JPS5828752A

JPS5828752A - 電子写真感光体

Info

Publication number: JPS5828752A
Application number: JP9804582A
Authority: JP
Inventors: Yutaka Hirai; 裕平井; Toshiyuki Komatsu; 利行小松; Katsumi Nakagawa; 中川　克巳; Teruo Misumi; 三角　輝男; Tadaharu Fukuda; 福田　忠治
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1982-06-08
Filing date: 1982-06-08
Publication date: 1983-02-19

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、電子写真感光体に関する。

従来、電子写真感光体の光導電層を構成する光導電材料
としては、Ｓｃ　＋　ＣｄＳ　、　ＺｎＯ等の無機光導
電材料やボ１７−Ｎ−ビニルカルバゾール（ｐｖ＊）。

トリニトロフルオレノン（ＴＮＦ）等の有機光導電材料
（ｏｐｃ　＞が一般的に使用されている。

百年ら、これ等の光導電材料を使用する電子写真感光体
に於いては、未だ諸々の解決され得る可き点があって、
ある程度の条件緩和をして、個々の状況に応じて各々適
当ガ市子写真感光体が使用されているのが実状である、
。

例えば、Ｓｅを光導電層形成材料とする電子写真感光体
は、Ｓｅ単独では、その分光感度領域が狭いのでＴｅや
Ａｓを添加して分光感度領域を拡げることが計られてい
る。

百年ら、この様な、ＴｅやＡｓを含むＳｅ系光導電層を
有する電子写真感光体は、確かに分光感度領域は改良さ
れるが、光疲労が大きくなる為に、同一原稿を連続的に
繰返しコピーすると複写画像の画像濃度の低下やバック
グランドの汚れ（カプリ）を生じたり、又、引続き他の
原稿をコピーすると前の原稿の画像が残像として複写さ
れる（ゴースト現像）等の欠点を有している。

而も、Ｓｅ、殊にＡｓ、、　Ｔｅは人体に対して極めて
有害な物質であるので、製造時に於いて、人体への接触
がない様な製造装置を使用する工夫が必要であって、装
置への資本投下が著しく大きい。更には、製造後に於い
ても、光導電層が露呈していると、クリーニング等の処
理を受ける際、光導電層表面は直に摺擦される為に、そ
の一部が削り取られて、現像剤中に混入したり、複写機
内に飛散したり、複写画像中に混入したりして、人体に
接触する原因を与える結果を生む。

又、Ｓｅ系光導電層は、その表面がコロナ放電に、連続
的に多数回繰返し晒されると、層の表面付近が結晶化又
は酸化を起して光導電層の電気的特性の劣化を招く場合
が少なくない。或いは又、光導電層表面が露呈している
と、静電潜像の可視化（現像）に際し、液体現像剤を使
用する場合、その溶剤と接触する為に耐溶剤性（耐液現
性）に優れていることが要求されるが、この点に於いて
、Ｓｅ系光導電層は必ずしも満足しているとは断言し難
い。

これ等の点を改良する為に、Ｓｅ系光導電層の表面を、
所謂保護層や電気絶縁層等と称される表面被覆層で覆う
ことが提案されている。

百年ら、これ等の改良に関しても、光導電層と表面被覆
層との接着性、電気的接触性及び表面被覆層に要求され
る電気的特性や表面性の点に於いて充分なる解決が成さ
れるとは云い難いのが現状である。

又、別には、Ｓｅ系光導電層は、通常の場合真空蒸着に
よって形成されるので、その為の装置への著しい資本投
下を必要とし且つ所望の光導電特性を有する光導電層を
再現性良く得る為には、蒸着温度、蒸着基板温度、真空
度、蒸着速度、冷却速度等の各種の製造パラメーターを
厳密に調整する必要がある。更に、表面被覆層は、光導
電層表面に、フィルム状のものを接着剤を介して貼合す
るか、又は表面被覆層形成材料を塗布して形成される為
に、光導電層を形成する装置とは別の装置を設置する必
要がある為、設備投資の著しい増大があって、昨今の様
な減速経済成長期に於いては甚だ芳しくない。

又、Ｓｅ系光導電層は、電子写真感光体の光導電層とし
ての高暗抵抗を保有する為に、アモルファス状態に形成
されるが、Ｓｅの結晶化が約６５°Ｃと極めて低い温度
で起る為に１製造後の取扱い中に又は使用中に於ける周
囲温度や画像形成プロセス中の他の部材との摺擦による
摩擦熱の影響を多分に受けて結晶化現像を起し、暗抵抗
の低下を招き易いという耐熱性上にも欠点がある。

一方、ＺｎＯ，Ｃｒ１Ｓ等を光導電層構成材料として使
用する電子写真感光体は、その光導電層が、ＺｎＯやＣ
ｄＳ等の光導電材料粒子を適当な樹脂結着剤中【均一に
分散して形成されている。この、所謂バインダー系光導
電層を有する電子写真感光体は、Ｓｅ系光導電層を有す
る電子写真感光体に較べて製造上に於いて有利であって
、比較的製造コストの低下を計ることが出来る。即ち、
バインダー系光導電層は、ＺｎＯ’？　ＣｄＳの粒子と
適当な樹脂結着剤とを適当な溶剤を用いて混線して調合
した塗布液を適当な基体上に、ドクターブレード法、デ
ィッピング法等の塗布方法で塗布した後同化させるだけ
で形成することが出来るので、Ｓｅ系光導電層を有する
電子写真感光体に較べ製造装置にそれ程の資本投下をす
る必要が々いばかりか、製造法自体も簡便且つ容易であ
る。

百年ら、バインダー系光導電層は、基本的に構成材料が
光導電材料と樹脂結着剤の二成分系であるし、且つ光導
電材料粒子が樹脂結着剤中に均一に分散されて形成され
ている特殊性の為に、光導電層の電気的及び光導電的特
性や物理的化学的特性を決定するパラメーターが多く、
斯かるパラメーターを厳密に調整しなければ所望の特性
を有する光導電層を再現性良く形成することが出来ずに
歩留りの低下を招き量産性に欠けるという欠点がある。

又、バインダー系光導電層は分散系という特殊性故に、
層全体がポーラスになっており、その為に湿度依存性が
著しく、多湿雰囲気中で使用すると電気的特性の劣化を
来たし、高品質の複写画像が得られなくなる場合が少な
くない。

更には、光導電層のポーラス性は、現像の際の現像剤の
層中への侵入を招来し、離型性、クリーニング性が低下
するばかりか使用不能を招く原因とも々す、殊に、液体
現像剤を使用すると毛細管現象による促進をうけてその
キャリアー溶剤と共に現像剤が層中に侵透するので上記
の点は著しいものと々るので、Ｓｅ系光導電層の場合と
同様に光導電層表面を表面被覆層で覆うことが必閥とな
る。

丙午ら、この表面被覆層を設ける改良も、光導電層のポ
ーラス性に起因する光導電層表面の凹凸性故に、その界
面が均一にならず、光導電層と表面被覆層との接着性及
び電気的接触性の良好な状態を得る事が仲々困難である
という欠点が存する。

又、ＣｄＳを使用する場合には、ＣｄＳ自体の人体への
影響がある為に、製造時及び使用時に於いて、人体に接
触したり、或いは周囲環境下に飛散したりすることのな
い様にする必要がある。

ＺｎＯを使用する場合には、人体に対する影響は殆んど
ないが、ＺｎＯバインダー系光導電層は光感度が低く、
分光感度領域が狭い、光疲労が著しい、光応答性が遅い
等の欠点を有している。

又、最近注目されているＩ）　Ｖ　Ｋ　−？　Ｔ　Ｎ　
ｉ等の有機光導電材料を使用する′「］王子方真感光体
に於いては、表面が導電処理されたポリエチレンテレフ
タレート等の適当な支持体上にＰＶＫ−？ＴＮＦ等の有
機光導電材料の塗膜を形成するだけで光導電層を形成出
来るという製造上に於ける利点及び可撓性に長けた電子
写真感光体が製造出来るという利点を有するものである
が、他方に於いて、耐湿性、耐コロナイオン性、クリー
ニング性に欠け、又、光感度が低い、分光感度領域が狭
く且つ短波長側に片寄っている等の欠点を有しＺ゛極限
定された範囲でしか使途に供されていない。然も、これ
等の有機光導電材料の中には発癌性物質の疑いがあるも
のもある等、人体に対して全く無害であるという保証が
なされていない。

この様に、電子写真感光体の光導電層形成材料として従
来から指摘されている光導電材料を使用した電子写真感
光体は、利点と欠点を併せ持つ為に、ある程度、製造条
件及び使用条件を緩和して、各々の使途に合う適当な電
子写真感光体を各々に選択して実用に供しているのが現
状である。

本発明は、上記の諸点に鑑み成されたもので製造時に於
いては、装置のクローズドシステム化が容易に出来るの
で、人体に対する悪影醤を避は得ることが出来、又、一
端製造されたものは使用上に際し、人体ばかりかその他
の生物、更には自然環境に対して影響がなく無公害であ
って、耐熱性、耐湿性に優れ、電子写真特性が常時安定
していて、殆んど使用環境に限定を受けない全項境型で
あり、耐光疲労、耐コロナイオン性に著しく長け、繰返
し使用に際しても劣化現象を起さない電子写真感光体を
提供することを主たる目的とする。

本発明の他の目的は、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明
に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が容易に
出来る電子写真感光体を提供することである。

本発明のもう一つの目的は、光感度が高く且つ分光感度
領域が略々全可視光域を覆っていて広範囲であって光応
答性も速く、且つ耐摩耗性、クリーニング性、耐溶剤性
に優れた電子写真感光体を提供することでもある。

本発明の所期の目的は光導電層を主にアモルファスシリ
コン（以後ａ　　Ｓ＊と略１尼する）で形成し、これに
不純物を含有させることによって達成される。

ａ−８ｉ膜は、開発初期のころは、その製造法や製造条
件によって、その構造が左右される為に種々の電気的特
性・光学的特性を示し、再現性の点に大きな問題を抱え
ていた。例えば、初期に於いて、真空蒸着法やスパッタ
リング法で形成されたａ−８ｉ膜は、ボイド等の欠陥を
多量に含んでいて、その為に電気的性質も光学的性質も
大きく影響を受け、基礎物性の研究材料としてもそれ程
注目されてはいす、応用の為の研究開発もなされなかっ
た。丙午ら、アモルファスで１１″ｊｐ、ｎ制御が不可
能とされていたのが、ａ　　Ｓｔに於いて、１９７６年
初頭にアモルファスとしては初めてｐ　−ｎ接合が実現
し得るという報告（Ａｐｐｌｉｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌ
ｅｔｔｅｒ　　；Ｖｏ１２８　、　Ａ２　、１５　Ｊａ
ｎｕａｒｙ　１９７６　　）が成されて以来、大きな関
心が集められ、以後上記の不純物のドーピングによって
ｐ　−ｎ接合が得られることに加えて結晶性シリコン（
ｃ−８ｔと略記する）では非常に弱いルミネセンスがａ
　−８ｉでは高効率で観測されるという点から、主とし
て太陽電池への応用に研究開発力が注がれて来ている。

この様に　これ迄に報告されているａ　−８ｔ膜は、太
陽電池用として開発されたものであるので、その電気的
特性・光学的特性の点に於いて、電子写真感光体の光導
電層としては使用し得えないのが実状である。即ち、太
陽電池は、太陽エネルギーを電流の形に玄換して取り出
すので、ＳＮ比が良くて、効率良く電流を取り出すには
、ａ　　Ｓｒ膜の抵抗は小さくなければならないが、余
り抵抗が小さ過ぎると光感度が低下し、ＳＮ比が悪くな
るので、その特性の一つとしての抵抗は１０５〜１０８
Ω・α程度が要求される。

丙午ら、この程度の抵抗（暗抵抗：暗所での抵抗）を有
するＢ　　Ｓｒ膜は、電子写真感光体の光導電層として
は、余りにも抵抗（暗抵抗）が低÷過ぎて、現在、知ら
れている電子写真法を適用するのでは全く使用し得ない
。

又、電子写真感光体の光導電層形成材料としては、明抵
抗（光照射時の抵抗）が暗抵抗に較べて２〜４桁程度小
さいことが要求されるが、従来、報告されているａ−８
ｉ膜では精々２桁程度であるので、この点に於いても従
来のａ　　Ｓｉ膜では、その特性を充分満足し得る光導
電層とは成り得なかった。

又、別には、これ迄のａ−８ｔ膜に関する報告では、暗
抵抗を増大させると光感度が低下し、例えば、暗抵抗が
ごＩＱＩＯΩ０．でのａ　−８ｉ膜では、光抵抗も同程
度の値を示すことが示されているが、この点に於いても
、従来のａ　−８ｉ膜は電子写真感光体の光導電層とは
成り得なかった。更に、電子写真感光体の光導電層とし
て要求される上記以外の他の要件、例えば、静電的特性
、耐コロナイオン性、耐溶剤性、耐光疲労性、耐湿性、
耐熱性、耐摩耗性、クリーニング性等の点に於いては、
従来全く未知数であった。

本発明は、ａ−８ｔに就て電子写真感光体の光導電層へ
の応用という観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結
果ａ−８ｉでもある特定のａ−８１であれば、電子写真
感光体の光導電層形成材料として充分使用し得るばかり
でなく、従来の電子写真感光体の光導電層形成材料と較
べてみても殆んどの点に於いて極めて凌駕していること
を見出した点に基いている。

本発明の電子写真感光体の最も代表的な構成例が第１図
及び第２図に示される。第１図に示される電子写真感光
体１は、支持体２．主にａ−Ｓｉから成る光導電層３か
ら構成され、光導電層３は１象形成而となる自由表面４
を有している。

支持体２としては、導電性でも電気絶縁性であっても良
い。導電１性支持体としては、例えば、ステンレス＋　
Ａｌ、　Ｏｒ、　Ｍｏｌ　　Ａｕ＋　Ｉｒ、　Ｎｂ、　
Ｔａ、　　Ｖ。

Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げ
られる。電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズトリアセテ
ート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニ
リデン、ポリスチレン。

ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシート。

ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。

これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその
一方の表面を導電処理されるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、Ｉｎ２Ｏ３，８ｎＯ１等でそ
の表面が導電処理され、或いはポリエステルフィルム等
の合成樹脂フィルムであれば、Ａ／。

ｋｇＨｐｂ　ｌ　Ｚｎ　ｌ　ＮＩ　ＨＡｕ等の金属で真
空蒸着処理し、又は前記金属でラミネート処理して、そ
の表面が導電処理される。支持体の形状としては、円筒
状、ベルト状、根状等、任意の形状とし得、所望によっ
て、その形状は決定されるが、連続高速複写の場合には
、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持体
の厚さは、所望通りのＴＩ電子写真感光体形成される様
に適宜決定されるが、電子写真感光体として可撓性が要
求される場合には、支持体としての機能が充分発揮され
る範囲内であれば、可能な限り薄くされる。両年ら、こ
の様な場合、支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度
等の点から、通常は、１０μ以上とされる。

ａ　−Ｓｔ系先光導電層３、支持体２上に、グロー放電
法、スパッタリング法、イオンインプランテーション法
等によって形成される。これ等の製造法は、製造条件、
設備資本投下の負荷程度、製造規模、製造される電子写
真感光体に所望される電子写真特性等の要因によって適
宜選択されて採用されるが、所望する電子写真特性を有
する電子写真感光体を製造する為の制御が比較的容易で
ある、特性を制御する為にａ　’−ｓｔ層中に不純物を
導入するのに、置換型で■族又はＶ族の不純物を導入す
ることが出来る等の利点からグロー放電法が好適に採用
される。四に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ッタリング法とを同一系内で併用してａ　−Ｓｉ　ｌ−
を形成するのは極めて有効な方法であって効果的である
Ｏａ　−Ｓｉ系元導電層３は、その暗抵抗が、電子写真感
光体のｊＹ；導電Ｉｎに要求される値を満足す可く、例
えば、１Ｉｋ−ａ有して制御する。ａ　−８１系光導電
層３への１１の含有は、光導電層３を形成する際、装置
系内に５ｘＨ４１８ｉ　２　ｌ（６等の化合物又はＨ，
の形で導入した後熱分解、グロー放電分解等の方法によ
って、それ等の化合物又は１１２を分解して、ａ−８上
層中に、１−の成長に併せて含有させても良いし、又は
、イオンインプランテーション法で含有させても良い。

本発明者等の知見によれば、ａ−８Ｌ系先光導電３中へ
のＨの含有量は、形成されたａ　−Ｓｉ層が電子写真感
光体の光導電層として適用され得るか否かを左右する大
きな要因の一つであって極めて重要であることが判明し
ている。

本発明に於いて、形成されるａ　−Ｓｉ層が電子写真感
光体の光導電ｊ−として充分適用させ得る為には、ａ−
８ｉ層中に含有されるｌ（の量は通常の場合１０〜４０
　ａ’ｔｏｍｉｃ％、好適には１５〜３０ａ　ｔ　ｏ＋
ｎ　ｉ　ｃ　％とされるのが望ましい。ａ　−Ｓｉ層中
へのＨの含有量が上記の数値範囲に限定される理由の理
論的共付は今の処、明確にされておらず推論の域を出な
い。両年ら、数多くの実験結果から、上記数値範囲外の
１（の含有量では、例えば、電子写真感光体の光導電層
としては暗抵抗が低笈過ぎる、光感度が極めて低い又は
場合によっては、光感度が殆んど認められない、光照射
によるキャリアーの増加が小さい等が認められ、Ｈの含
有量が上記の数値範囲内にあるのが必要条件であること
が裏付けられている。ａ　−８１層中にｌｌを含有する
には、例えば、グロー放電法によって、ａ　−Ｓｉ層を
形成する場合には、ａ　−Ｓｉを形成する出発物質がＳ
市４．ｒ　８＋２０ａ等の水素化物を使用するので、５
ｉｌＩ４．５ｔ２１１６等の水素化動的に層中にドーピ
ングされるが、Ｈの層中の八含有を一層効率良く行なうには、ａ　−８１層全形成す
る際ＶＣ、グロー放電を行なう系内に１（２ガスを導入
してやｆ＋ば良い。

スパッタリング法による場合にはＡｒ等の不活性ガス又
はこれ等のガスをベースとした混合ガス雰凹気中でＳｔ
をターゲートとしてスパッタリングを行なう際Ｖｃｎ、
ガスヶ導入してやるか又は５ＩＨ４＋　５ｉ２１（６等
の水素化硅素ガス、或いは、不純物のドーピングも兼ね
てＢ２Ｈ６ｔ　ＰＩＩ３等のガスを導入してやれば良い
。

ａ　　Ｓｉ層中に含有する１（の量全制御するには、蒸
着基板温度又は／及びＩ（を含有する為に使用される出
発物質の装置系内へ導入する量を制御してやれば良い。

更には、ａ−Ｓｉ層を形成した後に、該層を活性化した
水素雰囲気中に晒しても良いノ。又、この時ａ　−Ｓｉ
層を結晶化温度以下で加熱するのも一つの方法である。

ａ　−Ｓｉ層は、先にも触れた様に、製造時の不純物の
ドーピングによって真性にしイＵ１又その伝導型を制御
することが出来るので、作成した電子写真感光体に静電
像を形成する際の帯電の極性を■ｅ任意に選択し得ると
いう利点を有する。

この利点は、従来の、例えば、Ｓｅ系光導電層であると
、層を形成する際の、例えば、基板温度、不純物の種類
やそのドーピング量等の製造条件の如何によってもＰ型
か又は精々真性型（鳳型）が出来る程度であり、而もＰ
型を形成するにも基板温度の制御を厳密に行なう必要が
あるというのに較べて遥かに勝っており好都合である。

ａ　　Ｓｉ層中にドーピングされる不純物としては、ａ
−Ｓｉ層をＰ型にするには、周期律表第■族Ａの元素、
例えば、Ｂ、　Ａｌ、Ｇａ、　Ｉｎ　、　ＴＩ！＋等が
好適なものとして挙げられ、ｎ型にする場合には、周期
律表第■族λの元素、例えば、Ｎ。

Ｐ、　Ａｓ、Ｓｂ、　Ｂｉ等が好適なものとして挙げら
れる。これ等の不純物は、　　ａ　−Ｓｔ　Ｉｎ中に含
有される量が１−オーダーであるので、光導電層を構成
する主物質程その公害性に注意全仏う必要はないが、出
来る限り公害性のないものを使用するのが好ましい。こ
の様な観点からすれば、形成されるａ　−Ｓｉ系光導電
層の′電気的・光学的特性全加味して、例えば、１３．
　Ａｓ、　　Ｐ、　８ｂ等が最適である。

ａ　　Ｓｉ層中にドーピングされる不純物の報は、所望
される電気的・光学的特性に応じ−Ｃ適宜決定されるが
、周期律表第■族Ａの不純物の場合には、通常１０　’
Ｌ−１０−３０−３ａｔｏ％、好適には１０−５〜１０
−４０−４ａｔｏ％９周期律表第■族Ａの不純物の場合
には、通常１０’〜１０−’　ａｔｏｍｉｃ　％Ｈ好適
には１０−８〜１０−７０−７ａｔｏ％とされるのが望
ましい。

これ等不純物のａ　−８１層中へのドーピング方法は、
ａｓｉ層を形成する際に採用される製造法によって各々
異なるものであって、具体的には、以降の説明又は実施
例に於いて詳述される。

第１図に示される電子写真感光体の如き、ａ−Ｓｉ系光
導電層３が自由表面４を有し、該自由表面４に、静電像
形成の為の帯電処理が施される電子写真感光体に於いて
は、ａ　−Ｓｉ系光導電層３と支持体２との間に、静電
１象形成の際の帯電処理時に支持体２側からのキャリア
ーの注入を阻止する働きのある障壁層を設けるのが一層
好ましいものである。この様な働きのある障壁層を形成
する材料としては、選択される支持体の種類及び形成さ
れるａ　−８Ｌ系先光導電の電気的’Ｄ性に応じて適宜
選択されて適当なものが使用される。その様な障壁層形
成材料としては、例えば、ムｕ、　Ｉｒ、　ｐｔ、　Ｒ
ｈｌ　Ｐｄｌ　Ｍｏ等であり、支持体としては、例えば
、障壁層形成材料がＡｕの場合には、Ａ／等が好適なも
のとして挙げられる。

ａ−Ｓｉ系光導電層の層厚としては、所望される電子写
真特性及び使用条件、例えば、可撓性が要求されるか否
か等に応じて適宜決定されるものであるが、通常の場合
５〜８０μ、好適には１０〜７０μ、最適には１０〜５
０μとされるのが望捷しい。

第１図に示す如き、ａ　−Ｓｉ系光導電層表面が露呈し
ている層構成の電子写真感光体に於いては、ａ　−Ｓｉ
膜の屈折率が約３．３５と比較的大きいので、従来の光
導電層と較べて、照光の際、光導電層表面で光反射が起
り易く、従って、光導電層に吸収される光量の割合が低
下し、光損失率が大きくなる。この光損失率を出来る限
り減少させるには、ａ−Ｓｉ系光導電層上に反射防止層
を設けると良い。

反射防止層の形成材料としては、ａ−８１系光導電層に
悪影響を与えないこと及び反射防止特性に優れていると
いう条件の他に、更に電子写真的特性、例えば、ある程
度以上の抵抗分有すること、液体用は法を採用する場合
には、耐溶剤性に優れていること、更には反射防止層を
形成する条件内で、既に形成されているａ　−８１系光
導電層の特性を低下させない事等の条件が要求される。

更に又、反射防止を効果的にするには、簡単な光学的計
算から分かる様に反射防止層形成材料を、その屈折率が
、ａ−８脂層の屈折率と空気の屈折率との間に在る様に
選択すると良い。又、その層厚はλ／４Ｓ／□又は、そ
の奇数倍とすると良いが、反射防止層自体の光吸収を考
えるとλ／　４　ｖ’　ｎとするのが最適である。

（但し、ｎはａ−Ｓｔ層の屈折率、λは露光光の波長で
ある。）この様な光学的条件を加味すれば１反射防止層の１輌厚
は、露光光の波長が略々可視光の波長域にあるものとし
て、５０〜Ｌｏｏｍμとされるのが好適である。

本発明に於いて、反射防止層形成材料として有効に使用
されるものとしては、例えば、　ＭｇＦ、。

Ａ／４０８　、　Ｅｎｄｓ　、　Ｔｉ０ｍ　、　ＺｎＳ
　、　ＣｅＯ＊　、　ＣｅＦｔ　、　Ｓｔｏｗ　。

８１０　、　Ｔａｍｅｓ　、　ｕＦｓ　Ｊ　３ＮａＦ等
の無機弗化物や無機酸化物、或いはポリ塩化ビニル、ポ
リアミド樹脂、ポリイミド樹脂、弗化ビニリデン。

メラミン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂。

酢酸セルロース等の有機化合物が単げられる。

第１図に示される電子写真感光体１は、ａ　−８ｉ系先
光導電３が自由表面４を有する構成のものであるが、ａ
−Ｓム系光導電層３！？、面上には従来のある種の電子
写真感光体の様に、保護層や電気的絶縁層等の表面被覆
層分設けても良い。

その様な表面被覆層を有する電子写真感光体が第２図に
示される。

第２図に示される電子写真感光体５は、ａ　−８ｉ系先
光導電５上に表面被覆）ｔ４８を有する魚身外は、構成
上に於いて、第１図ＶＣ示される電子写真感光体ｌと本
質的に異なるものではないが、表面被覆層８に要求され
る特性は、適用する電子写真プロセスによって各々異な
る。即ち、例えば、特公昭４２〒２３９１０号公報、同
４３−２４７４８号公報に記載されている様な電子写真
プロセスを適用するのであれば、表面被覆層８は、電気
的絶縁性であって、帯電処理を受けだ際の静電荷保持能
が充分あって、ある程度以上の厚みがあることが要求さ
れるが、例えばカールソンプロセスの如き電子写真プロ
セスを適用するのであれば、静電像形成後の明部の電位
は非常に小さいことが望ましいので表面被覆層８の厚さ
としては非常に薄いことが要求される。表面被覆層８は
、その所望される電気的特性を満足するのに加えて、ａ
−８ｉ系先光導電に化学的・物理的に悪影響を与えない
こと、ａ−８ｉ系先光導電との電気的接触性及び接着性
、更には耐湿性、耐摩耗性、クリーニング性等を考慮し
て形成される。

表面被覆層形成材料として有効に使用されるものとして
、その代表的なのは、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リカーボネート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン。

ポリビニルアルコール、ポリスチレン、ポリアミド、ポ
リ四弗化エチレン、ポリ三弗化塩化エチレン、ポリ弗化
ビニル、ポリ弗化ビニリデン。

六弗化プロピレン−四弗化エチレンコポリマー。

三弗化エチレン−弗化ビニリデンコポリマー。

ポリブテン、ポリビニルブチラール、ポリウレタン等の
合成（ζ・１脂、ジアセテート、トリアセテート等のセ
ルロース誘導体等が皐げられる。こても良く、又、それ
等の塗布液を形成して、ａ−Ｓｉ系光導電層５上に塗布
し、膜形成しても良い。表面被覆層の層厚は、所望され
る特性に応じて、又、使用される材質によって適宜決定
されるが、通常の場合、０．５〜７０μ程度とされる。

殊に表面被覆ノーが先述した保護層としての機能が要求
される場合には、通常の場合、１０μ以下とされ、逆に
電気的絶縁１＠とじての機能が要求される場合には、通
常の場合１０μ以上とされる。百年ら、この保護層と電
気絶縁層とを差別する層厚値は、使用材料及び適用され
る電子写真プロセス、電子写真感光体の構造によって、
変動するもので、先の１０μという値は絶対的なもので
はない。

又、この表面被覆層８は、先に述べた如き反射防止層と
しての役目も荷わせれば、その機能が一層拡大されて効
果的となる。

次に本発明の電子写真感光体を、グロー放電法及びスパ
ッタリング法によって製造する場合に就で説明する。

第３図は、キャパシタンスタイプグロー放電法によって
、本発明の電子写真感光体を製造する為のグロー放電蒸
着装置の模式的説明図である。

１０はグロー放電蒸着槽であって、内部には、ａ　−Ｓ
ｉ系光導電層を形成する為の基板１工が固定部材１２に
固定されており、基板１１の下部側には、基板１１を加
熱する為のヒーター１３が設置めゝされている。蒸着槽
１ｏの上部には、高周波電源１４と接続されているキャ
パシタンスタイプ電極１５，１５／が巻かれており、前
記高周波電源１４がＯＮされると前記電極１５．１５’
に高周波が印加されて、蒸着槽ｌｏ内にグロー放電が生
起される様になっている。

蒸着槽１０の上端部には、ガス導入管が接続されてお均
、ガスボンベ１６．１７．１８より各々のボンベ内のガ
スが必要時に蒸着槽１０内に導入される様になっている
。１９，２０．２１は各々フローメーターであってガス
の流液を検知する為のメータであり、父、２２．２３．
　２４は流量調節バルブｌ　　２５１　２６，２７はパ
ルプ。

２８は補助バルブである。

又、類７ｆｔ槽１０の下端部はメインバルブ２９を介し
て排気装置（図示されていない）に接続されている。３
０は、蒸着槽１０内の真空を破る為のパルプである。

第３図のグロー放電装置を使用して、基板ｌｌ上に所望
特性のａ　　Ｓｉ系元導電ｔ−を形成するには、先ず、
所定の清浄化処理分流しだ基板１０を清浄化面を上面に
して固定部材１２に固定する。

基板１１の表面全清浄化するには、通常、実施されてい
る方法、例えば、アルカリ又は酸等による化学的処理法
が採用される。又、ある程度清浄化した後蒸着槽１０内
の所定の位置に設置し、その上にａ　−Ｓｉ系光導電層
を形成する前にグロー放電処理を行っても良い。この場
合、基板１１の清浄化処理からＢ　−Ｓｉ系光導電層形
成迄同−系内で真空を破ることなく行うことが出来るの
で、清浄化した基板面に汚物や不純物が付着するのを避
けることが出来る。基板１１を固定部材１２に固定した
ら、メインバルブ２９を全開して蒸着槽１０内の空気を
排気して、真空度＝　１０　（ｔｏｒｒ程度にする。蒸
着槽１０内が所定の真空度に達した後、ヒーター１３を
点火して基板１１を加熱し所定温度に達したら、その温
度に保つ。

次に補助バルブ２８を全開し、続いてガスボンベ１６の
パルプ２５及びガスボンベ１７のパルプ２６を全開する
。ガスボンベ１６は人ｒガス用であり、ガスボンベ１７
はａ　−Ｓｉを形成する為の原料ガス用であって、例え
ば、５ＬＨ４）　”ｔ　Ｈ６’Ｓｉ、Ｈ，。　又は、そ
れ等の混合物等が貯蔵されている。又、ボンベ１８は必
要に応じてａ　−Ｓｉ系光導電層中に導入する不純物を
生成する為の原料ガス用であって、ＰＨ３，Ｐ、Ｈ，、
Ｂ２Ｈ６等が貯蔵されている。

その後ガスボンベ１６及び１７の流量調節バルブ２２．
２３を、フローメータ１９及び２０を見乍ら、徐々に開
口し、蒸着槽１０内にＡ「ガス及び例えば、　ＳｉＨ４
ガス等のａ　−Ｓｌ形成用の原料ガスを導入する。この
時Ａｒガスは必ずしも要するものではなく、前記原料ガ
スのみ導入しても良い。ＡｒガスをＳｉＨ４ガス等のａ
　−Ｓｉ形成用の原料ガスに混合して導入する場合、そ
の量的割合は、所望に従って決定されるが、通常の場合
、Ａｒガスに対して前記原料ガスが１０Ｖｏ／％以上と
される。尚、Ａｒガスの代りにＩＩｓガスを使用しても
良い。

蒸着槽１０内に、ボンベ１６．１７よりガスが導入され
た時点に於いて、メインバルブ２９を調節して、所定の
真空度、通常の場合は、暑−Ｓｉを形成する為の原料ガ
ス圧で１０−２〜３　ｔｏｒｒに保つ。次いで、蒸着槽
１０外に巻かれたキャパシタンスタイプの電極１５．１
５’に高周波電源１４により所定周波数、通常の場合０
．２〜３０Ｍ１（ｚの高周波を加えてグロー放電を蒸着
槽１０内に起すと、例えば、ＳｉＨ，ガスが分解して、
基板１１上にＳＬが蒸着されてａ　−３１層が形成され
る。

形成されるａ　−Ｓｌ系光導電層中に不純物を導入する
際には、ボンベ１８より不純物生成用のガスを、ａ−８
１系光導電層形成時に蒸着槽１０内に導入してやれば良
い。この場合、流量調節バルブ２４を適当に調節するこ
とにより、ボンベ１８よりの蒸着槽１０へのガスの導入
量を適切に制御することが出来るので、形成されるａＳ
ｉ系光導電層中に導入される不純物の量を任意に制御す
ることが出来る他、更に、ａ−Ｓｉ系光導電層の厚み方
向に不純物の量を変化させることも容易に成し得る。

第３図に示されるグロー放電蒸着装置に於いては、Ｒｐ
　（Ｒａｄｌｏ　ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　）　　キャパシ
タンスタイプグロー放電法が採用されているが、この他
、几Ｆインダクタンスタイプ、Ｄ〇二極タイプ等のグロ
ー放電法も本発明に於いて採用される。又、グロー放電
の為の電極は、蒸着槽１０の外に設けても良いし又蒸着
槽１０の内ＶＣ設けても良い。

本発明に於いて、有効とされるグロー放電を得る為には
、電流密度を０．１〜１０　ｍｋＡＪとしだＡＯ又はＤ
Ｃ電流とするのが良く、又、充分なパワーを得る為には
３００〜５　（１００Ｖ　　の電圧に調整されるのが良
い。

形成されるａ　−Ｓｉ系光導電層の特性は成長時の基板
温度に大きく依存するのでその制御は厳ｍＫ行うのが好
捷しい。本発明に於いては基板温度を通常は５０〜３５
０℃、好適には１００〜２００℃の範囲とすることによ
って、電子写真用光導電層として有効な特性を有するａ
　−８１系先導電層が形成される。又、’ａ　−Ｓｉ層
の成長速度も、ａ　−Ｓｉ層の物性を大きく左右する要
因であって、本発明の目的を達成するには通常の場合０
．５〜１００λ／ｓｅｃ　、　　好適には１〜５０ＡＡ
ｅｃとされるのが好ましい。

第４図は、スパッタリング法によって、本発明の電子写
真感光体を製造する為の装置の一つを示す模式的説明図
である。

３１け蒸着槽であって、内部には、ａ−Ｓｉ系光導電層
を形成する為の基板３２が電気絶縁性の固定部材３３に
固定されて所定位置に設置されている。基板３２の下方
には、基板３２を加熱する為のヒーター３４が配置され
、上方には、所定間隔を設けて基板３２と対向する位置
に多結晶又は単結晶シリコンターゲット３５が配置され
ている。

基板３２とシリコンターゲット３５間には、高周波電源
３６によって、高周波が印加される様になっている。又
、蒸着槽３１には、ボンベ３７．３８が各々、バルブ３
９，４０．フローメータ４１，４２、流量調節バルブ４
３，４４゜補助パルプ４５を介して接続されており、ボ
ンベ３７．３８より必要時に蒸着槽３１内にガスが導入
される様になっている。

今、第４図の装置を用いて、基板３２上にａ−Ｓｉ系光
導電層を形成するには、先ず、蒸着槽３１内の空気を矢
印Ｂで示す様に、適当な排気装置を使用して排気して所
定の真空度にする。

次に、ヒーター３４を点火して基板３２を所定の温度捷
で加熱する。スパッタリング法によってａ−Ｓｉ系光導
電層を形成する場合、この基板３２の加熱温度は、通常
５０〜３５０℃、好適には１００〜２００℃とされる。

この基板温度は、ａ−Ｓｉ層の成長速度、層の構造、ボ
イドの存否等全左右し、形成されたａ　　８４層の物性
を決定する一要素であるので充分なる制御が必要である
。又、基板温度は、ａ　　８１層の形成時に、一定に保
持しても良いし、又１−８ｔ層の成長と共に上昇又は下
降又は上下させても良い。例えば、ａ−Ｓｉ層の形成初
期に於いては、比較的低い温度Ｔ１に基板温度を保ち、
ａ　−８ｔ　Ｉｌｌがある程度成長しだらＴ、よりも高
い温度Ｔ、まで基板温度を上昇させなからａ−Ｓｉ層を
形成し、ａ−８Ｉ層形成終ル」には再びＴ、より低い温
度Ｔ、に基板温度を下げる等して、ａ−８ｉ系先光導電
を形成することが出来る。この様にすることによって、
ａ−８ｔ系先光導電の電気的・光学的性質を層厚方向に
連続的に変化させることが出来る。

又、ａ−８ｉは、その層成長速度が、他の、例えば、８
ｅ等に較べて遅いので、形成する層厚が厚くなると層形
成初期に形成されだａ　−Ｓｌ（基板側に近いａ　−Ｓ
ｉ　）は、層形成終了迄の間に、層形成初期の特性を変
移させる恐れが充分考えられるので、層の淳み方向に一
様な特性を有するａ　−Ｓｉ層を形成する為には層形成
開始から層形成終了時に渡って基板温度を上昇させ乍ら
層形成するのが望ましい。

次に、基板３２が所定の温度に加熱されたこと全検知し
た後、メインパルプ４６、補助パルプ４５、パルプ３９
．４０を全開する。

次いでメインバルブ４６及び流量調節パルプ４４を調節
しながらボンベ３８より、Ｉ（２ガスを蒸着槽３１内に
所定の真空度に下がるまで導入し、その真空度に保つ。

続いて、流量調節パルプ４３全開いて、ボンベ３７より
Ａｒガスを蒸着栖３１内に所定の真空度に下がるまで導
入し、その真空度に保つ。この場合の、Ｈ２ガス及びＡ
ｒガスの蒸着槽３１内への流量は所望する物性のａ　−
Ｓｉ系光導電層が形成される様に適宜決定される。例え
ば、蒸λ１槽３１内のＡｒとＨ，の混合ガスの圧力は真
空度で、通常は１０−３−１０−’　ｔｏｒｒ、　　好
適には５Ｘ１０−３〜３　Ｘ　１０’　１ｏｒｒとされ
る。Ａｒガスは、Ｈｅガス等に代えることも出来る。

蒸着槽３１内に、ボンベ３７．３８より所定の真空度に
なるまで、Ａｒガス及びＩＩ、ガスが導入された後、高
周波電源３６により、所定の周波数及び電圧で、基板３
２とシリコンターゲット３５間に高周波を印加して放電
させ、□生じたＡ「イオンでシリコンターゲットのＳｉ
をスパッタリングし、基板３２上にａ−８３層を形成す
る。

第４図の説明に於いては、高周波放電によるスパッタリ
ング法であるが、別に直流放電によるスパッタリング法
を採用しても良い。高周波印加によるスパッタリング法
に於いては、その周波数は本発明の場合、通常０．２〜
３０　ＭＨｚ　。

好適には５〜２０　Ｍｌ（ｚとされ、又、放電電流密度
は通常０．１〜１０　ｍ　Ａ　／ｃｒｌ　１　　好適に
は１〜５ｍＡｋｄとされるのが望ましい。又、充分なパ
ワーを得る為には３００〜５０００Ｖ　の電圧に調節さ
れるのが良い。

スパッタリング法によって、本発明の電子写真感光体を
製造する際のａ　−Ｓｉ層の成長速度は、主に基板温度
及び放電条件によって決定されるものであって、形成さ
れた層の物性を左右する大きな要因の一つである。本発
明の目的を達成する為のａ　−Ｓｉ層の成長速度は、通
常の場合０．５〜１００λ／ｓｅｃ　、　　好適には１
〜５０λ／漠とされるのが望ましい。

スパッタリング法に於いてもグロー放電法と同様に不純
物のドーピングによって形成されるａ　−８３系光導電
層をｎ型或いはｐ型に調整することが出来る。不純物の
導入法は、スパッタリング法に於いてもグロー放電法と
同様であって、例えば、Ｐ）Ｉ３１　Ｐ、Ｈ，、Ｂ２Ｈ
，等の如きガス状態でａ　　Ｓｉ層形成時に蒸着槽３１
内に導入して、ａ−Ｓｉ層中にＰ又はＢを不純物として
ドーピングする。この他、又、形成されたａ　　８１７
＠に不純物をイオンインプランテーション法によって導
入しても良い。この場合、ａ−８１層の極薄い表面層を
特定の伝導型に容易に制御することが出来るので、例え
ば、特公昭４９−６２２３号公報に記載されている如き
電子写真感光体の電荷保持層の形成が極めて容易に出来
、又、その特性を任意に制御出来るので好都合である。

以下、実施例によって本発明を具体的に説明する。

実施例１第３図に示す装置を用い、以下の様にして本発明の電子
写真感光体を作成し、画像形成処理を施して画像出しを
行った。

１％のＮ　ａ　ＯＨなる溶液を用いて表面処理を行い、
充分水洗し乾燥させて表面を清浄化した厚さ１ｍ、大き
さ１０ｃｒｎＸ１０ｃＩｎのアルミニウム基板を用意し
て、グロー放電蒸着槽ｉｏ内の所定位置にある固定部材
１２の所定位置にヒーター１３とは約１０ｃｍ程度離し
て堅固に固定した。

次いで、メインパルプ２９を全開して蒸着槽１０内の空
気を排気し、約５　Ｘ　１０　ｔｏｒｒの真空度にした
。その後ヒーター１３を点火してアルミニウム基板を均
一に加熱して１５０℃に上昇させ、この温度に保った。

その後、補助パルプ２８を全開し、引続いてボンベ１６
のパルプ２５、ボンベ１７のパルプ２６を全開した後、
流量調節パルプ２２及び２３を徐々に開いて、ボンベ１
６よりＡｒガスを、ボンベ１７よ！１）Ｓｉ）Ｌ’／Ｘ
ヲ蒸着槽ｌＯ内に導入した。この時、メインパルプ２９
を調節して蒸着槽１０内の真空度が約０．７５ｔｏｒｒ
　に保持される様にした。

続いて、高周波′電源１４のスイッチをＯＮにして、′
鑞極１５，１５間に１３．５６１１１１２の高周波を印
加してグロー放電を起し、アルミニウム基板上にａ−Ｓ
ｉ層を形成した。この時のグロー放電々流は約５　ｍＡ
　／、、ｌで電圧は２０００Ｖであった。又、この時の
ａ−Ｓｉ層の成長速度は、約４人／　ＳＢｃであって、
１５時間蒸着を行い、アルミニウム基板」二に２０μ厚
のａＳｉ膜を形成した。

この様にして作成した電子写真感光体を、蒸着終了後、
メインパルプ２９、パルプ２５，２６、流量調節パルプ
２２．２３を閉じ、代りにパルプ３０ｆ：開いて蒸着槽
ｌＯ内の真空を破り、外部に取り出した。この電子写真
感光体に、暗中に於いて電源電圧５５００Ｖで（→コロ
ナ放電を３８１系光導電層表面に行い、次いで１５　ｌ
ｕｘ・式の露光量で画像露光を行って、静電像を形成し
、該静電像をカスケード法により■荷電されたトナーで
現像して転写紙Ｆに転写・定着したところ解像力が高く
極めて鮮明な画像が得られた。

この様な画像形成処理を繰返し、前記電子写真感光体に
施しこの電子写真感光体の耐久性に就で試験したところ
、１万枚目の転写紙上に得られた画像も極めて良質であ
って、一枚目の転写紙上の画像と較べても同等差違はな
く、この電子写真感光体が耐コロナイオン性、耐摩耗性
。

クリーニング性等に優れ著しく耐久性に富んでいること
が実証された。尚、クリーニング法としてはブレードク
リーニングを採用し、ブレードはウレタンゴムで成型し
たものを使用した。

次に上記の電子写真感光体に就で、暗中で電源電圧６０
００Ｖで■コロナ放電を施し、次いでｌ　５　ｌ！ｕｘ
−（８）の光量で画像露光を行い、前記のＯコロナ放電
を施して画像出しをした時と同様の条件で画像出しを行
ったところ、得られた転写紙上の画像はｅコロナ帯電の
場合より低下していた。

この実験から、本実施例で得た電子写真感光体には帯・
イ極件の依存性が認められた。

実施例２実、ｊｉｆｌｊ例１と同様な条件及び手順によって、ア
ルミニウム基板上に２０μ厚の８８１層を形成した後蒸
着槽ＩＯ外に取り出し、ａ−Ｓｉ層、Ｉ：にポリカーボ
ネイト樹脂を乾燥後の厚さが１５μとなる様に塗布して
、電気的絶縁層を形成して、螺子写真感光体と［７た。

この感光体の絶縁層表面に一次帯′ｄとして、電源電圧
６０００Ｖで（→コロナ放′覗を０２就間行ったところ
、ｅ）２０００■に帯電した。次に、二次帯電として電
源電圧５５００Ｖでθコロナ放電を行うと同時に露光量
１５／ｕｘ−ｓｅｅで画像露光を行い、次いで感光体表
面を一様に全面照射して静電像を形成した。

このｆＯ電像をカスケード法によってＯに荷電されたト
ナーで現像し、転写紙上に転写定着したところ極めて良
品質の画像が得られた。

実施例３実施例１と同様に、第３図に示す装置を用い、以下の様
にして本発明の電子写に感光体を作成し、画像形成処理
を施して画像出しを行った。

１％のＮａＯＨなる溶液を用いて表面処理を行い、充分
水洗し乾燥させて表面を清浄化した厚さ１１１１１１１
１大きさ１０ｃ＋＋＋Ｘ１．０ｃＩｎのアルミニウム基
板を用意して、グロー放電蒸着槽１０内の所定位置にあ
る固定部材１２の所定位置にヒーター１３とは約１．Ｏ
ｃ＋＋＋程度離して堅固に固定した。

次いで、メインパルプ２９を全開して蒸着槽１０内の空
気を排気し、約５Ｘ１０ｔＯｒｒの真空度にした。その
後ヒーター１３を点火して、アルミニウム基板を均一に
加熱して１５０℃に」二昇させ、この温度に保った。そ
の後、補助パルプ２８を全開し、引続いてボンベ１６の
パルプ２５、ボンベ１７のパルプ２６を全開した後、流
を調節パルプ２２及び２３を徐々に開いて、ボンベ１６
よりＡｒガスを、ボンベ１７よりａｉｌ（。

ガスを蒸着槽１０内に導入した。この時、メインパルプ
２９を調節して蒸着槽１０内の真空度が約０．７５　ｔ
ｏｒｒに保持される様にした。又、この場合、フローメ
ータ１９及び２０を注視し乍ら、流量調節パルプ２２及
び２３を調節して、ＳｉＨ，ガスの流量がＡ−ｒガスの
流量のｔ　ＯＶＯ／％となる様にした。

次に、ボンベ１８のパルプ２７を全開し、その後、流量
調節パルプ２４を徐々に開いて、その流量が５ｒ１（４
ガスの流量の５ＸｌＯｖｏ／Ｘ　　となる様に制御し乍
ら蒸着槽ＩＯ内にＢ、ＦＩ６ガスを導入した。この時も
メインパルプ２９を調節して蒸着槽１０内の真空度を０
．７５　ｔｏｒｒ　　に保持した。

続いて、高周波電源１４のスイッチをＯＮにして、電極
１５．１５’間に１３．５６１１１１ｚの高周波を印加
してグロー放電を起し、アルミニウム基板上にａ−８ｉ
膜を形成した。この時のグロー放電々流は約３　ｍｋｌ
、ｌで電圧は１５００Ｖであった。又、この場合のａ−
Ｓｉ層の成長速度は、約４人／就にし、１５時間蒸着を
行って、アルミニウム基板上に２０μ厚のａｓｉ層を形
成した。

この様にして作成した電子写真感光体を、蒸着終了後、
メインバルブ２９、流ｔｔ　’ｉＡＩＭ　ｆ１６バルブ
２２゜２３．２４、パルプ２５，２６．２７を閉じ、代
りにパルプ３０を開いて蒸着槽１０内の真空を破り、外
部に取り出した。この電子写真感光体に、暗中に於いて
電源電圧Ｏ５５００ＶでＯコロナ放電をａ−Ｓｉ系光導
電層表面に行い、次いで２０１：ｕｘ　ａ　ｓｅｅの露
光量で画像露光を行って、静電像を形成し、該静電像を
カスケード法により■荷電されたトナーで現像して転写
紙上に転写・定着したところ極めて鮮明な画像が得られ
た。

この様な画像形成処理を繰返し、前記電子写真感光体に
施しこの電子写真感光体の耐久性に就で試験したところ
、１万枚目の転写紙上に得られた画像も極めて良質であ
って、一枚目の転写紙上の画像と較べても同等差違はな
く、この電子写真感光体が著しく耐久性に富んでいるこ
とが実証された。尚、クリーニング法としてはブレード
クリーニングを採用し、ブレードはウレタンゴムで成型
したものを使用した。

次に、上記電子写真感光体に就て、暗中で、電源電圧６
ｏｏｏｖの■コロナ放電を施し、次いで２０　／ｕｘ　
−５ｅａの露光量で画像露光を行って静電像を形成した
。この静電像をカスケード法によりＯ荷電されたトナー
を用いて現像し、次に転写紙上に転写・定着したところ
、極めて鮮明な画像が得られた。

この結果と先の結果から本実施例で得られた電子写真感
光体は、帯電極性に対する依存性がなく両極性感光体の
特性を具備していることが判った。

実施例４実施例３に於いて、Ｂ、Ｉ（、ガスの流量をＳ１艮ガス
の流量の５ｘｌｏｖｏ／Ｘになる様に調整した他は、実
施例３と同様にしてアルミニウム基板上に厚さ２０μの
ａ−８ｉ系光導′畦層を形成して′電子写真感光体とし
た。

この電子写真感光体に就で、実施例３と同様の条件及び
手順で転写紙上に画ｆＷを形成したところ■コロナ放電
を行って画像形成した方がｅコロナ放電を行って画像形
成したよりも、その画質が優れており、極めて鮮明であ
った。

この結果より、本実施例で得られた電子写真感光体には
、帯電極性の依存性が認められた。

而し、その極性依存性は実施例１で得られた電子写真感
光体とは逆であった。

実施例５実施例４と同様な条件及び手順によって、アルミニウム
基板上に２０μ厚のａ−８ｉ層を形成した後、蒸着層Ｉ
Ｏ外に取り出し、ａ−８ｉ層上にポリカーボネイト樹脂
を乾燥後の厚さが１５μとなる様に塗布して、電気的絶
縁層を形成して、電子写真感光体を得た。この感光体の
絶縁層表面に一次帯電として、電源電圧６０００Ｖで○
コロナ放電を０．２鋼間行ったところ、■２０００Ｖに
帯電した。次に、二次帯電として電源電圧５５００Ｖで
■コロナ放電を行うと同時に露光↓／ｆ　１５　Ｊｕｘ
・露で画像露光を行い、次いで感光体表面を一様に全面
照射して静電像を形成した。

この静電像をカスケード法によって■に荷電されたトナ
ーで現像し、転写紙上に転写定着したところ極めて良質
の画像が得られた。

実施例６実施例１に於いて、基板温度を下記の第１表に示す様に
種々変化させた以外は、実施例１と全く同様の条件及び
手順によって試料／１６（Ｄ〜■で示される電子写真感
光体を作成し、実施例３と全く同様の画像形成条件によ
って、転写紙上に画像形成を行ったところ下記の第１表
に示す如き結果全得た。

第１表に示される結果からも判る様に、本発明の目的全
達成するには、基板温度が５０〜３５０℃の範囲でａ　
−Ｓ　ｒ層を形成する心安がある。

◎：優　○：艮　△：実用上使用し得る　×：不可実施
例７実施例３に於いて、基板温度を下記の第２表に示す様に
種々変化させた以外は、実施例３と全く同様の条件及び
手順によって試料層■〜［相］で示される電子写真感光
体を作成し、実施例３と全く同様の画像形成条件によっ
て、転写紙上に画像形成を行ったところ下記の第２表に
示す如き結果を得た。

第２表に示される結果からも判かる様に、本実施例の場
合に於いても本発明の目的を達成するには、基板温度が
５０〜３５０℃の範囲でａＳ＋層を形成する必要がある
。

第２表 ◎：優　○：良　Δ：実用上使用し得る　Ｘ：不可実施
例８実施例４に於いて、基板温度を下記の第３表に示す様に
種々変化させた以外は、実施例４と全く同様の条件及び
手順によって試料ｙ１６＠　−０で示される電子写真感
光体を作成し、実施例４と全く同様の画像形成条件によ
って、転写紙上に画像形成を行ったところ下記の第３表
に示す如き結果を得た。

第３表に示される結果からも判かる様に、本実施例の場
合に於いても本発明の目的を達成するには、基板温度が
５０〜３５０℃の範囲でａ−８ｉ層を形成する必要があ
る。

◎：優　Ｏ：良　△：実用上使用し得る　×：不可実施
例９第３図に示されるグロー放電蒸着装置内に、肉厚２ｖａ
ｎで大きさ１５０φｇＸ３００ｗｎのアルミニウム製シ
リンダーを回転自在に設置し、該シリンダー内より、該
シリンダーを加熱し得る様にヒーターを取り付けた。

次いで、メインバルブ２９を全開して蒸着槽ｌＯ内の空
気を排気し、約５　Ｘ　１０−５ｔｏｒｒの真空度にし
た。その後ヒーター１３を点火しそれと同時にシリンダ
ーを毎分３回転の速度で回転させて該シリンダーを均一
に加熱して１５０℃に上昇させこの温度に保った。その
後、補助バルブ２８を全開し、引続いてボンベ１６のバ
ルブ２５、ボンベ１７のバルブ２６を全開した後、流は
調節バルブ２２及び２３を徐々に開いて、ボンベ１６よ
りＡｒガスを、ボ／べ１７より５ｉｎ４ガスを蒸着槽１
０内に導入した。この時、メインバルブ２９を調節して
蒸着槽１０内の真空度が約０．７５　ｔｏｒｒに保持さ
れる様にした。又、ＳｔＨ，ガスの流量がＡｒガスの流
量の１ＯＶＯｌ！％になる様に調整した。

次に、ボ／べ１８のバルブ２７を全開した後、フローメ
ータ２１を注視し乍ら流量調整ノくルブ２４を徐々に開
き、その左置がＳ市、ガスの流量の１０ＶＯ７？％にな
る様にして蒸着槽１０内にＢ２Ｈ６ガスを導入した。

この時にも、メインバルブ２９を調整して蒸着槽ｌＯ内
の真空度が約０．７Ｓ　ｔａｒｔに保持される様にした
。

続いて、高周波電源１４のスイッチをＯＮにして、電極
１５．１５’間に１３．５６ｋｌｌｌｚの高周波を印加
してグロー放′醒を起し、シリンダー基板上にａ−Ｓｉ
層を形成した。この時のグロー放電々流は約３　ｍＡ／
、Ｊで電圧はｔｓｏｏｖであった。

父、この場合のａ−Ｓｉ層の成長速度は、約２．５人／
ｇ！ｃにし、２３時間蒸着を行って、シリンダー基板上
に２０μ厚のａ　−８１層を形成した。この様にして作
成した電子写真感光体を、蒸着終了後、メインバルブ２
９、流量調節バルブ２２゜２３．２４、バルブ２５，２
６．２７を閉じ、代りにバルブ３０を開いて蒸着槽ｌＯ
内の真空を破り、外部に取り出した。この電子写真感光
体に、暗中に於いて電源電圧Ｃ）５５０　ｏＶでＯコロ
ナ放電をａ−Ｓｉ系光導電層表面に行い、次いで２０　
／ｕＸ−（８）の露光量で画像露光を行って、静電像を
形成し、該静電像をカスケード法により■帯電されたト
ナーで現像して転写紙上に転写・定着したところ極めて
鮮明な画像が得られた。

次に上記の電子写真感光体に就て、暗中で電源電圧６０
００Ｖで■コロナ放電を施し、次いで２０　Ｊｕｘ　＊
　ｓｅｃの光量で画像露光を行い、前記転写紙上の画像
は０コロナ帯電の場合より低下していた。

この実験から、本実施例で得た電子写真感光体には帯電
極性の依存性が認められた。

実施例１Ｏ実施例３に於いて８２ＦＩｌｌガスの流量をＳｉＨ，ガ
スの流量に対して種々変化させて、形成されるａ−Ｓｉ
層中にドーピングされるＢの量を下記の第４表に示す様
に種々の値に制御した以外は、実施例３と同様の条件及
び試料／１６０〜０で示される電子写真感光体を作成し
た。

これ等を使用して実施例３と同様の画像形成条件によっ
て転写紙上に画像形成を行ったところ第４表に示す如き
の結果を得た。これ等の結果からも明白に判る様に、実
用的にも供される電子写真感光体としてけａ−Ｓｉ層中
にＢが１０’〜１０　　ａｔｏｍｉｃ　Ｘの範囲の”看
でドーピングされることか望ましい。

◎：優　　○：良　　×：不可実施例１１第４図に示す装置を用い、以下の様にして本発明の′Ｃ
に子写真感光体を作成し、画像形成処理を施して画像出
しを行った。

１％のＮａＯＨなる溶液を用いて表面処理を行い、充分
水洗し乾燥させて表面を清浄化した厚さ１ｍｍ１大きさ
１０ｃｍ×１０ｃＩｎのアルミニウム基板上に予め約ｔ
ｏｏｏλ厚にＭＯを蒸着した基板を用意して蒸着［３１
内の所定位置にある固定部材３３の所定位置にヒーター
３４とは約１０ｃ＋ｎ程度離して堅固に固定した。

又、純度５　ｎ１ｎｅの多結晶シリコンターゲット３５
からは約８．５硼離した。次いで、蒸着槽３１内の空気
を排気し、約］Ｘ１０ｔｏｒｒの真空度にした。その後
ヒーター３４を点火して基板を均一に加熱して１５０℃
に上昇させ、この温度に保った。その後補助パルプ４５
を全開し、引続いてボンベ３８のパルプ４９を全開した
後、流量調節パルプ４４を徐々に開いてメインパルプ４
６で調節しながらボンベ３８よりＨ，ガスを、蒸着槽３
１内の真空度が５．５　Ｘ　１０’　ｔｏｒｒになる様
にして蒸着槽３１内に導入した。

続いて、パルプ３９を全開した後、流量調節パルプ４３
を７０−メータ４１を注視し乍ら徐々に開き蒸着槽３１
内の真空度が５　Ｘ　１０’ｔｏｒｒになる様にしてＡ
ｒガスを蒸着槽３１内に導入した。

その後、高周波電源３６のスイッチをＯＮにして、アル
ミニウム基板と多結晶シリコンターゲット間に１３．５
６ＭＩＩｚ、　　ｌ　ＫＶの高周波を加えて放電を起さ
せ、アルミニウム基板上にａ−８ｉ層の形成を開始した
。この時のａ−８ｉ層の成長速度は約２人／ｓｅｃに制
御し、３０時間連続的に行った。

その結果形成されたａ−８ｉ層の厚さは２０μであった
。

この様にして作成した本発明の電子写真感光体に対して
暗中で電源電圧５５００Ｖでｅコロナ放電を行い、次い
で１５　Ｊｕｘ　＊　ｓｅｅの光量で画像露光を行って
静電像を形成した。この静゛電像をカスケード法により
■に荷電されたトナーを用いて現像を行い、次いで転写
紙上に転写定着を行ったところ、極めて鮮明で良質の画
像が得られた。

実施例２０実施例１１に於いて礼ガスの流量をＡｒガスの流量に対
して種々変化させて、形成されるａ−８ｉ層中に含有さ
れるＨの量を下記の第５表に示す様に種々の値に制御し
た以外は、実施例１１と同様の条件及び試料扁０〜［相
］で示される電子写真感光体を作成した。

これ等を使用して実施例１１と同様の画像形成条件によ
って転写紙上に画像形成を行ったところ第５表に示す如
きの結果を得た。これ等の結果からも明白に判る様に、
実用的にも供される電子写真感光体としてはａ−８ｉ／
・、ｉ中にＨが１０〜４０　ａｔｏｍｉｃにの範囲の量
で含有されることが望ましい。

第５表 ◎：４＆　　　○：良　△：実用上使用し得る　×：不
可実施例２１実施例１．３及び４で作成した電子写真感光体を、各々
、温度４０℃、湿度９０１０４％の高温多湿雰囲気中に
放置した。９６時間経過後、温度２３℃、湿度５０几１
−Ｉにの雰囲気中に取り出してすぐに、各々の感光体に
就て各々の実施例で行った条件及び手順で転写紙上に画
像形成を行ったところ、鮮明で良品質の画像が得られた
。この結果から本発明の電子写真感光体が耐湿性の点に
於いても極めて優れていることが実証された。

実施例２２実施例１と全く同様にして作成した電子写真感光体に対
して、暗中に於いて電源電圧ＧＯＯＯＶでＯコロナ放電
を行い、次いで２Ｑ　ｌ！ｕｘ　−ｓｅｅの露光食で画
像露光を行って静電像を形成し、該静電像を、イソパラ
フィン系炭化水素溶剤に荷電性トナーを分散させた液体
現像剤を使用して現像して、転写紙上に転写定着した。

この様にしてイ１すられた転写紙上の画像は、極めて解
酸度が高く鮮明であって、高品質であった。

更に上記電子写真感光体の耐溶剤性（耐液現性）を試験
する為に上記の画像形成プロセスを繰返し施し、先の転
写紙上の画像と１万枚目の転写紙上の画像とを比較した
ところ、差違は全く見られず本発明の電子写真感光体が
耐溶剤性に長けているのが実証された。尚感光体のクリ
ーニング法としては、ブレードクリーニング法を適用し
、ウレタンゴムを成型したブレードを使用した。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は、各々本発明の電子写真感光体の好
適な実施態様の一例を示す模式的構成断面図、第３図及び第４図は各々本発明の′電子写真感光体を製
造する為の装置の一例を示す模式的説明図である。１．５・・・電子写真感光体、２．６・・・支持体、３
．７・・・光導電層、８・・・表面被覆層、４，９・・
・自由表面、１０．３１・・・蒸着槽、１４．３６・・
・高周波電源

Claims

【特許請求の範囲】（１）支持体と、アモルファスシリコンで構成されてい
る光導電層とを有し、該光導電層中に不純物が含有され
ている事を特徴とする電子写真感光体。（２）表面被慢層を特徴とする特許請求の範囲第１項に
記載の電子写真感光体。（８）　　反射防止層を特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載の電子写真感光体。（４）屈折率が、光導電層の屈折率と空気の屈折率との
間にある材料で構成された層を特徴とする特許請求の範
囲第１項に記載の電子写真感光体１．