導電
層としての高暗抵抗を保有させる為に、アモルファス状
態に形成されるが、Ｓｅの結晶化が約６５°Ｃと極めて
低い温度で起る為に製造後の取扱い中に又は使用中に於
ける周囲温度や画像形成プロセス中の他の部材への摺擦
による摩擦熱の影響を多分に受けて結晶化現像を起し、
暗抵抗の低下を招き易いという耐熱性上にも欠点がある
。

一方、ＺｎＯ、ＣｄＳ等を光導電層構成材料として使用
する電子写真用像形成部材は、その光導電層が、　Ｚｎ
Ｏ’ｐ　Ｃｄ８等の光導電材料粒子を適当な樹脂結合剤
中に均一に分散して形成されている。この、所謂バイン
ダー系光導電層を有する電子写真用像形成部材は、Ｓｅ
系光導電層を有する電子写真用像形成部材に較べて製造
上に於いて有利であって、比較的製造コストの低下を計
ることが出来る。即ち、バインダー系光導電層は、Ｚｎ
Ｏ−ｐ　ＣｄＳの粒子と適当な樹脂結着剤とを適当な溶
剤を用いて混練して調合した塗布液を適当な基体上に、
ドクターブレード法、ディッピング法等の塗布方法で塗
布した稜間化させるだけで形成することが出来るので、
Ｓｅ系光導電層を有する電子写真用像形成部材に較べ鯛
造装蓋にそれ程の資本投下をする必要がないばか夛か、
製造法自体も簡便且つ容易である。

丙午ら、バインダー系光導電層は、基本的に構成材料が
光導電材料と樹脂結着剤の二成分系であるし、且つ光導
電材料粒子が樹脂結着剤中に均一に分散されて形成され
ている特殊性の為に、光導電層の電気的及び光導電的特
性や物理的化学的特性を決定するパラメーターが多く、
斯かるパラメーターを厳密に調整しなければ所望の特性
を有する光導電層を再現性良く形成することが出来ず、
歩留シの低下を招き量産性に欠けるという欠点がある。

又、バインダー系光導電層は分散系という特殊性故に、
層全体がポーラス例なっておシ、その為に湿度依存性が
著しく、多湿雰囲気中で使用すると電気的特性の劣化を
来たし、高品質の複写画像が得られなくなる場合が少な
くない。

更には、光導電層のポーラス性は、現像の際の現像剤の
層中への侵入を招来し、離型性、クリーニング性が低下
するばかシか使用不能を招く原因ともなり、殊に、液体
現像剤を使用すると毛管現象による促進をうけてそのキ
ャリアー溶剤と共に現像剤が層中に侵透するので上記の
点は著しいものとなるので、光導電層表面を表面被覆層
で覆うことが必要となる。

丙午ら、この表面被覆層を設ける改良も、光導電層のポ
ーラス性に起因する光導電層表面の凹凸性故に、その界
面が均一にならず、光導電層と表面被覆層との接着性及
び電気的接触性の良好な状態を得る事が仲々困難である
という欠点が存する。

又、Ｃｄ８を使用する場合には、ＣｄＳ自体の人体への
影響がある為に、製造時及び使用時に於いて、人体に接
触したシ、或いは周囲環境下に飛散したシすることのな
い様にする必要がある。

ＺｎＯを使用する場合には、人体に対する影響は殆んど
ないが、ＺｎＯのバインダー系光導電層は光感度が低い
１分光感度領域が狭い、光疲労が著しい、光応答性が遅
い等の欠点を有している。

又、最近注目されているＰＶＫ＋ＴＮＦ等の有機光導電
材料を使用する電子写真用像形成部材に於いては、表面
が導電処理されたポリエチレンテレフタレート等の適当
な支持体上にＰ■やＴＮＦ等の有機光導電材料の塗膜を
形成するだけで光導電層を形成出来るという製造上に於
ける利点及び可撓性に長けた電子写真用像形成部材が製
造出来るという利点を有するものであるが、他方に於い
て、光感度が低い、例えば像形成に使用する光が可視光
領域とした場合分光感度領域が狭く且つ短波長側に片寄
っている等の欠点を有し、極限定された範囲でしか使途
に供されていない。

この様に、電子写真用像形成部材の光導電層形成材料と
して従来から指摘されている光導電材料を使用した電子
写真用像形成部材は、利点と欠点を併せ持つ為に、ある
程度、製造条件及び使用条件を持つ為に、ある程度、製
造条件及び使用条件を緩和して、各々の使途に合う適当
な電子写真用像形成部材を各々に選択して実用に供して
いるのが現状である。

従って、上述の諸問題点の解決された優れた電子写真用
像形成部材が得られる様な電子写真用像形成部材の光導
電層形成材料としての第３の材料が所望されている。

その様な材料として最近有望視されているものの中にア
モルファスシリコン（以後ａ　−８ｉト略記する）があ
る。

ａ−８１膜は、開発初期のころは、その製造法中製造条
件によって、その構造が左右される為に種々の電気的特
性二元学的特性を示し、再現性の点く大きな問題を抱え
ていた。例えば、初期に於いて、真空蒸着法やスパッタ
ーリング法で形成され九ａ−８ｉ膜は、ボイド等の欠陥
を多量に含んでいて、その為に電気的性質も光学的性質
も大きく影響を受け、基礎物性の研究材料としてもそれ
程注目されてはいす、応用の為の研究開発もなされなか
った。百年ら、アモルファスではｐ、ｎ制御が不可能と
されていたのがａ−８ｉに於いて、１９７６年初頭にア
モルファスとしては初めてｐ　−ｎ接合が実現し得ると
いう報告（人ｐｐ７ｉｄ　ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅ
ｒ　；　Ｖｏ１２８　Ａ６２゜１５　Ｊａｎｕａｒｙ　
１９７６　）が成されて以来、大きな関心が集められ、
以後上記の不純物のドーピングによってｐ−ｎ接合が得
られることに加えて結晶性シリコン（ｃ−８ｉと略記す
る）では非常に弱いルミネセンスがａ　−８ｉでは高効
率で観測されるという点から、主として太陽電池への応
用に研究開発力が注がれて来ている。

この様に、これ迄に報告されているａ　−８ｉ膜は、太
陽電池用として開発されたものであるので、その電気的
特性・光学的特性の点に於いて電子写真用像形成部材の
光導電層としては使用し得ないのが実状である。即ち、
太陽電池は、太陽エネルギーを電流の形に変換して取り
出すので、ＳＮ比が良いだけでなく、効率良く大きな電
流を取り出すには、ａ−８ｉ膜の抵抗はある程度小さく
なければならないが、余シ抵抗が小さ過ぎると光感度が
低下し、８Ｎ比が悪くなるので、その特性の一つとして
の抵抗は１０１〜１０’Ω・傷程度が要求される。

百年ら、この程度の抵抗（暗抵抗：暗所での抵抗）を有
するａ−８ｉ膜は、電子写真用像形成部材の光導電層と
しては、余シにも抵抗（暗抵抗）が低過ぎて、そのまま
では現在、知られている電子写真法を適用するのでは全
く使用し得ないＯ 又、電子写真用像形成部材の光導電層形成材料としては
、明抵抗（光照射時の抵抗）が暗抵抗に較べて２〜４桁
程度小さいことが要求されるが、従来、報告されている
ａ　−８ｉ膜では精々２桁程度であるので、との点に於
いても従来のａ−８ｉ膜では、その特性を充分満足し得
る光導電層とは成シ得なかった。

又、別には、ａ−８ｉ膜に関するある報告では例えば、
暗抵抗が：１０Ｉ°Ω・箔でのａ　−８ｉ膜では明抵抗
も同程度の値を示すし、ＳＮ比が悪いことが示されてい
るが、この点に於いても、従来のａ　−８ｔ膜は電子写
真用像形成部材の光導電層とは成シ得なかった。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８ｉに
就て電子写真用像形成部材への応用という観点から総括
的に鋭意研究検討を続けた結果、ａ−８ｉ層の単層では
、暗抵抗の低さ、８Ｎ比の悪さの点で、従来満足し得る
電子写真特性が得られなかったものがａ−８ｉｉ１と以
下に詳述する有機化合物の層とを積層すれば、得られる
電子写真用像形成部材は実用的に充分使用し得るばか）
でなく、従来の電子写真用像形成部材と較べてみても殆
んどの点に於いて凌駕していることを見出した点に基い
ている。

本発明は、製造時に於いては、製造設備のクローズドシ
ステム化が容易に出来るので、人体に対する悪影響を避
けることが出来、又、一旦製造されたものは使用上に際
し、人体ばかりかその他の生物、更には自然環境に対し
て影響がなく無公害であって、電子写真特性が常時安定
していて、殆んど使用環境に限定を受けない全環境型で
あシ、耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際しても劣
化現象を起さない電子写真用像形成部材の製造法を提案
することを主たる目的とする。

本発明の他の目的は、濃度が高く、−・−７トーンが鮮
明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が容易
に出来る電子写真用像形成部材の製造法を提案すること
である。

本発明の他の目的は、光感度が高く、分光感度領域も略
々全可視光域を覆っていて、且つ光応答性も速い電子写
真用像形成部材の製造法を提案することである。

本発明の更に他の目的は静電像形成後現像を行うまでの
時間及び現像に要する時間に対する制約の少ない電子写
真用像形成部材の製造法を提案することである。

本発明の所期の目的は、所定の圧力の下に、アモルファ
スシリコン形成用の原料ガスが導入された放電槽内に、
電圧１００〜５０００Ｖ１電流密度０．１〜ｌＱｍＡ／
ｄ　なる条件で放電を生起させて、支持体上に所定層厚
のアモルファスシリコン系層を形成し、次いで該層上に
有機化合物層から成る層を設けることによって達成され
る。

本発明の製造法で得られる電子写真用像形成部材の最も
代表的な構成例が第１図及び第２図に示される。

第１図に示される電子写真用像形成部材１は、電子写真
法の実施に適用される像形成部材用の支持体２、電磁波
励起によって、移動可能なキャリアーを発生するところ
のａ−８ｉ系層３、層３中で発生したキャリアーが効率
良く注入され且つ効果的に輸送する為の有機化合物から
成る層４から構成され、層４は、自由表面５を有してい
る。

本発明に於けるａ−８ｉ系層３は、像形成部材１に静電
像を形成するプロセス中の一工程である電磁波照射工程
の際に、照射される電磁波の作用を受けて、移動可能な
キャリアーを生成する層としての機能を有する。

本発明に於いては、ａ−８ｉ系層３が上記の様な機能を
有するものとされる為に、像形成部材ＩＫ電磁波を照射
する方向に応じて、実質的にコントラストの充分とれた
静電像が形成されるのに充分なキャリアーがａ−８ｉ系
層３中に於いて発生され得る様に、即ち、前配電磁波が
ａ−８ｉ系層３に充分到達し得る様に、支持体２と層４
の何れか一方を形成する必要がある。

即ち、例えば、第１図に於いて、層４側よシミ磁波を照
射する場合には、層４は、ａ−８ｉ系層３に於いて充分
なるキャリ・アーが発生される様な量の電磁波が透過し
、ａ−８ｉ系層３に到達し得る様に、材料の選択及び層
厚を決定して設けられる必要があシ、逆に、支持体２側
よシミ磁波を照射する場合には、支持体２が前記の条件
の場合の層４の様に材料の選択及び層厚を決定して設け
られる必要がある。

又、第１図に示される像形成部材ＩＫ於いては、支持体
２上にａ−８ｉ系層３が形成され、該ａ−８ｉ系層３上
に層４が形成されているが、斯かる層構成順は、必ずし
も本発明を限定するものではなく、支持体２を層４側に
設け、ａ−８ｉ系層が自由表面を有する層構成順として
も良い。

この層構成で、ａ−８ｉ系層３側よシミ磁波を照射する
場合には、有機化合物の層４及び支持体２は、先述した
様なａ−８ｉ系層３に於いて充分なるキャリアーが発生
される様な量の電磁波がａ−８ｉ系層３に到達し得る様
にはする必要はない。丙午ら、逆に支持体２側よシミ磁
波を照射する場合には、支持体２及び層４は、先述した
様に、ａ−８ｉ系層３に於いて充分なるキャリアーが発
生される様な量の電磁波がａ　−８ｉ系層に到達し得る
様に材料の選択及び層厚を決定して設ける必要がある。

支持体２としては、導電性でも電気絶縁性であっても良
い。導電性支持体としては、例えばステｙしｘ、ＡＩ、
Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ。

Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ等の金属又はこれ等
の合金が挙げられる。電気絶縁性支持体としては、ポリ
エステル、ポリエチレン、ポリカーボネ・−トウセルロ
ーズトリアセテート。

ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン
、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又
はシート、ガラス、セチンツク１紙等が通常使用される
。これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともそ
の一方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側
に他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、ＩｒｂＯｓ、　ａｎ（ロ）で
その表面が導電処理され、或いはポリエステルフィルム
等の合成樹脂フィルムであれば、ｌ　。

Ａ　ｇ　、　Ｐ　ｂ　、　Ｚ　ｎ　、　Ｎ　ｉ　、　Ａ
　ｕ　、　Ｃｒ　、　Ｍ　ｏ　。

Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ等の金属で真空蒸着
、電子ビーム蒸着、スパッタリング等で処理し、又は前
記金属でラミネート処理してその表面が導電処理される
。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等、
任意の形状とし得、所望によって、その形状は決定され
るが、連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒
状とするのが望ましい。支持体の厚さは所望通シの電子
写真用像形成部材が形成される様に適宜決定されるが、
電子写真用像形成部材として可撓性が要求される場合に
は、支持体としての機能が充分発揮される範囲内であれ
ば、可能な限シ薄くされる。丙午ら、この様な場合支持
体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、通常
は１０μ以上とされる。

ａ−８ｉ系層３は、支持体２上に、グロー放電法、スパ
ッターリング法、イオンインプランテーション法等によ
って形成される。これ等の製造法は、製造条件、設備資
本投下の負荷程度、製造規模、製造される電子写真用像
形成部材に所望される電子写真特性等の要因によって適
宜選択されて採用されるが、所望する電子写真特性を有
する傷形成部材を製造する為の制御が比較的容易である
、特性を制御する為にａ　−８ｉ層中に不純物を導入す
るのに、■族又はＶ族の不純物を置換型で導入すること
が出来る等の利点からグロー放電法が好適に採用される
。更に１本発明に於いては、グロー放電法とスパッター
リング法とを同一装置系内で併用してａ　−８ｉ層を形
成しても良い。

ａ−８ｉ系層３け、本発明の目的とする電子写真用像形
成部材が得られる可く、その暗抵抗が例えば、Ｈをドー
ピングして制御される。ａ−８ｉ系層３へのＨのドーピ
ングは、層３を形成する際、装置系内に８ｉＨ＋　、　
５ｉｔ）Ｌ等の化合物の形で導入した後熱分解、グロー
放電分解等の方法によって、それ等の化合物を分解して
、ａ　−８１層中に、層の成長に併せてドーピングして
も良いし、又、イオンインプランテーション法でドーピ
ングしても良い。

本発明者等の知見によれば、ａ−Ｓｉ系層３中へのＨの
ドーピング量は、形成された電子写真用像形成部材が実
際面に於いて充分適用され得るか否かを左右する大きな
要因の一つであって極めて重要であることが判明してい
る。

本発明に於いて、形成される電子写真用像形成部材が実
際面に充分適用させ得る為には、ａ−Ｓｉ系層中にドー
ピングされるＨの量は通常の場合１０〜４０　ａｔｏｍ
ｉｃ＄、好適には１５〜３０ａｔｏｍｉｃ％とされるの
が望ましい。ａ　−８ｉ系層中へのＨのドーピング量が
上記の数値範囲に限定される理由の理論的裏付は今の処
、明確にされておらず推論の域を出ない。丙午ら、数多
くの実験結果から、上記数値範囲外のＨのドーピング量
では、例えば、製造された電子写真用像形成部材は、照
射される電磁波に対する感度が極めて低い又は場合によ
っては、該感度が殆んど認められない、電磁波照射によ
るキャリアーの増加が小さい、ａ−８ｉ系層の暗抵抗が
著しく低い等が認められ、Ｈのドーピング量が上記の数
値範囲内にあるのが必要条件であることが裏付けられて
いる０ａ−８ｉ系層中にＨをドーピングするには、例え
ば、グロー放電法によって、ａ−８ｉ系層を形成する場
合には、ｍ−８ｉを形成する出発物質が８ｉＨ，、Ｓｉ
！Ｈ−等の水素化物を使用するので、８ｊＨ，、８ｉ、
Ｈ，等の水素化物が分解してａ−８ｉ系層が形成される
際、Ｈは自動的に層中にドーピングされるが、Ｈの層中
へのドーピングを一層効率良く行なうには、ａ−８ｉ系
層を形成する際に、グロー放電を行なう系内にＨ，ガス
を導入してやれば良い。

スパッターリング法による場合には、Ａｒ等の不活性ガ
ス又はこれ等のガスをベースとした混合ガス雰囲気中で
８ｉをターゲートとしてスパッターリングを行なう際に
Ｈ，ガスを導入してやるか又は８ｉＨ４，８ｉ１Ｈ＃等
の水素化硅素ガス、或いは、不純物のドーピングも兼ね
てＢ、Ｈ，、ＰＨ。

等のガスを注入してやれば良い。

ａ−８ｉ系層中にドーピングするＨの量を制御するには
、蒸着基板温度又は／及びＨをドーピングする為に使用
される出発物質の装置系内へ導入する量を制御してやれ
ば良い０更には、ａ−８ｉ系層を形成した後に、該層を
活性化した水素雰囲気中に　しても良い０又、この時、
ａ−８ｉ系層を結晶化温度以下で加熱するのも一つの方
法である。

本発明に於いては、照射される電磁波に対する感度が実
用上充分であるものとする為にａ−Ｓｉ系層３の層厚と
しては、通常０．１μ以上とされる〇 一方、上限としては、電子写真分野に於ける光導電層の
通常知られている層厚であっても、充分良いものである
が、ａ−８ｉ系層の製造に要する時間を短クシ、製造コ
ストを下げるという観点から、通常は１０μ以下、好適
には７μ以下とされるのが望ましい。

ａ−８ｉ系層中にドーピングされる不純物としては、ａ
−８ｉ系層をｐ型にするには、周期律表第■族Ａの元素
、例えば、Ｂ　、　ｋｌ　、　Ｇａ、Ｉｎ。

ＴｉＩ等が好適なものとして挙げられ、ｐ型にする場合
には、周期律表第Ｖ族Ａの元素、例えばＮ　、　Ｐ　、
　Ａ　ｓ　、　８　ｂ　、　、Ｂ　ｉ等が好適なものと
して挙げられる。これ等の不純物は、ａ−８ｉ系層中に
含有される童がｐ　ｐｍオーダーであるので、光導電層
を構成する主物質程その公害性に注意を払う必要はない
が、出来る限り公害性のないものを使用するのが好まし
い。この様な観点からすれば、形成されるａ−８ｉ系層
の電気的・光学的特性を加味して、例えば、Ｂ、Ａｓ、
’Ｐ。

ｓｂ等が最適である。

ａ−８ｉ系層中にドーピングされる不純物の量は、所望
される電気的・光学的特性に応じて適宜決定されるが、
周期律表第Ｖ族Ａの不純物の場合には、通常１０　’〜
１０　　ａｔｏｍｉｃ％　、好適には１０−’〜１０　
’　ａｔｏｍｉｃ％９周期律表第Ｖ族Ａの不純物の場合
には、通常１０　”〜１０−ａｔｏｍｉｃ％好適には１
Ｏ−（１０”ａｔｏｍｉｃチとされるのが望ましいＯ これ等不純物のａ−Ｓｉ層中へのドーピング方法は、ａ
−８ｉ系層を形成する際に採用される製進法によって各
々異なるものであって、具体的には、以降の説明又は実
施例に於いて詳述される。

本発明に於ける、有機化合物から成る層４はａ−８ｉ系
層３中で発生したキャリアーが、効率良く注入され、該
注入されたキャリアーを効果的に輸送する為の層である
から、該層４は、注入されたキャリアーを効果的に輸送
する様な材料を選択し、ａ−８ｉ系層３からのキャリア
ーの注入がスムーズに行われ得る様な良好な接触状態が
形成される様にａ−８ｉ系層３上に設けられる０ この様な条件を満足す可く層４を形成するには、その形
成材料としては、ａ−８ｉ系層３がｎ型の場合には電子
の易動度に対して正孔易動度の比較的太きいものが、又
ａ−８ｉ系層３がｐ型の場合には正孔の易動度に対して
電子易動度の比較的大きいものが選択して使用される。

その様な材料としては、成膜性、接着性及び要求される
抵抗を有する本のが多い等の点から、有機化合物の多く
のものが好適なものとして挙げられる。

但１〜、既に形成された有機化合物の層４上にａ−８ｉ
系層を形成する様な場合には、以後の説明でも明白な様
にｓＮ４を形成する有機化合物としては、耐熱性のもの
を選択しなければならない。

これらの有機高分子化合物の多くは適当な溶剤に溶解さ
れ、ドクターブレード法、ディッピング法等の通常の塗
布方法で、形成する事ができる。

本発明に於いて有効に使用される１Ｅ孔易動度の比較的
大きい物質としてはＰＶＫ、カルバゾール、Ｎ−エチル
カルバソール、Ｎ−イソ７’ロピルカルハソール、Ｎ−
フェニルカルバゾール。

テトラフェニルピレン、ｌ−メチルピレン、ペリレン、
クリセン、アトラセン、テトラセ／。

テトラフェン、２−フェニルナフタリン、アザピレン、
フルオレン、フルオレノン、１−エチルピレン、アセチ
ルピレン、２．３−ベンゾクリセン、３，４−ベンゾピ
レン、１．４−ブロモピレン、フェニルインドール、ポ
リビニルピレン。

ポリビニルテトラセン、ポリビニルペリレン。

ポリビニルテトラフェン、ポリアクリロニトリル等を挙
げる事ができる。電子の易動度の比較的大きな物質とし
ては、ＰＶＫ：ＴＮＦ、（単量体でのモル比１：１）に
、テトラニトロフルオレノン、ジニトロアントラセン、
ジニトロアクリデン、テトラシアノフイレ／、ジニトロ
アントラキノン等が挙げられる。

第１図に示される像形成部材１に於いては、支持体２上
にａ−８ｉ系層３、核層３上に有機化合物から成る層４
が積層された層構成とされているが、更に、支持体２と
ａ−８ｉ系層３との間に層４と類似した別の層を設けて
も良い０この場合に支持体２とａ−８ｉ系層３との間に
設けられる上記層としては、層４が電子易動度の比較的
大きな場合には、正孔易動度の比較的大きな層とし、層
４が正孔易動度の比較的大きな場合には、電子易動度の
比較的大きな層とされる。

有機化合物から成る層４の層厚は、本発明の目的を達成
する為に該層４に要求される特性及びａ−８ｉ系層との
関係に於いて適宜決定されるものであるが、通常は５〜
８０μ、好適には１０〜５０μとされるのが望ましいも
のである。

＠１図に示される電子写真用像形成部材の如き、有機化
合物から成る層４又はａ−８ｉ系ｌ１１３が自由表面を
有し、該自由表面に、静電傷形成の為の帯電処理が施さ
れる像形成部材に於いては、支持体２と、該支持体２上
に設けられる層との間に静電偉形成の際の帯電処理時に
支持体２側からのキャリアーの注入を阻止する働きのあ
る障壁層を設けるのが一層好ましいものである。この様
な働きのある障壁層を形成する材料としては、選択され
る支持体２の種類及び支持体２上に形成される層の電気
的特性に応じて適宜選択されて適当なものが使用される
。その様な障壁層形成材料としては、例えば、Ａ１．Ｃ
Ｌ　。

８ｉ０　、８ｉ０．　　等の無機化合物、ポリエチレン
。

ポリカーボネート、ポリウレタン、パリレン等の有機化
合物、Ａｕ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ。

ＭＯ等の金属が挙げられる。

第２図に示される電子写真用像形成部材６は自由表面１
１を有する表面被覆層１０を有する以外、支持体７、有
機化合物から成る層８に於いては第１図に示される僧形
成部材１と本質的に異なるものではない。丙午ら、表面
被覆層１０に要求される特性は、適用する電子写真プロ
セスによって各々異なる。即ち、例えば、特公昭４２−
２３９１０号公報、同４３−２４７４８号公報に記載さ
れている様な電子写真プロセスを適用するのであれば、
表面被覆層１０け、電気的絶縁性であって、帯電処理を
受けた際の静電荷保持能が充分あって、ある程度以上の
厚みがあることが要求されるが、例えば、カールソンプ
ロセスの如き電子写真プロセスを適用するのであれば、
静電像形成後の明部の電位は非常に小さいことが望まし
いので表面被覆層１０の厚さとしては非常に薄いことが
要求される。表面被覆層１０は、その所望される電気的
特性を満足するのに加えて、ａ−８ｉ系層９に化学的・
物理的に悪影響を与えないこと、ａ−８ｉ系層９との電
気的接触性及び接着性、更には耐湿性、耐拳耗性、クリ
ーニング性等を考慮して形成される。

表面被覆層ＩＯの形成材料として有効に使用されるもの
として、その代表的なのは、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリ塩化ビニリチン、ポリビニルアルコール、ポリ
スチレン。

ポリアミド、ポリ四弗化エチレン、ポリ三弗化塩化エチ
レン、ポリ弗化ビニル、ポリ弗化ビニリゾ／、六弗化グ
ロビレンー四弗化エチレンコポリマー、三弗化エチレン
−弗化ビニリデンコポリマー、ポリブテン、ポリビニル
ブチラール。

ポリウレタン等の合成樹脂、ジアセテート、トリアセテ
ート等のセルロース縫導体等が挙げられる。これ等の合
成樹脂又はセルロース誘導体は、フィルム状とされてａ
−８ｉ系層９上に貼合されても良く、又、それ等の塗布
液を形成してａ−８ｉ系層９上に塗布し、膜形成しても
良い。

表面被覆層１０の層厚は、所望される特性に応じて、又
、使用される材質によって適宜決定されるが、通常の場
合、０．５〜７０ｔ１程度とされる。殊に表面被覆／ｗ
１０が先述した保護層としての機能が要求される場合に
は、通常の場合、１０μ以下とされ、逆に電気的絶縁層
としての機能が要求される場合には、通常の場合１０μ
以上とされる。丙午ら、との保護層と電気絶縁層とを差
別する層厚値は、使用材料及び適用される電子写真プロ
セス、設計される電子写真用像形成部材の構造によって
、変動するもので、先の１０μという値は絶対的なもの
ではない。

次に本発明の電子写真感光体を製造するに際し、ａ−８
ｉ系層をグロー放電法及びスパッターリング法によって
製造する場合に就で説明する。

第３図は、キャパシタンスタイプグロー放電法によって
、ａ−８ｉ系層を製造する為のグロー放電蒸着装置の模
式的説明図である。

１２けグロー放電蒸着槽であって、内部にはａ−８ｉ系
層を形成する為の基板１３が固定部材１４に固定されて
お勺、基板１３の下部側には基板１３を加熱する為のヒ
ーター１５が設置されている。蒸着槽１２の上部には、
高周波電源１６と接続されている、キャパシタンスタイ
プ電極１７　、１７’が巻かれており、前記高周波電源
１６がＯＮされると前記電極１７　、１７’に高周波が
印加されて、蒸着槽１２内にグロー放電が生起される様
になっている。

蒸着槽１２の上端部には、ガス導入管が接続されておシ
、ガス導／べ１８，１９，２０よシ各々のボンベ内のガ
スが必要時に蒸着槽１２内に導入される様になっている
。２１　、２２．２３は各々フロメーターであってガス
の流量を検知する為のメータであり、又、２４，２５．
２６は流量調節バルブ、２７．２８．２９はパルプ。

３０は補助パルプである。

又、蒸着槽１２の下端部はメインバルブ３１を介して排
気装＃（図示されていない）に接続されている。３２は
、蒸着槽１２内の真空を破る為のバルブである。

第３図のグロー放電装置を使用して、基板１３上に所望
特性のａ−８ｉ系層を形成するには、先ず、所定の清浄
化処理を施した基板１３を清浄化面を上面にして或いは
予め有機化合物から成る層の設けられた基板１３を該層
の設けられた固定部材１４に固定する。

基板１３の表面を清浄化するには、通常、実施されてい
る方法、例えば、アルカリ又は酸等による化学的処理法
が採用される。又、ある程度清浄化した後蒸着槽１２内
の所定位置に設置し、その上にａ−８ｉ系層を形成する
前にグロー放電処理を行っても良い。との場合、基板１
３の清浄化処理からａ　−８ｉ系層形成迄同−系内で行
うことが出来るので、清浄化した基板面に汚物や不純物
が付着するのを避けることが出来る。

基板１３を固定部材１４に固定したら、メインバルブ３
１を全開して蒸着槽１２内の空気を排気して、真空度’
：：　１０　’　Ｔｏｒｒ程度にする。

蒸着槽１２内が所定の真空度に達した後、ヒーター１５
を点火して基板１３を加熱し所定温度に達したら、その
温度に保つ。

次に補助バルブ３０を全開し、続いてガスボンベ１８の
バルブ２４及びガスボンベ１９のバルブ２５を全開する
。ガスボンベ１８は例、ｔ　ハＡｒガス等の稀釈ガス用
であシ、ガスボンベ１９けａ−８＋を形成する為の原料
ガス用であって、例えば、８１Ｈａ　、　Ｓ　ｔ、Ｈ，
、Ｓ　＋、Ｈ，，又は、それ等の混合物等が貯蔵されて
いる。又、ボンベ２０は必要に応じてａ−８＋系層中に
導入する不純物を生成する為の原料ガス用であって、　
ＰＨ，、Ｐ、Ｈ，。

Ｂ、Ｈ，等が貯蔵されている。

その後ガスボンベ１８及び１９の流′ｆｉ１ｉ！１節バ
ルブ２４．２５を、フロメータ２１及び２２を見学ら、
徐々に開口し、蒸着槽１２内に稀釈ガスとして例えば、
Ａｒガス及び例えば、　　８ｉＨ，ガス等（Ｄａ−８ｉ
形成用の原料ガスを導入する。この時Ａｒガス等の稀釈
ガスは必ずしも要するものではな（、ＳｉＨ４ガス等の
前記原料ガスのみ導入しても良い。ＡｒガスをＳｉＨ，
ガス等のａ　−８ｉ形成用の原料ガスに混合して導入す
る場合、その量的割合は、所望に従って決定されるが、
通常の場合、稀釈ガスに対して前記原料ガスが１０ＶＯ
ｌ−以上とされる。なお、稀釈ガスとしてＡｒガスの代
シにＨｅガス等の稀釈ガスを使用しても良い。

蒸着槽１２内に、ボンベ１８．１９よりガスが導入され
た時点に於いて、メインバルブ３２を調節して、所定の
真空度、通常の場合は、ａ−８ｉを形成する為の原料ガ
ス圧で１０−１〜３Ｔｏｒｒに保つ。次いで、蒸着槽１
２外に巻かれたキャパシタンスタイプの電極１７　、１
７’に高周波電源１６によシ所定周波数、通常の場合は
、０．２〜３０　ＭＨｚの高周波を加えてグロー放電を
蒸着槽１２内に起すと、例えば、ＳｉＨ，ガスが分解し
て、基板１３上に８ｉが蒸着されてａ　−８ｉ系層が形
成される。

形成されるａ−８＋系層中に不純物を導入する際には、
ボンベ２０よシネ純物生成用のガスをａ−８ｉ系層形成
時に蒸着槽１２内に導入してやれば良い。この場合、流
量調節バルブ２６を適当に調節することにより、ボンベ
２０よりの蒸着槽１２へのガスの導入量を適切に制御す
ることが出来るので、形成されるａ−８＋系層中に導入
される不純物の量を任意に制御することが出来る他、更
に、ａ−８ｉ系層の厚み方向に不純物の量を変化させる
ことも容易に成し得る。

第３図に示されるグロー放電蒸着装置に於いては、ＲＦ
　（ｒａｄｉｏ　ｆｅｇｕｅｎｃｙ　）キャパシタンス
タイプグロー放電法が採用されているが、この他、ＲＦ
イ／ダクタンスタイプ、ＤＣ二極タイプ等のグロー放電
法も本発明に於いて押出される。又、グロー放電の為の
電極は、蒸着槽１２の外に設けても良いし又蒸着槽１２
の内に設けても良い。

本発明に係る第３図の装置の様なギャパシタンスタイプ
グロー放電装置に於いて、有効とされるグロー放電を得
る為には、電流密度を０．１〜１０　ｍＡ／ｃｒ＆とす
るのが良く、又、充分なパワーを得る為には通常１００
〜５０００■、好適には、３００〜５ｏｏｏｖの電圧に
調整されるのが良い。

形成されるａ　−８ｉ系層の特性は成長時の基板温度に
大きく依存するのでその制御は厳密に行うのが好ましい
。本発明に於いては基板温度を通常は５０〜３５０℃、
好適には１００〜２００℃の範囲とすることによって、
有効な特性を有するａ−８ｉ系層が形成される。更に基
板温度はａ−Ｓｉ層形成時に連続的又は断続的に変化さ
せて所望の特性を得る様にすることも出来る。

第４図は、スパッターリング法によって、ａ−８ｉ系層
を製造する為の装置の一つを示す模式的説明図である。

３３は蒸着槽であって、内部には、第３図で説明したの
と同様の、ａ−８ｉ系層を形成する為の基板３４が蒸着
槽３３とは電気的に絶縁さ九ている導電性の固定部材３
５に固定されて所定位置に配置されている。基板３４の
下方には、基板３４を加熱する為のヒーター３６が配置
され、上方には、所定間隔を設けて基板３４と対向する
位置に多結晶又は単結晶シリコンターゲット３７が配置
されている。

基板３４が設置されている固定部材３５とシリコンター
ゲット３７間には、高周波電源３８によって、高周波電
圧が印加される様になっている。又、蒸着槽３３には、
ボンベ３９　、４０が各々、パルプ４１，４２、フロー
メータ４３゜４４、流量調節パルプ４５．４６補助バル
ブ４７を介して接続されてお勺、ボ／べ３９．４０よ）
必要時に蒸着！３３内にガスが導入される様になってい
る。

今、第４図の装置を用いて、基板３４上にａ−Ｓｉ系層
を形成するには、先ず、蒸着槽３３内の空気を矢印Ｂで
示す様に、適当な排気装置を使用してメインパルプ４８
を介して排気し、所定の真空度にする。次に、ヒーター
３６を点火して基板３４を所定の温度まで加熱する。ス
パッターリング法によってａ−８ｉ系層を形成する場合
、この基板３４の加熱温度は、通常５０〜３５０℃、好
適には１００〜２００℃とされる。

この基板温度は、ａ−Ｓｉ層の成長速度、層の構造、ボ
イドの存否等を左右し、形成されたａ−８ｉ系層の物性
を決定する一要素であるので充分なる制御が必要である
。又、基板温度は、ａ　−Ｓｉ系層の形成時に、一定に
保持しても良いし、又ａ−８ｉ系層の成長と共に上昇又
は下降又は上下させても良い。例えば、ａ−８ｉ系層の
形成初期に於いては、比較的低い温度Ｔ、に基板温度を
保ち、層がある程度成長したらＴ１よシも高い温度Ｔｔ
まで基板温度を上昇させながら層を形成し、層形成終期
には再びＴ、よシ低い温度Ｔ、に基板温度を下げる等し
て、ａ　　Ｓｉ系層を形成することが出来る。この様に
することによって、ａ−Ｓｉ系層の電気的・光学的性質
を層厚方向に連続的に変化させるととが出来る。

又、ａ−８ｉは、その層成長速度が、例えば、Ｓｅ等に
較べて遅いので、形成する層厚が厚くなると層形成初期
に形成され九ａ−８ｉ（基板側に近いａ−８ｉ）は、層
形成終了迄の間に、層形成初期の特性を変移させる恐れ
が充分考えられるので、層の厚み方向に−８１を特性を
有するａ　−８ｉ系層を形成する為には層形成開始から
層形成終了時に亘って基板温度を上昇させ乍ら層形成す
るのが望ましい。

次に１基板３４が所定の温度に加熱されたことを険知し
た後、メインパルプ４８、補助パル７’４７、パルプ４
１．４２を全開する。次いでメインパルプ４８及び流量
調節パルプ４６を調節しながらボンベ４０よ、ｆｉ、Ｈ
，ガスを蒸着槽３３内に所定の真空度に下がるまで導入
し、その真空度に保つ。

続いて、流量調節パルプ４５を開いて、ボ／べ３９よシ
例えば、Ａ　ｒガス等の雰囲気ガスを蒸着槽３３内に所
定の真空度に下がるまで導入し、その真空度に保つ。こ
の場合の、Ｈ宏ガス及び雰囲気ガスの蒸着槽３３内への
流量は所望する物性のａ−８ｉ系層が形成される様に適
宜決定される。例えば、蒸着槽３３内の雰囲気ガスと化
ガスの混合ガスの圧力は真空度で、通常は１０　”〜１
０　’Ｔｏｒｒ、　　好適にけ５×ｌＯ→−３Ｘ１０”
Ｔｏｒｒとされる。尚Ａｒガスは、Ｈｅガス等の稀ガス
に代えることも出来る。

蒸着槽３３内に、ボンベ３９．４０よシ所定の真空度に
なるまでｂ　Ａ　ｒガス等の雰囲気ガス及びＨ，ガスが
導入された後、高周波電源３８によシ、所定の周波数及
び電圧で、基板３４が設置されている固定部材３５とシ
リコンターゲット３７間に高周波電圧を印加して放電さ
せ、生じた例えばＡｒイオンでシリコンターゲットの８
ｉをスパッターリングし、基板３４上にａ−８ｆ系層を
形成する。

第４図の説明に於いては、高周波放電によるスパッター
リング法であるが、別に直流放電によるスパッターリン
グ法を採用しても良い。高周波印加によるスパッターリ
ング法に於いては、その周波数は本発明の場合、通常０
．２〜３　Ｑ　Ｍ［（ｚ好適には５〜ｚｏＭ）ｈとされ
、又、放電電流密度は通常０．１〜１０　ｍｋｌｃｒ＆
　、好適には１〜５ｍＡ／ｄとされるのが望ましい。又
、充分なパワーを得る為には通常１００〜５ｏｏｏｖ好
適に゛は３００〜５０００Ｖの電圧に調節されるのが良
い。

スパッターリング法によって、ａ−８ｆ系層を製造する
際の１の成長速度は、主に基板温度及び放電条件によっ
て決宇されるものであって、形成された層の物性を左右
する大きな要因の一つである。本発明の目的を達成する
為のａｓｉ層の成長速度は、通常の場合０．５〜１０　
Ｑ　Ａ／　ｓｅｅ　。

好適には１〜５０　Ａ　／　ｓｅｅとされるのが望まし
い。

スパッターリング法に於いてもグロー放電法と同様に不
純物のドーピングによって、形成されるａ−８ｆ系層を
ｎ型或いはｐ型に調整することが出来る。不純物の導入
法は、スパッターリング法に於いてもグロー放電法と同
様であって例えば、　ＰＨ，、Ｐ、Ｈ，、Ｂ、Ｈ，等の
如き物質をガス状態でａ　　８１系層形成時に蒸着槽３
３内に導入してＳ　　ａ　　Ｓｒ系層中にＰ又けＢを不
純物としてドーピングする。この他、又、形成されたａ
Ｓｔ系層に不純物をイオンインプランテーション法によ
って導入しても良い。この場合、　　ａ　−８ｆ系層の
極薄い表面層部分を所望の特性に容易に制御することが
出来る。

以下、実施例によって本発明を具体的に説明する。

実施例１ 第３図に示す装置を用い、以下の様にして本発明の電子
写真用像形成部材を作成し、画像形成処理を施して１ｆ
ｉｉ（＄出しを行った。

１％のＮａ０ｆ（溶液を用いて表面処理を行い、充分水
洗し乾燥させて表面を清浄化した厚さｌｌＩ＋大きさ１
０α×５ｃＷＬのアルミニウム基板を用意して、グロー
放電蒸着槽１２内の所定位置にある固定部材１４の所定
位置にヒーター１５とは約１０α程度離して堅固に固定
した。

次いで、メインパルプ３１を全開して蒸着槽１２内の空
気を排気し、約５Ｘ１０’Ｔｏｒｒの真空度にした。そ
の後ヒーターＩ５を点火してアルミニウム基板を均一に
加熱して１５０℃に上昇させ、この温度に保った。その
後、補助バルブ３０を全開し、引続いてボンベ１８のバ
ルブ２７、ボンベ１９のパルプ２８を全開した後、流量
調節パルプ２４及び２５を徐々に開いて、ボンベ１８よ
りＡｒガスを、ボンベ１９よシ８ｉＨ，ガスを蒸着＠１
２内に導入した。この時メインパルプ３１を調節して蒸
着槽１２内の真空度が約０．７５Ｔｏｒｒに保持される
様にした。

続いて、高周波電源１６のスイッチをＯＮにして、電極
１７　、１７’間に１３．５６　ＭＨｚの高周波電圧を
印加してグロー放電を起し、アルばニウム基板上にａ−
８ｆ層を形成した。この時のグロー放電電力は５Ｗであ
った。又、この時のａ−８ｆ層の成長速度は、約４　Ａ
／ｍｅであって約２０分間蒸着を行い、アルミニウム基
板上に０．５μ厚のａ−８ｆ層を形成した。この様にし
てａ　−８ｆ層の形成された基板を、蒸着終了彼、メイ
ンパルプ３１、バルブ２７，２８、流蓋調節パルプ２４
゜２５、補助バルブ３０を閉じ、代シにバルブ３２を開
いて蒸着槽１２内の真空を破り、外部に取シ出した。

次いで、上記ａ−８ｉ層上にＰＶＫをトルエンに溶解し
て作った塗布液をドクターブレード法によって塗布した
。次にこれをトルエンを蒸発させるため８０℃の雰囲気
中に約２時間放置した。乾燥後のＰＶＫ膜の厚さは約１
５μであった。こうして得られた像形成部材に次に示す
様な方法の画像形成処理を施した。

先ず、暗中に於いて、電源電圧５５００Ｖで負コロナ放
電をその像形成表面に行い、次いで１５　１ｕｘ−ｓｅ
ｃの露光量で像形成表面より画像露光を行って静電像を
形成し、該静電像をカスケード法により正荷電されたト
ナーで現像して転写紙上に転写・定着を行った。この時
、帯電後現像終了までの処理時間は数秒程度であったが
解像度が高く極めて鮮明な転写画像が得られた。

又、更に、上記処理時間が１０秒を越えても、殆んど転
写画像のコントラストの低下は見られなかった。

実施例２ ８ｉＨａ　　ガスに対し、０．０１％の割合でＢ、Ｈ，
ガスを混合した状態でグロー放電を行わせた以外は実施
例１と同様の方法でアルミニウム基板上に厚み０．５μ
のａ−８ｉ層を得た。このａ　−８ｉ層上に、ＰＶＫ：
ＴＮＦ　　をトルエンとシクロヘキサノン等量混合物に
溶解して得た塗布液を、ドクターブレード法にて塗布し
、次にこれを溶媒を蒸発させるため、８０℃の雰囲気中
に約２時間放置した。乾燥後のＰＶＫ：ＴＮＦの層厚は
約２０μであつ九〇これを暗中に於いて電源電圧６００
０Ｖで正コロナ帯電を行い、次いで１５　１ｕＸ−ｗｔ
の無光量で、像形成表面よシ画像露光を行って、静電像
を形成し、該静電像をカスケード法により、負荷電され
たトナーで現像して転写紙上に転写・定着を行った所、
解像度が高くて極めて鮮明な画像が得られた。一方、帯
電を負コロナ放電によって行い、現像は正荷電されたト
ナーを用いて同様に画像処理を行った所、得られた転写
画像はコントラストの低いものであった。

実施例３ １１ＯＮａＯＨ溶液を用いて表面処理を行い、充分水洗
し乾燥させて表面を清浄化した厚さ−、大きさ１０ｃｍ
Ｘ５ｃｍのアルオニウム基板を用意して、これに、ポリ
アクリロニトリルをジメチルホルムアミドに溶解して得
た塗布液をドクターブレード法にて塗布した。次にこれ
をジメチルホルムアきドを蒸発させる為に約８０℃の雰
囲気中に約１時間、次に熱処理の目的で約２５０℃の雰
囲気中に約２時間放置した。ポリアクリロニトリル層の
乾燥後の厚さは２０μであった。

こうして得たポリアクリロニトリル層上に第４図に示す
装置を用い、以下の様にスパッタリング法にてａ−８ｉ
層を形成した。

まずポリアクリロニトリル層を有する基板３４を蒸着槽
３３内の所定位置にある固定部材３５０所定位置に、ポ
リアクリロニトリル層を上面にしてヒーター３６とは約
１０ａＩＬ離して堅固に固定した。ま九基板３４の上部
に基板３４から約８．５　ａｎの位置に純度５　ｎ１ｎ
ｅの多結晶シリコンターゲット３７を固定した。次いで
メインバルブ４８を開けて蒸着槽３３内の空気を排気し
約１×１０″Ｔｏｒｒの真空度とした。その後ヒーター
３６を点火して基板３４を均一に加熱して温度を約１５
０℃とし、以後この温度を保った。

その後パルプ４７を全開し、引き続いてボンベ３９のバ
ルブ４１を全開した後流量調節バルブ４５を徐々に開い
て、メインバルブ４８で調節しながらボンベ３９よｌ）
　Ａ　ｒガスを、真空度が５．５　Ｘ　１０　’Ｔｏｒ
ｒ　Ｉｃなる様Ｋｌ、’ｌ［４１１３３内に導入した。

続いてボンベ４０のバルブ４２を全開した後フローメー
ター４４を注視しながら、流量調節バルブ４６を徐々に
開き、真空度が５　Ｘ　１０　’Ｔｏｒｒになる様にし
てＨ，ガスを蒸着槽３３内に導入した。

その後高周波電源３８のスイッチをＯＮにして基板３４
と多結晶シリコンターゲット３７間に１３．５６ＭＨｚ
　、　Ｉ　Ｋ　ＶＯ高周波電圧を加えて放電を起させ、
ポリアクリロニトリルｍ上Ｋ　ａ−Ｓｔ層の形成を開始
した。この時のａ　−８ｉ層の成長速度は約２Ａ／５Ｉ
ＩＣに制御して４０分連続し、約０．５μのａ−８ｉ層
を形成した。

この様にして製造し九像形成部材を使用して実施例２と
同様な方法で画像処理を行った所、高品質の良好な転写
画像が得られた。一方、負帯電の場合には、得られた転
写画像のコントラストは正帯電の場合に較べて著しく低
かった。

実施例４ 実施例３と同様な方法で、１／基板上に、ポリアクリロ
ニトリル層（層厚１５μ）ａ−８ｉ層（層厚０．５μ）
を形成した後、更にその上から実施例２と同様な方法で
ＰＶＫ：ＴＮＦを塗布した（層厚１５μ）。

この様にして製造した像形成部材を使用して実施例２と
同様な方法で画像処理を行った所、正帯電の場合には高
品質の転写画像が得られた。

−力負帯電の場合には得られた転写画像のコントラスト
は正帯電の場合に較べて著しく低かった。

実施例５ ポリエチレンテレフタレートのシート（厚さ１００μ）
にＡＩをうすく蒸着したものを基板とした以外は実施例
１と同様にして像形成部材を得た。これを使用して画像
露光を基板側から行った以外は実施例１と同様の方法で
画像処理を行った。得られた転写画像は高品質のもので
あった。

実施例６ 実施例３と同様な方法で、人ｌ基板上にポリアクリロニ
トリル層（厚さ１５β）ａ−８ｉ層（厚さＱ、５β）を
形成した後ａ−８ｉｉｌ上にポリカーボネート樹脂を乾
燥後の厚さが１５μとなる様に塗布して、透明な絶縁層
を形成し障形成部材を得た。この像形成部材の絶縁層表
面に一次帯電として、帯電電圧６０００Ｖで負コロナ放
電を行いその後５秒程度経過後二次帯電として帯電々圧
５５００Ｖで正コロナ放電を行うと同時に露光ｉ１２０
　１ｕｘ−奴で画像露光を行い、次いで像形成部材表面
を一様に全面照射して静電像を形成した。これをカスケ
ード法によシ正荷電されたトナーで現像して転写紙上に
転写・定着した所、解像度が高く鮮明な画像が得られた
。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は、本発明の電子写真用像形成部材の
構成の一例を示す模式的構成断面図、第３図、第４図は
本発明の電子写真用像形成部材を製造する為の装置の一
例を示す模式的説明図である。 １．６・・・電子写真用像形成部材 ２．７・・・支持体　　　　３，９・・・ａ　−８ｉ系
層４．８・・・有機化合物４５．１１・・・自由表面Ｉ
Ｏ・・・表面被覆層　　　１２．３３・・・蒸着槽１３
．３４・・・基板　　　　　１４．３５・・・固定部材
１５．３６・・・ヒーター　　　１６．３８・・・高周
波電源１７．１７’・・キャパシタンスタイプ電極１８
．１９，２０，３９．４０・・・ガスボンベ２１．２２
．２３，４３．４４・・・クローメーター２４　、２５
　、２６　、４５　、４６・・・流量調節バルブ２７．
２８，２９，４１．４２・・・バルブ３０　、４７・・
・補助バルブ　３１．４８・・・メインバルブ３２・・
・リークバルブ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 所定の圧力の下に、アモルファスシリコン形成用の原料
   ガスが導入された放電槽内に、電圧１００〜５０００　
   Ｖ、電流密度０．１〜１０　ｍＡ　／ｃｓ！　　なる条
   件で放電を生起させて、支持体上に所定層厚のアモルフ
   ァスシリコン系層を形成し、次いで該層上に有機化合物
   層から成る層を設けることを特徴とする電子写真用像形
   成部材の製造法。