JPS61130953A - 光導電部材 - Google Patents
光導電部材Info
- Publication number
- JPS61130953A JPS61130953A JP25177284A JP25177284A JPS61130953A JP S61130953 A JPS61130953 A JP S61130953A JP 25177284 A JP25177284 A JP 25177284A JP 25177284 A JP25177284 A JP 25177284A JP S61130953 A JPS61130953 A JP S61130953A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoconductive
- surface coating
- coating layer
- elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、例えば電子写真用感光体、特にレーザプリン
タ用電子写真感光体等に用いられる光導電部材に関する
。
タ用電子写真感光体等に用いられる光導電部材に関する
。
近年、例えばファクシミリ、ワードプロセッサあるいは
コンビエータ等の端末に感光体を用いた電子写真方式の
プリンタが開発されて来ている。このプリンタは、光源
として種々のものが使用されているが、その中でもレー
ザ光線を光源として用いた電子写真方式のレーザプリン
タにあっては、Ｈｅ −Ｎｅ レーザ等のガスレーザを
光源として用いられていたが、最近ではプリンタ自体の
小型化、低コスト化あるいは変調の行ない易さなどの点
から半導体レーザが主に用いられている。
コンビエータ等の端末に感光体を用いた電子写真方式の
プリンタが開発されて来ている。このプリンタは、光源
として種々のものが使用されているが、その中でもレー
ザ光線を光源として用いた電子写真方式のレーザプリン
タにあっては、Ｈｅ −Ｎｅ レーザ等のガスレーザを
光源として用いられていたが、最近ではプリンタ自体の
小型化、低コスト化あるいは変調の行ない易さなどの点
から半導体レーザが主に用いられている。
また、従来の電子写真用感光体としては、セレン、セレ
ン・ヒ素、セレン−テルル、硫化カドミウム樹脂分散系
あるいは有機光導電性材料等が用いられていたが、最近
では非晶質（アモルファス）シリコン（以下、ａ−８１
と略記する）が注目されており、このようなａ−８１電
子写真感光体は、無害であり、公害の心配が皆無で、高
い使用温度に耐え、しかも表面硬度が高くて取扱いが容
易であるばかりでなく、可視領域に高い分光感度を有し
ているなどの理由によって急速に製品化への要求が高ま
っている。
ン・ヒ素、セレン−テルル、硫化カドミウム樹脂分散系
あるいは有機光導電性材料等が用いられていたが、最近
では非晶質（アモルファス）シリコン（以下、ａ−８１
と略記する）が注目されており、このようなａ−８１電
子写真感光体は、無害であり、公害の心配が皆無で、高
い使用温度に耐え、しかも表面硬度が高くて取扱いが容
易であるばかりでなく、可視領域に高い分光感度を有し
ているなどの理由によって急速に製品化への要求が高ま
っている。
ところで、上記したように半導体レーザを光源として用
いた電子写真方式のレーザプリンタの感光体にａ−８１
を利用する場合、半導体レーザの発光波長が現在のとこ
ろ７８０ｒＱ１Ｌ程麓であることから、この半導体レー
ザの発光波長領域ではａ−８ｉ悪感光の光感度かや＼低
く、これによって鮮明な画像が得られないことがあるた
め、ａ−８ｉ悪感光中にＧ１３ （ゲルマニウム）を添
加し、光学的バンドギャップを小さくしたり、またａ−
８１感光体中の光導電性層の水素含有量を下げることに
より光学的バンドギャップを小さくして長波長感度を増
したシするなどによって半導体レーザの発光波長でも光
感度を充分に持たせられるような試みが行なわれている
。
いた電子写真方式のレーザプリンタの感光体にａ−８１
を利用する場合、半導体レーザの発光波長が現在のとこ
ろ７８０ｒＱ１Ｌ程麓であることから、この半導体レー
ザの発光波長領域ではａ−８ｉ悪感光の光感度かや＼低
く、これによって鮮明な画像が得られないことがあるた
め、ａ−８ｉ悪感光中にＧ１３ （ゲルマニウム）を添
加し、光学的バンドギャップを小さくしたり、またａ−
８１感光体中の光導電性層の水素含有量を下げることに
より光学的バンドギャップを小さくして長波長感度を増
したシするなどによって半導体レーザの発光波長でも光
感度を充分に持たせられるような試みが行なわれている
。
ところが、このようなａ−８１感光体を用いて半導体レ
ーザを光源とするレーザプリンタでし ）−ザ光をラ
インスキャンし、画１象を形成させると、文字＃Ｊ像と
重なって干渉縞状の濃度ムラが現出することがある。こ
の濃度ムラは、レーザの露光量を上げれば消去すること
ができるが、それでも文字画像が所々白筋状に抜けてし
まい、良好な画像を得ることができなかったり、文字ｌ
Ｉｉｉｉｇ！！では現われなくてもハーフトーンをとっ
てみると、このハーフトーンに干渉縞による濃度ム２が
現われる場合があり、その原因は、ａ −８１感光体の
表面で反射したレーザ光と、ａ−８ｉ感元体内部を透過
して導電性支持板（具体的にはＡ／素管）表面で反射し
た後に再び表面から出て行く反射レーザ光との間で干渉
が生じるためと考えられる。
ーザを光源とするレーザプリンタでし ）−ザ光をラ
インスキャンし、画１象を形成させると、文字＃Ｊ像と
重なって干渉縞状の濃度ムラが現出することがある。こ
の濃度ムラは、レーザの露光量を上げれば消去すること
ができるが、それでも文字画像が所々白筋状に抜けてし
まい、良好な画像を得ることができなかったり、文字ｌ
Ｉｉｉｉｇ！！では現われなくてもハーフトーンをとっ
てみると、このハーフトーンに干渉縞による濃度ム２が
現われる場合があり、その原因は、ａ −８１感光体の
表面で反射したレーザ光と、ａ−８ｉ感元体内部を透過
して導電性支持板（具体的にはＡ／素管）表面で反射し
た後に再び表面から出て行く反射レーザ光との間で干渉
が生じるためと考えられる。
すなわち、ａ−８ｉ悪感光の場合、Ａ／素管上に成膜さ
れた光導電性層は、多少の膜の厚みムラを持ち、これが
干渉の原因となるドラム上の光路長の差となって現われ
るもので、ａ−８ｉ−感光体表面で反射し九レーザ光と
、Ａ／素管表面で反射して再び表面から出て行く反射レ
ーザ光との間の干渉効果は、実際にはａ−８１感光体内
部に入射し、実質的に発生するキャリアの債を制限する
ことになり、上述した膜の厚みムラに対応して濃度ムラ
が現われることになる。したがって、その対策としては
、いずれかの反射光の強度を下げることで問題を解決す
ることができ、従来はＡ／素管の表面を適当に粗くした
り、あるいはＡ／素管の表面に反射防止膜を付けるなど
の手段が講じられている。
れた光導電性層は、多少の膜の厚みムラを持ち、これが
干渉の原因となるドラム上の光路長の差となって現われ
るもので、ａ−８ｉ−感光体表面で反射し九レーザ光と
、Ａ／素管表面で反射して再び表面から出て行く反射レ
ーザ光との間の干渉効果は、実際にはａ−８１感光体内
部に入射し、実質的に発生するキャリアの債を制限する
ことになり、上述した膜の厚みムラに対応して濃度ムラ
が現われることになる。したがって、その対策としては
、いずれかの反射光の強度を下げることで問題を解決す
ることができ、従来はＡ／素管の表面を適当に粗くした
り、あるいはＡ／素管の表面に反射防止膜を付けるなど
の手段が講じられている。
しかしながら、ａ−８ｉを電子写真感光体く使用する場
合、ａ−８１自身の暗抵抗は約１０１０ｇ・（至）程度
であるため、表面電荷保持能を高めるた。
合、ａ−８１自身の暗抵抗は約１０１０ｇ・（至）程度
であるため、表面電荷保持能を高めるた。
めに、従来、導電性支持体（Ａ／素管）上に、導電性支
持体からの電荷の注入を阻止するプロツキフグ層を設け
、さらに光導電性層の上部に電荷保持の丸めの表面被覆
層を設けてなる積層構造となっていることから、干渉縞
対策として導電性支持体表面を粗すと、光導電性層の厚
みムラに対応した狭い間隔の干渉縞は消えるが、表面被
覆層の厚みムラに対応した干渉効果によってハーフトー
ン画像に間隔の広い干渉縞が現われることがあり、この
間隔の広い干渉縞を消すためＫは、第１Ｋ叉射防止条件
金満たすような膜厚で均一に表面被覆層を成膜したり、
あるいは表面被覆層が非常に薄くて均一成膜が不可能な
場合には、表面被覆層の上部に反射防止膜を付ければ良
いが、ａ−８ｉ悪感光の製造プロセスの簡素化、省力化
及び生産性を考慮した場合には、できるだけ成膜装置の
みでａ−８ｉ悪感光を最終的に製造し、余計な製造プロ
セスを増やさないようにする方が有利であり、したがっ
て上述のようにａ−８ｉと適合する屈折率を有する物質
により反射防止膜を成膜することは不利である。
持体からの電荷の注入を阻止するプロツキフグ層を設け
、さらに光導電性層の上部に電荷保持の丸めの表面被覆
層を設けてなる積層構造となっていることから、干渉縞
対策として導電性支持体表面を粗すと、光導電性層の厚
みムラに対応した狭い間隔の干渉縞は消えるが、表面被
覆層の厚みムラに対応した干渉効果によってハーフトー
ン画像に間隔の広い干渉縞が現われることがあり、この
間隔の広い干渉縞を消すためＫは、第１Ｋ叉射防止条件
金満たすような膜厚で均一に表面被覆層を成膜したり、
あるいは表面被覆層が非常に薄くて均一成膜が不可能な
場合には、表面被覆層の上部に反射防止膜を付ければ良
いが、ａ−８ｉ悪感光の製造プロセスの簡素化、省力化
及び生産性を考慮した場合には、できるだけ成膜装置の
みでａ−８ｉ悪感光を最終的に製造し、余計な製造プロ
セスを増やさないようにする方が有利であり、したがっ
て上述のようにａ−８ｉと適合する屈折率を有する物質
により反射防止膜を成膜することは不利である。
本発明は、上記の事情のもとになされたもので、表面被
覆層に添加物を含有嘔せることにより他の製造プロセス
を用いることなく干渉効果による画像の濃度ムラの発生
を防止することができるようにした光導電部材を提供す
ることを目的とするものである。
覆層に添加物を含有嘔せることにより他の製造プロセス
を用いることなく干渉効果による画像の濃度ムラの発生
を防止することができるようにした光導電部材を提供す
ることを目的とするものである。
上記した目的を達成させるために、本発明は、導電性支
持体上にアモルファスシリコンからなるブロッキング層
、光導電性層及び表面被覆層を順次積層した光導電部材
において、前記表面被覆層は、添加物として炭素、窒素
、酸素の元素の中の少なくとも１つ以上を含み、かつそ
の添加物の濃度が前記光導電性層側から他方側に向って
連続的に変化する個所を少なくとも１１同所以上存在さ
せるとともに、その自由表面側の光学的バンドギャップ
が１．８ｅ￥以上で１０ｅＶ以下であることを特徴とす
るものである。
持体上にアモルファスシリコンからなるブロッキング層
、光導電性層及び表面被覆層を順次積層した光導電部材
において、前記表面被覆層は、添加物として炭素、窒素
、酸素の元素の中の少なくとも１つ以上を含み、かつそ
の添加物の濃度が前記光導電性層側から他方側に向って
連続的に変化する個所を少なくとも１１同所以上存在さ
せるとともに、その自由表面側の光学的バンドギャップ
が１．８ｅ￥以上で１０ｅＶ以下であることを特徴とす
るものである。
以下、本発明を図示の一実施例を参照しながら説明する
。
。
第１図に示すように、図中１は後述する成膜装置により
製造された例えば電子写真方式のレーザプリンタ等のａ
−８ｉ悪感光として用いられる光導電部材である。この
光導電部材ｌは、Ａ／素管などの導電性支持体２上に、
ａ−８Ｌからなるブロッキング層３、光導電性層４及び
表面被覆層５をそれぞれ順次積層してなる構成を有して
いるとともに、前記表面被覆層５け、炭素、窒素、酸素
の添加物を含み、かつその添加物の濃度を前記光導電性
層４０１１かも他方に向って少なくとも１個所以上連続
的に増加するように変化させてなるものである。
製造された例えば電子写真方式のレーザプリンタ等のａ
−８ｉ悪感光として用いられる光導電部材である。この
光導電部材ｌは、Ａ／素管などの導電性支持体２上に、
ａ−８Ｌからなるブロッキング層３、光導電性層４及び
表面被覆層５をそれぞれ順次積層してなる構成を有して
いるとともに、前記表面被覆層５け、炭素、窒素、酸素
の添加物を含み、かつその添加物の濃度を前記光導電性
層４０１１かも他方に向って少なくとも１個所以上連続
的に増加するように変化させてなるものである。
すなわち、上記した本発明に係る光導電部材１を製造す
るには、第２図に示すような成膜装置を用いてなるもの
で、その概略は、真空反応室１１の内部に電極１２、Ａ
Ｉ！素管からなるドラム状の導電性支持体２が載置され
る載置台１３及び該載置台１３上の導電性支持体２を一
定の温匿に加熱するヒータｚ４を配置し、前記載置台１
３は駆動モータによる回転部１５により回転自在になっ
ている一万、前記反応室ＩＩ内に炭素ボンベ１６、ｇ素
ボンベ１７及び酸素ボンベＺ８等を備えたガス供給源１
９からのガスが導入可能になっているとともに、排気装
萱２０によって排気されるように構成され、電源２１に
１３．５６１ＪＨｚの高周波電力を印加することにより
、前記反応室１１内の電極１２と載置台１３の間でプラ
ズマを発生させ、導電性支持体２の表面に成膜すること
ができるようになっている。
るには、第２図に示すような成膜装置を用いてなるもの
で、その概略は、真空反応室１１の内部に電極１２、Ａ
Ｉ！素管からなるドラム状の導電性支持体２が載置され
る載置台１３及び該載置台１３上の導電性支持体２を一
定の温匿に加熱するヒータｚ４を配置し、前記載置台１
３は駆動モータによる回転部１５により回転自在になっ
ている一万、前記反応室ＩＩ内に炭素ボンベ１６、ｇ素
ボンベ１７及び酸素ボンベＺ８等を備えたガス供給源１
９からのガスが導入可能になっているとともに、排気装
萱２０によって排気されるように構成され、電源２１に
１３．５６１ＪＨｚの高周波電力を印加することにより
、前記反応室１１内の電極１２と載置台１３の間でプラ
ズマを発生させ、導電性支持体２の表面に成膜すること
ができるようになっている。
ところで、上記のように導電性支持体２上に成膜を施す
には、反応室１１内の載置台１３上に導電性支持体２を
載置した後、反応室１１内を排気装ｆｌ１２０により１
０ 〜１０ Ｔｏｒｒ の真空にすると同時に、ヒ
ータ１４を通電して導電性支持体２を１００〜４００℃
の温度に昇温する。この状態で、まずブロッキング層３
を成膜するものであるが、このとき１史用されるガスは
、８１原子を含むガス、例えばＳ ｉＨ４！ Ｓ ｉｌ
Ｈ６＊ＳｉＦ’、等のガス、添加物としてＣ（炭素）
原子を含むガス、例えばＣＨ４＊ Ｃ２Ｈ４ｒ Ｃ２Ｈ
ｅ Ｆ Ｃ３Ｈ８等のガスあるいはＮ（窒素）原子を含
むガス、例えばＢ２ ｒ ＮＨ３等のガス、０（酸素）
原子を含むガス、例えば０□ｐＨ２０’４のガス、さら
にドーピングガスとして周期律表の第ＩＩＩａ族を含む
ガス、例えばＢ１Ｈ６ＨＢＦＩ ＊ ＢＣ／’３等のガ
ス、または第Ｖａ族を含むガス、例えばＰＨ３ｒ ＰＣ
Ｉ！３ ＋ ＰＦ３ ｒＰＢｒ、等のガスをガス供給源
Ｚ９から反応室１１内に導入して、反応室１１内を０．
１〜１．０Ｔｏｒｒ 程度の圧力になるように排気系の
排気速度を調節し、定常状態になるまで待った後、反応
室ｌｌ内の電極１２間に１１５６ＭＨｚの高周波電力を
印加してブロッキング層３を成膜すムそして、所望の膜
厚が得られたならば、一旦電力の印加を中断し、次いで
光導電性層４を成膜するための使用ガス、つま、す８１
原子を含むガス、例えば８ｉＨ４ｅ ５ｉｌＨ６＃ ８
１１Ｈ＠等のガス、ドーピングガスとして周期律表の第
ＩＩＩａ族を含むガス、例えばＢ！”６ ＃ ＢＦ３
ｅ ＢＣＩＨ等のガス、または第Ｖａ族を含むガス、例
えばＰＨ３＃ ＰＣＩＢ ＊ＰＦ、 、 ＰＢｒ３等の
ガスを導入して反応室１１内が０．１〜λＯＴｏｒｒ
程度の圧力に調節し、定常状態になっ死後、再び高周波
電力を印加して光導電性層４を成膜する。そしてさらに
１所望の膜厚になっ九ならば、再び電力の印加を中断し
、表面被覆層５を成膜するための使用ガス、つまりＳ１
原子を含むガス、例えばＳ ｉ Ｈ４ｒ Ｓ ｉｌ ｋ
１６ ＦＳｉ、Ｉ（、等のガス、添加物としてＣ原子を
含むガス、例えばＣＨ４ｅ Ｃ２Ｈ４ｒ Ｃ２Ｈ６ｓ
ｃｊＨ８等のガス、Ｎ原子を含むガス、例えば４ ｅＭ
Ｈｓ等のガス及びＣ原子を含むガス、例えばＯ，、Ｎ、
Ｏ等のガスの中の少なくとも１つ以上を含むガスを反応
室ｉｌ内に導入し、反応室ｌｌ内が０．１〜４．０Ｔｏ
ｒｒ の定常状態になったとき、高周波電力を印加す
ると共に、成膜中にマスフローコントローラをマイクロ
コンビエータで制御し、添加物を含むガスの流量を変化
させて、表面被覆層５の内部の添加物の濃度を少なくと
も１個所以上連続的Ｋｔ″化させ、最終的に表面被覆層
５の自由表面５ａ側の光学的バンドギャップを１．８〜
３、０ｅＶ、好適には２．０〜Ｚ５ｅＶになるように成
膜してなるものである。
には、反応室１１内の載置台１３上に導電性支持体２を
載置した後、反応室１１内を排気装ｆｌ１２０により１
０ 〜１０ Ｔｏｒｒ の真空にすると同時に、ヒ
ータ１４を通電して導電性支持体２を１００〜４００℃
の温度に昇温する。この状態で、まずブロッキング層３
を成膜するものであるが、このとき１史用されるガスは
、８１原子を含むガス、例えばＳ ｉＨ４！ Ｓ ｉｌ
Ｈ６＊ＳｉＦ’、等のガス、添加物としてＣ（炭素）
原子を含むガス、例えばＣＨ４＊ Ｃ２Ｈ４ｒ Ｃ２Ｈ
ｅ Ｆ Ｃ３Ｈ８等のガスあるいはＮ（窒素）原子を含
むガス、例えばＢ２ ｒ ＮＨ３等のガス、０（酸素）
原子を含むガス、例えば０□ｐＨ２０’４のガス、さら
にドーピングガスとして周期律表の第ＩＩＩａ族を含む
ガス、例えばＢ１Ｈ６ＨＢＦＩ ＊ ＢＣ／’３等のガ
ス、または第Ｖａ族を含むガス、例えばＰＨ３ｒ ＰＣ
Ｉ！３ ＋ ＰＦ３ ｒＰＢｒ、等のガスをガス供給源
Ｚ９から反応室１１内に導入して、反応室１１内を０．
１〜１．０Ｔｏｒｒ 程度の圧力になるように排気系の
排気速度を調節し、定常状態になるまで待った後、反応
室ｌｌ内の電極１２間に１１５６ＭＨｚの高周波電力を
印加してブロッキング層３を成膜すムそして、所望の膜
厚が得られたならば、一旦電力の印加を中断し、次いで
光導電性層４を成膜するための使用ガス、つま、す８１
原子を含むガス、例えば８ｉＨ４ｅ ５ｉｌＨ６＃ ８
１１Ｈ＠等のガス、ドーピングガスとして周期律表の第
ＩＩＩａ族を含むガス、例えばＢ！”６ ＃ ＢＦ３
ｅ ＢＣＩＨ等のガス、または第Ｖａ族を含むガス、例
えばＰＨ３＃ ＰＣＩＢ ＊ＰＦ、 、 ＰＢｒ３等の
ガスを導入して反応室１１内が０．１〜λＯＴｏｒｒ
程度の圧力に調節し、定常状態になっ死後、再び高周波
電力を印加して光導電性層４を成膜する。そしてさらに
１所望の膜厚になっ九ならば、再び電力の印加を中断し
、表面被覆層５を成膜するための使用ガス、つまりＳ１
原子を含むガス、例えばＳ ｉ Ｈ４ｒ Ｓ ｉｌ ｋ
１６ ＦＳｉ、Ｉ（、等のガス、添加物としてＣ原子を
含むガス、例えばＣＨ４ｅ Ｃ２Ｈ４ｒ Ｃ２Ｈ６ｓ
ｃｊＨ８等のガス、Ｎ原子を含むガス、例えば４ ｅＭ
Ｈｓ等のガス及びＣ原子を含むガス、例えばＯ，、Ｎ、
Ｏ等のガスの中の少なくとも１つ以上を含むガスを反応
室ｉｌ内に導入し、反応室ｌｌ内が０．１〜４．０Ｔｏ
ｒｒ の定常状態になったとき、高周波電力を印加す
ると共に、成膜中にマスフローコントローラをマイクロ
コンビエータで制御し、添加物を含むガスの流量を変化
させて、表面被覆層５の内部の添加物の濃度を少なくと
も１個所以上連続的Ｋｔ″化させ、最終的に表面被覆層
５の自由表面５ａ側の光学的バンドギャップを１．８〜
３、０ｅＶ、好適には２．０〜Ｚ５ｅＶになるように成
膜してなるものである。
しかして、上記した本発明に係る構成によれば、表面被
覆層５の自由表面５ａ側での光学的 ”バンドギャッ
プを１．８〜３．０ｅＶの範囲に設定すると、この自由
表面５ａでの反射光りが弱められ、入射光を有効に膜中
に到達させることが可能になり、また光学的バンドギャ
ップの値がＬ８ｅＶ以下であれば、自由表面５ａの反射
率が高くなり、入射光が有効に使用されず、一方１０ｏ
Ｖ以上であると、自由表置５ａの反射率は減少するが表
面被覆層５の近傍の絶縁性は高くなるため、残留電位が
上昇し、画像にカプリが生じるために好ましくない。さ
らに、表面被覆層５の内部では添加物の濃度が変化して
いるため・、これに伴って光学的バンドギャップが変化
し、第３図に示すような光学的バンドギャップと屈折率
の関係から屈折率（ｎ）も変化して行き、最終的に表面
被覆層５と光導電性層４との界面での屈折率がほとんど
等しくなり、この界面での反射光が減少することから、
入射光を有効に光導電性層４に到達させることができ、
これによって表面被覆層の自由表面側の反射光と他方の
反射光によ名干渉効果の結果で生じる画像の濃度ム２を
表面被覆層の自由表面側での光学的バンドギャップの設
定と層内の添加物の濃度に勾配をもたせることＫより解
消させることができ、高解像度、高コントラストの画像
を得ることが可能になる。
覆層５の自由表面５ａ側での光学的 ”バンドギャッ
プを１．８〜３．０ｅＶの範囲に設定すると、この自由
表面５ａでの反射光りが弱められ、入射光を有効に膜中
に到達させることが可能になり、また光学的バンドギャ
ップの値がＬ８ｅＶ以下であれば、自由表面５ａの反射
率が高くなり、入射光が有効に使用されず、一方１０ｏ
Ｖ以上であると、自由表置５ａの反射率は減少するが表
面被覆層５の近傍の絶縁性は高くなるため、残留電位が
上昇し、画像にカプリが生じるために好ましくない。さ
らに、表面被覆層５の内部では添加物の濃度が変化して
いるため・、これに伴って光学的バンドギャップが変化
し、第３図に示すような光学的バンドギャップと屈折率
の関係から屈折率（ｎ）も変化して行き、最終的に表面
被覆層５と光導電性層４との界面での屈折率がほとんど
等しくなり、この界面での反射光が減少することから、
入射光を有効に光導電性層４に到達させることができ、
これによって表面被覆層の自由表面側の反射光と他方の
反射光によ名干渉効果の結果で生じる画像の濃度ム２を
表面被覆層の自由表面側での光学的バンドギャップの設
定と層内の添加物の濃度に勾配をもたせることＫより解
消させることができ、高解像度、高コントラストの画像
を得ることが可能になる。
次に、本発明に係る光導電部材の具体例を正帯電用の導
電性支持体について説明する。
電性支持体について説明する。
具体例１゜
３００℃に昇温され九導電性支持体上に、まずｓｉｎ、
（流量５０８ＣＣＭ）、ＣＥＩ、 （流量３〇ｓｃｃ
ｕ ）、！３！Ｈ１１／ ８ｉＨ４８×１０ 、反応
圧０．６Ｔｏｒｒ 、高周波電カフ５Ｗという成膜条件
でブロッキング層を３０分間成膜した。ここで、一旦高
周波電力の印加を止め、次に光導電性層をｓｉｎ、
（流ｉｌｌ ００ ＳＣＣＭ）、Ｈｅ （流ｔ１００ｓ
ｃｃｉ、ｃ）、Ｂ！Ｈ６／ ８１Ｈ４７Ｘ １０ 、
反応圧Ｑ、７Ｔｏｒｒ 、高周波電力１２０Ｗという条
件で６時開成膜した。次いで、表面被覆層をＳｔＨ，（
流ｊｉ５０ ＳＣＣＭ）、１ｌｉＥ応圧０．９ ’ｒｏ
ｒｒ 、高周波電カフ５Ｗという条件で成膜すると同時
に添加物を含むガスとしてＣＨ４を用い、流量をｏ ５
ｃｃｖから８００５ｃｃｕｔで指数関数的に増加させた
ところ、全体の膜厚は２５μｍであった。
（流量５０８ＣＣＭ）、ＣＥＩ、 （流量３〇ｓｃｃ
ｕ ）、！３！Ｈ１１／ ８ｉＨ４８×１０ 、反応
圧０．６Ｔｏｒｒ 、高周波電カフ５Ｗという成膜条件
でブロッキング層を３０分間成膜した。ここで、一旦高
周波電力の印加を止め、次に光導電性層をｓｉｎ、
（流ｉｌｌ ００ ＳＣＣＭ）、Ｈｅ （流ｔ１００ｓ
ｃｃｉ、ｃ）、Ｂ！Ｈ６／ ８１Ｈ４７Ｘ １０ 、
反応圧Ｑ、７Ｔｏｒｒ 、高周波電力１２０Ｗという条
件で６時開成膜した。次いで、表面被覆層をＳｔＨ，（
流ｊｉ５０ ＳＣＣＭ）、１ｌｉＥ応圧０．９ ’ｒｏ
ｒｒ 、高周波電カフ５Ｗという条件で成膜すると同時
に添加物を含むガスとしてＣＨ４を用い、流量をｏ ５
ｃｃｖから８００５ｃｃｕｔで指数関数的に増加させた
ところ、全体の膜厚は２５μｍであった。
このようにして得られた感光体にコロナ放電により０．
４５μＣ／（至）２の電流を流したところ、帯電能は４
５０ｖ以上、１５秒後の保持率は６０％以上であった。
４５μＣ／（至）２の電流を流したところ、帯電能は４
５０ｖ以上、１５秒後の保持率は６０％以上であった。
また、この感光体をレーザグリ／りに装着して画出しを
行なったところ、高解像度、高コントラストをもつ鮮明
な画像が得られ、またハーフトーンの画出しを行なった
が、干渉縞の効果による画像の濃度ムラは見られなかっ
た。さらに、表面被覆層の自由表面側の流量比でガラス
基板上に成膜を行ない光学的バンドギャップを測ったと
ころ、Ｚ３ｅＶであった。
行なったところ、高解像度、高コントラストをもつ鮮明
な画像が得られ、またハーフトーンの画出しを行なった
が、干渉縞の効果による画像の濃度ムラは見られなかっ
た。さらに、表面被覆層の自由表面側の流量比でガラス
基板上に成膜を行ない光学的バンドギャップを測ったと
ころ、Ｚ３ｅＶであった。
具体例２
導電性支持体の設定温度とブロッキング層と光導電性層
の成膜条件を上記具体例１と同様にして表面被覆層のみ
８１Ｈ４が流量４０ ＳＣＣＭ亀反応圧１゜Ｑ Ｔｏｒ
ｒ 、高周波電力５０Ｗで電力を印加し％ Ｃ２”４の
流量を５分間でｏ ５ｃｃｕから２００８ＣＣＭまで増
加させ、さらにＣＲ２の流量が２００８Ｃ’ＣＩＪのま
ま８分開成膜を行ない、その後ＫＣＨ４の流量を１０分
間の間に２００ ＳＣＣＭから４５０ ＳＣＣＭまで増
加させた。
の成膜条件を上記具体例１と同様にして表面被覆層のみ
８１Ｈ４が流量４０ ＳＣＣＭ亀反応圧１゜Ｑ Ｔｏｒ
ｒ 、高周波電力５０Ｗで電力を印加し％ Ｃ２”４の
流量を５分間でｏ ５ｃｃｕから２００８ＣＣＭまで増
加させ、さらにＣＲ２の流量が２００８Ｃ’ＣＩＪのま
ま８分開成膜を行ない、その後ＫＣＨ４の流量を１０分
間の間に２００ ＳＣＣＭから４５０ ＳＣＣＭまで増
加させた。
このようにして得られた感光体くおいて、コロナ放電に
よる流入電流を０．４５μＣ／Ｃ１１ｈ２ という条件
で流したところ、帯電能は５５０ｖ以上、１５秒後の保
持率は６０％以上であった。さらに、この感光体をレー
ザプリンタにて画出しを行なったところ、上記具体例１
と同様に干渉縞による画像の濃度ムラが全く見られない
高コントラスト、高解像度をもつ画像が得られ、また表
面被覆層の自由表面側と同じ流量比でガラス基板上に成
膜を行ない光学的バンドギャップを測定したところ、２
．４８Ｖであっ念。
よる流入電流を０．４５μＣ／Ｃ１１ｈ２ という条件
で流したところ、帯電能は５５０ｖ以上、１５秒後の保
持率は６０％以上であった。さらに、この感光体をレー
ザプリンタにて画出しを行なったところ、上記具体例１
と同様に干渉縞による画像の濃度ムラが全く見られない
高コントラスト、高解像度をもつ画像が得られ、また表
面被覆層の自由表面側と同じ流量比でガラス基板上に成
膜を行ない光学的バンドギャップを測定したところ、２
．４８Ｖであっ念。
具体例λ
各層の成膜条件を上記具体例１と同様にし、導電性支持
体の設定温度のみ３４０℃に設定して成膜を行なったと
ころ、帯電能は４００ｖ以上、保持率は５０％以上であ
った。
体の設定温度のみ３４０℃に設定して成膜を行なったと
ころ、帯電能は４００ｖ以上、保持率は５０％以上であ
った。
このような感光体を用いてレーザプリンタで画出しを行
なったところ、上記具体例工と同様に鮮明な画像が得ら
れた。
なったところ、上記具体例工と同様に鮮明な画像が得ら
れた。
ところで、上記した光導電性層と同じ条件でウェハ上に
１５分間成膜したものについてＸ線回折で分析を行なっ
たところ、膜中に微結晶の存在が確認できた。
１５分間成膜したものについてＸ線回折で分析を行なっ
たところ、膜中に微結晶の存在が確認できた。
以上説明したように、本発明によれば、アモルファスシ
リコンからなる表面被覆層が炭素、窒素、鍍素の元素の
中の少なくとも１つ以上を添加物として含み、かつその
濃度を光導電性層側から他方に向い少なくとも１個所以
上連続的に変化させるとともに、その自由表面側の光学
的バンドギャップがＬ８ｅＶ以上で３．０ｅＶ以下にす
ることにより、干渉縞効果による画像の（Ｉｋ度ムクの
発生を防上することができ、鮮明な画像が得られるとい
ったすぐれた効果を有するものである。
リコンからなる表面被覆層が炭素、窒素、鍍素の元素の
中の少なくとも１つ以上を添加物として含み、かつその
濃度を光導電性層側から他方に向い少なくとも１個所以
上連続的に変化させるとともに、その自由表面側の光学
的バンドギャップがＬ８ｅＶ以上で３．０ｅＶ以下にす
ることにより、干渉縞効果による画像の（Ｉｋ度ムクの
発生を防上することができ、鮮明な画像が得られるとい
ったすぐれた効果を有するものである。
第１図は本発明に係る光導電部材の一実施例を示す概略
的要部拡大断面図、第２図は同じく成膜工程を示す装置
の概略的説明図、第３図は表面被覆層の屈折率と光学的
バンドギャップの関係を示す説明図である。 Ｉ・・・光導電部材、２・−・導電性支持体、３・・・
ブロッキング層、４・・・光導電性層、５・・・表面被
覆層、５ａ・・・自由表面、 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３図 大し宇台７ハ゛ンド〒卆ツブ一
的要部拡大断面図、第２図は同じく成膜工程を示す装置
の概略的説明図、第３図は表面被覆層の屈折率と光学的
バンドギャップの関係を示す説明図である。 Ｉ・・・光導電部材、２・−・導電性支持体、３・・・
ブロッキング層、４・・・光導電性層、５・・・表面被
覆層、５ａ・・・自由表面、 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３図 大し宇台７ハ゛ンド〒卆ツブ一
Claims (5)
- （１）導電性支持体上にアモルファスシリコンからなる
ブロッキング層、光導電性層及び表面被覆層を順次積層
した光導電部材において、前記表面被覆層は、添加物と
して炭素、窒素、酸素の元素の中の少なくとも１つ以上
を含み、かつその添加物の濃度が前記光導電性層側から
他方側に向って連続的に変化する個所を少なくとも１個
所以上存在させるとともに、その自由表面側の光学的バ
ンドギャップが１．８ｅＶ以上で３．０ｅＶ以下である
ことを特徴とする光導電部材。 - （２）光導電性層は、微結晶相を含むことを特徴とする
特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 - （３）光導電性層は、第IIIａ族及び第Ｖａ族の元素の
中の少なくとも１つ以上を含むことを特徴とする特許請
求の範囲第１項もしくは第２項のいずれかに記載の光導
電部材。 - （４）ブロッキング層は、炭素、窒素及び酸素の元素の
中の少なくとも１つ以上を含むことを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載の光導電部材。 - （５）ブロッキング層は、第IIIａ族及び第Ｖａ族の元
素の中の少なくとも１つ以上を含むことを特徴とする特
許請求の範囲第１項もしくは第４項のいずれかに記載の
光導電部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25177284A JPS61130953A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 光導電部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25177284A JPS61130953A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 光導電部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61130953A true JPS61130953A (ja) | 1986-06-18 |
Family
ID=17227687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25177284A Pending JPS61130953A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 光導電部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61130953A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01142664A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 静電潜像形成方法 |
| JP2013225095A (ja) * | 2012-03-23 | 2013-10-31 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58137841A (ja) * | 1982-02-09 | 1983-08-16 | Sharp Corp | 電子写真感光体 |
| JPS58217938A (ja) * | 1982-06-12 | 1983-12-19 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS58219559A (ja) * | 1982-06-15 | 1983-12-21 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 記録体 |
-
1984
- 1984-11-30 JP JP25177284A patent/JPS61130953A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58137841A (ja) * | 1982-02-09 | 1983-08-16 | Sharp Corp | 電子写真感光体 |
| JPS58217938A (ja) * | 1982-06-12 | 1983-12-19 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS58219559A (ja) * | 1982-06-15 | 1983-12-21 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 記録体 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01142664A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 静電潜像形成方法 |
| JP2013225095A (ja) * | 2012-03-23 | 2013-10-31 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4659639A (en) | Photosensitive member with an amorphous silicon-containing insulating layer | |
| JP3368109B2 (ja) | 電子写真用光受容部材 | |
| JPS61130953A (ja) | 光導電部材 | |
| JP3862334B2 (ja) | 電子写真用光受容部材 | |
| JPH1090929A (ja) | 電子写真用光受容部材 | |
| JPS61137160A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS61137158A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP3606395B2 (ja) | 電子写真用光受容部材 | |
| JPH0310093B2 (ja) | ||
| JPS61137159A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP3420385B2 (ja) | 堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法 | |
| JPH0380307B2 (ja) | ||
| JPS6186758A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS61143767A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS61130954A (ja) | 光導電部材 | |
| JPS61143768A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS61133948A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP2761741B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP3143027B2 (ja) | 光受容部材の製造方法 | |
| JP3076405B2 (ja) | アモルファスシリコン系感光体を用いた電子写真装置 | |
| JPS61130951A (ja) | 光導電部材 | |
| JPS6186757A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS61143766A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS61130952A (ja) | 光導電部材 | |
| JP3076402B2 (ja) | アモルファスシリコン系感光体を用いた電子写真装置 |