JP3606395B2 - 電子写真用光受容部材 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は光（ここでは広義の光であって、紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線などを意味する）のような電磁波に対して感受性のある電子写真用光受容部材に関する。
【０００２】
【従来の技術】
像形成分野において、光受容部材における光受容層を形成する光導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）／暗電流（Ｉｄ）〕が高く、照射する電磁波のスペクトル特性に適合した吸収スペクトルを有すること、光応答性が早く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時において人体に対して無害であること、等の特性が要求される。特に、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に組み込まれる電子写真用光受容部材の場合には、上記の使用時における無公害性は重要な点である。
【０００３】
この様な点に優れた性質を示す光導電材料に水素化アモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｈ」と表記する）があり、例えば、米国特許公報第４，２６５，９９１号には電子写真用光受容部材としての応用が記載されている。
【０００４】
このようなａ−Ｓｉ：Ｈを有する電子写真用光受容部材は、一般的には、導電性支持体を５０℃〜３５０℃に加熱し、該支持体上に真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の成膜法によりａ−Ｓｉからなる光導電層を形成する。なかでもプラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガスを直流または高周波あるいはマイクロ波グロー放電によって分解し、支持体上にａ−Ｓｉ堆積膜を形成する方法が好適なものとして実用に付されている。
【０００５】
また、独国公開公報第３０４６５０９号には、導電性支持体と、ハロゲン原子を構成要素として含むａ−Ｓｉ（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｘ」と表記する）光導電層を有する電子写真用光受容部材が提案されている。当該公報においては、ａ−Ｓｉにハロゲン原子を１乃至４０原子％含有させることにより、耐熱性が高く、電子写真用光受容部材の光導電層として良好な電気的、光学的特性を得ることができるとしている。
【０００６】
また、特開昭５７−１１５５５６号公報には、ａ−Ｓｉ堆積膜で構成された光導電層を有する光導電部材の、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的、光学的、光導電的特性及び耐湿性等の使用環境特性、さらには経時的安定性について改善を図るため、シリコン原子を母体としたアモルファス材料で構成された光導電層上に、シリコン原子及び炭素原子を含む非光導電性のアモルファス材料で構成された表面障壁層を設ける技術が記載されている。更に、米国特許公報第４，６５９，６３９号には、アモルファスシリコン、炭素、酸素及び弗素を含有してなる透光絶縁性オーバーコート層を積層する感光体についての技術が記載され、米国特許公報第４，７８８，１２０号には、表面層として、シリコン原子と炭素原子と４１〜７０原子％の水素原子を構成要素として含む非晶質材料を用いる技術が記載されている。
【０００７】
さらに、米国特許公報第４、４０９、３１１号には、水素を１０〜４０原子％含有し、赤外吸収スペクトルの２１００ｃｍ−１と２０００ｃｍ−１の吸収ピークの吸収係数比が０．２〜１．７であるａ−Ｓｉ：Ｈを光導電層に用いることにより高感度で高抵抗な電子写真用感光体が得られることが記載されている。
【０００８】
一方、米国特許公報第４，６０７，９３６号には、アモルファスシリコン感光体の画像品質向上のために、感光体表面近傍の温度を３０乃至４０℃に維持して帯電、露光、現像及び転写といった画像形成行程を行うことにより、感光体表面での水分の吸着による表面抵抗の低下とそれに伴って発生する画像流れを防止する技術が開示されている。
【０００９】
これらの技術により、電子写真用光受容部材の電気的、光学的、光導電的特性及び使用環境特性が向上し、それに伴って画像品質も向上してきた。
【００１０】
しかしながら、ａ−Ｓｉ系材料で構成された光導電層を有する電子写真用光受容部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び使用環境特性の点、さらには経時安定性及び耐久性の点において、各々個々には特性の向上が図られてはいるが、総合的な特性向上を図る上でさらに改良される余地が存在するのが実情である。
【００１１】
特に、電子写真装置の高画質、高速化、高耐久化は急速に進んでおり、電子写真用光受容部材においては電気的特性や光導電特性の更なる向上とともに、帯電能、感度を維持しつつあらゆる環境下で大幅に性能を延ばすことが求められている。
【００１２】
そして、電子写真装置の画像特性向上のために電子写真装置内の光学露光装置、現像装置、転写装置等の改良がなされた結果、電子写真用光受容部材においても従来以上の画像特性の向上が求められるようになった。
【００１３】
このような状況下において、前述した従来技術により上記課題についてある程度の特性向上が可能になってはきたが、更なる帯電能や画像品質の向上に関しては未だ充分とはいえない。特にアモルファスシリコン系光受容部材の更なる高画質化への課題として、周囲温度の変化による電子写真特性の変動や光疲労あるいはブランクメモリーやゴーストといった光メモリーを低減することがいっそう求められるようになってきた。
【００１４】
例えば、従来は感光体の画像流れの防止のために前記米国特許公報第４，６０７，９３６号に記載されているように、複写機内に感光体を加熱保持するためのドラムヒーターを設置して感光体の表面温度を４０℃程度に保っていた。しかしながら、従来の感光体では前露光キャリアや熱励起キャリアの生成に起因した帯電能の温度依存性、いわゆる温度特性が大きく、複写機内の実際の使用環境下では本来感光体が有しているよりも帯電能が低い状態で使用せざるをえなかった。例えば、室温での使用時に比べてドラムヒーターで４０℃程度に加熱している状態では帯電能が１００Ｖ近く低下してしまう場合があった。
【００１５】
また、従来は複写機を使用しない夜間でもドラムヒーターに通電して、帯電器のコロナ放電によって生成されたオゾン生成物が夜間に感光体表面に吸着することによって発生する画像流れを防止するようにしていた。しかし、現在では省資源・省電力のために複写機の夜間通電を極力行わないようになってきている。
【００１６】
このような状態で連続複写をすると複写機内の感光体周囲温度が徐々に上昇し、それにつれて帯電能が低下して、複写中に画像濃度が変わってしまうという問題が生じていた。
【００１７】
一方、従来の感光体では、同一原稿を連続して繰り返し複写すると、画像露光による感光体の光疲労のために、画像濃度の低下やかぶりが生じることがあった。
【００１８】
また、トナーを節約するために連続複写時の紙間において感光体に照射される、いわゆるブランク露光の影響によって複写画像上に濃度差が生じるブランクメモリーや、前回の複写行程の像露光の残像が次回の複写時に画像上に生じる、いわゆるゴースト現象等の露光メモリーが画像品質を向上させる上で問題になってきた。
【００１９】
また、光メモリー改善と、装置の小型化やエコロジー問題、省エネルギーの点から、像露光装置の低光量化と小型化が求められており、それに対応するために感光体の光感度の改善を進めなければならない状況にある。
【００２０】
さらに、従来の感光体では色地の原稿からコントラストの強い画像を得ようとして露光量を上げた時に、強露光の照射により大量の光キャリアが生成され、この光キャリアが動きやすい部分へと集中して流れ込む現象が生じる。この現象のために、文字部分がぼやけてしまう強露光時の画像流れ、いわゆるＥＶ流れが発生するという問題が生じていた。
【００２１】
したがって、電子写真用光受容部材を設計する際に、上記したような問題が解決されるように電子写真用光受容部材の層構成、各層の化学的組成など総合的な観点からの改良を図るとともに、ａ−Ｓｉ材料そのものの一段の特性改良を図ることが必要とされている。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上述のごときａ−Ｓｉで構成された従来の光受容層を有する電子写真用光受容部材に於ける諸問題を解決することを目的とするものである。
【００２３】
即ち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光導電的特性が使用環境にほとんど依存することなく実質的に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰り返し使用に際しては劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留電位がほとんど観測されず、更に画像品質の良好な、シリコン原子を母体とした非単結晶材料で構成された光受容層を有する電子写真用光受容部材を提供することにある。
【００２４】
本発明は、温度特性や光メモリーを低減して画像品質を飛躍的に向上させた、シリコン原子を母体とした非単結晶材料で構成された光受容層を有する電子写真用光受容部材を提供することを目的とする。
【００２５】
また、本発明は、温度特性や光メモリーを低減し、光感度が向上して画像品質を飛躍的に向上させた、シリコン原子を母体とした非単結晶材料で構成された光受容層を有する電子写真用光受容部材を提供することを目的とする。
【００２６】
更に、本発明は、温度特性や強露光時の画像流れを低減し、画像品質を飛躍的に向上させた、シリコン原子を母体とした非単結晶材料で構成された光受容層を有する電子写真用光受容部材を提供することを目的とする。
【００２７】
【課題を解決するための手段】
本発明の電子写真用光受容部材は、導電性支持体と、該導電性支持体の表面上に、シリコン原子を母体として水素原子及び／またはハロゲン原子を含有する非単結晶材料の光導電性を示す光導電層を有する光受容層とを少なくとも有する電子写真用光受容部材において、該光導電層がＲＦ帯の周波数又は、ＶＨＦ帯の周波数を用い、希釈ガスの流量とシリコン供給用ガスの流量との比を３〜２０とし、前記シリコン供給用ガス流量に対する放電電力の比を２．５〜６とするように制御された、高周波プラズマＣＶＤ法により形成された領域を有しており、該光導電層が１０〜３０原子％の水素を含有し、該光導電層の少なくとも光の入射する部分における光吸収スペクトルから得られる指数関数裾の特性エネルギーが層中平均で５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下であり、かつ該光導電層における局在状態密度が層中平均で１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満であることを特徴とする。（但し、前記光導電層の層厚方向に炭素原子が均一に含有される場合を除く。）
【００２８】
【作用】
一般的に、ａ−Ｓｉ：Ｈのバンドギャップ内には、Ｓｉ−Ｓｉ結合の構造的な乱れにもとづくテイル（裾）準位と、Ｓｉの未結合手（ダングリングボンド）等の構造欠陥に起因する深い準位が存在する。これらの準位は電子、正孔の捕獲、再結合中心として働き素子の特性を低下させる原因になることが知られている。このようなバンドギャップ中の局在準位の状態を測定する方法として、一般に深準位分光法、等温容量過渡分光法、光熱偏向分光法、光音響分光法、一定光電流法等が用いられている。中でも一定光電流法［Ｃｏｎｓｔａｎｔ Ｐｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔ Ｍｅｔｈｏｄ：以後、「ＣＰＭ」と略記する］は、ａ−Ｓｉ：Ｈの局在準位に基くサブギャップ光吸収スペクトルを簡便に測定する方法として有用である。
【００２９】
本発明者らは、ＣＰＭによって測定された光吸収スペクトルから求められる指数関数裾（アーバックテイル）の特性エネルギー（以下、「Ｅｕ」と略記する）や局在状態密度（以下、「ＤＯＳ」と略記する）と感光体特性との相関を種々の条件に渡って調べた結果、Ｅｕ及びＤＯＳがａ−Ｓｉ感光体の温度特性や光メモリーと密接な関係にあることを見いだし、本発明を完成するに至った。
【００３０】
ドラムヒーター等で感光体を加熱したときに帯電能が低下する原因として、熱励起されたキャリアが帯電時の電界に引かれてバンド裾の局在準位やバンドギャップ内の深い局在準位への捕獲、放出を繰り返しながら表面に走行し、表面電荷を打ち消してしまうことが挙げられる。この時、帯電器を通過する間に表面に到達するしたキャリアについては帯電能の低下にはほとんど影響がないが、深い準位に捕獲されたキャリアは、帯電器を通過した後に表面へ到達して表面電荷を打ち消すために温度特性として観測される。また、帯電器を通過した後に熱励起されたキャリアも表面電荷を打ち消し帯電能の低下を引き起こす。したがって、感光体の使用温度領域における熱励起キャリアの生成を抑え、なおかつキャリアの走行性を向上させることが温度特性の向上のために必要である。
【００３１】
さらに、光メモリーはブランク露光や像露光によって生じた光キャリアがバンドギャップ内の局在準位に捕獲され、光導電層内にキャリアが残留することによって生じる。すなわち、ある複写行程において生じた光キャリアのうち光導電層内に残留したキャリアが、次回の帯電時あるいはそれ以降に表面電荷による電界によって掃き出され、光の照射された部分の電位が他の部分よりも低くなり、その結果画像上に濃淡が生じる。したがって、光キャリアが光導電層内に残留することなく、１回の複写行程で走行するように、キャリアの走行性を改善しなければならない。
【００３２】
したがって、本発明のごとくＥｕ及びＤＯＳを制御することにより、熱励起キャリアの生成が抑えられ、なおかつ熱励起キャリアや光キャリアが局在準位に捕獲される割合を小さくすることができるためにキャリアの走行性が著しく改善される。その結果、電子写真用光受容部材の使用温度領域での温度特性が飛躍的に改善され、同時に光メモリーの発生を抑制することができるために、電子写真用光受容部材の使用環境に対する安定性が向上し、ハーフトーンが鮮明に出てかつ解像力の高い高品質の画像を安定して得ることができる。
【００３３】
さらにＳｉ−Ｈ２結合とＳｉ−Ｈ結合に起因する吸収ピークの吸収強度比を特定することにより、光受容部材の面内でのキャリアの走行性が均一化され、その結果、ハーフトーン画像における微細な濃度差いわゆるガサツキを低減することができる。
【００３４】
故に、上記の構成をとるように設計された本発明の電子写真用光受容部材は、前記した諸問題点の全てを解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特性、画像品質、耐久性及び使用環境特性を示す。
【００３５】
一方、露光によって生じた光キャリアは、前記したようにバンドギャップ内の局在準位への捕獲・放出を繰り返しながら表面へ電子が支持体側に正孔が走行する。その時、光メモリーはブランク露光や像露光によって生じた光キャリアがバンドギャップ内の局在準位に捕獲され、光導電層内にキャリアが残留することによって生じる。すなわち、ある複写行程において生じた光キャリアのうち光導電層内に残留したキャリアが、次回の帯電時あるいはそれ以降に表面電荷による電界によって掃き出され、光の照射された部分の電位が他の部分よりも低くなり、その結果画像上に濃淡が生じる。したがって、光キャリアが光導電層内に残留することなく、１回の複写行程で走行するように、キャリアの走行性を改善しなければならない。そこで、光キャリアの生成が比較的表面側に近い位置で、主に起こっている事と、表面側には電子が支持体側には正孔が走行し、正孔の走行性が電子に比べ非常に小さい事などから、その正孔の支持体の方向への走行性を上げる事が、光メモリーの低減と光感度の向上にとって必要である。
【００３６】
したがって、本発明のごとくＥｕ及びＤＯＳの膜面内平均値を一定に制御し、しかもそれが支持体側方向に向かって減少するように分布させることにより、熱励起キャリアの生成が抑えられ、なおかつキャリアが局在準位に捕獲される割合を小さくすると共に、正孔の層厚方向支持体側への走行性が著しく改善される。その結果、電子写真用光受容部材の使用温度領域での温度特性が飛躍的に改善され、同時に光メモリーの低減と光感度の向上を達成することができるために、電子写真用光受容部材の使用環境に対する安定性が向上し、ハーフトーンが鮮明に出てかつ解像力の高い高品質の画像を安定して得ることができる。
【００３７】
上記したような構成をとるように設計された本発明の電子写真用光受容部材は、前記した諸問題点の全てを解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特性、画像品質、耐久性及び使用環境特性を示す。
【００３８】
また、像露光によって生じた光キャリアは、前記したようにバンドギャップ内の局在準位への捕獲・放出を繰り返しながら表面へと走行する。しかしながら、膜の面内方向でのキャリアの動きやすさが異なっていると、強露光を照射して大量の光キャリアが生成された場合には、キャリアが動きやすい部分へと集中してしまう。このために得られた画像がぼやけてしまい、ＥＶ流れが生じる。したがって、光キャリアが光導電層内で膜の面内方向への移動を極力抑え、大部分が層厚方向にのみ走行するように、キャリアの走行性を改善する必要がある。
【００３９】
したがって、本発明のごとくＥｕ及びＤＯＳの膜面内平均値を一定に制御し、しかもそれが表面方向に向かって減少するように分布させることにより、熱励起キャリアの生成が抑えられ、なおかつキャリアが局在準位に捕獲される割合を小さくすると共に、キャリアの層厚方向への走行性が著しく改善される。その結果、電子写真用光受容部材の使用温度領域での温度特性が飛躍的に改善され、同時に強露光時の画像流れの発生を抑制することができるために、電子写真用光受容部材の使用環境に対する安定性が向上し、ハーフトーンが鮮明に出てかつ解像力の高い高品質の画像を安定して得ることができる。
【００４０】
上記したような構成をとるように設計された本発明の電子写真用光受容部材は、前記した諸問題点の全てを解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特性、画像品質、耐久性及び使用環境特性を示す。
【００４１】
【実施態様例】
以下に、本発明の電子写真用光受容部材を説明する。
図１（ａ）乃至図１（ｅ）は、それぞれ本発明の電子写真用光受容部材の好適な層構成の一例を説明するための模式的構成図である。
【００４２】
図１（ａ）に示す電子写真用光受容部材１００は、光受容部材用としての支持体１０１の上に、光受容層１０２が設けられている。該光受容層１０２は、例えば水素原子及びハロゲン原子の少なくともいずれか一方と、シリコン原子を含有する非単結晶材料の一つであるａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）を有し光導電性を有する光導電層１０３を有する。
【００４３】
図１（ｂ）は、本発明の電子写真用光受容部材の他の層構成を説明するための模式的構成図である。図１（ｂ）に示す電子写真用光受容部材１００は、光受容部材用としての支持体１０１の上に、光受容層１０２が設けられている。該光受容層１０２は、例えばａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）を有する光導電性を有する光導電層１０３と、アモルファスシリコン系表面層１０４とを有する。
【００４４】
図１（ｃ）は、本発明の電子写真用光受容部材の他の層構成を説明するための模式的構成図である。図１（ｃ）に示す電子写真用光受容部材１００は、光受容部材用としての支持体１０１の上に、光受容層１０２が設けられている。該光受容層１０２は、例えばａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）を有する光導電性を有する光導電層１０３と、アモルファスシリコン系表面層１０４と、アモルファスシリコン系電荷注入阻止層１０５とを有する。
【００４５】
図１（ｄ）は、本発明の電子写真用光受容部材のさらに他の層構成を説明するための模式的構成図である。図１（ｄ）に示す電子写真用光受容部材１００は、光受容部材用としての支持体１０１の上に、光受容層１０２が設けられている。該光受容層１０２は光導電層１０３を構成するａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）の電荷発生層１０６ならびに電荷輸送層１０７と、アモルファスシリコン系表面層１０４とを有する。
【００４６】
（支持体）
本発明において使用される支持体としては、導電性でも電気絶縁性であってもよい。導電性支持体としては、例えばＡｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｆｅ等の金属、及びこれらの合金、例えばステンレス等が挙げられる。また、電気絶縁性材料としてポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシート、ガラス、セラミック等を挙げることができる。本発明においてはこれら電気絶縁性支持体の少なくとも光受容層を作製する側の表面を導電処理して支持体として用いることができる。
【００４７】
本発明に於いて使用される支持体１０１の形状は平滑表面あるいは微小な凹凸表面を有する円筒状または板状無端ベルト状であることができ、その厚さは、所望通りの電子写真用光受容部材１００を作製し得るように適宜決定する。電子写真用光受容部材１００としての可撓性が要求される場合には、支持体１０１としての機能が充分発揮できる範囲内で可能な限り薄くすることができる。しかしながら、支持体１０１は製造上及び取り扱い上、機械的強度等の点から通常は１０μｍ以上とされる。
【００４８】
特にレーザー光などの可干渉性光を用いて像記録を行う場合には、可視画像において現われる、いわゆる干渉縞模様による画像不良をより効果適に解消するために、支持体１０１の表面に凹凸を設けてもよい。支持体１０１の表面に設けられる凹凸は、米国特許公報第４，６５０，７３６号、米国特許公報第４，６９６，８８４号、米国特許公報第４，７０５，７３３号等に記載された公知の方法により作製される。
【００４９】
また、レーザー光などの可干渉光を用いた場合の干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消する別の方法として、支持体１０１の表面に複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を設けてもよい。即ち、支持体１０１の表面が電子写真用光受容部材１００に要求される解像力よりも微少な凹凸を有し、しかも該凹凸は、複数の球状痕跡窪みによるものである。支持体１０１の表面に設けられる複数の球状痕跡窪みによる凹凸は、米国特許公報第４，７３５，８８３号に記載された公知の方法により作製される。
【００５０】
（光導電層）
本発明に於いて、その目的を効果的に達成するために支持体１０１上に形成され、光受容層１０２の少なくとも一部を構成する光導電層１０３は、例えば真空堆積膜形成方法によって、所望特性が得られるように適宜成膜パラメーターの数値条件が設定され、また使用される原料ガスなどが選択されて作製される。具体的には、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などの数々の薄膜堆積法によって形成することができる。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負荷程度、製造規模、作製される電子写真用光受容部材に所望される特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所望の特性を有する電子写真用光受容部材を製造するに当たっての条件の制御が比較的容易であることからグロー放電法、特にＲＦ帯またはＶＨＦ帯の電源周波数を用いた高周波グロー放電法が好適である。
【００５１】
グロー放電法によって光導電層１０３を形成するには、例えば基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガスまたは／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガスを、内部が減圧にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入して、該反応容器内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位置に設置されてある所定の支持体１０１上にａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成すればよい。
【００５２】
また、本発明において光導電層１０３中に水素原子または／及びハロゲン原子が含有されることが必要であるが、これは層中のシリコン原子の未結合手を補償するために含有され、層品質の向上、特に光導電性及び電荷保持特性を向上させるために必須不可欠であるからである。水素原子またはハロゲン原子の含有量、または水素原子とハロゲン原子の和の量はシリコン原子と水素原子または／及びハロゲン原子の和に対して好ましくは１０〜３０原子％、より好ましくは１５〜２５原子％とされるのが望ましい。
【００５３】
本発明において使用されるＳｉ供給用ガスとなり得る物質としては、ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，Ｓｉ３Ｈ８，Ｓｉ４Ｈ１０等のガス状態の、またはガス化し得る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、さらに層作製時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６が好ましいものとして挙げられる。
【００５４】
そして、形成される光導電層１０３中に水素原子を構造的に導入し、水素原子の導入割合の制御をいっそう容易になるようにはかり、本発明の目的を達成する膜特性を得るために、これらのガスに、更にＨ２及び／またはＨｅあるいは水素原子を含む珪素化合物のガスを所望量混合した雰囲気で、層形成することが必要である。また、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混合しても差し支えないものである。
【００５５】
また本発明において使用されるハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効なのは、たとえばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲンをふくむハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状のまたはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる。また、さらにはシリコン原子とハロゲン原子とを構成要素とするガス状のまたはガス化し得る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げることができる。本発明に於いて好適に使用し得るハロゲン化合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ２），ＢｒＦ，ＣｌＦ，ＣｌＦ３，ＢｒＦ３，ＢｒＦ５，ＩＦ３，ＩＦ７等のハロゲン間化合物を挙げることができる。ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的にはたとえばＳｉＦ４，Ｓｉ２Ｆ６等の弗化珪素が好ましいものとして挙げることができる。
【００５６】
光導電層１０３中に含有される水素原子または／及びハロゲン原子の量を制御するには、例えば支持体１０１の温度、水素原子または／及びハロゲン原子を含有させるために使用される原料物質の反応容器内へ導入する量、放電電力等を制御すればよい。
【００５７】
本発明においては、光導電層１０３には必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させることが好ましい。伝導性を制御する原子は、光導電層１０３中に万偏なく均一に分布した状態で含有されても良いし、あるいは層厚方向には不均一な分布状態で含有している部分があってもよい。
【００５８】
前記伝導性を制御する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表第ＩＩＩｂ族に属する原子（以後「第ＩＩＩｂ族原子」と略記する）またはｎ型伝導特性を与える周期律表第Ｖｂ族に属する原子（以後「第Ｖｂ族原子」と略記する）を用いることができる。
【００５９】
第ＩＩＩｂ族原子としては、具体的には、硼素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特にＢ，Ａｌ，Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ，Ａｓが好適である。
【００６０】
光導電層１０３に含有される伝導性を制御する原子の含有量としては、好ましくは１×１０−２〜１×１０３原子ｐｐｍ、より好ましくは５×１０−２〜５×１０２原子ｐｐｍ、更に好ましくは１×１０−１〜１×１０２原子ｐｐｍとされるのが望ましい。
【００６１】
伝導性を制御する原子、たとえば、第ＩＩＩｂ族原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に導入するには、層形成の際に、第ＩＩＩｂ族原子導入用の原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器中に、光導電層１０３を形成するための他のガスとともに導入してやればよい。第ＩＩＩｂ族原子導入用の原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質となり得るものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望ましい。
【００６２】
そのような第ＩＩＩｂ族原子導入用の原料物質として具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６，Ｂ４Ｈ１０，Ｂ５Ｈ９，Ｂ５Ｈ１１，Ｂ６Ｈ１０，等の水素化硼素、ＢＦ３，ＢＣｌ３，ＢＢｒ３等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、ＧａＣｌ３，Ｇａ（ＣＨ３）３，等も挙げることができる。中でもＢ２Ｈ６は取扱いの面からも好ましい原料物質の一つである。
【００６３】
第Ｖｂ族原子導入用の原料物質として有効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３，Ｐ２Ｈ４等の水素化燐、ＰＦ３，ＰＦ５，ＰＣｌ３，ＰＣｌ５，ＰＢｒ３，ＰＩ３等のハロゲン化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ３，ＡｓＦ３，ＡｓＣｌ３，ＡｓＢｒ３，ＡｓＦ５，ＳｂＨ３，ＳｂＦ５，ＳｂＣｌ５，ＢｉＨ３，ＢｉＢｒ３等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げることができる。
【００６４】
また、これらの伝導性を制御する原子導入用の原料物質を必要に応じてＨ２及び／またはＨｅにより希釈して使用してもよい。
【００６５】
さらに本発明においては、光導電層１０３に炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素原子を含有させることも有効である。炭素原子及び／または酸素原子／及びまたは窒素原子の含有量はシリコン原子、炭素原子、酸素原子及び窒素原子の和に対して好ましくは１×１０−５〜１０原子％、より好ましくは１×１０−４〜８原子％、更に好ましくは１×１０−３〜５原子％が望ましい。酸素原子及び／または窒素原子は、光導電層中に万遍なく均一に含有されても良いし、炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素原子は光導電層の層厚方向に含有量が変化するような不均一な分布をもたせた部分があっても良い。
【００６６】
本発明に於ける光導電層１０３の層厚としては、得ようとする特性、要求される特性に応じて適宜決められるものであるが、好ましくは２０〜５０μｍ、より好ましくは２３〜４５μｍ、更に好ましくは２５〜４０μｍとするのが望ましい。層厚が２０μｍより薄くなると、帯電能や感度等の電子写真特性が実用上不十分となる場合があり、５０μｍより厚くなると、光導電層の作製時間が長くなって製造コストが高くなることがある。
【００６７】
本発明の目的を達成し、所望の膜特性を有する光導電層１０３を形成するには、Ｓｉ供給用のガスと希釈ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力ならびに支持体温度を適宜設定することが必要である。
【００６８】
希釈ガスとして使用するＨ２及び／またはＨｅの流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ２及び／またはＨｅを、好ましくは３〜２０倍、より好ましくは４〜１５倍、更に好ましくは５〜１０倍の範囲に制御することが望ましい。また、その範囲の値で一定になるように制御することが好ましい。
【００６９】
反応容器内のガス圧も同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは１×１０−４〜１０Ｔｏｒｒ、より好ましくは５×１０−４〜５Ｔｏｒｒ、更に好ましくは１×１０−３〜１Ｔｏｒｒとするのが望ましい。
【００７０】
放電電力もまた同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量に対する放電電力の比を、好ましくは２〜７、より好ましくは２．５〜６、更に好ましくは３〜５の範囲に設定することが望ましい。
【００７１】
さらに支持体１０１の温度は、層設計にしたがって、適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０℃、更に好ましくは２５０〜３１０℃とするのが望ましい。
【００７２】
また、支持体側から表面側に向かってＥｕ及びＤＯＳの値が増加するように膜を作る方法としては、例えばＳｉＨ４と水素または／及びＨｅの混合率（希釈率）を一定に保ったまま、ＳｉＨ４流量に対する放電電力（Ｗ／Ｆｌｏｗ）及び／または、基板温度（Ｔｓ）を連続的に変化させる事が望ましい。
【００７３】
この場合、放電電力もまた同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量に対する放電電力を、好ましくは２〜８倍、より好ましくは２．５〜７倍、更に好ましくは３〜６倍の範囲で連続的に支持体側から表面側に向かって小さくなる様に変化させることが望ましい。
【００７４】
さらに支持体１０１の温度は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは２００〜３７０℃、より好ましくは２３０〜３６０℃、更に好ましくは２５０〜３５０℃の範囲で連続的に支持体側から表面側に向かって低くなる様に変化させることが望ましい。
【００７５】
あるいは、支持体側から表面側に向かってＥｕ及びＤ．Ｏ．Ｓの値が減少するように膜を作る方法としては、例えばＳｉＨ４と水素または／及びＨｅの混合率（希釈率）を一定に保ったまま、ＳｉＨ４流量に対する放電電力（Ｗ／Ｆｌｏｗ）及び／または、基板温度（ＴＳ）を連続的に変化させる事が望ましい。
【００７６】
放電電力もまた同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量に対する放電電力を、好ましくは２〜８倍、より好ましくは２．５〜７倍、更に好ましくは３〜６倍の範囲で連続的に支持体側から表面側に向かって小さくなる様に変化させることが望ましい。
【００７７】
さらに支持体１０１の温度は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは２００〜３７０℃、より好ましくは２３０〜３６０℃、更に好ましくは２５０〜３５０℃の範囲で連続的に支持体側から表面側に向かって低くなる様に変化させることが望ましい。
【００７８】
本発明においては、光導電層を形成するための支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の特性を有する光受容部材を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが望ましい。
【００７９】
（表面層）
本発明においては、上述のようにして支持体１０１上に形成された光導電層１０３の上に、更にアモルファスシリコン系の表面層１０４を形成することが好ましい。この表面層１０４は自由表面１１０を有し、主に耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特性、耐久性において本発明の目的を達成するために設けられる。
【００８０】
また、本発明においては、光受容層１０２を構成する光導電層１０３と表面層１０４とを形成する非晶質材料の各々がシリコン原子という共通の構成要素を有しているので、積層界面において化学的な安定性の確保が十分成されている。
【００８１】
表面層１０４は、アモルファスシリコン系の材料であればいずれの材質でも可能であるが、例えば、水素原子（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に炭素原子を含有するアモルファスシリコン（以下「ａ−ＳｉＣ（Ｈ，Ｘ）」と表記する）、水素原子（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に酸素原子を含有するアモルファスシリコン（以下「ａ−ＳｉＯ（Ｈ，Ｘ）」と表記する）、水素原子（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に窒素原子を含有するアモルファスシリコン（以下「ａ−ＳｉＮ（Ｈ，Ｘ）」と表記する）、水素原子（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に炭素原子、酸素原子、窒素原子の少なくとも一つを含有するアモルファスシリコン（以下「ａ−ＳｉＣＯＮ（Ｈ，Ｘ）」と表記する）等の材料が好適に用いられる。
【００８２】
本発明に於いて、その目的を効果的に達成するために、表面層１０４は真空堆積膜形成方法によって、所望特性が得られるように適宜成膜パラメーターの数値条件が設定されて作製される。具体的には、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などの数々の薄膜堆積法によって形成することができる。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負荷程度、製造規模、作成される電子写真用光受容部材に所望される特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、光受容部材の生産性から光導電層と同等の堆積法によることが好ましい。
【００８３】
例えば、グロー放電法によってａ−ＳｉＣ（Ｈ，Ｘ）よりなる表面層１０４を形成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガスまたは／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガスを、内部を減圧にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入して、該反応容器内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位置に設置された光導電層１０３を作製した支持体１０１上にａ−ＳｉＣ（Ｈ，Ｘ）層を作製すればよい。
【００８４】
本発明に於いて用いる表面層の材質としてはシリコンを含有するアモルファス材料なら何れでも良いが、炭素、窒素、酸素より選ばれた元素を少なくとも１つ含むシリコン原子との化合物が好ましく、特にａ−ＳｉＣを主成分としたものが好ましい。
【００８５】
特に、表面層をａ−ＳｉＣを主成分として構成する場合の炭素量は、シリコン原子と炭素原子の和に対して３０％から９０％の範囲が好ましい。
【００８６】
また、本発明において表面層１０４中に水素原子または／及びハロゲン原子が含有されることが必要であるが、これはシリコン原子などの構成原子の未結合手を補償し、層品質の向上、特に光導電性特性及び電荷保持特性を向上させるために必須不可欠である。水素含有量は、構成原子の総量に対して好ましくは３０〜７０原子％、より好ましくは３５〜６５原子％、更に好ましくは４０〜６０原子％とするのが望ましい。また、弗素原子の含有量として、好ましくは０．０１〜１５原子％、より好ましくは０．１〜１０原子％、更に好ましくは０．６〜４原子％とするのが望ましい。
【００８７】
これらの水素及び／または弗素含有量の範囲内で形成される光受容部材は、実際面に於いて従来にない格段に優れたものとして充分適用させ得るものである。すなわち、表面層内に存在する欠陥（主にシリコン原子や炭素原子のダングリングボンド）は電子写真用光受容部材としての特性に悪影響を及ぼすことが知られている。例えば自由表面から電荷の注入による帯電特性の劣化、使用環境、例えば高い湿度のもとで表面構造が変化することによる帯電特性の変動、更にコロナ帯電時や光照射時に光導電層により表面層に電荷が注入され、前記表面層内の欠陥に電荷がトラップされることにより繰り返し使用時の残像現象の発生等がこの悪影響として挙げられる。
【００８８】
しかしながら表面層内の水素含有量を３０原子％以上に制御することで表面層内の欠陥が大幅に減少し、その結果、従来に比べて電気的特性面及び高速連続使用性において飛躍的な向上を図ることができる。
【００８９】
一方、前記表面層中の水素含有量が７１原子％以上になると表面層の硬度が低下するために、繰り返し使用に耐えられなくなる場合がある。従って、表面層中の水素含有量を前記の範囲内に制御することが格段に優れた所望の電子写真特性を得る上で非常に重要な因子の１つである。表面層中の水素含有量は、原料ガスの流量（比）、支持体温度、放電パワー、ガス圧等によって制御し得る。
【００９０】
また、表面層中の弗素含有量を０．０１原子％以上の範囲に制御することで表面層内のシリコン原子と炭素原子の結合の発生をより効果的に達成することが可能となる。さらに、表面層中の弗素原子の働きとして、コロナ等のダメージによるシリコン原子と炭素原子の結合の切断を効果的に防止することができる。
【００９１】
一方、表面層中の弗素含有量が１５原子％を超えると表面層内のシリコン原子と炭素原子の結合の発生の効果及びコロナ等のダメージによるシリコン原子と炭素原子の結合の切断を防止する効果がほとんど認められなくなる。さらに、過剰の弗素原子が表面層中のキャリアの走行性を阻害するため、残留電位や画像メモリーが顕著に認められてくる。従って、表面層中の弗素含有量を前記範囲内に制御することが所望の電子写真特性を得る上で重要な因子の一つである。表面層中の弗素含有量は、水素含有量と同様に原料ガスの流量（流量比）、支持体温度、放電パワー、ガス圧等によって制御し得る。
【００９２】
本発明の表面層の形成において使用されるシリコン（Ｓｉ）供給用ガスとなり得る物質としては、ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，Ｓｉ３Ｈ８，Ｓｉ４Ｈ１０等のガス状態の、またはガス化し得る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、更に層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が好ましいものとして挙げられる。また、これらのＳｉ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ２，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。
【００９３】
炭素供給用ガスとなり得る物質としては、ＣＨ４，Ｃ２Ｈ２，Ｃ２Ｈ６，Ｃ３Ｈ８，Ｃ４Ｈ１０等のガス状態の、またはガス化し得る炭化水素が有効に使用されるものとして挙げられ、更に層作成時の取り扱い易さ、Ｃ供給効率の良さ等の点でＣＨ４，Ｃ２Ｈ２，Ｃ２Ｈ６が好ましいものとして挙げられる。また、これらのＣ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ２，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。
【００９４】
窒素または酸素供給用ガスとなり得る物質としては、ＮＨ３，ＮＯ，Ｎ２Ｏ，ＮＯ２，Ｏ２，ＣＯ，ＣＯ２，Ｎ２等のガス状態の、またはガス化し得る化合物が有効に使用されるものとして挙げられる。また、これらの窒素、酸素供給用の原料ガスを必要に応じてＨ２，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。
【００９５】
また、形成される表面層１０４中に導入される水素原子の導入割合の制御をいっそう容易にするため、これらのガスに更に水素ガスまたは水素原子を含む珪素化合物のガスも所望量混合して層形成することが好ましい。また、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混合しても差し支えないものである。
【００９６】
ハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効なのは、たとえばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲンをふくむハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状のまたはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる。また、さらにはシリコン原子とハロゲン原子とを構成要素とするガス状のまたはガス化し得る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げることができる。本発明に於て好適に使用し得るハロゲン化合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ２），ＢｒＦ，ＣｌＦ，ＣｌＦ３，ＢｒＦ３，ＢｒＦ５，ＩＦ３，ＩＦ７等のハロゲン間化合物を挙げることができる。ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的には、たとえばＳｉＦ４，Ｓｉ２Ｆ６等の弗化珪素が好ましいものとして挙げることができる。
【００９７】
表面層１０４中に含有される水素原子または／及びハロゲン原子の量を制御するには、例えば支持体１０１の温度、水素原子または／及びハロゲン原子を含有させるために使用される原料物質の反応容器内ヘ導入する量、放電電力等を制御すればよい。
【００９８】
炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素原子は、表面層中に万遍なく均一に含有されても良いし、表面層の層厚方向に含有量が変化するような不均一な分布をもたせた部分があっても良い。
【００９９】
さらに本発明においては、表面層１０４には必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させることが好ましい。伝導性を制御する原子は、表面層１０４中に万偏なく均一に分布した状態で含有されても良いし、あるいは層厚方向には不均一な分布状態で含有している部分があってもよい。
【０１００】
前記の伝導性を制御する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表第ＩＩＩｂ族に属する原子（以後「第ＩＩＩｂ族原子」と略記する）またはｎ型伝導特性を与える周期律表第Ｖｂ族に属する原子（以後「第Ｖｂ族原子」と略記する）を用いることができる。第ＩＩＩｂ族原子としては、具体的には、硼素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特にＢ，Ａｌ，Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ，Ａｓが好適である。
【０１０１】
表面層１０４に含有される伝導性を制御する原子の含有量としては、好ましくは１×１０−３〜１×１０３原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０−２〜５×１０２原子ｐｐｍ、更に好ましくは１×１０−１〜１×１０２原子ｐｐｍとされるのが望ましい。伝導性を制御する原子、たとえば、第ＩＩＩｂ族原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に導入するには、層形成の際に、第ＩＩＩｂ族原子導入用の原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器中に、表面層１０４を形成するための他のガスとともに導入してやればよい。第ＩＩＩｂ族原子導入用の原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質となり得るものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望ましい。そのような第ＩＩＩｂ族原子導入用の原料物質として具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６，Ｂ４Ｈ１０，Ｂ５Ｈ９，Ｂ５Ｈ１１，Ｂ６Ｈ１０，等の水素化硼素、ＢＦ３，ＢＣｌ３，ＢＢｒ３等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、ＧａＣｌ３，Ｇａ（ＣＨ３）３，等も挙げることができる。
【０１０２】
第Ｖｂ族原子導入用の原料物質として有効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３，Ｐ２Ｈ４等の水素化燐、ＰＦ３，ＰＦ５，ＰＣｌ３，ＰＣｌ５，ＰＢｒ３，ＰＩ３等のハロゲン化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ３，ＡｓＦ３，ＡｓＣｌ３，ＡｓＢｒ３，ＡｓＦ５，ＳｂＨ３，ＳｂＦ５，ＳｂＣｌ５，ＢｉＨ３，ＢｉＢｒ３等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げることができる。
【０１０３】
また、これらの伝導性を制御する原子導入用の原料物質を必要に応じてＨ２，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。
【０１０４】
本発明に於ける表面層１０４の層厚としては、好ましくは０．０１〜３μｍ、より好ましくは０．０５〜２μｍ、更に好ましくは０．１〜１μｍとされるのが望ましい。層厚が０．０１μｍより薄いと光受容部材を使用中に摩擦等の理由により表面層が失われてしまい易く、３μｍを越えると残留電位の増加等の電子写真特性の低下がみられる場合がある。
【０１０５】
本発明による表面層１０４は、その要求される特性が所望通りに与えられるように注意深く形成される。即ち、Ｓｉ，Ｃ，Ｎ及びＯからなる群から選択された少なくとも一つの元素、Ｈ及び／またはＸを構成要素とする物質は、その形成条件によって構造的には多結晶や微結晶のような結晶性からアモルファスまでの形態（総称して非単結晶）を取り、電気物性的には導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、また、光導電的性質から非光導電的性質までの間の性質を各々示すので、本発明においては、目的に応じた所望の特性を有する化合物が形成される様に、所望に従ってその形成条件の選択が厳密になされる。
【０１０６】
例えば、表面層１０４を耐電圧性の向上を主な目的として設けるには、使用環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非単結晶材料として作製される。
【０１０７】
また、連続繰り返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる目的として表面層１０４が設けられる場合には、上記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される光に対して有る程度の感度を有する非単結晶材料として形成される。
【０１０８】
本発明の目的を達成し得る特性を有する表面層１０４を形成するには、支持体１０１の温度、反応容器内のガス圧を所望にしたがって、適宜設定する必要がある。
【０１０９】
支持体１０１の温度（Ｔｓ）は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０℃、更に好ましくは２５０〜３１０℃とするのが望ましい。
【０１１０】
反応容器内のガス圧も同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ましくは１×１０−４〜１０Ｔｏｒｒ、より好ましくは５×１０−４〜５Ｔｏｒｒ、更に好ましくは１×１０−３〜１Ｔｏｒｒとするのが望ましい。本発明においては、表面層を形成するための支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられるが、これらの条件は通常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の特性を有する光受容部材を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが望ましい。
【０１１１】
さらに本発明に於いては、光導電層と表面層の間に、炭素原子、酸素原子、窒素原子の含有量を表面層より減らした中間層（下部表面層）を設けることも帯電能等の特性を更に向上させるためには有効である。
【０１１２】
また表面層１０４と光導電層１０３との間に炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素原子の含有量が光導電層１０３に向かって減少するように変化する領域を設けても良い。これにより表面層と光導電層の密着性を向上させ、界面での光の反射による干渉の影響をより少なくすることができる。
【０１１３】
（電荷注入阻止層）
本発明の電子写真用光受容部材においては、導電性支持体と光導電層との間に、導電性支持体側からの電荷の注入を阻止する働きのある電荷注入阻止層を設けるのがいっそう効果的である。すなわち、電荷注入阻止層は光受容層が一定極性の帯電処理をその自由表面に受けた際、支持体側より光導電層側に電荷が注入されるのを阻止する機能を有し、逆の極性の帯電処理を受けた際にはそのような機能は発揮されない、いわゆる極性依存性を有している。そのような機能を付与するために、電荷注入阻止層には伝導性を制御する原子を光導電層に比べ比較的多く含有させる。
【０１１４】
該層に含有される伝導性を制御する原子は、該層中に万遍なく均一に分布されても良いし、あるいは層厚方向には万遍なく含有されてはいるが、不均一に分布する状態で含有している部分があってもよい。分布濃度が不均一な場合には、支持体側に多く分布するように含有させるのが好適である。
【０１１５】
しかしながら、いずれの場合にも支持体の表面と平行面内方向においては、均一な分布で万遍なく含有されることが面内方向における特性の均一化をはかる点からも必要である。
【０１１６】
電荷注入阻止層に含有される伝導性を制御する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表第ＩＩＩｂ族に属する原子（以後「第ＩＩＩｂ族原子」と略記する）またはｎ型伝導特性を与える周期律表第Ｖｂ族に属する原子（以後「第Ｖｂ族原子」と略記する）を用いることができる。
【０１１７】
第ＩＩＩｂ族原子としては、具体的には、Ｂ（ほう素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔａ（タリウム）等があり、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、具体的にはＰ（リン）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ，Ａｓが好適である。
【０１１８】
本発明において電荷注入阻止層中に含有される伝導性を制御する原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に達成できるように所望にしたがって適宜決定されるが、好ましくは１０〜１×１０４原子ｐｐｍ、より好ましくは５０〜５×１０３原子ｐｐｍ、更に好ましくは１×１０２〜３×１０３原子ｐｐｍとされるのが望ましい。
【０１１９】
さらに、電荷注入阻止層には、炭素原子、窒素原子及び酸素原子の少なくとも一種を含有させることによって、該電荷注入阻止層に直接接触して設けられる他の層との間の密着性の向上をよりいっそう図ることができる。
【０１２０】
該層に含有される炭素原子または窒素原子または酸素原子は該層中に万偏なく均一に分布されても良いし、あるいは層厚方向には万遍なく含有されてはいるが、不均一に分布する状態で含有している部分があってもよい。しかしながら、いずれの場合にも支持体の表面と平行面内方向においては、均一な分布で万偏なく含有されることが面内方向における特性の均一化をはかる点からも必要である。
本発明における電荷注入阻止層の全層領域に含有される炭素原子及び／または窒素原子及び／または酸素原子の含有量は、本発明の目的が効果的に達成されるように適宜決定されるが、一種の場合はその量として、二種以上の場合はその総和として、好ましくは１×１０−３〜５０原子％、より好ましくは５×１０−３〜３０原子％、更に好ましくは１×１０−２〜１０原子％とされるのが望ましい。
【０１２１】
また、本発明における電荷注入阻止層に含有される水素原子及び／またはハロゲン原子は層内に存在する未結合手を補償し膜質の向上に効果を奏する。電荷注入阻止層中の水素原子またはハロゲン原子あるいは水素原子とハロゲン原子の和の含有量は、好ましくは１〜５０原子％、より好ましくは５〜４０原子％、更に好ましくは１０〜３０原子％とするのが望ましい。
【０１２２】
本発明に於ける電荷注入阻止層１０５の層厚としては、好ましくは０．１〜５μｍ、より好ましくは０．３〜４μｍ、更に好ましくは０．５〜３μｍとされるのが望ましい。層厚が０．１μｍより薄くなると、支持体からの電荷の注入阻止能が不十分になって十分な帯電能が得られない場合があり、５μｍより厚くしても実質的な電子写真特性の向上よりも作製時間の延長による製造コスト増を招く。
【０１２３】
本発明において電荷注入阻止層を形成するには、前述の光導電層を形成する方法と同様の真空堆積法が採用される。
【０１２４】
本発明の目的を達成し得る特性を有する電荷注入阻止層１０５を形成するには、光導電層１０３と同様に、Ｓｉ供給用のガスと希釈ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力ならびに支持体１０１の温度を適宜設定することが必要である。
【０１２５】
希釈ガスであるＨ２及び／またはＨｅの流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ２及び／またはＨｅを、好ましくは１〜２０倍、より好ましくは３〜１５倍、更に好ましくは５〜１０倍の範囲に制御することが望ましい。
【０１２６】
反応容器内のガス圧も同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは１×１０−４〜１０Ｔｏｒｒ、より好ましくは５×１０−４〜５Ｔｏｒｒ、更に好ましくは１×１０−３〜１Ｔｏｒｒとするのが望ましい。
【０１２７】
放電電力もまた同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量に対する放電電力の比を、好ましくは１〜７、より好ましくは２〜６、更に好ましくは３〜５の範囲に設定することが望ましい。
【０１２８】
さらに、支持体１０１の温度は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０℃、更に好ましくは２５０〜３１０℃とするのが望ましい。
【０１２９】
本発明においては、電荷注入阻止層を形成するための希釈ガスの混合比、ガス圧、放電電力、支持体温度の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられるが、これらの条件は通常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の特性を有する表面層を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが望ましい。
【０１３０】
このほかに、本発明の電子写真用光受容部材においては、光受容層１０２の前記支持体１０１側に、少なくともアルミニウム原子、シリコン原子、水素原子または／及びハロゲン原子が層厚方向に不均一な分布状態で含有する層領域を有することが望ましい。
【０１３１】
また、本発明の電子写真用光受容部材に於いては、支持体１０１と光導電層１０３あるいは電荷注入阻止層１０５との間の密着性の一層の向上を図る目的で、例えば、Ｓｉ３Ｎ４，ＳｉＯ２，ＳｉＯ、あるいはシリコン原子を母体とし、水素原子及び／またはハロゲン原子と、炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素原子とを含む非晶質材料等で構成される密着層を設けても良い。更に、支持体からの反射光による干渉模様の発生を防止するための光吸収層を設けても良い。
【０１３２】
次に、光受容層を形成するための装置及び膜形成方法について詳述する。
図２はＲＦ帯の周波数を用いた高周波プラズマＣＶＤ法（以後「ＲＦ−ＰＣＶＤ」と略記する）による電子写真用光受容部材の製造装置の好適な一例を示す模式的な構成図である。図２に示す製造装置の構成は以下の通りである。
【０１３３】
この装置は大別すると、堆積装置（２１００）、原料ガスの供給装置（２２００）、反応容器（２１１１）内を減圧にするための排気装置（図示せず）から構成されている。堆積装置（２１００）中の反応容器（２１１１）内には円筒状支持体（２１１２）、支持体加熱用ヒーター（２１１３）、原料ガス導入管（図示せず）が設置され、更に高周波マッチングボックス（２１１５）が接続されている。
【０１３４】
原料ガス供給装置（２２００）は、ＳｉＨ４，ＧｅＨ４，Ｈ２，ＣＨ４，Ｂ２Ｈ６，ＰＨ３等の原料ガスのボンベ（２２２１〜２２２６）とバルブ（２２３１〜２２３６，２２４１〜２２４６，２２５１〜２２５６）及びマスフローコントローラー（２２１１〜２２１６）から構成され、各原料ガスのボンベはバルブ（２２６０）を介して反応容器（２１１１）内のガス導入管（２１１４）に接続されている。
【０１３５】
この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば以下のように行うことができる。
まず、反応容器（２１１１）内に円筒状支持体（２１１２）を設置し、排気装置（図示せず）により反応容器（２１１１）内を排気する。続いて、支持体加熱用ヒーター（２１１３）により円筒状支持体（２１１２）の温度を、例えば２００℃乃至３５０℃の所定の温度に制御する。
【０１３６】
堆積膜形成用の原料ガスを反応容器（２１１１）に流入させるには、ガスボンベのバルブ（２２３１〜２２３７）、反応容器のリークバルブ（２１１７）が閉じられていることを確認し、また、流入バルブ（２２４１〜２２４６）、流出バルブ（２２５１〜２２５６）、補助バルブ（２２６０）が開かれていることを確認して、まずメインバルブ（２１１８）を開いて反応容器（２１１１）及びガス配管内（２１１６）を排気する。
【０１３７】
次に真空計（２１１９）の読みが約５×１０−６Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ（２２６０）、流出バルブ（２２５１〜２２５６）を閉じる。
【０１３８】
その後、ガスボンベ（２２２１〜２２２６）より各ガスをバルブ（２２３１〜２２３６）を開いて導入し、圧力調整器（２２６１〜２２６６）により各ガス圧を２ｋｇ／ｃｍ２に調整する。次に、流入バルブ（２２４１〜２２４６）を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラー（２２１１〜２２１６）内に導入する。
【０１３９】
以上のようにして成膜の準備が完了した後、以下の手順で各層の形成を行う。円筒状支持体（２１１２）が所定の温度になったところで流出バルブ（２２５１〜２２５６）のうちの必要なもの及び補助バルブ（２２６０）を徐々に開き、ガスボンベ（２２２１〜２２２６）から所定のガスをガス導入管（２１１４）を介して反応容器（２１１１）内に導入する。次にマスフローコントローラー（２２１１〜２２１６）によって各原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反応容器（２１１１）内の圧力が１Ｔｏｒｒ以下の所定の圧力になるように真空計（２１１９）を見ながらメインバルブ（２１１８）の開口を調整する。内圧が安定したところで、周波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源（図示せず）を所望の電力に設定して、高周波マッチングボックス（２１１５）を通じて反応容器（２１１１）内にＲＦ電力を導入し、グロー放電を生起させる。この放電エネルギーによって反応容器内に導入された原料ガスが分解され、円筒状支持体（２１１２）上に所定のシリコンを主成分とする堆積膜が形成されるところとなる。所望の膜厚の形成が行われた後、ＲＦ電力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。
【０１４０】
同様の操作を複数回繰り返すことによって、所望の多層構造の光受容層が形成される。
【０１４１】
それぞれの層を形成する際には必要なガス以外の流出バルブはすべて閉じられており、また、それぞれのガスが反応容器（２１１１）内、流出バルブ（２２５１〜２２５６）から反応容器（２１１１）に至る配管内に残留することを避けるために、流出バルブ（２２５１〜２２５６）を閉じ、補助バルブ（２２６０）を開き、さらにメインバルブ（２１１８）を全開にして系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。
【０１４２】
また、膜形成の均一化を図るために、層形成を行なっている間は、支持体（２１１２）を駆動装置（図示せず）によって所定の速度で回転させることも有効である。
【０１４３】
さらに、上述のガス種及びバルブ操作は各々の層の作製条件にしたがって変更が加えられる。
【０１４４】
次に、ＶＨＦ帯の周波数を用いた高周波プラズマＣＶＤ法（以後「ＶＨＦ−ＰＣＶＤ」と略記する）によって形成される電子写真用光受容部材の製造方法について説明する。
【０１４５】
図２に示した製造装置におけるＲＦ−ＰＣＶＤ法による堆積装置（２１００）を、図３に示す堆積装置（３１００）に代えて原料ガス供給装置（２２００）と接続することにより、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法による電子写真用光受容部材製造装置を得ることができる。
【０１４６】
この装置は大別すると、反応容器（３１１１）、原料ガスの供給装置（２２００）、及び反応容器内を減圧にするための排気装置（図示せず）から構成されている。反応容器（３１１１）内には円筒状支持体（３１１２）、支持体加熱用ヒーター（３１１３）、原料ガス導入管（図示せず）、電極（３１１５）が設置され、電極には更に高周波マッチングボックス（３１１６）が接続されている。また、反応容器（３１１１）内は排気管（３１２１）を通じて排気装置（図示せず）に接続されている。
【０１４７】
原料ガス供給装置（２２００）は、ＳｉＨ４，ＧｅＨ４，Ｈ２，ＣＨ４，Ｂ２Ｈ６，ＰＨ３等の原料ガスのボンベ（２２２１〜２２２６）とバルブ（２２３１〜２２３６，２２４１〜２２４６，２２５１〜２２５６）及びマスフローコントローラー（２２１１〜２２１６）から構成され、各原料ガスのボンベはバルブ（２２６０）を介して反応容器（３１１１）内のガス導入管（図示せず）に接続されている。また、円筒状支持体（３１１２）によって取り囲まれた空間（３１３０）が放電空間を形成している。
【０１４８】
ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法によるこの装置での堆積膜の形成は、以下のように行なうことができる。
【０１４９】
まず、反応容器（３１１１）内に円筒状支持体（３１１２）を設置し、駆動装置（３１２０）によって支持体（３１１２）を回転し、不図示の排気装置（例えば拡散ポンプ）により反応容器（３１１１）内を排気管（３１２１）を介して排気し、反応容器（３１１１）内の圧力を、例えば１×１０−７Ｔｏｒｒ以下に調整する。続いて、支持体加熱用ヒーター（３１１３）により円筒状支持体（３１１２）の温度を、例えば２００℃乃至３５０℃の所定の温度に加熱保持する。
【０１５０】
堆積膜形成用の原料ガスを反応容器（３１１１）に流入させるには、ガスボンベのバルブ（２２３１〜２２３６）、反応容器のリークバルブ（図示せず）が閉じられていることを確認し、また、流入バルブ（２２４１〜２２４６）、流出バルブ（２２５１〜２２５６）、補助バルブ（２２６０）が開かれていることを確認して、まずメインバルブ（図示せず）を開いて反応容器（３１１１）及びガス配管内を排気する。
【０１５１】
次に真空計（図示せず）の読みが約５×１０−６Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ（２２６０）、流出バルブ（２２５１〜２２５６）を閉じる。
【０１５２】
その後、ガスボンベ（２２２１〜２２２６）より各ガスをバルブ（２２３１〜２２３６）を開いて導入し、圧力調整器（２２６１〜２２６６）により各ガス圧を２ｋｇ／ｃｍ２に調整する。次に、流入バルブ（２２４１〜２２４６）を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラー（２２１１〜２２１６）内に導入する。
【０１５３】
以上のようにして成膜の準備が完了した後、以下のようにして円筒状支持体（３１１２）上に各層の形成を行う。
【０１５４】
円筒状支持体（３１１２）が所定の温度になったところで流出バルブ（２２５１〜２２５６）のうちの必要なもの及び補助バルブ（２２６０）を徐々に開き、ガスボンベ（２２２１〜２２２６）から所定のガスをガス導入管（図示せず）を介して反応容器（３１１１）内の放電空間（３１３０）に導入する。次にマスフローコントローラー（２２１１〜２２１６）によって各原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、放電空間（３１３０）内の圧力が１Ｔｏｒｒ以下の所定の圧力になるように真空計（図示せず）を見ながらメインバルブ（図示せず）の開口を調整する。
【０１５５】
圧力が安定したところで、例えば周波数５００ＭＨｚのＶＨＦ電源（図示せず）を所望の電力に設定して、マッチングボックス（３１１６）を通じて放電空間（３１３０）にＶＨＦ電力を導入し、グロー放電を生起させる。かくして支持体（３１１２）により取り囲まれた放電空間（３１３０）において、導入された原料ガスは、放電エネルギーにより励起されて解離し、支持体（３１１２）上に所定の堆積膜が形成される。この時、層形成の均一化を図るため支持体回転用モーター（３１２０）によって、所望の回転速度で回転させる。
【０１５６】
所望の膜厚の形成が行われた後、ＶＨＦ電力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。
同様の操作を複数回繰り返すことによって、所望の多層構造の光受容層が形成される。
【０１５７】
それぞれの層を形成する際には必要なガス以外の流出バルブはすべて閉じられており、また、それぞれのガスが反応容器（３１１１）内、流出バルブ（２２５１〜２２５６）から反応容器（３１１１）に至る配管内に残留することを避けるために、流出バルブ（２２５１〜２２５６）を閉じ、補助バルブ（２２６０）を開き、さらにメインバルブ（図示せず）を全開にして系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。
上述のガス種及びバルブ操作は各々の層の作成条件にしたがって変更が加えられる。
【０１５８】
ＲＦ−ＰＣＶＤ法とＶＨＦ−ＰＣＶＤ法のいずれの方法においても、堆積膜形成時の支持体温度は、特に好ましくは２００℃以上３５０℃以下、より好ましくは２３０℃以上３３０℃以下、更に好ましくは２５０℃以上３１０℃以下が望ましい。
【０１５９】
光導電層を成膜する時に、ＥｕおよびＤＯＳを層厚方向に変化させる場合には、例えば上記の操作に加えてＳｉＨ４流量と放電電力との比を連続的に変化させる操作並びに基板温度を連続的に変化させる操作を必要に応じて行えばよい。
【０１６０】
支持体の加熱方法は、真空仕様である発熱体であればよく、例えばシース状ヒーターの巻き付けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒーター等の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とし熱交換手段による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用することができる。
【０１６１】
それ以外にも、反応容器以外に加熱専用の容器を設け、加熱した後、反応容器内に真空中で支持体を搬送する等の方法が用いられる。
【０１６２】
また、特にＶＨＦ−ＰＣＶＤ法における放電空間の圧力として、好ましくは１ｍＴｏｒｒ以上５００ｍＴｏｒｒ以下、より好ましくは３ｍＴｏｒｒ以上３００ｍＴｏｒｒ以下、最も好ましくは５ｍＴｏｒｒ以上１００ｍＴｏｒｒ以下に設定することが望ましい。
【０１６３】
ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法において放電空間に設けられる電極（３１１５）の大きさ及び形状は、放電を乱さないならばいずれのものでも良いが、実用上は直径１ｍｍ以上１０ｃｍ以下の円筒状が好ましい。この時、電極の長さも、支持体に電界が均一にかかる長さであれば任意に設定できる。
【０１６４】
電極の材質としては、少なくとも表面が導電性を有するものであれば良く、例えば、ステンレス，Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｂ，Ｆｅ等の金属、これらの合金または表面を導電処理したガラス、セラミック等が通常使用される。
【０１６５】
【実施例】
以下本発明の一実施例を、図２と図３を参照して説明する。
（実施例１）
図２に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の製造装置を用い、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー支持体上に、例えば表１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる光受容部材を作製した。さらに光導電層のＳｉＨ４とＨ２との混合比ならびに放電電力を変えることによって、種々の光受容部材を作製した。
【０１６６】
作製した光受容部材は、電子写真装置（キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造）にセットして、帯電能の温度依存性（温度特性）、メモリーならびに画像流れを評価した。温度特性は、光受容部材の温度を室温から約４５℃まで変えて帯電能を測定し、このときの温度１℃当たりの帯電能の変化を測定して、２Ｖ／ｄｅｇ以下を合格と判定した。また、メモリー、画像流れについては、画像を目視により判定し、１：非常に良好、２：良好、３：実用上問題なし、４：実用上やや難のある場合ありの４段階にランク分けをした。その結果、ランク１と２を合格と判定した。
【０１６７】
一方、円筒形のサンプルホルダーに設置したガラス基板（コーニング社製 ７０５９）ならびにＳｉウエハー上に、光導電層の作成条件で膜厚約１μｍのａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガラス基板上の堆積膜にはＡｌの串型電極を蒸着し、ＣＰＭにより指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）と局在準位密度（ＤＯＳ）を測定し、Ｓｉウエハー上の堆積膜はＦＴＩＲ（フーリエ変換赤外吸光分析）法により含有水素量を測定した。
【０１６８】
その結果、表１の条件で作製した光導電層は、水素含有量が２７原子％、Ｅｕが５７ｍｅＶ、ＤＯＳが３．２×１０１５ｃｍ−３であった。
【０１６９】
また、ＳｉＨ４に対する放電電力（ＲＦＰｏｗｅｒ）の比を固定してＳｉＨ４とＨ２との混合比（Ｈ２／ＳｉＨ４）を増加させた場合、混合比が１０程度までしてＥｕ、ＤＯＳ共にほぼ単調に低下する傾向がみられ、特にＤＯＳの低下する傾向が顕著であった。そして、それ以上混合比を増加した場合のＥｕ、ＤＯＳの低下割合は緩やかであった。一方、ＳｉＨ４とＨ２との混合比を固定してＳｉＨ４に対する放電電力（Ｐｏｗｅｒ）の比を増加させた場合Ｅｕ、ＤＯＳ共に増加する傾向が見られ、特にＥｕの増加する傾向が顕著であった。
【０１７０】
本例のＥｕと温度特性との関係を図４に、ＤＯＳとメモリー及び画像流れとの関係を図５、図６にそれぞれ示す。いずれのサンプルも水素含有量は１０〜３０原子％の間であった。図４、図５ならびに図６から明らかなように、Ｅｕは５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳは１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることが良好な電子写真特性を得るために必要であることがわかった。
【０１７１】
作製された光受容部材を上記した電子写真装置にセットして帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて優れた画像を得ることができた。
【０１７２】
【表１】
【０１７３】
（実施例２）
本例では、光導電層と表面層との間に、炭素原子の含有量を表面層より減らし、伝導性を制御する原子を含有させた中間層（上部阻止層）を設けた。表２に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例１と同様とした。
【０１７４】
本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、それぞれ５５ｍｅＶ、２×１０１５ｃｍ−３という結果が得られた。また、作製した電子写真用光受容部材を負帯電して実施例１と同様の評価をしたところ実施例１と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０１７５】
すなわち、中間層（上部阻止層）を設けた場合においても、Ｅｕは５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳは１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることが良好な電子写真特性を得るために必要であることがわかった。
【０１７６】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０１７７】
【表２】
【０１７８】
（実施例３）
本例では、実施例１の表面層に代えて、表面層のシリコン原子及び炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた。表３に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例１と同様とした。
【０１７９】
本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、それぞれ５０ｍｅＶ、８×１０１４ｃｍ−３という結果が得られた。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例１と同様の評価をしたところ実施例１と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０１８０】
すなわち、表面層のシリコン原子及び炭素原子を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた場合においても、Ｅｕは５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳは１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることが良好な電子写真特性を得るために必要であることがわかった。
【０１８１】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０１８２】
【表３】
【０１８３】
（実施例４）
本例では、支持体と電荷注入阻止層との間に、支持体からの反射光による干渉模様の発生を防止するための光吸収層として、アモルファスシリコンゲルマニウムのＩＲ吸収層を設けた。表４に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例１と同様とした。
【０１８４】
本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、それぞれ６０ｍｅＶ、５×１０１５ｃｍ−３という結果が得られた。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例１と同様の評価をしたところ実施例１と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０１８５】
すなわち、ＩＲ吸収層を設けた場合においても、Ｅｕは５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳは１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることが良好な電子写真特性を得るために必要であることがわかった。
【０１８６】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０１８７】
【表４】
【０１８８】
（実施例５）
本例では、実施例１のＲＦ−ＰＣＶＤ法に代えて、図３に示すＶＨＦ−ＰＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の製造装置を用い、実施例１と同様に直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上に表５に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる光受容部材を作製した。さらに光導電層のＳｉＨ４とＨ２との混合比、放電電力、支持体温度ならびに内圧を変えることにより、種々の光受容部材を作製した。
他の点は実施例１と同様とした。
【０１８９】
作製した光受容部材を電子写真装置（キヤノン社製、ＮＰ６１５０をテスト用に改造）にセットして、帯電能の温度依存性（温度特性）、ブランク露光メモリーならびにゴーストメモリーを評価した。温度特性ならびにメモリーの評価は実施例１と同様にした。さらにハーフトーン画像の濃度ムラ（ガサツキ）をメモリーと同様、４段階のランク分けを行って評価した。その結果、ランク１と２を合格と判定した。
【０１９０】
一方、光導電層の作製条件で、円筒形のサンプルホルダーに設置したガラス基板（コーニング社製 ７０５９）ならびにＳｉウエハー上に膜厚約１μｍのａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガラス基板上の堆積膜にはＡｌの串型電極を蒸着して、ＣＰＭにより指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）と局在準位密度（ＤＯＳ）を測定し、Ｓｉウエハー上の堆積膜はＦＴＩＲにより含有水素量ならびにＳｉ−Ｈ２結合とＳｉ−Ｈ結合の吸収ピーク強度比を測定した。
【０１９１】
その結果、表５の条件で作成した光導電層において、水素含有量は２５原子％、Ｓｉ−Ｈ２／Ｓｉ−Ｈは０．３５であり、Ｅｕ、ＤＯＳはそれぞれ５９ｍｅＶ、４．３×１０１５ｃｍ−３であった。
【０１９２】
また、ＳｉＨ４に対する放電電力（ＲＦＰｏｗｅｒ）の比を固定してＳｉＨ４とＨ２との混合比（Ｈ２／ＳｉＨ４）を増加させた場合、実施例１と同様に混合比が１０程度まではＥｕ、ＤＯＳ共にほぼ単調に低下する傾向がみられ、特にＤＯＳの低下する傾向が顕著であった。そして、それ以上混合比を増加した場合のＥｕ、ＤＯＳの低下割合は緩やかであった。一方、ＳｉＨ４とＨ２との混合比を固定してＳｉＨ４に対する放電電力（Ｐｏｗｅｒ）の比を増加させた場合Ｅｕ、ＤＯＳ共に増加する傾向が見られ、特にＥｕの増加する傾向が顕著であった。さらに、支持体温度を上げた場合、Ｅｕ、ＤＯＳは緩やかではあるものの低下する傾向が見られ、Ｓｉ−Ｈ２／Ｓｉ−Ｈは減少する傾向が見られた。
【０１９３】
このときのＥｕ、ＤＯＳと温度特性、メモリー、画像流れとの関係は実施例１と同様であり、Ｅｕは５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳは１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることが良好な電子写真特性を得るために好ましいことがわかった。
【０１９４】
さらに、図７に示すＳｉ−Ｈ２／Ｓｉ−Ｈと感度との関係から、Ｓｉ−Ｈ２／Ｓｉ−Ｈは０．１以上０．５以下の範囲にすることが好ましいであることがわかった。
【０１９５】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０１９６】
【表５】
【０１９７】
（実施例６）
本例では、電荷注入阻止層は削除し、光導電層を、炭素原子を層厚方向に不均一な分布状態で含有する第１の層領域と実質的に炭素原子を含まない第２の層領域とで構成した。表６に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例５と同様とした。
【０１９８】
本例では、光導電層のＥｕ、ＤＯＳ及びＳｉ−Ｈ２／Ｓｉ−Ｈは、それぞれ５６ｍｅＶ、１．３×１０１５ｃｍ−３、０．３８であった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例１と同様の評価をしたところ実施例１と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０１９９】
すなわち、電荷注入阻止層は削除し、光導電層を、炭素原子を層厚方向に不均一な分布状態で含有する第１の層領域と実質的に炭素原子を含まない第２の層領域とで構成した場合においても、Ｅｕは５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳは１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３とし、更にＳｉ−Ｈ２／Ｓｉ−Ｈは０．１以上０．５以下の範囲にすることが良好な電子写真特性を得るために好ましいことがわかった。
【０２００】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０２０１】
【表６】
【０２０２】
（実施例７）
本例では、光導電層と表面層との間に、炭素原子の含有量を表面層より減らした中間層（下部表面層）を設けると同時に、光導電層を、機能分離化して、電荷輸送層と電荷発生層の２層化をはかり設けた。表７に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例５と同様とした。
【０２０３】
本例では、光導電層のＥｕ、ＤＯＳ及びＳｉ−Ｈ２／Ｓｉ−Ｈは、それぞれ５９ｍｅＶ、３×１０１５ｃｍ−３、０．４５であった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例１と同様の評価をしたところ実施例１と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０２０４】
すなわち、光導電層と表面層との間に、炭素原子の含有量を表面層より減らした中間層（下部表面層）を設けると同時に、光導電層を、機能分離化して、電荷輸送層と電荷発生層の２層化をはかり設けた場合においても、Ｅｕは５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳは１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３とし、更にＳｉ−Ｈ２／Ｓｉ−Ｈは０．１以上０．５以下の範囲にすることが良好な電子写真特性を得るために好ましいことがわかった。
【０２０５】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０２０６】
【表７】
【０２０７】
（実施例８）
図２に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の製造装置を用い、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー上に、表８に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる光受容部材を作製した。その時、光導電層作製条件を層厚方向で表９に示すように連続的に変化させた。また、光導電層作製条件の放電電力はＳｉＨ４流量の３〜８倍までの電力で層厚方向に連続的に変化させて数種類の光受容部材を作製した。その時の光導電層のＥｕとＤＯＳは光導電層の支持体側作製条件と中間部作製条件と表面側作製条件の３点でのサンプルの値の単純平均をとって膜中平均とした。
【０２０８】
作製した光受容部材は、電子写真装置（キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造）にセットして、帯電能の温度依存性（温度特性）、露光メモリー（ブランク露光メモリー、ゴースト露光メモリー）、感度を評価した。温度特性は、光受容部材の温度を室温から約４５℃まで変えて帯電能を測定し、このときの温度１℃当たりの帯電能の変化を測定して、２Ｖ／ｄｅｇ以下を合格と判定した。また、露光メモリーについては、画像を目視により判定し、感度については従来をランク３（実用的）と判定し、１：非常に良好、２：良好、３：実用的、４：実用上問題なし、５：実用上やや難ありの５段階にランク分けした。また、ランクの判別が困難な場合は、１と２の間の場合はランク１．５の様に記した。
【０２０９】
一方、円筒形のサンプルホルダーに設置したガラス基板（コーニング社製 ７０５９）ならびにＳｉウェハー上に数種類のａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガラス基板上の堆積膜にはＡｌの串型電極を蒸着して、ＣＰＭにより指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）と局在準位密度（ＤＯＳ）を測定した。また、ＳｉウェハーはＦＴＩＲで含有水素量を測定した。
【０２１０】
【表８】
【０２１１】
【表９】
【０２１２】
実施例８の光導電層作製条件が層厚方向に変化していたのに代えて、光導電層作製条件を固定して電子写真用光受容部材を作製した。
表１０に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例８と同様とした。
【０２１３】
【表１０】
【０２１４】
実施例８で作製した光受容部材の評価結果を、以下の図８〜１５に示す。
図８に光導電層中における、Ｅｕの層厚方向分布を示す。図９に光導電層中における、ＤＯＳの層厚方向分布を示す。図１０に光導電層中の平均Ｅｕに対する帯電能の温度依存性（温度特性）を示す。図１１に光導電層中の平均ＤＯＳに対する帯電能の温度依存性（温度特性）を示す。図１２に光導電層中の平均Ｅｕに対する露光メモリーを示す。図１３に光導電層中の平均ＤＯＳに対する露光メモリーを示す。図１４に光導電層中の平均Ｅｕに対する感度を示す。図１５に光導電層中の平均ＤＯＳに対する感度を示す。
【０２１５】
ＥｕとＤＯＳを層厚方向に変化させなかった光受容部材の評価結果を、以下の図１６〜２１に示す。光導電層中におけるＥｕとＤＯＳは、サンプルの値の単純平均をとって膜中平均とした。
【０２１６】
図１６に光導電層中の平均Ｅｕに対する帯電能の温度依存性（温度特性）を示す。図１７に光導電層中の平均ＤＯＳに対する帯電能の温度依存性（温度特性）を示す。図１８に光導電層中の平均Ｅｕに対する露光メモリーを示す。図１９に光導電層中の平均ＤＯＳに対する露光メモリーを示す。図２０に光導電層中の平均Ｅｕに対する感度を示す。図２１に光導電層中の平均ＤＯＳに対する感度を示す。
【０２１７】
以上の結果から、膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲となる様にして、光導電層のＥｕとＤＯＳを層厚方向に連続的に変化させた場合（図８〜１５）のほうが、変化させない場合（図１６〜２１）より、より良好な電子写真特性が得られることが分かる。特に、温度特性、露光メモリーおよび感度のために好ましいことがわかった。また、いずれのサンプルの水素含有量も１０〜３０原子％の間であった。
【０２１８】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０２１９】
（実施例９）
本例では、実施例８の支持体温度とＰｏｗｅｒの可変範囲を代えた。表１１に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例８と同様とした。
【０２２０】
本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、それぞれ層支持体側（初期）にて、４９ｍｅＶ、２．２×１０１４ ｃｍ−３、層中間部にて、５５ｍｅＶ、９．８×１０１４ｃｍ−３、層表面側にて６３ｍｅＶ、１．３×１０１６ｃｍ−３であり、膜中平均でそれぞれ５６ｍｅＶ、４．７×１０１５ｃｍ−３であった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例８と同様の評価をしたところ実施例８と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０２２１】
これより、表面側でＥｕとＤＯＳが上記の範囲をはずれた部分があっても、膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることでより良好な電子写真特性が得られることがわかった。
【０２２２】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０２２３】
【表１１】
【０２２４】
（実施例１０）
本例では、光導電層と表面層との間に、炭素原子の含有量を表面層より減らした中間層（下部表面層）を設けた。表１２に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例８と同様とした。
【０２２５】
本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、膜中平均でそれぞれ５５ｍｅＶ、２．２×１０１５ｃｍ−３であった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例８と同様の評価をしたところ実施例８と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０２２６】
すなわち、中間層（下部表面層）を設けた場合においても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることで良好な電子写真特性が得られることがわかった。
【０２２７】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０２２８】
【表１２】
【０２２９】
（実施例１１）
本例では、実施例８の表面層に代えて、表面層のシリコンおよび炭素含有量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた。表１３に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例８と同様とした。
【０２３０】
本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、膜中平均でそれぞれ５２ｍｅＶ、５．７×１０１４ｃｍ−３であった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例８と同様の評価をしたところ実施例８と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０２３１】
すなわち、表面層の伝導性を制御する原子を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた場合においても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることで良好な電子写真特性が得られることがわかった。
【０２３２】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０２３３】
【表１３】
【０２３４】
（実施例１２）
本例では、支持体と電荷注入阻止層との間に、支持体からの反射光による干渉模様の発生を防止するための光吸収層としてアモルファスシリコンゲルマニウムのＩＲ吸収層を設けた。表１４に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例８と同様とした。
【０２３５】
本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、膜中平均でそれぞれ５７ｍｅＶ、４．８×１０１５ｃｍ−３であった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例８と同様の評価をしたところ実施例８と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０２３６】
すなわち、支持体と電荷注入阻止層との間に、支持体からの反射光による干渉模様の発生を防止するための光吸収層としてＩＲ吸収層を設けた場合においても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることで良好な電子写真特性が得られることがわかった。
【０２３７】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０２３８】
【表１４】
【０２３９】
（実施例１３）
本例では、実施例８のＲＦ−ＰＣＶＤ法に代えて、図３に示すＶＨＦ−ＰＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の製造装置を用い、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー上に、表１５に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる光受容部材を作製した。その時、光導電層作製条件を層厚方向で表１６に示すように連続的に変化させた。また、光導電層作製条件の放電電力はＳｉＨ４流量の３〜８倍までの電力で連続的に変化させて数種類の光受容部材を作製した。その時の光導電層のＥｕとＤＯＳは光導電層の支持体側作製条件と中間部作製条件と表面側作製条件の３点でのサンプルの値の単純平均をとって膜中平均とした。
【０２４０】
さらに、表１６と同様の一定作製条件で、直径１０８ｍｍ円筒形のサンプルホルダーに設置したガラス基板（コーニング社 ７０５９）ならびにＳｉウェハー上に数種類のａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガラス基板上の堆積膜にはＡｌの串型電極を蒸着して、ＣＰＭにより指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）と局在準位密度（ＤＯＳ）を測定した。また、ＳｉウェハーはＦＴＩＲで含有水素量を測定した。
他の点は実施例８と同様とした。
【０２４１】
作製した光受容部材は実施例８と同様に電子写真装置（キャノン製ＮＰ６１５０をテスト用に改造）にセットして、帯電能の温度依存性（温度特性）、露光メモリー（ブランク露光メモリー、ゴースト露光メモリー）、感度を評価した。
【０２４２】
このときの、放電電力と基板温度の関係、Ｅｕ、ＤＯＳと温度特性、露光メモリー、感度は実施例１と同様であり、良好な電子写真特性のためには膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満になる様に層厚方向に連続的に変化させることが好ましいことがわかった。
【０２４３】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０２４４】
【表１５】
【０２４５】
【表１６】
【０２４６】
（実施例１４）
本例では、伝導性を制御する原子として、炭素原子の代わりに窒素原子を表面層中に設けた。表１７に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例１３と同様とした。
【０２４７】
本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、それぞれ層支持体側（初期）にて、５１ｍｅＶ、３．８×１０１４ｃｍ−３、層中間部にて、５５ｍｅＶ、１．３×１０１５ｃｍ−３、層表面側にて５９ｍｅＶ、３．７×１０１５ｃｍ−３であり、膜中平均でそれぞれ５５ｍｅＶ、１．８×１０１５ｃｍ−３であった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例８と同様の評価をしたところ実施例８と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０２４８】
すなわち、伝導性を制御する原子として、炭素原子の代わりに窒素原子を表面層中に設けた場合においても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることで良好な電子写真特性が得られることがわかった。
【０２４９】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０２５０】
【表１７】
【０２５１】
（実施例１５）
本例では、電荷注入阻止層は削除し、光導電層を、炭素原子を層厚方向に不均一な分布状態で含有する第１の層領域と実質的に炭素原子を含まない第２の層領域とで構成した。表１８に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例１２と同様とした。
【０２５２】
本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、膜中平均でそれぞれ５９ｍｅＶ、２．３×１０１５ｃｍ−３であった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例８と同様の評価をしたところ実施例８と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０２５３】
すなわち、電荷注入阻止層は削除し、光導電層を、炭素原子を層厚方向に不均一な分布状態で含有する第１の層領域と実質的に炭素原子を含まない第２の層領域とで構成した場合においても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることで良好な電子写真特性が得られることがわかった。
【０２５４】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０２５５】
【表１８】
【０２５６】
（実施例１６）
本例では、光導電層と表面層との間に、炭素原子の含有量を表面層より減らした中間層（下部表面層）を設けると同時に、光導電層を機能分離化して、電荷輸送層と電荷発生層の２層化をはかり設けた。表１９に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例１２と同様とした。
【０２５７】
本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、膜中平均でそれぞれ５５ｍｅＶ、２×１０１５ｃｍ−３であった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例８と同様の評価をしたところ実施例８と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０２５８】
すなわち、光導電層と表面層との間に、炭素原子の含有量を表面層より減らした中間層（下部表面層）を設けると同時に、光導電層を、機能分離化して、電荷輸送層と電荷発生層の２層化をはかり設けた場合においても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることで良好な電子写真特性が得られることがわかった。
【０２５９】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０２６０】
【表１９】
【０２６１】
（実施例１７）
図２に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の製造装置を用い、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー上に、表２０に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる光受容部材を作製した。その時、光導電層作製条件を層厚方向で表２１に示すように連続的に変化させた。また、光導電層作製条件の放電電力はＳｉＨ４流量の３〜８倍までの電力で層厚方向に連続的に変化させて数種類の光受容部材を作製した。その時の光導電層のＥｕとＤ．Ｏ．Ｓは光導電層の支持体側作製条件と中間部作製条件と表面側作製条件の３点でのサンプルの値の単純平均をとって膜中平均とした。
【０２６２】
作製した光受容部材は、電子写真装置（キヤノン製ＮＰ６１５０をテスト用に改造）にセットして、帯電能の温度依存性（温度特性）、強露光時の画像流れを評価した。温度特性は、光受容部材の温度を室温から約４５℃まで変えて帯電能を測定し、このときの温度１℃当たりの帯電能の変化を測定して、２Ｖ／ｄｅｇ以下を合格と判定した。
【０２６３】
また、強露光時の画像流れについては、画像を目視により判定した。従来をランク３（実用的）と判定し、１：非常に良好、２：良好、３：実用的、４：実用上問題なし、５：実用上やや難ある場合ありの５段階にランク分けした。また、ランクの判別が困難な場合は、１と２の間の場合はランク１．５の様に記した。
【０２６４】
一方、円筒形のサンプルホルダーに設置したガラス基板（コーニング社 ７０５９）ならびにＳｉウェハー上に数種類のａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガラス基板上の堆積膜にはＡｌの串型電極を蒸着して、ＣＰＭにより指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）と局在準位密度（ＤＯＳ）を測定した。また、ＳｉウェハーはＦＴＩＲで含有水素量を測定した。
【０２６５】
【表２０】
【０２６６】
【表２１】
【０２６７】
また、実施例１７の光導電層作製条件が層厚方向に変化していたのに代えて、光導電層作製条件を固定して電子写真用光受容部材を作製した。
表２２に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例１７と同様とした。
【０２６８】
【表２３】
【０２６９】
実施例１７で作製した光受容部材の評価結果を、以下の図２２〜２７に示す。図２２に光導電層中における、Ｅｕの層厚方向分布を示す。図２３に光導電層中における、ＤＯＳの層厚方向分布を示す。図２４に光導電層中の平均Ｅｕに対する帯電能の温度依存性（温度特性）を示す。図２５に光導電層中の平均ＤＯＳに対する帯電能の温度依存性（温度特性）を示す。図２６に光導電層中の平均Ｅｕに対する強露光時の画像流れを示す。図２７に光導電層中の平均ＤＯＳに対するを強露光時の画像流れ示す。
【０２７０】
Ｅｕ，ＤＯＳを層厚方向に変化させずに作製した光受容部材の評価結果を、以下の図２８〜３１に示す。光導電層中におけるＥｕとＤＯＳは、サンプルの値の単純平均をとって膜中平均とした。
【０２７１】
図２８に光導電層中の平均Ｅｕに対する帯電能の温度依存性（温度特性）を示す。図２９に光導電層中の平均ＤＯＳに対する帯電能の温度依存性（温度特性）を示す。図３０に光導電層中の平均Ｅｕに対する強露光時の画像流れを示す。図３１に光導電層中の平均ＤＯＳに対するを強露光時の画像流れ示す。
【０２７２】
以上の結果から、膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲となる様に、光導電層のＥｕとＤＯＳを層厚方向に連続的に変化させた場合（図２２〜２５）のほうが、変化させない場合（図２８〜３１）より、一層良好な電子写真特性が得られることが分かる。特に、温度特性、露光メモリーおよび感度のために好ましいことがわかった。また、いずれのサンプルの水素含有量も１０〜３０原子％の間であった。
【０２７３】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０２７４】
（実施例１８）
本例では、実施例１７の支持体温度とＰｏｗｅｒの可変範囲を代えた。表２３に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
【０２７５】
他の点は実施例１７と同様とした。
【０２７６】
本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、それぞれ層支持体側（初期）にて、６４ｍｅＶ、２．０×１０１６ｃｍ−３、層中間部にて、５３ｍｅＶ、７．８×１０１４ｃｍ−３、層表面側にて４８ｍｅＶ、２．２×１０１４ ｃｍ−３であり、膜中平均でそれぞれ５５ｍｅＶ、７．０×１０１５ｃｍ−３であった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例１７と同様の評価をしたところ実施例１７と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０２７７】
これより、支持体側でＥｕとＤＯＳが本特許の範囲からはずれた部分があっても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることで良好な電子写真特性が得られることがわかった。
【０２７８】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０２７９】
【表２３】
【０２８０】
（実施例１９）
本例では、光導電層と表面層との間に、炭素原子の含有量を表面層より減らした中間層（下部表面層）を設けた。表２４に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例１７と同様とした。
【０２８１】
本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、膜中平均でそれぞれ５３ｍｅＶ、１．２×１０１５ｃｍ−３であった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例１７と同様の評価をしたところ実施例１７と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０２８２】
すなわち、中間層（下部表面層）を設けた場合においても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることで良好な電子写真特性が得られることがわかった。
【０２８３】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０２８４】
【表２４】
【０２８５】
（実施例２０）
本例では、実施例１７の表面層に代えて、表面層のシリコンおよび炭素含有量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた。表２５に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例１７と同様とした。
【０２８６】
本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、膜中平均でそれぞれ５１ｍｅＶ、６．７×１０１４ｃｍ−３であった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例１７と同様の評価をしたところ実施例１７と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０２８７】
すなわち、表面層のシリコンおよび炭素含有量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた場合においても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることで良好な電子写真特性が得られることがわかった。
【０２８８】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０２８９】
【表２５】
【０２９０】
（実施例２１）
本例では、支持体と電荷注入阻止層との間に、支持体からの反射光による干渉模様の発生を防止するための光吸収層としてアモルファスシリコンゲルマニウムのＩＲ吸収層を設けた。表２６に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例１７と同様とした。
【０２９１】
本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、膜中平均でそれぞれ５８ｍｅＶ、４．２×１０１５ｃｍ−３であった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例１７と同様の評価をしたところ実施例１７と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０２９２】
すなわち、支持体と電荷注入阻止層との間に、支持体からの反射光による干渉模様の発生を防止するための光吸収層としてＩＲ吸収層を設けた場合においても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることで良好な電子写真特性が得られることがわかった。
【０２９３】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０２９４】
【表２６】
【０２９５】
（実施例２２）
本例では、実施例１７のＲＦ−ＰＣＶＤ法に代えて、図３に示すＶＨＦ−ＰＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の製造装置を用い、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー上に、表２７に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる光受容部材を作製した。その時、光導電層作製条件を層厚方向で表２８に示すように連続的に変化させた。また、光導電層作製条件の放電電力はＳｉＨ４流量の３〜８倍までの電力で連続的に変化させて数種類の光受容部材を作製した。その時の光導電層のＥｕとＤＯＳは光導電層の支持体側作製条件と中間部作製条件と表面側作製条件の３点でのサンプルの値の単純平均をとって膜中平均とした。
【０２９６】
さらに、表２８と同様の一定作製条件で、直径１０８ｍｍ円筒形のサンプルホルダーに設置したガラス基板（コーニング社 ７０５９）ならびにＳｉウェハー上に数種類のａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガラス基板上の堆積膜にはＡｌの串型電極を蒸着して、ＣＰＭにより指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）と局在準位密度（ＤＯＳ）を測定した。また、ＳｉウェハーはＦＴＩＲで含有水素量を測定した。
他の点は実施例１７と同様とした。
【０２９７】
作製した光受容部材は実施例１７と同様に電子写真装置（キャノン製ＮＰ６１５０をテスト用に改造）にセットして、帯電能の温度依存性（温度特性）、強露光時の画像流れを評価した。
【０２９８】
このときの、放電電力と支持体温度の関係、Ｅｕ、ＤＯＳ．と温度特性、画像流れとの関係は実施例１７と同様であり、良好な電子写真特性のためには膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満になる様に層厚方向に連続的に変化させることが好ましいことがわかった。
【０２９９】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０３００】
【表２７】
【０３０１】
【表２８】
【０３０２】
（実施例２３）
本例では、伝導性を制御する原子として、炭素原子の代わりに窒素原子を表面層中に設けた。表２９に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例２２と同様とした。
【０３０３】
本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、それぞれ層支持体側（初期）にて、６２ｍｅＶ、５．８×１０１５ｃｍ−３、層中間部にて、５７ｍｅＶ、６．３×１０１４ｃｍ−３、層表面側にて４７ｍｅＶ、１．７×１０１４ｃｍ−３であり、膜中平均でそれぞれ５２ｍｅＶ、２．２×１０１５ｃｍ−３であった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例１７と同様の評価をしたところ実施例１７と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０３０４】
すなわち、伝導性を制御する原子として、炭素原子の代わりに窒素原子を表面層中に設けた場合においても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることで良好な電子写真特性が得られることがわかった。
【０３０５】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０３０６】
【表２９】
【０３０７】
（実施例２４）
本例では、電荷注入阻止層は削除し、光導電層を、炭素原子を層厚方向に不均一な分布状態で含有する第１の層領域と実質的に炭素原子を含まない第２の層領域とで構成した。表３０に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例２１と同様とした。
【０３０８】
本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、膜中平均でそれぞれ５６ｍｅＶ、１．３×１０１５ｃｍ−３であった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例１７と同様の評価をしたところ実施例１７と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０３０９】
すなわち、電荷注入阻止層は削除し、光導電層を、炭素原子を層厚方向に不均一な分布状態で含有する第１の層領域と実質的に炭素原子を含まない第２の層領域とで構成した場合においても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることで良好な電子写真特性が得られることがわかった。
【０３１０】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０３１１】
【表３０】
【０３１２】
（実施例２５）
本例では、光導電層と表面層との間に、炭素原子の含有量を表面層より減らした中間層（下部表面層）を設けると同時に、光導電層を、機能分離化して、電荷輸送層と電荷発生層の２層化をはかり設けた。表３１に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例２１と同様とした。
【０３１３】
本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、膜中平均でそれぞれ５７ｍｅＶ、３×１０１５ｃｍ−３であった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例１７と同様の評価をしたところ実施例１７と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０３１４】
すなわち、光導電層と表面層との間に、炭素原子の含有量を表面層より減らした中間層（下部表面層）を設けると同時に、光導電層を、機能分離化して、電荷輸送層と電荷発生層の２層化をはかり設けた場合においても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることで良好な電子写真特性が得られることがわかった。
【０３１５】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０３１６】
【表３１】
【０３１７】
【発明の効果】
本発明によれば、電子写真用光受容部材の使用温度領域での温度特性が飛躍的に改善され、同時に光メモリーの発生を抑制することができるために、電子写真用光受容部材の使用環境に対する安定性が向上し、ハーフトーンが鮮明に出てかつ解像力の高い高品質の画像を安定して得ることができる電子写真用光受容部材が得られる。
【０３１８】
また、本発明によれば、電子写真用光受容部材の使用温度領域での温度特性が飛躍的に改善され、同時に光メモリーの低減と光感度の向上を達成することができるために、電子写真用光受容部材の使用環境に対する安定性が向上し、ハーフトーンが鮮明に出てかつ解像力の高い高品質の画像を安定して得ることができる電子写真用光受容部材が得られる。
【０３１９】
また、本発明によれば、Ｓｉ−Ｈ２結合とＳｉ−Ｈ結合に起因する吸収ピークの吸収強度比を更に特定することにより、光受容部材の面内でのキャリアの走行性が均一化され、その結果、ハーフトーン画像における微細な濃度差いわゆるガサツキを一層低減することができる電子写真用光受容部材が得られる。
【０３２０】
したがって、本発明の電子写真用光受容部材を前述のごとき特定の構成としたことにより、ａ−Ｓｉで構成された従来の電子写真用光受容部材における諸問題をすべて解決することができ、特にきわめて優れた電気的特性、光学的特性、光導電的特性、画像特性、耐久性及び使用環境特性を示す。
【０３２１】
特に本発明の光受容部材は、光導電層をそのギャップ準位を格段に減少せしめたａ−Ｓｉで構成することによって、周囲環境の変動に対する表面電位の変化が抑制され、加えて光疲労や光メモリーの発生が実質的に無視し得るほどになく、極めて優れた電位特性、画像特性を有する。
【０３２２】
更に本発明の光受容部材は、光導電層をそのギャップ内準位を格段に減少せしめたａ−Ｓｉを連続的に分布した構成にすることによって、周囲環境の変動に対する表面電位の変化が抑制され、加えて強露光時の画像流れが実質的に無視し得るほどに改善され、極めて優れた電位特性、画像特性を有する。
【０３２３】
以上説明したように、ＥｕとＤＯＳの規定は構造的な乱れ具合と欠陥の数とを規定している。これによってトラップされたキャリアによって生じる問題点を解決できる。
なお、本発明は発明の主旨の範囲内で適宜変形、組合せが可能であることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【図１】電子写真用光受容部材の好適な実施態様例の層構成の一例を説明するための模式的層構成図である。
【図２】電子写真用光受容部材の光受容層を形成するための装置の一例で、ＲＦ帯の高周波を用いたグロー放電法による電子写真用光受容部材の製造装置の模式的説明図である。
【図３】電子写真用光受容部材の光受容層を形成するための装置の一例で、ＶＨＦ帯の高周波を用いたグロー放電法による電子写真用光受容部材の製造装置の模式的説明図である。
【図４】電子写真用光受容部材における光導電層のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と温度特性との関係を示す図である。
【図５】電子写真用光受容部材における光導電層の局在状態密度（ＤＯＳ）と光メモリーとの関係を示す図である。
【図６】電子写真用光受容部材における光導電層の局在状態密度（ＤＯＳ）と画像流れとの関係を示す図である。
【図７】電子写真用光受容部材における光導電層のＳｉ−Ｈ２結合とＳｉ−Ｈ結合の吸収ピーク強度比とハーフトーン濃度ムラ（ガサツキ）との関係を示す図である。
【図８】電子写真用光受容部材における光導電層の層厚方向位置とアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）との関係を示す図である。
【図９】電子写真用光受容部材における光導電層の層厚方向位置と局在状態密度（ＤＯＳ）との関係を示す図である。
【図１０】電子写真用光受容部材における光導電層のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と温度特性との関係を示す図である。
【図１１】電子写真用光受容部材における光導電層の局在状態密度（ＤＯＳ）と温度特性との関係を示す図である。
【図１２】電子写真用光受容部材における光導電層のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と露光メモリー評価ランクとの関係を示す図である。
【図１３】電子写真用光受容部材における光導電層の局在状態密度（ＤＯＳ）と露光メモリー評価ランクとの関係を示す図である。
【図１４】電子写真用光受容部材における光導電層のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と感度評価ランクとの関係を示す図である。
【図１５】電子写真用光受容部材における光導電層の局在状態密度（ＤＯＳ）と感度評価ランクとの関係を示す図である。
【図１６】電子写真用光受容部材における光導電層のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と温度特性との関係を示す図である。
【図１７】電子写真用光受容部材における光導電層の局在状態密度（ＤＯＳ）と温度特性との関係を示す図である。
【図１８】電子写真用光受容部材における光導電層のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と露光メモリー評価ランクとの関係を示す図である。
【図１９】電子写真用光受容部材における光導電層の局在状態密度（ＤＯＳ）と露光メモリー評価ランクとの関係を示す図である。
【図２０】電子写真用光受容部材における光導電層のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と感度評価ランクとの関係を示す図である。
【図２１】電子写真用光受容部材における光導電層の局在状態密度（ＤＯＳ）と感度評価ランクとの関係を示す図である。
【図２２】電子写真用光受容部材における光導電層の層厚方向位置とアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）との関係を示す図である。
【図２３】電子写真用光受容部材における光導電層の層厚方向位置と局在状態密度（ＤＯＳ）との関係を示す図である。
【図２４】電子写真用光受容部材における光導電層のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と温度特性との関係を示す図である。
【図２５】電子写真用光受容部材における光導電層の局在状態密度（ＤＯＳ）と温度特性との関係を示す図である。
【図２６】電子写真用光受容部材における光導電層のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と強露光時の画像流れとの関係を示す図である。
【図２７】電子写真用光受容部材における光導電層の局在状態密度（ＤＯＳ）と強露光時の画像流れとの関係を示す図である。
【図２８】電子写真用光受容部材における光導電層のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と温度特性との関係を示す図である。
【図２９】電子写真用光受容部材における光導電層の局在状態密度（ＤＯＳ）と温度特性との関係を示す図である。
【図３０】電子写真用光受容部材における光導電層のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と強露光時の画像流れとの関係を示す図である。
【図３１】電子写真用光受容部材における光導電層の局在状態密度（ＤＯＳ）と強露光時の画像流れとの関係を示す図である。
【符号の説明】
１００ 光受容部材、
１０１ 導電性支持体、
１０２ 光受容層、
１０３ 光導電層、
１０４ 表面層、
１０５ 電荷注入阻止層、
１０６ 電荷発生層、
１０７ 電荷輸送層、
１１０ 自由表面、
２１００、３１００ 堆積装置、
２１１１、３１１１ 反応容器、
２１１２、３１１２ 円筒状支持体、
２１１３、３１１３ 支持体加熱用ヒーター、
２１１４ 原料ガス導入管、
２１１５、３１１６ マッチングボックス、
２１１６ 原料ガス配管、
２１１７ 反応容器リークバルブ、
２１１８ メイン排気バルブ、
２１１９ 真空計、
２２００ 原料ガス供給装置、
２２１１〜２２１６ マスフローコントローラー、
２２２１〜２２２６ 原料ガスボンベ、
２２３１〜２２３６ 原料ガスボンベバルブ、
２２４１〜２２４６ ガス流入バルブ、
２２５１〜２２５６ ガス流出バルブ、
２２６１〜２２６６ 圧力調整器、
３１１５ 電極、
３１２０ 支持体回転用モーター、
３１２１ 排気管、
３１３０ 放電空間。
【産業上の利用分野】
本発明は光（ここでは広義の光であって、紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線などを意味する）のような電磁波に対して感受性のある電子写真用光受容部材に関する。
【０００２】
【従来の技術】
像形成分野において、光受容部材における光受容層を形成する光導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）／暗電流（Ｉｄ）〕が高く、照射する電磁波のスペクトル特性に適合した吸収スペクトルを有すること、光応答性が早く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時において人体に対して無害であること、等の特性が要求される。特に、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に組み込まれる電子写真用光受容部材の場合には、上記の使用時における無公害性は重要な点である。
【０００３】
この様な点に優れた性質を示す光導電材料に水素化アモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｈ」と表記する）があり、例えば、米国特許公報第４，２６５，９９１号には電子写真用光受容部材としての応用が記載されている。
【０００４】
このようなａ−Ｓｉ：Ｈを有する電子写真用光受容部材は、一般的には、導電性支持体を５０℃〜３５０℃に加熱し、該支持体上に真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の成膜法によりａ−Ｓｉからなる光導電層を形成する。なかでもプラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガスを直流または高周波あるいはマイクロ波グロー放電によって分解し、支持体上にａ−Ｓｉ堆積膜を形成する方法が好適なものとして実用に付されている。
【０００５】
また、独国公開公報第３０４６５０９号には、導電性支持体と、ハロゲン原子を構成要素として含むａ−Ｓｉ（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｘ」と表記する）光導電層を有する電子写真用光受容部材が提案されている。当該公報においては、ａ−Ｓｉにハロゲン原子を１乃至４０原子％含有させることにより、耐熱性が高く、電子写真用光受容部材の光導電層として良好な電気的、光学的特性を得ることができるとしている。
【０００６】
また、特開昭５７−１１５５５６号公報には、ａ−Ｓｉ堆積膜で構成された光導電層を有する光導電部材の、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的、光学的、光導電的特性及び耐湿性等の使用環境特性、さらには経時的安定性について改善を図るため、シリコン原子を母体としたアモルファス材料で構成された光導電層上に、シリコン原子及び炭素原子を含む非光導電性のアモルファス材料で構成された表面障壁層を設ける技術が記載されている。更に、米国特許公報第４，６５９，６３９号には、アモルファスシリコン、炭素、酸素及び弗素を含有してなる透光絶縁性オーバーコート層を積層する感光体についての技術が記載され、米国特許公報第４，７８８，１２０号には、表面層として、シリコン原子と炭素原子と４１〜７０原子％の水素原子を構成要素として含む非晶質材料を用いる技術が記載されている。
【０００７】
さらに、米国特許公報第４、４０９、３１１号には、水素を１０〜４０原子％含有し、赤外吸収スペクトルの２１００ｃｍ−１と２０００ｃｍ−１の吸収ピークの吸収係数比が０．２〜１．７であるａ−Ｓｉ：Ｈを光導電層に用いることにより高感度で高抵抗な電子写真用感光体が得られることが記載されている。
【０００８】
一方、米国特許公報第４，６０７，９３６号には、アモルファスシリコン感光体の画像品質向上のために、感光体表面近傍の温度を３０乃至４０℃に維持して帯電、露光、現像及び転写といった画像形成行程を行うことにより、感光体表面での水分の吸着による表面抵抗の低下とそれに伴って発生する画像流れを防止する技術が開示されている。
【０００９】
これらの技術により、電子写真用光受容部材の電気的、光学的、光導電的特性及び使用環境特性が向上し、それに伴って画像品質も向上してきた。
【００１０】
しかしながら、ａ−Ｓｉ系材料で構成された光導電層を有する電子写真用光受容部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び使用環境特性の点、さらには経時安定性及び耐久性の点において、各々個々には特性の向上が図られてはいるが、総合的な特性向上を図る上でさらに改良される余地が存在するのが実情である。
【００１１】
特に、電子写真装置の高画質、高速化、高耐久化は急速に進んでおり、電子写真用光受容部材においては電気的特性や光導電特性の更なる向上とともに、帯電能、感度を維持しつつあらゆる環境下で大幅に性能を延ばすことが求められている。
【００１２】
そして、電子写真装置の画像特性向上のために電子写真装置内の光学露光装置、現像装置、転写装置等の改良がなされた結果、電子写真用光受容部材においても従来以上の画像特性の向上が求められるようになった。
【００１３】
このような状況下において、前述した従来技術により上記課題についてある程度の特性向上が可能になってはきたが、更なる帯電能や画像品質の向上に関しては未だ充分とはいえない。特にアモルファスシリコン系光受容部材の更なる高画質化への課題として、周囲温度の変化による電子写真特性の変動や光疲労あるいはブランクメモリーやゴーストといった光メモリーを低減することがいっそう求められるようになってきた。
【００１４】
例えば、従来は感光体の画像流れの防止のために前記米国特許公報第４，６０７，９３６号に記載されているように、複写機内に感光体を加熱保持するためのドラムヒーターを設置して感光体の表面温度を４０℃程度に保っていた。しかしながら、従来の感光体では前露光キャリアや熱励起キャリアの生成に起因した帯電能の温度依存性、いわゆる温度特性が大きく、複写機内の実際の使用環境下では本来感光体が有しているよりも帯電能が低い状態で使用せざるをえなかった。例えば、室温での使用時に比べてドラムヒーターで４０℃程度に加熱している状態では帯電能が１００Ｖ近く低下してしまう場合があった。
【００１５】
また、従来は複写機を使用しない夜間でもドラムヒーターに通電して、帯電器のコロナ放電によって生成されたオゾン生成物が夜間に感光体表面に吸着することによって発生する画像流れを防止するようにしていた。しかし、現在では省資源・省電力のために複写機の夜間通電を極力行わないようになってきている。
【００１６】
このような状態で連続複写をすると複写機内の感光体周囲温度が徐々に上昇し、それにつれて帯電能が低下して、複写中に画像濃度が変わってしまうという問題が生じていた。
【００１７】
一方、従来の感光体では、同一原稿を連続して繰り返し複写すると、画像露光による感光体の光疲労のために、画像濃度の低下やかぶりが生じることがあった。
【００１８】
また、トナーを節約するために連続複写時の紙間において感光体に照射される、いわゆるブランク露光の影響によって複写画像上に濃度差が生じるブランクメモリーや、前回の複写行程の像露光の残像が次回の複写時に画像上に生じる、いわゆるゴースト現象等の露光メモリーが画像品質を向上させる上で問題になってきた。
【００１９】
また、光メモリー改善と、装置の小型化やエコロジー問題、省エネルギーの点から、像露光装置の低光量化と小型化が求められており、それに対応するために感光体の光感度の改善を進めなければならない状況にある。
【００２０】
さらに、従来の感光体では色地の原稿からコントラストの強い画像を得ようとして露光量を上げた時に、強露光の照射により大量の光キャリアが生成され、この光キャリアが動きやすい部分へと集中して流れ込む現象が生じる。この現象のために、文字部分がぼやけてしまう強露光時の画像流れ、いわゆるＥＶ流れが発生するという問題が生じていた。
【００２１】
したがって、電子写真用光受容部材を設計する際に、上記したような問題が解決されるように電子写真用光受容部材の層構成、各層の化学的組成など総合的な観点からの改良を図るとともに、ａ−Ｓｉ材料そのものの一段の特性改良を図ることが必要とされている。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上述のごときａ−Ｓｉで構成された従来の光受容層を有する電子写真用光受容部材に於ける諸問題を解決することを目的とするものである。
【００２３】
即ち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光導電的特性が使用環境にほとんど依存することなく実質的に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰り返し使用に際しては劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留電位がほとんど観測されず、更に画像品質の良好な、シリコン原子を母体とした非単結晶材料で構成された光受容層を有する電子写真用光受容部材を提供することにある。
【００２４】
本発明は、温度特性や光メモリーを低減して画像品質を飛躍的に向上させた、シリコン原子を母体とした非単結晶材料で構成された光受容層を有する電子写真用光受容部材を提供することを目的とする。
【００２５】
また、本発明は、温度特性や光メモリーを低減し、光感度が向上して画像品質を飛躍的に向上させた、シリコン原子を母体とした非単結晶材料で構成された光受容層を有する電子写真用光受容部材を提供することを目的とする。
【００２６】
更に、本発明は、温度特性や強露光時の画像流れを低減し、画像品質を飛躍的に向上させた、シリコン原子を母体とした非単結晶材料で構成された光受容層を有する電子写真用光受容部材を提供することを目的とする。
【００２７】
【課題を解決するための手段】
本発明の電子写真用光受容部材は、導電性支持体と、該導電性支持体の表面上に、シリコン原子を母体として水素原子及び／またはハロゲン原子を含有する非単結晶材料の光導電性を示す光導電層を有する光受容層とを少なくとも有する電子写真用光受容部材において、該光導電層がＲＦ帯の周波数又は、ＶＨＦ帯の周波数を用い、希釈ガスの流量とシリコン供給用ガスの流量との比を３〜２０とし、前記シリコン供給用ガス流量に対する放電電力の比を２．５〜６とするように制御された、高周波プラズマＣＶＤ法により形成された領域を有しており、該光導電層が１０〜３０原子％の水素を含有し、該光導電層の少なくとも光の入射する部分における光吸収スペクトルから得られる指数関数裾の特性エネルギーが層中平均で５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下であり、かつ該光導電層における局在状態密度が層中平均で１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満であることを特徴とする。（但し、前記光導電層の層厚方向に炭素原子が均一に含有される場合を除く。）
【００２８】
【作用】
一般的に、ａ−Ｓｉ：Ｈのバンドギャップ内には、Ｓｉ−Ｓｉ結合の構造的な乱れにもとづくテイル（裾）準位と、Ｓｉの未結合手（ダングリングボンド）等の構造欠陥に起因する深い準位が存在する。これらの準位は電子、正孔の捕獲、再結合中心として働き素子の特性を低下させる原因になることが知られている。このようなバンドギャップ中の局在準位の状態を測定する方法として、一般に深準位分光法、等温容量過渡分光法、光熱偏向分光法、光音響分光法、一定光電流法等が用いられている。中でも一定光電流法［Ｃｏｎｓｔａｎｔ Ｐｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔ Ｍｅｔｈｏｄ：以後、「ＣＰＭ」と略記する］は、ａ−Ｓｉ：Ｈの局在準位に基くサブギャップ光吸収スペクトルを簡便に測定する方法として有用である。
【００２９】
本発明者らは、ＣＰＭによって測定された光吸収スペクトルから求められる指数関数裾（アーバックテイル）の特性エネルギー（以下、「Ｅｕ」と略記する）や局在状態密度（以下、「ＤＯＳ」と略記する）と感光体特性との相関を種々の条件に渡って調べた結果、Ｅｕ及びＤＯＳがａ−Ｓｉ感光体の温度特性や光メモリーと密接な関係にあることを見いだし、本発明を完成するに至った。
【００３０】
ドラムヒーター等で感光体を加熱したときに帯電能が低下する原因として、熱励起されたキャリアが帯電時の電界に引かれてバンド裾の局在準位やバンドギャップ内の深い局在準位への捕獲、放出を繰り返しながら表面に走行し、表面電荷を打ち消してしまうことが挙げられる。この時、帯電器を通過する間に表面に到達するしたキャリアについては帯電能の低下にはほとんど影響がないが、深い準位に捕獲されたキャリアは、帯電器を通過した後に表面へ到達して表面電荷を打ち消すために温度特性として観測される。また、帯電器を通過した後に熱励起されたキャリアも表面電荷を打ち消し帯電能の低下を引き起こす。したがって、感光体の使用温度領域における熱励起キャリアの生成を抑え、なおかつキャリアの走行性を向上させることが温度特性の向上のために必要である。
【００３１】
さらに、光メモリーはブランク露光や像露光によって生じた光キャリアがバンドギャップ内の局在準位に捕獲され、光導電層内にキャリアが残留することによって生じる。すなわち、ある複写行程において生じた光キャリアのうち光導電層内に残留したキャリアが、次回の帯電時あるいはそれ以降に表面電荷による電界によって掃き出され、光の照射された部分の電位が他の部分よりも低くなり、その結果画像上に濃淡が生じる。したがって、光キャリアが光導電層内に残留することなく、１回の複写行程で走行するように、キャリアの走行性を改善しなければならない。
【００３２】
したがって、本発明のごとくＥｕ及びＤＯＳを制御することにより、熱励起キャリアの生成が抑えられ、なおかつ熱励起キャリアや光キャリアが局在準位に捕獲される割合を小さくすることができるためにキャリアの走行性が著しく改善される。その結果、電子写真用光受容部材の使用温度領域での温度特性が飛躍的に改善され、同時に光メモリーの発生を抑制することができるために、電子写真用光受容部材の使用環境に対する安定性が向上し、ハーフトーンが鮮明に出てかつ解像力の高い高品質の画像を安定して得ることができる。
【００３３】
さらにＳｉ−Ｈ２結合とＳｉ−Ｈ結合に起因する吸収ピークの吸収強度比を特定することにより、光受容部材の面内でのキャリアの走行性が均一化され、その結果、ハーフトーン画像における微細な濃度差いわゆるガサツキを低減することができる。
【００３４】
故に、上記の構成をとるように設計された本発明の電子写真用光受容部材は、前記した諸問題点の全てを解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特性、画像品質、耐久性及び使用環境特性を示す。
【００３５】
一方、露光によって生じた光キャリアは、前記したようにバンドギャップ内の局在準位への捕獲・放出を繰り返しながら表面へ電子が支持体側に正孔が走行する。その時、光メモリーはブランク露光や像露光によって生じた光キャリアがバンドギャップ内の局在準位に捕獲され、光導電層内にキャリアが残留することによって生じる。すなわち、ある複写行程において生じた光キャリアのうち光導電層内に残留したキャリアが、次回の帯電時あるいはそれ以降に表面電荷による電界によって掃き出され、光の照射された部分の電位が他の部分よりも低くなり、その結果画像上に濃淡が生じる。したがって、光キャリアが光導電層内に残留することなく、１回の複写行程で走行するように、キャリアの走行性を改善しなければならない。そこで、光キャリアの生成が比較的表面側に近い位置で、主に起こっている事と、表面側には電子が支持体側には正孔が走行し、正孔の走行性が電子に比べ非常に小さい事などから、その正孔の支持体の方向への走行性を上げる事が、光メモリーの低減と光感度の向上にとって必要である。
【００３６】
したがって、本発明のごとくＥｕ及びＤＯＳの膜面内平均値を一定に制御し、しかもそれが支持体側方向に向かって減少するように分布させることにより、熱励起キャリアの生成が抑えられ、なおかつキャリアが局在準位に捕獲される割合を小さくすると共に、正孔の層厚方向支持体側への走行性が著しく改善される。その結果、電子写真用光受容部材の使用温度領域での温度特性が飛躍的に改善され、同時に光メモリーの低減と光感度の向上を達成することができるために、電子写真用光受容部材の使用環境に対する安定性が向上し、ハーフトーンが鮮明に出てかつ解像力の高い高品質の画像を安定して得ることができる。
【００３７】
上記したような構成をとるように設計された本発明の電子写真用光受容部材は、前記した諸問題点の全てを解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特性、画像品質、耐久性及び使用環境特性を示す。
【００３８】
また、像露光によって生じた光キャリアは、前記したようにバンドギャップ内の局在準位への捕獲・放出を繰り返しながら表面へと走行する。しかしながら、膜の面内方向でのキャリアの動きやすさが異なっていると、強露光を照射して大量の光キャリアが生成された場合には、キャリアが動きやすい部分へと集中してしまう。このために得られた画像がぼやけてしまい、ＥＶ流れが生じる。したがって、光キャリアが光導電層内で膜の面内方向への移動を極力抑え、大部分が層厚方向にのみ走行するように、キャリアの走行性を改善する必要がある。
【００３９】
したがって、本発明のごとくＥｕ及びＤＯＳの膜面内平均値を一定に制御し、しかもそれが表面方向に向かって減少するように分布させることにより、熱励起キャリアの生成が抑えられ、なおかつキャリアが局在準位に捕獲される割合を小さくすると共に、キャリアの層厚方向への走行性が著しく改善される。その結果、電子写真用光受容部材の使用温度領域での温度特性が飛躍的に改善され、同時に強露光時の画像流れの発生を抑制することができるために、電子写真用光受容部材の使用環境に対する安定性が向上し、ハーフトーンが鮮明に出てかつ解像力の高い高品質の画像を安定して得ることができる。
【００４０】
上記したような構成をとるように設計された本発明の電子写真用光受容部材は、前記した諸問題点の全てを解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特性、画像品質、耐久性及び使用環境特性を示す。
【００４１】
【実施態様例】
以下に、本発明の電子写真用光受容部材を説明する。
図１（ａ）乃至図１（ｅ）は、それぞれ本発明の電子写真用光受容部材の好適な層構成の一例を説明するための模式的構成図である。
【００４２】
図１（ａ）に示す電子写真用光受容部材１００は、光受容部材用としての支持体１０１の上に、光受容層１０２が設けられている。該光受容層１０２は、例えば水素原子及びハロゲン原子の少なくともいずれか一方と、シリコン原子を含有する非単結晶材料の一つであるａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）を有し光導電性を有する光導電層１０３を有する。
【００４３】
図１（ｂ）は、本発明の電子写真用光受容部材の他の層構成を説明するための模式的構成図である。図１（ｂ）に示す電子写真用光受容部材１００は、光受容部材用としての支持体１０１の上に、光受容層１０２が設けられている。該光受容層１０２は、例えばａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）を有する光導電性を有する光導電層１０３と、アモルファスシリコン系表面層１０４とを有する。
【００４４】
図１（ｃ）は、本発明の電子写真用光受容部材の他の層構成を説明するための模式的構成図である。図１（ｃ）に示す電子写真用光受容部材１００は、光受容部材用としての支持体１０１の上に、光受容層１０２が設けられている。該光受容層１０２は、例えばａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）を有する光導電性を有する光導電層１０３と、アモルファスシリコン系表面層１０４と、アモルファスシリコン系電荷注入阻止層１０５とを有する。
【００４５】
図１（ｄ）は、本発明の電子写真用光受容部材のさらに他の層構成を説明するための模式的構成図である。図１（ｄ）に示す電子写真用光受容部材１００は、光受容部材用としての支持体１０１の上に、光受容層１０２が設けられている。該光受容層１０２は光導電層１０３を構成するａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）の電荷発生層１０６ならびに電荷輸送層１０７と、アモルファスシリコン系表面層１０４とを有する。
【００４６】
（支持体）
本発明において使用される支持体としては、導電性でも電気絶縁性であってもよい。導電性支持体としては、例えばＡｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｆｅ等の金属、及びこれらの合金、例えばステンレス等が挙げられる。また、電気絶縁性材料としてポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシート、ガラス、セラミック等を挙げることができる。本発明においてはこれら電気絶縁性支持体の少なくとも光受容層を作製する側の表面を導電処理して支持体として用いることができる。
【００４７】
本発明に於いて使用される支持体１０１の形状は平滑表面あるいは微小な凹凸表面を有する円筒状または板状無端ベルト状であることができ、その厚さは、所望通りの電子写真用光受容部材１００を作製し得るように適宜決定する。電子写真用光受容部材１００としての可撓性が要求される場合には、支持体１０１としての機能が充分発揮できる範囲内で可能な限り薄くすることができる。しかしながら、支持体１０１は製造上及び取り扱い上、機械的強度等の点から通常は１０μｍ以上とされる。
【００４８】
特にレーザー光などの可干渉性光を用いて像記録を行う場合には、可視画像において現われる、いわゆる干渉縞模様による画像不良をより効果適に解消するために、支持体１０１の表面に凹凸を設けてもよい。支持体１０１の表面に設けられる凹凸は、米国特許公報第４，６５０，７３６号、米国特許公報第４，６９６，８８４号、米国特許公報第４，７０５，７３３号等に記載された公知の方法により作製される。
【００４９】
また、レーザー光などの可干渉光を用いた場合の干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消する別の方法として、支持体１０１の表面に複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を設けてもよい。即ち、支持体１０１の表面が電子写真用光受容部材１００に要求される解像力よりも微少な凹凸を有し、しかも該凹凸は、複数の球状痕跡窪みによるものである。支持体１０１の表面に設けられる複数の球状痕跡窪みによる凹凸は、米国特許公報第４，７３５，８８３号に記載された公知の方法により作製される。
【００５０】
（光導電層）
本発明に於いて、その目的を効果的に達成するために支持体１０１上に形成され、光受容層１０２の少なくとも一部を構成する光導電層１０３は、例えば真空堆積膜形成方法によって、所望特性が得られるように適宜成膜パラメーターの数値条件が設定され、また使用される原料ガスなどが選択されて作製される。具体的には、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などの数々の薄膜堆積法によって形成することができる。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負荷程度、製造規模、作製される電子写真用光受容部材に所望される特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所望の特性を有する電子写真用光受容部材を製造するに当たっての条件の制御が比較的容易であることからグロー放電法、特にＲＦ帯またはＶＨＦ帯の電源周波数を用いた高周波グロー放電法が好適である。
【００５１】
グロー放電法によって光導電層１０３を形成するには、例えば基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガスまたは／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガスを、内部が減圧にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入して、該反応容器内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位置に設置されてある所定の支持体１０１上にａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成すればよい。
【００５２】
また、本発明において光導電層１０３中に水素原子または／及びハロゲン原子が含有されることが必要であるが、これは層中のシリコン原子の未結合手を補償するために含有され、層品質の向上、特に光導電性及び電荷保持特性を向上させるために必須不可欠であるからである。水素原子またはハロゲン原子の含有量、または水素原子とハロゲン原子の和の量はシリコン原子と水素原子または／及びハロゲン原子の和に対して好ましくは１０〜３０原子％、より好ましくは１５〜２５原子％とされるのが望ましい。
【００５３】
本発明において使用されるＳｉ供給用ガスとなり得る物質としては、ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，Ｓｉ３Ｈ８，Ｓｉ４Ｈ１０等のガス状態の、またはガス化し得る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、さらに層作製時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６が好ましいものとして挙げられる。
【００５４】
そして、形成される光導電層１０３中に水素原子を構造的に導入し、水素原子の導入割合の制御をいっそう容易になるようにはかり、本発明の目的を達成する膜特性を得るために、これらのガスに、更にＨ２及び／またはＨｅあるいは水素原子を含む珪素化合物のガスを所望量混合した雰囲気で、層形成することが必要である。また、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混合しても差し支えないものである。
【００５５】
また本発明において使用されるハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効なのは、たとえばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲンをふくむハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状のまたはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる。また、さらにはシリコン原子とハロゲン原子とを構成要素とするガス状のまたはガス化し得る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げることができる。本発明に於いて好適に使用し得るハロゲン化合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ２），ＢｒＦ，ＣｌＦ，ＣｌＦ３，ＢｒＦ３，ＢｒＦ５，ＩＦ３，ＩＦ７等のハロゲン間化合物を挙げることができる。ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的にはたとえばＳｉＦ４，Ｓｉ２Ｆ６等の弗化珪素が好ましいものとして挙げることができる。
【００５６】
光導電層１０３中に含有される水素原子または／及びハロゲン原子の量を制御するには、例えば支持体１０１の温度、水素原子または／及びハロゲン原子を含有させるために使用される原料物質の反応容器内へ導入する量、放電電力等を制御すればよい。
【００５７】
本発明においては、光導電層１０３には必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させることが好ましい。伝導性を制御する原子は、光導電層１０３中に万偏なく均一に分布した状態で含有されても良いし、あるいは層厚方向には不均一な分布状態で含有している部分があってもよい。
【００５８】
前記伝導性を制御する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表第ＩＩＩｂ族に属する原子（以後「第ＩＩＩｂ族原子」と略記する）またはｎ型伝導特性を与える周期律表第Ｖｂ族に属する原子（以後「第Ｖｂ族原子」と略記する）を用いることができる。
【００５９】
第ＩＩＩｂ族原子としては、具体的には、硼素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特にＢ，Ａｌ，Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ，Ａｓが好適である。
【００６０】
光導電層１０３に含有される伝導性を制御する原子の含有量としては、好ましくは１×１０−２〜１×１０３原子ｐｐｍ、より好ましくは５×１０−２〜５×１０２原子ｐｐｍ、更に好ましくは１×１０−１〜１×１０２原子ｐｐｍとされるのが望ましい。
【００６１】
伝導性を制御する原子、たとえば、第ＩＩＩｂ族原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に導入するには、層形成の際に、第ＩＩＩｂ族原子導入用の原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器中に、光導電層１０３を形成するための他のガスとともに導入してやればよい。第ＩＩＩｂ族原子導入用の原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質となり得るものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望ましい。
【００６２】
そのような第ＩＩＩｂ族原子導入用の原料物質として具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６，Ｂ４Ｈ１０，Ｂ５Ｈ９，Ｂ５Ｈ１１，Ｂ６Ｈ１０，等の水素化硼素、ＢＦ３，ＢＣｌ３，ＢＢｒ３等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、ＧａＣｌ３，Ｇａ（ＣＨ３）３，等も挙げることができる。中でもＢ２Ｈ６は取扱いの面からも好ましい原料物質の一つである。
【００６３】
第Ｖｂ族原子導入用の原料物質として有効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３，Ｐ２Ｈ４等の水素化燐、ＰＦ３，ＰＦ５，ＰＣｌ３，ＰＣｌ５，ＰＢｒ３，ＰＩ３等のハロゲン化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ３，ＡｓＦ３，ＡｓＣｌ３，ＡｓＢｒ３，ＡｓＦ５，ＳｂＨ３，ＳｂＦ５，ＳｂＣｌ５，ＢｉＨ３，ＢｉＢｒ３等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げることができる。
【００６４】
また、これらの伝導性を制御する原子導入用の原料物質を必要に応じてＨ２及び／またはＨｅにより希釈して使用してもよい。
【００６５】
さらに本発明においては、光導電層１０３に炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素原子を含有させることも有効である。炭素原子及び／または酸素原子／及びまたは窒素原子の含有量はシリコン原子、炭素原子、酸素原子及び窒素原子の和に対して好ましくは１×１０−５〜１０原子％、より好ましくは１×１０−４〜８原子％、更に好ましくは１×１０−３〜５原子％が望ましい。酸素原子及び／または窒素原子は、光導電層中に万遍なく均一に含有されても良いし、炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素原子は光導電層の層厚方向に含有量が変化するような不均一な分布をもたせた部分があっても良い。
【００６６】
本発明に於ける光導電層１０３の層厚としては、得ようとする特性、要求される特性に応じて適宜決められるものであるが、好ましくは２０〜５０μｍ、より好ましくは２３〜４５μｍ、更に好ましくは２５〜４０μｍとするのが望ましい。層厚が２０μｍより薄くなると、帯電能や感度等の電子写真特性が実用上不十分となる場合があり、５０μｍより厚くなると、光導電層の作製時間が長くなって製造コストが高くなることがある。
【００６７】
本発明の目的を達成し、所望の膜特性を有する光導電層１０３を形成するには、Ｓｉ供給用のガスと希釈ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力ならびに支持体温度を適宜設定することが必要である。
【００６８】
希釈ガスとして使用するＨ２及び／またはＨｅの流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ２及び／またはＨｅを、好ましくは３〜２０倍、より好ましくは４〜１５倍、更に好ましくは５〜１０倍の範囲に制御することが望ましい。また、その範囲の値で一定になるように制御することが好ましい。
【００６９】
反応容器内のガス圧も同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは１×１０−４〜１０Ｔｏｒｒ、より好ましくは５×１０−４〜５Ｔｏｒｒ、更に好ましくは１×１０−３〜１Ｔｏｒｒとするのが望ましい。
【００７０】
放電電力もまた同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量に対する放電電力の比を、好ましくは２〜７、より好ましくは２．５〜６、更に好ましくは３〜５の範囲に設定することが望ましい。
【００７１】
さらに支持体１０１の温度は、層設計にしたがって、適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０℃、更に好ましくは２５０〜３１０℃とするのが望ましい。
【００７２】
また、支持体側から表面側に向かってＥｕ及びＤＯＳの値が増加するように膜を作る方法としては、例えばＳｉＨ４と水素または／及びＨｅの混合率（希釈率）を一定に保ったまま、ＳｉＨ４流量に対する放電電力（Ｗ／Ｆｌｏｗ）及び／または、基板温度（Ｔｓ）を連続的に変化させる事が望ましい。
【００７３】
この場合、放電電力もまた同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量に対する放電電力を、好ましくは２〜８倍、より好ましくは２．５〜７倍、更に好ましくは３〜６倍の範囲で連続的に支持体側から表面側に向かって小さくなる様に変化させることが望ましい。
【００７４】
さらに支持体１０１の温度は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは２００〜３７０℃、より好ましくは２３０〜３６０℃、更に好ましくは２５０〜３５０℃の範囲で連続的に支持体側から表面側に向かって低くなる様に変化させることが望ましい。
【００７５】
あるいは、支持体側から表面側に向かってＥｕ及びＤ．Ｏ．Ｓの値が減少するように膜を作る方法としては、例えばＳｉＨ４と水素または／及びＨｅの混合率（希釈率）を一定に保ったまま、ＳｉＨ４流量に対する放電電力（Ｗ／Ｆｌｏｗ）及び／または、基板温度（ＴＳ）を連続的に変化させる事が望ましい。
【００７６】
放電電力もまた同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量に対する放電電力を、好ましくは２〜８倍、より好ましくは２．５〜７倍、更に好ましくは３〜６倍の範囲で連続的に支持体側から表面側に向かって小さくなる様に変化させることが望ましい。
【００７７】
さらに支持体１０１の温度は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは２００〜３７０℃、より好ましくは２３０〜３６０℃、更に好ましくは２５０〜３５０℃の範囲で連続的に支持体側から表面側に向かって低くなる様に変化させることが望ましい。
【００７８】
本発明においては、光導電層を形成するための支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の特性を有する光受容部材を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが望ましい。
【００７９】
（表面層）
本発明においては、上述のようにして支持体１０１上に形成された光導電層１０３の上に、更にアモルファスシリコン系の表面層１０４を形成することが好ましい。この表面層１０４は自由表面１１０を有し、主に耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特性、耐久性において本発明の目的を達成するために設けられる。
【００８０】
また、本発明においては、光受容層１０２を構成する光導電層１０３と表面層１０４とを形成する非晶質材料の各々がシリコン原子という共通の構成要素を有しているので、積層界面において化学的な安定性の確保が十分成されている。
【００８１】
表面層１０４は、アモルファスシリコン系の材料であればいずれの材質でも可能であるが、例えば、水素原子（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に炭素原子を含有するアモルファスシリコン（以下「ａ−ＳｉＣ（Ｈ，Ｘ）」と表記する）、水素原子（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に酸素原子を含有するアモルファスシリコン（以下「ａ−ＳｉＯ（Ｈ，Ｘ）」と表記する）、水素原子（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に窒素原子を含有するアモルファスシリコン（以下「ａ−ＳｉＮ（Ｈ，Ｘ）」と表記する）、水素原子（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に炭素原子、酸素原子、窒素原子の少なくとも一つを含有するアモルファスシリコン（以下「ａ−ＳｉＣＯＮ（Ｈ，Ｘ）」と表記する）等の材料が好適に用いられる。
【００８２】
本発明に於いて、その目的を効果的に達成するために、表面層１０４は真空堆積膜形成方法によって、所望特性が得られるように適宜成膜パラメーターの数値条件が設定されて作製される。具体的には、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などの数々の薄膜堆積法によって形成することができる。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負荷程度、製造規模、作成される電子写真用光受容部材に所望される特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、光受容部材の生産性から光導電層と同等の堆積法によることが好ましい。
【００８３】
例えば、グロー放電法によってａ−ＳｉＣ（Ｈ，Ｘ）よりなる表面層１０４を形成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガスまたは／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガスを、内部を減圧にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入して、該反応容器内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位置に設置された光導電層１０３を作製した支持体１０１上にａ−ＳｉＣ（Ｈ，Ｘ）層を作製すればよい。
【００８４】
本発明に於いて用いる表面層の材質としてはシリコンを含有するアモルファス材料なら何れでも良いが、炭素、窒素、酸素より選ばれた元素を少なくとも１つ含むシリコン原子との化合物が好ましく、特にａ−ＳｉＣを主成分としたものが好ましい。
【００８５】
特に、表面層をａ−ＳｉＣを主成分として構成する場合の炭素量は、シリコン原子と炭素原子の和に対して３０％から９０％の範囲が好ましい。
【００８６】
また、本発明において表面層１０４中に水素原子または／及びハロゲン原子が含有されることが必要であるが、これはシリコン原子などの構成原子の未結合手を補償し、層品質の向上、特に光導電性特性及び電荷保持特性を向上させるために必須不可欠である。水素含有量は、構成原子の総量に対して好ましくは３０〜７０原子％、より好ましくは３５〜６５原子％、更に好ましくは４０〜６０原子％とするのが望ましい。また、弗素原子の含有量として、好ましくは０．０１〜１５原子％、より好ましくは０．１〜１０原子％、更に好ましくは０．６〜４原子％とするのが望ましい。
【００８７】
これらの水素及び／または弗素含有量の範囲内で形成される光受容部材は、実際面に於いて従来にない格段に優れたものとして充分適用させ得るものである。すなわち、表面層内に存在する欠陥（主にシリコン原子や炭素原子のダングリングボンド）は電子写真用光受容部材としての特性に悪影響を及ぼすことが知られている。例えば自由表面から電荷の注入による帯電特性の劣化、使用環境、例えば高い湿度のもとで表面構造が変化することによる帯電特性の変動、更にコロナ帯電時や光照射時に光導電層により表面層に電荷が注入され、前記表面層内の欠陥に電荷がトラップされることにより繰り返し使用時の残像現象の発生等がこの悪影響として挙げられる。
【００８８】
しかしながら表面層内の水素含有量を３０原子％以上に制御することで表面層内の欠陥が大幅に減少し、その結果、従来に比べて電気的特性面及び高速連続使用性において飛躍的な向上を図ることができる。
【００８９】
一方、前記表面層中の水素含有量が７１原子％以上になると表面層の硬度が低下するために、繰り返し使用に耐えられなくなる場合がある。従って、表面層中の水素含有量を前記の範囲内に制御することが格段に優れた所望の電子写真特性を得る上で非常に重要な因子の１つである。表面層中の水素含有量は、原料ガスの流量（比）、支持体温度、放電パワー、ガス圧等によって制御し得る。
【００９０】
また、表面層中の弗素含有量を０．０１原子％以上の範囲に制御することで表面層内のシリコン原子と炭素原子の結合の発生をより効果的に達成することが可能となる。さらに、表面層中の弗素原子の働きとして、コロナ等のダメージによるシリコン原子と炭素原子の結合の切断を効果的に防止することができる。
【００９１】
一方、表面層中の弗素含有量が１５原子％を超えると表面層内のシリコン原子と炭素原子の結合の発生の効果及びコロナ等のダメージによるシリコン原子と炭素原子の結合の切断を防止する効果がほとんど認められなくなる。さらに、過剰の弗素原子が表面層中のキャリアの走行性を阻害するため、残留電位や画像メモリーが顕著に認められてくる。従って、表面層中の弗素含有量を前記範囲内に制御することが所望の電子写真特性を得る上で重要な因子の一つである。表面層中の弗素含有量は、水素含有量と同様に原料ガスの流量（流量比）、支持体温度、放電パワー、ガス圧等によって制御し得る。
【００９２】
本発明の表面層の形成において使用されるシリコン（Ｓｉ）供給用ガスとなり得る物質としては、ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，Ｓｉ３Ｈ８，Ｓｉ４Ｈ１０等のガス状態の、またはガス化し得る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、更に層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が好ましいものとして挙げられる。また、これらのＳｉ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ２，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。
【００９３】
炭素供給用ガスとなり得る物質としては、ＣＨ４，Ｃ２Ｈ２，Ｃ２Ｈ６，Ｃ３Ｈ８，Ｃ４Ｈ１０等のガス状態の、またはガス化し得る炭化水素が有効に使用されるものとして挙げられ、更に層作成時の取り扱い易さ、Ｃ供給効率の良さ等の点でＣＨ４，Ｃ２Ｈ２，Ｃ２Ｈ６が好ましいものとして挙げられる。また、これらのＣ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ２，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。
【００９４】
窒素または酸素供給用ガスとなり得る物質としては、ＮＨ３，ＮＯ，Ｎ２Ｏ，ＮＯ２，Ｏ２，ＣＯ，ＣＯ２，Ｎ２等のガス状態の、またはガス化し得る化合物が有効に使用されるものとして挙げられる。また、これらの窒素、酸素供給用の原料ガスを必要に応じてＨ２，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。
【００９５】
また、形成される表面層１０４中に導入される水素原子の導入割合の制御をいっそう容易にするため、これらのガスに更に水素ガスまたは水素原子を含む珪素化合物のガスも所望量混合して層形成することが好ましい。また、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混合しても差し支えないものである。
【００９６】
ハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効なのは、たとえばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲンをふくむハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状のまたはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる。また、さらにはシリコン原子とハロゲン原子とを構成要素とするガス状のまたはガス化し得る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げることができる。本発明に於て好適に使用し得るハロゲン化合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ２），ＢｒＦ，ＣｌＦ，ＣｌＦ３，ＢｒＦ３，ＢｒＦ５，ＩＦ３，ＩＦ７等のハロゲン間化合物を挙げることができる。ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的には、たとえばＳｉＦ４，Ｓｉ２Ｆ６等の弗化珪素が好ましいものとして挙げることができる。
【００９７】
表面層１０４中に含有される水素原子または／及びハロゲン原子の量を制御するには、例えば支持体１０１の温度、水素原子または／及びハロゲン原子を含有させるために使用される原料物質の反応容器内ヘ導入する量、放電電力等を制御すればよい。
【００９８】
炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素原子は、表面層中に万遍なく均一に含有されても良いし、表面層の層厚方向に含有量が変化するような不均一な分布をもたせた部分があっても良い。
【００９９】
さらに本発明においては、表面層１０４には必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させることが好ましい。伝導性を制御する原子は、表面層１０４中に万偏なく均一に分布した状態で含有されても良いし、あるいは層厚方向には不均一な分布状態で含有している部分があってもよい。
【０１００】
前記の伝導性を制御する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表第ＩＩＩｂ族に属する原子（以後「第ＩＩＩｂ族原子」と略記する）またはｎ型伝導特性を与える周期律表第Ｖｂ族に属する原子（以後「第Ｖｂ族原子」と略記する）を用いることができる。第ＩＩＩｂ族原子としては、具体的には、硼素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特にＢ，Ａｌ，Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ，Ａｓが好適である。
【０１０１】
表面層１０４に含有される伝導性を制御する原子の含有量としては、好ましくは１×１０−３〜１×１０３原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０−２〜５×１０２原子ｐｐｍ、更に好ましくは１×１０−１〜１×１０２原子ｐｐｍとされるのが望ましい。伝導性を制御する原子、たとえば、第ＩＩＩｂ族原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に導入するには、層形成の際に、第ＩＩＩｂ族原子導入用の原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器中に、表面層１０４を形成するための他のガスとともに導入してやればよい。第ＩＩＩｂ族原子導入用の原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質となり得るものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望ましい。そのような第ＩＩＩｂ族原子導入用の原料物質として具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６，Ｂ４Ｈ１０，Ｂ５Ｈ９，Ｂ５Ｈ１１，Ｂ６Ｈ１０，等の水素化硼素、ＢＦ３，ＢＣｌ３，ＢＢｒ３等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、ＧａＣｌ３，Ｇａ（ＣＨ３）３，等も挙げることができる。
【０１０２】
第Ｖｂ族原子導入用の原料物質として有効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３，Ｐ２Ｈ４等の水素化燐、ＰＦ３，ＰＦ５，ＰＣｌ３，ＰＣｌ５，ＰＢｒ３，ＰＩ３等のハロゲン化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ３，ＡｓＦ３，ＡｓＣｌ３，ＡｓＢｒ３，ＡｓＦ５，ＳｂＨ３，ＳｂＦ５，ＳｂＣｌ５，ＢｉＨ３，ＢｉＢｒ３等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げることができる。
【０１０３】
また、これらの伝導性を制御する原子導入用の原料物質を必要に応じてＨ２，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。
【０１０４】
本発明に於ける表面層１０４の層厚としては、好ましくは０．０１〜３μｍ、より好ましくは０．０５〜２μｍ、更に好ましくは０．１〜１μｍとされるのが望ましい。層厚が０．０１μｍより薄いと光受容部材を使用中に摩擦等の理由により表面層が失われてしまい易く、３μｍを越えると残留電位の増加等の電子写真特性の低下がみられる場合がある。
【０１０５】
本発明による表面層１０４は、その要求される特性が所望通りに与えられるように注意深く形成される。即ち、Ｓｉ，Ｃ，Ｎ及びＯからなる群から選択された少なくとも一つの元素、Ｈ及び／またはＸを構成要素とする物質は、その形成条件によって構造的には多結晶や微結晶のような結晶性からアモルファスまでの形態（総称して非単結晶）を取り、電気物性的には導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、また、光導電的性質から非光導電的性質までの間の性質を各々示すので、本発明においては、目的に応じた所望の特性を有する化合物が形成される様に、所望に従ってその形成条件の選択が厳密になされる。
【０１０６】
例えば、表面層１０４を耐電圧性の向上を主な目的として設けるには、使用環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非単結晶材料として作製される。
【０１０７】
また、連続繰り返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる目的として表面層１０４が設けられる場合には、上記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される光に対して有る程度の感度を有する非単結晶材料として形成される。
【０１０８】
本発明の目的を達成し得る特性を有する表面層１０４を形成するには、支持体１０１の温度、反応容器内のガス圧を所望にしたがって、適宜設定する必要がある。
【０１０９】
支持体１０１の温度（Ｔｓ）は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０℃、更に好ましくは２５０〜３１０℃とするのが望ましい。
【０１１０】
反応容器内のガス圧も同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ましくは１×１０−４〜１０Ｔｏｒｒ、より好ましくは５×１０−４〜５Ｔｏｒｒ、更に好ましくは１×１０−３〜１Ｔｏｒｒとするのが望ましい。本発明においては、表面層を形成するための支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられるが、これらの条件は通常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の特性を有する光受容部材を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが望ましい。
【０１１１】
さらに本発明に於いては、光導電層と表面層の間に、炭素原子、酸素原子、窒素原子の含有量を表面層より減らした中間層（下部表面層）を設けることも帯電能等の特性を更に向上させるためには有効である。
【０１１２】
また表面層１０４と光導電層１０３との間に炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素原子の含有量が光導電層１０３に向かって減少するように変化する領域を設けても良い。これにより表面層と光導電層の密着性を向上させ、界面での光の反射による干渉の影響をより少なくすることができる。
【０１１３】
（電荷注入阻止層）
本発明の電子写真用光受容部材においては、導電性支持体と光導電層との間に、導電性支持体側からの電荷の注入を阻止する働きのある電荷注入阻止層を設けるのがいっそう効果的である。すなわち、電荷注入阻止層は光受容層が一定極性の帯電処理をその自由表面に受けた際、支持体側より光導電層側に電荷が注入されるのを阻止する機能を有し、逆の極性の帯電処理を受けた際にはそのような機能は発揮されない、いわゆる極性依存性を有している。そのような機能を付与するために、電荷注入阻止層には伝導性を制御する原子を光導電層に比べ比較的多く含有させる。
【０１１４】
該層に含有される伝導性を制御する原子は、該層中に万遍なく均一に分布されても良いし、あるいは層厚方向には万遍なく含有されてはいるが、不均一に分布する状態で含有している部分があってもよい。分布濃度が不均一な場合には、支持体側に多く分布するように含有させるのが好適である。
【０１１５】
しかしながら、いずれの場合にも支持体の表面と平行面内方向においては、均一な分布で万遍なく含有されることが面内方向における特性の均一化をはかる点からも必要である。
【０１１６】
電荷注入阻止層に含有される伝導性を制御する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表第ＩＩＩｂ族に属する原子（以後「第ＩＩＩｂ族原子」と略記する）またはｎ型伝導特性を与える周期律表第Ｖｂ族に属する原子（以後「第Ｖｂ族原子」と略記する）を用いることができる。
【０１１７】
第ＩＩＩｂ族原子としては、具体的には、Ｂ（ほう素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔａ（タリウム）等があり、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、具体的にはＰ（リン）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ，Ａｓが好適である。
【０１１８】
本発明において電荷注入阻止層中に含有される伝導性を制御する原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に達成できるように所望にしたがって適宜決定されるが、好ましくは１０〜１×１０４原子ｐｐｍ、より好ましくは５０〜５×１０３原子ｐｐｍ、更に好ましくは１×１０２〜３×１０３原子ｐｐｍとされるのが望ましい。
【０１１９】
さらに、電荷注入阻止層には、炭素原子、窒素原子及び酸素原子の少なくとも一種を含有させることによって、該電荷注入阻止層に直接接触して設けられる他の層との間の密着性の向上をよりいっそう図ることができる。
【０１２０】
該層に含有される炭素原子または窒素原子または酸素原子は該層中に万偏なく均一に分布されても良いし、あるいは層厚方向には万遍なく含有されてはいるが、不均一に分布する状態で含有している部分があってもよい。しかしながら、いずれの場合にも支持体の表面と平行面内方向においては、均一な分布で万偏なく含有されることが面内方向における特性の均一化をはかる点からも必要である。
本発明における電荷注入阻止層の全層領域に含有される炭素原子及び／または窒素原子及び／または酸素原子の含有量は、本発明の目的が効果的に達成されるように適宜決定されるが、一種の場合はその量として、二種以上の場合はその総和として、好ましくは１×１０−３〜５０原子％、より好ましくは５×１０−３〜３０原子％、更に好ましくは１×１０−２〜１０原子％とされるのが望ましい。
【０１２１】
また、本発明における電荷注入阻止層に含有される水素原子及び／またはハロゲン原子は層内に存在する未結合手を補償し膜質の向上に効果を奏する。電荷注入阻止層中の水素原子またはハロゲン原子あるいは水素原子とハロゲン原子の和の含有量は、好ましくは１〜５０原子％、より好ましくは５〜４０原子％、更に好ましくは１０〜３０原子％とするのが望ましい。
【０１２２】
本発明に於ける電荷注入阻止層１０５の層厚としては、好ましくは０．１〜５μｍ、より好ましくは０．３〜４μｍ、更に好ましくは０．５〜３μｍとされるのが望ましい。層厚が０．１μｍより薄くなると、支持体からの電荷の注入阻止能が不十分になって十分な帯電能が得られない場合があり、５μｍより厚くしても実質的な電子写真特性の向上よりも作製時間の延長による製造コスト増を招く。
【０１２３】
本発明において電荷注入阻止層を形成するには、前述の光導電層を形成する方法と同様の真空堆積法が採用される。
【０１２４】
本発明の目的を達成し得る特性を有する電荷注入阻止層１０５を形成するには、光導電層１０３と同様に、Ｓｉ供給用のガスと希釈ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力ならびに支持体１０１の温度を適宜設定することが必要である。
【０１２５】
希釈ガスであるＨ２及び／またはＨｅの流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ２及び／またはＨｅを、好ましくは１〜２０倍、より好ましくは３〜１５倍、更に好ましくは５〜１０倍の範囲に制御することが望ましい。
【０１２６】
反応容器内のガス圧も同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは１×１０−４〜１０Ｔｏｒｒ、より好ましくは５×１０−４〜５Ｔｏｒｒ、更に好ましくは１×１０−３〜１Ｔｏｒｒとするのが望ましい。
【０１２７】
放電電力もまた同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量に対する放電電力の比を、好ましくは１〜７、より好ましくは２〜６、更に好ましくは３〜５の範囲に設定することが望ましい。
【０１２８】
さらに、支持体１０１の温度は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０℃、更に好ましくは２５０〜３１０℃とするのが望ましい。
【０１２９】
本発明においては、電荷注入阻止層を形成するための希釈ガスの混合比、ガス圧、放電電力、支持体温度の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられるが、これらの条件は通常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の特性を有する表面層を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが望ましい。
【０１３０】
このほかに、本発明の電子写真用光受容部材においては、光受容層１０２の前記支持体１０１側に、少なくともアルミニウム原子、シリコン原子、水素原子または／及びハロゲン原子が層厚方向に不均一な分布状態で含有する層領域を有することが望ましい。
【０１３１】
また、本発明の電子写真用光受容部材に於いては、支持体１０１と光導電層１０３あるいは電荷注入阻止層１０５との間の密着性の一層の向上を図る目的で、例えば、Ｓｉ３Ｎ４，ＳｉＯ２，ＳｉＯ、あるいはシリコン原子を母体とし、水素原子及び／またはハロゲン原子と、炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素原子とを含む非晶質材料等で構成される密着層を設けても良い。更に、支持体からの反射光による干渉模様の発生を防止するための光吸収層を設けても良い。
【０１３２】
次に、光受容層を形成するための装置及び膜形成方法について詳述する。
図２はＲＦ帯の周波数を用いた高周波プラズマＣＶＤ法（以後「ＲＦ−ＰＣＶＤ」と略記する）による電子写真用光受容部材の製造装置の好適な一例を示す模式的な構成図である。図２に示す製造装置の構成は以下の通りである。
【０１３３】
この装置は大別すると、堆積装置（２１００）、原料ガスの供給装置（２２００）、反応容器（２１１１）内を減圧にするための排気装置（図示せず）から構成されている。堆積装置（２１００）中の反応容器（２１１１）内には円筒状支持体（２１１２）、支持体加熱用ヒーター（２１１３）、原料ガス導入管（図示せず）が設置され、更に高周波マッチングボックス（２１１５）が接続されている。
【０１３４】
原料ガス供給装置（２２００）は、ＳｉＨ４，ＧｅＨ４，Ｈ２，ＣＨ４，Ｂ２Ｈ６，ＰＨ３等の原料ガスのボンベ（２２２１〜２２２６）とバルブ（２２３１〜２２３６，２２４１〜２２４６，２２５１〜２２５６）及びマスフローコントローラー（２２１１〜２２１６）から構成され、各原料ガスのボンベはバルブ（２２６０）を介して反応容器（２１１１）内のガス導入管（２１１４）に接続されている。
【０１３５】
この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば以下のように行うことができる。
まず、反応容器（２１１１）内に円筒状支持体（２１１２）を設置し、排気装置（図示せず）により反応容器（２１１１）内を排気する。続いて、支持体加熱用ヒーター（２１１３）により円筒状支持体（２１１２）の温度を、例えば２００℃乃至３５０℃の所定の温度に制御する。
【０１３６】
堆積膜形成用の原料ガスを反応容器（２１１１）に流入させるには、ガスボンベのバルブ（２２３１〜２２３７）、反応容器のリークバルブ（２１１７）が閉じられていることを確認し、また、流入バルブ（２２４１〜２２４６）、流出バルブ（２２５１〜２２５６）、補助バルブ（２２６０）が開かれていることを確認して、まずメインバルブ（２１１８）を開いて反応容器（２１１１）及びガス配管内（２１１６）を排気する。
【０１３７】
次に真空計（２１１９）の読みが約５×１０−６Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ（２２６０）、流出バルブ（２２５１〜２２５６）を閉じる。
【０１３８】
その後、ガスボンベ（２２２１〜２２２６）より各ガスをバルブ（２２３１〜２２３６）を開いて導入し、圧力調整器（２２６１〜２２６６）により各ガス圧を２ｋｇ／ｃｍ２に調整する。次に、流入バルブ（２２４１〜２２４６）を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラー（２２１１〜２２１６）内に導入する。
【０１３９】
以上のようにして成膜の準備が完了した後、以下の手順で各層の形成を行う。円筒状支持体（２１１２）が所定の温度になったところで流出バルブ（２２５１〜２２５６）のうちの必要なもの及び補助バルブ（２２６０）を徐々に開き、ガスボンベ（２２２１〜２２２６）から所定のガスをガス導入管（２１１４）を介して反応容器（２１１１）内に導入する。次にマスフローコントローラー（２２１１〜２２１６）によって各原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反応容器（２１１１）内の圧力が１Ｔｏｒｒ以下の所定の圧力になるように真空計（２１１９）を見ながらメインバルブ（２１１８）の開口を調整する。内圧が安定したところで、周波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源（図示せず）を所望の電力に設定して、高周波マッチングボックス（２１１５）を通じて反応容器（２１１１）内にＲＦ電力を導入し、グロー放電を生起させる。この放電エネルギーによって反応容器内に導入された原料ガスが分解され、円筒状支持体（２１１２）上に所定のシリコンを主成分とする堆積膜が形成されるところとなる。所望の膜厚の形成が行われた後、ＲＦ電力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。
【０１４０】
同様の操作を複数回繰り返すことによって、所望の多層構造の光受容層が形成される。
【０１４１】
それぞれの層を形成する際には必要なガス以外の流出バルブはすべて閉じられており、また、それぞれのガスが反応容器（２１１１）内、流出バルブ（２２５１〜２２５６）から反応容器（２１１１）に至る配管内に残留することを避けるために、流出バルブ（２２５１〜２２５６）を閉じ、補助バルブ（２２６０）を開き、さらにメインバルブ（２１１８）を全開にして系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。
【０１４２】
また、膜形成の均一化を図るために、層形成を行なっている間は、支持体（２１１２）を駆動装置（図示せず）によって所定の速度で回転させることも有効である。
【０１４３】
さらに、上述のガス種及びバルブ操作は各々の層の作製条件にしたがって変更が加えられる。
【０１４４】
次に、ＶＨＦ帯の周波数を用いた高周波プラズマＣＶＤ法（以後「ＶＨＦ−ＰＣＶＤ」と略記する）によって形成される電子写真用光受容部材の製造方法について説明する。
【０１４５】
図２に示した製造装置におけるＲＦ−ＰＣＶＤ法による堆積装置（２１００）を、図３に示す堆積装置（３１００）に代えて原料ガス供給装置（２２００）と接続することにより、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法による電子写真用光受容部材製造装置を得ることができる。
【０１４６】
この装置は大別すると、反応容器（３１１１）、原料ガスの供給装置（２２００）、及び反応容器内を減圧にするための排気装置（図示せず）から構成されている。反応容器（３１１１）内には円筒状支持体（３１１２）、支持体加熱用ヒーター（３１１３）、原料ガス導入管（図示せず）、電極（３１１５）が設置され、電極には更に高周波マッチングボックス（３１１６）が接続されている。また、反応容器（３１１１）内は排気管（３１２１）を通じて排気装置（図示せず）に接続されている。
【０１４７】
原料ガス供給装置（２２００）は、ＳｉＨ４，ＧｅＨ４，Ｈ２，ＣＨ４，Ｂ２Ｈ６，ＰＨ３等の原料ガスのボンベ（２２２１〜２２２６）とバルブ（２２３１〜２２３６，２２４１〜２２４６，２２５１〜２２５６）及びマスフローコントローラー（２２１１〜２２１６）から構成され、各原料ガスのボンベはバルブ（２２６０）を介して反応容器（３１１１）内のガス導入管（図示せず）に接続されている。また、円筒状支持体（３１１２）によって取り囲まれた空間（３１３０）が放電空間を形成している。
【０１４８】
ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法によるこの装置での堆積膜の形成は、以下のように行なうことができる。
【０１４９】
まず、反応容器（３１１１）内に円筒状支持体（３１１２）を設置し、駆動装置（３１２０）によって支持体（３１１２）を回転し、不図示の排気装置（例えば拡散ポンプ）により反応容器（３１１１）内を排気管（３１２１）を介して排気し、反応容器（３１１１）内の圧力を、例えば１×１０−７Ｔｏｒｒ以下に調整する。続いて、支持体加熱用ヒーター（３１１３）により円筒状支持体（３１１２）の温度を、例えば２００℃乃至３５０℃の所定の温度に加熱保持する。
【０１５０】
堆積膜形成用の原料ガスを反応容器（３１１１）に流入させるには、ガスボンベのバルブ（２２３１〜２２３６）、反応容器のリークバルブ（図示せず）が閉じられていることを確認し、また、流入バルブ（２２４１〜２２４６）、流出バルブ（２２５１〜２２５６）、補助バルブ（２２６０）が開かれていることを確認して、まずメインバルブ（図示せず）を開いて反応容器（３１１１）及びガス配管内を排気する。
【０１５１】
次に真空計（図示せず）の読みが約５×１０−６Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ（２２６０）、流出バルブ（２２５１〜２２５６）を閉じる。
【０１５２】
その後、ガスボンベ（２２２１〜２２２６）より各ガスをバルブ（２２３１〜２２３６）を開いて導入し、圧力調整器（２２６１〜２２６６）により各ガス圧を２ｋｇ／ｃｍ２に調整する。次に、流入バルブ（２２４１〜２２４６）を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラー（２２１１〜２２１６）内に導入する。
【０１５３】
以上のようにして成膜の準備が完了した後、以下のようにして円筒状支持体（３１１２）上に各層の形成を行う。
【０１５４】
円筒状支持体（３１１２）が所定の温度になったところで流出バルブ（２２５１〜２２５６）のうちの必要なもの及び補助バルブ（２２６０）を徐々に開き、ガスボンベ（２２２１〜２２２６）から所定のガスをガス導入管（図示せず）を介して反応容器（３１１１）内の放電空間（３１３０）に導入する。次にマスフローコントローラー（２２１１〜２２１６）によって各原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、放電空間（３１３０）内の圧力が１Ｔｏｒｒ以下の所定の圧力になるように真空計（図示せず）を見ながらメインバルブ（図示せず）の開口を調整する。
【０１５５】
圧力が安定したところで、例えば周波数５００ＭＨｚのＶＨＦ電源（図示せず）を所望の電力に設定して、マッチングボックス（３１１６）を通じて放電空間（３１３０）にＶＨＦ電力を導入し、グロー放電を生起させる。かくして支持体（３１１２）により取り囲まれた放電空間（３１３０）において、導入された原料ガスは、放電エネルギーにより励起されて解離し、支持体（３１１２）上に所定の堆積膜が形成される。この時、層形成の均一化を図るため支持体回転用モーター（３１２０）によって、所望の回転速度で回転させる。
【０１５６】
所望の膜厚の形成が行われた後、ＶＨＦ電力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。
同様の操作を複数回繰り返すことによって、所望の多層構造の光受容層が形成される。
【０１５７】
それぞれの層を形成する際には必要なガス以外の流出バルブはすべて閉じられており、また、それぞれのガスが反応容器（３１１１）内、流出バルブ（２２５１〜２２５６）から反応容器（３１１１）に至る配管内に残留することを避けるために、流出バルブ（２２５１〜２２５６）を閉じ、補助バルブ（２２６０）を開き、さらにメインバルブ（図示せず）を全開にして系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。
上述のガス種及びバルブ操作は各々の層の作成条件にしたがって変更が加えられる。
【０１５８】
ＲＦ−ＰＣＶＤ法とＶＨＦ−ＰＣＶＤ法のいずれの方法においても、堆積膜形成時の支持体温度は、特に好ましくは２００℃以上３５０℃以下、より好ましくは２３０℃以上３３０℃以下、更に好ましくは２５０℃以上３１０℃以下が望ましい。
【０１５９】
光導電層を成膜する時に、ＥｕおよびＤＯＳを層厚方向に変化させる場合には、例えば上記の操作に加えてＳｉＨ４流量と放電電力との比を連続的に変化させる操作並びに基板温度を連続的に変化させる操作を必要に応じて行えばよい。
【０１６０】
支持体の加熱方法は、真空仕様である発熱体であればよく、例えばシース状ヒーターの巻き付けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒーター等の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とし熱交換手段による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用することができる。
【０１６１】
それ以外にも、反応容器以外に加熱専用の容器を設け、加熱した後、反応容器内に真空中で支持体を搬送する等の方法が用いられる。
【０１６２】
また、特にＶＨＦ−ＰＣＶＤ法における放電空間の圧力として、好ましくは１ｍＴｏｒｒ以上５００ｍＴｏｒｒ以下、より好ましくは３ｍＴｏｒｒ以上３００ｍＴｏｒｒ以下、最も好ましくは５ｍＴｏｒｒ以上１００ｍＴｏｒｒ以下に設定することが望ましい。
【０１６３】
ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法において放電空間に設けられる電極（３１１５）の大きさ及び形状は、放電を乱さないならばいずれのものでも良いが、実用上は直径１ｍｍ以上１０ｃｍ以下の円筒状が好ましい。この時、電極の長さも、支持体に電界が均一にかかる長さであれば任意に設定できる。
【０１６４】
電極の材質としては、少なくとも表面が導電性を有するものであれば良く、例えば、ステンレス，Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｂ，Ｆｅ等の金属、これらの合金または表面を導電処理したガラス、セラミック等が通常使用される。
【０１６５】
【実施例】
以下本発明の一実施例を、図２と図３を参照して説明する。
（実施例１）
図２に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の製造装置を用い、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー支持体上に、例えば表１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる光受容部材を作製した。さらに光導電層のＳｉＨ４とＨ２との混合比ならびに放電電力を変えることによって、種々の光受容部材を作製した。
【０１６６】
作製した光受容部材は、電子写真装置（キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造）にセットして、帯電能の温度依存性（温度特性）、メモリーならびに画像流れを評価した。温度特性は、光受容部材の温度を室温から約４５℃まで変えて帯電能を測定し、このときの温度１℃当たりの帯電能の変化を測定して、２Ｖ／ｄｅｇ以下を合格と判定した。また、メモリー、画像流れについては、画像を目視により判定し、１：非常に良好、２：良好、３：実用上問題なし、４：実用上やや難のある場合ありの４段階にランク分けをした。その結果、ランク１と２を合格と判定した。
【０１６７】
一方、円筒形のサンプルホルダーに設置したガラス基板（コーニング社製 ７０５９）ならびにＳｉウエハー上に、光導電層の作成条件で膜厚約１μｍのａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガラス基板上の堆積膜にはＡｌの串型電極を蒸着し、ＣＰＭにより指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）と局在準位密度（ＤＯＳ）を測定し、Ｓｉウエハー上の堆積膜はＦＴＩＲ（フーリエ変換赤外吸光分析）法により含有水素量を測定した。
【０１６８】
その結果、表１の条件で作製した光導電層は、水素含有量が２７原子％、Ｅｕが５７ｍｅＶ、ＤＯＳが３．２×１０１５ｃｍ−３であった。
【０１６９】
また、ＳｉＨ４に対する放電電力（ＲＦＰｏｗｅｒ）の比を固定してＳｉＨ４とＨ２との混合比（Ｈ２／ＳｉＨ４）を増加させた場合、混合比が１０程度までしてＥｕ、ＤＯＳ共にほぼ単調に低下する傾向がみられ、特にＤＯＳの低下する傾向が顕著であった。そして、それ以上混合比を増加した場合のＥｕ、ＤＯＳの低下割合は緩やかであった。一方、ＳｉＨ４とＨ２との混合比を固定してＳｉＨ４に対する放電電力（Ｐｏｗｅｒ）の比を増加させた場合Ｅｕ、ＤＯＳ共に増加する傾向が見られ、特にＥｕの増加する傾向が顕著であった。
【０１７０】
本例のＥｕと温度特性との関係を図４に、ＤＯＳとメモリー及び画像流れとの関係を図５、図６にそれぞれ示す。いずれのサンプルも水素含有量は１０〜３０原子％の間であった。図４、図５ならびに図６から明らかなように、Ｅｕは５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳは１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることが良好な電子写真特性を得るために必要であることがわかった。
【０１７１】
作製された光受容部材を上記した電子写真装置にセットして帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて優れた画像を得ることができた。
【０１７２】
【表１】
（実施例２）
本例では、光導電層と表面層との間に、炭素原子の含有量を表面層より減らし、伝導性を制御する原子を含有させた中間層（上部阻止層）を設けた。表２に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例１と同様とした。
【０１７４】
本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、それぞれ５５ｍｅＶ、２×１０１５ｃｍ−３という結果が得られた。また、作製した電子写真用光受容部材を負帯電して実施例１と同様の評価をしたところ実施例１と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０１７５】
すなわち、中間層（上部阻止層）を設けた場合においても、Ｅｕは５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳは１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることが良好な電子写真特性を得るために必要であることがわかった。
【０１７６】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０１７７】
【表２】
（実施例３）
本例では、実施例１の表面層に代えて、表面層のシリコン原子及び炭素原子の含有量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた。表３に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例１と同様とした。
【０１７９】
本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、それぞれ５０ｍｅＶ、８×１０１４ｃｍ−３という結果が得られた。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例１と同様の評価をしたところ実施例１と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０１８０】
すなわち、表面層のシリコン原子及び炭素原子を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた場合においても、Ｅｕは５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳは１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることが良好な電子写真特性を得るために必要であることがわかった。
【０１８１】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０１８２】
【表３】
（実施例４）
本例では、支持体と電荷注入阻止層との間に、支持体からの反射光による干渉模様の発生を防止するための光吸収層として、アモルファスシリコンゲルマニウムのＩＲ吸収層を設けた。表４に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例１と同様とした。
【０１８４】
本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、それぞれ６０ｍｅＶ、５×１０１５ｃｍ−３という結果が得られた。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例１と同様の評価をしたところ実施例１と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０１８５】
すなわち、ＩＲ吸収層を設けた場合においても、Ｅｕは５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳは１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることが良好な電子写真特性を得るために必要であることがわかった。
【０１８６】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０１８７】
【表４】
（実施例５）
本例では、実施例１のＲＦ−ＰＣＶＤ法に代えて、図３に示すＶＨＦ−ＰＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の製造装置を用い、実施例１と同様に直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上に表５に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる光受容部材を作製した。さらに光導電層のＳｉＨ４とＨ２との混合比、放電電力、支持体温度ならびに内圧を変えることにより、種々の光受容部材を作製した。
他の点は実施例１と同様とした。
【０１８９】
作製した光受容部材を電子写真装置（キヤノン社製、ＮＰ６１５０をテスト用に改造）にセットして、帯電能の温度依存性（温度特性）、ブランク露光メモリーならびにゴーストメモリーを評価した。温度特性ならびにメモリーの評価は実施例１と同様にした。さらにハーフトーン画像の濃度ムラ（ガサツキ）をメモリーと同様、４段階のランク分けを行って評価した。その結果、ランク１と２を合格と判定した。
【０１９０】
一方、光導電層の作製条件で、円筒形のサンプルホルダーに設置したガラス基板（コーニング社製 ７０５９）ならびにＳｉウエハー上に膜厚約１μｍのａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガラス基板上の堆積膜にはＡｌの串型電極を蒸着して、ＣＰＭにより指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）と局在準位密度（ＤＯＳ）を測定し、Ｓｉウエハー上の堆積膜はＦＴＩＲにより含有水素量ならびにＳｉ−Ｈ２結合とＳｉ−Ｈ結合の吸収ピーク強度比を測定した。
【０１９１】
その結果、表５の条件で作成した光導電層において、水素含有量は２５原子％、Ｓｉ−Ｈ２／Ｓｉ−Ｈは０．３５であり、Ｅｕ、ＤＯＳはそれぞれ５９ｍｅＶ、４．３×１０１５ｃｍ−３であった。
【０１９２】
また、ＳｉＨ４に対する放電電力（ＲＦＰｏｗｅｒ）の比を固定してＳｉＨ４とＨ２との混合比（Ｈ２／ＳｉＨ４）を増加させた場合、実施例１と同様に混合比が１０程度まではＥｕ、ＤＯＳ共にほぼ単調に低下する傾向がみられ、特にＤＯＳの低下する傾向が顕著であった。そして、それ以上混合比を増加した場合のＥｕ、ＤＯＳの低下割合は緩やかであった。一方、ＳｉＨ４とＨ２との混合比を固定してＳｉＨ４に対する放電電力（Ｐｏｗｅｒ）の比を増加させた場合Ｅｕ、ＤＯＳ共に増加する傾向が見られ、特にＥｕの増加する傾向が顕著であった。さらに、支持体温度を上げた場合、Ｅｕ、ＤＯＳは緩やかではあるものの低下する傾向が見られ、Ｓｉ−Ｈ２／Ｓｉ−Ｈは減少する傾向が見られた。
【０１９３】
このときのＥｕ、ＤＯＳと温度特性、メモリー、画像流れとの関係は実施例１と同様であり、Ｅｕは５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳは１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることが良好な電子写真特性を得るために好ましいことがわかった。
【０１９４】
さらに、図７に示すＳｉ−Ｈ２／Ｓｉ−Ｈと感度との関係から、Ｓｉ−Ｈ２／Ｓｉ−Ｈは０．１以上０．５以下の範囲にすることが好ましいであることがわかった。
【０１９５】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０１９６】
【表５】
（実施例６）
本例では、電荷注入阻止層は削除し、光導電層を、炭素原子を層厚方向に不均一な分布状態で含有する第１の層領域と実質的に炭素原子を含まない第２の層領域とで構成した。表６に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例５と同様とした。
【０１９８】
本例では、光導電層のＥｕ、ＤＯＳ及びＳｉ−Ｈ２／Ｓｉ−Ｈは、それぞれ５６ｍｅＶ、１．３×１０１５ｃｍ−３、０．３８であった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例１と同様の評価をしたところ実施例１と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０１９９】
すなわち、電荷注入阻止層は削除し、光導電層を、炭素原子を層厚方向に不均一な分布状態で含有する第１の層領域と実質的に炭素原子を含まない第２の層領域とで構成した場合においても、Ｅｕは５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳは１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３とし、更にＳｉ−Ｈ２／Ｓｉ−Ｈは０．１以上０．５以下の範囲にすることが良好な電子写真特性を得るために好ましいことがわかった。
【０２００】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０２０１】
【表６】
（実施例７）
本例では、光導電層と表面層との間に、炭素原子の含有量を表面層より減らした中間層（下部表面層）を設けると同時に、光導電層を、機能分離化して、電荷輸送層と電荷発生層の２層化をはかり設けた。表７に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例５と同様とした。
【０２０３】
本例では、光導電層のＥｕ、ＤＯＳ及びＳｉ−Ｈ２／Ｓｉ−Ｈは、それぞれ５９ｍｅＶ、３×１０１５ｃｍ−３、０．４５であった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例１と同様の評価をしたところ実施例１と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０２０４】
すなわち、光導電層と表面層との間に、炭素原子の含有量を表面層より減らした中間層（下部表面層）を設けると同時に、光導電層を、機能分離化して、電荷輸送層と電荷発生層の２層化をはかり設けた場合においても、Ｅｕは５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳは１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３とし、更にＳｉ−Ｈ２／Ｓｉ−Ｈは０．１以上０．５以下の範囲にすることが良好な電子写真特性を得るために好ましいことがわかった。
【０２０５】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０２０６】
【表７】
（実施例８）
図２に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の製造装置を用い、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー上に、表８に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる光受容部材を作製した。その時、光導電層作製条件を層厚方向で表９に示すように連続的に変化させた。また、光導電層作製条件の放電電力はＳｉＨ４流量の３〜８倍までの電力で層厚方向に連続的に変化させて数種類の光受容部材を作製した。その時の光導電層のＥｕとＤＯＳは光導電層の支持体側作製条件と中間部作製条件と表面側作製条件の３点でのサンプルの値の単純平均をとって膜中平均とした。
【０２０８】
作製した光受容部材は、電子写真装置（キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造）にセットして、帯電能の温度依存性（温度特性）、露光メモリー（ブランク露光メモリー、ゴースト露光メモリー）、感度を評価した。温度特性は、光受容部材の温度を室温から約４５℃まで変えて帯電能を測定し、このときの温度１℃当たりの帯電能の変化を測定して、２Ｖ／ｄｅｇ以下を合格と判定した。また、露光メモリーについては、画像を目視により判定し、感度については従来をランク３（実用的）と判定し、１：非常に良好、２：良好、３：実用的、４：実用上問題なし、５：実用上やや難ありの５段階にランク分けした。また、ランクの判別が困難な場合は、１と２の間の場合はランク１．５の様に記した。
【０２０９】
一方、円筒形のサンプルホルダーに設置したガラス基板（コーニング社製 ７０５９）ならびにＳｉウェハー上に数種類のａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガラス基板上の堆積膜にはＡｌの串型電極を蒸着して、ＣＰＭにより指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）と局在準位密度（ＤＯＳ）を測定した。また、ＳｉウェハーはＦＴＩＲで含有水素量を測定した。
【０２１０】
【表８】
【表９】
実施例８の光導電層作製条件が層厚方向に変化していたのに代えて、光導電層作製条件を固定して電子写真用光受容部材を作製した。
表１０に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例８と同様とした。
【０２１３】
【表１０】
実施例８で作製した光受容部材の評価結果を、以下の図８〜１５に示す。
図８に光導電層中における、Ｅｕの層厚方向分布を示す。図９に光導電層中における、ＤＯＳの層厚方向分布を示す。図１０に光導電層中の平均Ｅｕに対する帯電能の温度依存性（温度特性）を示す。図１１に光導電層中の平均ＤＯＳに対する帯電能の温度依存性（温度特性）を示す。図１２に光導電層中の平均Ｅｕに対する露光メモリーを示す。図１３に光導電層中の平均ＤＯＳに対する露光メモリーを示す。図１４に光導電層中の平均Ｅｕに対する感度を示す。図１５に光導電層中の平均ＤＯＳに対する感度を示す。
【０２１５】
ＥｕとＤＯＳを層厚方向に変化させなかった光受容部材の評価結果を、以下の図１６〜２１に示す。光導電層中におけるＥｕとＤＯＳは、サンプルの値の単純平均をとって膜中平均とした。
【０２１６】
図１６に光導電層中の平均Ｅｕに対する帯電能の温度依存性（温度特性）を示す。図１７に光導電層中の平均ＤＯＳに対する帯電能の温度依存性（温度特性）を示す。図１８に光導電層中の平均Ｅｕに対する露光メモリーを示す。図１９に光導電層中の平均ＤＯＳに対する露光メモリーを示す。図２０に光導電層中の平均Ｅｕに対する感度を示す。図２１に光導電層中の平均ＤＯＳに対する感度を示す。
【０２１７】
以上の結果から、膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲となる様にして、光導電層のＥｕとＤＯＳを層厚方向に連続的に変化させた場合（図８〜１５）のほうが、変化させない場合（図１６〜２１）より、より良好な電子写真特性が得られることが分かる。特に、温度特性、露光メモリーおよび感度のために好ましいことがわかった。また、いずれのサンプルの水素含有量も１０〜３０原子％の間であった。
【０２１８】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０２１９】
（実施例９）
本例では、実施例８の支持体温度とＰｏｗｅｒの可変範囲を代えた。表１１に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例８と同様とした。
【０２２０】
本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、それぞれ層支持体側（初期）にて、４９ｍｅＶ、２．２×１０１４ ｃｍ−３、層中間部にて、５５ｍｅＶ、９．８×１０１４ｃｍ−３、層表面側にて６３ｍｅＶ、１．３×１０１６ｃｍ−３であり、膜中平均でそれぞれ５６ｍｅＶ、４．７×１０１５ｃｍ−３であった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例８と同様の評価をしたところ実施例８と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０２２１】
これより、表面側でＥｕとＤＯＳが上記の範囲をはずれた部分があっても、膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることでより良好な電子写真特性が得られることがわかった。
【０２２２】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０２２３】
【表１１】
（実施例１０）
本例では、光導電層と表面層との間に、炭素原子の含有量を表面層より減らした中間層（下部表面層）を設けた。表１２に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例８と同様とした。
【０２２５】
本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、膜中平均でそれぞれ５５ｍｅＶ、２．２×１０１５ｃｍ−３であった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例８と同様の評価をしたところ実施例８と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０２２６】
すなわち、中間層（下部表面層）を設けた場合においても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることで良好な電子写真特性が得られることがわかった。
【０２２７】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０２２８】
【表１２】
（実施例１１）
本例では、実施例８の表面層に代えて、表面層のシリコンおよび炭素含有量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた。表１３に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例８と同様とした。
【０２３０】
本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、膜中平均でそれぞれ５２ｍｅＶ、５．７×１０１４ｃｍ−３であった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例８と同様の評価をしたところ実施例８と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０２３１】
すなわち、表面層の伝導性を制御する原子を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた場合においても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることで良好な電子写真特性が得られることがわかった。
【０２３２】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０２３３】
【表１３】
（実施例１２）
本例では、支持体と電荷注入阻止層との間に、支持体からの反射光による干渉模様の発生を防止するための光吸収層としてアモルファスシリコンゲルマニウムのＩＲ吸収層を設けた。表１４に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例８と同様とした。
【０２３５】
本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、膜中平均でそれぞれ５７ｍｅＶ、４．８×１０１５ｃｍ−３であった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例８と同様の評価をしたところ実施例８と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０２３６】
すなわち、支持体と電荷注入阻止層との間に、支持体からの反射光による干渉模様の発生を防止するための光吸収層としてＩＲ吸収層を設けた場合においても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることで良好な電子写真特性が得られることがわかった。
【０２３７】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０２３８】
【表１４】
（実施例１３）
本例では、実施例８のＲＦ−ＰＣＶＤ法に代えて、図３に示すＶＨＦ−ＰＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の製造装置を用い、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー上に、表１５に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる光受容部材を作製した。その時、光導電層作製条件を層厚方向で表１６に示すように連続的に変化させた。また、光導電層作製条件の放電電力はＳｉＨ４流量の３〜８倍までの電力で連続的に変化させて数種類の光受容部材を作製した。その時の光導電層のＥｕとＤＯＳは光導電層の支持体側作製条件と中間部作製条件と表面側作製条件の３点でのサンプルの値の単純平均をとって膜中平均とした。
【０２４０】
さらに、表１６と同様の一定作製条件で、直径１０８ｍｍ円筒形のサンプルホルダーに設置したガラス基板（コーニング社 ７０５９）ならびにＳｉウェハー上に数種類のａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガラス基板上の堆積膜にはＡｌの串型電極を蒸着して、ＣＰＭにより指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）と局在準位密度（ＤＯＳ）を測定した。また、ＳｉウェハーはＦＴＩＲで含有水素量を測定した。
他の点は実施例８と同様とした。
【０２４１】
作製した光受容部材は実施例８と同様に電子写真装置（キャノン製ＮＰ６１５０をテスト用に改造）にセットして、帯電能の温度依存性（温度特性）、露光メモリー（ブランク露光メモリー、ゴースト露光メモリー）、感度を評価した。
【０２４２】
このときの、放電電力と基板温度の関係、Ｅｕ、ＤＯＳと温度特性、露光メモリー、感度は実施例１と同様であり、良好な電子写真特性のためには膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満になる様に層厚方向に連続的に変化させることが好ましいことがわかった。
【０２４３】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０２４４】
【表１５】
【表１６】
（実施例１４）
本例では、伝導性を制御する原子として、炭素原子の代わりに窒素原子を表面層中に設けた。表１７に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例１３と同様とした。
【０２４７】
本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、それぞれ層支持体側（初期）にて、５１ｍｅＶ、３．８×１０１４ｃｍ−３、層中間部にて、５５ｍｅＶ、１．３×１０１５ｃｍ−３、層表面側にて５９ｍｅＶ、３．７×１０１５ｃｍ−３であり、膜中平均でそれぞれ５５ｍｅＶ、１．８×１０１５ｃｍ−３であった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例８と同様の評価をしたところ実施例８と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０２４８】
すなわち、伝導性を制御する原子として、炭素原子の代わりに窒素原子を表面層中に設けた場合においても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることで良好な電子写真特性が得られることがわかった。
【０２４９】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０２５０】
【表１７】
（実施例１５）
本例では、電荷注入阻止層は削除し、光導電層を、炭素原子を層厚方向に不均一な分布状態で含有する第１の層領域と実質的に炭素原子を含まない第２の層領域とで構成した。表１８に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例１２と同様とした。
【０２５２】
本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、膜中平均でそれぞれ５９ｍｅＶ、２．３×１０１５ｃｍ−３であった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例８と同様の評価をしたところ実施例８と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０２５３】
すなわち、電荷注入阻止層は削除し、光導電層を、炭素原子を層厚方向に不均一な分布状態で含有する第１の層領域と実質的に炭素原子を含まない第２の層領域とで構成した場合においても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることで良好な電子写真特性が得られることがわかった。
【０２５４】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０２５５】
【表１８】
（実施例１６）
本例では、光導電層と表面層との間に、炭素原子の含有量を表面層より減らした中間層（下部表面層）を設けると同時に、光導電層を機能分離化して、電荷輸送層と電荷発生層の２層化をはかり設けた。表１９に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例１２と同様とした。
【０２５７】
本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、膜中平均でそれぞれ５５ｍｅＶ、２×１０１５ｃｍ−３であった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例８と同様の評価をしたところ実施例８と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０２５８】
すなわち、光導電層と表面層との間に、炭素原子の含有量を表面層より減らした中間層（下部表面層）を設けると同時に、光導電層を、機能分離化して、電荷輸送層と電荷発生層の２層化をはかり設けた場合においても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることで良好な電子写真特性が得られることがわかった。
【０２５９】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０２６０】
【表１９】
（実施例１７）
図２に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の製造装置を用い、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー上に、表２０に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる光受容部材を作製した。その時、光導電層作製条件を層厚方向で表２１に示すように連続的に変化させた。また、光導電層作製条件の放電電力はＳｉＨ４流量の３〜８倍までの電力で層厚方向に連続的に変化させて数種類の光受容部材を作製した。その時の光導電層のＥｕとＤ．Ｏ．Ｓは光導電層の支持体側作製条件と中間部作製条件と表面側作製条件の３点でのサンプルの値の単純平均をとって膜中平均とした。
【０２６２】
作製した光受容部材は、電子写真装置（キヤノン製ＮＰ６１５０をテスト用に改造）にセットして、帯電能の温度依存性（温度特性）、強露光時の画像流れを評価した。温度特性は、光受容部材の温度を室温から約４５℃まで変えて帯電能を測定し、このときの温度１℃当たりの帯電能の変化を測定して、２Ｖ／ｄｅｇ以下を合格と判定した。
【０２６３】
また、強露光時の画像流れについては、画像を目視により判定した。従来をランク３（実用的）と判定し、１：非常に良好、２：良好、３：実用的、４：実用上問題なし、５：実用上やや難ある場合ありの５段階にランク分けした。また、ランクの判別が困難な場合は、１と２の間の場合はランク１．５の様に記した。
【０２６４】
一方、円筒形のサンプルホルダーに設置したガラス基板（コーニング社 ７０５９）ならびにＳｉウェハー上に数種類のａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガラス基板上の堆積膜にはＡｌの串型電極を蒸着して、ＣＰＭにより指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）と局在準位密度（ＤＯＳ）を測定した。また、ＳｉウェハーはＦＴＩＲで含有水素量を測定した。
【０２６５】
【表２０】
【表２１】
また、実施例１７の光導電層作製条件が層厚方向に変化していたのに代えて、光導電層作製条件を固定して電子写真用光受容部材を作製した。
表２２に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例１７と同様とした。
【０２６８】
【表２３】
実施例１７で作製した光受容部材の評価結果を、以下の図２２〜２７に示す。図２２に光導電層中における、Ｅｕの層厚方向分布を示す。図２３に光導電層中における、ＤＯＳの層厚方向分布を示す。図２４に光導電層中の平均Ｅｕに対する帯電能の温度依存性（温度特性）を示す。図２５に光導電層中の平均ＤＯＳに対する帯電能の温度依存性（温度特性）を示す。図２６に光導電層中の平均Ｅｕに対する強露光時の画像流れを示す。図２７に光導電層中の平均ＤＯＳに対するを強露光時の画像流れ示す。
【０２７０】
Ｅｕ，ＤＯＳを層厚方向に変化させずに作製した光受容部材の評価結果を、以下の図２８〜３１に示す。光導電層中におけるＥｕとＤＯＳは、サンプルの値の単純平均をとって膜中平均とした。
【０２７１】
図２８に光導電層中の平均Ｅｕに対する帯電能の温度依存性（温度特性）を示す。図２９に光導電層中の平均ＤＯＳに対する帯電能の温度依存性（温度特性）を示す。図３０に光導電層中の平均Ｅｕに対する強露光時の画像流れを示す。図３１に光導電層中の平均ＤＯＳに対するを強露光時の画像流れ示す。
【０２７２】
以上の結果から、膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲となる様に、光導電層のＥｕとＤＯＳを層厚方向に連続的に変化させた場合（図２２〜２５）のほうが、変化させない場合（図２８〜３１）より、一層良好な電子写真特性が得られることが分かる。特に、温度特性、露光メモリーおよび感度のために好ましいことがわかった。また、いずれのサンプルの水素含有量も１０〜３０原子％の間であった。
【０２７３】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０２７４】
（実施例１８）
本例では、実施例１７の支持体温度とＰｏｗｅｒの可変範囲を代えた。表２３に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
【０２７５】
他の点は実施例１７と同様とした。
【０２７６】
本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、それぞれ層支持体側（初期）にて、６４ｍｅＶ、２．０×１０１６ｃｍ−３、層中間部にて、５３ｍｅＶ、７．８×１０１４ｃｍ−３、層表面側にて４８ｍｅＶ、２．２×１０１４ ｃｍ−３であり、膜中平均でそれぞれ５５ｍｅＶ、７．０×１０１５ｃｍ−３であった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例１７と同様の評価をしたところ実施例１７と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０２７７】
これより、支持体側でＥｕとＤＯＳが本特許の範囲からはずれた部分があっても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることで良好な電子写真特性が得られることがわかった。
【０２７８】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０２７９】
【表２３】
（実施例１９）
本例では、光導電層と表面層との間に、炭素原子の含有量を表面層より減らした中間層（下部表面層）を設けた。表２４に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例１７と同様とした。
【０２８１】
本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、膜中平均でそれぞれ５３ｍｅＶ、１．２×１０１５ｃｍ−３であった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例１７と同様の評価をしたところ実施例１７と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０２８２】
すなわち、中間層（下部表面層）を設けた場合においても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることで良好な電子写真特性が得られることがわかった。
【０２８３】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０２８４】
【表２４】
（実施例２０）
本例では、実施例１７の表面層に代えて、表面層のシリコンおよび炭素含有量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた。表２５に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例１７と同様とした。
【０２８６】
本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、膜中平均でそれぞれ５１ｍｅＶ、６．７×１０１４ｃｍ−３であった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例１７と同様の評価をしたところ実施例１７と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０２８７】
すなわち、表面層のシリコンおよび炭素含有量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた場合においても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることで良好な電子写真特性が得られることがわかった。
【０２８８】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０２８９】
【表２５】
（実施例２１）
本例では、支持体と電荷注入阻止層との間に、支持体からの反射光による干渉模様の発生を防止するための光吸収層としてアモルファスシリコンゲルマニウムのＩＲ吸収層を設けた。表２６に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例１７と同様とした。
【０２９１】
本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、膜中平均でそれぞれ５８ｍｅＶ、４．２×１０１５ｃｍ−３であった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例１７と同様の評価をしたところ実施例１７と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０２９２】
すなわち、支持体と電荷注入阻止層との間に、支持体からの反射光による干渉模様の発生を防止するための光吸収層としてＩＲ吸収層を設けた場合においても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることで良好な電子写真特性が得られることがわかった。
【０２９３】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０２９４】
【表２６】
（実施例２２）
本例では、実施例１７のＲＦ−ＰＣＶＤ法に代えて、図３に示すＶＨＦ−ＰＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の製造装置を用い、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー上に、表２７に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる光受容部材を作製した。その時、光導電層作製条件を層厚方向で表２８に示すように連続的に変化させた。また、光導電層作製条件の放電電力はＳｉＨ４流量の３〜８倍までの電力で連続的に変化させて数種類の光受容部材を作製した。その時の光導電層のＥｕとＤＯＳは光導電層の支持体側作製条件と中間部作製条件と表面側作製条件の３点でのサンプルの値の単純平均をとって膜中平均とした。
【０２９６】
さらに、表２８と同様の一定作製条件で、直径１０８ｍｍ円筒形のサンプルホルダーに設置したガラス基板（コーニング社 ７０５９）ならびにＳｉウェハー上に数種類のａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガラス基板上の堆積膜にはＡｌの串型電極を蒸着して、ＣＰＭにより指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）と局在準位密度（ＤＯＳ）を測定した。また、ＳｉウェハーはＦＴＩＲで含有水素量を測定した。
他の点は実施例１７と同様とした。
【０２９７】
作製した光受容部材は実施例１７と同様に電子写真装置（キャノン製ＮＰ６１５０をテスト用に改造）にセットして、帯電能の温度依存性（温度特性）、強露光時の画像流れを評価した。
【０２９８】
このときの、放電電力と支持体温度の関係、Ｅｕ、ＤＯＳ．と温度特性、画像流れとの関係は実施例１７と同様であり、良好な電子写真特性のためには膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満になる様に層厚方向に連続的に変化させることが好ましいことがわかった。
【０２９９】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０３００】
【表２７】
【表２８】
（実施例２３）
本例では、伝導性を制御する原子として、炭素原子の代わりに窒素原子を表面層中に設けた。表２９に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例２２と同様とした。
【０３０３】
本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、それぞれ層支持体側（初期）にて、６２ｍｅＶ、５．８×１０１５ｃｍ−３、層中間部にて、５７ｍｅＶ、６．３×１０１４ｃｍ−３、層表面側にて４７ｍｅＶ、１．７×１０１４ｃｍ−３であり、膜中平均でそれぞれ５２ｍｅＶ、２．２×１０１５ｃｍ−３であった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例１７と同様の評価をしたところ実施例１７と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０３０４】
すなわち、伝導性を制御する原子として、炭素原子の代わりに窒素原子を表面層中に設けた場合においても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることで良好な電子写真特性が得られることがわかった。
【０３０５】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０３０６】
【表２９】
（実施例２４）
本例では、電荷注入阻止層は削除し、光導電層を、炭素原子を層厚方向に不均一な分布状態で含有する第１の層領域と実質的に炭素原子を含まない第２の層領域とで構成した。表３０に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例２１と同様とした。
【０３０８】
本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、膜中平均でそれぞれ５６ｍｅＶ、１．３×１０１５ｃｍ−３であった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例１７と同様の評価をしたところ実施例１７と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０３０９】
すなわち、電荷注入阻止層は削除し、光導電層を、炭素原子を層厚方向に不均一な分布状態で含有する第１の層領域と実質的に炭素原子を含まない第２の層領域とで構成した場合においても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることで良好な電子写真特性が得られることがわかった。
【０３１０】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０３１１】
【表３０】
（実施例２５）
本例では、光導電層と表面層との間に、炭素原子の含有量を表面層より減らした中間層（下部表面層）を設けると同時に、光導電層を、機能分離化して、電荷輸送層と電荷発生層の２層化をはかり設けた。表３１に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例２１と同様とした。
【０３１３】
本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、膜中平均でそれぞれ５７ｍｅＶ、３×１０１５ｃｍ−３であった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例１７と同様の評価をしたところ実施例１７と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０３１４】
すなわち、光導電層と表面層との間に、炭素原子の含有量を表面層より減らした中間層（下部表面層）を設けると同時に、光導電層を、機能分離化して、電荷輸送層と電荷発生層の２層化をはかり設けた場合においても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満の範囲にすることで良好な電子写真特性が得られることがわかった。
【０３１５】
作製された光受容部材を実施例１と同様にキヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて良好な画像を得ることができた。
【０３１６】
【表３１】
【発明の効果】
本発明によれば、電子写真用光受容部材の使用温度領域での温度特性が飛躍的に改善され、同時に光メモリーの発生を抑制することができるために、電子写真用光受容部材の使用環境に対する安定性が向上し、ハーフトーンが鮮明に出てかつ解像力の高い高品質の画像を安定して得ることができる電子写真用光受容部材が得られる。
【０３１８】
また、本発明によれば、電子写真用光受容部材の使用温度領域での温度特性が飛躍的に改善され、同時に光メモリーの低減と光感度の向上を達成することができるために、電子写真用光受容部材の使用環境に対する安定性が向上し、ハーフトーンが鮮明に出てかつ解像力の高い高品質の画像を安定して得ることができる電子写真用光受容部材が得られる。
【０３１９】
また、本発明によれば、Ｓｉ−Ｈ２結合とＳｉ−Ｈ結合に起因する吸収ピークの吸収強度比を更に特定することにより、光受容部材の面内でのキャリアの走行性が均一化され、その結果、ハーフトーン画像における微細な濃度差いわゆるガサツキを一層低減することができる電子写真用光受容部材が得られる。
【０３２０】
したがって、本発明の電子写真用光受容部材を前述のごとき特定の構成としたことにより、ａ−Ｓｉで構成された従来の電子写真用光受容部材における諸問題をすべて解決することができ、特にきわめて優れた電気的特性、光学的特性、光導電的特性、画像特性、耐久性及び使用環境特性を示す。
【０３２１】
特に本発明の光受容部材は、光導電層をそのギャップ準位を格段に減少せしめたａ−Ｓｉで構成することによって、周囲環境の変動に対する表面電位の変化が抑制され、加えて光疲労や光メモリーの発生が実質的に無視し得るほどになく、極めて優れた電位特性、画像特性を有する。
【０３２２】
更に本発明の光受容部材は、光導電層をそのギャップ内準位を格段に減少せしめたａ−Ｓｉを連続的に分布した構成にすることによって、周囲環境の変動に対する表面電位の変化が抑制され、加えて強露光時の画像流れが実質的に無視し得るほどに改善され、極めて優れた電位特性、画像特性を有する。
【０３２３】
以上説明したように、ＥｕとＤＯＳの規定は構造的な乱れ具合と欠陥の数とを規定している。これによってトラップされたキャリアによって生じる問題点を解決できる。
なお、本発明は発明の主旨の範囲内で適宜変形、組合せが可能であることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【図１】電子写真用光受容部材の好適な実施態様例の層構成の一例を説明するための模式的層構成図である。
【図２】電子写真用光受容部材の光受容層を形成するための装置の一例で、ＲＦ帯の高周波を用いたグロー放電法による電子写真用光受容部材の製造装置の模式的説明図である。
【図３】電子写真用光受容部材の光受容層を形成するための装置の一例で、ＶＨＦ帯の高周波を用いたグロー放電法による電子写真用光受容部材の製造装置の模式的説明図である。
【図４】電子写真用光受容部材における光導電層のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と温度特性との関係を示す図である。
【図５】電子写真用光受容部材における光導電層の局在状態密度（ＤＯＳ）と光メモリーとの関係を示す図である。
【図６】電子写真用光受容部材における光導電層の局在状態密度（ＤＯＳ）と画像流れとの関係を示す図である。
【図７】電子写真用光受容部材における光導電層のＳｉ−Ｈ２結合とＳｉ−Ｈ結合の吸収ピーク強度比とハーフトーン濃度ムラ（ガサツキ）との関係を示す図である。
【図８】電子写真用光受容部材における光導電層の層厚方向位置とアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）との関係を示す図である。
【図９】電子写真用光受容部材における光導電層の層厚方向位置と局在状態密度（ＤＯＳ）との関係を示す図である。
【図１０】電子写真用光受容部材における光導電層のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と温度特性との関係を示す図である。
【図１１】電子写真用光受容部材における光導電層の局在状態密度（ＤＯＳ）と温度特性との関係を示す図である。
【図１２】電子写真用光受容部材における光導電層のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と露光メモリー評価ランクとの関係を示す図である。
【図１３】電子写真用光受容部材における光導電層の局在状態密度（ＤＯＳ）と露光メモリー評価ランクとの関係を示す図である。
【図１４】電子写真用光受容部材における光導電層のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と感度評価ランクとの関係を示す図である。
【図１５】電子写真用光受容部材における光導電層の局在状態密度（ＤＯＳ）と感度評価ランクとの関係を示す図である。
【図１６】電子写真用光受容部材における光導電層のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と温度特性との関係を示す図である。
【図１７】電子写真用光受容部材における光導電層の局在状態密度（ＤＯＳ）と温度特性との関係を示す図である。
【図１８】電子写真用光受容部材における光導電層のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と露光メモリー評価ランクとの関係を示す図である。
【図１９】電子写真用光受容部材における光導電層の局在状態密度（ＤＯＳ）と露光メモリー評価ランクとの関係を示す図である。
【図２０】電子写真用光受容部材における光導電層のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と感度評価ランクとの関係を示す図である。
【図２１】電子写真用光受容部材における光導電層の局在状態密度（ＤＯＳ）と感度評価ランクとの関係を示す図である。
【図２２】電子写真用光受容部材における光導電層の層厚方向位置とアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）との関係を示す図である。
【図２３】電子写真用光受容部材における光導電層の層厚方向位置と局在状態密度（ＤＯＳ）との関係を示す図である。
【図２４】電子写真用光受容部材における光導電層のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と温度特性との関係を示す図である。
【図２５】電子写真用光受容部材における光導電層の局在状態密度（ＤＯＳ）と温度特性との関係を示す図である。
【図２６】電子写真用光受容部材における光導電層のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と強露光時の画像流れとの関係を示す図である。
【図２７】電子写真用光受容部材における光導電層の局在状態密度（ＤＯＳ）と強露光時の画像流れとの関係を示す図である。
【図２８】電子写真用光受容部材における光導電層のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と温度特性との関係を示す図である。
【図２９】電子写真用光受容部材における光導電層の局在状態密度（ＤＯＳ）と温度特性との関係を示す図である。
【図３０】電子写真用光受容部材における光導電層のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と強露光時の画像流れとの関係を示す図である。
【図３１】電子写真用光受容部材における光導電層の局在状態密度（ＤＯＳ）と強露光時の画像流れとの関係を示す図である。
【符号の説明】
１００ 光受容部材、
１０１ 導電性支持体、
１０２ 光受容層、
１０３ 光導電層、
１０４ 表面層、
１０５ 電荷注入阻止層、
１０６ 電荷発生層、
１０７ 電荷輸送層、
１１０ 自由表面、
２１００、３１００ 堆積装置、
２１１１、３１１１ 反応容器、
２１１２、３１１２ 円筒状支持体、
２１１３、３１１３ 支持体加熱用ヒーター、
２１１４ 原料ガス導入管、
２１１５、３１１６ マッチングボックス、
２１１６ 原料ガス配管、
２１１７ 反応容器リークバルブ、
２１１８ メイン排気バルブ、
２１１９ 真空計、
２２００ 原料ガス供給装置、
２２１１〜２２１６ マスフローコントローラー、
２２２１〜２２２６ 原料ガスボンベ、
２２３１〜２２３６ 原料ガスボンベバルブ、
２２４１〜２２４６ ガス流入バルブ、
２２５１〜２２５６ ガス流出バルブ、
２２６１〜２２６６ 圧力調整器、
３１１５ 電極、
３１２０ 支持体回転用モーター、
３１２１ 排気管、
３１３０ 放電空間。
Claims (12)
- 導電性支持体と、該導電性支持体の表面上に、シリコン原子を母体として水素原子及び／またはハロゲン原子を含有する非単結晶材料の光導電性を示す光導電層を有する光受容層とを少なくとも有する電子写真用光受容部材において、該光導電層がＲＦ帯の周波数又は、ＶＨＦ帯の周波数を用い、希釈ガスの流量とシリコン供給用ガスの流量との比を３〜２０とし、前記シリコン供給用ガス流量に対する放電電力の比を２．５〜６とするように制御された、高周波プラズマＣＶＤ法により形成された領域を有しており、該光導電層が１０〜３０原子％の水素を含有し、該光導電層の少なくとも光の入射する部分における光吸収スペクトルから得られる指数関数裾の特性エネルギーが層中平均で５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下であり、かつ該光導電層における局在状態密度が層中平均で１×１０１４ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３未満でありことを特徴とする電子写真用光受容部材。（但し、前記光導電層の層厚方向に炭素原子が均一に含有される場合を除く。）
- 該光導電層の赤外吸収スペクトルから得られるＳｉ−Ｈ２結合とＳｉ−Ｈ結合の吸収ピーク強度比が０．１〜０．５である請求項１に記載の電子写真用光受容部材。
- 前記光導電層中に、周期律表第ＩＩＩｂ族に属する元素の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の電子写真用光受容部材。
- 前記光導電層中に炭素、酸素、窒素の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１乃至３に記載の電子写真用光受容部材。
- 前記光導電層の層厚が２０〜５０μｍである請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子写真用光受容部材。
- 前記光受容層が、シリコン原子を母体とする非単結晶材料から成る光導電層と、該光導電層の表面上に設けた、炭素、酸素、窒素の少なくとも一つを含むシリコン系非単結晶材料の表面層とから構成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子写真用光受容部材。
- 前記光受容層が、シリコン原子を母体とし炭素、酸素、窒素の少なくとも一つ及び周期律表第ＩＩＩｂ族または第Ｖｂ族から選ばれる元素の少なくとも一つを含む非単結晶材料の電荷注入阻止層と、該電荷注入阻止層の表面上に設けた、シリコン原子を母体とする非単結晶材料から成る光導電層と、該光導電層の表面上に設けた、炭素、酸素、窒素の少なくとも一つを含むシリコン系非単結晶材料の表面層とから構成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子写真用光受容部材。
- 前記表面層の層厚が０．０１〜３μｍであることを特徴とする請求項６または７のいずれか１項に記載の電子写真用光受容部材。
- 前記電荷注入阻止層の層厚が０．１〜５μｍであることを特徴とする請求項７に記載の電子写真用光受容部材。
- 前記特性エネルギー及び局在状態密度が層厚方向に変化している請求項１乃至９のいずれか１項に記載の電子写真用光受容部材。
- 前記特性エネルギー及び局在状態密度が支持体側から表面側に向かって連続的に増加している請求項１０に記載の電子写真用光受容部材。
- 前記特性エネルギー及び局在状態密度が支持体側から表面側に向かって連続的に減少している請求項１０に記載の電子写真用光受容部材。
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