JPH0815882A - 電子写真用光受容部材 - Google Patents
電子写真用光受容部材Info
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- JPH0815882A JPH0815882A JP7102800A JP10280095A JPH0815882A JP H0815882 A JPH0815882 A JP H0815882A JP 7102800 A JP7102800 A JP 7102800A JP 10280095 A JP10280095 A JP 10280095A JP H0815882 A JPH0815882 A JP H0815882A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光導電層のギャップ内準位を制御する事で、
環境安定性と光メモリーとを同時に改善し、優れた電位
特性と画像特性を有する電子写真用光受容部材を提供す
る。 【構成】 本発明の電子写真用光受容部材は、導電性支
持体と、該導電性支持体の表面上に、シリコン原子を母
体として水素原子及び／またはハロゲン原子を含有する
非単結晶材料の光導電性を示す光導電層を有する光受容
層とを少なくとも有する電子写真用光受容部材におい
て、該光導電層が１０〜３０原子％の水素を含有し、該
光導電層の少なくとも光の入射する部分における光吸収
スペクトルから得られる特性エネルギーが５０ｍｅＶ以
上６０ｍｅＶ以下であり、かつ該光導電層における局在
状態密度を１×１０14ｃｍ-3以上１×１０16ｃｍ-3未満
とすることを特徴とする。
環境安定性と光メモリーとを同時に改善し、優れた電位
特性と画像特性を有する電子写真用光受容部材を提供す
る。 【構成】 本発明の電子写真用光受容部材は、導電性支
持体と、該導電性支持体の表面上に、シリコン原子を母
体として水素原子及び／またはハロゲン原子を含有する
非単結晶材料の光導電性を示す光導電層を有する光受容
層とを少なくとも有する電子写真用光受容部材におい
て、該光導電層が１０〜３０原子％の水素を含有し、該
光導電層の少なくとも光の入射する部分における光吸収
スペクトルから得られる特性エネルギーが５０ｍｅＶ以
上６０ｍｅＶ以下であり、かつ該光導電層における局在
状態密度を１×１０14ｃｍ-3以上１×１０16ｃｍ-3未満
とすることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光（ここでは広義の光で
あって、紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線などを
意味する）のような電磁波に対して感受性のある電子写
真用光受容部材に関する。
あって、紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線などを
意味する）のような電磁波に対して感受性のある電子写
真用光受容部材に関する。
【０００２】
【従来の技術】像形成分野において、光受容部材におけ
る光受容層を形成する光導電材料としては、高感度で、
ＳＮ比〔光電流（Ｉp）／暗電流（Ｉd）〕が高く、照射
する電磁波のスペクトル特性に適合した吸収スペクトル
を有すること、光応答性が早く、所望の暗抵抗値を有す
ること、使用時において人体に対して無害であること、
等の特性が要求される。特に、事務機としてオフィスで
使用される電子写真装置内に組み込まれる電子写真用光
受容部材の場合には、上記の使用時における無公害性は
重要な点である。
る光受容層を形成する光導電材料としては、高感度で、
ＳＮ比〔光電流（Ｉp）／暗電流（Ｉd）〕が高く、照射
する電磁波のスペクトル特性に適合した吸収スペクトル
を有すること、光応答性が早く、所望の暗抵抗値を有す
ること、使用時において人体に対して無害であること、
等の特性が要求される。特に、事務機としてオフィスで
使用される電子写真装置内に組み込まれる電子写真用光
受容部材の場合には、上記の使用時における無公害性は
重要な点である。
【０００３】この様な点に優れた性質を示す光導電材料
に水素化アモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ：
Ｈ」と表記する）があり、例えば、米国特許公報第４，
２６５，９９１号には電子写真用光受容部材としての応
用が記載されている。
に水素化アモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ：
Ｈ」と表記する）があり、例えば、米国特許公報第４，
２６５，９９１号には電子写真用光受容部材としての応
用が記載されている。
【０００４】このようなａ−Ｓｉ：Ｈを有する電子写真
用光受容部材は、一般的には、導電性支持体を５０℃〜
３５０℃に加熱し、該支持体上に真空蒸着法、スパッタ
リング法、イオンプレーティング法、熱ＣＶＤ法、光Ｃ
ＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の成膜法によりａ−Ｓｉか
らなる光導電層を形成する。なかでもプラズマＣＶＤ
法、すなわち、原料ガスを直流または高周波あるいはマ
イクロ波グロー放電によって分解し、支持体上にａ−Ｓ
ｉ堆積膜を形成する方法が好適なものとして実用に付さ
れている。
用光受容部材は、一般的には、導電性支持体を５０℃〜
３５０℃に加熱し、該支持体上に真空蒸着法、スパッタ
リング法、イオンプレーティング法、熱ＣＶＤ法、光Ｃ
ＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の成膜法によりａ−Ｓｉか
らなる光導電層を形成する。なかでもプラズマＣＶＤ
法、すなわち、原料ガスを直流または高周波あるいはマ
イクロ波グロー放電によって分解し、支持体上にａ−Ｓ
ｉ堆積膜を形成する方法が好適なものとして実用に付さ
れている。
【０００５】また、独国公開公報第３０４６５０９号に
は、導電性支持体と、ハロゲン原子を構成要素として含
むａ−Ｓｉ（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｘ」と表記する）光導
電層を有する電子写真用光受容部材が提案されている。
当該公報においては、ａ−Ｓｉにハロゲン原子を１乃至
４０原子％含有させることにより、耐熱性が高く、電子
写真用光受容部材の光導電層として良好な電気的、光学
的特性を得ることができるとしている。
は、導電性支持体と、ハロゲン原子を構成要素として含
むａ−Ｓｉ（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｘ」と表記する）光導
電層を有する電子写真用光受容部材が提案されている。
当該公報においては、ａ−Ｓｉにハロゲン原子を１乃至
４０原子％含有させることにより、耐熱性が高く、電子
写真用光受容部材の光導電層として良好な電気的、光学
的特性を得ることができるとしている。
【０００６】また、特開昭５７−１１５５５６号公報に
は、ａ−Ｓｉ堆積膜で構成された光導電層を有する光導
電部材の、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的、光
学的、光導電的特性及び耐湿性等の使用環境特性、さら
には経時的安定性について改善を図るため、シリコン原
子を母体としたアモルファス材料で構成された光導電層
上に、シリコン原子及び炭素原子を含む非光導電性のア
モルファス材料で構成された表面障壁層を設ける技術が
記載されている。更に、米国特許公報第４，６５９，６
３９号には、アモルファスシリコン、炭素、酸素及び弗
素を含有してなる透光絶縁性オーバーコート層を積層す
る感光体についての技術が記載され、米国特許公報第
４，７８８，１２０号には、表面層として、シリコン原
子と炭素原子と４１〜７０原子％の水素原子を構成要素
として含む非晶質材料を用いる技術が記載されている。
は、ａ−Ｓｉ堆積膜で構成された光導電層を有する光導
電部材の、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的、光
学的、光導電的特性及び耐湿性等の使用環境特性、さら
には経時的安定性について改善を図るため、シリコン原
子を母体としたアモルファス材料で構成された光導電層
上に、シリコン原子及び炭素原子を含む非光導電性のア
モルファス材料で構成された表面障壁層を設ける技術が
記載されている。更に、米国特許公報第４，６５９，６
３９号には、アモルファスシリコン、炭素、酸素及び弗
素を含有してなる透光絶縁性オーバーコート層を積層す
る感光体についての技術が記載され、米国特許公報第
４，７８８，１２０号には、表面層として、シリコン原
子と炭素原子と４１〜７０原子％の水素原子を構成要素
として含む非晶質材料を用いる技術が記載されている。
【０００７】さらに、米国特許公報第４、４０９、３１
１号には、水素を１０〜４０原子％含有し、赤外吸収ス
ペクトルの２１００ｃｍ-1と２０００ｃｍ-1の吸収ピー
クの吸収係数比が０．２〜１．７であるａ−Ｓｉ：Ｈを
光導電層に用いることにより高感度で高抵抗な電子写真
用感光体が得られることが記載されている。
１号には、水素を１０〜４０原子％含有し、赤外吸収ス
ペクトルの２１００ｃｍ-1と２０００ｃｍ-1の吸収ピー
クの吸収係数比が０．２〜１．７であるａ−Ｓｉ：Ｈを
光導電層に用いることにより高感度で高抵抗な電子写真
用感光体が得られることが記載されている。
【０００８】一方、米国特許公報第４，６０７，９３６
号には、アモルファスシリコン感光体の画像品質向上の
ために、感光体表面近傍の温度を３０乃至４０℃に維持
して帯電、露光、現像及び転写といった画像形成行程を
行うことにより、感光体表面での水分の吸着による表面
抵抗の低下とそれに伴って発生する画像流れを防止する
技術が開示されている。
号には、アモルファスシリコン感光体の画像品質向上の
ために、感光体表面近傍の温度を３０乃至４０℃に維持
して帯電、露光、現像及び転写といった画像形成行程を
行うことにより、感光体表面での水分の吸着による表面
抵抗の低下とそれに伴って発生する画像流れを防止する
技術が開示されている。
【０００９】これらの技術により、電子写真用光受容部
材の電気的、光学的、光導電的特性及び使用環境特性が
向上し、それに伴って画像品質も向上してきた。
材の電気的、光学的、光導電的特性及び使用環境特性が
向上し、それに伴って画像品質も向上してきた。
【００１０】しかしながら、ａ−Ｓｉ系材料で構成され
た光導電層を有する電子写真用光受容部材は、暗抵抗
値、光感度、光応答性等の電気的、光学的、光導電的特
性、及び使用環境特性の点、さらには経時安定性及び耐
久性の点において、各々個々には特性の向上が図られて
はいるが、総合的な特性向上を図る上でさらに改良され
る余地が存在するのが実情である。
た光導電層を有する電子写真用光受容部材は、暗抵抗
値、光感度、光応答性等の電気的、光学的、光導電的特
性、及び使用環境特性の点、さらには経時安定性及び耐
久性の点において、各々個々には特性の向上が図られて
はいるが、総合的な特性向上を図る上でさらに改良され
る余地が存在するのが実情である。
【００１１】特に、電子写真装置の高画質、高速化、高
耐久化は急速に進んでおり、電子写真用光受容部材にお
いては電気的特性や光導電特性の更なる向上とともに、
帯電能、感度を維持しつつあらゆる環境下で大幅に性能
を延ばすことが求められている。
耐久化は急速に進んでおり、電子写真用光受容部材にお
いては電気的特性や光導電特性の更なる向上とともに、
帯電能、感度を維持しつつあらゆる環境下で大幅に性能
を延ばすことが求められている。
【００１２】そして、電子写真装置の画像特性向上のた
めに電子写真装置内の光学露光装置、現像装置、転写装
置等の改良がなされた結果、電子写真用光受容部材にお
いても従来以上の画像特性の向上が求められるようにな
った。
めに電子写真装置内の光学露光装置、現像装置、転写装
置等の改良がなされた結果、電子写真用光受容部材にお
いても従来以上の画像特性の向上が求められるようにな
った。
【００１３】このような状況下において、前述した従来
技術により上記課題についてある程度の特性向上が可能
になってはきたが、更なる帯電能や画像品質の向上に関
しては未だ充分とはいえない。特にアモルファスシリコ
ン系光受容部材の更なる高画質化への課題として、周囲
温度の変化による電子写真特性の変動や光疲労あるいは
ブランクメモリーやゴーストといった光メモリーを低減
することがいっそう求められるようになってきた。
技術により上記課題についてある程度の特性向上が可能
になってはきたが、更なる帯電能や画像品質の向上に関
しては未だ充分とはいえない。特にアモルファスシリコ
ン系光受容部材の更なる高画質化への課題として、周囲
温度の変化による電子写真特性の変動や光疲労あるいは
ブランクメモリーやゴーストといった光メモリーを低減
することがいっそう求められるようになってきた。
【００１４】例えば、従来は感光体の画像流れの防止の
ために前記米国特許公報第４，６０７，９３６号に記載
されているように、複写機内に感光体を加熱保持するた
めのドラムヒーターを設置して感光体の表面温度を４０
℃程度に保っていた。しかしながら、従来の感光体では
前露光キャリアや熱励起キャリアの生成に起因した帯電
能の温度依存性、いわゆる温度特性が大きく、複写機内
の実際の使用環境下では本来感光体が有しているよりも
帯電能が低い状態で使用せざるをえなかった。例えば、
室温での使用時に比べてドラムヒーターで４０℃程度に
加熱している状態では帯電能が１００Ｖ近く低下してし
まう場合があった。
ために前記米国特許公報第４，６０７，９３６号に記載
されているように、複写機内に感光体を加熱保持するた
めのドラムヒーターを設置して感光体の表面温度を４０
℃程度に保っていた。しかしながら、従来の感光体では
前露光キャリアや熱励起キャリアの生成に起因した帯電
能の温度依存性、いわゆる温度特性が大きく、複写機内
の実際の使用環境下では本来感光体が有しているよりも
帯電能が低い状態で使用せざるをえなかった。例えば、
室温での使用時に比べてドラムヒーターで４０℃程度に
加熱している状態では帯電能が１００Ｖ近く低下してし
まう場合があった。
【００１５】また、従来は複写機を使用しない夜間でも
ドラムヒーターに通電して、帯電器のコロナ放電によっ
て生成されたオゾン生成物が夜間に感光体表面に吸着す
ることによって発生する画像流れを防止するようにして
いた。しかし、現在では省資源・省電力のために複写機
の夜間通電を極力行わないようになってきている。
ドラムヒーターに通電して、帯電器のコロナ放電によっ
て生成されたオゾン生成物が夜間に感光体表面に吸着す
ることによって発生する画像流れを防止するようにして
いた。しかし、現在では省資源・省電力のために複写機
の夜間通電を極力行わないようになってきている。
【００１６】このような状態で連続複写をすると複写機
内の感光体周囲温度が徐々に上昇し、それにつれて帯電
能が低下して、複写中に画像濃度が変わってしまうとい
う問題が生じていた。
内の感光体周囲温度が徐々に上昇し、それにつれて帯電
能が低下して、複写中に画像濃度が変わってしまうとい
う問題が生じていた。
【００１７】一方、従来の感光体では、同一原稿を連続
して繰り返し複写すると、画像露光による感光体の光疲
労のために、画像濃度の低下やかぶりが生じることがあ
った。
して繰り返し複写すると、画像露光による感光体の光疲
労のために、画像濃度の低下やかぶりが生じることがあ
った。
【００１８】また、トナーを節約するために連続複写時
の紙間において感光体に照射される、いわゆるブランク
露光の影響によって複写画像上に濃度差が生じるブラン
クメモリーや、前回の複写行程の像露光の残像が次回の
複写時に画像上に生じる、いわゆるゴースト現象等の露
光メモリーが画像品質を向上させる上で問題になってき
た。
の紙間において感光体に照射される、いわゆるブランク
露光の影響によって複写画像上に濃度差が生じるブラン
クメモリーや、前回の複写行程の像露光の残像が次回の
複写時に画像上に生じる、いわゆるゴースト現象等の露
光メモリーが画像品質を向上させる上で問題になってき
た。
【００１９】また、光メモリー改善と、装置の小型化や
エコロジー問題、省エネルギーの点から、像露光装置の
低光量化と小型化が求められており、それに対応するた
めに感光体の光感度の改善を進めなければならない状況
にある。
エコロジー問題、省エネルギーの点から、像露光装置の
低光量化と小型化が求められており、それに対応するた
めに感光体の光感度の改善を進めなければならない状況
にある。
【００２０】さらに、従来の感光体では色地の原稿から
コントラストの強い画像を得ようとして露光量を上げた
時に、強露光の照射により大量の光キャリアが生成さ
れ、この光キャリアが動きやすい部分へと集中して流れ
込む現象が生じる。この現象のために、文字部分がぼや
けてしまう強露光時の画像流れ、いわゆるＥＶ流れが発
生するという問題が生じていた。
コントラストの強い画像を得ようとして露光量を上げた
時に、強露光の照射により大量の光キャリアが生成さ
れ、この光キャリアが動きやすい部分へと集中して流れ
込む現象が生じる。この現象のために、文字部分がぼや
けてしまう強露光時の画像流れ、いわゆるＥＶ流れが発
生するという問題が生じていた。
【００２１】したがって、電子写真用光受容部材を設計
する際に、上記したような問題が解決されるように電子
写真用光受容部材の層構成、各層の化学的組成など総合
的な観点からの改良を図るとともに、ａ−Ｓｉ材料その
ものの一段の特性改良を図ることが必要とされている。
する際に、上記したような問題が解決されるように電子
写真用光受容部材の層構成、各層の化学的組成など総合
的な観点からの改良を図るとともに、ａ−Ｓｉ材料その
ものの一段の特性改良を図ることが必要とされている。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述のごと
きａ−Ｓｉで構成された従来の光受容層を有する電子写
真用光受容部材に於ける諸問題を解決することを目的と
するものである。
きａ−Ｓｉで構成された従来の光受容層を有する電子写
真用光受容部材に於ける諸問題を解決することを目的と
するものである。
【００２３】即ち、本発明の主たる目的は、電気的、光
学的、光導電的特性が使用環境にほとんど依存すること
なく実質的に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰り
返し使用に際しては劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性
に優れ、残留電位がほとんど観測されず、更に画像品質
の良好な、シリコン原子を母体とした非単結晶材料で構
成された光受容層を有する電子写真用光受容部材を提供
することにある。
学的、光導電的特性が使用環境にほとんど依存すること
なく実質的に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰り
返し使用に際しては劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性
に優れ、残留電位がほとんど観測されず、更に画像品質
の良好な、シリコン原子を母体とした非単結晶材料で構
成された光受容層を有する電子写真用光受容部材を提供
することにある。
【００２４】本発明は、温度特性や光メモリーを低減し
て画像品質を飛躍的に向上させた、シリコン原子を母体
とした非単結晶材料で構成された光受容層を有する電子
写真用光受容部材を提供することを目的とする。
て画像品質を飛躍的に向上させた、シリコン原子を母体
とした非単結晶材料で構成された光受容層を有する電子
写真用光受容部材を提供することを目的とする。
【００２５】また、本発明は、温度特性や光メモリーを
低減し、光感度が向上して画像品質を飛躍的に向上させ
た、シリコン原子を母体とした非単結晶材料で構成され
た光受容層を有する電子写真用光受容部材を提供するこ
とを目的とする。
低減し、光感度が向上して画像品質を飛躍的に向上させ
た、シリコン原子を母体とした非単結晶材料で構成され
た光受容層を有する電子写真用光受容部材を提供するこ
とを目的とする。
【００２６】更に、本発明は、温度特性や強露光時の画
像流れを低減し、画像品質を飛躍的に向上させた、シリ
コン原子を母体とした非単結晶材料で構成された光受容
層を有する電子写真用光受容部材を提供することを目的
とする。
像流れを低減し、画像品質を飛躍的に向上させた、シリ
コン原子を母体とした非単結晶材料で構成された光受容
層を有する電子写真用光受容部材を提供することを目的
とする。
【００２７】
【課題を解決するための手段】本発明の電子写真用光受
容部材は、導電性支持体と、該導電性支持体の表面上
に、シリコン原子を母体として水素原子及び／またはハ
ロゲン原子を含有する非単結晶材料の光導電性を示す光
導電層を有する光受容層とを少なくとも有する電子写真
用光受容部材において、該光導電層が１０〜３０原子％
の水素を含有し、該光導電層の少なくとも光の入射する
部分における光吸収スペクトルから得られる指数関数裾
の特性エネルギーが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下であ
り、かつ該光導電層における局在状態密度が１×１０14
ｃｍ-3以上１×１０16ｃｍ-3未満であることを特徴とす
る。
容部材は、導電性支持体と、該導電性支持体の表面上
に、シリコン原子を母体として水素原子及び／またはハ
ロゲン原子を含有する非単結晶材料の光導電性を示す光
導電層を有する光受容層とを少なくとも有する電子写真
用光受容部材において、該光導電層が１０〜３０原子％
の水素を含有し、該光導電層の少なくとも光の入射する
部分における光吸収スペクトルから得られる指数関数裾
の特性エネルギーが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下であ
り、かつ該光導電層における局在状態密度が１×１０14
ｃｍ-3以上１×１０16ｃｍ-3未満であることを特徴とす
る。
【００２８】
【作用】一般的に、ａ−Ｓｉ：Ｈのバンドギャップ内に
は、Ｓｉ−Ｓｉ結合の構造的な乱れにもとづくテイル
（裾）準位と、Ｓｉの未結合手（ダングリングボンド）
等の構造欠陥に起因する深い準位が存在する。これらの
準位は電子、正孔の捕獲、再結合中心として働き素子の
特性を低下させる原因になることが知られている。
は、Ｓｉ−Ｓｉ結合の構造的な乱れにもとづくテイル
（裾）準位と、Ｓｉの未結合手（ダングリングボンド）
等の構造欠陥に起因する深い準位が存在する。これらの
準位は電子、正孔の捕獲、再結合中心として働き素子の
特性を低下させる原因になることが知られている。
【００２９】このようなバンドギャップ中の局在準位の
状態を測定する方法として、一般に深準位分光法、等温
容量過渡分光法、光熱偏向分光法、光音響分光法、一定
光電流法等が用いられている。中でも一定光電流法［Co
nstant Photocurrent Method：以後、「ＣＰＭ」と略記
する］は、ａ−Ｓｉ：Ｈの局在準位に基くサブギャップ
光吸収スペクトルを簡便に測定する方法として有用であ
る。
状態を測定する方法として、一般に深準位分光法、等温
容量過渡分光法、光熱偏向分光法、光音響分光法、一定
光電流法等が用いられている。中でも一定光電流法［Co
nstant Photocurrent Method：以後、「ＣＰＭ」と略記
する］は、ａ−Ｓｉ：Ｈの局在準位に基くサブギャップ
光吸収スペクトルを簡便に測定する方法として有用であ
る。
【００３０】本発明者らは、ＣＰＭによって測定された
光吸収スペクトルから求められる指数関数裾（アーバッ
クテイル）の特性エネルギー（以下、「Ｅｕ」と略記す
る）や局在状態密度（以下、「ＤＯＳ」と略記する）と
感光体特性との相関を種々の条件に渡って調べた結果、
Ｅｕ及びＤＯＳがａ−Ｓｉ感光体の温度特性や光メモリ
ーと密接な関係にあることを見いだし、本発明を完成す
るに至った。
光吸収スペクトルから求められる指数関数裾（アーバッ
クテイル）の特性エネルギー（以下、「Ｅｕ」と略記す
る）や局在状態密度（以下、「ＤＯＳ」と略記する）と
感光体特性との相関を種々の条件に渡って調べた結果、
Ｅｕ及びＤＯＳがａ−Ｓｉ感光体の温度特性や光メモリ
ーと密接な関係にあることを見いだし、本発明を完成す
るに至った。
【００３１】ドラムヒーター等で感光体を加熱したとき
に帯電能が低下する原因として、熱励起されたキャリア
が帯電時の電界に引かれてバンド裾の局在準位やバンド
ギャップ内の深い局在準位への捕獲、放出を繰り返しな
がら表面に走行し、表面電荷を打ち消してしまうことが
挙げられる。この時、帯電器を通過する間に表面に到達
するしたキャリアについては帯電能の低下にはほとんど
影響がないが、深い準位に捕獲されたキャリアは、帯電
器を通過した後に表面へ到達して表面電荷を打ち消すた
めに温度特性として観測される。また、帯電器を通過し
た後に熱励起されたキャリアも表面電荷を打ち消し帯電
能の低下を引き起こす。したがって、感光体の使用温度
領域における熱励起キャリアの生成を抑え、なおかつキ
ャリアの走行性を向上させることが温度特性の向上のた
めに必要である。
に帯電能が低下する原因として、熱励起されたキャリア
が帯電時の電界に引かれてバンド裾の局在準位やバンド
ギャップ内の深い局在準位への捕獲、放出を繰り返しな
がら表面に走行し、表面電荷を打ち消してしまうことが
挙げられる。この時、帯電器を通過する間に表面に到達
するしたキャリアについては帯電能の低下にはほとんど
影響がないが、深い準位に捕獲されたキャリアは、帯電
器を通過した後に表面へ到達して表面電荷を打ち消すた
めに温度特性として観測される。また、帯電器を通過し
た後に熱励起されたキャリアも表面電荷を打ち消し帯電
能の低下を引き起こす。したがって、感光体の使用温度
領域における熱励起キャリアの生成を抑え、なおかつキ
ャリアの走行性を向上させることが温度特性の向上のた
めに必要である。
【００３２】さらに、光メモリーはブランク露光や像露
光によって生じた光キャリアがバンドギャップ内の局在
準位に捕獲され、光導電層内にキャリアが残留すること
によって生じる。すなわち、ある複写行程において生じ
た光キャリアのうち光導電層内に残留したキャリアが、
次回の帯電時あるいはそれ以降に表面電荷による電界に
よって掃き出され、光の照射された部分の電位が他の部
分よりも低くなり、その結果画像上に濃淡が生じる。し
たがって、光キャリアが光導電層内に残留することな
く、１回の複写行程で走行するように、キャリアの走行
性を改善しなければならない。
光によって生じた光キャリアがバンドギャップ内の局在
準位に捕獲され、光導電層内にキャリアが残留すること
によって生じる。すなわち、ある複写行程において生じ
た光キャリアのうち光導電層内に残留したキャリアが、
次回の帯電時あるいはそれ以降に表面電荷による電界に
よって掃き出され、光の照射された部分の電位が他の部
分よりも低くなり、その結果画像上に濃淡が生じる。し
たがって、光キャリアが光導電層内に残留することな
く、１回の複写行程で走行するように、キャリアの走行
性を改善しなければならない。
【００３３】したがって、本発明のごとくＥｕ及びＤＯ
Ｓを制御することにより、熱励起キャリアの生成が抑え
られ、なおかつ熱励起キャリアや光キャリアが局在準位
に捕獲される割合を小さくすることができるためにキャ
リアの走行性が著しく改善される。その結果、電子写真
用光受容部材の使用温度領域での温度特性が飛躍的に改
善され、同時に光メモリーの発生を抑制することができ
るために、電子写真用光受容部材の使用環境に対する安
定性が向上し、ハーフトーンが鮮明に出てかつ解像力の
高い高品質の画像を安定して得ることができる。
Ｓを制御することにより、熱励起キャリアの生成が抑え
られ、なおかつ熱励起キャリアや光キャリアが局在準位
に捕獲される割合を小さくすることができるためにキャ
リアの走行性が著しく改善される。その結果、電子写真
用光受容部材の使用温度領域での温度特性が飛躍的に改
善され、同時に光メモリーの発生を抑制することができ
るために、電子写真用光受容部材の使用環境に対する安
定性が向上し、ハーフトーンが鮮明に出てかつ解像力の
高い高品質の画像を安定して得ることができる。
【００３４】さらにＳｉ−Ｈ2結合とＳｉ−Ｈ結合に起
因する吸収ピークの吸収強度比を特定することにより、
光受容部材の面内でのキャリアの走行性が均一化され、
その結果、ハーフトーン画像における微細な濃度差いわ
ゆるガサツキを低減することができる。
因する吸収ピークの吸収強度比を特定することにより、
光受容部材の面内でのキャリアの走行性が均一化され、
その結果、ハーフトーン画像における微細な濃度差いわ
ゆるガサツキを低減することができる。
【００３５】故に、上記の構成をとるように設計された
本発明の電子写真用光受容部材は、前記した諸問題点の
全てを解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、画像品質、耐久性及び使用環境特性を示す。
本発明の電子写真用光受容部材は、前記した諸問題点の
全てを解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、画像品質、耐久性及び使用環境特性を示す。
【００３６】一方、露光によって生じた光キャリアは、
前記したようにバンドギャップ内の局在準位への捕獲・
放出を繰り返しながら表面へ電子が支持体側に正孔が走
行する。その時、光メモリーはブランク露光や像露光に
よって生じた光キャリアがバンドギャップ内の局在準位
に捕獲され、光導電層内にキャリアが残留することによ
って生じる。すなわち、ある複写行程において生じた光
キャリアのうち光導電層内に残留したキャリアが、次回
の帯電時あるいはそれ以降に表面電荷による電界によっ
て掃き出され、光の照射された部分の電位が他の部分よ
りも低くなり、その結果画像上に濃淡が生じる。したが
って、光キャリアが光導電層内に残留することなく、１
回の複写行程で走行するように、キャリアの走行性を改
善しなければならない。そこで、光キャリアの生成が比
較的表面側に近い位置で、主に起こっている事と、表面
側には電子が支持体側には正孔が走行し、正孔の走行性
が電子に比べ非常に小さい事などから、その正孔の支持
体の方向への走行性を上げる事が、光メモリーの低減と
光感度の向上にとって必要である。
前記したようにバンドギャップ内の局在準位への捕獲・
放出を繰り返しながら表面へ電子が支持体側に正孔が走
行する。その時、光メモリーはブランク露光や像露光に
よって生じた光キャリアがバンドギャップ内の局在準位
に捕獲され、光導電層内にキャリアが残留することによ
って生じる。すなわち、ある複写行程において生じた光
キャリアのうち光導電層内に残留したキャリアが、次回
の帯電時あるいはそれ以降に表面電荷による電界によっ
て掃き出され、光の照射された部分の電位が他の部分よ
りも低くなり、その結果画像上に濃淡が生じる。したが
って、光キャリアが光導電層内に残留することなく、１
回の複写行程で走行するように、キャリアの走行性を改
善しなければならない。そこで、光キャリアの生成が比
較的表面側に近い位置で、主に起こっている事と、表面
側には電子が支持体側には正孔が走行し、正孔の走行性
が電子に比べ非常に小さい事などから、その正孔の支持
体の方向への走行性を上げる事が、光メモリーの低減と
光感度の向上にとって必要である。
【００３７】したがって、本発明のごとくＥｕ及びＤＯ
Ｓの膜面内平均値を一定に制御し、しかもそれが支持体
側方向に向かって減少するように分布させることによ
り、熱励起キャリアの生成が抑えられ、なおかつキャリ
アが局在準位に捕獲される割合を小さくすると共に、正
孔の層厚方向支持体側への走行性が著しく改善される。
その結果、電子写真用光受容部材の使用温度領域での温
度特性が飛躍的に改善され、同時に光メモリーの低減と
光感度の向上を達成することができるために、電子写真
用光受容部材の使用環境に対する安定性が向上し、ハー
フトーンが鮮明に出てかつ解像力の高い高品質の画像を
安定して得ることができる。
Ｓの膜面内平均値を一定に制御し、しかもそれが支持体
側方向に向かって減少するように分布させることによ
り、熱励起キャリアの生成が抑えられ、なおかつキャリ
アが局在準位に捕獲される割合を小さくすると共に、正
孔の層厚方向支持体側への走行性が著しく改善される。
その結果、電子写真用光受容部材の使用温度領域での温
度特性が飛躍的に改善され、同時に光メモリーの低減と
光感度の向上を達成することができるために、電子写真
用光受容部材の使用環境に対する安定性が向上し、ハー
フトーンが鮮明に出てかつ解像力の高い高品質の画像を
安定して得ることができる。
【００３８】上記したような構成をとるように設計され
た本発明の電子写真用光受容部材は、前記した諸問題点
の全てを解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導
電的特性、画像品質、耐久性及び使用環境特性を示す。
た本発明の電子写真用光受容部材は、前記した諸問題点
の全てを解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導
電的特性、画像品質、耐久性及び使用環境特性を示す。
【００３９】また、像露光によって生じた光キャリア
は、前記したようにバンドギャップ内の局在準位への捕
獲・放出を繰り返しながら表面へと走行する。しかしな
がら、膜の面内方向でのキャリアの動きやすさが異なっ
ていると、強露光を照射して大量の光キャリアが生成さ
れた場合には、キャリアが動きやすい部分へと集中して
しまう。このために得られた画像がぼやけてしまい、Ｅ
Ｖ流れが生じる。したがって、光キャリアが光導電層内
で膜の面内方向への移動を極力抑え、大部分が層厚方向
にのみ走行するように、キャリアの走行性を改善する必
要がある。
は、前記したようにバンドギャップ内の局在準位への捕
獲・放出を繰り返しながら表面へと走行する。しかしな
がら、膜の面内方向でのキャリアの動きやすさが異なっ
ていると、強露光を照射して大量の光キャリアが生成さ
れた場合には、キャリアが動きやすい部分へと集中して
しまう。このために得られた画像がぼやけてしまい、Ｅ
Ｖ流れが生じる。したがって、光キャリアが光導電層内
で膜の面内方向への移動を極力抑え、大部分が層厚方向
にのみ走行するように、キャリアの走行性を改善する必
要がある。
【００４０】したがって、本発明のごとくＥｕ及びＤＯ
Ｓの膜面内平均値を一定に制御し、しかもそれが表面方
向に向かって減少するように分布させることにより、熱
励起キャリアの生成が抑えられ、なおかつキャリアが局
在準位に捕獲される割合を小さくすると共に、キャリア
の層厚方向への走行性が著しく改善される。その結果、
電子写真用光受容部材の使用温度領域での温度特性が飛
躍的に改善され、同時に強露光時の画像流れの発生を抑
制することができるために、電子写真用光受容部材の使
用環境に対する安定性が向上し、ハーフトーンが鮮明に
出てかつ解像力の高い高品質の画像を安定して得ること
ができる。
Ｓの膜面内平均値を一定に制御し、しかもそれが表面方
向に向かって減少するように分布させることにより、熱
励起キャリアの生成が抑えられ、なおかつキャリアが局
在準位に捕獲される割合を小さくすると共に、キャリア
の層厚方向への走行性が著しく改善される。その結果、
電子写真用光受容部材の使用温度領域での温度特性が飛
躍的に改善され、同時に強露光時の画像流れの発生を抑
制することができるために、電子写真用光受容部材の使
用環境に対する安定性が向上し、ハーフトーンが鮮明に
出てかつ解像力の高い高品質の画像を安定して得ること
ができる。
【００４１】上記したような構成をとるように設計され
た本発明の電子写真用光受容部材は、前記した諸問題点
の全てを解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導
電的特性、画像品質、耐久性及び使用環境特性を示す。
た本発明の電子写真用光受容部材は、前記した諸問題点
の全てを解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導
電的特性、画像品質、耐久性及び使用環境特性を示す。
【００４２】
【実施態様例】以下に、本発明の電子写真用光受容部材
を説明する。図１（ａ）乃至図１（ｅ）は、それぞれ本
発明の電子写真用光受容部材の好適な層構成の一例を説
明するための模式的構成図である。
を説明する。図１（ａ）乃至図１（ｅ）は、それぞれ本
発明の電子写真用光受容部材の好適な層構成の一例を説
明するための模式的構成図である。
【００４３】図１（ａ）に示す電子写真用光受容部材１
００は、光受容部材用としての支持体１０１の上に、光
受容層１０２が設けられている。該光受容層１０２は、
例えば水素原子及びハロゲン原子の少なくともいずれか
一方と、シリコン原子を含有する非単結晶材料の一つで
あるａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）を有し光導電性を有する光導電
層１０３を有する。
００は、光受容部材用としての支持体１０１の上に、光
受容層１０２が設けられている。該光受容層１０２は、
例えば水素原子及びハロゲン原子の少なくともいずれか
一方と、シリコン原子を含有する非単結晶材料の一つで
あるａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）を有し光導電性を有する光導電
層１０３を有する。
【００４４】図１（ｂ）は、本発明の電子写真用光受容
部材の他の層構成を説明するための模式的構成図であ
る。図１（ｂ）に示す電子写真用光受容部材１００は、
光受容部材用としての支持体１０１の上に、光受容層１
０２が設けられている。該光受容層１０２は、例えばａ
−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）を有する光導電性を有する光導電層１
０３と、アモルファスシリコン系表面層１０４とを有す
る。
部材の他の層構成を説明するための模式的構成図であ
る。図１（ｂ）に示す電子写真用光受容部材１００は、
光受容部材用としての支持体１０１の上に、光受容層１
０２が設けられている。該光受容層１０２は、例えばａ
−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）を有する光導電性を有する光導電層１
０３と、アモルファスシリコン系表面層１０４とを有す
る。
【００４５】図１（ｃ）は、本発明の電子写真用光受容
部材の他の層構成を説明するための模式的構成図であ
る。図１（ｃ）に示す電子写真用光受容部材１００は、
光受容部材用としての支持体１０１の上に、光受容層１
０２が設けられている。該光受容層１０２は、例えばａ
−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）を有する光導電性を有する光導電層１
０３と、アモルファスシリコン系表面層１０４と、アモ
ルファスシリコン系電荷注入阻止層１０５とを有する。
部材の他の層構成を説明するための模式的構成図であ
る。図１（ｃ）に示す電子写真用光受容部材１００は、
光受容部材用としての支持体１０１の上に、光受容層１
０２が設けられている。該光受容層１０２は、例えばａ
−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）を有する光導電性を有する光導電層１
０３と、アモルファスシリコン系表面層１０４と、アモ
ルファスシリコン系電荷注入阻止層１０５とを有する。
【００４６】図１（ｄ）は、本発明の電子写真用光受容
部材のさらに他の層構成を説明するための模式的構成図
である。図１（ｄ）に示す電子写真用光受容部材１００
は、光受容部材用としての支持体１０１の上に、光受容
層１０２が設けられている。該光受容層１０２は光導電
層１０３を構成するａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）の電荷発生層１
０６ならびに電荷輸送層１０７と、アモルファスシリコ
ン系表面層１０４とを有する。
部材のさらに他の層構成を説明するための模式的構成図
である。図１（ｄ）に示す電子写真用光受容部材１００
は、光受容部材用としての支持体１０１の上に、光受容
層１０２が設けられている。該光受容層１０２は光導電
層１０３を構成するａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）の電荷発生層１
０６ならびに電荷輸送層１０７と、アモルファスシリコ
ン系表面層１０４とを有する。
【００４７】（支持体）本発明において使用される支持
体としては、導電性でも電気絶縁性であってもよい。導
電性支持体としては、例えばＡｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，
Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｆｅ等の金
属、及びこれらの合金、例えばステンレス等が挙げられ
る。また、電気絶縁性材料としてポリエステル、ポリエ
チレン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポ
リプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリア
ミド等の合成樹脂のフィルムまたはシート、ガラス、セ
ラミック等を挙げることができる。本発明においてはこ
れら電気絶縁性支持体の少なくとも光受容層を作製する
側の表面を導電処理して支持体として用いることができ
る。
体としては、導電性でも電気絶縁性であってもよい。導
電性支持体としては、例えばＡｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，
Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｆｅ等の金
属、及びこれらの合金、例えばステンレス等が挙げられ
る。また、電気絶縁性材料としてポリエステル、ポリエ
チレン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポ
リプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリア
ミド等の合成樹脂のフィルムまたはシート、ガラス、セ
ラミック等を挙げることができる。本発明においてはこ
れら電気絶縁性支持体の少なくとも光受容層を作製する
側の表面を導電処理して支持体として用いることができ
る。
【００４８】本発明に於いて使用される支持体１０１の
形状は平滑表面あるいは微小な凹凸表面を有する円筒状
または板状無端ベルト状であることができ、その厚さ
は、所望通りの電子写真用光受容部材１００を作製し得
るように適宜決定する。電子写真用光受容部材１００と
しての可撓性が要求される場合には、支持体１０１とし
ての機能が充分発揮できる範囲内で可能な限り薄くする
ことができる。しかしながら、支持体１０１は製造上及
び取り扱い上、機械的強度等の点から通常は１０μｍ以
上とされる。
形状は平滑表面あるいは微小な凹凸表面を有する円筒状
または板状無端ベルト状であることができ、その厚さ
は、所望通りの電子写真用光受容部材１００を作製し得
るように適宜決定する。電子写真用光受容部材１００と
しての可撓性が要求される場合には、支持体１０１とし
ての機能が充分発揮できる範囲内で可能な限り薄くする
ことができる。しかしながら、支持体１０１は製造上及
び取り扱い上、機械的強度等の点から通常は１０μｍ以
上とされる。
【００４９】特にレーザー光などの可干渉性光を用いて
像記録を行う場合には、可視画像において現われる、い
わゆる干渉縞模様による画像不良をより効果適に解消す
るために、支持体１０１の表面に凹凸を設けてもよい。
支持体１０１の表面に設けられる凹凸は、米国特許公報
第４，６５０，７３６号、米国特許公報第４，６９６，
８８４号、米国特許公報第４，７０５，７３３号等に記
載された公知の方法により作製される。
像記録を行う場合には、可視画像において現われる、い
わゆる干渉縞模様による画像不良をより効果適に解消す
るために、支持体１０１の表面に凹凸を設けてもよい。
支持体１０１の表面に設けられる凹凸は、米国特許公報
第４，６５０，７３６号、米国特許公報第４，６９６，
８８４号、米国特許公報第４，７０５，７３３号等に記
載された公知の方法により作製される。
【００５０】また、レーザー光などの可干渉光を用いた
場合の干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消す
る別の方法として、支持体１０１の表面に複数の球状痕
跡窪みによる凹凸形状を設けてもよい。即ち、支持体１
０１の表面が電子写真用光受容部材１００に要求される
解像力よりも微少な凹凸を有し、しかも該凹凸は、複数
の球状痕跡窪みによるものである。支持体１０１の表面
に設けられる複数の球状痕跡窪みによる凹凸は、米国特
許公報第４，７３５，８８３号に記載された公知の方法
により作製される。
場合の干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消す
る別の方法として、支持体１０１の表面に複数の球状痕
跡窪みによる凹凸形状を設けてもよい。即ち、支持体１
０１の表面が電子写真用光受容部材１００に要求される
解像力よりも微少な凹凸を有し、しかも該凹凸は、複数
の球状痕跡窪みによるものである。支持体１０１の表面
に設けられる複数の球状痕跡窪みによる凹凸は、米国特
許公報第４，７３５，８８３号に記載された公知の方法
により作製される。
【００５１】（光導電層）本発明に於いて、その目的を
効果的に達成するために支持体１０１上に形成され、光
受容層１０２の少なくとも一部を構成する光導電層１０
３は、例えば真空堆積膜形成方法によって、所望特性が
得られるように適宜成膜パラメーターの数値条件が設定
され、また使用される原料ガスなどが選択されて作製さ
れる。具体的には、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ
法、高周波ＣＶＤ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流
放電ＣＶＤ法、あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッ
タリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、光
ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などの数々の薄膜堆積法によって
形成することができる。これらの薄膜堆積法は、製造条
件、設備資本投資下の負荷程度、製造規模、作製される
電子写真用光受容部材に所望される特性等の要因によっ
て適宜選択されて採用されるが、所望の特性を有する電
子写真用光受容部材を製造するに当たっての条件の制御
が比較的容易であることからグロー放電法、特にＲＦ帯
またはＶＨＦ帯の電源周波数を用いた高周波グロー放電
法が好適である。
効果的に達成するために支持体１０１上に形成され、光
受容層１０２の少なくとも一部を構成する光導電層１０
３は、例えば真空堆積膜形成方法によって、所望特性が
得られるように適宜成膜パラメーターの数値条件が設定
され、また使用される原料ガスなどが選択されて作製さ
れる。具体的には、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ
法、高周波ＣＶＤ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流
放電ＣＶＤ法、あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッ
タリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、光
ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などの数々の薄膜堆積法によって
形成することができる。これらの薄膜堆積法は、製造条
件、設備資本投資下の負荷程度、製造規模、作製される
電子写真用光受容部材に所望される特性等の要因によっ
て適宜選択されて採用されるが、所望の特性を有する電
子写真用光受容部材を製造するに当たっての条件の制御
が比較的容易であることからグロー放電法、特にＲＦ帯
またはＶＨＦ帯の電源周波数を用いた高周波グロー放電
法が好適である。
【００５２】グロー放電法によって光導電層１０３を形
成するには、例えば基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を
供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を
供給し得るＨ供給用の原料ガスまたは／及びハロゲン原
子（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガスを、内部が減
圧にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入して、該
反応容器内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の
位置に設置されてある所定の支持体１０１上にａ−Ｓｉ
（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成すればよい。
成するには、例えば基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を
供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を
供給し得るＨ供給用の原料ガスまたは／及びハロゲン原
子（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガスを、内部が減
圧にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入して、該
反応容器内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の
位置に設置されてある所定の支持体１０１上にａ−Ｓｉ
（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成すればよい。
【００５３】また、本発明において光導電層１０３中に
水素原子または／及びハロゲン原子が含有されることが
必要であるが、これは層中のシリコン原子の未結合手を
補償するために含有され、層品質の向上、特に光導電性
及び電荷保持特性を向上させるために必須不可欠である
からである。水素原子またはハロゲン原子の含有量、ま
たは水素原子とハロゲン原子の和の量はシリコン原子と
水素原子または／及びハロゲン原子の和に対して好まし
くは１０〜３０原子％、より好ましくは１５〜２５原子
％とされるのが望ましい。
水素原子または／及びハロゲン原子が含有されることが
必要であるが、これは層中のシリコン原子の未結合手を
補償するために含有され、層品質の向上、特に光導電性
及び電荷保持特性を向上させるために必須不可欠である
からである。水素原子またはハロゲン原子の含有量、ま
たは水素原子とハロゲン原子の和の量はシリコン原子と
水素原子または／及びハロゲン原子の和に対して好まし
くは１０〜３０原子％、より好ましくは１５〜２５原子
％とされるのが望ましい。
【００５４】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ4，Ｓｉ2Ｈ6，Ｓｉ3Ｈ
8，Ｓｉ4Ｈ10等のガス状態の、またはガス化し得る水素
化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げ
られ、さらに層作製時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の
良さ等の点でＳｉＨ4，Ｓｉ2Ｈ6が好ましいものとして
挙げられる。
となり得る物質としては、ＳｉＨ4，Ｓｉ2Ｈ6，Ｓｉ3Ｈ
8，Ｓｉ4Ｈ10等のガス状態の、またはガス化し得る水素
化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げ
られ、さらに層作製時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の
良さ等の点でＳｉＨ4，Ｓｉ2Ｈ6が好ましいものとして
挙げられる。
【００５５】そして、形成される光導電層１０３中に水
素原子を構造的に導入し、水素原子の導入割合の制御を
いっそう容易になるようにはかり、本発明の目的を達成
する膜特性を得るために、これらのガスに、更にＨ2及
び／またはＨｅあるいは水素原子を含む珪素化合物のガ
スを所望量混合した雰囲気で、層形成することが必要で
ある。また、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合しても差し支えないものである。
素原子を構造的に導入し、水素原子の導入割合の制御を
いっそう容易になるようにはかり、本発明の目的を達成
する膜特性を得るために、これらのガスに、更にＨ2及
び／またはＨｅあるいは水素原子を含む珪素化合物のガ
スを所望量混合した雰囲気で、層形成することが必要で
ある。また、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合しても差し支えないものである。
【００５６】また本発明において使用されるハロゲン原
子供給用の原料ガスとして有効なのは、たとえばハロゲ
ンガス、ハロゲン化物、ハロゲンをふくむハロゲン間化
合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状の
またはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。また、さらにはシリコン原子とハロゲン原子とを構
成要素とするガス状のまたはガス化し得る、ハロゲン原
子を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げるこ
とができる。本発明に於いて好適に使用し得るハロゲン
化合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ2），Ｂｒ
Ｆ，ＣｌＦ，ＣｌＦ3，ＢｒＦ3，ＢｒＦ5，ＩＦ3，ＩＦ
7等のハロゲン間化合物を挙げることができる。ハロゲ
ン原子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で置換
されたシラン誘導体としては、具体的にはたとえばＳｉ
Ｆ4，Ｓｉ2Ｆ6等の弗化珪素が好ましいものとして挙げ
ることができる。
子供給用の原料ガスとして有効なのは、たとえばハロゲ
ンガス、ハロゲン化物、ハロゲンをふくむハロゲン間化
合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状の
またはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。また、さらにはシリコン原子とハロゲン原子とを構
成要素とするガス状のまたはガス化し得る、ハロゲン原
子を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げるこ
とができる。本発明に於いて好適に使用し得るハロゲン
化合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ2），Ｂｒ
Ｆ，ＣｌＦ，ＣｌＦ3，ＢｒＦ3，ＢｒＦ5，ＩＦ3，ＩＦ
7等のハロゲン間化合物を挙げることができる。ハロゲ
ン原子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で置換
されたシラン誘導体としては、具体的にはたとえばＳｉ
Ｆ4，Ｓｉ2Ｆ6等の弗化珪素が好ましいものとして挙げ
ることができる。
【００５７】光導電層１０３中に含有される水素原子ま
たは／及びハロゲン原子の量を制御するには、例えば支
持体１０１の温度、水素原子または／及びハロゲン原子
を含有させるために使用される原料物質の反応容器内へ
導入する量、放電電力等を制御すればよい。
たは／及びハロゲン原子の量を制御するには、例えば支
持体１０１の温度、水素原子または／及びハロゲン原子
を含有させるために使用される原料物質の反応容器内へ
導入する量、放電電力等を制御すればよい。
【００５８】本発明においては、光導電層１０３には必
要に応じて伝導性を制御する原子を含有させることが好
ましい。伝導性を制御する原子は、光導電層１０３中に
万偏なく均一に分布した状態で含有されても良いし、あ
るいは層厚方向には不均一な分布状態で含有している部
分があってもよい。
要に応じて伝導性を制御する原子を含有させることが好
ましい。伝導性を制御する原子は、光導電層１０３中に
万偏なく均一に分布した状態で含有されても良いし、あ
るいは層厚方向には不均一な分布状態で含有している部
分があってもよい。
【００５９】前記伝導性を制御する原子としては、半導
体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、
ｐ型伝導特性を与える周期律表第IIIｂ族に属する原子
（以後「第IIIｂ族原子」と略記する）またはｎ型伝導
特性を与える周期律表第Ｖｂ族に属する原子（以後「第
Ｖｂ族原子」と略記する）を用いることができる。
体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、
ｐ型伝導特性を与える周期律表第IIIｂ族に属する原子
（以後「第IIIｂ族原子」と略記する）またはｎ型伝導
特性を与える周期律表第Ｖｂ族に属する原子（以後「第
Ｖｂ族原子」と略記する）を用いることができる。
【００６０】第IIIｂ族原子としては、具体的には、硼
素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、
インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ，Ａｌ，Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、
具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ，Ａｓが好適
である。
素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、
インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ，Ａｌ，Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、
具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ，Ａｓが好適
である。
【００６１】光導電層１０３に含有される伝導性を制御
する原子の含有量としては、好ましくは１×１０-2〜１
×１０3原子ｐｐｍ、より好ましくは５×１０-2〜５×
１０2原子ｐｐｍ、更に好ましくは１×１０-1〜１×１
０2原子ｐｐｍとされるのが望ましい。
する原子の含有量としては、好ましくは１×１０-2〜１
×１０3原子ｐｐｍ、より好ましくは５×１０-2〜５×
１０2原子ｐｐｍ、更に好ましくは１×１０-1〜１×１
０2原子ｐｐｍとされるのが望ましい。
【００６２】伝導性を制御する原子、たとえば、第III
ｂ族原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に導入するに
は、層形成の際に、第IIIｂ族原子導入用の原料物質あ
るいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質をガス状態で反応
容器中に、光導電層１０３を形成するための他のガスと
ともに導入してやればよい。第IIIｂ族原子導入用の原
料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質となり得
るものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少なくと
も層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用される
のが望ましい。
ｂ族原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に導入するに
は、層形成の際に、第IIIｂ族原子導入用の原料物質あ
るいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質をガス状態で反応
容器中に、光導電層１０３を形成するための他のガスと
ともに導入してやればよい。第IIIｂ族原子導入用の原
料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質となり得
るものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少なくと
も層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用される
のが望ましい。
【００６３】そのような第IIIｂ族原子導入用の原料物
質として具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ
2Ｈ6，Ｂ4Ｈ10，Ｂ5Ｈ9，Ｂ5Ｈ11，Ｂ6Ｈ10，等の水素
化硼素、ＢＦ3，ＢＣｌ3，ＢＢｒ3等のハロゲン化硼素
等が挙げられる。この他、ＧａＣｌ3，Ｇａ（Ｃ
Ｈ3）3，等も挙げることができる。中でもＢ2Ｈ6は取扱
いの面からも好ましい原料物質の一つである。
質として具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ
2Ｈ6，Ｂ4Ｈ10，Ｂ5Ｈ9，Ｂ5Ｈ11，Ｂ6Ｈ10，等の水素
化硼素、ＢＦ3，ＢＣｌ3，ＢＢｒ3等のハロゲン化硼素
等が挙げられる。この他、ＧａＣｌ3，Ｇａ（Ｃ
Ｈ3）3，等も挙げることができる。中でもＢ2Ｈ6は取扱
いの面からも好ましい原料物質の一つである。
【００６４】第Ｖｂ族原子導入用の原料物質として有効
に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ3，Ｐ2
Ｈ4等の水素化燐、ＰＦ3，ＰＦ5，ＰＣｌ3，ＰＣｌ5，
ＰＢｒ3，ＰＩ3等のハロゲン化燐が挙げられる。この
他、ＡｓＨ3，ＡｓＦ3，ＡｓＣｌ3，ＡｓＢｒ3，ＡｓＦ
5，ＳｂＨ3，ＳｂＦ5，ＳｂＣｌ5，ＢｉＨ3，ＢｉＢｒ3
等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物質の有効なものとして
挙げることができる。
に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ3，Ｐ2
Ｈ4等の水素化燐、ＰＦ3，ＰＦ5，ＰＣｌ3，ＰＣｌ5，
ＰＢｒ3，ＰＩ3等のハロゲン化燐が挙げられる。この
他、ＡｓＨ3，ＡｓＦ3，ＡｓＣｌ3，ＡｓＢｒ3，ＡｓＦ
5，ＳｂＨ3，ＳｂＦ5，ＳｂＣｌ5，ＢｉＨ3，ＢｉＢｒ3
等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物質の有効なものとして
挙げることができる。
【００６５】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ2及び／またはＨｅによ
り希釈して使用してもよい。
用の原料物質を必要に応じてＨ2及び／またはＨｅによ
り希釈して使用してもよい。
【００６６】さらに本発明においては、光導電層１０３
に炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素原子
を含有させることも有効である。炭素原子及び／または
酸素原子／及びまたは窒素原子の含有量はシリコン原
子、炭素原子、酸素原子及び窒素原子の和に対して好ま
しくは１×１０-5〜１０原子％、より好ましくは１×１
０-4〜８原子％、更に好ましくは１×１０-3〜５原子％
が望ましい。炭素原子及び／または酸素原子及び／また
は窒素原子は、光導電層中に万遍なく均一に含有されて
も良いし、光導電層の層厚方向に含有量が変化するよう
な不均一な分布をもたせた部分があっても良い。
に炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素原子
を含有させることも有効である。炭素原子及び／または
酸素原子／及びまたは窒素原子の含有量はシリコン原
子、炭素原子、酸素原子及び窒素原子の和に対して好ま
しくは１×１０-5〜１０原子％、より好ましくは１×１
０-4〜８原子％、更に好ましくは１×１０-3〜５原子％
が望ましい。炭素原子及び／または酸素原子及び／また
は窒素原子は、光導電層中に万遍なく均一に含有されて
も良いし、光導電層の層厚方向に含有量が変化するよう
な不均一な分布をもたせた部分があっても良い。
【００６７】本発明に於ける光導電層１０３の層厚とし
ては、得ようとする特性、要求される特性に応じて適宜
決められるものであるが、好ましくは２０〜５０μｍ、
より好ましくは２３〜４５μｍ、更に好ましくは２５〜
４０μｍとするのが望ましい。層厚が２０μｍより薄く
なると、帯電能や感度等の電子写真特性が実用上不十分
となる場合があり、５０μｍより厚くなると、光導電層
の作製時間が長くなって製造コストが高くなることがあ
る。
ては、得ようとする特性、要求される特性に応じて適宜
決められるものであるが、好ましくは２０〜５０μｍ、
より好ましくは２３〜４５μｍ、更に好ましくは２５〜
４０μｍとするのが望ましい。層厚が２０μｍより薄く
なると、帯電能や感度等の電子写真特性が実用上不十分
となる場合があり、５０μｍより厚くなると、光導電層
の作製時間が長くなって製造コストが高くなることがあ
る。
【００６８】本発明の目的を達成し、所望の膜特性を有
する光導電層１０３を形成するには、Ｓｉ供給用のガス
と希釈ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力
ならびに支持体温度を適宜設定することが必要である。
する光導電層１０３を形成するには、Ｓｉ供給用のガス
と希釈ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力
ならびに支持体温度を適宜設定することが必要である。
【００６９】希釈ガスとして使用するＨ2及び／または
Ｈｅの流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択
されるが、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ2及び／またはＨｅ
を、好ましくは３〜２０倍、より好ましくは４〜１５
倍、更に好ましくは５〜１０倍の範囲に制御することが
望ましい。また、その範囲の値で一定になるように制御
することが好ましい。
Ｈｅの流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択
されるが、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ2及び／またはＨｅ
を、好ましくは３〜２０倍、より好ましくは４〜１５
倍、更に好ましくは５〜１０倍の範囲に制御することが
望ましい。また、その範囲の値で一定になるように制御
することが好ましい。
【００７０】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは１×１
０-4〜１０Ｔｏｒｒ、より好ましくは５×１０-4〜５Ｔ
ｏｒｒ、更に好ましくは１×１０-3〜１Ｔｏｒｒとする
のが望ましい。
がって適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは１×１
０-4〜１０Ｔｏｒｒ、より好ましくは５×１０-4〜５Ｔ
ｏｒｒ、更に好ましくは１×１０-3〜１Ｔｏｒｒとする
のが望ましい。
【００７１】放電電力もまた同様に層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
に対する放電電力の比を、好ましくは２〜７、より好ま
しくは２．５〜６、更に好ましくは３〜５の範囲に設定
することが望ましい。
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
に対する放電電力の比を、好ましくは２〜７、より好ま
しくは２．５〜６、更に好ましくは３〜５の範囲に設定
することが望ましい。
【００７２】さらに支持体１０１の温度は、層設計にし
たがって、適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは２
００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０℃、更
に好ましくは２５０〜３１０℃とするのが望ましい。
たがって、適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは２
００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０℃、更
に好ましくは２５０〜３１０℃とするのが望ましい。
【００７３】また、支持体側から表面側に向かってＥｕ
及びＤＯＳの値が増加するように膜を作る方法として
は、例えばＳｉＨ4と水素または／及びＨｅの混合率
（希釈率）を一定に保ったまま、ＳｉＨ4流量に対する
放電電力（Ｗ／Flow）及び／または、基板温度（Ｔs）
を連続的に変化させる事が望ましい。
及びＤＯＳの値が増加するように膜を作る方法として
は、例えばＳｉＨ4と水素または／及びＨｅの混合率
（希釈率）を一定に保ったまま、ＳｉＨ4流量に対する
放電電力（Ｗ／Flow）及び／または、基板温度（Ｔs）
を連続的に変化させる事が望ましい。
【００７４】この場合、放電電力もまた同様に層設計に
したがって適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用の
ガスの流量に対する放電電力を、好ましくは２〜８倍、
より好ましくは２．５〜７倍、更に好ましくは３〜６倍
の範囲で連続的に支持体側から表面側に向かって小さく
なる様に変化させることが望ましい。
したがって適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用の
ガスの流量に対する放電電力を、好ましくは２〜８倍、
より好ましくは２．５〜７倍、更に好ましくは３〜６倍
の範囲で連続的に支持体側から表面側に向かって小さく
なる様に変化させることが望ましい。
【００７５】さらに支持体１０１の温度は、層設計にし
たがって適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは２０
０〜３７０℃、より好ましくは２３０〜３６０℃、更に
好ましくは２５０〜３５０℃の範囲で連続的に支持体側
から表面側に向かって低くなる様に変化させることが望
ましい。
たがって適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは２０
０〜３７０℃、より好ましくは２３０〜３６０℃、更に
好ましくは２５０〜３５０℃の範囲で連続的に支持体側
から表面側に向かって低くなる様に変化させることが望
ましい。
【００７６】あるいは、支持体側から表面側に向かって
Ｅｕ及びＤ．Ｏ．Ｓの値が減少するように膜を作る方法
としては、例えばＳｉＨ4と水素または／及びＨｅの混
合率（希釈率）を一定に保ったまま、ＳｉＨ4流量に対
する放電電力（Ｗ／Flow）及び／または、基板温度（Ｔ
S）を連続的に変化させる事が望ましい。
Ｅｕ及びＤ．Ｏ．Ｓの値が減少するように膜を作る方法
としては、例えばＳｉＨ4と水素または／及びＨｅの混
合率（希釈率）を一定に保ったまま、ＳｉＨ4流量に対
する放電電力（Ｗ／Flow）及び／または、基板温度（Ｔ
S）を連続的に変化させる事が望ましい。
【００７７】放電電力もまた同様に層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
に対する放電電力を、好ましくは２〜８倍、より好まし
くは２．５〜７倍、更に好ましくは３〜６倍の範囲で連
続的に支持体側から表面側に向かって小さくなる様に変
化させることが望ましい。
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
に対する放電電力を、好ましくは２〜８倍、より好まし
くは２．５〜７倍、更に好ましくは３〜６倍の範囲で連
続的に支持体側から表面側に向かって小さくなる様に変
化させることが望ましい。
【００７８】さらに支持体１０１の温度は、層設計にし
たがって適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは２０
０〜３７０℃、より好ましくは２３０〜３６０℃、更に
好ましくは２５０〜３５０℃の範囲で連続的に支持体側
から表面側に向かって低くなる様に変化させることが望
ましい。
たがって適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは２０
０〜３７０℃、より好ましくは２３０〜３６０℃、更に
好ましくは２５０〜３５０℃の範囲で連続的に支持体側
から表面側に向かって低くなる様に変化させることが望
ましい。
【００７９】本発明においては、光導電層を形成するた
めの支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記
した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に
決められるものではなく、所望の特性を有する光受容部
材を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて最適
値を決めるのが望ましい。
めの支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記
した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に
決められるものではなく、所望の特性を有する光受容部
材を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて最適
値を決めるのが望ましい。
【００８０】（表面層）本発明においては、上述のよう
にして支持体１０１上に形成された光導電層１０３の上
に、更にアモルファスシリコン系の表面層１０４を形成
することが好ましい。この表面層１０４は自由表面１１
０を有し、主に耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気的
耐圧性、使用環境特性、耐久性において本発明の目的を
達成するために設けられる。
にして支持体１０１上に形成された光導電層１０３の上
に、更にアモルファスシリコン系の表面層１０４を形成
することが好ましい。この表面層１０４は自由表面１１
０を有し、主に耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気的
耐圧性、使用環境特性、耐久性において本発明の目的を
達成するために設けられる。
【００８１】また、本発明においては、光受容層１０２
を構成する光導電層１０３と表面層１０４とを形成する
非晶質材料の各々がシリコン原子という共通の構成要素
を有しているので、積層界面において化学的な安定性の
確保が十分成されている。
を構成する光導電層１０３と表面層１０４とを形成する
非晶質材料の各々がシリコン原子という共通の構成要素
を有しているので、積層界面において化学的な安定性の
確保が十分成されている。
【００８２】表面層１０４は、アモルファスシリコン系
の材料であればいずれの材質でも可能であるが、例え
ば、水素原子（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を
含有し、更に炭素原子を含有するアモルファスシリコン
（以下「ａ−ＳｉＣ（Ｈ，Ｘ）」と表記する）、水素原
子（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更
に酸素原子を含有するアモルファスシリコン（以下「ａ
−ＳｉＯ（Ｈ，Ｘ）」と表記する）、水素原子（Ｈ）及
び／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に窒素原子
を含有するアモルファスシリコン（以下「ａ−ＳｉＮ
（Ｈ，Ｘ）」と表記する）、水素原子（Ｈ）及び／また
はハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に炭素原子、酸素原
子、窒素原子の少なくとも一つを含有するアモルファス
シリコン（以下「ａ−ＳｉＣＯＮ（Ｈ，Ｘ）」と表記す
る）等の材料が好適に用いられる。
の材料であればいずれの材質でも可能であるが、例え
ば、水素原子（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を
含有し、更に炭素原子を含有するアモルファスシリコン
（以下「ａ−ＳｉＣ（Ｈ，Ｘ）」と表記する）、水素原
子（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更
に酸素原子を含有するアモルファスシリコン（以下「ａ
−ＳｉＯ（Ｈ，Ｘ）」と表記する）、水素原子（Ｈ）及
び／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に窒素原子
を含有するアモルファスシリコン（以下「ａ−ＳｉＮ
（Ｈ，Ｘ）」と表記する）、水素原子（Ｈ）及び／また
はハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に炭素原子、酸素原
子、窒素原子の少なくとも一つを含有するアモルファス
シリコン（以下「ａ−ＳｉＣＯＮ（Ｈ，Ｘ）」と表記す
る）等の材料が好適に用いられる。
【００８３】本発明に於いて、その目的を効果的に達成
するために、表面層１０４は真空堆積膜形成方法によっ
て、所望特性が得られるように適宜成膜パラメーターの
数値条件が設定されて作製される。具体的には、例えば
グロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法または
マイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは直
流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、
イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法など
の数々の薄膜堆積法によって形成することができる。こ
れらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負荷
程度、製造規模、作成される電子写真用光受容部材に所
望される特性等の要因によって適宜選択されて採用され
るが、光受容部材の生産性から光導電層と同等の堆積法
によることが好ましい。
するために、表面層１０４は真空堆積膜形成方法によっ
て、所望特性が得られるように適宜成膜パラメーターの
数値条件が設定されて作製される。具体的には、例えば
グロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法または
マイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは直
流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、
イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法など
の数々の薄膜堆積法によって形成することができる。こ
れらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負荷
程度、製造規模、作成される電子写真用光受容部材に所
望される特性等の要因によって適宜選択されて採用され
るが、光受容部材の生産性から光導電層と同等の堆積法
によることが好ましい。
【００８４】例えば、グロー放電法によってａ−ＳｉＣ
（Ｈ，Ｘ）よりなる表面層１０４を形成するには、基本
的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の
原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の原
料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料
ガスまたは／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供
給用の原料ガスを、内部を減圧にし得る反応容器内に所
望のガス状態で導入して、該反応容器内にグロー放電を
生起させ、あらかじめ所定の位置に設置された光導電層
１０３を作製した支持体１０１上にａ−ＳｉＣ（Ｈ，
Ｘ）層を作製すればよい。
（Ｈ，Ｘ）よりなる表面層１０４を形成するには、基本
的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の
原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の原
料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料
ガスまたは／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供
給用の原料ガスを、内部を減圧にし得る反応容器内に所
望のガス状態で導入して、該反応容器内にグロー放電を
生起させ、あらかじめ所定の位置に設置された光導電層
１０３を作製した支持体１０１上にａ−ＳｉＣ（Ｈ，
Ｘ）層を作製すればよい。
【００８５】本発明に於いて用いる表面層の材質として
はシリコンを含有するアモルファス材料なら何れでも良
いが、炭素、窒素、酸素より選ばれた元素を少なくとも
１つ含むシリコン原子との化合物が好ましく、特にａ−
ＳｉＣを主成分としたものが好ましい。
はシリコンを含有するアモルファス材料なら何れでも良
いが、炭素、窒素、酸素より選ばれた元素を少なくとも
１つ含むシリコン原子との化合物が好ましく、特にａ−
ＳｉＣを主成分としたものが好ましい。
【００８６】特に、表面層をａ−ＳｉＣを主成分として
構成する場合の炭素量は、シリコン原子と炭素原子の和
に対して３０％から９０％の範囲が好ましい。
構成する場合の炭素量は、シリコン原子と炭素原子の和
に対して３０％から９０％の範囲が好ましい。
【００８７】また、本発明において表面層１０４中に水
素原子または／及びハロゲン原子が含有されることが必
要であるが、これはシリコン原子などの構成原子の未結
合手を補償し、層品質の向上、特に光導電性特性及び電
荷保持特性を向上させるために必須不可欠である。水素
含有量は、構成原子の総量に対して好ましくは３０〜７
０原子％、より好ましくは３５〜６５原子％、更に好ま
しくは４０〜６０原子％とするのが望ましい。また、弗
素原子の含有量として、好ましくは０．０１〜１５原子
％、より好ましくは０．１〜１０原子％、更に好ましく
は０．６〜４原子％とするのが望ましい。
素原子または／及びハロゲン原子が含有されることが必
要であるが、これはシリコン原子などの構成原子の未結
合手を補償し、層品質の向上、特に光導電性特性及び電
荷保持特性を向上させるために必須不可欠である。水素
含有量は、構成原子の総量に対して好ましくは３０〜７
０原子％、より好ましくは３５〜６５原子％、更に好ま
しくは４０〜６０原子％とするのが望ましい。また、弗
素原子の含有量として、好ましくは０．０１〜１５原子
％、より好ましくは０．１〜１０原子％、更に好ましく
は０．６〜４原子％とするのが望ましい。
【００８８】これらの水素及び／または弗素含有量の範
囲内で形成される光受容部材は、実際面に於いて従来に
ない格段に優れたものとして充分適用させ得るものであ
る。すなわち、表面層内に存在する欠陥（主にシリコン
原子や炭素原子のダングリングボンド）は電子写真用光
受容部材としての特性に悪影響を及ぼすことが知られて
いる。例えば自由表面から電荷の注入による帯電特性の
劣化、使用環境、例えば高い湿度のもとで表面構造が変
化することによる帯電特性の変動、更にコロナ帯電時や
光照射時に光導電層により表面層に電荷が注入され、前
記表面層内の欠陥に電荷がトラップされることにより繰
り返し使用時の残像現象の発生等がこの悪影響として挙
げられる。
囲内で形成される光受容部材は、実際面に於いて従来に
ない格段に優れたものとして充分適用させ得るものであ
る。すなわち、表面層内に存在する欠陥（主にシリコン
原子や炭素原子のダングリングボンド）は電子写真用光
受容部材としての特性に悪影響を及ぼすことが知られて
いる。例えば自由表面から電荷の注入による帯電特性の
劣化、使用環境、例えば高い湿度のもとで表面構造が変
化することによる帯電特性の変動、更にコロナ帯電時や
光照射時に光導電層により表面層に電荷が注入され、前
記表面層内の欠陥に電荷がトラップされることにより繰
り返し使用時の残像現象の発生等がこの悪影響として挙
げられる。
【００８９】しかしながら表面層内の水素含有量を３０
原子％以上に制御することで表面層内の欠陥が大幅に減
少し、その結果、従来に比べて電気的特性面及び高速連
続使用性において飛躍的な向上を図ることができる。
原子％以上に制御することで表面層内の欠陥が大幅に減
少し、その結果、従来に比べて電気的特性面及び高速連
続使用性において飛躍的な向上を図ることができる。
【００９０】一方、前記表面層中の水素含有量が７１原
子％以上になると表面層の硬度が低下するために、繰り
返し使用に耐えられなくなる場合がある。従って、表面
層中の水素含有量を前記の範囲内に制御することが格段
に優れた所望の電子写真特性を得る上で非常に重要な因
子の１つである。表面層中の水素含有量は、原料ガスの
流量（比）、支持体温度、放電パワー、ガス圧等によっ
て制御し得る。
子％以上になると表面層の硬度が低下するために、繰り
返し使用に耐えられなくなる場合がある。従って、表面
層中の水素含有量を前記の範囲内に制御することが格段
に優れた所望の電子写真特性を得る上で非常に重要な因
子の１つである。表面層中の水素含有量は、原料ガスの
流量（比）、支持体温度、放電パワー、ガス圧等によっ
て制御し得る。
【００９１】また、表面層中の弗素含有量を０．０１原
子％以上の範囲に制御することで表面層内のシリコン原
子と炭素原子の結合の発生をより効果的に達成すること
が可能となる。さらに、表面層中の弗素原子の働きとし
て、コロナ等のダメージによるシリコン原子と炭素原子
の結合の切断を効果的に防止することができる。
子％以上の範囲に制御することで表面層内のシリコン原
子と炭素原子の結合の発生をより効果的に達成すること
が可能となる。さらに、表面層中の弗素原子の働きとし
て、コロナ等のダメージによるシリコン原子と炭素原子
の結合の切断を効果的に防止することができる。
【００９２】一方、表面層中の弗素含有量が１５原子％
を超えると表面層内のシリコン原子と炭素原子の結合の
発生の効果及びコロナ等のダメージによるシリコン原子
と炭素原子の結合の切断を防止する効果がほとんど認め
られなくなる。さらに、過剰の弗素原子が表面層中のキ
ャリアの走行性を阻害するため、残留電位や画像メモリ
ーが顕著に認められてくる。従って、表面層中の弗素含
有量を前記範囲内に制御することが所望の電子写真特性
を得る上で重要な因子の一つである。表面層中の弗素含
有量は、水素含有量と同様に原料ガスの流量（流量
比）、支持体温度、放電パワー、ガス圧等によって制御
し得る。
を超えると表面層内のシリコン原子と炭素原子の結合の
発生の効果及びコロナ等のダメージによるシリコン原子
と炭素原子の結合の切断を防止する効果がほとんど認め
られなくなる。さらに、過剰の弗素原子が表面層中のキ
ャリアの走行性を阻害するため、残留電位や画像メモリ
ーが顕著に認められてくる。従って、表面層中の弗素含
有量を前記範囲内に制御することが所望の電子写真特性
を得る上で重要な因子の一つである。表面層中の弗素含
有量は、水素含有量と同様に原料ガスの流量（流量
比）、支持体温度、放電パワー、ガス圧等によって制御
し得る。
【００９３】本発明の表面層の形成において使用される
シリコン（Ｓｉ）供給用ガスとなり得る物質としては、
ＳｉＨ4，Ｓｉ2Ｈ6，Ｓｉ3Ｈ8，Ｓｉ4Ｈ10等のガス状態
の、またはガス化し得る水素化珪素（シラン類）が有効
に使用されるものとして挙げられ、更に層作成時の取り
扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ4、Ｓｉ2
Ｈ6が好ましいものとして挙げられる。また、これらの
Ｓｉ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ2，Ｈｅ，Ａ
ｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。
シリコン（Ｓｉ）供給用ガスとなり得る物質としては、
ＳｉＨ4，Ｓｉ2Ｈ6，Ｓｉ3Ｈ8，Ｓｉ4Ｈ10等のガス状態
の、またはガス化し得る水素化珪素（シラン類）が有効
に使用されるものとして挙げられ、更に層作成時の取り
扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ4、Ｓｉ2
Ｈ6が好ましいものとして挙げられる。また、これらの
Ｓｉ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ2，Ｈｅ，Ａ
ｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。
【００９４】炭素供給用ガスとなり得る物質としては、
ＣＨ4，Ｃ2Ｈ2，Ｃ2Ｈ6，Ｃ3Ｈ8，Ｃ4Ｈ10等のガス状態
の、またはガス化し得る炭化水素が有効に使用されるも
のとして挙げられ、更に層作成時の取り扱い易さ、Ｃ供
給効率の良さ等の点でＣＨ 4，Ｃ2Ｈ2，Ｃ2Ｈ6が好まし
いものとして挙げられる。また、これらのＣ供給用の原
料ガスを必要に応じてＨ2，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガス
により希釈して使用してもよい。
ＣＨ4，Ｃ2Ｈ2，Ｃ2Ｈ6，Ｃ3Ｈ8，Ｃ4Ｈ10等のガス状態
の、またはガス化し得る炭化水素が有効に使用されるも
のとして挙げられ、更に層作成時の取り扱い易さ、Ｃ供
給効率の良さ等の点でＣＨ 4，Ｃ2Ｈ2，Ｃ2Ｈ6が好まし
いものとして挙げられる。また、これらのＣ供給用の原
料ガスを必要に応じてＨ2，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガス
により希釈して使用してもよい。
【００９５】窒素または酸素供給用ガスとなり得る物質
としては、ＮＨ3，ＮＯ，Ｎ2Ｏ，ＮＯ2，Ｏ2，ＣＯ，Ｃ
Ｏ2，Ｎ2等のガス状態の、またはガス化し得る化合物が
有効に使用されるものとして挙げられる。また、これら
の窒素、酸素供給用の原料ガスを必要に応じてＨ2，Ｈ
ｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよ
い。
としては、ＮＨ3，ＮＯ，Ｎ2Ｏ，ＮＯ2，Ｏ2，ＣＯ，Ｃ
Ｏ2，Ｎ2等のガス状態の、またはガス化し得る化合物が
有効に使用されるものとして挙げられる。また、これら
の窒素、酸素供給用の原料ガスを必要に応じてＨ2，Ｈ
ｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよ
い。
【００９６】また、形成される表面層１０４中に導入さ
れる水素原子の導入割合の制御をいっそう容易にするた
め、これらのガスに更に水素ガスまたは水素原子を含む
珪素化合物のガスも所望量混合して層形成することが好
ましい。また、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比
で複数種混合しても差し支えないものである。
れる水素原子の導入割合の制御をいっそう容易にするた
め、これらのガスに更に水素ガスまたは水素原子を含む
珪素化合物のガスも所望量混合して層形成することが好
ましい。また、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比
で複数種混合しても差し支えないものである。
【００９７】ハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効
なのは、たとえばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲ
ンをふくむハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシ
ラン誘導体等のガス状のまたはガス化し得るハロゲン化
合物が好ましく挙げられる。また、さらにはシリコン原
子とハロゲン原子とを構成要素とするガス状のまたはガ
ス化し得る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有
効なものとして挙げることができる。本発明に於て好適
に使用し得るハロゲン化合物としては、具体的には弗素
ガス（Ｆ2），ＢｒＦ，ＣｌＦ，ＣｌＦ3，ＢｒＦ3，Ｂ
ｒＦ5，ＩＦ3，ＩＦ7等のハロゲン間化合物を挙げるこ
とができる。ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆる
ハロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には、たとえばＳｉＦ4，Ｓｉ2Ｆ6等の弗化珪素が好
ましいものとして挙げることができる。
なのは、たとえばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲ
ンをふくむハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシ
ラン誘導体等のガス状のまたはガス化し得るハロゲン化
合物が好ましく挙げられる。また、さらにはシリコン原
子とハロゲン原子とを構成要素とするガス状のまたはガ
ス化し得る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有
効なものとして挙げることができる。本発明に於て好適
に使用し得るハロゲン化合物としては、具体的には弗素
ガス（Ｆ2），ＢｒＦ，ＣｌＦ，ＣｌＦ3，ＢｒＦ3，Ｂ
ｒＦ5，ＩＦ3，ＩＦ7等のハロゲン間化合物を挙げるこ
とができる。ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆる
ハロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には、たとえばＳｉＦ4，Ｓｉ2Ｆ6等の弗化珪素が好
ましいものとして挙げることができる。
【００９８】表面層１０４中に含有される水素原子また
は／及びハロゲン原子の量を制御するには、例えば支持
体１０１の温度、水素原子または／及びハロゲン原子を
含有させるために使用される原料物質の反応容器内ヘ導
入する量、放電電力等を制御すればよい。
は／及びハロゲン原子の量を制御するには、例えば支持
体１０１の温度、水素原子または／及びハロゲン原子を
含有させるために使用される原料物質の反応容器内ヘ導
入する量、放電電力等を制御すればよい。
【００９９】炭素原子及び／または酸素原子及び／また
は窒素原子は、表面層中に万遍なく均一に含有されても
良いし、表面層の層厚方向に含有量が変化するような不
均一な分布をもたせた部分があっても良い。
は窒素原子は、表面層中に万遍なく均一に含有されても
良いし、表面層の層厚方向に含有量が変化するような不
均一な分布をもたせた部分があっても良い。
【０１００】さらに本発明においては、表面層１０４に
は必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させること
が好ましい。伝導性を制御する原子は、表面層１０４中
に万偏なく均一に分布した状態で含有されても良いし、
あるいは層厚方向には不均一な分布状態で含有している
部分があってもよい。
は必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させること
が好ましい。伝導性を制御する原子は、表面層１０４中
に万偏なく均一に分布した状態で含有されても良いし、
あるいは層厚方向には不均一な分布状態で含有している
部分があってもよい。
【０１０１】前記の伝導性を制御する原子としては、半
導体分野における、いわゆる不純物を挙げることがで
き、ｐ型伝導特性を与える周期律表第IIIｂ族に属する
原子（以後「第IIIｂ族原子」と略記する）またはｎ型
伝導特性を与える周期律表第Ｖｂ族に属する原子（以後
「第Ｖｂ族原子」と略記する）を用いることができる。
導体分野における、いわゆる不純物を挙げることがで
き、ｐ型伝導特性を与える周期律表第IIIｂ族に属する
原子（以後「第IIIｂ族原子」と略記する）またはｎ型
伝導特性を与える周期律表第Ｖｂ族に属する原子（以後
「第Ｖｂ族原子」と略記する）を用いることができる。
【０１０２】第IIIｂ族原子としては、具体的には、硼
素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、
インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ，Ａｌ，Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、
具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ，Ａｓが好適
である。
素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、
インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ，Ａｌ，Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、
具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ，Ａｓが好適
である。
【０１０３】表面層１０４に含有される伝導性を制御す
る原子の含有量としては、好ましくは１×１０-3〜１×
１０3原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０-2〜５×１
０2原子ｐｐｍ、更に好ましくは１×１０-1〜１×１０2
原子ｐｐｍとされるのが望ましい。伝導性を制御する原
子、たとえば、第IIIｂ族原子あるいは第Ｖｂ族原子を
構造的に導入するには、層形成の際に、第IIIｂ族原子
導入用の原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物
質をガス状態で反応容器中に、表面層１０４を形成する
ための他のガスとともに導入してやればよい。第IIIｂ
族原子導入用の原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の
原料物質となり得るものとしては、常温常圧でガス状の
または、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得る
ものが採用されるのが望ましい。そのような第IIIｂ族
原子導入用の原料物質として具体的には、硼素原子導入
用としては、Ｂ2Ｈ6，Ｂ4Ｈ10，Ｂ5Ｈ9，Ｂ5Ｈ11，Ｂ6
Ｈ1 0，等の水素化硼素、ＢＦ3，ＢＣｌ3，ＢＢｒ3等の
ハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、ＧａＣｌ3，
Ｇａ（ＣＨ3）3，等も挙げることができる。
る原子の含有量としては、好ましくは１×１０-3〜１×
１０3原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０-2〜５×１
０2原子ｐｐｍ、更に好ましくは１×１０-1〜１×１０2
原子ｐｐｍとされるのが望ましい。伝導性を制御する原
子、たとえば、第IIIｂ族原子あるいは第Ｖｂ族原子を
構造的に導入するには、層形成の際に、第IIIｂ族原子
導入用の原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物
質をガス状態で反応容器中に、表面層１０４を形成する
ための他のガスとともに導入してやればよい。第IIIｂ
族原子導入用の原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の
原料物質となり得るものとしては、常温常圧でガス状の
または、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得る
ものが採用されるのが望ましい。そのような第IIIｂ族
原子導入用の原料物質として具体的には、硼素原子導入
用としては、Ｂ2Ｈ6，Ｂ4Ｈ10，Ｂ5Ｈ9，Ｂ5Ｈ11，Ｂ6
Ｈ1 0，等の水素化硼素、ＢＦ3，ＢＣｌ3，ＢＢｒ3等の
ハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、ＧａＣｌ3，
Ｇａ（ＣＨ3）3，等も挙げることができる。
【０１０４】第Ｖｂ族原子導入用の原料物質として有効
に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ3，Ｐ2
Ｈ4等の水素化燐、ＰＦ3，ＰＦ5，ＰＣｌ3，ＰＣｌ5，
ＰＢｒ3，ＰＩ3等のハロゲン化燐が挙げられる。この
他、ＡｓＨ3，ＡｓＦ3，ＡｓＣｌ3，ＡｓＢｒ3，ＡｓＦ
5，ＳｂＨ3，ＳｂＦ5，ＳｂＣｌ5，ＢｉＨ3，ＢｉＢｒ3
等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物質の有効なものとして
挙げることができる。
に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ3，Ｐ2
Ｈ4等の水素化燐、ＰＦ3，ＰＦ5，ＰＣｌ3，ＰＣｌ5，
ＰＢｒ3，ＰＩ3等のハロゲン化燐が挙げられる。この
他、ＡｓＨ3，ＡｓＦ3，ＡｓＣｌ3，ＡｓＢｒ3，ＡｓＦ
5，ＳｂＨ3，ＳｂＦ5，ＳｂＣｌ5，ＢｉＨ3，ＢｉＢｒ3
等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物質の有効なものとして
挙げることができる。
【０１０５】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ2，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等
のガスにより希釈して使用してもよい。
用の原料物質を必要に応じてＨ2，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等
のガスにより希釈して使用してもよい。
【０１０６】本発明に於ける表面層１０４の層厚として
は、好ましくは０．０１〜３μｍ、より好ましくは０．
０５〜２μｍ、更に好ましくは０．１〜１μｍとされる
のが望ましい。層厚が０．０１μｍより薄いと光受容部
材を使用中に摩擦等の理由により表面層が失われてしま
い易く、３μｍを越えると残留電位の増加等の電子写真
特性の低下がみられる場合がある。
は、好ましくは０．０１〜３μｍ、より好ましくは０．
０５〜２μｍ、更に好ましくは０．１〜１μｍとされる
のが望ましい。層厚が０．０１μｍより薄いと光受容部
材を使用中に摩擦等の理由により表面層が失われてしま
い易く、３μｍを越えると残留電位の増加等の電子写真
特性の低下がみられる場合がある。
【０１０７】本発明による表面層１０４は、その要求さ
れる特性が所望通りに与えられるように注意深く形成さ
れる。即ち、Ｓｉ，Ｃ，Ｎ及びＯからなる群から選択さ
れた少なくとも一つの元素、Ｈ及び／またはＸを構成要
素とする物質は、その形成条件によって構造的には多結
晶や微結晶のような結晶性からアモルファスまでの形態
（総称して非単結晶）を取り、電気物性的には導電性か
ら半導体性、絶縁性までの間の性質を、また、光導電的
性質から非光導電的性質までの間の性質を各々示すの
で、本発明においては、目的に応じた所望の特性を有す
る化合物が形成される様に、所望に従ってその形成条件
の選択が厳密になされる。
れる特性が所望通りに与えられるように注意深く形成さ
れる。即ち、Ｓｉ，Ｃ，Ｎ及びＯからなる群から選択さ
れた少なくとも一つの元素、Ｈ及び／またはＸを構成要
素とする物質は、その形成条件によって構造的には多結
晶や微結晶のような結晶性からアモルファスまでの形態
（総称して非単結晶）を取り、電気物性的には導電性か
ら半導体性、絶縁性までの間の性質を、また、光導電的
性質から非光導電的性質までの間の性質を各々示すの
で、本発明においては、目的に応じた所望の特性を有す
る化合物が形成される様に、所望に従ってその形成条件
の選択が厳密になされる。
【０１０８】例えば、表面層１０４を耐電圧性の向上を
主な目的として設けるには、使用環境に於いて電気絶縁
性的挙動の顕著な非単結晶材料として作製される。
主な目的として設けるには、使用環境に於いて電気絶縁
性的挙動の顕著な非単結晶材料として作製される。
【０１０９】また、連続繰り返し使用特性や使用環境特
性の向上を主たる目的として表面層１０４が設けられる
場合には、上記の電気絶縁性の度合はある程度緩和さ
れ、照射される光に対して有る程度の感度を有する非単
結晶材料として形成される。
性の向上を主たる目的として表面層１０４が設けられる
場合には、上記の電気絶縁性の度合はある程度緩和さ
れ、照射される光に対して有る程度の感度を有する非単
結晶材料として形成される。
【０１１０】本発明の目的を達成し得る特性を有する表
面層１０４を形成するには、支持体１０１の温度、反応
容器内のガス圧を所望にしたがって、適宜設定する必要
がある。
面層１０４を形成するには、支持体１０１の温度、反応
容器内のガス圧を所望にしたがって、適宜設定する必要
がある。
【０１１１】支持体１０１の温度（Ｔｓ）は、層設計に
したがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、
好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜
３３０℃、更に好ましくは２５０〜３１０℃とするのが
望ましい。
したがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、
好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜
３３０℃、更に好ましくは２５０〜３１０℃とするのが
望ましい。
【０１１２】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ま
しくは１×１０-4〜１０Ｔｏｒｒ、より好ましくは５×
１０ -4〜５Ｔｏｒｒ、更に好ましくは１×１０-3〜１Ｔ
ｏｒｒとするのが望ましい。
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ま
しくは１×１０-4〜１０Ｔｏｒｒ、より好ましくは５×
１０ -4〜５Ｔｏｒｒ、更に好ましくは１×１０-3〜１Ｔ
ｏｒｒとするのが望ましい。
【０１１３】本発明においては、表面層を形成するため
の支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記し
た範囲が挙げられるが、これらの条件は通常は独立的に
別々に決められるものではなく、所望の特性を有する光
受容部材を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づい
て最適値を決めるのが望ましい。
の支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記し
た範囲が挙げられるが、これらの条件は通常は独立的に
別々に決められるものではなく、所望の特性を有する光
受容部材を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づい
て最適値を決めるのが望ましい。
【０１１４】さらに本発明に於いては、光導電層と表面
層の間に、炭素原子、酸素原子、窒素原子の含有量を表
面層より減らした中間層（下部表面層）を設けることも
帯電能等の特性を更に向上させるためには有効である。
層の間に、炭素原子、酸素原子、窒素原子の含有量を表
面層より減らした中間層（下部表面層）を設けることも
帯電能等の特性を更に向上させるためには有効である。
【０１１５】また表面層１０４と光導電層１０３との間
に炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素原子
の含有量が光導電層１０３に向かって減少するように変
化する領域を設けても良い。これにより表面層と光導電
層の密着性を向上させ、界面での光の反射による干渉の
影響をより少なくすることができる。
に炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素原子
の含有量が光導電層１０３に向かって減少するように変
化する領域を設けても良い。これにより表面層と光導電
層の密着性を向上させ、界面での光の反射による干渉の
影響をより少なくすることができる。
【０１１６】（電荷注入阻止層）本発明の電子写真用光
受容部材においては、導電性支持体と光導電層との間
に、導電性支持体側からの電荷の注入を阻止する働きの
ある電荷注入阻止層を設けるのがいっそう効果的であ
る。すなわち、電荷注入阻止層は光受容層が一定極性の
帯電処理をその自由表面に受けた際、支持体側より光導
電層側に電荷が注入されるのを阻止する機能を有し、逆
の極性の帯電処理を受けた際にはそのような機能は発揮
されない、いわゆる極性依存性を有している。そのよう
な機能を付与するために、電荷注入阻止層には伝導性を
制御する原子を光導電層に比べ比較的多く含有させる。
受容部材においては、導電性支持体と光導電層との間
に、導電性支持体側からの電荷の注入を阻止する働きの
ある電荷注入阻止層を設けるのがいっそう効果的であ
る。すなわち、電荷注入阻止層は光受容層が一定極性の
帯電処理をその自由表面に受けた際、支持体側より光導
電層側に電荷が注入されるのを阻止する機能を有し、逆
の極性の帯電処理を受けた際にはそのような機能は発揮
されない、いわゆる極性依存性を有している。そのよう
な機能を付与するために、電荷注入阻止層には伝導性を
制御する原子を光導電層に比べ比較的多く含有させる。
【０１１７】該層に含有される伝導性を制御する原子
は、該層中に万遍なく均一に分布されても良いし、ある
いは層厚方向には万遍なく含有されてはいるが、不均一
に分布する状態で含有している部分があってもよい。分
布濃度が不均一な場合には、支持体側に多く分布するよ
うに含有させるのが好適である。
は、該層中に万遍なく均一に分布されても良いし、ある
いは層厚方向には万遍なく含有されてはいるが、不均一
に分布する状態で含有している部分があってもよい。分
布濃度が不均一な場合には、支持体側に多く分布するよ
うに含有させるのが好適である。
【０１１８】しかしながら、いずれの場合にも支持体の
表面と平行面内方向においては、均一な分布で万遍なく
含有されることが面内方向における特性の均一化をはか
る点からも必要である。
表面と平行面内方向においては、均一な分布で万遍なく
含有されることが面内方向における特性の均一化をはか
る点からも必要である。
【０１１９】電荷注入阻止層に含有される伝導性を制御
する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純
物を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表
第IIIｂ族に属する原子（以後「第IIIｂ族原子」と略記
する）またはｎ型伝導特性を与える周期律表第Ｖｂ族に
属する原子（以後「第Ｖｂ族原子」と略記する）を用い
ることができる。
する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純
物を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表
第IIIｂ族に属する原子（以後「第IIIｂ族原子」と略記
する）またはｎ型伝導特性を与える周期律表第Ｖｂ族に
属する原子（以後「第Ｖｂ族原子」と略記する）を用い
ることができる。
【０１２０】第IIIｂ族原子としては、具体的には、Ｂ
（ほう素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウ
ム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔａ（タリウム）等があ
り、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子と
しては、具体的にはＰ（リン）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ
（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ，
Ａｓが好適である。
（ほう素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウ
ム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔａ（タリウム）等があ
り、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子と
しては、具体的にはＰ（リン）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ
（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ，
Ａｓが好適である。
【０１２１】本発明において電荷注入阻止層中に含有さ
れる伝導性を制御する原子の含有量としては、本発明の
目的が効果的に達成できるように所望にしたがって適宜
決定されるが、好ましくは１０〜１×１０4原子ｐｐ
ｍ、より好ましくは５０〜５×１０3原子ｐｐｍ、更に
好ましくは１×１０2〜３×１０3原子ｐｐｍとされるの
が望ましい。
れる伝導性を制御する原子の含有量としては、本発明の
目的が効果的に達成できるように所望にしたがって適宜
決定されるが、好ましくは１０〜１×１０4原子ｐｐ
ｍ、より好ましくは５０〜５×１０3原子ｐｐｍ、更に
好ましくは１×１０2〜３×１０3原子ｐｐｍとされるの
が望ましい。
【０１２２】さらに、電荷注入阻止層には、炭素原子、
窒素原子及び酸素原子の少なくとも一種を含有させるこ
とによって、該電荷注入阻止層に直接接触して設けられ
る他の層との間の密着性の向上をよりいっそう図ること
ができる。
窒素原子及び酸素原子の少なくとも一種を含有させるこ
とによって、該電荷注入阻止層に直接接触して設けられ
る他の層との間の密着性の向上をよりいっそう図ること
ができる。
【０１２３】該層に含有される炭素原子または窒素原子
または酸素原子は該層中に万偏なく均一に分布されても
良いし、あるいは層厚方向には万遍なく含有されてはい
るが、不均一に分布する状態で含有している部分があっ
てもよい。しかしながら、いずれの場合にも支持体の表
面と平行面内方向においては、均一な分布で万偏なく含
有されることが面内方向における特性の均一化をはかる
点からも必要である。
または酸素原子は該層中に万偏なく均一に分布されても
良いし、あるいは層厚方向には万遍なく含有されてはい
るが、不均一に分布する状態で含有している部分があっ
てもよい。しかしながら、いずれの場合にも支持体の表
面と平行面内方向においては、均一な分布で万偏なく含
有されることが面内方向における特性の均一化をはかる
点からも必要である。
【０１２４】本発明における電荷注入阻止層の全層領域
に含有される炭素原子及び／または窒素原子及び／また
は酸素原子の含有量は、本発明の目的が効果的に達成さ
れるように適宜決定されるが、一種の場合はその量とし
て、二種以上の場合はその総和として、好ましくは１×
１０-3〜５０原子％、より好ましくは５×１０-3〜３０
原子％、更に好ましくは１×１０-2〜１０原子％とされ
るのが望ましい。
に含有される炭素原子及び／または窒素原子及び／また
は酸素原子の含有量は、本発明の目的が効果的に達成さ
れるように適宜決定されるが、一種の場合はその量とし
て、二種以上の場合はその総和として、好ましくは１×
１０-3〜５０原子％、より好ましくは５×１０-3〜３０
原子％、更に好ましくは１×１０-2〜１０原子％とされ
るのが望ましい。
【０１２５】また、本発明における電荷注入阻止層に含
有される水素原子及び／またはハロゲン原子は層内に存
在する未結合手を補償し膜質の向上に効果を奏する。電
荷注入阻止層中の水素原子またはハロゲン原子あるいは
水素原子とハロゲン原子の和の含有量は、好ましくは１
〜５０原子％、より好ましくは５〜４０原子％、更に好
ましくは１０〜３０原子％とするのが望ましい。
有される水素原子及び／またはハロゲン原子は層内に存
在する未結合手を補償し膜質の向上に効果を奏する。電
荷注入阻止層中の水素原子またはハロゲン原子あるいは
水素原子とハロゲン原子の和の含有量は、好ましくは１
〜５０原子％、より好ましくは５〜４０原子％、更に好
ましくは１０〜３０原子％とするのが望ましい。
【０１２６】本発明に於ける電荷注入阻止層１０５の層
厚としては、好ましくは０．１〜５μｍ、より好ましく
は０．３〜４μｍ、更に好ましくは０．５〜３μｍとさ
れるのが望ましい。層厚が０．１μｍより薄くなると、
支持体からの電荷の注入阻止能が不十分になって十分な
帯電能が得られない場合があり、５μｍより厚くしても
実質的な電子写真特性の向上よりも作製時間の延長によ
る製造コスト増を招く。
厚としては、好ましくは０．１〜５μｍ、より好ましく
は０．３〜４μｍ、更に好ましくは０．５〜３μｍとさ
れるのが望ましい。層厚が０．１μｍより薄くなると、
支持体からの電荷の注入阻止能が不十分になって十分な
帯電能が得られない場合があり、５μｍより厚くしても
実質的な電子写真特性の向上よりも作製時間の延長によ
る製造コスト増を招く。
【０１２７】本発明において電荷注入阻止層を形成する
には、前述の光導電層を形成する方法と同様の真空堆積
法が採用される。
には、前述の光導電層を形成する方法と同様の真空堆積
法が採用される。
【０１２８】本発明の目的を達成し得る特性を有する電
荷注入阻止層１０５を形成するには、光導電層１０３と
同様に、Ｓｉ供給用のガスと希釈ガスとの混合比、反応
容器内のガス圧、放電電力ならびに支持体１０１の温度
を適宜設定することが必要である。
荷注入阻止層１０５を形成するには、光導電層１０３と
同様に、Ｓｉ供給用のガスと希釈ガスとの混合比、反応
容器内のガス圧、放電電力ならびに支持体１０１の温度
を適宜設定することが必要である。
【０１２９】希釈ガスであるＨ2及び／またはＨｅの流
量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択される
が、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ2及び／またはＨｅを、好
ましくは１〜２０倍、より好ましくは３〜１５倍、更に
好ましくは５〜１０倍の範囲に制御することが望まし
い。
量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択される
が、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ2及び／またはＨｅを、好
ましくは１〜２０倍、より好ましくは３〜１５倍、更に
好ましくは５〜１０倍の範囲に制御することが望まし
い。
【０１３０】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは１×１
０-4〜１０Ｔｏｒｒ、より好ましくは５×１０-4〜５Ｔ
ｏｒｒ、更に好ましくは１×１０-3〜１Ｔｏｒｒとする
のが望ましい。
がって適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは１×１
０-4〜１０Ｔｏｒｒ、より好ましくは５×１０-4〜５Ｔ
ｏｒｒ、更に好ましくは１×１０-3〜１Ｔｏｒｒとする
のが望ましい。
【０１３１】放電電力もまた同様に層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
に対する放電電力の比を、好ましくは１〜７、より好ま
しくは２〜６、更に好ましくは３〜５の範囲に設定する
ことが望ましい。
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
に対する放電電力の比を、好ましくは１〜７、より好ま
しくは２〜６、更に好ましくは３〜５の範囲に設定する
ことが望ましい。
【０１３２】さらに、支持体１０１の温度は、層設計に
したがって適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは２
００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０℃、更
に好ましくは２５０〜３１０℃とするのが望ましい。
したがって適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは２
００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０℃、更
に好ましくは２５０〜３１０℃とするのが望ましい。
【０１３３】本発明においては、電荷注入阻止層を形成
するための希釈ガスの混合比、ガス圧、放電電力、支持
体温度の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げら
れるが、これらの条件は通常は独立的に別々に決められ
るものではなく、所望の特性を有する表面層を形成すべ
く相互的且つ有機的関連性に基づいて最適値を決めるの
が望ましい。
するための希釈ガスの混合比、ガス圧、放電電力、支持
体温度の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げら
れるが、これらの条件は通常は独立的に別々に決められ
るものではなく、所望の特性を有する表面層を形成すべ
く相互的且つ有機的関連性に基づいて最適値を決めるの
が望ましい。
【０１３４】このほかに、本発明の電子写真用光受容部
材においては、光受容層１０２の前記支持体１０１側
に、少なくともアルミニウム原子、シリコン原子、水素
原子または／及びハロゲン原子が層厚方向に不均一な分
布状態で含有する層領域を有することが望ましい。
材においては、光受容層１０２の前記支持体１０１側
に、少なくともアルミニウム原子、シリコン原子、水素
原子または／及びハロゲン原子が層厚方向に不均一な分
布状態で含有する層領域を有することが望ましい。
【０１３５】また、本発明の電子写真用光受容部材に於
いては、支持体１０１と光導電層１０３あるいは電荷注
入阻止層１０５との間の密着性の一層の向上を図る目的
で、例えば、Ｓｉ3Ｎ4，ＳｉＯ2，ＳｉＯ、あるいはシ
リコン原子を母体とし、水素原子及び／またはハロゲン
原子と、炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒
素原子とを含む非晶質材料等で構成される密着層を設け
ても良い。更に、支持体からの反射光による干渉模様の
発生を防止するための光吸収層を設けても良い。
いては、支持体１０１と光導電層１０３あるいは電荷注
入阻止層１０５との間の密着性の一層の向上を図る目的
で、例えば、Ｓｉ3Ｎ4，ＳｉＯ2，ＳｉＯ、あるいはシ
リコン原子を母体とし、水素原子及び／またはハロゲン
原子と、炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒
素原子とを含む非晶質材料等で構成される密着層を設け
ても良い。更に、支持体からの反射光による干渉模様の
発生を防止するための光吸収層を設けても良い。
【０１３６】次に、光受容層を形成するための装置及び
膜形成方法について詳述する。図２はＲＦ帯の周波数を
用いた高周波プラズマＣＶＤ法（以後「ＲＦ−ＰＣＶ
Ｄ」と略記する）による電子写真用光受容部材の製造装
置の好適な一例を示す模式的な構成図である。図２に示
す製造装置の構成は以下の通りである。
膜形成方法について詳述する。図２はＲＦ帯の周波数を
用いた高周波プラズマＣＶＤ法（以後「ＲＦ−ＰＣＶ
Ｄ」と略記する）による電子写真用光受容部材の製造装
置の好適な一例を示す模式的な構成図である。図２に示
す製造装置の構成は以下の通りである。
【０１３７】この装置は大別すると、堆積装置（２１０
０）、原料ガスの供給装置（２２００）、反応容器（２
１１１）内を減圧にするための排気装置（図示せず）か
ら構成されている。堆積装置（２１００）中の反応容器
（２１１１）内には円筒状支持体（２１１２）、支持体
加熱用ヒーター（２１１３）、原料ガス導入管（図示せ
ず）が設置され、更に高周波マッチングボックス（２１
１５）が接続されている。
０）、原料ガスの供給装置（２２００）、反応容器（２
１１１）内を減圧にするための排気装置（図示せず）か
ら構成されている。堆積装置（２１００）中の反応容器
（２１１１）内には円筒状支持体（２１１２）、支持体
加熱用ヒーター（２１１３）、原料ガス導入管（図示せ
ず）が設置され、更に高周波マッチングボックス（２１
１５）が接続されている。
【０１３８】原料ガス供給装置（２２００）は、ＳｉＨ
4，ＧｅＨ4，Ｈ2，ＣＨ4，Ｂ2Ｈ6，ＰＨ3等の原料ガス
のボンベ（２２２１〜２２２６）とバルブ（２２３１〜
２２３６，２２４１〜２２４６，２２５１〜２２５６）
及びマスフローコントローラー（２２１１〜２２１６）
から構成され、各原料ガスのボンベはバルブ（２２６
０）を介して反応容器（２１１１）内のガス導入管（２
１１４）に接続されている。
4，ＧｅＨ4，Ｈ2，ＣＨ4，Ｂ2Ｈ6，ＰＨ3等の原料ガス
のボンベ（２２２１〜２２２６）とバルブ（２２３１〜
２２３６，２２４１〜２２４６，２２５１〜２２５６）
及びマスフローコントローラー（２２１１〜２２１６）
から構成され、各原料ガスのボンベはバルブ（２２６
０）を介して反応容器（２１１１）内のガス導入管（２
１１４）に接続されている。
【０１３９】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
以下のように行うことができる。まず、反応容器（２１
１１）内に円筒状支持体（２１１２）を設置し、排気装
置（図示せず）により反応容器（２１１１）内を排気す
る。続いて、支持体加熱用ヒーター（２１１３）により
円筒状支持体（２１１２）の温度を、例えば２００℃乃
至３５０℃の所定の温度に制御する。
以下のように行うことができる。まず、反応容器（２１
１１）内に円筒状支持体（２１１２）を設置し、排気装
置（図示せず）により反応容器（２１１１）内を排気す
る。続いて、支持体加熱用ヒーター（２１１３）により
円筒状支持体（２１１２）の温度を、例えば２００℃乃
至３５０℃の所定の温度に制御する。
【０１４０】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器（２１
１１）に流入させるには、ガスボンベのバルブ（２２３
１〜２２３７）、反応容器のリークバルブ（２１１７）
が閉じられていることを確認し、また、流入バルブ（２
２４１〜２２４６）、流出バルブ（２２５１〜２２５
６）、補助バルブ（２２６０）が開かれていることを確
認して、まずメインバルブ（２１１８）を開いて反応容
器（２１１１）及びガス配管内（２１１６）を排気す
る。
１１）に流入させるには、ガスボンベのバルブ（２２３
１〜２２３７）、反応容器のリークバルブ（２１１７）
が閉じられていることを確認し、また、流入バルブ（２
２４１〜２２４６）、流出バルブ（２２５１〜２２５
６）、補助バルブ（２２６０）が開かれていることを確
認して、まずメインバルブ（２１１８）を開いて反応容
器（２１１１）及びガス配管内（２１１６）を排気す
る。
【０１４１】次に真空計（２１１９）の読みが約５×１
０-6Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ（２２６０）、
流出バルブ（２２５１〜２２５６）を閉じる。
０-6Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ（２２６０）、
流出バルブ（２２５１〜２２５６）を閉じる。
【０１４２】その後、ガスボンベ（２２２１〜２２２
６）より各ガスをバルブ（２２３１〜２２３６）を開い
て導入し、圧力調整器（２２６１〜２２６６）により各
ガス圧を２ｋｇ／ｃｍ2に調整する。次に、流入バルブ
（２２４１〜２２４６）を徐々に開けて、各ガスをマス
フローコントローラー（２２１１〜２２１６）内に導入
する。
６）より各ガスをバルブ（２２３１〜２２３６）を開い
て導入し、圧力調整器（２２６１〜２２６６）により各
ガス圧を２ｋｇ／ｃｍ2に調整する。次に、流入バルブ
（２２４１〜２２４６）を徐々に開けて、各ガスをマス
フローコントローラー（２２１１〜２２１６）内に導入
する。
【０１４３】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下の手順で各層の形成を行う。円筒状支持体（２
１１２）が所定の温度になったところで流出バルブ（２
２５１〜２２５６）のうちの必要なもの及び補助バルブ
（２２６０）を徐々に開き、ガスボンベ（２２２１〜２
２２６）から所定のガスをガス導入管（２１１４）を介
して反応容器（２１１１）内に導入する。次にマスフロ
ーコントローラー（２２１１〜２２１６）によって各原
料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反
応容器（２１１１）内の圧力が１Ｔｏｒｒ以下の所定の
圧力になるように真空計（２１１９）を見ながらメイン
バルブ（２１１８）の開口を調整する。内圧が安定した
ところで、周波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源（図示せ
ず）を所望の電力に設定して、高周波マッチングボック
ス（２１１５）を通じて反応容器（２１１１）内にＲＦ
電力を導入し、グロー放電を生起させる。この放電エネ
ルギーによって反応容器内に導入された原料ガスが分解
され、円筒状支持体（２１１２）上に所定のシリコンを
主成分とする堆積膜が形成されるところとなる。所望の
膜厚の形成が行われた後、ＲＦ電力の供給を止め、流出
バルブを閉じて反応容器へのガスの流入を止め、堆積膜
の形成を終える。
後、以下の手順で各層の形成を行う。円筒状支持体（２
１１２）が所定の温度になったところで流出バルブ（２
２５１〜２２５６）のうちの必要なもの及び補助バルブ
（２２６０）を徐々に開き、ガスボンベ（２２２１〜２
２２６）から所定のガスをガス導入管（２１１４）を介
して反応容器（２１１１）内に導入する。次にマスフロ
ーコントローラー（２２１１〜２２１６）によって各原
料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反
応容器（２１１１）内の圧力が１Ｔｏｒｒ以下の所定の
圧力になるように真空計（２１１９）を見ながらメイン
バルブ（２１１８）の開口を調整する。内圧が安定した
ところで、周波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源（図示せ
ず）を所望の電力に設定して、高周波マッチングボック
ス（２１１５）を通じて反応容器（２１１１）内にＲＦ
電力を導入し、グロー放電を生起させる。この放電エネ
ルギーによって反応容器内に導入された原料ガスが分解
され、円筒状支持体（２１１２）上に所定のシリコンを
主成分とする堆積膜が形成されるところとなる。所望の
膜厚の形成が行われた後、ＲＦ電力の供給を止め、流出
バルブを閉じて反応容器へのガスの流入を止め、堆積膜
の形成を終える。
【０１４４】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。
【０１４５】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブはすべて閉じられており、また、それ
ぞれのガスが反応容器（２１１１）内、流出バルブ（２
２５１〜２２５６）から反応容器（２１１１）に至る配
管内に残留することを避けるために、流出バルブ（２２
５１〜２２５６）を閉じ、補助バルブ（２２６０）を開
き、さらにメインバルブ（２１１８）を全開にして系内
を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。
以外の流出バルブはすべて閉じられており、また、それ
ぞれのガスが反応容器（２１１１）内、流出バルブ（２
２５１〜２２５６）から反応容器（２１１１）に至る配
管内に残留することを避けるために、流出バルブ（２２
５１〜２２５６）を閉じ、補助バルブ（２２６０）を開
き、さらにメインバルブ（２１１８）を全開にして系内
を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。
【０１４６】また、膜形成の均一化を図るために、層形
成を行なっている間は、支持体（２１１２）を駆動装置
（図示せず）によって所定の速度で回転させることも有
効である。
成を行なっている間は、支持体（２１１２）を駆動装置
（図示せず）によって所定の速度で回転させることも有
効である。
【０１４７】さらに、上述のガス種及びバルブ操作は各
々の層の作製条件にしたがって変更が加えられる。
々の層の作製条件にしたがって変更が加えられる。
【０１４８】次に、ＶＨＦ帯の周波数を用いた高周波プ
ラズマＣＶＤ法（以後「ＶＨＦ−ＰＣＶＤ」と略記す
る）によって形成される電子写真用光受容部材の製造方
法について説明する。
ラズマＣＶＤ法（以後「ＶＨＦ−ＰＣＶＤ」と略記す
る）によって形成される電子写真用光受容部材の製造方
法について説明する。
【０１４９】図２に示した製造装置におけるＲＦ−ＰＣ
ＶＤ法による堆積装置（２１００）を、図３に示す堆積
装置（３１００）に代えて原料ガス供給装置（２２０
０）と接続することにより、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法による
電子写真用光受容部材製造装置を得ることができる。
ＶＤ法による堆積装置（２１００）を、図３に示す堆積
装置（３１００）に代えて原料ガス供給装置（２２０
０）と接続することにより、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法による
電子写真用光受容部材製造装置を得ることができる。
【０１５０】この装置は大別すると、反応容器（３１１
１）、原料ガスの供給装置（２２００）、及び反応容器
内を減圧にするための排気装置（図示せず）から構成さ
れている。反応容器（３１１１）内には円筒状支持体
（３１１２）、支持体加熱用ヒーター（３１１３）、原
料ガス導入管（図示せず）、電極（３１１５）が設置さ
れ、電極には更に高周波マッチングボックス（３１１
６）が接続されている。また、反応容器（３１１１）内
は排気管（３１２１）を通じて排気装置（図示せず）に
接続されている。
１）、原料ガスの供給装置（２２００）、及び反応容器
内を減圧にするための排気装置（図示せず）から構成さ
れている。反応容器（３１１１）内には円筒状支持体
（３１１２）、支持体加熱用ヒーター（３１１３）、原
料ガス導入管（図示せず）、電極（３１１５）が設置さ
れ、電極には更に高周波マッチングボックス（３１１
６）が接続されている。また、反応容器（３１１１）内
は排気管（３１２１）を通じて排気装置（図示せず）に
接続されている。
【０１５１】原料ガス供給装置（２２００）は、ＳｉＨ
4，ＧｅＨ4，Ｈ2，ＣＨ4，Ｂ2Ｈ6，ＰＨ3等の原料ガス
のボンベ（２２２１〜２２２６）とバルブ（２２３１〜
２２３６，２２４１〜２２４６，２２５１〜２２５６）
及びマスフローコントローラー（２２１１〜２２１６）
から構成され、各原料ガスのボンベはバルブ（２２６
０）を介して反応容器（３１１１）内のガス導入管（図
示せず）に接続されている。また、円筒状支持体（３１
１２）によって取り囲まれた空間（３１３０）が放電空
間を形成している。
4，ＧｅＨ4，Ｈ2，ＣＨ4，Ｂ2Ｈ6，ＰＨ3等の原料ガス
のボンベ（２２２１〜２２２６）とバルブ（２２３１〜
２２３６，２２４１〜２２４６，２２５１〜２２５６）
及びマスフローコントローラー（２２１１〜２２１６）
から構成され、各原料ガスのボンベはバルブ（２２６
０）を介して反応容器（３１１１）内のガス導入管（図
示せず）に接続されている。また、円筒状支持体（３１
１２）によって取り囲まれた空間（３１３０）が放電空
間を形成している。
【０１５２】ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法によるこの装置での堆
積膜の形成は、以下のように行なうことができる。
積膜の形成は、以下のように行なうことができる。
【０１５３】まず、反応容器（３１１１）内に円筒状支
持体（３１１２）を設置し、駆動装置（３１２０）によ
って支持体（３１１２）を回転し、不図示の排気装置
（例えば拡散ポンプ）により反応容器（３１１１）内を
排気管（３１２１）を介して排気し、反応容器（３１１
１）内の圧力を、例えば１×１０-7Ｔｏｒｒ以下に調整
する。続いて、支持体加熱用ヒーター（３１１３）によ
り円筒状支持体（３１１２）の温度を、例えば２００℃
乃至３５０℃の所定の温度に加熱保持する。
持体（３１１２）を設置し、駆動装置（３１２０）によ
って支持体（３１１２）を回転し、不図示の排気装置
（例えば拡散ポンプ）により反応容器（３１１１）内を
排気管（３１２１）を介して排気し、反応容器（３１１
１）内の圧力を、例えば１×１０-7Ｔｏｒｒ以下に調整
する。続いて、支持体加熱用ヒーター（３１１３）によ
り円筒状支持体（３１１２）の温度を、例えば２００℃
乃至３５０℃の所定の温度に加熱保持する。
【０１５４】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器（３１
１１）に流入させるには、ガスボンベのバルブ（２２３
１〜２２３６）、反応容器のリークバルブ（図示せず）
が閉じられていることを確認し、また、流入バルブ（２
２４１〜２２４６）、流出バルブ（２２５１〜２２５
６）、補助バルブ（２２６０）が開かれていることを確
認して、まずメインバルブ（図示せず）を開いて反応容
器（３１１１）及びガス配管内を排気する。
１１）に流入させるには、ガスボンベのバルブ（２２３
１〜２２３６）、反応容器のリークバルブ（図示せず）
が閉じられていることを確認し、また、流入バルブ（２
２４１〜２２４６）、流出バルブ（２２５１〜２２５
６）、補助バルブ（２２６０）が開かれていることを確
認して、まずメインバルブ（図示せず）を開いて反応容
器（３１１１）及びガス配管内を排気する。
【０１５５】次に真空計（図示せず）の読みが約５×１
０-6Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ（２２６０）、
流出バルブ（２２５１〜２２５６）を閉じる。
０-6Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ（２２６０）、
流出バルブ（２２５１〜２２５６）を閉じる。
【０１５６】その後、ガスボンベ（２２２１〜２２２
６）より各ガスをバルブ（２２３１〜２２３６）を開い
て導入し、圧力調整器（２２６１〜２２６６）により各
ガス圧を２ｋｇ／ｃｍ2に調整する。次に、流入バルブ
（２２４１〜２２４６）を徐々に開けて、各ガスをマス
フローコントローラー（２２１１〜２２１６）内に導入
する。
６）より各ガスをバルブ（２２３１〜２２３６）を開い
て導入し、圧力調整器（２２６１〜２２６６）により各
ガス圧を２ｋｇ／ｃｍ2に調整する。次に、流入バルブ
（２２４１〜２２４６）を徐々に開けて、各ガスをマス
フローコントローラー（２２１１〜２２１６）内に導入
する。
【０１５７】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下のようにして円筒状支持体（３１１２）上に各
層の形成を行う。
後、以下のようにして円筒状支持体（３１１２）上に各
層の形成を行う。
【０１５８】円筒状支持体（３１１２）が所定の温度に
なったところで流出バルブ（２２５１〜２２５６）のう
ちの必要なもの及び補助バルブ（２２６０）を徐々に開
き、ガスボンベ（２２２１〜２２２６）から所定のガス
をガス導入管（図示せず）を介して反応容器（３１１
１）内の放電空間（３１３０）に導入する。次にマスフ
ローコントローラー（２２１１〜２２１６）によって各
原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、
放電空間（３１３０）内の圧力が１Ｔｏｒｒ以下の所定
の圧力になるように真空計（図示せず）を見ながらメイ
ンバルブ（図示せず）の開口を調整する。
なったところで流出バルブ（２２５１〜２２５６）のう
ちの必要なもの及び補助バルブ（２２６０）を徐々に開
き、ガスボンベ（２２２１〜２２２６）から所定のガス
をガス導入管（図示せず）を介して反応容器（３１１
１）内の放電空間（３１３０）に導入する。次にマスフ
ローコントローラー（２２１１〜２２１６）によって各
原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、
放電空間（３１３０）内の圧力が１Ｔｏｒｒ以下の所定
の圧力になるように真空計（図示せず）を見ながらメイ
ンバルブ（図示せず）の開口を調整する。
【０１５９】圧力が安定したところで、例えば周波数５
００ＭＨｚのＶＨＦ電源（図示せず）を所望の電力に設
定して、マッチングボックス（３１１６）を通じて放電
空間（３１３０）にＶＨＦ電力を導入し、グロー放電を
生起させる。かくして支持体（３１１２）により取り囲
まれた放電空間（３１３０）において、導入された原料
ガスは、放電エネルギーにより励起されて解離し、支持
体（３１１２）上に所定の堆積膜が形成される。この
時、層形成の均一化を図るため支持体回転用モーター
（３１２０）によって、所望の回転速度で回転させる。
００ＭＨｚのＶＨＦ電源（図示せず）を所望の電力に設
定して、マッチングボックス（３１１６）を通じて放電
空間（３１３０）にＶＨＦ電力を導入し、グロー放電を
生起させる。かくして支持体（３１１２）により取り囲
まれた放電空間（３１３０）において、導入された原料
ガスは、放電エネルギーにより励起されて解離し、支持
体（３１１２）上に所定の堆積膜が形成される。この
時、層形成の均一化を図るため支持体回転用モーター
（３１２０）によって、所望の回転速度で回転させる。
【０１６０】所望の膜厚の形成が行われた後、ＶＨＦ電
力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器へのガス
の流入を止め、堆積膜の形成を終える。同様の操作を複
数回繰り返すことによって、所望の多層構造の光受容層
が形成される。
力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器へのガス
の流入を止め、堆積膜の形成を終える。同様の操作を複
数回繰り返すことによって、所望の多層構造の光受容層
が形成される。
【０１６１】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブはすべて閉じられており、また、それ
ぞれのガスが反応容器（３１１１）内、流出バルブ（２
２５１〜２２５６）から反応容器（３１１１）に至る配
管内に残留することを避けるために、流出バルブ（２２
５１〜２２５６）を閉じ、補助バルブ（２２６０）を開
き、さらにメインバルブ（図示せず）を全開にして系内
を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。上述
のガス種及びバルブ操作は各々の層の作成条件にしたが
って変更が加えられる。
以外の流出バルブはすべて閉じられており、また、それ
ぞれのガスが反応容器（３１１１）内、流出バルブ（２
２５１〜２２５６）から反応容器（３１１１）に至る配
管内に残留することを避けるために、流出バルブ（２２
５１〜２２５６）を閉じ、補助バルブ（２２６０）を開
き、さらにメインバルブ（図示せず）を全開にして系内
を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。上述
のガス種及びバルブ操作は各々の層の作成条件にしたが
って変更が加えられる。
【０１６２】ＲＦ−ＰＣＶＤ法とＶＨＦ−ＰＣＶＤ法の
いずれの方法においても、堆積膜形成時の支持体温度
は、特に好ましくは２００℃以上３５０℃以下、より好
ましくは２３０℃以上３３０℃以下、更に好ましくは２
５０℃以上３１０℃以下が望ましい。
いずれの方法においても、堆積膜形成時の支持体温度
は、特に好ましくは２００℃以上３５０℃以下、より好
ましくは２３０℃以上３３０℃以下、更に好ましくは２
５０℃以上３１０℃以下が望ましい。
【０１６３】光導電層を成膜する時に、ＥｕおよびＤＯ
Ｓを層厚方向に変化させる場合には、例えば上記の操作
に加えてＳｉＨ4流量と放電電力との比を連続的に変化
させる操作並びに基板温度を連続的に変化させる操作を
必要に応じて行えばよい。
Ｓを層厚方向に変化させる場合には、例えば上記の操作
に加えてＳｉＨ4流量と放電電力との比を連続的に変化
させる操作並びに基板温度を連続的に変化させる操作を
必要に応じて行えばよい。
【０１６４】支持体の加熱方法は、真空仕様である発熱
体であればよく、例えばシース状ヒーターの巻き付けヒ
ーター、板状ヒーター、セラミックヒーター等の電気抵
抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱放射ラ
ンプ発熱体、液体、気体等を温媒とし熱交換手段による
発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質は、ステン
レス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属類、セラミ
ックス、耐熱性高分子樹脂等を使用することができる。
体であればよく、例えばシース状ヒーターの巻き付けヒ
ーター、板状ヒーター、セラミックヒーター等の電気抵
抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱放射ラ
ンプ発熱体、液体、気体等を温媒とし熱交換手段による
発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質は、ステン
レス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属類、セラミ
ックス、耐熱性高分子樹脂等を使用することができる。
【０１６５】それ以外にも、反応容器以外に加熱専用の
容器を設け、加熱した後、反応容器内に真空中で支持体
を搬送する等の方法が用いられる。
容器を設け、加熱した後、反応容器内に真空中で支持体
を搬送する等の方法が用いられる。
【０１６６】また、特にＶＨＦ−ＰＣＶＤ法における放
電空間の圧力として、好ましくは１ｍＴｏｒｒ以上５０
０ｍＴｏｒｒ以下、より好ましくは３ｍＴｏｒｒ以上３
００ｍＴｏｒｒ以下、最も好ましくは５ｍＴｏｒｒ以上
１００ｍＴｏｒｒ以下に設定することが望ましい。
電空間の圧力として、好ましくは１ｍＴｏｒｒ以上５０
０ｍＴｏｒｒ以下、より好ましくは３ｍＴｏｒｒ以上３
００ｍＴｏｒｒ以下、最も好ましくは５ｍＴｏｒｒ以上
１００ｍＴｏｒｒ以下に設定することが望ましい。
【０１６７】ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法において放電空間に設
けられる電極（３１１５）の大きさ及び形状は、放電を
乱さないならばいずれのものでも良いが、実用上は直径
１ｍｍ以上１０ｃｍ以下の円筒状が好ましい。この時、
電極の長さも、支持体に電界が均一にかかる長さであれ
ば任意に設定できる。
けられる電極（３１１５）の大きさ及び形状は、放電を
乱さないならばいずれのものでも良いが、実用上は直径
１ｍｍ以上１０ｃｍ以下の円筒状が好ましい。この時、
電極の長さも、支持体に電界が均一にかかる長さであれ
ば任意に設定できる。
【０１６８】電極の材質としては、少なくとも表面が導
電性を有するものであれば良く、例えば、ステンレス，
Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔｅ，Ｖ，Ｔ
ｉ，Ｐｔ，Ｐｂ，Ｆｅ等の金属、これらの合金または表
面を導電処理したガラス、セラミック等が通常使用され
る。
電性を有するものであれば良く、例えば、ステンレス，
Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔｅ，Ｖ，Ｔ
ｉ，Ｐｔ，Ｐｂ，Ｆｅ等の金属、これらの合金または表
面を導電処理したガラス、セラミック等が通常使用され
る。
【０１６９】
【実施例】以下本発明の一実施例を、図２と図３を参照
して説明する。 （実施例１）図２に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による電子写
真用光受容部材の製造装置を用い、直径１０８ｍｍの鏡
面加工を施したアルミニウムシリンダー支持体上に、例
えば表１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面
層からなる光受容部材を作製した。さらに光導電層のＳ
ｉＨ4とＨ2との混合比ならびに放電電力を変えることに
よって、種々の光受容部材を作製した。
して説明する。 （実施例１）図２に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による電子写
真用光受容部材の製造装置を用い、直径１０８ｍｍの鏡
面加工を施したアルミニウムシリンダー支持体上に、例
えば表１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面
層からなる光受容部材を作製した。さらに光導電層のＳ
ｉＨ4とＨ2との混合比ならびに放電電力を変えることに
よって、種々の光受容部材を作製した。
【０１７０】作製した光受容部材は、電子写真装置（キ
ヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造）にセットし
て、帯電能の温度依存性（温度特性）、メモリーならび
に画像流れを評価した。温度特性は、光受容部材の温度
を室温から約４５℃まで変えて帯電能を測定し、このと
きの温度１℃当たりの帯電能の変化を測定して、２Ｖ／
ｄｅｇ以下を合格と判定した。また、メモリー、画像流
れについては、画像を目視により判定し、１：非常に良
好、２：良好、３：実用上問題なし、４：実用上やや難
のある場合ありの４段階にランク分けをした。その結
果、ランク１と２を合格と判定した。
ヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造）にセットし
て、帯電能の温度依存性（温度特性）、メモリーならび
に画像流れを評価した。温度特性は、光受容部材の温度
を室温から約４５℃まで変えて帯電能を測定し、このと
きの温度１℃当たりの帯電能の変化を測定して、２Ｖ／
ｄｅｇ以下を合格と判定した。また、メモリー、画像流
れについては、画像を目視により判定し、１：非常に良
好、２：良好、３：実用上問題なし、４：実用上やや難
のある場合ありの４段階にランク分けをした。その結
果、ランク１と２を合格と判定した。
【０１７１】一方、円筒形のサンプルホルダーに設置し
たガラス基板（コーニング社製 ７０５９）ならびにＳ
ｉウエハー上に、光導電層の作成条件で膜厚約１μｍの
ａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガラス基板上の堆積膜にはＡｌ
の串型電極を蒸着し、ＣＰＭにより指数関数裾の特性エ
ネルギー（Ｅｕ）と局在準位密度（ＤＯＳ）を測定し、
Ｓｉウエハー上の堆積膜はＦＴＩＲ（フーリエ変換赤外
吸光分析）法により含有水素量を測定した。
たガラス基板（コーニング社製 ７０５９）ならびにＳ
ｉウエハー上に、光導電層の作成条件で膜厚約１μｍの
ａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガラス基板上の堆積膜にはＡｌ
の串型電極を蒸着し、ＣＰＭにより指数関数裾の特性エ
ネルギー（Ｅｕ）と局在準位密度（ＤＯＳ）を測定し、
Ｓｉウエハー上の堆積膜はＦＴＩＲ（フーリエ変換赤外
吸光分析）法により含有水素量を測定した。
【０１７２】その結果、表１の条件で作製した光導電層
は、水素含有量が２７原子％、Ｅｕが５７ｍｅＶ、ＤＯ
Ｓが３．２×１０15ｃｍ-3であった。
は、水素含有量が２７原子％、Ｅｕが５７ｍｅＶ、ＤＯ
Ｓが３．２×１０15ｃｍ-3であった。
【０１７３】また、ＳｉＨ4に対する放電電力（ＲＦＰ
ｏｗｅｒ）の比を固定してＳｉＨ4とＨ2との混合比（Ｈ
2／ＳｉＨ4）を増加させた場合、混合比が１０程度まで
してＥｕ、ＤＯＳ共にほぼ単調に低下する傾向がみら
れ、特にＤＯＳの低下する傾向が顕著であった。そし
て、それ以上混合比を増加した場合のＥｕ、ＤＯＳの低
下割合は緩やかであった。一方、ＳｉＨ4とＨ2との混合
比を固定してＳｉＨ4に対する放電電力（Ｐｏｗｅｒ）
の比を増加させた場合Ｅｕ、ＤＯＳ共に増加する傾向が
見られ、特にＥｕの増加する傾向が顕著であった。
ｏｗｅｒ）の比を固定してＳｉＨ4とＨ2との混合比（Ｈ
2／ＳｉＨ4）を増加させた場合、混合比が１０程度まで
してＥｕ、ＤＯＳ共にほぼ単調に低下する傾向がみら
れ、特にＤＯＳの低下する傾向が顕著であった。そし
て、それ以上混合比を増加した場合のＥｕ、ＤＯＳの低
下割合は緩やかであった。一方、ＳｉＨ4とＨ2との混合
比を固定してＳｉＨ4に対する放電電力（Ｐｏｗｅｒ）
の比を増加させた場合Ｅｕ、ＤＯＳ共に増加する傾向が
見られ、特にＥｕの増加する傾向が顕著であった。
【０１７４】本例のＥｕと温度特性との関係を図４に、
ＤＯＳとメモリー及び画像流れとの関係を図５、図６に
それぞれ示す。いずれのサンプルも水素含有量は１０〜
３０原子％の間であった。図４、図５ならびに図６から
明らかなように、Ｅｕは５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以
下、ＤＯＳは１×１０14ｃｍ-3以上１×１０16ｃｍ-3未
満の範囲にすることが良好な電子写真特性を得るために
必要であることがわかった。
ＤＯＳとメモリー及び画像流れとの関係を図５、図６に
それぞれ示す。いずれのサンプルも水素含有量は１０〜
３０原子％の間であった。図４、図５ならびに図６から
明らかなように、Ｅｕは５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以
下、ＤＯＳは１×１０14ｃｍ-3以上１×１０16ｃｍ-3未
満の範囲にすることが良好な電子写真特性を得るために
必要であることがわかった。
【０１７５】作製された光受容部材を上記した電子写真
装置にセットして帯電、露光、現像、転写、クリーニン
グを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて優
れた画像を得ることができた。
装置にセットして帯電、露光、現像、転写、クリーニン
グを１プロセスとする画像形成をしたところ、極めて優
れた画像を得ることができた。
【０１７６】
【表１】
【０１７７】（実施例２）本例では、光導電層と表面層
との間に、炭素原子の含有量を表面層より減らし、伝導
性を制御する原子を含有させた中間層（上部阻止層）を
設けた。表２に、このときの電子写真用光受容部材の作
製条件を示した。他の点は実施例１と同様とした。
との間に、炭素原子の含有量を表面層より減らし、伝導
性を制御する原子を含有させた中間層（上部阻止層）を
設けた。表２に、このときの電子写真用光受容部材の作
製条件を示した。他の点は実施例１と同様とした。
【０１７８】本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、そ
れぞれ５５ｍｅＶ、２×１０15ｃｍ -3という結果が得ら
れた。また、作製した電子写真用光受容部材を負帯電し
て実施例１と同様の評価をしたところ実施例１と同様に
良好な電子写真特性が得られた。
れぞれ５５ｍｅＶ、２×１０15ｃｍ -3という結果が得ら
れた。また、作製した電子写真用光受容部材を負帯電し
て実施例１と同様の評価をしたところ実施例１と同様に
良好な電子写真特性が得られた。
【０１７９】すなわち、中間層（上部阻止層）を設けた
場合においても、Ｅｕは５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以
下、ＤＯＳは１×１０14ｃｍ-3以上１×１０16ｃｍ-3未
満の範囲にすることが良好な電子写真特性を得るために
必要であることがわかった。
場合においても、Ｅｕは５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以
下、ＤＯＳは１×１０14ｃｍ-3以上１×１０16ｃｍ-3未
満の範囲にすることが良好な電子写真特性を得るために
必要であることがわかった。
【０１８０】作製された光受容部材を実施例１と同様に
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
【０１８１】
【表２】
【０１８２】（実施例３）本例では、実施例１の表面層
に代えて、表面層のシリコン原子及び炭素原子の含有量
を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた。
表３に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を
示した。他の点は実施例１と同様とした。
に代えて、表面層のシリコン原子及び炭素原子の含有量
を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた。
表３に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を
示した。他の点は実施例１と同様とした。
【０１８３】本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、そ
れぞれ５０ｍｅＶ、８×１０14ｃｍ -3という結果が得ら
れた。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例１
と同様の評価をしたところ実施例１と同様に良好な電子
写真特性が得られた。
れぞれ５０ｍｅＶ、８×１０14ｃｍ -3という結果が得ら
れた。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例１
と同様の評価をしたところ実施例１と同様に良好な電子
写真特性が得られた。
【０１８４】すなわち、表面層のシリコン原子及び炭素
原子を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設け
た場合においても、Ｅｕは５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以
下、ＤＯＳは１×１０14ｃｍ-3以上１×１０16ｃｍ-3未
満の範囲にすることが良好な電子写真特性を得るために
必要であることがわかった。
原子を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設け
た場合においても、Ｅｕは５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以
下、ＤＯＳは１×１０14ｃｍ-3以上１×１０16ｃｍ-3未
満の範囲にすることが良好な電子写真特性を得るために
必要であることがわかった。
【０１８５】作製された光受容部材を実施例１と同様に
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
【０１８６】
【表３】
【０１８７】（実施例４）本例では、支持体と電荷注入
阻止層との間に、支持体からの反射光による干渉模様の
発生を防止するための光吸収層として、アモルファスシ
リコンゲルマニウムのＩＲ吸収層を設けた。表４に、こ
のときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。他
の点は実施例１と同様とした。
阻止層との間に、支持体からの反射光による干渉模様の
発生を防止するための光吸収層として、アモルファスシ
リコンゲルマニウムのＩＲ吸収層を設けた。表４に、こ
のときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。他
の点は実施例１と同様とした。
【０１８８】本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、そ
れぞれ６０ｍｅＶ、５×１０15ｃｍ -3という結果が得ら
れた。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例１
と同様の評価をしたところ実施例１と同様に良好な電子
写真特性が得られた。
れぞれ６０ｍｅＶ、５×１０15ｃｍ -3という結果が得ら
れた。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例１
と同様の評価をしたところ実施例１と同様に良好な電子
写真特性が得られた。
【０１８９】すなわち、IR吸収層を設けた場合において
も、Ｅｕは５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳは１
×１０14ｃｍ-3以上１×１０16ｃｍ-3未満の範囲にする
ことが良好な電子写真特性を得るために必要であること
がわかった。
も、Ｅｕは５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳは１
×１０14ｃｍ-3以上１×１０16ｃｍ-3未満の範囲にする
ことが良好な電子写真特性を得るために必要であること
がわかった。
【０１９０】作製された光受容部材を実施例１と同様に
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
【０１９１】
【表４】
【０１９２】（実施例５）本例では、実施例１のＲＦ−
ＰＣＶＤ法に代えて、図３に示すＶＨＦ−ＰＣＶＤ法に
よる電子写真用光受容部材の製造装置を用い、実施例１
と同様に直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウ
ムシリンダー（支持体）上に表５に示す条件で電荷注入
阻止層、光導電層、表面層からなる光受容部材を作製し
た。さらに光導電層のＳｉＨ4とＨ2との混合比、放電電
力、支持体温度ならびに内圧を変えることにより、種々
の光受容部材を作製した。他の点は実施例１と同様とし
た。
ＰＣＶＤ法に代えて、図３に示すＶＨＦ−ＰＣＶＤ法に
よる電子写真用光受容部材の製造装置を用い、実施例１
と同様に直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウ
ムシリンダー（支持体）上に表５に示す条件で電荷注入
阻止層、光導電層、表面層からなる光受容部材を作製し
た。さらに光導電層のＳｉＨ4とＨ2との混合比、放電電
力、支持体温度ならびに内圧を変えることにより、種々
の光受容部材を作製した。他の点は実施例１と同様とし
た。
【０１９３】作製した光受容部材を電子写真装置（キヤ
ノン社製、ＮＰ６１５０をテスト用に改造）にセットし
て、帯電能の温度依存性（温度特性）、ブランク露光メ
モリーならびにゴーストメモリーを評価した。温度特性
ならびにメモリーの評価は実施例１と同様にした。さら
にハーフトーン画像の濃度ムラ（ガサツキ）をメモリー
と同様、４段階のランク分けを行って評価した。その結
果、ランク１と２を合格と判定した。
ノン社製、ＮＰ６１５０をテスト用に改造）にセットし
て、帯電能の温度依存性（温度特性）、ブランク露光メ
モリーならびにゴーストメモリーを評価した。温度特性
ならびにメモリーの評価は実施例１と同様にした。さら
にハーフトーン画像の濃度ムラ（ガサツキ）をメモリー
と同様、４段階のランク分けを行って評価した。その結
果、ランク１と２を合格と判定した。
【０１９４】一方、光導電層の作製条件で、円筒形のサ
ンプルホルダーに設置したガラス基板（コーニング社製
７０５９）ならびにＳｉウエハー上に膜厚約１μｍの
ａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガラス基板上の堆積膜にはＡｌ
の串型電極を蒸着して、ＣＰＭにより指数関数裾の特性
エネルギー（Ｅｕ）と局在準位密度（ＤＯＳ）を測定
し、Ｓｉウエハー上の堆積膜はＦＴＩＲにより含有水素
量ならびにＳｉ−Ｈ2結合とＳｉ−Ｈ結合の吸収ピーク
強度比を測定した。
ンプルホルダーに設置したガラス基板（コーニング社製
７０５９）ならびにＳｉウエハー上に膜厚約１μｍの
ａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガラス基板上の堆積膜にはＡｌ
の串型電極を蒸着して、ＣＰＭにより指数関数裾の特性
エネルギー（Ｅｕ）と局在準位密度（ＤＯＳ）を測定
し、Ｓｉウエハー上の堆積膜はＦＴＩＲにより含有水素
量ならびにＳｉ−Ｈ2結合とＳｉ−Ｈ結合の吸収ピーク
強度比を測定した。
【０１９５】その結果、表５の条件で作成した光導電層
において、水素含有量は２５原子％、Ｓｉ−Ｈ2／Ｓｉ
−Ｈは０．３５であり、Ｅｕ、ＤＯＳはそれぞれ５９ｍ
ｅＶ、４．３×１０15ｃｍ-3であった。
において、水素含有量は２５原子％、Ｓｉ−Ｈ2／Ｓｉ
−Ｈは０．３５であり、Ｅｕ、ＤＯＳはそれぞれ５９ｍ
ｅＶ、４．３×１０15ｃｍ-3であった。
【０１９６】また、ＳｉＨ4に対する放電電力（ＲＦＰ
ｏｗｅｒ）の比を固定してＳｉＨ4とＨ2との混合比（Ｈ
2／ＳｉＨ4）を増加させた場合、実施例１と同様に混合
比が１０程度まではＥｕ、ＤＯＳ共にほぼ単調に低下す
る傾向がみられ、特にＤＯＳの低下する傾向が顕著であ
った。そして、それ以上混合比を増加した場合のＥｕ、
ＤＯＳの低下割合は緩やかであった。一方、ＳｉＨ4と
Ｈ2との混合比を固定してＳｉＨ4に対する放電電力（Ｐ
ｏｗｅｒ）の比を増加させた場合Ｅｕ、ＤＯＳ共に増加
する傾向が見られ、特にＥｕの増加する傾向が顕著であ
った。さらに、支持体温度を上げた場合、Ｅｕ、ＤＯＳ
は緩やかではあるものの低下する傾向が見られ、Ｓｉ−
Ｈ2／Ｓｉ−Ｈは減少する傾向が見られた。
ｏｗｅｒ）の比を固定してＳｉＨ4とＨ2との混合比（Ｈ
2／ＳｉＨ4）を増加させた場合、実施例１と同様に混合
比が１０程度まではＥｕ、ＤＯＳ共にほぼ単調に低下す
る傾向がみられ、特にＤＯＳの低下する傾向が顕著であ
った。そして、それ以上混合比を増加した場合のＥｕ、
ＤＯＳの低下割合は緩やかであった。一方、ＳｉＨ4と
Ｈ2との混合比を固定してＳｉＨ4に対する放電電力（Ｐ
ｏｗｅｒ）の比を増加させた場合Ｅｕ、ＤＯＳ共に増加
する傾向が見られ、特にＥｕの増加する傾向が顕著であ
った。さらに、支持体温度を上げた場合、Ｅｕ、ＤＯＳ
は緩やかではあるものの低下する傾向が見られ、Ｓｉ−
Ｈ2／Ｓｉ−Ｈは減少する傾向が見られた。
【０１９７】このときのＥｕ、ＤＯＳと温度特性、メモ
リー、画像流れとの関係は実施例１と同様であり、Ｅｕ
は５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳは１×１０14
ｃｍ -3以上１×１０16ｃｍ-3未満の範囲にすることが良
好な電子写真特性を得るために好ましいことがわかっ
た。
リー、画像流れとの関係は実施例１と同様であり、Ｅｕ
は５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳは１×１０14
ｃｍ -3以上１×１０16ｃｍ-3未満の範囲にすることが良
好な電子写真特性を得るために好ましいことがわかっ
た。
【０１９８】さらに、図７に示すＳｉ−Ｈ2／Ｓｉ−Ｈ
と感度との関係から、Ｓｉ−Ｈ2／Ｓｉ−Ｈは０．１以
上０．５以下の範囲にすることが好ましいであることが
わかった。
と感度との関係から、Ｓｉ−Ｈ2／Ｓｉ−Ｈは０．１以
上０．５以下の範囲にすることが好ましいであることが
わかった。
【０１９９】作製された光受容部材を実施例１と同様に
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
【０２００】
【表５】
【０２０１】（実施例６）本例では、表面層を構成する
原子として、炭素原子の代わりに窒素原子を表面層中に
含有させた。表６に、このときの電子写真用光受容部材
の作製条件を示した。他の点は実施例５と同様とした。
原子として、炭素原子の代わりに窒素原子を表面層中に
含有させた。表６に、このときの電子写真用光受容部材
の作製条件を示した。他の点は実施例５と同様とした。
【０２０２】本例では、光導電層のＥｕ、ＤＯＳ及びＳ
ｉ−Ｈ2／Ｓｉ−Ｈは、それぞれ５３ｍｅＶ、５×１０
14ｃｍ-3、０．２９であった。また、作製した電子写真
用光受容部材を実施例１と同様の評価をしたところ実施
例１と同様に良好な電子写真特性が得られた。
ｉ−Ｈ2／Ｓｉ−Ｈは、それぞれ５３ｍｅＶ、５×１０
14ｃｍ-3、０．２９であった。また、作製した電子写真
用光受容部材を実施例１と同様の評価をしたところ実施
例１と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０２０３】すなわち、表面層を構成する原子として、
炭素原子の代わりに窒素原子を表面層中に含有させた場
合においても、Ｅｕは５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、
ＤＯＳは１×１０14ｃｍ-3以上１×１０16ｃｍ-3未満と
し、更にＳｉ−Ｈ2／Ｓｉ−Ｈは０．１以上０．５以下
の範囲にすることが良好な電子写真特性を得るために好
ましいことがわかった。
炭素原子の代わりに窒素原子を表面層中に含有させた場
合においても、Ｅｕは５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、
ＤＯＳは１×１０14ｃｍ-3以上１×１０16ｃｍ-3未満と
し、更にＳｉ−Ｈ2／Ｓｉ−Ｈは０．１以上０．５以下
の範囲にすることが良好な電子写真特性を得るために好
ましいことがわかった。
【０２０４】作製された光受容部材を実施例１と同様に
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
【０２０５】
【表６】
【０２０６】（実施例７）本例では、電荷注入阻止層は
削除し、光導電層を、炭素原子を層厚方向に不均一な分
布状態で含有する第１の層領域と実質的に炭素原子を含
まない第２の層領域とで構成した。表７に、このときの
電子写真用光受容部材の作製条件を示した。他の点は実
施例５と同様とした。
削除し、光導電層を、炭素原子を層厚方向に不均一な分
布状態で含有する第１の層領域と実質的に炭素原子を含
まない第２の層領域とで構成した。表７に、このときの
電子写真用光受容部材の作製条件を示した。他の点は実
施例５と同様とした。
【０２０７】本例では、光導電層のＥｕ、ＤＯＳ及びＳ
ｉ−Ｈ2／Ｓｉ−Ｈは、それぞれ５６ｍｅＶ、１．３×
１０15ｃｍ-3、０．３８であった。また、作製した電子
写真用光受容部材を実施例１と同様の評価をしたところ
実施例１と同様に良好な電子写真特性が得られた。
ｉ−Ｈ2／Ｓｉ−Ｈは、それぞれ５６ｍｅＶ、１．３×
１０15ｃｍ-3、０．３８であった。また、作製した電子
写真用光受容部材を実施例１と同様の評価をしたところ
実施例１と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０２０８】すなわち、電荷注入阻止層は削除し、光導
電層を、炭素原子を層厚方向に不均一な分布状態で含有
する第１の層領域と実質的に炭素原子を含まない第２の
層領域とで構成した場合においても、Ｅｕは５０ｍｅＶ
以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳは１×１０14ｃｍ-3以上１
×１０16ｃｍ-3とし、更にＳｉ−Ｈ2／Ｓｉ−Ｈは０．
１以上０．５以下の範囲にすることが良好な電子写真特
性を得るために好ましいことがわかった。
電層を、炭素原子を層厚方向に不均一な分布状態で含有
する第１の層領域と実質的に炭素原子を含まない第２の
層領域とで構成した場合においても、Ｅｕは５０ｍｅＶ
以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳは１×１０14ｃｍ-3以上１
×１０16ｃｍ-3とし、更にＳｉ−Ｈ2／Ｓｉ−Ｈは０．
１以上０．５以下の範囲にすることが良好な電子写真特
性を得るために好ましいことがわかった。
【０２０９】作製された光受容部材を実施例１と同様に
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
【０２１０】
【表７】
【０２１１】（実施例８）本例では、光導電層と表面層
との間に、炭素原子の含有量を表面層より減らした中間
層（下部表面層）を設けると同時に、光導電層を、機能
分離化して、電荷輸送層と電荷発生層の２層化をはかり
設けた。表８に、このときの電子写真用光受容部材の作
製条件を示した。他の点は実施例５と同様とした。
との間に、炭素原子の含有量を表面層より減らした中間
層（下部表面層）を設けると同時に、光導電層を、機能
分離化して、電荷輸送層と電荷発生層の２層化をはかり
設けた。表８に、このときの電子写真用光受容部材の作
製条件を示した。他の点は実施例５と同様とした。
【０２１２】本例では、光導電層のＥｕ、ＤＯＳ及びＳ
ｉ−Ｈ2／Ｓｉ−Ｈは、それぞれ５９ｍｅＶ、３×１０
15ｃｍ-3、０．４５であった。また、作製した電子写真
用光受容部材を実施例１と同様の評価をしたところ実施
例１と同様に良好な電子写真特性が得られた。
ｉ−Ｈ2／Ｓｉ−Ｈは、それぞれ５９ｍｅＶ、３×１０
15ｃｍ-3、０．４５であった。また、作製した電子写真
用光受容部材を実施例１と同様の評価をしたところ実施
例１と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０２１３】すなわち、光導電層と表面層との間に、炭
素原子の含有量を表面層より減らした中間層（下部表面
層）を設けると同時に、光導電層を、機能分離化して、
電荷輸送層と電荷発生層の２層化をはかり設けた場合に
おいても、Ｅｕは５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯ
Ｓは１×１０14ｃｍ-3以上１×１０16ｃｍ-3とし、更に
Ｓｉ−Ｈ2／Ｓｉ−Ｈは０．１以上０．５以下の範囲に
することが良好な電子写真特性を得るために好ましいこ
とがわかった。
素原子の含有量を表面層より減らした中間層（下部表面
層）を設けると同時に、光導電層を、機能分離化して、
電荷輸送層と電荷発生層の２層化をはかり設けた場合に
おいても、Ｅｕは５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯ
Ｓは１×１０14ｃｍ-3以上１×１０16ｃｍ-3とし、更に
Ｓｉ−Ｈ2／Ｓｉ−Ｈは０．１以上０．５以下の範囲に
することが良好な電子写真特性を得るために好ましいこ
とがわかった。
【０２１４】作製された光受容部材を実施例１と同様に
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
【０２１５】
【表８】
【０２１６】（実施例９）図２に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による電子写真用光受容部材の製造装置を用い、直径１
０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー上
に、表１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面
層からなる光受容部材を作製した。その時、光導電層作
製条件を層厚方向で表２に示すように連続的に変化させ
た。また、光導電層作製条件の放電電力はＳｉＨ4流量
の３〜８倍までの電力で層厚方向に連続的に変化させて
数種類の光受容部材を作製した。その時の光導電層のＥ
ｕとＤＯＳは光導電層の支持体側作製条件と中間部作製
条件と表面側作製条件の３点でのサンプルの値の単純平
均をとって膜中平均とした。
による電子写真用光受容部材の製造装置を用い、直径１
０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー上
に、表１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面
層からなる光受容部材を作製した。その時、光導電層作
製条件を層厚方向で表２に示すように連続的に変化させ
た。また、光導電層作製条件の放電電力はＳｉＨ4流量
の３〜８倍までの電力で層厚方向に連続的に変化させて
数種類の光受容部材を作製した。その時の光導電層のＥ
ｕとＤＯＳは光導電層の支持体側作製条件と中間部作製
条件と表面側作製条件の３点でのサンプルの値の単純平
均をとって膜中平均とした。
【０２１７】作製した光受容部材は、電子写真装置（キ
ヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造）にセットし
て、帯電能の温度依存性（温度特性）、露光メモリー
（ブランク露光メモリー、ゴースト露光メモリー）、感
度を評価した。温度特性は、光受容部材の温度を室温か
ら約４５℃まで変えて帯電能を測定し、このときの温度
１℃当たりの帯電能の変化を測定して、２Ｖ／ｄｅｇ以
下を合格と判定した。また、露光メモリーについては、
画像を目視により判定し、感度については従来をランク
３（実用的）と判定し、１：非常に良好、２：良好、
３：実用的、４：実用上問題なし、５：実用上やや難あ
りの５段階にランク分けした。また、ランクの判別が困
難な場合は、１と２の間の場合はランク１．５の様に記
した。
ヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造）にセットし
て、帯電能の温度依存性（温度特性）、露光メモリー
（ブランク露光メモリー、ゴースト露光メモリー）、感
度を評価した。温度特性は、光受容部材の温度を室温か
ら約４５℃まで変えて帯電能を測定し、このときの温度
１℃当たりの帯電能の変化を測定して、２Ｖ／ｄｅｇ以
下を合格と判定した。また、露光メモリーについては、
画像を目視により判定し、感度については従来をランク
３（実用的）と判定し、１：非常に良好、２：良好、
３：実用的、４：実用上問題なし、５：実用上やや難あ
りの５段階にランク分けした。また、ランクの判別が困
難な場合は、１と２の間の場合はランク１．５の様に記
した。
【０２１８】一方、円筒形のサンプルホルダーに設置し
たガラス基板（コーニング社製 ７０５９）ならびにＳ
ｉウェハー上に数種類のａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガラス
基板上の堆積膜にはＡｌの串型電極を蒸着して、ＣＰＭ
により指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）と局在準位
密度（ＤＯＳ）を測定した。また、ＳｉウェハーはＦＴ
ＩＲで含有水素量を測定した。
たガラス基板（コーニング社製 ７０５９）ならびにＳ
ｉウェハー上に数種類のａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガラス
基板上の堆積膜にはＡｌの串型電極を蒸着して、ＣＰＭ
により指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）と局在準位
密度（ＤＯＳ）を測定した。また、ＳｉウェハーはＦＴ
ＩＲで含有水素量を測定した。
【０２１９】
【表９】
【０２２０】
【表１０】
【０２２１】実施例９の光導電層作製条件が層厚方向に
変化していたのに代えて、光導電層作製条件を固定して
電子写真用光受容部材を作製した。表１１に、このとき
の電子写真用光受容部材の作製条件を示した。他の点は
実施例９と同様とした。
変化していたのに代えて、光導電層作製条件を固定して
電子写真用光受容部材を作製した。表１１に、このとき
の電子写真用光受容部材の作製条件を示した。他の点は
実施例９と同様とした。
【０２２２】
【表１１】
【０２２３】実施例９で作製した光受容部材の評価結果
を、以下の図８〜１５に示す。図８に光導電層中におけ
る、Ｅｕの層厚方向分布を示す。図９に光導電層中にお
ける、ＤＯＳの層厚方向分布を示す。図１０に光導電層
中の平均Ｅｕに対する帯電能の温度依存性（温度特性）
を示す。図１１に光導電層中の平均ＤＯＳに対する帯電
能の温度依存性（温度特性）を示す。図１２に光導電層
中の平均Ｅｕに対する露光メモリーを示す。図１３に光
導電層中の平均ＤＯＳに対する露光メモリーを示す。図
１４に光導電層中の平均Ｅｕに対する感度を示す。図１
５に光導電層中の平均ＤＯＳに対する感度を示す。
を、以下の図８〜１５に示す。図８に光導電層中におけ
る、Ｅｕの層厚方向分布を示す。図９に光導電層中にお
ける、ＤＯＳの層厚方向分布を示す。図１０に光導電層
中の平均Ｅｕに対する帯電能の温度依存性（温度特性）
を示す。図１１に光導電層中の平均ＤＯＳに対する帯電
能の温度依存性（温度特性）を示す。図１２に光導電層
中の平均Ｅｕに対する露光メモリーを示す。図１３に光
導電層中の平均ＤＯＳに対する露光メモリーを示す。図
１４に光導電層中の平均Ｅｕに対する感度を示す。図１
５に光導電層中の平均ＤＯＳに対する感度を示す。
【０２２４】ＥｕとＤＯＳを層厚方向に変化させなかっ
た光受容部材の評価結果を、以下の図１６〜２１に示
す。光導電層中におけるＥｕとＤＯＳは、サンプルの値
の単純平均をとって膜中平均とした。
た光受容部材の評価結果を、以下の図１６〜２１に示
す。光導電層中におけるＥｕとＤＯＳは、サンプルの値
の単純平均をとって膜中平均とした。
【０２２５】図１６に光導電層中の平均Ｅｕに対する帯
電能の温度依存性（温度特性）を示す。図１７に光導電
層中の平均ＤＯＳに対する帯電能の温度依存性（温度特
性）を示す。図１８に光導電層中の平均Ｅｕに対する露
光メモリーを示す。図１９に光導電層中の平均ＤＯＳに
対する露光メモリーを示す。図２０に光導電層中の平均
Ｅｕに対する感度を示す。図２１に光導電層中の平均Ｄ
ＯＳに対する感度を示す。
電能の温度依存性（温度特性）を示す。図１７に光導電
層中の平均ＤＯＳに対する帯電能の温度依存性（温度特
性）を示す。図１８に光導電層中の平均Ｅｕに対する露
光メモリーを示す。図１９に光導電層中の平均ＤＯＳに
対する露光メモリーを示す。図２０に光導電層中の平均
Ｅｕに対する感度を示す。図２１に光導電層中の平均Ｄ
ＯＳに対する感度を示す。
【０２２６】以上の結果から、膜中平均でＥｕが５０ｍ
ｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０14ｃｍ-3以
上１×１０16ｃｍ-3未満の範囲となる様にして、光導電
層のＥｕとＤＯＳを層厚方向に連続的に変化させた場合
（図８〜１５）のほうが、変化させない場合（図１６〜
２１）より、より良好な電子写真特性が得られることが
分かる。特に、温度特性、露光メモリーおよび感度のた
めに好ましいことがわかった。また、いずれのサンプル
の水素含有量も１０〜３０原子％の間であった。
ｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０14ｃｍ-3以
上１×１０16ｃｍ-3未満の範囲となる様にして、光導電
層のＥｕとＤＯＳを層厚方向に連続的に変化させた場合
（図８〜１５）のほうが、変化させない場合（図１６〜
２１）より、より良好な電子写真特性が得られることが
分かる。特に、温度特性、露光メモリーおよび感度のた
めに好ましいことがわかった。また、いずれのサンプル
の水素含有量も１０〜３０原子％の間であった。
【０２２７】作製された光受容部材を実施例１と同様に
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
【０２２８】（実施例１０）本例では、実施例９の支持
体温度とPowerの可変範囲を代えた。表１２に、このと
きの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。他の点
は実施例９と同様とした。
体温度とPowerの可変範囲を代えた。表１２に、このと
きの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。他の点
は実施例９と同様とした。
【０２２９】本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、そ
れぞれ層支持体側（初期）にて、４９ｍｅＶ、２．２×
１０14cｍ-3、層中間部にて、５５ｍｅＶ、９．８×１
０14ｃｍ-3、層表面側にて６３ｍｅＶ、１．３×１０16
ｃｍ-3であり、膜中平均でそれぞれ５６ｍｅＶ、４．７
×１０15ｃｍ-3であった。また、作製した電子写真用光
受容部材を実施例９と同様の評価をしたところ実施例９
と同様に良好な電子写真特性が得られた。
れぞれ層支持体側（初期）にて、４９ｍｅＶ、２．２×
１０14cｍ-3、層中間部にて、５５ｍｅＶ、９．８×１
０14ｃｍ-3、層表面側にて６３ｍｅＶ、１．３×１０16
ｃｍ-3であり、膜中平均でそれぞれ５６ｍｅＶ、４．７
×１０15ｃｍ-3であった。また、作製した電子写真用光
受容部材を実施例９と同様の評価をしたところ実施例９
と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０２３０】これより、表面側でＥｕとＤＯＳが上記の
範囲をはずれた部分があっても、膜中平均でＥｕが５０
ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０14ｃｍ-3
以上１×１０16ｃｍ-3未満の範囲にすることでより良好
な電子写真特性が得られることがわかった。
範囲をはずれた部分があっても、膜中平均でＥｕが５０
ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０14ｃｍ-3
以上１×１０16ｃｍ-3未満の範囲にすることでより良好
な電子写真特性が得られることがわかった。
【０２３１】作製された光受容部材を実施例１と同様に
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
【０２３２】
【表１２】
【０２３３】（実施例１１）本例では、光導電層と表面
層との間に、炭素原子の含有量を表面層より減らした中
間層（下部表面層）を設けた。表１３に、このときの電
子写真用光受容部材の作製条件を示した。他の点は実施
例９と同様とした。
層との間に、炭素原子の含有量を表面層より減らした中
間層（下部表面層）を設けた。表１３に、このときの電
子写真用光受容部材の作製条件を示した。他の点は実施
例９と同様とした。
【０２３４】本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、膜
中平均でそれぞれ５５ｍｅＶ、２．２×１０15ｃｍ-3で
あった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例
９と同様の評価をしたところ実施例９と同様に良好な電
子写真特性が得られた。
中平均でそれぞれ５５ｍｅＶ、２．２×１０15ｃｍ-3で
あった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例
９と同様の評価をしたところ実施例９と同様に良好な電
子写真特性が得られた。
【０２３５】すなわち、中間層（下部表面層）を設けた
場合においても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅ
Ｖ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０14ｃｍ-3以上
１×１０16ｃｍ-3未満の範囲にすることで良好な電子写
真特性が得られることがわかった。
場合においても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅ
Ｖ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０14ｃｍ-3以上
１×１０16ｃｍ-3未満の範囲にすることで良好な電子写
真特性が得られることがわかった。
【０２３６】作製された光受容部材を実施例１と同様に
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
【０２３７】
【表１３】
【０２３８】（実施例１２）本例では、実施例９の表面
層に代えて、表面層のシリコンおよび炭素含有量を層厚
方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた。表１４
に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示し
た。他の点は実施例９と同様とした。
層に代えて、表面層のシリコンおよび炭素含有量を層厚
方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた。表１４
に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示し
た。他の点は実施例９と同様とした。
【０２３９】本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、膜
中平均でそれぞれ５２ｍｅＶ、５．７×１０14ｃｍ-3で
あった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例
９と同様の評価をしたところ実施例９と同様に良好な電
子写真特性が得られた。
中平均でそれぞれ５２ｍｅＶ、５．７×１０14ｃｍ-3で
あった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例
９と同様の評価をしたところ実施例９と同様に良好な電
子写真特性が得られた。
【０２４０】すなわち、表面層の伝導性を制御する原子
を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた場
合においても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ
以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０14ｃｍ-3以上１
×１０16ｃｍ-3未満の範囲にすることで良好な電子写真
特性が得られることがわかった。
を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた場
合においても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ
以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０14ｃｍ-3以上１
×１０16ｃｍ-3未満の範囲にすることで良好な電子写真
特性が得られることがわかった。
【０２４１】作製された光受容部材を実施例１と同様に
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
【０２４２】
【表１４】
【０２４３】（実施例１３）本例では、支持体と電荷注
入阻止層との間に、支持体からの反射光による干渉模様
の発生を防止するための光吸収層としてアモルファスシ
リコンゲルマニウムのＩＲ吸収層を設けた。表１５に、
このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例９と同様とした。
入阻止層との間に、支持体からの反射光による干渉模様
の発生を防止するための光吸収層としてアモルファスシ
リコンゲルマニウムのＩＲ吸収層を設けた。表１５に、
このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例９と同様とした。
【０２４４】本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、膜
中平均でそれぞれ５７ｍｅＶ、４．８×１０15ｃｍ-3で
あった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例
９と同様の評価をしたところ実施例９と同様に良好な電
子写真特性が得られた。
中平均でそれぞれ５７ｍｅＶ、４．８×１０15ｃｍ-3で
あった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例
９と同様の評価をしたところ実施例９と同様に良好な電
子写真特性が得られた。
【０２４５】すなわち、支持体と電荷注入阻止層との間
に、支持体からの反射光による干渉模様の発生を防止す
るための光吸収層としてIR吸収層を設けた場合において
も、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍ
ｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０ 14ｃｍ-3以上１×１０16ｃ
ｍ-3未満の範囲にすることで良好な電子写真特性が得ら
れることがわかった。
に、支持体からの反射光による干渉模様の発生を防止す
るための光吸収層としてIR吸収層を設けた場合において
も、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍ
ｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０ 14ｃｍ-3以上１×１０16ｃ
ｍ-3未満の範囲にすることで良好な電子写真特性が得ら
れることがわかった。
【０２４６】作製された光受容部材を実施例１と同様に
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
【０２４７】
【表１５】
【０２４８】（実施例１４）本例では、実施例９のＲＦ
−ＰＣＶＤ法に代えて、図３に示すＶＨＦ−ＰＣＶＤ法
による電子写真用光受容部材の製造装置を用い、直径１
０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー上
に、表１６に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表
面層からなる光受容部材を作製した。その時、光導電層
作製条件を層厚方向で表１７に示すように連続的に変化
させた。また、光導電層作製条件の放電電力はＳｉＨ4
流量の３〜８倍までの電力で連続的に変化させて数種類
の光受容部材を作製した。その時の光導電層のＥｕとＤ
ＯＳは光導電層の支持体側作製条件と中間部作製条件と
表面側作製条件の３点でのサンプルの値の単純平均をと
って膜中平均とした。
−ＰＣＶＤ法に代えて、図３に示すＶＨＦ−ＰＣＶＤ法
による電子写真用光受容部材の製造装置を用い、直径１
０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー上
に、表１６に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表
面層からなる光受容部材を作製した。その時、光導電層
作製条件を層厚方向で表１７に示すように連続的に変化
させた。また、光導電層作製条件の放電電力はＳｉＨ4
流量の３〜８倍までの電力で連続的に変化させて数種類
の光受容部材を作製した。その時の光導電層のＥｕとＤ
ＯＳは光導電層の支持体側作製条件と中間部作製条件と
表面側作製条件の３点でのサンプルの値の単純平均をと
って膜中平均とした。
【０２４９】さらに、表１７と同様の一定作製条件で、
直径１０８ｍｍ円筒形のサンプルホルダーに設置したガ
ラス基板（コーニング社 ７０５９）ならびにＳｉウェ
ハー上に数種類のａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガラス基板上
の堆積膜にはＡｌの串型電極を蒸着して、ＣＰＭにより
指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）と局在準位密度
（ＤＯＳ）を測定した。また、ＳｉウェハーはＦＴＩＲ
で含有水素量を測定した。他の点は実施例９と同様とし
た。
直径１０８ｍｍ円筒形のサンプルホルダーに設置したガ
ラス基板（コーニング社 ７０５９）ならびにＳｉウェ
ハー上に数種類のａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガラス基板上
の堆積膜にはＡｌの串型電極を蒸着して、ＣＰＭにより
指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）と局在準位密度
（ＤＯＳ）を測定した。また、ＳｉウェハーはＦＴＩＲ
で含有水素量を測定した。他の点は実施例９と同様とし
た。
【０２５０】作製した光受容部材は実施例９と同様に電
子写真装置（キャノン製ＮＰ６１５０をテスト用に改
造）にセットして、帯電能の温度依存性（温度特性）、
露光メモリー（ブランク露光メモリー、ゴースト露光メ
モリー）、感度を評価した。
子写真装置（キャノン製ＮＰ６１５０をテスト用に改
造）にセットして、帯電能の温度依存性（温度特性）、
露光メモリー（ブランク露光メモリー、ゴースト露光メ
モリー）、感度を評価した。
【０２５１】このときの、放電電力と基板温度の関係、
Ｅｕ、ＤＯＳと温度特性、露光メモリー、感度は実施例
１と同様であり、良好な電子写真特性のためには膜中平
均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１
×１０14ｃｍ-3以上１×１０ 16ｃｍ-3未満になる様に層
厚方向に連続的に変化させることが好ましいことがわか
った。
Ｅｕ、ＤＯＳと温度特性、露光メモリー、感度は実施例
１と同様であり、良好な電子写真特性のためには膜中平
均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１
×１０14ｃｍ-3以上１×１０ 16ｃｍ-3未満になる様に層
厚方向に連続的に変化させることが好ましいことがわか
った。
【０２５２】作製された光受容部材を実施例１と同様に
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
【０２５３】
【表１６】
【０２５４】
【表１７】
【０２５５】（実施例１５）本例では、伝導性を制御す
る原子として、炭素原子の代わりに窒素原子を表面層中
に設けた。表１８に、このときの電子写真用光受容部材
の作製条件を示した。他の点は実施例１４と同様とし
た。
る原子として、炭素原子の代わりに窒素原子を表面層中
に設けた。表１８に、このときの電子写真用光受容部材
の作製条件を示した。他の点は実施例１４と同様とし
た。
【０２５６】本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、そ
れぞれ層支持体側（初期）にて、５１ｍｅＶ、３．８×
１０14ｃｍ-3、層中間部にて、５５ｍｅＶ、１．３×１
０15ｃｍ-3、層表面側にて５９ｍｅＶ、３．７×１０15
ｃｍ-3であり、膜中平均でそれぞれ５５ｍｅＶ、１．８
×１０15ｃｍ-3であった。また、作製した電子写真用光
受容部材を実施例９と同様の評価をしたところ実施例９
と同様に良好な電子写真特性が得られた。
れぞれ層支持体側（初期）にて、５１ｍｅＶ、３．８×
１０14ｃｍ-3、層中間部にて、５５ｍｅＶ、１．３×１
０15ｃｍ-3、層表面側にて５９ｍｅＶ、３．７×１０15
ｃｍ-3であり、膜中平均でそれぞれ５５ｍｅＶ、１．８
×１０15ｃｍ-3であった。また、作製した電子写真用光
受容部材を実施例９と同様の評価をしたところ実施例９
と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０２５７】すなわち、伝導性を制御する原子として、
炭素原子の代わりに窒素原子を表面層中に設けた場合に
おいても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上
６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０14ｃｍ-3以上１×１
０16ｃｍ-3未満の範囲にすることで良好な電子写真特性
が得られることがわかった。
炭素原子の代わりに窒素原子を表面層中に設けた場合に
おいても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上
６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０14ｃｍ-3以上１×１
０16ｃｍ-3未満の範囲にすることで良好な電子写真特性
が得られることがわかった。
【０２５８】作製された光受容部材を実施例１と同様に
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
【０２５９】
【表１８】
【０２６０】（実施例１６）本例では、電荷注入阻止層
は削除し、光導電層を、炭素原子を層厚方向に不均一な
分布状態で含有する第１の層領域と実質的に炭素原子を
含まない第２の層領域とで構成した。表１９に、このと
きの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。他の点
は実施例１３と同様とした。
は削除し、光導電層を、炭素原子を層厚方向に不均一な
分布状態で含有する第１の層領域と実質的に炭素原子を
含まない第２の層領域とで構成した。表１９に、このと
きの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。他の点
は実施例１３と同様とした。
【０２６１】本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、膜
中平均でそれぞれ５９ｍｅＶ、２．３×１０15ｃｍ-3で
あった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例
９と同様の評価をしたところ実施例９と同様に良好な電
子写真特性が得られた。
中平均でそれぞれ５９ｍｅＶ、２．３×１０15ｃｍ-3で
あった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例
９と同様の評価をしたところ実施例９と同様に良好な電
子写真特性が得られた。
【０２６２】すなわち、電荷注入阻止層は削除し、光導
電層を、炭素原子を層厚方向に不均一な分布状態で含有
する第１の層領域と実質的に炭素原子を含まない第２の
層領域とで構成した場合においても、光導電層が膜中平
均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１
×１０14ｃｍ-3以上１×１０16ｃｍ-3未満の範囲にする
ことで良好な電子写真特性が得られることがわかった。
電層を、炭素原子を層厚方向に不均一な分布状態で含有
する第１の層領域と実質的に炭素原子を含まない第２の
層領域とで構成した場合においても、光導電層が膜中平
均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１
×１０14ｃｍ-3以上１×１０16ｃｍ-3未満の範囲にする
ことで良好な電子写真特性が得られることがわかった。
【０２６３】作製された光受容部材を実施例１と同様に
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
【０２６４】
【表１９】
【０２６５】（実施例１７）本例では、光導電層と表面
層との間に、炭素原子の含有量を表面層より減らした中
間層（下部表面層）を設けると同時に、光導電層を機能
分離化して、電荷輸送層と電荷発生層の２層化をはかり
設けた。表２０に、このときの電子写真用光受容部材の
作製条件を示した。他の点は実施例１３と同様とした。
層との間に、炭素原子の含有量を表面層より減らした中
間層（下部表面層）を設けると同時に、光導電層を機能
分離化して、電荷輸送層と電荷発生層の２層化をはかり
設けた。表２０に、このときの電子写真用光受容部材の
作製条件を示した。他の点は実施例１３と同様とした。
【０２６６】本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、膜
中平均でそれぞれ５５ｍｅＶ、２×１０15ｃｍ-3であっ
た。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例９と
同様の評価をしたところ実施例９と同様に良好な電子写
真特性が得られた。
中平均でそれぞれ５５ｍｅＶ、２×１０15ｃｍ-3であっ
た。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例９と
同様の評価をしたところ実施例９と同様に良好な電子写
真特性が得られた。
【０２６７】すなわち、光導電層と表面層との間に、炭
素原子の含有量を表面層より減らした中間層（下部表面
層）を設けると同時に、光導電層を、機能分離化して、
電荷輸送層と電荷発生層の２層化をはかり設けた場合に
おいても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上
６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０14ｃｍ-3以上１×１
０16ｃｍ-3未満の範囲にすることで良好な電子写真特性
が得られることがわかった。
素原子の含有量を表面層より減らした中間層（下部表面
層）を設けると同時に、光導電層を、機能分離化して、
電荷輸送層と電荷発生層の２層化をはかり設けた場合に
おいても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上
６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０14ｃｍ-3以上１×１
０16ｃｍ-3未満の範囲にすることで良好な電子写真特性
が得られることがわかった。
【０２６８】作製された光受容部材を実施例１と同様に
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
【０２６９】
【表２０】
【０２７０】（実施例１８）図２に示すＲＦ−ＰＣＶＤ
法による電子写真用光受容部材の製造装置を用い、直径
１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー
上に、表２１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、
表面層からなる光受容部材を作製した。その時、光導電
層作製条件を層厚方向で表２２に示すように連続的に変
化させた。また、光導電層作製条件の放電電力はＳｉＨ
4流量の３〜８倍までの電力で層厚方向に連続的に変化
させて数種類の光受容部材を作製した。その時の光導電
層のＥｕとＤ．Ｏ．Ｓは光導電層の支持体側作製条件と
中間部作製条件と表面側作製条件の３点でのサンプルの
値の単純平均をとって膜中平均とした。
法による電子写真用光受容部材の製造装置を用い、直径
１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー
上に、表２１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、
表面層からなる光受容部材を作製した。その時、光導電
層作製条件を層厚方向で表２２に示すように連続的に変
化させた。また、光導電層作製条件の放電電力はＳｉＨ
4流量の３〜８倍までの電力で層厚方向に連続的に変化
させて数種類の光受容部材を作製した。その時の光導電
層のＥｕとＤ．Ｏ．Ｓは光導電層の支持体側作製条件と
中間部作製条件と表面側作製条件の３点でのサンプルの
値の単純平均をとって膜中平均とした。
【０２７１】作製した光受容部材は、電子写真装置（キ
ヤノン製ＮＰ６１５０をテスト用に改造）にセットし
て、帯電能の温度依存性（温度特性）、強露光時の画像
流れを評価した。温度特性は、光受容部材の温度を室温
から約４５℃まで変えて帯電能を測定し、このときの温
度１℃当たりの帯電能の変化を測定して、２Ｖ／ｄｅｇ
以下を合格と判定した。
ヤノン製ＮＰ６１５０をテスト用に改造）にセットし
て、帯電能の温度依存性（温度特性）、強露光時の画像
流れを評価した。温度特性は、光受容部材の温度を室温
から約４５℃まで変えて帯電能を測定し、このときの温
度１℃当たりの帯電能の変化を測定して、２Ｖ／ｄｅｇ
以下を合格と判定した。
【０２７２】また、強露光時の画像流れについては、画
像を目視により判定した。従来をランク３（実用的）と
判定し、１：非常に良好、２：良好、３：実用的、４：
実用上問題なし、５：実用上やや難ある場合ありの５段
階にランク分けした。また、ランクの判別が困難な場合
は、１と２の間の場合はランク１．５の様に記した。
像を目視により判定した。従来をランク３（実用的）と
判定し、１：非常に良好、２：良好、３：実用的、４：
実用上問題なし、５：実用上やや難ある場合ありの５段
階にランク分けした。また、ランクの判別が困難な場合
は、１と２の間の場合はランク１．５の様に記した。
【０２７３】一方、円筒形のサンプルホルダーに設置し
たガラス基板（コーニング社 ７０５９）ならびにＳｉ
ウェハー上に数種類のａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガラス基
板上の堆積膜にはＡｌの串型電極を蒸着して、ＣＰＭに
より指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）と局在準位密
度（ＤＯＳ）を測定した。また、ＳｉウェハーはＦＴＩ
Ｒで含有水素量を測定した。
たガラス基板（コーニング社 ７０５９）ならびにＳｉ
ウェハー上に数種類のａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガラス基
板上の堆積膜にはＡｌの串型電極を蒸着して、ＣＰＭに
より指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）と局在準位密
度（ＤＯＳ）を測定した。また、ＳｉウェハーはＦＴＩ
Ｒで含有水素量を測定した。
【０２７４】
【表２１】
【０２７５】
【表２２】
【０２７６】また、実施例１８の光導電層作製条件が層
厚方向に変化していたのに代えて、光導電層作製条件を
固定して電子写真用光受容部材を作製した。表２３に、
このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例１８と同様とした。
厚方向に変化していたのに代えて、光導電層作製条件を
固定して電子写真用光受容部材を作製した。表２３に、
このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例１８と同様とした。
【０２７７】
【表２３】
【０２７８】実施例１８で作製した光受容部材の評価結
果を、以下の図２２〜２７に示す。図２２に光導電層中
における、Ｅｕの層厚方向分布を示す。図２３に光導電
層中における、ＤＯＳの層厚方向分布を示す。図２４に
光導電層中の平均Ｅｕに対する帯電能の温度依存性（温
度特性）を示す。図２５に光導電層中の平均ＤＯＳに対
する帯電能の温度依存性（温度特性）を示す。図２６に
光導電層中の平均Ｅｕに対する強露光時の画像流れを示
す。図２７に光導電層中の平均ＤＯＳに対するを強露光
時の画像流れ示す。
果を、以下の図２２〜２７に示す。図２２に光導電層中
における、Ｅｕの層厚方向分布を示す。図２３に光導電
層中における、ＤＯＳの層厚方向分布を示す。図２４に
光導電層中の平均Ｅｕに対する帯電能の温度依存性（温
度特性）を示す。図２５に光導電層中の平均ＤＯＳに対
する帯電能の温度依存性（温度特性）を示す。図２６に
光導電層中の平均Ｅｕに対する強露光時の画像流れを示
す。図２７に光導電層中の平均ＤＯＳに対するを強露光
時の画像流れ示す。
【０２７９】Ｅｕ，ＤＯＳを層厚方向に変化させずに作
製した光受容部材の評価結果を、以下の図２８〜３１に
示す。光導電層中におけるＥｕとＤＯＳは、サンプルの
値の単純平均をとって膜中平均とした。
製した光受容部材の評価結果を、以下の図２８〜３１に
示す。光導電層中におけるＥｕとＤＯＳは、サンプルの
値の単純平均をとって膜中平均とした。
【０２８０】図２８に光導電層中の平均Ｅｕに対する帯
電能の温度依存性（温度特性）を示す。図２９に光導電
層中の平均ＤＯＳに対する帯電能の温度依存性（温度特
性）を示す。図３０に光導電層中の平均Ｅｕに対する強
露光時の画像流れを示す。図３１に光導電層中の平均Ｄ
ＯＳに対するを強露光時の画像流れ示す。
電能の温度依存性（温度特性）を示す。図２９に光導電
層中の平均ＤＯＳに対する帯電能の温度依存性（温度特
性）を示す。図３０に光導電層中の平均Ｅｕに対する強
露光時の画像流れを示す。図３１に光導電層中の平均Ｄ
ＯＳに対するを強露光時の画像流れ示す。
【０２８１】以上の結果から、膜中平均でＥｕが５０ｍ
ｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０14ｃｍ-3以
上１×１０16ｃｍ-3未満の範囲となる様に、光導電層の
ＥｕとＤＯＳを層厚方向に連続的に変化させた場合（図
２２〜２５）のほうが、変化させない場合（図２８〜３
１）より、一層良好な電子写真特性が得られることが分
かる。特に、温度特性、露光メモリーおよび感度のため
に好ましいことがわかった。また、いずれのサンプルの
水素含有量も１０〜３０原子％の間であった。
ｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０14ｃｍ-3以
上１×１０16ｃｍ-3未満の範囲となる様に、光導電層の
ＥｕとＤＯＳを層厚方向に連続的に変化させた場合（図
２２〜２５）のほうが、変化させない場合（図２８〜３
１）より、一層良好な電子写真特性が得られることが分
かる。特に、温度特性、露光メモリーおよび感度のため
に好ましいことがわかった。また、いずれのサンプルの
水素含有量も１０〜３０原子％の間であった。
【０２８２】作製された光受容部材を実施例１と同様に
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
【０２８３】（実施例１９）本例では、実施例１８の支
持体温度とPowerの可変範囲を代えた。表２４に、この
ときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
持体温度とPowerの可変範囲を代えた。表２４に、この
ときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
【０２８４】他の点は実施例１８と同様とした。
【０２８５】本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、そ
れぞれ層支持体側（初期）にて、６４ｍｅＶ、２．０×
１０16ｃｍ-3、層中間部にて、５３ｍｅＶ、７．８×１
０14ｃｍ-3、層表面側にて４８ｍｅＶ、２．２×１０14
cｍ-3であり、膜中平均でそれぞれ５５ｍｅＶ、７．０
×１０15ｃｍ-3であった。また、作製した電子写真用光
受容部材を実施例１８と同様の評価をしたところ実施例
１８と同様に良好な電子写真特性が得られた。
れぞれ層支持体側（初期）にて、６４ｍｅＶ、２．０×
１０16ｃｍ-3、層中間部にて、５３ｍｅＶ、７．８×１
０14ｃｍ-3、層表面側にて４８ｍｅＶ、２．２×１０14
cｍ-3であり、膜中平均でそれぞれ５５ｍｅＶ、７．０
×１０15ｃｍ-3であった。また、作製した電子写真用光
受容部材を実施例１８と同様の評価をしたところ実施例
１８と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０２８６】これより、支持体側でＥｕとＤＯＳが本特
許の範囲からはずれた部分があっても、光導電層が膜中
平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが
１×１０14ｃｍ-3以上１×１０16ｃｍ-3未満の範囲にす
ることで良好な電子写真特性が得られることがわかっ
た。
許の範囲からはずれた部分があっても、光導電層が膜中
平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが
１×１０14ｃｍ-3以上１×１０16ｃｍ-3未満の範囲にす
ることで良好な電子写真特性が得られることがわかっ
た。
【０２８７】作製された光受容部材を実施例１と同様に
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
【０２８８】
【表２４】
【０２８９】（実施例２０）本例では、光導電層と表面
層との間に、炭素原子の含有量を表面層より減らした中
間層（下部表面層）を設けた。表２５に、このときの電
子写真用光受容部材の作製条件を示した。他の点は実施
例１８と同様とした。
層との間に、炭素原子の含有量を表面層より減らした中
間層（下部表面層）を設けた。表２５に、このときの電
子写真用光受容部材の作製条件を示した。他の点は実施
例１８と同様とした。
【０２９０】本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、膜
中平均でそれぞれ５３ｍｅＶ、１．２×１０15ｃｍ-3で
あった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例
１８と同様の評価をしたところ実施例１８と同様に良好
な電子写真特性が得られた。
中平均でそれぞれ５３ｍｅＶ、１．２×１０15ｃｍ-3で
あった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例
１８と同様の評価をしたところ実施例１８と同様に良好
な電子写真特性が得られた。
【０２９１】すなわち、中間層（下部表面層）を設けた
場合においても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅ
Ｖ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０14ｃｍ-3以上
１×１０16ｃｍ-3未満の範囲にすることで良好な電子写
真特性が得られることがわかった。
場合においても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅ
Ｖ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０14ｃｍ-3以上
１×１０16ｃｍ-3未満の範囲にすることで良好な電子写
真特性が得られることがわかった。
【０２９２】作製された光受容部材を実施例１と同様に
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
【０２９３】
【表２５】
【０２９４】（実施例２１）本例では、実施例１８の表
面層に代えて、表面層のシリコンおよび炭素含有量を層
厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた。表２
６に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示
した。他の点は実施例１８と同様とした。
面層に代えて、表面層のシリコンおよび炭素含有量を層
厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設けた。表２
６に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示
した。他の点は実施例１８と同様とした。
【０２９５】本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、膜
中平均でそれぞれ５１ｍｅＶ、６．７×１０14ｃｍ-3で
あった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例
１８と同様の評価をしたところ実施例１８と同様に良好
な電子写真特性が得られた。
中平均でそれぞれ５１ｍｅＶ、６．７×１０14ｃｍ-3で
あった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例
１８と同様の評価をしたところ実施例１８と同様に良好
な電子写真特性が得られた。
【０２９６】すなわち、表面層のシリコンおよび炭素含
有量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設け
た場合においても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍ
ｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０14ｃｍ-3以
上１×１０16ｃｍ-3未満の範囲にすることで良好な電子
写真特性が得られることがわかった。
有量を層厚方向に不均一な分布状態とした表面層を設け
た場合においても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍ
ｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０14ｃｍ-3以
上１×１０16ｃｍ-3未満の範囲にすることで良好な電子
写真特性が得られることがわかった。
【０２９７】作製された光受容部材を実施例１と同様に
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
【０２９８】
【表２６】
【０２９９】（実施例２２）本例では、支持体と電荷注
入阻止層との間に、支持体からの反射光による干渉模様
の発生を防止するための光吸収層としてアモルファスシ
リコンゲルマニウムのＩＲ吸収層を設けた。表２７に、
このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例１８と同様とした。
入阻止層との間に、支持体からの反射光による干渉模様
の発生を防止するための光吸収層としてアモルファスシ
リコンゲルマニウムのＩＲ吸収層を設けた。表２７に、
このときの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。
他の点は実施例１８と同様とした。
【０３００】本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、膜
中平均でそれぞれ５８ｍｅＶ、４．２×１０15ｃｍ-3で
あった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例
１８と同様の評価をしたところ実施例１８と同様に良好
な電子写真特性が得られた。
中平均でそれぞれ５８ｍｅＶ、４．２×１０15ｃｍ-3で
あった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例
１８と同様の評価をしたところ実施例１８と同様に良好
な電子写真特性が得られた。
【０３０１】すなわち、支持体と電荷注入阻止層との間
に、支持体からの反射光による干渉模様の発生を防止す
るための光吸収層としてIR吸収層を設けた場合において
も、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍ
ｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０ 14ｃｍ-3以上１×１０16ｃ
ｍ-3未満の範囲にすることで良好な電子写真特性が得ら
れることがわかった。
に、支持体からの反射光による干渉模様の発生を防止す
るための光吸収層としてIR吸収層を設けた場合において
も、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍ
ｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０ 14ｃｍ-3以上１×１０16ｃ
ｍ-3未満の範囲にすることで良好な電子写真特性が得ら
れることがわかった。
【０３０２】作製された光受容部材を実施例１と同様に
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
【０３０３】
【表２７】
【０３０４】（実施例２３）本例では、実施例１８のＲ
Ｆ−ＰＣＶＤ法に代えて、図３に示すＶＨＦ−ＰＣＶＤ
法による電子写真用光受容部材の製造装置を用い、直径
１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー
上に、表２８に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、
表面層からなる光受容部材を作製した。その時、光導電
層作製条件を層厚方向で表２９に示すように連続的に変
化させた。また、光導電層作製条件の放電電力はＳｉＨ
4流量の３〜８倍までの電力で連続的に変化させて数種
類の光受容部材を作製した。その時の光導電層のＥｕと
ＤＯＳは光導電層の支持体側作製条件と中間部作製条件
と表面側作製条件の３点でのサンプルの値の単純平均を
とって膜中平均とした。
Ｆ−ＰＣＶＤ法に代えて、図３に示すＶＨＦ−ＰＣＶＤ
法による電子写真用光受容部材の製造装置を用い、直径
１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー
上に、表２８に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、
表面層からなる光受容部材を作製した。その時、光導電
層作製条件を層厚方向で表２９に示すように連続的に変
化させた。また、光導電層作製条件の放電電力はＳｉＨ
4流量の３〜８倍までの電力で連続的に変化させて数種
類の光受容部材を作製した。その時の光導電層のＥｕと
ＤＯＳは光導電層の支持体側作製条件と中間部作製条件
と表面側作製条件の３点でのサンプルの値の単純平均を
とって膜中平均とした。
【０３０５】さらに、表２９と同様の一定作製条件で、
直径１０８ｍｍ円筒形のサンプルホルダーに設置したガ
ラス基板（コーニング社 ７０５９）ならびにＳｉウェ
ハー上に数種類のａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガラス基板上
の堆積膜にはＡｌの串型電極を蒸着して、ＣＰＭにより
指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）と局在準位密度
（ＤＯＳ）を測定した。また、ＳｉウェハーはＦＴＩＲ
で含有水素量を測定した。他の点は実施例１８と同様と
した。
直径１０８ｍｍ円筒形のサンプルホルダーに設置したガ
ラス基板（コーニング社 ７０５９）ならびにＳｉウェ
ハー上に数種類のａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガラス基板上
の堆積膜にはＡｌの串型電極を蒸着して、ＣＰＭにより
指数関数裾の特性エネルギー（Ｅｕ）と局在準位密度
（ＤＯＳ）を測定した。また、ＳｉウェハーはＦＴＩＲ
で含有水素量を測定した。他の点は実施例１８と同様と
した。
【０３０６】作製した光受容部材は実施例１８と同様に
電子写真装置（キャノン製ＮＰ６１５０をテスト用に改
造）にセットして、帯電能の温度依存性（温度特性）、
強露光時の画像流れを評価した。
電子写真装置（キャノン製ＮＰ６１５０をテスト用に改
造）にセットして、帯電能の温度依存性（温度特性）、
強露光時の画像流れを評価した。
【０３０７】このときの、放電電力と支持体温度の関
係、Ｅｕ、ＤＯＳ．と温度特性、画像流れとの関係は実
施例１８と同様であり、良好な電子写真特性のためには
膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯ
Ｓが１×１０14ｃｍ-3以上１×１０16ｃｍ-3未満になる
様に層厚方向に連続的に変化させることが好ましいこと
がわかった。
係、Ｅｕ、ＤＯＳ．と温度特性、画像流れとの関係は実
施例１８と同様であり、良好な電子写真特性のためには
膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯ
Ｓが１×１０14ｃｍ-3以上１×１０16ｃｍ-3未満になる
様に層厚方向に連続的に変化させることが好ましいこと
がわかった。
【０３０８】作製された光受容部材を実施例１と同様に
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
【０３０９】
【表２８】
【０３１０】
【表２９】
【０３１１】（実施例２４）本例では、伝導性を制御す
る原子として、炭素原子の代わりに窒素原子を表面層中
に設けた。表３０に、このときの電子写真用光受容部材
の作製条件を示した。他の点は実施例２３と同様とし
た。
る原子として、炭素原子の代わりに窒素原子を表面層中
に設けた。表３０に、このときの電子写真用光受容部材
の作製条件を示した。他の点は実施例２３と同様とし
た。
【０３１２】本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、そ
れぞれ層支持体側（初期）にて、６２ｍｅＶ、５．８×
１０15ｃｍ-3、層中間部にて、５７ｍｅＶ、６．３×１
０14ｃｍ-3、層表面側にて４７ｍｅＶ、１．７×１０14
ｃｍ-3であり、膜中平均でそれぞれ５２ｍｅＶ、２．２
×１０15ｃｍ-3であった。また、作製した電子写真用光
受容部材を実施例１８と同様の評価をしたところ実施例
１８と同様に良好な電子写真特性が得られた。
れぞれ層支持体側（初期）にて、６２ｍｅＶ、５．８×
１０15ｃｍ-3、層中間部にて、５７ｍｅＶ、６．３×１
０14ｃｍ-3、層表面側にて４７ｍｅＶ、１．７×１０14
ｃｍ-3であり、膜中平均でそれぞれ５２ｍｅＶ、２．２
×１０15ｃｍ-3であった。また、作製した電子写真用光
受容部材を実施例１８と同様の評価をしたところ実施例
１８と同様に良好な電子写真特性が得られた。
【０３１３】すなわち、伝導性を制御する原子として、
炭素原子の代わりに窒素原子を表面層中に設けた場合に
おいても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上
６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０14ｃｍ-3以上１×１
０16ｃｍ-3未満の範囲にすることで良好な電子写真特性
が得られることがわかった。
炭素原子の代わりに窒素原子を表面層中に設けた場合に
おいても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上
６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０14ｃｍ-3以上１×１
０16ｃｍ-3未満の範囲にすることで良好な電子写真特性
が得られることがわかった。
【０３１４】作製された光受容部材を実施例１と同様に
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
【０３１５】
【表３０】
【０３１６】（実施例２５）本例では、電荷注入阻止層
は削除し、光導電層を、炭素原子を層厚方向に不均一な
分布状態で含有する第１の層領域と実質的に炭素原子を
含まない第２の層領域とで構成した。表３１に、このと
きの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。他の点
は実施例２２と同様とした。
は削除し、光導電層を、炭素原子を層厚方向に不均一な
分布状態で含有する第１の層領域と実質的に炭素原子を
含まない第２の層領域とで構成した。表３１に、このと
きの電子写真用光受容部材の作製条件を示した。他の点
は実施例２２と同様とした。
【０３１７】本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、膜
中平均でそれぞれ５６ｍｅＶ、１．３×１０15ｃｍ-3で
あった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例
１８と同様の評価をしたところ実施例１８と同様に良好
な電子写真特性が得られた。
中平均でそれぞれ５６ｍｅＶ、１．３×１０15ｃｍ-3で
あった。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例
１８と同様の評価をしたところ実施例１８と同様に良好
な電子写真特性が得られた。
【０３１８】すなわち、電荷注入阻止層は削除し、光導
電層を、炭素原子を層厚方向に不均一な分布状態で含有
する第１の層領域と実質的に炭素原子を含まない第２の
層領域とで構成した場合においても、光導電層が膜中平
均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１
×１０14ｃｍ-3以上１×１０16ｃｍ-3未満の範囲にする
ことで良好な電子写真特性が得られることがわかった。
電層を、炭素原子を層厚方向に不均一な分布状態で含有
する第１の層領域と実質的に炭素原子を含まない第２の
層領域とで構成した場合においても、光導電層が膜中平
均でＥｕが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１
×１０14ｃｍ-3以上１×１０16ｃｍ-3未満の範囲にする
ことで良好な電子写真特性が得られることがわかった。
【０３１９】作製された光受容部材を実施例１と同様に
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
【０３２０】
【表３１】
【０３２１】（実施例２６）本例では、光導電層と表面
層との間に、炭素原子の含有量を表面層より減らした中
間層（下部表面層）を設けると同時に、光導電層を、機
能分離化して、電荷輸送層と電荷発生層の２層化をはか
り設けた。表３２に、このときの電子写真用光受容部材
の作製条件を示した。他の点は実施例２２と同様とし
た。
層との間に、炭素原子の含有量を表面層より減らした中
間層（下部表面層）を設けると同時に、光導電層を、機
能分離化して、電荷輸送層と電荷発生層の２層化をはか
り設けた。表３２に、このときの電子写真用光受容部材
の作製条件を示した。他の点は実施例２２と同様とし
た。
【０３２２】本例では、光導電層のＥｕとＤＯＳは、膜
中平均でそれぞれ５７ｍｅＶ、３×１０15ｃｍ-3であっ
た。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例１８
と同様の評価をしたところ実施例１８と同様に良好な電
子写真特性が得られた。
中平均でそれぞれ５７ｍｅＶ、３×１０15ｃｍ-3であっ
た。また、作製した電子写真用光受容部材を実施例１８
と同様の評価をしたところ実施例１８と同様に良好な電
子写真特性が得られた。
【０３２３】すなわち、光導電層と表面層との間に、炭
素原子の含有量を表面層より減らした中間層（下部表面
層）を設けると同時に、光導電層を、機能分離化して、
電荷輸送層と電荷発生層の２層化をはかり設けた場合に
おいても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上
６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０14ｃｍ-3以上１×１
０16ｃｍ-3未満の範囲にすることで良好な電子写真特性
が得られることがわかった。
素原子の含有量を表面層より減らした中間層（下部表面
層）を設けると同時に、光導電層を、機能分離化して、
電荷輸送層と電荷発生層の２層化をはかり設けた場合に
おいても、光導電層が膜中平均でＥｕが５０ｍｅＶ以上
６０ｍｅＶ以下、ＤＯＳが１×１０14ｃｍ-3以上１×１
０16ｃｍ-3未満の範囲にすることで良好な電子写真特性
が得られることがわかった。
【０３２４】作製された光受容部材を実施例１と同様に
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
キヤノン社製ＮＰ６１５０をテスト用に改造した電子写
真装置にセットして、帯電、露光、現像、転写、クリー
ニングを１プロセスとする画像形成をしたところ、極め
て良好な画像を得ることができた。
【０３２５】
【表３２】
【０３２６】
【発明の効果】本発明によれば、電子写真用光受容部材
の使用温度領域での温度特性が飛躍的に改善され、同時
に光メモリーの発生を抑制することができるために、電
子写真用光受容部材の使用環境に対する安定性が向上
し、ハーフトーンが鮮明に出てかつ解像力の高い高品質
の画像を安定して得ることができる電子写真用光受容部
材が得られる。
の使用温度領域での温度特性が飛躍的に改善され、同時
に光メモリーの発生を抑制することができるために、電
子写真用光受容部材の使用環境に対する安定性が向上
し、ハーフトーンが鮮明に出てかつ解像力の高い高品質
の画像を安定して得ることができる電子写真用光受容部
材が得られる。
【０３２７】また、本発明によれば、電子写真用光受容
部材の使用温度領域での温度特性が飛躍的に改善され、
同時に光メモリーの低減と光感度の向上を達成すること
ができるために、電子写真用光受容部材の使用環境に対
する安定性が向上し、ハーフトーンが鮮明に出てかつ解
像力の高い高品質の画像を安定して得ることができる電
子写真用光受容部材が得られる。
部材の使用温度領域での温度特性が飛躍的に改善され、
同時に光メモリーの低減と光感度の向上を達成すること
ができるために、電子写真用光受容部材の使用環境に対
する安定性が向上し、ハーフトーンが鮮明に出てかつ解
像力の高い高品質の画像を安定して得ることができる電
子写真用光受容部材が得られる。
【０３２８】また、本発明によれば、Ｓｉ−Ｈ2結合と
Ｓｉ−Ｈ結合に起因する吸収ピークの吸収強度比を更に
特定することにより、光受容部材の面内でのキャリアの
走行性が均一化され、その結果、ハーフトーン画像にお
ける微細な濃度差いわゆるガサツキを一層低減すること
ができる電子写真用光受容部材が得られる。
Ｓｉ−Ｈ結合に起因する吸収ピークの吸収強度比を更に
特定することにより、光受容部材の面内でのキャリアの
走行性が均一化され、その結果、ハーフトーン画像にお
ける微細な濃度差いわゆるガサツキを一層低減すること
ができる電子写真用光受容部材が得られる。
【０３２９】したがって、本発明の電子写真用光受容部
材を前述のごとき特定の構成としたことにより、ａ−Ｓ
ｉで構成された従来の電子写真用光受容部材における諸
問題をすべて解決することができ、特にきわめて優れた
電気的特性、光学的特性、光導電的特性、画像特性、耐
久性及び使用環境特性を示す。
材を前述のごとき特定の構成としたことにより、ａ−Ｓ
ｉで構成された従来の電子写真用光受容部材における諸
問題をすべて解決することができ、特にきわめて優れた
電気的特性、光学的特性、光導電的特性、画像特性、耐
久性及び使用環境特性を示す。
【０３３０】特に本発明の光受容部材は、光導電層をそ
のギャップ準位を格段に減少せしめたａ−Ｓｉで構成す
ることによって、周囲環境の変動に対する表面電位の変
化が抑制され、加えて光疲労や光メモリーの発生が実質
的に無視し得るほどになく、極めて優れた電位特性、画
像特性を有する。
のギャップ準位を格段に減少せしめたａ−Ｓｉで構成す
ることによって、周囲環境の変動に対する表面電位の変
化が抑制され、加えて光疲労や光メモリーの発生が実質
的に無視し得るほどになく、極めて優れた電位特性、画
像特性を有する。
【０３３１】更に本発明の光受容部材は、光導電層をそ
のギャップ内準位を格段に減少せしめたａ−Ｓｉを連続
的に分布した構成にすることによって、周囲環境の変動
に対する表面電位の変化が抑制され、加えて強露光時の
画像流れが実質的に無視し得るほどに改善され、極めて
優れた電位特性、画像特性を有する。
のギャップ内準位を格段に減少せしめたａ−Ｓｉを連続
的に分布した構成にすることによって、周囲環境の変動
に対する表面電位の変化が抑制され、加えて強露光時の
画像流れが実質的に無視し得るほどに改善され、極めて
優れた電位特性、画像特性を有する。
【０３３２】以上説明したように、ＥｕとＤＯＳの規定
は構造的な乱れ具合と欠陥の数とを規定している。これ
によってトラップされたキャリアによって生じる問題点
を解決できる。なお、本発明は発明の主旨の範囲内で適
宜変形、組合せが可能であることはいうまでもない。
は構造的な乱れ具合と欠陥の数とを規定している。これ
によってトラップされたキャリアによって生じる問題点
を解決できる。なお、本発明は発明の主旨の範囲内で適
宜変形、組合せが可能であることはいうまでもない。
【図１】電子写真用光受容部材の好適な実施態様例の層
構成の一例を説明するための模式的層構成図である。
構成の一例を説明するための模式的層構成図である。
【図２】電子写真用光受容部材の光受容層を形成するた
めの装置の一例で、ＲＦ帯の高周波を用いたグロー放電
法による電子写真用光受容部材の製造装置の模式的説明
図である。
めの装置の一例で、ＲＦ帯の高周波を用いたグロー放電
法による電子写真用光受容部材の製造装置の模式的説明
図である。
【図３】電子写真用光受容部材の光受容層を形成するた
めの装置の一例で、ＶＨＦ帯の高周波を用いたグロー放
電法による電子写真用光受容部材の製造装置の模式的説
明図である。
めの装置の一例で、ＶＨＦ帯の高周波を用いたグロー放
電法による電子写真用光受容部材の製造装置の模式的説
明図である。
【図４】電子写真用光受容部材における光導電層のアー
バックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と温度特性との
関係を示す図である。
バックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と温度特性との
関係を示す図である。
【図５】電子写真用光受容部材における光導電層の局在
状態密度（ＤＯＳ）と光メモリーとの関係を示す図であ
る。
状態密度（ＤＯＳ）と光メモリーとの関係を示す図であ
る。
【図６】電子写真用光受容部材における光導電層の局在
状態密度（ＤＯＳ）と画像流れとの関係を示す図であ
る。
状態密度（ＤＯＳ）と画像流れとの関係を示す図であ
る。
【図７】電子写真用光受容部材における光導電層のＳｉ
−Ｈ2結合とＳｉ−Ｈ結合の吸収ピーク強度比とハーフ
トーン濃度ムラ（ガサツキ）との関係を示す図である。
−Ｈ2結合とＳｉ−Ｈ結合の吸収ピーク強度比とハーフ
トーン濃度ムラ（ガサツキ）との関係を示す図である。
【図８】電子写真用光受容部材における光導電層の層厚
方向位置とアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）
との関係を示す図である。
方向位置とアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）
との関係を示す図である。
【図９】電子写真用光受容部材における光導電層の層厚
方向位置と局在状態密度（ＤＯＳ）との関係を示す図で
ある。
方向位置と局在状態密度（ＤＯＳ）との関係を示す図で
ある。
【図１０】電子写真用光受容部材における光導電層のア
ーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と温度特性と
の関係を示す図である。
ーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と温度特性と
の関係を示す図である。
【図１１】電子写真用光受容部材における光導電層の局
在状態密度（ＤＯＳ）と温度特性との関係を示す図であ
る。
在状態密度（ＤＯＳ）と温度特性との関係を示す図であ
る。
【図１２】電子写真用光受容部材における光導電層のア
ーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と露光メモリ
ー評価ランクとの関係を示す図である。
ーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と露光メモリ
ー評価ランクとの関係を示す図である。
【図１３】電子写真用光受容部材における光導電層の局
在状態密度（ＤＯＳ）と露光メモリー評価ランクとの関
係を示す図である。
在状態密度（ＤＯＳ）と露光メモリー評価ランクとの関
係を示す図である。
【図１４】電子写真用光受容部材における光導電層のア
ーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と感度評価ラ
ンクとの関係を示す図である。
ーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と感度評価ラ
ンクとの関係を示す図である。
【図１５】電子写真用光受容部材における光導電層の局
在状態密度（ＤＯＳ）と感度評価ランクとの関係を示す
図である。
在状態密度（ＤＯＳ）と感度評価ランクとの関係を示す
図である。
【図１６】電子写真用光受容部材における光導電層のア
ーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と温度特性と
の関係を示す図である。
ーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と温度特性と
の関係を示す図である。
【図１７】電子写真用光受容部材における光導電層の局
在状態密度（ＤＯＳ）と温度特性との関係を示す図であ
る。
在状態密度（ＤＯＳ）と温度特性との関係を示す図であ
る。
【図１８】電子写真用光受容部材における光導電層のア
ーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と露光メモリ
ー評価ランクとの関係を示す図である。
ーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と露光メモリ
ー評価ランクとの関係を示す図である。
【図１９】電子写真用光受容部材における光導電層の局
在状態密度（ＤＯＳ）と露光メモリー評価ランクとの関
係を示す図である。
在状態密度（ＤＯＳ）と露光メモリー評価ランクとの関
係を示す図である。
【図２０】電子写真用光受容部材における光導電層のア
ーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と感度評価ラ
ンクとの関係を示す図である。
ーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と感度評価ラ
ンクとの関係を示す図である。
【図２１】電子写真用光受容部材における光導電層の局
在状態密度（ＤＯＳ）と感度評価ランクとの関係を示す
図である。
在状態密度（ＤＯＳ）と感度評価ランクとの関係を示す
図である。
【図２２】電子写真用光受容部材における光導電層の層
厚方向位置とアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅ
ｕ）との関係を示す図である。
厚方向位置とアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅ
ｕ）との関係を示す図である。
【図２３】電子写真用光受容部材における光導電層の層
厚方向位置と局在状態密度（ＤＯＳ）との関係を示す図
である。
厚方向位置と局在状態密度（ＤＯＳ）との関係を示す図
である。
【図２４】電子写真用光受容部材における光導電層のア
ーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と温度特性と
の関係を示す図である。
ーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と温度特性と
の関係を示す図である。
【図２５】電子写真用光受容部材における光導電層の局
在状態密度（ＤＯＳ）と温度特性との関係を示す図であ
る。
在状態密度（ＤＯＳ）と温度特性との関係を示す図であ
る。
【図２６】電子写真用光受容部材における光導電層のア
ーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と強露光時の
画像流れとの関係を示す図である。
ーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と強露光時の
画像流れとの関係を示す図である。
【図２７】電子写真用光受容部材における光導電層の局
在状態密度（ＤＯＳ）と強露光時の画像流れとの関係を
示す図である。
在状態密度（ＤＯＳ）と強露光時の画像流れとの関係を
示す図である。
【図２８】電子写真用光受容部材における光導電層のア
ーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と温度特性と
の関係を示す図である。
ーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と温度特性と
の関係を示す図である。
【図２９】電子写真用光受容部材における光導電層の局
在状態密度（ＤＯＳ）と温度特性との関係を示す図であ
る。
在状態密度（ＤＯＳ）と温度特性との関係を示す図であ
る。
【図３０】電子写真用光受容部材における光導電層のア
ーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と強露光時の
画像流れとの関係を示す図である。
ーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と強露光時の
画像流れとの関係を示す図である。
【図３１】電子写真用光受容部材における光導電層の局
在状態密度（ＤＯＳ）と強露光時の画像流れとの関係を
示す図である。
在状態密度（ＤＯＳ）と強露光時の画像流れとの関係を
示す図である。
１００ 光受容部材、 １０１ 導電性支持体、 １０２ 光受容層、 １０３ 光導電層、 １０４ 表面層、 １０５ 電荷注入阻止層、 １０６ 電荷発生層、 １０７ 電荷輸送層、 １１０ 自由表面、 ２１００、３１００ 堆積装置、 ２１１１、３１１１ 反応容器、 ２１１２、３１１２ 円筒状支持体、 ２１１３、３１１３ 支持体加熱用ヒーター、 ２１１４ 原料ガス導入管、 ２１１５、３１１６ マッチングボックス、 ２１１６ 原料ガス配管、 ２１１７ 反応容器リークバルブ、 ２１１８ メイン排気バルブ、 ２１１９ 真空計、 ２２００ 原料ガス供給装置、 ２２１１〜２２１６ マスフローコントローラー、 ２２２１〜２２２６ 原料ガスボンベ、 ２２３１〜２２３６ 原料ガスボンベバルブ、 ２２４１〜２２４６ ガス流入バルブ、 ２２５１〜２２５６ ガス流出バルブ、 ２２６１〜２２６６ 圧力調整器、 ３１１５ 電極、 ３１２０ 支持体回転用モーター、 ３１２１ 排気管、 ３１３０ 放電空間。
Claims (19)
- 【請求項１】 導電性支持体と、該導電性支持体の表面
上に、シリコン原子を母体として水素原子及び／または
ハロゲン原子を含有する非単結晶材料の光導電性を示す
光導電層を有する光受容層とを少なくとも有する電子写
真用光受容部材において、該光導電層が１０〜３０原子
％の水素を含有し、該光導電層の少なくとも光の入射す
る部分における光吸収スペクトルから得られる指数関数
裾の特性エネルギーが５０ｍｅＶ以上６０ｍｅＶ以下で
あり、かつ該光導電層における局在状態密度が１×１０
14ｃｍ-3以上１×１０16ｃｍ-3未満であることを特徴と
する電子写真用光受容部材。 - 【請求項２】 前記光導電層中に、周期律表第IIIｂ族
または第Ｖｂ族に属する元素の少なくとも一つを含むこ
とを特徴とする請求項１に記載の電子写真用光受容部
材。 - 【請求項３】 前記光導電層中に炭素、酸素、窒素の少
なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１または２
に記載の電子写真用光受容部材。 - 【請求項４】 前記光受容層が、シリコン原子を母体と
する非単結晶材料から成る光導電層と、該光導電層の表
面上に設けた、炭素、酸素、窒素の少なくとも一つを含
むシリコン系非単結晶材料の表面層とから構成されるこ
とを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
電子写真用光受容部材。 - 【請求項５】 前記光受容層が、シリコン原子を母体と
し炭素、酸素、窒素の少なくとも一つ及び周期律表第II
Iｂ族または第Ｖｂ族から選ばれる元素の少なくとも一
つを含む非単結晶材料の電荷注入阻止層と、該電荷注入
阻止層の表面上に設けた、シリコン原子を母体とする非
単結晶材料から成る光導電層と、該光導電層の表面上に
設けた、炭素、酸素、窒素の少なくとも一つを含むシリ
コン系非単結晶材料の表面層とから構成されることを特
徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子写
真用光受容部材。 - 【請求項６】 前記光導電層の層厚が２０〜５０μｍで
ある請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子写真用
光受容部材。 - 【請求項７】 前記表面層の層厚が０．０１〜３μｍで
あることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項に
記載の電子写真用光受容部材。 - 【請求項８】 前記電荷注入阻止層の層厚が０．１〜５
μｍであることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか
１項に記載の電子写真用光受容部材。 - 【請求項９】 該光導電層の赤外吸収スペクトルから得
られるＳｉ−Ｈ2結合とＳｉ−Ｈ結合の吸収ピーク強度
比が０．１〜０．５である請求項１乃至８のいずれか１
項に記載の電子写真用光受容部材。 - 【請求項１０】 前記光導電層中に、周期律表第IIIｂ
族または第Ｖｂ族に属する元素の少なくとも一つを含む
ことを特徴とする請求項９に記載の電子写真用光受容部
材。 - 【請求項１１】 前記光導電層中に炭素、酸素、窒素の
少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項９または
１０に記載の電子写真用光受容部材。 - 【請求項１２】 前記光受容層が、シリコン原子を母体
とする非単結晶材料から成る光導電層と、該光導電層の
表面上に設けた、炭素、酸素、窒素の少なくとも一つを
含むシリコン系非単結晶材料の表面層とから構成される
ことを特徴とする請求項９乃至１１のいずれか１項に記
載の電子写真用光受容部材。 - 【請求項１３】 前記光受容層が、シリコン原子を母体
とし炭素、酸素、窒素の少なくとも一つ及び周期律表第
IIIｂ族または第Ｖｂ族から選ばれる元素の少なくとも
一つを含む非単結晶材料の電荷注入阻止層と、該電荷注
入阻止層の表面上に設けた、シリコン原子を母体とする
非単結晶材料から成る光導電層と、該光導電層の表面上
に設けた、炭素、酸素、窒素の少なくとも一つを含むシ
リコン系非単結晶材料の表面層とから構成されることを
特徴とする請求項９乃至１１のいずれか１項に記載の電
子写真用光受容部材。 - 【請求項１４】 前記光導電層の層厚が２０〜５０μｍ
である請求項９乃至１３のいずれか１項に記載の電子写
真用光受容部材。 - 【請求項１５】 前記表面層の層厚が０．０１〜３μｍ
であることを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか
１項に記載の電子写真用光受容部材。 - 【請求項１６】 前記電荷注入阻止層の層厚が０．１〜
５μｍであることを特徴とする請求項１３乃至１５のい
ずれか１項に記載の電子写真用光受容部材。 - 【請求項１７】 前記特性エネルギー及び局在状態密度
が層厚方向に変化している請求項１乃至１６のいずれか
１項に記載の電子写真用光受容部材。 - 【請求項１８】 前記特性エネルギー及び局在状態密度
が支持体側から表面側に向かって連続的に増加している
請求項１７に記載の電子写真用光受容部材。 - 【請求項１９】 前記特性エネルギー及び局在状態密度
が支持体側から表面側に向かって連続的に減少している
請求項１７に記載の電子写真用光受容部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10280095A JP3606395B2 (ja) | 1994-04-27 | 1995-04-26 | 電子写真用光受容部材 |
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-89053 | 1994-04-27 | ||
| JP8905494 | 1994-04-27 | ||
| JP6-89052 | 1994-04-27 | ||
| JP8905294 | 1994-04-27 | ||
| JP6-89054 | 1994-04-27 | ||
| JP8905394 | 1994-04-27 | ||
| JP10280095A JP3606395B2 (ja) | 1994-04-27 | 1995-04-26 | 電子写真用光受容部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0815882A true JPH0815882A (ja) | 1996-01-19 |
| JP3606395B2 JP3606395B2 (ja) | 2005-01-05 |
Family
ID=27467590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10280095A Expired - Fee Related JP3606395B2 (ja) | 1994-04-27 | 1995-04-26 | 電子写真用光受容部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3606395B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6122467A (en) * | 1998-05-14 | 2000-09-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus using an amorphous silicon photosensitive member having a thin cylinder |
| US7033717B2 (en) | 2002-08-02 | 2006-04-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing electrophotographic photosensitive member, and electrophotographic photosensitive member and electrophotographic apparatus making use of the same |
| US7033721B2 (en) | 2002-08-02 | 2006-04-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for producing electrophotographic photosensitive member, electrophotographic photosensitive member and electrophotographic apparatus using the same |
-
1995
- 1995-04-26 JP JP10280095A patent/JP3606395B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6122467A (en) * | 1998-05-14 | 2000-09-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus using an amorphous silicon photosensitive member having a thin cylinder |
| US7033717B2 (en) | 2002-08-02 | 2006-04-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing electrophotographic photosensitive member, and electrophotographic photosensitive member and electrophotographic apparatus making use of the same |
| US7033721B2 (en) | 2002-08-02 | 2006-04-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for producing electrophotographic photosensitive member, electrophotographic photosensitive member and electrophotographic apparatus using the same |
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| Publication number | Publication date |
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| JP3606395B2 (ja) | 2005-01-05 |
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